Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US5477066A
Опубликовано: 19-12-1995
Автор(ы): Masahiko Nakanishi
Принадлежит: Mitsubishi Electric Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Bipolar transistor and method for producing the same

Номер патента: US20200119171A1. Автор: Atsushi Kurokawa,Yasunari Umemoto,Shigeki Koya. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Bipolar transistor and method for producing the same

Номер патента: US20210234026A1. Автор: Atsushi Kurokawa,Yasunari Umemoto,Shigeki Koya. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Bipolar transistor and method for producing the same

Номер патента: US20180248023A1. Автор: Atsushi Kurokawa,Yasunari Umemoto,Shigeki Koya. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-30.

Bipolar transistor and method for producing the same

Номер патента: US20190237566A1. Автор: Atsushi Kurokawa,Yasunari Umemoto,Shigeki Koya. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-01.

Bipolar transistor and method for producing the same

Номер патента: US20220130983A1. Автор: Atsushi Kurokawa,Yasunari Umemoto,Shigeki Koya. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Bipolar transistor and method for producing the same

Номер патента: US20200335611A1. Автор: Atsushi Kurokawa,Yasunari Umemoto,Shigeki Koya. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-22.

Bipolar transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09882034B2. Автор: Pascal Chevalier. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2018-01-30.

Bipolar transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180108762A1. Автор: Pascal Chevalier. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2018-04-19.

Metamorphic high electron mobility transistor-heterojunction bipolar transistor integration

Номер патента: US20210391321A1. Автор: Je-Hsiung Lan,Jonghae Kim,Ranadeep Dutta. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

Structure integrating field-effect transistor with heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20200043913A1. Автор: Chan Shin Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-02-06.

Integration of bipolar transistor into complimentary metal-oxide-semiconductor process

Номер патента: US09786656B1. Автор: Brent A. Anderson,Xuefeng Liu,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US09704967B2. Автор: Alain Chantre,Pascal Chevalier,Jean-Pierre Blanc,Didier Celi. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2017-07-11.

Silicon germanium heterojunction bipolar transistor structure and method

Номер патента: US20130210210A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Kathryn T. Schonenberg,Rajendran Krishnasamy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-08-15.

Silicon germanium heterojunction bipolar transistor structure and method

Номер патента: US20100159664A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Kathryn T. Schonenberg,Rajendran Krishnasamy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-06-24.

Methods for forming high gain tunable bipolar transistors

Номер патента: US20120264270A1. Автор: XIN Lin,Daniel J. Blomberg,Jiang-Kai Zou. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2012-10-18.

Method of forming MOS and bipolar transistors

Номер патента: US09929146B2. Автор: Philippe Boivin,Olivier Weber,Emmanuel Richard. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-03-27.

Bipolar Transistor

Номер патента: US20170179264A1. Автор: Josef Boeck,Wolfgang Liebl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-06-22.

Integrated circuit comprising at least one bipolar transistor and a corresponding method of production

Номер патента: US20220375954A1. Автор: Abderrezak Marzaki,Romeric Gay. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2022-11-24.

Method for manufacturing semiconductor device with hetero junction bipolar transistor

Номер патента: US6649458B2. Автор: Atsushi Kurokawa,Yoshinori Imamura,Toshiaki Kitahara,Hiroshi Inagawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-11-18.

Method for manufacturing semiconductor device with hetero junction bipolar transistor

Номер патента: US20030157775A1. Автор: Atsushi Kurokawa,Yoshinori Imamura,Toshiaki Kitahara,Hiroshi Inagawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-08-21.

Bipolar transistor

Номер патента: WO2011053926A3. Автор: Andrew David Bain,Bernard Patrick Stenson,William Allan Lane,Patrick Martin McGuinness,Derek Frederick Bowers,Paul Malachy Daly,Anne Maria Deignan,Michael Thomas Dunbar. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2011-06-30.

Bipolar transistor

Номер патента: US09871125B2. Автор: Josef Boeck,Wolfgang Liebl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-16.

Bipolar transistor

Номер патента: US09761701B2. Автор: Josef Boeck,Wolfgang Liebl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-09-12.

Method for manufacturing injection-enhanced insulated-gate bipolar transistor

Номер патента: US09583587B2. Автор: Wanli Wang,Xiaoshe Deng,Genyi Wang,Xuan Huang. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Methods of forming a bipolar transistor

Номер патента: US8263469B2. Автор: Andrew David Bain,Bernard Patrick Stenson,William Allan Lane,Derek Frederick Bowers,Paul Malachy Daly,Anne Maria Deignan,Michael Thomas Dunbar,Patrick Martin McGuiness. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2012-09-11.

High fT and fmax Bipolar Transistor and Method of Making Same

Номер патента: US20040262713A1. Автор: Qizhi Liu,Alvin Joseph. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-12-30.

Bipolar transistor and method of making same

Номер патента: WO2005004201A3. Автор: Qizhi Liu,Alvin J Joseph. Владелец: Alvin J Joseph. Дата публикации: 2005-05-12.

Lateral bipolar transistor

Номер патента: WO2006109221A3. Автор: Philippe Meunier-Beillard,Erwin Hijzen,Johannes J T M Donkers,Raymond J E Hueting. Владелец: Raymond J E Hueting. Дата публикации: 2007-03-29.

Method of forming a biCMOS semiconductor chip that increases the betas of the bipolar transistors

Номер патента: US09831135B2. Автор: Alexei Sadovnikov,Andrew D. Strachan,Natalia Lavrovskaya. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Bipolar transistor and method of making same

Номер патента: WO2005004201A2. Автор: Qizhi Liu,Alvin J. Joseph. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2005-01-13.

Method of forming a BICMOS semiconductor chip that increases the betas of the bipolar transistors

Номер патента: US09595480B2. Автор: Alexei Sadovnikov,Andrew D. Strachan,Natalia Lavrovskaya. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Lateral bipolar transistor and FET

Номер патента: US5574306A. Автор: Sheng-Hsing Yang,Ying-Tzung Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1996-11-12.

Adjustable bipolar transistors formed using a CMOS process

Номер патента: US7927955B2. Автор: XIN Lin,Hongning Yang,Jiang-Kai Zuo,Bernhard H. Grote. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-04-19.

Method of manufacturing a bipolar transistor and bipolar transistor

Номер патента: US20120132999A1. Автор: Hans Mertens,Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Evelyne Gridelet,Tony Vanhoucke,Blandine Duriez. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2012-05-31.

Bipolar transistor formed using selective and non-selective epitaxy for base integration in a BiCMOS process

Номер патента: US7462923B1. Автор: Greg D. U'ren. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2008-12-09.

Bipolar transistor

Номер патента: WO2011053926A2. Автор: Andrew David Bain,Bernard Patrick Stenson,William Allan Lane,Patrick Martin McGuinness,Derek Frederick Bowers,Paul Malachy Daly,Anne Maria Deignan,Michael Thomas Dunbar. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2011-05-05.

Bipolar transistor and manufacturing method

Номер патента: US11798937B2. Автор: Alexis Gauthier,Edoardo BREZZA. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-10-24.

Complementary analog bipolar transistors with trench-constrained isolation diffusion

Номер патента: WO2004017373A9. Автор: Richard K Williams,Michael E Cornell,Wai Tien Chan. Владелец: Advanced Analogic Tech Inc. Дата публикации: 2004-06-24.

Complementary analog bipolar transistors with trench-constrained isolation diffusion

Номер патента: WO2004017373A3. Автор: Richard K Williams,Michael E Cornell,Wai Tien Chan. Владелец: Advanced Analogic Tech Inc. Дата публикации: 2005-07-14.

Methods of forming bipolar transistors by silicide through contact and structures formed thereby

Номер патента: US20090057774A1. Автор: Bo Zheng,Kelin J. Kuhn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-05.

Insulated gate bipolar transistor and method for manufacturing same

Номер патента: US09704980B2. Автор: Kenta GOUDA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Bipolar transistor manufacturing method

Номер патента: US09640631B2. Автор: Alain Chantre,Pascal Chevalier,Gregory Avenier. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2017-05-02.

Bipolar transistors

Номер патента: US12107124B2. Автор: John J. Pekarik,Robert J. Gauthier, Jr.,Vibhor Jain,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-10-01.

Bipolar transistor structure on semiconductor fin and methods to form same

Номер патента: US11881395B2. Автор: Hong Yu,Judson R. Holt,Alexander M. Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Lateral bipolar transistor

Номер патента: US11843034B2. Автор: Haiting Wang,Jagar Singh,Man Gu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Integrated circuit including a bipolar transistor and methods of making the same

Номер патента: US20120235280A1. Автор: Yeur-Luen Tu,Shih-Chang Liu,Chun-Tsung Kuo,Wei-Tung Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-09-20.

Logic SOI structure, process and application for vertical bipolar transistor

Номер патента: US6790722B1. Автор: Russell J. Houghton,Wilbur D. Pricer,Jack A. Mandelman,Ramachandra Divakaruni,William R. Tonti. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-09-14.

Bipolar transistor structure on semiconductor fin and methods to form same

Номер патента: US11843044B2. Автор: Hong Yu,Judson R. Holt,Alexander M. Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Lateral bipolar transistor

Номер патента: US11810969B2. Автор: Haiting Wang,Andreas Knorr,Alexander Martin,Vibhor Jain,Zhenyu Hu,Judson R. Holt,Jagar Singh,Alexander Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Bipolar transistor structure on semiconductor fin and methods to form same

Номер патента: EP4210110A1. Автор: Hong Yu,Judson R. Holt,Alexander M. Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-07-12.

Method of making bipolar transistor

Номер патента: US20110034001A1. Автор: Johannes J. T. M. Donkers,Erwin Hijzen,Sebastien Nuttinck,Guillaume L. R. Boccardi. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-02-10.

Lateral bipolar transistor

Номер патента: US20240021713A1. Автор: Haiting Wang,Andreas Knorr,Alexander Martin,Vibhor Jain,Zhenyu Hu,Judson R. Holt,Jagar Singh,Alexander Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Insulated-gate bipolar transistor (igbt) device with 3d isolation

Номер патента: US20230369475A1. Автор: Hung-Te Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

High-performance reverse-conduction field-stop (RCFS) insulated gate bipolar transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US9240470B2. Автор: Mei-Ling Chen,Hung-Hsin Kuo,Chung-Chen Chang,Yi-Lun HSIA. Владелец: Pfc Device Holdings Ltd. Дата публикации: 2016-01-19.

High-performance reverse-conduction field-stop (rcfs) insulated gate bipolar transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150279980A1. Автор: Mei-Ling Chen,Hung-Hsin Kuo,Chung-Chen Chang,Yi-Lun HSIA. Владелец: Pfc Device Holdings Ltd. Дата публикации: 2015-10-01.

ASYMMETRICAL LATERAL HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTORS

Номер патента: US20210091212A1. Автор: MARTIN Alexander,SINGH Jagar,SPORER Ryan,MULFINGER George R.,Holt Judson,Derrickson Alexander. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-25.

HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR WITH A THICKENED EXTRINSIC BASE

Номер патента: US20180240897A1. Автор: Liu Qizhi,PEKARIK JOHN J.,Jain Vibhor. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-23.

SiGe HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR WITH CRYSTALLINE RAISED BASE ON GERMANIUM ETCH STOP LAYER

Номер патента: US20200006537A1. Автор: Edward J. Preisler. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2020-01-02.

LOW PARASITIC Ccb HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR

Номер патента: US20210167187A1. Автор: Liesbeth Witters,Yves MOLS,Abhitosh Vais. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-06-03.

Heterojunction bipolar transistor with a thickened extrinsic base

Номер патента: US20180240897A1. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Qizhi Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-08-23.

Manufacturing method for reverse conducting insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US09673193B2. Автор: Shuo Zhang,Xiaoshe Deng,Genyi Wang,Qiang RUI. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Bipolar transistor structure having split collector region and method of making the same

Номер патента: US09647065B2. Автор: Kun-Ming Huang,Fu-Hsiung Yang,Long-Shih LIN,Po-Tao Chu,Chih-Heng Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Method of making bipolar transistor

Номер патента: US20200312957A1. Автор: Kun-Ming Huang,Fu-Hsiung Yang,Long-Shih LIN,Po-Tao Chu,Chih-Heng Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Bipolar transistor structure having split collector region and method of making the same

Номер патента: US20150108542A1. Автор: Kun-Ming Huang,Fu-Hsiung Yang,Long-Shih LIN,Po-Tao Chu,Chih-Heng Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-04-23.

Co-integration of self-aligned and non-self aligned heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US09899375B1. Автор: Vibhor Jain,Qizhi Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Lateral heterojunction bipolar transistor with low temperature recessed contacts

Номер патента: US9356114B2. Автор: Bahman Hekmatshoartabari,Davood Shahrjerdi,Tak H. Ning,Kevin K. Chan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-05-31.

Low collector contact resistance heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US20190305094A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Heterojunction bipolar transistor and method of making the same

Номер патента: US20220093774A1. Автор: Min-Hwa Chi,Richard Ru-Gin Chang. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-24.

Asymmetrical lateral heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US20210091212A1. Автор: Alexander Martin,George R. Mulfinger,Jagar Singh,Ryan Sporer,Judson Holt,Alexander Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Deep collector vertical bipolar transistor with enhanced gain

Номер патента: US20160079364A1. Автор: Alwin J. Tsao,Amitava Chatterjee,Xiang-Zheng Bo,Brian E. Hornung. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-03-17.

Bipolar transistor, semiconductor device, and bipolar transistor manufacturing method

Номер патента: US09627503B2. Автор: Kenji Sasaki. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of forming a bipolar transistor with a vertical collector contact

Номер патента: EP4154319A1. Автор: Miguel Urteaga,Andy Carter. Владелец: Teledyne Scientific and Imaging LLC. Дата публикации: 2023-03-29.

Method of forming a bipolar transistor with a vertical collector contact

Номер патента: WO2021262421A1. Автор: Miguel Urteaga,Andy Carter. Владелец: TELEDYNE SCIENTIFIC & IMAGING, LLC. Дата публикации: 2021-12-30.

Lateral insulated-gate bipolar transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: US20180069107A1. Автор: Shukun QI. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-08.

Method for manufacturing laterally insulated-gate bipolar transistor

Номер патента: US09865702B2. Автор: FENG Lin,Feng Huang,Guipeng Sun,Bing Zhao,Lixiang LIU,Guangtao Han,Longjie ZHAO,Huatang LIN,Liangliang PING,Fengying CHEN. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Passivated germanium-on-insulator lateral bipolar transistors

Номер патента: US09852938B1. Автор: Tak H. Ning,Kevin K. Chan,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Reverse conduction insulated gate bipolar transistor (IGBT) manufacturing method

Номер патента: US09666682B2. Автор: Wanli Wang,Xiaoshe Deng,Genyi Wang,Qiang RUI. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

SOI lateral bipolar transistor with edge-strapped base contact and method of fabricating same

Номер патента: US5298786A. Автор: Yuan Taur,Denny D. Tang,Ghavam G. Shahidi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1994-03-29.

Heterojunction Bipolar Transistor Fabrication Using Resist Mask Edge Effects

Номер патента: US20200006482A1. Автор: Santosh Sharma,Edward J. Preisler. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2020-01-02.

Double-epitaxy heterojunction bipolar transistors for high speed performance

Номер патента: US5648666A. Автор: Aaron Kenji Oki,Dwight Christopher Streit,Liem Thanh Tran. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 1997-07-15.

Lateral heterojunction bipolar transistor with emitter and/or collector regrown from substrate and method

Номер патента: US11990535B2. Автор: Haiting Wang,Vibhor Jain,Judson R. Holt,Alexander M. Derrickson,Richard F. Taylor, III. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Heterojunction bipolar transistor with epitaxial emitter stack to improve vertical scaling

Номер патента: US20130126944A1. Автор: Alexander Reznicek,Thomas N. Adam,Qizhi Liu,David L. Harame. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-23.

Self-aligned, planar heterojunction bipolar transistor and method of forming the same

Номер патента: US5098853A. Автор: William E. Stanchina,Marion D. Clark,K. Vaidyanathan. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1992-03-24.

SiGe HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR WITH IMPROVED BREAKDOWN VOLTAGE-CUTOFF FREQUENCY PRODUCT

Номер патента: WO2013142860A1. Автор: Jeffrey A. Babcock,Alexei Sadovnikov. Владелец: Texas Instruments Japan Limiited. Дата публикации: 2013-09-26.

Insulated gate bipolar transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: US09954074B2. Автор: Shengrong Zhong,Dongfei Zhou,Xiaoshe Deng,Genyi Wang. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

P-type nitride semiconductor structure and bipolar transistor

Номер патента: EP1583154A4. Автор: Naoki Kobayashi,Toshiki Makimoto,Kazuhide Kumakura. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2009-05-06.

P-type nitride semiconductor structure and bipolar transistor

Номер патента: US20050224831A1. Автор: Naoki Kobayashi,Toshiki Makimoto,Kazuhide Kumakura. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2005-10-13.

Insulated gate bipolar transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: US20160380072A1. Автор: Shengrong Zhong,Dongfei Zhou,Xiaoshe Deng,Genyi Wang. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-29.

Lateral insulated-gate bipolar transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130168728A1. Автор: Sang Yong Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2013-07-04.

Trench insulated-gate bipolar transistor and manufacture method thereof

Номер патента: US20140346562A1. Автор: Jianxin Ji,Yongsheng Sun,Weiqing Ma,Hongxiang Tang. Владелец: Wuxi China Resources Huajing Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-27.

P-type nitride semiconductor structure and bipolar transistor

Номер патента: EP1583154A1. Автор: Toshiki NTT Intellectual Prop. Center MAKIMOTO,Kazuhide NTT Intellectual Prop. Center KUMAKURA,Naoki NTT Intellectual Prop. Center KOBAYASHI. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2005-10-05.

Methods for fabricating anode shorted field stop insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US09478646B2. Автор: Madhur Bobde,Anup Bhalla,Yueh-Se Ho,Xiaotian Zhang,Yongping Ding. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-25.

Polysilicon-collector-on-insulator polysilicon-emitter bipolar transistor

Номер патента: US5256896A. Автор: Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1993-10-26.

Hetero-junction bipolar transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240194561A1. Автор: Yuta Shiratori. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Parasitic pnp bipolar transistor in a silicon-germanium bicmos process

Номер патента: US20120061793A1. Автор: Wensheng QIAN,Donghua Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-15.

Bipolar transistor

Номер патента: US8330223B2. Автор: Wolfgang Ploss,Manfred Schiekofer,Klaus Schimpf,Carl David WILLIS,Michael WAITSCHULL. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2012-12-11.

Method for making high-frequency bipolar transistor

Номер патента: US5940711A. Автор: Raffaele Zambrano. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 1999-08-17.

Bipolar transistor structure with collector on polycrystalline isolation layer and methods to form same

Номер патента: US11749747B2. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Jeffrey B. Johnson,Judson R. Holt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Bipolar transistor structure with collector on polycrystalline isolation layer and methods to form same

Номер патента: US20230223463A1. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Jeffrey B. Johnson,Judson R. Holt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Bipolar transistor

Номер патента: US12125894B2. Автор: Pascal Chevalier,Alexis Gauthier. Владелец: STMicroelectronics France SAS. Дата публикации: 2024-10-22.

Bipolar transistor device fabrication methods

Номер патента: US09893164B2. Автор: XIN Lin,Jiang-Kai Zuo,Daniel J Blomberg. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Low-temperature epitaxial method for manufacturing backside field stop layer of insulated gate bipolar transistor (IGBT)

Номер патента: US09520479B1. Автор: Mei-Ling Chen,Kuan-Yu Chen. Владелец: Pfc Device Holdings Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Insulated Gate Bipolar Transistor Having First and Second Field Stop Zone Portions and Manufacturing Method

Номер патента: US20190165151A1. Автор: Wolfgang Roesner,Christoph Weiss,Christian Philipp Sandow,Oana Julia Spulber,Matthias Kuenle. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-05-30.

Insulated gate bipolar transistor and preparation method thereof, and electronic device

Номер патента: US20230015515A1. Автор: Hui Zhu,Baowei Huang,Xiuguang XIAO. Владелец: BYD Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-19.

Method of manufacturing a reverse blocking insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US8501549B2. Автор: Masaaki Ogino. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-06.

Polysilicon-base self-aligned bipolar transistor process

Номер патента: US4381953A. Автор: Cheng T. Horng,Allen P. Ho. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1983-05-03.

Cell structures of insulated gate bipolar transistor igbt with a control gate and a carrier storage layer, and their manufacturing methods

Номер патента: EP4312275A1. Автор: Ke Jiang,Ken Zhang,Chunlin ZHU. Владелец: Nexperia Technology Shanghai Ltd. Дата публикации: 2024-01-31.

Vertical bipolar transistors

Номер патента: US11855197B2. Автор: Vibhor Jain,Judson R. Holt,Shesh Mani Pandey,Alexander M. Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Bipolar transistor

Номер патента: EP2497113A1. Автор: Andrew David Bain,Bernard Patrick Stenson,William Allan Lane,Patrick Martin McGuinness,Derek Frederick Bowers,Paul Malachy Daly,Anne Maria Deignan,Michael Thomas Dunbar. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2012-09-12.

Bipolar transistor

Номер патента: WO2011053927A1. Автор: Andrew David Bain,Bernard Patrick Stenson,William Allan Lane,Patrick Martin McGuinness,Derek Frederick Bowers,Paul Malachy Daly,Anne Maria Deignan,Michael Thomas Dunbar. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2011-05-05.

Insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US20230290828A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Francisco Javier Santos Rodriguez,Christian Philipp Sandow,Matteo Dainese,Daniel Schlögl,Alim Karmous. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-09-14.

Bipolar transistor

Номер патента: US20220190140A1. Автор: Pascal Chevalier,Alexis Gauthier. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2022-06-16.

Cell structures of insulated gate bipolar transistor igbt with a control gate and a carrier storage layer, and their manufacturing methods

Номер патента: US20240038835A1. Автор: Ke Jiang,Chunlin ZHU,Xukun ZHANG. Владелец: Nexperia Technology Shanghai Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Bipolar transistors

Номер патента: US12009412B2. Автор: Vibhor Jain,Judson R. Holt,Shesh Mani Pandey. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Insulated gate bipolar transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150084060A1. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yu Yang,Tsung-Yi Huang,Tsung-Chieh Hsiao,Chih-Fang Huang,Ting-Fu Chang,Po-Chin Peng,Ya-Hsien Liu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2015-03-26.

Method of forming a self-aligned bipolar transistor

Номер патента: US5268314A. Автор: George W. Conner. Владелец: Philips Electronics North America Corp. Дата публикации: 1993-12-07.

Bipolar transistor

Номер патента: US11837647B2. Автор: Pascal Chevalier,Alexis Gauthier. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-12-05.

Bipolar transistor having raised extrinsic base with selectable self-alignment and methods of forming same

Номер патента: WO2005024900A3. Автор: Qizhi Liu,Francois Pagette,David L Harame,Andreas D Stricker,Marwan H Khater,James S Dunn,Onge Stephen A St,Alvin J Joseph. Владелец: Alvin J Joseph. Дата публикации: 2005-06-09.

Bipolar transistor

Номер патента: US20200111890A1. Автор: Pascal Chevalier,Alexis Gauthier. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2020-04-09.

Bipolar transistor

Номер патента: US11996465B2. Автор: Pascal Chevalier,Alexis Gauthier. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2024-05-28.

Bipolar transistor

Номер патента: US20240063290A1. Автор: Pascal Chevalier,Alexis Gauthier. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2024-02-22.

Bipolar transistor

Номер патента: US20110049517A1. Автор: Wolfgang Ploss,Manfred Schiekofer,Klaus Schimpf,Carl David WILLIS,Michael WAITSCHULL. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-03-03.

Heterojunction bipolar transistor with buried trap rich isolation region

Номер патента: US20230402453A1. Автор: Anthony K. Stamper,John J. Pekarik,John J. Ellis-Monaghan,Vibhor Jain,Steven M. Shank. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Heterojunction bipolar transistor with buried trap rich isolation region

Номер патента: US11791334B2. Автор: Anthony K. Stamper,John J. Pekarik,John J. Ellis-Monaghan,Vibhor Jain,Steven M. Shank. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Heterojunction bipolar transistor with buried trap rich isolation region

Номер патента: US20230299132A1. Автор: Anthony K. Stamper,John J. Ellis-Monaghan,Vibhor Jain,Steven M. Shank,Rajendran Krishnasamy. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

High Performance SiGe Heterojunction Bipolar Transistors Built On Thin Film Silicon-On-Insulator Substrates For Radio Frequency Applications

Номер патента: US20190109054A1. Автор: Marco Racanelli,David J. Howard,Edward J. Preisler,Paul D. Hurwitz. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2019-04-11.

