Field effect transistor and process of forming the same
Номер патента: US10580887B2
Опубликовано: 03-03-2020
Автор(ы): Ken Nakata
Принадлежит: Sumitomo Electric Industries Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 03-03-2020
Автор(ы): Ken Nakata
Принадлежит: Sumitomo Electric Industries Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Field effect transistor and process of forming the same
Номер патента: US20190097034A1. Автор: Ken Nakata. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.