Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Method for forming cobalt barrier layer and metal interconnection process

Method for forming cobalt barrier layer and metal interconnection process

Номер патента: US09449872B1
Опубликовано: 20-09-2016
Автор(ы): Jingxun FANG, TONG Lei
Принадлежит: Shanghai Huali Microelectronics Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Composite barrier layers

Номер патента: US20240006235A1. Автор: FENG CHEN,Jiajie Cen,Zheng JU,Jeffrey W. Antis,Bengamin Schmiege. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Method for incorporating silicon into cvd metal films

Номер патента: EP1340245A2. Автор: Joseph T. Hillman,Steven P. Caliendo. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2003-09-03.

Method for incorporating silicon into cvd metal films

Номер патента: WO2002056348A3. Автор: Joseph T Hillman,Steven P Caliendo. Владелец: Tokyo Electron Arizona Inc. Дата публикации: 2003-01-16.

Method for incorporating silicon into cvd metal films

Номер патента: AU2002245049A1. Автор: Joseph T. Hillman,Steven P. Caliendo. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2002-07-24.

Method for incorporating silicon into cvd metal films

Номер патента: EP1340245B1. Автор: Joseph T. Hillman,Steven P. Caliendo. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2007-06-13.

Method for incorporating silicon into cvd metal films

Номер патента: WO2002056348A2. Автор: Joseph T. Hillman,Steven P. Caliendo. Владелец: Tokyo Electron Arizona, Inc.. Дата публикации: 2002-07-18.

Process for forming cobalt and cobalt silicide materials in tungsten contact applications

Номер патента: WO2009134916A3. Автор: Seshadri Ganguli,Mei Chang,Sang-Ho Yu,See-Eng Phan,Amit Khandelwal,Hyoung-Chan Ha. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2010-02-04.

Methods for forming metal organic tungsten for middle of the line (MOL) applications

Номер патента: US09653352B2. Автор: David Thompson,Kai Wu,Kazuya DAITO,Sang Ho Yu,Liqi Wu,Kie Jin Park. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Method for forming metal line in a semiconductor device

Номер патента: US20070166987A1. Автор: Han-Choon Lee,In-Cheol Baek. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Semiconductor device and method for forming semiconductor device

Номер патента: US20210408228A1. Автор: Xiguang Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Method for forming metal line in a semiconductor device

Номер патента: US7632754B2. Автор: Han-Choon Lee,In-Cheol Baek. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-12-15.

Method for forming barrier layer in semiconductor structure

Номер патента: US12062573B2. Автор: YUAN Li,Peng Zhou,Rui Song,Shuliang LV,Ge Mao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Method for forming graphene barrier layer for semiconductor device and contact structure formed by the same

Номер патента: US20230081962A1. Автор: Won Jun Yoon,Jee Hye Park,Dong Woo Kim,Tae Sung Kim,Jin Ho Jeon,Hong Ki PARK,Woo Hoon SUN,Keon Jung LEE. Владелец: Wonik Ips Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-16.

Method for controlling resistivity and crystallinity of low-resistance material through pvd

Номер патента: US20240355626A1. Автор: Takahiro Nakayama,Tomohiro Saitou,Do Hyun Oh,Chang Min SHIM,Hang KANG,Byeong Hwa JEONG. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Method for depositing a diffusion barrier layer and a metal conductive layer

Номер патента: US09991157B2. Автор: Hong Zhang,ZHENG Xu,Barry L. Chin,Peijun Ding,Gongda Yao,Tony Chiang,Fusen E. Chen,Gene Y. Kohara. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Integration of ALD barrier layer and CVD Ru liner for void-free Cu filling

Номер патента: US09607888B2. Автор: Tadahiro Ishizaka,Kaoru Maekawa,Toshio Hasegawa,Fumitaka Amano,Cory Wajda,Kai-Hung YU,Manabu OIE,Steven CONSIGLIO,Gert J. Leusink. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures

Номер патента: US12106965B2. Автор: Mikko Ritala,Markku Leskelä,Katja Väyrynen. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-10-01.

Barrier Layer Formation for Conductive Feature

Номер патента: US20200083096A1. Автор: Chia-Pang Kuo,Ya-Lien Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-12.

Barrier Layer Formation for Conductive Feature

Номер патента: US20200083095A1. Автор: Chia-Pang Kuo,Ya-Lien Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-12.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240312915A1. Автор: Koichiro Nishizawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Ulsi micro-interconnect member having ruthenium electroplating layer on barrier layer

Номер патента: US20100314766A1. Автор: Toru Imori,Junnosuke Sekiguchi,Takashi Kinase. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-16.

Electrolyte and method for the electroplating of copper on a barrier layer, and semiconductor substrate obtained with said method

Номер патента: WO2011018478A1. Автор: Jose Gonzalez,Frédéric Raynal,Vincent Mevellec. Владелец: ALCHIMER. Дата публикации: 2011-02-17.

Electrolyte and method for the electroplating of copper on a barrier layer, and semiconductor substrate obtained with said method

Номер патента: TW201122163A. Автор: Frédéric Raynal,Vincent Mevellec,Jose Gonzales. Владелец: ALCHIMER. Дата публикации: 2011-07-01.

Barrier layer for electroplating processes

Номер патента: US20020092772A1. Автор: Tse-Yong Yao,Peijun Ding,Barry Chin,Tony Chiang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2002-07-18.

Method for electrochemically depositing metal on a reactive metal film

Номер патента: US09828687B2. Автор: Ismail T. Emesh,Roey Shaviv,Serdar Aksu,Dimitrios Argyris. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Method for electrochemically depositing metal on a reactive metal film

Номер патента: US09840788B2. Автор: Ismail T. Emesh,Roey Shaviv,Serdar Aksu,Dimitrios Argyris. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Systems and methods for forming low resistivity metal contacts and interconnects by reducing and removing metallic oxide

Номер патента: US20180114694A1. Автор: Raashina Humayun,Raihan Tarafdar,Chiukin Steven Lai,Jeong-Seok Na,Shruti Thombare. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-04-26.

Method for providing doped silicon using a diffusion barrier layer

Номер патента: US12125705B2. Автор: Adrien Lavoie,Bart J. van Schravendijk,Purushottam Kumar,Joseph R. Abel,Gengwei Jiang,Tengfei MIAO. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

METHOD FOR THE SELECTIVE DEPOSITION OF A REFRACTORY METAL SILICIDE ON SILICON AND METALLIC SILICON WAFER BY THIS PROCESS

Номер патента: FR2742924B1. Автор: Jorge Luis Regolini,Daniel Bensahel. Владелец: Individual. Дата публикации: 1998-03-20.

Method for determining blocking ability of copper diffusion barrier layer and structure thereof

Номер патента: WO2021227123A1. Автор: 胡小波. Владелец: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司. Дата публикации: 2021-11-18.

Method for forming low dielectric constant fluorine-doped layers

Номер патента: US7579271B2. Автор: Ting Cheong Ang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2009-08-25.

Method for forming metal wiring

Номер патента: US20190088539A1. Автор: Tsutomu Nakanishi,Yusuke Tanaka,Akihiko Happoya,Atsushi Hieno,Yasuhito Yoshimizu. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Gap filling method and method for forming semiconductor memory device using the same

Номер патента: US7855145B2. Автор: Sung-Lae Cho,Choong-Man Lee,Jin-Il Lee,Hye-Young Park,Young-Lim Park,Sang-Wook Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-12-21.

Method and systems for forming device structures including high-k dielectric layers and related device structures

Номер патента: US20240072104A1. Автор: Eric James Shero,Fu Tang. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-02-29.

Ohmic contacts and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20200350175A1. Автор: Jean-francois SEURIN,Chuni Ghosh,Guoyang Xu. Владелец: Princeton Optronics Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Ohmic contacts and methods for manufacturing the same

Номер патента: EP3740966A1. Автор: Jean-francois SEURIN,Chuni Ghosh,Guoyang Xu. Владелец: Princeton Optronics Inc. Дата публикации: 2020-11-25.

Copper interconnection structure and method for forming copper interconnections

Номер патента: US20120003390A1. Автор: Akihiro Shibatomi,Junichi Koike. Владелец: Advanced Interconnect Materials LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US12068163B2. Автор: Yi Lu,Hua Wang,Qin Zhang,Xiang Hu,Ying Jiang,Changyong Xiao,Yihui Lin,Xiaona ZHU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20240290721A1. Автор: Ming-Hsien Lin,Lun-Chieh Chiu,Ya-Chin Chiu,Chia-Tung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

System and Method for Forming a Semiconductor Device Source/Drain Contact

Номер патента: US20080315321A1. Автор: Ching-Ya Wang,Chung-Hu Ke,When-Chin Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-12-25.

Method for forming interconnect structure

Номер патента: US09716034B2. Автор: Kuang-Hsin Chen,Mu-Yi Lin,Bor-Zen Tien,Tzong-Sheng Chang,Jhu-Ming Song,Hsuan-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Method for forming fin field effect transistor (finfet) device structure with conductive layer between gate and gate contact

Номер патента: US20200058794A1. Автор: Mei-Yun Wang,Chen-Yuan Kao,Chao-Hsun Wang,Kuo-Yi Chao,Rueijer Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-20.

Semiconductor structure having metal contact features and method for forming the same

Номер патента: US20200294806A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20210320124A1. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-14.

Contact plug and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150061082A1. Автор: Chih-Ming Kao,Rong-Gen WU,Su-Chen Lin,Yi-Tsung Jan,Ting-Yu Kuo,Huan-Yu CHIEN,Peng-Fei Wu,You-Cheng Liau,Wen-Jen Chuang. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-03-05.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230187522A1. Автор: Ning Li,Shuhao Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Interconnect structure and method for manufacturing the interconnect structure

Номер патента: US20220189871A1. Автор: KHADERBAD Mrunal Abhijith,Yu-Yun Peng,Keng-Chu Lin,Fu-Ting Yen,Tsu-Hsiu Perng,Chen-Han Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-16.

Interconnect structure and method for manufacturing the interconnect structure

Номер патента: US20230268268A1. Автор: KHADERBAD Mrunal Abhijith,Yu-Yun Peng,Keng-Chu Lin,Fu-Ting Yen,Tsu-Hsiu Perng,Chen-Han Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Interconnect structure and method for manufacturing the interconnect structure

Номер патента: US11637062B2. Автор: KHADERBAD Mrunal Abhijith,Yu-Yun Peng,Keng-Chu Lin,Fu-Ting Yen,Tsu-Hsiu Perng,Chen-Han Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-25.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US20190067012A1. Автор: Yen-Ting Chen,Chun-Hsiung Lin,Sai-Hooi Yeong,Kai-Hsuan LEE,Chun-An Lin,Cheng-Yu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Semiconductor devices including contact plugs having silicide layers and methods for fabricating the same

Номер патента: US20240145386A1. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor structure with source/drain multi-layer structure and method for forming the same

Номер патента: US20240266439A1. Автор: Chun-Chieh Wang,Yu-Ting Lin,Shih-Chieh Chang,Huai-Tei Yang,Yueh-Ching Pai. Владелец: PARABELLUM STRATEGIC OPPORTUNITIES FUND LLC. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for manufacturing a metal interconnection having enhanced filling capability

Номер патента: US20010024688A1. Автор: Sung-Kwon Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-09-27.

Method for manufacturing a metal interconnection having enhanced filling capability

Номер патента: US6475900B2. Автор: Sung-Kwon Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-05.

Memory device and method for forming the same

Номер патента: US9401368B2. Автор: Yun Yang,ZHONGSHAN Hong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-07-26.

Storage device, semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US12100654B2. Автор: Hsin-Pin Huang,Juanjuan HE. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Method for forming three-dimensional interconnection, circuit arrangement comprising three-dimensional interconnection, and metal film-forming composition for three-dimensional interconnection

Номер патента: US09543201B2. Автор: Taichi Matsumoto,Kazuto Watanabe,Atsushi Kobayashi,Sugirou SHIMODA,Kenzou Ookita,Keisuke Kuriyama,Isao Aritome. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Method for forming aluminum lines over aluminum-filled vias in a semiconductor substrate

Номер патента: WO2002013240A3. Автор: Liang-Yuh Chen,Ted Guo,Roderick C Mosely,Jing-Pei Chou. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2002-10-17.

Method for forming aluminum lines over aluminum-filled vias in a semiconductor substrate

Номер патента: WO2002013240A2. Автор: Liang-Yuh Chen,Ted Guo,Roderick C. Mosely,Jing-Pei Chou. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2002-02-14.

Chemical direct pattern plating interconnect metallization and metal structure produced by the same

Номер патента: US09564398B2. Автор: Hung-Wen Su,Syun-Ming Jang,Wen-Jiun Liu,Chen-Yuan Kao,Mingh-Hsing Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device including fluorine diffusion barrier layer and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080054465A1. Автор: Jong-Taek Hwang. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-06.

Method for forming flash memory structure

Номер патента: US09859295B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Wei-Hang Huang,Shih-Chang Liu,Fu-Ting Sung,Chung-Chiang Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Method for forming conductive structure in semiconductor structure

Номер патента: US09799558B2. Автор: Shau-Lin Shue,Tien-I Bao,Chung-Ju Lee,Carlos H. Diaz,Hsi-Wen Tien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Graded layer for use in semiconductor circuits and method for making same

Номер патента: US20010033027A1. Автор: Salman Akram,Scott Meikle. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-25.

Method for fabricating semiconductor device including silicon-containing layer and metal-containing layer, and conductive structure of the same

Номер патента: US09418891B2. Автор: Mi-Ri Lee,Tae-Han Kim,Kyong-Bong ROUH,Yong-Seok Eun,Su-ho Kim,Shang-Koon NA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Method for forming word line of semiconductor device

Номер патента: US20040082155A1. Автор: Won Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-29.

Method for forming a two-layered hard mask on top of a gate structure

Номер патента: US09607892B2. Автор: Chih-Sen Huang,Chih-Wei Yang,Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US09799665B2. Автор: Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu,Tsung-Hsueh Yang,Chung-Chiang Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Method for forming flash memory devices

Номер патента: US09431405B2. Автор: XINPENG WANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US09824943B2. Автор: Shiu-Ko Jangjian,Chun-Che Lin,Wei-Ken LIN,Jia-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Methods for forming via hole and filling via hole in flexible substrate

Номер патента: US20240222141A1. Автор: Chao Zhou,Shuo Zhang,Tuo Sun,Kui Liang. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Methods and systems of forming metal interconnect layers using engineered templates

Номер патента: US20230369065A1. Автор: Rashid Mavliev. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-11-16.

Methods and systems of forming metal interconnect layers using engineered templates

Номер патента: US11756800B2. Автор: Rashid Mavliev. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-09-12.

Method for producing thin layers of a silicone, thin silicone layer and use

Номер патента: DE502005009556D1. Автор: Josef Mueller,Kurt Dr Stark,Walter Guenter,Michael Dr Bauer. Владелец: Huhtamaki Forchheim Zweigniederlassung der Hutamaki Deutschland GmbH and Co KG. Дата публикации: 2010-06-24.

Process for making integrated circuit structure with thin dielectric between at least local interconnect level and first metal interconnect level

Номер патента: US6486056B2. Автор: Nicholas F. Pasch,Rajat Rakkhit. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2002-11-26.

Transistors with vertically opposed source and drain metal interconnect layers

Номер патента: US20190198627A1. Автор: Paul B. Fischer,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-06-27.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160043030A1. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-02-11.

Method for manufacturing high reliability interconnection having diffusion barrier layer

Номер патента: US6403462B1. Автор: Hisashi Kaneko,Shohei Shima,Masahiko Hasunuma,Sachiyo Ito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-06-11.

Method for manufacturing a semiconductor device comprising a metal nitride layer and semiconductor device

Номер патента: US20160181388A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Jens Peter Konrath,Reinhold Schoerner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-06-23.

Method for manufacturing a semiconductor device comprising a metal nitride layer and semiconductor device

Номер патента: US20160181388A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Jens Peter Konrath,Reinhold Schoerner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-06-23.

Method for manufacturing bonded wafer

Номер патента: US20130102126A1. Автор: Hiroji Aga,Nobuhiko Noto,Satoshi Oka. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-25.

Method for forming dielectric layer on Ge-based semiconductor layer and method for fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: KR101152441B1. Автор: 박인성,최영재,안진호. Владелец: 한양대학교 산학협력단. Дата публикации: 2012-06-01.

Method for making a semiconductor device with a high-k gate dielectric and metal layers that meet at a P/N junction

Номер патента: US6887800B1. Автор: Justin K. Brask,Uday Shah,Robert S. Chau,Suman Datta,Jack Kavalieros,Mark L. Doczy,Matthew V. Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-05-03.

Method for making a semiconductor device with a high-k gate dielectric and metal layers that meet at a P/N junction

Номер патента: US20050272270A1. Автор: Mark Doczy,Justin Brask,Uday Shah,Suman Datta,Robert Chau,Jack Kavalieros,Matthew Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-12-08.

METHOD FOR MANUFACTURING A DONOR SUBSTRATE FOR TRANSFERRING A PIEZOELECTRIC LAYER, AND METHOD FOR TRANSFERRING SUCH A PIEZOELECTRIC LAYER

Номер патента: FR3079346A1. Автор: Thierry Barge,Djamel Belhachemi. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2019-09-27.

METHOD FOR MANUFACTURING A DONOR SUBSTRATE FOR TRANSFERRING A PIEZOELECTRIC LAYER, AND METHOD FOR TRANSFERRING SUCH A PIEZOELECTRIC LAYER

Номер патента: FR3079346B1. Автор: Thierry Barge,Djamel Belhachemi. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2020-05-29.

Apparatuses and methods for depositing SiC/SiCN films via cross-metathesis reactions with organometallic co-reactants

Номер патента: US09552982B2. Автор: Adrien Lavoie. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

METHOD FOR PRODUCING BASE FOR METAL MASKS, METHOD FOR PRODUCING METAL MASK FOR VAPOR DEPOSITION, BASE FOR METAL MASKS, AND METAL MASK FOR VAPOR DEPOSITION

Номер патента: US20180065162A1. Автор: NISHITSUJI Kiyoaki,Nishi Takehiro,TERADA Reiji,MIKAMI Naoko,KURATA Masashi,FUJITO Daisei,TAMURA Sumika. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-08.

METHOD FOR PRODUCING BASE FOR METAL MASKS, METHOD FOR PRODUCING METAL MASK FOR VAPOR DEPOSITION, BASE FOR METAL MASKS, AND METAL MASK FOR VAPOR DEPOSITION

Номер патента: US20210355586A1. Автор: NISHITSUJI Kiyoaki,Nishi Takehiro,TERADA Reiji,MIKAMI Naoko,KURATA Masashi,FUJITO Daisei,TAMURA Sumika. Владелец: . Дата публикации: 2021-11-18.

Method for producing base for metal masks, method for producing metal mask for vapor deposition, base for metal masks, and metal mask for vapor deposition

Номер патента: KR102388829B1. Автор: 레이지 데라다,나오코 미카미,마사시 구라타,기요아키 니시츠지,다이세이 후지토,다케히로 니시,스미카 다무라. Владелец: 도판 인사츠 가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-04-21.

Method for producing base for metal masks, method for producing metal mask for vapor deposition, base for metal masks, and metal mask for vapor deposition

Номер патента: KR20220053686A. Автор: 레이지 데라다,나오코 미카미,마사시 구라타,기요아키 니시츠지,다이세이 후지토,다케히로 니시,스미카 다무라. Владелец: 도판 인사츠 가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-04-29.

COMPOSITION FOR FORMING A SILICA BASED LAYER, SILICA BASED LAYER, AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20160176718A1. Автор: YUN Hui-Chan,Kim Woo-Han,Kwak Taek-Soo,Bae Jin-Hee,NA Yoong-Hee,LEE Han-Song,Jang Jun-Young,Kim Bo-Sun,Park Sae-Mi,Lim Wan-Hee. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-23.

Method for producing a silicon wafer for depositing an epitaxial layer and epitaxial wafer

Номер патента: DE10047346B4. Автор: Ken Nakajima,Hiroyuki Shiraki,Masataka Kimura,Hiroshi Koya,Kazuhiro Ikezawa,Tamiya Karashima. Владелец: Mitsubishi Materials Silicon Corp. Дата публикации: 2007-07-12.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240371758A1. Автор: Chung-Sung Chiang,Yu-Chun Chen,Yu-Ping Wang,I-Ming Tseng,Yi-An Shih,Chiu-Jung Chiu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Method for Forming Semiconductor Structure and Semiconductor Structure

Номер патента: US20220293466A1. Автор: Dongxue Zhang,Ge-Wei Lin. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-15.

Methods of self-forming barrier formation in metal interconnection applications

Номер патента: US09905460B2. Автор: Ki Young Lee,Moosung M. CHAE,Songkram Srivathanakul. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Method for forming interconnection structures

Номер патента: US09496172B2. Автор: HUI Wang,Jian Wang,Zhaowei Jia. Владелец: ACM Research Shanghai Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Conductive structure in semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240266279A1. Автор: Jen-Hung Wang,Chii-Ping Chen,Hsiu-Wen Hsueh,Cai-Ling Wu,An-Jiao FU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Barrier layers for word line contacts in a three-dimensional NAND memory and fabrication methods thereof

Номер патента: US12094767B2. Автор: Di Wang,Zhong Zhang,Wenxi Zhou,Ling Xu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Barrier layers for word line contacts in three-dimensional nand memory and fabrication methods thereof

Номер патента: EP4442091A1. Автор: Di Wang,Zhong Zhang,Wenxi Zhou,Ling Xu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Method for forming recess-free interconnect structure

Номер патента: US09385029B2. Автор: Shau-Lin Shue,Chao-Hsien Peng,Hsiang-Huan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Methods for forming passivation protection for an interconnection structure

Номер патента: WO2015134118A1. Автор: Mehul B. Naik,He REN,Yong Cao,Yana Cheng,Mei-Yee Shek,Sree Rangasai V. Kesapragada. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2015-09-11.

Method for providing a metal-semiconductor contact

Номер патента: CA1311565C. Автор: Adam Shepela. Владелец: Digital Equipment Corp. Дата публикации: 1992-12-15.

Residue-free contact openings and methods for fabricating same

Номер патента: US20020072230A1. Автор: Li Li. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240365563A1. Автор: Wei Chen,Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Jing-Yin Jhang,Yu-Ping Wang,Hung-Yueh Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor structure with barrier layer and method for forming the same

Номер патента: US20190157405A1. Автор: Chia-Hui Lin,Chung-Ting Ko,Tai-Chun Huang,Shih-Wen Huang,Hong-Hsien KE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Semiconductor device with advanced pad structure resistant to plasma damage and method for forming the same

Номер патента: US09385081B2. Автор: Yao-Hsiang Liang,Hung-Chih Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Method for improving local interconnects of multi-level interconnects process

Номер патента: US20020072224A1. Автор: Jui-Tsen Huang,Michael Wc Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-06-13.

Low-resistivity metallic interconnect structures with self-forming diffusion barrier layers

Номер патента: EP4443499A2. Автор: Chih-Chao Yang,Takeshi Nogami,Cornelius Brown Peethala,Hari Prasad Amanapu,Raghuveer Reddy PATLOLLA. Владелец: Adeia Semiconductor Solutions LLC. Дата публикации: 2024-10-09.

System and method for forming aluminum fuse for compatibility with copper beol interconnect scheme

Номер патента: US20130320488A1. Автор: Thomas L. McDevitt,Jeffrey P. Gambino,Anthony K. Stamper,Timothy H. Daubenspeck,Felix P. Anderson,Timothy S. Hayes,Donald R. Letourneau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-12-05.

Metal interconnect structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20200373198A1. Автор: Chih-Sheng Chang,Yi-How Chou,Tzu-Hao Fu,Tsung-Yin HSIEH,Shih-Chun Tsai,Kun-Chen Ho,Yang-Chou Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-11-26.

Metal interconnect structure and method for fabricating the same

Номер патента: US09875928B2. Автор: Chih-Wei Yang,Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device with advanced pad structure resistant to plasma damage and metnod for forming same

Номер патента: US09666545B2. Автор: Yao-Hsiang Liang,Hung-Chih Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Transistor and method for forming the same

Номер патента: US20150187941A1. Автор: Zuyuan Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-07-02.

Method for forming a semiconductor structure

Номер патента: US20210020752A1. Автор: Yao-Wen Chang,Chern-Yow Hsu,Gung-Pei Chang,Ching-Sheng Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Method for forming a semiconductor structure

Номер патента: US20220367646A1. Автор: Yao-Wen Chang,Chern-Yow Hsu,Gung-Pei Chang,Ching-Sheng Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Method for forming a semiconductor structure

Номер патента: US11476337B2. Автор: Yao-Wen Chang,Chern-Yow Hsu,Gung-Pei Chang,Ching-Sheng Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-18.

Method for forming a semiconductor structure

Номер патента: US12087826B2. Автор: Yao-Wen Chang,Chern-Yow Hsu,Gung-Pei Chang,Ching-Sheng Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Methods for forming a device having a capped through-substrate via structure

Номер патента: US09847256B2. Автор: Ku-Feng Yang,Wen-Chih Chiou,Yung-Chi Lin,Tsang-Jiuh Wu,Yen-Hung Chen,Ebin Liao,Yin-Hua Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Plasma-Damage-Resistant Interconnect Structure and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20230343711A1. Автор: Chia-Wei Liu,Jheng-Hong Jiang,Shing-Huang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Metal alloy capping layers for metallic interconnect structures

Номер патента: US09911698B1. Автор: Chih-Chao Yang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Barrier layer and structure method

Номер патента: US09847296B2. Автор: Jung-Chih Tsao,Chun Che Lin,Chih-Chung Chang,Yu-Ming Huang,Tain-Shang Chang,Jian-Shin Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Methods for forming interconnection structures in an integrated cluster system for semicondcutor applications

Номер патента: US09508561B2. Автор: Srinivas D. Nemani,Mehul B. Naik,He REN,Takehito KOSHIZAWA. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Porous barrier layer for improving reliability of through-substrate via structures and methods of forming the same

Номер патента: US20200343161A1. Автор: Chen Wu,Peter Rabkin,Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-10-29.

Method for forming multi-layer metal line of semiconductor device

Номер патента: US20030129825A1. Автор: Jun Yoon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-10.

Method for forming a void free via

Номер патента: US20050146035A1. Автор: John Campbell,Clint Montgomery,Alfred Griffin,Adel El Sayed. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-07-07.

Semiconductor device including metal interconnections having sidewall spacers thereon, and method for fabricating the same

Номер патента: US12057346B2. Автор: Chih-Sheng Chang,Ching-Chih Chang,Yuan-Fu Ko. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Method for forming a void free via

Номер патента: US20040178504A1. Автор: John Campbell,Clint Montgomery,Alfred Griffin,Adel Sayed. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-09-16.

Porous barrier layer for improving reliability of through-substrate via structures and methods of forming the same

Номер патента: WO2020219125A1. Автор: Chen Wu,Peter Rabkin,Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240347382A1. Автор: Chih-Sheng Chang,Ching-Chih Chang,Yuan-Fu Ko. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240196756A1. Автор: Wei Chen,Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Yu-Ping Wang,Hung-Yueh Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Heterogeneous metallization using solid diffusion removal of metal interconnects

Номер патента: US09793206B1. Автор: Benjamin D. Briggs,Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO,Huai HUANG,Christopher J. Penny,Bartlet H. DeProspo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Method for improving adhesion between porous low k dielectric and barrier layer

Номер патента: US09721892B2. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Methods of forming metal interconnections including thermally treated barrier layers

Номер патента: US6077772A. Автор: Sung-Tae Kim,In-Seon Park,Won-Goo Hur,Du-Hwan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-06-20.

