Heterojunction bipolar transistor and method of manufacturing the same
Номер патента: US20010054718A1
Опубликовано: 27-12-2001
Автор(ы): Masahiro Tanomura
Принадлежит: NEC Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 27-12-2001
Автор(ы): Masahiro Tanomura
Принадлежит: NEC Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Bipolar transistor, semiconductor device and method of manufacturing same
Номер патента: US20030054599A1. Автор: Jan Slotboom,Eyup Aksen,Doede Terpstra,Johan Klootwijk,Hendrik Huizing. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-20.