Polymerizable self-assembled monolayers for use in atomic layer deposition.

Polymerizable self-assembled monolayers for use in atomic layer deposition

Номер патента: GB202016154D0
Опубликовано: 25-11-2020
Автор(ы):
Принадлежит: International Business Machines Corp

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Polymerizable self-assembled monolayers for use in atomic layer deposition

Номер патента: GB2591002A. Автор: WOJTECKI Rudy,Anuja De Silva Ekmini,Frederick Fine Nathel Noah. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-07-14.

POLYMERIZABLE SELF-ASSEMBLED MONOLAYERS FOR USE IN ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20190322812A1. Автор: Wojtecki Rudy J.,De Silva Ekmini A.,Fine Nathel Noah F.. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-24.

Self-assembled monolayer forming composition for fine phase separation pattern formation

Номер патента: JP7070434B2. Автор: 力丸坂本,浩之若山,龍太水落,安信染谷. Владелец: Nissan Chemical Corp. Дата публикации: 2022-05-18.

Self-assembled monolayer removing liquid, and substrate treating method and substrate treating apparatus using the same

Номер патента: US20240002757A1. Автор: Yukifumi Yoshida,Yasuharu Miyamoto. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Methods of wet etching a self-assembled monolayer patterned substrate and metal patterned articles

Номер патента: EP2446067A1. Автор: Matthew H. Frey,Lijun Zu,Myungchan Kang,Jeffrey H. Tokie. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2012-05-02.

Advanced precursors for selective atomic layer deposition using self-assembled monolayers

Номер патента: US20220136106A1. Автор: Stacey F. Bent,Il-Kwon Oh. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2022-05-05.

Selective self-assembled monolayers via spin-coating method for use in dsa

Номер патента: EP4399197A1. Автор: Durairaj Baskaran,Sachin BOBADE. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2024-07-17.

Synthesis method for a compound used to form a self-assembled monolayer, compound for forming a self-assembled monolayer, and layer structure for a semiconductor component

Номер патента: US20060160272A1. Автор: Guenter Schmid,Markus Schuetz,Franz Effenberger,Marcus Halik,Hagen Klauk,Ute Zschieschang,Steffen Maisch,Steffen Seifritz,Stefan Holberg. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-07-20.

Selective placement of carbon nanotubes via coulombic attraction of oppositely charged carbon nanotubes and self-assembled monolayers

Номер патента: US09884827B2. Автор: Ali Afzali-Ardakani,George S. Tulevski,Hongsik Park. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Selective placement of carbon nanotubes via coulombic attraction of oppositely charged carbon nanotubes and self-assembled monolayers

Номер патента: US09643926B2. Автор: Ali Afzali-Ardakani,George S. Tulevski,Hongsik Park. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Apparatus and methods for self-assembled monolayer (sam) deposition in semiconductor equipment

Номер патента: EP4457856A1. Автор: Yongjin Kim,Kevin Kashefi,Carmen Leal Cervantes,Mark Joseph Saly,Joel Minster HUSTON,Michael Lee MCSWINEY,Drew William PHILLIPS. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-11-06.

Methods for selective deposition using self-assembled monolayers

Номер патента: US20240352577A1. Автор: CHANG Ke,Wenyu ZHANG,Liqi Wu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Methods for selective deposition using self-assembled monolayers

Номер патента: US12024770B2. Автор: CHANG Ke,Wenyu ZHANG,Liqi Wu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Chemical delivery chamber for self-assembled monolayer processes

Номер патента: EP3449500A1. Автор: Qiwei Liang,Srinivas D. Nemani,Ludovic Godet,Adib Khan,Tobin Kaufman-Osborn. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-03-06.

Improved self-assembled monolayer blocking with intermittent air-water exposure

Номер патента: EP4358119A3. Автор: Tobin Kaufman-Osborn,Keith Tatseun WONG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-31.

Methods and apparatus for in-situ cleaning of copper surfaces and deposition and removal of self-assembled monolayers

Номер патента: WO2017040722A1. Автор: Ranga Rao Arnepalli,Robert Jan Visser,Prerna Goradia. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2017-03-09.

Self-assembled monolayers of phosphonic acids as dielectric surfaces for high-performance organic thin film transistors

Номер патента: US09701698B2. Автор: Qian Miao,Danqing Liu,Zikai He. Владелец: Chinese University of Hong Kong CUHK. Дата публикации: 2017-07-11.

Methods and apparatus for in-situ cleaning of copper surfaces and deposition and removal of self-assembled monolayers

Номер патента: US09673042B2. Автор: Ranga Rao Arnepalli,Robert Jan Visser,Prerna Goradia. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Improved self-assembled monolayer blocking with intermittent air-water exposure

Номер патента: EP4358119A2. Автор: Tobin Kaufman-Osborn,Keith Tatseun WONG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-04-24.

Methods for preparing self-assembled monolayers

Номер патента: US11749523B2. Автор: Elina Färm. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-09-05.

Methods for preparing self-assembled monolayers

Номер патента: US20190019674A1. Автор: Elina Färm. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2019-01-17.

Self-assembled monolayers of phosphonic acids as dielectric surfaces for high-performance organic thin film transistors

Номер патента: US20150364684A1. Автор: Qian Miao,Danqing Liu,Zikai He. Владелец: Chinese University of Hong Kong CUHK. Дата публикации: 2015-12-17.

Selective film formation using a self-assembled monolayer

Номер патента: US20230009688A1. Автор: Robert D. Clark,Gerrit Leusink,Lior HULI,Dina H. Triyoso,Corey Lemley. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Apparatus for forming self-assembled monolayers

Номер патента: US20210134591A1. Автор: Elina Färm. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2021-05-06.

Methods for preparing self-assembled monolayers

Номер патента: US20230042093A1. Автор: Elina Färm. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-02-09.

Removal of high-dose ion-implanted photoresist using self-assembled monolayers in solvent systems

Номер патента: WO2006113222A3. Автор: Thomas H Baum,Michael B Korzenski,Pamela M Visintin. Владелец: Pamela M Visintin. Дата публикации: 2007-11-08.

Removal of high-dose ion-implanted photoresist using self-assembled monolayers in solvent systems

Номер патента: CN101198683A. Автор: 托马斯·H·鲍姆,迈克尔·B·克赞斯基,帕梅拉·M·维辛廷. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2008-06-11.

Removal of high-dose ion-implanted photoresist using self assembled monolayers in solvent systems

Номер патента: SG161280A1. Автор: Thomas H Baum,Michael B Korzenski,Pamela M Visintin. Владелец: Advanced Tech Materials. Дата публикации: 2010-05-27.

Self-assembled monolayer directed patterning of surfaces

Номер патента: WO1997007429A1. Автор: George M. Whitesides,Milan Mrksich,Paul G. Clem,Noo-Li Jeon,Ralph G. Nuzzo,David A. Payne,Younan Xia. Владелец: President and Fellows of Harvard College. Дата публикации: 1997-02-27.

Self-assembled monolayer directed patterning of surfaces

Номер патента: US6518168B1. Автор: George M. Whitesides,Milan Mrksich,Paul G. Clem,Noo-Li Jeon,Ralph G. Nuzzo,David A. Payne,Younan Xia. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2003-02-11.

Compound used to form a self-assembled monolayer, layer structure, semiconductor component having a layer structure, and method for producing a layer structure

Номер патента: KR100777853B1. Автор: 귄터 슈미트,프랑크 부켈,하겐 클라우크,마르쿠스 할릭,우테 치샹,프란츠 에펜베르거,마르쿠스 쉬츠,스테펜 마이슈,스테펜 자이프리츠. Владелец: 인피니언 테크놀로지스 아게. Дата публикации: 2007-11-28.

Compound used to form a self-assembled monolayer, layer structure, semiconductor component having a layer structure, and method for producing a layer structure

Номер патента: WO2004114371A3. Автор: Guenter Schmid,Frank Buckel,Markus Schuetz,Franz Effenberger,Marcus Halik,Hagen Klauk,Ute Zschieschang,Steffen Maisch,Steffen Seifritz. Владелец: Steffen Seifritz. Дата публикации: 2005-03-31.

Self-assembled monolayer directed patterning of surfaces

Номер патента: AU6774996A. Автор: George M. Whitesides,Milan Mrksich,Paul G. Clem,Noo-Li Jeon,Ralph G. Nuzzo,David A. Payne,Younan Xia. Владелец: Harvard College. Дата публикации: 1997-03-12.

Surface modification of polymers with self-assembled monolayers that promote adhesion, outgrowth and differentiation of biological cells

Номер патента: US5721131A. Автор: Chih-Chang Chu,David A. Stenger,Alan S. Rudolph,Barry J. Spargo,Jacque Georger. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 1998-02-24.

Compound used to form a self-assembled monolayer, layer structure, semiconductor component having a layer structure, and method for producing a layer structure

Номер патента: WO2004114371A2. Автор: Günter Schmid,Frank Buckel,Franz Effenberger,Markus Schütz,Marcus Halik,Hagen Klauk,Ute Zschieschang,Steffen Maisch,Steffen Seifritz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-12-29.

Compound used to form a self-assembled monolayer, layer structure, semiconductor component having a layer structure, and method for producing a layer structure

Номер патента: US20060175603A1. Автор: Guenter Schmid,Frank Buckel,Markus Schuetz,Franz Effenberger,Marcus Halik,Hagen Klauk,Ute Zschieschang,Steffen Maisch,Steffen Seifritz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-08-10.

Structures and methods for use in photolithography

Номер патента: US12055863B2. Автор: David Kurt De Roest,Daniele Piumi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-08-06.

Selective atomic layer deposition (ald) of protective caps to enhance extreme ultra-violet (euv) etch resistance

Номер патента: US20190393035A1. Автор: Lior HULI,Soo Doo Chae,David O'Meara,Wan Jae Park. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-12-26.

Selective atomic layer deposition (ALD) of protective caps to enhance extreme ultra-violet (EUV) etch resistance

Номер патента: US10770294B2. Автор: Lior HULI,Soo Doo Chae,David O'Meara,Wan Jae Park. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-09-08.

Structures and methods for use in photolithography

Номер патента: US20220019149A1. Автор: David Kurt De Roest,Daniele Piumi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2022-01-20.

Structures and methods for use in photolithography

Номер патента: US20230259043A1. Автор: David Kurt De Roest,Daniele Piumi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-08-17.

Mask and Reticle Protection with Atomic Layer Deposition (ALD)

Номер патента: US20220197131A1. Автор: Birol Kuyel. Владелец: Nano Master Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Method for globally adjusting spacer critical dimension using photo-active self-assembled monolayer

Номер патента: US20200103755A1. Автор: David L. O'Meara,Hoyoung Kang,Richard Farrell. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Composition for atomic layer deposition of high quality silicon oxide thin films

Номер патента: EP4288579A1. Автор: XINJIAN LEI,Haripin Chandra,Steven G. Mayorga. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2023-12-13.

Composition for atomic layer deposition of high quality silicon oxide thin films

Номер патента: US20240158915A1. Автор: XINJIAN LEI,Haripin Chandra,Steven G. Mayorga. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-05-16.

Atomic layer deposition with nitridation and oxidation

Номер патента: US20070059945A1. Автор: Nima Mohklesi. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2007-03-15.

Layered structure with high dielectric constant for use with active matrix backplanes

Номер патента: US11921394B2. Автор: Cristina Visani. Владелец: Nuclera Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Layered structure with high dielectric constant for use with active matrix backplanes

Номер патента: EP3963396A1. Автор: Teck Ping SIM,Kenneth R. Crounse,Stephen J. Telfer,Kosta Ladavac,Timothy J. O'malley,Cristina Visani. Владелец: E Ink Corp. Дата публикации: 2022-03-09.

Layered structure with high dielectric constant for use with active matrix backplanes

Номер патента: US20220390806A1. Автор: Cristina Visani. Владелец: Nuclera Nucleics Ltd. Дата публикации: 2022-12-08.

Layered structure with high dielectric constant for use with active matrix backplanes

Номер патента: US20240201556A1. Автор: Cristina Visani. Владелец: Nuclera Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Methods for coating a substrate with magnesium fluoride via atomic layer deposition

Номер патента: US20240247368A1. Автор: Hoon Kim,Jue Wang,Ming-Huang Huang. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Barrier films for plastic substrates fabricated by atomic layer deposition

Номер патента: EP1629543A1. Автор: Peter Francis Carcia,Robert Scott Mclean. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2006-03-01.

Methods for coating a substrate with magnesium fluoride via atomic layer deposition

Номер патента: US11952659B2. Автор: Hoon Kim,Jue Wang,Ming-Huang Huang. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Methods for coating a substrate with magnesium fluoride via atomic layer deposition

Номер патента: EP4004254A1. Автор: Hoon Kim,Jue Wang,Ming-Huang Huang. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2022-06-01.

Method of applying atomic layer deposition coatings onto porous non-ceramic substrates

Номер патента: US8859040B2. Автор: Bill H. Dodge. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2014-10-14.

Method for optimizing atomic layer deposition

Номер патента: CN113005424B. Автор: 邓仕杰,黄如慧. Владелец: BenQ Materials Corp. Дата публикации: 2022-05-06.

A method to optimize atomic layer deposition

Номер патента: TW202125580A. Автор: 鄧仕傑,黃如慧. Владелец: 明基材料股份有限公司. Дата публикации: 2021-07-01.

Methods of wet etching a self-assembled monolayer patterned substrate and metal patterned articles

Номер патента: US20120082825A1. Автор: Matthew H. Frey,Lijun Zu,Myungchan Kang,Jeffrey H. Tokie. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2012-04-05.

Nanoparticles pre-functionalised using a self-assembled monolayer and method for preparing same

Номер патента: US20240173429A1. Автор: Malcolm Buckle,Claude NOGUES,Stéphanie VIAL. Владелец: Ecole Normale Superieure de Paris Saclay. Дата публикации: 2024-05-30.

Self-assembled monolayers and methods for using the same in biosensing applications

Номер патента: US9829487B2. Автор: Thomas Fisher,Rebecca Y. Lai,Patrick H. Dussault,Anita J. Zaitouna. Владелец: NuTech Ventures Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Self-assembled monolayers and methods for using the same in biosensing applications

Номер патента: US20120315625A1. Автор: Thomas Fisher,Rebecca Y. Lai,Patrick H. Dussault,Anita J. Zaitouna. Владелец: University of Nebraska. Дата публикации: 2012-12-13.

Self-assembled monolayers and methods for using the same in biosensing applications

Номер патента: US20160047803A1. Автор: Thomas Fisher,Rebecca Y. Lai,Patrick H. Dussault,Anita J. Zaitouna. Владелец: NuTech Ventures Inc. Дата публикации: 2016-02-18.

Self-assembled monolayers and methods for using the same in biosensing applications

Номер патента: US9079835B2. Автор: Thomas Fisher,Rebecca Y. Lai,Patrick H. Dussault,Anita J. Zaitouna. Владелец: NuTech Ventures Inc. Дата публикации: 2015-07-14.

Nanoparticles pre-functionalized using a self-assembled monolayer and method for preparing same

Номер патента: US11925692B2. Автор: Malcolm Buckle,Claude NOGUES,Stéphanie VIAL. Владелец: Ecole Normale Superieure de Paris Saclay. Дата публикации: 2024-03-12.

Molecular design to suppress desorption of self-assembled monolayers

Номер патента: US20190361011A1. Автор: Ali Afzali-Ardakani,Bharat Kumar,Sufi Zafar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-11-28.

Characterization of biochips containing self-assembled monolayers with maldi-tof-ms

Номер патента: WO2004005918A3. Автор: Milan Mrksich,Jing Su. Владелец: Jing Su. Дата публикации: 2004-05-06.

Defined surfaces of self-assembled monolayers and stem cells

Номер патента: US20070207543A1. Автор: James Thomson,Ratmir Derda,Laura Kiessling,Brendan Orner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-06.

Defined surfaces of self-assembled monolayers and stem cells

Номер патента: US8642337B2. Автор: Ratmir Derda,James A. Thomson,Laura L. Kiessling,Brendan P. Orner. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2014-02-04.

Modification of porous and non-porous materials using self-assembled monolayers

Номер патента: US5852127A. Автор: Peter Boehme,Georges Belfort. Владелец: RENSSELAER POLYTECHNIC INSTITUTE. Дата публикации: 1998-12-22.

Compounds capable of transporting/injecting hole and organic electroluminescent device having self-assembled monolayer comprising the same

Номер патента: US6878468B2. Автор: Seong Hyun Kim,Hyoyoung Lee,Lee-mi Do,Taehyoung Zyung,Jaemin Lee,Jeong Ik Lee,Ji Young Oh,Hye Yong Chu,Hong-ku Shim,Byung-Jun Jung. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2005-04-12.

ADVANCED PRECURSORS FOR SELECTIVE ATOMIC LAYER DEPOSITION USING SELF-ASSEMBLED MONOLAYERS

Номер патента: US20220136106A1. Автор: Oh Il-Kwon,Bent Stacey F.. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-05.

Nano-seeding via dual surface modification of alkyl monolayer for site-controlled electroless metallization

Номер патента: US20130052366A1. Автор: Giin-Shan Chen,Sung-Te Chen,Yu-Lin Lu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-02-28.

Selective self-assembled monolayers via spin-coating method for use in dsa

Номер патента: WO2023036720A1. Автор: Durairaj Baskaran,Sachin BOBADE. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2023-03-16.

Method and apparatus for using solution based precursors for atomic layer deposition

Номер патента: US7514119B2. Автор: Richard Hogle,Ce Ma,Qing Min Wang,Patrick J. Helly. Владелец: Linde Inc. Дата публикации: 2009-04-07.

Method and apparatus for using solution based precursors for atomic layer deposition

Номер патента: CN101818335A. Автор: Q·M·王,C·马,R·霍格尔,P·J·赫尔亚. Владелец: Boc Group Inc. Дата публикации: 2010-09-01.

Synthesis method for a compound used to form a self-assembled monolayer, compound for forming a self-assembled monolayer, and layer structure for a semiconductor component

Номер патента: CN101200474A. Автор: G·施密德,F·埃芬伯格,M·许茨,S·迈施,S·塞弗里茨,M·哈利克,H·克劳克,U·茨施尚,S·霍尔伯格. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-06-18.

A synthesis method of a compound for forming a self-assembling monolayer, a compound for forming a self-assembling monolayer, and a layer structure for a semiconductor device

Номер патента: DE10328810B4. Автор: Guenter Schmid,Markus Schuetz,Franz Effenberger,Marcus Halik,Hagen Klauk,Ute Zschieschang,Steffen Maisch,Steffen Seifritz,Stefan Holberg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-10-20.

Method and apparatus for using solution based precursors for atomic layer deposition

Номер патента: KR20060113556A. Автор: 체 마,리차드 호글,큉민 왕,패트릭 제이 헬리. Владелец: 더 비오씨 그룹 인코포레이티드. Дата публикации: 2006-11-02.

Method and apparatus for using solution based precursors for atomic layer deposition

Номер патента: US20060269667A1. Автор: Richard Hogle,Qing Wang,Ce Ma,Patrick Helly. Владелец: Boc Group Inc. Дата публикации: 2006-11-30.

Self assembled monolayer for improving adhesion between copper and barrier layer

Номер патента: KR20090045302A. Автор: 예즈디 도르디,존 보이드,윌리엄 티,티루히라팔리 아루나기리,형석 알렉산더 윤,프라빈 날라,프리츠 씨 레데커. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2009-05-07.

Self assembled monolayer for improving adhesion between copper and barrier layer

Номер патента: SG174105A1. Автор: Praveen Nalla,John Boyd,Yezdi Dordi,William Thie,Tiruchirapalli Arunagiri,Fritz C Redeker,Hyungsuk Alexander Yoon. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2011-09-29.

Self assembled monolayer for improving adhesion between copper and barrier layer

Номер патента: CN101548030A. Автор: 弗里茨·C·雷德克,约翰·博伊德,耶兹迪·多尔迪,蒂鲁吉拉伯利·阿鲁娜,威廉·蒂,衡石·亚历山大·尹,普拉文·纳拉. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2009-09-30.

Self assembled monolayer for improving adhesion between copper and barrier layer

Номер патента: WO2008027205A2. Автор: Praveen Nalla,John Boyd,Yezdi Dordi,Fritz C. Redeker,William Thie,Tiruchirapalli Arunagiri,Hyungsuk Alexander Yoon. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2008-03-06.

Improved self-assembled monolayer blocking with intermittent air-water exposure

Номер патента: EP3424070C0. Автор: Tobin Kaufman-Osborn,Keith Tatseun WONG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-03-27.

METHODS AND APPARATUS FOR IN-SITU CLEANING OF COPPER SURFACES AND DEPOSITION AND REMOVAL OF SELF-ASSEMBLED MONOLAYERS

Номер патента: US20170062210A1. Автор: Visser Robert Jan,Arnepalli Ranga Rao,GORADIA Prerna. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-02.

Methods of forming an ALD-inhibiting layer using a self-assembled monolayer

Номер патента: US20170114451A1. Автор: Lecordier Laurent. Владелец: Ultratech, Inc.. Дата публикации: 2017-04-27.

METHODS AND APPARATUS FOR SELECTIVE REMOVAL OF SELF-ASSEMBLED MONOLAYERS USING LASER ANNEALING

Номер патента: US20180171476A1. Автор: Godet Ludovic,OUYANG Christine Y.. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-21.

METHOD FOR PRODUCING AN ELECTRONIC COMPONENT WHICH INCLUDES A SELF-ASSEMBLED MONOLAYER

Номер патента: US20210257569A1. Автор: Pajkert Romana,KIRSCH Peer,Kamiyama Takuya,ROESCHENTHALER GERD-VOLKER,TORNOW Marc,SEIM Henning,RESCH Sebastian. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2021-08-19.

Selective Deposition Through Formation Of Self-Assembled Monolayers

Номер патента: US20170323781A1. Автор: Thompson David,Kachian Jessica Sevanne,Kaufman-Osborn Tobin. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-09.

FORMING INTERCONNECTS WITH SELF-ASSEMBLED MONOLAYERS

Номер патента: US20180323101A1. Автор: CHEBIAM RAMANAN V.,MAESTRE CARO Aranzazu. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-11-08.

SELF-ASSEMBLED MONOLAYERS OF PHOSPHONIC ACIDS AS DIELECTRIC SURFACES FOR HIGH-PERFORMANCE ORGANIC THIN FILM TRANSISTORS

Номер патента: US20150364684A1. Автор: Liu Danqing,MIAO Qian,HE ZIKAI. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-17.

Semiconductor thin film using self-assembled monolayer and manufacturing method thereof

Номер патента: KR100661695B1. Автор: 신현진,선종백,정영수,정현담,현상헌. Владелец: 삼성코닝 주식회사. Дата публикации: 2006-12-26.

Improvement self-assembled monolayer using the exposure of intermittent Air-Water stops

Номер патента: CN109075021A. Автор: 托宾·卡芙曼·奥斯本,基思·塔特森·王. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-12-21.

Silicon crystallization using self-assembled monolayers

Номер патента: WO2005010964A3. Автор: James G Couillard,Robert R Hancock Jr,Mark A Lewis. Владелец: Mark A Lewis. Дата публикации: 2005-10-06.

Forming interconnects with self-assembled monolayers

Номер патента: TWI765867B. Автор: 阿蘭札祖梅斯翠卡羅,雷曼南 V. 齊比安. Владелец: 美商英特爾公司. Дата публикации: 2022-06-01.

Semiconductor thin film using self-assembled monolayers and methods of production thereof

Номер патента: US7633087B2. Автор: Hyeon Jin Shin,Jong Baek Seon,Hyun Dam Jeong,Young Su Chung,Sang Heon Hyun. Владелец: Samsung Corning Precision Glass Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-15.

Improved self-assembly monolayer blocking by periodic air-water exposure

Номер патента: KR102149907B1. Автор: 토빈 카우프만-오스본,키이스 타춘 웡. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2020-08-31.

Improved self-assembled monolayer blocking with intermittent air-water exposure

Номер патента: EP3424070B1. Автор: Tobin Kaufman-Osborn,Keith Tatseun WONG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-03-27.

METHOD FOR MANUFACTURING HIGH QUALITY GRAPHENE BY HEATING CARBON-BASED SELF-ASSEMBLY MONOLAYERS

Номер патента: US20150014600A1. Автор: Jeon Seokwoo,Baek JinWook,Lee JinSup. Владелец: KOREA ADVANCED INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2015-01-15.

Organic light emitting diodes containing self assembled monolayer and method for preparing the same

Номер патента: KR100783366B1. Автор: 박상희,양용석,도이미,추혜용,이정익,황치선,정승묵. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2007-12-07.

Fabrication Method for manufacturing High Quality Graphene using Heating of Carbon-based Self-assembly monolayer

Номер патента: KR101482655B1. Автор: 백진욱,전석우,이진섭. Владелец: 한국과학기술원. Дата публикации: 2015-01-16.

Formation of self-assembled monolayers

Номер патента: GB0326904D0. Автор: . Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-12-24.

Silicon-based self-assembling monolayer compositions and surface preparation using the same

Номер патента: EP4172287A1. Автор: Jean-Marc Girard,Nicolas Blasco,Venkateswara R. Pallem,Fabrizio MARCHEGIANI,Claudia Fafard. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2023-05-03.

Silicon-based self-assembling monolayer compositions and surface preparation using the same

Номер патента: WO2021257927A8. Автор: Jean-Marc Girard,Nicolas Blasco,Venkateswara R. Pallem,Fabrizio MARCHEGIANI,Claudia Fafard. Владелец: L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2022-12-29.

Silicon-based self-assembling monolayer compositions and surface preparation using the same

Номер патента: US20230331926A1. Автор: Jean-Marc Girard,Venkateswara R. Pallem,Fabrizio MARCHEGIANI,Claudia Fafard,Nicoas BLASCO. Владелец: L' Air Liquide Pour L'etude Et I'exploitation Des Procedes Georges Claude SA. Дата публикации: 2023-10-19.

Silicon-based self-assembling monolayer compositions and surface preparation using the same

Номер патента: WO2021257927A1. Автор: Jean-Marc Girard,Nicolas Blasco,Venkateswara R. Pallem,Fabrizio MARCHEGIANI,Claudia Fafard. Владелец: L'air Liquide, Sqciete Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2021-12-23.

Selective atomic layer deposition process utilizing patterned self assembled monolayers for 3D structure semiconductor applications

Номер патента: US09911594B2. Автор: YIN Fan,Srinivas D. Nemani,Ludovic Godet,Ellie Y. Yieh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Selective atomic layer deposition process utilizing patterned self assembled monolayers for 3D structure semiconductor applications

Номер патента: US09515166B2. Автор: YIN Fan,Srinivas D. Nemani,Ludovic Godet,Ellie Y. Yieh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Gate patterning for stacked device structure using self-assembled monolayer

Номер патента: US20240312846A1. Автор: Ku-Feng Yang,Che Chi Shih,Szuya Liao,TsungKai Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

In-situ CMP self-assembled monolayer for enhancing metal-dielectric adhesion and preventing metal diffusion

Номер патента: US12107004B2. Автор: Hsun-Chung KUANG,Zhen Yu GUAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Formation of self-assembled monolayer for selective etching process

Номер патента: US20240105462A1. Автор: Kenichi Sano,Yi-Hsiu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Self-assembled monolayer for pattern formation

Номер патента: US09449839B2. Автор: Chung-Ju Lee,Tsung-Min Huang,Chien-Hua Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Glass substrates with self-assembled monolayers for copper adhesion

Номер патента: US20240222258A1. Автор: Darko Grujicic,Suddhasattwa NAD,Rachel Guia Parala Giron. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Self-assembled monolayer overlying a carbon nanotube substrate

Номер патента: US20180123063A1. Автор: Robert S. Howell,Matthew J. Walker,William J. Sweet,Patrick B. Shea,James T. Kelliher,Monica P. Lilly,Wayne Stephen MILLER. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2018-05-03.

Self-assembled monolayer overlying a carbon nanotube substrate

Номер патента: US09748506B1. Автор: Robert S. Howell,Matthew J. Walker,William J. Sweet,Patrick B. Shea,James T. Kelliher,Monica P. Lilly,Wayne Stephen MILLER. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

In-situ cmp self-assembled monolayer for enhancing metal-dielectric adhesion and preventing metal diffusion

Номер патента: US20230377959A1. Автор: Hsun-Chung KUANG,Zhen Yu GUAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

In-situ CMP self-assembled monolayer for enhancing metal-dielectric adhesion and preventing metal diffusion

Номер патента: US11810817B2. Автор: Hsun-Chung KUANG,Zhen Yu GUAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Fill of vias in single and dual damascene structures using self-assembled monolayer

Номер патента: EP4202990A1. Автор: Mauro Kobrinsky,Scott B. Clendenning,John Plombon,Christopher Jezewski,Jiun-Ruey Chen,Miriam Reshotko. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-28.

A photovoltaic device with a self -assembled monolayer between a semiconductor absorber layer and a back contact

Номер патента: WO2012061201A3. Автор: John S. Deeken. Владелец: First Solar, Inc.. Дата публикации: 2012-07-05.

Self-assembled monolayer overlying a carbon nanotube substrate

Номер патента: US10069093B2. Автор: Robert S. Howell,Matthew J. Walker,William J. Sweet,Patrick B. Shea,James T. Kelliher,Monica P. Lilly,Wayne Stephen MILLER. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2018-09-04.

Self-assembled monolayer for pattern formation

Номер патента: US20150056813A1. Автор: Chung-Ju Lee,Tsung-Min Huang,Chien-Hua Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-02-26.

Semiconductor nanocrystals covalently bound to solid inorganic surfaces using self-assembled monolayers

Номер патента: US5751018A. Автор: A. Paul Alivisatos,Vicki L. Colvin. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 1998-05-12.

Fabrication of embedded memory devices utilizing a self assembled monolayer

Номер патента: US20230363179A1. Автор: Chih-Chao Yang,Ekmini Anuja De Silva,Ashim Dutta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

Self-assembled monolayer for selective deposition

Номер патента: US11967523B2. Автор: Xiangjin Xie,Kevin Kashefi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Self-assembled monolayer for selective deposition

Номер патента: WO2023064016A1. Автор: Xiangjin Xie,Kevin Kashefi. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-04-20.

Self-assembled monolayers as sacrificial capping layers

Номер патента: WO2021118993A1. Автор: Yumiko Kawano,Dina Triyoso,Ainhoa Romo Negreira. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2021-06-17.

Electronic devices with components formed by late binding using self-assembled monolayers

Номер патента: US10734236B2. Автор: Henning Braunisch,Fay Hua,Telesphor Kamgaing,Sasha N. OSTER,Adel A. Elsherbini,Johanna M. Swan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-08-04.

Electronic devices with components formed by late binding using self-assembled monolayers

Номер патента: US20190259622A1. Автор: Henning Braunisch,Fay Hua,Telesphor Kamgaing,Sasha N. OSTER,Adel A. Elsherbini,Johanna M. Swan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-08-22.

