Method for fabricating a dual metal gate for a semiconductor device
Номер патента: US6514827B2
Опубликовано: 04-02-2003
Автор(ы): In Seok Yeo, Se Aug Jang, Tae Ho Cha, Tae Kyun Kim
Принадлежит: Hynix Semiconductor Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 04-02-2003
Автор(ы): In Seok Yeo, Se Aug Jang, Tae Ho Cha, Tae Kyun Kim
Принадлежит: Hynix Semiconductor Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method of fabricating a metal gate MOS transistor with self-aligned first conductivity type source and drain regions and second conductivity type contact regions
Номер патента: US5547895A. Автор: Sheng-Hsing Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1996-08-20.