Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Ic structure with air gap adjacent to gate structure and methods of forming same

Ic structure with air gap adjacent to gate structure and methods of forming same

Номер патента: US20200127109A1
Опубликовано: 23-04-2020
Автор(ы): Guowei Xu, Haiting Wang, Hui Zang
Принадлежит: Globalfoundries Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor structure with recessed source/drain structure and method for forming the same

Номер патента: US09922978B2. Автор: Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai,Ying-Keung Leung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor structure with enhanced contact and method of manufacture the same

Номер патента: US09647115B1. Автор: Sung-Li Wang,Meng-Chun Chang,Yasutoshi Okuno,Yi-Fang Pai,Cheng-Long Chen,Yusuke Oniki. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

FETs and methods of forming FETs

Номер патента: US12094761B2. Автор: Chii-Horng Li,Chien-I Kuo,Li-Li Su,Jung-Chi Tai,Yen-Ru LEE,Chien-Chang Su,Heng-Wen Ting,Ying-Wei Li,Che-Hui Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09905464B2. Автор: Chao-Hung Lin,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

FETS and methods of forming FETs

Номер патента: US09831116B2. Автор: Chii-Horng Li,Chien-I Kuo,Li-Li Su,Jung-Chi Tai,Yen-Ru LEE,Chien-Chang Su,Heng-Wen Ting,Ying-Wei Li,Che-Hui Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Structure and formation method of semiconductor device with gate stack

Номер патента: US20160049482A1. Автор: Yung-Tsun LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-18.

Structure and formation method of semiconductor device with metal gate stack

Номер патента: US20210119012A1. Автор: Li-Te Lin,Chansyun David Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Three-dimensional source contact structure and fabrication process method of making the same

Номер патента: US20240096981A1. Автор: Bing-Yue Tsui,Jui-Cheng Wang,Li-Tien Hsueh,Jui-Tse Hsiao. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2024-03-21.

Fin field-effect transistor device and method

Номер патента: US12125886B2. Автор: Ming-Huan Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Fin field-effect transistor device and method

Номер патента: US20240371946A1. Автор: Ming-Huan Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturiang Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Air spacer for a gate structure of a transistor

Номер патента: US20240347616A1. Автор: Yen-Ming Chen,Yen-Ting Chen,Feng-Cheng Yang,Tsung-Lin Lee,Wei-Yang Lee,Yi-Hsiu Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Strained-Induced Mobility Enhancement Nano-Device Structure and Integrated Process Architecture for CMOS Technologies

Номер патента: US20130109142A1. Автор: John Chen,Simon Yang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2013-05-02.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US11908906B2. Автор: HAO Zhang,Tiantian Zhang,Hailong Yu,Xuezhen JING,Jinhui MENG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Air spacer for a gate structure of a transistor

Номер патента: US11984489B2. Автор: Yen-Ming Chen,Yen-Ting Chen,Feng-Cheng Yang,Tsung-Lin Lee,Wei-Yang Lee,Yi-Hsiu Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Air spacer and method of forming same

Номер патента: US20240379820A1. Автор: Cheng-Chung Chang,Shiang-Bau Wang,Chen-Huang HUANG,Ming-Jhe Sie,Chia-Jen Chen,An Chyi Wei,Shao-Hua Hsu,Szu-Ping LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Non-planar quantum well device having interfacial layer and method of forming same

Номер патента: US09786786B2. Автор: Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Van H. Le,Willy Rachmady. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Three-dimensional source contact structure and fabrication process method of making the same

Номер патента: US20240096982A1. Автор: Bing-Yue Tsui,Jui-Cheng Wang,Li-Tien Hsueh,Jui-Tse Hsiao. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2024-03-21.

Gate spacer structure and method of forming same

Номер патента: US12062709B2. Автор: Tsung-Lin Lee,Liang-Yin Chen,Huicheng Chang,Wei-Ting Chien,Yi-Hsiu Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Air Spacer and Method of Forming Same

Номер патента: US20210408266A1. Автор: Cheng-Chung Chang,Shiang-Bau Wang,Chen-Huang HUANG,Ming-Jhe Sie,Chia-Jen Chen,An Chyi Wei,Shao-Hua Hsu,Szu-Ping LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

Air spacer and method of forming same

Номер патента: US12107149B2. Автор: Cheng-Chung Chang,Shiang-Bau Wang,Chen-Huang HUANG,Ming-Jhe Sie,Chia-Jen Chen,An Chyi Wei,Shao-Hua Hsu,Szu-Ping LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device structure with interconnect structure having air gap

Номер патента: US12068193B2. Автор: Shau-Lin Shue,Shao-Kuan Lee,Hsin-Yen Huang,Ting-Ya Lo,Chi-Lin Teng,Hsiao-Kang Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device structure with interconnect structure having air gap

Номер патента: US20240347381A1. Автор: Shau-Lin Shue,Shao-Kuan Lee,Hsin-Yen Huang,Ting-Ya Lo,Chi-Lin Teng,Hsiao-Kang Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230411489A1. Автор: Chun-Lung Chen,Chung-Yi Chiu,Kun-Chen Ho,Wen-Wen Zhang,Ming-Chou Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240355904A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Contact structures and methods of forming the same

Номер патента: US09620601B2. Автор: Chia-Lin Hsu,Yu-Hung Lin,Sheng-Hsuan Lin,Chih-Wei Chang,You-Hua Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20230154824A1. Автор: Chia-Che Chung,Ming-Tzong Yang,Hsien-Hsin Lin,Chee-Wee Liu,Wen-Kai Wan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-05-18.

Transistor structure with air gap and method of fabricating the same

Номер патента: US12040224B2. Автор: Ji Feng,Yunfei Li,Guohai ZHANG,Ching Hwa Tey. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Transistor structure with air gap and method of fabricating the same

Номер патента: US20240332067A1. Автор: Ji Feng,Yunfei Li,Guohai ZHANG,Ching Hwa Tey. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Methods of forming memory cells with air gaps and other low dielectric constant materials

Номер патента: US09679778B2. Автор: Minsoo Lee,Akira Goda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor structure with isolation region including combination of deep and shallow trench isolation structures and method

Номер патента: US20240313113A1. Автор: Hong Yu,James P. Mazza,Anton V. Tokranov,Elizabeth A. Strehlow,Eric Scott Kozarsky,Vitor A. Vulcano Rossi. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Gate structure and method of forming same

Номер патента: US20210074590A1. Автор: Chun Hsiung Tsai,Shahaji B. More,Chandrashekhar Prakash SAVANT. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Method of forming field effect transistors with replacement metal gates and contacts and resulting structure

Номер патента: US09911736B1. Автор: Hui Zang,Haigou Huang,Xiaofeng Qiu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Structure and method to form via to backside power rail without shorting to gate tip

Номер патента: US20240204008A1. Автор: Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li,Min Gyu Sung,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device with gate cut structure and method of forming the same

Номер патента: US20240363396A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Ching-Wei Tsai,Chun-Yuan Chen,Pei-Yu Wang,Yi-Hsun CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09905569B1. Автор: Dong-won Kim,Jae-Hwang Sim,Bong-Tae Park,Ho-Jun SEONG,Jung-Hoon Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Integrated circuit structure with backside dielectric layer having air gap

Номер патента: US11935781B2. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Che-Lun Chang,Yuan-Ching Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Integrated circuit structure with backside dielectric layer having air gap

Номер патента: US20240186180A1. Автор: Wei-Yang Lee,Chia-Pin Lin,Che-Lun Chang,Yuan-Ching Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Finfet structure with controlled air gaps

Номер патента: US20230386904A1. Автор: Hua Feng Chen,Kuo-Hua Pan,Min-Yann Hsieh,Wen-Che Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

FinFET structure with controlled air gaps

Номер патента: US11804402B2. Автор: Hua Feng Chen,Kuo-Hua Pan,Min-Yann Hsieh,Wen-Che Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240234540A1. Автор: Chao-Cheng Chen,Shih-Yao Lin,Yu-Shan Cheng,Hsiaowen Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device with gate cut structure and method of forming the same

Номер патента: US12057341B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Ching-Wei Tsai,Chun-Yuan Chen,Pei-Yu Wang,Yi-Hsun CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Methods of reducing parasitic capacitance in semiconductor devices

Номер патента: US12009263B2. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Sai-Hooi Yeong,Kai-Hsuan LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor device with graphene conductive structure and method for forming the same

Номер патента: US20220051936A1. Автор: Ching-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-17.

Structure and formation method of fin-like field effect transistor

Номер патента: US12087643B2. Автор: Chi-Cherng Jeng,Shiu-Ko Jangjian,Tzu-Kai LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Structure and formation method of fin-like field effect transistor

Номер патента: US20240363439A1. Автор: Chi-Cherng Jeng,Shiu-Ko Jangjian,Tzu-Kai LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Structure and formation method of fin-like field effect transistor

Номер патента: US20230253262A9. Автор: Chi-Cherng Jeng,Shiu-Ko Jangjian,Tzu-Kai LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Structure and formation method of fin-like field effect transistor

Номер патента: US20170076994A1. Автор: Chi-Cherng Jeng,Shiu-Ko Jangjian,Tzu-Kai LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-16.

Structure and formation method of fin-like field effect transistor

Номер патента: US20200266110A1. Автор: Chi-Cherng Jeng,Shiu-Ko Jangjian,Tzu kai Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-08-20.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230387200A1. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09748390B2. Автор: Ziwei Fang,Tsan-Chun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of removing a hard mask layer on a gate structure while forming a protective layer on the surface of a substrate

Номер патента: US09646889B1. Автор: Hsu Ting,Chun-Wei Yu,Chueh-Yang Liu,Yu-Ren Wang,Kuang-Hsiu Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor structure with strained source and drain structures and method for forming the same

Номер патента: US20160087037A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chang-Yin Chen,Mu-Tsang Lin,Tung-Wen CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-24.

Strained silicon on insulator structure and the fabrication method of the same

Номер патента: KR100601976B1. Автор: 박영수,선우문욱,타카시노구치. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-07-18.

Integrated circuit structure with niobium-based silicide layer and methods to form same

Номер патента: US20210249518A1. Автор: Wei Hong,Hong Yu,Yanping SHEN,Domingo A. Ferrer. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-08-12.

Ic structure with interface liner and methods of forming same

Номер патента: US20180033728A1. Автор: Xunyuan Zhang,Moosung M. CHAE. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-01.

Integrated circuit structure to reduce soft-fail incidence and method of forming same

Номер патента: US20200013678A1. Автор: Haiting Wang,Sipeng Gu,Scott H. Beasor,Sunil K. Singh,Xinyuan Dou,Akshey Sehgal,Ravi P. Srivastava. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Ic structure with interface liner and methods of forming same

Номер патента: US20180337126A1. Автор: Xunyuan Zhang,Moosung M. CHAE. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-11-22.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US09837490B2. Автор: Tae-Woo Jung,Hae-Jung Park,Jung-Taik Cheong,Yun-Je CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor structure and method for forming same

Номер патента: US20220293593A1. Автор: CAI Qiaoming,Ma Lisha. Владелец: Semiconductor Manufacturing North China Beijing Corp. Дата публикации: 2022-09-15.

Relaxed semiconductor layers with reduced defects and methods of forming the same

Номер патента: US09773906B2. Автор: Christopher Bowen,Mark S. Rodder,Wei-E Wang,Ganesh Hedge. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Method of forming contact hole and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20060134910A1. Автор: Pin-Yao Wang,Min-San Huang,Leon Lai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-22.

Semiconductor device structure with cap layer

Номер патента: US12107165B2. Автор: Yen-Ming Chen,Feng-Cheng Yang,Wei-Yang Lee,Feng-Ching Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US20230317821A1. Автор: Chien-Chih Chou,Yu-Chang Jong,Jhu-Min Song. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Air gap spacer for metal gates

Номер патента: US10553581B2. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Eric R. Miller,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE,Sean TEEHAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-04.

Air gap spacer for metal gates

Номер патента: US09608065B1. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Eric R. Miller,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE,Sean TEEHAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor devices having air spacers and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09847278B2. Автор: Bong-Soo Kim,Yoosang Hwang,Semyeong Jang,Jaehyoung Choi,Kyung-Eun KIM,Yongkwan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-19.

Integrated circuit structure with semiconductor devices and method of fabricating the same

Номер патента: US20200098755A1. Автор: Yan-Hsiu Liu,Wei-Lun Hsu,Ji-Fu Kung,Yung-Chien Kung,Ming-Tsung Yeh,Am-Tay Luy,Yao-Pi Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Method and IC structure for increasing pitch between gates

Номер патента: US09991167B2. Автор: Brian J. Greene,Chung-Hsun Lin,Arvind Kumar,Murshed M. Chowdhury. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Air gap spacer for metal gates

Номер патента: US20170352657A1. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Eric R. Miller,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE,Sean TEEHAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-07.

Air gap spacer for metal gates

Номер патента: US20200235094A1. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Eric R. Miller,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE,Sean TEEHAN. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2020-07-23.

Air gap spacer for metal gates

Номер патента: US20180158818A1. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Eric R. Miller,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE,Sean TEEHAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-07.

Air gap spacer for metal gates

Номер патента: US20180294263A1. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Eric R. Miller,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE,Sean TEEHAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-11.

Air gap spacer for metal gates

Номер патента: US20230352480A1. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Eric R. Miller,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE,Sean TEEHAN. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2023-11-02.

Air gap spacer for metal gates

Номер патента: US10607991B2. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Eric R. Miller,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE,Sean TEEHAN. Владелец: Tessera LLC. Дата публикации: 2020-03-31.

Air gap spacer for metal gates

Номер патента: US10043801B2. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Eric R. Miller,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE,Sean TEEHAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-07.

Fill Structures With Air Gaps

Номер патента: US20240250121A1. Автор: Yen Chuang,Min-Hao Hong,Hsiu-Yung LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Shallow trench isolation (STI) contact structures and methods of forming same

Номер патента: US12068368B2. Автор: Tai-Yuan Wang,Shu-Fang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Shallow trench isolation (sti) contact structures and methods of forming same

Номер патента: US20240355875A1. Автор: Tai-Yuan Wang,Shu-Fang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Alignment Structure for Semiconductor Device and Method of Forming Same

Номер патента: US20210257310A1. Автор: Chih-Han Lin,Kuei-Yu Kao,Li-Ting Chen,Chi-Sheng Lai,Wei-Chung Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Epitaxial source/drain structure and method of forming same

Номер патента: US12062720B2. Автор: Hsueh-Chang Sung,Kun-Mu Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Epitaxial Source/Drain Structure and Method of Forming Same

Номер патента: US20240363753A1. Автор: Hsueh-Chang Sung,Kun-Mu Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor structure and method of forming the structure

Номер патента: US20100112766A1. Автор: Kern Rim,Katsunori Onishi,Shreesh Narasimha,Yaocheng Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-05-06.

Semiconductor structures with body contact regions embedded in polycrystalline semiconductor material

Номер патента: US20220093744A1. Автор: Steven M. Shank,Michael Zierak,Siva P. Adusumilli,Yves Ngu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Semiconductor structure and preparation method therefor

Номер патента: EP4310889A1. Автор: Songmei Shen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-24.

Middle of line gate structures

Номер патента: US20200335619A1. Автор: Haiting Wang,Hui Zang,Yanping SHEN,Jiehui SHU. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2020-10-22.

Gate Structure, Semiconductor Device and the Method of Forming Semiconductor Device

Номер патента: US20190006483A1. Автор: Kei-Wei Chen,Chun-Hsiung Tsai,Chien-Tai CHAN,Kuo-Feng Yu,Ziwei Fang,Huai-Tei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-03.

Gate Structure, Semiconductor Device and the Method of Forming Semiconductor Device

Номер патента: US20200381529A1. Автор: Yu Kuo-Feng,Fang Ziwei,CHAN Chien-Tai,YANG Huai-Tei,Chen Kei-Wei,Tsai Chun-Hsiung. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-03.

Gate structure, semiconductor device and the method of forming semiconductor device

Номер патента: US11195931B2. Автор: Kei-Wei Chen,Chun-Hsiung Tsai,Chien-Tai CHAN,Kuo-Feng Yu,Ziwei Fang,Huai-Tei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-07.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240204085A1. Автор: Chun-Hsien Lin,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Chih-Wei Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US11908865B2. Автор: Zhen Tian,Da Huang,Yao QI DONG,Xiaowan DAI. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US20240203877A1. Автор: BO Su,Hailong Yu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Structure with buried doped region for coupling source line contact to gate structure of memory cell

Номер патента: EP4398311A1. Автор: Ralf Richter,Stefan Dunkel,Violetta Sessi. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-10.

Structure with buried doped region for coupling source line contact to gate structure of memory cell

Номер патента: US20240224515A1. Автор: Ralf Richter,Stefan Dunkel,Violetta Sessi. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Memory devices and method of forming same

Номер патента: US09978759B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Wei Cheng Wu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Gate structures in transistors and method of forming same

Номер патента: US12087587B2. Автор: Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Gate structures in transistors and method of forming same

Номер патента: US20240363351A1. Автор: Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Integrated circuit product with a multi-layer single diffusion break and methods of making such products

Номер патента: US20200243643A1. Автор: Hong Yu,Hui Zang,Jiehui SHU. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-07-30.

Memory devices and method of fabricating same

Номер патента: US09559177B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Wei Cheng Wu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20240063260A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Method of forming semiconductor device structure with gate structure

Номер патента: US20230275138A1. Автор: Tsung-Yu CHIANG,Yi-Ching Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09647127B2. Автор: XIANG Liu,Woobong Lee. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US20210280583A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-09-09.

Gate structures in transistors and method of forming same

Номер патента: US11916114B2. Автор: Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Gate Structures in Transistors and Method of Forming Same

Номер патента: US20240162303A1. Автор: Cheng-Lung Hung,Hsin-Yi Lee,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US09583592B2. Автор: Dong-Suk Shin,Pan-Kwi Park,Seok-jun Won,Weon-Hong Kim,Jae-gon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

GATE STRUCTURES IN TRANSISTORS AND METHOD OF FORMING SAME

Номер патента: US20220052162A1. Автор: Chui Chi On,Lee Hsin-Yi,Hung Cheng-Lung. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-17.

Gate Structures in Transistors and Method of Forming Same

Номер патента: US20220285159A1. Автор: Chui Chi On,Lee Hsin-Yi,Hung Cheng-Lung. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-08.

Radio frequency (rf) amplifier device on silicon-on-insulator (soi) and method for fabricating thereof

Номер патента: US20210375941A1. Автор: Timothy Lee. Владелец: Metamos Solutions. Дата публикации: 2021-12-02.

Low loss power device and method for fabricating thereof

Номер патента: US20210376146A1. Автор: Timothy Lee. Владелец: Metamos Solutions. Дата публикации: 2021-12-02.

Radio frequency (rf) switch device on silicon-on-insulator (soi) and method for fabricating thereof

Номер патента: US20210376148A1. Автор: Timothy Lee. Владелец: Metamos Solutions. Дата публикации: 2021-12-02.

Method of manufacturing semiconductor devices and a semiconductor device

Номер патента: US20240186185A1. Автор: Meng-Han LIN,Te-An Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Integrated circuits including replacement gate structures and methods for fabricating the same

Номер патента: US20160163824A1. Автор: Min-Hwa Chi,Xusheng Wu,Dong-woon Shin. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-09.

Semiconductor structures using replacement gate and methods of manufacture

Номер патента: US20130228835A1. Автор: Jeffrey P. Gambino,Kirk D. Peterson,Jed H. Rankin,John J. Ellis-Monaghan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-09-05.

Low loss power device and method for fabricating thereof

Номер патента: EP3916799A1. Автор: Timothy Lee. Владелец: Metamos Solutions Inc. Дата публикации: 2021-12-01.

Radio frequency (rf) switch device on silicon-on-insulator (soi) and method for fabricating thereof

Номер патента: EP3916798A1. Автор: Timothy Lee. Владелец: Metamos Solutions Inc. Дата публикации: 2021-12-01.

Structure and formation method of semiconductor device with metal gate stack

Номер патента: US20200343362A1. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Huiling Shang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210202739A1. Автор: Kuang-Chu Chen,Peng-Chan HSIAO,Han-YING LIU,Ching-San Wang. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2021-07-01.

Structure and Formation Method of Semiconductor Device with Fin Structures

Номер патента: US20210375697A1. Автор: Hsing-Hui Hsu,Po-Nien Chen,Yi-Hsuan CHUNG,Bo-Shiuan Shie,Chih-Yung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Structure and formation method of semiconductor device with fin structures

Номер патента: US11942375B2. Автор: Hsing-Hui Hsu,Po-Nien Chen,Yi-Hsuan CHUNG,Bo-Shiuan Shie,Chih-Yung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Structure and Formation Method of Semiconductor Device with Gate Stack

Номер патента: US20210028296A1. Автор: Che-Cheng Chang,Yi-Jen Chen,Sheng-Chi Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-28.

Manufacture method, high k dielectric structure and its manufacture method of semiconductor devices

Номер патента: CN107316809A. Автор: 黄晨,刘继文,陈光鑫,陈庆育,巫勇贤,许一如,黄一晨,许如. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-03.

Semiconductor structure(s) with extended source/drain channel interfaces and methods of fabrication

Номер патента: US09679990B2. Автор: Mitsuhiro Togo,Shesh Mani Pandey,Edmund Kenneth Banghart. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

POP structures with dams encircling air gaps and methods for forming the same

Номер патента: US09659918B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chen-Shien Chen,Chung-Shi Liu,Jiun Yi Wu,Dean Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Low capacitance finfet gate structure

Номер патента: US20150214325A1. Автор: Brent A. Anderson,Andres Bryant,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-07-30.

Lateral diffusion metal oxide semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230238457A1. Автор: Zong-Han Lin,Yi-Han Ye. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

GATE STRUCTURE, SEMICONDUCTOR DEVICE AND THE METHOD OF FORMING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170110550A1. Автор: Yu Kuo-Feng,Fang Ziwei,CHAN Chien-Tai,YANG Huai-Tei,Chen Kei-Wei,Tsai Chun-Hsiung. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-20.

Semiconductor device and method of forming same

Номер патента: US20240274606A1. Автор: Szu-Ying Chen,Yee-Chia Yeo,Li-Ting Wang,Sen-Hong Syue,Huicheng Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Field effect transistors and methods of forming same

Номер патента: US9559209B2. Автор: Samuel C. Pan,Chee Wee Liu,I-Hsieh Wong,Hung-Yu Yeh. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2017-01-31.

Field Effect Transistors and Methods of Forming Same

Номер патента: US20170098706A1. Автор: Samuel C. Pan,Chee Wee Liu,I-Hsieh Wong,Hung-Yu Yeh. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2017-04-06.

Field effect transistors and methods of forming same

Номер патента: US20160365457A1. Автор: Samuel C. Pan,Chee Wee Liu,I-Hsieh Wong,Hung-Yu Yeh. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2016-12-15.

Field effect transistors and methods of forming same

Номер патента: US09923093B2. Автор: Samuel C. Pan,Chee Wee Liu,I-Hsieh Wong,Hung-Yu Yeh. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09853021B1. Автор: Kun-Hsien Lee,Ling-Chun Chou,Kuan-Ti Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Integrated circuits including replacement gate structures and methods for fabricating the same

Номер патента: US09761691B2. Автор: Min-Hwa Chi,Xusheng Wu,Dong-woon Shin. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Memory structure and method for forming same

Номер патента: US20140291752A1. Автор: Jing Wang,Libin LIU,Renrong Liang. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-10-02.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20230290859A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Yi-Ruei JHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230411512A1. Автор: Masami Sawada,Akihiro Shimomura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20150194481A1. Автор: Erh-Kun Lai,Hang-Ting Lue,Guan-Ru Lee,An-Chyi Wei. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-09.

Memory arrays with a memory cell adjacent to a smaller size of a pillar having a greater channel length than a memory cell adjacent to a larger size of the pillar and methods

Номер патента: US20150249092A1. Автор: Koji Sakui,Peter Feeley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-09-03.

Field effect transistor structure and method of forming same

Номер патента: US09825172B2. Автор: Edward J. Nowak,Richard Q. Williams. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Wraparound contact surrounding source/drain regions of integrated circuit structures and method of forming same

Номер патента: US20200075738A1. Автор: Hui Zang,Laertis Economikos,Ruilong Xie,Shesh M. Pandey. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-03-05.

Gate structure of semiconductor device and method of forming same

Номер патента: US20240322016A1. Автор: Ru-Shang Hsiao,Ying Hsin Lu,Ying Ming Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Die and manufacturing method therefor, and chip packaging structure and manufacturing method therefor

Номер патента: US20230268299A1. Автор: Weiyuan Yang. Владелец: SIPLP Microelectronics Chongqing Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Microstructure device including a metallization structure with self-aligned air gaps and refilled air gap exclusion zones

Номер патента: US20100219534A1. Автор: Thomas Werner,Robert Seidel. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2010-09-02.