Self-assembled monolayers as sacrificial capping layers

Номер патента: US20210175118A1. Автор: Dina Triyoso,Ainhoa Romo Negreira,Yumiko Kawana. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-06-10.

Selective blocking of metal surfaces using bifunctional self-assembled monolayers

Номер патента: US12094766B2. Автор: David Thompson,Mark Saly,Michael L. McSwiney,Bhaskar Jyoti Bhuyan,Xiangjin Xie,Drew PHILLIPS,Kevin Kashefi,Aaron Dangerfield. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Methods for stabilization of self-assembled monolayers (sams) using sequentially pulsed initiated chemical vapor deposition (spicvd)

Номер патента: WO2024019841A1. Автор: Jacques Faguet,Omid Zandi,Ornella Sathoud. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-01-25.

Selectively controlling application of a self-assembled monolayer coating on a substrate of a device for facilitating a reduction of adverse effects of such coating on the device

Номер патента: US20190341305A1. Автор: Bongsang Kim,Joe SEEGER. Владелец: InvenSense Inc. Дата публикации: 2019-11-07.

Wafer treatment for achieving defect-free self-assembled monolayers

Номер патента: WO2018232103A1. Автор: CHANG Ke,CHENG Pan,LEI Zhou,Erica Chen,Ludovic Godet,Paul F. Ma,Liqi Wu,Biao Liu,Michael S. Jackson,Tobin Kaufman-Osborn,Yuanhong Guo. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2018-12-20.

Selective blocking of metal surfaces using bifunctional self-assembled monolayers

Номер патента: US11848229B2. Автор: David Thompson,Mark Saly,Michael L. McSwiney,Bhaskar Jyoti Bhuyan,Xiangjin Xie,Drew PHILLIPS,Kevin Kashefi,Aaron Dangerfield. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Selectively controlling application of a self-assembled monolayer coating on a substrate of a device for facilitating a reduction of adverse effects of such coating on the device

Номер патента: US10692761B2. Автор: Joseph Seeger,Bongsang Kim. Владелец: InvenSense Inc. Дата публикации: 2020-06-23.

Patterning with Self-Assembled Monolayer

Номер патента: US20230253250A1. Автор: Robert D. Clark,Dina H. Triyoso,Hirokazu Aizawa. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Methods For Stabilization Of Self-Assembled Monolayers (SAMs) Using Sequentially Pulsed Initiated Chemical Vapor Deposition (spiCVD)

Номер патента: US20240017290A1. Автор: Jacques Faguet,Omid Zandi,Ornella Sathoud. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Self-assembled monolayers as sacrificial capping layers

Номер патента: US11915973B2. Автор: Dina Triyoso,Ainhoa Romo Negreira,Yumiko Kawana. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Display device incorporating self-assembled monolayer and method of manufacturing the same

Номер патента: US11430759B2. Автор: Min Woo Kim,Jin Woo Choi,Dae ho Song,Byung Choon Yang,Hyung Il Jeon. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-30.

Method of forming amorphous titanium dioxide thin film using low temperature atomic layer deposition method and method of fabricating optical structure

Номер патента: US20230280505A1. Автор: Seokho YUN,Hyunjung Shin,Hongkyu PARK,Hyoungmin Park,Minwoo Lim. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-09-07.

Self assembled monolayer formed on a quantum device

Номер патента: US20240365686A1. Автор: Richard Alan Haight,Martin O. Sandberg,Vivekananda P. Adiga,Ali Afzali-Ardankani. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-31.

Self assembled monolayer formed on a quantum device

Номер патента: AU2021215331B2. Автор: Ali Afzali-Ardakani,Richard Haight,Vivekananda Adiga,Martin Sandberg. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Self assembled monolayer formed on a quantum device

Номер патента: WO2021156318A9. Автор: Ali Afzali-Ardakani,Richard Haight,Vivekananda Adiga,Martin Sandberg. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2022-10-06.

Self assembled monolayer formed on a quantum device

Номер патента: WO2021156318A1. Автор: Ali Afzali-Ardakani,Richard Haight,Vivekananda Adiga,Martin Sandberg. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2021-08-12.

Self assembled monolayer formed on a quantum device

Номер патента: EP4101012A1. Автор: Ali Afzali-Ardakani,Richard Haight,Vivekananda Adiga,Martin Sandberg. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-12-14.

Self assembled monolayer formed on a quantum device

Номер патента: US11903328B2. Автор: Ali Afzali-Ardakani,Richard Alan Haight,Martin O. Sandberg,Vivekananda P. Adiga. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Method for producing an electronic component which includes a self-assembled monolayer

Номер патента: US12035546B2. Автор: Peer Kirsch,Marc Tornow,Jacob Woodruff,Henning SEIM,Romana PAJKERT,Takuya Kamiyama,Gerd-Volker Roeschenthaler,Sebastian RESCH,Charith NANAYAKKARA. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2024-07-09.

Oligo(ethylene glycol)-terminated 1,2-dithiolanes and their conjugates useful for preparing self-assembled monolayers

Номер патента: WO2003079403A3. Автор: Deanna J Nelson. Владелец: Deanna J Nelson. Дата публикации: 2004-09-23.

Oligo(ethylene glycol)-terminated 1,2-dithiolanes and their conjugates useful for preparing self-assembled monolayers

Номер патента: EP1485115A2. Автор: Deanna J. Nelson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-15.

Oligo(ethylene glycol)-terminated 1,2-dithiolanes and their conjugates useful for preparing self-assembled monolayers

Номер патента: WO2003079403A2. Автор: Deanna J. Nelson. Владелец: Nelson Deanna J. Дата публикации: 2003-09-25.

Surface-based ammonium ion sensor: an electrode derivatized with a self-assembled monolayer

Номер патента: US20100290951A1. Автор: Christopher R. Lambert,W. Grant McGimpsey,Nantanit Wanichacheva. Владелец: WORCESTER POLYTECHNIC INSTITUTE. Дата публикации: 2010-11-18.

A surface-based ammonium ion sensor: an electrode derivatized with a self-assembled monolayer

Номер патента: WO2008031091A3. Автор: Christopher R Lambert,W Grant Mcgimpsey,Nantanit Wanichacheva. Владелец: Nantanit Wanichacheva. Дата публикации: 2008-10-30.

Self-assembled monolayer

Номер патента: WO2015082908A1. Автор: Vladimir Gubala. Владелец: Medway School Of Pharmacy. Дата публикации: 2015-06-11.

Self-assembled monolayer

Номер патента: EP3077529A1. Автор: Vladimir Gubala. Владелец: Medway School Of Pharmacy. Дата публикации: 2016-10-12.

Thin film-forming material for use in atomic layer deposition, thin film, method for producing thin film, and ruthenium compound

Номер патента: EP4434994A1. Автор: Masaki Enzu,Masako HATASE,Ryota FUKUSHIMA,Nana OKADA,Chiaki MITSUI. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2024-09-25.

Thin-film forming raw material, which is used in atomic layer deposition method, thin-film, method of producing thin-film, and zinc compound

Номер патента: US20240167154A1. Автор: Atsushi Sakurai,Atsushi Yamashita,Keisuke Takeda,Yoshiki OOE,Chiaki MITSUI. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Selective inhibition in atomic layer deposition of silicon-containing films

Номер патента: US09875891B2. Автор: Jon Henri,Dennis M. Hausmann,Bart J. van Schravendijk,Shane Tang,Karl F. Leeser. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Thin-film forming raw material used in atomic layer deposition method, and method of producing thin-film

Номер патента: US20230349039A1. Автор: Masako HATASE,Chiaki MITSUI. Владелец: Adeka Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Plasma-enhanced atomic layer deposition of conductive material over dielectric layers

Номер патента: WO2010088015A2. Автор: Dong Li,Steven Marcus,Robert B. Milligan. Владелец: ASM AMERICA, INC.. Дата публикации: 2010-08-05.

Plasma-enhanced atomic layer deposition of conductive material over dielectric layers

Номер патента: US20140008803A1. Автор: Dong Li,Steven Marcus,Robert B. Milligan. Владелец: ASM America Inc. Дата публикации: 2014-01-09.

Plasma-enhanced atomic layer deposition of conductive material over dielectric layers

Номер патента: US09466574B2. Автор: Dong Li,Steven Marcus,Robert B. Milligan. Владелец: ASM America Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Atomic layer deposition of ruthenium-containing films using surface-activating agents and selected ruthenium complexes

Номер патента: EP1913174A1. Автор: Jeffery Scott Thompson. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2008-04-23.

Atomic layer deposition of ruthenium-containing films using surface-activating agents and selected ruthenium complexes

Номер патента: WO2007019437A1. Автор: Jeffery Scott Thompson. Владелец: E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY. Дата публикации: 2007-02-15.

Atomic layer deposition reactor for processing batch of substrates and method of processing batch of substrates

Номер патента: RU2586956C2. Автор: Свен ЛИНДФОРС,Пекка Й. СОЙНИНЕН. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2016-06-10.

Solution based zirconium precursors for atomic layer deposition

Номер патента: SG176023A1. Автор: Ce Ma,Kee-Chan Kim,Graham Anthony McFarlane. Владелец: LINDE AG. Дата публикации: 2011-12-29.

Methods of Performing Selective Low Resistivity Ru Atomic Layer Deposition and Interconnect Formed Using the Same

Номер патента: US20220189763A1. Автор: Victor Wang,Andrew Kummel,Michael Breeden. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2022-06-16.

Method for manufacturing semiconductor device using plasma-enhanced atomic layer deposition

Номер патента: US12027364B2. Автор: Ting-Chuan Lee,Chun-Jung Tsai,Chun-Hsien Tsai,Kuang-Jui Chang,Tsung-Fu Yen. Владелец: Taiwan Carbon Nano Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Method for manufacturing semiconductor device using plasma-enhanced atomic layer deposition

Номер патента: US12027362B2. Автор: Ting-Chuan Lee,Chun-Jung Tsai,Chun-Hsien Tsai,Kuang-Jui Chang,Tsung-Fu Yen. Владелец: Taiwan Carbon Nano Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Atomic layer deposition of protective coatings for semiconductor process chamber components

Номер патента: US12104246B2. Автор: Jennifer Y. Sun,David Fenwick. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Nitride film formed by plasma-enhanced and thermal atomic layer deposition process

Номер патента: US09865455B1. Автор: James Samuel Sims,Kathryn Merced Kelchner. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Plasma assisted atomic layer deposition titanium oxide for patterning applications

Номер патента: US09673041B2. Автор: Shankar Swaminathan,Frank L. Pasquale,Adrien Lavoie. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Plasma assisted atomic layer deposition titanium oxide for conformal encapsulation and gapfill applications

Номер патента: US09570290B2. Автор: Shankar Swaminathan,Frank L. Pasquale,Adrien Lavoie. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Systems and methods for forming niobium and/or vanadium containing layers using atomic layer deposition

Номер патента: US20060040480A1. Автор: Donald Westmoreland,Garo Derderian,Stefan Uhlenbrook. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-02-23.

Method of selectively forming layer using atomic layer deposition and method of forming interconnect of semiconductor device using the same

Номер патента: US20240203788A1. Автор: Jeongyub Lee,Sunghee Lee,Eunhyoung Cho,Hanboram LEE. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-06-20.

Method of selectively forming layer using atomic layer deposition and method of forming interconnect of semiconductor device using the same

Номер патента: EP4389930A2. Автор: Jeongyub Lee,Sunghee Lee,Eunhyoung Cho,Hanboram LEE. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-06-26.

Method of selectively forming layer using atomic layer deposition and method of forming interconnect of semiconductor device using the same

Номер патента: EP4389930A3. Автор: Jeongyub Lee,Sunghee Lee,Eunhyoung Cho,Hanboram LEE. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-08-14.

Ultrathin atomic layer deposition film accuracy thickness control

Номер патента: US20230298884A1. Автор: Hu Kang,Adrien Lavoie,Jun Qian,Purushottam Kumar,Seiji Matsuyama. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same

Номер патента: US11778890B2. Автор: Mu-Hyun Kim,Un-Cheol Sung,Su-Hwan Lee,Dong-Kyu Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Atomic layer deposition equipment and process method

Номер патента: US20220119946A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Ching-Liang Yi,Yun-Chi Hsu,Hsin-Yu Yao. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Atomic layer deposition equipment and process method

Номер патента: US20220178022A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Ta-Hao Kuo. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2022-06-09.

Pre-deposition treatment and atomic layer deposition (ALD) process and structures formed thereby

Номер патента: US09947540B2. Автор: Weng Chang,Ming-Hsing Tsai,Yi-Hung Lin,Hsueh Wen Tsau,Da-Yuan Lee,Cheng-Yen Tsai,Ying-Chieh Hung,JoJo Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Selective area deposition of metal films by atomic layer deposition (ALD) and chemical vapor deposition (CVD)

Номер патента: US09583389B2. Автор: Florian Gstrein,Scott B. Clendenning,Patricio E. Romero,Jeanette M. Roberts. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Atomic layer deposition passivation for via

Номер патента: US20170368823A1. Автор: Zhizhang Chen,Mohammed Saad Shaarawi,Roberto A Pugliese, Jr.. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2017-12-28.

Atomic layer deposition passivation for via

Номер патента: EP3231007A1. Автор: Zhizhang Chen,Mohammed Saad Shaarawi,Jr. Roberto A. Pugliese. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2017-10-18.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US20130178070A1. Автор: Ki-Hyun Kim,Ki-Vin Im,Hoon-Sang Choi,Moon-hyeong Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-07-11.

Atomic layer deposition of antimony oxide films

Номер патента: US20190103266A1. Автор: Jan Willem Maes,Tom E. Blomberg,David De Roest,Dieter Pierreux,Hessel Sprey,Raija H. MATERO,Linda Lindroos,Kees Van Der Jeugd,Lucia D'Urzo. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2019-04-04.

Metal capturing apparatus and atomic layer deposition apparatus having the same

Номер патента: US20110041767A1. Автор: IVAN Maidanchuk,Jong-Won Hong,Seok-Rak Chang,Dong-Hyun Lee,Byoung-Keon Park,Jin-Wook Seo,Ki-Yong Lee,Yun-Mo CHUNG,Jong-Ryuk Park,Kil-won Lee,Byung-Soo So,Jae-Wan Jung,Min-Jae Jeong,Tae-Hoon Yang,Won-Bong Baek,Heung-Yeol Na,Eu-Gene Kang,Bo-Kyung Choi. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-24.

Method for tuning a deposition rate during an atomic layer deposition process

Номер патента: US20140248772A1. Автор: Jiang Lu,Mei Chang,Paul Ma,Joseph F. Aubuchon. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-09-04.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US20190019657A1. Автор: Keisuke Washio,Masao Nakata. Владелец: Japan Steel Works Ltd. Дата публикации: 2019-01-17.

Atomic layer deposition of antimony oxide films

Номер патента: US20170140918A1. Автор: Jan Willem Maes,Tom E. Blomberg,David De Roest,Dieter Pierreux,Hessel Sprey,Raija H. MATERO,Linda Lindroos,Kees Van Der Jeugd,Lucia D'Urzo. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2017-05-18.

Atomic layer deposition of antimony oxide films

Номер патента: US20150249005A1. Автор: Jan Willem Maes,Tom E. Blomberg,David De Roest,Dieter Pierreux,Hessel Sprey,Raija H. MATERO,Linda Lindroos,Kees Van Der Jeugd,Lucia D'Urzo. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2015-09-03.

Powder atomic layer deposition equipment with quick release function

Номер патента: US20230120393A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2023-04-20.

An atomic layer deposition apparatus and an arrangement

Номер патента: US20240337019A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN,Olli-Pekka Suhonen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-10-10.

Precursor and process design for photo-assisted metal atomic layer deposition (ALD) and chemical vapor deposition (CVD)

Номер патента: US09932671B2. Автор: Florian Gstrein,James M. Blackwell,Robert L. Bristol,Paul A. Zimmerman,Scott B. Clendenning,Patricio E. Romero,Harsono S. Simka,Grant M. Kloster. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Integrating atomic scale processes: ALD (atomic layer deposition) and ALE (atomic layer etch)

Номер патента: US09805941B2. Автор: Samantha Tan,Jeffrey Marks,Dennis M. Hausmann,Harmeet Singh,Thorsten Lill,Alexander Kabansky,Keren Jacobs Kanarik,Wenbing Yang,Taeseung KIM. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Integrating atomic scale processes: ALD (atomic layer deposition) and ALE (atomic layer etch)

Номер патента: US09576811B2. Автор: Samantha Tan,Jeffrey Marks,Dennis M. Hausmann,Harmeet Singh,Thorsten Lill,Alexander Kabansky,Keren Jacobs Kanarik,Wenbing Yang,Taeseung KIM. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Atomic layer deposition of antimony oxide films

Номер патента: US09514934B2. Автор: Jan Willem Maes,Tom E. Blomberg,David De Roest,Dieter Pierreux,Hessel Sprey,Raija H. MATERO,Linda Lindroos,Kees Van Der Jeugd,Lucia D'Urzo. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2016-12-06.

Dielectric gapfill using atomic layer deposition (ALD), inhibitor plasma and etching

Номер патента: US12049699B2. Автор: Adrien Lavoie,Bart van Schravendijk,Purushottam Kumar,Joseph Abel. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Plasma atomic layer deposition

Номер патента: US12077864B2. Автор: Harm C. M. Knoops,Koen de Peuter,Wilhelmus M. M. Kessels. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-09-03.

Atomic layer deposition of silicon carbon nitride based materials

Номер патента: US09837263B2. Автор: Viljami Pore. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-12-05.

Plasma atomic layer deposition

Номер патента: US09637823B2. Автор: Harm C. M. Knoops,Koen de Peuter,Wilhelmus M. M. Kessels. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-05-02.

Substrate web coating by atomic layers deposition

Номер патента: RU2605408C2. Автор: Свен ЛИНДФОРС. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2016-12-20.

Atomic layer deposition apparatus and method of loading atomic layer deposition apparatus

Номер патента: RU2518845C2. Автор: Свен ЛИНДФОРС,Юха Аллан Кустаа-Адолф ПОУТИАЙНЕН. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2014-06-10.

Atomic layer deposition with plasma source

Номер патента: RU2584841C2. Автор: Свен ЛИНДФОРС,Тимо МАЛИНЕН,Юхана КОСТАМО,Вяйнё КИЛЬПИ,Вэй-Минь ЛИ. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2016-05-20.

Neutral beam-assisted atomic layer chemical vapor deposition apparatus and method of processing substrate using the same

Номер патента: US7799706B2. Автор: Sung-Woo Kim,Geun-Young Yeom,Byoung-Jae Park,Jong-Tae Lim. Владелец: Sungkyunkwan University Foundation For Corporate Collaboration. Дата публикации: 2010-09-21.

Two-step atomic layer deposition of copper layers

Номер патента: EP1558783A2. Автор: Yoshihide Senzaki. Владелец: Aviza Technology Inc. Дата публикации: 2005-08-03.

Method of forming a layer of material using an atomic layer deposition process

Номер патента: WO2007146537B1. Автор: Neal Rueger,John Smythe. Владелец: John Smythe. Дата публикации: 2008-12-18.

Method of forming a layer of material using an atomic layer deposition process

Номер патента: EP2027304A2. Автор: Neal Rueger,John Smythe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-02-25.

Apparatus for in situ deposition of multilayer structures via atomic layer deposition and ultra-high vacuum physical or chemical vapor deposition

Номер патента: US09994956B2. Автор: Rongtao Lu,Judy Z. Wu,Allen Hase,Alan Elliot. Владелец: University of Kansas. Дата публикации: 2018-06-12.

Inhibitor plasma mediated atomic layer deposition for seamless feature fill

Номер патента: US09966299B2. Автор: Hu Kang,Deenesh Padhi,Wei Tang,Adrien Lavoie,Bart van Schravendijk,Jun Qian,David C. Smith. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Film deposition using spatial atomic layer deposition or pulsed chemical vapor deposition

Номер патента: US09514933B2. Автор: Yu Lei,Bo Zheng,Srinivas Gandikota,Seshadri Ganguli,Martin Jeff Salinas,Benjamin Schmiege,Rajkumar Jakkaraju. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Inhibitor plasma mediated atomic layer deposition for seamless feature fill

Номер патента: US09425078B2. Автор: Hu Kang,Deenesh Padhi,Wei Tang,Adrien Lavoie,Bart van Schravendijk,Jun Qian,David C. Smith. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Tungsten nitride atomic layer deposition processes

Номер патента: US7745329B2. Автор: Ming Li,Lee Luo,Shulin Wang,Aihua Chen,Ulrich Kroemer. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2010-06-29.

Irradiation assisted nucleation of quantum confinements by atomic layer deposition

Номер патента: US20110269298A1. Автор: Timothy P. Holme,Friedrich B. Prinz,Cheng-Chieh Chao,Andrei Iancu,Neil Dasgupta,Takane Usui,Hee Joon Jung,Michael C Langston,Munekazu Motoyama,Hitoshi Iwadate. Владелец: Honda Patents and Technologies North America LLC. Дата публикации: 2011-11-03.

Irradiation assisted nucleation of quantum confinements by atomic layer deposition

Номер патента: WO2011119231A3. Автор: Timothy P. Holme,Friedrich B. Prinz,Cheng-Chieh Chao,Andrei Iancu,Neil Dasgupta,Takane Usui,Hee Joon Jung,Michael C Langston,Munekazu Motoyama,Hitoshi Iwadate. Владелец: THE BOARD OF TRUSTEES OF THE LELAND STANFORD JUNIOR UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-03-29.

Volatile copper(ii) complexes for deposition of copper films by atomic layer deposition

Номер патента: EP1466032A1. Автор: Alexander Zak Bradley,Jeffery Scott Thompson,David Lincoln Thorn. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2004-10-13.

Valatime copper (II) complexes and reducing agents for deposition of copper films by atomic layer deposition

Номер патента: US20060237718A1. Автор: Jeffery Thompson,Alexander Bradley,David Thorn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-26.

Volatile copper (II) complexes and reducing agents for deposition of copper films by Atomic Layer Deposition

Номер патента: US7268365B2. Автор: Alexander Zak Bradley,David Lincoln Thorn,Jeffery Scott Thornpson. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2007-09-11.

Atomic layer deposition of ruthenium oxide coatings

Номер патента: US20240247370A1. Автор: Jeffrey W. Anthis,Thomas Joseph Knisley,Nasrin Kazem,Lisa Enman,Lakmal Charidu KALUTARAGE,Jayden Stephen John Shackerley Potter. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Copper (ii) complexes for deposition of copper films by atomic layer deposition

Номер патента: EP1771595A1. Автор: Kyung-ho Park,Alexander Z. Bradley,Jeff S. Thompson. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2007-04-11.

Atomic layer deposition of copper using surface-activating agents

Номер патента: WO2006033731A2. Автор: Jeffrey Scott Thompson. Владелец: E.I. DUPONT DE NEMOURS AND COMPANY. Дата публикации: 2006-03-30.

Atomic layer deposition reactor arrangement and a method for operating an atomic layer deposition reactor arrangement

Номер патента: US12116668B2. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-10-15.

Hybrid layers for use in coatings on electronic devices or other articles

Номер патента: US09882167B2. Автор: Lin Han,Sigurd Wagner,Julia J. Brown,Ruiqing Ma,Prashant Mandlik,Jeffrey A. Silvernail. Владелец: Universal Display Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Atomic layer deposition with plasma source

Номер патента: US09868131B2. Автор: Sven Lindfors,Vaino Kilpi,Juhana Kostamo,Wei-Min Li,Timo Malinen. Владелец: Picosun Oy. Дата публикации: 2018-01-16.

Oxygen radical enhanced atomic-layer deposition using ozone plasma

Номер патента: US09583337B2. Автор: Arthur W. Zafiropoulo. Владелец: Ultratech Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Precursor compositions for atomic layer deposition and chemical vapor deposition of titanate, lanthanate, and tantalate dielectric films

Номер патента: US09534285B2. Автор: Thomas H. Baum,Jeffrey F. Roeder,Tianniu Chen,Chongying Xu,Thomas M. Cameron. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Atomic layer deposition method of forming an oxide comprising layer on a substrate

Номер патента: US20060003102A1. Автор: Demetrius Sarigiannis,Shuang Meng,Garo Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-05.

Method for manufacturing aluminum metal interconnection layer by atomic layer deposition method

Номер патента: US6143659A. Автор: Hyeun-seog Leem. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-11-07.

Irradiation Assisted Nucleation of Quantum Confinements by Atomic Layer Deposition

Номер патента: US20140093654A1. Автор: Timothy P. Holme,Friedrich B. Prinz,Cheng-Chieh Chao,Andrei Iancu,Neil Dasgupta,Michael C. Langston,Takane Usui,Hee Joon Jung,Munekazu Motoyama,Hitoshi Iwadate. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

Integrated electrohydrodynamic jet printing and spatial atomic layer deposition system for area selective-atomic layer deposition

Номер патента: US20210028006A1. Автор: Kira BARTON,Orlando Trejo,Neil Dasgupta,Mattison ROSE,Lauren RANSOHOFF,Ellis HERMAN,Carli HUBER,Tae H. CHO,Christopher P. PANNIER,Erik Kazyak. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2021-01-28.

Selective Molecular Layer Deposition Of Organic And Hybrid Organic-Inorganic Layers

Номер патента: US20180342388A1. Автор: Robert Jan Visser,Prerna Goradia,Tapash Chakraborty. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-11-29.

원자 스케일 프로세스들: ald (atomic layer deposition) 및 ale (atomic layer etch) 의 통합

Номер патента: KR102570795B1. Автор: 김태승,사만다 탄,하미트 싱,데니스 엠. 하우스만,토르스텐 릴,케렌 제이콥스 카나릭,제프리 막스,위언빙 양,알렉산더 카반스키. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2023-08-24.

Atomic layer deposition of P-type oxide semiconductor thin films

Номер патента: US09685542B2. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Atomic layer deposition processing apparatus to reduce heat energy conduction

Номер патента: US09518321B2. Автор: Masanori Sakai,Kazuhiro Yuasa,Yoshihiko Yanagisawa,Mitsuro Tanabe,Yasutoshi Tsubota. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2016-12-13.

High temperature atomic layer deposition of silicon oxide thin films

Номер патента: US09460912B2. Автор: XINJIAN LEI,Mark Leonard O'Neill,Ronald Martin Pearlstein,Haripin Chandra,Bing Han,Manchao Xiao,Meiliang WANG. Владелец: Air Products and Chemicals Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Apparatus and concept for minimizing parasitic chemical vapor deposition during atomic layer deposition

Номер патента: EP1238421A4. Автор: Ofer Sneh,Carl Galewski. Владелец: Genus Inc. Дата публикации: 2006-06-21.

Selective electroless electrochemical atomic layer deposition in an aqueous solution without external voltage bias

Номер патента: US20190048472A1. Автор: Yezdi Dordi,Kailash Venkatraman,Aniruddha JOI. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2019-02-14.

Selective electroless electrochemical atomic layer deposition in an aqueous solution without external voltage bias

Номер патента: WO2019036234A1. Автор: Yezdi Dordi,Kailash Venkatraman,Aniruddha JOI. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2019-02-21.

Method for atomic layer deposition

Номер патента: US9506144B2. Автор: Hsin-Yi Lee,Ching-Shun Ku. Владелец: NATIONAL SYNCHROTRON RADIATION RESEARCH CENTER. Дата публикации: 2016-11-29.

Atomic layer deposition device using multiple pulses to fill gap of semiconductor structure with high aspect ratio and atomic layer deposition method using the same

Номер патента: US20240194448A1. Автор: Ji Eun Kang,Jong Woo HONG,Hyun Woo Tak,Geun Young Yeom,Ho Gon Kim. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-06-13.

Atomic layer deposition of p-type oxide semiconductor thin films

Номер патента: EP3241234A1. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong. Владелец: SnapTrack Inc. Дата публикации: 2017-11-08.

Atomic layer deposition of p-type oxide semiconductor thin films

Номер патента: US20160190290A1. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong. Владелец: Qualcomm Mems Technologies Inc. Дата публикации: 2016-06-30.

METHOD OF PLASMA ENHANCED ATOMIC LAYER DEPOSITION OF TaC AND TaCN FILMS HAVING GOOD ADHESION TO COPPER

Номер патента: WO2007111780A3. Автор: Tadahiro Ishizaka. Владелец: Tadahiro Ishizaka. Дата публикации: 2008-01-17.

Modulated atomic layer deposition

Номер патента: US12040181B2. Автор: Adrien Lavoie,Bart J. van Schravendijk,Pulkit Agarwal,Chloe Baldasseroni,Chan Myae Myae SOE,Shiva Sharan Bhandari. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Atomic layer deposition of high k metal oxides

Номер патента: EP1535319A2. Автор: Sang-In Lee,Yoshihide Senzaki,Sang-Kyoo Lee. Владелец: Integrated Process Systems Ltd. Дата публикации: 2005-06-01.

Atomic layer deposition of high k metal oxides

Номер патента: EP1535319A4. Автор: Sang-In Lee,Yoshihide Senzaki,Sang-Kyoo Lee. Владелец: Integrated Process Systems Ltd. Дата публикации: 2008-05-28.

Plasma enhanced atomic layer deposition of silicon-containing films

Номер патента: US20240327973A1. Автор: Ravi Kumar,Adrien Lavoie,Pulkit Agarwal,Joseph R. Abel,Douglas Walter Agnew,Dustin Zachary Austin,Jonathan Grant BAKER. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Modulated atomic layer deposition

Номер патента: US20240332007A1. Автор: Adrien Lavoie,Bart J. van Schravendijk,Pulkit Agarwal,Chloe Baldasseroni,Chan Myae Myae SOE,Shiva Sharan Bhandari. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Atomic layer deposition and vapor deposition reactor with in-chamber microplasma source

Номер патента: WO2020081574A1. Автор: Sung-Jin Park,J. Gary Eden,Jinhong Kim,Andrey Mironov. Владелец: The Board of Trustees of the University of Illinois. Дата публикации: 2020-04-23.

Atomic layer deposition and etch for reducing roughness

Номер патента: US20200243326A1. Автор: Chen Xu,Xiang Zhou,Yoshie Kimura,Ganesh Upadhyaya,Duming Zhang,Mitchell BROOKS,Radhika Mani,Si-Yi Yi Li,Naveed Ansari,Kazi Sultana,Haseeb Kazi. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2020-07-30.

Layer deposition method and layer deposition apparatus

Номер патента: US20240030024A1. Автор: HyungSuk Jung,Hanjin Lim,Intak Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Atomic layer deposition of indium gallium zinc oxide

Номер патента: US20210118672A1. Автор: Varun Sharma,Michael Eugene Givens,Oreste Madia,Charles DEZELAH,Tatiana Ivanova,Andrea Illiberi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2021-04-22.

