SILICON-GERMANIUM HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
Номер патента: US20130140604A1
Опубликовано: 06-06-2013
Автор(ы): Chen Fan, CHIU Tzuyin, Duan Wenting, Hu Jun, Liu Donghua, Qian Wensheng, Shi Jing
Принадлежит: SHANGHAI HUA HONG NEC ELECTRONICS CO., LTD.
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 06-06-2013
Автор(ы): Chen Fan, CHIU Tzuyin, Duan Wenting, Hu Jun, Liu Donghua, Qian Wensheng, Shi Jing
Принадлежит: SHANGHAI HUA HONG NEC ELECTRONICS CO., LTD.
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Bipolar transistor comprising a raised collector pedestal for reduced capacitance
Номер патента: GB2497177A. Автор: Qizhi Liu,John Joseph Pekarik,David L Harame,James William Adkisson,John Joseph Ellis-Monaghan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-06-05.