Structure of heterojunction field effect transistor and a fabrication method thereof.

Structure of heterojunction field effect transistor and a fabrication method thereof

Номер патента: US20120091507A1
Опубликовано: 19-04-2012
Автор(ы): Cheng-Guan Yuan, Shih-Ming Liu
Принадлежит: WIN Semiconductors Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Field effect transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20110215383A1. Автор: Tadashi Watanabe,Hajime Matsuda. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2011-09-08.

Field effect transistor, and multilayered epitaxial film for use in preparation of field effect transistor

Номер патента: US09954087B2. Автор: Yuji Ando,Takashi Inoue,Yasuhiro Okamoto,Tatsuo Nakayama,Hironobu Miyamoto,Kazuki Ota,Naotaka Kuroda,Akio Wakejima,Yasuhiro Murase,Katsumi Yamanoguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Field effect power transistors

Номер патента: SG185120A1. Автор: Gregory Bunin,David Rozman,Tamara Baksht. Владелец: VISIC TECHNOLOGIES Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Field effect power transistors

Номер патента: EP2567404A1. Автор: Gregory Bunin,David Rozman,Tamara Baksht. Владелец: VISIC TECHNOLOGIES Ltd. Дата публикации: 2013-03-13.

Nitride-based transistors and fabrication methods with an etch stop layer

Номер патента: EP1905097A2. Автор: Scott T. Allen,Scott T. Sheppard,Richard P. Smith,Andrew K. Mackenzie. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2008-04-02.

Structure of trench metal-oxide-semiconductor field-effect transistor

Номер патента: US20190355847A1. Автор: Chih-Fang Huang,Jheng-Yi Jiang. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2019-11-21.

Structure of trench metal-oxide-semiconductor field-effect transistor

Номер патента: US20180315848A1. Автор: Chih-Fang Huang,Jheng-Yi Jiang. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2018-11-01.

STRUCTURE OF TRENCH METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTOR

Номер патента: US20190355847A1. Автор: Huang Chih-Fang,JIANG Jheng-Yi. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-21.

Group III-Nitride compound heterojunction tunnel field-effect transistors and methods for making the same

Номер патента: US09954085B2. Автор: Debdeep Jena,Patrick Fay,Wenjun Li,Lina Cao. Владелец: University of Notre Dame . Дата публикации: 2018-04-24.

Field Effect Transistor using grapheme oxide thin film and the manufacturing method thereof

Номер патента: KR101428015B1. Автор: 이상욱,강태원,파닌 겐나디. Владелец: 동국대학교 산학협력단. Дата публикации: 2014-08-11.

Field-effect transistor and fabrication method of field-effect transistor

Номер патента: US11043575B2. Автор: Stephane Badel,Xiaolong Ma,Riqing Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-22.

Complementary metal-oxide-semiconductor field-effect transistor and method thereof

Номер патента: US09875943B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Field effect power transistors

Номер патента: EP2748855A1. Автор: Gregory Bunin,David Rozman,Tamara Baksht. Владелец: VISIC TECHNOLOGIES Ltd. Дата публикации: 2014-07-02.

Lateral field-effect transistor and preparing method

Номер патента: US20230299128A1. Автор: NING Xu,Cheng Liu,Nien-Tze Yeh,Wenbi Cai. Владелец: Hunan Sanan Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Lateral field-effect transistor and preparation method therefor

Номер патента: EP4228006A1. Автор: NING Xu,Cheng Liu,Nien-Tze Yeh,Wenbi Cai. Владелец: Hunan Sanan Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-16.

Three-dimensional tunneling field-effect transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20200176592A1. Автор: Chang Hwan Choi,Dong Hwan Lim. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2020-06-04.

Field-effect transistor, and method of production

Номер патента: US20240234571A1. Автор: Klaus Heyers,Jens Baringhaus. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-11.

Tunneling field effect transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US10147795B1. Автор: Chun-Hsien Lin,An-Chi Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-12-04.

Tunneling field effect transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US10475892B2. Автор: Chun-Hsien Lin,An-Chi Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-11-12.

Ohmic electrode, method of manufacturing Ohmic electrode, field effect transistor, method of manufacturing field effect transistor, and semiconductor device

Номер патента: US20070051978A1. Автор: Katsuaki Kaifu,Juro Mita. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-08.

Field Effect Transistor Device

Номер патента: US20240304729A1. Автор: Dongli Zhang,Mingxiang WANG,Lekai Chen,Huaisheng WANG. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device having a filling conductor comprising a plug portion and a cap portion and manufacturing method thereof

Номер патента: US09780092B2. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Transistor array panel, including a source connecting member and a drain connecting member manufacturing method thereof, and display device including the same

Номер патента: US10483340B2. Автор: Hyuk Soon Kwon. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-19.

Folded channel gallium nitride based field-effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240355921A1. Автор: Xinyu Liu,Xinhua Wang,Qimeng JIANG,Sen Huang,Xinyue DAI. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-10-24.

Field-Effect Transistor Device with Equivalent Source and Drain Region Optimization

Номер патента: US20240371937A1. Автор: Dongli Zhang,Mingxiang WANG,Lekai Chen,Huaisheng WANG,Yeye Guo. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-11-07.

Wide-Bandgap Semiconductor Bipolar Charge-Trapping Non-Volatile Memory with Single Insulating Layer and A Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20230050475A1. Автор: LI ZHANG,Tao Chen,Jing Chen,Zheyang ZHENG. Владелец: Hong Kong University of Science and Technology HKUST. Дата публикации: 2023-02-16.

Semiconductor device having a polarization super junction field effect transistor, electric equipment, bidirectional field effect transistor, and mounted structure body having the same

Номер патента: US09991335B2. Автор: Fumihiko Nakamura,Shuichi Yagi,Hiroji Kawai,Souta Matsumoto,Shoko ECHIGOYA. Владелец: Powdec KK. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device, electric equipment, bidirectional field effect transistor, and mounted structure body

Номер патента: US20160093691A1. Автор: Fumihiko Nakamura,Shuichi Yagi,Hiroji Kawai,Souta Matsumoto,Shoko ECHIGOYA. Владелец: Powdec KK. Дата публикации: 2016-03-31.

Field-Effect Transistor and Manufacturing Method Therefor

Номер патента: US20240234519A9. Автор: Hideaki Matsuzaki,Takuya Tsutsumi. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US12046647B2. Автор: King Yuen Wong,Hang Liao,Lijie Zhang. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Novel III-V Heterojunction Field Effect Transistor

Номер патента: US20180254326A1. Автор: Zhihua Dong,Guohua Liu,Zhiqun Cheng,Huajie Ke. Владелец: Hangzhou Dianzi University. Дата публикации: 2018-09-06.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: WO2022027536A1. Автор: Han-Chin Chiu. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-02-10.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US12068373B2. Автор: Han-Chin Chiu. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09502517B2. Автор: Jun Cheng,Guangcai Yuan,Dongfang Wang,Xiangyong Kong,Ce ZHAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Transistor and method of fabrication of the same including a gate contact formed in a recess through the passivation dielectric layer in contact with the active layer

Номер патента: US11889768B2. Автор: Konstantin Osipov,Hans-Joachim Wuerfl. Владелец: Ferdinand Braun Institut Ggmbh Leibniz Institut fur Hoechstfrequenztechnik. Дата публикации: 2024-01-30.

Field-effect transistor and method for the fabrication thereof

Номер патента: US20150145032A1. Автор: Klaus Kohler,Rüdiger QUAY. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2015-05-28.

Field effect transistor and associated manufacturing method

Номер патента: US11824000B2. Автор: Julien Buckley,Rene Escoffier. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-11-21.

Normally-off high electron mobility transistors and fabrication methods thereof

Номер патента: US09786775B2. Автор: Shang-Ju TU. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Field effect transistor, preparation method thereof, and electronic circuit

Номер патента: US20240213322A1. Автор: Hui Sun,Hongsheng YI,Biao Gao,Haolin Hu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device and driving method thereof

Номер патента: US20200373437A1. Автор: Kan TANAKA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-11-26.

Field effect transistor, manufacturing method therefor, and electronic circuit

Номер патента: EP4379809A1. Автор: Hui Sun,Hongsheng YI,Biao Gao,Haolin Hu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-05.

Vertical field effect transistor (VFET) structure with dielectric protection layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US11804540B2. Автор: Min Gyu Kim,Hwi Chan Jun,Gil-Hwan SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-31.

Vertical field effect transistor (vfet) structure with dielectric protection layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210242330A1. Автор: Min Gyu Kim,Hwi Chan Jun,Gil-Hwan SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-08-05.

Vertical field effect transistor (vfet) structure with dielectric protection layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230103070A1. Автор: Min Gyu Kim,Hwi Chan Jun,Gil-Hwan SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-30.

Gate structure of vertical FET and method of manufacturing the same

Номер патента: US11233146B2. Автор: Seung Hyun Song,Sa Hwan Hong,Chang Woo SOHN,Young Chai Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-25.

Gate structure of vertical fet and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220123143A1. Автор: Seung Hyun Song,Sa Hwan Hong,Chang Woo SOHN,Young Chai Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-21.

Gate structure of vertical fet and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200357920A1. Автор: Seung Hyun Song,Sa Hwan Hong,Chang Woo SOHN,Young Chai Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-12.

Method of forming a field effect transistor having a gate structure with a first section having a first effective work function above a center portion of the channel region and with second sections having a second effective work function above opposing sidewalls of the channel region

Номер патента: US20140070330A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

STRUCTURE OF TRENCH METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTOR

Номер патента: US20180315848A1. Автор: Huang Chih-Fang,JIANG Jheng-Yi. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-01.

Cell structures of insulated gate bipolar transistor igbt with a control gate and a carrier storage layer, and their manufacturing methods

Номер патента: EP4312275A1. Автор: Ke Jiang,Ken Zhang,Chunlin ZHU. Владелец: Nexperia Technology Shanghai Ltd. Дата публикации: 2024-01-31.

Cell structures of insulated gate bipolar transistor igbt with a control gate and a carrier storage layer, and their manufacturing methods

Номер патента: US20240038835A1. Автор: Ke Jiang,Chunlin ZHU,Xukun ZHANG. Владелец: Nexperia Technology Shanghai Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Integrated structures of acoustic wave device and varactor, and acoustic wave device, varactor and power amplifier, and fabrication methods thereof

Номер патента: US09905610B2. Автор: Shu-Hsiao TSAI,Re Ching LIN,Pei-Chun Liao,Cheng-Kuo Lin,Yung-Chung Chin,Chih-Feng Chiang. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

A field effect transistor of sic and a method for production thereof

Номер патента: WO1997036314A3. Автор: Christopher Harris,Mietek Bakowski,Ulf Gustafsson. Владелец: Ulf Gustafsson. Дата публикации: 1997-11-20.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20240274684A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Yunsong QIU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for preparing self-aligned surface channel field effect transistor and power device

Номер патента: US20200373390A1. Автор: CUI Yu,Yuangang WANG,Zhihong FENG,Xubo Song,Chuangjie Zhou,Zezhao HE,Yuanjie Lv,Shixiong LIANG. Владелец: CETC 13 Research Institute. Дата публикации: 2020-11-26.

Resistance measuring structures of stacked devices

Номер патента: US20240145479A1. Автор: Kang-ill Seo,Seunghyun Song,Byounghak Hong,Myunggil Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Field effect transistor with a negative capacitance gate structure

Номер патента: US20220344471A1. Автор: Igor Lukyanchuk,Yurii TIKHONOV,Valerii VINOKOUR,Anna Razumnaya. Владелец: Terra Quantum AG. Дата публикации: 2022-10-27.

Field effect transistor with a negative capacitance gate structure

Номер патента: AU2022202468A1. Автор: Igor Lukyanchuk,Yurii TIKHONOV,Valerii VINOKOUR,Anna Razumnaya. Владелец: Terra Quantum AG. Дата публикации: 2022-11-03.

Field effect transistor with a negative capacitance gate structure

Номер патента: CA3156440A1. Автор: Igor Lukyanchuk,Yurii TIKHONOV,Valerii VINOKOUR,Anna Razumnaya. Владелец: Terra Quantum AG. Дата публикации: 2022-10-15.

Field effect transistor with a negative capacitance gate structure

Номер патента: AU2022202468B2. Автор: Igor Lukyanchuk,Yurii TIKHONOV,Valerii VINOKOUR,Anna Razumnaya. Владелец: Terra Quantum AG. Дата публикации: 2023-11-02.

Multi-gate tunnel field-effect transistor (TFET)

Номер патента: US09741848B2. Автор: Mohammad Ali Pourghaderi,Alireza Alian. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-08-22.

Multi-Gate Device Integration with Separated Fin-Like Field Effect Transistor Cells and Gate-All-Around Transistor Cells

Номер патента: US20240379681A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Trench power metal oxide semiconductor field effect transistor and edge terminal structure including an L-shaped electric plate capable of raising a breakdown voltage

Номер патента: US09502512B2. Автор: Chu-Kuang Liu. Владелец: Excelliance Mos Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Method for Fabricating Silicon Nanowire Field Effect Transistor Based on Wet Etching

Номер патента: US20120302027A1. Автор: Xin Huang,Ru Huang,Yujie Ai,Jiewen Fan,Shuai Sun,Runsheng Wang,Jibin Zou. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-11-29.

Field effect transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09871123B2. Автор: Chih-Jung Wang,Tong-Yu Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Transistor having germanium channel on silicon nanowire and fabrication method thereof

Номер патента: US09935189B2. Автор: Seongjae Cho,Mina Yun. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Gachon University. Дата публикации: 2018-04-03.

Thin-film field effect transistor, driving method thereof, array substrate, display device, and electronic product

Номер патента: US09515191B2. Автор: Bo Wu,Xiaojing QI. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Transistor, method of manufacturing the transistor, electronic device including transistor, and electronic apparatus including the transistor

Номер патента: US20240222524A1. Автор: Minsu Seol,Kyung-Eun Byun,Eunkyu Lee,JunYoung KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Power field effect transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US7892923B2. Автор: Ferruccio Frisina,Mario Giuseppe Saggio. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2011-02-22.

Field-effect transistor and method for manufacturing a field-effect transistor

Номер патента: US20080211019A1. Автор: Rudolf Zelsacher,Martin Poelzl,Dietmar Kotz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-09-04.

Single-Gate Field Effect Transistor and Method for Modulating the Drive Current Thereof

Номер патента: US20230120523A1. Автор: Dongli Zhang,Jinfeng Zhao,Mingxiang WANG,Huaisheng WANG. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-04-20.

Single-gate field effect transistor and method for modulating the drive current thereof

Номер патента: US11908935B2. Автор: Dongli Zhang,Jinfeng Zhao,Mingxiang WANG,Huaisheng WANG. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-02-20.

Strained structure of a p-type field effect transistor

Номер патента: US09698054B2. Автор: Wei-Yuan Lu,Chun-Fai Cheng,Li-Ping Huang,Ka-Hing Fung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Field effect transistor and method for manufacturing same, and display panel

Номер патента: US20240213373A1. Автор: Jie Huang,Dongfang Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Field effect transistor and method for manufacturing the same, and display device

Номер патента: US20170104104A1. Автор: Hsiang Chih Hsiao,Hongyuan Xu,Chang I Su. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-13.

Field-effect transistors, devices containing such field-effect transistors and methods of their formation

Номер патента: US11751386B2. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Junction field effect transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: US09947785B2. Автор: Guipeng Sun,Guangtao Han. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Field-effect transistor and fabrication method of field-effect transistor

Номер патента: US20190280104A1. Автор: Stephane Badel,Xiaolong Ma,Riqing Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-12.

Transistor, Fabrication Method Thereof, and Display Apparatus Comprising the Same

Номер патента: US20240213369A1. Автор: Jaehyun Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Mos field-effect transistor and method for the production thereof

Номер патента: US20160118494A1. Автор: Achim Trautmann,Ning Qu,Michael Grieb. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2016-04-28.

Vertical field effect transistors with bottom source/drain epitaxy

Номер патента: US09972700B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Vertical field effect transistors with bottom source/drain epitaxy

Номер патента: US09865705B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Field effect transistor (fet) stack and methods to form same

Номер патента: US20210336005A1. Автор: Anthony K. Stamper,John J. Ellis-Monaghan,Vibhor Jain,Steven M. Shank. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Metal oxide semiconductor field effect transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210351292A1. Автор: Yung-Chang Chen,Hsin-Yu Hsu,Chen-Huang Wang. Владелец: Cystech Electronics Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Thin film transistor, fabrication method therefor, and array substrate

Номер патента: US20190267406A1. Автор: Yang Wang,BO LIU,Zheng Liu,Chao FAN,Xiaowei Liu,Zhonghao Huang,Yabin AN. Владелец: Fuzhou BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-29.

Vertical-transport field-effect transistors with a damascene gate strap

Номер патента: US09911738B1. Автор: Brent A. Anderson,Junli Wang,Kwan-Yong Lim,Hiroaki Niimi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Power field effect transistor, a power field effect transistor device and a method of manufacturing a power field effect transistor

Номер патента: US09660044B2. Автор: Jean Michel Reynes,Pierre Jalbaud,Dale Neil VAUGHAN,Graeme John Anderson. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Transistor and switching system comprising silicon carbide and oxides of varying thicknesses, and method for providing the same

Номер патента: US09735263B2. Автор: Stephen Daley Arthur,Ramakrishna Rao,Peter Almern Losee,Alexander Viktorovich Bolotnikov,Kevin Sean Matocha. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-08-15.

Structures of and methods of fabricating split gate MIS devices

Номер патента: US09425305B2. Автор: Yang Gao,Kyle Terrill,Chanho Park. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Diamond field effect transistor and mehtod for producing same

Номер патента: EP4117024A1. Автор: Hiroshi Kawarada,Te Bi,Wenxi Fei,Masayuki Iwataki. Владелец: WASEDA UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-01-11.

Diamond field effect transistor and method for producing same

Номер патента: US20230136477A1. Автор: Hiroshi Kawarada,Te Bi,Wenxi Fei,Masayuki Iwataki. Владелец: WASEDA UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-05-04.

Trench field-effect transistor and method for manufacturing trench fet

Номер патента: US20240105843A1. Автор: Jian Liu,Jinyong Cai,Shida DONG,Zhenhan Wang. Владелец: Hangzhou Silicon Magic Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device including fin field effect transistor and planar fin field effect transistor

Номер патента: US20230299083A1. Автор: Sungwoon HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Field-effect transistor and preparation method therefor, and electronic device

Номер патента: US20240321994A1. Автор: Jun Lin. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device including a field effect transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20240339451A1. Автор: Minju Kim,Junggil YANG,Inhyun SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2024-10-10.

Resistance measuring structures of stacked devices

Номер патента: US11901363B2. Автор: Kang-ill Seo,Seunghyun Song,Byounghak Hong,Myunggil Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-13.

Strained structure of a semiconductor device

Номер патента: US20200403098A1. Автор: Wei-Yuan Lu,Chun-Fai Cheng,Li-Ping Huang,Ka-Hing Fung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-24.

Manufacturing process of fin-type field effect transistor and semiconductor

Номер патента: US20110059584A1. Автор: Kiyoshi Takeuchi,Katsuhiko Tanaka. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2011-03-10.

Device integrated with junction field effect transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190252537A1. Автор: Yan Gu,Sen Zhang,Shikang CHENG. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-15.

Bidirectional conduction trench gate power mos device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230170411A1. Автор: Dong Fang,Bo Zhang,Yong Chen,Ming Qiao,Wenliang LIU,Fabei ZHANG. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2023-06-01.

Memory cell and methods thereof

Номер патента: US20230284454A1. Автор: Johannes Ocker,Patrick Polakowski,Stefan Ferdinand Müller. Владелец: Ferroelectric Memory GmbH. Дата публикации: 2023-09-07.

Laterally diffused metal oxide semiconductor field-effect transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: US20180114831A1. Автор: Shukun QI. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-26.

Field effect transistor and method of manufacture

Номер патента: US09847415B2. Автор: Stephen E. Luce,John J. Pekarik,Yun Shi,Alvin J. Joseph,Alan B. Botula. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Large area diode co-integrated with vertical field-effect-transistors

Номер патента: US09754933B2. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Field effect transistor and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09704960B2. Автор: Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Complementary metal-oxide-semiconductor field-effect transistor and method thereof

Номер патента: US10553496B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-02-04.

Cell structure of semiconductor device, preparation method thereof and semiconductor device

Номер патента: US20240014301A1. Автор: Bo Shi,Ting Xiao,Yiren LIN. Владелец: Edgeless Semiconductor Co Ltd Of Zhuhai. Дата публикации: 2024-01-11.

Active element and fabricating method thereof

Номер патента: US20160190342A1. Автор: Chia-Ming Chiang,Chih-Wen Lai,hao-wei Wang. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2016-06-30.

Method of manufacturing an integrated circuit having field effect transistors including a peak in a body dopant concentration

Номер патента: US9761665B2. Автор: Thorsten Meyer,Christoph Kadow,Stefan Decker,Norbert Krischke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of manufacturing an integrated circuit having field effect transistors including a peak in a body dopant concentration

Номер патента: US9355909B2. Автор: Thorsten Meyer,Christoph Kadow,Stefan Decker,Norbert Krischke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-05-31.

Metal oxide semiconductor field effect transistor and method of manufacturing

Номер патента: US20230246104A1. Автор: Steven Peake. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-08-03.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20240355933A1. Автор: Gang Wu,Shiwei HE,Yongjian Yu,Guoguo Kong,Mingru Ge,Wangqin Yang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Insulated Gate Bipolar Transistor And Fabrication Method Therefor

Номер патента: US20210234019A1. Автор: Jianhua Liu,Xueliang Wang,Jinrong LANG,Yaneng MIN. Владелец: ADVANCED SEMICONDUCTOR MANUFACTURING Corp Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Field effect thin film transistor and static-type semiconductor memory device provided with memory cell having complementary field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US5382807A. Автор: Yasuo Inoue,Motoi Ashida,Kazuhito Tsutsumi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-01-17.

Field-effect transistor using oxide film to transmit information and preparation method thereof

Номер патента: RU2400865C2. Автор: Тацуя ИВАСАКИ,Хидея КУМОМИ,Тацуя ИВАСАКИ (JP),Хидея КУМОМИ (JP). Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2010-09-27.

Field effect transistor having impurity regions of different depths and manufacturing method thereof

Номер патента: US5489791A. Автор: Hideaki Arima,Natsuo Ajika,Makoto Ohi,Tomonori Okudaira,Atsushi Hachisuka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-02-06.

Field-effect transistor and semiconductor device

Номер патента: US09613961B2. Автор: Yoshiki Kamata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Normally-closed device and fabrication method thereof

Номер патента: US20220285538A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Fin field effect transistor and fabricating method thereof

Номер патента: US09716178B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Field effect semiconductor component and methods for operating and producing it

Номер патента: US09496364B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Peter Irsigler,Helmut Strack. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-11-15.

Field-effect transistor, and methods for production

Номер патента: US20240234568A9. Автор: Dick Scholten,Daniel Krebs. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-11.

Junction field effect transistor and production method for the same

Номер патента: US20080054312A1. Автор: Shouji Higashida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2008-03-06.

Field effect transistor and semiconductor device including the same

Номер патента: US09941360B2. Автор: Shigenobu Maeda,Seunghan Seo,Yeohyun SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Structure for a field effect transistor (fet) device and method of processing a fet device

Номер патента: US20220020882A1. Автор: Romain Delhougne,Gouri Sankar Kar,Attilio Belmonte,Nouredine Rassoul. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2022-01-20.

Field effect transistor of radio frequency lateral double-diffusion and preparation method thereof

Номер патента: CN103035532B. Автор: 韩峰,李娟娟,胡君,钱文生,慈朋亮. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2015-06-03.

Tunneling field-effect transistor of a kind of vertical stratification and preparation method thereof

Номер патента: CN103560152B. Автор: 刘畅,王曦,俞文杰,赵清太. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2016-02-17.

Field effect transistor of radio frequency lateral double-diffusion and preparation method thereof

Номер патента: CN103035731A. Автор: 韩峰,李娟娟,胡君,钱文生,慈朋亮. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-10.

A field effect transistor of SiC and a method for production thereof

Номер патента: SE9601173D0. Автор: Christopher Harris,Mietek Bakowski,Ulf Gustafsson. Владелец: ABB RESEARCH LTD. Дата публикации: 1996-03-27.

Structure of two-dimensional material-based device having air-gap and method for preparing same

Номер патента: US20240105821A1. Автор: Yi Shi,Weisheng Li,Xinran Wang,Hao Qiu,Dongxu Fan. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-03-28.