Atomic layer deposition of indium gallium zinc oxide

Номер патента: US11664222B2. Автор: Varun Sharma,Michael Eugene Givens,Oreste Madia,Charles DEZELAH,Tatiana Ivanova,Andrea Illiberi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-05-30.

Method for tuning a deposition rate during an atomic layer deposition process

Номер патента: WO2010132172A2. Автор: Jiang Lu,Mei Chang,Joseph F. Aubuchon,Paul F. Ma. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2010-11-18.

Methods of area-selective atomic layer deposition

Номер патента: US20200354834A1. Автор: Rudy J. Wojtecki,Gregory M. Wallraff,Ekmini A. De Silva,Noel Arellano. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-11-12.

Atomic layer deposition of silicon carbon nitride based materials

Номер патента: US20180082838A1. Автор: Viljami Pore. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-03-22.

Atomic layer deposition of silicon carbon nitride based materials

Номер патента: US20160307751A1. Автор: Viljami Pore. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2016-10-20.

Plasma atomic layer deposition

Номер патента: US10480078B2. Автор: Harm C. M. Knoops,Koen de Peuter,Wilhelmus M. M. Kessels. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2019-11-19.

Plasma atomic layer deposition

Номер патента: US10072337B2. Автор: Harm C. M. Knoops,Koen de Peuter,Wilhelmus M. M. Kessels. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-09-11.

An atomic layer deposition apparatus and an arrangement

Номер патента: WO2023017214A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN,Olli-Pekka Suhonen,Mikko TYNI. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-02-16.

Methods of atomic-layer deposition of hafnium oxide/erbium oxide bi-layer as advanced gate dielectrics

Номер патента: US20140291776A1. Автор: Jinhong Tong. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-10-02.

Powder atomic layer deposition equipment with quick release function

Номер патента: US11952662B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

An atomic layer deposition apparatus and an arrangement

Номер патента: FI130544B. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-11-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the same by using atomic layer deposition

Номер патента: US20060267081A1. Автор: Jun-Seuck Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-11-30.

Multi-layer plasma resistant coating by atomic layer deposition

Номер патента: US12002657B2. Автор: Xiaowei Wu,Guodong Zhan,Jennifer Y. Sun,David Fenwick. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Inhibited atomic layer deposition for patterning applications

Номер патента: WO2024107573A1. Автор: Ravi Kumar,Andrew Geier Melton,Jennifer Leigh PETRAGLIA,Dara BOBB SEMPLE. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-05-23.

Plasma atomic layer deposition

Номер патента: US20170356087A1. Автор: Koen de Peuter,Harm C.M. Knoops,Wilhelmus M.M. Kessels. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-12-14.

Plasma atomic layer deposition

Номер патента: US20200208268A1. Автор: Koen de Peuter,Harm C.M. Knoops,Wilhelmus M.M. Kessels. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2020-07-02.

Plasma atomic layer deposition

Номер патента: US20180363143A1. Автор: Koen de Peuter,Harm C.M. Knoops,Wilhelmus M.M. Kessels. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-12-20.

An atomic layer deposition apparatus and an arrangement

Номер патента: EP4384651A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN,Olli-Pekka Suhonen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-06-19.

Vacuum chamber and arrangement for atomic layer deposition

Номер патента: US20240026535A1. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-01-25.

Apparatus and method for atomic layer deposition (ald)

Номер патента: EP3959355A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2022-03-02.

Apparatus and method for atomic layer deposition (ALD)

Номер патента: US11970773B2. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-04-30.

Process for low temperature atomic layer deposition of Rh

Номер патента: US20020197814A1. Автор: Stefan Uhlenbrock,Eugene Marsh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

System and method for atomic layer deposition

Номер патента: US20180274096A1. Автор: Ji Hye Kim,Tae Ho Yoon,Hyung Sang Park. Владелец: Isac Research Inc. Дата публикации: 2018-09-27.

Atomic layer deposition apparatus and method for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20080057738A1. Автор: June Woo Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-06.

Apparatus and method for atomic layer deposition (ald)

Номер патента: US20220275512A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila. Владелец: Hervannan Sauna Oy. Дата публикации: 2022-09-01.

Rapid flush purging during atomic layer deposition

Номер патента: US12060639B2. Автор: Sanjay Gopinath,Juwen Gao,Novy Tjokro,Xiaolan Ba,Ruopeng DENG,Pragna NANNAPANENI,Sema Ermez,Tianhua YU. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Methods of forming ruthenium-containing films by atomic layer deposition

Номер патента: EP2291548A1. Автор: Ravi Kanjolia,Neil Boag,Rajesh Odedra,Jeff Anthis. Владелец: Sigma Aldrich Co LLC. Дата публикации: 2011-03-09.

An atomic layer deposition apparatus and method

Номер патента: US20240352582A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-10-24.

Techniques and systems for continuous-flow plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD)

Номер патента: US09972501B1. Автор: Birol Kuyel. Владелец: Nano Master Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Amino-silyl amine compound and the manufacturing method of dielectric film containing Si—N bond by using atomic layer deposition

Номер патента: US09916974B2. Автор: Sang Ick Lee,JANG Hyeon Seok,Jong Hyun Kim,Myong Woon Kim,Sang Yong Jeon,Sang-Do Lee,Se Jin Jang,Sung Gi Kim,Byeong-Il Yang. Владелец: DNF Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Methods of forming silicon nitride by atomic layer deposition and methods of forming semiconductor structures

Номер патента: US09865456B1. Автор: Stefan Uhlenbrock,Timothy A. Quick,John A. Smythe,Sumeet C. Pandey,Brenda D. Kraus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Powder-atomic-layer-deposition device with knocker

Номер патента: US12123092B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Chia-Cheng Ku. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Atomic layer deposition carousel with continuous rotation and methods of use

Номер патента: US09631277B2. Автор: Joseph Yudovsky. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Atomic layer deposition apparatus and method

Номер патента: US09512519B2. Автор: Ming-Te Chen,Hsing-Jui Lee,Chia-Yi Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Atomic layer deposition (ALD) thin film deposition equipment having cleaning apparatus and cleaning method

Номер патента: US20020007790A1. Автор: Young-hoon Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-24.

Method for depositing a nanolaminate film by atomic layer deposition

Номер патента: US6930059B2. Автор: Yoshi Ono,Rajendra Solanki,John F. Conley, Jr.. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2005-08-16.

Method to improve precursor utilization in pulsed atomic layer processes

Номер патента: US20180023195A1. Автор: Triratna P. Muneshwar,Ken Cadien. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-01-25.

Apparatus for in situ deposition of multilayer structures via atomic layer deposition and ultra-high vacuum physical or chemical vapor deposition

Номер патента: US20160040288A1. Автор: Rongtao Lu,Judy Z. Wu,Allen Hase,Alan Elliot. Владелец: University of Kansas. Дата публикации: 2016-02-11.

Atomic layer deposition method for metal thin films

Номер патента: US11807939B2. Автор: Shintaro Higashi,Naoyuki Takezawa,Fumikazu Mizutani. Владелец: Kojundo Kagaku Kenkyusho KK. Дата публикации: 2023-11-07.

Selective thermal atomic layer deposition

Номер патента: US20240047196A1. Автор: XINJIAN LEI,Yi-Chia Lee,Aiping Wu,Sumit Agarwal,Robert Gordon Ridgeway,Ryan James GASVODA,Wanxing Xu,Ronald M. Pearlstein,Rohit Narayanan Kavassery Ramesh. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-02-08.

Method and apparatus for filling gap using atomic layer deposition

Номер патента: US20230070312A1. Автор: Jeongyub Lee,Sunghee Lee,Han-Bo-Ram LEE,Eunhyoung Cho. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-03-09.

Atomic layer deposition method for metal thin films

Номер патента: US20240060180A1. Автор: Shintaro Higashi,Naoyuki Takezawa,Fumikazu Mizutani. Владелец: Kojundo Kagaku Kenkyusho KK. Дата публикации: 2024-02-22.

Selective thermal atomic layer deposition

Номер патента: EP4241299A1. Автор: XINJIAN LEI,Yi-Chia Lee,Aiping Wu,Sumit Agarwal,Robert Gordon Ridgeway,Ryan James GASVODA,Wanxing Xu,Ronald M. Pearlstein,Rohit Narayanan Kavassery Ramesh. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2023-09-13.

Atomic layer deposition of metal-containing films using surface-activating agents

Номер патента: EP1920081A2. Автор: Jeffery Scott Thompson. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2008-05-14.

Selective thermal atomic layer deposition

Номер патента: WO2022119860A9. Автор: XINJIAN LEI,Yi-Chia Lee,Aiping Wu,Sumit Agarwal,Robert Gordon Ridgeway,Ryan James GASVODA,Wanxing Xu,Ronald M. Pearlstein,Rohit Narayanan Kavassery Ramesh. Владелец: Versum Material Us, Llc. Дата публикации: 2023-08-24.

Selective plasma enhanced atomic layer deposition

Номер патента: US20240014036A1. Автор: XINJIAN LEI,Yi-Chia Lee,Aiping Wu,Sumit Agarwal,Robert Gordon Ridgeway,Ryan James GASVODA,Wanxing Xu,Ronald M. Pearlstein,Rohit Narayanan Kavassery Ramesh. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-01-11.

Method and apparatus for filling gap using atomic layer deposition

Номер патента: US20210395888A1. Автор: Jeongyub Lee,Sunghee Lee,Eunhyoung Cho,Hanboram LEE,Chi Thang NGUYEN. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2021-12-23.

Apparatus and process for plasma-enhanced atomic layer deposition

Номер патента: US20070119371A1. Автор: Seshadri Ganguli,Christophe Marcadal,Paul Ma,Schubert Chu,Dien-Yeh Wu,Kavita Shah,Frederick Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-31.

Atomic layer deposition methods

Номер патента: US8163648B2. Автор: Guy T. Blalock. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-04-24.

Precursor compositions for atomic layer deposition and chemical vapor deposition of titanate, lanthanate, and tantalate dielectric films

Номер патента: WO2007106788A2. Автор: Thomas H. Baum,Jeffrey F. Roeder,Tianniu Chen,Chongying Xu,Thomas M. Cameron. Владелец: ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.. Дата публикации: 2007-09-20.

Atomic layer deposition of metal oxide materials for memory applications

Номер патента: WO2013032809A1. Автор: Imran Hashim,Yun Wang,Tony Chiang,Dipankar Pramanik,Vidyut Gopal. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2013-03-07.

Copper (II) Complexes for Deposition of Copper Films by Atomic Layer Deposition

Номер патента: US20080044687A1. Автор: Alexander Zak Bradley,Jeffery Scott Thompson,Kyung-ho Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-21.

Atomic layer deposition device and atomic layer deposition method

Номер патента: US20240060179A1. Автор: Takayuki Hagiwara,Naoto Kameda,Tatsunori SHINO,Ayaka Abe,Soichiro Motoda. Владелец: Meiden Nanoprocess Innovations Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Hybrid atomic layer deposition

Номер патента: WO2023230170A1. Автор: Jon Henri,Bart J. van Schravendijk,Easwar Srinivasan,Aaron Blake MILLER,Awnish GUPTA,Fengyan WEI,Dustin Zachary Austin,Oksana SAVCHAK. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2023-11-30.

An atomic layer deposition reactor arrangement and a method for operating an atomic layer deposition reactor arrangement

Номер патента: EP4314378A1. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-02-07.

Plasma enhanced atomic layer deposition apparatus and method

Номер патента: EP4321648A1. Автор: HAO WANG,Bo Zheng,Yunfeng LAN,Wenqiang Zhang,Xiaoyan Ren,Xiaoping Shi,Haifeng Qin. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-14.

Atomic-layer-deposition equipment and atomiclayer-deposition method by using the same

Номер патента: US11891694B2. Автор: Jing-Cheng Lin. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Selective plasma enhanced atomic layer deposition

Номер патента: EP4240886A1. Автор: XINJIAN LEI,Yi-Chia Lee,Aiping Wu,Sumit Agarwal,Robert Gordon Ridgeway,Ryan James GASVODA,Wanxing Xu,Ronald M. Pearlstein,Rohit Narayanan Kavassery Ramesh. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2023-09-13.

Dielectric gapfill using atomic layer deposition (ald), inhibitor plasma and etching

Номер патента: WO2020014166A1. Автор: Adrien Lavoie,Bart van Schravendijk,Purushottam Kumar,Joseph Abel. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2020-01-16.

Scandium precursor for sc2o3 or sc2s3 atomic layer deposition

Номер патента: US20230058025A1. Автор: Patricio E. Romero. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-02-23.

Scandium precursor for sc2o3 or sc2s3 atomic layer deposition

Номер патента: US20190202842A1. Автор: Patricio E. Romero. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-07-04.

Atomic layer deposition reactor arrangement and a method for operating an atomic layer deposition reactor arrangement

Номер патента: US20240043998A1. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-02-08.

Atomic-layer-deposition equipment and atomiclayer-deposition method by using the same

Номер патента: US20230203653A1. Автор: Jing-Cheng Lin. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Scandium precursor for sc2o3 or sc2s3 atomic layer deposition

Номер патента: US20240092804A1. Автор: Patricio E. Romero. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Scandium precursor for SC2O3 or SC2S3 atomic layer deposition

Номер патента: US11866453B2. Автор: Patricio E. Romero. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Process for making thin film transistors by atomic layer deposition

Номер патента: WO2009042059A1. Автор: Diane Carol FREEMAN,Carolyn R. Ellinger,David Howard Levy,Shelby Forrester Nelson,Peter Jerome Cowdery-Corvan,Lyn Marie Irving. Владелец: EASTMAN KODAK COMPANY. Дата публикации: 2009-04-02.

Laser-Assisted Atomic Layer Deposition of 2D Metal Chalcogenide Films

Номер патента: US20180216232A1. Автор: Ganesh Sundaram. Владелец: Ultratech Inc. Дата публикации: 2018-08-02.

Thermal atomic layer deposition of ternary gallium oxide thin films

Номер патента: US20230167548A1. Автор: Adam Hock,Michael James Foody. Владелец: Illinois Institute of Technology. Дата публикации: 2023-06-01.

Substrate surface modifier for atomic layer deposition and method for modifying surface of substrate using the same

Номер патента: US20220259722A1. Автор: Jun Young Kim,Tae Wook Kim,Cheol Kyu Bok,Man Ho Han,Jae Woo Lee,So Jeong YEO. Владелец: Dongjin Semichem Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

Process for making thin film transistors by atomic layer deposition

Номер патента: EP2193222A1. Автор: Diane Carol FREEMAN,Carolyn R. Ellinger,David Howard Levy,Shelby Forrester Nelson,Peter Jerome Cowdery-Corvan,Lyn Marie Irving. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2010-06-09.

Plasma enhanced atomic layer deposition of silicon-containing films

Номер патента: EP4367709A1. Автор: Ravi Kumar,Adrien Lavoie,Pulkit Agarwal,Joseph R. Abel,Douglas Walter Agnew,Dustin Zachary Austin,Jonathan Grant BAKER. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-05-15.

Atomic layer deposition of p-type oxide semiconductor thin films

Номер патента: WO2016109118A1. Автор: Kenji Nomura,John Hyunchul Hong. Владелец: QUALCOMM MEMS Technologies, Inc.. Дата публикации: 2016-07-07.

High selectivity atomic layer deposition process

Номер патента: US11993845B2. Автор: Srinivas D. Nemani,Jong Choi,Keith Tatseun WONG,Andrew C. Kummel,Christopher AHLES. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Plasma enhanced low temperature atomic layer deposition of metals

Номер патента: WO2023250500A1. Автор: Jon Henri,Elham Mohimi,Ann Erickson,Kyle Jordan BLAKENEY,Chiukin Steven Lai,Alexander Ray FOX,Patrick August VAN CLEEMPUT,David Joseph Mandia. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2023-12-28.

Electrode structure of rear electrode of semiconductor substrate, method of its obtaining and sputtered target for use in production of electrode structure

Номер патента: RU2718134C1. Автор: Тецуя КАТО,Йохей МИЗУНО,Тихару ИСИКУРА. Владелец: Танака Кикинзоку Когио К.К.. Дата публикации: 2020-03-30.

Low-iron high-transmission float glass for use in solar cells and method of making said glass

Номер патента: RU2443642C2. Автор: Ричард ХУЛЬМ,Скотт В. ТОМСЕН,Ксения А. ЛЭНДА,Леонид М. ЛЭНДА. Владелец: Гардиан Индастриз Корп.. Дата публикации: 2012-02-27.

Modulated Atomic Layer Deposition

Номер патента: KR20210150606A. Автор: 풀킷 아가왈,애드리언 라보이,끌로에 발다세로니,찬 마이에 마이에 소이,시바 샤란 반다리,바트 제이. 반 슈라벤디크. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2021-12-10.

Nitride film formed by plasma-enhanced and thermal atomic layer deposition process

Номер патента: KR20180028016A. Автор: 제임스 사무엘 심즈,캐서린 메세드 켈츠너. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2018-03-15.

Plasma excitation for spatial atomic layer deposition (ald) reactors

Номер патента: KR20170031035A. Автор: 카를 에프. 리저. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2017-03-20.

Atomic layer deposition apparatus and methods of fabricating semiconductor devices using the same

Номер патента: US11352698B2. Автор: Sangyub IE,Gukhyon Yon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-07.

Method for forming high-efficiency hydrogen barrier control film through artificial composition control in thin film based on atomic layer deposition

Номер патента: KR20220138665A. Автор: 김형준,이유진,남태욱. Владелец: 연세대학교 산학협력단. Дата публикации: 2022-10-13.

High voltage, low pressure plasma enhanced atomic layer deposition

Номер патента: US11935759B2. Автор: Eric R. Dickey. Владелец: Lotus Applied Technology LLC. Дата публикации: 2024-03-19.

An atomic layer deposition apparatus and method

Номер патента: FI130543B. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-11-08.

Reaction chamber, atomic layer deposition apparatus and method

Номер патента: FI20225272A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Olli-Pekka Suhonen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-10-01.

An atomic layer deposition apparatus and a method

Номер патента: US20230407474A1. Автор: Pekka Soininen,Mika Jauhiainen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-12-21.

Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures

Номер патента: US20240030035A1. Автор: Jerry Peijun Chen,Fred Alokozai. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-01-25.

Atomic layer deposition apparatus for coating on fine powders

Номер патента: US20220106684A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku,Ching-Liang Yi. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2022-04-07.

Atomic layer deposition apparatus and method for processing substrates using an apparatus

Номер патента: EP3215652A2. Автор: Ernst Hendrik August Granneman,Leilei HU. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2017-09-13.

Atomic layer deposition apparatus and method for processing substrates using an apparatus

Номер патента: WO2016072850A2. Автор: Ernst Hendrik August Granneman,Leilei HU. Владелец: ASM INTERNATIONAL N.V.. Дата публикации: 2016-05-12.

Atomic layer deposition apparatus and method for processing substrates using an apparatus

Номер патента: US20170167020A1. Автор: Ernst Hendrik August Granneman,Leilei HU. Владелец: LEVITECH BV. Дата публикации: 2017-06-15.

Systems and methods for atomic layer deposition

Номер патента: US11814727B2. Автор: Eric Jen Cheng Liu. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-11-14.

Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures

Номер патента: US11810788B2. Автор: Jerry Peijun Chen,Fred Alokozai. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-11-07.

An atomic layer deposition apparatus and a method

Номер патента: US20230392256A1. Автор: Pekka Soininen,Mika Jauhiainen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-12-07.

Powder-atomic-layer-deposition device with knocker

Номер патента: US20220341036A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Chia-Cheng Ku. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2022-10-27.

An atomic layer deposition apparatus and a method

Номер патента: EP4225967A1. Автор: Pekka Soininen,Mika Jauhiainen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-08-16.

Methods and apparatus for the vaporization and delivery of solution precursors for atomic layer deposition

Номер патента: WO2008013665A3. Автор: Ce Ma,Qing Min Wang,Patrick J Helly. Владелец: Patrick J Helly. Дата публикации: 2008-03-20.

Atomic layer deposition apparatus and film-forming method

Номер патента: US20200063260A1. Автор: Toru Mashita,Keisuke Washio. Владелец: Japan Steel Works Ltd. Дата публикации: 2020-02-27.

Methods and apparatus for the vaporization and delivery of solution precursors for atomic layer deposition

Номер патента: WO2008013665A2. Автор: Ce Ma,Qing Min Wang,Patrick J. Helly. Владелец: The Boc Group, Inc.. Дата публикации: 2008-01-31.

Surface inhibition atomic layer deposition

Номер патента: WO2023164717A1. Автор: Tao Zhang,Pulkit Agarwal,Joseph R. Abel,Jennifer Leigh PETRAGLIA,Shiva Sharan Bhandari. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2023-08-31.

High voltage, low pressure plasma enhanced atomic layer deposition

Номер патента: WO2020223737A3. Автор: Eric R. Dickey. Владелец: Lotus Applied Technology, LLC. Дата публикации: 2021-02-11.

Reaction chamber, atomic layer deposition apparatus and a method

Номер патента: WO2023187257A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Olli-Pekka Suhonen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-10-05.

An atomic layer deposition apparatus and a method

Номер патента: EP4225968A1. Автор: Pekka Soininen,Mika Jauhiainen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-08-16.

An atomic layer deposition apparatus and a method

Номер патента: WO2022079351A1. Автор: Pekka Soininen,Mika Jauhiainen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2022-04-21.

Spatial Atomic Layer Deposition Chamber With Plasma Pulsing To Prevent Charge Damage

Номер патента: US20190180985A1. Автор: Tsutomu Tanaka,Keiichi Tanaka,Alexander V. Garachtchenko,Dmitry A. Dzilno. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-06-13.

Atomic layer deposition apparatus for coating on fine powders

Номер патента: US12006571B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku,Ching-Liang Yi. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

An atomic layer deposition apparatus and a method

Номер патента: FI20206000A1. Автор: Pekka Soininen,Mika Jauhiainen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2022-04-13.

An atomic layer deposition apparatus and method

Номер патента: EP4384650A1. Автор: Pekka Soininen,Matti Malila,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-06-19.

Organic light-emitting display device, organic layer depositing apparatus, and method of manufacturing organic light-emitting display device using the organic layer depositing apparatus

Номер патента: US09905813B2. Автор: VALERIY Prushinskiy,Minsoo Kim,Byungkook Lee,Muhyun Kim,MuGyeom Kim,Yonggu Lee,Dongkyu LEE,Suhwan Lee,Jaesoo HA,Jaeyoung CHO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Deposition source and organic layer deposition apparatus including the same

Номер патента: US09748483B2. Автор: Mu-Hyun Kim,Hee-Cheol Kang,Young-Mook Choi,Dong-Kyu Lee,Chae-Woong Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Organic layer deposition assembly, organic layer deposition apparatus, organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US09570714B2. Автор: Mu-Hyun Kim,Dong-Seob Jeong,Sung-Bong Lee,Myung-Ki Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Euv patterning of monolayers for selective atomic layer deposition

Номер патента: US20190391494A1. Автор: Rudy J. Wojtecki,Ekmini A. De Silva,Noel Arellano,Noah F. Fine Nathel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

METHOD FOR GLOBALLY ADJUSTING SPACER CRITICAL DIMENSION USING PHOTO-ACTIVE SELF-ASSEMBLED MONOLAYER

Номер патента: US20200103755A1. Автор: "OMeara David L.",Farrell Richard,Kang Hoyoung. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2020-04-02.

VACUUM ULTRA VIOLET LIGHT SOURCE DEVICE, LIGHT IRRADIATION DEVICE AND METHOD FOR PATTERNING SELF ASSEMBLED MONOLAYER

Номер патента: US20170199463A1. Автор: Suzuki Shinji,OWADA Tatsushi. Владелец: USHIO DENKI KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2017-07-13.

ELECTRONIC DEVICES WITH COMPONENTS FORMED BY LATE BINDING USING SELF-ASSEMBLED MONOLAYERS

Номер патента: US20180286687A1. Автор: Swan Johanna M.,Braunisch Henning,Kamgaing Telesphor,Oster Sasha N.,Elsherbini Adel A.,HUA Fay. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-04.

Nickel stamp structure for providing easy formation of self-assembled monolayer as anti-stiction layer, and manufacturing method thereof

Номер патента: KR100693992B1. Автор: 홍성훈,이헌. Владелец: 이헌. Дата публикации: 2007-03-12.

Patterning method using mold treated by self assembled monolayer

Номер патента: KR101652339B1. Автор: 이재갑,이치영,정대균,이택경. Владелец: 국민대학교산학협력단. Дата публикации: 2016-08-31.

Method of selective removal of organophosphonic acid molecules from their self-assembled monolayer on Si substrates

Номер патента: US20070212808A1. Автор: Heng-Yong Nie,N. McIntyre,Leo Lau. Владелец: University of Western Ontario. Дата публикации: 2007-09-13.

Removal of high-dose ion-implanted photoresist using self-assembled monolayers in solvent systems

Номер патента: US20070251551A1. Автор: Pamela Visintin,Thomas Baum,Michael Korzenski. Владелец: Advanced Technology Materials Inc. Дата публикации: 2007-11-01.

Light irradiation device and method for patterning self assembled monolayer

Номер патента: US10061197B2. Автор: Shinji Suzuki,Tatsushi Owada. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2018-08-28.

Using edges of self-assembled monolayers to form narrow features

Номер патента: US20110294296A1. Автор: Joanna Aizenberg,Vikram Sundar. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2011-12-01.

Removal of high-dose ion-implanted photoresist using self-assembled monolayers in solvent systems

Номер патента: WO2008052103A1. Автор: Thomas H. Baum,Michael B. Korzenski,Pamela M. Visintin. Владелец: ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.. Дата публикации: 2008-05-02.

Removal of high-dose ion-implanted photoresist using self-assembled monolayers in solvent systems

Номер патента: TW200837516A. Автор: Thomas H Baum,Michael B Korzenski,Pamela M Visintin. Владелец: Advanced Tech Materials. Дата публикации: 2008-09-16.

Atomic layer deposition with in-situ sputtering

Номер патента: WO2024050252A1. Автор: Pulkit Agarwal,Gengwei Jiang,Pei-Chi Liu,Jonathan Grant BAKER. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-03-07.

ATOMIC LAYER DEPOSITION (ALD) FOR MULTI-LAYER CERAMIC CAPACITORS (MLCCs)

Номер патента: WO2021168158A3. Автор: Arrelaine Dameron,Chris GUMP,James Trevey,Paul Nelson,David M. King,Daniel Higgs,Karen Buechler,Jeanette WARNER. Владелец: Forge Nano Inc.. Дата публикации: 2021-12-02.

Fabrication of enhanced supercapacitors using atomic layer deposition of metal oxide on nanostructures

Номер патента: US09805880B2. Автор: LIWEI Lin,Firas Sammoura,Roseanne WARREN. Владелец: Masdar Institute of Science and Technology. Дата публикации: 2017-10-31.

Metal fluoride passivation coatings prepared by atomic layer deposition for li-ion batteries

Номер патента: US20190109320A1. Автор: Anil U. Mane,Jeffrey W. Elam,Jason R. CROY,Joong Sun Park. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2019-04-11.

Metal fluoride passivation coatings prepared by atomic layer deposition for li-ion batteries

Номер патента: US20220085348A1. Автор: Anil U. Mane,Jeffrey W. Elam,Jason R. CROY,Joong Sun Park. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2022-03-17.

Atomic layer deposition powder coating

Номер патента: EP2347031A2. Автор: Christophe Detavernier,Davy Deduytsche,Johan Haemers. Владелец: Universiteit Gent. Дата публикации: 2011-07-27.

Apparatus and method for performing plasma enhanced atomic layer deposition employing very high frequency

Номер патента: US20230203661A1. Автор: Il Kwon Oh,Min-Jeong RHEE. Владелец: Ajou University Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2023-06-29.

An atomic layer deposition reaction chamber and an atomic layer deposition reactor

Номер патента: US20240344197A1. Автор: Pekka Soininen,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN,Esko Karppanen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-10-17.

Atomic layer deposition apparatus and process

Номер патента: US09695510B2. Автор: Gilbert Bruce Rayner, JR.. Владелец: Kurt J Lesker Co. Дата публикации: 2017-07-04.

Laminated ceramic chip component including nano thin film layer, manufacturing method therefor, and atomic layer vapor deposition apparatus therefor

Номер патента: US20170260046A1. Автор: Hyun Suk Kim,Jin Ha Hwang,Dae Bum PARK,Yong Jo CHOO,Da Hee PARK,Myeong Hee KO,Kyoung Woo KWON,Hee Su HWANG,Jeong Wan CHOI. Владелец: MAX TECH Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-14.

Manufacturing method of platinum-based alloy catalyst using fluidized atomic layer deposition

Номер патента: US20240116044A1. Автор: Woong Pyo Hong,Woo Jae Lee,Jung Yeon Park,Seung Jeong OH,Se Hun Kwon,Susanta Bera,Hyun Jae Woo. Владелец: Institute for Research and Industry Cooperation of Pusan National University. Дата публикации: 2024-04-11.

Method of manufacturing a dye sensitized solar cell by atmospheric pressure atomic layer deposition (ald)

Номер патента: WO2009019417A1. Автор: Julie Baker,Nicholas Dartnell,John Fyson. Владелец: EASTMAN KODAK COMPANY. Дата публикации: 2009-02-12.

Component with a dual layer hermetic atomic layer deposition coatings for a semiconductor processing chamber

Номер патента: WO2024097505A1. Автор: LIN Xu,Eric A. Pape,David Joseph WETZEL. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-05-10.

Sealing surfaces of components used in plasma etching tools using atomic layer deposition

Номер патента: US20230215703A1. Автор: LIN Xu,John Daugherty,Robin Koshy. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-07-06.

Atomic Layer Deposition (ALD) for Multi-Layer Ceramic Capacitors (MLCCs)

Номер патента: US20230374659A1. Автор: Chris GUMP,Paul Nelson,Daniel Higgs,Karen Buechler,Jennette Warner. Владелец: ALD Nanosolutions Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Fabrication of enhanced supercapacitors using atomic layer deposition of metal oxide on nanostructures

Номер патента: EP3097574A1. Автор: LIWEI Lin,Firas Sammoura,Roseanne WARREN. Владелец: Masdar Inst of Science and Tech. Дата публикации: 2016-11-30.

Atomic layer deposition of lithium boron comprising nanocomposite solid electrolytes

Номер патента: US11946139B2. Автор: Anil U. Mane,Jeffrey W. Elam,Devika Choudhury. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2024-04-02.

Rf sputtering apparatus for controlling atomic layer of thin film

Номер патента: EP4230763A1. Автор: Se Young Jeong,Sang Eon Park,You Sil LEE,Su Jae Kim,Mi Yeon CHEON. Владелец: University Industry Cooperation Foundation of Pusan National University. Дата публикации: 2023-08-23.

Metal fluoride passivation coatings prepared by atomic layer deposition for Li-ion batteries

Номер патента: US11862783B2. Автор: Anil U. Mane,Jeffrey W. Elam,Jason R. CROY,Joong Sun Park. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2024-01-02.