Back side interconnect patterning and front side metal interconnect on a transistor layer

Номер патента: US20240332064A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Ehren Mannebach,Shaun MILLS,Joseph D’SILVA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for forming fin field effect transistor device structure

Номер патента: US12107012B2. Автор: Yi-Hsun CHIU,Yi-Hsiung Lin,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Simultaneous formation of liner and metal conductor

Номер патента: US09870993B1. Автор: Chih-Chao Yang,Daniel C Edelstein. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Method for manufacturing metal interconnects

Номер патента: US09779989B1. Автор: Po-Cheng Huang,Chun-Liang Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Back side interconnect patterning and front side metal interconnect on a transistor layer

Номер патента: EP4439640A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Joseph D'silva,Ehren Mannebach,Shaun MILLS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-02.

Methods for barrier layer removal

Номер патента: US09514953B2. Автор: Srinivas D. Nemani,He REN,Mehul Naik,Chia-Ling Kao,Sean Kang,Jeremiah T. Pender. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Method for forming a via hole self-aligned with a metal block on a substrate

Номер патента: US11270912B2. Автор: Christopher Wilson,Martin O'Toole,Zsolt Tokei,Ryan Ryoung Han Kim. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2022-03-08.

Semiconductor device structure with protection cap and method for forming the same

Номер патента: US20190371653A1. Автор: Chen-Shien Chen,Hon-Lin Huang,Chin-Yu Ku,Wei-Li Huang,Chi-Cheng Chen,Ting-Li Yang,Sheng-Pin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

Method for forming semiconductor structure, laminate structure, and method for forming laminate structure

Номер патента: US20230187480A1. Автор: Chengfang CHAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Methods for the optimization of substrate etching in a plasma processing system

Номер патента: WO2005091974A9. Автор: Jisoo Kim,Bi-Ming Yen,Peter K Loewenhardt,Binet Worsham. Владелец: Binet Worsham. Дата публикации: 2005-11-24.

Methods for the optimization of substrate etching in a plasma processing system

Номер патента: WO2005091974A2. Автор: Jisoo Kim,Peter K. Loewenhardt,Bi-Ming Yen,Binet Worsham. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2005-10-06.

Method for Forming a Via Hole Self-aligned with a Metal Block on a Substrate

Номер патента: US20210183698A1. Автор: Christopher Wilson,Martin O'Toole,Zsolt Tokei,Ryan Ryoung Han Kim. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-06-17.

Copper interconnection, method for forming copper interconnection structure, and semiconductor device

Номер патента: US20120295438A1. Автор: Akihiro Shibatomi,Junichi Koike. Владелец: Advanced Interconnect Materials LLC. Дата публикации: 2012-11-22.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US10050116B2. Автор: Hung-Wen Su,Ming-Hsing Tsai,Sheng-Hsuan Lin,Ya-Lien Lee,Hung-Chang Hsu,Rueijer Lin,Hsiao-Ping Liu,Yen-Shou Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-08-14.

Method for fabricating interconnections with carbon nanotubes

Номер патента: US20120135598A1. Автор: Tri-Rung Yew,Hsin-Wei Wu,Chung-Min Tsai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-05-31.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240297217A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Chun-Sheng Liang,Fu-Hsiang Su,Hong-Chih Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

High dielectric constant metal gate mos transistor and method for making the same

Номер патента: US20220278217A1. Автор: YONG Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-09-01.

Method for Forming a Via Profile of Interconnect Structure of Semiconductor Device Structure

Номер патента: US20170194197A1. Автор: Che-Cheng Chang,Wei-Ting Chen,Wei-Yin Shiao,Tai-Shin Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Method for forming inner capacitor of semiconductor devices using oxide layers formed by the SACVD method

Номер патента: US20020039827A1. Автор: Jai-Sun Roh. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-04.

Device having metal interconnects with reduced or eliminated metal recess in vias

Номер патента: US20010017416A1. Автор: Samit Sengupta,Tammy Zheng. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 2001-08-30.

Method for forming a via profile of interconnect structure of semiconductor device structure

Номер патента: US09997401B2. Автор: Che-Cheng Chang,Wei-Ting Chen,Wei-Yin Shiao,Tai-Shin Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Method for forming interconnect structure

Номер патента: US09966304B2. Автор: Yu-Hung Lin,Shih-Chi Lin,Yao-Hsiang Liang,Yu-Min Chang,Ching-Fu YEH,Hsin-Chen Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Method for capping Cu layer using graphene in semiconductor

Номер патента: US09929096B2. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US09818834B2. Автор: Hung-Wen Su,Ming-Hsing Tsai,Sheng-Hsuan Lin,Ya-Lien Lee,Hung-Chang Hsu,Rueijer Lin,Hsiao-Ping Liu,Yen-Shou Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor package structure having first and second guard ring regions of different conductivity types and method for forming the same

Номер патента: US09786560B2. Автор: Ming-Tzong Yang,Tung-Hsing Lee,Tzu-Hung Lin,Wei-Che Huang,Yu-Hua Huang,Cheng-Chou Hung. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Method for forming via profile of interconnect structure of semiconductor device structure

Номер патента: US09536964B2. Автор: Che-Cheng Chang,Wei-Ting Chen,Wei-Yin Shiao,Tai-Shin Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device structure with recessed ohmic contacts and method for producing the same

Номер патента: EP4374429A1. Автор: Ding-Yuan Chen,Jr-Tai Chen,Niklas RORSMAN. Владелец: SweGaN AB. Дата публикации: 2024-05-29.

Semiconductor device structure with recessed ohmic contacts and method for producing the same

Номер патента: WO2023001762A1. Автор: Ding-Yuan Chen,Jr-Tai Chen,Niklas RORSMAN. Владелец: SweGaN AB. Дата публикации: 2023-01-26.

Semiconductor device structure with recessed ohmic contacts and method for producing the same

Номер патента: EP4123721A1. Автор: Ding Yuan Chen,Jr-Tai Chen,Niclas Rorsman. Владелец: SweGaN AB. Дата публикации: 2023-01-25.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20240243186A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Chun-Fu Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for manufacturing metal wiring and method for manufacturing solid state imaging device

Номер патента: US20150263057A1. Автор: Masaki Kikuchi,Takuto Inoue,Masaharu Ogasawara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Forming method for floating contact hole, and semiconductor device

Номер патента: EP4401119A1. Автор: Song Zhang,Wenming Zhu,Qun Liu,Yaohui ZHOU,Dejin Wang. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Method for forming semiconductor device structure with graphene layer

Номер патента: US10818596B2. Автор: Tien-I Bao,Tai-I Yang,Wei-Chen CHU,Tien-Lu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-27.

Forming method for floating contact hole, and semiconductor device

Номер патента: US20240290846A1. Автор: Song Zhang,Wenming Zhu,Qun Liu,Yaohui ZHOU,Dejin Wang. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for forming pattern and method for fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20130023118A1. Автор: Dong-Kwon Kim,Myeong-Cheol Kim,Do-hyoung Kim,Soo-Yeon Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-01-24.

Methods for forming semiconductor structures and semiconductor structures

Номер патента: US12051618B2. Автор: Yuchen Wang,Nianwang YANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Method for forming semiconductor device structure with conductive line

Номер патента: US20200118932A1. Автор: Yun Chang,Chi-Cherng Jeng,Shyh-Wei Cheng,Chen-Chieh Chiang,Jung-Chi Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Digital Isolator Structure and Method for Forming the Same

Номер патента: US20230420496A1. Автор: Hongxu Yang,Hualun CHEN,Hongfeng JIN. Владелец: Hua Hong Semiconductor Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Fin field effect transistor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20200294846A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US12125749B2. Автор: Yuanhao Gao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Method for forming chip structure with conductive structure

Номер патента: US12057419B2. Автор: Yen-Ming Chen,Hui-Chi CHEN,Dian-Hau Chen,Chih-Fan Huang,Mao-Nan Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device with gate isolation structure and method for forming the same

Номер патента: US20240371877A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US09929244B2. Автор: Jochen Hilsenbeck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-27.

Layout scheme and method for forming device cells in semiconductor devices

Номер патента: US09853035B2. Автор: Hsien-Yu Pan,Jung-Hsuan Chen,Shao-Yu Chou,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Simultaneous formation of liner and metal conductor

Номер патента: US09721788B1. Автор: Chih-Chao Yang,Daniel C Edelstein. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Formation of liner and metal conductor

Номер патента: US09646931B1. Автор: Chih-Chao Yang,Daniel C Edelstein. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Image Sensor and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20080224246A1. Автор: Min Hyung Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-18.

Methods for etch barrier deposition and devices made according to the same

Номер патента: US20230215762A1. Автор: Rao R. Tummala,Madhavan Swaminathan,Mohanalingam Kathaperumal,Pratik Nimbalkar. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2023-07-06.

Method for forming semiconductor device structure with conductive line

Номер патента: US20190139895A1. Автор: Yun Chang,Chi-Cherng Jeng,Shyh-Wei Cheng,Chen-Chieh Chiang,Jung-Chi Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-09.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US12074204B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen,Chien-Ning YAO,Lo Heng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Integrated circuit device and method for forming the same

Номер патента: US12062540B2. Автор: Chih-I Wu,Jin-Bin Yang,Ya-Ting Chang,Jian-Zhi Huang,I-Chih NI. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-08-13.

Method For Forming Semiconductor Structure And A Semiconductor

Номер патента: US20240268104A1. Автор: Chih-Cheng Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Apparatuses including contacts in a peripheral region and methods for forming the same

Номер патента: US20230056343A1. Автор: Yutaka Nakae. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Methods for Forming Through Vias

Номер патента: US20130273698A1. Автор: Chen-Hua Yu,Hao-Yi Tsai,Mirng-Ji Lii,Da-Yuan Shih,Chih-Hang Tung,Tung-Liang Shao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-10-17.

Method for forming fin field effect transistor (finfet) device structure

Номер патента: US20210343711A1. Автор: Ryan Chia-Jen Chen,Shu-Uei JANG,Chung-Shu WU,Wei-Yeh TANG,An-Chyi Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Semiconductor device structure with inner spacer layer and method for forming the same

Номер патента: US20230215936A1. Автор: Pinyen Lin,Fang-Wei Lee,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Chansyun David Yang,Tze-Chung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-06.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20210398810A1. Автор: Yang Ming,Zhu Chen,BEI Duohui,ZUOPENG He,Chao Zhang,Ni BAI BING. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-12-23.

Contact structure with insulating cap and method for forming the same

Номер патента: US20240371998A1. Автор: Yi-Ju Chen,Kuo-Chiang Tsai,Jyh-Huei Chen,Fu-Hsiang Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Method for forming patterns for semiconductor device

Номер патента: US09875927B2. Автор: Home-Been Cheng,Tzu-Hao Fu,Tsung-Yin HSIEH,Ci-Dong Chu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US09842768B2. Автор: Chih-Lin Wang,Kang-Min Kuo,Shu-Cheng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Method for cleaning via of interconnect structure of semiconductor device structure

Номер патента: US09761488B2. Автор: Che-Cheng Chang,Wei-Ting Chen,Wei-Yin Shiao,Tai-Shin Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Method for forming patterns for semiconductor device

Номер патента: US09536751B2. Автор: Home-Been Cheng,Tzu-Hao Fu,Tsung-Yin HSIEH,Ci-Dong Chu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Plasma-damage-resistant interconnect structure and methods for manufacturing the same

Номер патента: US11728272B2. Автор: Chia-Wei Liu,Jheng-Hong Jiang,Shing-Huang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Plasma-damage-resistant interconnect structure and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20220319992A1. Автор: Chia-Wei Liu,Jheng-Hong Jiang,Shing-Huang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Local contacts of three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US12022656B2. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Jianzhong Wu,Wenxi Zhou,Tingting Zhao,Zhongwang SUN,Rui Su. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Method for forming contacts applied to cmos image sensor

Номер патента: US20220130889A1. Автор: Dong Zhang,Peng Huang. Владелец: Hua Hong Semiconductor Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Method for forming contacts applied to CMOS image sensor

Номер патента: US11728369B2. Автор: Dong Zhang,Peng Huang. Владелец: Hua Hong Semiconductor Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Integrated circuit and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220115266A1. Автор: Jyu-Horng Shieh,Yu-Yu Chen,Kuan-Wei Huang,Yi-Nien Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-14.

Semiconductor Device and Method for Low Resistive Thin Film Resistor Interconnect

Номер патента: US20120280360A1. Автор: Christoph Andreas Othmar DIRNECKER,Leif Christian Olsen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2012-11-08.

Semiconductor structures and methods for forming the same

Номер патента: US20210320032A1. Автор: Chia-Hsin Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-10-14.

Method for forming three-dimensional integrated wiring structure and semiconductor structure thereof

Номер патента: WO2019041956A1. Автор: Zhenyu Lu,Jun Chen,Siping Hu,Jifeng Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-03-07.

Method for forming semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12062610B2. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device having a capacitor and method for the manufacture thereof

Номер патента: US20010005609A1. Автор: Sang-Hyeob Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-06-28.

Method for forming a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: US20030109103A1. Автор: Kyong Kim,Ho-Jung Sun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-06-12.

Method for producing an integrated circuit including a metallization layer comprising low K dielectric material

Номер патента: US09941151B2. Автор: Mikhaïl Baklanov,Liping Zhang. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-04-10.

Schemes for forming barrier layers for copper in interconnect structures

Номер патента: US09881871B2. Автор: Chen-Hua Yu,Tien-I Bao,Hai-Ching Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Structure and method for inhibiting cobalt diffusion

Номер патента: US09865543B1. Автор: Stan Tsai,John H. Zhang,Qiang Fang,Haigou Huang,Tai Fong Chao,Xingzhao Shi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Method for preventing copper contamination in metal-insulator-metal (MIM) capacitors

Номер патента: US09793339B2. Автор: Shih-Chang Liu,Chern-Yow Hsu,Ching-Sheng Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Method for forming conducting via and damascene structure

Номер патента: US09728445B2. Автор: Ming-Chung Liang,Wen-Kuo HSIEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor structure having self-aligned conductive structure and method for forming the semiconductor structure

Номер патента: US20240379435A1. Автор: Shau-Lin Shue,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang,Ting-Ya Lo,Chi-Lin Teng,Cherng-Shiaw Tsai,Hsiao-Kang Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Integrated circuits including organic interlayer dielectric layers and methods for fabricating the same

Номер патента: US09576894B2. Автор: Sunil Kumar Singh,Xusheng Wu,Teck Jung Tang,Ravi Prakash Srivastava,Akshey Sehgal. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Metal line of semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20020058401A1. Автор: CHANG Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-16.

Method for forming an extended metal gate using a damascene process

Номер патента: SG128466A1. Автор: Zhou Mei Sheng,Simon Chooi,Yelehanka Ramachandram Pradeep,Henry Gerung,Vijai Komar Chagan. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2007-01-30.

Transistor and method for forming the same

Номер патента: US09484204B2. Автор: XINPENG WANG,Yong Chen,JIN Kang,Weihai Bu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Method for forming a stacked layer structure

Номер патента: US09418853B1. Автор: Shao-Wei Wang,Keng-Jen Lin,Yu-Tung Hsiao,Shu-Ming Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

LTPS TFT Having Dual Gate Structure and Method for Forming LTPS TFT

Номер патента: US20160133473A1. Автор: Peng Du,Bo Sun,Xiaoxiao Wang,Hsiang Chih Hsiao,Chang-I Su,Hongyuan Xu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-12.

Electronic device and method for fabricating the same

Номер патента: US09799704B2. Автор: Hyung-Suk Lee,Jae-Geun Oh,Sook-Joo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

LTPS TFT having dual gate structure and method for forming LTPS TFT

Номер патента: US09437435B2. Автор: Peng Du,Bo Sun,Xiaoxiao Wang,Hsiang Chih Hsiao,Chang-I Su,Hongyuan Xu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Electronic device and method for fabricating the same

Номер патента: US09418838B2. Автор: Hyung-Suk Lee,Jae-Geun Oh,Sook-Joo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Methods for forming transistor devices with different threshold voltages and the resulting devices

Номер патента: US20170040220A1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-09.

Methods for forming transistor devices with different threshold voltages and the resulting devices

Номер патента: US09875940B2. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Method for manufacturing semiconductor device having metal gate

Номер патента: US09443954B2. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Method for forming a split-gate device

Номер патента: US20150279854A1. Автор: Mehul D. Shroff,Mark D. Hall. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-10-01.

Dual work function buried gate-type transistor, method for forming the same, and electronic device including the same

Номер патента: US09431496B2. Автор: Dong-Kyun Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6680238B2. Автор: Woon-young Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-01-20.

Method for preparing trench isolation structure

Номер патента: US09972525B2. Автор: HUA Song,Huan Yang,Jiao Wang. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Method for forming field oxide

Номер патента: US20060094254A1. Автор: Shih-Chi Lai,Jen Chieh Chang,Yi Fu Chung. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2006-05-04.

Method for making III-V nanowire quantum well transistor

Номер патента: US09837517B2. Автор: Richard R. Chang,Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor devices having metal gate and method for manufacturing semiconductor devices having metal gate

Номер патента: US09831133B2. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Yi-Wei Chen,Chien-Ting Lin,Chao-Hung Lin,Chih-Kai Hsu,Jyh-Shyang Jenq,Shih-Hung Tsai,Li-Wei Feng,Jia-Rong Wu,Yi-Hui Lee,Ying-Cheng Liu,Yi-Kuan Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Method for fabricating a shield gate trench MOSFET

Номер патента: US09761695B1. Автор: Rangxuan Fan,Jinzheng Miao. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Method for making III-V nanowire quantum well transistor

Номер патента: US09640615B1. Автор: Richard R. Chang,Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Method for forming semiconductor structure with high aspect ratio

Номер патента: US20240047276A1. Автор: Tien-I Bao,Chih-tang Peng,Han-Pin Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Systems and method for integrated devices on an engineered substrate

Номер патента: WO2019113045A1. Автор: Cem Basceri,Vladimir Odnoblyudov,Dilip Risbud,Ozgur Aktas. Владелец: QROMIS, Inc.. Дата публикации: 2019-06-13.

Opto-thermal annealing methods for forming metal gate and fully silicided gate-field effect transistors

Номер патента: US20080220581A1. Автор: Brian J. Greene,Scott D. Allen,Chun-Yung Sung,Christian Lavoie,Huilong Zhu,Sunfei Fang,Rajarao Jammy,Zhijiong Luo,Hung Ng,Cyril Cabral,Kevin K. Dezfulian,Clement H. Wann. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-09-11.

Method for improving continuity of work function thin film

Номер патента: US20230290634A1. Автор: Yanxia Hao. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09972722B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

LTPS array substrate and method for producing the same

Номер патента: US09893096B2. Автор: Peng Du,Cong Wang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US09812448B2. Автор: Wan-Don Kim,Oh-seong Kwon,Sang-Jin Hyun,Hoon-joo Na,Jin-Kyu Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Methods for forming semiconductor device

Номер патента: US09633858B2. Автор: XINPENG WANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09502520B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Method for metallisation of through holes in semi-insulating semiconductor substrates

Номер патента: RU2708677C1. Автор: Николай Анатольевич Торхов,Валентин Натанович Брудный. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ, НИ ТГУ). Дата публикации: 2019-12-11.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20150303296A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-10-22.

Method for producing semiconductor device

Номер патента: US20170077267A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore PteLtd. Дата публикации: 2017-03-16.

Mechanisms for forming radio frequency (rf) area of integrated circuit structure

Номер патента: US20160099169A1. Автор: Chung-Long Chang,Chun-Hung Chen,Tsung-Yu Yang,Chih-Ping Chao,Kuan-Chi Tsai,Kuo-Yu Cheng,Wei-Kung Tsai,Keng-Yu CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-04-07.

Method for forming semiconductor device structure with gate

Номер патента: US20160190013A1. Автор: Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Wen-Han Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-30.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20210066326A1. Автор: Han Liang,Wang Hai YING. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09929178B1. Автор: Akio Kaneko. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Mechanisms for forming radio frequency (RF) area of integrated circuit structure

Номер патента: US09589831B2. Автор: Chung-Long Chang,Chun-Hung Chen,Tsung-Yu Yang,Chih-Ping Chao,Kuan-Chi Tsai,Kuo-Yu Cheng,Wei-Kung Tsai,Keng-Yu CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09525038B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Transistor having tungsten-based buried gate structure, method for fabricating the same

Номер патента: US09449830B2. Автор: Dong-Kyun Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Fin field effect transistor (finFET) device structure with ultra-thin body and method for forming the same

Номер патента: US10361085B2. Автор: Kuang-Hsin Chen,Yung-Chun Wu,Cheng-Chieh LAI,Mu-Shih YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-07-23.

Systems and methods for porous capping layers

Номер патента: GB2625513A. Автор: Clark Andrew,Hammond Richard. Владелец: IQE plc. Дата публикации: 2024-06-26.

Method for forming semiconductor device structure with gate

Номер патента: US12051594B2. Автор: Yen-Fu Chen,Chi On Chui,Kuei-Lun Lin,Da-Yuan Lee,Tsung-Da Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Fin field effect transistor (finfet) device structure with ultra-thin body and method for forming the same

Номер патента: US20170213738A1. Автор: Kuang-Hsin Chen,Yung-Chun Wu,Cheng-Chieh LAI,Mu-Shih YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-27.

Method for forming control gate salicide

Номер патента: US9330924B2. Автор: Huanxin Liu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-05-03.

Method for forming a transistor gate dielectric with high-k and low-k regions

Номер патента: SG99379A1. Автор: Pan Yang,Quek Elgin,Chan Lap,Zhen Zheng Jia,Keung Leung Ying,Ramachandramurthy Pr Yelehanka,Sundaresan Ravi,Yong Meng Lee James. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2003-10-27.

Method for forming a gate dielectric with high-K and low-K regions

Номер патента: EP1227514B1. Автор: YANG Pan,Yelehanka Ramachandramurthy Pradeep,Lap Chan,Jia Zhen Zheng,Ying Keung Leung,James Yong Meng Lee,Elgin Quek,Ravi Sundaresan. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2011-04-20.

Method for forming control gate salicide

Номер патента: US20160093498A1. Автор: Huanxin Liu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-03-31.

Method for Forming Isolation Layer in Semiconductor Devices

Номер патента: US20070166949A1. Автор: In Kyu Chun. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Semiconductor Film with Adhesion Layer and Method for Forming the Same

Номер патента: US20150102470A1. Автор: Ming-Feng Hsieh,Chun-Heng Chen,Hongfa Luan,Chi-Ming Liao,Sheng-Po Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-04-16.

Split-gate flash memory having mirror structure and method for forming the same

Номер патента: US09831354B2. Автор: Binghan Li. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Method for forming semiconductor device structure with gate

Номер патента: US09799565B2. Автор: Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Wen-Han Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US09515078B2. Автор: XINPENG WANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Anion exchange resin, electrolyte membrane for fuel cell, binder for forming electrode catalyst layer, battery electrode catalyst layer and fuel cell

Номер патента: US10287409B2. Автор: Masahiro Watanabe,Hideaki Ono,Kenji Miyatake,Eriko Nishino,Naoki Yokota,Koichiro Asazawa,Junpei Miyake,Manai SHIMADA. Владелец: Takahata Precision Japan Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-14.

The method of graphene wafer, the method for making graphene wafer, the method that discharges graphene layer and manufacturing graphene device

Номер патента: CN101927998A. Автор: 田中悟,荻原光彦,鹭森友彦,佐久田昌明,桥本明弘. Владелец: Oki Data Corp. Дата публикации: 2010-12-29.

A method for fabricating a wafer structure with a strained silicon layer and an intermediate product of this method

Номер патента: KR100747710B1. Автор: 바이양 이브-마띠유 르. Владелец: 에스오아이테크 실리콘 온 인슐레이터 테크놀로지스 (에스.에이.). Дата публикации: 2007-08-08.

Method for fabricating a component, and component having a metal layer and an insulation layer

Номер патента: TWI223844B. Автор: Volker Weinrich,Werner Pamler,Zvonimir Gabric. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-11-11.

Fabricating method for the non or semi polar III-nitride epi layers and the same

Номер патента: KR100988478B1. Автор: 황성민,서문석,윤형도,서용곤. Владелец: 전자부품연구원. Дата публикации: 2010-10-18.

Method for forming package structure with a barrier layer

Номер патента: US20210035937A1. Автор: Chen-Shien Chen,Chin-Yu Ku,Chun-Chen Liu,Cheng-Hung Chen,Te-Hsun Pang,Yu-Nu Hsu,Kuo-Chio Liu,Cheng-Nan Hsieh,Chien-Chen Li,Shih-Yen Chen,Heng-Chi Huang,Yuan-Feng WU,Sen-Chi CHIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

Systems and methods for producing objects incorporating selectably active electromagnetic energy filtering layers and coatings

Номер патента: US09726791B2. Автор: Clark D Boyd,Bradbury R Face,Jeffrey D Shepard. Владелец: Face International Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for determining relaxation degree of nitrid heterostructure barrier layer

Номер патента: RU2624604C1. Автор: Олег Альбертович Рубан,Андрей Николаевич Алёшин,Наталия Александровна Юзеева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН). Дата публикации: 2017-07-04.

Etching solution and method for manufacturing conducting lug by selectively removing barrier layer with the same

Номер патента: CN100421216C. Автор: 孔令臣,邱绍玲,詹忠荣. Владелец: UNITIVE SEMICONDUCTOR TAIWAN CORP. Дата публикации: 2008-09-24.

Method for manufacturing polycrystalline silicon thin-film solar cells by means method for crystallizing large-area amorphous silicon thin film using linear electron beam

Номер патента: US09680047B2. Автор: Sun Hwa Lee,Ho Sung Kim,Sang Ryu,Chae Hwan Jeong,Seong Jae Boo. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology KITECH. Дата публикации: 2017-06-13.

Method for manufacturing semiconductor structure and planarization process thereof

Номер патента: US20210354983A1. Автор: Xiang Li,Ding Lung Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-11-18.

Composition for forming passivation layer, semiconductor substrate having passivation layer and production method thereof, and photovoltaic cell element and production method thereof

Номер патента: TWI621623B. Автор: 服部孝司,田中徹,足立修一郎,松村三江子,吉田誠人,野尻剛,倉田靖,織田明博,早坂剛,渡邉敬司,森下真年,濱村浩孝. Владелец: 日立化成股份有限公司. Дата публикации: 2018-04-21.

METHOD FOR MANUFACTURING CORROSION RESISTANT AND CONDUCTIVE NANO CARBON COATING LAYER AND FUEL CELL BIPOLAR PLATE THEREBY USING STAINLESS STEEL SUBSTRATE

Номер патента: US20160138171A1. Автор: Jun Youngha,Yoo Jaimoo,Yeo Kiho,Shin Eui Chul. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-19.

Method for selective plasma etch

Номер патента: EP1012877A1. Автор: Helen H. Zhu,Lumin Li,Thomas D. Nguyen,George A. Mueller. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2000-06-28.

