Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Ferroelectric memory device having fatigue averaging

Номер патента: US5978252A
Опубликовано: 02-11-1999
Автор(ы): Tohru Miwa
Принадлежит: NEC Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Stacked ferroelectric memory devices, methods of manufacturing the same, ferroelectric memory circuits and methods of driving the same

Номер патента: US20070189056A1. Автор: Byoung-Jae Bae,Byung-Gil Jeon,Ki-nam Kim,Heung-jin Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-16.

Nonvolatile ferroelectric memory without a separate cell plate line and method of manufacturing the same

Номер патента: US6118687A. Автор: Hee Bok Kang. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2000-09-12.

Memory cell array having ferroelectric capacitors, method of fabricating the same, and ferroelectric memory device.

Номер патента: US6617627B2. Автор: Eiji Natori,Tatsuya Shimoda,Koichi Oguchi,Kazumasa Hasegawa,Takao Nishikawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-09-09.

Method of forming an amorphous ferroelectric memory device

Номер патента: US7713754B2. Автор: Robert Bicknell,Timothy Mellander. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2010-05-11.

A memory device and methods for operating the same

Номер патента: WO2006091108A1. Автор: Göran Gustafsson,Per-Erik Nordal,Hans Gude Gudesen,Peter Dyreklev,Isak Engquist. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2006-08-31.

Embedded ferroelectric FinFET memory device

Номер патента: US12150311B2. Автор: Chung-Te Lin,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Sheng-Chih Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

Apparatuses and methods for memory including ferroelectric memory cells and dielectric memory cells

Номер патента: US11901005B2. Автор: Scott J. Derner,Michael A. Shore. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Writing to ferroelectric memory devices

Номер патента: US20050231996A1. Автор: Craig Salling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-10-20.

Semiconductor memory device having boosted voltage stabilization circuit

Номер патента: US20010050867A1. Автор: Ho-young Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-12-13.

Semiconductor memory device having a self-refreshing control circuit

Номер патента: US5453959A. Автор: Tomohiro Suzuki,Toshiyuki Sakuta. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1995-09-26.

Semiconductor devices having balancing capacitor and methods of forming the same

Номер патента: US20140291804A1. Автор: Yoo-Sang Hwang,Hyun-Woo CHUNG,Jong-Un Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-10-02.

Ultra-dense ferroelectric memory with self-aligned patterning

Номер патента: US20200286687A1. Автор: Ian A. Young,Uygar E. Avci,Seung Hoon Sung,Jack Kavalieros,Chia-Ching Lin,Nazila Haratipour,Sou-Chi Chang,Ashish Verma Penumatcha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Semiconductor memory device having pads

Номер патента: US09595498B2. Автор: Hyung Soo Kim,Ic Su Oh,Yong Ju Kim,Hae Rang Choi,Jae Min Jang,Hee Woong Song,Tae Jin Hwang,Ji Wang Lee,Sung Woo Han,Chang Kun Park,Seong Hwi Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor memory device having a multilayered bitline structure with respective wiring layers for reading and writing data

Номер патента: US5933380A. Автор: Kenji Tsuchida,Kazunori Ohuchi,Yukihito Oowaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-08-03.

Memory device having wiring layout for electrically connecting to switch and capacitor components

Номер патента: US09679629B2. Автор: Takanori Matsuzaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Memory device, electronic component, and electronic device

Номер патента: US09336853B2. Автор: Takanori Matsuzaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-10.

Memory device having a transistor including a semiconductor oxide

Номер патента: US09570141B2. Автор: Toshihiko Saito. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Short circuit reduction in a ferroelectric memory cell comprising a stack of layers arranged on a flexible substrate

Номер патента: EP2724342A1. Автор: Christer Karlsson,Per Broms,Olle Jonny Hagel,Jakob NILSSON. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2014-04-30.

