Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • 在半导体器件中制造凹陷栅极以及制造凹陷沟道的方法

在半导体器件中制造凹陷栅极以及制造凹陷沟道的方法

Номер патента: CN101399194B
Опубликовано: 22-12-2010
Автор(ы): 赵瑢泰, 金殷美
Принадлежит: Hynix Semiconductor Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20150004783A1. Автор: Jong-ho Lee,Sung-Won Choi,Bum-Joon Youn,Min-Keun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-01-01.

Method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device

Номер патента: US11742404B2. Автор: Chun Chieh Wang,Yueh-Ching Pai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the same, and micro processor, processor, system, data storage system and memory system including the semiconductor device

Номер патента: KR102002955B1. Автор: 이재연,송석표,김세동. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2019-07-24.

Fabrication method of soi semiconductor devices

Номер патента: EP1371089A1. Автор: Denis Flandre,Jean-Pierre Raskin,Amaury Neve De Mevergnies. Владелец: Universite Catholique de Louvain UCL. Дата публикации: 2003-12-17.

Fabrication method of soi semiconductor devices

Номер патента: EP1371089B1. Автор: Denis Flandre,Jean-Pierre Raskin,Amaury Neve De Mevergnies. Владелец: Universite Catholique de Louvain UCL. Дата публикации: 2007-12-05.

Method for fabricating conductive layer stack and method for fabricating semiconductor device with gate contact

Номер патента: US12014955B2. Автор: Che-Hsien LIAO,Yueh Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20100052019A1. Автор: Hiroshi Yamamoto,Mitsuru Yoshikawa. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-03-04.

Method for fabricating split-gate non-volatile memory

Номер патента: US20200251481A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: Nexchip Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US9070781B2. Автор: Sung-Kun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-30.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240266288A1. Автор: Jin Bum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: EP4411800A2. Автор: Jin Bum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-07.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: EP4411800A3. Автор: Jin Bum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-14.

Method for manufacturing device substrate with metal back-gate and structure formed thereby

Номер патента: US20040235284A1. Автор: Fenton McFeely,Paul Solomon,Kevin Chan,Lijuan Huang,Hon-Sum Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-11-25.

Semiconductor device with capping layer

Номер патента: US20240304696A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Self-aligned gate and/or source/drain contact structure for fin-type semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: WO2016160120A1. Автор: Mustafa Badaroglu,Kern Rim,John Jianhong ZHU,Stanley Seungchul SONG,Jeffrey Junhao XU,Da YANG,Vladimir Machkaoutsan,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER,Junjing Bao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-10-06.

Self-aligned gate and/or source/drain contact structure for fin-type semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: EP3278365A1. Автор: Mustafa Badaroglu,Kern Rim,John Jianhong ZHU,Stanley Seungchul SONG,Jeffrey Junhao XU,Da YANG,Vladimir Machkaoutsan,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER,Junjing Bao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-02-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the same, and micro processor, processor, system, data storage system and memory system including the semiconductor device

Номер патента: KR102019375B1. Автор: 김정남. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2019-09-09.

Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures

Номер патента: US20240030035A1. Автор: Jerry Peijun Chen,Fred Alokozai. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-01-25.

Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures

Номер патента: US11810788B2. Автор: Jerry Peijun Chen,Fred Alokozai. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US9142684B2. Автор: Kyung-Sik MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-09-22.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20150115347A1. Автор: Kyung-Sik MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-04-30.

Method for fabricating semiconductor device with protection liner for bit line

Номер патента: US12057348B2. Автор: Huan-Yung Yeh,Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20160049506A1. Автор: Wai-Yi Lien,Yu-Cheng Tung,Ming-Tsung Chen,Ji-Fu Kung,Hsin-Ming Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-02-18.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20210050253A1. Автор: Li-Han Chen,Wei-Chuan Tsai,Yen-Tsai Yi,Jin-Yan Chiou,Hsiang-Wen Ke. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-02-18.

Method for fabricating a semiconductor device including a MOS transistor having a silicide layer

Номер патента: US12033858B2. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Ultrathin body fully depleted silicon-on-insulator integrated circuits and methods for fabricating same

Номер патента: US20130341722A1. Автор: Ralf Illgen,Stefan Flachowsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-12-26.

Method for selectively forming nitride caps on metal gates and self-algined contact comprising the nitride caps

Номер патента: WO2016191407A1. Автор: Jeffrey Junhao XU,Haining Yang,Yanxiang Liu,Junjing Bao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-12-01.

Semiconductor device and method for fabricating the same, and microprocessor, processor, system, data storage system and memory system including the semiconductor device

Номер патента: US20140312294A1. Автор: Jae-Yeon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-23.

Semiconductor device with recess gate and method for fabricating the same

Номер патента: US20100258861A1. Автор: Tae-Kyun Kim,Yun-Hyuck Ji,Seung-Mi Lee,Jin-Yul Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-10-14.

Floating gate prevention and capacitance reduction in semiconductor devices

Номер патента: US20210013322A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-01-14.

Method for manufacturing a semiconductor device capable of preventing the generation of a bridge between a recess gate and a PLC plug

Номер патента: US7855109B2. Автор: Jong Goo Jung,Hyung Hwan Kim,Kwang Kee Chae,Ok Min Moon,Young Bang LEE,Sung Eun Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-21.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12040234B2. Автор: Tzu-Chin Wu,Chih-Chiang Wu,Yi-Fan Li,Min-Hua Tsai,Po-Ching Su,Ti-Bin Chen,yu-fu Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US9859171B2. Автор: Dong-Yean Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170178977A1. Автор: Dong-Yean Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-22.

Method for fabricating recessed lightly doped drain field effect transistors

Номер патента: US20020187603A1. Автор: Horng-Huei Tseng. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-12-12.

Fabrication of iii-v-on-insulator platforms for semiconductor devices

Номер патента: US20160196972A1. Автор: Anirban Basu,Bahman Hekmatshoartabari,Ali Khakifirooz,Davood Shahrjerdi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: EP4369412A1. Автор: PURAKH Raj Verma,Chia-Huei Lin,Kuo-Yuh Yang,Chu-Chun Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-15.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: EP4231343A3. Автор: Chia-Jung Hsu,Chien-Ting Lin,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Yu-Hsiang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-04.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20190043964A1. Автор: Hsin-Yu Chen,Chun-Hao Lin,Shou-Wei Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Contact Isolation in Semiconductor Devices

Номер патента: US20210066116A1. Автор: Zheng Tao,Boon Teik CHAN,Waikin Li. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-03-04.

Method for fabricating a metal high-k gate stack for a buried recessed access device

Номер патента: US10199227B2. Автор: Mark Fischer,Satoru Mayuzumi,Michael Violette. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2019-02-05.

Contact isolation in semiconductor devices

Номер патента: US11862452B2. Автор: Zheng Tao,Boon Teik CHAN,Waikin Li. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210287942A1. Автор: Kun-Hsien Lee,Kuan-Ti Wang,Tien-Yu Hsieh,Han-Chen CHEN. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-09-16.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20150056768A1. Автор: Cheng-Yuan Hsu,Chi REN,Tzeng-Fei Wen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-02-26.

Methods for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20120244674A1. Автор: Dong Hyuk Kim,DongSuk Shin,Myungsun Kim,Hoi Sung Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-09-27.

Method for fabricating semiconductor device including fin shaped structure

Номер патента: US20170194193A1. Автор: Chao-Hung Lin,Chung-Yi Chiu,Shih-Fang Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-07-06.

Method for fabricating semiconductor device including fin shaped structure

Номер патента: US9881831B2. Автор: Chao-Hung Lin,Chung-Yi Chiu,Shih-Fang Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Method for fabricating semiconductor device with bulb-shaped recess gate

Номер патента: US20070148980A1. Автор: Jun-hee Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-06-28.

Devices and Methods for Radiation Hardening Integrated Circuits Using Shallow Trench Isolation

Номер патента: US20200357681A1. Автор: Emily Ann Donnelly. Владелец: Tallannquest dba Apogee Semiconductor LLC. Дата публикации: 2020-11-12.

Dummy Gate Structure for Semiconductor Devices

Номер патента: US20160005814A1. Автор: Shih-Chi Fu,Chien-Chih Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-01-07.

Transistors with various threshold voltages and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200119016A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Methods for Fabricating Strained Gate-All-Around Semiconductor Devices by Fin Oxidation Using an Undercut Etch-Stop Layer

Номер патента: US20160284605A9. Автор: Tahir Ghani,Abhijit Jayant Pethe,Harry Gomez,Annalisa Cappellani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-09-29.

Method and apparatus for fabricating an ultra thin silicon on insulator

Номер патента: US20090224320A1. Автор: Kevin K. Chan,Jakub Kedzierski,Raymond M. Sicina. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-10.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230378174A1. Автор: Ju Youn Kim,Eui Chul Hwang,Hyung Joo Na,Bong Seok Suh,Sang Min Yoo,Joo Ho Jung,Sung Moon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11101269B2. Автор: Ju Youn Kim,Hyung Joo Na,Bong Seok Suh,Sang Min Yoo,Joo Ho Jung,Sung Moon LEE,Eui Chui Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-08-24.

Semiconductor device and method for fabricating the device

Номер патента: US20130043490A1. Автор: Haruyuki Sorada. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-02-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same with recess gate of t shape

Номер патента: KR100844984B1. Автор: 김석기,유재선. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-07-09.

Method for fabricating semiconductor device with programmable anti-fuse feature

Номер патента: US11735520B2. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-22.

Semiconductor device and method for fabricating the same, and microprocessor, processor, system, data storage system and memory system including the semiconductor device

Номер патента: US20160028011A1. Автор: Su-Ock Chung,Hye-Jung Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-01-28.

METHODS FOR FORMING A TRANSITION METAL NIOBIUM NITRIDE FILM ON A SUBSTRATE BY ATOMIC LAYER DEPOSITION AND RELATED SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES

Номер патента: US20180158688A1. Автор: Alokozai Fred,Chen Jerry Peijun. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-07.

Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures

Номер патента: US20200303196A1. Автор: Jerry Peijun Chen,Fred Alokozai. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2020-09-24.

Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures

Номер патента: US10714350B2. Автор: Jerry Peijun Chen,Fred Alokozai. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2020-07-14.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: EP2562794A4. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-12-18.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: GB201122185D0. Автор: . Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-02-01.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11735663B2. Автор: Jae Mun Kim,Seung Hun Lee,Da Hye KIM,Gyeom KIM,Jin Bum Kim,Kyung In CHOI,Il Gyou Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-22.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220123145A1. Автор: Jae Mun Kim,Seung Hun Lee,Da Hye KIM,Gyeom KIM,Jin Bum Kim,Kyung In CHOI,Il Gyou Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-21.

Isolation structure, semiconductor device having the same, and method for fabricating the isolation structure

Номер патента: US9105684B2. Автор: Hyun-Tae JUNG,Hyung-Suk Choi,Da-soon Lee,Eung-ryul Park. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-08-11.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210098626A1. Автор: Jae Mun Kim,Seung Hun Lee,Da Hye KIM,Gyeom KIM,Jin Bum Kim,Kyung In CHOI,Il Gyou Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor device with self-aligning contact and method for fabricating the same

Номер патента: US20220271036A1. Автор: Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-08-25.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20170194422A1. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-07-06.

Method for fabricating semiconductor device with programmable element

Номер патента: US20220069126A1. Автор: Chang-Chieh Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220013363A1. Автор: Jee-Hyun Park,Young-Gwang YOON,Yun-Ik SON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11784051B2. Автор: Jee-Hyun Park,Young-Gwang YOON,Yun-Ik SON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20010000914A1. Автор: Young Park,Jong Lee,Hyeok Lee. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2001-05-10.

Improved cmos devices with stressed channel regions, and methods for fabricating the same

Номер патента: EP2041785A1. Автор: Thomas Dyer,Xiangdong Chen,Haining Yang,Kenneth Settlemeyer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-04-01.

Method for fabricating finfet isolation structure

Номер патента: US20170110557A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-20.

Improved cmos devices with stressed channel regions, and methods for fabricating the same

Номер патента: WO2008000556A1. Автор: Thomas Dyer,Xiangdong Chen,Haining Yang,Kenneth Settlemeyer. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2008-01-03.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240234540A1. Автор: Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Yu-Shan Cheng,Hsiaowen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160308047A1. Автор: Jong Hwan Kim,Sang Kee LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140374822A1. Автор: Jong Hwan Kim,Sang Kee LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-12-25.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20080093701A1. Автор: Eun-Mi Hong,Kwang-tae Kim,Ji-hoon Park,Tea-kwang Yu,Kong-Sam Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-24.

Conductive structures in semiconductor devices

Номер патента: US10867906B2. Автор: Tien-I Bao,Tai-I Yang,Tien-Lu Lin,Yu-Chieh Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-15.

Semiconductor device, semiconductor structure and method for fabricating semiconductor device and semiconductor structure using tilted etch process

Номер патента: US12094718B2. Автор: Huan-Yung Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and a method for fabricating the same

Номер патента: US20180005897A1. Автор: Chen-Chin Liu,Meng-Han LIN,Chih-Ren Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US20240243171A1. Автор: Kern Rim,Dae Won Ha,Mun Hyeon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20030003666A1. Автор: Tetsuo Izawa,Yasunori Iriyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-01-02.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12101934B2. Автор: Dae Sung EOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20010005616A1. Автор: Jae Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2001-06-28.

Method for fabricating partial SOI substrate

Номер патента: US7927965B2. Автор: Myung-Ok Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-04-19.

Method for fabricating partial soi substrate

Номер патента: US20100120218A1. Автор: Myung-Ok Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-05-13.

Semiconductor device and method for manufacturing the same, and micro processor, processor, system, data storage system and memory system including the semiconductor device

Номер патента: KR20140142929A. Автор: 김재헌,이민석,박찬식,김최동. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2014-12-15.

Recess channel transistor for preventing deterioration of device characteristics due to misalignment of gate layers and method of forming the same

Номер патента: US7482230B2. Автор: Gyu Seog Cho,Yong Taik Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-01-27.

High voltage semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US9318586B2. Автор: Nam Young Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-04-19.

Semiconductor device with flowable layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20220013629A1. Автор: Liang-Pin Chou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-01-13.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20220077144A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-10.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20190214458A1. Автор: PURAKH Raj Verma,Chia-Huei Lin,Kuo-Yuh Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-07-11.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20160372381A1. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-22.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20160254349A1. Автор: Byung-gook Park,Min-chul Sun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-09-01.

Method for fabricating trench type transistor

Номер патента: US8916438B2. Автор: Yung-Fa Lin. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2014-12-23.

Semiconductor devices with implanted sti regions and methods of forming the same

Номер патента: US20240297244A1. Автор: Huang-Lin Chao,Yao-Sheng Huang,I-Ming Chang,Hsiang-Pi Chang,Yi-Ruei JHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Precise etching apparatus for preparing recessed-gate enhancement device and etching method for the same

Номер патента: US20220157609A1. Автор: Guoqiang Li,Runze LI,Zhikun Liu,Dingbo Chen,Lijun Wan,Peiye SUN,Xianfeng QUE,Shunan YAO. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2022-05-19.

Method for fabricating semiconductor device with recess gate

Номер патента: US20070105388A1. Автор: Ky-Hyun Han,Jung-Seock Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-05-10.

Semiconductor device with an insulated gate, method for manufacturing the same and power module comprising the same

Номер патента: WO2022200060A1. Автор: Wolfgang Amadeus VITALE,Luca DE-MICHIELIS,Giovanni SALVATORE. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-09-29.

Method for forming the transistor with recess gate

Номер патента: KR100598172B1. Автор: 강명희. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-07-10.

Quasi-surrounding gate and a method of fabricating a silicon-on-insulator semiconductor device with the same

Номер патента: US6359311B1. Автор: Carlos H. Diaz,Jean Pierre Colinge. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2002-03-19.

Method for fabricating isolation layer in semiconductor device

Номер патента: US20040203225A1. Автор: Seung Pyi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-10-14.

Material for metal line in semiconductor device, metal line in semiconductor device, and method for forming metal line in semiconductor device

Номер патента: US20240194604A1. Автор: Eunyoung LEE,Dong-Chan Lim,Seulgi Bae,Wonwoong Chung,Buseo CHOI,Kkotchorong PARK,Uisuk JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for Forming Isolation Layer in Semiconductor Devices

Номер патента: US20070166949A1. Автор: In Kyu Chun. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-19.

Etching methods, etching apparatus and methods for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20030036285A1. Автор: Takashi Kokubun. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-02-20.

Method for fabricating semiconductor device having radiation hardened insulators

Номер патента: US20100035393A1. Автор: John M. Aitken,Ethan H. Cannon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-02-11.

Semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US20230069612A1. Автор: LAN Yao,Yanwei Shi,Huidan Hou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20060014372A1. Автор: Seung-Ho Pyi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-01-19.

Methods for fabricating an STI film of a semiconductor device

Номер патента: US7217633B2. Автор: Geon-Ook Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-15.

Methods for fabricating an STI film of a semiconductor device

Номер патента: US20050142805A1. Автор: Geon-Ook Park. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Method for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20020068438A1. Автор: Takeshi Nogami,Naoki Komai,Mitsuru Taguchi,Hideyuki Kito. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-06-06.

Method for Fabricating Semiconductor Device

Номер патента: US20080003835A1. Автор: Dong Yeal Keum. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-01-03.

Method for forming interlayer insulating film in semiconductor device

Номер патента: US8048802B2. Автор: Ho-Yeong Choe. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2011-11-01.

Method for forming a three-component nitride film containing metal and silicon

Номер патента: EP1044288A2. Автор: Kyoung-Soo Yi,Sang-Won Kang,Won-Yong Koh. Владелец: Genitech Co Ltd. Дата публикации: 2000-10-18.

Semiconductor device having a structure to improve contact processing margin, and method of fabricating the same

Номер патента: US20070037354A1. Автор: Dae Kim,Jeong Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-15.

Methods for fabricating integrated circuits with isolation regions having uniform step heights

Номер патента: US20160126132A1. Автор: Martin Trentzsch,Carsten Grass,Sören Jansen. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-05-05.

Vertical semiconductor device and method for fabricating the vertical semiconductor device

Номер патента: US11751395B2. Автор: Hai-Won Kim,In-Su Park,Jong-Gi KIM,Hoe-Min Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Method for forming shallow trench in semiconductor device

Номер патента: US20050148152A1. Автор: Tse-Yao Huang,Yi-Nan Chen,Hsiu-Chun Lee. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-07-07.

Method for fabricating three-dimensional semiconductor device using buried stop layer in substrate

Номер патента: US20240268119A1. Автор: He Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and methods for fabricating a semiconductor device

Номер патента: EP4415027A1. Автор: Hans Taddiken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-14.

Contact formation through low-tempearature epitaxial deposition in semiconductor devices

Номер патента: US20190148377A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh,Hiroaki Niimi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Method for forming a capping layer over a low-k dielectric with improved adhesion and reduced dielectric constant

Номер патента: US6756321B2. Автор: Lain-Jong Li,Yung-Cheng Lu,Yu-Huei Chen,Chung-Chi Ko,Lih-Ping Li,Shu-E Ku. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-06-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the same, and micro processor, processor, system, data storage system and memory system including the semiconductor device

Номер патента: KR101994318B1. Автор: 신종한,정성웅,송석표. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2019-06-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same, and micro processor, processor, system, data storage system and memory system including the semiconductor device

Номер патента: KR102067165B1. Автор: 문주영. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2020-02-11.

METHOD FOR APPLYING A DAM METAL TO THE SURFACE OF AN NPN TYPE SEMICONDUCTOR PELLET, AND NPN TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING THIS METAL DAM

Номер патента: FR2549289B1. Автор: Walter Harry Jopke Jr,John Shouse Shier. Владелец: Control Data Corp. Дата публикации: 1987-04-30.

Method for inducing stress in semiconductor devices

Номер патента: US11757039B2. Автор: Gaspard Hiblot,Geert Van Der Plas. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-09-12.

Dual gate of semiconductor device capable of forming a layer doped in high concentration over a recessed portion of substrate for forming dual gate with recess channel structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090121224A1. Автор: Young Hoon Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-05-14.

Method for fabricating a semiconductor device and a semiconductor device fabricated by the method

Номер патента: US20080124854A1. Автор: Seong-Jae Lee,Tae-Youb KIM,Moon-Gyu Jang,Chel-jong Choi,Yark-Yeon KIM,Myung-Sim JUN. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2008-05-29.

Sonos Device and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20140329387A1. Автор: Chih-Yuan Wu,Kai-Hsiang Chang,Kuang-Wen Liu,Ching-Chang Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-06.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234319A9. Автор: Jin Kyu Kim,Jae Hyun Ahn,Ho Jun Kim,So Ra You,Jee Woong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240136290A1. Автор: Jin Kyu Kim,Jae Hyun Ahn,Ho Jun Kim,So Ra You,Jee Woong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor device with contact structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240105807A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210074639A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-03-11.

Method for fabricating lateral semiconductor device

Номер патента: US7589347B2. Автор: John Henry Jefferson,Geoffrey Richard Nash,Keith James Nash. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2009-09-15.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US10211313B2. Автор: Shih-Hung Tsai,Yu-Ting Tseng,Po-Kuang Hsieh,Kuan-Hao TSENG,Cheng-Ping Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-02-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130105919A1. Автор: LI Jiang,Mingqi Li,Pulei Zhu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2013-05-02.

Method for fabricating metal gate devices and resulting structures

Номер патента: US11764280B2. Автор: Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Yi-Cheng Chao,Jung-Jui Li,Ya-Lan CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Method for fabricating vertical dual gate field effect transistor

Номер патента: EP1430536B1. Автор: Mark C. Hakey,Toshiharu Furukawa,David V. Horak,Paul A. Rabidoux,James M. Leas,William H. L. Ma,Steven J. c/o IBM United Kingdom Limited HOLMES. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-08-05.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20020058390A1. Автор: Shinichi Imai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-16.

Semiconductor memory apparatus and method for fabricating the same

Номер патента: US20110074035A1. Автор: Hyoung Soon Yune,Joo Hong Jeong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-31.

Semiconductor devices, nonvolatile memory devices including the same, electronic systems including the same, and methods for fabricating the same

Номер патента: US20240306384A1. Автор: Chang Heon Lee,Byung Joo Go,Hak Seon Kim,Sung Kweon Baek,Jae Hwa Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Method for fabricating self-aligned recessed-gate MOS transistor device

Номер патента: TWI278043B. Автор: Jar-Ming Ho,Shian-Jyh Lin,Yu-Pi Lee. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2007-04-01.

Method for fabricating self-aligned recessed-gate MOS transistor device

Номер патента: TW200743159A. Автор: Jar-Ming Ho,Shian-Jyh Lin,Yu-Pi Lee. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2007-11-16.

Electrode material for organic semiconductor device, method for forming electrode pattern, and organic thin-film transistor

Номер патента: US20180233684A1. Автор: Kenichi Umeda. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2018-08-16.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US6660617B2. Автор: Hiroyuki Kawano. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-09.

Method for forming isolation layer in semiconductor device

Номер патента: US20030119266A1. Автор: Cheol Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-26.

Semiconductor device with assistant layer and method for fabricating the same

Номер патента: US12080754B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for fabricating semiconductor device with assistant layer

Номер патента: US12051718B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Method for insulating components of semiconductor devices by means of grooves

Номер патента: RU2187174C2. Автор: Мун-хан ПАРК,Суг-хун ХОНГ,Ю-гюн СИН. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2002-08-10.

Method of fabricating insulation layer and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US7846850B2. Автор: Yang-Han Yoon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-07.

Method of fabricating insulation layer and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20100151668A1. Автор: Yang-Han Yoon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-06-17.

Method for designing soi water and method for manufacturing soi wafer

Номер патента: SG183422A1. Автор: Susumu Kuwabara. Владелец: Shinetsu Handotai Kk. Дата публикации: 2012-09-27.

Structures, materials and methods for fabrication of nanostructures by transposed split of ion cut materials

Номер патента: WO2004066356A3. Автор: Robert W Bower. Владелец: Robert W Bower. Дата публикации: 2005-06-09.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200243515A1. Автор: Zhi-Biao Zhou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-07-30.

LOW EXTERNAL RESISTANCE CHANNELS IN III-V SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20160071968A1. Автор: Leobandung Effendi,Sun Yanning. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-10.

Semiconductor Device with Cell Trench Structures and Recessed Contacts and Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20180366541A1. Автор: Schulze Hans-Joachim,Laven Johannes Georg,Haghofer Andreas,Griebl Erich,Cotorogea Maria,Itani Haybat. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-20.

Semiconductor Device with Cell Trench Structures and Recessed Contacts and Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20180366541A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Erich Griebl,Maria Cotorogea,Haybat Itani,Andreas Haghofer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-12-20.

Semiconductor device with sidewall oxidized dielectric and method for fabricating the same

Номер патента: US20210234037A1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor device and method for fabricating the semiconductor device

Номер патента: US20210098485A1. Автор: Il-Young Kwon,Jin-Ho Bin,Dong-Chul Yoo,Hye-Hyeon BYEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Semi-floating gate memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US12040413B2. Автор: Heng Liu,Zhigang Yang,Jianghua LENG,Tianpeng Guan. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Methods for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20040142569A1. Автор: Seok Kim,Chee Choi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-22.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12068309B2. Автор: Chia-Jung Hsu,Chien-Ting Lin,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Yu-Hsiang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device including recess gate structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240274713A1. Автор: Hyun-Yong Yu,Seung Geun JUNG,Mu Yeong SON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and methods for fabricating and operating the device

Номер патента: US20240224816A1. Автор: Pavel ASEEV. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device with tapering impurity region and method for fabricating the same

Номер патента: US20210351185A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor devices

Номер патента: US12051722B2. Автор: Kihwan Kim,Youngdae CHO,Sunguk JANG,Sujin JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-30.

High voltage semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20150054071A1. Автор: Chung-Ren Lao,Cheng-Yi Hsieh,Chu-Feng CHEN,Wei-Chun CHOU,Yi-Hung Chiu. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-02-26.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US5973362A. Автор: Hae Chang Yang,Min Wha Park. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1999-10-26.

Electronic device and method for fabricating the same

Номер патента: US20150249154A1. Автор: Joong-Sik Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-09-03.

Method for fabricating of cell pitch reduced semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20170194433A1. Автор: Seung Hyun Kim,Soo Chang Kang,Yong Won Lee,Dae Won HWANG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Method for fabricating flash memory cell

Номер патента: US20030124801A1. Автор: Chi-Hui Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2003-07-03.

Flash memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20030052359A1. Автор: Sung Shin,Jae Eom. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-03-20.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US10756179B2. Автор: Dong Il Bae,Dong Hun Lee,Jung Gil Yang,Seung Min Song,Chang Woo SOHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-25.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US10347718B2. Автор: Dong Il Bae,Dong Hun Lee,Jung Gil Yang,Seung Min Song,Chang Woo SOHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-09.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240072141A1. Автор: Xi SONG,Pengyu Han,Huiqin Wang. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Method for Fabricating Silicon Nanowire Field Effect Transistor Based on Wet Etching

Номер патента: US20120302027A1. Автор: Xin Huang,Ru Huang,Yujie Ai,Jiewen Fan,Shuai Sun,Runsheng Wang,Jibin Zou. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-11-29.

A method for forming a semiconductor device

Номер патента: EP4391039A1. Автор: Shairfe Muhammad Salahuddin,Boon Teik CHAN,Hsiao-Hsuan Liu. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-26.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20160343879A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-24.

Lateral double diffused metal oxide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130075816A1. Автор: Jong Min Kim,Jae Hyun Yoo. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2013-03-28.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20140183556A1. Автор: Jong Seok Lee,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,Kyoung-Kook Hong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2014-07-03.

Semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US20130248876A1. Автор: Masaya Okada,Makoto Kiyama,Seiji Yaegashi,Kazutaka Inoue,Mitsunori Yokoyama,Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-09-26.

Semiconductor device having a trench gate and method for manufacturing

Номер патента: US20110309423A1. Автор: Frank Pfirsch,Thomas Raker,Christian Foerster,Georg Ehrentraut. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2011-12-22.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240304667A1. Автор: Huang-Lin Chao,Hsiang-Pi Chang,Shen-Yang LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20020090789A1. Автор: Hitoshi Tanaka,Hisao Shigematsu,Kenji Imanishi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-07-11.

Semiconductor device having split gate structure and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240304717A1. Автор: Dong Fang,Kui Xiao. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory peripheral circuit having recessed channel transistors with elevated sources/drains and method for forming thereof

Номер патента: WO2023212887A1. Автор: Jun Liu,Shao-Fu Sanford Chu. Владелец: Yangtze Advanced Memory Industrial Innovation Center Co., Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Mos transistors for thin soi integration and methods for fabricating the same

Номер патента: EP2186123A1. Автор: John A. Iacoponi,Kingsuk Maitra. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2010-05-19.

Semiconductor device and method for fabricating same

Номер патента: US20070241420A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-10-18.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20020048961A1. Автор: Kenji Yamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-04-25.

Vertical thin film transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US10361314B2. Автор: Chin-Rung Yan. Владелец: INT Tech Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-23.

Semiconductor Device and Method for Fabricating Semiconductor Device

Номер патента: US20080087957A1. Автор: Masaru Kito,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Masaru Kidoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-04-17.

Semiconductor device structure with dielectric dummy gate and method for forming the same

Номер патента: US20230261076A1. Автор: Tung-Heng Hsieh,Sheng-Hsiung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210020636A1. Автор: Keun Hwi Cho,Myoung-Sun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-21.

Multi layer photopolymeric structure for the manufacturing of mesfet devices with submicrometric gate and variable length recessed channel

Номер патента: US5130764A. Автор: Antonio Cetronio,Sergio Moretti,Vittoria Compagnucci. Владелец: Selenia Industrie Elettroniche Associate SpA. Дата публикации: 1992-07-14.

Method Of Manufacturing Semiconductor Device And Semiconductor Device Having Unequal Pitch Vertical Channel Transistors

Номер патента: US20160284764A1. Автор: Teruyuki Mine. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-29.

Semiconductor dielectric structure and method for making the same

Номер патента: US20010023989A1. Автор: Milind Weling,Rao Annapragada. Владелец: Philips Electronics North America Corp. Дата публикации: 2001-09-27.

Method for fabricating semiconductor device having a patterned metal layer embedded in an interlayer dielectric layer

Номер патента: US20180130742A1. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Yi-Wei Chen,Ching-Ling Lin,Jia-Rong Wu,Tsung-Hung Chang,Yi-Hui Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-10.

Method for fabricating semiconductor device having a patterned metal layer embedded in an interlayer dielectric layer

Номер патента: US20160379931A1. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Yi-Wei Chen,Ching-Ling Lin,Jia-Rong Wu,Tsung-Hung Chang,Yi-Hui Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-29.

Semiconductor device structures and printed circuit boards comprising semiconductor devices

Номер патента: US20130228922A1. Автор: Mark E. Tuttle. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-05.

Method for fabricating a semiconductor device including an embedded semiconductor die

Номер патента: US20240250004A1. Автор: Wolfgang Scholz,Bernd SCHMOELZER,Edward Fuergut,Mark Thomas,Martin Gruber,Achim Althaus,Marco Nicolas Mueller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device with single step height and method for fabricating the same

Номер патента: US20220122991A1. Автор: Yu-Ting Lin,Mao-Ying Wang,Lai-Cheng TIEN,Hui-Lin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-04-21.

Material for metal line, metal line in semiconductor device and method for forming metal line in semiconductor device

Номер патента: US20240266291A1. Автор: Wei Guo,Eunyoung LEE,Sanghyun Park,Wulin HE,Wonwoong Chung,Buseo CHOI. Владелец: Huizhou Top Metal Material Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for forming metal wires in semiconductor device

Номер патента: US20050233579A1. Автор: Ihl Cho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-10-20.

Method for forming interlayer insulation film in semiconductor device

Номер патента: US20050142848A1. Автор: Kang Shin,Sang Ryu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-30.

Method for fabricating semiconductor device including resist flow process and film coating process

Номер патента: US20070059926A1. Автор: Jae Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-03-15.

Method for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US7776622B2. Автор: Kouichi Nagai. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-08-17.

Semiconductor device with self-aligned landing pad and method for fabricating the same

Номер патента: US11121137B1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-14.

Method of forming interconnectings in semiconductor devices

Номер патента: US20020090810A1. Автор: Mario Napolitano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-07-11.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20050140011A1. Автор: Jea Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Semiconductor device with porous dielectric layers and method for fabricating the same

Номер патента: US20240030133A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20020142555A1. Автор: Seon Cha. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-10-03.

Semiconductor device with uneven electrode surface and method for fabricating the same

Номер патента: US20230105066A1. Автор: Tsu-Chieh AI. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-04-06.

Methods for forming hole structure in semiconductor device

Номер патента: US20200243373A1. Автор: Gang Yang,Jian Dai,Biao Zheng,Xiang Hui ZHAO,Zui Xin ZENG,Lianjuan Ren. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

Method for Forming Super Contact in Semiconductor Device

Номер патента: US20100140806A1. Автор: Sang Chul Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-10.

Methods for fabricating semiconductor devices with backside power delivery network using laser liftoff layer

Номер патента: US20240258169A1. Автор: ARKALGUD Sitaram,Soo Doo Chae. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device having a graphene film and method for fabricating thereof

Номер патента: US12014988B2. Автор: Jang Eun Lee,Hyun bae Lee,Wan Don KIM,Min Joo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220013526A1. Автор: Se Han Kwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11532631B2. Автор: Se Han Kwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-12-20.

Semiconductor device with programmable unit and method for fabricating the same

Номер патента: US20220173045A1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-06-02.

Semiconductor device with conductive protrusions and method for fabricating the same

Номер патента: US20210296174A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor device with connection structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20210305208A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor device with porous decoupling feature and method for fabricating the same

Номер патента: US20210375881A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210327887A1. Автор: Cheng-Ling Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor device with conductive layers having different pattern densities and method for fabricating the same

Номер патента: US20240243060A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Interconnection structure, semiconductor device with interconnection structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230046051A1. Автор: Jong Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Semiconductor device with anti-back-sputter layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240203753A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210091087A1. Автор: Chun-Cheng Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor device with protection liners and method for fabricating the same

Номер патента: US20230299005A1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210082922A1. Автор: Chih-Wei Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor device with protruding contact and method for fabricating the same

Номер патента: US20220122979A1. Автор: Chih-Hung Chen,Chiang-Lin Shih,Szu-Yao Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor device with slanted conductive layers and method for fabricating the same

Номер патента: US11398441B2. Автор: Kuo-Hui Su. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-07-26.

Semiconductor device with conductive layers having different pattern densities and method for fabricating the same

Номер патента: US12080642B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

System and method for photolithography in semiconductor manufacturing

Номер патента: US20060172520A1. Автор: Ching-Yu Chang,Chin-Hsiang Lin,Burn Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-08-03.

Semiconductor device with emi protection structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20210327821A1. Автор: Chin-Te Kuo. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20070148787A1. Автор: Genichi Komuro,Kenji Kiuchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-06-28.

Semiconductor device with connection structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20220077118A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-10.

Method for fabricating semiconductor device with metal spacers

Номер патента: US11756885B2. Автор: Kuo-Hui Su. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Method for fabricating semiconductor device with protruding contact

Номер патента: US11574911B2. Автор: Chih-Hung Chen,Chiang-Lin Shih,Szu-Yao Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-02-07.

Method for fabricating semiconductor device with protruding contact

Номер патента: US20220122982A1. Автор: Chih-Hung Chen,Chiang-Lin Shih,Szu-Yao Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200219883A1. Автор: Chang-Hyeon Nam,Injoon Yeo. Владелец: Xia Tai Xin Semiconductor Qing Dao Ltd. Дата публикации: 2020-07-09.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20220059448A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Semiconductor devices having contact plugs and local interconnects and methods for making the same

Номер патента: US20020182846A1. Автор: Daniel Smith,Sanh Tang,Jason Taylor. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor devices having contact plugs and local interconnects and methods for making the same

Номер патента: US20020182803A1. Автор: Daniel Smith,Sanh Tang,Jason Taylor. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-12-05.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20110306202A1. Автор: Jung-Hee Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-15.

Method for fabricating semiconductor device with self-aligned landing pad

Номер патента: US20210351187A1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240237549A1. Автор: Hsin-Fu Huang,Wei-Chuan Tsai,Yen-Tsai Yi,Jin-Yan Chiou,Hsiang-Wen Ke. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Vertical semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12035526B2. Автор: Yoo Hyun NOH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240196756A1. Автор: Wei Chen,Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Yu-Ping Wang,Hung-Yueh Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20040048462A1. Автор: Masahiro Joei. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-11.

A method for contacting a buried interconnect rail from the back side of an ic

Номер патента: EP3651188A1. Автор: Mr. Eric Beyne,Mrs. Anne Jourdain,Mr. Nouredine Rassoul. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-05-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200083226A1. Автор: Jae-Houb CHUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-03-12.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12063792B2. Автор: Wei Chen,Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Jing-Yin Jhang,Yu-Ping Wang,Hung-Yueh Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Method for fabricating semiconductor device with EMI protection structure

Номер патента: US11587885B2. Автор: Chin-Te Kuo. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-02-21.

Semiconductor device including metal interconnections having sidewall spacers thereon, and method for fabricating the same

Номер патента: US12057346B2. Автор: Chih-Sheng Chang,Ching-Chih Chang,Yuan-Fu Ko. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11765982B2. Автор: Ching-Wen Hung,Ya-Sheng Feng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200136015A1. Автор: Ching-Wen Hung,Ya-Sheng Feng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20090081865A1. Автор: Shunsuke Isono. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-03-26.

Laminating method for forming integrated circuit microelectronic fabrication

Номер патента: US20020197775A1. Автор: Syun-Ming Jang,Mong-Song Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2002-12-26.

Method for fabricating semiconductor device with emi protection structure

Номер патента: US20220084956A1. Автор: Chin-Te Kuo. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US8450211B2. Автор: Sung-Hyun Yoon,Soo-Byung KO,Kee-Joon Oh,Soon-Young Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-05-28.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20120220124A1. Автор: Sung-Hyun Yoon,Soo-Byung KO,Kee-Joon Oh,Soon-Young Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-08-30.

Method for manufacturing semiconductor device using plasma-enhanced atomic layer deposition

Номер патента: US12027364B2. Автор: Ting-Chuan Lee,Chun-Jung Tsai,Chun-Hsien Tsai,Kuang-Jui Chang,Tsung-Fu Yen. Владелец: Taiwan Carbon Nano Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Method of fabricating semiconductor device having fine contact holes

Номер патента: US20080096391A1. Автор: Joo-Young Kim,Jae-Hwang Sim,Dong-Hwa Kwak,Sung-Hyun KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-24.

Semiconductor memory device capable of preventing oxidation of plug and method for fabricating the same

Номер патента: US20030001186A1. Автор: Soon-Yong Kweon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-01-02.

Semiconductor device with fully self-aligned local interconnects, and method for fabricating the device

Номер патента: US20020098672A1. Автор: Theodore Houston. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-25.

Method for forming a semiconductor device

Номер патента: US20210020669A1. Автор: Chin-Yu Lin,Keng-Ying Liao,Po-Zen Chen,Su-Yu Yeh,Huai-Jen Tung,Chia-Yun Chen,Ta-Cheng Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Semiconductor device with fuse and method for fabricating the same

Номер патента: US20090166803A1. Автор: Buem-Suck Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-07-02.

Semiconductor device incorporating elements formed of refractory metal-silicon-nitrogen and method for fabrication

Номер патента: US20030151116A1. Автор: Louis Hsu,Lawrence Clevenger,Keith Wong,Cyril Cabral. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-08-14.

Semiconductor device and manufacturing method involving multilayer contact etch stop

Номер патента: US8877651B2. Автор: XINPENG WANG,Yi Huang,Qiuhua Han. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp. Дата публикации: 2014-11-04.

Metal interconnect structure and method for fabricating the same

Номер патента: US10438893B2. Автор: Ting-Chun Wang,Chih-Sheng Chang,Shih-Hsien Chen,Meng-Jun Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-10-08.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20010003675A1. Автор: Daisuke Komada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-06-14.

Method for fabricating a metal-insulator-metal capacitor

Номер патента: US20060292715A1. Автор: June Lee. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-12-28.

Method for fabricating a metal-insulator-metal capacitor

Номер патента: US20070190774A1. Автор: June Lee. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2007-08-16.

On-chip capacitors in semiconductor devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240213144A1. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Lei Xue. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Self-aligned patterning technique for semiconductor device features

Номер патента: US20150004800A1. Автор: Jing Li,Chung H. Lam. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-01-01.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20070224761A1. Автор: Masatoshi Takami. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-09-27.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US7534712B2. Автор: Masatoshi Takami. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-05-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US7235849B2. Автор: Masatoshi Takami. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-06-26.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US20180190658A1. Автор: Mei-Ling Chen,Yi-Wei Chen,Shih-Fang Tzou,Ching-Hsiang Chang,Tzu-Chin Wu,Wei-Hsin Liu,Chia-Lung Chang,Jui-Min Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-05.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US10262895B2. Автор: Mei-Ling Chen,Yi-Wei Chen,Shih-Fang Tzou,Ching-Hsiang Chang,Tzu-Chin Wu,Wei-Hsin Liu,Chia-Lung Chang,Jui-Min Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-16.

Semiconductor device with polymer liner and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234249A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device with polymer liner and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234252A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for forming pattern and method for fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20130023118A1. Автор: Dong-Kwon Kim,Myeong-Cheol Kim,Do-hyoung Kim,Soo-Yeon Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-01-24.

Conductive structure in semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240266279A1. Автор: Jen-Hung Wang,Chii-Ping Chen,Hsiu-Wen Hsueh,Cai-Ling Wu,An-Jiao FU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Methods for fabricating integrated circuits using directed self-assembly

Номер патента: US20160027685A1. Автор: Ji xU,Gerard Schmid,Guillaume Bouche,Richard A. Farrell,Deniz Elizabeth Civay. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-01-28.

Etching mask, method for fabricating the same, and method for fabricating a semiconductor structure using the same

Номер патента: US20220223414A1. Автор: Yu-Chen Huang,Jui-Seng WANG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-07-14.

Method for Fabricating Word Lines of NAND Memory and NAND Memory Comprising Word Lines Fabricated by Adopting the Same

Номер патента: US20200402842A1. Автор: Guanqun Huang,Shaokang Yao,Xiaohua Ju. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-12-24.

Semiconductor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230013215A1. Автор: Meng HUANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Method for forming a capping layer on a copper interconnect

Номер патента: US20020197865A1. Автор: Koichi Ohto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-12-26.

Semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US20240250062A1. Автор: Heesoo Lee,Changoh Kim,JinHee Jung. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for fabricating a trench structure which is electrically connected to a substrate on one side via a buried contact

Номер патента: US20050032324A1. Автор: Kevin Pears,Albrecht Kieslich,Stephan Kudelka. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-02-10.

Method for fabricating a wiring plane on a semiconductor chip with an antifuse

Номер патента: US6455435B1. Автор: Matthias Lehr,Wolfgang Leiberg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-09-24.

Semiconductor device with filling layer

Номер патента: US20240304552A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230253242A1. Автор: Jun Sik Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210343739A1. Автор: Kuang-Wen Liu,Cheng-Wei Lin,Jr-Meng Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

METHODS FOR FORMING IC STRUCTURE HAVING RECESSED GATE SPACERS AND RELATED IC STRUCTURES

Номер патента: US20190131424A1. Автор: Tabakman Keith H.,Xu Guowei,Zang Hui,Patil Suraj K.,ONISHI Katsunori. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-02.

LOW EXTERNAL RESISTANCE CHANNELS IN III-V SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20180053650A1. Автор: Leobandung Effendi,Sun Yanning. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-22.

Semiconductor device fabrication methods with enhanced control in recessing processes

Номер патента: US20130078791A1. Автор: Robert J. Miller,Ruilong Xie. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-03-28.

Semiconductor device, method for fabricating the same and apparatus for fabricating the same

Номер патента: WO2011040047A1. Автор: Masaru Sasaki. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2011-04-07.

Refractory metal nitride capped electrical contact and method for frabricating same

Номер патента: US20110049720A1. Автор: Sadiki Jordan. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2011-03-03.

Low mismatch semiconductor device and method for fabricating same

Номер патента: US20110186934A1. Автор: Akira Ito,Xiangdong Chen. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2011-08-04.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20150287823A1. Автор: Chia-Fu Hsu,Chih-Wei Yang,Jian-Cun KE. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-10-08.

Biased reactive refractory metal nitride capped contact of group III-V semiconductor device

Номер патента: US9484425B2. Автор: Sadiki Jordan. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20210320187A1. Автор: Chia-Ming Kuo,Chia-Wei Chang,Chia-Yuan Chang,Guan-Wei Huang,Fu-Jung Chuang,Po-Jen Chuang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-10-14.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20060228882A1. Автор: Yong-Sik Jeong. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2006-10-12.

Thin-film semiconductor device and method for fabricating thin-film semiconductor device

Номер патента: US20130161630A1. Автор: Kenichirou Nishida. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-06-27.

Semiconductor device with metal gate and high-k dielectric layer, cmos integrated circuit, and method for fabricating the same

Номер патента: US20160211183A1. Автор: Yun-Hyuck Ji,Beom-Yong Kim,Seung-Mi Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-21.

