Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Applying channel stress to Fin field-effect transistors (FETs) (FinFETs) using a self-aligned single diffusion break (SDB) isolation structure

Applying channel stress to Fin field-effect transistors (FETs) (FinFETs) using a self-aligned single diffusion break (SDB) isolation structure

Номер патента: US09570442B1
Опубликовано: 14-02-2017
Автор(ы): Jun Yuan, Yanxiang Liu
Принадлежит: Qualcomm Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Fin field effect transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US09768170B2. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Methods for fabricating fin field effect transistors

Номер патента: US20180026033A1. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-25.

Structure and method for vertical tunneling field effect transistor with leveled source and drain

Номер патента: US11894448B2. Автор: Ming Zhu,Chi-Wen Liu,Chao-Hsiung Wang,Harry-Hak-Lay Chuang,Yi-Ren CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Structure and Method for Vertical Tunneling Field Effect Transistor with Leveled Source and Drain

Номер патента: US20190097029A1. Автор: Ming Zhu,Chi-Wen Liu,Chao-Hsiung Wang,Harry-Hak-Lay Chuang,Yi-Ren CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Structure and method for vertical tunneling field effect transistor with leveled source and drain

Номер патента: US20240178303A1. Автор: Ming Zhu,Chi-Wen Liu,Chao-Hsiung Wang,Harry-Hak-Lay Chuang,Yi-Ren CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Forming single and double diffusion breaks for fin field-effect transistor structures

Номер патента: US20220037194A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-02-03.

Multi-gate field effect transistor (FET) including isolated FIN body

Номер патента: US09954002B2. Автор: Hongmei Li,Junjun Li. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Fin field effect transistor (FinFET) device with protection layer

Номер патента: US11798939B2. Автор: Shiang-Bau Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Shared source/drain contact for stacked field-effect transistor

Номер патента: US20240170532A1. Автор: Koichi Motoyama,Ruilong Xie,Leon Sigal,Nicholas Alexander POLOMOFF. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Single-diffusion break structure for fin-type field effect transistors

Номер патента: US20180374851A1. Автор: Hui Zang,Yanzhen Wang,Bingwu Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-12-27.

Replacement source/drain contact method in complementary field effect transistor (cfet) devices

Номер патента: WO2024205835A1. Автор: ASHISH Pal,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,El Mehdi Bazizi. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor structures with stacked non-planar field effect transistors and methods of forming the structures

Номер патента: US09472558B1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Robert C. Wong. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Field effect transistor including strained germanium fins

Номер патента: US20170148680A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-25.

Field effect transistor including strained germanium fins

Номер патента: US09953884B2. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Field effect transistor including strained germanium fins

Номер патента: US09799568B2. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Field effect transistor including strained germanium fins

Номер патента: US09570443B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Selectively degrading current resistance of field effect transistor devices

Номер патента: US20160293603A1. Автор: Effendi Leobandung,Dieter Wendel,Tenko Yamashita,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Selectively degrading current resistance of field effect transistor devices

Номер патента: US20160293611A1. Автор: Effendi Leobandung,Dieter Wendel,Tenko Yamashita,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Selectively degrading current resistance of field effect transistor devices

Номер патента: US9859280B2. Автор: Effendi Leobandung,Dieter Wendel,Tenko Yamashita,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Selectively degrading current resistance of field effect transistor devices

Номер патента: US09985032B2. Автор: Effendi Leobandung,Dieter Wendel,Tenko Yamashita,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Selectively degrading current resistance of field effect transistor devices

Номер патента: US20150311124A1. Автор: Effendi Leobandung,Dieter Wendel,Tenko Yamashita,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-10-29.

Gate tie-down for top field effect transistor

Номер патента: US20240203992A1. Автор: Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Fabrication of vertical doped fins for complementary metal oxide semiconductor field effect transistors

Номер патента: US09871041B1. Автор: Kangguo Cheng,Tenko Yamashita,Zuoguang Liu,Sanjay C. Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Fin field effect transistor, semiconductor device including the same and method of forming the semiconductor device

Номер патента: US09391134B2. Автор: Jung-Dal Choi,Jae-Hwan Lee,Sang-Su Kim,Chang-Jae Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-12.

A multi-gate hybrid-channel field effect transistor

Номер патента: WO2024002009A1. Автор: Yijian Chen,Krishna Kumar Bhuwalka. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-01-04.

A multi-gate hybrid-channel field effect transistor

Номер патента: EP4300563A1. Автор: Yijian Chen,Krishna Kumar Bhuwalka. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-03.

Fabrication of vertical doped fins for complementary metal oxide semiconductor field effect transistors

Номер патента: US20180006037A1. Автор: Kangguo Cheng,Tenko Yamashita,Zuoguang Liu,Sanjay C. Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Fabrication of vertical doped fins for complementary metal oxide semiconductor field effect transistors

Номер патента: US20180006036A1. Автор: Kangguo Cheng,Tenko Yamashita,Zuoguang Liu,Sanjay C. Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Circuits employing adjacent low-k dummy gate to a field-effect transistor (fet) to reduce fet source/drain parasitic capacitance, and related fabrication methods

Номер патента: US20200161419A1. Автор: Haining Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-05-21.

Fin field effect transistor including a single diffusion break with a multi-layer dummy gate

Номер патента: US20200066898A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Fin field effect transistor including a single diffusion break with a multi-layer dummy gate

Номер патента: US20200066895A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Fin field effect transistor device with reduced overlap capacitance and enhanced mechanical stability

Номер патента: US09793378B2. Автор: Shom Ponoth,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Qing Liu,Nicolas Loubet,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of fabricating a fin field effect transistor

Номер патента: US20050142738A1. Автор: Byeong Lee. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Method of fabricating a fin field effect transistor

Номер патента: US7067360B2. Автор: Byeong Ryeol Lee. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-27.

Fin field effect transistors having a nitride containing spacer to reduce lateral growth of epitaxially deposited semiconductor materials

Номер патента: US20140264387A1. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Thomas N. Adam,Paul C. Jamison. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Fin field-effect transistor device and method of forming

Номер патента: US12094778B2. Автор: Pei-Ren Jeng,Yee-Chia Yeo,Chii-Horng Li,Yi-Fang Pai,Jeng-Wei Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Fin field-effect transistor device and method of forming

Номер патента: US20240363418A1. Автор: Pei-Ren Jeng,Yee-Chia Yeo,Chii-Horng Li,Yi-Fang Pai,Jeng-Wei Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Buried contact through fin-to-fin space for vertical transport field effect transistor

Номер патента: US11830774B2. Автор: Brent Anderson,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Fin field effect transistor (FinFET) device structure with dummy fin structure

Номер патента: US12020988B2. Автор: Yen-Ming Chen,Tsung-Lin Lee,Chih-Chieh Yeh,Tzung-Yi Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Fin field effect transistor (finfet) device structure with dummy fin structure

Номер патента: US20230163031A1. Автор: Yen-Ming Chen,Tsung-Lin Lee,Chih-Chieh Yeh,Tzung-Yi Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Cells including at least one fin field effect transistor and semiconductor integrated circuits including the same

Номер патента: US09576978B2. Автор: Sang-hoon BAEK,Sang-Kyu Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Fin field effect transistor (finfet) device structure with dummy fin structure

Номер патента: US20210020517A1. Автор: Yen-Ming Chen,Tsung-Lin Lee,Chih-Chieh Yeh,Tzung-Yi Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Fin field effect transistor (finfet) device structure with dummy fin structure

Номер патента: US20200144126A1. Автор: Yen-Ming Chen,Tsung-Lin Lee,Chih-Chieh Yeh,Tzung-Yi Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Sub-Device Field-Effect Transistor Architecture for Integrated Circuits

Номер патента: US20200066706A1. Автор: Runzi Chang. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2020-02-27.

Fin field-effect transistor (finfet) with a high-k material field-plating

Номер патента: US20230067590A1. Автор: Ming-Yeh Chuang,Umamaheswari Aghoram. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Gate oxide formation for fin field-effect transistor

Номер патента: US20230352566A1. Автор: Bingwu Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Fin field effect transistor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20200294846A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Monolithic integration of enhancement mode and depletion mode field effect transistors

Номер патента: US20200251469A1. Автор: Chia-Ming Chang,Jung-Tao CHUNG,Yan-Cheng Lin,Lung-Yi TSENG. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

Monolithic integration of enhancement mode and depletion mode field effect transistors

Номер патента: US20200381425A1. Автор: Chia-Ming Chang,Jung-Tao CHUNG,Yan-Cheng Lin,Lung-Yi TSENG. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Bipolar field effect transistor structures and methods of forming the same

Номер патента: US20140097472A1. Автор: Peter J. Zampardi, JR.,Hsiang-Chih Sun. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2014-04-10.

Hybrid Fin Field-Effect Transistor Cell Structures and Related Methods

Номер патента: US20210005633A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Jiann-Tyng Tzeng,Hui-Zhong ZHUANG,Lipen YUAN,Wei-An Lai,Yan-Hao Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-07.

Hybrid Fin Field-Effect Transistor Cell Structures and Related Methods

Номер патента: US20200058681A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Jiann-Tyng Tzeng,Hui-Zhong ZHUANG,Lipen YUAN,Wei-An Lai,Yan-Hao Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-20.

Hybrid Fin Field-Effect Transistor Cell Structures and Related Methods

Номер патента: US20210005634A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Jiann-Tyng Tzeng,Hui-Zhong ZHUANG,Lipen YUAN,Wei-An Lai,Yan-Hao Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-07.

Hybrid fin field-effect transistor cell structures and related methods

Номер патента: US11990477B2. Автор: Wei-Cheng Lin,Jiann-Tyng Tzeng,Hui-Zhong ZHUANG,Lipen YUAN,Wei-An Lai,Yan-Hao Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Integrated circuit chips having field effect transistors with different gate designs

Номер патента: US09425275B2. Автор: Mark S. Rodder,Borna J. Obradovic,Dharmendar Reddy Palle. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-23.

Method of manufacturing field-effect transistor array by direct carbon nanotube printing and field effect transistor array manufactured by the same

Номер патента: US20240204078A1. Автор: Yoonhee Lee,Hongki KANG,Soohyun PARK,Minhye Shin. Владелец: DAEGU GYEONGBUK INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-06-20.

Staggered pitch stacked vertical transport field-effect transistors

Номер патента: US20240063223A1. Автор: Brent A. Anderson,Albert M. Chu,Junli Wang,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Staggered pitch stacked vertical transport field-effect transistors

Номер патента: WO2024041858A1. Автор: Brent Anderson,Albert Chu,Junli Wang,Hemanth Jagannathan. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor structure having a junction field effect transistor and a high voltage transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US09947786B2. Автор: Young Bae Kim,Kwang Il Kim. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Gate-all-around (gaa) field-effect transistor (fet) device employing strain material in inactive gate region(s) for applying channel strain for increased carrier mobility, and related fabrication methods

Номер патента: WO2024226310A1. Автор: Haining Yang,Junjing Bao,Ming-Huei Lin. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-10-31.

Gate-all-around (gaa) field-effect transistor (fet) device employing strain material in inactive gate region(s) for applying channel strain for increased carrier mobility, and related fabrication methods

Номер патента: US20240363690A1. Автор: Haining Yang,Junjing Bao,Ming-Huei Lin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Field Effect Transistor Having Loop Distributed Field Effect Transistor Cells

Номер патента: US20170053910A1. Автор: Christopher M. LAIGHTON,Istvan Rodriguez,Alan J. Bielunis. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2017-02-23.

Field effect transistor having loop distributed field effect transistor cells

Номер патента: EP3338308A1. Автор: Christopher M. LAIGHTON,Istvan Rodriguez,Alan J. Bielunis. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2018-06-27.

Field effect transistor having loop distributed field effect transistor cells

Номер патента: WO2017030825A1. Автор: Christopher M. LAIGHTON,Istvan Rodriguez,Alan J. Bielunis. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2017-02-23.

Field effect transistor having loop distributed field effect transistor cells

Номер патента: US09698144B2. Автор: Christopher M. LAIGHTON,Istvan Rodriguez,Alan J. Bielunis. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2017-07-04.

Method for fabricating fin field effect transistors

Номер патента: US09525049B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chih-Sheng Chang,Ling-Yen Yeh,Yi-Tang LIN,Chi-Yuan Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Field effect transistor having two-dimensionally distributed field effect transistor cells

Номер патента: US09685438B2. Автор: Christopher M. LAIGHTON,Istvan Rodriguez,Alan J. Bielunis. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2017-06-20.

High-power field-effect transistor (fet)

Номер патента: EP4214759A1. Автор: Abhijeet Paul. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-07-26.

High-power field-effect transistor (fet)

Номер патента: WO2022060546A1. Автор: Abhijeet Paul. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-03-24.

Heat pipe for vertically stacked field effect transistors

Номер патента: US20230411241A1. Автор: Brent A. Anderson,Terence Hook,Anthony I. Chou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Heat pipe for vertically stacked field effect transistors

Номер патента: US12040250B2. Автор: Brent A. Anderson,Terence Hook,Anthony I. Chou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Programmable delay circuit including hybrid fin field effect transistors (finFETs)

Номер патента: US09985616B2. Автор: James D. Warnock,Ayan Datta,Sumitha George,Charudhattan Nagarajan,Vijay K. Ankenapalli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Programmable delay circuit including hybrid fin field effect transistors (finFETs)

Номер патента: US09543935B1. Автор: James D. Warnock,Ayan Datta,Sumitha George,Charudhattan Nagarajan,Vijay K. Ankenapalli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

System and method of manufacturing a fin field-effect transistor having multiple fin heights

Номер патента: US09412818B2. Автор: Xia Li,Bin Yang,Choh fei Yeap,PR Chidambaram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Field effect transistor with backside source/drain

Номер патента: US20240112985A1. Автор: Son Nguyen,Lawrence A. Clevenger,Brent A. Anderson,Shogo Mochizuki,Ruilong Xie,Kisik Choi,Su Chen Fan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Field effect transistor with decoupled channel and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20200279849A1. Автор: Mark S. Rodder,Borna J. Obradovic. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-09-03.

Programmable delay circuit including hybrid fin field effect transistors (finFETs)

Номер патента: US9614507B2. Автор: James D. Warnock,Ayan Datta,Sumitha George,Charudhattan Nagarajan,Vijay K. Ankenapalli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

System and method of manufacturing a fin field-effect transistor having multiple fin heights

Номер патента: EP3080839A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Choh fei Yeap,PR Chidambaram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-10-19.

System and method of manufacturing a fin field-effect transistor having multiple fin heights

Номер патента: WO2015088779A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Choh fei Yeap,PR Chidambaram. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-06-18.

Programmable delay circuit including hybrid fin field effect transistors (finfets)

Номер патента: US20170126218A1. Автор: James D. Warnock,Ayan Datta,Sumitha George,Charudhattan Nagarajan,Vijay K. Ankenapalli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-04.

Programmable delay circuit including hybrid fin field effect transistors (finfets)

Номер патента: US20170012615A1. Автор: James D. Warnock,Ayan Datta,Sumitha George,Charudhattan Nagarajan,Vijay K. Ankenapalli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-12.

Apparatuses and systems for offset cross field-effect transistors

Номер патента: US20240145565A1. Автор: Richard Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Monolithic vertical junction field effect transistor and Schottky barrier diode fabricated from silicon carbide and method for fabricating the same

Номер патента: AU2005333516A1. Автор: Joseph N. Merrett,Michael S. Mazzola. Владелец: Semisouth Laboratories Inc. Дата публикации: 2007-02-15.

Monolithic vertical junction field effect transistor and schottky barrier diode fabricated from silicon carbide and method for fabricating the same

Номер патента: EP1779435B1. Автор: Joseph N. Merrett,Michael S. Mazzola. Владелец: Semisouth Laboratories Inc. Дата публикации: 2011-12-07.

Monolithic vertical junction field effect transistor and Schottky barrier diode fabricated from silicon carbide and method for fabricating the same

Номер патента: AU2005333516A8. Автор: Joseph N. Merrett,Michael S. Mazzola. Владелец: Semisouth Laboratories Inc. Дата публикации: 2008-09-25.

Monolithic vertical junction field effect transistor and schottky barrier diode fabricated from silicon carbide and method for fabricating the same

Номер патента: EP1779435A4. Автор: Michael S Mazzola,Joseph N Merrett. Владелец: Semisouth Laboratories Inc. Дата публикации: 2007-10-24.

Monolithic vertical junction field effect transistor and schottky barrier diode fabricated from silicon carbide and method for fabricating the same

Номер патента: WO2007001316A8. Автор: Michael S Mazzola,Joseph N Merrett. Владелец: Joseph N Merrett. Дата публикации: 2007-03-08.

Monolithic vertical junction field effect transistor and schottky barrier diode fabricated from silicon carbide and method for fabricating the same

Номер патента: WO2007001316A3. Автор: Michael S Mazzola,Joseph N Merrett. Владелец: Joseph N Merrett. Дата публикации: 2007-04-19.

Monolithic vertical junction field effect transistor and schottky barrier diode fabricated from silicon carbide and method for fabricating the same

Номер патента: WO2007001316A9. Автор: Michael S Mazzola,Joseph N Merrett. Владелец: Joseph N Merrett. Дата публикации: 2007-05-31.

Vertical field-effect transistor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20240170338A1. Автор: Min Gyu Kim,Hwi Chan Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Vertical field-effect transistor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20220165623A1. Автор: Min Gyu Kim,Hwi Chan Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-26.

Power field effect transistor

Номер патента: EP2279525A4. Автор: JIAN Li,King Owyang. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2013-12-18.

Power field effect transistor

Номер патента: WO2009140224A2. Автор: JIAN Li,King Owyang. Владелец: VISHAY-SILICONIX. Дата публикации: 2009-11-19.

Power field effect transistor

Номер патента: EP2279525A2. Автор: JIAN Li,King Owyang. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2011-02-02.

Method of forming vertical field-effect transistor devices having gate liner

Номер патента: US11915982B2. Автор: Min Gyu Kim,Hwi Chan Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-27.

Vertical field-effect transistor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20210242091A1. Автор: Min Gyu Kim,Hwi Chan Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-08-05.

A semiconductor device, comprising an insulated gate field effect transistor connected in series with a field effect transistor

Номер патента: WO2021049990A1. Автор: Klas-Håkan Eklund,Lars Vestling. Владелец: K.EKLUND INNOVATION. Дата публикации: 2021-03-18.

A semiconductor device, comprising an insulated gate field effect transistor connected in series with a field effect transistor

Номер патента: EP4029063A1. Автор: Klas-Håkan Eklund,Lars Vestling. Владелец: K EKLUND INNOVATION. Дата публикации: 2022-07-20.

Field effect transistor, manufacturing method therefor, and switching circuit

Номер патента: EP4300587A1. Автор: Gilberto Curatola,Gaofei TANG,Qimeng JIANG,Hanxing WANG,Qilong Bao. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-03.

Hybrid orientation fin field effect transistor and planar field effect transistor

Номер патента: WO2014058552A1. Автор: Shom Ponoth,Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Tenko Yamashita,Balasubramanian S. Haran. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-04-17.

Combination of tensilely strained n-type fin field effect transistors and compressively strained p-type fin field effect transistors

Номер патента: US20200381308A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Field effect transistor (fet) with self-aligned contacts, integrated circuit (ic) chip and method of manufacture

Номер патента: US20160035743A1. Автор: Szu-Lin Cheng,Isaac Lauer,Jack O. Chu,Jeng-Bang Yau. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-02-04.

Fabrication of a vertical fin field effect transistor having a consistent channel width

Номер патента: US09893169B1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Fabrication of a vertical fin field effect transistor having a consistent channel width

Номер патента: US09837405B1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Tensile and compressive fins for vertical field effect transistors

Номер патента: US09653602B1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Multi-height fin field effect transistors

Номер патента: US09640552B2. Автор: Carl J. Radens,Pranita Kerber,Sudesh Saroop. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Vertically-stacked field effect transistor cell

Номер патента: US20230317611A1. Автор: Dechao Guo,Albert M. Young,Junli Wang,Albert M Chu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

High voltage field effect transistors with selective gate depletion

Номер патента: US6054354A. Автор: Edward J. Nowak,Minh Ho Tong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2000-04-25.

Cross field effect transistor library cell architecture design

Номер патента: US20240258322A1. Автор: Richard T. Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Cross field effect transistor library cell architecture design

Номер патента: EP4409638A1. Автор: Richard T. Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Fin field-effect transistor structure and method for forming the same

Номер патента: US20190067283A1. Автор: Yin Wang,Chien-Tai CHAN,Chien-Chih Lin,Wei-Ken LIN,Chun-Te Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Cross field effect transistor library cell architecture design

Номер патента: US11881393B2. Автор: Richard T. Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Cross field effect transistor library cell architecture design

Номер патента: WO2023056167A1. Автор: Richard T. Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2023-04-06.

Logic-in-memory inverter using feedback field-effect transistor

Номер патента: US11695420B2. Автор: Sang Sig Kim,Kyoung Ah Cho,Jae Min SON,Eun Woo BAEK. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2023-07-04.

Logic-in-memory inverter using feedback field-effect transistor

Номер патента: US20230012345A1. Автор: Sang Sig Kim,Kyoung Ah Cho,Jae Min SON,Eun Woo BAEK. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2023-01-12.

Multi-Gate Device Integration with Separated Fin-Like Field Effect Transistor Cells and Gate-All-Around Transistor Cells

Номер патента: US20240379681A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Field-effect transistor having dual channels

Номер патента: US20200328211A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-15.

Complementary field effect transistor cells and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240321889A1. Автор: Gaspard Hiblot,Gioele Mirabelli. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-09-26.

A semiconductor device including stress inducing films formed over n-channel and p-channel field effect transistors and a method of manufacturing the same

Номер патента: MY135557A. Автор: Yusuke Nonaka,Akihiro Shimizu,Nagatoshi Ooki,Katsuhiko Ichinose. Владелец: Hitachi Ulsi Sys Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-30.

Adjacent buried power rail for stacked field-effect transistor architecture

Номер патента: WO2024114309A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Ruilong Xie,Albert M. Chu,Nicholas Anthony Lanzillo,Seiji Munetoh,Biswanath Senapati. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-06-06.

Adjacent buried power rail for stacked field-effect transistor architecture

Номер патента: US20240178050A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Ruilong Xie,Albert M. Chu,Nicholas Anthony Lanzillo,Seiji Munetoh,Biswanath Senapati. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Replacement metal gate process for vertical transport field-effect transistors with multiple threshold voltages

Номер патента: US20200066603A1. Автор: Brent A. Anderson,ChoongHyun Lee,Hemanth Jagannathan,Ruqiang Bao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Fin field-effect transistor, esd protection circuit, filter circuit and electronic device

Номер патента: EP4199084A1. Автор: Qianming ZHU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-21.

Approach to fabrication of an on-chip resistor with a field effect transistor

Номер патента: US09917082B1. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Integrating metal-insulator-metal capacitors with fabrication of vertical field effect transistors

Номер патента: US20190259666A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Xuefeng Liu,Heng Wu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-22.

Structure integrating field-effect transistor with heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20200043913A1. Автор: Chan Shin Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-02-06.

Vertical fin field effect transistor, vertical fin field effect transistor arrangement, and method for forming a vertical fin field effect transistor

Номер патента: US20230118158A1. Автор: Joachim Rudhard,Wolfgang Feiler,Daniel Krebs,Jens Baringhaus,Alberto MARTINEZ-LIMIA. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2023-04-20.