Heterojunction bipolar transistor (hbt)

Номер патента: WO2019125688A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-06-27.

Method for forming a germanium layer and a heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US5089428A. Автор: Kenneth E. Bean,Douglas P. Verret. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1992-02-18.

Heterojunction bipolar transistor (hbt)

Номер патента: US20190189787A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Integrated electrostatic discharge (ESD) clamping for an LDMOS transistor device having a bipolar transistor

Номер патента: US09673188B2. Автор: Weize Chen,Patrice M. Parris. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Bipolar transistor

Номер патента: US09570546B2. Автор: Dirk Klaassen,Petrus Hubertus Cornelis Magnee,Tony Vanhoucke,Viet Thanh Dinh,Mahmoud Shehab Mohammad Al-Sa'di,Ponky Ivo. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-02-14.

Lateral pnp bipolar transistor formed with multiple epitaxial layers

Номер патента: US20150069464A1. Автор: Shekar Mallikarjunaswamy,Francois Hebert. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-03-12.

Field-stop reverse conducting insulated gate bipolar transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: US20160163841A1. Автор: Shuo Zhang,Xiaoshe Deng,Genyi Wang,Qiang RUI. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-09.

A method for concurrent fabrication of a double polysilicon bipolar transistor and a base polysilicon resistor

Номер патента: WO2003017340A3. Автор: Richard Dondero,David M Szmyd. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2004-06-10.

Method of converting a metal oxide semiconductor transistor into a bipolar transistor

Номер патента: US20020192917A1. Автор: Ian Wylie. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-19.

Bipolar transistor with trench structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190319115A1. Автор: WEI Liu,Qiaozhi ZHU. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

Bipolar transistor with trench structure

Номер патента: US20190189786A1. Автор: WEI Liu,Qiaozhi ZHU. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-06-20.

Method of fabricating lateral bipolar transistors

Номер патента: US5360750A. Автор: Sheng-Hsing Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1994-11-01.

Horizontal Current Bipolar Transistor with Silicon-Germanium base

Номер патента: US12062699B2. Автор: Marko Koricic,Tomislav Suligoj,Josip Zilak,Zeljko Osrecki. Владелец: Zagreb Faculty Of Electrical Engineering And Computing, University of. Дата публикации: 2024-08-13.

Bipolar transistors

Номер патента: US20230178638A1. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-06-08.

Lateral PNP bipolar transistor with narrow trench emitter

Номер патента: US09698237B2. Автор: Shekar Mallikarjunaswamy,Francois Hebert. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-07-04.

Method of forming a bipolar transistor

Номер патента: US5320972A. Автор: Ian W. Wylie. Владелец: Northern Telecom Ltd. Дата публикации: 1994-06-14.

Method for producing a planar spacer, an associated bipolar transistor and an associated bicmos circuit arrangement

Номер патента: US20070161176A1. Автор: Armin Tilke,Claus Dahl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-07-12.

Bipolar transistor with a reduced collector series resistance

Номер патента: US5877539A. Автор: Toru Yamazaki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-03-02.

Horizontal current bipolar transistor with silicon-germanium base

Номер патента: US20230395666A1. Автор: Marko Koricic,Tomislav Suligoj,Josip Zilak,Zeljko Osrecki. Владелец: Zagreb Faculty Of Electrical Engineering And Computing, University of. Дата публикации: 2023-12-07.

Bipolar transistor and gate structure on semiconductor fin and methods to form same

Номер патента: US20240088272A1. Автор: Vibhor Jain,Shesh Mani Pandey. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Radio frequency silicon-on-insulator integrated heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20190386121A1. Автор: Sinan Goktepeli,George Pete IMTHURN,Stephen Alan Fanelli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-12-19.

Heterojunction bipolar transistors with reduced base resistance

Номер патента: US8513706B2. Автор: Qizhi Liu,Peter B. Gray,Erik M. Dahlstrom. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-08-20.

Vertical heterojunction bipolar transistors with reduced base-collector junction capacitance

Номер патента: US20120221987A1. Автор: Renata Camillo-Castillo,Qizhi Liu,Erik M. Dahlstrom. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-08-30.

Algaas or ingap low turn-on voltage gaas-based heterojunction bipolar transistor

Номер патента: WO2003009396A3. Автор: Noren Pan. Владелец: Microlink Devices Inc. Дата публикации: 2003-11-27.

Epitaxial wafer for hetero-junction bipolar transistor and hetero-junction bipolar transistor

Номер патента: US10312324B2. Автор: Takeshi Meguro,Shinjiro FUJIO. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-04.

Method of manufacturing heterojunction bipolar transistor and heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20130178037A1. Автор: Hans Mertens,Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Tony Vanhoucke,Philippe Meunier-Beillard. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2013-07-11.

Semiconductor device including heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20210272877A1. Автор: Kuo-Chun Huang,Wen-Pin Lu,Chi-Chun Lin,Chao-Hung Chen,You-Min CHI,Kun-Mu HSIEH,Yu-Chen CHIU. Владелец: ADVANCED WIRELESS SEMICONDUCTOR Co. Дата публикации: 2021-09-02.

Sige heterojunction bipolar transistor (hbt) and method of fabrication

Номер патента: US20080124882A1. Автор: Xuefeng Liu,Alvin J. Joseph,Rajendran Krishnasamy,Peter J. Geiss. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-05-29.

Heterojunction bipolar transistors for improved radio frequency (RF) performance

Номер патента: US09502510B2. Автор: Jing Zhang,Peter J. Zampardi,Brian G. Moser,Thomas James Rogers,Dheeraj Mohata. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Heterojunction bipolar transistor with stress component

Номер патента: US09825157B1. Автор: Anthony K. Stamper,Vibhor Jain,Renata A. Camillo-Castillo. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

METAL SILICIDE SELF-ALIGNED SiGe HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20140175520A1. Автор: Wei Zhang,Jun Fu,Jie Cui,Yue Zhao,Yu-dong Wang,Zhi-hong Liu,Gao-qing Li,Zheng-li Wu. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-06-26.

Epitaxial wafer for heterojunction bipolar transistor and heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20170200816A1. Автор: Takeshi Meguro,Shinjiro FUJIO. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-13.

Epitaxial wafer for heterojunction bipolar transistor and heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US9865715B2. Автор: Takeshi Meguro,Shinjiro FUJIO. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Heterojunction Bipolar Transistor Manufacturing Method and Integrated Circuit Comprising a Heterojunction Bipolar Transistor

Номер патента: EP2458624A1. Автор: Hans Mertens,Evelyne Gridelet,Tony Vanhoucke,Blandine Duriez,Johannes Josephus Theodorus Donkers. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2012-05-30.

Dual sidewall spacer for a self-aligned extrinsic base in SiGe heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US20020153535A1. Автор: David Greenberg,Shwu-Jen Jeng,Gregory Freeman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-10-24.

Heterojunction bipolar transistors with reduced base resistance

Номер патента: US20130062668A1. Автор: Qizhi Liu,Peter B. Gray,Erik M. Dahlstrom. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-03-14.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US5247192A. Автор: Keita Nii. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 1993-09-21.

Heterojunction bipolar transistors with reduced base resistance

Номер патента: US20120126292A1. Автор: Qizhi Liu,Peter B. Gray,Erik M. Dahlstrom. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-24.

Heterojunction bipolar transistor unit cell with plural base mesas and power stage for a power amplifier

Номер патента: WO2018156242A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao,Miguel Miranda Corbalan. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-08-30.

Heterojunction bipolar transistor with amorphous semiconductor regions

Номер патента: EP4365956A1. Автор: Vibhor Jain,Rajendran Krishnasamy,Anupam DUTTA,Vvss Satyasuresh Choppalli,Robert J. Gauthier Jr.. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-08.

Vertical heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20020179933A1. Автор: Majid Hashemi,El-Badawy El-Sharawy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Heterojunction bipolar transistor unit cell with plural base mesas and power stage for a power amplifier

Номер патента: EP3586372A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao,Miguel Miranda Corbalan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-01-01.

Heterojunction bipolar transistor with amorphous semiconductor regions

Номер патента: US20240145585A1. Автор: Robert J. Gauthier, Jr.,Vibhor Jain,Rajendran Krishnasamy,Anupam DUTTA,Vvss Satyasuresh Choppalli. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Epitaxial wafer for hetero-junction bipolar transistor and hetero-junction bipolar transistor

Номер патента: US20180061948A1. Автор: Takeshi Meguro,Shinjiro FUJIO. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-01.

Vertical heterojunction bipolar transistors with reduced base-collector junction capacitance

Номер патента: US20120112244A1. Автор: Renata Camillo-Castillo,Qizhi Liu,Erik M. Dahlstrom. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-10.

Vertical heterojunction bipolar transistor

Номер патента: WO2001037349A1. Автор: El-Badawy Amien El-Sharawy,Majid M. Hashemi. Владелец: National Scientific Corporation. Дата публикации: 2001-05-25.

Compound Semiconductor Lateral PNP Bipolar Transistors

Номер патента: US20140110825A1. Автор: Srivatsan Parthasarathy,Javier Alejandro Salcedo,Shuyun Zhang. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2014-04-24.

Indium phosphide-boron phosphide heterojunction bipolar transistor

Номер патента: CA1213376A. Автор: Krishna P. Pande. Владелец: Allied Corp. Дата публикации: 1986-10-28.

Self-alignment scheme for a heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20090140297A1. Автор: Anna Topol,Francois Pagette. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-06-04.

Method of fabricating a heterojunction bipolar transistor

Номер патента: WO2006109208A3. Автор: Joost Melai,Philippe Meunier-Beillard,Erwin Hijzen,Johannes J T M Donkers. Владелец: Johannes J T M Donkers. Дата публикации: 2007-02-15.

Method of fabricating a heterojunction bipolar transistor

Номер патента: WO2006109208A2. Автор: Johannes J. T. M. Donkers,Joost Melai,Philippe Meunier-Beillard,Erwin Hijzen. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2006-10-19.

Heterojunction bipolar transistors with undercut extrinsic base regions

Номер патента: US20220190145A1. Автор: Mark Levy,Vibhor Jain,James R. Elliott,Qizhi Liu,Sarah McTaggart,Paula Fisher. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US20230369474A1. Автор: Vibhor Jain,Judson R. Holt,Shesh Mani Pandey. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Emitter-base mesh structure in heterojunction bipolar transistors for rf applications

Номер патента: EP3721477A1. Автор: Ranadeep Dutta. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-10-14.

Lateral heterojunction bipolar transistor with improved breakdown voltage and method

Номер патента: US11777019B2. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain,Judson R. Holt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Heterojunction Bipolar Transistor having a Germanium Raised Extrinsic Base

Номер патента: US20140264457A1. Автор: David J. Howard,Edward Preisler,George Talor,Gerson R. Ortuno. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2014-09-18.

Heterojunction bipolar transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010054718A1. Автор: Masahiro Tanomura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-12-27.

Heterojunction bipolar transistor, power amplifier including the same, and method for fabricating heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US9130004B2. Автор: Atsushi Kurokawa,Yasunari Umemoto,Isao Obu. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-08.

Heterojunction bipolar transistor, power amplifier including the same, and method for fabricating heterojunction bipolar transistor

Номер патента: CN103872107B. Автор: 大部功,梅本康成,黑川敦. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-17.

Heterojunction bipolar transistor, manufacturing method therefor, and communication device therewith

Номер патента: US20030038300A1. Автор: Yoshiteru Ishimaru. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-27.

Method of fabricating a heterojunction bipolar transistor

Номер патента: EP1875494A2. Автор: Johannes J. T. M. Donkers,Joost Melai,Philippe Meunier-Beillard,Erwin Hijzen. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-01-09.

Dopant profile control in heterojunction bipolar transistor (HBT)

Номер патента: US12068402B2. Автор: HIROSHI Yasuda,Mattias Dahlstrom,Tatsuya Tominari,Jerald Rock,Wibo Van Noort. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Heterojunction bipolar transistor, power amplifier including the same, and method for fabricating heterojunction bipolar transistor

Номер патента: CN103872107A. Автор: 大部功,梅本康成,黑川敦. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-18.

Self-aligned lateral heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20050101096A1. Автор: JIA Zheng,JIAN Li,Purakh Verma,Lap Chan,Shao-Fu Chu. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2005-05-12.

Heterojunction bipolar transistor containing at least one silicon carbide layer

Номер патента: US20040195597A1. Автор: John Torvik,Jacques Pankove. Владелец: Astralux Inc. Дата публикации: 2004-10-07.

Heterojunction bipolar transistor power amplifier with backside thermal heatsink

Номер патента: EP3574527A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-12-04.

GaN HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR WITH A P-TYPE STRAINED InGaN BASE LAYER AND FABRICATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20070114518A1. Автор: Jinn-Kong Sheu,Yue-Ming Hsin,Kuang-Po Hsueh. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2007-05-24.

Heterojunction bipolar transistors with a cut stress liner

Номер патента: EP4372823A1. Автор: Jeffrey Johnson,John J. Pekarik,Vibhor Jain,Viorel Ontalus. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-22.

Heterojunction bipolar transistors for improved radio frequency (rf) performance

Номер патента: US20150372098A1. Автор: Jing Zhang,Peter J. Zampardi,Brian G. Moser,Thomas James Rogers,Dheeraj Mohata. Владелец: RF Micro Devices Inc. Дата публикации: 2015-12-24.

Heterojunction bipolar transistors with airgap isolation

Номер патента: US20210091213A1. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Qizhi Liu,Judson Holt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Heterojunction bipolar transistors with a cut stress liner

Номер патента: US20240170561A1. Автор: Jeffrey Johnson,John J. Pekarik,Vibhor Jain,Viorel Ontalus. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Bipolar transistor with graded base layer

Номер патента: WO2003088363A1. Автор: Roger E. Welser,Paul M. Deluca,Charles R. Lutz,Kevin S. Stevens. Владелец: Kopin Corporation. Дата публикации: 2003-10-23.

Method for reducing base resistance in a bipolar transistor

Номер патента: US6475849B2. Автор: Marco Racanelli. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2002-11-05.

Bipolar transistor comprising a raised collector pedestal for reduced capacitance

Номер патента: GB2497177A. Автор: Qizhi Liu,John Joseph Pekarik,David L Harame,James William Adkisson,John Joseph Ellis-Monaghan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-06-05.

Heterojunction bipolar transistor and manufacturing method making the same

Номер патента: US20050085035A1. Автор: Norio Hayafuji,Rui-Huang Cheng,Chih-Chiang Shen,Chang-Jung Chu,Yong-Yin Chen,Chin-Kun Peng. Владелец: Procomp Informatics Ltd. Дата публикации: 2005-04-21.

Reduced base resistance in a bipolar transistor

Номер патента: US20020117734A1. Автор: Marco Racanelli. Владелец: Conexant Systems LLC. Дата публикации: 2002-08-29.

Heterojunction Bipolar Transistor

Номер патента: US20240030288A1. Автор: Manabu Mitsuhara,Yuta Shiratori. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Bipolar transistor with lattice matched base layer

Номер патента: WO2002043155A9. Автор: Noren Pan,Roger E Welser,Paul M Deluca. Владелец: Paul M Deluca. Дата публикации: 2003-08-14.

Process of producing heterojunction bipolar transistor with silicon-germanium base

Номер патента: US5494836A. Автор: Kiyotaka Imai. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-02-27.

Manufacturing method for Heterojunction bipolar transistor, HBT therefrom

Номер патента: KR20040057000A. Автор: 김성일,이희태,임종원,홍선의,남은수. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2004-07-01.

Fully self-aligned submicron heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US5729033A. Автор: Madjid Hafizi. Владелец: Hughes Electronics Corp. Дата публикации: 1998-03-17.

Heterojunction bipolar transistors with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20150035011A1. Автор: Marwan H. Khater,Vibhor Jain,Renata Camillo-Castillo,Vikas K. Kaushal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-02-05.

Heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US11869958B2. Автор: Vibhor Jain,Judson R. Holt,Shesh Mani Pandey. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Epitaxial Base Layers For Heterojunction Bipolar Transistors

Номер патента: US20130320403A1. Автор: Paul Douglas Yoder,Munmun Islam,Mahbub D. Satter. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2013-12-05.

Heterojunction bipolar transistor and method of producing the same

Номер патента: US20020066909A1. Автор: Hidenori Shimawaki,Fumio Harima,Masahiro Tanomura,Yosuke Miyoshi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-06-06.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20210384297A1. Автор: Anthony K. Stamper,Jeonghyun Hwang,Johnatan A. Kantarovsky,Henry L. Aldridge, JR.. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US20230369473A1. Автор: Vibhor Jain,Judson R. Holt,Shesh Mani Pandey. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20210091183A1. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Qizhi Liu,Judson R. Holt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Heterojunction Bipolar Transistor and Manufacturing Method

Номер патента: EP2418681A1. Автор: Hans Mertens,Evelyne Gridelet,Blandine Duriez,Johannes Josephus Theodorus Donkers,Tony Vanhouck. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2012-02-15.

Heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US11881523B2. Автор: Vibhor Jain,Judson R. Holt,Shesh Mani Pandey. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Heterojunction bipolar transistors with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20150053982A1. Автор: Marwan H. Khater,Vibhor Jain,Renata Camillo-Castillo,Vikas K. Kaushal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-02-26.

Heterojunction bipolar transistor and method of forming the same

Номер патента: US20100133586A1. Автор: Jong-Min Lee,Kyung-Ho Lee,Byoung-Gue Min,Seong-II Kim,Hyung-Sup Yoon,Eun-Soo Nam. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2010-06-03.

Base silicide on monocrystalline base structures in bipolar transistors

Номер патента: EP4290581A1. Автор: Ljubo Radic,Jay Paul John,James Albert Kirchgessner,Ronald Willem Arnoud Werkman. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-12-13.

Heterojunction bipolar transistor with counter-doped collector region and method of making same

Номер патента: US10998431B2. Автор: Pascal Chevalier,Alexis Gauthier. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2021-05-04.

Silicon-silicon-germanium heterojunction bipolar transistor fabrication method

Номер патента: US5668022A. Автор: Kwang-Eui Pyun,Byung-Ryul Ryum,Tae-Hyeon Han,Deok-Ho Cho,Soo-Min Lee. Владелец: KT Corp. Дата публикации: 1997-09-16.

Bipolar transistors with multilayer collectors

Номер патента: US11990536B2. Автор: Petrus Hubertus Cornelis Magnee,Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Ronald Willem Arnoud Werkman. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-05-21.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20140167116A1. Автор: Alain Chantre,Pascal Chevalier,Jean-Pierre Blanc,Didier Celi. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2014-06-19.

High Performance SiGe Heterojunction Bipolar Transistors Built On Thin Film Silicon-On-Insulator Substrates For Radio Frequency Applications

Номер патента: US20190109054A1. Автор: Howard David J.,Hurwitz Paul D.,Preisler Edward J.,Racanelli Marco. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-11.

HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20190148531A1. Автор: Chevalier Pascal,Avenier Gregory,GAUTHIER Alexis. Владелец: STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS. Дата публикации: 2019-05-16.

LATERAL HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTORS WITH ASYMMETRIC JUNCTIONS

Номер патента: US20210226044A1. Автор: MARTIN Alexander,SINGH Jagar,SPORER Ryan,MULFINGER George R.,Derrickson Alexander,Banghart Edmund K.,Babich Katherina. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-22.

SILICON GERMANIUM HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR STRUCTURE AND METHOD

Номер патента: US20160351682A1. Автор: KRISHNASAMY Rajendran,Gluschenkov Oleg,SCHONENBERG Kathryn T.. Владелец: Ultratech, Inc.. Дата публикации: 2016-12-01.

Heterojunction Bipolar Transistor

Номер патента: EP2315238B1. Автор: Hans Mertens,Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Tony Vanhoucke. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2012-06-20.

Circuit Including a Field-Effect Transistor and a Bipolar Transistor

Номер патента: US20190074374A1. Автор: Gary Horst Loechelt. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-03-07.

Bipolar transistor with embedded epitaxial external base region and method of forming the same

Номер патента: US9012291B2. Автор: Wei Zhang,Jun Fu,Jie Cui,Ping Xu,Yue Zhao,Yu-dong Wang,Zhi-hong Liu,Gao-qing Li,Zheng-li Wu. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-04-21.

Metallic bridge structure for hetero-junction bipolar transistor

Номер патента: US20020060327A1. Автор: Henry Chen,Shi-Ming Chen,Juh-Yuh Su,Wen-Liang Li. Владелец: Epitech Corp Ltd. Дата публикации: 2002-05-23.

Insulated Gate Bipolar Transistor And Fabrication Method Therefor

Номер патента: US20210234019A1. Автор: Jianhua Liu,Xueliang Wang,Jinrong LANG,Yaneng MIN. Владелец: ADVANCED SEMICONDUCTOR MANUFACTURING Corp Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Insulated gate bipolar transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20180204938A1. Автор: Jian Liu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Insulated gate bipolar transistor device, semiconductor device and method for forming said devices

Номер патента: US09525029B2. Автор: Franz Josef Niedernostheide,Christian Philipp Sandow,Vera Van Treek. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-20.

Insulated gate bipolar transistor and method of manufacturing same

Номер патента: US20240304708A1. Автор: Ji Sun Kim. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Wide bandgap bipolar transistors

Номер патента: AU2002367213A1. Автор: Timothy Jonathan Phillips. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2003-07-15.

Bipolar transistors having controllable temperature coefficient of current gain

Номер патента: US20060202307A1. Автор: Ashok Kapoor. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2006-09-14.

Insulated gate bipolar transistor device having a fin structure

Номер патента: US09978837B2. Автор: Franz Josef Niedernostheide,Christian Philipp Sandow,Vera Van Treek. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-22.

Wide bandgap bipolar transistors

Номер патента: EP1468450A1. Автор: Timothy Jonathan Qinetiq Limited PHILLIPS. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2004-10-20.

Bipolar transistor with low resistance base contact and method of making the same

Номер патента: US20090283801A1. Автор: Kathryn Turner Schonenberg,Francois Pagette. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-11-19.

Bipolar Transistor with Depleted Emitter

Номер патента: US20100283082A1. Автор: Ho-Yuan Yu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-11.

Bipolar transistors with depleted emitter

Номер патента: US20070267656A1. Автор: Ho-Yuan Yu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-22.

Insulated gate bipolar transistor with super junction structure, and preparation method therefor

Номер патента: US20240290827A1. Автор: LI Wan,Xiandong Ma,Pengcheng Zhang. Владелец: China Resources Microelectronics Chongqing Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Insulated gate bipolar transistor and method of manufacturing same

Номер патента: US20210384334A1. Автор: Young-Seok Kim. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-09.

Bidirectional bipolar transistors with two-surface cellular geometries

Номер патента: US09679999B2. Автор: Richard A. Blanchard. Владелец: Ideal Power Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Bipolar transistor with embedded epitaxial external base region and method of forming the same

Номер патента: US20140329368A1. Автор: Wei Zhang,Jun Fu,Jie Cui,Ping Xu,Yue Zhao,Yu-dong Wang,Zhi-hong Liu,Gao-qing Li,Zheng-li Wu. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-11-06.

Insulated gate bipolar transistor and method of manufacturing same

Номер патента: US20230335628A1. Автор: Ji Sun Kim. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Hetero junction bipolar transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1796173A3. Автор: Ho Young Kim,Dong Young Kim,Jong Won Lim,Sang Seok Lee,Eun Soo Nam,Dong Suk Jun,Yong Won Kim,Seon Eui Hong,Myoung Sook Oh,Hong Yeol 406-304 Daewoo Prugio Apt. LEE. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2008-12-17.

Integrated circuits with lateral bipolar transistors and methods for fabricating the same

Номер патента: US09761664B1. Автор: Vaddagere Nagaraju Vasantha Kumar,Wei Gao,Chien-Hsin Lee,Manjunatha Prabhu,Xiangxiang LU. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-09-12.

Bipolar transistor with trench-isolated emitter

Номер патента: US5144403A. Автор: Shang-Yi Chiang,Clifford I. Drowley,Wen-Ling M. Huang,Paul V. Voorde. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1992-09-01.

