Enhanced-shaped extension region(s) for gate-all-around (gaa) field effect transistor (fet) device, and related fabrication methods.

Enhanced-shaped extension region(s) for gate-all-around (gaa) field effect transistor (fet) device, and related fabrication methods

Номер патента: US20240371924A1
Опубликовано: 07-11-2024
Автор(ы): Peijie Feng, Shreesh Narasimha, Yan Sun
Принадлежит: Qualcomm Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

MULTI-Vt SCHEME WITH SAME DIPOLE THICKNESS FOR GATE-ALL-AROUND TRANSISTORS

Номер патента: US20210210388A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-07-08.

Gate-all-around (gaa) field-effect transistor (fet) device employing strain material in inactive gate region(s) for applying channel strain for increased carrier mobility, and related fabrication methods

Номер патента: US20240363690A1. Автор: Haining Yang,Junjing Bao,Ming-Huei Lin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Gate-all-around (gaa) field-effect transistor (fet) device employing strain material in inactive gate region(s) for applying channel strain for increased carrier mobility, and related fabrication methods

Номер патента: WO2024226310A1. Автор: Haining Yang,Junjing Bao,Ming-Huei Lin. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-10-31.

Structure and Method for Gate-All-Around Metal-Oxide-Semiconductor Devices With Improved Channel Configurations

Номер патента: US20220336460A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

Cpp-agnostic source-drain contact formation for gate-all-around devices with dielectric isolation

Номер патента: US20230420500A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Cpp-agnostic source-drain contact formation for gate-all-around devices with dielectric isolation

Номер патента: WO2024001335A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-01-04.

Structure and method for gate-all-around metal-oxide-semiconductor devices with improved channel configurations

Номер патента: US11830878B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Structure and method for gate-all-around metal-oxide-semiconductor devices with improved channel configurations

Номер патента: US20230395601A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Sub-Fin isolation schemes for gate-all-around transistor devices

Номер патента: US11588052B2. Автор: Tahir Ghani,William Hsu,Biswajeet Guha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-02-21.

Inner Spacers for Gate-All-Around Semiconductor Devices

Номер патента: US20220344503A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-27.

Selective silicon etch for gate all around transistors

Номер патента: US12062708B2. Автор: Sanjay Natarajan,Benjamin Colombeau,Myungsun Kim,Michael Stolfi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

INTEGRATING A GATE-ALL-AROUND (GAA) TRANSISTOR WITH A SILICON GERMANIUM (SiGe) HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR (HBT)

Номер патента: US20210398972A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Haining Yang,Kwanyong LIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Semiconductor devices and methods of manufacture

Номер патента: US20210126113A1. Автор: Kuo-Cheng Chiang,Lo-Heng Chang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Device and method of fabricating multigate devices having different channel configurations

Номер патента: US20220238678A1. Автор: Tsung-Lin Lee,Chih Yeh,Da-Wen Lin,Choh fei Yeap. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230326965A1. Автор: Fei Zhao,Huaxiang Yin,Jun Luo,Yongliang Li,Wenwu Wang,Xiaohong Cheng,Anlan Chen. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-10-12.

Selective silicon etch for gate all around transistors

Номер патента: KR20220005402A. Автор: 마이클 스톨피,명선 김,벤자민 콜롬보,산제이 나타라얀. Владелец: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2022-01-13.

Method of forming gate-all-around (gaa) finfet and gaa finfet formed thereby

Номер патента: US20190123160A1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang,Andreas Knorr,Ruilong Xie,Julien Frougier. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-04-25.

METHOD OF FORMING GATE-ALL-AROUND (GAA) FINFET AND GAA FINFET FORMED THEREBY

Номер патента: US20190123160A1. Автор: KNORR Andreas,Chi Min-Hwa,Xie Ruilong,Zang Hui,Frougier Julien. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-25.

I/o device for gate-all-around transistors

Номер патента: US20200279777A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-03.

Single diffusion break isolation for gate-all-around field-effect transistor devices

Номер патента: US20210118878A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Single diffusion break isolation for gate-all-around field-effect transistor devices

Номер патента: US20200381426A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

SUB-FIN ISOLATION SCHEMES FOR GATE-ALL-AROUND TRANSISTOR DEVICES

Номер патента: US20200044087A1. Автор: Ghani Tahir,Hsu William,GUHA BISWAJEET. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-02-06.

Quadruple gate dielectric for gate-all-around transistors

Номер патента: US20200258785A1. Автор: Takashi Ando,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-13.

Structure and method to form a stack field effect transistor with different channel oriented gate-all-around devices

Номер патента: US20240203991A1. Автор: Shogo Mochizuki,Gen Tsutsui. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Multi-gate device integration with separated fin-like field effect transistor cells and gate-all-around transistor cells

Номер патента: US11791339B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Multi-Gate Device Integration with Separated Fin-Like Field Effect Transistor Cells and Gate-All-Around Transistor Cells

Номер патента: US20230387122A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Inner spacer liner for gate-all-around device

Номер патента: WO2024151387A1. Автор: LIU Jiang,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Abhijit Basu Mallick,Susmit Singha Roy,El Mehdi Bazizi,Benjamin Colombeau,Sai Hooi YEONG. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-07-18.

Inner spacer liner for gate-all-around device

Номер патента: US20240234531A1. Автор: LIU Jiang,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Abhijit Basu Mallick,Susmit Singha Roy,El Mehdi Bazizi,Benjamin Colombeau,Sai Hooi YEONG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Multilayer inner spacer for gate-all-around device

Номер патента: WO2024123430A1. Автор: LIU Jiang,Abhijit Basu Mallick,Susmit Singha Roy,El Mehdi Bazizi,Benjamin Colombeau,Sai Hooi YEONG. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-06-13.

Multilayer inner spacer for gate-all-around device

Номер патента: US20240194757A1. Автор: LIU Jiang,Abhijit Basu Mallick,Susmit Singha Roy,El Mehdi Bazizi,Benjamin Colombeau,Sai Hooi YEONG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and method

Номер патента: US20240290886A1. Автор: Feng-Ming Chang,Chih-Chuan Yang,Lien Jung Hung,Kian-Long Lim,Kuo-Hsiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Reducing parasitic capacitance for gate-all-around device by forming extra inner spacers

Номер патента: US20200105902A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Kuo-Cheng Ching,Shi Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Reducing parasitic capacitance for gate-all-around device by forming extra inner spacers

Номер патента: US20230369458A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Kuo-Cheng Ching,Shi Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Reducing parasitic capacitance for gate-all-around device by forming extra inner spacers

Номер патента: US11764286B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Kuo-Cheng Ching,Shi Ning Ju. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Gate spacer in stacked gate-all-around (gaa) device architecture

Номер патента: US20240006499A1. Автор: Jack T. Kavalieros,Susmita Ghose,David Kohen,Marko Radosavljevic,Charles C. Kuo,Cheng-Ying Huang,Nicole K. Thomas,Kai Loon CHEONG,Thoe MICHAELOS,Rambert Nahm,Natalie BRIGGS,Munzarin F. Qayyum,Pooja Nath. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Selective removal of channel bodies in stacked gate-all-around (gaa) device structures

Номер патента: US20230395678A1. Автор: Nitesh Kumar,Jack T. Kavalieros,Marko Radosavljevic,Willy Rachmady,Cheng-Ying Huang,Nicole K. Thomas,Kai Loon CHEONG,Jami A. WIEDEMER,Rohit Galatage,Munzarin F. Qayyum,Venkata Vasiraju. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Removal of upper channel bodies in stacked gate-all-around (gaa) device structures

Номер патента: US20230395697A1. Автор: David Bennett,Marko Radosavljevic,Willy Rachmady,Cheng-Ying Huang,Nicole K. Thomas,Jami A. WIEDEMER,Rohit Galatage,Munzarin F. Qayyum,Dincer Unluer,Venkata Aditya Addepalli. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Gate all-around (gaa) field effect transistors (fets) formed on both sides of a substrate

Номер патента: WO2024047479A1. Автор: Runzi Chang. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Gate All-Around (GAA) Field Effect Transistors (FETS) Formed on Both Sides of a Substrate

Номер патента: US20240072070A1. Автор: Runzi Chang. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Integrating a gate-all-around (gaa) field-effect transistor(s) (fet(s)) and a finfet(s) in a common substrate of a semiconductor die

Номер патента: WO2020036662A1. Автор: Mustafa Badaroglu,Kern Rim. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2020-02-20.

Gate-all-around (gaa) transistors with additional bottom channel for reduced parasitic capacitance and methods of fabrication

Номер патента: US20210384310A1. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Jun Yuan,Peijie Feng. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Gate-all-around (gaa) transistors with additional bottom channel for reduced parasitic capacitance and methods of fabrication

Номер патента: WO2021247167A1. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Jun Yuan,Peijie Feng. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2021-12-09.

Transistores gate-all-around (gaa) com canal inferior para capacitância parasitária reduzida e métodos de fabricação

Номер патента: BR112022023893A2. Автор: Yuan Jun,RIM Kern,Feng Peijie,Seungchul Song Stanley. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-12-27.

Gate-all-around (gaa) transistors with additional bottom channel for reduced parasitic capacitance and methods of fabrication

Номер патента: EP4161868A1. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Jun Yuan,Peijie Feng. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-04-12.

Method for fabricating gate-all-around (gaa) structure

Номер патента: US20230387249A1. Автор: Ming Li,Ran Bi. Владелец: Beijing Intellectual Property Operation Management Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

MULTI-Vt SCHEME WITH SAME DIPOLE THICKNESS FOR GATE-ALL-AROUND TRANSISTORS

Номер патента: US20210210388A1. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Zhang Jingyun. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-08.

Semiconductor structure having both gate-all-around devices and planar devices

Номер патента: US11810981B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor Structure Having Both Gate-All-Around Devices and Planar Devices

Номер патента: US20230187561A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor Structure Having Both Gate-All-Around Devices and Planar Devices

Номер патента: US20210226070A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

MODULAR INTERCONNECTS FOR GATE-ALL-AROUND TRANSISTORS

Номер патента: US20170005106A1. Автор: Zhang John H.. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-05.

Device with shallow source/drain contact and related method

Номер патента: US20240274675A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuo-Cheng Chiang,Jia-Chuan You,Yu-Chun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Field effect transistor (fet) stack and methods to form same

Номер патента: US20210336005A1. Автор: Anthony K. Stamper,John J. Ellis-Monaghan,Vibhor Jain,Steven M. Shank. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Field effect transistor with backside source/drain

Номер патента: US20240112985A1. Автор: Son Nguyen,Lawrence A. Clevenger,Brent A. Anderson,Shogo Mochizuki,Ruilong Xie,Kisik Choi,Su Chen Fan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Co-integration of non-volatile memory on gate-all-around field effect transistor

Номер патента: US20210028175A1. Автор: ZHENG Xu,Kangguo Cheng,Dexin Kong,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-01-28.

Co-integration of non-volatile memory on gate-all-around field effect transistor

Номер патента: US20200273861A1. Автор: ZHENG Xu,Kangguo Cheng,Dexin Kong,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-27.

Method for incorporating multiple channel materials in a complementary field effective transistor (cfet) device

Номер патента: WO2019112952A1. Автор: Subhadeep Kal,Jeffrey Smith. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2019-06-13.

REDUCING PARASITIC CAPACITANCE FOR GATE-ALL-AROUND DEVICE BY FORMING EXTRA INNER SPACERS

Номер патента: US20200105902A1. Автор: Wang Chih-hao,Ching Kuo-Cheng,Ju Shi Ning,Cheng Kuan-Lun. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-02.

Confined work function material for gate-all around transistor devices

Номер патента: US20200273710A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-27.

Confined work function material for gate-all around transistor devices

Номер патента: US20210118683A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Confined work function material for gate-all around transistor devices

Номер патента: US11430660B2. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-08-30.

Semiconductor structure for gate all around nanosheet device

Номер патента: WO2023197202A1. Автор: Yijian Chen,Krishna Kumar Bhuwalka. Владелец: Huawei Technologies CO.,Ltd.. Дата публикации: 2023-10-19.

Conformal oxidation for gate all around nanosheet i/o device

Номер патента: WO2022031527A1. Автор: Benjamin Colombeau,Andy Lo,Myungsun Kim,Michael Stolfi. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-02-10.

Inner spacers for gate-all-around transistors

Номер патента: US11855216B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Lo-Heng Chang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen,Pei-Hsun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Selectively thinned gate-all-around (gaa) structures

Номер патента: EP4148804A1. Автор: Tahir Ghani,Pratik Patel,Mohammad Hasan,Leonard P. GULER,Clifford Ong,Mohit HARAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-15.

Mutliple dielectrics for gate-all-around transistors

Номер патента: US20200258786A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-13.

Gate-all-around (gaa) transistors with shallow source/drain regions and methods of fabricating the same

Номер патента: US20220037493A1. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Peijie Feng. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Source and drain regions for laterally adjacent gate-all-around (gaa) pmos and nmos

Номер патента: US20240071831A1. Автор: William Hsu,Deepak Sridhar,Oleg Golonzka,Chang Wan Han,Kevin J. Fischer,Biswajeet Guha,Suman Dasgupta,Vivek Thirtha,Ian Yang,Sameerah Desnavi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Non-shared metal gate integration for scaled gate all around (gaa) transistors

Номер патента: US20240079276A1. Автор: Cornelius Brown Peethala,Effendi Leobandung,Eric Miller,Ruqiang Bao,Charlotte DeWan Adams,Liqiao QIN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Epitaxial source/drain structures for multigate devices and methods of fabricating thereof

Номер патента: US11876135B2. Автор: Mei-Yun Wang,Po-Yu Huang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-16.

Epitaxial source/drain structures for multigate devices and methods of fabricating thereof

Номер патента: US20240097035A1. Автор: Mei-Yun Wang,Po-Yu Huang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Field effect transistors with 2-dimensional electron gas channels

Номер патента: US20240006502A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor devices with superlattice layers providing halo implant peak confinement and related methods

Номер патента: EP3284106A1. Автор: Hideki Takeuchi,Robert J. Mears. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2018-02-21.

Semiconductor devices with superlattice layers providing halo implant peak confinement and related methods

Номер патента: US09899479B2. Автор: Hideki Takeuchi,Robert J. Mears. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Field effect transistor with decoupled channel and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20180166550A1. Автор: Mark S. Rodder,Borna J. Obradovic. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-14.

Field effect transistor with decoupled channel and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20190148508A1. Автор: Mark S. Rodder,Borna J. Obradovic. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor device and method of manufacture therefor

Номер патента: US20160163849A1. Автор: Philippe Dupuy,Hubert Grandry. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-06-09.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: EP3800670A2. Автор: Jinxing Song,Maojie CONG,Jiagui YUAN. Владелец: Semiconductor Manufacturing Electronics Shaoxing Corp SMEC. Дата публикации: 2021-04-07.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: EP3800670A3. Автор: Jinxing Song,Maojie CONG,Jiagui YUAN. Владелец: Semiconductor Manufacturing Electronics Shaoxing Corp SMEC. Дата публикации: 2021-06-30.

Semiconductor device and method of forming same

Номер патента: US20220045181A1. Автор: Jinxing Song,Maojie CONG,Jiagui YUAN. Владелец: Semiconductor Manufacturing Electronics Shaoxing Corp SMEC. Дата публикации: 2022-02-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09837530B2. Автор: Thorsten Meyer,Robert Zink,Sven Lanzerstorfer,Stefan Decker. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-12-05.

Strained semiconductor on insulator (ssoi) based gate all around (gaa) transistor structures

Номер патента: EP4187611A1. Автор: Prashant Majhi,Glenn A. Glass,Anand S. Murthy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-05-31.

Methods of forming gate-all-around (gaa) devices

Номер патента: US20240355896A1. Автор: Shien-Yang Wu,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Gate-all-around (GAA) method and devices

Номер патента: US11101359B2. Автор: Shien-Yang Wu,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-24.

Strained semiconductor on insulator (ssoi) based gate all around (gaa) transistor structures

Номер патента: KR20230080309A. Автор: 아난드 머시,프라샨트 마즈히,글렌 글라스. Владелец: 인텔 코포레이션. Дата публикации: 2023-06-07.

Gate-all-around (GAA) method and devices

Номер патента: US12057485B2. Автор: Shien-Yang Wu,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Cross field effect transistor (xfet) architecture process

Номер патента: EP4409626A1. Автор: Richard T. Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Complementary field effect transistor (cfet) with balanced n and p drive current

Номер патента: US20240204109A1. Автор: Xia Li,Giridhar Nallapati,Junjing Bao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Complementary field effect transistor (cfet) with balanced n and p drive current

Номер патента: WO2024137197A1. Автор: Xia Li,Giridhar Nallapati,Junjing Bao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-06-27.

Gate-all-around (GAA) device including a superlattice

Номер патента: US11978771B2. Автор: Hideki Takeuchi,Robert John Stephenson,Robert J. Mears,Marek Hytha,Keith Doran Weeks,Nyles Wynn Cody. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Gate-all-around (gaa) device including a superlattice

Номер патента: US20240194740A1. Автор: Hideki Takeuchi,Robert John Stephenson,Robert J. Mears,Marek Hytha,Keith Doran Weeks,Nyles Wynn Cody. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Variable gate width for gate all-around transistors

Номер патента: US09590089B2. Автор: Jack T. Kavalieros,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Seung Hoon Sung,Van H. Le,Willy Rachmady. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Hybrid channel region for gate all around (gaa) transistor structures

Номер патента: WO2023114583A1. Автор: Anand Murthy,Prashant Majhi,Glenn Glass. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2023-06-22.

Stepped source drain contact for gate-all-around transistor

Номер патента: US20230411477A1. Автор: Eric Miller,Yann Mignot,Tsung-Sheng KANG,Su Chen Fan,Nicolas Jean Loubet. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Threshold voltage modulation for gate-all-around fet architecture

Номер патента: EP4281999A1. Автор: Yong Yang,Srinivas Gandikota,Yixiong Yang,Benjamin Colombeau,Steven C. H. Hung,Myungsun Kim,Jacqueline Samantha Wrench. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-29.

Threshold voltage modulation for gate-all-around fet architecture

Номер патента: WO2022159165A1. Автор: Yong Yang,Srinivas Gandikota,Yixiong Yang,Benjamin Colombeau,Steven C. H. Hung,Myungsun Kim,Jacqueline Samantha Wrench. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-07-28.

Method and structure for gate-all-around devices

Номер патента: US20230335586A1. Автор: Chun-Fai Cheng,Chang-Miao Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Conformal oxidation for gate all around nanosheet i/o device

Номер патента: US20220037529A1. Автор: Benjamin Colombeau,Andy Lo,Myungsun Kim,Michael Stolfi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Low-k dielectric inner spacer for gate all around transistors

Номер патента: US20190267463A1. Автор: ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang,Chun Wing Yeung,Robin Hsin Kuo Chao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-29.

Nanosheet with single epitaxial stack forming off-set dual material channels for gate-all-around cmos

Номер патента: US20190355723A1. Автор: Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang,Xin Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-11-21.

Method for gate-all-around I/O formation by selective epitaxy regrowth

Номер патента: JP2022552850A. Автор: ベンジャミンコロンボー，,マティアスバウアー，,ナヴェドアハメドスィディキ，,フィリップスタウト，. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-12-20.

Nanosheet with single epitaxial stack forming off-set dual material channels for gate-all-around cmos

Inner spacer liner for gate-all-around device

Номер патента: WO2024151386A1. Автор: LIU Jiang,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,El Mehdi Bazizi,Benjamin Colombeau,Byeong Chan Lee,Sai Hooi YEONG. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-07-18.

Inner spacer liner for gate-all-around device

Номер патента: US20240234544A1. Автор: LIU Jiang,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,El Mehdi Bazizi,Benjamin Colombeau,Byeong Chan Lee,Sai Hooi YEONG. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

SINGLE DIFFUSION BREAK ISOLATION FOR GATE-ALL-AROUND FIELD-EFFECT TRANSISTOR DEVICES

Номер патента: US20200381426A1. Автор: Cheng Kangguo,XU Wenyu,Zhang Chen,Miao Xin. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-03.

Graded superlattice structure for gate all around devices

Номер патента: US20230420521A1. Автор: Pierre Tomasini,Yi-Chiau Huang,Abhishek Dube. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Graded superlattice structure for gate all around devices

Номер патента: WO2024005870A1. Автор: Pierre Tomasini,Yi-Chiau Huang,Abhishek Dube. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-01-04.

Non-step nanosheet structure for stacked field-effect transistors

Номер патента: US12119264B2. Автор: Shogo Mochizuki,Gen Tsutsui. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Stacked field-effect transistors

Номер патента: WO2023161760A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Su Chen Fan,Julien Frougier,Maruf Amin Bhuiyan. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2023-08-31.

Stacked field-effect transistors

Номер патента: US20230268388A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Su Chen Fan,Julien Frougier,Maruf Amin Bhuiyan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Staircase stacked field effect transistor

Номер патента: US20230402520A1. Автор: Shogo Mochizuki,Ruilong Xie,Min Gyu Sung,Sanjay C. Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Stacked field effect transistor

Номер патента: US20230402519A1. Автор: Brent A. Anderson,Albert M. Young,Ruilong Xie,Albert M. Chu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Non-step nanosheet structure for stacked field-effect transistors

Номер патента: US20240006244A1. Автор: Shogo Mochizuki,Gen Tsutsui. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Non-step nanosheet structure for stacked field-effect transistors

Номер патента: WO2024001468A1. Автор: Shogo Mochizuki,Gen Tsutsui. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-01-04.

Vertical field-effect transistor (fet) stacked over horizontal fet

Номер патента: US20230378259A1. Автор: Ruilong Xie,Heng Wu,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Method of forming field effect transistors with replacement metal gates and contacts and resulting structure

Номер патента: US09911736B1. Автор: Hui Zang,Haigou Huang,Xiaofeng Qiu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Inner spacers for gate-all-around semiconductor devices

Номер патента: US20240136438A1. Автор: Yu-Yun Peng,Keng-Chu Lin,Fu-Ting Yen,Tsu-Hsiu Perng,Ting-Ting CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Inner spacers for gate-all-around semiconductor devices

Номер патента: US11855214B2. Автор: Yu-Yun Peng,Keng-Chu Lin,Fu-Ting Yen,Tsu-Hsiu Perng,Ting-Ting CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Cross field effect transistor library cell architecture design

Номер патента: US20240258322A1. Автор: Richard T. Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Cross field effect transistor library cell architecture design

Номер патента: EP4409638A1. Автор: Richard T. Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Cross field effect transistor library cell architecture design

Номер патента: US11881393B2. Автор: Richard T. Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Cross field effect transistor library cell architecture design

Номер патента: WO2023056167A1. Автор: Richard T. Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2023-04-06.

6t sram architecture for gate-all-around nanowire devices

Номер патента: US20140312426A1. Автор: Josephine B. Chang,Michael A. Guillorn,Karthik Balakrishnan,Paul Chang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-10-23.

HORIZONTAL GATE-ALL-AROUND (GAA) FIELD EFFECT TRANSISTOR (FET) FOR COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR (CMOS) INTEGRATION

Номер патента: US20200185384A1. Автор: YANG Bin,Li Xia,Tao Gengming. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-11.