Replacement source/drain contact method in complementary field effect transistor (cfet) devices

Номер патента: US20240332297A1. Автор: ASHISH Pal,BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,El Mehdi Bazizi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Hybrid complementary field effect transistor device

Номер патента: US11777034B2. Автор: Chen Zhang,Jingyun Zhang,Ruilong Xie,Junli Wang,Pietro Montanini. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Method for fabricating complementary field effect transistor devices

Номер патента: US4435896A. Автор: Richard S. Payne,Louis C. Parrillo. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1984-03-13.

Field effect transistor with decoupled channel and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20180166550A1. Автор: Mark S. Rodder,Borna J. Obradovic. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-14.

Field effect transistor with decoupled channel and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20190148508A1. Автор: Mark S. Rodder,Borna J. Obradovic. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-16.

Fin field effect transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US10553722B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-02-04.

Bottom source/drain for fin field effect transistors

Номер патента: US11830946B2. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,Heng Wu,Gen Tsutsui. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Fin field effect transistor

Номер патента: US20200127133A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-04-23.

Fin field effect transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20190027595A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Bottom source/drain for fin field effect transistors

Номер патента: US20210328051A1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,Heng Wu,Gen Tsutsui. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Field effect transistor (FET) devices

Номер патента: GB2616798A. Автор: Ando Takashi,Vega Reinaldo,Adusumilli Praneet,CHI Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-20.

Field effect transistor (fet) devices

Номер патента: CA3192560A1. Автор: CHENG Chi,Takashi Ando,Praneet Adusumilli,Reinaldo Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-07-07.

Formation of fins having different heights in fin field effect transistors

Номер патента: US20150214119A1. Автор: Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-07-30.

Stacked combsheet field effect transistor

Номер патента: US20240006500A1. Автор: Tao Li,Tsung-Sheng KANG,Ruqiang Bao,Curtis S. Durfee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Field-effect transistors with a non-relaxed strained channel

Номер патента: US09871057B2. Автор: Karen A. Nummy,Claude Ortolland. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Field effect transistor, control method for controling such a field effect transistor and a frequency mixer means including such a field effect transistor

Номер патента: US20010013622A1. Автор: Joannes Mathilda Josephus Sevenhans. Владелец: Alcatel SA. Дата публикации: 2001-08-16.

Fin field effect transistor (finFET) device including a set of merged fins formed adjacent a set of unmerged fins

Номер патента: US09472572B2. Автор: Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Co-integration of non-volatile memory on gate-all-around field effect transistor

Номер патента: US20210028175A1. Автор: ZHENG Xu,Kangguo Cheng,Dexin Kong,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-01-28.

Co-integration of non-volatile memory on gate-all-around field effect transistor

Номер патента: US20200273861A1. Автор: ZHENG Xu,Kangguo Cheng,Dexin Kong,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-27.

Contacts for stacked field effect transistor

Номер патента: US20230420367A1. Автор: Albert M. Young,Ruilong Xie,Kisik Choi,Su Chen Fan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Circuit Including a Field-Effect Transistor and a Bipolar Transistor

Номер патента: US20190074374A1. Автор: Gary Horst Loechelt. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-03-07.

Bidirectional output semiconductor field effect transistor and method for its maufacture

Номер патента: US4721986A. Автор: Daniel M. Kinzer. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 1988-01-26.

Field effect transistors for integrated circuits and methods of manufacture

Номер патента: US3576475A. Автор: John William Kronlage. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1971-04-27.

Circuits based on complementary field-effect transistors

Номер патента: US20190214469A1. Автор: Ruilong Xie,Bipul C. Paul,Puneet Harischandra Suvarna. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-07-11.

Field effect transistor with a negative capacitance gate structure

Номер патента: US20220344471A1. Автор: Igor Lukyanchuk,Yurii TIKHONOV,Valerii VINOKOUR,Anna Razumnaya. Владелец: Terra Quantum AG. Дата публикации: 2022-10-27.

Fin-type field effect transistors with single-diffusion breaks and method

Номер патента: US09935104B1. Автор: Haiting Wang,Hong Yu,Wei Zhao,Hui Zang,Zhenyu Hu,Xusheng Wu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Single diffusion break isolation for gate-all-around field-effect transistor devices

Номер патента: US20210118878A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Single diffusion break isolation for gate-all-around field-effect transistor devices

Номер патента: US20200381426A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Fin-type field effect transistors with single-diffusion breaks and method

Номер патента: US20180323191A1. Автор: Haiting Wang,Hong Yu,Wei Zhao,Hui Zang,Zhenyu Hu,Xusheng Wu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-11-08.

Fabrication of vertical transport fin field effect transistors with a self-aligned separator and an isolation region with an air gap

Номер патента: US20180308743A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Heng Wu,Zuoguang Liu,Sebastian NACZAS. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-25.

Apparatus and method of modulating threshold voltage for fin field effect transistor (finfet) and nanosheet fet

Номер патента: US20200403093A1. Автор: Mark Rodder,Joon Goo Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-24.

Fabrication of vertical transport fin field effect transistors with a self-aligned separator and an isolation region with an air gap

Номер патента: US20180308742A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Heng Wu,Zuoguang Liu,Sebastian NACZAS. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-25.

Fabrication of vertical transport fin field effect transistors with a self-aligned separator and an isolation region with an air gap

Номер патента: US20190311942A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Heng Wu,Zuoguang Liu,Sebastian NACZAS. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-10.

Method for forming fin field effect transistor device structure

Номер патента: US12107012B2. Автор: Yi-Hsun CHIU,Yi-Hsiung Lin,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Method for forming Fin field effect transistor (FinFET) device structure

Номер патента: US09818648B2. Автор: Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Yi-Cheng Chao,Jung-Jui Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Integrating a planar field effect transistor (FET) with a vertical FET

Номер патента: US09502407B1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Fabrication of vertical fin field effect transistors having top air spacers and a self-aligned top junction

Номер патента: US20200083217A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Stressed channel bulk fin field effect transistor

Номер патента: US20160035626A1. Автор: Hiroshi Itokawa,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh,Veeraraghavan S. Basker,Akira Hokazono. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

Stressed channel bulk fin field effect transistor

Номер патента: US09484262B2. Автор: Hiroshi Itokawa,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh,Veeraraghavan S. Basker,Akira Hokazono. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Fin Field Effect Transistor (FinFET) Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20230352592A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chang-Yin Chen,Yung-Jung Chang,Tung-Wen CHENG,Zhe-Hao Zhang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Fin field effect transistor (finfet) device structure

Номер патента: US20240113221A1. Автор: Chun-Hsiung Tsai,Yu-Ming Lin,Cheng-Yi Peng,Kuo-Feng Yu,Shahaji B. More,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Method for forming fin field effect transistor device structure

Номер патента: US20230369121A1. Автор: Yi-Hsun CHIU,Yi-Hsiung Lin,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Planar metrology pad adjacent a set of fins of a fin field effect transistor device

Номер патента: US20150123212A1. Автор: Xiang Hu,Sipeng Gu,Alok Vaid,Akshey Sehgal,Lokesh Subramany. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-05-07.

Integrating a planar field effect transistor (FET) with a vertical FET

Номер патента: US9887193B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

The method for forming fin field effect transistor (finfet) device structure

Номер патента: US20160379888A1. Автор: Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Yi-Cheng Chao,Jung-Jui Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-29.

Fin field effect transistor device structure

Номер патента: US11791215B2. Автор: Yi-Hsun CHIU,Yi-Hsiung Lin,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Fin field effect transistor device structure

Номер патента: US20220375794A1. Автор: Yi-Hsun CHIU,Yi-Hsiung Lin,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-24.

Fin Field Effect Transistor (FINFET) Device with Controlled End-to-End Critical Dimension and Method for Forming the Same

Номер патента: US20200118820A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin,Jr-Jung LIN,Chang-Yin Chen,Tung-Wen CHENG,Chun-Lung NI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Method of forming field effect transistors (FETs) with abrupt junctions and integrated circuit chips with the FETs

Номер патента: US09595595B2. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Fin field effect transistor (FinFET) device with controlled end-to-end critical dimension and method for forming the same

Номер патента: US09508719B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin,Jr-Jung LIN,Chang-Yin Chen,Tung-Wen CHENG,Chun-Lung NI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Multiple thickness semiconductor-on-insulator field effect transistors and methods of forming the same

Номер патента: US20220328345A1. Автор: Po-Jen Wang,Kun-Tsang Chuang,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-13.

Multiple thickness semiconductor-on-insulator field effect transistors and methods of forming the same

Номер патента: US11817345B2. Автор: Po-Jen Wang,Kun-Tsang Chuang,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Structure and method to form a stack field effect transistor with different channel oriented gate-all-around devices

Номер патента: US20240203991A1. Автор: Shogo Mochizuki,Gen Tsutsui. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Gate all-around (gaa) field effect transistors (fets) formed on both sides of a substrate

Номер патента: WO2024047479A1. Автор: Runzi Chang. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Fin field effect transistor (FinFET) device and method for forming the same

Номер патента: US09553171B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yung-Jung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Fabrication of vertical field effect transistors with uniform structural profiles

Номер патента: US09837410B1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Field effect transistor contacts

Номер патента: US09761496B2. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Field effect transistor contacts

Номер патента: US09484264B1. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Fin field effect transistor

Номер патента: US20160087079A1. Автор: Chu-Yun Fu,Hung-Ta Lin,Hung-Ming Chen,Shu-Tine Yang,Shin-Yeh HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-24.

Forming an uniform l-shaped inner spacer for a vertical transport fin field effect transistor (vt finfet)

Номер патента: US20190140078A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Jingyun Zhang,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Vertical fin field effect transistor with reduced gate length variations

Номер патента: US20190312140A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-10.

Method for Forming Fin Structure in Fin Field Effect Transistor Process and Fin Structure

Номер патента: US20230170225A1. Автор: Xiaobo Guo. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2023-06-01.

Fabrication of a vertical fin field effect transistor with reduced dimensional variations

Номер патента: US20240249980A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: Adeia Semiconductor Solutions LLC. Дата публикации: 2024-07-25.

System and method for fabricating a fin field effect transistor

Номер патента: WO2008024200A1. Автор: Gordon Haller,Sahn D. Tang. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2008-02-28.

Fin field-effect transistor and fabrication method thereof

Номер патента: EP3190610A3. Автор: Gang MAO. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-07-19.

Fabrication of a pair of vertical fin field effect transistors having a merged top source/drain

Номер патента: US09899515B1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Fin field effect transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US09847330B2. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Fabrication of a vertical fin field effect transistor with reduced dimensional variations

Номер патента: US09768072B1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Vertical field effect transistors with bottom contact metal directly beneath fins

Номер патента: US09721845B1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Fin field effect transistor

Номер патента: US09716091B2. Автор: Chu-Yun Fu,Hung-Ta Lin,Hung-Ming Chen,Shu-Tine Yang,Shin-Yeh HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Fin field effect transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US09704752B1. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Fin field effect transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US09691766B1. Автор: Chun Che Lin,Shiu-Ko Jangjian,Jia-Ming Lin,Wei Ken Lin,Kuang Yao Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Fin field effect transistor (FinFET) device and method for forming the same

Номер патента: US09653605B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chang-Yin Chen,Yung-Jung Chang,Tung-Wen CHENG,Zhe-Hao Zhang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Single-chip field effect transistor (FET) switch with silicon germanium (SiGe) power amplifier and methods of forming

Номер патента: US09653477B2. Автор: Peng Cheng,Qizhi Liu,James A. Slinkman,Blaine J. Gross,James S. Dunn. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Single-chip field effect transistor (FET) switch with silicon germanium (SiGe) power amplifier and methods of forming

Номер патента: US09646993B2. Автор: Peng Cheng,Qizhi Liu,James A. Slinkman,Blaine J. Gross,James S. Dunn. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Fin shape for fin field-effect transistors and method of forming

Номер патента: US09460968B2. Автор: MING-CHING Chang,Chao-Cheng Chen,Chih-Han Lin,Jr-Jung LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Buried via-to-backside power rail (vbpr) for stacked field-effect transistor (fet)

Номер патента: US20230369217A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Eric Miller,Nicholas Anthony Lanzillo,Julien Frougier,Daniel James Dechene. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Field effect transistor with backside source/drain contact

Номер патента: US20240153990A1. Автор: Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Field effect transistor contacts

Номер патента: US20170033016A1. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-02.

Gate All-Around (GAA) Field Effect Transistors (FETS) Formed on Both Sides of a Substrate

Номер патента: US20240072070A1. Автор: Runzi Chang. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Vertical pillar-type field effect transistor and method

Номер патента: US20180226503A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-08-09.

Vertical pillar-type field effect transistor and method

Номер патента: US09947793B1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Vertical transport fin field effect transistors on a substrate with varying effective gate lengths

Номер патента: US10381476B2. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-13.

SINGLE-CHIP FIELD EFFECT TRANSISTOR (FET) SWITCH WITH SILICON GERMANIUM (SiGe) POWER AMPLIFIER AND METHODS OF FORMING

Номер патента: US20150364492A1. Автор: Peng Cheng,Qizhi Liu,James A. Slinkman,Blaine J. Gross,James S. Dunn. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-12-17.

Fin field effect transistor devices with modified spacer and gate dielectric thicknesses

Номер патента: US20200075589A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor structure, manufacturing method therefor, and high-k metal gate fin field-effect transistor

Номер патента: US10522684B2. Автор: Xin He. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-12-31.

Fabrication of a pair of vertical fin field effect transistors having a merged top source/drain

Номер патента: US20180122938A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-03.

Fabrication of a pair of vertical fin field effect transistors having a merged top source/drain

Номер патента: US20200168511A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-28.

Fabrication of a pair of vertical fin field effect transistors having a merged top source/drain

Номер патента: US20200168512A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-28.

Fabrication of a pair of vertical fin field effect transistors having a merged top source/drain

Номер патента: US20200168510A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-28.

Fabrication of a pair of vertical fin field effect transistors having a merged top source/drain

Номер патента: US10734287B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-04.

Fabrication of a pair of vertical fin field effect transistors having a merged top source/drain

Номер патента: US10607894B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-31.

Methods for fabricating fin field effect transistors

Номер патента: US20180122802A1. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-03.

Fabrication of a vertical fin field effect transistor with reduced dimensional variations

Номер патента: US11784095B2. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: Adeia Semiconductor Solutions LLC. Дата публикации: 2023-10-10.

Self-aligned vertical fin field effect transistor with replacement gate structure

Номер патента: US20200066599A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Tenko Yamashita,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Fin field effect transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20190081169A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-03-14.

Fin field effect transistor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20210126129A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Fin field-effect transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20180130710A1. Автор: Xu Dong YI. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-10.

Fin field effect transistor

Номер патента: US9379215B2. Автор: Chu-Yun Fu,Hung-Ta Lin,Hung-Ming Chen,Shu-Tine Yang,Shin-Yeh HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-06-28.

Forming a uniform inner spacer for a vertical transport fin field effect transistor

Номер патента: US20180323281A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Jingyun Zhang,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-08.

Vertical fin field effect transistor with reduced gate length variations

Номер патента: US20190221667A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-18.

Semiconductor structure, manufacturing method therefor, and high-k metal gate fin field-effect transistor

Номер патента: US20190035924A1. Автор: Xin He. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-01-31.

Semiconductor structure, manufacturing method therefor, and high-k metal gate fin field-effect transistor

Номер патента: US20200105921A1. Автор: Xin He. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

Fin field-effect transistors with enhanced strain and reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20200219993A1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-09.

Fin field-effect transistors with enhanced strain and reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20200058771A1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-20.

Method of forming field effect transistors with replacement metal gates and contacts and resulting structure

Номер патента: US09911736B1. Автор: Hui Zang,Haigou Huang,Xiaofeng Qiu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Vertical field effect transistors

Номер патента: US09653360B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Vertical field effect transistors

Номер патента: US09570357B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Multi-fin vertical field effect transistor and single-fin vertical field effect transistor on a single integrated circuit chip

Номер патента: EP4030478A1. Автор: Kangill Seo,Jeonghyuk Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-20.

Fin field effect transistor devices with modified spacer and gate dielectric thicknesses

Номер патента: US20200075587A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Fin field effect transistor devices with modified spacer and gate dielectric thicknesses

Номер патента: US20190378837A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-12.

Fin-type field effect transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170250280A1. Автор: Ting-Chun Wang,Cheng-ta Wu,Yung-Hsiang Chan,Yung-Yu Wang,Chia-Ying Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-31.

Semiconductor device including a self-aligned contact layer with enhanced etch resistance

Номер патента: US20240030311A1. Автор: Huang-Lin Chao,Yao-Sheng Huang,Lo-Heng Chang,I-Ming Chang,Hsiang-Pi Chang,Yun-Ju FAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Sense amplifier configuration having a field-effect transistor having a short channel length and an adjustable threshold voltage

Номер патента: US6417722B1. Автор: Helmut Schneider,Jürgen Lindolf,Hermann Ruckerbauer,Thomas Borst. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-07-09.

Interconnects for vertical-transport field-effect transistors

Номер патента: US09887192B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Source/drain extension regions and air spacers for nanosheet field-effect transistor structures

Номер патента: US20200286992A1. Автор: Yi Song,Kangguo Cheng,Zhenxing Bi,Chi-chun Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Multi-gate device integration with separated fin-like field effect transistor cells and gate-all-around transistor cells

Номер патента: US11791339B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Field-effect transistors with isolation pillars

Номер патента: US20240072050A1. Автор: Tao Li,Brent A. Anderson,Ruilong Xie,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Multi-Gate Device Integration with Separated Fin-Like Field Effect Transistor Cells and Gate-All-Around Transistor Cells

Номер патента: US20230387122A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Vertical transport field-effect transistors with uniform threshold voltage

Номер патента: US20200119010A1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-16.

Chemically-sensitive field effect transistors, systems and methods for manufacturing and using the same

Номер патента: US09857328B2. Автор: Paul Hoffman. Владелец: Agilome Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Fin field effect transistor including a strained epitaxial semiconductor shell

Номер патента: US09711416B2. Автор: Dae-Gyu Park,Masaharu Kobayashi,Kevin K. Chan,Young-Hee Kim,Jinghong Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Isolated junction field-effect transistor

Номер патента: US20080237656A1. Автор: Donald Ray Disney,Richard K. Williams,Wai Tien Chan. Владелец: Advanced Analogic Technologies Hong Kong Ltd. Дата публикации: 2008-10-02.

Fin field-effect transistor (FinFET) based semiconductor memory array having memory cells using a reduced surface area

Номер патента: US12068027B2. Автор: Andreas Burg,Robert GITERMAN,Halil Andac Yigit. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2024-08-20.

Forming a combination of long channel devices and vertical transport fin field effect transistors on the same substrate

Номер патента: US20190341489A1. Автор: Chen Zhang,CHENG Chi,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-11-07.

Forming a combination of long channel devices and vertical transport fin field effect transistors on the same substrate

Номер патента: US20190334033A1. Автор: Chen Zhang,CHENG Chi,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-31.

Forming a combination of long channel devices and vertical transport fin field effect transistors on the same substrate

Номер патента: US20180269320A1. Автор: Chen Zhang,CHENG Chi,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

Hybrid circuit including a tunnel field-effect transistor

Номер патента: US09748271B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak,Tamilmani Ethirajan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Fin field-effect transistor (finfet) based semiconductor memory array having memory cells with a reduced surface area

Номер патента: EP4326024A3. Автор: Andreas Burg,Robert GITERMAN,Halil Andac Yigit. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2024-05-29.

Forming a combination of long channel devices and vertical transport fin field effect transistors on the same substrate

Номер патента: US20180337278A1. Автор: Chen Zhang,CHENG Chi,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-22.

Enhanced-shaped extension region(s) for gate-all-around (gaa) field effect transistor (fet) device, and related fabrication methods

Номер патента: US20240371924A1. Автор: Yan Sun,Peijie Feng,Shreesh Narasimha. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Fin Field-Effect Transistor (FinFET) Based Semiconductor Memory Array Having Memory Cells Using A Reduced Surface Area

Номер патента: US20240062811A1. Автор: Andreas Burg,Robert GITERMAN,Halil Andac Yigit. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2024-02-22.

Field effect transistor (fet) stack and methods to form same

Номер патента: US20210336005A1. Автор: Anthony K. Stamper,John J. Ellis-Monaghan,Vibhor Jain,Steven M. Shank. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Forming a backside ground or power plane in a stacked vertical transport field effect transistor

Номер патента: US20200286793A1. Автор: Chen Zhang,Lawrence A. Clevenger,Kangguo Cheng,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Non-step nanosheet structure for stacked field-effect transistors

Номер патента: US12119264B2. Автор: Shogo Mochizuki,Gen Tsutsui. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Stacked field-effect transistors

Номер патента: WO2023161760A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Su Chen Fan,Julien Frougier,Maruf Amin Bhuiyan. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2023-08-31.

Staircase stacked field effect transistor

Номер патента: US20230402520A1. Автор: Shogo Mochizuki,Ruilong Xie,Min Gyu Sung,Sanjay C. Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Stacked field effect transistor

Номер патента: US20230402519A1. Автор: Brent A. Anderson,Albert M. Young,Ruilong Xie,Albert M. Chu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Fin field-effect transistor gated diode

Номер патента: US09947659B2. Автор: Chang-Tzu Wang,Bo-Shih Huang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Vertical fin field effect transistor (V-FinFET), semiconductor device having V-FinFET and method of fabricating V-FinFET

Номер патента: US09870957B2. Автор: Myung Gil Kang,Soo Yeon Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-16.

Fabrication of vertical field effect transistor structure with strained channels

Номер патента: US09755073B1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Passivated and faceted fin field effect transistor

Номер патента: US09680021B2. Автор: Chi-Wen Liu,Yen-Yu Chen,Chi-Yuan Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Stacked field-effect transistors

Номер патента: US20230268388A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Su Chen Fan,Julien Frougier,Maruf Amin Bhuiyan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Non-step nanosheet structure for stacked field-effect transistors

Номер патента: US20240006244A1. Автор: Shogo Mochizuki,Gen Tsutsui. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Fin field-effect transistor (finfet) based semiconductor memory array having memory cells with a reduced surface area

Номер патента: EP4326024A2. Автор: Andreas Burg,Robert GITERMAN,Halil Andac Yigit. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2024-02-21.

Non-step nanosheet structure for stacked field-effect transistors

Номер патента: WO2024001468A1. Автор: Shogo Mochizuki,Gen Tsutsui. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-01-04.

Fabrication Of Vertical Field Effect Transistor Structure With Strained Channels

Номер патента: US20200091318A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Fabrication Of Vertical Field Effect Transistor Structure With Strained Channels

Номер патента: US20180366560A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-12-20.

Fabrication Of Vertical Field Effect Transistor Structure With Strained Channels

Номер патента: US20170330969A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-16.

Passivated and Faceted for Fin Field Effect Transistor

Номер патента: US20170278971A1. Автор: Chi-Wen Liu,Yen-Yu Chen,Chi-Yuan Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-28.

Passivated and faceted for fin field effect transistor

Номер патента: US11855219B2. Автор: Chi-Wen Liu,Yen-Yu Chen,Chi-Yuan Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Field effect transistor having staggered field effect transistor cells

Номер патента: EP3539158A1. Автор: Christopher M. LAIGHTON,Istvan Rodriguez,Alan J. Bielunis. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2019-09-18.

Field effect transistor having staggered field effect transistor cells

Номер патента: WO2018089424A1. Автор: Christopher M. LAIGHTON,Istvan Rodriguez,Alan J. Bielunis. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2018-05-17.