Atomic layer deposition of ionically conductive coatings for lithium battery fast charging

Номер патента: WO2021243163A2. Автор: Kuan-Hung Chen,Neil P. DASGUPTA,Eric KAZYAK. Владелец: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN. Дата публикации: 2021-12-02.

An atomic layer deposition reaction chamber and an atomic layer deposition reactor

Номер патента: FI20215853A1. Автор: Pekka Soininen,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN,Esko Karppanen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-02-14.

An atomic layer deposition reaction chamber and an atomic layer deposition reactor

Номер патента: EP4384649A1. Автор: Pekka Soininen,Markus Bosund,Pasi MERILÄINEN,Esko Karppanen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-06-19.

Atomic layer deposition of electrochemical catalysts

Номер патента: EP3509743A1. Автор: Yongmin Kim,Friedrich B. Prinz,Thomas Francisco JARAMILLO,Tanja Graf,Thomas Schladt,Gerold Huebner,Shicheng XU,Maha YUSUF,Drew Christopher HIGGINS. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2019-07-17.

Method of hardening a rma-crosslinkable resin coating, rma-crosslinkable compositions and resins for use in said method

Номер патента: RU2720618C2. Автор: Дирк Эмиль Паула МЕСТАХ,Майкл Энтони ГЕССНЕР,Рамеш СУБРАМАНЯН,Уильям Джей ДЕГУЙЕР,Аджая НАНДА,Эрик Мэттью МАККРАКЕН. Владелец: Аллнекс Незерландс Б.В.. Дата публикации: 2020-05-12.

Method of producing electroluminescent material 1,10-phenanthroline-tri-(thenoyltrifluoroacetonate) europium (iii) for use in production of organic light-emitting diodes (oled) and structures based thereon

Номер патента: RU2584208C1. Автор: Николай Николаевич Усов,Игорь Христофорович Аветисов,Александр Генрихович Чередниченко,Борис Афанасьевич Кондрацкий,Олег Алексеевич Грачев,Олег Геннадьевич Котовский. Владелец: Открытое акционерное общество "Центральный научно-исследовательский институт "ЦИКЛОН". Дата публикации: 2016-05-20.

Atomic layer deposition of vanadium oxide for microbolometer and imager

Номер патента: WO2015195562A1. Автор: Francis J. Kub,Virginia D. Wheeler,Marko J. Tadjer,Charles R. EDDY. Владелец: The Government of the United States of America, as represented by the Secretary of the Navy. Дата публикации: 2015-12-23.

Apparatuses and methods for atomic layer deposition

Номер патента: US8747556B2. Автор: Bo Zheng,Hua Ai,Michael Jackson,Salvador P. Umotoy,Xiaoxiong Yuan,Sang Ho Yu,Hougong Wang,Hyman W. H. Lam. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-06-10.

Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition (ALD) Using Radio Frequency (RF) Power Ramping

Номер патента: KR20220097974A. Автор: 제레미 데이비드 필즈,프랭크 로렌 파스콸레. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2022-07-08.

Atomic Layer Deposition Coated Powder Coatings for Processing Chamber Components

Номер патента: KR20230027034A. Автор: 에릭 에이. 파페. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2023-02-27.

An apparatus for atomic layer deposition

Номер патента: EP3414357A1. Автор: Mikko SÖDERLUND,Pekka Soininen,Paavo Timonen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2018-12-19.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US20240186117A1. Автор: Hsuan-Fu Wang,Ching-Chiun Wang,Fu-Ching Tung. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2024-06-06.

Photosensitive self-assembled monolayer for selective placement of hydrophilic structures

Номер патента: US8227171B2. Автор: Ali Afzali-Ardakani,George S. Tulevski,James B. Hannon,Teresita O. Graham. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-24.

Process for forming self-assembled monolayer on metal surface and printed circuit board comprising self-assembled monolayer

Номер патента: WO2014149963A1. Автор: Jim TRAINOR,Yubing Wang. Владелец: OMG Electronic Chemicals, Inc.. Дата публикации: 2014-09-25.

Photosensitive self-assembled monolayer for selective placement of hydrophilic structures

Номер патента: US20090098347A1. Автор: Ali Afzali-Ardakani,George S. Tulevski,James B. Hannon,Teresita O. Graham. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-04-16.

Photosensitive self-assembled monolayer for selective placement of hydrophilic structures

Номер патента: US7732119B2. Автор: Ali Afzali-Ardakani,George S. Tulevski,James B. Hannon,Teresita O. Graham. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-06-08.

Photosensitive self-assembled monolayer for selective placement of hydrophilic structures

Номер патента: US7888528B2. Автор: Ali Afzali-Ardakani,George S. Tulevski,James B. Hannon,Teresita O. Graham. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-02-15.

Radiation sensitive self-assembled monolayers and uses thereof

Номер патента: US7531293B2. Автор: Ali Afzali-Ardakani,Cherie R. Kagan,Laura L. Kosbar,Charan Srinivasan,Sally A. Swanson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-05-12.

Method and system for prevention of metal contamination by using a self-assembled monolayer coating

Номер патента: US20200073244A1. Автор: Anton J. deVilliers,Hoyoung Kang,Corey Lemley. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Self-assembled monolayer for electrode modification and device comprising such self-assembled monolayer

Номер патента: US20240298522A1. Автор: David Sparrowe,William Mitchell,Changsheng Wang. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2024-09-05.

Dithiocarboxlic acid self-assembled monolayers and methods for using same in microconact printing

Номер патента: US20040137148A1. Автор: Randall Lee,Ramon Colorado. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-15.

Fabrication of self-assembled monolayers using CO2

Номер патента: GB2372717A. Автор: Satoru Miyashita,Hitoshi Fukushima,Masaya Ishida,Andrew Holmes,Wilhelm Huck,Christine Keiko Luscombe. Владелец: Cambridge University Technical Services Ltd CUTS. Дата публикации: 2002-09-04.

Perovskite solar cells with self-assembled monolayers

Номер патента: WO2022250795A3. Автор: Nitin P. Padture,Zhenghong Dai. Владелец: BROWN UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-04-06.

Perovskite Solar Cells with Self Assembled Monolayers

Номер патента: US20240188313A1. Автор: Nitin P. Padture,Zhenghong Dai. Владелец: BROWN UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-06-06.

Interstitially mixed self-assembled monolayers and method of manufacturing the same by resem

Номер патента: US20230271217A1. Автор: Hyo Jae YOON,Gyu don KONG,Hyun sun SONG. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2023-08-31.

Method for manufacturing high-performance indoor photovoltaic cell using self-assembled monolayers and indoor photovoltaic cell manufactured thereby

Номер патента: US20240147742A1. Автор: Jae Won Shim,Tae Hyuk Kim. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2024-05-02.

Self-assembled monolayer float evaporation reduction apparatus and method of use thereof

Номер патента: US20170253426A1. Автор: Eric Emil Boyer,Sachery Peterson Boyer,Axel Emil Boyer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-09-07.

Monobenzoate suitable for use as plasticizer in adhesive compositions

Номер патента: RU2601458C2. Автор: Уильям Д. АРЕНДТ,Эмили МАКБРАЙД. Владелец: Эмерелд Калама Кемикл, Ллк. Дата публикации: 2016-11-10.

Radiation detector based on charged self-assembled monolayers on nanowire devices

Номер патента: US09435896B2. Автор: Ali Afzali-Ardakani,Jose M. Lobez Comeras. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Polymers with bio-functional self assembling monolayer endgroups for therapeutic applications and blood filtration

Номер патента: EP2190441A1. Автор: Yuan Tian,Robert S. Ward,Shanger Wang,Keith Mccrea,Anfeng Wang,Larry Jones,James P. Parakka. Владелец: DSM IP ASSETS BV. Дата публикации: 2010-06-02.

Radiation Detector Based on Charged Self-Assembled Monolayers on Nanowire Devices

Номер патента: US20150034834A1. Автор: Ali Afzali-Ardakani,Jose M. Lobez Comeras. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-02-05.

Self assembled monolayer formed on a quantum device

Номер патента: US20210249582A1. Автор: Ali Afzali-Ardakani,Richard Alan Haight,Martin O. Sandberg,Vivekananda P. Adiga. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-08-12.

Formation of self-assembled monolayers of redox SAMs on silicon for molecular memory applications

Номер патента: US7348206B2. Автор: Jonathan S. Lindsey,David F. Bocian,Werner G. Kuhr,Zhiming Liu,Rajeeve Balkrishna Dabke. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2008-03-25.

Uniquely writable semiconductor memory based on molecular self-assembled monolayers

Номер патента: DE102004021227B4. Автор: Günter Dr. Schmid,Ute Zschieschang,Marcus Dr. Halik,Hagen Dr. Klauk,Christine Dr. Dehm. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-02-14.

Surface treating-composition for forming self-assembled monolayer capable of being easily coated and removed

Номер патента: WO2014193079A1. Автор: 오동엽,허진화,황동수. Владелец: 포항공과대학교 산학협력단. Дата публикации: 2014-12-04.

Material for processing by selective laser sintering, moulded article obtained therefrom, as well as use in method of selective laser sintering

Номер патента: RU2730334C1. Автор: Максимилиан КУНКЕЛЬ,Манфред ОКСЕНКЮН,Хайнрих ЦАЙНИНГЕР. Владелец: СИМЕНС МОБИЛИТИ ГМБХ. Дата публикации: 2020-08-21.

Stabilization of self-assembled monolayers

Номер патента: WO2005089415A3. Автор: Nabil A Amro,Guohua Yang,Gang-yu Liu. Владелец: Gang-yu Liu. Дата публикации: 2009-04-23.

Deep learning and self-assembled-monolayer-based alzheimer's disease diagnosis method, and sers substrate therefor

Номер патента: EP4372759A1. Автор: Min Young Lee,Sungho Jo,Minjoon Kim,Yeonsik JUNG,Hyung Joon Park,Sejoon HUH. Владелец: Korea Institute of Materials Science KIMS. Дата публикации: 2024-05-22.

Media cleaning with self-assembled monolayer material

Номер патента: US09484062B1. Автор: Robert Anthony Fernandez,Paul Macarius Olsen. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-11-01.

Self-assembled monolayer to adjust fly height

Номер патента: US09437233B1. Автор: Timothy W. Stoebe,Daniel W. Olson. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-09-06.

Self-assembled monolayers on the surface of gold coated microcantilevers for application to chemical sensing and method of operation

Номер патента: CA2580593A1. Автор: Thomas G. Thundat,Gilbert M. Brown,Peter V. Bonnesen,Lal A. Pinnaduwage,Vassil I. Boiadjiev,Gudron Goretzki. Владелец: Gudron Goretzki. Дата публикации: 2006-03-23.

Self-assembled monolayers on the surface of gold coated microcantilevers for application to chemical sensing and method of operation

Номер патента: WO2006031846A2. Автор: Thomas G. Thundat,Gilbert M. Brown,Peter V. Bonnesen,Lal A. Pinnaduwage,Vassil I. Boiadjiev,Gudron Goretzki. Владелец: UNIVERSITY OF TENNESSEE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2006-03-23.

Self-assembled monolayers on the surface of gold coated microcantilevers for application to chemical sensing and method of preparation

Номер патента: EP1794580A2. Автор: Thomas G. Thundat,Gilbert M. Brown,Peter V. Bonnesen,Lal A. Pinnaduwage,Vassil I. Boiadjiev,Gudron Goretzki. Владелец: UT Battelle LLC. Дата публикации: 2007-06-13.

Systems and methods for inhibiting contamination enhanced laser induced damage (celid) based on fluorinated self-assembled monolayers disposed on optics

Номер патента: US20140268335A1. Автор: Bruce H. Weiller,Randy M. Villahermosa,Jesse D. Fowler. Владелец: Aerospace Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Novel aminocalixarene derivatives, method of preparation thereof, and self-assembled monolayer prepared by the method, fixing method of oligo-dna by spontaneous and irreversible molecular recognition of oligo-dna to the self-assembled monolayer, and oligo-dna chip prepared by the method

Номер патента: KR100869916B1. Автор: 김정훈,송금수,김형섭,김태선. Владелец: (주)바이오메트릭스 테크놀로지. Дата публикации: 2008-11-21.

Characterization of biochips containing self-assembled monolayers

Номер патента: US20140134642A1. Автор: Milan Mrksich,Jing Su. Владелец: University of Chicago. Дата публикации: 2014-05-15.

Method for immobilizing protein a on a self-assembled monolayer

Номер патента: US20140147939A1. Автор: Yukari Hataoka. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-05-29.

Method for immobilizing protein a on a self-assembled monolayer

Номер патента: US20140148577A1. Автор: Yukari Hataoka. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-05-29.

Characterization of biochips containing self-assembled monolayers

Номер патента: US20140206570A1. Автор: Milan Mrksich,Jing Su. Владелец: University of Chicago. Дата публикации: 2014-07-24.

SYSTEM AND METHOD FOR FORMATION OF THIN FILMS WITH SELF-ASSEMBLED MONOLAYERS EMBEDDED ON THEIR SURFACES

Номер патента: US20140302312A1. Автор: Singh Pushpendra. Владелец: NEW JERSEY INSTITUTE OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2014-10-09.

MOLECULAR DESIGN TO SUPPRESS DESORPTION OF SELF-ASSEMBLED MONOLAYERS

Номер патента: US20190361011A1. Автор: Zafar Sufi,Afzali-Ardakani Ali,Kumar Bharat. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-28.

Molecular recognition at surfaces derivatized with self-assembled monolayers

Номер патента: US5620850A. Автор: George M. Whitesides,Cynthia C. Bamdad,George B. Sigal,Jack L. Strominger. Владелец: Harvard College. Дата публикации: 1997-04-15.

Molecular recognition at surfaces derivatized with self-assembled monolayers

Номер патента: US6197515B1. Автор: George M. Whitesides,Cynthia C. Bamdad,George B. Sigal,Jack L. Strominger. Владелец: Harvard University. Дата публикации: 2001-03-06.

Molecular recognition at surfaces derivatized with self-assembled monolayers

Номер патента: US6472148B1. Автор: George M. Whitesides,Cynthia C. Bamdad,George B. Sigal,Jack L. Strominger. Владелец: Harvard College. Дата публикации: 2002-10-29.

Molecular recognition at surfaces derivatized with self-assembled monolayers

Номер патента: US6322979B1. Автор: George M. Whitesides,Cynthia C. Bamdad,George B. Sigal,Jack L. Strominger. Владелец: Harvard College. Дата публикации: 2001-11-27.

Molecular recognition at surfaces derivatized with self-assembled monolayers

Номер патента: US20020042074A1. Автор: George Whitesides,Cynthia Bamdad,George Sigal,Jack Strominger. Владелец: Harvard College. Дата публикации: 2002-04-11.

Method for immobilizing glucose oxidase on a self-assembled monolayer

Номер патента: US8871457B2. Автор: Yukari Hataoka. Владелец: Panasonic Healthcare Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-28.

Method for immobilizing protein A on a self-assembled monolayer

Номер патента: US8980645B2. Автор: Yukari Hataoka. Владелец: Panasonic Healthcare Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-17.

Method for immobilizing streptavidin on a self-assembled monolayer

Номер патента: US8785143B2. Автор: Yukari Hataoka. Владелец: Panasonic Healthcare Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-22.

A method for immobilizing streptavidin on a self-assembled monolayer

Номер патента: WO2012029202A1. Автор: Yukari Hataoka. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-03-08.

Method for manufacturing protein pattern with capillary force lithography and self assembled monolayers, and protein chip manufactured therefrom

Номер патента: KR100722321B1. Автор: 채희엽,유충한,김치중. Владелец: 성균관대학교산학협력단. Дата публикации: 2007-05-28.

A method for immobilizing streptavidin on a self-assembled monolayer

Номер патента: CN102918064B. Автор: 畠冈由香利. Владелец: Panasonic Healthcare Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-11.

Self-assembled monolayer enhanced DLC coatings

Номер патента: US20070042154A1. Автор: Lee Walter,Fang Chen,John Wright,Mehmet Hancer,Marsha Huha,Jane Gates,Joel Hoehn. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2007-02-22.

Characterization of biochips containing self-assembled monolayers

Номер патента: US20140206570A1. Автор: Milan Mrksich,Jing Su. Владелец: University of Chicago. Дата публикации: 2014-07-24.

Characterization of biochips containing self-assembled monolayers

Номер патента: US20140134642A1. Автор: Milan Mrksich,Jing Su. Владелец: University of Chicago. Дата публикации: 2014-05-15.

Back-Illuminated Sensor With Boron Layer Deposited Using Plasma Atomic Layer Deposition

Номер патента: US20240313032A1. Автор: Yung-Ho Alex Chuang,John Fielden,Sisir YALAMANCHILI,Francisco Kole. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Back-illuminated sensor with boron layer deposited using plasma atomic layer deposition

Номер патента: EP4278384A1. Автор: Yung-Ho Alex Chuang,John Fielden,Sisir YALAMANCHILI,Francisco Kole. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2023-11-22.

Back-illuminated sensor with boron layer deposited using plasma atomic layer deposition

Номер патента: US12015046B2. Автор: Yung-Ho Alex Chuang,John Fielden,Sisir YALAMANCHILI,Francisco Kole. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Methods and apparatus for use in the spatial registration of objects

Номер патента: WO2022008903A2. Автор: Michael STRAIN. Владелец: UNIVERSITY OF STRATHCLYDE. Дата публикации: 2022-01-13.

Methods for use in the spatial registration of objects

Номер патента: EP4176464A2. Автор: Michael STRAIN. Владелец: UNIVERSITY OF STRATHCLYDE. Дата публикации: 2023-05-10.

Methods for increasing growth rate during atomic layer deposition of thin films

Номер патента: US09428842B2. Автор: Viljami Pore. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2016-08-30.

Atomic layer deposition encapsulation for acoustic wave devices

Номер патента: US20120091855A1. Автор: Merrill Albert Hatcher, JR.,John Robert Siomkos,Jayanti Jaganatha Rao. Владелец: RF Micro Devices Inc. Дата публикации: 2012-04-19.

System for atomic layer deposition on flexible substrates and method for the same

Номер патента: WO2017188947A1. Автор: Brian Einstein Lassiter. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2017-11-02.

Method of making phase change materials electrochemical atomic layer deposition

Номер патента: US20090011577A1. Автор: Qiang Huang,Xiaoyan Shao,Venkatram Venkatasamy,John L. Stickney. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-01-08.

Patterning solution deposited thin films with self-assembled monolayers

Номер патента: US20040163758A1. Автор: Cherie Kagan,Tricia Carmichael,Laura Kosbar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-08-26.

Methods for the electrochemical treatment of self-assembled monolayers

Номер патента: US09891215B2. Автор: Jon Faiz Kayyem,Sean Ford,William Bender,Ken Rusterholz,Claudia C. Argueta. Владелец: Genmark Diagnostics Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Valve control system for atomic layer deposition chamber

Номер патента: WO2002073329A3. Автор: YU Chang,SIQING Lu,Ming Xi,Anh N Nguyen,Michael X Yang,Vinh Dang,Dongxi Sun,Anzhong Andrew Chang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-12-11.

Methods of forming structures with a focused ion beam for use in atomic force probing and structures for use in atomic force probing

Номер патента: US8377722B2. Автор: David Raymond Goulet,Walter Victor Lepuschenko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-02-19.

Process for area-selective atomic layer deposition of antireflection coatings and filters

Номер патента: US20240038803A1. Автор: John J. Hennessy,Shouleh Nikzad,April D. Jewell,Ghazaleh KAFAIE SHIRMANESH,Erika T. Hamden. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2024-02-01.

Treatment of a self-assembled monolayer on a dielectric layer for improved epoxy adhesion

Номер патента: WO2012125377A2. Автор: David Leslie Heald,Majorio Arafiles RAFANAN. Владелец: QUALCOMM MEMS Technologies, Inc.. Дата публикации: 2012-09-20.

Drug delivery from implants using self-assembled monolayers-therapeutic sams

Номер патента: US20090123516A1. Автор: David Johnson,Marc Feldman,C. Mauli Agrawal,Anil Mahapatro,Devang Patel,Gopinath Mani,Arturo Ayon. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2009-05-14.

Self-assembly monolayer modified printhead

Номер патента: CA2713810C. Автор: Nan-Xing Hu,Ping Liu,Yiliang Wu. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2013-06-18.

Atomic layer deposition bonding for heterogeneous integration of photonics and electronics

Номер патента: EP4216261A1. Автор: John Parker,Gregory Alan Fish,Martin A. Spannagel,Antonio Labaro. Владелец: Juniper Networks Inc. Дата публикации: 2023-07-26.

Atomic layer deposition bonding for heterogeneous integration of photonics and electronics

Номер патента: US20200233148A1. Автор: John Parker,Gregory Alan Fish,Martin A. Spannagel,Antonio Labaro. Владелец: Juniper Networks Inc. Дата публикации: 2020-07-23.

Magnetic tunnel junction element with ru hard mask for use in magnetic random-access memory

Номер патента: US20200343298A1. Автор: Mustafa Pinarbasi,Jacob Anthony HERNANDEZ,Cheng Wei Chiu. Владелец: Spin Memory Inc. Дата публикации: 2020-10-29.

Atomic layer deposition bonding for heterogeneous integration of photonics and electronics

Номер патента: US11846803B2. Автор: John Parker,Gregory Alan Fish,Martin A. Spannagel,Antonio Labaro. Владелец: Openlight Photonics Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Limited dose atomic layer processes for localizing coatings on non-planar surfaces

Номер патента: US20200161140A1. Автор: Thomas E. Seidel,Michael Current. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-05-21.

Plasma treatment of substrates prior to the formation a self-assembled monolayer

Номер патента: US8658258B2. Автор: Eric L. Hanson. Владелец: Aculon Inc. Дата публикации: 2014-02-25.

Backfilled, self-assembled monolayers and methods of making same

Номер патента: US20070141364A1. Автор: FENG Zheng,Oleg Egorov,Christopher Aardahl,Glen Fryxell,Thomas Zemanian,R. Addleman,Brad Busche. Владелец: Battelle Memorial Institute Inc. Дата публикации: 2007-06-21.

Self-assembled monolayer and method of making

Номер патента: US20030129406A1. Автор: Jun Liu,Yongsoon Shin,Glen Fryxell,Thomas Zemanian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-10.

Self-assembled monolayer and method of making

Номер патента: US20030148032A1. Автор: Jun Liu,Yongsoon Shin,Glen Fryxell,Thomas Zemanian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-07.

Self-assembled monolayers and method of production

Номер патента: WO2009135686A3. Автор: Karsten Reihs. Владелец: Amf Gmbh. Дата публикации: 2010-03-04.

Atomic layer deposition of metal oxide and/or low asymmetrical tunnel barrier interpoly insulators

Номер патента: US7508025B2. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn,Jerome M. Eldridge. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-03-24.

Self-assembled monolayers as an etchant in atomic layer etching

Номер патента: US20190189462A1. Автор: Eric Hudson. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2019-06-20.

Self-assembled monolayers as an etchant in atomic layer etching

Номер патента: WO2019125721A1. Автор: Eric Hudson. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2019-06-27.

Layer deposition on III-V semiconductors

Номер патента: US09685322B2. Автор: Silvia Armini,Christoph Adelmann. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-06-20.

SELECTIVE ATOMIC LAYER DEPOSITION PROCESS UTILIZING PATTERNED SELF ASSEMBLED MONOLAYERS FOR 3D STRUCTURE SEMICONDUCTOR APPLICATIONS

Номер патента: US20170053797A1. Автор: Nemani Srinivas D.,Godet Ludovic,YIEH Ellie Y.,FAN Yin. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-23.

SELECTIVE ATOMIC LAYER DEPOSITION PROCESS UTILIZING PATTERNED SELF ASSEMBLED MONOLAYERS FOR 3D STRUCTURE SEMICONDUCTOR APPLICATIONS

Номер патента: US20150294863A1. Автор: Nemani Srinivas D.,Godet Ludovic,YIEH Ellie Y.,FAN Yin. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-15.

SELF-ASSEMBLED MONOLAYERS AS AN ETCHANT IN ATOMIC LAYER ETCHING

Номер патента: US20190189462A1. Автор: Hudson Eric. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-20.

SELF-ASSEMBLED MONOLAYER FOR ELECTRODE MODIFICATION AND DEVICE COMPRISING SUCH SELF-ASSEMBLED MONOLAYER

Номер патента: US20220052277A1. Автор: Mitchell William,Wang Changsheng,Sparrowe David. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-17.

SELF-ASSEMBLED MONOLAYER FOR PATTERN FORMATION

Номер патента: US20150056813A1. Автор: Huang Chien-Hua,Huang Tsung-Min,Lee Chung-Ju. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-26.

Self-assembled monolayer for pattern formation

Номер патента: CN103578923A. Автор: 李忠儒,黄建桦,黄琮闵. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-02-12.

Selectable surface modification using self assembled monolayer for ink-jet process of organic electronic devices

Номер патента: KR100945729B1. Автор: 윤영수,박훈,김수호,지승현. Владелец: 건국대학교 산학협력단. Дата публикации: 2010-03-05.

Self-assembled monolayer for selective deposition

Номер патента: US20230197508A1. Автор: Xiangjin Xie,Kevin Kashefi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Photovoltaic device for use as photovoltaic generator, has absorber material layer deposited on n type semiconductor layer, and transparent p type semiconductor layer deposited on absorber material layer

Номер патента: FR2899724A1. Автор: Clement Claude Levy,Alain Jacob,Gerardo LARRAMONA,Cecile Ds Georges,Jeffrey Rs Brownson. Владелец: IMRA EUROPE SAS. Дата публикации: 2007-10-12.

Self-assembled monolayer for selective deposition

Номер патента: WO2023113866A1. Автор: Xiangjin Xie,Kevin Kashefi. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-06-22.

Self-assembled monolayer for selective deposition

Номер патента: US20230115211A1. Автор: Xiangjin Xie,Kevin Kashefi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-04-13.

Semiconductor processing including etched layer passivation using self-assembled monolayer

Номер патента: TW200832548A. Автор: Sean S Kang,Tom Choi,Sung-Jin Cho,Prabhakara Gopaladasu,Sang-Jun Cho,Tae-Joon Han. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2008-08-01.

System and methods for spin-on coating of self-assembled monolayers or periodic organosilicates on a substrate

Номер патента: US09418834B2. Автор: Koichi Matsunaga,Kathleen Nafus,Yuhei Kuwahara,Ainhoa Romo Negreira. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

PARTIALLY-SPRAYED LAYER ORGANIC SOLAR PHOTOVOLTAIC CELL USING A SELF-ASSEMBLED MONOLAYER AND METHOD OF MANUFACTURE

Номер патента: US20130284242A1. Автор: Jiang Xiaomei Jane,Lewis Jason Erik. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH FLORIDA. Дата публикации: 2013-10-31.

METHODS OF IN-SITU VAPOR PHASE DEPOSITION OF SELF-ASSEMBLED MONOLAYERS AS COPPER ADHESION PROMOTERS AND DIFFUSION BARRIERS

Номер патента: US20140045330A1. Автор: Tong Jinhong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2014-02-13.

METHODS FOR PREPARING SELF-ASSEMBLED MONOLAYERS

Номер патента: US20190019674A1. Автор: Färm Elina. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-17.

SELECTIVE METAL OXIDE DEPOSITION USING A SELF-ASSEMBLED MONOLAYER SURFACE PRETREATMENT

Номер патента: US20180076027A1. Автор: Leusink Gerrit J.,Wajda Cory,Tapily Kandabara N.,Kang Hoyoung. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-15.

Selective silicon dioxide deposition using phosphonic acid self assembled monolayers as nucleation inhibitor

Номер патента: US20170092533A1. Автор: David Thompson,Robert Jan Visser,Mark Saly,Eswaranand VENKATASUBRAMANIAN,Tapash Chakraborty,Prerna Sonthalia Goradia,Rana HOWLADER. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-03-30.

HIGH DENSITY PACKAGE ON PACKAGE DEVICES CREATED THROUGH A SELF ASSEMBLY MONOLAYER ASSISTED LASER DIRECT STRUCTURING PROCESS ON MOLD COMPOUND

Номер патента: US20180096975A1. Автор: Sankman Robert L.,HUA Fay. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-05.

SELF-ASSEMBLED MONOLAYER OVERLYING A CARBON NANOTUBE SUBSTRATE

Номер патента: US20180123063A1. Автор: Walker Matthew J.,HOWELL ROBERT S.,Shea Patrick B.,LILLY MONICA P.,MILLER Wayne Stephen,Sweet William J.,KELLIHER JAMES T.. Владелец: Northrop Grumman Systems Corporation. Дата публикации: 2018-05-03.

SELECTIVE PLACEMENT OF CARBON NANOTUBES VIA COULOMBIC ATTRACTION OF OPPOSITELY CHARGED CARBON NANOTUBES AND SELF-ASSEMBLED MONOLAYERS

Номер патента: US20160141501A1. Автор: Afzali-Ardakani Ali,Tulevski George S.,Park Hongsik. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-19.

METHODS OF TAILORING THE DEPOSITION OF METALS USING SELF-ASSEMBLED MONOLAYERS

Номер патента: US20170141295A1. Автор: Ekerdt John G.,CHOPRA Sonali N.. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-18.

SELF-ASSEMBLED MONOLAYERS AS SACRIFICIAL CAPPING LAYERS

Номер патента: US20210175118A1. Автор: Triyoso Dina,Negreira Ainhoa Romo,Kawana Yumiko. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-10.

SELF-ASSEMBLED MONOLAYER BLOCKING WITH INTERMITTENT AIR-WATER EXPOSURE

Номер патента: US20190157101A1. Автор: WONG Keith Tatseun,Kaufman-Osborn Tobin. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-23.

SYSTEM AND METHODS FOR SPIN-ON COATING OF SELF-ASSEMBLED MONOLAYERS OR PERIODIC ORGANOSILICATES ON A SUBSTRATE

Номер патента: US20150170903A1. Автор: Matsunaga Koichi,Nafus Kathleen,Negreira Ainhoa Romo,Kuwahara Yuhei. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-18.

Self-assembled monolayer blocking with intermittent air-water exposure

Номер патента: US20170256402A1. Автор: Tobin Kaufman-Osborn,Keith Tatseun WONG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-09-07.

ELECTRONIC DEVICES WITH COMPONENTS FORMED BY LATE BINDING USING SELF-ASSEMBLED MONOLAYERS

Номер патента: US20190259622A1. Автор: Swan Johanna M.,Braunisch Henning,Kamgaing Telesphor,Oster Sasha N.,Elsherbini Adel A.,HUA Fay. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-22.

FABRICATION OF EMBEDDED MEMORY DEVICES UTILIZING A SELF ASSEMBLED MONOLAYER

Номер патента: US20200328251A1. Автор: Yang Chih-Chao,De Silva Ekmini Anuja,Dutta Ashim. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-15.