Structure and formation method of damascene structure

Номер патента: US09721836B2. Автор: Chia-Tien Wu,Jye-Yen Cheng,Tai-Yen PENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Structure and formation method of semiconductor device with magnetic element

Номер патента: US20200075448A1. Автор: Chen-Shien Chen,Hon-Lin Huang,Chin-Yu Ku,Wei-Li Huang,Chih-Hung Su,Kuang-Yi Wu,Chi-Cheng Chen,Chun-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Microstructure device including a metallization structure with self-aligned air gaps formed based on a sacrificial material

Номер патента: US20100301489A1. Автор: Thomas Werner,Robert Seidel. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2010-12-02.

Microstructure device including a metallization structure with self-aligned air gaps between closely spaced metal lines

Номер патента: US20100133648A1. Автор: Markus Nopper,Axel Preusse,Robert Seidel. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2010-06-03.

Semiconductor device and method

Номер патента: US20240096804A1. Автор: Chung-Hui Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

The interconnection structure and its manufacture method of a kind of integrated CNT and Graphene

Номер патента: CN106847790A. Автор: 李斌,严伟,李国元,周长见. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2017-06-13.

Structure and formation method of chip package with fan-out feature

Номер патента: US11784091B2. Автор: Cheng-Lin Huang,Jung-Hua Chang,Ling-Wei Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

FET with air gap spacer for improved overlap capacitance

Номер патента: US09508810B1. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Multi-gate field-effect transistors and methods of forming the same

Номер патента: US12087633B2. Автор: Shih-Hao Lin,Chih-Chuan Yang,Ping-Wei Wang,Chia-Hao Pao,Kuo-Hsiu Hsu,Shang-Rong Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Diffusion break forming after source/drain forming and related IC structure

Номер патента: US09917103B1. Автор: George R. Mulfinger,Jin Z. Wallner. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Non-volatile split gate memory cells with integrated high K metal gate, and method of making same

Номер патента: US09634019B1. Автор: FENG Zhou,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Xian Liu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

MOSFET device structure with air-gaps in spacer and methods for forming the same

Номер патента: US11855170B2. Автор: Po-Jen Wang,Kun-Tsang Chuang,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Mosfet device structure with air-gaps in spacer and methods for forming the same

Номер патента: US20210305396A1. Автор: Po-Jen Wang,Kun-Tsang Chuang,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Mosfet device structure with air-gaps in spacer and methods for forming the same

Номер патента: US20240079471A1. Автор: Po-Jen Wang,Kun-Tsang Chuang,Gulbagh SINGH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Integrated circuit structure with insulated memory device and related methods

Номер патента: US09825041B1. Автор: Byeong Y. Kim,William L. Nicoll. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

FinFET Device and Method of Forming Same

Номер патента: US20190131176A1. Автор: Ying Ting Hsia,Yi-Wei Chiu,Chih-Shan Chen,Chih-Teng Liao,Tzu-Chan Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-02.

Nanosheet field-effect transistor device and method of forming

Номер патента: US20240297237A1. Автор: Yung-Cheng Lu,Chi On Chui,Che-Hao Chang,Wen-Kai Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

FinFET device and method of forming same

Номер патента: US09812363B1. Автор: Ying Ting Hsia,Yi-Wei Chiu,Chih-Shan Chen,Chih-Teng Liao,Tzu-Chan Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Forming two portion spacer after metal gate and contact formation, and related ic structure

Номер патента: US20200303261A1. Автор: Hui Zang,Yanping SHEN,Jiehui SHU. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-09-24.

Vertical field-effect transistor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20240170338A1. Автор: Min Gyu Kim,Hwi Chan Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Vertical field-effect transistor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20220165623A1. Автор: Min Gyu Kim,Hwi Chan Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-26.

Nanocrystal silicon layer structures formed using plasma deposition technique, methods of forming the same, nonvolatile memory devices having the nanocrystal silicon layer structures, and methods of fabricating the nonvolatile memory devices

Номер патента: US8110485B2. Автор: SUNG Wook Jung,Kyung Soo Jang,Jae Hyun Cho,Byoung Deog Choi,Jun Sin Yi. Владелец: Sungkyunkwan University Foundation For Corporate Collaboration. Дата публикации: 2012-02-07.

Method of forming epitaxial features

Номер патента: US12068318B2. Автор: Yung Feng Chang,Bao-Ru Young,Tung-Heng Hsieh,Ming-Yang Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

FinFET semiconductor structures and methods of fabricating same

Номер патента: US09812336B2. Автор: Michael Ganz,Sruthi Muralidharan,Bingwu Liu,Johannes Marinus VAN MEER. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of manufacturing semiconductor structure including a planarization and semiconductor structure thereof

Номер патента: US20240347379A1. Автор: Ying-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Method of manufacturing semiconductor structure including a planarization and semiconductor structure thereof

Номер патента: US20240347378A1. Автор: Ying-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Method of manufacturing semiconductor structure including nitrogen treatment and semiconductor structure thereof

Номер патента: US20240347448A1. Автор: Ying-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Structure and formation method of semiconductor device with embedded capacitor

Номер патента: US20160064385A1. Автор: Chun-Sheng Wu,Chun-Li Lin,Yung-Tsun LIU,Yi-Fang LI,Geng-Shuoh Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

Method of manufacturing semiconductor structure including nitrogen treatment

Номер патента: US20240347449A1. Автор: Ying-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

method of of forming interconnection lines in a semiconductor memory device

Номер патента: KR100558493B1. Автор: 나영섭. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-03-07.

Structure and formation method of semiconductor device with conductive bumps

Номер патента: US11854964B2. Автор: Ming-Da Cheng,Po-Hao Tsai,Wei-Hung Lin,Hui-min Huang,Yung-Sheng Lin,Chang-Jung Hsueh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor structure and forming method of semiconductor structure

Номер патента: US20220037329A1. Автор: Yachao Xu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Sloped finFET with methods of forming same

Номер патента: US10629703B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-21.

Sloped finfet with methods of forming same

Номер патента: US20180158924A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-07.

Sloped finfet with methods of forming same

Номер патента: US20180138286A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-17.

Sloped finFET with methods of forming same

Номер патента: US09985112B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device with air gaps and method for fabricating the same

Номер патента: US09786598B2. Автор: Eun-Jeong Kim,Jin-Yul Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US20150364564A1. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-17.

Integrated circuit structure without gate contact and method of forming same

Номер патента: US20180061976A1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang,Manfred J. Eller,Jerome J. B. Ciavatti. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

Integrated circuit structure without gate contact and method of forming same

Номер патента: US09842927B1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang,Jerome J. B. Ciavatti,Manfred J Eller. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Split-gate memory device and method of forming same

Номер патента: US20220310845A1. Автор: Tao Yu,Binghan Li. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-09-29.

Split-gate memory device and method of forming same

Номер патента: US11728438B2. Автор: Tao Yu,Binghan Li. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-08-15.

Source/drain spacer with air gap in semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US11837631B2. Автор: Chang-Miao Liu,Ming-Lung Cheng,Ko-Cheng Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Structure and Method for High-Voltage Device

Номер патента: US20240274669A1. Автор: Cheng-Chien Li,Huei-Shan Wu,YuYing Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Fabrication of vertical field effect transistor structure with strained channels

Номер патента: US09755073B1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09748256B2. Автор: Wang Xiang,Zhen Chen,Yi-Shan Chiu,Shen-De Wang,Wei-Chang Liu,Wei Ta. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20170077110A1. Автор: Wang Xiang,Zhen Chen,Yi-Shan Chiu,Shen-De Wang,Wei-Chang Liu,Wei Ta. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Methods, structures and devices for intra-connection structures

Номер патента: US09721956B2. Автор: Feng-Ming Chang,Kuo-Hsiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240312992A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Ta-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Method, structures and devices for intra-connection structures

Номер патента: US11943908B2. Автор: Feng-Ming Chang,Kuo-Hsiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Methods, structures and devices for intra-connection structures

Номер патента: US10276580B2. Автор: Feng-Ming Chang,Kuo-Hsiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-30.

Methods, structures and devices for intra-connection structures

Номер патента: US20150333073A1. Автор: Feng-Ming Chang,Kuo-Hsiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-11-19.

Methods, Structures and Devices for Intra-Connection Structures

Номер патента: US20240196585A1. Автор: Feng-Ming Chang,Kuo-Hsiu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20130214340A1. Автор: Shih-Hung Chen,Hang-Ting Lue,Yen-Hao Shih. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-22.

Structure and formation method of package structure with stacked semiconductor dies

Номер патента: US20200035618A1. Автор: Szu-Wei Lu,Chin-Chuan Chang,Yi-Chao Mao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

Method for manufacturing memory device having word line surrounding gate structure

Номер патента: US20240023322A1. Автор: Szu-Yao Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Memory device having word line surrounding gate structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240023321A1. Автор: Szu-Yao Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Integrated circuit structure with metal crack stop and methods of forming same

Номер патента: US09589911B1. Автор: Stephen E. Greco,Atsushi Ogino,Roger A. Quon,Jim S. Liang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor devices including an air gap adjacent to an interconnect structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240347380A1. Автор: Anthony Jeremy Villalon. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Interconnect structure and methods of forming the same

Номер патента: US12094764B2. Автор: Shau-Lin Shue,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang,Ting-Ya Lo,Chi-Lin Teng,Cherng-Shiaw Tsai,Kuang-Wei Yang,Hsiao-Kang Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Formation of IC structure with pair of unitary metal fins

Номер патента: US09570394B1. Автор: Xunyuan Zhang,Errol Todd Ryan,Nicholas V. LiCausi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Conductive line structures and methods of forming the same

Номер патента: US9318419B2. Автор: Jung-Dal Choi,Seong-Min Jo,Joon-Hee Lee,Sok-Won LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-04-19.

Method of Forming an Interconnect Structure Having an Air Gap and Structure Thereof

Номер патента: US20230275025A1. Автор: Hung-Wen Su,Chih-Chien Chi,Szu-Ping Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Method of forming an interconnect structure having an air gap and structure thereof

Номер патента: US09917058B2. Автор: Hung-Wen Su,Chih-Chien Chi,Szu-Ping Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device including air gaps and method of fabricating the same

Номер патента: US09627253B2. Автор: Min-ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240312835A1. Автор: Shau-Lin Shue,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang,Ting-Ya Lo,Chi-Lin Teng,Hsiaokang CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Integrated circuit structure including power rail and tapping wire with method of forming same

Номер патента: US20180182675A1. Автор: Jongwook Kye,Wenhui Wang,Jia ZENG,Xuelian ZHU. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-06-28.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US12033889B2. Автор: Shau-Lin Shue,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang,Ting-Ya Lo,Chi-Lin Teng,Hsiaokang CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: EP3945557A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-02.

Method for preparing semiconductor device structure with air gap

Номер патента: US20220059398A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Air-Gap Containing Metal Interconnects

Номер патента: US20200273743A1. Автор: Chih-Chao Yang,Koichi Motoyama,Kisik Choi,Kenneth C. K. Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-27.

Semiconductor device structure with air gap and method for forming the same

Номер патента: US20210090939A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US12046507B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device structure having air gap and methods of forming the same

Номер патента: US20230386901A1. Автор: Shau-Lin Shue,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang,Ting-Ya Lo,Chi-Lin Teng,Hsiaokang CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240355671A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240250017A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Gate stack for integrated circuit structure and method of forming same

Номер патента: US09748235B2. Автор: Joyeeta Nag,Shafaat Ahmed,Murshed M. Chowdhury,Shahrukh A. Khan,Mohammad Hasanuzzaman,Benjamin G. Moser,Aritra Dasgupta. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Interconnect structure and method of forming the same

Номер патента: US09564397B2. Автор: Shau-Lin Shue,Tien-I Bao,Cheng-Hsiung Tsai,Chung-Ju Lee,Hai-Ching Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US12062612B2. Автор: Ming-Han Lee,Shin-Yi Yang,Shu-Wei LI,Guanyu Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240363534A1. Автор: Ming-Han Lee,Shin-Yi Yang,Shu-Wei LI,Guanyu Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Interconnect structures and methods of forming same

Номер патента: US09935070B2. Автор: Chung-Shi Liu,Hsien-Wei Chen,Wen-Hsiung LU,Ming-Da Cheng,Tsung-Yuan Yu,Hsuan-Ting Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Finfet device and method of forming same

Номер патента: US20240379853A1. Автор: Shih-Chieh Chang,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Non-volatile memory with flat cell structures and air gap isolation

Номер патента: US09698149B2. Автор: Yuan Zhang,James Kai,Henry Chien,Vinod Robert Purayath,George Matamis. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor devices and methods of forming same

Номер патента: US09576892B2. Автор: Chih-Chien Chi,Huang-Yi Huang,Szu-Ping Tung,Ching-Hua Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same

Номер патента: US09490325B2. Автор: Keith Doran Weeks. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device structure with air gap

Номер патента: US20210366762A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor device structure integrating air gaps and methods of forming the same

Номер патента: US12068372B2. Автор: Kuan-Lun Cheng,Wen-Hsing Hsieh,Chih-Ching Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device structure with air gap

Номер патента: US12087620B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor interconnection structure and methods of forming the same

Номер патента: US12068248B2. Автор: Shau-Lin Shue,Shao-Kuan Lee,Cheng-Chin Lee,Hsin-Yen Huang,Ting-Ya Lo,Chi-Lin Teng,Hsiaokang CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09583423B2. Автор: Woo Yung Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Integrated circuit structure with thinned contact

Номер патента: US20150123213A1. Автор: Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Hsien-Cheng WANG,Hsin-Ying Lin,Audrey Hsiao-Chiu HSU,Shih-Wen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-05-07.

Integrated circuit structure with flourescent material, and related methods

Номер патента: US20220375871A1. Автор: Vibhor Jain,Sebastian T. Ventrone,Siva P. Adusumilli,Sunil K. Singh,Johnatan A. Kantarovsky,Yves T. Ngu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-11-24.

Structure and method of forming a semiconductor device with resistive elements

Номер патента: US12074107B2. Автор: Wen-Sheh Huang,Yung-Shih Cheng,Hong-Wei Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Structure and method of forming a semiconductor device with resistive elements

Номер патента: US20240371757A1. Автор: Wen-Sheh Huang,Yung-Shih Cheng,Hong-Wei Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

BEOL vertical fuse formed over air gap

Номер патента: US09997454B2. Автор: Christopher J. Penny,Marc A. Bergendahl,James J. Demarest,Christopher J. Waskiewicz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device structure having air gap and method for forming the same

Номер патента: US20210265218A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Cheng-Chi Chuang,Yu-Ming Lin,Chia-Lin Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

POP Structures with Dams Encircling Air Gaps and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20160163683A1. Автор: Liu Chung-Shi,Yu Chen-Hua,Chen Chen-Shien,WU Jiun Yi,Wang Dean. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-09.

Microstructure device including a metallization structure with self-aligned air gaps between closely spaced metal lines

Номер патента: WO2009154696A2. Автор: Thomas Werner,Frank Feustel,Kai Frohberg. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2009-12-23.

Structure and formation method of dual damascene structure

Номер патента: US20200294849A1. Автор: Jyu-Horng Shieh,Tai-Yen PENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

A nand flash memory array having a pillar structure and a fabricating method of the same

Номер патента: KR100777016B1. Автор: 박병국,조성재. Владелец: 재단법인서울대학교산학협력재단. Дата публикации: 2007-11-16.

Integrated circuit structure with stepped epitaxial region

Номер патента: US20180366372A1. Автор: Steven Bentley,Puneet H. Suvarna,Mark V. Raymond,Peter M. Zeitzoff. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-12-20.

Integrated circuit structure with methods of electrically connecting same

Номер патента: US09659941B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Structure with inductor embedded in bonded semiconductor substrates and methods

Номер патента: US20240145382A1. Автор: Jagar Singh,Ravi P. Srivastava. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor structures with pair(s) of vertical field effect transistors, each pair having a shared source/drain region and methods of forming the structures

Номер патента: US20150221767A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-08-06.

Devices with gate-to-gate isolation structures and methods of manufacture

Номер патента: US20130164910A1. Автор: Jed H. Rankin,Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-06-27.

Devices with gate-to-gate isolation structures and methods of manufacture

Номер патента: US20120086078A1. Автор: Jed H. Rankin,Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-04-12.

Semiconductor structures with pair(s) of vertical field effect transistors, each pair having a shared source/drain region and methods of forming the structures

Номер патента: US20150243765A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: GlobalFoundries US 2 LLC. Дата публикации: 2015-08-27.

Semiconductor device having a shallow trench isolation structure and methods of forming the same

Номер патента: US09953861B2. Автор: Chun-Sheng Wu,Chun-Li Lin,Ding-I Liu,Po-Hsiung Leu,Yi-Fang LI,Geng-Shuoh Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Integrated circuit features with obtuse angles and method of forming same

Номер патента: US12087715B2. Автор: Yen-Sen Wang,Shu-Wei Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Integrated circuit features with obtuse angles and method of forming same

Номер патента: US20240363561A1. Автор: Yen-Sen Wang,Shu-Wei Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Integrated circuit structure and method of forming the same

Номер патента: US09786592B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Jeng-Shyan Lin,Hsun-Ying Huang,Min-Feng KAO,Hsing-Chih LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Structure and device including metal carbon nitride layer and method of forming same

Номер патента: US20230238243A1. Автор: Dong Li,Petri Raisanen,Yasiel Cabrera,Mojtaba Samiee. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-07-27.

Recessed contacts at line end and methods forming same

Номер патента: US12107007B2. Автор: Jyun-De Wu,Yi-Chen Wang,Yi-Chun Chang,Te-Chih Hsiung,Yuan-Tien Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Wafer level package structure and method of forming same

Номер патента: US09870946B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chien-Hsun Lee,Mirng-Ji Lii,Kuo-Chung Yee,Jiun Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device with air gap and method of fabricating the same

Номер патента: US09627252B2. Автор: Myung-Ok Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Redistribution layer metallic structure and method

Номер патента: US12040293B2. Автор: Yen-Yu Chen,Chih-Wei Lin,Wen-hao Cheng,Chun-Chih Lin,Sheng-Wei YEH,Shih Wei Bih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Apparatuses including stair-step structures and methods of forming the same

Номер патента: US09870990B2. Автор: Michael A. Smith,Eric H. Freeman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Interconnects for stacked non-volatile memory device and method

Номер патента: US20120112155A1. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2012-05-10.

Air-gap top spacer and self-aligned metal gate for vertical fets

Номер патента: US09735246B1. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Method of forming an air gap semiconductor structure with selective cap bilayer

Номер патента: US09711455B2. Автор: Elbert E. Huang,Stephen M. Gates,Christopher J. Penny,Deepika Priyadarshini,Dimitri R. Kioussis. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Electronic devices comprising air gaps adjacent to bitlines and related methods and systems

Номер патента: US20220157354A1. Автор: Mithun Kumar RAMASAHAYAM,Michael J. Gossman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Electronic devices comprising air gaps adjacent to bitlines and related methods and systems

Номер патента: WO2022103526A1. Автор: Mithun Kumar RAMASAHAYAM,Michael J. Gossman. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-05-19.

Electronic devices comprising air gaps adjacent to bitlines

Номер патента: US20230081678A1. Автор: Mithun Kumar RAMASAHAYAM,Michael J. Gossman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-16.

Integrated Circuit Interconnect Structures with Air Gaps

Номер патента: US20220157720A1. Автор: Li-Lin Su,Tai-I Yang,Cheng-Chi Chuang,Yung-Hsu WU,Hsin-Ping Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor package with air gap and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210343668A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-04.

Integrated circuit interconnect structures with air gaps

Номер патента: US12062611B2. Автор: Li-Lin Su,Tai-I Yang,Cheng-Chi Chuang,Yung-Hsu WU,Hsin-Ping Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor structure and method of forming semiconductor structure

Номер патента: US20240266289A1. Автор: JISONG Jin. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Self-aligned inner spacer on gate-all-around structure and methods of forming the same

Номер патента: US11749742B2. Автор: Pang-Yen Tsai,Pei-Wei Lee,Tsungyu Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Method of fabricating an integrated circuit device

Номер патента: US09564509B2. Автор: Ming-Hsi Yeh,Chi-Ming Yang,Chin-Hsiang Lin,Hsien-Hsin Lin,Yi-Fang Pai,Ying-Hsueh Chang Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Method of fabricating an integrated circuit device

Номер патента: US20150118807A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Chi-Ming Yang,Chin-Hsiang Lin,Hsien-Hsin Lin,Yi-Fang Pai,Ying-Hsueh Chang Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-04-30.

Semiconductor Structure With Contact Structure and Manufacturing Method of the Same

Номер патента: US20120104542A1. Автор: Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-03.

Semiconductor structure with contact structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US8492216B2. Автор: Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-23.

STRUCTURE AND A MANUFACTURING METHOD OF A MOSFET WITH AN ELEMENT OF IVA GROUP ION IMPLANTATION

Номер патента: US20200035810A1. Автор: Wang Sheng-Hong,Huang Chih-Fang,JIANG Jheng-Yi,HUNG Jia-Qing. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-30.

Integrated circuit with electrical fuse and method of forming the same

Номер патента: US20170062335A1. Автор: Chan-Hong Chern,Fu-Lung Hsueh,Kuoyuan (Peter) Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-02.

Semiconductor structure with integrated passive structures

Номер патента: US09768195B2. Автор: Arvind Kumar,Renee T. Mo,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

High electron mobility transistor and method for forming the same

Номер патента: US20240355920A1. Автор: Po-Yu YANG,Hsun-Wen Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09768266B2. Автор: Toshiro Nakanishi,Hanmei Choi,Kihyun Hwang,Sunghoi Hur,Juyul Lee,Kwang Soo SEOL,Chanjin Park,Wansik Hwang,Kwangmin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09564499B2. Автор: Toshiro Nakanishi,Ki-Hyun Hwang,Kwang-Soo Seol,Hanmei Choi,Sunghoi Hur,Chanjin Park,Wansik Hwang,Kwangmin Park,Ju-Yul Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

High electron mobility transistor and method for forming the same

Номер патента: US12051740B2. Автор: Po-Yu YANG,Hsun-Wen Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

High electron mobility transistor and method for forming the same

Номер патента: US20220376100A1. Автор: Po-Yu YANG,Hsun-Wen Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-11-24.

Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US11888042B2. Автор: Toshiro Nakanishi,Hanmei Choi,Kihyun Hwang,Sunghoi Hur,Juyul Lee,Kwang Soo SEOL,Chanjin Park,Wansik Hwang,Kwangmin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-30.

Structure and method for low vss resisitance and reduced dibl in a floating gate memory cell

Номер патента: WO2005074018A1. Автор: Yu Sun,Hiroyuki Ogawa,Timothy Thurgate,Richard Fastow,Kazuhiro Mizutani,Hiroyuki Kinoshita,Kuo-Tung Chang,Shenqing Fang,Angela T. Hui,Kelwin Ko. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2005-08-11.

Vertical non-volatile memory devices having a multi-stack structure with enhanced photolithographic alignment characteristics

Номер патента: US11895827B2. Автор: Dongseog EUN,Youngjin Kwon,Giyong Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-06.

Vertical non-volatile memory devices having a multi-stack structure with enhanced photolithographic alignment characteristics

Номер патента: US20240138141A1. Автор: Dongseog EUN,Youngjin Kwon,Giyong Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Vertical non-volatile memory devices having a multi-stack structure with enhanced photolithographic alignment characteristics

Номер патента: US20220199626A1. Автор: Dongseog EUN,Youngjin Kwon,Giyong Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-23.

Semiconductor device structure with air gap structure and method for preparing the same

Номер патента: US20210351140A1. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Integrated circuit structure having deep trench capacitor and through-silicon via and method of forming same

Номер патента: US09966310B1. Автор: Anthony K. Stamper,John A. Fitzsimmons,Mukta G. Farooq. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Integrated circuit structure having deep trench capacitor and through-silicon via and method of forming same

Номер патента: US09892970B2. Автор: Anthony K. Stamper,John A. Fitzsimmons,Mukta G. Farooq. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Junction field effect transistor structure with p-type silicon germanium or silicon germanium carbide gate(s) and method of forming the structure

Номер патента: US20120168820A1. Автор: Xuefeng Liu,Richard A. Phelps,Robert M. Rassel,Xiaowei Tian. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

Integrated Assemblies and Methods of Forming Integrated Assemblies

Номер патента: US20230215947A1. Автор: Marcello Mariani,Giorgio Servalli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-06.

Semiconductor package and method of forming same

Номер патента: US20240258263A1. Автор: Jun He,Ching-Pin Lin,Li-Hsien HUANG,Yao-Chun Chuang,SyuFong Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor Package and Method of Forming Same

Номер патента: US20230045422A1. Автор: Jun He,Ching-Pin Lin,Li-Hsien HUANG,Yao-Chun Chuang,SyuFong Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Semiconductor packaging structure and method of forming the same

Номер патента: US20190319010A1. Автор: Boo Yang Jung,Jason Au. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2019-10-17.

Methods of making integrated circuits including conductive structures through substrates

Номер патента: US09773701B2. Автор: Ku-Feng Yang,Wen-Chih Chiou,Yuan-Hung Liu,Hsin-Yu Chen,Tsang-Jiuh Wu,Ming-Tsu Chung,Pei-Ching Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Fabrication of semiconductor devices with air gaps for ultra low capacitance interconnection structures

Номер патента: EP1352421A2. Автор: Clifford Lee Henderson,Paul Albert Kohl,Sue Ann Bidstrup Allen,Dhananjay M. Bhusari,Hollie Anne Reed. Владелец: Georgia Tech Research Institute. Дата публикации: 2003-10-15.

Fabrication of semiconductor devices with air gaps for ultra low capacitance interconnection structures

Номер патента: EP1352421B1. Автор: Clifford Lee Henderson,Paul Albert Kohl,Sue Ann Bidstrup Allen,Dhananjay M. Bhusari,Hollie Ann Kelleher. Владелец: Georgia Tech Research Institute. Дата публикации: 2009-11-25.

Method of minimizing via sidewall damages during dual damascene trench reactive ion etching in a via first scheme

Номер патента: SG151170A1. Автор: Hermann Wendt,Ravi Prakash Srivastava,Kaushik A Kumar,Nicholson M Lee. Владелец: Infineon Technologies Corp. Дата публикации: 2009-04-30.

Method of forming a semiconductor device with air gaps for low capacitance interconnects

Номер патента: US20220130723A1. Автор: Kandabara Tapily. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Method of minimizing via sidewall damages during dual damascene trench reactive ion etching in a via first scheme

Номер патента: SG170038A1. Автор: Hermann Wendt,Ravi Prakash Srivastava,Kaushik A Kumar,Nicholson M Lee. Владелец: Globalfoundries Sg Pte Ltd. Дата публикации: 2011-04-29.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US20210134808A1. Автор: Sang-Soo Park,Tae-Hyeok Lee,Chan-bae Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-05-06.

IC structure with angled interconnect elements

Номер патента: US09754911B2. Автор: Charles H. Wilson,Richard S. Graf,David J. West. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Conformal titanium silicon nitride-based thin films and methods of forming same

Номер патента: US20220301928A1. Автор: Hae Young Kim,Bunsen B. Nie,Hyunchol Cho,Ajit Dhamdhere. Владелец: Eugenus Inc. Дата публикации: 2022-09-22.

Controlled air gap formation

Номер патента: US20140248754A1. Автор: Abhijit Basu Mallick,Nitin K. Ingle,Jingjing Xu,Pravin K. Narwankar,Joe Griffith Cruz,Kiran V. Thadani. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-09-04.

Method of forming a gate electrode, method of manufacturing a semiconductor device having the gate electrode, and method of oxidizing a substrate

Номер патента: US20040092090A1. Автор: Eun-Jung Yun,Kong-Soo Lee,Yong-woo Hyung,Jae-jong Han,Seung-Mok Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-05-13.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240371865A1. Автор: Kong-Beng Thei,Fu-Jier Fan,Chien-Chih Chou,Jhu-Min Song. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Package structure with reinforcing structures

Номер патента: US20240332214A1. Автор: Ming-Chih Yew,Shin-puu Jeng,Yu-Sheng Lin,Po-Yao Lin,Po-Chen LAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200227531A1. Автор: Wang Xiang,Chia-Ching Hsu,Shen-De Wang,Chun-Sung Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

Structure and formation method of chip package with reinforcing structures

Номер патента: US12040285B2. Автор: Ming-Chih Yew,Shin-puu Jeng,Yu-Sheng Lin,Po-Yao Lin,Po-Chen LAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Structure and formation method of package structure with underfill

Номер патента: US20200203186A1. Автор: Shang-Yun Hou,Sung-Hui Huang,Kuan-Yu Huang,Jui-Hsieh LAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-06-25.

Package structure and packaging method of wafer level chip scale package

Номер патента: US20150262843A1. Автор: Chih-Cheng Hsieh,Hsiu-wen Hsu,Chun-Ying Yeh,Chung-Ming Leng. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-17.

Structure and formation method of chip package with through vias

Номер патента: US20210066179A1. Автор: Cheng-Lin Huang,Jung-Hua Chang,Ling-Wei Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Structure and formation method of package with underfill

Номер патента: US11784130B2. Автор: Shin-puu Jeng,Yu-Sheng Lin,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh,Chin-Hua Wang,Che-Chia Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Structure and formation method of chip package with protective lid

Номер патента: US11764118B2. Автор: Chen-Shien Chen,Wen-Yi Lin,Chien-Chen Li,Kuang-Chun Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Gate Structure, Semiconductor Device and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20140015068A1. Автор: Yin Huaxiang,Yang Hong,Wang Wenwu,MA Xueli,Yan Jiang. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-16.

Gate structure, semiconductor component, and methods for forming both

Номер патента: WO2014012264A1. Автор: 杨红,王文武,马雪丽,殷华湘,闫江. Владелец: 中国科学院微电子研究所. Дата публикации: 2014-01-23.

Semiconductor memory device with air gaps for reducing current leakage

Номер патента: US20230189500A1. Автор: Chun-Heng Wu,Jen-I Lai,Jr-Chiuan Wang,Hao-Chan Lo,Hsing-Han Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor device with air gaps between metal gates and method of forming the same

Номер патента: US12100625B2. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Wei-Lun Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Integrated circuit with replacement gate stacks and method of forming same

Номер патента: US09589806B1. Автор: John A. Fitzsimmons,Unoh Kwon,Ruqiang Bao,Huihang Dong. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Gate structures with air gap isolation features

Номер патента: US11881506B2. Автор: Mark D. Levy,Jeonghyun Hwang,Siva P. Adusumilli,Johnatan A. Kantarovsky,Brett T. Cucci. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Semiconductor device with air gap and method for preparing the same

Номер патента: US20240032284A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device with air gap and method for preparing the same

Номер патента: US20240341088A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device with air gap and method for preparing the same

Номер патента: US20240341087A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device structure and method for forming same

Номер патента: US20240332395A1. Автор: Zeyong CHEN,Yunbo Chen,Yohtz Julian CHANG,Canyang HUANG. Владелец: Guangzhou Cansemi Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

SLT integrated circuit capacitor structure and methods

Номер патента: US12062669B2. Автор: Hiroshi Yamada,Abhijeet Paul,Alain Duvallet. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Inter-layer insulator for electronic devices and apparatus for forming same

Номер патента: WO2014081634A1. Автор: Fei Wang,Rinji Sugino. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-05-30.

Inter-Layer Insulator for Electronic Devices and Apparatus for Forming Same

Номер патента: US20190043751A1. Автор: Fei Wang,Rinji Sugino. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same

Номер патента: US09793115B2. Автор: John Tolle. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor memory device with air gaps for reducing current leakage

Номер патента: US11832437B2. Автор: Chun-Heng Wu,Jen-I Lai,Jr-Chiuan Wang,Hao-Chan Lo,Hsing-Han Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Field effect transistor structure and method of forming same

Номер патента: US20120292669A1. Автор: Yun Shi,Richard A. Phelps,Robert M. Rassel,Panglijen Candra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Transistor with pi-gate structure and method for producing the same

Номер патента: US20020063293A1. Автор: Yeon-Sik Chae,Jin-Koo Rhee,Hyun-Sik Park,Dan An. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-30.

Shallow trench isolation trenches and methods for NAND memory

Номер патента: US09711390B2. Автор: Shinjiro Umehara,Daiki Teshima. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-18.

Dielectric material and methods of forming same

Номер патента: US20220336218A1. Автор: Yu-Yun Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

Methods of forming silicon nitride by atomic layer deposition and methods of forming semiconductor structures

Номер патента: US09865456B1. Автор: Stefan Uhlenbrock,Timothy A. Quick,John A. Smythe,Sumeet C. Pandey,Brenda D. Kraus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Wafer system-level fan-out packaging structure and manufacturing method

Номер патента: US11894243B2. Автор: Yenheng CHEN,Chengchung LIN. Владелец: SJ Semiconductor Jiangyin Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Stack structure and the manufacturing method of the same

Номер патента: US20170112001A1. Автор: Zhenqing ZHAO,Le Liang. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2017-04-20.

The structure and its manufacture method of metal-insulating layer-metal capacitor

Номер патента: CN106847787A. Автор: 洪昌贤. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12096696B2. Автор: JISONG Jin. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor packaging emi shielding structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20230420386A1. Автор: Chia Jen Chou. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240178326A1. Автор: Kai Cheng,Weihua Liu. Владелец: Enkris Semiconductor Wuxi Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Interposer substrate, package structure and manufacturing method of package structure

Номер патента: US20240071936A1. Автор: Chung-Te Lin,Hsin-Yu Lai,Katherine H Chiang,Chia-Yu Ling. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US11367774B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-06-21.

Semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US20210280669A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-09-09.

Structure and formation method of semiconductor device with embedded capacitor

Номер патента: US09761592B2. Автор: Chun-Sheng Wu,Chun-Li Lin,Yung-Tsun LIU,Yi-Fang LI,Geng-Shuoh Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: EP4350767A1. Автор: Ling-Yi Chuang,Kaimin Lv. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-10.

Structure and formation method of package containing chip structure with inclined sidewalls

Номер патента: US11978722B2. Автор: Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Po-Chen LAI,Shu-Shen Yeh,Che-Chia Yang,Li-Ling Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Structure and formation method of package structure with underfill

Номер патента: US20200328185A1. Автор: Tsung-Fu Tsai,Shih-Ting Lin,Szu-Wei Lu,Chen-Hsuan Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-15.

Structure and formation method of chip package with fan-out feature

Номер патента: US20210118757A1. Автор: Shin-puu Jeng,Yi-Wen WU,Po-Hao Tsai,Po-Yao Chuang,Meng-Liang Lin,Techi WONG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Structure and formation method of chip package with protective lid

Номер патента: US11978715B2. Автор: Chih-Kung Huang,Hui-Chang Yu,Wei-Teng Chang,Meng-Tsung KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

A kind of fan-out packaging structure and its manufacturing method of Flash chip stacking

Номер патента: CN109585431A. Автор: 孙鹏,倪寿杰. Владелец: National Center for Advanced Packaging Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-05.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240030099A1. Автор: Chuei-Tang Wang,Shih-Chang Ku,Chien-Yuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

The laminated packaging structure and lamination encapsulating method of chip

Номер патента: CN105261611B. Автор: 谭小春. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2018-06-26.

The laminated packaging structure and lamination encapsulating method of chip

Номер патента: CN107919345A. Автор: 谭小春. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

The encapsulating structure and its manufacturing method of irregular shape

Номер патента: CN105977223B. Автор: 锺启生,唐和明,张耿端. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2018-11-27.

Source/drain isolation structure and layout method

Номер патента: US20240371753A1. Автор: Yi-Hsun CHIU,Chih-Liang Chen,Chih-Yu Lai,Chi-Yu Lu,Shang-Hsuan CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Source/drain isolation structure, layout, and method

Номер патента: US12057390B2. Автор: Yi-Hsun CHIU,Chih-Liang Chen,Chih-Yu Lai,Chi-Yu Lu,Shang-Hsuan CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Oxidized film structure and method of making epitaxial metal oxide structure

Номер патента: US20020102418A1. Автор: Yong Liang,Shupan Gan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-01.

Oxidized film structure and method of making epitaxial metal oxide structure

Номер патента: WO2002059945A2. Автор: Yong Liang,Shupan Gan. Владелец: BATTELLE MEMORIAL INSTITUTE. Дата публикации: 2002-08-01.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240297170A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Ta-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Chemical mechanical polishing (cmp) slurry, semiconductor structure, and manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: US20230057872A1. Автор: Chang-Yi Tsai. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Semiconductor structure preparation method, semiconductor structure, and semiconductor memory

Номер патента: EP4177934A1. Автор: Pan Yuan,Xiaojie Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-10.

Finfet with bowl-shaped gate isolation and method

Номер патента: US20230011218A1. Автор: Chung-Ting Ko,Tai-Chun Huang,Wan-Chen Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240243124A1. Автор: Chun-Hsien Lin,Shih-Min Lu,Chih-Wei Yang,Yao-Jhan Wang,Chi-Sheng Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Dual gate structure for imagers and method of formation

Номер патента: US7635624B2. Автор: Sungkwon C. Hong. Владелец: Aptina Imaging Corp. Дата публикации: 2009-12-22.

Integrated circuit device and method

Номер патента: US20230378159A1. Автор: Li-Chun Tien,Ta-Pen Guo,Lee-Chung Lu,Chien-Ying Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20110248282A1. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2011-10-13.

COMPOSITE STRUCTURE WITH A SEMICONDUCTOR LAYER ARRANGED ON A DIAMOND LAYER AND / OR A DIAMOND-LIKE LAYER AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF

Номер патента: FR2724487A1. Автор: Kenneth Goodson,Reinhard Zachai,Tim Gutheit. Владелец: Daimler Benz AG. Дата публикации: 1996-03-15.

COMPOSITE STRUCTURE WITH A SEMICONDUCTOR LAYER ARRANGED ON A DIAMOND LAYER AND / OR A DIAMOND-LIKE LAYER AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF

Номер патента: FR2724487B1. Автор: Kenneth Goodson,Reinhard Zachai,Tim Gutheit. Владелец: Daimler Benz AG. Дата публикации: 1999-01-08.

Semicondutor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240071761A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

The efficient white light LED epitaxial structure and its growing method of a kind of unstressed configuration powder

Номер патента: CN104900771B. Автор: 徐现刚,张恒,曲爽,王成新,肖成峰. Владелец: Shandong Inspur Huaguang Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-22.

A kind of encapsulating structure and its packaging method of retina Using prosthesis chip

Номер патента: CN108172553A. Автор: 杨佳威,杨旭燕. Владелец: Hagnzhou Warm Caramel Core Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-15.

Structure and Device fabrication method of high temperature Epitaxial layer growth on hetero substrate

Номер патента: KR101485908B1. Автор: 정주영,김종희,심규환,조덕호,최철종,길연호. Владелец: 주식회사 시지트로닉스. Дата публикации: 2015-01-26.

Method of filling gaps between dies using silicon dioxide

Номер патента: US20240355696A1. Автор: Ku-Feng Yang,Kuang-Wei Cheng,Chih-Hang Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor packages and method for fabricating the same

Номер патента: US20240258276A1. Автор: Jingu Kim,Wooyoung Kim,Sangkyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Interposer including air gap structure, methods of forming the same, semiconductor device including the interposer, and multi-chip package including the interposer

Номер патента: US20120074530A1. Автор: Kyung-Ho Kim,Chang-Hyun Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-29.

Chip Package Having Die Structures of Different Heights and Method of Forming Same

Номер патента: US20200152602A1. Автор: Shang-Yun Hou,Hsien-Pin Hu,Wen-Hsin Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-14.

Method of testing structures and stacking wafers

Номер патента: US20230317529A1. Автор: Yan Wang,Nui Chong,Hui-Wen LIN,I-Ru CHEN. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Integrated circuit package and method of forming same

Номер патента: US20190237454A1. Автор: Chen-Hua Yu,Shang-Yun Hou,Hsien-Pin Hu,Hsing-Kuo Hsia,Ying-Ching Shih,Chin-Fu Kao,Sung-Hui Huang,Kuan-Yu Huang,Chi-Hsi Wu,Li-Chung Kuo,Wen-Hsin Wei,Heh-Chang Huang,Yushun Lin,Chih-Chieh Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-01.

Integrated circuit package and method of forming same

Номер патента: US20240297166A1. Автор: Chen-Hua Yu,Shang-Yun Hou,Hsien-Pin Hu,Hsing-Kuo Hsia,Ying-Ching Shih,Chin-Fu Kao,Sung-Hui Huang,Kuan-Yu Huang,Chi-Hsi Wu,Li-Chung Kuo,Wen-Hsin Wei,Heh-Chang Huang,Yushun Lin,Chih-Chieh Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Integrated circuit structure with crack stop and method of forming same

Номер патента: US09589912B1. Автор: Stephen E. Greco,Atsushi Ogino,Roger A. Quon,Jim S. Liang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Chip package having die structures of different heights and method of forming same

Номер патента: US09806058B2. Автор: Chen-Hua Yu,Shang-Yun Hou,Hsien-Pin Hu,Chi-Hsi Wu,Wei-Ming Chen,Wen-Hsin Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Multi-chip package structure and method of forming same

Номер патента: US09748189B2. Автор: Chen-Hua Yu,Jing-Cheng Lin,Jui-Pin Hung,Der-Chyang Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

POP Structures with Dams Encircling Air Gaps and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20170236763A1. Автор: Liu Chung-Shi,Yu Chen-Hua,WANG Tsung-Ding,Chen Chen-Shien,WU Jiun Yi. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-17.

Joint Structure Between a Wound Coil and An IC-Chip for a Noncontact RFID Device and Methods of Manufacturing The Same

Номер патента: US20100230161A1. Автор: Katsuji Hoshi. Владелец: Star Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-16.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: EP4287243A1. Автор: Chih-Wei Chang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-06.

Structure and formation method of semiconductor device with conductive bumps

Номер патента: US11990440B2. Автор: Ming-Da Cheng,Wei-Hung Lin,Hui-min Huang,Kai-Jun Zhan,Yung-Sheng Lin,Chang-Jung Hsueh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

There is the circuit block of hollow bulb and attachment structure and the manufacture method of attachment structure

Номер патента: CN106170854A. Автор: 藤本正稔,桥本卓幸,石桥卓也. Владелец: Nagase Chemtex Corp. Дата публикации: 2016-11-30.

Three-dimensional packaging structure and packaging method of power devices

Номер патента: US20190287876A1. Автор: YU Chen,CAI CHEN,Yong Kang,Zhizhao HUANG,Yuxiong LI. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2019-09-19.

Encapsulation includes the encapsulation stacking structure and its manufacture method of the encapsulation

Номер патента: CN107039369A. Автор: 杜茂华. Владелец: Samsung Semiconductor China R&D Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-11.

Electrode Structure and Package Forming Method of Semiconductor Integrated Circuit

Номер патента: KR970060464A. Автор: 료헤이 사토,마모루 미타,마사카즈 이시노. Владелец: 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼. Дата публикации: 1997-08-12.

The encapsulating structure and its manufacture method of pressure sensor

Номер патента: CN105609472B. Автор: 尤文胜. Владелец: Hefei Zuan Investment Partnership Enterprise. Дата публикации: 2018-02-23.

Semiconductor structure and method of forming semiconductor package

Номер патента: US20210118795A1. Автор: Chih-Kuang Kao,Huei-Wen Yang,Ta-Chih Peng,Ming-Hong Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240371746A1. Автор: Chih-Kuang Kao,Huei-Wen Yang,Ta-Chih Peng,Ming-Hong Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Memory Cells, Memory Arrays, and Methods of Forming Memory Cells and Arrays

Номер патента: US20170018708A1. Автор: Fabio Pellizzer,Andrea Redaelli,Giorgio Servalli,Carmela Cupeta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-19.

Memory Cells, Memory Arrays, and Methods of Forming Memory Cells and Arrays

Номер патента: US20190019949A1. Автор: Fabio Pellizzer,Andrea Redaelli,Giorgio Servalli,Carmela Cupeta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-17.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US6608344B2. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-08-19.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US6514812B2. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-02-04.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US20010008789A1. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-07-19.

Structure and manufacturing method of semiconductor device having uneven surface at memory cell capacitor part

Номер патента: US20020038881A1. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-04.

Pixel structure and repairing method thereof

Номер патента: US7829895B2. Автор: Yuan-Hsin Tsou. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2010-11-09.

Pixel structure and repairing method thereof

Номер патента: US20080067518A1. Автор: Yuan-Hsin Tsou. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2008-03-20.

Glass packaging structure and glass packaging method of utilizing the same

Номер патента: US09966559B2. Автор: Yawei Liu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

TFT LCD array substrate wherein an air gap is formed between the insulating layer and the active layer and method of manufacturing thereof

Номер патента: US8077267B2. Автор: Wei Wang,Jian Guo,Kiyong Kim. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-13.

Semiconductor stack structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12125824B2. Автор: Chuei-Tang Wang,Shih-Chang Ku,Chien-Yuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor stack structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240371828A1. Автор: Chuei-Tang Wang,Shih-Chang Ku,Chien-Yuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Carrier and chip package structure, and the manufacturing method of the same

Номер патента: TW564529B. Автор: Ming-Shiang Jeng. Владелец: Advanced Semiconductor Eng. Дата публикации: 2003-12-01.

Magnetoresistive device and method of fabricating same

Номер патента: US20180248111A1. Автор: Praveen Raghavan,Davide Francesco CROTTI,Raf Appeltans. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-08-30.

Display panel, splicing screen, display device, and method for manufacturing display panel

Номер патента: US20240170494A1. Автор: Yongping Fan. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor isolation device and method

Номер патента: US20240064976A1. Автор: Michael Andrew Smith. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor device with crack-detecting structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20210151387A1. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Semiconductor resist composition, and method and system of forming patterns using the composition

Номер патента: TW202007691A. Автор: 田桓承,文京守,金宰賢,南宮爛,蔡承龍,羅隆熙. Владелец: 南韓商三星Ｓｄｉ股份有限公司. Дата публикации: 2020-02-16.

Semiconductor structure, resistive random access memory unit structure, and manufacturing method of the semiconductor structure

Номер патента: US20150357562A1. Автор: Yu-Yu Lin,Feng-Min Lee,Ming-Hsiu Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-10.

Package structures and package methods of organic light emitting diode (oled) protection films

Номер патента: US20180190939A1. Автор: Wei Yu,Haohan MIN. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-05.

Package structure and packaging method of oled display device, and display device

Номер патента: US20190221775A1. Автор: Yulin Wang. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-18.

Fabrication method of circuit board, circuit board, and chip package structure

Номер патента: US20110056736A1. Автор: Yuan-Chang Su,Shih-Fu Huang,Chia-Hsiung Hsieh. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2011-03-10.

Led structure and preparing method of led structure

Номер патента: US20230299118A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Electronic components mounting adhesive, manufacturing method of an electronic components mounting adhesive, electronic components mounted structure, and manufacturing method of an electronic components mounted structure

Номер патента: WO2008032866A1. Автор: Tadahiko Sakai,Kouji Motomura,Hideki Eifuku. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2008-03-20.

Electronic components mounting adhesive, manufacturing method of an electronic components mounting adhesive, electronic components mounted structure, and manufacturing method of an electronic components mounted structure

Номер патента: US20090161328A1. Автор: Tadahiko Sakai,Kouji Motomura,Hideki Eifuku. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2009-06-25.

Pixel structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140008655A1. Автор: Chien-Han Chen,Shih-Fang Chen,Chih-Cheng Wang. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2014-01-09.

Multi-layered tunnel junction structure, light emitting device having the same, and production method of such device

Номер патента: US11011674B2. Автор: Chun-Yi Wu,Chaoyu Wu,Duxiang Wang,Senlin Li,Jingfeng Bi,Shih-Yi Lien. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-18.

Programmable switch circuit and method, method of manufacture, and devices and systems including the same

Номер патента: TW201006131A. Автор: Madhukar B Vora. Владелец: DSM Solutions Inc. Дата публикации: 2010-02-01.

A kind of structure and its manufacturing method of the three-dimensional bonding sensor of high storage capacity

Номер патента: CN109148498A. Автор: 沈亮,程文静. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-04.

Electric connection structure and the manufacture method of trap and substrate is connected in RFLDMOS

Номер патента: CN103035610B. Автор: 蔡莹,周正良,遇寒. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2015-08-19.

Use high efficiency photovoltaic back knot back of the body contact solar cell structure and the manufacture method of semiconductor wafer

Номер патента: CN102763225B. Автор: M·M·穆斯利赫,K·J·克拉默,D·X·王,P·卡普尔,M·曼苏里,S·苏特,V·V·雷纳,A·卡尔卡特拉,E·范·科斯查伟,D·哈伍德,M·温格特. Владелец: Solexel Inc. Дата публикации: 2016-01-20.

The structure and its adjusting method of a kind of GaN base LED with colour change function

Номер патента: CN106784190A. Автор: 张建立,江风益,刘军林,陶喜霞. Владелец: NANCHANG HUANGLV LIGHTING CO Ltd. Дата публикации: 2017-05-31.

Semiconductor stack structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240006379A1. Автор: Chuei-Tang Wang,Shih-Chang Ku,Chien-Yuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

LED PACKAGE STRUCTURE AND THE MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20160190397A1. Автор: LIN Kun-Cheng,WU Shang-Yi. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.

GLASS PACKAGING STRUCTURE AND GLASS PACKAGING METHOD OF UTILIZING THE SAME

Номер патента: US20150194627A1. Автор: Liu Yawei. Владелец: SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2015-07-09.

The reliability testing structure and its test method of semiconductor devices

Номер патента: CN106684008B. Автор: 冯军宏. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-09-27.

Prevent bump structure and the forming method of convex some side direction etching

Номер патента: CN103887276B. Автор: 于大全,戴风伟,李昭强. Владелец: National Center for Advanced Packaging Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-01.

LED package structure and mass production method of making the same

Номер патента: TW200627667A. Автор: Dawson Liu,Pao-Chi Chi. Владелец: Lustrous Technology Ltd. Дата публикации: 2006-08-01.

Photosensor based on graphene-nanowire hybrid structures and the manufacturing method of the same

Номер патента: KR101227600B1. Автор: 이형우,홍승훈,허광. Владелец: 서울대학교산학협력단. Дата публикации: 2013-01-29.

A laminated structure and a manufacturing method of the laminated structure

Номер патента: KR20220050220A. Автор: 히로시 이와타. Владелец: 케이힌 람테크 가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-04-22.

Semiconductor test structure and quality test method of semiconductor passivation layer

Номер патента: CN112103202B. Автор: 周山,王丽雅,俞佩佩. Владелец: Jingxincheng Beijing Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-12.

The CSP encapsulating structure and its manufacturing method of power device

Номер патента: CN105826288B. Автор: 黄平,鲍利华,张迪雄. Владелец: Shanghai Zhen Xin Microelectronics Science And Technology Ltd. Дата публикации: 2019-08-13.

LED package structure and mass production method of making the same

Номер патента: TWI261936B. Автор: Dawson Liu,Pao-Chi Chi. Владелец: Lustrous Technology Ltd. Дата публикации: 2006-09-11.

Semiconductor test structure and failure analysis method of semiconductor device

Номер патента: CN112018084B. Автор: 李桂花. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-25.

Based on LED integrated encapsulation structure and the making method of two-sided silicon substrate

Номер патента: CN103337496B. Автор: 韦嘉,林洺锋,张春旺,法比奥·圣阿加塔,梁润园,包厚华,徐振雷,亨德里克斯·威廉默斯·范·蔡吉. Владелец: Guangdong Zhouming Energy Conservation Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-01.

Thin film solar cell structure and its patterned method of the same

Номер патента: TW201126734A. Автор: Chih-Hung Hsiao. Владелец: Nexpower Technology Corp. Дата публикации: 2011-08-01.

Semiconductor Device and Method of Forming Air Gap Adjacent to Stress Sensitive Region of the Die

Номер патента: US20130093068A1. Автор: Reza A. Pagaila. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2013-04-18.

Alignment structures and methods of forming same

Номер патента: US09646944B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Ching-Jung Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Package redistribution layer structure and method of forming same

Номер патента: US09548283B2. Автор: Yi-Wen WU,Hung-Jui Kuo,Tsung-Shu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device and method of forming electromagnetic (EM) shielding for LC circuits

Номер патента: US09754897B2. Автор: Linda Pei Ee CHUA,Il Kwon Shim,Rajendra D. Pendse,Yaojian Lin,Won Kyoung Choi,Pandi C. Marimuthu,Byung Joon Han. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Integrated circuit structure with refractory metal alignment marker and methods of forming same

Номер патента: US09806032B1. Автор: Wei Lin,Upinder Singh,Nailong He. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Interconnected integrated circuit (ic) chip structure and packaging and method of forming same

Номер патента: US20190287879A1. Автор: Wolfgang Sauter,David B. Stone,Nicholas A. Polomoff,Mark W. Kuemerle,Jawahar P. Nayak,Eric W. Tremble,Seungman Choi,Eric S. Parent. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Optical integrated circuit structure including edge coupling protective features and method of forming same

Номер патента: US20240201458A1. Автор: Hau-yan Lu,Chia-Ping Lai,Chien-Ying WU,YuehYing LEE,Sui-Ying Hsu,Chen-Hao Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Ic structures with improved bonding between a semiconductor layer and a non-semiconductor support structure

Номер патента: EP4174911A1. Автор: Abhishek A. Sharma,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-05-03.

EFuse structure and method

Номер патента: US11942168B2. Автор: Meng-Sheng CHANG,Yao-Jen Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Interconnect structures and methods of forming same

Номер патента: US09589862B2. Автор: Chung-Shi Liu,Hsien-Wei Chen,Wen-Hsiung LU,Ming-Da Cheng,Tsung-Yuan Yu,Hsuan-Ting Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor packages and method for fabricating the same

Номер патента: US20240258274A1. Автор: Sangkyu Lee,Yi Eok KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for layout design and structure with inter-layer vias

Номер патента: US09679840B2. Автор: Ching-Fang Chen,Yi-Lin Chuang,Jia-Jye Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device with air gaps between adjacent conductive lines

Номер патента: US20220165662A1. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Optical integrated circuit structure including edge coupling protective features and methods of forming same

Номер патента: US11940659B2. Автор: Hau-yan Lu,Chia-Ping Lai,Chien-Ying WU,YuehYing LEE,Sui-Ying Hsu,Chen-Hao Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor device, and method of forming same

Номер патента: US12093627B2. Автор: Chung-Hui Chen,Wan-Te CHEN,Tzu Ching CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Integrated circuit structure with through-semiconductor via

Номер патента: US20150115460A1. Автор: Fen Chen,Timothy D. Sullivan,Minhua Lu,Ping-Chuan Wang,Lijuan Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-04-30.

Package and method of forming same

Номер патента: US20230266528A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Hao-Yi Tsai,Hung-Yi Kuo,Cheng-chieh Hsieh,Chih-Hsuan Tai,Chung-Ming Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Chip package and method for forming the same

Номер патента: US20160372445A1. Автор: Chien-Hung Liu,Ying-Nan Wen,Ho-Yin Yiu,Wei-Chung Yang. Владелец: XinTec Inc. Дата публикации: 2016-12-22.

IC structure integrity sensor having interdigitated conductive elements

Номер патента: US09947602B2. Автор: Erdem Kaltalioglu,Zhuojie Wu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Integrated circuit dies having alignment marks and methods of forming same

Номер патента: US09685411B2. Автор: Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Hybrid fin structure of semiconductor device and method of forming same

Номер патента: US12148672B2. Автор: Shu Ling LIAO,Yu-Chang Lin,Yen-Chun Huang,Fang-Yi LIAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

Structure with conductive feature for direct bonding and method of forming same

Номер патента: EP4449492A1. Автор: Cyprian Emeka Uzoh,Jeremy Alfred Theil,Guilian Gao,Gaius Gillman Fountain, Jr.,George Carlton Hudson,Paweł Mrózek. Владелец: Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-23.

Semiconductor Vertical Wire Bonding Structure And Method

Номер патента: US20200043889A1. Автор: Han Huang,Yenheng CHEN,Chengchung LIN,Chengtar WU. Владелец: SJ Semiconductor Jiangyin Corp. Дата публикации: 2020-02-06.

Sheet of semiconducting material, system for forming same, and method of forming same

Номер патента: WO2014058698A1. Автор: Prantik Mazumder,Samir Biswas,Glen Bennett Cook,Balram Suman,Kamal Kishore Soni,Douglass Lane Blanding. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2014-04-17.

Semiconductor structure and forming method therefor, and memory

Номер патента: EP4358134A1. Автор: Kaimin Lv. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-24.

MOSFET structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20060110886A1. Автор: Chen-Liang Chu. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2006-05-25.

MEMS integrated pressure sensor devices having isotropic cavitites and methods of forming same

Номер патента: US09850125B2. Автор: Chia-Hua Chu,Chun-Wen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Integrated circuit structures with extended conductive pathways

Номер патента: US20190109063A1. Автор: Yen Hsiang Chew. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-04-11.

Light-emitting diode (led) and micro led substrates and methods for making the same

Номер патента: US20190305182A1. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

Integrated Circuit Structure and Method of Forming the Same

Номер патента: US20130075856A1. Автор: David Yen,Yao-Jen Tsai,Chih-Fu Chang,Chih-Kang Chuang,Yee-Ren Wuang,Yuan-Jen Liao,Shih-Che Fang,Hung-Che Hsueh,Chih Mou Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-03-28.

LED array module and method of packaging the same

Номер патента: US20090140268A1. Автор: Ming-Che Wu. Владелец: Universal Scientific Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2009-06-04.

Deep trench isolation structure and method of forming same

Номер патента: US09799702B2. Автор: Yeur-Luen Tu,Yu-Hung Cheng,Wei-li CHEN,Cheng-Lung Wu,Tung-I Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Connector structure and method of forming same

Номер патента: US09646943B1. Автор: Chen-Shien Chen,Mirng-Ji Lii,Sheng-Yu Wu,Chita Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Integrated assemblies having voids along regions of gates, and methods of forming conductive structures

Номер патента: US11456299B2. Автор: Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-27.

Integrated Assemblies Having Voids Along Regions of Gates, and Methods of Forming Conductive Structures

Номер патента: US20210202489A1. Автор: Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Integrated Assemblies Having Voids Along Regions of Gates, and Methods of Forming Conductive Structures

Номер патента: US20210265356A1. Автор: Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-26.

Package Structure and Methods of Forming Same

Номер патента: US20190219762A1. Автор: Tien-I Bao,Hai-Ching Chen,Ying-hao Kuo,Jui Hsieh Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-07-18.

Package Structure and Methods of Forming Same

Номер патента: US20150212270A1. Автор: Tien-I Bao,Hai-Ching Chen,Ying-hao Kuo,Jui Hsieh Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-30.

Image sensor and method of fabricating the same

Номер патента: US20240313018A1. Автор: Hye Yeon Park,Yun Ki Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Photoactive devices with improved distribution of charge carriers, and methods of forming same

Номер патента: US20130285015A1. Автор: Chantal Arena. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2013-10-31.

Method of forming a double-layer light-absorbing electroconductive structure

Номер патента: RU2714273C1. Автор: Евгений Алексеевич Гудилин,Андрей Андреевич Петров,Сергей Анатольевич Фатеев,Алексей Борисович Тарасов,Николай Андреевич Белич,Алексей Юрьевич Гришко,Наталья Николаевна Шлёнская. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2020-02-13.

BSI image sensor and method of forming same

Номер патента: US09917121B2. Автор: Hsiu-Yu Cheng,Yeur-Luen Tu,Hung-Wen Hsu,Jiech-Fun Lu,Shu-Ting Tsai,U-Ting CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Phase change memory structures and methods

Номер патента: US20140097399A1. Автор: Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-10.

Integrated Assemblies Having Dielectric Regions Along Conductive Structures, and Methods of Forming Integrated Assemblies

Номер патента: US20190378843A1. Автор: Silvia Borsari,Mohd Kamran Akhtar,Alex J. Schrinsky,Guangjun Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Integrated assemblies having dielectric regions along conductive structures, and methods of forming integrated assemblies

Номер патента: US10700073B2. Автор: Silvia Borsari,Mohd Kamran Akhtar,Alex J. Schrinsky,Guangjun Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-30.

Structures and structure forming methods

Номер патента: US20020076620A1. Автор: James J. Alwan,David Wells,Eric J. Knappenberger,John Michiels. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-20.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240332455A1. Автор: Min-Hsun Hsieh. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated circuit structure with multi-row cell for accommodating mixed track height

Номер патента: US20240222356A1. Автор: Jia ZENG,Mahbub Rashed,Xuelian ZHU,James P. Mazza,Navneet K. Jain,Jacob Mazza. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Integrated circuit structure with multi-row cell for accommodating mixed track height

Номер патента: EP4398299A1. Автор: Jia ZENG,Mahbub Rashed,Xuelian ZHU,James P. Mazza,Navneet K. Jain,Jacob Mazza. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-10.

Methods of forming integrated circuit structure for joining wafers and resulting structure

Номер патента: US20200066667A1. Автор: Mukta G. Farooq,Tanya A. Atanasova. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-02-27.

Sensor-enabled geosynthetic material and method of making and using the same

Номер патента: EP2697621A1. Автор: Brian Grady,Kianoosh Hatami. Владелец: University of Oklahoma . Дата публикации: 2014-02-19.

Robust anode materials, anode layers and methods of making and forming same

Номер патента: WO2024147842A2. Автор: Arrelaine Dameron,David M. King,Jaime DUMONT,Barbara HUGHES,Madison MARTINEZ,Brianna Boeyink,Meghan HERBERT-WALTERS. Владелец: Forge Nano, Inc.. Дата публикации: 2024-07-11.

Packaging structure and packaging method of edge couplers and fiber array

Номер патента: US12085767B2. Автор: LIN ZHU,Jing Wang,Ben NIU. Владелец: Suteng Innovation Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Catalyst particles comprising hollow multilayered base metal-precious metal core/shell particles and method of their manufacture

Номер патента: US20140171297A1. Автор: Daniel Herein,Dan V. Goia,Igor V. Sevonkaev. Владелец: Umicore AG and Co KG. Дата публикации: 2014-06-19.

Detector Tube Stack with Integrated Electron Scrub System and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20120175519A1. Автор: Nathaniel S. Hankel,Ken Jamison. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-12.

Composite article with lightning strike protection and method and release film for forming same

Номер патента: US11820916B2. Автор: Clay Parten. Владелец: Wichita State University. Дата публикации: 2023-11-21.

Method of making bipolar carbon-plastic electrode structure-containing multicell electrochemical device

Номер патента: US4164068A. Автор: Joseph A. Shropshire,Hsue C. Tsien. Владелец: Exxon Research and Engineering Co. Дата публикации: 1979-08-14.

Battery structure, electronic device and manufacturing method of battery structure

Номер патента: US20150064528A1. Автор: Chih-Kai Hu,Wan-Hsieh Liu,Shu-Feng Lin,Yung-Ling Chou. Владелец: HTC Corp. Дата публикации: 2015-03-05.

A kind of connection structure and the connection method of pillar rechargeable battery and pedestal

Номер патента: CN107994197A. Автор: 汪波,杨钢,王红斌. Владелец: Feng Feng Electronic Packaging Materials (wuhan) Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-04.

The anode of solid oxide fuel cell with networking structure and the preparing method of it

Номер патента: KR100622711B1. Автор: 이종호,이해원,이기춘,고행진,김주선,송휴섭. Владелец: 한국과학기술연구원. Дата публикации: 2006-09-14.

A kind of the phase transformation soaking plate structure and its manufacturing method of integrated water-cooling system

Номер патента: CN110534841A. Автор: 李勇,杨世凡,邓励强,佘佩健. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2019-12-03.

Terminal crimping structure and terminal crimping method of crimping terminal to copper alloy wire and wire harness with the terminal crimping structure

Номер патента: US7985923B2. Автор: Kenji Suzuki,Shigeharu Suzuki,Tetsuro Ide,Satoshi Yagi,Hideto Kumakura. Владелец: Yazaki Corp. Дата публикации: 2011-07-26.

Biological detection device, biological chip, microelectrode structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US11892424B2. Автор: Kui Liang,Shuobin LIANG. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Biological detection device, biological chip, microelectrode structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220196589A1. Автор: Kui Liang,Shuobin LIANG. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Terminal processing structure and terminal processing method of coaxial cable

Номер патента: US20130319761A1. Автор: Shouichi FURUKAWA. Владелец: Yazaki Corp. Дата публикации: 2013-12-05.

A structure and an operating method of switch using damping

Номер патента: KR100514876B1. Автор: 정웅철. Владелец: 현대자동차주식회사. Дата публикации: 2005-09-14.

Bottom plate structure and electrode formation method of color plasma display panel

Номер патента: KR19980077089A. Автор: 김건우. Владелец: 구자홍. Дата публикации: 1998-11-16.

Terminal processing structure and terminal processing method of coaxial cable

Номер патента: US9071045B2. Автор: Shouichi FURUKAWA. Владелец: Yazaki Corp. Дата публикации: 2015-06-30.

The antenna structure and its design method of mobile terminal

Номер патента: CN110417434A. Автор: 刘辉,陈笛. Владелец: Nubia Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-05.

Bend radius adapters and methods of forming same

Номер патента: US09960506B2. Автор: Paul Martin Cruz. Владелец: Qfe 002 LLC. Дата публикации: 2018-05-01.

Structures comprising molecular structures with high aspect ratio, and methods of their manufacturing

Номер патента: RU2526969C2. Автор: Дэвид П. БРАУН,Альберт Г. НАСИБУЛИН,Брэдли Дж. ЭЙТЧИСОН,Эско И. КАУППИНЕН. Владелец: Канату Ой. Дата публикации: 2014-08-27.

Battery separator, battery including the separator, and method and system for forming same

Номер патента: EP4022112A1. Автор: William Winchin YEN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-07-06.

Method of forming a carbon nanotube structure and method of manufacturing field emission device using the method of forming a carbon nanotube structure

Номер патента: US20080003733A1. Автор: In-taek Han,Ha-Jin Kim,Young-Chul Choi,Kwang-Seok Jeong. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-03.

Stacked structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120069487A1. Автор: Tatsuya Nakamura,Hitoshi Noguchi,Naoki Tanaka. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-22.

Nanofiber electrode and method of forming same

Номер патента: US09905870B2. Автор: Peter N. Pintauro,Wenjing Zhang. Владелец: VANDERBILT UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-02-27.

Magnetic tunnel junction device, magnetic memory using the same and method for manufacturing the same

Номер патента: US12041854B2. Автор: Jongill Hong. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2024-07-16.

Methods of manufacturing film bulk acoustic wave resonators

Номер патента: US20230253942A1. Автор: Satoru Matsuda,Yasuhiro Yamauchi,Jun Hashimoto,Hiroyuki Tahara,Hiroki Kamiguchi. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Memory structure and method for forming same

Номер патента: WO2014153834A1. Автор: Jing Wang,Libin LIU,Renrong Liang. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-10-02.

Mask structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190250502A1. Автор: Yu-Hua Chen,Cheng-Ta Ko,Pu-Ju Lin,Shih-Lian Cheng,Jui-Jung Chien,Wei-Tse Ho. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2019-08-15.

Circuit board assembling structure, electronic device having the same and assembling method of electronic device

Номер патента: US20150103475A1. Автор: Jui-Lin Yang. Владелец: Getac Technology Corp. Дата публикации: 2015-04-16.

Focus detection apparatus and method, method of controlling focus detection apparatus, and image capturing apparatus

Номер патента: US09615017B2. Автор: Kengo Takeuchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

PRESSURE BULKHEAD STRUCTURE WITH INTEGRATED SELECTIVE ELECTRONIC SWITCH CIRCUITRY, PRESSURE-ISOLATING ENCLOSURE CONTAINING SUCH SELECTIVE ELECTRONIC SWITCH CIRCUITRY, AND METHODS OF MAKING SUCH

Номер патента: US20180299239A1. Автор: Scharf Thilo,Eitschberger Christian. Владелец: DYNAenergetics GmbH & Co. KG. Дата публикации: 2018-10-18.

Pressure bulkhead structure with integrated selective electronic switch circuitry, pressure-isolating enclosure containing such selective electronic switch circuitry, and methods of making such

Номер патента: WO2018192854A1. Автор: Christian EITSCHBERGER,Thilo Scharf. Владелец: DYNAenergetics GmbH & Co. KG. Дата публикации: 2018-10-25.

Pressure bulkhead structure with integrated selective electronic switching circuit, pressure-isolating enclosure containing such selective electronic switching circuit, and method of making same

Номер патента: CN110546346B. Автор: 克里斯蒂安·艾施伯格,蒂诺·沙夫. Владелец: Delineng Europe Ltd. Дата публикации: 2022-05-24.

Slidable electronic apparatus having digitizer separation structure, and touch driving method of slidable electronic apparatus

Номер патента: US20230305596A1. Автор: Changryong HEO,Minuk Kim,Donghyun Yeom,Kwangtai Kim,Sungho Ahn,Joungmin CHO,Bongjun Ko,Bowon Jung,Jihyung JUNG,Sungdae Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

Slidable electronic apparatus having digitizer separation structure, and touch driving method of slidable electronic apparatus

Номер патента: EP4242803A1. Автор: Changryong HEO,Minuk Kim,Donghyun Yeom,Kwangtai Kim,Sungho Ahn,Joungmin CHO,Bongjun Ko,Bowon Jung,Jihyung JUNG,Sungdae Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-13.

Semiconductor Structure and Manufacturing Method of the Same

Номер патента: US20120181699A1. Автор: Yi-Hsuan Hsiao,Shih-Hung Chen,Hang-Ting Lue. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-19.

Mask structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US11366381B2. Автор: Yu-Hua Chen,Cheng-Ta Ko,Pu-Ju Lin,Shih-Lian Cheng,Jui-Jung Chien,Wei-Tse Ho. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2022-06-21.

Focus detection apparatus and method, method of controlling focus detection apparatus, and image capturing apparatus

Номер патента: US20140362279A1. Автор: Kengo Takeuchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2014-12-11.

Pulsed gated structured light systems and methods

Номер патента: WO2017213902A1. Автор: Raymond Kirk Price,Ravi Kiran Nalla,Jian Zhao,Michael Bleyer,Denis Demandolx. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2017-12-14.

WIRE CONNECTING STRUCTURE AND WIRE CONNECTING METHOD OF THREE-PHASE MOTOR, AND THREE-PHASE MOTOR

Номер патента: US20190006963A1. Автор: ISAJI Naoya. Владелец: NIDEC SANKYO CORPORATION. Дата публикации: 2019-01-03.

The forming method of isolation structure and the forming method of semiconductor structure

Номер патента: CN107204339B. Автор: 洪中山,张翼英. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-11-01.

A kind of the P2P self-organization network structures and resource search method of structuring

Номер патента: CN108768690A. Автор: 叶双,叶剑虹. Владелец: HUAQIAO UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-11-06.

A kind of theft-prevention structure and its construction method of cable convenient for safeguarding

Номер патента: CN107975067B. Автор: 闫相明. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-09-10.

The data cell array structure and its manufacture method of a kind of nand flash memory

Номер патента: CN107230677A. Автор: 刘红霞,肖磊,沈磊,刘岐,黄新运,沈晔晖. Владелец: Shanghai Fudan Microelectronics Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Wire connecting structure and wire connecting method of three-phase motor, and three-phase motor

Номер патента: US10523137B2. Автор: Naoya ISAJI. Владелец: Nidec Sankyo Corp. Дата публикации: 2019-12-31.

The cementing structure and its adhering method of motor surface-mount type magnet steel and rotor

Номер патента: CN108183567A. Автор: 刘冬,吴波,周楠,徐正华,钱巍. Владелец: NANJING ESTUN AUTOMATIC CONTROL TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-19.

A printed circuit board embedding an antenna and a filter structure and a menufacturing method of the same

Номер патента: KR101134980B1. Автор: 김동수,유종인,이우성,유찬세. Владелец: 전자부품연구원. Дата публикации: 2012-04-10.

SUBFRAME STRUCTURE AND HARQ OPERATING METHOD OF WIRELESS COMMUNICATION SYSTEM

Номер патента: US20170201994A1. Автор: JUNG Kwang Ryul,LIM Soon Yong. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute. Дата публикации: 2017-07-13.

HEAT DISSIPATION STRUCTURE AND HEAT DISSIPATION METHOD OF ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20200214167A1. Автор: Saito Makoto,Nakamura Ken,HATANO Toshinobu. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-07-02.

Nth-ORDER ARBITRARY-PHASE-SHIFT SINUSOIDAL OSCILLATOR STRUCTURE AND ANALYTICAL SYNTHESIS METHOD OF MAKING THE SAME

Номер патента: KR101197951B1. Автор: 충-밍 창,슈-후이 투. Владелец: 충 위엔 크리스찬 유니버시티. Дата публикации: 2012-11-05.

The encapsulating structure and its manufacture method of Organic Light Emitting Diode

Номер патента: CN104779354B. Автор: 林柏青,蔡奇哲,黄钰真,杨沁洁. Владелец: Innolux Display Corp. Дата публикации: 2017-11-24.

The embedded pad structure and its manufacturing method of three-dimensional storage part

Номер патента: CN109155320A. Автор: 陈俊,肖莉红,夏志良. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-04.

Energy transmission structure and energy transmission method of hollow non-contact transformer

Номер патента: CN112653253A. Автор: 刘强,黄勇,张丹,翟秋刚,高艳杰. Владелец: Beijing Ruisai Chang Cheng Aeronautical M & C Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-04-13.

Speed regulation structure and speed regulation method of single-phase brushless direct current motor

Номер патента: CN114531067A. Автор: 潘兆铿. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-05-24.

Charging structure and charging control method of mobile terminal

Номер патента: KR101677619B1. Автор: 박재영. Владелец: 엘지전자 주식회사. Дата публикации: 2016-11-18.

Heat dissipation structure and heat dissipation method of electronic device

Номер патента: CN111385448A. Автор: 斋藤诚,秦野敏信,中村健. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-07.

Nth-order arbitrary-phase-shift sinusoidal oscillator structure and analytical synthesis method of making the same

Номер патента: US8264289B2. Автор: Chun-Ming Chang,Shu-Hui Tu. Владелец: CHUNG YUAN CHRISTIAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-09-11.

Packet structure and packet transmission method of network control protocol

Номер патента: CN101164285A. Автор: 李相均,李君锡,田雄,郑钟勋. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2008-04-16.

Slidable electronic apparatus having digitizer separation structure, and touch driving method of slidable electronic apparatus

Номер патента: EP4242803A4. Автор: Changryong HEO,Minuk Kim,Donghyun Yeom,Kwangtai Kim,Sungho Ahn,Joungmin CHO,Bongjun Ko,Bowon Jung,Jihyung JUNG,Sungdae Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-01.

PULSED GATED STRUCTURED LIGHT SYSTEMS AND METHODS

Номер патента: US20170353712A1. Автор: ZHAO Jian,PRICE Raymond Kirk,BLEYER Michael,Demandolx Denis,Nalla Ravi Kiran. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-07.

Biocompatible hydrogels, systems including the hydrogels, and methods of using and forming same

Номер патента: WO2016100355A1. Автор: Amir H. TORBATI,Christopher Bowman,Naresh MANDAVA,Malik Y. Kahook,Devatha P. Nair,Saikripa RADHAKRISHNAN,Srinidhi RADHAKRISHNAN. Владелец: The Regents of the University of Colorado, a body corporate. Дата публикации: 2016-06-23.

Biomarker sensor array and circuit and methods of using and forming same

Номер патента: EP2973456A2. Автор: Bharath Takulapalli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-01-20.

Micromechanical component with a separate, galvanic isolated active structure and an operating method of such a component

Номер патента: RU2653112C2. Автор: Гюнтер ШПАХЛИНГЕР. Владелец: Нортроп Грумман Литеф Гмбх. Дата публикации: 2018-05-07.

Unmanned survey vessel with anti-overturning structure and anti-overturning method of same

Номер патента: US20240116606A1. Автор: Lingyun Zhang,Jinliang Hou,Fenghua Wu,Jiudong YANG,Muyao SHI,Liwen YIN,Gui'e TIAN,Lipeng GONG. Владелец: North China University of Science and Technology. Дата публикации: 2024-04-11.

Photonic integrated circuit structure with at least one tapered sidewall liner adjacent to a waveguide core

Номер патента: US11994714B2. Автор: Yusheng Bian,Edward W. Kiewra,Abdelsalam Aboketaf,Brett T. Cucci. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Photonic integrated circuit structure with at least one tapered sidewall liner adjacent to a waveguide core

Номер патента: US20240210621A1. Автор: Yusheng Bian,Edward W. Kiewra,Abdelsalam Aboketaf,Brett T. Cucci. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Structural and other components, method of manufacture

Номер патента: CA2136190C. Автор: John Kenton Britten. Владелец: Individual. Дата публикации: 1998-08-04.

Electric Machines with Air Gap Control Systems, and Systems and Methods of Controlling an Air Gap in an Electric Machine

Номер патента: US20200244202A1. Автор: Pablo Gabriel Piazza Galarza,Fabian Isaza. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2020-07-30.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240164087A1. Автор: Shu-Ming Li,Tzu-Ming Ou Yang,Wei-Zhi FANG. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor device and method of forming same

Номер патента: US12108587B2. Автор: Er Xuan PING,Soon Byung PARK. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240357798A1. Автор: Chun-Heng Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Phase change memory structures and methods

Номер патента: WO2012030379A3. Автор: Sanh D. Tang. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-05-24.

Phase change memory structures and methods

Номер патента: WO2012030379A2. Автор: Sanh D. Tang. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-03-08.

MEMS microphone structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US09681234B2. Автор: Chao Yuan,Xiaoxu KANG,Qingyun Zuo. Владелец: Shanghai IC R&D Center Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Electric machines with air gap control systems, and systems and methods of controlling an air gap in an electric machine

Номер патента: US11962255B2. Автор: Pablo Gabriel Piazza Galarza,Fabian Isaza. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2024-04-16.

Microelectronic devices including vertical planar memory cell structures, and related memory devices and electronic systems

Номер патента: US20240334700A1. Автор: Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Microelectronic devices including vertical planar memory cell structures, and related memory devices and electronic systems

Номер патента: WO2024206240A1. Автор: Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-10-03.

A blindside waterproofed building foundation system and method of forming same

Номер патента: CA3065723A1. Автор: Pamela Hernandez,Steven Milano,Louis Ferri,Mason AVERILL. Владелец: Tremco LLC. Дата публикации: 2020-06-21.

Retaining element for retaining brick of heat shield and method of cooling bearing structure of heat shield

Номер патента: RU2634992C2. Автор: Даниель ФОГТМАНН. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2017-11-08.

Method of erecting building cover or overfly structure

Номер патента: RU2582682C1. Автор: Александр Павлович Белоглазов,Владимир Лазаревич Чернявский,Гаяне Ашотовна Искандарян,Татьяна Евгеньевна Чернявская. Владелец: Татьяна Евгеньевна Чернявская. Дата публикации: 2016-04-27.

Method of making structural elements from titanium or titanium alloys by powder metallurgy method

Номер патента: RU2730353C2. Автор: Ульф ФИХЕФЕР,Венделин ВИНКЕЛЬМЮЛЛЕР,Маркус ЛАНГ,Маттиас ШАРФОГЕЛЬ. Владелец: Элемент 22 Гмбх. Дата публикации: 2020-08-21.

Coating composition for forming gas barrier layer, gas barrier film, and method for producing gas barrier film

Номер патента: US09540537B2. Автор: Kazuya Kimura,Kenichi Takahashi,Kazuyuki Hanada,Manabu Uruno. Владелец: Ukima Chemicals and Color Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Led lamp and method of lighting agricultural crops

Номер патента: RU2699013C2. Автор: Денис Геннадьевич Дроздов,Геннадий Александрович Манатейкин. Владелец: Денис Геннадьевич Дроздов. Дата публикации: 2019-09-03.

System and method for recursively iterating over a loosely associated data structure

Номер патента: US09811563B2. Автор: David Gilder. Владелец: NetSuite Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Drill bit having rotational cutting elements and method of drilling

Номер патента: US09745801B1. Автор: Jair J. Gonzalez,Craig H. Cooley,Jeffrey B. Lund. Владелец: US Synthetic Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Automated diagnostic analyzer and method for its operation

Номер патента: AU2024219574A1. Автор: Alyssa Shedlosky,Michael T. VanSickler,Brian Bell,Steven C. Rotundo,Stephen Robert Lachance,Neil G. TERRY. Владелец: Becton Dickinson and Co. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory array, memory structure and operation method of memory array

Номер патента: US11901004B2. Автор: Hon-Sum Philip Wong,Jin Cai,Meng-Fan Chang,Kerem Akarvardar,Rawan NAOUS,Win-San Khwa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Memory array, memory structure and operation method of memory array

Номер патента: US20230326525A1. Автор: Hon-Sum Philip Wong,Jin Cai,Meng-Fan Chang,Kerem Akarvardar,Rawan NAOUS,Win-San Khwa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Method of extracting a complex of biologically active substances from biomass of root cultures of potentilla alba l_ in vitro

Номер патента: RU2724487C1. Автор: Александр Юрьевич Просеков,Любовь Сергеевна Дышлюк,Ирина Сергеевна Милентьева,Ольга Олеговна Бабич,Людмила Константиновна Асякина,Александра Васильевна Заушинцена. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кемеровский государственный университет" (КемГУ). Дата публикации: 2020-06-23.

Method of measuring flatness of metal article and corresponding device

Номер патента: RU2717741C2. Автор: Доминик ТЕЛЬЕ,Бастьен БУБИ,Флориан ТУРШЕ. Владелец: Прайметалз Текнолоджиз Франс Сас. Дата публикации: 2020-03-25.

Sole structures with midfoot gaps and forefoot bladders in reinforcing cages for articles of footwear

Номер патента: US20240268514A1. Автор: Bryan K. Youngs,Kort W. Neumann, IV. Владелец: Nike Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Device and method of thrombi removal

Номер патента: RU2729439C1. Автор: Марк Нюргунович Андреев,Александр Геннадьевич Чинин,Дмитрий Владимирович Требушат. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Ангиолайн Ресерч". Дата публикации: 2020-08-06.

Seal structure and mounting method of belt cover for internal combustion engine

Номер патента: US12031499B1. Автор: Osamu Yoda,Koichiro Asame. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Method of and device to control internal combustion engine with air intake system

Номер патента: RU2264550C2. Автор: Герхард ЭНГЕЛЬ,Манфред БИРК,Томас БЛАЙЛЕ,Франк МАЙЕР,Бенедикт КРАУС,Петер РУПП,Вольфганг КРЭМЕР. Владелец: Роберт Бош Гмбх. Дата публикации: 2005-11-20.

Woven fabric having a bulging zone and method and apparatus of forming same

Номер патента: US6000442A. Автор: Alexander Busgen. Владелец: Individual. Дата публикации: 1999-12-14.

Agent and method for correction of bone structure disorders caused by prolonged consumption of glucocorticoids

Номер патента: RU2710599C2. Автор: Александр Евгеньевич Просенко,Светлана Николаевна Луканина,Андрей Валентинович Сахаров. Владелец: Ассоциация "Новосибирский институт антиоксидантов". Дата публикации: 2019-12-30.

Reserve winding of yarn on a tube of a cross-wound bobbin and method and appartus of forming same

Номер патента: US4878629A. Автор: Hans Grecksch,Josef Bertrams,Rene Bucken. Владелец: W Schlafhorst AG and Co. Дата публикации: 1989-11-07.

Dispensing capsule and method and apparatus of forming same

Номер патента: US20230365322A1. Автор: Stuart Gordon,Mark Appleford. Владелец: VARDEN PROCESS PTY LTD. Дата публикации: 2023-11-16.

Turkey product in a form ready for cooking and a method of cutting to form same

Номер патента: US4849245A. Автор: Robert H. Galbraith. Владелец: Cuddy Farms Inc. Дата публикации: 1989-07-18.

Fusers, printing apparatuses and methods, and methods of fusing toner on media

Номер патента: US20100119267A1. Автор: David P. Van Bortel,Brendan H. Williamson,Brian J. McNamee. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2010-05-13.

Cord stopper and methods for using and manufacturing the same

Номер патента: US12117066B2. Автор: David Roberts. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-10-15.

Method of the cutting tool and its structure and corresponding method of machining rotors

Номер патента: US12138718B1. Автор: Yu-Ren Wu. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2024-11-12.

Pile with an extended head and working method of the same

Номер патента: US20060104722A1. Автор: Yoon-Yong Song. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-05-18.

Metal packaging liquid or aerosol jet coating compositions, coated substrates, packaging, and methods

Номер патента: US20240287316A1. Автор: Charles I. Skillman,Boxin Tang. Владелец: SWIMC LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

Manufacturing method of partially cured composite components

Номер патента: US09776386B2. Автор: Cyrille Collart,Bernard Duprieu,Victor Garcia Solares,Pilar Munoz Lopez,Mar Zuarzo Ruiz,Betty Fantina Llorente. Владелец: AIRBUS OPERATIONS SL. Дата публикации: 2017-10-03.

Inspection apparatus and methods, methods of manufacturing devices

Номер патента: US09753379B2. Автор: Henricus Petrus Maria Pellemans,Patrick Warnaar,Amandev SINGH. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2017-09-05.

Circuit board assembling structure, electronic device having the same and assembling method of electronic device

Номер патента: US09535463B2. Автор: Jui-Lin Yang. Владелец: Getac Technology Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Absorbent article having an absorbent with a variable density in the Z direction and a method of forming said article

Номер патента: US5611879A. Автор: Michael T. Morman. Владелец: Kimberly Clark Corp. Дата публикации: 1997-03-18.

Structures and formation methods of micro-electro mechanical system device

Номер патента: US09725301B2. Автор: Shang-Ying Tsai,Chia-Hua Chu,Chun-Wen Cheng,Chin-Wei Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

DISPENSING CAPSULE AND METHOD AND APPARATUS OF FORMING SAME

Номер патента: US20200231370A1. Автор: Gordon Stuart,Appleford Mark. Владелец: VARDEN PROCESS PTY LTD. Дата публикации: 2020-07-23.

Security bulwark, perimeter protection system and method of protecting a perimeter

Номер патента: US20190118909A1. Автор: William Schofield,James Edward Wilkes. Владелец: Gray Page Marine Systems Ltd. Дата публикации: 2019-04-25.

Security bulwark, perimeter protection system and method of protecting a perimeter

Номер патента: WO2017055641A2. Автор: William Schofield,James Edward Wilkes. Владелец: Gray Page Marine Systems Limited. Дата публикации: 2017-04-06.

Security bulwark, perimeter protection system and method of protecting a perimeter

Номер патента: EP3168127A8. Автор: William Schofield,James Edward Wilkes. Владелец: Gray Page Marine Systems Ltd. Дата публикации: 2017-06-28.

Method of cleaning of gas turbine air intake filter system and filtering element

Номер патента: RU2333786C2. Автор: Тим СПОРРЕ,Джим С. РОТМЭН,Майк ХЭНДЛИ,Томас Д. РЕЗЕР. Владелец: Дональдсон Компани, Инк.. Дата публикации: 2008-09-20.

Electrically Conductive Confined Space Ventilator Conduit Formed of Conductive Polymer, Electrical Grounding Circuit for Ventilation System Using Same, and Methods of Using and Forming Same

Номер патента: AU2004202394B2. Автор: David Frank Angelico. Владелец: Air Systems Inc. Дата публикации: 2007-11-22.

Electrically conductive confined space ventilator conduit formed of conductive polymer, electrical grounding circuit for ventilation systems using same, and methods of using and forming same

Номер патента: US7992593B2. Автор: David Frank Angelico. Владелец: Air Systems International Inc. Дата публикации: 2011-08-09.

Electrically conductive confined space ventilator conduit formed of conductive polymer, electrical grounding circuit for ventilation system using same, and methods of using and forming same

Номер патента: TW200504292A. Автор: David Frank Angelico. Владелец: Air Systems Inc. Дата публикации: 2005-02-01.

Cushioning article with tensile component and method of manufacturing a cushioning article

Номер патента: US20240081477A1. Автор: Jason R. Meeker,Jeremy L. Connell,Page J. Bailey. Владелец: Nike Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Cushioning article with tensile component and method of manufacturing a cushioning article

Номер патента: US11849802B2. Автор: Jason R. Meeker,Page J. Bailey,Jeremy L Connell. Владелец: Nike Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Electrophotographic photoreceptor, and method and apparatus of forming electrophotographic image

Номер патента: US20160054668A1. Автор: Masanori Yumita,Daisuke Kodama,Mari Konishi. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2016-02-25.

Apparatus and method for opening perforations in a well casing

Номер патента: US6095247A. Автор: Jimmie D. Weaver,Steven G. Streich,David D. Szarka,Richard L. Giroux,Mike Navarette. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2000-08-01.

Novel polymer/substrate and polymer/polymer interfaces and methods of modeling and forming same

Номер патента: WO2003083901A3. Автор: Nancy Iwamoto. Владелец: Nancy Iwamoto. Дата публикации: 2004-03-25.

Novel polymer/substrate and polymer/polymer interfaces and methods of modeling and forming same

Номер патента: WO2003083901A2. Автор: Nancy Iwamoto. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2003-10-09.

Polymer/substrate and polymer/polymer interfaces and methods of modeling and forming same

Номер патента: US6852354B2. Автор: Nancy E. Iwamoto. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2005-02-08.

Automated diagnostic analyzer and method for its operation

Номер патента: AU2022202311B2. Автор: Alyssa Shedlosky,Michael T. VanSickler,Brian Bell,Steven C. Rotundo,Stephen Robert Lachance,Neil G. TERRY. Владелец: Becton Dickinson and Co. Дата публикации: 2024-06-13.

BIOMARKER SENSOR ARRAY AND CIRCUIT AND METHODS OF USING AND FORMING SAME

Номер патента: US20160041155A1. Автор: Takulapalli Bharath. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-11.

HIGHLY POROUS CERAMIC MATERIAL AND METHOD OF USING AND FORMING SAME

Номер патента: US20140158613A1. Автор: Weimer Alan W.,Liang Xinhua. Владелец: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF COLORADO. Дата публикации: 2014-06-12.

TEMPLATED MATERIALS, STRUCTURES INCLUDING THE MATERIALS, AND METHODS OF USING AND FORMING SAME

Номер патента: US20210247557A1. Автор: Liu Quingkun,Smalyukh Ivan I.,De La Cruz Joshua A.,Fleury Blaise,Abraham Eldho,Cherpak Vladyslav,Senyuk Bohdan,Hess Andrew Johnston. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-12.

Method of screening defective capsules of single dose of process line

Номер патента: RU2585052C2. Автор: Стефан МЕСКЕНС,Керри Брайан ДЖОНСОН,МЛ. Леон БРИД,Сюзанн ХАЛАФ. Владелец: Дзе Проктер Энд Гэмбл Компани. Дата публикации: 2016-05-27.

Migraine relief composition and methods of using and forming same

Номер патента: US20040219229A1. Автор: Tim Clarot. Владелец: Matrixx Initiatives Inc. Дата публикации: 2004-11-04.

Highly porous ceramic material and method of using and forming same

Номер патента: US10138169B2. Автор: Alan W. Weimer,Xinhua Liang. Владелец: University of Colorado. Дата публикации: 2018-11-27.

Self-Adhesive Stamps and Method for Making Same

Номер патента: GEP19991721B. Автор: William James Dorricott,John Alec Pike. Владелец: Rue De Int Ltd. Дата публикации: 1999-08-05.

Novel polymer/substrate and polymer/polymer interfaces and methods of modeling and forming same

Номер патента: US20020157788A1. Автор: Nancy Iwamoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-31.

Cystic applicator and method for determining thickness of scattering foil and modulator therein

Номер патента: US11369808B2. Автор: Jianrong Dai,Pan Ma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-06-28.

Novel polymer/substrate and polymer/polymer interfaces and methods of modeling and forming same

Номер патента: AU2003223267A8. Автор: Nancy Iwamoto. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2003-10-13.

Novel polymer/substrate and polymer/polymer interfaces and methods of modeling and forming same

Номер патента: AU2003223267A1. Автор: Nancy Iwamoto. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2003-10-13.

Device and method for continuous even application of composition to skin

Номер патента: EP4262528A1. Автор: Albert Durr Edgar,Laura Higgins. Владелец: Johnson and Johnson Consumer Inc. Дата публикации: 2023-10-25.

Structures useful for bone engineering and methods

Номер патента: WO2001082773A3. Автор: Jing Jing Qian,Rajendra S Bhatnagar. Владелец: Univ California. Дата публикации: 2002-01-31.

System and method for recursively iterating over a loosely associated data structure

Номер патента: US20170235795A1. Автор: David Gilder. Владелец: NetSuite Inc. Дата публикации: 2017-08-17.

Method for staining inhibition of donepezil-containing adhesive composition and method for reduction of formed donepezil-related compounds

Номер патента: RU2460520C2. Автор: Дзунити СЕКИЯ,Хитоси АКЕМИ,Акинори ХАНАТАНИ,Сатико ТЕРАСИ,Сумийо НИСИ,Сатоко ВАСИРО. Владелец: Нитто Денко Корпорейшн. Дата публикации: 2012-09-10.

Sole structures with midfoot gaps and forefoot bladders in reinforcing cages for articles of footwear

Номер патента: EP4351376A1. Автор: Bryan K. Youngs,Kort W. NEUMANN IV. Владелец: Nike Innovate CV USA. Дата публикации: 2024-04-17.

Sole structures with midfoot gaps and forefoot bladders in reinforcing cages for articles of footwear

Номер патента: US11986052B2. Автор: Bryan K. Youngs,Kort W. Neumann, IV. Владелец: Nike Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

System and method for securing objects on a wall

Номер патента: US20090159774A1. Автор: Mary McPhail Douglas,Geord Douglas. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-25.

ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTORECEPTOR, AND METHOD AND APPARATUS OF FORMING ELECTROPHOTOGRAPHIC IMAGE

Номер патента: US20160054668A1. Автор: KONISHI Mari,KODAMA Daisuke,YUMITA Masanori. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-25.

Method and device for removing and/or inhibiting of molecular structures and/or cells from or at human or animal tissue

Номер патента: US8715273B2. Автор: Reinhardt Thyzel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-05-06.

Detecting Apparatus and Method for Signs of Form Collapse

Номер патента: KR101284752B1. Автор: 박상준,함상규,진상윤,양병혁. Владелец: (주) 희림종합건축사사무소. Дата публикации: 2013-07-17.

Combination of setter used in firing and to-be-fired body and method for firing of formed honeycomb body

Номер патента: CN102351544A. Автор: 末信宏之,中村知雄,野口康,渡边武彦. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2012-02-15.

Structural and Other Elements, and Methods of Making the Same (STRUCTURAL AND OTHER COMPONENTS, METHOD OF MANUFACTURE)

Номер патента: KR950702903A. Автор: 켄톤 브리텐 존. Владелец: 켄톤 브리텐 존. Дата публикации: 1995-08-23.

Device and method of implementing subpass interleaving of tiled image rendering

Номер патента: US20240104685A1. Автор: Michael John Livesley,Mika Tuomi,Ruijin Wu,Kiia Kallio,Jan H. Achrenius. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Lens shape measurement device and method, method of producing eyeglass lens, and method of producing eyeglasses

Номер патента: WO2008016066A1. Автор: Masaaki Inoguchi. Владелец: HOYA CORPORATION. Дата публикации: 2008-02-07.

Soil Removal System and Method, Method of Manufacture of the System, and Use of a Cleaning Wipe

Номер патента: DE102019006721A1. Автор: Julia Becker,Julia Christina Gwendolin Thomas. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-03-25.

Solidified soil, underwater structure foundation protection structure, and construction method

Номер патента: EP4345081A1. Автор: Xiao Wang,Tianxue ZHONG. Владелец: Jiangsu Kunze Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-03.

Seal structure and mounting method of belt cover for internal combustion engine

Номер патента: US20240209811A1. Автор: Osamu Yoda,Koichiro Asame. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Inspection Apparatus and Methods, Methods of Manufacturing Devices

Номер патента: US20160011523A1. Автор: WARNAAR Patrick,Pellemans Henricus Petrus Maria,SINGH Amandev. Владелец: ASML Netherlands B.V.. Дата публикации: 2016-01-14.

THERMOPHONIC INSULATION MODULE FOR AIRCRAFT COMPRISING A MATTRESS AND A BEARING STRUCTURE, AND THERMOPHONIC INSULATION METHOD OF AN AIRCRAFT BY MEANS OF SUCH A MODULE

Номер патента: FR3061130B1. Автор: Bernard Guering,Kergommeaux Matthieu De. Владелец: AIRBUS OPERATIONS SAS. Дата публикации: 2021-07-02.

Cement mortar composite with excellent flowability and workability, repair method of concrete structure, injection repair method for the concrete structure, surface treating method of the concrete structure and surface protection method of the concrete structure using the composite

Номер патента: KR101352903B1. Автор: 박승종. Владелец: 박승종. Дата публикации: 2014-01-17.

Cement mortar composite with excellent workability and water resistance, repair method of concrete structure, injection repair method for the concrete structure, surface treating method of the concrete structure and surface protection method of the concrete structure using the composite

Номер патента: KR102088407B1. Автор: 백성진,김남섭. Владелец: 백성진. Дата публикации: 2020-03-13.

Backrest assembly for seat of e.g. all-weather cabriolet, has main structure with main branches inserted in respective stiffening units, where upper part of main structure and secondary structure have frontward opened V-shape from side view

Номер патента: FR2940216A1. Автор: Fernand Dauchez. Владелец: Centre dEtude et de Recherche pour lAutomobile CERA. Дата публикации: 2010-06-25.

Inspection apparatus and methods, methods of manufacturing devices

Номер патента: TWI572992B. Автор: 阿曼帝 席恩,漢瑞克 皮杜斯 瑪利亞 皮勒曼,派翠克 華那爾. Владелец: Ａｓｍｌ荷蘭公司. Дата публикации: 2017-03-01.

The Branches cut only with the top of the structure and And molding method of the blade

Номер патента: KR101429386B1. Автор: 김용만. Владелец: 김용만. Дата публикации: 2014-08-12.

A kind of attachment structure and its construction method of caisson and partition wall

Номер патента: CN107795017A. Автор: 张剑,李志强,熊育明. Владелец: Changsha Broad Homes Industrial Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

A kind of buried canal case and pipe gallery soil arch load-relieving structure and its construction method of drainning off floodwaters

Номер патента: CN107119697A. Автор: 蔡剑波,欧键灵. Владелец: Guangzhou City Engineering Design Studies Total Institute. Дата публикации: 2017-09-01.

A kind of connection structure and the connection method of carbon fibre composite and dissimilar material

Номер патента: CN108547836A. Автор: 张宁,熊建民,张然然,苏畅,苏一畅,王方玉,李韶茂,沈长海. Владелец: Zhejiang Zhongtai Automobile Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-18.

The construction method and the continuous structure with gerber's hinge made by the rigid connection between the civil engineering structure and approach slab, and inserted by the mesnage hinge in the continuous approach slab

Номер патента: KR101123842B1. Автор: 홍석희. Владелец: 홍석희. Дата публикации: 2012-03-16.

Structure and fabrication method of flat panel display comprising address line with mending layer

Номер патента: US20020030184A1. Автор: Biing-Seng Wu. Владелец: Chi Mei Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2002-03-14.

Supporting structure and loading-transporting method of storage and transport container

Номер патента: US20160081471A1. Автор: Huanghe QUAN,Yuliang QIAN. Владелец: Nantong CIMC Tank Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-24.

A kind of the protection structure and its closure method of unconventional storage capacity corral sea wall list Longkou

Номер патента: CN108517835A. Автор: 朱芳芳,袁晨晨,王兴超,王雪华,苏铖,郭成超,房世龙,陆天琳,赵华强. Владелец: Nanjing Changjiang Waterway Engineering Bureau. Дата публикации: 2018-09-11.

The connecting structure and its construction method of a kind of prefabricated regeneration monolith beam

Номер патента: CN107143040A. Автор: 吴波,何国晖. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2017-09-08.

A kind of tower body structure and its welding method of marine worker crane

Номер патента: CN106829757B. Автор: 姬红斌,任攀. Владелец: Wuhan Marine Machinery Plant Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-14.

Permanent underdrainage structure and permanent underdrainage method of construction of ground

Номер патента: KR100736631B1. Автор: 김창근. Владелец: 김창근. Дата публикации: 2007-07-06.

A kind of horizontal connection structure and its construction method of assembled energy consumption frame-shear wall

Номер патента: CN110241946A. Автор: 李超,张皓,李宏男,章磊珉. Владелец: Shenyang Jianzhu University. Дата публикации: 2019-09-17.

Permeability structure and the construction method of this for sand beach shore maintenance and littoral nourishment facilities

Номер патента: KR100750883B1. Автор: 홍길표. Владелец: 주식회사 한국항만기술단. Дата публикации: 2007-08-22.

Joint of steel structure and its manufacturing method of the outsourcing from closing in

Номер патента: CN109281924A. Автор: 谢振宁. Владелец: Guangxi Tianzheng Steel Structure Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-29.

A kind of the underwater grouting formwork structure and its construction method of pole section increasing

Номер патента: CN106522234B. Автор: 张伟,梁国栋,李洪斌,陈锦铭,李汉渤. Владелец: No 2 Engineering Co of CCCC Fourth Harbor Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-02.

Parasitic capacity and storage capacity structure and its manufacturing method of thin film transistor liquid crystal display

Номер патента: KR0163933B1. Автор: 김동규. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1999-01-15.

A kind of the draining anti-slide pile structure and its construction method of " rice " type stake core

Номер патента: CN110453699A. Автор: 王俊杰,黄达,肖衡林,裴向军,罗世林,吴礼舟. Владелец: HEBEI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2019-11-15.

For forming the thin plate layer of enhanced cellular structure and the preparation method of honeycomb

Номер патента: CN105291491B. Автор: 杨艳,黄静波. Владелец: Beijing Jinlunwode Technology Co ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

A kind of tunnel segment structure and its construction method of the anti-floating of shield tunnel

Номер патента: CN109973116A. Автор: 唐亮,石强,赵策,赵香萍,乔国强,凌贤长,徐加飞,刘创印,孔祥勋,邓长飞,蒋言佳,姚前伟. Владелец: Second Engineering Co Ltd of China Railway 12th Bureau Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-05.

The reparation structure and its construction method of a kind of hollow slab girder bridge floor system damage

Номер патента: CN108547222A. Автор: 姚丽君,苏庆田,方亚非,周偲,周如明. Владелец: Shanghai Shenji Traffic Science & Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-18.

A kind of mounting structure and its installation method of external wall thermal insulation/decoration integration board material

Номер патента: CN107489253A. Автор: 刘爱华,刘虎山. Владелец: Jiangsu And All Over World Energy-Conservation Science And Technology Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

The steel pipe of steel pipe structuring and the welding method of connector

Номер патента: CN108712941A. Автор: 中谷光良,山田顺也,谷和彦,成山达也,汤藤尚人. Владелец: Hitachi Zosen Corp. Дата публикации: 2018-10-26.

A kind of fixed structure and its construction method of the external labeling type waterstop for piping lane gap location

Номер патента: CN109235497A. Автор: 李志路. Владелец: China MCC17 Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-18.

A kind of structure and its manufacturing method of gas flow sensor

Номер патента: CN105526983B. Автор: 王伟军,康晓旭. Владелец: Shanghai Integrated Circuit Research and Development Center Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-18.

A kind of the assembled secondary liner structure and its construction method of bored tunnel

Номер патента: CN105484765B. Автор: 李冰,王恒,陈滔,张玉芳,李松梅,王伟锋,杜玉峰,金淮,郝志宏,罗富荣,童利红. Владелец: Beijing Rail And Transit Design & Research Institute Co ltd. Дата публикации: 2018-12-11.

Enhance the low-light grid optical cavity structure and its manufacturing method of the response of silicon detector near-infrared

Номер патента: CN109052312A. Автор: 郭培,李华高. Владелец: CETC 44 Research Institute. Дата публикации: 2018-12-21.

The attachment structure and its construction method of asphaltic concrete core wall and concrete pedestal

Номер патента: CN105484209B. Автор: 陆素洁. Владелец: PowerChina Huadong Engineering Corp Ltd. Дата публикации: 2017-10-27.

A kind of the composite sandwich plate attachment structure and its design method of new no metal connecting piece

Номер патента: CN105500867B. Автор: 陆晓峰,朱晓磊,刘路维,刘杨,曾卓. Владелец: NANJING TECH UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-12-08.

The welding structure and its welding method of Nitinol and different metal materials

Номер патента: CN105397293B. Автор: 刘威,陈庆福. Владелец: Faersheng-Peiersi Material Sciene-Technology Co Ltd Jiangyin City. Дата публикации: 2017-10-20.

A kind of weaving method of preceding crotch structure and its weaving method of Briefs

Номер патента: CN108796807B. Автор: 杨静. Владелец: Guangzhou Comfort Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-15.

The finger binding structure and its construction method of a kind of suspension type rail beam

Номер патента: CN106894300A. Автор: 刘建国,陈艳,王�义,唐丽,姜友荣,周元,王永景,廖兴国. Владелец: China MCC5 Group Corp Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Beam body bearing structure and integrated construction method of assembled wall formwork and beam

Номер патента: CN113818631A. Автор: 盛雄,盛博. Владелец: Chen Tai Guangde Intelligent Assembly Building Ltd By Share Ltd. Дата публикации: 2021-12-21.

A kind of leakage preventing structure and its construction method of deformed concrete crack

Номер патента: CN110130401A. Автор: 张晓晖,朱志勇,陈绪港,谢民燕,黄正卿. Владелец: GUANGZHOU CHEMICAL GROUTING ENGINEERING Co Ltd CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2019-08-16.

Installation module of trolley hoist for vessel or marine structure and the operating method of it

Номер патента: KR101973038B1. Автор: 김종윤,윤대호,함영창,김호형. Владелец: 대우조선해양 주식회사. Дата публикации: 2019-04-26.

The attachment structure and its construction method of prefabricated regeneration monolith plate and composite beam

Номер патента: CN107740522A. Автор: 吴波,聂良珍. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2018-02-27.

The molding structure and its forming method of a kind of valve blade

Номер патента: CN108246942A. Автор: 田齐芳,郑春霞. Владелец: JIANGSU HUADONG ZHENGDA AIR CONDITIONING EQUIPMENT CO Ltd. Дата публикации: 2018-07-06.

The three-dimensional cell structure and energy dissipating method of a kind of sluicing gravity dam energy dissipating

Номер патента: CN107044111A. Автор: 王薇,李传奇,肖学,王德振,马梦蝶,崔佳伟,宋苏林,段明印,荆倩婧,杨幸子. Владелец: Shandong University. Дата публикации: 2017-08-15.

A kind of space index structure and its building method of supporting collaborative process to inquire

Номер патента: CN108509550A. Автор: 王国军,张少波,张雪艳. Владелец: CENTRAL SOUTH UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-09-07.

The precast assembly bridge pier anti-seismic structure and its construction method of built-in replaceable viscous damper and energy consumption reinforcing bar

Номер патента: CN107974933B. Автор: 曹晓波,戴建国,王文炜,郑宇宙,朱忠锋,宋元印,石劭阳. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-07-23.

A kind of detachable bail structure and its application method of bid panel fixed on the wall

Номер патента: CN106969016A. Автор: 欧阳刚. Владелец: Chongqing Industry Polytechnic College. Дата публикации: 2017-07-21.

The model sheetinstallat structure and its construction method of the attractive joint of outer wall of basement

Номер патента: CN107119902A. Автор: 李波,王振宇,张宇翔,张志威,高轩. Владелец: China Construction Eighth Engineering Division Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-01.

A kind of server radiating noise-reduction fan structure and fan failure method of testing

Номер патента: CN107299919A. Автор: 翟文琼. Владелец: Zhengzhou Yunhai Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-27.

A kind of nano particle dimer of sandwich structure and the preparation method of polymer

Номер патента: CN110201590A. Автор: 张若虎,崔一平,朱利,李可欣,陆辉,苏靖婷. Владелец: SOUTHEAST UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-09-06.

The well formula rib frame laminated floor slab structure and its construction method of the built-in anti-suspension positioning device of light plastid

Номер патента: CN106968377B. Автор: 刘波,陈建伟,闫文赏,车文鹏. Владелец: Hebei Shi Feng Green Construction Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-19.

The silo structure and its construction method of prestressed steel structure and Combined concrete

Номер патента: CN105625787B. Автор: 张国军,王明珠,高向前,王树,葛家琪,张曼生. Владелец: China Aviation Planning and Design Institute Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-17.

A kind of welding structure and its welding method of steel bridge Beam Plate Elements ribbed stiffener end

Номер патента: CN108526741A. Автор: 张宏伟,裴雪峰,田刚毅. Владелец: China Railway Baoji Bridge Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-14.

Column body bearing structure and integrated construction method of assembled wall formwork and column

Номер патента: CN113802768B. Автор: 盛雄,盛博. Владелец: Chen Tai Guangde Intelligent Assembly Building Ltd By Share Ltd. Дата публикации: 2023-03-14.

The transition runner structure and its design method of a kind of centrifugal multistage pump multiple centrifugal pump

Номер патента: CN107035720A. Автор: 张涛,吴应德,马柏青,杨德旭,马文生,王民祥. Владелец: Lanzhou Lan Pump Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-11.

The fast joint structure and its using method of angle valve and pipeline

Номер патента: CN104676064B. Автор: 李章生,宋健毅. Владелец: Xiamen Runner Industrial Corp. Дата публикации: 2017-03-08.

Net twisting structure and net twisting method of simple and efficient gabion net machine

Номер патента: CN110788257A. Автор: 张锡堂. Владелец: Jiangyin Jin Lida Light Industrial Machinery Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-14.

A kind of local mounting structure and its installation method of Hard Roll keel

Номер патента: CN110499874A. Автор: 张叶超. Владелец: Zhengzhou Dashan Architectural Design And Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-26.

the improvement structure and this formation method of the oscillation work outlet facilitating the input of the propulsion pipe

Номер патента: KR20230047673A. Автор: 조광래. Владелец: 주식회사 아이언몰. Дата публикации: 2023-04-10.

A kind of the set lever structure and its operating method of bench drill

Номер патента: CN108994347A. Автор: 周进,沈铖. Владелец: Gaoyou Xinshun Machinery Manufacturing Co ltd. Дата публикации: 2018-12-14.

VEHICLE BODY FRONT STRUCTURE AND IMPACT ABSORBING METHOD OF VEHICLE BODY FRONT STRUCTURE

Номер патента: US20190118863A1. Автор: Kobayashi Akira,Kobayashi Hirokazu,Yasui Ken,Takeda Tomoya,Sato Yasuhito,HARA Yukiyasu,ARIMA Tetsuhiro,IKEYA Akihiro,HIGUCHI Eisei. Владелец: HONDA MOTOR CO., LTD.. Дата публикации: 2019-04-25.

The supporting structure and its construction method of heat distribution pipeline in pipe gallery

Номер патента: CN106704708B. Автор: 曾毅,侯振华,郭鹏杰,林明钊,周立朋. Владелец: China State Construction Technology Beijing Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-18.

Block for public works having a multiple coupling structure and carrying out method of using it

Номер патента: KR100317471B1. Автор: 한남수. Владелец: 한남수. Дата публикации: 2001-12-22.

Using the waterproof spray-up structure and its construction method of impervious gunite concrete

Номер патента: CN107916945A. Автор: 李�荣,罗朝廷,阳大福,罗小能. Владелец: China Railway Yanfeng Chendu Science and Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

The middle point part continuous structure and the continuous method of prestressed concrete girder bridge

Номер патента: KR100566653B1. Автор: 노옥근,노실근,노윤근. Владелец: 우경건설 주식회사. Дата публикации: 2006-03-31.

Color filter structure and its manufacturing method of lcd device

Номер патента: KR100254870B1. Автор: 박재용,김웅권,임경남. Владелец: 론 위라하디락사. Дата публикации: 2000-05-01.

The mounting tool structure and its installation method of electric equipment products control assembly

Номер патента: CN107984207B. Автор: 茅忠群,诸永定,胡金伟,杨勇光,李立波. Владелец: Ningbo Fotile Kitchen Ware Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-25.

The connection structure and its manufacturing method of wind turbine blade

Номер патента: CN109476099A. Автор: F·瑟伦森,J·霍内曼. Владелец: Paddle Blade Technology Center. Дата публикации: 2019-03-15.

Control the combination retaining structure and its construction method of biased deformation

Номер патента: CN107034905A. Автор: 高金龙,刘旭东,李建华,夏海军,徐建宁,尚武孝,雍金柱,曾凡福,文小永,谭学敏. Владелец: Xiamen Construction Engineering Co Ltd of of China Railway First Engineering Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-11.

Clothes with constant temperature refrigeration structure and temperature control method of clothes

Номер патента: CN105876917A. Автор: 王金玲,佟奇,杨奕斌. Владелец: Shenzhen Renben Fashion Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-24.

Vibration welding structure and vibration welding method of resin molded product

Номер патента: JP5377932B2. Автор: 修也 上瀧. Владелец: Daikyo Nishikawa Corp. Дата публикации: 2013-12-25.

Functional mortar composition for repairing-reinforcing concrete structure and repairing-reinforcing method of concrete structure

Номер патента: KR101936062B1. Автор: 김미정. Владелец: 주식회사 대호영이엔씨. Дата публикации: 2019-04-03.

Steel plate structure and the construction method of tunnel using the same

Номер патента: KR100890666B1. Автор: 허한구. Владелец: 허한구. Дата публикации: 2009-03-26.

Diaphragm valve structure and thermal isolation method of the diaphragm valve

Номер патента: KR102326810B1. Автор: 후안-잔 치엔,포-웬 첸,후안-치아오 홍. Владелец: 부에노 테크놀러지 코., 엘티디.. Дата публикации: 2021-11-16.

For protecting the subway station water sealing structure and its construction method of groundwater environment

Номер патента: CN105909260B. Автор: 张莉莉,韩琳,孙斌,何瑞,赵振华,李常锁,秦品瑞,胡克祯,武法伟,柳浩然,马雪莹. Владелец: Shandong Provincial Institute Of Geological And Mineral Engineering Investigation. Дата публикации: 2019-01-01.

Gasification furnace with explosion-proof enclosure structure and active protection method of coal gasification furnace

Номер патента: CN108587686B. Автор: 李伟,王庆,李卫民,赖波,李彦君,苟伟,汪映标,吴晓军,宋晓勇. Владелец: Vitalong Fire Safety Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-28.

A Wine Coffee Bean With a Core-Shell Structure and A Preparing Method Of The Same

Номер патента: KR101882590B1. Автор: 김도현,이지은. Владелец: 이지은. Дата публикации: 2018-07-26.

Three-dimensional porous structures and the manufacturing method of the same

Номер патента: KR102497406B1. Автор: 박형호,김태희,강건욱,이규형,유상혁,최하령. Владелец: 연세대학교 산학협력단. Дата публикации: 2023-02-08.

Change desert soil structure and the chemical method of ecological environment

Номер патента: CN107237314A. Автор: 卢明全. Владелец: Dalian Jiuding Xiangrui Special Engineering Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

The underpinning structure and underpinning construction method of existing building base isolation reinforcement

Номер патента: CN107795144A. Автор: 李小敏,鲁风勇. Владелец: Nanjing 100 Seath Construction Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Three dimension box-type precast concrete elevation structure and the construction method of building using the same

Номер патента: KR102304405B1. Автор: 유광준. Владелец: (주)지산개발. Дата публикации: 2021-09-23.

Transparent ceramic structure and surface treatment method of the same

Номер патента: US20060093738A1. Автор: Yung-Jen Lin,Jung-Chang Hu,Chien-Ming Tseng,Hsuan-Peng Lin,Chih-Chao Hsu. Владелец: National Chung Shan Institute of Science and Technology NCSIST. Дата публикации: 2006-05-04.

Ceiling mounting structure and accurate mounting method of keel system thereof

Номер патента: CN112267610B. Автор: 张丽红. Владелец: Beijing Huayi Construction Group Co ltd. Дата публикации: 2021-10-26.

The anti-freeze expansion structure and its paving method of seasonal frozen soil region roadbed

Номер патента: CN108193575A. Автор: 张昆. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-06-22.

Fixation structure and the establishment method of screen door pillar

Номер патента: KR100802592B1. Автор: 김복만. Владелец: 김복만. Дата публикации: 2008-02-18.

The recyclable foundation structure and its construction method of container-type building

Номер патента: CN110206051A. Автор: 张斌,王亚军,孙皓,田强,张庆昱,谢荣岭,张洁洁. Владелец: Zhongjian Integrated House Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-06.

One kind obtains β+O duplex structures and improves Ti2The method of AlNb alloy rigidities

Номер патента: CN106868328A. Автор: 蔡奇,刘永长,马宗青,李梦晨,王祖敏. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-06-20.

Security kernel structure and security operation method of satellite-borne computer software

Номер патента: CN110673975A. Автор: 张国柱,陈浩,徐晨,方圆,王向,詹鹏宇. Владелец: SHANGHAI AEROSPACE CONTROL TECHNOLOGY INSTITUTE. Дата публикации: 2020-01-10.

Liner protection angle structure and pipe winding method of freezer liner

Номер патента: CN104482709B. Автор: 张朝辉. Владелец: Hefei Hualing Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-25.

Data storage structure and data storage method of unstructured grid

Номер патента: CN112015735A. Автор: 凌空. Владелец: Xi'an Shufeng Information Technology Co ltd. Дата публикации: 2020-12-01.

Layout determination method, structure and stamping manufacturing method of composite shape sheet

Номер патента: CN106570224A. Автор: 张文涛,朱亮,彭永前,韦衍杰,周晓舟. Владелец: Dongfeng Motor Corp. Дата публикации: 2017-04-19.

Welding Structure and the welding method of being undertaken by electric resistance welding

Номер патента: CN102569709B. Автор: 河原敬二,小野濑伸,藤本浩,长谷川坚太. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2015-11-18.

Probe installation structure and probe installation method of steam turbine generator

Номер патента: CN111520199B. Автор: 李刚,黄滔,徐锋,何静,邓兴宏,欧希桥. Владелец: CGN Power Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-18.

Semi-finished complete denture based on preformed dentition structure and rapid manufacturing method of complete denture

Номер патента: CN112618074A. Автор: 吴洋,吴瑛,张存莉,刘改丽,吴庚林. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-04-09.

A Sandwich plate comprising truss-structure and A manufacturing method of the same

Номер патента: KR20150014561A. Автор: 이정환,김세종,최정호. Владелец: 한국기계연구원. Дата публикации: 2015-02-09.

The template structure and its construction method of prefabricated subsection structure

Номер патента: CN106795701B. Автор: 李大龙. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-15.

The reinforced structure and its manufacture method of crash helmet

Номер патента: CN104413991B. Автор: 何昌宪. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-09-05.

The joint structure and its manufacturing method of cycle frame

Номер патента: CN108357614A. Автор: 罗际威,张智凱,辛旭斌,赖宏杰. Владелец: Giant Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-03.

Coil structure and coil winding method of electrofusion type specials tube

Номер патента: KR102070825B1. Автор: 신영석. Владелец: 신영석. Дата публикации: 2020-01-29.

Radar apparatus including time-division iq structure and the operating method of the radar apparatus

Номер патента: KR102081148B1. Автор: 김병철,김병성,최승운,박세경. Владелец: 주식회사 바이다. Дата публикации: 2020-02-25.

The pier bottom structure and its assembly method of single track bridge pier, single track bridge pier

Номер патента: CN108411771A. Автор: 张崇斌,魏宇,杨喜文,徐升桥,任为东. Владелец: China Railway Engineering Consulting Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-17.

Suitable for the rock foundation structure and its construction method of transmission line construction

Номер патента: CN106836261A. Автор: 王宇坤,宋浩然,聂厚勇,束峻峰,符骏. Владелец: Wuhu Power Supply Co of State Grid Anhui Electric Power Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Improve structure and the manufacture method of perforation unit top surface property

Номер патента: CN106077097A. Автор: 张晖,李晓忠,王宏权,栗海峰,高瑞全,张东须,尹锡泉,陈廷俊. Владелец: Tianjin Pipe Group Corp. Дата публикации: 2016-11-09.

The mounting structure and its installation method of inclined curtain wall

Номер патента: CN110258876A. Автор: 李伟,陈刚,李黎,王军杰,魏高,吕永进,王显博,周良朋,孟天甫,肖传坤. Владелец: China Construction Eighth Engineering Division Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-20.

Re-inforced shock resistant resin structure and its relative method of manufacture

Номер патента: PT70984B. Автор: . Владелец: Nava Pier Luigi. Дата публикации: 1981-11-02.

Circuit topological structure and operation control method of cooperative direct current power flow controller

Номер патента: CN107612011B. Автор: 朱淼,蔡旭,徐莉婷,钟旭. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2021-08-03.

COOKED SHELL STRUCTURE AND THE PRODUCTION METHOD OF IT

Номер патента: TR201713297A2. Автор: Çoban Erdoğan. Владелец: Soelen Cikolata Gida Sanayi Ve Ticaret Anonim Sirketi. Дата публикации: 2019-03-21.

Pressure actuated valves and methods of use

Номер патента: CA3089081A1. Автор: David B. Malcolm. Владелец: MALCO LLC. Дата публикации: 2022-02-05.

System for inspection and/or renovation and/or modification of thermal insulation systems in the building industry and method of inspection and/or renovation and/or modifications of these thermal insulation systems

Номер патента: EP2572053A2. Автор: Alois Palacký. Владелец: Ecoraw SRO. Дата публикации: 2013-03-27.

System for inspection and/or renovation and/or modification of thermal insulation systems in the building industry and method of inspection and/or renovation and/or modifications of these thermal insulation systems

Номер патента: WO2011144187A3. Автор: Alois Palacký. Владелец: Ecoraw, S.R.O.. Дата публикации: 2012-04-05.

System for inspection and/or renovation and/or modification of thermal insulation systems in the building industry and method of inspection and/or renovation and/or modifications of these thermal insulation systems

Номер патента: WO2011144187A2. Автор: Alois Palacký. Владелец: Ecoraw, S.R.O.. Дата публикации: 2011-11-24.

Fire- and explosion-proof door structure and methods for installation thereof

Номер патента: RU2598572C1. Автор: Тимур Ахмедбекович Мирзеабасов,Дмитрий Олегович Белов. Владелец: Дмитрий Олегович Белов. Дата публикации: 2016-09-27.

Honeycomb structure and method of forming same

Номер патента: RU2650364C2. Автор: Томас А. ДИН,Бренда К. БЕНЕДЕТТИ. Владелец: Зе Боинг Компани. Дата публикации: 2018-04-11.

Micro-electro-mechanical pressure device and methods of forming same

Номер патента: US09975756B2. Автор: Lorenzo Baldo,Sebastiano Conti,Flavio Francesco Villa,Enri Duqi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-05-22.

Asymmetric cable-membrane tensegrity structure of opening type, method of constructing the same and method of designing the same

Номер патента: US09892213B2. Автор: Guojun Zhang,Ling Zhang,Shu Wang,Jiaqi Ge,Mansheng Zhang,Zhizhong Guan,Botao Ma. Владелец: China Aviation Planning & Construction Development. Дата публикации: 2018-02-13.

Method of massive breaking of rock ore

Номер патента: RU2645048C1. Автор: Игорь Владимирович Соколов,Алексей Алексеевич Смирнов,Кирилл Васильевич Барановский,Артем Андреевич Рожков,Игорь Владимирович Качалов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт горного дела Уральского отделения Российской академии наук (ИГД УрО РАН). Дата публикации: 2018-02-15.

Multi-pane insulated glass unit having a relaxed film forming a third pane and method of making the same

Номер патента: EP4295006A1. Автор: James W. Mccamy,Roxana SHABANI,William II DAVIS. Владелец: VITRO FLAT GLASS LLC. Дата публикации: 2023-12-27.

Micromechanical structure, device including the structure, and methods of forming and using same

Номер патента: US20050045920A1. Автор: Michael Kozicki. Владелец: Axon Technologies Corp. Дата публикации: 2005-03-03.

Multi-pane insulated glass unit having a relaxed film forming a third pane and method of making the same

Номер патента: US12116832B2. Автор: James W. Mccamy,Roxana SHABANI,II William Davis. Владелец: VITRO FLAT GLASS LLC. Дата публикации: 2024-10-15.

Method of manufacturing capacitive deionization (cdi) device, cdi device and apparatus for treating water, electrode for capacitive deionization and method of forming same

Номер патента: SG11201903410XA. Автор: Cheng Zhou,Meng Ding,Hui Ying YANG,Zhi Yi LEONG,Francois Zaviska,Xianfen Wang. Владелец: Univ Singapore Technology & Design. Дата публикации: 2019-05-30.

A moulded pulp fibre product, and method of forming same

Номер патента: EP4004286A1. Автор: Stuart Gordon,Mark Appleford. Владелец: VARDEN PROCESS PTY LTD. Дата публикации: 2022-06-01.

A moulded pulp fibre product, and method of forming same

Номер патента: AU2020319934A1. Автор: Stuart Gordon,Mark Appleford. Владелец: VARDEN PROCESS PTY LTD. Дата публикации: 2022-03-17.

A moulded pulp fibre product, and method of forming same

Номер патента: WO2021016664A1. Автор: Stuart Gordon,Mark Appleford. Владелец: VARDEN PROCESS PTY LTD. Дата публикации: 2021-02-04.

Preform, composite structure and panel, and methods of forming same

Номер патента: AU2019317217A1. Автор: Alan Stephen Jones,Paul George DeOliveira. Владелец: Fast Build Systems Pty Ltd. Дата публикации: 2021-01-07.

Multilayer structures with distinct layers and methods of forming same

Номер патента: US12023642B2. Автор: Srinivasa R. Raghavan,Brady C. ZARKET,Hanchu Wang. Владелец: UNIVERSITY OF MARYLAND AT COLLEGE PARK. Дата публикации: 2024-07-02.

A sensing structure and method of forming a sensing structure

Номер патента: WO2017203272A1. Автор: Mark Bradley,Fuad MOHAMAD. Владелец: THE UNIVERSITY COURT OF THE UNIVERSITY OF EDINBURGH. Дата публикации: 2017-11-30.

Systems and Methods of Forming Hydrogel Structures and Structures Formed Therefrom

Номер патента: US20210324365A1. Автор: Srinivasa R. Raghavan,So Hyun AHN,Ankit Gargava. Владелец: UNIVERSITY OF MARYLAND AT COLLEGE PARK. Дата публикации: 2021-10-21.

Preform, composite structure and panel, and methods of forming same

Номер патента: US12076946B2. Автор: Alan Stephen Jones,Paul George DeOliveira. Владелец: Fast Build Systems Pty Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Optical device having structural and refractive index gradation, and method of fabricating the same

Номер патента: US12109641B2. Автор: Ludovic Godet,Kang LUO,Jinrui GUO,Daihua Zhang,Rami HOURANI,Nai-Wen Pi. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Reduced material container and method of forming same

Номер патента: US12128601B2. Автор: Mark Blystone,Corey Janes,Darrel LEE,Richard SIERADZKI. Владелец: DISCMA AG. Дата публикации: 2024-10-29.

Glass sheets forming device and method

Номер патента: RU2719872C2. Автор: Джеймс П. Мл. ШНАБЕЛЬ,Дин М. НИТШКЕ,Дэвид Б. НИТШКЕ. Владелец: Гласстек, Инк.. Дата публикации: 2020-04-23.

Method of sea level measurement and device for its implementation

Номер патента: RU2693744C1. Автор: Владимир Анатольевич Соколов,Алексей Алексеевич Палей,Марина Алексеевна Васильева,Леонид Валерьевич Остроумов,Михаил Валерьевич Остроумов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Государственный океанографический институт имени Н.Н. Зубова" (ФГБУ "ГОИН"). Дата публикации: 2019-07-04.

Device and method of forming and filling container structures in sterile conditions

Номер патента: RU2401780C2. Автор: Дэниел ПАЙ. Владелец: Медикал Инстилл Текнолоджис, Инк.. Дата публикации: 2010-10-20.

Mats of glass fibers and pulp fibers and their method of manufacture

Номер патента: EP1218595A1. Автор: Daojie Dong. Владелец: Owens Corning. Дата публикации: 2002-07-03.

Ice-resistant drilling complex for development of continental shelf and method of formation of ice-resistant drilling complex for development of continental shelf

Номер патента: RU2734326C1. Автор: Виктор Фёдорович Ленский,Максим Васильевич Ковалев,Виталий Викторович Носков. Владелец: Акционерное общество "Центральное конструкторское бюро "Коралл". Дата публикации: 2020-10-15.

Device for guiding cell migration and method of guiding cell migration using said device

Номер патента: RU2603083C2. Автор: БЕРР Маэль ЛЕ,Матьё ПЕЛЬ,Йон ЧЕНЬ,Яньцзунь ЛИУ. Владелец: Сантр Насьональ Де Ля Решерш Сьентифик-Снрс. Дата публикации: 2016-11-20.

Layered structure with barrier layer, garment with the said layered structure and method of manufacture this layered structure

Номер патента: RU2462966C1. Автор: Александер ЦАГГЛЬ,Хольгер ЦОУДЛИК,Хельмут КЛУГ. Владелец: В.Л. Гор Энд Эсошиейтс Гмбх. Дата публикации: 2012-10-10.

Suspension hinge of rotary nozzle made of composite materials and method for its manufacture

Номер патента: RU2632393C1. Автор: Вячеслав Александрович Барынин,Александр Алексеевич Кульков,Николай Степанович Норкин,Вячеслав Викторович Мерзляков,Виктор Иванович Петрусев,Сергей Александрович Бондаренко,Аркадий Витальевич Пашутов,Алексей Майевич Евгеньев. Владелец: Акционерное общество Центральный научно-исследовательский институт специального машиностроения. Дата публикации: 2017-10-04.

Astringent for strait of structural layers of a transport structure and method of its use for the construction of a transport structure

Номер патента: RU2651733C1. Автор: Сергей Юрьевич Андронов,Владимир Юрьевич Леонтьев,Константин Владимирович Каштанов,Андрей Викторович Кочетков,Сергей Алексеевич Коротковский,Наталия Евсегнеевна Кокодеева. Владелец: Акционерное общество "ОргСинтезРесурс". Дата публикации: 2018-04-23.

Tubular members and methods of forming same

Номер патента: WO2007141573A1. Автор: John Peter Booth. Владелец: Helical Pipelines Limited. Дата публикации: 2007-12-13.

Optoelectronic structures having multi-level optical waveguides and methods of forming the structures

Номер патента: US09703036B2. Автор: Zhong-Xiang He,Steven M. Shank,Qizhi Liu,Ronald G. Meunier. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Radius fillers for composite structures, composite structures that include radius fillers, and systems and methods of forming the same

Номер патента: US09616594B2. Автор: Robert L. Anderson,Juan C. Guzman,Douglas A. Mccarville. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2017-04-11.

Oil storage tandem offloading platform and method of hull top structure separation from platform floating bottom module

Номер патента: RU2481222C2. Автор: Джеймс О`САЛЛИВАН,Манодж РАМАЧАНДРАН,Анил САБЛОК,Дзанг В. КИМ. Владелец: Текнип Франс. Дата публикации: 2013-05-10.

Curb wall forming apparatus and method of forming a curb wall

Номер патента: US20170107714A1. Автор: Robert U. CONNELL. Владелец: ILLINOIS TOOL WORKS INC. Дата публикации: 2017-04-20.

Curb wall forming apparatus and method of forming a curb wall

Номер патента: US20180148927A1. Автор: Robert U. CONNELL. Владелец: ILLINOIS TOOL WORKS INC. Дата публикации: 2018-05-31.

Systems and methods for manufacturing articles of footwear including a sole structure

Номер патента: US20240225187A9. Автор: Javier Garcia,Travis K. Ernst,Vincent F. White,Nancy D. EISENMENGER,Ken FRICKE,Matthew MCCLELLAN,Armando PETITJEAN. Владелец: Nike Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Bulkhead adapter assembly having integrally molded body and method of forming same

Номер патента: US20240151910A1. Автор: Steven E. Kaplan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-05-09.

Superoleophobic substrates and methods of forming same

Номер патента: WO2011146357A1. Автор: Prantik Mazumder,Robert S. Wagner. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2011-11-24.

Tubular members and methods of forming same

Номер патента: EP2026919A1. Автор: John Peter Booth. Владелец: Helical Pipelines Ltd. Дата публикации: 2009-02-25.

Bulkhead adapter assembly having integrally molded body and method forming same

Номер патента: CA3219265A1. Автор: Steven E. Kaplan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-05-07.

Composite structures and methods of forming composite structures

Номер патента: US11745443B2. Автор: William B. Montague,Matthew T. Giaraffa. Владелец: Guerrilla Industries LLC. Дата публикации: 2023-09-05.

Superoleophobic substrates and methods of forming same

Номер патента: EP2571826A1. Автор: Prantik Mazumder,Robert S. Wagner. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2013-03-27.

Mineral-filled polymer articles and methods of forming same

Номер патента: US20220347908A1. Автор: William Patchen,Ming Ho. Владелец: Pactiv Evergreen Inc. Дата публикации: 2022-11-03.

Mineral-filled polymer articles and methods of forming same

Номер патента: US12011856B2. Автор: William Patchen,Ming Ho. Владелец: PACTIV LLC. Дата публикации: 2024-06-18.

Curb wall forming apparatus and method of forming a curb wall

Номер патента: US09982432B1. Автор: Robert U. CONNELL. Владелец: ILLINOIS TOOL WORKS INC. Дата публикации: 2018-05-29.

Curb wall forming apparatus and method of forming a curb wall

Номер патента: US09879422B2. Автор: Robert U. CONNELL. Владелец: ILLINOIS TOOL WORKS INC. Дата публикации: 2018-01-30.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001308A1. Автор: FUKUTANI Keita,NISHIHATA Masayoshi,Mamitsu Kuniaki,Ookura Yasushi,Wado Hiroyuki,Sugiura Syun. Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Frame of rapidly erected structure and method of its assembly

Номер патента: RU2449093C2. Автор: Борис Григорьевич Мухин. Владелец: Борис Григорьевич Мухин. Дата публикации: 2012-04-27.

Method of production of a trilaminar panel out of a reinforced plastic and a filler out of tubular elements

Номер патента: RU2250824C1. Автор: Геннадий Алексеевич Павлов,Михаил Владимирович Поспелов,Ленинар Иванович Богатов. Владелец: Открытое Акционерное Общество Феодосийская Судостроительная Компания "Море". Дата публикации: 2005-04-27.

MANUFACTURING METHOD OF ENERGY STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003383A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Joint nail package and method and means of forming same

Номер патента: CA632681A. Автор: Ferguson Richard,Gettys D. Hoyle, Jr.. Владелец: Terrell Machine Co. Дата публикации: 1961-12-12.

External sandwich wall of building and method of its erection

Номер патента: RU2335606C1. Автор: Лиди Константиновна Казанцева,Лидия Константиновна Казанцева,Евгений Георгиевич Нерадовский. Владелец: Евгений Георгиевич Нерадовский. Дата публикации: 2008-10-10.

Method of protecting underwater structures and equipment from biofouling

Номер патента: RU2523841C2. Автор: Сергей Алексеевич Бахарев. Владелец: Сергей Алексеевич Бахарев. Дата публикации: 2014-07-27.

Electrically conductive confined space ventilator conduit formed of conductive polymer, electrical grounding circuit for ventilation systems using same, and methods of using and forming same

Номер патента: CA2561299A1. Автор: David Frank Angelico. Владелец: David Frank Angelico. Дата публикации: 2004-12-25.

Method of obtaining biopsy material for diagnostics of local cancer recurrence after radical prostatectomy

Номер патента: RU2471427C1. Автор: Евгений Ибадович Велиев,Олег Борисович Лоран,Ренат Иватуллаевич Гуспанов. Владелец: Государственное образовательное учреждение дополнительного профессионального образования Российская медицинская академия последипломного образования Федерального агентства по здравоохранению и социальному развитию (ГОУ ДПО РМАПО Росздрава). Дата публикации: 2013-01-10.

Target to receive functional coatings and method of its manufacturing

Номер патента: RU2569293C1. Автор: Евгений Александрович Левашов,Юрий Сергеевич Погожев,Артем Юрьевич Потанин,Наталия Владимировна Швындина,Александр Валентинович Новиков. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС". Дата публикации: 2015-11-20.

Porous rubber shock-absorber with set stiffness, method of stiffness adjustment of porous rubber shock-absorbers, and method of manufacturing of porous rubber shock-absorbers with set stiffness

Номер патента: RU2552746C2. Автор: Владимир Дмитриевич Ленкин,Валерий Геннадьевич Климов. Владелец: ООО "ПКТИтрансстрой". Дата публикации: 2015-06-10.

The structure and its manufacturing method of the foamed shoe body and peripheral decorative bar as a whole-piece structure

Номер патента: TW401279B. Автор: Jeng-Shian Ji. Владелец: Ji Jeng Shian. Дата публикации: 2000-08-11.

Organic electroluminescent display apparatus, organic electroluminescent display panel, and pixel structure and pixel driving method of the organic electroluminescent display panel

Номер патента: TW200949797A. Автор: Hong-Ru Guo,Yu-Wen Chiou,Seok-Woon Lee. Владелец: Chi Mei El Corp. Дата публикации: 2009-12-01.

Non-joint structure and its construction method of connection between structural walls with beams, columns, and floor decks in steel reinforced concrete (SRC) construction

Номер патента: TW419556B. Автор: Jin-Huei Shiau. Владелец: Shiau Jin Huei. Дата публикации: 2001-01-21.

Texturizing additive for formed meat products and method for obtaining of formed meat products with the use of texturizing additive

Номер патента: RU2249417C1. Автор: Т.В. Каренгина,И.Ф. Горлов. Владелец: ГУ Волгоградский научно-исследовательский технологический институт мясо-молочного скотоводства и переработки продукции животноводства РАСХН. Дата публикации: 2005-04-10.

Recombinant plasmid DNA pQe30_PS-CFP2 / TurboYFP_MBP7, coding fragment of human myelin basic protein fused 80-104 IN THE COMPOSITION OF STRUCTURES with yellow and cyan fluorescent protein EPeFRET, STRAIN Escherichia coli BL21 (DE3) - PRODUCER said protein, AND METHOD OF PRODUCING RECOMBINANT PROTEIN EPeFRET

Номер патента: RU2009126233A. Автор: Анатолий Иванович Мирошников,Александр Габибович Габибов,Наталья Александровна Пономаренко,Алексей Анатольевич Белогуров,Мария Юрьевна Захарова,Александр Габибович Габибов (RU),Анатолий Иванович Мирошников (RU),Алексей Анатольевич Белогуров (RU),Наталья Александровна Пономаренко (RU),Мария Юрьевна Захарова (RU). Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт биоорганической химии им. академиков М.М. Шемякина и Ю.А. Овчинникова РАН (RU). Дата публикации: 2011-01-20.

Transparent ceramic structure and surface treatment method of the same

Номер патента: TW200606126A. Автор: Yung-Jen Lin,Jung-Chang Hu,Chien-Ming Tseng,Hsuan-Peng Lin,Chih-Chao Hsu. Владелец: Chung Shan Inst Of Science. Дата публикации: 2006-02-16.

A structure and a pointing method of a wireless infrared sensor device

Номер патента: TW201232558A. Автор: Hong-Fa Ho,Chung-Yung HO,Chung-Chen HO. Владелец: Chung-Chen HO. Дата публикации: 2012-08-01.

Gate spacer structure and the manufacturing method of the same

Номер патента: TW434790B. Автор: Da-Cheng Lin,Ji-Shiang Liou,Jiun-Ji Shr. Владелец: United Semiconductor Corp. Дата публикации: 2001-05-16.

Structure and the manufacturing method of metal buttons

Номер патента: TW374698B. Автор: TONG Zheng. Владелец: TONG Zheng. Дата публикации: 1999-11-21.

Transparent ceramic structure and surface treatment method of the same

Номер патента: TWI256382B. Автор: Yung-Jen Lin,Jung-Chang Hu,Chien-Ming Tseng,Hsuan-Peng Lin,Chih-Chao Hsu. Владелец: Chung Shan Inst Of Science. Дата публикации: 2006-06-11.

Cap structure with dripping function, plug body with the structure, one-touch cap with the structure, and container with the structure

Номер патента: JP4232090B2. Автор: 優 清重. Владелец: Takeuchi Press Industries Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-04.

MEMORY ARRAYS WITH A MEMORY CELL ADJACENT TO A SMALLER SIZE OF A PILLAR HAVING A GREATER CHANNEL LENGTH THAN A MEMORY CELL ADJACENT TO A LARGER SIZE OF THE PILLAR AND METHODS

Номер патента: US20140126290A1. Автор: Sakui Koji,Feeley Peter. Владелец: MICRON TECEHNOLOGY, INC. Дата публикации: 2014-05-08.

A kind of attachment structure and its production method of pressure gauge adapter of plastic and bourdon tube

Номер патента: CN105136382B. Автор: 童纪国,高威定. Владелец: CIXI HUADONG PRESSURE GAUGE Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

The charge share-type pixel structure and its driving method of a kind of bilateral scanning

Номер патента: CN104537989B. Автор: 周刘飞. Владелец: Nanjing CEC Panda LCD Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Method of installing RFID tag for quality control on concrete structure and quality control method of concrete structure

Номер патента: JP5889725B2. Автор: 貢一 佐藤,佐藤　貢一,成弘 坂本,さやか 五十嵐. Владелец: Taisei Corp. Дата публикации: 2016-03-22.

Splitting and assembling structure and assembling connecting method of assembled type concrete frame-shear wall

Номер патента: CN102900168B. Автор: 赵唯坚. Владелец: Shenyang Jianzhu University. Дата публикации: 2014-08-20.

A kind of based on the microcontroller of CISC structure and the implementation method of instruction set thereof

Номер патента: CN100545804C. Автор: 张文,朱建国,刘艳军,黄继颇,赵启山,贺理. Владелец: Shanghai Hair Group Integated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2009-09-30.

The transmitting coil structure and its winding method of a kind of high quality factor

Номер патента: CN105845404B. Автор: 钟霞. Владелец: Ningbo Wei E Electronic Science And Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

The transformer arrangement structure and its winding method of a kind of tertiary winding corner connection

Номер патента: CN107633942A. Автор: 许平,赵静,王晖,马志凯,廖金木. Владелец: TBEA Shenyang Transformer Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-26.

The sapphire fiber grating temperature of a kind of U-shape structure and the preparation method of strain gauge

Номер патента: CN103674085B. Автор: 谢阳,王军利,魏志义,朱江峰,贺博荣. Владелец: Xidian University. Дата публикации: 2016-08-17.

Shaft sealing structure and shaft sealing method of roots blower for vacuum evaporator, and vacuum evaporation apparatus

Номер патента: JP5670072B2. Автор: 松下　哲也,哲也 松下,西村　靖史,靖史 西村,悟 平野,平野　悟,向田　民人,民人 向田. Владелец: Sasakura Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-18.

Concrete structure, manufacturing method of concrete structure, and deterioration diagnosis method of concrete structure

Номер патента: JP6808354B2. Автор: 山本　貴士,貴士 山本. Владелец: MBS Corp. Дата публикации: 2021-01-06.

A kind of weighing structure and gravity detection method of rail traffic platform safety tread

Номер патента: CN105035096B. Автор: 赵忠,史和平. Владелец: SHANGHAI JIACHENG RAILWAY TRANSPORTATION SAFETY SYSTEM CO Ltd. Дата публикации: 2019-02-19.

A kind of Suspension hook structure and its construction method of later stage supplement

Номер патента: CN107605924A. Автор: 董俊,赵星,朱炎兵,雷崇. Владелец: China Railway Siyuan Survey and Design Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-19.

A kind of expansion joint structure and its construction method of connecting plate-abutment parados combination

Номер патента: CN109853376A. Автор: 陈宝春,薛俊青,黄福云,林健辉,布鲁诺.布里斯杰拉. Владелец: FUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-06-07.

A kind of aeration structure and its installation method of elevator

Номер патента: CN109911744A. Автор: 刘东风,余兵,孟祥立. Владелец: Beijing Huanyu Elevator Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-21.

A structure and a processing method of system with multi-beam and micro-beamforming

Номер патента: TWI706641B. Автор: 劉建宏,郭富彥. Владелец: 奔騰智慧生醫股份有限公司. Дата публикации: 2020-10-01.

It is a kind of for reconstructing the electric control structure and its reconstructing method of liquid metal

Номер патента: CN109950686A. Автор: 朱晓华,褚慧,李静锴. Владелец: Nanjing University of Science and Technology. Дата публикации: 2019-06-28.

The mesa structure and its assemble method of a kind of washing machine, dish-washing machine

Номер патента: CN107604599A. Автор: 蒲杰,姜战存,包自超,解婷. Владелец: Qingdao Haier Dishwasher Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-19.

A kind of the tunnel bottom structure and its construction method of anti-pucking disaster

Номер патента: CN109736855A. Автор: 陈斌,汪泓,李涛涛,刘镐,金镖,左宇军,邬忠虎,孙文吉斌,郑禄璟,万入祯,伍兴维. Владелец: GUIZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-05-10.

STRUCTURE AND PATTERN FORMING METHOD OF TRANSPARENT CONDUCTIVE CIRCUIT

Номер патента: US20120261172A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-10-18.

Structure and pull-down method of sub-barge

Номер патента: JPS5587688A. Автор: Yoshiyuki Yuzuriha,Yasusuke Okamoto. Владелец: Mitsui Engineering and Shipbuilding Co Ltd. Дата публикации: 1980-07-02.

Rotor structure and its manufacturing method of multistage axial flow rotary machine

Номер патента: JPS5471207A. Автор: Norio Matsumura. Владелец: Kawasaki Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 1979-06-07.

Colored multilayer film structure and film coating method of same

Номер патента: CN102211437A. Автор: 陈杰良,王仲培,魏朝沧,洪新钦. Владелец: Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-12.

Heat dissipation structure and heat dissipation method of LED module

Номер патента: CN103956358A. Автор: 杨华,王军喜,李晋闽,王国宏,李璟,伊晓燕,郑怀文,卢鹏志. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2014-07-30.

Temperature-control cooling system for large-size concrete structure and cooling control method of temperature-control cooling system

Номер патента: CN104234431A. Автор: 伍小平,焦常科,李鑫奎,顾海欢. Владелец: Shanghai Construction Group Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-24.

Anti-fouling device for underwater structure and electrochemical control method of organism

Номер патента: JPH11244861A. Автор: Tadashi Matsunaga,是 松永,Tsuruo Nakayama,Hitoshi Wake,仁志 和気,鶴雄 中山,欣一 小澤,Kinichi Ozawa,Tokuyuki Nakamura,徳幸 中村. Владелец: Pentel Co Ltd. Дата публикации: 1999-09-14.

Improve epitaxial structure and the growing method of wavelength concentration in GaN base epitaxial wafer

Номер патента: CN103337571B. Автор: 李刚,牛勇,杨奎,郭丽彬,蒋利民,吴礼清. Владелец: Hefei Irico Epilight Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-10.

Contact structure and contact formation method of semiconductor device

Номер патента: KR960026179A. Автор: 황준. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1996-07-22.

Lens frame structure and optical centering method of lens frame

Номер патента: JP3996709B2. Автор: 和行 岩佐. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2007-10-24.

Load-bearing structure and load-bearing method of wooden buildings

Номер патента: JP6962681B2. Автор: 芳英 春城,俊彦 松. Владелец: 俊彦 松. Дата публикации: 2021-11-05.

Cutting structure and injection molding method of water gap in die

Номер патента: CN102744839B. Автор: 陈剑英,陈剑洪,黄木文,方红灯,金清华. Владелец: ZHUHAI YINGHAO ELECTRONICS TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-15.

Binary channels fetron reduces structure and the manufacture method of pinch-off voltage

Номер патента: CN103094319B. Автор: 宁开明. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2015-10-14.

Labor-saving track structure on soil structure, and settlement repair method of labor-saving track on soil structure

Номер патента: JPH11269801A. Автор: Takeshi Takahashi,武 高橋,Takahiro Sugano,忠良 石橋,貴浩 菅野,Tadayoshi Ishibashi,Yorio Yonekura,Hideyuki Iizuka,英之 飯塚,頼夫 米倉. Владелец: JR East Consultants Co. Дата публикации: 1999-10-05.

Prefabricated shear wall, building structure and the construction method of the building structure

Номер патента: CN109779090A. Автор: 王宁,王庆华,方园,孙占琦,王洪欣. Владелец: China Construction Science and Technology Co Ltd Shenzhen Branch. Дата публикации: 2019-05-21.

There is semiconductor structure and its formation method of stress protection structure

Номер патента: CN103378028B. Автор: 陈逸男,刘献文,徐文吉,叶绍文. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2016-01-13.

The sealant sealing assembling structure and glue encapsulation method of auto electronic element

Номер патента: CN104319266B. Автор: 何元飞,程捷. Владелец: United Automotive Electronic Systems Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

The mounting structure and its separation method of tool, seal assembly

Номер патента: CN107642608A. Автор: 李飞飞. Владелец: GUANGDONG OPPO MOBILE TELECOMMUNICATIONS CORP LTD. Дата публикации: 2018-01-30.

Refrigerator illumination structure and assembly positioning method of refrigerator illumination structure

Номер патента: CN104101174A. Автор: 贺亚涛. Владелец: Suzhou Samsung Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-15.

The damping foundation structure and its construction method of equipment

Номер патента: CN105064392B. Автор: 毛兴平. Владелец: China 19th Metallurgical Corp. Дата публикации: 2017-05-31.

Antenna structure and the manufacture method of antenna structure

Номер патента: CN106486764A. Автор: 吴子民,许渊钦. Владелец: Qiji Polytron Technologies Inc. Дата публикации: 2017-03-08.

Cushion block assembly structure for jacking structure and jacking implementation method of cushion block assembly structure

Номер патента: CN103194985A. Автор: 李方元,闫兴非,吴培峰. Владелец: Shanghai Urban Construction Design Research Institute Co ltd. Дата публикации: 2013-07-10.

Elastic joint structure and elastic joining method of box concrete block

Номер патента: JP4223430B2. Автор: 修 長谷川,幸美 荻野,利幸 辻. Владелец: ジオスター株式会社. Дата публикации: 2009-02-12.

Leadframe with pin holding structure and pin holding method of leadframe

Номер патента: JPS63258051A. Автор: Tetsuya Hojo,徹也 北城. Владелец: Fuji Plant Kogyo Kk. Дата публикации: 1988-10-25.

Based on field emission cathode structure and the manufacture method of sea urchin type nickel particles template

Номер патента: CN103198991B. Автор: 张永爱,郭太良,周雄图,张典,胡海龙,李福山,叶芸,杨尊先. Владелец: FUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-10-14.

The test structure and its manufacture method of flush memory device

Номер патента: CN104465618B. Автор: 柳会雄,刘良,高学,周志美. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-27.

Gas seal structure and gas seal method of vibratory mixer

Номер патента: CN105202197A. Автор: 刘云飞,高阳,林亮亮,王新亚,李晨光,赵悟,田建涛,武甜,董晨希,吕兴坤,曹鑫鑫,蒋文志. Владелец: Changan University. Дата публикации: 2015-12-30.

Scour prevention structure and scour prevention method of pier structure

Номер патента: JP2023097274A. Автор: Masanori Nakai,正則 中井,Norihiro Nishimura,宏春 谷田部,Hiroharu Yatabe,駆 渡辺,Kakeru Watanabe,孝之 中林,Takayuki Nakabayashi,規宏 西村. Владелец: Tokyo Kyuei Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-07.

Structure and press molding method of eight-layered print circuit board

Номер патента: TW448710B. Автор: Yu-Chiang Jeng. Владелец: Mitac Int Corp. Дата публикации: 2001-08-01.

METHOD OF MAKING A FUEL CELL DEVICE

Номер патента: US20120003570A1. Автор: Devoe Alan,Devoe Lambert. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MAKING A FUEL CELL DEVICE

Номер патента: US20120003571A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD OF ILLUMINATING INTERFEROMETRIC MODULATORS USING BACKLIGHTING

Номер патента: US20120001962A1. Автор: Tung Ming-Hau,Chui Clarence. Владелец: QUALCOMM MEMS Technologies, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Engine systems and methods of operating an engine

Номер патента: US20120000435A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS INTEGRATING MICROELECTROMECHANICAL SYSTEM DEVICE WITH CIRCUIT CHIP AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001276A1. Автор: . Владелец: INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2012-01-05.

LAMINATE OPTICAL BODY, OPTICAL FILM, LIQUID CRYSTAL DISPLAY APPARATUS USING SAID OPTICAL FILM, AND METHOD FOR PRODUCING LAMINATE OPTICAL BODY

Номер патента: US20120003400A1. Автор: Takeda Kentarou,Kitagawa Takeharu,Nishimura Akinori,Inagaki Junichi,Yaginuma Hironori,YOSHIMI Hiroyuki,Kinoshita Ryoji. Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SUPERHYDROPHILIC AND OLEOPHOBIC POROUS MATERIALS AND METHODS FOR MAKING AND USING THE SAME

Номер патента: US20120000853A1. Автор: Mabry Joseph M.,TUTEJA Anish,Kota Arun Kumar,Kwon Gibum. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICES AND METHODS FOR CUTTING AND EVACUATING TISSUE

Номер патента: US20120004595A1. Автор: DUBOIS Brian R.,NIELSEN James T.,GORDON Alexander. Владелец: LAURIMED, LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

Antireflective Coatings for Via Fill and Photolithography Applications and Methods of Preparation Thereof

Номер патента: US20120001135A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

Nozzle plate and method for manufacturing the nozzle plate, and inkjet printer head with the nozzle plate

Номер патента: US20120001986A1. Автор: Kim Young Jae. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002285A1. Автор: Matsuda Manabu. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

CERAMIC/STRUCTURAL PROTEIN COMPOSITES AND METHOD OF PREPARATION THEREOF

Номер патента: US20120003280A1. Автор: Wei Mei,Qu Haibo. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOVOLTAIC MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000506A1. Автор: Kim Dong-Jin,KANG Ku-Hyun,NAM Yuk-Hyun,Lee Jung-Eun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

TRANSPARENT ELECTRICALLY CONDUCTIVE LAYER AND METHOD FOR FORMING SAME

Номер патента: US20120000519A1. Автор: FREY Jonathan Mack. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

RESISTIVE RAM DEVICES AND METHODS

Номер патента: US20120001144A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING A DRESSING

Номер патента: US20120001366A1. Автор: . Владелец: BOEHRINGER TECHNOLOGIES, L.P.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING PATTERN AND DEVELOPER FOR USE IN THE METHOD

Номер патента: US20120003591A1. Автор: Enomoto Yuichiro,Tarutani Shinji,IWATO Kaoru,Kato Keita,Kamimura Sou,FUJII Kana. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

CANCER BIOMARKERS AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120003639A1. Автор: KERLIKOWSKE KARLA,TLSTY THEA D.,GAUTHIER MONA L.,BERMAN HAL K.,BREMER TROY,MOLINARO ANNETTE M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120003806A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING STRAINED EPITAXIAL CARBON-DOPED SILICON FILMS

Номер патента: US20120003825A1. Автор: Dip Anthony. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

BUMETANIDE, FUROSEMIDE, PIRETANIDE, AZOSEMIDE, AND TORSEMIDE ANALOGS, COMPOSITIONS AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120004225A1. Автор: COLLINS Stephen D.,Partridge John J.,Wanaski Stephen. Владелец: NeuroTherapeutics Pharma, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

STEERABLE SURGICAL SNARE AND METHOD OF USE

Номер патента: US20120004647A1. Автор: Cowley Collin George. Владелец: The University of Utah. Дата публикации: 2012-01-05.

ION-SENSING CHARGE-ACCUMULATION CIRCUITS AND METHODS

Номер патента: US20120000274A1. Автор: Fife Keith. Владелец: LIFE TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

RAY TRACING SYSTEM ARCHITECTURES AND METHODS

Номер патента: US20120001912A1. Автор: Peterson Luke Tilman,McCombe James Alexander,Salsbury Ryan R.,Clohset Steven John. Владелец: CAUSTIC GRAPHICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ACTINIC-RAY- OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION AND METHOD OF FORMING PATTERN USING THE COMPOSITION

Номер патента: US20120003585A1. Автор: TSUBAKI Hideaki,Tsuchimura Tomotaka,Yatsuo Tadateru,TSUCHIHASHI Toru,SHIRAKAWA Koji. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SOL-GEL MONOLITHIC COLUMN WITH OPTICAL WINDOW AND METHOD OF MAKING

Номер патента: US20120000850A1. Автор: . Владелец: UNIVERSITY OF SOUTH FLORIDA. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Structures with Rare-earths

Номер патента: US20120001171A1. Автор: Atanackovic Petar B.. Владелец: TRANSLUCENT INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTION AND ALIGNMENT DETECTION SYSTEMS AND METHODS

Номер патента: US20120004602A1. Автор: HANSON Ian B.,Bente,IV Paul F.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LAYERED STRUCTURES WITH INTEGRAL BRAZING MATERIALS

Номер патента: US20120000967A1. Автор: . Владелец: UNITED TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of forming aggregated data structure and method of searching for data through aggregated data structure in data base management system

Номер патента: RU2433467C1. Автор: Сергей Павлович Маркин. Владелец: Закрытое акционерное общество Научно-производственное предприятие "Реляционные экспертные системы". Дата публикации: 2011-11-10.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC EL DISPLAY PANEL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001186A1. Автор: ONO Shinya,KONDOH Tetsuro. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001252A1. Автор: Alsmeier Johann,Purayath Vinod Robert,Chien Henry,Matamis George,Lee Yao-Sheng,Kai James,Zhang Yuan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

LED module, LED package, and wiring substrate and method of making same

Номер патента: US20120002420A1. Автор: IMAI Noboru,ISAKA Fumiya,Noguchi Masahiro,Shibata Akiji,Ashidate Yuzuru,Suzuki Aki. Владелец: HITACHI CABLE, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

WOUND DRESSING APPARATUS AND METHOD OF USE

Номер патента: US20120004628A1. Автор: . Владелец: Smith & Nephew PLC. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000517A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

ANNEALED WAFER, METHOD FOR PRODUCING ANNEALED WAFER AND METHOD FOR FABRICATING DEVICE

Номер патента: US20120001301A1. Автор: Ebara Koji,KIKUCHI Hiroyasu,Hayamizu Yoshinori. Владелец: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001329A1. Автор: Kim Young Lyong,Lee Jongho,AHN EUNCHUL,Kim Hyeongseob. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Alignment Mark and Method of Formation

Номер патента: US20120001337A1. Автор: Yu Chen-Hua,Lin Jing-Cheng,Jeng Shin-Puu,Chiou Wen-Chih,Wu Weng-Jin,Chen Chia-Ho,Tsai Fang Wen,Tsai Chen-Yu,Wang Shih-Hui,Chiu Chien-Ming. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001544A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

INFORMATION STORAGE/READOUT DEVICE FOR USE IN CONTINUOUSLY MANUFACTURING SYSTEM FOR LIQUID-CRYSTAL DISPLAY ELEMENTS, AND METHOD AND SYSTEM FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20120002154A1. Автор: Kitada Kazuo,Yura Tomokazu,Koshio Satoru,Nakazono Takuya,KIMURA Kouji,SHIMANOE Fumihito. Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, ANTIGLARE FILM, POLARIZER WITH OPTICAL LAYER, AND DISPLAY APPARATUS

Номер патента: US20120002282A1. Автор: Suzuki Ryo,Haga Yumi,Nagahama Tsutomu,Matsumura Shinichi. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Perpendicular Magnetic Write head and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120002326A1. Автор: Matono Naoto,SASAKI Kenji,Mino Tetsuya,Onodera Ikuhito,Nishiyama Kazushi,Tsuchiya Michitoshi. Владелец: SAE Magnetics (H.K.) Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID ELECTROLYTIC CAPACITOR WITH SMALL LEAKAGE CURRENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002350A1. Автор: Suzuki Satoshi,NOBUTA Tomoki,TAKAHASHI Naoki,Nishiyama Toshihiko,Kobayakawa Ryuta. Владелец: NEC TOKlN CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

WAVELENGTH MULTIPLEXER/DEMULTIPLEXER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002918A1. Автор: . Владелец: FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN ELECTROCHEMICAL DEVICE USING ULTRAFAST PULSED LASER DEPOSITION

Номер патента: US20120003395A1. Автор: CHE Yong,HU Zhendong. Владелец: IMRA AMERICA, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

NITRIDE CRYSTAL AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20120003446A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING ULTRA SMALL PARTICLE, POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL OF SECOND BATTERY USING THE METHOD FOR MANUFACTURING ULTRA SMALL PARTICLE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND SECONDARY BATTERY USING THE POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003539A1. Автор: MIKAMI Mayumi,Nara Koji. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, CAPACITOR, BATTERY, AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120003544A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTROPORATION APPARATUS AND METHODS

Номер патента: US20120003740A1. Автор: . Владелец: LIFE TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHODS OF FORMING A CONDUCTIVE TRANSPARENT OXIDE FILM LAYER FOR USE IN A CADMIUM TELLURIDE BASED THIN FILM PHOTOVOLTAIC DEVICE

Номер патента: US20120003772A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003781A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Polymer and Method of Forming a Polymer

Номер патента: US20120004338A1. Автор: Hywel-Evans Duncan. Владелец: Adbruf Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

System and Method of Making Tapered Looped Suture

Номер патента: US20120004686A1. Автор: Maiorino Nicholas,Bowns William R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ADVERTISING APPARATUS AND METHOD

Номер патента: US20120000102A1. Автор: Bruce Shad E.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells, Non-Volatile Resistive Oxide Memory Arrays, And Methods Of Forming Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells And Memory Arrays

Номер патента: US20120001147A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE, AND LIGHTING SYSTEM

Номер патента: US20120001196A1. Автор: CHOI Kwang Ki,JEONG Hwan Hee,MOON Ji hyung,LEE Sang Youl,SONG June O,JUNG Se Yeon,SEONG Tae Yeon. Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Light Emitting Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001202A1. Автор: Horng Ray-Hua. Владелец: NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

CMOS Image Sensor Including PNP Triple Layer And Method Of Fabricating The CMOS Image Sensor

Номер патента: US20120001241A1. Автор: Park Won-je. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING NANOSCALE FLOATING GATE

Номер патента: US20120001248A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Ramaswamy D.V. Nirmal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

STATOR FOR ELECTRIC ROTATING MACHINE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001516A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

NITRIDE COMPOUND SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120002693A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ALIGNMENT METHOD OF SEMICONDUCTOR OPTICAL AMPLIFIER AND LIGHT OUTPUT DEVICE

Номер патента: US20120002696A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

VALPROIC ACID, DERIVATIVES, ANALOGUES, AND COMPOSITIONS INCLUDING SAME AND METHODS FOR THEIR THERAPEUTIC USE

Номер патента: US20120003191A1. Автор: Burkin Dean J.,Gurpur Praveen B.,Kaufman Stephen J.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Compositions and Methods for Stimulation MAGP-1 to Improve the Appearance of Skin

Номер патента: US20120003332A1. Автор: Lyga John W.,Zheng Qian,Chen Siming W.,Santhanam Uma. Владелец: AVON PRODUCTS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Antistatic laminate, optical film, polarizing plate, image display device and production method of antistatic laminate

Номер патента: US20120003467A1. Автор: . Владелец: FUJI FILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SHIELDED CABLE CONNECTING STRUCTURE AND SHIELDED CABLE CONNECTING METHOD

Номер патента: US20120000692A1. Автор: Tsuchiya Kazuhiko. Владелец: Yazaki Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

RRAM structure and method of making the same

Номер патента: US20120001141A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Apparatus, System, and Method for Direct Phase Probing and Mapping of Electromagnetic Signals

Номер патента: US20120001656A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEANS AND METHODS FOR INVESTIGATING NUCLEIC ACID SEQUENCES

Номер патента: US20120003633A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MICRO-RESECTING AND EVOKED POTENTIAL MONITORING SYSTEM AND METHOD

Номер патента: US20120004680A1. Автор: McFarlin Kevin,Reinker David. Владелец: Medtronic Xomed, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Systems and Methods for the Collection, Retention, and Redistribution of Rainwater and Methods of Construction of the Same

Номер патента: US20120000546A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR EXTENDING VCO OUTPUT VOLTAGE SWING

Номер патента: US20120001699A1. Автор: . Владелец: QUINTIC HOLDINGS. Дата публикации: 2012-01-05.

DIGITAL BROADCASTING SYSTEM AND METHOD OF PROCESSING DATA IN DIGITAL BROADCASTING SYSTEM

Номер патента: US20120002748A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DISPLAY SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND DISPLAY PANEL HAVING THE SAME

Номер патента: US20120003796A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

POLYURETHANE ELASTOMER FIBERS AND PROCESSING AGENT AND METHOD THEREFOR

Номер патента: US20120004352A1. Автор: Arakawa Yasunobu,Ito Jun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

System and Method for Joint Resurface Repair

Номер патента: US20120004663A1. Автор: . Владелец: ARTHROSURFACE INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Organic-inorganic nanostructures and materials, consisting nanoparticles of noble metals, and methods of its receiving

Номер патента: RU2364472C2. Автор: Геннадий Борисович Хомутов. Владелец: Институт кристаллографии им. А.В.Шубникова Российской академии наук. Дата публикации: 2009-08-20.

Method of obtaining anode aluminium oxide with highly ordered porous structure and method of forming arrays of anisotropic nanostructures on its base

Номер патента: RU2555366C2. Автор: Кирилл Сергеевич Напольский,Андрей Анатольевич Елисеев,Алексей Викторович Лукашин,Юрий Дмитриевич Третьяков,Илья Владимирович Росляков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный университет имени М.В.Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2015-07-10.

APPARATUS AND METHOD FOR ISOLATING A VIEWPORT

Номер патента: US20120000301A1. Автор: LITTLE Edwin Jackson,PAVOL Mark J.. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHODS FOR ADMINISTRATION OF POSITIVE AIRWAY PRESSURE THERAPIES

Номер патента: US20120000463A1. Автор: Bordewick Steven S.,Bowman Bruce,Baser Joseph A.. Владелец: SOMNETICS GLOBAL PTE. LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000518A1. Автор: Tokioka Hidetada,ORITA Tae,YAMARIN Hiroya. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM ARTICLE AND METHOD FOR FORMING A REDUCED CONDUCTIVE AREA IN TRANSPARENT CONDUCTIVE FILMS FOR PHOTOVOLTAIC MODULES

Номер патента: US20120000520A1. Автор: Feldman-Peabody Scott Daniel,FREY Jonathan Mack. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

III-NITRIDE LIGHT-EMITTING DEVICES WITH REFLECTIVE ENGINEERED GROWTH TEMPLATES AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20120001213A1. Автор: Jorgenson Robbie J.. Владелец: LIGHTWAVE PHOTONICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLAT PANEL DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001534A1. Автор: KIM Tae-Woong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE PROCESSING APPARATUS AND METHOD

Номер патента: US20120002071A1. Автор: Nishiyama Tomohiro. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR SHIFT INVARIANT DIFFERENTIAL (SID) IMAGE DATA INTERPOLATION IN FULLY POPULATED SHIFT INVARIANT MATRIX

Номер патента: US20120002874A1. Автор: Dosluoglu Taner. Владелец: YOULIZA, GEHTS B.V. LIMITED LIABILITY COMPANY. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR REDUCING NOISE IN AN IMAGE

Номер патента: US20120002896A1. Автор: Kim Yeong-Taeg,Lertrattanapanich Surapong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

NEONATAL Fc RECEPTOR (FcRn)- BINDING POLYPEPTIDE VARIANTS, DIMERIC Fc BINDING PROTEINS AND METHODS RELATED THERETO

Номер патента: US20120003210A1. Автор: FARRINGTON Graham K.,LUGOVSKOY Alexey Alexandrovich,MEIER Werner,ELDREDGE John K.,GARBER Ellen. Владелец: BIOGEN IDEC MA INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

NEW METHODS OF TREATING DRY EYE SYNDROME

Номер патента: US20120003296A1. Автор: Shantha Totada R.,Shantha Erica Maya,Shantha Jessica Gowramma. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing and Detecting Device and Method of Birefringent Lens Grating

Номер патента: US20120003380A1. Автор: Yu Bin. Владелец: Shenzhen Super Perfect Optics LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION

Номер патента: US20120003396A1. Автор: . Владелец: Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurweten schappelijk onderzoek TNO. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL MODULATOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120003767A1. Автор: . Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of forming nanowires from colloidal natural material

Номер патента: RU2533330C1. Автор: Александр Павлович Кузьменко,Владимир Владимирович Чаков,Ньен Аунг Чан,Валерия Александровна Башкатова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2014-11-20.

BLOWOUT PREVENTER MONITORING SYSTEM AND METHOD OF USING SAME

Номер патента: US20120000646A1. Автор: . Владелец: NATIONAL OILWELL VARCO, L.P.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUSES AND METHODS TO REDUCE POWER CONSUMPTION IN DIGITAL CIRCUITS

Номер патента: US20120001682A1. Автор: VENKATA HARISH N.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Lithographic Apparatus and Method

Номер патента: US20120002182A1. Автор: NIENHUYS Han-Kwang,HUIJBERTS Alexander Marinus Arnoldus,Jonkers Peter Gerardus. Владелец: ASML Netherlands B.V.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEAT CONDITIONING HOOD APPARATUS AND METHOD

Номер патента: US20120003909A1. Автор: . Владелец: W.E.T. AUTOMOTIVE SYSTEMS AG. Дата публикации: 2012-01-05.

CANNULA LINED WITH TISSUE IN-GROWTH MATERIAL AND METHOD OF USING THE SAME

Номер патента: US20120004496A1. Автор: . Владелец: CIRCULITE, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

DIRECT DRIVE ENDOSCOPY SYSTEMS AND METHODS

Номер патента: US20120004502A1. Автор: Shaw William J.,Weitzner Barry,Smith Paul J.,Golden John B.,Intoccia Brian J.,Suon Naroun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ANASTOMOSIS INSTRUMENT AND METHOD FOR PERFORMING SAME

Номер патента: US20120004678A1. Автор: . Владелец: TYCO HEALTHCARE GROUP LP. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of forming divided charges in flooded wells

Номер патента: RU2306522C1. Автор: Евгений Борисович Шевкун,Александр Валентинович Лещинский. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тихоокеанский государственный университет". Дата публикации: 2007-09-20.

Magnetoelectric generator and method of its output voltage stabilization

Номер патента: RU2597888C1. Автор: Флюр Рашитович Исмагилов,Вячеслав Евгеньевич Вавилов,Ирек Ханифович Хайруллин,Данис Рамилевич Фаррахов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уфимский государственный авиационный технический университет". Дата публикации: 2016-09-20.

Method of controlled change of form of frontal eye cornea surface by creation of pseudo membrane in ablation zone

Номер патента: RU2504354C1. Автор: Владимир Анатольевич Семчишен,Антон Владимирович Семчишен. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем лазерных и информационных технологий Российской академии наук. Дата публикации: 2014-01-20.

DEVICES AND METHODS FOR FORMING DOUBLE EMULSION DROPLET COMPOSITIONS AND POLYMER PARTICLES

Номер патента: US20120000777A1. Автор: Garrell Robin L.,Tucker-Schwartz Alexander K.,Shepherd Heather,Chatterjee Debalina. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2012-01-05.

Apparatus and Method for Biogas Purification

Номер патента: US20120000357A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DIESEL ENGINE AND METHOD OF CONTROLLING THE DIESEL ENGINE

Номер патента: US20120004826A1. Автор: . Владелец: MAZDA MOTOR CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Improvements in tubular bodies and methods of forming same

Номер патента: MY144256A. Автор: Booth John Peter,Lovis Gordon David. Владелец: ITI Scotland Ltd. Дата публикации: 2011-08-29.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.