Semiconductor Device and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20090294851A1. Автор: Joong Sik Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-12-03.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US8324109B2. Автор: Dong-Hyun Kim,Tae-Han Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-04.

Method for fabricating semiconductor device having an embedded source/drain

Номер патента: US20150079740A1. Автор: Jin-Bum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-19.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20080157233A1. Автор: Hyuk Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20160293724A1. Автор: Tsutomu Komatani. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2016-10-06.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20170330956A1. Автор: Chao-Hung Lin,Jyh-Shyang Jenq,Shih-Hung Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20150380407A1. Автор: Moon-Sig Joo,Se-Aug Jang,Yun-Hyuck Ji,Hyung-Chul Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-31.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240282843A1. Автор: Kuan-Hung Chen,Chun-Chia Chen,Chung-Fu Chang,Chun-Tsen Lu,Guang-Yu Lo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor devices and methods for forming semiconductor devices

Номер патента: US20040097048A1. Автор: Kwan Koh. Владелец: Anam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-05-20.

Method for Rapid Thermal Treatment Using High Energy Electromagnetic Radiation of a Semiconductor Substrate for Formation of Dielectric Films

Номер патента: US20100009528A1. Автор: Fumitake Mieno,David Gao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2010-01-14.

Semiconductor structure and manufacturing method for the semiconductor structure

Номер патента: US20220181495A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Semiconductor device with gate structure and method for fabricating the semiconductor device

Номер патента: US20080157205A1. Автор: Yong-Soo Kim,Min-Gyu Sung,Heung-Jae Cho,Kwan-Yong Lim,Hong-Seon Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-07-03.

Semiconductor structure and manufacturing method for the semiconductor structure

Номер патента: US11777031B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor structure and manufacturing method for the semiconductor structure

Номер патента: US20230387298A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Ono dielectric for memory cells and method for fabricating the same

Номер патента: US20040207000A1. Автор: Jung-Yu Hsieh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-21.

Mos structures with contact projections for lower contact resistance and methods for fabricating the same

Номер патента: US20080308879A1. Автор: Jianhong Zhu,Fred Hause,David Wu. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2008-12-18.

Dielectric equivalent thickness and capacitance scaling for semiconductor devices

Номер патента: US20140138781A1. Автор: Devendra K. Sadana,Kuen-Ting Shiu,Ko-Tao Lee,Alessandro Callegari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-05-22.

Method for fabricating a 3d semiconductor apparatus having two vertically disposed seminconductor devices

Номер патента: US20220077003A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

Method for fabricating a 3D semiconductor apparatus having two vertically disposed seminconductor devices

Номер патента: US11302587B2. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-04-12.

Method for wafer bonding and compound semiconductor wafer

Номер патента: US12068296B2. Автор: Stefan Hampl,Kerstin Kaemmer,Marco Haubold,Norbert Thyssen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and method for fabricating the same, and microprocessor, processor, system, data storage system and memory system including the semiconductor device

Номер патента: US20140339488A1. Автор: Hee-Sung Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-11-20.

Method for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20020106863A1. Автор: In-Chul Jung,Seung-Hoon Sa. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-08-08.

Semiconductor device, layout design method for the same and method for fabricating the same

Номер патента: US12068251B2. Автор: Byung Hyun Lee,Sang Do Park,Sung-Ok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for forming semiconductor device having epitaxial channel layer using laser treatment

Номер патента: US20020001890A1. Автор: Jung-Ho Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-03.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20050205899A1. Автор: Ping-Pang Hsieh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-09-22.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20160099152A1. Автор: Seung-Woo Jin,Il-Sik JANG,Jae-Chun CHA,An-Bae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-04-07.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20150255291A1. Автор: Seung-Woo Jin,Il-Sik JANG,Jae-Chun CHA,An-Bae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-09-10.

Method for fabricating a semiconductor device having improved hot carrier immunity ability

Номер патента: US20060040448A1. Автор: Yi-Chia Lee,Tung-Hsing Lee,Shyh-Fann Ting,Tai-Yuan Lee,Yu-Lung Chin,Wen-Koi Lai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2006-02-23.

Method for fabricating semiconductor substrate, semiconductor substrate, and semiconductor device

Номер патента: US9941361B2. Автор: Ryosuke Iijima,Takashi Shinohe,Johji Nishio,Kazuto Takao. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Method for fabricating a split gate flash memory cell

Номер патента: US20030049904A1. Автор: Chi-Hui Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2003-03-13.

Method for fabricating a field-effect transistor having a floating gate

Номер патента: US20030119261A1. Автор: Franz Hofmann,Robert Strenz,Georg Tempel,Robert Wiesner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-06-26.

Methods for fabricating integrated circuits with improved implantation processes

Номер патента: US20160204038A1. Автор: Ran Yan,El Mehdi Bazizi,Jan Hoentschel,Alban Zaka. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-07-14.

Methods for fabricating integrated circuits with improved implantation processes

Номер патента: US20150287646A1. Автор: Ran Yan,El Mehdi Bazizi,Jan Hoentschel,Alban Zaka. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

Electrically programmable device with embedded eeprom and method for making thereof

Номер патента: US20100276745A1. Автор: Zhen Yang,Sheng-He Huang,Yi-Peng Chan. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2010-11-04.

Nonvolatile flash memory structures including fullerene molecules and methods for manufacturing the same

Номер патента: WO2012012691A3. Автор: Ramesh Sivarajan,Henning Richter,Viktor Vejins,Edwin C. Kan,Qianying Xu. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-06-14.

Method for manufacturing a transistor of a semiconductor device

Номер патента: US20080026521A1. Автор: Woo Young Chung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-01-31.

Semiconductor device and method of making the same

Номер патента: US20130049066A1. Автор: Yuan-Hsiang Chang,Sung-Bin Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-02-28.

Method for fabricating a MOS transistor with reduced channel length variation and related structure

Номер патента: US20110089490A1. Автор: WEI Xia,Xiangdong Chen,Henry Kuo-Shun Chen. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2011-04-21.

Method for Fabricating a MOS Transistor with Reduced Channel Length Variation

Номер патента: US20130017658A1. Автор: WEI Xia,Xiangdong Chen,Henry Kuo-Shun Chen. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-01-17.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20110254083A1. Автор: Hae Il SONG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-10-20.

Method for fabricating a buried bit line for a semiconductor memory

Номер патента: US20040018686A1. Автор: Veronika Polei,Mayk Röhrich. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-01-29.

Method for forming transistor with recess channel for use in semiconductor memory

Номер патента: KR100568854B1. Автор: 김지영. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-04-10.

Method of manufacturing silicon rich oxide (SRO) and semiconductor device employing SRO

Номер патента: US20070072424A1. Автор: Jung-hyun Lee,Sang-Bong Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-29.

Semiconductor device having a recess channel and method for fabricating the same

Номер патента: US7442990B2. Автор: Byung Soo Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-10-28.

Semiconductor device having a recess channel and method for fabricating the same

Номер патента: US20080318402A1. Автор: Byung Soo Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-12-25.

Semiconductor device having a recess channel and method for fabricating the same

Номер патента: US20060237783A1. Автор: Byung Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-26.

Method for fabricating semiconductor device, and semiconductor device made thereby

Номер патента: US20150236158A1. Автор: Chin-Cheng Chien,Chun-Jen Chen,Tien-Wei YU,Tsung-Mu Yang,Tien-Chen Chan,Ming-Hua Chang,Yu-Shu Lin,I-Cheng Hu,Chieh-Lung Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-08-20.

Sonos device and method for fabricating the same

Номер патента: US20140070299A1. Автор: Chih-Yuan Wu,Kai-Hsiang Chang,Kuang-Wen Liu,Ching-Chang Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-13.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US7445998B2. Автор: Pin-Yao Wang,Rex Young. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-11-04.

Method for manufacturing gate in semiconductor device

Номер патента: US20020001934A1. Автор: Hai Won Kim,Kwang Joo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-01-03.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20090142901A1. Автор: In-Cheol Baek. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-04.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US8021944B2. Автор: In-Cheol Baek. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2011-09-20.

Semiconductor device with energy-removable layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240178287A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Device structure, layout and fabrication method for uniaxially strained transistors

Номер патента: US20120261762A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Devendra K. Sadana,Ali Khakifirooz,Stephen W. Bedell,Huiming Bu,Chun-Chen Yeh,Johnathan E. Faltermeier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-10-18.

Method for fabricating a semiconductor device having a device isolation trench

Номер патента: US8338246B2. Автор: Song Hyeuk Im. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-25.

Fabrication method for thin film transistor, thin film transistor and display apparatus

Номер патента: US20180277376A1. Автор: Wei Wang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-27.

Method for fabricating semiconductor device with gate spacer

Номер патента: US7265042B2. Автор: Ki-Won Nam. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-09-04.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20150050799A1. Автор: Chun-Ling Lin,Chia-Chang Hsu,Tsung-Hsun Tsai,Pin-Hong Chen,Bor-Shyang LIAO,Kuo-Chih Lai,Min-Chung Cheng,Shu-Min HUANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20200006514A1. Автор: Chi-Mao Hsu,Ching-Yun Chang,Yen-Chen Chen,Kuo-Chih Lai,Yang-Ju Lu,Shih-Min Chou,Nien-Ting Ho,Yun-Tzu Chang,Wei-Ming Hsiao,Kuan-Chun Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Method of manufacturing a thin dielectric layer using a heat treatment and a semiconductor device formed using the method

Номер патента: US7041557B2. Автор: Ji-hoon Park,Sung-Woo Park,Jeong-Uk Han,Sung-taeg Kang,Bo-Young Seo,Seung-Beom Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-09.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200203425A1. Автор: Yi-Chung Sheng,Chih-Kai Kang,Sheng-Yuan Hsueh,Kuo-Hsing Lee,Ting-Hsiang Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-06-25.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US10692928B1. Автор: Yi-Chung Sheng,Chih-Kai Kang,Sheng-Yuan Hsueh,Kuo-Hsing Lee,Ting-Hsiang Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-06-23.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200403082A1. Автор: Chi-Mao Hsu,Chia-Ming Kuo,Tsuo-Wen Lu,Fu-Jung Chuang,Po-Jen Chuang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-12-24.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20190326414A1. Автор: Chun-Yu Chen,Yen-Hsing Chen,Chung-Ting Huang,Zih-Hsuan Huang,Yu-Chien Sung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US9263544B2. Автор: Takeshi Araya,Tsutomu Komatani. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2016-02-16.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US8815664B2. Автор: Takeshi Araya,Tsutomu Komatani. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2014-08-26.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20140187004A1. Автор: Jong Seok Lee,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,Kyoung-Kook Hong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2014-07-03.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US8772112B1. Автор: Jong Seok Lee,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,Kyoung-Kook Hong. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2014-07-08.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11757016B2. Автор: Zhen Wu,Chih-Chiang Wu,Wen-Yen Huang,Shih-Min Chou,Nien-Ting Ho,Yi-Fan Li,Ti-Bin Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240266437A1. Автор: Chun-Yu Chen,Yu-Shu Lin,Keng-Jen Lin,Bo-Lin HUANG,Jhong-Yi Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12094783B2. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chun-Ya Chiu,Chin-Hung Chen,Chi-Ting Wu,Yu-Hsiang Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240313046A1. Автор: Yu-Hsiang Lin,Chung-Fu Chang,Chun-Tsen Lu,Wei-Hao Chang,Guang-Yu Lo,Chih-Shan Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for fabricating metal-oxide semiconductor transistor

Номер патента: US6150276A. Автор: Gary Hong,Claymens Lee. Владелец: United Semiconductor Corp. Дата публикации: 2000-11-21.

Semiconductor devices with fin-top hard mask and methods for fabrication thereof

Номер патента: US11757021B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Kuan-Ting Pan,Yi-Ruei JHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Method for preventing dishing during the manufacture of semiconductor devices

Номер патента: US10373876B2. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-08-06.

Method for preventing dishing during the manufacture of semiconductor devices

Номер патента: US20180233416A1. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-08-16.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234559A1. Автор: Kuo-Yu Liao,Sheng-Yuan Hsueh,Chien-Liang Wu,Kuo-Hsing Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Systems and methods for fabricating FinFETs with different threshold voltages

Номер патента: US12027522B2. Автор: Chi-Wen Liu,Chao-Hsiung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Top-down method for fabricating nanowire device

Номер патента: US10304926B2. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-05-28.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20150340475A1. Автор: Chih-Lin Wang,Long-Jie HONG,Chien-Chih Lin,Chia-Der Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-11-26.

Semiconductor device with multiple threshold voltages

Номер патента: US20200098569A1. Автор: Ekmini Anuja De Silva,Praveen Joseph,Indira Seshadri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Semiconductor device with multiple threshold voltages

Номер патента: US20200098570A1. Автор: Ekmini Anuja De Silva,Praveen Joseph,Indira Seshadri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Method for making semiconductor device

Номер патента: US20230352347A1. Автор: Guang Yang,Chin-Chun Huang,Wen Yi Tan,Jinjian Ouyang,Linshan Yuan,Yuchun Guo. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Method for fabricating a semiconductor component

Номер патента: US20050118816A1. Автор: Franz Hirler,Markus Zundel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-06-02.

Fabrication method for single and dual gate spacers on a semiconductor device

Номер патента: US20070015324A1. Автор: Chih-Cheng Wang,Chao-Hsi Chung,Chu-Chun Hu. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2007-01-18.

Method for fabricating avalanche photodiode

Номер патента: US20020001911A1. Автор: Seung-Kee Yang,Dong-Soo Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-01-03.

Semiconductor device structures including energy barriers, and related methods

Номер патента: US20150035082A1. Автор: Chandra V. Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-02-05.

Semiconductor device structures including transistors with energy barriers adjacent to transistor channels and associated methods

Номер патента: WO2010065332A2. Автор: Chandra V. Mouli. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2010-06-10.

Semiconductor device and method of its manufacturing

Номер патента: RU2719569C1. Автор: Ясуаки ХАЯМИ,Тецуя ХАЯСИ,Вэй НИ,Риота ТАНАКА,Кейсуке ТАКЕМОТО. Владелец: Ниссан Мотор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-04-21.

Technique for fabricating logic elements using multiple gate layers

Номер патента: WO2004006338A1. Автор: Nima Mokhlesi,Jeffrey Lutze. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2004-01-15.

Semiconductor device with energy-removable layer

Номер патента: US20240178288A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Process for fabricating a semiconductor device having an insulating layer formed over a semiconductor substrate

Номер патента: US7223677B2. Автор: Martin L. Green,Martin Michael Frank,Glen David Wilk,Yves Chabal. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2007-05-29.

Technique for fabricating logic elements using multiple gate layers

Номер патента: EP1520302A1. Автор: Nima Mokhlesi,Jeffrey Lutze. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2005-04-06.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240274696A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinya Sasagawa,Hideomi Suzawa,Motomu Kurata,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Vertical semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11690225B2. Автор: Jin-Ha Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-06-27.

A system and method for fabricating diodes

Номер патента: WO2004100225A3. Автор: Ying Gao,Stanislav Soloviev,T S Sudarshan. Владелец: T S Sudarshan. Дата публикации: 2005-04-21.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20160268311A1. Автор: Chia-Fu Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Group III nitride semiconductor device, p-type contact structure, and method for fabricating group III nitride semiconductor device

Номер патента: US9379523B2. Автор: Masaki Ueno,Takashi Matsuura,Takao Nakamura,Takashi Kyono,Yohei Enya,Yuji Furushima,Tatsushi Hamaguchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-06-28.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20130323908A1. Автор: Chun-Yen Chen,Hung-Hsien Chang,Wei-Hua Fang,Chine-Li WANG,Yung-Chin Yen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-12-05.

Method for forming buried word line in semiconductor device

Номер патента: US20110027988A1. Автор: Sun-Hwan Hwang,Se-Aug Jang,Kee-Joon Oh,Soon-Young Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-02-03.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20200098637A1. Автор: Tae Gyu Kang,Sang-Il Choi,Seong Gi Jeon,Hee Seok Nho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-03-26.

Method for Fabricating Array-Molded Package-on-Package

Номер патента: US20140030851A1. Автор: Mark A. Gerber,David N. Walter. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-01-30.

Method for Fabricating Semiconductor Elements

Номер патента: US20090298233A1. Автор: Chin-Ti Chen. Владелец: Powertech Technology Inc. Дата публикации: 2009-12-03.

A method for fabricating a semiconductor package with improved thermal performance

Номер патента: EP4383317A1. Автор: Dexter Inciong Reynoso,Khai Seen Yong,Mohamad Yazid Wagiman. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-06-12.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US7521305B2. Автор: Zing-Way Pei,Cha-Hsin Lin,Shing-Chii Lu,Ming-Jinn Tsai. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2009-04-21.

Method for for fabricating semiconductor device and computing system for implementing the same

Номер патента: KR102163187B1. Автор: 윤종식,김병성,이화성,김윤해. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2020-10-08.

Semiconductor device with a dislocation structure and method of forming the same

Номер патента: US20140103444A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Tsan-Chun Want. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-04-17.

Overlay vernier mask pattern, methof for fabricating the same, semicondcutor device having the overlay vernier pattern, and method of fabricating the semiconductor device

Номер патента: KR101215645B1. Автор: 이준석. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2012-12-26.

Hybrid orientation substrate and method for fabrication thereof

Номер патента: US20090029531A1. Автор: Haining S. Yang,Judson R. Holt,Henry K. Utomo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-01-29.

Method for fabrication of floating gate in semiconductor device

Номер патента: US20090176320A1. Автор: Jin-Ho Kim,Ki-Min Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-07-09.

Exposure Mask and Method for Fabricating Semiconductor Device Using the Same

Номер патента: US20080153277A1. Автор: Yong Soon Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-06-26.

Method for Fabricating Semiconductor Device Capable of Adjusting the Thickness of Gate Oxide Layer

Номер патента: US20090042379A1. Автор: XIN Wang,Tai Chiang Chen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2009-02-12.

Method for fabricating semiconductor device having ruthenium layer and equipment for fabricating the same

Номер патента: US20030022521A1. Автор: Seok-jun Won,Cha-young Yoo,Soon-yeon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-01-30.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20060141757A1. Автор: Kang Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-29.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20020106816A1. Автор: Yoshihiro Mori,Yasutoshi Okuno,Akihiko Tsuzumitani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-08.

Metal line of semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20020058401A1. Автор: CHANG Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-16.

Fabricating Semiconductor Device

Номер патента: US20080048324A1. Автор: Ji Ho Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-02-28.

Method for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20020197858A1. Автор: Tsai-Sen Lin,Chon-Shin Jou,Chieh-Ju Chang,Lung-Yu Yen. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2002-12-26.

Method for fabricating multiple work function layers

Номер патента: US20240170279A1. Автор: Jian Wang,Wenzhan ZHOU,Hongzhu ZHENG,Yunqing DAI. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Method for fabricating a gate mask of a semiconductor device

Номер патента: US7309627B2. Автор: Osamu Kato. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-18.

Method for fabricating a gate mask of a semiconductor device

Номер патента: US20060014341A1. Автор: Osamu Kato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-19.

Method for fabricating last level copper-to-c4 connection with interfacial cap structure

Номер патента: EP1989730A2. Автор: William F. Landers,Timothy H. Daubenspeck,Donna S. Zupanski-Nielsen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-11-12.

Method for fabricating last level copper-to-c4 connection with interfacial cap structure

Номер патента: WO2007084907A2. Автор: William F. Landers,Timothy H. Daubenspeck,Donna S. Zupanski-Nielsen. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2007-07-26.

Method for fabricating a gate dielectric layer and for fabricating a gate structure

Номер патента: US20120276731A1. Автор: Yi Nan Chen,Hsien Wen Liu,Kuo Hui Su. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Method for selectively removing predetermined part of selected element in semiconductor structure

Номер патента: US20240021432A1. Автор: Chansyun David Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Method of using platinum metallization in system of redistribution of contact pads of crystals of integrated microcircuits and semiconductor devices

Номер патента: RU2717264C1. Автор: Никита Владимирович Рогозин,Виталий Владимирович Побединский. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники". Дата публикации: 2020-03-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20030025153A1. Автор: Sug Chun. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2003-02-06.

Semiconductor device with bulb-type recessed channel and method for fabricating the same

Номер патента: US20110068380A1. Автор: Kwon Hong,Yong-Soo Kim,Min-Gyu Sung,Heung-Jae Cho,Kwan-Yong Lim,Se-Aug Jang,Seung-Ho Pyi,Tae-Yoon Kim,Seung-Ryong Lee,Hong-Seon Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-24.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20180269212A1. Автор: Su Xing,Wanxun He. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

Method for fabricating recess pattern in semiconductor device

Номер патента: US7862991B2. Автор: Yong-Soon Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-01-04.

Semiconductor devices having stressor regions and related fabrication methods

Номер патента: US20110303954A1. Автор: Bin Yang,Man Fai NG. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-12-15.

Method for fabricating memory cell structure employing contiguous gate and capacitor dielectric layer

Номер патента: US20040191985A1. Автор: Kuo-Chi Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-09-30.

Semiconductor devices having encapsulated stressor regions and related fabrication methods

Номер патента: US20120193686A1. Автор: Jan Hoentschel,Stefan Flachowsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-08-02.

Asymmetric finfet in memory device, method of fabricating same and semiconductor device

Номер патента: US20200273863A1. Автор: Rongfu ZHU,Dingyou LIN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2020-08-27.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20040013867A1. Автор: MARK Martin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-22.

Semiconductor devices, layout design methods for the same, and methods for fabricating the same

Номер патента: US20210305232A1. Автор: Jae-Ho Park,Ji Su YU,Hyeon Gyu YOU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-30.

Method for fabricating fully depleted silicon-on-insulator pmos devices

Номер патента: US20240186402A1. Автор: LIAN Lu,Xiangguo Meng,Siyuan CHE. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Transistor gates including cobalt silicide, semiconductor device structures including the transistor gates, precursor structures, and methods of fabrication

Номер патента: WO2008073776B1. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Yongjun Jeff Hu. Дата публикации: 2008-12-11.

Transistor gates including cobalt silicide, semiconductor device structures including the transistor gates, precursor structures, and methods of fabrication

Номер патента: WO2008073776A3. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Yongjun Jeff Hu. Дата публикации: 2008-09-12.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20130015508A1. Автор: Wen-Yueh Jang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2013-01-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220085164A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11631738B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-04-18.

Methods for normalizing strain in a semiconductor device

Номер патента: SG155836A1. Автор: Tan Chung Foong,TEO Lee Wee,Quek Kiok Boone Elgin,Alain Chan. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-10-29.

Method for fabricating thin-film semiconductor device for display

Номер патента: US20130071972A1. Автор: Hisao Nagai,Kenichirou Nishida. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

Thin film transistor substrate, electronic apparatus, and methods for fabricating the same

Номер патента: US20100019243A1. Автор: Ming-Wei Sun,Chih-Wei Chao. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2010-01-28.

Thin film transistor substrate, electronic apparatus, and methods for fabricating the same

Номер патента: US20100176402A1. Автор: Ming-Wei Sun,Chih-Wei Chao. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2010-07-15.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210104528A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-04-08.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240145594A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Method for fabricating a semiconductor device and the same

Номер патента: US20210288052A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-16.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20130230989A1. Автор: Tzu-Yu Tseng,An-Chi Liu,Chi-Heng Lin,Chih-Wen Teng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-09-05.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20130217193A1. Автор: Wen-Yueh Jang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2013-08-22.

Semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US20050139933A1. Автор: Young-Hun Seo. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Modulation-doping-based high mobility atomic layer semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4386858A1. Автор: DongHun Lee,Chul-ho Lee. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2024-06-19.

Methods for fabricating semiconductor devices that have polycrystalline CVD diamond

Номер патента: US10699896B2. Автор: Daniel Francis,Daniel James Twitchen,Firooz Nasser-Faili,Frank Yantis LOWE. Владелец: RFHIC Corp Korea. Дата публикации: 2020-06-30.

Method of making semiconductor devices

Номер патента: US7347228B2. Автор: Wen-Yi Hsieh,Zing-Way Pei,Cha-Hsin Lin,Shing-Chii Lu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2008-03-25.

Method of making semiconductor devices

Номер патента: US7033899B2. Автор: Wen-Yi Hsieh,Zing-Way Pei,Cha-Hsin Lin,Shing-Chii Lu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2006-04-25.

Flat Panel Display Device with Oxide Thin Film Transistors and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20150079732A1. Автор: Ji Eun Chae,Tae Keun Lee. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-19.

Method for fabricating a power semiconductor device having a voltage sustaining layer with a terraced trench facilitating formation of floating islands

Номер патента: EP2232536A1. Автор: Richard A. Blanchard,Jean-Michel Guillot. Владелец: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR LLC. Дата публикации: 2010-09-29.

Method for fabricating a semiconductor component having at least one transistor cell and an edge cell

Номер патента: US20030232476A1. Автор: Hans Weber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-12-18.

Method for fabricating a semiconductor structure having heterogeneous crystalline orientations

Номер патента: SG150479A1. Автор: Liu Jinping,HSIA Liang Choo,Zhou Mei Sheng,Alex KH SEE. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-03-30.

Method of making semiconductor devices

Номер патента: US20060040479A1. Автор: Wen-Yi Hsieh,Zing-Way Pei,Cha-Hsin Lin,Shing-Chii Lu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2006-02-23.

Method of making semiconductor devices

Номер патента: US20060094135A1. Автор: Wen-Yi Hsieh,Zing-Way Pei,Cha-Hsin Lin,Shing-Chii Lu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2006-05-04.

Method for fabricating a high voltage power mosfet having a voltage sustaining region that includes doped columns formed by rapid diffusion

Номер патента: EP1468439A2. Автор: Richard A. Blanchard. Владелец: General Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-10-20.

Method of fabricating memory cell in semiconductor device

Номер патента: US20050189581A1. Автор: Tae Park. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-09-01.

Method for fabricating a semiconductor component having at least one transistor cell and an edge cell

Номер патента: US6833298B2. Автор: Hans Weber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-12-21.

Method for fabricating a high voltage power mosfet having a voltage sustaining region that includes doped columns formed by rapid diffusion

Номер патента: EP1468439A4. Автор: Richard A Blanchard. Владелец: General Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-01-07.

Nonvolatile memory and methods for manufacturing the same with molecule-engineered tunneling barriers

Номер патента: US20100246269A1. Автор: Tuo-Hung Hou,Edwin C. Kan. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2010-09-30.

Thin film transistor, method for fabricating the same, array substrate, and display device

Номер патента: US20200243576A1. Автор: Kui Gong,Xianxue Duan,Jilong Li. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: RU2748455C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-05-25.

Monolithic vertical junction field effect transistor and Schottky barrier diode fabricated from silicon carbide and method for fabricating the same

Номер патента: AU2005333516A1. Автор: Joseph N. Merrett,Michael S. Mazzola. Владелец: Semisouth Laboratories Inc. Дата публикации: 2007-02-15.

Monolithic vertical junction field effect transistor and schottky barrier diode fabricated from silicon carbide and method for fabricating the same

Номер патента: EP1779435B1. Автор: Joseph N. Merrett,Michael S. Mazzola. Владелец: Semisouth Laboratories Inc. Дата публикации: 2011-12-07.

Monolithic vertical junction field effect transistor and Schottky barrier diode fabricated from silicon carbide and method for fabricating the same

Номер патента: AU2005333516A8. Автор: Joseph N. Merrett,Michael S. Mazzola. Владелец: Semisouth Laboratories Inc. Дата публикации: 2008-09-25.

Monolithic vertical junction field effect transistor and schottky barrier diode fabricated from silicon carbide and method for fabricating the same

Номер патента: EP1779435A4. Автор: Michael S Mazzola,Joseph N Merrett. Владелец: Semisouth Laboratories Inc. Дата публикации: 2007-10-24.

Monolithic vertical junction field effect transistor and schottky barrier diode fabricated from silicon carbide and method for fabricating the same

Номер патента: WO2007001316A8. Автор: Michael S Mazzola,Joseph N Merrett. Владелец: Joseph N Merrett. Дата публикации: 2007-03-08.

Monolithic vertical junction field effect transistor and schottky barrier diode fabricated from silicon carbide and method for fabricating the same

Номер патента: WO2007001316A3. Автор: Michael S Mazzola,Joseph N Merrett. Владелец: Joseph N Merrett. Дата публикации: 2007-04-19.

Thin-film transistor and method for making the smae

Номер патента: US20010028057A1. Автор: Tsutomu Tanaka,Hisao Hayashi,Masahiro Fujino. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-10-11.

Group iii nitride semiconductor device, p-type contact structure, and method for fabricating group iii nitride semiconductor device

Номер патента: US20150255958A1. Автор: Masaki Ueno,Takashi Matsuura,Takao Nakamura,Takashi Kyono,Yohei Enya,Yuji Furushima,Tatsushi Hamaguchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-09-10.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20060157780A1. Автор: Satoe Miyata,Shuji Mizokuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-07-20.

Method for fabricating a semiconductor device and apparatus for inspecting a semiconductor

Номер патента: WO2005086211A1. Автор: Yasunobu Tagusa. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2005-09-15.

Method for fabricating electrode and semiconductor device including the same

Номер патента: US20240234148A1. Автор: Cha Deok Dong,Jeong Myeong Kim,Keo Rock CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for controlling surface charge on wafer surface in semiconductor fabrication

Номер патента: US20160307757A1. Автор: Chen-Hsiang LU,Shao-Yen Ku,Weibo Yu,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-20.

Method for increasing efficiency of doping and changing conductivity type of amorphous hydrogenated silicon slightly doped with acceptor impurities

Номер патента: RU2660220C2. Автор: Денис Михайлович Жигунов,Павел Константинович Кашкаров,Андрей Георгиевич Казанский,Павел Анатольевич Форш. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2018-07-05.

Methods for forming shallow junctions in semiconductor wafers

Номер патента: EP1019952A1. Автор: Daniel F. Downey. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2000-07-19.

Methods for fabricating integrated circuits with stressed semiconductor material

Номер патента: US20140017903A1. Автор: Abhijeet Paul,Abner Bello. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-01-16.

Method for manufacturing contact windows with a reduced size for semiconductor devices

Номер патента: RU2767484C1. Автор: Самвел Грантович Тадевосян,Андрей Григорьевич Шелегеда,Михаил Валентинович Хохлов. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Монолит". Дата публикации: 2022-03-17.

Systems and methods for microwave-radiation annealing

Номер патента: US20150206808A1. Автор: Chao-Hsiung Wang,Chun-Hsiung Tsai,Zi-Wei FANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-23.

Methods for forming ultrashallow junctions with low sheet resistance

Номер патента: WO2002086953A1. Автор: Daniel F. Downey. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2002-10-31.

Method for manufacturing quantum computing semiconductor device

Номер патента: EP4190742A1. Автор: Hiroshi Takeno,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-07.

Method and system for an improved power distribution network for use with a semiconductor device

Номер патента: US20060087024A1. Автор: Eiichi Hosomi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-04-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME, AND MICROPROCESSOR, PROCESSOR, SYSTEM, DATA STORAGE SYSTEM AND MEMORY SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140291601A1. Автор: Chung Su-Ock,CHOI Hye-Jung. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-02.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME, AND MICROPROCESSOR, PROCESSOR, SYSTEM, DATA STORAGE SYSTEM AND MEMORY SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140312294A1. Автор: LEE Jae-Yeon. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-10-23.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME, AND MICROPROCESSOR, PROCESSOR, SYSTEM, DATA STORAGE SYSTEM AND MEMORY SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140339488A1. Автор: Kang Hee-Sung. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-11-20.

Method and device for reconstructing a position of semiconductor devices on a wafer

Номер патента: US20230376850A1. Автор: Frank Schmidt,Andreas Steimer. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device and method for manufacturing the same, and micro processor, processor, system, data storage system and memory system including the semiconductor device

Номер патента: KR102043727B1. Автор: 송석표,김세동,서홍주. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2019-12-02.

Method for fabricating polycide dual gate in semiconductor device

Номер патента: US20010006832A1. Автор: Jong Bae,Ji Park,Dong Sohn. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-07-05.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150056730A1. Автор: Myung cheol Yoo,Sang Don Lee,Se Jong Oh,Kyu Sung Hwang,Moo Keun Park. Владелец: VERTICLE Inc. Дата публикации: 2015-02-26.

Protective structures for bond wires, methods for forming same, and test apparatus including such structures

Номер патента: US20020031847A1. Автор: Salman Akram. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Fuse box and method for fabricating the same and method for repairing the same in semiconductor device

Номер патента: US20090039463A1. Автор: Jeong-Kyu KANG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-02-12.

Method for forming gate oxide layer in semiconductor device

Номер патента: US20050142770A1. Автор: Yong Choi. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Method and system supporting production of a semiconductor device using a plurality of fabrication processes

Номер патента: EP2056338A3. Автор: Masood Syaed. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-03-06.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20170069503A1. Автор: Kazuyuki Higashi,Mika Fujii,Kazumichi Tsumura,Takashi Shirono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Method and apparatus for providing mask in semiconductor processing

Номер патента: WO2007136515A1. Автор: Jonathan Kim,Camelia Rusu,Yoojin Kim. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2007-11-29.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20240213023A1. Автор: Chan Hwang,Seung Yoon Lee,Jeong Jin Lee,Doo Gyu LEE,Min-Cheol KWAK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for fabricating semiconductor device using tilted etch process

Номер патента: US20220076959A1. Автор: Huan-Yung Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-10.

Methods for fabricating a compound semiconductor protection device for low voltage and high speed data lines

Номер патента: US20030176042A1. Автор: Vrej Barkhordarian. Владелец: Linfinity Microelectronics Inc. Дата публикации: 2003-09-18.

Semiconductor device including nonvolatile memory and method for fabricating the same

Номер патента: US7282413B2. Автор: Masataka Takebuchi,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-10-16.

Semiconductor device including nonvolatile memory and method for fabricating the same

Номер патента: US20090283815A1. Автор: Masataka Takebuchi,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-11-19.

Methods for thermal treatment of a semiconductor layer in semiconductor device

Номер патента: US20230138575A1. Автор: LEI Liu,Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Method for forming fine patterns in semiconductor device

Номер патента: US20030186547A1. Автор: YOON Hyun,Cha Koh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-10-02.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230215855A1. Автор: Chien-Ting Lin,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Lin,Shih-Hung Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-06.

Method for fabricating a semiconductor device utilizing hemispherical grain silicon and doping to increase capacitance

Номер патента: US6620708B1. Автор: Hong Goo Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-09-16.

Package structure and method for fabricating same

Номер патента: US20240047437A1. Автор: Mingxing ZUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Method for fabricating trihalodisilane and method for fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20230264963A1. Автор: Min Soo Kang,Byung Keun Hwang,Woo Ri Bae,Byeong Ok Cho,Sun Hye Hwang,Sheby Mary George,Ji Eun Yun,Seong Tae OH. Владелец: WONIK MATERIALS CO Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US7220638B2. Автор: Osamu Yamaguchi,Kouichi Tani. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-22.

System and method for reducing mutual coupling for noise reduction in semiconductor device packaging

Номер патента: US20220208672A1. Автор: Ajay Kumar Sharma,Rishi BHOOSHAN,Sumit Varshney,Frank Martin Paglia. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2022-06-30.

Semiconductor device with composite conductive features and method for fabricating the same

Номер патента: US20230299023A1. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device with composite conductive features and method for fabricating the same

Номер патента: US20240274554A1. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Substrate cleaning composition, method for cleaning substrate using the same, and method for fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US12046464B2. Автор: Hyun Jin Kim,Jong Kyoung Park,Hoon Han,Hyo San LEE,Mi Hyun Park,Ga Young SONG,Jung Youl LEE,Han Sol LIM. Владелец: Dongjin Semichem Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device with thermal release layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20220165639A1. Автор: Jar-Ming Ho. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: US7666738B2. Автор: Dong-Woo Shin,Jin-woong Kim,Jong-Min Lee,Hyung-Bok Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-02-23.

Method for fabricating semiconductor apparatus using board frame

Номер патента: US6948239B2. Автор: Takahiro Oka. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-27.

Semiconductor device with composite conductive features and method for fabricating the same

Номер патента: US20240250047A1. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Methods for fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20100311242A1. Автор: Jongwook Kye,Yunfei Deng. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2010-12-09.

Semiconductor device having optimized shallow junction geometries and method for fabrication thereof

Номер патента: US20050245021A1. Автор: Xin Zhang,Srinivasan Chakravarthi,P.R. Chidambaram,Brian Hornung,Lance Robertson. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2005-11-03.

Semiconductor device with alignment marks and method for fabricating the same

Номер патента: US12094833B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20080157290A1. Автор: Eunjong SHIN. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Method for fabricating semiconductor device using tilted etch process

Номер патента: US20220139716A1. Автор: Huan-Yung Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-05.

Apparatus for polishing a wafer and method for fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US20230170222A1. Автор: Ki Hoon Jang,Bo Un Yoon,Chung Ki Min,Dong Hoon KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-01.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20040185671A1. Автор: Seong-Wook Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-09-23.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20230064701A1. Автор: Tsung-Hsun Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-03-02.

A method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: MY151464A. Автор: Lee Hing Wah,Daniel Bien Chia SHENG,Rozina Abdul Rani,Mohd Ismahadi Syono. Владелец: MIMOS BERHAD. Дата публикации: 2014-05-30.

Method for Fabricating Semiconductor Device

Номер патента: US20100248434A1. Автор: Jin-Ki Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-09-30.

Photoresist compositions and methods for fabricating semiconductor devices using the same

Номер патента: US20200348594A1. Автор: Soo Young Choi,Tsunehiro Nishi,Brian Cardineau,Sangyoon Woo,Chawon KOH,Jason Stowers. Владелец: Inpria Corp. Дата публикации: 2020-11-05.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20120244713A1. Автор: Sung Koo Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-09-27.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240243124A1. Автор: Chun-Hsien Lin,Shih-Min Lu,Chih-Wei Yang,Yao-Jhan Wang,Chi-Sheng Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Plasma processing apparatus and method for fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20240234096A1. Автор: Sang Ki Nam,Jun Ho Lee,Sang Chul Han,Hyun Jae Lee,Yi Hwan Kim,Nam Jin CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20180136554A1. Автор: Jin Su Kim,Dong Wook Shin,Sung Won Kwon,Mun Ja KIM,Ji Beom YOO,Hwan Chul Jeon. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2018-05-17.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20110207305A1. Автор: Jin-Ki Jung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-25.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: EP4236662A1. Автор: Yi-Wen Chen,Yu-Hsiang Lin,Jia-Rong Wu,Hung-Yi Wu,Kun-Sheng Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-30.

Method for fabricating a fine pattern in a semiconductor device

Номер патента: US20080003834A1. Автор: Jae-Young Lee,Sung-Kwon Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-01-03.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20120108073A1. Автор: Hae-Jung Lee,Eun-Mi Kim,Kyung-Bo Ko. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-05-03.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US8283240B2. Автор: Ken Nakata,Akira Furuya,Isao Makabe,Keiichi Yui,Takamitsu Kitamura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-10-09.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US10672772B2. Автор: Hun Lee,Deok-Sin Kil,Beom-Yong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-06-02.

Method for fabricating a capacitor

Номер патента: US20020052090A1. Автор: Tae-Woo Jung,Hean-Cheol Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-02.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20070117390A1. Автор: Ki-Won Nam. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-05-24.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20110159694A1. Автор: Young-Bang Lee,Ok-Min Moon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-30.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20110269304A1. Автор: Kwon Hong,Gyu-Hyun Kim,Cha-deok Dong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-11-03.

Method for fabricating capacitor of semiconductor device

Номер патента: US20020061622A1. Автор: Young Chen. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-05-23.

Photoresist compositions and methods for fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20230130025A1. Автор: Tsunehiro Nishi,Ji Young Park,Min Young Lee,Chang Soo Woo,Cha Won Koh,Hyun Jae Lee,Dong Il Shin. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-27.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20120003820A1. Автор: Ken Nakata,Akira Furuya,Isao Makabe,Keiichi Yui,Takamitsu Kitamura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

Wafer-level chip scale package and method for fabricating and using the same

Номер патента: WO2005008724A3. Автор: Sang-Do Lee,Ji-Hwan Kim,Rajeev Joshi,Min-hyo Park,Yoon-Hwa Choi,Chung-Li Wu. Владелец: Chung-Li Wu. Дата публикации: 2009-03-26.

Semiconductor package and method for fabricating base for semiconductor package

Номер патента: EP4235762A3. Автор: Wen-Sung Hsu,Ta-Jen Yu,Tzu-Hung Lin,Andrew C. Chang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2023-09-20.

Semiconductor device fabricating method

Номер патента: US20090017608A1. Автор: Kenji Tateiwa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-15.

Resin composition for forming fine patterns, method for fabricating semiconductor device using the composition and semiconductor device fabricated by the method

Номер патента: WO2008018749A1. Автор: Sang Kyun Kim,Tae Ho Kim,Chang Soo Woo,Dong Seon Uh,Sung Jae Lee,Hee Jae Kim,Sang Geun Yun,Yong Sik Yoo. Владелец: CHEIL INDUSTRIES INC.. Дата публикации: 2008-02-14.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US7602055B2. Автор: Yoshitaka Aiba,Keiji Nosaka. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-10-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20070134843A1. Автор: Yoshitaka Aiba,Keiji Nosaka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-06-14.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11600493B2. Автор: YU HUANG,Fulong Qiao,Pengkai Xu,Wenyan Sun. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-03-07.

Method for fabricating capacitor

Номер патента: US20070202687A1. Автор: Ky-Hyun Han. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-08-30.

Board frame, method for fabricating thereof and method for fabricating semiconductor apparatus

Номер патента: US20030082855A1. Автор: Takahiro Oka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-01.

Method for fabricating multiple thickness insulator layers

Номер патента: US6916674B2. Автор: Pang-Shiu Chen,Chee-Wee Liu,Buo-Chin Hsu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2005-07-12.

Solder bump transfer sheet, method for producing the same, and methods for fabricating semiconductor device and printed board

Номер патента: US20040149812A1. Автор: Masaharu Yamamoto. Владелец: Sumitomo Special Metals Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-05.

Fuse part in semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20120088361A1. Автор: Byung-Duk LEE. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-04-12.

Fuse part in semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20090243033A1. Автор: Byung-Duk LEE. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-10-01.

Solder bump transfer sheet, method for producing the same, and methods for fabricating semiconductor device and printed board

Номер патента: US20020106883A1. Автор: Masaharu Yamamoto. Владелец: Sumitomo Special Metals Co Ltd. Дата публикации: 2002-08-08.

Gate electrode doping method for forming semiconductor integrated circuit microelectronic fabrication with varying effective gate dielectric layer thicknesses

Номер патента: US20030232473A1. Автор: Ih-Chin Chen,Ling-Yen Yeh,Jyh-Chyurn Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-12-18.

Method for controlling temperature of furnace in semiconductor fabrication process

Номер патента: US20190096714A1. Автор: Jih-Churng Twu,Yueh-Ting YANG,Yi-Chi Huang,Feng-Yu CHEN,Shu-Han CHAO,Jian-Lun LO,Yuan-Hsiao Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Apparatus for fabricating ingot and method for fabricating ingot

Номер патента: WO2013019027A3. Автор: Bum Sup Kim,Chang Hyun Son. Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2013-04-11.

Flip-chip packaging substrate and method for fabricating the same

Номер патента: US20190348375A1. Автор: Shih-Ping Hsu,Pao-Hung Chou,Tung-Yao Kuo,Chun-Hsien Yu. Владелец: Phoenix Pioneer Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-14.

Electronic package module and method for fabrication of the same

Номер патента: US20240266236A1. Автор: Li-Cheng Shen,Chao-Hsuan Wang. Владелец: Usi Science And Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for removing mottled etch in semiconductor fabricating process

Номер патента: US7276452B2. Автор: Hyung Seok Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-02.

Method for fabricating well-aligned zinc oxide microrods and nanorods and application thereof

Номер патента: US20140065766A1. Автор: Ching-Fuh Lin,Hua-Long Su. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2014-03-06.

Method for controlling temperature of furnace in semiconductor fabrication process

Номер патента: US20200312685A1. Автор: Jih-Churng Twu,Yueh-Ting YANG,Yi-Chi Huang,Feng-Yu CHEN,Shu-Han CHAO,Jian-Lun LO,Yuan-Hsiao Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Method for fabricating flip-attached an underfilled semiconductor devices

Номер патента: US20060214314A1. Автор: Masazumi Amagai,Masako Watanabe. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2006-09-28.

Method for increasing adhesion

Номер патента: RU2751805C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2021-07-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20020137254A1. Автор: Toshiyuki Fukuda,Hiroaki Fujimoto,Toru Nomura,Masanori Minamio,Ryuichi Sahara. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-26.

Wafer supporting structure, and device and method for manufacturing semiconductor

Номер патента: US20170213759A1. Автор: Zheng-Yang Pan,Chih-Yu MA,Chia-Chiung LO,Yii-Chi LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-27.

Method for Etching Features in a Layer in a Substrate

Номер патента: US20240234158A1. Автор: Yusuke Yoshida,Ken Kobayashi,Yun Han,Aelan Mosden,Jason MARION,Indroneil Roy. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory peripheral circuit having recessed channel transistors and method for forming the same

Номер патента: WO2023212886A1. Автор: Shao-Fu Sanford Chu,Cheng GAN. Владелец: Yangtze Advanced Memory Industrial Innovation Center Co., Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Fabrication method and apparatus for fabricating a spatial structure in a semiconductor substrate

Номер патента: US20030082883A1. Автор: Wolfgang Welser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-05-01.

Methods and systems for alignment to embedded patterns in semiconductor device processing

Номер патента: EP3935667A1. Автор: Daniel G. Patterson,Borirak OPASANONT,Abraham SALDIVAR-VALDES. Владелец: Utica Leaseco LLC. Дата публикации: 2022-01-12.

Methods and systems for alignment to embedded patterns in semiconductor device processing

Номер патента: WO2020181177A1. Автор: Daniel G. Patterson,Borirak OPASANONT,Abraham SALDIVAR-VALDES. Владелец: Alta Devices, Inc.. Дата публикации: 2020-09-10.

Method for fabricating electronic package

Номер патента: US20210175196A1. Автор: Chun-Chi Ke,Hsin-Yi Liao,Cheng-Kai Chang,Bo-Hao Ma. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-10.

Method for fabricating a semiconductor device using a modeling algorithm to model the proximity effect from the sub-layer

Номер патента: US20120204135A1. Автор: No Young Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-08-09.

Method for fabricating mask, method for fabricating semiconductor device using the mask, and the semiconductor device fabricated using the mask

Номер патента: US20220302176A1. Автор: Myoung-ho KANG,Seong-Yul PARK,Yong-Ah KIM,Dong Hyo PARK,Chang Hyeon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-22.

Method for fabricating mask, method for fabricating semiconductor device using the mask, and the semiconductor device fabricated using the mask

Номер патента: US12068327B2. Автор: Myoung-ho KANG,Seong-Yul PARK,Yong-Ah KIM,Dong Hyo PARK,Chang Hyeon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200235028A1. Автор: Hyung Seok Lee,Sung-Bum BAE,Zin-Sig KIM. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2020-07-23.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20190096782A1. Автор: Hyung Seok Lee,Sung-Bum BAE,Zin-Sig KIM. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2019-03-28.

Semiconductor device with leakage current guide path and method for fabricating the same

Номер патента: US12100733B2. Автор: Wei-Zhong Li,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Method for self-monitoring of breakdown in semiconductor components and semiconductor component constructed thereof

Номер патента: US20100097084A1. Автор: Erich Kasper,Michael Morschbach. Владелец: UNIVERSITAET STUTTGART. Дата публикации: 2010-04-22.

Method for self-monitoring of breakdown in semiconductor components and semiconductor component constructed thereof

Номер патента: US8519732B2. Автор: Erich Kasper,Michael Morschbach. Владелец: UNIVERSITAET STUTTGART. Дата публикации: 2013-08-27.

Method for fabrication of semiconductor device

Номер патента: US12062722B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Tatsuya Honda,Takehisa Hatano. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Integrated circuits with magnetic random access memory (mram) devices and methods for fabricating such devices

Номер патента: US20190237658A1. Автор: Bin Liu,Eng Huat Toh,Kangho Lee,Elgin Kiok Boone Quek,Yinjie Ding. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2019-08-01.

Method for fabricating schottky barrier tunnel transistor

Номер патента: US20080132049A1. Автор: Seong-Jae Lee,Tae-Youb KIM,Moon-Gyu Jang,Byoung-Chul Park,Chel-jong Choi,Yark-Yeon KIM,Myung-Sim JUN. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2008-06-05.

Epitaxial structure of N-face group III nitride, active device, and method for fabricating the same with integration and polarity inversion

Номер патента: US10833163B2. Автор: Chih-Shu Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-11-10.

Method for fabricating Schottky barrier tunnel transistor

Номер патента: US7745316B2. Автор: Seong-Jae Lee,Tae-Youb KIM,Moon-Gyu Jang,Byoung-Chul Park,Chel-jong Choi,Yark-Yeon KIM,Myung-Sim JUN. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2010-06-29.

Spherical semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20020011665A1. Автор: Kenji Shimokawa,Kohei Tatsumi,Nobuo Takeda,Eiji Hashino,Atsuyuki Fukano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-31.

Quantum dot of single electron memory device and method for fabricating thereof

Номер патента: US20030054624A1. Автор: Il-Gweon Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-03-20.

Semiconductor device and method for driving the same

Номер патента: US20140124778A1. Автор: Hideki Uochi,Koichiro Kamata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-08.

Semiconductor device and method for driving the same

Номер патента: US20170025172A1. Автор: Hideki Uochi,Koichiro Kamata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-26.

Semiconductor device including trimmed-gates and method for generating layout of same

Номер патента: US20180342523A1. Автор: Yu-Jen Chen,Ling-Sung Wang,Wen-Hsi Lee,I-Shan Huang,Chan-yu HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-11-29.

Method for extracting trap time constant of gate dielectric layer in semiconductor device

Номер патента: US20160153923A1. Автор: Xing Zhang,Shaofeng Guo,Ru Huang,Runsheng Wang,Xiaobo JIANG,Pengpeng REN,Mulong LUO. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-06-02.

Materials and structures for optical and electrical iii-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US20210296516A1. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-09-23.

Materials and structures for optical and electrical III-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US11631775B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-04-18.

Detection and Reduction of Dielectric Breakdown in Semiconductor Devices

Номер патента: US20080211500A1. Автор: Masayasu Miyata,William A. Goddard,Jamil Tahir-Kheli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-04.

Capacitor structure, semiconductor memory device including the same, method for fabricating the same, and method for fabricating semiconductor memory device including the same

Номер патента: US12094924B2. Автор: Su Hwan Kim,Sang Yeol Kang,Kyoo Ho Jung,Won Sik CHOI,Dong Kwan BAEK,Yu Kyung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Method for fabricating semiconductor device and method for operating the same

Номер патента: US20170186948A1. Автор: Kyung-Wan KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-29.

Method for detecting EPI induced buried layer shifts in semiconductor devices

Номер патента: US20060038553A1. Автор: Xiaoju Wu,Qingfeng Wang,Xinfen Chen,John Arch. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2006-02-23.

Pad arrangement in semiconductor memory device and method of driving semiconductor device

Номер патента: US20040256641A1. Автор: Jung-Bae Lee,Mee-Hyun Ahn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-23.

Lens structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20180166594A1. Автор: Chien-Chih Chen,Su-Yu Yeh,Tzu-Shin Chen,Mu-Han Cheng,Chun-Hai Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Method for fabricating semiconductor device, and method for fabricating display device

Номер патента: US20130089933A1. Автор: Katsuyuki Suga. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-04-11.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20230215769A1. Автор: Nam Yoon Kim,Myung Jun Lee,Wook Rae KIM,Doory KIM,Dokyung JEONG,Uidon JEONG,Jae Hwang JUNG,SeokRan GO. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2023-07-06.

Method for the fabrication of bonding solder layers on metal bumps with improved coplanarity

Номер патента: US20130052817A1. Автор: Tim Hsiao. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2013-02-28.

Systems and methods for determining measurement location in semiconductor wafer metrology

Номер патента: WO2022071981A1. Автор: Asaf Granot. Владелец: KLA Corporation. Дата публикации: 2022-04-07.

Systems and methods for determining measurement location in semiconductor wafer metrology

Номер патента: EP4200899A1. Автор: Asaf Granot. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2023-06-28.

Method of fabricating capacitor for semiconductor device

Номер патента: US6190993B1. Автор: Byung Jae Choi,Soo Jin Seo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-02-20.

Resilient interconnect structure for electronic components and method for making the same

Номер патента: EP1200992A1. Автор: Gary W. Grube,Benjamin N. Eldridge,Gaetan L. Mathieu,Richard A. Larder. Владелец: Formfactor Inc. Дата публикации: 2002-05-02.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20220310626A1. Автор: Zhongming Liu,Longyang Chen,Hongfa Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor device with protection structure and air gaps and method for fabricating the same

Номер патента: US20210327823A1. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Method for transferring a graphene sheet to metal contact bumps of a substrate for use in semiconductor device package

Номер патента: US8974617B2. Автор: Chung-Shi Liu,Yu-Hsiang Hu. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2015-03-10.

Method for fabricating semiconductor device with protection structure and air gaps

Номер патента: US20210358862A1. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-18.

Apparatus for fabricating a semiconductor device and method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US12009238B2. Автор: Chung-Hung Lin,Chih-Wei Wen,Po-Chien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Apparatus for fabricating a semiconductor device and method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20210327735A1. Автор: Chung-Hung Lin,Chih-Wei Wen,Po-Chien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Method for transferring a graphene sheet to metal contact bumps of a substrate for use in semiconductor device package

Номер патента: US20140166194A1. Автор: Chung-Shi Liu,Yu-Hsiang Hu. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2014-06-19.

Apparatus for fabricating a semiconductor device and method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20200243360A1. Автор: Chung-Hung Lin,Chih-Wei Wen,Po-Chien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

Apparatus for fabricating a semiconductor device and method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20240297057A1. Автор: Chung-Hung Lin,Chih-Wei Wen,Po-Chien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240072097A1. Автор: Shih-Hung Tsai,Po-Kuang Hsieh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210043634A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Semiconductor device with programmable structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230269935A1. Автор: Wei-Zhong Li,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Inductor for semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20100164060A1. Автор: Ji-Houn Jung. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Semiconductor device with alignment marks and method for fabricating the same

Номер патента: US11756893B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device having a thermoset-containing dielectric material and methods for fabricating the same

Номер патента: US20010005548A1. Автор: Konstantinos Papathomas,Mark Poliks,Donald Farquhar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-06-28.

Architectures Enabling Back Contact Bottom Electrodes For Semiconductor Devices

Номер патента: US20190074393A1. Автор: Venkat Selvamanickam. Владелец: UNIVERSITY OF HOUSTON SYSTEM. Дата публикации: 2019-03-07.

Image sensor and method for fabricating the same

Номер патента: US20080315271A1. Автор: In Cheol Baek,Kyung Min Park,Han Choon Lee,Sun Chan LEE. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-12-25.

Compound for filling small gaps in semiconductor device, composition comprising the compound and process for fabricating semiconductor capacitor

Номер патента: WO2010027128A8. Автор: Tae Ho Kim,Chang Soo Woo,Sung Jae Lee,Hee Jae Kim,Sang Geun Yun. Владелец: CHEIL INDUSTRIES INC.. Дата публикации: 2011-05-19.

Method for forming inductor in semiconductor device

Номер патента: US20050037589A1. Автор: Young Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-02-17.

Semiconductor device with alignment marks and method for fabricating the same

Номер патента: US12094834B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20060141734A1. Автор: Jae Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-29.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US7338855B2. Автор: Jae Suk Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-04.

Semiconductor device and method for fabrication thereof

Номер патента: EP1223622A3. Автор: Kazuaki c/o FUJITSU LIMITED KURIHARA,Kenji c/o Fujitsu Limited Maruyama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-07-28.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220029093A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Sheng-Huang Huang,Hung-Cho WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-27.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12027490B2. Автор: Alexander Heinrich,Thorsten Scharf,Stefan Schwab,Richard Knipper. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-07-02.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20130115748A1. Автор: Su-Young Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-05-09.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210305316A1. Автор: Yu-Ping Wang,Rai-Min Huang,Jia-Rong Wu,Ya-Huei Tsai,I-Fan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: EP4355064A2. Автор: Yu-Ping Wang,Rai-Min Huang,Jia-Rong Wu,Ya-Huei Tsai,I-Fan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-17.

Semiconductor device with interface structure and method for fabricating the same

Номер патента: US11751334B2. Автор: Chun-Huang Yu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Layout modification method for exposure manufacturing process

Номер патента: US20190131290A1. Автор: Chin-Hsiang Lin,Chun-Kuang Chen,Chih-Tsung Shih,Po-Chung Cheng,Li-Jui Chen,Hung-Wen Cho,Fu-Jye Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-02.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12041784B2. Автор: Chun-Hsien Lin,Shih-Hung Tsai,Hon-Huei Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: EP4355064A3. Автор: Yu-Ping Wang,Rai-Min Huang,Jia-Rong Wu,Ya-Huei Tsai,I-Fan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-17.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device

Номер патента: US20080173980A1. Автор: Yoshitaka Nakamura,Tomohiro Uno. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-07-24.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12082396B2. Автор: Kun Young Lee,Seo Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor package and method for manufacturing a semiconductor package

Номер патента: WO2023222204A1. Автор: Gilberto Curatola,Mirko Bernardoni,Lasse Petteri PALM. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device and method for setting voltage in semiconductor device

Номер патента: US20160291628A1. Автор: Makoto Suwada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-10-06.

Inductor structure having conductive sheets having fan plate shape arranged in ring structure and fabrication method thereof, electronic package and fabrication method thereof, and method for fabricating packaging carrier

Номер патента: US12062685B2. Автор: Shih-Ping Hsu. Владелец: Phoenix Pioneer Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Layout modification method for exposure manufacturing process

Номер патента: US20210296303A1. Автор: Chin-Hsiang Lin,Chun-Kuang Chen,Chih-Tsung Shih,Po-Chung Cheng,Li-Jui Chen,Hung-Wen Cho,Fu-Jye Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Method for surface roughness enhancement in semiconductor capacitor manufacturing

Номер патента: US20030114005A1. Автор: Helmut Tews,Rajarao Jammy,Uwe Schroeder,Stephan Kudelka,Irene Mcstay,Stephen Rahn. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-06-19.

Vertical semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210335800A1. Автор: Sung-Hoon Lee,Jong-Hyun Yoo,Ki-Jun Yun,Eun-Ho Kim,Eun-Joo Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Bond pads and methods for fabricating the same

Номер патента: US20070080460A1. Автор: Chen-Hua Yu,Shwang-Ming Jeng,Yung-Cheng Lu,Ting-Yu Shen,Huilin Chang,Yichi Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-04-12.

Method for improved semiconductor processing equipment tool pedestal / pad vibration isolation and reduction

Номер патента: US20180283486A1. Автор: Suk K. Kim-Whitty. Владелец: Sk Commercial Construction Inc. Дата публикации: 2018-10-04.

Semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US20020050650A1. Автор: Atsushi Kobayashi,Makoto Inai,Masaaki Sueyoshi,Masaaki Kanae. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-02.

Method for improved semiconductor processing equipment tool pedestal/pad vibration isolation and reduction

Номер патента: WO2018184033A1. Автор: Suk K. Kim-Whitty. Владелец: SK COMMERCIAL CONSTRUCTION, INC.. Дата публикации: 2018-10-04.

Layout modification method for exposure manufacturing process

Номер патента: US20190348409A1. Автор: Chin-Hsiang Lin,Chun-Kuang Chen,Chih-Tsung Shih,Po-Chung Cheng,Li-Jui Chen,Hung-Wen Cho,Fu-Jye Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-11-14.

Electronic device and method for fabricating the same, spiral inductor device and method for fabricating the same

Номер патента: EP2416358A3. Автор: Ja-Hao Chen. Владелец: Richwave Technology Corp. Дата публикации: 2013-09-25.

Fabricating method for quantum dot of active layer of LED by nano-lithography

Номер патента: US20090087935A1. Автор: Ming-Nung Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-04-02.

Method for fabricating solid-state image pickup device using charged-coupled devices

Номер патента: WO2006080595A1. Автор: Kyung-sik Kim. Владелец: International Display Solutions Co., Ltd.. Дата публикации: 2006-08-03.

Semiconductor package, method for fabricating the same, and semiconductor device

Номер патента: US7402898B2. Автор: Katsutoshi Shimizu,Tatsuya Hirano,Hisaho Inao. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-22.

Capacitor for semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090127655A1. Автор: Seung-Min Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-05-21.

Method for fabricating 3-dimensional solenoid and device fabricated

Номер патента: US20030104650A1. Автор: Yi-Shiau Chen,Jing-Hung Chiou,Kaihsiang Yen,Su-I Cheng. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2003-06-05.

Stacked semiconductor package structure having films and method for manufacturing the films

Номер патента: US20020151102A1. Автор: CHEN PENG,Wen Lee,Jichen Wu,Nai Yeh,Meng Tsai,C.F. Wang. Владелец: Kingpak Technology Inc. Дата публикации: 2002-10-17.

Method for making diodes for middle-wave ir range of spectrum

Номер патента: RU2647978C2. Автор: Наталья Дмитриевна Ильинская,Борис Анатольевич Матвеев,Максим Анатольевич Ременный,Анна Александровна Усикова,Ольга Вениаминовна Иванова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ИоффеЛЕД". Дата публикации: 2018-03-21.

Method for fabricating display panel, display panel and display device

Номер патента: US20210050561A1. Автор: Tao Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-18.

Light emitting diode package with odds of lead fram removed from its surface and method for fabricating the same

Номер патента: WO2008072862A1. Автор: Jong Kook Lee. Владелец: SEOUL SEMICONDUCTOR CO., LTD.. Дата публикации: 2008-06-19.

Display panel, method for fabricating display panel, and display device

Номер патента: US20240222556A1. Автор: MING Yang,Feng Yu,Ping An,Quanpeng YU,Jiaxian Liu. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11728329B2. Автор: Sang Yun Nam. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Method for fabricating intermediate member of electronic element and method for fabricating electronic element

Номер патента: US20160164032A1. Автор: Yuka ISAJI. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-09.

Device mounting board, semiconductor module, and method for fabricating the device mounting board

Номер патента: US9271389B2. Автор: Yasuhiro Kohara,Masayuki Nagamatsu,Koutaro DEGUCHI. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-23.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12051689B2. Автор: Sang Yun Nam. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Phase shift mask with enhanced resolution and method for fabricating the same

Номер патента: US8257886B2. Автор: Sang Jin Jo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-09-04.

Phase Shift Mask with Enhanced Resolution and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20100233588A1. Автор: Sang Jin Jo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-09-16.

Systems and methods for producing ultrapure water for semiconductor fabrication processes

Номер патента: US20230295027A1. Автор: En Tian LIN,Shih-Hsiung Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

A method for fabricating a high performance pin focal plane structure using three handle wafers

Номер патента: EP1935024B1. Автор: Andrew G. Toth,Christopher L.. Fletcher. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2012-05-16.

Solid state image sensor array for correcting curvilinear distortion of a camera lens system and method for fabricating the image sensor array

Номер патента: EP1333498A3. Автор: Gary B. Gordon. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2005-05-04.

Semiconductor device having test pattern for measuring epitaxial pattern shift and method for fabricating the same

Номер патента: US20080149926A1. Автор: Chang Eun Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-06-26.

Resin-encapsulation semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20030015775A1. Автор: Toru Nomura,Masanori Minamio. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-23.

Systems and methods for reducing contact to gate shorts

Номер патента: US20080150049A1. Автор: Nadia Rahhal-Orabi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-06-26.

Systems and methods for reducing contact to gate shorts

Номер патента: US20100022079A1. Автор: Nadia Rahhal-Orabi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-28.

Systems and methods for reducing contact to gate shorts

Номер патента: US20110136314A1. Автор: Nadia Rahhal-Orabi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-09.

Method for fabricating defect free silicon mold insert

Номер патента: US20140353277A1. Автор: Chong-Ming Lee,Chung-Hua Lee. Владелец: Greencore Technology Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-04.

Laser treatment method for dividing or scribing substrate by forming wedge-like damaged structures

Номер патента: RU2674916C2. Автор: Эгидьюс ВАНАГАС,Дзьюгас КИМБАРАС,Лауринас ВЕСЕЛИС. Владелец: Эвана Текнолоджис, Уаб. Дата публикации: 2018-12-14.

Semiconductor device and method for fabrication

Номер патента: US20200135803A1. Автор: Baohua Niu,Da-Shou Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Mark configuration, wafer with at least one mark configuration and method for the fabrication of at least one mark configuration

Номер патента: US20030052421A1. Автор: Hans-Georg Frohlich,Uwe Schröder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-03-20.

Method and System for Modeling in Semiconductor Fabrication

Номер патента: US20110054819A1. Автор: Chun-Hsien Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-03-03.

Method for fabricating flexible electrical devices

Номер патента: US20130267061A1. Автор: Chyi-Ming Leu,Yung-Lung Tseng,Chi-Fu Tseng,Hsueh-Yi Liao. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2013-10-10.

Materials and methods for fabricating superconducting quantum integrated circuits

Номер патента: US20220393089A1. Автор: Daniel Yohannes,John Vivalda,Mario Renzullo,Alexander Kirichenko. Владелец: SeeQC, Inc.. Дата публикации: 2022-12-08.

Display panel and method for fabricating the same

Номер патента: US9136500B2. Автор: Min-Chuan Wu,Ming-Hung Chung,Chun-pin Liu,Jion-Ting WU. Владелец: Hannstar Display Corp. Дата публикации: 2015-09-15.

Capped semiconductor based sensor and method for its fabrication

Номер патента: SE545446C2. Автор: Stephan Schroder. Владелец: SENSEAIR AB. Дата публикации: 2023-09-12.

Capped semiconductor based sensor and method for its fabrication

Номер патента: SE2151590A1. Автор: Stephan Schroder. Владелец: SENSEAIR AB. Дата публикации: 2023-06-23.

Methods for patterning films, fabricating organic electroluminescence display and fabricating thin film transistor array substrate

Номер патента: US20070072322A1. Автор: Hsi-Ming Chang. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2007-03-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20010019864A1. Автор: Osamu Tsuboi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-09-06.

Low profile reinforced package-on-package semiconductor device

Номер патента: WO2016100304A1. Автор: Dong Wook Kim,Hong Bok We,Young Kyu Song,Kyu-Pyung Hwang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-06-23.

Method for fabricating organic light emitting diode display

Номер патента: US20200227638A1. Автор: Jing Wang,San ZHU. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-16.

Magnetoelectronics device and method for fabricating the same

Номер патента: WO2004051742A1. Автор: Kelly W. Kyler,Nicholas D. Rizzo,Mark A. Durlam,Jaynal A. Molla,John J. D'Urso,Jeffrey H. Baker,Mark F. Deherrera,Gregory W. Grynkewich,Earl D. Fuchs,Brian R. Butcher,J. Jack Ren. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2004-06-17.

Method for improving a drive current for semiconductor devices on a wafer-by-wafer basis

Номер патента: US20060035394A1. Автор: Yuqing Xu,James Vaughan,James Friedmann,Jeffrey Loewecke,Kaneez Banu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2006-02-16.

Display panel and method for fabricating the same

Номер патента: US20140252329A1. Автор: Min-Chuan Wu,Ming-Hung Chung,Chun-pin Liu,Jion-Ting WU. Владелец: Hannstar Display Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

Array substrate, method for fabricating the same and liquid crystal display device

Номер патента: US20120292624A1. Автор: Yang Sun,YUTING ZHANG,Jing LV. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-22.

Power semiconductor module, method for manufacturing the same and electrical converter

Номер патента: EP4020531A1. Автор: Gernot Riedel,Slavo Kicin,Jürgen Schuderer,Fabian MOHN. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-06-29.

Structure and method for power field effect transistor

Номер патента: US8361839B1. Автор: Sreenivasan K. Koduri. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-01-29.

Semiconductor device, true random number generator, and method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20240256224A1. Автор: Xinyu Bao,Jeremy Guy,Elia Ambrosi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for fabricating a mim capacitor having increased capacitance density and related structure

Номер патента: WO2006057775B1. Автор: Guangming Li,Dieter Dornisch,Kenneth M Ring,Tinghao F Wang,David J Hoaward. Владелец: David J Hoaward. Дата публикации: 2006-12-14.

Radio frequency semiconductor device and method for fabricating a radio frequency semiconductor device

Номер патента: EP4421866A1. Автор: Walter Hartner,Simon Kornprobst,Tuncay ERDOL. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-28.

Image sensor, micro-lens array, and method for fabricating micro-lens array with different heights in image sensor

Номер патента: US20190206912A1. Автор: Yu-Jui HSIEH,Po-Nan Chen. Владелец: Himax Technologies Ltd. Дата публикации: 2019-07-04.

Structure and method for power field effect transistor

Номер патента: US20130034936A1. Автор: Sreenivasan K. Koduri. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-02-07.

Chip id applying method suitable for use in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20110189798A1. Автор: Shigenari Aoki. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-04.

Radio frequency semiconductor device and method for fabricating a radio frequency semiconductor device

Номер патента: US20240290733A1. Автор: Walter Hartner,Simon Kornprobst,Tuncay ERDOL. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for fabricating a micro resistance layer and method for fabricating a micro resistor

Номер патента: US20230207164A1. Автор: Shen-Li Hsiao,Chih-Wei Chi. Владелец: Yageo Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Method for fabricating a magneto-optic modulator

Номер патента: US6500498B1. Автор: Carol M. Ford,Randy J. Ramberg. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2002-12-31.

Methods for fabrication of intercalated lithium batteries

Номер патента: US20170005359A1. Автор: Erik K. Koep. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-01-05.

Method for Manufacturing PCB, Display Module and Method for Fabricating Display Module

Номер патента: US20120252301A1. Автор: Chien-Hung Chen,Wen-Hsin Lin,Ching-Kun Lai. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-10-04.

Method for fabricating Bi thin film and device using the same

Номер патента: US20040179309A1. Автор: Woo Lee,Kwan Lee,Joon Chang,Suk Han,Hi Kim,Kyoung Lee,Kyung Shin,Dal KIM,Min Jeun. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2004-09-16.

Method for fabricating gallium-doped lithium lanthanum zirconium oxide, and all-solid-state battery including the same

Номер патента: US12068450B2. Автор: Chun-Chen Yang,Yi-Shiuan Wu,Kumlachew Zelalem WALLE. Владелец: Ming Chi University of Technology. Дата публикации: 2024-08-20.

Transient wavelength drift reduction in semiconductor lasers

Номер патента: WO2016116565A1. Автор: Thomas Pfeiffer,Romain Brenot,Hélène Debregeas,Jean-Guy Provost. Владелец: ALCATEL LUCENT. Дата публикации: 2016-07-28.

Lead-carbon metal composite material for electrodes of lead-acid batteries and a method for synthesis thereof

Номер патента: RU2692759C1. Автор: Людмила Августовна Елшина,Андрей Николаевич Елшин,Варвара Андреевна Елшина. Владелец: Варвара Андреевна Елшина. Дата публикации: 2019-06-27.

Method for Fabricating Terminal Electrode of Multilayer Ceramic Capacitor Having Inner Electrodes Printed on Full Area Together with Protective Layers

Номер патента: US20220406529A1. Автор: Wen-Hsi Lee. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2022-12-22.

Low porosity glass coatings formed on coiled wires, high temperature devices containing the same, and methods for the fabrication thereof

Номер патента: US20200098516A1. Автор: Harry Lester Kington,Jimmy Wiggins,James Piascik,Martin Carlin Baker. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2020-03-26.

Method for fabricating three-dimensional photonic crystal

Номер патента: US20090092368A1. Автор: Akinari Takagi,Kazuya Nobayashi,Kiyokatsu Ikemoto,Hikaru Hoshi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2009-04-09.

Lamination structure for second generation high-temperature superconducting (2g-hts) tape and method for fabricating the same

Номер патента: US20240274326A1. Автор: Wei Wu,Yue Zhao,Yue Wu,Chunjiang Guo. Владелец: Supermag Technology Shanghai Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for fabricating field emission cathode, field emission cathode thereof, and field emission lighting source using the same

Номер патента: US20140055027A1. Автор: Nen-Wen Pu,Ming-Der Ger,Yih-Ming Liu,Kun-Ju Chung. Владелец: NATIONAL DEFENSE UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-02-27.

Field emission array with carbon nanotubes and method for fabricating the field emission array

Номер патента: US20020011769A1. Автор: Yong-wan Jin,Won-bong Choi,Min-jae Yun. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-31.

System and method for fabricating electrode film for secondary battery

Номер патента: US20230028154A1. Автор: Sangwook HAN,Hannah Song,Kyeong Wi Park. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2023-01-26.

Method for fabricating a throughput-scalable analytical system for molecule detection and sensing

Номер патента: US20210296380A1. Автор: MEI Yan. Владелец: Genesense Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-23.

Long life-time field emitter for field emission device and method for fabricating the same

Номер патента: US20050269928A1. Автор: Jeong-hee Lee,Tae-Won Jeong,Won-Seok Kim,Jae-Sang Ha,Byung-Yun Kong. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-08.

Methods for fabricating a vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: EP4420203A1. Автор: Shuji Nakamura,Steven P. DenBaars,Srinivas GANDROTHULA. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-08-28.

Systems and methods for injection molded phase shifter

Номер патента: US20140104130A1. Автор: Jeffrey Alexander. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2014-04-17.

Method for fabricating a permanent magnetic structure in a substrate

Номер патента: US20020124384A1. Автор: Svetlana Reznik,Edward Furlani,Bryan Beaman. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2002-09-12.

Method for fabrication of nanostructure

Номер патента: US20220117905A1. Автор: Mohammad E Khosroshahi,Vaughn Woll-Morison,Tiam Mohmedi. Владелец: MIS Electronics Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Device and method for data transmission and reception in burst data control channel

Номер патента: RU2286651C2. Автор: Хван-Дзоон КВОН,Хо-Киу ЧОЙ,Йоун-Сун КИМ,Донг-Хее КИМ. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2006-10-27.

Method for transfer between communications systems and related device

Номер патента: US11979782B2. Автор: Hui Jin,Fenghui DOU,Zhenrong WEI. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Device and method for bit-interweaving

Номер патента: US8098633B2. Автор: Focai Peng,Cuihong Han. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2012-01-17.

Apparatus and method for allocating ovsf codes and i/q channels for reducing peak-to-average power ratio in transmitting data via enhanced up-link dedicated channels in wcdma systems

Номер патента: CA2552234C. Автор: Ju-Ho Lee,Joon-Young Cho,Youn-Hyoung Heo,Yong-Jun Kwak,Young-Bum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-08-21.

Dpch multiplexing apparatus and method for outer loop power control in a w-cdma communication system

Номер патента: CA2371556C. Автор: Ju-Ho Lee,Sung-Ho Choi,Sung-Oh Hwang,Yong-Jun Kwak,Beong-Jo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-08-23.

Method for Transfer Between Communications Systems and Related Device

Номер патента: US20220150778A1. Автор: Hui Jin,Fenghui DOU,Zhenrong WEI. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-12.

A METHOD FOR RECOVERING FIRST AND SECOND FLOW OF DATA TRANSMITTED SIMULTANEOUSLY THROUGH A WIRELESS CHANNEL IN A WIRELESS COMMUNICATION SYSTEM AND AN OPERABLE DEVICE FOR SUCH METHOD.

Номер патента: AR047592A1. Автор: Aamod Khandekar,Ashok Mantravadi. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2006-01-25.

Method for transmitting plurality of pieces of uplink control information through physical uplink control channel in wireless communication system, and device therefor

Номер патента: EP3687098A4. Автор: Joonkui Ahn,Suckchel Yang,Seonwook Kim,Jaehyung Kim,Haewook Park. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2020-12-30.

Apparatus and method for controlling power of othogonal code spreading channel and quasi othogonal code spreading channel in cdma system

Номер патента: KR19990078317A. Автор: 윤순영,안재민,염재흥,문희찬. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-10-25.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20020045305A1. Автор: Ki Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-18.

Semiconductor device having an expanded storage node contact and method for fabricating the same

Номер патента: US20100109075A1. Автор: Tae O Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-05-06.

Semiconductor device having an expanded storage node contact and method for fabricating the same

Номер патента: US20110076835A1. Автор: Tae O. Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-31.

Method for fabricating semiconductor device by using radical oxidation

Номер патента: US20060008996A1. Автор: Jae-Geun Oh,Heung-Jae Cho,Kwan-Yong Lim,Se-Aug Jang,Hong-Seon Yang,Hyun-Chul Shon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-01-12.

Method for fabricating thermoelectric coolers and semiconductor devices formed therefrom

Номер патента: US20020119593A1. Автор: Joseph Freund,Mindaugas Dautartas,George Przybylek. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2002-08-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240237562A1. Автор: Cha Deok Dong,Keo Rock CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for fabricating split gate flash memory device

Номер патента: US20050142698A1. Автор: Sang Hun Oh. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12089508B2. Автор: Hung-Chan Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for fabricating split gate flash memory device

Номер патента: US7166511B2. Автор: Sang Hun Oh. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-23.

Planar gate-controlled element and method for fabricating the same

Номер патента: WO2010068055A3. Автор: Young Kyoo Kim,Hwa Jeong Kim,Sung Ho Nam. Владелец: Kyungpook National University Industry-Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2010-09-30.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240215216A1. Автор: Kang Sik Choi,Seung Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20070020848A1. Автор: Nobuyoshi Takahashi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-25.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12063871B2. Автор: Yu-Chun Chen,I-Ming Tseng,Yi-Hui Lee,Chung-Liang Chu,Yi-An Shih,Ya-Sheng Feng,Chiu-Jung Chiu,Hsiu-Hao Hu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11765983B2. Автор: Yu-Chun Chen,I-Ming Tseng,Yi-Hui Lee,Chung-Liang Chu,Yi-An Shih,Ya-Sheng Feng,Chiu-Jung Chiu,Hsiu-Hao Hu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11744160B2. Автор: Ching-Wen Hung,Yu-Ping Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Method for fabricating a pixel structur of organic electroluminescent display

Номер патента: US20080124821A1. Автор: Pei-Lin Huang,Chien-Chang Tseng,Chiu-Yen Su. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2008-05-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240315050A1. Автор: Che-Wei Chang,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Ching-Hua Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for fabricating selector and semiconductor device including the same

Номер патента: US20240237559A1. Автор: Cha Deok Dong,Keo Rock CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Vertical semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240049464A1. Автор: Sung-Hoon Lee,Jong-Hyun Yoo,Ki-Jun Yun,Eun-Ho Kim,Eun-Joo Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6146945A. Автор: Jun Osanai. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2000-11-14.

Method for fabricating embedded dynamic random access memory

Номер патента: US20020061610A1. Автор: Der-Yuan Wu,Sun-Chieh Chien,Le-Tien Jung,Ling-Yuk Tsang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-05-23.

Ion Thruster and Method for Fabrication Thereof

Номер патента: US20220341404A1. Автор: Lei Zhang,Yongwei Zhang,Wendong Zhang,Qiulin Tan. Владелец: NORTH UNIVERSITY OF CHINA. Дата публикации: 2022-10-27.

Method for fabricating memory cells for a memory device

Номер патента: US20060046317A1. Автор: Rainer Bruchhaus,Martin Gutsche. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-03-02.

Semiconductor device having an electrostatically-bounded active region

Номер патента: US20240284806A1. Автор: Pavel ASEEV,Sebastian Heedt,Gijsbertus DE LANGE. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for producing thin film bulk acoustic resonators (FBARs) with different frequencies on the same substrate by subtracting method and apparatus embodying the method

Номер патента: US20020121498A1. Автор: Paul Bradley,Richard Ruby,John Larson. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2002-09-05.

Methods and systems for determining fitness for a dental splint and for capturing digital data for fabricating a dental splint

Номер патента: US11836919B2. Автор: William C. Cliff. Владелец: Asesso Health Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

[mthod for fabricating piezoelectric workpiece with augmenting surface electrode]

Номер патента: US20040187281A1. Автор: Chih-Kung Lee,Yu-Hsiang Hsu,Wen-Hsin Hsiao,Wen-Jong Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-30.

Method for fabricating multilayer circuit board, circuit plate, and method for fabricating the circuit plate

Номер патента: US20090126975A1. Автор: Masayoshi Kondo. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-21.

Method for fabricating a solar module, sub-laminate for fabricating a solar module and solar module

Номер патента: EP3453059A1. Автор: Michael SALVADOR,Hans-Joachim Egelhaaf,Christoph J. BRABEC,George SPYROPOULOS,Tayebeh Ameri. Владелец: ZAE Bayern Bayerisches Zentrum fuer Angewandte Energieforschung eV. Дата публикации: 2019-03-13.

Mask ROM, method for fabricating the same, and method for coding the same

Номер патента: US20060194394A1. Автор: Heung Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-08-31.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20020110981A1. Автор: Hirofumi Watatani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-08-15.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20020019086A1. Автор: Hirofumi Watatani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-02-14.

Mask ROM, method for fabricating the same, and method for coding the same

Номер патента: US7645672B2. Автор: Heung Jin Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-12.

Method for improved storage node isolation

Номер патента: US6124173A. Автор: Fernando Gonzalez,David Y. Kao. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-09-26.

Systems and methods for using the difference between transmission time moments in a multi-carrier system and clear channel assessment in an uplink

Номер патента: RU2696255C1. Автор: Мухаммад КАЗМИ,Яна СЁМИНА. Владелец: Телефонактиеболагет Лм Эрикссон (Пабл). Дата публикации: 2019-08-01.

Method and device for testing traffic and auxiliary channels in a wireless data transmission system

Номер патента: RU2310999C2. Автор: Бибху МОХАНТИ,Пол Э. БЕНДЕР,Раджив КРИШНАМУРТХИ,Раджеш К. ПАНКАДЖ. Владелец: Квэлкомм, Инкорпорейтед. Дата публикации: 2007-11-20.

Method for fabricating wiring board and an apparatus for fabricating wiring board

Номер патента: US7583870B2. Автор: Kenji Yanagisawa. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2009-09-01.

Method for fabricating wiring board and an apparatus for fabricating wiring board

Номер патента: US20070266546A1. Автор: Kenji Yanagisawa. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-22.

Memory cell having a trench capacitor and method for fabricating a memory cell and trench capacitor

Номер патента: US20050260812A1. Автор: Christian Kapteyn,Joern Regul. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-11-24.

Eeprom with erasing gate adjacent floating gate and control gate

Номер патента: US20010045592A1. Автор: Kenji Ueda,Kyoko Egashira. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-29.

Method for fabricating a ferroelectric memory configuration

Номер патента: US20020110935A1. Автор: Christine Dehm,Thomas Roehr,Heinz Hoenigschmid,Georg Braun,Günther SCHINDLER,Renate Bergmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-08-15.

Method for reducing particles and defects during flash memory fabrication

Номер патента: US20030181008A1. Автор: Kent Chang,Weng-Hsing Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-25.

Static random access memory and method for fabricating the same

Номер патента: US20240284651A1. Автор: Chia-Chen Sun. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Method and device for separation of power to control channels in communication system

Номер патента: RU2359408C2. Автор: Нага БХУШАН,Минси Фань,Рашид Ахмед АТТАР,Рашид Ахмед АТТАР (US),Нага БХУШАН (US),Минси ФАНЬ (US). Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2009-06-20.

Methods for efficient use of unauthorized spectrum area

Номер патента: RU2742047C1. Автор: Томас НИЛЬССОН,Петер АЛЬРИКССОН,Тхэ ТО. Владелец: Телефонактиеболагет Лм Эрикссон (Пабл). Дата публикации: 2021-02-02.

Wireless device, network node and methods for reporting channel state information (csi) in radio communications network

Номер патента: RU2666267C2. Автор: Цян Чжан,Маттиас ФРЕННЕ,Стефан ПАРКВАЛЬ,Хенрик САЛИН,Йохан ФУРУСКОГ,Хокан АНДЕРСОН. Владелец: Телефонактиеболагет Лм Эрикссон (Пабл). Дата публикации: 2018-09-06.

Apparatus and method for centre signal scaling and stereophonic enhancement based on signal-to-downmix ratio

Номер патента: RU2663345C2. Автор: Кристиан УЛЕ,Петер ПРОКАЙН,Оливер ХЕЛЛЬМУТ,Себастьян ШАРРЕР,Эмануэль ХАБЕТС. Владелец: Фраунхофер-Гезелльшафт Цур Фердерунг Дер Ангевандтен Форшунг Е.Ф.. Дата публикации: 2018-08-03.

Method and apparatus for transmitting and receiving uplink acknowledgement channel for downlink data channel in mobile communication system using orthogonal frequency division multiple access

Номер патента: RU2517412C2. Автор: Дзин Киу ХАН,Дзу Хо ЛИ,Дзае Чон Ю. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2014-05-27.

Method for quick authentified switching of channels of audio-visual information, provided through dsl connection, and system for its realization

Номер патента: RU2292660C2. Автор: Хеманг МЕХТА,Дон КАМАЧО,Габор ФЕНЧИК,Грег БАТРИК. Владелец: Нокиа Корпорейшн. Дата публикации: 2007-01-27.

System, apparatus, and method for broadcasting and receiving content in real time from wearable apparatuses with controlled delay and maintained content quality

Номер патента: RU2758501C1. Автор: Александр Андреевич Пестряев,Юрий Александрович Буссель. Владелец: МоушнРей Инк.. Дата публикации: 2021-10-29.

Method for controlled nuclear fission and modular nuclear reactor

Номер патента: RU2761575C1. Автор: Юрий Васильевич Дробышевский,Сергей Николаевич Столбов,Сергей Александрович НЕКРАСОВ,Александр Владимирович Корженевский. Владелец: Александр Владимирович Корженевский. Дата публикации: 2021-12-10.

Method for quality monitoring of additive manufacturing processes

Номер патента: US11941568B2. Автор: Mark I. NORFOLK,Adam J. HEHR. Владелец: Fabrisonic LLC. Дата публикации: 2024-03-26.

Average radiation power determination method for a light source, especially a UV, deep UV or extreme UV light source used in semiconductor lithography, involves comparison of average radiation power with a test radiation source

Номер патента: DE102004008500A1. Автор: Siegfried Schwarzl,Stefan Austin Wurm. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-09-08.

Method for controlling a steering system with two redundant power units

Номер патента: US11952058B2. Автор: Stephane Cassar,Bruno Collerais,Giovanni Dallara. Владелец: JTEKT Europe SAS. Дата публикации: 2024-04-09.

Casting method for slab containing channels, used for floors or ceilings in buildings, involves forming channels in concrete layers cast around heating or cooling pipes

Номер патента: NL1030969C2. Автор: Cornelis Iman Breel,Hermanus Johannes Mari Stroeve,Gerardus Johannes Kloesters. Владелец: Betonson B V. Дата публикации: 2006-07-24.

Method for making an injection molding three portion gate and cavity insert and for cooling a mold cavity

Номер патента: EP1151842B1. Автор: Jobst Ulrich Gellert,Itsuto Nakanishi. Владелец: Mold Masters 2007 Ltd. Дата публикации: 2004-01-28.

Method for acquiring personal identification data, personal identification method, apparatus for acquiring personal identification data, and personal identification apparatus

Номер патента: US7844083B2. Автор: Hitoshi Fujii,Naoki Konishi. Владелец: Syscom Japan Inc. Дата публикации: 2010-11-30.

Method for injection molding runnerless by controlling valve gate and apparatus

Номер патента: KR0148822B1. Автор: 스스무 오누마,긴이치 요코하마,이즈미 가토. Владелец: 세이키 가부시키가이샤. Дата публикации: 1998-10-15.

method for detecting membrane leakage in a membrane filter device, and recess plate for a membrane filter device

Номер патента: BR112014011037A2. Автор: Kilgus Michael. Владелец: OUTOTEC OYJ. Дата публикации: 2017-04-25.

Methods for decomposing circuit design layouts and for fabricating semiconductor devices using decomposed patterns

Номер патента: US20130219347A1. Автор: Peng XIE,Yi Zou,Luigi Capodieci,Vito Dai,Swamy Muddu,Lynn T. Wang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-08-22.

Methods for retargeting circuit design layouts and for fabricating semiconductor devices using retargeted layouts

Номер патента: US20160188781A1. Автор: Norman Chen,Chidam Kallingal,Ayman Hamouda. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-30.

Photoresist compositions, methods for forming pattern using the same, and methods for fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20220128905A1. Автор: Jung Min Lee,Jong Hoon Kim,Suk Koo Hong,Eun Shoo Han,Sung An Do,Hong Joon Lee,Seung Chul Kwon,Sin Hae Do. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-28.

System, apparatus and method for contaminant reduction in semiconductor device fabrication equipment components

Номер патента: EP1784595A2. Автор: Darwin G. Enicks,Carl E. Friedrichs,Richard A. Brucher. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2007-05-16.

Methods for fabricating and/or finishing structural insulated panels

Номер патента: WO2024098155A1. Автор: Michael Dombowsky,Mark Dombowsky,Louis Dombowsky,Benedict DOMBOWSKY,Braden DOMBOWSKY. Владелец: Nexii Building Solutions Inc.. Дата публикации: 2024-05-16.

System and Method for Fabricating a Semiconductor Device

Номер патента: US20230161942A1. Автор: Yung-Shun Chen,Chih-Chiang Chang,Tai-Yi CHEN,Tse-Hung Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Carbon-containing moldings and a method for fabrication thereof

Номер патента: RU2246530C1. Автор: . Владелец: Лурий Валерий Григорьевич. Дата публикации: 2005-02-20.

Method for fabrication of semiconductor photoelectric generator

Номер патента: RU2265915C1. Автор: Д.С. Стребков,В.В. Заддэ,О.В. Шеповалова. Владелец: Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства (ГНУ ВИЭСХ). Дата публикации: 2005-12-10.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20100240198A1. Автор: Mitsunori Yokoyama. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2010-09-23.

Method for fabrication of a molecular filter and apparatus formed by the same

Номер патента: US20020173015A1. Автор: Axel Scherer. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2002-11-21.

Method for fabrication of a molecular filter and apparatus formed by the same

Номер патента: WO2002092497A3. Автор: Axel Scherer. Владелец: Axel Scherer. Дата публикации: 2003-07-24.

Method for fabrication of a molecular filter and apparatus formed by the same

Номер патента: WO2002092497A2. Автор: Axel Scherer. Владелец: California Institute of Technology. Дата публикации: 2002-11-21.

Method for testing memory cell in semiconductor device

Номер патента: US6556493B2. Автор: Tae-Kyu Kim,Yoon-Soo Jang,Young-Seon You,Mun-Hwa Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-04-29.

Apparatus for preventing cross talk and interference in semiconductor devices during test

Номер патента: US20040262603A1. Автор: John Blondin,Gene Patrick,Kevin Potasiewicz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-12-30.

Semiconductor device including plurality of parallel input/output lines and methods of fabricating and using the same

Номер патента: US20090207654A1. Автор: Sung-Hoon Kim. Владелец: SAMSUNG COMPANY Ltd. Дата публикации: 2009-08-20.

Magnesium oxide sorbents for room temperature carbon dioxide adsorption and methods for their fabrication

Номер патента: US20220193631A1. Автор: Ping Wu,Franklin ANARIBA,Andrei LEBEDEV,Victor CHEN YAOHUI. Владелец: SINGAPORE UNIVERSITY OF TECHNOLOGY AND DESIGN. Дата публикации: 2022-06-23.

Method for fabricating microrobot for delivery of cell therapy product and microrobot according thereto

Номер патента: US20240024643A1. Автор: Jin Young Kim,Sung Won Kim,Hong Soo Choi,Sun Hwa Park,Sung Woong JEON. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Catholic University of Korea. Дата публикации: 2024-01-25.

Method for fabrication of the pellets of ceramic nuclear fuel, device for its realization and container

Номер патента: RU2262756C2. Автор: В.А. Астафьев,А.Е. Глушенков,М.В. Скупов,М.И. Столяров,И.А. Шкабура,В.А. Астафьев (RU),А.Е. Глушенков (RU),М.В. Скупов (RU),ров М.И. Стол (RU),И.А. Шкабура (RU). Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт неорганических материалов им. акад. А.А. Бочвара". Дата публикации: 2005-10-20.

Method for fabrication of complex-combined axially symmetric welded article

Номер патента: RU2741737C1. Автор: Иван Олегович Неймышев. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственная корпорация "Уралвагонзавод" имени Ф.Э. Дзержинского". Дата публикации: 2021-01-28.

Method and system for fabricating liquid crystal film and method for fabricating brightening film

Номер патента: US20050280767A1. Автор: Charles Chang,Chun-Fa Chen,Kun-Mao Yu. Владелец: Charmica Photoelectronic Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-22.

Systems and methods for utilizing information of a 3d modeling application to facilitate operation of fabrication machines

Номер патента: US20240273247A1. Автор: Brian D. Nickel. Владелец: Allied Bim Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for measuring cross-section shape on roundness measurement instruments

Номер патента: RU2637368C1. Автор: Владимир Викторович Королев,Алексей Анатольевич Никольский. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "МЭИ" (ФГБОУ ВО "НИУ "МЭИ"). Дата публикации: 2017-12-04.

Method for fabricating neutron supermirror using neutron monochromator structures

Номер патента: US20080115338A1. Автор: Chang-Hee Lee,Sang-Jin Cho,Hark-Rho Kim,Ji-Yong So. Владелец: Korea Atomic Energy Research Institute KAERI. Дата публикации: 2008-05-22.

Refresh method capable of reducing memory cell access time in semiconductor memory device

Номер патента: US20020141269A1. Автор: Jong-Yul Park,Seong-kue Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-10-03.

Digital printing and finishing method for fabrics and the like

Номер патента: US12043046B2. Автор: Luigi Milini. Владелец: Dover Europe Sàrl. Дата публикации: 2024-07-23.

Method for fabricating neutron supermirror using neutron monochromator structures

Номер патента: US7635839B2. Автор: Chang-Hee Lee,Sang-Jin Cho,Hark-Rho Kim,Ji-Yong So. Владелец: Korea Atomic Energy Research Institute KAERI. Дата публикации: 2009-12-22.

Method for fabricating energy plastic masterbatch and plastic product derived therefrom

Номер патента: MY155859A. Автор: XU Wenji,Lee Kwok Sing. Владелец: South China Reborn Resources Zhongshan Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-15.

Method for automated monitoring of thermal resistances of semiconductor devices

Номер патента: RU2698512C1. Автор: Леонид Алексеевич Потапов,Игорь Юрьевич Бутарев,Алексей Николаевич Школин. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "Брянский государственный технический университет". Дата публикации: 2019-08-28.

Method for making sleeves of prosthetic and orthopedic articles from composite material

Номер патента: RU2725082C1. Автор: Владимир Иванович Новиков,Иван Владимирович Новиков,Наталья Сергеевна Шмакова,Валерий Сергеевич Ашмарин,Дарья Станиславовна Степура. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Протезно-ортопедическое малое предприятие "ОРТЕЗ" (ООО "ПРОП МП "ОРТЕЗ"). Дата публикации: 2020-06-29.

Device leakage current model and method for extracting the same

Номер патента: US20240232468A1. Автор: Yuanyuan Wu,Qingwen Wang,Ganbing SHANG. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for fabricating an assembly for a card and a card comprising a metallized film, a microcircuit card and an assembly for said card

Номер патента: US20230364899A1. Автор: Sylvie Pompeani,Joseph GUYON LE BOUFFY. Владелец: Idemia France SAS. Дата публикации: 2023-11-16.

Mask and method for fabricating the same

Номер патента: US20220113621A1. Автор: Chi-Ming Tsai,Chi-Ta Lu,Jia-Guei Jou,Huang-Ming Wu,Jiun-Hao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-14.

Method for forming pattern and method for fabricating LCD device using the same

Номер патента: US20070148603A1. Автор: Jae Oh,Hye Lee. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-28.

Fabricating method for micro gas sensor and the same

Номер патента: WO2009084871A1. Автор: Seong Dong Kim,Kwang Bum Park,Min Ho Lee,Joon Shik Park. Владелец: KOREA ELECTRONICS TECHNOLOGY INSTITUTE. Дата публикации: 2009-07-09.

Structural building panels, apparatus and method for fabricating structural building panels

Номер патента: US20070204557A1. Автор: Robert Timbrook. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-06.

Electrospray emitters, associated methods for their use, and associated methods and devices for their fabrication

Номер патента: US20240227237A1. Автор: Sadaf Sobhani,Elaine Marie Petro,Suhail Chamieh. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-07-11.

One-piece personal wear and method for fabricating the same

Номер патента: US20220000194A1. Автор: Yi-Chen Lin. Владелец: Mackent Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-06.

Device for fabrication of fibers, 3d printer comprising the device and method for fabrication of fibers

Номер патента: EP4375067A1. Автор: Leonid Ionov,Alla Synytska. Владелец: Biovature GmbH. Дата публикации: 2024-05-29.

Device for fabrication of fibers, 3d printer comprising the device and method for fabrication of fibers

Номер патента: WO2024110502A1. Автор: Leonid Ionov,Synytska ALLA. Владелец: Biovature GmbH. Дата публикации: 2024-05-30.

Method for arrangement of modules in measuring device

Номер патента: RU2759246C1. Автор: Алексей Михайлович Бабец. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ФОРМ". Дата публикации: 2021-11-11.

Method for fabricating a patterned core for a light guide plate

Номер патента: US20040248049A1. Автор: Kun-Jung Tsai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-09.

Method for detecting resistive-open defects in semiconductor memories

Номер патента: EP1738375A1. Автор: Mohamed Azimane. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-01-03.

Method for detecting resistive-open defects in semiconductor memories

Номер патента: US20050216799A1. Автор: Mohamed Azimane. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-09-29.

Method for detecting resistive-open defects in semiconductor memories

Номер патента: EP1738375B1. Автор: Mohamed c/o NXP Semiconductors AZIMANE. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2008-05-21.

Fabricating method for sleeve-type ornament of display device

Номер патента: US20100283170A1. Автор: Wen-Hung Huang. Владелец: Hannspree Inc. Дата публикации: 2010-11-11.

Method for fabrication of optical fibre soot preform

Номер патента: US20210047226A1. Автор: Anand Pandey,Badri Gomatam,Sandeep Gaikwad. Владелец: Sterlite Technologies Ltd. Дата публикации: 2021-02-18.

3d network-structured silicon-containing preploymer and method for fabricating the same

Номер патента: US20150252194A1. Автор: Shih-Hong Chu,Hung-Hsuan Cheng. Владелец: UNICON OPTICAL CO Ltd. Дата публикации: 2015-09-10.

3d network-structured silicon-containing prepolymer and method for fabricating the same

Номер патента: US20150309212A1. Автор: Shih-Hong Chu,Hung-Hsuan Cheng. Владелец: UNICON OPTICAL CO Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

Imprint template, method of fabricating imprint template, apparatus for performing method of fabricating imprint template, imprint mold for fabricating an imprint template

Номер патента: US20220001580A1. Автор: Kang GUO,Zhen Liu,Wei Tan,Xin Gu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-06.

Optical fiber mirror and method for fabricating the same

Номер патента: US20020034370A1. Автор: Duck Kim,Young Yook. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2002-03-21.

System and method for fabrication of a three-dimensional edible product

Номер патента: ZA202213473B. Автор: Daniel Dikovsky,Daniel Mandelik,Sagee SCHACHTER,Gur Shapira,Eyal Comforti. Владелец: Redefine Meat Ltd. Дата публикации: 2023-08-30.

System and method for fabrication of a three-dimensional edible product

Номер патента: CA3181152A1. Автор: Daniel Dikovsky,Daniel Mandelik,Sagee SCHACHTER,Gur Shapira,Eyal Comforti. Владелец: Redefine Meat Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

System and method for fabrication of a three-dimensional edible product

Номер патента: AU2021362256A1. Автор: Daniel Dikovsky,Daniel Mandelik,Sagee SCHACHTER,Gur Shapira,Eyal Comforti. Владелец: Redefine Meat Ltd. Дата публикации: 2023-01-19.

System and method for fabrication of a three-dimensional edible product

Номер патента: EP4228440A1. Автор: Daniel Dikovsky,Daniel Mandelik,Sagee SCHACHTER,Gur Shapira,Eyal Comforti. Владелец: Redefine Meat Ltd. Дата публикации: 2023-08-23.

Method for fabricating a solid surface countertop in a mobile fabrication unit

Номер патента: US5915748A. Автор: Paul C. Dubuc. Владелец: Individual. Дата публикации: 1999-06-29.

Method for fabricating and electroconducting plate, means for implementing such method and conducting plate thus obtained

Номер патента: AU4963993A. Автор: Pierre Berthe,Yves Duthoit,Martial Legardez. Владелец: Batiss Plastiques Sa. Дата публикации: 1994-03-29.

System and method for fabrication of a three-dimensional edible product

Номер патента: IL278059B. Автор: . Владелец: Redefine Meat Ltd. Дата публикации: 2021-12-01.

Method for fabricating composite pressure vessels and products fabricated by the method

Номер патента: EP1112170A1. Автор: James C. Murphy,Gerald S. Boyce,Erik Coeckelbergs. Владелец: Essef Corp. Дата публикации: 2001-07-04.

Method for fabricating composite pressure vessels and products fabricated by the method

Номер патента: AU5924499A. Автор: James C. Murphy,Gerald S. Boyce,Erik Coeckelbergs. Владелец: Essef Corp. Дата публикации: 2000-04-03.

Method for fabricating a heat pipe, and instrument of the method

Номер патента: US20130042477A1. Автор: Wei-Cheng Chou. Владелец: Wistron Corp. Дата публикации: 2013-02-21.

Method for generating instructions for fabricating a garment

Номер патента: US20230298273A1. Автор: William Wilcox. Владелец: Clothing Tech LLC. Дата публикации: 2023-09-21.

Electrospinning method for fabricating nanofiber air filter with minimized pressure drop

Номер патента: US20230383441A1. Автор: LI ZHANG,Chun Chen,Zhuolun NIU,Ye BIAN. Владелец: Hong Kong Centre For Logistics Robotics Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Method for fabricating lcd

Номер патента: US20130095430A1. Автор: Jun Wang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-18.

Perfusion chamber, system and method for studying the brain activity in vivo

Номер патента: RU2759892C1. Автор: Дмитрий Сергеевич Сучков,Марат Гусманович Минлебаев. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Казанский (Приволжский) федеральный университет" (ФГАОУ ВО КФУ). Дата публикации: 2021-11-18.

Device and method for layer-by-layer production of 3d object

Номер патента: RU2424904C2. Автор: Томас ХАЛЬДЕР,Ханс ПЕРРЕТ,Маттиас ОСТЕРРИД. Владелец: Эос Гмбх Электро Оптикал Системз. Дата публикации: 2011-07-27.

System and method for fabricating a dental tray

Номер патента: EP4360587A3. Автор: Rune Fisker. Владелец: 3Shape AS. Дата публикации: 2024-07-03.

Memory modules having accurate operating current values stored thereon and methods for fabricating and implementing such devices

Номер патента: US20050223206A1. Автор: Scott Schaefer,Jeffery Janzen,Todd Farrell. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-10-06.

Epinephrine nanoparticles, methods of fabrication thereof, and methods for use thereof for treatment of conditions responsive to epinphrine

Номер патента: WO2014007972A3. Автор: Ousama Rachid,Keith Simons,Estelle Simons,Mutasem Rawas-Qalaji. Владелец: NOVA SOUTHEASTERN UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-04-10.

Method for fabricating multi-colored ball, and method for fabricating display device

Номер патента: US20030071379A1. Автор: Mitsuo Ozaki,Naoyuki Hayashi,Norio Sawatari,Shino Tokuyo. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-04-17.

Color-changing pre-treatment stain removers and methods for fabricating the same

Номер патента: WO2011071661A2. Автор: Joan M. Bergstrom,Danielle S. Shapiro. Владелец: The Dial Corporation. Дата публикации: 2011-06-16.

Formula for fabricating skin treatment product and forming method thereof

Номер патента: US20070243152A1. Автор: Chien-Chang Wang,Chao-An Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-18.

Method for fabricating a plastic molded indicator symbol and a plastic molded indicator symbol

Номер патента: WO2003089224A1. Автор: Timo Nissinen,Seppo Toivanen,Matti Mikkola,Hannu Lehmussaari,Simo Vahamottonen. Владелец: Nokia Corporation. Дата публикации: 2003-10-30.

Method for fabricating a plastic molded indicator symbol and a plastic molded indicator symbol

Номер патента: EP1497097A1. Автор: Timo Nissinen,Seppo Toivanen,Matti Mikkola,Hannu Lehmussaari,Simo Vahamottonen. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2005-01-19.

Method for fabrication of a multivariate optical element

Номер патента: GB201313462D0. Автор: . Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2013-09-11.

System and method for fabricating soft sensors that conform to arbitrary smooth geometries

Номер патента: US20230302657A1. Автор: Katsu Yamane,Mirza Saquib SARWAR,Ryusuke Ishizaki. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Systems and methods for adjusting a three-dimensional (3D) model during additive manufacturing

Номер патента: US12042998B2. Автор: Michael Gibson,Nihan Tuncer,George Hudelson,Nicholas MYKULOWYCZ,Brian Kernan,Alexander BARBATI. Владелец: Desktop Metal Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Biocompatible composite membrane, method for fabricating the membrane, bioreactor and method for investigating cells attached to the biocompatible composite membrane

Номер патента: EP4251727A2. Автор: Juergen Groll,Ali DORYAB,Otmar SCHMID,Andreas Schroeppel,Mehmet Berat TASKIN. Владелец: Julius Maximilians Universitaet Wuerzburg. Дата публикации: 2023-10-04.

Improved glycan arrays and methods for their fabrication

Номер патента: EP2686022A1. Автор: Nikolay Vladimirovich Bovin,Nadezhda Vladimirovna SHILOVA. Владелец: Obschestvo s ogranichennoy otvetstvennostyu "SEMIOTIK". Дата публикации: 2014-01-22.

Glycan arrays and methods for their fabrication

Номер патента: US9494515B2. Автор: Nikolay Vladimirovich Bovin,Nadezhda Vladimirovna SHILOVA. Владелец: Obschestvo S Organichennoy Oivetstvennostyu Semiotik. Дата публикации: 2016-11-15.

Epinephrine nanoparticles, methods of fabrication thereof, and methods for use thereof for treatment of conditions responsive to epinphrine

Номер патента: EP2861224A2. Автор: Ousama Rachid,Keith Simons,Estelle Simons,Mutasem Rawas-Qalaji. Владелец: NOVA SOUTHEASTERN UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-04-22.

Epinephrine nanoparticles, methods of fabrication thereof, and methods for use thereof for treatment of conditions responsive to epinphrine

Номер патента: WO2014007972A9. Автор: Ousama Rachid,Keith Simons,Estelle Simons,Mutasem Rawas-Qalaji. Владелец: NOVA SOUTHEASTERN UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-02-19.

Tubular potted flower and method for fabricating the same

Номер патента: WO2002071831A1. Автор: Jeong-Bok Kim. Владелец: Kim, Kil-Sung. Дата публикации: 2002-09-19.

Methods of three-dimensional printing for fabricating a dental appliance

Номер патента: US20190336254A1. Автор: Dan Ammon,Md Abu HASAN. Владелец: Dentsply Sirona Inc. Дата публикации: 2019-11-07.

Methods of three-dimensional printing for fabricating a dental appliance

Номер патента: US20210113313A1. Автор: Dan Ammon,Md Abu HASAN. Владелец: Dentsply Sirona Inc. Дата публикации: 2021-04-22.

Methods of three-dimensional printing for fabricating a dental appliance

Номер патента: US11654005B2. Автор: Dan Ammon,Md Abu HASAN. Владелец: Dentsply Sirona Inc. Дата публикации: 2023-05-23.

Magnetic nanocomposite for inhibiting/treating cancer and method for fabricating the same

Номер патента: US20110104294A1. Автор: Kuo-Chen Wei,Rung-Ywan Tsai,Mu-Yi Hua,Hung-Wei Yang,Pin-Yuan Chen,Chiung-Yin Huang. Владелец: Chang Gung University CGU. Дата публикации: 2011-05-05.

System and method for optical mapping of semiconductor wafers at cryogenic temperatures under transmission geometry

Номер патента: US20240201105A1. Автор: Yong Chang,Silviu Velicu,Sushant Sonde,Issac L. Chang. Владелец: Epir Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Three-dimensional pore structure model and method for fabricating the same, experiment system and transparent experiment method for replicating fluid displacement process within rock pore structure

Номер патента: AU2018444642A1. Автор: Yang Ju,Changbing WAN,Jiangtao ZHENG,Wenbo GONG,Chaodong XI. Владелец: China University of Mining and Technology Beijing CUMTB. Дата публикации: 2020-05-21.

Device and method for creating channel in soft tissue

Номер патента: RU2766387C2. Автор: Вадим ШМУКЛЕР,Гилад ЛАВИ,Иосеф ГЛОВИНСКИ,Нир ИСРАЭЛИ. Владелец: Тель Хашомер Медикал Рисерч Инфрастракчер Энд Сервисес Лтд.. Дата публикации: 2022-03-15.

Production line for manufacture of a food extruded product and a method for production of a food extruded product

Номер патента: RU2723718C1. Автор: Николай Владимирович Семенякин. Владелец: Николай Владимирович Семенякин. Дата публикации: 2020-06-17.

Method for desublimation of solid substances and device for its implementation

Номер патента: RU2648320C1. Автор: Валерьян Николаевич Блиничев,Юрий Гордеевич Гоголев,Владислав Олегович Сахно. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ивановский государственный химико-технологический университет" (ИГХТУ). Дата публикации: 2018-03-23.

Method for fabrication of complex thin-walled welded article with thick-wall suspended elements

Номер патента: RU2718507C1. Автор: Александр Николаевич Новиков,Елена Александровна Лебедева,Владимир Анатольевич Белашов,Андрей Вениаминович Завьялов,Лариса Викторовна Деревянкина,Дмитрий Семенович Устинов,Алексей Владимирович Сметанин. Владелец: Акционерное общество «Научно-производственная корпорация «Уралвагонзавод» имени Ф.Э. Дзержинского». Дата публикации: 2020-04-08.

Semiconductor device feature density gradient verification

Номер патента: US20130346935A1. Автор: Chung-Hui Chen,Chien-Hung Chen,Po-Zeng Kang,Young-Chow Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-12-26.

Method for determining low-noise power spectral density for characterizing line edge roughness in semiconductor wafer processing

Номер патента: US8067252B2. Автор: Thomas Wallow,Harry J. Levinson,Yuansheng Ma. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2011-11-29.

Electrically conductive roller for rotogravure and method for manufacture

Номер патента: EP3478504A1. Автор: Sammy Lasseel,Dirk Vidts. Владелец: Hannecard NV. Дата публикации: 2019-05-08.

Method and apparatus for fabricating a floor plate for a building

Номер патента: US20200340234A1. Автор: Stephen T. Houston,Joseph Michael Benvenuto,Aleksei Ivanikiw. Владелец: Big Time Investment LLC. Дата публикации: 2020-10-29.

Method and apparatus for fabricating a floor plate for a building

Номер патента: CA3137713A1. Автор: Stephen T. Houston,Joseph Michael Benvenuto,Aleksei Ivanikiw. Владелец: Big Time Investment LLC. Дата публикации: 2020-10-29.

Methods for fabricating three-dimensional lipid structure arrays and three-dimensional lipid structure arrays fabricated by the same

Номер патента: US20190064175A1. Автор: Tae Song Kim,Rhokyun KWAK,Won Bae Han. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2019-02-28.

System and method for preparing hollow core cranial remodeling orthoses

Номер патента: CA3094419A1. Автор: Jason Shane GOODNOUGH. Владелец: Headstart Medical Ltd. Дата публикации: 2019-09-26.

System and method for preparing hollow core cranial remodeling orthoses

Номер патента: AU2019239794B2. Автор: Jason Shane GOODNOUGH. Владелец: Headstart Medical Ltd. Дата публикации: 2021-09-09.

System and method for preparing hollow core cranial remodeling orthoses

Номер патента: US20210322200A1. Автор: Jason Shane GOODNOUGH. Владелец: Headstart Medical Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Method for fabricating a string, in particular a string for a bowed musical instrument, and an apparatus for carrying out the same

Номер патента: EP3776524A1. Автор: Kristian Bach SIGVARDT,Laurits Thorvald Larsen. Владелец: Larsen Strings AS. Дата публикации: 2021-02-17.

Systems and methods for flexibly optimizing processing circuit efficiency

Номер патента: WO2016060931A1. Автор: Veerbhan Kheterpal,Daniel Firu,Nigel Drego. Владелец: 21, Inc.. Дата публикации: 2016-04-21.

Method for fabricating anisotropic polymer particles

Номер патента: US20150091210A1. Автор: Mu-Huan CHI,Jiun-Tai CHEN,Yi-Huei KAO. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2015-04-02.

Methods for tissue fabrication

Номер патента: US12037603B2. Автор: Sharon C. Presnell,Deborah Lynn Greene NGUYEN,Shelby Marie KING,Kelsey Nicole RETTING. Владелец: Organovo Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for making a frame member including a locking strip groove for tensioning a screen

Номер патента: US9403356B2. Автор: John O. H. Niswonger. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-08-02.

Wooden rail for a ride as well as a method for fabricating and mounting such a wooden rail

Номер патента: US20010003261A1. Автор: Werner Stengel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-06-14.

Wooden rail for a ride as well as a method for fabricating and mounting such a wooden rail

Номер патента: US6550393B2. Автор: Werner Stengel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-22.

Aligning method for use in semiconductor inspection apparatus

Номер патента: US20190171328A1. Автор: Chien-Hung Chen,Yung-Chin LIU,Guan-Jhih Liou,Lin-Lin Chih. Владелец: MPI Corp. Дата публикации: 2019-06-06.

Method for fabricating ultra thin single-crystal metal oxide wave retarder plates and a waveguide polarization mode converter using the same

Номер патента: WO2001075195A3. Автор: Miguel Levy,Richard M Osgood Jr,Antonije M Radojevic. Владелец: Antonije M Radojevic. Дата публикации: 2002-02-28.

MATERIAL FOR SiON-OPTICAL WAVEGUIDES AND METHOD FOR FABRICATING SUCH WAVEGUIDES

Номер патента: EP1261554A1. Автор: Peter Blöchl,Gian-Luca Bona,Folkert Horst,Roland W. Germann,Huub L. Salemink,Bert J. Offrein,Dorothea W. Wiesmann,René BEYELER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-12-04.

Systems and methods for fabricating 3d soft microstructures

Номер патента: US20200079643A1. Автор: Robert J. Wood,Michael Wehner,Conor J. Walsh,Tommaso RANZANI,Sheila RUSSO,Nicholas W. Bartlett. Владелец: Harvard College. Дата публикации: 2020-03-12.

Method and system for fabricating integrated circuit with aid of programmable circuit synthesis

Номер патента: US20200394279A1. Автор: Yun-Ru Chen,Yung-Chow Peng,Yu-tao YANG,Wen-Shen Chou,Yung-Hsu Chuang,Jie-Ren Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

Improved methods for tissue fabrication

Номер патента: EP3374495A1. Автор: Sharon C. Presnell,Deborah Lynn Greene NGUYEN,Shelby Marie KING,Kelsey Nicole RETTING. Владелец: Organovo Inc. Дата публикации: 2018-09-19.

Transportation method for a semiconductor device and transportation route selection method for a semiconductor device

Номер патента: US20010053617A1. Автор: Hiroo Shoji. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-12-20.

Methods for fabricating laminated structures using rubber tire parts

Номер патента: US20010032695A1. Автор: Joseph Coffin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-25.

System and method for the fabrication of nanodiamond particles

Номер патента: US20230077672A1. Автор: Daniel Hodes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-03-16.

Method for fabricating integrated model of flexible human esophagus, stomach, duodenum, and small intestine, and dynamic in vitro biomimetic digestive system thereof

Номер патента: AU2018318791A1. Автор: Yong Wang,Xiaodong Chen,Minghui Liu,Zhizhong DONG,Zhenkai LIAO,Jinfeng MENG. Владелец: Cofco Nutrition and Health Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-12.

Method for vibration diagnostics of technical condition of gas turbine engines in resource-saving modes using theory of invariants

Номер патента: RU2754479C1. Автор: Николай Николаевич Попов,Ильяс Ильгизович Шигапов,Александр Николаевич Казаринов,Николай Николаевич Сенной,Антон Григорьевич Соколов,Константин Геннадьевич Голубев. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего образования "Военный учебно-научный центр Военно-Морского Флота "Военно-морская академия им. Адмирала Флота Советского Союза Н.Г. Кузнецова". Дата публикации: 2021-09-02.

Device for making particles and method for making particles

Номер патента: RU2758388C2. Автор: Масаси ФУДЗИИ,Юки СИТАРА,Синобу СУДЗУКИ. Владелец: Охкавара Какохки Ко., Лтд.. Дата публикации: 2021-10-28.

Installation and method for manufacturing sand core

Номер патента: RU2745270C2. Автор: Луис Альфонсо ФЕРНАНДЕС ОРИВЕ,Альберто ОРТИС ДЕ ЭЛЬГУЭА ГАСТЬЯЙН. Владелец: ЛОРАМЕНДИ, С.КООП.. Дата публикации: 2021-03-22.

Device and method for homogenising bitumen-based mix and polymer granules

Номер патента: RU2455057C2. Автор: Антонио ФОРНАЗЬЕ,Алессандро ПАВАН. Владелец: Юролайн С.Р.Л.. Дата публикации: 2012-07-10.

Method for producing a mixed photocatalyst based on titanium oxide

Номер патента: RU2760442C1. Автор: Александра Владимировна Буланова,Михаил Сергеевич Головин,Вячеслав Викторович Авдин,Анна Викторовна Уржумова,Елизавета Константиновна Гришанина. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Южно-Уральский государственный университет (национальный исследовательский университет)» ФГАОУ ВО «ЮУрГУ (НИУ)». Дата публикации: 2021-11-25.

Devyatkin slate method for growing carrots and device for its implementation

Номер патента: RU2733436C1. Автор: Викторий Данилович Девяткин. Владелец: Викторий Данилович Девяткин. Дата публикации: 2020-10-01.

Method for construction of multi-barrel well and guide device for installation of casing string in its additional shaft

Номер патента: RU2695911C1. Автор: Фарит Фоатович Ахмадишин,Алмаз Адгамович Мухаметшин,Азат Леонардович Насыров. Владелец: Публичное акционерное общество "Татнефть" имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2019-07-29.

Method for manufacturing molded ring and ring material for manufacturing such a ring

Номер патента: RU2679677C2. Автор: Хидео ТАКИДЗАВА,Дзюн ОСОНЭ,Масаюки ВАТАНАБЭ. Владелец: Ниппон Институт Оф Текнолоджи. Дата публикации: 2019-02-12.

Method for explosion protection with system alerting of initial stage of emergency situations

Номер патента: RU2660822C1. Автор: Олег Савельевич Кочетов. Владелец: Олег Савельевич Кочетов. Дата публикации: 2018-07-10.

Method for construction of multi-barrel well

Номер патента: RU2742087C1. Автор: Нафис Анасович Назимов,Раис Салихович Хисамов,Александр Михайлович Евдокимов. Владелец: Публичное акционерное общество «Татнефть» имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2021-02-02.

Devices and methods for a finfet sense amplifier

Номер патента: US20240203462A1. Автор: Wenjun Li,Christopher G. Wieduwilt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Method and apparatus for fabricating casings intended to accommodate electric equipment

Номер патента: EP1724053B1. Автор: Roberto Dal Santo,Giorgio Nadalin Zanon. Владелец: Hager Lumetal Spa. Дата публикации: 2008-03-19.

Systems and methods for designing and fabricating mass-customized products

Номер патента: US20240057696A1. Автор: Huafeng Wen,Ashley Wen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-02-22.

Apparatus and method for detecting liquid crystal diffusion and apparatus for fabricating liquid crystal panel

Номер патента: US20180217417A1. Автор: Wei Qin,Peng Zeng,Ling HU,Xiangzhen Wang. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-02.

Protection member for display, display device including the same and method for fabricating the protection member for display

Номер патента: US20210271002A1. Автор: Sang Hoon Kim,Kyung Man Kim,Seong Jin Hwang,Min Hoon CHOI,Min Sang KOO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-02.

Positioning method and probe system for performing the same, method for operating probe system, and method for utilizing probe system to produce a tested semiconductor device

Номер патента: US20240219427A1. Автор: Chien-Hung Chen,Stojan Kanev,Yan-Cheng Chen,Lin-Lin Chih,Yu-Hsun HSU,Ming-Yang Liu. Владелец: MPI Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Aluminium alloy substrate for magnetic disk, method for fabricating the same, and magnetic disk composed of aluminium alloy substrate for magnetic disk

Номер патента: US20210201946A1. Автор: Takashi Nakayama,Hideyuki Hatakeyama,Makoto Yonemitsu,Kotaro Kitawaki,Kimie IMAKAWA. Владелец: UACJ Corp. Дата публикации: 2021-07-01.

Method for fabricating ceramic articles containing organic compounds

Номер патента: WO2005005338A3. Автор: Tudor C Gheorghiu,John H Brennan,Gregory P Dillon,Michael J Vayansky. Владелец: Michael J Vayansky. Дата публикации: 2005-06-23.

Method for fabrication of glass preform

Номер патента: US11912604B2. Автор: Anand Pandey,Badri Gomatam,Sandeep Gaikwad. Владелец: Sterlite Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Oriented polymer fibers and methods for fabricating thereof

Номер патента: WO2005096744A9. Автор: King-Ning Tu,Yuhuan Xu,Benjamin M Wu,Michael V Sofroniew. Владелец: Michael V Sofroniew. Дата публикации: 2005-12-15.

Method for duplicating a denture

Номер патента: US20180333236A1. Автор: Ahmad Maniallah H. ALTHOBITY. Владелец: Imam Abdulrahman Bin Faisal University. Дата публикации: 2018-11-22.

System and method for fabricating heat transfer device

Номер патента: WO2011046421A1. Автор: Sae Chee Chiang Lee. Владелец: Hai-O Energy (M) Sdn. Bhd.. Дата публикации: 2011-04-21.

Composite substrates for the epitaxial growth of thin films and method for fabricating such substrates

Номер патента: EP4414482A1. Автор: Jochen Mannhart,Varun HARBOLA. Владелец: Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften eV. Дата публикации: 2024-08-14.

Corner compensation method for fabricating MEMS and structure thereof

Номер патента: US7180144B2. Автор: Jerwei Hsieh,Weileun Fang. Владелец: WALSIN LIHWA CORP. Дата публикации: 2007-02-20.

Porous material and method for fabricating same

Номер патента: CA2627895A1. Автор: Daniel Morrissette,Patrick Croteau. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-10.

System and method for bending crystal wafers for use in high resolution analyzers

Номер патента: US12062465B2. Автор: Jung Ho Kim,Ayman H. Said,Thomas Gog,Emily K. Aran. Владелец: UChicago Argonne LLC. Дата публикации: 2024-08-13.

Method for fabricating a sheet-shaped electrode and a sheet-shaped electrode for an electrostatic coalescing device

Номер патента: US20100000868A1. Автор: Pål Jahre NILSEN,Peder Hansson,Tor Fjeldly. Владелец: Aibel As. Дата публикации: 2010-01-07.

Method for fabrication of glass preform

Номер патента: US20210047223A1. Автор: Anand Pandey,Badri Gomatam,Sandeep Gaikwad. Владелец: Sterlite Technologies Ltd. Дата публикации: 2021-02-18.

Method for fabricating an apparatus comprising at least one microfluidic channel and an apparatus comprising a microfluidic channel

Номер патента: US20190374942A1. Автор: Paul King,Jason STAFFORD,Graeme CUNNINGHAM. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2019-12-12.

Sputtering targets and methods for fabricating sputtering targets having multiple materials

Номер патента: SG178737A1. Автор: Wenjun Zhang. Владелец: Heraeus Inc. Дата публикации: 2012-03-29.

System and method for the fabrication of nanodiamond particles

Номер патента: US11608272B1. Автор: Daniel Hodes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-03-21.

Flexible pressure sensor array and method for fabricating the same

Номер патента: US11740143B2. Автор: Li Fu,Tao Xu,Yam Chong. Владелец: Nano and Advanced Materials Institute Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Anti-skid glass pane for construction, lighting engineering and decoration, space illumination module using the pane and method for fabricating the pane

Номер патента: EP1217144B1. Автор: Paolo Landi. Владелец: TECNO SECURVETRO Srl. Дата публикации: 2004-03-10.

Method and apparatus for fabricating waveguides and waveguides fabricated therefrom

Номер патента: EP1540392A1. Автор: Ernest Wayne Balch,Min-Yi Shih,Leonard Richard Douglas. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2005-06-15.

Apparatus and method for determining the spatial relationship between two surfaces

Номер патента: WO2003081169A1. Автор: John Cameron. Владелец: Orcam Engineering Limited. Дата публикации: 2003-10-02.

Composite substrates for the epitaxial growth of thin films and method for fabricating such substrates

Номер патента: WO2024165270A1. Автор: Jochen Mannhart,Varun HARBOLA. Владелец: MAX-PLANCK-GESELLSCHAFT ZUR FORDERUNG DER WISSENSCHAFTEN E.V.. Дата публикации: 2024-08-15.

Apparatus and method for fabricating layered periodic media

Номер патента: US20020196399A1. Автор: Victor Kopp,Peter Shibayev. Владелец: Chiral Photonics Inc. Дата публикации: 2002-12-26.

Method for producing layout of semiconductor integrated circuit with radio frequency devices

Номер патента: US20110061031A1. Автор: Tsun-Lai Hsu,Jun-Hong Ou,Jui-Fang Chen,Ji-Wei Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2011-03-10.

Reinforced polishing pad for linear chemical mechanical polishing and method for forming

Номер патента: US20030013398A1. Автор: Tsu Shih,Wen-Chih Chiou,Ying-Ho Chen,Syun-Ming Jang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-01-16.

Method for fabricating a blazed grating

Номер патента: US20240241296A1. Автор: Ismo Vartiainen. Владелец: DISPELIX OY. Дата публикации: 2024-07-18.

System and method for the fabrication of nanodiamond particles

Номер патента: US20240190708A1. Автор: Daniel Hodes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-06-13.

Corner compensation method for fabricating MEMS and structure thereof

Номер патента: US6949396B2. Автор: Jerwei Hsieh,Weileun Fang. Владелец: WALSIN LIHWA CORP. Дата публикации: 2005-09-27.

Selective metamaterial absorber and method for fabricating the same

Номер патента: US20230330631A1. Автор: Liping Wang,Sydney Taylor,Jui-Yung Chang. Владелец: Arizona State University ASU. Дата публикации: 2023-10-19.

Tools and methods for fabrication of thermoplastic panels

Номер патента: US20240316839A1. Автор: Ozlem Turkarslan,Feride Nur Sasal. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for producing gold nanoparticles

Номер патента: RU2754227C1. Автор: Владимир Исаакович Белотицкий,Юрий Александрович Кумзеров,Анна Августовна Сысоева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук. Дата публикации: 2021-08-30.

Method for preparing pulmonary circulation of recipients before performing heart transplation

Номер патента: RU2678686C1. Автор: Вадим Альбертович Мазурок,Михаил Леонидович Гордеев,Мария Юрьевна Ситникова,Андрей Евгеньевич Баутин,Мария Александровна Борцова,Андрей Сергеевич Яковлев,Петр Алексеевич Федотов,Станислав Владимирович Заяшников,Михаил Николаевич Гурин,Юлия Вячеславовна Сазонова. Владелец: федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный медицинский исследовательский центр имени В.А. Алмазова" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2019-01-30.

Method for open low-traumatic reposition of pillars and fragments of acetabulum in the experiment

Номер патента: RU2751520C1. Автор: Николай Васильевич Загородний,Михаил Александрович Иванов,Эдуард Иванович Солод,Александр Алексеевич Очкуренко,Дмитрий Александрович Иванов,Сергей Викторович Донченко,Александр Иванович Колесник,Иван Михайлович Солодилов,Антон Васильевич Овчаренко,Ирина Анатольевна Соломянник,Владислав Владимирович Суриков. Владелец: Александр Иванович Колесник. Дата публикации: 2021-07-14.

Method for detecting the logo of a tv channel in a television broadcast

Номер патента: RU2771212C1. Автор: Александр Владимирович Лавриков,Алексей Николаевич Данилов,Дмитрий Алексеевич Маренков. Владелец: Общество с Ограниченной Ответственностью "СТРИМ Лабс". Дата публикации: 2022-04-28.

Method for ventilation of underground mine

Номер патента: RU2601342C1. Автор: Виктор Александрович Николаев,Александр Викторович Николаев,Николай Иванович Алыменко,Антон Алексеевич Каменских. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Пермский национальный исследовательский политехнический университет". Дата публикации: 2016-11-10.

Method for creating model for comprehensive study of integration of osteotropic materials in experiment

Номер патента: RU2754630C1. Автор: Сергей Михайлович Кутепов,Кирилл Андреевич Тимофеев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Уральский государственный медицинский университет" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГБОУ ВО УГМУ Минздрава России). Дата публикации: 2021-09-06.

Piercing perforator for formation of channels in casing strings of oil-gas wells

Номер патента: RU2069740C1. Автор: . Владелец: Акционерное общество открытого типа "Ноябрьскнефтегазгеофизика". Дата публикации: 1996-11-27.

METHOD FOR TWO-LAYERED, TENSION-FREE PLASTY OF THE BACK WALL OF THE INGUINAL CHANNEL IN THE OPERATIVE TREATMENT OF INGUINAL HERNIA

Номер патента: RU2005133540A. Автор: Владислав Казимирович Островский,Владислав Казимирович Островский (RU). Владелец: Уль новский государственный университет (УлГУ) (RU). Дата публикации: 2007-05-10.

Method for contactless determination of temperature field non-uniformity in semiconductor light sources

Номер патента: RU2538070C1. Автор: Юлия Сергеевна Гончарова,Елена Владимировна Саврук,Серафим Всеволодович Смирнов. Владелец: Серафим Всеволодович Смирнов. Дата публикации: 2015-01-10.

Method for obtaining vinyl ethers of aminophenols

Номер патента: RU2640808C1. Автор: Борис Александрович Трофимов,Нина Кузьминична Гусарова,Людмила Андреевна Опарина,Никита Александрович Колыванов,Оксана Валерьевна Высоцкая. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Иркутский институт химии имени А.Е. Фаворского Сибирского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2018-01-12.

Fuel briquet and a method for fabrication thereof

Номер патента: RU2292382C1. Автор: Павел Павлович Безруких,Сергей Федотович Боев,Абдулрахман Усманович Сембиев,Георгий Александрович Козырев,Лерий Табризович Салехов,Валерий Григорьевич Котов. Владелец: Закрытое акционерное общество "РТИ-Системы вторичного электропитания". Дата публикации: 2007-01-27.

Method for oriented modification of semiconductor device structures using pulse electromagnetic field

Номер патента: RU2545077C1. Автор: Владимир Константинович Киселев,Максим Михайлович Венедиктов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова". Дата публикации: 2015-03-27.

Method for detecting and determining coordinates of search object

Номер патента: RU2392635C2. Автор: Эдуард Яковлевич Фальков,Владимир Степанович Верба,Александр Петрович Брызгалов,Сергей Юрьевич Желтов,Валерий Юрьевич Манаков,Виктор Алексеевич Плющев,Виталий Владимирович Фитенко,Алексей Владимирович Хныкин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научно-исследовательский институт авиационных систем". Дата публикации: 2010-06-20.

Method for pressurization of inter-column space of oil and gas extractive well mouth between conductor and operation column and device for realization of said method

Номер патента: RU2249093C1. Автор: ков Н.И. Коб,Н.И. Кобяков,Р.С. Рахимкулов,В.А. Опалев,А.Н. Поздеев,В.А. Фусс,Л.М. Клейнер,В.А. Чекменев,В.А. Лобанов,В.Н. Андрюков,А.Я. Гебель,Н.А. Протопопов,А.Ю. Сливнев,Р.Я. Фрейманис,С.А. Шарманов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЛУКОЙЛ-ПЕРМЬ". Дата публикации: 2005-03-27.

Method for making semiconductor device

Номер патента: RU2654960C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2018-05-23.

Method for stabilisation of electric parameters of semiconductor devices sealed in plastic

Номер патента: RU2484550C1. Автор: Вадим Леонидович Романов. Владелец: Открытое акционерное общество "ОКБ-Планета" (ОАО "ОКБ-Планета"). Дата публикации: 2013-06-10.

Method for borehole jet plant operation during gas production from gas-condensate well

Номер патента: RU2263237C1. Автор: Зиновий Дмитриевич Хоминец. Владелец: Зиновий Дмитриевич Хоминец. Дата публикации: 2005-10-27.

Synthetic analgesic agent and method for treatment based on this agent

Номер патента: RU2322977C1. Автор: Екатерина Валентиновна Лопатина,Борис Владимирович Крылов. Владелец: Закрытое акционерное общество "Физиофарм". Дата публикации: 2008-04-27.

Method for connecting chips of digital silicon semiconductor devices and integrated circuits to package to form silicon-gold eutectic

Номер патента: RU2298252C2. Автор: Борис Анатольевич Спиридонов,Виктор Васильевич Зенин,гузов Александр Владимирович Р,Александр Владимирович Рягузов,Ольга Владимировна Хишко,Таиси Ивановна Шарапова,Таисия Ивановна Шарапова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2007-04-27.

Method for local crystallisation of lanthanum borogermanate glass

Номер патента: RU2579080C1. Автор: Владимир Николаевич Сигаев,Алексей Сергеевич Липатьев,Сергей Викторович Лотарев,Татьяна Олеговна Липатьева,Мария Олеговна Шааб. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский химико-технологический университет имени Д.И. Менделеева (РХТУ им. Д.И. Менделеева). Дата публикации: 2016-03-27.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: RU2567118C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2015-11-10.

Method for transferring messages while providing for confidentiality of identification signs of interacting objects in communication network

Номер патента: RU2253948C1. Автор: Е.М. Зверев,А.В. Шарамок. Владелец: Государственное унитарное предприятие Научно-производственный центр "СПУРТ". Дата публикации: 2005-06-10.

Method for demodulation of frequency-manipulated absolute double-pulse signals used for information transfer via short-wave channel

Номер патента: RU2454015C1. Автор: Виталий Львович Хазан,Андрей Николаевич Калинин,Анатолий Александрович Азанов,Юрий Владимирович Романов,Александр Витальевич Лушпай. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Омский государственный технический университет" (ОмГТУ). Дата публикации: 2012-06-20.

Device and method for measurement of tension force

Номер патента: RU2373491C1. Автор: Рамиль Сафиевич Мухамадиев,Ринат Гатинович Харисов,Альберт Эдуардович Ибрагимов,Андрей Анатольевич Гредюшко. Владелец: Закрытое акционерное общество "Геокомсервис". Дата публикации: 2009-11-20.

Method for gas-dynamic action on formation

Номер патента: RU2582353C1. Автор: Мирсаев Миргазямович Салихов,Ильнур Рашитович Мухлиев,Ленар Рафисович Сагидуллин,Марат Растымович Хайрутдинов,Игорь Михайлович Глазков,Сергей Владимирович Абатуров. Владелец: Сергей Владимирович Абатуров. Дата публикации: 2016-04-27.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.