Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Methods for fabricating a capacitor

Номер патента: US7405122B2
Опубликовано: 29-07-2008
Автор(ы): Ching Chiun Wang, Hengyuan Lee, Lurng-Shehng Lee, Pei-Jer Tzeng
Принадлежит: Industrial Technology Research Institute ITRI
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Methods for fabricating a capacitor

Номер патента: US20070243690A1. Автор: Lurng-Shehng Lee,Pei-Jer Tzeng,Hengyuan Lee,Ching Chiun Wang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2007-10-18.

Methods for fabricating a capacitor

Номер патента: US20080268593A1. Автор: Lurng-Shehng Lee,Pei-Jer Tzeng,Hengyuan Lee,Ching Chiun Wang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2008-10-30.

Method for fabricating first electrode of capacitor

Номер патента: US20080057640A1. Автор: Chun-Wei Yu,Yuan-Ming Chang,Li-Cheng Teng,Chun-Chong Fu. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2008-03-06.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device using hemispherical grain (HSG) polysilicon

Номер патента: US5817555A. Автор: Bok-Won Cho. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1998-10-06.

Semiconductor memory device and method for fabricating same

Номер патента: US20080048234A1. Автор: Takashi Nakabayashi,Hideyuki Arai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-28.

Stacked capacitor, method for making the same and memory device

Номер патента: US20240306363A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Method for fabricating semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20240090191A1. Автор: Yi Tang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device having stacked capacitor and method for forming the same

Номер патента: US20240268094A1. Автор: Yen-Min RUAN. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for forming capacitor, capacitor and semiconductor device

Номер патента: US12041763B2. Автор: GuangSu SHAO,Xingsong SU,Mengkang YU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20240064954A1. Автор: Mengmeng Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor structure and method for fabricating semiconductor structure

Номер патента: US20230089142A1. Автор: Deyuan Xiao,Semyeong Jang,Joonsuk Moon,Jo-Lan CHIN,Soonbyung Park. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-23.

Method for fabricating a trench capacitor with an insulation collar which is electrically connected to a substrate on one side via a buried contact, in particular for a semiconductor memory cell

Номер патента: US20050020024A1. Автор: Matthias Goldbach. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-01-27.

Method for fabricating a semiconductor memory device

Номер патента: US20030060002A1. Автор: Walter Hartner,Gerhard Enders,Rainer Bruchhaus,Volker Weinrich,Nicolas Nagel,Matthias Kronke,Thomas Mikolajick,Igor Kasko,Michael Rohner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-03-27.

Method for fabricating stacked capacitor having excellent anti-oxidation property

Номер патента: US6284595B1. Автор: Yoshitake Kato. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-09-04.

Method for forming capacitor opening hole, and method for forming memory capacitor

Номер патента: EP4002504A1. Автор: ChihCheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-05-25.

Capacitor structure and process for fabricating the same

Номер патента: US09831303B2. Автор: Cheng-Shun Chen,Chi-Hsiang Kuo,Chang-Yao Hsieh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Method for forming capacitor of a dram having a wall protection structure

Номер патента: US20020110980A1. Автор: Ching-ming Lee,Kuo-Yuh Yang,Yu-Ju Yang,Yu-Hong Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-15.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12082396B2. Автор: Kun Young Lee,Seo Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Metal-insulator-metal (MIM) capacitor structure and method for forming the same

Номер патента: US09502494B2. Автор: Ching-Hung Huang,Chieh-Shuo Liang,Chih-Ho Tai,Po-Jung Chiang,Ying-Tsang HO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Method for fabricating a trench structure which is electrically connected to a substrate on one side via a buried contact

Номер патента: US20050032324A1. Автор: Kevin Pears,Albrecht Kieslich,Stephan Kudelka. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-02-10.

Semiconductor structure and method for fabricating same

Номер патента: US20230328965A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Weiping BAI,Yunsong QIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Capacitor for semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090127655A1. Автор: Seung-Min Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-05-21.

Method for fabricating a semiconductor component and semiconductor component

Номер патента: US20060252222A1. Автор: Ulrike Gruening-Von Schwerin. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-11-09.

Method for fabricating crown capacitor

Номер патента: US20240155823A1. Автор: Chun-Heng Wu,Jen-I Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20130115748A1. Автор: Su-Young Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-05-09.

Integrated circuit configuration having at least two capacitors and method for manufacturing an integrated circuit configuration

Номер патента: US20020149043A1. Автор: Josef Willer,Christofer Hierold. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-10-17.

Integrated circuit configuration having at least two capacitors and method for manufacturing an integrated circuit configuration

Номер патента: US6646299B2. Автор: Josef Willer,Christofer Hierold. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-11-11.

Method for fabricating semiconductor structure, semiconductor structure, and memory

Номер патента: US20230276609A1. Автор: Shuai Guo,Mingguang ZUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

Method and structure of an auxiliary transistor arrangement used for fabricating a semiconductor memory device

Номер патента: US20050037564A1. Автор: Michael Sommer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-02-17.

Capacitor and method for fabricating the same

Номер патента: US20060145234A1. Автор: Dong Keum,Chee Choi. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-06.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20220310626A1. Автор: Zhongming Liu,Longyang Chen,Hongfa Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Method for fabricating memory cell structure employing contiguous gate and capacitor dielectric layer

Номер патента: US20040191985A1. Автор: Kuo-Chi Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-09-30.

Method for fabricating a capacitor

Номер патента: US20020052090A1. Автор: Tae-Woo Jung,Hean-Cheol Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-02.

Magnetoelectronics device and method for fabricating the same

Номер патента: WO2004051742A1. Автор: Kelly W. Kyler,Nicholas D. Rizzo,Mark A. Durlam,Jaynal A. Molla,John J. D'Urso,Jeffrey H. Baker,Mark F. Deherrera,Gregory W. Grynkewich,Earl D. Fuchs,Brian R. Butcher,J. Jack Ren. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2004-06-17.

Process for fabricating capacitors in dynamic RAM

Номер патента: US5518946A. Автор: Hideaki Kuroda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1996-05-21.

Method for fabricating ferroelectric random access memory device with merged-top electrode-plateline capacitor

Номер патента: US20040266032A1. Автор: Sang-Hyun Oh,Jin-gu Kim,Suk-Kyoung Hong,Kye-Nam Lee,Jin-Yong Seong,Young-Ho Yang,Kyu-Hyun Bang,In-Woo Jang,Song-Hee Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-30.

Method for fabricating nonvolatile ferroelectric memory

Номер патента: US6333201B1. Автор: Ki Hyun Yoon,Ki Young Oh. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-12-25.

Method for fabricating a three-dimensional capacitor

Номер патента: US20060040444A1. Автор: Sung-Ho Park,Sang-jun Choi,Jung-hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-02-23.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20020179947A1. Автор: Toru Nasu,Yoshihisa Nagano. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-05.

Non-volatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: EP1263037A3. Автор: Toru Nasu,Yoshihisa Nagano. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-20.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12114508B2. Автор: Chun-Hsien Lin,Shih-Hung Tsai,Po-Kuang Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Method for fabricating capacitor

Номер патента: US20070202687A1. Автор: Ky-Hyun Han. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-08-30.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20110269304A1. Автор: Kwon Hong,Gyu-Hyun Kim,Cha-deok Dong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-11-03.

Capacitor of variable capacity, comprising a layer of a phase change material, and method for varying the capacity of a capacitor

Номер патента: US09824825B2. Автор: Bruno Reig,Jean-Claude Bastien. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor apparatus with variable resistor having tapered double-layered sidewall spacers and method for fabricating the same

Номер патента: US09502648B2. Автор: Jae Sung YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20060014372A1. Автор: Seung-Ho Pyi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-01-19.

Memory cell having a trench capacitor and method for fabricating a memory cell and trench capacitor

Номер патента: US20050260812A1. Автор: Christian Kapteyn,Joern Regul. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-11-24.

Method for fabricating semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230189508A1. Автор: Yi Jiang,Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Yunsong QIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200119092A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Chern-Yow Hsu,Sheng-Haung Haung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Method for fabricating y-direction, self-alignment mask rom device

Номер патента: US20030235955A1. Автор: Jen-Chuan Pan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-12-25.

Method for fabricating a phase-change memory cell

Номер патента: US20190006421A1. Автор: Fabio Pellizzer,Michele Magistretti,Cristina Casellato,Monica Vigilante. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-03.

Method for fabricating a phase-change memory cell

Номер патента: US20150357563A1. Автор: Fabio Pellizzer,Michele Magistretti,Cristina Casellato,Monica Vigilante. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-12-10.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240315032A1. Автор: Yoo Hyun NOH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Cross-point memory and methods for fabrication of same

Номер патента: US20190355789A1. Автор: Roberto Somaschini,Ombretta Donghi,Marcello Ravasio,Samuele Sciarrillo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-21.

Method for forming a cylinder capacitor in the dram process

Номер патента: US5989954A. Автор: Jenn Ming Huang,Yu-Hua Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1999-11-23.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20130217193A1. Автор: Wen-Yueh Jang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2013-08-22.

Resistive random-access memory structure and method for fabricating the same

Номер патента: US09960349B2. Автор: Yi-Hsiu Chen,Po-Yen Hsu,Ming-Hung Hsieh,Ting-Ying SHEN. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US09818936B2. Автор: Sang-soo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Method for fabricating semiconductor device including a first ILD with sloped surface on a stacked structure and a second ILD on the first ILD

Номер патента: US09780113B2. Автор: Jongwan Choi,Won-Seok Jung,Jiyoun Seo,Kyung-tae Jang,Jongmyeong Lee,Tae-Jong Han,Jiwoon Im,Kwangchul PARK,Byungho CHUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Method for fabricating non-volatile memory device

Номер патента: US09640548B2. Автор: Ki-Hong Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor apparatus and method for fabricating the same

Номер патента: US09583706B2. Автор: Hyung Keun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Method for fabricating magnetic tunnel junction and 3-D magnetic tunnel junction array

Номер патента: US09412935B1. Автор: Yeu-Chung LIN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-08-09.

Method for fabricating semiconductor device including a patterned multi-layered dielectric film with an exposed edge

Номер патента: US09412851B2. Автор: Ping-Chia Shih,Chi-Cheng Huang,Yu-Chun Chang,Kuo-Lung Li,Chia-Cheng Hsu,Mu-Jia Liu,Kun-I Chou,Chung-Che Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Non-volatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09287283B2. Автор: Eun-Seok Choi,Young-Wook Lee,Ki-hong Lee,Won-Joon Choi,Sang-Bum Lee,Se-Yun Lim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-03-15.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240215216A1. Автор: Kang Sik Choi,Seung Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: EP4236662A1. Автор: Yi-Wen Chen,Yu-Hsiang Lin,Jia-Rong Wu,Hung-Yi Wu,Kun-Sheng Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-30.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12041784B2. Автор: Chun-Hsien Lin,Shih-Hung Tsai,Hon-Huei Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20140308796A1. Автор: Tae-Jung HA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240334710A1. Автор: Chun-Hsien Lin,Shih-Hung Tsai,Hon-Huei Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Methods for fabricating a memory device with an enlarged space between neighboring bottom electrodes

Номер патента: US09349952B1. Автор: Jun Okuno. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-05-24.

Semiconductor device including memory structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240237327A9. Автор: Yu-Ting Lin,Shih-Fan Kuan,Wei-Chen Pan,Huei-Ru Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor storage device and method for forming a profile of a capacitor thereof

Номер патента: US20200144392A1. Автор: Rongfu ZHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2020-05-07.

Method for fabricating a memory cell

Номер патента: US20050191806A1. Автор: Harald Seidl,Martin Gutsche. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-09-01.

Method for fabricating a deep trench capacitor of dram device

Номер патента: US20050277242A1. Автор: Ping Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-12-15.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240341076A1. Автор: Seung Hwan Kim,Seok Pyo Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Method for fabricating display panel, display panel and display device

Номер патента: US20210050561A1. Автор: Tao Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-18.

Display device and method for fabricating the same

Номер патента: US09929367B2. Автор: Shinsuke Iguchi,Chinlung Liao. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Methods for patterning films, fabricating organic electroluminescence display and fabricating thin film transistor array substrate

Номер патента: US20070072322A1. Автор: Hsi-Ming Chang. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2007-03-29.

Method for manufacturing spin wave excitation/detection structure

Номер патента: CA3227691A1. Автор: Toshiaki Watanabe,Mitsuteru Inoue,Taichi Goto. Владелец: Toyohashi University of Technology NUC. Дата публикации: 2023-02-02.

Method for fabricating semiconductor structure, and semiconductor structure

Номер патента: US20240021518A1. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Magnesium oxide capping with a shorted path for perpendicular magnetic tunnel junction devices and method for fabrication

Номер патента: US09444035B2. Автор: Xiaochun Zhu,Seung Hyuk KANG,Chando Park,Kangho Lee,Matthias Georg GOTTWALD,Jimmy Kan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Method for fabricating piezoelectric transducer

Номер патента: US20160172577A1. Автор: Kuan-Wen Chen,Chien-Chong Hong. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2016-06-16.

Method for fabricating curved decoration plate and curved display device

Номер патента: US09662928B2. Автор: Yung-Chien Chen. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Method for fabricating display device and display device

Номер патента: US09614015B2. Автор: Moongyu Lee,Baek Hee Lee,Manseob Choi,Seungwon PARK,Minhyuck Kang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device with bulb-type recessed channel and method for fabricating the same

Номер патента: US20110068380A1. Автор: Kwon Hong,Yong-Soo Kim,Min-Gyu Sung,Heung-Jae Cho,Kwan-Yong Lim,Se-Aug Jang,Seung-Ho Pyi,Tae-Yoon Kim,Seung-Ryong Lee,Hong-Seon Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-24.

Resistive memory with small electrode and method for fabricating the same

Номер патента: US20150021539A1. Автор: Jun Mao,Yimao Cai,Ru Huang,Yue Pan,Yinglong Huang,Shenghu Tan. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-01-22.

Method for fabricating display device including uneven electrode and display device thereof

Номер патента: US09559329B2. Автор: Hyunshik LEE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Method for forming an electrode with a layer of hemispherical grains thereon

Номер патента: US20020110993A1. Автор: Wengyi Chen,Chiuling Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-08-15.

Method for fabricating stacked capacitors with increased capacitance in a DRAM cell

Номер патента: US5434812A. Автор: Horng-Huei Tseng. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 1995-07-18.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20020045305A1. Автор: Ki Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-18.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: US7666738B2. Автор: Dong-Woo Shin,Jin-woong Kim,Jong-Min Lee,Hyung-Bok Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-02-23.

Method for fabricating a semiconductor device utilizing hemispherical grain silicon and doping to increase capacitance

Номер патента: US6620708B1. Автор: Hong Goo Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-09-16.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20060141734A1. Автор: Jae Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-29.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US7338855B2. Автор: Jae Suk Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-04.

Ferroelectric capacitor devices and a method for compensating for damage to a capacitor caused by etching

Номер патента: EP1683191A1. Автор: Bum-Ki Moon. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-07-26.

Ferroelectric capacitor devices and a method for compensating for damage to a capacitor caused by etching

Номер патента: US7119021B2. Автор: Bum-Ki Moon. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-10-10.

Semiconductor storage device and method for forming a profile of a capacitor thereof

Номер патента: US20200144392A1. Автор: Rongfu ZHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2020-05-07.

Method for forming upper electrode of a capacitor using ALD

Номер патента: KR100510473B1. Автор: 이종호,박창수. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-10-25.

Method of designing and fabricating a microlens array

Номер патента: US20180209030A1. Автор: Qi Wang,TARIQ ALI,Ilyas I. Khayrullin,Amalkumar P. Ghosh,Ihor Wacyk,Kerry TICE,Evan DONOGHUE. Владелец: Emagin Corp. Дата публикации: 2018-07-26.

Method for for fabricating semiconductor device and computing system for implementing the same

Номер патента: KR102163187B1. Автор: 윤종식,김병성,이화성,김윤해. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2020-10-08.

Methods for operating and fabricating a semiconductor device having a buried guard ring structure

Номер патента: US20080188045A1. Автор: Wesley H. Morris. Владелец: Silicon Space Tech Corp. Дата публикации: 2008-08-07.

METHOD FOR DESIGNING AND FABRICATING A DEVICE THAT FORCES ATOMS TO EMIT SPECTRUMS

Номер патента: US20160247961A1. Автор: JUNG SUN-HO. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-25.

Method for fabricating memory cells for a memory device

Номер патента: US20060046317A1. Автор: Rainer Bruchhaus,Martin Gutsche. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-03-02.

Method for fabricating a ferroelectric memory configuration

Номер патента: US20020110935A1. Автор: Christine Dehm,Thomas Roehr,Heinz Hoenigschmid,Georg Braun,Günther SCHINDLER,Renate Bergmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-08-15.

Static random access memory and method for fabricating the same

Номер патента: US20240284651A1. Автор: Chia-Chen Sun. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for fabricating split gate flash memory device

Номер патента: US20050142698A1. Автор: Sang Hun Oh. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Method for fabricating split gate flash memory device

Номер патента: US7166511B2. Автор: Sang Hun Oh. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-23.

Methods for fabricating magnetoresistive random access memory

Номер патента: US20240215457A1. Автор: Wei-Chuan Chen,Hong-Hui Hsu,Yiheng XU,Chih-Yuan Lee. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for fabricating a load in a static random access memory

Номер патента: US6083786A. Автор: Kuei-Chang Liang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2000-07-04.

Method for fabricating semiconductor device by using radical oxidation

Номер патента: US20060008996A1. Автор: Jae-Geun Oh,Heung-Jae Cho,Kwan-Yong Lim,Se-Aug Jang,Hong-Seon Yang,Hyun-Chul Shon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-01-12.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20070020848A1. Автор: Nobuyoshi Takahashi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-25.

Magnetoresistance random access memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US12069955B2. Автор: Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Ching-Hua Hsu,Si-Han Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240315050A1. Автор: Che-Wei Chang,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Ching-Hua Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240315139A1. Автор: Hui-Lin WANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240334836A1. Автор: Che-Wei Chang,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Ching-Hua Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US12120962B2. Автор: Tai-Cheng Hou,Chau-Chung Hou,Da-Jun Lin,Wei-Xin Gao,Fu-Yu Tsai,Bin-Siang Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Magnetic random access memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US12089504B2. Автор: Wei-Chuan Tsai,Yen-Tsai Yi,Jin-Yan Chiou,Hsiang-Wen Ke. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12127414B2. Автор: Da-Jun Lin,Fu-Yu Tsai,Bin-Siang Tsai,Yi-An Shih. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Method for fabricating selector and semiconductor device including the same

Номер патента: US20240237559A1. Автор: Cha Deok Dong,Keo Rock CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Apparatus and method for detecting defect of battery pack

Номер патента: US11789089B2. Автор: Young-Joong Kim,Jin-Hyun Lee. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Apparatus and method for detecting defect in battery pack

Номер патента: EP3926354A1. Автор: Young-Joong Kim,Jin-Hyun Lee. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2021-12-22.

CAPACITOR OF VARIABLE CAPACITY, COMPRISING A LAYER OF A PHASE CHANGE MATERIAL, AND METHOD FOR VARYING THE CAPACITY OF A CAPACITOR

Номер патента: US20160172113A1. Автор: REIG Bruno,Bastien Jean-Claude. Владелец: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERANTIVES. Дата публикации: 2016-06-16.

Method for adjusting the capacity of a capacitor during its production

Номер патента: EP0274955A1. Автор: Michel Pageaud. Владелец: Compagnie Europeenne de Composants Electroniques LCC CICE. Дата публикации: 1988-07-20.

Method for sealing and fabricating cap for field emission display

Номер патента: US6881116B2. Автор: Sang-Jo Yoon. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2005-04-19.

Capacitor structure, semiconductor memory device including the same, method for fabricating the same, and method for fabricating semiconductor memory device including the same

Номер патента: US12094924B2. Автор: Su Hwan Kim,Sang Yeol Kang,Kyoo Ho Jung,Won Sik CHOI,Dong Kwan BAEK,Yu Kyung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Capacitor integrated in finfet device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220246604A1. Автор: Rui Pan,Jionghan Ye. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Capacitor integrated in FinFET device and method for fabricating the same

Номер патента: US11887983B2. Автор: Rui Pan,Jionghan Ye. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Method for fabricating a MIM capacitor

Номер патента: US09966425B1. Автор: Chun-Yuan Wu,Ai-Sen Liu,Chun-Ling Lin,Chin-Fu Lin,Ko-Wei Lin,Bin-Siang Tsai,Yen-Chen Chen,Kuo-Chih Lai,Yang-Ju Lu,Jen-Po Huang,Xu Yang Shen,Seng Wah Liau. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Method for fabricating a capacitor by using self-aligned etaching process

Номер патента: US20020132489A1. Автор: Ching-Yu Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-19.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20020106816A1. Автор: Yoshihiro Mori,Yasutoshi Okuno,Akihiko Tsuzumitani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-08.

Capacitor and method for fabricating the same

Номер патента: US09773860B1. Автор: Ching-Li Yang,Chih-Sheng Chang,Shih-Che Huang,Yu-Tsung Lai,Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Method for fabricating a semiconductor device and the same

Номер патента: US20210288052A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-16.

Method for fabricating capacitor

Номер патента: US20180197863A1. Автор: Chieh-Te Chen,Feng-Yi Chang,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-12.

Method for fabricating capacitor

Номер патента: US09887258B2. Автор: Bin-Yi Lin. Владелец: ASUSTeK Computer Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: US20020061622A1. Автор: Young Chen. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-05-23.

Semiconductor device incorporating elements formed of refractory metal-silicon-nitrogen and method for fabrication

Номер патента: US20030151116A1. Автор: Louis Hsu,Lawrence Clevenger,Keith Wong,Cyril Cabral. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-08-14.

Capacitor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240014251A1. Автор: Cheol-Hwan Park,Myung-Soo Lee,Chee-Hong AN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Method for fabricating interconnect of capacitor

Номер патента: US20020056880A1. Автор: Roger Yen,Chewnpu Jou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-16.

Capacitor with single crystal tantalum oxide layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20070001204A1. Автор: Do-Hyung Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-01-04.

Integration scheme for fabricating high precision, low capacitor with unlanded via

Номер патента: US20240186367A1. Автор: Sunil Kumar Singh,Sivashankar Sivasubramanian. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-06.

Capacitor and method for fabricating the same and semiconductor device

Номер патента: US20030184950A1. Автор: Shunji Nakamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-10-02.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210104528A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-04-08.

Method for fabricating conducting plates for a high-q mim capacitor

Номер патента: WO2008045672A2. Автор: Alan Cuthbertson,Isaiah O. Oladeji. Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2008-04-17.

Image sensor and method for fabricating the same

Номер патента: US20200058707A1. Автор: Min Jun Choi,Chang Hwa Kim,Kwan Sik KIM,Sang Su Park,Man Geun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-20.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11728329B2. Автор: Sang Yun Nam. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12051689B2. Автор: Sang Yun Nam. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Method of fabricating a resistor and a capacitor electrode in an integrated circuit

Номер патента: US20010049175A1. Автор: Kuo-Liang Huang,I- Ho Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-12-06.