Package comprising an integrated device and a metallization portion with variable thickness metallization interconnects on a same metal layer

Номер патента: WO2024205848A1. Автор: Aniket Patil,Hong Bok We,Brigham NAVAJA. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for forming counterdoped semiconductor device comprising first epitaxial layer and second epitaxial layer formed over first epitaxial layer having conductivity type different than second epitaxial layer

Номер патента: US09887272B2. Автор: Martin Christopher Holland,Richard Kenneth Oxland,Krishna Kumar Bhuwalka. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12094956B2. Автор: Chia-Jung Hsu,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chin-Hung Chen,Yu-Hsiang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor structure with dopants diffuse protection and method for forming the same

Номер патента: US09899273B1. Автор: Chun-Chieh Wang,Shih-Chieh Chang,Yi-Min Huang,Huai-Tei Yang,Zheng-Yang Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for forming semiconductor device having epitaxial channel layer using laser treatment

Номер патента: US20020001890A1. Автор: Jung-Ho Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-03.

Transistor and method for forming the same

Номер патента: US20120104486A1. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-05-03.

Method for manufacturing tft substrate and tft substrate thereof

Номер патента: US20240266360A1. Автор: Yongqi Deng,Li Chai. Владелец: Huizhou China Star Optoelectronics Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for selective plasma etch

Номер патента: WO1999010923B1. Автор: Lumin Li,Helen H Zhu,George A Mueller,Thomas D Nguyen. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 1999-05-14.

Method for forming alignment keys of semiconductor structure and semiconductor structure having alignment keys

Номер патента: US20240055361A1. Автор: Tsung-Yu Yang,Shan-Shi Huang,Shin-Hung Li,Yuan Yu Chung,Che-Hua CHANG,Ruei Jhe Tsao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Chip package and method for forming the same

Номер патента: US09653422B2. Автор: Yi-Ming Chang,Tsang-Yu Liu,Yen-Shih Ho,Chia-Lun SHEN. Владелец: XinTec Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

MANUFACTURING SYSTEM AND METHOD FOR FORMING A CLEAN INTERFACE BETWEEN A FUNCTIONAL LAYER AND A TWO-DIMENSIONAL LAYEYED SEMICONDUCTOR

Номер патента: US20190043720A1. Автор: LIN Yi-Ping,Yeh Chao-Hui,LIAO CHIU-CHUAN. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-07.

Manufacturing system and method for forming a clean interface between a functional layer and a two-dimensional layeyed semiconductor

Номер патента: US10236181B2. Автор: Yi-Ping Lin,Chiu-Chuan Liao,Chao-Hui Yeh. Владелец: Best Champion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-19.

1-step Etching Method for Cu/Mo line having inner Mo barrier layer by Mo

Номер патента: KR100813005B1. Автор: 조규철,권오남. Владелец: 엘지.필립스 엘시디 주식회사. Дата публикации: 2008-03-14.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230327003A1. Автор: Chia-Jung Hsu,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chin-Hung Chen,Yu-Hsiang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Method for suppressing degration of surface morphology property of metal layer and method for manufacturing semiconductor device having metal layer resulted from the same

Номер патента: KR100378197B1. Автор: 유차영,정은애,황두섭. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2003-03-29.

Method for removing photoresist mask used for etching of metal layer and other etching by-products

Номер патента: US6329294B1. Автор: Tae-Ryong Kim,Jae-Pil Kim,Jong-sik Won,Ka-soon Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-12-11.

Method for producing base for metal masks, method for producing metal mask for vapor deposition, base for metal masks, and metal mask for vapor deposition

Номер патента: US11746423B2. Автор: Takehiro Nishi,Naoko Mikami,Masashi Kurata,Daisei FUJITO,Kiyoaki NISHITSUJI,Reiji TERADA,Sumika TAMURA. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Manufacturing method of thin film and metal line for display using the same, thin film transistor array panel, and method for manufacturing the same

Номер патента: US09799678B2. Автор: Jong-In Kim,Jean-Ho Song,Byeong-Beom Kim,Je-hyeong Park,Jae-Hyoung Youn. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Adhesion layer for forming nanowires in anodic aluminum oxide layer

Номер патента: US12100879B2. Автор: Yali Zhang,Bethanie Joyce Hills Stadler,Rhonda Franklin,Joseph Um,Rashaunda Henderson. Владелец: Minnesota And Board Of Regents, University of, Regents of. Дата публикации: 2024-09-24.

Method for forming silicon oxide and metal nanopattern's, and magnetic recording medium for information storage using the same

Номер патента: US09495991B2. Автор: No Ma Kim,Eun Ji Shin,Yeon Sik Jung,Sung Soo Yoon,Yang Kyoo Han,Je Gwon Lee,Hyun Jin Lee. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2016-11-15.

Method of producing sofc cathode diffusion barrier layer and sofc

Номер патента: RU2656436C2. Автор: Микко РИТАЛА,Маркку ЛЕСКЕЛЯ,Энн ЁУНПУУ,Юхан СУББИ,Санни СЕППЯЛЯ,Яакко НИЙНИСТЕ. Владелец: Элкоген Ас. Дата публикации: 2018-06-05.

METHOD FOR FORMING EPITAXIAL HETEROSTRUCTURES EuO/Ge

Номер патента: RU2768948C1. Автор: Дмитрий Валерьевич Аверьянов,Иван Сергеевич Соколов,Андрей Михайлович Токмачев,Вячеслав Григорьевич Сторчак. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2022-03-25.

Method and apparatus for forming glass layer, method and apparatus for forming metal layer, and electronic component manufacturing method

Номер патента: US20010009692A1. Автор: Shizuharu Watanabe. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2001-07-26.

Semiconductor apparatus, stacked semiconductor apparatus, encapsulated stacked-semiconductor apparatus, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170103932A1. Автор: Kyoko Soga,Michihiro Sugo,Satoshi Asai,Kazunori Kondo,Hideto Kato,Katsuya Takemura. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-13.

Heating device of metallic interconnect for solid oxide fuel cell and coating method of the interconnect using the same

Номер патента: US20100124684A1. Автор: Seung-Bok Lee,Young-Sung Yoo,Dong-Ryul Shin,Rak-Hyun Song,Tak-Hyung Lim,Jong-Eun Hong,Seong-Soo Pyo. Владелец: Korea Institute of Energy Research KIER. Дата публикации: 2010-05-20.

Method for forming a resin layer and an apparatus for forming the resin layer used therein

Номер патента: US20240026105A1. Автор: Jaihyuk Choi,Jungwoong BYUN,Cheong-Wan Min,Dohun LEE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Method for forming pn junction in graphene with application of dna and pn junction structure formed using the same

Номер патента: US20150243917A1. Автор: Seok Lee,Sun Ho Kim,Jae Hun Kim,Young Tae Byun,Min Ah Seo,Chulki Kim,Deok Ha Woo,Yeong Jun KIM,Seong Chan Jun,Taikjin Lee,Jong Chang Yi,Young Mo JUNG. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2015-08-27.

Metallic bipolar plate for fuel cell and method for forming surface layer of the same

Номер патента: US20090269623A1. Автор: Jeong Hoon Kim. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2009-10-29.

Pouch film and method for manufacturing the same

Номер патента: US12107279B2. Автор: Yong Kim,Sang Hun Kim,Soo Ji HWANG,Hyung Kyun YU,Yong Su Choi,Na Yoon Kim,Min Hyeong Kang. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Method for manufacturing multilayer wiring board

Номер патента: US09659849B2. Автор: Koichi Nakayama,Shigeki Chujo. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Method for preparing hydrogel and energy storage device including the same

Номер патента: US12098252B2. Автор: Jae Yun Kim,Donghwan JI. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-09-24.

POSS-containing in-situ composite nanogel with magnetic responsiveness and method for preparing the same

Номер патента: US09842679B2. Автор: SHUANG Wang,Xinyu Liu,Jie Mao,Lizong Dai,Birong Zeng,Yiting Xu,Kaibin He,Lingnan CHEN,Yueguang Wu,Wei'ing Luo. Владелец: XIAMEN UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-12-12.

Anion exchange resin, electrolyte membrane for fuel cell, binder for forming electrode catalyst layer, battery electrode catalyst layer and fuel cell

Номер патента: US09931624B2. Автор: Masahiro Watanabe,Kenji Miyatake,Eriko Nishino,Naoki Yokota,Koichiro Asazawa,Junpei Miyake,Manai SHIMADA. Владелец: Takahata Precision Japan Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Method for preparing hydrogel and energy storage device including the same

Номер патента: US20230068334A1. Автор: Jae Yun Kim,Donghwan JI. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-03-02.

ANION EXCHANGE RESIN, ELECTROLYTE MEMBRANE FOR FUEL CELL, BINDER FOR FORMING ELECTRODE CATALYST LAYER, BATTERY ELECTRODE CATALYST LAYER AND FUEL CELL

Номер патента: US20170087545A1. Автор: Watanabe Masahiro,Asazawa Koichiro,Miyatake Kenji,Miyake Junpei,Yokota Naoki,SHIMADA Manai,NISHINO Eriko. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-30.

ANION EXCHANGE RESIN, ELECTROLYTE MEMBRANE FOR FUEL CELL, BINDER FOR FORMING ELECTRODE CATALYST LAYER, BATTERY ELECTRODE CATALYST LAYER AND FUEL CELL

Номер патента: US20170267823A1. Автор: Watanabe Masahiro,Asazawa Koichiro,Miyatake Kenji,Miyake Junpei,Yokota Naoki,ONO Hideaki,SHIMADA Manai,NISHINO Eriko. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-21.

Method for producing an insulator layer, method for producing an organic optoelectronic component comprising an insulator layer and organic optoelectronic component comprising an insulator layer

Номер патента: DE102014106885B4. Автор: Michael Popp,Andrew Ingle,Christoph Kefes,Johannes Rosenberger,Stefan Dechand,Benjamin Claus Krummacher,Egbert Höfling. Владелец: Pictiva Displays International Ltd. Дата публикации: 2022-01-20.

Method for manufacturing a cable with a cross-linked insulating layer and the cable

Номер патента: KR102448281B1. Автор: 제프리 엠. 코겐,야빈 순,티모시 제이. 펄슨. Владелец: 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor packaging structure and method for forming the same

Номер патента: US09620468B2. Автор: Chang-Ming Lin,Yu-Juan Tao. Владелец: Tongfu Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Method for forming active structures for microelectronic devices and microelectronic device containing active structures

Номер патента: RU2749070C1. Автор: Евгений Викторович Данилкин,Валентина Александровна Гайдедей,Владимир Марк Крупник. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Крокус Наноэлектроника" (Ооо "Крокус Наноэлектроника"). Дата публикации: 2021-06-03.

Silicon carbide-based full-spectrum-responsive photodetector and method for producing same

Номер патента: US11710801B2. Автор: Yuan Tian,Guohui Li,Yanxia CUI,Yaping FAN,Xianyong YAN. Владелец: TAIYUAN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-07-25.

Package comprising an integrated device and a metallization portion with variable thickness metallization interconnects on a same metal layer

Номер патента: US20240321709A1. Автор: Aniket Patil,Hong Bok We,Brigham NAVAJA. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230106156A1. Автор: Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Yu-Ping Wang,Hung-Yueh Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-04-06.

Silicon carbide-based full-spectrum-responsive photodetector and method for producing same

Номер патента: US20220052218A1. Автор: Yuan Tian,Guohui Li,Yanxia CUI,Yaping FAN,Xianyong YAN. Владелец: TAIYUAN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2022-02-17.

METHOD FOR FORMING PACKAGE STRUCTURE WITH A BARRIER LAYER

Номер патента: US20210035937A1. Автор: Chen Cheng-Hung,Chen Chen-Shien,Liu Chun-Chen,KU Chin-Yu,HSU YU-NU,CHEN Shih-Yen,Liu Kuo-Chio,HUANG Heng-Chi,LI Chien-Chen,HSIEH Cheng-Nan,Pang Te-Hsun,WU Yuan-Feng,CHIANG Sen-Chi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2021-02-04.

Method for fabricating lateral resonant tunneling transistor with heterojunction barriers

Номер патента: US5234848A. Автор: Alan C. Seabaugh. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1993-08-10.

Method for forming capacitor having oxide barrier between dielectric layer and electrode

Номер патента: KR100373361B1. Автор: 박창헌,신현상,김명필. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-02-25.

Systems and methods for producing objects incorporating selectably active electromagnetic energy filtering layers and coatings

Номер патента: US20160306255A1. Автор: Bradbury R. Face,Clark D. Boyd,Jeffrey D. Shepard. Владелец: Face International Corp. Дата публикации: 2016-10-20.

SYSTEMS AND METHODS FOR PRODUCING OBJECTS INCORPORATING SELECTABLY ACTIVE ELECTROMAGNETIC ENERGY FILTERING LAYERS AND COATINGS

Номер патента: US20190331834A1. Автор: BOYD Clark D.,FACE Bradbury R.,SHEPARD Jeffrey D.. Владелец: Face International Corporation. Дата публикации: 2019-10-31.

METHOD FOR GENERATING A POTENTIAL DIFFERENCE USING A GRAPHENE THIN LAYER, AND DEVICES USING THE SAME

Номер патента: FR2950482A1. Автор: Stephane Regnier,Gilgueng Hwang,Dogan Sinan Haliyo,Mejia Juan Camilo Acosta. Владелец: Universite Pierre et Marie Curie Paris 6. Дата публикации: 2011-03-25.

Method for fabricating a self-aligned bipolar transistor with planarizing layer and related structure

Номер патента: WO2004107445A1. Автор: Marco Racanelli,Amol Kalburge. Владелец: NEWPORT FAB, LLC DBA JAZZ SEMICONDUCTOR. Дата публикации: 2004-12-09.

Method for producing an electrical contact region on a semiconductor layer and component having such a contact region

Номер патента: DE10308322B4. Автор: Walter Wegleiter,Dr. Plößl Andreas,Dr. Illek Stefan,Dr. Stauß Peter,Dr. Stein Wilhelm,Dr. Wirth Ralph,Dr. Pietzonka Ines,Gudrun Diepold. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2014-11-06.

Method for fabricating a self-aligned bipolar transistor with planarizing layer and related structure

Номер патента: CN100521208C. Автор: A·卡尔博格,M·拉卡内利. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2009-07-29.

Method for fabricating a thin film transistor including crystalline active layer and a semiconductor device

Номер патента: KR100469624B1. Автор: 주승기,이석운. Владелец: 네오폴리((주)). Дата публикации: 2005-02-02.

Method for forming n and p wells in a semiconductor substrate using a single masking step

Номер патента: US6207538B1. Автор: Chin-Hsiung Ho,Chu-Wei Hu,Chung-Te Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2001-03-27.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US12033897B2. Автор: Chien-Hao Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device having fin-type channel and method for forming the same

Номер патента: US09865460B2. Автор: Mao-Lin Huang,Chien-Hsun Wang,Chun-Hsiung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Nitrogen-rich barrier layer and structures formed

Номер патента: US20030190821A1. Автор: Fenton McFeely,Mark Holl,Matthew Copel,Douglas Buchanan,Patrick Varekamp,Kyle Litz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-10-09.

Method and structure for forming a vertical field-effect transistor using a replacement metal gate process

Номер патента: US20200083120A1. Автор: Kangguo Cheng,ChoongHyun Lee,Kisik Choi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Method for patterning integrated circuit conductors

Номер патента: WO1999017350A1. Автор: Bruno Spuler,Virinder S. Grewal. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 1999-04-08.

Method for patterning integrated circuit conductors

Номер патента: EP1021826A1. Автор: Bruno Spuler,Virinder S. Grewal. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2000-07-26.

Method and structure for forming a vertical field-effect transistor using a replacement metal gate process

Номер патента: US20200083121A1. Автор: Kangguo Cheng,ChoongHyun Lee,Kisik Choi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Semiconductor structure and method for forming the same, and memory and method for forming the same

Номер патента: US12075612B2. Автор: Er-Xuan Ping,Yiming Zhu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Structures for testing nanoscale devices including ferroelectric capacitors and methods for forming the same

Номер патента: US11729994B2. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui,Chenchen Jacob WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Method for controlled recessing of materials in cavities in IC devices

Номер патента: US09589850B1. Автор: Chanro Park,Kisup Chung,Sivananda Kanakasabapathy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140209980A1. Автор: Takashi Inoue,Yasuhiro Okamoto,Tatsuo Nakayama,Hironobu Miyamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-07-31.

Poly-silicon thin film and method for fabricating the same, and thin film transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20190096926A1. Автор: Jun Liu,Tongshang Su. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US9337325B2. Автор: Takashi Inoue,Yasuhiro Okamoto,Tatsuo Nakayama,Hironobu Miyamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-10.

Dry etching process and method for manufacturing magnetic memory device

Номер патента: US20070026681A1. Автор: Tetsuya Tatsumi,Seiji Samukawa,Toshiaki Shiraiwa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-02-01.

Method for forming semiconductor structure with fins using a multilayer mask structure for etching to form nanostructures

Номер патента: US12087641B2. Автор: Chung-Ting Ko,Tai-Chun Huang,Wen-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Gate all around structure with additional silicon layer and method for forming the same

Номер патента: US12119404B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chun-Hsiung Lin,Chen-Han Wang,Pei-Hsun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Method for forming semiconductor structure with etched fin structure

Номер патента: US09659766B2. Автор: Shiang-Bau Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

GaN-HEMT device with sandwich structure and method for preparing the same

Номер патента: US12034067B2. Автор: Guoqiang Li,Zhikun Liu,Dingbo Chen,Lijun Wan. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2024-07-09.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20140187004A1. Автор: Jong Seok Lee,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,Kyoung-Kook Hong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2014-07-03.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US8772112B1. Автор: Jong Seok Lee,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,Kyoung-Kook Hong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2014-07-08.

Semiconductor structure comprising p-type N-face GAN-based semiconductor layer and manufacturing method for the same

Номер патента: US12080786B2. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20210313449A1. Автор: Pinyen Lin,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Tze-Chung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Semiconductor device structure with work function layer and method for forming the same

Номер патента: US20240322009A1. Автор: Po-Chi WU,Ming-Chia Tai,Chang-Yin Chen,Wen-Han Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor structure and method for the forming same

Номер патента: US20200235016A1. Автор: Zhan Ying,Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

Semiconductor structure with low defect and method for forming the same

Номер патента: US09806077B2. Автор: Georgios Vellianitis,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Spacer structure for semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: EP3940751A1. Автор: Gary Chan,Pinyen Lin,Keng-Chu Lin,Tzer-Min Shen,Fu-Ting Yen,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-19.

Methods and apparatus for forming resist pattern using EUV light with electric field

Номер патента: US11754925B2. Автор: Bu Geun KI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Methods and apparatus for forming resist pattern using euv light with electric field

Номер патента: US20220244646A1. Автор: Bu Geun KI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-08-04.

Spacer structure for semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20230141093A1. Автор: Gary Chan,Pinyen Lin,Keng-Chu Lin,Tzer-Min Shen,Fu-Ting Yen,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

A method for controlling stress in thin film layers deposited over a high density interconnect common circuit base

Номер патента: EP1114573A1. Автор: Jan I. Strandberg,Scott M. Westbrook. Владелец: Kulicke and Soffa Holdings Inc. Дата публикации: 2001-07-11.

Spacer structure for semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20220020644A1. Автор: Gary Chan,Pinyen Lin,Keng-Chu Lin,Tzer-Min Shen,Fu-Ting Yen,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-20.

Method for forming photomask and photolithography method

Номер патента: US20210080822A1. Автор: Minfeng CHEN,Shao-Chi Wei,Shih-Ming Chang,Min-An Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Display panel and method for forming micro component support

Номер патента: US10403493B2. Автор: Yi-Cheng Liu,Chin-Yuan Ho. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2019-09-03.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20200035676A1. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-01-30.

System and method for monitoring copper barrier layer preclean process

Номер патента: US8367545B2. Автор: Cheng-Hui Weng,Kuo-Liang Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-02-05.

System and method for monitoring copper barrier layer preclean process

Номер патента: US20120299184A1. Автор: Cheng-Hui Weng,Kuo-Liang Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Display panel and method for forming micro component support

Номер патента: US20180366320A1. Автор: Yi-Cheng Liu,Chin-Yuan Ho. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2018-12-20.

Method for manufacturing an mdl semiconductor device including a dram device having self-aligned contact hole and a logic device having dual gate structure

Номер патента: US20020058378A1. Автор: Hyung-Moo Park,Suk-gu Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-05-16.

Method for forming self-aligned double pattern and semiconductor structures

Номер патента: US12100593B2. Автор: Zhongming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

FinFET and method for forming the same

Номер патента: US09893182B2. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for manufacturing a protective layer against HF etching, semiconductor device provided with the protective layer and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09824882B2. Автор: Luigi Esposito,Stefano Losa,Raffaella Pezzuto,Roberto Campedelli,Matteo Perletti,Mikel Azpeitia Urquia. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-11-21.

Method for manufacturing a protective layer against HF etching, semiconductor device provided with the protective layer and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09758373B2. Автор: Luigi Esposito,Stefano Losa,Raffaella Pezzuto,Roberto Campedelli,Matteo Perletti,Mikel Azpeitia Urquia. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-09-12.

Method for forming semiconductor nanowire transistors

Номер патента: US09520484B2. Автор: ZHONGSHAN Hong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Method for carrying out a conductive direct metal bonding

Номер патента: US09472530B2. Автор: Lamine BENAISSA,Paul Gondcharton,Bruno Imbert. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-10-18.

Method for manufacturing package structure

Номер патента: US12021037B2. Автор: Chung-Shi Liu,Ching-Hua Hsieh,Chih-Wei Lin,Ming-Da Cheng,Yi-Da Tsai,Wei-Hung Lin,Cheng-Ping Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US12040380B2. Автор: Chen-Wei Pan,Chun-Pin Fang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US8716755B2. Автор: Takashi Inoue,Yasuhiro Okamoto,Tatsuo Nakayama,Hironobu Miyamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-05-06.

Method for forming a fet device

Номер патента: US20230178635A1. Автор: Naoto Horiguchi,Julien Ryckaert,Boon Teik CHAN,Aryan Afzalian. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-06-08.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20230231021A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20210358764A1. Автор: Hsin-Hung Chou,Cheng-Ta Yang,Ting-Wei Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-11-18.

Method for manufacturing thin film transistor and related active layer for thin film transistor, thin film transistor, array substrate, and display apparatus

Номер патента: US20170005115A1. Автор: Lujiang Huangfu,Chien Hung Liu,Zuqiang Wang,Yu Cheng Chan. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-05.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20230231044A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

Method for forming semiconductor layer and method for manufacturing light emitting device

Номер патента: EP2360743A3. Автор: Sang Hoon Han,Dae Sung Kang. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-18.

Method for forming semiconductor layer and method for manufacturing light emitting device

Номер патента: US20110195539A1. Автор: Sang Hoon Han,Dae Sung Kang. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-11.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US12080787B2. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

A method for forming a stacked fet device

Номер патента: EP4199057A1. Автор: Naoto Horiguchi,Boon Teik CHAN,Anne Vandooren. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-06-21.

Method for making an embedded memory MOS

Номер патента: US20020098650A1. Автор: Chien-Li Kuo,Sun-Chieh Chien. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-07-25.

Method for preparing semiconductor structure using a first mask comprises a groove

Номер патента: US12108593B2. Автор: Zhongming Liu,Longyang Chen,Yexiao Yu,Zhong KONG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Device and methods for high-k and metal gate stacks

Номер патента: US09576855B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei Cheng Wu,Bao-Ru Young,Po-Nien Chen,Jin-Aun Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

FinFETs having epitaxial capping layer on fin and methods for forming the same

Номер патента: US09520502B2. Автор: Hou-Yu Chen,Ming-Hua Yu,Chih-Pin TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Wiring structure, electronic device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200194361A1. Автор: Wen Hung HUANG,Yan Wen CHUNG,Chien-Mei HUANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2020-06-18.

Method for forming a dual metal gate structure

Номер патента: WO2009005903A1. Автор: William J. Taylor,Srikanth B. Samavedam,James K. Schaeffer,Gauri V. Karve,Cristiano Capasso. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2009-01-08.

Deep trench capacitor fuse structure for high voltage breakdown defense and methods for forming the same

Номер патента: US20240222358A1. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Bump including diffusion barrier bi-layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US9209122B2. Автор: Byunghoon Lee,Hoojeong Lee. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2015-12-08.

Method for shifting the bandgap energy of a quantum well layer

Номер патента: WO2002035589A1. Автор: Seng-Tiong Ho,Boon-Siew Ooi. Владелец: Phosistor Technologies, Inc.. Дата публикации: 2002-05-02.

Method for forming semiconductor structure for memory device

Номер патента: US12046649B2. Автор: Szu-Yu Wang,Chia-Wei Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20200301280A1. Автор: Ching-Yu Chang,Chin-Hsiang Lin,An-Ren Zi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Method for forming an electrical insulating layer on bit lines of the flash memory

Номер патента: US20020175139A1. Автор: Chien-Wei Chen,Jiun-Ren Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-28.

Method for forming a capacitor in a semiconductor and a capacitor using the same

Номер патента: US20060292811A1. Автор: Sang Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-28.

Semiconductor device and methods for forming the same

Номер патента: US20240274441A1. Автор: Yi-Chung Chen,Yu-Ting Huang,Wei-Nan CHUANG. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Methods for forming dielectric layer in forming semiconductor device

Номер патента: US12080560B2. Автор: Xiaohong Zhou,Yonggang YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor structure, method for forming semiconductor structure and memory

Номер патента: US12108591B2. Автор: Yiming Zhu,Erxuan PING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Method for forming a shielding layer over a semiconductor package with reduced metal burrs

Номер патента: US20240347477A1. Автор: Changoh Kim,JinHee Jung. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Thin-film transistor and method for forming the same

Номер патента: US09899534B2. Автор: Jinming LI. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for manufacturing thin film transistor and related active layer for thin film transistor, thin film transistor, array substrate, and display apparatus

Номер патента: US09887213B2. Автор: Lujiang Huangfu,Chien Hung Liu,Zuqiang Wang,Yu Cheng Chan. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Group 13 nitride composite substrate semiconductor device, and method for manufacturing group 13 nitride composite substrate

Номер патента: US09882042B2. Автор: Makoto Iwai,Yoshitaka Kuraoka,Mikiya Ichimura. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Process-compatible decoupling capacitor and method for making the same

Номер патента: US09583556B2. Автор: Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Wafer level package (WLP) and method for forming the same

Номер патента: US09520372B1. Автор: Shin-puu Jeng,Hsien-Wen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Composition for forming conductive pattern, method for forming conductive pattern using same, and resin structure having conductive pattern

Номер патента: US09872386B2. Автор: Shin Hee Jun,Jae Hyun Kim,Ha Na Lee,Cheol-Hee Park,Chee-Sung PARK,Han Nah Jeong,Eun Kyu Seong,Su Jeong Lee. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Solid-State Batteries Utilizing Template Layers for Electrode Formation and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20160233541A1. Автор: Minh Huu Le,Jeroen Van Duren,Abraham Anapolsky. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2016-08-11.

Outer package material for power storage devices, method for producing same, and power storage device

Номер патента: US20240297378A1. Автор: Shinji Hayashi,Masayasu Yamazaki,Atsuko Takahagi,Kenta Hiraki. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2024-09-05.