Selectively controlling application of a self-assembled monolayer coating on a substrate of a device for facilitating a reduction of adverse effects of such coating on the device

Номер патента: US20190341305A1. Автор: Bongsang Kim,Joe SEEGER. Владелец: InvenSense Inc. Дата публикации: 2019-11-07.

Wafer Treatment For Achieving Defect-Free Self-Assembled Monolayers

Номер патента: US20180366317A1. Автор: Godet Ludovic,Ma Paul F.,Zhou Lei,LIU Biao,Wu Liqi,Guo Yuanhong,Chen Erica,PAN Cheng,Kaufman-Osborn Tobin,KE CHANG,Jackson Michael S.. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-20.

WAFER TREATMENT FOR ACHIEVING DEFECT-FREE SELF-ASSEMBLED MONOLAYERS

Номер патента: US20200402792A1. Автор: Godet Ludovic,Ma Paul F.,Zhou Lei,LIU Biao,Wu Liqi,Guo Yuanhong,Chen Erica,PAN Cheng,Kaufman-Osborn Tobin,KE CHANG,Jackson Michael S.. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-24.

self assembly monolayer fabrication method

Номер патента: KR101101431B1. Автор: 채기성. Владелец: 엘지디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2012-01-02.

Method for forming self assembled monolayer and Cu wiring of semiconductor device using the same and method for forming the same

Номер патента: KR101096031B1. Автор: 김재홍,염승진,강성군,한원규. Владелец: 한양대학교 산학협력단. Дата публикации: 2011-12-19.

A partially-sprayed layer organic solar photovoltaic cell using a self-assembled monolayer and method of manufacture

Номер патента: CA2819899A1. Автор: Jason Lewis,Xiaomei Jiang. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH FLORIDA. Дата публикации: 2012-08-09.

Selective metal oxide deposition using a self-assembled monolayer surface pretreatment

Номер патента: US10068764B2. Автор: Gerrit J. Leusink,Hoyoung Kang,Kandabara N. Tapily,Cory Wajda. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-09-04.

Selective deposition of a dielectric on a self-assembled monolayer-adsorbed metal

Номер патента: US20080116481A1. Автор: Andrew W. Ott,Sean King,Ajay K. Sharma,Dennis Hanken. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-05-22.

Deposition of self-assembled monolayers allowing selective deposition and etching

Номер патента: KR20220025877A. Автор: 다니엘 피터,양 판,용희 이,사만다 시암화 탄. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2022-03-03.

Improved self-assembled monolayer blocking with intermittent air-water exposure

Номер патента: WO2017151639A1. Автор: Tobin Kaufman-Osborn,Keith Tatseun WONG. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2017-09-08.

Improved self-assembled monolayer blocking with intermittent air-water exposure

Номер патента: EP3424070A1. Автор: Tobin Kaufman-Osborn,Keith Tatseun WONG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-01-09.

Reducing feature dimension using self-assembled monolayer

Номер патента: US6630404B1. Автор: Carl P. Babcock. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-10-07.

Growth of inorganic thin films using self-assembled monolayers as nucleation sites

Номер патента: US20060003438A1. Автор: James Engstrom,Paul Ma,Aravind Killampalli. Владелец: Cornell Research Foundation Inc. Дата публикации: 2006-01-05.

Semiconductor nanocrystals covalently bound to solid inorganic surfaces using self-assembled monolayers.

Номер патента: EP0613585A4. Автор: A Paul Alivisatos,Vicki L Colvin. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 1995-06-21.

Self-assembled monolayer on a dielectric for transition metal dichalcogenide growth for stacked 2d channels

Номер патента: US20230420510A1. Автор: Uygar E. Avci,Scott B. Clendenning,Kevin P. O'brien,Chia-Ching Lin,Matthew V. Metz,Ashish Verma Penumatcha,Jiun-Ruey Chen,Carl H. Naylor,Chelsey DOROW,Sudarat Lee,Kirby MAXEY,Carly ROGAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

System and methods for spin-on coating of self-assembled monolayers or periodic organosilicates on a substrate

Номер патента: US20150170903A1. Автор: Koichi Matsunaga,Kathleen Nafus,Yuhei Kuwahara,Ainhoa Romo Negreira. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2015-06-18.

Method of manufacturing a magnetic film having high coercivity for use as a hot seed in a magnetic write head

Номер патента: US09805743B2. Автор: Kunliang Zhang,Min Li,Shengyuan Wang. Владелец: Headway Technologies Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

In-situ aluminium cleaning using atomic layer etching followed by atomic layer deposition capping for enhanced aluminium mirrors for vuv optics

Номер патента: US20230417954A1. Автор: Hoon Kim,Jue Wang,Donald Erwin Allen,Ming-Huang Huang,Narendra Shamkant BORGHARKAR. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

In-situ aluminium cleaning using atomic layer etching followed by atomic layer deposition capping for enhanced aluminium mirrors for vuv optics

Номер патента: WO2023249814A1. Автор: Hoon Kim,Jue Wang,Donald Erwin Allen,Ming-Huang Huang,Narendra Shamkant BORGHARKAR. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2023-12-28.

Atomic layer deposition on optical structures

Номер патента: US20230212739A1. Автор: Ludovic Godet,Rutger MEYER TIMMERMAN THIJSSEN,Jinrui GUO. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-07-06.

Atomic layer deposition derived protective coatings for calcium fluoride optical components

Номер патента: EP4419730A1. Автор: Hoon Kim,Jue Wang,Donald Erwin Allen,Gerald Philip Cox,Keith John Donohue,Ming-Huang Huang. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

High Coercivity Magnetic Film for Use as a Hot Seed in a Magnetic Write Head and Method to Grow It

Номер патента: US20140106182A1. Автор: Kunliang Zhang,Min Li,Shengyuan Wang. Владелец: Headway Technologies Inc. Дата публикации: 2014-04-17.

Components with an atomic layer deposition coating and methods of producing the same

Номер патента: EP3245315A1. Автор: Kevin Killeen,Elizabeth Carr. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2017-11-22.

Particle coating by atomic layer deposition

Номер патента: US20240183031A1. Автор: Fritz Burkhardt,Stefan Huber,Claude Lerf. Владелец: Merz and Benteli Ag. Дата публикации: 2024-06-06.

Encapsulation of flame retardant agents by atomic layer deposition for improved flame retardant formulations

Номер патента: EP4405417A1. Автор: Jan Henk Kamps,Robert van de Grampel,Johannes Gerardus Petrus Goossens. Владелец: SHPP Global Technologies BV. Дата публикации: 2024-07-31.

Groove-type field effect transistor biosensor based on atomic layer deposited semiconductor channel

Номер патента: US20230384257A1. Автор: BO Wang,Mingwei Wang,Diaoyang LI,Benhui LIN. Владелец: FUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-11-30.

Analogues of bicalutamide or (s)-bicalutamide as exocytosis activating compounds for use in treatment of lysosomal storage disorder or glycogenosis

Номер патента: RU2685269C2. Автор: МОНТЬЕЛЬ Антонио ФЕРРЕР,ОБИОЛЬС Берта ПОНСАТИ,Хосеп ФАРРЕРА-СИНФРЕУ,БОРРЕЛЬ Леслье МАТАЛОНГА,МАС Лаура ГОРТ,МАРТИНЕС Роберто ПАСКУАЛЬ,РУБИО Антония РИБЕС. Владелец: БКН Пептидес, С.А.. Дата публикации: 2019-04-17.

Auxiliary diagnostic method for use in the treatment of irritable bowel syndrome using corrective diet or fecal microbiota transplantation

Номер патента: RU2762266C1. Автор: Финн Терье ХЕГГЕ,Кристина КАСЕН,Йёрген ВАЛЁР,Арне РЁСЕТ,Милада Чванчарова СМОСТУЭН. Владелец: Дженетик Аналайзис Ас. Дата публикации: 2021-12-17.

Method of processing a polymer blank for use in a joint prosthesis

Номер патента: RU2695170C1. Автор: Хельмут Д. ЛИНК,Карстен ШЕТТЛЕР. Владелец: Вальдемар Линк Гмбх Унд Ко. Кг. Дата публикации: 2019-07-22.

Novel complexes of metals with n-aminoguanidine, intended for use in making thin films and for catalysis

Номер патента: RU2705362C2. Автор: Йёрг ЗУНДЕРМАЙЕР,Катрин ШЛЕХТЕР. Владелец: Умикоре Аг Унд Ко. Кг. Дата публикации: 2019-11-07.

Improved rep protein for use in diagnostic analyzes

Номер патента: RU2736275C1. Автор: Тимо БУНД,Этель-Мишель ДЕ ВИЙЕР,Харальд ЦУР ХАУЗЕН. Владелец: Дойчес Кребсфоршунгсцентрум. Дата публикации: 2020-11-13.

Compositions and libraries containing recombinant polynucleotides encoding t-cell receptors and methods for using recombinant t-cell receptors

Номер патента: RU2752528C2. Автор: Адекюнле ОДЮНСИ,Такемаса ЦЮЙИ,Юнько МАТСУЗАКИ. Владелец: Хэлф Ресерч, Инк.. Дата публикации: 2021-07-29.

Particle coating by atomic layer deposition

Номер патента: EP4314381A1. Автор: Fritz Burkhardt,Stefan Huber,Claude Lerf. Владелец: Merz and Benteli Ag. Дата публикации: 2024-02-07.

Conditioning system and method for use in the measurement of mercury in gaseous emissions

Номер патента: EP1664726A1. Автор: Frank H. Schaedlich,Daniel R. Schneeberger. Владелец: Tekran Inc. Дата публикации: 2006-06-07.

Novel iminecalixarene derivates, method for preparing the same, self-assembled monolayer prepared by using the same, and method for preparing protein monolayer using the self-assembled monolayer

Номер патента: KR100787471B1. Автор: 김정훈,송금수,김태선. Владелец: (주)바이오메트릭스 테크놀로지. Дата публикации: 2007-12-21.

Vapor deposition of self-assembled monolayers for functionalization of surface in nanoimprint lithography

Номер патента: KR100812182B1. Автор: 정준호,최대근,이응숙,임현의. Владелец: 한국기계연구원. Дата публикации: 2008-03-12.

Oligo(ethylene glycol)-terminated 1,2-dithiolanes and their conjugates useful for preparing self-assembled monolayers

Номер патента: AU2002367584A1. Автор: Deanna J. Nelson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-09-29.

Oligo(ethylene glycol)-terminated 1,2-dithiolanes and their conjugates useful for preparing self-assembled monolayers

Номер патента: EP1485115A4. Автор: Deanna J Nelson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-28.

Oligo(ethylene glycol)-terminated 1,2-dithiolanes and their conjugates useful for preparing self-assembled monolayers

Номер патента: AU2002367584A8. Автор: Deanna J Nelson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-09-29.

Manufacturing of a self assembled monolayer formed on a quantum device

Номер патента: EP4101012B1. Автор: Ali Afzali-Ardakani,Richard Haight,Vivekananda Adiga,Martin Sandberg. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-11.

Metal alloy nanoparticle synthesis via self-assembled monolayer formation and ultrasound

Номер патента: US09630161B2. Автор: Paul S. Weiss,James Nathan Hohman. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2017-04-25.

METHOD FOR IMMOBILIZING A PROTEIN ON SELF-ASSEMBLED MONOLAYER

Номер патента: US20130203185A1. Автор: HATAOKA Yukari. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2013-08-08.

METHOD FOR IMMOBILIZING ALBUMIN ON A SELF-ASSEMBLED MONOLAYER

Номер патента: US20140093981A1. Автор: HATAOKA Yukari. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2014-04-03.

METHODS FOR SELECTIVE DEPOSITION USING SELF ASSEMBLED MONOLAYERS

Номер патента: US20200048762A1. Автор: Zhang Wenyu,Wu Liqi,KE CHANG. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-13.

SELECTIVE PLACEMENT OF CARBON NANOTUBES VIA COULOMBIC ATTRACTION OF OPPOSITELY CHARGED CARBON NANOTUBES AND SELF-ASSEMBLED MONOLAYERS

Номер патента: US20160137605A1. Автор: Afzali-Ardakani Ali,Tulevski George S.,Park Hongsik. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-19.

METHODS FOR THE ELECTROCHEMICAL TREATMENT OF SELF-ASSEMBLED MONOLAYERS

Номер патента: US20140323326A1. Автор: KAYYEM Jon Faiz,FORD Sean,Rusterholz Ken,Bender William,Argueta Claudia C.. Владелец: GenMark Diagnostics, Inc.. Дата публикации: 2014-10-30.

Light source device, light irradiating apparatus equipped with light source device, and method of patterning self-assembled monolayer using light irradiating apparatus

Номер патента: US20140361196A1. Автор: Shinji Suzuki,Tatsushi Owada. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2014-12-11.

CHEMICAL DELIVERY CHAMBER FOR SELF-ASSEMBLED MONOLAYER PROCESSES

Номер патента: US20170306491A1. Автор: Nemani Srinivas D.,Godet Ludovic,Liang Qiwei,KHAN Adib,Kaufman-Osborn Tobin. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-26.

Fabricating Method of Graphene Film for Enhancing Transparency and Electrical Characteristics Based on Ionic Bond of Self-Assembled Monolayer and Large Flake Graphene Oxide

Номер патента: KR101391968B1. Автор: 김상욱,황진옥. Владелец: 한국과학기술원. Дата публикации: 2014-05-07.

A kind of compound self-assembled monolayer surface of amino/carboxyl and preparation method and application

Номер патента: CN105506593B. Автор: 杜昶,王迎军,赵娜如,郝丽静. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2018-06-19.

A kind of Chemical cleaning molecular self-assembled monolayer corrosion inhibiter and preparation method thereof

Номер патента: CN104404548B. Автор: 于洋,李良,李炜,周宝文,周少玲,栾九峰,侯亚琴,聂兰正. Владелец: Shandong Zhongshi Yitong Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-11.

π-σ alkyl silane self-assembled monolayer transistors for poly (3,4-ethylenedioxythiophene) electrode and its manufacturing methods

Номер патента: KR101393740B1. Автор: 김성수. Владелец: 배재대학교 산학협력단. Дата публикации: 2014-05-13.

Formation of self-assembled monolayers of redox sams on silicon for molecular memory applications

Номер патента: US20030081463A1. Автор: Zhiming Liu,Werner Kuhr,David Bocian,Jonathan Lindsey,Rajeeve Dabke. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2003-05-01.

Light source device, light irradiating apparatus equipped with light source device, and method of patterning self-assembled monolayer using light irradiating apparatus

Номер патента: US9070526B2. Автор: Shinji Suzuki,Tatsushi Owada. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2015-06-30.

Method for treating metal surface by using self-assembled monolayer, the steel sheet surface-treated by the method and the metal surface treatment solution therefor

Номер патента: KR101143219B1. Автор: 임상훈,이재륭,이시우,정용균. Владелец: 포항공과대학교 산학협력단. Дата публикации: 2012-05-18.

Electron-accepting compounds that form self-assembled monolayers

Номер патента: JP4272068B2. Автор: 敏明高橋,智小川,敏明佐藤,春男佐宗,則之吉本. Владелец: Nippon Soda Co Ltd. Дата публикации: 2009-06-03.

Oligo-dna chip comprising a self-assembled monolayer and an oligo-dna and method of preparation thereof

Номер патента: EP2966059A1. Автор: Jung Hoon Kim,Tae Sun Kim,Keum Soo Song,Hyung Sub Kim. Владелец: Biometrix Technology Inc. Дата публикации: 2016-01-13.

Gaseous self-assembled monolayer coating apparatus

Номер патента: WO2009148284A3. Автор: 박진구,박성진,유연상,윤능구,이준구. Владелец: 주식회사 소로나. Дата публикации: 2010-03-04.

Use the micro Process of patterned profiles and the self-assembled monolayer copied

Номер патента: CN101243209B. Автор: 张海燕,张俊颖,马修·H·弗雷,庆·P·阮. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2016-03-23.

Formation of self-assembled monolayers on silicon substrates

Номер патента: US20090121210A1. Автор: Jonathan S. Lindsey,David F. Bocian,Werner G. Kuhr,Zhiming Liu,Rajeeve B. Dabke. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2009-05-14.

Self-assembled monolayer based silver switches

Номер патента: US20080067555A1. Автор: Jeremy BEEBE,James Kushmerick. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-03-20.

Formation of self-assembled monolayers on silicon substrates

Номер патента: WO2003038886A1. Автор: Jonathan S. Lindsey,David F. Bocian,Werner G. Kuhr,Zhiming Liu,Rajeeve Balkrishna Dabke. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2003-05-08.

Memory cell based on self-assembled monolayer polaron

Номер патента: US11869566B2. Автор: Elad Mentovich,Itshak Kalifa. Владелец: MELLANOX TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Method for producing an electronic component which includes a self-assembled monolayer

Номер патента: SG11202012423XA. Автор: Peer Kirsch,Marc Tornow,Henning SEIM,Romana PAJKERT,Takuya Kamiyama,Gerd-Volker Roeschenthaler,Sebastian RESCH. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2021-01-28.

Atomic layer deposited dielectric layers

Номер патента: EP1599899A2. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-11-30.

Antimony co-doping with phosphorus to form ultrashallow junctions using atomic layer deposition and annealing

Номер патента: US20180358228A1. Автор: Edmund Burte,Yunsang S. Kim,Bodo Kalkofen. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-12-13.

Sequential Atomic Layer Deposition of Electrodes and Resistive Switching Components

Номер патента: US20140319443A1. Автор: Tim Minvielle,Yun Wang,Takeshi Yamaguchi,Tony P. Chiang. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-10-30.

Atomic layer deposition of barrier metal layer for electrode of gallium nitride material device

Номер патента: US12112983B2. Автор: Wayne Mack Struble,Timothy E. Boles,Gabriel R. Cueva. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Chromium refractory metal alloys conductors for use in high temperature integrated circuits

Номер патента: WO1997030476A1. Автор: George Gabriel Goetz,Warren Michael Dawson. Владелец: Alliedsignal Inc.. Дата публикации: 1997-08-21.

Methods of atomic layer deposition of hafnium oxide as gate dielectrics

Номер патента: WO2013177557A3. Автор: Jinhong Tong. Владелец: Intermolecular, Inc. Дата публикации: 2014-01-16.

Method of plasma-stimulated atomic-layer deposition of insulating dielectric coatings on heterostructures of nitrid-gallium semiconductor devices

Номер патента: RU2633894C1. Автор: Владимир Федорович Лукичев,Константин Васильевич Руденко,Юрий Федорович Семин,Андрей Валерьевич Мяконьких,Александр Егеньевич Рогожин. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2017-10-19.

Atomic layer deposition on 3d nand structures

Номер патента: US20240266177A1. Автор: YU PAN,Juwen Gao,Xiaolan Ba,Ruopeng DENG,Tianhua YU. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Spacer profile control using atomic layer deposition in a multiple patterning process

Номер патента: WO2019147583A1. Автор: Qian Fu,Aaron Eppler,Yoko Yamaguchi,Mirzafer Abatchev. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2019-08-01.

Atomic layer deposition bonding layer for joining two semiconductor devices

Номер патента: US12094849B2. Автор: Chyi-Tsong Ni,Kuang-Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Atomic layer deposition bonding layer for joining two semiconductor devices

Номер патента: US20240363578A1. Автор: Chyi-Tsong Ni,Kuang-Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Atomic layer deposition of barrier metal layer for electrode of gallium nitride material device

Номер патента: EP3961719A1. Автор: Wayne Mack Struble,Timothy E. Boles,Gabriel R. Cueva. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2022-03-02.

Methods of forming stacked integrated circuits using selective thermal atomic layer deposition on conductive contacts and structures formed using the same

Номер патента: US12027488B2. Автор: Victor Wang,Charles H. Winter,Muhannad Bakir,Andrew Kummel,Nyi Myat Khine LINN,Jonathan HOLLIN,Ming-Jui LI,Mike Breeden. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Utilizing atomic layer deposition for programmable device

Номер патента: US20030098461A1. Автор: Tyler Lowrey,Charles Dennison. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-29.

Atomic layer deposition epitaxial silicon growth for tft flash memory cell

Номер патента: US20130200384A1. Автор: Fumitake Mieno. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2013-08-08.

Methods of atomic layer deposition of hafnium oxide as gate dielectrics

Номер патента: WO2013177557A2. Автор: Jinhong Tong. Владелец: Intermolecular, Inc. Дата публикации: 2013-11-28.

Atomic layer deposition on 3D NAND structures

Номер патента: US11972952B2. Автор: YU PAN,Juwen Gao,Xiaolan Ba,Ruopeng DENG,Tianhua YU. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-04-30.

Memory cell formation in three dimensional memory arrays using atomic layer deposition

Номер патента: US20230354721A1. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Post polish anneal of atomic layer deposition barrier layers

Номер патента: US20070004230A1. Автор: SRIDHAR Balakrishnan,Kevin O'Brien,Steven Johnston. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2007-01-04.

Control of directionality in atomic layer etching

Номер патента: SG11201907625UA. Автор: Andreas Fischer,Thorsten Lill,Richard Janek. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2019-09-27.

Atomic layer deposited tantalum containing adhesion layer

Номер патента: US7601637B2. Автор: Steven W. Johnston,Kerry Spurgin,Brennan L. Peterson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-10-13.

Atomic layer deposited (ald) oxide semiconductors for integrated circuits (ics)

Номер патента: US20230178441A1. Автор: Peide Ye,Mengwei Si. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2023-06-08.

Non-atomic layer deposition (ald) method of forming sidewall passivation layer during high aspect ratio carbon layer etch

Номер патента: WO2022125781A1. Автор: Yun Han,David O'Meara,Shihsheng Chang,Andrew Metz. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2022-06-16.

Control of directionality in atomic layer etching

Номер патента: WO2018157090A1. Автор: Andreas Fischer,Thorsten Lill,Richard Janek. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2018-08-30.

Atomic layer deposition of ultrathin tunnel barriers

Номер патента: US20190013463A1. Автор: Judy Z. Wu,Jamie Wilt,Ryan Goul,Jagaran Acharya. Владелец: University of Kansas. Дата публикации: 2019-01-10.

High Aspect Ratio Via Etch Using Atomic Layer Deposition Protection Layer

Номер патента: US20190181041A1. Автор: Xinghua Sun,Yen-Tien Lu,Eric Chih-Fang Liu,Andrew W. METZ. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-06-13.

Control of directionality in atomic layer etching

Номер патента: US20190157105A1. Автор: Andreas Fischer,Thorsten Lill,Richard Janek. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2019-05-23.

Control of directionality in atomic layer etching

Номер патента: EP3586357A1. Автор: Andreas Fischer,Thorsten Lill,Richard Janek. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2020-01-01.

Control of directionality in atomic layer etching

Номер патента: US20180366343A9. Автор: Andreas Fischer,Thorsten Lill,Richard Janek. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-12-20.

Self limiting lateral atomic layer etch

Номер патента: US09620376B2. Автор: Tom Kamp,Neema Rastgar,Michael Carl Drymon. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Atomic layer deposition of CMOS gates with variable work functions

Номер патента: US20040036129A1. Автор: Leonard Forbes,Kie Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-02-26.

Tunable doping of carbon nanotubes through engineered atomic layer deposition

Номер патента: US11832458B2. Автор: Christian Lau,Max SHULAKER. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2023-11-28.

Nanocrystalline layers based on low annealing point titanium dioxide for use in dye-sensitised solar cells and methods for production thereof

Номер патента: RU2569086C2. Автор: Наталья Владимировна Голубко,Дмитрий Юльевич Годовский,Дзаечол ЛИ,Мин-Чжон ЛИ,Юлианна Еремеевна Рогинская,Анастасия Евгеньевна Озимова. Владелец: Эл Джи Кем, Лтд.. Дата публикации: 2015-11-20.

Atomic layer deposition for low-k trench protection during etch

Номер патента: KR102562862B1. Автор: 안젤리크 레일리,데이비드 오메라,옌-티엔 루,싱후아 선. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2023-08-02.

Atomic Layer Deposition of Metal Oxides for Memory Applications

Номер патента: US20150179935A1. Автор: Imran Hashim,Tim Minvielle,Takeshi Yamaguchi,Vidyut Gopal,Randall J. Higuchi,Hieu Pham,Zhendong Hong. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Atomic Layer Deposition of Metal Oxides for Memory Applications

Номер патента: US20140363920A1. Автор: Imran Hashim,Tim Minvielle,Takeshi Yamaguchi,Vidyut Gopal,Randall J. Higuchi,Hieu Pham,Zhendong Hong. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-12-11.

Organic field-effect transistor and method of making same based on polymerizable self-assembled monolayers

Номер патента: US20040245550A1. Автор: Ali Afzali-Ardakani,Christos Dimitrakopoulos. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-12-09.

Organic field-effect transistor and method of making same based on polymerizable self-assembled monolayers

Номер патента: US7776646B2. Автор: Ali Afzali-Ardakani,Christos D. Dimitrakopoulos. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-08-17.

Organic field-effect transistor and method of making same based on polymerizable self-assembled monolayers

Номер патента: US20080087885A1. Автор: Ali Afzali-Ardakani,Christos Dimitrakopoulos. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-04-17.

Organic field-effect transistor and method of making same based on polymerizable self-assembled monolayers

Номер патента: CN1612372A. Автор: A·阿夫扎里-阿达卡尼,C·D·迪米特拉科普罗斯. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-05-04.

Junctions comprising molecular bilayers for the use in electronic devices

Номер патента: WO2009130017A1. Автор: Björn Lüssem,William E. Ford,Jurina Wessels,Heinz-Georg Nothofer,Deqing Gao,Florian Von Wrochem. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2009-10-29.

Junctions comprising molecular bilayers for the use in electronic devices

Номер патента: US20110108793A1. Автор: William E. Ford,Jurina Wessels,Bjoern Luessem,Heinz-Georg Nothofer,Deqing Gao,Florian Von Wrochem. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-05-12.

Junctions comprising molecular bilayers for the use in electronic devices

Номер патента: US8691392B2. Автор: William E. Ford,Jurina Wessels,Bjoern Luessem,Heinz-Georg Nothofer,Deqing Gao,Florian Von Wrochem. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-04-08.

Junctions comprising molecular bilayers for the use in electronic devices

Номер патента: EP2283521A1. Автор: Björn Lüssem,William E. Ford,Jurina Wessels,Heinz-Georg Nothofer,Deqing Gao,Florian Von Wrochem. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-02-16.

EUV Lithographic Projection Apparatus comprising an Optical Element with a Self-Assembled Monolayer, Optical Element with a Self-Assembled Monolayer, Method of applying a Self-Assembled Monolayer, Device Manufacturing Method and Device Manufactured thereby

Номер патента: KR100526717B1. Автор: 쿠르트랄프,비요데네스야콥. Владелец: 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.. Дата публикации: 2005-11-08.

Self-assembled monolayer for electrode modification and device comprising such self-assembled monolayer

Номер патента: WO2020114742A1. Автор: David Sparrowe,William Mitchell,Changsheng Wang. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2020-06-11.

Process for Forming Self-Assembled Monolayer on Metal Surface and Printed Circuit Board Comprising Self-Assembled Monolayer

Номер патента: US20140262461A1. Автор: WANG Yubing,Trainor Jim. Владелец: OMG Electronic Chemicals, Inc.. Дата публикации: 2014-09-18.

METHOD AND SYSTEM FOR PREVENTION OF METAL CONTAMINATION BY USING A SELF-ASSEMBLED MONOLAYER COATING

Номер патента: US20200073244A1. Автор: deVilliers Anton J.,Kang Hoyoung,Lemley Corey. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2020-03-05.

SELF-ASSEMBLED MONOLAYER FLOAT EVAPORATION REDUCTION APPARATUS AND METHOD OF USE THEREOF

Номер патента: US20170253426A1. Автор: Boyer Eric Emil,Boyer Sachery Peterson,Boyer Axel Emil. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-07.

Micropatterning method via microcontact printing and degas-driven flow guided patterning, and self-assembled monolayer prepared thereby

Номер патента: KR102218428B1. Автор: 이상훈,전봉현. Владелец: 건국대학교 산학협력단. Дата публикации: 2021-02-22.

A compound for forming a self-assembling monolayer, a layered structure, a semiconductor device and a method for producing a layered structure

Номер патента: DE10329247A1. Автор: Günter Dr. Schmid,Ute Zschieschang,Marcus Dr. Halik,Hagen Dr. Klauk. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-01-27.

Electronic device including a self-assembled monolayer, and a method of fabricating the same

Номер патента: TW200511365A. Автор: Richard Martel,Cherie Renee Kagan. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2005-03-16.

Preparation method of self-assembled monolayer and perovskite solar cell

Номер патента: CN110311042B. Автор: 王雅,李兴鳌,张茂,王松乐,马逾辉. Владелец: NANJING UNIVERSITY OF POSTS AND TELECOMMUNICATIONS. Дата публикации: 2022-10-14.

Light emitting polymer devices using self-assembled monolayer structures

Номер патента: WO2006116584A3. Автор: Neil Gough,Jun Mo Gil,Wesley Thomas Walker,Nicholas Frederick Colaneri,William A Huffman. Владелец: Dynamic Organic Light Inc. Дата публикации: 2007-01-18.

Organic transistor using self-assembled monolayer

Номер патента: CN101162729A. Автор: 安藤正彦,桥诘富博,诹访雄二,芝健夫. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2008-04-16.

Electronic device including a self-assembled monolayer, and a method of fabricating the same

Номер патента: WO2004086458A3. Автор: Richard Martel,Cherie Renee Kagan. Владелец: Cherie Renee Kagan. Дата публикации: 2007-04-12.

Perovskite planar heterojunction solar battery based on self-assembled monolayer

Номер патента: CN104465992A. Автор: 陈红征,顾卓韦,左立见. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2015-03-25.

Anode and method for forming a zinc metal anode using molecular layer deposition

Номер патента: CA3123894A1. Автор: Jian Liu,Huibing He. Владелец: University of British Columbia. Дата публикации: 2021-09-16.

Multifunctional hybrid coatings for electrodes made by atomic layer deposition techniques

Номер патента: US09531004B2. Автор: Xingcheng Xiao,Mark W. Verbrugge,John S. Wang. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2016-12-27.

Pedestals for modulating film properties in atomic layer deposition (ALD) substrate processing chambers

Номер патента: US12110586B2. Автор: Adrien Lavoie,Richard Phillips,Ramesh Chandrasekharan,Chloe Baldasseroni,Michael Philip Roberts. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Methods for using atomic layer deposition to produce a film for solid state electrolytes and protective electrode coatings for lithium batteries

Номер патента: US09917295B2. Автор: Jeffrey W. Elam,Xiangbo Meng. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2018-03-13.

Molybdenum (IV) amide precursors and use thereof in atomic layer deposition

Номер патента: US09802220B2. Автор: Peter Nicholas Heys,Rajesh Odedra,Sarah Louise Hindley. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2017-10-31.