Field effect transistor structure with gate structure having a wall and floor portions

Номер патента: US09843007B2. Автор: Chun-Yen Chang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2017-12-12.

Field effect transistor having staggered field effect transistor cells

Номер патента: US20180130888A1. Автор: Christopher M. LAIGHTON,Istvan Rodriguez,Alan J. Bielunis. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2018-05-10.

Monolithic stacked field effect transistor (sfet) with dual middle dielectric isolation (mdi) separation

Номер патента: US20240113162A1. Автор: Jingyun Zhang,Ruilong Xie,Julien Frougier,Ruqiang Bao,Prabudhya Roy Chowdhury. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Monolithic stacked field effect transistor (sfet) with dual middle dielectric isolation (mdi) separation

Номер патента: WO2024068453A1. Автор: Jingyun Zhang,Ruilong Xie,Julien Frougier,Ruqiang Bao,Prabudhya Roy Chowdhury. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2024-04-04.

Replacement metal gate processes for vertical transport field-effect transistor

Номер патента: EP3711098A1. Автор: ChoongHyun Lee,Hemanth Jagannathan,Ruqiang Bao,Chun Wing Yeung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-23.

Integrated circuit using an insulated gate field effect transistor

Номер патента: CA1091815A. Автор: Minoru Yamamoto,Masaichi Shinoda,Tetsuo Nakamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1980-12-16.

Three-dimensional monolithic vertical field effect transistor logic gates

Номер патента: US20190181055A1. Автор: Chen Zhang,Joshua Rubin,Ardasheir Rahman,Terry Hook. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

A semiconductor device comprising an insulated gate field transistor connected on series with a high voltage field effect transistor

Номер патента: WO2019177529A1. Автор: Klas-Håkan Eklund,Lars Vestling. Владелец: K.EKLUND INNOVATION. Дата публикации: 2019-09-19.

Stacked field-effect transistors having proximity electrodes

Номер патента: US11049890B2. Автор: Jerod F. Mason,Dylan Charles BARTLE,Hailing Wang,Hanching Fuh. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2021-06-29.

Stacked field-effect transistors having proximity electrodes

Номер патента: US20200105803A1. Автор: Jerod F. Mason,Dylan Charles BARTLE,Hailing Wang,Hanching Fuh. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2020-04-02.

Field-effect transistor devices having proximity contact features

Номер патента: US10014331B2. Автор: Jerod F. Mason,Dylan Charles BARTLE,Hailing Wang,Hanching Fuh. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2018-07-03.

Switches with multiple field-effect transistors having proximity electrodes

Номер патента: US10431612B2. Автор: Jerod F. Mason,Dylan Charles BARTLE,Hailing Wang,Hanching Fuh. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2019-10-01.

Back-to-back power field-effect transistors with associated current sensors

Номер патента: EP3909076A1. Автор: Indumini Ranmuthu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-11-17.

Back-to-back power field-effect transistors with associated current sensors

Номер патента: WO2020146624A1. Автор: Indumini Ranmuthu. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2020-07-16.

SOI transistor having a self-aligned body contact

Номер патента: US5962895A. Автор: Klaus Dietrich Beyer,Louis Lu-Chen Hsu,Chang-Ming Hsieh,Taqi Nasser Buti. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1999-10-05.

Ferroelectric field effect transistors, pluralities of ferroelectric field effect transistors arrayed in row lines and column lines, and methods of forming a plurality of ferroelectric field effect transistors

Номер патента: US09761715B2. Автор: Kirk D. Prall,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Amorphous oxide and field-effect transistor using said oxide

Номер патента: RU2369940C2. Автор: Хидео ХОСОНО,Кендзи НОМУРА,Масафуми САНО,Кацуми НАКАГАВА,Тосио КАМИЯ. Владелец: Токио Инститьют Оф Текнолоджи. Дата публикации: 2009-10-10.

Method for forming diffusion break structure in fin field effect transistor

Номер патента: US20230274981A1. Автор: Yu Zhang,Xiaobo Guo,Rui Qian,Lulu LAI. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Method for manufacturing fin field-effect transistor

Номер патента: US11646233B2. Автор: Tiancai YAN,Bingxun Su. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2023-05-09.

Method for manufacturing fin field-effect transistor

Номер патента: US20210391221A1. Автор: Tiancai YAN,Bingxun Su. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-12-16.

Fin field effect transistor (FinFET) device structure with Ge-doped inter-layer dielectric (ILD) structure

Номер патента: US09425317B1. Автор: Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Tsung-Yao Wen,Yao-De Chiou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Power field-effect transistor (FET), pre-driver, controller, and sense resistor integration for multi-phase power applications

Номер патента: US09870984B2. Автор: Indumini Ranmuthu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Compact layout of a plurality of field effect transistor logic cells

Номер патента: WO2022144781A1. Автор: Lior Dagan. Владелец: Lior Dagan. Дата публикации: 2022-07-07.

Method for fabricating a finFET metallization architecture using a self-aligned contact etch

Номер патента: US09818876B1. Автор: Guillaume Bouche. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Power field-effect transistor (fet), pre-driver, controller, and sense resistor integration

Номер патента: EP3257336A1. Автор: Indumini W. Ranmuthu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-12-20.

Power field-effect transistor (fet), pre-driver, controller, and sense resistor integration for multi-phase power applications

Номер патента: US20180138112A1. Автор: Indumini Ranmuthu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-05-17.

Fin field effect transistor (FinFET) having air gap and method of fabricating the same

Номер патента: US09865738B2. Автор: Jin Gyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Static random access memory using vertical transport field effect transistors

Номер патента: US11956939B2. Автор: Tao Li,Albert M. Young,Tsung-Sheng KANG,Ardasheir Rahman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Static random access memory using vertical transport field effect transistors

Номер патента: US20230217639A1. Автор: Tao Li,Albert M. Young,Tsung-Sheng KANG,Ardasheir Rahman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-07-06.

Cross field effect transistor (XFET) library architecture power routing

Номер патента: US11862640B2. Автор: Richard T. Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Negative-capacitance and ferroelectric field-effect transistor (ncfet and fe-fet) devices

Номер патента: US20230369472A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Fin replacement in a field-effect transistor

Номер патента: US09660059B2. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Dominic J. Schepis. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Negative-capacitance and ferroelectric field-effect transistor (ncfet and fe-fet) devices

Номер патента: US20220149182A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-12.

Negative-capacitance and ferroelectric field-effect transistor (ncfet and fe-fet) devices

Номер патента: US20210296469A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Negative-capacitance and ferroelectric field-effect transistor (NCFET and FE-FET) devices

Номер патента: US11777017B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Fin replacement in a field-effect transistor

Номер патента: US20170148916A1. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Dominic J. Schepis. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-25.

Fabricating field effect transistor(s) with stressed channel region(s) and low-resistance source/drain regions

Номер патента: US09735057B2. Автор: Min-Hwa Chi,Shashidhar Shreeshail SHINTRI. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Methods of forming integrated circuitry and methods of forming elevated source/drain regions of a field effect transistor

Номер патента: US20010009791A1. Автор: Lyle Jones,Aftab Ahmad. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-26.

Methods of Forming Field Effect Transistors on Substrates

Номер патента: US20130230957A1. Автор: Sanh D. Tang,Robert J. Hanson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-05.

Methods of Forming Field Effect Transistors, Methods of Forming Field Effect Transistor Gates, Methods of Forming Integrated Circuitry Comprising a Transistor Gate Array and Circuitry Peripheral to the Gate Array, and Methods of Forming Integrated Circuitry Comprising a Transistor Gate Array Including First Gates and Second Grounded Isolation Gates

Номер патента: US20100173456A1. Автор: Young Pil Kim,Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-07-08.

Distributed inductance integrated field effect transistor structure

Номер патента: US20210320053A1. Автор: Nianhua (Frank) JIANG. Владелец: NATIONAL RESEARCH COUNCIL OF CANADA. Дата публикации: 2021-10-14.

Field-effect transistors having black phosphorus channel and methods of making the same

Номер патента: US09620627B1. Автор: Yee-Chia Yeo,Ling-Yen Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Stacked field-effect transistors

Номер патента: US20230395600A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Julien Frougier,Jay William Strane,Curtis S. Durfee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Stacked nanosheet complementary metal oxide semiconductor field effect transistor devices

Номер патента: US20210249412A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-08-12.

Field effect transistor including a downward-protruding gate electrode and methods for forming the same

Номер патента: US12057475B2. Автор: Tsung-Hao YEH,Shiang-Hung HUANG,HsinFu LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Field-effect transistors having black phosphorus channel and methods of making the same

Номер патента: US09929282B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Ling-Yen Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Fin field effect transistor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09634125B2. Автор: Yi-Wei Chen,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Chung-Fu Chang,Chia-Jong Liu,Yen-Liang Wu,Man-Ling Lu,Wen-Jiun Shen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Junction field effect transistors in germanium and silicon-germanium alloys and method for making and using

Номер патента: WO2008134148A1. Автор: Weimin Zhang,Yujie Liu,Madhukar B. Vora,Ashok Kumar Kapoor,Sachin R. Sonkusale. Владелец: Dsm Solutions, Inc.. Дата публикации: 2008-11-06.

Field-effect transistors (FETs) employing edge transistor current leakage suppression to reduce FET current leakage

Номер патента: US11948978B2. Автор: Abhijeet Paul,Mishel Matloubian. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Fin field effect transistor device structure

Номер патента: US20230352569A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Shi-Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Method of forming field effect transistors (FETs) with abrupt junctions and integrated circuit chips with the FETs

Номер патента: US09799569B2. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Field effect transistor high aspect ratio patterning

Номер патента: US20240332295A1. Автор: Wai Kin Li,Domingo Ferrer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Nanoscale Granularity Field Effect Transistor Array

Номер патента: US20200348256A1. Автор: Bruce B. Doris,Steven J. Holmes,Sufi Zafar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-11-05.

Strain-compensated field effect transistor and associated method of forming the transistor

Номер патента: US20080315264A1. Автор: Brian J. Greene,Edward J. Nowak,Alberto Escobar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-25.

Strain-compensated field effect transistor and associated method of forming the transistor

Номер патента: US20110312143A1. Автор: Brian J. Greene,Edward J. Nowak,Alberto Escobar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-12-22.

Method for forming a self-aligned twin well region with simplified processing

Номер патента: US20070212840A1. Автор: Gayle Miller,Bryan Sendelweck. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-13.

Strain-compensated field effect transistor and associated method of forming the transistor

Номер патента: US8420468B2. Автор: Brian J. Greene,Edward J. Nowak,Alberto Escobar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-04-16.

Dielectric liner for a self-aligned contact via structure

Номер патента: US9318384B2. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-04-19.

Manufacturing method of Fin field-effect transistor

Номер патента: US11495502B2. Автор: Huojin Tu,Zhanyuan Hu,Jueyang Liu. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-11-08.

Manufacturing method of fin field-effect transistor

Номер патента: US20210375696A1. Автор: Huojin Tu,Zhanyuan Hu,Jueyang Liu. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Method for manufacturing fin field effect transistor

Номер патента: US12046518B2. Автор: YONG Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Dual shallow trench isolation (sti) field effect transistor (fet) and methods of forming

Номер патента: US20150255539A1. Автор: Max G. Levy,Yun Shi,Richard A. Phelps,Natalie B. Feilchenfeld,Santosh Sharma,Michael J. Zierak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-09-10.

Fabrication of a vertical fin field effect transistor with a reduced contact resistance

Номер патента: US20180012969A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-11.

Fabrication of a vertical fin field effect transistor with a reduced contact resistance

Номер патента: US09905663B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Approach to minimization of strain loss in strained fin field effect transistors

Номер патента: US09818875B1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Fin field effect transistors having conformal oxide layers and methods of forming same

Номер патента: US09515188B2. Автор: Syun-Ming Jang,Chia-Cheng Chen,Hui-Cheng Chang,Liang-Yin Chen,Xiong-Fei Yu,Meng-Shu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Method of manufacturing field effect transistor

Номер патента: US6803288B2. Автор: Yasuhiro Doumae. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-12.

Method of manufacturing field effect transistor

Номер патента: US20030013243A1. Автор: Yasuhiro Doumae. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-16.

Semiconductor device having sidewall spacers manifesting a self-aligned contact hole

Номер патента: US20010017423A1. Автор: Jae Roh,Woun Yang. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2001-08-30.

Field effect transistor structure with abrupt source/drain junctions

Номер патента: US09793373B2. Автор: Chia-Hong Jan,Robert S. Chau,Patrick Morrow,Anand S. Murthy,Paul Packan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Double injection field effect transistors

Номер патента: CA1267965C. Автор: Michael Shur,Wolodymyr Czubatyj,Michael G Hack. Владелец: . Дата публикации: 1990-04-17.

System and method for metal-oxide-semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20100171186A1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2010-07-08.

Field-effect transistor (fet) with source-drain contact over gate spacer

Номер патента: US20140370681A1. Автор: MIN Yang,Effendi Leobandung,Kevin K. Chan,Wilfried E. Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-18.

Vertical field-effect transistor and method for forming same

Номер патента: US20220285542A1. Автор: Jens Baringhaus. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2022-09-08.

Field-effect transistor (FET) with source-drain contact over gate spacer

Номер патента: US8969152B2. Автор: MIN Yang,Effendi Leobandung,Kevin K. Chan,Wilfried E. Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-03-03.

System and method for metal-oxide-semiconductor field effect transistor

Номер патента: US8217471B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-07-10.

Method of fabricating a field effect transistor structure with abrupt source/drain junctions

Номер патента: US6887762B1. Автор: Chia-Hong Jan,Robert S. Chau,Patrick Morrow,Anand S. Murthy,Paul Packan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-05-03.

Approach to minimization of strain loss in strained fin field effect transistors

Номер патента: US20180108771A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-19.

Method for forming fin field effect transistor (FinFET) with a liner layer

Номер патента: US11735649B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Shi-Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Fin field effect transistor (FinFET) with a liner layer

Номер патента: US11349016B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Shi-Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-31.

Integrated nanosheet field effect transistors and floating gate memory cells

Номер патента: US12009435B2. Автор: Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Veeraraghavan S. Basker,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

Fin field effect transistor (finfet) device structure and method for forming the same

Номер патента: US20200321453A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Shi-Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-08.

Field-effect transistor with aggressively strained fins

Номер патента: US09859425B2. Автор: Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Field effect transistor for reducing hot carrier damage and methods for forming the same

Номер патента: US20240274716A1. Автор: Pei-Shan Hsieh,Shiang-Hung HUANG,Hsin Fu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Junction field effect transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: US09947785B2. Автор: Guipeng Sun,Guangtao Han. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Method of making asymmetrically optimized CMOS field effect transistors

Номер патента: US4874713A. Автор: Samuel C. Gioia. Владелец: NCR Corp. Дата публикации: 1989-10-17.

Semiconductor device having a field effect transistor using a high dielectric constant gate insulating film and manufacturing method of the same

Номер патента: US20060125006A1. Автор: Shigenori Hayashi,Masaaki Niwa,Yoshinao Harada. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-15.

Fabrication of complementary field-effect transistors with vertical body-material dopant profiles tailored to alleviate punchthrough and reduce current leakage

Номер патента: US7785971B1. Автор: Fu-Cheng Wang,Constantin Bulucea,Prasad Chaparala. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2010-08-31.

CHARGE TRANSFER LOGIC (CTL) USING COMPLEMENTARY CURRENT FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICES (CiFET) AND / OR COMPLEMENTARY SWITCHED CURRENT FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICES (CsiFET)

Номер патента: US20210020766A1. Автор: Terrence R. Hudrlik,Susan Marya SCHOBER,Robert C. Schober,Aaron CURRY,Timothy Howard Richards. Владелец: Circuit Seed LLC. Дата публикации: 2021-01-21.

Complementary metal oxide semiconductor field effect transistor, metal oxide semiconductor field effect transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09536792B2. Автор: Chien-Ting Lin,Shih-Hung Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Field-effect transistor, single-electron transistor and sensor using the same

Номер патента: US09506892B2. Автор: Yutaka Yamada,Kazuhiro Nagaike,Hiroshi Mitani,Kazuhiko Matsumoto,Satoru Nagao,Masanori Katou,Atsuhiko Kojima,Yasuo Ifuku. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2016-11-29.

Integrated circuits having strained channel field effect transistors and methods of making

Номер патента: US20070099360A1. Автор: Haining Yang,Yong Lee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-05-03.

Logic and flash field-effect transistors

Номер патента: US20180158835A1. Автор: Ralf Richter,Thomas Melde,Elke Erben. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-06-07.

Non-planar field effect transistor devices with low-resistance metallic gate structures

Номер патента: US20200075719A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Non-planar field effect transistor devices with low-resistance metallic gate structures

Номер патента: US20200075717A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Junction field-effect transistors

Номер патента: US20240234498A9. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Asymmetric gated fin field effect transistor (fet) (finfet) diodes

Номер патента: US20180158935A1. Автор: HAO WANG,Haining Yang,Xiaonan Chen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-06-07.

Cross field effect transistor (xfet) architecture process

Номер патента: EP4409626A1. Автор: Richard T. Schultz. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Field-effect transistor stack voltage compensation

Номер патента: US09721936B2. Автор: David Scott Whitefield,Yu Zhu,Guillaume Alexandre Blin,Ambarish Roy. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Field effect transistor and semiconductor device

Номер патента: US20130228776A1. Автор: Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-05.

Electronic structure having two field effect transistors

Номер патента: US11978744B2. Автор: Richard Price,Catherine Ramsdale,Brian Hardy Cobb,Feras ALKHALIL. Владелец: Pragmatic Printing Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Field-effect transistor including oxide semiconductor, and memory and semiconductor circuit including the same

Номер патента: US09548395B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuhiko Takemura,Hiromichi Godo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Integration of field effect transistors and schottky diodes on a substrate

Номер патента: WO2024064145A1. Автор: Pierre Dermy. Владелец: Schottky Lsi, Inc.. Дата публикации: 2024-03-28.

A trench gate metal oxide semiconductor field effect transistor, mosfet, as well as a corresponding method of manufacture

Номер патента: EP4170728A1. Автор: Manoj Kumar,Steffen Holland,Chinmoy Khaund,Pei Heng Hung. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-04-26.

Thin film resistor mismatch improvement using a self-aligned double pattern (sadp) technique

Номер патента: US20240113156A1. Автор: ABBAS Ali,Sameer Prakash Pendharkar,Scott William Jessen,Steven Lee Prins,Gregory Boyd SHINN. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Complementary field effect transistor with hybrid nanostructure

Номер патента: US20230307456A1. Автор: Yi-Bo Liao,Chun-Fu CHENG,Yi-Han WANG,Meng-Yu Lin,Szuya Liao,Cheng-Yin WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Combination metal oxide semi-conductor field effect transistor (MOSFET) and junction field effect transistor (JFET) operable for modulating current voltage response or mitigating electromagnetic or radiation interference effects by altering current flow through the MOSFETs semi-conductive channel region (SCR)

Номер патента: US09595519B2. Автор: Patrick L. Cole,Mark Savage,Jeffrey L. Titus,Adam R. Duncan. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2017-03-14.

Dual dielectric tri-gate field effect transistor

Номер патента: US20110063019A1. Автор: Josephine B. Chang,Jeffrey W. Sleight,Leland Chang,Chung-Hsun Lin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-03-17.

Field effect transistor

Номер патента: US20240282831A1. Автор: Guillaume Alexandre Blin. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Stacked complementary field effect transistors

Номер патента: US11916073B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

Field-effect transistor (FET) devices employing adjacent asymmetric active gate / dummy gate width layout

Номер патента: US09634138B1. Автор: Ukjin Roh,Youn Sung Choi,Shashank Ekbote. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Self-aligned substrate isolation (sasi) of gate-all-around nanosheet field effect transistors

Номер патента: US20240290860A1. Автор: Andrew M. Greene,Shogo Mochizuki,Ruilong Xie,Eric Miller,Julien Frougier,Anthony I. Chou,Andrew Gaul,Nicolas Jean Loubet,Curtis S. Durfee,Susan Ng Emans,Ronald Newhart,Choudhury Mahboob Ellahi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Self-aligned substrate isolation (sasi) of gate-all-around nanosheet field effect transistors

Номер патента: WO2024175381A1. Автор: Shogo Mochizuki,Ruilong Xie,Eric Miller,Julien Frougier,Anthony I-Chih Chou,Andrew Gaul,Andrew Mark Greene,Nicolas Jean Loubet,Susan Ng Emans,Ronald Newhart,Choudhury Mahboob Ellahi,Curtis Scott DURFEE. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2024-08-29.

Field-effect transistors with a gate structure in a dual-depth trench isolation structure

Номер патента: US11955514B2. Автор: Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Field effect transistors including quantum layers

Номер патента: US12002877B2. Автор: Fei Yao,Huamin Li. Владелец: Research Foundation of State University of New York. Дата публикации: 2024-06-04.

Vertical field effect transistor with undercut buried insulating layer to improve contact resistance

Номер патента: US09761726B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Epitaxial block layer for a fin field effect transistor device

Номер патента: US9508850B2. Автор: Qi Zhang,Richard J. Carter,Zhenyu Hu,Andy Wei,Sruthi Muralidharan,Amy L. Child. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Self-aligned nanotube field effect transistor and method of fabricating same

Номер патента: CA2479024C. Автор: Hon-Sum Philip Wong,Phaedon Avouris,Kevin K. Chan,Philip G. Collins,Richard Martel,Joerg Appenzeller. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-02-16.

Field effect transistor, termination structure and associated method for manufacturing

Номер патента: US9362351B2. Автор: Tiesheng Li,Rongyao Ma,Huaifeng Wang. Владелец: Chengdu Monolithic Power Systems Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-07.

Vertical fin field effect transistor devices with self-aligned source and drain junctions

Номер патента: US20200161453A1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Vertical fin field effect transistor devices with self-aligned source and drain junctions

Номер патента: US20200161454A1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Vertical fin field effect transistor devices with self-aligned source and drain junctions

Номер патента: US11380778B2. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-07-05.

Multi-layer fin field effect transistor devices and methods of forming the same

Номер патента: US09793403B2. Автор: Mark S. Rodder,Wei-E Wang,Titash Rakshit,Borna J. Obradovic,Robert C. Bowen. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Gate-all-around field effect transistors with horizontal nanosheet conductive channel structures for MOL/inter-channel spacing and related cell architectures

Номер патента: US09685564B2. Автор: RWIK Sengupta,Titash Rakshit,Joon Goo Hong,Mark Stephen Rodder. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

Quantum well fin-like field effect transistor (QWFinFET) having a two-section combo QW structure

Номер патента: US09620633B2. Автор: Yu-Lien Huang,Chun-Hsiang FAN,Yung-Ta Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Hybrid field-effect transistor

Номер патента: WO2022175064A1. Автор: Dennis A. Dempsey,Seamus P. Whiston,Andrew Christopher Linehan,David J. Rohan. Владелец: Analog Devices International Unlimited Company. Дата публикации: 2022-08-25.

Hybrid field-effect transistor

Номер патента: EP4256614A1. Автор: Dennis A. Dempsey,Seamus P. Whiston,Andrew Christopher Linehan,David J. Rohan. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2023-10-11.

Hybrid field-effect transistor

Номер патента: US11984479B2. Автор: Dennis A. Dempsey,Seamus P. Whiston,Andrew Christopher Linehan,David J. Rohan. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2024-05-14.