Polysilicon sidewall spacer lateral bipolar transistor on SOI

Номер патента: US20060060941A1. Автор: Wai Ng,Koji Kanekiyo,I-Shan Sun. Владелец: Asahi Kasei Microsystems Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-23.

Bipolar transistor manufacturing method, bipolar transistor and integrated circuit

Номер патента: US20140162426A1. Автор: Petrus Hubertus Cornelis Magnee,Hans Mertens,Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Evelyne Gridelet,Tony Vanhoucke,Blandine Duriez. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2014-06-12.

Bipolar transistor, semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: EP1417714A1. Автор: Johan H. Klootwijk,Jan W. Slotboom,Eyup Aksen,Hendrik G. A. Huizing,Doede Terpstra. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-05-12.

Bipolar transistor manufacturing method, bipolar transistor and integrated circuit

Номер патента: US20130087799A1. Автор: Petrus Hubertus Cornelis Magnee,Hans Mertens,Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Evelyne Gridelet,Tony Vanhoucke,Blandine Duriez. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2013-04-11.

Bipolar transistor, semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20030054599A1. Автор: Jan Slotboom,Eyup Aksen,Doede Terpstra,Johan Klootwijk,Hendrik Huizing. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-20.

High-speed superjunction lateral insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US10658496B2. Автор: Qi Yuan,Zhi Lin,Shu Han,Jianlin Zhou,Shengdong HU,Fang Tang,Xichuan ZHOU. Владелец: Chongqing University. Дата публикации: 2020-05-19.

Bipolar transistor, semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20040046187A1. Автор: Jan Slotboom,Eyup Aksen,Doede Terpstra,Johan Klootwijk,Hendrik Huizing. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-03-11.

Insulated gate bipolar transistor (igbt) and method of its manufacturing

Номер патента: RU2571175C2. Автор: Масару СЕНОО,Кёсуке МИЯГИ,Цуйоси НИСИВАКИ,Дзюн САЙТО. Владелец: Тойота Дзидося Кабусики Кайся. Дата публикации: 2015-12-20.

Vertical bipolar transistor

Номер патента: CA1290079C. Автор: Seiki Ogura,Nivo Rovedo,Shah Akbar,Patricia Lavelle Kroesen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1991-10-01.

Fluorine implant under isolation dielectric structures to improve bipolar transistor performance and matching

Номер патента: US8609501B2. Автор: Weidong Tian,Ming-Yeh Chuang,Rajni J. Aggarwal. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-12-17.

Method of forming a bipolar transistor having an emitter overhang

Номер патента: US5286661A. Автор: John W. Steele,Edouard D. De Frèsart. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1994-02-15.

Lateral insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US20100032713A1. Автор: Hideaki Kawahara,Philip Leland HOWER. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-02-11.

Insulated Gate Bipolar Transistor Device Having a Fin Structure

Номер патента: US20170084692A1. Автор: Franz Josef Niedernostheide,Christian Philipp Sandow,Vera Van Treek. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-03-23.

Bipolar transistor for avoiding thermal runaway

Номер патента: EP1527482A1. Автор: Kazuo Uchida,Shuichi Kato,Kazuhiko Honjo,Shinji Nozaki,Hiroshi Morisaki,Takahisa 402 ICHINOHE. Владелец: Nanoteco Corp. Дата публикации: 2005-05-04.

Bipolar transistor for use in linear amplifiers

Номер патента: WO1996010844A1. Автор: Pablo E. D'Anna,William H. Mccalpin,Rickey C. Wong. Владелец: Spectrian, Inc.. Дата публикации: 1996-04-11.

Manufacturing approach for collector and a buried layer of bipolar transistor

Номер патента: US8420495B2. Автор: FAN CHEN,Haifang Zhang,Wensheng QIAN,Tzuyin CHIU,YungChieh FAN,TungYuan CHU,Jiong Xu. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-16.

Insulated gate bipolar transistor with a lateral gate structure and gallium nitride substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160111519A1. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yu Yang,Tsung-Yi Huang,Tsung-Chieh Hsiao,Chih-Fang Huang,Ting-Fu Chang,Po-Chin Peng,Ya-Hsien Liu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-04-21.

Insulated gate bipolar transistor with a lateral gate structure and gallium nitride substrate

Номер патента: US9252219B2. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yu Yang,Tsung-Yi Huang,Tsung-Chieh Hsiao,Chih-Fang Huang,Ting-Fu Chang,Po-Chin Peng,Ya-Hsien Liu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-02-02.

Bipolar transistor and method for forming the same

Номер патента: US20210210626A1. Автор: Shu-Hsiao TSAI,Jui-Pin Chiu,Chien-Rong YU. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2021-07-08.

Bipolar transistor and method for forming the same

Номер патента: US11791404B2. Автор: Shu-Hsiao TSAI,Jui-Pin Chiu,Chien-Rong YU. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Bipolar-transistor

Номер патента: EP1611616A1. Автор: Thomas Meister,Reinhard Stengl,Herbert Schafer,Josef Bock. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-01-04.

Bipolar-transistor

Номер патента: WO2004090989A1. Автор: Thomas Meister,Reinhard Stengl,Herbert Schafer,Josef Bock. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-10-21.

Lateral bipolar transistors

Номер патента: US12040388B2. Автор: Hong Yu,Judson R. Holt,Alexander Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Lateral bipolar transistor with thermal conductor underneath the base

Номер патента: EP4243056A1. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain,Judson R. Holt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-13.

Method of manufacturing a bipolar transistor semiconductor device

Номер патента: EP1228533A1. Автор: Doede Terpstra,Catharina H. H. Emons. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-08-07.

Bipolar transistor and method for forming the same

Номер патента: US11164962B2. Автор: Shu-Hsiao TSAI,Jui-Pin Chiu,Chien-Rong YU. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2021-11-02.

Insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US20230207672A1. Автор: Hsin-Ming Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Bipolar transistor having recessed and rounded surface and its manufacturing method

Номер патента: US20010022386A1. Автор: Akira Sato. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-09-20.

Insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US6072199A. Автор: Noriyuki Iwamuro. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2000-06-06.

Bipolar transistor with thermal conductor

Номер патента: US20230290868A1. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain,Judson R. Holt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Lateral bipolar transistors

Номер патента: US12074211B2. Автор: Jagar Singh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Lateral bipolar transistor with emitter and collector regions including portions within in-insulator layer cavities and method

Номер патента: EP4184588A1. Автор: Jeffrey B. Johnson,Shesh Mani Pandey. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-05-24.

Bipolar transistor with base horizontally displaced from collector

Номер патента: US11728380B2. Автор: Viorel C. Ontalus. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Insulated gate bipolar transistor (igbt) and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2012075905A1. Автор: Le Wang. Владелец: CSMC TECHNOLOGIES FAB1 CO., LTD.. Дата публикации: 2012-06-14.

Bipolar transistor with self-aligned asymmetric spacer

Номер патента: US20230268401A1. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain,Jianwei PENG. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Bipolar transistor with improved gain

Номер патента: US20120187538A1. Автор: XIN Lin,Jiang-Kai Zuo,Daniel J. Blomberg. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2012-07-26.

Lateral bipolar transistors

Номер патента: US20240297242A1. Автор: Hong Yu,Judson R. Holt,Alexander Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Low-loss bipolar transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040026764A1. Автор: Koji Nakano,Fumihiko Hirose,Yutaka Souda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-12.

Bipolar transistor with a very narrow emitter feature

Номер патента: US20050082642A1. Автор: Francois Pagette,Andreas Stricker,Marwan Khater,Gregory Freeman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-04-21.

Lateral bipolar transistors with gate structure aligned to extrinsic base

Номер патента: US20240250158A1. Автор: Vibhor Jain,Judson R. Holt,Alexander M. Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Lateral bipolar transistors

Номер патента: US20240363741A1. Автор: Jagar Singh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Insulated gate bipolar transistor (IGBT) and related methods

Номер патента: US09953971B2. Автор: Takumi Hosoya. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-04-24.

Trench insulated gate bipolar transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09882035B2. Автор: Naoki Mitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Method for manufacturing an insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US09722040B2. Автор: Munaf Rahimo,Maxi ANDENNA. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2017-08-01.

HV complementary bipolar transistors with lateral collectors on SOI with resurf regions under buried oxide

Номер патента: US09640611B2. Автор: Jeffrey A. Babcock,Alexei Sadovnikov. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Insulated gate bipolar transistor (IGBT) and related methods

Номер патента: US09634129B2. Автор: Takumi Hosoya. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-04-25.

Bipolar transistor and method of fabricating the same

Номер патента: EP1878045A2. Автор: Joost Melai,Vijayaraghavan Madakasira. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-01-16.

Bipolar transistor structure with a shallow isolation extension region providing reduced parasitic capacitance

Номер патента: US6864560B2. Автор: Marwan H. Khater,Jae-Sung Rieh,Andreas Daniel Stricker,Gregory Gower Freeman,Kathryn Turner Schonenberg. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-03-08.

Vertical bipolar transistor

Номер патента: US4957875A. Автор: Seiki Ogura,Nivo Rovedo,Shah Akbar,Patricia L. Kroesen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1990-09-18.

Semiconductor integrated circuit device having an improved vertical bipolar transistor structure

Номер патента: US5468989A. Автор: Osamu Kasahara,Hirotaka Nishizawa,Seiichiro Azuma,Sinichi Suzuki,Kazuaki Ootoshi,Masataka Miyama,Shuji Kawata. Владелец: Hitachi ULSI Engineering Corp. Дата публикации: 1995-11-21.

Bipolar transistor construction

Номер патента: US4647958A. Автор: Neal F. Gardner. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 1987-03-03.

Vertical bipolar transistor with collector and base extensions

Номер патента: US4982257A. Автор: Seiki Ogura,Nivo Rovedo,Shah Akbar,Patricia L. Kroesen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1991-01-01.

Bipolar transistor structures with base having varying horizontal width and methods to form same

Номер патента: US11916109B2. Автор: Peter Baars,Judson R. Holt,Ketankumar Harishbhai Tailor,Alexander M. Derrickson,Zhixing ZHAO. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Insulated gate bipolar transistor with super junction structure, and preparation method therefor

Номер патента: EP4336561A1. Автор: LI Wan,Xiandong Ma,Pengcheng Zhang. Владелец: China Resources Microelectronics Chongqing Ltd. Дата публикации: 2024-03-13.

Bipolar transistor with collector contact

Номер патента: US11935927B2. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Lateral bipolar transistor structure with base layer of varying horizontal width and methods to form same

Номер патента: US11908898B2. Автор: Haiting Wang,Hong Yu,Zhenyu Hu,Alexander M. Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Lateral bipolar transistor structure with inner and outer spacers and methods to form same

Номер патента: US11888050B2. Автор: Haiting Wang,Judson R. Holt,Alexander M. Derrickson,John L. Lemon. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Semiconductor device with insulated gate bipolar transistor region and diode region provided on semiconductor substrate and adjacent to each other

Номер патента: US11908954B2. Автор: Tetsuya Nitta,Takahiro Nakatani,Kakeru Otsuka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Bipolar transistor with elevated extrinsic base and methods to form same

Номер патента: US20220336646A1. Автор: Judson R. Holt,Viorel C. Ontalus. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-10-20.

Lateral bipolar transistor structure with superlattice layer and method to form same

Номер патента: US11862717B2. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Judson R. Holt,Alvin J. Joseph,Alexander M. Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Bipolar transistor structure with emitter/collector contact to doped semiconductor well and related methods

Номер патента: US11804541B2. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Lateral bipolar transistor structure with marker layer for emitter and collector

Номер патента: US11799021B2. Автор: Vibhor Jain,Judson R. Holt,Alexander M. Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Bipolar transistor structure with base protruding from emitter/collector and methods to form same

Номер патента: US11961901B2. Автор: Shesh Mani Pandey. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Bipolar transistor structures with base having varying horizontal width and methods to form same

Номер патента: US20230290829A1. Автор: Peter Baars,Judson R. Holt,Ketankumar Harishbhai Tailor,Alexander M. Derrickson,Zhixing ZHAO. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Lateral bipolar transistor structure with base over semiconductor buffer and related method

Номер патента: US11784224B2. Автор: Hong Yu,John J. Pekarik,Zhenyu Hu,Jagar Singh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Soi lateral bipolar transistors having surrounding extrinsic base portions

Номер патента: US20150179778A1. Автор: Tak H. Ning,Jin Cai,Kevin K. Chan,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-06-25.

Insulated gate bipolar transistor and method of manufacturing same

Номер патента: US20210384329A1. Автор: Young-Seok Kim. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-09.

Bipolar transistor with a particular base and collector regions

Номер патента: US5374846A. Автор: Hisashi Takemura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-12-20.

Method of forming the silicon germanium base of a bipolar transistor

Номер патента: US6753234B1. Автор: Abdalla Aly Naem. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2004-06-22.

Method for forming an isolated, low resistance epitaxial subcollector for bipolar transistors

Номер патента: US5286997A. Автор: Darrell Hill. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1994-02-15.

Bipolar transistor and fabricating method thereof

Номер патента: US20060252214A1. Автор: Tae-Jin Kim,Dong-Kyun Nam,Sung-ryoul Bae,Kye-Won Maeng. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-11-09.

Lateral bipolar transistor with gated collector

Номер патента: US11935923B2. Автор: Vibhor Jain,Judson R. Holt,Jagar Singh,Alexander Derrickson,Mankyu Yang. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Lateral bipolar transistors with gate structure aligned to extrinsic base

Номер патента: US11949004B2. Автор: Vibhor Jain,Judson R. Holt,Alexander M. Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Lateral bipolar transistors

Номер патента: US20240030320A1. Автор: Jagar Singh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Insulated gate bipolar transistor (igbt) and related methods

Номер патента: US20170221881A1. Автор: Takumi Hosoya. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-08-03.

Lateral bipolar transistor

Номер патента: US11837460B2. Автор: Alexander Martin,Jagar Singh,Alexander M. Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US20200091327A1. Автор: Hiroshi Hosokawa,Shinya Iwasaki,Yuma Kagata. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Trench insulated gate bipolar transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160079402A1. Автор: Naoki Mitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-17.

Bipolar transistor for avoiding thermal runaway

Номер патента: WO2004017415A1. Автор: Kazuo Uchida,Shuichi Kato,Kazuhiko Honjo,Shinji Nozaki,Hiroshi Morisaki,Takahisa Ichinohe. Владелец: Nanoteco Corporation. Дата публикации: 2004-02-26.

Lateral bipolar transistor with gated collector

Номер патента: US20240136400A1. Автор: Vibhor Jain,Judson R. Holt,Jagar Singh,Alexander Derrickson,Mankyu Yang. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor device with a bipolar transistor and method of manufacturing such a device

Номер патента: EP1935023B1. Автор: Philippe Meunier-Beillard,Prabhat Agarwal,Godefridus A. M. Hurkx,Raymond J. Duffy. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-02-02.

Bipolar transistor structures with base having varying horizontal width and methods to form same

Номер патента: EP4243083A1. Автор: Peter Baars,Judson R. Holt,Ketankumar Harishbhai Tailor,Alexander M. Derrickson,Zhixing ZHAO. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-13.

Lateral bipolar transistor

Номер патента: US11967635B2. Автор: Randy L. Wolf,Jagar Singh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Semiconductor device with a bipolar transistor and method of manufacturing such a device

Номер патента: WO2007036861A2. Автор: Philippe Meunier-Beillard,Prabhat Agarwal,Godefridus A. M. Hurkx,Raymond J. Duffy. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2007-04-05.

Hetero-junction bipolar transistor

Номер патента: US20030183846A1. Автор: Hiroyuki Oguri. Владелец: Fujitsu Quantum Devices Ltd. Дата публикации: 2003-10-02.

Bipolar transistor and the method of manufacturing the same

Номер патента: US20030075737A1. Автор: Seiji Yaegashi,Takeshi Kawasaki,Hiroshi Yano,Kenji Kotani,Masaki Yanagisawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-24.

Semiconductor device having lateral insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US20130168730A1. Автор: Shigeki Takahashi,Youichi Ashida. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2013-07-04.

Bipolar transistor and method for forming the same

Номер патента: US20220020868A1. Автор: Shu-Hsiao TSAI,Jui-Pin Chiu,Chien-Rong YU. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2022-01-20.

Semiconductor device with a bipolar transistor and method of manufacturing such a device

Номер патента: WO2007036861A3. Автор: Philippe Meunier-Beillard,Prabhat Agarwal,Godefridus A M Hurkx,Raymond J Duffy. Владелец: Raymond J Duffy. Дата публикации: 2007-09-27.

Semiconductor device with a bipolar transistor and method of manufacturing such a device

Номер патента: EP1935023A2. Автор: Philippe Meunier-Beillard,Prabhat Agarwal,Godefridus A. M. Hurkx,Raymond J. Duffy. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-06-25.

Semiconductor structure used for fabricating bipolar transistors and method of fabricating the same

Номер патента: US20030057521A1. Автор: Fumihiko Hirose. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2003-03-27.

Semiconductor Device Having an Insulated Gate Bipolar Transistor Arrangement and a Method for Forming Such a Semiconductor Device

Номер патента: US20150303190A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-10-22.

Method for producing bipolar transistor having reduced base-collector capacitance

Номер патента: US5445976A. Автор: Timothy S. Henderson,Darrell G. Hill. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1995-08-29.

Bipolar transistor having an emitter region formed of silicon carbide

Номер патента: US6049098A. Автор: Fumihiko Sato. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-04-11.

Method for manufacturing bipolar transistor

Номер патента: US7442617B2. Автор: Woong Je Sung. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-28.

Bipolar transistor having base contact layer in contact with lower surface of base layer

Номер патента: US6037616A. Автор: Yasushi Amamiya. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-03-14.

Bipolar transistor having an improved epitaxial base region

Номер патента: US5789800A. Автор: Hiroshi Kohno. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-08-04.

Method of making an insulated gate bipolar transistor with high-energy P+ im

Номер патента: US5843796A. Автор: Donald Ray Disney. Владелец: Delco Electronics LLC. Дата публикации: 1998-12-01.

Bipolar transistor with self-aligned asymmetric spacer

Номер патента: US11935928B2. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain,Jianwei PENG. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Lateral bipolar transistor

Номер патента: US20230387208A1. Автор: Pascal Chevalier,Thomas Zimmer,Sebastien Fregonese. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-11-30.

Bipolar transistor

Номер патента: US11916135B2. Автор: Viorel Ontalus,Justin C. Long,Robert K. BAIOCCO. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Annular bipolar transistors

Номер патента: US11804542B2. Автор: Judson R. Holt,Jagar Singh,Arkadiusz Malinowski,Alexander M. Derrickson,Mankyu Yang. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Bipolar Transistoren mit isoliertem Gate (insulated-gate bipolar transistors (IGBTS)) mit Graben-Gate

Номер патента: DE202018003504U1. Автор: . Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-01-25.

Base for a npn bipolar transistor

Номер патента: US20100129975A1. Автор: James D. Beasom. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2010-05-27.

Semiconductor device with bipolar transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20070166939A1. Автор: Bong-GiI Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-07-19.

Bipolar transistor with self-aligned asymmetric spacer

Номер патента: EP4235799A1. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain,Jianwei PENG. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-08-30.

Bipolar transistor with stepped emitter

Номер патента: US20240006491A1. Автор: Vibhor Jain,Qizhi Liu,Alvin J. Joseph,Rajendran Krishnasamy,Ajay RAMAN,Yves T. Ngu,Uppili S. RAGHUNATHAN. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Bipolar transistor with thermal conductor

Номер патента: US11942534B2. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain,Judson R. Holt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Insulated gate bipolar transistor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210391451A1. Автор: Chun-Sheng Chen,Yen-Cheng Fang,Zih-Han Chen. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2021-12-16.

Novel Manufacturing Approach for Collector and N Type Buried Layer Of Bipolar Transistor

Номер патента: US20110159672A1. Автор: FAN CHEN,Haifang Zhang,Wensheng QIAN,Tzuyin CHIU,YungChieh FAN,TungYuan CHU,Jiong Xu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-30.

Directed epitaxial heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US09853136B2. Автор: Yu-Chung Chin,Chao-Hsing Huang,Min-Nan Tseng. Владелец: Visual Photonics Epitaxy Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Integrated photodetector and heterojunction bipolar transistors

Номер патента: WO2004079784A2. Автор: Milton Feng,Shyh-Chiang Shen. Владелец: Xindium Technologies, Inc.. Дата публикации: 2004-09-16.

Semiconductor device having MOS transistors and bipolar transistors on a single semiconductor substrate

Номер патента: US6924534B2. Автор: Toshiyuki Ohkoda,Toshimitsu Taniguchi,Kazutomo Goshima. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-08-02.

Bipolar transistor with improved reverse breakdown characteristics

Номер патента: US6383885B1. Автор: Patrice Parris,Vasudev Venkatesan. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2002-05-07.

SiGe HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR WITH CRYSTALLINE RAISED BASE ON GERMANIUM ETCH STOP LAYER

Номер патента: US20200006537A1. Автор: Preisler Edward J.. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

LATERAL HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR WITH LOW TEMPERATURE RECESSED CONTACTS

Номер патента: US20150093872A1. Автор: Ning Tak H.,Shahrjerdi Davood,Hekmatshoartabari Bahman,Chan Kevin K.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-04-02.

Bipolar transistor, semiconductor device having bipolar transistors

Номер патента: US5847440A. Автор: Fumitoshi Yamamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-12-08.

Lateral bipolar transistor and method of making same.

Номер патента: WO2000016404A8. Автор: Armand Pruijmboom,Reinhard Brock,David M Szmyd. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2000-05-18.

Lateral bipolar transistor and method of making same.

Номер патента: EP1048078A1. Автор: Armand Pruijmboom,David M. Szmyd,Reinhard Brock. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2000-11-02.

Method for making high gain bipolar transistors in CMOS process

Номер патента: US20020084494A1. Автор: Chi-Cheong Shen,Kamel Benaissa. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2002-07-04.

Horizontal current bipolar transistors with improved breakdown voltages

Номер патента: US09842834B2. Автор: Marko Koricic,Tomislav Suligoj. Владелец: ZAGREB UNIVERSITY OF. Дата публикации: 2017-12-12.

Method of making a bipolar transistor with high-low emitter impurity concentration

Номер патента: US4178190A. Автор: Murray A. Polinsky. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1979-12-11.

Lateral insulated-gate bipolar transistor (ligbt) device in silicon-on-insulator (soi) technology

Номер патента: KR20010104342A. Автор: 레타빅데오도르,페트루젤로존,반즈볼요하네스. Владелец: 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이.. Дата публикации: 2001-11-24.

Bipolar transistor, BiCMOS device, and method for fabricating thereof

Номер патента: US20070287234A1. Автор: JIN Kang,Seung Lee,Kyoung Cho. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2007-12-13.

Npn heterojunction bipolar transistor in cmos flow

Номер патента: US20150187755A1. Автор: Manoj Mehrotra,Deborah J. Riley,Terry J. BORDELON, JR.. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-07-02.

INTEGRATING A GATE-ALL-AROUND (GAA) TRANSISTOR WITH A SILICON GERMANIUM (SiGe) HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR (HBT)

Номер патента: US20210398972A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Haining Yang,Kwanyong LIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

High-Voltage Bipolar Transistor with Trench Field Plate

Номер патента: US20120007176A1. Автор: Thorsten Meyer,Christoph Kadow,Norbert Krischke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-01-12.

High Voltage Bipolar Transistor with Trench Field Plate

Номер патента: US20130009252A1. Автор: Thorsten Meyer,Christoph Kadow,Norbert Krischke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2013-01-10.

High voltage bipolar transistor with trench field plate

Номер патента: US9112021B2. Автор: Thorsten Meyer,Christoph Kadow,Norbert Krischke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-08-18.

Method for forming an isolation structure and a bipolar transistor on a semiconductor substrate

Номер патента: US5648281A. Автор: Hamza Yilmaz,Richard K. Williams,Michael E. Cornell,Jun Wei Chen. Владелец: Siliconix Inc. Дата публикации: 1997-07-15.

Operation of double-base bipolar transistors with additional timing phases at switching transitions

Номер патента: US09787298B2. Автор: Richard A. Blanchard,William C. Alexander. Владелец: Ideal Power Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Insulated-gate bipolar transistor (igbt) device with improved thermal conductivity

Номер патента: US20230369476A1. Автор: Hung-Te Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Operation of double-base bipolar transistors with additional timing phases at switching transitions

Номер патента: EP3350914A1. Автор: Richard A. Blanchard,William C. Alexander. Владелец: Ideal Power Inc. Дата публикации: 2018-07-25.

