Semiconductor device and method of manufacturing the same
Номер патента: US20110241107A1
Опубликовано: 06-10-2011
Автор(ы): Jin Yul Lee
Принадлежит: Hynix Semiconductor Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 06-10-2011
Автор(ы): Jin Yul Lee
Принадлежит: Hynix Semiconductor Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor device having gate electrode with multi-layers and electronic system including the same
Номер патента: US11937431B2. Автор: SANGHOON Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-19.