Composition and method for forming conductive pattern, and resin structure having conductive pattern thereon

Номер патента: US09967974B2. Автор: Shin Hee Jun,Cheol-Hee Park,Chee-Sung PARK,Han Nah Jeong,Sang Yun Jung. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Solid-state batteries utilizing template layers for electrode formation and methods for forming the same

Номер патента: US09455437B2. Автор: Minh Huu Le,Jeroen Van Duren,Abraham Anapolsky. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Adhesive film, electricity storage device, and method for producing electricity storage device

Номер патента: EP4333007A1. Автор: Takanori Yamashita,Miho Sasaki,Ryo Fujiwara. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2024-03-06.

Method for producing catalyst wherein catalyst particles having core/shell structure are supported

Номер патента: US20180034062A1. Автор: Tomohiro Akiyama,Koichi Matsutani,Takeshi Kaieda. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2018-02-01.

Method for manufacturing catalyst having supported catalyst particles of core/shell structure

Номер патента: US10497942B2. Автор: Tomohiro Akiyama,Koichi Matsutani,Takeshi Kaieda. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2019-12-03.

Devices and methods for conveying neuron signals to a processing device

Номер патента: US20240257992A1. Автор: Andrew B. Schwartz,May Yoon PWINT. Владелец: University of Pittsburgh. Дата публикации: 2024-08-01.

Flash memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080067579A1. Автор: Joo-Hyeon LEE. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-20.

Memory and method for forming same

Номер патента: US20230301054A1. Автор: Yi Jiang,Deyuan Xiao,Juanjuan Huang,Weiping BAI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

High electron mobility transistor and method for forming the same

Номер патента: US20240162313A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Chih-Tung Yeh,Chun-Liang Hou,Ruey-Chyr Lee,Yi-Shan Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US12120862B2. Автор: Liang Zhao,Wenfeng Wang,Jinping Sun. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Transistor and method for forming the same

Номер патента: US09620618B2. Автор: Mao-Lin Huang,Chien-Hsun Wang,Chun-Hsiung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

DEVICE FOR FORMING THIN FILM ENCAPSULATION STRUCTURE and METHOD FOR PRODUCING ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE

Номер патента: US20200083480A1. Автор: Katsuhiko Kishimoto,Yozo Narutaki. Владелец: Sakai Display Products Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Solid-state imaging device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140027874A1. Автор: Toshihiko Hayashi,Yoshiharu Kudoh. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-01-30.

Solid-state imaging device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09666628B2. Автор: Toshihiko Hayashi,Yoshiharu Kudoh. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Solar cell made using a barrier layer between p-type and intrinsic layers

Номер патента: US20130221373A1. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Chien-Chih Huang,Yu-Wei HUANG,Tze-Chiang Chen,Augustin J. HONG,Chih-Fu Tseng. Владелец: Bay Zu Precision Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-29.

Solar cell made using a barrier layer between P-type and intrinsic layers

Номер патента: US09537038B2. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Chien-Chih Huang,Yu-Wei HUANG,Tze-Chiang Chen,Augustin J. HONG,Chih-Fu Tseng. Владелец: Bay Zu Precision Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Methods for etching a structure for MRAM Applications

Номер патента: US20210143323A1. Автор: Mahendra Pakala,Jaesoo AHN,Srinivas D. Nemani,Chando Park,Minrui Yu,Ellie Y. Yieh,Jong Mun Kim,Mang-Mang Ling,Chentsau Chris Ying. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-05-13.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US12040392B2. Автор: Po-Wen Su,Shui-Yen Lu,Ming-Hua Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for fabricating stacked capacitor having excellent anti-oxidation property

Номер патента: US6284595B1. Автор: Yoshitake Kato. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-09-04.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240339532A1. Автор: Po-Wen Su,Shui-Yen Lu,Ming-Hua Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Monodisperse granular film, method for forming the monodisperse granular film, solar cell, method for preparing the solar cell, and photovoltaic module

Номер патента: WO2024124771A1. Автор: Jie Yang,Xinyu Zhang,Menglei Xu,Yuanfang Zhang. Владелец: Jinko Solar Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-06-20.

Monodisperse granular film, method for forming the monodisperse granular film, solar cell, method for preparing the solar cell, and photovoltaic module

Номер патента: EP4409643A1. Автор: Jie Yang,Xinyu Zhang,Menglei Xu,Yuanfang Zhang. Владелец: Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

MOSFET with both elevated source-drain and metal gate and fabricating method

Номер патента: US20020066913A1. Автор: Horng-Huei Tseng. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-06-06.

Integrated circuit structures with spin torque transfer magnetic random access memory and methods for fabricating the same

Номер патента: US09673388B2. Автор: Eng Huat Toh,Elgin Kiok Boone Quek,Xuan Anh TRAN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Method for forming capacitor opening hole, and method for forming memory capacitor

Номер патента: EP4002504A1. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-05-25.

Semiconductor die including diffusion barrier layers embedding bonding pads and methods of forming the same

Номер патента: US20210375790A1. Автор: Noriaki Oda,Teruo OKINA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-12-02.

Method for Producing Optoelectronic Semiconductor Chips, and Optoelectronic Semiconductor Chip

Номер патента: US20220384680A1. Автор: Petrus Sundgren,Ines Pietzonka,Felix FEIX. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2022-12-01.

Multi-layer thermoelectric module and method for fabricating the same

Номер патента: US20140305483A1. Автор: Tung-Han Chuang,Jing-Yi Huang,Huey-Lin Hsieh,Jenn-Dong Hwang,Chao-Chi Jain. Владелец: China Steel Corp. Дата публикации: 2014-10-16.

Semiconductors structure having an RRAM structure and method for forming the same

Номер патента: US09997567B1. Автор: Yu-Hsuan Lin,Chao-I Wu,Dai-Ying LEE. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Methods for manufacturing magnetic memory devices

Номер патента: US09954164B2. Автор: Yoonjong Song,Daeeun JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Method and system for providing a magnetic junction usable in spin transfer torque applications and including a magnetic barrier layer

Номер патента: US09917249B2. Автор: Dmytro Apalkov,Mohamad Towfik Krounbi,Xueti Tang,Gen Feng. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-13.

Method for fabricating MRAM bits on a tight pitch

Номер патента: US09755141B2. Автор: Jordan A. Katine. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Method for manufacturing display element, display element, and display device

Номер патента: US09640718B2. Автор: Hajime Yamaguchi,Tomomasa Ueda,Kentaro Miura,Shintaro Nakano,Tatsunori Sakano,Nobuyoshi Saito,Yuya MAEDA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Magnesium oxide capping with a shorted path for perpendicular magnetic tunnel junction devices and method for fabrication

Номер патента: US09444035B2. Автор: Xiaochun Zhu,Seung Hyuk KANG,Chando Park,Kangho Lee,Matthias Georg GOTTWALD,Jimmy Kan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210305316A1. Автор: Yu-Ping Wang,Rai-Min Huang,Jia-Rong Wu,Ya-Huei Tsai,I-Fan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Electronic device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200098984A1. Автор: Jae-Hong Kim,Bo-Mi Lee,Min-Suk Lee,Ki-Seon Park,Won-Joon Choi,Cha-deok Dong,Guk-Cheon Kim,Yang-Kon KIM,Jae-Heon KIM,Chan-Sik Park,Jong-koo Lim,Seung-Mo Noh,Choi-Dong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-03-26.

Method for processing capacitive structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220238638A1. Автор: Ang LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Semiconductor structure with modified spacer and method for forming the same

Номер патента: US20230187535A1. Автор: Cheng-Chung Chang,Kuo-Feng Yu,Shu-Han Chen,Hsiu-Hao Tsao,Ming-Chang Wen,Chang-Jhih Syu,Yu-Jiun PENG,Hsuan-Chih Wu,Min-Chia Lee,Kai-Min Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Optoelectronic Semiconductor Component, and Method for Producing an Optoelectronic Semiconductor Component

Номер патента: US20210050484A1. Автор: Markus Bröll,Brendan Holland. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-02-18.

Method for producing the P-N junction of a thin-film photovoltaic cell and corresponding method for producing a photovoltaic cell

Номер патента: US09640687B2. Автор: Simon Perraud,Louis Grenet,Giovanni Altamura,Frederic Roux. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-05-02.

Mechanisms for forming backside illuminated image sensor device structure

Номер патента: US09620551B2. Автор: Yu-Hsiang Tsai,Chia-Wei Liu,Chung-Chuan Tseng,Li-Hsin CHU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Method for producing a photovoltaic cell having a heterojunction, and resulting photovoltaic cell

Номер патента: US09478686B2. Автор: Nathalie Nguyen,Maria-Delfina Munoz,Anne-Sophie Ozanne. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-10-25.

Method for edge sealing barrier films

Номер патента: EP2373487A1. Автор: Paul E. Burrows,Xi Chu,Peter M. Martin,Wendy D. Bennett,Gordon L. Graff,Mark E. Gross,Eric S. Mast,Charles C. Bonham,Martin Philip Rosenblum. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-12.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: EP4355064A2. Автор: Yu-Ping Wang,Rai-Min Huang,Jia-Rong Wu,Ya-Huei Tsai,I-Fan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-17.

Radiation-Emitting Optoelectronic Semiconductor Component and Method for Producing the Same

Номер патента: US20180261735A1. Автор: Stefan Illek,Thomas Schwarz,Frank Singer,Britta Göötz,Michael ZIZLSPERGER. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-09-13.

Tape substrate and method for fabricating the same

Номер патента: US20050109631A1. Автор: Sang Lee,Soon Kwon,Yoon Cho,Ki Hong,Yang Moon. Владелец: LG Micron Ltd. Дата публикации: 2005-05-26.

Method for fabricating ferroelectric random access memory device with merged-top electrode-plateline capacitor

Номер патента: US20040266032A1. Автор: Sang-Hyun Oh,Jin-gu Kim,Suk-Kyoung Hong,Kye-Nam Lee,Jin-Yong Seong,Young-Ho Yang,Kyu-Hyun Bang,In-Woo Jang,Song-Hee Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-30.

Solar cell, method for preparing the same, and photovoltaic module

Номер патента: EP4411840A1. Автор: Ding Yu,HAO WANG,Xu Liu,Wenqi Li,Jiahao Wu. Владелец: Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: EP4355064A3. Автор: Yu-Ping Wang,Rai-Min Huang,Jia-Rong Wu,Ya-Huei Tsai,I-Fan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-17.

High electron mobility transistor, radio frequency transistor, power amplifier, and method for preparing high electron mobility transistor

Номер патента: EP4407688A1. Автор: Bin Hu,Min Zhu,Huantao DUAN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Image sensor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090166778A1. Автор: Sung-ho Jun. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-07-02.

Semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US20130248876A1. Автор: Masaya Okada,Makoto Kiyama,Seiji Yaegashi,Kazutaka Inoue,Mitsunori Yokoyama,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-09-26.

Solar cell and method for manufacturing solar cell, and photovoltaic module

Номер патента: US20240266447A1. Автор: Changming Liu. Владелец: Zhejiang Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Backsheet stack for a photovoltaic module, and a method for the production thereof

Номер патента: US20240162360A1. Автор: Marcel Kühne. Владелец: HANWHA Q CELLS GMBH. Дата публикации: 2024-05-16.

Magnetic tunnel junction stack and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230354718A1. Автор: Zhiqiang Wu,Nuo XU,Po-Sheng LU,Zhi-Ren Xiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Method for forming semiconductor structures and semiconductor structure

Номер патента: US12089400B2. Автор: Minki HONG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Solar cell, method for preparing the same, and photovoltaic module

Номер патента: AU2023248146A1. Автор: Ding Yu,HAO WANG,Xu Liu,Wenqi Li,Jiahao Wu. Владелец: Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

High electron mobility transistor, radio frequency transistor, power amplifier, and preparation method for high electron mobility transistor

Номер патента: US20240322029A1. Автор: Bin Hu,Min Zhu,Huantao DUAN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor power device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240304714A1. Автор: Yifeng Wu,Fanming ZENG. Владелец: Ganext Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Method for manufacturing image sensor structure having wide contact

Номер патента: US09978805B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Tzu-Hsuan Hsu,Yuichiro Yamashita,Tzu-Jui WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Device and methods for writing and erasing analog information in small memory units via voltage pulses

Номер патента: US09947379B1. Автор: Albert Alec Talin,Farid El Gabaly Marquez. Владелец: National Technology and Engineering Solutions of Sandia LLC. Дата публикации: 2018-04-17.

Electronic device and method for fabricating the same

Номер патента: US09871189B2. Автор: Seung-Mo Noh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor light emitting element and method for producing the same

Номер патента: US09837579B2. Автор: Masahiko Onishi,Shun KITAHAMA. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Electronic device and method for fabricating the same

Номер патента: US09722172B2. Автор: Bo-Mi Lee,Ki-Seon Park,Won-Joon Choi,Guk-Cheon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Multiple quantum well structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09640716B2. Автор: Chi-Feng Huang,Hsin-Chiao Fang,Chi-Hao Cheng. Владелец: GENESIS PHOTONICS INC. Дата публикации: 2017-05-02.

Structure and method for packaging organic optoelectronic device

Номер патента: US09530987B2. Автор: Tarng-Shiang Hu,Yi-Kai Wang,Chi-Jen Kao. Владелец: Wistron Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Solar cell apparatus and method for manufacturing the same

Номер патента: US09461187B2. Автор: Chin Woo Lim. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09455403B1. Автор: Erh-Kun Lai,Yu-Yu Lin,Feng-Min Lee,Dai-Ying LEE. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

A method for forming a semiconductor device

Номер патента: EP4391039A1. Автор: Shairfe Muhammad Salahuddin,Boon Teik CHAN,Hsiao-Hsuan Liu. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-26.

Microelectronic capacitor with barrier layer

Номер патента: US20030047770A1. Автор: Wong-Cheng Shih,Tai Wu,Chich Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-03-13.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240258394A1. Автор: Hsin-Che Chiang,Wei-Chih Kao,Jyun-Hong Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Methods for forming a memory cell having a top oxide spacer

Номер патента: US20120181601A1. Автор: Gang Xue,Kashmir Sahota,Chun Chen,Scott Bell,Wai Lo,Alexander Nickel,Shenqing Fang,Angela Hui. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-19.

Three-dimensional memory device with source contacts connected by an adhesion layer and methods for forming the same

Номер патента: US11758723B2. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Ping Yan,Zongliang Huo,Wenbin Zhou,Qingqing WANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Three-dimensional memory device having a shielding layer and method for forming the same

Номер патента: US11758729B2. Автор: Zhiliang Xia,Jun Chen,Zongliang Huo,Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Integrated circuits with magnetic tunnel junctions and methods for producing the same

Номер патента: US20170345999A1. Автор: Kangho Lee,Kazutaka Yamane,Seungmo Noh. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-11-30.

Solar cell and method for manufacturing a solar cell

Номер патента: EP4415058A1. Автор: Changming Liu. Владелец: Zhejiang Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-14.

Light emitting diode and method for manufacturing the same

Номер патента: EP2009707A3. Автор: Dae Sung Kal,Dae Won Kim,Duck Hwan Oh,Hwa Mok Kim. Владелец: Seoul Optodevice Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-25.

Method for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20230197831A1. Автор: Hans Mertens,Boon Teik CHAN,Eugenio Dentoni Litta. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-06-22.

Method for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20230197522A1. Автор: Naoto Horiguchi,Julien Ryckaert,Boon Teik CHAN,Anne Vandooren. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-06-22.

Method for forming semiconductor structure and method for forming memory using the same

Номер патента: US8383480B1. Автор: Chih-Hung Lin,Chih-Ming Wang,Ping-Chia Shih,Chi-Cheng Huang,Hsiang-Chen Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-02-26.

Methods for forming a memory cell having a top oxide spacer

Номер патента: US20110233647A1. Автор: Gang Xue,Kashmir Sahota,Chun Chen,Scott Bell,Wai Lo,Alexander Nickel,Shenqing Fang,Angela Hui. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2011-09-29.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230123764A1. Автор: Zhiqiang Wu,Yuan Hao Chang,Nuo XU,Po-Sheng LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Method for manufacturing ultrathin organic light-emitting device

Номер патента: US20160172629A1. Автор: Joo Young Lee,Eun Ho Choi,Hyun Hee Lee. Владелец: Corning Precision Materials Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-16.

Semiconductor device having stacked capacitor and method for forming the same

Номер патента: US20240268094A1. Автор: Yen-Min RUAN. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Thin-film solar cell allowing for transparency and method for manufacturing same

Номер патента: US20240224552A1. Автор: Yongseok Jun,Chanyong Lee,Yoonmook KANG,Jongwon KO,Seungkyu KIM. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2024-07-04.

Optoelectronic device and method for manufacturing an optoelectronic device

Номер патента: WO2024184148A1. Автор: Bastian Galler,Xiaojun Chen,Jong Ho Na,Noor Afifa MOHD HANAFIAH,Azharul Ariff KAMARULZAMAN. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2024-09-12.

Method for forming a case for an electronic device and manufactured case structure for electronic device

Номер патента: US09799585B2. Автор: Yi-Lun Cheng,Chun-Lung Lin,Chih-Ming WENG. Владелец: Inventec Pudong Technology Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Fabrication of stable electrode/diffusion barrier layers for thermoelectric filled skutterudite devices

Номер патента: US09722164B2. Автор: Gang Chen,Zhifeng Ren,Qing JIE. Владелец: UNIVERSITY OF HOUSTON SYSTEM. Дата публикации: 2017-08-01.

Apparatus and method for forming organic thin film and manufacturing method of organic thin film device using the same

Номер патента: US09673395B2. Автор: Jin Hyoung Lee,Yong Sul Song,Geun Sik CHO,Il Soo MOON. Владелец: Amogreentech Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Method for manufacturing ultrathin organic light-emitting device

Номер патента: US09570709B2. Автор: Joo Young Lee,Eun Ho Choi,Hyun Hee Lee. Владелец: Corning Precision Materials Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Light emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: US09478722B2. Автор: Hideki Shibata,Akihiro Kojima,Hideo Tamura,Masayuki Ishikawa,Yoshiaki Sugizaki,Tetsuro Komatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Method for forming conductive electrode patterns and method for manufacturing solar cells comprising the same

Номер патента: US09412524B2. Автор: Kyoung Jin Jeong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240222460A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

A unipolar semiconductor photodetector with suppressed dark current and method for producting the same

Номер патента: IL174844A0. Автор: . Владелец: Klipstein Philip Charles. Дата публикации: 2007-03-08.

Semiconductor devices and methods for forming the same

Номер патента: US20200194564A1. Автор: Chung-Yeh Lee,Sheng-Wei FU,Tsung-Yeh CHEN. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20230369448A1. Автор: Che-Hung Huang,Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Bo-rong CHEN,Shin-Chuan Huang,Chih-Tung Yeh,Chun-Liang Hou,Yi-Shan Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Tft array substrate and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150311233A1. Автор: Lung Pao Hsin,Tianwang HUANG. Владелец: EverDisplay Optronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

Mos transistor structure with in-situ doped source and drain and method for forming the same

Номер патента: US20120032231A1. Автор: Lei Guo,Jing Wang,Jun Xu. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-02-09.

Method for Forming Backside Illumination CMOS Image Sensor

Номер патента: US20230290805A1. Автор: Han Wang,XIAO FAN,Guanglong Chen. Владелец: Hua Hong Semiconductor Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Ferroelectric field-effect transistor and a method for forming the same

Номер патента: WO2024177575A1. Автор: Kah-Wee Ang,Heng XIANG,Yu-Chieh CHIEN,Lingqi LI. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for forming high-k charge storage device

Номер патента: SG144931A1. Автор: HSIA Liang Choo,Sohn Dong Kyun,Ang Chew Hoe. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-08-28.

Monodisperse granular film, method for forming the monodisperse granular film, solar cell, method for preparing the solar cell, and photovoltaic module

Номер патента: US20240192603A1. Автор: Jie Yang,Xinyu Zhang,Menglei Xu,Yuanfang Zhang. Владелец: Jinko Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Method and structure for forming a vertical field-effect transistor

Номер патента: US20190371920A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-05.

Method for forming Schottky Diodes and Ohmic Contacts in the Same Integrated Circuit

Номер патента: US20070281451A1. Автор: Schyi-Yi Wu. Владелец: Micrel Inc. Дата публикации: 2007-12-06.

Method for forming Zener Zap Diodes and Ohmic Contacts in the Same Integrated Circuit

Номер патента: US20090093116A1. Автор: Schyi-Yi Wu. Владелец: Micrel Inc. Дата публикации: 2009-04-09.

Method for forming capacitor of a dram having a wall protection structure

Номер патента: US20020110980A1. Автор: Ching-ming Lee,Kuo-Yuh Yang,Yu-Ju Yang,Yu-Hong Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-15.

Method for producing at least one photovoltaic cell for converting electromagnetic radiation into electrical energy

Номер патента: US20240282872A1. Автор: Henning Helmers,Oliver Höhn,David Lackner,Felix Predan. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device structure with contact structure and method for forming the same

Номер патента: US20240313065A1. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Chun-Yuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US09960167B1. Автор: Yu-Chieh Lin,Li-Wei Feng,Ying-Chiao Wang,Chien-Ting Ho. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Barrier layer above anti-punch through (APT) implant region to improve mobility of channel region of fin field effect transistor (FinFET) device structure

Номер патента: US09953836B2. Автор: Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Hsueh-Chang Sung,Tsung-Yao Wen,Ya-Yun Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

LTPS array substrate and method for producing the same

Номер патента: US09893097B2. Автор: Peng Du,Cong Wang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Electronic device and method for fabricating the same

Номер патента: US09865806B2. Автор: Jae-Hong Kim,Bo-Mi Lee,Min-Suk Lee,Ki-Seon Park,Won-Joon Choi,Cha-deok Dong,Guk-Cheon Kim,Yang-Kon KIM,Jae-Heon KIM,Chan-Sik Park,Jong-koo Lim,Seung-Mo Noh,Jeong-myeong Kim,Choi-Dong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Electronic device and method for fabricating the same

Номер патента: US09865803B2. Автор: Seung-Mo Noh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor devices and methods for forming patterned radiation blocking on a semiconductor device

Номер патента: US09741762B2. Автор: Swarnal Borthakur,Marc Sulfridge. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Methods for forming electrically precise capacitors on insulative substrates, and structures formed therefrom

Номер патента: US09552924B2. Автор: JIANG LI,Erik Scher,Patrick Smith,Criswell Choi,Arvind Kamath. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2017-01-24.

Gallium nitride component, method for manufacturing gallium nitride component, and electronic device

Номер патента: US20240204094A1. Автор: Daisuke Ueda,Hui Sun,Gaofei TANG,Hanxing WANG,Qilong Bao. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Methods for fabricating a capacitor

Номер патента: US20070243690A1. Автор: Lurng-Shehng Lee,Pei-Jer Tzeng,Hengyuan Lee,Ching Chiun Wang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2007-10-18.

Electronic device and method for fabricating the same

Номер патента: US20180130512A1. Автор: Bo-Mi Lee,Won-Joon Choi,Guk-Cheon Kim,Yang-Kon KIM,Jong-koo Lim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-10.

Method for forming capacitor, capacitor and semiconductor device

Номер патента: US12041763B2. Автор: GuangSu SHAO,Xingsong SU,Mengkang YU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-07-16.

A unipolar semiconductor photodetector with suppressed dark current and method for producing the same

Номер патента: EP2002487A2. Автор: Philip Klipstein. Владелец: SEMI-CONDUCTOR DEVICES - AN ELBIT SYSTEMS - RAFAEL PARTNERSHIP. Дата публикации: 2008-12-17.

A unipolar semiconductor photodetector with suppressed dark current and method for producing the same

Номер патента: WO2007113821A3. Автор: Philip Klipstein. Владелец: SEMI CONDUCTOR DEVICES AN ELBI. Дата публикации: 2008-01-17.

Methods for fabricating a capacitor

Номер патента: US7405122B2. Автор: Lurng-Shehng Lee,Pei-Jer Tzeng,Hengyuan Lee,Ching Chiun Wang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2008-07-29.

Pixel, a Storage Capacitor, and a Method for Forming the Same

Номер патента: US20150056759A1. Автор: Yi-Sheng Cheng. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2015-02-26.

Transistor and method for forming the same

Номер патента: US8741708B2. Автор: Leo Liu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Corp. Дата публикации: 2014-06-03.

Quantum dot-based color-converted light-emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190081219A1. Автор: Chieh Chen. Владелец: Maven Optronics Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-14.

Interposer with built-in wiring for testing an embedded integrated passive device and methods for forming the same

Номер патента: US20240266266A1. Автор: Hsiang-Tai Lu,Kuan-Lung Wu,Kuo-Ching Hsu,Ya Huei Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for forming semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20230015279A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Weiping BAI. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-01-19.

A device and method for forming a contact to a top electrode in ferroelectric capacitor devices

Номер патента: WO2005031856A1. Автор: Haoren Zhuang,Ulrich Egger,Stefan Gernhardt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-04-07.

Mechanisms for forming metal-insulator-metal (mim) capacitor structure

Номер патента: US20160233158A1. Автор: Chia-Lun Hsu,Chi-Chung JEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-11.

Light emitting device, method for fabricating the same, and light emitting device package

Номер патента: US20120153256A1. Автор: Jong Hak Won. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-21.

Package structure with a barrier layer

Номер патента: US20240297138A1. Автор: Chen-Shien Chen,Chin-Yu Ku,Chun-Chen Liu,Cheng-Hung Chen,Te-Hsun Pang,Yu-Nu Hsu,Kuo-Chio Liu,Cheng-Nan Hsieh,Chien-Chen Li,Shih-Yen Chen,Heng-Chi Huang,Yuan-Feng WU,Sen-Chi CHIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20130320413A1. Автор: Wei Wang,Lei Guo,Jing Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-12-05.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US8546857B1. Автор: Wei Wang,Lei Guo,Jing Wang. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-10-01.

Semiconductor die including edge ring structures and methods for making the same

Номер патента: US20210313240A1. Автор: Michimoto Kaminaga,Takahiro Tanamachi,Shuya HATAO,Hidetoshi Nakamoto. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-10-07.

Radiation Detector and a Method for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20180315882A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Hacker. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-11-01.

Method for manufacturing magnetic memory device

Номер патента: US09991442B2. Автор: Jongchul Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Mechanisms for forming metal-insulator-metal (MIM) capacitor structure

Номер патента: US09960111B2. Автор: Chia-Lun Hsu,Chi-Chung JEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor light emitting element and method for manufacturing the same

Номер патента: US09865770B2. Автор: Shinji Saito,Shinya Nunoue,Rei Hashimoto,Jongil Hwang. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Electronic device and method for fabricating the same

Номер патента: US09865319B2. Автор: Bo-Mi Lee,Won-Joon Choi,Guk-Cheon Kim,Yang-Kon KIM,Jong-koo Lim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Method for forming nanowires including multiple integrated devices with alternate channel materials

Номер патента: US09831131B1. Автор: Ajey P. Jacob. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Method for forming a patterned layer

Номер патента: US09786504B1. Автор: Kuo-Yao Chou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Display device having MEMS transmissive light valve and method for forming the same

Номер патента: US09772489B2. Автор: Deming Tang,Jianhong Mao. Владелец: Shanghai Jadic Optoelectronics Technology Co ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09761690B2. Автор: Chun-Mao Chiou,Chia-Fu Hsu,Shih-Chieh Hsu,Lung-En Kuo,Jian-Cun KE,You-Di Jhang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Fin shape contacts and methods for forming fin shape contacts

Номер патента: US09728615B2. Автор: Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Dimension measurement apparatus calibration standard and method for forming the same

Номер патента: US09691587B2. Автор: Shiang-Bau Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device having buried gate structure, method for manufacturing the same, memory cell having the same, and electronic device having the same

Номер патента: US09589960B1. Автор: Kyung-Kyu Min. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Method for forming an inductor structure with magnetic material

Номер патента: US09570536B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Ming-Chyi Liu,Chung-Yen Chou,Yuan-Tai Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Method for manufacturing superconducting wire, and superconducting wire

Номер патента: US09558873B2. Автор: Shigeo Nagaya,Tomonori Watanabe,Akinobu Nakai,Naoji Kashima,Ryusuke Nakasaki. Владелец: Chubu Electric Power Co Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Capacitor and method for fabricating the same

Номер патента: US09530834B1. Автор: Zhibiao Zhou,Shao-Hui Wu,Chi-Fa Ku,Chen-Bin Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Ultra-thin lithium film laminate and method for preparing the same

Номер патента: US20240204262A1. Автор: Deyu KONG,Zhaoyong Sun,Qingna HUAN,Xiuna Han. Владелец: China Energy Lithium Co ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Insulation film and method for making insulation film

Номер патента: US09942989B2. Автор: Yong Liang,Hongchuan Liao,Tom Carlson,Chris BENSON. Владелец: ILLINOIS TOOL WORKS INC. Дата публикации: 2018-04-10.