Short circuit reduction in a ferroelectric memory cell comprising a stack of layers arranged on a flexible substrate

Номер патента: US20160336334A1. Автор: Christer Karlsson,Per Broms,Olle Jonny Hagel,Jakob NILSSON. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2016-11-17.

Short circuit reduction in a ferroelectric memory cell comprising a stack of layers arranged on a flexible substrate

Номер патента: US09412705B2. Автор: Christer Karlsson,Per Broms,Olle Jonny Hagel,Jakob NILSSON. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2016-08-09.

Mfms-fet, ferroelectric memory device, and methods of manufacturing the same

Номер патента: WO2009054707A3. Автор: Byung-Eun Park. Владелец: Univ Seoul Ind Coop Found. Дата публикации: 2009-07-23.

Multi-bit ferroelectric memory device and methods of forming the same

Номер патента: US09564576B2. Автор: D. V. Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,F. Daniel Gealy,Chandra V. Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Multi-bit ferroelectric memory device and methods of forming the same

Номер патента: US09847123B2. Автор: D. V. Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,F. Daniel Gealy,Chandra V. Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Ferroelectric memory device and method of making the same

Номер патента: US20030087480A1. Автор: Hee Kang. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-08.

Three-dimensional memory device containing ferroelectric memory elements encapsulated by transition metal nitride materials and method of making thereof

Номер патента: US20210050371A1. Автор: Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Seung-Yeul Yang,Adarsh RAJASHEKHAR. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-02-18.

Methods of operating ferroelectric memory cells, and related ferroelectric memory cells and capacitors

Номер патента: US09899072B2. Автор: Matthew N. Rocklein,Steven C. Nicholes,Ashonita A. Chavan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Non-volatile ferroelectric memory cells with multilevel operation

Номер патента: US20170249983A1. Автор: Ji Hoon Park,Ihab N. Odeh,Husam N. Alshareef,Mohd A. KHAN. Владелец: SABIC Global Technologies BV. Дата публикации: 2017-08-31.

Methods of operating ferroelectric memory cells, and related ferroelectric memory cells and capacitors

Номер патента: US09697881B2. Автор: Matthew N. Rocklein,Steven C. Nicholes,Ashonita A. Chavan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Methods of operating ferroelectric memory cells, and related ferroelectric memory cells

Номер патента: US09460770B1. Автор: Matthew N. Rocklein,Steven C. Nicholes,Ashonita A. Chavan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Non-destructive readout ferroelectric memory as well as method of preparing the same and method of operating the same

Номер патента: US09685216B2. Автор: Jun Jiang,Anquan Jiang,Zilong BAI,Wenping GENG. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-06-20.

Ferroelectric memory device containing a series connected select gate transistor and method of forming the same

Номер патента: US20200411553A1. Автор: Yanli Zhang,Johann Alsmeier. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-12-31.

Ferroelectric memory structure

Номер патента: US12101941B2. Автор: Hiroshi Yoshida,Shou-Zen Chang,Ming-Han Liao,Min-Cheng Chen. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Ferroelectric memory devices with reduced edge defects and methods for forming the same

Номер патента: US11839087B2. Автор: Yushi Hu. Владелец: Wuxi Petabyte Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Ferroelectric memory structure with different ferroelectric capacitors

Номер патента: US11800721B2. Автор: Hiroshi Yoshida,Shou-Zen Chang,Ming-Han Liao,Min-Cheng Chen. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Ferroelectric memory structure

Номер патента: US20230038759A1. Автор: Hiroshi Yoshida,Shou-Zen Chang,Ming-Han Liao,Min-Cheng Chen. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

Ferroelectric memory and storage device

Номер патента: EP4266312A1. Автор: Yu Zhang,Jeffrey Junhao XU,Yichen FANG,Zhaozhao HOU,Sitong BU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-25.

Ferroelectric memory and storage device

Номер патента: EP4227999A1. Автор: Yu Zhang,Jeffrey Junhao XU,Ying Wu,Heng Zhang,Yichen FANG,Weiliang JING,Zhaozhao HOU,Sitong BU,Wanliang TAN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-16.