Process for fabricating a self-aligned bipolar transistor

Номер патента: US4698127A. Автор: Hiroshi Goto,Osamu Hideshima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1987-10-06.

Operation of Double-Base Bipolar Transistors with Additional Timing Phases at Switching Transitions

Номер патента: US20180219061A1. Автор: Richard A. Blanchard,William C. Alexander. Владелец: Ideal Power Inc. Дата публикации: 2018-08-02.

HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTORS WITH INTRINSIC INTERLAYERS

Номер патента: US20150263129A1. Автор: Sadana Devendra K.,Ning Tak H.,Hekmatshoar-Tabari Bahman,Shahidi Ghavam G.,Shahrjerdi Davood. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-17.

Low collector contact resistance heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US10490639B2. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-11-26.

Epitaxially fabricated heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US20200295166A1. Автор: Paul B. Fischer,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Heterojunction bipolar transistor with field plates

Номер патента: WO2020167363A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2020-08-20.

Heterojunction bipolar transistors with field plates

Номер патента: US20200259004A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-08-13.

Method for forming lateral heterojunction bipolar devices and the resulting devices

Номер патента: US20200388696A1. Автор: Jagar Singh,Alexander Lee Martin. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2020-12-10.

Method for making integrated heterojunction bipolar/high electron mobility transistor

Номер патента: US5920773A. Автор: Julia J. Brown,Madjid Hafizi,William E. Stanchina. Владелец: Hughes Electronics Corp. Дата публикации: 1999-07-06.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20200227540A1. Автор: Kuo-Chun Huang,You-Min CHI,Kun-Mu HSIEH,Yu-Chen CHIU. Владелец: ADVANCED WIRELESS SEMICONDUCTOR Co. Дата публикации: 2020-07-16.

Process for forming a silicon-germanium base of a heterojunction bipolar transistor

Номер патента: KR20010070331A. Автор: 펭-위 후앙. Владелец: 포만 제프리 엘. Дата публикации: 2001-07-25.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20140151750A1. Автор: Renata A. Camillo-Castillo,Jeffrey B. Johnson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-06-05.

Heterojunction bipolar transistor device integration schemes on a same wafer

Номер патента: US20180145160A1. Автор: Anthony K. Stamper,Vibhor Jain,Renata A. Camillo-Castillo,Qizhi Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-24.

P-n diodes and p-n-p heterojunction bipolar transistors with diamond collectors and current tunneling layers

Номер патента: WO2020013924A1. Автор: Zhenqiang Ma. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2020-01-16.

Epitaxially fabricated heterojunction bipolar transistors

Номер патента: WO2018063319A1. Автор: Paul B. Fischer,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-04-05.

Scaling of bipolar transistors

Номер патента: WO2011008359A2. Автор: Alvin J. Joseph,James A. Slinkman,Ramana M. MALLADI. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2011-01-20.

Scaling of bipolar transistors

Номер патента: US20110278570A1. Автор: Ramana Murty Malladi,James Albert Slinkman,Alvin Jose Joseph. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-11-17.

Scaling of bipolar transistors

Номер патента: US20150024570A1. Автор: Alvin J. Joseph,James A. Slinkman,Ramana M. MALLADI. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-01-22.

Subcollector for bipolar transistors

Номер патента: WO1987002510A1. Автор: Raymond Edward Oakley. Владелец: Plessey Overseas Limited. Дата публикации: 1987-04-23.

Use of oblique implantation in forming emitter of bipolar transistor

Номер патента: WO1997024766A1. Автор: Hung-Sheng Chen,Chih Sieh Teng. Владелец: National Semiconductor Corporation. Дата публикации: 1997-07-10.

Insulated gate bipolar transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: US09881994B2. Автор: Shengrong Zhong,Dongfei Zhou,Xiaoshe Deng,Genyi Wang. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Bipolar transistor structure and a method of manufacturing a bipolar transistor structure

Номер патента: US09673294B2. Автор: Armin Tilke,Dmitri Alex Tschumakow,Claus Dahl. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-06-06.

Self-aligned process for providing an improved high performance bipolar transistor

Номер патента: US4318751A. Автор: Cheng T. Horng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1982-03-09.

Side-etching method of making bipolar transistor

Номер патента: CA1241458A. Автор: Tetsushi Sakai,Yoshiji Kobayashi. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1988-08-30.

Bipolar transistor construction method

Номер патента: GB1443836A. Автор: . Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 1976-07-28.

Method of reducing the base resistance of bipolar transistors

Номер патента: GB2419230A. Автор: Jun Fu. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2006-04-19.

Angled implant to improve high current operation of bipolar transistors

Номер патента: US20020006707A1. Автор: Michael Violette. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-17.

Bipolar transistor construction

Номер патента: US4631568A. Автор: Neal F. Gardner. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 1986-12-23.

Oblique implantation in forming base of bipolar transistor

Номер патента: US5899723A. Автор: Hung-Sheng Chen,Chih Sieh Teng. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1999-05-04.

Process for fabricating a bipolar transistor

Номер патента: US4338138A. Автор: Cheng T. Horng,Richard R. Konian,Robert O. Schwenker,Hans S. Rupprecht,Joseph R. Cavaliere. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1982-07-06.

Bipolar transistor structure and a method of manufacturing a bipolar transistor structure

Номер патента: US9312369B2. Автор: Armin Tilke,Dmitri Alex Tschumakow,Claus Dahl. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2016-04-12.

Method for fabricating a bipolar transistor having self aligned base and emitter

Номер патента: US4824794A. Автор: Motoshu Miyajima,Akira Tabata,Kazushi Kawaguchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1989-04-25.

Process for fabricating improved bipolar transistor utilizing selective etching

Номер патента: US4309812A. Автор: Cheng T. Horng,Robert O. Schwenker,Paul J. Tsang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1982-01-12.

Bipolar transistor

Номер патента: US11710776B2. Автор: Pascal Chevalier,Alexis Gauthier,Edoardo BREZZA. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-07-25.

Bipolar transistor with polysilicon stringer base contact

Номер патента: US4974046A. Автор: Madhukar B. Vora. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1990-11-27.

Process for making bipolar transistor with polysilicon stringer base contact

Номер патента: US5063168A. Автор: Madhukar B. Vora. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1991-11-05.

Insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US20230395706A1. Автор: Takuya Yamada,Daisuke Ozaki,Seiji Noguchi,Yosuke Sakurai,Ryutaro Hamasaki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Bipolar transistor

Номер патента: US20220059672A1. Автор: Pascal Chevalier,Alexis Gauthier,Edoardo BREZZA. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2022-02-24.

GaAs/GaAlAs Heterojunction bipolar integrated circuit devices

Номер патента: US4573064A. Автор: Han-Tzong Yuan,William V. McLevige,Walter M. Duncan,Friedrich H. Doerbeck. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1986-02-25.

A strain-compensated metastable compound base heterojunction bipolar transistor

Номер патента: EP1949420A2. Автор: Darwin G. Enicks,Damian A. Carver,John T. Chaffee. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2008-07-30.

Emitter contact epitaxial structure and ohmic contact formation for heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20160049493A1. Автор: Timothy S. Henderson,Sheila K. Hurtt. Владелец: Triquint Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-02-18.

A strain-compensated metastable compound base heterojunction bipolar transistor

Номер патента: TW200802851A. Автор: Darwin G Enicks,John T Chaffee,Damian A Carver. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2008-01-01.

Emitter contact epitaxial structure and ohmic contact formation for heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20150200284A1. Автор: Timothy S. Henderson,Sheila K. Hurtt. Владелец: Triquint Semiconductor Inc. Дата публикации: 2015-07-16.

Semiconductor wafer, method of producing semiconductor wafer, and heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US09761686B2. Автор: Naohiro Nishikawa,Tsuyoshi Nakano,Sadanori Yamanaka. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Emitter contact epitaxial structure and ohmic contact formation for heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US09608084B2. Автор: Timothy S. Henderson,Sheila K. Hurtt. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of preparing indium phosphide heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US6800879B2. Автор: Barbara E. Landini,Roger E. Welser,Paul M. Deluca. Владелец: Kopin Corp. Дата публикации: 2004-10-05.

Heterojunction bipolar transistor with stressed material for improved mobility

Номер патента: CN108400162B. Автор: 安东尼·K·史塔佩尔,夫厚尔·杰恩,瑞纳塔·A·卡米罗-卡斯罗. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-03-30.

Heterojunction Bipolar Transistor Fabrication Using Resist Mask Edge Effects

Номер патента: US20200006482A1. Автор: Sharma Santosh,Preisler Edward J.. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

EPITAXIALLY FABRICATED HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTORS

Номер патента: US20200295166A1. Автор: Then Han Wui,Radosavljevic Marko,FISCHER Paul B.,DASGUPTA Sansaptak. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-09-17.

Local collector implant structure for heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US7388237B2. Автор: Francois Pagette. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-06-17.

Selective subcollector heterojunction bipolar transistors

Номер патента: EP0794565A1. Автор: Aaron Kenji Oki,Dwight Christopher Streit,Michael Lammert. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 1997-09-10.

Local collector implant structure for heterojunction bipolar transistors and method of forming the same

Номер патента: CN101523579A. Автор: F·佩吉特. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-09-02.

Methods of making a heterojunction bipolar transistor having a separate collector contact

Номер патента: EP0416166A1. Автор: Peter Dr. Zwicknagl,Joachim Dipl.-Ing. Hoepfner,Lothar Dipl.-Phys. Schleicher. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1991-03-13.

Heterojunction bipolar transistor with silicon carbide

Номер патента: DE69319360D1. Автор: Shinichi Shikata. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1998-08-06.

Method of preparing indium phosphide heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US20020125498A1. Автор: Barbara Landini,Roger Welser,Paul Deluca. Владелец: Kopin Corp. Дата публикации: 2002-09-12.

Method of manufacturing heterojunction bipolar transistor

Номер патента: EP0188897B1. Автор: Kouhei C/O Patent Division Morizuka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1990-03-14.

Bipolar transistor with trenched-groove isolation regions

Номер патента: US20010013635A1. Автор: Hideki Kitahata. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-08-16.

Trench insulated gate bipolar transistor packaging structure and method for manufacturing the trench insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US11688698B2. Автор: Wei Jiang,Bo Shi,Yingjiang Ma,Saichang LIANG. Владелец: Gree Electric Appliances Inc of Zhuhai. Дата публикации: 2023-06-27.

Bipolar transistor with a sidewall-diffused subcollector

Номер патента: US5003365A. Автор: Robert H. Havemann,Robert H. Eklund. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1991-03-26.

Bipolar transistor with trenched-groove isolation regions

Номер патента: US20020048892A1. Автор: Hideki Kitahata. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-04-25.

Integrated circuit structure with active elements of bipolar transistor formed in slots

Номер патента: US4733287A. Автор: Robert W. Bower. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1988-03-22.

Trench Insulated Gate Bipolar Transistor Packaging Structure and Method for Manufacturing the Trench Insulated Gate Bipolar Transistor

Номер патента: US20210249362A1. Автор: Wei Jiang,Bo Shi,Yingjiang Ma,Saichang LIANG. Владелец: Gree Electric Appliances Inc of Zhuhai. Дата публикации: 2021-08-12.

Bipolar transistor on high-resistivity substrate

Номер патента: US09761700B2. Автор: Michael Joseph McPartlin. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Trench bipolar transistor

Номер патента: US4929996A. Автор: Louis N. Hutter. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1990-05-29.

Ion implantation to increase emitter energy gap in bipolar transistors

Номер патента: CA1224280A. Автор: Kranti Anand,Robert J. Strain. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 1987-07-14.

Method of making an oxide isolated, lateral bipolar transistor

Номер патента: US5070030A. Автор: Kyusaku Nishioka,Tatsuhiko Ikeda,Shigeru Kusunoki,Kazuyuki Sugahara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1991-12-03.

Method of reducing the current gain of an inherent bipolar transistor in an insulated-gate semiconductor device and resulting devices

Номер патента: US4620211A. Автор: Victor A. K. Temple,Bantval J. Baliga,Tat-Sing P. Chow. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1986-10-28.

Biosensor based on heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US09806151B2. Автор: Sufi Zafar,Tak Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Biosensor based on heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20180006116A1. Автор: Sufi Zafar,Tak Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Advanced wafer bonded heterojunction bipolar transistors and methods of manufacture of advanced wafer bonded heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US11335794B2. Автор: Matthew H. Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-05-17.

Fabrication method for heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20050051797A1. Автор: Cheng-Wen Fan,Hua-Chou Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2005-03-10.

Heterojunction bipolar transistor, semiconductor device, and communication module

Номер патента: US20240194770A1. Автор: Masao Kondo,Takayuki Tsutsui,Shaojun MA. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Germanium-Silicon-Tin (GeSiSn) Heterojunction Bipolar Transistor Devices

Номер патента: US20230031642A1. Автор: Matthew H. Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-02-02.

Method of Manufacture of Germanium-Silicon-Tin Heterojunction Bipolar Transistor Devices

Номер патента: US20190296131A1. Автор: Matthew H. Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-09-26.

Bipolar transistor having collector with doping spike

Номер патента: US20150255550A1. Автор: Peter J. Zampardi, JR.,Kai Hay Kwok. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2015-09-10.

Bipolar transistor having collector with doping spike

Номер патента: US9385200B2. Автор: Peter J. Zampardi, JR.,Kai Hay Kwok. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US4896203A. Автор: Yasutomo Kajikawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1990-01-23.

Bipolar transistor having collector with doping spike

Номер патента: US9722058B2. Автор: Peter J. Zampardi, JR.,Kai Hay Kwok. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Methods of forming a bipolar transistor having a collector with a doping spike

Номер патента: US20190386123A1. Автор: Peter J. Zampardi, JR.,Kai Hay Kwok. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2019-12-19.

Bipolar transistor having collector with doping spike

Номер патента: US20130285121A1. Автор: Peter J. Zampardi, JR.,Kai Hay Kwok. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2013-10-31.

Methods of forming a bipolar transistor having a collector with a doping spike

Номер патента: US20170358667A1. Автор: Peter J. Zampardi, JR.,Kai Hay Kwok. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-12-14.

Bipolar transistor having collector with doping spike

Номер патента: US20170005184A1. Автор: Peter J. Zampardi, JR.,Kai Hay Kwok. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-01-05.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20170243939A1. Автор: Shigeru Yoshida,Isao Obu. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-24.

Heterojunction bipolar transistor with field plates

Номер патента: US20200328293A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Fabrication method of self-aligned heterojunction bipolar transistor using temporary emitter electrode and polyimide sidewall film

Номер патента: KR960026917A. Автор: 박성호,최성우,박문평. Владелец: 조백제. Дата публикации: 1996-07-22.

Methods of manufacture of advanced wafer bonded heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US20220278228A1. Автор: Matthew H. Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-09-01.

Heterojunction bipolar transistor and power amplifier

Номер патента: US11990537B2. Автор: Chih-Yang Kao,Chien-Rong YU. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Method of fabricating double photoresist layer self-aligned heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US5736417A. Автор: Aaron K. Oki,Donald K. Umemoto,Liem T. Tran,Dwight C. Streit. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 1998-04-07.

Bipolar transistor, band-gap reference circuit and virtual ground reference circuit and methods of fabricating thereof

Номер патента: US09577063B2. Автор: Min-Hwa Chi,Deyuan Xiao,Lihying Ching. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device comprising a bipolar transistor

Номер патента: US09905679B2. Автор: Petrus Hubertus Cornelis Magnee,Joost Melai,Tony Vanhoucke,Viet Thanh Dinh. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2018-02-27.

Method of making a high conductivity p-plus region for self-aligned, shallow diffused, bipolar transistors

Номер патента: US5416032A. Автор: William P. Imhauser. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Inc. Дата публикации: 1995-05-16.

Method of producing hetero-junction bipolar transistor

Номер патента: US20030096470A1. Автор: Masanobu Nogome. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-22.

Semiconductor device having a plurality of bipolar transistors with different heights between their respective emitter layers and emitter electrodes

Номер патента: US10964693B2. Автор: Yasunari Umemoto,Takayuki Tsutsui,Isao Obu,Shigeki Koya. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-30.

Semiconductor device having a plurality of bipolar transistors with different heights between their respective emitter layers and emitter electrodes

Номер патента: US20210183854A1. Автор: Yasunari Umemoto,Takayuki Tsutsui,Isao Obu,Shigeki Koya. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Method for fabricating a self-aligned bipolar transistor having increased manufacturabily and related structure

Номер патента: WO2004107409B1. Автор: Amol Kalburge,Kenneth Ring,Kevin Q Yin. Владелец: Newport Fab Dba Jazz Semicond. Дата публикации: 2005-09-15.

Method for fabricating a self-aligned bipolar transistor having increased manufacturabily and related structure

Номер патента: WO2004107409A3. Автор: Amol Kalburge,Kenneth Ring,Kevin Q Yin. Владелец: Newport Fab Dba Jazz Semicond. Дата публикации: 2005-07-14.

Method for fabricating a self-aligned bipolar transistor and related structure

Номер патента: EP1535322A1. Автор: Marco Racanelli,Amol Kalburge. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2005-06-01.

Method for fabricating a self-aligned bipolar transistor and related structure

Номер патента: EP1535322A4. Автор: Marco Racanelli,Amol Kalburge. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2008-07-23.

Fabrication of bipolar transistors using selective doping to improve performance characteristics

Номер патента: US5698459A. Автор: Constantin Bulucea,Michael J. Grubisich. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1997-12-16.

Polysilicon bipolar transistor and method of manufacturing it

Номер патента: US20050106829A1. Автор: Uwe Rudolph,Armin Tilke,Martin Seck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-05-19.

Method of manufacturing a hetero-junction bipolar transistor with epitaxially grown multi-layer films and annealing at or below 600° C.

Номер патента: US6818521B2. Автор: Kenji Hiratsuka. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2004-11-16.

Semiconductor device having an inverse-T bipolar transistor

Номер патента: US5194926A. Автор: James D. Hayden. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1993-03-16.

Self-aligned raised extrinsic base bipolar transistor structure and method

Номер патента: US6869852B1. Автор: Qizhi Liu,BethAnn Rainey,Alvin J. Joseph,Kathryn T. Schonenberg. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-03-22.

Power device including lateral insulated gate bipolar transistor (LIGBT) and manufacturing method thereof

Номер патента: US11876093B2. Автор: Chih-Feng Huang,Lung-Sheng LIN. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2024-01-16.

Power device having lateral insulated gate bipolar transistor (LIGBT) and manufacturing method thereof

Номер патента: US11646364B2. Автор: Chih-Feng Huang,Lung-Sheng LIN. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2023-05-09.

Method for manufacturing self-alignment type bipolar transistor having epitaxial base layer

Номер патента: US6080631A. Автор: Hideki Kitahata. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-06-27.

Method for improving low temperature current gain of bipolar transistors

Номер патента: US5185276A. Автор: Tze-Chiang Chen,John D. Cressler. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1993-02-09.

Fabrication methods of insulated gate bipolar transistors

Номер патента: US20200083348A1. Автор: Lei Bing YUAN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Method of manufacturing a bipolar transistor having a decreased collector-base capacitance

Номер патента: US5376564A. Автор: Hiroshi Hirabayashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-12-27.

Insulated gate bipolar transistors and fabrication methods thereof

Номер патента: US20180233576A1. Автор: Lei Bing YUAN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-08-16.

Insulated gate bipolar transistors and fabrication methods thereof

Номер патента: US10505012B2. Автор: Lei Bing YUAN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-12-10.

Method of manufacturing hetero-junction bipolar transistor

Номер патента: US20010026971A1. Автор: Naoki Takahashi,Koichiro Fujita. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2001-10-04.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20190115457A1. Автор: Yasunari Umemoto,Isao Obu,Shigeki Koya. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-18.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20200373417A1. Автор: Yasunari Umemoto,Isao Obu,Shigeki Koya. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-26.

Method of manufacturing field effect transistors and lateral bipolar transistors on the same substrate

Номер патента: US4891328A. Автор: Yvon Gris. Владелец: Etude et la Fabrication de Circuits Integres Speciaux. Дата публикации: 1990-01-02.

Bipolar transistor having a collector well with a particular concentration

Номер патента: US5528066A. Автор: Peter C. Hunt. Владелец: Phoenix VLSI Consultants Ltd. Дата публикации: 1996-06-18.

Method of making high voltage PNP bipolar transistor in CMOS

Номер патента: US5328859A. Автор: Mohamad M. Mojaradi,Tuan A. Vo. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 1994-07-12.

Insulated gate bipolar transistor having high breakdown voltage

Номер патента: US5331184A. Автор: Masashi Kuwahara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-07-19.

Method of fabricating hetero-junction bipolar transistor (hbt) and structure thereof

Номер патента: US20090173970A1. Автор: Thomas N. Adam,Rajendran Krishnasamy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-07-09.

Method of removing native oxide layer on doped region and fabrication of heterojunction bipolar transistor (HBT) and bipolar complementary metal-oxide-semiconductor transistor (BICMOS) using the method

Номер патента: TWI232504B. Автор: Mong-Song Liang,Chi-Chun Chen,Shih-Chang Chen,Liang-Gi Yao,Kuen-Chyr Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2005-05-11.

Silicon carbide: germanium (sic:ge) heterojunction bipolar transistor; a new semiconductor transistor for high-speed, high-power applications

Номер патента: US20020076890A1. Автор: Michael Mazzola,Jeffrey Casady,Stephen Saddow. Владелец: Mississippi State University. Дата публикации: 2002-06-20.

Inp heterojunction bipolar transistor with intentionally compressivley missmatched base layer

Номер патента: WO2002103803A1. Автор: Quesnell Hartmann. Владелец: Epiworks, Inc.. Дата публикации: 2002-12-27.

Integrated semiconductor structure including a heterojunction bipolar transistor and a schottky diode

Номер патента: US20080157122A1. Автор: Berinder P.S. BRAR. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2008-07-03.

Integrated semiconductor structure including a heterojunction bipolar transistor and a schottky diode

Номер патента: US20100240187A1. Автор: Berinder P.S. BRAR. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2010-09-23.

Integrated semiconductor structure including a heterojunction bipolar transistor and a Schottky diode

Номер патента: US8043910B2. Автор: Berinder P. S. Brar. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2011-10-25.

Integrated semiconductor structure including a heterojunction bipolar transistor and a schottky diode

Номер патента: US20070051981A1. Автор: Berinder Brar. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2007-03-08.

Discontinuity prevention method for SiGe layer on oxide region surface and fabrication of heterojunction bipolar transistor (HBT) and bipolar complementary metal-oxide-semiconductor transistor (BiCMOS) using the method

Номер патента: TWI251878B. Автор: Mong-Song Liang,Shih-Chang Chen,Liang-Gi Yao,Kuen-Chyr Lee,Fu-chin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2006-03-21.

Bipolar transistor having collector with grading

Номер патента: US09768282B2. Автор: Peter J. Zampardi, JR.. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Heterojunction bipolar transistor having non-uniformly doped collector for improved safe-operating area

Номер патента: US20040065897A1. Автор: Yan Chen,Chien Lee,Nanlei Wang,Barry Lin,Hin Chau,Clarence Dunnrowicz. Владелец: Eic Corp. Дата публикации: 2004-04-08.

Heterojunction bipolar transistor having wide bandgap material in collector

Номер патента: US20040065898A1. Автор: Yan Chen,Chien Lee,Hin Chau,Clarence Dunnrowicz. Владелец: Eic Corp. Дата публикации: 2004-04-08.

Bipolar transistor having collector with doping concentration discontinuity

Номер патента: US20230006055A1. Автор: Andre G. Metzger,Cristian Cismaru,Guoliang Zhou,Kai Hay Kwok. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Bipolar transistor having collector with doping concentration discontinuity

Номер патента: US12113125B2. Автор: Andre G. Metzger,Cristian Cismaru,Guoliang Zhou,Kai Hay Kwok. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Current-confined heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US8735256B1. Автор: Alan Sugg. Владелец: VEGA WAVE SYSTEMS Inc. Дата публикации: 2014-05-27.

High on-state breakdown heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20110147799A1. Автор: Noren Pan,Andree Wibowo. Владелец: Microlink Devices Inc. Дата публикации: 2011-06-23.

Rugged heterojunction bipolar transistor power device and the method thereof

Номер патента: US20050149885A1. Автор: Yu-Chi Wang,Tsung-Chi Tsai,Min-Chang Tu,Jen-Hao Huang. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2005-07-07.

Modulation doped base heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US5099299A. Автор: Frank F. Fang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1992-03-24.

High ruggedness heterojunction bipolar transistor (hbt)

Номер патента: US20240222477A1. Автор: Yu-Chung Chin,Chao-Hsing Huang,kai-yu Chen. Владелец: Visual Photonics Epitaxy Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Npn-heterojunction bipolar transistor including an antimonide base formed on semi-insulating indium phosphide substrate

Номер патента: EP1209750A3. Автор: William E. Stanchina,Thomas Hasenberg. Владелец: Hughes Electronics Corp. Дата публикации: 2002-08-07.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US09911837B2. Автор: Shu-Hsiao TSAI,Cheng-Kuo Lin,Jui-Pin Chiu,Rong-Hao SYU. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US5332912A. Автор: Junko Akagi,Norio Iizuka,Masao Obara,Tetsuro Nozu,Torakiti Kobayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-07-26.

High on-state breakdown heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20100237388A1. Автор: Noren Pan,Andree Wibowo. Владелец: Microlink Devices Inc. Дата публикации: 2010-09-23.

Heterojunction bipolar transistor structure with a bandgap graded hole barrier layer

Номер патента: US20200194573A1. Автор: Yu-Chung Chin,Chao-Hsing Huang,kai-yu Chen,Min-Nan Tseng. Владелец: Visual Photonics Epitaxy Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-18.

Heterojunction bipolar transistor and the manufacturing method thereof

Номер патента: US5140399A. Автор: Hiroji Kawai. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1992-08-18.

Heterojunction bipolar transistor including collector/base heterojunction achieving high operation efficiency

Номер патента: US6399969B1. Автор: John Kevin Twynam. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2002-06-04.

InP heterojunction bipolar transistor with intentionally compressively mismatched base layer

Номер патента: US20020190271A1. Автор: Quesnell Hartmann. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-19.

Ballistic heterojunction bipolar transistors

Номер патента: CA1213378A. Автор: David G. Ankri,Lester F. Eastman,Walter H. Ku. Владелец: CNET. Дата публикации: 1986-10-28.

Bipolar transistor having collector with grading

Номер патента: US20150236141A1. Автор: Peter J. Zampardi, JR.. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2015-08-20.

Process for manufacturing a semiconductor integrated circuit including a heterojunction bipolar transistor and/or buried resistors

Номер патента: EP0420322A1. Автор: Claudine Société Civile S.P.I.D. Villalon. Владелец: Laboratoires dElectronique Philips SAS. Дата публикации: 1991-04-03.

Process for forming a germanium layer and heterojunction bipolar transistor made by this layer.

Номер патента: DE69022832D1. Автор: Kenneth E Bean,Douglas P Verret. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1995-11-09.

Method of fabricating a heterojunction bipolar transistor

Номер патента: EP0424100A2. Автор: Jenn-Hwa Huang,Luke Mang. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1991-04-24.

Heterojuction bipolar transistor

Номер патента: US20220130960A1. Автор: Walter Tony WOHLMUTH. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-04-28.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: EP1187218A3. Автор: Takeshi Takagi,Kenji Toyoda,Minoru Kubo,Koichiro Yuki,Teruhito Ohnishi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-02-12.

Bipolar transistor having collector with doping concentration grading

Номер патента: US20230006056A1. Автор: Andre G. Metzger,Cristian Cismaru,Guoliang Zhou,Kai Hay Kwok. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US4794440A. Автор: Federico Capasso,Pierre M. Petroff,Roger J. Malik,Arthur C. Gossard,John R. Hayes. Владелец: AMERICAN TELEPHONE AND TELEGRAPH COMPANY AT&T BELL LABORATORIES. Дата публикации: 1988-12-27.

Cadmium sulfide layers for indium phosphide-based heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US6049099A. Автор: Andrew Davis,Kenneth Vaccaro,Joseph P. Lorenzo,Helen M. Dauplaise. Владелец: US Air Force. Дата публикации: 2000-04-11.

Heterojunction bipolar transistor (HBT) having an improved emitter-base junction

Номер патента: EP1235278A3. Автор: Yu-Min Houng,Nicolas J. Moll. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2003-01-02.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20230307527A1. Автор: Yu-Chung Chin,Chao-Hsing Huang,kai-yu Chen,Min-Nan Tseng. Владелец: Visual Photonics Epitaxy Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Heterojunction bipolar transistor with emitter base junction oxide interface

Номер патента: US20210104621A1. Автор: Anthony K. Stamper,John J. Pekarik,Vibhor Jain,Steven M. Shank. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-04-08.

Heterojunction bipolar transistor (HBT) having an improved emitter-base junction

Номер патента: US20020117657A1. Автор: Yu-Min Houng,Nicolas Moll. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-29.

Heterojunction bipolar transistor with collector buffer layer

Номер патента: CA1299771C. Автор: Tadao Ishibashi,Yoshiki Yamauchi. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1992-04-28.

Heterojunction bipolar transistor with emitter base junction oxide interface

Номер патента: US20200335612A1. Автор: Anthony K. Stamper,John J. Pekarik,Vibhor Jain,Steven M. Shank. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2020-10-22.

Heterojunction bipolar transistor geometry for improved power amplifier performance

Номер патента: US20150102389A1. Автор: Jing Zhang,Brian G. Moser,Robert Saxer. Владелец: RF Micro Devices Inc. Дата публикации: 2015-04-16.

Heterojunction bipolar transistor with emitter base junction oxide interface

Номер патента: US11848192B2. Автор: Anthony K. Stamper,John J. Pekarik,Vibhor Jain,Steven M. Shank. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Heterojunction bipolar transistor and method for manufacturing the same, and power amplifier using the same

Номер патента: US20070164316A1. Автор: Atsushi Kurokawa,Yasunari Umemoto,Chushiro Kusano,Isao Ohbu. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-07-19.

High ruggedness heterojunction bipolar transistor (HBT)

Номер патента: US11929427B2. Автор: Yu-Chung Chin,Chao-Hsing Huang,kai-yu Chen. Владелец: Visual Photonics Epitaxy Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Heterojunction bipolar transistor structure having current clamping layer

Номер патента: US20240079450A1. Автор: Zong-Lin LI,Yu-Chung Chin,Chao-Hsing Huang. Владелец: Visual Photonics Epitaxy Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Heterojunction bipolar transistor capable of restraining the conductivity modulation of the ballast layer

Номер патента: US20020088993A1. Автор: John Twynam,Yoshiteru Ishimaru. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-11.

III-V heterojunction bipolar transistor having a GaAs emitter ballast

Номер патента: US6043520A. Автор: Yoshitsugu Yamamoto,Ryo Hattori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-03-28.

Heterostructure bipolar transistor

Номер патента: CA1318418C. Автор: Young-Kai Chen,Morton Panish,Richard Norman Nottenburg,Anthony Frederic John Levi. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1993-05-25.

Heterojunction bipolar transistor having low electron and hole concentrations in the emitter-base junction region

Номер патента: US5508536A. Автор: Katsuhiko Kishimoto,Toshiaki Kinosada,John K. Twynam. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1996-04-16.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US5986324A. Автор: Michael G. Adlerstein,Mark P. Zaitlin,Kamal Tabatabaie-Alavi. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 1999-11-16.

Depleted extrinsic emitter of collector-up heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US5485025A. Автор: Hin F. Chau,Hua Q. Tserng. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1996-01-16.

Bipolar transistor

Номер патента: US20040075108A1. Автор: Kazuhiro Arai,Yasuyuki Toyoda,Yorito Ota,Shinichi Sonetaka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-22.

Bipolar transistor with superjunction structure

Номер патента: US20170117394A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Franz-Josef Niedernostheide,Stephan Voss,Frank Dieter Pfirsch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-27.

Insulated gate bipolar transistor amplifier circuit

Номер патента: US09608097B2. Автор: Klas-Håkan Eklund. Владелец: K EKLUND INNOVATION. Дата публикации: 2017-03-28.

Bipolar transistor with superjunction structure

Номер патента: US09917181B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Franz-Josef Niedernostheide,Stephan Voss,Frank Dieter Pfirsch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device that includes main element having insulated gate bipolar transistor and sense element having resistor and insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US8735989B2. Автор: Kenichi Matsushita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-05-27.

Bipolar transistor

Номер патента: US20160240634A1. Автор: Satoshi Ikeda,Takashi Okawa,Hiroomi Eguchi,Hiromichi Kinpara. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-08-18.

An insulated-gate bipolar transistor device as well as a data transmission system implementing such insulated-gate bipolar transistor device

Номер патента: EP4407683A1. Автор: Steffen Holland. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-07-31.

Insulated-gate bipolar transistor device as well as a data transmission system implementing such insulated-gate bipolar transistor device

Номер патента: US20240258300A1. Автор: Steffen Holland. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-08-01.

An insulated-gate bipolar transistor device as well as a data transmission system implementing such insulated-gate bipolar transistor device

Номер патента: EP4407681A1. Автор: Steffen Holland. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-07-31.

Insulated-gate bipolar transistor device as well as a data transmission system implementing such insulated-gate bipolar transistor device

Номер патента: US20240258299A1. Автор: Steffen Holland. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-08-01.

Insulated gate bipolar transistor, power module, and household electric appliance

Номер патента: EP4024473A1. Автор: Yuxiang Feng,Lishu LIU. Владелец: Guangdong Midea White Goods Technology Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-06.

Bipolar transistor

Номер патента: US7397108B2. Автор: Torkel Arnborg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-07-08.

Latch-up free power mos-bipolar transistor

Номер патента: CA2286699C. Автор: Ranbir Singh,John W. Palmour. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2006-04-04.

Vertical bipolar transistor

Номер патента: US20030155631A1. Автор: Matthias Stecher,Peter Nelle. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-08-21.

Bipolar transistor

Номер патента: US20050205967A1. Автор: Torkel Arnborg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-09-22.

Dc/dc converter using bipolar transistor, method of manufacturing the same and dc power supply module using the same

Номер патента: EP1559187A1. Автор: Koji Mitsubishi Heavy Ind. Ltd. Nakano,Osamu c/o Mitsubishi Heavy Ind. Ltd. Kawabata,Jun Mitsubishi Heavy Ind. Ltd. Utsumi. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2005-08-03.

Bipolar transistor with superjunction structure

Номер патента: US20180158937A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Franz-Josef Niedernostheide,Stephan Voss,Frank Dieter Pfirsch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-06-07.

Bipolar transistor and method of manufacturing same

Номер патента: EP1417715A1. Автор: Johan H. Klootwijk,Joost Melai,Jan W. Slotboom,Hendrik G. A. Huizing,Freerk Van Rijs,Igor Lyuboshenko. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-05-12.

Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor And Method Of Eliminating The Transistor Tail Current

Номер патента: US20180308962A1. Автор: Junhong Li. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2018-10-25.

Gain recovery in a bipolar transistor

Номер патента: WO2011064202A1. Автор: Ping-Chuan Wang,Kai Di Feng,Zhijian Yang. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2011-06-03.

Integrated circuit structure with diode over lateral bipolar transistor

Номер патента: US20240063212A1. Автор: Souvick Mitra,Alain F. Loiseau,Anindya Nath,Rajendran Krishnasamy. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Electrically programmable fuse over lateral bipolar transistor

Номер патента: US20240074167A1. Автор: Ephrem G. Gebreselasie,Alain F. Loiseau,Anindya Nath,Rajendran Krishnasamy. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Insulated gate bipolar transistor and method for manufacturing same

Номер патента: US20070290237A1. Автор: Akio Nakagawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-12-20.

Reverse conducting lateral insulated-gate bipolar transistor

Номер патента: US20240222478A1. Автор: Yan Gu,Sen Zhang,Siyu Chen. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Bipolar transistor having sinker diffusion under a trench

Номер патента: EP3017477A1. Автор: Henry Litzmann Edwards,Akram A. Salman. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-05-11.

Umgekehrt leitender bipolarer Transistor mit isoliertem Gate

Номер патента: DE102015121514B4. Автор: Hiroshi Hosokawa,Masaru Senoo,Yusuke Yamashita,Akitaka SOENO,Satoru Machida,Yasuhiro Hirabayashi,Yoshifumi Yasuda. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2019-07-18.

Insulated Gate Bipolar Transistor, Power Module, and Living Appliance

Номер патента: US20220238705A1. Автор: Yuxiang Feng,Lishu LIU. Владелец: Guangdong Midea White Goods Technology Innovation Center Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

Insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US12119395B2. Автор: Yan Gu,Jing Zhu,Long Zhang,Sen Zhang,Jie Ma,Longxing Shi,Weifeng Sun,Jinli GONG. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Insulated gate bipolar transistor

Номер патента: EP3075011A1. Автор: Chiara Corvasce. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2016-10-05.

Lateral insulated-gate bipolar transistor

Номер патента: US09905680B2. Автор: Shukun QI. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Bipolar transistor with base charge controlled by back gate bias

Номер патента: US5448104A. Автор: Kevin J. Yallup. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 1995-09-05.

Method of manufacturing a bipolar transistor

Номер патента: US5399509A. Автор: Ali A. Iranmanesh. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1995-03-21.

Conductivity-enhanced combined lateral mos/bipolar transistor

Номер патента: CA1230429A. Автор: Barry M. Singer,Rajsekhar Jayaraman. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1987-12-15.

Collector of a bipolar transistor compatible with MOS technology

Номер патента: US5298779A. Автор: Alain Nouailhat,Daniel Bois. Владелец: Centre National dEtudes des Telecommunications CNET. Дата публикации: 1994-03-29.

Insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US4985743A. Автор: Hiroyasu Ito,Norihito Tokura,Naoto Okabe. Владелец: NipponDenso Co Ltd. Дата публикации: 1991-01-15.

Lateral trench-gate bipolar transistors

Номер патента: US5227653A. Автор: Johnny K. O. Sin. Владелец: North American Philips Corp. Дата публикации: 1993-07-13.

Trench bipolar transistor

Номер патента: EP1417716A1. Автор: Petrus H. C. Magnee,Raymond J. E. Hueting,Jan W. Slotboom. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-05-12.

Field-effect bipolar transistor

Номер патента: WO2020037241A1. Автор: Xiaoguang Liu,Mohamadali Malakoutian,Omeed Momeni,Mohammad-Hadi SOHRABI. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2020-02-20.

Bipolar transistor and semiconductor device

Номер патента: US20230317836A1. Автор: Kazuhiro Tsumura. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Bipolar transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050189565A1. Автор: Hidetoshi Fujimoto,Akira Yoshioka,Tetsuro Nozu,Yoshitomo Sagae. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-09-01.

Insulated gate bipolar transistor

Номер патента: EP3881360A1. Автор: Chiara Corvasce,Munaf Rahimo,Luca DE-MICHIELIS,Florin Udrea,Umamaheswara VEMULAPATI,Marina Antoniou,Neophytos LOPHITIS,Uwe BADSTUEBNER. Владелец: ABB Power Grids Switzerland AG. Дата публикации: 2021-09-22.

Bipolar transistor and method of making such a transistor

Номер патента: EP1831931A1. Автор: John Nigel Ellis. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2007-09-12.

Bipolar transistor

Номер патента: US20030116824A1. Автор: Tae Lee. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-26.

Bipolar transistor

Номер патента: US20160233323A1. Автор: Satoshi Ikeda,Takashi Okawa,Hiroomi Eguchi,Hiromichi Kinpara. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-08-11.

Bipolarer Transistor

Номер патента: DE112014004821T5. Автор: Satoshi Ikeda,Takashi Okawa,Hiroomi Eguchi,Hiromichi Kinpara. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-07-14.

Bipolar transistor

Номер патента: US9985120B2. Автор: Satoshi Ikeda,Takashi Okawa,Hiroomi Eguchi,Hiromichi Kinpara. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Bipolar transistor and method of making such a transistor

Номер патента: WO2006064290A1. Автор: John Nigel Ellis. Владелец: X-Fab Semiconductor Foundries AG. Дата публикации: 2006-06-22.

Bipolar transistor

Номер патента: US9978856B2. Автор: Satoshi Ikeda,Takashi Okawa,Hiroomi Eguchi,Hiromichi Kinpara. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Trench gate super junction IGBT (insulated Gate Bipolar transistor) with high-resistance p-top region

Номер патента: CN112951900B. Автор: 马瑶,黄铭敏,李芸. Владелец: Sichuan University. Дата публикации: 2022-04-12.

Bipolar transistors

Номер патента: GB2129214A. Автор: Leslie William Kennedy. Владелец: General Electric Co PLC. Дата публикации: 1984-05-10.

Insulated gate bipolar transistor for zero-voltage switching

Номер патента: WO2000035022A1. Автор: Michael Joseph Schutten,Ahmed Elasser. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2000-06-15.

Insulated gate bipolar transistor

Номер патента: WO2020230456A1. Автор: Masanori Miyata,Masaru Senoo,Shuji Yoneda,Yuki YAKUSHIGAWA. Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2020-11-19.

Reverse conducting insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US9536961B2. Автор: Hiroshi Hosokawa,Masaru Senoo,Yusuke Yamashita,Akitaka SOENO,Satoru Machida,Yasuhiro Hirabayashi,Yoshifumi Yasuda. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Method of manufacturing an electronic device including a PNP bipolar transistor

Номер патента: US7888225B2. Автор: Alfred Haeusler. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2011-02-15.

Method of manufacturing an electronic device including a pnp bipolar transistor

Номер патента: US20090212393A1. Автор: Alfred Haeusler. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2009-08-27.

Semiconductor system functioning as thyristor in on-state, and as bipolar transistor in transient state or with overcurrent

Номер патента: US20060006459A1. Автор: Koh Yoshikawa. Владелец: Fuji Electric Holdings Ltd. Дата публикации: 2006-01-12.

Reverse conducting insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US9520487B2. Автор: Hiroshi Hosokawa,Masaru Senoo,Yusuke Yamashita,Akitaka SOENO,Satoru Machida,Yasuhiro Hirabayashi,Yoshifumi Yasuda. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Reverse conducting insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US20160172453A1. Автор: Hiroshi Hosokawa,Masaru Senoo,Yusuke Yamashita,Akitaka SOENO,Satoru Machida,Yasuhiro Hirabayashi,Yoshifumi Yasuda. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-06-16.

Collector layer structure for a double hetero-junction bipolar transistor for power amplification applications

Номер патента: US20070001195A1. Автор: Milton Feng,Shyh-Chiang Shen,David Caruth. Владелец: Xindium Tech Inc. Дата публикации: 2007-01-04.

Bipolar transistor

Номер патента: US20200168705A1. Автор: Chuan-Chen CHAO,Po-Hsiang Yang. Владелец: Richwave Technology Corp. Дата публикации: 2020-05-28.

Bipolarer Transistor

Номер патента: DE112014004821B4. Автор: Satoshi Ikeda,Takashi Okawa,Hiroomi Eguchi,Hiromichi Kinpara. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2020-02-13.

Gate modulated bipolar transistor

Номер патента: US3979769A. Автор: Bantval Jayant Baliga,Douglas E. Houston,Surinder Krishna. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1976-09-07.

Lateral bipolar transistor

Номер патента: CA1053380A. Автор: Heiner H. Herbst. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1979-04-24.

Lateral bipolar transistor

Номер патента: CA1237538A. Автор: Yoji Kato,Kou Togashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1988-05-31.

Insulated gate bipolar transistor with reverse conducting current

Номер патента: US5519245A. Автор: Norihito Tokura,Naoto Okabe,Naohito Kato. Владелец: NipponDenso Co Ltd. Дата публикации: 1996-05-21.

Bipolar transistor and process of fabrication thereof

Номер патента: US4823174A. Автор: Yasuhiro Hosono,Tadatsugu Itoh,Hideaki Kohzu. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1989-04-18.

Shorted anode lateral insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US5773852A. Автор: Byeong-Hoon Lee,Min-Koo Han,Moo-Sup Lim,Yearn-Ik Choi,Jung-Eon Park,Won-Oh Lee. Владелец: Korea Electronics Co Ltd. Дата публикации: 1998-06-30.

Insulated gate bipolar transistor

Номер патента: EP2342753A1. Автор: Vladimir Tsukanov,Kyoung-Wook Seok. Владелец: IXYS LLC. Дата публикации: 2011-07-13.

Lateral isolated gate bipolar transistor device

Номер патента: EP1442482A1. Автор: Rene P. Zingg,Johannes Van Zwol,Arnoldus J. M. Emmerik. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-08-04.

Lateral islolated gate bipolar transistor device

Номер патента: US20040251498A1. Автор: Rene Zingg,Johannes Van Zwol,Arnoldus Johannes Emmerik. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-12-16.

Insulated gate bipolar transistor fault protection system

Номер патента: US7817392B2. Автор: Bum-Seok Suh,Dae-woong Chung,Jun-bae Lee. Владелец: Fairchild Korea Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-10-19.

Semiconductor device and insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US20150263144A1. Автор: Tsuneo Ogura,Shinichiro Misu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Vertical high-blocking iii-v bipolar transistor

Номер патента: US20220005942A1. Автор: Daniel Fuhrmann,Gregor Keller,Clemens WAECHTER. Владелец: AZUR SPACE SOLAR POWER GMBH. Дата публикации: 2022-01-06.

Lateral insulated-gate bipolar transistor

Номер патента: US20120061726A1. Автор: Shigeki Takahashi,Akio Nakagawa,Norihito Tokura,Youichi Ashida. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2012-03-15.

Segmented npn vertical bipolar transistor

Номер патента: EP3120386A1. Автор: Henry Litzmann Edwards,Akram A. Salman,Md. Iqbal MAHMUD. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-01-25.

Epitaxial wafer for heterojunction bipolar transistor and heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20170200816A1. Автор: Takeshi Meguro,Shinjiro FUJIO. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-13.

HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR, POWER AMPLIFIER INCLUDING THE SAME, AND METHOD FOR FABRICATING HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR

Номер патента: US20140167115A1. Автор: KUROKAWA Atsushi,UMEMOTO Yasunari,OBU Isao. Владелец: MURATA MANUFACTURING CO., LTD.. Дата публикации: 2014-06-19.

EPITAXIAL WAFER FOR HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR AND HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR

Номер патента: US20170207329A1. Автор: FUJIO Shinjiro. Владелец: Sumitomo Chemical Company, Limited. Дата публикации: 2017-07-20.

Method for Forming a Heterojunction Bipolar Transistor and a Heterojunction Bipolar Transistor Device

Номер патента: US20200203509A1. Автор: DESHPANDE Veeresh Vidyadhar,Parvais Bertrand. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-25.

Method for manufacturing an emitter for high-speed heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US9947760B2. Автор: Dmitri Alex Tschumakow,Claus Dahl. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-04-17.

Method for manufacturing an emitter for high-speed heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US20170365687A1. Автор: Dmitri Alex Tschumakow,Claus Dahl. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2017-12-21.

Process for producing heterojunction bipolar transistor and transistor obtained

Номер патента: FR2692721A1. Автор: Alexandre François,Dubon-Chevallier Chantal,Dangla Jeanbenchimo Jean-Louis. Владелец: DUBON CHEVALLIER CHANTAL. Дата публикации: 1993-12-24.

Method and apparatus for a heterojunction bipolar transistor using self-aligned epitaxy

Номер патента: SG112041A1. Автор: Chu Shao-Fu Sanford,Lap Chan,Jia Zhen Zheng,Jian Xun Li,Raj Verma Purakh. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2005-06-29.

Heterojunction bipolar transistor and fabrication method of the same

Номер патента: US20070215979A1. Автор: Shigetaka Aoki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-20.

Boron, bismuth co-doping of gallium arsenide and other compounds for photonic and heterojunction bipolar transistor devices

Номер патента: US09722122B2. Автор: Angelo Mascarenhas. Владелец: Alliance for Sustainable Energy LLC. Дата публикации: 2017-08-01.

Emitter-base mesh structure in heterojunction bipolar transistors for rf applications

Номер патента: SG11202003686WA. Автор: Ranadeep Dutta. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-06-29.

Heterojunction bipolar transistor and method for production thereof

Номер патента: TW200303089A. Автор: Katsuya Oda,Katsuyoshi Washio,Isao Suzumura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-08-16.

Heterojunction bipolar transistor and fabrication method of the same

Номер патента: US7859030B2. Автор: Shigetaka Aoki. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-12-28.

Silicon controlled rectifiers integrated into a heterojunction bipolar transistor process

Номер патента: US20190237568A1. Автор: Rahul Mishra,Vibhor Jain,Robert J. Gauthier,Ajay RAMAN. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Heterojunction bipolar transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20060030113A1. Автор: Akiyoshi Tamura,Keiichi Murayama,Kenichi Miyajima. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-02-09.

Heterojunction bipolar transistor and method of forming the same

Номер патента: TW508831B. Автор: Augusto L Gutierrez-Aitken,Eric N Kaneshiro,Patrick T Chin. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 2002-11-01.

Lateral heterojunction bipolar transistor and method of manufacture using selective epitaxial growth

Номер патента: SG112013A1. Автор: Chu Shao-Fu Sanford,Lap Chan,Jia Zhen Zheng,Jian Xun Li,Raj Verma Purakh. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2005-06-29.

Low Parasitic Ccb Heterojunction Bipolar Transistor

Номер патента: US20220157939A1. Автор: Abhitosh Vais. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2022-05-19.

Fabrication method of the metal bridge of heterojunction bipolar transistor and the structure thereof

Номер патента: TW459311B. Автор: Shi-Ming Chen,Wen-Liang Li,Hung-Ren Chen,Ju-Yu Su. Владелец: Epitech Technology Corp. Дата публикации: 2001-10-11.

Heterojunction bipolar transistor and method for production thereof

Номер патента: TWI279913B. Автор: Katsuya Oda,Katsuyoshi Washio,Isao Suzumura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2007-04-21.

Method of fabricating a heterojunction bipolar transistor

Номер патента: TW200705570A. Автор: Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Joost Melai,Philippe Meunier-Beillard,Erwin Hijzen. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2007-02-01.

Semiconductor-on-insulator lateral heterojunction bipolar transistor having epitaxially grown intrinsic base and deposited extrinsic base

Номер патента: US09887278B2. Автор: Tak H. Ning,Jin Cai,Kevin K. Chan,Christopher P. D'Emic,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTORS

Номер патента: US20210091195A1. Автор: Liu Qizhi,PEKARIK JOHN J.,Holt Judson R.,LUCE Cameron E.,Jain Vibhor,Dongmo Pernell,Hazbun Ramsey. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-25.

HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR

Номер патента: US20180097092A1. Автор: Shibata Masahiro,Yoshida Shigeru,UMEMOTO Yasunari,OBU Isao. Владелец: MURATA MANUFACTURING CO., LTD.. Дата публикации: 2018-04-05.

SEMICONDUCTOR-ON-INSULATOR LATERAL HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR HAVING EPITAXIALLY GROWN INTRINSIC BASE AND DEPOSITED EXTRINSIC BASE

Номер патента: US20180108763A1. Автор: Ning Tak H.,Cai Jin,Yau Jeng-Bang,Chan Kevin K.,"DEmic Christopher P.". Владелец: . Дата публикации: 2018-04-19.

HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTORS FOR IMPROVED RADIO FREQUENCY (RF) PERFORMANCE

Номер патента: US20150372098A1. Автор: Zhang Jing,Moser Brian G.,Zampardi Peter J.,Rogers Thomas James,Mohata Dheeraj. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-24.

Boron, bismuth co-doping of gallium arsenide and other compounds for photonic and heterojunction bipolar transistor devices

Номер патента: CA2931227C. Автор: Angelo Mascarenhas. Владелец: Alliance for Sustainable Energy LLC. Дата публикации: 2019-05-14.

Heterojunction bipolar transistor with self-aligned emitter and sidewall base contact

Номер патента: SG111189A1. Автор: PURAKH Raj Verma,Lap Chan,Jia Zhen Zheng,Jian Xun Li,Shao-Fu Sanford Chu. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2005-05-30.

Method for forming heterojunction bipolar transistor and related structure

Номер патента: CN100533759C. Автор: 乔尔·P.·德索扎,托马斯·A.·沃尔纳,托马斯·N.·亚当,斯蒂芬·W.·贝戴尔,凯斯莱恩·T.·舍恩伯格. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-08-26.

Microwave heterojunction bipolar transistors suitable for low-power, low-noise and high-power applications and method for fabricating same

Номер патента: EP0525762A2. Автор: Burhan Bayraktaroglu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1993-02-03.

Group iii-v compound semiconductor based heterojunction bipolar transistors with various collector profiles on a common wafer

Номер патента: US20100047986A1. Автор: Marko Sokolich,Mary Chen. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2010-02-25.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20180331208A1. Автор: Yasunari Umemoto,Isao Obu,Shigeki Koya. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-15.

Semiconductor-on-insulator lateral heterojunction bipolar transistor having epitaxially grown intrinsic base and deposited extrinsic base

Номер патента: US20170092749A1. Автор: Tak H. Ning,Jin Cai,Kevin K. Chan,Christopher P. D'Emic,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-30.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US10629712B2. Автор: Yasunari Umemoto,Isao Obu,Shigeki Koya. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-21.

Heterojunction bipolar transistors

Номер патента: EP4280286A1. Автор: Vibhor Jain,Judson R. Holt,Shesh Mani Pandey. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-11-22.

SILICON-GERMANIUM HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20130140604A1. Автор: CHIU Tzuyin,Qian Wensheng,Liu Donghua,Hu Jun,Duan Wenting,Shi Jing,Chen Fan. Владелец: SHANGHAI HUA HONG NEC ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-06-06.

Epitaxial Base Layers For Heterojunction Bipolar Transistors

Номер патента: US20130320403A1. Автор: Paul Douglas Yoder,Munmun Islam,Mahbub D. Satter. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2013-12-05.

Fabrication of Heterojunction Bipolar Transistors with a Selectively Grown Collector/Sub-Collector

Номер патента: US20200006520A1. Автор: BAN Keun-Yong,Bayruns Robert J.. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR

Номер патента: US20210091189A1. Автор: Liu Qizhi,PEKARIK JOHN J.,Ortolland Claude,Holt Judson R.,Ho Herbert,Jain Vibhor. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-25.

Heterojunction bipolar transistor with marker layer

Номер патента: US20210091214A1. Автор: Herbert Ho,John J. Pekarik,Vibhor Jain,Qizhi Liu,Judson R. Holt,Viorel Ontalus,Claude Ortolland. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR

Номер патента: US20210091215A1. Автор: UMEMOTO Yasunari,OBU Isao,KOYA Shigeki. Владелец: MURATA MANUFACTURING CO., LTD.. Дата публикации: 2021-03-25.

SEMICONDUCTOR-ON-INSULATOR LATERAL HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR HAVING EPITAXIALLY GROWN INTRINSIC BASE AND DEPOSITED EXTRINSIC BASE

Номер патента: US20170092749A1. Автор: Ning Tak H.,Cai Jin,Yau Jeng-Bang,Chan Kevin K.,"DEmic Christopher P.". Владелец: . Дата публикации: 2017-03-30.

METAL SILICIDE SELF-ALIGNED SiGe HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20140175520A1. Автор: ZHANG Wei,Zhao Yue,CUI Jie,FU Jun,Wang Yu-dong,Liu Zhi-hong,Li Gao-qing,Wu Zheng-li. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-06-26.

SELF-ALIGNED COLLECTOR HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR (HBT)

Номер патента: US20210098600A1. Автор: Hammond Richard,FANELLI Stephen Alan,Dutta Ranadeep. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-01.

Heterojunction Bipolar Transistor having a Germanium Raised Extrinsic Base

Номер патента: US20140264457A1. Автор: Howard David J.,Preisler Edward,Talor George,Ortuno Gerson R.. Владелец: NEWPORT FAB, LLC DBA JAZZ SEMICONDUCTOR. Дата публикации: 2014-09-18.

Heterojunction Bipolar Transistor having a Germanium Extrinsic Base Utilizing a Sacrificial Emitter Post

Номер патента: US20140264458A1. Автор: Howard David J.,Preisler Edward,Talor George,Ortuno Gerson R.. Владелец: NEWPORT FAB, LLC DBA JAZZ SEMICONDUCTOR. Дата публикации: 2014-09-18.

EMITTER CONTACT EPITAXIAL STRUCTURE AND OHMIC CONTACT FORMATION FOR HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR

Номер патента: US20150200284A1. Автор: Henderson Timothy S.,Hurtt Sheila K.. Владелец: TRIQUINT SEMICONDUCTOR, INC.. Дата публикации: 2015-07-16.

HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR POWER AMPLIFIER WITH BACKSIDE THERMAL HEATSINK

Номер патента: US20180211897A1. Автор: YANG Bin,Li Xia,Tao Gengming. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-26.

HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTORS WITH ONE OR MORE SEALED AIRGAP

Номер патента: US20210257454A1. Автор: SHANK Steven M.,KRISHNASAMY Rajendran,Jain Vibhor,ADUSUMILLI Siva P.. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-19.

Heterojunction bipolar transistor power amplifier with backside thermal heatsink

Номер патента: US20190245058A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-08-08.

HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTORS WITH FIELD PLATES

Номер патента: US20200259004A1. Автор: YANG Bin,Li Xia,Tao Gengming. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-13.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20180331208A1. Автор: Yasunari Umemoto,Isao Obu,Shigeki Koya. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-15.

HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTORS WITH AN INVERTED CRYSTALLINE BOUNDARY IN THE BASE LAYER

Номер патента: US20190326411A1. Автор: Liu Qizhi,Adkisson James W.,Jain Vibhor,Dongmo Pernell,Luce Cameron. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-24.

SYSTEMS AND METHODS FOR PROVIDING VERTICAL ACCESS TO THE COLLECTOR OF A HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR

Номер патента: US20170373175A1. Автор: Gu Shiqun,Nowak Matthew Michael,Lan Je-Hsiung,Fanelli Steve,MIRANDA CORBALAN Miguel,TAI Gengming. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-28.

RADIO FREQUENCY SILICON-ON-INSULATOR INTEGRATED HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR

Номер патента: US20190386121A1. Автор: GOKTEPELI Sinan,FANELLI Stephen Alan,IMTHURN George Pete. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-19.

Heterojunction bipolar transistors and semiconductor devices using same

Номер патента: KR940008143A. Автор: 히로시 마스다,도모노리 다노우에,도오루 나까무라,다까히로 오나이,가쯔요시 와시오. Владелец: 가부시끼가이샤 히다찌세이사꾸쇼. Дата публикации: 1994-04-29.

Self-aligned silicon germanium heterojunction bipolar transistor device with electrostatic discharge crevice cover for salicide displacement

Номер патента: US6586818B1. Автор: Steven H. Voldman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-07-01.

Heterojunction bipolar transistor, semiconductor device, and communication module

Номер патента: WO2023067938A1. Автор: 将夫 近藤,孝幸 筒井,少駿 馬. Владелец: 株式会社村田製作所. Дата публикации: 2023-04-27.

Heterojunction bipolar transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US7449729B2. Автор: Keiichi Murayama,Kenichi Miyajima,Hirotaka Miyamoto. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2008-11-11.

Method of fabrication sige heterojunction bipolar transistor

Номер патента: TWI308798B. Автор: Hubertus Cornelis Magnee Petrus,Josephus Theodorus Marinus Donkers Johannes. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-04-11.

Method and structure for a heterojunction bipolar transistor

Номер патента: CN1628383A. Автор: R·S·伯顿,A·萨梅利斯,H·育西克. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2005-06-15.

Indium phosphide heterojunction bipolar transistor layer structure and method of making the same

Номер патента: US20040124436A1. Автор: Milton Feng,Shyh-Chiang Shen,David Caruth. Владелец: XINDIUM TECHNOLOGIES Inc. Дата публикации: 2004-07-01.

Heterojunction bipolar transistor with inGaAs contact and etch stop layer for InP sub-collector

Номер патента: US20030151066A1. Автор: John Higgins,James Li,Richard Pierson,Berinder Brar. Владелец: Rockwell Technologies LLC. Дата публикации: 2003-08-14.

Heterojunction bipolar transistor adopting combined emitter region and manufacturing method thereof

Номер патента: CN108258032B. Автор: 周春宇,王巍,王冠宇,宋琦,苗乃丹,于明道. Владелец: Chongqing University of Post and Telecommunications. Дата публикации: 2021-04-20.

Method for making a heterojunction bipolar transistor

Номер патента: EP1908114A2. Автор: Fabrice Pardo,Jean-Luc Pelouard,Christophe Dupuis,Melania Lijadi,Philippe Bove. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2008-04-09.

Heterojunction bipolar transistor and fabrication method thereof

Номер патента: KR100568567B1. Автор: 이종민,이경호,김성일,민병규,주철원. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2006-04-07.

Heterojunction bipolar transistor and method for fabricating the same

Номер патента: CN1855533A. Автор: 村山启一,宫岛贤一,宫本裕孝. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-01.

Method of fabrication sige heterojunction bipolar transistor

Номер патента: EP1512172B1. Автор: Petrus H. C. Magnee,Johannes J. T. M. Donkers. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-04-28.

Dopant profile control in heterojunction bipolar transistor (hbt)

Номер патента: US20230088544A1. Автор: HIROSHI Yasuda,Mattias Dahlstrom,Tatsuya Tominari,Jerald Rock,Wibo Van Noort. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-03-23.

A kind of autoregistration Heterojunction Bipolar Transistors and its manufacturing method

Номер патента: CN108400163A. Автор: 刘洪刚. Владелец: Suzhou Euleus Intelligent Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-14.

Heterojunction bipolar transistor and method for producing same

Номер патента: WO2020245907A1. Автор: 拓也 星,悠太 白鳥,井田　実. Владелец: 日本電信電話株式会社. Дата публикации: 2020-12-10.

Heterojunction bipolar transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060261372A1. Автор: Akira Yoshioka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-11-23.

Heterojunction bipolar transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060281275A1. Автор: Hidenori Takeda,Toshiharu Tomba. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-14.

Lateral heterojunction bipolar transistor with improved breakdown voltage and method

Номер патента: US20230102573A1. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain,Judson R. Holt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-03-30.

Integration of heterojunction bipolar transistors with different base profiles

Номер патента: US9590082B1. Автор: Vibhor Jain,Qizhi Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Self-aligned process for fabricating a passivating ledge in a heterojunction bipolar transistor

Номер патента: WO1998034274A1. Автор: Masatoshi Fukuda,Matthew F. O'Keefe,Yong-Hoon Yun,Gregory N. Henderson. Владелец: The Whitaker Corporation. Дата публикации: 1998-08-06.

Window etching through indium-gallium phosphide layer, especially emitter region of heterojunction bipolar transistor, e.g. for a high power microwave amplifier, involves using a silicon nitride mask

Номер патента: FR2784802A1. Автор: Alavi Kamal Tabatabaie,Steven C Sprinkle,Elsa K Tong. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2000-04-21.

Heterojunction bipolar transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: KR100491089B1. Автор: 김혜진,임종원,남은수,김홍승. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2005-05-24.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: JP3885658B2. Автор: 浩 矢野,昌輝 柳沢. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2007-02-21.

Heterojunction bipolar transistor and method of manufacture

Номер патента: DE60039561D1. Автор: Kazuhiko Shirakawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2008-09-04.

Heterojunction bipolar transistor and method for manufacturing same

Номер патента: US20070085167A1. Автор: Yoshihiko Kanzawa,Takahiro Kawashima,Tohru Saitoh,Teruhito Ohnishi,Ken Idota. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-19.

Heterojunction bipolar transistor and method for producing same

Номер патента: WO2022239138A1. Автор: 悠太 白鳥. Владелец: 日本電信電話株式会社. Дата публикации: 2022-11-17.

Dual sidewall spacer for a self-aligned extrinsic base in SiGe heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US6531720B2. Автор: Gregory G. Freeman,David R. Greenberg,Shwu-Jen Jeng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-03-11.

Heterojunction bipolar transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: EP1801884A2. Автор: Akiyoshi Tamura,Keiichi Murayama,Kenichi Miyajima,Hirotaka Miyamoto. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2007-06-27.

Heterojunction bipolar transistor with tunnelling mis emitter junction

Номер патента: AU2004269433A1. Автор: Shaun Joseph Cunningham. Владелец: Epitactix Pty Ltd. Дата публикации: 2005-03-10.

Heterojunction bipolar transistor and method for manufacturing same

Номер патента: WO2022049752A1. Автор: 悠太 白鳥. Владелец: 日本電信電話株式会社. Дата публикации: 2022-03-10.

Heterojunction bipolar transistor unit cell and power stage for a power amplifier

Номер патента: US10109724B2. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao,Miguel Miranda Corbalan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-10-23.

Method for manufacturing heterojunction bipolar transistor

Номер патента: JP3214868B2. Автор: 圭太 新居. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2001-10-02.

High ruggedness heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20200203510A1. Автор: Yu-Chung Chin,Chao-Hsing Huang,kai-yu Chen,Min-Nan Tseng. Владелец: Visual Photonics Epitaxy Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-25.

Electric Assembly Including an Insulated Gate Bipolar Transistor Device and a Wide-Bandgap Transistor Device

Номер патента: US20170366180A1. Автор: Thomas Basler,Johannes Georg Laven,Roman Baburske. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-12-21.

Bipolar transistor that can be fabricated in cmos

Номер патента: WO2001050537A1. Автор: Robert Patti. Владелец: Robert Patti. Дата публикации: 2001-07-12.

Bipolar transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: CA1309191C. Автор: Hiroyuki Miwa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1992-10-20.

HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR (HBT)

Номер патента: US20190189787A1. Автор: YANG Bin,Li Xia,Tao Gengming. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-20.

Directed epitaxial heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20150255585A1. Автор: Yu-Chung Chin,Chao-Hsing Huang,Min-Nan Tseng. Владелец: Visual Photonics Epitaxy Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-10.

Silicon germanium heterojunction bipolar transistor having interstitial trapping layer in base region

Номер патента: US8299500B2. Автор: Qizhi Liu,Alvin J. Joseph,Rajendran Krishnasamy,Bradley A. Orner,Wade J. Hodge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-10-30.

Combined method for fabricating oxide-isolated vertical bipolar transistors and complementary oxide-isolated lateral bipolar transistors and the resulting structures

Номер патента: US3993513A. Автор: David O'Brien. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1976-11-23.

Method of making a saturation-limited bipolar transistor device

Номер патента: US4446611A. Автор: David L. Bergeron,Parsotam T. Patel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-05-08.

Semiconductor device comprising a bipolar transistor

Номер патента: US6144077A. Автор: Yukio Maki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-11-07.

BiCMOS process for forming double-poly MOS and bipolar transistors with substantially identical device architectures

Номер патента: US5943564A. Автор: Hung-Sheng Chen,Chih Sieh Teng. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1999-08-24.

Method for making semiconductor device capable of independently forming MOS transistors and bipolar transistor

Номер патента: US5759883A. Автор: Yasushi Kinoshita. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-06-02.

A method of manufacturing a bipolar transistor

Номер патента: GB2174244B. Автор: Roger Leslie Baker,Peter Fred Blomley,Peter Denis Scovell. Владелец: STC PLC. Дата публикации: 1989-07-05.

Integrated circuit including bipolar transistors

Номер патента: US20190312088A1. Автор: Philippe Boivin,Olivier Weber,Emmanuel Petitprez,Emeline Souchier,Jean Jacques FAGOT. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2019-10-10.

Integrated circuit including bipolar transistors

Номер патента: US11818901B2. Автор: Philippe Boivin,Olivier Weber,Emmanuel Petitprez,Emeline Souchier,Jean Jacques FAGOT. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-11-14.

Method for forming a complementary bipolar transistor structure including a self-aligned vertical PNP transistor

Номер патента: US4997775A. Автор: Chang-Ming Hsieh,Mario M. Pelella,Robert K. Cook,Kiyosi Isihara. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1991-03-05.

Method for the integration of two bipolar transistors in a semiconductor body, semiconductor arrangement in a semiconductor body, and cascode circuit

Номер патента: US20060199348A1. Автор: Christoph Bromberger. Владелец: Atmel Germany GmbH. Дата публикации: 2006-09-07.

Integrated circuit including bipolar transistors

Номер патента: US20220020816A1. Автор: Philippe Boivin,Olivier Weber,Emmanuel Petitprez,Emeline Souchier,Jean Jacques FAGOT. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2022-01-20.

Integrated circuit including bipolar transistors

Номер патента: US11152430B2. Автор: Philippe Boivin,Olivier Weber,Emmanuel Petitprez,Emeline Souchier,Jean Jacques FAGOT. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2021-10-19.

Method and structure for creating a self-aligned bicmos-compatible bipolar transistor with a laterally graded emitter structure

Номер патента: US5444003A. Автор: Ho-Yuan Yu,Ying-Tsong Loh,Chung S. Wang. Владелец: VLSI Technology Inc. Дата публикации: 1995-08-22.

Complementary bipolar transistors

Номер патента: US6005283A. Автор: Jong-Hwan Kim,Suk-Kyun Lee,Tae-Hoon Kwon,Cheol-Joong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-12-21.

Vertical bipolar transistor formed using CMOS processes

Номер патента: US20030067012A1. Автор: Amitava Chatterjee. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2003-04-10.

Soi bipolar transistors with reduced self heating

Номер патента: US20080102568A1. Автор: Kai Xiu,Qiqing Ouyang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-05-01.

Process for fabricating a moderate-depth diffused emitter bipolar transistor in a BICMOS device without using an additional mask

Номер патента: US5780329A. Автор: Todd A. Randazzo,John J. Seliskar. Владелец: Symbios Inc. Дата публикации: 1998-07-14.

Method of manufacturing high performance bipolar transistors in a bicmos process

Номер патента: WO1996004678A1. Автор: Johan A. Darmawan. Владелец: National Semiconductor Corporation. Дата публикации: 1996-02-15.

Method to reduce collector resistance of a bipolar transistor and integration into a standard cmos flow

Номер патента: US20100065920A1. Автор: Ranbir Singh,Xiaojun Yuan,Alan S. Chen,Mark Dyson,Nace M. Rossi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-03-18.

Method of manufacturing a high speed bipolar transistor in a CMOS process

Номер патента: US5766990A. Автор: Monir El-Diwany. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1998-06-16.

Process for doping two levels of a double poly bipolar transistor after formation of second poly layer

Номер патента: US5776814A. Автор: James D. Beasom. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 1998-07-07.

Semiconductor device comprising a bipolar transistor

Номер патента: US5811871A. Автор: Takashi Nakashima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-09-22.

Self-aligned extended base contact for a bipolar transistor having reduced cell size and improved electrical characteristics

Номер патента: US5061986A. Автор: Madhukar Vora,Greg Burton,Ashok Kapoor. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1991-10-29.

Bipolar transistor manufacturing method

Номер патента: US20010034103A1. Автор: Yvon Gris,Thierry Schwartzmann. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-25.

Vertical bipolar transistor formed using CMOS processes

Номер патента: US20040046183A1. Автор: Amitava Chatterjee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-11.

Implant-free heterojunction bipolar transistor integrated circuit process

Номер патента: GB2270418A. Автор: Jayasimha S Prasad,Song W Park,William A Vetanen,Irene G Beers,Curtis M Haynes. Владелец: Tektronix Inc. Дата публикации: 1994-03-09.

Semiconductor-on-insulator (SOI) lateral heterojunction bipolar transistor having an epitaxially grown base

Номер патента: US09691886B2. Автор: Tak H. Ning,Jin Cai,Kevin K. Chan,Christopher P. D'Emic,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor-on-insulator (SOI) lateral heterojunction bipolar transistor having an epitaxially grown base

Номер патента: US09647099B2. Автор: Tak H. Ning,Jin Cai,Kevin K. Chan,Christopher P. D'Emic,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor-on-insulator (soi) lateral heterojunction bipolar transistor having an epitaxially grown base

Номер патента: US20160300934A1. Автор: Tak H. Ning,Jin Cai,Kevin K. Chan,Christopher P. D'Emic,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-13.

Semiconductor-on-insulator (soi) lateral heterojunction bipolar transistor having an epitaxially grown base

Номер патента: US20160300935A1. Автор: Tak H. Ning,Jin Cai,Kevin K. Chan,Christopher P. D'Emic,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-13.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: TWM577179U. Автор: 祁幼銘,黃國鈞,邱宇宸,謝坤穆. Владелец: 宏捷科技股份有限公司. Дата публикации: 2019-04-21.

Sensors based on a heterojunction bipolar transistor construction

Номер патента: US20200295165A1. Автор: You Qian,Humberto CAMPANELLA PINEDA,Vibhor Jain,Qizhi Liu,Joan Josep GINER DE HARO. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2020-09-17.

