Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20070020848A1
Опубликовано: 25-01-2007
Автор(ы): Nobuyoshi Takahashi
Принадлежит: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Integrated circuit device, method for forming and operating an integrated circuit, method for forming and operating a semiconductor device

Номер патента: TW200830475A. Автор: Shih-Wei Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-07-16.

Method for forming isolation layer of semiconductor device and non-volatile memory device

Номер патента: KR20100076660A. Автор: 김진웅,구재형,이미리,김치호,빈진호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-07-06.

Method for forming isolation layer of semiconductor device and non-volatile memory device

Номер патента: KR101121632B1. Автор: 김진웅,구재형,이미리,김치호,빈진호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2012-03-09.

Method for manufacturing oxide film, method for manufacturing semiconductor memory device, semiconductor device, and semiconductor memory device

Номер патента: US20230301089A1. Автор: Akira Takashima,Yusuke Nakajima,Tsunehiro Ino. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Method for filling polysilicon gate in semiconductor devices, and semiconductor devices

Номер патента: US20150357340A1. Автор: Chun-Min Cheng,Jung-Yi Guo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-10.

Method for fabricating selector and semiconductor device including the same

Номер патента: US20240237559A1. Автор: Cha Deok Dong,Keo Rock CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for forming capacitor, capacitor and semiconductor device

Номер патента: US12041763B2. Автор: GuangSu SHAO,Xingsong SU,Mengkang YU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for estimating threshold voltage of semiconductor device

Номер патента: US20070153586A1. Автор: Sang Hun Kwak. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Method for estimating threshold voltage of semiconductor device

Номер патента: US7660164B2. Автор: Sang Hun Kwak. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-02-09.

Method for forming bit line of semiconductor device

Номер патента: US20040067656A1. Автор: Sung Jin,Jai Roh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-04-08.

Method for fabricating capacitors of semiconductor devices

Номер патента: US5861332A. Автор: Kwon Hong,Yong Sik Yu. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-01-19.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device using hemispherical grain (HSG) polysilicon

Номер патента: US5817555A. Автор: Bok-Won Cho. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1998-10-06.

Method for forming capacitor, capacitor and semiconductor device

Номер патента: US20230063571A1. Автор: GuangSu SHAO,Xingsong SU,Mengkang YU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-03-02.

Structure and a method for storing information in a semiconductor device

Номер патента: US5895962A. Автор: Todd A. Merritt,Hua Zheng,Michael Shore,Jeffrey P. Wright. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-04-20.

Vertical semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230040214A1. Автор: Heung Ju LEE,Jun Seok Oh,Wan Sup SHIN,Jong Gi Kim,Seung Wook Ryu. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Apparatus for polarizing a semiconductor wafer and method for fabricating a magnetic semiconductor device

Номер патента: US20200365797A1. Автор: Keith Kuang-Kuo Koai,Wen-Chih Wang,Jim-Wei Wu,Chia-Hsun Chang,Li Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: TWI282604B. Автор: Jeong-Soo Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-06-11.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: TW200503170A. Автор: Jeong-Soo Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-01-16.

Methods for forming etch stop layers, semiconductor devices having the same, and methods for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20140197470A1. Автор: Youngwoo Park,Jaegoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-17.

Method for forming and filling isolation trenches

Номер патента: EP1338033A2. Автор: Andreas Knorr,Rajeev Malik,Mihel Seitz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-08-27.

Method for forming bit-line of semiconductor device

Номер патента: TW200522272A. Автор: Hyung-ki KIM. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-07-01.

Method for forming bit-line of semiconductor device

Номер патента: TWI239074B. Автор: Hyung-ki KIM. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-09-01.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100585002B1. Автор: 황의성. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-05-29.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100811271B1. Автор: 서혜진,박동수,이은아,박철환. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-03-07.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: US20040137679A1. Автор: Sang-Deok Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-15.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100968411B1. Автор: 이종민,신동우,최형복. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-07-07.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: TW200623338A. Автор: Jong-Min Lee,Jong-Bum Park,Hyung-Bok Choi,Kee-Jeung Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-07-01.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR101910499B1. Автор: 임성원,이효석,염승진. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2018-10-23.

MIM capacitor and method for fabricating the same, semiconductor device comprising the same

Номер патента: KR102131078B1. Автор: 이진수,이현석,이종명,김태균,박동균. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2020-08-06.

Method for fabricating bitline in semiconductor device

Номер патента: KR100670708B1. Автор: 이주완. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-17.

Method for fabricating capasitor of semiconductor device

Номер патента: KR100985409B1. Автор: 구성민. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-10-06.

method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100361081B1. Автор: 구병수,윤정훈,권수영,곽선우. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2002-11-18.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: GB9512769D0. Автор: . Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1995-08-23.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100451515B1. Автор: 김종봉. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-10-06.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: CN101154568A. Автор: 朴东洙,朴哲焕,李银儿,徐惠真. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-04-02.

Emthod for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100668833B1. Автор: 이종민,박종범,이기정,최형복. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-16.

Semiconductor device and forming method therefor

Номер патента: EP4322182A1. Автор: Jie Bai,Tao DOU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-14.

Storage device, semiconductor device, and method for manufacturing storage device and semiconductor device

Номер патента: WO2015068241A1. Автор: 広記 中村,舛岡　富士雄. Владелец: ユニサンティス エレクトロニクス シンガポール プライベート リミテッド. Дата публикации: 2015-05-14.

Method for manufacturing a highly integrated semiconductor device having a capacitor of large capacitance

Номер патента: US5227322A. Автор: Sung-Tae Kim,Jae-hong Ko,Hee-seok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1993-07-13.

Layout scheme and method for forming device cells in semiconductor devices

Номер патента: US20150118803A1. Автор: Hsien-Yu Pan,Jung-Hsuan Chen,Shao-Yu Chou,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-04-30.

Layout scheme and method for forming device cells in semiconductor devices

Номер патента: US8928113B2. Автор: Hsien-Yu Pan,Jung-Hsuan Chen,Shao-Yu Chou,Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-01-06.

Layout scheme and method for forming device cells in semiconductor devices

Номер патента: CN102738065A. Автор: 陈炎辉,周绍禹,廖宏仁,潘显裕,陈蓉萱. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-10-17.

Method of fabricating a semiconductor device using masked deposition

Номер патента: WO2024039396A1. Автор: Pasi KOSTAMO,Flavio Griggio,David Johannes VAN WOERKOM,Naganivetha Thiyagarajah,Maren Elisabeth KLOSTER,Shivendra UPADHYAY. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2024-02-22.

method for fabricating Capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100328597B1. Автор: 구병수,안중일,곽선우,현경호. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2002-03-15.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100505397B1. Автор: 홍권,조호진. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-05-16.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: CN1577799A. Автор: 李南宰,朴启淳. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-02-09.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: US7332761B2. Автор: Nam-Jae Lee,Kye-Soon Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-02-19.

Method for fabricating high integrated semiconductor device including floating body transistor

Номер патента: KR101024821B1. Автор: 김중식. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-03-31.

A method for fabricating of a semiconductor device

Номер патента: KR100358568B1. Автор: 안중진. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-10-25.

Source/drain electrode for organic semiconductor device, organic semiconductor device using same, and production method for source/drain electrode and semiconductor device

Номер патента: EP4027373A4. Автор: Junichi Takeya,Shunichiro Watanabe,Tatsuyuki MAKITA. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2023-10-04.

Graphene hall device, method for preparing the same and semiconductor device comprising the same

Номер патента: KR101934644B1. Автор: 박정민,조준현,유정우,오인선,진미진. Владелец: 울산과학기술원. Дата публикации: 2019-01-02.

Method for manufacturing microelectronic device and semiconductor device using the same

Номер патента: TWI377650B. Автор: Jeffrey Junhao XU,Chunhung Lee,Chiata Hsieh,Chunpei Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2012-11-21.

Method for manufacturing microelectronic device and semiconductor device using the same

Номер патента: TW201003854A. Автор: Jeffrey Junhao XU,Chun-Pei Wu,Chia-Ta Hsieh,Chun-Hung Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2010-01-16.

Method for fabricating silicon carbide semiconductor device and power conversion device using the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12131906B2. Автор: Shiro Hino,Koji Sadamatsu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: US7666738B2. Автор: Dong-Woo Shin,Jin-woong Kim,Jong-Min Lee,Hyung-Bok Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-02-23.

Method for fabricating thin-film semiconductor device for display

Номер патента: US20130071972A1. Автор: Hisao Nagai,Kenichirou Nishida. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

Thin-film semiconductor device and method for fabricating thin-film semiconductor device

Номер патента: US20130161630A1. Автор: Kenichirou Nishida. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-06-27.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: US20020061622A1. Автор: Young Chen. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-05-23.

Method for fabricating electrode and semiconductor device including the same

Номер патента: US20240234148A1. Автор: Cha Deok Dong,Jeong Myeong Kim,Keo Rock CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for fabrication of a semiconductor device and structure

Номер патента: US7964916B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Israel Beinglass,Deepak C. Sekar,Jan L. De Jong. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2011-06-21.

Method for fabricating a power semiconductor device having a voltage sustaining layer with a terraced trench facilitating formation of floating islands

Номер патента: EP2232536A1. Автор: Richard A. Blanchard,Jean-Michel Guillot. Владелец: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR LLC. Дата публикации: 2010-09-29.

Fuse box and method for fabricating the same and method for repairing the same in semiconductor device

Номер патента: US20090039463A1. Автор: Jeong-Kyu KANG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-02-12.

Vertical semiconductor device and method for fabricating the vertical semiconductor device

Номер патента: US11751395B2. Автор: Hai-Won Kim,In-Su Park,Jong-Gi KIM,Hoe-Min Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Method for fabricating three-dimensional semiconductor device using buried stop layer in substrate

Номер патента: US20240268119A1. Автор: He Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for forming thin films of semiconductor devices

Номер патента: US20030124760A1. Автор: Seok Lee,Sung Joo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-07-03.

Method for Making Solder-top Enhanced Semiconductor Device of Low Parasitic Packaging Impedance

Номер патента: US20120289001A1. Автор: Ming Sun,Kai Liu,Francois Hebert,Anup Bhalla. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-11-15.

Method for Forming Isolation Layer in Semiconductor Devices

Номер патента: US20070166949A1. Автор: In Kyu Chun. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Substrate for semiconductor device, resin-sealed semiconductor device, method for manufacturing said substrate for semiconductor device and method for manufacturing said resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US20090174053A1. Автор: Shozo Ishikawa,Chikao Ikenaga. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2009-07-09.

Substrate for semiconductor device, resin-sealed semiconductor device, method for manufacturing said substrate for semiconductor device and method for manufacturing said resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US20110014752A1. Автор: Shozo Ishikawa,Chikao Ikenaga. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2011-01-20.

Systems and methods for measuring physical characteristics of semiconductor device elements using structured light

Номер патента: US20150059957A1. Автор: Zhijie Wang,Deepak Sood,Thomas J. Colosimo, JR.,David A. Rauth,Shu-Guo Tang. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2015-03-05.

Systems and methods for measuring physical characteristics of semiconductor device elements using structured light

Номер патента: US20180038806A1. Автор: Zhijie Wang,Deepak Sood,Thomas J. Colosimo, JR.,David A. Rauth,Shu-Guo Tang. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2018-02-08.

Material for metal line in semiconductor device, metal line in semiconductor device, and method for forming metal line in semiconductor device

Номер патента: US20240194604A1. Автор: Eunyoung LEE,Dong-Chan Lim,Seulgi Bae,Wonwoong Chung,Buseo CHOI,Kkotchorong PARK,Uisuk JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for forming step channel of semiconductor device

Номер патента: US20060141800A1. Автор: Young Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-29.

Method for forming step channel of semiconductor device

Номер патента: US7309656B2. Автор: Young Man Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-12-18.

Apparatuses and methods for coupling a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US20240290752A1. Автор: Timothy M. Hollis,Matthew B. Leslie,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Methods for forming contact structures and semiconductor devices including forming a spacer structure into a base structure

Номер патента: US12057372B2. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Group iii nitride composite substrate and method for manufacturing the same, and method for manufacturing group iii nitride semiconductor device

Номер патента: US20200176305A1. Автор: Keiji Ishibashi,Naoki Matsumoto,Yoshiyuki Yamamoto,Fumitake Nakanishi,Yusuke Yoshizumi,Seiji Nakahata,Koji Uematsu,Akihiro Hachigo,Takuya Yanagisawa,Yuki Seki,Yuki Hiromura,Hidenori Mikami. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-06-04.

Method for forming metal wires in semiconductor device

Номер патента: US20050233579A1. Автор: Ihl Cho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-10-20.

Material for metal line, metal line in semiconductor device and method for forming metal line in semiconductor device

Номер патента: US20240266291A1. Автор: Wei Guo,Eunyoung LEE,Sanghyun Park,Wulin HE,Wonwoong Chung,Buseo CHOI. Владелец: Huizhou Top Metal Material Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for aligning quantum dots and semiconductor device fabricated by using the same

Номер патента: US20020031900A1. Автор: Eun Kim,Kwang Kim,Yong Park. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2002-03-14.

Methods for forming hole structure in semiconductor device

Номер патента: US20200243373A1. Автор: Gang Yang,Jian Dai,Biao Zheng,Xiang Hui ZHAO,Zui Xin ZENG,Lianjuan Ren. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

Methods for manufacturing a trench type semiconductor device having a thermally sensitive refill material

Номер патента: WO2008131379A1. Автор: Takeshi Ishiguro. Владелец: Icemost Technology Corporation. Дата публикации: 2008-10-30.

Method for forming isolation layer in semiconductor device

Номер патента: US20030119266A1. Автор: Cheol Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-26.

Method for forming inner capacitor of semiconductor devices using oxide layers formed by the SACVD method

Номер патента: US20020039827A1. Автор: Jai-Sun Roh. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-04.

Systems and methods for non-destructive inspection of semiconductor devices using reflective x-ray microscope tomographic imaging

Номер патента: US20230417687A1. Автор: Shogo Tomita,Michiaki Sano,Tatsuya Hinoue. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Method for doping a fin-based semiconductor device

Номер патента: US7612420B2. Автор: Damien Lenoble. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2009-11-03.

Noble Metal-Coated Silver Wire for Ball Bonding and Method for Producing The Same, And Semiconductor Device using Noble Metal-Coated Silver Wire for Ball Bonding and Method for Producing The Same

Номер патента: MY195404A. Автор: Jun Chiba,Yuki Antoku,Shota KAWANO. Владелец: Tanaka Electronics Ind. Дата публикации: 2023-01-19.

Noble Metal-Coated Silver Wire for Ball Bonding and Method for Producing The Same, And semiconductor device using noble metal-coated silver wire for ball bonding and method for Producing The Same

Номер патента: MY195984A. Автор: Jun Chiba,Yuki Antoku,Shota KAWANO. Владелец: Tanaka Electronics Ind. Дата публикации: 2023-02-27.

Noble metal-coated silver wire for ball bonding and method for producing the same, and semiconductor device using noble metal-coated silver wire for ball bonding and method for producing the same

Номер патента: US20200395330A1. Автор: Jun Chiba,Yuki Antoku,Shota KAWANO. Владелец: Tanaka Denshi Kogyo KK. Дата публикации: 2020-12-17.

Method for Forming Super Contact in Semiconductor Device

Номер патента: US20100140806A1. Автор: Sang Chul Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-10.

Methods for Forming a Plurality of Semiconductor Devices on a Plurality of Semiconductor Wafers

Номер патента: US20160359014A1. Автор: Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-08.

Methods for Forming a Plurality of Semiconductor Devices on a Plurality of Semiconductor Wafers

Номер патента: US20180122918A1. Автор: Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-03.

Monocrystalline silicon carbide substrate, method for manufacturing the same, and semiconductor device

Номер патента: US20240105782A1. Автор: Jing Yao,Jian Yang,Guangming Wang,Chunjun Liu,Tonghua Peng,Yanfang LOU,Qing Yong. Владелец: Jiangsu Tankeblue Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Super-junction structure and method for manufacturing the same and semiconductor device thereof

Номер патента: US20180158900A1. Автор: He Sun,Zhongping Liao. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2018-06-07.

Forming method for floating contact hole, and semiconductor device

Номер патента: EP4401119A1. Автор: Song Zhang,Wenming Zhu,Qun Liu,Yaohui ZHOU,Dejin Wang. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Method for forming fine patterns in semiconductor device

Номер патента: US20030186547A1. Автор: YOON Hyun,Cha Koh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-10-02.

Forming method for floating contact hole, and semiconductor device

Номер патента: US20240290846A1. Автор: Song Zhang,Wenming Zhu,Qun Liu,Yaohui ZHOU,Dejin Wang. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for forming word line of semiconductor device

Номер патента: US20040082155A1. Автор: Won Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-29.

Method for production of thin-film semiconductor device

Номер патента: US20090191672A1. Автор: Masafumi Kunii. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

A method for transferring and stacking of semiconductor devices

Номер патента: EP1252654A2. Автор: Eric Beyne,Staf Borghs,Raf Vandersmissen. Владелец: Umicore NV SA. Дата публикации: 2002-10-30.

Method for fabricating a nitride semiconductor device

Номер патента: US6764871B2. Автор: Akihiko Ishibashi,Ayumu Tsujimura,Yasutoshi Kawaguchi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-20.

Semiconductor structure, method for manufacturing semiconductor structure, and semiconductor device

Номер патента: US20240057351A1. Автор: Ling-Yi Chuang,Kaimin Lv. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Methods for normalizing strain in a semiconductor device

Номер патента: SG155836A1. Автор: Tan Chung Foong,TEO Lee Wee,Quek Kiok Boone Elgin,Alain Chan. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-10-29.

Method for manufacturing a low-profile semiconductor device

Номер патента: US20030098471A1. Автор: I-Ming Chen,Ming-Tung Shen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-29.

Method for manufacturing a low-profile semiconductor device

Номер патента: US20030090004A1. Автор: I-Ming Chen,Ming-Tung Shen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-15.

Composite substrate and method for manufacturing the same, and semiconductor device structure

Номер патента: US20240258321A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for manufacturing a low-profile semiconductor device

Номер патента: US6677180B2. Автор: I-Ming Chen,Ming-Tung Shen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-13.

Method for clean procedure during manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11990346B2. Автор: Hsuan-Hsu Chen,Zhen Wu,Chun-Lung Chen,Chuan-Chang Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Two-dimensional semiconductor device, optoelectronic unit and method for making the two-dimensional semiconductor device

Номер патента: US20200312965A1. Автор: Chun-An Chen,Yi-Hsien Lee,xin-quan Zhang,Ying-Yu Lai,I-tung Chen. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2020-10-01.

Method for forming shallow trench in semiconductor device

Номер патента: US20050148152A1. Автор: Tse-Yao Huang,Yi-Nan Chen,Hsiu-Chun Lee. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-07-07.

Method for forming isolation regions on semiconductor device

Номер патента: US20020192961A1. Автор: Motoki Kobayashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-19.

Method for forming isolation regions on semiconductor device

Номер патента: US20020052118A1. Автор: Motoki Kobayashi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-02.

Method for forming isolation regions on semiconductor device

Номер патента: US6579807B2. Автор: Motoki Kobayashi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-17.

Packaged semiconductor device and method for fabricating a packaged semiconductor device

Номер патента: US20210313275A1. Автор: Horst Theuss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-10-07.

Packaged semiconductor device and method for fabricating a packaged semiconductor device

Номер патента: US11967562B2. Автор: Horst Theuss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-04-23.

Insulated gate semiconductor device and method for manufacturing the insulated gate semiconductor device

Номер патента: US20170025516A1. Автор: Jun Saito,Toshimasa Yamamoto,Tomoyuki Shoji,Tomoharu IKEDA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-01-26.

Method for via formation in a semiconductor device

Номер патента: US20120302062A1. Автор: Yi Nan Chen,Hsien Wen Liu,Chih Ching Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-11-29.

Method for fabricating carbon hard mask and method for fabricating patterns of semiconductor device using the same

Номер патента: US20120208367A1. Автор: Tai Ho Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-08-16.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: US20040203201A1. Автор: Jin-woong Kim,Jong-Min Lee,Hyung-Bok Choi,Dong-Woo Sihn. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-10-14.

Method for eliminating divot formation and semiconductor device manufactured using the same

Номер патента: US20230275131A1. Автор: Tsung-Hua Yang,Yu-Wen Tseng,Tsung-Yu Yang,Po-Wei Liu,Hung-Ling Shih,Yu-Chun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Method for forming isolation regions on semiconductor device

Номер патента: US20020076901A1. Автор: Toshiyuki Nakamura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-20.

Method for fabricating self-aligned semiconductor devices utilizing selectively etchable masking layers

Номер патента: US4135954A. Автор: Augustine W. Chang,Arun K. Gaind. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1979-01-23.

Fabrication method for a sub-micron geometry semiconductor device

Номер патента: US5147812A. Автор: James G. Gilbert,Fourmun Lee,Thomas Zirkle. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1992-09-15.

Method for forming buried bit line, semiconductor device having the same, and fabricating method thereof

Номер патента: US20180053770A1. Автор: Jin-Ki Jung,You-Song Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-22.

Semiconductor device, method for manufacturing the same, and semiconductor device mounting structure

Номер патента: US20080136017A1. Автор: Yoshifumi Nakamura,Michinari Tetani,Yukihiro Kozaka. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-12.

Method for fabricating inductor of semiconductor device

Номер патента: US6015742A. Автор: Jae Il Ju. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2000-01-18.

Method for Fabricating a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20240096842A1. Автор: Paul Frank,Ralf Otremba,Alexander Heinrich,Gregor Langer,Daniel PEDONE,Alexandra Ludsteck-Pechloff. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-03-21.

Methods for forming contact structures and semiconductor devices thereof

Номер патента: US20240282673A1. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for fabricating resin-sealed semiconductor device using leadframe provided with resin dam bar

Номер патента: US5989474A. Автор: Yasuhiro Suzuki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-11-23.

Method for fabricating three-dimensional semiconductor device using buried stop layer in substrate

Номер патента: US11956958B2. Автор: He Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Method for fabricating three-dimensional semiconductor device using buried stop layer in substrate

Номер патента: EP4139954A1. Автор: He Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-01.

Method for fabricating a power semiconductor device having a voltage sustaining layer with a terraced trench facilitating formation of floating islands

Номер патента: WO2009073773A1. Автор: Richard A. Blanchard,Jean-Michel Guillot. Владелец: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR LLC. Дата публикации: 2009-06-11.

Vertical semiconductor device and method for fabricating the vertical semiconductor device

Номер патента: US20230403855A1. Автор: Hai-Won Kim,In-Su Park,Jong-Gi KIM,Hoe-Min Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Process for fabricating small geometry semiconductor devices

Номер патента: US3858304A. Автор: Hayden M Leedy,Jr Loren G Mccray,Harry L Stover. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1975-01-07.