Integrated structures of acoustic wave device and varactor, and acoustic wave device, varactor and power amplifier, and fabrication methods thereof

Номер патента: US20170170233A1. Автор: LIN Cheng-Kuo,TSAI Shu-Hsiao,Liao Pei-Chun,Lin Re Ching,CHIN Yung-Chung. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-15.

Semiconductor device having a stacked gate insulation film and a gate electrode and manufacturing method thereof

Номер патента: US6847079B2. Автор: Katsumi Nakamura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2005-01-25.

Semiconductor device having a stacked gate insulation film and a gate electrode and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050093061A1. Автор: Katsumi Nakamura. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-05-05.

Semiconductor device having a stacked gate insulation film and a gate electrode and manufacturing method thereof

Номер патента: US7180131B2. Автор: Katsumi Nakamura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2007-02-20.

Field-effect transistor, single-electron transistor and sensor using the same

Номер патента: US09506892B2. Автор: Yutaka Yamada,Kazuhiro Nagaike,Hiroshi Mitani,Kazuhiko Matsumoto,Satoru Nagao,Masanori Katou,Atsuhiko Kojima,Yasuo Ifuku. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2016-11-29.

Tunneling field-effect transistor with a plurality of nano-wires and fabrication method thereof

Номер патента: US20170194428A1. Автор: Yang-Kyu Choi,Jun-Young Park. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2017-07-06.

Transistor circuits including fringeless transistors and method of making the same

Номер патента: US12094944B2. Автор: Hiroyuki Ogawa,Hiroshi Nakatsuji,Dai Iwata,Eiichi Fujikura. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-17.

Tunneling field-effect transistor with a plurality of nano-wires and fabrication method thereof

Номер патента: US09997596B2. Автор: Yang-Kyu Choi,Jun-Young Park. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2018-06-12.

Self-aligned heterojunction field effect transistor

Номер патента: US09741871B2. Автор: Bahman Hekmatshoartabari,Ghavam G. Shahidi,Yanning Sun. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Integrated circuit comprising a jfet transistor and method for manufacturing such an integrated circuit

Номер патента: US20210151559A1. Автор: Jean JIMENEZ MARTINEZ. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2021-05-20.

Split-gate non-volatile memory and fabrication method thereof

Номер патента: US20200027888A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: Nexchip Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-23.

Split-gate non-volatile memory and fabrication method thereof

Номер патента: US10636801B2. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: Nexchip Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-28.

Field-effect transistor and method for manufacturing the field effect transistor

Номер патента: US20010042872A1. Автор: Yasuo Ohno,Yuji Takahashi,Kazuaki Kunihiro. Владелец: POLY-4 MEDICAL Inc. Дата публикации: 2001-11-22.

Transistor circuits including fringeless transistors and method of making the same

Номер патента: US20240258317A1. Автор: Hiroshi Nakatsuji,Koichi Matsuno,Dai Iwata,Kiyokazu Shishido. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20190259848A1. Автор: Lan-Lin Chao,Chi-Ming Chen,Cheng-Yuan Tsai,Szu-Yu Wang,Han-Yu Chen,Chun-Han TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-22.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11735635B2. Автор: Lan-Lin Chao,Chih-Ming Chen,Cheng-Yuan Tsai,Szu-Yu Wang,Han-Yu Chen,Chun-Han TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Isolated gate field effect transistor and manufacture method thereof

Номер патента: US09722064B2. Автор: Kai Cheng. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Field effect transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US09634112B2. Автор: Chull Won JU,Jae Kyoung Mun,Dong Min Kang,Hyung Sup Yoon,Jong-Won Lim,Sang Heung LEE,Hokyun Ahn,Seong-Il Kim,Byoung-Gue Min. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2017-04-25.

Field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170271494A1. Автор: Takahiro Nakamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US11990518B2. Автор: Jian-Feng Li,Chia-Hua Chang,Hsiang-Chieh Yen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Package structure of common-source common-gate gallium nitride field-effect transistor

Номер патента: US11315864B2. Автор: Tsung Hsien Yen,Hsing Yeh Wang,Feng Jui Shen. Владелец: Gan Power Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-26.

Junction field effect transistor structure

Номер патента: US20120001240A1. Автор: Rongwei Yu. Владелец: IPGoal Microelectronics Sichuan Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Operating Field-Effect Transistor, Field-Effect Transistor and Circuit Configuration

Номер патента: US20140184306A1. Автор: Markus Zundel,Peter Nelle. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-07-03.

Structure of metal oxide semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20030189226A1. Автор: Bing-Yue Tsui,Chih-Feng Huang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2003-10-09.

Semiconductor Device Including a Ferroelectric Field-Effect Transistor, and Semiconductor Integrated Circuit Device Employing Same

Номер патента: US20080151599A1. Автор: Masato Moriwake,Daisuke Nishinohara. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2008-06-26.

Thin film transistor and fabricating method thereof, and array substrate

Номер патента: US10535781B2. Автор: Lin Chen,Mengyu Luan,Chengshao Yang,Haijiao QIAN. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-14.

Structure of a field effect transistor having metallic silicide and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070158757A1. Автор: Takashi Ichimori,Norio Hirashita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-07-12.

Thin film transistor including diffusion blocking layer and fabrication method thereof, array substrate and display device

Номер патента: US09825175B2. Автор: WEI Liu,Chunsheng Jiang,Lung Pao Hsin. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Source/drain structure of semiconductor device

Номер патента: US09472647B2. Автор: Ying Xiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Thin film transistor and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09705007B2. Автор: WEI YANG,Wenlin Zhang,Woo Bong Lee,ce Ning. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor structure having a junction field effect transistor and a high voltage transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US09947786B2. Автор: Young Bae Kim,Kwang Il Kim. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Field-effect transistors having black phosphorus channel and methods of making the same

Номер патента: US09929282B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Ling-Yen Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Vertical field-effect transistor and method for forming same

Номер патента: US20240055528A1. Автор: Dick Scholten,Daniel Krebs,Jens Baringhaus. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-02-15.

Package structure of common-source common-gate gallium nitride field-effect transistor

Номер патента: US20220020677A1. Автор: Tsung Hsien Yen,Hsing Yeh Wang,Feng Jui Shen. Владелец: Gan Power Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-20.

Thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate, and display apparatus

Номер патента: US09484468B2. Автор: LIANG XIAO,Yunqi Zhang,Liang Peng,Jian Wang,Daowu HUANG,Sangsoo Park,Xunze ZHANG,Liumin YU,Weihua FANG,Yanrui SHEN,Zhiyuan DONG,Longlong DUAN. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Field-effect transistors with deposited gate dielectric layers

Номер патента: EP4421878A1. Автор: Francois Hebert,James A. Cooper,Hema Lata Rao MADDI. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Field-effect transistors with deposited gate dielectric layers

Номер патента: US20240290879A1. Автор: Francois Hebert,James A. Cooper,Hema Lata Rao MADDI. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Strained silicon complementary metal oxide semiconductor including a silicon containing tensile N-type fin field effect transistor and silicon containing compressive P-type fin field effect transistor formed using a dual relaxed substrate

Номер патента: US09842929B1. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Xin Miao,Nicolas J. Loubet. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

TFT substrate structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09553198B1. Автор: Xiaowen LV. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Asymmetric junction field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2010094541A1. Автор: David Collins,Robert Mark Rassel,Michael Joseph Zierak,Richard Phelps,Frederick Gustav Anderson. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2010-08-26.

Ferroelectric field-effect transistor with high permittivity interfacial layer

Номер патента: US20240234574A9. Автор: Sayeef Salahuddin,Ava Jiang TAN. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-07-11.

Three-dimensional ferroelectric field effect transistor random access memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: WO2024103281A1. Автор: Tao Yang,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-23.

Group iii nitride transistor structure capable of reducing leakage current and fabricating method thereof

Номер патента: US20230260988A1. Автор: XING Wei,Xiaodong Zhang,Baoshun Zhang,Desheng Zhao. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2023-08-17.

Three-dimensional ferroelectric field effect transistor random access memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: EP4454020A1. Автор: Tao Yang,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

Semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: US09837534B2. Автор: Takashi Yokoyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Chemically-sensitive field effect transistors, systems and methods for manufacturing and using the same

Номер патента: US09857328B2. Автор: Paul Hoffman. Владелец: Agilome Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device having a fin structure and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20190259840A1. Автор: Yong-Seung Kim,Dong-Suk Shin,Dong-Woo Kim,Kwan-Heum Lee,Hyun-Ho NOH,Yu-yeong Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-08-22.

High voltage junctionless field effect device and its method of fabrication

Номер патента: US09634151B1. Автор: Richard R. Chang,Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Vertical field-effect transistor device having a bypass diode

Номер патента: WO2015042147A1. Автор: LIN Cheng,Vipindas Pala,Edward Robert Van Brunt. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2015-03-26.

High voltage junctionless field effect device and its method of fabrication

Номер патента: US20170133510A1. Автор: Richard R. Chang,Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-05-11.

Vertical field effect transistor with biaxial stressor layer

Номер патента: US09773904B2. Автор: PALLE Dharmendar,Mark Rodder,Titash Rakshit,Borna Obradovic,Chris Bowen. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Array structure of single-ploy nonvolatile memory

Номер патента: US09601164B2. Автор: Wen-Hao Lee,Wei-Ren Chen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Laminate structure of thin film transistor

Номер патента: US09972719B1. Автор: Po-Tsun Liu,Bo-Hung Lai,Sung-Wei Hung. Владелец: Microcosm Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Fin field-effect transistor structure and method for forming the same

Номер патента: US20190067283A1. Автор: Yin Wang,Chien-Tai CHAN,Chien-Chih Lin,Wei-Ken LIN,Chun-Te Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

TUNNELING FIELD EFFECT TRANSISTOR HAVING A THREE-SIDE SOURCE AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20160043220A1. Автор: Huang Ru,Huang Qianqian,Wu Chunlei,Wang Jiaxin,Wang Yangyuan. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-11.

Tunneling field effect transistor having a three-side source and fabrication method thereof

Номер патента: US9490363B2. Автор: Ru Huang,Jiaxin Wang,Qianqian Huang,Chunlei Wu,Yangyuan Wang. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor thin film field effect transistor made of unstable two-dimensional material and preparation method thereof

Номер патента: CN110634958B. Автор: 王一鸣,辛倩,宋爱民,梁广大. Владелец: Shandong University. Дата публикации: 2021-01-15.

Junction field effect transistor based on tungsten disulfide/gallium antimonide and preparation method thereof

Номер патента: CN113224143B. Автор: 陈翔,顾宇,宋秀峰,程子超,剪宇轩. Владелец: Nanjing University of Science and Technology. Дата публикации: 2022-09-20.

Complementary field effect transistor with double-work function metal gates and manufacturing method thereof

Номер патента: CN103579113B. Автор: 杨红,王文武,马雪丽,王晓磊,韩锴. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-02-08.

Junction field effect transistor based on tungsten disulfide/gallium antimonide and preparation method thereof

Номер патента: CN113224143A. Автор: 陈翔,顾宇,宋秀峰,程子超,剪宇轩. Владелец: Nanjing University of Science and Technology. Дата публикации: 2021-08-06.

Short gate tunneling field effect transistor of vertical non-uniform doping channel and preparation method thereof

Номер патента: CN103151391A. Автор: 王超,黄如,黄芊芊,王阳元,吴春蕾,王佳鑫. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-06-12.

Accumulation field effect transistor for reducing main body electric field and manufacturing method thereof

Номер патента: CN113270477A. Автор: 杨银堂,段宝兴,王彦东. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2021-08-17.

Method for producing a semiconductor integrated circuit with a field effect transistor, a capacitor and a resistor.

Номер патента: DE69528107D1. Автор: Masanori Yoshimori. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-10-17.

Semiconductor device having dynamic threshold transistors and element isolation region and fabrication method thereof

Номер патента: TW544908B. Автор: Hiroshi Iwata,Akihide Shibata,Seizo Kakimoto. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2003-08-01.

N-type field effect thin film transistor and manufacturing method thereof, CMOS inverter and manufacturing method thereof

Номер патента: CN108630760B. Автор: 赵建文,周春山,崔铮,徐文亚,许启启. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2021-11-30.

Vertical ferroelectric thin film storage transistor and data write and read methods thereof

Номер патента: US20190181147A1. Автор: Fu-Chou Liu. Владелец: Nustorage Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-13.

Semiconductor structure, and fabrication method and control method therefor

Номер патента: EP3985672A1. Автор: Tao Chen,Zhicheng Shi. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-04-20.

Structure of semiconductor material, application to the production of a transistor and method of production

Номер патента: FR2707425A1. Автор: Tyc Stephane,Brylinski Christian. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1995-01-13.

Layered structure of wire (s) formed in contact hole, a manufacturing method therefor, and a display apparatus having the same

Номер патента: US20040183427A1. Автор: Koji Suzuki,Isao Hasegawa. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-23.

Novel semiconductor field effect positive feedback transistor and method based on bulk silicon substrate

Номер патента: CN110634955A. Автор: 万景. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-12-31.

NMOS transistor and formation method, CMOS structure and formation method thereof

Номер патента: CN103515238A. Автор: 洪中山. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2014-01-15.

Field effect thin film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: EP0513644A2. Автор: Kazuhito c/o Mitsubishi Denki K.K.LSI Tsutsumi,Motoi c/o Mitsubishi Denki K.K.LSI Ashida,Yasuo c/o Mitsubishi Denki K.K.LSI Inoue. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1992-11-19.

Field effect thin film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: EP0513644B1. Автор: Kazuhito c/o Mitsubishi Denki K.K.LSI Tsutsumi,Motoi c/o Mitsubishi Denki K.K.LSI Ashida,Yasuo c/o Mitsubishi Denki K.K.LSI Inoue. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-11-27.

Bonding structure for connecting a chip and a metal material and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240304575A1. Автор: Wei-Chung Chao,Yan-Wei Chen,Zzu-Chi Chiu. Владелец: Tong Hsing Electronic Industries Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor apparatus having electrical connections with through-via and a metal layer and stacking method thereof

Номер патента: US09530756B2. Автор: Min su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Printed circuit board and method thereof and a solder ball land and method thereof

Номер патента: US8039972B2. Автор: Ho-geon Song,Sang-Jun Kim,Heui-Seog Kim,Wha-Su Sin,Jun-young Ko,Ky-Hyun Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-10-18.

Printed circuit board and method thereof and a solder ball land and method thereof

Номер патента: US7576438B2. Автор: Ho-geon Song,Sang-Jun Kim,Heui-Seog Kim,Wha-Su Sin,Jun-young Ko,Ky-Hyun Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-08-18.

Printed circuit board and method thereof and a solder ball land and method thereof

Номер патента: US20070040282A1. Автор: Ho-geon Song,Sang-Jun Kim,Heui-Seog Kim,Jun-young Ko,Ky-Hyun Jung,Wa-su Sin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-02-22.

Printed circuit board and method thereof and a solder ball land and method thereof

Номер патента: US20090278249A1. Автор: Ho-geon Song,Sang-Jun Kim,Heui-Seog Kim,Wha-Su Sin,Jun-young Ko,Ky-Hyun Jung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-11-12.

Light emitting diode having an adhesive layer and a reflective layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US7172909B2. Автор: Min-Hsun Hsieh,Jen-Shui Wang,Wen-Huang Liu,Tzu-Feng Tseng,Ting-Wei Yeh. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2007-02-06.

Visible light communication LED having a spiral inductance coil and a circle core and preparation method thereof

Номер патента: US10237933B2. Автор: Yang Liu,Xian Yang,Jie Sun,Yong Huang,Jing Huang,Zhiyou Guo,Hongyong HUANG,Zhuding ZHANG,Huiqing Sun. Владелец: SOUTH CHINA NORMAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-03-19.

Visible light communication LED having a spiral inductance coil and a circle core and preparation method thereof

Номер патента: US20180103516A1. Автор: Yang Liu,Xian Yang,Jie Sun,Yong Huang,Jing Huang,Zhiyou Guo,Huiqing SHUN,Hongyong HUANG,Zhuding ZHANG. Владелец: SOUTH CHINA NORMAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-04-12.

Non-volatile semiconductor storage apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010054735A1. Автор: Takaaki Nagai. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-12-27.

Field effect transistor assemblies, integrated circuitry, and methods of forming field effect transistors and integrated circuitry

Номер патента: US20030094633A1. Автор: Fernando Gonzalez,Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-22.

Field effect transistor assemblies, integrated circuitry, and methods of forming field effect transistors and integrated circuitry

Номер патента: US20010019868A1. Автор: Fernando Gonzalez,Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-06.

Pixel structure of liquid crystal display panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US09791756B2. Автор: Sikun HAO. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Field-effect transistor and preparation method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4428919A1. Автор: Jun Lin. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-11.

Memory, and erasing method, programming method and reading method thereof

Номер патента: US9396801B1. Автор: Guangjun Yang. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Sense amplifier configuration having a field-effect transistor having a short channel length and an adjustable threshold voltage

Номер патента: US6417722B1. Автор: Helmut Schneider,Jürgen Lindolf,Hermann Ruckerbauer,Thomas Borst. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-07-09.

Field effect transistor and semiconductor device including the same

Номер патента: US20240260270A1. Автор: Hyunho Kim,Jeehoon HAN,Janggn Yun,Taeyoon HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Read-only memory cell and fabrication method thereof

Номер патента: US20050087823A1. Автор: Ying-Cheng Chuang,Ching-Nan Hsiao,Chao-Sung Lai,Yung-Meng Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-04-28.

Structure of metal-insulator-semiconductor-like multiple-negative-differential-resistance device and fabrication method thereof

Номер патента: US6197622B1. Автор: Wen-Chau Liu,Lih-Wen Laih. Владелец: National Science Council. Дата публикации: 2001-03-06.

Junction field-effect transistor with raised source and drain regions formed by selective epitaxy

Номер патента: US9236499B2. Автор: John J. Pekarik,John J. Ellis-Monaghan,Kevin K. Chan,Qizhi Liu,David L. Harame. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-01-12.

Structure of metal-insulator-semiconductor-like mutiple-negative-differential-resistance device

Номер патента: US5831297A. Автор: Wen-Chau Liu,Lih-Wen Laih. Владелец: National Science Council. Дата публикации: 1998-11-03.

Graphene field-effect transistor biosensor as well as manufacturing method and detecting method thereof

Номер патента: CN103399071A. Автор: 白成杰,姜守振,岳伟伟,许士才. Владелец: SHANDONG NORMAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-11-20.

A kind of field effect transistor for detecting hydroxyl radical free radical and preparation method thereof

Номер патента: CN108226258A. Автор: 王振,魏大程,易孔阳. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-06-29.

Complementary silicon-insulator-semiconductor field effect transis tor integrated circuit and a method for its manufacture

Номер патента: GB1363581A. Автор: . Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1974-08-14.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING A FILLING CONDUCTOR COMPRISING A PLUG PORTION AND A CAP PORTION AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170243869A1. Автор: Chang Che-Cheng,LIN Chih-Han,Tseng Horng-Huei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2017-08-24.

Steep-slope field-effect transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US11869950B2. Автор: Yang-Kyu Choi,Myung-Su Kim. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor device integrated with memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20190273119A1. Автор: Zhi-Biao Zhou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Tunneling field effect transistors and transistor circuitry employing same

Номер патента: US09941117B2. Автор: Paul R. Berger. Владелец: Ohio State Innovation Foundation. Дата публикации: 2018-04-10.

Short-gate tunneling field effect transistor having non-uniformly doped vertical channel and fabrication method thereof

Номер патента: US09508839B2. Автор: Chao Wang,Ru Huang,Jiaxin Wang,Qianqian Huang,Chunlei Wu,Yangyuan Wang. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device, FinFET transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US09799676B2. Автор: Ming Zhou,Xinyun Xie. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: EP3813127A1. Автор: Song BAI,Tongtong YANG. Владелец: CETC 55 Research Institute. Дата публикации: 2021-04-28.

Field effect transistor and manufacturing method therefor, and switching circuit and circuit board

Номер патента: EP4300549A1. Автор: Yuhua Zhang,Xingfei Ke,Mingtao Zhou,Mengqi Yang,Gaochao XU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-03.

Fin field-effect transistor and fabrication method thereof

Номер патента: EP3190610A3. Автор: Gang MAO. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-07-19.

Modified tunneling field effect transistors and fabrication methods

Номер патента: US09673757B2. Автор: Min-Hwa Chi,Yanxiang Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Field effect transistor and preparation method therefor, and semiconductor structure

Номер патента: EP4160696A1. Автор: Wen YIN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-05.

Fin field-effect transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US09871120B2. Автор: Xiaopeng Yu,Youfeng He,Zhengling Chen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Fin structure of fin field effect transistor

Номер патента: US09484462B2. Автор: FENG Yuan,Clement Hsingjen Wann,Tsung-Lin Lee,Chang-Yun Chang,Hung-Ming Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Field effect transistor with spacers and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240355898A1. Автор: Chang-Miao Liu,xu-sheng Wu,Wei-Lun Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Transistor structures and fabrication methods thereof

Номер патента: US09647073B2. Автор: Min-Hwa Chi,Xusheng Wu,Jin Ping Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Fin field-effct transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20150380241A1. Автор: Xiaopeng Yu,Youfeng He,Zhengling Chen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-12-31.

Complementary metal oxide semiconductor field effect transistor, metal oxide semiconductor field effect transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09536792B2. Автор: Chien-Ting Lin,Shih-Hung Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Interconnects for vertical-transport field-effect transistors

Номер патента: US09887192B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Buried contact structures for a vertical field-effect transistor

Номер патента: US09831317B1. Автор: Hui Zang,Tek Po Rinus Lee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Gate structure of field effect transistor with footing

Номер патента: US09620621B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin,Jr-Jung LIN,Chang-Yin Chen,Yung Jung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of manufacturing a field effect transistor by tilted implantation of dopants into inner sidewalls of gate spacers

Номер патента: US12062707B2. Автор: Chang-Miao Liu,xu-sheng Wu,Wei-Lun Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Coating liquid for forming thin metal oxide film, thin metal oxide film, field-effect transistor and method of making field-effect transistor

Номер патента: RU2546725C2. Автор: Юкико АБЕ,Наоюки УЕДА,Юки НАКАМУРА,Юдзи СОНЕ. Владелец: РИКОХ КОМПАНИ, ЛТД.. Дата публикации: 2015-04-10.

Method of making asymmetrically optimized CMOS field effect transistors

Номер патента: US4874713A. Автор: Samuel C. Gioia. Владелец: NCR Corp. Дата публикации: 1989-10-17.

2D-3D Heterojunction Tunnel Field-Effect Transistor

Номер патента: US20210020765A1. Автор: Sungjae Cho. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2021-01-21.

Multi-threshold voltage field effect transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09837416B2. Автор: Amey Mahadev Walke,Chi-Hsun Hsieh,Che-Min Chu,Yu-Hsuan Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Field effect transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US09812560B2. Автор: Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Fin field effect transistor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09634125B2. Автор: Yi-Wei Chen,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Chung-Fu Chang,Chia-Jong Liu,Yen-Liang Wu,Man-Ling Lu,Wen-Jiun Shen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Memory cell and methods thereof

Номер патента: US20230223066A1. Автор: Stefan Ferdinand Müller. Владелец: Ferroelectric Memory GmbH. Дата публикации: 2023-07-13.

Process for fabricating a self-aligned deposited source/drain insulated gate field-effect transistor

Номер патента: EP1787320A2. Автор: Daniel J. Connelly,Daniel E. Grupp,Paul A. Clifton,Carl A. Faulkner. Владелец: Acorn Technologies Inc. Дата публикации: 2007-05-23.

Circuit Including a Field-Effect Transistor and a Bipolar Transistor

Номер патента: US20190074374A1. Автор: Gary Horst Loechelt. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-03-07.

Display panel, array substrate, and fabrication method thereof

Номер патента: US20170221925A1. Автор: Junhui Lou,Tianyi Wu. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

Array substrate and fabrication method thereof and display panel

Номер патента: US20190067339A1. Автор: Haihong Zheng. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Fin field effect transistors and fabrication method thereof

Номер патента: US09613960B2. Автор: YONG Li,Chengqing Wei. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Fabricating method of mos transistor, fin field-effect transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20130001707A1. Автор: Teng-Chun Tsai,Chun-Yuan Wu,Chih-Chien Liu,Chin-Fu Lin,Chin-Cheng Chien,Chan-Lon Yang,Yu-Ren Wang,Chien-Liang Lin,Ying-Wei Yen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-01-03.

Complementary Field Effect Transistors Using Gallium Polar and Nitrogen Polar III-Nitride Material

Номер патента: US20150221649A1. Автор: Charles R. Eddy, Jr.,Francis J. Kub,Travis J. Anderson,Michael A. Mastro,Jennifer K. Hite. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2015-08-06.