Lateral heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20040188802A1. Автор: Gregory Howard,Angelo Pinto,Jeffrey Babcock. Владелец: Angelo Pinto. Дата публикации: 2004-09-30.

Heterojunction bipolar transistor device integration schemes on a same wafer

Номер патента: US20180145160A1. Автор: Anthony K. Stamper,Vibhor Jain,Renata A. Camillo-Castillo,Qizhi Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-24.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20200227540A1. Автор: Kuo-Chun Huang,You-Min CHI,Kun-Mu HSIEH,Yu-Chen CHIU. Владелец: ADVANCED WIRELESS SEMICONDUCTOR Co. Дата публикации: 2020-07-16.

CASCODE HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTORS

Номер патента: US20190252530A1. Автор: Joseph Alvin J.,Liu Qizhi,Jain Vibhor. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-15.

Ion-implantation and shallow etching to produce effective edge termination in high-voltage heterojunction bipolar transistors

Номер патента: EP1464079A1. Автор: Tahir Raytheon Co.2000 E. El Segundo Bl. HUSSAIN,M.C. Raytheon Co.2000 E. El Segundo Bl. MONTES. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2004-10-06.

Ion-implantation and shallow etching to produce effective edge termination in high-voltage heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US20030134482A1. Автор: Tahir Hussain,Mary Montes. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2003-07-17.

Tunneling emitter bipolar transistor

Номер патента: WO1987007431A1. Автор: Jingming Xu,Michael Shur. Владелец: Regents of the University of Minnesota. Дата публикации: 1987-12-03.

Semiconductor switching module with insulated gate bipolar transistor and unipolar switching device

Номер патента: US20230275576A1. Автор: Frank Pfirsch,Roman Baburske,Jana Hansel,Katja Waschneck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-08-31.

MAGNETOELECTRIC BIPOLAR TRANSISTOR

Номер патента: RU210255U1. Автор: Сергей Николаевич Иванов,Геннадий Алексеевич Семенов,Виктор Сергеевич Леонтьев,Дмитрий Александрович Петров,Мирза Имамович Бичурин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого". Дата публикации: 2022-04-04.

Well isolation bipolar transistor

Номер патента: US6114743A. Автор: Yvon Gris. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 2000-09-05.

Method of fabricating a bipolar transistor

Номер патента: US3895977A. Автор: Thomas J Sanders. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 1975-07-22.

Bipolar transistor stabilization structure

Номер патента: US4236164A. Автор: Henry Y. S. Tang. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1980-11-25.

Method for making a bipolar transistor and capacitors using doped polycrystalline silicon or metal silicide

Номер патента: US4732872A. Автор: Shigeru Komatsu. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1988-03-22.

Bipolar transistor having collector electrode penetrating emitter and base regions

Номер патента: US5345102A. Автор: Naoya Matsumoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-09-06.

Systems, circuits, devices, and methods with bidirectional bipolar transistors

Номер патента: CA2927763C. Автор: Richard A. Blanchard,William C. Alexander. Владелец: Ideal Power Inc. Дата публикации: 2018-08-21.

Method of manufacture of high speed, high power bipolar transistor

Номер патента: US4416708A. Автор: Alexander Lidow,Edgar Abdoulin. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 1983-11-22.

Systems, circuits, devices, and methods with bidirectional bipolar transistors

Номер патента: WO2014210072A9. Автор: Richard A. Blanchard,William C. Alexander. Владелец: Ideal Power Inc.. Дата публикации: 2015-10-15.

Bipolar transistor

Номер патента: GB8510725D0. Автор: . Владелец: British Telecommunications plc. Дата публикации: 1985-06-05.

Bipolar transistor

Номер патента: US5084751A. Автор: Hitoshi Iwata,Kenichi Kinoshita,Yasuo Imaeda,Koichi Jinkai. Владелец: Tokai Rika Co Ltd. Дата публикации: 1992-01-28.

Vertical bipolar transistor device

Номер патента: US20220037537A1. Автор: Che-Hao Chuang,Chih-Ting Yeh,Sung-Chih Huang. Владелец: Amazing Microelectronic Corp. Дата публикации: 2022-02-03.

Heterojunction bipolar transistor and semiconductor device

Номер патента: US20200066886A1. Автор: SATOSHI Tanaka,Yasunari Umemoto,Takayuki Tsutsui,Isao Obu. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-27.

Heterojunction III-V transistors, especially HEMT field effect transistors or heterojunction bipolar transistors

Номер патента: JP2003504851A. Автор: ヌイエン，リン，ティー．. Владелец: ピコジガ. Дата публикации: 2003-02-04.

Quasi-symmetrical bipolar transistor structure

Номер патента: CA1161964A. Автор: Denny D. Tang,Arnold Reisman,Victor J. Silvestri,Siegfried K. Wiedmann,Hwa N. Yu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-02-07.

Method of manufacturing super self-alignment technology bipolar transistor

Номер патента: US4975381A. Автор: Jiro Ohshima,Shin-ichi Taka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1990-12-04.

Bipolar transistor and radio-frequency power amplifier module

Номер патента: US11164963B2. Автор: Masahiro Shibata,Masao Kondo,Yasunari Umemoto,Takayuki Tsutsui,Isao Obu,Shigeki Koya. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-02.

Bipolar transistor and radio-frequency power amplifier module

Номер патента: US20200251579A1. Автор: Masahiro Shibata,Masao Kondo,Yasunari Umemoto,Takayuki Tsutsui,Isao Obu,Shigeki Koya. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

Methods for producing single crystal silicon wafers for insulated gate bipolar transistors

Номер патента: US20240240355A1. Автор: Jaewoo Ryu,Carissima Marie Hudson,Chi-Yung Chen,Feng-Chien TSAI,Chung-Chi Hsiao,Chih-Hsun Wei. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Methods for producing single crystal silicon wafers for insulated gate bipolar transistors

Номер патента: WO2024155595A1. Автор: Jaewoo Ryu,Carissima Marie Hudson,Chi-Yung Chen,Feng-Chien TSAI,Chung-Chi Hsiao,Chih-Hsun Wei. Владелец: GlobalWafers Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-07-25.

Methods for fabricating self-aligned bipolar transistors having polysilicon base contacts with polysilicon or metal emitter contacts

Номер патента: CA1118534A. Автор: Tak H. Ning,Hwa N. Yu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1982-02-16.

Method of forming self aligned extended base contact for a bipolar transistor having reduced cell size

Номер патента: US5227316A. Автор: Madhukar Vora,Greg Burton,Ashok Kapoor. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1993-07-13.

Bipolar transistor and radio-frequency power amplifier module

Номер патента: US20190088768A1. Автор: Masahiro Shibata,Masao Kondo,Yasunari Umemoto,Takayuki Tsutsui,Isao Obu,Shigeki Koya. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-21.

Bipolar transistor and radio-frequency power amplifier module

Номер патента: US11978786B2. Автор: Masahiro Shibata,Masao Kondo,Yasunari Umemoto,Takayuki Tsutsui,Isao Obu,Shigeki Koya. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Composite jfet-bipolar transistor structure

Номер патента: US4095252A. Автор: Sam S. Ochi. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1978-06-13.

Bipolar transistors and method of manufacture

Номер патента: US3756861A. Автор: R Payne,R Scavuzzo. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1973-09-04.

Bipolar transistors and method of manufacture

Номер патента: US3856578A. Автор: R Payne,R Scavuzzo. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1974-12-24.

Bipolar transistor and radio-frequency power amplifier module

Номер патента: US20220029004A1. Автор: Masahiro Shibata,Masao Kondo,Yasunari Umemoto,Takayuki Tsutsui,Isao Obu,Shigeki Koya. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-27.

Semiconductor device, heterojunction bipolar transistor, and high electron mobility transistor

Номер патента: EP0624907A2. Автор: Shigekazu C/O Mitsubishi Denki K.K. Izumi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-11-17.

HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTORS WITH THIN EPITAXIAL CONTACTS

Номер патента: US20130313552A1. Автор: Sadana Devendra K.,Ning Tak H.,Hekmatshoar-Tabari Bahman,Shahidi Ghavam G.,Shahrjerdi Davood. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-11-28.

HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTORS WITH INTRINSIC INTERLAYERS

Номер патента: US20130313551A1. Автор: Sadana Devendra K.,Ning Tak H.,Hekmatshoar-Tabari Bahman,Shahidi Ghavam G.,Shahrjerdi Davood. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-11-28.

Advanced wafer bonded heterojunction bipolar transistors and methods of manufacture of advanced wafer bonded heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US10505026B2. Автор: Matthew H. Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-12-10.

ADVANCED WAFER BONDED HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTORS AND METHODS OF MANUFACTURE OF ADVANCED WAFER BONDED HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTORS

Номер патента: US20200119172A1. Автор: Kim Matthew H.. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-16.

METHOD OF MANUFACTURING HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR AND HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR

Номер патента: US20130178037A1. Автор: Vanhoucke Tony,Donkers Johannes Josephus Theodorus Marinus,Mertens Hans,Meunier-Beillard Philippe. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2013-07-11.

Method for fabricating heterojunction bipolar transistors

Номер патента: TW564559B. Автор: Basanth Jagannathan. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2003-12-01.

Method for fabricating heterojunction bipolar transistors background

Номер патента: IL148727A0. Автор: . Владелец: Ibm. Дата публикации: 2002-09-12.

Method for making heterojunction bipolar transistor with self-aligned retrograde emitter profile

Номер патента: US5656514A. Автор: Martin Revitz,Jack Chu,David Ahlgren,Paul Ronsheim,Mary Saccamango,David Sunderland. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1997-08-12.

Method for fabricating base-emitter self-aligned heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US20040159911A1. Автор: Gilbert Essilfie. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-19.

SILICON GERMANIUM HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR STRUCTURE AND METHOD

Номер патента: US20130210210A1. Автор: KRISHNASAMY Rajendran,Gluschenkov Oleg,SCHONENBERG Kathryn T.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-08-15.

Fabrication method for MMIC including Heterojunction Bipolar Transistor

Номер патента: KR100396917B1. Автор: 박성호,이경호,김성일,민병규. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2003-09-02.

HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR

Номер патента: US20160005836A1. Автор: Chantre Alain,Chevalier Pascal,Blanc Jean-Pierre,CELI Didier. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-07.

METHODS OF MANUFACTURE OF ADVANCED WAFER BONDED HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTORS

Номер патента: US20220278228A1. Автор: Kim Matthew H.. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-01.

Method of Manufacture of Germanium-Silicon-Tin Heterojunction Bipolar Transistor Devices

Номер патента: US20190296131A1. Автор: Kim Matthew H.. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-26.

HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR FULLY SELF-ALIGNED TO DIFFUSION REGION WITH STRONGLY MINIMIZED SUBSTRATE PARASITICS AND SELECTIVE PRE-STRUCTURED EPITAXIAL BASE LINK

Номер патента: US20170365688A1. Автор: Dahl Claus,TSCHUMAKOW Dmitri Alex. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES DRESDEN GMBH. Дата публикации: 2017-12-21.

A fabrication method of heterojunction bipolar transistor

Номер патента: KR0149433B1. Автор: 박성호,최성우,박문평. Владелец: 한국전자통신공사연구소. Дата публикации: 1998-10-01.

METHOD FOR MANUFACTURING DOUBLE HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR ON III-V MATERIAL

Номер патента: FR2805081A1. Автор: Sylvain Blayac,Muriel Riet,Philippe Berdaguer. Владелец: Alcatel SA. Дата публикации: 2001-08-17.

Fabrication method for heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20050110044A1. Автор: Cheng-Wen Fan,Hua-Chou Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2005-05-26.

Method for fabricating heterojunction bipolar transistors background

Номер патента: IL148727A. Автор: . Владелец: Ibm. Дата публикации: 2006-08-01.

Heterojunction bipolar transistor having thinned base-collector depletion region

Номер патента: WO2003077284A3. Автор: Jerry M Woodall,Eric S Harmon,David B Salzman. Владелец: David B Salzman. Дата публикации: 2003-12-04.

Heterojunction bipolar transistor having thinned base-collector depletion region

Номер патента: WO2003077284A2. Автор: Jerry M. Woodall,Eric S. Harmon,David B. Salzman. Владелец: YALE UNIVERSITY. Дата публикации: 2003-09-18.

InP/InGaAs Monolithic Integrated Demultiplexer, Photodetector, and Heterojunction Bipolar Transistor

Номер патента: CA2181846A1. Автор: S. Chandrasekhar. Владелец: AT&T IPM Corp. Дата публикации: 1997-02-15.

HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200066886A1. Автор: Tanaka Satoshi,UMEMOTO Yasunari,TSUTSUI Takayuki,OBU Isao. Владелец: MURATA MANUFACTURING CO., LTD.. Дата публикации: 2020-02-27.

HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR

Номер патента: US20200373417A1. Автор: UMEMOTO Yasunari,OBU Isao,KOYA Shigeki. Владелец: MURATA MANUFACTURING CO., LTD.. Дата публикации: 2020-11-26.

BicMOS device having a bipolar transistor and a MOS triggering transistor

Номер патента: US5578856A. Автор: Howard C. Kirsch,Ravi Subrahmanyan. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1996-11-26.

Semiconductor device including a field effect transistor and a bipolar transistor and a method of manufacturing the same

Номер патента: US5471083A. Автор: Tatsuhiko Ikeda,Kazuhito Niwano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-11-28.

Bipolar transistor as protective element for integrated circuits

Номер патента: US5148250A. Автор: Josef Winnerl,Xaver Guggenmos. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1992-09-15.

Field effect transistor-bipolar transistor darlington pair

Номер патента: US5187110A. Автор: Eric A. Martin,Olaleye A. Aina. Владелец: AlliedSignal Inc. Дата публикации: 1993-02-16.

Integrated optical wave guide for light generated by a bipolar transistor

Номер патента: WO2005078489A1. Автор: Fred Roozeboom,Johan Klootwijk. Владелец: U.S. Philips Corporation. Дата публикации: 2005-08-25.

Integrated optical wave guide for light generated by a bipolar transistor

Номер патента: EP1716440A1. Автор: Fred Roozeboom,Johan Klootwijk. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-11-02.

Insulated-gate bipolar transistor module cooling system

Номер патента: NL2027865B1. Автор: Job Heusinkveld Jorrit. Владелец: E Traction Europe BV. Дата публикации: 2022-11-23.

Insulated-gate bipolar transistor module cooling system

Номер патента: NL2027865A. Автор: Job Heusinkveld Jorrit. Владелец: E Traction Europe BV. Дата публикации: 2022-11-15.

Pressure balancing clamp for press-pack insulated gate bipolar transistor module

Номер патента: US11699633B1. Автор: RUI Zhou,Fei Qin,Tong An,Yakun ZHANG. Владелец: BEIJING UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-07-11.

Insulated gate bipolar transistor failure mode detection and protection system and method

Номер патента: US20140368232A1. Автор: Tao Wu. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2014-12-18.

Pressure balancing clamp for press-pack insulated gate bipolar transistor module

Номер патента: US20230245946A1. Автор: RUI Zhou,Fei Qin,Tong An,Yakun ZHANG. Владелец: BEIJING UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-08-03.

Insulated gate bipolar transistor failure mode detection and protection system and method

Номер патента: US09726712B2. Автор: Tao Wu. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-08-08.

Systems and methods for test circuitry for insulated-gate bipolar transistors

Номер патента: US09588170B2. Автор: Thierry Sicard. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Bipolar Transistor Circuit with Free Collector Terminals

Номер патента: KR970024161A. Автор: 이상오. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-05-30.

Graduated multiple collector structure for inverted vertical bipolar transistors

Номер патента: US4084174A. Автор: Richard E. Crippen,Hemraj K. Hingarh,Peter W. J. Verhofstadt. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1978-04-11.

Polycrystalline thin film bipolar transistors

Номер патента: US20080308903A1. Автор: S. Brad Herner,Christopher J. Petti. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2008-12-18.

Semiconductor devices including field effect and bipolar transistors

Номер патента: GB1396896A. Автор: . Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1975-06-11.

Self aligned method for making bipolar transistor having minimum base to emitter contact spacing

Номер патента: US4252582A. Автор: Harsaran S. Bhatia,Narasipur G. Anantha,James L. Walsh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1981-02-24.

Current sensing of emitter sense insulated-gate bipolar transistor (igbt)

Номер патента: US20150340355A1. Автор: Bin Zhang,Hock Tiong Kwa. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-11-26.

Bipolar transistor fabrication process with an ion implanted emitter

Номер патента: CA1139015A. Автор: James S. Makris,Raj K. Raheja,George R. Goth,Arunachala Nagarajan,Conrad A. Barile. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1983-01-04.

SEMICONDUCTOR WAFER FOR HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR AND HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR

Номер патента: US20210210602A1. Автор: TOMIOKA Hiroyuki,Meguro Takeshi,TAKEDA Junichiro. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-08.

Heterojunction bipolar transistor architecture

Номер патента: US09741834B2. Автор: Jing Zhang,Peter J. Zampardi,Brian G. Moser,Thomas James Rogers. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: EP1416539B1. Автор: Motoji Yagura. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-02-28.

Low base-emitter voltage heterojunction bipolar transistor

Номер патента: TW200301559A. Автор: David Chow,Chanh Nguyen,Kenneth Elliott. Владелец: Hrl Lab Llc. Дата публикации: 2003-07-01.

Thin gallium-arsenide-antimonide base heterojunction bipolar transistor (HBT) having improved gain

Номер патента: EP1237199A3. Автор: Nicolas J. Moll,Colombo R. Bolognesi. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2003-01-15.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: EP1533849B1. Автор: c/o NEC Electronics corporation Niwa Takaki. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-04-07.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: TWI230421B. Автор: Motoji Yagura. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2005-04-01.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: TW200416896A. Автор: Motoji Yagura. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2004-09-01.

STRUCTURE INTEGRATING FIELD-EFFECT TRANSISTOR WITH HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR

Номер патента: US20200043913A1. Автор: WU Chan Shin. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-06.

COMPOUND SEMICONDUCTOR HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR

Номер патента: US20210020764A1. Автор: TAKATANI Shinichiro. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-21.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: EP0445475A2. Автор: Takahiko C/O Intellectual Property Division Endo,Riichi C/O Intellectual Property Division Katoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1991-09-11.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: JPWO2006003845A1. Автор: 小林　　隆,春喜 横山,賢二 栗島,小田　康裕,康裕 小田,小林　隆,横山　春喜,栗島　賢二. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2008-04-10.

Layout structure of heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US20160247797A1. Автор: Shinichiro Takatani,Shu-Hsiao TSAI,Cheng-Kuo Lin,Hsiu-Chen Chang. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2016-08-25.

Heterojunction Bipolar Transistor

Номер патента: US20160020307A1. Автор: LIN Cheng-Kuo,SYU Rong-Hao,TSAI Shu-Hsiao,CHIU JUI-PIN. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-21.

HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTORS WITH REDUCED PARASITIC CAPACITANCE

Номер патента: US20150053982A1. Автор: Camillo-Castillo Renata,Khater Marwan H.,Jain Vibhor,Kaushal Vikas K.. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-26.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20170069739A1. Автор: Shinichiro Takatani,Jui-Pin Chiu,Chia-Ta Chang. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Heterojunction bipolar transistor with emitter base junction oxide interface

Номер патента: US20210104621A1. Автор: Anthony K. Stamper,John J. Pekarik,Vibhor Jain,Steven M. Shank. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-04-08.

HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR STRUCTURE WITH A BANDGAP GRADED HOLE BARRIER LAYER

Номер патента: US20190115458A1. Автор: Chin Yu-Chung,Huang Chao-Hsing,Chen Kai-Yu,Tseng Min-Nan. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-18.

BIOSENSOR BASED ON HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR

Номер патента: US20160169834A1. Автор: Ning Tak,Zafar Sufi. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-16.

HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR

Номер патента: US20210226045A1. Автор: Chin Yu-Chung,Huang Chao-Hsing,Chen Kai-Yu,Tseng Min-Nan. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-22.

Layout Structure of Heterojunction Bipolar Transistors

Номер патента: US20140312390A1. Автор: LIN Cheng-Kuo,TSAI Shu-Hsiao,TAKATANI Shinichiro,CHANG Hsiu-Chen. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-23.

HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR

Номер патента: US20170243939A1. Автор: Yoshida Shigeru,OBU Isao. Владелец: MURATA MANUFACTURING CO., LTD.. Дата публикации: 2017-08-24.

HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTORS WITH INTRINSIC INTERLAYERS

Номер патента: US20150263143A1. Автор: Sadana Devendra K.,Ning Tak H.,Hekmatshoar-Tabari Bahman,Shahidi Ghavam G.,Shahrjerdi Davood. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-17.

HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR ARCHITECTURE

Номер патента: US20160293700A1. Автор: Zhang Jing,Moser Brian G.,Zampardi Peter J.,Rogers Thomas James. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-06.

HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR

Номер патента: US20160322482A1. Автор: LIN Cheng-Kuo,SYU Rong-Hao,TSAI Shu-Hsiao,CHIU JUI-PIN. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-03.

HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR WITH IMPROVED CURRENT GAIN

Номер патента: US20150380531A1. Автор: HSIEH Galen,XIAO H. P.. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-31.

Heterojunction bipolar transistor that is insensitive to outside temperature variation and associated integrated circuit

Номер патента: DE69219085T2. Автор: Haila Wang. Владелец: France Telecom SA. Дата публикации: 1997-10-30.

DOUBLE HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR COMPATIBLE WITH OPTOELECTRONIC COMPONENTS FOR MONOLITHIC INTEGRATION

Номер патента: FR2547677A1. Автор: . Владелец: Ankri David. Дата публикации: 1984-12-21.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: DE69128384T2. Автор: Kouhei Morizuka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-04-30.

Heterojunction bipolar transistors

Номер патента: EP0289343B1. Автор: Hiroji C/O Patents Division Kawai. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1992-09-30.

Ballistic heterojunction bipolar transistor

Номер патента: EP0106724A2. Автор: David G. Ankri,Lester F. Eastman,Walter H. Ku. Владелец: Centre National dEtudes des Telecommunications CNET. Дата публикации: 1984-04-25.

Lateral collector heterojunction bipolar transistor

Номер патента: EP0515850A3. Автор: Burhan Bayraktaroglu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1994-05-18.

Heterojunction bipolar transistor.

Номер патента: EP0614227A3. Автор: Teruyuki C O Mitsubish Shimura,Naohito C O Mitsubishi Yoshida. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-03-29.

Heterojunction bipolar transistor having an emitter region with a band gap greater than that of a base region

Номер патента: EP0186305B1. Автор: Makoto C/O Patent Division Azuma,Jiro C/O Patent Division Yoshida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1989-05-31.

AlPSb/InP single heterojunction bipolar transistor on InP substrate for high-speed, high-power applications

Номер патента: EP0747963A1. Автор: Chanh Nguyen,Mehran Matloubian,Takyiu Liu. Владелец: HE Holdings Inc. Дата публикации: 1996-12-11.

Mobility enhancement in SiGe heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US20070045775A1. Автор: Thomas Adam,Dureseti Chidambarrao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-03-01.

Heterojunction bipolar transistor (hbt) having improved emitter-base grading structure

Номер патента: EP1391938A2. Автор: Sandeep R. Bahl,Mark Hueschen,Nicolas J. Moll. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2004-02-25.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: EP0445475A3. Автор: Takahiko C/O Intellectual Property Division Endo,Riichi C/O Intellectual Property Division Katoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1991-11-27.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: EP1662557A4. Автор: Takashi Kobayashi,Yasuhiro Oda,Haruki Yokoyama,Kenji Kurishima. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2009-04-08.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20040089875A1. Автор: Motoji Yagura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-05-13.

Heterojunction bipolar transistor and power amplifier using same

Номер патента: US20070205432A1. Автор: Toshiya Tsukao. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-09-06.

Semiconductor wafer for heterojunction bipolar transistor and heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20210210602A1. Автор: Takeshi Meguro,Hiroyuki Tomioka,Junichiro Takeda. Владелец: Sciocs Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-08.

Junction high electron mobility transistor-heterojunction bipolar transistor (jhemt-hbt) monolithic microwave integrated circuit (mmic) and single growth method of fabrication

Номер патента: EP0829906A2. Автор: Jeffrey B. Shealy,Mehran Matloubian. Владелец: HE Holdings Inc. Дата публикации: 1998-03-18.

Circuit integrating heterojunction bipolar transistors with pin diodes

Номер патента: US5401999A. Автор: Burhan Bayraktaroglu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1995-03-28.

Apparatus and method for monitoring operation of an insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US09664729B2. Автор: Randall C. Gray,Ibrahim S. Kandah,Thierry Sicard,John M. Pigott,Philipe J. Perruchoud. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

On-chip ESD protection circuit for compound semiconductor heterojunction bipolar transistor RF circuits

Номер патента: US7408752B2. Автор: Guann Pyng Li,Yin Tat Ma. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2008-08-05.

Monolithically integrated optical component comprising a modulator and a heterojunction bipolar transistor

Номер патента: EP1233299A1. Автор: Philippe ANDRÉ,Fabrice Devaux,Sylvian Blayac. Владелец: Alcatel SA. Дата публикации: 2002-08-21.

Heterojunction bipolar transferred electron tetrode

Номер патента: US20020011605A1. Автор: John Twynam. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-31.

Smart transfer switch devices, systems, and methods using double-base bipolar transistors

Номер патента: US09899868B2. Автор: William C. Alexander,John W. Merritt,Paul A. Bundschuh. Владелец: Ideal Power Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Switching method for current phase rectifier with insulated gate bipolar transistor (igbt) of reverse conductance

Номер патента: RU2559760C2. Автор: Ханс-Гюнтер ЭККЕЛЬ. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2015-08-10.

Bipolar transistor switch

Номер патента: CA1101942A. Автор: Herbert A. Schneider. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1981-05-26.

Differential amplifier circuit using lateral-type bipolar transistors with back gates

Номер патента: US5682120A. Автор: TAKAO Ito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-10-28.

Systems and methods for driving bipolar transistors related to power converters by at least using three switches

Номер патента: US20240006999A1. Автор: Lieyi Fang,Xiuhong Zhang. Владелец: On Bright Electronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Operating and controlling insulated gate bipolar transistors in high speed failure mode situations

Номер патента: US20090067109A1. Автор: Richard J. Hampo,Lizhi Zhu,Fengtai Huang,Fred Flett,Bryan Ludwig,Subramanian S. Vadula. Владелец: Siemens VDO Automotive Corp. Дата публикации: 2009-03-12.

Operating and controlling insulated gate bipolar transistors in high speed failure mode situations

Номер патента: WO2008067433A9. Автор: Lizhi Zhu,Fengtai Huang,Fred Flett,Bryan Ludwig,Subramanian S Vadula,Richard J Hampo. Владелец: Richard J Hampo. Дата публикации: 2008-08-28.

Gunn-effekt-halbleiterbauelement wie ein hetero-bipolar-transistor (hbt) zur frequenzvariablen schwingungserzeugung

Номер патента: WO2003019692A1. Автор: Matthias Rudolph,Peter Heymann. Владелец: FORSCHUNGSVERBUND BERLIN E.V.. Дата публикации: 2003-03-06.

Differential amplifier with bipolar transistors which is compatible with standard complimentary MOS (CMOS) technology

Номер патента: US4580106A. Автор: Eric A. Vittoz. Владелец: Centre Electronique Horloger SA. Дата публикации: 1986-04-01.

Systems and methods for driving bipolar transistors related to power converters

Номер патента: US20230369963A1. Автор: Lieyi Fang,Xiuhong Zhang. Владелец: On Bright Electronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Compensation units for reducing the effects of self-heating and increasing linear performance in bipolar transistors

Номер патента: US20050225395A1. Автор: Haitao Zhang,Huai Gao,Guann-Pyng Li,Huinan Guan. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2005-10-13.

Inverse-mode bipolar transistor radio-frequency switches and methods of using same

Номер патента: US20110248771A1. Автор: John D. Cressler,Anuj Madan. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2011-10-13.

Semiconductor memory using IGBT, insulated gate bipolar transistor, as selective element

Номер патента: US8389969B2. Автор: Shuichi Tsukada,Yasuhiro Uchiyama. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-03-05.

Controller for power bipolar transistor

Номер патента: US5818284A. Автор: Yoshinori Murakami,Kazuhiko Tani,Yasuhiko Kitajima,Kazuma Ohkura. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 1998-10-06.

Circuit for providing a base operating voltage for a bipolar transistor and amplifier circuit

Номер патента: US7190220B2. Автор: Johann-Peter Forstner,Stephan Weber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-03-13.

Method and circuit for reducing collector-emitter voltage overshoot in an insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US09819339B2. Автор: Sui Pung Cheung,Kwok Wai Ma. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-11-14.

Systems and methods for testing a clamp function for insulated gate bipolar transistors

Номер патента: US09720030B2. Автор: Thierry Sicard. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Wideband IF amplifier with complementary GaAs FET-bipolar transistor combination

Номер патента: US4464636A. Автор: Pierre Dobrovolny. Владелец: ZENITH ELECTRONICS LLC. Дата публикации: 1984-08-07.

Highly integrated, high-speed memory with bipolar transistors

Номер патента: CA1182218A. Автор: Siegfried K. Wiedmann. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1985-02-05.

Semiconductor circuit for driving the base of a bipolar transistor

Номер патента: US4948994A. Автор: Takahiro Nagano,Atsuo Watanabe,Takashi Akioka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1990-08-14.

Puf method using and circuit having an array of bipolar transistors

Номер патента: US20150028847A1. Автор: Viet Nguyen,Tony Vanhoucke. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2015-01-29.

Insulated gate bipolar transistor heat dissipation structure of motor controller

Номер патента: CA2843751A1. Автор: Yong Zhao,Yonghua WU. Владелец: Zhongshan Broad Ocean Motor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-07.

Write suppression in bipolar transistor memory cells

Номер патента: US3801965A. Автор: G Keller,U Olderdissen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1974-04-02.

Protection apparatus and method for insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US20230344218A1. Автор: Jie Liu. Владелец: Omron Corp. Дата публикации: 2023-10-26.

Insulated-gate bipolar transistor (IGBT) rectifier for charging ultra-capacitors

Номер патента: US11811331B2. Автор: Domenic P. Marzano,Joseph L. Hake,Alex R. Rugh. Владелец: Velocity Magnetics Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Insulated-gate bipolar transistor (igbt) rectifier for charging ultra-capacitors

Номер патента: WO2022094402A8. Автор: Domenic P. Marzano,Joseph L. Hake,Alex R. Rugh. Владелец: Velocity Magnetics, Inc.. Дата публикации: 2022-08-04.

Insulated-Gate Bipolar Transistor (IGBT) Rectifier for Charging Ultra-Capacitors

Номер патента: US20240072681A1. Автор: Domenic P. Marzano,Joseph L. Hake,Alex R. Rugh. Владелец: Velocity Magnetics Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Amplifier circuit with bipolar transistors

Номер патента: US4845441A. Автор: Burkhard Dick. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1989-07-04.

High-power-gain, bipolar transistor amplifier

Номер патента: US20070007626A1. Автор: Zhenqiang Ma,Ningyue Jiang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-11.

Method of determining current localization voltage in powerful hf and uhf bipolar transistors

Номер патента: RU2616871C1. Автор: Вячеслав Андреевич Сергеев,Александр Александрович Куликов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2017-04-18.

Procedure and device for measuring silicon temperature and over-temperature protection of a power insulated gate bipolar transistor

Номер патента: WO2013045960A2. Автор: Ivan BAHUN. Владелец: Končar - Elecktrična Vozila D.D.. Дата публикации: 2013-04-04.

Bipolar transistor type MEMS pressure sensor and preparation method thereof

Номер патента: US11965797B1. Автор: Tongqing Liu. Владелец: WUXI SENCOCH SEMICONDUCTOR CO Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Bipolar transistor memory with capacitive storage

Номер патента: US3876992A. Автор: Wilbur David Pricer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1975-04-08.

Gate detection circuit of insulated gate bipolar transistor

Номер патента: EP4024064A1. Автор: Man SHANG,Chunxin Xu,Xiyang ZHAO. Владелец: Great Wall Motor Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-06.

Systems and methods for test circuitry for insulated-gate bipolar transistors

Номер патента: US20160025802A1. Автор: Thierry Sicard. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-01-28.

Gate detection circuit of insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US12019115B2. Автор: Man SHANG,Chunxin Xu,Xiyang ZHAO. Владелец: Great Wall Motor Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Current sensors using bipolar transistors

Номер патента: EP3311159A1. Автор: Vladimir Aparin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-04-25.

Insulated-gate bipolar transistor collector-emitter saturation voltage measurement

Номер патента: US09575113B2. Автор: Michael Mankel,Carlos Castro-Serrato. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-02-21.

Bipolar transistor read only or read-write store with low impedance sense amplifier

Номер патента: US4439842A. Автор: Sashi D. Malaviya. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-03-27.

Bipolar-transistor type semiconductor memory device having redundancy configuration

Номер патента: US4796233A. Автор: Isao Fukushi,Tomoharu Awaya. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1989-01-03.

Method and system for predicting insulated gate bipolar transistor lifetime based on compound failure mode coupling

Номер патента: US11953538B2. Автор: Xiao Wang,Yigang HE,Lie LI,Liulu HE. Владелец: Wuhan University WHU. Дата публикации: 2024-04-09.

HYBRID POWER AMPLIFIER COMPRISING HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTORS (HBTs) AND COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR (CMOS) DEVICES

Номер патента: US20150349731A1. Автор: Kwon Young,Jung Joo Min,Maple Marshall,Bockelman David. Владелец: Avago Technologies General IP (Singapore) Pte. Ltd.. Дата публикации: 2015-12-03.

HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR RELIABILITY SIMULATION METHOD

Номер патента: US20150142410A1. Автор: Huard Vincent,Cacho Florian,Ighilahriz Salim. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-21.

BIPOLAR TRANSISTOR HAVING SELF-ADJUSTED EMITTER CONTACT

Номер патента: US20120001192A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR (IGBT) ELECTROSTATIC DISCHARGE (ESD) PROTECTION DEVICES

Номер патента: US20120001225A1. Автор: Tu Shang-Hui,CHANG Jui-Chun,Wu Chen-Wei,JOU Yeh-Ning. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Complementary bipolar transistor structure of integrated circuit

Номер патента: RU2111578C1. Автор: А.Н. Сауров. Владелец: Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского института электронной техники. Дата публикации: 1998-05-20.

Method for detecting potentially unreliable bipolar transistors

Номер патента: RU2309417C2. Автор: Митрофан Иванович Горлов,Александр Петрович Жарких,Игорь Алексеевич Шишкин. Владелец: Открытое акционерное общество "Концерн "Созвездие". Дата публикации: 2007-10-27.

Non-epitaxial structure of bipolar transistor

Номер патента: RU2368036C1. Автор: Михаил Иванович Лукасевич,Юлия Владимировна Петрова. Владелец: Юлия Владимировна Петрова. Дата публикации: 2009-09-20.

Method of bipolar transistor manufacturing

Номер патента: RU2351036C1. Автор: Александр Николаевич Сауров,Николай Михайлович Манжа. Владелец: Государственное Учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского Государственного института электронной техники" (ГУ НПК "ТЦ" МИЭТ). Дата публикации: 2009-03-27.

Procedure for rejection of bipolar transistors

Номер патента: RU2204143C2. Автор: М.И. Горлов,н А.Г. Адам,А.Г. Адамян,Л.П. Ануфриев. Владелец: Воронежский государственный технический университет. Дата публикации: 2003-05-10.

Broadband differential amplifier with correction device of electrothermal coupling in bipolar transistors

Номер патента: RU2462813C1. Автор: Александр Леонидович Стемпковский,Юрий Федорович Адамов,Наталья Михайловна Горшкова,Александр Леонидович Стемпковский (RU),Юрий Федорович Адамов (RU),Наталья Михайловна Горшкова (RU). Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН (ИППМ РАН). Дата публикации: 2012-09-27.

Apparatus for compensating for static and dynamic input currents of differential stages on bipolar transistors

Номер патента: RU2487467C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Александр Игоревич Серебряков,Петр Сергеевич Будяков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС"). Дата публикации: 2013-07-10.

Method for manufacturing complementary vertical bipolar transistors as parts of integrated circuits

Номер патента: RU2244985C1. Автор: Н.М. Манжа,М.И. Лукасевич,С.Л. Хмельницкий,А.Н. Еременко,А.Н. Долгов,М.И. Клычников,Д.Г. Кравченко. Владелец: Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон". Дата публикации: 2005-01-20.

Bipolar transistor

Номер патента: RU2166220C2. Автор: В.В. Ракитин. Владелец: Государственный научно-исследовательский институт физических проблем им. Ф.В. Лукина. Дата публикации: 2001-04-27.

Structure of bipolar transistor with emitter of sub-micron dimensions, and method for manufacturing said structure

Номер патента: RU2279733C2. Автор: Алексей Николаевич Долгов,Александр Николаевич Еременко,Михаил Иванович Клычников,Дмитрий Григорьевич Кравченко,Михаил Иванович Лукасевич,Николай Михайлович Манжа. Владелец: Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон". Дата публикации: 2006-07-10.

Mosfet-gated bipolar transistors and thyristors with both turn-on and turn-off capability having single- polarity gate input signal

Номер патента: CA1206274A. Автор: Michael S. Adler. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1986-06-17.

Bipolar transistor of integrated circuit

Номер патента: RU2108640C1. Автор: А.Н. Сауров. Владелец: Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского института электронной техники. Дата публикации: 1998-04-10.

Fremgangsmaate for fremstilling av en bipolar transistor

Номер патента: NO171658B. Автор: Roger Leslie Baker,Peter Fred Blomley,Peter Dennis Scovell. Владелец: STC PLC. Дата публикации: 1993-01-04.

Integrated circuit having complementary bipolar transistors

Номер патента: CA1075369A. Автор: Jean-Michel Decrouen,Jean-Pierre H. Biet,Wolfgang F. J. Edlinger,Michel De Brebisson. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1980-04-08.

Integral cell for radiation detector based on bipolar transistor with cellular base

Номер патента: RU2427942C1. Автор: Виктор Николаевич Мурашев,Сергей Александрович Леготин,Сергей Иванович Диденко,Светлана Петровна Кобелева,Алексей Сергеевич Корольченко,Олег Михайлович Орлов,Михаил Павлович Коновалов,Дмитрий Леонидович Волков. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС". Дата публикации: 2011-08-27.

SiGe Heterojunction Bipolar Transistor and Method of Forming a SiGe Heterojunction Bipolar Transistor

Номер патента: US20120119262A1. Автор: Noort Wibo Van,Ramdani Jamal,Labonte Andre,Getchell Donald Robertson. Владелец: . Дата публикации: 2012-05-17.

HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR MANUFACTURING METHOD AND INTEGRATED CIRCUIT COMPRISING A HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR

Номер патента: US20120132961A1. Автор: . Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2012-05-31.

Method for forming SiGe film, method for manufacturing heterojunction transistor, and heterojunction bipolar transistor

Номер патента: JP3603747B2. Автор: 一樹 水嶋,一郎 塩野. Владелец: 三菱住友シリコン株式会社. Дата публикации: 2004-12-22.

Algaas or ingap low turn-on voltage gaas-based heterojunction bipolar transistor

Номер патента: AU2002324520A1. Автор: Noren Pan. Владелец: Microlink Devices Inc. Дата публикации: 2003-03-03.

Structure and Method of Manufacture for High Performance Heterojunction Bipolar Transistor

Номер патента: AU2006902076A0. Автор: . Владелец: Epitactix Pty Ltd. Дата публикации: 2006-05-11.

Method and Structure for a High Performance Scalable Heterojunction Bipolar Transistor

Номер патента: AU2005907335A0. Автор: . Владелец: Epitactix Pty Ltd. Дата публикации: 2006-01-19.

Heterojunction bipolar transistor having continuous conductive band structure

Номер патента: TW427025B. Автор: Wen-Chau Liou,Shiou-Ying Jeng,Shi-Ren Pan. Владелец: Nat Science Council. Дата публикации: 2001-03-21.

Collector-up heterojunction bipolar transistor and method of fabricating thereof

Номер патента: TWI276152B. Автор: Yue-Ming Hsin,Hung-Tsao Hsu. Владелец: Univ Nat Central. Дата публикации: 2007-03-11.

Method and Apparatus for Control of Heterojunction Bipolar Transistors

Номер патента: AU2006902407A0. Автор: . Владелец: Epitactix Pty Ltd. Дата публикации: 2006-05-25.

Structure and Method of Manufacture for High Performance Heterojunction Bipolar Transistor

Номер патента: AU2006902077A0. Автор: . Владелец: Epitactix Pty Ltd. Дата публикации: 2006-05-11.

Method and Structure for a High Voltage Scalable Heterojunction Bipolar Transistor

Номер патента: AU2006902409A0. Автор: . Владелец: Epitactix Pty Ltd. Дата публикации: 2006-05-25.

Collector-up heterojunction bipolar transistor and method of fabricating thereof

Номер патента: TW200707530A. Автор: Yue-Ming Hsin,Hung-Tsao Hsu. Владелец: Univ Nat Central. Дата публикации: 2007-02-16.

Silicon germanium heterojunction bipolar transistor structure and method

Номер патента: TW200908317A. Автор: Oleg Gluschenkov,Rajendran Krishnasamy,Kathryn T Schonenberg. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2009-02-16.

Tri-strain BiCMOS (Bipolar Complementary Metal Oxide Semiconductor) integrated device based on SiGe HBT (Heterojunction Bipolar Transistor) and preparation method

Номер патента: CN102790052B. Автор: 宋建军,周春宇,郝跃,舒斌,张鹤鸣,胡辉勇,宣荣喜,李妤晨. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2015-04-22.

Vertical parasitic PNP transistor and manufacturing method thereof in germanium silicon heterojunction bipolar transistor (HBT) technology

Номер патента: CN103066118A. Автор: 陈帆,陈雄斌,王永成. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-24.

SILICON GERMANIUM (SiGe) HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR (HBT)

Номер патента: US20130005108A1. Автор: Joseph Alvin J.,Liu Qizhi,KRISHNASAMY Rajendran,ORNER Bradley A.,Hodge Wade J.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-01-03.

HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR WITH REDUCED SUB-COLLECTOR LENGTH, METHOD OF MANUFACTURE AND DESIGN STRUCTURE

Номер патента: US20130187198A1. Автор: Johnson Jeffrey B.,Liu Qizhi,He Zhong-Xiang,Liu Xuefeng,Camillo-Castillo Renata. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-07-25.

Heterojunction bipolar transistor and its manufacture

Номер патента: JPH1092840A. Автор: Atsushi Nakagawa,敦 中川. Владелец: New Japan Radio Co Ltd. Дата публикации: 1998-04-10.

Heterojunction bipolar transistor, method of manufacturing the same, and transceiver

Номер патента: JP3618075B2. Автор: 昌晃 石丸,啓貴 田中. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-02-09.

Method for manufacturing heterojunction bipolar transistor

Номер патента: JP3210354B2. Автор: 正行 浅香. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-09-17.

Indium phosphide base double heterojunction bipolar transistor epitaxial layer structure

Номер патента: CN205211759U. Автор: 林琳,张宇,于浩,王晶,车相辉,陈宏泰,位永平,郝文嘉. Владелец: CETC 13 Research Institute. Дата публикации: 2016-05-04.

Strain SiGe HBT (Heterojunction Bipolar Transistor) vertical channel BiCMOS integrated device and preparation method thereof

Номер патента: CN102800672B. Автор: 宋建军,王海栋,郝跃,舒斌,张鹤鸣,胡辉勇,宣荣喜. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2015-01-21.

SILICON-GERMANIUM HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR

Номер патента: US20120074465A1. Автор: Qian Wensheng,Chen Fan,Chen Xiongbin,Zhou Zhengliang. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-29.

SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR HAVING LOW COLLECTOR/BASE CAPACITANCE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120098039A1. Автор: Miu Yan,Yao Changwa,Peng Hu. Владелец: . Дата публикации: 2012-04-26.

VERTICAL HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTORS WITH REDUCED BASE-COLLECTOR JUNCTION CAPACITANCE

Номер патента: US20120112244A1. Автор: Dahlstrom Erik M.,Liu Qizhi,Camillo-Castillo Renata. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-05-10.

HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTORS AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20120190190A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-07-26.

HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTORS WITH REDUCED BASE RESISTANCE

Номер патента: US20130062668A1. Автор: Dahlstrom Erik M.,Gray Peter B.,Liu Qizhi. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-03-14.

HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR WITH EPITAXIAL EMITTER STACK TO IMPROVE VERTICAL SCALING

Номер патента: US20130126944A1. Автор: Reznicek Alexander,Liu Qizhi,Adam Thomas N.,Harame David L.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-05-23.

Heterojunction bipolar transistor and manufacture thereof

Номер патента: JPS6249658A. Автор: Kazuo Eda,Masaki Inada,順道 太田,Toshimichi Oota,稲田　雅紀,江田　和生. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1987-03-04.

Method for manufacturing heterojunction bipolar transistor

Номер патента: JP3624357B2. Автор: 浩 遠藤. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-03-02.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: JP3866936B2. Автор: 直 高橋. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-01-10.

Manufacture of heterojunction bipolar transistor

Номер патента: JPH01166559A. Автор: Hiroshi Sakai,Hiroshi Kanazawa,浩志 酒井,Hiroshi Osawa,博 金澤,弘 大澤. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 1989-06-30.

Heterojunction bipolar transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: JP2765208B2. Автор: 彰 龍治,貴司 広瀬,雅紀 稲田. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1998-06-11.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: JP2692559B2. Автор: 剣甲 田口. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-12-17.

Heterojunction bipolar transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: JP4164775B2. Автор: 寿生 重松. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-10-15.

Heterojunction bipolar transistor with electrode shielding structure and manufacturing method thereof

Номер патента: CN103000680A. Автор: 张伟,许平,崔杰,付军,赵悦,王玉东,刘志弘,李高庆. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-03-27.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: JPH1187363A. Автор: Kazuhiro Mochizuki,和浩 望月,Kiyoshi Ouchi,潔 大内. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1999-03-30.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: JP3345293B2. Автор: 賢二 栗島. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2002-11-18.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: JPS6417467A. Автор: Seiji Onaka,Hiraaki Tsujii,Atsushi Shibata. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1989-01-20.

Heterojunction bipolar transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: JP2017191865A. Автор: 拓也 星,賢二 栗島,Kenji Kurishima,Takuya Hoshi,典秀 柏尾,Norihide Kayao,悠太 白鳥,Yuta Shiratori. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2017-10-19.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: JP4823154B2. Автор: 功 鈴村,勝由 鷲尾,克矢 小田. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-11-24.

Aluminium gallium nitride (algan) based heterojunction bipolar transistor

Номер патента: EP0966760A1. Автор: Anant K. Agarwal,Michael C. Driver,Rowan L. Messham. Владелец: Northrop Grumman Corp. Дата публикации: 1999-12-29.

Method of manufacturing heterojunction bipolar transistor

Номер патента: JP2504767B2. Автор: 信幸 羽山. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1996-06-05.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: JP2825325B2. Автор: 俊明 紀之定. Владелец: Consejo Superior de Investigaciones Cientificas CSIC. Дата публикации: 1998-11-18.

Variable capacitor in germanium-silicon heterojunction bipolar transistor process and manufacturing method

Номер патента: CN102655170B. Автор: 钱文生. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2014-08-13.

Silicon-germanium HBT (heterojunction bipolar transistor) device and fabrication method thereof

Номер патента: CN102412283B. Автор: 石晶,胡君,钱文生,刘冬华,段文婷. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-24.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: JPS6457665A. Автор: Yoshiko Hiraoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1989-03-03.

Heterojunction bipolar transistor and manufacture thereof

Номер патента: JPS6249659A. Автор: Kazuo Eda,Masaki Inada,順道 太田,Toshimichi Oota,稲田　雅紀,江田　和生. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1987-03-04.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: JP2586640B2. Автор: 慎一 田中. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1997-03-05.

Germanium-silicon heterojunction bipolar transistor structure with high breakdown voltage and manufacture method thereof

Номер патента: CN103137675A. Автор: 石晶,韩峰,陈帆,胡君,钱文生,刘冬华,邱慈云,段文婷. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-05.

Manufacture of heterojunction bipolar transistor

Номер патента: JPS63226962A. Автор: Nobuyuki Hayama,信幸 羽山. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1988-09-21.

Manufacture of horizontal type heterojunction bipolar transistor

Номер патента: JPS62133759A. Автор: Yoshio Itaya,Hideki Fukano,秀樹 深野,板屋　義夫. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1987-06-16.

Method for manufacturing heterojunction bipolar transistor

Номер патента: JP4872222B2. Автор: 純一郎 小林. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-02-08.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.