Cable gland and methods for grounding a cable

Номер патента: US20200287367A1. Автор: Allen Todd Gibson. Владелец: Cape Industries LLC. Дата публикации: 2020-09-10.

A method for producing the fuel electrode side diffusion barrier layer of a metal-supported solid oxide fuel cell

Номер патента: KR101718979B1. Автор: 김도형,전재호,전중환,성병근,문지웅. Владелец: 재단법인 포항산업과학연구원. Дата публикации: 2017-04-05.

Method for manufacturing rechargeable battery

Номер патента: US20230178708A1. Автор: Hideki Hayashi,Hiroki Yamada,Masakazu Umehara,Naoya Kishimoto,Naomichi ISHIKAWA,Naoto Oshiro,Yuuki KUDOU. Владелец: Prime Planet Energy and Solutions Inc. Дата публикации: 2023-06-08.

Method for manufacturing rechargeable battery

Номер патента: US12002942B2. Автор: Hideki Hayashi,Hiroki Yamada,Masakazu Umehara,Naoya Kishimoto,Naomichi ISHIKAWA,Yuuki KUDOU,Naoto OOSHIRO. Владелец: Prime Planet Energy and Solutions Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

METHOD FOR MANUFACTURING CORROSION RESISTANT AND CONDUCTIVE NANO CARBON COATING LAYER AND FUEL CELL BIPOLAR PLATE THEREBY USING STAINLESS STEEL SUBSTRATE

Номер патента: US20140227631A1. Автор: Jun Youngha,Yoo Jaimoo,Yeo Kiho,Chul Shin Eui. Владелец: . Дата публикации: 2014-08-14.

Method for manufacturing pouch secondary battery with voluntary anti-corrosive layer and Pouch secondary battery thereof

Номер патента: KR101428002B1. Автор: 김보현,최승돈,이한호,김여진. Владелец: 주식회사 엘지화학. Дата публикации: 2014-08-08.

Method for producing base for metal masks, method for producing metal mask for vapor deposition, base for metal masks, and metal mask for vapor deposition

Номер патента: KR102509663B1. Автор: 레이지 데라다,나오코 미카미,마사시 구라타,기요아키 니시츠지,다이세이 후지토,다케히로 니시,스미카 다무라. Владелец: 도판 인사츠 가부시키가이샤. Дата публикации: 2023-03-14.

Method for correcting a portion of a material layer, material layer, and dynamoelectric machine

Номер патента: US20230268812A1. Автор: Rolf Vollmer,Carsten Schuh,Thomas Soller. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2023-08-24.

Method for preparing metal catalyst deposited with layer film by ald process and metal catalyst thereof

Номер патента: US20230405574A1. Автор: Sung Gap Im,Young Jin Cho,Myung Seok OH,Do Heung KIM,Wontae JANG,Keonwoo CHOI. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-12-21.

Multilayer electrode structure and method for forming

Номер патента: WO2001093296A1. Автор: Kishore K. Chakravorty,Christopher J. Spindt,Johan Knall,Matthew A. Bonn,Jueng Gil Lee. Владелец: Candescent Technologies Corporation. Дата публикации: 2001-12-06.

Pouch film for secondary battery with excellent room temperature and high temperature sealing strength, method for preparing the pouch film, secondary battery using the same and method for manufacturing the secondary battery

Номер патента: US20240222749A1. Автор: Hee Sik Han,Nok Jung Song,Huihun KIM,Jee Eun Jang. Владелец: Youlchon Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Cell pouch film having high rigidity, high formability and excellent insulation resistance properties and method for preparing the same, secondary battery using the cell pouch film and method for manufacturing the secondary battery

Номер патента: EP4391133A1. Автор: Hee Sik Han,Nok Jung Song,Jee Eun Jang. Владелец: Youlchon Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Cell pouch film having high rigidity, high formability and excellent insulation resistance properties and method for preparing the same, secondary battery using the cell pouch film and method for manufacturing the secondary battery

Номер патента: US20240213589A1. Автор: Hee Sik Han,Nok Jung Song,Jee Eun Jang. Владелец: Youlchon Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Cell pouch film maintaining or increasing high-temperature sealing strength, method for preparing the same, secondary battery using the cell pouch and method for manufacturing the secondary battery

Номер патента: US20240222756A1. Автор: Hee Sik Han,Nok Jung Song,Doohee LEE,Geon Ryong Kim,Jee Eun Jang,Yoohan KIM. Владелец: Youlchon Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Cell pouch film maintaining or increasing high-temperature sealing strength, method for preparing the same, secondary battery using the cell pouch and method for manufacturing the secondary battery

Номер патента: EP4407760A1. Автор: Hee Sik Han,Nok Jung Song,Doohee LEE,Geon Ryong Kim,Jee Eun Jang,Yoohan KIM. Владелец: Youlchon Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Pouch film for secondary battery with excellent room temperature and high temperature sealing strength characteristics in which tearing thickness ratio or tearing thickness difference is controlled, method for preparing the same, secondary battery using the same, and method for manufacturing the secondary battery

Номер патента: EP4393689A1. Автор: Hee Sik Han,Sung Chul Shin,Nok Jung Song,Doohee LEE,Moonkyu Song,Jee Eun Jang,Yoohan KIM. Владелец: Youlchon Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Method for manufacturing vertical cavity surface emitting laser device

Номер патента: US20240250502A1. Автор: Sae Kyoung Kang,Gyeong Cheol PARK. Владелец: Inoptix Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Outer package material for all-solid-state batteries, method for producing same and all-solid-state battery

Номер патента: EP4120415A1. Автор: Atsuko Takahagi,Miho Sasaki,Kazufumi Kodani,Ai OKANO. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2023-01-18.

Exterior material for electrical storage device, method for manufacturing said exterior material, and electrical storage device

Номер патента: US20230099270A1. Автор: Atsushi Nagai,Takayuki Komai,Tetsuya Ojiri,Toshiki KATOKU. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2023-03-30.

Method for manufacturing pouch case for secondary battery

Номер патента: EP4432430A1. Автор: Sang Hun Kim,Ji Young Hwang,Hyung Kyun YU,Yong Su Choi,Dae Woong Song. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Transceiver device and method for its manufacture

Номер патента: RU2770237C1. Автор: Владимир Денисович Бурцев,Дмитрий Сергеевич Филонов,Татьяна Сергеевна Вошева. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет)». Дата публикации: 2022-04-14.

Method for forming laminated resin film and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20110306185A1. Автор: Yukihiro Tsuji. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-12-15.

Adhesive film, method for manufacturing adhesive film, power storage device, and method for manufacturing power storage device

Номер патента: EP4415145A1. Автор: Takahiro Kato,Miho Sasaki. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2024-08-14.

Outer package material for power storage devices, method for producing same, and power storage device

Номер патента: US20240322307A1. Автор: Shinji Hayashi,Masayasu Yamazaki,Atsuko Takahagi,Takanori Yamashita,Daisuke Yasuda,Kenta Hiraki. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Electrode assembly, battery cell, battery, and manufacturing device and method for electrode assembly

Номер патента: US12107232B2. Автор: Kai Wu,Long Wang,Huihui Liu,Huan CHE,Zhonghong Li,Tuo ZHENG. Владелец: Contemporary Amperex Technology Hong Kong Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Spiral manufacturing method for twt retardation system

Номер патента: RU2722211C1. Автор: Павел Данилович Шалаев,Юрий Яковлевич Орлов,Андрей Борисович Данилов,Сергей Анатольевич Мельников. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Алмаз" (АО "НПП "Алмаз"). Дата публикации: 2020-05-28.

Method for increasing maximum modulation speed of a light emitting device, and light emitting device with increased maximum modulation speed and quantum well structure thereof

Номер патента: WO2006014308A1. Автор: YING-LAN Chang,Ashish Tandon,Michael R. T. Tan. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2006-02-09.

Method for forming positive electrode for thin film lithium-ion rechargeable battery, positive electrode for thin film lithium-ion rechargeable battery, and thin film lithium-ion rechargeable battery

Номер патента: US20170077493A1. Автор: Akiyoshi Suzuki,Shunsuke Sasaki,Masaki Tsushima,Kazutoshi Takahashi,Takehito Jinbo. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2017-03-16.

Method for implementing an efficient and economical cathode process

Номер патента: WO2003030185A9. Автор: Kazuo Kikuchi,Jueng-gil Lee,Hidenori Kemmotsu,Matthew A Bonn. Владелец: Candescent Intellectual Prop. Дата публикации: 2003-12-11.

Method for implementing an efficient and economical cathode process

Номер патента: WO2003030185A1. Автор: Kazuo Kikuchi,Jueng-gil Lee,Hidenori Kemmotsu,Matthew A. Bonn. Владелец: Candescent Intellectual Property Services, Inc.. Дата публикации: 2003-04-10.

Method for forming ribs in a plasma display panel

Номер патента: US20020132550A1. Автор: Kuo-Pin Hsu. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2002-09-19.

Catalyst layer and manufacturing method thereof, membrane electrode assembly and manufacturing method thereof, and fuel cell using the same

Номер патента: US09837669B2. Автор: Mishra Mrinalini,Tsong-Pyng Perng,Tzu-Kang CHIN,Yi-Min CHI. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2017-12-05.

Composition for forming conductor layer, method of forming conductor layer, and method of fabricating circuit board

Номер патента: TW200902756A. Автор: Yasufumi Matsumura. Владелец: Nippon Steel Chemical Co. Дата публикации: 2009-01-16.

Method of forming conformal barrier layers for protection of thermoelectric materials

Номер патента: EP2643494A1. Автор: Charles A. Paulson. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2013-10-02.

Method of forming conformal barrier layers for protection of thermoelectric materials

Номер патента: WO2012071173A1. Автор: Charles A. Paulson. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2012-05-31.

Method for surface metallization of oscillator and metallized oscillator

Номер патента: EP4071281A1. Автор: Shuiping Liu,Chao Ma,Shengwei KONG,Chenzhao Zhang,Ruikang LIAO,Danli TANG. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2022-10-12.

Method for labeling items with labels comprising a clear face layer and a clear adhesive layer

Номер патента: US20180022966A1. Автор: Noel Mitchell,Tom Saxberg,Ismo Pietari,Kirit Naik,Patrick Goss. Владелец: UPM RAFLATAC OY. Дата публикации: 2018-01-25.

Process for forming tape media having synergistic magnetic recording layer and underlayer

Номер патента: US12014760B2. Автор: Richard Bradshaw. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Method for forming trans-perovskite solar cell electron transport layer and application thereof

Номер патента: CN112234147A. Автор: 邵君,于振瑞. Владелец: Wuxi Utmolight Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-15.

Method for packaging organic electroluminescent components with polymer passivation layer and structure thereof

Номер патента: US20040150332A1. Автор: Kuang-Jung Chen,Chin-Pei Hwang,Jui-Ming Ni,Hsueh-Wen Chen. Владелец: Windell Corp. Дата публикации: 2004-08-05.

SYSTEMS AND METHODS FOR PRODUCING OBJECTS INCORPORATING SELECTABLY ACTIVE ELECTROMAGNETIC ENERGY FILTERING LAYERS AND COATINGS

Номер патента: US20170336541A1. Автор: BOYD Clark D.,FACE Bradbury R.,SHEPARD Jeffrey D.. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-23.

Method for setting up path in communication network communicating through layers, and communication device thereof

Номер патента: CN100477628C. Автор: 宫部正刚. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-04-08.

Method for forming laminated structure of touch panel

Номер патента: US20200337155A1. Автор: Han Lung Tsai. Владелец: General Interface Solution Ltd. Дата публикации: 2020-10-22.

Method for destruction of metallic carbon nanotubes, method for production of aggregate of semiconducting carbon nanotubes, method for production of thin film of semiconducting carbon nanotubes, method for destruction of semiconducting carbon nanotubes, method for production of aggregate of metallic carbon nanotubes, method for production of thin film of metallic carbon nanotubes, method for production of electronic device, method for production of aggregate of carbon nanotubes, method for selective reaction of semiconducting carbon nanotubes

Номер патента: US7659139B2. Автор: Houjin Huang. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-02-09.

Method for fastening boards for external cladding and an assembly of glides and metal studs for embodying said method

Номер патента: WO1999061723A1. Автор: Lasse Johannes Rajala,Ari Jaakko Kalevi JÄRMÄLÄ,Merja Tellervo Kurppa,Markku Antero Pukkila. Владелец: Oy Minerit Ab. Дата публикации: 1999-12-02.

Method for passive sampling of aerosols in the surface air layer and a device for its implementation

Номер патента: RU2764084C1. Автор: Борис Денисович Белан,Александр Владиславович Фофонов,Михаил Пантелеймонович Тентюков,Егор Григорьевич Язиков,Виктор Сергеевич Бучельников,Денис Валентинович Симоненков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт оптики атмосферы им. В.Е. Зуева Сибирского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2022-01-13.

Method for manufacturing a multiple level liquid crystal display using alternating metal and metal oxide layers

Номер патента: US5414543A. Автор: Nobuyuki Yamamura,In-sik Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1995-05-09.

Vehicle pneumatic tyre comprising a sealant layer, and method for detecting a vehicle pneumatic tyre comprising a sealant layer and for recycling a vehicle pneumatic tyre comprising a sealant

Номер патента: US20230111041A1. Автор: Mikheil Doroshenko,Andreas Tyburski. Владелец: CONTINENTAL REIFEN DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2023-04-13.

metallic material with an applied bismuth film and method for its production, liquid for surface treatment used in the method, and metal material coated with cationic electrodeposition and method for its production

Номер патента: BRPI0912295A2. Автор: Hitoshi Ishii,Ryosuke Kawagoshi. Владелец: Nihon Parkerizing. Дата публикации: 2015-10-20.

Method for improving the barrier characteristics of ceramic barrier layers.

Номер патента: MX2007011281A. Автор: Manfred Hoffmann,Wolfgang Lohwasser. Владелец: Alcan Tech & Man Ltd. Дата публикации: 2007-11-12.

Magnetron sputtering scanning method for modifying silicon carbide optical reflector surface and improving surface profile

Номер патента: US20200270745A1. Автор: Meng HUANG,Jie TIAN,Jinfeng Wang,Yeru Wang. Владелец: Nanjing Institute Of Astronomical Optics Technology National Astorn. Дата публикации: 2020-08-27.

FLUORINATED ETHER COMPOSITION, METHOD FOR ITS PRODUCTION, COATING LIQUID, SUBSTRATE HAVING SURFACE-TREATED LAYER AND METHOD FOR ITS PRODUCTION

Номер патента: US20160264788A1. Автор: HOSHINO Taiki,MUROTANI Eisuke,ISOBE Akira. Владелец: Asahi Glass Company, Limited. Дата публикации: 2016-09-15.

Water-soluble metal-processing agent, coolant, method for preparation of the coolant, method for prevention of microbial deterioration of water-soluble metal-processing agent, and metal processing

Номер патента: EP2083064A1. Автор: Akio Saito,Toru Kadokawa. Владелец: Yushiro Chemical Industry Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12089508B2. Автор: Hung-Chan Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Printed wiring board and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160044780A1. Автор: Yasushi Inagaki,Kota Noda. Владелец: Ibiden Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-11.

Printed wiring board and method for manufacturing the same

Номер патента: US09538651B2. Автор: Yasushi Inagaki,Kota Noda. Владелец: Ibiden Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US12075707B2. Автор: Huan-Just Lin,kun-yi Li,Sin-Yi Yang,Chen-Jung Wang,Han-Ting Lin,Jiann-Horng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Photosensitive Element, Resin Composition For Forming Barrier Layer, Method For Forming Resist Pattern, And Method For Producing Printed Wiring Board

Номер патента: MY196431A. Автор: Ono Hiroshi,Matsumura Ryo,KUME Masakazu. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-10.

Method for creating a substrate for printed or coated functionality, substrate, functional device and its use

Номер патента: EP2392197A1. Автор: Petri Ihalainen,Roger BOLLSTRÖM,Martti Toivakka,Jouko Peltonen,Anni Määttänen. Владелец: Åbo Akademi University. Дата публикации: 2011-12-07.

Method for creating a substrate for printed or coated functionality, substrate, functional device and its use

Номер патента: WO2010086511A1. Автор: Petri Ihalainen,Roger BOLLSTRÖM,Martti Toivakka,Jouko Peltonen,Anni Määttänen. Владелец: Åbo Akademi University. Дата публикации: 2010-08-05.

Methods for HMDSO thermal stability

Номер патента: US12041840B2. Автор: Jrjyan Jerry Chen,Wen-Hao Wu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Methods for hmdso thermal stability

Номер патента: WO2020149898A1. Автор: Jrjyan Jerry Chen,Wen-Hao Wu. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2020-07-23.

Method for manufacturing organic semiconductor element

Номер патента: US20240188408A1. Автор: Shigeo Hara,Kosuke HIRONAKA. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-06-06.

Method for forming a plating layer and method for manufacturing a circuit board using the same

Номер патента: US20120031550A1. Автор: Kwang-ok Jeong,Jeong-Ho Moon,Hyo-Seung Nam,Won-gyu PARK. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-09.

Printed circuit board and method for manufacturing the same

Номер патента: US09572250B2. Автор: Sang Myung Lee,Sung Woon Yoon,Hyuk Soo Lee,Sung Won Lee,Ki Do Chun. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Method for fabricating touch panel, touch panel, and electronic device having the touch panel

Номер патента: US09461645B2. Автор: Jong-Mun Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Method for forming a synaptic memristor based on a nanocomposite of metal-nonstechometric oxide

Номер патента: RU2666165C1. Автор: Юрий Егорович Калинин,Александр Викторович Ситников,Павел Константинович Кашкаров,Андрей Вячеславович Емельянов,Владимир Васильевич Рыльков,Вячеслав Александрович Демин,Михаил Николаевич Копытин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2018-09-06.

Method for manufacturing buried word line transistor, transistor and memory

Номер патента: US12041764B2. Автор: Yuchen Wang,Nan DENG,Gongyi WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for forming a semiconductor device with a single-sided buried strap

Номер патента: US20080268590A1. Автор: Neng-Tai Shih,Ming-Cheng Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-10-30.

Phase change memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20100059731A1. Автор: Heon Yong Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-03-11.

Circuit board with a substrate made of silicon and the methods for forming the same

Номер патента: US20190191554A1. Автор: Wen Yao Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-06-20.

Method for manufacturing multi-layer circuit board capable of being applied with electrical testing

Номер патента: US20200128662A1. Автор: Shuo-Hsun Chang,Yu-Te Lu,Chao-Lung Wang,Chin-Kuan Liu,Chin-Hsi Chang. Владелец: Kinsus Interconnect Technology Corp. Дата публикации: 2020-04-23.

Mask ROM, method for fabricating the same, and method for coding the same

Номер патента: US20060194394A1. Автор: Heung Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-08-31.

Mask ROM, method for fabricating the same, and method for coding the same

Номер патента: US7645672B2. Автор: Heung Jin Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-12.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240381783A1. Автор: Zhiqiang Wu,Yuan Hao Chang,Nuo XU,Po-Sheng LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Method for forming bulk acoustic wave resonance device

Номер патента: EP4027516A1. Автор: YuHao LIU. Владелец: Changzhou Chemsemi Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-13.

Method for forming magnetic tunneling junction layer for magnetic random access memory

Номер патента: US6884731B2. Автор: Tae-Wan Kim,I-hun Song,Soon-won Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-04-26.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11765983B2. Автор: Yu-Chun Chen,I-Ming Tseng,Yi-Hui Lee,Chung-Liang Chu,Yi-An Shih,Ya-Sheng Feng,Chiu-Jung Chiu,Hsiu-Hao Hu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor structure including capacitor and method for forming the same

Номер патента: US12133373B2. Автор: Yu-Cheng Tung,Janbo Zhang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US12022739B2. Автор: Chih-Wei Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11991937B2. Автор: Hai-Dang Trinh,Fa-Shen JIANG,Hsing-Lien Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Method for forming a buried diffusion layer with reducing topography in a surface of a semiconductor substrate

Номер патента: US20060154441A1. Автор: Cheng-Ming Yih,Huei-Huarng Chen,Hsuan-Ling Kao. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-13.

Method for forming pattern on substrate structure without using mask layer and substrate structure

Номер патента: US20230199968A1. Автор: Tze-Yang Yeh,Shih-Hsi Tai,Tung-Ho Tao. Владелец: Amulaire Thermal Tech Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Method for forming circuit board stacked structure

Номер патента: US20190098746A1. Автор: Ra-Min Tain,Kai-Ming Yang,Chien-Tsai Li. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2019-03-28.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12063871B2. Автор: Yu-Chun Chen,I-Ming Tseng,Yi-Hui Lee,Chung-Liang Chu,Yi-An Shih,Ya-Sheng Feng,Chiu-Jung Chiu,Hsiu-Hao Hu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Method for forming cells array of mask read only memory

Номер патента: US20020136989A1. Автор: Chun-Jung Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-26.

Method for fabricating split gate flash memory device

Номер патента: US20050142698A1. Автор: Sang Hun Oh. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Method for fabricating split gate flash memory device

Номер патента: US7166511B2. Автор: Sang Hun Oh. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-23.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240315050A1. Автор: Che-Wei Chang,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Ching-Hua Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Mems resonator and processing method for mems resonator

Номер патента: EP4290771A1. Автор: WEN Chen,Guoqiang Wu,Zhihong FENG,Jinzhao HAN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240357943A1. Автор: Yu-Chun Chen,I-Ming Tseng,Yi-Hui Lee,Chung-Liang Chu,Yi-An Shih,Ya-Sheng Feng,Chiu-Jung Chiu,Hsiu-Hao Hu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Lubricant composition for forming hemimorphite-containing lubrication coating, method for forming said lubrication coating on surface of metal workpiece, and metal workpiece comprising said lubrication coating

Номер патента: EP4101920A4. Автор: Tetsuya Tsukamoto. Владелец: O&k Co. Дата публикации: 2024-02-21.

Method for selecting an interlayer for vibroacoustic damping, interlayer and glazing unit comprising such an interlayer

Номер патента: US09733173B2. Автор: David Fournier,Marc Rehfeld. Владелец: Saint Gobain Glass France SAS. Дата публикации: 2017-08-15.

Preparation method for multilayer ceramic membrane having oxide thin layer, and application

Номер патента: EP4393898A1. Автор: Heqing Jiang,Guanghu HE. Владелец: Qingdao Institute of Bioenergy and Bioprocess Technology of CAS. Дата публикации: 2024-07-03.

Method for manufacturing objects comprising beryllium

Номер патента: US20240101439A1. Автор: Andrew RUZEK. Владелец: Materion Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Method for preparing nano-zirconium/hafnium oxide and metal nanoparticles

Номер патента: EP4357303A1. Автор: Yanjun Li,Yuanyun ZHAO. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-04-24.

A coating composition, a method for coating a substrate, a coated substrate, a packaging material and a liquid package

Номер патента: CA2850269A1. Автор: Anders Karlsson,Johan Larsson. Владелец: BILLERUDKORSNAS SKOG & INDUSTRI AB. Дата публикации: 2013-05-10.

A coating composition, a method for coating a substrate, a coated substrate, a packaging material and a liquid package

Номер патента: CA2850267C. Автор: Anders Karlsson,Johan Larsson. Владелец: BILLERUDKORSNAS SKOG & INDUSTRI AB. Дата публикации: 2020-06-30.

Method for manufacturing objects comprising beryllium

Номер патента: WO2024064864A1. Автор: Andrew RUZEK. Владелец: MATERION CORPORATION. Дата публикации: 2024-03-28.

Method for preparing talcose compositions comprising synthetic mineral particles containing silicon, germanium and metal

Номер патента: CN101489933B. Автор: F·马丁,J·费雷,C·莱布尔,S·珀蒂,O·格罗比,J-P·博尼诺,D·阿瑟盖,A·德卡雷奥,E·费拉热. Владелец: Luzenac Europe SAS. Дата публикации: 2011-08-24.

Apparatus and method for producing a strip by means of a rapid solidification technique, and metal strip

Номер патента: CN113275525A. Автор: 海尔·罗伯特·舒尔茨. Владелец: Vacuumschmelze GmbH and Co KG. Дата публикации: 2021-08-20.

Method for preparing 5-substituted 4,4-difluoro-3,5-dihydrocarboxylic acid and metal salts thereof

Номер патента: CN104262248A. Автор: 张恒,方超,殷燕,吴范宏,赵兆,开振鹏,李媛媚,崔佳鑫. Владелец: Shanghai Institute of Technology. Дата публикации: 2015-01-07.

Method for preparing talcose compositions comprising synthetic mineral particles containing silicon, germanium and metal

Номер патента: US20090261294A1. Автор: Francois Martin,Eric Ferrage,Jocelyne Ferret,Cedric Lebre,Sabine Petit,Olivier Grauby,Didier Arseguel,Alain Decarreau,Jean-Pierre Bonino. Владелец: Luzenac Europe SAS. Дата публикации: 2009-10-22.

Method for producing a molded body having a barrier layer from a biodegradable material and the molded body

Номер патента: JPH11512467A. Автор: ゲルハルト バール、アンドレアス,ゲベル、ヴォルフガング,イムホフ、ウテ,ミハリク、ハネローレ. Владелец: エフファウペー フォルムフェアパクング ゲーエムベーハー. Дата публикации: 1999-10-26.

Method for treating aqueous solution of 3-hydroxypropanal mixture containing carboxylic acid and metal cation and application thereof

Номер патента: CN109651084B. Автор: 崔伟,王培新,李俊岭,王梅桃,吴良泉,焦国柱. Владелец: Shanghai Huayi Energy Chemical Co ltd. Дата публикации: 2022-06-21.

Method for preparing talcose compositions comprising synthetic mineral particles containing silicon, germanium and metal

Номер патента: EP2041028B1. Автор: Francois Martin,Eric Ferrage,Jocelyne Ferret,Cedric Lebre,Sabine Petit,Olivier Grauby,Didier Arseguel,Alain Decarreau,Jean-Pierre Bonino. Владелец: Imerys Talc Europe. Дата публикации: 2014-09-03.

Analyte sensing layers, analyte sensors and methods for fabricating the same

Номер патента: US11021731B2. Автор: Kelly Lu. Владелец: Medtronic Minimed Inc. Дата публикации: 2021-06-01.