Thin film transistor and fabricating method thereof

Номер патента: US20020005540A1. Автор: Dong Kim,Kyo Moon. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-17.

Tunneling Field Effect Transistor and Manufacturing Method Thereof, Display Panel and Display Apparatus

Номер патента: US20240297243A1. Автор: Jie Huang,Kun Zhao,Yan Qu,Zhengliang Li,Feifei Li,ce Ning,Hehe HU,Liping LEI,Jiayu HE,Nianqi YAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device and fabrication method for the semiconductor device

Номер патента: US20090242947A1. Автор: Takuji Yamamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Semiconductor device and fabrication method for the semiconductor device

Номер патента: US20100167473A1. Автор: Takuji Yamamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Thin film transistor and fabricating method thereof

Номер патента: US20020121667A1. Автор: Dong Kim,Kyo Moon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-05.

Ferroelectric field effect transistors based approach for euclidean distance calculation in neuromorphic hardware

Номер патента: US20240194237A1. Автор: Rashmi Jha,Siddharth Barve. Владелец: Universty Of Cincinnati. Дата публикации: 2024-06-13.

CHARGE TRANSFER LOGIC (CTL) USING COMPLEMENTARY CURRENT FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICES (CiFET) AND / OR COMPLEMENTARY SWITCHED CURRENT FIELD EFFECT TRANSISTOR DEVICES (CsiFET)

Номер патента: US20210020766A1. Автор: Terrence R. Hudrlik,Susan Marya SCHOBER,Robert C. Schober,Aaron CURRY,Timothy Howard Richards. Владелец: Circuit Seed LLC. Дата публикации: 2021-01-21.

Fabricating method of fin field effect transistor (FinFET)

Номер патента: US09793105B1. Автор: Hsu Ting,Chun-Wei Yu,Chueh-Yang Liu,Yu-Ren Wang,Yi-Liang Ye,Kuang-Hsiu Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Low temperature poly-silicon thin film transistor and fabrication method thereof, array substrate and display device

Номер патента: US09768308B2. Автор: Zheng Liu,Chunping Long,Xiaolong Li,Liang Sun,Xiaoyong Lu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Tunneling Field-Effect Transistor And Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20190013413A1. Автор: Chen-Xiong Zhang,Xichao Yang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-10.

Integrated device with vertical field-effect transistors and hybrid channels

Номер патента: US20200161303A1. Автор: ZHENG Xu,Kangguo Cheng,Dexin Kong,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: US20170053914A1. Автор: Takeshi Ishitsuka,Hiroko Tashiro. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-02-23.

Integrated device with vertical field-effect transistors and hybrid channels

Номер патента: US20200161302A1. Автор: ZHENG Xu,Kangguo Cheng,Dexin Kong,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20180166342A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-06-14.

Thin film transistor and fabrication method thereof, array substrate and display

Номер патента: US09929277B2. Автор: Zhenyu Zhang,Changgang HUANG. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Thin film transistor and fabrication method thereof, array substrate and display panel

Номер патента: US09721976B2. Автор: Lung Pao Hsin. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Fin field-effect transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US09564512B2. Автор: HAIYANG Zhang,Chenglong Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Fin field effect transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20190081169A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-03-14.

Microelectronic device with two field-effect transistors

Номер патента: US20240030221A1. Автор: Sylvain Barraud,Joris Lacord. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-01-25.

Fin isolation structures of semiconductor devices

Номер патента: US20190096769A1. Автор: Yen-Ming Chen,Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Kuo-Cheng Ching. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Thin film transistor, fabrication method thereof, array substrate, and display device

Номер патента: US20180138254A1. Автор: Zheng Liu,Xiaolong Li,Lujiang HUANG FU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-17.

Thin film transistor, fabrication method thereof, array substrate, and display device

Номер патента: EP3427302A1. Автор: Zheng Liu,Xiaolong Li,Lujiang HUANG FU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-16.

Dual dielectric tri-gate field effect transistor

Номер патента: US20110063019A1. Автор: Josephine B. Chang,Jeffrey W. Sleight,Leland Chang,Chung-Hsun Lin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-03-17.

Field effect transistor, memory element and manufacturing method of charge storage structure

Номер патента: US20180366547A1. Автор: Fu-Chou Liu. Владелец: Nustorage Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-20.

Fin-type field-effect transistors with strained channels

Номер патента: US20180026137A1. Автор: Henry K. Utomo,Reinaldo A. Vega,Yun Y. Wang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-25.

Three-dimensional memory device with vertical field effect transistors and method of making thereof

Номер патента: US20220068966A1. Автор: Peter Rabkin,Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor device having high voltage MOS transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20060148183A1. Автор: Yong Choi. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-07-06.

Fin-type field-effect transistors with strained channels

Номер патента: US09905694B2. Автор: Henry K. Utomo,Reinaldo A. Vega,Yun Y. Wang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Fin field effect transistor and fabricating method thereof

Номер патента: US09773911B2. Автор: Wen-Sheng Lin,Chi-Cherng Jeng,Chen-Chieh Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Fin-type field-effect transistors with strained channels

Номер патента: US09680019B1. Автор: Henry K. Utomo,Reinaldo A. Vega,Yun Y. Wang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Thin film transistor and fabricating method thereof

Номер патента: US09660060B2. Автор: Chih-Pang Chang,Tzu-Yin Kuo. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2017-05-23.

Thin-film transistor and fabricating method thereof, array substrate and display apparatus

Номер патента: US09608011B2. Автор: Ying Zhang,Xin Li,Hong Zhu,Hongjun Yu. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device having fin-type field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09502531B2. Автор: Jungdal CHOI,Sung Gi Hur,Sangsu Kim,TaeYong KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-22.

Ferroelectric field-effect transistor and a method for forming the same

Номер патента: WO2024177575A1. Автор: Kah-Wee Ang,Heng XIANG,Yu-Chieh CHIEN,Lingqi LI. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF SINGAPORE. Дата публикации: 2024-08-29.

Stacked nanosheet field-effect transistor with diode isolation

Номер патента: US09847391B1. Автор: Hui Zang,Jae Gon Lee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Low temperature polysilicon thin film transistor and method for fabricating same

Номер патента: US09685538B2. Автор: Xiaoxing Zhang,Songshan LI. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Passivation structure of fin field effect transistor

Номер патента: US09530710B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Yen-Yu Chen,Ling-Yen Yeh,Chi-Yuan Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor structures with stacked non-planar field effect transistors and methods of forming the structures

Номер патента: US09472558B1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Robert C. Wong. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Fin Field Effect Transistor (FINFET) Device with Controlled End-to-End Critical Dimension and Method for Forming the Same

Номер патента: US20200118820A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin,Jr-Jung LIN,Chang-Yin Chen,Tung-Wen CHENG,Chun-Lung NI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Integration of vertical-transport transistors and electrical fuses

Номер патента: US10439031B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-10-08.

Tunable homojunction field effect device-based artificial synapse circuit and implementation method thereof

Номер патента: US20230196084A1. Автор: CHEN Pan,Pengfei Wang,Shijun Liang,Feng Miao,Chenyu Wang. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-06-22.

Isolation structure of fin field effect transistor

Номер патента: US09773892B2. Автор: Chi-Wen Liu,Chao-Hsiung Wang,Kuo-Cheng Ching,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Complementary metal oxide semiconductor transistor and fabricating method thereof

Номер патента: US09577011B2. Автор: Yi-Wei Chen,Yu-Pu Lin,Ta-wei Chiu,Chung-Tao Chen. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2017-02-21.

Single field effect transistor capacitor-less memory device and method of operating the same

Номер патента: US09508854B2. Автор: Arnab Biswas,Mihai Adrian Ionescu,Nilay DAGTEKIN. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2016-11-29.

Fin field effect transistor (FinFET) device with controlled end-to-end critical dimension and method for forming the same

Номер патента: US09508719B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin,Jr-Jung LIN,Chang-Yin Chen,Tung-Wen CHENG,Chun-Lung NI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Memory cell and methods thereof

Номер патента: WO2019081117A1. Автор: Johannes Ocker,Marko Noack,Rolf Jähne,Stefan Ferdinand Müller. Владелец: Ferroelectric Memory GmbH. Дата публикации: 2019-05-02.

Memory cell and methods thereof

Номер патента: EP3701562A1. Автор: Johannes Ocker,Marko Noack,Rolf Jähne,Stefan Ferdinand Müller. Владелец: Ferroelectric Memory GmbH. Дата публикации: 2020-09-02.

Field-effect transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US7825493B2. Автор: Keiji Ikeda. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-11-02.

Field effect transistor and method for fabricating field effect transistor

Номер патента: US20160013272A1. Автор: Yi Chuen Eng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-01-14.

Field-effect transistor and method for fabricating the same

Номер патента: EP1763084A3. Автор: Keiji Ikeda. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-07-01.

Forming a combination of long channel devices and vertical transport fin field effect transistors on the same substrate

Номер патента: US20190334033A1. Автор: Chen Zhang,CHENG Chi,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-31.

Switch comprising a field effect transistor and integrated circuit

Номер патента: US10582580B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-03-03.

Field-Effect Transistor and Method for Producing a Field-Effect Transistor

Номер патента: US20100308404A1. Автор: Rainer Minixhofer,Verena Vescoli,Jong Mun Park. Владелец: austriamicrosystems AG. Дата публикации: 2010-12-09.

Field-effect transistors with self-aligned p-shield contacts

Номер патента: EP4415051A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-14.

Field-effect transistors with a high-temperature hardmask and self-aligned p-type buried shield

Номер патента: EP4411823A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Substrate of semiconductor device and fabrication method thereof as well as semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20020014626A1. Автор: Hisashi Ohtani,Shunpei Yamazaki,Satoshi Teramoto,Setsuo Nakajima,Toshiji Hamatani. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2002-02-07.

Systems and devices including fin transistors and methods of using, making, and operating the same

Номер патента: EP2245658A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-11-03.

Systems and devices including fin transistors and methods of using, making, and operating the same

Номер патента: WO2009105315A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2009-08-27.

Substrate of semiconductor device and fabrication method thereof as well as semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20050032339A1. Автор: Hisashi Ohtani,Shunpei Yamazaki,Satoshi Teramoto,Setsuo Nakajima,Toshiji Hamatani. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-10.

Field-effect transistor and method for producing a field-effect transistor

Номер патента: WO2009060078A1. Автор: Rainer Minixhofer,Verena Vescoli,Jong Mun Park. Владелец: austriamicrosystems AG. Дата публикации: 2009-05-14.

Semiconductor device comprising a field effect transistor and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09917163B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-13.

Array substrate, fabrication method thereof and display device

Номер патента: US09859350B2. Автор: Yongqian Li,Cuili Gai,Longyan Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device comprising a field effect transistor and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09608070B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-28.

Fin structure of semiconductor device

Номер патента: US09472652B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Yen-Yu Chen,Ling-Yen Yeh,Chi-Yuan Shih,Hung-Yao Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Nanowire Field Effect Transistor Detection Device and the Detection Method thereof

Номер патента: US20190206990A1. Автор: Chii Dong CHEN,Li Chu TSAI,Chia Jung CHU,Ying Pin WU. Владелец: Academia Sinica. Дата публикации: 2019-07-04.

Method for introducing channel stress and field effect transistor fabricated by the same

Номер патента: US20120032239A1. Автор: Xing Zhang,Ru Huang,Xia An,Quanxin Yun. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-02-09.

Junction field-effect transistors

Номер патента: US20240234498A9. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Forming a combination of long channel devices and vertical transport fin field effect transistors on the same substrate

Номер патента: US20190341489A1. Автор: Chen Zhang,CHENG Chi,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-11-07.

Fdsoi device structure and preparation method thereof

Номер патента: US20220093799A1. Автор: Nan Li,Zhonghua Li,Jianghua LENG,Tianpeng Guan,Runling Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Field-effect transistors with a high-temperature hardmask and self-aligned p-shield

Номер патента: US20240258421A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Field-effect transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US8187957B2. Автор: Keiji Ikeda. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-05-29.

Forming a combination of long channel devices and vertical transport fin field effect transistors on the same substrate

Номер патента: US20180337278A1. Автор: Chen Zhang,CHENG Chi,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-22.

Forming a combination of long channel devices and vertical transport fin field effect transistors on the same substrate

Номер патента: US20180269320A1. Автор: Chen Zhang,CHENG Chi,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

High-mobility bulk silicon pfet fabrication method

Номер патента: EP1792346B1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak,Louis D. c/o IBM United Kingdom Limited LANZEROTTI. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-06-13.

Field-effect transistors with self-aligned p-shield contacts

Номер патента: US20240274712A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Low-voltage flash memory integrated with a vertical field effect transistor

Номер патента: EP4226424A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-08-16.

Display substrate, preparation method thereof, and display panel

Номер патента: US12057457B2. Автор: Zhihai ZHANG,Kui Gong,Xianxue Duan,Haifeng Cui,Tianzhen LIU. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Multiple-layer spacers for field-effect transistors

Номер патента: US09947769B1. Автор: TAO Han,Zhenyu Hu,Jinping Liu,Jianwei PENG,Hsien-Ching Lo. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Oxide thin film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US09941410B2. Автор: JongUk BAE. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

UV mask and fabrication method thereof

Номер патента: US09638845B2. Автор: Sung Hun Song. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Field effect transistor having delay element with back gate

Номер патента: US09520391B1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak,Myung-Hee Na,Terence B. Hook. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Method for producing a field effect transistor including forming a gate after forming the source and drain

Номер патента: US09502566B2. Автор: Perrine Batude,Claire Fenouillet-Beranger. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-11-22.

Field-effect transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US11329161B2. Автор: Su Xing,Chung Yi Chiu,Hai Biao Yao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-05-10.

Nanowire field effect transistor detection device and the detection method thereof

Номер патента: US10784343B2. Автор: Chii Dong CHEN,Li Chu TSAI,Chia Jung CHU,Ying Pin WU. Владелец: Academia Sinica. Дата публикации: 2020-09-22.

Fin field effect transistors having a nitride containing spacer to reduce lateral growth of epitaxially deposited semiconductor materials

Номер патента: US20140264387A1. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Thomas N. Adam,Paul C. Jamison. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

MOS field effect transistor and manufacture method therefor

Номер патента: US20060157793A1. Автор: Masashi Shima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-07-20.

Semiconductor Device and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20080079098A1. Автор: Ji Ho Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-04-03.

Field effect transistor including silicon oxide film and nitrided oxide film as gate insulator film and manufacturing method thereof

Номер патента: US5554876A. Автор: Shigeru Kusunoki,Masahide Inuishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-09-10.

Electrolyte-based field effect transistor and associated method of fabrication

Номер патента: EP4117049A1. Автор: Sami Oukassi,Ngoc-Anh Nguyen. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-01-11.

Three-dimensional memory device containing peripheral circuit with fin and planar field effect transistors and method of making thereof

Номер патента: US20240371760A1. Автор: Mohan DUNGA,Satoru Mayuzumi,Sudarshan Narayanan. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Protected sensor field effect transistors

Номер патента: US09857329B2. Автор: Raymond M. Roop,Md M. Hoque,Weize Chen,Patrice M. Parris,Richard J. De Souza,Jose FERNANDEZ VILLASENOR,David E. Niewolny. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Tunnel field-effect transistor

Номер патента: US09853102B2. Автор: Teng-Chun Tsai,De-Fang Chen,Li-Ting Wang,Hung-Ta Lin,Chien-Hsun Wang,Cheng-Tung Lin,Chih-tang Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Array substrate and fabrication method thereof and display device

Номер патента: US09804463B2. Автор: Qi Yao,Zhanfeng CAO,Xiaoyang Tong. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Protected sensor field effect transistors

Номер патента: US09494550B1. Автор: Raymond M. Roop,Md M. Hoque,Weize Chen,Patrice M. Parris,Richard J. De Souza,Jose FERNANDEZ VILLASENOR,David E. Niewolny. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-11-15.

Array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09437487B2. Автор: Shi Shu,Feng Zhang,Feng Gu,Fang He,Yaohui GU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US09418896B2. Автор: Kang-ill Seo,Jin-Wook Lee,Yong-min Cho,Hyun-Jae Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-16.

Transistor, method of manufacturing the transistor, and electronic device including the transistor

Номер патента: US09412769B2. Автор: Kyoung-seok SON,Tae-Sang Kim,Sun-Jae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-09.

Field-effect transistor manufacturing method

Номер патента: RU2706296C1. Автор: Юкико АБЕ,Наоюки УЕДА,Юки НАКАМУРА,Синдзи МАЦУМОТО,Юдзи СОНЕ,Риоити САОТОМЕ,Саданори АРАЕ,Минехиде КУСАЯНАГИ. Владелец: РИКОХ КОМПАНИ, ЛТД.. Дата публикации: 2019-11-15.

N-type fin field-effect transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US9929267B2. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

N-type fin field-effect transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20160322494A1. Автор: YONG Li. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-11-03.

Vertical transport field-effect transistors with uniform threshold voltage

Номер патента: US20200119010A1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor device including poly-silicon junction field-effect transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US12034084B2. Автор: Young Bae Kim. Владелец: Sk Keyfoundry Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Three-dimensional memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240251564A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Electrolyte-based field effect transistor and associated method of fabrication

Номер патента: US20230008734A1. Автор: Sami Oukassi,Ngoc-Anh Nguyen. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-01-12.

Thin film transistor, fabricating method thereof, array substrate and display device

Номер патента: US09754970B2. Автор: Jiangbo Chen,Dongfang Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Static random access memory using vertical transport field effect transistors

Номер патента: US11956939B2. Автор: Tao Li,Albert M. Young,Tsung-Sheng KANG,Ardasheir Rahman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Static random access memory using vertical transport field effect transistors

Номер патента: US20230217639A1. Автор: Tao Li,Albert M. Young,Tsung-Sheng KANG,Ardasheir Rahman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-07-06.

Gate-last ferroelectric field effect transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US11996454B2. Автор: Min Liao,Yichun ZHOU,Binjian ZENG,Jiajia LIAO,Qiangxiang PENG,Yanwei HUAN. Владелец: XIANGTAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-05-28.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20140035049A1. Автор: Hui-min Huang,Ta-Hsun Yeh,Yuh-Sheng Jean. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2014-02-06.

Method of forming source and drain of field-effect-transistor and structure thereof

Номер патента: SG144827A1. Автор: Tan Shyue Seng,Lee Jae Gon,TEO Lee Wee,Mishra Shailendra,Henry K Utomo. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-08-28.

Semiconductor stacking layer and fabricating method thereof

Номер патента: US8188470B2. Автор: Chih-Yuan Hou. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-05-29.

Complementary field-effect transistors

Номер патента: US20210210349A1. Автор: Alexander Reznicek,Jingyun Zhang,Ruilong Xie,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-07-08.

Three-dimensional memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12063787B2. Автор: Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor stacking layer and fabricating method thereof

Номер патента: US20120202339A1. Автор: Chih-Yuan Hou. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-08-09.

Semiconductor stacking layer and fabricating method thereof

Номер патента: US20100258800A1. Автор: Chih-Yuan Hou. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2010-10-14.

Vertical pillar-type field effect transistor and method

Номер патента: US20180226503A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-08-09.

Display substrate, fabricating method thereof and display device

Номер патента: US20200119052A1. Автор: LU Wang,Guangcai Yuan,Yang Lv,Jianhua Du,Feng Guan,Zhaohui QIANG,Woobong Lee. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Rc-igbt device and preparation method thereof

Номер патента: US20240347620A1. Автор: WEI Hu,Liang Shi,Xiaofeng Qin. Владелец: Chongqing Alpha And Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Three-dimensional memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240357828A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Field effect transistor memory device

Номер патента: US09960175B2. Автор: Xiaogan Liang,Mikai Chen,Hongsuk Nam,Sungjin Wi. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2018-05-01.

Vertical pillar-type field effect transistor and method

Номер патента: US09947793B1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Fin field effect transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US09847330B2. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Commonly-bodied field-effect transistors

Номер патента: US09818652B1. Автор: Ping-Chuan Wang,Chengwen Pei,Kai D. Feng. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Coating liquid for forming metal oxide film, metal oxide film, field-effect transistor, and method for producing field-effect transistor

Номер патента: US09748097B2. Автор: Shinji Matsumoto,Yuki Nakamura,Yuji Sone,Yukiko Abe,Naoyuki Ueda,Ryoichi SAOTOME,Sadanori ARAE,Mikiko Takada. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Fin-type field effect transistor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09530887B1. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Stacked complementary field effect transistor (cfet) and method of manufacture

Номер патента: WO2024015154A1. Автор: Xia Li,Bin Yang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-01-18.

Field-effect transistors with diffusion blocking spacer sections

Номер патента: US20200287019A1. Автор: Hong Yu,George R. Mulfinger,Jianwei PENG,Man Gu,Michael Aquilino. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-09-10.

Stacked complementary field effect transistor (cfet) and method of manufacture

Номер патента: US20240021586A1. Автор: Xia Li,Bin Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Field-effect transistor

Номер патента: US11799031B2. Автор: Su Xing,Chung Yi Chiu,Hai Biao Yao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Sige source/drain structure and preparation method thereof

Номер патента: US20180158951A1. Автор: Qiang Yan,Jun Tan,Qiuming Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-06-07.

Single event transient hardened majority carrier field effect transistor

Номер патента: US20090230440A1. Автор: Keith Golke,James Seefeldt, III. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2009-09-17.

Methods of Forming Field Effect Transistors on Substrates

Номер патента: US20130230957A1. Автор: Sanh D. Tang,Robert J. Hanson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-05.

Amorphous boron nitride film, semiconductor device and field effect transistor including same, and method of manufacturing boron nitride film

Номер патента: US20240242965A1. Автор: Jaewon Kim,Minsu Kim,Taehoon Kim,Hyeonjin Shin,Taejin CHOI,Hyeonsuk Shin,Van Luan NGUYEN. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Photosensitive field-effect transistor including a two-dimensional material

Номер патента: EP3707754A1. Автор: Mark Allen,Alexander Bessonov. Владелец: EMBERION OY. Дата публикации: 2020-09-16.

Photosensitive field-effect transistor including a two-dimensional material

Номер патента: WO2019092313A1. Автор: Mark Allen,Alexander Bessonov. Владелец: EMBERION OY. Дата публикации: 2019-05-16.

Field-effect transistors formed using a wide bandgap semiconductor material

Номер патента: EP4404270A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-24.

Field-effect transistors formed using a wide bandgap semiconductor material

Номер патента: US20240250126A1. Автор: Francois Hebert. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor devices, fabrication methods thereof, 3d memories and memory devices

Номер патента: US20240292625A1. Автор: LAN Yao,Jie Yan,Quan Zhang,Boru Xie. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Electro-static discharge assembly, array substrate and fabrication method thereof, and display panel

Номер патента: US20180204830A1. Автор: Xiaodong Pan,Zhiming Hu,Chunxiang NAN,Chen Ting LIU. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-19.

Fabrication method of a memory and the memory

Номер патента: US12114482B2. Автор: Tao Liu,Jun Xia,Sen Li,Qiang Wan,Kangshu ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Igbt device and preparation method thereof

Номер патента: US20240363743A1. Автор: WEI Hu,Liang Shi,Xiaofeng Qin. Владелец: Chongqing Alpha And Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Fin-type field effect transistors with single-diffusion breaks and method

Номер патента: US09935104B1. Автор: Haiting Wang,Hong Yu,Wei Zhao,Hui Zang,Zhenyu Hu,Xusheng Wu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor and fabrication method thereof

Номер патента: US20040188723A1. Автор: Takashi Noguchi,Minoru Sugawara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-30.

Vertical type semiconductor device, fabrication method thereof and operation method thereof

Номер патента: US09508429B2. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Vertical type semiconductor device, fabrication method thereof and operation method thereof

Номер патента: US09508428B2. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Gate structure for field effect transistor

Номер патента: WO2009133515A1. Автор: Markus Mueller,Jasmine Petry,Guillaume Boccardi. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2009-11-05.

Semiconductor pressure sensor and fabrication method thereof

Номер патента: US09395258B2. Автор: Kimitoshi Sato. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Field effect transistor, method for manufacturing the same, and biosensor

Номер патента: US20110291075A1. Автор: Osamu Takahashi,Hiroaki Kikuchi,Motonori Nakamura,Tomoaki Yamabayashi,Agus Subagyo,Katsunori Kondo. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-01.

Semiconductor device having a field effect transistor and a method of manufacturing such a device

Номер патента: EP1151476A1. Автор: Johannus W. Weekamp,Erik C. E. Van Grunsven,Marc A. De Samber,Jacob Klerk,Johannes Bloos,Antonius W. J. P. Den Boer. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-11-07.