Nitrogen-containing ligands and their use in atomic layer deposition methods

Номер патента: US09580799B2. Автор: David Thompson,Jeffrey W. Anthis. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Process for atomic layer deposition

Номер патента: EP2106459A1. Автор: Diane Carol FREEMAN,Thomas D. Pawlik,David Howard Levy,Shelby Forrester Nelson,Peter Jerome Cowdery-Corvan. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2009-10-07.

Metal complexes for use in atom or group transfer and olefin exchange reactions

Номер патента: RU2394039C2. Автор: Франсис Вальтер Корнелиус ВЕРПОРТ,Рената Анна ДРОЗДЗАК,Неле ЛЕДУ,Барт Филип АЛЛАРТ. Владелец: Телен С.А.С.. Дата публикации: 2010-07-10.

Device and method of atomic-layer deposition of coating on substrate surface

Номер патента: RU2704875C2. Автор: Тимо МАЛИНЕН. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2019-10-31.

Coating on particles by atomic layer deposition

Номер патента: RU2728343C1. Автор: Марко Пудас. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2020-07-29.

Atomic layer deposition equipment capable of reducing precursor deposition and atomic layer deposition process method using the same

Номер патента: US20220119945A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Ta-Hao Kuo. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Precursors and methods for atomic layer deposition of transition metal oxides

Номер патента: US09677173B2. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Suvi Haukka,Timo Hatanpää,Jaakko NIINISTÖ. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2017-06-13.

Area selective atomic layer deposition method and tool

Номер патента: EP4058617A1. Автор: Paulus Willibrordus George Poodt,Freddy Roozeboom,Ahmed FAWZY,Alfredo Mameli. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2022-09-21.

Method and device for protection of pump interior surfaces using atomic layer coating

Номер патента: RU2630733C2. Автор: Тимо МАЛИНЕН,Харри ВЯХЯМЯКИ. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2017-09-12.

Textile including fibers deposited with material using atomic layer deposition for increased rigidity and strength

Номер патента: US20130023172A1. Автор: Sang In LEE. Владелец: Synos Technology Inc. Дата публикации: 2013-01-24.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: FI20195590A1. Автор: Pekka Soininen,Pekka J Soininen,Hulda AMINOFF,Ville MIIKKULAINEN. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2020-12-29.

Electroless atomic layer deposition

Номер патента: US09803285B1. Автор: David Bruce Robinson,John L. Stickney,Patrick J. Cappillino,Leah B. Sheridan,David M. Benson. Владелец: National Technology and Engineering Solutions of Sandia LLC. Дата публикации: 2017-10-31.

Nitrogen-Containing Ligands And Their Use In Atomic Layer Deposition Methods

Номер патента: US20140102365A1. Автор: David Thompson,Jeffrey W. Anthis. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-04-17.

Nitrogen-Containing Ligands And Their Use In Atomic Layer Deposition Methods

Номер патента: US20170121287A1. Автор: David Thompson,Jeffrey W. Anthis. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-05-04.

Bisamineazaallylic Ligands And Their Use In Atomic Layer Deposition Methods

Номер патента: US20130267709A1. Автор: David Thompson,Jeffrey W. Anthis. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-10-10.

Bisamineazaallylic Ligands And Their Use In Atomic Layer Deposition Methods

Номер патента: US20120107502A1. Автор: David Thompson,Jeffrey W. Anthis. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-05-03.

Lateral flow atomic layer deposition apparatus and atomic layer deposition method using the same

Номер патента: US20150225851A1. Автор: Jeong Ho Lee,Hyun Soo JANG,Woo Chan Kim,Sang-Jin Jeong. Владелец: Genitech Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-13.

Lateral flow atomic layer deposition apparatus and atomic layer deposition method using the same

Номер патента: US09879342B2. Автор: Jeong Ho Lee,Hyun Soo JANG,Woo Chan Kim,Sang-Jin Jeong. Владелец: Genitech Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Method for atomic layer deposition

Номер патента: US09605344B2. Автор: C. Jeffrey Brinker,Joseph L. Cecchi,Ying-Bing JIANG,Yaqin Fu. Владелец: STC UNM. Дата публикации: 2017-03-28.

Method and device for atomic layer deposition

Номер патента: RU2702669C2. Автор: Тимо МАЛИНЕН,Юхана КОСТАМО,Вэй-Минь ЛИ,Теро ПИЛЬВИ. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2019-10-09.

Antimicrobial nanolaminates using vapor deposited methods such as atomic layer deposition

Номер патента: EP4395800A1. Автор: Prerna Goradia,Neil Amit GORADIA. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-10.

Method of forming very reactive metal layers by a high vacuum plasma enhanced atomic layer deposition system

Номер патента: US20160083842A1. Автор: Feng Niu,Peter Chow. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-03-24.

Methods for depositing carbon conducting films by atomic layer deposition

Номер патента: US20240124977A1. Автор: Jean-Sebastien Materne Lehn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Pharmaceutical container with pH protective layer deposited by atomic layer deposition

Номер патента: US12109173B1. Автор: Robert Langer,Glenn Fredrickson,Robert Abrams,Alexander Klibanov. Владелец: Innovative Scientific Products Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Apparatus and process for atomic or molecular layer deposition onto particles during pneumatic transport

Номер патента: US09845532B2. Автор: Jan Rudolf Van Ommen. Владелец: Technische Universiteit Delft. Дата публикации: 2017-12-19.

Device and methods for atomic layer deposition

Номер патента: RU2728189C1. Автор: Марко Пудас,Тимо МАЛИНЕН,Никлас ХОЛМ,Юхана КОСТАМО. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2020-07-28.

Metamaterial and Method for Forming a Metamaterial Using Atomic Layer Deposition

Номер патента: US20140272333A1. Автор: Ando Feyh,Gary Yama,Gary O'brien,Fabian Purkl,John Provine. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2014-09-18.

Metamaterial and method for forming a metamaterial using atomic layer deposition

Номер патента: EP2971229A1. Автор: Ando Feyh,Gary Yama,Gary O'brien,Fabian Purkl,John Provine. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2016-01-20.

Apparatus and method for making atomic layer deposition on fine powders

Номер патента: US09951419B2. Автор: Ying-Bing JIANG,Hongxia Zhang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of forming very reactive metal layers by a high vacuum plasma enhanced atomic layer deposition system

Номер патента: US09828673B2. Автор: Feng Niu,Peter Chow. Владелец: Svt Associates Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Coating fabric substrate by deposition of atomic layers

Номер патента: RU2600462C2. Автор: Свен ЛИНДФОРС. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2016-10-20.

Atomic layer deposition apparatus for powders

Номер патента: US12031208B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Atomic layer deposition coated pharmaceutical packaging and improved syringes and vials, e.g. for lyophilized/cold-chain drugs/vaccines

Номер патента: US20240189184A1. Автор: Robert S. Abrams,Ahmad Taha,Adam BREELAND,Javier Ferrer. Владелец: SIO2 Medical Products Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Atomic-layer deposition method using compound gas jet

Номер патента: US20160237564A1. Автор: Kam Chuen Ng,Ronald Steven Cok,Kurt D. Sieber. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2016-08-18.

Compositions and methods of use for stabilizing and delivery of atomic layer deposition coating of agent-containing lipid-emulsion formulations

Номер патента: WO2024158849A1. Автор: Theodore W. Randolph,Kendall PRESTON. Владелец: The Regents of the University of Colorado, a body corporate. Дата публикации: 2024-08-02.

Atomic layer deposition of group fifteen materials

Номер патента: US20240271277A1. Автор: Charles Hartger Winter,Thomas Joseph Knisley,Zachary Joseph Devereaux,Daniel Wei Ming Beh. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Copper(I) complexes and processes for deposition of copper films by atomic layer deposition

Номер патента: US20080075958A1. Автор: Kyung-ho Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-03-27.

Atomic-layer deposition apparatus

Номер патента: US09976216B2. Автор: Kam Chuen Ng,Ronald Steven Cok,Kurt D. Sieber. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2018-05-22.

Atomic-layer deposition method using compound gas jet

Номер патента: US09528184B2. Автор: Kam Chuen Ng,Ronald Steven Cok,Kurt D. Sieber. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2016-12-27.

Atomic-layer deposition apparatus using compound gas jet

Номер патента: US09506147B2. Автор: Kam Chuen Ng,Ronald Steven Cok,Kurt D. Sieber. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2016-11-29.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US09499908B2. Автор: Kam Chuen Ng,Ronald Steven Cok,Kurt D. Sieber. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2016-11-22.

Janus membranes via atomic layer deposition

Номер патента: US12012559B2. Автор: Seth B. Darling,Ruben WALDMAN,Hao-Cheng Yang. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2024-06-18.

Atomic layer deposition method of metal (ii), (0), or (iv) containing film layer

Номер патента: EP4034689A1. Автор: James. D PARISH,Andrew. L JOHNSON. Владелец: University of Bath. Дата публикации: 2022-08-03.

Atomic layer deposition method of metal (ii), (0), or (iv) containing film layer

Номер патента: US20220356576A1. Автор: Andrew L. Johnson,James D. PARISH. Владелец: University of Bath. Дата публикации: 2022-11-10.

Methods for forming a boron nitride film by a plasma enhanced atomic layer deposition process

Номер патента: US20230272527A1. Автор: Atsuki Fukazawa. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-08-31.

Improved methods for atomic layer deposition

Номер патента: WO2008010941A3. Автор: Ce Ma,Qing Min Wang,Graham McFarlane,Patrick J Helly. Владелец: Patrick J Helly. Дата публикации: 2008-07-31.

Atomic layer deposition method of metal (II), (0), or (IV) containing film layer

Номер патента: GB2587401A9. Автор: D Parish James,L Johnson Andrew. Владелец: University of Bath. Дата публикации: 2024-01-17.

Selective hydration by site selective atomic layer deposition

Номер патента: US20240209503A1. Автор: Lei Cheng,Adam S. Hock,Alex B. F. Martinson,Jessica Catharine Jones,Ethan Phillip KAMPHAUS,Nannan Shan,Chunxin Luo. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2024-06-27.

Atomic layer deposition of tantalum-containing films using surface-activating agents and novel tantalum complexes

Номер патента: EP1913173A2. Автор: Catherine E. Radzewich,Jeffery Scott Thompson. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2008-04-23.

Atomic layer deposition coatings on razor components

Номер патента: US09327416B2. Автор: Neville Sonnenberg,John Madeira. Владелец: Gillette Co LLC. Дата публикации: 2016-05-03.

Atomic layer deposition (ald) device

Номер патента: RU2752059C1. Автор: Марко Пудас,Тимо МАЛИНЕН,Никлас ХОЛМ,Юхана КОСТАМО. Владелец: Пикосан Ой. Дата публикации: 2021-07-22.

Precursors and methods for atomic layer deposition of transition metal oxides

Номер патента: US20160258054A1. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Suvi Haukka,Timo Hatanpää,Jaakko NIINISTÖ. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2016-09-08.

Area selective atomic layer deposition method and tool

Номер патента: WO2021096359A1. Автор: Paulus Willibrordus George Poodt,Freddy Roozeboom,Ahmed FAWZY,Alfredo Mameli. Владелец: Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO. Дата публикации: 2021-05-20.

Atomic layer deposition of metal phosphates and lithium silicates

Номер патента: US9765431B2. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Timo Hatanpää,Jani Hämäläinen,Jani Holopainen. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-09-19.

Atomic layer deposition (ald) processes applied to phage and phage-like particle platform yield thermostable therapeutic agents

Номер патента: WO2024158846A1. Автор: Qin Yang,Theodore W. Randolph,Carlos CATALANO,Alyssa WITEOF. Владелец: The Regents of the University of Colorado, a body corporate. Дата публикации: 2024-08-02.

Precursors and methods for atomic layer deposition of transition metal oxides

Номер патента: US20170253966A1. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Suvi Haukka,Timo Hatanpää,Jaakko NIINISTÖ. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2017-09-07.

Solid oxide fuel cell components tuned by atomic layer deposition

Номер патента: US20080311455A1. Автор: Friedrich B. Prinz,Hong Huang,Masayuki Sugawara,Joon Hyung Shim. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2008-12-18.

Precursors and methods for atomic layer deposition of transition metal oxides

Номер патента: US20150191817A1. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Suvi Haukka,Timo Hatanpää,Jaakko NIINISTÖ. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2015-07-09.

Method of Fabricating a Uniformly Aligned Planar Array of Nanowires Using Atomic Layer Deposition

Номер патента: US20150132489A1. Автор: Steven Howard Snyder. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-05-14.

Boron aluminum oxide compound deposited by atomic layer deposition on product used for radiation shielding

Номер патента: US11352693B1. Автор: Vivek Dwivedi. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 2022-06-07.

Method for application of coating onto razors by atomic layered sedimentation method

Номер патента: RU2526347C2. Автор: Джон МАДЕЙРА,Невилль СОННЕНБЕРГ. Владелец: Дзе Жиллетт Компани. Дата публикации: 2014-08-20.

Atomic layer deposition using multilayers

Номер патента: US20040221798A1. Автор: Arthur Sherman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-11-11.

Antimicrobial nanolaminates using vapor deposited methods such as atomic layer deposition

Номер патента: WO2023031951A1. Автор: Prerna Goradia,Neil Amit GORADIA. Владелец: Prerna Goradia. Дата публикации: 2023-03-09.

An atomic layer deposition apparatus

Номер патента: EP4314380A1. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-02-07.

An atomic layer deposition apparatus

Номер патента: FI20195591A1. Автор: Pekka Soininen,Pekka J Soininen,Hulda AMINOFF,Ville MIIKKULAINEN. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2020-12-29.

An atomic layer deposition apparatus

Номер патента: WO2020260770A1. Автор: Pekka Soininen,Pekka J. Soininen,Hulda AMINOFF,Ville MIIKKULAINEN. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2020-12-30.

An atomic layer deposition apparatus

Номер патента: WO2022207978A1. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2022-10-06.

Roll to roll atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US20230304153A1. Автор: Jihyun Seo. Владелец: Beilab Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US20240018652A1. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-01-18.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US11926896B2. Автор: Jonas Andersson,Pekka Soininen,Johannes Wesslin. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-03-12.

Atomic layer deposition for continuous, high-speed thin films

Номер патента: US12006570B2. Автор: Angel YANGUAS-GIL,Jeffrey W. Elam,Joseph A. Libera. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2024-06-11.

Methods for preparing thin fillms by atomic layer deposition using hydrazines

Номер патента: WO2011115878A4. Автор: Paul Williams,Simon Rushworth. Владелец: SIGMA-ALDRICH CO. LLC. Дата публикации: 2011-12-08.

Direct atomic layer deposition and/or etching method

Номер патента: WO2023079030A3. Автор: Mette Funding La Cour,Maksym PLAKHOTNYUK,Ivan KUNDRATA,Julien Bachmann,Philipp Wiesner,Matthias CARNOY. Владелец: Atlant 3D Nanosystems. Дата публикации: 2023-07-20.

Direct atomic layer deposition and/or etching method

Номер патента: WO2023079030A2. Автор: Mette Funding La Cour,Maksym PLAKHOTNYUK,Ivan KUNDRATA,Julien Bachmann,Philipp Wiesner,Matthias CARNOY. Владелец: Atlant 3D Nanosystems. Дата публикации: 2023-05-11.

균일하게 가열된 복수의 충전 볼륨들 (charge volumes) 을 사용한 원자 층 증착 (atomic layer deposition)

Номер патента: KR20230122639A. Автор: 조슈아 콜린스,판야 웡세나쿰,아론 블레이크 밀러,케빈 매드리갈,슈루티 톰바레,니틴 카담,나빈 파틸,고룬 부테일,만주나스 암마나스 사티아데반. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2023-08-22.

Activated carbon modified by atomic layer deposition and methods thereof

Номер патента: CA3181437A1. Автор: Cameron Thomson,Paul PEPIN,Kirby ETHRIDGE,Billy-Paul HOLBROOK. Владелец: Ingevity South Carolina LLC. Дата публикации: 2021-12-09.

Activated carbon modified by atomic layer deposition and methods thereof

Номер патента: EP4162097A1. Автор: Cameron Thomson,Paul PEPIN,Kirby ETHRIDGE,Billy-Paul HOLBROOK. Владелец: Ingevity South Carolina LLC. Дата публикации: 2023-04-12.

Atomic layer deposition for manufacturing whetlerite carbons

Номер патента: US20230364579A1. Автор: Christopher Vizcaino,Richard Mackay,James A. Hern. Владелец: Molecular Products Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US20240263309A1. Автор: Woo-Seok Jeon,Chulmin BAE,Jaehee SEO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Atomic layer deposition for manufacturing whetlerite carbons

Номер патента: WO2024072491A9. Автор: Christopher Vizcaino,Richard Mackay,James HERN. Владелец: Molecular Products Inc.. Дата публикации: 2024-04-25.

Atomic layer deposition for manufacturing whetlerite carbons

Номер патента: WO2024072491A3. Автор: Christopher Vizcaino,Richard Mackay,James HERN. Владелец: Molecular Products Inc.. Дата публикации: 2024-07-18.

Atomic layer deposition for manufacturing whetlerite carbons

Номер патента: WO2024072491A2. Автор: Christopher Vizcaino,Richard Mackay,James HERN. Владелец: Molecular Products Inc.. Дата публикации: 2024-04-04.

Large scale system for atomic layer deposition

Номер патента: WO2024163509A1. Автор: Andrew BROERMAN,James RAGONESI,Brian Evanko. Владелец: Forge Nano Inc.. Дата публикации: 2024-08-08.

Atomic layer deposition using tin-based or germanium-based precursors

Номер патента: US20240287677A1. Автор: Jean-Sebastien Materne Lehn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Atomic layer deposition using tin-based or germanium-based precursors

Номер патента: WO2024173112A1. Автор: Jean-Sebastien Materne Lehn. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-08-22.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US09890454B2. Автор: Suk Won Jung,Myung Soo Huh,Choel Min JANG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US09809880B2. Автор: In Kyo KIM,Suk Won Jung,Myung Soo Huh,Choel Min JANG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Atomic layer deposition method utilizing multiple precursor zones for coating flexible substrates

Номер патента: US09469901B2. Автор: Eric R. Dickey,William A. Barrow. Владелец: Lotus Applied Technology LLC. Дата публикации: 2016-10-18.

Plasma enhanced atomic layer deposition system

Номер патента: US09404181B2. Автор: Chien-Nan Hsiao,Da-ren LIU,Wen-Hao Cho,Chih-Chieh YU,Meng-Yen Tsai,Chi-Chung Kei,Bo-Heng Liu. Владелец: NATIONAL APPLIED RESEARCH LABORATORIES. Дата публикации: 2016-08-02.

Precursor compound for atomic layer deposition(ald), chemical vapor deposition(cvd) and ald/cvd deposition using the same

Номер патента: KR20210093011A. Автор: 박정우,석장현,문기영,염규현,이현경. Владелец: 주식회사 한솔케미칼. Дата публикации: 2021-07-27.

Methods for atomic layer deposition of hafnium-containing high-K dielectric materials

Номер патента: US8282992B2. Автор: Pravin Narwankar,Shreyas Kher,Nyi Oo Myo,Steve Poppe,Craig R. Metzner,Paul Deaten,Kenric Cho. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-10-09.

Apparatus and method for atomic layer deposition on substrates

Номер патента: US7754013B2. Автор: Ernst H. A. Granneman. Владелец: ASM International NV. Дата публикации: 2010-07-13.

Package wrapping including pla film with moisture barrier by atomic layer deposition

Номер патента: CA3027753A1. Автор: Andries Don Sebastian,Sami Ilmari SNECK,Mikko Juhani SODERLUND. Владелец: RJ Reynolds Tobacco Co. Дата публикации: 2018-01-18.

Atomic layer deposition method of depositing an oxide on a substrate

Номер патента: US20060257584A1. Автор: Shuang Meng,Danny Dynka,Garo Derderian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-16.

Package wrapping including pla film with moisture barrier by atomic layer deposition

Номер патента: CA3027753C. Автор: Andries Don Sebastian,Sami Ilmari SNECK,Mikko Juhani SODERLUND. Владелец: RJ Reynolds Tobacco Co. Дата публикации: 2024-01-09.

Method of fabricating a uniformly aligned planar array of nanowires using atomic layer deposition

Номер патента: US9702059B2. Автор: Steven Howard Snyder. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-07-11.

Apparatus and process for atomic or molecular layer deposition onto particles during pneumatic transport

Номер патента: US20230340665A1. Автор: Jan Rudolf Van Ommen. Владелец: Technische Universiteit Delft. Дата публикации: 2023-10-26.

Atomic layer deposition with passivation treatment

Номер патента: US11834741B2. Автор: Friedrich B. Prinz,Shicheng XU,John Provine,Timothy ENGLISH,Dickson THIAN,Jan TORGERSEN. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2023-12-05.

Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus

Номер патента: US11976361B2. Автор: Dong Li,HAO WANG,Eric Wang,Eric James Shero,Robert Brennan Milligan,Fred Alokozai,William George Petro,Melvin VERBAAS,Luping Li. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-05-07.

Apparatus for atomic layer deposition

Номер патента: EP2670882A1. Автор: Adrianus Johannes Petrus Maria Vermeer,Jozef Johannes De Swart,Robert Coenraad Wit. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2013-12-11.

Nonconformal films deposited within a recess using atomic layer deposition

Номер патента: WO2024107567A1. Автор: Wanki Kim,Pulkit Agarwal,Jennifer Leigh PETRAGLIA,Ian John CURTIN. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-05-23.

Atomic layer deposition with passivation treatment

Номер патента: EP3509744A1. Автор: Friedrich B. Prinz,Shicheng XU,John Provine,Timothy ENGLISH,Dickson THIAN,Jan TORGERSEN. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2019-07-17.

Delivery, use and use in therapy of crispr-cas systems and compositions for targeted action on disorders and diseases using viral components

Номер патента: RU2716421C2. Автор: Фэн ЧЖАН,Маттиас ХАЙДЕНРАЙХ,Фэй ЖАНЬ,Лукаш СУИЧ,Лэ ЦУН. Владелец: Те Брод Инститьют Инк.. Дата публикации: 2020-03-11.

Single source precursors for atomic layer deposition

Номер патента: GB2439996A. Автор: Anthony Copland Jones. Владелец: Epichem Ltd. Дата публикации: 2008-01-16.

Continuous spatial atomic layer deposition process and apparatus for applying films on particles

Номер патента: US20230416914A1. Автор: Robert A. Hall,II Joseph Allen Spencer. Владелец: ALD Nanosolutions Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Atomic layer deposition coated pharmaceutical packaging and improved syringes and vials, e.g. for lyophilized/cold-chain drugs/vaccines

Номер патента: CA3214035A1. Автор: Robert S. Abrams,Ahmad Taha,Adam BREELAND,Javier Ferrer. Владелец: SIO2 Medical Products Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Continuous spatial atomic layer deposition process and apparatus for applying films on particles

Номер патента: US11773487B2. Автор: Robert A Hall,II Joseph Allen Spencer. Владелец: ALD Nanosolutions Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Atomic layer deposition coated pharmaceutical packaging and improved syringes and vials, e.g. for lyophilized/cold-chain drugs/vaccines

Номер патента: EP4313212A1. Автор: Robert S. Abrams,Ahmad Taha,Adam BREELAND,Javier Ferrer. Владелец: SIO2 Medical Products Inc. Дата публикации: 2024-02-07.

Atomic layer deposition apparatus for coating on fine powders

Номер патента: US11739423B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku,Ta-Hao Kuo. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Atomic layer deposition apparatus for powders

Номер патента: US20220106682A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2022-04-07.

Atomic layer deposition apparatus for coating on fine powders

Номер патента: US20220106685A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku,Ta-Hao Kuo. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2022-04-07.

Atomic layer deposition coated pharmaceutical packaging and improved syringes and vials, e.g. for lyophilized/cold-chain drugs/vaccines

Номер патента: WO2021262764A4. Автор: Robert S. Abrams,Ahmad Taha,Adam BREELAND,Javier Ferrer. Владелец: SiO2 Medical Products, Inc.. Дата публикации: 2022-03-10.

Atomic layer deposition coated pharmaceutical packaging and improved syringes and vials, e.g. for lyophilized/cold-chain drugs/vaccines

Номер патента: US20230263957A1. Автор: Robert S. Abrams,Ahmad Taha,Adam BREELAND,Javier Ferrer. Владелец: SIO2 Medical Products Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Atomic-layer deposition apparatus

Номер патента: US20160237563A1. Автор: Kam Chuen Ng,Ronald Steven Cok,Kurt D. Sieber. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2016-08-18.

실리콘-함유 막들의 열적 원자 층 증착 (thermal atomic layer deposition)

Номер патента: KR20220042442A. Автор: 어니쉬 굽타,이안 존 커틴,텅페이 미아오,아드리안 라보이,더글러스 월터 애그뉴. Владелец: 램 리써치 코포레이션. Дата публикации: 2022-04-05.

Powder atomic layer deposition apparatus for blowing powders

Номер патента: US11987883B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Atomic-layer deposition apparatus using compound gas jet

Номер патента: US20160237567A1. Автор: Kam Chuen Ng,Ronald Steven Cok,Kurt D. Sieber. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2016-08-18.

Precursor source arrangement and atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US12000043B2. Автор: Pekka Soininen,Pekka J. Soininen,Hulda AMINOFF,Ville MIIKKULAINEN. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2024-06-04.

Continuous spatial atomic layer deposition process and apparatus for applying films on particles

Номер патента: EP3307426A1. Автор: Robert A. Hall,Joseph Allen SPENCER II. Владелец: ALD Nanosolutions Inc. Дата публикации: 2018-04-18.

Nanoscale sofc electrode architecture engineered using atomic layer deposition

Номер патента: WO2016099607A1. Автор: Yun Chen,Xueyan Song,Kirk Gerdes,Shiwoo Lee. Владелец: WEST VIRGINIA UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-06-23.

Atomic-layer deposition apparatus

Номер патента: US20170051404A1. Автор: Kam Chuen Ng,Ronald Steven Cok,Kurt D. Sieber. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2017-02-23.

Mixed metal oxide coatings applied using spatial atomic layer deposition and uses thereof

Номер патента: WO2024184552A1. Автор: Adriaan JEREMIASSE,Johannes Godfried VOS,Anders TREMPENAU,Nitin Puthuval PRASAD. Владелец: Magneto Special Anodes B.V.. Дата публикации: 2024-09-12.

METHOD OF PRODUCING AND CONCENTRATING microRNA-CONTAINING EXOSOMES OF MULTIPOTENT MESENCHYMAL STROMAL CELLS FOR USE IN COSMETIC AND MEDICINAL AGENTS FOR STIMULATING REGENERATIVE PROCESSES AND SLOWING DOWN AGING PROCESSES

Номер патента: RU2710368C2. Автор: Станислав Евгеньевич Волчков,Ольга Владимировна Тюмина. Владелец: Ольга Владимировна Тюмина. Дата публикации: 2019-12-26.

Precursor material delivery system for atomic layer deposition

Номер патента: WO2004024981A2. Автор: Kari Harkonen,Teemu Lang,Jarmo Maula,Hannu Leskinen,Pekka Kuosmanen,Martti Sonninen,Bradley J. Aitchison. Владелец: Planar Systems, Inc.. Дата публикации: 2004-03-25.

Precursor material delivery system for atomic layer deposition

Номер патента: GB2407586A. Автор: Kari Harkonen,Teemu Lang,Jarmo Maula,Hannu Leskinen,Bradley J Aitchison,Tommy Turkulainen,Pekka Kuosmmanen,Marti Sonninen. Владелец: Planar Systems Inc. Дата публикации: 2005-05-04.

Atomic layer deposition reactor design for uniform flow distribution

Номер патента: WO2020242817A1. Автор: Chien-Teh Kao,Subhasish ROY,Lai ZHAO,Xiangxin Rui,Suhas Rachappa BHOSKI,Manohara RAJANNA,Raghav Mirle SEETHARAMU. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2020-12-03.

Method for layer-by-layer deposition of concrete using rapidly hydrating cementitious material and bicomponent cementitious binder composition therefor

Номер патента: WO2023232622A1. Автор: Geert DE SCHUTTER,Manu KURUNGOD MOHAN,Yaxin TAO,Kim VAN TITTELBOOM,Rahul ATTUPURATHU VIJAYAN. Владелец: Universiteit Gent. Дата публикации: 2023-12-07.

Coating interior surfaces of complex bodies by atomic layer deposition

Номер патента: WO2023196018A1. Автор: Timothy Joseph Franklin,Christopher Laurent Beaudry,Joseph Frederick BEHNKE,Joseph Frederick Sommers,Carlaton WONG,Steven Darrell Marcus,Albert Barrett Hicks Iii. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-10-12.

Coating interior surfaces of complex bodies by atomic layer deposition

Номер патента: US20230323531A1. Автор: Timothy Joseph Franklin,Christopher Laurent Beaudry,Joseph Frederick BEHNKE,Joseph Frederick Sommers,Carlaton WONG,Albert Barrett Hicks, III,Steven Darrell Marcus. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

SiO2 thin film produced by atomic layer deposition at room temperature

Номер патента: US11753718B2. Автор: Damien Lenoble,Noureddine Adjeroud,Didier Arl. Владелец: Luxembourg Institute of Science and Technology LIST. Дата публикации: 2023-09-12.

HIGH DEPOSITION RATE OF SiO2 USING ATOMIC LAYER DEPOSITION AT EXTRA LOW TEMPERATURE

Номер патента: WO2011042882A3. Автор: Katsuko Higashino,Kazutake Yanagita. Владелец: L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2011-09-01.

T cells re-targeted with respect to cd123-specific chimeric antigen receptor, and methods for use thereof

Номер патента: RU2711114C2. Автор: Стивен ФОРМЭН,Армен МАРДАЙРОС. Владелец: Сити Оф Хоуп. Дата публикации: 2020-01-15.

Control drive valve for use in well, solenoid used in this valve, method of control of main valve in well using proposed valve and method of changing of liquid flow velocities in well

Номер патента: RU2305215C2. Автор: Мурат ОКАЛАН. Владелец: Шлюмбергер Текнолоджи Б.В.. Дата публикации: 2007-08-27.

Method for production of fatty acids methyl ester suitable for use in engine

Номер патента: RU2603748C2. Автор: Анупама Виджайкумар ШРИВАСТАВ,Санджив Кумар МИШРА,Пушпито Кумар ГОШ,Махеш Рамниклал ГАНДИ,Сандья Чандрика Прасад МИШРА,Соуриш БАТТАЧАРЬЯ,Субарна МАИТИ,Сумеш Чандра УПАДЬЯЙ,Аруп ГОШ,Рачапуди Бадари Нараяна ПРАСАД,Санджит КАНДЖИЛАЛ,Имран ПАНЧА,Четан ПАЛИВАЛ,Тонмой ГОШ,Рахул Кумар МАУРЬЯ,Деепти ДЖАЙН,Шайлеш Кумар ПАТИДАР,Абишек САХУ,Хетал БОСАМИЯ,Крушнадевсин ЗАЛА. Владелец: Каунсел Оф Сайнтифик Энд Индастриал Рисерч. Дата публикации: 2016-11-27.

Genetic structure for use in the treatment of neurodegenerative disorder or stroke

Номер патента: RU2757932C2. Автор: Кит МАРТИН,Питер УИДДОУСОН. Владелец: Куэтера Лимитед. Дата публикации: 2021-10-25.

Stability-modulating linkers for use with antibody drug conjugates

Номер патента: RU2680238C2. Автор: Павел СТРОП,Расселл Джордж ДУШИН,Магдалена Гразына ДОРЫВАЛЬСКАЯ,Людивин МУАН. Владелец: Ринат Ньюросайенс Корп.. Дата публикации: 2019-02-18.

Bacterium for use as probiotic consumed with food and in medicine

Номер патента: RU2761636C2. Автор: Дениз КЕЛЛИ,Имке МАЛДЕР. Владелец: 4Д Фарма Рисерч Лимитед. Дата публикации: 2021-12-13.

Nucleotide sequence expressing anchor protein of exosomes for use as vaccine

Номер патента: RU2761642C2. Автор: Маурицио Паоло Мария ФЕДЕРИКО. Владелец: Иституто Супериоре Ди Санита'. Дата публикации: 2021-12-13.

Monoclonal antibodies to cd44, intended for use in treating squamous cell carcinoma of the head and the neck

Номер патента: RU2599447C2. Автор: А.Г. ДА-КРУС Луис,Джейн ФРАНЦМАНН Элизабет. Владелец: Юниверсити Оф Майами. Дата публикации: 2016-10-10.

New gadolinium chelate compounds with high relaxivity for use in magnetic resonance imaging

Номер патента: RU2755181C2. Автор: Томас Френцель,Маркус Бергер,Кристоф-Штефан ХИЛЬГЕР,Хубертус ПИЧ,Йессика ЛОРКЕ,Грегор ЙОСТ,Олаф Панкнин. Владелец: Байер Фарма Акциенгезельшафт. Дата публикации: 2021-09-14.

Method for promotion of active conformation of glycosylated recombinant protein, method for preparing active glycosylated protein and method for preparing composition of this protein for administration to user and/or patient or for using by user and/or patient

Номер патента: RU2316563C2. Автор: Хельмут М. САССЕНФЕЛЬД,Ричард Л. Младший РЕММЕЛ,Ребекка Э. МакКОЙ. Владелец: Иммьюнекс Корпорейшн. Дата публикации: 2008-02-10.

R-2-(aminoaryl)-propionic acid amides for using in prevention of leukocyte activation

Номер патента: RU2268263C2. Автор: Марчелло АЛЛЕГРЕТТИ,Мария Кандида ЧЕСТА,Риккардо БЕРТИНИ,Мари Кандида ЧЕСТА,Франческо КОЛОТТА,Чинция БИЦЦАРРИ,Джанфранко КАЗЕЛЛИ,Чинци БИЦЦАРРИ,Кармело ГАНДОЛЬФИ,Вильма САББАТИНИ. Владелец: Домпе С.П.А.. Дата публикации: 2006-01-20.

2,2-difluoropropionamide derivatives of bardoxolone-methyl, polymorphous forms and methods for use thereof

Номер патента: RU2693833C2. Автор: Ахмад Й. ШЕЙКХ,Алессандра МАТТЕИ,Сю Ц. ВАН. Владелец: Эббви Инк.. Дата публикации: 2019-07-05.

An atomic layer deposition apparatus

Номер патента: EP4225966A1. Автор: Pekka Soininen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-08-16.

An atomic layer deposition apparatus

Номер патента: US20230374658A1. Автор: Pekka Soininen. Владелец: BENEQ OY. Дата публикации: 2023-11-23.

Composition of lactic bacteria for use in the treatment of infections due to propionibacterium acnes and in particular for acne

Номер патента: US20230226128A1. Автор: Giovanni Mogna. Владелец: Probiotical SpA. Дата публикации: 2023-07-20.

semiconductor device using Atomic Layer Deposition processing and manufacturing method at the same

Номер патента: KR100809000B1. Автор: 이정희,김윤수,조현익,공성호,도관우,함성호,배남진. Владелец: 경북대학교 산학협력단. Дата публикации: 2008-03-05.

Radical source design for remote plasma atomic layer deposition

Номер патента: US10316409B2. Автор: Bart J. van Schravendijk. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2019-06-11.

Method of asphalt-concrete chips preparation for use in asphalt concrete production

Номер патента: RU2651674C1. Автор: Михаил Алексеевич Мухин,Андрей Павлович Лупанов,Алексей Сергеевич Суханов,Вячеслав Васильевич Силкин,Николай Викторович Гладышев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ДОРЭКСПЕРТ". Дата публикации: 2018-04-23.

Composition for synthesis of oxygen compounds of iron with oxidation states (+4), (+5) and (+6), method for production thereof and method for use thereof

Номер патента: RU2600346C1. Автор: Алексей Владимирович Макунин,Денис Александрович Панкратов,Александр Геннадьевич Малин. Владелец: Денис Александрович Панкратов. Дата публикации: 2016-10-20.

Respiratory syncytial virus strain rsv/novosibirsk/66h1/2018 for use in the diagnosis of respiratory syncytial viral infection and the study of the effectiveness of antiviral drugs in vitro

Номер патента: RU2746280C1. Автор: Александр Михайлович Шестопалов,Александр Юрьевич Алексеев,Петр Михайлович Кожин,Кирилл Александрович Шаршов,Ольга Григорьевна Курская,Мария Владимировна Соломатина,Иван Андреевич Соболев,Никита Артемьевич Дубовицкий. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр фундаментальной и трансляционной медицины" (ФИЦ ФТМ). Дата публикации: 2021-04-12.

Bicyclic lactams and methods for use thereof

Номер патента: RU2716136C2. Автор: Хуэйфэнь Чэнь,Крейг СТИВАЛА,Гуйлин Чжао,Снахель Патель,Грегори ГАМИЛЬТОН. Владелец: Ф. Хоффманн-Ля Рош Аг. Дата публикации: 2020-03-06.

Cellulase composition containing cellulase and polymers for paper production, intended for use in increasing paper strength in dry state

Номер патента: RU2634239C2. Автор: Цумин ГУ,Франк Дж. САТМАН. Владелец: Соленис Текнолоджиз Кайман, Л.П.. Дата публикации: 2017-10-24.

Attenuated porcine reproductive and respiratory syndrome virus (rrs) and its possible use in immunization means

Номер патента: RU2723040C2. Автор: Маура ФЕРРАРИ,Джованни Лорис АЛБОРАЛИ,Герино ЛОМБАРДИ,Стефано ПОНГОЛИНИ. Владелец: Фатро Спа. Дата публикации: 2020-06-08.

Beam forming element intended for use in neutron capture therapy

Номер патента: RU2720707C2. Автор: Юань-Хао ЛЮ,Пэй-и ЛИ. Владелец: Неуборон Медтек Лтд.. Дата публикации: 2020-05-12.

METHOD OF PRODUCING ARTIFICIAL FLUORSPAR (CaF2) FROM PHOSPHORIC ACID PRODUCTION WASTES (PHOSPHOGYPSUM) FOR USE IN MAKING CEMENT

Номер патента: RU2604693C1. Автор: Александр Николаевич Москаленко,Михаил Владимирович Бахарев. Владелец: Михаил Владимирович Бахарев. Дата публикации: 2016-12-10.

Arylalkylamine compounds for use in preventing or treating cancer

Номер патента: RU2731102C2. Автор: Йожеф КНОЛЛЬ,Ильдико МИКЬЯ,Петер ФЕРДИНАНДИ,Дежё ШУЛЕР,Жужанна ШАФФ,Шандор ЭКХАРДТ. Владелец: Фудзимото Ко. Лтд.. Дата публикации: 2020-08-28.

Medicinal substances and pharmaceutical compositions based on thereof for using in cases of oxidative stress

Номер патента: RU2264383C2. Автор: Солдато Пьеро Дел,СОЛДАТО Пьеро ДЕЛ (IT). Владелец: Никокс С.А.. Дата публикации: 2005-11-20.

Showerhead and atomic layer deposition apparatus

Номер патента: KR20100077694A. Автор: 박성현,이재민. Владелец: 주식회사 케이씨텍. Дата публикации: 2010-07-08.

Metallic compounds of calixarene, containing detergent compositions and their use in lubricating oil compositions

Номер патента: RU2719473C2. Автор: Марчелло Нотари,Алессандро КАЗНАТИ,Алессандро БУРЛИНИ,Альберто РОЗЕЛЛИ,Франческо Сансоне. Владелец: Эни С.П.А.. Дата публикации: 2020-04-17.

Stem cell compositions and methods of producing stem cells for use in therapy

Номер патента: RU2714236C2. Автор: Сабина ГЛОЗМАН,Ирина КЕРКИС. Владелец: Фундакао Бутантан. Дата публикации: 2020-02-13.

Composition containing sialillactose for use in improving learning skills and memory function

Номер патента: RU2770223C2. Автор: Бин Ван,Чжичжун ДУН,Юйцзе ШИ. Владелец: Сосьете де Продюи Нестле С.А.. Дата публикации: 2022-04-14.

N-sulfonylated pyrazolo[3,4-b]pyridine-6-carboxamides and a method for use thereof

Номер патента: RU2724345C2. Автор: Цзяньго ЦЗИ,Сачин В. Пател,Сюцин ВАН,Филип Р. КИМ,Марлон Д. КАУЕРТ,Брайан С. БРАУН,Жан-Мишель ЛЕФРАНСУА,Оскар Маммолити,Кристель Жанн Мари Мене,Матье Рафаэль ПИЗЗОНЕРО,Питер Изабелль Роже КЛАС,Рхалид Аккари,Люк Джонатан Алве,Ксавье Мари БОК,Эльза ДЕ ЛЕМО,Николя ДЕРУА,Беранже ДЮТЬОН,Грегори А. ГФЕССЕР,Ромэн Люк Мари Госмини,Кристофер Гаэтан УССМАН,Коэн Карель ЯНСЕН,Нюрья Мерейо МЕРЕЙО,Грегори Джон Роберт Ньюсам,Аделин Мари Элиз ПАЛИСС,Анурупа ШРЕСТА,Элизабет С. СВИФТ,Стивен Эмиель ВАН ДЕР ПЛАС,Анн ДЕ БЛИК. Владелец: Галапагос Нв. Дата публикации: 2020-06-23.

Antibody against adrenomedullin (adm), or fragment of anti-adm antibody, or anti-adm non-ig frame for use in intervention and therapy of hyperemia in patient

Номер патента: RU2762059C2. Автор: Адриан ВОРС. Владелец: Адреномед Аг. Дата публикации: 2021-12-15.

Turbine airfoil with internals coated by atomic layer deposition

Номер патента: EP3540091A1. Автор: Neal Magdefrau,Paul Sheedy,Michael J Maloney,Michael N Task,Kevin W Schlichting. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2019-09-18.

Apparatus for atomic layer deposition

Номер патента: KR101072670B1. Автор: 박성현. Владелец: 주식회사 케이씨텍. Дата публикации: 2011-10-11.

Heat-treated article with coating for use in splash-proof backs

Номер патента: RU2739529C1. Автор: Аритра БИСВАС,Гопал БАЛАЧАНДРАН. Владелец: Гардиан Гласс Холдинг С.П.С.. Дата публикации: 2020-12-25.

Isoquinolinone derivatives useful in treating cancer

Номер патента: RU2690853C2. Автор: Эль Бахир КАЛУН,Анна КРЮЗИНСКИ,Филипп ШМИТТ. Владелец: Пьер Фабр Медикамент. Дата публикации: 2019-06-06.

A plasma enhanced atomic layer deposition system

Номер патента: WO2006104863A3. Автор: Tadahiro Ishizaka,Kaoru Yamamoto,Tsukasa Matsuda,Jr Frankm Cerio. Владелец: Jr Frankm Cerio. Дата публикации: 2007-10-04.

Atomic layer deposition with multiple uniformly heated charge volumes

Номер патента: US20240110279A1. Автор: Panya Wongsenakhum,Aaron Blake MILLER,Gorun Butail,Nitin Kadam,Naveen PATIL,Shruti Thombare. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Detachable atomic layer deposition apparatus for powders

Номер патента: US11767591B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Spatial atomic layer deposition

Номер патента: US11834745B2. Автор: Anthony Dip. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Apparatus and process for atomic layer deposition

Номер патента: WO2012118955A2. Автор: Joseph Yudovsky. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-09-07.

Gas separation control in spatial atomic layer deposition

Номер патента: US11821083B2. Автор: Ning Li,Kevin Griffin,Tai T. Ngo,Steven D. Marcus. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Atomic Layer Deposition System with Multiple Flows

Номер патента: US20140060431A1. Автор: Rwei-Ching Chang,Tsai-Cheng Li,Chen-Pei Yeh,Hsi-Ting Hou,Te-Feng Wang,Fa-Ta Tsai. Владелец: St Johns University Taiwan. Дата публикации: 2014-03-06.

Injector head for atomic layer deposition

Номер патента: US20160122874A1. Автор: Adrianus Johannes Petrus Maria Vermeer,Ronald Henrica Maria Van Dijk. Владелец: Solaytec BV. Дата публикации: 2016-05-05.

A plasma enhanced atomic layer deposition system

Номер патента: WO2006104864A2. Автор: Tadahiro Ishizaka,Kaoru Yamamoto. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2006-10-05.

Powder atomic layer deposition apparatus with special cover lid

Номер патента: US20220162750A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Jung-Hua Chang,Chia-Cheng Ku. Владелец: Sky Tech Inc. Дата публикации: 2022-05-26.

Atomic layer deposition system

Номер патента: US11976358B2. Автор: Chih-Yuan Chan,Yi-Ting Lai,Hsueh-Hsien Wu. Владелец: Syskey Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Single-chamber atomic layer deposition apparatus with dual-lid closure system

Номер патента: WO2024104582A1. Автор: Carlos Guerra. Владелец: Swiss Cluster Ag. Дата публикации: 2024-05-23.

Injector head for atomic layer deposition

Номер патента: EP3004417A1. Автор: Adrianus Johannes Petrus Maria Vermeer,Ronald Henrica Maria Van Dijk. Владелец: Solaytec BV. Дата публикации: 2016-04-13.

Injector head for atomic layer deposition

Номер патента: WO2014193234A1. Автор: Adrianus Johannes Petrus Maria Vermeer,Ronald Henrica Maria Van Dijk. Владелец: SoLayTec B.V.. Дата публикации: 2014-12-04.

Atomic layer deposition system

Номер патента: US20230272528A1. Автор: Chih-Yuan Chan,Yi-Ting Lai,Hsueh-Hsien Wu. Владелец: Syskey Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Mixture of probiotic bacteria strains for use in the treatment of allergic asthma and with recurrent wheezing, preferably in paediatric subjects

Номер патента: EP4368252A3. Автор: Marco Pane,Angela AMORUSO,Vera Mogna. Владелец: Probiotical SpA. Дата публикации: 2024-05-22.

Microrna 19a/19b for use in treating a pathological condition associated with bone loss or reduced muscle function

Номер патента: SG11201908599UA. Автор: Hiroaki Saito,Eric Hesse,Hanna TAIPALEENMAKI. Владелец: Univ Hamburg Eppendorf. Дата публикации: 2019-10-30.

Power device comprising an insulation gas for use in an electric energy power arrangement

Номер патента: WO2023111216A1. Автор: Richard Thomas,Hauke Peters,Peter Stengard,Loic FAVE. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2023-06-22.

SELF-ASSEMBLED MONOLAYERS AND METHODS FOR USING THE SAME IN BIOSENSING APPLICATIONS

Номер патента: US20160047803A1. Автор: Dussault Patrick H.,Lai Rebecca Y.,Fisher Thomas,Zaitouna Anita J.. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-18.

METHOD FOR IMMOBILIZING AN ANTIBODY ON A SELF-ASSEMBLED MONOLAYER

Номер патента: US20140030822A1. Автор: HATAOKA Yukari. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2014-01-30.

DISC DRIVE WITH MAGNETIC SELF-ASSEMBLED MONOLAYER

Номер патента: US20150002960A1. Автор: Ellison David J.,Stoebe Timothy W.. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-01.

SLIDER WITH SELF-ASSEMBLED MONOLAYER PATTERN

Номер патента: US20150015996A1. Автор: Guo Qian,Rajasekharan Ajaykumar,Ellison David J.. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-15.

SYSTEMS AND METHODS FOR INHIBITING CONTAMINATION ENHANCED LASER INDUCED DAMAGE (CELID) BASED ON FLUORINATED SELF-ASSEMBLED MONOLAYERS DISPOSED ON OPTICS

Номер патента: US20140268335A1. Автор: WEILLER Bruce H.,VILLAHERMOSA Randy M.,FOWLER Jesse D.. Владелец: The Aerospace Corporation. Дата публикации: 2014-09-18.

METHODS FOR THE ELECTROCHEMICAL TREATMENT OF SELF-ASSEMBLED MONOLAYERS

Номер патента: US20180180605A1. Автор: KAYYEM Jon Faiz,FORD Sean,Rusterholz Ken,Bender William,Argueta Claudia C.. Владелец: GenMark Diagnostics, Inc.. Дата публикации: 2018-06-28.

METHODS FOR THE ELECTROCHEMICAL TREATMENT OF SELF-ASSEMBLED MONOLAYERS

Номер патента: US20140305811A1. Автор: KAYYEM Jon Faiz,FORD Sean,Rusterholz Ken,Bender William,Argueta Claudia C.. Владелец: GenMark Diagnostics, Inc.. Дата публикации: 2014-10-16.

METHOD OF PASSIVATING A CONDUCTIVE PATTERN WITH SELF-ASSEMBLING MONOLAYERS

Номер патента: US20150234219A1. Автор: Petcavich Robert J.. Владелец: Uni-Pixel Displays, Inc.. Дата публикации: 2015-08-20.

SELF-ASSEMBLED MONOLAYER COATING FOR DISC DRIVE MANUFACTURE

Номер патента: US20160232946A1. Автор: Ellison David J.,BRAND John L.,Stoebe Timothy,Fernandez Robert A.. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-11.

Immunoassays and characterization of biomolecular interactions using self- assembled monolayers

Номер патента: WO2008118959A1. Автор: Milan Mrksich,Violeta Marin,Steven M. Patrie. Владелец: The University of Chicago. Дата публикации: 2008-10-02.

Ultrafast and ultrasensitive hydrogen sensors based on self-assembly monolayer promoted 2-dimensional palladium nanoclusters

Номер патента: US20060112756A1. Автор: Tao Xu,Michael Zach,Zhili Xiao. Владелец: University of Chicago. Дата публикации: 2006-06-01.

Ultrafast and ultrasensitive hydrogen sensors based on self-assembly monolayer promoted 2-dimensional palladium nanoclusters

Номер патента: US7171841B2. Автор: Tao Xu,Zhili Xiao,Michael P. Zach. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2007-02-06.

Ultrafast and ultrasensitive hydrogen sensors based on self-assembly monolayer promoted 2-dimensional palladium nanoclusters

Номер патента: US7389671B1. Автор: Tao Xu,Zhili Xiao,Michael P. Zach. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2008-06-24.

Method of patterning self-assembled monolayer on slider

Номер патента: US9299376B1. Автор: Daniel Richard Buettner,Robert Anthony Fernandez,David James Ellison. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-03-29.

Method for manufacturing microfluidic chip with electroosmotic flow controlled by inducing electric field through self-assembled monolayer

Номер патента: US20050087444A1. Автор: Hsien-Chang Chang,Ching-Chou Wu,Ren-Guen Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-04-28.

Atomic layer deposition of zirconium oxide for forming resistive-switching materials

Номер патента: US20130134376A1. Автор: Albert Lee,Imran Hashim,Jinhong Tong,Vidyut Gopal,Randall Higuchi. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2013-05-30.

Metal-oxide blocking layers deposited via atomic layer deposition for organic light emitting diodes

Номер патента: US20240206221A1. Автор: Stephen R. Forrest,Jeffrey A. Horowitz,Claire Arneson. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2024-06-20.

Bulk acoustic wave device with piezoelectric layer formed by atomic layer deposition

Номер патента: US20230108824A1. Автор: Stefan Bader,Alexandre Augusto Shirakawa,Kwang Jae Shin,Kezia Cheng. Владелец: Skyworks Global Pte Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Atomic layer deposition in acoustic wave resonators

Номер патента: WO2023091813A1. Автор: Douglas CARLSON,Rathnait LONG. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.. Дата публикации: 2023-05-25.

Pilot signals for use in multi-sector cells

Номер патента: RU2521522C2. Автор: Цзюньи ЛИ,Раджив ЛАРОЯ,Джон Л ФЭН. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2014-06-27.

Cartridge intended for use in device for heating smoking material

Номер патента: RU2687698C1. Автор: Бенджамин Дж. ПАПРОКИ,Рэймонд Дж. РОБИ,Дуэйн А КАУФМАН. Владелец: Бритиш Америкэн Тобэкко (Инвестментс) Лимитед. Дата публикации: 2019-05-15.

Loudspeaker device for use in vehicle

Номер патента: RU2489803C2. Автор: Соуити САИТОХ,Хидеаки СУЗУКИ. Владелец: Денсо Корпорейшн. Дата публикации: 2013-08-10.

Loudspeaker device for use in vehicle

Номер патента: RU2437242C1. Автор: Соуити САИТОХ,Хидеаки СУЗУКИ. Владелец: Денсо Корпорейшн. Дата публикации: 2011-12-20.

Asymmetric data transmission for use in a multi-modulation environment

Номер патента: EP1175794A4. Автор: Harri Jokinen,Eero Nikula,Shkumbin Hamiti,Markus Hakaste. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2002-08-07.

Method and apparatus for using resources for device-to-device operation in wireless communication system

Номер патента: US09854566B2. Автор: Youngdae Lee,Sunghoon Jung. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-12-26.

Precomputing internal AES states in counter mode to protect keys used in AES computations

Номер патента: US09716586B2. Автор: Augustin J. Farrugia,Mathieu Ciet,Bruno Kindarji,Thomas Icart,Benoit Chevallier-Mames. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Formation of self-assembled monolayer for ultrasonic transducers

Номер патента: US20210403321A1. Автор: Keith G. Fife,Jianwei Liu. Владелец: Butterfly Network Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Organic solar cells with self-assembly monolayers of organic molecules

Номер патента: TW200929572A. Автор: Lee-Yih Wang,Wei-Fang Su,Chih-Wei Hsu,Chia-Feng Yu. Владелец: Univ Nat Taiwan. Дата публикации: 2009-07-01.

METAL ALLOY NANOPARTICLE SYNTHESIS VIA SELF-ASSEMBLED MONOLAYER FORMATION AND ULTRASOUND

Номер патента: US20130244037A1. Автор: Hohman James Nathan,Weiss Paul S.. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2013-09-19.

Self-assembled monolayer material, organic electroluminescence device, display device, lighting device, organic thin film solar cell, organic thin film transistor

Номер патента: JP6782586B2. Автор: 宗弘長谷川,森井　克行,克行森井,貴央清水,弘彦深川,清水　貴央,隼郷田. Владелец: Japan Broadcasting Corp. Дата публикации: 2020-11-11.

Method and apparatus for manufacturing metal nano particle on which self-assembled monolayer is coated

Номер патента: KR100999972B1. Автор: 이선영,이계영,최용범,성미린,최정영. Владелец: 한양대학교 산학협력단. Дата публикации: 2010-12-13.

Method for making a self-assembling monolayer and composition

Номер патента: WO2003008646A2. Автор: Patrick E. Guire,Kristin S. Taton. Владелец: SURMODICS, INC.. Дата публикации: 2003-01-30.

Self assembling monolayer compositions

Номер патента: US6689473B2. Автор: Patrick E. Guire,Kristin S. Taton. Владелец: Surmodics Inc. Дата публикации: 2004-02-10.

Self-assembled monolayer and method of making

Номер патента: US6531224B1. Автор: Jun Liu,Yongsoon Shin,Glen E. Fryxell,Thomas S. Zemanian. Владелец: Battelle Memorial Institute Inc. Дата публикации: 2003-03-11.

Organic solar cells with self-assembly monolayers

Номер патента: TWI360231B. Автор: Chih Wei Hsu,Wei Fang Su,Lee Yih Wang,Chia Feng Yu. Владелец: Univ Nat Taiwan. Дата публикации: 2012-03-11.

Sensing layers and protection layers using atomic layer deposition synthesis of oxides on silica optical fibers

Номер патента: US20220326439A1. Автор: Fei Lu,Yulin Liu,Jung-Kun Lee,Paul Richard Ohodnicki,Ruishu Wright,Jeffrey Wuenschell. Владелец: University of Pittsburgh. Дата публикации: 2022-10-13.

Sensing and/or protection layers for optical fiber-based sensors using atomic layer deposition synthesis on optical fibers

Номер патента: US11782210B2. Автор: Fei Lu,Yulin Liu,Jung-Kun Lee,Paul Richard OHODNICKI, Jr.,Ruishu Wright,Jeffrey Wuenschell. Владелец: University of Pittsburgh. Дата публикации: 2023-10-10.

Retroreflector for use in applications associated with touch screens and in positioning systems

Номер патента: RU2497161C2. Автор: Стивен Р. ЧЕПМЭН,Саймон БРИДЖЕР. Владелец: Некст Холдингз Лтд.. Дата публикации: 2013-10-27.

Atomic resonance line source lamps and spectrophotometers for use with such lamps

Номер патента: US4669879A. Автор: Trevor J. Stockdale,Peter Morley. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1987-06-02.

Pressure-rated crystal holding device for use in a high temperature crude corrosivity test

Номер патента: US09709546B2. Автор: Kyrolos Paul EL GIHENY. Владелец: Chevron USA Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Direct temperature control and measurement for furnace atomizers in atomic spectroscopy

Номер патента: US4181438A. Автор: Lloyd E. Smythe,Jaroslav P. Matousek. Владелец: Individual. Дата публикации: 1980-01-01.

Nanostructured carbon dioxide environmental sensor device and method of fabricating thereof using atomic layer deposition (ald)

Номер патента: WO2018002294A1. Автор: Ashwin K. SAMARAO. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2018-01-04.

Body of on-board device for ticketing for use of roads and on-board device for ticketing for the use of roads carrying out in this body

Номер патента: RU2649541C1. Автор: Алексей Николаевич Мозохин,Сергей Викторович Колышкин,Алексей Сергеевич Семиков. Владелец: Акционерное общество "Азимут". Дата публикации: 2018-04-03.

Method for isolating spermatozoa from the ejaculate of patients with impaired spermatogenesis for use in in vitro fertilization and/or cryopreservation programs

Номер патента: RU2770818C1. Автор: Елена Евгеньевна Захарова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "НОВЕЛЛА-К". Дата публикации: 2022-04-22.

Quantum-dot spectrometers for use in biomedical devices and methods of use

Номер патента: RU2665202C2. Автор: Хорхе ГОНСАЛЕС,Рэндалл Б. ПЬЮ,Фредерик А. ФЛИТШ. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Вижн Кэа, Инк.. Дата публикации: 2018-08-28.

Method of generating improved map data for use in navigation devices

Номер патента: RU2482540C2. Автор: Герт ХИЛБРАНДИ,Питер ГЕЛЕН,Свен ЮРГЕНС,Эдвин НЕФ,Марейе РОСЕН,Рори ДЖОУНС,Харолд ГОДДЕЙН,Сергей КУЧЕЙКО. Владелец: Томтом Интернэшнл Б.В.. Дата публикации: 2013-05-20.

Method for machining slide core hole and measurement/correction system for use in machining of slide core hole

Номер патента: US20110270436A1. Автор: Masaru Usui,Tsuyoshi Fujita,Kouichi Katoh,Takamasa Itoh. Владелец: Toshiba Machine Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-03.

Use in vitro of a kit and of a method for diagnostics in transplants and/or autoimmune diseases and/or tumor diseases and/or vaccinations and also a messenger-substance-containing supernatant, cell-containing sediment, and a combination, for use in diagnostics in transplants and/or autoimmune diseases and/or tumor diseases and/or vaccinations

Номер патента: CA3154305A1. Автор: Manfred Schmolz. Владелец: HOT SCREEN GmbH. Дата публикации: 2021-03-25.

Diaphragm valve for high-temperature precursor supply in atomic layer deposition

Номер патента: US20040261850A1. Автор: Kari Harkonen,Teemu Lang,Bradley Aitchison,Jarmo Maula,Hannu Leskinen,Pekka Kuosmanen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-30.

Diaphragm valve for atomic layer deposition

Номер патента: GB2418005A. Автор: Teemu Lang,Hannu Leskinen,Pekka Kuosmanen,Bradley J Aitchison,Kari Haerkoenen,Jarmo Ilmari Maula. Владелец: Planar Systems Inc. Дата публикации: 2006-03-15.

Diaphragm valve for atomic layer deposition

Номер патента: US20060174945A1. Автор: Kari Harkonen,Teemu Lang,Bradley Aitchison,Jarmo Maula,Hannu Leskinen,Pekka Kuosmanen. Владелец: Planar Systems Inc. Дата публикации: 2006-08-10.

Controlled release from particles encapsulated by molecular layer deposition

Номер патента: EP3261623A1. Автор: Jan Rudolf Van Ommen. Владелец: Technische Universiteit Delft. Дата публикации: 2018-01-03.

Method and apparatus for stacking of timber and depositing laths and a method for using a lath

Номер патента: EP2780269A1. Автор: Jan Johansson,Gunnar Marklund,Peter Jonsson. Владелец: Renholmen AB. Дата публикации: 2014-09-24.

Molecular layer deposition

Номер патента: KR20070084683A. Автор: 성명모. Владелец: 국민대학교산학협력단. Дата публикации: 2007-08-27.

Method for development of multi-layer deposits of natural gases

Номер патента: RU2722190C1. Автор: Александр Иосифович Пономарев,Рустам Фадисович Ситдиков,Артур Адикович Ибатулин. Владелец: Артур Адикович Ибатулин. Дата публикации: 2020-05-28.

Apilimod for use in treating renal cancer

Номер патента: RU2727802C2. Автор: Хенри ЛИХЕНШТЕЙН,Джонатан М. РОТБЕРГ,София ГЕЙЛ,Нил БИХАРРИ,Пол БЕКЕТТ,Шон ЛАНДРЕТТЕ,Крис КОНРАД,Тянь СЮЙ. Владелец: ЭйАй ТЕРАПЬЮТИКС, ИНК.. Дата публикации: 2020-07-24.

