Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Method for fabricating polyresistor of semiconductor device

Method for fabricating polyresistor of semiconductor device

Номер патента: KR100546723B1
Опубликовано: 26-01-2006
Автор(ы): 서영훈
Принадлежит: 동부아남반도체 주식회사
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method for forming a lower electrode for use in a semiconductor device

Номер патента: US6465300B2. Автор: Jeong-tae Kim,Yong-Sik Yu. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-15.

Semiconductor device and method for fabrication thereof

Номер патента: EP1223622A3. Автор: Kazuaki c/o FUJITSU LIMITED KURIHARA,Kenji c/o Fujitsu Limited Maruyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-07-28.

Semiconductor device and method for fabricating thereof

Номер патента: US20220093532A1. Автор: Youn Soo Kim,Tae Kyun Kim,Jin-Su Lee,Hong Sik Chae,Youn Joung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-24.

Method for fabricating array structure of columnar capacitor and semiconductor structure

Номер патента: US20230015120A1. Автор: Tao Liu,Jun Xia,Penghui Xu,Sen Li,Qiang Wan,Kangshu ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Capacitor structure, semiconductor memory device including the same, method for fabricating the same, and method for fabricating semiconductor memory device including the same

Номер патента: US12094924B2. Автор: Su Hwan Kim,Sang Yeol Kang,Kyoo Ho Jung,Won Sik CHOI,Dong Kwan BAEK,Yu Kyung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210104528A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-04-08.

Method for fabricating a semiconductor device and the same

Номер патента: US20210288052A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-16.

Method for making deep trench isolation of cis device, and semiconductor device structure

Номер патента: US20220230909A1. Автор: XIAO FAN,Peng Huang,Jialong Li,Wensheng QIAN. Владелец: Hua Hong Semiconductor Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Semiconductor device with self-aligned air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US09640426B2. Автор: Jong-Min Lee,Il-Cheol RHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230253242A1. Автор: Jun Sik Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor device with single step height and method for fabricating the same

Номер патента: US20220122991A1. Автор: Yu-Ting Lin,Mao-Ying Wang,Lai-Cheng TIEN,Hui-Lin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-04-21.

Device having a contact between semiconductor regions through a buried insulating layer, and process for fabricating said device

Номер патента: US09490264B2. Автор: Richard Ferrant,Carlos Mazure. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device including nonvolatile memory and method for fabricating the same

Номер патента: US7282413B2. Автор: Masataka Takebuchi,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-10-16.

Semiconductor device including nonvolatile memory and method for fabricating the same

Номер патента: US20090283815A1. Автор: Masataka Takebuchi,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-11-19.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20220310626A1. Автор: Zhongming Liu,Longyang Chen,Hongfa Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Transistor gates including cobalt silicide, semiconductor device structures including the transistor gates, precursor structures, and methods of fabrication

Номер патента: WO2008073776B1. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Yongjun Jeff Hu. Дата публикации: 2008-12-11.

Transistor gates including cobalt silicide, semiconductor device structures including the transistor gates, precursor structures, and methods of fabrication

Номер патента: WO2008073776A3. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Yongjun Jeff Hu. Дата публикации: 2008-09-12.

Semiconductor device with self-aligned landing pad and method for fabricating the same

Номер патента: US11121137B1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-14.

Semiconductor device with tapering impurity region and method for fabricating the same

Номер патента: US20210351185A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220013526A1. Автор: Se Han Kwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11532631B2. Автор: Se Han Kwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-12-20.

Semiconductor device with porous decoupling feature and method for fabricating the same

Номер патента: US20210375881A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210091087A1. Автор: Chun-Cheng Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210043634A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Methods for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20040142569A1. Автор: Seok Kim,Chee Choi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-22.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210082922A1. Автор: Chih-Wei Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor device with protruding contact and method for fabricating the same

Номер патента: US20220122979A1. Автор: Chih-Hung Chen,Chiang-Lin Shih,Szu-Yao Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20130015508A1. Автор: Wen-Yueh Jang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2013-01-17.

Method for fabricating semiconductor device with protruding contact

Номер патента: US11574911B2. Автор: Chih-Hung Chen,Chiang-Lin Shih,Szu-Yao Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-02-07.

Method for forming buried bit line, semiconductor device having the same, and fabricating method thereof

Номер патента: US09837422B2. Автор: Jin-Ki Jung,You-Song Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Method for fabricating semiconductor circuits

Номер патента: US5330933A. Автор: Tsiu C. Chan,William A. Bishop. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Inc. Дата публикации: 1994-07-19.

Apparatus and methods for sensing long wavelength light

Номер патента: US12113086B2. Автор: Ying-Hao Chen,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Apparatus and methods for sensing long wavelength light

Номер патента: US20230402478A1. Автор: Ying-Hao Chen,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Apparatus and methods for sensing long wavelength light

Номер патента: US11798969B2. Автор: Ying-Hao Chen,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

METHOD FOR ELECTRICALLY CONNECTING WAFERS USING BUTTING CONTACT STRUCTURE AND SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATED THROUGH THE SAME

Номер патента: US20140138847A1. Автор: Jeon In Gyun. Владелец: SILICONFILE TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2014-05-22.

Method for producing semiconductor wafer assembly, semiconductor wafer assembly, and semiconductor device

Номер патента: EP2400542A1. Автор: Fumihiro Shiraishi,Toyosei Takahashi,Toshihiro Sato,Masahiro Yoneyama,Masakazu Kawata,Hirohisa Dejima. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-28.

Method for measuring charge accumulation in fabrication process of semiconductor device and method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20180286765A1. Автор: Chu-Fu Chen,Chun-Hao Liao,Jui-Yean Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-04.

Apparatuses and methods for coupling contact pads to a circuit in a semiconductor device

Номер патента: US20190304855A1. Автор: Masahiko Igeta,Yoshimi Terui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Apparatuses and methods for coupling contact pads to a circuit in a semiconductor device

Номер патента: US20190333830A1. Автор: Masahiko Igeta,Yoshimi Terui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Apparatuses and methods for coupling contact pads to a circuit in a semiconductor device

Номер патента: US10847433B2. Автор: Masahiko Igeta,Yoshimi Terui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-24.

Method for fabricating a semiconductor device having a device isolation trench

Номер патента: US8338246B2. Автор: Song Hyeuk Im. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-25.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09577043B2. Автор: Hyun Jung Lee,Seung Hun Lee,Sunjung Kim,Eunhye Choi,Jongryeol YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Methods of fabricating silicon-on-insulator (SOI) semiconductor devices using blanket fusion bonding

Номер патента: US09721832B2. Автор: Alexander A. Ned,Sorin Stefanescu,Joseph R. VanDeWeert. Владелец: Kulite Semiconductor Products Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device having a device isolation trench

Номер патента: US20070264789A1. Автор: Song Hyeuk Im. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-11-15.

Method for fabricating a semiconductor device by bonding a layer to a support with curvature

Номер патента: US09536901B2. Автор: Masakazu Murakami,Shunpei Yamazaki,Junya Maruyama,Toru Takayama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Wafer-level encapsulated semiconductor device, and method for fabricating same

Номер патента: US09450004B2. Автор: Wei-Feng Lin,Chih-Hung Tu. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09437620B2. Автор: Yoshitaka Dozen,Takuya Tsurume. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Method for fabricating semiconductor device, and method for fabricating display device

Номер патента: US20130089933A1. Автор: Katsuyuki Suga. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-04-11.

Semiconductor device and method for fabricating thereof

Номер патента: US09929203B1. Автор: Keng-Ying Liao,Yi-Hung Chen,Chih-Yu Wu,Chih-Wei SUNG,Yi-Fang YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110183470A1. Автор: Ryosuke Watanabe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-28.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: WO2007043285A9. Автор: Ryosuke Watanabe. Владелец: Ryosuke Watanabe. Дата публикации: 2007-06-07.

Structure and formation method of semiconductor device with metal gate stacks

Номер патента: US20190221653A1. Автор: Yi-Hsuan Hsiao,Chih-Chang Hung,Chih-Ming Sun,Shu-Yuan Ku,I-Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-07-18.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09893202B2. Автор: Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device having aluminum-containing layer between two curved substrates

Номер патента: US09337341B2. Автор: Masakazu Murakami,Shunpei Yamazaki,Junya Maruyama,Toru Takayama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-10.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US7220638B2. Автор: Osamu Yamaguchi,Kouichi Tani. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-22.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240072097A1. Автор: Shih-Hung Tsai,Po-Kuang Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Method for manufacturing contact windows with a reduced size for semiconductor devices

Номер патента: RU2767484C1. Автор: Самвел Грантович Тадевосян,Андрей Григорьевич Шелегеда,Михаил Валентинович Хохлов. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Монолит". Дата публикации: 2022-03-17.

Method for measuring and correcting misregistration between layers in a semiconductor device, and misregistration targets useful therein

Номер патента: US20220199437A1. Автор: YOEL Feler,Roie VOLKOVICH,Liran Yerushalmi,Renan MILO,Moran Zaberchik,David Izraeli. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Manufacturing method of photomask, method for optical proximity correction, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US8835083B2. Автор: Akira Imai,Ayumi Minamide,Akemi Moniwa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-09-16.

Manufacturing method of photomask, method for optical proximity correction, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20120183891A1. Автор: Akira Imai,Ayumi Minamide,Akemi Moniwa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-07-19.

Manufacturing method of photomask, method for optical proximity correction, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20140030657A1. Автор: Akira Imai,Ayumi Minamide,Akemi Moniwa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-01-30.

Method for die-level unique authentication and serialization of semiconductor devices

Номер патента: WO2020214243A1. Автор: H. Jim Fulford,Anton Devilliers,Anthony Schepis. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2020-10-22.

Method for forming via profile of interconnect structure of semiconductor device structure

Номер патента: US09536964B2. Автор: Che-Cheng Chang,Wei-Ting Chen,Wei-Yin Shiao,Tai-Shin Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Method for inspecting pattern and an apparatus for manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US09965851B2. Автор: Seunghune YANG,Kiho Yang,Kaiyuan Chi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Method for manufacturing vertical super junction drift layer of power semiconductor devices

Номер патента: US10056452B2. Автор: Bo Zhang,Jinping Zhang,Zehong LI,Hongming Gu,Xunyi SONG,Wenlong SONG,Youbiao ZOU. Владелец: Electronic And Information Engineering In Dongguan Uestc. Дата публикации: 2018-08-21.

Method for manufacturing vertical super junction drift layer of power semiconductor devices

Номер патента: US20160315142A1. Автор: Bo Zhang,Jinping Zhang,Zehong LI,Hongming Gu,Xunyi SONG,Wenlong SONG,Youbiao ZOU. Владелец: Electronic And Information Engineering In Dongguan Uestc. Дата публикации: 2016-10-27.

Method for forming an ohmic contact on a wide-bandgap semiconductor device and wide-bandgap semiconductor device

Номер патента: WO2022214338A1. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS,Vinoth Sundaramoorthy. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-10-13.

Method for forming an ohmic contact on a wide-bandgap semiconductor device and wide-bandgap semiconductor device

Номер патента: US20240222462A1. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS,Vinoth Sundaramoorthy. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Apparatuses and methods for extracting defect depth information and methods of improving semiconductor device manufacturing processes using defect depth information

Номер патента: US20140307052A1. Автор: Byoung-Ho Lee,Jeong-Ho Ahn,Dong-ryul Lee,Jong-Cheon Sun,Dong-Chul Ihm,Soo-bok Chin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-10-16.

Method for manufacturing a multi-layer wiring structure of a semiconductor device

Номер патента: US5851917A. Автор: Sang-In Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-12-22.

System and method for automatically identifying defect-based test coverage gaps in semiconductor devices

Номер патента: EP4248490A1. Автор: John Robinson,David W. Price,Robert J. Rathert,Oreste Donzella,Mike Von den Hoff,Barry Saville,Thomas Groos,Justin LACH,Narayani Narasimhan,Chet LENOX,Kara SHERMAN,Teng Song LIM. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2023-09-27.

Method for mounting a semiconductor chip on a substrate and semiconductor device adapted for mounting on a substrate

Номер патента: US20010038152A1. Автор: I-Ming Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-08.

Method for measuring and correcting misregistration between layers in a semiconductor device, and misregistration targets useful therein

Номер патента: US20200312687A1. Автор: YOEL Feler,Roie VOLKOVICH,Liran Yerushalmi,Renan MILO,Moran Zaberchik,David Izraeli. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Apparatus and method for measuring and controlling the internal temperature of a semiconductor device

Номер патента: US09568537B1. Автор: Jason Christopher McCullough. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Method for thinning, metalizing, and dicing a semiconductor wafer, and semiconductor device made using the method

Номер патента: US09564401B2. Автор: Hiroyuki NUMAGUCHI. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Method for die-level unique authentication and serialization of semiconductor devices using electrical and optical marking

Номер патента: US20200328103A1. Автор: Anton J. deVilliers,H. Jim Fulford,Anthony Schepis. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-10-15.

Method for die-level unique authentication and serialization of semiconductor devices using electrical and optical marking

Номер патента: US11862497B2. Автор: Anton J. deVilliers,H. Jim Fulford,Anthony Schepis. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Method for die-level unique authentication and serialization of semiconductor devices using electrical and optical marking

Номер патента: WO2020214256A1. Автор: H. Jim Fulford,Anton Devilliers,Anthony Schepis. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2020-10-22.

Method for manufacturing soi structure in desired region of a semiconductor device

Номер патента: US20090186463A1. Автор: Min Jung SHIN. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-07-23.

Method for processing a semiconductor wafer, semiconductor wafer, clip and semiconductor device

Номер патента: US20210305198A1. Автор: Roland Rupp,Carsten Von Koblinski,Matteo Piccin,Chiew Li Tai,Daniel PEDONE,Jia Yi WONG. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2021-09-30.

Method for forming dual silicide in manufacturing process of semiconductor structure

Номер патента: US20230420565A1. Автор: Ming-Hsing Tsai,Chih-Wei Chang,Li-Wei Chu,Hung-Hsu CHEN,Ying-Chi Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Method for cleaning semiconductor wafer and manufacturing method of semiconductor wafer using the method for cleaning

Номер патента: US20200020552A1. Автор: Katsuro Wakasugi. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2020-01-16.

Apparatuses and related methods for staggering power-up of a stack of semiconductor dies

Номер патента: US9785171B2. Автор: Trismardawi Tanadi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Apparatuses and related methods for staggering power-up of a stack of semiconductor dies

Номер патента: US20160209859A1. Автор: Trismardawi Tanadi. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2016-07-21.

Manufacturing method for filling a trench or contact hole in a semiconductor device

Номер патента: US5824562A. Автор: Tai-su Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-10-20.

Method for inspecting pattern and an apparatus for manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US20160275663A1. Автор: Seunghune YANG,Kiho Yang,Kaiyuan Chi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-22.

Lead frame, method for partial noble plating of said lead frame and semiconductor device having said lead frame

Номер патента: CA2186695C. Автор: Hideo Horita,Chiaki Hatsuta. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2001-08-07.

Method for forming a porous dielectric material layer in a semiconductor device and device formed

Номер патента: US6831364B2. Автор: Kenneth Parker Rodbell,Sampath Purushothaman,Robert Rosenberg,Satyanarayana V. Nitta,Timothy Joseph Dalton,Jeffrey Curtis Hedrick,Stephen Edward Greco. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-12-14.

Dispatch method for production line in semiconductor process, storage medium and semiconductor device

Номер патента: US11988969B2. Автор: Chin-Chang Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Dispatch method for production line in semiconductor process, storage medium and semiconductor device

Номер патента: US20230057823A1. Автор: Chin-Chang Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Method for forming a contact during the formation of a semiconductor device

Номер патента: US5686357A. Автор: Bradley J. Howard. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1997-11-11.

Method for providing a self-aligned pad protection in a semiconductor device

Номер патента: US20150357234A1. Автор: Michael Rogalli,Wolfgang Lehnert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-12-10.

Method for forming a plug or damascene trench on a semiconductor device

Номер патента: US6391763B1. Автор: Hao-Chieh Liu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2002-05-21.

Method for thinning, metalizing, and dicing a semiconductor wafer and, semiconductor device made using the method

Номер патента: US8945988B2. Автор: Hiroyuki NUMAGUCHI. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-03.

Method for forming a low-k dielectric layer for a semiconductor device

Номер патента: US20050148201A1. Автор: Jae-Young Ahn,Young-Seok Kim,Ju-Wan Lim,Sang-Ryol Yang,Hong-suk Kim,Sung-Hae Lee,Man-sug Kang,Jin-Gyun Kim,Hee-seok Kim,Yong-woo Hyung,Jin-Tae No. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-07-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the same, circuit board, electronic apparatus, and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US20040115920A1. Автор: Masahiro Kubo,Ichiro Hazeyama,Sakae Kitajo,Hirobumi Inoue,Hidehiko Kuroda,Takao Yamazaki,Yoshimichi Sogawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2004-06-17.

Method for producing a semiconductor body, semiconductor body and power semiconductor device

Номер патента: WO2024056185A1. Автор: Yulieth Cristina Arango,Giovanni ALFIERI. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Method for processing a semiconductor wafer, semiconductor wafer, clip and semiconductor device

Номер патента: US11756917B2. Автор: Roland Rupp,Carsten Von Koblinski,Matteo Piccin,Chiew Li Tai,Daniel PEDONE,Jia Yi WONG. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-09-12.

Method for forming sintered silver coating film, baking apparatus, and semiconductor device

Номер патента: US20140239484A1. Автор: Kenji Matsuda,Muneo Harada,Itaru Iida,Yoshinobu Mitano,Michikazu NAKAMURA,Shinjiro Watanabe,Dai Shinozaki. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2014-08-28.

Method for fabricating cylinder type capacitor

Номер патента: US6949431B2. Автор: Chang-Goo Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-09-27.

Method for fabricating metal-insulator-metal capacitor of semiconductor device

Номер патента: US20060141705A1. Автор: Sang Chul Shim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-29.

Transistor of Semiconductor Device and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20090001482A1. Автор: Chun Soo Kang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-01-01.

Transistor of semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US8212293B2. Автор: Chun Soo Kang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-07-03.

Transistor of semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20120264274A1. Автор: Chun Soo Kang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-10-18.

METHOD FOR MEASURING CHARGE ACCUMULATION IN FABRICATION PROCESS OF SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180286765A1. Автор: Liao Chun-Hao,Chen Chu-Fu,Chiu Jui-Yean. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2018-10-04.

Device architecture and method for precision enhancement of vertical semiconductor devices

Номер патента: US09997455B2. Автор: Thomas E. Harrington, III. Владелец: D3 Semiconductor LLC. Дата публикации: 2018-06-12.

Device architecture and method for precision enhancement of vertical semiconductor devices

Номер патента: US09589889B2. Автор: Thomas E. Harrington, III. Владелец: D3 Semiconductor LLC. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device layout structure, method for forming same, and test system

Номер патента: US20240071844A1. Автор: Yizhi Zeng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device and method

Номер патента: US12033940B2. Автор: Jhon Jhy Liaw,Ren-Fen Tsui,Dian-Sheg Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device and method

Номер патента: US09978680B2. Автор: Jhon Jhy Liaw,Ren-Fen Tsui,Dian-Sheg Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device and method

Номер патента: US09666587B1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Ren-Fen Tsui,Dian-Sheg Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Method for fabricating a repair fuse box for a semiconductor device

Номер патента: US6458709B2. Автор: Joong Shik Shin,Eul Rak Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-01.

Process for fabricating monolithic circuits having matched complementary transistors and product

Номер патента: US4054899A. Автор: William F. Cashion,Robert A. Stehlin. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1977-10-18.

Semiconductor device and method for generating integrated circuit layout

Номер патента: US20240014202A1. Автор: Chun-Cheng Ku,Kuan-Jung Jhu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Methods for removing selected fins that are formed for finfet semiconductor devices

Номер патента: US20150318215A1. Автор: Ruilong Xie,William J. Taylor, Jr.. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-11-05.

APPARATUSES AND METHODS FOR COUPLING CONTACT PADS TO A CIRCUIT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190304855A1. Автор: Igeta Masahiko,Terui Yoshimi. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-10-03.

Apparatuses and methods for coupling contact pads to a circuit in a semiconductor device

Номер патента: US20190333830A1. Автор: Masahiko Igeta,Yoshimi Terui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Method for arranging wiring line including power reinforcing line and semiconductor device having power reinforcing line

Номер патента: US20030211722A1. Автор: Won-suk Yang,Jae-Young Lee,Ki-nam Kim,Chang-Hyun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-11-13.

Method for oxidizing a structure during the fabrication of a semiconductor device

Номер патента: EP2063464A3. Автор: Takayuki Niuya,Ming Hwang,Boyang Lin,Song C. Park. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-06-17.

Method for oxidizing a structure during the fabrication of a semiconductor device

Номер патента: EP2063464B1. Автор: Takayuki Niuya,Ming Hwang,Boyang Lin,Song C. Park. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-11-29.

Method for fabricating a capacitor lower electrode in a semiconductor device

Номер патента: KR100308203B1. Автор: 박주욱. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-11-02.

Method for forming a dielectric film of a capacitor in semiconductor device

Номер патента: EP0540240A1. Автор: Kenji Okamura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1993-05-05.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: US7666738B2. Автор: Dong-Woo Shin,Jin-woong Kim,Jong-Min Lee,Hyung-Bok Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-02-23.

Method for fabricating semiconductor device having ruthenium layer and equipment for fabricating the same

Номер патента: US20030022521A1. Автор: Seok-jun Won,Cha-young Yoo,Soon-yeon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-01-30.

Method of fabricating capacitor for semiconductor device

Номер патента: US6190993B1. Автор: Byung Jae Choi,Soo Jin Seo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-02-20.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09905633B1. Автор: Chi-Han YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Method for manufacturing capacitor of semiconductor device

Номер патента: US7875515B2. Автор: Sang Man Bae,Hyoung Ryeun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-01-25.

Inductor for semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20100164060A1. Автор: Ji-Houn Jung. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Complementary division mask having alignment mark, method for forming alignment mark of the complementary division mask, semiconductor device manufactured by using the complementary division mask, and its manufacturing method

Номер патента: US20060152723A1. Автор: Shinichiro Nohdo,Keiko Amai. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-07-13.

Semiconductor devices, method for fabricating integrated fan-out packages, and method for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US09911672B1. Автор: Hsien-Wei Chen,Der-Chyang Yeh,Li-Hsien HUANG,Chi-Hsi Wu,Kuan-Chung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Method for fabricating polycide dual gate in semiconductor device

Номер патента: US20010006832A1. Автор: Jong Bae,Ji Park,Dong Sohn. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-07-05.

Methods for fabricating integrated circuits having device contacts

Номер патента: US09443761B2. Автор: Wei Lu,Fan Zhang,Wei Shao,Juan Boon Tan,Wuping Liu,Vish SRINIVASAN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Method for forming multi-layer metal line of semiconductor device

Номер патента: US20030129825A1. Автор: Jun Yoon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-10.

Power semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09425308B2. Автор: Wen-Chia LIAO,Li-Fan Lin. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Gate-all-around nanowire device and method for manufacturing such a device

Номер патента: US09991261B2. Автор: Jerome Mitard. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-06-05.

Method of manufacturing high-voltage semiconductor device and low-voltage semiconductor device

Номер патента: US7910466B2. Автор: Choul Joo Ko. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-22.

Integrated circuits having device contacts and methods for fabricating the same

Номер патента: US20160035623A1. Автор: Wei Lu,Fan Zhang,Wei Shao,Juan Boon Tan,Wuping Liu,Vish SRINIVASAN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-02-04.

Modeling mandrel tolerance in a design of a semiconductor device

Номер патента: WO2024118404A1. Автор: John E. Barwin,Jeroen Clemens Jozef PAASSCHENS,Amanda WOON-FAT,Gohar MOVSISYAN,Marco Miguel VAZ OLIVEIRA. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2024-06-06.

High-voltage semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070155107A1. Автор: Choul Ko. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Method of fabricating conductive straps to interconnect contacts to corresponding digit lines by employing an angled sidewall implant and semiconductor devices fabricated thereby

Номер патента: US20020121704A1. Автор: Shubneesh Batra,Tyler Lowrey. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-05.

Method of fabricating conductive straps to interconnect contacts to corresponding digit lines by employing an angled sidewall implant and semiconductor devices fabricated thereby

Номер патента: US20010028092A1. Автор: Shubneesh Batra,Tyler Lowrey. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-11.

Shielding structure for a vertical iii-nitride semiconductor device

Номер патента: EP4391065A1. Автор: Hu Liang,Stefaan Decoutere,Karen GEENS. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-26.

Etching solution and method for selectively removing silicon nitride during manufacture of a semiconductor device

Номер патента: WO2020185762A8. Автор: Wen Dar Liu,Yi-Chia Lee,Jhih Kuei GE. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2024-05-02.

Shielding structure for a vertical iii-nitride semiconductor device

Номер патента: WO2024132524A1. Автор: Hu Liang,Jens Baringhaus,Kevin Dannecker,Stefaan Decoutere,Karen GEENS. Владелец: IMEC VZW. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for evaulating of molding material with dams formed on a semiconductor substrate to define slits for capturing the fillers contained in the molding material

Номер патента: US20020088974A1. Автор: Masaru Takahara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-11.

Method for fabricating storage node contact hole of semiconductor device

Номер патента: US7371636B2. Автор: Ki-Won Nam. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-05-13.

Protective layers formed on semiconductor device components so as to reduce or eliminate the occurrence of delamination thereof and cracking therein

Номер патента: US20040183210A1. Автор: Tongbi Jiang,Shijian Luo,S. Hinkle. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-23.

Method For Fabricating Of Shallow Trench Isolation Of Semiconductor Device

Номер патента: KR100561522B1. Автор: 신문정. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2006-03-16.

Method for fabricating multi-layer metal interconnection of semiconductor device

Номер патента: KR100267106B1. Автор: 박주성,조찬형. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-10-02.

Method for fabricating multi-layer metal interconnection of semiconductor device

Номер патента: KR100188001B1. Автор: 유왕희. Владелец: 페어차일드코리아반도체주식회사. Дата публикации: 1999-06-01.

Method For Fabricating Of Shallow Trench Isolation Of Semiconductor Device

Номер патента: KR100561520B1. Автор: 신문정. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2006-03-17.

Method for fabricating storage node contact hole of semiconductor device

Номер патента: CN1983553A. Автор: 南基元. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-06-20.

Method for fabricating of double oxide layer of semiconductor device

Номер патента: KR20010111063A. Автор: 이문희,이광욱,이근택,정승필,장규환,이선정,박임수. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-12-15.

Power semiconductor device having high breakdown voltge and method for fabricating the same

Номер патента: US20010030346A1. Автор: Chang-Ki Jeon,Young-Suk Choi,Jong-jib Kim,Chang-seong Choi,Min-whan Kim. Владелец: Fairchild Korea Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2001-10-18.

Etching composition and method for selectively removing silicon nitride during manufacture of a semiconductor device

Номер патента: US12110435B2. Автор: Wen Dar Liu,Yi-Chia Lee,Laisheng SUN,Aiping Wu,Jhih Kuei GE. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-10-08.

Anti-fuse structure and method for fabricating same, as well as semiconductor device

Номер патента: US11043450B2. Автор: Chih Cheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-06-22.

Anti-fuse structure and method for fabricating same, as well as semiconductor device

Номер патента: US11798881B2. Автор: Chih Cheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240172571A1. Автор: Woo Tae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Anti-fuse structure and method for fabricating same, as well as semiconductor device

Номер патента: US20200357741A1. Автор: Chih Cheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2020-11-12.

Methods for performing a gate cut last scheme for FinFET semiconductor devices

Номер патента: US09991361B2. Автор: Xintuo Dai,Xusheng Wu,Haigou Huang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for forming storage node contact plug of semiconductor device

Номер патента: US20040264132A1. Автор: Yun-Seok Cho,Yu-Chang Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-12-30.

A fixture and method for laser fabrication by in-situ cleaving of semiconductor bars

Номер патента: TW296501B. Автор: John George,Kumar Chakrabarti Utpal,Francavilla De Jone Judith,Frederick Schubert Erdmann,Dennis Wynn James. Владелец: At & T Corp. Дата публикации: 1997-01-21.

Meniscus-contained method of handling fluids in the manufacture of semiconductor wafers

Номер патента: US3953265A. Автор: Roderic Kermit Hood. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1976-04-27.

Method for singulating an assemblage into semiconductor chips, and semiconductor chip

Номер патента: US20180047628A1. Автор: Mathias Kaempf. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-02-15.

Method for dividing a composite into semiconductor chips, and semiconductor chip

Номер патента: US20160204032A1. Автор: Mathias Kaempf. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-07-14.

Method for dividing a composite into semiconductor chips, and semiconductor chip

Номер патента: US9873166B2. Автор: Mathias Kaempf. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device, card, system, and method for initializing and inspecting authenticity and discrimination of semiconductor device

Номер патента: JP4545438B2. Автор: ペトラ、エー．デ、ヨング,エドウィン、ロクス,ロベルツス、アー．エム．ウォルターズ,ヘルマヌス、エル．ピーク. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-09-15.

Semiconductor device overlay measurement mark and method for measuring overlay error between multiple patterns of semiconductor device using the same

Номер патента: JP2963855B2. Автор: 相 萬 ▲べい▼. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-10-18.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20030113993A1. Автор: Min-Suk Lee,Sung-Kwon Lee,Sang-Ik Kim,Chang-Youn Hwang,Weon-Joon Suh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-19.

Method for drying semiconductor substrates

Номер патента: US4412388A. Автор: Mikio Takagi,Hajime Kamioka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1983-11-01.

Conductive layer stack and semiconductor device with a gate contact

Номер патента: US11876051B2. Автор: Che-Hsien LIAO,Yueh Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

System and method for automatically identifying defect-based test coverage gaps in semiconductor devices

Номер патента: EP4248490A4. Автор: John Robinson,David W Price,Oreste Donzella,Barry Saville,Thomas Groos,Den Hoff Mike Von,Justin LACH,Narayani Narasimhan,Chet LENOX,Kara SHERMAN,Teng Song LIM,Robert J Rathert. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-10-23.

METHOD FOR CLEANING SEMICONDUCTOR WAFER AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR WAFER USING THE METHOD FOR CLEANING

Номер патента: US20200020552A1. Автор: WAKASUGI Katsuro. Владелец: SUMCO CORPORATION. Дата публикации: 2020-01-16.

Method for fabricating a dual metal gate for a semiconductor device

Номер патента: US6514827B2. Автор: Se Aug Jang,Tae Kyun Kim,Tae Ho Cha,In Seok Yeo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-02-04.

Method for for fabricating semiconductor device and computing system for implementing the same

Номер патента: KR102163187B1. Автор: 윤종식,김병성,이화성,김윤해. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2020-10-08.

Method for fabricating a dual metal gate for a semiconductor device

Номер патента: US20020086445A1. Автор: Se Aug Jang,Tae Kyun Kim,Tae Ho Cha,In Seok Yeo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-07-04.

Method for evaluating sensitivity of photoresist, method for preparation of photoresist and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US7368209B2. Автор: Shinichi Ito,Tadahito Fujisawa,Kei Hayasaki,Eishi Shiobara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-05-06.

System and method for inspection and metrology of four sides of semiconductor devices

Номер патента: EP4211714A1. Автор: Bert Vangilbergen,Harry Paredaens,Maarten Brocatus,Foon Ming Chan. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2023-07-19.

System and method for inspection and metrology of four sides of semiconductor devices

Номер патента: WO2022103606A1. Автор: Bert Vangilbergen,Harry Paredaens,Maarten Brocatus,Foon Ming Chan. Владелец: KLA Corporation. Дата публикации: 2022-05-19.

MANUFACTURING METHOD OF PHOTOMASK, METHOD FOR OPTICAL PROXIMITY CORRECTION, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140030657A1. Автор: Imai Akira,MINAMIDE Ayumi,MONIWA Akemi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2014-01-30.

METHOD FOR FABRICATING HIGH-VOLTAGE INSULATED GATE TYPE BIPOLAR SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180145147A1. Автор: TANAKA Masahiro,Omura Ichiro,Tsukuda Masanori,Miki Yamato. Владелец: KYUSHU INSTITUTE OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2018-05-24.

Processing method for fabricating electrical contacts to mesa structures in semiconductor devices

Номер патента: WO1992005473A1. Автор: Roger P. Holmstrom,Edmund Meland,F. David Crawford. Владелец: Gte Laboratories Incorporated. Дата публикации: 1992-04-02.

Method for fabricating an interlayer-dielectric film of a semiconductor device by using a plasma treatment prior to reflow

Номер патента: US5405489A. Автор: Changgyu Kim,Yongchul Ahn,Changki Hong,Uin Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1995-04-11.

Method for fabricating recess gate and recess channel in semiconductor device

Номер патента: CN101399194B. Автор: 赵瑢泰,金殷美. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-22.

Method for manufacturing metal layer for capacitor electrode of semiconductor device

Номер патента: KR100475045B1. Автор: 이상협,김영선. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-05-27.

SYSTEM AND METHOD FOR INSPECTION AND METROLOGY OF FOUR SIDES OF SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20220146438A1. Автор: Vangilbergen Bert,Paredaens Harry,Brocatus Maarten,Chan Foon Ming. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-12.

Multi-layered moiré targets and methods for using the same in measuring misregistration of semiconductor devices

Номер патента: US20210233821A1. Автор: YOEL Feler,Mark Ghinovker. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

MOIRÉ TARGET AND METHOD FOR USING THE SAME IN MEASURING MISREGISTRATION OF SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20200249585A1. Автор: GHINOVKER Mark. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-06.

METHOD FOR DIE-LEVEL UNIQUE AUTHENTICATION AND SERIALIZATION OF SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20200328102A1. Автор: deVilliers Anton J.,Fulford H. Jim,SCHEPIS Anthony. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2020-10-15.

METHOD FOR DIE-LEVEL UNIQUE AUTHENTICATION AND SERIALIZATION OF SEMICONDUCTOR DEVICES USING ELECTRICAL AND OPTICAL MARKING

Номер патента: US20200328103A1. Автор: deVilliers Anton J.,Fulford H. Jim,SCHEPIS Anthony. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2020-10-15.

METHOD FOR FORMING VIA PROFILE OF INTERCONNECT STRUCTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE

Номер патента: US20160351669A1. Автор: Chang Che-Cheng,CHENG Tai-Shin,CHEN Wei-Ting,SHIAO Wei-Yin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2016-12-01.

Method for manufacturing of metal line contact plug of semiconductor device

Номер патента: KR100444307B1. Автор: 권판기,이상익. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-08-16.

Method for manufacturing of metal line contact plug of semiconductor device

Номер патента: KR100442962B1. Автор: 권판기,안기철,정종구. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-08-04.

Method for forming titanium silicide ohmic contact layer of semiconductor device

Номер патента: KR100626741B1. Автор: 손현철,엄장웅. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-09-22.

Method for manufacturing multi-thickness gate dielectric layer of semiconductor device

Номер патента: KR100442885B1. Автор: 김영욱,김경수,유혁주,강희성,오창봉. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-08-02.

Method for measuring leakage current in junction region of semiconductor device

Номер патента: CN1079168C. Автор: 张世亿,宋泰植. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-02-13.

Method for creating vacuum at load-lock chamber of semiconductor device fabricating equipment

Номер патента: KR100470998B1. Автор: 박봉진. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-03-10.

Method for forming gate electrode and salicide contact of semiconductor devices

Номер патента: KR100315451B1. Автор: 김서원. Владелец: 아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2001-11-28.

Method for manufacturing multi-thickness gate dielectric layer of semiconductor device

Номер патента: US7179750B2. Автор: Young-wug Kim,Hee-Sung Kang,Kyung-Soo Kim,Chang-Bong Oh,Hyuk-ju Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-02-20.

Method for forming contact hole with different depth of semiconductor device

Номер патента: KR100257771B1. Автор: 서원준. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-06-01.

Method for bonding wire conductors to contact pads of semiconductor devices

Номер патента: WO2022050873A1. Автор: Алексей Александрович Подувальцев. Владелец: Алексей Александрович Подувальцев. Дата публикации: 2022-03-10.

Method for manufacturing a shallow trench isolation layer of semiconductor device

Номер патента: KR100501549B1. Автор: 이대근. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-07-18.

Method for forming contact hole in metal wiring of semiconductor device

Номер патента: KR950015589A. Автор: 서동량. Владелец: 금성일렉트론 주식회사. Дата публикации: 1995-06-17.

Method for manufacturing multi-thickness gate dielectric layer of semiconductor device

Номер патента: US20070117391A1. Автор: Young-wug Kim,Hee-Sung Kang,Kyung-Soo Kim,Chang-Bong Oh,Hyuk-ju Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-24.

Moire target and method for using the same in measuring offset of semiconductor device

Номер патента: CN113330534B. Автор: M·吉诺乌克. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2023-01-13.

Method for removing polymer residue from metal lines of semiconductor device

Номер патента: US20090029548A1. Автор: Chung-Kyung Jung. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-01-29.

Method for detecting the alignment of a plurality of semiconductor chips of a semiconductor component stacked in the Z direction

Номер патента: DE112014002910B4. Автор: Daisuke Tsuji. Владелец: Longitude Licensing Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Calibration method for emulating group iii-v semiconductor device and method for manufacturing group iii-v semiconductor device

Номер патента: US20230066030A1. Автор: Chi-Feng Huang,Chia-Chung Chen,Chu Fu CHEN,Chiao-Chun Hsu,Kuan-Hung Liu,Shufang Fu,Fu-Yu Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Apparatus and method for detecting failure in a mechanical press

Номер патента: US20200047442A1. Автор: Kwok Pun LAW,Hong Yeung LI,Cho Wai LEUNG. Владелец: ASM TECHNOLOGY SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2020-02-13.

Method for manufacturing etch stop areas for contacting semiconductor devices

Номер патента: US20180114724A1. Автор: Dmitri Alex Tschumakow,Claus Dahl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-26.

Method for manufacturing etch stop areas for contacting semiconductor devices

Номер патента: US10354917B2. Автор: Dmitri Alex Tschumakow,Claus Dahl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-07-16.

CHEMICAL MECHANICAL POLISHING SLURRY, METHOD FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR STRUCTURE

Номер патента: US20170338123A1. Автор: Huang Shu-Hao. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-23.

METHOD FOR FORMING A VIA CONTACTING SEVERAL LEVELS OF SEMICONDUCTOR LAYERS

Номер патента: US20130196500A1. Автор: Batude Perrine,Morand Yves. Владелец: . Дата публикации: 2013-08-01.

APPARATUSES AND RELATED METHODS FOR STAGGERING POWER-UP OF A STACK OF SEMICONDUCTOR DIES

Номер патента: US20150070056A1. Автор: Tanadi Trismardawi. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-03-12.

APPARATUSES AND RELATED METHODS FOR STAGGERING POWER-UP OF A STACK OF SEMICONDUCTOR DIES

Номер патента: US20160209859A1. Автор: Tanadi Trismardawi. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-21.

APPARATUSES AND RELATED METHODS FOR STAGGERING POWER-UP OF A STACK OF SEMICONDUCTOR DIES

Номер патента: US20170336820A1. Автор: Tanadi Trismardawi. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-23.

APPARATUSES AND RELATED METHODS FOR STAGGERING POWER-UP OF A STACK OF SEMICONDUCTOR DIES

Номер патента: US20180364749A1. Автор: Tanadi Trismardawi. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-20.

Method for identifying defective elements in array molding of semiconductor packaging

Номер патента: US6391666B2. Автор: Ya-Hui Huang,Chih-Chin Liao,Tzong-Dar Her. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-21.

Method for forming pad region and fuse region of semiconductor

Номер патента: KR100680935B1. Автор: 조형철. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-02-08.

Method for etching photoresistive layer deposited on substrat of semiconductor

Номер патента: CN1480996A. Автор: ,陈中泰. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-03-10.

Method for removing bubbles from chip adhesive layer of semiconductor package

Номер патента: CN112908865A. Автор: 陈天翼,罗玉婷,厉玉生. Владелец: Shanghai Maoying New Energy Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-06-04.

Method for the simultaneous grinding of a plurality of semiconductor wafers

Номер патента: CN101269476B. Автор: G·皮奇,M·克斯坦,H·a·d·施普林. Владелец: PETER WOLTERS GmbH. Дата публикации: 2010-12-08.

Apparatus and Method for measuring the accumulation of ecthing waste of semiconductor

Номер патента: KR102498907B1. Автор: 신찬수. Владелец: 신찬수. Дата публикации: 2023-02-09.

Method for covalently grafting dielectric film on surface of semiconductor

Номер патента: CN112103176A. Автор: 李明,曹亮亮,吴蕴雯. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2020-12-18.

Method for the simultaneous grinding of a plurality of semiconductor wafers

Номер патента: KR100945755B1. Автор: 게오르크 핏쉬,미하엘 커스탄,하이코 아우스 뎀 스프링. Владелец: 페터 볼터스 게엠베하. Дата публикации: 2010-03-08.

Semiconductor device and method for producing a carrier element suitable for a semiconductor device

Номер патента: WO2019114968A1. Автор: Choo Kean Lim,Choon Keat OR,Choon Kim LIM,Siew Yan CHUA. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-06-20.

Washing solution and washing method for semiconductor substrate

Номер патента: US20230402275A1. Автор: Atsushi Mizutani. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Method and apparatus for fabricating a barrier metal layer of a semiconductor device

Номер патента: KR100528964B1. Автор: 고상태. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-11-15.

A photolithographic process for fabricating a structure in a radiation-emitting semiconductor device

Номер патента: DE102013108876A1. Автор: Bernd Böhm,Sebastian Hoibl. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2015-03-12.

System and method for detecting bonding status of bonding wire of semiconductor package

Номер патента: US6492828B2. Автор: Chen Chin-Te,Lee Ming-Hsun. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-10.

Device and method for cleaning articles used in the production of semiconductor components

Номер патента: EP1297384B1. Автор: Jakob Blattner,Federici Rudy. Владелец: Brooks PRI Automation Switzerland GmbH. Дата публикации: 2006-11-02.

Semiconductor Device, a Semiconductor Wafer Structure, and a Method for Forming a Semiconductor Wafer Structure

Номер патента: US20150028456A1. Автор: Wolfgang Wagner,Francisco Javier Santos Rodriguez,Holger Huesken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-01-29.

Apparatus and Method For Generating Test Pattern Data For Testing Semiconductor Device

Номер патента: US20080040639A1. Автор: Jong Koo Kang. Владелец: UniTest Inc. Дата публикации: 2008-02-14.

Photosensitive adhesive composition, film-like adhesive, adhesive sheet, method for forming adhesive pattern, semiconductor wafer with adhesive layer, semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: KR101184527B1. Автор: 카즈유키 미츠쿠라,타카시 카와모리,타카시 마스코,시게키 카토기. Владелец: 히다치 가세고교 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2012-09-19.

Semiconductor device and method

Номер патента: US11855163B2. Автор: Weng Chang,Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device and method

Номер патента: US20240113183A1. Автор: Weng Chang,Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same, and semiconductor package

Номер патента: US11948920B2. Автор: Wen-Chih Chiou,Yung-Chi Lin,Tsang-Jiuh Wu,Chia-Yin Chen,Yang-Chih Hsueh,Yan-Zuo Tsai,I-Chun Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Mold for measuring the flow property, method for measuring the flow property, resin composition for encapsulating semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: TW201128177A. Автор: Atsunori Nishikawa. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2011-08-16.

Production method of T-shaped gate electrode in semiconductor device

Номер патента: US5304511A. Автор: Masayuki Sakai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-04-19.

Flexible semiconductor device and method for producing same, image display device using the flexible semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: CN102812541A. Автор: 平野浩一,铃木武,增田忍. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-05.

Method for producing laminate, producing apparatus for laminate, laminate, and semiconductor device

Номер патента: US20240177993A1. Автор: Hiroshi Hashigami. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device, method for manufacturing the same, and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: JPWO2008126729A1. Автор: 英男 大野,浦山　雅夫,雅夫 浦山,川崎　雅司,雅司 川崎,大野　英男. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2010-07-22.

Method for doping semiconductor layer, method for producing thin film semiconductor element and thin film semiconductor device

Номер патента: CN1251307C. Автор: 町田晓夫,碓井节夫,达拉姆·P·戈塞恩. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-04-12.

Photosensitive adhesive composition, film-like adhesive, adhesive sheet, method for forming adhesive pattern, semiconductor wafer with adhesive layer, semiconductor device and method for manufacturing

Номер патента: CN101681104A. Автор: 满仓一行,川守崇司,增子崇,加藤木茂树. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-24.

Method for reduction of filaments between electrodes

Номер патента: US4878996A. Автор: Howard L. Tigelaar,Allan T. Mitchell,Kalipatnam V. Rao,Shaym G. Garg. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1989-11-07.

Etching composition and method for selectively removing silicon nitride during manufacture of a semiconductor device

Номер патента: WO2021067150A1. Автор: Wen Dar Liu,Yi-Chia Lee,Laisheng SUN,Aiping Wu,Jhih Kuei GE. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2021-04-08.

Curing composition and method for preparing same, light-shielding paste, light-shielding resin and method for producing same, package for light-emitting diode, and semiconductor device

Номер патента: EP1609835A1. Автор: Masahito Ide,Katsuya Ouchi,Manabu Tsumura,C/o Nichia Corporation KURAMOTO Masafumi,C/o Nichia Corporation MIKI Tomohide. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2005-12-28.

Method for etching dual damascene structures in organosilicate glass

Номер патента: US6410437B1. Автор: Janet M. Flanner,Ian Morey. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2002-06-25.

Etching solution and method for selectively removing silicon nitride during manufacture of a semiconductor device

Номер патента: US11955341B2. Автор: Wen Dar Liu,Yi-Chia Lee,Jhih Kuei GE. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2024-04-09.

Etching solution and method for selectively removing silicon nitride during manufacture of a semiconductor device

Номер патента: EP3938465A1. Автор: Wen Dar Liu,Yi-Chia Lee,Jhih Kuei GE. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2022-01-19.

Semiconductor assemblies with system and method for smoothing surfaces of 3d structures

Номер патента: US20230317511A1. Автор: Andrew M. Bayless,Brandon P. Wirz,Owen R. Fay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Methods for performing a gate cut last scheme for finfet semiconductor devices

Номер патента: US20170345913A1. Автор: Xintuo Dai,Xusheng Wu,Haigou Huang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-30.

METHOD FOR THINNING, METALIZING, AND DICING A SEMICONDUCTOR WAFER, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MADE USING THE METHOD

Номер патента: US20150108612A1. Автор: NUMAGUCHI Hiroyuki. Владелец: LAPIS SEMICONDUCTOR CO., LTD.. Дата публикации: 2015-04-23.

METHOD FOR FORMING ELECTRODE OF N-TYPE NITRIDE SEMICONDUCTOR, NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20150126022A1. Автор: KIM Tae Hun,LEE Wan Ho,Kim Sung Joon,Park Tae Young,JANG Tae Sung,LIM Wan Tae,Sung Young Kyu. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-07.

Method for chemically mechanically polishing organic film, method of manufacturing semiconductor device, and program therefor

Номер патента: US20070000872A1. Автор: Gaku Minamihaba,Hiroyuki Yano,Yukiteru Matsui,Atsushi Shigeta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-01-04.

Method for chemically mechanically polishing organic film, method of manufacturing semiconductor device, and program therefor

Номер патента: US7402521B2. Автор: Gaku Minamihaba,Hiroyuki Yano,Yukiteru Matsui,Atsushi Shigeta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-07-22.

Heterodyne interference lithography apparatus, method for drawing pattern using the same device, wafer, and semiconductor device

Номер патента: KR101229786B1. Автор: 김건우,이주형,양민양,강봉철,노지환. Владелец: 한국과학기술원. Дата публикации: 2013-02-05.

Method for manufacturing molecular beam epitaxial growth device and optical semiconductor device

Номер патента: KR960012304A. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1996-04-20.

Film for use in semiconductors, method for making a film for use in semiconductor, and semiconductor device

Номер патента: TW200821368A. Автор: Akitsugu Sasaki,Takashi Hirano,Naoya Oda. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2008-05-16.

METHOD FOR IMPROVING A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE HAVING SiGe FILM AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURED BY USING THIS METHOD

Номер патента: KR100519202B1. Автор: 요시다아끼라,바바도모야. Владелец: 샤프 가부시키가이샤. Дата публикации: 2005-10-06.

Method for stabilizing cleaning baths for SI wafers, especially for semiconductor devices

Номер патента: EP0390254A2. Автор: Johannes Engelbertus A. M. Van Den Meerakker. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1990-10-03.

Method for the manufacture of an insulated gate field effect semiconductor device using photo enhanced CVD

Номер патента: US5094966A. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1992-03-10.

It is used to form the method for pattern and the method using this method manufacturing semiconductor devices

Номер патента: CN110323139A. Автор: 千宰协. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-10-11.

Silicon carbide semiconductor base substance, crystal axis alignment method for the same, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP2018037560A. Автор: Yasuyuki Kawada,泰之 河田,Takeshi Tawara,河田　泰之,武志 俵,俵　武志. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-08.

Heat-curable silicon resin sheet having phosphor-containing layer and white pigment-containing layer, and method for producing light emitting device and encapsulated light emitting semiconductor device using the same

Номер патента: KR20140081736A. Автор: 도시오 시오바라,츠토무 가시와기. Владелец: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2014-07-01.

PLATE WITH EPITAXIAL LAYER OF GaN AND SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHOD FOR PRODUCING PLATES WITH EPITAXIAL LAYER OF GaN AND SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: RU2009122487A. Автор: Сейдзи НАКАХАТА,Кенсаку МОТОКИ,Сейдзи НАКАХАТА (JP),Кенсаку МОТОКИ (JP). Владелец: Сумитомо Электрик Индастриз, Лтд. (Jp). Дата публикации: 2010-12-20.

Composition manufacturing method, porous material and method for forming the same, interlayer insulating film, semiconductor material, semiconductor device, and low refractive index surface protective film

Номер патента: JP4598876B2. Автор: 博文 田中,一夫 高村. Владелец: Mitsui Chemicals Inc. Дата публикации: 2010-12-15.

Method for forming rod-shaped semiconductor layer, and rod-shaped semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: TWI222222B. Автор: Yee-Chia Yeo,Chenming Hu,Fu-Liang Yang,Hao-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2004-10-11.

Method for forming rod-shaped semiconductor layer, and rod-shaped semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: TW200417026A. Автор: Yee-Chia Yeo,Fu-Liang Yang,Hao-Yu Chen,Chen-Ming Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2004-09-01.

METHODS FOR PERFORMING A GATE CUT LAST SCHEME FOR FINFET SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20170345913A1. Автор: Huang Haigou,Wu Xusheng,DAI Xintuo. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-30.

Method for CVD and apparatus for performing the same in semiconductor device processing

Номер патента: KR100375102B1. Автор: 김종우,김광식,이희태,박윤세. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2003-03-08.

Composition for curing resin, cured product of the composition, method for producing the composition and the cured product, and semiconductor device

Номер патента: CN111278882B. Автор: 西谷佳典,南昌树,佐藤树生. Владелец: Jxtg Energy Corp. Дата публикации: 2022-12-30.

Composition for curing resin, cured product of the composition, method for producing the composition and the cured product, and semiconductor device

Номер патента: CN111278883B. Автор: 西谷佳典,南昌树,佐藤树生. Владелец: Jxtg Energy Corp. Дата публикации: 2022-12-30.

Production method for copolymer film, copolymer film for med therefrom, and semiconductor device using said copolymer film

Номер патента: CN1269866C. Автор: 林喜宏,川原润. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2006-08-16.

Inspection apparatus and method for film carrier tapes for mounting electronic components and semiconductor devices

Номер патента: KR100852225B1. Автор: 마사히코 야마모토,요시히로 고잔,사치오 노토,기요히토 고바야시. Владелец: 미쓰이 긴조꾸 고교 가부시키가이샤. Дата публикации: 2008-08-14.

Method for manufacturing peripheral dummy gate of transistor for testing semiconductor device

Номер патента: KR100223941B1. Автор: 남상혁. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-10-15.

Method for mounting a semiconductor chip on a substrate and semiconductor device adapted for mounting on a substrate

Номер патента: KR100420780B1. Автор: 아이-밍 첸. Владелец: 에버그랜드 홀딩스 리미티드. Дата публикации: 2004-03-02.

Method for adjusting characteristic size of reticle pattern for manufacturing semiconductor device

Номер патента: CN107845573B. Автор: 李东根,郑镛席,权星元,金熙范. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-28.

Method for mounting a semiconductor chip on a substrate, and semiconductor device adapted for mounting on substrate

Номер патента: AU742589B2. Автор: I-Ming Chen. Владелец: Evergrand Holdings Ltd. Дата публикации: 2002-01-10.

Method for forming contact hole for dual damascene interconnection in semiconductor device

Номер патента: US7276439B2. Автор: Kang-Hyun Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-02.

Method for reducing line edge roughness for trench etch, and semiconductor device thereof

Номер патента: CN100477135C. Автор: P·勒温哈德特,D·乐,H·H·朱,E·沃加纳. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2009-04-08.

Light-shielding resin and method for producing same, package for light-emitting diode, and semiconductor device

Номер патента: CN101197408B. Автор: 井手正仁,三木伦英,大内克哉,藏本雅史,津村学. Владелец: Nichia Chemical Industries Ltd. Дата публикации: 2010-12-08.

Method for mounting a semiconductor chip on a substrate and semiconductor device adapted for mounting on a substrate

Номер патента: KR100415239B1. Автор: 아이-밍 첸. Владелец: 에버그랜드 홀딩스 리미티드. Дата публикации: 2004-01-14.

Light-shielding resin and method for producing same, package for light-emitting diode, and semiconductor device

Номер патента: CN101197408A. Автор: 井手正仁,三木伦英,大内克哉,藏本雅史,津村学. Владелец: Nichia Chemical Industries Ltd. Дата публикации: 2008-06-11.

Method for mounting a semiconductor chip on a substrate and semiconductor device adapted for mounting on a substrate

Номер патента: US20020109225A1. Автор: I-Ming Chen. Владелец: Computech International Ventures Ltd. Дата публикации: 2002-08-15.

Composition for curing resin, cured product of the composition, method for producing the composition and the cured product, and semiconductor device

Номер патента: CN112424256B. Автор: 西谷佳典,南昌树,佐藤树生. Владелец: Eneos Corp. Дата публикации: 2023-02-17.

Method for mounting a semiconductor chip on a substrate and semiconductor device adapted for mounting on a substrate

Номер патента: KR100353223B1. Автор: 아이-밍 첸. Владелец: 아이-밍 첸. Дата публикации: 2002-09-18.

Method for mounting a semiconductor chip on a substrate, and semiconductor device adapted for mounting on a substrate

Номер патента: KR100367809B1. Автор: 아이-밍 첸. Владелец: 아이-밍 첸. Дата публикации: 2003-01-10.

Methods for forming self-aligned dual stress liners for cmos semiconductor devices

Номер патента: US20110163387A1. Автор: Thomas W. Dyer,Taehoon Lee,Seung-Man Choi,Kyoung Woo Lee,Ja Hum Ku. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-07-07.

Film for forming spacer, method for manufacturing semiconductor wafer conjugant, semiconductor wafer conjugant and semiconductor device

Номер патента: TW201133653A. Автор: Fumihiro Shiraishi,Toyosei Takahashi,Toshihiro Sato,Masahiro Yoneyama,Masakazu Kawata,Hirohisa Dejima. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2011-10-01.

METHODS FOR FORMING A SILICON GERMANIUM TIN LAYER AND RELATED SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES

Номер патента: US20190013199A1. Автор: Tolle John,Margetis Joe,Bhargava Nupur. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-10.

Thermal Conducting Sheet, Method for Manufacturing Thermal Conducting Sheet, Heat Dissipation Member, and Semiconductor Device

Номер патента: US20190019739A1. Автор: Aramaki Keisuke,Kanaya Hiroki,Uchida Shinichi. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-17.

ADVANCED PROCESS CONTROL METHOD FOR CONTROLLING WIDTH OF SPACER AND DUMMY SIDEWALL IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160027649A1. Автор: Tsuei Cherng-Chang,TSAI Hsien-Chieh,LIN Tz-Wei,YANG Sheng-Jen,LIN Hung-Yin,LU Chen-Hsiang. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-28.

METHOD FOR SELECTIVELY DEPOSITING A GROUP IV SEMICONDUCTOR AND RELATED SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES

Номер патента: US20190027584A1. Автор: Tolle John,Margetis Joe. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

METHOD FOR FORMING A CONTACT ON A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150048431A1. Автор: GRIEB Michael,Suenner Thomas. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2015-02-19.

Organic Compound, Organic Semiconductor Material, Organic Thin Film And Method For Producing The Same, Organic Semiconductor Composition, And Organic Semiconductor Device

Номер патента: US20180062087A1. Автор: Sadamitsu Yuichi,Shinamura Shoji,Hamada Masahiro. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-01.

Thermal Conducting Sheet, Method for Manufacturing Thermal Conducting Sheet, Heat Dissipation Member, and Semiconductor Device

Номер патента: US20220084902A1. Автор: Aramaki Keisuke,Kanaya Hiroki,Uchida Shinichi. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-17.

METHODS FOR DEPOSITING A DOPED GERMANIUM TIN SEMICONDUCTOR AND RELATED SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES

Номер патента: US20190067004A1. Автор: Kohen David,Profijt Harald Benjamin. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-28.

ELECTROMAGNETIC WAVE ABSORBING HEAT CONDUCTIVE SHEET, METHOD FOR PRODUCING ELECTROMAGNETIC WAVE ABSORBING HEAT CONDUCTIVE SHEET, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190080978A1. Автор: Aramaki Keisuke,KUBO Yusuke,RYOSON Hiroyuki,KUMURA Tatsuo. Владелец: DEXERIALS CORPORATION. Дата публикации: 2019-03-14.

ADVANCED PROCESS CONTROL METHOD FOR CONTROLLING WIDTH OF SPACER AND DUMMY SIDEWALL IN SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150140692A1. Автор: Tsuei Cherng-Chang,TSAI Hsien-Chieh,LIN Tz-Wei,YANG Sheng-Jen,LIN Hung-Yin,LU Chen-Hsiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2015-05-21.

METHOD FOR FORMING SINTERED SILVER COATING FILM, BAKING APPARATUS, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140239484A1. Автор: Matsuda Kenji,Harada Muneo,Nakamura Michikazu,WATANABE Shinjiro,IIDA Itaru,Shinozaki Dai,MITANO Yoshinobu. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2014-08-28.

Etching Composition And Method For Selectively Removing Silicon Nitride During Manufacture Of A Semiconductor Device

Номер патента: US20220298182A1. Автор: LEE Yi-Chia,LIU Wen Dar,WU Aiping,Ge Jhih Kuei,Sun Laisheng. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2022-09-22.

APPARATUSES AND METHODS FOR ARRANGING THROUGH-SILICON VIAS AND PADS IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200212008A1. Автор: KITANO Tomohiro. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-07-02.

METHOD FOR MANUFACTURING VERTICAL SUPER JUNCTION DRIFT LAYER OF POWER SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20160315142A1. Автор: ZHANG BO,Zhang Jinping,LI Zehong,SONG Wenlong,SONG Xunyi,GU Hongming,ZOU Youbiao. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-27.

Method for measuring and correcting misregistration between layers in a semiconductor device, and misregistration targets useful therein

Номер патента: US20200312687A1. Автор: YOEL Feler,Roie VOLKOVICH,Liran Yerushalmi,Renan MILO,Moran Zaberchik,David Izraeli. Владелец: KLA Tencor Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

METHOD FOR PROVIDING A SELF-ALIGNED PAD PROTECTION IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150357234A1. Автор: Lehnert Wolfgang,Rogalli Michael. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-10.

METHOD FOR ELIMINATING DISLOCATIONS IN ACTIVE AREA AS WELL AS SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20190341262A1. Автор: Zhou Jun,Li Yun,XU Jingjing,LUO Qingwei. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-07.

Method for forming a active cell isolation layer of a semiconductor device

Номер патента: KR100453345B1. Автор: 유지환. Владелец: 동부전자 주식회사. Дата публикации: 2004-10-15.

Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures

Номер патента: US10685834B2. Автор: John Tolle,Joe Margetis,Nupur Bhargava. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2020-06-16.

Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures

Номер патента: US11018002B2. Автор: John Tolle,Joe Margetis. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2021-05-25.

Method for manufacturing a spin on glass film in a semiconductor device

Номер патента: KR100246779B1. Автор: 권혁진,홍상기,전상호. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-03-15.

Method for forming a shallow trench isolation structure of the semiconductor device

Номер патента: KR100713345B1. Автор: 장준식. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-05-04.

Method for integrating selective ruthenium deposition into manufacturing of a semiconductor device

Номер патента: KR101506755B1. Автор: 켄지 스즈키. Владелец: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤. Дата публикации: 2015-03-27.

Methods for Manufacturing Adhesive Compositions, Film Adhesives, Adhesive Sheets, and Semiconductor Devices

Номер патента: JPWO2020026757A1. Автор: 祐也 平本,昌典 夏川,紘平 谷口. Владелец: Showa Denko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures

Номер патента: US10236177B1. Автор: David Kohen,Harald Benjamin Profijt. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2019-03-19.

Method for forming interconnection layer and contact hole layer in semiconductor device

Номер патента: CN112599473A. Автор: 张文广,朱建军. Владелец: Shanghai IC R&D Center Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-02.

Method for forming barrier layer fabricating metal line in a semiconductor device

Номер патента: KR100781456B1. Автор: 주성중. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-12-03.

Method for manufacturing wine glass type contact hole of the semiconductor device

Номер патента: KR100781455B1. Автор: 강병주. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-12-03.

Thermally conductive sheet, method for manufacturing thermally conductive sheet, heat dissipating member, and semiconductor device

Номер патента: CN108463882B. Автор: 荒卷庆辅,内田俊介,金谷纮希,野村优,内田信一. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2022-05-13.

Method for forming oxide film in SiC semiconductor and SiC semiconductor device

Номер патента: JP4470333B2. Автор: 弘之 松波,恒暢 木本,弘 塩見. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-06-02.

Method for manufacturing silicon carbide substrate, silicon carbide substrate, and semiconductor device

Номер патента: CA2759856A1. Автор: Shin Harada,Takeyoshi Masuda,Yasuo Namikawa,Makoto Sasaki,Shinsuke Fujiwara,Taro Nishiguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-04-21.

METHOD FOR MAKING AT LEAST ONE DEEP LAYER IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: FR2548831A1. Автор: Pieter Johannes Wilhel Jochems. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1985-01-11.

METHOD FOR PACKAGING A CHIP WITH PARTICULARLY OPTICAL SENSORS AND SEMICONDUCTOR DEVICE OR PACKAGE CONTAINING SUCH A CHIP

Номер патента: FR2798000A1. Автор: Remi Brechignac,Juan Exposito. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2001-03-02.

METHOD FOR ESTABLISHING AN ELECTRICAL INTERCONNECTION STRUCTURE ON A SILICON SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: FR2624304B1. Автор: Russell Craig Ellwanger,Johannes Elisabeth Jos Schmitz. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1990-05-04.

Method for forming a multi-level interconnect structure in a semiconductor device

Номер патента: EP3770953A1. Автор: Vladimir Machkaoutsan,Basoene Briggs,Zsolt Tokei. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-01-27.

METHOD FOR SELF-ALIGNING METAL CONTACTS ON A SELF-ALIGNED SEMICONDUCTOR DEVICE.

Номер патента: FR2663157B1. Автор: Collot Philippe,Schmidt Paul Erick. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1992-08-07.

The method for controlling the wafer bow in III-V type semiconductor devices

Номер патента: CN109103099A. Автор: S.肯南,P.W.金,S.E.朴,M.唐加尔,万建伟. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-12-28.

Method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP6798293B2. Автор: 太郎 西口,健二 平塚. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-12-09.

Apparatus and method for flattening an insulating layer by etching in a semiconductor device

Номер патента: EP0620585A1. Автор: Yasukazu Intell. Property Division Mase,Masahiro Intell. Property Division Abe,Ken-Ichi Intell. Property Division Tomita,Kazuyuki Intell. Property Division Yahiro,Akira Intell. Property Division Ishiguro. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-10-19.

Method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: WO2017090285A1. Автор: 太郎 西口,和田　圭司,洋典 伊東. Владелец: 住友電気工業株式会社. Дата публикации: 2017-06-01.

Method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP7070437B2. Автор: 勉 堀,圭司 和田,洋典 伊東. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2022-05-18.

Lead frame, method for partially plating lead frame with noble meta and semiconductor device formed by using the lead frame

Номер патента: KR100266726B1. Автор: 히데오 호리타,치아키 하츠타. Владелец: 기타지마 요시토시. Дата публикации: 2000-09-15.

Method for low stress flip-chip assembly of fine-pitch semiconductor devices

Номер патента: US8530360B2. Автор: Abram M. Castro. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-09-10.

Method for producing plate shape body, lead wire frame and semiconductor device

Номер патента: CN1237611C. Автор: 坂本则明,小林义幸,阪本纯次,前原荣寿,高桥幸嗣,真下茂明,大川克实. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-18.

Method for forming a high quality insulation layer on a semiconductor device

Номер патента: US20100261355A1. Автор: Sang Tae Ahn,Seung Joon Jeon,Ja Chun Ku. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-10-14.

Method for forming a self-aligned contact hole in a semiconductor device

Номер патента: US6808975B2. Автор: Jun Seo,Jong-Heui Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-10-26.

Method for producing a diffusion barrier metal layer in a semiconductor device

Номер патента: DE19620022A1. Автор: Kyeong Keun Choi. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1996-11-21.

Method for forming oxide layer in semiconductor manufacturing process and semiconductor device manufactured by using the same

Номер патента: KR100362834B1. Автор: 이정호,이동준,김홍기,전상문,최정식,강대원. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2002-11-29.

Method for forming material layer with inclined side wall and semiconductor device

Номер патента: CN110828307A. Автор: 王珏,陈政,钟志鸿,钟荣祥,武凌. Владелец: SMIC Manufacturing Shaoxing Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-21.

Method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP6954316B2. Автор: 勉 堀,洋典 伊東. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2021-10-27.

Method for forming a refractory-metal-silicide layer in a semiconductor device

Номер патента: US6548421B1. Автор: Kaoru Mikagi,Ken Inoue,Nobuaki Hamanaka. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-04-15.

Method for examining the defect of gate oxide layer in semiconductor device

Номер патента: KR100591149B1. Автор: 나유석. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-06-19.

Method for cleaning the inside of a pipe of a semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: JP2910761B1. Автор: 康 佐々木. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-06-23.

METHOD FOR PRODUCING AT LEAST ONE DEEP LAYER IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: FR2548831B1. Автор: Pieter Johannes Wilhel Jochems. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1988-10-14.

Method for forming ohmic contact on silicon-silicon interface in semiconductor device

Номер патента: KR100336042B1. Автор: 변광선,이상은,정성희. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2002-05-08.

Electromagnetic wave absorbing heat transfer sheet, method for producing electromagnetic wave absorbing heat transfer sheet, and semiconductor device

Номер патента: WO2018061712A1. Автор: 久村　達雄. Владелец: デクセリアルズ株式会社. Дата публикации: 2018-04-05.

Method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JPWO2019044029A1. Автор: 勉 堀,洋典 伊東. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

Method for forming a contact on a semiconductor substrate and semiconductor device

Номер патента: WO2013131690A1. Автор: Michael Grieb,Thomas Suenner. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2013-09-12.

Thermal conducting sheet, method for manufacturing thermal conducting sheet, heat dissipation member, and semiconductor device

Номер патента: KR101947333B1. Автор: 게이스케 아라마키,신이치 우치다,히로키 가나야. Владелец: 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤. Дата публикации: 2019-02-12.

Method for adjusting effective work function of gate structure in semiconductor device

Номер патента: JP2014146789A. Автор: Spessot Alessio,Caillat Christian,Kauerauf Thomas,トーマス・カウエラウフ,アレッシオ・スペソット,クリスチャン・カイヤ. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2014-08-14.

Method for producing a diffusion barrier metal layer in a semiconductor device

Номер патента: DE19620022C2. Автор: Kyeong Keun Choi. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-19.

Method for adjusting transport position of wafer, adjustment apparatus, and semiconductor device

Номер патента: WO2023035434A1. Автор: 刘洋. Владелец: 长鑫存储技术有限公司. Дата публикации: 2023-03-16.

Method for manufacturing external connection electrode, external connection electrode, and semiconductor device

Номер патента: JP3589794B2. Автор: 純一 河西,正孝 水越,豊 牧野,城次 藤森,健一 永重,英二 渡辺,博行 依田,実 仲田. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-11-17.

Method for forming a contact during the formation of a semiconductor device

Номер патента: US6274936B1. Автор: Bradley J. Howard. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-08-14.

Thermally conductive sheet, method for manufacturing thermally conductive sheet, heat-radiating member, and semiconductor device

Номер патента: CN111739856A. Автор: 荒卷庆辅,金谷纮希,大门正英. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2020-10-02.

Jin Beifu bonding wire, method for manufacturing the same, semiconductor wire bonding structure, and semiconductor device

Номер патента: CN115398607A. Автор: 安德优希,川野将太,崎田雄祐,平井祐佳. Владелец: Tanaka Denshi Kogyo KK. Дата публикации: 2022-11-25.

Method for protecting semiconductor integrated circuit against reverse engineering and semiconductor device

Номер патента: CN111610425A. Автор: 村上洋树. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-09-01.

Method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP6856156B2. Автор: 圭司 和田,太郎 西口,和田　圭司,洋典 伊東. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2021-04-07.

Non-contact method for monitoring and controlling plasma charging damage in a semiconductor device

Номер патента: US6251697B1. Автор: Pradip K. Roy,Carlos M. Chacon. Владелец: Agere Systems Guardian Corp. Дата публикации: 2001-06-26.

Method for forming a V-shaped gate electrode in a semiconductor device, and the structure of the electrode

Номер патента: KR100239994B1. Автор: 히데히코 사사키,야스시 요코이,고지 몬덴. Владелец: 무라타 야스타카. Дата публикации: 2000-01-15.

Thermal conducting sheet, method for manufacturing thermal conducting sheet, heat dissipation member, and semiconductor device

Номер патента: EP3404708A4. Автор: Shinichi Uchida,Hiroki Kanaya,Keisuke Aramaki. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2019-09-11.

Structure and Method for Monitoring Variation Within an Active Region of a Semiconductor Device Using Scaling

Номер патента: US20080288188A1. Автор: William Y. Chang,Sharon L. Von Bruns. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-11-20.

Advanced process control method for controlling width of spacer and dummy sidewall in semiconductor device

Номер патента: US9613816B2. Автор: Cherng-Chang TSUEI,Chen-Hsiang LU,Hsien-Chieh TSAI,Tz-Wei LIN,Sheng-Jen YANG,Hung-Yin Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Method for forming an ultra thin dielectric film and a semiconductor device incorporating the same

Номер патента: US20020043695A1. Автор: Vishnu Agarwal,Garry Mercaldi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-18.

Etching solution and method for selectively removing silicon nitride during manufacture of a semiconductor device

Номер патента: EP3938465A4. Автор: Wen Dar Liu,Yi-Chia Lee,Jhih Kuei GE. Владелец: Versum Materials US LLC. Дата публикации: 2022-10-26.

METHOD FOR IMPLANTING IONS NOT SUBJECT TO MASS ANALYSIS AND SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCED USING THE SAME

Номер патента: FR2524200A1. Автор: Takashi Tokuyama,Tadashi Saitoh,Katsumi Tokiguchi,Haruo Itoh,Terunori Warabisako. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1983-09-30.

Method for manufacturing a shallow trench isolation layer of the semiconductor device

Номер патента: KR100503344B1. Автор: 김성래. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-07-26.

Thermally conductive sheet, method for manufacturing thermally conductive sheet, heat-radiating member, and semiconductor device

Номер патента: CN111725162A. Автор: 荒卷庆辅,金谷纮希,大门正英. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2020-09-29.

Method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: WO2017090285A9. Автор: 太郎 西口,和田　圭司,洋典 伊東. Владелец: 住友電気工業株式会社. Дата публикации: 2018-04-19.

Fabrication method for chip size package and non-chip size package semiconductor devices

Номер патента: US7632711B2. Автор: Makoto Terui. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-15.

System and method for automatically identifying defect-based test coverage gaps in semiconductor devices

Номер патента: IL303364A. Автор: . Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2023-08-01.

Fin field effect transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US09893185B2. Автор: Ting-Chun Wang,Yu-Ting Lin,Cheng-ta Wu,Po-Kang Ho,Po-Kai Hsiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Methods for Forming a Plurality of Semiconductor Devices on a Plurality of Semiconductor Wafers

Номер патента: US20160359014A1. Автор: Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-08.

Methods for Forming a Plurality of Semiconductor Devices on a Plurality of Semiconductor Wafers

Номер патента: US20180122918A1. Автор: Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-03.

Methods for forming a plurality of semiconductor devices on a plurality of semiconductor wafers

Номер патента: US09859396B2. Автор: Jochen Hilsenbeck,Jens Peter Konrath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-02.

Fin field effect transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US09704752B1. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device, layout design method for the same and method for fabricating the same

Номер патента: US12068251B2. Автор: Byung Hyun Lee,Sang Do Park,Sung-Ok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for fabricating semiconductor device including a via hole in a mask pattern

Номер патента: US09941172B2. Автор: Suk-joo Lee,Joong-Won JEON,Jong-Doo Kim,Young-Deok KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device structure and method for fabricating the same

Номер патента: US09711612B2. Автор: Huicai Zhong,Qingqing Liang,Haizhou Yin. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-07-18.

Methods for fabricating a compound semiconductor protection device for low voltage and high speed data lines

Номер патента: US20030176042A1. Автор: Vrej Barkhordarian. Владелец: Linfinity Microelectronics Inc. Дата публикации: 2003-09-18.

Method for forming a DRAM semiconductor device with a sense amplifier

Номер патента: US20070148850A1. Автор: Dong Chul Koo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-28.

Method for designing layout of semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US09698056B2. Автор: Jin Tae Kim,Jae-Woo Seo,Ha-young Kim,Dong-yeon HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Method for fabricating mask, method for fabricating semiconductor device using the mask, and the semiconductor device fabricated using the mask

Номер патента: US20220302176A1. Автор: Myoung-ho KANG,Seong-Yul PARK,Yong-Ah KIM,Dong Hyo PARK,Chang Hyeon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-22.

Method for fabricating semiconductor device having radiation hardened insulators

Номер патента: US20100035393A1. Автор: John M. Aitken,Ethan H. Cannon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-02-11.

Method for fabricating mask, method for fabricating semiconductor device using the mask, and the semiconductor device fabricated using the mask

Номер патента: US12068327B2. Автор: Myoung-ho KANG,Seong-Yul PARK,Yong-Ah KIM,Dong Hyo PARK,Chang Hyeon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: WO2015177685A1. Автор: Yasumasa Yamane,Ryo Tokumaru,Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura,Yuhei Sato,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2015-11-26.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20170125553A1. Автор: Yasumasa Yamane,Ryo Tokumaru,Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura,Yuhei Sato,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

Semiconductor device with a dislocation structure and method of forming the same

Номер патента: US20140103444A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsan-Chun Want. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-04-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230215855A1. Автор: Chien-Ting Lin,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Lin,Shih-Hung Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-06.

Formation method of semiconductor device structure with gate stacks

Номер патента: US12132111B2. Автор: Tsung-Yu CHIANG,Ya-Wen Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09831326B2. Автор: Yasumasa Yamane,Ryo Tokumaru,Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura,Yuhei Sato,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device with a dislocation structure and method of forming the same

Номер патента: US09595522B2. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsan-Chun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09496411B2. Автор: Yasumasa Yamane,Ryo Tokumaru,Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura,Yuhei Sato,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Nanowire field effect transistor (FET) and method for fabricating the same

Номер патента: US09431301B1. Автор: Isaac Lauer,Szu Lin Cheng,Kuen-Ting Shiu,Jack O. Chu,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234319A9. Автор: Jin Kyu Kim,Jae Hyun Ahn,Ho Jun Kim,So Ra You,Jee Woong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240136290A1. Автор: Jin Kyu Kim,Jae Hyun Ahn,Ho Jun Kim,So Ra You,Jee Woong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12068309B2. Автор: Chia-Jung Hsu,Chien-Ting Lin,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Yu-Hsiang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Formation method of semiconductor device with isolation structure

Номер патента: US11742428B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Huan-Chieh Su,Shi-Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US20230069612A1. Автор: LAN Yao,Yanwei Shi,Huidan Hou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Method for fabricating semiconductor device with reduced wafer edge defects

Номер патента: US10522652B1. Автор: Chih-Wei Lin,Po-Wen Su,Wei-Chih Lai,Tai-Yen Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-12-31.

Power line layout structure of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09793210B2. Автор: Jae Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Methods for manufacturing a fin structure of semiconductor device

Номер патента: US09343551B2. Автор: Chih-Hao Wang,Zhiqiang Wu,Jean-Pierre Colinge,Kuo-Cheng Ching,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-17.

Method for preventing dishing during the manufacture of semiconductor devices

Номер патента: US10373876B2. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-08-06.

Method for preventing dishing during the manufacture of semiconductor devices

Номер патента: US20180233416A1. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-08-16.

Device structure, layout and fabrication method for uniaxially strained transistors

Номер патента: US20120261762A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Devendra K. Sadana,Ali Khakifirooz,Stephen W. Bedell,Huiming Bu,Chun-Chen Yeh,Johnathan E. Faltermeier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-10-18.

Semiconductor device with programmable structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230269935A1. Автор: Wei-Zhong Li,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220085164A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11631738B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-04-18.

Methods of designing layout of semiconductor device and methods for manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20240265184A1. Автор: Sungwe Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Structures and methods for source-down vertical semiconductor device

Номер патента: US12094967B2. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-09-17.

Method for fabricating silicide layers for semiconductor device

Номер патента: US7446008B2. Автор: Dong Yeal Keum. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-11-04.

Semiconductor device with programmable structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240334687A1. Автор: Wei-Zhong Li,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for preventing dishing during the manufacture of semiconductor devices

Номер патента: US09978647B2. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US09812448B2. Автор: Wan-Don Kim,Oh-seong Kwon,Sang-Jin Hyun,Hoon-joo Na,Jin-Kyu Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Asymmetric FinFET semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US09583597B2. Автор: Xiuyu Cai,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20170194422A1. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-07-06.

Semiconductor Device and Method for Producing a Semiconductor Device

Номер патента: US20200185494A1. Автор: Rolf Weis,Ahmed Mahmoud,Richard Hensch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-06-11.

Multi-layer semiconductor devices fabricated using a combination of substrate and via structures and fabrication techniques

Номер патента: US09881904B2. Автор: Rabindra N. Das,Mark A. Gouker,Leonard M. Johnson,Pascale GOUKER,Ryan C. JOHNSON. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09852952B2. Автор: Chih-Chung Wang,Shih-Yin Hsiao,Shu-Wen Lin,Wen-Fang Lee,Nien-Chung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Methods for fabricating semiconductor devices having fin-shaped patterns by selectively removing oxidized fin-shaped patterns

Номер патента: US09620406B2. Автор: Se-Wan Park,Jung-Gun You,Seung-Woo DO,In-Won PARK,Sug-Hyun Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-11.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: US20020061622A1. Автор: Young Chen. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-05-23.

Metal line of semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20020058401A1. Автор: CHANG Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-16.

Semiconductor device and method for fabricating thereof

Номер патента: US12113035B2. Автор: Youn Soo Kim,Tae Kyun Kim,Jin-Su Lee,Hong Sik Chae,Youn Joung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Systems and methods for reducing the size of a semiconductor assembly

Номер патента: US20240203963A1. Автор: Chin Hui Chong,Hem P. Takiar,Hong Wan Ng,Seng Kim Ye,Kelvin Tan Aik Boo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Method for forming a capacitor of a semiconductor device

Номер патента: US20030109103A1. Автор: Kyong Kim,Ho-Jung Sun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-06-12.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20020106816A1. Автор: Yoshihiro Mori,Yasutoshi Okuno,Akihiko Tsuzumitani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-08.

Method for fabricating a semiconductor device utilizing hemispherical grain silicon and doping to increase capacitance

Номер патента: US6620708B1. Автор: Hong Goo Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-09-16.

Method for production of semiconductor device

Номер патента: US20030022433A1. Автор: Hirozaku Ejiri. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-01-30.

Method for fabricating a semiconductor device using a wafer inspection apparatus

Номер патента: US20240304501A1. Автор: Ki Hun Kim,Yong Ju Jeon,Jeong-su Ha,Jhong Kwon KIM,Da Young MYOUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Fabrication of semiconductor structures

Номер патента: US09704757B1. Автор: Daniele Caimi,Lukas Czornomaz,Jean Fompeyrine,Vladimir DJARA,Veeresh Deshpande. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor devices having stressor regions and related fabrication methods

Номер патента: US20110303954A1. Автор: Bin Yang,Man Fai NG. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-12-15.

Method of manufacturing silicon rich oxide (SRO) and semiconductor device employing SRO

Номер патента: US20070072424A1. Автор: Jung-hyun Lee,Sang-Bong Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-29.

Fabrication method of soi semiconductor devices

Номер патента: EP1371089A1. Автор: Denis Flandre,Jean-Pierre Raskin,Amaury Neve De Mevergnies. Владелец: Universite Catholique de Louvain UCL. Дата публикации: 2003-12-17.

Method for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US7776622B2. Автор: Kouichi Nagai. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-08-17.

Fabrication method of soi semiconductor devices

Номер патента: EP1371089B1. Автор: Denis Flandre,Jean-Pierre Raskin,Amaury Neve De Mevergnies. Владелец: Universite Catholique de Louvain UCL. Дата публикации: 2007-12-05.

Method for fabricating a semiconductor device including fin relaxation, and related structures

Номер патента: EP3140858A1. Автор: Pierre Morin,Frederic Allibert. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-03-15.

Method for fabricating a semiconductor device including fin relaxation, and related structures

Номер патента: US09620626B2. Автор: Pierre Morin,Frederic Allibert. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-04-11.

Package structure and method for fabricating same

Номер патента: US20240047437A1. Автор: Mingxing ZUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Method for fabricating lateral semiconductor device

Номер патента: US7589347B2. Автор: John Henry Jefferson,Geoffrey Richard Nash,Keith James Nash. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2009-09-15.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US09461172B2. Автор: HAIYANG Zhang,Jia Ren. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Interconnection structure, semiconductor device with interconnection structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230046051A1. Автор: Jong Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Semiconductor package and method for manufacturing a semiconductor package

Номер патента: WO2023222204A1. Автор: Gilberto Curatola,Mirko Bernardoni,Lasse Petteri PALM. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-11-23.

Integrated circuits with magnetic random access memory (mram) devices and methods for fabricating such devices

Номер патента: US20190237658A1. Автор: Bin Liu,Eng Huat Toh,Kangho Lee,Elgin Kiok Boone Quek,Yinjie Ding. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2019-08-01.

Method for fabrication of semiconductor device

Номер патента: US12062722B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Tatsuya Honda,Takehisa Hatano. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Method for metallisation of through holes in semi-insulating semiconductor substrates

Номер патента: RU2708677C1. Автор: Николай Анатольевич Торхов,Валентин Натанович Брудный. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ, НИ ТГУ). Дата публикации: 2019-12-11.

Method of using platinum metallization in system of redistribution of contact pads of crystals of integrated microcircuits and semiconductor devices

Номер патента: RU2717264C1. Автор: Никита Владимирович Рогозин,Виталий Владимирович Побединский. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники". Дата публикации: 2020-03-19.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: RU2755774C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-09-21.

Method for fabricating substrate of semiconductor device including epitaxial layer and silicon layer having same crystalline orientation

Номер патента: US09793296B2. Автор: Yu-Ming Lin,Cheng-Tung Huang,Yi-Ting Wu,Jen-Yu Wang,Wen-Yin Weng,Ya-Ru Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Method for increasing adhesion

Номер патента: RU2751805C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2021-07-19.

Light-emitting element, method for manufacturing same, and display device

Номер патента: EP4462490A1. Автор: Jung Woon Jung,Chang Hee Lee,Do Hyung Kim,Sang Ho Jeon,Je Won YOO,Jin Young Choi,Dong Uk Kim,Jong Il Kim,Yong Seok Choi,Joo Hee Lee,Ran Kim,Jae Kwang Lee,Na Ri AHN,Sang Ho Oh,In Pyo Kim,Na Mi HONG,Yun Hyuk KO,Chan Woo JOO,Mi Hyang SHEEN,Ki Young YEON,Jin Ho BYUN,Jong Hoon HA. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-13.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: RU2748455C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-05-25.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: RU2752125C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2021-07-23.

Avalanche photodiode and method for its manufacture

Номер патента: RU2769749C1. Автор: Наталья Александровна Валишева,Татьяна Александровна Левцова,Евгений Александрович Емельянов,Игорь Борисович Чистохин,Михаил Альбертович Путято,Валерий Владимирович Преображенский,Игорь Ильич Рябцев,Михаил Олегович Петрушков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2022-04-05.

Device and method for fabrication of edge at semiconductor devices

Номер патента: RU2530454C1. Автор: Райнер БАРТЕЛЬМЕСС,Тобиас ГАМОН,Уве КЕЛЛЬНЕР-ВЕРДЕХАУЗЕН,Дирк ПИКОРЦ,Харальд КУН,Оскар НОЙХОФФ,Норберт ХАУАЙС,Йоханн БРОЙ. Владелец: Инфинеон Текнолоджиз Биполар Гмбх Унд Ко.Кг. Дата публикации: 2014-10-10.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: RU2644627C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2018-02-13.

OHMIC ELECTRODE FOR SiC SEMICONDUCTOR, METHOD FOR MANUFACTURE OF OHMIC ELECTRODE FOR SiC SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: EP2079101B1. Автор: Hideto Tamaso,Kazuhiro Fujikawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-07-18.

Bed structure underlying electrode pad of semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20010040242A1. Автор: Noboru Koike. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-11-15.

Laser treatment method for dividing or scribing substrate by forming wedge-like damaged structures

Номер патента: RU2674916C2. Автор: Эгидьюс ВАНАГАС,Дзьюгас КИМБАРАС,Лауринас ВЕСЕЛИС. Владелец: Эвана Текнолоджис, Уаб. Дата публикации: 2018-12-14.

Method for fabricating stack structure of semiconductor packages

Номер патента: US20110070697A1. Автор: Han-Ping Pu,Cheng-Hsu Hsiao,Ho-Yi Tsai,Fang-Lin Tsai. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-24.

Method for fabricating stack structure of semiconductor packages

Номер патента: US8420521B2. Автор: Han-Ping Pu,Cheng-Hsu Hsiao,Ho-Yi Tsai,Fang-Lin Tsai. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-16.

Manufacturing method of semiconductor device using a heat-resistant adhesive sheet

Номер патента: MY164683A. Автор: Chang-Hoon Sim,Ki-Jeong Moon,Sung-Hwan Choi,Hae-Sang Jeon,Yun-Min Park. Владелец: Toray Advanced Mat Korea Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor structure and method for fabricating semiconductor structure

Номер патента: US20230007832A1. Автор: Yutong SHEN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Method for Fabricating Semiconductor Elements

Номер патента: US20090298233A1. Автор: Chin-Ti Chen. Владелец: Powertech Technology Inc. Дата публикации: 2009-12-03.

Method for fabricating a semiconductor package, semiconductor package and embedded pcb module

Номер патента: US20210313273A1. Автор: Frank Daeche,Richard Knipper. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-10-07.

Method for fabricating a bipolar transistor having self-aligned emitter contact

Номер патента: US09508824B2. Автор: Alexander Fox,Bernd Heinemann,Steffen Marschmeyer. Владелец: IHP GMBH. Дата публикации: 2016-11-29.

Method for manufacturing a semiconductor device with multilayer conductors

Номер патента: RU2757176C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-10-11.

Method of semiconductor device manufacturing

Номер патента: RU2629657C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2017-08-30.

Protective structures for bond wires, methods for forming same, and test apparatus including such structures

Номер патента: US20020031847A1. Автор: Salman Akram. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Integrated circuits and methods for fabricating integrated circuits and electrical interconnects for III-V semiconductor devices

Номер патента: US09991230B2. Автор: Donald Ray Disney. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for fabricating a semiconductor chip panel

Номер патента: US09953846B2. Автор: Edward Fuergut,Daniel Porwol. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for cleaning the surface of an epitaxial layer in openings of semiconductor device

Номер патента: US09711394B1. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Wei-Chi Cheng,Jyh-Shyang Jenq. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Method for producing semiconductor device, wiring board, and semiconductor device

Номер патента: US20240088051A1. Автор: Hiroaki Fujita,Kazuhiko Kurafuchi,Takashi Masuko,Shinji Shimaoka,Shunsuke Otake,Kazuyuki Mitsukura. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Method for manufacturing semiconductor device, cleaning device, cleaning method, and semiconductor device

Номер патента: US20240321818A1. Автор: Tomoaki Shibata,Shizu FUKUZUMI,Toshiaki Shirasaka. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09893194B2. Автор: Yoshitaka Yamamoto,Hideomi Suzawa,Takayuki Inoue,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

FinFET with P/N stacked fins and method for fabricating the same

Номер патента: US09842932B1. Автор: Ru-Shang Hsiao,Chi-Cherng Jeng,Li-Yi Chen,Hung-Pin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Inspection method for semiconductor substrate, manufacturing method of semiconductor device and inspection device for semiconductor substrate

Номер патента: US09753082B2. Автор: Yohei Iwahashi,Hidemi Senda. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Method for fabricating thin photovoltaic cells

Номер патента: US09484487B2. Автор: Alex Masolin,Maria Recaman Payo. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-11-01.

Manufacturing method of semiconductor film, manufacturing method of semiconductor device, and manufacturing method of photoelectric conversion device

Номер патента: US09450139B2. Автор: Tetsuhiro Tanaka,Erika KATO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Manufacturing method of semiconductor film, manufacturing method of semiconductor device, and manufacturing method of photoelectric conversion device

Номер патента: US09443989B2. Автор: Tetsuhiro Tanaka,Erika KATO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Method for production of semiconductor device

Номер патента: RU2751982C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова» (КБГУ). Дата публикации: 2021-07-21.

Apparatuses and methods for coupling a plurality of semiconductor devices

Номер патента: US20240290752A1. Автор: Timothy M. Hollis,Matthew B. Leslie,Roy E. Greeff. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for forming a silicide layer of semiconductor device

Номер патента: US20030119309A1. Автор: Jeong Lee,Chang Ryoo,Yong Sohn. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-06-26.

Method for manufacturing semiconductor device including inline inspection

Номер патента: US09406571B2. Автор: Takuya Yoshida,Kazutoyo Takano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Method for producing semiconductor device and intermediate for semiconductor device

Номер патента: US20200168476A1. Автор: Yoichi Kodama,Jun Kamada,Kazuo Kohmura,Yasuhisa Kayaba,Kaichiro Haruta. Владелец: Mitsui Chemicals Inc. Дата публикации: 2020-05-28.

Method and system supporting production of a semiconductor device using a plurality of fabrication processes

Номер патента: EP2056338A3. Автор: Masood Syaed. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-03-06.

Method for fabricating semiconductor device and method for operating the same

Номер патента: US20170186948A1. Автор: Kyung-Wan KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-29.

PMOS transistor of semiconductor device, semiconductor device comprising the same, and method for manufacturing the same

Номер патента: US7436036B2. Автор: Jung Suk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-10-14.

Method for fabricating silicon carbide semiconductor device and power conversion device using the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12131906B2. Автор: Shiro Hino,Koji Sadamatsu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Method for transfer of semiconductor devices

Номер патента: US09871023B2. Автор: Andrew Huska,Cody Peterson,Clinton Adams,Sean Kupcow. Владелец: Rohinni LLC. Дата публикации: 2018-01-16.

Method for fabricating semiconductor device and method for operating the same

Номер патента: US09837148B2. Автор: Kyung-Wan KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device with a P-N junction for reduced charge leakage and method of manufacturing the same

Номер патента: US09620603B2. Автор: Chih-Hsiung Lee,Shaw-Hung Ku. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Substrate of semiconductor device including epitaxial layer and silicon layer having same crystalline orientation

Номер патента: US09508799B2. Автор: Yu-Ming Lin,Cheng-Tung Huang,Yi-Ting Wu,Jen-Yu Wang,Wen-Yin Weng,Ya-Ru Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Temporary bonding laminates for used in manufacture of semiconductor devices and method for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20160013088A1. Автор: Kazuhiro Fujimaki,Ichiro Koyama,Yu Iwai. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2016-01-14.

Fiber-containing resin substrate, sealed substrate having semiconductor device mounted thereon, sealed wafer having semiconductor device formed thereon, a semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20140329363A1. Автор: Toshio Shiobara,Susumu Sekiguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-06.

Method for forming thin films of semiconductor devices

Номер патента: US20030124760A1. Автор: Seok Lee,Sung Joo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-07-03.

Cutting method and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20050012193A1. Автор: Kiyoshi Mita,Koujiro Kameyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

Method for manufacturing device isolation film of semiconductor device

Номер патента: US20050054176A1. Автор: Jong Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-03-10.

Method for manufacturing device isolation film of semiconductor device

Номер патента: US7081396B2. Автор: Jong Goo Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-07-25.

Fiber-containing resin substrate, sealed substrate having semiconductor device mounted thereon, sealed wafer having semiconductor device formed thereon, a semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US9240332B2. Автор: Toshio Shiobara,Susumu Sekiguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-19.

Method for forming step channel of semiconductor device

Номер патента: US20060141800A1. Автор: Young Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-29.

Method for forming step channel of semiconductor device

Номер патента: US7309656B2. Автор: Young Man Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-12-18.

Group III-V semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US20080149953A1. Автор: Yoshinori Kinoshita,Masanobu Ando,Toshiya Uemura,Shigemi Horiuchi,Ryohei Inazawa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-26.

Etching methods, etching apparatus and methods for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20030036285A1. Автор: Takashi Kokubun. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-02-20.

Fabrication system of semiconductor device and method of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US20200348599A1. Автор: Jinhong Park,Seungmin Lee,Suntaek LIM,Jinseok Heo,Keunhee Bai. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-05.

Method for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20020106863A1. Автор: In-Chul Jung,Seung-Hoon Sa. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-08-08.

Methods for forming on-chip capacitor structures in semiconductor devices

Номер патента: US12108603B2. Автор: LIANG Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Method for self-aligned solder reflow bonding and devices obtained thereof

Номер патента: US09978710B2. Автор: Eric Beyne,Jaber Derakhshandeh,Vikas Dubey. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-05-22.

Method for producing optoelectronic semiconductor devices

Номер патента: US09966370B2. Автор: Simon Jerebic,Frank Singer,Jürgen Moosburger,Markus Pindl. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-05-08.

Temporary bonding laminates for use in manufacture of semiconductor devices and method for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US09966295B2. Автор: Kazuhiro Fujimaki,Ichiro Koyama,Yu Iwai. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Fabrication of semiconductor device using alternating high and low temperature layers

Номер патента: US09911600B2. Автор: Robert Beach,Paul Bridger. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device thereof

Номер патента: US09837376B2. Автор: Dong Jin Kim,Do Hyung Kim,Jin Han Kim,Glenn Rinne,Yeong Beom Ko. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Compositions and methods for semiconductor processing and devices formed therefrom

Номер патента: US09793188B2. Автор: Arjun Mendiratta. Владелец: Equity Solar Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Devices, systems, and methods related to removing parasitic conduction in semiconductor devices

Номер патента: US09577058B2. Автор: Cem Basceri,Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov,Thomas Gehrke. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device having fins of different heights and method for manufacturing the same

Номер патента: US09496178B2. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-11-15.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device thereof

Номер патента: US09490231B2. Автор: Dong Jin Kim,Do Hyung Kim,Jin Han Kim,Glenn Rinne,Yeong Beom Ko. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Method for manufacturing doped regions

Номер патента: RU2654984C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2018-05-23.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20170069503A1. Автор: Kazuyuki Higashi,Mika Fujii,Kazumichi Tsumura,Takashi Shirono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Anti-fuse array of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US9000560B2. Автор: Min Chul SUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-04-07.

Method for fabricating a semiconductor device including an embedded semiconductor die

Номер патента: US20240250004A1. Автор: Wolfgang Scholz,Bernd SCHMOELZER,Edward Fuergut,Mark Thomas,Martin Gruber,Achim Althaus,Marco Nicolas Mueller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device fabrication methods with enhanced control in recessing processes

Номер патента: US20130078791A1. Автор: Robert J. Miller,Ruilong Xie. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-03-28.

Anti-fuse array of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20150179526A1. Автор: Min Chul SUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Systems and methods for measuring physical characteristics of semiconductor device elements using structured light

Номер патента: US20150059957A1. Автор: Zhijie Wang,Deepak Sood,Thomas J. Colosimo, JR.,David A. Rauth,Shu-Guo Tang. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2015-03-05.

Systems and methods for measuring physical characteristics of semiconductor device elements using structured light

Номер патента: US20180038806A1. Автор: Zhijie Wang,Deepak Sood,Thomas J. Colosimo, JR.,David A. Rauth,Shu-Guo Tang. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2018-02-08.

Method for forming inner capacitor of semiconductor devices using oxide layers formed by the SACVD method

Номер патента: US20020039827A1. Автор: Jai-Sun Roh. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-04.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09947553B2. Автор: Mamoru Yamagami,Yasuhiro Fuwa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Method for manufacturing semiconductor devices having a metallisation layer

Номер патента: US09887152B2. Автор: Rudolf Zelsacher,Paul Ganitzer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-02-06.

Systems and methods for measuring physical characteristics of semiconductor device elements using structured light

Номер патента: US09810641B2. Автор: Zhijie Wang,Deepak Sood,Thomas J. Colosimo, JR.,David A. Rauth,Shu-Guo Tang. Владелец: Kulicke and Soffa Industries Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Method for manufacturing slanted copper nanorods

Номер патента: US09493345B2. Автор: Chang-Koo Kim,Sung-Woon Cho. Владелец: Ajou University Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2016-11-15.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09437440B2. Автор: Anton Mauder,Marko Lemke,Felix Braun,Kurt Sorschag,Dieter Kaiser,Helmut Strack,Marcel Heller,Daniel Sarlette,Ingo Meusel. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device and production method therefor

Номер патента: US09425120B2. Автор: Akira Nagai,Kazutaka Honda,Makoto Satou. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Lens structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20180166594A1. Автор: Chien-Chih Chen,Su-Yu Yeh,Tzu-Shin Chen,Mu-Han Cheng,Chun-Hai Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Method for controlling sheet resistance of poly in fabrication of semiconductor device

Номер патента: US20090077509A1. Автор: Nan Soon CHOI. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-03-19.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20220319908A1. Автор: Zhan Ying,Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Method of Fabricating Semiconductor Device Isolation Structure

Номер патента: US20160133506A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chu-Yun Fu,Ding-Yuan Chen,Chen-Nan Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-12.

Fuse of semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20110001212A1. Автор: Buem-Suck Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-01-06.

Method for Fabricating Semiconductor Device Capable of Adjusting the Thickness of Gate Oxide Layer

Номер патента: US20090042379A1. Автор: XIN Wang,Tai Chiang Chen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2009-02-12.

Semiconductor device and method of manufacturing the same and semiconductor manufacturing device

Номер патента: US8815652B2. Автор: Fumihiko Inoue,Kentaro Sera. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-08-26.

Tungsten plug structure of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20070102824A1. Автор: In Chun. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-05-10.

Dipping detecting device for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20080090311A1. Автор: Youn-Sung Ko,Yong-Kyun Sun,Dong-joo ROH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-17.

Systems and methods for non-destructive inspection of semiconductor devices using reflective x-ray microscope tomographic imaging

Номер патента: US20230417687A1. Автор: Shogo Tomita,Michiaki Sano,Tatsuya Hinoue. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Formation of semiconductor devices including electrically programmable fuses

Номер патента: US20200027830A1. Автор: Chih-Chao Yang,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-23.

Formation of semiconductor devices including electrically programmable fuses

Номер патента: US20200058587A1. Автор: Chih-Chao Yang,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-20.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09887238B1. Автор: Su Xing,Wanxun He. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Method for producing optoelectronic semiconductor devices and optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US09780078B2. Автор: Lutz Hoeppel. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-10-03.

Methods for fabricating a semiconductor device and semiconductor devices fabricated by the same

Номер патента: US09761603B2. Автор: Jae-Hwang Sim,Joon-Sung LIM,Min-Sung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-12.

Apparatus including 4-way valve for fabricating semiconductor device, method of controlling valve, and method of fabricating semiconductor device using the apparatus

Номер патента: US09702041B2. Автор: Young-Hoon Kim,Seok-jun Won,Dae-jin Kwon,Weon-Hong Kim,Yong-Min Yoo,Dae-Youn Kim. Владелец: Genitech Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Method for filling gaps of semiconductor device and semiconductor device formed by the same

Номер патента: US09685319B2. Автор: Yu-Ren Wang,Yi-Hui Lin,Ping-Wei Huang,Keng-Jen Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Method of fabricating semiconductor device isolation structure

Номер патента: US09673082B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chu-Yun Fu,Ding-Yuan Chen,Chen-Nan Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09595584B2. Автор: Katsuhisa Nagao. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-03-14.

Method for manufacturing microcontacts

Номер патента: RU2655953C1. Автор: Лариса Александровна Васильева,Владимир Михайлович Акимов,Евгений Алексеевич Климанов,Никита Александрович Иродов. Владелец: Акционерное общество "НПО "Орион". Дата публикации: 2018-05-30.

Manufacturing method for semiconductor device, semiconductor device, and semiconductor apparatus

Номер патента: US20240234631A9. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa,Kentaro Murakawa. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Methods for Manufacturing Semiconductor Devices

Номер патента: US20160343577A1. Автор: Anton Mauder,Marko Lemke,Felix Braun,Kurt Sorschag,Dieter Kaiser,Helmut Strack,Marcel Heller,Daniel Sarlette,Ingo Meusel. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-11-24.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170076984A1. Автор: Hisashi Onodera. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Method for fabricating semiconductor device using tilted etch process

Номер патента: US20220076959A1. Автор: Huan-Yung Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-10.

Method for forming field oxide film of semiconductor device

Номер патента: US6013561A. Автор: Jong Choul Kim,Byung Jin Cho,Se Aug Jang. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2000-01-11.

Method for forming semiconductor device having epitaxial channel layer using laser treatment

Номер патента: US20020001890A1. Автор: Jung-Ho Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-03.

System and method for operating an electric power converter

Номер патента: EP2590211A3. Автор: Robert Gregory Wagoner,Allen Michael Ritter,Paul Stephen Pate. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2018-01-17.

Bonded semiconductor devices having processor and nand flash memory and methods for forming the same

Номер патента: EP3891798A1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-13.

Method and apparatus for manufacturing a semiconductor device including a plurality of semiconductor chips connected with bumps

Номер патента: US20170069551A1. Автор: Hiroshi Watabe,Naoyuki Komuta,Shinya Fukayama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20230215769A1. Автор: Nam Yoon Kim,Myung Jun Lee,Wook Rae KIM,Doory KIM,Dokyung JEONG,Uidon JEONG,Jae Hwang JUNG,SeokRan GO. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2023-07-06.

Backside and sidewall metallization of semiconductor devices

Номер патента: US20240194486A1. Автор: Wen Hung HUANG,Yufu Liu,Kuan-Hsiang Mao,Che Ming Fang. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-06-13.

Structure and formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09935173B1. Автор: Chia-Ching Lee,Chun-Yuan Chou,Ching-Hwanq Su,Chung-Chiang WU,Hsueh-Wen Tsau. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Methods for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US09837280B2. Автор: Anton Mauder,Marko Lemke,Felix Braun,Kurt Sorschag,Dieter Kaiser,Helmut Strack,Marcel Heller,Daniel Sarlette,Ingo Meusel. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09520499B2. Автор: Sung-min Kim,Dong-Kyu Lee,Ji-su Kang,Dong-Ho Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09337057B2. Автор: Oh-seong Kwon,Sang-Jin Hyun,Sung-Kee Han,Moon-Kyu Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-10.

Conductive paste for front electrode of semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US9023253B2. Автор: Xiaoli Liu,Delin Li,Ran Guo. Владелец: Soltrium Technology Ltd. Дата публикации: 2015-05-05.

Method for the fabrication of bonding solder layers on metal bumps with improved coplanarity

Номер патента: US20130052817A1. Автор: Tim Hsiao. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2013-02-28.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20240213023A1. Автор: Chan Hwang,Seung Yoon Lee,Jeong Jin Lee,Doo Gyu LEE,Min-Cheol KWAK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Heat dissipating semiconductor device packages and related methods

Номер патента: US20120112338A1. Автор: Kuang-Hsiung Chen,Hsiang-Ming Feng,Sheng-Ming Wang,Yu-Ying Lee,Bing-Yun Cheng. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2012-05-10.

Conductive paste for front electrode of semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20150162481A1. Автор: Xiaoli Liu,Delin Li. Владелец: Soltrium Tech Ltd Shenzhen. Дата публикации: 2015-06-11.

Metal clip assembly, semiconductor device assembly, method for manufacturing semiconductor device assembly, and application of semiconductor device assembly

Номер патента: US20240250005A1. Автор: Xin Huang,Limin Wang. Владелец: Chongqing Alpha And Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Conductive paste for front electrode of semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20150159026A1. Автор: Xiaoli Liu,Delin Li. Владелец: Soltrium Tech Ltd Shenzhen. Дата публикации: 2015-06-11.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20160079102A1. Автор: Kazuhiro Murakami,Shinya Fukayama,Yukifumi Oyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Passivation layer structure of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20140042440A1. Автор: Wen-Ching Sun,Tzer-Shen Lin,sheng-min Yu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2014-02-13.

Method for manufacturing a semiconductor device using a patterned dielectric mask and semiconductor device

Номер патента: US12057311B2. Автор: Adrian Stefan Avramescu,Jens Mueller. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-08-06.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20010005616A1. Автор: Jae Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2001-06-28.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: EP2562794A4. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-12-18.

Method for depositing silicon nitride layer of semiconductor device

Номер патента: US20050118814A1. Автор: Hyung Kim,Sung Jung,Yong Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-02.

Device and methods for characterization of semiconductor films

Номер патента: US20240264113A1. Автор: Michel DE KEERSMAECKER,Erin L. RATCLIFF,Neal R. Armstrong. Владелец: University of Arizona. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: GB201122185D0. Автор: . Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-02-01.

Method for producing optoelectronic devices

Номер патента: US12112968B2. Автор: Ralph Wagner. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-10-08.

Multiple metal layer semiconductor device and low temperature stacking method of fabricating the same

Номер патента: US09887155B2. Автор: Xiaomeng Chen,Ping-Yin Liu,Xin-Hua Huang,Lan-Lin Chao,Chia-Shiung Tsai,Kai-Wen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Method for separating epitaxial layers from growth substrates, and semiconductor device using same

Номер патента: US09882085B2. Автор: Ki Bum Nam,Joo Won Choi,A Ram Cha LEE,Yu Dae Han,Jeong Hun HEO,Choong Min Lee,Su Jin Shin. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

GaN substrate, semiconductor device and method for fabricating GaN substrate and semiconductor device

Номер патента: US09653588B2. Автор: Bocheng Cao,Zongmin ZHANG,Zhenghai Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Isolation structure, method for manufacturing the same, and semiconductor device having the structure

Номер патента: US09543188B2. Автор: Huilong Zhu,Huicai Zhong,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-01-10.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US09448065B2. Автор: Kazuhiro Murakami,Shinya Fukayama,Yukifumi Oyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor devices having encapsulated stressor regions and related fabrication methods

Номер патента: US20120193686A1. Автор: Jan Hoentschel,Stefan Flachowsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-08-02.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20040013867A1. Автор: MARK Martin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-22.

Method for fabricating high permitivity dielectric stacks having low buffer oxide

Номер патента: EP1173886A1. Автор: Effiong Ibok. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-01-23.

Method for fabricating semiconductor device including resist flow process and film coating process

Номер патента: US20070059926A1. Автор: Jae Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-03-15.

Semiconductor device, method for manufacturing the same, and flexible substrate for mounting semiconductor

Номер патента: US20090134506A1. Автор: Masahiro Yamaguchi,Naoto Saito,Hisashi Tanie. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-05-28.

Method for fabricating semiconductor device, and semiconductor device made thereby

Номер патента: US20150236158A1. Автор: Chin-Cheng Chien,Chun-Jen Chen,Tien-Wei YU,Tsung-Mu Yang,Tien-Chen Chan,Ming-Hua Chang,Yu-Shu Lin,I-Cheng Hu,Chieh-Lung Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-08-20.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20130323908A1. Автор: Chun-Yen Chen,Hung-Hsien Chang,Wei-Hua Fang,Chine-Li WANG,Yung-Chin Yen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-12-05.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12062552B2. Автор: Takashi Saito,Ryoichi Kato,Yuma Murata,Ryotaro Tsuruoka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US7521305B2. Автор: Zing-Way Pei,Cha-Hsin Lin,Shing-Chii Lu,Ming-Jinn Tsai. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2009-04-21.

Sonos Device and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20140329387A1. Автор: Chih-Yuan Wu,Kai-Hsiang Chang,Kuang-Wen Liu,Ching-Chang Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-06.

Method of Semiconductor Fabrication with Height Control Through Active Region Profile

Номер патента: US20160240444A1. Автор: Che-Cheng Chang,Po-Chi WU,Yi-Cheng Chao,Jung-Jui Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

Method for fabricating a semiconductor device and a semiconductor device fabricated by the method

Номер патента: US20080124854A1. Автор: Seong-Jae Lee,Tae-Youb KIM,Moon-Gyu Jang,Chel-jong Choi,Yark-Yeon KIM,Myung-Sim JUN. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2008-05-29.

Resilient interconnect structure for electronic components and method for making the same

Номер патента: EP1200992A1. Автор: Gary W. Grube,Benjamin N. Eldridge,Gaetan L. Mathieu,Richard A. Larder. Владелец: Formfactor Inc. Дата публикации: 2002-05-02.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20030025153A1. Автор: Sug Chun. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2003-02-06.

Semiconductor devices, layout design methods for the same, and methods for fabricating the same

Номер патента: US20210305232A1. Автор: Jae-Ho Park,Ji Su YU,Hyeon Gyu YOU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-30.

Sonos device and method for fabricating the same

Номер патента: US20140070299A1. Автор: Chih-Yuan Wu,Kai-Hsiang Chang,Kuang-Wen Liu,Ching-Chang Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-13.

Method and computing device for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12093630B2. Автор: Sooyong Lee,Jeeyong Lee,Jaeho Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09799750B2. Автор: Chun-Fai Cheng,Han-Ting Tsai,Hui-Min Lin,An-Shen CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Method of semiconductor fabrication with height control through active region profile

Номер патента: US09673112B2. Автор: Che-Cheng Chang,Po-Chi WU,Yi-Cheng Chao,Jung-Jui Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Metal wiring of semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09558992B2. Автор: Tae Jong Lee,Kwan Soo Kim,Si Bum Kim,Jong Yeul Jeong,Kang Sup Shin,Yang Beom KANG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor apparatus and method for producing the same

Номер патента: US09543252B2. Автор: Yoshiyuki Nakaki,Kei Yamamoto,Mamoru Terai,Shiori Idaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US09466703B2. Автор: Dong-won Kim,Nak-Jin Son,Keun-Ho Lee,Chang-Wook Jeong,Kwang-Seok Lee,Ui-hui Kwon,Young-Kwan Park,Seung-Hyun Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US6660617B2. Автор: Hiroyuki Kawano. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-09.

Method for Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20190006179A1. Автор: Cheng Long ZHANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-01-03.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US10395927B2. Автор: Cheng Long ZHANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-08-27.

Asymmetric finfet in memory device, method of fabricating same and semiconductor device

Номер патента: US20200273863A1. Автор: Rongfu ZHU,Dingyou LIN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2020-08-27.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and interface unit

Номер патента: US20180294208A1. Автор: Motohito Hori,Yuki Inaba,Yoshinari Ikeda,Michihiro Inaba,Tetsuya Sunago. Владелец: Kojin Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-11.

Polishing pad, preparation method thereof and method for preparing semiconductor device using same

Номер патента: US11759909B2. Автор: Kyung Hwan Kim,Jang Won Seo,Jae In Ahn,Sung Hoon Yun,Kang Sik MYUNG. Владелец: SK Enpulse Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor substrate fabrication and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: MY176699A. Автор: Yoshinori Nagao. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2020-08-19.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US7445998B2. Автор: Pin-Yao Wang,Rex Young. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-11-04.

Package-on-package device with supplemental underfill and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170317057A1. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen,Ying-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-02.

Semiconductor optical devices and method for forming

Номер патента: US7494832B2. Автор: Yang Du,Leo Mathew,Voon-Yew Thean. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2009-02-24.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20050140011A1. Автор: Jea Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

A method for transferring and stacking of semiconductor devices

Номер патента: EP1252654A2. Автор: Eric Beyne,Staf Borghs,Raf Vandersmissen. Владелец: Umicore NV SA. Дата публикации: 2002-10-30.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US7393778B2. Автор: Jea Hee Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-01.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: WO2023131742A1. Автор: Ville Vilokkinen,Riina Ulkuniemi,Petri Melanen. Владелец: Modulight Corporation. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor device fabrication

Номер патента: US09954088B2. Автор: Sudhiranjan Tripathy,Surani Bin Dolmanan,Manippady Krishna Kumar,Lakshmi Kanta Bera,Rasanayagam Sivasayan KAJEN. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09953685B2. Автор: Chia-Jung Hsu,Wein-Town Sun,Chun-Yuan Lo,Jui-Ming Kuo. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Nanowire field effect transistor (FET) and method for fabricating the same

Номер патента: US09887264B2. Автор: Isaac Lauer,Szu Lin Cheng,Kuen-Ting Shiu,Jack O. Chu,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Formation method of semiconductor device structure

Номер патента: US09870955B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yi-Jen Chen,Yung-Jung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Package-on-package device with supplemental underfill and method for manufacturing the same

Номер патента: US09825008B1. Автор: Jie Chen,Hsien-Wei Chen,Ying-Ju Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Method for fabricating a semiconductor device for use in an optical application

Номер патента: US09823414B2. Автор: Jens Hofrichter,Lukas Czornomaz,Mirja Richter,Heike E. Riel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Structure and formation method of semiconductor device with epitaxial structures

Номер патента: US20240355901A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen,Chien-Ning YAO,Tsung-Han CHUANG,Chia-Cheng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Polishing pad, preparation method thereof and method for preparing semiconductor device using same

Номер патента: US12138738B2. Автор: Kyung Hwan Kim,Jang Won Seo,Jae In Ahn,Sung Hoon Yun,Kang Sik MYUNG. Владелец: SK Enpulse Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Method for fabricating a semiconductor device for use in an optical application

Номер патента: US09459405B2. Автор: Jens Hofrichter,Heike Riel,Lukas Czornomaz,Mirja Richter. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09437709B2. Автор: De Yuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Manufacturing method of semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09428342B2. Автор: Takayuki Nosaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Methods for protecting gate stacks during fabrication of semiconductor devices and semiconductor devices fabricated from such methods

Номер патента: US20110121397A1. Автор: Rohit Pal,Frank Bin YANG,Michael Hargrove. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-05-26.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200105681A1. Автор: Ching-Hung Chang,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

Electronic device, semiconductor device, packaging structure, bracket and method of manufacturing the bracket

Номер патента: US20220165926A1. Автор: YE Yuan,Wei Luo,Yongde Li,Junjie Kang,Xinqiang Wang,Weiyun WANG,Houjin WANG. Владелец: Songshan Lake Materials Laboratory. Дата публикации: 2022-05-26.

Electronic device, semiconductor device, packaging structure, bracket and method of manufacturing the bracket

Номер патента: US11881548B2. Автор: YE Yuan,Wei Luo,Yongde Li,Junjie Kang,Xinqiang Wang,Weiyun WANG,Houjin WANG. Владелец: Songshan Lake Materials Laboratory. Дата публикации: 2024-01-23.

Semiconductor device, method for fabricating the same and apparatus for fabricating the same

Номер патента: WO2011040047A1. Автор: Masaru Sasaki. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2011-04-07.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20020142555A1. Автор: Seon Cha. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-10-03.

Method for forming thermal oxide film on semiconductor substrate and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20240274477A1. Автор: Tatsuo Abe,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device with protection structure and air gaps and method for fabricating the same

Номер патента: US20210327823A1. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Method for fabricating semiconductor device with protection structure and air gaps

Номер патента: US20210358862A1. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-18.

Method For Processing Workpiece, Plasma Processing Apparatus And Semiconductor Device

Номер патента: US20230005739A1. Автор: FEI Yu,Junliang Li,Mengyang Xin. Владелец: Beijing E Town Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-05.

Semiconductor device having silicon plugs for trench and/or mesa segmentation

Номер патента: US20240290882A1. Автор: Lars MUELLER-MESKAMP,Dirk Manger,Birgit von Ehrenwall,Ralf Rudolf,Annett Winzer,Tom Peterhaensel,Frido Erler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-08-29.

Apparatus for fabricating a semiconductor device and method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US12009238B2. Автор: Chung-Hung Lin,Chih-Wei Wen,Po-Chien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Apparatus for fabricating a semiconductor device and method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20210327735A1. Автор: Chung-Hung Lin,Chih-Wei Wen,Po-Chien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Method of forming interconnectings in semiconductor devices

Номер патента: US20020090810A1. Автор: Mario Napolitano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-07-11.

Method for Forming a Via Profile of Interconnect Structure of Semiconductor Device Structure

Номер патента: US20170194197A1. Автор: Che-Cheng Chang,Wei-Ting Chen,Wei-Yin Shiao,Tai-Shin Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Method for forming silicide of semiconductor device

Номер патента: US8105910B2. Автор: Hee-Jae Shin. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2012-01-31.

Semiconductor device with assistant layer and method for fabricating the same

Номер патента: US12080754B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for forming word line of semiconductor device

Номер патента: US20040082155A1. Автор: Won Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-29.

Methods for fabricating semiconductor devices with backside power delivery network using laser liftoff layer

Номер патента: US20240258169A1. Автор: ARKALGUD Sitaram,Soo Doo Chae. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Apparatus for fabricating a semiconductor device and method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20200243360A1. Автор: Chung-Hung Lin,Chih-Wei Wen,Po-Chien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

Apparatus for fabricating a semiconductor device and method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20240297057A1. Автор: Chung-Hung Lin,Chih-Wei Wen,Po-Chien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Methods for fabricating semiconductor devices with backside power delivery network using laser liftoff layer

Номер патента: WO2024163032A1. Автор: ARKALGUD Sitaram,Soo Doo Chae. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-08-08.

Apparatus for inspecting substrate and method for fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US12105027B2. Автор: Myung Jun Lee,Sung Ho Jang,Jang Ryul Park,Kwang Rak KIM,Soon Yang KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-01.

Method for forming a via profile of interconnect structure of semiconductor device structure

Номер патента: US09997401B2. Автор: Che-Cheng Chang,Wei-Ting Chen,Wei-Yin Shiao,Tai-Shin Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09887159B1. Автор: Mengkai Zhu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Methods for fabricating a metal structure for a semiconductor device

Номер патента: US09865690B2. Автор: Chuanxin Lian,Liping Daniel Hou. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Intermediate structure for transfer, method for preparing micro-device for transfer, and method for processing array of semiconductor device

Номер патента: US09842782B2. Автор: Chun-Yi Chang,Li-Yi Chen,Pei-Yu Chang,Chih-Hui Chan,Shih-Chyn Lin,Hsin-Wei Lee. Владелец: Mikro Mesa Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device, method for fabricating the same, and memory system including the semiconductor device

Номер патента: US09786785B2. Автор: Seok-jun Won,Ji-Hye Yi,Kook-Tae KIM,Young-Tak Kim,Ho-Sung Son,Chul-Woong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Interconnect structures for fine pitch assembly of semiconductor structures and related techniques

Номер патента: US09786633B2. Автор: Rabindra N. Das,Mark A. Gouker,Noyan Kinayman,Timothy M. Hancock,Peter G. Murphy,Karen E. Magoon,Michael J. Barbieri. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2017-10-10.

Manufacturing method of semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09673073B2. Автор: Takayuki Nosaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor devices and fabrication method thereof

Номер патента: US09614051B2. Автор: Jie Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Termination structure of semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09490134B2. Автор: Chun-Ying Yeh,Yuan-Ming Lee. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US09455194B1. Автор: Chien-Ting Lin,Chao-Hung Lin,Ssu-I Fu,Jyh-Shyang Jenq,Shih-Hung Tsai,Li-Wei Feng,Shih-Fang Hong,Hon-Huei Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Nanopyramid sized opto-electronic structure and method for manufacturing of same

Номер патента: US09444007B2. Автор: Olga Kryliouk,Nathan Gardner,Giuliano Portilho Vescovi. Владелец: GLO AB. Дата публикации: 2016-09-13.

Method for fabricating semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09412829B2. Автор: Shuichi Nishizawa. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09385061B2. Автор: Hideyo Nakamura,Masafumi Horio. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Method of manufacture of semiconductor structure containing a p-n junction under porous silicon film for implementation of a photoelectric converter

Номер патента: RU2662254C1. Автор: Николай Николаевич Мельник,Вадим Викторович Трегулов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Рязанский государственный университет имени С.А. Есенина". Дата публикации: 2018-07-25.

Semiconductor device and methods for fabricating and operating the device

Номер патента: US20240224816A1. Автор: Pavel ASEEV. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device with flowable layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20220013629A1. Автор: Liang-Pin Chou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-01-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11735663B2. Автор: Jae Mun Kim,Seung Hun Lee,Da Hye KIM,Gyeom KIM,Jin Bum Kim,Kyung In CHOI,Il Gyou Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-22.

Method for fabricating conductive layer stack and method for fabricating semiconductor device with gate contact

Номер патента: US12014955B2. Автор: Che-Hsien LIAO,Yueh Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor device with programmable unit and method for fabricating the same

Номер патента: US20220173045A1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-06-02.

Apparatus and methods for cyclical oxidation and etching

Номер патента: WO2011112802A2. Автор: WEI Liu,Swaminathan Srinivasan,Jing Tang,Udayan Ganguly,Joseph M. Ranish,Aaron M. Hunter,Christopher S. Olsen,Shiyu Sun,Johanes F. Swenberg,Matthew D. Scotney-Castle,Vicky Nguyen. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2011-09-15.

Semiconductor device with conductive protrusions and method for fabricating the same

Номер патента: US20210296174A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor device with connection structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20210305208A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210327887A1. Автор: Cheng-Ling Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor device with conductive layers having different pattern densities and method for fabricating the same

Номер патента: US20240243060A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Systems and methods for bonding semiconductor devices

Номер патента: US20240243006A1. Автор: ARKALGUD Sitaram,Scott LEFEVRE,Kevin Ryan,Ilseok Son,Panupong Jaipan. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Adhesive, substrate having adhesive, circuit board having adhesive layer, layered product, method for producing layered product, and method for producing semiconductor device

Номер патента: EP4397731A1. Автор: Hitoshi Araki,Takenori Fujiwara,Yukari Arimoto. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2024-07-10.

Semiconductor device and method for fabricating the semiconductor device

Номер патента: US20210098485A1. Автор: Il-Young Kwon,Jin-Ho Bin,Dong-Chul Yoo,Hye-Hyeon BYEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor device with anti-back-sputter layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240203753A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and method for determining deterioration of semiconductor device

Номер патента: US20230369142A1. Автор: Takaaki Tanaka,Motohito Hori,Yoshinari Ikeda,Qichen Wang. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device with contact structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240105807A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device with porous dielectric layers and method for fabricating the same

Номер патента: US20240030133A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device with energy-removable layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240178287A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device with sidewall oxidized dielectric and method for fabricating the same

Номер патента: US20210234037A1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220123145A1. Автор: Jae Mun Kim,Seung Hun Lee,Da Hye KIM,Gyeom KIM,Jin Bum Kim,Kyung In CHOI,Il Gyou Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor device with protection liners and method for fabricating the same

Номер патента: US20230299005A1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device with composite conductive features and method for fabricating the same

Номер патента: US20230299023A1. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device with composite conductive features and method for fabricating the same

Номер патента: US20240274554A1. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Substrate cleaning composition, method for cleaning substrate using the same, and method for fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US12046464B2. Автор: Hyun Jin Kim,Jong Kyoung Park,Hoon Han,Hyo San LEE,Mi Hyun Park,Ga Young SONG,Jung Youl LEE,Han Sol LIM. Владелец: Dongjin Semichem Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device with alignment marks and method for fabricating the same

Номер патента: US11756893B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device with thermal release layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20220165639A1. Автор: Jar-Ming Ho. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210098626A1. Автор: Jae Mun Kim,Seung Hun Lee,Da Hye KIM,Gyeom KIM,Jin Bum Kim,Kyung In CHOI,Il Gyou Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor device with self-aligning contact and method for fabricating the same

Номер патента: US20220271036A1. Автор: Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-08-25.

Architectures Enabling Back Contact Bottom Electrodes For Semiconductor Devices

Номер патента: US20190074393A1. Автор: Venkat Selvamanickam. Владелец: UNIVERSITY OF HOUSTON SYSTEM. Дата публикации: 2019-03-07.

Semiconductor device with uneven electrode surface and method for fabricating the same

Номер патента: US20230105066A1. Автор: Tsu-Chieh AI. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-04-06.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210074639A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-03-11.

Semiconductor device with slanted conductive layers and method for fabricating the same

Номер патента: US11398441B2. Автор: Kuo-Hui Su. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-07-26.

Semiconductor device with composite conductive features and method for fabricating the same

Номер патента: US20240250047A1. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20150287823A1. Автор: Chia-Fu Hsu,Chih-Wei Yang,Jian-Cun KE. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-10-08.

High voltage semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20150054071A1. Автор: Chung-Ren Lao,Cheng-Yi Hsieh,Chu-Feng CHEN,Wei-Chun CHOU,Yi-Hung Chiu. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-02-26.

Method for fabricating semiconductor device with protection liner for bit line

Номер патента: US12057348B2. Автор: Huan-Yung Yeh,Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Methods for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20100311242A1. Автор: Jongwook Kye,Yunfei Deng. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2010-12-09.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20090142901A1. Автор: In-Cheol Baek. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-04.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US8021944B2. Автор: In-Cheol Baek. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2011-09-20.

Semiconductor device with conductive layers having different pattern densities and method for fabricating the same

Номер патента: US12080642B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device having optimized shallow junction geometries and method for fabrication thereof

Номер патента: US20050245021A1. Автор: Xin Zhang,Srinivasan Chakravarthi,P.R. Chidambaram,Brian Hornung,Lance Robertson. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2005-11-03.

Semiconductor device with emi protection structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20210327821A1. Автор: Chin-Te Kuo. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Method for fabricating trihalodisilane and method for fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20230264963A1. Автор: Min Soo Kang,Byung Keun Hwang,Woo Ri Bae,Byeong Ok Cho,Sun Hye Hwang,Sheby Mary George,Ji Eun Yun,Seong Tae OH. Владелец: WONIK MATERIALS CO Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device with leakage current guide path and method for fabricating the same

Номер патента: US12100733B2. Автор: Wei-Zhong Li,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device with alignment marks and method for fabricating the same

Номер патента: US12094834B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device with alignment marks and method for fabricating the same

Номер патента: US12094833B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Fabrication of iii-v-on-insulator platforms for semiconductor devices

Номер патента: US20160196972A1. Автор: Anirban Basu,Bahman Hekmatshoartabari,Ali Khakifirooz,Davood Shahrjerdi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Semiconductor device with capping layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240304697A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Substrate cleaning composition, method for cleaning substrate using the same, and method for fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20220336206A1. Автор: Hyun Jin Kim,Jong Kyoung Park,Hoon Han,Hyo San LEE,Mi Hyun Park,Ga Young SONG,Jung Youl LEE,Han Sol LIM. Владелец: Dongjin Semichem Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

Fabrication of iii-v-on-insulator platforms for semiconductor devices

Номер патента: US20160211170A1. Автор: Anirban Basu,Bahman Hekmatshoartabari,Ali Khakifirooz,Davood Shahrjerdi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-21.

Semiconductor device with filling layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240339400A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device with filling layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240339401A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device with filling layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240304553A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device with protection layer and method for fabricating the same

Номер патента: US12112950B2. Автор: Ming-Hung Hsieh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device with programmable unit and method for fabricating the same

Номер патента: US12114491B2. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Method for fabricating semiconductor device with redistribution plugs

Номер патента: US12112978B2. Автор: Chun-Cheng Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device, inspection apparatus of semiconductor device, and method for inspecting semiconductor device

Номер патента: US20240312780A1. Автор: Yosuke Kajiwara,Masahiko Kuraguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device with protection liners and air gaps and method for fabricating the same

Номер патента: US12119302B2. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Method for fabricating semiconductor device with protection liner for bit line

Номер патента: US20240355674A1. Автор: Huan-Yung Yeh,Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device with porous layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240371684A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device with porous layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240371683A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US09972524B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei Cheng Wu,Bao-Ru Young,Kong-Pin Chang,Chia Ming Liang,Meng-Fang Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09947792B2. Автор: Chao-Hung Lin,Chih-Kai Hsu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq,Shih-Hung Tsai,Li-Wei Feng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09773887B2. Автор: Chao-Hung Lin,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq,Li-Wei Feng,Ying-Chiao Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09761690B2. Автор: Chun-Mao Chiou,Chia-Fu Hsu,Shih-Chieh Hsu,Lung-En Kuo,Jian-Cun KE,You-Di Jhang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Method for cleaning via of interconnect structure of semiconductor device structure

Номер патента: US09761488B2. Автор: Che-Cheng Chang,Wei-Ting Chen,Wei-Yin Shiao,Tai-Shin Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Method for fabricating a finFET device including a stem region of a fin element

Номер патента: US09735255B2. Автор: Zhiqiang Wu,Jean-Pierre Colinge,Kuo-Cheng Ching. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09721804B1. Автор: Huang-Ren Wei,Hsuan-Sheng Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Fabrication of III-V-on-insulator platforms for semiconductor devices

Номер патента: US09698046B2. Автор: Anirban Basu,Bahman Hekmatshoartabari,Ali Khakifirooz,Davood Shahrjerdi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US09673053B2. Автор: Chun-Yuan Wu,Chih-Chien Liu,Yi-Wei Chen,Wen-Chin Lin,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Po-Cheng Huang,Yu-Ting Li,Fu-Shou Tsai,Kun-Ju Li,Chih-Hsun Lin,Jia-Feng Fang,Wei-Jen Wu,Rung-Yuan Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Method for fabricating semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09653592B2. Автор: Shuichi Nishizawa. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09646829B2. Автор: Yuichi Sato,Junichi Koezuka,Shinji Ohno. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09613927B2. Автор: Takeshi Sunaga,Akihiro Kimura,Akihiro Koga,Shouji Yasunaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-04-04.

Fabrication of III-V-on-insulator platforms for semiconductor devices

Номер патента: US09553015B2. Автор: Anirban Basu,Bahman Hekmatshoartabari,Ali Khakifirooz,Davood Shahrjerdi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Method for fabricating semiconductor device, pattern writing apparatus, recording medium recording program, and pattern transfer apparatus

Номер патента: US09535327B2. Автор: Takayuki Abe. Владелец: Nuflare Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US09508827B2. Автор: Chia-Fu Hsu,Chih-Wei Yang,Jian-Cun KE. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Method for forming void-free polysilicon and method for fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US09460964B2. Автор: Hyung-Kyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US09455135B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Chieh-Te Chen,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Composition for forming resist protection film for lithography and method for forming pattern of semiconductor device using the same

Номер патента: US09423692B2. Автор: Jae Hyun Kim,Hyun Jin Kim,Man Ho Han,Jong Kyoung Park. Владелец: Dongjin Semichem Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Method for passivating a through hole of a semiconductor plate

Номер патента: RU2745656C1. Автор: Александер ФРЕЙ. Владелец: АЦУР СПЭЙС Золяр Пауер ГмбХ. Дата публикации: 2021-03-30.

Methods for passivating sidewalls of semiconductor wafers and semiconductor devices incorporating semiconductor wafers

Номер патента: EP4393038A1. Автор: Ville Vilokkinen,Riina Ulkuniemi,Petri Melanen. Владелец: Modulight Corp. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor device having a graphene film and method for fabricating thereof

Номер патента: US12014988B2. Автор: Jang Eun Lee,Hyun bae Lee,Wan Don KIM,Min Joo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-18.

Methods for fabricating an STI film of a semiconductor device

Номер патента: US7217633B2. Автор: Geon-Ook Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-15.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200235028A1. Автор: Hyung Seok Lee,Sung-Bum BAE,Zin-Sig KIM. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2020-07-23.

Ball-type bonding wires for semiconductor devices and method for producing same

Номер патента: GB2174032A. Автор: Noriko Watanabe,Kazumichi Machida,Jitsuho Hirota. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1986-10-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US5973362A. Автор: Hae Chang Yang,Min Wha Park. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1999-10-26.

Method for fabricating semiconductor device with programmable element

Номер патента: US20220069126A1. Автор: Chang-Chieh Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Method for fabricating semiconductor device with assistant layer

Номер патента: US12051718B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Wafer, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2020103873A1. Автор: Chih-Wei Chang,Changhao QUAN,Dingyou LIN. Владелец: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2020-05-28.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20190096782A1. Автор: Hyung Seok Lee,Sung-Bum BAE,Zin-Sig KIM. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2019-03-28.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20040185671A1. Автор: Seong-Wook Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-09-23.

Method for fabricating semiconductor device with gate spacer

Номер патента: US7265042B2. Автор: Ki-Won Nam. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-09-04.

Semiconductor device having a thermoset-containing dielectric material and methods for fabricating the same

Номер патента: US20010005548A1. Автор: Konstantinos Papathomas,Mark Poliks,Donald Farquhar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-06-28.

Isolation structure, semiconductor device having the same, and method for fabricating the isolation structure

Номер патента: US9105684B2. Автор: Hyun-Tae JUNG,Hyung-Suk Choi,Da-soon Lee,Eung-ryul Park. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-08-11.

Production method for device

Номер патента: US7648889B2. Автор: Kazuma Sekiya. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2010-01-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20060014372A1. Автор: Seung-Ho Pyi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-01-19.

Refractory metal nitride capped electrical contact and method for frabricating same

Номер патента: US20110049720A1. Автор: Sadiki Jordan. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2011-03-03.

Method for fabricating semiconductor apparatus using board frame

Номер патента: US6948239B2. Автор: Takahiro Oka. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-27.

Low mismatch semiconductor device and method for fabricating same

Номер патента: US20110186934A1. Автор: Akira Ito,Xiangdong Chen. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2011-08-04.

Method for fabricating of cell pitch reduced semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20170194433A1. Автор: Seung Hyun Kim,Soo Chang Kang,Yong Won Lee,Dae Won HWANG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Method for fabricating thin-film semiconductor device for display

Номер патента: US20130071972A1. Автор: Hisao Nagai,Kenichirou Nishida. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

Method for fabricating a semiconductor device and apparatus for inspecting a semiconductor

Номер патента: WO2005086211A1. Автор: Yasunobu Tagusa. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2005-09-15.

Semiconductor device and method for assembling the same

Номер патента: US20020024125A1. Автор: Kazutaka Shibata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-02-28.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20060228882A1. Автор: Yong-Sik Jeong. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2006-10-12.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20160049506A1. Автор: Wai-Yi Lien,Yu-Cheng Tung,Ming-Tsung Chen,Ji-Fu Kung,Hsin-Ming Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-02-18.

Thin-film semiconductor device and method for fabricating thin-film semiconductor device

Номер патента: US20130161630A1. Автор: Kenichirou Nishida. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-06-27.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20130230989A1. Автор: Tzu-Yu Tseng,An-Chi Liu,Chi-Heng Lin,Chih-Wen Teng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-09-05.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240339501A1. Автор: Che-Hsien Lin,Chun-Chia Chen,Chun-jen Huang,Te-Chang Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Method for fabricating semiconductor device with graphene-based element

Номер патента: US12132097B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Fabrication of a semiconductor device including a quantum dot structure

Номер патента: EP4434075A1. Автор: Kirsten Emilie Moselund,Svenja Mauthe,Markus Scherrer,Preksha TIWARI,Noelia Vico Trivino. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-09-25.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09941215B2. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Jia-Rong Wu,Yi-Hui Lee,Ying-Cheng Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device, fabricating method thereof, and fabricating method of memory

Номер патента: US09899396B1. Автор: Chih-Hsiung Lee,Chien-Ying Lee,Tzung-Ting Han. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US09806168B2. Автор: Jisoo Oh,Sungwoo Myung,Geumjung Seong,Jinwook Lee,Dohyoung Kim,Yong-Ho Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09673040B2. Автор: Yu-Ru Yang,Chia-Hsun Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09653603B1. Автор: Kun-Hsin Chen,Jyh-Shyang Jenq,Shih-Hung Tsai,Li-Wei Feng,Tong-Jyun Huang,Yi-Fan Li,Nan-Yuan Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor devices having stacked structures and methods for fabricating the same

Номер патента: US09653430B2. Автор: Pil-Kyu Kang,Byung Lyul Park,Jin Ho An,Seokho KIM,Joo Hee Jang,Taeyeong Kim,HyoJu KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor Device with Biofet and Biometric Sensors

Номер патента: US20240331439A1. Автор: Ching-Hui Lin,Fu-Chun Huang,Shih-Fen Huang,Chen-Ren CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for semiconductor wafer alignment

Номер патента: US09601436B2. Автор: De-Fang Huang,Hsiao-Yi WANG,Shing-Kuei LAI,Wei-Yueh Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09583627B2. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Formation method of semiconductor device that includes performing hydrogen-containing plasma treatment on metal gate stack

Номер патента: US09558955B2. Автор: Chih-Mu Huang,Ru-Shang Hsiao,Chi-Cherng Jeng,Fang-Wei LIN,Shin-Yeu Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09524921B2. Автор: Tae-Seong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Organic photoelectric semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US8692235B2. Автор: Ten-Chin Wen,Sung-Nien Hsieh,Tzung-Fang Guo,Wei-Chou Hsu,Chen-Yan Li. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2014-04-08.

Microstrip line, method for fabricating the same, inductor element, and RF semiconductor device

Номер патента: US20010033210A1. Автор: Mitsuru Tanabe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-25.

Tuneable, adjustment-stable semiconductor laser light source and a method for the optically stable, largely continuous tuning of semiconductor lasers

Номер патента: WO1997022166A3. Автор: Manfred Gabbert,Wolfgang Reinecke. Владелец: Wolfgang Reinecke. Дата публикации: 1997-08-14.

Method for fabricating a throughput-scalable analytical system for molecule detection and sensing

Номер патента: US20210296380A1. Автор: MEI Yan. Владелец: Genesense Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-23.

Arrayed semiconductor device, optical transmission module, optical module, and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20190348818A1. Автор: Koichiro Adachi,Takeshi Kitatani. Владелец: Lumentum Japan Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Optical semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20030160249A1. Автор: Yasutaka Sakata. Владелец: NEC Compound Semiconductor Devices Ltd. Дата публикации: 2003-08-28.

Method for fabricating a micro resistance layer and method for fabricating a micro resistor

Номер патента: US20230207164A1. Автор: Shen-Li Hsiao,Chih-Wei Chi. Владелец: Yageo Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Method for testing lifetime of surface state carrier of semiconductor

Номер патента: US11719739B2. Автор: QIAN Cheng,Yiming Chen,Ya GAO,Haonan ZHANG,Shiying WU,Weiya XIE,Yingna CHEN,Mengjiao ZHANG. Владелец: TONGJI UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-08-08.

Method for testing lifetime of surface state carrier of semiconductor

Номер патента: US20220043049A1. Автор: QIAN Cheng,Yiming Chen,Ya GAO,Haonan ZHANG,Shiying WU,Weiya XIE,Yingna CHEN,Mengjiao ZHANG. Владелец: TONGJI UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-02-10.

Method for producing doped organic nanoparticles, method for producing a functional layer, functional layer, and organic semiconductor device

Номер патента: EP4299647A1. Автор: Christoph Brabec,Junyi Xu,Thomas HEUMÜLLER. Владелец: Friedrich Alexander Univeritaet Erlangen Nuernberg FAU. Дата публикации: 2024-01-03.

Method for protecting gate edges from charge gain/loss in semiconductor device

Номер патента: US6808996B1. Автор: Yu Sun,Mark T. Ramsbey,Sameer S. Haddad,Chi Chang,Tuan D. Pham,Angela T. Hui. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-10-26.

Dynamically adjusting operation of a circuit within a semiconductor device

Номер патента: US20090072855A1. Автор: Sujeet Ayyapureddi,Raghukiran Sreeramaneni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-03-19.

Method for reducing particles and defects during flash memory fabrication

Номер патента: US20030181008A1. Автор: Kent Chang,Weng-Hsing Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-25.

Method for fabricating single-sided buried strap in a semiconductor device

Номер патента: US20130102123A1. Автор: Yi-Nan Chen,Hsien-Wen Liu,Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2013-04-25.

Apparatus and method for identifying memory device sharing external resistance of semiconductor device

Номер патента: CN111295710A. Автор: D·甘斯. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-16.

Method for forming cylindrical capacitor lower plate in semiconductor device

Номер патента: US5858834A. Автор: Toshiyuki Hirota,Kiyotaka Sakamoto,Shuji Fujiwara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-01-12.

Method for manufacturing a dynamic random access memory cell

Номер патента: US5270239A. Автор: Jae K. Kim,Wi S. Min. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1993-12-14.

A method for analog-to-digital conversion, analog-to-digital converter, semiconductor device for detecting the distribution of physical quantities and electronic device

Номер патента: DE602005013469D1. Автор: Noriyuki Fukushima,Yoshikazu Nitta,Yoshinori Muramatsu,Yukihiro Yasui. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-05-07.

Method for producing ceramic and apparatus for producing the same, semiconductor device, and piezoelectric device

Номер патента: KR100476495B1. Автор: 나토리에이지. Владелец: 세이코 엡슨 가부시키가이샤. Дата публикации: 2005-03-17.

Making method for light emitting device by ink jet printing and semiconductor device using the same

Номер патента: KR20230068909A. Автор: 박병주. Владелец: 광운대학교 산학협력단. Дата публикации: 2023-05-18.

Method for manufacturing material for use in manufacturing electroluminescent organic semiconductor devices

Номер патента: EP2381503B1. Автор: Janos Veres. Владелец: Polyphotonix Ltd. Дата публикации: 2013-04-17.

Multi-layered moiré targets and methods for using the same in measuring misregistration of semiconductor devices

Номер патента: EP3948938A1. Автор: YOEL Feler,Mark Ghinovker. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2022-02-09.

Method for estimating the end of lifetime for a power semiconductor device

Номер патента: EP2724170A1. Автор: Bjørn Rannestad,Paul Bach Thogersen. Владелец: KK-ELECTRONIC AS. Дата публикации: 2014-04-30.

Method for estimating the end of lifetime for a power semiconductor device

Номер патента: US09529037B2. Автор: Bjørn Rannestad,Paul Bach Thogersen. Владелец: Kk Wind Solutions As. Дата публикации: 2016-12-27.

Systems and methods for stable and elevated idle-mode temperature for assembled semiconductor devices

Номер патента: EP4409378A1. Автор: Marc Beuchat,Phani Kumar Kandula,Nikos Kaburlasos,David N. Lombard,Eric J.M. Moret,John Kelbert,Brad Bittel,Mark J. LUCKEROTH,Rodrigo VIVI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-07.

Semiconductor testing apparatus and method for optimizing a wait time until stabilization of semiconductor device output signal

Номер патента: US6895548B2. Автор: Masatsugu Kitada,Motoyuki Katayama,Akiyoshi Kuramoto,Tatsuhisa Nii. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-05-17.

Method for performing double clustering to evaluate placement of semiconductor devices

Номер патента: US12008297B1. Автор: Seungju KIM,Wooshik MYUNG,Jiyoon LIM,Wonjun Yoo. Владелец: MakinaRocks Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Apparatus and method for the parallel and independent testing of voltage-supplied semiconductor devices

Номер патента: US6903565B2. Автор: Udo Hartmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-06-07.

Apparatuses and methods for outputting addresses of defective memory cells of a semiconductor device including a roll call circuit

Номер патента: US09704597B2. Автор: Masashi Oya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Device and methods for reducing peak noise and peak power consumption in semiconductor devices under test

Номер патента: US20200049765A1. Автор: Jong-Tae Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-13.

Method for epitaxial growth from the vapour phase of semiconductor materials

Номер патента: CA1296241C. Автор: Peter Michael Frijlink. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1992-02-25.

Method for growing gallium oxide single crystal by casting and semiconductor device containing gallium oxide single crystal

Номер патента: US11898266B2. Автор: Ning Xia,HUI Zhang,Yingying LIU,Deren Yang,Keke Ma. Владелец: Hangzhou Garen Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Method for growing gallium oxide single crystal by casting and semiconductor device containing gallium oxide single crystal

Номер патента: US20230340689A1. Автор: Ning Xia,HUI Zhang,Yingying LIU,Deren Yang,Keke Ma. Владелец: Hangzhou Garen Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Systems and methods for stable and elevated idle-mode temperature for assembled semiconductor devices

Номер патента: WO2023055461A1. Автор: Marc Beuchat,Phani Kumar Kandula,Nikos Kaburlasos,David N. Lombard,Eric J.M. Moret,Rodrigo De Oliveira Vivi,John Kelbert,Brad Bittel,Mark J. LUCKEROTH. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2023-04-06.

Apparatus and method for identifying proper orientation and electrical conductivity between a semiconductor device and a socket or contactor

Номер патента: US20080218174A1. Автор: James Barnett,Carlos Cisneros,Charles Engle,Maria Evans. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-09-11.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240341206A1. Автор: Tae Jung Ha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20020110981A1. Автор: Hirofumi Watatani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-08-15.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20020019086A1. Автор: Hirofumi Watatani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-02-14.

Systems and methods for operating high voltage switches

Номер патента: US09575124B2. Автор: William Chau,Brian Cheung,Darmin Jin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-02-21.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20020045305A1. Автор: Ki Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-18.

Semiconductor device and method of manufacturing the same and semiconductor manufacturing device

Номер патента: US20080316790A1. Автор: Fumihiko Inoue,Kentaro Sera. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-12-25.

Method for fabricating a cavity structure, for fabricating a cavity structure for a semiconductor structure and a semiconductor microphone fabricated by the same

Номер патента: US09363609B2. Автор: Thomas Grille,Carsten Ahrens,Guenter Ziegler,Klaus Muemmler,Wolfgang Friza. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-06-07.

Gate driving circuit and method for driving semiconductor device

Номер патента: US09543928B2. Автор: Keisuke Yamashiro,Hiromu Takubo. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Method for fabricating semiconductor device by using radical oxidation

Номер патента: US20060008996A1. Автор: Jae-Geun Oh,Heung-Jae Cho,Kwan-Yong Lim,Se-Aug Jang,Hong-Seon Yang,Hyun-Chul Shon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-01-12.

Semiconductor device having an expanded storage node contact and method for fabricating the same

Номер патента: US20100109075A1. Автор: Tae O Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-05-06.

Semiconductor device having an expanded storage node contact and method for fabricating the same

Номер патента: US20110076835A1. Автор: Tae O. Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-31.

Method for fabricating thermoelectric coolers and semiconductor devices formed therefrom

Номер патента: US20020119593A1. Автор: Joseph Freund,Mindaugas Dautartas,George Przybylek. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2002-08-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240237562A1. Автор: Cha Deok Dong,Keo Rock CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Jig, apparatus and method for inspecting semiconductor chip, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: TW201013832A. Автор: Nobuhiro Sawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-04-01.

System and method for spatially resolved optical emission spectroscopic monitoring of semiconductor processes

Номер патента: WO2024015515A3. Автор: Andrew Weeks Kueny. Владелец: Verity Instruments, Inc.. Дата публикации: 2024-04-04.

Apparatuses and methods for controlling wordlines and sense amplifiers

Номер патента: US09984739B2. Автор: Kazuhiko Kajigaya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

System and method for determining if deterioration occurs in interface of semiconductor die of electric power module

Номер патента: US20180188309A1. Автор: Stefan Mollov,Nicolas Degrenne. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-07-05.

Apparatus and method for front side chemical mechanical planarization (cmp) of semiconductor workpieces

Номер патента: US20030143930A1. Автор: Uldis Ziemins,Raymond Khoury,Jose Ocasio. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-07-31.

Method for self-aligning etch stopper in fabrication of semiconductor device

Номер патента: KR100707023B1. Автор: 김기용,최승진,최현묵,정봉관. Владелец: 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사. Дата публикации: 2007-04-11.

Method for polishing surface of edge of disk of semiconductor material e.g. silicon wafer, involves conveying polishing agent to surface of edge of semiconductor wafer disk through auxiliary borehole over suction opening at front side

Номер патента: DE102013212850A1. Автор: Jürgen Schwandner,Werner Aigner. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2013-09-12.

Method for controlling read-out or write in of semiconductor memory device and apparatus for the same

Номер патента: DE3276885D1. Автор: Miki Tanaka,Kazuo - Ooami. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1987-09-03.

SYSTEMATIC BENCHMARKING SYSTEM AND METHOD FOR STANDARDIZED DATA CREATION, ANALYSIS AND COMPARISON OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY NODE CHARACTERISTICS

Номер патента: US20130104096A1. Автор: Jamann Joseph J.,Parker James C.,Rao Vishwas M.. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2013-04-25.

CIRCUIT AND METHOD FOR BIASING A PLATE-SHAPED SENSOR ELEMENT OF SEMICONDUCTOR MATERIAL

Номер патента: US20140103921A1. Автор: RAMAN Johan,ROMBOUTS Pieter. Владелец: MELEXIS TECHNOLOGIES N.V.. Дата публикации: 2014-04-17.

METHOD FOR TESTING LIFETIME OF SURFACE STATE CARRIER OF SEMICONDUCTOR

Номер патента: US20220043049A1. Автор: Cheng Qian,Gao Ya,Zhang Haonan,Chen Yiming,XIE Weiya,CHEN Yingna,ZHANG Mengjiao,WU Shiying. Владелец: TONGJI UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-02-10.

SYSTEM AND METHOD FOR DETERMINING IF DETERIORATION OCCURS IN INTERFACE OF SEMICONDUCTOR DIE OF ELECTRIC POWER MODULE

Номер патента: US20180188309A1. Автор: DEGRENNE Nicolas,MOLLOV Stefan. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2018-07-05.

Method for measuring and controlling of junction temperature of semiconductor memory device

Номер патента: KR20020091659A. Автор: 윤성준,김윤기,유진오. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2002-12-06.

Method for testing micro-pollution in through hole of semiconductor equipment part

Номер патента: CN113533489A. Автор: 张正伟,贺贤汉,蒋立峰,管方方,李文阁,金奇梅. Владелец: Shanghai Fullerde Intelligent Technology Development Co ltd. Дата публикации: 2021-10-22.

System and method for spatially resolved optical emission spectroscopic monitoring of semiconductor processes

Номер патента: WO2024015515A2. Автор: Andrew Weeks Kueny. Владелец: Verity Instruments, Inc.. Дата публикации: 2024-01-18.

PATTERN FORMING METHOD, METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE, MONOMER FOR PRODUCING RESIN FOR SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING PROCESS, RESIN, METHOD FOR PRODUCING RESIN, ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, AND ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE FILM

Номер патента: US20180299776A1. Автор: GOTO Akiyoshi,Yonekuta Yasunori,Hatakeyama Naoya. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2018-10-18.

System and method for predicting remaining useful life of component of semiconductor equipment

Номер патента: TWI570587B. Автор: 闕壯華,孔祥重,任佳珉,張森嘉. Владелец: 財團法人工業技術研究院. Дата публикации: 2017-02-11.

Method for determining whether holes in insulated layer of semiconductor substrate are fully open

Номер патента: CA1019466A. Автор: Richard C. Stevens,Theodore H. Baker,Albert J. Tzou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1977-10-18.

Apparatuses and methods for accessing hybrid memory system

Номер патента: US20200363978A1. Автор: Kazuhiko Kajigaya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-19.

Apparatuses and methods for accessing hybrid memory system

Номер патента: US11449258B2. Автор: Kazuhiko Kajigaya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-20.

DEVICE AND METHODS FOR REDUCING PEAK NOISE AND PEAK POWER CONSUMPTION IN SEMICONDUCTOR DEVICES UNDER TEST

Номер патента: US20200049765A1. Автор: HWANG Jong-Tae. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-13.

APPARATUSES AND METHODS FOR EXTRACTING DEFECT DEPTH INFORMATION AND METHODS OF IMPROVING SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING PROCESSES USING DEFECT DEPTH INFORMATION

Номер патента: US20140307052A1. Автор: Lee Dong-Ryul,Ahn Jeong-Ho,Chin Soo-Bok,LEE Byoung-ho,Sun Jong-Cheon,Ihm Dong-Chul. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-10-16.

METHOD FOR ESTIMATING THE END OF LIFETIME FOR A POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140125366A1. Автор: Rannestad Bjørn,Thøgersen Paul Bach. Владелец: KK-ELECTRONIC A/S. Дата публикации: 2014-05-08.

SYSTEMS AND METHODS FOR DEPOPULATING PINS FROM CONTACTOR TEST SOCKETS FOR PACKAGED SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20180106835A1. Автор: Tong Kay Chan,Ata Hisashi,Shwe Thiha. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-19.

Systems and Methods for Depopulating Pins from Contactor Test Sockets for Packaged Semiconductor Devices

Номер патента: US20200141974A1. Автор: Tong Kay Chan,Ata Hisashi,Shwe Thiha. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-07.

METHOD FOR INSPECTING PATTERN AND AN APPARATUS FOR MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20160275663A1. Автор: Yang Seunghune,YANG Kiho,CHI KAIYUAN. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-22.

Method for forming a resist pattern and for manufacturing a semiconductor device.

Номер патента: FR2716547A1. Автор: Kanazawa Masao,NAKAGAWA Kenji,KUDO Hiroshi,OIKAWA Akira,Yano Ei. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1995-08-25.

Apparatus and method for collecting contaminants from an air flow for manufacturing semiconductor devices and system using the same

Номер патента: US20070039470A1. Автор: Ha-Na Kim,Yo-han Ahn,Dong-Seok Ham,Chang-Min Cho,Kwang-Min Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-02-22.

Circuit and method for reducing number of data input and output and semiconductor device

Номер патента: JPH1152028A. Автор: Gyu-Hong Kim,金奎泓. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-02-26.

Method for manufacturing iron silicide layer, semiconductor substrate, and optical semiconductor device

Номер патента: JP3979115B2. Автор: 健志 山口,一樹 水嶋,文夫 長谷川,崇 末益. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2007-09-19.

Method for metal plating, pretreating agent, and semiconductor wafer and semiconductor device using same

Номер патента: CN1420944A. Автор: 熊谷正志,关口淳之辅,伊森徹. Владелец: Nikko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-28.

Method for extracting the distribution of charge stored in a semiconductor device

Номер патента: WO2006128922A1. Автор: Arnaud Furnémont. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw. Дата публикации: 2006-12-07.

Carbon hybrid fiber including conductive complex, method for manufacturing the same, and functional textile assembly and semiconductor device using the same

Номер патента: KR20150144502A. Автор: 오영석,이강은,이원오,정병문,엄문광,성동기,이제욱. Владелец: 한국기계연구원. Дата публикации: 2015-12-28.

Photosensitive resin composition, method for producing patterned cured film, patterned cured film, and semiconductor device

Номер патента: KR20230029588A. Автор: 마사히로 하시모토,데루아키 스즈키,유 아오키,요시미 하마노. Владелец: 레조낙 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2023-03-03.

Temporary mechanical stabilization of semiconductor cavities

Номер патента: US20180086632A1. Автор: Joachim Mahler,Alfred Sigl,Daniel Porwol,Dominic Maier. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-29.

Temporary mechanical stabilization of semiconductor cavities

Номер патента: US09988262B2. Автор: Joachim Mahler,Alfred Sigl,Daniel Porwol,Dominic Maier. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-06-05.

Method for fabrication of semiconductor photoelectric generator

Номер патента: RU2265915C1. Автор: Д.С. Стребков,В.В. Заддэ,О.В. Шеповалова. Владелец: Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства (ГНУ ВИЭСХ). Дата публикации: 2005-12-10.

Method for automated monitoring of thermal resistances of semiconductor devices

Номер патента: RU2698512C1. Автор: Леонид Алексеевич Потапов,Игорь Юрьевич Бутарев,Алексей Николаевич Школин. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "Брянский государственный технический университет". Дата публикации: 2019-08-28.

Method for arrangement of modules in measuring device

Номер патента: RU2759246C1. Автор: Алексей Михайлович Бабец. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ФОРМ". Дата публикации: 2021-11-11.

Method for making semiconductor device

Номер патента: RU2677500C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2019-01-17.

System and method for semiconductor device compact modeling using multiple specialized artificial neural networks for each semiconductor device operation region

Номер патента: US20230385494A1. Автор: Jung Hwan Park,Chan Woo Park. Владелец: Alsemy Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Method for determining resistance of microwave semiconductor devices to effect of ionizing radiations

Номер патента: RU2602416C1. Автор: Сергей Анатольевич МЕШКОВ,Александр Григорьевич Гудков,Виктор Георгиевич Усыченко,Александр Владимирович Мещеряков,Владимир Николаевич Вьюгинов,Владимир Анатольевич Добров,Иван Николаевич Маржановский,Татьяна Юрьевна Кудряшова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана" (МГТУ им. Н.Э. Баумана). Дата публикации: 2016-11-20.

Method for wafer-level burn-in stressing of semiconductor devices and semiconductor device substrates configured to effect the method

Номер патента: US20040032277A1. Автор: Kenneth Marr. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-19.

Semiconductor device test system and method

Номер патента: US20080246505A1. Автор: Carsten Ohlhoff,Markus Kollwitz. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-10-09.

Semiconductor devices with cavities and methods for fabricating semiconductor devices with cavities

Номер патента: US09932224B2. Автор: Rakesh Kumar,Pradeep Yelehanka,Siddharth Chakravarty. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-04-03.

Method for producing part incorporating silicon substrate whose surface is covered with silicon carbide film

Номер патента: RU2286616C2. Автор: Сергей Константинович Гордеев,Светлана Борисовна Корчагина,Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Викторович Осипов. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Управляющая Компания "Созвездие" (Ооо "Ук "Созвездие"). Дата публикации: 2006-10-27.

On-wafer burn-in of semiconductor devices using thermal rollover

Номер патента: US20040119486A1. Автор: Charlie WANG,Hong Hou,Wenlin Luo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-24.

Methods for decomposing circuit design layouts and for fabricating semiconductor devices using decomposed patterns

Номер патента: US20130219347A1. Автор: Peng XIE,Yi Zou,Luigi Capodieci,Vito Dai,Swamy Muddu,Lynn T. Wang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-08-22.

Using reverse arrangement for trend test in statistical process control for manufacture of semiconductor integrated circuits

Номер патента: US20070231933A1. Автор: Wei-Ting Kary Chien,Siyuan Frank Yang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2007-10-04.

Method and device for simulating performance of semiconductor device, and system and method for evaluating performance of semiconductor device

Номер патента: US20240070362A1. Автор: Sung-min Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Systems and methods for acoustic emission monitoring of semiconductor devices

Номер патента: EP3500850A2. Автор: Gal Shaul,Saar Yoskovitz,Ori NEGRI,Eduard Rudyk. Владелец: Augury Systems Ltd. Дата публикации: 2019-06-26.

Systems and methods for acoustic emission monitoring of semiconductor devices

Номер патента: US20230273159A1. Автор: Gal Shaul,Saar Yoskovitz,Ori NEGRI,Eduard Rudyk. Владелец: Augury Systems Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Methods for retargeting circuit design layouts and for fabricating semiconductor devices using retargeted layouts

Номер патента: US20160188781A1. Автор: Norman Chen,Chidam Kallingal,Ayman Hamouda. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-30.

Methods for retargeting circuit design layouts and for fabricating semiconductor devices using retargeted layouts

Номер патента: US09443055B2. Автор: Norman Chen,Chidam Kallingal,Ayman Hamouda. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Method for observing tungsten plug of semiconductor device microscopically

Номер патента: US5989930A. Автор: Shu-Ying Lu,Fei-Chun Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-11-23.

Predicting Failure Parameters of Semiconductor Devices Subjected to Stress Conditions

Номер патента: US20220065919A1. Автор: Moinuddin Ahmed,John N. Hryn,Christopher Stankus. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2022-03-03.

Low α-dose tin or tin alloy, and method for producing same

Номер патента: US09394590B2. Автор: Gaku Kanou. Владелец: JX Nippon Mining and Metals Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Photoresist compositions, methods for forming pattern using the same, and methods for fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20220128905A1. Автор: Jung Min Lee,Jong Hoon Kim,Suk Koo Hong,Eun Shoo Han,Sung An Do,Hong Joon Lee,Seung Chul Kwon,Sin Hae Do. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-28.

Method for producing layout of semiconductor integrated circuit with radio frequency devices

Номер патента: US20110061031A1. Автор: Tsun-Lai Hsu,Jun-Hong Ou,Jui-Fang Chen,Ji-Wei Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2011-03-10.

Method of measuring thermal electric characteristics of semiconductor device

Номер патента: US09557368B2. Автор: Chien-Ping Wang,Tzung-Te Chen,Pei-Ting Chou. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2017-01-31.

A method for determining the current-voltage characteristic of a snap-back device

Номер патента: EP1464968A3. Автор: NATARAJAN Mahadeva Iyer,Vesselin K. Vassilev,Steven Thijs,Tom Daenen,Vincent De Heyn. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2007-04-25.

System and method for generating a quote for fabrication of a part to be fabricated

Номер патента: US12124237B2. Автор: Jonathan Schwartz,Oliver Ortlieb,Max Friefeld. Владелец: DESPREZ LLC. Дата публикации: 2024-10-22.

Apparatus and method for terminating probe apparatus of semiconductor wafer

Номер патента: US09910067B2. Автор: William A. Funk,Bryan J. Root. Владелец: Celadon Systems Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Method for fabrication of nickel fibre electrode base with developed fibre surface for chemical current sources and nickel fibre electrode base fabricated using such method

Номер патента: RU2475896C2. Автор: Альберт Харисович Гильмутдинов,Михаил Валерьевич Морозов. Владелец: Михаил Валерьевич Морозов. Дата публикации: 2013-02-20.

System and method for generating a quote for fabrication of a part to be fabricated

Номер патента: US12105500B2. Автор: Jonathan Schwartz,Oliver Ortlieb,Max Friefeld. Владелец: DESPREZ LLC. Дата публикации: 2024-10-01.

System, apparatus and method for contaminant reduction in semiconductor device fabrication equipment components

Номер патента: EP1784595A2. Автор: Darwin G. Enicks,Carl E. Friedrichs,Richard A. Brucher. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2007-05-16.

System and Method for Fabricating a Semiconductor Device

Номер патента: US20230161942A1. Автор: Yung-Shun Chen,Chih-Chiang Chang,Tai-Yi CHEN,Tse-Hung Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Method for comparative assessment of reliability of batches of semiconductor articles

Номер патента: RU2538032C2. Автор: Дмитрий Юрьевич Смирнов,Митрофан Иванович Горлов,Дмитрий Михайлович Жуков. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2015-01-10.

Method for contactless definition of quantised hall resistance of semiconductors

Номер патента: RU2368982C2. Автор: Александр Антонович Корнилович. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Новосибирский государственный технический университет. Дата публикации: 2009-09-27.

Method for comparative assessment of reliability of batches of semiconductor articles

Номер патента: RU2511617C2. Автор: Митрофан Иванович Горлов,Дмитрий Михайлович Жуков,Денис Александрович Денисов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2014-04-10.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003811A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001234A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for fabricating recessed source/drain junction of a semiconductor device

Номер патента: TW565876B. Автор: Weng-Hsing Huang,Kent Kuo-Hua Chang. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-11.

Method for measuring leakage current in junction region of semiconductor device

Номер патента: TW311251B. Автор: Jang Se-Aug,Song Tae-Sik. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 1997-07-21.

Method for fabricating of double oxide layer of semiconductor device

Номер патента: KR100327349B1. Автор: 이문희,이광욱,이근택,정승필,장규환,이선정,박임수. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2002-03-06.

METHOD FOR COMPARATIVE ASSESSMENT OF RELIABILITY OF PARTIES OF SEMICONDUCTOR PRODUCTS

Номер патента: RU2011140386A. Автор: Митрофан Иванович Горлов,Дмитрий Михайлович Жуков,Денис Александрович Денисов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2013-04-10.

METHOD FOR COMPARATIVE ASSESSMENT OF RELIABILITY OF PARTIES OF SEMICONDUCTOR PRODUCTS

Номер патента: RU2010130602A. Автор: Дмитрий Юрьевич Смирнов,Митрофан Иванович Горлов,Дмитрий Михайлович Жуков,Дмитрий Юрьевич Смирнов (RU),Митрофан Иванович Горлов (RU),Дмитрий Михайлович Жуков (RU). Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический универси. Дата публикации: 2012-01-27.

METHOD FOR COMPARATIVE ASSESSMENT OF RELIABILITY OF PARTIES OF SEMICONDUCTOR PRODUCTS

Номер патента: RU2008124486A. Автор: Митрофан Иванович Горлов,Екатерина Александровна Золотарева,Николай Николаевич Козьяков,Митрофан Иванович Горлов (RU),Екатерина Александровна Золотарева (RU),Николай Николаевич Козьяков (RU). Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический универси. Дата публикации: 2009-12-27.

Method for manufacturing dual-layer gate of a metal oxide semiconductor device

Номер патента: TW457569B. Автор: Hung-Huei Tzeng. Владелец: Vanguard Int Semiconduct Corp. Дата публикации: 2001-10-01.

Manufacturing method for increasing the current driving capability of high-power semiconductor device

Номер патента: TW452871B. Автор: Lin-Jung Huang,Ke-Yu Yu,Yun-Shiang Ge. Владелец: Advanced Power Electronics Cor. Дата публикации: 2001-09-01.

Detecting method for inner short-circuit on internumerical structures in encased semiconductor devices

Номер патента: CS334287A1. Автор: Jaroslav Rndr Homola,Jaroslav Rndr Zamastil,Ilja Prom Fyz Muller,Miroslav Rndr Skaloud. Владелец: Miroslav Rndr Skaloud. Дата публикации: 1989-02-10.

MANUFACTURING METHOD OF PHOTOMASK, METHOD FOR OPTICAL PROXIMITY CORRECTION, AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120183891A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-07-19.

METHOD FOR FORMING MASK FOR FORMING CONTACT HOLES OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120220129A1. Автор: LIM Hee-Youl. Владелец: . Дата публикации: 2012-08-30.

Method for pattern formation of mask or reticle of semiconductor device

Номер патента: KR980003797A. Автор: 조원석,백현철. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-03-30.

Method for enhancing ion implantation photoetching process window of semiconductor device

Номер патента: CN109712872B. Автор: 张彦伟,李润领,孟晓莹. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-02.

METHOD FOR PRODUCING ARRAYS OF NANOSIZED THREADED CRYSTALS OF SEMICONDUCTOR SEMICONDUCTORS WITH CONTROLLED SURFACE DENSITY

Номер патента: RU2013111227A. Автор: Александр Юрьевич Воробьев,Валерий Александрович Небольсин,Александр Игоревич Дунаев,Максим Алексеевич Завалишин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технологический центр микро- и нанотехнологий". Дата публикации: 2014-09-20.

Method for determining temperature of electron-hole transition of semiconductor devices under load

Номер патента: SU150939A1. Автор: Ю.В. Сахаров,А.А. Алешков,Б.М. Юдович. Владелец: Б.М. Юдович. Дата публикации: 1961-11-30.

Method for predicting work voltage of service life of semiconductor device

Номер патента: CN104122492A. Автор: 郝鹏,黄如,王润声,蒋晓波,任鹏鹏,郭少峰. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-10-29.

Method for checking design rules in layout data of semiconductor integrated circuit and apparatus for implementing the method

Номер патента: JP3019032B2. Автор: 将直 原田. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-03-13.

Method for creation of conducting nanowires on surface of semiconductor substrates

Номер патента: RU2359356C1. Автор: Дмитрий Александрович Цуканов,Андрей Вадимович Зотов,Димитрий Вячеславович Грузнев,Мария Владимировна Рыжкова,Владимир Викторович Коробцов,Александр Александрович Саранин. Владелец: Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН. Дата публикации: 2009-06-20.

Method for forming InSb-based crystal film, and InSb-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: JP3458687B2. Автор: 丈士 田中,峰生 和島. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2003-10-20.

METHODS FOR NORMALIZING STRAIN IN SEMICONDCUTOR DEVICES AND STRAIN NORMALIZED SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20130032894A1. Автор: Bernstein Kerry,Balch Bruce,Ellis-Monaghan John Joseph,Habib Nazmul. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-02-07.

METHOD FOR FORMING MASKING LAYER BY USING ION IMPLANTATION AND SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATED BY USING THE SAME

Номер патента: US20120009787A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-12.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SUBSTRATE, SILICON CARBIDE SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120012862A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-19.

METHOD FOR TESTING TRAP DENSITY OF GATE DIELECTRIC LAYER IN SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING NO SUBSTRATE CONTACT

Номер патента: US20120187976A1. Автор: Huang Ru,Fan Jiewen,Wang Runsheng,Wang Yangyuan,Zou Jibin,Liu Changze. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-07-26.

METHOD FOR MANUFACTURING EPITAXIAL CRYSTAL SUBSTRATE, EPITAXIAL CRYSTAL SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120299061A1. Автор: Momoi Hajime,Kakuta Koji. Владелец: . Дата публикации: 2012-11-29.

METHODS FOR REMOVING SILICON NITRIDE SPACER, FORMING TRANSISTOR AND FORMING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20130109173A1. Автор: LIU HUANXIN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International (Shanghai) Corporation. Дата публикации: 2013-05-02.

Method for forming isolation of air buffer trench elements in semiconductor devices

Номер патента: KR19980085786A. Автор: 김성의. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1998-12-05.

Porous silica film precursor composition, method for producing porous silica film, porous silica film, and semiconductor device

Номер патента: JP5988817B2. Автор: 貴久 山崎,正明 平川,高博 中山,一誠 東條,中山　高博,平川　正明,剛 加賀美. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2016-09-07.

Method for manufacturing silicon carbide epitaxial substrate and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: JP6969628B2. Автор: 勉 堀,圭司 和田,太郎 西口. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2021-11-24.

Method for manufacturing circuit board with built-in part, and semiconductor device

Номер патента: JP2015002295A. Автор: Shigeo Nakamura,茂雄 中村,中村　茂雄,弘久 奈良橋,Hirohisa Narabashi. Владелец: Ajinomoto Co Inc. Дата публикации: 2015-01-05.

Method for manufacturing p-type group iii nitride semiconductor and semiconductor device

Номер патента: JP2021182597A. Автор: 隆弘 藤井,Takahiro Fujii. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Method for manufacturing p-type boron phosphide semiconductor layer, compound semiconductor device, and light emitting diode

Номер патента: JP3639275B2. Автор: 隆 宇田川. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2005-04-20.

Adhesive film, method for producing cured body, cured body, wiring board, and semiconductor device

Номер патента: JP6617811B2. Автор: 茂雄 中村,中村　茂雄,賢司 川合. Владелец: Ajinomoto Co Inc. Дата публикации: 2019-12-11.

Method for producing gallium nitride substrate, gallium nitride substrate, and semiconductor device

Номер патента: JP2009073710A. Автор: Osamu Yamada,Koichi Hiranaka,修 山田,Tsutomu Takauo,力 高魚,Takamasa Matsuda,恭昌 松田,Takashi Minemoto,尚 峯本,弘一 平中,健 畑山,Takeshi Hatayama. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-04-09.

Method for measuring gate-to-body current of metal oxide semiconductor device

Номер патента: TW546484B. Автор: Ke-Wei Su,Jau-Kang He. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2003-08-11.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003829A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120002142A1. Автор: Fujiwara Sayuri,Satoh Eiji,Asaoka Yasushi,Deguchi Kazuhiro,Tanimoto Kazunori,MATSUDA TAKAFUMI,MIKUMO KATSUHIRO. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003821A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003770A1. Автор: Fujiwara Shinsuke,Akita Katsushi,Nakahata Hideaki,MOTOKI Kensaku,Hashimoto Shin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FLATBAND VOLTAGE ADJUSTMENT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001253A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR ENHANCED PROCESSING CHAMBER CLEANING

Номер патента: US20120000490A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING IMAGE SENSOR WITH SHIELD STRUCTURES

Номер патента: US20120003782A1. Автор: Byun Jeong Soo,Korobov Vladimir,Pohland Oliver. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001350A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003823A1. Автор: Sasaki Makoto,NISHIGUCHI Taro,HARADA Shin,Okita Kyoko,Namikawa Yasuo. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Light Emitting Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001202A1. Автор: Horng Ray-Hua. Владелец: NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ANNEALED WAFER, METHOD FOR PRODUCING ANNEALED WAFER AND METHOD FOR FABRICATING DEVICE

Номер патента: US20120001301A1. Автор: Ebara Koji,KIKUCHI Hiroyasu,Hayamizu Yoshinori. Владелец: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

RECEIVER, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SIGNAL TRANSMISSION METHOD

Номер патента: US20120002771A1. Автор: . Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003820A1. Автор: FURUYA Akira,Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001177A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

OPERATION METHODS FOR MEMORY CELL AND ARRAY FOR REDUCING PUNCH THROUGH LEAKAGE

Номер патента: US20120002484A1. Автор: Tsai Wen-Jer,HUANG JYUN-SIANG,OU TIEN-FAN,CHONG LIT-HO. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for oriented modification of semiconductor device structures using pulse electromagnetic field

Номер патента: RU2545077C1. Автор: Владимир Константинович Киселев,Максим Михайлович Венедиктов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова". Дата публикации: 2015-03-27.

Method for stabilisation of electric parameters of semiconductor devices sealed in plastic

Номер патента: RU2484550C1. Автор: Вадим Леонидович Романов. Владелец: Открытое акционерное общество "ОКБ-Планета" (ОАО "ОКБ-Планета"). Дата публикации: 2013-06-10.

Method for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: RU2321101C1. Автор: Илья Николаевич Баринов,Иль Николаевич Баринов,Сергей Алексеевич Козин. Владелец: ФГУП "НИИ физических измерений". Дата публикации: 2008-03-27.

Method for making semiconductor device

Номер патента: RU2654960C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2018-05-23.

Method for connecting chips of digital silicon semiconductor devices and integrated circuits to package to form silicon-gold eutectic

Номер патента: RU2298252C2. Автор: Борис Анатольевич Спиридонов,Виктор Васильевич Зенин,гузов Александр Владимирович Р,Александр Владимирович Рягузов,Ольга Владимировна Хишко,Таиси Ивановна Шарапова,Таисия Ивановна Шарапова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2007-04-27.

APPARATUS AND METHOD FOR EXPOSING A SUBSTRATE TO UV RADIATION USING A REFLECTOR HAVING BOTH ELLIPTICAL AND PARABOLIC REFLECTIVE SECTIONS

Номер патента: US20120003398A1. Автор: . Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for enhancing radiation stability of semiconductor devices

Номер патента: RU2308785C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Хасан Нахович Шаваев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова (КБГУ). Дата публикации: 2007-10-20.

Large Area Nitride Crystal and Method for Making It

Номер патента: US20120000415A1. Автор: Speck James S.,"DEvelyn Mark P.". Владелец: Soraa, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Preparing Small Volume Reaction Containers

Номер патента: US20120003675A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for lead-free resistance-reactance soldering of semiconductor chip to package

Номер патента: RU2313156C1. Автор: Виктор Васильевич Зенин,Александр Владимирович Рягузов,Дмитрий Игоревич Бокарев,Александр Николаевич Кастрюлев,Ольга Владимировна Хишко,Виктор Васильевич Зенин (RU),гузов Александр Владимирович Р (RU),Дмитрий Игоревич Бокарев (RU),Александр Николаевич Кастрюлев (RU),Ольга Владимировна Хишко (RU). Владелец: ОАО "Воронежский завод полупроводниковых приборов-Сборка". Дата публикации: 2007-12-20.

Switchable 3-Dimensional Conversion Device, Method for Manufacturing the Same and Stereoscopic Image Display Device Using the Same

Номер патента: US20120001890A1. Автор: Im Hee-Jin,Kim Chul-Ho,KOOK Yun-Ho,Yoo Soon-Sung. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120002693A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

DECORATION DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING DECORATION DEVICE

Номер патента: US20120003426A1. Автор: . Владелец: SIPIX CHEMICAL INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

System and Method for Joint Resurface Repair

Номер патента: US20120004663A1. Автор: . Владелец: ARTHROSURFACE INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS INTEGRATING MICROELECTROMECHANICAL SYSTEM DEVICE WITH CIRCUIT CHIP AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001276A1. Автор: . Владелец: INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for neutron-transmutation doping of silicon

Номер патента: RU2193609C2. Автор: В.Г. Шевченко,Л.В. Шмаков,В.П. Счеславский,В.В. Дмитриев,Ю.В. Гарусов,В.Ф. Скибин. Владелец: Закрытое акционерное общество Научно-производственное объединение "Энергоатоминвент". Дата публикации: 2002-11-27.

Method for obtaining heteroepitaxial silicon-on-sapphire structures

Номер патента: RU2390874C1. Автор: Петр Анатольевич Александров,Юрий Юрьевич Кузнецов,Константин Дмитриевич Демаков,Сергей Григорьевич Шемардов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственная фирма "Топаз-К". Дата публикации: 2010-05-27.

Sol-Gel Composition for Fabricating Conductive Fibers

Номер патента: US20120001369A1. Автор: Chao Yu-Chou,Lin Shang-Ming,Lin Jo-Chun,Chu Yun-Yun,Lin Yi-De. Владелец: TAIWAN TEXTILE RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR STIMULATION OF BIOLOGICAL TISSUE

Номер патента: US20120004580A1. Автор: Wagner Timothy Andrew,Eden Uri Tzvi. Владелец: HIGHLAND INSTRUMENTS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Express method for measuring body transfer heat resistance of power semiconductor devices

Номер патента: RU2240573C1. Автор: С.В. Иванов,Валерий Михайлович Гарцбейн,С.Н. Флоренцев,Н.Ф. Марамыгин,Л.В. Романовска,Л.В. Романовская. Владелец: Флоренцев Станислав Николаевич. Дата публикации: 2004-11-20.

METHOD FOR AUTOMATICALLY SHIFTING A BASE LINE

Номер патента: US20120004890A1. Автор: Chen Po-Tsang. Владелец: INOTERA MEMORIES, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for sorting semiconductor products on a board

Номер патента: RU2316013C1. Автор: Митрофан Иванович Горлов,Александр Петрович Жарких. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2008-01-27.

Method for manufacturing thin semiconductor films on insulator (alternatives)

Номер патента: RU2260874C2. Автор: А.Д. Сулимин,М.И. Лукасевич,Е.С. Горнев,А.Д. Просий,К.А. Дракин,В.Л. Евдокимов,М.В. Бутырска,М.В. Бутырская. Владелец: Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон". Дата публикации: 2005-09-20.

Method for carrier concentration determination in semiconductors and device for its implementation

Номер патента: RU2534382C1. Автор: Владимир Георгиевич Литвинов,Александр Антонович Корнилович,Александр Валерьевич Ермачихин,Дмитрий Сергеевич Кусакин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Рязанский государственный радиотехнический университет". Дата публикации: 2014-11-27.

Method for fabrication of ammonia perchlorate containing hydrophobisated fraction

Номер патента: RU2363690C2. Автор: Герман Георгиевич Колосов,Михаил Андреевич Чернов,Клара Васильевна Чудинова,Наталья Борисовна Гончарова,Ольга Валерьевна Журавлева. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт полимерных материалов". Дата публикации: 2009-08-10.

Method for soldering semiconductor chip to case

Номер патента: RU2167469C2. Автор: Б.А. Спиридонов,В.В. Зенин,Ю.Е. Сегал,Ю.Л. Фоменко,А.А. Колбенков. Владелец: АООТ "Воронежский завод полупроводниковых приборов". Дата публикации: 2001-05-20.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.