Calibration method for emulating group iii-v semiconductor device and method for manufacturing group iii-v semiconductor device

Номер патента: US20230066030A1. Автор: Chi-Feng Huang,Chia-Chung Chen,Chu Fu CHEN,Chiao-Chun Hsu,Kuan-Hung Liu,Shufang Fu,Fu-Yu Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Apparatuses and methods for coupling a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US20240063188A1. Автор: Timothy M. Hollis,Matthew B. Leslie,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Methods for forming hole structure in semiconductor device

Номер патента: US11876016B2. Автор: Gang Yang,Jian Dai,Biao Zheng,Xiang Hui ZHAO,Zui Xin ZENG,Lianjuan Ren. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-16.

Semiconductor Device and Method for Producing a Plurality of Semiconductor Devices

Номер патента: US20170338384A1. Автор: Thomas Schwarz,Frank Singer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-11-23.

Method for measuring film thickness of semiconductor device

Номер патента: US20220307818A1. Автор: Yongshang SHENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Method for Producing Conversion Elements, Conversion Elements, Method for Producing a Light-Emitting Semiconductor Device, and a Light-Emitting Semiconductor Component

Номер патента: US20210280749A1. Автор: Tobias Gebuhr,Kathy Schmidtke. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-09-09.

Method for measuring film thickness of semiconductor device

Номер патента: US11867497B2. Автор: Yongshang SHENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Apparatuses and methods for coupling a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US11837580B2. Автор: Timothy M. Hollis,Matthew B. Leslie,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Method for integrating replacement gate in semiconductor device

Номер патента: US20130005097A1. Автор: Qiuxia Xu,Gaobo Xu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-01-03.

Method for forming a gate for semiconductor devices

Номер патента: US6448166B2. Автор: Heung Jae Cho,Dae Gyu Park,Kwan Yong Lim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-09-10.

Method for forming wells of a semiconductor device

Номер патента: US5898007A. Автор: Kil Ho Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-04-27.

Method for defining submicron features in semiconductor devices

Номер патента: CA1186809A. Автор: Rafael M. Levin. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1985-05-07.

Method for forming micro contacts of semiconductor device

Номер патента: US5550071A. Автор: Eui K. Ryou. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1996-08-27.

Method for manufacturing a field-effect semiconductor device following a replacement gate process

Номер патента: EP2608264A1. Автор: Liesbeth Witters,Geert Hellings,Jerome Mitard. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2013-06-26.

Method for producing a radiation emitting semiconductor device and radiation emitting semiconductor device

Номер патента: WO2023241864A1. Автор: Harald Jager,Gregory Bellynck,Tsu Pin CHNG. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2023-12-21.

Apparatuses and methods for coupling a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US11984428B2. Автор: Timothy M. Hollis,Matthew B. Leslie,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Method for manufacturing resin-sealed power semiconductor device

Номер патента: US20190051539A1. Автор: Kazuo Funahashi,Ken Sakamoto,Keitaro Ichikawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-02-14.

Method for forming a line of semiconductor device

Номер патента: US20020090807A1. Автор: Tae Kwon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-07-11.

Method for forming a line of semiconductor device

Номер патента: US6548377B2. Автор: Tae Seok Kwon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-04-15.

Apparatuses and methods for coupling a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US20210280557A1. Автор: Timothy M. Hollis,Matthew B. Leslie,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

Resin sheet for sealing electronic component, resin-sealed type semiconductor device and method for producing resin-sealed type semiconductor device

Номер патента: US20140042645A1. Автор: Eiji Toyoda,Takeshi Matsumura,Tsuyoshi Torinari,yusaku Shimizu. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2014-02-13.

Method for etching Pt film of semiconductor device

Номер патента: US6004882A. Автор: Byong-sun Ju,Hyoun-woo Kim,Byeong-Yun Nam,Won-jong Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-12-21.

Methods for forming copper interconnects for semiconductor devices

Номер патента: WO2010019500A4. Автор: Christian Witt. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2010-04-29.

Method for simultaneous modification of multiple semiconductor device features

Номер патента: US10217704B1. Автор: Jeffry J. Sniegowski,Randy J. Shul,Kurt W. Larson,William A. Zortman. Владелец: National Technology and Engineering Solutions of Sandia LLC. Дата публикации: 2019-02-26.

Method for manufacturing a plastic encapsulated semiconductor device and a lead frame therefor

Номер патента: CA1174821A. Автор: Hiroyuki Fujii,Mikio Nishikawa,Kenichi Tateno. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1984-09-25.

Method for forming trench isolation for semiconductor device

Номер патента: US5756389A. Автор: Jun-Hee Lim,Yoon-Jong Huh. Владелец: Goldstar Electron Co Ltd. Дата публикации: 1998-05-26.

Structures and methods for reducing junction leakage in semiconductor devices

Номер патента: US8633513B2. Автор: Daniel Doyle,Jeffrey Gleason. Владелец: Aptina Imaging Corp. Дата публикации: 2014-01-21.

Method for interconnecting layers in a semiconductor device using two etching gases

Номер патента: US5234864A. Автор: Chang-lyong Song,Jin-Hong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1993-08-10.

Method for Producing a Nitride Compound Semiconductor Device

Номер патента: US20180144933A1. Автор: Alexander Frey,Lorenzo Zini,Joachim Hertkorn. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-05-24.

Method for producing a trench-gate semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: WO2023194244A1. Автор: Wolfgang Amadeus VITALE,Elizabeth BUITRAGO,Marco Bellini. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2023-10-12.

Superjunction power semiconductor device and method for manufacturing a superjunction power semiconductor device

Номер патента: WO2024099537A1. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Silicon Carbide Semiconductor Device and a Method for Forming a Silicon Carbide Semiconductor Device

Номер патента: US20190123148A1. Автор: Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Guenther Ruhl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-04-25.

Method for forming metal wire of semiconductor device

Номер патента: US5780356A. Автор: Jeong Tae Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-07-14.

Method for the production of a semiconductor device by implanting fluorocarbon ions

Номер патента: US5158897A. Автор: Hiroya Sato,Toshiaki Kinosada,Yasuhito Nakagawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1992-10-27.

Method for producing field effect type semiconductor device

Номер патента: US4578343A. Автор: Noriaki Nakayama,Sumio Yamamoto,Yoshimi Yamashita,Kinjiro Kosemura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1986-03-25.

Method for forming metal wiring of semiconductor device

Номер патента: US5459100A. Автор: Kyeong K. Choi. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1995-10-17.

Method for forming isolation layer of semiconductor device

Номер патента: US20020137307A1. Автор: CHANG Kim,Wan Kim. Владелец: Kim Wan Shick. Дата публикации: 2002-09-26.

Methods for making radio frequency (rf) semiconductor devices including a ground plane layer having a superlattice

Номер патента: US20230352299A1. Автор: Hideki Takeuchi,Robert J. Mears. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Method for parameter extraction of a semiconductor device

Номер патента: US10345371B2. Автор: Jyh-Chyurn Guo,Yen-Ying LIN. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2019-07-09.

Method for manufacturing contact plugs for semiconductor devices

Номер патента: US20150170966A1. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-06-18.

Methods for forming hole structure in semiconductor device

Номер патента: US11817348B2. Автор: Gang Yang,Jian Dai,Biao Zheng,Xiang Hui ZHAO,Zui Xin ZENG,Lianjuan Ren. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Method for manufacturing and structure of semiconductor device with polysilicon definition structure

Номер патента: US20030100149A1. Автор: Xiaoju Wu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2003-05-29.

Method for the production of a semiconductor device

Номер патента: US5079188A. Автор: Masato Kawai. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1992-01-07.

Method for manufacturing a plastic encapsulated semiconductor device and a lead frame therefor

Номер патента: US4507675A. Автор: Hiroyuki Fujii,Mikio Nishikawa,Kenichi Tateno. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1985-03-26.

Methods for forming alignment marks on semiconductor devices

Номер патента: US20070172977A1. Автор: Taek-Jin Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-07-26.

Photoresist coating composition and method for forming fine contact of semiconductor device

Номер патента: US8133547B2. Автор: Jae Chang Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-03-13.

Organic silicon-oxide-based film, composition and method for forming the same, and semiconductor device

Номер патента: EP1615260A3. Автор: Atsushi Shiota,Hiromi Egawa,Terukazu Kokubo,Hajime Tsuchiya. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2009-09-16.

System and method for removing foreign particles from semiconductor device

Номер патента: US20070199580A1. Автор: Masanobu Azukawa,Hiroshi Tanaka,Tadashi Kobayashi,Junichi Tanaka,Yuta Hasebe,Kenta Iwahana. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2007-08-30.

Photosensitive resin composition, heterocyclic ring-containing polymer precursor, cured film, laminate, method for producing cured film, and semiconductor device

Номер патента: US11860538B2. Автор: Takeshi Kawabata,Akinori Shibuya,Yu Iwai. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Apparatus and method for precision trimming of a semiconductor device

Номер патента: US20020105452A1. Автор: Lawrence Swanson,Glen Johnson,John Clapp,Douglas Lebo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-08.

Method for producing a pillar-shaped semiconductor device

Номер патента: US20170236920A1. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-08-17.

Method for forming patterns of a semiconductor device

Номер патента: US20170316950A1. Автор: Kyungmun Byun,Sinhae DO,Badro IM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-02.

Multilayered printed circuit board, method for manufacturing the same, and semiconductor device using the same

Номер патента: US11848263B2. Автор: Seung Lak Kim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Method for forming metal contact in semiconductor device

Номер патента: US20070148858A1. Автор: Jong-Kuk Kim,Jae Yu. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-06-28.

Method for producing an sgt-including semiconductor device

Номер патента: US20170040329A1. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-02-09.

Method for producing an sgt-including semiconductor device

Номер патента: US20150325444A1. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-11-12.

Semiconductor structure, method for manufacturing semiconductor structure, and semiconductor device

Номер патента: US20240055399A1. Автор: Ling-Yi Chuang,Kaimin Lv. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Method for producing an sgt-including semiconductor device

Номер патента: US20170301679A1. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-19.

Manufacturing methods for laterally diffused metal oxide semiconductor devices

Номер патента: US20130137224A1. Автор: Ronghua Zhu,Vishnu K. Khemka,Bernhard H. Grote,Tahir A. Khan. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2013-05-30.

Method for testing contact open in semiconductor device

Номер патента: US20050272173A1. Автор: Min-Suk Lee,Sung-Kwon Lee,Tae-Woo Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-12-08.

Methods for making radio frequency (RF) semiconductor devices including a ground plane layer having a superlattice

Номер патента: US12014923B2. Автор: Hideki Takeuchi,Robert J. Mears. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Ion implantation mask and method for manufacturing same, silicon carbide semiconductor device using ion implantation mask, and method for manufacturing same

Номер патента: US20070032002A1. Автор: Yusuke Fukuda,Masaaki Shimizu,Koichi Nishikawa,Hideki Hashimoto,Seiichi Yokoyama,Ken-ichi Nonaka,Hiroaki Iwakuro. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-08.

Method for producing bonded object and semiconductor device and copper bonding paste

Номер патента: US11890681B2. Автор: Yoshinori Ejiri,Hideo Nakako,Motohiro Negishi,Yuki Kawana,Chie Sugama,Yuichi Yanaka. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

System and method for detection of defects in semiconductor devices

Номер патента: US11830828B2. Автор: Liang Li,Wendy Yu,Kevin Hu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Methods for forming air spacers in semiconductor devices

Номер патента: US11955535B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Lin-Yu HUANG,Sheng-Tsung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Device and method for temperature monitoring of a semiconductor device

Номер патента: US20210116308A1. Автор: Yung-Chow Peng,Po-Zeng Kang,Wen-Shen Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Two-dimensional semiconductor device, optoelectronic unit and method for making the two-dimensional semiconductor device

Номер патента: US11183568B2. Автор: Chun-An Chen,Yi-Hsien Lee,xin-quan Zhang,Ying-Yu Lai,I-tung Chen. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2021-11-23.

Method for forming contact hole of semiconductor device

Номер патента: US5714038A. Автор: Byeung-Chul Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-02-03.

Method for forming quantum dot, quantum semiconductor device, and its manufacturing method

Номер патента: EP1507293A1. Автор: Toshio Ohshima,Hai-zhi Fujitsu Limited SONG. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-02-16.

Method for filling recessed features in semiconductor devices with a low-resistivity metal

Номер патента: US11024535B2. Автор: Robert Clark,Gerrit Leusink,Kandabara Tapily,David O'Meara,Cory Wajda,Kai-Hung YU,Nicholas Joy,Gyanaranjan Pattanaik,Takahiro Hakamata. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-06-01.

System and method for addressing junction capacitances in semiconductor devices

Номер патента: US20030082894A1. Автор: Zhiqiang Wu,Kaiping Liu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2003-05-01.

Method for testing bridging in adjacent semiconductor devices and test structure

Номер патента: US20180174930A1. Автор: Meng-Han LIN,Chih-Ren Hsieh,Chia-Lin LIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-21.

Method for testing bridging in adjacent semiconductor devices and test structure

Номер патента: US20190115266A1. Автор: Meng-Han LIN,Chih-Ren Hsieh,Chia-Lin LIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-18.

Semiconductor chip, method for manufacturing semiconductor chip, and semiconductor device

Номер патента: US20140183704A1. Автор: Akira Ide,Koji Torii. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2014-07-03.

Semiconductor device with a charge carrier compensation structure and method for the production of a semiconductor device

Номер патента: US20140231969A1. Автор: Anton Mauder,Holger Kapels,Franz Hirler,Armin Willmeroth,Michael Rueb. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-08-21.

Method for testing bridging in adjacent semiconductor devices and test structure

Номер патента: US20200365471A1. Автор: Meng-Han LIN,Chih-Ren Hsieh,Chia-Lin LIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

SOI-type semiconductor device, and production method for manufacturing such SOI-type semiconductor device

Номер патента: US20050250259A1. Автор: Takayuki Suzuki,Akihito Sakakidani. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-11-10.

Method for forming isolation regions on semiconductor device

Номер патента: US6479397B2. Автор: Motoki Kobayashi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-12.

Method for producing semiconductor element, and semiconductor device

Номер патента: EP4086941A1. Автор: Katsunori Azuma,Tomohisa Hirayama. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2022-11-09.

Method for forming semiconductor die and semiconductor device thereof

Номер патента: US20240128123A1. Автор: Jang Hee Lee,Jae Sik Choi,Jin Won JEONG,Young Hun JUN,Jong Woon LEE. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Method for forming metal wiring in semiconductor device

Номер патента: US20080150166A1. Автор: Seung-Hyun Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-06-26.

Method and system supporting production of a semiconductor device using a plurality of fabrication processes

Номер патента: EP2056338A3. Автор: Masood Syaed. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-03-06.

Method and computing device for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12093630B2. Автор: Sooyong Lee,Jeeyong Lee,Jaeho Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Wavelet system and method for ameliorating misregistration and asymmetry of semiconductor devices

Номер патента: US12080610B2. Автор: Daria Negri,Lilach SALTOUN. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for fabricating transistor of semiconductor device

Номер патента: US20040161902A1. Автор: Jeong Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-19.

Structure and method for power field effect transistor

Номер патента: US20130034936A1. Автор: Sreenivasan K. Koduri. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-02-07.

Fuse box and method for fabricating the same and method for repairing the same in semiconductor device

Номер патента: TW200913148A. Автор: Jeong-Kyu KANG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-03-16.

Method of semiconductor device manufacturing

Номер патента: RU2629657C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2017-08-30.

Structure and method for power field effect transistor

Номер патента: US8361839B1. Автор: Sreenivasan K. Koduri. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-01-29.

Semiconductor device, light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP2389693A2. Автор: Yong-Jin Kim,Ho-Jun Lee,Doo-Soo Kim,Dong-Kun Lee. Владелец: Siltron Inc. Дата публикации: 2011-11-30.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240312915A1. Автор: Koichiro Nishizawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for passivating silicon-based semiconductor device, and silicon-based semiconductor device

Номер патента: US12125936B2. Автор: Xinyu Zhang,Xueting Yuan. Владелец: Jinko Green Energy Shanghai Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device and methods of manufacture thereof

Номер патента: US20170179145A1. Автор: Boon Jiew CHEE. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2017-06-22.

Reinforcing sheet and method for producing secondary mounted semiconductor device

Номер патента: US20160042986A1. Автор: Kosuke Morita,Naohide Takamoto,Hiroyuki Senzai. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-02-11.

Reinforcing sheet and method for producing secondary mounted semiconductor device

Номер патента: US9472439B2. Автор: Kosuke Morita,Naohide Takamoto,Hiroyuki Senzai. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Lead frame and method for fabricating resin-encapsulated semiconductor device using the same

Номер патента: EP1239517A3. Автор: Takeshi Morikawa,Masaki Utsumi,Yukio Nakabayashi,Tsuyoshi Hamatani,Masashi Funakoshi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-22.

Lead frame and method for fabricating resin-encapsulated semiconductor device using the same

Номер патента: TW541678B. Автор: Takeshi Morikawa,Masaki Utsumi,Yukio Nakabayashi,Tsuyoshi Hamatani,Masashi Funakoshi. Владелец: Matsushita Electric Ind Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-11.

Phosphor Coating Method for Fabricating Light Emitting Semiconductor Device and Applications Thereof

Номер патента: US20120049231A1. Автор: Tzu-Hao Chao. Владелец: Everlight Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-01.

Phosphor Coating Method for Fabricating Light Emitting Semiconductor Device and Applications Thereof

Номер патента: US20120181564A1. Автор: Tzu-Hao Chao. Владелец: Everlight Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-19.

Method for fabricating three-dimensional semiconductor device using buried stop layer in substrate

Номер патента: EP4139954B1. Автор: He Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

Compound semiconductor device, compound semiconductor substrate, and method for manufacturing compound semiconductor device

Номер патента: EP3876267A1. Автор: Keisuke Kawamura,Shigeomi Hishiki. Владелец: AIR WATER INC. Дата публикации: 2021-09-08.

Method for Manufacturing a Radiation-Emitting Semiconductor Component and Radiation-Emitting Semiconductor Component

Номер патента: US20200013926A1. Автор: Christian Leirer,Isabel OTTO. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-01-09.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120302004A1. Автор: Akiharu Miyanaga. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: WO2024160354A1. Автор: Florin Udrea,Andrei Mihaila,Lars Knoll,Gianpaolo Romano,Nazareno DONATO. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240072141A1. Автор: Xi SONG,Pengyu Han,Huiqin Wang. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190386126A1. Автор: Naiqian Zhang,Xingxing Wu,Xinchuan ZHANG. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-12-19.

Reverse-conducting semiconductor device and method for manufacturing such a reverse-conducting semiconductor device

Номер патента: EP2223341A1. Автор: Munaf Rahimo,Wolfgang Janisch,Eustachio Faggiano. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2010-09-01.

Reverse-conducting semiconductor device and method for manufacturing such a reverse-conducting semiconductor device

Номер патента: WO2009077583A1. Автор: Munaf Rahimo,Wolfgang Janisch,Eustachio Faggiano. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2009-06-25.

Method for preparing shielded gate semiconductor device structure, and shielded gate semiconductor device structure

Номер патента: US20240274683A1. Автор: Libo Zhang,Zengyi He,Shuangshen LE,Xingmin WU,Qingwen Yuan. Владелец: Will Semiconductor Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Methods for thermal treatment of a semiconductor layer in semiconductor device

Номер патента: US20230138575A1. Автор: LEI Liu,Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240243187A1. Автор: Meng-Han LIN. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Gate structures for stacked semiconductor devices

Номер патента: US20230369335A1. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,Keng-Chu Lin,Huicheng Chang,Sathaiya Mahaveer DHANYAKUMAR. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Nitride compound based semiconductor device and manufacturing method of same

Номер патента: US20020142563A1. Автор: YVES Lacroix,Shiro Sakai. Владелец: Nitride Semiconductors Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-03.

Contacts for semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20240250143A1. Автор: Jyun-De Wu,Yi-Chen Wang,Yi-Chun Chang,Te-Chih Hsiung,Yuan-Tien Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240194769A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Chia-Wei Wu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

A compact scr device and method for integrated circuits

Номер патента: WO2006036447A3. Автор: Cheng-Hsiung Huang,Chih-Ching Shih,Yow-Juang Liu,Hugh O Sungki. Владелец: Hugh O Sungki. Дата публикации: 2006-12-14.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170309589A1. Автор: Gyungock Kim,JiHo JOO,Jaegyu PARK,Jin Hyuk OH,Myungjoon Kwack. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2017-10-26.

Semiconductor stack, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12057524B2. Автор: Meng-yang CHEN,Jung-Jen LI. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device production method

Номер патента: US20240282616A1. Автор: Yoshihiro Yamada,Ryuma Mizusawa,Yubun Kikuchi. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for producing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12100739B2. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12087821B2. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for forming offset spacers for semiconductor device arrangements

Номер патента: US20080090368A1. Автор: Johannes Groschopf,Huicai Zhong,Philip A. Fisher,Laura A. Brown. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2008-04-17.

Semiconductor device and process for fabrication thereof

Номер патента: US20020123178A1. Автор: Shigeru Kanematsu,Hirokazu Ejiri. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-09-05.

Semiconductor devices with backside power rail and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20240258397A1. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Chun-Yuan Chen,Pei-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20150072486A1. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Leadframe for optical semiconductor device, method for manufacturing leadframe for optical semiconductor device, and optical semiconductor device

Номер патента: TW201218463A. Автор: Satoshi Suzuki,Akira Matsuda,Shin Kikuchi,Yoshiaki Kobayashi,Akira Tachibana,Satoru Zama. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-01.

Method for producing pillar-shaped semiconductor device

Номер патента: US20190157166A1. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160118250A1. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-04-28.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20140045322A1. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-02-13.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9450068B2. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Method for forming oxide semiconductor film, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12062724B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Watanabe,Kenichi Okazaki,Hideyuki Kishida,Motoki Nakashima,Mitsuo Mashiyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Method for producing pillar-shaped semiconductor device

Номер патента: US20180012896A1. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-01-11.

Epitaxial Structures For Semiconductor Devices

Номер патента: US20240372007A1. Автор: Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09957638B2. Автор: Takahiro Yamamoto,Kenichi Hamano,Nobuyuki Tomita,Yoichiro Mitani,Akihito Ohno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Method to detect photoresist residue on a semiconductor device

Номер патента: US20050250227A1. Автор: Yung-Lung Hsu,To-Yu Chen,Mei-Yen Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-11-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220285565A1. Автор: Yi Pei,Guangmin DENG. Владелец: Gpower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2022-09-08.

Noble metal-coated silver wire for ball bonding and method for producing the same, and semiconductor device using noble metal-coated silver wire for ball bonding and method for producing the same

Номер патента: SG11202009827QA. Автор: Jun Chiba,Yuki Antoku,Shota KAWANO. Владелец: Tanaka Electronics Ind. Дата публикации: 2020-11-27.

Noble metal-coated silver wire for ball bonding and method for producing the same, and semiconductor device using noble metal-coated silver wire for ball bonding and method for producing the same

Номер патента: US11456271B2. Автор: Jun Chiba,Yuki Antoku,Shota KAWANO. Владелец: Tanaka Denshi Kogyo KK. Дата публикации: 2022-09-27.

Noble metal-coated silver wire for ball bonding and method for producing the same, and semiconductor device using noble metal-coated silver wire for ball bonding and method for producing the same

Номер патента: SG11202009825RA. Автор: Jun Chiba,Yuki Antoku,Shota KAWANO. Владелец: Tanaka Electronics Ind. Дата публикации: 2020-11-27.

Method for for fabricating semiconductor device and computing system for implementing the same

Номер патента: KR102163187B1. Автор: 윤종식,김병성,이화성,김윤해. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2020-10-08.

Method and computing device for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11763058B2. Автор: Sooyong Lee,Jeeyong Lee,Jaeho Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-19.

Method and computing device for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240020450A1. Автор: Sooyong Lee,Jeeyong Lee,Jaeho Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Selection of optimal quantization direction for given transport direction in a semiconductor device

Номер патента: US20060102985A1. Автор: Steven Laux. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-05-18.

METHOD FOR PRODUCING LOW-k FILM, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20100289143A1. Автор: Takamaro Kikkawa,Yoshinori Cho. Владелец: Hiroshima University NUC. Дата публикации: 2010-11-18.

Method for fabrication of CMOS devices having minimized drain contact area

Номер патента: US5573969A. Автор: Jae K. Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1996-11-12.

Lead frame for optical semiconductor device, method for manufacturing same, and optical semiconductor device

Номер патента: TW201029139A. Автор: Shin Kikuchi,Yoshiaki Kobayashi,Kazuhiro Koseki. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2010-08-01.

Semiconductor device and method for manufacturing multilayered substrate for semiconductor device

Номер патента: TWI308606B. Автор: Takashi Kobori,Kazushi Hayashi,Koji Kobashi,Yoshihiro Yokota,Takeshi Tachibana. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2009-04-11.

Method for fabricating and separating semiconductor devices

Номер патента: WO2006055601A3. Автор: Myung cheol Yoo. Владелец: VERTICLE Inc. Дата публикации: 2008-07-24.

Method for fabricating and separating semiconductor devices

Номер патента: WO2006055601B1. Автор: Myung cheol Yoo. Владелец: VERTICLE Inc. Дата публикации: 2008-09-04.

Method for fabricating and separating semiconductor devices

Номер патента: EP1815503A2. Автор: Myung cheol Yoo. Владелец: VERTICLE Inc. Дата публикации: 2007-08-08.

Method for forming sidewall spacers and semiconductor devices fabricated thereof

Номер патента: US20240297081A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Kuan-Ting Pan,Yi-Ruei JHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Integrated circuit semiconductor device

Номер патента: US20240282864A1. Автор: Jinwook Yang,Sungil Park,Jaehyun Park,Daewon HA,Dongkyu LEE,Kyuman HWANG,Cheoljin YUN,Jinchan Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for Forming a Ruthenium Film

Номер патента: US20120161282A1. Автор: Vishwanath Bhat,Dan Gealy,Vassil Antonov. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-06-28.

Method for fabricating surface-emitting semiconductor device, surface-emitting semiconductor device fabricated by the method, and display device using the device

Номер патента: EP0896405A3. Автор: Toshihiko Ouchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2000-10-04.

Gate-all-around transistor, method for manufacturing the same, and semiconductor device

Номер патента: US20240213336A1. Автор: Fei Zhao,Yongliang Li. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-06-27.

Image sensor devices, methods for forming the same and semiconductor devices

Номер патента: TW200837940A. Автор: Dun-Nian Yaung,Jyh-Ming Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-09-16.

Method for manufacturing static induction type semiconductor device and thereby manufactured semiconductor device

Номер патента: GB9005988D0. Автор: . Владелец: Matsushita Electric Works Ltd. Дата публикации: 1990-05-09.

Charge Compensation Semiconductor Devices

Номер патента: US20190123137A1. Автор: Franz Hirler,Christian Fachmann,Maximilian Treiber,Daniel Tutuc. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-04-25.

Method for forming patterns on a semiconductor device using a lift off technique

Номер патента: US20070176207A1. Автор: Atsushi Kurokawa,Yoshinori Imamura,Toshiaki Kitahara,Hiroshi Inagawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-02.

Method for forming patterns on a semiconductor device using a lift off technique

Номер патента: US20060032762A1. Автор: Atsushi Kurokawa,Yoshinori Imamura,Toshiaki Kitahara,Hiroshi Inagawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-16.

Systems and methods for reducing power consumption in semiconductor devices

Номер патента: US20150015306A1. Автор: Mark D. Hall,Anis M. Jarrar,Surya Veeraraghavan,David R. Tipple. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-01-15.

Electrostatic attachment chuck, method for manufacturing the same, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20180315635A1. Автор: Eiichi Yamamoto,Toshihiro Ito,Takahiko Mitsui,Yoshihiro TERAKUBO. Владелец: Okamoto Machine Tool Works Ltd. Дата публикации: 2018-11-01.

Method for forming 2-D material semiconductor device with improved source/drain electrodes and gate dielectric

Номер патента: US12080557B2. Автор: Shih-Yen Lin,yu-wei Zhang,Po-Cheng TSAI. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for fabricating carbon hard mask and method for fabricating patterns of semiconductor device using the same

Номер патента: US20120208367A1. Автор: Tai Ho Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-08-16.

Method for fabricating three-dimensional semiconductor device and three-dimensional semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: KR101003542B1. Автор: 이상윤. Владелец: 이상윤. Дата публикации: 2010-12-30.

Method for fabricating three-dimensional semiconductor device and three-dimensional semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: KR20100041625A. Автор: 이상윤. Владелец: 이상윤. Дата публикации: 2010-04-22.

Method for manufacturing a capacitor for semiconductor device

Номер патента: KR970008812B1. Автор: Yang-Kyu Choe. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 1997-05-29.

Organosilane-containing material for insulation film, method for producing the same, and semiconductor device

Номер патента: TWI252232B. Автор: Daiji Hara,Keisuke Yoshida. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 2006-04-01.

Stacked semiconductor device and related method

Номер патента: US7682450B2. Автор: Jin-Hong Kim,Joon Kim,Suk-Chul Bang,Eun-Kuk Chung,Yun-Seung Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-03-23.

Semiconductor device and method for fabricating same

Номер патента: US20240063256A1. Автор: Zheng He,Yi Tang,Qiong Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device and capacitor fabricated thereby

Номер патента: KR100281906B1. Автор: 이병택. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-02-15.

Method for patterning semiconductor devices on a silicon substrate using oxynitride film

Номер патента: US20010027021A1. Автор: Liang-Gi Yao,Pin-Ting Wang. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2001-10-04.

Method for determining a preceding wafer, method for determining a measuring wafer, and method for adjusting the number of wafers

Номер патента: US20030203514A1. Автор: Shigeru Matsumoto,Hiroaki Ishizuka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-30.

Method for patterning semiconductor devices on a silicon substrate using oxynitride film

Номер патента: US20010024875A1. Автор: Liang-Gi Yao,Pin-Ting Wang. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2001-09-27.

Method for patterning semiconductor devices on a silicon substrate using oxynitride film

Номер патента: US6413885B2. Автор: Liang-Gi Yao,Pin-Ting Wang. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-07-02.

Method for forming micro lenses and semiconductor device including the micro lenses

Номер патента: TW200810099A. Автор: Hiroki Amemiya. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2008-02-16.

Mounting method for exposed-pad type of semiconductor device to printed circuit board

Номер патента: TW483131B. Автор: Ji-Chiuan Wu,Jie-Yuan Lin,Ruei-Yu Juang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-11.

Method for forming redistribution layer on semiconductor device

Номер патента: TW594895B. Автор: Tai-Yuan Huang,Chih-Hsiang Hsu,Hsin-Lun Chang. Владелец: Advanced Semiconductor Eng. Дата публикации: 2004-06-21.

Method for forming metal wiring of semiconductor device

Номер патента: TW302512B. Автор: Heon-Do Kim. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 1997-04-11.

Method for forming thin films of semiconductor devices

Номер патента: TW200411738A. Автор: Seok-Kiu Lee,Sung-Jae Joo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-01.

A method for analyzing defects in a semiconductor device

Номер патента: GB9606291D0. Автор: . Владелец: Hyundai Electronics Co Ltd. Дата публикации: 1996-05-29.

Method for forming fine pattern of semiconductor device

Номер патента: TW200814140A. Автор: Jae-Chang Jung,Cheol-Kyu Bok,Seung-Chan Moon,Hee Youl Lim,Keun-Do Ban,Myoung-Ja Min. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-03-16.

Method for manufacturing a capacitor of semiconductor device

Номер патента: TW546695B. Автор: Dong-Su Park,Cheol-Hwan Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-08-11.

Method for forming junction region in semiconductor device

Номер патента: KR100376888B1. Автор: Bong Soo Kim,Seong Hoon Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-03-19.

Methods for manufacturing a trench type semiconductor device having a thermally sensitive refill material

Номер патента: TW200901325A. Автор: Takeshi Ishiguro. Владелец: Icemos Technology Corp. Дата публикации: 2009-01-01.

Method for forming isolation layer in semiconductor device

Номер патента: TW200411810A. Автор: Cheol-Soo Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-01.

Method for forming isolation layer in semiconductor device

Номер патента: TWI287269B. Автор: Cheol-Soo Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-21.

Method for manufacturing static induction type semiconductor device

Номер патента: GB2230136A. Автор: Kazushi Kataoka,Takuya Komoda,Masahiko Suzumura. Владелец: Matsushita Electric Works Ltd. Дата публикации: 1990-10-10.

Semiconductor chip and method for manufacturing the same and semiconductor device

Номер патента: US20060006493A1. Автор: Tsutomu Tashiro,Masaya Kawano,Yoichiro Kurita. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-01-12.

Systems and methods for measuring physical characteristics of semiconductor device elements using structured light

Номер патента: TWI561810B. Автор: Zhijie Wang,Deepak Sood,Shu-Guo Tang,Colosimo, Jr,David A Rauth. Владелец: Kulicke & Soffa Ind Inc. Дата публикации: 2016-12-11.

Method for capturing gaseous impurities and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: GB9711576D0. Автор: . Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-07-30.

Method for production of thin-film semiconductor device

Номер патента: TW200847297A. Автор: Masafumi Kunii. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-12-01.

Forming method for fine-width trench and semiconductor device

Номер патента: WO2015044749A1. Автор: Shoji Mizuno,Yuichi Takeuchi,Yukihiko Watanabe,Atsushi Onogi,Akitaka SOENO,Tomoyuki Shoji. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2015-04-02.

Method for forming gate oxide in semiconductor device

Номер патента: TW200423237A. Автор: Byoung-Hee Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-11-01.

Method for forming gate oxide in semiconductor device

Номер патента: TWI254982B. Автор: Byoung-Hee Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-05-11.

Method for forming patterns in a semiconductor device

Номер патента: TW200406030A. Автор: Jae-Chang Jung,Cheol-Kyu Bok,Ki-Soo Shin,Sung-koo Lee,Young-sun Hwang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-04-16.

Method for forming patterns in a semiconductor device

Номер патента: TWI281209B. Автор: Jae-Chang Jung,Cheol-Kyu Bok,Ki-Soo Shin,Sung-koo Lee,Young-sun Hwang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-05-11.

Method for forming thin film encapsulation multilayer and method for fabricating flexible organic semiconductor device

Номер патента: KR101207209B1. Автор: 허욱,설영국,이내응. Владелец: 성균관대학교산학협력단. Дата публикации: 2012-12-03.

Capacitor and method for fabricationg the same, and semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20110037110A1. Автор: Makoto Yasuda,Yoshihiro Matsuoka,Akiyoshi Watanabe. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-02-17.

THIN-FILM SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THIN-FILM SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130105798A1. Автор: KAWASHIMA Takahiro,KANEGAE Arinobu. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2013-05-02.

THIN-FILM SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THIN-FILM SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130161630A1. Автор: NISHIDA Kenichirou. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2013-06-27.

Method for fabricating thin-film semiconductor device and thin-film semiconductor device

Номер патента: US20140048807A1. Автор: Arinobu Kanegae,Kenichirou Nishida. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-02-20.

METHOD FOR FABRICATING THIN-FILM SEMICONDUCTOR DEVICE AND THIN-FILM SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140048813A1. Автор: NISHIDA Kenichirou,KANEGAE Arinobu. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2014-02-20.

THIN-FILM SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THIN-FILM SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140054590A1. Автор: KAWASHIMA Takahiro,KANEGAE Arinobu. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2014-02-27.

Power Semiconductor Device and Method for Fabricating a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20210225795A1. Автор: Otremba Ralf,Frank Paul,HEINRICH Alexander,Langer Gregor,Pedone Daniel,Ludsteck-Pechloff Alexandra. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-22.

POWER SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING A POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210242111A1. Автор: Wedi Andre,Unrau Arthur,Ehlers Carsten. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-05.

OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140321493A1. Автор: Matsumoto Takeshi. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-30.

PACKAGED SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING A PACKAGED SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210313275A1. Автор: Theuss Horst. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-10-07.

VERTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE VERTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200328226A1. Автор: Park In-Su,KIM Jong-Gi,KIM Hai-Won,JEONG Hoe-Min. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2020-10-15.

Method for fabrication of a semiconductor device and structure

Номер патента: US20110199116A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Israel Beinglass,J. L. de Jong,Zeev Wurman. Владелец: NuPGA Corp. Дата публикации: 2011-08-18.

Method for fabricating thin-film semiconductor device and thin-film semiconductor device

Номер патента: US9035385B2. Автор: Arinobu Kanegae,Kenichirou Nishida. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2015-05-19.

Electro-optical apparatus and method for fabricating a film, semiconductor device and memory device at near atmospheric pressure

Номер патента: US6734119B2. Автор: Ramesh H. Kakkad. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-05-11.

Semiconductor device having a heteroepitaxial substrate

Номер патента: US6188090B1. Автор: Takashi Eshita,Shinji Miyagaki,Kazuaki Takai,Satoshi Ohkubo. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-02-13.

Power semiconductor device and method for fabricating a power semiconductor device

Номер патента: EP3859776A1. Автор: Arthur Unrau,Carsten Ehlers,Andre Wedi. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-08-04.

Light-emitting semiconductor device, light-emitting system and method for fabricating light-emitting semiconductor device

Номер патента: US7023019B2. Автор: Kei Sakanoue,Hiromi Kitahara,Katsuaki Iwama,Hidenori Kamei,Toshihide Maeda,Shozo Oshio,Tadaaki Ikeda,Yasuyuki Hanada. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-04-04.

Vertical semiconductor device and method for fabricating the vertical semiconductor device

Номер патента: US20220123020A1. Автор: Hai-Won Kim,In-Su Park,Jong-Gi KIM,Hoe-Min Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

METHOD FOR FABRICATING THIN-FILM SEMICONDUCTOR DEVICE FOR DISPLAY

Номер патента: US20130071972A1. Автор: NISHIDA Kenichirou,NAGAI Hisao. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2013-03-21.

APPARATUS FOR POLARIZING A SEMICONDUCTOR WAFER AND METHOD FOR FABRICATING A MAGNETIC SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200365797A1. Автор: KOAI KEITH KUANG-KUO,WANG WEN-CHIH,WU JIM-WEI,TSENG LI,CHANG CHIA-HSUN. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-19.

Method for fabrication of a semiconductor device and structure

Номер патента: US20120032294A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Israel Beinglass,Deepak C. Sekar,Jan Lodewijk de Jong. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2012-02-09.

METHOD FOR FABRICATING SUBSTRATE OF SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING EPITAXIAL LAYER AND SILICON LAYER HAVING SAME CRYSTALLINE ORIENTATION

Номер патента: US20170040346A1. Автор: Lin Yu-Ming,Wang Jen-Yu,Huang Cheng-Tung,Yang Ya-Ru,Weng Wen-Yin,Wu Yi-Ting. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-09.

METHOD FOR FABRICATING CAPACITOR OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160104764A1. Автор: LIM Sung-Won,Yeom Seung-Jin,Lee Hyo-Seok. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-14.

METHOD FOR FABRICATING INTERCONNECT OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200168450A1. Автор: Lin Chun-Ling,Huang Hsin-Fu,Lin Ko-Wei,Chen Kuan-Hsiang,Su Sheng-Yi,Kao Pei-Hsun. Владелец: UNITED MICROELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2020-05-28.

METHOD FOR FABRICATING ELECTRODE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210257251A1. Автор: Sasagawa Shinya,KURATA Motomu,OKAMOTO Satoru,HODO Ryota,IIDA Yuta. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-19.

METHOD FOR FABRICATING ELECTRODE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160307777A1. Автор: Sasagawa Shinya,KURATA Motomu,OKAMOTO Satoru,HODO Ryota,IIDA Yuta. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-20.

METHOD FOR FABRICATING ELECTRODE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190393079A1. Автор: Sasagawa Shinya,KURATA Motomu,OKAMOTO Satoru,HODO Ryota,IIDA Yuta. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-26.

Method for fabrication of a semiconductor device and structure

Номер патента: US7986042B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Israel Beinglass,Deepak C. Sekar,Jan Lodewijk de Jong. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2011-07-26.

Method for fabrication of a semiconductor device and structure

Номер патента: US8058137B1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Israel Beinglass,Deepak C. Sekar,Jan Lodewijk de Jong. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2011-11-15.

Method for fabrication of a semiconductor device and structure

Номер патента: US8148728B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Israel Beinglass,Deepak C. Sekar,Jan Lodewijk de Jong. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2012-04-03.

Method for fabrication of a semiconductor device and structure

Номер патента: US8373230B1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar,Jan Lodewijk de Jong,Isreal Beinglass. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2013-02-12.

Method for fabrication of a semiconductor device and structure

Номер патента: US8461035B1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar,Jan Lodewijk de Jong,Isreal Beinglass. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2013-06-11.

Method for fabrication of a semiconductor device and structure

Номер патента: US8298875B1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar,Paul Lim. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2012-10-30.

Method for fabrication of a semiconductor device and structure

Номер патента: US9029173B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar,Ze'ev Wurman. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2015-05-12.

Method for fabrication of a semiconductor device and structure

Номер патента: US8557632B1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak C. Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2013-10-15.

Method for fabrication of a semiconductor device and structure

Номер патента: US20100289064A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Israel Beinglass,J. L. de Jong,Deepak C. Sekar. Владелец: NuPGA Corp. Дата публикации: 2010-11-18.

Method for fabrication of a semiconductor device and structure

Номер патента: US8294159B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Israel Beinglass,Deepak C. Sekar,Jan Lodewijk de Jong. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2012-10-23.

Method for fabrication of a semiconductor device and structure

Номер патента: US8709880B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Israel Beinglass,Deepak C. Sekar,Jan Lodewijk de Jong. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2014-04-29.

Method for fabrication of a semiconductor device and structure

Номер патента: US8378494B2. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Israel Beinglass,Deepak C. Sekar,Jan Lodewijk de Jong. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2013-02-19.

Method for fabrication of a semiconductor device and structure

Номер патента: US8703597B1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Deepak Sekar. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2014-04-22.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100500940B1. Автор: 김경민,박종범,오훈정. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-07-14.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100533981B1. Автор: 김주성,송한상,박기선. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-12-07.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100244251B1. Автор: 주재현,선정민. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2000-02-01.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100886641B1. Автор: 박상수,정중택. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-03-04.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100818076B1. Автор: 서대영. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-03-31.

method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100390458B1. Автор: 전재영. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-07-04.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100425826B1. Автор: 유용식,박영진. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-06-04.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100318455B1. Автор: 이상익,안기철. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-03-08.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100308131B1. Автор: 박종범,주재현. Владелец: 현대반도체 주식회사. Дата публикации: 2001-11-02.

Method for fabricating polyresistor of semiconductor device

Номер патента: KR100546723B1. Автор: 서영훈. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2006-01-26.

Method for fabricating silicide of semiconductor device

Номер патента: KR100563095B1. Автор: 김석수. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2006-03-27.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100286011B1. Автор: 김기범,황철주. Владелец: 주성엔지니어링주식회사. Дата публикации: 2001-04-16.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100437616B1. Автор: 이경원,박창헌. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-06-30.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100582404B1. Автор: 조호진,김해원,이태혁,장준수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-05-22.

method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100541679B1. Автор: 동차덕,한일근. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-01-11.

Method for fabricating isolation of semiconductor device

Номер патента: KR100588646B1. Автор: 심준범. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-06-12.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR101096230B1. Автор: 이상도,이기준. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-12-22.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100368978B1. Автор: 정연우. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-01-24.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100548598B1. Автор: 유혁준. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-02-02.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100881751B1. Автор: 이상익,박형순,신종한. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-02-06.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100949901B1. Автор: 박동혁. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-03-26.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR20040059848A. Автор: 김남경. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-07-06.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR20060001109A. Автор: 염승진,김남경. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-01-06.

Method for fabricating transistor of semiconductor device

Номер патента: KR100516230B1. Автор: 박정호. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-09-23.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100911675B1. Автор: 최선호. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2009-08-10.

Method for fabricating transistor of semiconductor device

Номер патента: KR20070002701A. Автор: 최웅. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-05.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100540476B1. Автор: 김경민,박종범,오훈정. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-01-10.

Method for fabricating high-performance semiconductor device by reducing junction capacitance

Номер патента: KR100448090B1. Автор: 임지운. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-11-16.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100887052B1. Автор: 김주성. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-03-04.

Method for fabricating high speed semiconductor device

Номер патента: KR20110077966A. Автор: 진승우,주영환,이안배,장일식,차재춘. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-07-07.

Method for fabricating non-volatile semiconductor device

Номер патента: KR100302188B1. Автор: 최용석,김동준,유종원,정칠희. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-11-22.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100866126B1. Автор: 이원욱. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-10-31.

Method for fabricating photomask in semiconductor device

Номер патента: KR100945921B1. Автор: 신재천. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-03-05.

Method for fabricating thin film semiconductor devices

Номер патента: EP1024523A1. Автор: Jörg Horzel,Eva Vazsonyi. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2000-08-02.

Method for fabricating transistor of semiconductor device

Номер патента: KR100597462B1. Автор: 김학동. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-07-05.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100702134B1. Автор: 은병수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-03-30.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100401528B1. Автор: 박상훈. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-06-23.

Method for Fabricating Capacitor of Semiconductor Device

Номер патента: KR100425153B1. Автор: 이주완. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-03-30.

Method for Fabricating Capacitor of Semiconductor Device

Номер патента: KR100359784B1. Автор: 조호진. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-11-04.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100506873B1. Автор: 박동수,이태혁,박철환,송창록. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-08-05.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100955922B1. Автор: 최웅. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-05-03.

Method for fabricating contact of semiconductor device

Номер патента: KR100701779B1. Автор: 박래춘,최부경. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-03-30.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100881830B1. Автор: 이성욱,유혁준. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-02-03.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device to increase surface area of capacitor and avoid loss of oxide layer under capacitor

Номер патента: KR100449179B1. Автор: 이정석,남기원. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-01-05.

Method for fabricating locos of semiconductor device

Номер патента: KR100632684B1. Автор: 성웅제. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-10-12.

Method for fabricating gate of semiconductor device

Номер патента: KR100540334B1. Автор: 박건욱. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2006-01-11.

Method for fabricating contact of semiconductor device

Номер патента: KR100552857B1. Автор: 조보연. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2006-02-22.

method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100418924B1. Автор: 정경철. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-02-14.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100326239B1. Автор: 선호정. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-05-09.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100571401B1. Автор: 김봉준. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2006-04-14.

Method for fabricating transistor in semiconductor device

Номер патента: KR100636683B1. Автор: 서혜진,김재수,은용석,이안배. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-10-23.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100881829B1. Автор: 노용주,김창일. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-02-03.

Method for fabricating transistor in semiconductor device

Номер патента: KR100636685B1. Автор: 김한내. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-10-23.

Method for Fabricating Contact of Semiconductor Device

Номер патента: KR100607367B1. Автор: 김상욱. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-08-01.

Method for fabricating hole pattern semiconductor device

Номер патента: KR101708375B1. Автор: 선준협. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2017-02-21.

Method for fabricating mosfet in semiconductor device

Номер патента: KR100228334B1. Автор: 황준. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 1999-11-01.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR101067022B1. Автор: 송한상. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-09-26.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR20100078496A. Автор: 박종범,송한상,박종국. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-07-08.

Method for fabricating transistor in semiconductor device

Номер патента: KR100762236B1. Автор: 김태균. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-10-01.

method for fabricating contacts in semiconductor device

Номер патента: KR101096256B1. Автор: 강춘수,전진혁. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-12-22.

Method for fabricating transistor of semiconductor device

Номер патента: KR100679829B1. Автор: 박정호. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-02-06.

Method for fabricating three-dimensional semiconductor device

Номер патента: KR101003541B1. Автор: 이상윤,박준일,정준. Владелец: 이상윤. Дата публикации: 2010-12-30.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100881735B1. Автор: 조광준,길덕신. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-02-06.

Method for fabricating a power semiconductor device having a floating island voltage sustaining layer

Номер патента: US6624494B2. Автор: Richard A. Blanchard,Jean-Michel Guillot. Владелец: General Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-09-23.

Method for fabricating a merged semiconductor device

Номер патента: US20040171258A1. Автор: Nam-kyu Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-09-02.

Method for fabricating fuse in semiconductor device

Номер патента: KR101096232B1. Автор: 이현민,이현철. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-12-22.

Method for fabricating an optical semiconductor device

Номер патента: EP0472221A3. Автор: Tatsuya Sasaki,Ikuo Mito,Tomoaki Katoh. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1992-05-13.

Method for fabricating transistor of semiconductor device

Номер патента: KR100744068B1. Автор: 이성권,정태우,장세억,김명옥. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-07-30.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100520600B1. Автор: 박동수,우상호,이태혁,박철환,송창록. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-10-10.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100722997B1. Автор: 박종범. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-05-30.

Method for fabricating transistor in semiconductor device

Номер патента: KR101129021B1. Автор: 박동수,조호진,김해원,장준수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2012-03-23.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100849187B1. Автор: 한상엽. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-07-30.

method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100732748B1. Автор: 정현진,김응수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-06-27.

Method for fabricating gate of semiconductor device

Номер патента: KR100589495B1. Автор: 최승철. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-06-14.

Method for fabricating contacts in semiconductor device

Номер патента: KR20110001142A. Автор: 강춘수,전진혁. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-01-06.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100655070B1. Автор: 김동규,심광보,황재희. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-12-08.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR20010103978A. Автор: 배명광. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-11-24.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100811260B1. Автор: 김영대,김해원,이금범. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-03-07.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100620659B1. Автор: 신동우,최형복. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-09-13.

Method for fabricating electrically isolated semiconductor devices in integrated circuits

Номер патента: US3370995A. Автор: Carl J Lowery,Billy B Williams. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1968-02-27.

Method for fabricating fuse of semiconductor device

Номер патента: KR100954417B1. Автор: 박반석. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2010-04-26.

Method for fabricating thermally enhanced semiconductor device

Номер патента: US7396700B2. Автор: Shih-Ping Hsu. Владелец: Phoenix Precision Technology Corp. Дата публикации: 2008-07-08.

Method for fabricating gate of semiconductor device

Номер патента: KR100519644B1. Автор: 하승철. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-10-07.

Method for fabricating contacts of semiconductor device

Номер патента: KR100679941B1. Автор: 박수영,이홍구,박원성. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-02-08.

Method for fabricating pattern in semiconductor device using spacer

Номер патента: KR100945928B1. Автор: 서혜진,김수호,이안배. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-03-05.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100536625B1. Автор: 남상우. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-12-14.

Method for fabricating a merged semiconductor device

Номер патента: CN1542906A. Автор: ,朴南奎. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-11-03.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100801306B1. Автор: 안명규. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-02-05.

Method for fabricating an optical semiconductor device

Номер патента: EP1193771B1. Автор: Takayuki c/o Fujitsu Quantum Devices Watanabe. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2012-08-01.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR20000039797A. Автор: 이동호,장환수,길명군. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 2000-07-05.

Method for fabricating thin film semiconductor devices

Номер патента: AU2544900A. Автор: Jörg Horzel,Eva Vazsonyi. Владелец: INTERUNIVERSITAIRE MICROELEKTR. Дата публикации: 2000-08-18.

Method for fabricating interconnection of semiconductor device having improved interconnection reliability

Номер патента: KR100660915B1. Автор: 이정은,위영진,김태범,문영준. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-12-26.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: TW200411819A. Автор: Jong-Bum Park,Kyong-Min Kim,Hoon-Jung Oh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-01.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100582352B1. Автор: 염승진,김남경. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-05-22.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: US6794241B2. Автор: Jong-Bum Park,Kyong-Min Kim,Hoon-Jung Oh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-09-21.

Method for fabricating transistor of semiconductor device

Номер патента: US6936517B2. Автор: Tae Woo Kim,Chee Hong Choi. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-08-30.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100364797B1. Автор: 박상혁. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-12-16.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR101075528B1. Автор: 홍권,김주성. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-10-20.

Method for fabrication of a semiconductor device and structure

Номер патента: US20100295136A1. Автор: Zvi Or-Bach,Brian Cronquist,Israel Beinglass,J. L. de Jong,Deepak C. Sekar. Владелец: NuPGA Corp. Дата публикации: 2010-11-25.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device to increase capacitance

Номер патента: KR100399917B1. Автор: 김재옥,은용석. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-07-23.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: US6913963B2. Автор: Sang Ho Woo,Tae Hyeok Lee,Cheol Hwan Park,Dong Su Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-07-05.

Method for fabricating vertical channel semiconductor device

Номер патента: KR101070305B1. Автор: 김광옥,강혜란. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-10-06.

Method for fabricating a power semiconductor device having a floating island voltage sustaining layer

Номер патента: EP1433201A1. Автор: Richard A. Blanchard,Jean-Michel Guillot. Владелец: General Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-06-30.

Method for Fabricating Contact of Semiconductor Device

Номер патента: KR100628220B1. Автор: 김성래. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-09-26.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100612941B1. Автор: 권순용. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-08-14.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100520590B1. Автор: 박동수,우상호,이태혁,박철환,송창록. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-10-10.

Method for fabricating a monolithic semiconductor device with integrated surface micromachined structures

Номер патента: EP0762510B1. Автор: Ljubisa Ristic,Frank A. Shemansky, Jr.. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2002-11-06.

Method for fabricating transistor of semiconductor device

Номер патента: US7232731B2. Автор: Sang Gi Lee,Chang Eun Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-19.

Method for Fabricating Capacitor of Semiconductor Device

Номер патента: KR100359783B1. Автор: 김경민. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-11-04.

Method for fabricating micropump of semiconductor device

Номер патента: KR0169818B1. Автор: 정태경,윤종상. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1999-02-18.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100308496B1. Автор: 이정석,백현철. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-12-15.

Method for fabrication of a semiconductor device.

Номер патента: NL1006758C2. Автор: Takayuki Gomi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2000-10-10.

Method for fabricating fuse in semiconductor device

Номер патента: KR100739936B1. Автор: 김정근. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-07-16.

Method for fabricating trench of semiconductor device

Номер патента: KR100826790B1. Автор: 김중규. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2008-04-30.

Method for fabricating dual-gate semiconductor device

Номер патента: US20080197420A1. Автор: Yuan-Hung Chiu,Mong Song Liang,Chen-Nan Yeh,Ryan Chia-Jen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-08-21.

Method for fabricating transistor of semiconductor device

Номер патента: KR20060114180A. Автор: 이성권,정태우,장세억,김명옥. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-11-06.

Method for fabricating capacitors of semiconductor device

Номер патента: GB0027297D0. Автор: . Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2000-12-27.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100744038B1. Автор: 이창구. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-07-30.

Method for fabricating capacitor in semiconductor devices

Номер патента: KR100861356B1. Автор: 양영호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-10-01.

A method for fabricating of a semiconductor device

Номер патента: KR100361765B1. Автор: 김태우. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-11-23.

Method for fabricating transistor of semiconductor device

Номер патента: CN100407407C. Автор: 张世亿,郑台愚,金明玉,李圣权. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-07-30.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: CN1976008A. Автор: 李起正. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-06-06.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100518235B1. Автор: 김해원,채수진. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-10-04.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100507365B1. Автор: 전범진,박창헌. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-08-05.

The method for fabricating pattern in semiconductor device

Номер патента: KR100914295B1. Автор: 박찬하,윤형순. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-08-27.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device to prevent sidewall fence from being collapsed by etch damage

Номер патента: KR100448858B1. Автор: 남기원,이기엽,김광철. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-12-29.

Method for fabricating transistor of semiconductor device

Номер патента: KR100525299B1. Автор: 박정호. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-11-02.

Lead frame and method for fabricating resin-encapsulated semiconductor device using the same

Номер патента: US20030203541A1. Автор: Takeshi Morikawa,Masaki Utsumi,Yukio Nakabayashi,Tsuyoshi Hamatani,Masashi Funakoshi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-30.

Method for fabricating transistor of semiconductor device

Номер патента: KR100337201B1. Автор: 최양규. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-10-25.

Method for fabricating sidewall of semiconductor device

Номер патента: KR100503748B1. Автор: 정명진. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-07-26.

Systems And Methods For Fabricating Nanometric-Scale Semiconductor Devices With Dual-Stress Layers Using Double-Stress Oxide/Nitride Stacks

Номер патента: US20090026548A1. Автор: Seung-Chul Song,Joel Barnett,Byong Sun Ju. Владелец: Sematech Inc. Дата публикации: 2009-01-29.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device and structure of the same

Номер патента: CN1158498A. Автор: 崔璟根. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1997-09-03.

Method for fabricating gate of semiconductor device

Номер патента: KR100273286B1. Автор: 김낙섭. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2001-02-01.

Method for fabricating optical pump semiconductor device

Номер патента: TW200742211A. Автор: Thomas Schwarz,Frank Singer,Ulrich Steegmueller,Roland Schulz. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2007-11-01.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100702128B1. Автор: 이수재. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-03-30.

Method for fabricating capacitor in semiconductor device

Номер патента: KR100879744B1. Автор: 이창구. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-01-21.

Method for fabricating RF MOS semiconductor device

Номер патента: KR100613352B1. Автор: 윤여조. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-08-21.

Method for fabricating electrode and semiconductor device

Номер патента: US20190393079A1. Автор: Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Satoru Okamoto,Ryota Hodo,Yuta IIDA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-26.

Method for fabricating electrode and semiconductor device

Номер патента: US11791201B2. Автор: Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Satoru Okamoto,Ryota Hodo,Yuta IIDA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Method for fabricating three-dimensional semiconductor device using buried stop layer in substrate

Номер патента: EP4139954A4. Автор: He Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-30.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: TWI261351B. Автор: Dong-Woo Shin,Jin-woong Kim,Jong-Min Lee,Hyung-Bok Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-09-01.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: TW200503237A. Автор: Dong-Woo Shin,Jin-woong Kim,Jong-Min Lee,Hyung-Bok Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-01-16.

Semiconductor structure and method for use in fabricating semiconductor structure

Номер патента: WO2018195701A1. Автор: 程凯,向鹏. Владелец: 苏州晶湛半导体有限公司. Дата публикации: 2018-11-01.

Process for fabricating power-mos semiconductor device and device obtained therewith

Номер патента: KR100202048B1. Автор: 귀세페페르라,카르멜로마르고,파올로란자. Владелец: 에세지에세-톰슨미크로엘렉트로닉수에세.에르.엘. Дата публикации: 1999-06-15.

Method for self-aligned solder reflow bonding and devices obtained thereof

Номер патента: US20170194283A1. Автор: Eric Beyne,Jaber Derakhshandeh,Vikas Dubey. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-07-06.

Method for detecting defects in semiconductor device

Номер патента: US11854913B2. Автор: Hong-Seng Shue,Victor Chiang Liang,Yang-Che CHEN,Chen-hua Lin,Huang-Wen Tseng,Chwen-Ming Liu,Wei-Yu Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

High voltage semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090114990A1. Автор: Jeong-ho Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-05-07.

Production Method of Semiconductor Device and Semiconductor Device

Номер патента: US20090283773A1. Автор: Takuto Yasumatsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-11-19.

Method for manufacturing a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: US6066540A. Автор: Young Jin Park,Seung Jin Yeom. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2000-05-23.

Method for manufacturing substrate for semiconductor device production, method for manufacturing semiconductor device, and method for cleaning apparatus for manufacturing semiconductor device

Номер патента: AU2003284448A1. Автор: Hikaru Kobayashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-18.

Method for manufacturing semiconductor device, method for manufacturing device provided with semiconductor device, semiconductor device, and device provided with semiconductor device

Номер патента: US20230162992A1. Автор: Takafumi Fukushima,Hisashi Kino,Tetsu Tanaka,Yuki Susumago. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2023-05-25.

Substrate for semiconductor device, resin-sealed semiconductor device, method for manufacturing said substrate for semiconductor device and method for manufacturing said resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US7947598B2. Автор: Shozo Ishikawa,Chikao Ikenaga. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2011-05-24.

Optoelectronic semiconductor device and manufacturing method of an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: WO2023222385A1. Автор: Anna Kasprzak-Zablocka,Tansen Varghese,Martin Hetzl. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2023-11-23.

Method for manufacturing tellurium-based semiconductor device, tellurium-based semiconductor device manufactured thereby, and thin film transistor

Номер патента: US20230352596A1. Автор: Jae Kyeong Jeong,Tai Kyu KIM. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2023-11-02.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufactuing same

Номер патента: US20140042461A1. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-02-13.

Methods for reducing heat transfer in semiconductor assemblies, and associated systems and devices

Номер патента: US20210343692A1. Автор: Andrew M. Bayless,Brandon P. Wirz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-04.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230307500A1. Автор: Takuma Suzuki. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Thin polycrystalline diamond layer fabricating method for use during fabricating semiconductor on diamond structure in electronics field, involves removing substrate, and polishing and thinning down diamond layer to obtain polished face

Номер патента: FR2938373A1. Автор: Marc Rabarot,Julie Widiez,Samuel Saada. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2010-05-14.

Processing system for fabricating compound nitride semiconductor devices

Номер патента: US20090194026A1. Автор: Sandeep Nijhawan,Roger N. Anderson,Ronald Stevens,Brian H. Burrows,Kenric T. Choi,Alexander Tam,Lori D. Washington,Joshua J. Podesta,Anthony F. White. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2009-08-06.

Method for separating selected articles from an array

Номер патента: US3627124A. Автор: Peter R Hance,Ronald I Strohl,William R Wanesky. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1971-12-14.

Process for fabricating three-dimensional semiconductor device

Номер патента: EP0168815A2. Автор: Hiroshi Hayama,Tadayoshi Enomoto,Masaaki Yasumoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1986-01-22.

Method for manufacturing semiconductor device, semiconductor device, method for manufacturing interim product of semiconductor device, interim product of semiconductor device, and lead frame

Номер патента: WO2009084597A1. Автор: Shuji Mori,Kiyoshi Matsunaga. Владелец: MITSUI HIGH-TEC, INC.. Дата публикации: 2009-07-09.

Method for manufacturing a complementary MOS type semiconductor device

Номер патента: US4743564A. Автор: Masaki Sato,Kazuyoshi Shinada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1988-05-10.

End cap apparatus of oxidation furnace for fabricating process of semiconductor device

Номер патента: KR960007619Y1. Автор: 이창식. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1996-09-03.

Gate structures for stacked semiconductor devices

Номер патента: US11776960B2. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,Keng-Chu Lin,Huicheng Chang,Sathaiya Mahaveer DHANYAKUMAR. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Gate Structures for Stacked Semiconductor Devices

Номер патента: US20230062940A1. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,Keng-Chu Lin,Huicheng Chang,Sathaiya Mahaveer DHANYAKUMAR. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130049117A1. Автор: Huilong Zhu,Qingqing Liang,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-02-28.

Nitride-based semiconductor module and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230354525A1. Автор: Chunhua ZHOU,Weigang YAO. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10770574B2. Автор: Naiqian Zhang,Xingxing Wu,Xinchuan ZHANG. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2020-09-08.

Trench gate semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US11374123B2. Автор: HAO LI,Jiye Yang,Longjie ZHAO. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-06-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130049116A1. Автор: Huilong Zhu,Qingqing Liang,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-02-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150340508A1. Автор: Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-26.

Trench gate semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US20210119038A1. Автор: HAO LI,Jiye Yang,Longjie ZHAO. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230178616A1. Автор: Yi Pei,Naiqian Zhang. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-06-08.

Method for manufacturing a radiation-emitting semiconductor component and radiation-emitting semiconductor component

Номер патента: US11171258B2. Автор: Christian Leirer,Isabel OTTO. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-11-09.

Nitride-based semiconductor module and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220359454A1. Автор: Chunhua ZHOU,Weigang YAO. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150144947A1. Автор: Akiharu Miyanaga. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-28.

Semiconductor device structure with bottom capacitor electrode having crown-shaped structure and interconnect portion and method for forming the same

Номер патента: US20220208955A1. Автор: Hung-Chi Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-06-30.

Compound semiconductor device, compound semiconductor substrate, and method for manufacturing compound semiconductor device

Номер патента: US20220005945A1. Автор: Keisuke Kawamura,Shigeomi Hishiki. Владелец: AIR WATER INC. Дата публикации: 2022-01-06.

Method for forming fine patterns of semiconductor devices, and method for forming semiconductor devices using the same, and semiconductor devices formed by using the same

Номер патента: KR102257038B1. Автор: 이철,신석호. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2021-05-28.

Method for producing a semiconductor device, method for producing a memory cell, semiconductor device, semiconductor processing device, integrated circuit with a memory cell

Номер патента: DE102008012339A1. Автор: Faiz Dahmani. Владелец: Altis Semiconductor SNC. Дата публикации: 2008-09-11.

Methods for forming shallow trench isolation structures in semiconductor devices

Номер патента: US20050142802A1. Автор: Young Seo. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Method for producing sealed optical semiconductor device

Номер патента: US11139419B2. Автор: Steven Swier,Eiji Kitaura,Masaaki Amako. Владелец: DuPont Toray Specialty Materials KK. Дата публикации: 2021-10-05.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20010001073A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuhiko Takemura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-05-10.

Semiconductor devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20040169274A1. Автор: Michio Asahina,Yukio Morozumi,Kazuki Matsumoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-02.

Methods for manufacturing thin film transistor and display device

Номер патента: US8349671B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shinya Sasagawa,Akihiro Ishizuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-08.

Method for generating identification code of semiconductor device, method for identifying semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: TW200608466A. Автор: Yoshiaki Yamaguchi,Tatsuya Furukawa,Koichi Shimokawa. Владелец: Matsushita Electric Ind Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-01.

A compact scr device and method for integrated circuits

Номер патента: WO2006036447A2. Автор: Cheng-Hsiung Huang,Chih-Ching Shih,Yow-Juang Liu,Hugh O. Sungki. Владелец: Altera Corporation. Дата публикации: 2006-04-06.

Contacts for semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US11961893B2. Автор: Jyun-De Wu,Yi-Chen Wang,Yi-Chun Chang,Te-Chih Hsiung,Yuan-Tien Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20230238235A1. Автор: Tao Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor device package and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230326836A1. Автор: Matthew Anthony,Ricardo Yandoc,Jorex Lumanog. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070026592A1. Автор: Yong Shin. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2007-02-01.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210358859A1. Автор: Ming-Hung Chen,Hui-Ping JIAN,Wei-Zhen QIU. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-11-18.

Semiconductor device and method for preparing the same

Номер патента: US20200161191A1. Автор: Jui-Hsiu JAO,Chun-Shun Huang,Wei-Li LAI. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230326965A1. Автор: Fei Zhao,Huaxiang Yin,Jun Luo,Yongliang Li,Wenwu Wang,Xiaohong Cheng,Anlan Chen. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-10-12.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024040515A1. Автор: Xiao Zhang,Wen-Yuan HSIEH,Yong Han,Lijie Zhang,Jue Ouyang. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-02-29.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160087032A1. Автор: Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-03-24.

Semiconductor device package and method for manufacturing the same

Номер патента: EP4213203A1. Автор: Zhou Zhou,Adam Brown,Ricardo Yandoc. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-07-19.

Semiconductor device package and method for manufacturing the same

Номер патента: EP4261880A1. Автор: Matthew Anthony,Ricardo Yandoc,Jorex Lumanog. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-10-18.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20200286811A1. Автор: Takaaki Shirasawa,Nobuyoshi Kimoto,Shintaro Araki,Hideo KOMO,Takeshi Omaru. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Semiconductor device and method for forming same

Номер патента: US20240055409A1. Автор: Kaimin Lv. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US20240153873A1. Автор: Yu-Hsin Wu,Hui Tzu CHAN. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20130137198A1. Автор: Shin Harada,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-05-30.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP4273934A1. Автор: Yuan Fang,Ke Jiang,Huiling ZUO,Chunlin ZHU,Xukun ZHANG,Junli Xiang,Jinshan SHI. Владелец: Nexperia Technology Shanghai Ltd. Дата публикации: 2023-11-08.

Method for producing pillar-shaped semiconductor device

Номер патента: US20240206146A1. Автор: Kenichi Kanazawa,Yisuo Li. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220231129A1. Автор: Hideto Tamaso. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Method for measuring overlay and measuring apparatus, scanning electron microscope, and GUI

Номер патента: US9799112B2. Автор: Yuji Takagi,Minoru Harada,Fumihiko Fukunaga,Ryo Nakagaki. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

COMPOSITE GaN SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING COMPOSITE GaN SUBSTRATE, GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130175543A1. Автор: Okahisa Takuji,Matsubara Hideki,Kiyama Makoto. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2013-07-11.