Ferroelectric memory and storage device

Номер патента: US20230276636A1. Автор: Yu Zhang,Jeffrey Junhao XU,Ying Wu,Heng Zhang,Yichen FANG,Weiliang JING,Zhaozhao HOU,Sitong BU,Wanliang TAN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Ferroelectric memories

Номер патента: US20210242304A1. Автор: Po-Chun Yeh,Chih-Yao Wang,Heng-Yuan Lee,Yu-De Lin,Hsin-Yun YANG. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2021-08-05.

Apparatuses and methods including ferroelectric memory and for accessing ferroelectric memory

Номер патента: US20200005853A1. Автор: Christopher J. KAWAMURA,Scott J. Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-02.

Ferroelectric memories

Номер патента: US20200194443A1. Автор: Po-Chun Yeh,Chih-Yao Wang,Heng-Yuan Lee,Yu-De Lin,Hsin-Yun YANG. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2020-06-18.

Ferroelectric memories

Номер патента: US20210174855A1. Автор: Po-Chun Yeh,Heng-Yuan Lee,Yu-De Lin,Hsin-Yun YANG. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2021-06-10.

Techniques to manufacture ferroelectric memory devices

Номер патента: US20230395113A1. Автор: Marcello Mariani,Giorgio Servalli,Agostino Pirovano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Three-dimensional ferroelectric memory device and method of making thereof

Номер патента: US9941299B1. Автор: Christopher Petti,Yangyin Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-04-10.

3d ferroelectric memory cell architectures

Номер патента: US20230200080A1. Автор: Abhishek A. Sharma,Uygar Avci,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Ferroelectric memory and storage device

Номер патента: US20240130139A1. Автор: Yu Zhang,Jeffrey Junhao XU,Yichen FANG,Zhaozhao HOU,Sitong BU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor integrated circuit device having single-element type non-volatile memory elements

Номер патента: US20020179963A1. Автор: Satoshi Meguro,Hitoshi Kume,Kazuhiro Komori,Toshiaki Nishimoto,Yoshiaki Kamigaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Three-dimensional memory device having a shielding layer and method for forming the same

Номер патента: US11758729B2. Автор: Zhiliang Xia,Jun Chen,Zongliang Huo,Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor integrated circuit device having single-element type non-volatile memory elements

Номер патента: US20010038119A1. Автор: Satoshi Meguro,Hitoshi Kume,Kazuhiro Komori,Toshiaki Nishimoto,Yoshiaki Kamigaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-08.

Semiconductor device having an inter-layer via (ilv), and method of making same

Номер патента: US20210272968A1. Автор: Hung-jen Liao,Cheng Hung Lee,Hong-Chen Cheng,Tsung-Hsien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-02.

Semiconductor device having an inter-layer via (ILV), and method of making same

Номер патента: US09484350B2. Автор: Hung-jen Liao,Cheng-Hung Lee,Hong-Chen Cheng,Tsung-Hsien Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Having Vertically Integrated Nonvolatile Memory Cell Sub-Strings Therein and Nonvolatile Memory Devices Formed Thereby

Номер патента: US20120003800A1. Автор: Kihyun Kim,Changhyun LEE,Hansoo Kim,Sunil Shim,Jaehoon Jang,Sunghoi Hur. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor memory device having serial data input and output circuit

Номер патента: CA1246741A. Автор: Junji Ogawa,Masaaki Noguchi,Yoshihiro Takemae. Владелец: Fujitsu Vlsi Ltd. Дата публикации: 1988-12-13.

Nonvolatile memory device having ferroelectric memory element and resistive memory element and method of writing signal in nonvolatile memory device having the same

Номер патента: US10283184B2. Автор: Joong Sik Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-05-07.

Nonvolatile memory device and method of writing signal in nonvolatile memory device

Номер патента: US20180114560A1. Автор: Joong Sik Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-26.

Magnetic devices having perpendicular magnetic tunnel junction

Номер патента: US20150061059A1. Автор: Sang Hwan Park,Ki Woong Kim,Younghyun Kim,Sechung Oh,Whankyun Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-03-05.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: US20230019156A1. Автор: Naoki Hase,Kiwoong Kim,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-19.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: US20230020056A1. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-19.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: US20230059590A1. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-23.

Magnetoresistive effect devices having enhanced magnetic anisotropy

Номер патента: US09564581B1. Автор: Kurt Allan Rubin,Young-Suk Choi,Derek Stewart. Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device having electrically floating body transistor, semiconductor device having both volatile and non-volatile functionality and method of operating

Номер патента: US09747983B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device having electrically floating body transistor, semiconductor device having both volatile and non-volatile functionality and method of operating

Номер патента: US09614080B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device having electrically floating body transistor, semiconductor device having both volatile and non-volatile functionality and method of operating

Номер патента: US09455262B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Nonvolatile memory device having multi-stack memory block and method of operating the same

Номер патента: US12119046B2. Автор: Yohan Lee,Yonghyuk Choi,Jaeduk Yu,Jiho Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Materials and components in phase change memory devices

Номер патента: US09741930B2. Автор: Davide Erbetta,Valter Soncini. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Memory device and electronic device

Номер патента: US20210027828A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Tatsuya Onuki,Takahiko Ishizu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-28.

Memory device and electronic device

Номер патента: US20230335180A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Tatsuya Onuki,Takahiko Ishizu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Memory device having protrusion of word line

Номер патента: US20230386558A1. Автор: Jar-Ming Ho. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

High density memory device

Номер патента: US20120300534A1. Автор: Keith A. Jenkins,Tymon Barwicz,Supratik Guha. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-11-29.

Magnetic memory device having cobalt-iron-beryllium magnetic layers

Номер патента: US09825217B1. Автор: Woojin Kim,Jaewoo JEONG,Keewon Kim,Mahesh Govind Samant,S. P. Stuart Parkin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor integrated circuit device having hierarchical power source arrangement

Номер патента: US20010019502A1. Автор: Masaki Tsukude,Kazutami Arimoto,Tadato Yamagata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-09-06.

Multi-level type nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20020145161A1. Автор: Yasuo Sato,Hirotomo Miura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-10.

Magnetic memory devices having a first magnetic pattern and multiple second magnetic patterns thereon

Номер патента: US20210043681A1. Автор: Ung Hwan Pi,Dongkyu LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-11.

Magnetic memory devices having a first magnetic pattern and multiple second magnetic patterns thereon

Номер патента: US20230209838A1. Автор: Ung Hwan Pi,Dongkyu LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor integrated circuit device having hierarchical power source arrangement

Номер патента: US6525984B2. Автор: Masaki Tsukude,Kazutami Arimoto,Tadato Yamagata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-02-25.

Memory device having vertical structure and memory system including the same

Номер патента: US09941009B2. Автор: Sang-Won Shim,Bong-Soon Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Free layer, magnetoresistive cell, and magnetoresistive random access memory device having low boron concentration region and high boron concentration region, and methods of fabricating the same

Номер патента: US09905753B2. Автор: Kiwoong Kim,Yongsung PARK,JoonMyoung LEE,Youngman JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Nonvolatile semiconductor storage device having improved reading and writing speed characteristics

Номер патента: US09478283B2. Автор: Kazuyuki Kouno,Reiji Mochida. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Ferroelectric memory devices and operating methods thereof

Номер патента: US8385098B2. Автор: Jai-Kwang Shin,Ki-ha Hong,Jeong-Seob Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-02-26.

Ferroelectric memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240324235A1. Автор: Chun-Chieh Lu,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Ferroelectric memory device and method of forming the same

Номер патента: US12041783B2. Автор: Chun-Chieh Lu,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Ferroelectric memory device containing a series connected select gate transistor and method of forming the same

Номер патента: US20200411072A1. Автор: Yanli Zhang,Johann Alsmeier. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-12-31.

Ferroelectric memory device and operation method thereof

Номер патента: US11765907B2. Автор: Masaharu Kobayashi,Toshiro Hiramoto,Fei MO. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2023-09-19.

Ferroelectric memory device and method of making the same

Номер патента: US20230262986A1. Автор: Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Ya-Yun Cheng,Huan-Sheng WEI,Chung-Wei Wu,Wen-Ling LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Methods for nondestructive information reading from ferroelectric memory elements

Номер патента: RU2383945C2. Автор: Юрий Генрихович Кригер. Владелец: Юрий Генрихович Кригер. Дата публикации: 2010-03-10.

Methods of fabricating ferroelectric memory devices

Номер патента: US20190019683A1. Автор: Hyangkeun YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-01-17.

Ferroelectric memory and formation method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4365901A1. Автор: Jeffrey Junhao XU,Yuxing Li,Hangbing Lv,Jialin CAI,Weigu LI,Wanliang TAN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-08.

Ferroelectric memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US10453514B2. Автор: Hyangkeun YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-22.

Ferroelectric memory device with multi-level bit cell

Номер патента: EP4421849A1. Автор: Zhixing ZHAO,Dominik M. KLEIMAIER,Stefan Duenkel. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Ferroelectric memory device with multi-level bit cell

Номер патента: US20240284680A1. Автор: Zhixing ZHAO,Dominik M. KLEIMAIER,Stefan Duenkel. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Non-volatile memory device and sensing method for forming the same

Номер патента: US8467223B2. Автор: Hee Bok Kang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-06-18.

Non-volatile memory device and sensing method for forming the same

Номер патента: US20120033478A1. Автор: Hee Bok Kang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-02-09.

Ferroelectric memory device with select gate transistor and method of forming the same

Номер патента: EP3881355A1. Автор: Yanli Zhang,Johann Alsmeier. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-09-22.

Multilevel ferroelectric memory cell for an integrated circuit

Номер патента: US09830969B2. Автор: Stefan Slesazeck,Halid MULAOSMANOVIC. Владелец: NaMLab GmbH. Дата публикации: 2017-11-28.

Methods for forming ferroelectric memory devices

Номер патента: US20210035994A1. Автор: Zhenyu Lu. Владелец: Wuxi Petabyte Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

Ferroelectric memory devices and methods for forming the same

Номер патента: EP3966864A1. Автор: Zhenyu Lu. Владелец: Wuxi Petabyte Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-16.

Non-volatile memory device and system including the same

Номер патента: US20240015977A1. Автор: Yong Seok Kim,Min Jun Lee,Jong Ho WOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-11.

Ferroelectric memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: EP2865007A1. Автор: Johannes Frantti,Yukari Fujioka. Владелец: Fujioka Yukari. Дата публикации: 2015-04-29.

Gated ferroelectric memory cells for memory cell array and methods of forming the same

Номер патента: US12069868B2. Автор: Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Gated Ferroelectric Memory Cells for Memory Cell Array and Method for Forming the Same

Номер патента: US20240357834A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Ferroelectric memory device

Номер патента: US10804295B2. Автор: Yong Soo Choi,Hyangkeun YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-10-13.

Ferroelectric memory chiplet in a multi-dimensional packaging with i/o switch embedded in a substrate or interposer

Номер патента: US20240311006A1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Christopher B. Wilkerson,Debo Olaosebikan. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Ferroelectric memory and formation method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4339950A1. Автор: Zhengbo Wang,Weiliang JING,Kailiang HUANG,Junxiao FENG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-20.

1s-1t ferroelectric memory

Номер патента: US20220130443A1. Автор: Abhishek A. Sharma,Brian S. Doyle,Ravi Pillarisetty,Elijah V. KARPOV,Prashant Majhi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-04-28.