Method for using guaranteed tidal volume in newborns with severe respiratory pathology, manifested by respiratory failure of ii-iii severity

Номер патента: RU2750841C1. Автор: Айнагуль Жолдошевна Баялиева,Анна Анатольевна Бабинцева,Ильдар Мизахатович Зиганшин. Владелец: Ильдар Мизахатович Зиганшин. Дата публикации: 2021-07-05.

Belt liquefier to be used in digital extrusion-type production systems

Номер патента: RU2508198C2. Автор: Уильям Дж. СВЭНСОН,Дж. Самьюэл БЭТЧЕЛДЕР,С. Скотт КРАМП. Владелец: Стратасис, Инк.. Дата публикации: 2014-02-27.

Patient's table comprising position control system, as well as method for using this patient's table

Номер патента: RU2561512C2. Автор: Даниэль Симон Анна РЮЭЙТЕРС. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2015-08-27.

Injection preparation for higher sperm production in farm breeders and cocks, and method for using it

Номер патента: RU2493873C1. Автор: Сергей Михайлович Юдин,Владимир Глебович Лунин,Станислав Васильевич Советкин,Геннадий Владимирович Ескин,Владимир Сергеевич Юдин. Владелец: Сергей Михайлович Юдин. Дата публикации: 2013-09-27.

Toilet bowl for use in a squatting position, its components and methods for its manufacture

Номер патента: RU2758111C2. Автор: Айан ВЕББ,Андре ДЕ КОНИНГ. Владелец: Проджект Но 2 Лимитед. Дата публикации: 2021-10-26.

Combinations comprising pde 2 inhibitors such as 1-aryl-4-methyl- [1,2,4]triazolo[4,3-a]quinoxaline compounds and pde 10 inhibitors for use in treatment of neurological or metabolic disorders

Номер патента: RU2657540C2. Автор: Андрес Авелино Трабанко-Суарес,Антониус Адрианус Хендрикус Петрус МЕГЕНС,Хосе Игнасио АНДРЕС-ХИЛЬ,Ксавье Жан Мишель Ланглуа,Грета Констанция Петер Ванхоф,Анхелис Мери Де,Петер Якобус Йоханнес Антониус Бейнстерс,Фредерик Ян Рита Ромбаутс. Владелец: Янссен Фармацевтика Нв. Дата публикации: 2018-06-14.

Beverage heating and foaming system, beverage heating and foaming device suitable for use in such system, foaming tube suitable for use in such system, and beverage preparation method using such system

Номер патента: RU2710770C2. Автор: Хендрик Йохан ДЕС,Хендрикус Кристинус Мария Весселс. Владелец: Конинклейке Дауве Егбертс Б.В.. Дата публикации: 2020-01-13.

Inertial separator of sucked dirt for snorkel, intended for use in internal combustion engine (embodiments), and method of separating dirt from sucked air supplied to internal combustion engine

Номер патента: RU2696166C2. Автор: Родриго Мендес ОЛИВЕЙРА,Нил Пол ЛЬЮИНГТОН. Владелец: ФОРД ГЛОБАЛ ТЕКНОЛОДЖИЗ, ЛЛК. Дата публикации: 2019-07-31.

Device for use in liquid droplet apparatus

Номер патента: RU2675912C1. Автор: ХОЛЛЕН Дирк Эрнест ВОН. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2018-12-25.

Composition comprising probiotic bacteria or components thereof, and method for use thereof in treating immune skin diseases

Номер патента: RU2699540C2. Автор: Андрей Валерьевич Стрыгин,Павел Павлович Несмиянов. Владелец: Павел Павлович Несмиянов. Дата публикации: 2019-09-06.

Compositions and products for use in treating fractures and bone defects

Номер патента: RU2697873C2. Автор: Ян Альберт ГОССЕН. Владелец: Остео-Фарма Б.В.. Дата публикации: 2019-08-21.

A device for use in angling for releasably or non-releasably retaining a weight

Номер патента: GB2625580A. Автор: Allen Grundy Richard. Владелец: Korda Developments Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Element of lining for use in structure with stabilised soil

Номер патента: RU2534285C2. Автор: Ришар КАРИУ. Владелец: Терр Армэ Энтернасьональ. Дата публикации: 2014-11-27.

High-temperature seals for use in rotary valves

Номер патента: RU2659429C2. Автор: Трентон Фрэнк ДЖЕКСОН. Владелец: ФИШЕР КОНТРОЛЗ ИНТЕРНЕШНЕЛ ЛЛС. Дата публикации: 2018-07-02.

Syringe and method for using the same

Номер патента: RU2266756C2. Автор: ГАНДАРИАС Педро АГА. Владелец: Промонеса С.А.. Дата публикации: 2005-12-27.

Concentrate for making broth, soup, sauce, gravy or for using it as seasoning and that contains particles, xantan and locust bean gum, method of its production and application

Номер патента: RU2384251C2. Автор: Георг АХТЕРКАМП,Дитер Курт Карл АКЕРМАН,Тихару ИНОУЭ,Рейнхард КОЛЮС,Маттиас КУН. Владелец: Юнилевер Н.В.. Дата публикации: 2010-03-20.

Packaged concentrate for making broth, soup, sauce, gravy or for using it as seasoning and that contains xantan and locust bean gum, method of its production and application

Номер патента: RU2384252C2. Автор: Георг АХТЕРКАМП,Дитер Курт Карл АКЕРМАН,Тихару ИНОУЭ,Рейнхард КОЛЮС,Маттиас КУН. Владелец: Юнилевер Н.В.. Дата публикации: 2010-03-20.

Harungana madagascariensis leaves extract for use in treating acne and/or preventing their onset

Номер патента: RU2734745C2. Автор: Виржини ПТИ,Беатрис МУРО,Виржини ЮМБЕР. Владелец: Сосьете Д`Эксплуатасьон Де Продюи Пур Ле Эндюстри Шимик Сеппик. Дата публикации: 2020-10-22.

Surface disinfection method and composition suitable for use in disinfecting surface

Номер патента: RU2712186C1. Автор: Илья БОББЕРТ. Владелец: Хайджиникс Бв. Дата публикации: 2020-01-24.

Immunobiological agent and method for use thereof to induce specific immunity against ebola virus

Номер патента: RU2578159C1. Автор: Александр Леонидович Гинцбург,Сергей Владимирович Борисевич,Наталья Михайловна Артемичева,Денис Юрьевич Логунов,Амир Ильдарович Тухватулин,Андрей Александрович Лысенко,Ольга Вадимовна Зубкова,Алина Шахмировна Джаруллаева,Инна Вадимовна Должикова,Ирина Леонидовна Тутыхина,Максим Михайлович Шмаров,Борис Савельевич Народицкий,Дмитрий Николаевич Щербинин,Владимир Борисович Пантюхов,Светлана Ивановна Сыромятникова,Ирина Викторовна Шатохина,Дмитрий Викторович Щебляков,Дарья Андреевна Бурмистрова. Владелец: федеральное государственное бюджетное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр эпидемиологии и микробиологии имени почетного академика Н.Ф. Гамалеи" Министерства здравоохранения Российской Федерации" (ФГБУ "ФНИЦЭМ им. Н.Ф.Гамалеи" Минздрава России). Дата публикации: 2016-03-20.

Compositions containing sialylated oligosaccharides for use in infants or young children to prevent obesity in later life or related comorbidities and to promote normal growth

Номер патента: RU2744580C2. Автор: Норберт ШПРЕНГЕР,Аристеа БИНИА,Сами ДАМАК,СЕНАРКЛЕН-БЕЗЕНКОН Кароль ДЕ,НИЕВЕС Жозе Манюэль РАМОС. Владелец: Сосьете де Продюи Нестле С.А.. Дата публикации: 2021-03-11.

Derived from human thrombocyte lysate, extracellular vesicles for use in medicine

Номер патента: RU2735139C2. Автор: Кира Наталия Матахари ДЕ МИРОШЕДЖИ. Владелец: Лизатфарма Гмбх. Дата публикации: 2020-10-28.

Endless tape, used in paper production, production method of such tape, base for making such tape and method of making such base

Номер патента: RU2362852C2. Автор: Кейт ФИЦПАТРИК. Владелец: Олбани Интернешнл Корп.. Дата публикации: 2009-07-27.

Polyvalent combined immunizing and/or therapeutic preparation for use in bacterial infections or food poisoning, particularly salmonellosis, method for production of this preparation, its use and vaccine comprising this preparation

Номер патента: RU2683027C2. Автор: Рената ГЛОСЬНИЦКАЯ,Кшиштоф ГЛОСЬНИЦКИЙ,Дорота ЛЕДЕР. Владелец: Заклад Бадавчо-Вдроженёвы Осьродка Сальмонельля "Иммуноляб" Сп. З О.О.. Дата публикации: 2019-03-26.

Perforator of the posterior longitudinal ligament of the spine for use in ventral subaxial cervical spondylodesis

Номер патента: RU2770781C1. Автор: Вадим Анатольевич Мануковский,Анатолий Владимирович Верещако,Дмитрий Анатольевич Травков,Юрий Юрьевич Киндюхин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Северо-Западный государственный медицинский университет им. И.И. Мечникова" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2022-04-21.

Sealing devices for turboexpanders for use in organic rankine cycles

Номер патента: RU2581499C2. Автор: Джакомо ЛАНДИ,Антонио АСТИ,Паоло СУЗИНИ,Марио МАРТИНИ,Данте САБЕЛЛА. Владелец: Нуово Пиньоне С.п.А.. Дата публикации: 2016-04-20.

Injectable galenic composition for using in diagnosis or photodynamic therapy and method for its preparing

Номер патента: RU2278665C2. Автор: Пьер-Эрве БРЭН,Ален ПРЮДОМ,Жан-Люк БАРНУ. Владелец: Стеба Биотех Н.В.. Дата публикации: 2006-06-27.

Composite organic substance powder for use in medicine, method for production thereof and suspension thereof

Номер патента: RU2535017C2. Автор: Такахиро ТАДА,Такаси ХИРОКАВА,Юн НИХИРА. Владелец: Активус Фарма Ко., Лтд.. Дата публикации: 2014-12-10.

Self-insuring device for use in mountaineering

Номер патента: RU2702024C2. Автор: Димитар Михайлов ПЕТРОВ,Мартын Николаев ТАПАНКОВ. Владелец: Сэйфти Инжиниринг Лтд.. Дата публикации: 2019-10-03.

Connecting device for use in treating wounds with negative pressure

Номер патента: RU2732579C2. Автор: Аксель ЭКШТАЙН,Йорген Хофштеттер,Пьер КРУАЗА,Свен ЛЁФФЛЕР. Владелец: Пауль Хартманн Аг. Дата публикации: 2020-09-21.

Combination of valerian root extract and lavender oil for use in treatment of sleep disorders

Номер патента: RU2672876C2. Автор: Вильфред ДИМПФЕЛЬ,Михаэль НЁЛДНЕР. Владелец: Др. Виллмар Швабе Гмбх Унд Ко. Кг. Дата публикации: 2018-11-20.

Opening device, method for manufacturing such an opening device and packaging material for use in said method

Номер патента: RU2669275C2. Автор: Торбьерн АНДЕРССОН,Пер РЮДБЕРГ,Пер АНДЕРССОН,Пер ОЛЬССОН,Йеран ЙОХАНССОН,Маттиас ЛЕННАРТССОН. Владелец: ТЕТРА ЛАВАЛЬ ХОЛДИНГЗ ЭНД ФАЙНЭНС С.А.. Дата публикации: 2018-10-09.

Composition for use in improving stool consistence or frequency in infants or young children

Номер патента: RU2731067C2. Автор: Норберт ШПРЕНГЕР,Доминик БРАССАР,Дельфин ЭГЛИ. Владелец: Сосьете де Продюи Нестле С.А.. Дата публикации: 2020-08-28.

Cannabigerol and pharmaceutical compositions comprising cannabigerol for use in the treatment of insomnia

Номер патента: NL2022616A. Автор: Johannes Glas Ronald. Владелец: Patrick Alexander Unger. Дата публикации: 2020-09-11.

Method of producing a compacting means for use in compacting landfills, various stacks, or the like, a compacting means, a compacting means spike and a roller car

Номер патента: WO2008071839A1. Автор: Matti Sinkkonen,Markus Halttunen. Владелец: Platurus Oy. Дата публикации: 2008-06-19.

NOVEL IMINECALIXARENE DERIVATIVES AND AMINOCALIXARENE DERIVATIVES, METHOD OF PREPARATION THEREOF, AND SELF-ASSEMBLED MONOLAYER PREPARED BY THE METHOD, FIXING METHOD OF OLIGO-DNA BY USING THE SELF-ASSEMBLED MONOLAYER, AND OLIGO-DNA CHIP PREPARED BY THE METHOD

Номер патента: US20120202711A1. Автор: KIM Jung Hoon,Kim Tae Sun,Song Keum Soo,Kim Hyung Sub. Владелец: BIOMETRIX TECHNOLOGY INC.. Дата публикации: 2012-08-09.

METHOD AND APPARATUS FOR USING SOLUTION BASED PRECURSORS FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20120294753A1. Автор: Ma Ce,HOGLE Richard,Wang Qing Min,HELLY Patrick J.. Владелец: . Дата публикации: 2012-11-22.

METHOD AND APPARATUS FOR USING SOLUTION BASED PRECURSORS FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20120295038A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-11-22.

SELF-ASSEMBLED MONOLAYERS AND METHODS FOR USING THE SAME IN BIOSENSING APPLICATIONS

Номер патента: US20120315625A1. Автор: Dussault Patrick H.,Lai Rebecca Y.,Fisher Thomas,Zaitouna Anita J.. Владелец: . Дата публикации: 2012-12-13.

COPPER LINE HAVING SELF-ASSEMBLED MONOLAYER FOR ULSI SEMICONDUCTOR DEVICES, AND A METHOD OF FORMING SAME

Номер патента: US20120074575A1. Автор: KIM Jae Hong,YEOM Seung Jin,KANG Sung Goon,HAN Won Kyu. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-29.

Self-Assembled Monolayer for Pattern Formation

Номер патента: US20140038428A1. Автор: Huang Chien-Hua,Huang Tsung-Min,Lee Chung-Ju. Владелец: TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO. LTD.. Дата публикации: 2014-02-06.

A novel method of self-assembling monolayer and the reaction time controlled for the formation of surfaces with controllable wettability

Номер патента: TW201111272A. Автор: Jer-Liang Yeh,Jing-Tang Yang,Miao-Hsing Hsu,zong-han Yang. Владелец: Jing-Tang Yang. Дата публикации: 2011-04-01.

SELF-ASSEMBLED MONOLAYER

Номер патента: US20120052329A1. Автор: Gao Kaizhong,Li Leping,Fuller Richard M.. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2012-03-01.

DEVICE HAVING SELF-ASSEMBLED-MONOLAYER

Номер патента: US20120088315A1. Автор: Merelle Thomas,Lambert Magali Huguette Alice,Frederix Filip. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2012-04-12.

DEFINED SURFACES OF SELF-ASSEMBLED MONOLAYERS AND STEM CELLS

Номер патента: US20120135518A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-05-31.

TREATMENT OF A SELF-ASSEMBLED MONOLAYER ON A DIELECTRIC LAYER FOR IMPROVED EPOXY ADHESION

Номер патента: US20120229709A1. Автор: . Владелец: QUALCOMM MEMS Technologies, Inc.. Дата публикации: 2012-09-13.

METHOD FOR IMMOBILIZING PROTEIN A ON A SELF-ASSEMBLED MONOLAYER

Номер патента: US20120238036A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-09-20.

RADIATION SENSITIVE SELF-ASSEMBLED MONOLAYERS AND USES THEREOF

Номер патента: US20120308933A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-12-06.

METHOD FOR IMMOBILIZING STREPTAVIDIN ON A SELF-ASSEMBLED MONOLAYER

Номер патента: US20130023059A1. Автор: HATAOKA Yukari. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2013-01-24.

METHOD FOR IMMOBILIZING GLUCOSE OXIDASE ON A SELF-ASSEMBLED MONOLAYER

Номер патента: US20130029364A1. Автор: HATAOKA Yukari. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2013-01-31.

SELECTIVE PLACEMENT OF CARBON NANOTUBES VIA COULOMBIC ATTRACTION OF OPPOSITELY CHARGED CARBON NANOTUBES AND SELF-ASSEMBLED MONOLAYERS

Номер патента: US20130082233A1. Автор: Afzali-Ardakani Ali,Tulevski George Stojan,Park Hongsik. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-04-04.

Self-assembly monolayer structure for the adsorption of immunoglobulin-E

Номер патента: TW200842129A. Автор: I-Yu Huang,Ming-Chih Lee. Владелец: Univ Nat Sun Yat Sen. Дата публикации: 2008-11-01.

Preparation of hydrophilic piezoelectric sensing probe by self-assembled monolayer

Номер патента: TW490562B. Автор: Yi-Nan Jang,Mei-Ling Lin,Shiou-Mei Chen. Владелец: Shiou-Mei Chen. Дата публикации: 2002-06-11.

APPARATUS AND METHOD FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20120003396A1. Автор: . Владелец: Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurweten schappelijk onderzoek TNO. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUSES AND METHODS FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20120000422A1. Автор: Zheng Bo,Ai Hua,YU SANG HO,UMOTOY Salvador P.,Lam Hyman,Jackson Michael,Yuan Xiaoxiong (John),Wang Hou Gong. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003772A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Magnetic core for use in weak magnetic fields and method for production thereof

Номер патента: RU2009248C1. Автор: В.Я. Белозеров,Ю.Н. Стародубцев,Б.Б. Дорощенко,В.И. Кейлин. Владелец: Научно-производственное предприятие "Гамма". Дата публикации: 1994-03-15.

Atomic layer deposition of metal oxides using metal halide precursors

Номер патента: WO2024186414A1. Автор: Younghee Lee,Samantha SiamHwa Tan,Michelle Margarita FLORES ESPINOSA. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2024-09-12.

Lightweight Portable Moisture Traps For Use With Vacuum Pumps

Номер патента: US20120000283A1. Автор: Williams,Regimand Ali,Muse Peter D.,JR. Johnny Gordon,James Lawrence H.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICE FOR USE WITH MEASURING SOIL GAS AND METHOD OF USE

Номер патента: US20120000298A1. Автор: Cox Craig A.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Information Distribution System for Use in an Elevator

Номер патента: US20120000734A1. Автор: . Владелец: GANNETT SATELLITE INFORMATION NETWORK, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

PREPARATION OF A SOLID BASED ON ZINC OXIDE FOR USE IN PURIFYING A GAS OR A LIQUID

Номер патента: US20120000855A1. Автор: Bazer-Bachi Delphine,Chiche David,Lopez Joseph,Lelias Marc. Владелец: IFP ENERGIES NOUVELLES. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHODS FOR USE IN FLASH DETECTION

Номер патента: US20120001071A1. Автор: SNIDER Robin Terry,MCGEE Jeffrey Dykes,PERRY Michael Dale. Владелец: General Atomics. Дата публикации: 2012-01-05.

INFORMATION STORAGE/READOUT DEVICE FOR USE IN CONTINUOUSLY MANUFACTURING SYSTEM FOR LIQUID-CRYSTAL DISPLAY ELEMENTS, AND METHOD AND SYSTEM FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20120002154A1. Автор: Kitada Kazuo,Yura Tomokazu,Koshio Satoru,Nakazono Takuya,KIMURA Kouji,SHIMANOE Fumihito. Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

MOLDED ELASTOMERIC FLEXURAL ELEMENTS FOR USE IN A LASER SCANNING ASSEMBLIES AND SCANNERS, AND METHODS OF MANUFACTURING, TUNING AND ADJUSTING THE SAME

Номер патента: US20120002259A1. Автор: Plesko George. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL BEAM SPLITTER FOR USE IN AN OPTOELECTRONIC MODULE, AND A METHOD FOR PERFORMING OPTICAL BEAM SPLITTING IN AN OPTOELECTRONIC MODULE

Номер патента: US20120002284A1. Автор: Wen Pengyue,McColloch Laurence R.. Владелец: AVAGO TECHNOLOGIES FIBER IP (SINGAPORE) PTE. LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

LOADLOCK DESIGNS AND METHODS FOR USING SAME

Номер патента: US20120003063A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS AND KITS USED IN IDENTIFYING GLIOBLASTOMA

Номер патента: US20120003209A1. Автор: . Владелец: THE TRANSLATIONAL GENOMICS RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2012-01-05.

ANTAGONIST ANTIBODIES AGAINST GDF-8 AND USES IN TREATMENT OF ALS AND OTHER GDF-8 ASSOCIATED DISORDERS

Номер патента: US20120003212A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

POROUS CLUSTERS OF SILVER POWDER COMPRISING ZIRCONIUM OXIDE FOR USE IN GAS DIFFUSION ELECTRODES, AND METHODS OF PRODUCTION THEREOF

Номер патента: US20120003549A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING PATTERN AND DEVELOPER FOR USE IN THE METHOD

Номер патента: US20120003591A1. Автор: Enomoto Yuichiro,Tarutani Shinji,IWATO Kaoru,Kato Keita,Kamimura Sou,FUJII Kana. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Jet Injector Use In Oral Evaluation

Номер патента: US20120003601A1. Автор: CHEN Yi,HUNTER Ian W.,Hogan N. Catherine,Ruddy Bryan P.. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2012-01-05.

TAGGED OLIGONUCLEOTIDES AND THEIR USE IN NUCLEIC ACID AMPLIFICATION METHODS

Номер патента: US20120003651A1. Автор: BECKER Michael M.,LIVEZEY Kristin W.,LAM Wai-Chung. Владелец: GEN-PROBE INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITIONS AND METHODS FOR USING NADH OXIDASES

Номер патента: US20120003688A1. Автор: Bommarius Bettina,Bommarius Andreas,Hirano Jun-Ichiro,Thangavel Vaijayanthi,Park Jonathan Taejoo. Владелец: GEORGIA TECH RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003784A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTOR SET AND JOINTER FOR USE THEREIN

Номер патента: US20120003859A1. Автор: . Владелец: Panasonic Electric Works Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR USING ACCELEROMETER OUTPUTS TO CONTROL AN OBJECT ROTATING ON A DISPLAY

Номер патента: US20120004035A1. Автор: RABIN Steven. Владелец: NINTENDO CO., LTD. Дата публикации: 2012-01-05.

Bis Aromatic Compounds for Use as LTC4 Synthase Inhibitors

Номер патента: US20120004228A1. Автор: . Владелец: BIOLIPOX AB. Дата публикации: 2012-01-05.

Bis Aromatic Compounds for Use as LTC4 Synthase Inhibitors

Номер патента: US20120004244A1. Автор: NILSSON Peter,Pelcman Benjamin,Katkevics Martins. Владелец: BIOLIPOX AB. Дата публикации: 2012-01-05.

MIXTURES USED IN OXIDIZING ALKYL AROMATIC COMPOUNDS

Номер патента: US20120004454A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Catheter for Use in Revascularization Procedures and Method of Using Same

Номер патента: US20120004596A1. Автор: Thomas Jeffrey E.. Владелец: Neurodynamics, LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS, SYSTEMS, AND FORMATS FOR DATA, SUCH AS DATA USED IN LASER PROJECTION OF FASTENERS USED IN MANUFACTURING

Номер патента: US20120004752A1. Автор: Behan William M.,Bagwill Tracy L.. Владелец: The Boeing Company. Дата публикации: 2012-01-05.

ROBOT APPARATUS AND GRIPPING METHOD FOR USE IN ROBOT APPARATUS

Номер патента: US20120004774A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA YASKAWA DENKI. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICE AND METHODS FOR USE OF A DYNAMIC CONE PENETROMETER FOR EVALUATING SOIL COMPACTION

Номер патента: US20120004848A1. Автор: Kinast John Arthur,Farrag Khalid A.,Todres H.A. (Alan). Владелец: Sandy Golgart Sales Inc. d/b/a SGS. Дата публикации: 2012-01-05.

DETECTOR ASSEMBLY FOR USE IN ENVIRONMENTS CONTAINING BACKGROUND MAGNETIC NOISE AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20120004878A1. Автор: . Владелец: U.S. Government as represented by the Secretary of the Army. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR SPUTTERING A RESISTIVE TRANSPARENT BUFFER THIN FILM FOR USE IN CADMIUM TELLURIDE BASED PHOTOVOLTAIC DEVICES

Номер патента: US20120000768A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICE FOR DISPENSING VIALS USEFUL IN SYSTEM AND METHOD FOR DISPENSING PRESCRIPTIONS

Номер патента: US20120000928A1. Автор: Guthrie Charles H.,Moran,DuMond Jody,JR. Joseph C.,Young Demetris P.,Abrams George Raymond. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS FOR INSTALLING EXPLOSIVELY DRIVEN FASTENERS AND FASTENERS FOR USE THEREWITH

Номер патента: US20120000960A1. Автор: MASAS FERNANDO,Lin Joe. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Optical sensor for use in a domestic washing machine or dishwasher

Номер патента: US20120001099A1. Автор: Schenkl Johann,Signorino Manfredi,Brabec Martin. Владелец: EMZ-HANAUER GMBH & CO. KGAA. Дата публикации: 2012-01-05.

INTERACTIVE POINTING DEVICE CAPABLE OF SWITCHING CAPTURE RANGES AND METHOD FOR SWITCHING CAPTURE RANGES FOR USE IN INTERACTIVE POINTING DEVICE

Номер патента: US20120001848A1. Автор: CHEN Hsin Chia,HSU En Feng,KAO Ming Tsan,HUANG Chao Chien,Lu Chih Hung,Chien Shih Chi,Lin Cho Yi. Владелец: PIXART IMAGING INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR USING PARTIAL INTERPOLATION TO UNDERTAKE 3D GAMMA ADJUSTMENT OF MICRODISPLAY HAVING DYNAMIC IRIS CONTROL

Номер патента: US20120002114A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

AMPHIBIOUS GLASSES AND TEMPLE ASSEMBLY FOR USE IN EYEGLASSES

Номер патента: US20120002157A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

VIDEO ENCODER WITH NON-SYNTAX REUSE AND METHOD FOR USE THEREWITH

Номер патента: US20120002719A1. Автор: Wang Limin,Zhao Xu Gang. Владелец: VIXS SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

VIDEO ENCODER WITH VIDEO DECODER REUSE AND METHOD FOR USE THEREWITH

Номер патента: US20120002720A1. Автор: . Владелец: VIXS SYSTEMS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

TRIURANIUM DISILICIDE NUCLEAR FUEL COMPOSITION FOR USE IN LIGHT WATER REACTORS

Номер патента: US20120002777A1. Автор: . Владелец: WESTINGHOUSE ELECTRIC COMPANY LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

TRIURANIUM DISILICIDE NUCLEAR FUEL COMPOSITION FOR USE IN LIGHT WATER REACTORS

Номер патента: US20120002778A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ROTOR ASSEMBLY FOR USE IN GAS TURBINE ENGINES AND METHOD FOR ASSEMBLING THE SAME

Номер патента: US20120003091A1. Автор: Segovia Eugenio Yegro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SUBSTRATE SUPPORT FOR USE WITH MULTI-ZONAL HEATING SOURCES

Номер патента: US20120003599A1. Автор: Sanchez Errol,PATALAY KAILASH. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Tapentadol for use in the treatment of irritable bowel syndrome

Номер патента: US20120004317A1. Автор: . Владелец: GRUENENTHAL GmbH. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Uses of Protein Precursors as Prodrugs

Номер патента: US20120004398A1. Автор: Wang Yan,SHEN Wei-Chiang. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTHERN CALIFORNIA. Дата публикации: 2012-01-05.

LOCKING ASSEMBLY FOR SECURING A ROD MEMBER IN A RECEIVER PART FOR USE IN SPINAL OR TRAUMA SURGERY, BONE ANCHORING DEVICE WITH SUCH A LOCKING ASSEMBLY AND TOOL THEREFOR

Номер патента: US20120004689A1. Автор: Biedermann Lutz,Matthis Wilfried. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Female connector for use in a patient temperature control system

Номер патента: CA102059S. Автор: . Владелец: Medivance Inc. Дата публикации: 2004-05-18.

Insecticidal Compositions Suitable for Use in Preparation of Insecticidal Liquid Fertilizers

Номер патента: US20120004103A1. Автор: Martin Timothy. Владелец: FMC CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Multifunctional double-seat warplane of round-clock action, complex of radio-electronic equipment used in this plane

Номер патента: RU2360836C1. Автор: Виталий Григорьевич Щербина,Сергей Николаевич Горшков,Гиви Ивлианович Джанджгава,Виктор Васильевич Негриков,Михаил Ильич Орехов,Николай Васильевич Жосан,Владимир Павлович Полосенко,Игорь Анатольевич Семенов,Павел Дмитриевич Лыткин,Сергей Иванович Кокшаров,Михаил Захарович Короткевич,Петр Данилович Мотренко,Андрей Борисович Шибитов,Александр Николаевич Птицын,Борис Николаевич Слюсарь,Геннадий Леонидович Зайцев,Константин Владимирович Шелепень,Андрей Анатольевич Варфоломеев,Василий Викторович Курдин,Дмитрий Николаевич Сергеев,Андроник Арутюнович Кегеян,Александр Викторович Мазуров,Вячеслав Валентинович Хачевский,Валерий Адольфович Шелепов. Владелец: Ростовский вертолетный производственный комплекс открытое акционерное общество "Роствертол" (ОАО "Роствертол"). Дата публикации: 2009-07-10.

Strain of influenza virus a/black-headed gull/kamchatka/123/2013 h11n8-subtitle for use in influenza virus diagnosis by hir and pcr methods and study of effectiveness of in vitro and in vivo anti-viral preparations

Номер патента: RU2631932C1. Автор: Александр Михайлович Шестопалов,Александр Юрьевич Алексеев,Кирилл Александрович Шаршов,Ольга Григорьевна Курская,Иван Андреевич Соболев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Научно-исследовательский институт экспериментальной и клинической медицины" (НИИЭКМ). Дата публикации: 2017-09-28.

Ornament for use in jewellery

Номер патента: CA96380S. Автор: . Владелец: Huy Kim Chia. Дата публикации: 2004-09-02.

WELL TEMPLATE AND METHOD FOR USE THEREOF

Номер патента: US20120000665A1. Автор: OMVIK Sigvard. Владелец: AKER SUBSEA AS. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for using soil heat accumulation properties

Номер патента: RU2499197C1. Автор: Григорий Петрович Васильев,Виктор Федорович Горнов,Виталий Александрович Лесков,Марина Владимировна Колесова,Павел Владимирович Шапкин,Алексей Александрович Бурмистров. Владелец: Открытое акционерное общество "ИНСОЛАР-ИНВЕСТ". Дата публикации: 2013-11-20.

Improvements in or relating to the manufacture of acetaldehyde by hydration of acetylene and the production of a catalyst for use in this process

Номер патента: GB465199A. Автор: . Владелец: British Celanese Ltd. Дата публикации: 1937-05-03.

Polymerizable self-assembled monolayers for use in atomic layer deposition

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты