• Главная
  • SILICON-GERMANIUM HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

SILICON-GERMANIUM HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Silicon-silicon-germanium heterojunction bipolar transistor fabrication method

Номер патента: US5668022A. Автор: Kwang-Eui Pyun,Byung-Ryul Ryum,Tae-Hyeon Han,Deok-Ho Cho,Soo-Min Lee. Владелец: KT Corp. Дата публикации: 1997-09-16.

Vertical transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09577091B2. Автор: Ted-Hong Shinn,Chia-Chun Yeh,Cheng-Hang Hsu,Wei-Tsung Chen. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Reduced base resistance in a bipolar transistor

Номер патента: US20020117734A1. Автор: Marco Racanelli. Владелец: Conexant Systems LLC. Дата публикации: 2002-08-29.

Method for reducing base resistance in a bipolar transistor

Номер патента: US6475849B2. Автор: Marco Racanelli. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2002-11-05.

SILICON GERMANIUM HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR STRUCTURE AND METHOD

Номер патента: US20160351682A1. Автор: KRISHNASAMY Rajendran,Gluschenkov Oleg,SCHONENBERG Kathryn T.. Владелец: Ultratech, Inc.. Дата публикации: 2016-12-01.

Silicon-germanium heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20120091509A1. Автор: Wensheng QIAN,Donghua Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-04-19.

Sige hbt having deep pseudo buried layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130113021A1. Автор: Wensheng QIAN. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-09.

Sige hbt and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130113022A1. Автор: Wensheng QIAN. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-09.

Epitaxial wafer for hetero-junction bipolar transistor and hetero-junction bipolar transistor

Номер патента: US10312324B2. Автор: Takeshi Meguro,Shinjiro FUJIO. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-04.

Heterojunction bipolar transistors with reduced base resistance

Номер патента: US8513706B2. Автор: Qizhi Liu,Peter B. Gray,Erik M. Dahlstrom. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-08-20.

Bipolar transistor with graded base layer

Номер патента: WO2003088363A1. Автор: Roger E. Welser,Paul M. Deluca,Charles R. Lutz,Kevin S. Stevens. Владелец: Kopin Corporation. Дата публикации: 2003-10-23.

Sige hbt device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20130299879A1. Автор: Jing Shi,Jun Hu,Wensheng QIAN,Donghua Liu,Wenting Duan. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-14.

Radio frequency silicon-on-insulator integrated heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20190386121A1. Автор: Sinan Goktepeli,George Pete IMTHURN,Stephen Alan Fanelli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-12-19.

Heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US20230369474A1. Автор: Vibhor Jain,Judson R. Holt,Shesh Mani Pandey. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Algaas or ingap low turn-on voltage gaas-based heterojunction bipolar transistor

Номер патента: WO2003009396A3. Автор: Noren Pan. Владелец: Microlink Devices Inc. Дата публикации: 2003-11-27.

Heterojunction bipolar transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010054718A1. Автор: Masahiro Tanomura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-12-27.

Epitaxial wafer for heterojunction bipolar transistor and heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20170200816A1. Автор: Takeshi Meguro,Shinjiro FUJIO. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-13.

Epitaxial wafer for heterojunction bipolar transistor and heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US9865715B2. Автор: Takeshi Meguro,Shinjiro FUJIO. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Epitaxial wafer for hetero-junction bipolar transistor and hetero-junction bipolar transistor

Номер патента: US20180061948A1. Автор: Takeshi Meguro,Shinjiro FUJIO. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-01.

Heterojunction bipolar transistor, manufacturing method therefor, and communication device therewith

Номер патента: US20030038300A1. Автор: Yoshiteru Ishimaru. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-27.

Heterojunction bipolar transistor containing at least one silicon carbide layer

Номер патента: US20040195597A1. Автор: John Torvik,Jacques Pankove. Владелец: Astralux Inc. Дата публикации: 2004-10-07.

Sige heterojunction bipolar transistor (hbt) and method of fabrication

Номер патента: US20080124882A1. Автор: Xuefeng Liu,Alvin J. Joseph,Rajendran Krishnasamy,Peter J. Geiss. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-05-29.

Heterojunction bipolar transistor with stress component

Номер патента: US09825157B1. Автор: Anthony K. Stamper,Vibhor Jain,Renata A. Camillo-Castillo. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Heterojunction bipolar transistors with reduced base resistance

Номер патента: US20130062668A1. Автор: Qizhi Liu,Peter B. Gray,Erik M. Dahlstrom. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-03-14.

Heterojunction bipolar transistors with reduced base resistance

Номер патента: US20120126292A1. Автор: Qizhi Liu,Peter B. Gray,Erik M. Dahlstrom. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-24.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US5247192A. Автор: Keita Nii. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 1993-09-21.

Heterojunction bipolar transistors with a cut stress liner

Номер патента: EP4372823A1. Автор: Jeffrey Johnson,John J. Pekarik,Vibhor Jain,Viorel Ontalus. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-22.

Vertical heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20020179933A1. Автор: Majid Hashemi,El-Badawy El-Sharawy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Vertical heterojunction bipolar transistor

Номер патента: WO2001037349A1. Автор: El-Badawy Amien El-Sharawy,Majid M. Hashemi. Владелец: National Scientific Corporation. Дата публикации: 2001-05-25.

Fin-based lateral bipolar junction transistor and method

Номер патента: US11888031B2. Автор: Hong Yu,Zhenyu Hu,Judson R. Holt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Heterojunction bipolar transistors with a cut stress liner

Номер патента: US20240170561A1. Автор: Jeffrey Johnson,John J. Pekarik,Vibhor Jain,Viorel Ontalus. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Indium phosphide-boron phosphide heterojunction bipolar transistor

Номер патента: CA1213376A. Автор: Krishna P. Pande. Владелец: Allied Corp. Дата публикации: 1986-10-28.

Emitter-base mesh structure in heterojunction bipolar transistors for rf applications

Номер патента: EP3721477A1. Автор: Ranadeep Dutta. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-10-14.

Lateral heterojunction bipolar transistor with improved breakdown voltage and method

Номер патента: US11777019B2. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain,Judson R. Holt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Heterojunction Bipolar Transistor having a Germanium Raised Extrinsic Base

Номер патента: US20140264457A1. Автор: David J. Howard,Edward Preisler,George Talor,Gerson R. Ortuno. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2014-09-18.

Method of fabricating a heterojunction bipolar transistor

Номер патента: WO2006109208A3. Автор: Joost Melai,Philippe Meunier-Beillard,Erwin Hijzen,Johannes J T M Donkers. Владелец: Johannes J T M Donkers. Дата публикации: 2007-02-15.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US09704967B2. Автор: Alain Chantre,Pascal Chevalier,Jean-Pierre Blanc,Didier Celi. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2017-07-11.

Heterojunction Bipolar Transistor

Номер патента: US20240030288A1. Автор: Manabu Mitsuhara,Yuta Shiratori. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Self-alignment scheme for a heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20090140297A1. Автор: Anna Topol,Francois Pagette. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-06-04.

Method of fabricating a heterojunction bipolar transistor

Номер патента: EP1875494A2. Автор: Johannes J. T. M. Donkers,Joost Melai,Philippe Meunier-Beillard,Erwin Hijzen. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-01-09.

Method of fabricating a heterojunction bipolar transistor

Номер патента: WO2006109208A2. Автор: Johannes J. T. M. Donkers,Joost Melai,Philippe Meunier-Beillard,Erwin Hijzen. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2006-10-19.

Self-aligned lateral heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20050101096A1. Автор: JIA Zheng,JIAN Li,Purakh Verma,Lap Chan,Shao-Fu Chu. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2005-05-12.

Bipolar transistor with lattice matched base layer

Номер патента: WO2002043155A9. Автор: Noren Pan,Roger E Welser,Paul M Deluca. Владелец: Paul M Deluca. Дата публикации: 2003-08-14.

Fully self-aligned submicron heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US5729033A. Автор: Madjid Hafizi. Владелец: Hughes Electronics Corp. Дата публикации: 1998-03-17.

Manufacturing method for Heterojunction bipolar transistor, HBT therefrom

Номер патента: KR20040057000A. Автор: 김성일,이희태,임종원,홍선의,남은수. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2004-07-01.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20210384297A1. Автор: Anthony K. Stamper,Jeonghyun Hwang,Johnatan A. Kantarovsky,Henry L. Aldridge, JR.. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US20230369473A1. Автор: Vibhor Jain,Judson R. Holt,Shesh Mani Pandey. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US11881523B2. Автор: Vibhor Jain,Judson R. Holt,Shesh Mani Pandey. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20210091183A1. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Qizhi Liu,Judson R. Holt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US11869958B2. Автор: Vibhor Jain,Judson R. Holt,Shesh Mani Pandey. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Heterojunction bipolar transistor and method of producing the same

Номер патента: US20020066909A1. Автор: Hidenori Shimawaki,Fumio Harima,Masahiro Tanomura,Yosuke Miyoshi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-06-06.

Insulated gate bipolar transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: US09954074B2. Автор: Shengrong Zhong,Dongfei Zhou,Xiaoshe Deng,Genyi Wang. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Lateral insulated-gate bipolar transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130168728A1. Автор: Sang Yong Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2013-07-04.

Trench insulated gate bipolar transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09882035B2. Автор: Naoki Mitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Compound Semiconductor Lateral PNP Bipolar Transistors

Номер патента: US20140110825A1. Автор: Srivatsan Parthasarathy,Javier Alejandro Salcedo,Shuyun Zhang. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2014-04-24.

Insulated gate bipolar transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20180204938A1. Автор: Jian Liu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Bipolar transistor and manufacturing method

Номер патента: US11798937B2. Автор: Alexis Gauthier,Edoardo BREZZA. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-10-24.

Bipolar Junction Transistor and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20090221125A1. Автор: Nam Joo Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-03.

Bipolar junction transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070152240A1. Автор: NAM Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Heterojunction bipolar transistors with airgap isolation

Номер патента: US20210091213A1. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Qizhi Liu,Judson Holt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Metamorphic high electron mobility transistor-heterojunction bipolar transistor integration

Номер патента: US20210391321A1. Автор: Je-Hsiung Lan,Jonghae Kim,Ranadeep Dutta. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

Insulated gate bipolar transistor and method of manufacturing same

Номер патента: US20230335628A1. Автор: Ji Sun Kim. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Heterojunction Bipolar Transistor Fabrication Using Resist Mask Edge Effects

Номер патента: US20200006482A1. Автор: Santosh Sharma,Edward J. Preisler. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2020-01-02.

Heterojunction bipolar transistor power amplifier with backside thermal heatsink

Номер патента: EP3574527A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-12-04.

Structure integrating field-effect transistor with heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20200043913A1. Автор: Chan Shin Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-02-06.

Thin film transistor and array substrate, manufacturing methods thereof, and display device

Номер патента: US09882060B2. Автор: Gang Wang,Xiaodi LIU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Thin Film Transistor and Array Substrate, Manufacturing Methods Thereof, and Display Device

Номер патента: US20170104102A1. Автор: Gang Wang,Xiaodi LIU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-13.

Ballasting of high power silicon-germanium heterojunction biploar transistors

Номер патента: US6130471A. Автор: Timothy Edward Boles. Владелец: Whitaker LLC. Дата публикации: 2000-10-10.

Thin Film Transistor and Array Substrate, Manufacturing Methods Thereof, and Display Device

Номер патента: US20170104102A1. Автор: Wang Gang,LIU Xiaodi. Владелец: BOE Technology Group Co., Ltd.. Дата публикации: 2017-04-13.

VERTICAL FERROELECTRIC THIN FILM STORAGE TRANSISTOR AND DATA WRITE AND READ METHODS THEREOF

Номер патента: US20190181147A1. Автор: LIU FU-CHOU. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-13.

Field effect transistor and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20020125510A1. Автор: Atsuo Watanabe,Takasumi Ohyanagi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-09-12.

Thin-film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US10153379B2. Автор: Zhe Chen. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-11.

Thin-film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180226507A1. Автор: Zhe Chen. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-09.

Thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US12068416B2. Автор: Xiaobo Hu. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate and display device

Номер патента: US09882063B2. Автор: LI ZHANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate, display device

Номер патента: US09698278B2. Автор: Chunsheng Jiang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate and display device

Номер патента: US09960189B2. Автор: Guangcai Yuan,Chunsheng Jiang,Ce ZHAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate and display device

Номер патента: US09614098B2. Автор: Guangcai Yuan,Chunsheng Jiang,Ce ZHAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

MOS Transistor and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20090236674A1. Автор: Hyuk Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-24.

Thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110084283A1. Автор: Chi-Neng Mo,Huang-Chung Cheng,Ying-Hui Chen,Ta-Chuan Liao,Sheng-Kai Chen. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2011-04-14.

Thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US8143623B2. Автор: Chi-Neng Mo,Huang-Chung Cheng,Ying-Hui Chen,Ta-Chuan Liao,Sheng-Kai Chen. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2012-03-27.

Oxide thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate and display device

Номер патента: US09947796B2. Автор: XIANG Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Low temperature poly-silicon thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09923075B2. Автор: Jian Min. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Trench power transistor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09876106B2. Автор: Hsiu-wen Hsu. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Polysilicon thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate

Номер патента: US09530799B2. Автор: Zuqiang Wang. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Metal oxide thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210184017A1. Автор: Wei Yu. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate and display device

Номер патента: US20160329356A1. Автор: Yucheng CHAN,Chienhung Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-10.

Low temperature poly-silicon thin-film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09899530B2. Автор: Jinming LI. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Lateral diffused metal oxide semiconductor transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09899513B1. Автор: Wei-Chih Lin,Chih-Chia Hsu,Yin-Fu Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Field effect transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09871123B2. Автор: Chih-Jung Wang,Tong-Yu Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Thin film transistor array substrate and manufacture method thereof

Номер патента: US09806106B2. Автор: Xiaowen LV. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Laterally diffused metal-oxide-semiconductor transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170084739A1. Автор: Shih-Yin Hsiao,Chia-Min Hung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-23.

Heterojunction bipolar transistor and method of making the same

Номер патента: US20220093774A1. Автор: Min-Hwa Chi,Richard Ru-Gin Chang. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-24.

Lateral double-diffused transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US12100741B2. Автор: YANG LU,Guangtao Han,Weiwei Ge. Владелец: Joulwatt Technology Hangzhou Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Dual-gate TFT array substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09966450B2. Автор: Shimin Ge. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09711606B1. Автор: Yen-Yu Huang,Hsi-Ming Chang. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

TFT substrate structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09728647B2. Автор: Yue Wu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Npn heterojunction bipolar transistor in cmos flow

Номер патента: US20150187755A1. Автор: Manoj Mehrotra,Deborah J. Riley,Terry J. BORDELON, JR.. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-07-02.

Bipolar transistor with trench structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190319115A1. Автор: WEI Liu,Qiaozhi ZHU. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230010950A1. Автор: Yumeng SUN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09660042B1. Автор: Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Jia-Rong Wu,Yi-Hui Lee,Ying-Cheng Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

TFT substrate structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09553198B1. Автор: Xiaowen LV. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Silicon carbide mosfet device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240234536A9. Автор: Hui Chen,Jiakun Wang. Владелец: Hangzhou Silicon Magic Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150340492A1. Автор: Kenichi Yoshimochi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-11-26.

Thin film transistor panel, electric device including the same, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210210525A1. Автор: Duk Young JEONG,Chae Yeon HWANG,Dong Gyu EO. Владелец: ADRC Co. Дата публикации: 2021-07-08.

Display substrate and manufacturing method thereof, display device

Номер патента: US11728416B2. Автор: Meng Zhao. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09559100B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chih-Han Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Vertical ferroelectric thin film storage transistor and data write and read methods thereof

Номер патента: US20190181147A1. Автор: Fu-Chou Liu. Владелец: Nustorage Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-13.

Heterojunction bipolar transistor and the manufacturing method thereof

Номер патента: US5140399A. Автор: Hiroji Kawai. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1992-08-18.

Rugged heterojunction bipolar transistor power device and the method thereof

Номер патента: US20050149885A1. Автор: Yu-Chi Wang,Tsung-Chi Tsai,Min-Chang Tu,Jen-Hao Huang. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2005-07-07.

Current-confined heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US8735256B1. Автор: Alan Sugg. Владелец: VEGA WAVE SYSTEMS Inc. Дата публикации: 2014-05-27.

Bipolar transistor having collector with grading

Номер патента: US09768282B2. Автор: Peter J. Zampardi, JR.. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Bipolar transistor having collector with doping concentration discontinuity

Номер патента: US12113125B2. Автор: Andre G. Metzger,Cristian Cismaru,Guoliang Zhou,Kai Hay Kwok. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Integrated semiconductor structure including a heterojunction bipolar transistor and a Schottky diode

Номер патента: US8043910B2. Автор: Berinder P. S. Brar. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2011-10-25.

Integrated semiconductor structure including a heterojunction bipolar transistor and a schottky diode

Номер патента: US20070051981A1. Автор: Berinder Brar. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2007-03-08.

Integrated semiconductor structure including a heterojunction bipolar transistor and a schottky diode

Номер патента: US20080157122A1. Автор: Berinder P.S. BRAR. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2008-07-03.

Integrated semiconductor structure including a heterojunction bipolar transistor and a schottky diode

Номер патента: US20100240187A1. Автор: Berinder P.S. BRAR. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2010-09-23.

Inp heterojunction bipolar transistor with intentionally compressivley missmatched base layer

Номер патента: WO2002103803A1. Автор: Quesnell Hartmann. Владелец: Epiworks, Inc.. Дата публикации: 2002-12-27.

Bipolar transistor having collector with grading

Номер патента: US20150236141A1. Автор: Peter J. Zampardi, JR.. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2015-08-20.

Heterojunction bipolar transistor having wide bandgap material in collector

Номер патента: US20040065898A1. Автор: Yan Chen,Chien Lee,Hin Chau,Clarence Dunnrowicz. Владелец: Eic Corp. Дата публикации: 2004-04-08.

Bipolar transistor having collector with doping concentration grading

Номер патента: US20230006056A1. Автор: Andre G. Metzger,Cristian Cismaru,Guoliang Zhou,Kai Hay Kwok. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

High on-state breakdown heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20110147799A1. Автор: Noren Pan,Andree Wibowo. Владелец: Microlink Devices Inc. Дата публикации: 2011-06-23.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US09911837B2. Автор: Shu-Hsiao TSAI,Cheng-Kuo Lin,Jui-Pin Chiu,Rong-Hao SYU. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Directed epitaxial heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US09853136B2. Автор: Yu-Chung Chin,Chao-Hsing Huang,Min-Nan Tseng. Владелец: Visual Photonics Epitaxy Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

High on-state breakdown heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20100237388A1. Автор: Noren Pan,Andree Wibowo. Владелец: Microlink Devices Inc. Дата публикации: 2010-09-23.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: EP1187218A3. Автор: Takeshi Takagi,Kenji Toyoda,Minoru Kubo,Koichiro Yuki,Teruhito Ohnishi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-02-12.

Heterojuction bipolar transistor

Номер патента: US20220130960A1. Автор: Walter Tony WOHLMUTH. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-04-28.

Heterostructure bipolar transistor

Номер патента: CA1318418C. Автор: Young-Kai Chen,Morton Panish,Richard Norman Nottenburg,Anthony Frederic John Levi. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1993-05-25.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US5332912A. Автор: Junko Akagi,Norio Iizuka,Masao Obara,Tetsuro Nozu,Torakiti Kobayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-07-26.

III-V heterojunction bipolar transistor having a GaAs emitter ballast

Номер патента: US6043520A. Автор: Yoshitsugu Yamamoto,Ryo Hattori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-03-28.

Modulation doped base heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US5099299A. Автор: Frank F. Fang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1992-03-24.

Heterojunction bipolar transistor including collector/base heterojunction achieving high operation efficiency

Номер патента: US6399969B1. Автор: John Kevin Twynam. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2002-06-04.

InP heterojunction bipolar transistor with intentionally compressively mismatched base layer

Номер патента: US20020190271A1. Автор: Quesnell Hartmann. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-19.

Ballistic heterojunction bipolar transistors

Номер патента: CA1213378A. Автор: David G. Ankri,Lester F. Eastman,Walter H. Ku. Владелец: CNET. Дата публикации: 1986-10-28.

Biosensor based on heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US09806151B2. Автор: Sufi Zafar,Tak Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Co-integration of self-aligned and non-self aligned heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US09899375B1. Автор: Vibhor Jain,Qizhi Liu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Biosensor based on heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20180006116A1. Автор: Sufi Zafar,Tak Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Insulated gate bipolar transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: US09881994B2. Автор: Shengrong Zhong,Dongfei Zhou,Xiaoshe Deng,Genyi Wang. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Isolated gate field effect transistor and manufacture method thereof

Номер патента: US09722064B2. Автор: Kai Cheng. Владелец: Dynax Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Lateral insulated-gate bipolar transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: US20180069107A1. Автор: Shukun QI. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-08.

Thin film transistor driving backplane and manufacturing method thereof, and display panel

Номер патента: US09543415B2. Автор: Chien Hung Liu,Zuqiang Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Bipolar transistor having collector with doping spike

Номер патента: US20130285121A1. Автор: Peter J. Zampardi, JR.,Kai Hay Kwok. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2013-10-31.

Bipolar transistor having collector with doping spike

Номер патента: US9722058B2. Автор: Peter J. Zampardi, JR.,Kai Hay Kwok. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Method for forming lateral heterojunction bipolar devices and the resulting devices

Номер патента: US20200388696A1. Автор: Jagar Singh,Alexander Lee Martin. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2020-12-10.

Methods of forming a bipolar transistor having a collector with a doping spike

Номер патента: US20170358667A1. Автор: Peter J. Zampardi, JR.,Kai Hay Kwok. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-12-14.

Bipolar transistor having collector with doping spike

Номер патента: US20170005184A1. Автор: Peter J. Zampardi, JR.,Kai Hay Kwok. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-01-05.

Bipolar transistor having collector with doping spike

Номер патента: US20150255550A1. Автор: Peter J. Zampardi, JR.,Kai Hay Kwok. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2015-09-10.

Methods of forming a bipolar transistor having a collector with a doping spike

Номер патента: US20190386123A1. Автор: Peter J. Zampardi, JR.,Kai Hay Kwok. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2019-12-19.

Bipolar transistor having collector with doping spike

Номер патента: US9385200B2. Автор: Peter J. Zampardi, JR.,Kai Hay Kwok. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

Mask, manufacturing method thereof and manufacturing method of a thin film transistor

Номер патента: US09741828B2. Автор: Rui Xu. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Method of Manufacture of Germanium-Silicon-Tin Heterojunction Bipolar Transistor Devices

Номер патента: US20190296131A1. Автор: Matthew H. Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-09-26.

High ruggedness heterojunction bipolar transistor (hbt)

Номер патента: US20240222477A1. Автор: Yu-Chung Chin,Chao-Hsing Huang,kai-yu Chen. Владелец: Visual Photonics Epitaxy Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

SiGe HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR WITH CRYSTALLINE RAISED BASE ON GERMANIUM ETCH STOP LAYER

Номер патента: US20200006537A1. Автор: Edward J. Preisler. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2020-01-02.

Heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US4896203A. Автор: Yasutomo Kajikawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1990-01-23.

Heterojunction bipolar transistor with field plates

Номер патента: WO2020167363A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2020-08-20.

Heterojunction bipolar transistors with field plates

Номер патента: US20200259004A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-08-13.

Epitaxially fabricated heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US20200295166A1. Автор: Paul B. Fischer,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Heterojunction bipolar transistor, semiconductor device, and communication module

Номер патента: US20240194770A1. Автор: Masao Kondo,Takayuki Tsutsui,Shaojun MA. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Igbt with improved terminal and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180240880A1. Автор: Jian Liu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-08-23.

IGBT with improved terminal and manufacturing method thereof

Номер патента: US10741651B2. Автор: Jian Liu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-08-11.

Low collector contact resistance heterojunction bipolar transistors

Номер патента: US20190305094A1. Автор: Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Fabrication method for heterojunction bipolar transistor

Номер патента: US20050051797A1. Автор: Cheng-Wen Fan,Hua-Chou Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2005-03-10.

Semiconductor structures and manufacturing methods thereof

Номер патента: US12094958B2. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Germanium-Silicon-Tin (GeSiSn) Heterojunction Bipolar Transistor Devices

Номер патента: US20230031642A1. Автор: Matthew H. Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09680033B2. Автор: Shoji Kitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Array substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220005841A1. Автор: Jinyang ZHAO. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-06.

GaAs/GaAlAs Heterojunction bipolar integrated circuit devices

Номер патента: US4573064A. Автор: Han-Tzong Yuan,William V. McLevige,Walter M. Duncan,Friedrich H. Doerbeck. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1986-02-25.

Heterojunction bipolar transistor and power amplifier

Номер патента: US11990537B2. Автор: Chih-Yang Kao,Chien-Rong YU. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor structures and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20230290905A1. Автор: Kai Cheng,Liyang Zhang. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010007777A1. Автор: Hiroki Fujii. Владелец: Hiroki Fujii. Дата публикации: 2001-07-12.

Array substrate, display device, thin film transistor, and array substrate manufacturing method

Номер патента: WO2019210776A1. Автор: 刘宁. Владелец: 合肥鑫晟光电科技有限公司. Дата публикации: 2019-11-07.

Array substrate and manufacturing and repairing method thereof, display device

Номер патента: US09502438B2. Автор: Jaikwang Kim,Yongjun Yoon. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Array substrate and manufacturing method thereof, display panel, and display device

Номер патента: EP3796385A1. Автор: Zhen Zhang. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-24.

Thin film transistor and manufacturing method thereof, display substrate and display device

Номер патента: US09773917B2. Автор: Jiangbo Chen,Dongfang Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Array substrate and manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US11133363B2. Автор: WEI YANG,Ke Wang,ce Ning,Hehe HU,Xinhong Lu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-28.

Array substrate and manufacturing method thereof and display device

Номер патента: US09966389B2. Автор: FAN LI,Yang Wang,Yue Long. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Array substrate and manufacturing method thereof and touch panel

Номер патента: US09575350B2. Автор: Ming Hu,Suzhen Mu. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Array substrate and manufacturing method thereof and display apparatus

Номер патента: US09524991B2. Автор: Hui Tian,Xiaowei Xu,Wenqing Xu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Electroluminescence display apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US09991312B1. Автор: Jungchul Kim,JunYoung KWON. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Printed circuit, thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09867273B2. Автор: Yu-Hsuan Ho. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Thin film semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030027405A1. Автор: Hisao Hayashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-06.

Array substrate and manufacturing method therefor, and display device

Номер патента: US20210288082A1. Автор: Tingting Zhou,Bin Zhang,Xiaolong He,Yu Cheng Chan. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-16.

Array substrate and manufacture method thereof

Номер патента: US09804459B2. Автор: Liwang Song. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

C-axis aligned crystalline igzo thin film and manufacture method thereof

Номер патента: US20190153595A1. Автор: Xuanyun Wang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Thin-film transistor array substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09876037B2. Автор: Xiaowen LV,Chihyu SU. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Array substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09728403B2. Автор: YUAN Guo,Chao He,Juan Li,Guoqiang Tang,Yuxia Chen. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Array substrate and manufacturing method thereof, display panel and display device

Номер патента: US09651839B2. Автор: Xiaojing QI,Like HU. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Memory device, and manufacturing method and driving method thereof

Номер патента: US20230232635A1. Автор: Shuai Guo,Shijie BAI,Mingguang ZUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Polycide gate stucture and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050148120A1. Автор: Han-Hsing Liu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2005-07-07.

Stacked neural device structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12096627B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

LTPS TFT pixel unit and manufacture method thereof

Номер патента: US09589999B2. Автор: Zuyou YANG. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09496404B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideyuki Kishida. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Oled drive circuit and manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US20190213954A1. Автор: Xiaodong GUO. Владелец: Changchun Flexible Display Technology Co ltd. Дата публикации: 2019-07-11.

Display substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170038622A1. Автор: Tiansheng Li. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09847396B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Daisuke Kawae. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Display substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09791758B2. Автор: Tiansheng Li. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190051746A1. Автор: Tetsuji Togami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-02-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10121888B2. Автор: Tetsuji Togami. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-11-06.

Display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200243632A1. Автор: Kohei Ebisuno,Jun Hee Lee,In Jun Bae. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09923001B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Array substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09865619B2. Автор: Peng Du,Cong Wang,Xiaoxiao Wang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Display panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240237400A9. Автор: Macai Lu. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Pixel structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US8604477B2. Автор: Wu-Hsiung Lin,Jia-Hong Ye,Guang-Ren Shen,Shin-Shueh Chen,Po-Hsueh Chen. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2013-12-10.

Micro electro mechanical device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100133537A1. Автор: Konami Izumi,Mayumi Yamaguchi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-03.

Micro electro mechanical device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120080727A1. Автор: Konami Izumi,Mayumi Yamaguchi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-05.

Micro electro mechanical device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130307030A1. Автор: Mayumi Yamaguchi,Konmai Izumi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-21.

Micro electro mechanical device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8030651B2. Автор: Konami Izumi,Mayumi Yamaguchi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-04.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09899405B2. Автор: Yong Min Yoo,Young Jae Kim,Seung Woo Choi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-02-20.

Tunneling emitter bipolar transistor

Номер патента: WO1987007431A1. Автор: Jingming Xu,Michael Shur. Владелец: Regents of the University of Minnesota. Дата публикации: 1987-12-03.

Flash memory structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20040159878A1. Автор: Han-Hsing Liu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2004-08-19.

Flash memory structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US6972455B2. Автор: Han-Hsing Liu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2005-12-06.

Memory, semiconductor structure, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230301056A1. Автор: Runping WU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Buried gate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230140073A1. Автор: GuangSu SHAO,Yong Gun KIM,Cheong Soo Kim,Xianrui HU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-04.

Electrically conductive structure and manufacturing method thereof, array substrate, display device

Номер патента: US10204931B2. Автор: Na Zhao. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160247814A1. Автор: Erh-Kun Lai,Kuang-Hao Chiang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09576972B2. Автор: Erh-Kun Lai,Kuang-Hao Chiang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09437611B1. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Sensor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190285499A1. Автор: Hiroki IKESHO. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-19.

AMOLED backplane structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09614017B2. Автор: Yifan Wang,Wenhui Li. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220077289A1. Автор: Cheng Yeh HSU,Qu LUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230007974A1. Автор: Tzung-Han Lee. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Array substrate wiring and the manufacturing and repairing method thereof

Номер патента: US9666609B2. Автор: Chao Liu,Lei Chen,Yujun Zhang,Zengsheng He. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

DISPLAY CONTROL CIRCUIT AND DRIVING METHOD THEREOF, DISPLAY PANEL AND MANUFACTURING AND CONTROLLING METHODS THEREOF

Номер патента: US20200043963A1. Автор: HU Weipin,BU Qianqian. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-06.

Array substrate and manufacturing and repairing method thereof, display device

Номер патента: US20160013211A1. Автор: Jaikwang Kim,Yongjun Yoon. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-14.

Display device and manufacturing and testing methods thereof

Номер патента: US20160043107A1. Автор: Jin Seob Park,Jun Su Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-11.

DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING AND TESTING METHODS THEREOF

Номер патента: US20150155212A1. Автор: KIM Jun Su,PARK Jin Seob. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-04.

Display device and manufacturing and testing methods thereof

Номер патента: EP2878996B1. Автор: Jin Seob Park,Jun Su Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-29.

Substrate and manufacturing and application method thereof

Номер патента: WO2013083007A1. Автор: 梁秉文. Владелец: 光达光电设备科技(嘉兴)有限公司. Дата публикации: 2013-06-13.

Solid State Image Sensing Device and Manufacturing and Driving Methods Thereof

Номер патента: US20070134836A1. Автор: Masaki Funaki. Владелец: Victor Company of Japan Ltd. Дата публикации: 2007-06-14.

Electroluminescent device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09520453B2. Автор: Yuxin Zhang,Hongfei Cheng. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Invisible light flat plate detector and manufacturing method thereof, imaging apparatus

Номер патента: US09705024B2. Автор: FENG Jiang,Xingdong LIU,Chungchun LEE. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Display apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190229133A1. Автор: Chin-Tang LI. Владелец: Gio Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2019-07-25.

Separation type unit pixel having 3d structure for image sensor and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2006109937A9. Автор: Do Young Lee. Владелец: Do Young Lee. Дата публикации: 2007-11-15.

Separation type unit pixel having 3d structure for image sensor and manufacturing method thereof

Номер патента: EP1869706A1. Автор: Do Young Lee. Владелец: Siliconfile Technologies Inc. Дата публикации: 2007-12-26.

Double-sided display substrate and manufacturing method thereof and display device

Номер патента: US09825113B2. Автор: Kun Li. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Pixel structure of liquid crystal display panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US09791756B2. Автор: Sikun HAO. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Pixel driving circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210225971A1. Автор: Mingjun Liu,Tan WANG. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Heterojunction bipolar transistor and semiconductor device

Номер патента: US20200066886A1. Автор: SATOSHI Tanaka,Yasunari Umemoto,Takayuki Tsutsui,Isao Obu. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-27.

Display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240237404A9. Автор: Chen Xu,Dachao Li,Shengji Yang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Display substrate and manufacturing method thereof, and display apparatus

Номер патента: US12041826B2. Автор: Tian Dong. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Flexible display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210375947A1. Автор: Jing Huang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Detection substrate and manufacturing method thereof, and detector

Номер патента: US09947713B2. Автор: Lei Zhao. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Array substrate, display panel, display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09933645B2. Автор: Jun Ma,Qijun Yao,Xingyao Zhou. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Organic light-emitting diode display and manufacturing method thereof

Номер патента: US09865667B2. Автор: Seung Gyu Tae,Elly Gil. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Transparent display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09645434B2. Автор: Won-Ho Lee,Tae-Han Kim,Ju-Un Park. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240138189A1. Автор: Chen Xu,Dachao Li,Shengji Yang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12120914B2. Автор: Chen Xu,Dachao Li,Shengji Yang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Array substrate and manufacturing method thereof, display device

Номер патента: US09685467B2. Автор: Hao Wu,Hong Zhu,Jing Xue,Ziwei Cui,Hongjun Yu. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Array substrate and manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US09589834B2. Автор: Jing NIU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Touch display panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US11747937B2. Автор: Chingyuan CHENG,Dongchen Huang. Владелец: Huizhou China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Touch display panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230097945A1. Автор: Chingyuan CHENG,Dongchen Huang. Владелец: Huizhou China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Charged particle counting device, manufacturing method thereof, and charged particle counting system

Номер патента: US20190171924A1. Автор: Changcheng JU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-06.

Charged particle counting device, manufacturing method thereof, and charged particle counting system

Номер патента: US10872288B2. Автор: Changcheng JU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-22.

Array substrate and manufacturing method thereof, display panel, and display device

Номер патента: US20240237406A1. Автор: Yong Yuan. Владелец: Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Chip scale light-emitting diode package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220115557A1. Автор: Seunghyun Oh,Sungsik JO,Pyoynggug KIM. Владелец: Lumens Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-14.

Backlight module and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240280855A1. Автор: Chien-Tzu Chu,Chao-Chin Sung,Chueh-Yuan NIEN,Chao-Sen Yang. Владелец: Carux Technology Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Chip scale light-emitting diode package and manufacturing method thereof

Номер патента: US12015101B2. Автор: Seunghyun Oh,Sungsik JO,Pyoynggug KIM. Владелец: Lumens Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Chip scale light-emitting diode package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240304750A1. Автор: Seunghyun Oh,Sungsik JO,Pyoynggug KIM. Владелец: Lumens Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor integrated circuit device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20020158277A1. Автор: Jun Osanai,Hirofumi Harada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-31.

Semiconductor integrated circuit device and manufacture method therefor

Номер патента: EP1225626A3. Автор: Akio Kitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-12.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9881931B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09881931B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Quantum dot color filter substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09817264B2. Автор: Dongze Li. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Solid-state imaging device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09620552B2. Автор: Kazuichiro Itonaga. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Organic light emitting display device, driving method thereof, and manufacturing method thereof

Номер патента: US09501978B2. Автор: Dong-Wook Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Quantum dot color filter substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170254933A1. Автор: Dongze Li. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-07.

Highly Reliable Nonvolatile Memory and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20150349253A1. Автор: Yimao Cai,Ru Huang,Yinglong Huang,Muxi Yu,Wenliang Bai. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-12-03.

Heterojunction solar cell and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4333082A1. Автор: Chaohui LIN,Kairui LIN. Владелец: Gold Stone Fujian Energy Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-06.

Heterojunction solar cell and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4333083A1. Автор: Chaohui LIN,Kairui LIN. Владелец: Gold Stone Fujian Energy Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-06.

Solar cell string, string group, module, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210257506A1. Автор: Hongyue CHEN,Yanfang Zhou. Владелец: Jingao Solar Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Array substrate and manufacturing method thereof, as well as display device

Номер патента: US20160247829A1. Автор: Jinzhong Zhang. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-25.

Array substrate and manufacturing method thereof, display device

Номер патента: US20200401005A1. Автор: Xinjie Zhang,Chengwei Liu. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-24.

Array substrate and manufacturing method thereof, as well as display device

Номер патента: US9646998B2. Автор: Jinzhong Zhang. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Electronic device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240275024A1. Автор: Ying-Jen Chen,Yan-Zheng WU. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Array substrate and manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US09958748B2. Автор: Bo Feng,Yu Ma. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Organic light emitting diode display and manufacturing method thereof

Номер патента: US09917279B2. Автор: Seung-Yong Song,Cheol Jang,Jin-Kwang Kim,Seung-Hun Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Light emitting device and manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US09748513B2. Автор: Changyan WU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Array substrate and manufacturing method thereof, as well as display device

Номер патента: US09646998B2. Автор: Jinzhong Zhang. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Organic light emitting diode display and manufacturing method thereof

Номер патента: US09530989B2. Автор: Il-Nam Kim,Min-Woo Kim,Won-Sang Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Wafer rewiring double verification structure, and manufacturing method and verification method thereof

Номер патента: US20240079271A1. Автор: Wenjie Huang. Владелец: Hefei Chipmore Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Sensor packaging structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180366381A1. Автор: Yangyuan LI,Shaobo DING. Владелец: Microarray Microelectronics Corp ltd. Дата публикации: 2018-12-20.

Ceramic wafer and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240246258A1. Автор: Yan-Kai Zeng,Bai-Xuan Jiang,Rui-Feng Jiang. Владелец: Hong Chuang Applied Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

InP/InGaAs Monolithic Integrated Demultiplexer, Photodetector, and Heterojunction Bipolar Transistor

Номер патента: CA2181846A1. Автор: S. Chandrasekhar. Владелец: AT&T IPM Corp. Дата публикации: 1997-02-15.

Array substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160358946A1. Автор: Bing Han,Zuomin Liao. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-08.

Board on chip package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070210439A1. Автор: Myung-Sam Kang,Jung-Hyun Park,Chang-Sup Ryu,Ji-Eun Kim,Hoe-Ku Jung. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-13.

Photovoltaic cell module and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240355948A1. Автор: Yaolun HUANG. Владелец: Cando Solarphotoelectric Technology Changzhou Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Wireless communication module and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150044976A1. Автор: Hyung Goo BAEK. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-12.

OLED display device and manufacture method thereof

Номер патента: US09893132B2. Автор: Yifan Wang,Longqiang Shi. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Display panel motherboard and manufacturing method thereof

Номер патента: US09730331B2. Автор: PENG Shen,Guang Yang,Yanming Wang. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Array substrate with high qualified rate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09716114B2. Автор: Bing Han,Zuomin Liao. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Flexible display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09614190B2. Автор: Sung-Chul Kim,Jong-hyuk Lee,Choong-Youl Im,Il-Jeong Lee,Moo-Soon Ko. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240222266A1. Автор: Xiaoling Wang,Luguang WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Light emitting device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220216383A1. Автор: Ming-Chang Lin. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2022-07-07.

Display panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240186469A1. Автор: Hongzhao Deng. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Electronic device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240233590A9. Автор: Kai Cheng,Tsau-Hua Hsieh,Ming-Chang Lin,Fang-Ying Lin. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Electronic device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240135846A1. Автор: Kai Cheng,Tsau-Hua Hsieh,Ming-Chang Lin,Fang-Ying Lin. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Composite layer circuit element and manufacturing method thereof

Номер патента: US11764077B2. Автор: Cheng-Chi Wang,Chuan-Ming Yeh,Kuo-Jung Fan,Heng-Shen Yeh. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Display panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220077422A1. Автор: Changming XIANG. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

Solar cell and manufacturing method thereof, photovoltaic module, and photovoltaic system

Номер патента: EP4407696A2. Автор: Daming Chen,Guangtao YANG,Binglun HAN. Владелец: Trina Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230061921A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Weiping BAI,Yunsong QIU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-03-02.

Heterojunction bipolar transistor having thinned base-collector depletion region

Номер патента: WO2003077284A3. Автор: Jerry M Woodall,Eric S Harmon,David B Salzman. Владелец: David B Salzman. Дата публикации: 2003-12-04.

Heterojunction bipolar transistor having thinned base-collector depletion region

Номер патента: WO2003077284A2. Автор: Jerry M. Woodall,Eric S. Harmon,David B. Salzman. Владелец: YALE UNIVERSITY. Дата публикации: 2003-09-18.

Opto-electronic apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170170160A1. Автор: Yung-Yu Yen. Владелец: Ultra Display Technology Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Printed circuit board and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090294162A1. Автор: Jaewoo Joung,Kyoung-Jin JEONG,Rowoon Lee,Kwansoo Yun. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080073798A1. Автор: Takaharu Yamano. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-27.

Heterojunction solar cell and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240079505A1. Автор: Chaohui LIN,Kairui LIN. Владелец: Gold Stone (fujian) Energy Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Chip packaging structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190189541A1. Автор: Xiaochun Tan. Владелец: Hefei Smat Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-20.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210151349A1. Автор: Nianheng ZHANG. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-20.

Semiconductor chips, semiconductor packages, and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20240170334A1. Автор: Hyun Chul Seo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12094720B2. Автор: Chung-Yen Chou. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Group-III-nitride structures and manufacturing methods thereof

Номер патента: US12095002B2. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor structures and manufacturing methods thereof

Номер патента: US12107187B2. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Solar cell and manufacturing method thereof, photovoltaic module, and photovoltaic system

Номер патента: US20240363776A1. Автор: Daming Chen,Guangtao YANG,Binglun HAN. Владелец: Trina Solar Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Flexible OLED and manufacture method thereof

Номер патента: US09859521B2. Автор: Tao Sun,Wen Shi,Shimin Ge,Wenhui Li,Yanhong Meng. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Opto-electronic apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US09831228B2. Автор: Yung-Yu Yen. Владелец: Ultra Display Technology Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Thin heat pipe structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09802240B2. Автор: Hsiu-Wei Yang. Владелец: Asia Vital Components Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Display device, thin film transistor, array substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09754979B2. Автор: JING Yang,Xuehui Zhang,ce Ning. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Light emitting diode module structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09559277B2. Автор: Wei-Chen Liang,Pin Chang. Владелец: Wisetop Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7968448B2. Автор: Chia-Lun Tsai,Jack Chen,Ching-Yu Ni,Wen-Cheng Chien. Владелец: XinTec Inc. Дата публикации: 2011-06-28.

Flexible display panels and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20180294439A1. Автор: Hsiang Lun Hsu,Jiangjiang JIN,Simin PENG. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-11.

Evaporating concave-convex platform structure of vapor chamber and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240155810A1. Автор: Chih-Wei Chen,Pang-Hung Liao. Владелец: Jws Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Pixel defining layer, display substrate, and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20200043999A1. Автор: Qing Dai. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-06.

Array Substrate and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20210257391A1. Автор: Zhihai ZHANG,Kui Gong,Xianxue Duan,Biliang Dong. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Electrically conductive device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130168861A1. Автор: HAIYANG Zhang,XINPENG WANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2013-07-04.

Electrically conductive device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8932950B2. Автор: HAIYANG Zhang,XINPENG WANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-01-13.

High efficiency solar cell and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2008004791A1. Автор: Don-Hee Lee,Kwy-Ro Lee,Seh-Won Ahn,Heon-Min Lee,Kun-Ho Ahn. Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2008-01-10.

Two-dimensional comb-drive actuator and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110309717A1. Автор: Ta-Wei Lin,Chang-Li Hung. Владелец: OPU Microsystems Application Corp. Дата публикации: 2011-12-22.

Device and operation method and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180210253A1. Автор: Miki Kashima. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-26.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010020710A1. Автор: Jiro Matsufusa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-09-13.

Heat dissipation module and base and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090107654A1. Автор: Chin-Ming Chen,Yu-Hung Huang,Chun-Yang Hung,Sung-Ching Ho. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2009-04-30.

Shadow mask and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070001577A1. Автор: Oh Kwon,Soon Yoo. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-04.

Semiconductor package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210091008A1. Автор: Dong Hoon Oh,Ju Hyun Nam,Su Yun Kim. Владелец: Nepes Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-25.

Silicon carbide composite wafer and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4095291A1. Автор: Yan-Kai Zeng,Bai-Xuan Jiang. Владелец: Hong Chuang Applied Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-30.

Silicon carbide composite wafer and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220384385A1. Автор: Yan-Kai Zeng,Bai-Xuan Jiang. Владелец: Hong Chuang Applied Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Array substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200365623A1. Автор: Ching Fu Chien. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Semiconductor package substrate structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110031617A1. Автор: Wen-Hung Hu. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2011-02-10.

Semiconductor package substrate structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US7847400B2. Автор: Wen-Hung Hu. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2010-12-07.

Array Substrate and Manufacturing Method Thereof, Display Device

Номер патента: US20170012060A1. Автор: Yue Li,Qingnan AI,Hepan ZHANG. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-12.

Array Substrate and Manufacturing Method Thereof, Display Device

Номер патента: US20190326328A1. Автор: Yue Li,Qingnan AI,Hepan ZHANG. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-24.

Capacitor component and manufacturing method thereof, and electronic device

Номер патента: EP4447079A1. Автор: Heng Li,Yong Guan,Nan Zhao,Yiwei REN,Jikai Xu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

OLED display panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US09978978B2. Автор: Xin Mou,Bin Zhang,Chung Che Tsou,Hsin Chih LIN. Владелец: EverDisplay Optronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Display substrate and manufacturing method thereof, display device

Номер патента: US09935131B2. Автор: Lei Wang,Zhenhua Lv,Zhiying BAO,Yanna Xue. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200365597A1. Автор: Ming-Chih Hsu,Yi-Hao Chien,Huang-Nan Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-11-19.

Slim-bezel flexible display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09793330B2. Автор: Wenhui Li. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Wafer-level semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09780276B2. Автор: Yibin Zhang,Fei Xu,Yong Cai. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2017-10-03.

OLED touch control display device and manufacture method thereof

Номер патента: US09698372B2. Автор: Weijing ZENG,Changcheng Lo. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Display panel and manufacturing method thereof and display device

Номер патента: US09698369B2. Автор: Kaihong MA,Zhongyuan Sun. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Liquid crystal panel and manufacture method thereof

Номер патента: US09638962B2. Автор: Yong Xu,Liwang Song. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Electronic device module and manufacturing method thereof

Номер патента: US09633923B2. Автор: Jae Hyun Lim,Sun Ho Kim,Do Jae Yoo. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Organic light-emitting display apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US09614021B2. Автор: Won-Kyu Kwak,Yang-Wan Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Light emitting device package and manufacturing method thereof

Номер патента: US09577147B2. Автор: Sang Hyun Lee,Seong Deok HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09524906B1. Автор: Glenn A. Rinne,Jong Sik Paek,Won Chul Do,Eun Sook Sohn,In Bae Park. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor light emitting element and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190067514A1. Автор: Ming-Sen Hsu,Hsin Liang Yeh. Владелец: EPILEDS TECHNOLOGIES Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Package substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230298986A1. Автор: Min-Yao CHEN,Andrew C. Chang,Sung-Kun Lin. Владелец: Aaltosemi Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Ball grid array IC package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20020185746A1. Автор: Sang Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-12.

Magnetoresistive sensor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230176149A1. Автор: Chih-Huang Lai,Chia-Chang Lee,Yu-Shen Yen. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2023-06-08.

Display Substrate and Manufacturing Method Thereof, and Display Device

Номер патента: US20210217815A1. Автор: Youngsuk Song. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-15.

Flexible display panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230180590A1. Автор: Kunsong Ma. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Photovoltaic cell assembly and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4411834A1. Автор: Yaolun HUANG. Владелец: Cando Solarphotoelectric Technology Changzhou Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180197865A1. Автор: Li-Wei Feng,Chien-Ting Ho,Tzu-Tsen Liu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-12.

Photovoltaic cell assembly and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4447126A1. Автор: Pinru HUANG,Yaolun HUANG. Владелец: Cando Solarphotoelectric Technology Changzhou Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

Flexible photovoltaic cell module and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240363781A1. Автор: Yaolun HUANG. Владелец: Cando Solarphotoelectric Technology Changzhou Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Monolithic three-axis linear magnetic sensor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09891292B2. Автор: James Geza Deak. Владелец: MultiDimension Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Organic electroluminescent device and manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US09666838B2. Автор: Shinsuke Iguchi. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Array substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09634030B2. Автор: Chengliang Ye. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Bipolar-cmos-dmos semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: US20200066714A1. Автор: Bo Zhang,Song Pu,Ming Qiao. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2020-02-27.

Chipset and manufacturing method thereof

Номер патента: US12027512B2. Автор: Shiqun Gu,Linglan Zhang. Владелец: Shanghai Biren Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Integrated cooling device based on Peltier effect and manufacturing method thereof

Номер патента: US12027443B2. Автор: Xiong Zhang. Владелец: Montage Technology Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Display panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230209709A1. Автор: Kuo-Hsing Cheng,Wen-Chung Tang,Yung-Sheng Chang,Cheng-Hao Lee,Yu-Lin Hsu,Yi Jiun Wu. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Embedded terminal module and connector and manufacturing and assembling method thereof

Номер патента: US12034242B2. Автор: Kuo-Chi Yu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-09.

Resolver and manufacturing manufacturing method thereof

Номер патента: KR101964371B1. Автор: 박용호,이진주,진창성. Владелец: 한화디펜스 주식회사. Дата публикации: 2019-04-01.

Embedded Terminal Module and Connector and Manufacturing and Assembling Method Thereof

Номер патента: US20220102895A1. Автор: YU Kuo-Chi. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-31.

Anode material of lithium ion battery and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN108432006B. Автор: 马晓华,马克·N·奥布罗瓦茨. Владелец: JOHNSON MATTHEY PLC. Дата публикации: 2022-04-26.

Socket insulation assembly and manufacturing device and method thereof

Номер патента: CN112186391B. Автор: 吴学东,何泽顺. Владелец: Hongya Chuangjie Communication Co ltd. Дата публикации: 2022-03-29.

Secondary battery and manufacturing system and method thereof

Номер патента: EP1489679A2. Автор: Yukimasa Nishide. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2004-12-22.

Enameled wire and manufacturing and processing method thereof

Номер патента: CN112349451A. Автор: 吕宁,盛珊瑜. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-02-09.

Tag for marking defective part of electrode for secondary battery and manufacturing method thereof

Номер патента: CA3206420A1. Автор: Eun Mi CHO. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-08-25.

High-voltage composite positive electrode material and manufacturing method thereof

Номер патента: AU2023203287A1. Автор: Han-Wei Hsieh,Ding-De He. Владелец: Advanced Lithium Electrochemistry Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

High-voltage composite positive electrode material and manufacturing method thereof

Номер патента: AU2023203287B2. Автор: Han-Wei Hsieh,Ding-De He. Владелец: Advanced Lithium Electrochemistry Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Circuit board and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240006748A1. Автор: Chih-Chieh Fu,Yu-Jia Men. Владелец: Garuda Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

High-efficiency oxide vcsel with improved light extraction, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200059072A1. Автор: Hyung Joo Lee. Владелец: AUK CORP. Дата публикации: 2020-02-20.

Pad for wireless charging and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210184497A1. Автор: I-Kuang Lai. Владелец: E-Century Technical & Industrial Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Tensile conducting monofilament and conducting wire and manufacturing method thereof

Номер патента: US09887021B2. Автор: Zhao-Yuan LI,Ben-Yi YAO. Владелец: Dongguan City Huayang Lighting Co ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Flexible charging pad and manufacturing method thereof

Номер патента: US11990787B2. Автор: Ho-Lung Lu,Shih-Wei Pan. Владелец: Dexin Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Dual wavelength semiconductor laser emitting apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US7184456B2. Автор: Chih-Sung Chang,Shu-Wei Chiu. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2007-02-27.

Flexible Charging Pad and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: AU2021100802A4. Автор: Ho-Lung Lu,Shih-Wei Pan. Владелец: Dexin Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Dual wavelength semiconductor laser emitting apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050243880A1. Автор: Chih-Sung Chang,Shu-Wei Chiu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-11-03.

Flexible transparent conductive composite film and manufacturing method thereof

Номер патента: US12051521B2. Автор: Ying-Hung Chen,Ping-Yen HSIEH,Chu-Liang Ho,Jia-Lin Syu. Владелец: FENG CHIA UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-07-30.

Double-layer pcb of low power wireless sensing system and manufacturing method

Номер патента: US20130148311A1. Автор: Chia-Chi Chang,Jang Ping SHEU. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-13.

Magnetic element and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240029940A1. Автор: Haijun Yang,Jiamin Shi,Debao Quan. Владелец: Delta Electronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

High-performance NdFeB rare earth permanent magnet with composite main phase and manufacturing method thereof

Номер патента: US09863021B2. Автор: Baoyu Sun. Владелец: Shenyang General Magnetic Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Secondary battery and manufacturing method thereof

Номер патента: US09853294B2. Автор: Junyong Lee,Seungyeol YOO,Huijun Lee. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Variable resistance and manufacturing method thereof

Номер патента: US09728309B2. Автор: Hong Wang,Tianyue ZHAO,Yanling Han. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Microwave detector and manufacturing method thereof and stray electromagnetic radiation suppression method

Номер патента: US11659633B2. Автор: Xin Zou,Gaodi Zou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-05-23.

Electrical Connector and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20210005999A1. Автор: Ying-Chung Chen,Mu-Jung Huang. Владелец: Tarng Yu Enterpries Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-07.

Metal halide lamp and manufacturing method thereof

Номер патента: US10861691B2. Автор: Changzheng Zhang,Niangen FENG. Владелец: Junwa Lighting Technology Corp. Дата публикации: 2020-12-08.

Cold cathode discharge tube and manufacturing method thereof and liquid crystal display device

Номер патента: US20100157203A1. Автор: Kazumasa Hirai. Владелец: Hitachi Display Devices Ltd. Дата публикации: 2010-06-24.

Zinc Can of Environmental Protection Type for Battery and Manufacture Method Thereof

Номер патента: US20090162752A1. Автор: Qinghua Jiang. Владелец: Asia Royal Dev Ltd. Дата публикации: 2009-06-25.

Organic polymer film and manufacturing method thereof

Номер патента: US11969752B2. Автор: Ying-Hung Chen,Ping-Yen HSIEH,Xuan-Xuan Chang,Chu-Liang Ho. Владелец: FENG CHIA UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-04-30.

Switch seat body structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09870877B2. Автор: Chih-Yuan Wu,Chih-Hao Sung,Chen-Yun Hsieh. Владелец: Switchlab Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Resistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09589711B2. Автор: Kyung Mi LEE,Doo Won Kang,Jong Il Jung,Gyu Jin Ahn,Sang Joon Jin,Hyun Chang Kim. Владелец: Smart Electronics Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Coil-integrated-type yoke and manufacturing method of the same

Номер патента: US20200066477A1. Автор: Tsutomu Karimata,Keisuke Matsushima. Владелец: Ebara Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

High-voltage composite positive electrode material and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240274791A1. Автор: Han-Wei Hsieh,Ding-De He. Владелец: Advanced Lithium Electrochemistry Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

High voltage over-current protection device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070025040A1. Автор: Tong Tsai,Fu Chu,Shau Wang. Владелец: Polytronics Technology Corp. Дата публикации: 2007-02-01.

High-voltage composite positive electrode material and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4418357A1. Автор: Han-Wei Hsieh,Ding-De He. Владелец: Advanced Lithium Electrochemistry Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Planar magnetic element and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240234004A9. Автор: Lei Chen,Liang Wang,Teng Liu,Xiaohu Li,Jianxing DONG. Владелец: Delta Electronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory device with vertical transistor and trench capacitor and fabrication method thereof

Номер патента: TW200629527A. Автор: Cheng-Chih Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2006-08-16.

Non-volatile memory and manufacturing and operating method thereof

Номер патента: US20060170038A1. Автор: Ching-Sung Yang,Wei-Zhe Wong. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2006-08-03.

Multi-valued resistor memory device and manufacturing and operating method thereof

Номер патента: JP5209852B2. Автор: 正 賢 李. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-06-12.

Bipolar transistor type MEMS pressure sensor and preparation method thereof

Номер патента: US11965797B1. Автор: Tongqing Liu. Владелец: WUXI SENCOCH SEMICONDUCTOR CO Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Decorative nail tip and manufacturing system and method thereof

Номер патента: US20240251926A1. Автор: Jingbiao DENG. Владелец: Shanghai Huizi Cosmetics Co ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Decorative nail tip and manufacturing system and method thereof

Номер патента: US12102206B2. Автор: Jingbiao DENG. Владелец: Shanghai Huizi Cosmetics Co ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Amplifying element and manufacturing method thereof

Номер патента: US8107644B2. Автор: Eio ONODERA. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2012-01-31.

Static random access memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240130099A1. Автор: Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240324176A1. Автор: Shou-Te WANG. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Wavelength conversion device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12044868B2. Автор: Chi-Tang Hsieh,I-Hua Chen. Владелец: Coretronic Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Brushless direct currency (bldc) motor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200195088A1. Автор: Hyun Tae LEE,Gyu Sang Yu,Dong Heon Mo,Jung Kil Lee. Владелец: COAVIS. Дата публикации: 2020-06-18.

Lead free solder alloy and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2009084798A1. Автор: Hyun Kyu Lee,Sang Ho Jeon,Yong Cheol Chu,Kang Hee KIM,Myoung Ho Chun. Владелец: DUKSAN HI-METAL CO., LTD.. Дата публикации: 2009-07-09.

Counterweighted vibration device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240030796A1. Автор: Ming-Hung Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-01-25.

Encoder and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200278221A1. Автор: Hirosato Yoshida,Nobuyuki OOTAKE. Владелец: FANUC Corp. Дата публикации: 2020-09-03.

Counterweighted vibration device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12113419B2. Автор: Ming-Hung Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-10-08.

Multi-functional mobile phone protection case and manufacturing method thereof

Номер патента: US09712202B2. Автор: Shiyou BAO. Владелец: Far East Tooling Co Ltd China. Дата публикации: 2017-07-18.

Printed circuit board and manufacturing method thereof

Номер патента: US09532462B2. Автор: Chi Hee Ahn,Sang Myung Lee,Yeong Uk Seo,Jin Su Kim,Sung Woon Yoon,Myoung Hwa Nam. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Acoustic Wave Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20240305260A1. Автор: Hao-Min Huang. Владелец: Richwave Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12133420B2. Автор: Sangyeol Kim,Woosik Jeon,Hyungsik Kim,Jungmin Choi,Eonseok OH. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor structure with high inter-layer dielectric layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US12069859B2. Автор: Xing Jin. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Electronic device embedded substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09743525B2. Автор: Bong-Soo Kim. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Texture recognition apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US12035605B2. Автор: Lei Wang,Yingming Liu,Xiaoliang DING,Yunke QIN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Display panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240224710A1. Автор: Wei Lu,Jiexin Zheng. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

LIGHT GUIDE FILM AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, LIGHT GUIDE PLATE AND MANUFACTURING AND RECYCLING METHODS THEREOF

Номер патента: US20170115445A1. Автор: Wang Peina. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-27.

MULTI-HEAD PROBE AND MANUFACTURING AND SCANNING METHODS THEREOF

Номер патента: US20140020140A1. Автор: Tseng Fan-Gang,CHANG JOE-MING. Владелец: National Tsing Hua University. Дата публикации: 2014-01-16.

Fixed Value Residual Stress Test Block And Manufacturing And Preservation Method Thereof

Номер патента: US20160033452A1. Автор: Li Xiao,Xu Chunguang,Xiao Dingguo,SONG Wentao,XU Lang,PAN Qinxue. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-04.

Heat protector and manufacturing and mounting methods thereof

Номер патента: US20150060026A1. Автор: Tae-Wan Kim,Kwang-Weon Ahn. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2015-03-05.

Gel Nail Polish and Manufacturing and Using Method Thereof

Номер патента: US20170056312A1. Автор: Zhen Lijuan. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-02.

RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY AND MANUFACTURING AND CONTROL METHODS THEREOF

Номер патента: US20160148684A1. Автор: Wu Chien-Min,Wu Bo-Lun,LIN Meng-Heng. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-26.

Gel Nail Polish and Manufacturing and Using Method Thereof

Номер патента: US20180250219A1. Автор: Zhen Lijuan. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-06.

ENCODER SCALE AND MANUFACTURING AND ATTACHING METHOD THEREOF

Номер патента: US20160313144A1. Автор: MORITA Ryo,Kodama Kazuhiko,Otsuka Takanori,Wakasa Taisuke,Yoshihara Kouichi. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-27.

Self-healing asphalt composition and manufacturing, waterproofing structure method thereof

Номер патента: KR102265535B1. Автор: 황정준. Владелец: 주식회사 삼송마그마. Дата публикации: 2021-06-17.

Grinding wheel and manufacturing apparatus, mold, method thereof

Номер патента: KR100459810B1. Автор: 이환철,김상욱,박강래,서준원. Владелец: 신한다이아몬드공업 주식회사. Дата публикации: 2004-12-03.

Fiber and manufacture system and method thereof

Номер патента: CN105988160A. Автор: 蒋方荣,邹国辉,肖尚宏. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-05.

Converter slag modifier and manufacture and using method thereof

Номер патента: CN102719575B. Автор: 徐鹏飞,于淑娟,侯洪宇,马光宇,耿继双,王向锋,杨大正. Владелец: Angang Steel Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-04.

Multi-layer wet tissue sheets and manufacturing apparatus and method thereof

Номер патента: KR100495309B1. Автор: 박한욱. Владелец: 애드윈코리아 주식회사. Дата публикации: 2005-06-16.

I section composite girder, girder bridge and manufacturing and constructing method thereof

Номер патента: KR101182680B1. Автор: 박정환. Владелец: 대영스틸산업주식회사. Дата публикации: 2012-09-14.

Strain sensor based on flexible capacitor and manufacturing and test method thereof

Номер патента: CN105783696A. Автор: 刘昊,王亚楠,秦国轩,黄治塬,靳萌萌,党孟娇. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-07-20.

anti-transfer RFID intelligent label and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN106682722B. Автор: 朱阁勇. Владелец: SHANGHAI CHINA CARD SMART CARD CO Ltd. Дата публикации: 2019-12-10.

Decorative surface of complete furniture and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN111493566A. Автор: 吴根水. Владелец: Suzhou Jiahui Wooden Industry Constructing Co ltd. Дата публикации: 2020-08-07.

Water bag concrete engineering deformation joint water stop type cavity die and manufacturing and construction method thereof

Номер патента: CN104314047A. Автор: 张朝利. Владелец: 张朝利. Дата публикации: 2015-01-28.

Root crop hoe blade, blade set, hoe blade and manufacturing and maintaining method thereof

Номер патента: CN111083984A. Автор: 安东·诺伊迈尔,爱德华·里克特. Владелец: EXEL INDUSTRIES SA. Дата публикации: 2020-05-01.

Prefabricated wall modular decoration combination and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN113802789A. Автор: 林有昌. Владелец: Tongtong Global Co ltd. Дата публикации: 2021-12-17.

Grinding wheel and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN103567858A. Автор: 聂大仕,黄胜蓝,缑高翔. Владелец: Saint Gobain Abrasifs SA. Дата публикации: 2014-02-12.

Circular polarization device and manufacturing and application methods thereof

Номер патента: CN106646919A. Автор: 苏刚. Владелец: SHENZHEN WANMING PRECISION TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-10.

Projection welding insulation positioning pin and manufacturing device and method thereof

Номер патента: CN111250852A. Автор: 黎华. Владелец: Jiangling Motors Corp Ltd. Дата публикации: 2020-06-09.

Anti-transfer RFID intelligent label and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN106682722A. Автор: 朱阁勇. Владелец: SHANGHAI CHINA CARD SMART CARD CO Ltd. Дата публикации: 2017-05-17.

Projection exposure apparatus and manufacturing and adjusting methods thereof

Номер патента: US6621556B2. Автор: Osamu Yamashita,Masaya Iwasaki. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2003-09-16.

Endoscope optical system and manufacture device and method thereof

Номер патента: CN104473613A. Автор: 赵跃东. Владелец: NANJING DONGLILAI PHOTOELECTRIC INDUSTRIAL Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-01.

Foldable water stopping type cavity die for concrete deformation joint and manufacturing and construction method thereof

Номер патента: CN104314049A. Автор: 张朝利. Владелец: 张朝利. Дата публикации: 2015-01-28.

Eelectricity candle paraffin wax body and manufacturing instrument and method thereof

Номер патента: KR101323505B1. Автор: 이종걸. Владелец: 이종걸. Дата публикации: 2013-11-04.

Encoder scale and manufacturing and attaching method thereof

Номер патента: US9739642B2. Автор: Kazuhiko Kodama,Ryo Morita,Takanori Otsuka,Taisuke Wakasa,Kouichi Yoshihara. Владелец: Mitutoyo Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Cross form for porous concrete pile and manufacturing and construction method thereof

Номер патента: CN107116665B. Автор: 陈�峰. Владелец: Maanshan City Sanshan Machinery Co ltd. Дата публикации: 2022-06-14.

SHEET WITH HIGH PRICE PRINTABLE "SKIN" TOUCH AND MANUFACTURING AND PACKAGING METHOD THEREOF

Номер патента: FR2791368A1. Автор: Gilles Gesson,Philippe Baretje. Владелец: ArjoWiggins SAS. Дата публикации: 2000-09-29.

Hydraulic closing system for water gate and manufacturing and constructing method thereof

Номер патента: CN105507217A. Автор: 张朝峰. Владелец: Suzhou Duogu Engineering Design Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-20.

Bone cutting navigation device capable of positioning accurately and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN104706425B. Автор: 李伟,李川,陆声,周游,徐小山,王均. Владелец: 周游. Дата публикации: 2017-02-22.

Condensation heat exchange pipe and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN105547032A. Автор: 李凯,王恩禄,茅锦达,万丛,徐煦. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2016-05-04.

Information processing apparatus and method, information recording medium, and manufacturing apparatus and method thereof

Номер патента: CN1971740B. Автор: 高岛芳和. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-06-16.

High-safety intelligent hydrogen storage device and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN114370597B. Автор: 陆晓峰,朱晓磊,刘杨. Владелец: NANJING TECH UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-07-14.

Flexible magnetic flux sensor and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN111830445A. Автор: 魏建东,郝放,戚丹丹,陈家模,齐清华. Владелец: ZHENGZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-10-27.

Hardware address addressing circuit and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN106844266B. Автор: 黄赛,蒋政,李繁,颜然. Владелец: Tianjin Comba Telecom Systems Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-14.

Silver wear-resisting powder coating and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN104962180A. Автор: 袁文荣. Владелец: Suzhou Pu Le New Material Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-07.

Cutting torch cutting nozzle adapter and structure and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN112958868A. Автор: 宋晓波. Владелец: Anhui Jinhuoshen Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-15.

Underground windowless side waterproof sheet film and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN112776426A. Автор: 埃米尔·夏伊·卢蒂安. Владелец: Ai MierXiayiLudian. Дата публикации: 2021-05-11.

Resistive random access memory and manufacturing and control methods thereof

Номер патента: US20160148684A1. Автор: Meng-Heng Lin,Bo-Lun Wu,Chien-Min Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-26.

Nutrition gum and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2006126786A1. Автор: Seung Hee Shin. Владелец: Seung Hee Shin. Дата публикации: 2006-11-30.

Decorative building material manufactured by using sublimation transfer printing technique and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200071940A1. Автор: Gye Hyun LEE. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-03-05.

Moisture permeable waterproof fabric and manufacturing method thereof

Номер патента: WO1995011332A1. Автор: In Hee Kim,Youn Heum Park. Владелец: Sung Won Ind. Co., Ltd.. Дата публикации: 1995-04-27.

Spherical silicon oxycarbide particle material and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160368776A1. Автор: KEIZO Iwatani,TETSURO Kizaki. Владелец: JNC Corp. Дата публикации: 2016-12-22.

Granule aggregate for substituting bone and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2019031772A3. Автор: Ki Soo Kim,Seok Beom Song. Владелец: BIOALPHA CORPORATION. Дата публикации: 2019-03-28.

Thin cycloidal speed reducer and manufacturing method thereof

Номер патента: US12013012B2. Автор: Chang-Hyun Kim. Владелец: Bonsystems Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Led illumination apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120294018A1. Автор: Sung-Chul Park,Cheol-Hyun Kim. Владелец: V L SYSTEM CO Ltd. Дата публикации: 2012-11-22.

Gel nail sticker containing graphene and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230074733A1. Автор: Shin Woong KOH. Владелец: Transurfing Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-09.

Ultra-high strength cold-rolled steel sheet having excellent elongation and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4442851A1. Автор: Eun-Young Kim,Min-Seo KOO. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Display panel and manufacturing method thereof, display device

Номер патента: US09953596B2. Автор: Ang Xiao. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Quantum dot polarizer and manufacturing method thereof

Номер патента: US09921343B2. Автор: TAO Hu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Cutting/polishing tool and manufacturing method thereof

Номер патента: US09764442B2. Автор: Jeong-Hun Suh. Владелец: Shinhan Diamond Ind Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Liquid crystal display and manufacturing method thereof

Номер патента: US09664956B2. Автор: Seon Uk LEE,Jung Suk Bang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Color liquid crystal display panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US09638968B2. Автор: Xinhui Zhong,Kuancheng Lee. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Display device including touch sensor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09552092B2. Автор: Joon Hak Oh,Jong Seo Lee,Seung Mi Seo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Conductive roller and manufacturing method thereof

Номер патента: US09535354B2. Автор: Junichi Takano,Hirotaka Tagawa,Izumi Yoshimura,Daijirou Sirakura. Владелец: Bridgestone Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140204300A1. Автор: Chang Oh Jeong,Hyang-Shik Kong,Seon-Il Kim,Yeun Tae KIM,Hong Sick Park,Min Ho MOON. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-24.

Contact lenses and manufacturing methods thereof

Номер патента: US20240293984A1. Автор: Han-Yi Chang,Ting-yu LI. Владелец: Pegavision Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Plastic-metal composite material and manufacturing method thereof

Номер патента: US09987780B2. Автор: Shaohua Zhang,Yuhua Lai. Владелец: Guangdong Janus Intelligent Group Corp Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Integrally cast excavator bucket and manufacturing method thereof

Номер патента: US09903093B2. Автор: Jiwen WAN. Владелец: Hubei Wanxin Precision Casting & Forging Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Liquid crystal display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09874780B2. Автор: Yanan Wang,Hongquan Wei. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Foamed fabric structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200362483A1. Автор: Yih-Ping Luh. Владелец: Qingyuan Global Technology Services Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Ink jet printer head actuator and manufacturing method thereof

Номер патента: US6503407B1. Автор: Il Kim,Jae Woo Joung,Young Seuck Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-01-07.

Conductive particle and manufacturing method thereof, adhesive and application thereof

Номер патента: US12024660B2. Автор: Chongwei TANG,Yuming XIA. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Ferroelectric film and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150232979A1. Автор: Takeshi Kijima,Yuuji Honda. Владелец: Youtec Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-20.

Entirely recoverable artificial turf and manufacturing method thereof

Номер патента: AU2017414195B2. Автор: Hao Qian,Chungui Zhao. Владелец: Cocreation Grass Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-09.

Key, X-structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070033792A1. Автор: Chien Hsu,Pin Liao. Владелец: Darfon Electronics Corp. Дата публикации: 2007-02-15.

Electrowetting display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10001637B2. Автор: Suk-Won Jung,Kyung Tea PARK. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2018-06-19.

Electrowetting display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140022622A1. Автор: Suk-Won Jung,Kyung Tea PARK. Владелец: Amazon Technologies Inc. Дата публикации: 2014-01-23.

Graded-index polymer waveguide and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230084877A1. Автор: Rui Wang,Yongkai Li,Xiaofeng Liu,Guodong Wang,Hua Miao,Tengfei YAO. Владелец: Shennan Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-16.

Fire retardant strength member for optical fiber cables and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230204887A1. Автор: Pramod Marru. Владелец: Sterlite Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Orthodontic wire and manufacturing method thereof

Номер патента: EP1965721A1. Автор: Sang-Gi Kim,In-Jae Kim,Seong-Chul Shin,Ji-Hun Jung,Seung-Jae Park,Chang-Seob Han. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-10.

Orthodontic wire and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2007075003A1. Автор: Sang-Gi Kim,In-Jae Kim,Seong-Chul Shin,Ji-Hun Jung,Seung-Jae Park,Chang-Seob Han. Владелец: Woowon Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-05.

Environmental protection and safety sign pad and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080220238A1. Автор: Su-Tuan Hsu Tang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-11.

Human body cleaner and manufacturing method thereof

Номер патента: MY197072A. Автор: shu-chun Wu. Владелец: Wu Shu Chun. Дата публикации: 2023-05-24.

Filter material and manufacturing method thereof

Номер патента: EP3685901A1. Автор: Chun-Hung Chen,Cheng-Sheng Liang,Po-Ju Lin,Yu-Ping Chen,Pei-Chieh Chuang. Владелец: Sangtech Lab Inc. Дата публикации: 2020-07-29.

Electromagnetically absorbing composition and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130062815A1. Автор: Tzu-Hao Ting. Владелец: R O C MILITARY ACADEMY. Дата публикации: 2013-03-14.

Optical wiring board and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110116736A1. Автор: Sang-Hoon Kim,Joon-Sung Kim,Han-Seo Cho,Jae-Hyun Jung. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2011-05-19.

Liquid crystal display panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100091230A1. Автор: Hsiang-Lin Lin,Chih-Jen Hu,Ching-Huan Lin,Sung-Kao Liu. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2010-04-15.

Optical pickup module and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050063279A1. Автор: Sun-Ho Kim,Geun-Ho Kim,Ki-Chang Song. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2005-03-24.

Saltcore for die-casting with aluminum and manufacturing method therefor

Номер патента: US20180178271A1. Автор: Ji-Yong Lee,Cheol-Ung Lee. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2018-06-28.

Photoluminescent gold nanoparticles and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170087640A1. Автор: Yeu-Kuang Hwu,Sheng-Feng Lai,Edwin Bin-Leong ONG. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-30.

Key, x-structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110056061A1. Автор: Chien Shih Hsu,Pin Chien Liao. Владелец: Darfon Electronics Corp. Дата публикации: 2011-03-10.

Display Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20110157871A1. Автор: Chen-Hsien Liao,Yun-I Liu. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2011-06-30.

Test optical disk and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060159000A1. Автор: Emily Lee. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2006-07-20.

Wooden patch and manufacturing method thereof using laser

Номер патента: US20090094871A1. Автор: Byoung-Woo Cho. Владелец: Yupoong Inc. Дата публикации: 2009-04-16.

Hot stamping component and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220162722A1. Автор: Chang-Wook Lee,Yeon-Jung Hwang. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Liquid crystal display panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190072801A1. Автор: WU CAO. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-07.

Electromagnetically absorbing composition and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120295088A1. Автор: Tzu-Hao Ting. Владелец: R O C MILITARY ACADEMY. Дата публикации: 2012-11-22.

Pressure sensor and manufacture method thereof

Номер патента: US20150375988A1. Автор: Li-Tien Tseng,Yu-Hao Chien. Владелец: MIRAMEMS SENSING TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-31.

Method for patterning film layer, wire grid polarizer and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190204489A1. Автор: Hua Huang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-04.

Polyurethane fiber and spinneret therefor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240318355A1. Автор: Shi-Yang Chen,Chih-Yen Chiang,Min-Yung Huang. Владелец: Bright Cheers International Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Polyurethane fiber and spinneret therefor and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4435156A1. Автор: Shi-Yang Chen,Chih-Yen Chiang,Min-Yung Huang. Владелец: Bright Cheers International Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Ultrasonic endoscope and manufacturing method of ultrasonic endoscope

Номер патента: US12076187B2. Автор: Yasuhiko Morimoto,Tsuneo Fukuzawa. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Hydrogen sulfide sustained releasing dressing and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200237811A1. Автор: Chih-Yuan CHAO,Lie-Sian YAP,Yu-Pu Wang. Владелец: BenQ Materials Corp. Дата публикации: 2020-07-30.

Probe cleaning sheet and manufacture method thereof

Номер патента: US20240359293A1. Автор: Chun-Liang Chen,Li-Wen Hsu,Chih-Tang LEE. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-10-31.

Wire grid polarizer and manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US09952367B2. Автор: Yanbing WU,Chunyan JI,Yingyi LI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Electrode strip and sensor strip and manufacture method thereof and system thereof

Номер патента: US09880128B2. Автор: Ying-Che Huang,Ching-Yuan Chu,Lan-Hsiang Huang. Владелец: Apex Biotechnology Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Capsule cosmetics and manufacturing method thereof

Номер патента: US09717317B2. Автор: Jin Woo Kim,In Yong Chung. Владелец: CTK Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

In-cell self capacitive touch control display panel and manufacture method thereof

Номер патента: US09715303B2. Автор: Xiangyang Xu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Ultrasonic diagnostic instrument and manufacturing method thereof

Номер патента: US09642597B2. Автор: Jin Ho Gu,Won Hee Lee,Jae-Yk Kim. Владелец: Samsung Medison Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Fermented food improving bowel functions with stercoral removal efficiency and manufacturing method thereof

Номер патента: US09623064B2. Автор: Goo Whan KIM. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-04-18.

Optical waveguide structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09563015B1. Автор: Wei Lin,Chung-Yi Lin,Yi-Jen Chiu,Yi-Jhe CHEN. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2017-02-07.

Heat exchanger and manufacturing method thereof

Номер патента: US09551539B2. Автор: Gaku Hayase,Young Min Kim,Yong Hwa Choi,Doo Hee Lee,Young Gil Yeo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-24.

Flexible glass and manufacturing method thereof

Номер патента: US12024457B2. Автор: Ching-Fang Wong,Yu-Wei Liu,Wei-Lun Zeng,Kuan-Hua Liao. Владелец: CHENFENG OPTRONICS Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

New glass-linked reactor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170007979A1. Автор: Wenhua Zhu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-01-12.

Fire retardant laminated sheet and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030236041A1. Автор: Kyun-Kil Lee. Владелец: SEO HAN MELAMINE Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-25.

Herbaceous fiber and manufacturing method thereof and refiner manufacturing therefor

Номер патента: WO2009119956A1. Автор: Chan Oh PARK. Владелец: Chan Oh PARK. Дата публикации: 2009-10-01.

Ophthalmic lens and manufacturing method thereof

Номер патента: US10429671B2. Автор: Fan-Dan Jan. Владелец: BenQ Materials Corp. Дата публикации: 2019-10-01.

Calcium-containing graphite steel wire rod, graphite steel, and manufacturing and cutting method therefor

Номер патента: EP4421203A1. Автор: Sangwoo CHOI,Namsuk LIM. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

TFT-LCD, manufacturing method and driving method thereof

Номер патента: US8836902B2. Автор: Xiaoling Xu,Jaegeon You,Jianlei ZHU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-16.

Zinc-modified ferritic stainless steels and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140119976A1. Автор: Swe-Kai Chen. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2014-05-01.

High transmittance PSVA liquid crystal display panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US9785012B2. Автор: Xinhui Zhong. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Anti-fogging material and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220204804A1. Автор: Li-Ching WANG,Yuan-Yin Chen. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2022-06-30.

Contact lens and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4431564A1. Автор: Hsiu-Yi CHENG,Kuen-Tsan LEE. Владелец: Pegavision Corp. Дата публикации: 2024-09-18.

Tft-lcd, manufacturing method and driving method thereof

Номер патента: US20120105754A1. Автор: Xiaoling Xu,Jaegeon You,Jianlei ZHU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-03.

Multi-core fiber and manufacturing method thereof and multi-core fiber marker

Номер патента: US12105321B2. Автор: Anand Pandey,Ranjith Balakrishnan. Владелец: Sterlite Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Seamless elastic strap with forked structures and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240360603A1. Автор: YANG LU,Shilian LI. Владелец: Elastique Seamless Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Writable liquid crystal display device and manufacturing method, driving method thereof

Номер патента: US09990073B2. Автор: Junwei Wang,Yuxi Wang. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Glass-lined reactor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09975102B2. Автор: Wenhua Zhu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-22.

Refrigerator and manufacturing method thereof

Номер патента: US09970703B2. Автор: Ho Sang Park,Kwon Chul Yun,Kwang Hyuk Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

High transmittance PSVA liquid crystal display panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US09785012B2. Автор: Xinhui Zhong. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Micro electro mechanical system probe and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240174512A1. Автор: Ming-Wei Huang,Shang-Kuang Wu,Yu-Tsung Fu. Владелец: Taiwan Mask Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Casting product and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170016378A9. Автор: Chul Jun Youm,Jae Kwon Lee,Jong Hyuck Kim,Soon Hyon HWANG. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2017-01-19.

High-strength protective cloth with moisture permeability and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230050800A1. Автор: Hsing-Hsun LEE. Владелец: Quann Cheng International Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-16.

Paper box with wireless signal transmission component and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160010285A1. Автор: Chien-Kuan Kuo,Chun-Huang Huang. Владелец: Golden Arrow Printing Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-14.

Optical fiber cable with compressed core and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4206775A1. Автор: Vikash Shukla. Владелец: Sterlite Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-07-05.

Bending Part Coupling Assembly for the Endoscope Insertion Portion and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20090234191A1. Автор: Hideya Kitagawa,Kiyokazu Hosaka. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2009-09-17.

Liquid crystal panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130329178A1. Автор: Xinhui Zhong. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-12.

Algae fluorescence protein dry powder structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060258844A1. Автор: Jiunn-Ming Jeng,Chih-Yi Lu,Wen-Jen Yang. Владелец: Zen U Biotechnology Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-16.

Nanoparticle filtration membrane and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20230264147A1. Автор: Suman Sinha Ray,Kumar Natesaiyer,Terry Rosenstiel,Sumit Sinha Ray. Владелец: Cabomba LLC. Дата публикации: 2023-08-24.

Wiredrawing inflatable mattress and manufacturing method thereof

Номер патента: US12102236B1. Автор: Bowen Sha. Владелец: Shanghai Quluying Outdoor Products Co ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Directly injection-molded steering wheel damper and manufacturing method thereof

Номер патента: US12097649B2. Автор: Tae Ho YEO,Sang Ho SEOK,Sung Soo JIN. Владелец: AIA Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Optical waveguide composite material and manufacturing method thereof

Номер патента: NL2030672B1. Автор: Liu Di,ZHANG Baoying. Владелец: Xian Gaoqiang Insulation Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-04.

Curved liquid crystal display panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US09684210B2. Автор: YUAN Xiong. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Touch panel and manufacturing method thereof

Номер патента: US09619093B2. Автор: Kwan-Sin Ho,Yanjun Xie. Владелец: TPK Touch Solutions Xiamen Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Mesh assembly and manufacturing method thereof

Номер патента: RU2656549C2. Автор: Кхиль Суп Сим. Владелец: Кхиль Суп Сим. Дата публикации: 2018-06-05.

3d device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210199985A1. Автор: Yanfeng Wang,Xiao Sun,Hebin ZHAO,Yun Qiu,Weipin HU. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Thin film getter structure having miniature heater and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4074650A3. Автор: Tao Lu,Shinan Wang. Владелец: Shanghai Industrial Technology Research Institute. Дата публикации: 2022-10-26.

Silicon-germanium heterojunction bipolar transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: CN102034855B. Автор: 王雷. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-11.

Silicon germanium heterojunction bipolar transistor structure and method

Номер патента: TW200908317A. Автор: Oleg Gluschenkov,Rajendran Krishnasamy,Kathryn T Schonenberg. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2009-02-16.

SILICON-GERMANIUM HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120032233A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-02-09.

METHOD FOR MANUFACTURING SILICON-GERMANIUM HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR

Номер патента: US20120064688A1. Автор: Chen Fan,Zhou Zhengliang,Chen Xionbing. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-15.

SILICON-GERMANIUM HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR

Номер патента: US20120074465A1. Автор: Qian Wensheng,Chen Fan,Chen Xiongbin,Zhou Zhengliang. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-29.

SILICON-GERMANIUM HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR

Номер патента: US20120091509A1. Автор: Qian Wensheng,Liu Donghua. Владелец: . Дата публикации: 2012-04-19.

Double-layer solid wood floorboard and manufacturing and installing method thereof

Номер патента: CN103510682A. Автор: 陈建国. Владелец: Shanghai Zhubang Wood Industry Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-15.

Unit extensible type assembled metal gutter and manufacturing and installing method thereof

Номер патента: CN103422625A. Автор: 李春光,刘献文,杨时银,杨亚. Владелец: Jangho Group Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-04.

Improved sandwiched color-steel plate and manufacture and construction method thereof

Номер патента: CN105064602A. Автор: 吴耀荣. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-11-18.

Connector capable of realizing deep-sea hot plugging and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN101944678B. Автор: 康图强. Владелец: 康图强. Дата публикации: 2012-09-05.

Connector capable of realizing deep-sea live-wire insertion and extraction and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN101944678A. Автор: 康图强. Владелец: 康图强. Дата публикации: 2011-01-12.

Surface-mounted electronic device package structure and manufacturing and application methods thereof

Номер патента: CN104340516A. Автор: 弗兰克·魏. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-02-11.

Blank-filling bar code circle menu and manufacturing and interpreting methods thereof

Номер патента: CN101739580A. Автор: 吴坤荣,吴伊婷,黄景焕,郑维恒,简大为. Владелец: Chunghwa Telecom Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-16.

Automatic ordering and manufacturing system and method thereof

Номер патента: KR100561067B1. Автор: 김상현,오인환,송병래. Владелец: 주식회사 포스코. Дата публикации: 2006-03-16.

Image identifier capable of obtaining hidden information and manufacturing and reading method thereof

Номер патента: CN103295047A. Автор: 谢婧. Владелец: 谢婧. Дата публикации: 2013-09-11.

Arc diameter detector and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN101650149A. Автор: 宁杰,袁福吾,黄恭祝,覃洪东. Владелец: Guangxi Yuchai Machinery Co Ltd. Дата публикации: 2010-02-17.

Film transistor array substrate and manufacturing and repairing methods thereof

Номер патента: CN102213879A. Автор: 白国晓. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-12.

Dismantling-free stiffened composite template and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN103195238A. Автор: 张建华. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-07-10.

Cement concrete building solid phase filler surfactant and manufacturing and use methods thereof

Номер патента: CN104496246A. Автор: 熊敏. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-04-08.

Epoxy resin AB glue used in high-temperature environment and manufacturing and use methods thereof

Номер патента: CN104987849A. Автор: 张隽华,张向宇. Владелец: Zhuzhou Shilin Polymer Co ltd. Дата публикации: 2015-10-21.

Fibre strengthening resin structure material and manufacturing device and method thereof

Номер патента: CN101209588A. Автор: 本居孝治. Владелец: Sekisui Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-02.

Silicon-based silicon dioxide waveguide, and manufacturing and application methods thereof

Номер патента: CN103364873B. Автор: 张小平,张卫华,单欣岩,李铭晖. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-02-08.

Collosol counter stiffener and manufacturing equipment and method thereof

Номер патента: CN101849728A. Автор: 邱于建. Владелец: SHISHI TESI NON-WOVEN FABRICS GARMENT Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-06.

Spherical poultry-egg label and manufacturing and pasting methods thereof

Номер патента: CN103680305A. Автор: 王众. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-03-26.

Optical fiber coupler and manufacturing device and method thereof

Номер патента: TWI239413B. Автор: Li-Ming Liou,Jeng-Tsan Jou. Владелец: Coretech Optical Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-11.

Memory device with vertical transistor and trench capacitor and fabrication method thereof

Номер патента: TWI269433B. Автор: Neng-Tai Shih,Shian-Jyh Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2006-12-21.

Memory device with vertical transistor and trench capacitor and fabrication method thereof

Номер патента: TW200605328A. Автор: Neng-Tai Shih,Shian-Jyh Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2006-02-01.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SIGNAL TRANSMISSION DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Номер патента: US20120002923A1. Автор: Nakano Yoshiaki,Song Xueliang,Yit Foo Cheong,Wang Shurong,Horiguchi Katsumasa. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Organic Light Emitting Diode Display and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001185A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ANTI-REFLECTION DISPLAY WINDOW PANEL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002289A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001152A1. Автор: Kim Young Sun,KIM Ki Sung,KIM Gi Bum,KIM Tae Hun,SHIN Young Chul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

TRANSFLECTIVE TYPE LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001188A1. Автор: HAYASHI Masami. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120001885A1. Автор: Kim Na-Young,Kang Ki-Nyeng,Park Yong-Sung. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SPARK PLUG AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001533A1. Автор: . Владелец: NGK SPARK PLUG CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRIC DOUBLE LAYER CAPACITOR, LITHIUM ION CAPACITOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002348A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

CAPACITIVE TYPE HUMIDITY SENSOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120000285A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SURFACE MODIFICATION OF NANO-DIAMONDS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003479A1. Автор: . Владелец: INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2012-01-05.

Organic light emitting diode display and fabricating method thereof

Номер патента: US20120001206A1. Автор: Jeong Beung-Hwa,Kim Kwang-Nam,Jung Young-Ro,Ham Yun-Sik. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY HAVING TOUCH INPUT SENSING AND TOUCH SENSING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001865A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Tuyere for bottom gas metal purging in ladle and manufacturing method thereof

Номер патента: RU2373023C2. Автор: . Владелец: Завьялов Олег Александрович. Дата публикации: 2009-11-20.

Transport vehicle heater and manufacturing method thereof

Номер патента: RU2435335C1. Автор: Косиро ТАГУТИ. Владелец: Косиро ТАГУТИ. Дата публикации: 2011-11-27.

BIPOLAR TRANSISTOR HAVING SELF-ADJUSTED EMITTER CONTACT

Номер патента: US20120001192A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Electrode catheter and manufacturing method thereof

Номер патента: MY170678A. Автор: Onuma Tadatsugu,Osaki Ikuno. Владелец: Japan Lifeline Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-26.

SECONDARY BATTERY AND PRODUCTION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003512A1. Автор: SATO Yutaka,Tsunaki Takuro,Kohno Ryuji,HIRANO Fujio,Koseki Mitsuru. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.