Methods of forming a bulk field effect transistor (fet) with sub-source/drain isolation layers and the resulting structures

Номер патента: US20180374946A1. Автор: Bartlomiej J. Pawlak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-12-27.

Systems and methods for integrated diode field-effect transistor semiconductor devices

Номер патента: US20200212182A1. Автор: Peter Almern Losee,Alexander Viktorovich Bolotnikov,Reza Ghandi. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2020-07-02.

Systems and methods for integrated diode field-effect transistor semiconductor devices

Номер патента: EP3903351A1. Автор: Peter Almern Losee,Alexander Viktorovich Bolotnikov,Reza Ghandi. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2021-11-03.

Wrap around gate field effect transistor (WAGFET)

Номер патента: US09882000B2. Автор: Stephen J. Sarkozy,Richard Lai,Yaochung Chen. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Field effect transistor with backside source/drain

Номер патента: US20240113176A1. Автор: Son Nguyen,Lawrence A. Clevenger,Brent A. Anderson,Shogo Mochizuki,Ruilong Xie,Kisik Choi,Su Chen Fan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Field-effect transistors with semiconducting gate

Номер патента: US20200052071A1. Автор: Jing Chen,Qingkai Qian. Владелец: Hong Kong University of Science and Technology HKUST. Дата публикации: 2020-02-13.

Vertical fin field effect transistor with a reduced gate-to-bottom source/drain parasitic capacitance

Номер патента: US20190198641A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-27.

Vertical fin field effect transistor with a reduced gate-to-bottom source/drain parasitic capacitance

Номер патента: US20200083353A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Fin tunnel field effect transistor (FET)

Номер патента: US09614049B2. Автор: Krishna Bhuwalka. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Field effect transistor including gradually varying composition channel

Номер патента: US11888059B2. Автор: Younghwan Park,Dongchul Shin,Junhyuk Park,Sunkyu Hwang,Jongseob Kim,Joonyong Kim,Jaejoon Oh,Injun Hwang,Soogine Chong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-30.

Vertical field effect transistor with dual threshold voltage

Номер патента: US11855148B2. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ruilong Xie. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-26.

Vertical field effect transistor with reduced gate to source/drain capacitance

Номер патента: US20190386102A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-19.

Vertical field effect transistor with reduced gate to source/drain capacitance

Номер патента: US20190386101A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: PRODUCT ARCHITECTS Inc. Дата публикации: 2019-12-19.

Multi-layer fin field effect transistor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20160308055A1. Автор: Mark S. Rodder,Wei-E Wang,Titash Rakshit,Borna J. Obradovic,Robert C. Bowen. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-20.

Field-effect transistor with a dielectric structure having a gate dielectric and a shielding dielectric

Номер патента: US20240145580A1. Автор: Andreas Hoffmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-05-02.

Field effect transistor including gradually varying composition channel

Номер патента: US20200388702A1. Автор: Younghwan Park,Dongchul Shin,Junhyuk Park,Sunkyu Hwang,Jongseob Kim,Joonyong Kim,Jaejoon Oh,Injun Hwang,Soogine Chong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-10.

Field effect transistor including gradually varying composition channel

Номер патента: US20210313465A1. Автор: Younghwan Park,Dongchul Shin,Junhyuk Park,Sunkyu Hwang,Jongseob Kim,Joonyong Kim,Jaejoon Oh,Injun Hwang,Soogine Chong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-07.

Wrap around gate field effect transistor (wagfet)

Номер патента: WO2017205015A1. Автор: Richard Lai,Yaochung Chen,Steven J. SARKOZY. Владелец: Northrop Grumman Systems Corporation. Дата публикации: 2017-11-30.

Vertical fin field effect transistor devices with self-aligned source and drain junctions

Номер патента: US20200058767A1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-20.

Wrap around gate field effect transistor (wagfet)

Номер патента: US20170345895A1. Автор: Stephen J. Sarkozy,Richard Lai,Yaochung Chen. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2017-11-30.

Directionally etched nanowire field effect transistors

Номер патента: US20120280204A1. Автор: Jeffrey W. Sleight,Guy M. Cohen,Sarunya Bangsaruntip. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-11-08.

Nanowire Field Effect Transistors

Номер патента: US20130175502A1. Автор: Guy Cohen,Jeffrey W. Sleight,Amlan Majumdar,Sarunya Bangsaruntip. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-07-11.

Nanowire field effect transistors

Номер патента: EP2801105A1. Автор: Guy Cohen,Jeffrey W. Sleight,Amlan Majumdar,Sarunya Bangsaruntip. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-11-12.

Directionally etched nanowire field effect transistors

Номер патента: WO2011141193A1. Автор: Guy Cohen,Sarunya Bangsaruntip,Jeffrey Sleight. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2011-11-17.

Metal oxide semiconductor field effect transistor and method of manufacturing

Номер патента: US20230246104A1. Автор: Steven Peake. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-08-03.

Method and system for fabrication of a vertical fin-based field effect transistor

Номер патента: US12125914B2. Автор: Hao Cui,Andrew P. Edwards,Clifford Drowley,Shahin Sharifzadeh,Subhash Srinivas Pidaparthi,Ray Milano. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-10-22.

Cascade Field Effect Transistors

Номер патента: US20190378919A1. Автор: James Charles,Tillmann C. Kubis. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2019-12-12.

Enhanced cascade field effect transistor

Номер патента: US12132102B2. Автор: James Charles,Tillmann C. Kubis. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2024-10-29.

High Voltage Gallium Nitride Field Effect Transistor

Номер патента: US20220109048A1. Автор: Yan-Fei Liu,Zhanming Li,Wai Tung Ng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-04-07.

High voltage gallium nitride field effect transistor

Номер патента: CA3132833A1. Автор: Yan-Fei Liu,Zhanming Li,Wai Tung Ng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-04-06.

Field effect transistor having nanostructure channel

Номер патента: GB2487846B. Автор: Michael Guillorn,Josephine Chang,Eric Andrew Joseph. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-12-18.

Method and system for fabrication of a vertical fin-based field effect transistor

Номер патента: US20230411525A1. Автор: Hao Cui,Andrew P. Edwards,Clifford Drowley,Shahin Sharifzadeh,Subhash Srinivas Pidaparthi,Ray Milano. Владелец: Nexgen Power Systems Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Method and system for fabrication of a vertical fin-based field effect transistor

Номер патента: US20220310843A1. Автор: Hao Cui,Andrew P. Edwards,Clifford Drowley,Shahin Sharifzadeh,Subhash Srinivas Pidaparthi,Ray Milano. Владелец: Nexgen Power Systems Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Nanowire Tunnel Field Effect Transistors

Номер патента: US20120273761A1. Автор: Isaac Lauer,Jeffrey W. Sleight,Amlan Majumdar,Sarunya Bangsaruntip. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Semiconductor-on-insulator field effect transistor with performance-enhancing source/drain shapes and/or materials

Номер патента: US11810951B2. Автор: Hong Yu,Viorel Ontalus,Jianwei PENG. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Field effect transistor having nanostructure channel

Номер патента: US20120108024A1. Автор: Eric A. Joseph,Josephine B. Chang,Michael A. Guillorn. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-03.

Field effect transistor having nanostructure channel

Номер патента: WO2011064074A1. Автор: Michael Guillorn,Josephine Chang,Eric Andrew Joseph. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2011-06-03.

Semiconductor device having a polarization super junction field effect transistor, electric equipment, bidirectional field effect transistor, and mounted structure body having the same

Номер патента: US09991335B2. Автор: Fumihiko Nakamura,Shuichi Yagi,Hiroji Kawai,Souta Matsumoto,Shoko ECHIGOYA. Владелец: Powdec KK. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device, electric equipment, bidirectional field effect transistor, and mounted structure body

Номер патента: US20160093691A1. Автор: Fumihiko Nakamura,Shuichi Yagi,Hiroji Kawai,Souta Matsumoto,Shoko ECHIGOYA. Владелец: Powdec KK. Дата публикации: 2016-03-31.

Termination structures for trench-gate field-effect transistors

Номер патента: US20220013647A1. Автор: Takashi Ogura,Takashi Hiroshima,Toshimitsu Taniguchi. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2022-01-13.

Memory, gate-all-around field-effect transistor, and producing method

Номер патента: EP4261889A1. Автор: Jeffrey Junhao XU,Yanxiang Liu,Luming FAN,Zhaozhao HOU,Francis Lionel Benistant. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-18.

Memory, Gate-All-Around Field-Effect Transistor, and Manufacturing Method

Номер патента: US20230352552A1. Автор: Jeffrey Junhao XU,Yanxiang Liu,Luming FAN,Zhaozhao HOU,Francis Lionel Benistant. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Field effect transistor assemblies, integrated circuitry, and methods of forming field effect transistors and integrated circuitry

Номер патента: US20030094633A1. Автор: Fernando Gonzalez,Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-22.

Field effect transistor assemblies, integrated circuitry, and methods of forming field effect transistors and integrated circuitry

Номер патента: US20010019868A1. Автор: Fernando Gonzalez,Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-06.

Field effect transistor, method for manufacturing the same, and biosensor

Номер патента: US20110291075A1. Автор: Osamu Takahashi,Hiroaki Kikuchi,Motonori Nakamura,Tomoaki Yamabayashi,Agus Subagyo,Katsunori Kondo. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-01.

Field effect transistor and preparation method therefor, and semiconductor structure

Номер патента: EP4160696A1. Автор: Wen YIN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-05.

Vertical-type metal insulator semiconductor field effect transistor device, and production method for manufacturing such transistor device

Номер патента: US20050133856A1. Автор: Kinya Ohtani. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-06-23.

Electrochemically-gated field-effect transistor, methods for its manufacture, its use, and electronics comprising said field-effect transistor

Номер патента: US20140319466A1. Автор: Horst Hahn,Subho Dasgupta,Babak Nasr. Владелец: Karlsruher Institut fuer Technologie KIT. Дата публикации: 2014-10-30.

Method for producing a shallow trench isolation for n- and p- channel field-effect transistors in a semiconductor module

Номер патента: US20030181019A1. Автор: Hans-Peter Moll,Andreas Wich-Glasen,Dirk Efferenn. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-09-25.

Group III-Nitride compound heterojunction tunnel field-effect transistors and methods for making the same

Номер патента: US09954085B2. Автор: Debdeep Jena,Patrick Fay,Wenjun Li,Lina Cao. Владелец: University of Notre Dame . Дата публикации: 2018-04-24.

Gate-all-around field-effect-transistor with wrap-around-channel inner spacer

Номер патента: EP4449502A1. Автор: Veeraraghavan Basker,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Andrew Greene,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-23.

Field-effect transistor with two-dimensional channel realized with lateral heterostructures based on hybridized graphene

Номер патента: US09620634B2. Автор: Giuseppe IANNACCONE,Fiori Gianluca. Владелец: UNIVERSITÀ DI PISA. Дата публикации: 2017-04-11.

Field-effect transistor using oxide film to transmit information and preparation method thereof

Номер патента: RU2400865C2. Автор: Тацуя ИВАСАКИ,Хидея КУМОМИ,Тацуя ИВАСАКИ (JP),Хидея КУМОМИ (JP). Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2010-09-27.

Insulated-Gate Field-Effect Transistor

Номер патента: GB1175601A. Автор: . Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1969-12-23.

Semiconductor integrated circuit device composed of insulated gate field-effect transistor

Номер патента: US4365263A. Автор: Hiroto Kawagoe. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1982-12-21.

Semiconductor integrated circuit device composed of insulated gate field-effect transistors

Номер патента: CA1070436A. Автор: Hiroto Kawagoe. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1980-01-22.

Method for forming shielding polysilicon sidewall for protecting shielded gate trench metal-oxide-semiconductor field effect transistor

Номер патента: US11749735B2. Автор: YI Su,Hong Chang. Владелец: Huayi Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Vertical field-effect transistor device having at least two bypass schottky diodes

Номер патента: WO2015042148A1. Автор: LIN Cheng,John Williams Palmour,Vipindas Pala,Edward Robert Van Brunt. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2015-03-26.

Three-dimensional tunneling field-effect transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20200176592A1. Автор: Chang Hwan Choi,Dong Hwan Lim. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2020-06-04.

A Field-Effect Transistor (FET) based synchronous rectifier for emulating a diode

Номер патента: GB2590057A. Автор: Lo Verde Domenico,RONSISVALLE Cesare,Ping Tang Chi. Владелец: Steifpower Tech Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-23.

Field-effect transistor (FET) based synchronous rectifier for emulating diode

Номер патента: US11942930B2. Автор: Domenico Lo Verde,Cesare Ronsisvalle,Chi Ping TANG. Владелец: Steifpower Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Integrated circuit device with series-connected field effect transistors and integrated voltage equalization and method of forming the device

Номер патента: US20120208329A1. Автор: Andres Bryant,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Field-effect transistor (fet) based synchronous rectifier for emulating diode

Номер патента: EP4005080A1. Автор: Domenico Lo Verde,Cesare Ronsisvalle,Chi Ping TANG. Владелец: Steifpower Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-01.

Fin-type field-effect transistor

Номер патента: US09859302B1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Method of forming poly insulator poly capacitors by using a self-aligned salicide process

Номер патента: US20050085046A1. Автор: Hao Fang,Jung-Cheng Kao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-04-21.

Enhanced Thin Film Field Effect Transistor Integration into Back End of Line

Номер патента: US20120126330A1. Автор: Kelly L. Williams,David P. Paulsen,II John E. Sheets,Karl R. Erickson,Phil C. Paone,Gregory J. Uhlmann. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-24.

Fin-type field-effect transistor

Номер патента: US20180006062A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Fin-type field-effect transistor

Номер патента: US20180061864A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-01.

Enhanced thin film field effect transistor integration into back end of line

Номер патента: US8617939B2. Автор: Kelly L. Williams,David P. Paulsen,II John E. Sheets,Karl R. Erickson,Phil C. Paone,Gregory J. Uhlmann. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-12-31.

Field effect transistor and method of making

Номер патента: US20020036329A1. Автор: Robert Baird,Steven Merchant,Phillipe Dupuy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-28.

Self-adjusting gate bias network for field effect transistors

Номер патента: WO2010029186A1. Автор: Roland Gesche,Armin Liero,Silvio Kuehn,M. Ibrahim Khalil. Владелец: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.. Дата публикации: 2010-03-18.

Fin-shaped field effect transistor and capacitor structures

Номер патента: US09941271B2. Автор: Akira Ito,Changyok Park,Shom Surendran PONOTH. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device including a field effect transistor and a bipolar transistor and a method of manufacturing the same

Номер патента: US5471083A. Автор: Tatsuhiko Ikeda,Kazuhito Niwano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-11-28.

Field effect transistor-bipolar transistor darlington pair

Номер патента: US5187110A. Автор: Eric A. Martin,Olaleye A. Aina. Владелец: AlliedSignal Inc. Дата публикации: 1993-02-16.

Modeling circuit of field effect transistor for symmetric modeling of electrostatic discharge characteristic, method of designing integrated circuit using the same and method of manufacturing integrated circuit using the same

Номер патента: US11907635B2. Автор: Seongjin MUN,Kiyoung MOON,Hyein LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

Filter circuit based on a MOS field effect transistor and chip including the same

Номер патента: US10930643B2. Автор: Jianxing Chen. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-23.

Self-adjusting gate bias network for field effect transistors

Номер патента: US20110181324A1. Автор: Roland Gesche,Armin Liero,Silvio Kuehn,Ibrahim M. Khalil. Владелец: Forschungsverbund Berlin FVB eV. Дата публикации: 2011-07-28.

Application of facet-growth to self-aligned schottky barrier gate field effect transistors

Номер патента: US3855690A. Автор: H Kim,M Driver. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1974-12-24.

Non-polar, III-nitride semiconductor fin field-effect transistor

Номер патента: US09978872B1. Автор: Heinz Schmid,Utz Herwig Hahn. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Vertical transport field-effect transistors having germanium channel surfaces

Номер патента: US11784096B2. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,ChoongHyun Lee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-10.

Field Effect Transistor and Method for Manufacturing Same

Номер патента: US20190035906A1. Автор: Isao Inoue. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2019-01-31.

Field-effect transistor manufacturing method

Номер патента: RU2706296C1. Автор: Юкико АБЕ,Наоюки УЕДА,Юки НАКАМУРА,Синдзи МАЦУМОТО,Юдзи СОНЕ,Риоити САОТОМЕ,Саданори АРАЕ,Минехиде КУСАЯНАГИ. Владелец: РИКОХ КОМПАНИ, ЛТД.. Дата публикации: 2019-11-15.

Method of making a field effect transistor having an elevated source and an elevated drain

Номер патента: US6057200A. Автор: Sujit Sharan,Kirk Prall,Pai-Hung Pan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-05-02.

Semi-conductor inverter using complementary junction field effect transistor pair

Номер патента: US4329700A. Автор: Kojiro Tanaka. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 1982-05-11.

Field effect transistors with reduced leakage current

Номер патента: US11955555B2. Автор: Roda Kanawati,Paul D. Hurwitz,Rula BADARNEH,Kurt Moen. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2024-04-09.

Field Effect Transistors with Reduced Leakage Current

Номер патента: US20230395722A1. Автор: Roda Kanawati,Paul D. Hurwitz,Rula BADARNEH,Kurt Moen. Владелец: Newport Fab dba Tower Semiconductor Newport Beach LLC. Дата публикации: 2023-12-07.

Coating liquid for forming thin metal oxide film, thin metal oxide film, field-effect transistor and method of making field-effect transistor

Номер патента: RU2546725C2. Автор: Юкико АБЕ,Наоюки УЕДА,Юки НАКАМУРА,Юдзи СОНЕ. Владелец: РИКОХ КОМПАНИ, ЛТД.. Дата публикации: 2015-04-10.

Method of making a self-aligned ferroelectric memory transistor

Номер патента: US20030071292A1. Автор: Tingkai Li,Sheng Hsu,Fengyan Zhang. Владелец: SHENG LABORATORIES OF AMERICA Inc. Дата публикации: 2003-04-17.

High performance field effect transistors on SOI substrate with stress-inducing material as buried insulator and methods

Номер патента: US7388278B2. Автор: Judson R. Holt,Oiging C. Ouyang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-06-17.

N-type field effect transistors, arrays comprising N-type vertically-oriented transistors, methods of forming an N-type field effect transistor, and methods of forming an array comprising vertically-oriented N-type transistors

Номер патента: US09472663B2. Автор: Allen Mcteer,Yongjun Jeff Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Silicon-on-insulator (soi) junction field effect transistor and method of manufacture

Номер патента: CA2660885A1. Автор: Ashok K. Kapoor. Владелец: Dsm Solutions, Inc.. Дата публикации: 2008-02-28.

Field effect transistor with stacked nanowire-like channels and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09853114B1. Автор: Mark S. Rodder,Borna Obradovic. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Field effect transistor using transition metal dichalcogenide and a method for manufacturing the same

Номер патента: US20180114839A1. Автор: Chi-Wen Liu,Shou-Fang Chen,Yuh-Renn WU. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2018-04-26.

Film stack including metal hardmask layer for sidewall image transfer fin field effect transistor formation

Номер патента: US20130001749A1. Автор: Stefan Schmitz,Sivananda K. Kanakasabapathy,John C. Arnold,Yunpeng Yin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-01-03.

Thin film field effect transistor and method of making same

Номер патента: CA1230948A. Автор: Stanford R. Ovshinsky,Stephen J. Hudgens. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 1987-12-29.

Thin film field effect transistor and method of making same

Номер патента: US4843443A. Автор: Stanford R. Ovshinsky,Stephen J. Hudgens. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 1989-06-27.

Junction field effect transistor with an epitaxially grown gate structure

Номер патента: US8647936B2. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Tak H. Ning,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-02-11.

Annealed metal source drain overlapping the gate of a fin field effect transistor

Номер патента: US09935200B2. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Fin field effect transistor and method for manufacturing fin field effect transistor

Номер патента: US20060172476A1. Автор: Kuan-Yang Liao,Wen-Shiang Liao,Wei-Tsun Shiau. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2006-08-03.

Field-effect transistors with interleaved finger configuration

Номер патента: US20240250003A1. Автор: Dylan Charles BARTLE,David Scott Whitefield,Paul T. Dicarlo,Hailing Wang,Hanching Fuh. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Random access memory cells using spatial wavefunction switched field-effect transistors

Номер патента: US9000417B1. Автор: John Chandy,Faquir Chand Jain,Evan Heller,Pawan Gogna. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-04-07.

Fabricating field-effect transistors with interleaved source and drain finger configuration

Номер патента: US11842947B2. Автор: Dylan Charles BARTLE,David Scott Whitefield,Paul T. Dicarlo,Hailing Wang,Hanching Fuh. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Non-symmetric body contacts for field-effect transistors

Номер патента: US10847445B2. Автор: Dylan Charles BARTLE,David Scott Whitefield,Paul T. Dicarlo,Hailing Wang,Hanching Fuh. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2020-11-24.

Method of manufacturing a self-aligned contact from a conductive layer that is free of voids

Номер патента: US20020090808A1. Автор: Kyeong-koo Chi,Jeong-sic Jeon,Wan-Jae Park,Gyung-Jin Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-07-11.

Method for fomring a self-aligned ltps tft

Номер патента: US20040229408A1. Автор: Chih-Chin Chang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2004-11-18.

Nitride spacer for protecting a fin-shaped field effect transistor (FinFET) device

Номер патента: US09978588B2. Автор: Michael Ganz. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Isolation structure of fin field effect transistor

Номер патента: US09773892B2. Автор: Chi-Wen Liu,Chao-Hsiung Wang,Kuo-Cheng Ching,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Fin structure of fin field effect transistor

Номер патента: US09484462B2. Автор: FENG Yuan,Clement Hsingjen Wann,Tsung-Lin Lee,Chang-Yun Chang,Hung-Ming Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Methods of forming field effect transistor (FET) and non-FET circuit elements on a semiconductor-on-insulator substrate

Номер патента: US09761480B1. Автор: Hui Zang,Xusheng Wu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of manufacturing field-effect transistors with self-aligned grid and transistors thus obtained

Номер патента: US4429452A. Автор: Didier Meignant. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1984-02-07.

Method for fabricating a field-effect transistor with a self-aligned gate

Номер патента: CA1271850A. Автор: John Edward Cunningham,Erdmann Fred Schubert,Won Tien Tsang. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1990-07-17.

Method to make self-aligned vertical field effect transistor

Номер патента: US09899529B2. Автор: Mark Rodder,Joon Goo Hong,Borna Obradovic. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Method of manufacturing fin field effect transistor

Номер патента: US09853153B2. Автор: Huilong Zhu,Qingqing Liang,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-12-26.

Self-aligned metal process for field effect transistor integrated circuits using polycrystalline silicon gate electrodes

Номер патента: US4471522A. Автор: Chakrapani G. Jambotkar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-09-18.

Methods of forming field effect transistor (fet) and non-fet circuit elements on a semiconductor-on-insulator substrate

Номер патента: US20170243782A1. Автор: Hui Zang,Xusheng Wu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-24.

Vertical field effect transistors with bottom source/drain epitaxy

Номер патента: US09972700B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Vertical field effect transistors with bottom source/drain epitaxy

Номер патента: US09865705B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Fin field effect transistor with field plating

Номер патента: US20230085365A1. Автор: Ming-Yeh Chuang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-03-16.

Fin field effect transistor with field plating

Номер патента: WO2022008977A1. Автор: Ming-Yeh Chuang. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2022-01-13.

