Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200066886A1
Опубликовано: 27-02-2020
Автор(ы): OBU Isao, Tanaka Satoshi, TSUTSUI Takayuki, UMEMOTO Yasunari
Принадлежит: MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20200373417A1. Автор: Yasunari Umemoto,Isao Obu,Shigeki Koya. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-26.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20190115457A1. Автор: Yasunari Umemoto,Isao Obu,Shigeki Koya. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-18.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09972722B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Heterojunction bipolar transistor and semiconductor device

Номер патента: US20200066886A1. Автор: SATOSHI Tanaka,Yasunari Umemoto,Takayuki Tsutsui,Isao Obu. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-27.

Co-integration of self-aligned and non-self aligned heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US09899375B1. Автор: Vibhor Jain,Qizhi Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Low collector contact resistance heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US20190305094A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Method of forming a semiconductor device structure and semiconductor device structure

Номер патента: US20170317097A1. Автор: Frank Jakubowski,Juergen Faul. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-02.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20160247682A1. Автор: Susumu Harada. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-08-25.

Method of forming a semiconductor device structure and semiconductor device structure

Номер патента: US20170250191A1. Автор: Frank Jakubowski,Juergen Faul. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-31.

Method of forming a semiconductor device structure and semiconductor device structure

Номер патента: US09748259B1. Автор: Frank Jakubowski,Juergen Faul. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09805937B2. Автор: Tomoya KASHIWAZAKI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of manufacturing semiconductor device, semiconductor substrate, and semiconductor device

Номер патента: US09831126B2. Автор: Mitsuhiko Sakai. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09768294B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of forming a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09954065B2. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Frank Pfirsch,Johannes Baumgartl,Ingo Muri,Iris Moder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor Device and Method

Номер патента: US20220181490A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Lo-Heng Chang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Method including a formation of a transistor and semiconductor structure including a first transistor and a second transistor

Номер патента: US09685457B2. Автор: Ralf Illgen,Stefan Flachowsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20160322261A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-03.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20150303195A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-10-22.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09837317B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09595476B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Contact forming method, semiconductor device manufacturing method, and semiconductor device

Номер патента: US20110073922A1. Автор: Tadahiro Ohmi,Hiroaki Tanaka,Akinobu Teramoto,Tatsunori Isogai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-03-31.

Methods of forming a semiconductor circuit element and semiconductor circuit element

Номер патента: US09608110B2. Автор: Peter Baars,Carsten Grass. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Field-stop reverse conducting insulated gate bipolar transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: US20160163841A1. Автор: Shuo Zhang,Xiaoshe Deng,Genyi Wang,Qiang RUI. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-09.

Method of manufacturing semiconductor device using surface treatment and semiconductor device manufactured by the method

Номер патента: US09576840B2. Автор: Sunyoung Lee,Han Ki LEE,Sungho Kang,Jaeyoung Park,Kichul Kim,Bonyoung Koo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Method of reducing the current gain of an inherent bipolar transistor in an insulated-gate semiconductor device and resulting devices

Номер патента: US4620211A. Автор: Victor A. K. Temple,Bantval J. Baliga,Tat-Sing P. Chow. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1986-10-28.

Heterojunction bipolar transistor with a thickened extrinsic base

Номер патента: US20180240897A1. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Qizhi Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-08-23.

Method of forming a semiconductor device structure and semiconductor device structure

Номер патента: US09842845B1. Автор: Ralf Richter,Thomas Melde. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device having a heterojunction and a two dimensional gas as an active layer

Номер патента: US5381027A. Автор: Susumu Takahashi,Masao Yamane,Toshiyuki Usagawa,Katsuhiko Mitani,Yoshinori Imamura,Shigeo Goto,Tomonori Tanoue,Kenji Hiruma,Masahiko Kawata. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1995-01-10.

Methods for forming a semiconductor device and semiconductor devices

Номер патента: US20180061644A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Werner Schustereder. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-01.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor package

Номер патента: US10847616B2. Автор: Yusuke Kubo. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-11-24.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20170053992A1. Автор: Masakazu Okada,Sachiko Aoi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-02-23.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09590071B2. Автор: Ichiro Masumoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device and power amplifier using the same

Номер патента: US20040140480A1. Автор: Kazuhiro Mochizuki,Kiichi Yamashita,Tohru Oka,Isao Ohbu. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-07-22.

Semiconductor device and power amplifier using the same

Номер патента: US20020153534A1. Автор: Kazuhiro Mochizuki,Kiichi Yamashita,Tohru Oka,Isao Ohbu. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-10-24.

Integration of bipolar transistor into complimentary metal-oxide-semiconductor process

Номер патента: US09786656B1. Автор: Brent A. Anderson,Xuefeng Liu,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20170229448A1. Автор: Hiroyuki Tanaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-10.

Heterojunction bipolar transistor device integration schemes on a same wafer

Номер патента: US20180145160A1. Автор: Anthony K. Stamper,Vibhor Jain,Renata A. Camillo-Castillo,Qizhi Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-24.

Method of manufacturing semiconductor devices and semiconductor devices

Номер патента: US20230274938A1. Автор: Chi On Chui,Da-Yuan Lee,Shu-Han Chen,Tsung-Ju CHEN,Hao-Ming Tang,Yun-San Chien,Yi-Hsin Ting,Han-Shen WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Heterojunction bipolar transistor with field plates

Номер патента: WO2020167363A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2020-08-20.

Heterojunction bipolar transistors with field plates

Номер патента: US20200259004A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-08-13.

Method for forming lateral heterojunction bipolar devices and the resulting devices

Номер патента: US20200388696A1. Автор: Jagar Singh,Alexander Lee Martin. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2020-12-10.

Method for making integrated heterojunction bipolar/high electron mobility transistor

Номер патента: US5920773A. Автор: Julia J. Brown,Madjid Hafizi,William E. Stanchina. Владелец: Hughes Electronics Corp. Дата публикации: 1999-07-06.

Method of making semiconductor devices

Номер патента: US5168071A. Автор: Stephen J. Pearton,Fan Ren,Thomas R. Fullowan. Владелец: AT&T Bell Laboratories Inc. Дата публикации: 1992-12-01.

Semiconductor device, semiconductor structure and method for fabricating semiconductor device and semiconductor structure using tilted etch process

Номер патента: US12094718B2. Автор: Huan-Yung Yeh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Bipolar transistor

Номер патента: US09570546B2. Автор: Dirk Klaassen,Petrus Hubertus Cornelis Magnee,Tony Vanhoucke,Viet Thanh Dinh,Mahmoud Shehab Mohammad Al-Sa'di,Ponky Ivo. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device, semiconductor memory device, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20210296238A1. Автор: Mitsuo Ikeda,Akihiro Kajita,Daisuke Ikeno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor device and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US20080042281A1. Автор: Kazuhide Abe. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-21.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device obtained by means of such a method

Номер патента: US20060128089A1. Автор: Viet Nguyen Hoang,Dirk Gravesteijn,Romano Julma Hoofman. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-06-15.

Method and installation for producing a semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: WO2011045398A1. Автор: Marcus Bender,Evelyn Scheer,Fabio Pieralisi. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2011-04-21.

Method for processing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09653296B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Francisco Javier Santos Rodriguez,Daniel Schloegl,Andre Rainer Stegner,Andreas Haertl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-16.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20080142901A1. Автор: Yutaka Takeshima,Yasuko Yoshida,Shuji Matsuo,Kota Funayama,Katsuhiro Uchimura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-19.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20170077040A1. Автор: Takeshi Watanabe,Yuusuke Takano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240055506A1. Автор: Takashi Yoshimura,Motoyoshi KUBOUCHI,Makoto Shimosawa,Misaki Uchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US20240130125A1. Автор: Masayuki Kitamura,Hiroshi Toyoda,Katsuaki Natori,Koji Yamakawa,Takayuki Beppu,Kenichiro TORATANI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: US20080203440A1. Автор: Masakatsu Tsuchiaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-28.

Methods for manufacturing semiconductor devices, and semiconductor devices

Номер патента: US12114483B2. Автор: Dandan He. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Interconnection structure, fabricating method thereof, and semiconductor device using the same

Номер патента: US09576908B1. Автор: Chi-Wen Liu,Yu-Hung Lin,Horng-Huei Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: EP4044254A3. Автор: Yasutaka Nakashiba,Masami Sawada,Akihiro Shimomura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-10-26.

Method of contact formation between metal and semiconductor

Номер патента: EP3513427A1. Автор: Hua Chung,Yi-Chiau Huang,Xuebin Li. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-07-24.

Nanowire semiconductor device

Номер патента: US9735258B2. Автор: SANGHOON Lee,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Nanowire semiconductor device

Номер патента: US9613873B1. Автор: SANGHOON Lee,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Nanowire semiconductor device

Номер патента: US20170263507A1. Автор: SANGHOON Lee,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Nanowire semiconductor device

Номер патента: US20170179251A1. Автор: SANGHOON Lee,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

Method for fabricating semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09653592B2. Автор: Shuichi Nishizawa. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Nanowire semiconductor device

Номер патента: US09613873B1. Автор: SANGHOON Lee,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US10177035B2. Автор: Shinichi Maeda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-01-08.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US9728460B2. Автор: Shinichi Maeda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170125295A1. Автор: Shinichi Maeda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-04.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170338155A1. Автор: Shinichi Maeda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-23.

Asymmetrical lateral heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US20210091212A1. Автор: Alexander Martin,George R. Mulfinger,Jagar Singh,Ryan Sporer,Judson Holt,Alexander Derrickson. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

SiGe HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR WITH CRYSTALLINE RAISED BASE ON GERMANIUM ETCH STOP LAYER

Номер патента: US20200006537A1. Автор: Edward J. Preisler. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2020-01-02.

Silicon germanium heterojunction bipolar transistor structure and method

Номер патента: US20130210210A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Kathryn T. Schonenberg,Rajendran Krishnasamy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-08-15.

Self-aligned, planar heterojunction bipolar transistor and method of forming the same

Номер патента: US5098853A. Автор: William E. Stanchina,Marion D. Clark,K. Vaidyanathan. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1992-03-24.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US5477066A. Автор: Masahiko Nakanishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-12-19.

LOW PARASITIC Ccb HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR

Номер патента: US20210167187A1. Автор: Liesbeth Witters,Yves MOLS,Abhitosh Vais. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-06-03.

Silicon germanium heterojunction bipolar transistor structure and method

Номер патента: US20100159664A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Kathryn T. Schonenberg,Rajendran Krishnasamy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-06-24.

Method for manufacturing semiconductor device, cleaning device, cleaning method, and semiconductor device

Номер патента: US20240321818A1. Автор: Tomoaki Shibata,Shizu FUKUZUMI,Toshiaki Shirasaka. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09741587B2. Автор: Yoshikazu Takahashi,Tsunehiro Nakajima,Norihiro NASHIDA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Method of using platinum metallization in system of redistribution of contact pads of crystals of integrated microcircuits and semiconductor devices

Номер патента: RU2717264C1. Автор: Никита Владимирович Рогозин,Виталий Владимирович Побединский. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники". Дата публикации: 2020-03-19.

Method of manufacturing transistor and semiconductor device including the same

Номер патента: US09530848B2. Автор: Moon Sik SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US8101507B2. Автор: Shigeru Tahara,Ryuichi Asako,Gousuke Shiraishi. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-01-24.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20150303296A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-10-22.

Method for manufacturing a semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US9524940B2. Автор: Thomas Fischer,Carsten Ahrens,Andre Schmenn,Damian Sojka. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-20.

Method for manufacturing a semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09524940B2. Автор: Thomas Fischer,Carsten Ahrens,Andre Schmenn,Damian Sojka. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-20.

Method for fabricating semiconductor device, and semiconductor device made thereby

Номер патента: US20150236158A1. Автор: Chin-Cheng Chien,Chun-Jen Chen,Tien-Wei YU,Tsung-Mu Yang,Tien-Chen Chan,Ming-Hua Chang,Yu-Shu Lin,I-Cheng Hu,Chieh-Lung Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-08-20.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9761708B2. Автор: Tetsuya Iida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20160247915A1. Автор: Tetsuya Iida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-25.

Manufacturing method for semiconductor chips and semiconductor wafer

Номер патента: WO2006075725A3. Автор: Kiyoshi Arita,Teruaki Nishinaka. Владелец: Teruaki Nishinaka. Дата публикации: 2007-02-08.

Methods of forming a semiconductor device including active patterns on a bonding layer and semiconductor devices formed by the same

Номер патента: US12112952B2. Автор: Sungmin Kim,Daewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09735109B2. Автор: Hidenao Kuribayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20080242103A1. Автор: Takayuki Izumi,Kazuhiko Ohmuro,Ryoji Shigemasa,Tomoyuki Ohshima. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-02.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US11923328B2. Автор: Hsin He HUANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9355890B2. Автор: Tetsuya Iida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20130207228A1. Автор: Tetsuya Iida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-08-15.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US20240250053A1. Автор: Hsin He HUANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

High throughput epitaxial liftoff for releasing multiple semiconductor device layers from a single base substrate

Номер патента: US20130295750A1. Автор: Ning Li,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-07.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device obtained by using such a method

Номер патента: WO2004070831A1. Автор: Yukiko Furukawa. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw,. Дата публикации: 2004-08-19.

Method of manufacturing semiconductor device by plasma treatment and heat treatment, and semiconductor device

Номер патента: US09966447B2. Автор: Junya Nishii. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device

Номер патента: US09853122B2. Автор: Masataka Yoshinari. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US8241515B2. Автор: Takayuki Izumi,Kazuhiko Ohmuro,Ryoji Shigemasa,Tomoyuki Ohshima. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-14.

Epitaxial Growth Process for Semiconductor Device and Semiconductor Device Comprising Epitaxial Layer Formed By Adopting the Same

Номер патента: US20210398805A1. Автор: Qin Deng,Huojin Tu,Zhanyuan Hu,Jueyang Liu. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-12-23.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor wafer

Номер патента: US20170186725A1. Автор: Takehiro Oura,Yuichi Ota,Kohei Yoshida,Kentaro Kita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-29.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor wafer

Номер патента: US09786630B2. Автор: Takehiro Oura,Yuichi Ota,Kohei Yoshida,Kentaro Kita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09780163B2. Автор: Satoru Kameyama,Yuki Horiuchi. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor devices with enhanced deterministic doping and related methods

Номер патента: US09716147B2. Автор: Robert J. Mears. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Methods of forming interconnects and semiconductor structures

Номер патента: US09640433B2. Автор: Salman Akram,James M. Wark,William Mark Hiatt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and semiconductor chip

Номер патента: US20180005888A1. Автор: Fujiyuki Minesaki. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-04.

Bipolar Transistor

Номер патента: US20170179264A1. Автор: Josef Boeck,Wolfgang Liebl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-06-22.

Semiconductor material, preparation method, and semiconductor device

Номер патента: EP4439639A1. Автор: Qi Zhang,Kun Ma,Chaoyang Luo,Yuhang Zhang,Yanjun Wang,Chenguang Sun,Qianzhi MA,Zuying YAO,Qiwang Wei,Haiyun GU,Zhicai LI. Владелец: Zhonghuan Advanced Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Bipolar transistor

Номер патента: US09871125B2. Автор: Josef Boeck,Wolfgang Liebl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-16.

Bipolar transistor

Номер патента: US09761701B2. Автор: Josef Boeck,Wolfgang Liebl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-09-12.

Method for thinning, metalizing, and dicing a semiconductor wafer, and semiconductor device made using the method

Номер патента: US09564401B2. Автор: Hiroyuki NUMAGUCHI. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20160211385A1. Автор: Shoji Kitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-21.

Semiconductor device and method

Номер патента: US20240170536A1. Автор: Hsin-Yi Lee,Chi On Chui,Ji-Cheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Electroless-plating solution and semiconductor device

Номер патента: WO2002099164A3. Автор: Hiroaki Inoue,Kenji Nakamura,Moriji Matsumoto. Владелец: Ebara Corp. Дата публикации: 2004-05-21.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US09716006B2. Автор: Kenji Hamada,Naruhisa Miura,Yosuke Nakanishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor-metal-on-insulator structures, methods of forming such structures, and semiconductor devices including such structures

Номер патента: US09608119B2. Автор: Ming Zhang,John K. Zahurak,Andrew M. Bayless,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09543314B2. Автор: Tatsuyoshi MIHARA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20190244808A1. Автор: Tetsuya Sakuma. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2019-08-08.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240088258A1. Автор: Tatsuo Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Logic circuit formed using unipolar transistor, and semiconductor device

Номер патента: US12040795B2. Автор: Takeshi Aoki,Hiroki Inoue,Shintaro Harada,Sho Nagao,Munehiro KOZUMA,Shuji Fukai,Fumika AKASAWA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Logic circuit formed using unipolar transistor, and semiconductor device

Номер патента: US20240364343A1. Автор: Takeshi Aoki,Hiroki Inoue,Shintaro Harada,Sho Nagao,Munehiro KOZUMA,Shuji Fukai,Fumika AKASAWA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Manufacturing method for a bipolar transistor and a MISFET semiconductor device

Номер патента: DE60040812D1. Автор: Takeshi Takagi,Yoshihiko Kanzawa,Koji Katayama,Yoshihiro Hara,Akira Asai,Katsuya Nozawa,Koichiro Yuki,Yo Ichikawa,Teruhito Oonishi,Tohru Saitho. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-24.

Compound semiconductor device

Номер патента: US09831329B2. Автор: Kenji Sasaki,Takashi Kitahara,Kingo Kurotani. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Compound semiconductor device

Номер патента: US09825156B2. Автор: Kenji Sasaki,Takashi Kitahara,Kingo Kurotani. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Compound semiconductor device

Номер патента: US20190214489A1. Автор: Kenji Sasaki,Takashi Kitahara,Kingo Kurotani. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-11.

Compound semiconductor device

Номер патента: US20180006144A1. Автор: Kenji Sasaki,Takashi Kitahara,Kingo Kurotani. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-04.

Compound semiconductor device

Номер патента: US20200006536A1. Автор: Kenji Sasaki,Takashi Kitahara,Shigeki Koya,Kingo Kurotani. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Compound semiconductor device

Номер патента: US11869957B2. Автор: Kenji Sasaki,Takashi Kitahara,Shigeki Koya,Kingo Kurotani. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Compound semiconductor device

Номер патента: US20210066479A1. Автор: Kenji Sasaki,Takashi Kitahara,Shigeki Koya,Kingo Kurotani. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Heterojunction bipolar transistor and power amplifier

Номер патента: US11990537B2. Автор: Chih-Yang Kao,Chien-Rong YU. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20170243939A1. Автор: Shigeru Yoshida,Isao Obu. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-24.

Semiconductor device and power amplifier circuit

Номер патента: US20180269206A1. Автор: Shigeru Yoshida,Kaoru Ideno,Isao Obu. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-20.

Heterojunction bipolar transistor with buried trap rich isolation region

Номер патента: US20230402453A1. Автор: Anthony K. Stamper,John J. Pekarik,John J. Ellis-Monaghan,Vibhor Jain,Steven M. Shank. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Heterojunction bipolar transistor with buried trap rich isolation region

Номер патента: US11791334B2. Автор: Anthony K. Stamper,John J. Pekarik,John J. Ellis-Monaghan,Vibhor Jain,Steven M. Shank. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor device with multiple HBTs having different emitter ballast resistances

Номер патента: US09905678B2. Автор: Peter J. Zampardi,Brian G. Moser,Thomas James Rogers. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

SiGe HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR WITH IMPROVED BREAKDOWN VOLTAGE-CUTOFF FREQUENCY PRODUCT

Номер патента: WO2013142860A1. Автор: Jeffrey A. Babcock,Alexei Sadovnikov. Владелец: Texas Instruments Japan Limiited. Дата публикации: 2013-09-26.

Semiconductor device with multiple hbts having different emitter ballast resistances

Номер патента: US20190341477A1. Автор: Peter J. Zampardi,Brian G. Moser,Thomas James Rogers. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2019-11-07.

Semiconductor device with multiple hbts having different emitter ballast resistances

Номер патента: US20190074366A1. Автор: Peter J. Zampardi,Brian G. Moser,Thomas James Rogers. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2019-03-07.

Semiconductor device with multiple hbts having different emitter ballast resistances

Номер патента: US20180190801A1. Автор: Peter J. Zampardi,Brian G. Moser,Thomas James Rogers. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

CMOS transistor, semiconductor device including the transistor, and semiconductor module including the device

Номер патента: US09543300B2. Автор: Yu-Gyun Shin,Sang-Jin Hyun,Hoon-joo Na,Sug-Hun Hong,Hong-bae Park,Hye-Lan Lee,Hyung-seok HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Logic circuit and semiconductor device formed using unipolar transistor

Номер патента: US11777502B2. Автор: Takeshi Aoki,Hiroki Inoue,Sho Nagao,Munehiro KOZUMA,Shuji Fukai,Fumika AKASAWA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Memory device and semiconductor device including the memory device

Номер патента: US12063770B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device including an insulated gate bipolar transistor and a circuit configured to control the insulated gate bipolar transistor provided on the same semiconductor substrate

Номер патента: US09893055B2. Автор: Kenichi Ishii,Hiroshi Nakamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and semiconductor circuit including the semiconductor device with enhanced current-voltage characteristics

Номер патента: US09825026B2. Автор: John Twynam. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Bipolar transistor, band-gap reference circuit and virtual ground reference circuit and methods of fabricating thereof

Номер патента: US09577063B2. Автор: Min-Hwa Chi,Deyuan Xiao,Lihying Ching. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Backside vias in semiconductor device

Номер патента: US12132092B2. Автор: Chih-Hao Wang,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09893179B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Self-aligned etch in semiconductor devices

Номер патента: US12080713B2. Автор: Cheng-Chi Chuang,Ching-Wei Tsai,Yi-Hsun CHIU,Shang-Wen Chang,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Bipolar transistor with trenched-groove isolation regions

Номер патента: US20010013635A1. Автор: Hideki Kitahata. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-08-16.

Self-Aligned Etch in Semiconductor Devices

Номер патента: US20240363626A1. Автор: Cheng-Chi Chuang,Ching-Wei Tsai,Yi-Hsun CHIU,Shang-Wen Chang,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Integrated circuit comprising at least one bipolar transistor and a corresponding method of production

Номер патента: US20220375954A1. Автор: Abderrezak Marzaki,Romeric Gay. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2022-11-24.

Display apparatus including thin film transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US10854644B2. Автор: Jongchan Lee,Yongsu Lee,Taehoon Yang,Woonghee Jeong,Jaeseob Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-01.

Integrated circuit arrangement with npn and pnp bipolar transistors and corresponding production method

Номер патента: US20090305477A1. Автор: Thomas Hüttner,Martin Seck,Thomas Bottner,Stefan Draxl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2009-12-10.

Method of manufacturing semiconductor devices and semiconductor devices

Номер патента: US12040381B2. Автор: Cheng-Yi Peng,Bor-Zen Tien,Wen-Yuan Chen,Wen-Hsing Hsieh,Jon-Hsu Ho,Song-Bor Lee,Yi-Ju Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Method of manufacturing semiconductor devices and semiconductor devices

Номер патента: US20240322011A1. Автор: Cheng-Yi Peng,Bor-Zen Tien,Wen-Yuan Chen,Wen-Hsing Hsieh,Jon-Hsu Ho,Song-Bor Lee,Yi-Ju Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Complementary analog bipolar transistors with trench-constrained isolation diffusion

Номер патента: WO2004017373A9. Автор: Richard K Williams,Michael E Cornell,Wai Tien Chan. Владелец: Advanced Analogic Tech Inc. Дата публикации: 2004-06-24.

High performance integrated vertical transistors and method of making the same

Номер патента: US20070001264A1. Автор: Jeffrey Johnson,David Sheridan,Peter Gray,Qizhi Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-01-04.

Complementary analog bipolar transistors with trench-constrained isolation diffusion

Номер патента: WO2004017373A3. Автор: Richard K Williams,Michael E Cornell,Wai Tien Chan. Владелец: Advanced Analogic Tech Inc. Дата публикации: 2005-07-14.

Contacts for semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20240250143A1. Автор: Jyun-De Wu,Yi-Chen Wang,Yi-Chun Chang,Te-Chih Hsiung,Yuan-Tien Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Heterojunction Bipolar Transistor Fabrication Using Resist Mask Edge Effects

Номер патента: US20200006482A1. Автор: Santosh Sharma,Edward J. Preisler. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2020-01-02.

Heterojunction bipolar transistor and method for manufacturing the same, and power amplifier using the same

Номер патента: US20070164316A1. Автор: Atsushi Kurokawa,Yasunari Umemoto,Chushiro Kusano,Isao Ohbu. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-07-19.

Lateral heterojunction bipolar transistor with emitter and/or collector regrown from substrate and method

Номер патента: US11990535B2. Автор: Haiting Wang,Vibhor Jain,Judson R. Holt,Alexander M. Derrickson,Richard F. Taylor, III. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Heterojunction bipolar transistor (hbt)

Номер патента: WO2019125688A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-06-27.

Method for forming a germanium layer and a heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US5089428A. Автор: Kenneth E. Bean,Douglas P. Verret. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1992-02-18.

Heterojunction bipolar transistor (hbt)

Номер патента: US20190189787A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Semiconductor device, semiconductor device control method, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20240313094A1. Автор: Ayanori Gatto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device having semiconductor device elements in a semiconductor layer

Номер патента: US12107130B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Gerhard Schmidt,Ingo Muri,Oliver Hellmund,Thomas Neidhart,Iris Moder,Jacob Tillmann Ludwig,Johannes Konrad Baumgartl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-10-01.

Modified self-aligned contact process and semiconductor device

Номер патента: US09711611B2. Автор: Kuang-Hsin Chen,Tsung-Yu CHIANG,Wei-Shuo HO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2688864C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2019-05-22.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US12074215B2. Автор: Tomomi Yamanobe,Yoshinobu Takeshita,Kazutaka Kodama,Minako Oritu. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor package including semiconductor device

Номер патента: US20240321774A1. Автор: Seonkyu Kim,Kitae Park,Seungmin Baek,Joonseok OH,Jaewook JUNG,Yongjae SONG,Chiwan SONG,Hyunna BAE,Seokil Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Methods of forming hydrophobic surfaces on semiconductor device structures, methods of forming semiconductor device structures, and semiconductor device structures

Номер патента: US20130292647A1. Автор: Prashant Raghu,Ian C. Laboriante. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-11-07.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09590098B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20070020850A1. Автор: Masaru Takaishi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-25.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20040191996A1. Автор: Masaru Takaishi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-09-30.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device manufacturing system

Номер патента: US12136569B2. Автор: Mitsuhiko Ogihara. Владелец: Filnex Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

Semicondcutor structure and semiconductor manufacturing process thereof

Номер патента: US09837366B1. Автор: Chin-Yu Ku,Rung-De Wang,Wei-Lun Hsieh,Chen-Hsun Liu,Chia-Hua Wang,Pei-Shing Tsai,Jheng-Hong Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US20240030324A1. Автор: Atsushi Shoji,Soichi Yoshida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: EP3817068A1. Автор: Soichi Yoshida,Atsushi SHOUJI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-05.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US12068404B2. Автор: Atsushi Shoji,Soichi Yoshida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Insulated gate bipolar transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: US09954074B2. Автор: Shengrong Zhong,Dongfei Zhou,Xiaoshe Deng,Genyi Wang. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of manufacturing silicon rich oxide (SRO) and semiconductor device employing SRO

Номер патента: US20070072424A1. Автор: Jung-hyun Lee,Sang-Bong Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-29.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20080272444A1. Автор: Hiroyuki Kitamura. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-11-06.

Semiconductor device, communication module, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US12068407B2. Автор: Masashi Yanagita,Katsuji Matsumoto. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09842926B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09530884B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-27.

Unltra-Shallow Junction Semiconductor Field-Effect Transistor and Method of Making

Номер патента: US20140306271A1. Автор: Peng Xu,Wei Zhang,Dongping Wu,Shili Zhang,Xiangbiao Zhou. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-10-16.

Ladder annealing process for increasing polysilicon grain size in semiconductor device

Номер патента: US12052868B2. Автор: Lei Li,Tuo Li,Hao PU,Caiyu Wu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Manufacturing method for semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20090309133A1. Автор: Kunihiro Miyazaki,Takayuki Ito,Takuo Ohashi,Kiyotaka Miyano,Kouji Matsuo,Kenichi Yoshino,Toshihiko Iinuma,Yusuke Oshiki,Takaharu Itani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-12-17.

Low dielectric constant material having thermal resistance, insulation film between semiconductor layers using the same, and semiconductor device

Номер патента: US20060091382A1. Автор: Noboru Mikami,Sei Tsunoda,Hideharu Nobutoki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2006-05-04.

Semiconductor device and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US20080048247A1. Автор: Koji Yoshida,Nobuyoshi Takahashi,Hiroaki Kuriyama,Fumihiko Noro,Masataka Kusumi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-28.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240297250A1. Автор: Hao-Chung Kuo,Chia-Lung HUNG,Yi-Kai HSIAO. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: EP4425565A2. Автор: Hao-Chung Kuo,Chia-Lung HUNG,Yi-Kai HSIAO. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-04.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: EP4425565A3. Автор: Hao-Chung Kuo,Chia-Lung HUNG,Yi-Kai HSIAO. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Method of manufacturing semiconductor devices and semiconductor device containing oxygen-related thermal donors

Номер патента: US09825131B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Johannes Georg Laven,Moriz Jelinek,Werner Schustereder,Michael Stadtmueller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of fabricating capacitor in semiconductor device and semiconductor device using the same

Номер патента: US20050287758A1. Автор: Jea Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-12-29.

Semiconductor Device Layout

Номер патента: US20210343700A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Ion implantation method and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US7785994B2. Автор: Hideki Okai. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-08-31.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor wafer

Номер патента: US20200381256A1. Автор: Roland Rupp,Hans-Joachim Schulze,Francisco Javier Santos Rodriguez. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-12-03.

Method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: US20020001959A1. Автор: Yasuo Nakatani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-01-03.

Semiconductor device and method of manufacturing such a device

Номер патента: US20090174034A1. Автор: Wibo D. Van Noort,Francois Neuilly,T. M. Donkers Johannes J.. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-07-09.

Method of manufacturing semiconductor device using plasma doping process and semiconductor device manufactured by the method

Номер патента: US09577075B2. Автор: Sunghyun Choi,Yong-Suk Tak,Kyungin Choi,JaeJong Han,Bonyoung Koo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Method of manufacturing semiconductor device using plasma doping process and semiconductor device manufactured by the method

Номер патента: US09825153B2. Автор: Sunghyun Choi,Yong-Suk Tak,Kyungin Choi,JaeJong Han,Bonyoung Koo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: US20230207683A1. Автор: Junghee Park,Dae Hwan Chun,Youngkyun Jung,NackYong JOO,Jungyeop Hong. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20150380541A1. Автор: Koichi Arai,Kenichi Hisada,Yasuaki Kagotoshi,Masaki HAMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-12-31.

Method of manufacturing an insulation layer on silicon carbide and semiconductor device

Номер патента: EP3516682A1. Автор: Yuji Komatsu. Владелец: ZF FRIEDRICHSHAFEN AG. Дата публикации: 2019-07-31.

Field-effect transistor and manufacture thereof, semiconductor device and manufacture thereof and logic circuit containing semiconductor device thereof and semiconductor substrate

Номер патента: JPH10270685A. Автор: Takashi Noguchi,Mitsuo Soneda,▲隆▼ 野口,光生 曽根田. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1998-10-09.

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR DEVICE, MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD FOR INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR DEVICE

Номер патента: US20200098902A1. Автор: Matsudai Tomoko,SATOH Katsumi,Omura Ichiro. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-26.

Insulated gate bipolar transistor device, method for producing semiconductor device, and method for producing insulated gate bipolar transistor device

Номер патента: WO2018105749A1. Автор: 知子 末代,佐藤　克己,大村　一郎. Владелец: 国立大学法人九州工業大学. Дата публикации: 2018-06-14.

Field effect transistor and fabrication thereof, semiconductor device and fabrication thereof, logic circuit including the semiconductor device, and semiconductor substrate

Номер патента: US20040135210A1. Автор: Takashi Noguchi,Mitsuo Soneda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-15.

Heterojunction bipolar transistor and method of making the same

Номер патента: US20220093774A1. Автор: Min-Hwa Chi,Richard Ru-Gin Chang. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-24.

Metamorphic high electron mobility transistor-heterojunction bipolar transistor integration

Номер патента: US20210391321A1. Автор: Je-Hsiung Lan,Jonghae Kim,Ranadeep Dutta. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US09704967B2. Автор: Alain Chantre,Pascal Chevalier,Jean-Pierre Blanc,Didier Celi. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2017-07-11.

Directed epitaxial heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US09853136B2. Автор: Yu-Chung Chin,Chao-Hsing Huang,Min-Nan Tseng. Владелец: Visual Photonics Epitaxy Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Heterojunction bipolar transistor with buried trap rich isolation region

Номер патента: US20230299132A1. Автор: Anthony K. Stamper,John J. Ellis-Monaghan,Vibhor Jain,Steven M. Shank,Rajendran Krishnasamy. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

High Performance SiGe Heterojunction Bipolar Transistors Built On Thin Film Silicon-On-Insulator Substrates For Radio Frequency Applications

Номер патента: US20190109054A1. Автор: Marco Racanelli,David J. Howard,Edward J. Preisler,Paul D. Hurwitz. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2019-04-11.

Structure integrating field-effect transistor with heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20200043913A1. Автор: Chan Shin Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-02-06.

Integrated photodetector and heterojunction bipolar transistors

Номер патента: WO2004079784A2. Автор: Milton Feng,Shyh-Chiang Shen. Владелец: Xindium Technologies, Inc.. Дата публикации: 2004-09-16.

GaAs/GaAlAs Heterojunction bipolar integrated circuit devices

Номер патента: US4573064A. Автор: Han-Tzong Yuan,William V. McLevige,Walter M. Duncan,Friedrich H. Doerbeck. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1986-02-25.

Integrated semiconductor devices and method of fabricating the same

Номер патента: US20190341381A1. Автор: Matthew Michael Nowak,Ranadeep Dutta. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-11-07.

Fabrication of a heterojunction bipolar transistor with integrated MIM capacitor

Номер патента: US6833606B2. Автор: Hiroshi Nakamura,Subrata Halder,Ting Cheong Ang,Geok Ing Ng,Kian Siong Ang. Владелец: DENSELIGHT SEMICONDUCTORS PTE LTD. Дата публикации: 2004-12-21.

Heterojunction bipolar transistor with integrated mim capacitor

Номер патента: WO2003041171A3. Автор: Hiroshi Nakamura,Subrata Halder,Ting Cheong Ang,Kian Siong Ang,Geok Ng. Владелец: Finnie Peter John. Дата публикации: 2003-07-10.

Semiconductor device having diode-built-in IGBT and semiconductor device having diode-built-in DMOS

Номер патента: US9184158B2. Автор: Kenji Kouno. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2015-11-10.

Method of manufacturing a semiconductor device, in which a high-breakdown-voltage mos transistor and a low-breakdown-voltage mos transistor are formed on an identical semiconductor substrate and semiconductor device manufactured thereby

Номер патента: US6916714B2. Автор: Atsushi Kanda,Yasushi Haga. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-07-12.

Semiconductor device having MOS transistors and bipolar transistors on a single semiconductor substrate

Номер патента: US6924534B2. Автор: Toshiyuki Ohkoda,Toshimitsu Taniguchi,Kazutomo Goshima. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-08-02.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09780179B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device

Номер патента: US09660061B2. Автор: Sadayuki Ohnishi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Method for manufacturing semiconductor device with hetero junction bipolar transistor

Номер патента: US6649458B2. Автор: Atsushi Kurokawa,Yoshinori Imamura,Toshiaki Kitahara,Hiroshi Inagawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-11-18.

Method for manufacturing semiconductor device with hetero junction bipolar transistor

Номер патента: US20030157775A1. Автор: Atsushi Kurokawa,Yoshinori Imamura,Toshiaki Kitahara,Hiroshi Inagawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-08-21.

Semiconductor device and semiconductor storage device

Номер патента: US20220246632A1. Автор: Takeshi Shimane. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Method of forming MOS and bipolar transistors

Номер патента: US09929146B2. Автор: Philippe Boivin,Olivier Weber,Emmanuel Richard. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-03-27.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20040063292A1. Автор: Atsushi Kurokawa,Yoshinori Imamura,Toshiaki Kitahara,Hiroshi Inagawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2004-04-01.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US6867079B2. Автор: Atsushi Kurokawa,Yoshinori Imamura,Toshiaki Kitahara,Hiroshi Inagawa. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-03-15.

Strained transistors and phase change memory

Номер патента: US20230329008A1. Автор: Olivier Weber,Remy Berthelon. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device internally having insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US20110108882A1. Автор: Tomohide Terashima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2011-05-12.

Semiconductor device internally having insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US20100148214A1. Автор: Tomohide Terashima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2010-06-17.

Strained transistors and phase change memory

Номер патента: US20210343788A1. Автор: Olivier Weber,Remy Berthelon. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2021-11-04.

High fT and fmax Bipolar Transistor and Method of Making Same

Номер патента: US20040262713A1. Автор: Qizhi Liu,Alvin Joseph. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-12-30.

Bipolar transistor and method of making same

Номер патента: WO2005004201A3. Автор: Qizhi Liu,Alvin J Joseph. Владелец: Alvin J Joseph. Дата публикации: 2005-05-12.

Lateral bipolar transistor

Номер патента: WO2006109221A3. Автор: Philippe Meunier-Beillard,Erwin Hijzen,Johannes J T M Donkers,Raymond J E Hueting. Владелец: Raymond J E Hueting. Дата публикации: 2007-03-29.

Semiconductor device comprising a bipolar transistor

Номер патента: US6144077A. Автор: Yukio Maki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-11-07.

Bipolar transistor and method of making same

Номер патента: WO2005004201A2. Автор: Qizhi Liu,Alvin J. Joseph. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2005-01-13.

Electrostatic discharge protection circuit and semiconductor device

Номер патента: US7852608B2. Автор: Tetsuya Hayashi,Tomokazu Higuchi,Masanori Yoshitani. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-12-14.

Heterojunction bipolar transistor, semiconductor device, and communication module

Номер патента: US20240194770A1. Автор: Masao Kondo,Takayuki Tsutsui,Shaojun MA. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

High ruggedness heterojunction bipolar transistor (hbt)

Номер патента: US20240222477A1. Автор: Yu-Chung Chin,Chao-Hsing Huang,kai-yu Chen. Владелец: Visual Photonics Epitaxy Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Emitter-base mesh structure in heterojunction bipolar transistors for rf applications

Номер патента: EP3721477A1. Автор: Ranadeep Dutta. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-10-14.

Bipolar transistor having collector with doping spike

Номер патента: US9722058B2. Автор: Peter J. Zampardi, JR.,Kai Hay Kwok. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Bipolar transistor having collector with doping spike

Номер патента: US20150255550A1. Автор: Peter J. Zampardi, JR.,Kai Hay Kwok. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2015-09-10.

Methods of forming a bipolar transistor having a collector with a doping spike

Номер патента: US20190386123A1. Автор: Peter J. Zampardi, JR.,Kai Hay Kwok. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2019-12-19.

Bipolar transistor having collector with doping spike

Номер патента: US9385200B2. Автор: Peter J. Zampardi, JR.,Kai Hay Kwok. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

Bipolar transistor having collector with doping spike

Номер патента: US20130285121A1. Автор: Peter J. Zampardi, JR.,Kai Hay Kwok. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2013-10-31.

Methods of forming a bipolar transistor having a collector with a doping spike

Номер патента: US20170358667A1. Автор: Peter J. Zampardi, JR.,Kai Hay Kwok. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-12-14.

Bipolar transistor having collector with doping spike

Номер патента: US20170005184A1. Автор: Peter J. Zampardi, JR.,Kai Hay Kwok. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-01-05.

Heterojunction bipolar transistor with field plates

Номер патента: US20200328293A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

High ruggedness heterojunction bipolar transistor (HBT)

Номер патента: US11929427B2. Автор: Yu-Chung Chin,Chao-Hsing Huang,kai-yu Chen. Владелец: Visual Photonics Epitaxy Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Oxide semiconductor film, transistor, and semiconductor device

Номер патента: US20150249123A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-03.

Semiconductor device comprising a bipolar transistor

Номер патента: US09905679B2. Автор: Petrus Hubertus Cornelis Magnee,Joost Melai,Tony Vanhoucke,Viet Thanh Dinh. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2018-02-27.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20130075733A1. Автор: Toshihiko Saito,Atsuo Isobe,Kazuya Hanaoka,Sho Nagamatsu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-28.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09536994B2. Автор: Toshihiko Saito,Atsuo Isobe,Kazuya Hanaoka,Sho Nagamatsu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor Device

Номер патента: US20080001673A1. Автор: Jussi Ryynänen,Jouni Kaukovuori. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2008-01-03.

Semiconductor device

Номер патента: EP1873829A3. Автор: Jussi Ryynänen,Jouni Kaukovuori. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2009-09-30.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20230010934A1. Автор: Tsung-Han Tsai,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US20240014296A1. Автор: Satoshi Goto,Kenji Sasaki,Masao Kondo,Takayuki Tsutsui,Kazuhito Nakai,Shigeki Koya,Shaojun MA. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Thin film transistor and semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US6008076A. Автор: Takeshi Fukada,Naoya Sakamoto,Yukio Yamauchi,Mitsufumi Codama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1999-12-28.

Semiconductor device with optical sensor and method of forming interconnect structure on front and backside of the device

Номер патента: US09525080B2. Автор: Zigmund R. Camacho,Lionel Chien Hui Tay,Henry D. Bathan,Arnel Senosa Trasporto. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor packaging method and semiconductor device based on molding process

Номер патента: US11728368B2. Автор: TAKEHIKO Tanaka,Zhenyu Chen,Mingzhu Wang,Nan Guo,Bojie ZHAO,Heng JIANG. Владелец: Ningbo Sunny Opotech Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Wafer with SOI structure having a buried insulating multilayer structure and semiconductor device structure

Номер патента: US09590118B1. Автор: Jan Hoentschel,Sven Beyer,Elliot John Smith,Nigel Chan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Radiation-hardened semiconductor structure, a semiconductor device including the radiation-hardened semicoductor structure, and methods of forming the radiation-hardened semiconductor structure and semiconductor device

Номер патента: US20120025311A1. Автор: John S. Canham. Владелец: Alliant Techsystems Inc. Дата публикации: 2012-02-02.

Image sensor devices, methods of manufacture thereof, and semiconductor device manufacturing methods

Номер патента: US09748304B2. Автор: Szu-Ying Chen,Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Jeng-Shyan Lin,Shu-Ting Tsai,U-Ting CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device and electronic apparatus of a cascode-coupled system

Номер патента: US09960153B2. Автор: Satoru Akiyama,Hiroyoshi Kobayashi,Hisao Inomata,Sei SAITOU. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US09853023B2. Автор: Yukie Nishikawa,Yasuhiko Akaike,Kenya Kobayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Methods of preparing layouts for semiconductor devices, photomasks formed using the layouts, and semiconductor devices fabricated using the photomasks

Номер патента: US20150261905A1. Автор: HongSoo KIM,Juyeon Lee,HunKook LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-09-17.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09583630B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US09570439B2. Автор: Yukie Nishikawa,Yasuhiko Akaike,Kenya Kobayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and semiconductor package including the same

Номер патента: US12040278B2. Автор: Kiwon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US7161222B2. Автор: Motoki Kobayashi,Fumio Ichikawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-09.

Method of forming pn junction including transition metal dichalcogenide, method of fabricating semiconductor device using the same, and semiconductor device fabricated by the same

Номер патента: US20230245887A1. Автор: Jin-Hong Park,Jin-Hyuk Kim,Sang-Yong Park,Sejin KYUNG. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-08-03.

Method to form semiconductor device and semiconductor device thereof

Номер патента: US20230317526A1. Автор: Huang Liu,Liang Li,John Zhang,Sunil Singh,Chun Yu Wong,Heng Yang. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device and semiconductor package comprising the same

Номер патента: US09966317B2. Автор: Jong-Hyun Choi,Joung-yeal Kim,Mi-Young Woo,Dae-Hyun KWON,Joon-Sun YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device and semiconductor-device manufacturing method

Номер патента: US09865639B2. Автор: Kan Shimizu,Keishi Inoue. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09761463B2. Автор: Takamitsu Yoshida,Atsuko Kawasaki,Kazumasa Tanida,Kuniaki Utsumi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Oscillator circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US09742419B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Yuki Okamoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US10636885B2. Автор: Takeshi Imamura,Ryou Kato,Ryosuke Okawa,Kazuma Yoshida,Toshikazu Imai. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-28.

Co-fabricated bulk devices and semiconductor-on-insulator devices

Номер патента: US09691787B2. Автор: Hui Zang,Bingwu Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Method for manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure thereof

Номер патента: US20230343789A1. Автор: Katherine H. Chiang,Yun-Feng KAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

High voltage semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150325570A1. Автор: Hsin-Liang Chen,Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-12.

Epitaxially fabricated heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US20200295166A1. Автор: Paul B. Fischer,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Double-epitaxy heterojunction bipolar transistors for high speed performance

Номер патента: US5648666A. Автор: Aaron Kenji Oki,Dwight Christopher Streit,Liem Thanh Tran. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 1997-07-15.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20200227540A1. Автор: Kuo-Chun Huang,You-Min CHI,Kun-Mu HSIEH,Yu-Chen CHIU. Владелец: ADVANCED WIRELESS SEMICONDUCTOR Co. Дата публикации: 2020-07-16.

Process for forming a silicon-germanium base of a heterojunction bipolar transistor

Номер патента: KR20010070331A. Автор: 펭-위 후앙. Владелец: 포만 제프리 엘. Дата публикации: 2001-07-25.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20140151750A1. Автор: Renata A. Camillo-Castillo,Jeffrey B. Johnson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-06-05.

P-n diodes and p-n-p heterojunction bipolar transistors with diamond collectors and current tunneling layers

Номер патента: WO2020013924A1. Автор: Zhenqiang Ma. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2020-01-16.

Epitaxially fabricated heterojunction bipolar transistors

Номер патента: WO2018063319A1. Автор: Paul B. Fischer,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2018-04-05.

Heterojunction bipolar transistor with epitaxial emitter stack to improve vertical scaling

Номер патента: US20130126944A1. Автор: Alexander Reznicek,Thomas N. Adam,Qizhi Liu,David L. Harame. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-23.

Heterojunction bipolar transistors with stress material for improved mobility

Номер патента: US11876123B2. Автор: Anthony K. Stamper,Vibhor Jain,Renata A. Camillo-Castillo. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Method of manufacturing a semiconductor device with a bicmos circuit

Номер патента: WO1996030941A3. Автор: Armand Pruijmboom,Ronald Koster,Alexander Cecilia Leona Jansen,Der Wel Willem Van. Владелец: Philips Norden Ab. Дата публикации: 1997-01-09.

Integration of boron arsenide into power devices and semiconductors for thermal management

Номер патента: EP4315407A1. Автор: Yongjie HU. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-02-07.

Semiconductor device and method of manufacturing such a device

Номер патента: US20100237434A1. Автор: Jan Sonsky,Wibo D. Van Noort,Philippe Meunier-Beillard,Erwin Hijzen. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-09-23.

Method for manufacturing oxide semiconductor film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09496138B2. Автор: Toru Hasegawa,Masaki Koyama,Akihisa Shimomura,Kosei Nei,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Dc-dc converter and semiconductor device

Номер патента: US20150035514A1. Автор: Kei Takahashi,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-05.

Dc-dc converter and semiconductor device

Номер патента: US20160285369A1. Автор: Kei Takahashi,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-29.

Method of making heterojunction bipolar structure having air and implanted isolations

Номер патента: US5943577A. Автор: Naotaka Iwata,Walter Contrata. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-08-24.

Electromagnetic wave shielding support base-attached encapsulant, encapsulated substrate having semicondutor devices mounted thereon, encapsulated wafer having semiconductor devices formed thereon, and semiconductor apparatus

Номер патента: US09865518B2. Автор: Toshio Shiobara,Tomoaki Nakamura,Hideki Akiba,Shinsuke Yamaguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and semiconductor package having the same

Номер патента: US20200020641A1. Автор: Un-Byoung Kang,Yeong-kwon Ko,Jun-Yeong Heo,Ja-Yeon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-16.

Oxide semiconductor, manufacturing method therefor, and semiconductor device comprising same

Номер патента: EP4439679A1. Автор: Hye Mi Kim,Hyunsung Jung,Hyeon Woo KIM,Young Joon Yoon,Jin Seong Park,In Pyo Park,Soo Won Heo,Sung Beom Cho,Bukyeong HWANG. Владелец: Korea Institute of Ceramic Engineering and Technology KICET. Дата публикации: 2024-10-02.

Semiconductor device in a level shifter with electrostatic discharge (esd) protection circuit and semiconductor chip

Номер патента: US20180358349A1. Автор: Kyong Jin HWANG,Hyun Kwang JEONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-12-13.

Semiconductor device in a level shifter with electrostatic discharge (esd) protection circuit and semiconductor chip

Номер патента: US20210265337A1. Автор: Kyong Jin HWANG,Hyun Kwang JEONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Semiconductor device in a level shifter with electrostatic discharge (ESD) protection circuit and semiconductor chip

Номер патента: US12057442B2. Автор: Kyong Jin HWANG,Hyun Kwang JEONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device, fabricating method thereof and semiconductor package including the semiconductor device

Номер патента: US09941196B2. Автор: Ho-geon Song,Se-young Jeong,Ho-Jin Lee,Dong-Hyeon Jang,Tae-Je Cho,Un-Byoung Kang,Min-Seung Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Modulation circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US09768319B2. Автор: Koichiro Kamata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device in a level shifter with electrostatic discharge (ESD) protection circuit and semiconductor chip

Номер патента: US09721941B2. Автор: Kyong Jin HWANG,Hyun Kwang JEONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09570407B2. Автор: Shuji Inoue,Takahiro Ebisui,Masako Furuichi. Владелец: Aoi Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Method for producing semiconductor device, wiring board, and semiconductor device

Номер патента: US20240088051A1. Автор: Hiroaki Fujita,Kazuhiko Kurafuchi,Takashi Masuko,Shinji Shimaoka,Shunsuke Otake,Kazuyuki Mitsukura. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Method of Manufacturing Semiconductor Device, Substrate Processing Method and Apparatus, Non-Transitory Computer Readable Recording Medium, and Semiconductor Device

Номер патента: US20140084389A1. Автор: Arito Ogawa. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2014-03-27.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20210366764A1. Автор: Jochen Kraft,Georg Parteder,Raffaele Coppeta. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2021-11-25.

Film for semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20160322251A1. Автор: Ryuichi Kimura,Naohide Takamoto. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-11-03.

Semiconductor device in a level shifter with electrostatic discharge (esd) protection circuit and semiconductor chip

Номер патента: US20170294431A1. Автор: Kyong Jin HWANG,Hyun Kwang JEONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-10-12.

Semiconductor device manufacturing method, x-ray diffraction device and semiconductor pattern transfer system

Номер патента: US20240231234A1. Автор: Yasuhiro Matsuo. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and semiconductor system including semiconductor device

Номер патента: US12100760B2. Автор: Isao Takahashi,Masahiro Sugimoto,Takashi Shinohe. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and method of forming interposer frame electrically connected to embedded semiconductor die

Номер патента: US09966335B2. Автор: HeeJo Chi,NamJu Cho,HanGil Shin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09947553B2. Автор: Mamoru Yamagami,Yasuhiro Fuwa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Oxide semiconductor film and semiconductor device

Номер патента: US09853167B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Ryosuke Watanabe,Takuya Hirohashi,Akiharu Miyanaga,Hideyuki Kishida,Masayuki Sakakura,Junichiro Sakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor devices, methods of manufacture thereof, and semiconductor device packages

Номер патента: US09773724B2. Автор: Szu Wei Lu,Jing-Cheng Lin,Po-Hao Tsai,Ying-Ching Shih,I-Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor encapsulation material and semiconductor device

Номер патента: US12033907B2. Автор: Chika Arayama. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20140151873A1. Автор: Takayuki Tanaka,Kana Iwami. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-06-05.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20220319908A1. Автор: Zhan Ying,Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US8987903B2. Автор: Takayuki Tanaka,Kana Iwami. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-03-24.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: EP4181182A1. Автор: Hiroshi Takeno,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-17.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20230253275A1. Автор: Nobuhiro HIGASHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Discrete component backward traceability and semiconductor device forward traceability

Номер патента: EP2625708A1. Автор: Hem Takiar,Cheeman Yu,Frank Lu,Jiaming Shi,Didier Chavet,Chih-Chiang Tung. Владелец: SanDisk SemiConductor Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-14.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20050140000A1. Автор: Marc De Samber,Johannus Weekamp,Durandus Dijken. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-30.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20040157376A1. Автор: Marc De Samber,Johannus Weekamp,Durandus Dijken. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-12.

Semiconductor device and semiconductor device preparation method

Номер патента: EP3933903A1. Автор: Pingheng WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-01-05.

Method and installation for producing a semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US8946059B2. Автор: Marcus Bender,Evelyn Scheer,Fabio Pieralisi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2015-02-03.

Method of fabricating a semiconductor device,method of cleaning a crystalline surface of a semiconductor,and semiconductor device

Номер патента: GB9506106D0. Автор: . Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-05-10.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20230197470A1. Автор: Takashi Katsuki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor package, interposer and semiconductor process for manufacturing the same

Номер патента: US09947635B1. Автор: Wen-Long Lu,Chi-Chang Lee,Yuan-Feng CHIANG,Chung-Hsi Wu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20160079102A1. Автор: Kazuhiro Murakami,Shinya Fukayama,Yukifumi Oyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Semiconductor switching module with insulated gate bipolar transistor and unipolar switching device

Номер патента: US20230275576A1. Автор: Frank Pfirsch,Roman Baburske,Jana Hansel,Katja Waschneck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device fabrication system

Номер патента: US20080081384A1. Автор: Masanori Terahara,Junji Oh. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-04-03.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20170309547A1. Автор: Akito Shimizu,Sadayuki Moroi,Kenji Nishikawa,Tomoo Imura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-26.

Semiconductor substrate and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US20060022196A1. Автор: Hiroshi Ohta,Sachie Tone,Masahiro Ninomiya. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-02-02.

Method of fabricating conductive straps to interconnect contacts to corresponding digit lines by employing an angled sidewall implant and semiconductor devices fabricated thereby

Номер патента: US20020121704A1. Автор: Shubneesh Batra,Tyler Lowrey. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-05.

Method of fabricating conductive straps to interconnect contacts to corresponding digit lines by employing an angled sidewall implant and semiconductor devices fabricated thereby

Номер патента: US20010028092A1. Автор: Shubneesh Batra,Tyler Lowrey. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-11.

Method of fabricating semiconductor device including two-dimensional material layer defining air-gap, and semiconductor device

Номер патента: US20230163023A1. Автор: Soyoung LEE,Keunwook SHIN,Sungjoo An,Jungsoo YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12100698B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chih-Chieh Chang,Chuei-Tang Wang,Chung-Hao Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240372319A1. Автор: Tansen Varghese,Hubert Halbritter,Laura KREINER. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method and semiconductor device mounting structure

Номер патента: US09892996B2. Автор: Akihiro Kimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09865741B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device thereof

Номер патента: US09837376B2. Автор: Dong Jin Kim,Do Hyung Kim,Jin Han Kim,Glenn Rinne,Yeong Beom Ko. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor film and semiconductor device

Номер патента: US09829533B2. Автор: Ryosuke Watanabe,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09741641B2. Автор: Akito Shimizu,Sadayuki Moroi,Kenji Nishikawa,Tomoo Imura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

GaN substrate, semiconductor device and method for fabricating GaN substrate and semiconductor device

Номер патента: US09653588B2. Автор: Bocheng Cao,Zongmin ZHANG,Zhenghai Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09536998B2. Автор: Yuki Nakano,Ryota Nakamura,Hiroyuki SAKAIRI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20160197050A1. Автор: Toshihiko Akiba,Yuki YAGYU,Akihiro Tobita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US12034069B2. Автор: Shigeki Yoshida. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20070120185A1. Автор: Toshiaki Komukai,Hideaki Harakawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-31.

Manufacturing method for semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20190006268A1. Автор: Masatoshi Sugiura,Hiroi Oka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-01-03.

Monocrystalline silicon carbide substrate, method for manufacturing the same, and semiconductor device

Номер патента: US20240105782A1. Автор: Jing Yao,Jian Yang,Guangming Wang,Chunjun Liu,Tonghua Peng,Yanfang LOU,Qing Yong. Владелец: Jiangsu Tankeblue Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US9013048B2. Автор: Norio Kainuma. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-04-21.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20140339713A1. Автор: Norio Kainuma. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-11-20.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9076777B2. Автор: Yoshiharu Kaneda,Naoko Taniguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-07-07.

Method of manufacturing semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: EP4451327A1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-10-23.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09941112B2. Автор: Koji Ito,Kazuhiko Ito,Atsushi Ogasawara,Koya Muyari. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device and semiconductor manufacturing process

Номер патента: US09911709B1. Автор: Chun-Jun ZHUANG,Wei-Hang Tai,Pin-Ha Chuang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device and method of forming vertical interconnect in FO-WLCSP using leadframe disposed between semiconductor die

Номер патента: US09842808B2. Автор: HeeJo Chi,NamJu Cho,HanGil Shin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor manufacturing device and semiconductor manufacturing method

Номер патента: US09824905B2. Автор: Takeshi Watanabe,Takashi Imoto,Soichi Homma,Yuusuke Takano,Katsunori Shibuya. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device and method of forming build-up interconnect structures over a temporary substrate

Номер патента: US09818734B2. Автор: KANG Chen,Yaojian Lin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US09779978B2. Автор: Junichi Wada,Masayuki Kitamura,Atsuko Sakata,Takeshi Ishizaki,Satoshi Wakatsuki,Shinya Okuda,Kei Watanabe,Daisuke Ikeno,Hirotaka Ogihara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and method of forming conductive vias by direct via reveal with organic passivation

Номер патента: US09768066B2. Автор: XING Zhao,Duk Ju Na,Lai Yee Chia. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Method for producing a semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09754783B2. Автор: Katsunori Ueno,Ryo Tanaka,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor compound structure and method of fabricating the same using graphene or carbon nanotubes, and semiconductor device including the semiconductor compound structure

Номер патента: US09748094B2. Автор: Sang-jin Lee,Jun-hee Choi,Un-Jeong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device and method of forming a wafer level package with top and bottom solder bump interconnection

Номер патента: US09589876B2. Автор: Jeffrey D. Punzalan,Zigmund R. Camacho,Lionel Chien Hui Tay,Henry D. Bathan,Dioscoro A. Merilo. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Lead frame of semiconductor device, integrated-type lead frame of semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20230317572A1. Автор: Shogo Shibata,Kazufumi Oki,Shuhei Yokoyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20060226558A1. Автор: Akihito Sakakidani,Toshinori Fukai. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-10-12.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20220293581A1. Автор: Hideo Numata. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-15.

Tableted epoxy resin composition for encapsulation of semiconductor device and semiconductor device encapsulated using the same

Номер патента: US20200199351A1. Автор: Sang Kyun Kim,Sang Jin Kim,Dong Hwan Lee,Young Joon Lee,Tae Shin Eom,Yong Han CHO. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-25.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240105681A1. Автор: Masayuki Miura,Satoru Itakura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20210280543A1. Автор: Taiichi Ogumi. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-09.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20230352317A1. Автор: Ling-Yi Chuang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-11-02.

Method Of Manufacturing Semiconductor Device And Semiconductor Device Having Unequal Pitch Vertical Channel Transistors

Номер патента: US20160284764A1. Автор: Teruyuki Mine. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-29.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20180102310A1. Автор: Toshitsugu Ishii,Hidekazu Iwasaki,Jun MATSUHASHI,Naohiro Makihira. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-12.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20150194368A1. Автор: Akito Shimizu,Sadayuki Moroi,Kenji Nishikawa,Tomoo Imura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-07-09.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20190318939A1. Автор: Shoji Hashizume,Keita Takada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

Board for mounting BGA semiconductor chip thereon, semiconductor device, and methods of fabricating such board and semiconductor device

Номер патента: US20050156326A1. Автор: Toshihide Ito. Владелец: NEC Toppan Circuit Solutions Inc. Дата публикации: 2005-07-21.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20170025321A1. Автор: Takeshi Watanabe,Masaya Shima,Soichi Homma,Yuusuke Takano,Katsunori Shibuya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-26.

Process for filling deep trenches in a semiconductor material body, and semiconductor device resulting from the same process

Номер патента: WO2012020290A3. Автор: Mario Giuseppe Saggio,Giuseppe Arena,Giuseppe Morale,Domenico Murabito,Letterio Fiore. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2012-05-18.

Process for filling deep trenches in a semiconductor material body, and semiconductor device resulting from the same process

Номер патента: EP2599107A2. Автор: Mario Giuseppe Saggio,Giuseppe Arena,Giuseppe Morale,Domenico Murabito,Letterio Fiore. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2013-06-05.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20070126063A1. Автор: Tomonori Aoyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-07.

Resin composition for encapsulation and semiconductor device

Номер патента: US20240263004A1. Автор: Norifumi Kawamura,Kenji Hagiwara,Shoichi Osada,Ryuhei Yokota,Hiroki HORIGOME. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US9070696B2. Автор: Masahiro Kikuchi,Kazunaga Onishi,Rikihiro Maruyama,Masafumi TEZUKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-30.

Epitaxial structure of semiconductor device and preparing method thereof, and semiconductor device

Номер патента: US20240332371A1. Автор: HUI Zhang,Susu KONG. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for fabricating a semiconductor device using wet etching and dry etching and semiconductor device

Номер патента: US20240318320A1. Автор: Michael Ehmann,Matteo Dainese,Sigrid Wabnig,Hiroshi Narahashi,Saurabh Roy,Johanna Schlaminger,Katharina Teichmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of forming nanostructure, method of manufacturing semiconductor device using the same, and semiconductor device including nanostructure

Номер патента: US09899473B2. Автор: Hyeokshin Kwon,Hwansoo Suh,Insu Jeon,Youngtek OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for separating epitaxial layers from growth substrates, and semiconductor device using same

Номер патента: US09882085B2. Автор: Ki Bum Nam,Joo Won Choi,A Ram Cha LEE,Yu Dae Han,Jeong Hun HEO,Choong Min Lee,Su Jin Shin. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device and method of forming insulating layer in notches around conductive TSV for stress relief

Номер патента: US09837336B2. Автор: Chang Bum Yong,Won Kyoung Choi,Jae Hun Ku. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Through electrode, manufacturing method thereof, and semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09818645B2. Автор: Wei Feng,Katsuya Kikuchi,Naoya Watanabe,Masahiro Aoyagi,Tung Thanh BUI. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2017-11-14.

Methods for fabricating a semiconductor device and semiconductor devices fabricated by the same

Номер патента: US09761603B2. Автор: Jae-Hwang Sim,Joon-Sung LIM,Min-Sung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-12.

Methods of forming a memory cell material, and related methods of forming a semiconductor device structure, memory cell materials, and semiconductor device structures

Номер патента: US09735359B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,John A. Smythe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09735110B2. Автор: Ryosuke Nakagawa,Yuichi Nakao. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-08-15.

Epoxy resin composition for encapsulating semiconductor device and semiconductor device encapsulated by the same

Номер патента: US09735076B2. Автор: So Yoon KIM,Yoon Man LEE. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Methods of forming III-V semiconductor structures using multiple substrates, and semiconductor devices fabricated using such methods

Номер патента: US09716164B2. Автор: Mariam Sadaka. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-07-25.

Method for filling gaps of semiconductor device and semiconductor device formed by the same

Номер патента: US09685319B2. Автор: Yu-Ren Wang,Yi-Hui Lin,Ping-Wei Huang,Keng-Jen Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Manufacturing method of semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09673073B2. Автор: Takayuki Nosaka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09646908B2. Автор: Takeshi Watanabe,Masaya Shima,Soichi Homma,Yuusuke Takano,Katsunori Shibuya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor devices having through electrodes, methods of manufacturing the same, and semiconductor packages including the same

Номер патента: US09595499B2. Автор: Wan Choon PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Methods for forming semiconductor devices and semiconductor device structures

Номер патента: US09583381B2. Автор: Kevin J. Torek,Ranjan Khurana,Anton J. deVilliers,Scott L. Light,Michael Hyatt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor wafer, clip and semiconductor device

Номер патента: US20230411336A1. Автор: Roland Rupp,Carsten Von Koblinski,Matteo Piccin,Chiew Li Tai,Daniel PEDONE,Jia Yi WONG. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device and semiconductor package including the same

Номер патента: US20230282582A1. Автор: Ju-Il Choi,Dongjoon Oh,Chungsun Lee,Hyunsu Hwang,Gyuho KANG,Seong-Hoon BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US20230032353A1. Автор: Naohito Mizuno,Takahiro Nakano,Yasushi Ookura,Seigo Oosawa,Yoshihiro INUTSUKA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2023-02-02.

Oxide film reaction surface control agent, method of forming oxide film using oxide film reaction surface control agent, semiconductor substrate including oxide film, and semiconductor device including semiconductor substrate

Номер патента: US20240352583A1. Автор: Seung Hyun Lee,Chang Bong Yeon,Jae Sun Jung,Deok Hyun Kim. Владелец: Soulbrain Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US09922902B2. Автор: Ken Miyairi. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US09818627B2. Автор: Yoshihiro Ogawa,Shinsuke Kimura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor devices including through-silicon-vias and methods of manufacturing the same and semiconductor packages including the semiconductor devices

Номер патента: US12014972B2. Автор: ATSUSHI Fujisaki,Kwang-jin Moon,Byung-lyul Park,Ju-Il Choi,Jin-ho An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-18.

GaN Single-Crystal Mass and Method of Its Manufacture, and Semiconductor Device and Method of Its Manufacture

Номер патента: US20100314625A1. Автор: Takashi Sakurada,Hideaki Nakahata,Yoshiyuki Yamamoto,Shinsuke Fujiwara,Seiji Nakahata,Tomoki Uemura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-12-16.

Method for producing semiconductor apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: US20230230926A1. Автор: Hiroshi Takeno,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Packaging structure, packaging method, and semiconductor device

Номер патента: EP4307351A1. Автор: LIANG Chen,Wei Jiang,Hongwen Li,Kai Tian,Mengfan LI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-17.

Method of manufacturing semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: EP4383318A1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-06-12.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US7855125B2. Автор: Takaoki Sasaki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2010-12-21.

Insulating film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: WO2013150927A1. Автор: Kenichi Okazaki,Toshinari Sasaki,Takashi HAMOCHI,Shuhei Yokoyama. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2013-10-10.

Insulating film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20230006064A1. Автор: Kenichi Okazaki,Toshinari Sasaki,Takashi HAMOCHI,Shuhei Yokoyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-05.

Insulating film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20200365739A1. Автор: Kenichi Okazaki,Toshinari Sasaki,Takashi HAMOCHI,Shuhei Yokoyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Method of manufacturing semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: US20230005825A1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-01-05.

Semiconductor Device and Method

Номер патента: US20240250019A1. Автор: Ming-Da Cheng,Po-Hao Tsai,Ting-Li Yang,Yung-Han Chuang,Hsueh-Sheng Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device including barrier layer between active region and semiconductor layer and method of forming the same

Номер патента: US20240297215A1. Автор: Yihwan Kim,Sungkeun Lim,Seunghun LEE,Jinbum Kim,Pankwi Park,Unki Kim,Ilgyou Shin,Yuyeong Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-05.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US7867890B2. Автор: Masaru Seto. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-11.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20150171021A1. Автор: Takeshi Watanabe,Takashi Imoto,Soichi Homma,Yuusuke Takano,Katsunori Shibuya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-06-18.

Semiconductor device including recess gate structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240274713A1. Автор: Hyun-Yong Yu,Seung Geun JUNG,Mu Yeong SON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and semiconductor circuit

Номер патента: US12087850B2. Автор: Yoko Iwakaji,Tomoko Matsudai,Kenichi Matsushita,Norio Yasuhara,Yusuke Kawaguchi,Keiko Kawamura,Hiroko Itokazu,Shoko HANAGATA,Daiki Yoshikawa. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device and semiconductor unit

Номер патента: US12068434B2. Автор: Tatehito Kobayashi. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Silicon nitride film, and semiconductor device

Номер патента: US09847355B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Toru Takayama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Method of fabricating semiconductor device and semiconductor device fabricated thereby

Номер патента: US09831251B2. Автор: Jun Tan,Jian Zhong,Qiuming Huang,Jianqin Gao. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor substrate and semiconductor device including the same

Номер патента: US09818824B2. Автор: Hyun-Jung Lee,Seung Hun Lee,Moon Seung Yang,Sun Jung Kim,Eun Hye Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor devices and methods of manufacturing the same, and semiconductor packages including the semiconductor devices

Номер патента: US09691685B2. Автор: Hyung-Jun Jeon,Byung-lyul Park,Ji-Soon Park,Jum-Yong Park,Jin-Ho Chun,Kyu-Ha Lee,Jin-ho An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Silicon carbide semiconductor devices having nitrogen-doped interface

Номер патента: US09613810B2. Автор: Michael MacMillan. Владелец: GLOBAL POWER TECHNOLOGIES GROUP Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Silicon carbide semiconductor devices having nitrogen-doped interface

Номер патента: US09590067B2. Автор: Michael MacMillan. Владелец: GLOBAL POWER TECHNOLOGIES GROUP Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device having impedance calibration function to data output buffer and semiconductor module having the same

Номер патента: US09571102B2. Автор: Kentaro Hara. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2017-02-14.

Insulating film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09570626B2. Автор: Kenichi Okazaki,Toshinari Sasaki,Takashi HAMOCHI,Shuhei Yokoyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor manufacturing apparatus and semiconductor device manufacturing method using the same

Номер патента: US09564298B2. Автор: Ik-Soo Kim,Myoung-woon Kim,Su-Ho Lee,Ju-Hee Lee,Jae-Beom Park,Won-hyuk Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Isolation structure, method for manufacturing the same, and semiconductor device having the structure

Номер патента: US09543188B2. Автор: Huilong Zhu,Huicai Zhong,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-01-10.

Forming a Metal Contact Layer on Silicon Carbide and Semiconductor Device with Metal Contact Structure

Номер патента: US20180174840A1. Автор: Roland Rupp,Francisco Javier Santos Rodriguez,Romain Esteve,Ravi Keshav Joshi,Gerald Unegg. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-06-21.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US12100672B2. Автор: Chen-Hua Yu,Jiun Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor Device and Method of Manufacture

Номер патента: US20240371791A1. Автор: Chen-Hua Yu,Jiun Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Leadframe and semiconductor device

Номер патента: US09984958B2. Автор: Shintaro Hayashi. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device and fabrication method thereof and semiconductor structure

Номер патента: US09842771B2. Автор: Chang-Fu Lin,Fu-Tang HUANG,Hung-Ming Chang,Chin-Tsai Yao,Ming-Chin Chuang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device and method of forming anisotropic conductive film between semiconductor die and build-up interconnect structure

Номер патента: US09620455B2. Автор: Yaojian Lin,Reza A. Pagaila,Jun Mo Koo. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Substrate and semiconductor device package and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210327815A1. Автор: Shin-Luh Tarng,Ian HU. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Method for forming semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20230282517A1. Автор: Chih-Cheng Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Monitoring circuit and semiconductor device

Номер патента: US20230204658A1. Автор: Tae-Pyeong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Monitoring circuit and semiconductor device

Номер патента: US20210011076A1. Автор: Tae-Pyeong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-14.

Monitoring circuit and semiconductor device

Номер патента: US20240168086A1. Автор: Tae-Pyeong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor device and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US20140374898A1. Автор: Kousuke Komatsu. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-25.

Semiconductor device including through electrode and semiconductor package including the same

Номер патента: US20220367321A1. Автор: Kwangjin Moon,Hyungjun Jeon,Myungjoo PARK,Hakseung LEE,Sonkwan HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-11-17.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20240155824A1. Автор: Koji Akiyama,Koji Maekawa,Masahiro Ikejiri,Masaki TERABAYASHI. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Polysilicon fuse, manufacturing method thereof, and semiconductor device including polysilicon fuse

Номер патента: US20140339675A1. Автор: Hideaki KATAKURA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-20.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US8466518B2. Автор: Tomoyuki Kirimura. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-06-18.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20120038000A1. Автор: Tomoyuki Kirimura. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-02-16.

Semiconductor device production method and semiconductor device

Номер патента: US20100096721A1. Автор: Bungo Tanaka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2010-04-22.

Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device

Номер патента: US20210002474A1. Автор: Norifumi Kawamura,Kenji Hagiwara,Shoichi Osada,Hiroki Oishi,Ryuhei Yokota,Masahiro Kaneta. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-07.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20200303237A1. Автор: Shogo Shibata,Kosuke Yamaguchi,Maki Hasegawa,Shuhei Yokoyama,Seiya SUGIMACHI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Cesium-niobium-chalcogenide compounds and semiconductor devices including the same

Номер патента: US11866344B2. Автор: Nouar Tabet,Fadwa EL-MELLOUHI,Stefano Sanvito,Heesoo PARK,Fahhad ALHARBI. Владелец: Qatar Foundation for Education Science and Community Development. Дата публикации: 2024-01-09.

Cesium-niobium-chalcogenide compounds and semiconductor devices including the same

Номер патента: US20210269326A1. Автор: Nouar Tabet,Fadwa EL-MELLOUHI,Stefano Sanvito,Heesoo PARK,Fahhad ALHARBI. Владелец: College of the Holy and Undivided Trinity of Queen Elizabeth near Dublin. Дата публикации: 2021-09-02.

Semiconductor device and semiconductor circuit

Номер патента: US20240258413A1. Автор: Yoko Iwakaji,Tomoko Matsudai,Hiroko Itokazu. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Integrated semiconductor structure including a heterojunction bipolar transistor and a Schottky diode

Номер патента: US8043910B2. Автор: Berinder P. S. Brar. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2011-10-25.

Integrated semiconductor structure including a heterojunction bipolar transistor and a schottky diode

Номер патента: US20070051981A1. Автор: Berinder Brar. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2007-03-08.

Integrated semiconductor structure including a heterojunction bipolar transistor and a schottky diode

Номер патента: US20080157122A1. Автор: Berinder P.S. BRAR. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2008-07-03.

Integrated semiconductor structure including a heterojunction bipolar transistor and a schottky diode

Номер патента: US20100240187A1. Автор: Berinder P.S. BRAR. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2010-09-23.

Heterojunction bipolar transistor and the manufacturing method thereof

Номер патента: US5140399A. Автор: Hiroji Kawai. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1992-08-18.

INTEGRATING A GATE-ALL-AROUND (GAA) TRANSISTOR WITH A SILICON GERMANIUM (SiGe) HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR (HBT)

Номер патента: US20210398972A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Haining Yang,Kwanyong LIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Npn heterojunction bipolar transistor in cmos flow

Номер патента: US20150187755A1. Автор: Manoj Mehrotra,Deborah J. Riley,Terry J. BORDELON, JR.. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-07-02.

Bipolar transistors with multilayer collectors

Номер патента: US11990536B2. Автор: Petrus Hubertus Cornelis Magnee,Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Ronald Willem Arnoud Werkman. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-05-21.

Method of fabricating double photoresist layer self-aligned heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US5736417A. Автор: Aaron K. Oki,Donald K. Umemoto,Liem T. Tran,Dwight C. Streit. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 1998-04-07.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US5986324A. Автор: Michael G. Adlerstein,Mark P. Zaitlin,Kamal Tabatabaie-Alavi. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 1999-11-16.

Transistor and semiconductor device

Номер патента: US20240258434A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Transistor and semiconductor device

Номер патента: US09947801B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device having transistor with high electro-static discharge capability and high noise capability

Номер патента: US20040238893A1. Автор: Shin Kiuchi,Yuichi Harada,Tatsuhiko Fujihira,Takeshi Ichimura,Hiroshi Tobisaka,Yoshiaki Minoya,Naoki Yaezawa,Ryu Saitou,Shouichi Furuhata. Владелец: Fuji Electric Device Technology Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-02.

Method of manufacturing semiconductor apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: US20220344219A1. Автор: Tatsuro SAWADA. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

Protection circuit, and semiconductor device and light emitting device using such protection circuit

Номер патента: US20090309117A1. Автор: Akira Shimizu,Naoki Takahashi,Kenichi Nakata,Mitsuru Okazaki. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2009-12-17.

Bipolar transistor and semiconductor device

Номер патента: US20230317836A1. Автор: Kazuhiro Tsumura. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Circuit Including a Field-Effect Transistor and a Bipolar Transistor

Номер патента: US20190074374A1. Автор: Gary Horst Loechelt. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-03-07.

High-frequency semiconductor device with protection device

Номер патента: US5719428A. Автор: Wilhelmus G. Voncken,Louis Praamsma. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1998-02-17.

Integrated transistor structure having a power transistor and a bipolar transistor

Номер патента: US09564425B2. Автор: Thorsten Meyer,Christoph Kadow,Norbert Krischke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-02-07.

Electrostatic protective circuit and semiconductor device

Номер патента: US20080024946A1. Автор: Masaharu Sato. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-01-31.

Semiconductor device and semiconductor module, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240105637A1. Автор: Akio Yamano,Yuta EBUKURO. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Method of fabricating integrated structure for MEMS device and semiconductor device

Номер патента: US09988264B2. Автор: Wei-Cheng Wu,Min Chen,Bang-Chiang Lan,Chien-Hsin Huang,Hui-Min Wu,Tzung-I Su,Li-Hsun Ho. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Bipolar transistor compatible with vertical fet fabrication

Номер патента: US20180090485A1. Автор: Kangguo Cheng,Brent A. Anderson,Tak H. Ning,Terence B. Hook. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-29.

Semiconductor device and a process for producing same

Номер патента: US20030116821A1. Автор: Chihiro Arai,Tomotaka Fujisawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-26.

Bipolar transistor compatible with vertical FET fabrication

Номер патента: US9929145B1. Автор: Kangguo Cheng,Brent A. Anderson,Tak H. Ning,Terence B. Hook. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device comprising a silicon body with bipolar and mos transistors

Номер патента: US20020005555A1. Автор: Ronald Koster,Catharina H.H. Emons. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 2002-01-17.

Semiconductor device and a process for producing same

Номер патента: US6642605B2. Автор: Chihiro Arai,Tomotaka Fujisawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-11-04.

Bipolar transistor compatible with vertical FET fabrication

Номер патента: US09929145B1. Автор: Kangguo Cheng,Brent A. Anderson,Tak H. Ning,Terence B. Hook. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Insulated gate bipolar transistor amplifier circuit

Номер патента: US09608097B2. Автор: Klas-Håkan Eklund. Владелец: K EKLUND INNOVATION. Дата публикации: 2017-03-28.

Bicmos semiconductor device comprising a silicon body with locos and oxide filled groove regions for insulation

Номер патента: WO1997023908A1. Автор: Ronald Koster,Catharina Huberta Henrica Emons. Владелец: Philips Norden Ab. Дата публикации: 1997-07-03.

Semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: US20160035713A1. Автор: Kazushige Iwamoto. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-04.

Manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US12051688B2. Автор: Keiichi Murayama,Kazumi TSUTSUMIDA,Katsuyoshi Jokyu. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: US09935093B2. Автор: Kazushige Iwamoto. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device including a field effect transistor and a bipolar transistor and a method of manufacturing the same

Номер патента: US5471083A. Автор: Tatsuhiko Ikeda,Kazuhito Niwano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-11-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20020024114A1. Автор: Kazuhisa Sakamoto. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-02-28.

Semiconductor device

Номер патента: US10586861B2. Автор: Tim BOETTCHER,Soenke Habenicht,Steffen Holland,Stefan Berglund. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2020-03-10.

Manufacturing method and semiconductor device

Номер патента: US20240290774A1. Автор: Keiichi Murayama,Kazumi TSUTSUMIDA,Katsuyoshi Jokyu. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and process for fabrication thereof

Номер патента: US20020123178A1. Автор: Shigeru Kanematsu,Hirokazu Ejiri. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-09-05.

Esd protection circuit and semiconductor device

Номер патента: US20230307439A1. Автор: Tomomitsu Risaki. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09748244B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device including heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20210272877A1. Автор: Kuo-Chun Huang,Wen-Pin Lu,Chi-Chun Lin,Chao-Hung Chen,You-Min CHI,Kun-Mu HSIEH,Yu-Chen CHIU. Владелец: ADVANCED WIRELESS SEMICONDUCTOR Co. Дата публикации: 2021-09-02.

InP/InGaAs Monolithic Integrated Demultiplexer, Photodetector, and Heterojunction Bipolar Transistor

Номер патента: CA2181846A1. Автор: S. Chandrasekhar. Владелец: AT&T IPM Corp. Дата публикации: 1997-02-15.

Semiconductor memory device and semiconductor device and electronic device having the same

Номер патента: US09842842B2. Автор: Kiyoshi Kato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Display device and semiconductor device

Номер патента: US9006828B2. Автор: Hajime Yamaguchi,Tomomasa Ueda,Kentaro Miura,Shintaro Nakano,Tatsunori Sakano,Nobuyoshi Saito,Yuya MAEDA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-14.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20120161145A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-28.

Method of wafer-scale integration of semiconductor devices and semiconductor device

Номер патента: US09608035B2. Автор: Franz Schrank,Cathal Cassidy,Joerg Siegert. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-03-28.

Method for forming semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20230015279A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Weiping BAI. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09985073B2. Автор: Hiroki Kasai. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09704912B2. Автор: Hiroki Kasai. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20220085182A1. Автор: Tomomasa Ueda,Keiji Ikeda,Junji Kataoka,Nobuyoshi Saito,Shushu ZHENG. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20230053370A1. Автор: Jie Bai,Mengmeng Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20230309294A1. Автор: Keiji Ikeda,Mutsumi Okajima,Kotaro Noda,Nobuyoshi Saito,Takanori Akita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device and semiconductor storage device

Номер патента: US20240322045A1. Автор: Takahiro Fujii,Kotaro Noda,Takanori Akita,Kasumi Okabe. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20200381557A1. Автор: Shigeki Hattori,Tomomasa Ueda,Keiji Ikeda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US9893108B2. Автор: Toshifumi Iwasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device configuring a back-illuminated solid state imaging device and semiconductor device manufacturing method thereof

Номер патента: US09997553B2. Автор: Hiroshi Shibata. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09893108B2. Автор: Toshifumi Iwasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20170287954A1. Автор: Hiroshi Shibata. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-05.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20230225101A1. Автор: Xiaojie Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09842869B2. Автор: Masatoshi Kimura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Storage device and semiconductor device

Номер патента: US09515094B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20230290882A1. Автор: Kazuhiro Matsuo,Kenichiro TORATANI,Ha Hoang,Tomoki ISHIMARU. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Information acquiring method, information acquiring apparatus, semiconductor device comprising array of plurality of unit components for detecting physical quantity distribution, and semiconductor manufacturing method

Номер патента: US20090317935A1. Автор: Atsushi Toda,Hirofumi Sumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-12-24.

Semiconductor structure, preparation method of same, and semiconductor device

Номер патента: US20220238639A1. Автор: Xianlei CAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Semiconductor photosensitive unit and semiconductor photosensitive unit array thereof

Номер патента: US09847362B2. Автор: WEI Liu,Pengfei Wang,LEI Liu. Владелец: Suzhou Oriental Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device and semiconductor memory cell including the same

Номер патента: EP4254512A1. Автор: Yongjin Lee,Yongseok Kim,Wonsok Lee,Min Hee Cho,Min Tae RYU,Sungwon Yoo,Huije Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-04.

Semiconductor device and semiconductor memory cell including the same

Номер патента: US20230307551A1. Автор: Yongjin Lee,Yongseok Kim,Wonsok Lee,Min Hee Cho,Min Tae RYU,Sungwon Yoo,Huije Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

Biosensor based on heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US09806151B2. Автор: Sufi Zafar,Tak Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Vertical heterojunction bipolar transistors with reduced base-collector junction capacitance

Номер патента: US20120221987A1. Автор: Renata Camillo-Castillo,Qizhi Liu,Erik M. Dahlstrom. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-08-30.

Heterojunction bipolar transistors with reduced base resistance

Номер патента: US8513706B2. Автор: Qizhi Liu,Peter B. Gray,Erik M. Dahlstrom. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-08-20.

Epitaxial wafer for hetero-junction bipolar transistor and hetero-junction bipolar transistor

Номер патента: US10312324B2. Автор: Takeshi Meguro,Shinjiro FUJIO. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-04.

Radio frequency silicon-on-insulator integrated heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20190386121A1. Автор: Sinan Goktepeli,George Pete IMTHURN,Stephen Alan Fanelli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-12-19.

Method of manufacturing heterojunction bipolar transistor and heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20130178037A1. Автор: Hans Mertens,Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Tony Vanhoucke,Philippe Meunier-Beillard. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2013-07-11.

Current-confined heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US8735256B1. Автор: Alan Sugg. Владелец: VEGA WAVE SYSTEMS Inc. Дата публикации: 2014-05-27.

Advanced wafer bonded heterojunction bipolar transistors and methods of manufacture of advanced wafer bonded heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US11335794B2. Автор: Matthew H. Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-05-17.

Algaas or ingap low turn-on voltage gaas-based heterojunction bipolar transistor

Номер патента: WO2003009396A3. Автор: Noren Pan. Владелец: Microlink Devices Inc. Дата публикации: 2003-11-27.

Biosensor based on heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20180006116A1. Автор: Sufi Zafar,Tak Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

METAL SILICIDE SELF-ALIGNED SiGe HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20140175520A1. Автор: Wei Zhang,Jun Fu,Jie Cui,Yue Zhao,Yu-dong Wang,Zhi-hong Liu,Gao-qing Li,Zheng-li Wu. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-06-26.

Epitaxial wafer for heterojunction bipolar transistor and heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20170200816A1. Автор: Takeshi Meguro,Shinjiro FUJIO. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-13.

Epitaxial wafer for heterojunction bipolar transistor and heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US9865715B2. Автор: Takeshi Meguro,Shinjiro FUJIO. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US20230369474A1. Автор: Vibhor Jain,Judson R. Holt,Shesh Mani Pandey. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Sige heterojunction bipolar transistor (hbt) and method of fabrication

Номер патента: US20080124882A1. Автор: Xuefeng Liu,Alvin J. Joseph,Rajendran Krishnasamy,Peter J. Geiss. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-05-29.

Heterojunction bipolar transistors for improved radio frequency (RF) performance

Номер патента: US09502510B2. Автор: Jing Zhang,Peter J. Zampardi,Brian G. Moser,Thomas James Rogers,Dheeraj Mohata. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Heterojunction bipolar transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010054718A1. Автор: Masahiro Tanomura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-12-27.

Silicon carbide: germanium (sic:ge) heterojunction bipolar transistor; a new semiconductor transistor for high-speed, high-power applications

Номер патента: US20020076890A1. Автор: Michael Mazzola,Jeffrey Casady,Stephen Saddow. Владелец: Mississippi State University. Дата публикации: 2002-06-20.

Heterojunction bipolar transistor with stress component

Номер патента: US09825157B1. Автор: Anthony K. Stamper,Vibhor Jain,Renata A. Camillo-Castillo. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Inp heterojunction bipolar transistor with intentionally compressivley missmatched base layer

Номер патента: WO2002103803A1. Автор: Quesnell Hartmann. Владелец: Epiworks, Inc.. Дата публикации: 2002-12-27.

Dopant profile control in heterojunction bipolar transistor (HBT)

Номер патента: US12068402B2. Автор: HIROSHI Yasuda,Mattias Dahlstrom,Tatsuya Tominari,Jerald Rock,Wibo Van Noort. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Heterojunction bipolar transistors with reduced base resistance

Номер патента: US20130062668A1. Автор: Qizhi Liu,Peter B. Gray,Erik M. Dahlstrom. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-03-14.

Heterojunction bipolar transistors with reduced base resistance

Номер патента: US20120126292A1. Автор: Qizhi Liu,Peter B. Gray,Erik M. Dahlstrom. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-24.

Bipolar transistor with graded base layer

Номер патента: WO2003088363A1. Автор: Roger E. Welser,Paul M. Deluca,Charles R. Lutz,Kevin S. Stevens. Владелец: Kopin Corporation. Дата публикации: 2003-10-23.

Epitaxial wafer for hetero-junction bipolar transistor and hetero-junction bipolar transistor

Номер патента: US20180061948A1. Автор: Takeshi Meguro,Shinjiro FUJIO. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-01.

Vertical heterojunction bipolar transistors with reduced base-collector junction capacitance

Номер патента: US20120112244A1. Автор: Renata Camillo-Castillo,Qizhi Liu,Erik M. Dahlstrom. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-10.

Heterojunction Bipolar Transistor Manufacturing Method and Integrated Circuit Comprising a Heterojunction Bipolar Transistor

Номер патента: EP2458624A1. Автор: Hans Mertens,Evelyne Gridelet,Tony Vanhoucke,Blandine Duriez,Johannes Josephus Theodorus Donkers. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2012-05-30.

Dual sidewall spacer for a self-aligned extrinsic base in SiGe heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US20020153535A1. Автор: David Greenberg,Shwu-Jen Jeng,Gregory Freeman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-10-24.

Bipolar transistor having collector with grading

Номер патента: US09768282B2. Автор: Peter J. Zampardi, JR.. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Compound Semiconductor Lateral PNP Bipolar Transistors

Номер патента: US20140110825A1. Автор: Srivatsan Parthasarathy,Javier Alejandro Salcedo,Shuyun Zhang. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2014-04-24.

Heterojunction bipolar transistor unit cell with plural base mesas and power stage for a power amplifier

Номер патента: WO2018156242A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao,Miguel Miranda Corbalan. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-08-30.

Heterojunction bipolar transistor having wide bandgap material in collector

Номер патента: US20040065898A1. Автор: Yan Chen,Chien Lee,Hin Chau,Clarence Dunnrowicz. Владелец: Eic Corp. Дата публикации: 2004-04-08.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US5247192A. Автор: Keita Nii. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 1993-09-21.

Heterojunction bipolar transistor with amorphous semiconductor regions

Номер патента: EP4365956A1. Автор: Vibhor Jain,Rajendran Krishnasamy,Anupam DUTTA,Vvss Satyasuresh Choppalli,Robert J. Gauthier Jr.. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-08.

Heterojunction bipolar transistor unit cell with plural base mesas and power stage for a power amplifier

Номер патента: EP3586372A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao,Miguel Miranda Corbalan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-01-01.

Heterojunction bipolar transistor with amorphous semiconductor regions

Номер патента: US20240145585A1. Автор: Robert J. Gauthier, Jr.,Vibhor Jain,Rajendran Krishnasamy,Anupam DUTTA,Vvss Satyasuresh Choppalli. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Heterojunction bipolar transistor having non-uniformly doped collector for improved safe-operating area

Номер патента: US20040065897A1. Автор: Yan Chen,Chien Lee,Nanlei Wang,Barry Lin,Hin Chau,Clarence Dunnrowicz. Владелец: Eic Corp. Дата публикации: 2004-04-08.

Vertical heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20020179933A1. Автор: Majid Hashemi,El-Badawy El-Sharawy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Bipolar transistor having collector with doping concentration discontinuity

Номер патента: US20230006055A1. Автор: Andre G. Metzger,Cristian Cismaru,Guoliang Zhou,Kai Hay Kwok. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Vertical heterojunction bipolar transistor

Номер патента: WO2001037349A1. Автор: El-Badawy Amien El-Sharawy,Majid M. Hashemi. Владелец: National Scientific Corporation. Дата публикации: 2001-05-25.

Bipolar transistor having collector with doping concentration discontinuity

Номер патента: US12113125B2. Автор: Andre G. Metzger,Cristian Cismaru,Guoliang Zhou,Kai Hay Kwok. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Heterojunction bipolar transistors with a cut stress liner

Номер патента: EP4372823A1. Автор: Jeffrey Johnson,John J. Pekarik,Vibhor Jain,Viorel Ontalus. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-22.

Indium phosphide-boron phosphide heterojunction bipolar transistor

Номер патента: CA1213376A. Автор: Krishna P. Pande. Владелец: Allied Corp. Дата публикации: 1986-10-28.

Heterojunction bipolar transistors with airgap isolation

Номер патента: US20210091213A1. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Qizhi Liu,Judson Holt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Heterojunction bipolar transistors with a cut stress liner

Номер патента: US20240170561A1. Автор: Jeffrey Johnson,John J. Pekarik,Vibhor Jain,Viorel Ontalus. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Heterojunction bipolar transistor having thinned base-collector depletion region

Номер патента: WO2003077284A3. Автор: Jerry M Woodall,Eric S Harmon,David B Salzman. Владелец: David B Salzman. Дата публикации: 2003-12-04.

Method of fabricating a heterojunction bipolar transistor

Номер патента: WO2006109208A2. Автор: Johannes J. T. M. Donkers,Joost Melai,Philippe Meunier-Beillard,Erwin Hijzen. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2006-10-19.

Rugged heterojunction bipolar transistor power device and the method thereof

Номер патента: US20050149885A1. Автор: Yu-Chi Wang,Tsung-Chi Tsai,Min-Chang Tu,Jen-Hao Huang. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2005-07-07.

Method for reducing base resistance in a bipolar transistor

Номер патента: US6475849B2. Автор: Marco Racanelli. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2002-11-05.

Modulation doped base heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US5099299A. Автор: Frank F. Fang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1992-03-24.

Npn-heterojunction bipolar transistor including an antimonide base formed on semi-insulating indium phosphide substrate

Номер патента: EP1209750A3. Автор: William E. Stanchina,Thomas Hasenberg. Владелец: Hughes Electronics Corp. Дата публикации: 2002-08-07.

High on-state breakdown heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20110147799A1. Автор: Noren Pan,Andree Wibowo. Владелец: Microlink Devices Inc. Дата публикации: 2011-06-23.

Lateral heterojunction bipolar transistor with improved breakdown voltage and method

Номер патента: US11777019B2. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain,Judson R. Holt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Self-alignment scheme for a heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20090140297A1. Автор: Anna Topol,Francois Pagette. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-06-04.

Heterojunction Bipolar Transistor having a Germanium Raised Extrinsic Base

Номер патента: US20140264457A1. Автор: David J. Howard,Edward Preisler,George Talor,Gerson R. Ortuno. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2014-09-18.

Method of fabricating a heterojunction bipolar transistor

Номер патента: WO2006109208A3. Автор: Joost Melai,Philippe Meunier-Beillard,Erwin Hijzen,Johannes J T M Donkers. Владелец: Johannes J T M Donkers. Дата публикации: 2007-02-15.

Fabrication method for heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20050051797A1. Автор: Cheng-Wen Fan,Hua-Chou Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2005-03-10.

Heterojunction bipolar transistors with undercut extrinsic base regions

Номер патента: US20220190145A1. Автор: Mark Levy,Vibhor Jain,James R. Elliott,Qizhi Liu,Sarah McTaggart,Paula Fisher. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US09911837B2. Автор: Shu-Hsiao TSAI,Cheng-Kuo Lin,Jui-Pin Chiu,Rong-Hao SYU. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US5332912A. Автор: Junko Akagi,Norio Iizuka,Masao Obara,Tetsuro Nozu,Torakiti Kobayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-07-26.

Germanium-Silicon-Tin (GeSiSn) Heterojunction Bipolar Transistor Devices

Номер патента: US20230031642A1. Автор: Matthew H. Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-02-02.

Heterojunction bipolar transistor, manufacturing method therefor, and communication device therewith

Номер патента: US20030038300A1. Автор: Yoshiteru Ishimaru. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-27.

High on-state breakdown heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20100237388A1. Автор: Noren Pan,Andree Wibowo. Владелец: Microlink Devices Inc. Дата публикации: 2010-09-23.

Heterojunction bipolar transistor structure with a bandgap graded hole barrier layer

Номер патента: US20200194573A1. Автор: Yu-Chung Chin,Chao-Hsing Huang,kai-yu Chen,Min-Nan Tseng. Владелец: Visual Photonics Epitaxy Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-18.

Heterojunction bipolar transistor having thinned base-collector depletion region

Номер патента: WO2003077284A2. Автор: Jerry M. Woodall,Eric S. Harmon,David B. Salzman. Владелец: YALE UNIVERSITY. Дата публикации: 2003-09-18.

Reduced base resistance in a bipolar transistor

Номер патента: US20020117734A1. Автор: Marco Racanelli. Владелец: Conexant Systems LLC. Дата публикации: 2002-08-29.

Method of fabricating a heterojunction bipolar transistor

Номер патента: EP1875494A2. Автор: Johannes J. T. M. Donkers,Joost Melai,Philippe Meunier-Beillard,Erwin Hijzen. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-01-09.

Self-aligned lateral heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20050101096A1. Автор: JIA Zheng,JIAN Li,Purakh Verma,Lap Chan,Shao-Fu Chu. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2005-05-12.

Heterojunction bipolar transistor containing at least one silicon carbide layer

Номер патента: US20040195597A1. Автор: John Torvik,Jacques Pankove. Владелец: Astralux Inc. Дата публикации: 2004-10-07.

Heterojunction bipolar transistor power amplifier with backside thermal heatsink

Номер патента: EP3574527A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-12-04.

Heterojunction bipolar transistor including collector/base heterojunction achieving high operation efficiency

Номер патента: US6399969B1. Автор: John Kevin Twynam. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2002-06-04.

GaN HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR WITH A P-TYPE STRAINED InGaN BASE LAYER AND FABRICATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20070114518A1. Автор: Jinn-Kong Sheu,Yue-Ming Hsin,Kuang-Po Hsueh. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2007-05-24.

Heterojunction bipolar transistors for improved radio frequency (rf) performance

Номер патента: US20150372098A1. Автор: Jing Zhang,Peter J. Zampardi,Brian G. Moser,Thomas James Rogers,Dheeraj Mohata. Владелец: RF Micro Devices Inc. Дата публикации: 2015-12-24.

InP heterojunction bipolar transistor with intentionally compressively mismatched base layer

Номер патента: US20020190271A1. Автор: Quesnell Hartmann. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-19.

Semiconductor device

Номер патента: US6545340B1. Автор: Robert G Davis,Anthony W Higgs,David G Hayes. Владелец: Qinetiq Ltd. Дата публикации: 2003-04-08.

Method of Manufacture of Germanium-Silicon-Tin Heterojunction Bipolar Transistor Devices

Номер патента: US20190296131A1. Автор: Matthew H. Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-09-26.

Heterojunction bipolar transistor and manufacturing method making the same

Номер патента: US20050085035A1. Автор: Norio Hayafuji,Rui-Huang Cheng,Chih-Chiang Shen,Chang-Jung Chu,Yong-Yin Chen,Chin-Kun Peng. Владелец: Procomp Informatics Ltd. Дата публикации: 2005-04-21.

Ballistic heterojunction bipolar transistors

Номер патента: CA1213378A. Автор: David G. Ankri,Lester F. Eastman,Walter H. Ku. Владелец: CNET. Дата публикации: 1986-10-28.

Semiconductor device and method of making a semiconductor device

Номер патента: US11817486B2. Автор: Steven Kwan,Jay Paul John,James Albert Kirchgessner. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US4896203A. Автор: Yasutomo Kajikawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1990-01-23.

Bipolar transistor comprising a raised collector pedestal for reduced capacitance

Номер патента: GB2497177A. Автор: Qizhi Liu,John Joseph Pekarik,David L Harame,James William Adkisson,John Joseph Ellis-Monaghan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-06-05.

Fully self-aligned submicron heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US5729033A. Автор: Madjid Hafizi. Владелец: Hughes Electronics Corp. Дата публикации: 1998-03-17.

Heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US11869958B2. Автор: Vibhor Jain,Judson R. Holt,Shesh Mani Pandey. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Heterojunction bipolar transistor and method of producing the same

Номер патента: US20020066909A1. Автор: Hidenori Shimawaki,Fumio Harima,Masahiro Tanomura,Yosuke Miyoshi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-06-06.

Bipolar transistor having collector with grading

Номер патента: US20150236141A1. Автор: Peter J. Zampardi, JR.. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2015-08-20.

Heterojunction Bipolar Transistor and Manufacturing Method

Номер патента: EP2418681A1. Автор: Hans Mertens,Evelyne Gridelet,Blandine Duriez,Johannes Josephus Theodorus Donkers,Tony Vanhouck. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2012-02-15.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20210384297A1. Автор: Anthony K. Stamper,Jeonghyun Hwang,Johnatan A. Kantarovsky,Henry L. Aldridge, JR.. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US20230369473A1. Автор: Vibhor Jain,Judson R. Holt,Shesh Mani Pandey. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20210091183A1. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Qizhi Liu,Judson R. Holt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Heterojunction bipolar transistor and method of forming the same

Номер патента: US20100133586A1. Автор: Jong-Min Lee,Kyung-Ho Lee,Byoung-Gue Min,Seong-II Kim,Hyung-Sup Yoon,Eun-Soo Nam. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2010-06-03.

Process of producing heterojunction bipolar transistor with silicon-germanium base

Номер патента: US5494836A. Автор: Kiyotaka Imai. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-02-27.

Fin-based lateral bipolar junction transistor and method

Номер патента: US11888031B2. Автор: Hong Yu,Zhenyu Hu,Judson R. Holt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US11881523B2. Автор: Vibhor Jain,Judson R. Holt,Shesh Mani Pandey. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Heterojunction Bipolar Transistor

Номер патента: US20240030288A1. Автор: Manabu Mitsuhara,Yuta Shiratori. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: EP1187218A3. Автор: Takeshi Takagi,Kenji Toyoda,Minoru Kubo,Koichiro Yuki,Teruhito Ohnishi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-02-12.

Bipolar transistor with lattice matched base layer

Номер патента: WO2002043155A9. Автор: Noren Pan,Roger E Welser,Paul M Deluca. Владелец: Paul M Deluca. Дата публикации: 2003-08-14.

Heterojuction bipolar transistor

Номер патента: US20220130960A1. Автор: Walter Tony WOHLMUTH. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-04-28.

Boron, bismuth co-doping of gallium arsenide and other compounds for photonic and heterojunction bipolar transistor devices

Номер патента: US09722122B2. Автор: Angelo Mascarenhas. Владелец: Alliance for Sustainable Energy LLC. Дата публикации: 2017-08-01.

Heterojunction semiconductor device having an intermediate layer for providing an improved junction

Номер патента: EP1443565A3. Автор: Nicolas J. Moll,Hans G. Rohdin,Dave Bour,Sung Soo Yi. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2005-07-13.

Bipolar transistor having collector with doping concentration grading

Номер патента: US20230006056A1. Автор: Andre G. Metzger,Cristian Cismaru,Guoliang Zhou,Kai Hay Kwok. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Heterojunction semiconductor device having an intermediate layer for providing an improved junction

Номер патента: US20040149994A1. Автор: Sung Yi,Nicolas Moll,Hans G. Rohdin,Dave Bour. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2004-08-05.

Semiconductor device with extrinsic base region and method of fabrication therefor

Номер патента: US12107143B2. Автор: Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Bernhard Grote,Ljubo Radic. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-10-01.

Tunneling emitter bipolar transistor

Номер патента: WO1987007431A1. Автор: Jingming Xu,Michael Shur. Владелец: Regents of the University of Minnesota. Дата публикации: 1987-12-03.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US4794440A. Автор: Federico Capasso,Pierre M. Petroff,Roger J. Malik,Arthur C. Gossard,John R. Hayes. Владелец: AMERICAN TELEPHONE AND TELEGRAPH COMPANY AT&T BELL LABORATORIES. Дата публикации: 1988-12-27.

Cadmium sulfide layers for indium phosphide-based heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US6049099A. Автор: Andrew Davis,Kenneth Vaccaro,Joseph P. Lorenzo,Helen M. Dauplaise. Владелец: US Air Force. Дата публикации: 2000-04-11.

Manufacturing method for Heterojunction bipolar transistor, HBT therefrom

Номер патента: KR20040057000A. Автор: 김성일,이희태,임종원,홍선의,남은수. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2004-07-01.

Heterojunction bipolar transistors with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20150035011A1. Автор: Marwan H. Khater,Vibhor Jain,Renata Camillo-Castillo,Vikas K. Kaushal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-02-05.

Epitaxial Base Layers For Heterojunction Bipolar Transistors

Номер патента: US20130320403A1. Автор: Paul Douglas Yoder,Munmun Islam,Mahbub D. Satter. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2013-12-05.

Heterojunction bipolar transistor (HBT) having an improved emitter-base junction

Номер патента: EP1235278A3. Автор: Yu-Min Houng,Nicolas J. Moll. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2003-01-02.

Fabrication method of self-aligned heterojunction bipolar transistor using temporary emitter electrode and polyimide sidewall film

Номер патента: KR960026917A. Автор: 박성호,최성우,박문평. Владелец: 조백제. Дата публикации: 1996-07-22.

Heterojunction bipolar transistor with collector buffer layer

Номер патента: CA1299771C. Автор: Tadao Ishibashi,Yoshiki Yamauchi. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1992-04-28.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20230307527A1. Автор: Yu-Chung Chin,Chao-Hsing Huang,kai-yu Chen,Min-Nan Tseng. Владелец: Visual Photonics Epitaxy Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Heterojunction bipolar transistor with emitter base junction oxide interface

Номер патента: US20200335612A1. Автор: Anthony K. Stamper,John J. Pekarik,Vibhor Jain,Steven M. Shank. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2020-10-22.

Heterojunction bipolar transistor with emitter base junction oxide interface

Номер патента: US20210104621A1. Автор: Anthony K. Stamper,John J. Pekarik,Vibhor Jain,Steven M. Shank. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-04-08.

Heterojunction bipolar transistor geometry for improved power amplifier performance

Номер патента: US20150102389A1. Автор: Jing Zhang,Brian G. Moser,Robert Saxer. Владелец: RF Micro Devices Inc. Дата публикации: 2015-04-16.

Heterojunction bipolar transistors with reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20150053982A1. Автор: Marwan H. Khater,Vibhor Jain,Renata Camillo-Castillo,Vikas K. Kaushal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-02-26.

Methods of manufacture of advanced wafer bonded heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US20220278228A1. Автор: Matthew H. Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-09-01.

Heterojunction bipolar transistor with emitter base junction oxide interface

Номер патента: US11848192B2. Автор: Anthony K. Stamper,John J. Pekarik,Vibhor Jain,Steven M. Shank. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Heterojunction bipolar transistor (HBT) having an improved emitter-base junction

Номер патента: US20020117657A1. Автор: Yu-Min Houng,Nicolas Moll. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-29.

Heterojunction bipolar transistor structure having current clamping layer

Номер патента: US20240079450A1. Автор: Zong-Lin LI,Yu-Chung Chin,Chao-Hsing Huang. Владелец: Visual Photonics Epitaxy Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Heterojunction bipolar transistor capable of restraining the conductivity modulation of the ballast layer

Номер патента: US20020088993A1. Автор: John Twynam,Yoshiteru Ishimaru. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-11.

III-V heterojunction bipolar transistor having a GaAs emitter ballast

Номер патента: US6043520A. Автор: Yoshitsugu Yamamoto,Ryo Hattori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-03-28.

Passivation layer for group iii-v semiconductor devices

Номер патента: WO2004095517A2. Автор: Andrew N. Macinnes,Martha R. Krueger. Владелец: TRIQUINT SEMICONDUCTOR, INC.. Дата публикации: 2004-11-04.

Heterostructure bipolar transistor

Номер патента: CA1318418C. Автор: Young-Kai Chen,Morton Panish,Richard Norman Nottenburg,Anthony Frederic John Levi. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1993-05-25.

Heterojunction bipolar transistor having low electron and hole concentrations in the emitter-base junction region

Номер патента: US5508536A. Автор: Katsuhiko Kishimoto,Toshiaki Kinosada,John K. Twynam. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1996-04-16.

Heterojunction semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US5721438A. Автор: John W. Steele,Zhirong Tang,Jenny M. Ford. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1998-02-24.

Depleted extrinsic emitter of collector-up heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US5485025A. Автор: Hin F. Chau,Hua Q. Tserng. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1996-01-16.

Method for fabricating base-emitter self-aligned heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US20040159911A1. Автор: Gilbert Essilfie. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-19.

Base silicide on monocrystalline base structures in bipolar transistors

Номер патента: EP4290581A1. Автор: Ljubo Radic,Jay Paul John,James Albert Kirchgessner,Ronald Willem Arnoud Werkman. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-12-13.

Heterojunction bipolar transistor with counter-doped collector region and method of making same

Номер патента: US10998431B2. Автор: Pascal Chevalier,Alexis Gauthier. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2021-05-04.

Silicon-silicon-germanium heterojunction bipolar transistor fabrication method

Номер патента: US5668022A. Автор: Kwang-Eui Pyun,Byung-Ryul Ryum,Tae-Hyeon Han,Deok-Ho Cho,Soo-Min Lee. Владелец: KT Corp. Дата публикации: 1997-09-16.

Semiconductor device with lateral base link region

Номер патента: US20240204052A1. Автор: Jay Paul John,James Albert Kirchgessner. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-06-20.

Boron, bismuth co-doping of gallium arsenide and other compounds for photonic and heterojunction bipolar transistor devices

Номер патента: CA2931227C. Автор: Angelo Mascarenhas. Владелец: Alliance for Sustainable Energy LLC. Дата публикации: 2019-05-14.

Integrated semiconductor device and fabrication of this device

Номер патента: KR100396919B1. Автор: 박민,김해천,임종원,문재경,남은수. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2003-09-02.

Semiconductor device with monocrystalline extrinsic base region and method of fabrication therefor

Номер патента: EP4310914A1. Автор: Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Bernhard Grote,Ljubo Radic. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-01-24.

Semiconductor device with extrinsic base region and method of fabrication therefor

Номер патента: US20240030308A1. Автор: Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Bernhard Grote,Ljubo Radic. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor storage device and semiconductor device

Номер патента: US20240321829A1. Автор: Nobuyuki Momo. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Passivation layer for group iii-v semiconductor devices

Номер патента: WO2004095517A3. Автор: Andrew N Macinnes,Martha R Krueger. Владелец: Martha R Krueger. Дата публикации: 2005-04-28.

Device detecting abnormality of secondary battery and semiconductor device

Номер патента: US20220045370A1. Автор: Kei Takahashi,Takanori Matsuzaki,Yuki Okamoto,Takahiko Ishizu,Minato ITO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-10.

Transistor and semiconductor device

Номер патента: US09748401B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Takayuki Inoue,Akiharu Miyanaga,Masashi TSUBUKU,Shuhei Yoshitomi,Suzunosuke Hiraishi,Hiromichi Godo,Koki Inoue,Erumu Kikuchi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device that includes main element having insulated gate bipolar transistor and sense element having resistor and insulated gate bipolar transistor

Номер патента: US8735989B2. Автор: Kenichi Matsushita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-05-27.

Oxide semiconductor stacked film and semiconductor device

Номер патента: US09583570B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Ryosuke Watanabe,Masashi Oota,Masashi TSUBUKU,Noritaka ISHIHARA,Koki Inoue. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Thin film transistors, methods of manufacturing thin film transistors, and semiconductor device including thin film transistors

Номер патента: US09564531B2. Автор: Sang-yoon Lee,Myung-kwan Ryu,Kyung-bae Park,Jong-baek Seon,Bon-Won Koo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor Device Including a Ferroelectric Field-Effect Transistor, and Semiconductor Integrated Circuit Device Employing Same

Номер патента: US20080151599A1. Автор: Masato Moriwake,Daisuke Nishinohara. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2008-06-26.

Field effect transistor and semiconductor device including the same

Номер патента: US09941360B2. Автор: Shigenobu Maeda,Seunghan Seo,Yeohyun SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Stress release structures for metal electrodes of semiconductor devices

Номер патента: US20110291159A1. Автор: Chunong Qiu,Cindy Xing Qiu,Ishiang Shih,Yi-Chi Shih. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-01.

Stress release structures for metal electrodes of semiconductor devices

Номер патента: US20140332854A1. Автор: Chunong Qiu,Cindy Xing Qiu,Ishiang Shih,Yi-Chi Shih. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-11-13.

Semiconductor device

Номер патента: US09985069B2. Автор: Takayuki Ikeda,Yoshiyuki Kurokawa,Munehiro KOZUMA,Hikaru Tamura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device obtained with such a method

Номер патента: WO2007057803A1. Автор: Johannes J. T. M. Donkers,Joost Melai,Philippe Meunier-Beillard,Erwin Hijzen. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2007-05-24.

Semiconductor device and semiconductor device structure

Номер патента: US20020096784A1. Автор: Hitoshi Shibue,Koichi Kamikuri. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-07-25.

Diode, junction field effect transistor, and semiconductor device

Номер патента: US10020392B2. Автор: Po-An Chen,Vivek Ningaraju,Vinay Suresh. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2018-07-10.

Semiconductor device and semiconductor device assembly

Номер патента: US20020084470A1. Автор: Tadahiko Sakai,Yoshiyuki Wada,Shoji Sakemi,Mitsuru Ozono. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-04.

Insulated gate bipolar transistor device, semiconductor device and method for forming said devices

Номер патента: US09525029B2. Автор: Franz Josef Niedernostheide,Christian Philipp Sandow,Vera Van Treek. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-20.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device corresponding to loop back test

Номер патента: US20070245179A1. Автор: Hiroshi Noda. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-10-18.

Semiconductor devices, semiconductor device packages, electronic systems including same, and related methods

Номер патента: US20210183843A1. Автор: Xiaopeng Qu,Shams U. Arifeen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor device formation substrate and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20110133185A1. Автор: Shinji Wakisaka. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-09.

Semiconductor device measurement method using x-ray scattering and semiconductor device manufacturing method including the measurement method

Номер патента: US20230380783A1. Автор: Hidong Kwak,Jaeyong Lee,Minjung Shin,Chuhee LEE,Seungryeol Oh,Byunghyun HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US20220158000A1. Автор: Yasushi Higuchi,Osamu Imafuji,Yusuke Matsubara,Takashi Shinohe,Mitsuru Okigawa. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: NL2018614B1. Автор: OHTANI Kinya. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2018-02-01.

Semiconductor device and semiconductor module including semiconductor devices

Номер патента: US20090184430A1. Автор: Mitsuhisa Watanabe,Ichiro Anjoh. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-07-23.

Semiconductor failure analysis device and semiconductor failure analysis method

Номер патента: US12117480B2. Автор: Shinsuke Suzuki,Masataka IKESU. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor devices and semiconductor packages including the same

Номер патента: US12040294B2. Автор: ATSUSHI Fujisaki,JONGHO LEE,Jin Ho An,Un-Byoung Kang,Ju-Il Choi,Jeonggi Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device and semiconductor assembly apparatus for semiconductor device

Номер патента: US6841417B2. Автор: Masao Jojiki. Владелец: Asahi Kogaku Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-11.

Semiconductor device, methods of manufacturing semiconductor device, and semiconductor module

Номер патента: US20240243198A1. Автор: Koichi Hasegawa,Kazuhisa Mori,Yasutaka Nakashiba,Hiroshi Yanagigawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20240162284A1. Автор: Takashi Yoshimura,Hiroshi TAKISHITA,Yuusuke OOSHIMA,Shuntaro Yaguchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Polyimide resin composition for semiconductor devices, method of forming film in semiconductor devices using the same and semiconductor devices

Номер патента: US20110213075A1. Автор: Junichi Yamashita,Toshiyuki Goshima,Maw Soe Win,Ken Takanashi,Sigemasa Segawa. Владелец: PI R&D Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-01.

Semiconductor device and semiconductor assembly apparatus for semiconductor device

Номер патента: US20020089033A1. Автор: Masao Jojiki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-11.

Semiconductor device and semiconductor assembly apparatus for semiconductor device

Номер патента: US20010042911A1. Автор: Masao Jojiki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-22.

Semiconductor device and semiconductor assembly apparatus for semiconductor device

Номер патента: US20030001257A1. Автор: Masao Jojiki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-02.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: NL2018616B1. Автор: OHTANI Kinya. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2018-02-01.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09972715B2. Автор: Katsunori Ueno. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US09917138B1. Автор: Yusuke Goki,Keiichi Takenaka. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Method of fabricating semiconductor device using gang bonding and semiconductor device fabricated by the same

Номер патента: US09711693B2. Автор: Chung Hoon Lee,Dae Sung Kal,Ki Bum Nam. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device inspection device and semiconductor device inspection method

Номер патента: US09618563B2. Автор: Tomonori Nakamura,Mitsunori Nishizawa. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09553144B2. Автор: Toru Mori. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20160343879A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-24.

Crystal, semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: US20210217869A1. Автор: Yuji Kato,Osamu Imafuji,Ryohei KANNO,Kazuyoshi NORIMATSU. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US20220140120A1. Автор: Takahiro Kato,Tatsunori Sakano,Ryohei GEJO. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2022-05-05.

Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device manufactured therefrom

Номер патента: EP1965415A3. Автор: Hideaki Tanaka,Tetsuya Hayashi,Shigeharu Yamagami,Masakatsu Hoshi. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-01.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device manufactured therefrom

Номер патента: US20080203401A1. Автор: Hideaki Tanaka,Tetsuya Hayashi,Shigeharu Yamagami,Masakatsu Hoshi. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-28.

Insulated gate bipolar transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20180204938A1. Автор: Jian Liu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Semiconductor device, display device and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240274624A1. Автор: Hirotaka Hayashi. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and semiconductor module provided with same

Номер патента: US20180204778A1. Автор: Yukimasa Hayashida,Shigeru Hasegawa,Isao Umezaki,Ryutaro Date,Ryo Tsuda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Thermoplastic resin composition for semiconductor, adhesion film, lead frame, and semiconductor device using the same, and method of producing semiconductor device

Номер патента: MY140876A. Автор: Tomohiro Nagoya,Yoshiyuki Tanabe,Toshiyasu Kawai,Naoko Tomoda,Kiyohide Tateoka. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-29.

Oxide material and semiconductor device

Номер патента: US12057510B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Tatsuya Honda,Motoki Nakashima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device, optical sensor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20120217478A1. Автор: Hiroshi Inada,Takashi Ishizuka,Hideaki Nakahata,Yasuhiro Iguchi,Katsushi Akita,Youichi Nagai,Kei Fujii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-08-30.

Wafer alignment for stacked wafers and semiconductor device assemblies

Номер патента: US20230065325A1. Автор: Eiichi Nakano,Shiro Uchiyama. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor device and semiconductor package including same

Номер патента: US20240213200A1. Автор: Reona Takeoka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device, optical sensor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09818895B2. Автор: Hiroshi Inada,Takashi Ishizuka,Hideaki Nakahata,Yasuhiro Iguchi,Katsushi Akita,Youichi Nagai,Kei Fujii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Memory device, and semiconductor device and electronic appliance including the same

Номер патента: US09715920B2. Автор: Takahiko Ishizu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Method for producing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09647142B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Porous film made of polyparaxililine and its substitutes, method of the porous film manufacture and semiconductor device with its use

Номер патента: RU2218365C2. Автор: С.Н. Чвалун,Акио ТАКАХАСИ,И.Е. Кардаш,А.В. Пебалк,К.А. Маилян,Юичи САТСУ,Харуказу НАКАЙ. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я.Карпова". Дата публикации: 2003-12-10.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US20160247736A1. Автор: Yoshimitsu KUWAHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-25.

P-Type Semiconductor Material and Semiconductor Device

Номер патента: US20130214271A1. Автор: Yoshinobu Asami,Riho KATAISHI,Erumu Kikuchi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-22.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US20240006475A1. Автор: Seiya Nakano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: EP3993061A1. Автор: Takahiro Kato,Tatsunori Sakano,Ryohei GEJO. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2022-05-04.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20240258401A1. Автор: Akira Takashima,Yasushi Nakasaki,Yusuke Nakajima,Tsunehiro Ino. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and semiconductor circuit

Номер патента: US20210296476A1. Автор: Yoko Iwakaji,Tomoko Matsudai. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

P-Type Semiconductor Material and Semiconductor Device

Номер патента: US20150001535A1. Автор: Yoshinobu Asami,Riho KATAISHI,Erumu Kikuchi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-01.

Method of manufacturing semiconductor device having base and semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: US20170229415A1. Автор: Daisuke Hiratsuka,Yuchen Hsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Semiconductor device and semiconductor component including the same preliminary class

Номер патента: US12051767B2. Автор: Shih-Chang Lee,Yi-Ching Lee,Chia-hung Lin,Kuo-Feng Huang,Cheng-Long Yeh,Shih-Hao Cheng,Cheng-Hsing Chiang,Yen-Chun Tseng,Ming-Ta Chin,Shih-Nan Yen,Jui-Che Sung. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10079157B2. Автор: YONG Song,Doo Hyun Park,Eun Young Lee,Jong Sik Paek,Seong Min Seo,Pil Je Sung,Seo Yeon Ahn,Sung Geun Kang,Wang Gu Lee. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2018-09-18.

Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation, and semiconductor device using the same

Номер патента: US20040097632A1. Автор: Katsumi Shimada,Shinya Akizuki,Kazuhiro Ikemura,Tsutomu Nishioka,Hisataka Ito,Takahiro Uchida,Takuya Eto. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2004-05-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same and semiconductor manufacturing device

Номер патента: US8815652B2. Автор: Fumihiko Inoue,Kentaro Sera. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-08-26.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US7622351B2. Автор: Kenya Kobayashi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-11-24.

Lead frames including inner-digitized bond fingers on bus bars and semiconductor device package including same

Номер патента: US20020109212A1. Автор: David Corisis. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-15.

Storage system and semiconductor package with improved power supply efficiency

Номер патента: US20240242742A1. Автор: Dong Sop LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240266189A1. Автор: YONG Song,Doo Hyun Park,Eun Young Lee,Jong Sik Paek,Seong Min Seo,Pil Je Sung,Seo Yeon Ahn,Sung Geun Kang,Wang Gu Lee. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20230402548A1. Автор: Kazuhiro Matsuo,Kenichiro TORATANI,Ha Hoang. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Method for producing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: WO2024170052A1. Автор: Yulieth Cristina Arango,Giovanni ALFIERI,Gianpaolo Romano. Владелец: Hitachi Energy Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Heat dissipation structure and semiconductor package including the same

Номер патента: US20240321681A1. Автор: Sunggu Kang,Hwanjoo PARK,Jaechoon Kim,Sungho Mun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Insulated Gate Bipolar Transistor And Fabrication Method Therefor

Номер патента: US20210234019A1. Автор: Jianhua Liu,Xueliang Wang,Jinrong LANG,Yaneng MIN. Владелец: ADVANCED SEMICONDUCTOR MANUFACTURING Corp Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09837326B2. Автор: Akira Yajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Bump structures, semiconductor device and semiconductor device package having the same

Номер патента: US09741675B2. Автор: Dao-Long Chen,Chang-Chi Lee,Chien-Fan Chen,Ping-Feng Yang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Sensor circuit and semiconductor device including sensor circuit

Номер патента: US09647152B2. Автор: Jun Koyama,Tomokazu Yokoi,Tsutomu Murakawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US09559027B2. Автор: Yoshimitsu KUWAHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device and semiconductor package having the same

Номер патента: US20110057328A1. Автор: Kyoung Sook PARK,Qwan Ho Chung,Yeo Song Yun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-10.

Semiconductor device and semiconductor package having the same

Номер патента: US20100237473A1. Автор: Kyoung Sook PARK,Qwan Ho Chung,Yeo Song Yun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-09-23.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US20210384144A1. Автор: Seok-hyun Lee,Youn-ji MIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-09.

Electronic device and semiconductor device

Номер патента: US9087160B2. Автор: Yasuhiro Yoshikawa,Motoo Suwa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-07-21.

Fabrication method for semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9040410B2. Автор: XIN YANG. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-26.

Method for assembling a carrier and a semiconductor device

Номер патента: US20010007288A1. Автор: Jeffrey Coffin,Peter Brofman,Kathleen Stalter,Anson Call. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-12.

Semiconductor device manufacturing system, semiconductor device inspection device, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US12051629B2. Автор: Younghwan Kim,Youngsu Ryu,Seunghwa Hyun,Hwayoung Park,Yusang Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device and semiconductor device production system

Номер патента: US20210118916A1. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Hiroshi Shibata,Koichiro Tanaka,Akihisa Shimomura,Masahiko Hayakawa,Tatsuya Arao,Mai Akiba,Chiho Kokubo,Atsuo Isobe,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Semiconductor device and semiconductor device production system

Номер патента: US20180190677A1. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Hiroshi Shibata,Koichiro Tanaka,Akihisa Shimomura,Masahiko Hayakawa,Tatsuya Arao,Mai Akiba,Chiho Kokubo,Atsuo Isobe,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor element, electronic device comprising semiconductor element, and semiconductor chip

Номер патента: US20240222552A1. Автор: Hao-Chung Kuo,Tsau-Hua Hsieh,Chun-Hui Huang,Wei-Ta HUANG,Tzu-Yi Lee. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20160276351A1. Автор: Daisuke Matsushita,Chika Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-22.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US20230307393A1. Автор: Shinichi Akiyoshi,Kouki Yamamoto,Ryouichi AJIMOTO. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US20240282805A1. Автор: Bungo Tanaka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and semiconductor device production system

Номер патента: US20200135770A1. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Hiroshi Shibata,Koichiro Tanaka,Akihisa Shimomura,Masahiko Hayakawa,Tatsuya Arao,Mai Akiba,Chiho Kokubo,Atsuo Isobe,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Fabrication Method For Semiconductor Device And Semiconductor Device

Номер патента: US20140145354A1. Автор: XIN YANG. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-29.

Semiconductor device and semiconductor device production system

Номер патента: US20160111451A1. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Hiroshi Shibata,Koichiro Tanaka,Akihisa Shimomura,Masahiko Hayakawa,Tatsuya Arao,Mai Akiba,Chiho Kokubo,Atsuo Isobe,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-21.

Semiconductor device and semiconductor device package having an electrode recess with a different inclination angle than an inclination angle of an electrode in the recess

Номер патента: US11749778B2. Автор: Sung Min Hwang,June O Song,Chang Man LIM,Se Yeon Jung,Tae Sung Lee,Byung Yeon CHOI,Chang Hyeong LEE. Владелец: Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device

Номер патента: US20120306068A1. Автор: Hirokazu Saito. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-06.

Semiconductor device and semiconductor chip

Номер патента: US20060097808A1. Автор: Kazuya Kawamura. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-05-11.

Semiconductor device

Номер патента: US12100688B2. Автор: Akihiro Kimura,Kaito Inoue. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US12080664B2. Автор: Shinichi Akiyoshi,Kouki Yamamoto,Ryouichi AJIMOTO. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20240321995A1. Автор: Shosuke Fujii,Masayuki Tanaka,Kazuhiro Matsuo,Kota Takahashi,Masaya Toda,Wakako Moriyama,Shoichi Kabuyanagi,Kenichiro TORATANI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Electronics arrangement and semiconductor switching device having the electronics arrangement

Номер патента: US20240334641A1. Автор: Nina Müller,Matthias Eisner. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor failure analysis device and semiconductor failure analysis method

Номер патента: US20240361382A1. Автор: Tomonori Nakamura,Masataka IKESU. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and semiconductor device production system

Номер патента: US09899419B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Hiroshi Shibata,Koichiro Tanaka,Akihisa Shimomura,Masahiko Hayakawa,Tatsuya Arao,Mai Akiba,Chiho Kokubo,Atsuo Isobe,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US09865606B2. Автор: Daisuke Matsushita,Chika Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor package and semiconductor device including the same

Номер патента: US09679874B2. Автор: Jae Choon Kim,Kyol PARK,Chajea JO,Jin-kwon Bae,Jichul Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-13.

Manufacturing method for semiconductor device, semiconductor device, and semiconductor apparatus

Номер патента: US20240234631A9. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa,Kentaro Murakawa. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Cell structure of semiconductor device, preparation method thereof and semiconductor device

Номер патента: US20240014301A1. Автор: Bo Shi,Ting Xiao,Yiren LIN. Владелец: Edgeless Semiconductor Co Ltd Of Zhuhai. Дата публикации: 2024-01-11.

Resin composition, resin film, method for producing resin film, method for producing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20170283581A1. Автор: Michihiro Sugo,Kazunori Kondo,Yoichiro Ichioka. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-05.

Conductive hardening resin for a semiconductor device and semiconductor device using the same

Номер патента: US20030214032A1. Автор: Akira Fukuizumi,Kazuto Oonami. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-20.

Semiconductor device, method for manufacturing the same, and semiconductor device mounting structure

Номер патента: US20080136017A1. Автор: Yoshifumi Nakamura,Michinari Tetani,Yukihiro Kozaka. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-12.

Semiconductor package, method for fabricating the same, and semiconductor device

Номер патента: US7402898B2. Автор: Katsutoshi Shimizu,Tatsuya Hirano,Hisaho Inao. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-22.

Semiconductor device and semiconductor device mounting structure

Номер патента: US20150155253A1. Автор: Yasufumi Matsuoka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-06-04.

Semiconductor device and semiconductor device mounting structure

Номер патента: US9711481B2. Автор: Yasufumi Matsuoka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device and semiconductor device mounting structure

Номер патента: US8963304B2. Автор: Yasufumi Matsuoka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-02-24.

Thermal interface material paste and semiconductor package

Номер патента: US11876031B2. Автор: Wonkeun Kim,Joungphil LEE,Mihyae PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-16.

Oxide semiconductor and semiconductor device

Номер патента: US20200027955A1. Автор: Naoto Kikuchi,Shintarou Ikeda,Yoshihiro Aiura,Akane Samizo. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2020-01-23.

Doped polar layers and semiconductor device incorporating same

Номер патента: US11757043B2. Автор: Ramesh Ramamoorthy,Sasikanth Manipatruni,Gaurav Thareja. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Manufacturing method for semiconductor device, manufacturing apparatus for semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20120217497A1. Автор: Fumito Shoji,Noriteru Yamada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-30.

Manufacturing method of semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20090278235A1. Автор: Yoshiro Hirose,Masayuki Asai,Kenji Kanayama,Kazuyuki Okuda,Norikazu Mizuno. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2009-11-12.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20240203832A1. Автор: Koji Watanabe,Tetsu Ohtou,Tomonari Yamamoto. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Insulated Gate Bipolar Transistor Including Emitter Short Regions

Номер патента: US20140291724A1. Автор: Stephan Voss,Alexander Breymesser,Erich Griebl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2014-10-02.

Semiconductor device, and semiconductor device mounting body

Номер патента: US20240282681A1. Автор: Hidetoshi Abe,Masashi Hayashiguchi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and semiconductor device fabrication method

Номер патента: US20230094425A1. Автор: Masanori Shindo. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Bipolar transistor with a raised collector pedastal for reduced capacitance and a method of forming the transistor

Номер патента: US20130134483A1. Автор: John J. Pekarik,John J. Ellis-Monaghan,James W. Adkisson,Qizhi Liu,David L. Harame. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-30.

A bipolar transistor with a raised collector pedestal for reduced capacitance and a method of forming the transistor

Номер патента: GB201220384D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-12-26.

Non-conductive film sheet and semiconductor package including the same

Номер патента: US12062633B2. Автор: Yeongseok Kim,Joungphil LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Methods of manufacturing phase-change memory device and semiconductor device

Номер патента: US20130102120A1. Автор: Hye Jin Seo,Keum Bum Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-04-25.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device

Номер патента: US20080173980A1. Автор: Yoshitaka Nakamura,Tomohiro Uno. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-07-24.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20090039473A1. Автор: Masayuki Hata,Ryoji Hiroyama,Yasuto Miyake. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2009-02-12.

Semiconductor memory device, method for fabricating semiconductor memory device, semiconductor integrated circuit and semiconductor memory integrated circuit

Номер патента: US20230209817A1. Автор: Kenichiro Kusano. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US12089395B2. Автор: Tomomasa Ueda,Yuta Sato,Keiji Ikeda,Nobuyoshi Saito. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US20240321974A1. Автор: Toru Sugiyama,Hideki Sekiguchi,Akira Yoshioka,Yasuhiro Isobe. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20120142167A1. Автор: Masayuki Hata,Ryoji Hiroyama,Yasuto Miyake. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-07.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20120086121A1. Автор: Shigehisa Tajimi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2012-04-12.

Insulated gate bipolar transistor and method of manufacturing same

Номер патента: US20240304708A1. Автор: Ji Sun Kim. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device and semiconductor component including the same

Номер патента: US12125956B2. Автор: Shih-Chang Lee,Yi-Ming Chen,Chun-Wei Chang,Chung-Hao Wang,Yu-Tsu Lee,Wei-Jen Hsueh,Yi-Yang Chiu,Min-Hao YANG. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Sequential circuit and semiconductor device

Номер патента: US09939692B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Shinpei Matsuda,Masahiko Hayakawa,Daisuke Matsubayashi,Kouhei Toyotaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09911705B2. Автор: Masayoshi Tarutani,Yosuke Nakata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Oxide semiconductor film and semiconductor device

Номер патента: US09893201B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Epoxy resin composition for encapsulating semiconductor device and semiconductor device prepared using the same

Номер патента: US09850390B2. Автор: Seung Han,Jin Woo Choi,Min Gyum KIM,Ki Hyeok KWON,Joo Young Chung,Jin Min Cheon. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Organic semiconductor element, fabrication method thereof, woven and non-woven fabric structures therewith, and semiconductor device therewith

Номер патента: US09733209B2. Автор: Kang Eun LEE,Young Seok Oh,Jea Uk Lee,Moon Kwang Um,Dong Gi Seong,Byung Mun JUNG,Won Oh Lee. Владелец: Korea Institute of Machinery and Materials KIMM. Дата публикации: 2017-08-15.

Chip-scale package and semiconductor device assembly

Номер патента: US09728935B2. Автор: Jihua Du,Jay A. Skidmore,Vincent V. Wong,Kong Weng Lee. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09653390B2. Автор: Masayoshi Tarutani,Yosuke Nakata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Oxide semiconductor film, method for forming oxide semiconductor film, and semiconductor device

Номер патента: US09583632B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor package and semiconductor package mounting structure

Номер патента: US09577310B2. Автор: Toshihide Kuwabara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device and semiconductor module with improved heat dissipation

Номер патента: US12033916B2. Автор: Hiroyuki Masumoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Method for producing a package for a semiconductor chip, package for a semiconductor chip and semiconductor device

Номер патента: WO2023083461A1. Автор: Mohd Fauzi ZAINORDIN,Mazwan MANSOR,Ismail ITHNAIN. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2023-05-19.

Semiconductor structure, method for manufacturing semiconductor structure, and semiconductor device

Номер патента: US20240057351A1. Автор: Ling-Yi Chuang,Kaimin Lv. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor devices and package substrates having pillars and semiconductor packages and package stack structures having the same

Номер патента: US20160049377A1. Автор: Tae-Hyeong Kim,Tae-Je Cho,Sun-Kyoung SEO,Ji-Hwang KIM,Yeong-kwon Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-18.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US09768139B2. Автор: Chien-Fan Chen,Wan-Ting CHIU. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Lead frame and semiconductor device

Номер патента: US09548261B2. Автор: Hiroto Tamaki,Yoshitaka Bando,Takuya Nakabayashi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20180204813A1. Автор: Taiichi Ogumi. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-19.

Method of manufacturing a semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20140091319A1. Автор: Atsushi Yamada,Kenji Nukui. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-04-03.

Device mounting board and semiconductor module

Номер патента: US20110100696A1. Автор: Kiyoshi Shibata,Takanori Hayashi,Masayuki Nagamatsu. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-05-05.

Interposer device and semiconductor package structure

Номер патента: US20240213129A1. Автор: Hung-Yi Chang,Sheng-Fan Yang,Hao-Yu Tung,Wei-Chiao WANG,Yi-Tzeng LIN,Wei-Hsun LIAO. Владелец: Global Unichip Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US20070045792A1. Автор: Kenji Fuchinoue. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-01.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20190097041A1. Автор: Kinya Ohtani. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Compositions for removing photoresists and methods of manufacturing semiconductor devices and semiconductor packages using the compositions

Номер патента: US20240337948A1. Автор: Taeyoung Kim,YunSeok Choi,Hoon Han,Moonyoung KIM,Hyojin Yun,Woojung Park,SeungWon Kim,Jinhye Bae,Hyunseop Shin,Mintae Lee,Moonchang Kim,Cheolmo Yang. Владелец: KPX CHEMICAL CO Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Pattern-measuring apparatus and semiconductor-measuring system

Номер патента: US09990708B2. Автор: Takeshi Kato,Hiroyuki Shindo,Norio Hasegawa,Yutaka Hojo,Yasutaka Toyoda,Hitoshi SUGAHARA,Daisuke HIBINO. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Organosiloxane, curable silicone composition, and semiconductor device

Номер патента: US09944772B2. Автор: Haruhiko Furukawa,Yusuke Miyamoto,Tomohiro Iimura,Sawako INAGAKI,Nohno TODA. Владелец: Dow Corning Toray Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US09722060B2. Автор: Hiroyuki Nakamura,Akira Okada,Eiji NOJIRI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Dicing die bonding film having excellent burr property and reliability and semiconductor device using the same

Номер патента: US09695345B2. Автор: Jang Soon Kim,Hyun Jee Yoo,Hyo Soon Park,Jong Wan Hong,Dong Han Kho. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: US09627347B2. Автор: Motohiro Suzuki,Naoya Watanabe,Masahiro Aoyagi,Shunsuke Nemoto,Fumiki Kato,Thanh Tung Bui,Lai Na Ma. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US09613888B2. Автор: Hiroyuki Okabe,Nobuya Nishida,Taichi Obara,Rei YONEYAMA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device inspection device and semiconductor device inspection method

Номер патента: US09562944B2. Автор: Tomonori Nakamura,Mitsunori Nishizawa. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2017-02-07.

Hetero junction bipolar transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1796173A3. Автор: Ho Young Kim,Dong Young Kim,Jong Won Lim,Sang Seok Lee,Eun Soo Nam,Dong Suk Jun,Yong Won Kim,Seon Eui Hong,Myoung Sook Oh,Hong Yeol 406-304 Daewoo Prugio Apt. LEE. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2008-12-17.

Heat-curable resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device

Номер патента: US20200048454A1. Автор: Norifumi Kawamura,Yuki Kudo,Yoshihiro Tsutsumi,Naoyuki Kushihara. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Heat-curable resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device

Номер патента: US10793712B2. Автор: Norifumi Kawamura,Yuki Kudo,Yoshihiro Tsutsumi,Naoyuki Kushihara. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-06.

Homojunction semiconductor devices with low barrier tunnel oxide contacts

Номер патента: US20010010389A1. Автор: Leonard Forbes,Kie Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-08-02.

Compositions for removing photoresists and methods of manufacturing semiconductor devices and semiconductor packages using the compositions

Номер патента: US12044974B2. Автор: Taeyoung Kim,YunSeok Choi,Hoon Han,Moonyoung KIM,Hyojin Yun,Woojung Park,SeungWon Kim,Jinhye Bae,Hyunseop Shin,Mintae Lee,Moonchang Kim,Cheolmo Yang. Владелец: KPX CHEMICAL CO Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Oxide semiconductor film and semiconductor device

Номер патента: US09711655B2. Автор: Yusuke Nonaka,Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Kengo Akimoto,Tatsuya Honda,Akiharu Miyanaga,Masashi TSUBUKU,Takatsugu Omata,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor package and semiconductor module

Номер патента: US09536843B2. Автор: Kazutaka Takagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device and method of manufacture thereof

Номер патента: US5258644A. Автор: Yutaka Kobayashi,Tetsurou Matsumoto,Akihiro Tamba. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1993-11-02.

Insulated gate bipolar transistor and method of manufacturing same

Номер патента: US20230335628A1. Автор: Ji Sun Kim. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor device and semiconductor storage device

Номер патента: US20230411327A1. Автор: Masayoshi Tagami. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device and semiconductor storage device

Номер патента: US20230301109A1. Автор: Takeshi Shimane,Tadayoshi UECHI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device substrate and semiconductor device

Номер патента: US8659120B2. Автор: Atsushi Kikuchi,Yoshihiko Ikemoto. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-02-25.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor wafer

Номер патента: US20230160104A1. Автор: Takashi Ishida,Shoichi Onda,Daisuke Kawaguchi,Jun Kojima,Chiaki Sasaoka,Yoshitaka Nagasato,Junji Ohara. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-05-25.

Circuit board and semiconductor device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010001428A1. Автор: Yuji Yagi,Takeo Yasuho. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2001-05-24.

Lead frame having a tilt flap for locking molding compound and semiconductor device having the same

Номер патента: WO2005098946A2. Автор: Peter Chou,Cindy Ding,Anne Hao. Владелец: General Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2005-10-20.

Insulated gate bipolar transistor and diode

Номер патента: US20210202726A1. Автор: Kohei SHINSHO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2021-07-01.

Insulated gate bipolar transistor and diode

Номер патента: US20200243673A1. Автор: Kohei SHINSHO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-07-30.

Semiconductor device having process failure detection circuit and semiconductor device production method

Номер патента: US20110012108A1. Автор: Toru Fujimura. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2011-01-20.

Semiconductor base plate and semiconductor device

Номер патента: US20230064989A1. Автор: Qiang LONG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Quasicrystalline material and semiconductor device applying the same

Номер патента: US20200347485A1. Автор: Joungeun YOO,Eunsung Lee,Duseop Yoon,Dohyang Kim. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2020-11-05.

Packaging structure, manufacturing method therefor and semiconductor device

Номер патента: EP4307352A1. Автор: LIANG Chen,Hongwen Li,Kai Tian,Changhao QUAN,Yuxia Wang,Yingdong GUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-17.

Semiconductor device, communication device, and semiconductor device inspecting method

Номер патента: US20050093026A1. Автор: Toshiki Seshita,Yoshitomo Sagae. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-05-05.

Sensor device and semiconductor device

Номер патента: US11997910B2. Автор: Takashi Nakagawa,Takayuki Ikeda,Takahiro Fukutome. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Optical semiconductor device and semiconductor light-emitting device

Номер патента: US12126138B2. Автор: Atsushi Nakamura,Hideaki Asakura,Shunya YAMAUCHI,Hayato TAKITA. Владелец: Lumentum Japan Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09698569B2. Автор: Isao Watanabe,Satoshi Ae,Tetsuro Okuda,Shoutarou KITAMURA,Suguru Kato. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09705286B2. Автор: Susumu Harada. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20170365981A1. Автор: Eiji Nakai,Hiroaki Tsuchiya,Harunaka Yamaguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-12-21.

Method of manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09948064B2. Автор: Eiji Nakai,Hiroaki Tsuchiya,Harunaka Yamaguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Optical semiconductor device and semiconductor laser device

Номер патента: US20220344906A1. Автор: Hiroyuki Tarumi,Kenichi Nishi,Yuki Kamata,Yutaka Ohnishi,Keizo Takemasa. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20240313723A1. Автор: Tetsuo OOMORI. Владелец: Lapis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20240259015A1. Автор: Naoki Matsumoto. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and semiconductor device control method

Номер патента: US20230109445A1. Автор: Keisuke KIYOMIZU. Владелец: Lapis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Semiconductor device and semiconductor device control method

Номер патента: US12119816B2. Автор: Keisuke KIYOMIZU. Владелец: Lapis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor integrated circuit, transmitter, and semiconductor device

Номер патента: US20240106348A1. Автор: Toshihiro Yagi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device for a tuner and diversity receiver

Номер патента: WO2007005826A3. Автор: Hideyuki Jp Maejima. Владелец: Hideyuki Jp Maejima. Дата публикации: 2007-06-07.

Data latch circuit, semiconductor device, and semiconductor storage device

Номер патента: US20240305279A1. Автор: Toshifumi Watanabe,Kiyofumi Sakurai,Eiji Kozuka,Teppei Higashitsuji,Takumi Kosaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Pulse output circuit and semiconductor device

Номер патента: US09742378B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Manabu Sato,Kenichi Okazaki,Yoshifumi Tanada,Toshinari Sasaki,Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Improvements to a circuit and device including a transistor and diode

Номер патента: WO2021084216A1. Автор: Roger Light,David Summerland,Luke Knight. Владелец: Search For the Next Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Improvements to a circuit and device including a transistor and diode

Номер патента: EP4052372A1. Автор: Roger Light,David Summerland,Luke Knight. Владелец: Search For the Next Ltd. Дата публикации: 2022-09-07.

Packaging structure and semiconductor device having same, and electronic apparatus having semiconductor device

Номер патента: EP3869579A1. Автор: Wei Pang,Qingrui YANG,Menglun ZHANG,Chongling SUN. Владелец: ROFS Microsystem Tianjin Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-25.

Semiconductor drive device and semiconductor module

Номер патента: US20240195408A1. Автор: Tatsunori Sakano,Kento Adachi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09673814B2. Автор: Saeng Hwan Kim,Won Kyung CHUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Bipolar transistor anti-saturation clamp using auxiliary bipolar stage, and method

Номер патента: US20120025891A1. Автор: Jerry L. Doorenbos,Sudarshan Udayashankar. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2012-02-02.

Periodic signal generation circuit and semiconductor system including the same

Номер патента: US09887691B2. Автор: Kyung Hoon Kim,Myeong Jae PARK,Woo Yeol SHIN,Han Kyu CHI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Methods for overdriving a base current of an emitter switched bipolar junction transistor and corresponding circuits

Номер патента: US09748948B2. Автор: Vijay Gangadhar Phadke. Владелец: Astec International Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Methods for overdriving a base current of an emitter switched bipolar junction transistor and corresponding circuits

Номер патента: US09571091B2. Автор: Vijay Gangadhar Phadke. Владелец: Astec International Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device

Номер патента: US20220216866A1. Автор: Atsushi Tsuda,Issei Kashima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-07-07.

Decoupling circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US20160197603A1. Автор: Gil-Su Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-07.

Periodic signal generation circuit and semiconductor system including the same

Номер патента: US09722583B2. Автор: Kyung Hoon Kim,Myeong Jae PARK,Woo Yeol SHIN,Han Kyu CHI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Decoupling circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US09692424B2. Автор: Gil-Su Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Latency control device and semiconductor device including the same

Номер патента: US09653130B1. Автор: Seong Jun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Encoder, decoder and semiconductor device including the same

Номер патента: US20140317472A1. Автор: Joon-Woo Kim,Hong-Sik Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-23.

Analog switch circuit and semiconductor device

Номер патента: US20240097678A1. Автор: Hayato ASANO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Heterojunction bipolar transferred electron tetrode

Номер патента: US20020011605A1. Автор: John Twynam. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-31.

Organic field effect transistor and semiconductor device

Номер патента: US20120032160A1. Автор: Shinobu Furukawa,Kaoru Kato,Ryota Imahayashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-09.

Semiconductor device, method of fabricating semiconductor device, and semiconductor structure having semiconductor device

Номер патента: US20230371277A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Alexander Kalnitsky,Tien-Wei Chiang,Sheng-Haung Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device including chalcogen compound and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US12101942B2. Автор: Bonwon KOO,Changseung LEE,Wooyoung Yang,Minwoo Choi,Hajun SUNG,Dongho Ahn,Kwangmin Park,Chungman Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Manufacturing method for semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: EP4203000A1. Автор: Jie Bai,Mengmeng Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the same and semiconductor manufacturing device

Номер патента: US20080316790A1. Автор: Fumihiko Inoue,Kentaro Sera. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-12-25.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20240324180A1. Автор: Ryosuke Yamamoto,Takuya KIKUCHI,Ken SHIMOMORI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and semiconductor module

Номер патента: US20190207426A1. Автор: Koji Morita. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-04.

Reference voltage generation circuit, power-on detection circuit, and semiconductor device for preventing internal circuit from operating incorrectly at low voltage

Номер патента: US10990119B2. Автор: Hiroki Murakami. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-04-27.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20100171110A1. Автор: Hiroshi Sato. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-07-08.

Semiconductor memory using IGBT, insulated gate bipolar transistor, as selective element

Номер патента: US8389969B2. Автор: Shuichi Tsukada,Yasuhiro Uchiyama. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-03-05.

Current generation circuit, and bandgap reference circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US09891650B2. Автор: Yuichi Okuda,Atsushi Motozawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Current generation circuit, and bandgap reference circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US09678526B2. Автор: Yuichi Okuda,Atsushi Motozawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Bit line sense amplifier and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US12051461B2. Автор: Sunyoung Kim,Younghun Seo,Hoseok LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-30.

Bit line sense amplifier and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20240339153A1. Автор: Sunyoung Kim,Younghun Seo,Hoseok LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-10.

Memory device and semiconductor device

Номер патента: US09536592B2. Автор: Atsuo Isobe,Takuro Ohmaru,Wataru Uesugi,Naoaki Tsutsui. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device inspection apparatus and semiconductor device inspection method

Номер патента: US20190271734A1. Автор: Toru Matsumoto,Akira Shimase. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2019-09-05.

Information processing apparatus, method of controlling information processing apparatus, and semiconductor device

Номер патента: US20110078431A1. Автор: Akira Okamoto,Takayuki Kinoshita,Makoto Hataida,Seiji Satta. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2011-03-31.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection device

Номер патента: US20230184825A1. Автор: Tomonori Nakamura,Akira Shimase,Norimichi Chinone. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection apparatus

Номер патента: EP4148438A1. Автор: Tomonori Nakamura,Akira Shimase,Shigeru EURA,Norimichi Chinone. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-03-15.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09570121B1. Автор: In Sung Koh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Method of determining current localization voltage in powerful hf and uhf bipolar transistors

Номер патента: RU2616871C1. Автор: Вячеслав Андреевич Сергеев,Александр Александрович Куликов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US20170032830A1. Автор: Woo Young Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-02.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20170169865A1. Автор: Hyun Gyu LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-15.

Current detection method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09835660B2. Автор: Akira Uemura,Osamu Soma,Kenji Amada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor devices and semiconductor systems

Номер патента: US09817425B2. Автор: Jong Joo SHIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device and semiconductor system for detecting an error occurred in a parity

Номер патента: US12148492B2. Автор: Yeong Han JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-19.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09659611B1. Автор: Hyun Gyu LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09653145B1. Автор: Hong Ki Moon,Jeong Tae Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09613666B1. Автор: Sang Kwon Lee,In Sung Koh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection apparatus

Номер патента: US20230184827A1. Автор: Tomonori Nakamura,Akira Shimase,Shigeru EURA,Norimichi Chinone. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-06-15.

Method for wafer-level burn-in stressing of semiconductor devices and semiconductor device substrates configured to effect the method

Номер патента: US20040032277A1. Автор: Kenneth Marr. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-19.

Semiconductor device having input/output line drive circuit and semiconductor system including the same

Номер патента: US09959922B2. Автор: Min su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device having input/output line drive circuit and semiconductor system including the same

Номер патента: US09916887B2. Автор: Min su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Cost effective semiconductor devices and semiconductor systems with reduced test time

Номер патента: US09911505B2. Автор: Mi Hyun Hwang,Chul Moon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Data I/O circuits and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09823956B2. Автор: Chang Hyun Kim,Jae Jin Lee,Min Chang Kim,Do Yun Lee,Hun Sam Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor devices and semiconductor systems

Номер патента: US09805824B2. Автор: Dong Keum Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device having input/output line drive circuit and semiconductor system including the same

Номер патента: US09779799B2. Автор: Min su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09646676B1. Автор: Sang Ah HYUN,Jeong Tae Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor systems and semiconductor devices

Номер патента: US09640232B2. Автор: Chang Hyun Kim,Jae Jin Lee,Min Chang Kim,Do Yun Lee,Hun Sam Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US09613716B2. Автор: Min Chang Kim,Noh Hyup KWAK,Woo Yeol SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09613677B1. Автор: Chang Hyun Kim,Jae Jin Lee,Min Chang Kim,Do Yun Lee,Hun Sam Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor devices and semiconductor systems

Номер патента: US09589669B1. Автор: Sang Hee Kim,Ji Eun Jang,Young Hyun Baek,Bo Yeun KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor devices and semiconductor systems

Номер патента: US09583174B1. Автор: Young Ran Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US20160254033A1. Автор: Myung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-01.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US09792969B1. Автор: Kwang-Soon Kim,Seung-Wook Oh,Hyun-seung KIM,Jin-Youp Cha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Test method of semiconductor device and semiconductor test apparatus

Номер патента: US20140133254A1. Автор: Zhiliang Xia,Sung Hee Lee,Chiho Kim,Nara KIM,Dae Sin KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-15.

Semiconductor device and driving method thereof

Номер патента: US09959164B2. Автор: Min su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09851903B2. Автор: Young Jun YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US09728235B2. Автор: TaeHyung Jung,Kwanweon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Method of use time management for semiconductor device and semiconductor device including use time managing circuit

Номер патента: US09711205B2. Автор: Chul-woo Park,Young-Soo Sohn,Jong-Pil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor devices having initialization circuits and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09524762B1. Автор: Haeng Seon CHAE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device having architecture for reducing area and semiconductor system including the same

Номер патента: US20100172174A1. Автор: Jung Min Lee,Hyun Ho CHOI,Ho Jung Kim,Chul Woo Park,Sang Beom Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-07-08.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20180067796A1. Автор: Hyung Sik WON,Hae Rang Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor device examination method and semiconductor device examination device

Номер патента: US12044729B2. Автор: Kazuhiro Hotta,Takafumi Higuchi,Tomochika Takeshima. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor devices and semiconductor systems relating to the prevention of a potential difference between signals from being reversed

Номер патента: US09773530B1. Автор: Sun Ki CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Test mode circuit with serialized I/O and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09761328B2. Автор: Yong Suk Joo,Geun Ho Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US09679621B2. Автор: Min Soo Park,Min Jun Choi,Hyun Wook HAN,Jin Se KIM,Moon Yub NA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US09568934B2. Автор: Yun Seok Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor memory device and semiconductor device

Номер патента: US20070214444A1. Автор: Nobuyuki Nakai,Yuji Yamasaki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-13.

Sequence circuit and semiconductor device using sequence circuit

Номер патента: EP1204119A3. Автор: Masaharu Wada,Atsushi c/o Fujitsu Limited Takeuchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-02-04.

Semiconductor device simulation apparatus, computer readable medium storing thereon program for causing computer to execute semiconductor device simulation method, and semiconductor device simulation method

Номер патента: US20100082317A1. Автор: Takashi Kurusu,Hiroyoshi Tanimoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-01.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20090116316A1. Автор: Young-Jun Ku,Ji-Eun Jang,Jeong-Yoon Ahn. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-05-07.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US20180182441A1. Автор: Jae Young Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-28.

Test methods of semiconductor devices and semiconductor systems used therein

Номер патента: US20180068743A1. Автор: Sang Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor memory device and semiconductor device

Номер патента: US20070274139A1. Автор: Masahiro Yamashita,Takashi Uehara,Mamoru Takaku,Hiroaki Nambu. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-11-29.

Data line switching control circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US20210035616A1. Автор: Kyeong Pil KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Dioxaborines as organic n-semiconductors, process for the production of semiconductors utilizing dioxaborines, and semiconductor component, field effect transistor, and diode having a dioxaborine

Номер патента: US20030234396A1. Автор: Günter Schmid,Lisa Davis,Marcus Halik. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-12-25.

Semiconductor inspection device and semiconductor inspection method

Номер патента: US12094138B2. Автор: Kazuhiro Hotta,Takafumi Higuchi,Tomochika Takeshima. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device inspection apparatus and semiconductor device inspection method

Номер патента: US09880196B2. Автор: Akira Okada,Hajime Akiyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US09792970B2. Автор: Kyeong Tae Kim,Cheol Hoe KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device and semiconductor system for producing noise differences between points of time

Номер патента: US09710118B2. Автор: Yoon-Kyung Choi,Hyunkyu Ouh,Bumsoo Kim,Junchul Park,Jinchul Lee,Chadong Kim,Sang-Hyub Kang,Sanho Byun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device employing closed loop and open loop DVFS control and semiconductor system including the same

Номер патента: US09671847B2. Автор: Je-kook Kim,Young-Hoon Lee,Min-Shik Seok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US09583165B1. Автор: Kyeong Tae Kim,Cheol Hoe KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Adjustment method of signal level in semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09548090B2. Автор: Tomoyuki Yamada,Morimi Arita,Tomoya Tsuruta. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor devices and semiconductor systems including a semiconductor device

Номер патента: US20190267051A1. Автор: Kwandong KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-29.

Methods, semiconductor devices, and semiconductor systems

Номер патента: US20170365303A1. Автор: Donggun Kim,Do-Sun HONG,Yong Ju Kim,Sang Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-21.

Methods, semiconductor devices, and semiconductor systems

Номер патента: US20190295611A1. Автор: Donggun Kim,Do-Sun HONG,Yong Ju Kim,Sang Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-09-26.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US12046323B2. Автор: Min Jun Choi,Jeong Jin HWANG,Sung Nyou YU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09837162B2. Автор: Takafumi Noguchi,Atsuo Yoneyama,Masayuki KAWAE. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US09570151B1. Автор: Jin Youp CHA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Voltage generating circuit and semiconductor device for suppressing leakage current

Номер патента: US12032396B2. Автор: Hiroki Murakami. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device including abnormality detection circuit and semiconductor device control method for detecting abnormality

Номер патента: US11908534B2. Автор: Hiroyuki Fujimoto,Masahiro Yanagida. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Data bus driving circuit, and semiconductor device and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20170315952A1. Автор: Hiroyuki Takahashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-02.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20130322195A1. Автор: Dong-Kyun Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-12-05.

Semiconductor device and semiconductor device examination method

Номер патента: US11740287B2. Автор: Koichi Kimura,Takeshi Yamaguchi,Kazuhito Hosaka,Nariyuki Fukuda,Isao Ooigawa,Tsutomu MIYAMAE,Suguru Tahara,Keitarou MISHIMA,Yuichiro SANUKI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Thin film bipolar transistor and thin film semiconductor device using the same

Номер патента: JP3252290B2. Автор: 裕康 山田. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2002-02-04.

BIPOLAR TRANSISTOR HAVING SELF-ADJUSTED EMITTER CONTACT

Номер патента: US20120001192A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device

Номер патента: US20120001269A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND SEMICONDUCTOR DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002090A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Including Ultra Low-K (ULK) Metallization Stacks with Reduced Chip-Package Interaction

Номер патента: US20120001323A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MODULES AND SEMICONDUCTOR MODULE

Номер патента: US20120001349A1. Автор: Suzuki Yoshikazu,KANEKO Takahisa,HARADA Daisuke,ISHIYAMA Hiroshi. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001300A1. Автор: Ito Takayuki,ISHIDA Tatsuya,Yoshino Kenichi,Naito Tatsuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001350A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE CAPABLE OF SUPPRESSING A COUPLING EFFECT OF A TEST-DISABLE TRANSMISSION LINE

Номер патента: US20120001175A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001344A1. Автор: IDANI Naoki,TAKESAKO Satoshi. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING EPITAXIAL WAFER AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003770A1. Автор: Fujiwara Shinsuke,Akita Katsushi,Nakahata Hideaki,MOTOKI Kensaku,Hashimoto Shin. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of powered semiconductor devices welding

Номер патента: RU2641601C2. Автор: Владимир Федорович Чищин,Станислав Петрович Скорняков,Сергей Николаевич Колычев,Анна Вячеславовна Синица. Владелец: Акционерное Общество "Новосибирский Завод Полупроводниковых Приборов С Окб" (Ао "Нзпп С Окб"). Дата публикации: 2018-01-18.

Complementary bipolar transistor structure of integrated circuit

Номер патента: RU2111578C1. Автор: А.Н. Сауров. Владелец: Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского института электронной техники. Дата публикации: 1998-05-20.

Method for oriented modification of semiconductor device structures using pulse electromagnetic field

Номер патента: RU2545077C1. Автор: Владимир Константинович Киселев,Максим Михайлович Венедиктов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова". Дата публикации: 2015-03-27.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.