Method for fabricating capacitor containing zirconium oxide dielectric layer

Номер патента: US20030003650A1. Автор: Chang-Rock Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-01-02.

Method for fabricating semiconductor device having ruthenium layer and equipment for fabricating the same

Номер патента: US20030022521A1. Автор: Seok-jun Won,Cha-young Yoo,Soon-yeon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-01-30.

Method for fabricating a mim capacitor having increased capacitance density and related structure

Номер патента: WO2006057775B1. Автор: Guangming Li,Dieter Dornisch,Kenneth M Ring,Tinghao F Wang,David J Hoaward. Владелец: David J Hoaward. Дата публикации: 2006-12-14.

Method for manufacturing multilayer crown-shaped MIM capacitor

Номер патента: US10121848B2. Автор: Wen-Yi Wong,Shyng-Yeuan Che. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2018-11-06.

Method for fabricating a capacitor

Номер патента: US20030049908A1. Автор: Sung Park,Byoung Ahn,Joon Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-03-13.

Fabrication method for a semiconductor structure having integrated capacitors

Номер патента: US7312115B2. Автор: Harald Seidl,Martin Gutsche. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-12-25.

Method for manufacturing capacitor structure, and method for manufacturing capacitor element

Номер патента: US20030219955A1. Автор: Keiichi Hashimoto,Yoshikazu Arakawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-27.

Method for manufacturing capacitor structure, and method for manufacturing capacitor element

Номер патента: US6703285B2. Автор: Keiichi Hashimoto,Yoshikazu Arakawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-03-09.

Method for fabricating polysilicon capacitor

Номер патента: US20020192922A1. Автор: Shyh-Dar Lee,Chen-Chiu Hsue. Владелец: SILICON INTEGRATED SYSTEMS CORP. Дата публикации: 2002-12-19.

Adaptive capacitors with reduced variation in value and in-line methods for making same

Номер патента: US09899468B2. Автор: Peter J. Zampardi,Brian Moser. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for manufacturing multilayer crown-shaped mim capacitor

Номер патента: US20170250245A1. Автор: Wen-Yi Wong,Shyng-Yeuan Che. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2017-08-31.

Adaptive capacitors with reduced variation in value and in-line methods for making same

Номер патента: US9899468B2. Автор: Peter J. Zampardi,Brian Moser. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200219883A1. Автор: Chang-Hyeon Nam,Injoon Yeo. Владелец: Xia Tai Xin Semiconductor Qing Dao Ltd. Дата публикации: 2020-07-09.

Adaptive capacitors with reduced variation in value and in-line methods for making same

Номер патента: US09673271B2. Автор: Peter J. Zampardi,Brian Moser. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Method for fabricating a three-dimensional inductor carrier with metal core and structure thereof

Номер патента: US8513772B2. Автор: You-Ming Hsu,Chih-Ming Kuo. Владелец: Chipbond Technology Corp. Дата публикации: 2013-08-20.

Method for fabricating a three-dimensional inductor carrier with metal core and structure thereof

Номер патента: US20130127578A1. Автор: You-Ming Hsu,Chih-Ming Kuo. Владелец: Chipbond Technology Corp. Дата публикации: 2013-05-23.

Method for forming a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: US20030109103A1. Автор: Kyong Kim,Ho-Jung Sun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-06-12.

Thin capacitive structures and methods for making the same

Номер патента: WO2001047000A3. Автор: Subhas Bothra,Dipankar Pramanik,Calvin T Gabriel. Владелец: Philips Semiconductors Inc. Дата публикации: 2002-02-07.

MIM capacitor of embedded structure and method for making the same

Номер патента: US11239153B2. Автор: YU Chen. Владелец: Hua Hong Semiconductor Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-01.

A method for making a metal-insulator-metal capacitor using plate-through mask techniques

Номер патента: EP1393357A2. Автор: Xian J. Ning,Kwong H. Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-03-03.

A method for making a metal-insulator-metal capacitor using plate-through mask techniques

Номер патента: WO2002086947A2. Автор: Xian J. Ning,Kwong H. Wong. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-10-31.

Method for forming a capacitor in a semiconductor device

Номер патента: US20020094657A1. Автор: Woo-Seok Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-07-18.

Capacitor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230402502A1. Автор: Da-Zen Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Method for fabricating metal gate transistor and polysilicon resistor

Номер патента: US8349682B2. Автор: Chih-Yu Tseng,Cheng-Wen Fan,Che-Hua Hsu,Victor-Chiang Liang,Kun-Szu Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-01-08.

Method for fabricating metal gate transistor and polysilicon resistor

Номер патента: US20120214284A1. Автор: Chih-Yu Tseng,Cheng-Wen Fan,Che-Hua Hsu,Victor-Chiang Liang,Kun-Szu Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-08-23.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234559A1. Автор: Kuo-Yu Liao,Sheng-Yuan Hsueh,Chien-Liang Wu,Kuo-Hsing Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for fabricating semiconductor device with protruding contact

Номер патента: US11574911B2. Автор: Chih-Hung Chen,Chiang-Lin Shih,Szu-Yao Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-02-07.

Method for fabricating semiconductor device with protruding contact

Номер патента: US20220122982A1. Автор: Chih-Hung Chen,Chiang-Lin Shih,Szu-Yao Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-04-21.

Method for fabricating semiconductor device with assistant layer

Номер патента: US12051718B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US20180190658A1. Автор: Mei-Ling Chen,Yi-Wei Chen,Shih-Fang Tzou,Ching-Hsiang Chang,Tzu-Chin Wu,Wei-Hsin Liu,Chia-Lung Chang,Jui-Min Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-05.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US10262895B2. Автор: Mei-Ling Chen,Yi-Wei Chen,Shih-Fang Tzou,Ching-Hsiang Chang,Tzu-Chin Wu,Wei-Hsin Liu,Chia-Lung Chang,Jui-Min Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-16.

Structure and Method for Fabricating a Computing System with an Integrated Voltage Regulator Module

Номер патента: US20240243012A1. Автор: Jun Zhai,II Joseph T. DiBene,Mengzhi Pang,Kunzhong Hu,Vidhya Ramachandran,Chonghua ZHONG,Shawn Searles. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210082922A1. Автор: Chih-Wei Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Interdigitated capacitor and method for fabrication therof

Номер патента: US20050206469A1. Автор: Chung-Long Chang,Wen-Chin Lin,Denny Tang,Chun-Hon Chen,Li-Shyue Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-09-22.

Semiconductor device with protruding contact and method for fabricating the same

Номер патента: US20220122979A1. Автор: Chih-Hung Chen,Chiang-Lin Shih,Szu-Yao Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-04-21.

Touch panel, method for fabricating the same and touch display device

Номер патента: US09898141B2. Автор: Yanfeng Wang,Xiaoguang XU,Chunwei Wu,Chungchun LEE. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Laminating method for forming integrated circuit microelectronic fabrication

Номер патента: US20020197775A1. Автор: Syun-Ming Jang,Mong-Song Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2002-12-26.

Protective structures for bond wires, methods for forming same, and test apparatus including such structures

Номер патента: US20020031847A1. Автор: Salman Akram. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Methods for fabricating guide patterns and methods for fabricating integrated circuits using such guide patterns

Номер патента: US09455154B2. Автор: Gerard M. Schmid,Richard Farrell. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Inductor structure having conductive sheets having fan plate shape arranged in ring structure and fabrication method thereof, electronic package and fabrication method thereof, and method for fabricating packaging carrier

Номер патента: US12062685B2. Автор: Shih-Ping Hsu. Владелец: Phoenix Pioneer Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Method for fabricating COA array substrate, array substrate and display device

Номер патента: US09893129B2. Автор: Shi Shu,Yonglian QI,Guanbao HUI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for Fabricating Silicon Nanowire Field Effect Transistor Based on Wet Etching

Номер патента: US20120302027A1. Автор: Xin Huang,Ru Huang,Yujie Ai,Jiewen Fan,Shuai Sun,Runsheng Wang,Jibin Zou. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-11-29.

Methods for fabricating semiconductor or micromachined devices with metal structures and methods for forming self-aligned deep cavity metal structures

Номер патента: US09620373B1. Автор: Rakesh Kumar,Sharath POIKAYIL SATHEESH,Pradeep Yelehanka,Natarajan Rajasekaran,Siddharth Chakravarty. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-04-11.

Resilient interconnect structure for electronic components and method for making the same

Номер патента: EP1200992A1. Автор: Gary W. Grube,Benjamin N. Eldridge,Gaetan L. Mathieu,Richard A. Larder. Владелец: Formfactor Inc. Дата публикации: 2002-05-02.

Method for fabricating a semiconductor structure having heterogeneous crystalline orientations

Номер патента: SG150479A1. Автор: Liu Jinping,HSIA Liang Choo,Zhou Mei Sheng,Alex KH SEE. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-03-30.

Method for fabricating semiconductor device and method for operating the same

Номер патента: US20170186948A1. Автор: Kyung-Wan KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-29.

Method for fabricating polycide dual gate in semiconductor device

Номер патента: US20010006832A1. Автор: Jong Bae,Ji Park,Dong Sohn. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-07-05.

Method for fabricating semiconductor device and method for operating the same

Номер патента: US09837148B2. Автор: Kyung-Wan KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Method for fabricating FinFET with separated double gates on bulk silicon

Номер патента: US09478641B2. Автор: JIA Li,Ru Huang,Xiaoyan Xu,Jiewen Fan,Runsheng Wang. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-10-25.

Method for fabricating solid-state image pickup device using charged-coupled devices

Номер патента: WO2006080595A1. Автор: Kyung-sik Kim. Владелец: International Display Solutions Co., Ltd.. Дата публикации: 2006-08-03.

Method for fabricating a semiconductor component having at least one transistor cell and an edge cell

Номер патента: US20030232476A1. Автор: Hans Weber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-12-18.

Method for fabricating a semiconductor component having at least one transistor cell and an edge cell

Номер патента: US6833298B2. Автор: Hans Weber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-12-21.

Method for fabricating semiconductor package and semiconductor package using the same

Номер патента: US09881864B2. Автор: Seung Woo Lee,Byong Jin Kim,Won Bae Bang,Sang Goo Kang. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Method for fabricating P-type semiconductor substrate, solar cell and method for fabricating the same

Номер патента: US09461194B2. Автор: Chia-Gee Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-10-04.

Method for fabricating a semiconductor device including an embedded semiconductor die

Номер патента: US20240250004A1. Автор: Wolfgang Scholz,Bernd SCHMOELZER,Edward Fuergut,Mark Thomas,Martin Gruber,Achim Althaus,Marco Nicolas Mueller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20020106863A1. Автор: In-Chul Jung,Seung-Hoon Sa. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-08-08.

Method for fabricating silicon carbide semiconductor device and power conversion device using the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12131906B2. Автор: Shiro Hino,Koji Sadamatsu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Method for fabricating a metal oxide thin film transistor

Номер патента: US09991135B2. Автор: Xiang Xiao,Xin He,Shengdong Zhang,Yang Shao. Владелец: Peking University Shenzhen Graduate School. Дата публикации: 2018-06-05.

Devices with embedded non-volatile memory and metal gates and methods for fabricating the same

Номер патента: US09583499B1. Автор: Ming Zhu,Pinghui Li,Yiang Aun Nga,Weining Cheng. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Light emitting diode package with odds of lead fram removed from its surface and method for fabricating the same

Номер патента: WO2008072862A1. Автор: Jong Kook Lee. Владелец: SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD.. Дата публикации: 2008-06-19.

Method for fabricating 3-dimensional solenoid and device fabricated

Номер патента: US20030104650A1. Автор: Yi-Shiau Chen,Jing-Hung Chiou,Kaihsiang Yen,Su-I Cheng. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2003-06-05.

Etching methods, etching apparatus and methods for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20030036285A1. Автор: Takashi Kokubun. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-02-20.

Array substrate for liquid crystal display and method for fabricating the same

Номер патента: US20100187536A1. Автор: Yu-Cheng Chen,Chen-Yueh Li. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2010-07-29.

Method for fabricating a metallic oxide thin film transistor

Номер патента: US09893173B2. Автор: Xiang Xiao,Xin He,Shengdong Zhang,Yang Shao. Владелец: Peking University Shenzhen Graduate School. Дата публикации: 2018-02-13.

Apparatus including 4-way valve for fabricating semiconductor device, method of controlling valve, and method of fabricating semiconductor device using the apparatus

Номер патента: US09702041B2. Автор: Young-Hoon Kim,Seok-jun Won,Dae-jin Kwon,Weon-Hong Kim,Yong-Min Yoo,Dae-Youn Kim. Владелец: Genitech Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

P-Si TFT and method for fabricating the same, array substrate and method for fabricating the same, and display device

Номер патента: US09673333B2. Автор: Zheng Liu,Xiaolong Li,Xiaoyong Lu,Yu-Cheng CHAN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Methods for fabricating programmable devices and related structures

Номер патента: US09564447B1. Автор: Min-Hwa Chi,Ajey P. Jacob,Suraj K. Patil. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Method for fabricating semiconductor thin film using substrate irradiated with focused light, apparatus for fabricating semiconductor thin film using substrate irradiated with focused light, method for selectively growing semiconductor thin film using substrate irradiated with focused light, and semiconductor element using substrate irradiated with focused light

Номер патента: US20120001302A1. Автор: Hisashi Matsumura,Kazuyoshi Itoh,Shunro Fuke,Yasuo Kanematsu. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for fabricating semiconductor device, and method for fabricating display device

Номер патента: US20130089933A1. Автор: Katsuyuki Suga. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-04-11.

Method for fabricating schottky barrier tunnel transistor

Номер патента: US20080132049A1. Автор: Seong-Jae Lee,Tae-Youb KIM,Moon-Gyu Jang,Byoung-Chul Park,Chel-jong Choi,Yark-Yeon KIM,Myung-Sim JUN. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2008-06-05.

Mos structures with contact projections for lower contact resistance and methods for fabricating the same

Номер патента: US20080308879A1. Автор: Jianhong Zhu,Fred Hause,David Wu. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2008-12-18.

Method for fabricating a solar module, sub-laminate for fabricating a solar module and solar module

Номер патента: EP3453059A1. Автор: Michael SALVADOR,Hans-Joachim Egelhaaf,Christoph J. BRABEC,George SPYROPOULOS,Tayebeh Ameri. Владелец: ZAE Bayern Bayerisches Zentrum fuer Angewandte Energieforschung eV. Дата публикации: 2019-03-13.

Phase shift mask with enhanced resolution and method for fabricating the same

Номер патента: US8257886B2. Автор: Sang Jin Jo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-09-04.

Phase Shift Mask with Enhanced Resolution and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20100233588A1. Автор: Sang Jin Jo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-09-16.

Method for fabricating Schottky barrier tunnel transistor

Номер патента: US7745316B2. Автор: Seong-Jae Lee,Tae-Youb KIM,Moon-Gyu Jang,Byoung-Chul Park,Chel-jong Choi,Yark-Yeon KIM,Myung-Sim JUN. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2010-06-29.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20230215769A1. Автор: Nam Yoon Kim,Myung Jun Lee,Wook Rae KIM,Doory KIM,Dokyung JEONG,Uidon JEONG,Jae Hwang JUNG,SeokRan GO. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2023-07-06.

Method for fabricating a fin field effect transistor and a shallow trench isolation

Номер патента: US09991154B2. Автор: Hsien-Che Teng,Jia-Ming Lin,Yun-Wen Chu,Wei Ken Lin,Yung-Chou Shih,Kun-Dian She,Lichia Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for fabricating semiconductor device including a via hole in a mask pattern

Номер патента: US09941172B2. Автор: Suk-joo Lee,Joong-Won JEON,Jong-Doo Kim,Young-Deok KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09887238B1. Автор: Su Xing,Wanxun He. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Method for fabricating a semiconductor device by bonding a layer to a support with curvature

Номер патента: US09536901B2. Автор: Masakazu Murakami,Shunpei Yamazaki,Junya Maruyama,Toru Takayama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09520499B2. Автор: Sung-min Kim,Dong-Kyu Lee,Ji-su Kang,Dong-Ho Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-13.

Method for fabricating conductive layer stack and method for fabricating semiconductor device with gate contact

Номер патента: US12014955B2. Автор: Che-Hsien LIAO,Yueh Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Method for fabricating semiconductor device using tilted etch process

Номер патента: US20220076959A1. Автор: Huan-Yung Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-10.

Method for fabricating semiconductor device including resist flow process and film coating process

Номер патента: US20070059926A1. Автор: Jae Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-03-15.

Etching mask, method for fabricating the same, and method for fabricating a semiconductor structure using the same

Номер патента: US20220223414A1. Автор: Yu-Chen Huang,Jui-Seng WANG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-07-14.

Method for fabricating a semiconductor component

Номер патента: US20050118816A1. Автор: Franz Hirler,Markus Zundel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-06-02.

A method for fabricating a high performance pin focal plane structure using three handle wafers

Номер патента: EP1935024B1. Автор: Andrew G. Toth,Christopher L.. Fletcher. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2012-05-16.

Method for fabricating a gate dielectric layer and for fabricating a gate structure

Номер патента: US20120276731A1. Автор: Yi Nan Chen,Hsien Wen Liu,Kuo Hui Su. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Capped semiconductor based sensor and method for its fabrication

Номер патента: SE2151590A1. Автор: Stephan Schroder. Владелец: SENSEAIR AB. Дата публикации: 2023-06-23.

Method for fabricating defect free silicon mold insert

Номер патента: US20140353277A1. Автор: Chong-Ming Lee,Chung-Hua Lee. Владелец: Greencore Technology Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-04.

Method for fabricating a semiconductor device using a wafer inspection apparatus

Номер патента: US20240304501A1. Автор: Ki Hun Kim,Yong Ju Jeon,Jeong-su Ha,Jhong Kwon KIM,Da Young MYOUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Method for fabricating display device and display device

Номер патента: US09905620B2. Автор: Taean SEO,Mu Gyeom Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Method for fabricating multi-chip stack structure

Номер патента: US09754927B2. Автор: Chin-Huang Chang,Chung-Lun Liu,Jung-Pin Huang,Yi-Feng Chang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Wafer-level bonding method for camera fabrication

Номер патента: US09553126B2. Автор: Alan Martin,Edward Nabighian. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Method for fabricating microstructure to generate surface plasmon waves

Номер патента: US09450154B2. Автор: Cheng-Sheng Tsung,Shih-Hao Chuang. Владелец: Cheng-Sheng Tsung. Дата публикации: 2016-09-20.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20240213023A1. Автор: Chan Hwang,Seung Yoon Lee,Jeong Jin Lee,Doo Gyu LEE,Min-Cheol KWAK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20170069503A1. Автор: Kazuyuki Higashi,Mika Fujii,Kazumichi Tsumura,Takashi Shirono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Method for forming semiconductor device having epitaxial channel layer using laser treatment

Номер патента: US20020001890A1. Автор: Jung-Ho Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-03.

Semiconductor device with uneven electrode surface and method for fabricating the same

Номер патента: US20230105066A1. Автор: Tsu-Chieh AI. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-04-06.

Method for fabricating a wiring plane on a semiconductor chip with an antifuse

Номер патента: US6455435B1. Автор: Matthias Lehr,Wolfgang Leiberg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-09-24.

Quantum dot of single electron memory device and method for fabricating thereof

Номер патента: US20030054624A1. Автор: Il-Gweon Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-03-20.

Thin film transistor, method for fabricating the same, array substrate, and display device

Номер патента: US20200243576A1. Автор: Kui Gong,Xianxue Duan,Jilong Li. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

Substrateless hybrid power module assembly and method for fabricating thereof

Номер патента: EP4406010A1. Автор: Vijay Bolloju. Владелец: Indiavp Semiconductor Pvt Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Methods for fabricating a metal structure for a semiconductor device

Номер патента: US09865690B2. Автор: Chuanxin Lian,Liping Daniel Hou. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Method for fabricating flexible substrate and flexible substrate prefabricated component

Номер патента: US09717143B2. Автор: Hongda Sun,Meili Wang,Fengjuan LIU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US09466703B2. Автор: Dong-won Kim,Nak-Jin Son,Keun-Ho Lee,Chang-Wook Jeong,Kwang-Seok Lee,Ui-hui Kwon,Young-Kwan Park,Seung-Hyun Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Fabrication method and apparatus for fabricating a spatial structure in a semiconductor substrate

Номер патента: US20030082883A1. Автор: Wolfgang Welser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-05-01.

Method for fabricating flexible electrical devices

Номер патента: US20130267061A1. Автор: Chyi-Ming Leu,Yung-Lung Tseng,Chi-Fu Tseng,Hsueh-Yi Liao. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2013-10-10.

Semiconductor memory apparatus and method for fabricating the same

Номер патента: US20110074035A1. Автор: Hyoung Soon Yune,Joo Hong Jeong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-31.

Apparatus for fabricating a semiconductor device and method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US12009238B2. Автор: Chung-Hung Lin,Chih-Wei Wen,Po-Chien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Apparatus for fabricating a semiconductor device and method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20210327735A1. Автор: Chung-Hung Lin,Chih-Wei Wen,Po-Chien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor device with assistant layer and method for fabricating the same

Номер патента: US12080754B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for fabricating partial SOI substrate

Номер патента: US7927965B2. Автор: Myung-Ok Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-04-19.

Method for fabricating partial soi substrate

Номер патента: US20100120218A1. Автор: Myung-Ok Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-05-13.

Method for fabricating a semiconductor device and a semiconductor device fabricated by the method

Номер патента: US20080124854A1. Автор: Seong-Jae Lee,Tae-Youb KIM,Moon-Gyu Jang,Chel-jong Choi,Yark-Yeon KIM,Myung-Sim JUN. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2008-05-29.

Apparatus for fabricating a semiconductor device and method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20240297057A1. Автор: Chung-Hung Lin,Chih-Wei Wen,Po-Chien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Method for fabricating backside-illuminated sensors

Номер патента: EP2812920A1. Автор: Venkatesan Murali,Christopher J. Petti,Arvind Chari,Gopal Prabhu. Владелец: GTAT Corp. Дата публикации: 2014-12-17.

Apparatus for inspecting substrate and method for fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US12105027B2. Автор: Myung Jun Lee,Sung Ho Jang,Jang Ryul Park,Kwang Rak KIM,Soon Yang KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-01.

Methods for fabricating a semiconductor device and semiconductor devices fabricated by the same

Номер патента: US09761603B2. Автор: Jae-Hwang Sim,Joon-Sung LIM,Min-Sung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-12.

Light-emitting element, method for manufacturing same, and display device

Номер патента: EP4462490A1. Автор: Jung Woon Jung,Chang Hee Lee,Do Hyung Kim,Sang Ho Jeon,Je Won YOO,Jin Young Choi,Dong Uk Kim,Jong Il Kim,Yong Seok Choi,Joo Hee Lee,Ran Kim,Jae Kwang Lee,Na Ri AHN,Sang Ho Oh,In Pyo Kim,Na Mi HONG,Yun Hyuk KO,Chan Woo JOO,Mi Hyang SHEEN,Ki Young YEON,Jin Ho BYUN,Jong Hoon HA. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-13.

Method for fabricating a structure

Номер патента: US09653536B2. Автор: Patrick Reynaud,Isabelle Bertrand,Alexandre Chibko,Sylvain Peru,Sothachett Van. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-05-16.

Method for fabricating a composite structure to be separated by exfoliation

Номер патента: US09646825B2. Автор: Christophe Gourdel,Christophe Figuet. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-05-09.

Method for fabricating a microcontact spring on a substrate

Номер патента: US20030071351A1. Автор: Alexander Ruf. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-04-17.

Adapter board and method for forming same, packaging method, and package structure

Номер патента: US20210398892A1. Автор: Chen Wei,CAI Qiaoming,Yang Lie Yong,Lu Xiao Yu. Владелец: Semiconductor Manufacturing North China Beijing Corp. Дата публикации: 2021-12-23.

Method for fabricating a MOS transistor with reduced channel length variation and related structure

Номер патента: US20110089490A1. Автор: WEI Xia,Xiangdong Chen,Henry Kuo-Shun Chen. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2011-04-21.

Process method for fabricating a three-dimensional source contact structure

Номер патента: US20240097018A1. Автор: Bing-Yue Tsui,Jui-Cheng Wang,Li-Tien Hsueh,Jui-Tse Hsiao. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device, method for fabricating the same and apparatus for fabricating the same

Номер патента: WO2011040047A1. Автор: Masaru Sasaki. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2011-04-07.

Method for Fabricating a MOS Transistor with Reduced Channel Length Variation

Номер патента: US20130017658A1. Автор: WEI Xia,Xiangdong Chen,Henry Kuo-Shun Chen. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-01-17.

Method for fabricating semiconductor device with protection structure and air gaps

Номер патента: US20210358862A1. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-18.

Method for fabricating semiconductor device with protection liner for bit line

Номер патента: US12057348B2. Автор: Huan-Yung Yeh,Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Image sensor, micro-lens array, and method for fabricating micro-lens array with different heights in image sensor

Номер патента: US20190206912A1. Автор: Yu-Jui HSIEH,Po-Nan Chen. Владелец: Himax Technologies Ltd. Дата публикации: 2019-07-04.

Method for fabricating nonvolatile memory device

Номер патента: US20120052673A1. Автор: Ki-Hyun Hwang,Dong-Chul Yoo,Han-mei Choi,Jin-Gyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-03-01.

Method for fabricating semiconductor device with redistribution plugs

Номер патента: US12112978B2. Автор: Chun-Cheng Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Method for fabricating semiconductor device with protection liner for bit line

Номер патента: US20240355674A1. Автор: Huan-Yung Yeh,Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Systems and methods for fabrication of superconducting integrated circuits

Номер патента: EP4443484A2. Автор: Richard G. Harris,Paul I. Bunyk,Douglas P. Stadtler,Shuiyuan Huang,Byong H. Oh,Edward G. Sterpka,Jed D. Whittaker,Fabio Altomare,Colin C. Enderud,Loren J. Swenson,Nicolas C. Ladizinsky,Jason J. Yao,Eric G. Ladizinsky. Владелец: D Wave Systems Inc. Дата публикации: 2024-10-09.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: WO2023131742A1. Автор: Ville Vilokkinen,Riina Ulkuniemi,Petri Melanen. Владелец: Modulight Corporation. Дата публикации: 2023-07-13.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US09972524B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei Cheng Wu,Bao-Ru Young,Kong-Pin Chang,Chia Ming Liang,Meng-Fang Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Method for fabricating LDMOS with reduced source region

Номер патента: US09941171B1. Автор: Ji-Hyoung Yoo,Joel M. McGregor,Eric K. Braun. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Method for fabricating a nano structure

Номер патента: US09793123B2. Автор: Jun-Hyung Kim. Владелец: SK Innovation Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Reactive ion etching assisted lift-off processes for fabricating thick metallization patterns with tight pitch

Номер патента: US09728444B2. Автор: Sebastian U. Engelmann,Steve Holmes,Guy M. Cohen,Jyotica V. Patel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for fabricating NANO structure including dielectric particle supporters

Номер патента: US09725313B2. Автор: Jun-Hyung Kim. Владелец: SK Innovation Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for fabricating a shallow and narrow trench FET and related structures

Номер патента: US09653597B2. Автор: Ling Ma,David P. Jones,Niraj Ranjan,Hugo Burke,Igor Bol,Timothy D. Henson,Kapil Kelkar. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Methods for fabricating and treating doped conjugated polymer film

Номер патента: US09437345B2. Автор: Chun-Guey Wu,Chien-Hung Chiang. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2016-09-06.

Radio-frequency device package and method for fabricating the same

Номер патента: US09425098B2. Автор: Ming-Tzong Yang,Tung-Hsing Lee,Wei-Che Huang,Yu-Hua Huang,Cheng-Chou Hung. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US6660617B2. Автор: Hiroyuki Kawano. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-09.

Method for fabricating a 3d semiconductor apparatus having two vertically disposed seminconductor devices

Номер патента: US20220077003A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

Thin film transistor array substrate for a liquid crystal display and the method for fabricating the same

Номер патента: US20020057393A1. Автор: Woon-Yong Park,Dong-Hyeon Ki,Hyeon-Hwan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-05-16.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20040013867A1. Автор: MARK Martin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-22.

Method for fabricating a 3D semiconductor apparatus having two vertically disposed seminconductor devices

Номер патента: US11302587B2. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-04-12.

Method of fabricating a semiconducting thin film of polymer with improved chain ordering by drying in solvent rich atmosphere

Номер патента: US6339012B1. Автор: Jianna Wang,THOMAS Jackson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-15.

Method for fabricating complementary metal oxide semiconductor image sensor

Номер патента: US20040185595A1. Автор: Won-Ho Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-23.

Method for fabricating fluid ejection device

Номер патента: US9403365B2. Автор: David Bernard,Andrew McNees,James Mrvos. Владелец: Funai Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Method for fabricating semiconductor device, and semiconductor device made thereby

Номер патента: US20150236158A1. Автор: Chin-Cheng Chien,Chun-Jen Chen,Tien-Wei YU,Tsung-Mu Yang,Tien-Chen Chan,Ming-Hua Chang,Yu-Shu Lin,I-Cheng Hu,Chieh-Lung Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-08-20.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20010005616A1. Автор: Jae Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2001-06-28.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240290875A1. Автор: Kuo-Yu Liao,Sheng-Yuan Hsueh,Chien-Liang Wu,Kuo-Hsing Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for fabricating thin-film semiconductor device for display

Номер патента: US20130071972A1. Автор: Hisao Nagai,Kenichirou Nishida. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

Method for fabricating semiconductor device having radiation hardened insulators

Номер патента: US20100035393A1. Автор: John M. Aitken,Ethan H. Cannon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-02-11.

Fabrication method for thin film transistor, thin film transistor and display apparatus

Номер патента: US20180277376A1. Автор: Wei Wang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-27.

Method for fabricating a gate stack in very large scale integrated semiconductor memories

Номер патента: US20030036278A1. Автор: ARKALGUD Sitaram. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-20.

Methods for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20100311242A1. Автор: Jongwook Kye,Yunfei Deng. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2010-12-09.

Method for fabricating a buried bit line for a semiconductor memory

Номер патента: US20040018686A1. Автор: Veronika Polei,Mayk Röhrich. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-01-29.

Hybrid orientation substrate and method for fabrication thereof

Номер патента: US20090029531A1. Автор: Haining S. Yang,Judson R. Holt,Henry K. Utomo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-01-29.

Apparatus for fabricating display panel and method for fabricating the same

Номер патента: US20240276858A1. Автор: Jong Chan Lim,Tae Young Kim,Kyong Tae Park,Sang Hoon Lim,Dong So KIM,Jung Suk BAE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for fabricating a self-limiting silicon based interconnect for testing bare semiconductor dice

Номер патента: AU4232396A. Автор: Salman Akram,Warren M Farnworth,Alan G Wood. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1996-05-31.

Methods of fabricating a multianalyte detection device and devices thereof

Номер патента: US20240319135A1. Автор: Narendra Kumar,Kenneth S. Burch,Michael GEIWITZ,Matthew CATALANO. Владелец: Boston College. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for fabricating silicide layers for semiconductor device

Номер патента: US7446008B2. Автор: Dong Yeal Keum. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-11-04.

Method for fabricating a nonvolatile memory element and a nonvolatile memory element

Номер патента: US7410868B2. Автор: Klaus-Dieter Ufert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-08-12.

Method for fabricating pattern using supporting assembly with rolling member disposed below supporting rods and semiconductor fabrication apparatus having the supporting assembly

Номер патента: US20160299434A1. Автор: Ming-Sung Wu,Chien-Ju Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-10-13.

Method for fabricating touch display device

Номер патента: US09921677B1. Автор: Yi-Wei Chen,Shin-Shueh Chen. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2018-03-20.

Method and device for fabricating flexible display device

Номер патента: US09873241B2. Автор: Yuxin Zhang,Hongfei Cheng. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Method for fabricating pattern using supporting assembly with rolling member disposed below supporting rods and semiconductor fabrication apparatus having the supporting assembly

Номер патента: US09857689B2. Автор: Ming-Sung Wu,Chien-Ju Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

GaN substrate, semiconductor device and method for fabricating GaN substrate and semiconductor device

Номер патента: US09653588B2. Автор: Bocheng Cao,Zongmin ZHANG,Zhenghai Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Methods for fabricating apparatus having a hermetic seal

Номер патента: US09581468B2. Автор: Tom T. Nguyen. Владелец: Dunan Sensing LLC. Дата публикации: 2017-02-28.

Method for fabricating semiconductor device, pattern writing apparatus, recording medium recording program, and pattern transfer apparatus

Номер патента: US09535327B2. Автор: Takayuki Abe. Владелец: Nuflare Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Method and device for fabricating a layer in semiconductor material

Номер патента: US09528196B2. Автор: Michel Bruel. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2016-12-27.

Method for fabricating a field effect transistor with local isolations on raised source/drain trench sidewalls

Номер патента: US09478656B2. Автор: Hualong Song. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Method for forming void-free polysilicon and method for fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US09460964B2. Автор: Hyung-Kyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Method For Fabricating A Photovoltaic Module Including Laser Cutting Of A Photovoltaic Label

Номер патента: US20230207721A1. Автор: Mathieu Baudrit. Владелец: Sono Motors GmbH. Дата публикации: 2023-06-29.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US7220638B2. Автор: Osamu Yamaguchi,Kouichi Tani. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-22.

Body-tied soi transistor and method for fabrication thereof

Номер патента: EP1636852A1. Автор: David Donggang Wu,Wen-Jie Qi. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2006-03-22.

Method for fabricating a clamping device for flexible substrate

Номер патента: US7926170B2. Автор: Te-Chi Wong,Chen-Der Tsai,Chin-Jyi Wu,Yun-Chuan Tu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2011-04-19.

Method for fabricating fin structure for fin field effect transistor

Номер патента: US20230135072A1. Автор: Wei-Hao Huang,Shao-Wei Wang,Shih-Wei Su,Hao Che Feng,Hung Jen Huang,Hsin Min Han,Ming Shu Chiu,Pi-Hung Chuang,Ping Wei Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-05-04.

Color image sensor and method for fabricating the same

Номер патента: US20020096696A1. Автор: Ki-Nam Park,Do-Young Lee,Kang-Jin Lee,Chan-Ki Kim,Jae-Won Eom. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-25.

Method for fabricating trench metal-oxide-semiconductor field effect transistor

Номер патента: US7615442B2. Автор: Chien-Ping Chang,Mao-Song Tseng,Hsin-Huang Hsieh. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2009-11-10.

Methods for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20040142569A1. Автор: Seok Kim,Chee Choi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-22.

Back-side illumination image sensor and method for fabricating back-side illumination image sensor

Номер патента: US20120280343A1. Автор: Fang-Ming Huang,Tsung-Chieh Chang. Владелец: Himax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-11-08.

Substrate cleaning composition, method for cleaning substrate using the same, and method for fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US12046464B2. Автор: Hyun Jin Kim,Jong Kyoung Park,Hoon Han,Hyo San LEE,Mi Hyun Park,Ga Young SONG,Jung Youl LEE,Han Sol LIM. Владелец: Dongjin Semichem Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Thin film transistor array substrate for a liquid crystal display and the method for fabricating the same

Номер патента: US20050208711A1. Автор: Woon-Yong Park,Dong-Hyeon Ki,Hyeon-Hwan Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-09-22.

Method for fabricating a flash memory device

Номер патента: US6939766B1. Автор: Yue-Song He,Richard M. Fastow,Jianshi Wang. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-09-06.

Method for fabricating memory device

Номер патента: US20180061848A1. Автор: Chun-Hsu Chen,Hsu-Chi Cho. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-03-01.

Method for fabricating transistor of semiconductor device

Номер патента: US20040161902A1. Автор: Jeong Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-19.

Method for fabricating mask and device isolation film

Номер патента: US20080032210A1. Автор: Jae-Young Choi. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-02-07.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20090142901A1. Автор: In-Cheol Baek. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-04.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US8021944B2. Автор: In-Cheol Baek. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2011-09-20.

Quantum dot of single electron memory device and method for fabricationg thereof

Номер патента: US20020031649A1. Автор: Il-Gweon Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-03-14.

Method for fabricating a low dielectric constant material layer

Номер патента: US20020182849A1. Автор: Cheng-Yuan Tsai,Tsung-Tans Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-12-05.

Thin film transistor substrate, electronic apparatus, and methods for fabricating the same

Номер патента: US20100019243A1. Автор: Ming-Wei Sun,Chih-Wei Chao. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2010-01-28.

Thin film transistor substrate, electronic apparatus, and methods for fabricating the same

Номер патента: US20100176402A1. Автор: Ming-Wei Sun,Chih-Wei Chao. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2010-07-15.

Method for fabricating semiconductor device with self-aligned landing pad

Номер патента: US20210351187A1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Thin film transistor substrate, electronic apparatus, and methods for fabricating the same

Номер патента: US8093592B2. Автор: Ming-Wei Sun,Chih-Wei Chao. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-01-10.

Substrate cleaning composition, method for cleaning substrate using the same, and method for fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20220336206A1. Автор: Hyun Jin Kim,Jong Kyoung Park,Hoon Han,Hyo San LEE,Mi Hyun Park,Ga Young SONG,Jung Youl LEE,Han Sol LIM. Владелец: Dongjin Semichem Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

Method for fabricating semiconductor structure

Номер патента: US12068158B2. Автор: Tao Liu,Jun Xia,Penghui Xu,Sen Li,Qiang Wan,Kangshu ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for fabricating fan-out wafer level package and fan-out wafer level package fabricated thereby

Номер патента: US09972605B2. Автор: Yonghwan Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Method of fabricating a solar cell

Номер патента: US09899562B2. Автор: Po-Chuan YANG. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for fabricating a semiconductor device for use in an optical application

Номер патента: US09823414B2. Автор: Jens Hofrichter,Lukas Czornomaz,Mirja Richter,Heike E. Riel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US09799561B2. Автор: Masayuki Tomoyasu,Dong-Chan Kim,Chan-hoon Park,Je-woo Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Method for fabricating fan-out wafer level package and fan-out wafer level package fabricated thereby

Номер патента: US09653372B2. Автор: Yonghwan Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Methods for fabricating semiconductor devices having fin-shaped patterns by selectively removing oxidized fin-shaped patterns

Номер патента: US09620406B2. Автор: Se-Wan Park,Jung-Gun You,Seung-Woo DO,In-Won PARK,Sug-Hyun Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-11.

Methods for fabricating a plurality of optoelectronic devices from a wafer that includes a plurality of light detector sensor areas

Номер патента: US09570649B2. Автор: Sri Ganesh A. Tharumalingam,Seck Jiong Wong. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2017-02-14.

Nozzle assembly and method for fabricating a solar cell

Номер патента: US09537031B2. Автор: Shih-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Method for fabricating a semiconductor device for use in an optical application

Номер патента: US09459405B2. Автор: Jens Hofrichter,Heike Riel,Lukas Czornomaz,Mirja Richter. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Methods for fabricating CVD TiN barrier layers for capacitor structures

Номер патента: US6010940A. Автор: Hyeon-deok Lee,Myoung-Bum Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-01-04.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20080157290A1. Автор: Eunjong SHIN. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Method for fabricating a semiconductor device including a MOS transistor having a silicide layer

Номер патента: US12033858B2. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Methods for fabricating an STI film of a semiconductor device

Номер патента: US7217633B2. Автор: Geon-Ook Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-15.

Method for fabricating semiconductor transistor device

Номер патента: US20030119269A1. Автор: Tae Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-26.

Method for fabricating semiconductor device with programmable element

Номер патента: US20220069126A1. Автор: Chang-Chieh Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20070148787A1. Автор: Genichi Komuro,Kenji Kiuchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-06-28.

Method for fabricating semiconductor package

Номер патента: US20170213740A1. Автор: Neng-Tai Shih,Yi-Jen Lo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-27.

Apparatus for polishing a wafer and method for fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US20230170222A1. Автор: Ki Hoon Jang,Bo Un Yoon,Chung Ki Min,Dong Hoon KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-01.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20040185671A1. Автор: Seong-Wook Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-09-23.

Semiconductor device with connection structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20220077118A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-10.

System and method for fabricating a fin field effect transistor

Номер патента: WO2008024200A1. Автор: Gordon Haller,Sahn D. Tang. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2008-02-28.

Semiconductor package and method for fabricating base for semiconductor package

Номер патента: EP4235762A3. Автор: Wen-Sung Hsu,Ta-Jen Yu,Tzu-Hung Lin,Andrew C. Chang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2023-09-20.

Method for fabricating semiconductor device with metal spacers

Номер патента: US11756885B2. Автор: Kuo-Hui Su. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20220077144A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-10.

Method for fabricating a semiconductor device and apparatus for inspecting a semiconductor

Номер патента: WO2005086211A1. Автор: Yasunobu Tagusa. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2005-09-15.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20210320187A1. Автор: Chia-Ming Kuo,Chia-Wei Chang,Chia-Yuan Chang,Guan-Wei Huang,Fu-Jung Chuang,Po-Jen Chuang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-10-14.

Method for fabricating a metal high-k gate stack for a buried recessed access device

Номер патента: US10199227B2. Автор: Mark Fischer,Satoru Mayuzumi,Michael Violette. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2019-02-05.

Photomask for extreme ultraviolet lithography and method for fabricating the same

Номер патента: US8158305B2. Автор: Sung Hyun Oh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-04-17.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20220059448A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US7521305B2. Автор: Zing-Way Pei,Cha-Hsin Lin,Shing-Chii Lu,Ming-Jinn Tsai. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2009-04-21.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US7445998B2. Автор: Pin-Yao Wang,Rex Young. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-11-04.

Stacked package device and method for fabricating the same

Номер патента: US20160329305A1. Автор: Tung-Yi Chan,Hsin-Hung Chou,Chia Hua Ho,Yu-Cheng Chiao,Chen-Hsi Lin,Meng-Chang Chan. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-10.

Method for Fabricating Array-Molded Package-on-Package

Номер патента: US20140030851A1. Автор: Mark A. Gerber,David N. Walter. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-01-30.

Method for fabricating a polysilicon layer having large and uniform grains

Номер патента: US20080102611A1. Автор: Shuo-Ting Yan. Владелец: Innolux Display Corp. Дата публикации: 2008-05-01.

Method for fabricating flash memory cell

Номер патента: US20030124801A1. Автор: Chi-Hui Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2003-07-03.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20050205899A1. Автор: Ping-Pang Hsieh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-09-22.

Semiconductor structure for providing strained crystalline layer on insulator and method for fabricating same

Номер патента: US20060088979A1. Автор: Frederic Dupont,Cecile Aulnette,Carlos Mazure. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2006-04-27.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20060228882A1. Автор: Yong-Sik Jeong. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2006-10-12.

Method for Fabricating Semiconductor Device

Номер патента: US20080003835A1. Автор: Dong Yeal Keum. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-01-03.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20130230989A1. Автор: Tzu-Yu Tseng,An-Chi Liu,Chi-Heng Lin,Chih-Wen Teng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-09-05.

Method for fabricating thin-film transistor

Номер патента: US20140357017A1. Автор: Horng-Chih Lin,Rong-Jhe Lyu. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2014-12-04.

Stress enhanced cmos circuits and methods for their manufacture

Номер патента: US20140015060A1. Автор: Jan Hoentschel,Stefan Flachowsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-01-16.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20240332380A1. Автор: Yulong Zhang,Ming-Hong CHANG,Jian Rao. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240363430A1. Автор: Yao-Jhan Wang,Chih-Yi Wang,Wei-Che Chen,Wei-Hao Chang,Ying-Hsien Chen,Kun-Szu Tseng,Hung-Chun Lee,Yun-Yang He,Chang-Yih Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-31.

Method for fabricating a semiconductor device including a mos transistor having a silicide layer

Номер патента: US20240312784A1. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for fabricating a photosensitive device

Номер патента: US09923106B2. Автор: Stephane Collin,Myriam Paire,Jean-Francois Guillemoles,Laurent Lombez,Daniel Lincot,Jean-Luc Pelouard. Владелец: Electricite de France SA. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor package and method for fabricating base for semiconductor package

Номер патента: US09922844B2. Автор: Wen-Sung Hsu,Ta-Jen Yu. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Stacked package device and method for fabricating the same

Номер патента: US09881901B2. Автор: Tung-Yi Chan,Hsin-Hung Chou,Chia Hua Ho,Yu-Cheng Chiao,Chen-Hsi Lin,Meng-Chang Chan. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Method for fabricating semiconductor device having a silicide layer

Номер патента: US09876094B2. Автор: Chul-Sung Kim,Kyung-Soo Kim,Woo-Cheol Shin,Hwi-Chan JUN,Deok-Han BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Method for fabricating semiconductor package

Номер патента: US09748106B2. Автор: Neng-Tai Shih,Yi-Jen Lo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Method for fabricating a flexible electronic structure and a flexible electronic structure

Номер патента: US09723711B2. Автор: William J. Arora,Roozbeh Ghaffari,Bassel de Graff,Xiaolong Hu,Brian David Elolampi. Владелец: MC10 Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Method for fabricating a solar module of rear contact solar cells using linear ribbon-type connector strips and respective solar module

Номер патента: US09660121B2. Автор: Robert Wade,Shankar Gauri Sridhara,Philipp Johannes Rostan,Noel Gonzales Diesta,Anders Soreng. Владелец: REC Solar Pte Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Light emitting device and method for operating a plurality of light emitting arrangements

Номер патента: US09653671B2. Автор: Andreas Munding. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-16.

Method for fabricating semiconductor layers including transistor channels having different strain states, and related semiconductor layers

Номер патента: US09576798B2. Автор: Christophe Maleville,Walter Schwarzenbach,Bich-Yen Nguyen. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device including gate structure for threshold voltage modulation in transistors and method for fabricating the same

Номер патента: US09548304B2. Автор: Se-Aug Jang,Yun-Hyuck Ji,Hyung-Chul Kim,Seung-Mi Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Method for fabricating fin field effect transistors

Номер патента: US09525049B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Sheng Chang,Ling-Yen Yeh,Yi-Tang LIN,Chi-Yuan Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Method of fabricating a transistor using contact etch stop layers

Номер патента: US09412841B2. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang,Bao-Ru Young,Lee-Wee Teo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Method for fabricating semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09412829B2. Автор: Shuichi Nishizawa. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Non-volatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200144281A1. Автор: Geun Won Lim,Seok Cheon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-07.

Method for fabricating semiconductor device using tilted etch process

Номер патента: US20220139716A1. Автор: Huan-Yung Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-05.

System and method based on multi-source deposition for fabricating perovskite film

Номер патента: US20190211453A1. Автор: Yabing Qi,Shenghao WANG,Luis Ono. Владелец: Okinawa Institute of Science and Technology School Corp. Дата публикации: 2019-07-11.

System and method based on multi-source deposition for fabricating perovskite film

Номер патента: EP3177753A1. Автор: Yabing Qi,Luis Katsuya ONO,Shenghao WANG. Владелец: Okinawa Institute of Science and Technology School Corp. Дата публикации: 2017-06-14.

Non-volatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20190378852A1. Автор: Geun Won Lim,Seok Cheon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-12.

Methods for fabricating an STI film of a semiconductor device

Номер патента: US20050142805A1. Автор: Geon-Ook Park. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Method for fabricating semiconductor device with gate spacer

Номер патента: US7265042B2. Автор: Ki-Won Nam. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-09-04.

Method for fabricating a high voltage power mosfet having a voltage sustaining region that includes doped columns formed by rapid diffusion

Номер патента: EP1468439A2. Автор: Richard A. Blanchard. Владелец: General Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-10-20.

Method for fabricating semiconductor device with programmable anti-fuse feature

Номер патента: US11735520B2. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-22.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20130323908A1. Автор: Chun-Yen Chen,Hung-Hsien Chang,Wei-Hua Fang,Chine-Li WANG,Yung-Chin Yen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-12-05.

Method for fabricating dual-metal gate device

Номер патента: US20070077698A1. Автор: Srikanth Samavedam,Philip Tobin,David Gilmer. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2007-04-05.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20150050799A1. Автор: Chun-Ling Lin,Chia-Chang Hsu,Tsung-Hsun Tsai,Pin-Hong Chen,Bor-Shyang LIAO,Kuo-Chih Lai,Min-Chung Cheng,Shu-Min HUANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Method for fabricating a field-effect transistor having a floating gate

Номер патента: US20030119261A1. Автор: Franz Hofmann,Robert Strenz,Georg Tempel,Robert Wiesner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-06-26.

Semiconductor device having optimized shallow junction geometries and method for fabrication thereof

Номер патента: US20050245021A1. Автор: Xin Zhang,Srinivasan Chakravarthi,P.R. Chidambaram,Brian Hornung,Lance Robertson. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2005-11-03.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20110306202A1. Автор: Jung-Hee Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-15.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20230064701A1. Автор: Tsung-Hsun Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-03-02.

Apparatus for fabricating a semiconductor device and method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20200243360A1. Автор: Chung-Hung Lin,Chih-Wei Wen,Po-Chien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US11676823B2. Автор: Tsung-Hsun Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-06-13.

Method for fabricating a semiconductor chip panel

Номер патента: US09953846B2. Автор: Edward Fuergut,Daniel Porwol. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for fabricating LDMOS using CMP technology

Номер патента: US09935176B1. Автор: Ji-Hyoung Yoo,Deming Xiao,Zeqiang Yao. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Method for forming buried bit line, semiconductor device having the same, and fabricating method thereof

Номер патента: US09837422B2. Автор: Jin-Ki Jung,You-Song Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

System and method for manufacturing a fabricated carrier

Номер патента: US09711376B2. Автор: Ka Wa CHEUNG. Владелец: Enablink Technologies Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Method for fabricating semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09653592B2. Автор: Shuichi Nishizawa. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Method and apparatus for fabricating light emitting apparatus

Номер патента: US09553230B2. Автор: Norio Yoshida,Hirotaka Uemi. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Method for fabricating a light emitting diode (LED) die having strap layer

Номер патента: US09537073B2. Автор: Yi-Feng Shih. Владелец: SemiLEDs Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

PEDOT:PSS based electrode and method for manufacturing the same

Номер патента: US09478743B2. Автор: Kwanghee Lee,Seoung-Ho Lee,Nara KIM,Seyoung KEE. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2016-10-25.

Method for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US09460935B2. Автор: Wonwoong Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Method for Fabricating Semiconductor Device

Номер патента: US20100248434A1. Автор: Jin-Ki Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-09-30.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240237549A1. Автор: Hsin-Fu Huang,Wei-Chuan Tsai,Yen-Tsai Yi,Jin-Yan Chiou,Hsiang-Wen Ke. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11735663B2. Автор: Jae Mun Kim,Seung Hun Lee,Da Hye KIM,Gyeom KIM,Jin Bum Kim,Kyung In CHOI,Il Gyou Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-22.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20200098637A1. Автор: Tae Gyu Kang,Sang-Il Choi,Seong Gi Jeon,Hee Seok Nho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-03-26.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: EP4231343A3. Автор: Chia-Jung Hsu,Chien-Ting Lin,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Yu-Hsiang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-04.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20190326414A1. Автор: Chun-Yu Chen,Yen-Hsing Chen,Chung-Ting Huang,Zih-Hsuan Huang,Yu-Chien Sung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

Pixel structure and method for fabricating the same

Номер патента: US8305508B2. Автор: Hsiang-Lin Lin. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-11-06.

Field effect transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20110215383A1. Автор: Tadashi Watanabe,Hajime Matsuda. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2011-09-08.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240243124A1. Автор: Chun-Hsien Lin,Shih-Min Lu,Chih-Wei Yang,Yao-Jhan Wang,Chi-Sheng Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12040234B2. Автор: Tzu-Chin Wu,Chih-Chiang Wu,Yi-Fan Li,Min-Hua Tsai,Po-Ching Su,Ti-Bin Chen,yu-fu Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Plasma processing apparatus and method for fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20240234096A1. Автор: Sang Ki Nam,Jun Ho Lee,Sang Chul Han,Hyun Jae Lee,Yi Hwan Kim,Nam Jin CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20180136554A1. Автор: Jin Su Kim,Dong Wook Shin,Sung Won Kwon,Mun Ja KIM,Ji Beom YOO,Hwan Chul Jeon. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2018-05-17.

Method for fabricating mach-zehnder modulator, mach-zehnder modulator

Номер патента: US20180226270A1. Автор: Takamitsu Kitamura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-08-09.

Method for fabricating substrate

Номер патента: US20170133280A1. Автор: Jung-Sub Lee,Young-Jin Noh,Sung-Mo Gu. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-11.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20230231021A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US8324109B2. Автор: Dong-Hyun Kim,Tae-Han Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-04.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220123145A1. Автор: Jae Mun Kim,Seung Hun Lee,Da Hye KIM,Gyeom KIM,Jin Bum Kim,Kyung In CHOI,Il Gyou Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-21.

Method for fabricating semiconductor device having an embedded source/drain

Номер патента: US20150079740A1. Автор: Jin-Bum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-19.

Method for fabricating trench type transistor

Номер патента: US8916438B2. Автор: Yung-Fa Lin. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2014-12-23.

Method for fabricating a metal protection layer on electrically connecting pad of circuit board

Номер патента: US20070218591A1. Автор: Pao-Hung Chou. Владелец: Phoenix Precision Technology Corp. Дата публикации: 2007-09-20.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20160372381A1. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-22.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200083226A1. Автор: Jae-Houb CHUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-03-12.

Structures and methods for ring oscillator fabrication

Номер патента: US9165925B2. Автор: Ruey-Bin Sheen,Shyh-An Chi,Chih-Hsien Chang,Chao-Chieh Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-10-20.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210098626A1. Автор: Jae Mun Kim,Seung Hun Lee,Da Hye KIM,Gyeom KIM,Jin Bum Kim,Kyung In CHOI,Il Gyou Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12068309B2. Автор: Chia-Jung Hsu,Chien-Ting Lin,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Yu-Hsiang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20150200281A1. Автор: Chao-Shun Yang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2015-07-16.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20080157233A1. Автор: Hyuk Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Method for fabricating semiconductor apparatus using board frame

Номер патента: US6948239B2. Автор: Takahiro Oka. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-27.

Method for fabricating of cell pitch reduced semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20170194433A1. Автор: Seung Hyun Kim,Soo Chang Kang,Yong Won Lee,Dae Won HWANG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20140187004A1. Автор: Jong Seok Lee,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,Kyoung-Kook Hong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2014-07-03.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US8772112B1. Автор: Jong Seok Lee,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,Kyoung-Kook Hong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2014-07-08.

Method for fabricating floating gate

Номер патента: US20040110342A1. Автор: Yu-Chi Sun,Tse-Yao Huang,Chao-Wen Lay. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-06-10.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20160254349A1. Автор: Byung-gook Park,Min-chul Sun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-09-01.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: EP4355064A3. Автор: Yu-Ping Wang,Rai-Min Huang,Jia-Rong Wu,Ya-Huei Tsai,I-Fan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-17.

Pixel Structure and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20100193827A1. Автор: Hsiang-Lin Lin. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2010-08-05.

High voltage semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20150054071A1. Автор: Chung-Ren Lao,Cheng-Yi Hsieh,Chu-Feng CHEN,Wei-Chun CHOU,Yi-Hung Chiu. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-02-26.

Semiconductor structure and method for fabricating semiconductor structure

Номер патента: US20230007832A1. Автор: Yutong SHEN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Method for fabricating device pattern

Номер патента: US20100062604A1. Автор: Yu-Yao Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2010-03-11.

Method for fabricating small-scale mos device

Номер патента: WO2012048624A1. Автор: Le Wang. Владелец: Csmc Technologies Fab2 Co.,Ltd.. Дата публикации: 2012-04-19.

Method for fabricating memory unit with T-shaped gate

Номер патента: US20040033657A1. Автор: Ying-Cheng Chuang,Chung-Lin Huang,Chi-Hui Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-02-19.

Ono dielectric for memory cells and method for fabricating the same

Номер патента: US20040207000A1. Автор: Jung-Yu Hsieh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-21.

Method for fabricating a semiconductor device having improved hot carrier immunity ability

Номер патента: US20060040448A1. Автор: Yi-Chia Lee,Tung-Hsing Lee,Shyh-Fann Ting,Tai-Yuan Lee,Yu-Lung Chin,Wen-Koi Lai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2006-02-23.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20070117390A1. Автор: Ki-Won Nam. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-05-24.

Method for fabricating a pixel structur of organic electroluminescent display

Номер патента: US20080124821A1. Автор: Pei-Lin Huang,Chien-Chang Tseng,Chiu-Yen Su. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2008-05-29.

Photoresist compositions and methods for fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20230130025A1. Автор: Tsunehiro Nishi,Ji Young Park,Min Young Lee,Chang Soo Woo,Cha Won Koh,Hyun Jae Lee,Dong Il Shin. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-27.

Method for fabricating a driving circuit board

Номер патента: US20230361134A1. Автор: Chuanbao LUO. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Method for fabricating a semiconductor package, semiconductor package and embedded pcb module

Номер патента: US20210313273A1. Автор: Frank Daeche,Richard Knipper. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-10-07.

Thin-film semiconductor device and method for fabricating thin-film semiconductor device

Номер патента: US20130161630A1. Автор: Kenichirou Nishida. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-06-27.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240313046A1. Автор: Yu-Hsiang Lin,Chung-Fu Chang,Chun-Tsen Lu,Wei-Hao Chang,Guang-Yu Lo,Chih-Shan Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Vertical semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240315031A1. Автор: Yoo Hyun NOH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US7282453B2. Автор: Ki-Won Nam. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-10-16.

Solid-state imaging device, method for fabricating solid-state imaging device, and electronic apparatus

Номер патента: US12107095B2. Автор: Shigetoshi Sugawa,Kazuya Mori,Isao Takayanagi,Ken Miyauchi,Shunsuke Okura. Владелец: Brillnics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Vertical semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12114501B2. Автор: Jin-Ha Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20240332090A1. Автор: Jin Woo Kim,Ju Youn Kim,Seul Gi YUN,Myung Soo SEO,Joong Gun OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US12113107B2. Автор: Dae Won Kim,Dong Goo Choi,Tae Kyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240339331A1. Автор: Chung-Fu Chang,Chun-Tsen Lu,Guang-Yu Lo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240347588A1. Автор: Ssu-I Fu,Chin-Hung Chen,Yu-Hsiang Lin,Sheng-Yao HUANG,Jia-He Lin,Po-Kuang Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240339501A1. Автор: Che-Hsien Lin,Chun-Chia Chen,Chun-jen Huang,Te-Chang Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240332086A1. Автор: Tzu-Chin Wu,Chih-Chiang Wu,Yi-Fan Li,Min-Hua Tsai,Po-Ching Su,Ti-Bin Chen,yu-fu Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240332087A1. Автор: Tzu-Chin Wu,Chih-Chiang Wu,Yi-Fan Li,Min-Hua Tsai,Po-Ching Su,Ti-Bin Chen,yu-fu Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20240363362A1. Автор: Feng Gao,Wen Yi Tan,Wind Zhu. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240371695A1. Автор: Chu-Fu Lin,Chien-Ting Lin,Yu-Ping Wang,Chung-hsing Kuo,Chun-Ting Yeh,Chuan-Lan Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12062577B2. Автор: Dae Ik Kim,Jae Man Yoon,Hong Kyun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Method for fabricating shallow trench isolation and semiconductor structure using the same

Номер патента: US09978634B2. Автор: Ching-Wen Chen,Chun-Hsu YEN,Chui-Ya Peng,Bang-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US09966382B2. Автор: Meng-Chun Chen,Ping-Chia Shih,Hsiang-Chen Lee,Chia-Wen Wang,Wen-Peng Hsu,Kuo-Lung Li,Zi-Jun Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Wafer-level array cameras and methods for fabricating the same

Номер патента: US09923008B2. Автор: Raymond Wu,Robbert Emery. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Method for fabricating a shield gate trench MOSFET

Номер патента: US09761695B1. Автор: Rangxuan Fan,Jinzheng Miao. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Method for fabricating a semiconductor device including gate-to-bulk substrate isolation

Номер патента: US09748404B1. Автор: Josephine B. Chang,Michael A. Guillorn,Isaac Lauer,Xin Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Method for fabricating display panel

Номер патента: US09711542B2. Автор: Yu-Han Huang,Kuo-Yu Huang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2017-07-18.

Method and apparatus for fabricating semiconductor device

Номер патента: US09703280B2. Автор: Sung-Won Choi,Chang-Ho Han,Han-Hum Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Package structure having a laminated release layer and method for fabricating the same

Номер патента: US09673140B2. Автор: Wei-Chung Hsiao,Chia-Cheng Chen,Ming-Chen Sun,Tzu-Chieh Shen,Shih-Chao Chiu,Yu-Cheng Pai,Don-Son Jiang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US09634093B2. Автор: Byung-gook Park,Min-chul Sun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-25.

Method for fabricating wafer level package

Номер патента: US09576931B1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Inotera Memories Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09576859B2. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240371758A1. Автор: Chung-Sung Chiang,Yu-Chun Chen,Yu-Ping Wang,I-Ming Tseng,Yi-An Shih,Chiu-Jung Chiu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Method for fabricating a template of conductors on a substrate by means of block copolymers

Номер патента: US09564328B2. Автор: Jerome Belledent. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of fabricating a merged P-N junction and schottky diode with regrown gallium nitride layer

Номер патента: US09525039B2. Автор: Ozgur Aktas,Quentin Diduck,Isik C. Kizilyalli,Hui Nie,Thomas R. Prunty,Dave P. Bour. Владелец: Avogy Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Method for fabricating semiconductor device horizontally shifted contact plug pattern

Номер патента: US09524879B2. Автор: Jong-Myeong Lee,Hee-sook Park,Young-Wook Park,Jin-Su Lee,Dong-Bok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Method for electronically pinning a back surface of a back-illuminated imager fabricated on a UTSOI wafer

Номер патента: US09520441B2. Автор: Pradyumna Kumar Swain,David Jay Cheskis,Mahalingam Bhaskaran. Владелец: SRI International Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US09515022B2. Автор: Dae-Sik Park,Se-Han Kwon,Ill-Hee JOE,Hwa-Chul LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Method for fabricating low-cost isolated resurf LDMOS and associated BCD manufacturing process

Номер патента: US09502251B1. Автор: Ji-Hyoung Yoo,Jeesung Jung,Joel M. McGregor,Eric K. Braun. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Method for fabricating transistor having hard-mask layer

Номер патента: US09484441B2. Автор: Chao-Shun Yang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2016-11-01.

Method for fabricating semiconductor apparatus

Номер патента: US09484390B2. Автор: Hae Chan PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US09472644B2. Автор: Min-Chul Sung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Method for fabricating a silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) non-volatile memory cell

Номер патента: US09466497B1. Автор: Meng-Chun Chen,Ping-Chia Shih,Hsiang-Chen Lee,Yu-Chun Chang,Chia-Wen Wang,Kuo-Lung Li,Chih-Yang Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Transistor having tungsten-based buried gate structure, method for fabricating the same

Номер патента: US09449830B2. Автор: Dong-Kyun Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US09425054B2. Автор: Kyu-Tae Park,Tae-Hyeok Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Method for fabricating a metal gate electrode

Номер патента: US09419100B2. Автор: Hsueh Wen Tsau. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Methods for fabricating semiconductor devices using liner layers to avoid damage to underlying patterns

Номер патента: US09396988B2. Автор: Kyoung-Woo Lee,Woo-Jin Lee,Min Huh,Woo-Kyung You,Young-Sang Lee,Jong-Sam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-19.

Method for fabricating a substrate and semiconductor structure

Номер патента: US09396987B2. Автор: Oleg Kononchuk. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2016-07-19.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US09379004B1. Автор: Dae-Sik Park,Se-Han Kwon,Ill-Hee JOE,Hwa-Chul LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-28.

Device and method for fabrication of edge at semiconductor devices

Номер патента: RU2530454C1. Автор: Райнер БАРТЕЛЬМЕСС,Тобиас ГАМОН,Уве КЕЛЛЬНЕР-ВЕРДЕХАУЗЕН,Дирк ПИКОРЦ,Харальд КУН,Оскар НОЙХОФФ,Норберт ХАУАЙС,Йоханн БРОЙ. Владелец: Инфинеон Текнолоджиз Биполар Гмбх Унд Ко.Кг. Дата публикации: 2014-10-10.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20230275147A1. Автор: Kuo-Yu Liao,Sheng-Yuan Hsueh,Chien-Liang Wu,Kuo-Hsing Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US11973133B2. Автор: Kuo-Yu Liao,Sheng-Yuan Hsueh,Chien-Liang Wu,Kuo-Hsing Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-30.

A method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: MY151464A. Автор: Lee Hing Wah,Daniel Bien Chia SHENG,Rozina Abdul Rani,Mohd Ismahadi Syono. Владелец: MIMOS BERHAD. Дата публикации: 2014-05-30.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12027490B2. Автор: Alexander Heinrich,Thorsten Scharf,Stefan Schwab,Richard Knipper. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-07-02.

Vertical semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12035526B2. Автор: Yoo Hyun NOH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Apparatus and method for fabricating display panel, and display panel

Номер патента: US20240194653A1. Автор: Sang Hyun Lee,Tae Hee Lee,Sung Kook PARK,Sung Eun BAEK. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Buried word line of a dynamic random access memory and method for fabricating the same

Номер патента: US20190267385A1. Автор: Feng-Yi Chang,Chun-Hsien Lin,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-29.

Buried word line of a dynamic random access memory and method for fabricating the same

Номер патента: US10332887B2. Автор: Feng-Yi Chang,Chun-Hsien Lin,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-25.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20120244713A1. Автор: Sung Koo Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-09-27.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240196756A1. Автор: Wei Chen,Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Yu-Ping Wang,Hung-Yueh Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device with fuse and method for fabricating the same

Номер патента: US20090166803A1. Автор: Buem-Suck Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-07-02.

Micro display device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240162401A1. Автор: Chien-Ting Lin,Yu-Ping Wang,Chun-Ting Yeh,Chuan-Lan Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US12040380B2. Автор: Chen-Wei Pan,Chun-Pin Fang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20160099152A1. Автор: Seung-Woo Jin,Il-Sik JANG,Jae-Chun CHA,An-Bae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-04-07.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20150255291A1. Автор: Seung-Woo Jin,Il-Sik JANG,Jae-Chun CHA,An-Bae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-09-10.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20040048462A1. Автор: Masahiro Joei. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-11.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240072097A1. Автор: Shih-Hung Tsai,Po-Kuang Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Method for fabricating a 3-d integrated circuit using a hard mask of silicon-oxynitride on amorphous carbon

Номер патента: WO2009003091A1. Автор: Michael W. Konevecki,Steven J. Radigan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2008-12-31.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: EP4355064A2. Автор: Yu-Ping Wang,Rai-Min Huang,Jia-Rong Wu,Ya-Huei Tsai,I-Fan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-17.

Display panel and method for fabricating same

Номер патента: US20240113204A1. Автор: Jinming LI. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Method for fabricating metal-oxide- semiconductor field-effect transistor

Номер патента: US20120329259A1. Автор: Wen-Han Hung,Tsai-Fu Chen,Tzyy-Ming Cheng,Ching-Sen Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-12-27.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20020142555A1. Автор: Seon Cha. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-10-03.

Protection layer for fabricating a solar cell

Номер патента: WO2008143885A2. Автор: Hsin-Chiao Luan,Peter Cousins. Владелец: SunPower Corporation. Дата публикации: 2008-11-27.

Method for fabricating deep trench isolation

Номер патента: US8501565B2. Автор: Shang-Hui Tu,Shin-Cheng Lin,Yu-Lung Chin. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-08-06.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12063792B2. Автор: Wei Chen,Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Jing-Yin Jhang,Yu-Ping Wang,Hung-Yueh Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Method for fabricating super-junction power device with reduced miller capacitance

Номер патента: US20130260523A1. Автор: Yi-Chun Shih,Yung-Fa Lin,Shou-Yi Hsu,Meng-Wei Wu. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2013-10-03.

Method for fabricating semiconductor device with EMI protection structure

Номер патента: US11587885B2. Автор: Chin-Te Kuo. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-02-21.

Method for fabricating a fine pattern in a semiconductor device

Номер патента: US20080003834A1. Автор: Jae-Young Lee,Sung-Kwon Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-01-03.

Method for fabricating metal gate devices and resulting structures

Номер патента: US11764280B2. Автор: Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Yi-Cheng Chao,Jung-Jui Li,Ya-Lan CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20230231044A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

Method for fabricating semiconductor structure including the substrate structure

Номер патента: US11552171B2. Автор: Yung-Fong Lin,Cheng-Tao Chou. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-01-10.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US8815664B2. Автор: Takeshi Araya,Tsutomu Komatani. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2014-08-26.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US8283240B2. Автор: Ken Nakata,Akira Furuya,Isao Makabe,Keiichi Yui,Takamitsu Kitamura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-10-09.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20160293724A1. Автор: Tsutomu Komatani. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2016-10-06.

A semiconductor transistor package comprising electrical contact layers and a method for fabricating the same

Номер патента: EP4415031A1. Автор: Thorsten Meyer,Wolfgang Scholz,Edward Fuergut,Alexander Roth,Frank Zudock. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-08-14.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US12080787B2. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

A semiconductor transistor package having electrical contact layers and a method for fabricating the same

Номер патента: US20240266237A1. Автор: Thorsten Meyer,Wolfgang Scholz,Edward Fürgut,Alexander Roth,Frank Zudock. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-08-08.

Buried word line of a dynamic random access memory and method for fabricating the same

Номер патента: US20190157274A1. Автор: Feng-Yi Chang,Chun-Hsien Lin,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Method for fabricating a split gate flash memory cell

Номер патента: US20030049904A1. Автор: Chi-Hui Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2003-03-13.

Method for fabricating a solid-state image sensing

Номер патента: US5565374A. Автор: Takashi Fukusho. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1996-10-15.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20150380407A1. Автор: Moon-Sig Joo,Se-Aug Jang,Yun-Hyuck Ji,Hyung-Chul Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-31.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220013363A1. Автор: Jee-Hyun Park,Young-Gwang YOON,Yun-Ik SON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11784051B2. Автор: Jee-Hyun Park,Young-Gwang YOON,Yun-Ik SON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20090081865A1. Автор: Shunsuke Isono. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-03-26.

Method for fabricating recessed lightly doped drain field effect transistors

Номер патента: US20020187603A1. Автор: Horng-Huei Tseng. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-12-12.

Method for fabricating semiconductor element

Номер патента: US20080081435A1. Автор: Teruhisa Fukuda,Tetsumi Tominaga. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-03.

Method for fabricating semiconductor device with emi protection structure

Номер патента: US20220084956A1. Автор: Chin-Te Kuo. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240266437A1. Автор: Chun-Yu Chen,Yu-Shu Lin,Keng-Jen Lin,Bo-Lin HUANG,Jhong-Yi Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for fabricating spacer

Номер патента: US20240120208A1. Автор: Zihao Hua. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Methods for fabricating semiconductor packages

Номер патента: US20220115247A1. Автор: Song Na,Kyung Beom Seo,Jong Hyock Park,Jong Kyu MOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-04-14.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20120003820A1. Автор: Ken Nakata,Akira Furuya,Isao Makabe,Keiichi Yui,Takamitsu Kitamura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20130075842A1. Автор: Ga Young Ha,Ki Scon Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-03-28.

Display device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240324320A1. Автор: Ki Won Kim,Kap Soo Yoon,Woo Geun Lee,Seung Sok SON,Ji Yun HONG,Jeong Ju Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20240355637A1. Автор: Heung Sik Park,Ji Yoon Kim,Jong Sun Lee,Jong Min Baek,Do Haing Lee,John Soo KIM,Gwan Ho Kim,Keun Hee BAI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Integrated circuits and methods for fabricating integrated circuits and electrical interconnects for III-V semiconductor devices

Номер патента: US09991230B2. Автор: Donald Ray Disney. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for fabricating a semiconductor device having gate structure with doped hard mask

Номер патента: US09985123B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Wei-Hao Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Method for fabricating semiconductor device structure and product thereof

Номер патента: US09922881B2. Автор: Kai-Kuen Chang,Shih-Yin Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Tin plating solution, tin plating equipment, and method for fabricating semiconductor device using the tin plating solution

Номер патента: US09840785B2. Автор: Jung-Sik Choi,Myung-Beom Park,Baik-soon Choi,Jin-Hee Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Method of fabricating a heat sink

Номер патента: US09791219B2. Автор: Preben Bonde,Gorm Gamborg. Владелец: Schneider Electric IT Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Method for fabricating window member

Номер патента: US09774714B2. Автор: Jong-Whan Cho,Hyeon-Deuk HWANG,Jong-Deok Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Method for fabricating package structure

Номер патента: US09768140B2. Автор: Yan-Heng Chen,Mu-Hsuan Chan,Chieh-Yuan Chi. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Methods for fabrication of semiconductor structures using laser lift-off process, and related semiconductor structures

Номер патента: US09728458B2. Автор: Chrystelle Lagahe Blanchard,Mariam Sadaka,Bernard Aspar. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-08-08.

DC-to-DC converter and method for fabricating the same

Номер патента: US09704854B2. Автор: Jae-Ho Hwang,Heon-Joon KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Fin field effect transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US09704752B1. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US09601588B2. Автор: Hyung-Kyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Apparatus and method for fabricating periodic micro-pattern by laser beams

Номер патента: US09586286B2. Автор: Shih-Hsien Huang,Shih-Hao Wang,Po-Yuan Huang. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Method for fabricating a semiconductor package and semiconductor package

Номер патента: US09576935B2. Автор: Michael Bauer,Ludwig Heitzer,Christian Stuempfl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-02-21.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US09558956B2. Автор: Dong-Seok Lee,Bong-Cheol Kim,Eun-Shoo HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-31.

Stacked microelectronic packages having sidewall conductors and methods for the fabrication thereof

Номер патента: US09524950B2. Автор: Michael B. Vincent,Weng F. Yap. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US09514980B2. Автор: Seung-Hee Hong,Seung-Jin Yeom,Sung-won Lim,Nam-Yeal Lee,Hyo-Seok Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Method for forming metal silicide layers

Номер патента: US09496432B2. Автор: Mónica ALEMÁN,Thierry Emeraud,Loic TOUS,Joachim John. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-11-15.

System and method for tin plating metal electrodes

Номер патента: US09496429B1. Автор: Zhi-Wen Sun,Christoph G. Erben. Владелец: SolarCity Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US09396927B2. Автор: Tsutomu Komatani. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2016-07-19.

Semiconductor device with buried bit line and method for fabricating the same

Номер патента: US09379117B2. Автор: Heung-Jae Cho,Eui-Seong Hwang,Eun-Shil Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-28.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210098447A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-04-01.

Nanowire transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US12027600B2. Автор: Ching-Wen Hung,Chun-Hsien Lin,Shih-Hung Tsai,Po-Kuang Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Adapter board and method for forming same, packaging method, and package structure

Номер патента: US20230223329A1. Автор: Chen Wei,CAI Qiaoming,Yang Lie Yong,Lu Xiao Yu. Владелец: Semiconductor Manufacturing North China Beijing Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Method for fabricating a stencil mask

Номер патента: US20010046776A1. Автор: Cheol Kyun Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-11-29.

Semiconductor element and method for fabricating the same

Номер патента: US20230282779A1. Автор: Chun-Hui Huang. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Method for fabricating last level copper-to-c4 connection with interfacial cap structure

Номер патента: EP1989730A2. Автор: William F. Landers,Timothy H. Daubenspeck,Donna S. Zupanski-Nielsen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-11-12.

Method for fabricating last level copper-to-c4 connection with interfacial cap structure

Номер патента: WO2007084907A2. Автор: William F. Landers,Timothy H. Daubenspeck,Donna S. Zupanski-Nielsen. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2007-07-26.

Semiconductor Device and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20090294851A1. Автор: Joong Sik Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-12-03.

A method of fabricating a bipolar junction transistor

Номер патента: WO1996010839A1. Автор: Rick C. Jerome,Ian R. C. Post. Владелец: UNITED TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 1996-04-11.

Device structure, layout and fabrication method for uniaxially strained transistors

Номер патента: US20120261762A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Devendra K. Sadana,Ali Khakifirooz,Stephen W. Bedell,Huiming Bu,Chun-Chen Yeh,Johnathan E. Faltermeier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-10-18.

Method for manufacturing a capacitor

Номер патента: US20210391210A1. Автор: Hualun CHEN,Junwen LIU. Владелец: Hua Hong Semiconductor Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-16.

Method for fabricating dielectric layer with improved insulating properties

Номер патента: US20120190213A1. Автор: SHU QIN. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-07-26.

Junction barrier Schottky diode device and method for fabricating the same

Номер патента: US11769841B2. Автор: Nobuo Machida,Wen-Tsung Chang,Wen-Chin Wu. Владелец: Taipei Anjet Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

Method for fabricating semiconductor package

Номер патента: US9224646B2. Автор: Chun-Tang Lin,Hung-Wen Liu,Yan-Heng Chen,Chieh-Yuan Chi. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-29.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US9263544B2. Автор: Takeshi Araya,Tsutomu Komatani. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2016-02-16.

Layout modification method for exposure manufacturing process

Номер патента: US20210296303A1. Автор: Chin-Hsiang Lin,Chun-Kuang Chen,Chih-Tsung Shih,Po-Chung Cheng,Li-Jui Chen,Hung-Wen Cho,Fu-Jye Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Method for fabricating a drain/source path

Номер патента: US20060054979A1. Автор: Stephan Riedel,Juerg Haufe,Norbert Schulze,Roland Haberkern,Patrick Haibach,Philipp Kratzert. Владелец: Qimonda Flash GmbH. Дата публикации: 2006-03-16.

Method for fabricating a semiconductor structure having selective dopant regions

Номер патента: US7419883B2. Автор: Nicola Vannucci,Sven Lanzerstorfer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2008-09-02.

Method for fabricating floating gate

Номер патента: US20030235954A1. Автор: Ying-Cheng Chuang,Chung-Lin Huang,Chi-Hui Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2003-12-25.

Method for fabricating thermoelectric coolers and semiconductor devices formed therefrom

Номер патента: US20020119593A1. Автор: Joseph Freund,Mindaugas Dautartas,George Przybylek. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2002-08-29.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US8450211B2. Автор: Sung-Hyun Yoon,Soo-Byung KO,Kee-Joon Oh,Soon-Young Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-05-28.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20120220124A1. Автор: Sung-Hyun Yoon,Soo-Byung KO,Kee-Joon Oh,Soon-Young Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-08-30.

Method for fabricating a CMOS device

Номер патента: US5750424A. Автор: Chuen-Der Lien,Chung-Chyung Han,Jeong Yeol Choi,Chung-Jen Chien. Владелец: Integrated Device Technology Inc. Дата публикации: 1998-05-12.

Adapter board and method for forming same, packaging method, and package structure

Номер патента: US12068233B2. Автор: Chen Wei,CAI Qiaoming,Yang Lie Yong,Lu Xiao Yu. Владелец: Semiconductor Manufacturing North China Beijing Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for producing electrolytic capacitor

Номер патента: US09978526B2. Автор: Tatsuji Aoyama,Tomoyuki Tashiro,Junya Kushizaki,Shunpei Matsushita. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Methods for fabricating semiconductor device

Номер патента: US09972538B2. Автор: Yong-Joon Choi,Cheol Kim,Do-hyoung Kim,Dong-Hoon KHANG,Seung-Mo Ha,Seung-Jin MUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

GOA unit and method for producing the same, gate driver circuit

Номер патента: US09899430B2. Автор: Xi Chen,Zheng Liu,Xiaoxiang Zhang,Zhichao Zhang,Tsung Chieh KUO,Mingxuan Liu. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for fabricating a finFET metallization architecture using a self-aligned contact etch

Номер патента: US09818876B1. Автор: Guillaume Bouche. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Method for fabricating a fine structure

Номер патента: US09773662B1. Автор: Chi-Wen Liu,Miin-Jang Chen,Po-Hsien Cheng. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device with self-aligned air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US09640426B2. Автор: Jong-Min Lee,Il-Cheol RHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Method for fabricating a micro resistance layer and method for fabricating a micro resistor

Номер патента: US20230207164A1. Автор: Shen-Li Hsiao,Chih-Wei Chi. Владелец: Yageo Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Process and apparatus for fabricating sold electrolytic capacitors

Номер патента: US20010009054A1. Автор: Kazuaki Yamada,Nobuhiro Honda,Hidemi Funchigami. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2001-07-26.

Method for fabricating a magneto-optic modulator

Номер патента: US6500498B1. Автор: Carol M. Ford,Randy J. Ramberg. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2002-12-31.

Method for Manufacturing PCB, Display Module and Method for Fabricating Display Module

Номер патента: US20120252301A1. Автор: Chien-Hung Chen,Wen-Hsin Lin,Ching-Kun Lai. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-10-04.

Method for fabricating Bi thin film and device using the same

Номер патента: US20040179309A1. Автор: Woo Lee,Kwan Lee,Joon Chang,Suk Han,Hi Kim,Kyoung Lee,Kyung Shin,Dal KIM,Min Jeun. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2004-09-16.

Method For Manufacturing High-Voltage Solid Electrolyte Aluminum-Electrolytic Capacitor

Номер патента: US20180366274A1. Автор: Huifeng Li,Wei Luo,Yong Yuan,Ping Zheng,Yongpeng LIU,Yanbin Ma,Dirong Wu,Qiong Liao,Weiqiao Wu. Владелец: Zhaoqing Beryl Electronic Technology Co ltd. Дата публикации: 2018-12-20.

Cyanometallate cathode battery and method for fabrication

Номер патента: US09455431B2. Автор: Long Wang,Jong-Jan Lee,Yuhao Lu. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Low porosity glass coatings formed on coiled wires, high temperature devices containing the same, and methods for the fabrication thereof

Номер патента: US20200098516A1. Автор: Harry Lester Kington,Jimmy Wiggins,James Piascik,Martin Carlin Baker. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2020-03-26.

Method for fabricating a throughput-scalable analytical system for molecule detection and sensing

Номер патента: US20210296380A1. Автор: MEI Yan. Владелец: Genesense Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-23.

Lamination structure for second generation high-temperature superconducting (2g-hts) tape and method for fabricating the same

Номер патента: US20240274326A1. Автор: Wei Wu,Yue Zhao,Yue Wu,Chunjiang Guo. Владелец: Supermag Technology Shanghai Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Electronic textiles and methods for fabrication thereof

Номер патента: US20230136666A1. Автор: Chi Hwan Lee,Tae Hoo Chang,Martin Byung-Guk Jun,Laurent Couetil,Semih Akin. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2023-05-04.

System and method for fabricating electrode film for secondary battery

Номер патента: US20230028154A1. Автор: Sangwook HAN,Hannah Song,Kyeong Wi Park. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2023-01-26.

Electronic textiles and methods for fabrication thereof

Номер патента: US12075564B2. Автор: Chi Hwan Lee,Tae Hoo Chang,Martin Byung-Guk Jun,Laurent Couetil,Semih Akin. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2024-08-27.

Method for Fabricating Terminal Electrode of Multilayer Ceramic Capacitor Having Inner Electrodes Printed on Full Area Together with Protective Layers

Номер патента: US20220406529A1. Автор: Wen-Hsi Lee. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2022-12-22.

Method for fabricating three-dimensional photonic crystal

Номер патента: US20090092368A1. Автор: Akinari Takagi,Kazuya Nobayashi,Kiyokatsu Ikemoto,Hikaru Hoshi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2009-04-09.

Methods for fabricating a vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: EP4420203A1. Автор: Shuji Nakamura,Steven P. DenBaars,Srinivas GANDROTHULA. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-08-28.

Method for fabrication of nanostructure

Номер патента: US20220117905A1. Автор: Mohammad E Khosroshahi,Vaughn Woll-Morison,Tiam Mohmedi. Владелец: MIS Electronics Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Lamination structure of second generation high-temperature superconducting (2G-HTS) tape and method for fabricating the same

Номер патента: US12094624B2. Автор: Wei Wu,Yue Zhao,Yue Wu,Chunjiang Guo. Владелец: Supermag Technology Shanghai Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Method for fabrication of nanostructure

Номер патента: CA3115538A1. Автор: Mohammad Khosroshahi,Vaughn Woll-Morison,Tiam Modmedi. Владелец: MIS Electronics Inc. Дата публикации: 2022-04-16.

Device for manufacturing specimen for adhesion test of electrode active material layer and method for manufacturing specimen for adhesion test of electrode active material layer by using same

Номер патента: EP4446726A1. Автор: Daehee CHO. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

Methods for fabricating light emitting devices

Номер патента: US09972974B1. Автор: James W. RARING,Melvin McLaurin,Thiago P. Melo,Po Shan Hsu. Владелец: Soraa Laser Diode Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Method for fabricating a varistor device and varistor device

Номер патента: US09934892B2. Автор: Qirong Li,Dennis SUN,Jamie JING. Владелец: EPCOS AG. Дата публикации: 2018-04-03.

Multi-layer based new conceptual battery type supercapacitor with high power density and high energy density and method for preparing the same

Номер патента: US09704654B2. Автор: Chang Ming Li,Jia Le XIE,Ping Ping YANG. Владелец: SOUTHWEST UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-07-11.

Fabrication method for capacitor electrode

Номер патента: WO2010101338A1. Автор: Ju-Young Lee,Seok-Jun Seo,Seung-Hyeon Moon,Gha-Young Kim. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2010-09-10.

Systems and methods for repetitive tuning of matching networks

Номер патента: EP4331004A1. Автор: Keith Rouse,Gary Russell,Anthony Oliveti,Dean Maw. Владелец: Comet Technologies USA Inc. Дата публикации: 2024-03-06.

Apparatus and Method for Fabrication of Shield Plate

Номер патента: US20240208762A1. Автор: Tsutomu Negishi,Munehiro Kozuka. Владелец: Jeol Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Systems and methods for injection molded phase shifter

Номер патента: US20140104130A1. Автор: Jeffrey Alexander. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2014-04-17.

Apparatus and method for fabrication of shield plate

Номер патента: EP4394839A1. Автор: Tsutomu Negishi,Munehiro Kozuka. Владелец: Jeol Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Method for fabricating a permanent magnetic structure in a substrate

Номер патента: US20020124384A1. Автор: Svetlana Reznik,Edward Furlani,Bryan Beaman. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2002-09-12.

Methods for fabricating distributed feedback lasers

Номер патента: WO2024056327A1. Автор: Hélène Debregeas,Natalia DUBROVINA,Sofiane Belahsene. Владелец: ALMAE TECHNOLOGIES. Дата публикации: 2024-03-21.

Method for fabricating solid-state thin film batteries

Номер патента: US9728813B2. Автор: Philippe Vereecken,Nouha LABYEDH,Alfonso SEPULVEDA MARQUEZ. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-08-08.

Process for fabricating capacitor element

Номер патента: US20050036272A1. Автор: Eizo Fujii,Yuichi Suda,Hidenori Kamigawa. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-17.

Apparatus for fabricating membrane-electrode-subgasket assemblyand method for fabricating membrane-electrode-subgasket assembly using the same

Номер патента: US20240154134A1. Автор: Yong Min Kim,Ki Sub Lee,Min Jin Kim. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Apparatus for Fabricating Membrane-Electrode-Subgasket Assembly and Method for Fabricating Membrane-Electrode-Subgasket Assembly Using the Same

Номер патента: US20220158200A1. Автор: Yong Min Kim,Ki Sub Lee,Min Jin Kim. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Corrugated buried heterostructure laser and method for fabricating the same

Номер патента: US20230378721A1. Автор: Omid SALEHZADEH EINABAD. Владелец: NATIONAL RESEARCH COUNCIL OF CANADA. Дата публикации: 2023-11-23.

Solid electrolytic capacitor and method for manufacturing solid electrolytic capacitor

Номер патента: US20180218844A1. Автор: Kenta Sato,Masao Sakakura,Kazuya Koseki. Владелец: Nippon Chemi Con Corp. Дата публикации: 2018-08-02.

Method for fabricating group-iii nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20130280837A9. Автор: Shimpei Takagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-10-24.

Method for fabricating group-iii nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20130065336A1. Автор: Shimpei Takagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-03-14.

Method for fabricating group-III nitride semiconductor laser device

Номер патента: US9036671B2. Автор: Shimpei Takagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-05-19.

A method for improving electrical parameters in capacitors comprising pedot/pss as a solid electrolyte through a polyalkylene glycol

Номер патента: EP2622616A2. Автор: Matthias Intelmann,Udo Merker,Armin Sautter,Katrin Asteman. Владелец: Heraeus Precious Metals GmbH and Co KG. Дата публикации: 2013-08-07.

Ultrathin graphene piece, apparatus for preparing ultrathin graphene pieces, method for preparing ultrathin graphene pieces, capacitor, and method of manufacturing capacitor

Номер патента: US20180244526A1. Автор: QIAN Cheng,Jie Tang,Norio Shinya,Luchang Qin. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2018-08-30.

Method for fabricating emitter

Номер патента: US20140246397A1. Автор: Osamu Matsuda,Anto Yasaka,Fumio Aramaki,Yasuhiko Sugiyama,Tomokazu Kozakai,Kazuo Aita. Владелец: Hitachi High Tech Science Corp. Дата публикации: 2014-09-04.

Method for fabricating a carrier with a three dimensional inductor and structure thereof

Номер патента: US20130002387A1. Автор: You-Ming Hsu,Chih-Ming Kuo. Владелец: Chipbond Technology Corp. Дата публикации: 2013-01-03.

Deformable conductive structures and methods for fabrication

Номер патента: EP3966889A1. Автор: Mark RONAY,Edward Godshalk. Владелец: Liquid Wire Inc. Дата публикации: 2022-03-16.

Method for fabricating lead tab of secondary battery

Номер патента: US20220344787A1. Автор: Ki Ok Lee,Min Gou Han,Heang Sun Jung. Владелец: Nsm Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-27.

Method and apparatus for fabricating a pixel assembly

Номер патента: EP1110199A1. Автор: Bob L. Mackey. Владелец: Candescent Technologies Inc. Дата публикации: 2001-06-27.

Systems and methods for fabricating segmented electrodes

Номер патента: US20230256235A1. Автор: Steve Wheeler,Jeff URBANSKI,Ted ALFONSO. Владелец: Advanced Neuromodulation Systems Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Component for Impedance Change in a Coplanar Waveguide and Method for Producing a Component

Номер патента: US20070229198A1. Автор: Markus Ulm,Thomas Buck,Roland Mueller-Fiedler,Mathias Reimann. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-04.

Method for fabricating radiating element containment and ground plane structure

Номер патента: US09865937B1. Автор: James B. West,Jeremiah D. Wolf,Anna C. Kern. Владелец: ROCKWELL COLLINS INC. Дата публикации: 2018-01-09.

Method for fabricating a magnetic material stack

Номер патента: US20190206619A1. Автор: Hariklia Deligianni,Eugene J. O'Sullivan,Bruce B. Doris,Naigang Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-04.

Semiconductor laser chip and method for fabricating a semiconductor laser chip

Номер патента: US20020102756A1. Автор: Bernd Borchert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-08-01.

Method for fabricating semiconductor laser

Номер патента: US8551797B2. Автор: Shinji Abe. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2013-10-08.

Formed product for electrolytic capacitor anode element, formed product with substrate, method for manufacture thereof and method for manufacturing electrolytic capacitor anode element

Номер патента: US20050233194A1. Автор: Minoru Moriyama,Akiko Miyamoto,Wataru Suenaga. Владелец: Dainippon Ink and Chemicals Co Ltd. Дата публикации: 2005-10-20.

Method for manufacturing solid electrolytic capacitor using functional polymer electrolytic composition

Номер патента: US20020042976A1. Автор: Sung-Ho Kim,Yong-Chul Kim,Young-Hoon Lee,Dal-Woo Shin,Jong-Joo Park. Владелец: Samwha Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-18.

Method for fabricating semiconductor laser

Номер патента: US20130217157A1. Автор: Shinji Abe. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2013-08-22.

Solid electrolytic capacitor and method for producing the same

Номер патента: US20040023442A1. Автор: Hiroshi Konuma,Katsuhiko Yamazaki,Eiji Komazawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-05.

Method for fabricating group-iii nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20130065337A1. Автор: Shimpei Takagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-03-14.

Method for fabricating waveguide construction

Номер патента: US09946021B1. Автор: Wei Lin,Yi-Jen Chiu,Po-Yun Wang,Yang-Jeng Chen. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2018-04-17.

Transformers and methods for fabricating transformers

Номер патента: US09721718B2. Автор: Ahmadreza Rofougaran,Tirdad Sowlati,Ehsan ADABI FIROUZJAEI,Sayedfarid Shirinfar. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Method for fabricating catalytic 3D network material

Номер патента: US09666878B2. Автор: Ting-Chuan Lee,Chun-Jung Tsai,Chun-Hsien Tsai,Chia-Hung Li,Ching-Tung Hsu,Jui-Yu Jao,Ya-Han Wu,wen-hui Liu. Владелец: Taiwan Carbon Nano Technology Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Method for fabricating metal electrode from seawater and generating electric power with metal electrode

Номер патента: US09496564B2. Автор: Kuang-Che Lee,Ting-Chuan Lee,Chun-Jung Tsai,Chun-Hsien Tsai,Yuan-Shin Huang. Владелец: Taiwan Carbon Nano Technology Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Methods for tailoring magnetism, and structures obtained therefrom

Номер патента: US12027293B2. Автор: Christopher Henry,Brennan YAHATA,Eric Clough,Tobias SCHAEDLER,Darby LAPLANT,Amber SUCICH. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2024-07-02.

Method for the Fabrication of a Reduced Reflectance Metal Mesh

Номер патента: US20180215660A1. Автор: Zhihong Liu. Владелец: 2m Technology LLC. Дата публикации: 2018-08-02.

Methods for tailoring magnetism, and structures obtained therefrom

Номер патента: US11721458B2. Автор: Christopher Henry,Brennan YAHATA,Eric Clough,Tobias SCHAEDLER,Darby LAPLANT,Amber SUCICH. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2023-08-08.

Methods for tailoring magnetism, and structures obtained therefrom

Номер патента: WO2022031384A1. Автор: Christopher Henry,Brennan YAHATA,Eric Clough,Tobias SCHAEDLER,Darby LAPLANT,Amber SUCICH. Владелец: HRL LABORATORIES, LLC. Дата публикации: 2022-02-10.

Method and apparatus for fabricating a membrane electrode assembly

Номер патента: US20230420716A1. Автор: Sven Hochmann. Владелец: Mb Atech GmbH. Дата публикации: 2023-12-28.

System and method for level control of an encapsulant for capacitor sections

Номер патента: US20060203428A1. Автор: Edward Lobo,Leonid Zayaruzny. Владелец: BUCKINGHAM CAPACITOR Inc. Дата публикации: 2006-09-14.

Systems and methods for enhanced dielectric properties for electrolytic capacitors

Номер патента: US09959978B2. Автор: Michael J. Root,Gregory J. Sherwood,Mary M. Byron. Владелец: Cardiac Pacemakers Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Method for fabricating lithium rechargeable battery and electrode tap therefor

Номер патента: WO2002041437A1. Автор: Sang-Gwun Nam. Владелец: E Square Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2002-05-23.

Two-step method for fabricating a hierarchical nanoporous metal structure

Номер патента: US20240218549A1. Автор: Yang Li,QING Chen,Yingji SANG. Владелец: Hong Kong University of Science and Technology HKUST. Дата публикации: 2024-07-04.

Capacitor assembly, method for production thereof and converter assembly containing the capacitor assembly

Номер патента: US12073995B2. Автор: Torsten Harald Simon,Stefan Stingl. Владелец: Siemens Energy Global GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-08-27.

Method for manufacturing electrolytic capacitor

Номер патента: US09892858B2. Автор: Tatsuji Aoyama,Yukiya Shimoyama,Junya Kushizaki,Takuya Maruta. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for making solid electrolytic capacitor package structure with improved conductive terminals

Номер патента: US09824827B2. Автор: Chi-Hao Chiu,Kun-Huang Chang,Ming-Tsung Chen. Владелец: Apaq Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Method and system for calculating model parameters for a capacitor to be modelled

Номер патента: US10262091B2. Автор: Mike Irena Georges Wens,Jef Thone. Владелец: Mindcet Nv. Дата публикации: 2019-04-16.

Method and System for Calculating Model Parameters for a Capacitor to be Modelled

Номер патента: US20160132625A1. Автор: Mike Irena Georges Wens,Jef Thone. Владелец: MinDCet BVBA. Дата публикации: 2016-05-12.

Discharge device and discharge method for the active discharge of a capacitor for use in the electric power system of an electric drive vehicle

Номер патента: EP2556982B1. Автор: Riccardo Viancino,Fabio Bernardi,Giovanni Giuffre'. Владелец: Magneti Marelli SpA. Дата публикации: 2014-04-09.

Method for fabricating a cavity structure, for fabricating a cavity structure for a semiconductor structure and a semiconductor microphone fabricated by the same

Номер патента: US09363609B2. Автор: Thomas Grille,Carsten Ahrens,Guenter Ziegler,Klaus Muemmler,Wolfgang Friza. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-06-07.

Method for producing thin film bulk acoustic resonators (FBARs) with different frequencies on the same substrate by subtracting method and apparatus embodying the method

Номер патента: US20020121498A1. Автор: Paul Bradley,Richard Ruby,John Larson. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2002-09-05.

Methods and systems for determining fitness for a dental splint and for capturing digital data for fabricating a dental splint

Номер патента: US11836919B2. Автор: William C. Cliff. Владелец: Asesso Health Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Methods and systems for determining fitness for a dental splint and for capturing digital data for fabricating a dental splint

Номер патента: US12086984B2. Автор: William C. Cliff. Владелец: Asesso Health Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for capacitor discharging for an inverter assembly

Номер патента: US11736001B2. Автор: Florian Steiper,Christian Gehrke. Владелец: SMA Solar Technology AG. Дата публикации: 2023-08-22.

Method for fabricating multilayer circuit board, circuit plate, and method for fabricating the circuit plate

Номер патента: US20090126975A1. Автор: Masayoshi Kondo. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-21.

Multi-layer printed circuit board and method for fabricating multi-layer printed circuit board

Номер патента: US09510449B2. Автор: Tao Feng,Mingli Huang,Songlin Li. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

An apparatus and a method for discharging a capacitor

Номер патента: US20230322086A1. Автор: Joakim Sommansson,Jens Gustavsson,Oscar Hällman. Владелец: SCANIA CV AB. Дата публикации: 2023-10-12.

An apparatus and a method for discharging a capacitor

Номер патента: EP4214080A1. Автор: Joakim Sommansson,Jens Gustavsson,Oscar Hällman. Владелец: SCANIA CV AB. Дата публикации: 2023-07-26.

Position sensor, manufacturing method, and method for determining a position of a linear actuator

Номер патента: US11680827B2. Автор: Christoph Riehl,Urs Kunz. Владелец: Ewellix AB. Дата публикации: 2023-06-20.

Method for fabricating wiring board and an apparatus for fabricating wiring board

Номер патента: US7583870B2. Автор: Kenji Yanagisawa. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2009-09-01.

Method for fabricating wiring board and an apparatus for fabricating wiring board

Номер патента: US20070266546A1. Автор: Kenji Yanagisawa. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-22.

Method for estimating capacitance weight errors and successive approximation analog to digital converter using the same

Номер патента: US20140097975A1. Автор: Tsung-Yin HSIEH,Hao-Chiao Hong. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2014-04-10.

Method for fabricating vibrator

Номер патента: US20140290019A1. Автор: Makiko Nakamura. Владелец: Nihon Dempa Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-02.

Method of fabricating a circuit board structure having an embedded electronic element

Номер патента: US09433108B2. Автор: Yung-Ching Lin,Ta-Han Lin,Chih-Kuie Yang. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Method for fabricating neuron oscillator including thermal insulating device

Номер патента: WO2019229770A2. Автор: Lashkare Sandip Gangadharrao,Kumbhare Pankaj Subhash,Udayan Ganguly,Vivek Saraswat. Владелец: INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY BOMBAY. Дата публикации: 2019-12-05.

Devices, systems, and methods for capacitance in wireless power transfer

Номер патента: US20240181900A1. Автор: Daniel Costinett,Andrew P. FOOTE. Владелец: UNIVERSITY OF TENNESSEE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2024-06-06.

Waterproof loudspeaker arrangement, method for fabricating a waterproof loudspeaker arrangement, and a product comprising a waterproof loudspeaker arrangement

Номер патента: WO2023237817A1. Автор: Henrik Helin,Tuomo Myllykangas. Владелец: Kiulu Company. Дата публикации: 2023-12-14.

Method for fabricating touch panel, touch panel, and electronic device having the touch panel

Номер патента: US09461645B2. Автор: Jong-Mun Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Electroplating solution, method for fabricating multilayer printed wiring board using the solution, and multilayer printed wiring board

Номер патента: EP1207730A4. Автор: Honchin En. Владелец: Ibiden Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-02.

Process of fabricating lateral mode capacitive microphone including a capacitor plate with sandwich structure

Номер патента: US12069455B2. Автор: Guanghua Wu,Xingshuo Lan. Владелец: Gmems Tech Shenzhen Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for controlling power conversion device, and power conversion device

Номер патента: EP3878682A1. Автор: Yuji Saito,Yosuke Tomita,Shigeharu Yamagami,Yusuke ZUSHI,Keisuke Takemoto. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-15.

Method for calibrating capacitor voltage coefficient of high-precision successive approximation analog-to-digital converter

Номер патента: US20210013896A1. Автор: TING Li,Yong Zhang,Dongbing Fu,Zhengbo Huang,Yabo NI. Владелец: CETC 24 Research Institute. Дата публикации: 2021-01-14.

Method for controlling power conversion device, and power conversion device

Номер патента: US20220001750A1. Автор: Yuji Saito,Yosuke Tomita,Shigeharu Yamagami,Yusuke ZUSHI,Keisuke Takemoto. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-06.

Method for discharging capacitor of resonant power conversion apparatus at initiating operation and resonant power conversion apparatus thereof

Номер патента: US20210313871A1. Автор: Seongho SON,Jongseong JI,Younghwan KWACK,Seonho JEON,Chuhyoung CHO. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2021-10-07.

Apparatus and methods for charge pumps for radio frequency systems

Номер патента: US09729048B2. Автор: Jonathan Christian Crandall,Robert Michael Fisher,Curtis Lee Mayberry. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for fabricating neuron oscillator including thermal insulating device

Номер патента: US11323065B2. Автор: Udayan Ganguly,Vivek Saraswat,Sandip Gangadharrao Lashkare,Pankaj Subhash Kumbhare. Владелец: INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY BOMBAY. Дата публикации: 2022-05-03.

Method for fabricating neuron oscillator including thermal insulating device

Номер патента: WO2019229770A3. Автор: Lashkare Sandip Gangadharrao,Kumbhare Pankaj Subhash,Udayan Ganguly,Vivek Saraswat. Владелец: INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY BOMBAY. Дата публикации: 2020-07-30.

Method for fabricating neuron oscillator including thermal insulating device

Номер патента: US20210242831A1. Автор: Udayan Ganguly,Vivek Saraswat,Sandip Gangadharrao Lashkare,Pankaj Subhash Kumbhare. Владелец: INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY BOMBAY. Дата публикации: 2021-08-05.

Method for fabricating plate type magnetic resistance sensor chip element

Номер патента: US20020192599A1. Автор: Eung-Cheon Kang,Ho-Chul Joung. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-19.

Balancer circuit for series connection of two dc-link capacitors, method for controlling the balancer circuit and converter arrangement

Номер патента: EP4427329A1. Автор: Zhaohui Wang,Piniwan Thiwanka Bandara Wijekoon,Sebastian Rosado. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-11.

Method for fabricating film bulk acoustic resonator (fbar), fbar, and filter

Номер патента: US20240372519A1. Автор: KE Wu,Kahkeen Lai,Lieng Loo. Владелец: AAC Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Systems and methods for enhancing dynamic response of power conversion systems

Номер патента: US09819262B2. Автор: Qiang Luo,Lieyi Fang,Yaming Cao,Dongze Yang. Владелец: On Bright Electronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Flexible substrate embedded with wires and method for fabricating the same

Номер патента: US09707706B2. Автор: Chyi-Ming Leu,Chun-Wei Su,Hong-Ching Lin,Chun-An Lu,Yu-Ju Kuo,Chiung-Hsiung Chen. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2017-07-18.

Surface acoustic wave device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230009982A1. Автор: Chun-Hsien Lin,Shih-Hung Tsai,Hon-Huei Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-01-12.

Apparatus and methods for multi-mode charge pumps

Номер патента: US20170310213A1. Автор: Jonathan Christian Crandall,Robert Michael Fisher,Curtis Lee Mayberry. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-10-26.

Process for fabricating a thin multi-layer circuit board

Номер патента: US20010015008A1. Автор: Hiroyuki Katayama,Yasuhito Takahashi,Kazuo Nakano,Kenji Iida,Yuichiro Ohta,Toshiro Katsube,Norikazu Ozaki,Yasunaga Kurokawa,Masaru Sumi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-23.

Balancer Circuit for Series Connection of Two DC-Link Capacitors, Method for Controlling the Balancer Circuit and Converter Arrangement

Номер патента: US20240333124A1. Автор: Zhaohui Wang,Piniwan Thiwanka Bandara Wijekoon,Sebastian Rosado. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Over-temperature protection system and method for dc capacitor of inverter

Номер патента: US20210184622A1. Автор: Ho Tae CHUN. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Systems and methods for extending operation of radio-frequency power amplifiers

Номер патента: US20180035052A1. Автор: Innsung LEE. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2018-02-01.

Method for providing sinusoidal phase currents, with controlling and charging

Номер патента: CA3240919A1. Автор: Aaron FESSELER. Владелец: Acd Antriebstechnik GmbH. Дата публикации: 2023-06-22.

Systems and methods for discharging an AC input capacitor with automatic detection

Номер патента: US09899849B2. Автор: Miao Li,Lieyi Fang. Владелец: On Bright Electronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

System and method for use in fabricating a structure

Номер патента: US09610761B2. Автор: Dallas Steven Scholes,John F. Spalding,Robert J. Keeler,Richard M. Sutherland. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2017-04-04.

System and method for use in fabricating a structure

Номер патента: US20170157912A1. Автор: Dallas Steven Scholes,John F. Spalding,Robert J. Keeler,Richard M. Sutherland. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2017-06-08.

System and method for use in fabricating a structure

Номер патента: US20140261959A1. Автор: Dallas Steven Scholes,John F. Spalding,Robert J. Keeler,Richard M. Sutherland. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2014-09-18.

Systems and methods for determining the state of health of a capacitor module

Номер патента: US09430011B2. Автор: William Lynn,Shane Chiasson,David Rock,Marcelo Saraiva,Anand Nunna. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2016-08-30.

Apparatus and method for determining the value of a capacitance

Номер патента: CA1222546A. Автор: Steven J. Carusillo. Владелец: Johnson Service Co. Дата публикации: 1987-06-02.

DISCHARGE DEVICE AND DISCHARGE METHOD FOR THE ACTIVE DISCHARGE OF A CAPACITOR FOR USE IN THE ELECTRIC-POWER SYSTEM OF AN ELECTRIC-DRIVE VEHICLE

Номер патента: US20130207458A1. Автор: Viancino Riccardo,Bernardi Fabio,"Giuffre Giovanni". Владелец: . Дата публикации: 2013-08-15.

SYSTEM AND METHOD FOR USE IN FABRICATING A STRUCTURE

Номер патента: US20170157912A1. Автор: Scholes Dallas Steven,Sutherland Richard M.,Spalding John F.,Keeler Robert J.. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-08.

System and method for use in fabricating a structure

Номер патента: US20140261959A1. Автор: Dallas Steven Scholes,John F. Spalding,Robert J. Keeler,Richard M. Sutherland. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2014-09-18.

Method for fabricating microchip for nucleic acid amplification reaction

Номер патента: US09545630B2. Автор: Masahiro Matsumoto,Masaki Sato,Hidetoshi Watanabe. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Methods for fabricating and/or finishing structural insulated panels

Номер патента: WO2024098155A1. Автор: Michael Dombowsky,Mark Dombowsky,Louis Dombowsky,Benedict DOMBOWSKY,Braden DOMBOWSKY. Владелец: Nexii Building Solutions Inc.. Дата публикации: 2024-05-16.

Method for fabricating microrobot for delivery of cell therapy product and microrobot according thereto

Номер патента: US20240024643A1. Автор: Jin Young Kim,Sung Won Kim,Hong Soo Choi,Sun Hwa Park,Sung Woong JEON. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Catholic University of Korea. Дата публикации: 2024-01-25.

Method for fabricating microrobot for delivery of cell therapy product and microrobot according thereto

Номер патента: EP4257125A1. Автор: Jin Young Kim,Sung Won Kim,Hong Soo Choi,Sun Hwa Park,Sung Woong JEON. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Catholic University of Korea. Дата публикации: 2023-10-11.

Method and system for fabricating liquid crystal film and method for fabricating brightening film

Номер патента: US20050280767A1. Автор: Charles Chang,Chun-Fa Chen,Kun-Mao Yu. Владелец: Charmica Photoelectronic Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-22.

Systems and methods for fabricating a microchannel vascular network device and seeding a microchannel

Номер патента: WO2020257539A1. Автор: Craig Neville,Joseph P. Vacanti,Batzaya BYAMBAA,Matthew James Hancock,Carly COMER,Tyler LIEBERTHAL,Tatevik SAHAKYANTS,Andrew Paul SPANN. Владелец: 3D Biolabs, Llc. Дата публикации: 2020-12-24.

Method for fabricating neutron supermirror using neutron monochromator structures

Номер патента: US20080115338A1. Автор: Chang-Hee Lee,Sang-Jin Cho,Hark-Rho Kim,Ji-Yong So. Владелец: Korea Atomic Energy Research Institute KAERI. Дата публикации: 2008-05-22.

Method for fabricating an assembly for a card and a card comprising a metallized film, a microcircuit card and an assembly for said card

Номер патента: US20230364899A1. Автор: Sylvie Pompeani,Joseph GUYON LE BOUFFY. Владелец: Idemia France SAS. Дата публикации: 2023-11-16.

Method for fabricating neutron supermirror using neutron monochromator structures

Номер патента: US7635839B2. Автор: Chang-Hee Lee,Sang-Jin Cho,Hark-Rho Kim,Ji-Yong So. Владелец: Korea Atomic Energy Research Institute KAERI. Дата публикации: 2009-12-22.

A method for fabricating a glass assembly, a glass assembly and a window assembly

Номер патента: WO2024208164A1. Автор: LU Wang,Daming Li,Yiheng Zhang. Владелец: SAINT-GOBAIN GLASS FRANCE. Дата публикации: 2024-10-10.

Method for fabricating photoresist pattern, color filter and display device

Номер патента: US09971187B2. Автор: Yuan Liang,Zhiyong Zhang,Yulong KANG,Qingde LONG,Liwei FAN. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Method for fabricating transfer printing substrate using concave-convex structure, transfer printing substrate fabricated thereby and application thereof

Номер патента: US09656502B2. Автор: Young Kyu HWANG,Seong-Ju Park,Heung Cho Ko,Seok Ho Kim,Jongwon Yoon,Su Ok YUN,Hun Soo JANG,Hyun-A CHO,Byeong-Il NOH,Jaeyi CHUN. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2017-05-23.

Anisotropic thermal energy guiding shells and methods for fabricating thermal energy guiding shells

Номер патента: US09511549B2. Автор: Ercan Mehmet DEDE,Tsuyoshi Nomura,Paul Schmalenberg. Владелец: Toyota Motor Engineering and Manufacturing North America Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Methods for decomposing circuit design layouts and for fabricating semiconductor devices using decomposed patterns

Номер патента: US20130219347A1. Автор: Peng XIE,Yi Zou,Luigi Capodieci,Vito Dai,Swamy Muddu,Lynn T. Wang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-08-22.

Fabricating method for micro gas sensor and the same

Номер патента: WO2009084871A1. Автор: Seong Dong Kim,Kwang Bum Park,Min Ho Lee,Joon Shik Park. Владелец: KOREA ELECTRONICS TECHNOLOGY INSTITUTE. Дата публикации: 2009-07-09.

Structural building panels, apparatus and method for fabricating structural building panels

Номер патента: US20070204557A1. Автор: Robert Timbrook. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-06.

Electrospray emitters, associated methods for their use, and associated methods and devices for their fabrication

Номер патента: US20240227237A1. Автор: Sadaf Sobhani,Elaine Marie Petro,Suhail Chamieh. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-07-11.

Methods for retargeting circuit design layouts and for fabricating semiconductor devices using retargeted layouts

Номер патента: US20160188781A1. Автор: Norman Chen,Chidam Kallingal,Ayman Hamouda. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-30.

Method for generating instructions for fabricating a garment

Номер патента: US20230298273A1. Автор: William Wilcox. Владелец: Clothing Tech LLC. Дата публикации: 2023-09-21.

Method for fabricating a photolytic alignment film comprising the step of rinsing a substrate using a cleaning agent to remove at least a non-polymer decomposition product, liquid crystal display panel and display device

Номер патента: US09766502B2. Автор: CHEN Liu,Yong Yuan,Huiping Chai,Wenze SHAN. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Fabrication method for stepped forged material

Номер патента: US09574250B2. Автор: Etsuo Fujita,Shinya Nagao. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Method for producing powder containing nanocrystalline cubic tungsten carbide

Номер патента: RU2747329C1. Автор: Александр Анатольевич Сивков,Артур Ренатович Насырбаев,Дмитрий Сергеевич Никитин,Иван Игоревич Шаненков. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский Томский политехнический университет». Дата публикации: 2021-05-04.

Method for fabricating a patterned core for a light guide plate

Номер патента: US20040248049A1. Автор: Kun-Jung Tsai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-09.

Method for fabricating a heat pipe, and instrument of the method

Номер патента: US20130042477A1. Автор: Wei-Cheng Chou. Владелец: Wistron Corp. Дата публикации: 2013-02-21.

Electrospinning method for fabricating nanofiber air filter with minimized pressure drop

Номер патента: US20230383441A1. Автор: LI ZHANG,Chun Chen,Zhuolun NIU,Ye BIAN. Владелец: Hong Kong Centre For Logistics Robotics Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Method for fabricating lcd

Номер патента: US20130095430A1. Автор: Jun Wang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-18.

Method for fabricating a mirror by 3d printing

Номер патента: US20240286194A1. Автор: Jacques RODOLFO. Владелец: Safran Reosc SAS. Дата публикации: 2024-08-29.

Manufacturing system and method for fabricating a component

Номер патента: US09713861B2. Автор: Yuefeng Luo,William Edward Adis. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-07-25.

Methods for retargeting circuit design layouts and for fabricating semiconductor devices using retargeted layouts

Номер патента: US09443055B2. Автор: Norman Chen,Chidam Kallingal,Ayman Hamouda. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

3d network-structured silicon-containing preploymer and method for fabricating the same

Номер патента: US20150252194A1. Автор: Shih-Hong Chu,Hung-Hsuan Cheng. Владелец: UNICON OPTICAL CO Ltd. Дата публикации: 2015-09-10.

3d network-structured silicon-containing prepolymer and method for fabricating the same

Номер патента: US20150309212A1. Автор: Shih-Hong Chu,Hung-Hsuan Cheng. Владелец: UNICON OPTICAL CO Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

Method for fabricating a solid surface countertop in a mobile fabrication unit

Номер патента: US5915748A. Автор: Paul C. Dubuc. Владелец: Individual. Дата публикации: 1999-06-29.

Method for fabricating composite pressure vessels and products fabricated by the method

Номер патента: EP1112170A1. Автор: James C. Murphy,Gerald S. Boyce,Erik Coeckelbergs. Владелец: Essef Corp. Дата публикации: 2001-07-04.

Method for fabricating composite pressure vessels and products fabricated by the method

Номер патента: AU5924499A. Автор: James C. Murphy,Gerald S. Boyce,Erik Coeckelbergs. Владелец: Essef Corp. Дата публикации: 2000-04-03.

A method for fabricating an optic element

Номер патента: WO2024191350A1. Автор: HONG Liu,Hailong Liu,Jie Deng,Ziyu Wang,Deepak Kumar Sharma,Vignesh Suresh,Arseniy KUZNETSOV,Ramon Jose PANIAGUA DOMINGUEZ,Egor KHAIDAROV. Владелец: AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH. Дата публикации: 2024-09-19.

Waveguide and method for fabricating a waveguide

Номер патента: US12055751B2. Автор: Stephen Paul MASON. Владелец: BAE SYSTEMS plc. Дата публикации: 2024-08-06.

Method and system for fabricating a product using a digital fabrication unit

Номер патента: US09987803B2. Автор: Marian Trinkel,Jens-Oliver Haupt,Frank Lamack. Владелец: DEUTSCHE TELEKOM AG. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor devices with cavities and methods for fabricating semiconductor devices with cavities

Номер патента: US09932224B2. Автор: Rakesh Kumar,Pradeep Yelehanka,Siddharth Chakravarty. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-04-03.

Method for fabricating multi-colored ball, and method for fabricating display device

Номер патента: US20030071379A1. Автор: Mitsuo Ozaki,Naoyuki Hayashi,Norio Sawatari,Shino Tokuyo. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-04-17.

Color-changing pre-treatment stain removers and methods for fabricating the same

Номер патента: WO2011071661A2. Автор: Joan M. Bergstrom,Danielle S. Shapiro. Владелец: The Dial Corporation. Дата публикации: 2011-06-16.

Tubular potted flower and method for fabricating the same

Номер патента: WO2002071831A1. Автор: Jeong-Bok Kim. Владелец: Kim, Kil-Sung. Дата публикации: 2002-09-19.

Test socket and method for fabricating the same

Номер патента: US20240248118A1. Автор: Jungchul Shin,Seungha BAEK,Geunsu Kim,Jaehwan Jeong. Владелец: Leeno Industiral Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

A method for fabricating an optic element

Номер патента: WO2024205493A1. Автор: HONG Liu,Hailong Liu,Jie Deng,Chaobin He,Ziyu Wang,Deepak Kumar Sharma,Siqi LIU,Vignesh Suresh,Arseniy KUZNETSOV,Ramon Jose PANIAGUA DOMINGUEZ,Egor KHAIDAROV. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2024-10-03.

Additive manufacturing method for fabricating a component

Номер патента: US09784111B2. Автор: Yuefeng Luo,William Edward Adis. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-10-10.

Method for fabricating a display dial for a portable object such as a timepiece and display dial obtained thereby

Номер патента: US09645286B2. Автор: Michel Sagardoyburu. Владелец: Swatch Group Research and Development SA. Дата публикации: 2017-05-09.

Method for fabricating a colored component for a watch

Номер патента: US09625879B2. Автор: Ching Tom Kong,Ying Nan WANG. Владелец: Master Dynamic Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

System and method for fabricating a dental tray

Номер патента: EP4360587A3. Автор: Rune Fisker. Владелец: 3Shape AS. Дата публикации: 2024-07-03.

Electrically conductive roller for rotogravure and method for manufacture

Номер патента: EP3478504A1. Автор: Sammy Lasseel,Dirk Vidts. Владелец: Hannecard NV. Дата публикации: 2019-05-08.

Method for fabricating a plastic molded indicator symbol and a plastic molded indicator symbol

Номер патента: WO2003089224A1. Автор: Timo Nissinen,Seppo Toivanen,Matti Mikkola,Hannu Lehmussaari,Simo Vahamottonen. Владелец: Nokia Corporation. Дата публикации: 2003-10-30.

Method for fabricating a plastic molded indicator symbol and a plastic molded indicator symbol

Номер патента: EP1497097A1. Автор: Timo Nissinen,Seppo Toivanen,Matti Mikkola,Hannu Lehmussaari,Simo Vahamottonen. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2005-01-19.

Composite tools and methods for fabricating composite tools

Номер патента: US09987768B2. Автор: Charles Aitken. Владелец: Gulfstream Aerospace Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Monolithic acoustically-treated composite structures and methods for fabricating the same

Номер патента: US09469390B2. Автор: Adam Kowal,David E. Wilcox,Jeffrey Hein. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Method for fabricating micro- or nanowire at predetermined position of object using micro- or nanopipette

Номер патента: US12024423B2. Автор: Jung Ho Je,Un YANG,Seung Soo OH,Moon Jung YONG,Byung Hwa Kang. Владелец: POSTECH Research and Business Development Foundation. Дата публикации: 2024-07-02.

System and method for fabricating soft sensors that conform to arbitrary smooth geometries

Номер патента: US20230302657A1. Автор: Katsu Yamane,Mirza Saquib SARWAR,Ryusuke Ishizaki. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Method and apparatus for fabricating a floor plate for a building

Номер патента: US20200340234A1. Автор: Stephen T. Houston,Joseph Michael Benvenuto,Aleksei Ivanikiw. Владелец: Big Time Investment LLC. Дата публикации: 2020-10-29.

Method and apparatus for fabricating a floor plate for a building

Номер патента: CA3137713A1. Автор: Stephen T. Houston,Joseph Michael Benvenuto,Aleksei Ivanikiw. Владелец: Big Time Investment LLC. Дата публикации: 2020-10-29.

System and method for preparing hollow core cranial remodeling orthoses

Номер патента: CA3094419A1. Автор: Jason Shane GOODNOUGH. Владелец: Headstart Medical Ltd. Дата публикации: 2019-09-26.

System and method for preparing hollow core cranial remodeling orthoses

Номер патента: AU2019239794B2. Автор: Jason Shane GOODNOUGH. Владелец: Headstart Medical Ltd. Дата публикации: 2021-09-09.

System and method for preparing hollow core cranial remodeling orthoses

Номер патента: US20210322200A1. Автор: Jason Shane GOODNOUGH. Владелец: Headstart Medical Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Method for fabricating a string, in particular a string for a bowed musical instrument, and an apparatus for carrying out the same

Номер патента: EP3776524A1. Автор: Kristian Bach SIGVARDT,Laurits Thorvald Larsen. Владелец: Larsen Strings AS. Дата публикации: 2021-02-17.

Photoresist compositions, methods for forming pattern using the same, and methods for fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20220128905A1. Автор: Jung Min Lee,Jong Hoon Kim,Suk Koo Hong,Eun Shoo Han,Sung An Do,Hong Joon Lee,Seung Chul Kwon,Sin Hae Do. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-28.

Methods of three-dimensional printing for fabricating a dental appliance

Номер патента: US20190336254A1. Автор: Dan Ammon,Md Abu HASAN. Владелец: Dentsply Sirona Inc. Дата публикации: 2019-11-07.

Methods of three-dimensional printing for fabricating a dental appliance

Номер патента: US20210113313A1. Автор: Dan Ammon,Md Abu HASAN. Владелец: Dentsply Sirona Inc. Дата публикации: 2021-04-22.

Methods of three-dimensional printing for fabricating a dental appliance

Номер патента: US11654005B2. Автор: Dan Ammon,Md Abu HASAN. Владелец: Dentsply Sirona Inc. Дата публикации: 2023-05-23.

Method for fabricating super-hydrophobic surface and evaporator having the super-hydrophobic surface

Номер патента: US09839862B2. Автор: Sang Min Lee,Woon Bong Hwang,Yeong Ae Kim. Владелец: Positech Academy-Industry Foundation. Дата публикации: 2017-12-12.

Methods for fabricating objects using investment molding techniques

Номер патента: US09750914B2. Автор: Leslie Oliver Karpas,Aaron M. Ryan. Владелец: Metamason Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Method for fabricating micro-lens

Номер патента: WO2009084852A3. Автор: Ki Soo Chang,Yong Tak Lee,Young Min Song,Bong Kyu Jeong. Владелец: Bong Kyu Jeong. Дата публикации: 2009-08-20.

Method for fabricating shaft sealing device and jig for fabricating shaft sealing device, and rotary machine provided with shaft sealing device

Номер патента: US20130004310A1. Автор: Takashi Nakano,Hidekazu Uehara,Tanehiro Shinohara,Shin Nishimoto. Владелец: Eagle Industry Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-03.

Porous material and method for fabricating same

Номер патента: CA2627895A1. Автор: Daniel Morrissette,Patrick Croteau. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-10.

Method and system for fabricating integrated circuit with aid of programmable circuit synthesis

Номер патента: US20200394279A1. Автор: Yun-Ru Chen,Yung-Chow Peng,Yu-tao YANG,Wen-Shen Chou,Yung-Hsu Chuang,Jie-Ren Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

Method and apparatus for fabricating waveguides and waveguides fabricated therefrom

Номер патента: EP1540392A1. Автор: Ernest Wayne Balch,Min-Yi Shih,Leonard Richard Douglas. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2005-06-15.

System and method for generating a quote for fabrication of a part to be fabricated

Номер патента: US12124237B2. Автор: Jonathan Schwartz,Oliver Ortlieb,Max Friefeld. Владелец: DESPREZ LLC. Дата публикации: 2024-10-22.

Method for fabricating a belt with treated tension members with envelope layer and belt thus produced

Номер патента: US09695906B2. Автор: Stephan Brocke,Andre Kucharczyk,Hubert Goeser. Владелец: ContiTech Antriebssysteme GmbH. Дата публикации: 2017-07-04.

Method for fabricating shaft sealing device and jig for fabricating shaft sealing device, and rotary machine provided with shaft sealing device

Номер патента: US09488279B2. Автор: Takashi Nakano,Hidekazu Uehara,Tanehiro Shinohara,Shin Nishimoto. Владелец: Eagle Industry Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Method for fabrication of nickel fibre electrode base with developed fibre surface for chemical current sources and nickel fibre electrode base fabricated using such method

Номер патента: RU2475896C2. Автор: Альберт Харисович Гильмутдинов,Михаил Валерьевич Морозов. Владелец: Михаил Валерьевич Морозов. Дата публикации: 2013-02-20.

Protection member for display, display device including the same and method for fabricating the protection member for display

Номер патента: US20210271002A1. Автор: Sang Hoon Kim,Kyung Man Kim,Seong Jin Hwang,Min Hoon CHOI,Min Sang KOO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-02.

System and method for fabricating heat transfer device

Номер патента: WO2011046421A1. Автор: Sae Chee Chiang Lee. Владелец: Hai-O Energy (M) Sdn. Bhd.. Дата публикации: 2011-04-21.

Bone filler and method for fabricating the same

Номер патента: EP2063815A1. Автор: Kwang Bum Park,Jae Won Kim,Kyoung Ho Ryoo,Seok Kyu Choi,Dong Jun Yang,Hyun Wook An. Владелец: Megagen Implant Co Ltd. Дата публикации: 2009-06-03.

Apparatus and method for fabricating layered periodic media

Номер патента: US20020196399A1. Автор: Victor Kopp,Peter Shibayev. Владелец: Chiral Photonics Inc. Дата публикации: 2002-12-26.

Method for fabricating a blazed grating

Номер патента: US20240241296A1. Автор: Ismo Vartiainen. Владелец: DISPELIX OY. Дата публикации: 2024-07-18.

System and method for generating a quote for fabrication of a part to be fabricated

Номер патента: US12105500B2. Автор: Jonathan Schwartz,Oliver Ortlieb,Max Friefeld. Владелец: DESPREZ LLC. Дата публикации: 2024-10-01.

Systems and methods for fabricating joint members

Номер патента: US09975179B2. Автор: Zachary Meyer Omohundro,Praveen Varma PENMETSA,Kevin R. Czinger,William Bradley Balzer,Matthew M. O'brien. Владелец: Divergent Technologies Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

System and method for additive fabrication using laminated sheets

Номер патента: US09550349B1. Автор: Bradley J Mitchell,Ty A Larsen,Emma Romig. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2017-01-24.

Apparatus and method for fabricating plastic optical fiber

Номер патента: US20050110173A1. Автор: Sung-Koog Oh,Seung-Hui Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-05-26.

Method for fabricating ceramic articles containing organic compounds

Номер патента: WO2005005338A3. Автор: Tudor C Gheorghiu,John H Brennan,Gregory P Dillon,Michael J Vayansky. Владелец: Michael J Vayansky. Дата публикации: 2005-06-23.

Methods for fabricating cast components with cooling channels

Номер патента: CA2967091C. Автор: Matthew T. Kush,Charles Alan Bulgrin,Carl R. Russo. Владелец: Rolls Royce Corp. Дата публикации: 2023-07-11.

Composite substrates for the epitaxial growth of thin films and method for fabricating such substrates

Номер патента: EP4414482A1. Автор: Jochen Mannhart,Varun HARBOLA. Владелец: Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften eV. Дата публикации: 2024-08-14.

Method for fabricating a sheet-shaped electrode and a sheet-shaped electrode for an electrostatic coalescing device

Номер патента: US20100000868A1. Автор: Pål Jahre NILSEN,Peder Hansson,Tor Fjeldly. Владелец: Aibel As. Дата публикации: 2010-01-07.

Anti-skid glass pane for construction, lighting engineering and decoration, space illumination module using the pane and method for fabricating the pane

Номер патента: EP1217144B1. Автор: Paolo Landi. Владелец: TECNO SECURVETRO Srl. Дата публикации: 2004-03-10.

Methods and systems for fabricating spiral welded cylinders

Номер патента: US20020088785A1. Автор: Michael Williams,Warner Fencl,Robert Shaner,Stephen Coughlin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-11.

Methods and systems for fabricating spiral welded cylinders

Номер патента: WO2002051577A9. Автор: Michael R Williams,Robert Shaner,Stephen A Coughlin,Warner G Fencl. Владелец: American Railcar Ind Inc. Дата публикации: 2003-11-20.

Methods and systems for fabricating spiral welded cylinders

Номер патента: CA2634114A1. Автор: Mike Williams,Steve Coughlin,Warner Fencl,Robert Shaner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-04.

Composite substrates for the epitaxial growth of thin films and method for fabricating such substrates

Номер патента: WO2024165270A1. Автор: Jochen Mannhart,Varun HARBOLA. Владелец: MAX-PLANCK-GESELLSCHAFT ZUR FORDERUNG DER WISSENSCHAFTEN E.V.. Дата публикации: 2024-08-15.

Dermal heatsink exhibiting hydrophilic and contaminant resistant properties and method for fabricating a dermal heatsink

Номер патента: US20230329383A1. Автор: Gustavo Cadena Schlam,Michel Romero Flores. Владелец: Omius Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Mask for forming color filter layer, method for fabricating color filter substrate, and color filter substrate

Номер патента: US09891463B2. Автор: Min Li,Yu Xiao,Jingjing Jiang,Hongjiang Wu. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for fabricating three-dimensional network structure material

Номер патента: US09855541B2. Автор: Ting-Chuan Lee,Chun-Jung Tsai,Chun-Hsien Tsai,Chia-Hung Li,Ching-Tung Hsu,Wan-Ju Chen,Jui-Yu Jao. Владелец: Taiwan Carbon Nano Technology Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Method for fabrication of curved-surface display panel

Номер патента: US09581844B2. Автор: Jin-Woo Lee,Hwan-Jin Kim,Yang-Rae Kim. Владелец: Tovis Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Wafer-Level Hybrid Compound Lens And Method For Fabricating Same

Номер патента: US20170123190A1. Автор: Wei-Ping Chen,Tsung-Wei Wan. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2017-05-04.

Apparatus and method for detecting liquid crystal diffusion and apparatus for fabricating liquid crystal panel

Номер патента: US20180217417A1. Автор: Wei Qin,Peng Zeng,Ling HU,Xiangzhen Wang. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-02.

Processing program creation device, method for determining scattering direction of molten metal, laser processing machine, and laser processing method

Номер патента: US20220226933A1. Автор: Takuya Murakami. Владелец: Amada Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Sensor arrangement for sensing forces and method for fabricating a sensor arrangement

Номер патента: EP4251963A1. Автор: Hyosang Lee,Huanbo SUN,Georg MARTIUS,Adam Spiers,Jonathan FIENE,Wu Hyon SEO. Владелец: Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften eV. Дата публикации: 2023-10-04.

System and method for controlling flow distribution of extrudate source material for fabricating a honeycomb extrudate

Номер патента: US12036698B2. Автор: Daniel Edward Mccauley,Dustin Andrew Jochum,Casey Allen Volino. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for fabricating metal substrates with high-quality surfaces

Номер патента: US7758695B2. Автор: LI Wang,Fengyi Jiang,Chuanbing Xiong,Wenqing Fang,Guping Wang. Владелец: Lattice Power Jiangxi Corp. Дата публикации: 2010-07-20.

Method for fabricating metal substrates with high-quality surfaces

Номер патента: US20080166582A1. Автор: LI Wang,Fengyi Jiang,Chuanbing Xiong,Wenqing Fang,Guping Wang. Владелец: Lattice Power Jiangxi Corp. Дата публикации: 2008-07-10.

Compositions & methods for reformulating biological membranes for arrays

Номер патента: US20070141641A1. Автор: YE Fang,Ann Ferrie. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-21.

Method for the fabrication of patterned poled dielectric structures and devices

Номер патента: US20020122240A1. Автор: Jocelyn Lauzon,Chiara Meneghini,Carl Paquet,Sylvain Derome. Владелец: Institut National dOptique. Дата публикации: 2002-09-05.

A measurement tool and a method for determining a state of health (soh) of a capacitor component in a vehicle

Номер патента: EP4270034A1. Автор: Ranjith Kumar B,P Meshach Daniel. Владелец: Volvo Truck Corp. Дата публикации: 2023-11-01.

Dermal heatsink exhibiting hydrophilic and contaminant resistant properties and method for fabricating a dermal heatsink

Номер патента: US20210177081A1. Автор: Gustavo Cadena Schlam,Michel Romero Flores. Владелец: Omius Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Leading-edge structures for airfoils and systems and methods for fabricating the same

Номер патента: US12123096B1. Автор: Kenneth W. Young. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2024-10-22.

Method for fabricating a metal decoration on a dial and dial obtained by this method

Номер патента: US12072632B2. Автор: Pascal Grossenbacher,Pierry Vuille,Alexandre Haemmerli,Elias Laforge,Benjamin TIXIER. Владелец: Swatch Group Research and Development SA. Дата публикации: 2024-08-27.

Methods for fabricating lids for vessels

Номер патента: US09827730B2. Автор: Justin Smyers. Владелец: Snapware Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Wafer-level hybrid compound lens and method for fabricating same

Номер патента: US09804367B2. Автор: Wei-Ping Chen,Tsung-Wei Wan. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Method for fabricating nanoantenna array, nanoantenna array chip and structure for lithography

Номер патента: US09726788B2. Автор: Inho Kim,Taek Sung Lee,Won Mok Kim,Doo Seok Jeong,Kyeong Seok Lee,Wook Seong LEE. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2017-08-08.

Method and apparatus for fabrication and tuning of grating-based differential phase contrast imaging system

Номер патента: US09700267B2. Автор: Mark E. Shafer,Pavlo BATURIN. Владелец: Carestream Health Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Method for fabricating vane using a nodular graphite cast iron

Номер патента: US09644245B2. Автор: Jaebong PARK. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-05-09.

Method for fabricating frameless diving mask

Номер патента: US20120313285A1. Автор: Ting-Fu Lee. Владелец: E Home Outdoors Inc. Дата публикации: 2012-12-13.

Method for fabricating super mirror finish stainless steel decorative sheet

Номер патента: US20150266335A1. Автор: LIANG Hong,Gang Chen,Hui Jiang,Zhihong Sang. Владелец: Haimen Senda Decoration Material Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-24.

Method of fabricating a fluid ejection device having a data storage structure

Номер патента: US7669314B2. Автор: Satya Prakash,James A Feinn,Lawrence White,Terry Mcmahon,Donald W Schulte,Adam Ghozeil. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2010-03-02.

Method for fabricating collagen bio-ink, collagen bio-ink and 3D bio-printing method

Номер патента: US11945958B2. Автор: Hsi-Min YANG. Владелец: Horien Biochemical Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Concrete slab construction having a joining element made of concrete for joining concrete slabs together, and method for fabricating a concrete slab construction

Номер патента: CA3237759A1. Автор: Josef Peter Kurath-Grollmann. Владелец: CPC AG. Дата публикации: 2023-05-25.

Stretch blow molded pipette, and system and method for forming same

Номер патента: US20240261777A1. Автор: Michael Kurt SCHAEFER,James Mark SEYMOUR,John Claude Cadotte, Jr.. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Humidity sensor and a method for fabricating the same

Номер патента: MY173650A. Автор: NABIPOOR Mohsen,Bien Chia Sheng Daniel,Aishah Mohamad Badaruddin Siti,Ramdzan Buyong Muhamad,Mohd Saman Rahimah,Ghani Othaman Abdul,Binti Mohd Zain Azlina. Владелец: MIMOS BERHAD. Дата публикации: 2020-02-13.

Filter medium for purifying water and a method for fabricating same

Номер патента: WO2002020127A1. Автор: Sven Jan Nordstrom. Владелец: REKOMAT AB. Дата публикации: 2002-03-14.

Liquid crystal phase modulation device and method for fabricating the same

Номер патента: EP4398027A2. Автор: Yu-Ching Chen,Chih-Chan Lin. Владелец: LIQXTAL Tech Inc. Дата публикации: 2024-07-10.

Liquid crystal phase modulation device and method for fabricating the same

Номер патента: EP4398027A3. Автор: Yu-Ching Chen,Chih-Chan Lin. Владелец: LIQXTAL Tech Inc. Дата публикации: 2024-09-11.

Apparatus and methods for fabricating components

Номер патента: US12083734B2. Автор: Kenneth Susnjara. Владелец: Thermwood Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Photomask, method of fabricating a photomask, and method of fabricating a semiconductor structure using a photomask

Номер патента: US20220276552A1. Автор: Chung-Hung Lin,Chih-Wei Wen,Tzu Han Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-01.

Method for fabricating a gold nanoparticle

Номер патента: US09925592B2. Автор: Vee Vee Cheong,Brendan Patrick Orner,Rongli Fan,Shu Wen Chew. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-03-27.

Method for fabrication of pile knitted fabrics

Номер патента: RU2706132C1. Автор: Людмила Сергеевна Ковальчук,Алина Игоревна Григорьева,Анастасия Андреевна Гребенюк,Тамара Валентиновна Крайнова,Лидия Михайловна Хозова,Алла Владимировна Королева,Ирина Сергеевна Шадрина. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Протекс" (ООО "Протекс"). Дата публикации: 2019-11-14.

Method for fabricating a doll with dreadlock hair

Номер патента: US20240115963A1. Автор: Tamra M. Williams. Владелец: World Of Epi Company Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Method for fabricating microneedle-based diagnostic skin patch coated with aptamer and patch

Номер патента: US20200054256A1. Автор: In Sik SON. Владелец: Nexmos Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-20.

Method and apparatus for fabricating a composite object

Номер патента: EP3119588A1. Автор: James Bruce GARDINER. Владелец: Laing Orourke Australia Pty Ltd. Дата публикации: 2017-01-25.

Glass substrate having a grooved portion, method for fabricating the same, and press mold for fabricating the glass substrate

Номер патента: US20060022349A1. Автор: Takeshi Shimazaki,Hiroshi Wakatsuki,Masatoshi Ohyama. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2006-02-02.

Systems and methods for fabricating low-loss, high-strength optical fiber transmission lines

Номер патента: US20040013374A1. Автор: David DiGiovanni,Torben Veng. Владелец: Fitel USA Corp. Дата публикации: 2004-01-22.

Method for fabricating a liquid crystal display

Номер патента: US20040125329A1. Автор: Young-Bae Park,Jeong-Ho Lee,Jeong-Young Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-01.

Fabrication line, systems, and methods for fuselage sections

Номер патента: US12077319B2. Автор: Daniel R. Smith,Darrell D. Jones,Raviendra Sidath Suriyaarachchi,Jeremy Evan Justice,Robert William Whiting,Paul Chace Wilcoxson. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for fabricating broadband near infrared plasmonic waveguide

Номер патента: US20190187368A1. Автор: Hyoung Uk Kim,Seok Joon Kwon,Il Ki Han,Kwan Il Lee,Seonju YEO. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2019-06-20.

Spot-size converter, photonic device and method for fabricating spot-size converter

Номер патента: EP4414758A1. Автор: Shiwei Song,Weiqi Sun,Qingyang YU,Yingcong ZHOU,Hanxiao LIANG,Yipin SONG,Haicang WU,Wenhao MAO,Zhouyu ZHANG. Владелец: Nanjing Lycore Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-14.

Method for fabricating a liquid crystal display having a pixel electrode with different surface roughness regions

Номер патента: US6798489B2. Автор: Young-Bae Park,Jeong-Ho Lee,Jeong-Young Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-09-28.

System and method for the fabrication of aligned structures by optical modulation instability

Номер патента: US20240326335A1. Автор: Damien Loterie,Paul Delrot,Emma BARBIER. Владелец: Readily3D Sa. Дата публикации: 2024-10-03.

Carbon-containing moldings and a method for fabrication thereof

Номер патента: RU2246530C1. Автор: . Владелец: Лурий Валерий Григорьевич. Дата публикации: 2005-02-20.

Method for fabrication of semiconductor photoelectric generator

Номер патента: RU2265915C1. Автор: Д.С. Стребков,В.В. Заддэ,О.В. Шеповалова. Владелец: Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства (ГНУ ВИЭСХ). Дата публикации: 2005-12-10.

Method for fabricating tunable optical phased array, and tunable optical phased array

Номер патента: US20220221746A1. Автор: Zhongxiang ZHANG. Владелец: Shenzhen Litra Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20100240198A1. Автор: Mitsunori Yokoyama. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2010-09-23.

Method for fabricating a hydrophobic coating for corrosion protection

Номер патента: US20200140697A1. Автор: Gasan Selman Alabedi,Enrico Bovero,Aziz Fihri. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2020-05-07.

Method for fabricating carbon-based composite material

Номер патента: US20170159205A1. Автор: I-Nan Lin. Владелец: Tamkang University. Дата публикации: 2017-06-08.

Mask and method for fabricating the same

Номер патента: US20220113621A1. Автор: Chi-Ming Tsai,Chi-Ta Lu,Jia-Guei Jou,Huang-Ming Wu,Jiun-Hao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-14.

Method for fabricating a transducer with improved thickness uniformity

Номер патента: US20090113710A1. Автор: Pinyen Lin,John Richard Andrews. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2009-05-07.

Mask and method for fabricating the same

Номер патента: US20200004136A1. Автор: Chi-Ming Tsai,Chi-Ta Lu,Jia-Guei Jou,Huang-Ming Wu,Jiun-Hao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

System and fabrication method for actively cooling high performance components

Номер патента: US20050120704A1. Автор: Mark Horn. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2005-06-09.

Methods for fabricating graphene nanoribbons

Номер патента: US20230391622A1. Автор: Guangbin DONG,Jiangliang Yin,Daniel Pyle. Владелец: University of Chicago. Дата публикации: 2023-12-07.

Spot-size converter, photonic device and method for fabricating spot-size converter

Номер патента: US20240272356A1. Автор: Shiwei Song,Weiqi Sun,Qingyang YU,Yingcong ZHOU,Hanxiao LIANG,Yipin SONG,Haicang WU,Wenhao MAO,Zhouyu ZHANG. Владелец: Nanjing Lycore Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Measurement tool and a method for determining a state of health (soh) of a capacitor component in a vehicle

Номер патента: US20230347743A1. Автор: Meshach Daniel PASUPATHY,Ranjith Kumar B. Владелец: Volvo Truck Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

System and Method for Fabricating a Semiconductor Device

Номер патента: US20230161942A1. Автор: Yung-Shun Chen,Chih-Chiang Chang,Tai-Yi CHEN,Tse-Hung Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Thin film transistor array substrate and method for manufacturing same

Номер патента: US7760280B2. Автор: Yao-Nan Lin. Владелец: Innolux Display Corp. Дата публикации: 2010-07-20.

Method for fabricating micro-lens, and micro-lens array including the micro-lens

Номер патента: US20120140331A1. Автор: Jin Ho Park,Young Je Yun. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2012-06-07.

Liquid crystal display device and method for fabricating the same

Номер патента: US7525617B2. Автор: Ji Chul Lim,Youn Seung Choi. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-28.

Penetration system for fabric and method for manufacturing fabric using same

Номер патента: US09885133B2. Автор: Min Woo Kim,Jong Chul Park,Young Chul Joung,Myung Je Roh,Mun Hyeong Lee,In Chang Cha,Hyoung Gook Kim. Владелец: Jios Aerogel Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

System and method for fabricating a composite material assembly

Номер патента: US09873501B2. Автор: Germain Belanger,Alain Landry. Владелец: Learjet Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Regional polarization structure, method for fabricating regional polarization structure and liquid crystal display panel

Номер патента: US09810939B2. Автор: Zhongshou Huang,Sifan Wei. Владелец: Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Touch panel and method for fabricating the same

Номер патента: US09727195B2. Автор: Seung-Hyun Kim,Hyung-Chul Kim,Tae-Yeon YOO. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for fabricating bubbler

Номер патента: US09718247B2. Автор: Pei-Ti Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-08-01.

Detachment apparatus having arched drum pad and method for fabricating lightweight, thin liquid crystal display device using the same

Номер патента: US09645419B2. Автор: Jaewon Lee,Jeongjoon Lee,JinKyoung Kim,DaeHoon LEE,KiBok KANG,Byongll Lee. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Wire grid polarizer and method for fabricating the same

Номер патента: US09581745B2. Автор: LEI Xie,Tae Woo Kim,Dae Ho Yoon,Moon Gyu LEE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Method for fabricating a ceramic material

Номер патента: US09533919B2. Автор: Paul Sheedy,Wayde R. Schmidt,Tania Bhatia Kashyap. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Method for fabricating ceramic material

Номер патента: US09533918B2. Автор: Timothy P. Coons,Michael A. Kmetz,Justin W. Reutenauer. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Liquid crystal cell, method for fabricating the same and display device

Номер патента: US09519189B2. Автор: Feng Liu,Yin Xiao,Wenzhou Li,Jinyang DENG,Falun LI. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Method for fabrication of the pellets of ceramic nuclear fuel, device for its realization and container

Номер патента: RU2262756C2. Автор: В.А. Астафьев,А.Е. Глушенков,М.В. Скупов,М.И. Столяров,И.А. Шкабура,В.А. Астафьев (RU),А.Е. Глушенков (RU),М.В. Скупов (RU),ров М.И. Стол (RU),И.А. Шкабура (RU). Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт неорганических материалов им. акад. А.А. Бочвара". Дата публикации: 2005-10-20.

Method for fabrication of complex-combined axially symmetric welded article

Номер патента: RU2741737C1. Автор: Иван Олегович Неймышев. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственная корпорация "Уралвагонзавод" имени Ф.Э. Дзержинского". Дата публикации: 2021-01-28.

Method for producing nanocrystalline cubic molybdenum carbide

Номер патента: RU2748929C1. Автор: Александр Анатольевич Сивков,Дмитрий Сергеевич Никитин,Иван Игоревич Шаненков. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский Томский политехнический университет». Дата публикации: 2021-06-01.

Systems and methods for creating compensated digital representations for use in additive manufacturing processes

Номер патента: EP3014582A1. Автор: Mark Allen Cheverton,Michael Evans Graham,William Thomas Carter,Pinghai Yang. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2016-05-04.

Apparatus and method for fabricating a customized patient-specific orthopaedic instrument

Номер патента: US20240215990A1. Автор: Bryan Rose,Jeffrey R. Roose,Luke J. Aram,Dimitri Sokolov. Владелец: DePuy Synthes Products Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Color filter, method for fabricating same, and display panel

Номер патента: US20240192542A1. Автор: Hailong Wen,Yuxiu Zhang. Владелец: Guangzhou China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Roll stocker and method for fabricating liquid crystal display device using the same

Номер патента: US20090180844A1. Автор: Byoung Chul Choi,Jung Seung Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-16.

Systems and Methods for Generating Libraries for Hardware Realization of Neural Networks

Номер патента: US20210406667A1. Автор: Boris Maslov,Aleksandrs TIMOFEJEVS,Nikolai Kovshov,Dmitri Godovskiy. Владелец: Polyn Technology Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

Multiplexed Microarray Assembly and Method for Fabricating a Multiplexed Microarray

Номер патента: US20140303040A1. Автор: John A. Luckey. Владелец: Roche Nimblegen Inc. Дата публикации: 2014-10-09.

Mold core and method for fabricating mold core

Номер патента: US20100163708A1. Автор: Sei-Ping Louh. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Method for fabricating multi-layer wick structure of heat pipe

Номер патента: US20060137182A1. Автор: Jia-Hao Li. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-29.

Liquid crystal display device and method for fabricating the same

Номер патента: US20070153225A1. Автор: Hyun Hong. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Magnesium oxide sorbents for room temperature carbon dioxide adsorption and methods for their fabrication

Номер патента: US20220193631A1. Автор: Ping Wu,Franklin ANARIBA,Andrei LEBEDEV,Victor CHEN YAOHUI. Владелец: SINGAPORE UNIVERSITY OF TECHNOLOGY AND DESIGN. Дата публикации: 2022-06-23.

Systems and methods for utilizing information of a 3d modeling application to facilitate operation of fabrication machines

Номер патента: US20240273247A1. Автор: Brian D. Nickel. Владелец: Allied Bim Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Microlens arrays and method for fabricating the same

Номер патента: US20240319411A1. Автор: Xianfeng Ni,Qian Fan. Владелец: Suzhou Han Hua Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

System and Method for Flexible Emergency Power Fail Management for Multiple Persistent Memory Regions

Номер патента: US20240329860A1. Автор: Judah Gamliel Hahn,Ariel Navon,Shay Benisty,Alexander Bazarsky. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Method and semi-finished product for fabricating multicore fibers

Номер патента: US20240345313A1. Автор: Michael Lorenz. Владелец: Heraeus Quarzglas GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-10-17.

System and method for flexible emergency power fail management for multiple persistent memory regions

Номер патента: WO2024205695A1. Автор: Judah Gamliel Hahn,Ariel Navon,Shay Benisty,Alexander Bazarsky. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for the fabrication of a preform, preform and container

Номер патента: US09987831B2. Автор: Jean-Paul Cerveny,Nicolas Dabrowski,Christian Detrois,Emmanuel Laine,Erik Lupke. Владелец: Nestec SA. Дата публикации: 2018-06-05.

System for injecting functional solution for fabric and method for manufacturing fabric using same

Номер патента: US09951450B2. Автор: Min Woo Kim,Jong Chul Park,Young Chul Joung,Myung Je Roh,Mun Hyeong Lee,In Chang Cha. Владелец: Armacell Jios Aerogels Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Cutting elements and methods for fabricating diamond compacts and cutting elements with functionalized nanoparticles

Номер патента: US09931735B2. Автор: Valery N. Khabashesku,Vladimir P. Filonenko. Владелец: Baker Hughes Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Method of fabricating a timepiece component and component obtained from this method

Номер патента: US12124223B2. Автор: Pierre Cusin,Alex Gandelhman,Clare Golfier,Michel MUSY. Владелец: Nivarox Far SA. Дата публикации: 2024-10-22.

Method for fabricating a biocompatible material having a high carbide phase and such material

Номер патента: US09776246B2. Автор: Haitong Zeng,Aiguo Wang,Zongtao Zhang,Daniel E. Lawrynowicz. Владелец: Howmedica Osteonics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Systems and methods for creating compensated digital representations for use in additive manufacturing processes

Номер патента: US09751262B2. Автор: Mark Allen Cheverton,Michael Evans Graham,William Thomas Carter,Pinghai Yang. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-09-05.

Method for fabricating a ceramic material

Номер патента: US09701591B2. Автор: Paul Sheedy,Wayde R. Schmidt,Tania Bhatia Kashyap. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Method for applying a moisture barrier to a precipitator for a two-step electrofilter

Номер патента: US09533312B2. Автор: Andrzej Loreth. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-01-03.

Method for fabricating spectacle frame made of cellulose acetate sheet embedded with metal piece

Номер патента: US10850463B2. Автор: Daomin Wang. Владелец: Creative International Concept Cic Eyewear Manufacturer Ltd. Дата публикации: 2020-12-01.

Apparatus and method for fabricating pvd perovskite films

Номер патента: US20230257868A1. Автор: Patibandla Nag,Robert Jan Visser,Zihao Yang,Rongjun Wang,Mingwei Zhu,Bharatwaj Ramakrishnan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Medical Assembly Suitable for Long-Term Implantation and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20110034825A1. Автор: Michael F. Mattes,Alvin S. Rhorer. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2011-02-10.

Method for providing heat assisted magnetic recording write apparatus having a near-field transducer with a sloped nose

Номер патента: US20180005650A1. Автор: Min Zheng,Kyung Lee,Tsung Yuan Chen,Mingjun Yu,Shawn M. Tanner. Владелец: Western Digital Fremont LLC. Дата публикации: 2018-01-04.

Fabrication method for making an equipment device for an automotive vehicle and associated equipment device for an automotive vehicle comprising a composite body

Номер патента: US09950679B2. Автор: Xavier Bathelier,Steve Jeunesse. Владелец: Faurecia Automotive Industrie SAS. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for providing heat assisted magnetic recording write apparatus having a near-field transducer with a sloped nose

Номер патента: US09786304B1. Автор: Min Zheng,Kyung Lee,Tsung Yuan Chen,Mingjun Yu,Shawn M. Tanner. Владелец: Western Digital Fremont LLC. Дата публикации: 2017-10-10.

Method for semiconductor device fabrication

Номер патента: RU2433501C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2011-11-10.

A method for compressing and fabricating a package substrate

Номер патента: TW200410343A. Автор: Jin-Yi Guo,Jun-Da Su,Shu-Sen Ren. Владелец: Chung Shan Inst Of Science. Дата публикации: 2004-06-16.

ANNEALED WAFER, METHOD FOR PRODUCING ANNEALED WAFER AND METHOD FOR FABRICATING DEVICE

Номер патента: US20120001301A1. Автор: Ebara Koji,KIKUCHI Hiroyasu,Hayamizu Yoshinori. Владелец: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

DECORATION DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING DECORATION DEVICE

Номер патента: US20120003426A1. Автор: . Владелец: SIPIX CHEMICAL INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

System and Method for Joint Resurface Repair

Номер патента: US20120004663A1. Автор: . Владелец: ARTHROSURFACE INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Switchable 3-Dimensional Conversion Device, Method for Manufacturing the Same and Stereoscopic Image Display Device Using the Same

Номер патента: US20120001890A1. Автор: Im Hee-Jin,Kim Chul-Ho,KOOK Yun-Ho,Yoo Soon-Sung. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120002142A1. Автор: Fujiwara Sayuri,Satoh Eiji,Asaoka Yasushi,Deguchi Kazuhiro,Tanimoto Kazunori,MATSUDA TAKAFUMI,MIKUMO KATSUHIRO. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003821A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003820A1. Автор: FURUYA Akira,Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003770A1. Автор: Fujiwara Shinsuke,Akita Katsushi,Nakahata Hideaki,MOTOKI Kensaku,Hashimoto Shin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacturing thin film capacitor and thin film capacitor obtained by the same

Номер патента: US20120001298A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Systems and Methods for Minimizing Static Leakage of an Integrated Circuit

Номер патента: US20120001684A1. Автор: Caplan Randy J.,Schwake Steven J.. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, CAPACITOR, BATTERY, AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120003544A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR EXTENDING VCO OUTPUT VOLTAGE SWING

Номер патента: US20120001699A1. Автор: . Владелец: QUINTIC HOLDINGS. Дата публикации: 2012-01-05.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002133A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,Hirakata Yoshiharu. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

DIELECTRIC CERAMIC, METHOD FOR PRODUCING DIELECTRIC CERAMIC, AND ELECTRONIC COMPONENT

Номер патента: US20120004090A1. Автор: Nakano Takahiro,SAKURAI Toshio,ARASHI Tomohiro,KOBUKE Hisashi,NAKAMURA Tomoko,MIYAUCHI Yasuharu. Владелец: TDK Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR CONTROLLING AN ENERGY STORAGE PACK

Номер патента: US20120001483A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001878A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001953A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Hirakata Yoshiharu. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ENERGY STORAGE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003535A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR MAKING IN-PLANE AND OUT-OF-PLANE SENSING MICRO-ELECTRO-MECHANICAL SYSTEMS (MEMS)

Номер патента: US20120001277A1. Автор: Liu Lianjun,Park Woo Tae,Loreck Heinz,KARLIN LISA H.,Desai Hemant D.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL MODULATOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120003767A1. Автор: . Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SEMICONDUCTOR REGION AND METHOD FOR MANUFACTURING POWER STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003807A1. Автор: SHIMAZU Takashi,FURUNO Makoto. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Preparing Small Volume Reaction Containers

Номер патента: US20120003675A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR OPERATING RFID DEVICES ON SINGLE-USE CONNECTORS

Номер патента: US20120001731A1. Автор: . Владелец: GE HEALTHCARE BIOSCIENCE BIOPROCESS CORP.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS INTEGRATING MICROELECTROMECHANICAL SYSTEM DEVICE WITH CIRCUIT CHIP AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001276A1. Автор: . Владелец: INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING IMAGE SENSOR WITH SHIELD STRUCTURES

Номер патента: US20120003782A1. Автор: Byun Jeong Soo,Korobov Vladimir,Pohland Oliver. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Circuit and method for eliminating bit line leakage current in random access memory devices

Номер патента: US20120002496A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001234A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR IMPROVED EDGE TRIGGERING IN A TEST AND MEASUREMENT INSTRUMENT

Номер патента: US20120001657A1. Автор: SULLIVAN Stevens K.,BEALE Terrance R.,VEITH Kristie L.. Владелец: TEKTRONIX, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR ENHANCED PROCESSING CHAMBER CLEANING

Номер патента: US20120000490A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Sol-Gel Composition for Fabricating Conductive Fibers

Номер патента: US20120001369A1. Автор: Chao Yu-Chou,Lin Shang-Ming,Lin Jo-Chun,Chu Yun-Yun,Lin Yi-De. Владелец: TAIWAN TEXTILE RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for conversion of direct current

Номер патента: RU2598463C1. Автор: Виктор Николаевич Мещеряков,Владимир Николаевич Ивашкин. Владелец: Владимир Николаевич Ивашкин. Дата публикации: 2016-09-27.

APPARATUS AND METHOD FOR STIMULATION OF BIOLOGICAL TISSUE

Номер патента: US20120004580A1. Автор: Wagner Timothy Andrew,Eden Uri Tzvi. Владелец: HIGHLAND INSTRUMENTS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for fabricating transistor

Номер патента: SG181189A1. Автор: Qin Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for fabrication of ammonia perchlorate containing hydrophobisated fraction

Номер патента: RU2363690C2. Автор: Герман Георгиевич Колосов,Михаил Андреевич Чернов,Клара Васильевна Чудинова,Наталья Борисовна Гончарова,Ольга Валерьевна Журавлева. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт полимерных материалов". Дата публикации: 2009-08-10.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for twisting hollow bars

Номер патента: MY154338A. Автор: Heng Kian Yong. Владелец: Heng Kian Yong. Дата публикации: 2015-05-29.

CONTROL APPARATUS AND CONTROL METHOD FOR AC ELECTRIC MOTOR

Номер патента: US20120001581A1. Автор: Maeda Daisuke,Tobari Kazuaki,NOTOHARA Yasuo,SUMITA Satoshi. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Raw mix for manufacturing cellular concrete and a method for fabricating cellular-concrete products

Номер патента: RU2274627C1. Автор: Иван Юрьевич БУРЛОВ,Юрий Александрович Бурлов,Александр Юрьевич Бурлов. Владелец: Юрий Александрович Бурлов. Дата публикации: 2006-04-20.

Method for operation of lens traffic light with double-filament lamp and apparatus for realising said method

Номер патента: RU2493605C1. Автор: Евгений Александрович Оленев. Владелец: Евгений Александрович Оленев. Дата публикации: 2013-09-20.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.