Junction field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2011053932A1. Автор: Andrew David Bain,Bernard Patrick Stenson,William Allan Lane,Patrick Martin McGuinness,Derek Frederick Bowers,Paul Malachy Daly,Anne Maria Deignan,Michael Thomas Dunbar. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2011-05-05.

Flat Panel Display Device with Oxide Thin Film Transistors and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20150079732A1. Автор: Ji Eun Chae,Tae Keun Lee. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-19.

Integration of field effect transistors and schottky diodes on a substrate

Номер патента: WO2024064145A1. Автор: Pierre Dermy. Владелец: Schottky Lsi, Inc.. Дата публикации: 2024-03-28.

Photonics chips including a fully-depleted silicon-on-insulator field-effect transistor

Номер патента: US20230038887A1. Автор: Yusheng Bian,George R. Mulfinger,Ryan Sporer. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Back-gate field-effect transistors and methods for making the same

Номер патента: WO2019148170A3. Автор: Denis Murphy,Samuel Fuller,Max SHULAKER,Tathagata Srimani,Yosi Stein. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor device having planar transistor and finfet

Номер патента: US20210043517A1. Автор: Chi-Cherng Jeng,Shiu-Ko Jangjian,Wei-Barn Chen,Ting-Huang Kuo,Kuang-Yao Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

Semiconductor device having planar transistor and finfet

Номер патента: US20200091004A1. Автор: Chi-Cherng Jeng,Shiu-Ko Jangjian,Wei-Barn Chen,Ting-Huang Kuo,Kuang-Yao Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-19.

MIS field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030211718A1. Автор: Akira Nishiyama,Masato Koyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-13.

Method of manufacturing field-effect transistor array by direct carbon nanotube printing and field effect transistor array manufactured by the same

Номер патента: US20240204078A1. Автор: Yoonhee Lee,Hongki KANG,Soohyun PARK,Minhye Shin. Владелец: DAEGU GYEONGBUK INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-06-20.

Fin field effect transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US09768170B2. Автор: Horng-Huei Tseng,Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Germanium-based sensor with junction-gate field effect transistor and method of fabricating thereof

Номер патента: US12148853B2. Автор: JHY-JYI SZE,Kuan-Chieh Huang,Yi-Shin Chu,Hsiang-Lin Chen,Yin-Kai Liao,Sin-Yi Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

Field-effect transistor having dual channels

Номер патента: US20200328211A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-15.

Wafer level package having a pressure sensor and fabrication method thereof

Номер патента: US20120001274A1. Автор: Shih-Kuang Chiu,Chien-An Chen,Hong-Da Chang,Chun-An Huang,Hsin-Yi Liao. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor structure and fabrication method thereof, and memory

Номер патента: US20230189518A1. Автор: Heng-Chia Chang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20170365514A1. Автор: Lan-Lin Chao,Chih-Ming Chen,Cheng-Yuan Tsai,Szu-Yu Wang,Han-Yu Chen,Chun-Han TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-21.

Wafer level package having a pressure sensor and fabrication method thereof

Номер патента: US9133021B2. Автор: Shih-Kuang Chiu,Chien-An Chen,Hong-Da Chang,Chun-An Huang,Hsin-Yi Liao. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-15.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12087583B2. Автор: Jen-Chou Huang,Shengan ZHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Ge/Si avalanche photodiode with integrated heater and fabrication method thereof

Номер патента: US09583664B2. Автор: Wang Chen,Su Li,Nai ZHANG,Dong Pan,Pengfei Cai,Mengyuan Huang,Tuo SHI,Liangbo Wang,Ching-yin Hong. Владелец: SiFotonics Technologies USA Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Memory device, and methods thereof

Номер патента: US20230371268A1. Автор: Stefan Ferdinand Müller. Владелец: Ferroelectric Memory GmbH. Дата публикации: 2023-11-16.

Fabrication of thin film effect transistor comprising an organic semiconductor and chemical solution deposited metal oxide gate dielectric

Номер патента: US5946551A. Автор: Sampath Purushothaman,Deborah Ann Neumayer,Christos Dimitrios Dimitrakopoulos,Peter Richard Duncombe,Bruce K. Furman,Robert B. Laibowitz. Владелец: Individual. Дата публикации: 1999-08-31.

Cobalt-carbon eutectic metal alloy ohmic contact for carbon nanotube field effect transistors

Номер патента: US20160181557A1. Автор: Matthew J. Walker,Andre E. Berghmans,Monica P. Lilly,Wayne S. MILLER,John X. Przybysz, SR.. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2016-06-23.

Layout structure of differential lines, memory storage device and memory control circuit unit

Номер патента: US20240312949A1. Автор: Yang-Tse Hung,Kang-Yun Yang,Chao-Cheng Ku,Li-Yuan Lee. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Stacked vertical field-effect transistors with sacrificial layer patterning

Номер патента: US20200303263A1. Автор: Chen Zhang,Oleg Gluschenkov,Kangguo Cheng,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

STRUCTURE OF A SEMICONDUCTOR CHIP WITH SUBSTRATE VIA HOLES AND METAL BUMPS AND A FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20140252602A1. Автор: HUA Chang-Hwang,Lin Chih-Hsien. Владелец: WIN SEMICONDUCTORS CORP.. Дата публикации: 2014-09-11.

Thin-film field-effect transistor with organic semiconductor requiring low operating voltages

Номер патента: US5981970A. Автор: Sampath Purushothaman,Deborah Ann Neumayer,Christos Dimitrios Dimitrakopoulos,Peter Richard Duncombe,Bruce K. Furman,Robert B. Laibowitz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1999-11-09.

Electrode structure of light emitting device

Номер патента: US09620678B2. Автор: Yun-Li Li,Shao-Hua Huang. Владелец: PlayNitride Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Dual flat package (DFN) structure of power metal-oxide-semiconductor field effect transistor (MOSFE) chip

Номер патента: CN102842550A. Автор: 杨小平,李国发,钟利强,胡乃仁. Владелец: Suzhou Good Ark Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-26.

Thin film encapsulation structure of AMOLED and manufacturing method thereof

Номер патента: US10964911B2. Автор: Xuwen CAO. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-30.

Memory device, peripheral circuit thereof and single-byte data write method thereof

Номер патента: US09805776B2. Автор: Yih-Lang Lin. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Thin film encapsulation structure of amoled and manufacturing mehtod thereof

Номер патента: US20200395572A1. Автор: Xuwen CAO. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

Semiconductor structure of work unit module

Номер патента: US20210050304A1. Автор: Wei-Cheng Yu,Wen-Tai Wang,Bo-Yan Li,Li-Ya TSENG. Владелец: Global Unichip Corp. Дата публикации: 2021-02-18.

Semiconductor structure of work unit module

Номер патента: US11037886B2. Автор: Wei-Cheng Yu,Wen-Tai Wang,Bo-Yan Li,Li-Ya TSENG. Владелец: Global Unichip Corp. Дата публикации: 2021-06-15.

Plasma etching method and semiconductor device fabrication method including the same

Номер патента: US12020903B2. Автор: Yonghee Kim,Minjae Lee,Dougyong Sung,SeungBo SHIM,Myungsun Choi,Byunghun Han,Donghyeon NA,Minyoung HUR,Hyeongmo KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Euv exposure apparatus, and overlay correction method and semiconductor device fabricating method using the same

Номер патента: US20210397079A1. Автор: Jeongjin Lee,Chan Hwang,Seungyoon LEE,Doogyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-23.

Euv exposure apparatus, and overlay correction method and semiconductor device fabricating method using the same

Номер патента: US20210333701A1. Автор: Jeongjin Lee,Chan Hwang,Seungyoon LEE,Doogyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-28.

Semiconductor wafer and semiconductor wafer fabrication method

Номер патента: US20190148127A1. Автор: Po-Jen Wang,Tsung-Han Tsai,Yao-Wen Hsu,Ching-Hung Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor device and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US20080042281A1. Автор: Kazuhide Abe. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-21.

Cap for a chip device having a groove, device provided with said cap, assembly consisting of the device and a wire element, and manufacturing method thereof

Номер патента: US09888573B2. Автор: Jean Brun,Dominique Vicard. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-02-06.

Layout structure of electronic element and testing method of the same thereof

Номер патента: US20140203828A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-07-24.

4H-SiC field effect photoelectric transistor based on pre-oxidation treatment technology and preparation method thereof

Номер патента: CN114678441A. Автор: 张玉明,袁昊,汤晓燕,宋庆文,田鸿昌,杜丰羽. Владелец: Shaanxi Semiconductor Pioneer Technology Center Co ltd. Дата публикации: 2022-06-28.

Memory device with vertical transistors and deep trench capacitors and fabricating method thereof

Номер патента: TW200411906A. Автор: Yu-Wei Ting,Chien-Chang Huang,Chin-Ling Huang,Tie-Jiang Wu,Bo-Ching Jiang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-07-01.

TRANSISTOR ARRAY PANEL, INCLUDING A SOURCE CONNECTING MEMBER AND A DRAIN CONNECTING MEMBER MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20200083308A1. Автор: Kwon Hyuk Soon. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-12.

Visible light communication LED having a spiral inductance coil and a circle core and preparation method thereof

Номер патента: US20180103516A1. Автор: HUANG Jing,Liu Yang,Huang Yong,Sun Jie,YANG Xian,Guo Zhiyou,SHUN Huiqing,HUANG Hongyong,ZHANG Zhuding. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-12.

Multivibrator employing field effect devices as transistors and voltage variable resistors in integrated semiconductive structure

Номер патента: US3134912A. Автор: Arthur D Evans. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1964-05-26.

Plasma etching method and semiconductor device fabrication method including the same

Номер патента: US20210104382A1. Автор: Yonghee Kim,Minjae Lee,Dougyong Sung,SeungBo SHIM,Myungsun Choi,Byunghun Han,Donghyeon NA,Minyoung HUR,Hyeongmo KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-08.

SEMICONDUCTOR APPARATUS HAVING ELECTRICAL CONNECTIONS WITH THROUGH-VIA AND A METAL LAYER AND STACKING METHOD THEREOF

Номер патента: US20160163678A1. Автор: PARK Min Su. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-09.

Lateral bipolar field effect mode hybrid transistor and method for the same

Номер патента: TW367595B. Автор: Anders Shederberg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 1999-08-21.

Lateral bipolar field effect mode hybrid transistor and method for the same

Номер патента: CA2271313A1. Автор: Anders Soderbarg. Владелец: Individual. Дата публикации: 1998-05-22.

Light emitting diode having an adhesive layer and a reflective layer and manufacturing method thereof

Номер патента: KR100574339B1. Автор: 리우웬-후앙,쳉쭈-펭,시에민-순,예팅-웨이,왕쩬-수에이. Владелец: 에피스타 코포레이션. Дата публикации: 2006-04-26.

Semiconductor device substrate and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US20020064899A1. Автор: Itaru Matsuo,Hiroshi Ryu,Kayo Miyamura. Владелец: Renesas Semiconductor Engineering Corp. Дата публикации: 2002-05-30.

Organic field-effect transistor and fabrication method therefor

Номер патента: US20230093494A1. Автор: Hong Meng,Xinwei Wang,Lin Ai,Yuhao SHI. Владелец: Peking University Shenzhen Graduate School. Дата публикации: 2023-03-23.

Integrated structure of mems device and cmos image sensor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20100148283A1. Автор: Hui-Shen Shih. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2010-06-17.

Structure of backside copper metallization for semiconductor devices and a fabrication method thereof

Номер патента: US09548276B2. Автор: Jason Chen,Chang-Hwang Hua,Wen Chu. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Structure of heterojunction photoelectric converter with anti-epitaxial sub-layer

Номер патента: RU2675069C1. Автор: Алексей Валерьевич Кукин,Дмитрий Александрович Андроников,Алексей Станиславович Абрамов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Хевел", ООО "Хевел". Дата публикации: 2018-12-14.

Method for forming local buried dielectric insulation region of active part of transistors with three-dimensional structure of shell (finfet)

Номер патента: RU2670248C1. Автор: Владимир Александрович Нагнойный,Глеб Владимирович Баранов. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт молекулярной электроники". Дата публикации: 2018-10-19.

Display panel, fabricating method thereof and display device

Номер патента: US20200373368A1. Автор: LIANG Fang,Ding Ding. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-26.

Integrated structure of mems device and cmos image sensor device

Номер патента: US20110006350A1. Автор: Hui-Shen Shih. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2011-01-13.

Integrated structure of MEMS device and CMOS image sensor device

Номер патента: US8134192B2. Автор: Hui-Shen Shih. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-03-13.

Fin-type field effect transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09455255B2. Автор: Shuai ZHANG,Shaofeng Yu,Jianhua Ju. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Image sensor pixel and fabrication method thereof

Номер патента: EP1900029A1. Автор: Cheol Soo Park. Владелец: Siliconfile Technologies Inc. Дата публикации: 2008-03-19.

Array substrate and fabrication method thereof, and display panel

Номер патента: US09929184B2. Автор: Seungjin Choi,Youngjin Song. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Amorphous silicon photoelectric device and fabricating method thereof

Номер патента: US09741893B2. Автор: Xu Chen,Shaoying Xu,Zhenyu Xie. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Electroluminescence display device and fabrication method thereof

Номер патента: US09508779B2. Автор: Yuxin Zhang,Hongfei Cheng. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Substrate structure and the fabrication method thereof

Номер патента: US20060286485A1. Автор: Joseph Cheng. Владелец: Boardtek Electronics Corp. Дата публикации: 2006-12-21.

Cover plate and fabricating method thereof, display panel and display device

Номер патента: US20200052241A1. Автор: Wei Li,WEI Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Fin-shaped field effect transistor and capacitor structures

Номер патента: US09941271B2. Автор: Akira Ito,Changyok Park,Shom Surendran PONOTH. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Tunneling nanotube field effect transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09735362B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Display substrate and fabricating method thereof, display panel, and display device

Номер патента: US09472578B2. Автор: Yunfei Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Inductor structure having conductive sheets having fan plate shape arranged in ring structure and fabrication method thereof, electronic package and fabrication method thereof, and method for fabricating packaging carrier

Номер патента: US12062685B2. Автор: Shih-Ping Hsu. Владелец: Phoenix Pioneer Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Fingerprint identification substrate and fabrication method thereof, display panel and display apparatus

Номер патента: US20180307887A1. Автор: WEI Liu,Xue Dong,Rui Xu,Haisheng Wang,Yingming Liu,Changfeng LI,Xueyou CAO,Xiaoliang DING,Jing LV,Lijun Zhao,Pengpeng Wang,Yanling Han,Yuzhen GUO,Yanan Jia,chun wei Wu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Power switch circuit, IC structure of power switch circuit, and method of forming IC structure

Номер патента: US11855619B2. Автор: Ting-Wei Chiang,Pin-Dai Sue,Chien-Chi TIEN,Tzung-Yo HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Field effect transistor and solid state image pickup device

Номер патента: US20070290238A1. Автор: Satoru Adachi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-12-20.

Mask and fabricating method thereof, and displaying base plate and fabricating method thereof

Номер патента: US20220149282A1. Автор: Pengcheng LU,Yunlong Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-12.

Organic field effect transistor and method for producing the same

Номер патента: US09899616B2. Автор: Karl Leo,Alexander Zakhidov,Bjoern Luessem,Hans Kleeman. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2018-02-20.

Integrated circuits with varying gate structures and fabrication methods

Номер патента: US09576952B2. Автор: Richard J. Carter,Manfred Eller,Srikanth Balaji Samavedam,Manoj Joshi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Electrical interconnection structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09490210B2. Автор: ZHONGSHAN Hong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Power switch circuit, ic structure of power switch circuit, and method of forming ic structure

Номер патента: US20240056074A1. Автор: Ting-Wei Chiang,Pin-Dai Sue,Chien-Chi TIEN,Tzung-Yo HUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

A Method for Producing an Organic Field Effect Transistor and an Organic Field Effect Transistor

Номер патента: US20160049603A1. Автор: Karl Leo,Hans Kleemann,Bjoern Luessem,Alrun Guenther. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2016-02-18.

Circuit structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12133337B2. Автор: Yi Hung Lin,Li-Wei Sung. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Method for producing an organic field effect transistor and an organic field effect transistor

Номер патента: US09978967B2. Автор: Karl Leo,Hans Kleemann,Alexander Zakhidov,Bjoern Luessem. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2018-05-22.

Method for producing an organic field effect transistor and an organic field effect transistor

Номер патента: US09722196B2. Автор: Karl Leo,Hans Kleemann,Alexander Zakhidov,Bjoern Luessem. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2017-08-01.

Method for producing an organic field effect transistor and an organic field effect transistor

Номер патента: US09705098B2. Автор: Karl Leo,Hans Kleemann,Bjoern Luessem,Alrun Guenther. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2017-07-11.

Optoelectronic device comprising a light-emitting component and a transistor

Номер патента: US20180350870A1. Автор: Matthew Charles,Ivan-Christophe Robin,Hubert Bono,Erwan Morvan,Rene Escoffier,Thierry Bouchet. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-12-06.

Super-saturation current field effect transistor and trans-impedance mos device

Номер патента: US20200027880A1. Автор: Susan Marya SCHOBER,Robert C. Schober. Владелец: Circuit Seed LLC. Дата публикации: 2020-01-23.

Optoelectronic device comprising a light-emitting component and a transistor

Номер патента: US10497743B2. Автор: Matthew Charles,Ivan-Christophe Robin,Hubert Bono,Erwan Morvan,Rene Escoffier,Thierry Bouchet. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2019-12-03.

Active layer and method for preparing the same, organic field-effect transistor and array substrate

Номер патента: US20170012210A1. Автор: Hongpeng LI. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-12.

Invisible light flat plate detector and manufacturing method thereof, imaging apparatus

Номер патента: US09705024B2. Автор: FENG Jiang,Xingdong LIU,Chungchun LEE. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Combination positive temperature coefficient resistor and metal-oxide semiconductor field-effect transistor devices

Номер патента: EP1105922A1. Автор: Thomas J. Dougherty. Владелец: Johnson Controls Technology Co. Дата публикации: 2001-06-13.

Combination positive temperature coefficient resistor and metal-oxide semiconductor field-effect transistor devices

Номер патента: WO2000010203A1. Автор: Thomas J. Dougherty. Владелец: Johnson Controls Technology Company. Дата публикации: 2000-02-24.

Sensor packaging structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180366381A1. Автор: Yangyuan LI,Shaobo DING. Владелец: Microarray Microelectronics Corp ltd. Дата публикации: 2018-12-20.

Integrated circuits with metal-titanium oxide contacts and fabrication methods

Номер патента: US20160079168A1. Автор: Hoon Kim,Guillaume Bouche,Andy Wei,Kisik Choi,Hiroaki Niimi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-03-17.

Package substrate and fabricating method thereof

Номер патента: US20240282590A1. Автор: Min-Yao CHEN,Andrew C. Chang. Владелец: Aaltosemi Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Array substrate and fabrication method thereof, display device and driving method thereof

Номер патента: US09928801B2. Автор: Xin Gu,Jaegeon You. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor package structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09911702B2. Автор: Kuang-Hsiung Chen,Tien-Szu Chen,Sheng-Ming Wang,Yu-Ying Lee. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Carrier, semiconductor package and fabrication method thereof

Номер патента: US09899237B2. Автор: Shih-Kuang Chiu,Meng-Tsung Lee,Chiang-Cheng Chang,Jung-Pang Huang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09893098B2. Автор: Jian Guo. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Ultra-thin power transistor and synchronous buck converter having customized footprint

Номер патента: US09779967B2. Автор: Jonathan A Noquil,Juan A Herbsommer,Osvaldo J Lopez. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Array substrate and fabricating method thereof, and display apparatus

Номер патента: US09696580B2. Автор: Tian Yang,Yanbing WU,Wenbo Li,Chunyan JI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09466624B2. Автор: Jian Guo. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Ferroic sensor having tini-film field-effect transistor and ferroic layer applied to substrate

Номер патента: US8461636B2. Автор: Sigurd Wagner,Martin Kaltenbrunner,Siegfried Bauer,Reinhard Schwödiauer,Ingrid Graz,Christoph Keplinger,Stéphanie Perichon Lacour. Владелец: UNIVERSITAET LINZ. Дата публикации: 2013-06-11.

Wafer-level package structure of light emitting diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US8445919B2. Автор: Wei Wang,Wenbin Wang,Junjie Li,Guoqing Yu,Qiuhong Zou. Владелец: China Wafer Level CSP Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-21.

One time programming memory cell with fin field-effect transistor using physically unclonable function technology

Номер патента: US20240021256A1. Автор: Lun-Chun Chen,Ping-Lung Ho. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor package structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240057349A1. Автор: Ling-Yi Chuang,Kaimin Lv. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Methods of forming an array of flash field effect transistors and circuitry peripheral to such array

Номер патента: US20030235963A1. Автор: Mark Helm,Roger Lindsay. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-12-25.

Laser firing apparatus for high efficiency solar cell and fabrication method thereof

Номер патента: WO2010077018A2. Автор: Jong-Hwan Kim,Hwa-Nyeon Kim,Ju-Hwan Yun. Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2010-07-08.

Pentacene active layer and a method for preparing the same

Номер патента: US9887362B2. Автор: Hongpeng LI. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor structures and fabrication method thereof, memory device and memory system

Номер патента: US20240355736A1. Автор: Min WEN,Zhen Pan,Chengbao Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Display substrate and fabricating method thereof, and system for fabricating display substrate and display device

Номер патента: US09905762B2. Автор: ZHEN Wang. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Pentacene active layer and a method for preparing the same

Номер патента: US09887362B2. Автор: Hongpeng LI. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Composite film and fabrication method thereof, photoelectric element and photoelectric apparatus

Номер патента: US09828544B2. Автор: Chen Tang,Jingxia Gu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Organic thin film transistor array substrate and fabrication method thereof

Номер патента: US09716135B2. Автор: Hongyuan Xu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device using EMC wafer support system and fabricating method thereof

Номер патента: US09627368B2. Автор: Doo Hyun Park,Jin Young Kim,Ju Hoon Yoon,Seong Min Seo,Choon Heung Lee,Glenn Rinne. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

TN-type array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09620535B2. Автор: Song Wu,Jieqiong Bao. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Front electrode with layer of thin metal film and high-work function buffer layer for use in photovoltaic device and production method thereof

Номер патента: RU2435251C2. Автор: Алексей КРАСНОВ. Владелец: Гардиан Индастриз Корп.. Дата публикации: 2011-11-27.

Array substrate having detection line structures between rows of sub-pixels and detection method thereof, and display panel having the same

Номер патента: US12022713B2. Автор: MENG Li,Zhidong Yuan,Yongqian Li,Can Yuan. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Hybrid integrated optical device and fabrication method thereof

Номер патента: US20140023313A1. Автор: Hyun Soo Kim,Mi-Ran Park,O-Kyun Kwon,Jong Sool Jeong,Byungseok CHOI. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2014-01-23.

Evaporating concave-convex platform structure of vapor chamber and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240155810A1. Автор: Chih-Wei Chen,Pang-Hung Liao. Владелец: Jws Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Thin film transistor array substrate and fabricating method thereof

Номер патента: US20100001286A1. Автор: Chih-Chieh Wang,Yao-Hong Chien,Xuan-Yu Liu,Li-Shan Chen. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2010-01-07.

Pixel structure of cmos image sensor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150295002A1. Автор: Xiaoxu KANG,Yuhang Zhao. Владелец: Shanghai IC R&D Center Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-15.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US8860003B2. Автор: Jae Min Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-14.

Electronic Package Device and Fabrication Method Thereof, Method for Testing Electronic Package Device

Номер патента: US20160056381A1. Автор: Dan Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-25.

Stacked semiconductor package and fabricating method thereof

Номер патента: US20030075788A1. Автор: Un-Young Chung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-24.

Multi-chip stack structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20080224289A1. Автор: Cheng-Hsu Hsiao,Chien-Ping Huang,Chin-Huang Chang,Chung-Lun Liu,Jung-Pin Huang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-18.

Package structure of optical communication module and preparation method

Номер патента: EP4411805A1. Автор: Wenqi Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Organic light emitting diode display panel, fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09972665B2. Автор: Ze Liu,Huifeng Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Electronic package device for testing a package effect of the device, fabrication method thereof and method for testing electronic package device

Номер патента: US09882133B2. Автор: Dan Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Organic semiconductor element, fabrication method thereof, woven and non-woven fabric structures therewith, and semiconductor device therewith

Номер патента: US09733209B2. Автор: Kang Eun LEE,Young Seok Oh,Jea Uk Lee,Moon Kwang Um,Dong Gi Seong,Byung Mun JUNG,Won Oh Lee. Владелец: Korea Institute of Machinery and Materials KIMM. Дата публикации: 2017-08-15.