Two dimensional field effect transistors

Номер патента: US20180182849A1. Автор: Alireza Alian,Salim El Kazzi. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-06-28.

Fin field effect transistor with field plating

Номер патента: US12074216B2. Автор: Ming-Yeh Chuang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Vertical field effect transistor with wrap around metallic bottom contact to improve contact resistance

Номер патента: US09773913B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

FIELD EFFECT TRANSISTOR (FET) COMPRISING CHANNELS WITH SILICON GERMANIUM (SiGe)

Номер патента: WO2021076241A1. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Jun Yuan,Kwanyong LIM. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2021-04-22.

Field effect transistor (fet) comprising channels with silicon germanium (sige)

Номер патента: EP4046202A1. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Jun Yuan,Kwanyong LIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-08-24.

Stacked field effect transistors

Номер патента: WO2023103750A1. Автор: Chen Zhang,Dechao Guo,Junli Wang,Timothy Mathew Philip,Sung Dae Suk. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2023-06-15.

Field effect transistor with self-aligned gate

Номер патента: CA1082371A. Автор: Robert H. Dennard,Vincent L. Rideout. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-07-22.

Vertical field effect transistors with bottom source/drain epitaxy

Номер патента: US20180114849A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-26.

Vertical field effect transistors with bottom source/drain epitaxy

Номер патента: US20170352743A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-07.

Vertical field effect transistors with bottom source/drain epitaxy

Номер патента: US20180033869A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-01.

Vertical field effect transistors with bottom source/drain epitaxy

Номер патента: US10134874B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-20.

N-type fin field-effect transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US9929267B2. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

N-type fin field-effect transistor

Номер патента: US20180166573A1. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-06-14.

Compound semiconductor field effect transistor with self-aligned gate

Номер патента: US20190088765A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao,Periannan Chidambaram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-03-21.

Field effect transistor comprising edge termination area

Номер патента: US20240105832A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Jens Peter Konrath,Thomas Ralf Siemieniec. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-03-28.

Vertical iii-v nanowire field-effect transistor using nanosphere lithography

Номер патента: US20150364572A1. Автор: Fei Xue,Jack C. Lee. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2015-12-17.

Method for fabricating fin structure for fin field effect transistor

Номер патента: US20230135072A1. Автор: Wei-Hao Huang,Shao-Wei Wang,Shih-Wei Su,Hao Che Feng,Hung Jen Huang,Hsin Min Han,Ming Shu Chiu,Pi-Hung Chuang,Ping Wei Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-05-04.

Method for Producing Multi-Gate in FIN Field-Effect Transistor

Номер патента: US20150228764A1. Автор: Jing Zhao. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-13.

Method for producing multi-gate in FIN field-effect transistor

Номер патента: US9362387B2. Автор: Jing Zhao. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-07.

Method for forming fin field effect transistor device structure

Номер патента: US20210313443A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Chien-Wei Lee,Hsueh-Chang Sung,Yen-Ru LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Embedded bottom metal contact formed by a self-aligned contact process for vertical transistors

Номер патента: US10319835B2. Автор: Tenko Yamashita,Heng Wu,Zuoguang Liu,Su Chen Fan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-11.

Germanium dual-fin field effect transistor

Номер патента: US09991168B2. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Fin field-effect transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US09871120B2. Автор: Xiaopeng Yu,Youfeng He,Zhengling Chen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Germanium dual-fin field effect transistor

Номер патента: US09847259B2. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Vertical field effect transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US09786784B1. Автор: Hyung Suk Lee,Hyun Seung Song,Soo Yeon Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Method of fabricating fin-field effect transistors (finFETs) having different fin widths

Номер патента: US09443935B2. Автор: Chang Woo Oh,Choongho Lee,Jongwook Lee,Shincheol Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Process for producing a self-aligned grid field-effect transistor

Номер патента: US4326330A. Автор: Henri Derewonko,Joel Lepage,Michel Laviron. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1982-04-27.

Field effect transistor

Номер патента: US4698899A. Автор: Sanehiko Kakihana. Владелец: Gould Inc. Дата публикации: 1987-10-13.

Vertical field effect transistors with bottom source/drain epitaxy

Номер патента: US20190081157A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-03-14.

Field effect transistor structure with recessed interlayer dielectric and method

Номер патента: US20180204920A1. Автор: Xusheng Wu,Wenhe Lin,Sipeng Gu,Jeffrey Chee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-07-19.

Field effect transistor structure with recessed interlayer dielectric and method

Номер патента: US20180233566A1. Автор: Xusheng Wu,Wenhe Lin,Sipeng Gu,Jeffrey Chee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-08-16.

Method for fabricating a field-effect transistor with size-reduced source/drain epitaxy

Номер патента: US11894424B2. Автор: Seung Hwan Lee,Jin Su Jeong,Rock Hyun Baek,Jun Sik Yoon. Владелец: POSTECH Research and Business Development Foundation. Дата публикации: 2024-02-06.

Compound semiconductor field effect transistor with self-aligned gate

Номер патента: WO2018174999A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao,Periannan Chidambaram. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-09-27.

N-type fin field-effect transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20160322494A1. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-11-03.

Fabricating method of mos transistor, fin field-effect transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20130001707A1. Автор: Teng-Chun Tsai,Chun-Yuan Wu,Chih-Chien Liu,Chin-Fu Lin,Chin-Cheng Chien,Chan-Lon Yang,Yu-Ren Wang,Chien-Liang Lin,Ying-Wei Yen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-01-03.

Field effect transistor with adjustable effective gate length

Номер патента: US20240097029A1. Автор: NAN Wu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Compound semiconductor field effect transistor with self-aligned gate

Номер патента: US20180277657A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao,Periannan Chidambaram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-09-27.

Compound semiconductor field effect transistor with self-aligned gate

Номер патента: EP3602612A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao,Periannan Chidambaram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-02-05.

Field effect transistor and method of making

Номер патента: US20190181234A1. Автор: Lukas Frederik Tiemeijer,Viet Thanh Dinh,Valerie Marthe Girault. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2019-06-13.

Metal gate structures for field effect transistors and method of fabrication

Номер патента: WO2014149128A1. Автор: Naomi Yoshida,Adam Brand. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2014-09-25.

Vertical device with sidewall spacer, methods of forming sidewall spacers and field effect transistors, and patterning method

Номер патента: US20070254442A1. Автор: Christoph Ludwig,Hans Lindemann,Jyoti Gupta,Dirk Manger. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-11-01.

System and method for a field-effect transistor with dual vertical gates

Номер патента: US09972545B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Chih Chieh Yeh,Cheng-Yi Peng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Field effect transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09871123B2. Автор: Chih-Jung Wang,Tong-Yu Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Field-effect transistor with dual vertical gates

Номер патента: US09627531B1. Автор: Yee-Chia Yeo,Chih Chieh Yeh,Cheng-Yi Peng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Self-stop gate recess etching process for semiconductor field effect transistors

Номер патента: US09461159B1. Автор: Yeong-Chang Chou,Hsu-Hwei Chen,Sujane C. Wang. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Field effect transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: KR100571071B1. Автор: 히로지 가와이,슈운지 이마나가. Владелец: 소니 가부시끼 가이샤. Дата публикации: 2006-06-21.

Silicon carbide power field effect transistor

Номер патента: US5821576A. Автор: Saptharishi Sriram. Владелец: Northrop Grumman Corp. Дата публикации: 1998-10-13.

Process for making junction field-effect transistors

Номер патента: US4700461A. Автор: Bor-Yeu Tsaur,Hong-Kyun Choi. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 1987-10-20.

Method of forming a field effect transistor having a gate structure with a first section having a first effective work function above a center portion of the channel region and with second sections having a second effective work function above opposing sidewalls of the channel region

Номер патента: US20140070330A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Field effect transistors (fets) with inverted source/drain metallic contacts, and method of fabricating same

Номер патента: EP1946366A1. Автор: Carl Radens,Dureseti Chidambarrao,Kaushik Kumar,Michael Belyansky,Lawrence Clevenger. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-07-23.

Split gate power semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20170040428A1. Автор: Johnny Kin On Sin,Jiajin LIANG,Chun Wai Ng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-02-09.

Germanium dual-fin field effect transistor

Номер патента: US10347539B2. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-09.

Field effect transistor and process of forming the same

Номер патента: US10580887B2. Автор: Ken Nakata. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-03-03.

Method of Fabricating Fin-Field Effect Transistors (FINFETS) Having Different Fin Widths

Номер патента: US20160155804A1. Автор: Chang Woo Oh,Choongho Lee,Jongwook Lee,Shincheol Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-06-02.

Method for fabricating fin structure for fin field effect transistor

Номер патента: US11862727B2. Автор: Wei-Hao Huang,Shao-Wei Wang,Shih-Wei Su,Hao Che Feng,Hung Jen Huang,Hsin Min Han,Ming Shu Chiu,Pi-Hung Chuang,Ping Wei Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Field effect transistor (fet) and method of forming the fet without damaging the wafer surface

Номер патента: US20120168834A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Yu Zhu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

Field effect transistor (FET) and method of forming the FET without damaging the wafer surface

Номер патента: US8598664B2. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Yu Zhu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-12-03.

Bulk fin-field effect transistors with well defined isolation

Номер патента: US20130210206A1. Автор: Shom Ponoth,Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Tenko Yamashita,Balasubramanian S. Haran. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-08-15.

Bulk fin-field effect transistors with well defined isolation

Номер патента: US20140045312A1. Автор: Shom Ponoth,Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Tenko Yamashita,Balasubramanian S. Haran. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-02-13.

Bulk fin-field effect transistors with well defined isolation

Номер патента: US20140295647A1. Автор: Shom Ponoth,Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Tenko Yamashita,Balasubramanian S. Haran. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-10-02.

Fin field effect transistor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20210226057A1. Автор: MRUNAL ABHIJITH KHADERBAD,Sung-Li Wang,Fang-Wei Lee,Chia-Hung Chu,Keng-Chu Lin,Jung-Hao CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Fin field effect transistor devices with self-aligned gates

Номер патента: US20200294803A1. Автор: John R. Sporre,Ruilong Xie,Wenyu Xu,Stuart A. Sieg. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Field effect transistor and process of forming the same

Номер патента: US20190097034A1. Автор: Ken Nakata. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Field-Effect Transistor With Dual Vertical Gates

Номер патента: US20170125585A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Chih Chieh Yeh,Cheng-Yi Peng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

Vertical fin field effect transistor device with reduced gate variation and reduced capacitance

Номер патента: US20200013879A1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-09.

System and Method for a Field-Effect Transistor with Dual Vertical Gates

Номер патента: US20170221772A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Chih Chieh Yeh,Cheng-Yi Peng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

Fin Field Effect Transistor (FinFET) Device Structure and Method for Forming the Same

Номер патента: US20200357655A1. Автор: Bo-Feng YOUNG,Chang-Yin Chen,Chai-Wei Chang,Chia-Yang Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-12.

Fin Field Effect Transistor (FinFET) Device Structure and Method for Forming the Same

Номер патента: US20190244830A1. Автор: Bo-Feng YOUNG,Chang-Yin Chen,Chai-Wei Chang,Chia-Yang Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-08.

Fin structure for fin field effect transistor and method for fabrication the same

Номер патента: US20220052199A1. Автор: Wei-Hao Huang,Shao-Wei Wang,Shih-Wei Su,Hao Che Feng,Hung Jen Huang,Hsin Min Han,Ming Shu Chiu,Pi-Hung Chuang,Ping Wei Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-02-17.

Method for forming epitaxial source/drain features using a self-aligned mask and semiconductor devices fabricated thereof

Номер патента: US20230395433A1. Автор: Huang-Lin Chao,Yao-Sheng Huang,I-Ming Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Field effect transistor with raised source/drain fin straps

Номер патента: WO2008033982A2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak,Thomas Ludwig. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2008-03-20.

Method for manufacturing high-performance and low-power field effect transistor of which surface roughness scattering is minimized or removed

Номер патента: US20170243953A1. Автор: Sung Ho Kim,Kyung Rok Kim,Jong Yul PARK. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2017-08-24.

Method for manufacturing high-performance and low-power field effect transistor of which surface roughness scattering is minimized or removed

Номер патента: US9780198B2. Автор: Sung Ho Kim,Kyung Rok Kim,Jong Yul PARK. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Field effect transistor, method of fabricating field effect transistor, and electronic device

Номер патента: US20200328294A1. Автор: Shibo LIANG. Владелец: Beijing Hua Tan Yuan Xin Electronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-15.

Embedded bottom metal contact formed by a self-aligned contact process for vertical transistors

Номер патента: US20180337257A1. Автор: Tenko Yamashita,Heng Wu,Zuoguang Liu,Su Chen Fan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-22.

Field effect transistor with shallow trench isolation features within source/drain regions

Номер патента: US11764225B2. Автор: Anthony K. Stamper,Steven M. Shank,Siva P. Adusumilli,Uzma Rana. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Structure for reducing overlap capacitance in field effect transistors

Номер патента: US20070170527A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Huilong Zhu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-07-26.

Method for reducing overlap capacitance in field effect transistors

Номер патента: US20070254443A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Huilong Zhu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-11-01.

Method for reducing overlap capacitance in field effect transistors

Номер патента: US20080166848A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Huilong Zhu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-07-10.

Method for reducing overlap capacitance in field effect transistors

Номер патента: US20080299732A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Huilong Zhu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-12-04.

Structure for reducing overlap capacitance in field effect transistors

Номер патента: US7355245B2. Автор: Oleg Gluschenkov,Huilong Zhu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-04-08.

Method for reducing overlap capacitance in field effect transistors

Номер патента: US7446004B2. Автор: Oleg Gluschenkov,Huilong Zhu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-11-04.

Multi-fin fin-type field effect transistor with fine-tuned effective channel width

Номер патента: US20240347638A1. Автор: Hong Yu,James P. Mazza,Navneet K. Jain,Romain H.A. Feuillette,David Charles PRITCHARD. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor structures with field effect transistor(s) having low-resistance source/drain contact(s)

Номер патента: US09786751B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak,Jeffrey B. Johnson. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Super junction field effect transistor with internal floating ring

Номер патента: US09590092B2. Автор: Kyoung Wook SEOK. Владелец: IXYS LLC. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor structures with field effect transistor(s) having low-resistance source/drain contact(s)

Номер патента: US09496394B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak,Jeffrey B. Johnson. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Method of forming a self-aligned bipolar transistor

Номер патента: US5268314A. Автор: George W. Conner. Владелец: Philips Electronics North America Corp. Дата публикации: 1993-12-07.

Contact-first field-effect transistors

Номер патента: US20200066871A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Myung-Hee Na,Andreas Scholze,Terence P. Hook. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Graphene and Nanotube/Nanowire Transistor with a Self-Aligned Gate Structure on Transparent Substrates and Method of Making Same

Номер патента: US20140312298A1. Автор: Zihong Liu,Wilfried Ernst-August Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-10-23.

Graphene and Nanotube/Nanowire Transistor with a Self-Aligned Gate Structure on Transparent Substrates and Method of Making Same

Номер патента: US20140042393A1. Автор: Zihong Liu,Wilfried Ernst-August Haensch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-02-13.

Vertical fin field effect transistor devices with reduced top source/drain variability and lower resistance

Номер патента: US11978783B2. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Vertical fin field effect transistor devices with reduced top source/drain variability and lower resistance

Номер патента: US20200091317A1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Unltra-Shallow Junction Semiconductor Field-Effect Transistor and Method of Making

Номер патента: US20140306271A1. Автор: Peng Xu,Wei Zhang,Dongping Wu,Shili Zhang,Xiangbiao Zhou. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-10-16.

Field effect transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200044071A1. Автор: Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-06.

Field effect transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US09812560B2. Автор: Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Field-effect transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US11329161B2. Автор: Su Xing,Chung Yi Chiu,Hai Biao Yao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-05-10.

Field effect transistor with shallow trench isolation features within source/drain regions

Номер патента: US20230378183A1. Автор: Anthony K. Stamper,Steven M. Shank,Siva P. Adusumilli,Uzma Rana. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Method of fabricating a self-aligned non-volatile memory cell

Номер патента: EP1552549A1. Автор: Bohumil Lojek,Alan L. Renninger. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2005-07-13.

Method of fabricating a self-aligned non-volatile memory cell

Номер патента: EP1552549A4. Автор: Bohumil Lojek,Alan L Renninger. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2008-06-04.

Field-effect transistor

Номер патента: US11799031B2. Автор: Su Xing,Chung Yi Chiu,Hai Biao Yao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Diamond field effect transistor and mehtod for producing same

Номер патента: EP4117024A1. Автор: Hiroshi Kawarada,Te Bi,Wenxi Fei,Masayuki Iwataki. Владелец: WASEDA UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-01-11.

Diamond field effect transistor and method for producing same

Номер патента: US20230136477A1. Автор: Hiroshi Kawarada,Te Bi,Wenxi Fei,Masayuki Iwataki. Владелец: WASEDA UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-05-04.

Field-effect transistors formed using a wide bandgap semiconductor material

Номер патента: EP4404270A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-24.

Field-effect transistors formed using a wide bandgap semiconductor material

Номер патента: US20240250126A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Field effect transistor, manufacturing method therefor, and electronic circuit

Номер патента: EP4379809A1. Автор: Hui Sun,Hongsheng YI,Biao Gao,Haolin Hu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-05.

Variation Resistant Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET)

Номер патента: US20130049140A1. Автор: Asen ASENOV,Gareth Roy. Владелец: Gold Standard Simulations Ltd. Дата публикации: 2013-02-28.

Opto-thermal annealing methods for forming metal gate and fully silicided gate-field effect transistors

Номер патента: US20080220581A1. Автор: Brian J. Greene,Scott D. Allen,Chun-Yung Sung,Christian Lavoie,Huilong Zhu,Sunfei Fang,Rajarao Jammy,Zhijiong Luo,Hung Ng,Cyril Cabral,Kevin K. Dezfulian,Clement H. Wann. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-09-11.

Three-dimensional memory device with vertical field effect transistors and method of making thereof

Номер патента: US20220068966A1. Автор: Peter Rabkin,Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-03-03.

Extended-drain structures for high voltage field effect transistors

Номер патента: US09911815B2. Автор: Nidhi Nidhi,Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Tunneling Field-Effect Transistor And Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20190013413A1. Автор: Chen-Xiong Zhang,Xichao Yang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-10.

Gate structure for field effect transistor

Номер патента: WO2009133515A1. Автор: Markus Mueller,Jasmine Petry,Guillaume Boccardi. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2009-11-05.

Complementary Field Effect Transistors Using Gallium Polar and Nitrogen Polar III-Nitride Material

Номер патента: US20150221649A1. Автор: Charles R. Eddy, Jr.,Francis J. Kub,Travis J. Anderson,Michael A. Mastro,Jennifer K. Hite. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2015-08-06.

Complementary field-effect transistors

Номер патента: US20210210349A1. Автор: Alexander Reznicek,Jingyun Zhang,Ruilong Xie,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-07-08.

Vertical ferroelectric field effect transistor constructions, constructions comprising a pair of vertical ferroelectric field effect transistors, vertical strings of ferroelectric field effect transistors, and vertical strings of laterally opposing pairs of vertical ferroelectric field effect transistors

Номер патента: WO2015023403A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Chandra Mouli,Kamal M. Karda. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-02-19.

Complementary metal-oxide-semiconductor field-effect transistor and method thereof

Номер патента: US09875943B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Buried contact structures for a vertical field-effect transistor

Номер патента: US09831317B1. Автор: Hui Zang,Tek Po Rinus Lee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Isolated gate field effect transistor and manufacture method thereof

Номер патента: US09722064B2. Автор: Kai Cheng. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Vertical ferroelectric field effect transistor constructions, constructions comprising a pair of vertical ferroelectric field effect transistors, vertical strings of ferroelectric field effect transistors, and vertical strings of laterally opposing pairs of vertical ferroelectric field effect transistors

Номер патента: US09559118B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Chandra Mouli,Kamal M. Karda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Method for manufacturing field-effect transistor with periodically doped channel

Номер патента: RU2191444C1. Автор: В.К. Смирнов,Д.С. Кибалов,В.А. Гергель. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Агентство маркетинга научных разработок". Дата публикации: 2002-10-20.

Field effect transistor with nitride compound

Номер патента: US5929467A. Автор: Hiroji Kawai,Shunji Imanaga. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1999-07-27.

Method of forming a metal semiconductor field effect transistor

Номер патента: US4358891A. Автор: Bruce Roesner. Владелец: Burroughs Corp. Дата публикации: 1982-11-16.

Method of forming field effect transistors relative to a semiconductor substrate and field effect transistors produced according to the method

Номер патента: US5597746A. Автор: Kirk Prall. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1997-01-28.

Semiconductor processing method of providing electrical isolation between adjacent semiconductor diffusion regions of different field effect transistors and integrated circuitry having adjacent electrically isolated field effect transistors

Номер патента: US5895243A. Автор: Trung Tri Doan,Charles H. Dennison. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-04-20.

Fin-Like Field Effect Transistor Patterning Methods for Increasing Process Margins

Номер патента: US20200013630A1. Автор: Ru-Gun Liu,Wei-Liang Lin,Hsin-Chih Chen,Shi Ning Ju,Yung-Sung Yen,Chin-Yuan Tseng,Ken-Hsien Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-09.

Three-dimensional memory device with vertical field effect transistors and method of making thereof

Номер патента: US11963352B2. Автор: Peter Rabkin,Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-16.

Tunnel field-effect transistor and method for manufacturing tunnel field-effect transistor

Номер патента: US20180261689A1. Автор: Jing Zhao,Chen-Xiong Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-13.

Gate-last ferroelectric field effect transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US11996454B2. Автор: Min Liao,Yichun ZHOU,Binjian ZENG,Jiajia LIAO,Qiangxiang PENG,Yanwei HUAN. Владелец: XIANGTAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-05-28.

Radiation detector including field effect transistor in resonant cavity nanostructure

Номер патента: CA3053488A1. Автор: Saeed Assadi,James Pogge. Владелец: TEL Timbre Technologies Inc. Дата публикации: 2018-08-23.

Bipolar inversion channel field effect transistor laser

Номер патента: US5202896A. Автор: Geofrey W. Taylor. Владелец: US Air Force. Дата публикации: 1993-04-13.

Radiation detector including field effect transistor in resonant cavity nanostructure

Номер патента: US11835391B2. Автор: Saeed Assadi,James Pogge. Владелец: TEL Timbre Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Hybrid field effect transistor and surface enhanced infrared absorption based biosensor

Номер патента: US20210181098A1. Автор: Abram L. Falk,Sufi Zafar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Field effect transistor and solid state image pickup device

Номер патента: US20070290238A1. Автор: Satoru Adachi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-12-20.

Memory devices based on ferroelectric field effect transistors

Номер патента: US20200083234A1. Автор: Jan Van Houdt,Julien Ryckaert,Alessio Spessot,Shairfe Muhammad Salahuddin. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-03-12.

Photosensitive field-effect transistor

Номер патента: EP3724928A1. Автор: Martti Voutilainen,Sami Kallioinen,Juha Rakkola. Владелец: EMBERION OY. Дата публикации: 2020-10-21.

Photosensitive field-effect transistor

Номер патента: US20210074869A1. Автор: Martti Voutilainen,Sami Kallioinen,Juha Rakkola. Владелец: EMBERION OY. Дата публикации: 2021-03-11.

Gate all around device structure and Fin field effect transistor (FinFET) device structure

Номер патента: US09620607B2. Автор: Yu-Lien Huang,Chin-Chi Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of forming vertical field effect transistors with self-aligned gates and gate extensions and the resulting structure

Номер патента: US20190088767A1. Автор: Hui Zang,Ruilong Xie,Lars Liebmann,Steven Bentley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-03-21.

Self aligned field effect transistor structure

Номер патента: US20100155793A1. Автор: Lee-mi Do,Kyu-Ha Baek. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2010-06-24.

Method for preparing self-aligned surface channel field effect transistor and power device

Номер патента: US20200373390A1. Автор: CUI Yu,Yuangang WANG,Zhihong FENG,Xubo Song,Chuangjie Zhou,Zezhao HE,Yuanjie Lv,Shixiong LIANG. Владелец: CETC 13 Research Institute. Дата публикации: 2020-11-26.

Fin field-effect transistor structure and manufacturing process thereof

Номер патента: US20120241863A1. Автор: Teng-Chun Tsai,Chun-Yuan Wu,Chih-Chien Liu,Chin-Fu Lin,Chin-Cheng Chien. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Fin field-effect transistor structure and manufacturing process thereof

Номер патента: US20130089957A1. Автор: Teng-Chun Tsai,Chun-Yuan Wu,Chih-Chien Liu,Chin-Fu Lin,Chin-Cheng Chien. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-04-11.

Local interconnects for field effect transistor devices

Номер патента: US20140117453A1. Автор: Ning Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-05-01.

Three-dimensional memory device containing peripheral circuit with fin and planar field effect transistors and method of making thereof

Номер патента: US20240371760A1. Автор: Mohan DUNGA,Satoru Mayuzumi,Sudarshan Narayanan. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Fin field effect transistor and fabricating method thereof

Номер патента: US09716178B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Methods of enhancing performance of field-effect transistors and field-effect transistors made thereby

Номер патента: WO2010085304A2. Автор: Ajaykumar R. Jain. Владелец: VERSATILIS LLC. Дата публикации: 2010-07-29.

Methods of enhancing performance of field-effect transistors and field-effect transistors made thereby

Номер патента: WO2010085304A3. Автор: Ajaykumar R. Jain. Владелец: VERSATILIS LLC. Дата публикации: 2010-09-16.

Apparatuses having a ferroelectric field-effect transistor memory array and related method

Номер патента: US09786684B2. Автор: D. V. Nirmal Ramaswamy,Adam D. Johnson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Vertical tunnel field effect transistor (FET)

Номер патента: US09647097B2. Автор: Gerben Doornbos,Matthias Passlack,Krishna Kumar Bhuwalka. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Apparatuses having a ferroelectric field-effect transistor memory array and related method

Номер патента: US09530794B2. Автор: D. V. Nirmal Ramaswamy,Adam D. Johnson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

III-V field effect transistor (FET) with reduced short channel leakage, integrated circuit (IC) chip and method of manufacture

Номер патента: US09515165B1. Автор: Effendi Leobandung,Cheng-Wei Cheng,Amlan Majumdar,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Monolithic three-dimensional (3d) complementary field effect transistor (cfet) circuits and method of manufacture

Номер патента: US20240047455A1. Автор: Xia Li,Bin Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Monolithic three-dimensional (3d) complementary field effect transistor (cfet) circuits and method of manufacture

Номер патента: WO2024035471A1. Автор: Xia Li,Bin Yang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-02-15.

Method and system for reducing short channel effects in a memory device formed using a self-aligned source

Номер патента: US20010050400A1. Автор: Yu Sun,Mark T. Ramsbey,Tommy Hsiao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-13.

Self-registering method of fabricating field effect transistors

Номер патента: CA1078077A. Автор: Robert H. Dennard,Vincent L. Rideout. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-05-20.

Stress in n-channel field effect transistors

Номер патента: WO2016018514A2. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Jeffrey Junhao XU,Choh fei Yeap. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-02-04.

Field effect transistor (fet) having fingers with rippled edges

Номер патента: US20140054602A1. Автор: Joseph Herbert Johnson. Владелец: RF Micro Devices Inc. Дата публикации: 2014-02-27.

Method of forming fin field effect transistor having tapered sidewalls

Номер патента: US09825150B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Vertical field effect transistor including extension and stressors

Номер патента: US09793401B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

III-V vertical field effect transistors with tunable bandgap source/drain regions

Номер патента: US09786768B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

III-V vertical field effect transistors with tunable bandgap source/drain regions

Номер патента: US09640667B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Embedded hydrogen inhibitors for semiconductor field effect transistors

Номер патента: US09577083B1. Автор: Richard Lai,Yeong-Chang Chou,Hsu-Hwei Chen,Quin W. Kan,Keang H. Kho,Matthew R. Parlee. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Techniques for ion implantation of non-planar field effect transistors

Номер патента: US09455335B2. Автор: Anthony Renau,Hans-Joachim L. Gossmann. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Field effect transistor

Номер патента: CA2311778C. Автор: Timothy Ashley,Charles Thomas Elliott,Timothy Jonathan Phillips,Anthony Brian Dean. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2006-05-30.

Field effect transistor

Номер патента: GB2331841A. Автор: Timothy Ashley,Charles Thomas Elliott,Timothy Jonathan Phillips,Anthony Brian Dean. Владелец: UK Secretary of State for Defence. Дата публикации: 1999-06-02.

High frequency field effect transistor with carrier extraction to reduce intrinsic conduction

Номер патента: US6624451B2. Автор: Timothy Ashley,Timothy J. Phillips,Charles T. Elliott,Anthony B. Dean. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2003-09-23.

Structure for a field effect transistor (fet) device and method of processing a fet device

Номер патента: US20220020882A1. Автор: Romain Delhougne,Gouri Sankar Kar,Attilio Belmonte,Nouredine Rassoul. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2022-01-20.

Gas sensitive field effect transistors

Номер патента: US11293895B2. Автор: Qian Yu,Chi Ying Tsui,Amine Bermak. Владелец: Hong Kong University of Science and Technology HKUST. Дата публикации: 2022-04-05.

Ultrasensitive biosensor using bent and curved field effect transistor by debye length modulation

Номер патента: US20230080531A1. Автор: Rashid Bashir,Jonghyun Choi,Michael Hwang,Catherine J. Murphy,Arend Van Der Zande,SungWoo Nam,Mohammad HEIRANIAN,Narayan ALURU,Yerim KIM. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2023-03-16.

Gas sensitive field effect transistors

Номер патента: US20190383769A1. Автор: Qian Yu,Chi Ying Tsui,Amine Bermak. Владелец: Hong Kong University of Science and Technology HKUST. Дата публикации: 2019-12-19.

Wet etch process and method to control fin height and channel area in a fin field effect transistor (finfet)

Номер патента: US20240087909A1. Автор: Shan Hu,Eric Chih-Fang Liu,Henan ZHANG,Sangita Kumari,Peter Delia. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Methods for designing fin-based field effect transistors (finfets)

Номер патента: WO2014150767A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Zhongze Wang,Choh fei Yeap. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-09-25.

Ic package with field effect transistor

Номер патента: US20230238350A1. Автор: Makoto Shibuya,Kwang-Soo Kim. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Monolithic temperature compensation scheme for field effect transistor integrated circuits

Номер патента: EP1273044A2. Автор: Carl W. Pobanz,Mehran M. Matloubian. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2003-01-08.

Radio-frequency switches having silicon-on-insulator field-effect transistors with reduced linear region resistance

Номер патента: US9159743B2. Автор: Jonathan Christian Crandall. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2015-10-13.

Method of fabricating fin field effect transistor using isotropic etching technique

Номер патента: US20070077693A1. Автор: Du-Heon Song,Jae-Man Yoon,Hyeoung-Won Seo,Woun-Suck Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-04-05.

Method of forming source and drain of field-effect-transistor and structure thereof

Номер патента: SG144827A1. Автор: Tan Shyue Seng,Lee Jae Gon,TEO Lee Wee,Mishra Shailendra,Henry K Utomo. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-08-28.

Insulated gate field effect transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070072352A1. Автор: Tetsuya Okada,Makoto Oikawa,Hiroyasu Ishida,Kazunari Kushiyama,Yasuyuki Sayama. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-29.

Split gate power semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20150372103A1. Автор: Johnny Kin On Sin,Jiajin LIANG,Chun Wai Ng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-12-24.

Memory bit cells with three-dimensional cross field effect transistors

Номер патента: US20240304241A1. Автор: Richard T. Schultz,Kerrie Vercant Underhill. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory bit cells with three-dimensional cross field effect transistors

Номер патента: WO2024187130A1. Автор: Richard T. Schultz,Kerrie Vercant Underhill. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2024-09-12.

Split gate power semiconductor field effect transistor

Номер патента: US09825149B2. Автор: Johnny Kin On Sin,Jiajin LIANG,Chun Wai Ng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-11-21.

Method for forming a self-aligned copper structure with improved planarity

Номер патента: US6080656A. Автор: Tsu Shih,Ying-Ho Chen,Syun-Ming Jang,Jih-Churng Twu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2000-06-27.

Field effect transistor having a gate dielectric with variable thickness

Номер патента: US5314834A. Автор: Marius K. Orlowski,Carlos A. Mazure. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1994-05-24.

Field effect transistor

Номер патента: CA1294064C. Автор: Goro Sasaki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1992-01-07.

Multi-functional field effect transistor with intrinsic self-healing properties

Номер патента: US11563122B2. Автор: Hossam Haick,Muhammad KHATIB. Владелец: Technion Research and Development Foundation Ltd. Дата публикации: 2023-01-24.

Method for cutting off FIN field effect transistor

Номер патента: US11640910B2. Автор: Yenchan Chiu,Yingju Chen,Liyao Liu,Chanyuan Hu. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2023-05-02.

Vertical field effect transistor including integrated antifuse

Номер патента: US20210408016A1. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Juntao Li,Qintao Zhang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-30.

Vertical field effect transistor including integrated antifuse

Номер патента: US20190123056A1. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Juntao Li,Qintao Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-04-25.

Vertical field effect transistor including integrated antifuse

Номер патента: US20200235109A1. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Juntao Li,Qintao Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

Vertical field effect transistor including integrated antifuse

Номер патента: US11882695B2. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Juntao Li,Qintao Zhang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-23.

Method for forming a self-aligned contact in a damascene structure used to form a memory device

Номер патента: US20160163593A1. Автор: Masanori Tsukamoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-06-09.

Oscillator with Fin Field-Effect Transistor (FinFET) Resonator

Номер патента: US20220337191A1. Автор: Harald Pretl,Aly Ismail,Ehrentraud Hager. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2022-10-20.

Field effect transistor

Номер патента: US20140175517A1. Автор: Tsung-Cheng Chang,Chih-ching Cheng. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2014-06-26.

Multi-functional field effect transistor with intrinsic self-healing properties

Номер патента: US11916148B2. Автор: Hossam Haick,Muhammad KHATIB. Владелец: Technion Research and Development Foundation Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Stress in n-channel field effect transistors

Номер патента: WO2016018514A3. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Jeffrey Junhao XU,Choh fei Yeap. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-03-17.

Oscillator with fin field-effect transistor (FinFET) resonator

Номер патента: US11894807B2. Автор: Harald Pretl,Aly Ismail,Ehrentraud Hager. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Field effect transistors including asymmetrical silicide structures and related devices

Номер патента: US20140085966A1. Автор: Jae Ho Park,Jong Hoon Jung,Gyu Hong Kim,Tae Joong Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-03-27.

Radio frequency switch based on negative-capacitance field effect transistors

Номер патента: US20210135702A1. Автор: Jun-De JIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Oscillator with Fin Field-Effect Transistor (FinFET) Resonator

Номер патента: US20240128929A1. Автор: Harald Pretl,Aly Ismail,Ehrentraud Hager. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Ferroelectric-based field-effect transistor with threshold voltage switching for enhanced on-state and off-state performance

Номер патента: US20200321445A1. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-10-08.

Method for introducing channel stress and field effect transistor fabricated by the same

Номер патента: US20120032239A1. Автор: Xing Zhang,Ru Huang,Xia An,Quanxin Yun. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-02-09.

Stress in n-channel field effect transistors

Номер патента: EP3175486A2. Автор: Kern Rim,Stanley Seungchul SONG,Jeffrey Junhao XU,Choh fei Yeap. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-06-07.

Method of fabricating a self-aligned contact trench DMOS transistor structure

Номер патента: US5665619A. Автор: Izak Bencuya,Sze-Hon Kwan. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1997-09-09.

Split gate field effect transistor (FET) device employing dielectric barrier layer and method for fabrication thereof

Номер патента: US20020093044A1. Автор: Chia-Ta Hsieh,Wen-Ting Chu,Chuan-Li Chang,Di-Son Kuo,Jake Yeh,Sheng-Wei Tsaur. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2002-07-18.

Fabrication method for forming a self-aligned contact window and connection in an epitaxial layer and device structures employing the method

Номер патента: CA1244559A. Автор: Brian J. Machesney,Nicky C-C. Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1988-11-08.

Field effect transistor switching circuit

Номер патента: US20150222259A1. Автор: George Nohra. Владелец: Triquint Semiconductor Inc. Дата публикации: 2015-08-06.

Semiconductor device having a field effect transistor and a method of manufacturing such a device

Номер патента: EP1151476A1. Автор: Johannus W. Weekamp,Erik C. E. Van Grunsven,Marc A. De Samber,Jacob Klerk,Johannes Bloos,Antonius W. J. P. Den Boer. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-11-07.

Non-volatile memory transistor with a self-aligned nitride storage layer

Номер патента: EP2434535A3. Автор: Hsin-Ming Chen,Ching-Sung Yang,Hau-yan Lu. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-01.

Reduced Gate Charge Field-Effect Transistor

Номер патента: US20170154993A1. Автор: David Laforet,Cedric OUVRARD,Li Juin Yip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-06-01.

Method for manufacturing a self-aligned MOS transistor

Номер патента: US20030082881A1. Автор: Ting-Chang Chang,Cheng-Jer Yang,Huang-Chung Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2003-05-01.

Normally off gallium nitride field effect transistors (fet)

Номер патента: US20180308967A1. Автор: Anup Bhalla,TingGang Zhu. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2018-10-25.

Method of forming a self-aligned contact pad for use in a semiconductor device

Номер патента: US20020155687A1. Автор: Dae-hyuk Chung,In-seak Hwang,Han-Joo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-10-24.

A self-aligned pattering method by using non-conformal film and etch back for sonos memory

Номер патента: WO2008133817A1. Автор: Fei Wang,Calvin Gabriel,Mark Chang,Phillip Jones,Zubin Patel,Minh-Van Ngo,Alexander Nickel,Shenqing Fang,Jihwan Choi,Angela Hui. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-11-06.

Reduced gate charge field-effect transistor

Номер патента: US09755066B2. Автор: David Laforet,Cedric OUVRARD,Li Juin Yip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-09-05.

Dual-channel field effect transistor device having increased amplifier linearity

Номер патента: US09711616B2. Автор: Ronald G. Freitag,Eric J. Stewart,Bettina A. Nechay,Karen M. Renaldo,Howell G. Henry. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Power field effect transistor

Номер патента: US09634135B2. Автор: Dan GRIMM,Greg A. Dix. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Normally off gallium nitride field effect transistors (FET)

Номер патента: US09520480B1. Автор: Anup Bhalla,TingGang Zhu. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-12-13.

Method for fabricating a self-aligned double-gate MOSFET by selective lateral epitaxy

Номер патента: US5646058A. Автор: Yuan Taur,Hon-Sum Philip Wong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1997-07-08.

Method of fabricating a self-aligned double recess gate profile

Номер патента: US5556797A. Автор: Danny Li,Tom Y. Chi,Liping D. Hou,Kusol Lee,Ishver K. Naik,Tom Quach. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1996-09-17.

Method of forming a self-aligned contact of a DRAM cell

Номер патента: US5885895A. Автор: Chuck Chen,Ming-Hua Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-03-23.

Sensor using sensing mechanism having combined static charge and field effect transistor

Номер патента: US09634153B2. Автор: James Edward West,Won Kyu MOON,Yub JE,Min Sung,Kum Jae Shin. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2017-04-25.

Elevated temperature gallium arsenide field effect transistor with aluminum arsenide to aluminum gallium arsenide mole fractioned buffer layer

Номер патента: US5594262A. Автор: Chris Ito,Hyong Y. Lee,Belinda Johnson,Rocky Reston,Gerald Trombley,Charles Havasy. Владелец: US Air Force. Дата публикации: 1997-01-14.

Field effect transistor with self-adjusting threshold voltage

Номер патента: US20140239371A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Elgin Kiok Boone Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2014-08-28.

Normally off gallium nitride field effect transistors (fet)

Номер патента: US20170084730A1. Автор: TingGang Zhu,Anups Bhalla. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-03-23.

Reduced Gate Charge Field-Effect Transistor

Номер патента: US20170345924A1. Автор: David Laforet,Cedric OUVRARD,Li Juin Yip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-11-30.

Normally off gallium nitride field effect transistors (fet)

Номер патента: US20160380073A1. Автор: Anup Bhalla,TingGang Zhu. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-12-29.

Normally off gallium nitride field effect transistors (FET)

Номер патента: US10020389B2. Автор: Anup Bhalla,TingGang Zhu. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2018-07-10.

Method of forming a self aligned contact (SAC) window

Номер патента: US5920780A. Автор: Chung-Cheng Wu. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 1999-07-06.

Method of fabricating sidewall spacers for a self-aligned contact hole

Номер патента: US6033962A. Автор: Erik S. Jeng,Hung-Yi Luo,Ming-Horn Tsai,Yue-Feng Chen. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2000-03-07.

METHOD OF FORMING A SELF-ALIGNED CONTACT USING SELECTIVE SiO2 DEPOSITION

Номер патента: US20180233407A1. Автор: Kandabara N. Tapily,Soo Doo Chae,Sangcheol Han. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-08-16.

Field effect transistor and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09704960B2. Автор: Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Vertically movable gate field effect transistor (VMGFET) on a silicon-on-insulator (SOI) wafer and method of forming a VMGFET

Номер патента: US09450066B2. Автор: Kang-Hee Lee,In-Hyouk Song,Byoung Hee You,Heung Seok Kang. Владелец: Texas State University. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor heterostructure of field-effect transistor

Номер патента: RU2316076C1. Автор: Дмитрий Михайлович Красовицкий,Алексей Николаевич Алексеев,Юрий Васильевич Погорельский,Виктор Петрович ЧАЛЫЙ,Алексей Петрович Шкурко,Игорь Альбертович Соколов. Владелец: Закрытое Акционерное Общество "Светлана-Рост". Дата публикации: 2008-01-27.

Field effect transistor and manufacturing method therefor, and switching circuit and circuit board

Номер патента: EP4300549A1. Автор: Yuhua Zhang,Xingfei Ke,Mingtao Zhou,Mengqi Yang,Gaochao XU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-03.

Photosensitive field-effect transistor including a two-dimensional material

Номер патента: EP3707754A1. Автор: Mark Allen,Alexander Bessonov. Владелец: EMBERION OY. Дата публикации: 2020-09-16.

Photosensitive field-effect transistor including a two-dimensional material

Номер патента: WO2019092313A1. Автор: Mark Allen,Alexander Bessonov. Владелец: EMBERION OY. Дата публикации: 2019-05-16.

Method for Operating Field-Effect Transistor, Field-Effect Transistor and Circuit Configuration

Номер патента: US20140184306A1. Автор: Markus Zundel,Peter Nelle. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-07-03.

Methods of making lateral junction field effect transistors using selective epitaxial growth

Номер патента: EP2277195A2. Автор: Igor Sankin,Joseph Neil Merrett. Владелец: Semisouth Laboratories Inc. Дата публикации: 2011-01-26.

Methods of making lateral junction field effect transistors using selective epitaxial growth

Номер патента: WO2009129049A2. Автор: Igor Sankin,Joseph Neil Merrett. Владелец: SEMISOUTH LABORATORIES, INC.. Дата публикации: 2009-10-22.

Ferroelectric field effect transistors based approach for euclidean distance calculation in neuromorphic hardware

Номер патента: US20240194237A1. Автор: Rashmi Jha,Siddharth Barve. Владелец: Universty Of Cincinnati. Дата публикации: 2024-06-13.

Single-Gate Field Effect Transistor and Method for Modulating the Drive Current Thereof

Номер патента: US20230120523A1. Автор: Dongli Zhang,Jinfeng Zhao,Mingxiang WANG,Huaisheng WANG. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-04-20.

Power field effect transistor, a power field effect transistor device and a method of manufacturing a power field effect transistor

Номер патента: US09660044B2. Автор: Jean Michel Reynes,Pierre Jalbaud,Dale Neil VAUGHAN,Graeme John Anderson. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Terahertz detector using field-effect transistor

Номер патента: US10211511B2. Автор: Kyung Rok Kim,Min Woo RYU,Kwan Sung KIM. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2019-02-19.

Lateral trench field-effect transistors in wide bandgap semiconductor materials, methods of making, and integrated circuits incorporating the transistors

Номер патента: CA2589028A1. Автор: Igor Sankin,Joseph N. Merrett,Jeffrey B. Casady. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-08.

Ferroelectric field-effect transistor with high permittivity interfacial layer

Номер патента: US20240234574A9. Автор: Sayeef Salahuddin,Ava Jiang TAN. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor Device Including a Ferroelectric Field-Effect Transistor, and Semiconductor Integrated Circuit Device Employing Same

Номер патента: US20080151599A1. Автор: Masato Moriwake,Daisuke Nishinohara. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2008-06-26.

Field-effect transistor having improved layout

Номер патента: NL2024135B1. Автор: Valk Patrick. Владелец: Ampleon Netherlands Bv. Дата публикации: 2021-07-19.

Field-effect transistor and method for manufacturing a field-effect transistor

Номер патента: US20080211019A1. Автор: Rudolf Zelsacher,Martin Poelzl,Dietmar Kotz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-09-04.

Field-effect transistor having improved layout

Номер патента: WO2021086189A1. Автор: Patrick Valk. Владелец: Ampleon Netherlands B.V.. Дата публикации: 2021-05-06.

Field-effect transistor having improved layout

Номер патента: EP4052300A1. Автор: Patrick Valk. Владелец: Samba Holdco Netherlands BV. Дата публикации: 2022-09-07.

Single-gate field effect transistor and method for modulating the drive current thereof

Номер патента: US11908935B2. Автор: Dongli Zhang,Jinfeng Zhao,Mingxiang WANG,Huaisheng WANG. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-02-20.

Field-Effect Transistor Device with Equivalent Source and Drain Region Optimization

Номер патента: US20240371937A1. Автор: Dongli Zhang,Mingxiang WANG,Lekai Chen,Huaisheng WANG,Yeye Guo. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-11-07.

Memory cells comprising a programmable field effect transistor having a reversibly programmable gate insulator

Номер патента: US09947687B2. Автор: Ferdinando Bedeschi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Field effect transistor with a multilevel gate electrode for integration with a multilevel memory device

Номер патента: US09620512B1. Автор: Masatoshi Nishikawa,Fumiaki TOYAMA,Junji Oh,Hiroaki Koketsu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-11.

Method for manufacturing a gallium nitride power field-effect transistor

Номер патента: RU2668635C1. Автор: Николай Анатольевич Торхов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ, НИ ТГУ). Дата публикации: 2018-10-02.

Field-effect transistor

Номер патента: RU2222845C1. Автор: А.Н. Алексеев,И.А. Соколов,В.П. Чалый,Ю.В. Погорельский,Д.М. Красовицкий. Владелец: Закрытое акционерное общество "Научное и технологическое оборудование". Дата публикации: 2004-01-27.

Method of making field effect transistors with opposed source _and gate regions

Номер патента: US4507845A. Автор: Kenichi Nakano,George W. McIver,John J. Berenz. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 1985-04-02.

A field-effect transistor

Номер патента: CA2317759A1. Автор: Rolf Magnus Berggren,Bengt Göran GUSTAFSSON,Johan Roger Axel Karlsson. Владелец: Johan Roger Axel Karlsson. Дата публикации: 1999-08-12.

Body-contacted field effect transistors configured for test and methods

Номер патента: US11367790B2. Автор: Balaji Swaminathan,Anupam DUTTA. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-06-21.

Field effect transistors, field emission apparatuses, and a thin film transistor

Номер патента: US6504170B1. Автор: John Lee,Benham Moradi,J. Ung Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-01-07.

Field effect transistor with a short channel lenght

Номер патента: CA1153831A. Автор: Hans-Jorg Pfleiderer,Ernst Hebenstreit,Dezso Takacs,Michael Pomper,Heinrich Klar. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1983-09-13.

A field-effect transistor

Номер патента: CA2317759C. Автор: Rolf Magnus Berggren,Bengt Göran GUSTAFSSON,Johan Roger Axel Karlsson. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2004-06-22.

Silicon nanoparticle field effect transistor and transistor memory device

Номер патента: CA2393962C. Автор: Munir H. Nayfeh,Gennadiy Belomoin,Joel Therrien. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2007-07-03.

Method of making a Schottky barrier field effect transistor

Номер патента: US4266333A. Автор: Walter F. Reichert. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1981-05-12.

Photosensitive field-effect transistor

Номер патента: US20190140130A1. Автор: Mark Allen,Alexander Bessonov. Владелец: EMBERION OY. Дата публикации: 2019-05-09.

Synapse array of a neuromorphic device including a synapse array having a plurality of ferroelectricity field effect transistors

Номер патента: US20220058470A1. Автор: Hyung-Dong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-02-24.

Field-Effect Transistor, Production Method Thereof, Switching Circuit, and Circuit Board

Номер патента: US20240030351A1. Автор: Yuhua Zhang,Xingfei Ke,Mingtao Zhou,Mengqi Yang,Gaochao XU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Field-effect transistor, display element, image display device, and system

Номер патента: US20200303561A1. Автор: Shinji Matsumoto,Yuki Nakamura,Yuichi Ando,Yuji Sone,Yukiko Abe,Naoyuki Ueda,Ryoichi SAOTOME,Sadanori ARAE,Minehide KUSAYANAGI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-09-24.

Resistive random access memory integrated under a vertical field effect transistor

Номер патента: US20210175285A1. Автор: Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Bahman Hekmatshoartabari,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-06-10.

Structure of heterojunction field effect transistor and a fabrication method thereof

Номер патента: US20120091507A1. Автор: Cheng-Guan Yuan,Shih-Ming Liu. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2012-04-19.

Field-effect transistors with dual thickness gate dielectrics

Номер патента: US20210167180A1. Автор: Rui Ma,Mark Armstrong,Ayan KAR,Akm A. AHSAN,Kalyan C. Kolluru,Nicholas A. Thomson,Sameer Jayanta Joglekar,Hyuk Ju Ryu,Sayan Saha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Lateral trench field-effect transistors in wide bandgap semiconductor materials, methods of making, and intergrated circuits incorperating the transistors

Номер патента: NZ555625A. Автор: Igor Sankin,Jeffrey B Casady,Joseph N Merrett. Владелец: Semisouth Lab Inc. Дата публикации: 2011-01-28.

Self-aligned trench field effect transistors with regrown gates and bipolar junction transistors with regrown base contact regions and methods of making

Номер патента: CA2632233A1. Автор: Igor Sankin,Joseph Neil Merrett. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-14.

Optically controlled field effect transistor

Номер патента: US12113146B2. Автор: Joseph Neil Merrett. Владелец: United States Department of the Air Force. Дата публикации: 2024-10-08.

Field-effect transistor structure for preventing from shorting

Номер патента: US09520343B1. Автор: Chung Hsing Tzu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-12-13.

Optically controlled field effect transistor

Номер патента: US20230070932A1. Автор: Joseph Neil Merrett. Владелец: US Air Force. Дата публикации: 2023-03-09.

Power converter with co-packaged secondary field effect transistors (FETs)

Номер патента: US11799384B2. Автор: Xin Zhang,Andrew Ferencz,Todd Edward Takken. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Field effect transistor with independently biased gates

Номер патента: US20100109050A1. Автор: John F. Palma,Samson Mil'shtein. Владелец: University of Massachusetts UMass. Дата публикации: 2010-05-06.

Plasmon field effect transistor

Номер патента: US9368667B1. Автор: Sung Jin Kim,Juhyung Yun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-06-14.

Cobalt-carbon eutectic metal alloy ohmic contact for carbon nanotube field effect transistors

Номер патента: US20160181557A1. Автор: Matthew J. Walker,Andre E. Berghmans,Monica P. Lilly,Wayne S. MILLER,John X. Przybysz, SR.. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2016-06-23.

Memory cells having a self-aligning polarizer

Номер патента: US20150270480A1. Автор: Wei Chen,Jonathan D. Harms,Sunil S. Murthy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-09-24.

Memory cells having a self-aligning polarizer

Номер патента: US09344345B2. Автор: Wei Chen,Jonathan D. Harms,Sunil S. Murthy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-05-17.

Fin field effect transistor sense amplifier circuitry and related apparatuses and computing systems

Номер патента: US20240112724A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

System and method for establishing a self-aligning mounting system for mounting photovoltaic modules

Номер патента: EP2780950A1. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: Sader Power Enterprises. Дата публикации: 2014-09-24.

Method and fabricating a self-aligned node contact window

Номер патента: US6140176A. Автор: J. S. Jason Jenq. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-10-31.

Method for making a self-aligned impurity induced disordered structure

Номер патента: US5061656A. Автор: Stephen P. Rogers,Curtis D. Moyer. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1991-10-29.

Aligned carbon nanotubes for use in high performance field effect transistors

Номер патента: US9728734B2. Автор: Padma Gopalan,Michael Scott Arnold,Gerald Joseph Brady,Yongho Joo. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2017-08-08.

Three-transistor embedded dynamic random access memory gain cell in complementary field effect transistor process

Номер патента: US20240161817A1. Автор: Patrick Morrow,Muhammad M. Khellah,Charles Augustine,Seenivasan Subramaniam. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-05-16.

Field-effect transistor with schottky barrier

Номер патента: RU2743225C1. Автор: Сергей Александрович Богданов,Юрий Михайлович Богданов,Константин Сергеевич Журавлев,Владимир Михайлович Лукашин,Владимир Григорьевич Лапин,Андрей Борисович Пашковский. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина"). Дата публикации: 2021-02-16.

Heterostructural field-effect transistor based on gallium nitride with improved stability of the current-voltage characteristic to ionizing radiation

Номер патента: RU2646529C1. Автор: Александр Григорьевич Гудков,Владимир Николаевич Вьюгинов,Святослав Игоревич Видякин,Владимир Геннадьевич Тихомиров,Артем Аркадьевич Городничев,Андрей Артурович Зыбин,Яков Михайлович Парнес. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана (национальный исследовательский университет)" (МГТУ им. Н.Э. Баумана). Дата публикации: 2018-03-05.

Field effect transistor, gas sensor, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210325336A1. Автор: Junzo Ukai,Taishi Shiotsuki,Tsuyoshi Minami,Yui Sasaki. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2021-10-21.

Enhancing drive current and increasing device yield in N-type carbon nanotube field effect transistors

Номер патента: US10141529B1. Автор: Shu-Jen Han,Damon B. Farmer,Jianshi Tang,John J. Yurkas. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-27.

Three-dimensional memory device with vertical field effect transistors and method of making thereof

Номер патента: US11569215B2. Автор: Peter Rabkin,Kwang-Ho Kim. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-01-31.

Drain current sensing and fault protection circuit based on gate voltage for gate current driven field effect transistors

Номер патента: US20220278523A1. Автор: Fei Wang,Edward A. Jones. Владелец: UNIVERSITY OF TENNESSEE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2022-09-01.

Semiconductor memory using field-effect transistor as selective element

Номер патента: USRE45861E1. Автор: Shuichi Tsukada,Yasuhiro Uchiyama. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2016-01-19.

Waveguide connector for connecting first and second waveguides, where the connector includes a male part, a female part and a self-alignment feature and a test system formed therefrom

Номер патента: US12046787B2. Автор: Roger A. Sinsheimer. Владелец: Teradyne Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Process for making a self-aligned waveguide

Номер патента: US10312568B2. Автор: David P. Pappas. Владелец: US Department of Commerce. Дата публикации: 2019-06-04.

Process for making a self-aligned waveguide

Номер патента: US20190051966A1. Автор: XIAN Wu,Mustafa Bal,David P. Pappas. Владелец: US Department of Commerce. Дата публикации: 2019-02-14.

Linearizing field effect transistors in the ohmic region

Номер патента: US20130187683A1. Автор: Omid Foroudi. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2013-07-25.

Systems and methods for controlling inrush electrical currents using a virtual miller capacitor and a metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET)

Номер патента: US09513681B2. Автор: Lei Wang,Mehran Mirjafari,Padmanabh R. Gharpure. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2016-12-06.

A method and device for lowering the impedance of a fet (field effect transistor)

Номер патента: EP1900086A1. Автор: Timothy D. F. Ford,Bernard Moffett. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-03-19.

Circuit for the fast turn off of a field effect transistor

Номер патента: US5313109A. Автор: David A. Smith. Владелец: Astec International Ltd. Дата публикации: 1994-05-17.

Threshold voltage-programmable field effect transistor-based memory cells and look-up table implemented using the memory cells

Номер патента: US11990171B2. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Threshold voltage-programmable field effect transistor-based memory cells and look-up table implemented using the memory cells

Номер патента: US20240221810A1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

A method and device for lowering the impedance of a fet (field effect transistor)

Номер патента: WO2006136034B1. Автор: Bernard Moffett,Timothy D F Ford. Владелец: Flewelling Ford Family Trust. Дата публикации: 2007-02-15.

Field effect transistor (fet) and fet circuitry

Номер патента: WO2001035500A3. Автор: William Eccleston,Giles Christian Rome Lloyd. Владелец: Giles Christian Rome Lloyd. Дата публикации: 2002-05-10.

Optically coupled field effect transistor switch

Номер патента: CA1123064A. Автор: William C. King. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1982-05-04.

Circuit assembly for limiting the gate current at a field-effect transistor

Номер патента: US20230308087A1. Автор: Sascha Krause. Владелец: Ferdinand Braun Institut GgmbH Leibniz Institut fuer Hoechstfrequenztechnik. Дата публикации: 2023-09-28.

Dead-time calibration scheme for active clamp flyback (acf) primary field-effect transistors (fet)

Номер патента: US20240048060A1. Автор: Hariom Rai,Arun Khamesra,Jojy JOSE,Soon Hwei Tan. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Non-complementary active clamp flyback (acf) primary field-effect transistors (fet) control

Номер патента: US20240048053A1. Автор: Rajesh Karri,Hung-Chun Chen,Soon Hwei Tan. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Thermal droop compensation in power amplifiers with field-effect transistors (fets)

Номер патента: US20240275339A1. Автор: John Bellantoni,Michael Simcoe,Michael Kevin O'Neal. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory cells having a self-aligning polarizer

Номер патента: WO2015142614A1. Автор: Wei Chen,Jonathan D. Harms,Sunil S. Murthy. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-09-24.

Field effect transistor (fet) transconductance device with varying gate lengths

Номер патента: US20240056042A1. Автор: Kevin Wesley Kobayashi. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Cobalt-carbon eutectic metal alloy ohmic contact for carbon nanotube field effect transistors

Номер патента: WO2016099668A1. Автор: Matthew J. Walker,John X. Przybysz,Andre E. Berghmans,Monica P. Lilly,Wayne S. MILLER. Владелец: Northrop Grumman Systems Corporation. Дата публикации: 2016-06-23.

Cobalt-carbon eutectic metal alloy ohmic contact for carbon nanotube field effect transistors

Номер патента: EP3234989A1. Автор: Matthew J. Walker,John X. Przybysz,Andre E. Berghmans,Monica P. Lilly,Wayne S. MILLER. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2017-10-25.

Field-effect transistor driver

Номер патента: US09467140B2. Автор: Erik WORMMEESTER. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Enhanced schottky diode field effect transistor logic circuits

Номер патента: CA1245304A. Автор: Tho T. Vu. Владелец: Honeywell Inc. Дата публикации: 1988-11-22.

Apparatus for protecting field effect transistor and system for preventing over-current using the same

Номер патента: KR102416199B1. Автор: 유선욱. Владелец: 주식회사 엘지에너지솔루션. Дата публикации: 2022-07-01.

P-channel thin film transistor having a gate on the drain region of a field effect transistor

Номер патента: US6046478A. Автор: Richard K. Klein. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-04-04.

Leakage regulator circuit for a field effect transistor

Номер патента: US4785207A. Автор: John E. Eng. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1988-11-15.

Power management integrated circuit integrating field effect transistors and programmable fabric

Номер патента: US20170115717A1. Автор: Thomas Chan,Kapil Shankar,Patrick J. Crotty,John Birkner. Владелец: Andapt Inc. Дата публикации: 2017-04-27.

Field effect transistor (fet) transconductance device with varying gate lengths

Номер патента: WO2022164601A1. Автор: Kevin Wesley Kobayashi. Владелец: QORVO US, INC.. Дата публикации: 2022-08-04.

Controlled gate-source voltage n-channel field effect transistor (nfet) gate driver

Номер патента: WO2021034458A1. Автор: Pulkit Shah. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2021-02-25.

Method for processing input variables by means of a processing device comprising at least two field-effect transistors, device for executing the method, computing device, and use

Номер патента: US20240259031A1. Автор: Tobias Kirchner,Taha Soliman. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-08-01.

Selective solid-state isolation of NMR circuit elements using back-to-back field effect transistors

Номер патента: US12066588B2. Автор: David Walsh,Elliot Grunewald. Владелец: VISTA CLARA Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Current sensing in power tool devices using a field effect transistor

Номер патента: US12105149B2. Автор: Timothy R. Obermann,Alexander T. Huber. Владелец: Milwaukee Electric Tool Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Transformerless drive circuit for field-effect transistors

Номер патента: WO1985005742A1. Автор: John J. Nesler. Владелец: Hughes Aircraft Company. Дата публикации: 1985-12-19.

Field effect transistor and method of producing the same

Номер патента: WO2005086253A1. Автор: Makoto Kubota,Daisuke Miura,Satomi Sugiyama,Tomonari Nakayama,Akane Masumoto,Toshinobu Ohnishi. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2005-09-15.

Control of threshold voltage in organic field effect transistors

Номер патента: WO2006052625A1. Автор: Vladimir Bulovic,Akintunde I. Akinwande,Ioannis Kymissis,Annie I. Wang. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2006-05-18.

Triggering asynchronous d trigger on field-effect transistors

Номер патента: RU2689197C1. Автор: Геннадий Иванович Передельский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2019-05-24.

Broadband voltage-to-current converter on field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2739213C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Андреевич Жук,Алексей Евгеньевич Титов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2020-12-22.

Method of fabricating organic field effect transistor

Номер патента: US20060128056A1. Автор: Seong Kim,Jung Lee,Tae Zyung. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2006-06-15.

Buffer amplifier on complementary field-effect transistors with control p-n junction for operation at low temperatures

Номер патента: RU2684489C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Петр Сергеевич Будяков,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Евгеньевич Титов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2019-04-09.

Multifunctional current mirror on complementary field-effect transistors with control pn-junction for operation at low temperatures

Номер патента: RU2720557C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Анна Витальевна Бугакова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-05-12.

Differential amplifier on field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2766861C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Владислав Евгеньевич Чумаков,Алексей Вадимович Кунц,Алексей Арсеньевич Павлючик. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2022-03-16.

Trigger logic element and-not/or-not on field-effect transistors

Номер патента: RU2756096C1. Автор: Геннадий Иванович Передельский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Юго-Западный государственный университет» (ЮЗГУ). Дата публикации: 2021-09-28.

Flip-flop on field-effect transistors of opposite conductivity type

Номер патента: RU2694152C1. Автор: Геннадий Иванович Передельский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2019-07-09.

Operational amplifier on complementary field-effect transistors

Номер патента: RU2770916C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Алексей Евгеньевич Титов,Владислав Евгеньевич Чумаков. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2022-04-25.

Data output buffer using a junction field effect transistor

Номер патента: US5216294A. Автор: Je-Hwan Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1993-06-01.

Signal amplifier circuit using a pair of complementary junction field effect transistors

Номер патента: US4021747A. Автор: Shigeru Todokoro. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1977-05-03.

Desaturation protection of power field-effect transistor

Номер патента: US20240283441A1. Автор: Nan Xing,Zhemin Zhang,Yinglai Xia,Yalong Li. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Methods of forming flash field effect transistor gates and non-flash field effect transistor gates

Номер патента: US20030129801A1. Автор: Kevin Beaman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-10.

Desaturation protection of power field-effect transistor

Номер патента: WO2024176172A1. Автор: Nan Xing,Zhemin Zhang,Yinglai Xia,Yalong Li. Владелец: Infineon Technologies Canada Inc.. Дата публикации: 2024-08-29.

Field effect transistor current mode logic with changeable bulk configuration of load transistors

Номер патента: US09838019B2. Автор: Lauri Koskinen,Matthew Turnquist,Jani Mäkipää,Erkka Laulainen. Владелец: MINIMA PROCESSOR OY. Дата публикации: 2017-12-05.

Differential amplifier based on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2736412C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Олег Владимирович Дворников,Анна Витальевна Бугакова,Дмитрий Геннадьевич Дроздов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-11-17.

Operational amplifier with "floating" input differential cascade on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2741055C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Андреевич Жук,Владислав Евгеньевич Чумаков,Дмитрий Владимирович Клейменкин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2021-01-22.

Differential amplifier with increased slope on field-effect transistors

Номер патента: RU2770915C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Анна Витальевна Бугакова,Владислав Евгеньевич Чумаков. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2022-04-25.

Differential operational amplifier on field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2739577C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Владислав Евгеньевич Чумаков. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2020-12-28.

Differential amplifier on arsenide-gallium field-effect transistors

Номер патента: RU2770912C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Владислав Евгеньевич Чумаков,Алексей Вадимович Кунц. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2022-04-25.

Degenerative-type voltage stabilizer on field-effect transistors for operation at low temperatures

Номер патента: RU2736548C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Олег Владимирович Дворников,Илья Викторович Пахомов,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2020-11-18.

Composite transistor based on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2710846C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Дмитрий Геннадьевич Дроздов,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-14.

Non-inverting current mirror on complementary field-effect transistors with pn-junction control for operation at low temperatures

Номер патента: RU2720554C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-05-12.

Differential amplifier of class ab on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2736549C1. Автор: Петр Сергеевич Будяков,Илья Викторович Пахомов,Алексей Андреевич Жук,Иван Николаевич Третьяк. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2020-11-18.

Trigger logic element on field-effect transistors

Номер патента: RU2715178C1. Автор: Геннадий Иванович Передельский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2020-02-25.

Buffer amplifier of class ab on complementary field-effect transistors with control p-n junction for operation at low temperatures

Номер патента: RU2721940C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Елена Владимировна Овсепян,Екатерина Петровна Никитина. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-05-25.

Field-effect transistor amplifier

Номер патента: GB1215590A. Автор: Robert William Polkinghorn,Arthur Francis Pfeifer. Владелец: North American Rockwell Corp. Дата публикации: 1970-12-09.

Method of fabricating organic field effect transistors

Номер патента: WO2004061906A3. Автор: Jie Zhang,Krishna Kalyanasundaram,Daniel Gamota,Paul Brazis,Min-Xian Zhang. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2005-06-23.

Method of fabricating organic field effect transistors

Номер патента: WO2004061906A2. Автор: Jie Zhang,Krishna Kalyanasundaram,Paul Brazis,Daniel Gamota,Min-Xian Zhang. Владелец: Motorola, Inc., A Corporation Of The State Of Delaware. Дата публикации: 2004-07-22.

Discrete circuit for driving field effect transistors

Номер патента: EP1635463A3. Автор: Balakrishnan V. Nair,Gerald A. Kilgour. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2007-04-25.

Rotated field effect transistor topology amplifier

Номер патента: US9866175B1. Автор: Peter W. Evans. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Logic inverter, and a multi-output logic operator derived from this inverter, using at least two low-voltage-threshold field-effect transistors

Номер патента: US4485316A. Автор: Tung Pham Ngu,Gerard Nuzillat,Georges Bert. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1984-11-27.

Operational amplifier on complementary field-effect transistors

Номер патента: RU2766864C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Владислав Евгеньевич Чумаков,Дарья Юрьевна Денисенко. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2022-03-16.

Input differential cascade on complementary field-effect transistors for operation at low temperatures

Номер патента: RU2712416C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Олег Владимирович Олег Владимирович Дворников. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-28.

Input stage of differential operational amplifier with paraphase output on complementary field-effect transistors

Номер патента: RU2721945C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Олег Владимирович Дворников,Алексей Андреевич Жук,Елена Владимировна Овсепян. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-05-25.

Buffer amplifier based on complementary field-effect transistors with control p-n junction for operation at low temperatures

Номер патента: RU2710923C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Дмитрий Геннадьевич Дроздов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-14.

Low-temperature two-stage operational amplifier with paraphase output on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2721942C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Дмитрий Геннадьевич Дроздов,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-05-25.

Operational amplifier with low zero offset voltage on complementary field-effect transistors

Номер патента: RU2770913C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Анна Витальевна Бугакова,Владислав Евгеньевич Чумаков. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2022-04-25.

Differential amplifier on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2688225C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2019-05-21.

Trigger logic element and/and-not on field-effect transistors

Номер патента: RU2763585C1. Автор: Геннадий Иванович Передельский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Юго-Западный государственный университет» (ЮЗГУ). Дата публикации: 2021-12-30.

Trigger two-stage d trigger on field-effect transistors

Номер патента: RU2734428C1. Автор: Геннадий Иванович Передельский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования. "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2020-10-16.

Photo-switchable and electrically-switchable organic field-effect transistor, manufacturing method thereof and use thereof as storage device

Номер патента: RU2580905C2. Автор: Сергей Михайлович Алдошин,Павел Анатольевич Трошин,Наталия Алексеевна Санина,Любовь Анатольевна Фролова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем химической физики Российской Академии наук (ИПХФ РАН). Дата публикации: 2016-04-10.

Analogue microcircuit output cascade on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2710917C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Олег Владимирович Дворников,Екатерина Петровна Никитина. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-14.

Differential cascade on complementary jfet field-effect transistors with high attenuation of input in-phase signal

Номер патента: RU2710296C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2019-12-25.

Low-temperature operational amplifier with high attenuation of input in-phase signal on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2732583C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Петр Сергеевич Будяков,Илья Викторович Пахомов,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-09-21.

Composition for making hole injecting or hole transporting layers in electroluminescent devices, organic solar cells, organic laser diodes, organic thin-film transistors or organic field effect transistors of for making electrodes or electroconductive coatings, electroluminescent device, as well as organic light-emitting diode

Номер патента: RU2382809C2. Автор: Кнуд РОЙТЕР,Андреас ЭЛЬШНЕР,Петер Вилфрид ЛЕВЕНИХ. Владелец: Х.К. Штарк Гмбх. Дата публикации: 2010-02-27.

Differential cascade on complementary field-effect transistors with control p-n junction of class ab with variable voltage of restriction of pass characteristic

Номер патента: RU2712414C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Петр Сергеевич Будяков,Анна Витальевна Бугакова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-28.

Method for making a high-temperature superconducting field-effect transistor with thick superconducting channel layer

Номер патента: US5663081A. Автор: Jeong-Dae Suh,Gun-Yong Sung. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 1997-09-02.

Dynamic random access memory device fabricated with two kinds of field effect transistor different in thickness of gate oxide films

Номер патента: US5083172A. Автор: Junji Kiyono. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1992-01-21.

Multi-output dc-dc converter using field-effect transistor switched at high frequency

Номер патента: CA2034531C. Автор: Hideo Nochi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-03-12.

Switching circuit with mos field effect transistor

Номер патента: CA1127724A. Автор: Tadao Yoshida,Tadao Suzuki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1982-07-13.

Switching device with series connection of junction field-effect transistors

Номер патента: RU2550551C2. Автор: Йюрген БИЛА,Даниэль АГГЕЛЕР,Иоганн Вальтер КОЛАР. Владелец: Этх Цюрих. Дата публикации: 2015-05-10.

Static MOS memory cell using inverted N-channel field-effect transistor

Номер патента: US4352997A. Автор: Joseph H. Raymond, Jr.,Keith H. Gudger. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1982-10-05.

High voltage system using enhancement and depletion field effect transistors

Номер патента: US5051618A. Автор: Perry W. Lou. Владелец: Idesco Oy. Дата публикации: 1991-09-24.

Improvements in or relating to Electric Circuit Arrangements Employing Field Effect Transistors

Номер патента: GB1155562A. Автор: Ian Carrodus Hutcheon,Stephen Arthur Foster. Владелец: George Kent Ltd. Дата публикации: 1969-06-18.

Nodable field-effect transistor driver and receiver circuit

Номер патента: US3621291A. Автор: Ted Y Fujimoto. Владелец: North American Rockwell Corp. Дата публикации: 1971-11-16.

Protective circuit for complementary field-effect transistors

Номер патента: US4630164A. Автор: Bengt G. Olsson. Владелец: Individual. Дата публикации: 1986-12-16.

Ambipolar organic thin-film field-effect transistor and its fabrication method

Номер патента: EP1705726A2. Автор: Masateru Taniguchi,Tomoji Kawai,Ikuo Shin-Etsu Chemical Co. Ltd. Fukui,Eriko Mizuno. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2006-09-27.

Transistor amplifier having field effect transistors with stabilized drain bias current

Номер патента: CA1042995A. Автор: Tadao Suzuki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1978-11-21.

Field-effect transistor current switching circuit

Номер патента: CA1238692A. Автор: Douglas G. Marsh. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1988-06-28.

Field effect transistor circuit for modulator and demodulator applications

Номер патента: US4413239A. Автор: George W. McIver,Donald E. Romeo. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 1983-11-01.

Switching circuit utilizing a field effect transistor

Номер патента: CA1237488A. Автор: William E. Bowman. Владелец: Motors Liquidation Co. Дата публикации: 1988-05-31.

Biasing circuit for a field effect transistor

Номер патента: CA1227545A. Автор: Christian Rumelhard. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1987-09-29.

Protective circuit for field effect transistor amplifier

Номер патента: US3912981A. Автор: Katsuaki Tsurushima. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1975-10-14.

Field effect transistor amplifier

Номер патента: US6078221A. Автор: Takuji Mochizuki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-06-20.

Power Supply Device and Method for Checking a Field Effect Transistor of Such a Power Supply Device

Номер патента: US20240056070A1. Автор: Klaus Schürmann,Matthias Plöger,Michael Buschkamp,Tobias Blome. Владелец: Weidmueller Interface GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-02-15.

A biomolecular field-effect transistor comprising a polypeptide film and a method for the manufacture thereof

Номер патента: WO2007060632A8. Автор: Giuseppe Maruccio,Roberto Cingolani,Pier Paolo Pompa,Rosaria Rinaldi,Franco Calabi,Torre Antonio Della,Rocco Chiuri,Mercato Loretta Laureana Del. Владелец: Mercato Loretta Laureana Del. Дата публикации: 2007-09-20.

A biomolecular field-effect transistor comprising a polypeptide film and a method for the manufacture thereof

Номер патента: WO2007060632A3. Автор: Giuseppe Maruccio,Roberto Cingolani,Pier Paolo Pompa,Rosaria Rinaldi,Franco Calabi,Torre Antonio Della,Rocco Chiuri,Mercato Loretta Laureana Del. Владелец: Mercato Loretta Laureana Del. Дата публикации: 2007-10-18.

A biomolecular field-effect transistor comprising a polypeptide film and a method for the manufacture thereof

Номер патента: WO2007060632A2. Автор: Giuseppe Maruccio,Roberto Cingolani,Pier Paolo Pompa,Rosaria Rinaldi,Franco Calabi,Antonio Della Torre,Rocco Chiuri,Loretta Laureana Del Mercato. Владелец: Consiglio Nazionale Delle Ricerche - Infm Istituto Nazionale Per La Fisica Della Materia. Дата публикации: 2007-05-31.

A biomolecular field effect transistor comprising a polypeptide film, and a method for its manufacturing

Номер патента: EP1958275A2. Автор: Giuseppe Maruccio,Roberto Cingolani,Pier Paolo Pompa,Rosaria Rinaldi,Franco Calabi,Antonio Della Torre,Rocco Chiuri,Loretta Laureana Del Mercato. Владелец: Istituto Nazionale per la Fisica della Materia INFM CNR. Дата публикации: 2008-08-20.

Carbon nanotube field effect transistor

Номер патента: WO2008091273A2. Автор: Hong Zhang,John Douglas Adam,Norman Goldstein,James Baumgardner,Aaron Anthony Pesetski,John Przybysz,Jim Murduck. Владелец: Northrop Grumman Systems Corporation. Дата публикации: 2008-07-31.

Resistive random access memory cells integrated with shared-gate vertical field effect transistors

Номер патента: AU2020410300A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Resistive random access memory cells integrated with shared-gate vertical field effect transistors

Номер патента: GB2605327A. Автор: Ando Takashi,Reznicek Alexander,Hekmatshoartabari Bahman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-09-28.

Resistive random access memory cells integrated with shared-gate vertical field effect transistors

Номер патента: WO2021124003A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2021-06-24.

Field effect transistor (fet) biosensor for detection of viral particles

Номер патента: EP4278184A1. Автор: Marco Farina,Daniele DI MARINO,Mattia D'AGOSTINO,Chiara ARDICCIONI,Alice ROMAGNOLI,Ilda D'ANNESSA,Davide MENCARELLI,Eleonora PAVONI,Paolo CRIPPA,Giorgio BIAGETTI,Luca PIERANTONI. Владелец: Universita Politechnica delle Marche. Дата публикации: 2023-11-22.

Field effect transistor (fet) biosensor for detection of viral particles

Номер патента: US20240310320A1. Автор: Marco Farina,Daniele DI MARINO,Mattia D'AGOSTINO,Chiara ARDICCIONI,Alice ROMAGNOLI,Ilda D'ANNESSA,Davide MENCARELLI,Eleonora PAVONI,Paolo CRIPPA,Giorgio BIAGETTI,Luca PIERANTONI. Владелец: Universita Politechnica delle Marche. Дата публикации: 2024-09-19.

Field effect transistor (fet) biosensor for detection of viral particles

Номер патента: WO2022153185A1. Автор: Marco Farina,Daniele DI MARINO,Mattia D'AGOSTINO,Chiara ARDICCIONI,Alice ROMAGNOLI,Ilda D'ANNESSA,Davide MENCARELLI,Eleonora PAVONI,Paolo CRIPPA,Giorgio BIAGETTI,Luca PIERANTONI. Владелец: UNIVERSITÀ POLITECNICA DELLE MARCHE. Дата публикации: 2022-07-21.

Biomolecule detector based on field effect transistor arrays containing reference electrodes and detection method for biomolecules using the same

Номер патента: US20080315861A1. Автор: Jeo Young SHIM,Kyu Tae YOO,Won Seok CHUNG,Jung Im HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-25.

Modeling the performance of a field effect transistor having a dynamically depleted channel region

Номер патента: US20160275225A1. Автор: Tamilmani Ethirajan,Anupam DUTTA. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-22.

Modeling the performance of a field effect transistor having a dynamically depleted channel region

Номер патента: US09996650B2. Автор: Tamilmani Ethirajan,Anupam DUTTA. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Devices and methods for detecting/discriminating complementary and mismatched nucleic acids using ultrathin film field-effect transistors

Номер патента: US12025581B2. Автор: Paul S. Weiss,Anne M. Andrews,Kevin M. CHEUNG. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-07-02.

Reference voltage generator based on threshold voltage difference of field effect transistors

Номер патента: WO2023132918A1. Автор: HUI Wang,John ABCARIUS,Debesh BHATTA,Shitong ZHAO,Sulin LI. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-07-13.

Graphene-based field-effect transistor biosensors

Номер патента: US09676621B2. Автор: Junhong Chen,Ganhua Lu,Shun MAO. Владелец: UWM Research Foundation Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Mxene-graphene field effect transistor virus sensor

Номер патента: WO2023034113A3. Автор: Yang Wang,Donghyun Kim,Chenglin Wu,Risheng Wang,Yuwei Zhang,Yue-Wern HUANG,Yanxiao LI,Jiaoli LI. Владелец: The Curators of the University of Missouri. Дата публикации: 2023-04-13.

A self-aligning interface

Номер патента: US20210404440A1. Автор: Nicolaj Biltoft Kristensen. Владелец: Vestas Wind Systems AS. Дата публикации: 2021-12-30.

Magnetic resonance imaging with switched-mode current-source amplifier having gallium nitride field effect transistors for parallel transmission in MRI

Номер патента: US09747789B2. Автор: Michael Twieg,Mark Griswold. Владелец: CASE WESTERN RESERVE UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-08-29.

Method for sealing the wellhead operated by the installation of a downhole sucker rod pump with product lifting along the production string, and a self-aligning wellhead seal sealing device for sealing the wellhead when replacing stuffing box seals

Номер патента: RU2769792C1. Автор: Константин Владимирович Показаньев,Рамиль Рустемович Шагидуллин. Владелец: Публичное акционерное общество «Татнефть» имени В.Д. Шашина. Дата публикации: 2022-04-06.

Wearable aptamer field-effect transistor sensing system for noninvasive cortisol monitoring and wearable system for stress sensing

Номер патента: WO2023133159A1. Автор: BO Wang,Sam Emaminejad,Chuanzhen Zhao,Anne ANDREWS. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2023-07-13.

Wearable aptamer field-effect transistor sensing system for noninvasive cortisol monitoring and wearable system for stress sensing

Номер патента: WO2023133159A8. Автор: BO Wang,Sam Emaminejad,Chuanzhen Zhao,Anne ANDREWS. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2024-02-22.

Method for forming a self-aligned pixel electrode of an lcd

Номер патента: US20040017530A1. Автор: Hsin-Ming Chen. Владелец: Toppoly Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2004-01-29.

Mixed functionalized graphene structure and corresponding field-effect transistor biosensor

Номер патента: EP4320431A1. Автор: Amaia REBOLLO PIÑEIRO,María ARRASTUA CEBERIO. Владелец: Attenbio SL. Дата публикации: 2024-02-14.

Mixed functionalized graphene structure and corresponding field-effect transistor biosensor

Номер патента: WO2022214698A1. Автор: Amaia REBOLLO PIÑEIRO,María ARRASTUA CEBERIO. Владелец: Attenbio S.L.. Дата публикации: 2022-10-13.

Zno nanorod-based field-effect transistors for detection of bacteria

Номер патента: WO2023073571A1. Автор: Yaser Abdi,Shahrzad Molavi,Ali Bozorg. Владелец: Ali Bozorg. Дата публикации: 2023-05-04.

Drill with a boom arm and a self-aligning support system

Номер патента: US20190309574A1. Автор: Lynn Allan Buckner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-10-10.

One device field effect transistor (fet) ac stable random access memory (ram) array

Номер патента: CA1163714A. Автор: Roy E. Scheuerlein. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-03-13.

Apparatus for patterning a self-aligned coil using a damascene process

Номер патента: US20050047014A1. Автор: Son Nguyen,Quang Le,Vladimir Nikitin,Edward Lee,Murali Ramasubramanian,Daniel Bedell. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-03-03.

Method for Fabricating a Self-Aligned Vertical Comb Drive Structure

Номер патента: US20140126031A1. Автор: Han-Tang Su,Jer-Wei Hsieh. Владелец: Asia Pacific Microsystems Inc. Дата публикации: 2014-05-08.

Field effect transistor with buried fluid-based gate and method

Номер патента: US20230324332A1. Автор: Mark D. Levy,Aaron L. Vallett,Siva P. Adusumilli. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Dual function electro-optical silicon field-effect transistor molecular sensor

Номер патента: US20220178873A1. Автор: ChiiDong CHEN,Pradhana Jati Budhi LAKSANA,Chia-Jung CHU. Владелец: Silicon Based Molecular Sensoring Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Quasi-rms measurement circuit utilizing field effect transistor as a switch

Номер патента: US3723763A. Автор: D Udovic. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1973-03-27.

Label Free Analyte Detection by Electronic Desalting and Field Effect Transistors

Номер патента: US20170176379A1. Автор: Rashid Bashir,Bobby Reddy, JR.,Vikhram VILASUR SWAMINATHAN,Eric M. SALM,Carlos DUARTE-GUEVARA. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2017-06-22.

Label Free Analyte Detection by Electronic Desalting and Field Effect Transistors

Номер патента: US20200103370A1. Автор: Rashid Bashir,Bobby Reddy, JR.,Vikhram VILASUR SWAMINATHAN,Eric M. SALM,Carlos DUARTE-GUEVARA. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2020-04-02.

Mixed functionalized graphene structure and corresponding field-effect transistor biosensor

Номер патента: US20240182669A1. Автор: Amaia REBOLLO PIÑEIRO,María ARRASTUA CEBERIO. Владелец: Attenbio SL. Дата публикации: 2024-06-06.

Improvements relating to a self-aligning rolling bearing assembly

Номер патента: GB1102429A. Автор: Frank Anton Kocian. Владелец: International Harverster Corp. Дата публикации: 1968-02-07.

System and method for generating a field effect transistor corner model

Номер патента: US20150089464A1. Автор: Ning Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-03-26.

Devices with field effect transistors

Номер патента: EP4176250A1. Автор: Boyan Boyanov,Jeffrey G. MANDELL,Rico OTTO. Владелец: Illumina Inc. Дата публикации: 2023-05-10.

A self-aligning bearing support assembly for supporting a rotary or slide bearing and a selfaligning rotary bearing

Номер патента: DK201970774A1. Автор: Juul Rasmussen Janus,Meyhoff Crone Alexander. Владелец: Component 2 0 As. Дата публикации: 2021-08-04.

A self- aligning bearing support assembly for supporting a radial load rotary or linear bearing

Номер патента: WO2021121498A1. Автор: Janus Juul Rasmussen,Alexander Meyhoff CRONE. Владелец: Component 2.0 A/S. Дата публикации: 2021-06-24.

A self- aligning bearing support assembly for supporting a radial load rotary or linear bearing

Номер патента: EP4077959A1. Автор: Janus Juul Rasmussen,Alexander Meyhoff CRONE. Владелец: Component 20 AS. Дата публикации: 2022-10-26.

Packaging unit from a moulded pulp material with a self-aligning element and method for manufacturing such packaging unit

Номер патента: US20240278976A1. Автор: Hendrik Freerk Kloosterman,Jelmer Gerhard Jan VAN DER MEIJ,Roelof DE HAAN. Владелец: Huhtamaki Molded Fiber Technology BV. Дата публикации: 2024-08-22.

Packaging unit from a moulded pulp material with a self-aligning element and method for manufacturing such packaging unit

Номер патента: ZA202311212B. Автор: Hendrik Freerk Kloosterman,Der Meij Jelmer Gerhard Jan Van,Haan Roelof De. Владелец: Huhtamaki Molded Fiber Tech B V. Дата публикации: 2024-08-28.

An inner ring for a self-aligning roller bearing

Номер патента: WO2024199666A1. Автор: Peter Frijlink,Bo Niclas Thim,Lars Eric Mikael STIGSJÖÖ,Eduardo Daniel Ortega Perdomo. Владелец: AKTIEBOLAGET SKF. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for forming a self-aligned Mach-Zehnder interferometer

Номер патента: US09696604B1. Автор: Masaki Kato,Jie Lin,Robb Johnson. Владелец: Inphi Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Multi-purpose construction vehicle with at least two subframes and a self-aligning bearing between the subframes

Номер патента: US5778569A. Автор: Hans Schaeff. Владелец: Karl Schaeff GmbH and Co Maschinenfabrik. Дата публикации: 1998-07-14.

Devices with field effect transistors

Номер патента: US11898983B2. Автор: Boyan Boyanov,Jeffrey G. MANDELL,Rico OTTO. Владелец: Illumina Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Devices with field effect transistors

Номер патента: ZA202213365B. Автор: Otto Rico,Boyanov Boyan,G Mandell Jeffrey. Владелец: Illumina Inc. Дата публикации: 2024-04-24.

Method for controlling lateral diffusion of silicon in a self-aligned tisi.sub.2 process

Номер патента: CA1231599A. Автор: Yun B. Koh. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1988-01-19.

Memory alloy wire actuator with a self-aligning terminal element

Номер патента: EP4317740A2. Автор: Frank Dean Weber,Thomas Kmetiko,Henricus Mari RUYTEN. Владелец: CareFusion 303 Inc. Дата публикации: 2024-02-07.

Memory alloy wire actuator with a self-aligning terminal element

Номер патента: EP4317740A3. Автор: Frank Dean Weber,Thomas Kmetiko,Henricus Mari RUYTEN. Владелец: CareFusion 303 Inc. Дата публикации: 2024-04-03.

Packaging unit from a moulded pulp material with a self-aligning element and method for manufacturing such packaging unit

Номер патента: AU2022295633A1. Автор: Hendrik Freerk Kloosterman,Jelmer Gerhard Jan VAN DER MEIJ,Roelof DE HAAN. Владелец: Huhtamaki Molded Fiber Technology BV. Дата публикации: 2023-12-14.

Packaging unit from a moulded pulp material with a self-aligning element and method for manufacturing such packaging unit

Номер патента: EP4355668A1. Автор: Hendrik Freerk Kloosterman,Jelmer Gerhard Jan VAN DER MEIJ,Roelof DE HAAN. Владелец: Huhtamaki Molded Fiber Technology BV. Дата публикации: 2024-04-24.

Ion-sensitive field-effect transistor with sawtooth well to enhance sensitivity

Номер патента: US20200292491A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Gas-sensitive sensor based on field-effect transistor and process of determination of concentration of gases

Номер патента: RU2169363C2. Автор: В.А. Березкин,И.Г. Шкуропат,В.К. Дмитриев,В.Г. Певгов. Владелец: Государственный научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина. Дата публикации: 2001-06-20.

Semiconductor integrated circuit device implemented by bipolar and field effect transistors and having stable sense amplifier

Номер патента: US5550778A. Автор: Hiroyuki Takahashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-08-27.

Semiconductor device having a complementary field effect transistor

Номер патента: US8773195B2. Автор: Hitoshi Tanaka,Seiji Narui,Shinichi Miyatake. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-07-08.

Connected field effect transistors

Номер патента: US11827512B2. Автор: Eric Martin,Tsuyoshi Yamashita,Rogelio Cicili. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2023-11-28.

Fluid actuators connected to field effect transistors

Номер патента: US20210206161A1. Автор: Eric Martin,James R Przybyla,Rogelio Cicili. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2021-07-08.

Connected field effect transistors

Номер патента: EP3857599A1. Автор: Eric Martin,Tsuyoshi Yamashita,Rogelio Cicili. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2021-08-04.

Connected field effect transistors

Номер патента: WO2020068035A1. Автор: Eric Martin,Tsuyoshi Yamashita,Rogelio Cicili. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2020-04-02.

System for determining leakage current of a field effect transistor over temperature

Номер патента: US20240230748A1. Автор: Henry Litzmann Edwards,Robert Allan Neidorff. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Enhanced-shaped extension region(s) for gate-all-around (gaa) field effect transistor (fet) device, and related fabrication methods

Номер патента: WO2024233059A1. Автор: Yan Sun,Peijie Feng,Shreesh Narasimha. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-11-14.

Vertical field effect transistor

Номер патента: CA1252913A. Автор: James C. Hwang. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1989-04-18.

GATE ELECTRODE AND GATE CONTACT PLUG LAYOUTS FOR INTEGRATED CIRCUIT FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20120001271A1. Автор: YAMADA Satoru,Chae Kyo-Suk,CHOI Young-Jin,Kim Wook-Je,HAN Sang-Yeon. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Junction field effect transistor structure

Номер патента: US20120001240A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Flip-flop logic element not on field-effect transistors

Номер патента: RU2704748C1. Автор: Геннадий Иванович Передельский,Максим Сергеевич Брусов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2019-10-30.

Temperature stable radiation-resistant reference-voltage source based on differential pair of field-effect transistors

Номер патента: RU2546083C1. Автор: Олег Владимирович Дворников,Евгений Иванович Старченко,Иван Васильевич Барилов. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Донской Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2015-04-10.

Method of making microwave field-effect transistor

Номер патента: RU2523060C2. Автор: Геннадий Андреевич Блинов,Елена Васильевна Бутенко. Владелец: Закрытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт микроприборов-технология" (ЗАО "НИИМП-Т"). Дата публикации: 2014-07-20.

Production method of super-high frequency (shf) field-effect transistor with schottki barrier

Номер патента: RU2361319C1. Автор: Александр Михайлович Темнов,Владимир Григорьевич Лапин,Константин Игнатьевич Петров. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток"). Дата публикации: 2009-07-10.

Heterostructure modulated-doped field-effect transistor

Номер патента: RU2534437C1. Автор: Грачик Хачатурович Аветисян,Юрий Владимирович Колковский,Вадим Минхатович Миннебаев,Алексей Анатольевич Дорофеев. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2014-11-27.

Method of field effect transistor production with schottky barrier

Номер патента: RU2349987C1. Автор: Вадим Леонидович Романов,Максим Викторович Драгуть. Владелец: Открытое акционерное общество "ОКБ-Планета". Дата публикации: 2009-03-20.

Process of fabrication of self-scaling field-effect transistor with struct ure of superself-aligned bipolar transistor

Номер патента: RU2230392C2. Автор: Н.М. Манжа,Н.А. Щербаков,М.И. Лукасевич,Е.С. Горнев,М.И. Клычников. Владелец: Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон". Дата публикации: 2004-06-10.

Semiconductor integrated circuit device composed of insulated gate field-effect transistors

Номер патента: CA1079865A. Автор: Hiroto Kawagoe. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1980-06-17.

Semiconductor integrated circuit device composed of insulated gate field-effect transistors

Номер патента: CA1079409A. Автор: Hiroto Kawagoe. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1980-06-10.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.