Specialized layers and apparatus for passive dewatering, moisture removal, water separation, water vaporization, and water and/or waste treatment

Номер патента: AU2022234954A1. Автор: Michael Martin,Amit Gandhi,Huda ELASAAD,Yashik Chandrashekar GABBALADKA,Ujjawal Yeshpal GAUTAM,Ricci LACENTRA,Andrew OLLERHEAD,James Spence,Hayley Walker,Diana YOUSEF-MARTINEK. Владелец: Change Water Labs Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Specialized layers and apparatus for passive dewatering, moisture removal, water separation, water vaporization, and water and/or waste treatment

Номер патента: US20240158264A1. Автор: Michael Martin,Amit Gandhi,Huda ELASAAD,Yashik Chandrashekar GABBALADKA,Ujjawal Yeshpal GAUTAM,Ricci LACENTRA,Andrew OLLERHEAD,James Spence,Hayley Walker,Diana YOUSEF-MARTINEK. Владелец: Change Water Labs Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Solvent-free base and method for producing the same

Номер патента: WO2024052231A1. Автор: Bin Sun,Zhong Kai ZHANG,Dong Liang Wang,Chun Yi Chen,Hang Yu XU. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2024-03-14.

A sealing element with improved adhesion to concrete and method for producing thereof

Номер патента: EP4355814A1. Автор: Matthias GÖSSI,Christoph FÄH,Roy Z'ROTZ,Roman DA RIN,Roger Kathriner,Mattia BULLONI,Carl KNIGHT. Владелец: SIKA TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2024-04-24.

PROCESS FOR FORMING TAPE MEDIA HAVING SYNERGISTIC MAGNETIC RECORDING LAYER AND UNDERLAYER

Номер патента: US20210056995A1. Автор: Bradshaw Richard. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-25.

Paek powder, particularly for use in a method for the production of a three-dimensional object in layers, and method for the production thereof

Номер патента: CN101679646B. Автор: A·菲斯特,F·米勒,M·李特勒. Владелец: EOS GmbH. Дата публикации: 2012-08-29.

Method for producing ink for pad printing on ceramic coating layer, and pad printing ink produced by method

Номер патента: WO2018093025A1. Автор: 박현관. Владелец: (주)삼광기업. Дата публикации: 2018-05-24.

Coating film for structure, set of coating materials for forming coating film, coating material for undercoat layer, and coating method

Номер патента: CA3037466A1. Автор: Naoki Kurata,Satoru Suzuki,Tomoya Ogawa,Tomonari Naito,Kohei Nagao,Satomi Yoshie. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

Method for producing a vehicle component having a plurality of layers and device for applying a hotmelt adhesive

Номер патента: DE102011085412B4. Автор: Ernst Thalhammer,Robert Magunia. Владелец: Lisa Draexlmaier GmbH. Дата публикации: 2017-12-21.

Acrylic pressure-sensitive adhesive composition, pressure-sensitive adhesive layer and method for producing same, polarizing film with pressure-sensitive adhesive layer, and image display device

Номер патента: CN113773757A. Автор: 形见普史,保井淳,山本真也. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2021-12-10.

Acrylic pressure-sensitive adhesive composition, pressure-sensitive adhesive layer and method for producing same, polarizing film with pressure-sensitive adhesive layer, and image display device

Номер патента: CN115058200A. Автор: 形见普史,保井淳,山本真也. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2022-09-16.

Sintered metal powder based porous transport layer for improving gas-liquid transport in polymer electrolyte membrane water electrolysis cells, method for manufacturing the sintered metal powder based porous transport layer, and water electrolysis device including the sintered metal powder based porous transport layer

Номер патента: KR20230116285A. Автор: 김상경,이재훈,최승욱,이창수,조원철,김민중,조현석,권지희,이세찬. Владелец: 한국에너지기술연구원. Дата публикации: 2023-08-04.

METHOD FOR LABELING ITEMS WITH LABELS COMPRISING A CLEAR FACE LAYER AND A CLEAR ADHESIVE LAYER

Номер патента: US20180022966A1. Автор: Naik Kirit,Goss Patrick,Saxberg Tom,Mitchell Noel,Pietari Ismo. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-25.

Method for Laminating an Interference Coating Comprising an Organic/Inorganic Layer, and Item Thus Obtained

Номер патента: US20180231691A1. Автор: SCHERER Karin,LECHAT Céline. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-16.

METHOD FOR PREPARING LIQUID CRYSTAL ALIGNMENT LAYER, LIQUID CRYSTAL ALIGNMENT LAYER, AND DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20170371210A1. Автор: IM Yun Sik,Wang Qiangtao. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-28.

METHOD FOR PROTECTING A DOCUMENT, PROTECTIVE DEVICE COMPRISING AN ADHESIVE LAYER AND DOCUMENT

Номер патента: FR3045646A1. Автор: Eric Philippe,Laurence Bes. Владелец: Fasver SAS. Дата публикации: 2017-06-23.

Method for reducing the resistivity of the corrosion-induced oxide layer, and applications

Номер патента: CA2305649A1. Автор: Jörg WIND,Felix Nitschke. Владелец: Felix Nitschke. Дата публикации: 1999-03-11.

Method for producing an elastomer floor covering having a decorative layer and an elastomer floor covering with a decorative layer

Номер патента: WO2014166597A1. Автор: Dieter Rischer,Mario Kröger. Владелец: NORA SYSTEMS GMBH. Дата публикации: 2014-10-16.

Adhesive layer, method for producing same, adhesive sheet, optical film with adhesive layer, and image display device

Номер патента: JP2023059986A. Автор: Takahiro Nonaka,崇弘 野中,普史 形見,Fushi Katami. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2023-04-27.

Method for reducing the resistivity of the corrosion-induced oxide layer, and applications

Номер патента: WO1999011828A1. Автор: Jörg WIND,Felix Nitschke. Владелец: Mtu Motoren- Und Turbinen-Union Friedrichshafen Gmbh. Дата публикации: 1999-03-11.

METHOD FOR PROTECTING A DOCUMENT, PROTECTIVE DEVICE COMPRISING AN ADHESIVE LAYER AND DOCUMENT

Номер патента: FR3045646B1. Автор: Eric Philippe,Laurence Bes. Владелец: Fasver SAS. Дата публикации: 2018-01-05.

Method for producing a metallic component with a hardened surface layer and component produced therefrom

Номер патента: DE102009025621B4. Автор: Manuel 70327 Michel,Silvia Dr. 89075 Tomaschko,Johannes M.Sc. 71032 Wied. Владелец: DAIMLER AG. Дата публикации: 2011-06-30.

Adhesive composition, method for producing same, adhesive sheet, polarizing plate with adhesive layer, and laminate

Номер патента: WO2017098870A1. Автор: 翔 黒澤,政一 清水. Владелец: 綜研化学株式会社. Дата публикации: 2017-06-15.

Method for forming an improved thermal barrier coating (TBC), thermal-barrier-coated article and method for the repair thereof

Номер патента: US09429035B2. Автор: Marco Rossi,Maurizio DELLA FEMINA,Raffaele CASILLO,Carlo SILVESTRO. Владелец: GE Avio SRL. Дата публикации: 2016-08-30.

Method for fusing polymer and metal surfaces, producing a combined structural material of multipurpose application

Номер патента: RU2758702C1. Автор: Николай Юрьевич Овчаренко. Владелец: Николай Юрьевич Овчаренко. Дата публикации: 2021-11-01.

Method for producing tool for machining, and tool for machining

Номер патента: US20170051391A1. Автор: Satoshi Hirota. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2017-02-23.

A method for manufacturing a barrier layer for a paper or paperboard based packaging laminate

Номер патента: WO2023166387A1. Автор: Kaj Backfolk,Isto Heiskanen,Tommi NORDSTRÖM,Raino KAUPPINEN. Владелец: STORA ENSO OYJ. Дата публикации: 2023-09-07.

Diffusion barrier and protective coating for turbine engine component and method for forming

Номер патента: EP1522608A3. Автор: Bangalore Aswatha Nagaraj,Mark Daniel Gorman,Ramgopal Darolia. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2006-06-21.

Method for preparing functionally graded thermal barrier coatings based on failure modes and the method of preparation

Номер патента: LU506144B1. Автор: Kun Liu,Xing Guo. Владелец: Univ Zhengzhou Light Ind. Дата публикации: 2024-07-22.

BARRIER LAYERS, INCLUDING Ni-CONTAINING TERNARY ALLOYS, COATED PRODUCTS, INCLUDING BARRIER LAYERS, AND METHODS FOR THEREOF MANUFACTURING

Номер патента: RU2573486C2. Автор: Мухаммад ИМРАН,Ричард БЛЭКЕР,Бернд ДИСТЕЛЬДОРФ,Маркус ФРЭНК. Владелец: Гардиан Индастриз Корп.. Дата публикации: 2016-01-20.

Method for providing a magnetic junction on a substrate and usable in a magnetic device

Номер патента: US09799382B2. Автор: Eugene Chen,Jangeun Lee,Xueti Tang,Dustin William Erickson. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Composite metal-diamond coating, method of its production, disperse system for deposition of composite metal-diamond coating and method for its production

Номер патента: RU2706931C1. Автор: Сергей Константинович Есаулов,Сергей Сергеевич Кукушкин,Геннадий Валентинович Светлов,Евгений Васильевич Рыжов. Владелец: Евгений Васильевич Рыжов. Дата публикации: 2019-11-21.

Method for producing metal catalyst having inorganic film deposited thereon by means of ald process, and metal catalyst having improved activity according thereto

Номер патента: EP4134163A1. Автор: Sung Gap Im,Eun Ji Woo,Young Jin Cho,Won Tae JANG,Do Heung KIM,Keon Woo CHOI. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-02-15.

Method for the plasma treatment of workpieces and workpiece with a gas barrier layer

Номер патента: US09688438B2. Автор: Sönke SIEBELS,Michael Herbort. Владелец: KHS CORPOPLAST GMBH. Дата публикации: 2017-06-27.

Device for forming a layer

Номер патента: US09631275B2. Автор: Dong Ryul Kim,Jang Yeon HWANG,Seong Hwan Lee. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Low emissivity coatings, glass surfaces including the same, and methods for making the same

Номер патента: NZ758846A. Автор: Randy Leland Stull,Henry Lynn Boyum. Владелец: Apogee Entpr Inc. Дата публикации: 2024-05-31.

METHOD FOR FORMING CVD-SiC LAYER AND CVD-SiC LAYER FORMED BY THE METHOD

Номер патента: WO2017070877A1. Автор: Song Zhang,Takashi Goto,Mingxu Han,Rong TU. Владелец: Wuhan University of Technology. Дата публикации: 2017-05-04.

Coating system and method for maintenance thereof

Номер патента: US20240286960A1. Автор: Thomas M. Mulcahy. Владелец: Rolls Royce PLC. Дата публикации: 2024-08-29.

Thick cubic boron nitride (CBN) layer and manufacturing process therefor

Номер патента: US09821435B2. Автор: Ajay P. Malshe,Wenping Jiang. Владелец: Nanomech Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Method for coating metal surfaces of substrates and objects coated according to said method

Номер патента: RU2669672C9. Автор: Мартин ДРОЛЛЬ,Оливер ЗЕЕВАЛЬД,Ларс ШАХТЗИК,Мануэль ТРАУТ,Михаэль ШВАМБ,Вера ЗОТКЕ,Алиаксандр ФРЕНКЕЛЬ,Рон АЙЛИНГХОФФ,Штефани ГЕРОЛЬД,Даниэль ВАССЕРФАЛЛЕН,Вольфганг БРЕМЗЕР,Евгения НИЗЕН. Владелец: Шеметалл Гмбх. Дата публикации: 2019-03-14.

Electrophotographic photosensitive member and method for producing electrophotographic photosensitive member

Номер патента: US20190369514A1. Автор: Atsushi Okuda,Hiroyuki Watanabe,Nobuhiro Nakamura,Haruki Mori,Tsutomu Nishida,Yuka Ishiduka,Kenichi Kaku,Koichi Nakata,Hideharu Shimozawa. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2019-12-05.

Surgical implant for repairing tissue or muscle wall defects, method for manufacture of raised areas in implant and method for production of implant

Номер патента: RU2670683C2. Автор: Йорг ПРИВЕ. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Медикал Гмбх. Дата публикации: 2018-10-24.

Method for stud welding and fastening metal decking to a structural frame and metal decking with beam locator openings and covers

Номер патента: US12023765B1. Автор: Gerald D. Martin. Владелец: New Rule Products Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Method for storing data to optical information carrier with recording layer and device which implements said method

Номер патента: RU2060563C1. Автор: Леопольдус Бакс Йоханнес. Владелец: Н.В.Филипс Глоэлампенфабрикен. Дата публикации: 1996-05-20.

Skin material, method for producing same, and interior material

Номер патента: US12128667B2. Автор: Kazuhiro Masumoto,Tsuyoshi Yamaguchi,Ryo YAMANE,Yusuke KAWATA,Yuji KAMIDE,Takumi Tsukamoto. Владелец: Toyota Boshoku Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Method for producing a micromachined layered device

Номер патента: WO2004092050A1. Автор: Edwin Jager,Magnus Krogh. Владелец: Micromuscle AB. Дата публикации: 2004-10-28.

Method for the productuion of a flexographic plate and flexographic plate obtained according to said method

Номер патента: US8196510B2. Автор: Gerard Rich,Jerzy Kuczynski. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-06-12.

Modular additive manufacturing system and related methods for continuous part production

Номер патента: US12030246B2. Автор: Samuel CÔTÉ. Владелец: 9328-8082 Quebec Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Method for making dental prosthetic device with oxygen barrier layer and visible light irradiation to cure polymer

Номер патента: US4615665A. Автор: Louis H. Tateosian,Shek C. Horne. Владелец: DENTSPLY INTERNATIONAL INC. Дата публикации: 1986-10-07.

Method for machining a metal-ceramic substrate, system for such a method and metal-ceramic substrates produced using such a method

Номер патента: US20240157482A1. Автор: Thomas Kohl,Bernhard Rettinger. Владелец: Rogers Germany GmbH. Дата публикации: 2024-05-16.

METHOD FOR PRODUCING SHEET MATERIAL CONTAINING AT LEAST ONE FIBROUS LAYER AND PROTECTIVE AND / OR DECORATIVE ELEMENTS

Номер патента: RU2008149604A. Автор: Сандрина ШАЛЕ,Роберт ЛЭНГЛИ,Сандрина ШАЛЕ (FR),Роберт ЛЭНГЛИ (GB). Владелец: Арджо Виггинс Файн Пейперс Лимитед (Gb). Дата публикации: 2010-06-27.

Method for Producing a Sealing Tape Roll

Номер патента: US20200047474A1. Автор: Martin Deiss. Владелец: ISO Chemie GmbH. Дата публикации: 2020-02-13.

A method for producing a microstructure of crystalline SiC

Номер патента: EP2258655B1. Автор: Christian Vieider,Adolf SCHÖNER. Владелец: Acreo AB. Дата публикации: 2012-04-25.

Method for making the metal part of a plastic-metal composite part and metal part produced by using the method

Номер патента: EP1658912B1. Автор: Klaus Giersdorf. Владелец: Rempel Stanztechnik & Co KG GmbH. Дата публикации: 2011-10-12.

Methods for transplanting heavy metals such as precious metals, for example gold, and metals for use in transplantation

Номер патента: JP2004530697A. Автор: ダンシャー，ゴーム. Владелец: ダンシャー，ゴーム. Дата публикации: 2004-10-07.

Method for producing metal-resin composite, support member used in the method, and metal-resin composite

Номер патента: CN114025932B. Автор: 小田崇,小山将树. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-07.

Method for manufacturing metallic substrate having metal foam layer on the surface and metallic substrate manufactured thereby

Номер патента: KR101689387B1. Автор: 장혜진,조현경,최혜림,이서연,최희만,윤현정,조미정. Владелец: 주식회사 셀모티브. Дата публикации: 2016-12-23.

Method for producing metal-resin composite, support member used in the method, and metal-resin composite

Номер патента: CN114025932A. Автор: 小田崇,小山将树. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-08.

METHOD FOR MANUFACTURING EXOTHERMIC SLEEVES AND CASTING OF METALLIC PARTS, AND SLEEVES AND METAL PIECES THUS OBTAINED

Номер патента: FR2746332A1. Автор: Paulo Roberto Menon. Владелец: Ashland Inc. Дата публикации: 1997-09-26.

METHOD FOR MANUFACTURING EXOTHERMIC SLEEVES AND CASTING OF METAL PARTS, AND SLEEVES AND METAL PARTS OBTAINED THEREBY.

Номер патента: BE1010959A3. Автор: Paulo Roberto Menon. Владелец: Ashland Inc. Дата публикации: 1999-03-02.

Production method for the manufacturing of very thin gas barrier layers of thermoplastic polyethylene-vinylalcohol (EVOH) and product compositions derived from such layers

Номер патента: EP2479028A1. Автор: Rene Aerts,Bart René Jos van Edom. Владелец: Mondi Belcoat NV. Дата публикации: 2012-07-25.

Method for producing multi-layer insulating material with barrier layer

Номер патента: RU2745948C1. Автор: Леонид Андреевич Тарасов,Елена Александровна Штукина,Дмитрий Александрович Краев. Владелец: Акционерное общество "Казанский химический научно-исследовательский институт" (АО "КазХимНИИ"). Дата публикации: 2021-04-05.

Stamper for manufacturing optical recording medium, method for forming information recording area and light transmission layer, and optical recording medium

Номер патента: JP3833506B2. Автор: 壮 小巻,研二 山家,和樹 須澤. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2006-10-11.

Method for forming printed matter, peeling method of transfer layer, and thermal transfer printer

Номер патента: TWI685429B. Автор: 林賢三,與田晋也,岩崎悠紀,大村純平. Владелец: 日商大日本印刷股份有限公司. Дата публикации: 2020-02-21.

METHOD FOR MANUFACTURING MOLDED ARTICLE PROVIDED WITH GAS BARRIER LAYER

Номер патента: US20180085774A1. Автор: Kondo Takeshi,Suzuki Yuta,Naganawa Satoshi. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-29.

Method for injection molded component with fuel vapor barrier layer

Номер патента: US6702974B2. Автор: Brian W. Brandner,Paul Michael McDonald,Christopher K. Quick,Robert L. Walter. Владелец: Walbro Corp. Дата публикации: 2004-03-09.

Method for producing box-shaped molded article composed of composite of plastic and metal foil

Номер патента: JP2561546B2. Автор: 晃 四ッ辻. Владелец: KOOKI ENJINIARINGU JUGEN. Дата публикации: 1996-12-11.

Method for preparing high-corrosion-resistance aluminum powder by complexing natural polyphenol and metal ions

Номер патента: CN113523271A. Автор: 陈鹏,曹明,伍斌,苏丽芬,夏茹,钱家盛,苗继斌,郑争志,葛倩倩,徐美松. Владелец: ANHUI UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-10-22.

Method for producing a tubbing having a thermoplastic barrier layer

Номер патента: CN105074130A. Автор: M·德米格,C·费尔,M·林内布里克,J·冯洛策. Владелец: SIKA TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2015-11-18.

Method for manufacturing molded article provided with gas barrier layer

Номер патента: EP3275561A1. Автор: Takeshi Kondo,Yuta Suzuki,Satoshi Naganawa. Владелец: Lintec Corp. Дата публикации: 2018-01-31.

Apparatus and method for producing a strip by means of a rapid solidification technique, and metal strip

Номер патента: CN113275524A. Автор: 海尔·罗伯特·舒尔茨,海尔·托马斯·哈特曼. Владелец: Vacuumschmelze GmbH and Co KG. Дата публикации: 2021-08-20.

Method for the series production of punch rivet connections between frp workpieces and metal workpieces

Номер патента: EP3134218B1. Автор: Maximilian Wilhelm,Rainer Gschneidinger,Hans-Juergen Falkenberg. Владелец: Bayerische Motoren Werke AG. Дата публикации: 2018-10-17.

Device and method for determining presence and/or distribution of barrier layer contained in wall of tubular package

Номер патента: RU2586270C2. Автор: Леонард МЕДИКО. Владелец: Айзапак Холдинг С.А.. Дата публикации: 2016-06-10.

Dye transfer type thermal printing sheets and method for printing

Номер патента: US4777159A. Автор: Toshio Niwa,Yukichi Murata,Akihiro Imai,Nobuyoshi Taguchi. Владелец: Mitsubishi Kasei Corp. Дата публикации: 1988-10-11.

Method for producing a cryogenic treating effect of the cutaneous layer and assembly for implementing this method

Номер патента: FR2598077A1. Автор: Jean-Louis Gueret. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 1987-11-06.

Method for estimating depth based on deep learning using averaging layer and loss function and apparatus using the same

Номер патента: KR20220104531A. Автор: 조용주,서정일,석주명. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2022-07-26.

METHOD FOR MANUFACTURING SHEET MATERIAL COMPRISING AT LEAST ONE FIBROUS LAYER AND SECURITY AND / OR DECORATIVE ELEMENTS

Номер патента: FR2901286B1. Автор: Robert Langley,Sandrine Chalaye. Владелец: Arjo Wiggins Fine Papers Ltd. Дата публикации: 2011-08-19.

Method for co-forming an absorbent structure having a transfer layer and a reservoir layer and the resulting product thereof

Номер патента: CA2113722A1. Автор: Yvon Levesque,Patricia Ramacieri,Gaetan Chauvette. Владелец: Gaetan Chauvette. Дата публикации: 1993-02-04.

Device and method for monitoring frost heave of transmission tower foundation soil layer and tower attitude

Номер патента: CN116046080A. Автор: 高峰,刘云,郑宇�,王敏珍,刘彦德,袁志成,王涤非,王志钢,岳科宇,赵洪丹,李生洋. Владелец: Liaoyuan Power Supply Co Of State Grid Jilinsheng Electric Power Supply Co. Дата публикации: 2023-05-02.

Method for in-situ determining the compactness of grainy material layers and device for performing the process

Номер патента: IL207115A0. Автор: . Владелец: Subert Istvan. Дата публикации: 2010-12-30.

Liquid display panel and method for detecting potentials generated from ions of liquid crystal layer and alignment layer comprised therein

Номер патента: TW201612872A. Автор: Kei-Hsiung Yang,Hsu-Kuan Hsu. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2016-04-01.

Method for Producing an Elastomer Floor Covering Having a Decorative Layer and an Elastomer Floor Covering With a Decorative Layer

Номер патента: US20160297132A1. Автор: KROEGER Mario,Rischer Dieter. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-13.

Method for producing a moulded plastic cap with embedded functional layer and moulded plastic cap with embedded functional layer

Номер патента: WO2011033146A1. Автор: Ángel Atance Órden,Alain Veron. Владелец: Linear Overmoulding Applications, Sl. Дата публикации: 2011-03-24.

METHOD FOR PRODUCING BY BLOWING A PART COMPRISING A POROUS LAYER AND FINISHED PART

Номер патента: FR2829059A1. Автор: Jean Marie Houyoux,Yann Michel. Владелец: SAI Automotive Allibert Industrie SNC. Дата публикации: 2003-03-07.

Method for producing a component provided with a multipart cover layer and said component

Номер патента: WO2006100117A8. Автор: Andreas Meyer,Bernhard Baumann,Godefroy Beau,Claus Heinz,Thomas Neuhard,Sébastien BAUMONT,Andreas Gehring,Freddy Stoof. Владелец: Freddy Stoof. Дата публикации: 2007-05-24.

Method for one-step forming of coating floor concrete base layer and base layer structure

Номер патента: CN115012612A. Автор: 胡军,谢平,罗永明,汤健,邓龙,朱艺锋,李广平,黄华琴,李存良,彭长征,李靖滨,魏广全,杨智丞,唐佳意,邹先洪. Владелец: Second Engineering Co Ltd of China Railway Urban Construction Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-06.

Method for producing a fiber substrate by encapsulating the fiber layer and the substrate produced

Номер патента: KR100367881B1. Автор: 르노 쟝 레이몽 로제 뒤발,쟝-루이 모리스 뀔레리에르,쟝-빠스칼 삐로동. Владелец: 카르본 앵뒤스트리. Дата публикации: 2003-08-02.

Method for decoding an audio signal that has a base layer and an enhancement layer

Номер патента: US20110060596A1. Автор: Sven Kordon,Peter Jax. Владелец: THOMSON LICENSING. Дата публикации: 2011-03-10.

METHOD FOR MANUFACTURING A PANEL WITH AN ADAPTED ACOUSTIC RESISTIVE LAYER AND ACOUSTIC PANEL THUS OBTAINED

Номер патента: FR2821788A1. Автор: Alain Porte,Herve Batard. Владелец: EADS Astrium SAS. Дата публикации: 2002-09-13.

Coating composition for forming gas barrier layer, gas barrier film, and method for producing gas barrier film

Номер патента: US09540537B2. Автор: Kazuya Kimura,Kenichi Takahashi,Kazuyuki Hanada,Manabu Uruno. Владелец: Ukima Chemicals and Color Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Cutting device made from polycrystalline diamond and carbide and method for manufacture thereof

Номер патента: RU2668353C2. Автор: Цзе ЧЖЭН,Вэньтин Чэнь,Цюаньшэн Сун,Ань Чжэн. Владелец: Ухань Ритек Даймонд Ко., Лтд. Дата публикации: 2018-09-28.

Layered product, layered preform, method of manufacturing product from polyester plastic with barrier coating (versions), method for production of layered plastic container (versions), and method of manufacturing polyethyleneterephthalate plastic with barrier coating from terephthalic acid/isophthalic acid/diol copolymer

Номер патента: RU2200667C2. Автор: Джеральд А. ХАТЧИНСОН,Роберт А. ЛИ. Владелец: Эдвэнсид Плэстик Текнолоджис, Лтд.. Дата публикации: 2003-03-20.

Method for forming holes, metal product, and metal composite

Номер патента: US20220205127A1. Автор: Wen-Cheng Zhu,Xiao-Qing Fu,bo-ling Xu,Xiao-Jian Wang,Jian-Hui Peng. Владелец: Fulian Yuzhan Precision Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Methods for shaping high aspect ratio articles from metallic glass alloys using rapid capacitive discharge and metallic glass feedstock for use in such methods

Номер патента: US09845523B2. Автор: William L. Johnson,Marios D. Demetriou,Joseph P. Schramm,David S. Lee,Jong Hyun Na. Владелец: Glassimetal Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Optical film having high reliability and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220127526A1. Автор: Chun-Che Tsao,Te-Chao Liao,Ren-Yu Liao. Владелец: Nan Ya Plastics Corp. Дата публикации: 2022-04-28.

Treatment device, treatment method, method for manufacturing metal pipe material, and metal pipe material

Номер патента: US20230160050A1. Автор: Kimihiro Nogiwa,Akihiro Ide. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Method for preparing an electroplated product by depositing an underlayer, diffusion barrier layer and top layer on the surface of a substrate and such prepared electroplated product

Номер патента: WO2022101474A1. Автор: Coline Nelias,Stefano BEGLIOMINI. Владелец: COVENTYA S.P.A.. Дата публикации: 2022-05-19.

Treatment device, treatment method, method for manufacturing metal pipe material, and metal pipe material

Номер патента: EP4209615A1. Автор: Kimihiro Nogiwa,Akihiro Ide. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2023-07-12.