Pixel structure of CMOS image sensor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09305951B2. Автор: Xiaoxu KANG,Yuhang Zhao. Владелец: Shanghai IC R&D Center Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-05.

Organic luminescent substrate, preparation method thereof, display apparatus, and display driving method

Номер патента: US20200266393A1. Автор: Yingsong XU,Nan Zhao,Guoqiang Tang. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-20.

Self-adjusting gate bias network for field effect transistors

Номер патента: WO2010029186A1. Автор: Roland Gesche,Armin Liero,Silvio Kuehn,M. Ibrahim Khalil. Владелец: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.. Дата публикации: 2010-03-18.

N-type monocrystalline silicon double-sided solar cell and preparation method thereof

Номер патента: AU2022291551A1. Автор: Kun Hou,Gongqing ZHOU,Shixiang Tan,Taosheng YUAN. Владелец: Tongwei Solar Meishan Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Flexible substrate and fabrication method thereof, and flexible display apparatus

Номер патента: US20200381639A1. Автор: Dawei Wang,Weifeng ZHOU,Mingche HSIEH,Hejin WANG,Shanchen Kao. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-03.

Packaging structure of semiconductor chip and formation method thereof

Номер патента: US12119308B2. Автор: Honghui Wang,Xiaoyong MIAO. Владелец: Tongfu Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Contact via structure and fabricating method thereof

Номер патента: US09978677B2. Автор: Ji Quan LIU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Interconnection structure, fabricating method thereof, and exposure alignment system

Номер патента: US09646865B1. Автор: Qiang Zhang,Bin Xing,Jing An Hao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Structure of an embedded channel write/erase flash memory cell and fabricating method thereof

Номер патента: US20030003660A1. Автор: Ching-Hsiang Hsu,Ching-Sung Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-02.

Display panel and fabricating method thereof, and displaying device

Номер патента: US20220157892A1. Автор: NA Li,Fei Chen,Myoungsoo Lee,Haijun Qiu,Chao Kong,Jibum Yang,Euiku LEE,Meishan XU. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Piezoelectric element, piezoelectric vibrator and manufacturing method thereof, and electronic device

Номер патента: US20220165931A1. Автор: YuJu CHEN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-26.

High-voltage-withstanding semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20080111192A1. Автор: Osamu Koike. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-15.

CMOS Device for Reducing Charge Sharing Effect and Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20130161757A1. Автор: DONG Yang,Xing Zhang,Ru Huang,Fei Tan,Xia An,Qianqian Huang. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-06-27.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20240194594A1. Автор: Min-Teng Chen. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Display substrate, fabrication method thereof and display panel

Номер патента: US20220344420A1. Автор: Yi Zhang,Shun Zhang,Ping Wen,Fengli JI,Yuanqi ZHANG,Yongjie SONG. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-27.

Array substrate, fabricating method thereof, and display device

Номер патента: US10978542B2. Автор: Kan Wang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-13.

Organic Resistive Random Access Memory and a Preparation Method Thereof

Номер патента: US20160049604A1. Автор: Yimao Cai,Ru Huang,Yichen FANG,Zongwei Wang,Wenliang Bai,Yefan Liu. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-02-18.

Semiconductor chip, semiconductor package and fabricating method thereof

Номер патента: US20160005697A1. Автор: Seok-Ha Lee,Hyun-Pil Noh,Jeong-Woon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-01-07.

Display substrate and fabricating method thereof, and display device

Номер патента: US20170207420A1. Автор: Kun Li,Chun Ye,Yuting YANG,Shancai ZHANG. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-20.

Semiconductor Device and Fabrication Method thereof

Номер патента: US20200303380A1. Автор: Chen-Chih WANG,Yeu-Yang WANG. Владелец: Hexas Technology Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Array substrate and fabrication method thereof, display panel

Номер патента: US20220285466A1. Автор: Ming Liu,Qiuhua Meng. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Oled and fabrication method thereof, and display apparatus

Номер патента: US20160141343A1. Автор: Wenyu Ma. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-19.

Array substrate motherboard, display panel motherboard, and fabricating method thereof

Номер патента: WO2017161893A1. Автор: Wei Li,ZHI Li,Namin Kwon,Bin Cao,Jiaxin Yu,Fengwu YU,Jinhu CAO,Minghui MA,Xinlei CAO,Enke GUO. Владелец: BEIJING BOE DISPLAY TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2017-09-28.

Array substrate, fabricating method thereof, and display device

Номер патента: US20200335568A1. Автор: Kan Wang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-22.

Pixel structure and fabricating method thereof

Номер патента: US8030652B2. Автор: Shih-Chin Chen,Ming-Hung Shih. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2011-10-04.

Organic light-emitting display panel, fabrication method thereof, and display apparatus

Номер патента: US20180138252A1. Автор: Yuji HAMADA,Shuang CHENG,Jinghua NIU,Xiangcheng Wang. Владелец: Shanghai Tianma AM OLED Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-17.

Wafer-level package structure of light emitting diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130228817A1. Автор: Wei Wang,Wenbin Wang,Junjie Li,Guoqing Yu,Qiuhong Zou. Владелец: China Wafer Level CSP Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-05.

Organic electroluminescence display substrate and fabrication method thereof, display panel and display device

Номер патента: US10454073B2. Автор: Guang YAN,Xing Fan. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-22.

Organic Electroluminescence Display Substrate and Fabrication Method Thereof, Display Panel and Display Device

Номер патента: US20190019991A1. Автор: Guang YAN,Xing Fan. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-17.

Array substrate for liquid crystal display device and fabrication method thereof

Номер патента: US8178881B2. Автор: Jae Young Oh,Soopool Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-15.

Epitaxial structure of light-emitting device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240072204A1. Автор: Kai Cheng,Weihua Liu. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Array substrate motherboard, display panel motherboard, and fabricating method thereof

Номер патента: EP3433670A1. Автор: Wei Li,ZHI Li,Namin Kwon,Bin Cao,Jiaxin Yu,Fengwu YU,Jinhu CAO,Minghui MA,Xinlei CAO,Enke GUO. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-30.

Display apparatus and fabricating method thereof

Номер патента: US09978728B2. Автор: Chun-Hsien Lin,Tsau-Hua Hsieh,Tzu-Chien Hung,Po-Min Tu,Shih-Cheng Huang,Chien-Chung Peng. Владелец: Advanced Optoelectronic Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Modified perovskite quantum dot material, fabricating method thereof, and display device

Номер патента: US20210071072A1. Автор: Xu Chen. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09972643B2. Автор: Ke Wang,Zhijun LV,Fangzhen Zhang,Jiushi WANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Organic light emitting display device and fabricating method thereof

Номер патента: US09923170B2. Автор: Taro Hasumi,Jongkyung KIM. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Sealing structure of humidifier

Номер патента: US20230019393A1. Автор: Yan Feng,Chao Liu,Yiming Shi,Zhaohui WEN. Владелец: Shenzhen Extender Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-19.

Structure of connector terminal

Номер патента: US20040142608A1. Автор: Pei-Jung Wang. Владелец: Speed Tech Corp. Дата публикации: 2004-07-22.

Renovated structure of multi-slotted iron rod

Номер патента: US5864460A. Автор: Yun-Kuang Fan. Владелец: Individual. Дата публикации: 1999-01-26.

Protection member and conductive plate assembling structure of rail terminal

Номер патента: US20180076584A1. Автор: Wei-Chi Chen,Chih-Yuan Wu,Ming-Shan Tai. Владелец: Switchlab Inc. Дата публикации: 2018-03-15.

Protection member and conductive plate assembling structure of rail terminal

Номер патента: US09972954B2. Автор: Wei-Chi Chen,Chih-Yuan Wu,Ming-Shan Tai. Владелец: Switchlab Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

PEO film, preparation method thereof, and solid-state battery

Номер патента: US11962035B2. Автор: Yang Li,Xu Li,CHEN Cao,CHAO Chen,Kangping Wang. Владелец: CALB Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Structure of double anode layers on a metal substrate for a solid oxide fuel cell and the production method thereof

Номер патента: TW201205947A. Автор: Shih-Wei Cheng,Chang-Sing Hwang,Chun-Huang Tsai,Chun-Liang Chang,Jun-Meng Lin,Jen-Feng Yu. Владелец: Iner Aec Executive Yuan. Дата публикации: 2012-02-01.

Dry electrode double steel belt apparatus for forming free-standing film and free-standing film-forming method thereof

Номер патента: EP4372836A2. Автор: MING Chen,Yan Zhou,Dong Zhang,Jiabing Liu,Xuegang Yu,Longri XU. Владелец: Dg Ssl Katop Automation Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-22.

Dry electrode double steel belt apparatus for forming free-standing film and free-standing film-forming method thereof

Номер патента: EP4372836A3. Автор: MING Chen,Yan Zhou,Dong Zhang,Jiabing Liu,Xuegang Yu,Longri XU. Владелец: Dg Ssl Katop Automation Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-12.

Heatable radome structure of automobile, and production method therefor

Номер патента: US20220320706A1. Автор: Chen Li,Bing Chen,Lifeng Xie,Zhiguo Ma,Guoqiang Ye,Lexiao HUANGFU,Haixing TONG,Zhuozhi Liu. Владелец: Ningbo Shintai Machines Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Cooling structure of battery pack

Номер патента: US20240079677A1. Автор: Tatsuya Ishikawa,Toshiaki NARUKE. Владелец: Subaru Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Button structure of input device

Номер патента: US20210398758A1. Автор: Cheng-Nan Ling,Wen-Chieh TAI,Yu-Shih Wang,Chih-Chun Liu. Владелец: Acer Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Power supply, a semiconductor making apparatus and a semiconductor wafer fabricating method using the same

Номер патента: KR100886739B1. Автор: 츠토무 이이다,요지 다카하시,츠요시 우메모토,마코토 가시베. Владелец: 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈. Дата публикации: 2009-03-04.

Field effect type organic transistor and process for production thereof

Номер патента: WO2005029605A1. Автор: Shinichi Nakamura. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2005-03-31.

Phase-locked loop and method thereof and a phase-frequency detector and method thereof

Номер патента: US20060214698A1. Автор: Young-Kyun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-09-28.

Upper arm drive circuit having a reverse current prevention circuit disposed between a power supply of a power conversion device and a first capacitor and control method thereof

Номер патента: US11735997B2. Автор: Kenji Sakurai,Tomoya Taniguchi,Satoshi Iesaka. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Antenna and fabricating method thereof, and antenna device and fabricating method thereof

Номер патента: US20220077579A1. Автор: Meng Wei,Wei Zhang,YING Wang,Liang Li,HAO LIU,Jie Wu,Chuncheng CHE,Tienlun Ting,Haocheng JIA,Cuiwei TANG,Qiangqiang LI. Владелец: Beijing BOE Sensor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

Ultra-long silver nanowire material and fabrication method thereof

Номер патента: US12109621B2. Автор: Jing Zheng,Rui Dang. Владелец: Northwest Institute for Non Ferrous Metal Research. Дата публикации: 2024-10-08.

Stretchable composite electrode and fabricating method thereof

Номер патента: US20240212876A1. Автор: Wei Sheng CHEN,Ching Mao Huang,Jia Hui Zhou,Shu Xiong Wang,Chin Hui Lee,Huan Ran YUN. Владелец: TPK Advanced Solutions Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Magnesium ion battery cathode material doped at magnesium site and fabricating method thereof

Номер патента: AU2021104796A4. Автор: Zhenbo Peng,Zhaoshen YU,Zhengyong Yuan. Владелец: Ningbo Polytechnic. Дата публикации: 2021-09-30.

Method of using a field-effect transistor as a current sensing device

Номер патента: US09813063B2. Автор: Gary L. Stirk,Karthik Kadirvel. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Touch-sensing liquid crystal panel and fabrication method thereof

Номер патента: US09355807B2. Автор: Kun-hua Tsai,Yu-Cheng Lin,Hsu-Ho Wu,Hsing-Ying LEE,Ping-Yuan Su. Владелец: Hannstar Display Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

RF MEMS switch and fabrication method thereof

Номер патента: US7456713B2. Автор: Hee-Chul Lee,Jae-Yeong Park. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2008-11-25.

RF MEMS switch and fabrication method thereof

Номер патента: US20070109081A1. Автор: Hee-Chul Lee,Jae-Yeong Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-17.

Packaging structure of a cylindrical battery, a cylindrical battery, a battery pack, and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20240297411A1. Автор: BO Wang,Ziqi Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-09-05.

Battery cell structure of button battery and munufactuturn merhod thereof, and button battery

Номер патента: US20230141846A1. Автор: Yongwang Wang,Yuxiang Zeng. Владелец: Zhuhai Cosmx Battery Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Alkaloid halogen-doped sulfide glasses for optical amplifier and fabricating method thereof

Номер патента: US20020025898A1. Автор: Sun-Tae Jung,Jong Heo,Dong-Chin Lee,Hye-Sun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-02-28.

Structure of fuel cell system and controlling method thereof

Номер патента: US20160190616A1. Автор: Hyun Yoo Kim,Chang Ha Lee,Hyuck Roul Kwon,Kyoung Ku HA. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2016-06-30.

Cathode active material for lithium secondary battery, production method thereof, and lithium secondary battery comprising same

Номер патента: US20230170478A1. Автор: Ji Young Kim,Min Ho Seo. Владелец: SM Lab Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Three-dimensional cavity surface emitting laser structure and fabrication method thereof

Номер патента: US5895224A. Автор: Hye-Yong Chu,Hyo-Hoon Park,Byueng-Su Yoo. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 1999-04-20.

Driving apparatus of plasma display panel and fabrication method thereof

Номер патента: US20040036685A1. Автор: Jin Ryu,Sam Cho,Bong Baik,Woo Jang. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2004-02-26.

Driving apparatus of plasma display panel and fabrication method thereof

Номер патента: US20070236487A1. Автор: Jin Ryu,Sam Cho,Bong Baik,Woo Jang. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2007-10-11.

COMPOSITE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL HAVING M1-xRuxO3 (M=Sr, Ba, Mg), SUPERCAPACITOR USING THE SAME AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120063058A1. Автор: Yong-Won Song,Il Doo Kim,Tae Seon HYUN. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2012-03-15.

Superconducting quantum circuit and fabrication method thereof, quantum computer

Номер патента: US20240341202A1. Автор: Liangliang Ma,Bing YOU. Владелец: Origin Quantum Computing Technology Hefei Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Cobalt-carbon eutectic metal alloy ohmic contact for carbon nanotube field effect transistors

Номер патента: WO2016099668A1. Автор: Matthew J. Walker,John X. Przybysz,Andre E. Berghmans,Monica P. Lilly,Wayne S. MILLER. Владелец: Northrop Grumman Systems Corporation. Дата публикации: 2016-06-23.

Cobalt-carbon eutectic metal alloy ohmic contact for carbon nanotube field effect transistors

Номер патента: EP3234989A1. Автор: Matthew J. Walker,John X. Przybysz,Andre E. Berghmans,Monica P. Lilly,Wayne S. MILLER. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2017-10-25.

Casing structure of electronic device

Номер патента: EP3996477A1. Автор: Jing Liu,Dongsheng Wang,Lijing ZHANG,Zhenxi WANG,Xianfu LIU. Владелец: Shenzhen Idata Machine Vision Tech Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-11.

Double-side display panel, backplate structure of same, and method of manufacturing same

Номер патента: US20210356996A1. Автор: Cuilin ZHU. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Housing structure of information display unit

Номер патента: US10701819B1. Автор: Chun-Hung Chen,Tien-Teng Yang,Ling-Chi Lo. Владелец: Litemax Electronics Inc. Дата публикации: 2020-06-30.

Structure of via hole of electrical circuit board

Номер патента: US09578747B2. Автор: Gwun-Jin Lin,Kuo-Fu Su. Владелец: Advanced Flexible Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Mounting structure of leg member, and electronic apparatus

Номер патента: US11516933B2. Автор: Tomoyuki NIIZUMA. Владелец: Teac Corp. Дата публикации: 2022-11-29.

Release structure of smart lock

Номер патента: US09982462B2. Автор: Yi-Ching Lin,Shuang-Te Chang. Владелец: Brainchild Electronic Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Alternating current driving organic light-emitting field effect transistor capable of improving light-emitting efficiency and preparation method thereof

Номер патента: CN110911573B. Автор: 刘欣,郭太良,李福山,叶芸,江宗钊,曹项红. Владелец: FUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-08-31.

Parallel-to-serial conversion circuit and method thereof

Номер патента: US20110102211A1. Автор: Jinyeong MOON. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-05-05.

Portable electronic device and one-hand touch operation method thereof

Номер патента: US12056350B2. Автор: Chih-Hsien Yang. Владелец: ASUSTeK Computer Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Wireless communication device and digital self-interference estimation method thereof

Номер патента: US09893847B1. Автор: Youn-Tai Lee,You-Hsien Lin,Terng-Yin Hsu,Jian-Cheng Li,Yuan-Te Liao. Владелец: INSTITUTE FOR INFORMATION INDUSTRY. Дата публикации: 2018-02-13.

Cable broadcast receiver and 3D video data processing method thereof

Номер патента: US09544661B2. Автор: Chang Sik Yun,Jin Pil Kim,Jong Yeul Suh,Jeong Hyu Yang. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-01-10.

Broadcast receiver and 3D subtitle data processing method thereof

Номер патента: US09544569B2. Автор: Jin Pil Kim,Ho Taek Hong,Jong Yeul Suh. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-01-10.

Joint structure of telescopic cylinder

Номер патента: US20240084824A1. Автор: Chih-Huang Wang,Tien-Ni Cheng. Владелец: Brogent Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Digital-to-analog converter (DAC) circuit and weight error estimation/calibration method thereof

Номер патента: US8836554B2. Автор: Hao-Chiao Hong,Yu-Shien Wang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2014-09-16.

Electronic device capable of performing multi-camera intelligent switching and multi-camera intelligent switching method thereof

Номер патента: US20240184615A1. Автор: Chao-Kuang Yang,Liang-Chi Chen,Sheng-Hsin Fan. Владелец: Acer Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Insertion and extraction structure of card-shaped component and electronic apparatus including the same

Номер патента: US20160018860A1. Автор: Kotaro Nakamura. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2016-01-21.

Housing structure of electronic device

Номер патента: US20170290185A1. Автор: Junichi Endo,Nobumasa TOKUI,Yuji Ohno,Teruo TAKENAKA. Владелец: Denso Ten Ltd. Дата публикации: 2017-10-05.

Mounting structure of leg member, and electronic apparatus

Номер патента: US20210204431A1. Автор: Tomoyuki NIIZUMA. Владелец: Teac Corp. Дата публикации: 2021-07-01.

Tunable homojunction field effect device-based unit circuit and multi-functional logic circuit

Номер патента: US20230198520A1. Автор: CHEN Pan,Shijun Liang,Feng Miao. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-06-22.

True wireless multichannel-speakers device and multiple sound source voicing method thereof

Номер патента: US20210219057A1. Автор: KUO-PING YANG,Kuan-Li Chao,Ho-Hsin Liao,Wei-Ming Chen,Kuo-Wei Kao,Jian-Ying Li,Wei-Lin Chang,Kai-Yuan Hsiao,I-Ting LEE. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Electronic apparatus and control method thereof

Номер патента: US20230421055A1. Автор: Shinho Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-28.

Broadcast receiver and 3d video data processing method thereof

Номер патента: CA2758903C. Автор: Seung Jong Choi,Jong Yeul Suh,Jeong Hyu Yang,Jin Seok Im,Nagaraj Nandhakumar. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2016-10-11.

Broadcast receiver and 3d subtitle data processing method thereof

Номер патента: CA2749668C. Автор: Jin Pil Kim,Ho Taek Hong,Jong Yeul Suh. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-07-11.

Terminal apparatus for auto pairing, remote control apparatus and method thereof

Номер патента: US9106337B2. Автор: Geun-Sam Yang,Kyung-Hee Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-08-11.

A gateway for communication with an onboarding device, and methods thereof

Номер патента: WO2021044128A1. Автор: Kevin Power,Norman Lewis MACKENZIE,Steven William BREMNER,Kevin Alexandre QUILLIEN,Allan John Gavin CANNON. Владелец: R3 IOT Limited. Дата публикации: 2021-03-11.

True wireless multichannel-speakers device and multiple sound source voicing method thereof

Номер патента: US11843929B2. Автор: KUO-PING YANG,Kuan-Li Chao,Ho-Hsin Liao,Wei-Ming Chen,Kuo-Wei Kao,Jian-Ying Li,Wei-Lin Chang,Kai-Yuan Hsiao,I-Ting LEE. Владелец: Airoha Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-12.

Broadcast receiver and 3d subtitle data processing method thereof

Номер патента: US20140307051A1. Автор: Jin Pil Kim,Ho Taek Hong,Jong Yeul Suh. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2014-10-16.

Broadcast receiver and 3d subtitle data processing method thereof

Номер патента: US20170013244A9. Автор: Jin Pil Kim,Ho Taek Hong,Jong Yeul Suh. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-01-12.

A gateway for communication with an onboarding device, and methods thereof

Номер патента: EP4026302A1. Автор: Kevin Power,Norman Lewis MACKENZIE,Steven William BREMNER,Kevin Alexandre QUILLIEN,Allan John Gavin CANNON. Владелец: R3 Iot Ltd. Дата публикации: 2022-07-13.

A gateway for communication, an onboarding device, and methods thereof

Номер патента: US20220294664A1. Автор: Kevin Power,Norman Lewis MACKENZIE,Steven William BREMNER,Kevin Alexandre QUILLIEN,Allan John Gavin CANNON. Владелец: R3 Iot Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

A gateway for communication with an onboarding device, and methods thereof

Номер патента: AU2020342610A1. Автор: Kevin Power,Norman Lewis MACKENZIE,Steven William BREMNER,Kevin Alexandre QUILLIEN,Allan John Gavin CANNON. Владелец: R3 Iot Ltd. Дата публикации: 2022-04-07.

A gateway for communication with an onboarding device, and methods thereof

Номер патента: CA3152207A1. Автор: Kevin Power,Norman Lewis MACKENZIE,Steven William BREMNER,Kevin Alexandre QUILLIEN,Allan John Gavin CANNON. Владелец: R3 Iot Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Photovoltaic system and power supply current control method thereof

Номер патента: US20230387693A1. Автор: LIN Li,Huan ZHAO,Zhiwu Xu. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Unmanned aerial vehicle-aided over-the-air computing system based on full-duplex relay and trajectory and power optimization method thereof

Номер патента: US20240105064A1. Автор: YU Zhou,Song Li,Xiao Yun,Yanjing Sun,Bowen Wang,Jiaqi Li,Ruirui CHEN. Владелец: China University of Mining and Technology CUMT. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor memory device with MOS transistors, each including a floating gate and a control gate, a control method thereof, and a memory card including the same

Номер патента: US7158413B2. Автор: Takuya Fujimoto,Yoshiharu Hirata,Nozomi Kasai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-01-02.

CAP FOR A CHIP DEVICE HAVING A GROOVE, DEVICE PROVIDED WITH SAID CAP, ASSEMBLY CONSISTING OF THE DEVICE AND A WIRE ELEMENT, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20150230336A1. Автор: Brun Jean,Vicard Dominique. Владелец: Commissariat A L'Energie Atomique Et Aux Energies Alternatives. Дата публикации: 2015-08-13.

Hybrid wired and wireless communication device and a wired and wireless communication method thereof

Номер патента: US7634273B2. Автор: Jin-Hyung Kim,Seung-Soo Oak,Sung-Hoon Bae,Jin-Tack Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-12-15.

Hybrid wired and wireless communication device and a wired and wireless communication method thereof

Номер патента: US20040224642A1. Автор: Jin-Hyung Kim,Seung-Soo Oak,Sung-Hoon Bae,Jin-Tack Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-11-11.

Organic thin film transistor and method fabricating thereof, and fabrication method of liquid crystal display device using the same

Номер патента: KR100662787B1. Автор: 서현식,남대현. Владелец: 엘지.필립스 엘시디 주식회사. Дата публикации: 2007-01-02.

A base structure of a space element to be attached to the building site and a method for its attachment

Номер патента: WO2020115366A1. Автор: Marjut Vahos,Jouni NIINIKOSKI,Jukka LINNA. Владелец: Fira Modules Oy. Дата публикации: 2020-06-11.

A base structure of a space element to be attached to the building site and a method for its attachment

Номер патента: EP3891345A1. Автор: Marjut Vahos,Jouni NIINIKOSKI,Jukka LINNA. Владелец: Fira Modules Oy. Дата публикации: 2021-10-13.

Soil-air heat exchange system coupled with hot air and a heat pump and operation method thereof

Номер патента: LU504328B1. Автор: MIN Wei,Xin Cao,Chuanqing WANG,Mengzhen Guan. Владелец: Jinan Laiwu Anxin Agricultural Tech Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-01.

Coordinate measuring apparatus for measuring input position of a touch and a coordinate indicating apparatus and method thereof

Номер патента: US09927938B2. Автор: Sung-soo Park,Byung-Jik Kim,Gwan-Hyung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Multifocal ophthalmic lens having a focal point formation region and a cancellation region and manufacturing method thereof

Номер патента: US09658471B2. Автор: Hiroaki Suzuki,Atsushi Kobayashi,Ichiro Ando. Владелец: Menicon Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Storage device capable of meeting the reliability and a building and data writing method thereof

Номер патента: US20080215911A1. Автор: Hui-Neng Chang. Владелец: A Data Technology Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-04.

Nanoparticles in the shape of nanosnowman with a head part and a body part, a preparation method thereof and a detection method using the same

Номер патента: US20170108440A1. Автор: Jung Hoon Lee,Jwa Min Nam,Jeong Wook Oh. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2017-04-20.

Multi-layer composite article including a cover layer and a pc/abs layer and methods thereof

Номер патента: EP3510088A1. Автор: Pascal E.R.E.J. Lakeman,Norwin Van Riel,Nicolaas M.A. Hermans. Владелец: Trinseo Europe GmbH. Дата публикации: 2019-07-17.

Substrate comprising an anticoagulant and a hydrophilic polymer and manufacturing method thereof

Номер патента: CA2664299C. Автор: Hiroshi Takahashi,Yoshiyuki Ueno,Hirokazu Sakaguchi,Hiroyuki Sugaya. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2016-01-19.

Aluminium-zinc-hot-dipped and colour-coated steel plate having a 600 mpa yield strength grade and a high elongation and manufacturing method thereof

Номер патента: CA2995720C. Автор: Jun Li,Yunfeng Liu,Dechao XU,Hailing MU,Yusheng Zhao. Владелец: Baoshan Iron and Steel Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-20.

Radiotherapeutical or radiosurgical system comprising two or more rotatable high-intensity radiation sources and a ring-shaped imager, and methods thereof

Номер патента: US11904186B2. Автор: Jianyue Jin,Fengming Kong. Владелец: Hong Kong Shenzhen Hospital, University of. Дата публикации: 2024-02-20.

Radiotherapeutical or radiosurgical system comprising two or more rotatable high-intensity radiation sources and a ring-shaped imager, and methods thereof

Номер патента: US20230218929A1. Автор: Jianyue Jin,Fengming Kong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-07-13.

Cleansing pad with a scouring portion and a scrubbing portion and production method thereof

Номер патента: US20220167823A1. Автор: David Bachar,Dror Bachar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-06-02.

Cleansing pad with a scouring portion and a scrubbing portion and production method thereof

Номер патента: WO2020161718A1. Автор: David Bachar,Dror Bachar. Владелец: Dror Bachar. Дата публикации: 2020-08-13.

Organic luminescent substrate, preparation method thereof, display apparatus, and display driving method

Номер патента: WO2019114502A1. Автор: Yingsong XU,Nan Zhao,Guoqiang Tang. Владелец: CHENGDU BOE OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2019-06-20.

Structure of a memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20040004256A1. Автор: Jiun-Ren Lai,Chun-Yi Yang,Shi-Xian Chen,Gwen Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-08.

Static random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240130099A1. Автор: Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Organic field effect transistor and its production method

Номер патента: EP2159859A3. Автор: Ikuo Fukui,Masateru Taniguchi,Tomoji Kawai,Hideyuki Kawaguchi. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2011-09-21.

Organic field effect transistor and its production method

Номер патента: US20100051927A1. Автор: Ikuo Fukui,Masateru Taniguchi,Tomoji Kawai,Hideyuki Kawaguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-03-04.

Differential amplifier based on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2736412C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Олег Владимирович Дворников,Анна Витальевна Бугакова,Дмитрий Геннадьевич Дроздов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-11-17.

Desaturation protection of power field-effect transistor

Номер патента: US20240283441A1. Автор: Nan Xing,Zhemin Zhang,Yinglai Xia,Yalong Li. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Desaturation protection of power field-effect transistor

Номер патента: WO2024176172A1. Автор: Nan Xing,Zhemin Zhang,Yinglai Xia,Yalong Li. Владелец: Infineon Technologies Canada Inc.. Дата публикации: 2024-08-29.

Threshold voltage-programmable field effect transistor-based memory cells and look-up table implemented using the memory cells

Номер патента: US11990171B2. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Logic inverter, and a multi-output logic operator derived from this inverter, using at least two low-voltage-threshold field-effect transistors

Номер патента: US4485316A. Автор: Tung Pham Ngu,Gerard Nuzillat,Georges Bert. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1984-11-27.

Threshold voltage-programmable field effect transistor-based memory cells and look-up table implemented using the memory cells

Номер патента: US20240221810A1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Pirooz Parvarandeh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Hybrid metal-oxide semiconductor field-effect transistor with variable gate impedance and implementation method thereof

Номер патента: US20230039285A1. Автор: Tung Ming Lai,Wen Nan Huang,Ching Kuo CHEN,Shiu Hui Lee,Cho Lan Peng,Chuo Chien TSAO. Владелец: Potens Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

Array substrate having via hole connecting conductive portions, fabrication method thereof and display device

Номер патента: US12089445B2. Автор: Wenqiang Li,Yipeng CHEN,Ling Shi. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Organic thin film transistor, and fabricating method thereof

Номер патента: EP3408876A1. Автор: Leilei CHENG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-05.

Degenerative-type voltage stabilizer on field-effect transistors for operation at low temperatures

Номер патента: RU2736548C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Олег Владимирович Дворников,Илья Викторович Пахомов,Алексей Андреевич Жук. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2020-11-18.

Differential amplifier of class ab on complementary field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2736549C1. Автор: Петр Сергеевич Будяков,Илья Викторович Пахомов,Алексей Андреевич Жук,Иван Николаевич Третьяк. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2020-11-18.

Organic field effect transistor and semiconductor device

Номер патента: US20120032160A1. Автор: Shinobu Furukawa,Kaoru Kato,Ryota Imahayashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-09.

A method for producing an organic field effect transistor and an organic field effect transistor

Номер патента: WO2014173738A1. Автор: Karl Leo,Björn Lüssem,Hans Kleemann,Alrun Günther. Владелец: NOVALED GMBH. Дата публикации: 2014-10-30.

Metal-oxide semiconductor field-effect transistor with asymmetric parallel die and implementation method thereof

Номер патента: US20230037951A1. Автор: Tung Ming Lai,Wen Nan Huang,Ching Kuo CHEN,Hsiang Chi Meng,Chih Ming Yu. Владелец: Potens Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

Power monitoring circuit, and a power up reset generator

Номер патента: US09525407B2. Автор: Santiago Iriarte,John A. Cleary. Владелец: Analog Devices Global ULC. Дата публикации: 2016-12-20.

Differential amplifier on field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2766861C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Владислав Евгеньевич Чумаков,Алексей Вадимович Кунц,Алексей Арсеньевич Павлючик. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2022-03-16.

Operational amplifier on complementary field-effect transistors

Номер патента: RU2770916C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Алексей Евгеньевич Титов,Владислав Евгеньевич Чумаков. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2022-04-25.

Field effect transistor and method of producing the same

Номер патента: WO2005086253A1. Автор: Makoto Kubota,Daisuke Miura,Satomi Sugiyama,Tomonari Nakayama,Akane Masumoto,Toshinobu Ohnishi. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2005-09-15.

Broadband voltage-to-current converter on field-effect transistors with control p-n junction

Номер патента: RU2739213C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Алексей Андреевич Жук,Алексей Евгеньевич Титов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2020-12-22.

Differential cascade on complementary field-effect transistors

Номер патента: RU2684473C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Петр Сергеевич Будяков,Олег Владимирович Дворников,Анна Витальевна Бугакова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2019-04-09.

Flip-flop on field-effect transistors of opposite conductivity type

Номер патента: RU2694152C1. Автор: Геннадий Иванович Передельский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2019-07-09.

Organic field-effect transistor and fabrication method therefor

Номер патента: US11937438B2. Автор: Hong Meng,Xinwei Wang,Lin Ai,Yuhao SHI. Владелец: Peking University Shenzhen Graduate School. Дата публикации: 2024-03-19.

Saliva detection device, saliva detection system and operation method thereof

Номер патента: US12048421B2. Автор: Zheng Wu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Memory devices having vertical transistors and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240381620A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Flexible display panel and fabricating method thereof, and image display terminal unit

Номер патента: US09591765B2. Автор: SeokHee JEONG,Jungchul Kim,Soonkwang Hong. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

High-speed output cascade of analogue microcircuits on complementary field-effect transistors with control p-n junction for operation at low temperatures

Номер патента: RU2711725C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Анна Витальевна Бугакова,Дмитрий Геннадьевич Дроздов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-21.

Electron transport material and fabricating method thereof, and organic light-emitting diode

Номер патента: US20240032419A1. Автор: Kui Wang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Organic luminescent substrate, preparation method thereof, display apparatus, and display driving method

Номер патента: EP3724935A1. Автор: Yingsong XU,Nan Zhao,Guoqiang Tang. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-21.

Modified nano-dot, fabrication method thereof and composition element thereof

Номер патента: US20120061616A1. Автор: Mao-Feng Hsu,Cheng-Chung Chen,Jwo-huei Jou,Wei-Ben Wang. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2012-03-15.

Printed circuit board and fabricating method thereof, and displaying device

Номер патента: US20240224416A1. Автор: Bin Zhang,Chang Wang,Fei Li,Kun Zuo,Xin Mu,Jiaxiang ZHANG,Yonglin CHEN,Mingqiang Wang,Hongjin HU,Xin Bi,Seungyong OH,Jiuyuan BAI. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Three-dimensional memory and fabricating method thereof

Номер патента: US20230144830A1. Автор: YING Zhou,Ming Li,Zhenzhen Zhang,LongDong LIU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Baw filter structure and preparation method thereof

Номер патента: US20240275352A1. Автор: Mengyuan Wang. Владелец: Fujian Sunwise Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Methods of forming flash field effect transistor gates and non-flash field effect transistor gates

Номер патента: US20030129801A1. Автор: Kevin Beaman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-10.

Circuit board structure for electrical testing and fabrication method thereof

Номер патента: US8222528B2. Автор: Pao-Hung Chou. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2012-07-17.

Display panel and fabricating method thereof, and display device

Номер патента: US20240324405A1. Автор: PENG Hou,ZHU Wang,Shuo Li,Zhenglong Yan,Yanyang SHANG. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Multi-layer PCB having function of dissipating heat from power semiconductor module package and PCB, and production method thereof

Номер патента: US09930815B2. Автор: Ku Yong Kim. Владелец: Mdm Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Methods for overdriving a base current of an emitter switched bipolar junction transistor and corresponding circuits

Номер патента: US09748948B2. Автор: Vijay Gangadhar Phadke. Владелец: Astec International Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Methods for overdriving a base current of an emitter switched bipolar junction transistor and corresponding circuits

Номер патента: US09571091B2. Автор: Vijay Gangadhar Phadke. Владелец: Astec International Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Current sensing in power tool devices using a field effect transistor

Номер патента: US12105149B2. Автор: Timothy R. Obermann,Alexander T. Huber. Владелец: Milwaukee Electric Tool Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Photo-switchable and electrically-switchable organic field-effect transistor, manufacturing method thereof and use thereof as storage device

Номер патента: RU2580905C2. Автор: Сергей Михайлович Алдошин,Павел Анатольевич Трошин,Наталия Алексеевна Санина,Любовь Анатольевна Фролова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем химической физики Российской Академии наук (ИПХФ РАН). Дата публикации: 2016-04-10.

Differential cascade on complementary field-effect transistors with control p-n junction of class ab with variable voltage of restriction of pass characteristic

Номер патента: RU2712414C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Петр Сергеевич Будяков,Анна Витальевна Бугакова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2020-01-28.

Trigger logic element on field-effect transistors

Номер патента: RU2715178C1. Автор: Геннадий Иванович Передельский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2020-02-25.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20240237329A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Janbo Zhang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Light emitting device and fabricating method thereof, and light emitting apparatus

Номер патента: US20240224582A1. Автор: Zhuo Chen,Tieshi WANG. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Display substrate, fabrication method thereof and display apparatus

Номер патента: US12029084B2. Автор: Yang Zhou,Yi Zhang,YoungYik Ko,Yu Wang,Shun Zhang,Tingliang Liu,Haigang Qing,Xiaofeng Jiang,Linhong HAN,Shikai QIN. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Digital garment using digital band and fabricating method thereof

Номер патента: WO2009107907A1. Автор: Dae Hoon Lee,Gi Soo Chung,Jae Sang An. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology. Дата публикации: 2009-09-03.

Rotated field effect transistor topology amplifier

Номер патента: US9866175B1. Автор: Peter W. Evans. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Backlight Module and Fabricating Method Thereof, and Display Apparatus

Номер патента: US20160370536A1. Автор: Jifeng TAN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

Display substrate, fabrication method thereof and display panel

Номер патента: US12063818B2. Автор: Yi Zhang,Shun Zhang,Ping Wen,Fengli JI,Yuanqi ZHANG,Yongjie SONG. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Packaging structure, fabrication method thereof, and display apparatus

Номер патента: US20240224732A1. Автор: Wei Huang,Zhongyuan Sun,Wenqi Liu,Che AN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Printed circuit board and fabricating method thereof, and displaying device

Номер патента: US12082337B2. Автор: Bin Zhang,Chang Wang,Fei Li,Kun Zuo,Xin Mu,Jiaxiang ZHANG,Yonglin CHEN,Mingqiang Wang,Hongjin HU,Xin Bi,Seungyong OH,Jiuyuan BAI. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Mask ROM, and fabrication method thereof

Номер патента: US20030038310A1. Автор: Min Lim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2003-02-27.

Mask rom, and fabrication method thereof

Номер патента: US20040173857A1. Автор: Min Gyu Lim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-09.

Three-transistor dram cell and associated fabrication method

Номер патента: US20030016569A1. Автор: Claus Dahl,Siegmar KÖPPE. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-01-23.

Organic electroluminescent structure and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US12048179B2. Автор: Li Liu,Pengcheng LU,Shengji Yang,Kui Zhang,Chao PU,Rongrong SHI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Display panel and fabrication method thereof, and electronic device

Номер патента: US20240334780A1. Автор: Ming Xu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Cold-rolled steel sheet and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240309482A1. Автор: Masafumi Azuma,Takuya Nishio,Yoshimasa Narita,Shintaro OKURA. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Reverse construction structure of multi-arch tunnel under steep cliff condition and construction method thereof

Номер патента: NL2037003A. Автор: Liu Xiaoyong,Zhou Li,Yang Hong,HU Qiang,LIU Minjie,Gou Deming,Cao Kun,TAN Yong,WU Mingfang,Yang Chunping,CUI Xuan,Tian Jiao,zhang Anrui,Zhou Ganggui,Chun Junwei,Zeng Zhongyi. Владелец: Guizhou Transp Planning Survey And Design Academe Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-04.

Optical structure, manufacturing method thereof, and code forming method

Номер патента: US20240330635A1. Автор: Tomomi Kawahara,Terumine Iino. Владелец: Toppan Holdings Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Superabsorbent polymer and a preparation method thereof

Номер патента: US09751995B2. Автор: Sung Hyun Park,Myung Han Lee,Hyeon Choi,Gi Cheul Kim,Ju Eun Kim,Ki Youl Yoon,Hyo Sook Joo,Sung Soo Park,Hee Jung Choi. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Sound-absorbing structure of roof of large room with reduced reverberation time

Номер патента: RU2769015C2. Автор: Христиан ХОППЕ,Елмар Йоханнес Антон ТОБЕР,Роналд ТСЧИЕРСЧ. Владелец: Лиавер Гмбх & Цо.Кг. Дата публикации: 2022-03-28.

Multi-layer sound-absorbing structure of a double-flow turbojet engine

Номер патента: RU2745127C1. Автор: Игорь Федорович Кравченко,Владимир Иванович Олейников,Станислав Владимирович Николаевский,Юрий Петрович Хиценко,Александр Николаевич Белоус,Андрей Иванович Попуга. Владелец: Государственное предприятие "Запорожское машиностроительное конструкторское бюро "Прогресс" имени академика А.Г. Ивченко". Дата публикации: 2021-03-22.

Ultra-compact cam array based on single mtj and operating method thereof

Номер патента: US20230377650A1. Автор: Cheng Zhuo,Zeyu YANG,Xunzhao YIN. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2023-11-23.

Panel structure of air conditioner, air conditioner, method, device, and storage medium

Номер патента: EP3764016A1. Автор: Dahai LU,Hua Jiao,Yanfang CAI,Yankao LI. Владелец: Qingdao Haier Air Conditioning Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-13.

Suspended ceiling structure of membrane tank, and membrane tank

Номер патента: AU2022426217A1. Автор: Wei Cheng,BO LIU,ZHEN Long,Yu Du,Xian Gao,Jinwei ZHANG,Xiangying KONG,Huiyong TANG. Владелец: China Petroleum Eng Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Structure of evaporation field, and seawater-concentrating method using same

Номер патента: GB2624500A. Автор: Sik Park Guy. Владелец: Syzoa Ltd. Дата публикации: 2024-05-22.

Structure of a plastic container having a flange, mould thereof and method for manufacturing the same

Номер патента: US20110240661A1. Автор: Frank Ko. Владелец: Suzhou Kefu Gift Ind Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-06.

Connecting structure of display rack

Номер патента: US20240164551A1. Автор: Xiaodong Li,Xian Chen,Shuangbing Li,Dadong Su. Владелец: Jiree Hua'an Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Structure of seat cushion frame in vehicle seat

Номер патента: US20030098601A1. Автор: Masamitsu Minai. Владелец: Tachi S Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-29.

Structure of an exercising apparatus as a rowboat

Номер патента: US20040043874A1. Автор: Lien-Chuan Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-04.

Cooling structure of multi-cylinder engine

Номер патента: US09803534B2. Автор: Shinji Wakamoto,Tomohiro KOGUCHI,Haruki Misumi,Yusuke Marutani. Владелец: Mazda Motor Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Heat dissipation structure of intelligent wearable device

Номер патента: US09529396B2. Автор: Ching-Hang Shen. Владелец: Asia Vital Components Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Fragments of the retinoic acid-related orphan receptor (ror) comprising the ligand binding domain (lbd), crystal structure of the lbd of ror-beta and their applications

Номер патента: EP1385885A2. Автор: Roland Schuele,Dino Moras,Jean-Paul Renaud,Jean-Marie Wurtz,Catherine Stehlin,Erich Friedrich Greiner. Владелец: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE CNRS. Дата публикации: 2004-02-04.

Fragments of the retinoic acid-related orphan receptor (ror) comprising the lig and binding domain (lbd), crystal structure of the lbd of ror-beta and their applications

Номер патента: AU2002321018A1. Автор: Roland Schuele,Dino Moras,Jean-Paul Renaud,Jean-Marie Wurtz,Catherine Stehlin,Erich Friedrich Greiner. Владелец: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE CNRS. Дата публикации: 2003-01-08.

Electric trough structure of storage battery

Номер патента: PH22019001354U1. Автор: Chia-Liang Huang. Владелец: Csb Energy Tech Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-03.

Underbody structure of vehicle

Номер патента: US09855977B2. Автор: Deok Hwa HONG,Hee Seouk Chung. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Electrophoretic media comprising electrophoretic particles and a combination of charge control agents

Номер патента: EP4460725A1. Автор: Ziyan Wu,Craig R. Gibeau,Eugene Bzowej,Stephen J. Telfer,Lee Yezek,Sherry Hsin-Yi Tsai,Ali Sarvi. Владелец: E Ink Corp. Дата публикации: 2024-11-13.

Magnetic suction structure of vacuum cup

Номер патента: US20240002112A1. Автор: Jiasong Li. Владелец: Xiamen Worthfind Industrial Co ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Structure of foldable underwater sports mask, its body, and carrying case

Номер патента: US20230088521A1. Автор: Chih-Cheng Shiue. Владелец: QBAS Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-23.

Upper structure of an article of footwear including a cuff member

Номер патента: EP3905914A1. Автор: Aaron Ac Cooper. Владелец: Nike Innovate CV USA. Дата публикации: 2021-11-10.

Cold-rolled steel sheet and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4269643A1. Автор: Masafumi Azuma,Takuya Nishio,Yoshimasa Narita,Shintaro OKURA. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 2023-11-01.

Bio-based synthetic fabrics and preparation methods thereof

Номер патента: US20230083800A1. Автор: Sunil Prakash,Hafeezullah Memon,Achala Herath,Ashok Mahtani. Владелец: Paradise Textiles Ltd. Дата публикации: 2023-03-16.

Polyisocyanate modified with sulphamic acid, preparation method thereof and use thereof

Номер патента: US09975985B2. Автор: ZHEN Wang,Xueshun JI,Yunquan Jin,Zhengchao LIN,Ruiquan QI. Владелец: Wanhua Chemical Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Transparent ion detection sensor chip comprising field effect transistor signal transducer with extended gate electrode and preparation method thereof

Номер патента: KR101359735B1. Автор: 김덕진,이내응,윤옥자,뜨엉 투이 응우옌. Владелец: 성균관대학교산학협력단. Дата публикации: 2014-02-11.

Supporting structure of plastic construction for a formwork panel

Номер патента: US20220049508A1. Автор: Kai Hollmann,Marco Girardi,Luca Liverani. Владелец: Polytech GmbH. Дата публикации: 2022-02-17.

Curing agent for disposal of municipal solid waste incineration (mswi) fly ash and preparation method and use method thereof

Номер патента: US20240059613A1. Автор: Xiao Han,Wanli Wang,Baomin Wang,Xiong Zhang,Chengcheng Fan,Ze YU,Tianru LI,Yunqing XING,Sai AN. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2024-02-22.

Curing agent for disposal of municipal solid waste incineration (MSWI) fly ash and preparation method and use method thereof

Номер патента: US11919811B1. Автор: Xiao Han,Wanli Wang,Baomin Wang,Xiong Zhang,Chengcheng Fan,Ze YU,Tianru LI,Yunqing XING,Sai AN. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2024-03-05.

Write-once type optical recording medium and fabrication method thereof

Номер патента: US20090097387A1. Автор: Yuichi Sabi,Etsuro Ikeda,Fuminori Takase. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-04-16.

Preparation method of a fabric

Номер патента: US11753746B2. Автор: Sunil Prakash,Hafeezullah Memon,Achala Herath,Ashok Mahtani. Владелец: Paradise Textiles Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Microfluidic chip for screening migration of mesenchymal stem cell (msc) to tumor, and preparation method and use method thereof

Номер патента: LU505383B1. Автор: Xueqiong Zhu,Yizuo Song,Luoran Shang,Xin Shou. Владелец: The Second Affiliated Hospital And Yuying Childrens Hospital Of Wenzhou Medical Univ. Дата публикации: 2024-04-26.

Driver assistance system, safety monitoring unit and method thereof

Номер патента: WO2024099892A1. Автор: Peng Ge,Bernd Mueller,Jan Rohde,Ashton Sun. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-05-16.

Hot-melt glass pillar lamp and multi-channel heat dissipation method thereof

Номер патента: US8197106B2. Автор: Haisheng Chen,Chunping ZHANG,Naiqun Jiang. Владелец: Shenzhen Tronsin Illuminating Technique Ltd. Дата публикации: 2012-06-12.

Hot-Melt Glass Pillar Lamp and Multi-Channel Heat Dissipation Method Thereof

Номер патента: US20100046216A1. Автор: Haisheng Chen,Chunping ZHANG,Naiqun Jiang. Владелец: SHENZHEN TORNSIN ILLUMINATING TECHNIQUE Ltd. Дата публикации: 2010-02-25.

Next generation sequencing analysis system and next generation sequencing analysis method thereof

Номер патента: US20160154929A1. Автор: Eric Y. Chuang,Tzu-Pin LU,Shao-Hua Cheng,Yu Shian CHIU,Heng-Yuan TUNG. Владелец: INSTITUTE FOR INFORMATION INDUSTRY. Дата публикации: 2016-06-02.

Cabinet type on-site monitoring device and monitoring method thereof

Номер патента: US20160170857A1. Автор: Hung-Chun Chien,Hung-Ming Hsieh,Yung-Hao Peng. Владелец: Cyber Power Systems Inc. Дата публикации: 2016-06-16.

Autonomous vehicle and drone-based emergency response method thereof

Номер патента: US12122423B2. Автор: Woo Jin Kim,Eun Young Choi,Jin Su Jeong,Ki Seok Seong,Min Sang YU,Hyeong Jin Ham,Rosali Sun Pyun,Dong Il YANG. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

An automatic goaf plugging device and construction method and application method thereof

Номер патента: ZA202304760B. Автор: Liu Chang,Li Zhen,Zhao Liang,Qin Min,HUANG CONG,LI Weiming,MA Ruifeng,Guo Yuning,Guo Zeyang,He Huansha,Lv Guanying,Qi Guanglu. Владелец: Changsha Inst Mining Res Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-20.

Cabinet type on-site monitoring device and monitoring method thereof

Номер патента: US09977722B2. Автор: Hung-Chun Chien,Hung-Ming Hsieh,Yung-Hao Peng. Владелец: Cyber Power Systems Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Three dimensional printing apparatus, printing calibration board and three dimensional printing calibration method thereof

Номер патента: US09550324B2. Автор: Yang-Teh Lee,Chi-Chieh Wu,Chi-Wen Hsieh. Владелец: Cal Comp Electronics and Communications Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Single nanoparticle having a nanogap between a core material and a shell material, and preparation method thereof

Номер патента: US09482618B2. Автор: Dong Kwon Lim,Yung Doug Suh,Jwa Min Nam,Ki Seok Jeon. Владелец: Korea Research Institute of Chemical Technology KRICT. Дата публикации: 2016-11-01.

Connection structure of frame elements

Номер патента: RU2632549C1. Автор: Йосиаки НАКАДЗАВА,Кенитиро ОЦУКА,Масанори Ясуяма,Хироки Фудзимото. Владелец: Ниппон Стил Энд Сумитомо Метал Корпорейшн. Дата публикации: 2017-10-05.

Method for determining a condition of the internal structure of hair and associated device

Номер патента: EP4331471A1. Автор: Rolf Bayersdoerfer,Jessica Welzel,Camille Grosjacques,Annika Koenen,Behnam Khadem,Aastik Malhotra. Владелец: Henkel AG and Co KGaA. Дата публикации: 2024-03-06.

Method for determining a condition of the internal structure of hair and associated device

Номер патента: WO2024047165A1. Автор: Rolf Bayersdoerfer,Jessica Welzel,Camille Grosjacques,Annika Koenen,Behnam Khadem,Aastik Malhotra. Владелец: Henkel AG & Co. KGaa. Дата публикации: 2024-03-07.

Memory array, memory cell, and data read and write method thereof

Номер патента: US20230197133A1. Автор: XIAOGUANG WANG,Yulei Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Electronic whiteboard and touch sensing signal transferring method thereof

Номер патента: US10275073B2. Автор: Nan-Jiun Yin,Pen-Ning Kuo. Владелец: Coretronic Corp. Дата публикации: 2019-04-30.

Multi-mode virtual serial port chip, implementation method, and firmware downloading system and method thereof

Номер патента: US20240311328A1. Автор: Chunhua Wang. Владелец: Nanjing Qinheng Microelectronics Co ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Multi-mode virtual serial port chip, implementation method, and firmware downloading system and method thereof

Номер патента: US12093206B1. Автор: Chunhua Wang. Владелец: Nanjing Qinheng Microelectronics Co ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Reverse range lookup on a unified logical map data structure of snapshots

Номер патента: US11880584B2. Автор: Wenguang Wang,Enning XIANG. Владелец: VMware LLC. Дата публикации: 2024-01-23.

Sub-pixel structure and pixel structure of color electrophoretic display

Номер патента: US20130114127A1. Автор: Tzu-Ming WANG,Yi-Ching Wang. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2013-05-09.

Medium for storing subtitle data structure of an audio/ video program and method for displaying the same

Номер патента: US7848615B2. Автор: Guo-Zua Wu,Der-Ray Huang,Jau-Jiu Ju,Wei-Zheng Lu,Kun-Da Wu,Meng-Han Tsai. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2010-12-07.

Structure of redundant arrays of inexpensive disks (r.a.i.d.) with servers

Номер патента: US20030147218A1. Автор: Shoei-Yuan Shih. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-07.

Medium for storing subtitle data structure of an audio/ video program and method for display the same

Номер патента: US20070140655A1. Автор: Guo-Zua Wu,Der-Ray Huang,Jau-Jiu Ju,Wei-Zheng Lu,Kun-Da Wu,Meng-Han Tsai. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2007-06-21.

Positioning Structure of a Magnetic Induction Ruler

Номер патента: US20080178485A1. Автор: Chih-Mao Shiao,Ming-Chih Huang. Владелец: Hiwin Mikrosystem Corp. Дата публикации: 2008-07-31.

Multi-layer high opacity film structure of improved whiteness and machinability

Номер патента: CA2150821A1. Автор: Riccardo Balloni,Robert Victor Poirier,Ronald Clark Wood,Michele Mullens. Владелец: Individual. Дата публикации: 1994-07-07.

Systems and methods for visualizing anatomical structure of patient during surgery

Номер патента: US20240074811A1. Автор: Meng Zheng,Ziyan Wu,Terrence Chen,Benjamin PLANCHE,Arun Innanje. Владелец: Shanghai United Imaging Intelligence Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Handle structure of trolley

Номер патента: US20240051592A1. Автор: Hung-Ching Hsieh. Владелец: HANDO INDUSTRIAL Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Hip joint structure of robot

Номер патента: US20210001498A1. Автор: Masayuki Kamon,Toshihiko Takagi,Junichi KARASUYAMA,Miu SUZUKI. Владелец: Kawasaki Jukogyo KK. Дата публикации: 2021-01-07.

Fuel inlet structure of vehicle

Номер патента: US20230070591A1. Автор: Tsuyoshi IZUHARA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2023-03-09.

Fuel inlet structure of vehicle

Номер патента: US11919385B2. Автор: Tsuyoshi IZUHARA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2024-03-05.

Trigger Labor-Saving Structure of Crossbow

Номер патента: US20180259289A1. Автор: Fu-Hui Chu,Ching-Chi Hung. Владелец: Man Kung Enterprise Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-13.

Head lamp structure of vehicle

Номер патента: US20130170243A1. Автор: Young Ho Son,Jin Ho NA,Jun Mo Ku. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2013-07-04.

Head lamp structure of vehicle

Номер патента: US8733994B2. Автор: Young Ho Son,Jin Ho NA,Jun Mo Ku. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2014-05-27.

Base structure of a motor saw

Номер патента: US4700480A. Автор: Bo R. Rangert,Christer L. Alm. Владелец: Electrolux AB. Дата публикации: 1987-10-20.

Integrated structure of golf club head and striking face

Номер патента: US20070293347A1. Автор: Li-Yang Lai,Chien-Chi Lai,Chun-Kuo Liao. Владелец: Shanghai Precision Technology Corp. Дата публикации: 2007-12-20.

Lower vehicle-body structure of vehicle

Номер патента: US11952042B2. Автор: Daisuke Tsuji,Hirotaka NATSUME,Keisuke Ebisumoto,Akiko NAKAMOTO,Mikado Kawasaki,Kento OTSUKA. Владелец: Mazda Motor Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Temperature homogenization, protection, and grease guide structure of barbecue grill

Номер патента: US20180289215A1. Автор: William Home. Владелец: Grand Hall Enterprise Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-11.

Foot pad structure of a mouse

Номер патента: US20100039384A1. Автор: Kuan-Ting Chen. Владелец: Areson Technology Corp. Дата публикации: 2010-02-18.

Defoaming structure of separation device

Номер патента: US20240082855A1. Автор: Makoto Tashiro. Владелец: Bunri Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Upper structure of an article of footwear including a cuff member

Номер патента: US12004594B2. Автор: Aaron A C Cooper. Владелец: Nike Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Rocker arm structure of hand-operated bean grinder

Номер патента: EP4356798A1. Автор: Hsiang-Chen Yeh. Владелец: Chuang Kang Machinery Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-24.

Rocker arm structure of hand-operated bean grinder

Номер патента: US20240122407A1. Автор: Hsiang-Chen Yeh. Владелец: Chuang Kang Machinery Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Connecting structure of a bulb assembly

Номер патента: US20040008513A1. Автор: Kuo-Fen Shu,Sen-Hung Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-15.

Gas Adsorbing and Sound Absorbing Composite Structure of Activated Charcoal-Wooden Material Composites for Improving Indoor Air Quality and Removing Radon Gas, and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20140298997A1. Автор: Lee Hwa Hyoung. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-09.

Structure of expansion joint filler for preventing crack in piling brick using reinforcing material for outer wall and method thereof

Номер патента: KR100645977B1. Автор: 원종균. Владелец: 이광원. Дата публикации: 2006-11-14.

Multi-material injection molding machine and multi-material injection molding method thereof

Номер патента: EP3838548A1. Автор: Tao Zhang,Tianzhi KUANG,Yongping HOU. Владелец: Yizumi Prec Machinery Suzhou Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-23.

FRONT STRUCTURE OF A MOTOR VEHICLE COMPRISING A GAP HAVING A UPPER PART AND A DEFORMABLE LOWER PART, CORRESPONDING GAP AND METHOD OF MANUFACTURING SUCH A GACHE

Номер патента: FR3047962B1. Автор: Stephane Remy. Владелец: PEUGEOT CITROEN AUTOMOBILES SA. Дата публикации: 2018-02-23.

All-photonic boolean logic device based on phase change straight waveguide and full binary logic implementation method thereof

Номер патента: US20230221619A1. Автор: Han Li,Xiaomin Cheng,Xiangshui Miao,Yunlai ZHU,Zhuli HE. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-07-13.

Multi-split system and liquid return prevention control method thereof during defrosting of multi-split system

Номер патента: US11131485B2. Автор: Changjing TANG. Владелец: GD Midea Heating and Ventilating Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-28.

Wind turbine generator and blade pitch angle control method thereof

Номер патента: CA2703174C. Автор: Yoshiyuki Hayashi,Kazunari Ide,Mitsuya Baba,Takumi Nakashima. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2013-08-06.

Apparatus for measuring blood coagulation data, and use method and calibration method thereof

Номер патента: US20190162641A1. Автор: FENG Jiang,Bangzhong YU. Владелец: Neotek Bioscience Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Portable electronic device and one-hand touch operation method thereof

Номер патента: US11893229B2. Автор: I-Hsi WU,Chih-Hsien Yang,Chen-Yu Hsu,Hsin-Yi PU,Meng Chen Hsieh. Владелец: ASUSTeK Computer Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Gas appliance and a control method thereof

Номер патента: US20230062854A1. Автор: Chung-Chin Huang,Chin-Ying Huang,Hsin-Ming Huang,Hsing-Hsiung Huang,Yen-Jen Yeh. Владелец: Grand Mate Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Realistic tactile haptic feedback device and realistic tactile haptic feedback method thereof

Номер патента: US8902051B2. Автор: Gregory C. Smith,Shana S. Smith,Ji-Liang Lee. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2014-12-02.

Method for Measuring Inhibition of Bacteria by Antibacterial Drug, and Bacterial Counting Device and Method Thereof

Номер патента: US20220195487A1. Автор: Jing Cui,Peng Xu,Mingzhong TANG,Huicui ZHANG. Владелец: Beijing Xinji Jinnuo Medical Equipment Co ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Shift register and voltage adjusting circuit and voltage adjusting method thereof

Номер патента: US9299453B2. Автор: Chien-Ting Chan,Kuo-Sheng Lee,Chung-Lin Chang. Владелец: Hannstar Display Corp. Дата публикации: 2016-03-29.

Multi-layer composite article including a cover layer and a pc/abs layer and methods thereof

Номер патента: US20190232620A1. Автор: Pascal E.R.E.J. Lakeman,Norwin Van Riel,Nicolaas M.A. Hermans. Владелец: Trinseo Europe GmbH. Дата публикации: 2019-08-01.

Data storage device and selecting bad data block method thereof

Номер патента: US11803312B2. Автор: Sheng-Yuan Huang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Wide stripe data storage and constructing, repairing and updating method thereof

Номер патента: US20220358008A1. Автор: Jia Xu,Yuchong Hu,Liangfeng Cheng,Qiaori Yao,Zhaokang KE. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2022-11-10.

Dust suction and charging device for floor sweeping robot, and dust suction and charging method thereof

Номер патента: US11998161B2. Автор: Liang Bo. Владелец: Beijing Xiangjie Science And Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Touch display device and light sensor module recovery method thereof

Номер патента: US9417736B2. Автор: Hyun-Woo Jang,Shi-Cheol Song. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Memory device, source line voltage adjuster and source line voltage adjusting method thereof

Номер патента: US11049572B1. Автор: Chung-Kuang Chen,Yi-Ting Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-29.

Display device and luminance and color compensation method thereof

Номер патента: US11990077B1. Автор: Chun-Han TAI. Владелец: AUO Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Electronic whiteboard and touch sensing signal transferring method thereof

Номер патента: US20170160860A1. Автор: Nan-Jiun Yin,Pen-Ning Kuo. Владелец: Coretronic Corp. Дата публикации: 2017-06-08.

Shift register and voltage adjusting circuit and voltage adjusting method thereof

Номер патента: US20140044229A1. Автор: Chien-Ting Chan,Kuo-Sheng Lee,Chung-Lin Chang. Владелец: Hannstar Display Corp. Дата публикации: 2014-02-13.

Passenger conveyor system and starting/stopping control method thereof

Номер патента: US20180194597A1. Автор: LongWen WANG,JiYao Le. Владелец: Otis Elevator Co. Дата публикации: 2018-07-12.

Wide stripe data storage and constructing, repairing and updating method thereof

Номер патента: US12001278B2. Автор: Jia Xu,Yuchong Hu,Liangfeng Cheng,Qiaori Yao,Zhaokang KE. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-06-04.

Display device and luminance and color compensation method thereof

Номер патента: US20240177644A1. Автор: Chun-Han TAI. Владелец: AUO Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

All-photonic Boolean logic device based on phase change straight waveguide and full binary logic implementation method thereof

Номер патента: US11906876B2. Автор: Han Li,Xiaomin Cheng,Xiangshui Miao,Yunlai ZHU,Zhuli HE. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-02-20.

Floor heating system is a sandwich structure of an electric heating film between an upper plastics grid layer and a lower felt/honeycomb insulating layer to be laid between the floor and the floor covering

Номер патента: FR2800445A1. Автор: DANIEL Benoit,Dominique Vitou. Владелец: Nortene SA. Дата публикации: 2001-05-04.

Remodeling structure of a subterranean sewage drain for expanding the cross section thereof and a method for constructing the same

Номер патента: WO2013165154A1. Автор: 박지영,최재용,강기동. Владелец: (주)지감이엔씨. Дата публикации: 2013-11-07.

Walking robot and simultaneous localization and mapping method thereof

Номер патента: US8873831B2. Автор: Kyung Shik Roh,Suk June Yoon,Seung Yong Hyung,Sung Hwan Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-10-28.

Device driver including a flash memory file system and method thereof and a flash memory device and method thereof

Номер патента: US8510500B2. Автор: Prakash Talawar,Chan-Ik Park,Min-Soo Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-08-13.

Astaxanthin pickering emulsion with colon targeted delivery function, and preparation method and application method thereof

Номер патента: US20240148649A1. Автор: Liang Li,JING Yin,CHEN Huang,Jie PANG,Chunhua Wu,Danjie Li,Weiquan Zhong,Xinxin Zeng. Владелец: FUJIAN AGRICULTURE AND FORESTRY UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-05-09.

NANOPARTICLES IN THE SHAPE OF NANOSNOWMAN WITH A HEAD PART AND A BODY PART, A PREPARATION METHOD THEREOF AND A DETECTION METHOD USING THE SAME

Номер патента: US20130295563A1. Автор: Lee Jung Hoon,Nam Jwa Min,Oh Jeong Wook. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-07.

NANOPARTICLES IN THE SHAPE OF NANOSNOWMAN WITH A HEAD PART AND A BODY PART, A PREPARATION METHOD THEREOF AND A DETECTION METHOD USING THE SAME

Номер патента: US20170108440A1. Автор: Lee Jung Hoon,Nam Jwa Min,Oh Jeong Wook. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-20.

SINGLE NANOPARTICLE HAVING A NANOGAP BETWEEN A CORE MATERIAL AND A SHELL MATERIAL, AND PREPARATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20130330839A1. Автор: Suh Yung Doug,Nam Jwa Min,Lim Dong Kwon,Jeon Ki Seok. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-12.

CLEANSING PAD WITH A SCOURING PORTION AND A SCRUBBING PORTION AND PRODUCTION METHOD THEREOF

Номер патента: US20220167823A1. Автор: Bachar David,Bachar Dror. Владелец: . Дата публикации: 2022-06-02.

Microstructured Optical Fibre Having A Large Core And A Flattened Fundamental Mode, Production Method Thereof And Use Of Same In Laser Microfabrication

Номер патента: US20140233900A1. Автор: Hugonnot Emmanuel,Mussot Arnaud,Bouwmans Geraud,Bigot Laurent,Valentin Constance,Lago Laure,Quiquempois Yves. Владелец: . Дата публикации: 2014-08-21.

MULTI-LAYER COMPOSITE ARTICLE INCLUDING A COVER LAYER AND A PC/ABS LAYER AND METHODS THEREOF

Номер патента: US20190232620A1. Автор: LAKEMAN Pascal E.R.E.J.,van Riel Norwin,Hermans Nicolaas M.A.. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-01.

X-RAY REFLECTOMETRY APPARATUS FOR SAMPLES WITH A MINISCULE MEASUREMENT AREA AND A THICKNESS IN NANOMETERS AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20160341674A1. Автор: Lin Yi-Hung,WU Wen-Li,FU Wei-En,Ferng Shyh-Shin,Chien Yun-San. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-24.

An oriental drink containing an aloeswood, a sasa borealis, an polygala tenuifolia and a zizyphus jujuba and manufacturing method thereof

Номер патента: KR100931880B1. Автор: 지영학. Владелец: 지영학. Дата публикации: 2009-12-15.

Exhausting Gas Analysis Device With A Thermal Desorption Portion And A NDIR Portion And Analysis Method Thereof

Номер патента: KR102015227B1. Автор: 김조천. Владелец: 건국대학교 산학협력단. Дата публикации: 2019-08-27.

Synchronous DRAM semiconductor device having a data output buffer control circuit and a data output buffer control method thereof

Номер патента: KR100546277B1. Автор: 강영구,서동일. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-04-06.

A flame rod structure and a compensating circuit and control method thereof

Номер патента: EP0520507A2. Автор: Soo Young 302 Ho 44-88 Sungwonjootak Ka-Dong Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1992-12-30.

Wearable electronic device using a touch input and a hovering input and controlling method thereof

Номер патента: US10114501B2. Автор: Jun-Ho Koh,Sung-Chan Kim,Bo-seok MOON,Yang-Wook Kim,Kang-Jin YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-10-30.

Single nanoparticle having a nanogap between a core material and a shell material, and manufacturing method thereof

Номер патента: EP2645104A2. Автор: Dong Kwon Lim,Yung Doug Suh,Jwa Min Nam,Ki Seok Jeon. Владелец: Korea Research Institute of Chemical Technology KRICT. Дата публикации: 2013-10-02.

Manufactured method of a covered stent and a covered stent by manufactured method thereof

Номер патента: KR20220156709A. Автор: 명병철,김훈성. Владелец: 주식회사 비씨엠. Дата публикации: 2022-11-28.

A filter whose adsorption behavior against harmful gas is controlled through activated carbon fibers, activated carbon particles and a fibrous binder and preparation method thereof

Номер патента: KR102348819B1. Автор: 최영옥,여상영,배영환. Владелец: 한국생산기술연구원. Дата публикации: 2022-01-11.

Electronic device for measuring the body temperature of an access person in conjunction with a thermal imaging camera and a video camera, and operating method thereof

Номер патента: KR102196813B1. Автор: 우경일. Владелец: (주)한컴인텔리전스. Дата публикации: 2020-12-30.

Microstructured optical fibre having a large core and a flattened fundamental mode, production method thereof and use of same in laser microfabrication

Номер патента: EP2758816B1. Автор: Geraud Bouwmans,Laurent Bigot,Emmanuel Hugonnot,Laure Lago,Arnaud Mussot,Constance Valentin,Yves Quiquempois. Владелец: Universite Lille 1 Sciences et Technologies. Дата публикации: 2015-11-25.

Flat product having a relief structure and a pressed pattern,and manufacturing method thereof

Номер патента: DE2953360D2. Автор: B Johnard. Владелец: Forbo Betriebs AG. Дата публикации: 1980-12-18.

Aluminium-zinc-hot-dipped and colour-coated steel plate having a 600 mpa yield strength grade and a high elongation and manufacturing method thereof

Номер патента: CA2995720A1. Автор: Jun Li,Yunfeng Liu,Dechao XU,Hailing MU,Yusheng Zhao. Владелец: Baoshan Iron and Steel Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-09.

A Novel dumpling skin made with nonglutinous rice and a viscosity agent and preparation method thereof

Номер патента: KR20190112964A. Автор: 정유진,변영미,정공조. Владелец: 주식회사 영진식품. Дата публикации: 2019-10-08.

Single nanoparticle having a nanogap between a core material and a shell material, and preparation method thereof

Номер патента: CA2819052A1. Автор: Dong Kwon Lim,Yung Doug Suh,Jwa Min Nam,Ki Seok Jeon. Владелец: Korea Research Institute of Chemical Technology KRICT. Дата публикации: 2012-05-31.

Compositions Containing Probiotics and a Beepollen/Clay Complex, Preparation Method Thereof and Uses of Same in Nutrition and Therapeutics

Номер патента: US20150071890A1. Автор: FREGONESE Alexandra. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-12.

Combination of bone graft material and a barrier membrane and manufacturing method thereof

Номер патента: KR101213244B1. Автор: 정의원. Владелец: 연세대학교 산학협력단. Дата публикации: 2012-12-18.

DEVICE FOR SIGNALING THE SIMULTANEOUS LOCKING OF AN ADULT SEAT SECURITY SEAT BELTS AND A MOTOR VEHICLE CHILD, AND METHOD THEREOF

Номер патента: FR2962090B1. Автор: Gilles Barron. Владелец: PEUGEOT CITROEN AUTOMOBILES SA. Дата публикации: 2012-07-13.

Substrate comprising an anticoagulant and a hydrophilic polymer and manufacturing method thereof

Номер патента: CA2664299A1. Автор: Hiroshi Takahashi,Yoshiyuki Ueno,Hirokazu Sakaguchi,Hiroyuki Sugaya. Владелец: Hiroyuki Sugaya. Дата публикации: 2008-03-20.

COMPOSITE MATERIAL FORMED FROM ALUMINUM AND A FIBERGLASS MATERIAL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: FR2617430B3. Автор: Hans Behdorf,Gerhardt Sollner,Thomas Singe. Владелец: Vereinigte Aluminium Werke AG. Дата публикации: 1989-06-16.

Arrangement with at least one object to be packaged and a transport packaging and manufacturing method thereof

Номер патента: DE102011114309B4. Автор: Stefan STAROVECKY,Stefan Mengesdorf. Владелец: Kartonveredlung Knapp GmbH. Дата публикации: 2019-03-07.

Pharmaceutical composition comprising ibuprofen, tramadol and a basic amino acid, preparation method thereof and use of same

Номер патента: WO2011027009A1. Автор: Fernando MARTÍNEZ-ALZAMORA,Antonia GÓMEZ CALVO,Nuria SANZ MENÉNDEZ,Ángel Muñoz Ruiz,Gonzalo HERNÁNDEZ HERRERO,Ana Jiménez Redondo. Владелец: FARMALIDER, S.A.. Дата публикации: 2011-03-10.

A stretchable layer for a reconfigurable mold, a stretchable heating blanket, a membrane, an apparatus for making a three-dimensionally curved object, and a stretchable layer fabrication method

Номер патента: WO2023177293A2. Автор: François GEUSKENS. Владелец: Curve Works Holding B.V.. Дата публикации: 2023-09-21.

A stretchable layer for a reconfigurable mold, a stretchable heating blanket, a membrane, an apparatus for making a three-dimensionally curved object, and a stretchable layer fabrication method

Номер патента: NL2032624B1. Автор: Geuskens François. Владелец: Curve Works Holding B V. Дата публикации: 2023-09-27.

Pharmaceutical composition comprising ibuprofen, tramadol and a basic amino acid, preparation method thereof and use of same

Номер патента: EP2474309A4. Автор: Menéndez Nuria Sanz,Fernando MARTÍNEZ-ALZAMORA,Herrero Gonzalo Hernandez,Ruiz Ángel Muñoz,Calvo Antonia Gómez,Redondo Ana Jimenez. Владелец: Farmalider Sa. Дата публикации: 2013-11-27.

A stretchable layer for a reconfigurable mold, a stretchable heating blanket, a membrane, an apparatus for making a three-dimensionally curved object, and a stretchable layer fabrication method

Номер патента: WO2023177293A3. Автор: François GEUSKENS. Владелец: Curve Works Holding B.V.. Дата публикации: 2023-10-26.

Silicon-based rib-waveguide modulator and fabrication method thereof

Номер патента: US09429776B2. Автор: Changhua Chen,Dong Pan,Tuo SHI,Tzung-I Su,Yongbo Shao. Владелец: SiFotonics Technologies USA Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Touch panel and fabrication method thereof

Номер патента: US09874954B2. Автор: Yuh-Wen Lee,Xianbin Xu,Fengming Lin,Chuangdai Tang. Владелец: TPK Touch Solutions Xiamen Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Fabrication method for steel thin-walled tailor-welded part and hot-stamped part prepared using tailored-welded part

Номер патента: EP4393631A1. Автор: Ming Lei,Hua PAN,Yue Wu,Chengjie LIU,Zhongqu SUN,Haomin JIANG,Shuyang Wang,Tianhai WU. Владелец: Baoshan Iron and Steel Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Miniature diaphragm-based fiber-optic tip FP pressure sensor, and fabrication method and application thereof

Номер патента: US12044591B2. Автор: Wei Peng,Qiang Liu,Ang Li,Yueying Liu,Zhenguo Jing. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2024-07-23.

Fabrication method for steel thin-walled tailor-welded part and hot-stamped part prepared using tailored-welded part

Номер патента: US20240351140A1. Автор: Ming Lei,Hua PAN,Yue Wu,Chengjie LIU,Zhongqu SUN,Haomin JIANG,Shuyang Wang,Tianhai WU. Владелец: Baoshan Iron and Steel Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Microfluidic chip and fabrication method

Номер патента: US12134097B2. Автор: Wei Li,ZHENYU Jia,Yunfei Bai,Baiquan LIN,Ping Su,Kerui XI,Kaidi Zhang. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Cell-assembled motherboard and fabrication method thereof, and liquid crystal display panel and fabrication method thereof

Номер патента: US09488872B2. Автор: Mingchao Wang. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Method of selective determination of the concentration of gas-containing mercapt-containing and/or amine-containing compounds by means of a gas sensor on the basis of organic field transistor and device for selective determination of the concentration of gas-bearing and/or amine-containing compounds

Номер патента: RU2675667C1. Автор: Сергей Анатольевич Пономаренко,Елена Валериевна Агина,Алексей Сергеевич Сизов,Михаил Юрьевич Яблоков,Алексей Андреевич Васильев,Аскольд Альбертович Труль,Виктория Петровна Чекусова,Александр Анатольевич Пермяков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Технологии Печатной Электроники" (ООО "ПРИНТЭЛТЕХ"). Дата публикации: 2018-12-21.

Crimping structure of surface coating fabric of article

Номер патента: US20210137278A1. Автор: Chien-Yeh Chen. Владелец: Fujian Chuangxin Family Reside Appliance Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-13.

Optical pickup head of optical recording reproducing apparatus, fabrication method thereof, lubricant-coated optical pickup head of optical recording reproducing apparatus and lubricant coating method thereof

Номер патента: US20040202101A1. Автор: Chang-Hoon Oh,Young-Joo Yee,Seong-Hyok Kim,Jung-Hoon Choi. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2004-10-14.

Magneto-resistive field effect transistor

Номер патента: WO2014199144A1. Автор: Daniel Anthony Allwood,Hadi Rasam Alqahtani,Matthew Thomas BRYAN,Martin Friedrich GRELL. Владелец: THE UNIVERSITY OF SHEFFIELD. Дата публикации: 2014-12-18.

Natural adhesive using garlic and fabricating method of the same

Номер патента: US20110000396A1. Автор: Jin Hwa Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-06.

Field effect transistor and a gas detector including a plurality of field effect transistors

Номер патента: US9683957B2. Автор: Bonex Wakufwa Mwakikunga. Владелец: Council for Scientific and Industrial Research CSIR. Дата публикации: 2017-06-20.

Natural adhesive using garlic and fabricating method of the same

Номер патента: EP2195399A2. Автор: Jin Hwa Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-16.

Hybrid drive shaft using friction-stir welding and fabrication method thereof

Номер патента: US09958003B2. Автор: Dong Ho Kim. Владелец: Woo Shin Emc Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Field effect transistor and a gas detector including a plurality of field effect transistors

Номер патента: US09683957B2. Автор: Bonex Wakufwa Mwakikunga. Владелец: Council for Scientific and Industrial Research CSIR. Дата публикации: 2017-06-20.

Electric circuit assembly comprising a ferroelectric field effect transistor, and memory cell

Номер патента: US20240055036A1. Автор: Thomas KÄMPFE,Nelli Laleni. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2024-02-15.

Chiral diene ligands, a fabrication method thereof and applications thereof

Номер патента: US8586810B2. Автор: Hsyueh-Liang Wu,Chia-Chen Liu,Chun-Chih Chen,Wei-Ting Wei,Jo-Hsuan Fang. Владелец: National Taiwan Normal University NTNU. Дата публикации: 2013-11-19.

Chiral diene ligands, a fabrication method thereof and applications thereof

Номер патента: US20130096348A1. Автор: Hsyueh-Liang Wu,Chia-Chen Liu,Chun-Chih Chen,Wei-Ting Wei,Jo-Hsuan Fang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-04-18.

Liquid crystal display device and fabrication method thereof

Номер патента: US20060273315A1. Автор: Yong-Min Ha,Han-Wook Hwang. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-07.

Complex three-dimensional multi-layer structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09958581B2. Автор: Tae Wan Kim,Seung Joon Baek,Han Eol LIM,Se Jin Choi. Владелец: Minuta Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Electrowetting display panel, fabrication method thereof and display apparatus comprising the same

Номер патента: US09709799B2. Автор: Juan Chen. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

RAMAN-ENHANCED SUBSTRATE, FABRICATION METHOD THEREOF, AND METHOD FOR DETECTING miRNA

Номер патента: NL2028411A. Автор: Liu Jing,Zhou Hong,Liu Shufeng,Ding Kexin. Владелец: Qingdao Univ Of Science And Technology. Дата публикации: 2021-08-30.

RAMAN-ENHANCED SUBSTRATE, FABRICATION METHOD THEREOF, AND METHOD FOR DETECTING miRNA

Номер патента: NL2028411B1. Автор: Liu Jing,Zhou Hong,Liu Shufeng,Ding Kexin. Владелец: Qingdao Univ Of Science And Technology. Дата публикации: 2022-01-28.

Structural analog of cyclotheonellazole a, and synthetic method therefor and application method thereof

Номер патента: US20240246998A1. Автор: Limin Li,Shengquan Hu,Zhengzhi WU,Bohua LONG,Zhiyue Li,Liuyang Pu. Владелец: Second People's Hospital Of Shenzhen Shenzhen Institute Of Geriatrics. Дата публикации: 2024-07-25.

Power control circuit for memory circuit based on complementary field effect transistor devices

Номер патента: US20240321337A1. Автор: Chia-Che Chung,Chien-Chen Lin,Shang Lin Wu,Yen Lin CHUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Wire grid polarizer and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09897735B2. Автор: Yanbing WU,Yingyi LI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Superhydrophilic surface body, fabricating method thereof, and filter for oil and water separation

Номер патента: US20170190857A1. Автор: Woon Bong Hwang,Handong CHO. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2017-07-06.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20110195257A1. Автор: Shu-Lin Ho,Hsin-Chang Hsiung. Владелец: Core Precision Material Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-11.

Thiophene-phenothiazine compounds and synthesis method thereof, as well as application thereof in preparation of phototherapy medicines

Номер патента: US20240327432A1. Автор: Chuanshan Xu,Houhe LIU. Владелец: GUANGZHOU MEDICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-10-03.

N-p balanced multi-port register file with complementary field-effect transistors (cfets)

Номер патента: US20240331761A1. Автор: Patrick Morrow,Muhammad M. Khellah,Charles Augustine,Amlan Ghosh,Feroze Merchant,Seenivasan Subramaniam. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Superhydrophilic surface body, fabricating method thereof, and filter for oil and water separation

Номер патента: US09884775B2. Автор: Woon Bong Hwang,Handong CHO. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2018-02-06.

Flooring material and fabrication method thereof

Номер патента: US09833974B2. Автор: Gyeongmin Lee,Hyunjong Kwon,Kyungtae Ha. Владелец: LG HAUSYS LTD. Дата публикации: 2017-12-05.

Touch device and fabrication method thereof

Номер патента: US09665230B2. Автор: FENG CHEN,Yuh-Wen Lee,Yanjun Xie,Hsiang-Lung Hsia,Xianbin Xu,Keming Ruan,Fengming Lin. Владелец: TPK Touch Solutions Xiamen Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Thermoluminescent dosimeter for radiation monitoring, comprising LiF doped with Mg, Cu, and Si, and fabrication method thereof

Номер патента: US20080142731A1. Автор: Jong-Soo Kim,Bong-Hwan Kim,Jung-Il Lee,Jang-Lyul Kim,Jeong-Sun Yang. Владелец: Korea Hydro and Nuclear Power Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-19.

Cyclotheonellazolea, and synthetic method therefor, and application method thereof

Номер патента: US20240254162A1. Автор: Limin Li,Shengquan Hu,Zhengzhi WU,Bohua LONG,Zhiyue Li,Liuyang Pu. Владелец: Second People's Hospital Of Shenzhen Shenzhen Institute Of Geriatrics. Дата публикации: 2024-08-01.

In-situ reconstruction and extension structure of embankment and construction method thereof

Номер патента: US20240352682A1. Автор: Jinhong Li,Xiang Qiu,Siqi Fan,Xiaoming Fan,Jiyuan Zhu. Владелец: CHANGSHA UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-10-24.

Heat resistive particles for particle-based displays and fabrication methods thereof

Номер патента: US20130088768A1. Автор: Rong-Chang Liang,Jung-Yang Juang,Jiunn-Jye HWANG HWANG. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2013-04-11.

Phenyl-modified polydimethylsiloxane (PDMS) separation membrane, fabrication method thereof, and use thereof in separation of aromatic compound

Номер патента: US11969697B2. Автор: YANG Pan,Gongping Liu,Haipeng Zhu,Wanqin Jin. Владелец: NANJING TECH UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-04-30.

Integrated circuit comprising field effect transistors and a programmable read-only memory

Номер патента: IE56337B1. Автор: . Владелец: Philips Nv. Дата публикации: 1991-06-19.

Liquid crystal panel and fabricating method thereof

Номер патента: US09933653B2. Автор: Yuejun TANG. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Liquid crystal display panel, driving method and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09645455B2. Автор: Miki Kashima. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Liquid crystal display pixel structure and manufacture method thereof

Номер патента: US09632368B2. Автор: Feng Zhao,Chungyi CHIU. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Surface-enhanced raman scattering substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09518927B2. Автор: Yu-Ting Yen,Hsuen-Li Chen,Chen-Chieh YU,Sin-Yi Chou. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2016-12-13.

Beverage can and fabricating method thereof

Номер патента: WO2003055757A1. Автор: Byoung-Jin Lee. Владелец: Byoung-Jin Lee. Дата публикации: 2003-07-10.

A multi-modal and visible mesh-fixing tack and a preparation method thereof

Номер патента: AU2021104992A4. Автор: Wei Bai,Qiang Wang,Jun Wu,Rong Wang,Bo Fan,Yaowei Li,Ruxia GENG,Juan TIAN,Junbo WEN,Minqin XIA,Hanmei YU,Zhaomin ZHANG. Владелец: Yunnan University YNU. Дата публикации: 2021-09-30.

Thermally driven digital microfluidic chip, fabricating method and control method thereof

Номер патента: US20190184397A1. Автор: Yue Li,Yu Zhao,WANG Guo,Dong Wang,Jinyu Li,Mingyang Lv,Yanchen Li,Dawei Feng,Shaojun HOU. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-20.

Waterproof structure of tent

Номер патента: US20030127123A1. Автор: Kyong Jai Choi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-10.

Gradient-structured ultra-fine bainitic low-alloy rail steel and preparation method thereof

Номер патента: US20240218478A1. Автор: CHEN CHEN,Jianjun Wang,Qingchao Wang,Fucheng Zhang,Hongguang Li,Changbo LIU,Xinliang GAO,Dongyun Sun,Zhinan YANG,Zhuanqin LIANG. Владелец: YANSHAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-07-04.

Dioxaborines as organic n-semiconductors, process for the production of semiconductors utilizing dioxaborines, and semiconductor component, field effect transistor, and diode having a dioxaborine

Номер патента: US20030234396A1. Автор: Günter Schmid,Lisa Davis,Marcus Halik. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-12-25.

[pixel structure and fabricating method thereof]

Номер патента: US20050036079A1. Автор: Daisuke Nishino,Chih-Hung Chiang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-17.

Pixel structure and fabricating method thereof

Номер патента: US20060033101A1. Автор: Daisuke Nishino,Chih-Hung Chiang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-16.

Gradient-structured ultra-fine bainitic low-alloy rail steel and preparation method thereof

Номер патента: US12084737B2. Автор: CHEN CHEN,Jianjun Wang,Qingchao Wang,Fucheng Zhang,Hongguang Li,Changbo LIU,Xinliang GAO,Dongyun Sun,Zhinan YANG,Zhuanqin LIANG. Владелец: YANSHAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-09-10.

Honeycomb core plate and processing method thereof

Номер патента: US20240351302A1. Автор: Hong Jie FU. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-10-24.

Asymmetric cable-membrane tensegrity structure of opening type, method of constructing the same and method of designing the same

Номер патента: US09892213B2. Автор: Guojun Zhang,Ling Zhang,Shu Wang,Jiaqi Ge,Mansheng Zhang,Zhizhong Guan,Botao Ma. Владелец: China Aviation Planning & Construction Development. Дата публикации: 2018-02-13.

Ceramic separation membrane structure, and repair method thereof

Номер патента: US09782729B2. Автор: Makoto Miyahara,Makiko Ichikawa. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Alignment film and fabrication method thereof, liquid crystal panel and display device

Номер патента: US09753331B2. Автор: Jifeng TAN,Xinxing Wang,Jikai YAO,Jaegeon You. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Fiber-metal laminate having honeycomb sandwich structure and preparation method thereof

Номер патента: US20240375390A1. Автор: Huiyu LI,Xiaoxu Li,Fuzhen Sun,quanda Zhang,Jirigele Yun. Владелец: Beijing National Innovation Institute Of Lightweight Ltd Yantai Branch. Дата публикации: 2024-11-14.

Gas-sensitive sensor based on field-effect transistor and process of determination of concentration of gases

Номер патента: RU2169363C2. Автор: В.А. Березкин,И.Г. Шкуропат,В.К. Дмитриев,В.Г. Певгов. Владелец: Государственный научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина. Дата публикации: 2001-06-20.

Foamed fabric structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200362483A1. Автор: Yih-Ping Luh. Владелец: Qingyuan Global Technology Services Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Tin dioxide oxide thin film, preparation method thereof and application thereof in hydrogen detection

Номер патента: NL2030680A. Автор: Dan Xu,Di Zhu,Baofeng Zhao,Shuyuan Wang,Haibin Guan,Angang Song. Владелец: Energy Res Inst Shandong Academy Sciences. Дата публикации: 2022-10-24.

Tin dioxide oxide thin film, preparation method thereof and application thereof in hydrogen detection

Номер патента: NL2030680B1. Автор: Dan Xu,Di Zhu,Baofeng Zhao,Shuyuan Wang,Haibin Guan,Angang Song. Владелец: Energy Res Inst Shandong Academy Sciences. Дата публикации: 2022-10-28.

Aluminum alloy flux-cored welding wire and fabrication method thereof

Номер патента: US20240227087A1. Автор: Chang Miao,Rui CAO,Yutao Zhao,Xizhou Kai,Chengchao DU,Zhuangzhuang XU. Владелец: Jiangsu University. Дата публикации: 2024-07-11.

Display-panel motherboard and fabricating method thereof

Номер патента: US20200292862A1. Автор: JI Li,Lisen Wang,Zhiyang Gao,Zhaozhe Xu. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Key, X-structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070033792A1. Автор: Chien Hsu,Pin Liao. Владелец: Darfon Electronics Corp. Дата публикации: 2007-02-15.

Aluminum alloy flux-cored welding wire and fabrication method thereof

Номер патента: US12042885B1. Автор: Chang Miao,Rui CAO,Yutao Zhao,Xizhou Kai,Chengchao DU,Zhuangzhuang XU. Владелец: Jiangsu University. Дата публикации: 2024-07-23.

Sole structure of an article of footwear

Номер патента: US20240180290A1. Автор: Tory M. Cross. Владелец: Nike Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Key, x-structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110056061A1. Автор: Chien Shih Hsu,Pin Chien Liao. Владелец: Darfon Electronics Corp. Дата публикации: 2011-03-10.

Liquid crystal panel for improving the uniformity of the parasitic capacitor and fabrication method thereof

Номер патента: US8179511B2. Автор: Moon Soo Kang,Hyung Ho Ahn. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-15.

Liquid crystal panel and fabrication method thereof

Номер патента: US20070103609A1. Автор: Moon Kang,Hyung Ahn. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-10.

Whispering gallery mode resonator based on cylindrical cavity in optical fiber and fabrication method thereof

Номер патента: US20240295794A1. Автор: Dongning Wang,Yongli Mei,Qiaoben Wang. Владелец: Shenzhen Technology University. Дата публикации: 2024-09-05.

Ferroelectric liquid crystal display and fabricating method thereof

Номер патента: US20020085145A1. Автор: Su Choi. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2002-07-04.

Ferroelectric liquid crystal display and fabricating method thereof

Номер патента: US20040070703A1. Автор: Su Choi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-15.

Magnetically driven capsule robot with controllable drug administration and sampling functions and fabrication method thereof

Номер патента: US20240299715A1. Автор: Liang Li,WANG Zhang,Yuxuan Sun,Enmin SONG,Quanliang Cao. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-09-12.

Rockfall Prevention Structure at Joint of Bridge and Portal of End-wall Tunnel and Construction Method Thereof

Номер патента: NL2037005A. Автор: Liu Xiaoyong,Zhou Li,Yang Hong,HU Qiang,LIU Minjie,Gou Deming,Cao Kun,TAN Yong,WU Mingfang,Yang Chunping,CUI Xuan,Tian Jiao,zhang Anrui,Zhou Ganggui,Chun Junwei,Zeng Zhongyi. Владелец: Guizhou Transp Planning Survey And Design Academe Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Field-effect p-n transistor and its manufacturing process

Номер патента: RU2102818C1. Автор: Соломон Давидович Эдлин. Владелец: Соломон Давидович Эдлин. Дата публикации: 1998-01-20.

Arc blade-shaped processing surface structure of pad conditioner and manufacturing mold structure thereof

Номер патента: SG191450A1. Автор: HUANG HUANG-NAN,LEE CHENG-FANG. Владелец: LEE CHENG-FANG. Дата публикации: 2013-07-31.

Seat structure of motorcycle

Номер патента: MY151647A. Автор: Masaaki Yamaguchi,Takafumi Nakanishi. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-30.

Whole structure of MOS (metal oxide semiconductor) field-effect transistor inverter welding machine

Номер патента: CN203526775U. Автор: 魏继昆,陈法庆,朱宣辉,朱宣东,蔡献. Владелец: Zhejiang Kende Mechanical and Electrical CO Ltd. Дата публикации: 2014-04-09.

Manufacturing process and structure of bio sample ion sensing field effect transistor

Номер патента: TWI243899B. Автор: Jia-Ming Yang,Jau-Sung Lai,Wang-Ping Shr,Yuan-Yi Ye,Tsai-Tai Jang. Владелец: Micro Base Technology Corp. Дата публикации: 2005-11-21.

Manufacturing process and structure of biomedical sample ion sensing field effect transistor

Номер патента: TW200532192A. Автор: Jia-Ming Yang,Jau-Sung Lai,Wang-Ping Shr,Yuan-Yi Ye,Tsai-Tai Jang. Владелец: Micro Base Technology Corp. Дата публикации: 2005-10-01.

Organic field effect transistor and special source/drain electrode and preparation method thereof

Номер патента: CN101442105A. Автор: 郭云龙,刘云圻,狄重安,于贵,朱道本,魏大程. Владелец: Institute of Chemistry CAS. Дата публикации: 2009-05-27.

Diamond-based field effect transistor with low-work-function conductive grid and preparation method thereof

Номер патента: CN109904227B. Автор: 王玮,张明辉,林芳,王宏兴,问峰,王艳丰,陈根强,卜忍安. Владелец: Xian Jiaotong University. Дата публикации: 2021-01-19.

Power metal-oxide-semiconductor field effect transistor (MOSFET) component with bottom source electrode and manufacture method thereof

Номер патента: CN103137655A. Автор: 黄平,薛彦迅,何约瑟. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2013-06-05.

Functional structure of axial back-and-forth turning of electromagnetic retainer of medical and diagnostic tool in toroidal surgical robot system (russian logic - version 10)

Номер патента: RU2594471C1. Автор: Лев Петрович Петренко. Владелец: Лев Петрович Петренко. Дата публикации: 2016-08-20.

Metal semiconductor field effect light emitting transistor and preparing method thereof

Номер патента: CN101308895A. Автор: 郭志友,孙慧卿,曾坤,赵华雄,范广涵,高小奇. Владелец: SOUTH CHINA NORMAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2008-11-19.

Field Effect Electron Emission Display Device Carbon Thin Film Emitter and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: KR19990086283A. Автор: 김한,최영환,허진우,김명제,정효수. Владелец: 사단법인 고등기술연구원 연구조합. Дата публикации: 1999-12-15.

Structure of detachable hand sink comprising a support base, a main sink, and a filter layer between the support base and the main sink

Номер патента: TW202006216A. Автор: 黃秀梅,黃柏憲. Владелец: 東方學校財團法人東方設計大學. Дата публикации: 2020-02-01.

New structures of vertical resistors and fets as controlled by electrical field penetration and a band-gap voltage reference using vertical fets operating in accumulation through the field penetration effect

Номер патента: SG114599A1. Автор: Min Hwa Chi. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2005-09-28.

MULTI-PIECE BOARD AND FABRICATION METHOD METHOD THEREOF

Номер патента: US20120047728A1. Автор: . Владелец: IBIDEN CO., LTD.. Дата публикации: 2012-03-01.

A page alignment method for data storage device and a look up table production method thereof

Номер патента: TWI637264B. Автор: 黃聖元. Владелец: 慧榮科技股份有限公司. Дата публикации: 2018-10-01.

INPUT/OUTPUT DEVICE AND DRIVING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001874A1. Автор: KUROKAWA Yoshiyuki,IKEDA Takayuki. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT-EMITTING DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001219A1. Автор: Park Kyungwook. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY HAVING TOUCH INPUT SENSING AND TOUCH SENSING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001865A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001190A1. Автор: Yaneda Takeshi,Aita Tetsuya,Harumoto Yoshiyuki,Inoue Tsuyoshi,OKABE Tohru. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

Organic light emitting diode display and fabricating method thereof

Номер патента: US20120001206A1. Автор: Jeong Beung-Hwa,Kim Kwang-Nam,Jung Young-Ro,Ham Yun-Sik. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ANODE-SUPPORTED SOLID OXIDE FUEL CELL COMPRISING A NANOPOROUS LAYER HAVING A PORE GRADIENT STRUCTURE, AND A PRODUCTION METHOD THEREFOR

Номер патента: US20120003565A1. Автор: Lee Jong Ho,KIM Jong Cheol,LEE Hae-Weon,SON Ji-Won,KIM Hae-Ryoung,Noh Ho-Sung. Владелец: KOREA INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2012-01-05.

Номер патента: RU2546083C1. Автор: Олег Владимирович Дворников,Евгений Иванович Старченко,Иван Васильевич Барилов. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Донской Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2015-04-10.

Номер патента: RU2704748C1. Автор: Геннадий Иванович Передельский,Максим Сергеевич Брусов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2019-10-30.

Номер патента: RU2534437C1. Автор: Грачик Хачатурович Аветисян,Юрий Владимирович Колковский,Вадим Минхатович Миннебаев,Алексей Анатольевич Дорофеев. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2014-11-27.

Optical module and fabrication method

Номер патента: US20120002915A1. Автор: . Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Structure of heterojunction field effect transistor and a fabrication method thereof

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты