Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Semiconductor device substrate and semiconductor device fabrication method

Semiconductor device substrate and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US20020064899A1
Опубликовано: 30-05-2002
Автор(ы): Hiroshi Ryu, Itaru Matsuo, Kayo Miyamura
Принадлежит: Mitsubishi Electric Corp, Renesas Semiconductor Engineering Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor device, semiconductor apparatus and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09977074B2. Автор: Tomoharu Fujii. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor package, semiconductor device, semiconductor package-mounted apparatus, and semiconductor device-mounted apparatus

Номер патента: US11984380B2. Автор: Kenji Sasaki,Masao Kondo,Shigeki Koya. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor device, heat conductor, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09716053B2. Автор: Yoshihiro Ihara,Kei Murayama. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device structures and printed circuit boards comprising semiconductor devices

Номер патента: US20130228922A1. Автор: Mark E. Tuttle. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-05.

A semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: EP3996129A1. Автор: Adam Brown,Ricardo Yandoc,Manoj Balakrishnan,Anthony Matthew. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2022-05-11.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20220139724A1. Автор: Adam Brown,Ricardo Yandoc,Manoj Balakrishnan,Anthony Matthew. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2022-05-05.

A method for fabricating a semiconductor device module with increased reliability and a semiconductor device module

Номер патента: EP4273908A1. Автор: Wolfgang Scholz,Bernd SCHMOELZER,Edward Fuergut,Ivan Nikitin. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-11-08.

Method for fabricating a semiconductor device module with increased reliability and a semiconductor device module

Номер патента: US20230360929A1. Автор: Wolfgang Scholz,Bernd SCHMOELZER,Edward Fürgut,Ivan Nikitin. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor device, connecting member, method for manufacturing a semiconductor device and method for manufacturing a connecting member

Номер патента: US20080197492A1. Автор: Daisuke Mizutani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-08-21.

Semiconductor device with chamfered substrate and method of making the same

Номер патента: US20020060342A1. Автор: Masahiko Kobayakawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-05-23.

Semiconductor device, electronic device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230284382A1. Автор: Ichiro Ide,Kodai Eguchi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor mounting substrate and method for manufacturing the same

Номер патента: US7919359B2. Автор: Junichi Kimura,Hideki Niimi,Tsuyoshi Sakaue,Yuji Fuwa. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-04-05.

Semiconductor mounting substrate and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080093739A1. Автор: Junichi Kimura,Hideki Niimi,Tsuyoshi Sakaue,Yuji Fuwa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-24.

Semiconductor device having a substrate and input and output electrode units

Номер патента: US09543281B2. Автор: Toshiaki Nagase,Kazuyoshi Kontani,Naohito Kanie. Владелец: Toyota Industries Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Method of manufacturing a semiconductor device using purified block copolymers and semiconductor devices

Номер патента: US09627205B2. Автор: Jae-Hyun Kim,Jung-Sik Choi,Su-Jin KWON,Jun Won HAN,Hye-Ryun KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device and a method for forming a semiconductor device

Номер патента: US09628918B2. Автор: Chee Yang Ng. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-18.

Film for semiconductor device production, method for producing film for semiconductor device production, and method for semiconductor device production

Номер патента: US09761475B2. Автор: Fumiteru Asai,Naohide Takamoto,Goji Shiga. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Structure in a substrate for the manufacturing of a semiconductor device and process for manufacturing of a semiconductor device

Номер патента: US20080009139A1. Автор: Thomas Hecht,Henry Bernhardt,Steffen Mueller,Kristin Schupke,Kevin Bauer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-01-10.

Semiconductor device and a method for forming a semiconductor device

Номер патента: US11362195B2. Автор: Shih-Hung Chen,Dimitri Linten. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2022-06-14.

A semiconductor device and a method for forming a semiconductor device

Номер патента: EP3675167A1. Автор: Shih-Hung Chen,Dimitri Linten. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-07-01.

Semiconductor Device and a Method for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20200212199A1. Автор: Shih-Hung Chen,Dimitri Linten. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-07-02.

Temporary protective film for producing semiconductor device, reel body, and method for producing semiconductor device

Номер патента: PH12021551006A1. Автор: Tomohiro Nagoya,Takahiro Kuroda,Naoki Tomori. Владелец: Showa Denko Materials Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-04.

Semiconductor device, display apparatus, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220320346A1. Автор: Atsushi Sasaki. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor device package including bonding layer having Ag3Sn

Номер патента: US09520377B2. Автор: Jeong-Won Yoon,Seong-Woon Booh,Baik-Woo Lee,Chang-mo JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-13.

Heat dissipation structure and semiconductor package including the same

Номер патента: US20240321681A1. Автор: Sunggu Kang,Hwanjoo PARK,Jaechoon Kim,Sungho Mun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor Device and Method of Forming Graphene Core Shell Embedded Within Shielding Layer

Номер патента: US20240128200A1. Автор: Sujeong KWON,YongMoo SHIN. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor failure analysis device and semiconductor failure analysis method

Номер патента: US12117480B2. Автор: Shinsuke Suzuki,Masataka IKESU. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-10-15.

Hybrid bonding structures, semiconductor devices having the same, and methods of manufacturing the semiconductor devices

Номер патента: US20220093549A1. Автор: Junghoon Lee,Kunmo Chu,Byonggwon SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-24.

Semiconductor device and method offorming flipchip interconnect structure

Номер патента: SG181205A1. Автор: Rajendra D Pendse. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2012-06-28.

Semiconductor device having multiple power modules and cooling mechanism for the power modules

Номер патента: US09888617B2. Автор: Yuji Imoto,Yusuke Ishiyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20240146030A1. Автор: Shih-Chun Ling,Wan-Jung Lee. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device and method for driving semiconductor device

Номер патента: US20240321205A1. Автор: Takanori Matsuzaki,Susumu Kawashima,Yutaka Okazaki,Yuki Okamoto,Hidetomo Kobayashi,Munehiro KOZUMA,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device, microphone and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US20180170745A1. Автор: Stefan Barzen,Marc Fueldner,Wolfgang Friza. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-06-21.

Semiconductor device and related fabrication method

Номер патента: US20240234370A1. Автор: Shadi Sabri. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device packages including conductors electrically connecting stacked semiconductor devices by extending along surfaces of the semiconductor devices

Номер патента: US12062635B2. Автор: Yu Jen Chen,Po Chih Yang,Po Chen Kuo,Shih Wei Liang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor component having group III nitride semiconductor device mounted on substrate and interconnected to lead frame

Номер патента: US09818677B2. Автор: Chun-Li Liu,Ali Salih,Mingjiao Liu,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-11-14.

Compound semiconductor device, compound semiconductor substrate, and method for manufacturing compound semiconductor device

Номер патента: EP3876267A1. Автор: Keisuke Kawamura,Shigeomi Hishiki. Владелец: AIR WATER INC. Дата публикации: 2021-09-08.

A semiconductor device and a method for forming the semiconductor device

Номер патента: US20200395385A1. Автор: Bo Yu,Shaoqiang Zhang. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2020-12-17.

Compound semiconductor device, compound semiconductor substrate, and method for manufacturing compound semiconductor device

Номер патента: US12087852B2. Автор: Keisuke Kawamura,Shigeomi Hishiki. Владелец: AIR WATER INC. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device, display device, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US09755036B2. Автор: Tadayoshi Miyamoto,Kazuhide Tomiyasu. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11469303B2. Автор: Makoto Utsumi,Masaki Miyazato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-11.

Semiconductor device, semiconductor package, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09502381B2. Автор: Jing-en Luan. Владелец: STMICROELECTRONICS PTE LTD. Дата публикации: 2016-11-22.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09978598B2. Автор: Makoto Utsumi,Yoshiyuki Sakai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor devices, methods of manufacture thereof, and packaged semiconductor devices

Номер патента: US09646923B2. Автор: Chen-Shien Chen,Mirng-Ji Lii,Tin-Hao Kuo,Yu-Jen Tseng,Yen-Liang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device and method of determining temperature of semiconductor device

Номер патента: US20240044720A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Chang-Yu Huang,Chih-Pin Hung,Sin-I Du,Sui-An Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240274512A1. Автор: Tae Yong Lee,Hyung Jun CHO,Kyoung Yeon Lee,Jae Min Bae. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device including bonded substrates and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240363665A1. Автор: Minho JANG,Doyeon Kim,Doowon Kwon,Kyungtae Lim,GwideokRyan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and a fabricating method thereof

Номер патента: US09735156B1. Автор: Ji-Hoon Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device and a method for forming a semiconductor device

Номер патента: US09704954B2. Автор: Hans Weber,Franz Hirler,Andreas Voerckel,Daniel Tutuc. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device and a method for forming a semiconductor device

Номер патента: US20240355773A1. Автор: KyungEun Kim,Haengcheol Choi,HyunKyum Kim,YoungJin WOO. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and a fabrication method thereof

Номер патента: US09847403B2. Автор: Chien-Ting Lin,Shih-Fang Tzou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device and a method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09831339B2. Автор: Hiroshi Kawaguchi,Yasuhiro Okamoto,Tatsuo Nakayama,Hironobu Miyamoto,Shinichi Miyake,Ichiro Masumoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor devices and related fabrication methods

Номер патента: US09590097B2. Автор: XIN Lin,Zhihong Zhang,Hongning Yang,Jiang-Kai Zuo,Daniel J. Blomberg. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Shielded trench semiconductor devices and related fabrication methods

Номер патента: US09515178B1. Автор: Moaniss Zitouni,Ganming Qin. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-12-06.

Silicon carbide semiconductor substrate, method of manufacturing silicon carbide semiconductor substrate, silicon carbide semiconductor device, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240204051A1. Автор: Takeshi Tawara,Shinsuke Harada,Kensuke Takenaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device on hybrid substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US09991262B1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and a method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09722062B2. Автор: Hiroshi Kawaguchi,Yasuhiro Okamoto,Tatsuo Nakayama,Hironobu Miyamoto,Shinichi Miyake,Ichiro Masumoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20210111085A1. Автор: Se Man Oh,Sang Hyeon Lee,Min Cheol Shin,Kyoung Yeon Lee. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2021-04-15.

Semiconductor Device and a Method for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20150097184A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Erwin Bacher,Markus Zundel,Thomas Schweinboeck,Jesper Wittborn,Juergen Holzmueller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-04-09.

Edge termination for power semiconductor devices and related fabrication methods

Номер патента: US20240290832A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Daniel Jenner Lichtenwalner,Naeem ISLAM,Woongsun Kim. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12080762B2. Автор: Makoto Utsumi,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Edge termination for power semiconductor devices and related fabrication methods

Номер патента: EP4441793A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Daniel Jenner Lichtenwalner,Naeem ISLAM,Woongsun Kim. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-10-09.

Semiconductor device and method for setting voltage in semiconductor device

Номер патента: US20160291628A1. Автор: Makoto Suwada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-10-06.

Semiconductor device, a package substrate, and a semiconductor package

Номер патента: US20230154879A1. Автор: Jun Yong Song,Kang Hun KIM,Si Yun KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Method of mounting a semiconductor device to a substrate and a mounted structure

Номер патента: US20020005293A1. Автор: Tomoo Murakami. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-17.

Semiconductor device and method for setting voltage in semiconductor device

Номер патента: US09563221B2. Автор: Makoto Suwada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device, electronic apparatus, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09461103B2. Автор: Kenji Furuya,Hideki Fujii,Yuichi Miyagawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device package and fabricating method thereof

Номер патента: US20090020881A1. Автор: Sang Chul Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-01-22.

Semiconductor device and related fabrication methods

Номер патента: EP2673806A1. Автор: Jingjing Chen,Peilin Wang,D Defresart EDOUARD. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2013-12-18.

Semiconductor device and related fabrication method

Номер патента: WO2024151385A1. Автор: Shadi Sabri. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device and related fabrication methods

Номер патента: US09553187B2. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris,Richard J. De Souza,Mazhar Ul Hoque. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Pre-molded substrate, method of manufacturing pre-molded substrate, and hollow type semiconductor device

Номер патента: US20190355635A1. Автор: Noriyuki Kimura. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2019-11-21.

Semiconductor Devices Having Insulating Substrates and Methods of Formation Thereof

Номер патента: US20140167192A1. Автор: Volker Strutz,Carsten Von Koblinski,Manfred Engelhardt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-06-19.

Semiconductor devices having insulating substrates and methods of formation thereof

Номер патента: US09391263B2. Автор: Volker Strutz,Carsten Von Koblinski,Manfred Engelhardt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-07-12.

Semiconductor device, active matrix substrate, and display device

Номер патента: US20120320004A1. Автор: Hidehito Kitakado. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2012-12-20.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09922822B2. Автор: Mitsuo Okamoto,Takashi Tsutsumi,Kenji Fukuda,Youichi Makifuchi,Tsuyoshi ARAOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same semiconductor device

Номер патента: US09865502B2. Автор: Kenro Nakamura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Structure of backside copper metallization for semiconductor devices and a fabrication method thereof

Номер патента: US09548276B2. Автор: Jason Chen,Chang-Hwang Hua,Wen Chu. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

A semiconductor device and a method for manufacturing such semiconductor device

Номер патента: EP4362084A1. Автор: Ricardo Yandoc,Antonio Dimaano,Arnel Taduran,Homer Malveda. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-05-01.

Semiconductor device structures and fabrication methods thereof

Номер патента: WO2018223967A1. Автор: Rongfu ZHU. Владелец: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2018-12-13.

Power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: EP4439680A1. Автор: Jan Vobecky,Thomas Stiasny,Tobias Wikstroem,Umamaheswara VEMULAPATI. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: WO2024200437A1. Автор: Jan Vobecky,Thomas Stiasny,Tobias Wikstroem,Umamaheswara VEMULAPATI. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Optoelectronic semiconductor device and method for producing an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US20230084844A1. Автор: Attila Molnar,Lutz Hoeppel,Fabian Kopp. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2023-03-16.

Semiconductor device, electronic apparatus, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: EP4391046A1. Автор: XIAOFENG Xu,Ming Wu,Eckart HOENE,Zhengyan HE,Luise PAWLAK. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Carrier for stacked type semiconductor device and method of fabricating stacked type semiconductor devices

Номер патента: US7846771B2. Автор: Junji Tanaka,Junichi Kasai,Masanori Onodera,Koji Taya,Kouichi Meguro,Yasuhiro Shinma,Murugasan Manikam Achari. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2010-12-07.

Carrier for stacked type semiconductor device and method of fabricating stacked type semiconductor devices

Номер патента: US20060245908A1. Автор: Junji Tanaka,Junichi Kasai,Masanori Onodera,Koji Taya,Kouichi Meguro,Yasuhiro Shinma,Murugasan Achari. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2006-11-02.

Semiconductor device, control device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200058600A1. Автор: Katsuji Ando,Takahiko Murakami,Ryoji MURAI,Arata Iizuka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-02-20.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11742392B2. Автор: Shingo Hayashi,Takumi Fujimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, and an electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US20240266443A1. Автор: Yukinori Shima,Masami Jintyou,Masataka Nakada,Yasuharu Hosaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for manufacturing semiconductor device, cleaning device, cleaning method, and semiconductor device

Номер патента: US20240321818A1. Автор: Tomoaki Shibata,Shizu FUKUZUMI,Toshiaki Shirasaka. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: EP4439633A1. Автор: Jan Vobecky,Thomas Stiasny,Tobias Wikstroem,Umamaheswara VEMULAPATI. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: WO2024200266A1. Автор: Jan Vobecky,Thomas Stiasny,Tobias Wikstroem,Umamaheswara VEMULAPATI. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of manufacturing semiconductor device having triple-well structure and semiconductor device fabricated

Номер патента: US7419893B2. Автор: Masato Kijima. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-02.

Method of fabricating semiconductor device including porous dielectric layer and semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: US20230069868A1. Автор: Ki-Jeong Kim,Hyunchul Lee,Donghwi SHIN,Jongcheon Kim,Hyun-Sil HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-09.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190237547A1. Автор: Koichi Murata,Takeshi Tawara,Hidekazu Tsuchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-01.

Carrier for stacked type semiconductor device and method of fabricating stacked type semiconductor devices

Номер патента: US7414305B2. Автор: Junji Tanaka,Junichi Kasai,Masanori Onodera,Koji Taya,Kouichi Meguro,Yasuhiro Shinma,Murugasan Manikam Achari. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-08-19.

Optoelectronic semiconductor device and method for producing an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: WO2021165309A1. Автор: Attila Molnar,Lutz Höppel,Fabian Kopp. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2021-08-26.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12046642B2. Автор: Shinji Fujikake. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220231128A1. Автор: Shinji Fujikake. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Integrated circuit, semiconductor device, and method of designing layout of semiconductor device

Номер патента: US20240371830A1. Автор: Hyunchul Hwang,Chanhee Park,Byung-Su Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Field effect semiconductor devices and methods of manufacturing field effect semiconductor devices

Номер патента: US09450071B2. Автор: Jong-Seob Kim,In-jun Hwang,Jai-Kwang Shin,Jae-joon Oh,Hyuk-soon Choi,Ki-ha Hong,Ho-Jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Optoelectronic Semiconductor Device and Method of Manufacturing an Optoelectronic Semiconductor Device

Номер патента: US20190348568A1. Автор: Harald KÖNIG,Alfred Lell,Sven GERHARD,Jens Ebbecke,Clemens Vierheilig. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-11-14.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11114560B2. Автор: Keiji Okumura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-07.

Substrate for semiconductor device, resin-sealed semiconductor device, method for manufacturing said substrate for semiconductor device and method for manufacturing said resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US20090174053A1. Автор: Shozo Ishikawa,Chikao Ikenaga. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2009-07-09.

Substrate for semiconductor device, resin-sealed semiconductor device, method for manufacturing said substrate for semiconductor device and method for manufacturing said resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US20110014752A1. Автор: Shozo Ishikawa,Chikao Ikenaga. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2011-01-20.

Power Semiconductor Device and Method of Producing a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20220415820A1. Автор: Matthias Mueller,Christian Hammer,Wolfgang Lehnert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor device arrangement with a first semiconductor device and with a plurality of second semiconductor devices

Номер патента: US09972619B2. Автор: Martin Feldtkeller,Rolf Weis,Franz Hirler,Matthias Stecher,Gerald Deboy,Armin Willmeroth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor devices, methods of manufacture thereof, and semiconductor device packages

Номер патента: US09773724B2. Автор: Szu Wei Lu,Jing-Cheng Lin,Po-Hao Tsai,Ying-Ching Shih,I-Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device arrangement with a first semiconductor device and with a plurality of second semiconductor devices

Номер патента: US09431382B2. Автор: Martin Feldtkeller,Rolf Weis,Franz Hirler,Matthias Stecher,Gerald Deboy,Armin Willmeroth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-08-30.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240154031A1. Автор: Masaki Miyazato,Yohei Kagoyama,Mina OHSE. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor device, imaging device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: EP3940766A1. Автор: Tsuyoshi Watanabe,Hirotaka Kobayashi,Hitoshi Shibue,Hirokazu Nakayama,Hiroyuki Shigeta,Kosuke Hareyama. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-01-19.

Power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: EP4411829A1. Автор: Florin Udrea,Andrei Mihaila,Lars Knoll,Gianpaolo Romano,Nazareno DONATO. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Epitaxial substrate for semiconductor device, semiconductor device, method of manufacturing epitaxial substrate for semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20130168734A1. Автор: Mitsuhiro Tanaka,Makoto Miyoshi,Mikiya Ichimura. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2013-07-04.

Semiconductor device, electronic apparatus, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12074182B2. Автор: Masaki Hatano. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device and a method for forming a semiconductor device

Номер патента: US20170250112A1. Автор: Stefan Barzen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-31.

Semiconductor device and method of wire bonding for semiconductor device

Номер патента: US20040188858A1. Автор: Yoshifumi Watanabe. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2004-09-30.

Power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: WO2024160354A1. Автор: Florin Udrea,Andrei Mihaila,Lars Knoll,Gianpaolo Romano,Nazareno DONATO. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: WO2024160499A1. Автор: Florin Udrea,Andrei Mihaila,Lars Knoll,Gianpaolo Romano,Nazareno DONATO. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device, semiconductor structure and method for fabricating semiconductor device and semiconductor structure using tilted etch process

Номер патента: US12094718B2. Автор: Huan-Yung Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Optoelectronic semiconductor device, array of optoelectronic semiconductor devices and method for manufacturing an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US20240322069A1. Автор: Tansen Varghese. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device, manufacturing method and controlling method of semiconductor device

Номер патента: US20180083026A1. Автор: Kouji Matsuo. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

Semiconductor device, imaging device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12132061B2. Автор: Tsuyoshi Watanabe,Hirotaka Kobayashi,Hitoshi Shibue,Hirokazu Nakayama,Hiroyuki Shigeta,Kosuke Hareyama. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device and a method for forming a semiconductor device

Номер патента: US09875934B2. Автор: Stefan Barzen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-23.

N-type aluminum nitride single-crystal substrate and vertical nitride semiconductor device

Номер патента: US09748410B2. Автор: Toru Kinoshita,Toru Nagashima,Toshiyuki Obata. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device, display device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09583510B2. Автор: Naoki Ueda,Sumio Katoh. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device, communication system, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12015204B2. Автор: Hiroji Akahori. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor device for infrared detection, method of manufacturing semiconductor device for infrared detection and infrared detector

Номер патента: US20220310857A1. Автор: Ingrid Jonak-Auer,Bernhard LÖFFLER,Gerald Meinhardt,Gernot Fasching. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2022-09-29.

Terminal, semiconductor device, terminal forming method and flip chip semiconductor device manufactrring method

Номер патента: US20030222326A1. Автор: Hideaki Sakaguchi,Mitsutoshi Higashi,Hiroko Koike. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-04.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20220262711A1. Автор: On Lok Chau,Fei WONG,Billie BI,Ivan Shiu,William Hor. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2022-08-18.

Semiconductor device, communication system, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240297445A1. Автор: Hiroji Akahori. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device, method for manufacturing semiconductor base, silicon carbide semiconductor device, and device for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09911811B2. Автор: Yusuke Fukuda,Yoshiyuki Watanabe. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device and associated fabrication method

Номер патента: US20130234245A1. Автор: Lei Zhang,Tiesheng Li,Donald Disney,Rongyao Ma. Владелец: Chengdu Monolithic Power Systems Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-12.

Semiconductor device, power module, and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: EP3832709A1. Автор: Tetsuya Hayashi,Ryota Tanaka,Keiichiro Numakura,Wei Ni,Toshiharu Marui. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-09.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240290842A1. Автор: Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Wide gap semiconductor device and method for manufacturing wide gap semiconductor device

Номер патента: EP4131342A1. Автор: Shunichi Nakamura,Jin Onuki,Yusuke Maeyama. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-08.

Semiconductor device and a fabrication method thereof

Номер патента: US11222897B2. Автор: Jinwoo Bae,Jonghyuk Park,Myungjae JANG,Boun Yoon,Hyesung Park,YoungHo Koh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-11.

Semiconductor device, semiconductor circuit, and method of controlling semiconductor device

Номер патента: US20240213309A1. Автор: Atsushi Ito,Manabu Yoshino,Toshihiro Imasaka,Masanori Tsukuda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device, semiconductor module, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240313120A1. Автор: Kentaro Mori,Kenichi Ohashi,Soichi Yamashita,Hiroki Okuyama,Kazushiro NOMURA,Aya MURAYOSHI. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method of forming components for semiconductor device

Номер патента: EP4434086A1. Автор: Lim Chee Chian,Stanley Lai,Barry Lin,Yew-Khuan Teoh,Tuang KWANG HWEE. Владелец: Vishay Siliconix LLC. Дата публикации: 2024-09-25.

Semiconductor device, power circuit, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09647131B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kei Takahashi,Yoshiaki Ito. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device, HEMT device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09478650B2. Автор: Mitsuhiro Tanaka,Shigeaki Sumiya,Sota Maehara,Tomohiko Sugiyama. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device and a method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20160204243A1. Автор: Takashi Inoue,Toshiyuki Takewaki,Yasuhiro Okamoto,Tatsuo Nakayama,Hironobu Miyamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-07-14.

Semiconductor device, and power conversion device including the semiconductor device

Номер патента: US20210125891A1. Автор: Takashi Nagao,Masayuki Funakoshi,Yuki Okabe,Takanobu KAJIHARA,Katsuhiko Omae,Atsuki FUJITA,Norio Emi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-04-29.

Silicon carbide semiconductor device and method of fabricating silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240194741A1. Автор: Masakazu Baba. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device, display device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20180097019A1. Автор: Masakazu Gunji. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2018-04-05.

Thin-film semiconductor device and method for fabricating thin-film semiconductor device

Номер патента: US20130161630A1. Автор: Kenichirou Nishida. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-06-27.

Silicon carbide semiconductor device and method for producing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240332414A1. Автор: Yu Saitoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Epitaxial structure of semiconductor device and preparing method thereof, and semiconductor device

Номер патента: US20240332371A1. Автор: HUI Zhang,Susu KONG. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Methods of forming a memory cell material, and related methods of forming a semiconductor device structure, memory cell materials, and semiconductor device structures

Номер патента: US09735359B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,John A. Smythe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Silicon carbide semiconductor device, method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and method of designing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09716168B2. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device and a method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09660045B2. Автор: Takashi Inoue,Toshiyuki Takewaki,Yasuhiro Okamoto,Tatsuo Nakayama,Hironobu Miyamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Silicon carbide semiconductor device, method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and method of designing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09640618B2. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Adhesive sheet used in manufacture of semiconductor device, adhesive sheet integrated with dicing tape, semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09620403B2. Автор: Naohide Takamoto,Goji Shiga. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Methods of forming semiconductor device assemblies and interconnect structures, and related semiconductor device assemblies and interconnect structures

Номер патента: US09520370B2. Автор: Jaspreet S. Gandhi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device and method for determining deterioration of semiconductor device

Номер патента: US20230369142A1. Автор: Takaaki Tanaka,Motohito Hori,Yoshinari Ikeda,Qichen Wang. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: US20180254233A1. Автор: Lise Donzel,Juergen Schuderer,Jan Vobecky,Jagoda Dobrzynska. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2018-09-06.

Silicon carbide semiconductor device and power converter using silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240250165A1. Автор: Yuichi Nagahisa,Kotaro Kawahara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device measuring device and method for measuring semiconductor device

Номер патента: US20230101968A1. Автор: Chung Sam Jun,Dong-ryul Lee,Jung Hoon BYUN,Hyun Woo RYOO,Da Hee YOON,Woo Yun LEE,Dong Chul IHM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-30.

Semiconductor device, electronic device, and method of controlling semiconductor device

Номер патента: US20240128282A1. Автор: Takashi Masuda,Koichi Okamoto,Hideaki Mogi,Mitsushi TABATA,Shinichirou Saeki. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor device, amplifying device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230326832A1. Автор: Kenichi Kawaguchi,Tsuyoshi Takahashi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Method of manufacturing semiconductor device using plasma doping process and semiconductor device manufactured by the method

Номер патента: US09825153B2. Автор: Sunghyun Choi,Yong-Suk Tak,Kyungin Choi,JaeJong Han,Bonyoung Koo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device, superconducting device, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09768372B2. Автор: Tadashi Sakai,Yuichi Yamazaki,Hisao Miyazaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device, display device, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US09599871B2. Автор: Yukinobu Nakata,Tetsuo Fujita,Yoshihito Hara. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Method of manufacturing semiconductor device using plasma doping process and semiconductor device manufactured by the method

Номер патента: US09577075B2. Автор: Sunghyun Choi,Yong-Suk Tak,Kyungin Choi,JaeJong Han,Bonyoung Koo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20220262712A1. Автор: Ricardo Yandoc,Dilder Chowdhury,Ilyas Dchar. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2022-08-18.

Semiconductor device, power converter, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12074132B2. Автор: Yo Tanaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Vertical semiconductor device and method for fabricating the vertical semiconductor device

Номер патента: US11751395B2. Автор: Hai-Won Kim,In-Su Park,Jong-Gi KIM,Hoe-Min Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Monitoring system for manufacturing semiconductor device and monitoring method for manufacturing the semiconductor device using the same

Номер патента: US20240272559A1. Автор: Jeong-Gil Kim,Hyuck Shin,Dong-Hyub LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method of silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11735654B2. Автор: Shuhei Mitani,Yuichi Takeuchi,Ryota Suzuki,Yusuke Yamashita,Aiko KAJI. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2023-08-22.

Semiconductor devices having upper conductive patterns and semiconductor packages having the same

Номер патента: US20240332228A1. Автор: Jongmin Lee,Joongwon Shin,Yeonjin Lee,Jimin CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09887270B2. Автор: Fumikazu Imai,Takuya Komatsu,Masanobu IWAYA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Electrostatic discharge protection circuit, ESD protection semiconductor device, and layout structure of ESD protection semiconductor device

Номер патента: US09859271B2. Автор: Ching-Wei Lee,Tien-Hao Tang,Li-Cih Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09608074B2. Автор: Keiji Wada,Toru Hiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Techniques for forming semiconductor device packages and related packages, intermediate products, and methods

Номер патента: US20210091036A1. Автор: Yu Jen Chen,Po Chih Yang,Po Chen Kuo,Shih Wei Liang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor device, semiconductor package, semiconductor module, and semiconductor circuit device

Номер патента: US20190301946A1. Автор: Kenichiro Sato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-03.

Semiconductor device, semiconductor package, semiconductor module, and semiconductor circuit device

Номер патента: US20210010871A1. Автор: Kenichiro Sato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

Semiconductor device, semiconductor package, semiconductor module, and semiconductor circuit device

Номер патента: US20220307913A1. Автор: Kenichiro Sato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-29.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220254917A1. Автор: Masaki Miyazato,Yohei Kagoyama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Semiconductor device, electronic apparatus, and preparation method for semiconductor device

Номер патента: EP4283667A1. Автор: Tao Liu,Ming Lu,Yu Wang,Qiang He,Ping Ma,Haijun Li,Zhili Zhang,Cen TANG,Jin Rao,Shuiming LI. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-29.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210167173A1. Автор: Takumi Fujimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-03.

Semiconductor device, electronic apparatus, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230024469A1. Автор: Masaki Iwamoto,Kouhei Sonoda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-01-26.

Semiconductor device, semiconductor package, semiconductor module, and semiconductor circuit device

Номер патента: US12025507B2. Автор: Kenichiro Sato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device and related fabrication method

Номер патента: US20070190726A1. Автор: Jeong-Hyuk Choi,Jai-Hyuk Song,Woon-kyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-16.

Semiconductor Device and a Method for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20150076650A1. Автор: Hans-Joachim Schulze. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-03-19.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180090320A1. Автор: Mitsuo Okamoto,Takashi Tsutsumi,Kenji Fukuda,Masaki Miyazato,Youichi Makifuchi,Tsuyoshi ARAOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-29.

Semiconductor devices and related fabrication methods

Номер патента: US20160181421A1. Автор: XIN Lin,Zhihong Zhang,Hongning Yang,Jiang-Kai Zuo,Daniel J. Blomberg. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-06-23.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210217852A1. Автор: Makoto Utsumi,Masaki Miyazato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-15.

Epitaxial structure of semiconductor device and manufacturing method thereof and semiconductor device

Номер патента: US20230019524A1. Автор: HUI Zhang,Yi Pei,Hongtu QIAN. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210175369A1. Автор: Takafumi Uchida,Takahito Kojima,Yuichi HASHIZUME,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-10.

Epitaxial structure of semiconductor device and manufacturing method thereof, and semiconductor device

Номер патента: US20240178312A1. Автор: HUI Zhang,Shigiang LI. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device and its fabrication method

Номер патента: US20040152244A1. Автор: Hiroshi Yamamoto,Tsuyoshi Inoue,Mitsuru Yoshikawa,Saiki Hotate. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-08-05.

Semiconductor substrate, manufacturing method and manufacturing apparatus for semiconductor substrate, semiconductor device, manufacturing method and manufacturing apparatus for semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US20240203732A1. Автор: Toshihiro Kobayashi,Yuichiro Hayashi,Takeshi Kamikawa,Yuki Taniguchi,Yuta Aoki,Katsuaki Masaki. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Compound semiconductor device, compound semiconductor substrate, and method for manufacturing compound semiconductor device

Номер патента: US20220005945A1. Автор: Keisuke Kawamura,Shigeomi Hishiki. Владелец: AIR WATER INC. Дата публикации: 2022-01-06.

Semiconductor device, semiconductor wafer and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US9818701B2. Автор: Taiji Ema,Kazutaka Yoshizawa,Takuya Moriki. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Method for manufacturing a contact on a silicon carbide semiconductor substrate, and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: EP4322202A1. Автор: Gregor Langer,Axel Koenig,Ravi Keshav Joshi,Kristijan Luka Mletschnig. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-02-14.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING Si-SUBSTRATE AND PROCESS TO FORM THE SAME

Номер патента: US20120025204A1. Автор: Fumikazu Yamaki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-02-02.

Formation of an asymmetric trench in a semiconductor substrate and a bipolar semiconductor device having an asymmetric trench isolation region

Номер патента: US20150228769A1. Автор: Qizhi Liu,Mark D. Levy,Robert K. Leidy,Gary L. Milo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-08-13.

Semiconductor device, semiconductor wafer and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210166944A1. Автор: Shinichi Tabuchi,Yasuo ATA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Semiconductor device and related fabrication methods

Номер патента: US20140070312A1. Автор: XIN Lin,Hongning Yang,Jiang-Kai Zuo. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-03-13.

Semiconductor device, semiconductor wafer and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20130069206A1. Автор: Taiji Ema,Kazutaka Yoshizawa,Takuya Moriki. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-03-21.

Method for manufacturing a contact on a silicon carbide semiconductor substrate, and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240055256A1. Автор: Axel König,Gregor Langer,Ravi Keshav Joshi,Kristijan Luka Mletschnig. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device and related fabrication methods

Номер патента: US20150104920A1. Автор: XIN Lin,Jiang-Kai Zuo,Daniel J. Blomberg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-04-16.

Semiconductor device and related fabrication methods

Номер патента: US20140235025A1. Автор: XIN Lin,Hongning Yang,Jiang-Kai Zuo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-08-21.

Semiconductor device, electronic device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240055461A1. Автор: Yoshiaki Yanagawa,Takushi Shigetoshi. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device, method for operating same, and semiconductor structure

Номер патента: US20240049446A1. Автор: Youming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device, and production method for manufacturing such semiconductor device

Номер патента: US20040245570A1. Автор: Hitoshi Ninomiya. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-12-09.

Edge termination for power semiconductor devices and related fabrication methods

Номер патента: WO2023102324A9. Автор: Sei-Hyung Ryu,Daniel Jenner Lichtenwalner,Naeem ISLAM,Woongsun Kim. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US10840169B2. Автор: Tae Yong Lee,Hyung Jun CHO,Kyoung Yeon Lee,Jae Min Bae. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2020-11-17.

Method for manufacturing a contact on a silicon carbide semiconductor substrate, and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240030032A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Bernhard Goller,Ravi Keshav Joshi,Saurabh Roy,Daria Krasnozhon. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US11915998B2. Автор: Tae Yong Lee,Hyung Jun CHO,Kyoung Yeon Lee,Jae Min Bae. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230317842A1. Автор: Shinsuke Harada,Masakazu Baba. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20210090977A1. Автор: Tae Yong Lee,Hyung Jun CHO,Kyoung Yeon Lee,Jae Min Bae. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20220173243A1. Автор: Kilian ONG,Benjamin HUNG. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2022-06-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same semiconductor device

Номер патента: US20160268163A1. Автор: Kenro Nakamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Edge termination for power semiconductor devices and related fabrication methods

Номер патента: US12009389B2. Автор: Sei-Hyung Ryu,Daniel Jenner Lichtenwalner,Naeem ISLAM,Woongsun Kim. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US11417589B2. Автор: Tae Yong Lee,Hyung Jun CHO,Kyoung Yeon Lee,Jae Min Bae. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2022-08-16.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20200266132A1. Автор: Tae Yong Lee,Hyung Jun CHO,Kyoung Yeon Lee,Jae Min Bae. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2020-08-20.

Semiconductor device and logic circuit constituted by the semiconductor device

Номер патента: US4260906A. Автор: Masanori Nakai,Yukuya Tokumaru. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1981-04-07.

Power semiconductor device and methods of producing a power semiconductor device

Номер патента: US20230197846A1. Автор: Manoj Chandrika Reghunathan,Eric GRAETZ,Devesh Kumar Datta,Soon Huat Niew. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor devices with multiple substrates and die stacks

Номер патента: US20220336417A1. Автор: Chin Hui Chong,Hem P. Takiar,Hong Wan Ng,Seng Kim Ye,Kelvin Tan Aik Boo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-20.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200144371A1. Автор: Takeshi Tawara,Mina OHSE. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Semiconductor device, display device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20130063329A1. Автор: Naoki Makita,Hajime Saitoh. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2013-03-14.

Buried shield structures for power semiconductor devices and related fabrication methods

Номер патента: US20240234507A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Daniel Jenner Lichtenwalner,Naeem ISLAM,Woongsun Kim,Madankumar Sampath. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and its fabricating method

Номер патента: US5879447A. Автор: Haruo Okano,Shinji Onga,Yuuichi Mikata,Shigeru Kambayashi,Takako Okada,Moto Yabuki,Yoshitaka Tsunashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-03-09.

Semiconductor device, control device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11063004B2. Автор: Katsuji Ando,Takahiko Murakami,Ryoji MURAI,Arata Iizuka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-07-13.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10236372B2. Автор: Keiji Okumura,Setsuko Wakimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-19.

Optoelectronic semiconductor device and manufacturing method of an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: WO2023222385A1. Автор: Anna Kasprzak-Zablocka,Tansen Varghese,Martin Hetzl. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2023-11-23.

Packaged semiconductor device and method for fabricating a packaged semiconductor device

Номер патента: US20210313275A1. Автор: Horst Theuss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-10-07.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200303541A1. Автор: Keiji Okumura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor device and related fabrication methods

Номер патента: US20150162328A1. Автор: Jingjing Chen,Edouard D. De Frèsart,Peilin Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-06-11.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220302251A1. Автор: Masanobu IWAYA,Kensuke HATA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200343345A1. Автор: Makoto Utsumi,Tsuyoshi ARAOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor device and related fabrication methods

Номер патента: US20160172489A1. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris,Richard J. De Souza,Mazhar Ul Hoque. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-06-16.

Power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: WO2024012648A1. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device and related fabrication methods

Номер патента: WO2012106833A1. Автор: Jingjing Chen,Peilin Wang,D Defresart EDOUARD. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc. Are. Дата публикации: 2012-08-16.

Semiconductor device having semiconductor substrate, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110316154A1. Автор: Takeshi Matsumoto. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-12-29.

Semiconductor device, display device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240154038A1. Автор: Masahiko Suzuki,Tetsuo Kikuchi,Tohru Daitoh,Setsuji NISHIMIYA,Hitoshi Takahata. Владелец: Sharp Display Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240047532A1. Автор: Shingo Hayashi,Yasuyuki Hoshi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, and an electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US11942554B2. Автор: Yukinori Shima,Masami Jintyou,Masataka Nakada,Yasuharu Hosaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Power Semiconductor Device, Method of Producing a Power Semiconductor Device and Method of Operating a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20240047457A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Francisco Javier Santos Rodriguez,Roman Baburske,Daniel Schlögl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20230223396A1. Автор: Wolfgang Schnitt,Hans-Martin Ritter,Steffen Holland,Joachim Utzig. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-07-13.

Packaged semiconductor device and method for fabricating a packaged semiconductor device

Номер патента: US11967562B2. Автор: Horst Theuss. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-04-23.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US11664289B2. Автор: Se Man Oh,Sang Hyeon Lee,Min Cheol Shin,Kyoung Yeon Lee. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2023-05-30.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20200176345A1. Автор: Se Man Oh,Sang Hyeon Lee,Min Cheol Shin,Kyoung Yeon Lee. Владелец: Amkor Technology Korea Inc. Дата публикации: 2020-06-04.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210074863A1. Автор: Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Semiconductor device, method of manufacturing same, and semiconductor package

Номер патента: US20240072026A1. Автор: Kozo Harada,Hodaka Rokubuichi,Kazutake Kadowaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: EP4327354A1. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-02-28.

Power semiconductor module, power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: US20240120255A1. Автор: Dominik Truessel,Harald Beyer,Milad Maleki. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Power semiconductor module, power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: WO2022167317A1. Автор: Dominik Truessel,Harald Beyer,Milad Maleki. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-08-11.

Vertical type semiconductor device, method of manufacturing a vertical type semiconductor device and method of operating a vertical semiconductor device

Номер патента: US20110205816A1. Автор: Jong-wook Lee,Yong-Hoon Son,Jong-Hyuk Kang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-25.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230253491A1. Автор: Manabu Takei,Shinsuke Harada,Masakazu Baba. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor device and wireless communication device with the semiconductor device

Номер патента: US11948945B2. Автор: Takayuki Ikeda,Yuto Yakubo,Hitoshi KUNITAKE. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor device, imaging apparatus, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11942495B2. Автор: Atsushi Tsukada,Hirotaka Kobayashi,Hiroyuki Shigeta,Koyo Hosokawa,Shigekazu Ishii,Daisuke Chino,Hirohisa Yasukawa,Kosuke Hareyama,Mitsuhito Kanatake,Kiyohisa Sakai,Ninao Sato,Yutaka OOTAKI,Yuki Yamane. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240063269A1. Автор: Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor device, semiconductor structure and method for fabricating semiconductor device and semiconductor structure using tilted etch process

Номер патента: US20240047217A1. Автор: Huan-Yung Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230326960A1. Автор: Keishirou KUMADA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device arrangement with a first semiconductor device and with a plurality of second semiconductor devices

Номер патента: US20160372466A1. Автор: Martin Feldtkeller,Rolf Weis,Franz Hirler,Matthias Stecher,Gerald Deboy,Armin Willmeroth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-12-22.

Semiconductor device and stacked semiconductor device in which circuit board and semiconductor chip are connected by leads

Номер патента: US20100224984A1. Автор: Mitsuaki Katagiri,Dai Sasaki,Hisashi Tanie. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-09-09.

Semiconductor device, semiconductor structure and method for fabricating semiconductor device and semiconductor structure using tilted etch process

Номер патента: US20230335408A1. Автор: Huan-Yung Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

A locking clip, a semiconductor device, and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: EP4365941A1. Автор: Ricardo Yandoc,Dolores Milo. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-05-08.

Optoelectronic semiconductor device and method of operating an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US11309459B2. Автор: Rainer Hartmann,Philipp Kreuter,Tobias Meyer,Michael Binder,Clemens Vierheilig. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2022-04-19.

Optoelectronic Semiconductor Device and Method for Manufacturing an Optoelectronic Semiconductor Device

Номер патента: US20190355880A1. Автор: Britta Göötz,Norwin von Malm. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-11-21.

Optoelectronic semiconductor device and method for manufacturing an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US11309461B2. Автор: Britta Göötz,Norwin von Malm. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2022-04-19.

Method of forming semiconductor device and substrate processing system for forming semiconductor device

Номер патента: US20240105456A1. Автор: Thomas Jongwan Kwon,Minyoung Kim,Hanglim Lee. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210111250A1. Автор: Setsuko Wakimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-15.

Cleaning agent composition for substrate for semiconductor devices and method for cleaning substrate for semiconductor devices using the same

Номер патента: US20240150681A1. Автор: Myungho Lee,Hye Ji KIM,Young Mee Kang,Yu Jin HEO,Jinho You,Hag Sung LEE,Narae YIM,Keon young KIM,Yun sun CHOI. Владелец: ENF Technology CO Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Lateral-diffused metal oxide semiconductor device (ldmos) and fabrication method thereof

Номер патента: US20140035034A1. Автор: Chun-Wei Chen,Wei-Shan Liao,An-Hung LIN,Hong-Ze Lin,Bo-Jui Huang,Ting-Zhou Yan,Kun-Yi Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-02-06.

Optoelectronic semiconductor device and method of operating an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US20200044117A1. Автор: Rainer Hartmann,Philipp Kreuter,Tobias Meyer,Michael Binder,Clemens Vierheilig. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-02-06.

Resin-sealed semiconductor device and method for manufacturing resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US20230132513A1. Автор: Ryuichi Ishii. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-05-04.

Semiconductor device, carrier for carrying semiconductor device, and method of testing and producing semiconductor device

Номер патента: US5750421A. Автор: Kazuto Tsuji,Junichi Kasai,Masao Sakuma,Yoshiyuki Yoneda,Masashi Takenaka,Norio Taniguchi,Yukio Saigo,Takashi Mashiko. Владелец: Miyachi Systems Co Ltd. Дата публикации: 1998-05-12.

Semiconductor device and method for diagnosing deterioration of semiconductor device

Номер патента: US20220003808A1. Автор: Yumie Kitajima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-01-06.

Method of manufacturing a semiconductor device having a monitor pattern, and a semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: US6602725B2. Автор: Masanobu Iwasaki,Yuichi Sakai,Hiroyuki Chibahara,Kakutaro Suda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-08-05.

Power Semiconductor Device and Method of Producing a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20240030323A1. Автор: Alexander Philippou,Thorsten Arnold,Hans-Jürgen Thees. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-01-25.

Power Semiconductor Device and Method of Forming a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20200235235A1. Автор: Matteo Dainese,Erich Griebl,Ingo Dirnstorfer,Markus Beninger-Bina. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2020-07-23.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11600702B2. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-07.

Semiconductor Device and a Method for Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20160064477A1. Автор: Franz Hirler,Ralf Siemieniec,Oliver Blank,Li Juin Yip. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-03-03.

Method of forming semiconductor device and substrate processing system for forming semiconductor device

Номер патента: US20230377894A1. Автор: Yunsang Kim,Minyoung Kim,Hanglim Lee. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device and a method of making a semiconductor device

Номер патента: US10153365B2. Автор: Philip Rutter,Steven Thomas Peake,Chris Rogers. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2018-12-11.

Semiconductor device and a method for manufacturing such semiconductor device

Номер патента: US20240145354A1. Автор: Ricardo Yandoc,Antonio Dimaano,Arnel Taduran,Homer Malveda. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device for infrared detection, method of manufacturing semiconductor device for infrared detection and infrared detector

Номер патента: EP3754730A1. Автор: Ingrid Jonak-Auer,Bernhard LÖFFLER,Gerald Meinhardt,Gernot Fasching. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2020-12-23.

Semiconductor device for infrared detection, method of manufacturing semiconductor device for infrared detection and infrared detector

Номер патента: US11923467B2. Автор: Ingrid Jonak-Auer,Bernhard LÖFFLER,Gerald Meinhardt,Gernot Fasching. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2024-03-05.

Optoelectronic Semiconductor Device and Method for Manufacturing an Optoelectronic Semiconductor Device

Номер патента: US20220199868A1. Автор: Britta Göötz,Norwin von Malm. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2022-06-23.

Semiconductor device and a method of making a semiconductor device

Номер патента: US20170077291A1. Автор: Philip Rutter,Steven Thomas Peake,Chris Rogers. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2017-03-16.

Semiconductor Device and a Method for Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20180166543A1. Автор: Franz Hirler,Ralf Siemieniec,Oliver Blank,Li Juin Yip. Владелец: lnfineon Technologies Austria AG. Дата публикации: 2018-06-14.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11929400B2. Автор: Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Power semiconductor device and method for manufacturing a power semiconductor device

Номер патента: WO2022136278A3. Автор: Andrei Mihaila,Lars Knoll,Stephan WIRTHS. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-08-04.

Power semiconductor device and method for manufacturing a power semiconductor device

Номер патента: US20240055495A1. Автор: Lars Knoll,Stephan WIRTHS,Andrei Amadeus MIHAILA. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device, electronic apparatus, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11069801B2. Автор: Hirokazu Ejiri. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-07-20.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220013641A1. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-13.

Wide gap semiconductor device and method for manufacturing wide gap semiconductor device

Номер патента: US20230042772A1. Автор: Shunichi Nakamura,Jin Onuki,Yusuke Maeyama. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Optoelectronic semiconductor device and method for manufacturing an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US11804579B2. Автор: Britta Göötz,Norwin von Malm. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2023-10-31.

Locking Clip, a Semiconductor Device, and a Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20240153838A1. Автор: Ricardo Yandoc,Dolores Milo. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor device, electronic apparatus, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200194582A1. Автор: Hirokazu Ejiri. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Method of manufacturing a semiconductor device and a fabrication apparatus for a semiconductor device

Номер патента: US20050250254A1. Автор: Susumu Takada,Yoshihiko Kobayashi,Norinaga Arai,Shiro Oba,Kazutoshi Takashima,Tsutomu Ida,Shigeru Haga,Akio Ishizu,Yuji Kakegawa,Iwamichi Koujiro. Владелец: Hitachi Tohbu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2005-11-10.

A semiconductor device and a method of manufacturing such semiconductor device

Номер патента: EP4184566A1. Автор: Ricardo Yandoc,Dilder Chowdhury. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-05-24.

Power Semiconductor Device and Method of Processing a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20200266269A1. Автор: Steffen Schmidt,Francisco Javier Santos Rodriguez,Frank Dieter Pfirsch,Manfred Pfaffenlehner,Frank Umbach,Philip Christoph Brandt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-08-20.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210328025A1. Автор: Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200279947A1. Автор: Fumitoshi Yamamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-09-03.

Semiconductor device and a method of manufacturing such semiconductor device

Номер патента: US20230163053A1. Автор: Ricardo Yandoc,Dilder Chowdhury. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-05-25.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180301536A1. Автор: Makoto Utsumi,Fumikazu Imai,Yasuhiko OONISHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-18.

Semiconductor device, lead frame, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190385942A1. Автор: Naoki Saegusa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-19.

Semiconductor device and data storage systems including a semiconductor device

Номер патента: US20240203875A1. Автор: Jiwon Kim,Jiyoung Kim,Sukkang SUNG,Woosung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and data storage systems including a semiconductor device

Номер патента: EP4387409A1. Автор: Jiwon Kim,Jiyoung Kim,Sukkang SUNG,Woosung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-19.

Method of manufacturing silicon carbide substrate, silicon carbide single-crystal substrate and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230369411A1. Автор: Hirofumi Yamamoto,Takashi Sakurada,Makoto Sasaki,Naoki Matsumoto,Tetsuro Kondo,Taro Nishiguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device and production method of the same semiconductor device

Номер патента: US20080258315A1. Автор: Sadayuki Okuma. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-10-23.

Optoelectronic semiconductor device and method for producing an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US9076897B2. Автор: HELMUT Fischer,Andreas Plossl. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2015-07-07.

Silicon carbide semiconductor device, method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and method of designing silicon carbide semiconductor device.

Номер патента: US20160254356A1. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-01.

A semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: EP4276912A1. Автор: Steven Peake,MD Imran Siddiqui. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-11-15.

Method for manufacturing a contact on a silicon carbide substrate, and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240055257A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Werner Schustereder,Ravi Keshav Joshi,Saurabh Roy,Daria Krasnozhon. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor Devices and a Method for Forming a Semiconductor Device

Номер патента: US20160240642A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Philip Christoph Brandt,Andre Rainer Stegner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-08-18.

Semiconductor device and method for measuring current of semiconductor device

Номер патента: US20200168710A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kazuaki Ohshima,Masashi Fujita,Toshihiko Takeuchi,Hidetomo Kobayashi,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-28.

Semiconductor device, semiconductor module, and method of operating semiconductor device

Номер патента: US20210011077A1. Автор: Yoichi Kawano,Ikuo Soga. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

Semiconductor device, semiconductor module, and method of operating semiconductor device

Номер патента: US20220413039A1. Автор: Yoichi Kawano,Ikuo Soga. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor device and a method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20230369140A1. Автор: Steven Peake,MD Imran Siddiqui. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-11-16.

Method of manufacturing a semiconductor device and a support plate, and a semiconductor device obtained by means of said method

Номер патента: WO2002017391A3. Автор: Johannes G P Mastboom,Karianne H Lindenhovius,Adrianus J M Vugts. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2003-10-09.

Adhesive sheet used in manufacture of semiconductor device, adhesive sheet integrated with dicing tape, semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160056066A1. Автор: Naohide Takamoto,Goji Shiga. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

Power Semiconductor Device and Method of Producing a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20240213343A1. Автор: Wolfgang Wagner,Bernd Bitnar,Franz Josef Niedernostheide,Frank Hille,Frank Pfirsch,Roland DIETMÜLLER,Marc Probst,Philip Christoph Brandt,Volodymyr Komarnitskyy,Andreas Korzenietz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-06-27.

Reverse conducting semiconductor device and a fabrication method thereof

Номер патента: US7400017B2. Автор: Hideki Takahashi,Aya Yamamoto,Shinji Aono. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2008-07-15.

Method for manufacturing silicon carbide substrate, method for manufacturing semiconductor device, silicon carbide substrate, and semiconductor device

Номер патента: CA2770764A1. Автор: Shin Harada,Takeyoshi Masuda,Keiji Wada,Yasuo Namikawa,Makoto Sasaki,Hiroki Inoue,Taro Nishiguchi,Kyoko Okita,Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-12-08.

Semiconductor device, display device, and method of producing semiconductor device

Номер патента: US20200043955A1. Автор: Masahiko Suzuki,Tetsuo Kikuchi,Hajime Imai,Kengo Hara,Tohru Daitoh,Masamitsu Yamanaka,Setsuji NISHIMIYA,Teruyuki UEDA. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2020-02-06.

Semiconductor device and its fabrication method

Номер патента: US8598594B2. Автор: Kazuhiro Mochizuki,Akihisa Terano,Takashi Ishigaki,Tomonobu Tsuchiya. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2013-12-03.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10665681B2. Автор: Koichi Murata,Takeshi Tawara,Hidekazu Tsuchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-26.

Semiconductor device and a corresponding method of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20190035741A1. Автор: Paolo Colpani,Samuele Sciarrillo,Ivan Venegoni,Francesca Milanesi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-01-31.

Power Semiconductor Device and Method of Producing a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20230100846A1. Автор: Alim Karmous,Thorsten Arnold. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-03-30.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240121953A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor device and a method of operating the semiconductor device

Номер патента: US20200395412A1. Автор: Satoru Yamada,Taehun Kim,Kyunghwan Lee,Yongseok Kim,Seokhan Park,Jaeho Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-17.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20170271468A1. Автор: Fumikazu Imai,Takuya Komatsu,Masanobu IWAYA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor device and a corresponding method of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20190035740A1. Автор: Paolo Colpani,Samuele Sciarrillo,Ivan Venegoni. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2019-01-31.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240021737A1. Автор: Yuichi HASHIZUME. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device, method of and system for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11855070B2. Автор: Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Li-Chun Tien,Wei-Hsin TSAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US11889672B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Vertical semiconductor device and method for fabricating the vertical semiconductor device

Номер патента: US20230403855A1. Автор: Hai-Won Kim,In-Su Park,Jong-Gi KIM,Hoe-Min Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

High voltage semiconductor device and manufacturing method of high voltage semiconductor device

Номер патента: US20230145810A1. Автор: Tae Hoon Lee,Jin Seong Chung. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

High voltage semiconductor device and manufacturing method of high voltage semiconductor device

Номер патента: US20210376147A1. Автор: Tae Hoon Lee,Jin Seong Chung. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

High voltage semiconductor device and manufacturing method of high voltage semiconductor device

Номер патента: US20230411519A1. Автор: Tae Hoon Lee,Jin Seong Chung. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: WO2022199955A1. Автор: Munaf Rahimo,Marco Bellini,Andrei Mihaila,Lars Knoll. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-09-29.

Electrostatic discharge protection semiconductor device and layout structure of esd protection semiconductor device

Номер патента: US20170309613A1. Автор: Kuan-Cheng Su,Tien-Hao Tang,Mei-Ling Chao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-26.

High voltage semiconductor device and manufacturing method of high voltage semiconductor device

Номер патента: US11791409B2. Автор: Tae Hoon Lee,Jin Seong Chung. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180138273A1. Автор: Takashi Tsuji. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-17.

Process for fabricating semiconductor device and method of fabricating metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20130072028A1. Автор: Yu-Ren Wang,Chien-Liang Lin,Ying-Wei Yen,Te-Lin Sun. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

Semiconductor device termination structures and methods of manufacturing semiconductor device termination structures

Номер патента: WO2024054763A1. Автор: Prasad Venkatraman,Balaji Padmanabhan. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2024-03-14.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11942517B2. Автор: Takeyoshi Masuda. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Silicon carbide semiconductor device and method for manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210091187A1. Автор: Tsuyoshi ARAOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-25.

Silicon carbide semiconductor device and manufacturing method for silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180138274A1. Автор: Makoto Utsumi,Yasuhiko OONISHI,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-17.

Semiconductor device termination structures and methods of manufacturing semiconductor device termination structures

Номер патента: US20240088237A1. Автор: Prasad Venkatraman,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-03-14.

Power semiconductor device and method for producing a power semiconductor device

Номер патента: US20240170566A1. Автор: Munaf Rahimo,Marco Bellini,Andrei Mihaila,Lars Knoll. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor device, method of and system for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240096865A1. Автор: Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Li-Chun Tien,Wei-Hsin TSAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Packaged semiconductor device and method of fabricating a packaged semiconductor device

Номер патента: US20170373016A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Po-Hao Tsai,Li-Hui Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-28.

Compound semiconductor device, amplifier, and method for manufacturing compound semiconductor device

Номер патента: US20230037148A1. Автор: Naoya Okamoto,Junji Kotani,Toshihiro Ohki,Shirou Ozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor device and electronic apparatus equipped with the semiconductor device

Номер патента: US20050067696A1. Автор: Fumihiko Terasaki. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2005-03-31.

A sensor semiconductor device and method of producing a sensor semiconductor device

Номер патента: WO2017084817A1. Автор: Roel Daamen,Frederik Willem Maurits Vanhelmont,Hilco Suy,Agata Sakic,Nebojsa NENADOVIC,Micha IN'T ZANDT. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-05-26.

Semiconductor device layout structure and method for manufacturing semiconductor device layout structure

Номер патента: US20230238293A1. Автор: Yumeng SUN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Method of fabricating semiconductor device and method of separating substrate

Номер патента: US20230040281A1. Автор: Wonkeun Kim,Myoungchul Eum,Cheonil Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-09.

Optoelectronic semiconductor device and method of manufacturing an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: WO2021144377A1. Автор: Peter Fuchs,Thomas Falck,Hubert Halbritter,Christian Lauer,Ann RUSSELL,Bruno Jentzsch. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2021-07-22.

Optoelectronic semiconductor device and method of manufacturing an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US11757254B2. Автор: Peter Fuchs,Thomas Falck,Hubert Halbritter,Christian Lauer,Ann RUSSELL,Bruno Jentzsch. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device including a field effect transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20240339451A1. Автор: Minju Kim,Junggil YANG,Inhyun SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20070263691A1. Автор: Rakesh Roshan,Jonathan Heffernan,Stewart Hooper,Brendan Poole. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-11-15.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US7263115B2. Автор: Rakesh Roshan,Jonathan Heffernan,Stewart Edward Hooper,Brendan Poole. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-08-28.

Semiconductor device and a method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20040233952A1. Автор: Rakesh Roshan,Jonathan Heffernan,Stewart Hooper,Brendan Poole. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-11-25.

A Semiconductor Device and a Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: EP1465303A3. Автор: Rakesh Roshan,Jonathan Heffernan,Stewart Edward Hooper,Brendan Poole. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-07-27.

Optoelectronic semiconductor device and method for operating an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US20240039247A1. Автор: Laurent Nevou,Jens Geiger,Jean Francois Seurin,Svenja Mauthe. Владелец: ams International AG. Дата публикации: 2024-02-01.

Optoelectronic semiconductor device and method for operating an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: WO2024022714A1. Автор: Laurent Nevou,Jens Geiger,Jean Francois Seurin,Svenja Mauthe. Владелец: ams International AG. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device and methods for fabricating and operating the device

Номер патента: US20240224816A1. Автор: Pavel ASEEV. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-07-04.

Air spacer and capping structures in semiconductor devices

Номер патента: US20230154921A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Ching-Wei Tsai,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20040013867A1. Автор: MARK Martin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-22.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09871101B2. Автор: Chien-Hsun Wang,Chun-Hsiung Lin,Carlos H. Diaz,Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Detergent composition for semiconductor device substrate, method for cleaning semiconductor device substrate, method for manufacturing semiconductor device substrate, and substrate for semiconductor device

Номер патента: TW201903138A. Автор: 草野智博,原田憲,河瀬康弘. Владелец: 日商三菱化學股份有限公司. Дата публикации: 2019-01-16.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12087814B2. Автор: Yung-Chow Peng,Chia-Chung Chen,Wen-Shen Chou,Ya Yun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240371931A1. Автор: Yung-Chow Peng,Chia-Chung Chen,Wen-Shen Chou,Ya Yun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and the method of manufacturing the same

Номер патента: US20200075594A1. Автор: Richard R. Chang,Deyuan Xiao. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Molded semiconductor device and manufacturing method of molded semiconductor device

Номер патента: US20240293962A1. Автор: Chung-Shi Liu,Ching-Hua Hsieh,Chih-Wei Lin,Sheng-Hsiang Chiu,Sheng-Feng Weng,Yao-Tong Lai,Chia-Min Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device and cleaning system

Номер патента: US20220238356A1. Автор: Chao Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Semiconductor device and cleaning system

Номер патента: US12106975B2. Автор: Chao Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device, related manufacturing method, and related electronic device

Номер патента: US09620427B2. Автор: Wei Wang,Chao ZHENG,Liangliang Guo,Junde Ma. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8436420B2. Автор: Kyu Hyun Mo. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2013-05-07.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20110168983A1. Автор: Kyu Hyun Mo. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2011-07-14.

Substrate treatment device, substrate treatment method, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20200185221A1. Автор: Yuji Yamada,Yohei Yamamoto,Hisashi Okuchi,Yasuhito Yoshimizu,Fuyuma ITO,Hakuba KITAGAWA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-06-11.

Packaging structure and semiconductor device having same, and electronic apparatus having semiconductor device

Номер патента: EP3869579A1. Автор: Wei Pang,Qingrui YANG,Menglun ZHANG,Chongling SUN. Владелец: ROFS Microsystem Tianjin Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-25.

Circuit arrangement with a first semiconductor device and with a plurality of second semiconductor devices

Номер патента: US09496859B2. Автор: Rolf Weis. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device, semiconductor system, and method of controlling semiconductor device

Номер патента: US20240313776A1. Автор: Fumiya Watanabe,Kenro Kubota,Kazuhiko Satou,Atsuko SAEKI,Ryota Tsuchiya,Harumi ABE,Kanta NAGUMO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device, semiconductor system and method of operating semiconductor device

Номер патента: US09906383B2. Автор: Chiwon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device, clock circuit, and control method of semiconductor device

Номер патента: US20220014191A1. Автор: Koji Kohara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-01-13.

Circuit Arrangement with a First Semiconductor Device and with a Plurality of Second Semiconductor Devices

Номер патента: US20150256163A1. Автор: Rolf Weis. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2015-09-10.

Semiconductor device, semiconductor system, and control method of semiconductor device

Номер патента: US20200041547A1. Автор: Akira Murayama,Kazuki Fukuoka,Toshifumi Uemura,Yuko Kitaji,Yosuke Okazaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-02-06.

Semiconductor device and power off method of a semiconductor device

Номер патента: US20230315179A1. Автор: Dae Hwan Kim,Young Hoon Lee,Ho-Yeon JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device and a manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20090189136A1. Автор: Nozomu Matsuzaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Semiconductor device, semiconductor system, and control method of semiconductor device

Номер патента: US10033339B2. Автор: Hiroyuki Kuge. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-07-24.

Semiconductor device, display apparatus, and driving method of semiconductor device

Номер патента: US20240188330A1. Автор: Susumu Kawashima,Tomoaki Atsumi,Hideaki Shishido,Koji KUSUNOKI,Motoharu Saito. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor device substrate with embedded stress region, and related fabrication methods

Номер патента: US20120119259A1. Автор: Jan Hoentschel,Thilo Scheiper,Stefan Flachowsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-05-17.

Semiconductor device and fabrication method for the semiconductor device

Номер патента: US20090242947A1. Автор: Takuji Yamamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Semiconductor device and fabrication method for the semiconductor device

Номер патента: US20100167473A1. Автор: Takuji Yamamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Vertical type semiconductor device, fabrication method thereof and operation method thereof

Номер патента: US09508429B2. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Vertical type semiconductor device, fabrication method thereof and operation method thereof

Номер патента: US09508428B2. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device and fabrication method of the semiconductor device

Номер патента: US20090189200A1. Автор: Kazutaka Takagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: WO2022027536A1. Автор: Han-Chin Chiu. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-02-10.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US12068373B2. Автор: Han-Chin Chiu. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11742406B2. Автор: Tiantian Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: EP4020526A1. Автор: Chuanyang ZHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-06-29.

Wafer-level encapsulated semiconductor device, and method for fabricating same

Номер патента: US09450004B2. Автор: Wei-Feng Lin,Chih-Hung Tu. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210066124A1. Автор: Tiantian Zhang,Jingjing Tan,Zengsheng XU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US9825039B1. Автор: Ming-Chih Chen,Szu-Hao Lai,Po-Hsieh Lin,Yi-Chuen Eng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09825039B1. Автор: Ming-Chih Chen,Szu-Hao Lai,Po-Hsieh Lin,Yi-Chuen Eng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09799750B2. Автор: Chun-Fai Cheng,Han-Ting Tsai,Hui-Min Lin,An-Shen CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US09704970B2. Автор: Kuang-Hsin Chen,Tsung-Yu CHIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device with built-in contacts (versions) and method of making semiconductor devices with built-in contacts (versions)

Номер патента: RU2394305C2. Автор: Кеннет Скотт Александр БАТЧЕР,Эп ФУКЕ Мари-Пьер Франсуаз ВИНТРЕБЕР,Аланна Хулия Хуне ФЕРНАНДЕС. Владелец: Гэлиэм Энтерпрайзис Пти Лтд. Дата публикации: 2010-07-10.

Semiconductor Device and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20230284436A1. Автор: Tsun-Min Cheng,Yu Chun Lin,Chia-Wei Wu,Yukihiro Nagai,Hsiao-Han Lin,Sun-Hung Chen,Lu-Yung Lin,Zheng Guo Zhang,Wu Xiang Li. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Fabricating method of fin-type semiconductor device

Номер патента: US09923065B2. Автор: Ming Zhou,Xinyun Xie. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor Device and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20220246750A1. Автор: Po-Yu YANG,Hsun-Wen Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US10347718B2. Автор: Dong Il Bae,Dong Hun Lee,Jung Gil Yang,Seung Min Song,Chang Woo SOHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-09.

Semiconductor device having metal gate structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09728620B2. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US11990518B2. Автор: Jian-Feng Li,Chia-Hua Chang,Hsiang-Chieh Yen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US10756179B2. Автор: Dong Il Bae,Dong Hun Lee,Jung Gil Yang,Seung Min Song,Chang Woo SOHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-25.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09929235B1. Автор: Dong Il Bae,Dong Hun Lee,Jung Gil Yang,Seung Min Song,Chang Woo SOHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20240213023A1. Автор: Chan Hwang,Seung Yoon Lee,Jeong Jin Lee,Doo Gyu LEE,Min-Cheol KWAK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Fabricating Method of Semiconductor Device

Номер патента: US20240258378A1. Автор: Jian-Feng Li,Chia-Hua Chang,Hsiang-Chieh Yen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20160126309A1. Автор: Tzong-Sheng Chang,Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King,Wei-Shuo HO,An-Lun LO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-05.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US09679818B2. Автор: Tzong-Sheng Chang,Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King,Wei-Shuo HO,An-Lun LO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US09502555B2. Автор: Jin Woo Han. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device package with stress reduction design

Номер патента: US20240243076A1. Автор: Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Po-Chen LAI,Shu-Shen Yeh,Chin-Hua Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Monolithic semiconductor device assemblies

Номер патента: US20230352525A1. Автор: Gordon M. Grivna,Yusheng Lin,Peter Moens. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2023-11-02.

Electromagnetic wave shielding support base-attached encapsulant, encapsulated substrate having semicondutor devices mounted thereon, encapsulated wafer having semiconductor devices formed thereon, and semiconductor apparatus

Номер патента: US09865518B2. Автор: Toshio Shiobara,Tomoaki Nakamura,Hideki Akiba,Shinsuke Yamaguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor Device, Method of Fabricating the Same, and Apparatus for Fabricating the Same

Номер патента: US20080237593A1. Автор: Tetsuya Inui,Junichiro Nakayama,Ikumi Itsumi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-10-02.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210083105A1. Автор: Yasuyuki Hoshi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor device having surface regions with different crystal orientation and manufacturing method

Номер патента: EP1677350A3. Автор: Dong-Suk Shin,Ho Lee,Seung-Hwan Lee,Tetsuji Ueno,Hwa-Sung Rhee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-30.

Semiconductor device and semiconductor package having the same

Номер патента: US20200020641A1. Автор: Un-Byoung Kang,Yeong-kwon Ko,Jun-Yeong Heo,Ja-Yeon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-16.

Semiconductor device and semiconductor circuit including the semiconductor device with enhanced current-voltage characteristics

Номер патента: US09825026B2. Автор: John Twynam. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device with graphene conductive structure and method for forming the same

Номер патента: US20220051936A1. Автор: Ching-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor device package

Номер патента: US20200343219A1. Автор: Yong-Hoon Kim,Kil-Soo Kim,Tae-Joo Hwang,Kyung-suk OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20240268130A1. Автор: Kiseok LEE,Hyungeun CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20240268129A1. Автор: Jinwoo Han,Jay-Bok Choi,Moonyoung JEONG,Kiseok LEE,Hui-jung Kim,Seokhan Park,Keunnam Kim,Hongjun LEE,Hyungeun CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20200343386A1. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US09601593B2. Автор: Shih-Chi Lin,Chia-Ming Tsai,Ke-Chih Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230282248A1. Автор: Yifei Yan,Huixian Lai. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device capable of preventing an increase in the number of manufacturing steps relating to wiring and a method for manufacturing the same

Номер патента: US11495543B2. Автор: Tetsuaki Utsumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-11-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210233846A1. Автор: Tetsuaki Utsumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240304579A1. Автор: Dai-Ying LEE,Cheng-Hsien Lu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and method of making the same and seal ring structure

Номер патента: US20230361056A1. Автор: NING Xu,Cheng Liu,Nien-Tze Yeh,Kechuang Lin. Владелец: Hunan Sanan Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210043539A1. Автор: Keisuke Nakamura,Eiji Yagyu,Koji YOSHITSUGU. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Semiconductor device, layout design method for the same and method for fabricating the same

Номер патента: US12068251B2. Автор: Byung Hyun Lee,Sang Do Park,Sung-Ok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220085164A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US11631738B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-04-18.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240297127A1. Автор: Mohamed Salleh Mohamed Saheed,Murugalogeswaran Permal. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device

Номер патента: US12087862B2. Автор: Sungmin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Processing method for semiconductor surface defects and preparation method for semiconductor devices

Номер патента: US12033857B2. Автор: Xianghong Jiang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device structure

Номер патента: US10163516B2. Автор: Kuang-Hsin Chen,Wen-Chao Shen,Yung-Hsien Wu,I-Chen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-12-25.

Semiconductor die, semiconductor device and method for forming semiconductor device

Номер патента: US20240234309A9. Автор: Jiarui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4071818A1. Автор: FAN YANG,Sheng Hu. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12046593B2. Автор: Wei Wang,King Yuen Wong,Xiaoyan Zhang,Danfeng MAO,Jinhan Zhang,Jianjian SHENG. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Discrete component backward traceability and semiconductor device forward traceability

Номер патента: EP2625708A1. Автор: Hem Takiar,Cheeman Yu,Frank Lu,Jiaming Shi,Didier Chavet,Chih-Chiang Tung. Владелец: SanDisk SemiConductor Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230187513A1. Автор: Chen-Shuo Huang. Владелец: AUO Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor Devices Having Insulating Substrates and Methods of Formation Thereof

Номер патента: US20170148981A1. Автор: Volker Strutz,Carsten Von Koblinski,Manfred Engelhardt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-25.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20220415644A1. Автор: Le Li,Jun Zhou,Sheng Hu. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor devices having insulating substrates and methods of formation thereof

Номер патента: US20160284990A1. Автор: Volker Strutz,Carsten Von Koblinski,Manfred Engelhardt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-09-29.

Semiconductor device structures

Номер патента: US20180005942A1. Автор: Ting-You LIN,Chi-Li TU. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12094704B2. Автор: Le Li,Jun Zhou,Sheng Hu. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor Device and Method of Forming High Crystal Quality Magnetic Layer for Shielding of Low Frequency Magnetic Fields

Номер патента: US20240332207A1. Автор: Changoh Kim,JinHee Jung. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US09911821B2. Автор: Chih-Lin Wang,Kang-Min Kuo,Chi-Ruei YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device package with mirror mode

Номер патента: US09786332B2. Автор: Scott R. Cyr. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09735109B2. Автор: Hidenao Kuribayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device and electronic equipment

Номер патента: US09634158B2. Автор: Takuya Sano,Shoji Kobayashi,Yoshiharu Kudoh. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor devices having insulating substrates and methods of formation thereof

Номер патента: US09608201B2. Автор: Volker Strutz,Carsten Von Koblinski,Manfred Engelhardt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230087572A1. Автор: Tomonari SHIODA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor device and manufacturing method for the semiconductor device

Номер патента: US20220223712A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-14.

Semiconductor device and manufacturing method for the semiconductor device

Номер патента: US11848370B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui,Chun-Yen Peng,Te-Yang Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Semiconductor device and method for controlling a semiconductor device

Номер патента: US20080122517A1. Автор: Joachim Pichler,Maria Giovanna Lagioia. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-05-29.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20170365514A1. Автор: Lan-Lin Chao,Chih-Ming Chen,Cheng-Yuan Tsai,Szu-Yu Wang,Han-Yu Chen,Chun-Han TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-21.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20190259848A1. Автор: Lan-Lin Chao,Chi-Ming Chen,Cheng-Yuan Tsai,Szu-Yu Wang,Han-Yu Chen,Chun-Han TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-22.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11735635B2. Автор: Lan-Lin Chao,Chih-Ming Chen,Cheng-Yuan Tsai,Szu-Yu Wang,Han-Yu Chen,Chun-Han TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Structure and method for semiconductor device

Номер патента: US09893150B2. Автор: Chih-Kang Chao,Ling-Sung Wang,Chih-Mu Huang,Ru-Shang Hsiao,Chen-Chieh Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor package including antenna substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09837701B2. Автор: Han-Chee Yen. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US09812569B2. Автор: I-Chih Chen,Ying-Hao Chen,Ying-Lang Wang,Chih-Mu Huang,Wen-Chang Kuo,Jung-Chi Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09786752B2. Автор: Chikara Terada. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09754827B1. Автор: Lan-Lin Chao,Chih-Ming Chen,Cheng-Yuan Tsai,Szu-Yu Wang,Han-Yu Chen,Chun-Han TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Complementary metal oxide semiconductor device with III-V optical interconnect having III-V epitaxial semiconductor material formed using lateral overgrowth

Номер патента: US09726819B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Complementary metal oxide semiconductor device with III-V optical interconnect having III-V epitaxial semiconductor material formed using lateral overgrowth

Номер патента: US09590393B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device with an interconnect structure and method for forming the same

Номер патента: US09478626B2. Автор: Chih-Hung Lu,Wei-Chin Chen,Chia-Der Chang,Guo-Chiang CHI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device having wire studs as vertical interconnect in FO-WLP

Номер патента: US09443797B2. Автор: Yaojian Lin,Jose A. Caparas,Pandi C. Marimuthu,Sheila Marie L. Alvarez,Yang Kern Jonathan Tan. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Complementary metal oxide semiconductor device with III-V optical interconnect having III-V epitaxial semiconductor material formed using lateral overgrowth

Номер патента: US09344200B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20200303323A1. Автор: Masayoshi Tarutani,Kenji Harada,Tetsuo Takahashi,Kazuhiko SAKUTANI,Masao TAKATA,Kouichi IN. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor device and preparation method thereof

Номер патента: US20220165858A1. Автор: Shufeng Zhao. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2022-05-26.

Semiconductor device with programmable structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230269935A1. Автор: Wei-Zhong Li,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Vias for Semiconductor Devices Formed from Multiple Etching

Номер патента: US20240274507A1. Автор: Scott Sheppard,Kyle BOTHE,Chris Hardiman. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11309318B2. Автор: JISONG Jin. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-04-19.

Semiconductor device with assistant layer and method for fabricating the same

Номер патента: US12080754B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20230221605A1. Автор: Masahiko Suzuki,Takuya Watanabe,Tetsuo Kikuchi,Tohru Daitoh,Setsuji NISHIMIYA,Hitoshi Takahata. Владелец: Sharp Display Technology Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Fabrication system of semiconductor device and method of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US20200348599A1. Автор: Jinhong Park,Seungmin Lee,Suntaek LIM,Jinseok Heo,Keunhee Bai. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-05.

Semiconductor device including structure connecting frontside and backside metal and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230402367A1. Автор: Chia-Tien Wu,Wei-Cheng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor device with alignment marks and method for fabricating the same

Номер патента: US12094834B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device with alignment marks and method for fabricating the same

Номер патента: US12094833B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240321638A1. Автор: Takeyuki Suzuki. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device with programmable unit and method for fabricating the same

Номер патента: US12114491B2. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12100698B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chih-Chieh Chang,Chuei-Tang Wang,Chung-Hao Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device

Номер патента: US09793343B2. Автор: Yuichi Onozawa,Hiroki Wakimoto,Eri OGAWA,Misaki TAKAHASHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Heteroepitaxial semiconductor devices with enhanced thermal dissipation

Номер патента: US20240355918A1. Автор: Matt King,Christer Hallin,Thomas Kuhr. Владелец: Woflspeed Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device with varying thickness of insulating film between electrode and gate electrode and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09559183B2. Автор: Hiroshi Kawaguchi,Takashi Inoue,Takayuki Nagai,Toshiyuki Takewaki,Yasuhiro Okamoto,Tatsuo Nakayama,Hironobu Miyamoto,Yoshinao Miura,Nobuhiro Nagura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device with flowable layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20220013629A1. Автор: Liang-Pin Chou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-01-13.

Cell structure of semiconductor device, preparation method thereof and semiconductor device

Номер патента: US20240014301A1. Автор: Bo Shi,Ting Xiao,Yiren LIN. Владелец: Edgeless Semiconductor Co Ltd Of Zhuhai. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor device having doped seed layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240021719A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Chung-Yi Yu,Ru-Liang Lee,Chi-Ming Chen,Po-Chun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device with porous decoupling feature and method for fabricating the same

Номер патента: US20210375881A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Method of making a semiconductor device using multiple layer sets

Номер патента: US20140167227A1. Автор: Bi-Ming Yen,Tsai-Chun Li,Chun-Ming Hu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-06-19.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210043445A1. Автор: Junghwa KIM,Jooho Lee,Yongsung Kim,Haeryong Kim,Kyooho JUNG,Jeongil BANG,Jeonggyu SONG,Myoungho JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200273698A1. Автор: Junghwa KIM,Jooho Lee,Yongsung Kim,Haeryong Kim,Kyooho JUNG,Jeongil BANG,Jeonggyu SONG,Myoungho JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-27.

Semiconductor device with energy-removable layer

Номер патента: US20240178288A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device with energy-removable layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240178287A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor devices and fabrication methods thereof, memory systems

Номер патента: US20240164117A1. Автор: LAN Yao,CHENG Chen,Jing Li,Quan Zhang,Yanwei Shi,Boru Xie. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device with alignment marks and method for fabricating the same

Номер патента: US11756893B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device with polymer liner and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234249A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Combined MCD and MOS Transistor Semiconductor Device

Номер патента: US20210134792A1. Автор: Steven Peake. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20180253375A1. Автор: Toshimitsu Arai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-06.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4228007A1. Автор: Tao Liu,Wei Lu,Haijun Li,Juncai Ma,Zhili Zhang,Cen TANG,Jin Rao,Lingcong LE. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-16.

Air spacer and capping structures in semiconductor devices

Номер патента: US20210305246A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Ching-Wei Tsai,Lin-Yu HUANG,Chiao-Hao Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor device with single step height and method for fabricating the same

Номер патента: US20220122991A1. Автор: Yu-Ting Lin,Mao-Ying Wang,Lai-Cheng TIEN,Hui-Lin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240276706A1. Автор: Hung-Yu Wei. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Process monitoring structures for via etch processes for semiconductor devices

Номер патента: US20240162097A1. Автор: YAN Luo,René Wientjes,Poh Cheng Tan,Deo Brat Singh,Sudeep Gudla. Владелец: Systems on Silicon Manufacturing Co Pte Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240088193A1. Автор: Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Chun-Liang Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device with leakage current guide path and method for fabricating the same

Номер патента: US12100733B2. Автор: Wei-Zhong Li,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device with programmable structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240334687A1. Автор: Wei-Zhong Li,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device with protection liners and air gaps and method for fabricating the same

Номер патента: US12119302B2. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12132012B2. Автор: Hsin-Pin Huang,Nianwang YANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device and fabricating method of a gate with an epitaxial layer

Номер патента: US09985132B2. Автор: Chang Chun Xu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Active device substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230187455A1. Автор: Chen-Shuo Huang,Yang-Shun FAN. Владелец: AUO Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor device with conductive layers having different pattern densities and method for fabricating the same

Номер патента: US20240243060A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device and photosensitive device

Номер патента: US20240047599A1. Автор: Zhiwei Tan. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device with protection liners and method for fabricating the same

Номер патента: US20230299005A1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Contact stacks to reduce hydrogen in semiconductor devices

Номер патента: US20200098874A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Justin Weber,Benjamin Chu-Kung,Van H. Le,Matthew V. Metz,Christopher Jezewski,Harold Kennel,Arnab SEN GUPTA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210082922A1. Автор: Chih-Wei Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor device with thermal release layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20220165639A1. Автор: Jar-Ming Ho. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Semiconductor device with polymer liner and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234252A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20180005704A1. Автор: Hiromichi Takaoka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor device with capping layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240304697A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device with filling layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240339400A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device with filling layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240339401A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device with protection layer and method for fabricating the same

Номер патента: US12112950B2. Автор: Ming-Hung Hsieh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Methods of packaging semiconductor devices and packaged semiconductor devices

Номер патента: US09806062B2. Автор: Wen-Chih Chiou,Yu-Liang Lin,Shin-puu Jeng,Hung-Jung Tu,Tu-Hao Yu,Shih-Hui Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Methods of forming a semiconductor circuit element and semiconductor circuit element

Номер патента: US09608110B2. Автор: Peter Baars,Carsten Grass. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140248729A1. Автор: Akihiro Fujiwara,Katsufumi Kondo,Kimitaka Yoshimura,Tokuhiko Matsunaga,Takashi HAKUNO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-04.

Semiconductor device with conductive layers having different pattern densities and method for fabricating the same

Номер патента: US12080642B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device with capping layer

Номер патента: US20240304696A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12094934B2. Автор: Shinya Nunoue,Toshiki Hikosaka,Jumpei Tajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor devices, FinFET devices and methods of forming the same

Номер патента: US09997633B2. Автор: Chii-Ming Wu,Ru-Shang Hsiao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Method for separating epitaxial layers from growth substrates, and semiconductor device using same

Номер патента: US09882085B2. Автор: Ki Bum Nam,Joo Won Choi,A Ram Cha LEE,Yu Dae Han,Jeong Hun HEO,Choong Min Lee,Su Jin Shin. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor devices with redistribution pads

Номер патента: US09859204B2. Автор: Won-Young Kim,Chanho LEE,Ae-nee JANG,Hyunsoo Chung,Myeong Soon PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Apparatus and methods for manufacturing semiconductor devices and treating substrates

Номер патента: US09595434B2. Автор: Hyosan Lee,Yongsun Ko,Seokhoon Kim,Kuntack Lee,Kyoungseob Kim,Kyoung Hwan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor device assessment apparatus

Номер патента: US09551745B2. Автор: Kinya Yamashita,Akira Okada,Hajime Akiyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Substrate, semiconductor device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US09490132B2. Автор: Keiji Ishibashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20140167126A1. Автор: LI Wang,Zhewei Wang,Xuelei Chen,Liangwei Mou,Zhaoxing Huang. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-19.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20150060958A1. Автор: Erh-Kun Lai,Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210091192A1. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210226016A1. Автор: Shinya Nunoue,Toshiki Hikosaka,Jumpei Tajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2021-07-22.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230073529A1. Автор: Shinya Nunoue,Toshiki Hikosaka,Jumpei Tajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2023-03-09.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11581407B2. Автор: Shinya Nunoue,Toshiki Hikosaka,Jumpei Tajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2023-02-14.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210074639A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-03-11.

Substrate of semiconductor device and fabrication method thereof as well as semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20020014626A1. Автор: Hisashi Ohtani,Shunpei Yamazaki,Satoshi Teramoto,Setsuo Nakajima,Toshiji Hamatani. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2002-02-07.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus

Номер патента: US20170047266A1. Автор: Nobutaka Shimizu,Takumi Ihara,Masamitsu Ikumo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-02-16.

Substrate of semiconductor device and fabrication method thereof as well as semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20050032339A1. Автор: Hisashi Ohtani,Shunpei Yamazaki,Satoshi Teramoto,Setsuo Nakajima,Toshiji Hamatani. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-10.

Profile control of isolation structures in semiconductor devices

Номер патента: US20240274662A1. Автор: Tzu-Ging LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US12100743B2. Автор: Yu-Jen Huang,Shin-Hong CHEN,Ying-Chi Cheng. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device with integrated decoupling and alignment features

Номер патента: US12113028B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Field effect transistor and semiconductor device including the same

Номер патента: US09941360B2. Автор: Shigenobu Maeda,Seunghan Seo,Yeohyun SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09524967B1. Автор: Yu-Ping Wang,Chien-Ming Lai,Ya-Huei Tsai,Ching-Hsiang Chiu,Hao-Yeh Liu,Mon-Sen Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device and preparation method thereof

Номер патента: US20210074807A1. Автор: Yun Bai,Xinyu Liu,Yidan TANG,Chengyue Yang,Shengxu Dong. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2021-03-11.

Multi-layered structure including an epitaxial layer having a low dislocation defect density, semiconductor device comprising the same, and method of fabricating the semiconductor device

Номер патента: US6987310B2. Автор: Moon-han Park,Ho Lee,Seung-Hwan Lee,Hwa-Sung Rhee,Jae-Yoon Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-01-17.

Electroless-plating solution and semiconductor device

Номер патента: WO2002099164A3. Автор: Hiroaki Inoue,Kenji Nakamura,Moriji Matsumoto. Владелец: Ebara Corp. Дата публикации: 2004-05-21.

Inductor device and fabrication method

Номер патента: US9515133B2. Автор: Herb He Huang,Haiting Li,Hongtao Ge. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Capacitor and a semiconductor device including the same

Номер патента: US09997591B2. Автор: Hyun-Suk Lee,Jongmyeong Lee,Dongkyun PARK,Heesook Park,Jin-Su Lee,Gihee CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Method of forming through-hole in silicon substrate, method of forming electrical connection element penetrating silicon substrate and semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: US09633930B2. Автор: Jaegab LEE,Daekyun JEONG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kookmin University. Дата публикации: 2017-04-25.

Isolation structure for semiconductor device

Номер патента: US09608060B2. Автор: Shen-Ping Wang,Yu-Chieh Chou,Kun-Ming Huang,Po-Tao Chu,Lieh-Chuan Chen,Chun-Yi Yang,Tsai-Feng YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Inductor device and fabrication method

Номер патента: US09515133B2. Автор: Herb He Huang,Haiting Li,Hongtao Ge. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09449915B2. Автор: Hsu-Sheng Yu,Hong-Ji Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Power semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09425308B2. Автор: Wen-Chia LIAO,Li-Fan Lin. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Bottom contact with self-aligned spacer for stacked semiconductor devices

Номер патента: WO2023180073A1. Автор: Brent Anderson,Gen Tsutsui,Junli Wang,Su Chen Fan,Albert Young. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor Devices Having Phase-Change Material (PCM) Radio Frequency (RF) Switches and Integrated Passive Devices

Номер патента: US20200058851A1. Автор: David J. Howard,Gregory P. Slovin,Jefferson E. Rose,Nabil El-Hinnawy. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2020-02-20.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20240194594A1. Автор: Min-Teng Chen. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US12046647B2. Автор: King Yuen Wong,Hang Liao,Lijie Zhang. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20100052019A1. Автор: Hiroshi Yamamoto,Mitsuru Yoshikawa. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-03-04.

Semiconductor Devices and Methods of Manufacture Thereof

Номер патента: US20150061127A1. Автор: Hung-Jui Kuo,Yu-feng Chen,Kai-Chiang Wu,Chun-Lin Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

Semiconductor Device and Fabrication Method thereof

Номер патента: US20200303380A1. Автор: Chen-Chih WANG,Yeu-Yang WANG. Владелец: Hexas Technology Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor device including isolation structure with impurity and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240347374A1. Автор: Kuo-Chung Hsu,En-Jui Li. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4456125A2. Автор: Jongryeol YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-30.

Three-dimensional semiconductor device and method of fabrication

Номер патента: US09997598B2. Автор: Subhadeep Kal,Jeffrey Smith,Kandabara Tapily,Anton Devilliers,Nihar Mohanty. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09941140B2. Автор: Yu-feng Chen,Kai-Chiang Wu,Chun-Lin Lu,Hung-Jui Kou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device packages and methods

Номер патента: US09935038B2. Автор: Chien-Hsun Lee,Mirng-Ji Lii,Jiun Yi Wu,Tsung-Ding Wang,Hung-Jen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09755067B2. Автор: Jung Hwan Lee,Min Gyu Lim,Yi Sun Chung. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device and method of forming RF FEM with LC filter and IPD filter over substrate

Номер патента: US09704857B2. Автор: Kai Liu,HyunTai Kim,YongTaek Lee,Gwang Kim,ByungHoon Ahn. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Package-on-package semiconductor device

Номер патента: US09685426B2. Автор: Chen-Hua Yu,Der-Chyang Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09673303B2. Автор: Donghyun Kim,Myeongcheol Kim,Cheol Kim,Daeyong Kim,Chulsung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor devices and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09576874B2. Автор: Hung-Jui Kuo,Yu-feng Chen,Kai-Chiang Wu,Chun-Lin Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09466678B2. Автор: Che-Wei Chang,Shih-Hsien Huang,Chih-Chieh Yeh,Tzu-I Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Method of fabricating semiconductor device having alignment key and semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: US7473619B2. Автор: Byung Hyun Lee,Min-Hee Cho,Yoo-Sang Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-01-06.

Method of fabricating semiconductor device having alignment key and semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: US20090087962A1. Автор: Min-Hee Cho,Yoo-Sang Hwang,Byung-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-04-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20030214025A1. Автор: Shuichi Yamanaka,Kazuaki Yoshiike. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-20.

Semiconductor Device Assembly with Pillar Array

Номер патента: US20190341270A1. Автор: Kyle K. Kirby,Owen R. Fay,Akshay N. Singh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-07.

Power module and fabrication method of the same, graphite plate, and power supply equipment

Номер патента: US12046532B2. Автор: Tatsuya Miyazaki,Hirotaka Otake,Takukazu Otsuka,Maiko HATANO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170243835A1. Автор: Takashi Watanabe,Takeshi Arakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-24.

Power module and fabrication method of the same, graphite plate, and power supply equipment

Номер патента: US20240332122A1. Автор: Tatsuya Miyazaki,Hirotaka Otake,Takukazu Otsuka,Maiko HATANO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240355757A1. Автор: Jeonghyun Kim,Sangjin Kim,Jaesuk PARK,Changmin Park,Yigwon Kim,Hyungju RYU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device including air gaps between interconnects and method of manufacturing the same

Номер патента: US09922940B2. Автор: Takashi Watanabe,Takeshi Arakawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US09768169B2. Автор: Jung-Gun You,Sug-Hyun Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20080048288A1. Автор: Jae-Won Han. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-02-28.

Mitigating thermal impacts on adjacent stacked semiconductor devices

Номер патента: US20210351160A1. Автор: Sui Chi Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10134673B2. Автор: Masayuki Kitamura,Atsuko Sakata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-11-20.

Semiconductor devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US20200098765A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Semiconductor Device and Method of Forming a 3-D Stacked Semiconductor Package Structure

Номер патента: US20240321783A1. Автор: Heesoo Lee,Seunghyun Lee,Yejin PARK. Владелец: Jcet Stats Chippac Korea Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor Device and Method of Partial Shielding with Embedded Graphene Core Shells

Номер патента: US20240321768A1. Автор: Heesoo Lee,HeeYoun Kim,YongMoo SHIN. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Mitigating thermal impacts on adjacent stacked semiconductor devices

Номер патента: US20240347505A1. Автор: Sui Chi Huang. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-10-17.

Apparatus for manufacturing semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, inspection apparatus for semiconductor device, and inspection method for semiconductor device

Номер патента: US20020158647A1. Автор: Masaaki Sugimoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-10-31.

Fiber-containing resin substrate, sealed substrate having semiconductor device mounted thereon, sealed wafer having semiconductor device formed thereon, a semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US20140329363A1. Автор: Toshio Shiobara,Susumu Sekiguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-06.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20180166342A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-06-14.

Fiber-containing resin substrate, sealed substrate having semiconductor device mounted thereon, sealed wafer having semiconductor device formed thereon, a semiconductor apparatus, and method for manufacturing semiconductor apparatus

Номер патента: US9240332B2. Автор: Toshio Shiobara,Susumu Sekiguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-19.

Semiconductor devices having through-electrodes

Номер патента: US20160133545A1. Автор: Byung Lyul Park,Kwangjin Moon,Jae-hwa Park,Sukchul Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-12.

Conductive structures in semiconductor devices

Номер патента: US10867906B2. Автор: Tien-I Bao,Tai-I Yang,Tien-Lu Lin,Yu-Chieh Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-15.

Method of manufacturing semiconductor apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: US20220344219A1. Автор: Tatsuro SAWADA. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

Gate link across gate cut in semiconductor devices

Номер патента: EP4435845A1. Автор: Leonard GULER,Baofu ZHU,Nidhi KHANDELWAL,Saurabh Acharya,Shengsi LIU,Krishna GANESAN,Prabhjot LUTHRA,Thomas Obrien,Clifford ENGEL,Meenakshisundaram Ramanathan,Ankit LAKHANI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-25.

Semiconductor devices with ferroelectric layer and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12119402B2. Автор: Yen-Chieh Huang,Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Po-Ting Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09947794B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Kazuya Hanaoka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Stacked semiconductor device assembly

Номер патента: US09880959B2. Автор: Scott C. Best. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-01-30.

Display driver semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09871063B1. Автор: Jeong Hyeon Park,Bo Seok OH,Hee Hwan JI. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device and method for testing the semiconductor device

Номер патента: US09865586B2. Автор: Yoshiaki Toyoda,Hideaki KATAKURA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Normally-off high electron mobility transistors and fabrication methods thereof

Номер патента: US09786775B2. Автор: Shang-Ju TU. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor devices having through-electrodes

Номер патента: US09673133B2. Автор: Byung Lyul Park,Kwangjin Moon,Jae-hwa Park,Sukchul Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device having a boundary structure, a package on package structure, and a method of making

Номер патента: US09659891B2. Автор: Yeong-Jyh Lin,Bor-Ping Jang,Chien Ling Hwang,Hsiao-Chung LIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09590109B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Kazuya Hanaoka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Mounting structure of semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09583416B2. Автор: Masato Mikami,Takanori Sekido. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Coating method utilizing phosphor containment structure and devices fabricated using same

Номер патента: US10505083B2. Автор: James Ibbetson,Maryanne Becerra,Kristi Wong. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2019-12-10.

Semiconductor device and method of its manufacturing

Номер патента: RU2719569C1. Автор: Ясуаки ХАЯМИ,Тецуя ХАЯСИ,Вэй НИ,Риота ТАНАКА,Кейсуке ТАКЕМОТО. Владелец: Ниссан Мотор Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-04-21.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230114260A1. Автор: Ayanori Gatto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-04-13.

Metal-insulator-metal (mim) capacitor and semiconductor device

Номер патента: US20200273946A1. Автор: Junghyun Cho,Song yi Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-27.

Arrangements of power semiconductor devices for improved thermal performance

Номер патента: WO2023028412A1. Автор: Brice Mcpherson,Brandon PASSMORE,Benjamin A. Samples. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2023-03-02.

Arrangements of power semiconductor devices for improved thermal performance

Номер патента: EP4393014A1. Автор: Brice Mcpherson,Brandon PASSMORE,Benjamin A. Samples. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor devices having an electro-static discharge protection structure

Номер патента: US11848286B2. Автор: Yi-Feng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20200343101A1. Автор: JISONG Jin,Yanhua Wu,Junling PANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor device including work function adjusting element, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130280872A1. Автор: Kenzo Manabe. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-10-24.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device corresponding to loop back test

Номер патента: US20070245179A1. Автор: Hiroshi Noda. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-10-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20200243434A1. Автор: Peng-Hsin Lee. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2020-07-30.

Semiconductor device and semiconductor device assembly

Номер патента: US20020084470A1. Автор: Tadahiko Sakai,Yoshiyuki Wada,Shoji Sakemi,Mitsuru Ozono. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-04.

Semiconductor Devices Having an Electro-static Discharge Protection Structure

Номер патента: US20240113044A1. Автор: Yi-Feng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Semiconductor Device and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20080079098A1. Автор: Ji Ho Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-04-03.

Compound semiconductor device

Номер патента: US20160336438A1. Автор: Susumu HATAKENAKA,Harunaka Yamaguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-11-17.

Cooling apparatus for semiconductor device

Номер патента: SG144855A1. Автор: Young Bae Chung. Владелец: Isc Technology Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20240321940A1. Автор: Hyungjun Kim,Jungpyo Hong,Sangwuk PARK,Hyunchul YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Gate link across gate cut in semiconductor devices

Номер патента: US20240321872A1. Автор: Leonard P. GULER,Baofu ZHU,Nidhi KHANDELWAL,Saurabh Acharya,Shengsi LIU,Krishna GANESAN,Clifford J. ENGEL,Ankit Kirit LAKHANI,Thomas Obrien,Prabhjot Kaur Luthra,Meenakshisundaram Ramanathan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device package and the method of manufacturing the same

Номер патента: US12107056B2. Автор: Ya Fang CHAN,Yuan-Feng CHIANG,Po-Wei LU. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor devices with integrated test structures

Номер патента: US20240321651A1. Автор: Rahul R. Potera,In-Hwan Ji. Владелец: Woflspeed Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device

Номер патента: US09954111B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Structure and method of semiconductor device structure with gate

Номер патента: US09859113B2. Автор: Chun-Sheng Wu,Ding-I Liu,Yi-Fang LI,jing-yang Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Method of triggering avalanche breakdown in a semiconductor device

Номер патента: US09705026B2. Автор: Andreas Meiser,Matthias Stecher,Ulrich Glaser,Joost Willemen,Magnus-Maria Hell,Yiqun Cao,Michael Mayerhofer,Julien Lebon. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09640629B1. Автор: Toshitaka Miyata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Compound semiconductor device

Номер патента: US09564525B2. Автор: Susumu HATAKENAKA,Harunaka Yamaguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09496376B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Mitsuhiro Ichijo,Noriyoshi Suzuki,Sachiaki TEZUKA,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Mounting structure of semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09490191B2. Автор: Masato Mikami,Takanori Sekido. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Cointegration of bulk and SOI semiconductor devices

Номер патента: US09443871B2. Автор: Hans-Peter Moll,Peter Baars,Jan Hoentschel. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US09418896B2. Автор: Kang-ill Seo,Jin-Wook Lee,Yong-min Cho,Hyun-Jae Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor device and method of forming substrate with 3-sided wettable flank

Номер патента: EP4203021A1. Автор: Henry D. Bathan,Yingyu Chen. Владелец: Semtech Corp. Дата публикации: 2023-06-28.

Power semiconductor devices including multiple layer metallization

Номер патента: WO2024137213A1. Автор: Scott Allen,Brice Mcpherson,III Thomas Edgar HARRINGTON. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US20190122965A1. Автор: Adam R. Brown,Ricardo L. YANDOC. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2019-04-25.

Semiconductor device with buried gate structures and method for preparing the same

Номер патента: US20240088248A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device and mehtod of fabricating the same

Номер патента: US20240136441A1. Автор: Ken-Ichi Goto,Cheng-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor Device with Compartment Shield Formed from Metal Bars and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20230230934A1. Автор: KyoWang Koo,HeeYoun Kim,SeongKuk Kim,YongKook Shin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor Device with Compartment Shield Formed from Metal Bars and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20240258246A1. Автор: KyoWang Koo,HeeYoun Kim,SeongKuk Kim,YongKook Shin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170236831A1. Автор: Do Youn Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180130813A1. Автор: Do Youn Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-10.

Semiconductor Devices Having an Electro-static Discharge Protection Structure

Номер патента: US20200365529A1. Автор: Yi-Feng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Semiconductor Devices Having an Electro-static Discharge Protection Structure

Номер патента: US20200373255A1. Автор: Yi-Feng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-26.

Semiconductor Devices Having an Electro-static Discharge Protection Structure

Номер патента: US20230290745A1. Автор: Yi-Feng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device and circuit device

Номер патента: US20230291401A1. Автор: Kazuhisa Mori,Toshiyuki Hata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Cooling apparatus for semiconductor device

Номер патента: US20080180124A1. Автор: Young Bae Chung. Владелец: ISC Tech Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-31.

Methods of manufacturing trench semiconductor devices with edge termination structures

Номер патента: US20160276475A1. Автор: Jingjing Chen,Peilin Wang,Edouard deFresart. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-22.

Semiconductor Device and Method for Sensing External Condition in Harsh Environment

Номер патента: US20240003768A1. Автор: Eakkasit DUMSONG,Jiraphat Charoenratpratoom,Paweena PHATTO,Maythichai SAITHONG. Владелец: UTAC Headquarters Pte Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor devices between gate cuts and deep backside vias

Номер патента: US20240321685A1. Автор: Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Baofu ZHU,Saurabh Acharya,Shengsi LIU. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and method of integrating RF antenna interposer with semiconductor package

Номер патента: US12100663B2. Автор: NamJu Cho,Youngcheol Kim,Haengcheol Choi. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Improved bonding structures for semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20240321817A1. Автор: Chin-Fu Kao,Amram Eitan,Kai-Hsiang Yang,Ju-Pin Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device with spacers for self aligned vias

Номер патента: US20240297077A1. Автор: Chia-Tien Wu,Hsin-Ping Chen,Pokuan Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Interconnect Structure with Graphene Core Shells for 3D Stacking Package

Номер патента: US20240332035A1. Автор: Heesoo Lee,Sujeong KWON,YongMoo SHIN. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device assemblies including monolithic silicon structures for thermal dissipation and methods of making the same

Номер патента: EP4427269A1. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-11.

Handler for testing semiconductor device and method for checking whether semiconductor device remains using the same

Номер патента: US09964588B2. Автор: Jae Hun Jeong,Sung Il KWON. Владелец: Techwing Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09929044B2. Автор: Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09893194B2. Автор: Yoshitaka Yamamoto,Hideomi Suzawa,Takayuki Inoue,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US09853032B2. Автор: JungWoo Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device structure

Номер патента: US09673340B1. Автор: Kuang-Hsin Chen,Wen-Chao Shen,Yung-Hsien Wu,I-Chen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Stacked semiconductor devices and methods of forming same

Номер патента: US09496189B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chien-Hsun Lee,Tsung-Ding Wang,Jung Wei Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US09449977B2. Автор: JungWoo Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor Device and Method of Forming Stress Relief Vias in Multi-Layer RDL

Номер патента: US20240355760A1. Автор: Peik Eng Ooi,Gai Leong Lai. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device multilayer structure, fabrication method for the same, semiconductor device having the same, and semiconductor device fabrication method

Номер патента: TW200727495A. Автор: Jang-Hee Lee,Dae-Yong Kim,Hee-sook Park,Jae-hwa Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-07-16.

Semiconductor device with connection structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20210305208A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2024124388A1. Автор: Ke SHEN,Huaifeng Wang,Jiajie CUI,Meiyan Lin. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-06-20.

Reduced susceptibility to electrostatic discharge during 3d semiconductor device bonding and assembly

Номер патента: US20130127046A1. Автор: Shiqun Gu,Dong Wook Kim,Reza Jalilizeinali,Brian M. Henderson,Ronnie A. Lindley,Matthiew M. Nowak. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-05-23.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240038777A1. Автор: Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masami Jintyou,Masataka Nakada,Masakatsu Ohno,Masayoshi Dobashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20200152529A1. Автор: Hitomi Sakurai,Masaru Akino. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2020-05-14.

Reduced susceptibility to electrostatic discharge during 3d semiconductor device bonding and assembly

Номер патента: WO2010118350A1. Автор: Shiqun Gu,Reza Jalilizeinali,Brian M. Henderson. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2010-10-14.

Semiconductor device having a plurality of terminals arranged thereon

Номер патента: US11948916B2. Автор: Shuuichi Kariyazaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Method and system for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20130267077A1. Автор: Mao-Lin Huang,Chun-An Lin,Yu-Hsing Chang,Ming-Hwei Hong,Tsung-Da Lin,Ray-Nien Kwo,Tun-Wen Pi,Pen Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-10-10.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9899400B2. Автор: Do Youn Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140106502A1. Автор: Hideomi Suzawa,Toshihiko Takeuchi,Sachiaki TEZUKA,Tetsuhiro Tanaka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-17.

Semiconductor Device Having Semiconductor Structure with Polarity Inverting Layer

Номер патента: US20240266419A1. Автор: Christer Hallin,Kyle BOTHE,Matthew R. King. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US7521305B2. Автор: Zing-Way Pei,Cha-Hsin Lin,Shing-Chii Lu,Ming-Jinn Tsai. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2009-04-21.

Dual metal contacts with ruthenium metal plugs for semiconductor devices

Номер патента: US20200279782A1. Автор: Hiroaki Niimi,Gyanaranjan Pattanaik. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-09-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160111546A1. Автор: Hideomi Suzawa,Toshihiko Takeuchi,Sachiaki TEZUKA,Tetsuhiro Tanaka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-21.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20240355933A1. Автор: Gang Wu,Shiwei HE,Yongjian Yu,Guoguo Kong,Mingru Ge,Wangqin Yang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device

Номер патента: US09991259B2. Автор: Kang-ill Seo,Jin-Wook Lee,Yong-min Cho,Hyun-Jae Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09954115B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Motoki Nakashima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US09941294B2. Автор: Shih-Lu HSU,Cheng-Ming Wu,Ching-Yen HSAIO,Chien-Hsian WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US09875972B1. Автор: Han-Ping Pu,Kai-Chiang Wu,Shou-Zen Chang,Sen-Kuei HSU,Hsin-Yu Pan,Chi-Ming Huang,Albert Wan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device

Номер патента: US09831351B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09793415B2. Автор: Junghyun Kim,Kiwan Ahn. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device having a breakdown voltage holding region

Номер патента: US09698216B2. Автор: Yuki Nakano. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09660098B2. Автор: Hideomi Suzawa,Toshihiko Takeuchi,Sachiaki TEZUKA,Tetsuhiro Tanaka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09466728B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Motoki Nakashima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09356165B2. Автор: Youngho Choe,Yoonsil Jin,Changseo Park,Goohwan Shim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2016-05-31.

Methods of cleaning a semiconductor device and methods of manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US20080124909A1. Автор: Keum-Joo Lee,Jin-Hye Bae,Dae-Keun Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-29.

Semiconductor device with conductive protrusions and method for fabricating the same

Номер патента: US20210296174A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190043977A1. Автор: Yi Pei,Chenggong YIN. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-02-07.

Structure of semiconductor device

Номер патента: US20100096683A1. Автор: Chun-Hung Lee,Hsin-Fang Su,Shin-Chang Tsai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-22.

Semiconductor device and method of preparing the same

Номер патента: US20200365598A1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-11-19.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20200343174A1. Автор: Junichi Murakami,Kota Nakamura,Hiromi Tominaga,Hidenori Shigeoka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor device with a porous air vent

Номер патента: US20240063067A1. Автор: Jong Sik Paek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor device exhibiting reduced parasitics and method for making same

Номер патента: US20120256277A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Keith Kwong Hon Wong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-11.

Semiconductor device with composite conductive features and method for fabricating the same

Номер патента: US20230299023A1. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device having high-k gate dielectric layer

Номер патента: US20150200266A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Yasutoshi Okuno,Liang-Gi Yao,Kun-Yu LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20020125554A1. Автор: Osamu Miyata,Ichirou Kishimoto. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-09-12.

Semiconductor device and the method for manufacturing the same

Номер патента: US8531007B2. Автор: Katsuya Okumura,Tomoyuki Yamazaki,Kazuo Shimoyama,Hiroki Wakimoto. Владелец: Octec Inc. Дата публикации: 2013-09-10.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: GB9024722D0. Автор: . Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1991-01-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240251562A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20120001342A1. Автор: Yukihiro Sato,Tomoaki Uno. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20130147064A1. Автор: Yukihiro Sato,Tomoaki Uno. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-06-13.

Semiconductor device having a chip mounting portion on which a separated plated layer is disposed

Номер патента: US9478483B2. Автор: Yukihiro Sato,Tomoaki Uno. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Internal packaging of a semiconductor device mounted on die pads

Номер патента: US8395364B2. Автор: Yukihiro Sato,Tomoaki Uno. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-03-12.

Semiconductor device and adjusting method for semiconductor device

Номер патента: US20080268555A1. Автор: Shigetaka Asano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-10-30.

Semiconductor device having semiconductor structure with polarity inverting layer

Номер патента: WO2024163583A1. Автор: Christer Hallin,Kyle BOTHE,Matthew R. King. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and method for forming semiconductor device

Номер патента: US12100657B2. Автор: Zhongming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor Device and Method of Forming Fine Pitch Conductive Posts with Graphene-Coated Cores

Номер патента: US20240312884A1. Автор: Heesoo Lee,Seunghyun Lee,YongMoo SHIN. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12132047B2. Автор: Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US12136609B2. Автор: Tze-Chiang HUANG,Haohua Zhou,Mei Hsu Wong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09947553B2. Автор: Mamoru Yamagami,Yasuhiro Fuwa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Packaging devices and methods for semiconductor devices

Номер патента: US09893021B2. Автор: Wensen Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Compensation of temperature effects in semiconductor device structures

Номер патента: US09837439B1. Автор: Juergen Faul. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device

Номер патента: US09722088B2. Автор: Yoshiyuki Kobayashi,Shunpei Yamazaki,Shinpei Matsuda,Daisuke Matsubayashi,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US09633998B2. Автор: Alexey Vert,Peter Almern Losee,Ahmed Elasser,Stanislav Ivanovich Soloviev,Alexander Viktorovich Bolotnikov. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US09601430B2. Автор: Chun-Chieh Lin,Huang-Yi Huang,Chen-Yuan Kao,Rueijer Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor devices including semiconductor structures and methods of fabricating the same

Номер патента: US09576791B2. Автор: Craig J. Atkinson,Alireza Amirrezvani,Nicole C. Skaggs. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09515175B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Satoshi Higano,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Method of manufacturing a semiconductor device including applying ultrasonic waves to a ball portion of the semiconductor device

Номер патента: US09508678B2. Автор: Naoki Kawanabe. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device structure having multi-layered insulating cap layers over metal gate

Номер патента: US09502527B2. Автор: Yung-Tsun LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device having a chip mounting portion on which a separated plated layer is disposed

Номер патента: US09478483B2. Автор: Yukihiro Sato,Tomoaki Uno. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device having high-K gate dielectric layer

Номер патента: US09385208B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Yasutoshi Okuno,Liang-Gi Yao,Kun-Yu LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Radiator component and heat dissipation system for power semiconductor device

Номер патента: WO2019063154A1. Автор: Sheng Zhang,Lei Shi,Ji Long Yao,Yan Feng ZHAO,Ze Wei LIU. Владелец: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Дата публикации: 2019-04-04.

Radiator component and heat dissipation system for power semiconductor device

Номер патента: EP3673508A1. Автор: Sheng Zhang,Lei Shi,Ji Long Yao,Yan Feng ZHAO,Ze Wei LIU. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2020-07-01.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240234330A9. Автор: Hong-Ki Kim,Sangwoo PAK. Владелец: Power Master Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

A semiconductor device with good reverse recovery withstand and the method of manufacturing the same

Номер патента: EP1098371A3. Автор: Ko Fuji Electric Co. Ltd. Yoshikawa,Takeshi Fuji Electric Co. Ltd. Fujii,Michio Fuji Electric Co Ltd. Nemoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-25.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US20110165763A1. Автор: Anton Mauder,Giulliano Aloise. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2011-07-07.

Method for manufacturing semiconductor device capable of improving manufacturing yield

Номер патента: US20010049151A1. Автор: Yuji Kayashima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-06.

Semiconductor device and method of making a semiconductor device

Номер патента: US11817486B2. Автор: Steven Kwan,Jay Paul John,James Albert Kirchgessner. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US10157872B2. Автор: Greg Hames,Glenn Rinne,Devarajan Balaraman. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-18.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20090189221A1. Автор: Gwang Su Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-30.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US7732879B2. Автор: Gwang Su Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US12041780B2. Автор: Jeong Sang KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device having double bit capacity and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240023313A1. Автор: Ying-Chieh Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20140197490A1. Автор: Kyoya Nitta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-07-17.

Semiconductor device

Номер патента: US8698241B2. Автор: Kyoya Nitta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-04-15.

Semiconductor device with composite conductive features and method for fabricating the same

Номер патента: US20240274554A1. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130105919A1. Автор: LI Jiang,Mingqi Li,Pulei Zhu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2013-05-02.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20050026314A1. Автор: Koji Yamaguchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-02-03.

Method of manufacturing a semiconductor device having a pre-metal dielectric liner

Номер патента: US7550397B2. Автор: Sung Kyung Jung. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-23.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240282695A1. Автор: Jae Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

A semiconductor device with an improved gate electrode pattern and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20020030236A1. Автор: Hisato Oyamatsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Semiconductor device having fuses

Номер патента: US20050098803A1. Автор: Hajime Koyama,Yukio Komatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-05-12.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20230301091A1. Автор: SUNG Wook Jung,Ji Hui Baek,Jang Hee Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20230292500A1. Автор: Mi Ra CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device with composite conductive features and method for fabricating the same

Номер патента: US20240250047A1. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device including dummy gate part and method of fabricating the same

Номер патента: US8053845B2. Автор: Bo-Un Yoon,Chang-ki Hong,Hong-Soo Kim,Jin-Sook Choi,Sang-youn Jo,Byoung-Ho Kwon,Se-rah Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-11-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020102832A1. Автор: Eiji Watanabe,Katsumi Miyata,Hiroyuki Yoda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-08-01.

Semiconductor devices and methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20070123030A1. Автор: Tae Young Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-31.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20220302267A1. Автор: Yunseong LEE,Jinseong Heo,Sanghyun JO,Dukhyun CHOE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-22.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20040115924A1. Автор: Min Yong Lee,Yong Seok Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-06-17.

Semiconductor device

Номер патента: US9640654B2. Автор: Kyoya Nitta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Embedded package for power semiconductor device

Номер патента: US20030214020A1. Автор: Charng Sheen. Владелец: Actron Technology Corp. Дата публикации: 2003-11-20.

Method of manufacturing a semiconductor device having a pre-metal dielectric liner

Номер патента: US20070148959A1. Автор: Sung Jung. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-28.

Current protection-type semiconductor device

Номер патента: EP4435864A1. Автор: Wenfang Du,Xinjiang LV,Xuqiang ZHU. Владелец: Nanjing Sinnopower Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20240298446A1. Автор: Dong Hun Lee,In Su Park,Jung Dal Choi,Jung Shik JANG,Mi Seong PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device and electronic apparatus of a cascode-coupled system

Номер патента: US09960153B2. Автор: Satoru Akiyama,Hiroyoshi Kobayashi,Hisao Inomata,Sei SAITOU. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Method and apparatus for cooling a semiconductor device

Номер патента: US09917034B2. Автор: Choon Meng Chua,Lian Ser Koh,Sze Wei CHOONG. Владелец: SEMICAPS PTE LTD. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device

Номер патента: US09899535B2. Автор: Yasumasa Yamane,Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa,Yuhei Sato,Sachiaki TEZUKA,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09881836B2. Автор: Ming Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device, electronic component, and electronic device

Номер патента: US09780779B2. Автор: Keita Sato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US09653479B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Tetsunori Maruyama,Yuichi Sato,Yuji Asano,Shuhei Nagatsuka,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device

Номер патента: US09640654B2. Автор: Kyoya Nitta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09601541B2. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device and method for preparing semiconductor device

Номер патента: US20240339405A1. Автор: Yong Woo HYUNG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device

Номер патента: US09472678B2. Автор: Yasumasa Yamane,Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa,Yuhei Sato,Sachiaki TEZUKA,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device including a solid state imaging device

Номер патента: US9437642B2. Автор: Masatoshi Kimura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120108078A1. Автор: Yasushi Nakasaki,Tsunehiro Ino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-05-03.

Semiconductor device

Номер патента: US9299794B2. Автор: Kyoya Nitta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-03-29.

Semiconductor device including a solid state imaging device

Номер патента: US20160351614A1. Автор: Masatoshi Kimura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof, and mounting method of semiconductor device

Номер патента: US20150035156A1. Автор: Kazuhito Ichinose,Kazuyuki Omori,Seiji Muranaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-02-05.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US10347644B2. Автор: Chieh-Te Chen,Feng-Yi Chang,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-09.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070252232A1. Автор: Yasushi Nakasaki,Tsunehiro Ino. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-01.

III-nitride power semiconductor device

Номер патента: US20080237632A1. Автор: Daniel M. Kinzer. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2008-10-02.

Semiconductor Device And Method For Manufacturing The Same

Номер патента: US20150311352A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

A method of assembling a semiconductor device package

Номер патента: EP1188182A1. Автор: Charles Lee,Helmut Strack. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-03-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09935203B2. Автор: Shinya Sasagawa,Takashi Hamada,Akihisa Shimomura,Satoru Okamoto,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Optoelectronic semiconductor device and method for producing an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US09923130B2. Автор: Lorenzo Zini,Tobias Meyer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device having SOI substrate

Номер патента: US09899448B2. Автор: Yasuo Arai,Masao Okihara,Hiroki Kasai. Владелец: Inter University Research Institute Corp High Energy Accelerator Research Organization. Дата публикации: 2018-02-20.

Low resistance contact for semiconductor devices

Номер патента: US09799747B2. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Keith E. Fogel,Joel P. de Souza,Brent A. Wacaser. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09773919B2. Автор: Shinya Sasagawa,Takashi Hamada,Akihisa Shimomura,Satoru Okamoto,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09768318B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinya Sasagawa,Hideomi Suzawa,Motomu Kurata,Yutaka Okazaki,Kensuke Yoshizumi,Yoshinobu Asami,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09741805B2. Автор: Takeyoshi Nishimura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Doped zinc oxide as n+ layer for semiconductor devices

Номер патента: US09722033B2. Автор: Devendra K. Sadana,Joel P. Desouza,Jeehwan Kim,Keith E. Fogel,Ko-Tao Lee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09716027B2. Автор: Hiroi Oka,Takamitsu YOSHIHARA,Takahiro Kainuma. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device

Номер патента: US09673224B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Yutaka Shionoiri,Shuhei Nagatsuka,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Junction interlayer dielectric for reducing leakage current in semiconductor devices

Номер патента: US09653570B2. Автор: Devendra K. Sadana,Jeehwan Kim,Keith E. Fogel,Joel P. de Souza,Brent A. Wacaser. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09496416B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device and preparation method therefor

Номер патента: EP4372826A1. Автор: DONGLIANG Zhang,XIN Wang,Dongsheng Wang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-22.

Semiconductor device

Номер патента: US20190393333A1. Автор: Fumio Wada,Jun Fujita,Naoto KAGUCHI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20160111554A1. Автор: Hideaki Kitazawa,Eitaro Miyake,Yoshimitsu KUWAHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-04-21.

Semiconductor device encapsulated by silicone resin composition, and silicone resin tablet for encapsulating semiconductor device

Номер патента: US20080021136A1. Автор: Toshio Shiobara,Tsutomu Kashiwagi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20200388708A1. Автор: Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-10.

Semiconductor devices and methods of manufacture

Номер патента: US20240290755A1. Автор: Shin-puu Jeng,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Device for analyzing failure in semiconductor device provided with internal voltage generating circuit

Номер патента: US20040012406A1. Автор: Kensaku Naito. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-01-22.

Apparatus and method for profiling a beam of a light emitting semiconductor device

Номер патента: EP3080568A1. Автор: Vincent Brennan,Christopher Percival. Владелец: Infiniled Ltd. Дата публикации: 2016-10-19.

Semiconductor device having ESD protection structure

Номер патента: US09953970B2. Автор: Sen Zhang,Guangsheng Zhang. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device

Номер патента: US09922905B2. Автор: Hiroi Oka,Yuichi Yato,Keita Takada,Noriko OKUNISHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09865712B2. Автор: Shinya Sasagawa,Satoru Okamoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US09761685B2. Автор: Toshikazu HANAWA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device

Номер патента: US09716171B2. Автор: Boseok OH,Gukhwan KIM. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device with stacked structure of memory cells over sensing amplifiers, circuit board, and electronic device

Номер патента: US09704562B2. Автор: Kiyoshi Kato,Tatsuya Onuki,Takahiko Ishizu,Wataru Uesugi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device

Номер патента: US09607940B2. Автор: Hiroi Oka,Yuichi Yato,Keita Takada,Noriko OKUNISHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US12149237B2. Автор: Takayuki Ikeda,Shuhei Nagatsuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

FABRICATION METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING SIGe SHELL CHANNEL AND SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATED BY THE SAME

Номер патента: US20210126112A1. Автор: Cho Seongjae,Yu Eunseon. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-29.

FABRICATION METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING SiGe SHELL CHANNEL AND SEMICONDUCTOR DEVICE FABRICATED BY THE SAME

Номер патента: KR102235782B1. Автор: 유은선,조성재. Владелец: 가천대학교 산학협력단. Дата публикации: 2021-04-02.

Fabrication methods of semiconductor devices having multiple channel transistors and semiconductor devices fabricated thereby

Номер патента: KR100675288B1. Автор: 김희중,마코토 요시다,전창훈,장세명,강재록,성현주. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-01-29.

Semiconductor devices and preparation methods thereof

Номер патента: US20230054495A1. Автор: Zengyan Fan. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Semiconductor device and a method of assembling a semiconductor device

Номер патента: US20240079283A1. Автор: Vegneswary RAMALINGAM. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor device with tapering impurity region and method for fabricating the same

Номер патента: US20210351185A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor device with supporting structures and method for forming the same

Номер патента: US20240047549A1. Автор: Chien-Chih Chou,Yi-huan Chen,Yu-Chang Jong,Jhu-Min Song. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device having magnetic tunnel junction structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20180226575A1. Автор: Juhyun Kim,Kiwoong Kim,Sechung Oh,Woochang Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-08-09.

Passivation structures for semiconductor devices

Номер патента: EP4241307A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Brett Hull,Edward Robert Van Brunt,Joe W. McPherson,In-Hwan Ji,III Thomas E. HARRINGTON. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-09-13.

Semiconductor device with programmable unit and method for fabricating the same

Номер патента: US20220173045A1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-06-02.

Semiconductor device having wide tuning range varactor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230378169A1. Автор: HO-HSIANG Chen,Tzu-Jin Yeh,Ying-Ta Lu,Chi-Hsien Lin,Hsien-Yuan LIAO,Chiao-Han LEE,Hsiu-Wen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Power semiconductor device, preparation method therefor, and electronic apparatus

Номер патента: EP4383323A1. Автор: Ming Wu,Jian Zhou,Yonghuan Ding. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-12.

Semiconductor device with anti-back-sputter layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240203753A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device with contact structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240105807A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device with porous dielectric layers and method for fabricating the same

Номер патента: US20240030133A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210091087A1. Автор: Chun-Cheng Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Method of forming inter-level dielectric structures on semiconductor devices

Номер патента: US20160307791A1. Автор: Mehul D. Shroff,Douglas M. Reber. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-10-20.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210043634A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20230301096A1. Автор: Sang Soo Kim,Kun Young Lee,Nam Kuk KIM,Sang Wan JIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Method of fabricating a semiconductor device using laser annealing

Номер патента: US20230180473A1. Автор: LEI Liu,Zhiliang Xia,Kun Zhang,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongyu FAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Method of fabricating semiconductor device using laser annealing

Номер патента: WO2023097607A1. Автор: LEI Liu,Zhiliang Xia,Kun Zhang,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongyu FAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-06-08.

Semiconductor device having magnetic tunnel junction structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20170084821A1. Автор: Juhyun Kim,Kiwoong Kim,Sechung Oh,Woochang Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-23.

Semiconductor device including deep trench capacitors and via contacts

Номер патента: US12074227B2. Автор: Stefan Rusu,Po-Chia Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device with self-aligning contact and method for fabricating the same

Номер патента: US20220271036A1. Автор: Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-08-25.

Semiconductor device with uneven electrode surface and method for fabricating the same

Номер патента: US20230105066A1. Автор: Tsu-Chieh AI. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-04-06.

Semiconductor device package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200058579A1. Автор: Wen-Long Lu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2020-02-20.

Semiconductor device with slanted conductive layers and method for fabricating the same

Номер патента: US11398441B2. Автор: Kuo-Hui Su. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-07-26.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12074024B2. Автор: Anhao CHENG,Yen-Liang Lin,Chung-Lei Chen,Meng-I Kang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device comprising a composite material clip

Номер патента: US10971457B2. Автор: Thomas Bemmerl,Thorsten Scharf,Martin Gruber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-04-06.

Method for fabricating semiconductor device and method for operating the same

Номер патента: US20170186948A1. Автор: Kyung-Wan KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-29.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US11664366B2. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-05-30.

Semiconductor device having an air gap between a contact pad and a sidewall of contact hole

Номер патента: US12057396B2. Автор: Yong Woo HYUNG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device and a method of forming the semiconductor device

Номер патента: US20190267283A1. Автор: Werner Robl,Klemens Pruegl,Michael Nelhiebel,Carsten Schaeffer,Michael Fugger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210104528A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-04-08.

Semiconductor device with filling layer

Номер патента: US20240304552A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device with filling layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240304553A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240334691A1. Автор: Ki Hong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240347458A1. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Sheng-Feng Huang,Yu-Rong Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240355932A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yoshihiro Komatsu,Toshikazu OHNO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device with multi-stacking carrier structure

Номер патента: US12119297B2. Автор: Wei-Zhong Li. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Method of fabricating semiconductor device using laser annealing

Номер патента: EP4434078A1. Автор: LEI Liu,Zhiliang Xia,Kun Zhang,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongyu FAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240355821A1. Автор: Jiann-Tyng Tzeng,Chih-Liang Chen,Li-Chun Tien,Shun Li CHEN,Wei-Hung Wang,Yung-Chin Hou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device with porous layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240371684A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device with porous layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240371683A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor devices and preparation methods thereof

Номер патента: US12132022B2. Автор: Zengyan Fan. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device having magnetic tunnel junction structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09997699B2. Автор: Juhyun Kim,Kiwoong Kim,Sechung Oh,Woochang Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device and method of fabricating thereof

Номер патента: US09997628B1. Автор: Hsin-Chi Chen,Ching-Hung Kao,Jheng-Hong Jiang,Fu-Cheng Chang,Hsin-Hsiang TSENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Bidirectional semiconductor device for protection against electrostatic discharges

Номер патента: US09991173B2. Автор: Philippe Galy,Johan Bourgeat. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2018-06-05.

Process of forming semiconductor device

Номер патента: US09960043B2. Автор: Yasuyo Kurachi. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09887238B1. Автор: Su Xing,Wanxun He. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Manufacturing method of ultra-thin semiconductor device package assembly

Номер патента: US09881897B2. Автор: Chih-Cheng Hsieh,Hsiu-wen Hsu. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09865731B2. Автор: I-Chih Chen,Ying-Hao Chen,Ying-Lang Wang,Chih-Mu Huang,Wen-Chang Kuo,Jung-Chi Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and semiconductor-device manufacturing method

Номер патента: US09865639B2. Автор: Kan Shimizu,Keishi Inoue. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Method for fabricating semiconductor device and method for operating the same

Номер патента: US09837148B2. Автор: Kyung-Wan KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of forming inter-level dielectric structures on semiconductor devices

Номер патента: US09818642B2. Автор: Mehul D. Shroff,Douglas M. Reber. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Memory semiconductor device with peripheral circuit multi-layer conductive film gate electrode and method of manufacture

Номер патента: US09780232B2. Автор: Tomohiro Yamashita,Yukio Nishida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device

Номер патента: US09685419B2. Автор: Shigeyuki Ueda,Tadahiro Morifuji. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09620499B2. Автор: Yusuke Yamashita,Satoru Machida,Yasuhiro Hirabayashi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Primer composition, method of forming a primer layer on a semiconductor device, and method of encapsulating a semiconductor device

Номер патента: US09540539B2. Автор: Joachim Mahler,Swee Kah Lee,Jagen KRISHNAN,Soon Lock Goh,Yik Yee TAN,Chew Theng TAI,Poh Cheng LIM,Peh Hean TEH. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-01-10.

Fin structure of semiconductor device

Номер патента: US09536772B2. Автор: Chi-Wen Liu,Yu-Lien Huang,Tung Ying Lee,Chung-Hsien Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Method of manufacturing super junction for semiconductor device

Номер патента: US09406745B2. Автор: Mei-Ling Chen,Lung-ching Kao,Kuo-Liang CHAO,Paul Chung-Chen CHANG. Владелец: Pfc Device Holdings Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Interposer including air gap structure, methods of forming the same, semiconductor device including the interposer, and multi-chip package including the interposer

Номер патента: US20120074530A1. Автор: Kyung-Ho Kim,Chang-Hyun Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20120086006A1. Автор: Naoto Kusumoto,Hironobu Takahashi,Hidekazu Takahashi,Kazuo Nishi,Tatsuya Arao,Yuusuke Sugawara,Daiki Yamada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-12.

Metal frame, dummy wafer, semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11069654B2. Автор: Jo Umezawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2021-07-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20150287684A1. Автор: Hisashi Ishiguro. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-10-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20070148902A1. Автор: Byung Ho Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210384080A1. Автор: Huaxiang Yin,Jinbiao Liu,Junfeng Li,Junjie Li,Guilei Wang,Henry H. Radamson,Zhenzhen KONG. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2021-12-09.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09972591B2. Автор: Hideki Harano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device

Номер патента: US09824944B2. Автор: Fumio Tsuchiya,Masanao Sato,Hisanori Ito,Bunji Yasumura,Takuji Ide,Naoki Kawanabe. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of forming fine patterns in a semiconductor device and method of manufacturing an electronic device

Номер патента: US09805929B2. Автор: Yun Suk NAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device

Номер патента: US09741725B2. Автор: Nobuo Tsuboi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device

Номер патента: US09437556B2. Автор: Hisashi Ishiguro. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Methods of semiconductor device fabrication

Номер патента: US20200411535A1. Автор: Qiguang Wang,Gonglian Wu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-31.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20090142920A1. Автор: Eun-Jong Shin. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-04.

Semiconductor device, electro-optical device, method of manufacturing semiconductor device, method of manufacturing electro-optical device, and electronic apparatus

Номер патента: US20170077148A1. Автор: Masashi Nakagawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Semiconductor devices with rotated substrates and methods of manufacture thereof

Номер патента: US20060202277A1. Автор: Chun-Yung Sung,Manfred Eller,Matthias Hierlemann,Brian Greene. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-09-14.

Semiconductor device and method of fabricating the semiconductor device

Номер патента: US20240014218A1. Автор: Takashi Shiraishi,Kenichi Okazaki,Yasutaka Nakazawa,Kiyofumi Ogino,Yasuharu Hosaka,Rai Sato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: EP3989293A1. Автор: Erxuan PING,Lianhong Wang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-04-27.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US11837656B2. Автор: Katsunori Ueno,Yuki Ohuchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Metrology apparatus and method based on diffraction using oblique illumination and method of manufacturing semiconductor device using the metrology method

Номер патента: US12002698B2. Автор: Myungjun Lee,Jaehwang Jung,Wookrae Kim,Jinseob KIM,Changhyeong YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-04.

Semiconductor device socket

Номер патента: US20070026699A1. Автор: Fumiaki Otsuji,Katunori Tahahashi. Владелец: Yamaichi Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-01.

Semiconductor devices with cavities and methods for fabricating semiconductor devices with cavities

Номер патента: US09932224B2. Автор: Rakesh Kumar,Pradeep Yelehanka,Siddharth Chakravarty. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor devices with cavities and methods for fabricating semiconductor devices with cavities

Номер патента: US20170174507A1. Автор: Rakesh Kumar,Pradeep Yelehanka,Siddharth Chakravarty. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-06-22.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20240237329A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Janbo Zhang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12096703B2. Автор: Qi Xiang,Taiwei CHIU,Tingying SHEN. Владелец: Xiamen Industrial Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and method of operating a semiconductor device

Номер патента: US09584104B2. Автор: Hubert Bode,Andreas Johann Roth,Mathieu Gauthier Lesbats. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device and fabrication method thereof, memory and memory system

Номер патента: US20240306364A1. Автор: Zhaoyun TANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240341206A1. Автор: Tae Jung Ha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device, method of fabricating semiconductor device, and semiconductor structure having semiconductor device

Номер патента: US20230371277A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Alexander Kalnitsky,Tien-Wei Chiang,Sheng-Haung Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20240298438A1. Автор: Eunjung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device, computer, and electronic device

Номер патента: US09900006B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09673814B2. Автор: Saeng Hwan Kim,Won Kyung CHUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US12102021B2. Автор: HE Qian,Taiwei CHIU,Tingying SHEN. Владелец: Xiamen Industrial Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20240244841A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240237562A1. Автор: Cha Deok Dong,Keo Rock CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240282362A1. Автор: Kuo-Chiang WANG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240282361A1. Автор: Kuo-Chiang WANG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device, electronic component, and electronic device

Номер патента: US09876499B2. Автор: Takayuki Ikeda,Yoshiyuki Kurokawa,Takeshi Aoki,Yuki Okamoto,Munehiro KOZUMA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device and method for operating the same

Номер патента: US09537470B2. Автор: Min-Su Kim,Uk-Rae Cho,Gun-Ok Jung,Chung-Hee Kim,Dae-Seong LEE,Ji-Kyum Kim,Emil KAGRAMANYAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device, electronic component, and electronic device

Номер патента: US09461646B2. Автор: Takayuki Ikeda,Yoshiyuki Kurokawa,Takeshi Aoki,Yuki Okamoto,Munehiro KOZUMA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device

Номер патента: US12021528B2. Автор: Morio Iwamizu. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Method of generating specific information on semiconductor device, method of managing specific information on semiconductor device, and manufacturing apparatus for semiconductor device

Номер патента: US20240289570A1. Автор: Hiroshi Miyoshi,Noriyuki Yabuoshi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Simulation device for semiconductor device, and short-circuit determination method for semiconductor device

Номер патента: US20170068757A1. Автор: Ryota NIHEI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Method for extracting and modeling semiconductor device series resistance and for simulating a semiconductor device with use thereof

Номер патента: US20040138865A1. Автор: Ke-Wei Su,Cheng Hsiao,Jaw-Kang Her. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2004-07-15.

Semiconductor device, electronic device, and method for controlling semiconductor device

Номер патента: US09898068B2. Автор: Keiji Hasegawa,Masaki Fujigaya,Kohei WAKAHARA,Go Sado. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device(s) and method of refreshing the semiconductor device

Номер патента: US09711204B1. Автор: Youk Hee Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device including abnormality detection circuit and semiconductor device control method for detecting abnormality

Номер патента: US11908534B2. Автор: Hiroyuki Fujimoto,Masahiro Yanagida. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor device including internal transmission path and stacked semiconductor device using the same

Номер патента: US20240194232A1. Автор: Jinhyung LEE,Chang Kwon Lee,Myeong Jae PARK,Su Hyun OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device manufacturing system and method for manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20050095774A1. Автор: Masahiro Abe,Tatsuo Akiyama,Akira Ogawa,Shigeru Komatsu,Yukihiro Ushiku,Hidenori Kakinuma,Shunji Shuto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-05-05.

Electrical characteristic inspection device for semiconductor device and electrical characteristic inspection method for semiconductor device

Номер патента: US11828786B2. Автор: Takaya Noguchi,Yasushi Hisaoka,Sumito Ogata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor device including a clock source for generating a clock signal and a clock control circuit for controlling the clock source in hardware, a semiconductor system including the semiconductor device, and a method of operating the semiconductor device

Номер патента: US10503674B2. Автор: Jae Gon Lee,AH Chan Kim,Ho Yeon Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-10.

Semiconductor device, electronic device, and method for driving semiconductor device

Номер патента: US20240185800A1. Автор: Susumu Kawashima,Tomoaki Atsumi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor device, semiconductor system and method for operating semiconductor device

Номер патента: US11747853B2. Автор: Jae Gon Lee,AH Chan Kim,Ho Yeon Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor device, semiconductor system, and control method of semiconductor device

Номер патента: US20170177062A1. Автор: Hiroshi Ueki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

Semiconductor device, memory access control method, and semiconductor device system

Номер патента: US20160055897A1. Автор: Shorin Kyo. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

Semiconductor device, memory access control method, and semiconductor device system

Номер патента: US9589624B2. Автор: Shorin Kyo. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device, memory access control method, and semiconductor device system for determining random access or burst access as an access method for an external address set

Номер патента: US9959221B2. Автор: Isao Nagayoshi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device, memory access control method, and semiconductor device system

Номер патента: US20160180918A1. Автор: Isao Nagayoshi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-23.

Semiconductor device including internal transmission path and stacked semiconductor device using the same

Номер патента: US11942181B2. Автор: Jinhyung LEE,Chang Kwon Lee,Myeong Jae PARK,Su Hyun OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor device and method of detecting abnormality on semiconductor device

Номер патента: US20110194360A1. Автор: Junichi Yamada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-08-11.

Semiconductor device, control system, and control method of semiconductor device

Номер патента: US20200073806A1. Автор: Toshiyuki Kaya,Shinichi Shibahara,Yuki Hayakawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor device and data processing method performed by semiconductor device

Номер патента: US20090327655A1. Автор: Shigehiro Asano,Takashi Yoshikawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-12-31.

Semiconductor device and data processing method performed by semiconductor device to perform a repeat operation within a reconfigurable pipeline

Номер патента: US8359457B2. Автор: Shigehiro Asano,Takashi Yoshikawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-01-22.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20110195257A1. Автор: Shu-Lin Ho,Hsin-Chang Hsiung. Владелец: Core Precision Material Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-11.

Semiconductor device with transducer and method for forming the same

Номер патента: US20240050987A1. Автор: Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Ming-Hsien Yang,Sheng Kai Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09422151B1. Автор: Hsin-Ting HUANG,Alexander Kalnitsky,Hsiang-Fu Chen,Wen-Chuan Tai,Ching-Kai Shen,Jiou-Kang Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Method for making semiconductor device

Номер патента: RU2677500C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2019-01-17.

Method of designing and manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080256496A1. Автор: Hiroshi Watanabe,Toshitake Yaegashi,Shigeyuki Takagi,Shigeru Kinoshita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-10-16.

Semiconductor device, photonic circuit and method for adjusting resonant wavelength of optical modulator

Номер патента: US20240248255A1. Автор: Stefan Rusu,Chewn-Pu Jou,Lan-Chou Cho,Cheng-Tse Tang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

A method of monitoring a health state of a power semiconductor device

Номер патента: EP4386395A1. Автор: VISWANATHAN Vaiyapuri,Amit Gupta,Sivakumar Nadarajan,Mohamed Sathik Mohamed Halick. Владелец: Rolls Royce PLC. Дата публикации: 2024-06-19.

Semiconductor device and electronic apparatus

Номер патента: US20160284309A1. Автор: Noriyuki Ishii,Atsushi Shikata. Владелец: Synaptics Japan GK. Дата публикации: 2016-09-29.

Semiconductor device for mitigating through current and electronic apparatus thereof

Номер патента: US09892706B2. Автор: Noriyuki Ishii,Atsushi Shikata. Владелец: Synaptics Japan GK. Дата публикации: 2018-02-13.

Supply voltage distribution system with reduced resistance for semiconductor devices

Номер патента: US20120081987A1. Автор: Donghyun Seo,Jaeyong Cha. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-04-05.

Method and system for testing a semiconductor device against electrostatic discharge

Номер патента: US09897644B2. Автор: Philippe Debosque,Patrice Besse,Alain SALLES,Stephane Compaing. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09570121B1. Автор: In Sung Koh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Testing semiconductor devices

Номер патента: US09470719B2. Автор: Scott E. Meninger,Jonathan K. Brown,Rohan Arora. Владелец: Cavium LLC. Дата публикации: 2016-10-18.

Methods and systems for managing memory blocks of semiconductor devices in embedded systems

Номер патента: US20180039716A1. Автор: KODAVALLA Vijay Kumar. Владелец: Wipro Ltd. Дата публикации: 2018-02-08.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US6955870B2. Автор: Hideo Miura,Hideyuki Aoki,Masatoshi Kanamaru,Ryuji Kohno,Hiroya Shimizu. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-10-18.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US20170032830A1. Автор: Woo Young Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-02.

Transportation method for a semiconductor device and transportation route selection method for a semiconductor device

Номер патента: US20010053617A1. Автор: Hiroo Shoji. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-12-20.

Semiconductor device and system including sense amplifier and pre-charge voltage by a variation

Номер патента: US09837134B2. Автор: Woo Young Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

System and method for access control of a plurality of instruments embedded in a semiconductor device

Номер патента: US12111356B2. Автор: Erik Larsson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-10-08.

Method for observing tungsten plug of semiconductor device microscopically

Номер патента: US5989930A. Автор: Shu-Ying Lu,Fei-Chun Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-11-23.

Circuit and method for data output in synchronous semiconductor device

Номер патента: US20030189844A1. Автор: Jin-seok Kwak,Seong-Jin Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-10-09.

Method and apparatus for testing semiconductor device

Номер патента: US12066460B2. Автор: Benfei YE,Zhengpeng ZHU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device

Номер патента: US09703704B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Managing Read Timing in Semiconductor Devices

Номер патента: US20240311014A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Ken-Hui Chen,Wu-Chin Peng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Managing read timing in semiconductor devices

Номер патента: EP4432287A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Ken-Hui Chen,Wu-Chin Peng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device

Номер патента: US20120001269A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising Through Hole Vias Having a Stress Relaxation Mechanism

Номер патента: US20120001330A1. Автор: Huisinga Torsten,Grillberger Michael,Hahn Jens. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001194A1. Автор: Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001177A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001318A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001294A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001350A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

The cleaning solution of semiconductor device substrate, the cleaning method of semiconductor device substrate, the manufacturing method of semiconductor device substrate and semiconductor device substrate

Номер патента: CN110447090A. Автор: 草野智博,河瀬康弘,柴田俊明,原田宪,竹下祐太朗. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2019-11-12.

The growing method of the nitride semiconductor, nitride semiconductor substrate and the nitride semiconductor device

Номер патента: TW406445B. Автор: Shuji Nakamura,Hiroyuki Kiyohisa,Naruhito Iwasa,Tokuya Kozaki,Kazuyuki Chocho. Владелец: Nichia Kagaku Kogyo Kk. Дата публикации: 2000-09-21.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.