Replacement Metal Gate Integration for Gate All Around Transistors

Номер патента: US20240186401A1. Автор: Effendi Leobandung,Eric Miller,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Structure and Method for Gate-All-Around Devices with Dielectric Interposer

Номер патента: US20240145566A1. Автор: Wei-Yang Lee,Huiling Shang,Ka-Hing Fung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

GATE-ALL-AROUND (GAA) AND FIN FIELD-EFFECT TRANSISTOR (FINFET) HYBRID STATIC RANDOM-ACCESS MEMORY (SRAM)

Номер патента: US20210020643A1. Автор: Yang Haining. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-21.

PSEUDOMORPHIC INGAAS ON GAAS FOR GATE-ALL-AROUND TRANSISTORS

Номер патента: US20180158927A1. Автор: Ghani Tahir,Rachmady Willy,Kavalieros Jack T.,Dewey Gilbert,Metz Matthew V.,Glass Glenn A.,Murthy Anand S.,Mohapatra Chandra S.. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-07.

Source/drain for gate-all-around devices

Номер патента: US20200350215A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-11-05.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20210328038A1. Автор: Jinwoo Kim,Juyoun Kim,Junmo Park,Sangjung Kang,Seulgi Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-21.

Stacked combsheet field effect transistor

Номер патента: US20240006500A1. Автор: Tao Li,Tsung-Sheng KANG,Ruqiang Bao,Curtis S. Durfee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Multi-Gate Device Integration with Separated Fin-Like Field Effect Transistor Cells and Gate-All-Around Transistor Cells

Номер патента: US20240379681A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Stacked complementary field effect transistor (cfet) and method of manufacture

Номер патента: WO2024015154A1. Автор: Xia Li,Bin Yang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-01-18.

Stacked complementary field effect transistor (cfet) and method of manufacture

Номер патента: US20240021586A1. Автор: Xia Li,Bin Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

FORMATION OF WRAP-AROUND-CONTACT FOR GATE-ALL-AROUND NANOSHEET FET

Номер патента: US20190326395A1. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Zhang Jingyun,Lee Choonghyun,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-24.

ISOLATION SCHEMES FOR GATE-ALL-AROUND TRANSISTOR DEVICES

Номер патента: US20200006559A1. Автор: Ghani Tahir,Mehandru Rishabh,Cea Stephen M.,Hsu William,GUHA BISWAJEET. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-01-02.

Structure and Method for Gate-all-Around Device with Extended Channel

Номер патента: US20200044045A1. Автор: Wang Chih-hao,Tsai Ching-Wei,Lin Chun-Hsiung,WANG Pei-Hsun,Chou Chih-Chao. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-06.

CONFINED WORK FUNCTION MATERIAL FOR GATE-ALL AROUND TRANSISTOR DEVICES

Номер патента: US20200273710A1. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Zhang Jingyun,Lee Choonghyun,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-27.

Selective etching for gate all around architectures

Номер патента: EP3087588A1. Автор: Anand Murthy,Robert B. Turkot, Jr.,Seung Hoon Sung,Seiyon Kim,Kelin Kuhn. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-02.

Selective etching for gate all around architectures

Номер патента: EP3087588A4. Автор: Anand Murthy,Robert B. Turkot, Jr.,Seung Hoon Sung,Seiyon Kim,Kelin Kuhn. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-09.

Methods of Manufacturing Inner Spacers in a Gate-all-around (GAA) FET through Multi-Layer Spacer Replacement

Номер патента: US20190027570A1. Автор: Wang Chih-hao,Tsai Ching-Wei,Ching Kuo-Cheng,Cheng Kuan-Lun. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20210028068A1. Автор: Naoto Horiguchi,Lars-Ake Ragnarsson,Yusuke Oniki,Eugenio Dentoni Litta. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-01-28.

Fabrication of vertical field effect transistors with uniform structural profiles

Номер патента: US09837410B1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

High-power field-effect transistor (fet)

Номер патента: EP4214759A1. Автор: Abhijeet Paul. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-07-26.

High-power field-effect transistor (fet)

Номер патента: WO2022060546A1. Автор: Abhijeet Paul. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-03-24.

FIELD EFFECT TRANSISTOR (FET) COMPRISING CHANNELS WITH SILICON GERMANIUM (SiGe)

Номер патента: WO2021076241A1. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Jun Yuan,Kwanyong LIM. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2021-04-22.

Field effect transistor (fet) comprising channels with silicon germanium (sige)

Номер патента: EP4046202A1. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Jun Yuan,Kwanyong LIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-08-24.

Field effect transistor with backside source/drain contact

Номер патента: US20240153990A1. Автор: Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor device and logic device

Номер патента: US20240178228A1. Автор: Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang,Iuliana Radu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Field effect transistor having staggered field effect transistor cells

Номер патента: EP3539158A1. Автор: Christopher M. LAIGHTON,Istvan Rodriguez,Alan J. Bielunis. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2019-09-18.

Field effect transistor having staggered field effect transistor cells

Номер патента: WO2018089424A1. Автор: Christopher M. LAIGHTON,Istvan Rodriguez,Alan J. Bielunis. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2018-05-17.

Cross field effect transistor (XFET) library architecture power routing

Номер патента: US11862640B2. Автор: Richard T. Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Shared source/drain contact for stacked field-effect transistor

Номер патента: US20240170532A1. Автор: Koichi Motoyama,Ruilong Xie,Leon Sigal,Nicholas Alexander POLOMOFF. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Forming vertical and horizontal field effect transistors on the same substrate

Номер патента: US09741716B1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Field effect transistor having staggered field effect transistor cells

Номер патента: US20180130888A1. Автор: Christopher M. LAIGHTON,Istvan Rodriguez,Alan J. Bielunis. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2018-05-10.

Forming a combination of long channel devices and vertical transport fin field effect transistors on the same substrate

Номер патента: US20190341489A1. Автор: Chen Zhang,CHENG Chi,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-11-07.

Forming a combination of long channel devices and vertical transport fin field effect transistors on the same substrate

Номер патента: US20180337278A1. Автор: Chen Zhang,CHENG Chi,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-22.

Forming a combination of long channel devices and vertical transport fin field effect transistors on the same substrate

Номер патента: US20190334033A1. Автор: Chen Zhang,CHENG Chi,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-31.

Forming a combination of long channel devices and vertical transport fin field effect transistors on the same substrate

Номер патента: US20180269320A1. Автор: Chen Zhang,CHENG Chi,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

PN-body-tied field effect transistors

Номер патента: US12051723B2. Автор: Patrick Morrow,Willy Rachmady,Aaron D. Lilak,Sayed Hasan,Kerryann Marrietta Foley. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor Devices and Methods

Номер патента: US20230299159A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device and method

Номер патента: US12119392B2. Автор: Shih-Chieh Chang,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor devices and methods of manufacturing

Номер патента: US11915946B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacturing

Номер патента: US20240162059A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Gate-all-around nanowire device and method for manufacturing such a device

Номер патента: US09991261B2. Автор: Jerome Mitard. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-06-05.

Inner Spacers for Gate-All-Around Semiconductor Devices

Номер патента: US20210036144A1. Автор: LIAW Jhon Jhy. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor device and method

Номер патента: US10510871B1. Автор: Shih-Chieh Chang,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-17.

Semiconductor Devices and Methods

Номер патента: US20210126097A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Spacers for Nanowire-Based Integrated Circuit Device and Method of Fabricating Same

Номер патента: US20200075743A1. Автор: Tung Ying Lee,Shao-Ming Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor device and method

Номер патента: US20230387267A1. Автор: Shih-Chieh Chang,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device and method

Номер патента: US11817492B2. Автор: Shih-Chieh Chang,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: KR102435159B1. Автор: 게르벤 두른보스,달 마르쿠스 요하네스 헨리쿠스 반,게오르기오스 벨리아니티스. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2022-08-22.

Diode Structure and Method for Gate All Around Silicon Nanowire Technologies

Номер патента: US20140217509A1. Автор: Josephine B. Chang,Isaac Lauer,Jeffrey W. Sleight,Chung-Hsun Lin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-08-07.

Anisotropic sige:b epitaxial film growth for gate all around transistor

Номер патента: US12068155B2. Автор: Zhiyuan Ye,Sathya Chary,Yi-Chiau Huang,Xuebin Li,Saurabh Chopra,Chen-ying WU. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Anisotropic sige:b epitaxial film growth for gate all around transistor

Номер патента: WO2023014458A1. Автор: Zhiyuan Ye,Sathya Chary,Yi-Chiau Huang,Xuebin Li,Saurabh Chopra,Chen-ying WU. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-02-09.

Pseudomorphic InGaAs on GaAs for gate-all-around transistors

Номер патента: TW201709408A. Автор: 吉伯特狄威,馬修梅茲,威利瑞奇曼第,塔何甘尼,傑克卡瓦萊羅斯,錢德拉莫哈帕拉,安拿莫希,葛蘭葛雷斯. Владелец: 英特爾股份有限公司. Дата публикации: 2017-03-01.

Inner spacers for gate-all-around semiconductor devices

Номер патента: US10950731B1. Автор: Yu-Yun Peng,Keng-Chu Lin,Fu-Ting Yen,Tsu-Hsiu Perng,Ting-Ting CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-16.

Pseudomorphic ingaas on gaas for gate-all-around transistors

Номер патента: EP3314641A4. Автор: Gilbert Dewey,Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Glenn A. Glass,Anand S. Murthy,Chandra S. Mohapatra,Willy Rachmady,Matthew V. Metz. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-01-23.

Gate-all-around (GAA) transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US11101361B1. Автор: Xiaohong Jiang,Ching Hwa Tey,Zhaoyao Zhan,Qianwei Ding. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-08-24.

Gate-All-Around (GAA) Method and Devices

Номер патента: US20200168715A1. Автор: PAN Kuo-Hua,Wu Shien-Yang,Lin Ta-Chun. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-28.

GATE-ALL-AROUND (GAA) METHOD AND DEVICES

Номер патента: US20210384311A1. Автор: PAN Kuo-Hua,Wu Shien-Yang,Lin Ta-Chun. Владелец: . Дата публикации: 2021-12-09.

Gate-all-around (GAA) transistors with nanowires on an isolation pedestal

Номер патента: US10847631B2. Автор: Tahir Ghani,Abhijit Jayant Pethe,Harry Gomez,Annalisa Cappellani. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-11-24.

Circuits employing adjacent low-k dummy gate to a field-effect transistor (fet) to reduce fet source/drain parasitic capacitance, and related fabrication methods

Номер патента: US20200161419A1. Автор: Haining Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-05-21.

Hybrid circuit including a tunnel field-effect transistor

Номер патента: US09748271B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak,Tamilmani Ethirajan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Single-chip field effect transistor (FET) switch with silicon germanium (SiGe) power amplifier and methods of forming

Номер патента: US09646993B2. Автор: Peng Cheng,Qizhi Liu,James A. Slinkman,Blaine J. Gross,James S. Dunn. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Method of forming field effect transistors (FETs) with abrupt junctions and integrated circuit chips with the FETs

Номер патента: US09595595B2. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

SINGLE-CHIP FIELD EFFECT TRANSISTOR (FET) SWITCH WITH SILICON GERMANIUM (SiGe) POWER AMPLIFIER AND METHODS OF FORMING

Номер патента: US20150364492A1. Автор: Peng Cheng,Qizhi Liu,James A. Slinkman,Blaine J. Gross,James S. Dunn. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-12-17.

Forming a backside ground or power plane in a stacked vertical transport field effect transistor

Номер патента: US20200286793A1. Автор: Chen Zhang,Lawrence A. Clevenger,Kangguo Cheng,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Multi-gate field effect transistor (FET) including isolated FIN body

Номер патента: US09954002B2. Автор: Hongmei Li,Junjun Li. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Single-chip field effect transistor (FET) switch with silicon germanium (SiGe) power amplifier and methods of forming

Номер патента: US09653477B2. Автор: Peng Cheng,Qizhi Liu,James A. Slinkman,Blaine J. Gross,James S. Dunn. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Field effect transistor with decoupled channel and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20200279849A1. Автор: Mark S. Rodder,Borna J. Obradovic. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-09-03.

Semiconductor device having fin-type field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09502531B2. Автор: Jungdal CHOI,Sung Gi Hur,Sangsu Kim,TaeYong KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-22.

Power field effect transistor

Номер патента: EP2279525A4. Автор: JIAN Li,King Owyang. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2013-12-18.

Power field effect transistor

Номер патента: WO2009140224A2. Автор: JIAN Li,King Owyang. Владелец: VISHAY-SILICONIX. Дата публикации: 2009-11-19.

Power field effect transistor

Номер патента: EP2279525A2. Автор: JIAN Li,King Owyang. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2011-02-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240145569A1. Автор: Sung-Li Wang,Yee-Chia Yeo,Chi On Chui,Jyh-Cherng Sheu,I-Sheng Chen,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11894438B2. Автор: Sung-Li Wang,Yee-Chia Yeo,Chi On Chui,Jyh-Cherng Sheu,I-Sheng Chen,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Modified tunneling field effect transistors and fabrication methods

Номер патента: US09673757B2. Автор: Min-Hwa Chi,Yanxiang Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Fin field effect transistor (FinFET) device and method for forming the same

Номер патента: US09553171B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yung-Jung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Fin field-effect transistor device and method of forming

Номер патента: US12094778B2. Автор: Pei-Ren Jeng,Yee-Chia Yeo,Chii-Horng Li,Yi-Fang Pai,Jeng-Wei Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Fin field-effect transistor device and method of forming

Номер патента: US20240363418A1. Автор: Pei-Ren Jeng,Yee-Chia Yeo,Chii-Horng Li,Yi-Fang Pai,Jeng-Wei Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Fin field effect transistor device with reduced overlap capacitance and enhanced mechanical stability

Номер патента: US09793378B2. Автор: Shom Ponoth,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Qing Liu,Nicolas Loubet,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-10-17.

Fin field effect transistor (FinFET) device and method for forming the same

Номер патента: US09653605B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chang-Yin Chen,Yung-Jung Chang,Tung-Wen CHENG,Zhe-Hao Zhang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09406521B1. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Fin field-effect transistor and fabrication method thereof

Номер патента: EP3190610A3. Автор: Gang MAO. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-07-19.

Etching composition, etching method, production method for semiconductor device, and production method for gate-all-around transistor

Номер патента: EP4280258A1. Автор: Mari Abe,Ken Harada,Tatsunobu Suzuki. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2023-11-22.

Full air-gap spacers for gate-all-around nanosheet field effect transistors

Номер патента: US11495668B2. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-11-08.

Leakage control for gate-all-around field-effect transistor devices

Номер патента: US10797163B1. Автор: LAN Yu,Dechao Guo,Heng Wu,Junli Wang,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-06.

Modular interconnects for gate-all-around transistors

Номер патента: US20180337133A1. Автор: John H. Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-11-22.

Modular interconnects for gate-all-around transistors

Номер патента: US09997463B2. Автор: John H. Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-06-12.

VARIABLE GATE WIDTH FOR GATE ALL-AROUND TRANSISTORS

Номер патента: US20130341704A1. Автор: Rachmady Willy,Kavalieros Jack T.,Pillarisetty Ravi,Chau Robert S.,Le Van H.,SUNG Seung Hoon. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-26.

LONG CHANNEL OPTIMIZATION FOR GATE-ALL-AROUND TRANSISTORS

Номер патента: US20200035820A1. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Zhang Jingyun,Lee Choonghyun,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-30.

Contact Structures for Gate-All-Around Devices and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20200105889A1. Автор: LIAW Jhon Jhy. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-02.

INNER SPACERS FOR GATE-ALL-AROUND TRANSISTORS

Номер патента: US20220367703A1. Автор: Wang Chih-hao,Chiang Kuo-Cheng,LIN Zhi-Chang,CHANG Jung-Hung,WANG Pei-Hsun,Chen Shih-Cheng,Chang Lo-Heng. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-17.

Inner Spacers for Gate-All-Around Transistors

Номер патента: US20200381545A1. Автор: Wang Chih-hao,Chiang Kuo-Cheng,LIN Zhi-Chang,CHANG Jung-Hung,WANG Pei-Hsun,Chen Shih-Cheng,Chang Lo-Heng. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-03.

Gate-all-around field effect transistors with horizontal nanosheet conductive channel structures for MOL/inter-channel spacing and related cell architectures

Номер патента: US09685564B2. Автор: RWIK Sengupta,Titash Rakshit,Joon Goo Hong,Mark Stephen Rodder. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

Structure and method for vertical tunneling field effect transistor with leveled source and drain

Номер патента: US11894448B2. Автор: Ming Zhu,Chi-Wen Liu,Chao-Hsiung Wang,Harry-Hak-Lay Chuang,Yi-Ren CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Structure and Method for Vertical Tunneling Field Effect Transistor with Leveled Source and Drain

Номер патента: US20190097029A1. Автор: Ming Zhu,Chi-Wen Liu,Chao-Hsiung Wang,Harry-Hak-Lay Chuang,Yi-Ren CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Structure and method for vertical tunneling field effect transistor with leveled source and drain

Номер патента: US20240178303A1. Автор: Ming Zhu,Chi-Wen Liu,Chao-Hsiung Wang,Harry-Hak-Lay Chuang,Yi-Ren CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Vertical field effect transistors with metallic source/drain regions

Номер патента: US20170317177A1. Автор: Rajasekhar Venigalla,Robert R. Robison,Reinaldo Vega,Hari V. Mallela. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-02.

Vertical field effect transistors with metallic source/drain regions

Номер патента: US09859384B2. Автор: Rajasekhar Venigalla,Robert R. Robison,Reinaldo Vega,Hari V. Mallela. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Protrusion field-effect transistor and methods of making the same

Номер патента: US20240266399A1. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos,Georgios VALLIANITIS. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

FULL AIR-GAP SPACERS FOR GATE-ALL-AROUND NANOSHEET FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20200105896A1. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Zhang Jingyun,Lee Choonghyun,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-02.

FULL AIR-GAP SPACERS FOR GATE-ALL-AROUND NANOSHEET FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20200111886A1. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Zhang Jingyun,Lee Choonghyun,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-09.

FULL AIR-GAP SPACERS FOR GATE-ALL-AROUND NANOSHEET FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20190157414A1. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Zhang Jingyun,Lee Choonghyun,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-23.

Self-limited inner spacer formation for gate-all-around field effect transistors

Номер патента: US20180212038A1. Автор: ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang,Robinhsinku Chao,Heng Wu,Chun W. Yeung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-26.

SELF-LIMITED INNER SPACER FORMATION FOR GATE-ALL-AROUND FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20180212039A1. Автор: Wu Heng,Zhang Jingyun,Lee Choonghyun,Yeung Chun W.,Chao Robinhsinku. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-26.

Self-limited inner spacer formation for gate-all-around field effect transistors

Номер патента: US9947767B1. Автор: ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang,Robinhsinku Chao,Heng Wu,Chun W. Yeung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

QUADRUPLE GATE DIELECTRIC FOR GATE-ALL-AROUND TRANSISTORS

Номер патента: US20200258785A1. Автор: Ando Takashi,Zhang Jingyun,Lee Choonghyun. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-13.

MUTLIPLE DIELECTRICS FOR GATE-ALL-AROUND TRANSISTORS

Номер патента: US20200258786A1. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Zhang Jingyun,Lee Choonghyun,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-13.

I/O DEVICE SCHEME FOR GATE-ALL-AROUND TRANSISTORS

Номер патента: US20200066839A1. Автор: Reznicek Alexander,Miao Xin,Zhang Jingyun,Lee Choonghyun. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

FORMATION OF SELF-LIMITED INNER SPACER FOR GATE-ALL-AROUND NANOSHEET FET

Номер патента: US20190181224A1. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Zhang Jingyun,Lee Choonghyun,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-13.

MODULAR INTERCONNECTS FOR GATE-ALL-AROUND TRANSISTORS

Номер патента: US20180337133A1. Автор: Zhang John H.. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-22.

FORMATION OF SELF-LIMITED INNER SPACER FOR GATE-ALL-AROUND NANOSHEET FET

Номер патента: US20190393306A1. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Zhang Jingyun,Lee Choonghyun,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-26.

Selective oxidation processes for gate-all-around transistors

Номер патента: WO2024196677A1. Автор: Shawn Thomas,Christopher S. Olsen,Benjamin Colombeau,Byeong Chan Lee,Edy Cardona. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-09-26.

Selective oxidation processes for gate-all-around transistors

Номер патента: US20240321584A1. Автор: Shawn Thomas,Christopher S. Olsen,Benjamin Colombeau,Byeong Chan Lee,Edy Cardona. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

GATE-ALL-AROUND (GAA) TRANSISTORS WITH SHALLOW SOURCE/DRAIN REGIONS AND METHODS OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20220037493A1. Автор: SONG Stanley Seungchul,RIM Kern,Feng Peijie. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-03.

Device and method of forming 3d u-shaped nanosheet cfet

Номер патента: US20240249978A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford,Partha MUKHOPADHYAY. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

LEAKAGE CONTROL FOR GATE-ALL-AROUND FIELD-EFFECT TRANSISTOR DEVICES

Номер патента: US20200343372A1. Автор: Guo Dechao,Wang Junli,Wu Heng,Bao Ruqiang,Yu Lan. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-29.

VARIABLE GATE WIDTH FOR GATE ALL-AROUND TRANSISTORS

Номер патента: US20170154960A1. Автор: Rachmady Willy,Kavalieros Jack T.,Pillarisetty Ravi,Chau Robert S.,Le Van H.,SUNG Seung Hoon. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-01.

INNER SPACERS FOR GATE-ALL-AROUND SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20210083091A1. Автор: Peng Yu-Yun,Lin Keng-Chu,Yen Fu-Ting,Chen Ting-Ting,Perng Tsu-Hsiu. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-18.

Inner Spacers for Gate-All-Around Semiconductor Devices

Номер патента: US20210202735A1. Автор: Peng Yu-Yun,Lin Keng-Chu,Yen Fu-Ting,Chen Ting-Ting,Perng Tsu-Hsiu. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-01.

UNIFORM LOW-K INNER SPACER MODULE IN GATE-ALL-AROUND (GAA) TRANSISTORS

Номер патента: US20180277656A1. Автор: Zhang Jingyun,Lee Choonghyun,Yeung Chun W.,Chao Robin H.. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-27.

Field-effect transistors (FETs) employing edge transistor current leakage suppression to reduce FET current leakage

Номер патента: US11948978B2. Автор: Abhijeet Paul,Mishel Matloubian. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Stacked nanosheet complementary metal oxide semiconductor field effect transistor devices

Номер патента: US20210249412A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-08-12.

Buried via-to-backside power rail (vbpr) for stacked field-effect transistor (fet)

Номер патента: US20230369217A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Eric Miller,Nicholas Anthony Lanzillo,Julien Frougier,Daniel James Dechene. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Apparatus and method of modulating threshold voltage for fin field effect transistor (finfet) and nanosheet fet

Номер патента: US20200403093A1. Автор: Mark Rodder,Joon Goo Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-24.

Stacked field-effect transistors

Номер патента: US20230395600A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Julien Frougier,Jay William Strane,Curtis S. Durfee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor Device and Method

Номер патента: US20220181490A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Lo-Heng Chang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Field-effect transistor, display element, image display device, and system

Номер патента: EP3118900A1. Автор: Shinji Matsumoto,Yuki Nakamura,Yuji Sone,Yukiko Abe,Naoyuki Ueda,Ryoichi SAOTOME,Sadanori ARAE,Minehide KUSAYANAGI. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-18.