Method for preparing an electroplated product by depositing an underlayer, diffusion barrier layer and top layer on the surface of a substrate and such prepared electroplated product

Номер патента: EP4244409A1. Автор: Coline Nelias,Stefano BEGLIOMINI. Владелец: Coventya SpA. Дата публикации: 2023-09-20.

Silicon block, method for producing the same, crucible of transparent or opaque fused silica suited for performing the method, and method for the production thereof

Номер патента: US09828691B2. Автор: Gerd Fischer,Bernhard Freudenberg,Gerrit Scheich,Christian Schenk,Franziska Wolny,Nils-Christian Nielsen,Walter Lehmann,Kaspars Dadzis,Sandra Nadolny. Владелец: Heraeus Quarzglas GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-11-28.

Flexible medicinal container (versions), method of increasing its holding capacity, method for manufacturing the same and method of forming flexible container (versions)

Номер патента: RU2195253C2. Автор: Стивен Л. Смит,Уильям А. СПЕРКО,Роберт Е. ТЕРНЕР,Уильям Б. РЕЙ. Владелец: Б. Браун Медикал, Инк.. Дата публикации: 2002-12-27.

Composite for manufacturing barrier layer, barrier layer, method for manufacturing barrier layer, and packaging material

Номер патента: US20230357564A1. Автор: Wei He,Mengyao Li,Wenxiu Li,Zhangyan CHEN,Guocheng Han,Yanfei CHENG,Zhengyang MU. Владелец: Shenzhen Yuto Packaging Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Treatment device, treatment method, method for manufacturing metal pipe material, and metal pipe material

Номер патента: CA3189002A1. Автор: Kimihiro Nogiwa,Akihiro Ide. Владелец: Sumitomo Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

Magneto-optical thin film, optical isolator, and method for manufacturing magneto-optical thin film

Номер патента: EP4386473A1. Автор: Bin Zhang,Huajun Zhou,Rong Chen,Kun CAO,Haohua Li,Yingfei XIONG,Zerui Jin. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Methods for producing optical fiber preforms with low index trenches

Номер патента: US09873629B2. Автор: Pushkar Tandon,Ji Wang,Steven Bruce Dawes,Robert A Knowlton. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Method for production of protective coatings

Номер патента: RU2067533C1. Автор: А.К. Сытник. Владелец: Сытник Александр Константинович. Дата публикации: 1996-10-10.

Metal and methionine chelate and method for synthesis thereof

Номер патента: RU2748499C1. Автор: Чжун-У КИМ,Мин Кю КАН,Гёнхван КИМ,Иль Чуль КИМ,Чжуун ПАК,Ён Бом СО,Ин Сон ЛИ,Чжун Ён ЧОН,Чже-вон ХОН. Владелец: СиДжей ЧеилДжеданг Корпорейшн. Дата публикации: 2021-05-26.

Method for producing iron carbide nanopowder

Номер патента: RU2756555C1. Автор: Алексей Николаевич Жигач,Илья Овсеевич Лейпунский,Надежда Георгиевна Березкина,Михаил Леонидович Кусков,Елена Сергеевна Афанасенкова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Федеральный исследовательский центр химической физики им. Н.Н. Семенова Российской академии наук (ФИЦ ХФ РАН). Дата публикации: 2021-10-01.

Gas barrier adhesive sheet, method for producing same, electronic member, and optical member

Номер патента: US09580625B2. Автор: Koichi Nagamoto,Satoshi Naganawa,Emi FUCHI,Suguru Kenmochi. Владелец: Lintec Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Method for treatment of well with removal by means of material capable of decomposing

Номер патента: RU2640618C2. Автор: Кристофер Н. Фредд,Оскар Бустос,Карлос АБАД,Иянь ЧЕН,Гоке АДЕОГУН. Владелец: Шлюмбергер Текнолоджи Б.В.. Дата публикации: 2018-01-10.

Method for direct melting

Номер патента: RU2591929C2. Автор: Родни Джеймс ДРАЙ. Владелец: Текнолоджикал Ресорсиз Пти. Лимитед. Дата публикации: 2016-07-20.

Zeolite catalyst for propane dehydrogenation and method for producing propylene using this catalyst

Номер патента: RU2751703C1. Автор: Андрей Борисович Пономарев,Михаил Вячеславович Шостаковский,Андрей Валентинович Смирнов,Елена Витальевна Писаренко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт элементоорганических соединений им. А.Н. Несмеянова Российской академии наук (ИНЭОС РАН). Дата публикации: 2021-07-15.

Solventless method for forming a coating on a medical electrical lead body

Номер патента: EP2473211A1. Автор: James Q. Feng,Larry L. Hum,Tolga Tas,Arienne P. Simon. Владелец: Cardiac Pacemakers Inc. Дата публикации: 2012-07-11.

Modified sodium bentonite clays for barrier layer applications

Номер патента: US20190039950A1. Автор: Preston Andrew May,Ryan Patrick COLLINS. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2019-02-07.

Method for bonding polymer film and polymer film, method for bonding polymer film and inorganic material substrate, polymer film laminate, and laminate of polymer film and inorganic material substrate

Номер патента: US09962908B2. Автор: Yoshiie Matsumoto,Tadatomo Suga. Владелец: Lan Technical Service Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Method for obtaining endofullerenes of 3d metals

Номер патента: RU2664133C1. Автор: Виктор Петрович Седов,Алина Александровна Сжогина,Василий Тимофеевич Лебедев,Марина Вадимовна Суясова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова" (ФГБУ "ПИЯФ"). Дата публикации: 2018-08-15.

Method for forming precise porous metal structure by selective laser melting

Номер патента: US20210060646A1. Автор: Liping Wu,Shanfang ZOU,Ruicheng LIU,Zhixiao ZHANG,Anqi JIANG. Владелец: Chengdu Tianqi Additive Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Method for producing gas barrier paper packaging material and gas barrier paper packaging material

Номер патента: US20240278547A1. Автор: Junichi Harada,Atsushi Fujita,Hiroki Tanaka,Kyohei Kobayashi,Genta Ito. Владелец: Sakata Inx Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for producing gas barrier paper packaging material, and gas barrier paper packaging material

Номер патента: EP4364941A1. Автор: Junichi Harada,Atsushi Fujita,Hiroki Tanaka,Kyohei Kobayashi,Genta Ito. Владелец: Sakata Inx Corp. Дата публикации: 2024-05-08.

Packaging laminated material, method for production thereof and packaging container produced from laminated packaging material

Номер патента: RU2693757C2. Автор: Йоаким БАЛОГХ,Нильс ТОФТ,Рольф Лассон. Владелец: ТЕТРА ЛАВАЛЬ ХОЛДИНГЗ ЭНД ФАЙНЭНС С.А.. Дата публикации: 2019-07-04.

Apparatus and method for manufacturing metal nanoparticle dispersion, method for manufacturing metal nanoparticle support, metal nanoparticle, metal nanoparticle dispersion, and metal nanoparticle support

Номер патента: US10710162B2. Автор: Atsushi Ogata,Hyun-Ha Kim,Yoshiyuki Teramoto,Akihiko Wakisaka. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2020-07-14.

A multi-layered pipe and a method for forming a multi-layered pipe

Номер патента: EP3463858A1. Автор: Yogesh Sheshrao Deshmukh,Marinus Peter Kremer,Marco GORIS,Johannes Akkerman. Владелец: Wavin BV. Дата публикации: 2019-04-10.

Fluid-filled bladder and method for forming the same

Номер патента: EP4344570A3. Автор: Dervin A. James,Taryn M. Hensley. Владелец: Nike Innovate CV USA. Дата публикации: 2024-07-10.

Apparatus and method for manufacturing of suction layer for prosthesis

Номер патента: RU2263489C2. Автор: Хильмар ЯНУССОН,Фрейгароур ТОРСТЕЙНССОН,Сигуроур А. АСГЕЙРССОН,Пальми ЭЙНАРССОН. Владелец: Оссур, Инк.. Дата публикации: 2005-11-10.

Method for transporting cryogenic liquids

Номер патента: RU2761148C1. Автор: Екатерина Денисовна Карякина,Алексей Викторович Шалыгин,Ильдар Айратович Шаммазов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Санкт-Петербургский горный университет». Дата публикации: 2021-12-06.

Method for manufacturing printed goods, device for the continuous production of printed goods and device for synthesized image formation

Номер патента: RU2747162C2. Автор: Аксель ЛУНДВАЛЛЬ. Владелец: Роллинг Оптикс Инновейшн АБ. Дата публикации: 2021-04-28.

Method for forming intrastomal pocket for keratoprosthesis implantation using femtosecond laser

Номер патента: RU2644850C1. Автор: Борис Эдуардович Малюгин,Андрей Владимирович Головин,Евгения Владимировна Ковшун,Анна Владимировна Энкина. Владелец: Федеральное государственное автономное учреждение "Межотраслевой научно-технический комплекс "Микрохирургия глаза" имени академика С.Н. Федорова" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2018-02-14.

Method and device for forming metal frames for reinforced concrete and metal frame formed therewith

Номер патента: EP1270110A3. Автор: Dante Bruno Priuli. Владелец: Schnell SpA. Дата публикации: 2004-01-02.

Method for measuring three-dimensional magnetic fields

Номер патента: US09983275B2. Автор: Sebastien Bandiera. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY SA. Дата публикации: 2018-05-29.

Method for producing a rotor wheel and a rotor

Номер патента: US09995154B2. Автор: Andreas Burghardt,Bernd Reinsch. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2018-06-12.

Multi-layer bottle and method for its formation

Номер патента: RU2764229C2. Автор: Вильхельмус Йоханнес Йосеф МАС,Петрус Ламбертус Вильхельмус ХЮРКМАНС,Арон С. ХАЛЕВА. Владелец: Диспенсинг Текнолоджиз Б. В.. Дата публикации: 2022-01-14.

Multi-layered body with first layer sensitive to laser radiation and second layer sensitive to laser radiation and method for forming multi-layer image in such a multi-layered body

Номер патента: RU2296378C2. Автор: Норберт ЛУТЦ,Герхард ЦИННЕР,Маттиас ШУМАХЕР,Ульрих КНААК,Дирк ФИШЕР,Норберт ЛУТЦ (DE),Герхард ЦИННЕР (DE),Маттиас ШУМАХЕР (DE),Ульрих КНААК (DE),Дирк ФИШЕР (DE). Владелец: Орга Системз Гмбх. Дата публикации: 2007-03-27.

Press plate, a system for compressing pressboard precursor and a method for compressing pressboard precursor

Номер патента: US20240173885A1. Автор: Lars Schmidt,Rebei Bel Fdhila,Ulf Sand. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Method for the preparation of optical waveguide devices and optical waveguide devices

Номер патента: US20040228595A1. Автор: Toshihiro Kuroda,Madoka Kondou. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2004-11-18.

Method for forming three-dimensional object

Номер патента: US20180147775A1. Автор: Hirofumi Hara,Masaya Nagahari. Владелец: MIMAKI ENGINEERING CO LTD. Дата публикации: 2018-05-31.

Method for producing gas barrier paper packaging material and gas barrier paper packaging material

Номер патента: CA3225025A1. Автор: Junichi Harada,Atsushi Fujita,Hiroki Tanaka,Kyohei Kobayashi,Genta Ito. Владелец: Sakata Inx Corp. Дата публикации: 2023-01-05.

Method for forming 8-shaped single-row nodal inter-intestinal suture

Номер патента: RU2750590C1. Автор: Сергей Александрович Быстров,Сергей Евгеньевич Каторкин,Олег Евгеньевич Лисин,Евгений Викторович Шестаков,Иван Сергеевич Андреев. Владелец: Сергей Александрович Быстров. Дата публикации: 2021-06-29.

Method for the production of metal powders by gas spraying and a plant for the production of metal powders in accordance with this method

Номер патента: RU2751161C2. Автор: Франческо МЕМОЛИ,Микела БОККАДОРО. Владелец: ТЕНОВА С.п.А.. Дата публикации: 2021-07-08.

Photocatalyst functional film and method for producing the same

Номер патента: US20170216818A1. Автор: Hyun-Jae Kim,Hye-Youn JANG,Seong-Moon Jung,Joo-Hwan Seo,Dong-Il Lee. Владелец: LG HAUSYS LTD. Дата публикации: 2017-08-03.

Method for forming pattern and method for fabricating LCD device using the same

Номер патента: US20070148603A1. Автор: Jae Oh,Hye Lee. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-28.

Smoke-permeable sausage skin based on cellulose hydrate comprising self-adhesive barrier layers on the outer surface thereof, and a method for producing the same

Номер патента: AU2003233337A1. Автор: Heinrich Henze-Wethkamp,Willi Neuschulz,Klaus Blumenberg. Владелец: CaseTech GmbH and Co KG. Дата публикации: 2003-12-19.

Method for producing an inkjet printhead element; and an inkjet printhead element

Номер патента: US20020100551A1. Автор: Kok Lim,Seng Go. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2002-08-01.

Method for surgical treatment of chronic pubic articulation ruptures in women with axial fixation of a metal fixing plate

Номер патента: RU2759343C1. Автор: Яго Гогиевич Гудушаури,Анатолий Федорович Лазарев,Вячеслав Валерьевич Коновалов,Евгений Игоревич Калинин,Эдуард Иванович Солод,Александр Сергеевич Раскидайло,Малхази Гурамович Какабадзе. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный медицинский исследовательский центр травматологии и ортопедии имени Н.Н. Приорова" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГБУ "НМИЦ ТО им. Н.Н. Приорова" Минздрава России). Дата публикации: 2021-11-12.

Method for producing liquid discharge apparatus, liquid discharge apparatus, and method for forming liquid repellent layer

Номер патента: US9340025B2. Автор: Tomoko Hibino,Katsumi Kakamu. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2016-05-17.

Method for manufacturing an inner liner for a storage tank

Номер патента: EP2002170A2. Автор: David Hill,James Edward Thompson,Saurin Mehta. Владелец: Inergy Automotive Systems Research SA. Дата публикации: 2008-12-17.

Multi-pass welding method, multi-pass butt welded joint, and lamination pattern calculation method for a multi-pass weld

Номер патента: US20240238889A1. Автор: Takashi Yashima. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for forming micro-electro-mechanical system (mems) structure

Номер патента: US20190315620A1. Автор: Kai-Fung Chang,Len-Yi Leu,Lien-Yao TSAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-10-17.

Evoh barrier layer for particulate coffee

Номер патента: AU2007203581A1. Автор: Leonard S. Scarola. Владелец: Kraft Foods Holdings Inc. Дата публикации: 2008-02-21.

Method for producing liquid discharge apparatus, liquid discharge apparatus, and method for forming liquid repellent layer

Номер патента: US20150273828A1. Автор: Tomoko Hibino,Katsumi Kakamu. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2015-10-01.

Anti-slipping structure for surface of article, article provided with coating film layer imparting anti-slipping effect, anti-slipping body, gloves, method for forming coating film layer, and method for manufacturing gloves

Номер патента: US20230337771A1. Автор: Hisaya Takahashi,Mai KOJIO,Kaori Shibata,Risa NAKAGAWA. Владелец: Towa Corp Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Method for producing a recyclable and easily tearable multi-layer plastic having a good barrier effect

Номер патента: US20240359443A1. Автор: Achim Grefenstein,Markus Kick,Thami LAMTIGUI. Владелец: Constantia Pirk GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-10-31.

Connection method for lined pipeline sections

Номер патента: RU2769328C1. Автор: Александр Сергеевич Митряшкин,Сергей Талгатович Талипов,Алексей Дуфарович Ямалтдинов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЛУКОЙЛ-ПЕРМЬ". Дата публикации: 2022-03-30.

Method for electric stimulation of plant vital activity

Номер патента: RU2261588C2. Автор: В.В. Ларцев. Владелец: Ларцев Вадим Викторович. Дата публикации: 2005-10-10.

Kochetov method for explosion protection of explosive objects

Номер патента: RU2600239C1. Автор: Олег Савельевич Кочетов. Владелец: Олег Савельевич Кочетов. Дата публикации: 2016-10-20.

Method for manufacturing liquid discharge head

Номер патента: US8133662B2. Автор: Makoto Watanabe,Kazuhiro Asai,Masataka Nagai,Satoshi Ibe,Yoshinori Tagawa,Masaki Ohsumi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-03-13.

Method for producing light-accumulating transfer sheet, light-accumulating transfer sheet and transfer method for light-accumulating transfer sheet

Номер патента: US10717270B2. Автор: Katsuo SANARI. Владелец: Santoshoji Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-21.

Method for producing light-accumulating transfer sheet, light-accumulating transfer sheet and transfer method for light-accumulating transfer sheet

Номер патента: US20190039371A1. Автор: Katsuo SANARI. Владелец: Santoshoji Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-07.

Barrier film for wavelength conversion sheet, wavelength conversion sheet, backlight, and liquid crystal display device using barrier film, and method for selecting barrier film for wavelength conversion sheet

Номер патента: US20240255804A1. Автор: Shuichi Tamura,Takeshi Sakamoto,Ryutaro Harada,Akihito HARUKI. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for manufacturing liquid discharge head

Номер патента: US20100233630A1. Автор: Makoto Watanabe,Kazuhiro Asai,Masataka Nagai,Satoshi Ibe,Yoshinori Tagawa,Masaki Ohsumi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2010-09-16.

Systems and methods for distributing and dispensing personal servings of chocolate

Номер патента: US20230072767A1. Автор: Matthew J RUBIN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-03-09.

Systems and methods for distributing and dispensing personal servings of chocolate

Номер патента: EP4085012A1. Автор: Matthew Rubin. Владелец: Trade Secret Chocolates Inc. Дата публикации: 2022-11-09.

Systems and methods for distributing and dispensing personal servings of chocolate

Номер патента: WO2021138703A1. Автор: Matthew Rubin. Владелец: Trade Secret Chocolates. Дата публикации: 2021-07-08.

Thermally insulated hose and method for producing the same

Номер патента: EP2113700A3. Автор: Noriaki Fujimoto,Nobuo Shindo. Владелец: Tigers Polymer Corp. Дата публикации: 2016-10-05.

Device and method for noninvasively and electrochemically sensing in vivo biochemicals

Номер патента: EP4034684A1. Автор: BO Wang,Sam Emaminejad,Yichao Zhao. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2022-08-03.

Method and apparatus for forming patterned photoresist layer

Номер патента: US20050181571A1. Автор: Jack Lin,Calvin Wu,George Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2005-08-18.

Method and apparatus for forming patterned photoresist layer

Номер патента: US20050250225A1. Автор: Jack Lin,Calvin Wu,George Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-11-10.

Photochromic lens with laminated film, method for producing a photochromic lens, and a spectacle frame

Номер патента: US11754860B2. Автор: Stephen Brown,Liu OUYANG,Yong Tian,Jingye LIANG. Владелец: CARL ZEISS VISION INTERNATIONAL GMBH. Дата публикации: 2023-09-12.

Systems and methods for distributing and dispensing personal servings of chocolate

Номер патента: US20240294318A1. Автор: Matthew Rubin,Adam Ambrecht. Владелец: True Essence Foods Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Enhanced co-formed/meltblown fibrous web structure and method for manufacturing

Номер патента: EP3317445A1. Автор: Steven Lee Barnholtz,Pamela Marie MORISON,Mario Castillo,Adam James Burt. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2018-05-09.

Method for producing a particle protection element, in particular a particle filter, for a membrane of a pressure sensor, particle protection element, method for producing a pressure sensor, and pressure sensor

Номер патента: US20240359975A1. Автор: Heribert Weber,Peter Schmollngruber,Franziska Rohlfing,Sophielouise Mach. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-10-31.

Dental implant, component for dental applications, implant system for dental applications, method for forming a protective layer on the surface of an implantable or implant component, implantable or implant component having a protective layer, and use of a protective layer

Номер патента: US12121414B2. Автор: Sebastian Bauer,Vincent Milleret,Serif AMETI,Jessica GILGENBACH BLUME,Angelines GASSER,Tojo RAZAFIARISON,Giulio Parcianello,Michael SANDHOLZER,Magdalena PAWELKIEWICZ KOEBEL,Fabio EVANGELISTI,Philipp LIENEMANN. Владелец: Nobel Biocare Services AG. Дата публикации: 2024-10-22.

Method for manufacturing quantum dot color filter

Номер патента: US09804489B2. Автор: Yuheng Liang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Method for production of container for food products from flat composite, which does not contain aluminum, with multilayer inner layer, by means of hot folding

Номер патента: RU2723284C2. Автор: Михаэль Вольтерс,Штефан Пельцер,Хольгер Шмидт. Владелец: Сиг Текнолоджи Аг. Дата публикации: 2020-06-09.

GAS SENSOR, A CHEMORESISTIVE TYPE MULTI-SENSOR RULER BASED ON OXIDIZED TWO-DIMENSIONAL TITANIUM CARBIDE (MXene) AND A METHOD FOR PRODUCTION THEREOF

Номер патента: RU2709599C1. Автор: Денис Валерьевич Кузнецов,Игорь Николаевич Бурмистров,Виктор Владимирович Сысоев,Алексей Сергеевич Варежников,Илья Анатольевич Плугин,Анна Ивановна Позняк. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А." (СГТУ имени Гагарина Ю.А.). Дата публикации: 2019-12-18.

Method for cuvette-heap leaching of metals from mineral mass

Номер патента: RU2350665C2. Автор: Юрий Николаевич Резник,Вячеслав Сергеевич Королев,Александр Юрьевич Лавров,Дмитрий Владимирович Манзырев,Татьяна Геннадьевна Конарева,Артур Геннадьевич Секисов,Лидия Владимировна Шумилова,Николай Васильевич Зыков,Лиди Владимировна Шумилова,Сергей Сергеевич Климов,В чеслав Сергеевич Королев,Тать на Геннадьевна Конарева. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Забайкальский горный колледж. Дата публикации: 2009-03-27.

Method for noble metal recovery

Номер патента: RU2276196C1. Автор: Наиль Михайлович Теляков,Алексей Наильевич Теляков,Лен Михайлович Шалыгин,ков Наиль Михайлович Тел,Леонид Валентинович Иконин,ков Алексей Наильевич Тел. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Санкт-Петербургский государственный горный институт им. Г.В. Плеханова (технический университет). Дата публикации: 2006-05-10.

Method for manufacuturing an aircraft window frame comprising a barrier layer, window frame obtained from this method and aircraft comprising at least one such window frame

Номер патента: US20240199231A1. Автор: Dirk Feltin,Rodolphe Trouve,Günther DRESSLER,Asuncion BUTRAGUENO-MARTINEZ. Владелец: AIRBUS OPERATIONS SL. Дата публикации: 2024-06-20.

Barrier layers for microelectromechanical systems

Номер патента: US20050054135A1. Автор: Andrew Huibers,Satyadev Patel,Jonathan Doan. Владелец: Reflectivity Inc. Дата публикации: 2005-03-10.

Barrier layers for microelectromechanical systems

Номер патента: WO2004087563A2. Автор: Jonathan Doan,Satyadev R. Patel. Владелец: Reflectivity, Inc.. Дата публикации: 2004-10-14.

Apparatus and methods for preparation of subtantially uniform emulsions containing a particle

Номер патента: EP2400942A1. Автор: John A. Bridgham,Jonathan M. Cassel,Aldrich N.K. Lau. Владелец: Life Technologies Corp. Дата публикации: 2012-01-04.

Exterior autobody part of reinforced plastic, and arrangement and method for its forming

Номер патента: WO1999014101A1. Автор: Krister Svensson,Axel Kaufmann,Arne Persson,Åke Nylinder. Владелец: Ab Volvo. Дата публикации: 1999-03-25.

Barrier layers for microelectromechanical systems

Номер патента: WO2004087563A3. Автор: Jonathan Doan,Satyadev R Patel. Владелец: Satyadev R Patel. Дата публикации: 2005-06-30.

Exterior autobody part of reinforced plastic, and arrangement and method for its forming

Номер патента: EP1015297A1. Автор: Krister Svensson,Axel Kaufmann,Arne Persson,Åke Nylinder. Владелец: Volvo AB. Дата публикации: 2000-07-05.

System and Method for Maintaining a Smoothed Surface on a MEMS Device

Номер патента: US20180362338A1. Автор: Gary Yama,Jochen STEHLE. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2018-12-20.

Method for forming a label image on an optical disk

Номер патента: US20070139511A1. Автор: Wai Wang,Chuang-Wei Wu,Kun-Cheng Lee,Kun-Han Yang,Lester Chen. Владелец: BenQ Corp. Дата публикации: 2007-06-21.

Diagnostic layer and methods for detecting structural integrity of composite and metallic materials

Номер патента: EP1185839A4. Автор: Mark Lin,Fu-Kuo Chang. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2007-01-10.

System and method for maintaining a smoothed surface on a mems device

Номер патента: EP3397587A1. Автор: Gary Yama,Jochen STEHLE. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2018-11-07.

Method for forming a hydraulic transfer film, hydraulic transfer film, and patterned article

Номер патента: US09989919B2. Автор: Mao-Feng Hsu,Chao-Chein Huang,Han-Cheng Wu-Lu. Владелец: Daigin Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

OPTICAL FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, ANTIGLARE FILM, POLARIZER WITH OPTICAL LAYER, AND DISPLAY APPARATUS

Номер патента: US20120002282A1. Автор: Suzuki Ryo,Haga Yumi,Nagahama Tsutomu,Matsumura Shinichi. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for forming wells and excavations in sedimentary rock layers and frozen soil

Номер патента: RU2225931C1. Автор: А.М. Азизов,И.М. Асланов,А.Г. Курицын,А.И. Плугин. Владелец: Плугин Александр Илларионович. Дата публикации: 2004-03-20.

Method for monitoring electroconductivity changes of non-magnetic metal inner layers and device for its implementation

Номер патента: RU2597960C1. Автор: Вера Александровна Барат,Валерий Павлович Лунин,Леонид Андреевич Чернов,Екатерина Андреевна Славинская,Иван Владимирович Терехин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "МЭИ" (ФГБОУ ВО "НИУ "МЭИ"). Дата публикации: 2016-09-20.

OPTICAL ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002285A1. Автор: Matsuda Manabu. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for producing multichannel discharge (alternatives)

Номер патента: RU2317610C1. Автор: Азат Фивзатович Гайсин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Казанский государственный технический университет им. А.Н. Туполева. Дата публикации: 2008-02-20.

Copper substrate overlaid with a nickel oxide barrier layer and a covering nickel layer

Номер патента: CA1098858A. Автор: Clermont A. Roy. Владелец: Canada Wire and Cable Co Ltd. Дата публикации: 1981-04-07.

Device for forming and testing of samples of thin coatings

Номер патента: RU2545082C1. Автор: Николай Григорьевич Бычков,Алексей Викторович Першин,Артем Шамилевич Хамидуллин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный институт авиационного моторостроения имени П.И. Баранова". Дата публикации: 2015-03-27.

METHOD FOR ELECTROCHEMICAL CATHODE CLEANING OF NON-ELECTRIC WIRING COATINGS FROM METALS AND METAL ALLOYS

Номер патента: RU2004118347A. Автор: Иван Яковлевич Шестаков,Александр Иванович Стрюк,Александр Александрович Фадеев,Олег Владимирович Фейлер,Александр Александрович Сурсяков,Валерий Николаевич Миленин,Иван Яковлевич Шестаков (RU),ков Александр Александрович Сурс (RU),Александр Иванович Стрюк (RU),Александр Александрович Фадеев (RU),Олег Владимирович Фейлер (RU),Валерий Николаевич Миленин (RU). Владелец: Сибирский государственный аэрокосмический университет им. акад. М.Ф. Решетнева (RU). Дата публикации: 2006-01-10.