EPITAXIAL SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING EPITAXIAL SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130181327A1. Автор: MIYOSHI Makoto,ICHIMURA Mikiya,MAEHARA Sota,TANAKA Mitsuhiro. Владелец: NGK Insulators, Ltd.. Дата публикации: 2013-07-18.

Etching composition, method for etching insulating film of semiconductor devices using the same and method for preparing semiconductor devices

Номер патента: US20210062088A1. Автор: Cheol Woo Kim,Kwang Kuk Lee,Young Bom Kim,Jin Kyung Jo,Jong Ho Lee,Jae Hoon Kwak,Jung Ha SHIN. Владелец: SK Materials Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

ETCHING COMPOSITION, METHOD FOR ETCHING INSULATING FILM OF SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME AND METHOD FOR PREPARING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20210062089A1. Автор: Lee Jong Ho,KIM Cheol Woo,LEE Kwang Kuk,KWAK Jae Hoon,KIM Young Bom,SHIN Jung Ha,JO Jin Kyung. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-04.

ETCHING COMPOSITION, METHOD FOR ETCHING INSULATING LAYER OF SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHOD FOR PREPARING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20200131439A1. Автор: Lee Jong Ho,Shim Yu Na,KIM Cheol Woo,LEE Kwang Kuk,KWAK Jae Hoon,KIM Young Bom,JO Jin Kyung. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

METHOD FOR FORMING OXIDE SEMICONDUCTOR FILM, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170323789A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Watanabe Masahiro,NAKASHIMA Motoki,OKAZAKI Kenichi,MASHIYAMA Mitsuo,KISHIDA Hideyuki. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-09.

Etching composition, method for etching insulating layer of semiconductor devices, method for preparing semiconductor devices and silane compound

Номер патента: KR102024758B1. Автор: 김철우,심유나,이광국,김영범,조진경. Владелец: 에스케이머티리얼즈 주식회사. Дата публикации: 2019-09-25.

Method for forming patterns in a semiconductor device and method for a semiconductor device using the same

Номер патента: KR100489657B1. Автор: 이수웅,안주진. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-05-17.

Light-emitting semiconductor device using gallium nitride group compound

Номер патента: CA2037198C. Автор: Shiro Yamazaki,Masafumi Hashimoto,Katsuhide Manabe,Isamu Akasaki,Akira Mabuchi,Norikatsu Koide,Hisaki Kato,Michinari Sassa. Владелец: Nagoya University NUC. Дата публикации: 1996-04-23.

Epitaxial substrate for semiconductor device, semiconductor device, and method for manufacturing epitaxial substrate for semiconductor device

Номер патента: KR102491830B1. Автор: 요시타카 구라오카,소타 마에하라,미키야 이치무라. Владелец: 엔지케이 인슐레이터 엘티디. Дата публикации: 2023-01-25.

Method for forming fine patterns of semiconductor devices and method for forming semiconductor devices using the same

Номер патента: KR102192350B1. Автор: 김경섭,김명철,김성봉. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2020-12-18.

Conductive bump, method for manufacturing the conductive bump, semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: KR101155709B1. Автор: 다이스케 사쿠라이,요시히코 야기. Владелец: 파나소닉 주식회사. Дата публикации: 2012-06-12.

Sealing resin composition, method for producing sealing resin composition, semiconductor device, and method for producing semiconductor device

Номер патента: WO2019035431A1. Автор: 彩 水島,貴広 中田,恵太 湧口. Владелец: 日立化成株式会社. Дата публикации: 2019-02-21.

Method for isolating elements of semiconductor device

Номер патента: US5719086A. Автор: Jong Choul Kim,Byung Jin Cho,Young Bog Kim,Sung Ku Kwon. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-02-17.

Method for forming patterns in a semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: KR20180082851A. Автор: 이일형,김종규,김상국,공유철,윤혜지. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2018-07-19.

Etching composition, method for etching insulating film of semiconductor devices using the same and method for preparing semiconductor devices

Номер патента: TW202111093A. Автор: 金喆禹,郭宰熏,辛姃河,李宗昊,李光國,金榮汎,趙珍耿. Владелец: 南韓商愛思開新材料有限公司. Дата публикации: 2021-03-16.

Semiconductor device, substrate for manufacturing semiconductor device, and method for manufacturing substrate for manufacturing semiconductor device

Номер патента: JPWO2006009029A1. Автор: 永 知加雄 池,永 知加雄 池,謙太朗 関,川 和 人 細,川 和 人 細,結 卓 司 桶,結 卓 司 桶,川 桂 介 吉,川 桂 介 吉,村 和 弘 池,村 和 弘 池. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2008-05-01.

Etching composition, method for etching insulating film of semiconductor devices using the same and method for preparing semiconductor devices

Номер патента: US11186772B2. Автор: Cheol Woo Kim,Kwang Kuk Lee,Young Bom Kim,Jin Kyung Jo,Jong Ho Lee,Jae Hoon Kwak,Jung Ha SHIN. Владелец: SK Materials Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-30.

Method for forming semiconductor thin film, semiconductor device, method for producing semiconductor device, substrate, and thin film substrate

Номер патента: WO2012127769A1. Автор: 西谷　輝,孝啓 川島,盛 大高. Владелец: パナソニック株式会社. Дата публикации: 2012-09-27.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US6096607A. Автор: Katsunori Ueno. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2000-08-01.

Semiconductor device with improved breakdown properties and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090014785A1. Автор: Peter Moens,Filip Bauwens,Joris Baele,Marnix Tack. Владелец: AMI Semiconductor Belgium BVBA. Дата публикации: 2009-01-15.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: EP2840595A1. Автор: Yuichi Takeuchi,Naohiro Sugiyama. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2015-02-25.

Etching composition, method for etching insulating film of semiconductor devices using the same and method for preparing semiconductor devices

Номер патента: TW202108747A. Автор: 金喆禹,郭宰熏,辛姃河,李宗昊,李光國,金榮汎,趙珍耿. Владелец: 南韓商愛思開新材料有限公司. Дата публикации: 2021-03-01.

Method for manufacture of semiconductor device

Номер патента: US5013677A. Автор: Hiroki Hozumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1991-05-07.

Semiconductor device, substrate for manufacturing semiconductor device, and method for manufacturing substrate for manufacturing semiconductor device

Номер патента: JP4818109B2. Автор: 永 知加雄 池,謙太朗 関,川 和 人 細,結 卓 司 桶,川 桂 介 吉,村 和 弘 池. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2011-11-16.

Method for manufacturing gallium nitride semiconductor device

Номер патента: US11784039B2. Автор: Shoichi Onda,Masatake Nagaya,Daisuke Kawaguchi,Jun Kojima,Kazukuni Hara,Chiaki Sasaoka. Владелец: Tokai National Higher Education and Research System NUC. Дата публикации: 2023-10-10.

Epitaxial substrate for semiconductor device, method for manufacturing epitaxial substrate for semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20130181327A1. Автор: Mitsuhiro Tanaka,Makoto Miyoshi,Sota Maehara,Mikiya Ichimura. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2013-07-18.

System and Method for Production Line Monitoring

Номер патента: US20160377552A1. Автор: Martin Plihal,Saravanan Paramasivam. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2016-12-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11894457B2. Автор: Weiwei Ge. Владелец: Joulwatt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US9368412B2. Автор: Fenghua FU,Yunchu Yu,Yihua Shen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-06-14.

Radiation-emitting semiconductor component and method for producing radiation-emitting semiconductor component

Номер патента: US11848406B2. Автор: Roland Heinrich Enzmann,Martin Rudolf Behringer,Hubert Halbritter. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2023-12-19.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US9583346B2. Автор: Takeyoshi Masuda,Shunsuke Yamada,Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Method for forming oxide semiconductor film, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11967648B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Watanabe,Kenichi Okazaki,Hideyuki Kishida,Motoki Nakashima,Mitsuo Mashiyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Method for producing a pillar-shaped semiconductor memory device

Номер патента: US20190123053A1. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2019-04-25.

Method for manufacturing semiconductor

Номер патента: US20100203680A1. Автор: Hideo Oi. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2010-08-12.

Method for producing pillar-shaped semiconductor device

Номер патента: US20200119166A1. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor devices with backside power rail and methods of fabrication thereof

Номер патента: US11942530B2. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Chun-Yuan Chen,Pei-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Method for Stress Reduced Manufacturing Semiconductor Devices

Номер патента: US20140141592A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Peter Irsigler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-05-22.

Method for forming wells of semiconductor device

Номер патента: US5981327A. Автор: Jin-Ho Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1999-11-09.

Etching composition, method for etching insulating layer of semiconductor devices and method for preparing semiconductor devices

Номер патента: US20200131439A1. Автор: Cheol Woo Kim,Yu Na Shim,Kwang Kuk Lee,Young Bom Kim,Jin Kyung Jo,Jong Ho Lee,Jae Hoon Kwak. Владелец: SK Materials Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Method for forming oxide semiconductor film, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230050036A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Watanabe,Kenichi Okazaki,Hideyuki Kishida,Motoki Nakashima,Mitsuo Mashiyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-16.

Method for forming oxide semiconductor film, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230420568A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Watanabe,Kenichi Okazaki,Hideyuki Kishida,Motoki Nakashima,Mitsuo Mashiyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Method for forming oxide semiconductor film, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230420569A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Watanabe,Kenichi Okazaki,Hideyuki Kishida,Motoki Nakashima,Mitsuo Mashiyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Method for forming oxide semiconductor film, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170323789A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Watanabe,Kenichi Okazaki,Hideyuki Kishida,Motoki Nakashima,Mitsuo Mashiyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-09.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150371903A1. Автор: Fenghua FU,Yunchu Yu,Yihua Shen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-12-24.

Semiconductor devices with backside power rail and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20220093766A1. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Chun-Yuan Chen,Pei-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-24.

Radiation-emitting semiconductor component and method for producing radiation-emitting semiconductor component

Номер патента: US20240055568A1. Автор: Roland Heinrich Enzmann,Martin Rudolf Behringer,Hubert Halbritter. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2024-02-15.

Method for producing pillar-shaped semiconductor device

Номер патента: US20190157426A1. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

METHOD FOR FORMING PASSIVATION AREA ON SEMICONDUCTOR DEVICE, INFRARED RADIATION SENSITIVE PHOTODIODE ARRAY, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND METHOD FOR PASSIVATING SURFACE OF BODY

Номер патента: FR2872345A1. Автор: Charles Cockrum,David R Rhiger,Eric F Schulte. Владелец: Santa Barbara Research Center. Дата публикации: 2005-12-30.

Semiconductor device having an oxynitride film

Номер патента: US5874766A. Автор: Takashi Hori. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1999-02-23.

Method for generating layout pattern of semiconductor device and layout pattern generating apparatus

Номер патента: US20100152876A1. Автор: Tomoyuki Inoue. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-06-17.

Systems and methods for direct bonding in semiconductor die manufacturing

Номер патента: US20230066395A1. Автор: Kyle K. Kirby,Bang-Ning Hsu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Trench-gate semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4343850A1. Автор: FENG Zhou,Yi Zhang,Bo Gao,Fei Hu,Boning Huang,Longgu TANG. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-27.

RESIN SHEET FOR SEALING ELECTRONIC COMPONENT, RESIN-SEALED TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING RESIN-SEALED TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140042645A1. Автор: MATSUMURA Takeshi,Toyoda Eiji,SHIMIZU Yusaku,Torinari Tsuyoshi. Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2014-02-13.

THERMOSETTING RESIN SHEET FOR SEALING ELECTRONIC COMPONENT, RESIN-SEALED TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR PRODUCING RESIN-SEALED TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140061955A1. Автор: MATSUMURA Takeshi,Uenda Daisuke,Toyoda Eiji,SHIMIZU Yusaku,Torinari Tsuyoshi. Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2014-03-06.

NOBLE METAL-COATED SILVER WIRE FOR BALL BONDING AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING NOBLE METAL-COATED SILVER WIRE FOR BALL BONDING AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20210050321A1. Автор: Chiba Jun,Antoku Yuki,KAWANO Shota. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-18.

MEMORY DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHODS FOR PRODUCING MEMORY DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160240586A1. Автор: MASUOKA Fujio,Nakamura Hiroki. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-18.

METHOD FOR PREPARING SILICIDE OF A SEMICONDUCTOR DEVICE AND A SOURCE/DRAIN FOR USE IN THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150279737A1. Автор: Lee Hoojeong,NA Sekwon,KANG Jun Gu. Владелец: RESEARCH & BUSINESS FOUNDATION SUNGKYUNKWAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-10-01.

COPPER METAL FILM, METHOD FOR PREPARING THE SAME, AND METHOD FOR FORMING COPPER INTERCONNECT FOR SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20160305024A1. Автор: PARK Jae-Min,LEE Won-Jun. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-20.

NOBLE METAL-COATED SILVER WIRE FOR BALL BONDING AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING NOBLE METAL-COATED SILVER WIRE FOR BALL BONDING AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20200395330A1. Автор: Chiba Jun,Antoku Yuki,KAWANO Shota. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-17.

Complementary metal oxide semiconductor device, and method for forming a metal oxide semiconductor device and a complementary metal oxide semiconductor device

Номер патента: KR100797138B1. Автор: 토마스 엔. 호스키,데일 씨. 제이콥슨. Владелец: 세미이큅, 인코포레이티드. Дата публикации: 2008-01-22.

Method for forming metal wiring for semiconductor device and semiconductor device therefore

Номер патента: KR100671558B1. Автор: 김석수. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-01-19.

Receiving device, control method for the device, program, and semiconductor device

Номер патента: EP1768394A1. Автор: Satoshi Mats. El. Ind. Co. IPROC IP Dev KONDO,Takahiro Mats. El. Ind. Co. IPROC IP Dev NISHI,Hisao Mats. El. Ind. Co. IPROC IP Dev. SASAI,Toshiyasu Mats. El. Ind. Co IPROC IP Dev SUGIO,Tadamasa Mats. El. Ind. Co. IPROC IP Dev TOMA. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2007-03-28.

Package for semiconductor device, and method for manufacturing the same and semiconductor device

Номер патента: CN102299132A. Автор: 西野正纪,堀木厚. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-28.

Package for semiconductor device, and method for manufacturing the same and semiconductor device

Номер патента: CN102299132B. Автор: 西野正纪,堀木厚. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-26.

Semiconductor device having recess and planarized layers

Номер патента: US20060115987A1. Автор: Trung Doan,Tyler Lowrey. Владелец: Lowrey Tyler A. Дата публикации: 2006-06-01.

Plate-shaped epoxy resin composition for semiconductor device encapsulation, method for manufacturing the same, and semiconductor device encapsulated using the same

Номер патента: KR102319560B1. Автор: 김상진,이영준,조용한. Владелец: 삼성에스디아이 주식회사. Дата публикации: 2021-10-29.

Apparatus and method for producing group III nitride semiconductor device and method for producing semiconductor wafer

Номер патента: US9773667B2. Автор: Kenji Ishikawa,Masaru Hori,Osamu Oda,Hiroki Kondo. Владелец: Nagoya University NUC. Дата публикации: 2017-09-26.

METHOD FOR MANUFACTURING INTERCONNECTION DRAWINGS FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND DEVICES FORMED THEREFROM

Номер патента: FR2569494B1. Автор: Kenichi Kurihara,Yojiro Kamei,Masahiro Kameda. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 1988-08-12.

Methods for testing a group of semiconductor devices simultaneously, and devices amenable to such methods of testing

Номер патента: US6492832B2. Автор: Ki-hwan Choi,Young-Ho Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-12-10.

Receiving Device, Control Method For The Device, Program, And Semiconductor Device

Номер патента: US20070211172A1. Автор: Satoshi Kondo,Takahiro Nishi,Hisao Sasai,Toshiyasu Sugio,Tadamasa Toma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-13.

Light-emitting semiconductor device, light-emitting device and method for manufacturing a light-emitting semiconductor device

Номер патента: DE112016002493B4. Автор: Christoph Berger,Armin Dadgar,Andre Strittmatter. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2022-12-15.

Substrate for semiconductor device and method for manufacturing the same and semiconductor device

Номер патента: KR100945438B1. Автор: 이혜용,최영준. Владелец: 주식회사루미지엔테크. Дата публикации: 2010-03-05.

METHOD FOR MANUFACTURING INTERCONNECTION DRAWINGS FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND DEVICES FORMED BY ITS IMPLEMENTATION

Номер патента: FR2569494A1. Автор: Kenichi Kurihara,Yojiro Kamei,Masahiro Kameda. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 1986-02-28.

Thermosetting resin sheet for sealing electronic component, resin-sealed type semiconductor device, and method for producing resin-sealed type semiconductor device

Номер патента: US9147625B2. Автор: Eiji Toyoda,Takeshi Matsumura,Daisuke Uenda,Tsuyoshi Torinari,yusaku Shimizu. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2015-09-29.

Methods for testing a group of semiconductor devices simultaneously, and devices amenable to such methods of testing

Номер патента: US20020149983A1. Автор: Ki-hwan Choi,Young-Ho Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-10-17.

Chip-scale packaged vertical semiconductor device

Номер патента: EP4213199A1. Автор: Hans-Juergen Funke,Wolfgang Schnitt,Joep Stokkermans,Stefan Berglund,Hartmut Bünning,Johannes Josinus Kuipers,Rene Poelma. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-07-19.

Manufacturing method of high-voltage semiconductor device with increased breakdown voltage

Номер патента: US11769794B2. Автор: Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor device and method for detecting damaging of a semiconductor device

Номер патента: US20150253375A1. Автор: DIRK Meinhold. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-09-10.

Power semiconductor device and method for manufacturing such a power semiconductor device

Номер патента: US20130334566A1. Автор: Munaf Rahimo,Iulian NISTOR,Friedhelm Bauer,Maxi ANDENNA,Marco Bellini. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2013-12-19.

Thermosetting resin sheet for sealing electronic component, resin-sealed type semiconductor device, and method for producing resin-sealed type semiconductor device

Номер патента: SG2013064712A. Автор: MATSUMURA Takeshi,Uenda Daisuke,Toyoda Eiji,SHIMIZU Yusaku,Torinari Tsuyoshi. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2014-03-28.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220336219A1. Автор: Daisuke Taniguchi,Toshikazu Tanioka,Junya MIWA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-10-20.

Noble metal-coated silver wire for ball bonding and method for producing the same, and semiconductor device using noble metal-coated silver wire for ball bonding and method for producing the same

Номер патента: US20210050321A1. Автор: Jun Chiba,Yuki Antoku,Shota KAWANO. Владелец: Tanaka Denshi Kogyo KK. Дата публикации: 2021-02-18.

Pitch split patterning for semiconductor devices

Номер патента: US20180006138A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Kangguo Cheng,John H. Zhang,Balasubramanian S. Pranatharthiharan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Substrate Structure Having Buried Wiring And Method For Manufacturing The Same, And Semiconductor Device And Method For Manufacturing The Same Using The Substrate Structure

Номер патента: US20120108034A1. Автор: Gil-heyun Choi,Pil-Kyu Kang,Byung-lyul Park,Dae-Lok Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-05-03.

Temperature control method for substrate heat treatment apparatus, semiconductor device manufacturing method, temperature control program for substrate heat treatment apparatus, and recording medium

Номер патента: US20120219921A1. Автор: Kaori Mashimo,Masami Shibagaki. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2012-08-30.

POLYIMIDE PRECURSOR COMPOSITION, PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, CURED FILM, METHOD FOR PRODUCING CURED FILM, A SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR PRODUCING POLYIMIDE PRECURSOR COMPOSITION

Номер патента: US20180079864A1. Автор: Shibuya Akinori,OOHASHI Hidekazu,Kawabata Takeshi,IWAI Yu,AMEMIYA Takuma. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2018-03-22.

PRECURSOR COMPOSITION, PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, METHOD FOR PRODUCING PRECURSOR COMPOSITION, CURED FILM, METHOD FOR PRODUCING CURED FILM, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180118887A1. Автор: Shibuya Akinori,KOYAMA Ichiro,Kawabata Takeshi,IWAI Yu. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2018-05-03.

Apparatus and Method for Producing Group III Nitride Semiconductor Device and Method for Producing Semiconductor Wafer

Номер патента: US20150140788A1. Автор: Hori Masaru,Kondo Hiroki,Oda Osamu,Ishikawa Kenji. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-21.

GROUP III NITRIDE COMPOSITE SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140225229A1. Автор: Matsumoto Naoki,ISHIBASHI Keiji,Hachigo Akihiro. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2014-08-14.

NEGATIVE PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, PRODUCTION METHOD FOR POLYIMIDE, PRODUCTION METHOD FOR CURED RELIEF PATTERN, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220291585A1. Автор: HIRATA Tatsuya,SHIMIZU Takeki,MATSUMOTO Suzuka. Владелец: ASAHI KASEI KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2022-09-15.

GROUP III NITRIDE COMPOSITE SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180166325A1. Автор: Matsumoto Naoki,ISHIBASHI Keiji,Uematsu Koji,Yamamoto Yoshiyuki,Hachigo Akihiro,Mikami Hidenori,Yoshizumi Yusuke,NAKAHATA Seiji,Seki Yuki,NAKANISHI Fumitake,YANAGISAWA Takuya,Hiromura Yuki. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2018-06-14.

GROUP III NITRIDE COMPOSITE SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160190001A1. Автор: Matsumoto Naoki,ISHIBASHI Keiji,Hachigo Akihiro. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.

GROUP III NITRIDE COMPOSITE SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150194442A1. Автор: Matsumoto Naoki,ISHIBASHI Keiji,Uematsu Koji,Yamamoto Yoshiyuki,Hachigo Akihiro,Mikami Hidenori,Yoshizumi Yusuke,NAKAHATA Seiji,Seki Yuki,NAKANISHI Fumitake,YANAGISAWA Takuya,Hiromura Yuki. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd. Дата публикации: 2015-07-09.

GROUP III NITRIDE COMPOSITE SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200176305A1. Автор: Matsumoto Naoki,ISHIBASHI Keiji,Uematsu Koji,Yamamoto Yoshiyuki,Hachigo Akihiro,Mikami Hidenori,Yoshizumi Yusuke,NAKAHATA Seiji,Seki Yuki,NAKANISHI Fumitake,YANAGISAWA Takuya,Hiromura Yuki. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2020-06-04.

Method for Producing Conversion Elements, Conversion Elements, Method for Producing a Light-Emitting Semiconductor Device, and a Light-Emitting Semiconductor Component

Номер патента: US20210280749A1. Автор: SCHMIDTKE Kathy,Gebuhr Tobias. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-09.

Method for removing photoresist layer and method for forming metal line in semiconductor device using the same

Номер патента: US20060128151A1. Автор: Sang-wook Ryu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-15.

Semiconductor element and a producing method for the same, and a semiconductor device and a producing method for the same

Номер патента: KR100545008B1. Автор: 니시야마도모히로,다고마사모토. Владелец: 닛본 덴끼 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2006-01-24.

Precursor composition, photosensitive resin composition, method for producing precursor composition, cured film, method for producing cured film, and semiconductor device

Номер патента: JPWO2017002858A1. Автор: 明規 渋谷,一郎 小山,悠 岩井,健志 川端,渋谷　明規. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2018-04-12.

Semiconductor thin film and method for manufacturing the same and semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: TW374196B. Автор: Kenji Fukunaga,Shunpei Yamazaki,Jun Koyama,Shoji Miyanaga. Владелец: Semiconductor Energy Lab Co Ltd. Дата публикации: 1999-11-11.

Method for forming a pattern in semiconductor device and method for forming a transistor using the same

Номер патента: KR101508920B1. Автор: 이동각,황기현,김진균. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2015-04-06.

Method for processing amorphous carbon film, semiconductor device manufacturing method using the method and computer-readable storage medium relating thereto

Номер патента: KR101130086B1. Автор: 히라쿠 이시카와,타카아키 마츠오카. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2012-03-28.

METHOD FOR DRY FABRICATION OF A SEMICONDUCTOR DEVICE BY PHOTOCHEMICAL REACTION AND APPARATUS FOR CARRYING OUT SAID METHOD

Номер патента: FR2545984A1. Автор: Jun-ichi Nishizawa. Владелец: Semiconductor Research Foundation. Дата публикации: 1984-11-16.

Method for forming metal line of semiconductor device by using lpcvd method and pecvd method

Номер патента: KR100445409B1. Автор: 김용달. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-11-06.

Method for removing photoresist layer and method for forming metal line in semiconductor device using the same

Номер патента: US7309652B2. Автор: Sang-wook Ryu. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2007-12-18.

Apparatus and method for producing group iii nitride semiconductor device and method for producing semiconductor wafer

Номер патента: KR102330144B1. Автор: 겐지 이시카와,히로키 곤도,오사무 오다,마사루 호리. Владелец: 고쿠리츠 다이가쿠 호우징 도우카이 고쿠리츠 다이가쿠 기코우. Дата публикации: 2021-11-22.

Curable resin composition, method for producing curable resin composition, cured film, laminate, method for producing cured film, and semiconductor device

Номер патента: TW202122468A. Автор: 二橋亘. Владелец: 日商富士軟片股份有限公司. Дата публикации: 2021-06-16.

Resist composition, method for forming resist pattern, and semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070224537A1. Автор: Koji Nozaki,Miwa Kozawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-09-27.

Resist composition, method for forming resist pattern, and semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: KR100743008B1. Автор: 코지 노자키,미와 코자와. Владелец: 후지쯔 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2007-07-27.

Circuit board and method for manufacturing the same and semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: CN100456444C. Автор: 今村博之,幸谷信之. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-28.

Negative photosensitive resin composition, production method for polyimide, production method for cured relief pattern, and semiconductor device

Номер патента: TW202223541A. Автор: 平田竜也,清水建樹,松本涼香. Владелец: 日商旭化成股份有限公司. Дата публикации: 2022-06-16.

Circuit board and method for manufacturing the same and semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20050218496A1. Автор: Hiroyuki Imamura,Nobuyuki Koutani. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-10-06.

Sealing method, sealing layer, mixed liquid for sealing layer formation, method for producing sealing layer, and semiconductor device

Номер патента: WO2020110534A1. Автор: 有章 志田,井　宏元,幸宏 牧島. Владелец: コニカミノルタ株式会社. Дата публикации: 2020-06-04.

Method for forming landing pad

Номер патента: US20020111006A1. Автор: King-Lung Wu,Kun-Chi Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-08-15.

Method for creating narrow trenches in dielectric materials

Номер патента: US20070066028A1. Автор: Gerald Beyer. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2007-03-22.

Method for forming super-junction corner and termination structure with graded sidewalls

Номер патента: US20210257461A1. Автор: Madhur Bobde,Lingpeng Guan,Karthik Padmanabhan. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Method for forming sidewall spacers and semiconductor devices fabricated thereof

Номер патента: US11990374B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Kuan-Ting Pan,Yi-Ruei JHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Method for forming sidewall spacers and semiconductor devices fabricated thereof

Номер патента: US20230124914A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Kuan-Ting Pan,Yi-Ruei JHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Method for forming sidewall spacers and semiconductor devices fabricated thereof

Номер патента: US20220293769A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Kuan-Ting Pan,Yi-Ruei JHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

Method for forming buried bit line, semiconductor device having the same, and fabricating method thereof

Номер патента: US20130146958A1. Автор: Jin-Ki Jung,You-Song Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-13.

POWER SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SUCH A POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130334566A1. Автор: Rahimo Munaf,Andenna Maxi,Nistor Iulian,Bellini Marco,Bauer Friedhelm. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2013-12-19.

P-TYPE OXIDE, P-TYPE OXIDE-PRODUCING COMPOSITION, METHOD FOR PRODUCING P-TYPE OXIDE, SEMICONDUCTOR DEVICE, DISPLAY DEVICE, IMAGE DISPLAY APPARATUS, AND SYSTEM

Номер патента: US20140009514A1. Автор: Nakamura Yuki,Sone Yuji,Ueda Naoyuki,Abe Yukiko,Matsumoto Shinji,Takada Mikiko,Saotome Ryoichi. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-09.

Method for Producing a Radiation-Emitting Semiconductor Device and Radiation-Emitting Semiconductor Device

Номер патента: US20220028926A1. Автор: Katz Simeon. Владелец: . Дата публикации: 2022-01-27.

Insulated gate semiconductor device and method for manufacturing the insulated gate semiconductor device

Номер патента: US20170025516A1. Автор: Jun Saito,Toshimasa Yamamoto,Tomoyuki Shoji,Tomoharu IKEDA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-01-26.

Power semiconductor device and method for manufacturing such a power semiconductor device

Номер патента: US20180047652A1. Автор: Munaf Rahimo,Charalampos Papadopoulos. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2018-02-15.

METHOD FOR FORMING BURIED BIT LINE, SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING THE SAME, AND FABRICATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20180053770A1. Автор: Kim You-Song,Jung Jin-Ki. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-22.

DEVICE ARCHITECTURE AND METHOD FOR PRECISION ENHANCEMENT OF VERTICAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20140145240A1. Автор: III Thomas E.,Harrington. Владелец: D3 Semiconductor LLC. Дата публикации: 2014-05-29.

PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, METHOD FOR PRODUCING HARDENED RELIEF PATTERN, SEMICONDUCTOR DEVICE AND DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20170102613A1. Автор: Sasaki Takahiro,SHIBUI Satoshi,HIRATA Tatsuya,YAMADA Taisuke. Владелец: ASAHI KASEI E-MATERIALS CORPORATION. Дата публикации: 2017-04-13.

Silicon Carbide Semiconductor Device and a Method for Forming a Silicon Carbide Semiconductor Device

Номер патента: US20190123148A1. Автор: Schulze Hans-Joachim,Ruhl Guenther,Rupp Roland. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-25.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160133741A1. Автор: WATANABE Yukihiko,Onogi Atsushi,AOI Sachiko,SAKAKIBARA Jun,MATSUKI Hideo. Владелец: TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2016-05-12.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH A CHARGE CARRIER COMPENSATION STRUCTURE AND METHOD FOR THE PRODUCTION OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140231969A1. Автор: Mauder Anton,Hirler Franz,Willmeroth Armin,Kapels Holger,RUEB Michael. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-08-21.

LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE, LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING A LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180166854A1. Автор: STRITTMATTER André,Dadgar Armin,Berger Christoph. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-14.

TEST STRUCTURE, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR OBTAINING FABRICATING INFORMATION IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200161195A1. Автор: Hsu Shih-Hsing. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-21.

P-TYPE OXIDE, P-TYPE OXIDE-PRODUCING COMPOSITION, METHOD FOR PRODUCING P-TYPE OXIDE, SEMICONDUCTOR DEVICE, DISPLAY DEVICE, IMAGE DISPLAY APPARATUS, AND SYSTEM

Номер патента: US20190172914A1. Автор: Nakamura Yuki,Sone Yuji,Ueda Naoyuki,Abe Yukiko,Matsumoto Shinji,Takada Mikiko,Saotome Ryoichi. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2019-06-06.

DEVICE ARCHITECTURE AND METHOD FOR PRECISION ENHANCEMENT OF VERTICAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20170179024A1. Автор: III Thomas E.,Harrington. Владелец: D3 Semiconductor LLC. Дата публикации: 2017-06-22.

Method for Producing a Light-Emitting Semiconductor Device and Light-Emitting Semiconductor Device

Номер патента: US20200194631A1. Автор: Raukas Madis,Kundaliya Darshan. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-18.

METHOD FOR PRODUCING A LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE AND LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150228870A1. Автор: Sabathil Matthias,Goeoetz Britta,Moosburger Juergen,Ploessl Andreas. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-13.

Lateral Power Semiconductor Device and Method for Manufacturing a Lateral Power Semiconductor Device

Номер патента: US20140319610A1. Автор: Mauder Anton,Weis Rolf,Thyssen Norbert. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-30.

Semiconductor device and method for detecting damaging of a semiconductor device

Номер патента: US20150253375A1. Автор: Meinhold Dirk. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-10.

METHOD FOR MANUFACTURING MOUNTING DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200243356A1. Автор: TAKANO Tetsuo,Maeda Toru,Nakamura Tomonori. Владелец: SHINKAWA LTD.. Дата публикации: 2020-07-30.

INTERFACE LAYER CONTROL METHODS FOR SEMICONDUCTOR POWER DEVICES AND SEMICONDUCTOR DEVICES FORMED THEREOF

Номер патента: US20210336022A1. Автор: Lichtenwalner Daniel Jenner. Владелец: . Дата публикации: 2021-10-28.

METHOD FOR FORMING BURIED BIT LINE, SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING THE SAME, AND FABRICATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20160284710A1. Автор: Kim You-Song,Jung Jin-Ki. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-29.

POWER SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SUCH A POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140370665A1. Автор: Rahimo Munaf,Corvasce Chiara,VOBECKY Jan,Otani Yoichi. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2014-12-18.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDCUTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200266275A1. Автор: KOMATANI Tsutomu,KURACHI Shunsuke. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC.. Дата публикации: 2020-08-20.

ELECTROSTATIC ATTACHMENT CHUCK, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20180315635A1. Автор: Mitsui Takahiko,Ito Toshihiro,YAMAMOTO Eiichi,TERAKUBO Yoshihiro. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-01.

TWO-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE, OPTOELECTRONIC UNIT AND METHOD FOR MAKING THE TWO-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200312965A1. Автор: CHEN Chun-An,Zhang Xin-quan,Chen I-tung,Lee Yi-hsien,LAI YING-YU. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-01.

DEVICE ARCHITECTURE AND METHOD FOR PRECISION ENHANCEMENT OF VERTICAL SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20150340318A1. Автор: III Thomas E.,Harrington. Владелец: D3 Semiconductor LLC. Дата публикации: 2015-11-26.

Semiconductor Device and Methods for Forming a Plurality of Semiconductor Devices

Номер патента: US20170338153A1. Автор: ENGELHARDT Manfred,Baumgartl Johannes,Muri Ingo,HELLMUND Oliver,Moder Iris. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-23.

Semiconductor Device and Method for Producing a Plurality of Semiconductor Devices

Номер патента: US20170338384A1. Автор: Thomas Schwarz,Frank Singer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-11-23.

Method for filling polysilicon gate in semiconductor devices, and semiconductor devices

Номер патента: US20150357340A1. Автор: GUO JUNG-YI,CHENG CHUN-MIN. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-10.

P-TYPE OXIDE, P-TYPE OXIDE-PRODUCING COMPOSITION, METHOD FOR PRODUCING P-TYPE OXIDE, SEMICONDUCTOR DEVICE, DISPLAY DEVICE, IMAGE DISPLAY APPARATUS, AND SYSTEM

Номер патента: US20170345901A1. Автор: Nakamura Yuki,Sone Yuji,Ueda Naoyuki,Abe Yukiko,Matsumoto Shinji,Takada Mikiko,Saotome Ryoichi. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2017-11-30.

Methods for Dicing Semiconductor Wafers and Semiconductor Devices Made by the Methods

Номер патента: US20200395246A1. Автор: Komposch Alexander,Schneider Kevin. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-17.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR PROVIDING AN INDUCTOR IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: AR095457A1. Автор: Hadjichristos Aristotele,Park Yunseo,Chen Xiaoming,Zhang Xiaonan,Nejati Babak,Kyu Song Young,David Lane Ryan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-10-21.

Method for forming wiring layer of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: JP3435194B2. Автор: 相忍 李,吉鉉 崔. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-08-11.

Method for planarizing insulation layer of semiconductor device to prevent characteristic of semiconductor device from being deteriorated by formation of narrow and deep contact

Номер патента: KR100439838B1. Автор: 김동우,권철순. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-09-18.

Method for manufacturing passive device of semiconductor device

Номер патента: KR100968646B1. Автор: 조진연. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2010-07-06.

Semiconductor device and method for forming metal interconnection in semiconductor device

Номер патента: CN1096117C. Автор: 张玹珍,文永和,权赫晋. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-11.

Method for forming tungsten plug of semiconductor device to improve reliability of semiconductor device

Номер патента: KR100457408B1. Автор: 윤경렬,홍상기. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-02-23.

Semiconductor device and the method for the manufacture of this semiconductor device

Номер патента: CN102386236B. Автор: 山崎舜平,宫入秀和,长多刚. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-10.

Method for manufacturing air gap-containing semiconductor device and semiconductor device obtained

Номер патента: JP2005522049A. Автор: タウンセンド，ポール，エイチ．，３世,フォレスター，ケネス，エル．. Владелец: ダウ グローバル テクノロジーズ インコーポレイティド. Дата публикации: 2005-07-21.

Method for forming metal wiring in semiconductor device and semiconductor device therefore

Номер патента: KR100591185B1. Автор: 김석수. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-06-19.

Method for Etch Metal Layer and Semiconductor Device Manufactured by Such Method

Номер патента: KR100636983B1. Автор: 김백원. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-10-19.

Semiconductor device and the method for the manufacture of this semiconductor device

Номер патента: CN102509736B. Автор: 山崎舜平,宫入秀和,长多刚. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-19.

Silicon substrate processing method and defective portion identification method for observing defective portion of semiconductor device

Номер патента: JP4596968B2. Автор: 卓也 直永,裕彦 遠藤. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-15.

METHOD FOR THE MANUFACTURE OF A SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURED FROM THE KIND

Номер патента: FR2349955A1. Автор: . Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1977-11-25.

Method for forming device isolation of semiconductor device

Номер патента: KR100688687B1. Автор: 이기민. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-03-02.

METHOD FOR MANUFACTURING AN ENVELOPING GRID SEMICONDUCTOR DEVICE AND DEVICE OBTAINED

Номер патента: FR2799305A1. Автор: Thomas Skotnicki,Malgorzata Jurczak. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2001-04-06.

Method for Forming Gate Electrode and Semiconductor Device Having Gate Electrode Obtained by the Method

Номер патента: KR102123845B1. Автор: 민병규. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2020-06-18.

Methods for dicing semiconductor wafers and semiconductor devices made by the methods

Номер патента: US11289378B2. Автор: Kevin Schneider,Alexander Komposch. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2022-03-29.

Silicon Carbide Semiconductor Device And Method For Manufacturing The Silicon Carbide Semiconductor Device

Номер патента: CN105590962A. Автор: 松木英夫,榊原纯,青井佐智子,渡辺行彦,小野木淳士. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-05-18.

Semiconducting film, semiconductor device and method for manufacturing semiconducting film or semiconductor device

Номер патента: CN1389899A. Автор: 高山彻,秋元健吾. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-08.

Photosensitive resin composition, method for producing cured relief pattern, semiconductor device and display device

Номер патента: JPWO2013085004A1. Автор: 智史 渋井,佐々木　隆弘,隆弘 佐々木,竜也 平田,山田　泰輔,泰輔 山田. Владелец: Asahi Kasei E Materials Corp. Дата публикации: 2015-04-27.

Semiconductor device and method for manufacturing the same and semiconductor device-mounted structure

Номер патента: US6930388B2. Автор: Shigeharu Tsunoda,Akira Yajima,Asao Nishimura,Kosuke Inoue,Ichiro Anjo,Yoshihide Yamaguchi,Naoya Kanda,Noriyuki Oroku,Madoka Minagawa,Kenji Ujiie,Hiroshi Hozoji,Hiroyuki Tenmei. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-08-16.

Semiconductor device with semiconductor body and method for the production of a semiconductor device

Номер патента: US20100078756A1. Автор: Gerhard Schmidt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2010-04-01.

Methods for manufacturing electronic component and semiconductor device, semiconductor device, circuit board and electronic equipment

Номер патента: KR100549844B1. Автор: 하시모토노부아키. Владелец: 세이코 엡슨 가부시키가이샤. Дата публикации: 2006-02-06.

Spherical semiconductor device and the manufacture method for the same and spherical semiconductor device material

Номер патента: AU736457B2. Автор: Josuke Nakata. Владелец: SPHELAR POWER CORP. Дата публикации: 2001-07-26.

Photosensitization chemical-amplification type resist material, method for forming pattern using same, semiconductor device, mask for lithography, and template for nanoimprinting

Номер патента: CN106030417A. Автор: 永原诚司,田川精,田川精一,大岛明博. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2016-10-12.

Carbon nano-tube generating method and method for forming electric wire of semiconductor device

Номер патента: CN1992198A. Автор: 金夏辰,韩仁泽. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-04.

Methods for manufacturing electronic component and semiconductor device, semiconductor device, circuit board and electronic equipment

Номер патента: KR20050065686A. Автор: 노부아키 하시모토. Владелец: 세이코 엡슨 가부시키가이샤. Дата публикации: 2005-06-29.

A iii-v semiconductor device and a method for forming a iii-v semiconductor device comprising an edge termination structure

Номер патента: EP3627559B1. Автор: Benoit Bakeroot. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2022-06-22.

Photosensitive resin composition, method for producing hardened relief pattern, semiconductor device and display device

Номер патента: CN103988127A. Автор: 涩井智史,平田龙也,佐佐木隆弘,山田泰辅. Владелец: Asahi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-13.

Resin composition for wiring board, resin sheet for wiring board, composite body, method for producing composite body, and semiconductor device

Номер патента: US20110308848A1. Автор: Noriyuki Ohigashi,Kenichi Kaneda,Hideki Hara,Yuka Ito,Yasuaki Mitsui,Iji Onozuka. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-22.

Method for packaging at least one semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: DE102015223399A1. Автор: Andreas Krauss,Nicola Mingirulli,Robert Bonasewicz. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2017-06-01.

Semiconductor device and the method for lowering kink effect in semiconductor device

Номер патента: CN110504268A. Автор: 才永轩,刘珀玮,黄文铎,邱捷飞,许祐凌,施宏霖,杨世匡. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-11-26.

Positive-type photosensitive resin composition, method for production of resist pattern, semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US20110250396A1. Автор: Hiroshi Matsutani,Ken Nanaumi,Takumi Ueno,Alexandre Nicolas. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-10-13.

Side light emitting semiconductor device and method for manufacturing side light emitting semiconductor device

Номер патента: JP4362125B2. Автор: 健 中原. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2009-11-11.

P-type oxide, p-type oxide-producing composition, method for producing p-type oxide, semiconductor device, display device, image display apparatus, and system

Номер патента: US10923569B2. Автор: Shinji Matsumoto,Yuki Nakamura,Yuji Sone,Yukiko Abe,Naoyuki Ueda,Ryoichi SAOTOME,Mikiko Takada. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-16.

Method for manufacturing insulated gate-type semiconductor device, and insulated gate-type semiconductor device

Номер патента: WO2015098167A1. Автор: 渡辺　行彦,順 斎藤,広和 藤原,敏雅 山本,知治 池田. Владелец: 知治 池田. Дата публикации: 2015-07-02.

Photosensitization chemical-amplification type resist material, method for forming pattern using same, semiconductor device, mask for lithography, and template for nanoimprinting

Номер патента: WO2015125788A1. Автор: 誠司 永原,精一 田川,大島　明博. Владелец: 国立大学法人大阪大学. Дата публикации: 2015-08-27.

Devices and methods for dissipating heat in multiple semiconductor device modules

Номер патента: JP6889814B1. Автор: シャオペン ク,シャムズ ユー． アリフィーン,シャムズ ユー． アリフィーン. Владелец: マイクロン テクノロジー，インク．. Дата публикации: 2021-06-18.

Method for forming isolation area of semiconductor device and semiconductor device thereby

Номер патента: KR100675892B1. Автор: 지연혁,김형균,김재수,은용석. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-02-02.

Methods for dicing semiconductor wafers and semiconductor devices made by the methods

Номер патента: WO2020252265A1. Автор: Kevin Schneider,Alexander Komposch. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2020-12-17.

Photosensitive resin composition, method for producing hardened relief pattern, semiconductor device and display device

Номер патента: KR101769190B1. Автор: 사토시 시부이,다카히로 사사키,다츠야 히라타,다이스케 야마다. Владелец: 아사히 가세이 이-매터리얼즈 가부시키가이샤. Дата публикации: 2017-08-17.

P-type oxide, p-type oxide-producing composition, method for producing p-type oxide, semiconductor device, display device, image display apparatus, and system

Номер патента: WO2012133915A1. Автор: Shinji Matsumoto,Yuki Nakamura,Yuji Sone,Yukiko Abe,Naoyuki Ueda,Ryoichi SAOTOME,Mikiko Takada. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2012-10-04.

Power semiconductor device with thick top-level metal design and method for producing such a power semiconductor device

Номер патента: CN107636806B. Автор: S.马蒂亚斯,C.帕帕多波洛斯,C.克瓦斯塞,A.科普塔. Владелец: ABB Grid Switzerland AG. Дата публикации: 2021-03-12.

Photosensitive resin composition, method for producing hardened relief pattern, semiconductor device and display device

Номер патента: WO2013085004A1. Автор: 智史 渋井,佐々木　隆弘,竜也 平田,山田　泰輔. Владелец: 旭化成イーマテリアルズ株式会社. Дата публикации: 2013-06-13.

Thin-film semiconductor device with protection diode structure and method for producing a thin-film semiconductor device

Номер патента: CN102687271A. Автор: 西格弗里德·赫尔曼,曼弗雷德·朔伊贝克. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2012-09-19.

Method for the Manufacture of a Semiconductor Device and a Semiconductor Device Obtained Through It

Номер патента: US20080093668A1. Автор: Youri Ponomarev,Josine Loo. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-04-24.

Adhesive for semiconductor bonding, adhesive film for semiconductor bonding, method for mounting semiconductor chip, and semiconductor device

Номер патента: TW201111467A. Автор: Atsushi Nakayama,Sayaka Wakioka,Yang-Soo Lee,Alvin Dilao Carl. Владелец: Sekisui Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-01.

Driving method for reverse conducting semiconductor element, semiconductor device, and feeding device

Номер патента: CN101946324B. Автор: 添野明高,斋藤顺. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2013-02-27.

Wide gap type semiconductor device and method for manufacturing wide gap type semiconductor device

Номер патента: JP6030806B1. Автор: 俊一 中村,小笠原　淳,淳 小笠原,良平 大澤,雄介 前山,昭彦 渋川. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-24.

Adhesive for flip chip mounting, adhesive film for flip chip mounting, method for mounting semiconductor chip, and semiconductor device

Номер патента: KR101688677B1. Автор: 사야카 와키오카,아츠시 나카야마,양수 이,칼 앨빈 딜라오. Владелец: 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤. Дата публикации: 2016-12-21.

Preparation method for polycrystalline silicon thin film, semiconductor device, display substrate and display device

Номер патента: WO2016155149A1. Автор: 徐文清,龙春平. Владелец: 京东方科技集团股份有限公司. Дата публикации: 2016-10-06.

Lateral power semiconductor device and method for manufacturing a lateral power semiconductor device

Номер патента: CN104134692A. Автор: A·毛德,N·西森,R·威斯. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-11-05.

P-type oxide, p-type oxide-producing composition, method for producing p-type oxide, semiconductor device, display device, image display apparatus, and system

Номер патента: SG193994A1. Автор: Shinji Matsumoto,Yuki Nakamura,Yuji Sone,Yukiko Abe,Naoyuki Ueda,Ryoichi SAOTOME,Mikiko Takada. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-29.

P-type oxide, p-type oxide-producing composition, method for producing p-type oxide, semiconductor device, display device, image display apparatus, and system

Номер патента: KR102045364B1. Автор: 유키코 아베,나오유키 우에다,유키 나카무라,신지 마츠모토,유지 소네,료이치 사오토메,미키코 다카다. Владелец: 가부시키가이샤 리코. Дата публикации: 2019-11-15.

Method for forming passivation layer of semiconductor device and structure of passivation layer of semiconductor device

Номер патента: KR100519170B1. Автор: 김상덕. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-10-05.

Method for dicing semiconductor wafer and semiconductor device manufactured by the method

Номер патента: CN113939898A. Автор: 凯文·施奈德,亚历山大·康波斯. Владелец: Wofu Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2022-01-14.

Etching method for use in fabrication of semiconductor devices

Номер патента: US5798303A. Автор: Darwin A. Clampitt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1998-08-25.

Light-emitting semiconductor device, light-emitting semiconductor component and method for producing a light-emitting semiconductor device

Номер патента: US10673207B2. Автор: Christoph Berger,Armin Dadgar,Andre Strittmatter. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2020-06-02.

Method for optimizing clamping of a semiconductor device to a support structure on a wire bonding machine, and related methods

Номер патента: KR20220160553A. Автор: 양정호,후이 수,웨이 친,지아우딘 아마드. Владелец: 쿨리케 앤드 소파 인더스트리즈, 인코포레이티드. Дата публикации: 2022-12-06.

Silicon carbide substrate, its manufacture method and the method for manufacturing manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CN107002280A. Автор: 冲田恭子,本家翼. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Insulated gate semiconductor device and method for manufacturing the insulated gate semiconductor device

Номер патента: US9755042B2. Автор: Jun Saito,Toshimasa Yamamoto,Tomoyuki Shoji,Tomoharu IKEDA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Method for the manufacture of a semiconductor device and a semiconductor device obtained through it

Номер патента: WO2006070310A1. Автор: Youri V. Ponomarev,Josine J. G. P. Loo. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2006-07-06.

Laminate, organic semiconductor device, methods for manufacturing laminate and organic semiconductor device, composition, and composition kit

Номер патента: TW202039250A. Автор: 中村敦,後藤崇,柯統輝,西追 羅林. Владелец: 比利時商愛美科公司. Дата публикации: 2020-11-01.

Wiring board, semiconductor device, and method for manufacturing wiring board and semiconductor device

Номер патента: US8552570B2. Автор: Shintaro Yamamichi,Katsumi Kikuchi,Masaya Kawano,Yoichiro Kurita,Kouji Soejima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-10-08.

Positive-type photosensitive resin composition, method for production of resist pattern, semiconductor device, and electronic device

Номер патента: WO2009063808A1. Автор: Hiroshi Matsutani,Ken Nanaumi,Takumi Ueno,Alexandre Nicolas. Владелец: HITACHI CHEMICAL COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2009-05-22.

Thin-film semiconductor device with protection diode structure and method for producing a thin-film semiconductor device

Номер патента: EP2499668A1. Автор: Siegfried Herrmann,Manfred Scheubeck. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2012-09-19.

Method for forming passivation film of semiconductor device and structure of passivation film of semiconductor device

Номер патента: CN100386852C. Автор: 金相德. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-05-07.

Circuit board, method for designing circuit board, and semiconductor device

Номер патента: EP3651192A1. Автор: Takanobu Naruse. Владелец: Aisin AW Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-13.

Method for forming patterns on a semiconductor device using a lift off technique

Номер патента: US7214558B2. Автор: Atsushi Kurokawa,Yoshinori Imamura,Toshiaki Kitahara,Hiroshi Inagawa. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-05-08.

Group III Nitride Semiconductor Device and Method for Manufacturing Group III Nitride Semiconductor Device

Номер патента: US20090257467A1. Автор: Koichi Naniwae,Ichiro Masumoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2009-10-15.

Production method for thin-film crystal wafer, semiconductor device using it and production method therefor

Номер патента: AU2003271176A1. Автор: Masahiko Hata. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2004-05-04.

Power semiconductor device and method for manufacturing such a power semiconductor device

Номер патента: GB2502477B. Автор: Munaf Rahimo,Iulian NISTOR,Friedhelm Bauer,Maxi ANDENNA,Marco Bellini. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2014-12-17.

ETCHING SOLUTION FOR AN ALUMINUM OXIDE FILM, AND METHOD FOR MANUFACTURING A THIN-FILM SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE ETCHING SOLUTION

Номер патента: US20150099327A1. Автор: Higashi Hirofumi,Hidaka Yoshiharu. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2015-04-09.

METHOD FOR PREPARING GROUNDING SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160102394A1. Автор: Li Ming,Wu Jie,Tang Weidong,Xiong Tianying,Shen Yanfang,Cui Xinyu,LIU WEIJIE,WANG Jiqiang,MAO Tianliang,WU Minjie,LI Maocheng,HAN Xuecheng,GU Xinhai. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-14.

METHOD FOR MANUFACTURING CONTACT PLUGS FOR SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20150170966A1. Автор: TUNG Yu-Cheng. Владелец: UNITED MICROELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2015-06-18.

Method for forming tungsten plug for semiconductor device

Номер патента: KR100480570B1. Автор: 이성호,서준,이강현. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-09-30.

A reaction chamber for forming metal layer and method for forming metal layer in semiconductor device using the same

Номер патента: KR100247643B1. Автор: 조경수. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-03-15.

Method for forming triple gate of semiconductor device and triple gate of semiconductor for the same

Номер патента: KR101016349B1. Автор: 차한섭. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2011-02-22.

Composition for anti-reflective coating layer and the method for forming pattern of the semiconductor device using thereof

Номер патента: KR100442571B1. Автор: 정재창,신기수,이근수,황영선. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-07-30.

Method for manufacturing substrate for mounting semiconductor device

Номер патента: JP2953163B2. Автор: 誠 鳥海,宏和 田中,秀昭 吉田. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 1999-09-27.

Method for creating electrical pathways for semiconductor device structures using laser machining processes

Номер патента: US7364985B2. Автор: Kyle K. Kirby. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-04-29.

Method for manufacturing of substrate for semiconductor device

Номер патента: KR101360627B1. Автор: 이성국,심광보. Владелец: 한양대학교 산학협력단. Дата публикации: 2014-02-10.

Method for manufacturing of dielectrics for semiconductor device

Номер патента: KR100924558B1. Автор: 이종민,김찬배,정채오,이효석,민성규,안현주. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-11-02.

Key for measuring reflow amount of resist and method for forming fine pattern of semiconductor device

Номер патента: KR100564579B1. Автор: 여기성,조한구,이두열,이중현. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-03-28.

Method for manufacturing lead frame for semiconductor device

Номер патента: JP2955043B2. Автор: 英美 跡部. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-10-04.

Method for manufacturing insulating substrate for semiconductor device and metal pattern plate therefor

Номер патента: JPH07105461B2. Автор: 忍 高浜,国隆 神島. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-11-13.

Method for manufacturing substrate for inspecting semiconductor device

Номер патента: US6566149B1. Автор: Shinji Tanaka,Hiroyuki Ohta,Hideo Miura,Hideyuki Aoki,Akihiko Ariga,Masatoshi Kanamaru,Atsushi Hosogane,Yoshihige Endou,Ryuji Kouno,Naoto Ban. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-05-20.

Method for making contacts for silicon semiconductor devices

Номер патента: FR1397424A. Автор: Jean-Pierre Rioult. Владелец: Radiotechnique SA. Дата публикации: 1965-04-30.

Method for forming gate spacers for semiconductor devices

Номер патента: US20100062592A1. Автор: Robert D. Clark. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-03-11.

Method for etching electrode used for semiconductor device

Номер патента: KR100259820B1. Автор: 이헌민. Владелец: 엘지전자주식회사. Дата публикации: 2000-08-01.

Method for forming a capacitor for semiconductor devices with diffusion barrier layer on both sides of dielectric layer

Номер патента: US6479364B2. Автор: Dong Woo Shin,Seung Joon Jeon. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-12.

Substrate for growing wurtzite type crystal and method for manufacturing the same and semiconductor device

Номер патента: EP2175054B1. Автор: Tatsuya Iwasaki,Naho Itagaki,Katsuyuki Hoshino. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2014-05-07.

Board for mounting semiconductor element, method for manufacturing the same, and semiconductor device

Номер патента: US6268648B1. Автор: Naoki Fukutomi,Akinari Kida,Yoshiaki Wakashima,Susumu Naoyuki. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2001-07-31.

Film for semiconductor, method for manufacturing semiconductor film, and semiconductor device

Номер патента: JPWO2008047610A1. Автор: 孝 平野,直哉 織田,平野　孝,暁嗣 佐々木,織田　直哉. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 2010-02-25.

Method for manufacturing lead frame for semiconductor device

Номер патента: JP3278861B2. Автор: 陸太 横山. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2002-04-30.

Method for depositing metal lines for semiconductor devices

Номер патента: TW512489B. Автор: Ronald Joseph Schutz,Larry Clevenger,Roy Iggulden,Stefan J Weber. Владелец: Infineon Technologies Corp. Дата публикации: 2002-12-01.

Silica-based film forming composition for inkjet, method for forming silica-based film, semiconductor device, and solar cell system

Номер патента: JPWO2012144292A1. Автор: 茂 野部,悠平 岡田,貴浩 吉川. Владелец: Showa Denko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-28.

Wiring board and method for manufacturing the same, and semiconductor device

Номер патента: US20070120235A1. Автор: Hiroyuki Imamura,Nozomi Shimoishizaka,Kouichi Nagao. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-31.

Thin film transistor, method for manufacturing the same, and semiconductor device

Номер патента: US11824062B2. Автор: Hideyuki Kishida,Toshikazu Kondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Thin film transistor, method for manufacturing the same, and semiconductor device

Номер патента: US20240162234A1. Автор: Hideyuki Kishida,Toshikazu Kondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Reflective mask blank, reflective mask, and method for manufacturing reflective mask and semiconductor device

Номер патента: US12019366B2. Автор: Masanori Nakagawa,Tsutomu Shoki. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Soi substrate, method for manufacturing the same, and semiconductor device

Номер патента: US20120025274A1. Автор: Hideto Ohnuma,Tetsuya Kakehata,Yoichi Iikubo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-02.

Method for forming pattern and a semiconductor device

Номер патента: US20120028378A1. Автор: Hiroyuki Morinaga,Ryoichi Inanami. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-02-02.

Method for forming fine pattern of semiconductor device

Номер патента: US20120129316A1. Автор: Young-Kyun Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-05-24.

Method for Making Solder-top Enhanced Semiconductor Device of Low Parasitic Packaging Impedance

Номер патента: US20120289001A1. Автор: Ming Sun,Kai Liu,Francois Hebert,Anup Bhalla. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-11-15.

Method for via formation in a semiconductor device

Номер патента: US20120302062A1. Автор: Yi Nan Chen,Hsien Wen Liu,Chih Ching Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-11-29.

Method for controlled removal of a semiconductor device layer from a base substrate

Номер патента: US20130005119A1. Автор: Devendra K. Sadana,Stephen W. Bedell,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu,Norma E. Sosa Cortes. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-01-03.

System and Method for Packaging of High-Voltage Semiconductor Devices

Номер патента: US20130020672A1. Автор: Charles W. Tipton,Oladimeji O. Ibitayo. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 2013-01-24.

THIN FILM TRANSISTOR, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130122667A1. Автор: KONDO Toshikazu,KISHIDA Hideyuki. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2013-05-16.

Connecting material, method for manufacturing connecting material and semiconductor device

Номер патента: US20130127026A1. Автор: Osamu Ikeda,Masahide Okamoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-05-23.

MANUFACTURING METHODS FOR LATERALLY DIFFUSED METAL OXIDE SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20130137224A1. Автор: Khan Tahir A.,Grote Bernhard H.,Khemka Vishnu K.,Zhu Ronghua. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2013-05-30.

METHOD FOR MANUFACTURING SOI SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130149840A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Jinbo Yasuhiro,OHNUMA Hideto,SHOJI Hironobu. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2013-06-13.

Method for forming interconnection pattern and semiconductor device

Номер патента: US20130154087A1. Автор: Atsuko Sakata,Satoshi Wakatsuki,Hiroshi Tomita,Hisashi Okuchi,Yasuhito Yoshimizu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-20.

Plasma cvd apparatus, method for forming thin film and semiconductor device

Номер патента: US20130160711A1. Автор: Teruhiko Kumada,Naoki Yasuda,Hideharu Nobutoki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-27.

METHOD FOR MANUFACTURING A FIELD-EFFECT SEMICONDUCTOR DEVICE FOLLOWING A REPLACEMENT GATE PROCESS

Номер патента: US20130181301A1. Автор: Witters Liesbeth,Mitard Jerome,Hellings Geert. Владелец: . Дата публикации: 2013-07-18.

SYSTEM AND METHOD FOR DETECTING PARTICLES WITH A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130193537A1. Автор: Hossain Timothy Z.,Clopton Patrick Mark,Foster Christopher Michael,Lyons Christopher F.,Fulwood Clayton,Goodwin Greg Allan,Posey Dan E.. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2013-08-01.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130328063A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2013-12-12.

METHOD FOR FORMING FINE PATTERN OF SEMICONDUCTOR DEVICE USING DOUBLE SPACER PATTERNING TECHNOLOGY

Номер патента: US20140017889A1. Автор: Kim Won Kyu,BOK Cheol Kyu,LEE Ki Lyoung. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-01-16.

Methods for Manufacturing and Operating a Semiconductor Device

Номер патента: US20140028269A1. Автор: Allers Karl-Heinz,Schwab Reiner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-01-30.

METHODS FOR MANUFACTURING A FIELD-EFFECT SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140045315A1. Автор: Witters Liesbeth. Владелец: IMEC. Дата публикации: 2014-02-13.

Methods for evaluating and fabricating semiconductor device and apparatus and program for evaluating the same

Номер патента: US20030137305A1. Автор: Kenji Okada. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-24.

Method for determining resistance of microwave semiconductor devices to effect of ionizing radiations

Номер патента: RU2602416C1. Автор: Сергей Анатольевич МЕШКОВ,Александр Григорьевич Гудков,Виктор Георгиевич Усыченко,Александр Владимирович Мещеряков,Владимир Николаевич Вьюгинов,Владимир Анатольевич Добров,Иван Николаевич Маржановский,Татьяна Юрьевна Кудряшова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана" (МГТУ им. Н.Э. Баумана). Дата публикации: 2016-11-20.

Method for preparing test samples for semiconductor devices

Номер патента: US20210348989A1. Автор: SHENG Chen,Qiang Chen,Jinde Gao. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Method for preparing test samples for semiconductor devices

Номер патента: US20210348990A1. Автор: Qiang Chen,Yanrong Qiu,Jinde Gao. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Systems and methods for acoustic emission monitoring of semiconductor devices

Номер патента: EP3500850A2. Автор: Gal Shaul,Saar Yoskovitz,Ori NEGRI,Eduard Rudyk. Владелец: Augury Systems Ltd. Дата публикации: 2019-06-26.

Systems and methods for acoustic emission monitoring of semiconductor devices

Номер патента: US20230273159A1. Автор: Gal Shaul,Saar Yoskovitz,Ori NEGRI,Eduard Rudyk. Владелец: Augury Systems Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Method for observing tungsten plug of semiconductor device microscopically

Номер патента: US5989930A. Автор: Shu-Ying Lu,Fei-Chun Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-11-23.

Circuit and method for data output in synchronous semiconductor device

Номер патента: US20030189844A1. Автор: Jin-seok Kwak,Seong-Jin Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-10-09.

Method for testing memory cell in semiconductor device

Номер патента: US6556493B2. Автор: Tae-Kyu Kim,Yoon-Soo Jang,Young-Seon You,Mun-Hwa Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-04-29.

System and method for accelerated degradation testing of semiconductor devices

Номер патента: US5381103A. Автор: John A. Edmond,Calvin H. Carter, Jr.,Douglas A. Asbury,Douglas G. Waltz. Владелец: Cree Research Inc. Дата публикации: 1995-01-10.

Device and method for programming multiple arrays of semiconductor devices

Номер патента: US5466117A. Автор: Edwin W. Resler,Vincent L. Tong,Russell C. Swanson,W. Scott Bogden. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 1995-11-14.

Semiconductor Device and Method For Preventing Attacks on the Semiconductor Device

Номер патента: US20090049548A1. Автор: Soenke Ostertun,Joachim Christoph Hans Garbe. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-02-19.

Systems and methods for acoustic emission monitoring of semiconductor devices

Номер патента: US11977053B2. Автор: Gal Shaul,Saar Yoskovitz,Ori NEGRI,Eduard Rudyk. Владелец: Augury Systems Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Apparatuses and methods for refreshing memory of a semiconductor device

Номер патента: US20190362775A1. Автор: Masaru Morohashi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-28.

Negative photosensitive resin composition, cured product, laminate, method for producing cured product, and semiconductor device

Номер патента: EP4317287A1. Автор: Kenta Yamazaki,Kyohei Sakita. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-02-07.

Method for routing between pins of semiconductor device and design system therewith

Номер патента: US20190188354A1. Автор: Hyosig WON,Chunghee Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-20.

Method for generating command pulses and semiconductor device configured to perform the method

Номер патента: US20200160899A1. Автор: Jae Il Kim,Chang Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-05-21.

Usage of redundancy data for displaying failure bit maps for semiconductor devices

Номер патента: EP1242999A1. Автор: Michael Barnhard Sommer. Владелец: Infineon Technologies Richmond LP. Дата публикации: 2002-09-25.

Predicting Failure Parameters of Semiconductor Devices Subjected to Stress Conditions

Номер патента: US20220065919A1. Автор: Moinuddin Ahmed,John N. Hryn,Christopher Stankus. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2022-03-03.

Apparatuses and methods for refreshing memory cells of a semiconductor device

Номер патента: US09984738B2. Автор: Kenji Yoshida,Hiroki Fujisawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Systems and methods for determining aging damage for semiconductor devices

Номер патента: US20140123085A1. Автор: Mehul D. Shroff,Peter P. Abramowitz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-05-01.

Reflective mask blank, reflective mask, and method for manufacturing reflective mask and semiconductor device

Номер патента: US12072619B2. Автор: Masanori Nakagawa,Tsutomu Shoki. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Circuit and method for data output in synchronous semiconductor device

Номер патента: TWI263126B. Автор: Jin-seok Kwak,Seong-Jin Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-10-01.

Negative photosensitive resin composition, cured product, laminate, method for producing cured product, and semiconductor device

Номер патента: EP4317287A4. Автор: Kenta Yamazaki,Kyohei Sakita. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-09-18.

Method for fabricating photomask in semiconductor device

Номер патента: KR100945919B1. Автор: 전재영. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-03-05.

Method for fabricating photomask and semiconductor device

Номер патента: KR100730266B1. Автор: 다까요시 미나미. Владелец: 후지쯔 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2007-06-20.

Method for fabricating mask of semiconductor device

Номер патента: KR100266659B1. Автор: 최용규. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2000-09-15.

Method for fabricating photomask in semiconductor device

Номер патента: KR101039141B1. Автор: 전병구. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-06-03.

Method for fabricating photomask and semiconductor device

Номер патента: WO2004077155A1. Автор: Takayoshi Minami. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2004-09-10.

Systems, Methods and Computer Program Products for Analyzing Performance of Semiconductor Devices

Номер патента: US20160267205A1. Автор: Jing Wang,Nuo XU,Woosung CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-15.

Reconfigurable array of test structures and method for testing an array of test structures

Номер патента: US5952838A. Автор: Victor Tikhonov. Владелец: Sony Electronics Inc. Дата публикации: 1999-09-14.

Apparatuses and methods for redundance match control at refresh to disable wordline activation

Номер патента: US20220199141A1. Автор: Minari Arai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Methods, apparatus and computer program products for fabricating masks and semiconductor devices using model-based optical proximity effect correction and lithography-friendly layout

Номер патента: US8563197B2. Автор: Suk-joo Lee,Sung-Soo Suh,Yong-Hee PARK,Mi-kyeong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-10-22.

Driving method of semiconductor device

Номер патента: US20140253533A1. Автор: Hiroyuki Miyake. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-11.

Method for simulating characteristics of semiconductor device

Номер патента: US11010524B2. Автор: Jaehyun Lee,Mincheol Shin,Woo Jin JEONG. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2021-05-18.

Method for operating a non-volatile charge-trapping memory device and method for determining programming/erase conditions

Номер патента: US20060291287A1. Автор: Arnaud Furnémont. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2006-12-28.

Method for simulating characteristics of semiconductor device

Номер патента: US20180293342A1. Автор: Jaehyun Lee,Mincheol Shin,Woo Jin JEONG. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2018-10-11.

High-frequency tester for semiconductor devices

Номер патента: US20020125878A1. Автор: Mitchell Alsup,Joe Jones. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-12.

Usage of redundancy data for displaying failure bit maps for semiconductor devices

Номер патента: WO2001050475A1. Автор: Michael Barnhard Sommer. Владелец: Infineon Technologies North America Corp.. Дата публикации: 2001-07-12.

Method for producing non-monocrystalline semiconductor device

Номер патента: US5420044A. Автор: Hiraku Kozuka. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1995-05-30.

Photomask quality estimation system and method for use in manufacturing of semiconductor device, and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20100112812A1. Автор: Tadahito Fujisawa,Shoji Mimotogi,Yukiyasu Arisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-05-06.

Photoresist monomer and method for producing the same, copolymer for photoresist and method for producing the same, photoresist composition, method for forming photoresist pattern, and semiconductor device

Номер патента: JP3536015B2. Автор: ▲みん▼鎬 鄭,載昌 鄭,基鎬 白,根守 李. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-06-07.

Copolymer for photoresist and method for producing the same, photoresist composition, method for forming photoresist pattern, and semiconductor device

Номер патента: JP3547376B2. Автор: 基鎬 白,根守 李,次元 高. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-28.

Semiconductor device outputting read data in synchronization with clock signal

Номер патента: US9135979B2. Автор: Yuki Nakamura,Takuyo Kodama. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2015-09-15.

Semiconductor device outputting read data in synchronization with clock signal

Номер патента: US20140104970A1. Автор: Yuki Nakamura,Takuyo Kodama. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2014-04-17.

Method for forming high purity co thin film having excellent step coverage and low resistivity and method for forming contact plug of semiconductor device using the same

Номер патента: KR100606246B1. Автор: 이재갑. Владелец: 이재갑. Дата публикации: 2006-07-31.

Resist material, resist pattern and forming method for the same, and a semiconductor device and manufacturing method for the same

Номер патента: TWI305609B. Автор: Kon Junichi,Yano Ei. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-01-21.

METHOD FOR GENERATING COMMAND PULSES AND SEMICONDUCTOR DEVICE CONFIGURED TO PERFORM THE METHOD

Номер патента: US20200160899A1. Автор: Kim Chang Hyun,Kim Jae Il. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2020-05-21.

PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, METHOD FOR PRODUCING HARDENED RELIEF PATTERN, SEMICONDUCTOR DEVICE AND DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20140349222A1. Автор: Sasaki Takahiro,SHIBUI Satoshi,HIRATA Tatsuya,YAMADA Taisuke. Владелец: ASAHI KASEI E-MATERIALS CORPORATION. Дата публикации: 2014-11-27.

PHOTOSENSITIZATION CHEMICAL-AMPLIFICATION TYPE RESIST MATERIAL, METHOD FOR FORMING PATTERN USING SAME, SEMICONDUCTOR DEVICE, MASK FOR LITHOGRAPHY, AND TEMPLATE FOR NANOIMPRINTING

Номер патента: US20160357103A1. Автор: OSHIMA Akihiro,NAGAHARA Seiji,TAGAWA Seiichi. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-08.

Method for testing device configuration and semiconductor device

Номер патента: JP4686124B2. Автор: ▲ジュン▼ 煥 崔. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-05-18.

Power conversion device and self-checking method for health state of power semiconductor device thereof

Номер патента: CN110596563A. Автор: 王浩然,王圣明,周法杰,王鼎奕. Владелец: Sungrow Power Supply Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-20.

Semiconductor device testing apparatus, system, and method for testing the contacting with semiconductor devices positioned one upon the other

Номер патента: CN1630054A. Автор: M·多布勒,C·斯托肯. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-06-22.

Power conversion device and self-checking method for health state of power semiconductor device thereof

Номер патента: CN110596563B. Автор: 王浩然,王圣明,周法杰,王鼎奕. Владелец: Sungrow Power Supply Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-02.

Systems and methods for determining aging damage for semiconductor devices

Номер патента: US20140123085A1. Автор: Mehul D. Shroff,Peter P. Abramowitz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-05-01.

APPARATUSES AND METHODS FOR CYCLIC REDUNDANCY CALCULATION FOR SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20220100602A1. Автор: FUJIMAKI Ryo. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-03-31.

RESIN COMPOSITION, RESIN LAYER, PERMANENT ADHESIVE, ADHESIVE FOR TEMPORARY BONDING, LAMINATED FILM, PROCESSED WAFER, AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC COMPONENT OR SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210139700A1. Автор: Fujiwara Takenori,Arimoto Shinji,Okazawa Toru. Владелец: Toray Industries, Inc.. Дата публикации: 2021-05-13.

INTERRUPT MONITORING SYSTEMS AND METHODS FOR FAILURE DETECTION FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200201796A1. Автор: KAWAKAMI Daisuke,HAMASAKI Hiroyuki,Yamaguchi Kyohei. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-25.

INTERRUPT MONITORING SYSTEMS AND METHODS FOR FAILURE DETECTION FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210263869A1. Автор: KAWAKAMI Daisuke,HAMASAKI Hiroyuki,Yamaguchi Kyohei. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-26.

METHOD FOR PREPARING TEST SAMPLES FOR SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20210348989A1. Автор: CHEN QIANG,Chen Sheng,GAO Jinde. Владелец: . Дата публикации: 2021-11-11.

Method for exposing using reticle for semiconductor device

Номер патента: KR100728947B1. Автор: 인성욱. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-06-15.

Interrupt monitoring systems and methods for failure detection for a semiconductor device

Номер патента: US11422960B2. Автор: Hiroyuki Hamasaki,Daisuke Kawakami,Kyohei Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-08-23.

Silica-based film forming composition for inkjet, method for forming silica-based film, semiconductor device, and solar cell system

Номер патента: JPWO2012108072A1. Автор: 悠平 岡田,治彰 桜井,貴浩 吉川,恭 神代,格 山浦. Владелец: Showa Denko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-03.

Composition for coating photoresist pattern, method for forming photoresist pattern, and semiconductor device

Номер патента: JP4810237B2. Автор: 根守 李,承燦 文,昇勳 李. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-11-09.

Method for testing semiconductor chips and semiconductor device

Номер патента: US20020184581A1. Автор: Yoshihide Komatsu. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-05.

Method for Forming Fine Patterns of Semiconductor Device

Номер патента: US20130252174A1. Автор: CHOI Jae Seung. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2013-09-26.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for enhancing radiation stability of semiconductor devices

Номер патента: RU2308785C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Хасан Нахович Шаваев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова (КБГУ). Дата публикации: 2007-10-20.

METHODS FOR ENHANCED PROCESSING CHAMBER CLEANING

Номер патента: US20120000490A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR FORMING ETCH STOP LAYERS, SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING THE SAME, AND METHODS FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120119283A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-05-17.

THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME, AS WELL AS DISPLAY

Номер патента: US20120242624A1. Автор: . Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-09-27.

METHOD FOR STABILIZING ELECTRICAL PARAMETERS OF SEMICONDUCTOR DEVICES SEALED IN PLASTIC

Номер патента: RU2011145629A. Автор: Вадим Леонидович Романов. Владелец: Открытое акционерное общество "ОКБ-Планета" (ОАО "ОКБ-Планета"). Дата публикации: 2013-05-20.

METHOD FOR FORMING DOPED AREAS OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: RU2011118461A. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев (RU),Гасан Абакарович Мустафаев (RU),Арслан Гасанович Мустафаев (RU). Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2012-11-20.

COMPOSITION OF THERMORACTIVE RESIN AND METHOD FOR CREATING PROTECTIVE COATING OF SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: RU2008112638A. Автор: Алексей Петрович Крысин,Олег Иосифович Яковлев,Татьяна Федоровна Жаркова,Татьяна Васильевна Волосская,Людмила Ивановна Почуева,Алексей Петрович Крысин (RU),Олег Иосифович Яковлев (RU),Татьяна Федоровна Жаркова (RU),Татьяна Васильевна Волосская (RU),Людмила Ивановна Почуева (RU). Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Новосибирский завод полупроводниковых приборов с ОКБ" (ФГУП НЗПП с ОКБ) (RU). Дата публикации: 2009-10-10.

Fabrication method for hard mask layer and semiconductor devices

Номер патента: TW200735212A. Автор: Chih-Ming Chen,Ying-Tsun Chen,De-Haw Huang,Da-Yen Chiou,Ching-Chi Liu. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-09-16.

Method for measuring critical dimension of semiconductor device

Номер патента: TW200905768A. Автор: Yu-Chang Lin,Shao-Kang Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-02-01.

Methods for reducing cell pitch in semiconductor devices

Номер патента: TW200503099A. Автор: Jiun-Ren Lai. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-16.

Method for measuring critical dimension of semiconductor device

Номер патента: TWI340422B. Автор: Yu Chang Lin,Shao Kang Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2011-04-11.

Method for stripping and picking of semiconductor device

Номер патента: TW200426927A. Автор: Wen-Kuo Chiou. Владелец: MOTECH TAIWAN AUTOMATIC CORP. Дата публикации: 2004-12-01.

Manufacturing method for self-aligned insulated gate semiconductor device

Номер патента: TW454351B. Автор: Ke-Yu Yu. Владелец: Advanced Power Electronics Cor. Дата публикации: 2001-09-11.

Manufacturing method for shallow trench isolation of semiconductor device

Номер патента: TWI246151B. Автор: Wen-Shiang Liao,Wei-Fan Chen,Ming-Luen Jang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2005-12-21.

buffer insulation layer and semiconductor device having the same and method for fabricating of the semiconductor device

Номер патента: KR101201316B1. Автор: 이기홍. Владелец: 엘지디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2012-11-14.

METHOD FOR FABRICATION OF A SEMICONDUCTOR DEVICE AND STRUCTURE

Номер патента: US20120028436A1. Автор: OR-BACH Zvi,Sekar Deepak C.,Cronquist Brian,Beinglass Israel,Jong Jan Lodewijk de. Владелец: MonolithIC 3D Inc.. Дата публикации: 2012-02-02.

Phosphor Coating Method for Fabricating Light Emitting Semiconductor Device and Applications Thereof

Номер патента: US20120049231A1. Автор: Chao Tzu-Hao. Владелец: EVERLIGHT ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-03-01.

METHOD FOR FABRICATING CAPACITOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20120061739A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-03-15.

METHOD FOR FABRICATION OF A SEMICONDUCTOR DEVICE AND STRUCTURE

Номер патента: US20120091587A1. Автор: OR-BACH Zvi,Sekar Deepak C.,Cronquist Brian. Владелец: . Дата публикации: 2012-04-19.

METHOD FOR FABRICATION OF A SEMICONDUCTOR DEVICE AND STRUCTURE

Номер патента: US20120107967A1. Автор: . Владелец: MonolithIC 3D Inc.. Дата публикации: 2012-05-03.

Phosphor Coating Method for Fabricating Light Emitting Semiconductor Device and Applications Thereof

Номер патента: US20120181564A1. Автор: Chao Tzu-Hao. Владелец: EVERLIGHT ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-07-19.

METHOD FOR FABRICATION OF A SEMICONDUCTOR DEVICE AND STRUCTURE

Номер патента: US20120223738A1. Автор: OR-BACH Zvi,Sekar Deepak C.,Cronquist Brian,Beinglass Israel,de Jong Jan Lodewijk. Владелец: MonolithIC 3D Inc.. Дата публикации: 2012-09-06.

METHOD FOR FABRICATION OF A SEMICONDUCTOR DEVICE AND STRUCTURE

Номер патента: US20130021060A1. Автор: OR-BACH Zvi. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-24.

PATTERNING METHOD FOR FABRICATION OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130137269A1. Автор: Baars Peter,Geiss Erik P.. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-05-30.

METHOD FOR FABRICATING CAPACITOR OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130164903A1. Автор: KIM Su-Young,PARK Hyung-Soon,Lee Jeong-Yeop,Lee Young-Bang. Владелец: . Дата публикации: 2013-06-27.

METHOD FOR FABRICATION OF A SEMICONDUCTOR DEVICE AND STRUCTURE

Номер патента: US20130267046A1. Автор: OR-BACH Zvi,Sekar Deepak C.,Cronquist Brian. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-10.

METHOD FOR FABRICATING CAPACITOR OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140004678A1. Автор: LIM Sung-Won,Yeom Seung-Jin,Lee Hyo-Seok. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-02.

Method for fabricating transistor of semiconductor device

Номер патента: KR100250728B1. Автор: 김천수,문환성. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-04-01.

Method for fabricating a compound semiconductor device

Номер патента: KR101261629B1. Автор: 김경해,오덕환. Владелец: 서울옵토디바이스주식회사. Дата публикации: 2013-05-06.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: KR100425827B1. Автор: 유용식,김남경. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-06-04.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device to increase surface area of lower electrode and improve capacitance

Номер патента: KR100399915B1. Автор: 은용석. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-07-23.

Method for fabricating solid state semiconductor device

Номер патента: TW201218424A. Автор: Po-Min Tu,Shih-Cheng Huang,Chia-Hung Huang,Shun-Kuei Yang. Владелец: Advanced Optoelectronic Tech. Дата публикации: 2012-05-01.

EPITAXIAL SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING EPITAXIAL SUBSTRATE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120126293A1. Автор: MIYOSHI Makoto,SUMIYA Shigeaki,ICHIMURA Mikiya,TANAKA Mitsuhiro,KURAOKA Yoshitaka,Sugiyama Tomohiko. Владелец: NGK Insulators, Ltd.. Дата публикации: 2012-05-24.

METHOD FOR FORMING OXIDE SEMICONDUCTOR FILM, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120298998A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Watanabe Masahiro,NAKASHIMA Motoki,OKAZAKI Kenichi,MASHIYAMA Mitsuo,KISHIDA Hideyuki. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-11-29.

Method for manufacturing insulating film for semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: JP5260586B2. Автор: 直紀 保田,哲也 山本,年彦 西森,俊哉 渡辺,英治 信時,卓也 神山,正 嶋津,直樹 大山,秀考 加福,敏人 藤原,尚夫 河▲崎▼. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2013-08-14.

FILM FOR USE IN MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES, METHOD FOR PRODUCING THE FILM AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120052269A1. Автор: . Владелец: SUMITOMO BAKELITE COMPANY LIMITED. Дата публикации: 2012-03-01.

Method for Manufacturing Contacts for a Semiconductor Device, and Semiconductor Device Having Such Contacts

Номер патента: US20120056278A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-03-08.

Mask assembly for checking development uniformity of semiconductor device pattern and method for checking development uniformity of semiconductor device pattern using same

Номер патента: KR0143861B1. Автор: 이두희,구영모. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1998-07-01.

Lead frame material for semiconductor device and method for manufacturing lead frame for semiconductor device

Номер патента: JP2701495B2. Автор: 荘太郎 土岐,直美 中山. Владелец: Toppan Inc. Дата публикации: 1998-01-21.

Method for forming a memory device, semiconductor device and forming method thereof

Номер патента: TWI264800B. Автор: Chin-Ta Su,Shing-Ann Luo,Chien-Hung Lu,Kuang-Wen Liu,Lee-Jen Chen. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-21.

METHOD FOR DETERMINING WIRING PATHWAY OF WIRING BOARD AND METHOD FOR DETERMINING WIRING PATHWAY OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120060366A1. Автор: NAKANO Mikio. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-03-15.

Dual damascene structure and method for forming the same, and semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: JP3774399B2. Автор: 俊雄 林,泰宏 森川. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2006-05-10.

Coated copper particle, method for manufacturing coated copper particle, copper paste, method for manufacturing copper paste, and semiconductor device

Номер патента: JP2022026615A. Автор: 知直 菊池,Tomonao Kikuchi,航希 野々村,Koki Nonomura. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2022-02-10.

Metal thin film and method for manufacturing the same, dielectric capacitor and method for manufacturing the same, and semiconductor device

Номер патента: JP2010157748A. Автор: Kenichi Tsuchiya,Kenichi Kurokawa,健一 土屋,Tatsuo Sawazaki,立雄 沢崎,Teruo Tagawa,輝男 田川,賢一 黒川. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2010-07-15.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR THE PRODUCTION OF A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120025303A1. Автор: Hirler Franz,Rieger Walter,Wood Andrew,Zelsacher Rudolf,Poelzl Martin,Blank Oliver,Siemieniec Ralf,Haeberlen Oliver,Born Mathias,Ropohl Jan,Hiller Uli,Roesch Maximilian,Krumrey Joachim. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2012-02-02.

METHOD FOR FORMING METAL THIN FILM, SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120211890A1. Автор: Kojima Yasuhiko,AZUMO Shuji. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-08-23.

OPTICAL SEMICONDUCTOR AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME, OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE, PHOTOCATALYST, HYDROGEN PRODUCING DEVICE, AND ENERGY SYSTEM

Номер патента: US20120237842A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-09-20.

LAYOUT SCHEME AND METHOD FOR FORMING DEVICE CELLS IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120256235A1. Автор: CHEN Jung-Hsuan,LIAO Hung-Jen,CHOU Shao-Yu,CHEN Yen-Huei,Pan Hsien-Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-10-11.

ADHESIVE FOR SEMICONDUCTOR BONDING, ADHESIVE FILM FOR SEMICONDUCTOR BONDING, METHOD FOR MOUNTING SEMICONDUCTOR CHIP, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120267803A1. Автор: Nakayama Atsushi,WAKIOKA Sayaka,LEE Yangsoo,Dilao Carl Alvin. Владелец: Sekisui Chemical Co., LTD. Дата публикации: 2012-10-25.

Integrated Heterojunction Semiconductor Device and Method for Producing an Integrated Heterojunction Semiconductor Device

Номер патента: US20130168737A1. Автор: Prechtl Gerhard,Dippold Gebhart. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2013-07-04.

Photosensitive resin composition, method for producing cured relief pattern, semiconductor device and display device

Номер патента: JP6454769B2. Автор: 敏章 奥田,佐々木　隆弘,隆弘 佐々木,昌樹 米谷. Владелец: Asahi Kasei Corp. Дата публикации: 2019-01-16.

Forming methods for pseudo gate device and semiconductor device in gate-last process

Номер патента: CN104576725A. Автор: 朱慧珑,殷华湘,赵治国. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2015-04-29.

Photosensitive resin composition, method for producing cured relief pattern, semiconductor device and display device

Номер патента: JP6108869B2. Автор: 敏章 奥田,佐々木　隆弘,隆弘 佐々木. Владелец: Asahi Kasei Corp. Дата публикации: 2017-04-05.

Method for forming a memory device, semiconductor device and forming methid thereof

Номер патента: TW200638512A. Автор: Chin-Ta Su,Shing-Ann Luo,Chien-Hung Lu,Kuang-Wen Liu,Lee-Jen Chen. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-01.

PRESSURE-SENSITIVE ADHESIVE TAPE FOR RESIN ENCAPSULATION AND METHOD FOR PRODUCING RESIN ENCAPSULATION TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130237017A1. Автор: Hoshino Shinji,ARIMITSU Yukio,Nishio Akinori,KONDO Hiroyuki. Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2013-09-12.

Thick film paste, inorganic powder composition for thick film paste, ceramic wiring board and method for producing the same, and semiconductor device

Номер патента: JP3856946B2. Автор: 正英 岡本,円 木下,則夫 千石,満 藤井,円 田内,美咲 處,徳宏 阿美. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2006-12-13.

Method for manufacturing lead frame for semiconductor device

Номер патента: JP2520486B2. Автор: 正幸 樋口. Владелец: Mitsui High Tech Inc. Дата публикации: 1996-07-31.

Method for manufacturing lead frame for semiconductor device

Номер патента: JP2622632B2. Автор: 正幸 樋口. Владелец: Mitsui High Tech Inc. Дата публикации: 1997-06-18.

METHOD FOR FORMING CONTACT HOLE OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120009523A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-12.

METHOD FOR FORMING SAPPHIRE SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120009768A1. Автор: . Владелец: YAMAGUCHI UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-12.

METHOD FOR MANUFACTURING SOI SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120021588A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-26.

METHOD FOR MANUFACTURING SOI SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120077330A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-03-29.

METHOD FOR MAKING A SOLID STATE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120100656A1. Автор: TU PO-MIN,HUANG SHIH-CHENG,YANG SHUN-KUEI,HUANG CHIA-HUNG. Владелец: ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-04-26.

ISOLATION STRUCTURE, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING THE STRUCTURE

Номер патента: US20120112288A1. Автор: Zhu Huilong,Zhong Huicai,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-05-10.

INTEGRATED CIRCUIT, METHOD FOR DRIVING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120140550A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-06-07.

METHODS FOR FORMING CONDUCTIVE VIAS IN SEMICONDUCTOR DEVICE COMPONENTS

Номер патента: US20120156871A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-06-21.

NITRIDE SEMICONDUCTOR STACKED STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME AND NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120211784A1. Автор: Sugawara Hideto. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-08-23.

METHOD FOR FORMING A PATTERN AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120211873A1. Автор: OYAMA Kenichi,YAEGASHI Hidetami. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-08-23.

SEMICONDUCTOR CHIP, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR CHIP, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120241917A1. Автор: IDE Akira,TORII Koji. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2012-09-27.

METHODS FOR SENSING MEMORY ELEMENTS IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120243343A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-09-27.

METHOD FOR FORMING ISOLATION LAYER IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120270380A1. Автор: Eun Byung Soo. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-10-25.

THIN FILM TRANSISTOR, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120286278A1. Автор: KONDO Toshikazu,KISHIDA Hideyuki. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-11-15.

METHOD FOR FORMING HARD MASK IN SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATION

Номер патента: US20120295441A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR MANUFACTURING INTERNATIONAL (BEIJING) CORPORATION. Дата публикации: 2012-11-22.

METHOD FOR CONTROLLED REMOVAL OF A SEMICONDUCTOR DEVICE LAYER FROM A BASE SUBSTRATE

Номер патента: US20120322244A1. Автор: Bedell Stephen W.,Cheng Cheng-Wei,Sadana Devendra K.,Shiu Kuen-Ting,Sosa Cortes Norma E.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-12-20.

METHOD FOR INTEGRATING REPLACEMENT GATE IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130005097A1. Автор: Xu Qiuxia,Xu Gaobo. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-03.

THIENOPYRIDINE DERIVATIVE, METHOD FOR PRODUCING SAME AND ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE USING SAME

Номер патента: US20130005979A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2013-01-03.

TEST STRUCTURE AND METHOD FOR DETERMINING OVERLAY ACCURACY IN SEMICONDUCTOR DEVICES USING RESISTANCE MEASUREMENT

Номер патента: US20130048979A1. Автор: Piper Daniel. Владелец: WAFERTECH, LLC. Дата публикации: 2013-02-28.

RESIN-DIAMAGNETIC MATERIAL COMPOSITE STRUCTURE, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20130049187A1. Автор: WADA Hiroshi,Minamio Masanori,Ujihara Daisuke. Владелец: . Дата публикации: 2013-02-28.

SYSTEMS AND METHODS FOR DISCHARGING BUS VOLTAGE USING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20130076405A1. Автор: RANSOM RAY M.,Tang David. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2013-03-28.

SEMICONDUCTOR ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING SEMICONDUCTOR ELEMENT

Номер патента: US20130126868A1. Автор: Yamazaki Shunpei,HONDA Tatsuya,KANEMURA Hiroshi,OOTA Masashi,HIRAISHI Suzunosuke. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2013-05-23.

METHOD FOR FORMING METAL LINE IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130168867A1. Автор: SHIM Sang Chul. Владелец: Dongbu HiTek Co., Ltd.. Дата публикации: 2013-07-04.

SOFTWARE AND METHOD FOR VIA SPACING IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130280905A1. Автор: RASHED Mahbub,Doman David S.,Tarrabia Marc. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2013-10-24.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.