Integrated nanosheet field effect transistors and floating gate memory cells

Номер патента: US12009435B2. Автор: Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Veeraraghavan S. Basker,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

Three-dimensional cross field effect self-aligned transistors with frontside and backside power connections

Номер патента: WO2024107583A3. Автор: Richard T. Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2024-07-04.

Directionally etched nanowire field effect transistors

Номер патента: US20120280204A1. Автор: Jeffrey W. Sleight,Guy M. Cohen,Sarunya Bangsaruntip. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-11-08.

Nanowire Field Effect Transistors

Номер патента: US20130175502A1. Автор: Guy Cohen,Jeffrey W. Sleight,Amlan Majumdar,Sarunya Bangsaruntip. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-11.

Nanowire field effect transistors

Номер патента: EP2801105A1. Автор: Guy Cohen,Jeffrey W. Sleight,Amlan Majumdar,Sarunya Bangsaruntip. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-11-12.

Directionally etched nanowire field effect transistors

Номер патента: WO2011141193A1. Автор: Guy Cohen,Sarunya Bangsaruntip,Jeffrey Sleight. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2011-11-17.

Methods of forming a bulk field effect transistor (fet) with sub-source/drain isolation layers and the resulting structures

Номер патента: US20180374946A1. Автор: Bartlomiej J. Pawlak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-12-27.

Multiple thickness semiconductor-on-insulator field effect transistors and methods of forming the same

Номер патента: US20220328345A1. Автор: Po-Jen Wang,Kun-Tsang Chuang,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-13.

Multiple thickness semiconductor-on-insulator field effect transistors and methods of forming the same

Номер патента: US11817345B2. Автор: Po-Jen Wang,Kun-Tsang Chuang,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Field effect transistor, method of fabricating field effect transistor, and electronic device

Номер патента: US20200328294A1. Автор: Shibo LIANG. Владелец: Beijing Hua Tan Yuan Xin Electronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-15.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: EP4324028A1. Автор: Krishna Kumar Bhuwalka. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-21.

Field effect transistor using transition metal dichalcogenide and a method for manufacturing the same

Номер патента: US20180114839A1. Автор: Chi-Wen Liu,Shou-Fang Chen,Yuh-Renn WU. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2018-04-26.

Three-dimensional cross field effect self-aligned transistors with frontside and backside power connections

Номер патента: US20240162320A1. Автор: Richard T. Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Three-dimensional cross field effect self-aligned transistors with frontside and backside power connections

Номер патента: WO2024107583A2. Автор: Richard T. Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor device and related fabrication methods

Номер патента: US09553187B2. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris,Richard J. De Souza,Mazhar Ul Hoque. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Field-effect transistor and fabrication method of field-effect transistor

Номер патента: US11043575B2. Автор: Stephane Badel,Xiaolong Ma,Riqing Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-22.

Semiconductor device including a field effect transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20240339451A1. Автор: Minju Kim,Junggil YANG,Inhyun SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20230420563A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Wen-Yen Chen,Tsai-Yu Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Complementary metal-oxide-semiconductor field-effect transistor and method thereof

Номер патента: US09875943B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Etching composition, etching method, production method for semiconductor device, and production method for gate-all-around transistor

Номер патента: EP4280258A4. Автор: Mari Abe,Ken Harada,Tatsunobu Suzuki. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2024-07-24.

Etching composition, etching method, production method for semiconductor device, and production method for gate-all-around transistor

Номер патента: IL304357A. Автор: . Владелец: Mitsubishi Chem Corp. Дата публикации: 2023-09-01.

Gate-all-around (gaa) transistor with insulator on substrate and methods of fabricating

Номер патента: WO2021252115A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Haining Yang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2021-12-16.

Gate-all-around (gaa) transistor with insulator on substrate and methods of fabricating

Номер патента: US20210384227A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Haining Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

SELECTIVE ETCHING FOR GATE ALL AROUND ARCHITECTURES

Номер патента: US20170005176A1. Автор: Kuhn Kelin J.,Kim Seiyon,Murthy Anand S.,JR. Robert B.,SUNG Seung Hoon,TURKOT. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-01-05.

Memory bit cells with three-dimensional cross field effect transistors

Номер патента: US20240304241A1. Автор: Richard T. Schultz,Kerrie Vercant Underhill. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory bit cells with three-dimensional cross field effect transistors

Номер патента: WO2024187130A1. Автор: Richard T. Schultz,Kerrie Vercant Underhill. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and a method for fabricating the same

Номер патента: US11764218B2. Автор: Chia-Chun Liao,Shun-Jang Liao,Shu-Hui Wang,Shih-Hsun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device and a method for fabricating the same

Номер патента: US20210313328A1. Автор: Chia-Chun Liao,Shun-Jang Liao,Shu-Hui Wang,Shih-Hsun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Semiconductor device and a method for fabricating the same

Номер патента: US20180337181A1. Автор: Chia-Chun Liao,Shun-Jang Liao,Shu-Hui Wang,Shih-Hsun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-11-22.

Integrating a planar field effect transistor (FET) with a vertical FET

Номер патента: US09502407B1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Integrating a planar field effect transistor (FET) with a vertical FET

Номер патента: US9887193B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Vertical pillar-type field effect transistor and method

Номер патента: US20180226503A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-08-09.

Vertical pillar-type field effect transistor and method

Номер патента: US09947793B1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Bipolar field effect transistor structures and methods of forming the same

Номер патента: US20140097472A1. Автор: Peter J. Zampardi, JR.,Hsiang-Chih Sun. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2014-04-10.

Semiconductor device and a method for fabricating the same

Номер патента: US20230361120A1. Автор: Chia-Chun Liao,Shun-Jang Liao,Shu-Hui Wang,Shih-Hsun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Circuit comprising a cascode device and method of operating circuit

Номер патента: EP4170905A1. Автор: Maarten Jacobus Swanenberg. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-04-26.

Semiconductor device and integrated circuit

Номер патента: US09991171B1. Автор: Zhi-Biao Zhou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Interconnects for vertical-transport field-effect transistors

Номер патента: US09887192B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Field effect transistor structure with gate structure having a wall and floor portions

Номер патента: US09843007B2. Автор: Chun-Yen Chang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2017-12-12.

Vertical field effect transistors

Номер патента: US09653360B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Vertical field effect transistors

Номер патента: US09570357B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Field effect power transistors

Номер патента: EP2748855A1. Автор: Gregory Bunin,David Rozman,Tamara Baksht. Владелец: VISIC TECHNOLOGIES Ltd. Дата публикации: 2014-07-02.

Pillar formation for heat dissipation and isolation in vertical field effect transistors

Номер патента: US09748381B1. Автор: Chen Zhang,Peng Xu,Kangguo Cheng,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Field-effect transistor, display element, image display device, and system

Номер патента: US20150001531A1. Автор: Shinji Matsumoto,Yuki Nakamura,Yuji Sone,Yukiko Abe,Naoyuki Ueda,Ryoichi SAOTOME,Sadanori ARAE,Mikiko Takada. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-01.

Single-diffusion break structure for fin-type field effect transistors

Номер патента: US20180374851A1. Автор: Hui Zang,Yanzhen Wang,Bingwu Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-12-27.

Diode Structure and Method for Gate All Around Silicon Nanowire Technologies

Номер патента: US20140217507A1. Автор: Lauer Isaac,Lin Chung-Hsun,Chang Josephine B.,Sleight Jeffrey W.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-08-07.

Gate all around device structure and Fin field effect transistor (FinFET) device structure

Номер патента: US09620607B2. Автор: Yu-Lien Huang,Chin-Chi Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Vertical field effect transistor with undercut buried insulating layer to improve contact resistance

Номер патента: US09761726B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Chemically-sensitive field effect transistors, systems and methods for manufacturing and using the same

Номер патента: US09857328B2. Автор: Paul Hoffman. Владелец: Agilome Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

III-V vertical field effect transistors with tunable bandgap source/drain regions

Номер патента: US09786768B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

III-V vertical field effect transistors with tunable bandgap source/drain regions

Номер патента: US09640667B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Integrating metal-insulator-metal capacitors with fabrication of vertical field effect transistors

Номер патента: US20190259666A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Xuefeng Liu,Heng Wu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-22.

Field effect transistor high aspect ratio patterning

Номер патента: US20240332295A1. Автор: Wai Kin Li,Domingo Ferrer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Static random access memory using vertical transport field effect transistors

Номер патента: US11956939B2. Автор: Tao Li,Albert M. Young,Tsung-Sheng KANG,Ardasheir Rahman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Static random access memory using vertical transport field effect transistors

Номер патента: US20230217639A1. Автор: Tao Li,Albert M. Young,Tsung-Sheng KANG,Ardasheir Rahman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-07-06.

Field effect transistor with stacked nanowire-like channels and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09853114B1. Автор: Mark S. Rodder,Borna Obradovic. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Vertical field effect transistor including extension and stressors

Номер патента: US09793401B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Back-to-back power field-effect transistors with associated current sensors

Номер патента: EP3909076A1. Автор: Indumini Ranmuthu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-11-17.

Back-to-back power field-effect transistors with associated current sensors

Номер патента: WO2020146624A1. Автор: Indumini Ranmuthu. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2020-07-16.

Hybrid field-effect transistor

Номер патента: WO2022175064A1. Автор: Dennis A. Dempsey,Seamus P. Whiston,Andrew Christopher Linehan,David J. Rohan. Владелец: Analog Devices International Unlimited Company. Дата публикации: 2022-08-25.

Hybrid field-effect transistor

Номер патента: EP4256614A1. Автор: Dennis A. Dempsey,Seamus P. Whiston,Andrew Christopher Linehan,David J. Rohan. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2023-10-11.

Hybrid field-effect transistor

Номер патента: US11984479B2. Автор: Dennis A. Dempsey,Seamus P. Whiston,Andrew Christopher Linehan,David J. Rohan. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2024-05-14.

Field-effect transistors with semiconducting gate

Номер патента: US20200052071A1. Автор: Jing Chen,Qingkai Qian. Владелец: Hong Kong University of Science and Technology HKUST. Дата публикации: 2020-02-13.

Finfet circuits employing replacement n-type fet source/drain (s/d) to avoid or prevent short defects and related methods of fabrication

Номер патента: WO2021097148A1. Автор: Hyunwoo Park,Youn Sung Choi,YouSeok Suh,Kwanyong LIM. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2021-05-20.

Field effect transistor with backside source/drain

Номер патента: US20240113176A1. Автор: Son Nguyen,Lawrence A. Clevenger,Brent A. Anderson,Shogo Mochizuki,Ruilong Xie,Kisik Choi,Su Chen Fan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Finfet circuits employing replacement n-type fet source/drain (s/d) to avoid or prevent short defects and related methods of fabrication

Номер патента: EP4059048A1. Автор: Hyunwoo Park,Youn Sung Choi,YouSeok Suh,Kwanyong LIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-09-21.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240266256A1. Автор: Sangmoon Lee,Jinbum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Asymmetric gated fin field effect transistor (fet) (finfet) diodes

Номер патента: US20180158935A1. Автор: HAO WANG,Haining Yang,Xiaonan Chen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-06-07.

A trench gate metal oxide semiconductor field effect transistor, mosfet, as well as a corresponding method of manufacture

Номер патента: EP4170728A1. Автор: Manoj Kumar,Steffen Holland,Chinmoy Khaund,Pei Heng Hung. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-04-26.

A method for forming a stacked fet device

Номер патента: EP4199057A1. Автор: Naoto Horiguchi,Boon Teik CHAN,Anne Vandooren. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-06-21.

Gate-all-around field-effect transistor with extended source/drain

Номер патента: US20240282839A1. Автор: Sang Uk LEE,Rock-Hyun Baek. Владелец: POSTECH Research and Business Development Foundation. Дата публикации: 2024-08-22.

Vertical field-effect transistor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20240170338A1. Автор: Min Gyu Kim,Hwi Chan Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Vertical field-effect transistor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20220165623A1. Автор: Min Gyu Kim,Hwi Chan Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-26.

Circuit Including a Field-Effect Transistor and a Bipolar Transistor

Номер патента: US20190074374A1. Автор: Gary Horst Loechelt. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-03-07.

Integrated circuit devices including a vertical field-effect transistor (vfet) and methods of forming the same

Номер патента: US20200403096A1. Автор: Seon Bae Kim,Seung Hyun Song,Young Chai Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-24.

I/O DEVICE FOR GATE-ALL-AROUND TRANSISTORS

Номер патента: US20200279777A1. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Zhang Jingyun,Lee Choonghyun,Hashemi Pouya. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-03.

Semiconductor device and method for preparing same

Номер патента: CN103794498A. Автор: 禹国宾. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2014-05-14.

A kind of semiconductor device and preparation method thereof

Номер патента: CN103794498B. Автор: 禹国宾. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-12-21.

Field-effect transistor, display element, image display device, and system

Номер патента: US20170162172A1. Автор: Shinji Matsumoto,Yuki Nakamura,Yuji Sone,Yukiko Abe,Naoyuki Ueda,Ryoichi SAOTOME,Sadanori ARAE,Minehide KUSAYANAGI. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-08.

Field-effect transistor, display element, image display device, and system

Номер патента: US20180277060A1. Автор: Shinji Matsumoto,Yuki Nakamura,Yuji Sone,Yukiko Abe,Naoyuki Ueda,Ryoichi SAOTOME,Sadanori ARAE,Minehide KUSAYANAGI. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-27.

Two dimensional field effect transistors

Номер патента: US20180182849A1. Автор: Alireza Alian,Salim El Kazzi. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-06-28.

Field-effect transistor (FET) devices employing adjacent asymmetric active gate / dummy gate width layout

Номер патента: US09634138B1. Автор: Ukjin Roh,Youn Sung Choi,Shashank Ekbote. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Field effect transistor, termination structure and associated method for manufacturing

Номер патента: US9362351B2. Автор: Tiesheng Li,Rongyao Ma,Huaifeng Wang. Владелец: Chengdu Monolithic Power Systems Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-07.

Trench fet device and method of manufacturing trench fet device

Номер патента: EP4311407A1. Автор: Junqing HE,Mohuai CHANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-31.

Field effect transistor (fet) having fingers with rippled edges

Номер патента: US20140054602A1. Автор: Joseph Herbert Johnson. Владелец: RF Micro Devices Inc. Дата публикации: 2014-02-27.

Dual shallow trench isolation (sti) field effect transistor (fet) and methods of forming

Номер патента: US20150255539A1. Автор: Max G. Levy,Yun Shi,Richard A. Phelps,Natalie B. Feilchenfeld,Santosh Sharma,Michael J. Zierak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-09-10.

Method of forming a field effect transistor having a gate structure with a first section having a first effective work function above a center portion of the channel region and with second sections having a second effective work function above opposing sidewalls of the channel region

Номер патента: US20140070330A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Trench FET Device and Method of Manufacturing Trench FET Device

Номер патента: US20240113186A1. Автор: Junqing HE,Mo Huai Chang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Field effect transistor (FET) devices

Номер патента: GB2616798A. Автор: Ando Takashi,Vega Reinaldo,Adusumilli Praneet,CHI Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-20.

Field effect transistor (fet) devices

Номер патента: CA3192560A1. Автор: CHENG Chi,Takashi Ando,Praneet Adusumilli,Reinaldo Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-07-07.

Split gate power semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20170040428A1. Автор: Johnny Kin On Sin,Jiajin LIANG,Chun Wai Ng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-02-09.

Split gate power semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20150372103A1. Автор: Johnny Kin On Sin,Jiajin LIANG,Chun Wai Ng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-12-24.

Field effect transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09871123B2. Автор: Chih-Jung Wang,Tong-Yu Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Power field effect transistor, a power field effect transistor device and a method of manufacturing a power field effect transistor

Номер патента: US09660044B2. Автор: Jean Michel Reynes,Pierre Jalbaud,Dale Neil VAUGHAN,Graeme John Anderson. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Split gate power semiconductor field effect transistor

Номер патента: US09825149B2. Автор: Johnny Kin On Sin,Jiajin LIANG,Chun Wai Ng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200343373A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Yu-Ming Lin,Chun Hsiung Tsai,Kuo-Feng Yu,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Vertical field effect transistor with dual threshold voltage

Номер патента: US11855148B2. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-26.

Field-effect transistors with a gate structure in a dual-depth trench isolation structure

Номер патента: US11955514B2. Автор: Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Field-effect transistor with a dielectric structure having a gate dielectric and a shielding dielectric

Номер патента: US20240145580A1. Автор: Andreas Hoffmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-05-02.

Ferroelectric-based field-effect transistor with threshold voltage switching for enhanced on-state and off-state performance

Номер патента: US20200321445A1. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-10-08.

Lateral field-effect transistor and preparing method

Номер патента: US20230299128A1. Автор: NING Xu,Cheng Liu,Nien-Tze Yeh,Wenbi Cai. Владелец: Hunan Sanan Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Lateral field-effect transistor and preparation method therefor

Номер патента: EP4228006A1. Автор: NING Xu,Cheng Liu,Nien-Tze Yeh,Wenbi Cai. Владелец: Hunan Sanan Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-16.

Reduced Gate Charge Field-Effect Transistor

Номер патента: US20170154993A1. Автор: David Laforet,Cedric OUVRARD,Li Juin Yip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-06-01.

Semiconductor device and related fabrication methods

Номер патента: EP2673806A1. Автор: Jingjing Chen,Peilin Wang,D Defresart EDOUARD. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2013-12-18.

Normally off gallium nitride field effect transistors (fet)

Номер патента: US20180308967A1. Автор: Anup Bhalla,TingGang Zhu. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2018-10-25.

Metal oxide semiconductor field effect transistor and method of manufacturing

Номер патента: US20230246104A1. Автор: Steven Peake. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-08-03.

Reduced gate charge field-effect transistor

Номер патента: US09755066B2. Автор: David Laforet,Cedric OUVRARD,Li Juin Yip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-09-05.

Normally off gallium nitride field effect transistors (FET)

Номер патента: US09520480B1. Автор: Anup Bhalla,TingGang Zhu. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-12-13.

Vertical-type metal insulator semiconductor field effect transistor device, and production method for manufacturing such transistor device

Номер патента: US20050133856A1. Автор: Kinya Ohtani. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-06-23.

Field effect transistor with self-adjusting threshold voltage

Номер патента: US20140239371A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Elgin Kiok Boone Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2014-08-28.

Normally off gallium nitride field effect transistors (fet)

Номер патента: US20170084730A1. Автор: TingGang Zhu,Anups Bhalla. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-03-23.

Reduced Gate Charge Field-Effect Transistor

Номер патента: US20170345924A1. Автор: David Laforet,Cedric OUVRARD,Li Juin Yip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-11-30.

Normally off gallium nitride field effect transistors (fet)

Номер патента: US20160380073A1. Автор: Anup Bhalla,TingGang Zhu. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-12-29.

Normally off gallium nitride field effect transistors (FET)

Номер патента: US10020389B2. Автор: Anup Bhalla,TingGang Zhu. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2018-07-10.

Vertical field-effect transistor (vfet) devices and methods of forming the same

Номер патента: US20210111269A1. Автор: Kang-ill Seo,Hwi Chan Jun,Jeong Hyuk YIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-15.

Field effect transistor and method of manufacture

Номер патента: US09847415B2. Автор: Stephen E. Luce,John J. Pekarik,Yun Shi,Alvin J. Joseph,Alan B. Botula. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

FIELD-EFFECT TRANSISTOR, DISPLAY ELEMENT, IMAGE DISPLAY DEVICE, AND SYSTEM

Номер патента: US20190027508A1. Автор: Nakamura Yuki,Sone Yuji,Ueda Naoyuki,Abe Yukiko,Matsumoto Shinji,Saotome Ryoichi,ARAE Sadanori,KUSAYANAGI Minehide. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

Coating liquid for forming metal oxide film, oxide insulator film, field-effect transistor, display element, image display device, and system

Номер патента: EP3827464A1. Автор: Shinji Matsumoto,Yuki Nakamura,Yuji Sone,Yukiko Abe,Naoyuki Ueda,Ryoichi SAOTOME,Sadanori ARAE,Minehide KUSAYANAGI. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-02.

Field-effect transistor, display element, image display device, and system

Номер патента: US09972274B2. Автор: Shinji Matsumoto,Yuki Nakamura,Yuji Sone,Yukiko Abe,Naoyuki Ueda,Ryoichi SAOTOME,Sadanori ARAE. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Field-effect transistor, display element, image display device, and system

Номер патента: US20170033237A1. Автор: Shinji Matsumoto,Yuki Nakamura,Yuji Sone,Yukiko Abe,Naoyuki Ueda,Ryoichi SAOTOME,Sadanori ARAE,Minehide KUSAYANAGI. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-02.

Field effect transistor, display element, image display device, and system

Номер патента: US20110128275A1. Автор: Hiroshi Kondo,Yuki Nakamura,Yuji Sone,Yukiko Abe,Naoyuki Ueda. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-02.

Coating liquid for forming metal oxide film, oxide insulator film, field-effect transistor, display element, image display device, and system

Номер патента: US11901431B2. Автор: Shinji Matsumoto,Yuki Nakamura,Yuji Sone,Yukiko Abe,Naoyuki Ueda,Ryoichi SAOTOME,Sadanori ARAE,Minehide KUSAYANAGI. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Field-effect transistor, display element, image display device, and system

Номер патента: US20200303561A1. Автор: Shinji Matsumoto,Yuki Nakamura,Yuichi Ando,Yuji Sone,Yukiko Abe,Naoyuki Ueda,Ryoichi SAOTOME,Sadanori ARAE,Minehide KUSAYANAGI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-09-24.

GATE STACK QUALITY FOR GATE-ALL-AROUND FIELD-EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20190312120A1. Автор: Ando Takashi,Zhang Jingyun,Lee Choonghyun. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-10.

GATE-ALL-AROUND (GAA) TRANSISTORS WITH ADDITIONAL BOTTOM CHANNEL FOR REDUCED PARASITIC CAPACITANCE AND METHODS OF FABRICATION

Номер патента: US20210384310A1. Автор: Yuan Jun,SONG Stanley Seungchul,RIM Kern,Feng Peijie. Владелец: . Дата публикации: 2021-12-09.

Field Effect Transistor Having Loop Distributed Field Effect Transistor Cells

Номер патента: US20170053910A1. Автор: Christopher M. LAIGHTON,Istvan Rodriguez,Alan J. Bielunis. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2017-02-23.

Field effect transistor having loop distributed field effect transistor cells

Номер патента: EP3338308A1. Автор: Christopher M. LAIGHTON,Istvan Rodriguez,Alan J. Bielunis. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2018-06-27.

Field effect transistor having loop distributed field effect transistor cells

Номер патента: WO2017030825A1. Автор: Christopher M. LAIGHTON,Istvan Rodriguez,Alan J. Bielunis. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2017-02-23.

Field effect transistor having loop distributed field effect transistor cells

Номер патента: US09698144B2. Автор: Christopher M. LAIGHTON,Istvan Rodriguez,Alan J. Bielunis. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2017-07-04.

Field effect transistor having two-dimensionally distributed field effect transistor cells

Номер патента: US09685438B2. Автор: Christopher M. LAIGHTON,Istvan Rodriguez,Alan J. Bielunis. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200044085A1. Автор: Yu-Ming Lin,Chun Hsiung Tsai,Cheng-Yi Peng,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-06.

Structure integrating field-effect transistor with heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20200043913A1. Автор: Chan Shin Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-02-06.

Thin-film field effect transistor, driving method thereof, array substrate, display device, and electronic product

Номер патента: US09515191B2. Автор: Bo Wu,Xiaojing QI. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Nanowire Tunnel Field Effect Transistors

Номер патента: US20120273761A1. Автор: Isaac Lauer,Jeffrey W. Sleight,Amlan Majumdar,Sarunya Bangsaruntip. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Semiconductor device and related manufacturing method

Номер патента: US20160329427A1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-11-10.

Semiconductor device and related manufacturing method

Номер патента: US9793173B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Negative-capacitance and ferroelectric field-effect transistor (ncfet and fe-fet) devices

Номер патента: US20220149182A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-12.

Negative-capacitance and ferroelectric field-effect transistor (ncfet and fe-fet) devices

Номер патента: US20210296469A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Negative-capacitance and ferroelectric field-effect transistor (NCFET and FE-FET) devices

Номер патента: US11777017B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor device and related manufacturing method

Номер патента: US20180005890A1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Negative-capacitance and ferroelectric field-effect transistor (ncfet and fe-fet) devices

Номер патента: US20230369472A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Vertical fin field effect transistor, vertical fin field effect transistor arrangement, and method for forming a vertical fin field effect transistor

Номер патента: US20230118158A1. Автор: Joachim Rudhard,Wolfgang Feiler,Daniel Krebs,Jens Baringhaus,Alberto MARTINEZ-LIMIA. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2023-04-20.

Normally-off gallium oxide field-effect transistor structure and preparation method therefor

Номер патента: US11456387B2. Автор: Xin Tan,Yuangang WANG,Zhihong FENG,Xubo Song,Xingye Zhou,Yuanjie Lv,Shixiong LIANG. Владелец: CETC 13 Research Institute. Дата публикации: 2022-09-27.

Field-effect transistor, display element, image display device, and system

Номер патента: CN106356406A. Автор: 曾根雄司,植田尚之,中村有希,安部由希子,松本真二,草柳岭秀,早乙女辽,早乙女辽一,新江定宪. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-25.

Field-effect transistor, display element, image display device, and system

Номер патента: EP3118900B1. Автор: Shinji Matsumoto,Yuki Nakamura,Yuji Sone,Yukiko Abe,Naoyuki Ueda,Ryoichi SAOTOME,Sadanori ARAE,Minehide KUSAYANAGI. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-01.

GATE STACK QUALITY FOR GATE-ALL-AROUND FIELD-EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20210126018A1. Автор: Ando Takashi,Zhang Jingyun,Lee Choonghyun. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-29.

Three-dimensional dynamic random-access memory (3d dram) gate all-around (gaa) design using stacked si/sige

Номер патента: US20220344339A1. Автор: Sony Varghese,Fredrick David Fishburn. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-10-27.

Three-dimensional dynamic random-access memory (3d dram) gate all-around (gaa) design using stacked si/sige

Номер патента: WO2022226236A1. Автор: Sony Varghese,Fredrick David Fishburn. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-10-27.

Field effect transistor contacts

Номер патента: US09761496B2. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Field effect transistor contacts

Номер патента: US09484264B1. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Gate tie-down for top field effect transistor

Номер патента: US20240203992A1. Автор: Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Field effect transistor contacts

Номер патента: US20170033016A1. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-02.

Field-effect transistors having black phosphorus channel and methods of making the same

Номер патента: US09620627B1. Автор: Yee-Chia Yeo,Ling-Yen Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Monolithic three-dimensional (3d) complementary field effect transistor (cfet) circuits and method of manufacture

Номер патента: US20240047455A1. Автор: Xia Li,Bin Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Monolithic three-dimensional (3d) complementary field effect transistor (cfet) circuits and method of manufacture

Номер патента: WO2024035471A1. Автор: Xia Li,Bin Yang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-02-15.

Stacked field effect transistors

Номер патента: WO2023103750A1. Автор: Chen Zhang,Dechao Guo,Junli Wang,Timothy Mathew Philip,Sung Dae Suk. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2023-06-15.

Field effect transistors with reduced leakage current

Номер патента: US11955555B2. Автор: Roda Kanawati,Paul D. Hurwitz,Rula BADARNEH,Kurt Moen. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2024-04-09.

Field Effect Transistors with Reduced Leakage Current

Номер патента: US20230395722A1. Автор: Roda Kanawati,Paul D. Hurwitz,Rula BADARNEH,Kurt Moen. Владелец: Newport Fab dba Tower Semiconductor Newport Beach LLC. Дата публикации: 2023-12-07.

Devices and methods related to radio-frequency switches having reduced-resistance metal layout

Номер патента: US09741653B2. Автор: Yu Zhu,Guillaume Alexandre Blin,Ambarish Roy. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Multi-functional field effect transistor with intrinsic self-healing properties

Номер патента: US11563122B2. Автор: Hossam Haick,Muhammad KHATIB. Владелец: Technion Research and Development Foundation Ltd. Дата публикации: 2023-01-24.

Multi-functional field effect transistor with intrinsic self-healing properties

Номер патента: US11916148B2. Автор: Hossam Haick,Muhammad KHATIB. Владелец: Technion Research and Development Foundation Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Field-effect transistor including oxide semiconductor, and memory and semiconductor circuit including the same

Номер патента: US09548395B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuhiko Takemura,Hiromichi Godo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Field effect transistor and semiconductor device

Номер патента: US20130228776A1. Автор: Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-05.

Cells including at least one fin field effect transistor and semiconductor integrated circuits including the same

Номер патента: US09576978B2. Автор: Sang-hoon BAEK,Sang-Kyu Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Devices and methods related to radio-frequency switches having reduced-resistance metal layout

Номер патента: EP2851956A2. Автор: Yu Zhu,Guillaume Alexandre Blin,Ambarish Roy. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2015-03-25.

Partially isolated fin-shaped field effect transistors

Номер патента: US09634000B2. Автор: Hong He,Chun-Chen Yeh,Chiahsun Tseng,Yunpeng Yin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Coating liquid for forming thin metal oxide film, thin metal oxide film, field-effect transistor and method of making field-effect transistor

Номер патента: RU2546725C2. Автор: Юкико АБЕ,Наоюки УЕДА,Юки НАКАМУРА,Юдзи СОНЕ. Владелец: РИКОХ КОМПАНИ, ЛТД.. Дата публикации: 2015-04-10.

Structure of metal oxide semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20030189226A1. Автор: Bing-Yue Tsui,Chih-Feng Huang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2003-10-09.

Complementary field-effect transistors

Номер патента: US20210210349A1. Автор: Alexander Reznicek,Jingyun Zhang,Ruilong Xie,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-07-08.

Method of manufacturing field-effect transistor array by direct carbon nanotube printing and field effect transistor array manufactured by the same

Номер патента: US20240204078A1. Автор: Yoonhee Lee,Hongki KANG,Soohyun PARK,Minhye Shin. Владелец: DAEGU GYEONGBUK INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-06-20.

Field effect transistor and preparation method therefor, and semiconductor structure

Номер патента: EP4160696A1. Автор: Wen YIN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-05.

Methods of forming epitaxial structures in fin-like field effect transistors

Номер патента: US12068204B2. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

FIELD-EFFECT TRANSISTOR, DISPLAY ELEMENT, IMAGE DISPLAY DEVICE, AND SYSTEM

Номер патента: US20150001531A1. Автор: Nakamura Yuki,Sone Yuji,Ueda Naoyuki,Abe Yukiko,Matsumoto Shinji,Takada Mikiko,Saotome Ryoichi,ARAE Sadanori. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2015-01-01.

FIELD-EFFECT TRANSISTOR, DISPLAY ELEMENT, IMAGE DISPLAY DEVICE, AND SYSTEM

Номер патента: US20170018650A1. Автор: Nakamura Yuki,Sone Yuji,Ueda Naoyuki,Abe Yukiko,Matsumoto Shinji,Saotome Ryoichi,ARAE Sadanori,KUSAYANAGI Minehide. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2017-01-19.

Vertical tunnel field effect transistor (FET)

Номер патента: US09647097B2. Автор: Gerben Doornbos,Matthias Passlack,Krishna Kumar Bhuwalka. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor structures with stacked non-planar field effect transistors and methods of forming the structures

Номер патента: US09472558B1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Robert C. Wong. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device and process of forming the same

Номер патента: US20210083092A1. Автор: Takuma Nakano. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

Heat pipe for vertically stacked field effect transistors

Номер патента: US20230411241A1. Автор: Brent A. Anderson,Terence Hook,Anthony I. Chou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Heat pipe for vertically stacked field effect transistors

Номер патента: US12040250B2. Автор: Brent A. Anderson,Terence Hook,Anthony I. Chou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Metal gate structures for field effect transistors and method of fabrication

Номер патента: WO2014149128A1. Автор: Naomi Yoshida,Adam Brand. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-09-25.

Field effect transistor structure with recessed interlayer dielectric and method

Номер патента: US20180204920A1. Автор: Xusheng Wu,Wenhe Lin,Sipeng Gu,Jeffrey Chee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-07-19.

Field effect transistor structure with recessed interlayer dielectric and method

Номер патента: US20180233566A1. Автор: Xusheng Wu,Wenhe Lin,Sipeng Gu,Jeffrey Chee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-08-16.

Field effect transistor with a multilevel gate electrode for integration with a multilevel memory device

Номер патента: US09620512B1. Автор: Masatoshi Nishikawa,Fumiaki TOYAMA,Junji Oh,Hiroaki Koketsu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-11.

An electrostatic discharge, esd, protection semiconductor device for providing esd protection between a first and a second terminal of another semiconductor device, as well as a corresponding metal oxide semiconductor, mos, field effect transistor, fet, and a related method

Номер патента: US20240120331A1. Автор: Manoj Kumar,Chinmoy Khaund,Kilian ONG. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-04-11.

Steep-slope field-effect transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US11869950B2. Автор: Yang-Kyu Choi,Myung-Su Kim. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-01-09.

Buried shield structures for power semiconductor devices including segmented support shield structures for reduced on-resistance and related fabrication methods

Номер патента: WO2024147924A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Daniel Jenner Lichtenwalner,Naeem ISLAM,Woongsun Kim,Madankumar Sampath. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-07-11.

Protection device and related fabrication methods

Номер патента: US09543420B2. Автор: Chai Ean Gill,Wen-Yi Chen. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Shielded trench semiconductor devices and related fabrication methods

Номер патента: US09515178B1. Автор: Moaniss Zitouni,Ganming Qin. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-12-06.

Fin field effect transistor and fabricating method thereof

Номер патента: US09716178B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Short-gate tunneling field effect transistor having non-uniformly doped vertical channel and fabrication method thereof

Номер патента: US09508839B2. Автор: Chao Wang,Ru Huang,Jiaxin Wang,Qianqian Huang,Chunlei Wu,Yangyuan Wang. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-11-29.

Amorphous boron nitride film, semiconductor device and field effect transistor including same, and method of manufacturing boron nitride film

Номер патента: US20240242965A1. Автор: Jaewon Kim,Minsu Kim,Taehoon Kim,Hyeonjin Shin,Taejin CHOI,Hyeonsuk Shin,Van Luan NGUYEN. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Device and methods for high-K and metal gate slacks

Номер патента: US09865510B2. Автор: Ming Zhu,Harry-Hak-Lay Chuang,Bao-Ru Young,Po-Nien Chen,Jin-Aun Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Dual dielectric tri-gate field effect transistor

Номер патента: US20110063019A1. Автор: Josephine B. Chang,Jeffrey W. Sleight,Leland Chang,Chung-Hsun Lin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-03-17.

Field Effect Transistor Device

Номер патента: US20240304729A1. Автор: Dongli Zhang,Mingxiang WANG,Lekai Chen,Huaisheng WANG. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-09-12.

Diode Structure and Method for Gate All Around Silicon Nanowire Technologies

Номер патента: US20140217509A1. Автор: Lauer Isaac,Lin Chung-Hsun,Chang Josephine B.,Sleight Jeffrey W.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-08-07.

6T SRAM ARCHITECTURE FOR GATE-ALL-AROUND NANOWIRE DEVICES

Номер патента: US20140312426A1. Автор: Chang Josephine B.,Guillorn Michael A.,Chang Paul,Balakrishnan Karthik. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-10-23.

6T SRAM Architecture For Gate-All-Around Nanowire Devices

Номер патента: US20140315363A1. Автор: Chang Josephine B.,Guillorn Michael A.,Chang Paul,Balakrishnan Karthik. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-10-23.

Vertical field effect transistor with wrap around metallic bottom contact to improve contact resistance

Номер патента: US09773913B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Methods of enhancing performance of field-effect transistors and field-effect transistors made thereby

Номер патента: WO2010085304A2. Автор: Ajaykumar R. Jain. Владелец: VERSATILIS LLC. Дата публикации: 2010-07-29.

Methods of enhancing performance of field-effect transistors and field-effect transistors made thereby

Номер патента: WO2010085304A3. Автор: Ajaykumar R. Jain. Владелец: VERSATILIS LLC. Дата публикации: 2010-09-16.

Structure for a field effect transistor (fet) device and method of processing a fet device

Номер патента: US20220020882A1. Автор: Romain Delhougne,Gouri Sankar Kar,Attilio Belmonte,Nouredine Rassoul. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2022-01-20.

Performance-enhanced vertical device and method of forming thereof

Номер патента: US09847416B1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak,Robert R. Robison. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Field effect transistor with adjustable effective gate length

Номер патента: US20240097029A1. Автор: NAN Wu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Field effect transistor and method of making

Номер патента: US20190181234A1. Автор: Lukas Frederik Tiemeijer,Viet Thanh Dinh,Valerie Marthe Girault. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2019-06-13.

Semiconductor device and method of operation

Номер патента: US20190123139A1. Автор: Adam Richard Brown,Steven Waterhouse,Saurabh Pandey,Phil Rutter,Jim Brett PARKIN. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2019-04-25.

Semiconductor device and method of operation

Номер патента: US20200066840A9. Автор: Adam Richard Brown,Steven Waterhouse,Saurabh Pandey,Phil Rutter,Jim Brett PARKIN. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2020-02-27.

Split gate field effect transistor (FET) device employing dielectric barrier layer and method for fabrication thereof

Номер патента: US20020093044A1. Автор: Chia-Ta Hsieh,Wen-Ting Chu,Chuan-Li Chang,Di-Son Kuo,Jake Yeh,Sheng-Wei Tsaur. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2002-07-18.

Field effect transistor and process of forming the same

Номер патента: US10580887B2. Автор: Ken Nakata. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-03-03.

Vertical field effect transistor including integrated antifuse

Номер патента: US20210408016A1. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Juntao Li,Qintao Zhang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-30.

Vertical field effect transistor including integrated antifuse

Номер патента: US20190123056A1. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Juntao Li,Qintao Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-04-25.

Vertical field effect transistor including integrated antifuse

Номер патента: US20200235109A1. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Juntao Li,Qintao Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

Vertical field effect transistor including integrated antifuse

Номер патента: US11882695B2. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Juntao Li,Qintao Zhang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-23.

Field effect transistor including gradually varying composition channel

Номер патента: US11888059B2. Автор: Younghwan Park,Dongchul Shin,Junhyuk Park,Sunkyu Hwang,Jongseob Kim,Joonyong Kim,Jaejoon Oh,Injun Hwang,Soogine Chong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-30.

Field effect transistor and process of forming the same

Номер патента: US20200161465A1. Автор: Ken Nakata. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-05-21.

Field effect transistor and process of forming the same

Номер патента: US20190097034A1. Автор: Ken Nakata. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Field effect transistor including gradually varying composition channel

Номер патента: US20200388702A1. Автор: Younghwan Park,Dongchul Shin,Junhyuk Park,Sunkyu Hwang,Jongseob Kim,Joonyong Kim,Jaejoon Oh,Injun Hwang,Soogine Chong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-10.

Field effect transistor including gradually varying composition channel

Номер патента: US20210313465A1. Автор: Younghwan Park,Dongchul Shin,Junhyuk Park,Sunkyu Hwang,Jongseob Kim,Joonyong Kim,Jaejoon Oh,Injun Hwang,Soogine Chong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-07.

Field effect power transistors

Номер патента: SG185120A1. Автор: Gregory Bunin,David Rozman,Tamara Baksht. Владелец: VISIC TECHNOLOGIES Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Field effect power transistors

Номер патента: EP2567404A1. Автор: Gregory Bunin,David Rozman,Tamara Baksht. Владелец: VISIC TECHNOLOGIES Ltd. Дата публикации: 2013-03-13.

Semiconductor devices and related fabrication methods

Номер патента: US09590097B2. Автор: XIN Lin,Zhihong Zhang,Hongning Yang,Jiang-Kai Zuo,Daniel J. Blomberg. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180190833A1. Автор: Chih-Sheng Chang,Wilman Tsai,Yu-Ming Lin,Ling-Yen Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-07-05.

Sense amplifier configuration having a field-effect transistor having a short channel length and an adjustable threshold voltage

Номер патента: US6417722B1. Автор: Helmut Schneider,Jürgen Lindolf,Hermann Ruckerbauer,Thomas Borst. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-07-09.

Vertical field effect transistors with metallic source/drain regions

Номер патента: US09728466B1. Автор: Rajasekhar Venigalla,Robert R. Robison,Reinaldo Vega,Hari V. Mallela. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Field-effect transistor manufacturing method

Номер патента: RU2706296C1. Автор: Юкико АБЕ,Наоюки УЕДА,Юки НАКАМУРА,Синдзи МАЦУМОТО,Юдзи СОНЕ,Риоити САОТОМЕ,Саданори АРАЕ,Минехиде КУСАЯНАГИ. Владелец: РИКОХ КОМПАНИ, ЛТД.. Дата публикации: 2019-11-15.

Semiconductor-on-insulator field effect transistor with performance-enhancing source/drain shapes and/or materials

Номер патента: US11810951B2. Автор: Hong Yu,Viorel Ontalus,Jianwei PENG. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Integrated device with vertical field-effect transistors and hybrid channels

Номер патента: US20200161303A1. Автор: ZHENG Xu,Kangguo Cheng,Dexin Kong,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Integrated device with vertical field-effect transistors and hybrid channels

Номер патента: US20200161302A1. Автор: ZHENG Xu,Kangguo Cheng,Dexin Kong,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Interfacial dual passivation layer for a ferroelectric device and methods of forming the same

Номер патента: US12051749B2. Автор: Chris Liu,Jiamin Wang,Blanka Magyari-Kope,Ashwathi Iyer. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Interfacial dual passivation layer for a ferroelectric device and methods of forming the same

Номер патента: US20240347633A1. Автор: Chris Liu,Jiamin Wang,Blanka Magyari-Kope,Ashwathi Iyer. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Field-Effect Transistor Device with Equivalent Source and Drain Region Optimization

Номер патента: US20240371937A1. Автор: Dongli Zhang,Mingxiang WANG,Lekai Chen,Huaisheng WANG,Yeye Guo. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-11-07.

Multi-layer fin field effect transistor devices and methods of forming the same

Номер патента: US09793403B2. Автор: Mark S. Rodder,Wei-E Wang,Titash Rakshit,Borna J. Obradovic,Robert C. Bowen. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Integrated circuit chips having field effect transistors with different gate designs

Номер патента: US09425275B2. Автор: Mark S. Rodder,Borna J. Obradovic,Dharmendar Reddy Palle. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-23.

Microelectronic device with two field-effect transistors

Номер патента: US20240030221A1. Автор: Sylvain Barraud,Joris Lacord. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-01-25.

Diode, junction field effect transistor, and semiconductor device

Номер патента: US10020392B2. Автор: Po-An Chen,Vivek Ningaraju,Vinay Suresh. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2018-07-10.

Field-effect transistor having improved layout

Номер патента: NL2024135B1. Автор: Valk Patrick. Владелец: Ampleon Netherlands Bv. Дата публикации: 2021-07-19.

Field-effect transistor and method for manufacturing a field-effect transistor

Номер патента: US20080211019A1. Автор: Rudolf Zelsacher,Martin Poelzl,Dietmar Kotz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-09-04.

Field-effect transistor having improved layout

Номер патента: WO2021086189A1. Автор: Patrick Valk. Владелец: Ampleon Netherlands B.V.. Дата публикации: 2021-05-06.

Field-effect transistor having improved layout

Номер патента: EP4052300A1. Автор: Patrick Valk. Владелец: Samba Holdco Netherlands BV. Дата публикации: 2022-09-07.

FIELD-EFFECT TRANSISTOR, DISPLAY ELEMENT, IMAGE DISPLAY DEVICE, AND SYSTEM

Номер патента: US20170033237A1. Автор: Nakamura Yuki,Sone Yuji,Ueda Naoyuki,Abe Yukiko,Matsumoto Shinji,Saotome Ryoichi,ARAE Sadanori,KUSAYANAGI Minehide. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2017-02-02.

FIELD EFFECT TRANSISTOR, DISPLAY ELEMENT, IMAGE DISPLAY DEVICE, AND SYSTEM

Номер патента: US20170154998A1. Автор: Nakamura Yuki,Sone Yuji,Ueda Naoyuki,Abe Yukiko,KONDO HIROSHI. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2017-06-01.

FIELD-EFFECT TRANSISTOR, DISPLAY ELEMENT, IMAGE DISPLAY DEVICE, AND SYSTEM

Номер патента: US20190172390A1. Автор: Nakamura Yuki,Sone Yuji,Ueda Naoyuki,Abe Yukiko,Matsumoto Shinji,Saotome Ryoichi,ARAE Sadanori,KUSAYANAGI Minehide. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2019-06-06.

FIELD-EFFECT TRANSISTOR, DISPLAY ELEMENT, IMAGE DISPLAY DEVICE, AND SYSTEM

Номер патента: US20180226046A1. Автор: Nakamura Yuki,Sone Yuji,Ueda Naoyuki,Abe Yukiko,Matsumoto Shinji,Saotome Ryoichi,ARAE Sadanori. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2018-08-09.

FIELD-EFFECT TRANSISTOR, DISPLAY ELEMENT, IMAGE DISPLAY DEVICE, AND SYSTEM

Номер патента: US20160267873A1. Автор: Nakamura Yuki,Sone Yuji,Ueda Naoyuki,Abe Yukiko,Matsumoto Shinji,Saotome Ryoichi,ARAE Sadanori. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2016-09-15.

FIELD-EFFECT TRANSISTOR, DISPLAY ELEMENT, IMAGE DISPLAY DEVICE, AND SYSTEM

Номер патента: US20200303561A1. Автор: Nakamura Yuki,Sone Yuji,Ueda Naoyuki,Abe Yukiko,Matsumoto Shinji,ANDO Yuichi,Saotome Ryoichi,ARAE Sadanori,KUSAYANAGI Minehide. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-24.

FIELD-EFFECT TRANSISTOR, DISPLAY ELEMENT, IMAGE DISPLAY DEVICE, AND SYSTEM

Номер патента: US20150349138A1. Автор: Nakamura Yuki,Sone Yuji,Ueda Naoyuki,Abe Yukiko,Matsumoto Shinji,Takada Mikiko,Saotome Ryoichi,ARAE Sadanori. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-03.

Replacement source/drain contact method in complementary field effect transistor (cfet) devices

Номер патента: WO2024205835A1. Автор: ASHISH Pal,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,El Mehdi Bazizi. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of forming field effect transistors (FETs) with abrupt junctions and integrated circuit chips with the FETs

Номер патента: US09799569B2. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Strain-compensated field effect transistor and associated method of forming the transistor

Номер патента: US20080315264A1. Автор: Brian J. Greene,Edward J. Nowak,Alberto Escobar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-25.

III-V field effect transistor (FET) with reduced short channel leakage, integrated circuit (IC) chip and method of manufacture

Номер патента: US09515165B1. Автор: Effendi Leobandung,Cheng-Wei Cheng,Amlan Majumdar,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Strain-compensated field effect transistor and associated method of forming the transistor

Номер патента: US20110312143A1. Автор: Brian J. Greene,Edward J. Nowak,Alberto Escobar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-12-22.

Field-effect transistor and preparation method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4428919A1. Автор: Jun Lin. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-11.

Strain-compensated field effect transistor and associated method of forming the transistor

Номер патента: US8420468B2. Автор: Brian J. Greene,Edward J. Nowak,Alberto Escobar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-04-16.

Super junction field effect transistor with internal floating ring

Номер патента: US09590092B2. Автор: Kyoung Wook SEOK. Владелец: IXYS LLC. Дата публикации: 2017-03-07.

Method of manufacturing field effect transistor

Номер патента: US20030013243A1. Автор: Yasuhiro Doumae. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-16.

Structure for reducing overlap capacitance in field effect transistors

Номер патента: US20070170527A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Huilong Zhu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-07-26.

Negative-capacitance and ferroelectric field-effect transistor (NCFET and FE-FET) devices

Номер патента: US12136659B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Field effect transistor comprising edge termination area

Номер патента: US20240105832A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Jens Peter Konrath,Thomas Ralf Siemieniec. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-03-28.

Method of forming source and drain of field-effect-transistor and structure thereof

Номер патента: SG144827A1. Автор: Tan Shyue Seng,Lee Jae Gon,TEO Lee Wee,Mishra Shailendra,Henry K Utomo. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-08-28.

Method of manufacturing field effect transistor

Номер патента: US6803288B2. Автор: Yasuhiro Doumae. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-12.

Vertical device with sidewall spacer, methods of forming sidewall spacers and field effect transistors, and patterning method

Номер патента: US20070254442A1. Автор: Christoph Ludwig,Hans Lindemann,Jyoti Gupta,Dirk Manger. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-11-01.

Method for reducing overlap capacitance in field effect transistors

Номер патента: US20070254443A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Huilong Zhu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-11-01.

Method for reducing overlap capacitance in field effect transistors

Номер патента: US20080166848A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Huilong Zhu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-07-10.

Method for reducing overlap capacitance in field effect transistors

Номер патента: US20080299732A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Huilong Zhu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-12-04.

Structure for reducing overlap capacitance in field effect transistors

Номер патента: US7355245B2. Автор: Oleg Gluschenkov,Huilong Zhu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-04-08.

Method for reducing overlap capacitance in field effect transistors

Номер патента: US7446004B2. Автор: Oleg Gluschenkov,Huilong Zhu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-11-04.

Systems and methods for integrated diode field-effect transistor semiconductor devices

Номер патента: US20200212182A1. Автор: Peter Almern Losee,Alexander Viktorovich Bolotnikov,Reza Ghandi. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2020-07-02.

Systems and methods for integrated diode field-effect transistor semiconductor devices

Номер патента: EP3903351A1. Автор: Peter Almern Losee,Alexander Viktorovich Bolotnikov,Reza Ghandi. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2021-11-03.

Field effect transistor structure with abrupt source/drain junctions

Номер патента: US09793373B2. Автор: Chia-Hong Jan,Robert S. Chau,Patrick Morrow,Anand S. Murthy,Paul Packan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Fin field effect transistor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09634125B2. Автор: Yi-Wei Chen,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Chung-Fu Chang,Chia-Jong Liu,Yen-Liang Wu,Man-Ling Lu,Wen-Jiun Shen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Field effect transistor

Номер патента: CA2311778C. Автор: Timothy Ashley,Charles Thomas Elliott,Timothy Jonathan Phillips,Anthony Brian Dean. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2006-05-30.

Field effect transistor

Номер патента: GB2331841A. Автор: Timothy Ashley,Charles Thomas Elliott,Timothy Jonathan Phillips,Anthony Brian Dean. Владелец: UK Secretary of State for Defence. Дата публикации: 1999-06-02.

High frequency field effect transistor with carrier extraction to reduce intrinsic conduction

Номер патента: US6624451B2. Автор: Timothy Ashley,Timothy J. Phillips,Charles T. Elliott,Anthony B. Dean. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2003-09-23.

System and method for metal-oxide-semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20100171186A1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2010-07-08.

Gas sensitive field effect transistors

Номер патента: US11293895B2. Автор: Qian Yu,Chi Ying Tsui,Amine Bermak. Владелец: Hong Kong University of Science and Technology HKUST. Дата публикации: 2022-04-05.

Vertical channel field effect transistor (vcfet) with reduced contact resistance and/or parasitic capacitance, and related fabrication methods

Номер патента: US20240096964A1. Автор: Xia Li,Giridhar Nallapati,Junjing Bao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Vertical channel field effect transistor (vcfet) with reduced contact resistance and/or parasitic capacitance, and related fabrication methods

Номер патента: WO2024064565A3. Автор: Xia Li,Giridhar Nallapati,Junjing Bao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-05-16.

Gas sensitive field effect transistors

Номер патента: US20190383769A1. Автор: Qian Yu,Chi Ying Tsui,Amine Bermak. Владелец: Hong Kong University of Science and Technology HKUST. Дата публикации: 2019-12-19.

Vertical channel field effect transistor (vcfet) with reduced contact resistance and/or parasitic capacitance, and related fabrication methods

Номер патента: WO2024064565A2. Автор: Xia Li,Giridhar Nallapati,Junjing Bao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: US20170053914A1. Автор: Takeshi Ishitsuka,Hiroko Tashiro. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-02-23.

Method for manufacturing high-performance and low-power field effect transistor of which surface roughness scattering is minimized or removed

Номер патента: US20170243953A1. Автор: Sung Ho Kim,Kyung Rok Kim,Jong Yul PARK. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2017-08-24.

Method for manufacturing high-performance and low-power field effect transistor of which surface roughness scattering is minimized or removed

Номер патента: US9780198B2. Автор: Sung Ho Kim,Kyung Rok Kim,Jong Yul PARK. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Isolation of bulk FET devices with embedded stressors

Номер патента: US09761722B1. Автор: Hemanth Jagannathan,Nicolas J. Loubet. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Field effect transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: KR100571071B1. Автор: 히로지 가와이,슈운지 이마나가. Владелец: 소니 가부시끼 가이샤. Дата публикации: 2006-06-21.

Double injection field effect transistors

Номер патента: CA1267965C. Автор: Michael Shur,Wolodymyr Czubatyj,Michael G Hack. Владелец: . Дата публикации: 1990-04-17.

System and method for metal-oxide-semiconductor field effect transistor

Номер патента: US8217471B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-07-10.

Field effect transistors (fets) with inverted source/drain metallic contacts, and method of fabricating same

Номер патента: EP1946366A1. Автор: Carl Radens,Dureseti Chidambarrao,Kaushik Kumar,Michael Belyansky,Lawrence Clevenger. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-07-23.

Transistor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US09647073B2. Автор: Min-Hwa Chi,Xusheng Wu,Jin Ping Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Method of fabricating a field effect transistor structure with abrupt source/drain junctions

Номер патента: US6887762B1. Автор: Chia-Hong Jan,Robert S. Chau,Patrick Morrow,Anand S. Murthy,Paul Packan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-05-03.

Field effect transistor (fet) and method of forming the fet without damaging the wafer surface

Номер патента: US20120168834A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Yu Zhu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

Field effect transistor (FET) and method of forming the FET without damaging the wafer surface

Номер патента: US8598664B2. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Yu Zhu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-12-03.

Field Effect Transistor and Method for Manufacturing Same

Номер патента: US20190035906A1. Автор: Isao Inoue. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2019-01-31.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200343127A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun Hsiung Tsai,Shahaji B. More,Che-Chih Hsu,Chinyu Su,Po-Han Tseng,Wen Han Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

A dielectrically isolated semiconductor device and a method for its manufacture

Номер патента: SG49599A1. Автор: Andrej Litwin. Владелец: Ericsson Telefon Ab L M. Дата публикации: 1998-06-15.

A dielectrically isolated semiconductor device and a method for its manufacture

Номер патента: MY110382A. Автор: Litwin Andrej. Владелец: Ericsson Telefon Ab L M. Дата публикации: 1998-04-30.

Edge termination for power semiconductor devices and related fabrication methods

Номер патента: US20240290832A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Daniel Jenner Lichtenwalner,Naeem ISLAM,Woongsun Kim. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Method and system for fabrication of a vertical fin-based field effect transistor

Номер патента: US12125914B2. Автор: Hao Cui,Andrew P. Edwards,Clifford Drowley,Shahin Sharifzadeh,Subhash Srinivas Pidaparthi,Ray Milano. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-10-22.

Edge termination for power semiconductor devices and related fabrication methods

Номер патента: EP4441793A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Daniel Jenner Lichtenwalner,Naeem ISLAM,Woongsun Kim. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-10-09.

Field-effect transistor with aggressively strained fins

Номер патента: US09859425B2. Автор: Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor structures with field effect transistor(s) having low-resistance source/drain contact(s)

Номер патента: US09786751B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak,Jeffrey B. Johnson. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Fin replacement in a field-effect transistor

Номер патента: US09660059B2. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Dominic J. Schepis. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor structures with field effect transistor(s) having low-resistance source/drain contact(s)

Номер патента: US09496394B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak,Jeffrey B. Johnson. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Self aligned mosfet devices and associated fabrication methods

Номер патента: WO2023163855A1. Автор: Sudarsan Uppili,David Lee Snyder,Scott Joseph Alberhasky. Владелец: Scdevice LLC. Дата публикации: 2023-08-31.

Ferroelectric field-effect transistor devices having a top gate and a bottom gate

Номер патента: US20210175238A1. Автор: Kaan OGUZ,Kevin P. O'brien,Ricky J. TSENG,Brain S. DOYLE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-06-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240297252A1. Автор: Chan-Lon Yang,Ming-Hua Yu,Kun-Mu Li,Tsz-Mei Kwok. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Vertical field effect transistor device and method of fabrication

Номер патента: US20240213363A1. Автор: Richard J Brown,James R. Shealy. Владелец: Odyssey Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Vertical field effect transistor device and method of fabrication

Номер патента: US11652165B2. Автор: James R. Shealy,Richard J. Brown. Владелец: Odyssey Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-05-16.

High-mobility bulk silicon pfet fabrication method

Номер патента: EP1792346B1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak,Louis D. c/o IBM United Kingdom Limited LANZEROTTI. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-06-13.

Fin-type field effect transistor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09893184B2. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9870926B1. Автор: Hsiu-Ting Chen,Shih-Chieh Chang,Yi-Min Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Method and system for fabrication of a vertical fin-based field effect transistor

Номер патента: US20230411525A1. Автор: Hao Cui,Andrew P. Edwards,Clifford Drowley,Shahin Sharifzadeh,Subhash Srinivas Pidaparthi,Ray Milano. Владелец: Nexgen Power Systems Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Fin replacement in a field-effect transistor

Номер патента: US20170148916A1. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Dominic J. Schepis. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-25.

Method and system for fabrication of a vertical fin-based field effect transistor

Номер патента: US20220310843A1. Автор: Hao Cui,Andrew P. Edwards,Clifford Drowley,Shahin Sharifzadeh,Subhash Srinivas Pidaparthi,Ray Milano. Владелец: Nexgen Power Systems Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Transistors with a dielectric channel depletion layer and related fabrication methods

Номер патента: WO2011025576A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Sarit Dhar,Veena Misra,Daniel J. Lichtenwalner. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 2011-03-03.

Field effect transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200044071A1. Автор: Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-06.

Transistors with a gate insulation layer having a channel depleting interfacial charge and related fabrication methods

Номер патента: EP2502261A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Sarit Dhar. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2012-09-26.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20090114993A1. Автор: Kenzo Manabe. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2009-05-07.

Semiconductor devices having encapsulated stressor regions and related fabrication methods

Номер патента: US20120193686A1. Автор: Jan Hoentschel,Stefan Flachowsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-08-02.

Semiconductor devices having stressor regions and related fabrication methods

Номер патента: US20110303954A1. Автор: Bin Yang,Man Fai NG. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-12-15.

Fin-type field effect transistor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09997632B2. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Fin-FET device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09590032B2. Автор: MING-CHING Chang,Chih-Han Lin,Jr-Jung LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Fin-type field effect transistor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09530887B1. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Negative-Capacitance and Ferroelectric Field-Effect Transistor (NCFET and FE-FET) Devices

Номер патента: US20220059671A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-24.

Negative-capacitance and ferroelectric field-effect transistor (ncfet and fe-fet) devices

Номер патента: US20210296464A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Negative-Capacitance and Ferroelectric Field-Effect Transistor (NCFET and FE-FET) Devices

Номер патента: US20230378310A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Methods of Forming Field Effect Transistors on Substrates

Номер патента: US20130230957A1. Автор: Sanh D. Tang,Robert J. Hanson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-05.

Field effect transistor including strained germanium fins

Номер патента: US20170148680A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-25.

Silicon carbide and related wide-bandgap transistors on semi insulating epitaxy

Номер патента: NZ572662A. Автор: Michael S Mazzola. Владелец: SS SC IP LLC. Дата публикации: 2012-02-24.

COATING LIQUID FOR PRODUCING N-TYPE OXIDE SEMICONDUCTOR, FIELD-EFFECT TRANSISTOR, DISPLAY ELEMENT, IMAGE DISPLAY DEVICE, AND SYSTEM

Номер патента: US20160013215A1. Автор: Nakamura Yuki,Sone Yuji,Ueda Naoyuki,Abe Yukiko,Matsumoto Shinji,Saotome Ryoichi,ARAE Sadanori,KUSAYANAGI Minehide. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-14.

FIELD-EFFECT TRANSISTOR, DISPLAY ELEMENT, IMAGE DISPLAY DEVICE, AND SYSTEM

Номер патента: US20170162704A1. Автор: Nakamura Yuki,Sone Yuji,Ueda Naoyuki,Abe Yukiko,Matsumoto Shinji,Saotome Ryoichi,ARAE Sadanori,KUSAYANAGI Minehide. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2017-06-08.

Field effect transistor, display element, image display device, and system

Номер патента: KR101435304B1. Автор: 유키코 아베,나오유키 우에다,유키 나카무라,유지 소네. Владелец: 가부시키가이샤 리코. Дата публикации: 2014-08-27.

Field effect transistor, display element, image display device, and system

Номер патента: KR101514192B1. Автор: 유키코 아베,나오유키 우에다,유키 나카무라,유지 소네. Владелец: 가부시키가이샤 리코. Дата публикации: 2015-04-21.

Field-effect transistor, display element, image display device and system

Номер патента: CN108807427A. Автор: 曾根雄司,植田尚之,中村有希,安部由希子,松本真二,早乙女辽,早乙女辽一,新江定宪,高田美树子. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-13.

Field effect transistor, display element, image display device and system

Номер патента: CN108886058A. Автор: 曾根雄司,植田尚之,中村有希,安部由希子,松本真二,草柳岭秀,早乙女辽,早乙女辽一,新江定宪. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-23.

Field effect transistor, display element, image display device and system

Номер патента: CN105684135B. Автор: 曾根雄司,植田尚之,中村有希,安部由希子,松本真二,早乙女辽,早乙女辽一,新江定宪. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-12.

Field effect transistor, display element, image display device, and system

Номер патента: EP2537185A1. Автор: Yuki Nakamura,Yuji Sone,Yukiko Abe,Naoyuki Ueda. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-26.

Field effect transistor, display element, image display device, and system

Номер патента: EP2316132A4. Автор: Hiroshi Kondo,Yuki Nakamura,Yuji Sone,Yukiko Abe,Naoyuki Ueda. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-23.

Field effect transistor, display element, image display device, and system

Номер патента: KR102210992B1. Автор: 유키코 아베,나오유키 우에다,유키 나카무라,신지 마츠모토,유지 소네,료이치 사오토메,사다노리 아라에,미네히데 구사야나기. Владелец: 가부시키가이샤 리코. Дата публикации: 2021-02-02.

Field-effect transistor, display element, image display device, and system

Номер патента: TWI732148B. Автор: 曾根雄司,植田尚之,中村有希,安部由希子,松本真二,新江定憲,早乙女遼一,草柳嶺秀. Владелец: 日商理光股份有限公司. Дата публикации: 2021-07-01.

Coating liquid for forming metal oxide film, oxide insulator film, field-effect transistor, display element, image display device, and system

Номер патента: US20210305394A1. Автор: Shinji Matsumoto,Yuki Nakamura,Yuji Sone,Yukiko Abe,Naoyuki Ueda,Ryoichi SAOTOME,Sadanori ARAE,Minehide KUSAYANAGI. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Coating solution for forming metal oxide film, oxide insulator film, field effect transistor, display device, image display device, and system

Номер патента: JP7305933B2. Автор: 有希中村,由希子安部,真二松本,定憲新江,尚之植田,雄司曽根,遼一早乙女,嶺秀草柳. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-11.

Field-effect transistors with interleaved finger configuration

Номер патента: US20240250003A1. Автор: Dylan Charles BARTLE,David Scott Whitefield,Paul T. Dicarlo,Hailing Wang,Hanching Fuh. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Field effect transistors including quantum layers

Номер патента: US12002877B2. Автор: Fei Yao,Huamin Li. Владелец: Research Foundation of State University of New York. Дата публикации: 2024-06-04.

Fabricating field-effect transistors with interleaved source and drain finger configuration

Номер патента: US11842947B2. Автор: Dylan Charles BARTLE,David Scott Whitefield,Paul T. Dicarlo,Hailing Wang,Hanching Fuh. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Random access memory cells using spatial wavefunction switched field-effect transistors

Номер патента: US9000417B1. Автор: John Chandy,Faquir Chand Jain,Evan Heller,Pawan Gogna. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-04-07.

Field-effect transistor stack voltage compensation

Номер патента: US09721936B2. Автор: David Scott Whitefield,Yu Zhu,Guillaume Alexandre Blin,Ambarish Roy. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Applying channel stress to Fin field-effect transistors (FETs) (FinFETs) using a self-aligned single diffusion break (SDB) isolation structure

Номер патента: US09570442B1. Автор: Jun Yuan,Yanxiang Liu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Method of fabricating three-dimensional gate-all-around vertical gate structures and semiconductor devices, and three-dimensional gate-all-round vertical gate structures and semiconductor devices thereof

Номер патента: US09466610B1. Автор: Ta-Hone Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Non-symmetric body contacts for field-effect transistors

Номер патента: US10847445B2. Автор: Dylan Charles BARTLE,David Scott Whitefield,Paul T. Dicarlo,Hailing Wang,Hanching Fuh. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2020-11-24.

Single-Gate Field Effect Transistor and Method for Modulating the Drive Current Thereof

Номер патента: US20230120523A1. Автор: Dongli Zhang,Jinfeng Zhao,Mingxiang WANG,Huaisheng WANG. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-04-20.

Field-effect heterostructure transistors

Номер патента: WO2008039369A3. Автор: Robert L Willett. Владелец: Robert L Willett. Дата публикации: 2008-05-29.

Single-gate field effect transistor and method for modulating the drive current thereof

Номер патента: US11908935B2. Автор: Dongli Zhang,Jinfeng Zhao,Mingxiang WANG,Huaisheng WANG. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-02-20.

Cascade Field Effect Transistors

Номер патента: US20190378919A1. Автор: James Charles,Tillmann C. Kubis. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2019-12-12.

Enhanced cascade field effect transistor

Номер патента: US12132102B2. Автор: James Charles,Tillmann C. Kubis. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device integrated with memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20190273119A1. Автор: Zhi-Biao Zhou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Semiconductor device and boost circuit

Номер патента: US20060238222A1. Автор: Yoshiharu Ajiki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-10-26.

Field effect transistor with source-connected field plate

Номер патента: US11749726B2. Автор: Matt King,Scott Sheppard,Jeremy Fisher,Kyle BOTHE,Jia GUO,Qianli MU. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Ferroelectric field-effect transistor with high permittivity interfacial layer

Номер патента: US20240234574A9. Автор: Sayeef Salahuddin,Ava Jiang TAN. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-07-11.

Compound semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7294900B2. Автор: Tetsuro Asano. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-13.

Machine learning-based scatterometry and feed forward techniques for gate-all-around transistors

Номер патента: US20240079254A1. Автор: Deepak Verma,Navnit Agarwal,Ayan Das. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Local interconnects for field effect transistor devices

Номер патента: US20140117453A1. Автор: Ning Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-05-01.

Replacement source/drain contact method in complementary field effect transistor (cfet) devices

Номер патента: US20240332297A1. Автор: ASHISH Pal,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,El Mehdi Bazizi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Hybrid bipolar/field-effect power transistor in group III-V material system

Номер патента: US5359220A. Автор: Julia J. Brown,Lawrence E. Larson,Peter Asbeck. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1994-10-25.

Compact layout of a plurality of field effect transistor logic cells

Номер патента: WO2022144781A1. Автор: Lior Dagan. Владелец: Lior Dagan. Дата публикации: 2022-07-07.

Vertical iii-v nanowire field-effect transistor using nanosphere lithography

Номер патента: US20150364572A1. Автор: Fei Xue,Jack C. Lee. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2015-12-17.

High-voltage depletion-mode current source, transistor, and fabrication methods

Номер патента: US20220399328A1. Автор: Michael Lueders,Chang Soo Suh,Maik Peter Kaufmann. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-12-15.

Power field effect transistor

Номер патента: US09634135B2. Автор: Dan GRIMM,Greg A. Dix. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Single field effect transistor capacitor-less memory device and method of operating the same

Номер патента: US09508854B2. Автор: Arnab Biswas,Mihai Adrian Ionescu,Nilay DAGTEKIN. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2016-11-29.

Protection device and related fabrication methods

Номер патента: US09502890B2. Автор: Rouying Zhan,Chai Ean Gill,Wen-Yi Chen,Michael H. Kaneshiro. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-11-22.

Integration of field effect transistors and schottky diodes on a substrate

Номер патента: WO2024064145A1. Автор: Pierre Dermy. Владелец: Schottky Lsi, Inc.. Дата публикации: 2024-03-28.

Method for Operating Field-Effect Transistor, Field-Effect Transistor and Circuit Configuration

Номер патента: US20140184306A1. Автор: Markus Zundel,Peter Nelle. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-07-03.

Field effect transistor having nanostructure channel

Номер патента: GB2487846B. Автор: Michael Guillorn,Josephine Chang,Eric Andrew Joseph. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-12-18.

High performance field effect transistors on SOI substrate with stress-inducing material as buried insulator and methods

Номер патента: US7388278B2. Автор: Judson R. Holt,Oiging C. Ouyang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-06-17.

Field effect transistor having nanostructure channel

Номер патента: US20120108024A1. Автор: Eric A. Joseph,Josephine B. Chang,Michael A. Guillorn. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-03.

Field effect transistor having nanostructure channel

Номер патента: WO2011064074A1. Автор: Michael Guillorn,Josephine Chang,Eric Andrew Joseph. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2011-06-03.

Finfet pixel architecture for image sensor packages and related methods

Номер патента: US20210193715A1. Автор: John P. McCarten. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2021-06-24.

Semiconductor Device Including a Ferroelectric Field-Effect Transistor, and Semiconductor Integrated Circuit Device Employing Same

Номер патента: US20080151599A1. Автор: Masato Moriwake,Daisuke Nishinohara. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2008-06-26.

Semiconductor structure, device, and method

Номер патента: US12067341B2. Автор: Wei-Cheng Lin,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Junction field effect transistor with integrated high voltage capacitor

Номер патента: US20220344326A1. Автор: Vipindas Pala. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2022-10-27.

Self-stop gate recess etching process for semiconductor field effect transistors

Номер патента: US09461159B1. Автор: Yeong-Chang Chou,Hsu-Hwei Chen,Sujane C. Wang. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Embedded non-volatile memory device and fabrication method of the same

Номер патента: US20210134811A1. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Sung-taeg Kang,Kuo Tung CHANG,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-05-06.

Dual-channel field effect transistor device having increased amplifier linearity

Номер патента: US09711616B2. Автор: Ronald G. Freitag,Eric J. Stewart,Bettina A. Nechay,Karen M. Renaldo,Howell G. Henry. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Methods of forming field effect transistor (FET) and non-FET circuit elements on a semiconductor-on-insulator substrate

Номер патента: US09761480B1. Автор: Hui Zang,Xusheng Wu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Compound semiconductor field effect transistor with self-aligned gate

Номер патента: WO2018174999A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao,Periannan Chidambaram. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-09-27.

Compound semiconductor field effect transistor with self-aligned gate

Номер патента: US20190088765A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao,Periannan Chidambaram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-03-21.

Compound semiconductor field effect transistor with self-aligned gate

Номер патента: US20180277657A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao,Periannan Chidambaram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-09-27.

Compound semiconductor field effect transistor with self-aligned gate

Номер патента: EP3602612A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao,Periannan Chidambaram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-02-05.

Wrap around gate field effect transistor (WAGFET)

Номер патента: US09882000B2. Автор: Stephen J. Sarkozy,Richard Lai,Yaochung Chen. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Methods of forming field effect transistor (fet) and non-fet circuit elements on a semiconductor-on-insulator substrate

Номер патента: US20170243782A1. Автор: Hui Zang,Xusheng Wu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-24.

Field effect transistor having a gate dielectric with variable thickness

Номер патента: US5314834A. Автор: Marius K. Orlowski,Carlos A. Mazure. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1994-05-24.

Wrap around gate field effect transistor (wagfet)

Номер патента: WO2017205015A1. Автор: Richard Lai,Yaochung Chen,Steven J. SARKOZY. Владелец: Northrop Grumman Systems Corporation. Дата публикации: 2017-11-30.

Wrap around gate field effect transistor (wagfet)

Номер патента: US20170345895A1. Автор: Stephen J. Sarkozy,Richard Lai,Yaochung Chen. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2017-11-30.

Semiconductor memory device and manufacturing method and read/write method therefor, and electronic device and memory circuit

Номер патента: EP4395490A1. Автор: Chao Zhao,Zhengyong Zhu,Guilei Wang,BokMoon Kang. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-07-03.

Embedded non-volatile memory device and fabrication method of the same

Номер патента: WO2019018231A1. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Sung-taeg Kang,Kuo Tung CHANG,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2019-01-24.

Array substrate, display device and manufacturing method of array substrate

Номер патента: US09608118B2. Автор: Sheng Wang,Lei Du,Xiangyang Xu. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device and field effect transistor with controllable threshold voltage

Номер патента: US09530879B2. Автор: Yuji Ando,Takashi Inoue,Yasuhiro Okamoto,Tatsuo Nakayama,Kazuki Ota. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190148518A1. Автор: Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Photosensitive field-effect transistor including a two-dimensional material

Номер патента: EP3707754A1. Автор: Mark Allen,Alexander Bessonov. Владелец: EMBERION OY. Дата публикации: 2020-09-16.

Photosensitive field-effect transistor including a two-dimensional material

Номер патента: WO2019092313A1. Автор: Mark Allen,Alexander Bessonov. Владелец: EMBERION OY. Дата публикации: 2019-05-16.

Apparatuses having a ferroelectric field-effect transistor memory array and related method

Номер патента: US09786684B2. Автор: D. V. Nirmal Ramaswamy,Adam D. Johnson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Apparatuses having a ferroelectric field-effect transistor memory array and related method

Номер патента: US09530794B2. Автор: D. V. Nirmal Ramaswamy,Adam D. Johnson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Field effect transistor with self-aligned gate

Номер патента: CA1082371A. Автор: Robert H. Dennard,Vincent L. Rideout. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-07-22.

Ultrasensitive biosensor using bent and curved field effect transistor by debye length modulation

Номер патента: US20230080531A1. Автор: Rashid Bashir,Jonghyun Choi,Michael Hwang,Catherine J. Murphy,Arend Van Der Zande,SungWoo Nam,Mohammad HEIRANIAN,Narayan ALURU,Yerim KIM. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2023-03-16.

High-performance fet devices and methods

Номер патента: WO2006081262A3. Автор: Henry White,Yungryel Ryu,Tae-Seok Lee. Владелец: Tae-Seok Lee. Дата публикации: 2008-05-08.

Semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: US09837534B2. Автор: Takashi Yokoyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Field transistor, display element, image display device and system

Номер патента: RU2702802C1. Автор: Юкико АБЕ,Наоюки УЕДА,Юки НАКАМУРА,Синдзи МАЦУМОТО,Юдзи СОНЕ,Риоити САОТОМЕ,Саданори АРАЕ,Минехиде КУСАЯНАГИ. Владелец: РИКОХ КОМПАНИ, ЛТД.. Дата публикации: 2019-10-11.

System and method for a field-effect transistor with dual vertical gates

Номер патента: US09972545B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Chih Chieh Yeh,Cheng-Yi Peng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Field-effect transistor with dual vertical gates

Номер патента: US09627531B1. Автор: Yee-Chia Yeo,Chih Chieh Yeh,Cheng-Yi Peng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Radio-frequency switches having silicon-on-insulator field-effect transistors with reduced linear region resistance

Номер патента: US9159743B2. Автор: Jonathan Christian Crandall. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2015-10-13.

High voltage field effect transistors with selective gate depletion

Номер патента: US6054354A. Автор: Edward J. Nowak,Minh Ho Tong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2000-04-25.

Electro-optical device and driving method for the same

Номер патента: US20090009500A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Akira Mase,Masaaki Hiroki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-08.

Field-Effect Transistor With Dual Vertical Gates

Номер патента: US20170125585A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Chih Chieh Yeh,Cheng-Yi Peng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

Radio frequency switch based on negative-capacitance field effect transistors

Номер патента: US20210135702A1. Автор: Jun-De JIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

System and Method for a Field-Effect Transistor with Dual Vertical Gates

Номер патента: US20170221772A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Chih Chieh Yeh,Cheng-Yi Peng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

Semiconductor device, FinFET transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US09799676B2. Автор: Ming Zhou,Xinyun Xie. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Method for manufacturing a gallium nitride power field-effect transistor

Номер патента: RU2668635C1. Автор: Николай Анатольевич Торхов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ, НИ ТГУ). Дата публикации: 2018-10-02.

Two-dimensional electrostrictive field effect transistor (2d-efet)

Номер патента: US20200335637A1. Автор: Saptarshi Das. Владелец: PENN STATE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2020-10-22.

Buried contact structures for a vertical field-effect transistor

Номер патента: US09831317B1. Автор: Hui Zang,Tek Po Rinus Lee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Field effect transistor and manufacturing method therefor, and switching circuit and circuit board

Номер патента: EP4300549A1. Автор: Yuhua Zhang,Xingfei Ke,Mingtao Zhou,Mengqi Yang,Gaochao XU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-03.

Ferroelectric field effect transistors based approach for euclidean distance calculation in neuromorphic hardware

Номер патента: US20240194237A1. Автор: Rashmi Jha,Siddharth Barve. Владелец: Universty Of Cincinnati. Дата публикации: 2024-06-13.

Fin field-effect transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US09871120B2. Автор: Xiaopeng Yu,Youfeng He,Zhengling Chen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Radiation-hardened dual gate semiconductor transistor devices containing various improved structures including MOSFET gate and JFET gate structures and related methods

Номер патента: US09590611B2. Автор: Patrick L. Cole,Adam R. Duncan. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2017-03-07.

Complementary Field Effect Transistors Using Gallium Polar and Nitrogen Polar III-Nitride Material

Номер патента: US20150221649A1. Автор: Charles R. Eddy, Jr.,Francis J. Kub,Travis J. Anderson,Michael A. Mastro,Jennifer K. Hite. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2015-08-06.

Tunnel field effect transistor device and method for making the device

Номер патента: US9070720B2. Автор: Marc Heyns,Anne S. Verhulst,Rita Rooyackers,Quentin Smets. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2015-06-30.

Three-dimensional (3d) ferroelectric dipole metal-oxide semiconductor ferroelectric field-effect transistor (mosfefet) system, and related methods and systems

Номер патента: EP3610499A1. Автор: Xia Li,Seung Hyuk KANG,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-02-19.

CHARGE TRANSFER LOGIC (CTL) USING COMPLEMENTARY CURRENT FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICES (CiFET) AND / OR COMPLEMENTARY SWITCHED CURRENT FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICES (CsiFET)

Номер патента: US20210020766A1. Автор: Terrence R. Hudrlik,Susan Marya SCHOBER,Robert C. Schober,Aaron CURRY,Timothy Howard Richards. Владелец: Circuit Seed LLC. Дата публикации: 2021-01-21.

Three-dimensional (3D) ferroelectric dipole metal-oxide semiconductor ferroelectric field-effect transistor (MOSFeFET) system, and related methods and systems

Номер патента: US09875784B1. Автор: Xia Li,Seung Hyuk KANG,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Transistor model, a method for a computer based determination of characteristic of a transistor, a device and a computer readable storage medium for performing the method

Номер патента: US20170242949A1. Автор: Patrick Schindler,Franz Hirler,Katarzyna Kowalik-Seidl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-08-24.

Vertical ferroelectric field effect transistor constructions, constructions comprising a pair of vertical ferroelectric field effect transistors, vertical strings of ferroelectric field effect transistors, and vertical strings of laterally opposing pairs of vertical ferroelectric field effect transistors

Номер патента: WO2015023403A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Chandra Mouli,Kamal M. Karda. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-02-19.

Fin field-effct transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20150380241A1. Автор: Xiaopeng Yu,Youfeng He,Zhengling Chen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-12-31.

Metal semiconductor field effect transistors (mesfets) having channels of varying thicknesses and related methods

Номер патента: EP1958264B1. Автор: Saptharishi Sriram. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-03-30.

Embedded hydrogen inhibitors for semiconductor field effect transistors

Номер патента: US09577083B1. Автор: Richard Lai,Yeong-Chang Chou,Hsu-Hwei Chen,Quin W. Kan,Keang H. Kho,Matthew R. Parlee. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Sub-Device Field-Effect Transistor Architecture for Integrated Circuits

Номер патента: US20200066706A1. Автор: Runzi Chang. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2020-02-27.

Power field-effect transistor (FET), pre-driver, controller, and sense resistor integration for multi-phase power applications

Номер патента: US09870984B2. Автор: Indumini Ranmuthu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Power field-effect transistor (fet), pre-driver, controller, and sense resistor integration

Номер патента: EP3257336A1. Автор: Indumini W. Ranmuthu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-12-20.

Power field-effect transistor (fet), pre-driver, controller, and sense resistor integration for multi-phase power applications

Номер патента: US20180138112A1. Автор: Indumini Ranmuthu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-05-17.

Integrated circuits with metal-titanium oxide contacts and fabrication methods

Номер патента: US20160079168A1. Автор: Hoon Kim,Guillaume Bouche,Andy Wei,Kisik Choi,Hiroaki Niimi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-03-17.

Monolithic integration of enhancement mode and depletion mode field effect transistors

Номер патента: US20200251469A1. Автор: Chia-Ming Chang,Jung-Tao CHUNG,Yan-Cheng Lin,Lung-Yi TSENG. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

Monolithic integration of enhancement mode and depletion mode field effect transistors

Номер патента: US20200381425A1. Автор: Chia-Ming Chang,Jung-Tao CHUNG,Yan-Cheng Lin,Lung-Yi TSENG. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Semiconductor device including power and logic devices and related fabrication methods

Номер патента: US20160141211A1. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris,Richard J. De Souza. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-05-19.

Semiconductor device including power and logic devices and related fabrication methods

Номер патента: US09478467B2. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris,Richard J. De Souza. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-25.

Contacts for stacked field effect transistor

Номер патента: US20230420367A1. Автор: Albert M. Young,Ruilong Xie,Kisik Choi,Su Chen Fan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Circuits, devices and sensors for fluid detection

Номер патента: US09897569B2. Автор: Howard Edan Katz,Bal Mukund Dhar,Patrick N. Breysse,Noah Jonathan Tremblay. Владелец: JOHNS HOPKINS UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-02-20.

Integrated circuits with varying gate structures and fabrication methods

Номер патента: US09576952B2. Автор: Richard J. Carter,Manfred Eller,Srikanth Balaji Samavedam,Manoj Joshi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Integration method for fabrication of metal gate based multiple threshold voltage devices and circuits

Номер патента: US09455201B2. Автор: Richard J. Carter,Rohit Pal,Manfred Eller,Srikanth Balaji Samavedam,Jin Ping Liu,Manoj Joshi,Bongki Lee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US8674351B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-18.

Distributed inductance integrated field effect transistor structure

Номер патента: US20210320053A1. Автор: Nianhua (Frank) JIANG. Владелец: NATIONAL RESEARCH COUNCIL OF CANADA. Дата публикации: 2021-10-14.

Field effect transistor (fet) with self-aligned contacts, integrated circuit (ic) chip and method of manufacture

Номер патента: US20160035743A1. Автор: Szu-Lin Cheng,Isaac Lauer,Jack O. Chu,Jeng-Bang Yau. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-02-04.

Field effect transistor with independently biased gates

Номер патента: US20100109050A1. Автор: John F. Palma,Samson Mil'shtein. Владелец: University of Massachusetts UMass. Дата публикации: 2010-05-06.

A multi-gate hybrid-channel field effect transistor

Номер патента: WO2024002009A1. Автор: Yijian Chen,Krishna Kumar Bhuwalka. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-01-04.

A multi-gate hybrid-channel field effect transistor

Номер патента: EP4300563A1. Автор: Yijian Chen,Krishna Kumar Bhuwalka. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-03.

Vertical field-effect transistor and method for forming same

Номер патента: US20220285542A1. Автор: Jens Baringhaus. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2022-09-08.

Field effect transistor

Номер патента: US20140175517A1. Автор: Tsung-Cheng Chang,Chih-ching Cheng. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2014-06-26.

Flip-chip field effect transistor layouts and structures

Номер патента: US20240266348A1. Автор: Scott Sheppard,Jeremy Fisher,Fabian Radulescu,Qianli MU,Basim Noori,Dan Namishia. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Preparation method of GaN field effect transistor based on diamond substrate

Номер патента: US12112944B2. Автор: Yuangang WANG,Hongyu Guo,Zhihong FENG,Xingchang FU,Xubo Song,Yuanjie Lv,Shixiong LIANG,Shaobo Dun. Владелец: CETC 13 Research Institute. Дата публикации: 2024-10-08.

Integrated semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US09812442B2. Автор: ZHONGSHAN Hong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Device and methods for high-k and metal gate stacks

Номер патента: US09576855B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei Cheng Wu,Bao-Ru Young,Po-Nien Chen,Jin-Aun Ng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Phase-controlled field effect transistor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20100084631A1. Автор: Stefano Sanvito,John Boland,Borislav Naydenov. Владелец: College of the Holy and Undivided Trinity of Queen Elizabeth near Dublin. Дата публикации: 2010-04-08.

Semiconductor device having a polarization super junction field effect transistor, electric equipment, bidirectional field effect transistor, and mounted structure body having the same

Номер патента: US09991335B2. Автор: Fumihiko Nakamura,Shuichi Yagi,Hiroji Kawai,Souta Matsumoto,Shoko ECHIGOYA. Владелец: Powdec KK. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11778815B2. Автор: Meng-Han LIN,Te-An Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230371251A1. Автор: Meng-Han LIN,Te-An Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device with a memory device and a high-K metal gate transistor

Номер патента: US9754951B2. Автор: Ralf Richter,Sven Beyer. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device, electric equipment, bidirectional field effect transistor, and mounted structure body

Номер патента: US20160093691A1. Автор: Fumihiko Nakamura,Shuichi Yagi,Hiroji Kawai,Souta Matsumoto,Shoko ECHIGOYA. Владелец: Powdec KK. Дата публикации: 2016-03-31.

Semiconductor device and driving method thereof

Номер патента: US20200373437A1. Автор: Kan TANAKA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-11-26.

Devices and methodologies related to structures having HBT and FET

Номер патента: US09559096B2. Автор: Hsiang-Chih Sun,Peter J. Zampardi. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Field effect transistor

Номер патента: US4698899A. Автор: Sanehiko Kakihana. Владелец: Gould Inc. Дата публикации: 1987-10-13.

Fin tunnel field effect transistor (FET)

Номер патента: US09614049B2. Автор: Krishna Bhuwalka. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Elevated temperature gallium arsenide field effect transistor with aluminum arsenide to aluminum gallium arsenide mole fractioned buffer layer

Номер патента: US5594262A. Автор: Chris Ito,Hyong Y. Lee,Belinda Johnson,Rocky Reston,Gerald Trombley,Charles Havasy. Владелец: US Air Force. Дата публикации: 1997-01-14.

Field-effect transistor (fet) with source-drain contact over gate spacer

Номер патента: US20140370681A1. Автор: MIN Yang,Effendi Leobandung,Kevin K. Chan,Wilfried E. Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-18.

Field-effect transistor (FET) with source-drain contact over gate spacer

Номер патента: US8969152B2. Автор: MIN Yang,Effendi Leobandung,Kevin K. Chan,Wilfried E. Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-03-03.

Zener diode devices and related fabrication methods

Номер патента: US9397230B2. Автор: XIN Lin,Weize Chen,Patrice M. Parris. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-07-19.

Zener diode devices and related fabrication methods

Номер патента: US20150162417A1. Автор: XIN Lin,Weize Chen,Patrice M. Parris. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-06-11.

Zener diode devices and related fabrication methods

Номер патента: US20150333189A1. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris,XIin LIN. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-11-19.

Zener diode devices and related fabrication methods

Номер патента: US09397230B2. Автор: XIN Lin,Weize Chen,Patrice M. Parris. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-07-19.

High Voltage Gallium Nitride Field Effect Transistor

Номер патента: US20220109048A1. Автор: Yan-Fei Liu,Zhanming Li,Wai Tung Ng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-04-07.

High voltage gallium nitride field effect transistor

Номер патента: CA3132833A1. Автор: Yan-Fei Liu,Zhanming Li,Wai Tung Ng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-04-06.

Semiconductor and fabrication method thereof

Номер патента: US20040188723A1. Автор: Takashi Noguchi,Minoru Sugawara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-30.

Methods of fabricating a multianalyte detection device and devices thereof

Номер патента: US20240319135A1. Автор: Narendra Kumar,Kenneth S. Burch,Michael GEIWITZ,Matthew CATALANO. Владелец: Boston College. Дата публикации: 2024-09-26.

Junction-field-effect-transistor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20130109139A1. Автор: Jeng Gong,Wing Chor Chan,Chih-Min Hu,Chung Yu Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-02.

Junction-field-effect-transistor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US8557653B2. Автор: Jeng Gong,Wing Chor Chan,Chih-Min Hu,Chung Yu Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-15.

Fabrication method for reduced-dimension integrated circuits

Номер патента: EP1012879B1. Автор: Somit Talwar,Karl-Josef Kramer,Kurt Weiner,Guarav Verma. Владелец: Ultratech Inc. Дата публикации: 2002-09-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090321839A1. Автор: Kenzo Manabe. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2009-12-31.

Field-effect transistor having dual channels

Номер патента: US20200328211A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-15.

Junction-field-effect-transistor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US8350304B2. Автор: Jeng Gong,Wing Chor Chan,Chih-Min Hu,Chung Yu Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-08.

Fabrication method for reduced-dimension integrated circuits

Номер патента: WO1998034268A3. Автор: Somit Talwar,Karl-Josef Kramer,Kurt Weiner,Guarav Verma. Владелец: Ultratech Stepper Inc. Дата публикации: 1999-02-18.

FIELD-EFFECT TRANSISTOR, DISPLAY ELEMENT, IMAGE DISPLAY DEVICE, AND SYSTEM

Номер патента: US20170162172A1. Автор: Nakamura Yuki,Sone Yuji,Ueda Naoyuki,Abe Yukiko,Matsumoto Shinji,Saotome Ryoichi,ARAE Sadanori,KUSAYANAGI Minehide. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2017-06-08.

FIELD-EFFECT TRANSISTOR, DISPLAY ELEMENT, IMAGE DISPLAY DEVICE, AND SYSTEM

Номер патента: US20170263210A1. Автор: Nakamura Yuki,Sone Yuji,Ueda Naoyuki,Abe Yukiko,Matsumoto Shinji,Saotome Ryoichi,ARAE Sadanori,KUSAYANAGI Minehide. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2017-09-14.

FIELD-EFFECT TRANSISTOR, DISPLAY ELEMENT, IMAGE DISPLAY DEVICE, AND SYSTEM

Номер патента: US20180277060A1. Автор: Nakamura Yuki,Sone Yuji,Ueda Naoyuki,Abe Yukiko,Matsumoto Shinji,Saotome Ryoichi,ARAE Sadanori,KUSAYANAGI Minehide. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2018-09-27.

Field-effect transistor devices having proximity contact features

Номер патента: US10014331B2. Автор: Jerod F. Mason,Dylan Charles BARTLE,Hailing Wang,Hanching Fuh. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2018-07-03.

Feedback and impedance circuits, devices and methods for broadband radio-frequency amplifiers

Номер патента: US09530771B2. Автор: Ambarish Roy,Eric Marsan,Stephen Richard MORESCHI. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Stacked field-effect transistors having proximity electrodes

Номер патента: US11049890B2. Автор: Jerod F. Mason,Dylan Charles BARTLE,Hailing Wang,Hanching Fuh. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2021-06-29.

Stacked field-effect transistors having proximity electrodes

Номер патента: US20200105803A1. Автор: Jerod F. Mason,Dylan Charles BARTLE,Hailing Wang,Hanching Fuh. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2020-04-02.

Switches with multiple field-effect transistors having proximity electrodes

Номер патента: US10431612B2. Автор: Jerod F. Mason,Dylan Charles BARTLE,Hailing Wang,Hanching Fuh. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2019-10-01.

Nanoscale wires, nanoscale wire fet devices, and nanotube-electronic hybrid devices for sensing and other applications

Номер патента: WO2012170630A3. Автор: Ping Xie,Charles M. Lieber,Ruixuan GAO,Xiaocheng Jiang,Xiaojie Duan. Владелец: President and Fellows of Harvard College. Дата публикации: 2013-02-21.

Nanoscale wires, nanoscale wire FET devices, and nanotube-electronic hybrid devices for sensing and other applications

Номер патента: US09595685B2. Автор: Ping Xie,Charles M. Lieber,Ruixuan GAO,Xiaocheng Jiang,Xiaojie Duan. Владелец: Harvard College. Дата публикации: 2017-03-14.

A Field-Effect Transistor (FET) based synchronous rectifier for emulating a diode

Номер патента: GB2590057A. Автор: Lo Verde Domenico,RONSISVALLE Cesare,Ping Tang Chi. Владелец: Steifpower Tech Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-23.

Mfms-fet, ferroelectric memory device, and methods of manufacturing the same

Номер патента: WO2009054707A3. Автор: Byung-Eun Park. Владелец: Univ Seoul Ind Coop Found. Дата публикации: 2009-07-23.

Field-effect transistor (FET) based synchronous rectifier for emulating diode

Номер патента: US11942930B2. Автор: Domenico Lo Verde,Cesare Ronsisvalle,Chi Ping TANG. Владелец: Steifpower Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Field-effect transistor (fet) based synchronous rectifier for emulating diode

Номер патента: EP4005080A1. Автор: Domenico Lo Verde,Cesare Ronsisvalle,Chi Ping TANG. Владелец: Steifpower Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-01.

Semiconductor device, light-emitting device, and electronic device

Номер патента: US09508709B2. Автор: Hiroyuki Miyake. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Devices and methodologies related to structures having hbt and fet

Номер патента: WO2012061632A3. Автор: Hsiang-Chih Sun,Peter J. Zampardi. Владелец: Skywork Solutions, Inc.. Дата публикации: 2012-08-16.

Vertically-stacked field effect transistor cell

Номер патента: US20230317611A1. Автор: Dechao Guo,Albert M. Young,Junli Wang,Albert M Chu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

High ESD immunity field-effect device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11862626B2. Автор: Yu-Hung YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

High esd immunity field-effect device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240088135A1. Автор: Yu-Hung YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Field-effect transistor

Номер патента: RU2222845C1. Автор: А.Н. Алексеев,И.А. Соколов,В.П. Чалый,Ю.В. Погорельский,Д.М. Красовицкий. Владелец: Закрытое акционерное общество "Научное и технологическое оборудование". Дата публикации: 2004-01-27.

Field effect transistor

Номер патента: CA1294064C. Автор: Goro Sasaki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1992-01-07.

Electronic structure having two field effect transistors

Номер патента: US11978744B2. Автор: Richard Price,Catherine Ramsdale,Brian Hardy Cobb,Feras ALKHALIL. Владелец: Pragmatic Printing Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor heterostructure of field-effect transistor

Номер патента: RU2316076C1. Автор: Дмитрий Михайлович Красовицкий,Алексей Николаевич Алексеев,Юрий Васильевич Погорельский,Виктор Петрович ЧАЛЫЙ,Алексей Петрович Шкурко,Игорь Альбертович Соколов. Владелец: Закрытое Акционерное Общество "Светлана-Рост". Дата публикации: 2008-01-27.

Field effect transistor assemblies, integrated circuitry, and methods of forming field effect transistors and integrated circuitry

Номер патента: US20030094633A1. Автор: Fernando Gonzalez,Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-22.

Field effect transistor assemblies, integrated circuitry, and methods of forming field effect transistors and integrated circuitry

Номер патента: US20010019868A1. Автор: Fernando Gonzalez,Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-06.

Semiconductor device and fabrication method for the semiconductor device

Номер патента: US20090242947A1. Автор: Takuji Yamamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Semiconductor device and fabrication method for the semiconductor device

Номер патента: US20100167473A1. Автор: Takuji Yamamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Photonics chips including a fully-depleted silicon-on-insulator field-effect transistor

Номер патента: US20230038887A1. Автор: Yusheng Bian,George R. Mulfinger,Ryan Sporer. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same, and cell size calculation method for DRAM memory cells

Номер патента: US20020195669A1. Автор: Kazutami Arimoto,Toshinori Morihara,Hiroki Shimano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Self-adjusting gate bias network for field effect transistors

Номер патента: WO2010029186A1. Автор: Roland Gesche,Armin Liero,Silvio Kuehn,M. Ibrahim Khalil. Владелец: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.. Дата публикации: 2010-03-18.

Fin-shaped field effect transistor and capacitor structures

Номер патента: US09941271B2. Автор: Akira Ito,Changyok Park,Shom Surendran PONOTH. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device, light-emitting device, and electronic device

Номер патента: US20230378188A1. Автор: Hiroyuki Miyake. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Field effect transistor, method for manufacturing the same, and biosensor

Номер патента: US20110291075A1. Автор: Osamu Takahashi,Hiroaki Kikuchi,Motonori Nakamura,Tomoaki Yamabayashi,Agus Subagyo,Katsunori Kondo. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-01.

Electrochemically-gated field-effect transistor, methods for its manufacture, its use, and electronics comprising said field-effect transistor

Номер патента: US20140319466A1. Автор: Horst Hahn,Subho Dasgupta,Babak Nasr. Владелец: Karlsruher Institut fuer Technologie KIT. Дата публикации: 2014-10-30.

Field effect transistor and method of making

Номер патента: US20020036329A1. Автор: Robert Baird,Steven Merchant,Phillipe Dupuy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-28.

Merged Field Effect Transistor Cells For Switching

Номер патента: US20090224334A1. Автор: Randy L. Wolf,Lawrence F. Wagner, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-09-10.

Field-effect transistor and manufacture thereof, semiconductor device and manufacture thereof and logic circuit containing semiconductor device thereof and semiconductor substrate

Номер патента: JPH10270685A. Автор: Takashi Noguchi,Mitsuo Soneda,▲隆▼ 野口,光生曽根田. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1998-10-09.

Field effect transistor and fabrication thereof, semiconductor device and fabrication thereof, logic circuit including the semiconductor device, and semiconductor substrate

Номер патента: US20040135210A1. Автор: Takashi Noguchi,Mitsuo Soneda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-15.

Nanoscale Granularity Field Effect Transistor Array

Номер патента: US20200348256A1. Автор: Bruce B. Doris,Steven J. Holmes,Sufi Zafar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-11-05.

Monolithic temperature compensation scheme for field effect transistor integrated circuits

Номер патента: EP1273044A2. Автор: Carl W. Pobanz,Mehran M. Matloubian. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2003-01-08.

Silicon carbide power field effect transistor

Номер патента: US5821576A. Автор: Saptharishi Sriram. Владелец: Northrop Grumman Corp. Дата публикации: 1998-10-13.

Integrated diamond substrate for thermal management of a field effet transistor (fet)

Номер патента: WO2023192693A1. Автор: Matthew C. Tyhach,Jarrod Vaillancourt. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device and related fabrication method

Номер патента: US20240234370A1. Автор: Shadi Sabri. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and related fabrication method

Номер патента: WO2024151385A1. Автор: Shadi Sabri. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-07-18.

Field effect transistor switching circuit

Номер патента: US20150222259A1. Автор: George Nohra. Владелец: Triquint Semiconductor Inc. Дата публикации: 2015-08-06.

Heterostructural field-effect transistor based on gallium nitride with improved stability of the current-voltage characteristic to ionizing radiation

Номер патента: RU2646529C1. Автор: Александр Григорьевич Гудков,Владимир Николаевич Вьюгинов,Святослав Игоревич Видякин,Владимир Геннадьевич Тихомиров,Артем Аркадьевич Городничев,Андрей Артурович Зыбин,Яков Михайлович Парнес. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана (национальный исследовательский университет)" (МГТУ им. Н.Э. Баумана). Дата публикации: 2018-03-05.

Three-dimensional memory device with vertical field effect transistors and method of making thereof

Номер патента: US20220068966A1. Автор: Peter Rabkin,Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-03-03.

Gate control device, semiconductor device, and method for controlling semiconductor device

Номер патента: US09621153B2. Автор: Kentaro Ikeda,Masahiko Kuraguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Gate structure for field effect transistor

Номер патента: WO2009133515A1. Автор: Markus Mueller,Jasmine Petry,Guillaume Boccardi. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2009-11-05.

Integrated circuit device with series-connected field effect transistors and integrated voltage equalization and method of forming the device

Номер патента: US20120208329A1. Автор: Andres Bryant,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Device and method for managing radiation

Номер патента: US8053271B2. Автор: Michael Shur,Remigijus Gaska. Владелец: Sensor Electronic Technology Inc. Дата публикации: 2011-11-08.

Pixel circuit, solid-state imaging device and camera system

Номер патента: RU2494565C2. Автор: Тосиюки НИСИХАРА. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2013-09-27.

Enhanced Thin Film Field Effect Transistor Integration into Back End of Line

Номер патента: US20120126330A1. Автор: Kelly L. Williams,David P. Paulsen,II John E. Sheets,Karl R. Erickson,Phil C. Paone,Gregory J. Uhlmann. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-24.

Device and pixel architecture for high resolution digital imaging

Номер патента: CA2639498C. Автор: Karim S. Karim,Farhad Taghibakhsh. Владелец: SIMON FRASER UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20120161145A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-28.

Radiation detector including field effect transistor in resonant cavity nanostructure

Номер патента: CA3053488A1. Автор: Saeed Assadi,James Pogge. Владелец: TEL Timbre Technologies Inc. Дата публикации: 2018-08-23.

Hybrid field effect transistor and surface enhanced infrared absorption based biosensor

Номер патента: US20210181098A1. Автор: Abram L. Falk,Sufi Zafar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Radiation detector including field effect transistor in resonant cavity nanostructure

Номер патента: US11835391B2. Автор: Saeed Assadi,James Pogge. Владелец: TEL Timbre Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Enhanced thin film field effect transistor integration into back end of line

Номер патента: US8617939B2. Автор: Kelly L. Williams,David P. Paulsen,II John E. Sheets,Karl R. Erickson,Phil C. Paone,Gregory J. Uhlmann. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-12-31.

Memory devices based on ferroelectric field effect transistors

Номер патента: US20200083234A1. Автор: Jan Van Houdt,Julien Ryckaert,Alessio Spessot,Shairfe Muhammad Salahuddin. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-03-12.

Nanoelectronic differential amplifiers and related circuits implemented on a segment of a graphene nanoribbon

Номер патента: US20120001689A1. Автор: Lester F. Ludwig. Владелец: Pike Group LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

Aligned carbon nanotubes for use in high performance field effect transistors

Номер патента: US9728734B2. Автор: Padma Gopalan,Michael Scott Arnold,Gerald Joseph Brady,Yongho Joo. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2017-08-08.

Radiation image-pickup device and radiation image-pickup display system

Номер патента: US09536921B2. Автор: Yasuhiro Yamada. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Field effect transistor and solid state image pickup device

Номер патента: US20070290238A1. Автор: Satoru Adachi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-12-20.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12041784B2. Автор: Chun-Hsien Lin,Shih-Hung Tsai,Hon-Huei Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240334710A1. Автор: Chun-Hsien Lin,Shih-Hung Tsai,Hon-Huei Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Cobalt-carbon eutectic metal alloy ohmic contact for carbon nanotube field effect transistors

Номер патента: US20160181557A1. Автор: Matthew J. Walker,Andre E. Berghmans,Monica P. Lilly,Wayne S. MILLER,John X. Przybysz, SR.. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2016-06-23.

Optically controlled field effect transistor

Номер патента: US12113146B2. Автор: Joseph Neil Merrett. Владелец: United States Department of the Air Force. Дата публикации: 2024-10-08.

Field-effect transistor structure for preventing from shorting

Номер патента: US09520343B1. Автор: Chung Hsing Tzu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-12-13.

Self-registering method of fabricating field effect transistors

Номер патента: CA1078077A. Автор: Robert H. Dennard,Vincent L. Rideout. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-05-20.

Power amplifier modules with power amplifier and transmission line and related systems, devices, and methods

Номер патента: US09887668B2. Автор: Hardik Bhupendra Modi,Sandra Louise Petty-Weeks,Peter J. Zampardi, JR.,Guohao Zhang,Hsiang-Chih Sun. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Power amplifier modules including tantalum nitride terminated through wafer via and related systems, devices, and methods

Номер патента: US09755592B2. Автор: HONG Shen,Peter J. Zampardi, JR.,Hsiang-Chih Sun,Mehran JANANI,Jens Albrecht RIEGE. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Optically controlled field effect transistor

Номер патента: US20230070932A1. Автор: Joseph Neil Merrett. Владелец: US Air Force. Дата публикации: 2023-03-09.

Power converter with co-packaged secondary field effect transistors (FETs)

Номер патента: US11799384B2. Автор: Xin Zhang,Andrew Ferencz,Todd Edward Takken. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Ic package with field effect transistor

Номер патента: US20230238350A1. Автор: Makoto Shibuya,Kwang-Soo Kim. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Plasmon field effect transistor

Номер патента: US9368667B1. Автор: Sung Jin Kim,Juhyung Yun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-06-14.

Semiconductor device and transceiver apparatus

Номер патента: US20030183863A1. Автор: Akihiro Sasabata,Motoyasu Nakao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-02.

Die edge sealing structures and related fabrication methods

Номер патента: US20150056751A1. Автор: Zhihong Zhang,Hongning Yang,Jiang-Kai Zuo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-02-26.

Light-emitting element, display device and electronic apparatus

Номер патента: US09792860B2. Автор: Junichi Yamashita,Yusuke Onoyama,Nobuaki Hokazono. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Power amplifier modules with bifet and harmonic termination and related systems, devices, and methods

Номер патента: US09692357B2. Автор: Hardik Bhupendra Modi,Peter J. Zampardi, JR.,Guohao Zhang,Hsiang-Chih Sun,Dinhphuoc Vu Hoang. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Photovoltaic nanowire structures and related fabrication methods

Номер патента: US09559231B2. Автор: Nobuhiko Kobayashi,Shih-Ping Wang,Yu-Min Houng. Владелец: SHIH-PING BOB WANG. Дата публикации: 2017-01-31.

Organic field-effect transistor and fabrication method therefor

Номер патента: US20230093494A1. Автор: Hong Meng,Xinwei Wang,Lin Ai,Yuhao SHI. Владелец: Peking University Shenzhen Graduate School. Дата публикации: 2023-03-23.

Field-effect transistor with schottky barrier

Номер патента: RU2743225C1. Автор: Сергей Александрович Богданов,Юрий Михайлович Богданов,Константин Сергеевич Журавлев,Владимир Михайлович Лукашин,Владимир Григорьевич Лапин,Андрей Борисович Пашковский. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина"). Дата публикации: 2021-02-16.

Semiconductor device and fabrication process thereof

Номер патента: US20070066043A1. Автор: Tetsuo Yoshimura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-03-22.

Semiconductor device and fabrication process thereof

Номер патента: US20050282386A1. Автор: Tetsuo Yoshimura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-12-22.

Three-dimensional (3d) integrated circuit (ic) (3dic) package with a bottom die layer employing an extended interposer substrate, and related fabrication methods

Номер патента: US20230299048A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Yangyang Sun,Lily Zhao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20070072371A1. Автор: Akihiko Tsuzumitani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US7361932B2. Автор: Akihiko Tsuzumitani. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-22.

Semiconductor processing methods of forming transistors, semiconductor processing methods of forming dynamic random access memory circuitry, and related integrated circuitry

Номер патента: US20020072199A1. Автор: Luan Tran. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-13.

Integrated circuit (ic) package employing a re-distribution layer (rdl) substrate(s) with photosensitive dielectric layer(s) for increased package rigidity, and related fabrication methods

Номер патента: US20240243056A1. Автор: Wei Wang,Yangyang Sun,Manuel Aldrete. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Integrated circuit (ic) package employing a re-distribution layer (rdl) substrate(s) with photosensitive dielectric layer(s) for increased package rigidity, and related fabrication methods

Номер патента: WO2024155453A1. Автор: Wei Wang,Yangyang Sun,Manuel Aldrete. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-07-25.

Diketopyrrolopyrrole Polymers for Use in Organic Field Effect Transistors

Номер патента: US20180331296A1. Автор: Beat Schmidhalter,Pascal Hayoz,Jean-Charles Flores,Mathieu G. R. Turbiez,Mathias DÜGGELI,Marta Fonrodona Turon,Mahmoud Zaher Eteish,Olivier Aebischer,Margherita Fontana,Marian Lanz. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2018-11-15.

Diketopyrrolopyrrole polymers for use in organic field effect transistors

Номер патента: US20190027690A9. Автор: Beat Schmidhalter,Pascal Hayoz,Jean-Charles Flores,Mathieu G.R. Turbiez,Mathias DÜGGELI,Olivier Frédéric AEBISCHER,Marta Fonrodona Turon,Mahmoud Zaher Eteish,Margherita Fontana,Marian Lanz. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2019-01-24.

Multiple (multi-) die integrated circuit (IC) packages for supporting higher connection density, and related fabrication methods

Номер патента: US12062648B2. Автор: Yue Li,Durodami Lisk,Darko Popovic. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Method for producing a shallow trench isolation for n- and p- channel field-effect transistors in a semiconductor module

Номер патента: US20030181019A1. Автор: Hans-Peter Moll,Andreas Wich-Glasen,Dirk Efferenn. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-09-25.

Multi-die integrated circuit packages for supporting higher connection density, and related fabrication methods

Номер патента: EP4406024A1. Автор: Yue Li,Durodami Lisk,Darko Popovic. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-07-31.

Symmetrical common gate direct current bias network for stacked field effect transmitter distributed high-power amplifier, related apparatuses and related methods

Номер патента: WO2024086060A1. Автор: Kohei Fujii. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-04-25.

Pulse generation device and method for a magnetron sputtering system

Номер патента: EP3317432A1. Автор: Johanna ROSÉN,Mykola STYERVOYEDOV,Sergiy STYERVOYEDOV,Andriy STYERVOYEDOV,Vozniy OLEKSIY. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-09.

Method and system for short to ground protection for a circuit including a FET device

Номер патента: US12081203B2. Автор: Chandrakumar D. Kulkarni. Владелец: Horizon Global Americas Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Device and method for current flow control for dual battery vehicle architecture

Номер патента: US09682672B2. Автор: Reginald C. Grills,Pompilian TOFILESCU. Владелец: FLEXTRONICS AP LLC. Дата публикации: 2017-06-20.

Electric propulsion system having integrated electrical and thermal architecture and related methods of operating and implementing same

Номер патента: US20240014711A1. Автор: Adam White,Michael Andres,Waleed Said. Владелец: Kaney Aerospace Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Device and method for current flow control for dual battery vehicle architecture

Номер патента: WO2015041749A1. Автор: Pompilian TOFILESCU. Владелец: Flextronics AP, LLC. Дата публикации: 2015-03-26.

Device and method for current flow control for dual battery vehicle architecture

Номер патента: EP3047138A1. Автор: Pompilian TOFILESCU. Владелец: FLEXTRONICS AP LLC. Дата публикации: 2016-07-27.

Current sensing in power tool devices using a field effect transistor

Номер патента: US12105149B2. Автор: Timothy R. Obermann,Alexander T. Huber. Владелец: Milwaukee Electric Tool Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Composition for making hole injecting or hole transporting layers in electroluminescent devices, organic solar cells, organic laser diodes, organic thin-film transistors or organic field effect transistors of for making electrodes or electroconductive coatings, electroluminescent device, as well as organic light-emitting diode

Номер патента: RU2382809C2. Автор: Кнуд РОЙТЕР,Андреас ЭЛЬШНЕР,Петер Вилфрид ЛЕВЕНИХ. Владелец: Х.К. Штарк Гмбх. Дата публикации: 2010-02-27.

Cobalt-carbon eutectic metal alloy ohmic contact for carbon nanotube field effect transistors

Номер патента: WO2016099668A1. Автор: Matthew J. Walker,John X. Przybysz,Andre E. Berghmans,Monica P. Lilly,Wayne S. MILLER. Владелец: Northrop Grumman Systems Corporation. Дата публикации: 2016-06-23.

Cobalt-carbon eutectic metal alloy ohmic contact for carbon nanotube field effect transistors

Номер патента: EP3234989A1. Автор: Matthew J. Walker,John X. Przybysz,Andre E. Berghmans,Monica P. Lilly,Wayne S. MILLER. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2017-10-25.

Integrated circuit amplifier device and method using fet tunneling gate current

Номер патента: US20060091951A1. Автор: John Fifield,Wagdi Abadeer,Anthony Bonaccio,Kiran CHATTY. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-05-04.

Linearizing field effect transistors in the ohmic region

Номер патента: US20130187683A1. Автор: Omid Foroudi. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2013-07-25.

Programmable high-speed equalizer and related method

Номер патента: US09825626B2. Автор: Luverne Ray Peterson,Alvin Leng Sun Loke,Thomas Clark Bryan,Gregory Francis LYNCH,Mohammed Mizanur Rahman,Jacob Stephen Schneider. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Communication device, and electronic device comprising same

Номер патента: US20230079319A1. Автор: Jonghun HA,Suho JO,Odo Yu,Sunghoon BYEON,Hwasung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Threshold voltage-programmable field effect transistor-based memory cells and look-up table implemented using the memory cells

Номер патента: US11990171B2. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Threshold voltage-programmable field effect transistor-based memory cells and look-up table implemented using the memory cells

Номер патента: US20240221810A1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

A method and device for lowering the impedance of a fet (field effect transistor)

Номер патента: EP1900086A1. Автор: Timothy D. F. Ford,Bernard Moffett. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-03-19.

Thermal droop compensation in power amplifiers with field-effect transistors (fets)

Номер патента: US20240275339A1. Автор: John Bellantoni,Michael Simcoe,Michael Kevin O'Neal. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Broadband voltage-to-current converter on field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2739213C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Андреевич Жук,Алексей Евгеньевич Титов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2020-12-22.

Circuit for the fast turn off of a field effect transistor

Номер патента: US5313109A. Автор: David A. Smith. Владелец: Astec International Ltd. Дата публикации: 1994-05-17.

Programmable high-speed equalizer and related method

Номер патента: US20160294383A1. Автор: Luverne Ray Peterson,Alvin Leng Sun Loke,Thomas Clark Bryan,Gregory Francis LYNCH,Mohammed Mizanur Rahman,Jacob Stephen Schneider. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-10-06.

Programmable high-speed equalizer and related method

Номер патента: EP3278523A1. Автор: Luverne Ray Peterson,Alvin Leng Sun Loke,Thomas Clark Bryan,Gregory Francis LYNCH,Mohammed Mizanur Rahman,Jacob Stephen Schneider. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-02-07.

Field effect transistor (fet) transconductance device with varying gate lengths

Номер патента: US20240056042A1. Автор: Kevin Wesley Kobayashi. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Field effect transistor (fet) and fet circuitry

Номер патента: WO2001035500A3. Автор: William Eccleston,Giles Christian Rome Lloyd. Владелец: Giles Christian Rome Lloyd. Дата публикации: 2002-05-10.

Systems and methods for controlling inrush electrical currents using a virtual miller capacitor and a metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET)

Номер патента: US09513681B2. Автор: Lei Wang,Mehran Mirjafari,Padmanabh R. Gharpure. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2016-12-06.

Differential amplifier on field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2766861C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Владислав Евгеньевич Чумаков,Алексей Вадимович Кунц,Алексей Арсеньевич Павлючик. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2022-03-16.

A method and device for lowering the impedance of a fet (field effect transistor)

Номер патента: WO2006136034B1. Автор: Bernard Moffett,Timothy D F Ford. Владелец: Flewelling Ford Family Trust. Дата публикации: 2007-02-15.

Circuit assembly for limiting the gate current at a field-effect transistor

Номер патента: US20230308087A1. Автор: Sascha Krause. Владелец: Ferdinand Braun Institut GgmbH Leibniz Institut fuer Hoechstfrequenztechnik. Дата публикации: 2023-09-28.

Dead-time calibration scheme for active clamp flyback (acf) primary field-effect transistors (fet)

Номер патента: US20240048060A1. Автор: Hariom Rai,Arun Khamesra,Jojy JOSE,Soon Hwei Tan. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Dual-mode high-side power field-effect transistor driver for power regulators

Номер патента: US12057765B2. Автор: Mengmeng Du,Matthew Alan Grant,Daniel Dahua ZHENG. Владелец: Renesas Electronics America Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Optically coupled field effect transistor switch

Номер патента: CA1123064A. Автор: William C. King. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1982-05-04.

Non-complementary active clamp flyback (acf) primary field-effect transistors (fet) control

Номер патента: US20240048053A1. Автор: Rajesh Karri,Hung-Chun Chen,Soon Hwei Tan. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Field-effect transistor driver

Номер патента: US09467140B2. Автор: Erik WORMMEESTER. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Device and method for short-circuit protection of semiconductor switch

Номер патента: RU2212098C2. Автор: Мартти САИРАНЕН. Владелец: Ой Лексел Финланд Аб. Дата публикации: 2003-09-10.

Enhanced schottky diode field effect transistor logic circuits

Номер патента: CA1245304A. Автор: Tho T. Vu. Владелец: Honeywell Inc. Дата публикации: 1988-11-22.

Apparatus for protecting field effect transistor and system for preventing over-current using the same

Номер патента: KR102416199B1. Автор: 유선욱. Владелец: 주식회사 엘지에너지솔루션. Дата публикации: 2022-07-01.

P-channel thin film transistor having a gate on the drain region of a field effect transistor

Номер патента: US6046478A. Автор: Richard K. Klein. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-04-04.

Leakage regulator circuit for a field effect transistor

Номер патента: US4785207A. Автор: John E. Eng. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1988-11-15.

Electric propulsion system having integrated electrical and thermal architecture and related methods of operating and implementing same

Номер патента: US11799364B2. Автор: Adam White,Michael Andres,Waleed Said. Владелец: Kaney Aerospace Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Power management integrated circuit integrating field effect transistors and programmable fabric

Номер патента: US20170115717A1. Автор: Thomas Chan,Kapil Shankar,Patrick J. Crotty,John Birkner. Владелец: Andapt Inc. Дата публикации: 2017-04-27.

Field effect transistor (fet) transconductance device with varying gate lengths

Номер патента: WO2022164601A1. Автор: Kevin Wesley Kobayashi. Владелец: QORVO US, INC.. Дата публикации: 2022-08-04.

Dual-mode high-side power field-effect transistor driver for power regulators

Номер патента: US20230318436A1. Автор: Mengmeng Du,Matthew Alan Grant,Daniel Dahua ZHENG. Владелец: Renesas Electronics America Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Analog switch multiplexer systems and related methods

Номер патента: US20210159901A1. Автор: Konosuke Taki. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2021-05-27.

Communication device, and electronic device comprising same

Номер патента: US20220052692A1. Автор: Jonghun HA,Suho JO,Odo Yu,Sunghoon BYEON,Hwasung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-17.

Communication device, and electronic device comprising same

Номер патента: EP3829067A1. Автор: Jonghun HA,Suho JO,Odo Yu,Sunghoon BYEON,Hwasung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-02.

Method for processing input variables by means of a processing device comprising at least two field-effect transistors, device for executing the method, computing device, and use

Номер патента: US20240259031A1. Автор: Tobias Kirchner,Taha Soliman. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory device, operation method of the memory device and semiconductor die

Номер патента: US20240062817A1. Автор: Katherine H. Chiang,Yun-Feng KAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Controlled gate-source voltage n-channel field effect transistor (nfet) gate driver

Номер патента: WO2021034458A1. Автор: Pulkit Shah. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2021-02-25.

Discrete circuit for driving field effect transistors

Номер патента: EP1635463A3. Автор: Balakrishnan V. Nair,Gerald A. Kilgour. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2007-04-25.

Selective solid-state isolation of NMR circuit elements using back-to-back field effect transistors

Номер патента: US12066588B2. Автор: David Walsh,Elliot Grunewald. Владелец: VISTA CLARA Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Triggering asynchronous d trigger on field-effect transistors

Номер патента: RU2689197C1. Автор: Геннадий Иванович Передельский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2019-05-24.

Operational amplifier on complementary field-effect transistors

Номер патента: RU2770916C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Алексей Евгеньевич Титов,Владислав Евгеньевич Чумаков. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2022-04-25.

Differential amplifier based on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2736412C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Олег Владимирович Дворников,Анна Витальевна Бугакова,Дмитрий Геннадьевич Дроздов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-11-17.

Differential amplifier with increased slope on field-effect transistors

Номер патента: RU2770915C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Анна Витальевна Бугакова,Владислав Евгеньевич Чумаков. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2022-04-25.

Differential amplifier on arsenide-gallium field-effect transistors

Номер патента: RU2770912C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Владислав Евгеньевич Чумаков,Алексей Вадимович Кунц. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2022-04-25.

Differential amplifier of class ab on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2736549C1. Автор: Петр Сергеевич Будяков,Илья Викторович Пахомов,Алексей Андреевич Жук,Иван Николаевич Третьяк. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2020-11-18.

Multifunctional current mirror on complementary field-effect transistors with control pn-junction for operation at low temperatures

Номер патента: RU2720557C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Анна Витальевна Бугакова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-05-12.

Trigger logic element and-not/or-not on field-effect transistors

Номер патента: RU2756096C1. Автор: Геннадий Иванович Передельский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Юго-Западный государственный университет» (ЮЗГУ). Дата публикации: 2021-09-28.

Flip-flop on field-effect transistors of opposite conductivity type

Номер патента: RU2694152C1. Автор: Геннадий Иванович Передельский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2019-07-09.

Transformerless drive circuit for field-effect transistors

Номер патента: WO1985005742A1. Автор: John J. Nesler. Владелец: Hughes Aircraft Company. Дата публикации: 1985-12-19.

Electronic device and control method therefor

Номер патента: US20240006977A1. Автор: Jeongil KANG,Sungyong Joo,Jongsuk Lee,Sungbum JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-04.

Desaturation protection of power field-effect transistor

Номер патента: US20240283441A1. Автор: Nan Xing,Zhemin Zhang,Yinglai Xia,Yalong Li. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010045557A1. Автор: Hidetaka Natsume. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-11-29.

Desaturation protection of power field-effect transistor

Номер патента: WO2024176172A1. Автор: Nan Xing,Zhemin Zhang,Yinglai Xia,Yalong Li. Владелец: Infineon Technologies Canada Inc.. Дата публикации: 2024-08-29.

Method for processing input variables by means of a processing device having at least one transistor, device for executing the method, computing device, and use

Номер патента: US20240364329A1. Автор: Tobias Kirchner,Taha Soliman. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-10-31.

Differential amplifier on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2688225C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2019-05-21.

Trigger logic element on field-effect transistors

Номер патента: RU2715178C1. Автор: Геннадий Иванович Передельский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2020-02-25.

Buffer amplifier of class ab on complementary field-effect transistors with control p-n junction for operation at low temperatures

Номер патента: RU2721940C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Елена Владимировна Овсепян,Екатерина Петровна Никитина. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-05-25.

Control of threshold voltage in organic field effect transistors

Номер патента: WO2006052625A1. Автор: Vladimir Bulovic,Akintunde I. Akinwande,Ioannis Kymissis,Annie I. Wang. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2006-05-18.

Rotated field effect transistor topology amplifier

Номер патента: US9866175B1. Автор: Peter W. Evans. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Apparatuses, methods, and systems for dense circuitry using tunnel field effect transistors

Номер патента: US20160182023A1. Автор: Ian A. Young,Uygar E. Avci,Daniel H. Morris,Rafael Rios. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-06-23.

Methods of forming flash field effect transistor gates and non-flash field effect transistor gates

Номер патента: US20030129801A1. Автор: Kevin Beaman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-10.

Underwater communication device and underwater communication method

Номер патента: US12021569B2. Автор: Hiroshi Kawarada,Yukihiro Shintani,Yutaro Iyama,Miki Kajiya,Kaito Tadenuma. Владелец: WASEDA UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-06-25.

Apparatuses, methods, and systems for dense circuitry using tunnel field effect transistors

Номер патента: US09842643B2. Автор: Ian A. Young,Uygar E. Avci,Daniel H. Morris,Rafael Rios. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Read-assist circuits for memory bit cells employing a P-type field-effect transistor (PFET) read port(s), and related memory systems and methods

Номер патента: US09741452B2. Автор: Francois Ibrahim Atallah,Jihoon Jeong,Keith Alan Bowman,David Joseph Winston Hansquine,Hoan Huu Nguyen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Apparatuses, methods, and systems for dense circuitry using tunnel field effect transistors

Номер патента: US09490780B2. Автор: Ian A. Young,Uygar E. Avci,Daniel H. Morris,Rafael Rios. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device and high-frequency module

Номер патента: US09444512B2. Автор: Yasushi Shigeno,Shigeki Koya,Eigo Tange,Akishige Nakajima. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Operational amplifier with "floating" input differential cascade on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2741055C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Андреевич Жук,Владислав Евгеньевич Чумаков,Дмитрий Владимирович Клейменкин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2021-01-22.

Differential operational amplifier on field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2739577C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Владислав Евгеньевич Чумаков. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2020-12-28.

Degenerative-type voltage stabilizer on field-effect transistors for operation at low temperatures

Номер патента: RU2736548C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Олег Владимирович Дворников,Илья Викторович Пахомов,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2020-11-18.

Composite transistor based on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2710846C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Дмитрий Геннадьевич Дроздов,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-14.

Non-inverting current mirror on complementary field-effect transistors with pn-junction control for operation at low temperatures

Номер патента: RU2720554C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-05-12.

Photo-switchable and electrically-switchable organic field-effect transistor, manufacturing method thereof and use thereof as storage device

Номер патента: RU2580905C2. Автор: Сергей Михайлович Алдошин,Павел Анатольевич Трошин,Наталия Алексеевна Санина,Любовь Анатольевна Фролова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем химической физики Российской Академии наук (ИПХФ РАН). Дата публикации: 2016-04-10.

Differential cascade on complementary field-effect transistors with control p-n junction of class ab with variable voltage of restriction of pass characteristic

Номер патента: RU2712414C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Петр Сергеевич Будяков,Анна Витальевна Бугакова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-28.

Switching device with series connection of junction field-effect transistors

Номер патента: RU2550551C2. Автор: Йюрген БИЛА,Даниэль АГГЕЛЕР,Иоганн Вальтер КОЛАР. Владелец: Этх Цюрих. Дата публикации: 2015-05-10.

Circuit for biasing a transistor and related system and method

Номер патента: US20080074193A1. Автор: John Shi Sun Wei,Hans Rohdin. Владелец: Avago Technologies Wireless IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2008-03-27.

Power Supply Device and Method for Checking a Field Effect Transistor of Such a Power Supply Device

Номер патента: US20240056070A1. Автор: Klaus Schürmann,Matthias Plöger,Michael Buschkamp,Tobias Blome. Владелец: Weidmueller Interface GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-02-15.

Logic inverter, and a multi-output logic operator derived from this inverter, using at least two low-voltage-threshold field-effect transistors

Номер патента: US4485316A. Автор: Tung Pham Ngu,Gerard Nuzillat,Georges Bert. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1984-11-27.

Three-transistor dram cell and associated fabrication method

Номер патента: US20030016569A1. Автор: Claus Dahl,Siegmar KÖPPE. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-01-23.

Biological fluid drainage devices and methods

Номер патента: US20240261144A1. Автор: Jeffrey C. Towler,Jesse R. MCALISTER,Kevin M. SAVORY. Владелец: WL Gore and Associates Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Biological fluid drainage devices and methods

Номер патента: WO2024168118A1. Автор: Jeffrey C. Towler,Jesse R. MCALISTER,Kevin M. SAVORY. Владелец: W. L. Gore & Associates, Inc.. Дата публикации: 2024-08-15.

Determining region(s) for tissue dissection in pathology slides

Номер патента: EP3994466A1. Автор: Hans Van Wijngaarden,Henricus Rudolphus KUPPENS,Evgenia BALMASHNOVA. Владелец: Xyall BV. Дата публикации: 2022-05-11.

Determining region(s) for tissue dissection in pathology slides

Номер патента: US12067719B2. Автор: Hans Van Wijngaarden,Henricus Rudolphus KUPPENS,Evgenia BALMASHNOVA. Владелец: Xayall BV. Дата публикации: 2024-08-20.

Sensor holder for environment detection sensors on vehicle parts has base with bearing holder(s) for bearing, adjustment region(s) for holding section; holding part is pivotable about bearing, acts on adjustment region to fix position

Номер патента: DE10354458A1. Автор: Stefan Triebl,Heinrich Dr. Gotzig,Oliver Eidel. Владелец: VALEO SCHALTER UND SENSOREN GMBH. Дата публикации: 2005-06-23.

Determining region(s) for tissue dissection in pathology slides

Номер патента: WO2021001564A1. Автор: Hans Van Wijngaarden,Henricus Rudolphus KUPPENS,Evgenia BALMASHNOVA. Владелец: Xyall B.V.. Дата публикации: 2021-01-07.

Determining region(s) for tissue dissection in pathology slides

Номер патента: US20220375070A1. Автор: Hans Van Wijngaarden,Henricus Rudolphus KUPPENS,Evgenia BALMASHNOVA. Владелец: Xyall BV. Дата публикации: 2022-11-24.

Determining region(s) for tissue dissection in pathology slides

Номер патента: EP3994466C0. Автор: Henricus Rudolphus KUPPENS,Evgenia BALMASHNOVA,Wijngaarden Hans Van. Владелец: Xyall BV. Дата публикации: 2023-07-19.

Determining region(s) for tissue dissection in pathology slides

Номер патента: EP3994466B1. Автор: Hans Van Wijngaarden,Henricus Rudolphus KUPPENS,Evgenia BALMASHNOVA. Владелец: Xyall BV. Дата публикации: 2023-07-19.

Mixed functionalized graphene structure and corresponding field-effect transistor biosensor

Номер патента: EP4320431A1. Автор: Amaia REBOLLO PIÑEIRO,María ARRASTUA CEBERIO. Владелец: Attenbio SL. Дата публикации: 2024-02-14.

Mixed functionalized graphene structure and corresponding field-effect transistor biosensor

Номер патента: WO2022214698A1. Автор: Amaia REBOLLO PIÑEIRO,María ARRASTUA CEBERIO. Владелец: Attenbio S.L.. Дата публикации: 2022-10-13.

Biomolecule detector based on field effect transistor arrays containing reference electrodes and detection method for biomolecules using the same

Номер патента: US20080315861A1. Автор: Jeo Young SHIM,Kyu Tae YOO,Won Seok CHUNG,Jung Im HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-25.

Devices and methods for detecting/discriminating complementary and mismatched nucleic acids using ultrathin film field-effect transistors

Номер патента: US12025581B2. Автор: Paul S. Weiss,Anne M. Andrews,Kevin M. CHEUNG. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-07-02.

Graphene-based field-effect transistor biosensors

Номер патента: US09676621B2. Автор: Junhong Chen,Ganhua Lu,Shun MAO. Владелец: UWM Research Foundation Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Dual function electro-optical silicon field-effect transistor molecular sensor

Номер патента: US20220178873A1. Автор: ChiiDong CHEN,Pradhana Jati Budhi LAKSANA,Chia-Jung CHU. Владелец: Silicon Based Molecular Sensoring Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Mixed functionalized graphene structure and corresponding field-effect transistor biosensor

Номер патента: US20240182669A1. Автор: Amaia REBOLLO PIÑEIRO,María ARRASTUA CEBERIO. Владелец: Attenbio SL. Дата публикации: 2024-06-06.

Integrated analysis devices and related fabrication methods and analysis techniques

Номер патента: US12071340B2. Автор: Han Cao,Parikshit A. Deshpande,Mark Kunkel,Alexey Y. Sharonov,Michael Kochersperger,Michael David Austin. Владелец: Bionano Genomics Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Integrated analysis devices and related fabrication methods and analysis techniques

Номер патента: US09533879B2. Автор: Han Cao,Michael D. Austin,Parikshit A. Deshpande,Mark Kunkel,Alexey Y. Sharonov,Michael Kochersperger. Владелец: Bionano Genomics Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Field device and nucleic acid sequencing methods

Номер патента: RU2685953C1. Автор: Джеффри Дж. МЭНДЕЛЛ,Боян БОЯНОВ,Кевин Л. ГУНДЕРСОН,Серджио ПЕЙСАДЖОВИЧ,Грегори А. ВАЙСС,Цзинвэй БАЙ,Чэн-Яо ЧЭНЬ,Филип Дж. КОЛЛИНЗ. Владелец: Дзе Реджентс Оф Дзе Юниверсити Оф Калифорния. Дата публикации: 2019-04-23.

Modeling the performance of a field effect transistor having a dynamically depleted channel region

Номер патента: US20160275225A1. Автор: Tamilmani Ethirajan,Anupam DUTTA. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-22.

Modeling the performance of a field effect transistor having a dynamically depleted channel region

Номер патента: US09996650B2. Автор: Tamilmani Ethirajan,Anupam DUTTA. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Reference voltage generator based on threshold voltage difference of field effect transistors

Номер патента: WO2023132918A1. Автор: HUI Wang,John ABCARIUS,Debesh BHATTA,Shitong ZHAO,Sulin LI. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-07-13.

Devices with field effect transistors

Номер патента: EP4176250A1. Автор: Boyan Boyanov,Jeffrey G. MANDELL,Rico OTTO. Владелец: Illumina Inc. Дата публикации: 2023-05-10.

Mxene-graphene field effect transistor virus sensor

Номер патента: WO2023034113A3. Автор: Yang Wang,Donghyun Kim,Chenglin Wu,Risheng Wang,Yuwei Zhang,Yue-Wern HUANG,Yanxiao LI,Jiaoli LI. Владелец: The Curators of the University of Missouri. Дата публикации: 2023-04-13.

Magnetic resonance imaging with switched-mode current-source amplifier having gallium nitride field effect transistors for parallel transmission in MRI

Номер патента: US09747789B2. Автор: Michael Twieg,Mark Griswold. Владелец: CASE WESTERN RESERVE UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-08-29.

Zno nanorod-based field-effect transistors for detection of bacteria

Номер патента: WO2023073571A1. Автор: Yaser Abdi,Shahrzad Molavi,Ali Bozorg. Владелец: Ali Bozorg. Дата публикации: 2023-05-04.

Wearable aptamer field-effect transistor sensing system for noninvasive cortisol monitoring and wearable system for stress sensing

Номер патента: WO2023133159A1. Автор: BO Wang,Sam Emaminejad,Chuanzhen Zhao,Anne ANDREWS. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2023-07-13.

Wearable aptamer field-effect transistor sensing system for noninvasive cortisol monitoring and wearable system for stress sensing

Номер патента: WO2023133159A8. Автор: BO Wang,Sam Emaminejad,Chuanzhen Zhao,Anne ANDREWS. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2024-02-22.

One device field effect transistor (fet) ac stable random access memory (ram) array

Номер патента: CA1163714A. Автор: Roy E. Scheuerlein. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-03-13.

Field effect transistor with buried fluid-based gate and method

Номер патента: US20230324332A1. Автор: Mark D. Levy,Aaron L. Vallett,Siva P. Adusumilli. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Hybrid device, memory apparatus using such hybrid devices and information reading method

Номер патента: US6172903B1. Автор: Naoki Nishimura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2001-01-09.

Quasi-rms measurement circuit utilizing field effect transistor as a switch

Номер патента: US3723763A. Автор: D Udovic. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1973-03-27.

Label Free Analyte Detection by Electronic Desalting and Field Effect Transistors

Номер патента: US20170176379A1. Автор: Rashid Bashir,Bobby Reddy, JR.,Vikhram VILASUR SWAMINATHAN,Eric M. SALM,Carlos DUARTE-GUEVARA. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2017-06-22.

System and method for generating a field effect transistor corner model

Номер патента: US20150089464A1. Автор: Ning Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-03-26.

Label Free Analyte Detection by Electronic Desalting and Field Effect Transistors

Номер патента: US20200103370A1. Автор: Rashid Bashir,Bobby Reddy, JR.,Vikhram VILASUR SWAMINATHAN,Eric M. SALM,Carlos DUARTE-GUEVARA. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2020-04-02.

Negative supply rail positive boost write-assist circuits for memory bit cells employing a P-type field-effect transistor (PFET) write port(s), and related systems and methods

Номер патента: US09984730B2. Автор: Francois Ibrahim Atallah,Jihoon Jeong,Keith Alan Bowman,David Joseph Winston Hansquine,Hoan Huu Nguyen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Wordline negative boost write-assist circuits for memory bit cells employing a P-type field-effect transistor (PFET) write port(s), and related systems and methods

Номер патента: US09842634B2. Автор: Francois Ibrahim Atallah,Jihoon Jeong,Keith Alan Bowman,David Joseph Winston Hansquine,Hoan Huu Nguyen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Devices with field effect transistors

Номер патента: US11898983B2. Автор: Boyan Boyanov,Jeffrey G. MANDELL,Rico OTTO. Владелец: Illumina Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Devices with field effect transistors

Номер патента: ZA202213365B. Автор: Otto Rico,Boyanov Boyan,G Mandell Jeffrey. Владелец: Illumina Inc. Дата публикации: 2024-04-24.

Double-flash switching device and server

Номер патента: US20240264860A1. Автор: CHAO Gao,Dong Wang. Владелец: Suzhou Metabrain Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Device and method for measuring small voltages and potentials on a biological, chemical or other sample

Номер патента: US20160274055A1. Автор: Jing Li,Svetlana Vitusevich,Sergli PUD. Владелец: FORSCHUNGSZENTRUM JUELICH GMBH. Дата публикации: 2016-09-22.

Gas-sensitive sensor based on field-effect transistor and process of determination of concentration of gases

Номер патента: RU2169363C2. Автор: В.А. Березкин,И.Г. Шкуропат,В.К. Дмитриев,В.Г. Певгов. Владелец: Государственный научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина. Дата публикации: 2001-06-20.

P-type field-effect transistor (pfet)-based sense amplifiers for reading pfet pass-gate memory bit cells, and related memory systems and methods

Номер патента: EP3262644A2. Автор: Francois Ibrahim Atallah,Jihoon Jeong,Keith Alan Bowman,David Joseph Winston Hansquine,Hoan Huu Nguyen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-03.

P-type field-effect transistor (pfet)-based sense amplifiers for reading pfet pass-gate memory bit cells, and related memory systems and methods

Номер патента: WO2016137681A2. Автор: Francois Ibrahim Atallah,Jihoon Jeong,Keith Alan Bowman,David Joseph Winston Hansquine,Hoan Huu Nguyen. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-09-01.

Magneto-resistive field effect transistor

Номер патента: WO2014199144A1. Автор: Daniel Anthony Allwood,Hadi Rasam Alqahtani,Matthew Thomas BRYAN,Martin Friedrich GRELL. Владелец: THE UNIVERSITY OF SHEFFIELD. Дата публикации: 2014-12-18.

Enhanced-shaped extension region(s) for gate-all-around (gaa) field effect transistor (fet) device, and related fabrication methods

Номер патента: WO2024233059A1. Автор: Yan Sun,Peijie Feng,Shreesh Narasimha. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-11-14.