Method for forming double-layer low-dielectric barrier-layer using for interconnection and its forming apparatus

Номер патента: CN1195322C. Автор: 斯蒂芬·M·盖茨,朱迪思·M·鲁宾诺,克里斯托弗·扬尼斯,埃里克·G·利尼格,詹姆斯·G·瑞安,卡洛斯·J·桑布塞蒂,弗兰克·卡登,桑佩斯·普鲁肖萨曼,约翰·A·费斯曼斯. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-03-30.

Method for the reduction of the carbon content from mixtures of carbon and metal compounds

Номер патента: CA916737A. Автор: W. Naumann Alfred,P. Gortsema Franklin. Владелец: Union Carbide Corp. Дата публикации: 1972-12-12.

Method for manufacturing an electrical connector including a plurality of conductive terminals and metal frames by insert-molding

Номер патента: TW538565B. Автор: Guang-Rung Shie. Владелец: Molex Inc. Дата публикации: 2003-06-21.

METHOD FOR DIAGNOSTIC OF SURFACE FLAWS OF THE METAL ROLL LAYER AND DEVICE FOR ITS IMPLEMENTATION

Номер патента: RU2003136053A. Автор: Андрей Васильевич Кириков,Александр Николаевич Забродин,Сергей Анатольевич Малинка,Александр Николаевич Забродин (RU),Андрей Васильевич Кириков (RU),Сергей Анатольевич Малинка (RU). Владелец: ООО "Компани Нординкрафт" (RU). Дата публикации: 2005-06-27.

Growth method for improving surface defect density of silicon carbide epitaxial layer and epitaxial wafer obtained by growth method

Номер патента: CN118932482A. Автор: 韩旭,邓雪华,尤晓杰,王银海,马梦杰,刘哲洋. Владелец: Nanjing Shengxin Semiconductor Material Co ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Method for controlling cooling of metallic mold in low-pressure casting apparatus, and metallic mold in low-pressure casting apparatus

Номер патента: JP2004195533A. Автор: Hiroshi Terauchi,Teruyuki Oda,小田輝幸,博 寺内. Владелец: Tokyo Light Alloy Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-15.

Method for erection of monolithic three-layered fence and inner walls of buildings and forming system for its realisation

Номер патента: RU2401918C2. Автор: Абакар Ахмедпашаевич Акаев. Владелец: Абакар Ахмедпашаевич Акаев. Дата публикации: 2010-10-20.

Method for construction of group pile foundation for boring and operation of wells in oil and gas deposits

Номер патента: RU2353727C1. Автор: Александр Эмануилович Грот. Владелец: Александр Эмануилович Грот. Дата публикации: 2009-04-27.

METHOD FOR CONTROLING THE LEVEL AND BORDER OF THE SECTION OF SLAG AND METAL PHASE IN THE BATH OF METALLURGICAL FURNACE

Номер патента: RU2007119099A. Автор: Зуфар Гарифуллович Салихов,Евгений Николаевич Ишметьев,Алексей Григорьевич Афанасьев,Кирилл Зуфарович Салихов,Илья Евгеньевич Зыков,Алексей Константинович Бурочкин,Зуфар Гарифуллович Салихов (RU),Евгений Николаевич Ишметьев (RU),Кирилл Зуфарович Салихов (RU),Алексей Григорьевич Афанасьев (RU),Иль Евгеньевич Зыков (RU),Алексей Константинович Бурочкин (RU). Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-экологическое предпри тие Экоси" (RU). Дата публикации: 2008-11-27.

Method for simultaneous, continuous producing combined plastic product e.g. plastic net and metal net

Номер патента: HU201824B. Автор: Istvan Klausz,Pal Pazgyera,Jozsef Penzes,Janos Karpath,Gyoergy Csipke. Владелец: Dorogi Szenbanyak. Дата публикации: 1990-12-28.

Photo-sensitive material for forming pattern having photo-sensitive ca lcogenide layer and the pattern forming method

Номер патента: JPS52111381A. Автор: Yoshihiko Mizushima,Akira Yoshikawa,Haruo Nagai,Osamu Ochi,Kazuko Nakano. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1977-09-19.

Method for manufacturing vapor deposition mask, resin layer having metal layer and method for manufacturing organic semiconductor element

Номер патента: JP2019194363A. Автор: Hiroshi Kawasaki,Toshihiko Takeda,武田　利彦,利彦 武田,小幡　勝也,勝也 小幡,博司 川崎,Katsuya Obata. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2019-11-07.

Resin composition for forming heat insulating layer, transparent heat insulating layer and transparent heat insulating film

Номер патента: JP2015189902A. Автор: Yumi NAKAYAMA,由美 中山. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-02.

OPTICAL FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, ANTIGLARE FILM, POLARIZER WITH OPTICAL LAYER, AND DISPLAY APPARATUS

Номер патента: US20120008206A1. Автор: Haga Yumi,Nagahama Tsutomu,Matsumura Shinichi. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-12.

Method for delivery of granular filtering material to drain-tube layer and working tools for realization thereof

Номер патента: RU1775533C. Автор: Владимир Анатольевич Шрейдер. Владелец: Всесоюзный научно-исследовательский институт гидротехники и мелиорации им.А.Н.Костякова. Дата публикации: 1992-11-15.

Method for confirming bearing pile's being installed to bearing layer and bearing pile construction method

Номер патента: JP2017115397A. Автор: Tadashi Wakabayashi,若林　　正,常太郎 岩淵,道三 市原,Kyozo Fukazawa,Michizo Ichihara,Tsunetaro Iwabuchi,協三 深澤,若林　正. Владелец: Japan Association Of Representative General Contructors. Дата публикации: 2017-06-29.

BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for producing a foam laminate having a thick foam layer and exhibiting excellent heat insulation properties with high production efficiency.

Номер патента: JP6572529B2. Автор: 増田　淳,淳 増田,幸田　真吾,真吾 幸田. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 2019-09-11.

Method for welding circumferential weld between metal thin-wall clad layer and base layer of clad pipe

Номер патента: CN101927390A. Автор: 刘荣春. Владелец: Shanghai Hugong Electric Welding Machine Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-29.

Method for producing tempered glass with plurality of surface stress layers and tempered glass product

Номер патента: CN102815860A. Автор: 王冲,和峰,乔斯·西默,鲁迪格尔·迪特里希. Владелец: Schott Glass Technologies Suzhou Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-12.

Method for processing board having surface formed with metal decoration layer and structure thereof

Номер патента: TW201002513A. Автор: guo-xing Liao,Jin-Zhong Zhong,yuan-cheng Wang,Si-Rang Wu. Владелец: Yuan Dian Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-16.

METHOD FOR PRODUCING SOLID STATE IMAGING DEVICE AND SOLID-STATE IMAGING DEVICE

Номер патента: US20120001292A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME

Номер патента: US20120003776A1. Автор: Park Sang Hyuk. Владелец: Intellectual Ventures II LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING METAL GATE STACK STRUCTURE IN GATE-FIRST PROCESS

Номер патента: US20120003827A1. Автор: Xu Qiuxia,Li Yongliang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MAGNESIUM DIBORIDE SUPERCONDUCTING WIRE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120004110A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SUSPENSION SUBSTRATE, SUSPENSION, HEAD SUSPENSION, HARD DISK DRIVE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SUSPENSION

Номер патента: US20120002366A1. Автор: OHNUKI Masao,YAMAZAKI Tsuyoshi. Владелец: Dai Nippon Printing Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Corrosion Protection Treatment

Номер патента: US20120000591A1. Автор: . Владелец: TESA SE. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR REPAIRING GAS TURBINE BLADES AND GAS TURBINE BLADE

Номер патента: US20120000890A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120002693A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Anti-Corrosion Treatment

Номер патента: US20120003598A1. Автор: . Владелец: TESA SE. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003770A1. Автор: Fujiwara Shinsuke,Akita Katsushi,Nakahata Hideaki,MOTOKI Kensaku,Hashimoto Shin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for producing printhead interconnection structure incorporating thin-film resistor

Номер патента: RU2263998C2. Автор: В.А. Хрусталев,М.И. Лукасевич,А.Н. Еременко,М.И. Клычников,Д.Г. Кравченко,С.В. Нефедьев. Владелец: Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон". Дата публикации: 2005-11-10.

OPTICAL MODULATOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120003767A1. Автор: . Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

System and Method for Joint Resurface Repair

Номер патента: US20120004663A1. Автор: . Владелец: ARTHROSURFACE INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

Stretched Thermoplastic Resin for Gluing Metal Parts to Plastics, Glass and Metals, and Method for the Production Thereof

Номер патента: US20120003468A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ELECTROLYTIC CERAMIC COATING FOR METAL, ELECTROLYSIS SOLUTION FOR ELECTROLYTIC CERAMIC COATING FOR METAL, AND METALLIC MATERIAL

Номер патента: US20120000783A1. Автор: Konishi Tomoyoshi,Suda Arata. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUSES AND METHODS FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20120000422A1. Автор: Zheng Bo,Ai Hua,YU SANG HO,UMOTOY Salvador P.,Lam Hyman,Jackson Michael,Yuan Xiaoxiong (John),Wang Hou Gong. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

SUSPENSION OF CELLULOSE FIBERS AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20120000392A1. Автор: Isogai Akira,Mukai Kenta,Kumamoto Yoshiaki. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Solar Cell And Method For Manufacturing Solar Cell

Номер патента: US20120000512A1. Автор: HASHIMOTO Masanori,SAITO Kazuya,SHIMIZU Miho. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRICALLY EXTENSIVELY HEATABLE, TRANSPARENT OBJECT, METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF, AND USE THEREOF

Номер патента: US20120000896A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003821A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SUPERHYDROPHILIC AND OLEOPHOBIC POROUS MATERIALS AND METHODS FOR MAKING AND USING THE SAME

Номер патента: US20120000853A1. Автор: Mabry Joseph M.,TUTEJA Anish,Kota Arun Kumar,Kwon Gibum. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Apparatus, System, and Method for Direct Phase Probing and Mapping of Electromagnetic Signals

Номер патента: US20120001656A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING ULTRA SMALL PARTICLE, POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL OF SECOND BATTERY USING THE METHOD FOR MANUFACTURING ULTRA SMALL PARTICLE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND SECONDARY BATTERY USING THE POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003539A1. Автор: MIKAMI Mayumi,Nara Koji. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR REGION AND METHOD FOR MANUFACTURING POWER STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003807A1. Автор: SHIMAZU Takashi,FURUNO Makoto. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000517A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

TRANSPARENT ELECTRICALLY CONDUCTIVE LAYER AND METHOD FOR FORMING SAME

Номер патента: US20120000519A1. Автор: FREY Jonathan Mack. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM ARTICLE AND METHOD FOR FORMING A REDUCED CONDUCTIVE AREA IN TRANSPARENT CONDUCTIVE FILMS FOR PHOTOVOLTAIC MODULES

Номер патента: US20120000520A1. Автор: Feldman-Peabody Scott Daniel,FREY Jonathan Mack. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND SYSTEM FOR FORMING A PHOTOVOLTAIC CELL AND A PHOTOVOLTAIC CELL

Номер патента: US20120000529A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR SPUTTERING A RESISTIVE TRANSPARENT BUFFER THIN FILM FOR USE IN CADMIUM TELLURIDE BASED PHOTOVOLTAIC DEVICES

Номер патента: US20120000768A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SPUTTERING TARGETS INCLUDING EXCESS CADMIUM FOR FORMING A CADMIUM STANNATE LAYER

Номер патента: US20120000776A1. Автор: Feldman-Peabody Scott Daniel. Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICES AND METHODS FOR FORMING DOUBLE EMULSION DROPLET COMPOSITIONS AND POLYMER PARTICLES

Номер патента: US20120000777A1. Автор: Garrell Robin L.,Tucker-Schwartz Alexander K.,Shepherd Heather,Chatterjee Debalina. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2012-01-05.

INK FOR ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE, MANUFACTURING METHOD OF ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE, ORGANIC DISPLAY PANEL, ORGANIC DISPLAY APPARATUS, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT APPARATUS, INK , FORMING METHOD OF FUNCTIONAL LAYER, AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE

Номер патента: US20120001124A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS INTEGRATING MICROELECTROMECHANICAL SYSTEM DEVICE WITH CIRCUIT CHIP AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001276A1. Автор: . Владелец: INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacturing thin film capacitor and thin film capacitor obtained by the same

Номер патента: US20120001298A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ANNEALED WAFER, METHOD FOR PRODUCING ANNEALED WAFER AND METHOD FOR FABRICATING DEVICE

Номер патента: US20120001301A1. Автор: Ebara Koji,KIKUCHI Hiroyasu,Hayamizu Yoshinori. Владелец: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

AMINE AQUEOUS SOLUTION FOR FORMING AN ACTIVE LAYER OF POLYAMIDE REVERSE OSMOSIS COMPOSITE MEMBRANE, POLYAMIDE REVERSE OSMOSIS COMPOSITE MEMBRANE PREPARED THEREBY, AND PREPARATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003387A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20120003396A1. Автор: . Владелец: Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurweten schappelijk onderzoek TNO. Дата публикации: 2012-01-05.

LAMINATE OPTICAL BODY, OPTICAL FILM, LIQUID CRYSTAL DISPLAY APPARATUS USING SAID OPTICAL FILM, AND METHOD FOR PRODUCING LAMINATE OPTICAL BODY

Номер патента: US20120003400A1. Автор: Takeda Kentarou,Kitagawa Takeharu,Nishimura Akinori,Inagaki Junichi,Yaginuma Hironori,YOSHIMI Hiroyuki,Kinoshita Ryoji. Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

BELTS FOR ELECTROSTATOGRAPHIC APPARATUS AND METHODS FOR MAKING THE SAME

Номер патента: US20120003415A1. Автор: FROMM Paul M.. Владелец: XEROX CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Method For Producing A Porcelain Enamel Logo On A Porcelain Enamel Background On A Grill Component With Preselected Colors

Номер патента: US20120003445A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE MATERIAL AND METHOD FOR FORMING ELECTRODE MATERIAL

Номер патента: US20120003529A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ENERGY STORAGE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003535A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRODE HAVING POROUS COATING LAYER, ELECTRODE MANUFACTURED THEREFROM, AND ELECTROCHEMICAL DEVICE COMPRISING THE SAME

Номер патента: US20120003545A1. Автор: Kim Jong-Hun,LEE Joo Sung,Hong Jang-Hyuk,Yoon Su-Jin,PARK Pil-kyu,Shin Byoung-Jin,Cho Byeong-Gyu,Jin Sun-Mi,Kim In-Chul. Владелец: LG CHEM, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003781A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING IMAGE SENSOR WITH SHIELD STRUCTURES

Номер патента: US20120003782A1. Автор: Byun Jeong Soo,Korobov Vladimir,Pohland Oliver. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Packaging Electronic Devices and Integrated Circuits

Номер патента: US20120003791A1. Автор: . Владелец: WAFER-LEVEL PACKAGING PORTFOLIO LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

DIELECTRIC CERAMIC, METHOD FOR PRODUCING DIELECTRIC CERAMIC, AND ELECTRONIC COMPONENT

Номер патента: US20120004090A1. Автор: Nakano Takahiro,SAKURAI Toshio,ARASHI Tomohiro,KOBUKE Hisashi,NAKAMURA Tomoko,MIYAUCHI Yasuharu. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICES AND METHODS FOR TISSUE INVAGINATION

Номер патента: US20120004505A1. Автор: DeVRIES Robert B.,Sullivan Roy H.,Tassy,JR. Marc,Dimatteo Kristian,Kwan Tak,Shaw William J.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SERIAL VALVES AND HUBS FOR TUBULAR DEVICES AND METHODS FOR MAKING AND USING THEM

Номер патента: US20120004622A1. Автор: . Владелец: AUST DEVELOPMENT, LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Manufacturing Alloy Resistor

Номер патента: US20120000066A1. Автор: . Владелец: VIKING TECH CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR ISOLATING A VIEWPORT

Номер патента: US20120000301A1. Автор: LITTLE Edwin Jackson,PAVOL Mark J.. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING EASY OPEN END

Номер патента: US20120000340A1. Автор: Kubo Hiroshi,Kojima Katsumi,Yamanaka Yoichiro,Tada Masaki,Iwasa Hiroki. Владелец: JFE STEEL CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001234A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Adjusting Method For Recording Condition And Optical Disc Device

Номер патента: US20120002527A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DECORATION DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING DECORATION DEVICE

Номер патента: US20120003426A1. Автор: . Владелец: SIPIX CHEMICAL INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

EMBOSSED TEXTURED WEBS AND METHOD FOR MAKING

Номер патента: US20120003423A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DESIGNING METHOD FOR DIMPLE PATTERN OF GOLF BALL

Номер патента: US20120004053A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Synthetic corneal lens and method for their manufacturing

Номер патента: RU2077873C1. Автор: Юрий Аркадьевич Шустеров,Владимир Евгеньевич Брагин,Александр Николаевич Быканов,Елена Владимировна Елисеева. Владелец: Елена Владимировна Елисеева. Дата публикации: 1997-04-27.

Collapsible protective structure and method for inflammable matter reservoir storage

Номер патента: RU2295369C2. Автор: Игорь Андреевич Годунов,Виктор Васильевич Авдеев,Николай Григорьевич Кузнецов,Валерий Леонидович Страхов,Александр Михайлович Крутов,Сергей Вениаминович Заикин,Валерий Андреевич Моисеев. Владелец: Закрытое акционерное общество "Теплоогнезащита". Дата публикации: 2007-03-20.

Material for electric contacts and method for manufacturing of electric contacts

Номер патента: RU2380781C1. Автор: Валерий Сергеевич Фадеев,Александр Викторович Конаков,Юрий Леонидович Чигрин,Олег Викторович Штанов,Валерий Викторович Васин,Евгений Николаевич Емельянов,Виктор Степанович Аркатов,Виктор Семёнович Минаков,Алексей Вячеславович Никонов,Сергей Николаевич Микушкин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "НТЦ Информационные Технологии". Дата публикации: 2010-01-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for non-contact non-destructive control of thickness, thermo-physical properties and porosity of metallic frame of two-layered ribbon materials

Номер патента: RU2293946C1. Автор: Владимир Николаевич Чернышев,Алексей Иванович Дьяконов,Анатолий Петрович Пудовкин,Юрий Владимирович Плужников,Алексей Васильевич Колмаков,Андрей Петрович Лаврентьев,Игорь Геннадьевич Горчаков,конов Алексей Иванович Дь. Владелец: Оао "Завод Подшипников Скольжения". Дата публикации: 2007-02-20.

CMOS Image Sensor Including PNP Triple Layer And Method Of Fabricating The CMOS Image Sensor

Номер патента: US20120001241A1. Автор: Park Won-je. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Form manufacturing method for articles of laminate polymeric composition materials

Номер патента: RU2309044C1. Автор: Евгений Федорович Харченко,Анна Станиславовна Твердова,Галина Анатольевна Мокеева. Владелец: Закрытое акционерное общество Центр высокопрочных материалов "Армированные композиты". Дата публикации: 2007-10-27.

Method for manufacturing multilayered ingots

Номер патента: RU2567408C2. Автор: Александр Васильевич Абрамов,Анатолий Николаевич Ильгачев,Денис Георгиевич Михадаров. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Чувашский государственный университет имени И.Н. Ульянова". Дата публикации: 2015-11-10.

AUTOMATIC HEAT TREATMENT METHOD FOR METAL RING

Номер патента: US20120000265A1. Автор: Watabe Yoshiharu,Saruyama Masaomi,Tsuyuzaki Hiroyuki. Владелец: HONDA MOTOR CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Systems and Methods for the Collection, Retention, and Redistribution of Rainwater and Methods of Construction of the Same

Номер патента: US20120000546A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

HYDROPROCESSING CATALYSTS AND METHODS FOR MAKING THEREOF

Номер патента: US20120000821A1. Автор: Yang Shuwu,Reynolds Bruce Edward,Chabot Julie,Kou Bo. Владелец: CHEVRON CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

HYDROPROCESSING CATALYSTS AND METHODS FOR MAKING THEREOF

Номер патента: US20120004091A1. Автор: Chabot Julie,Kou Bo. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

HYDROPROCESSING CATALYSTS AND METHODS FOR MAKING THEREOF

Номер патента: US20120004097A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SCANDIUM ALUMINUM NITRIDE FILM

Номер патента: US20120000766A1. Автор: Kano Kazuhiko,Nishikubo Keiko,TESHIGAHARA Akihiko,AKIYAMA Morito,Tabaru Tatsuo. Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Novel composition and methods for the treatment of psoriasis

Номер патента: US20120003246A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING AMORPHOUS METAL ORGANIC MACROMOLECULES, MATERIAL OBTAINED BY SAID METHOD, AND USE THEREOF

Номер патента: US20120003386A1. Автор: . Владелец: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.. Дата публикации: 2012-01-05.

Organometallic films, methods for applying organometallic films to substrates and substrates coated with such films

Номер патента: US20120003481A1. Автор: Hanson Eric L.. Владелец: Aculon, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Preparing Small Volume Reaction Containers

Номер патента: US20120003675A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Organometallic films, methods for applying organometallic films to substrates and substrates coated with such films

Номер патента: US20120004388A1. Автор: Hanson Eric L.. Владелец: Aculon, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING A DROPLET DISCHARGE HEAD

Номер патента: US20120000595A1. Автор: Mase Atsushi,Shimizu Hideki,TANAKA Hidehiko. Владелец: NGK Insulators, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICES AND METHOD FOR ACCELEROMETER-BASED CHARACTERIZATION OF CARDIAC SYNCHRONY AND DYSSYNCHRONY

Номер патента: US20120004564A1. Автор: Dobak,III John Daniel. Владелец: CARDIOSYNC, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for selective intradump concentration of metal-containing rocks

Номер патента: RU2042818C1. Автор: Василий Карпович Бубнов,Александр Егорович Воробьев,Татьяна Владимировна Чекушина,Василий Васильевич Бубнов. Владелец: Василий Васильевич Бубнов. Дата публикации: 1995-08-27.

STRUCTURE PROVIDED WITH ZEOLITE SEPARATION MEMBRANE, METHOD FOR PRODUCING SAME, METHOD FOR SEPARATING MIXED FLUIDS AND DEVICE FOR SEPARATING MIXED FLUIDS

Номер патента: US20120000358A1. Автор: MORI Nobuhiko,KAWAI Masaaki,SATOH Aya,TOMITA Toshihiro. Владелец: NGK Insulators, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Tricalcium Phosphate Coarse Particle Compositions and Methods for Making the Same

Номер патента: US20120000394A1. Автор: Delaney David C.,Jalota Sahil,Yetkinler Duran N.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING ANISOPTROPIC BULK MATERIALS

Номер патента: US20120001368A1. Автор: Filippov Andrey V.,Milia Charlotte Diane. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND DEVICE FOR FORMING SURFACE PROCESSED DATA

Номер патента: US20120001908A1. Автор: Takahashi Kenji,Kikuta Mamoru,Miura Kenjiro,Uzuyama Daijiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE FORMING APPARATUS AND METHOD FOR MAINTAINING HEAD

Номер патента: US20120001976A1. Автор: . Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR ACTIVELY TRACKING MULTIPLE MOVING OBJECTS USING A MONITORING CAMERA

Номер патента: US20120002056A1. Автор: HONG Sang-Jin,NAM Yun-Young,CHO Shung-Han,KIM Yang-Weon,CHO We-Duke,HWANG Yong-Hyeon. Владелец: Ajou University Industry-Academic Corporation Foundation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING CAPSULE SERIES, AND RELATED CAPSULE SERIES

Номер патента: US20120003285A1. Автор: Bibette Jérôme,Chu Liang-yin,Santanach Carreras Enric,Royere Audrey,Bremond Nicolas. Владелец: CAPSUM. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING A DROPLET DISCHARGE HEAD

Номер патента: US20120003902A1. Автор: Mase Atsushi,Shimizu Hideki,TANAKA Hidehiko. Владелец: NGK Insulators, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

REAGENT AND METHOD FOR PROVIDING COATINGS ON SURFACES

Номер патента: US20120004339A1. Автор: . Владелец: SURMODICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for burning radioactive and harmful biological entities under field conductions

Номер патента: RU2106706C1. Автор: С.А. Дмитриев,А.С. Баринов,К.М. Ефимов,И.А. Соболев,Г.А. Петров,М.И. Ожован,К.Н. Семенов,Т.И. Васендина. Владелец: Московское государственное предприятие - объединенный эколого-технологический и научно-исследовательский центр по обезвреживанию РАО и охране окружающей среды. Дата публикации: 1998-03-10.

Method for preparing metal nitrides

Номер патента: RU2256604C2. Автор: А.П. Амосов,Г.В. Бичуров,Ю.М. Марков,Д.В. Трусов,Н.В. Космачева,Д.А. Майдан. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Самарский государственный технический университет. Дата публикации: 2005-07-20.

Device and Method for Fixing a Component in Position on a Component Carrier

Номер патента: US20120000601A1. Автор: Fessler-Knobel Martin,Huttner Roland. Владелец: MTU AERO ENGINES GMBH. Дата публикации: 2012-01-05.

System and method for grouping precursor and fragment ions using selected ion chromatograms

Номер патента: US20120001066A1. Автор: Geromanos Scott J.,Silva Jeffrey Cruz,GORENSTEIN Marc Victor,LI Guo-Zhong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL IMAGE ACQUISITION APPARATUS HAVING ADAPTIVE OPTICS AND CONTROL METHOD FOR THE SAME

Номер патента: US20120002165A1. Автор: Saito Kenichi. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISH. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR EXPOSING A SUBSTRATE TO UV RADIATION USING A REFLECTOR HAVING BOTH ELLIPTICAL AND PARABOLIC REFLECTIVE SECTIONS

Номер патента: US20120003398A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

NUCLEIC ACID MOLECULE CAPABLE OF BINDING TO 2,4,6-TRINITROPHENYL SKELETON, METHOD FOR DETECTING COMPOUND HAVING 2,4,6-TRINITROPHENYL SKELETON USING THE NUCLEIC ACID MOLECULE, AND USE OF THE NUCLEIC ACID MOLECULE

Номер патента: US20120003749A1. Автор: . Владелец: NEC SOFT, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003801A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Uses of Protein Precursors as Prodrugs

Номер патента: US20120004398A1. Автор: Wang Yan,SHEN Wei-Chiang. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTHERN CALIFORNIA. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for sealing-and-unsealing hollow plug securing in circulation orifices of wire-based well screen body without thread usage

Номер патента: RU2301324C1. Автор: Алексей Михайлович Володин. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Тяжпрессмаш". Дата публикации: 2007-06-20.

Method for producing metal-polymeric coating

Номер патента: RU2332524C1. Автор: Сергей Валентинович Авдейчик,Василий Александрович Струк,Геннадий Александрович Костюкович,Виктор Иванович Кравченко,Евгений Витальевич Овчинников,Вадим Вадимович Клецко,ш Павел Игоревич За,Павел Игоревич Заяш. Владелец: Открытое акционерное общество "Белкард". Дата публикации: 2008-08-27.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.