Ferroelectric memory device and method of forming the same

Номер патента: US20230328997A1. Автор: Chun-Chieh Lu,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Ferroelectric memory device

Номер патента: US20180277550A1. Автор: Hyangkeun YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-09-27.

Ferroelectric memory device

Номер патента: US20200176458A1. Автор: Hyangkeun YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-06-04.

Ferroelectric memory device

Номер патента: US10593699B2. Автор: Hyangkeun YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-03-17.

Ferroelectric memory and forming method thereof, and electronic device

Номер патента: US20240172450A1. Автор: Zhengbo Wang,Weiliang JING,Kailiang HUANG,Junxiao FENG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Ferroelectric memory and forming method thereof, and electronic device

Номер патента: US20240206189A1. Автор: Jeffrey Junhao XU,Yuxing Li,Hangbing Lv,Jialin CAI,Weigu LI,Wanliang TAN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Ferroelectric memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180277191A1. Автор: Hyangkeun YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-09-27.

Ferroelectric memory and memory array device with multiple independently controlled gates

Номер патента: US20220278129A1. Автор: Chi-Jen Lin,Darsen Duane Lu. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2022-09-01.

Ferroelectric memory transistor

Номер патента: US20030222291A1. Автор: Tingkai Li,Sheng Hsu,Fengyan Zhang. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2003-12-04.

Ferroelectric memory device using back-end-of-line (BEOL) thin film access transistors and methods for forming the same

Номер патента: US11943933B2. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG,Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Ferroelectric memory and memory array device with multiple independently controlled gates

Номер патента: US11785778B2. Автор: Chi-Jen Lin,Darsen Duane Lu. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2023-10-10.

Ferroelectric memory device using back-end-of-line (beol) thin film access transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20240196625A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG,Mauricio Manfrini. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Ferroelectric memory device with select gate transistor and method of forming the same

Номер патента: US20200411533A1. Автор: Yanli Zhang,Johann Alsmeier. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-12-31.

Ferroelectric memory device with select gate transistor and method of forming the same

Номер патента: WO2020263338A1. Автор: Yanli Zhang,Johann Alsmeier. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-12-30.

Non-volatile ferroelectric memory and method of preparing the same

Номер патента: US11348943B2. Автор: Jun Jiang,Anquan Jiang,Xiaojie CHAI,Jianwei LIAN,Menghan AO. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-05-31.

Ferroelectric memory device and electronic device including the same

Номер патента: EP4184511A1. Автор: Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Hagyoul BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-24.

Single transistor ferroelectric memory cell

Номер патента: WO2002071448A2. Автор: Alfred P. Gnadinger. Владелец: Cova Technologies Incorporated. Дата публикации: 2002-09-12.

Non-volatile ferroelectric memory and method of preparing the same

Номер патента: US20210036017A1. Автор: Jun Jiang,Anquan Jiang,Xiaojie CHAI,Jianwei LIAN,Menghan AO. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-02-04.

Embedded ferroelectric FinFET memory device

Номер патента: US11832450B2. Автор: Chung-Te Lin,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Sheng-Chih Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Single transistor ferroelectric memory cell

Номер патента: WO2002071448A3. Автор: Alfred P Gnadinger. Владелец: Cova Technologies Inc. Дата публикации: 2004-01-29.

Embedded ferroelectric finfet memory device

Номер патента: US20230403860A1. Автор: Chung-Te Lin,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Chih-Yu Chang,Bo-Feng YOUNG,Sheng-Chih Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Ferroelectric memory devices containing a two-dimensional charge carrier gas channel and methods of making the same

Номер патента: US20210264959A1. Автор: Peter Rabkin,Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-08-26.

Integration of high value capacitor with ferroelectric memory

Номер патента: US5608246A. Автор: Dennis R. Wilson,Michael W. Yeager. Владелец: Ramtron International Corp. Дата публикации: 1997-03-04.

Ferroelectric memory chiplet as unified memory in a multi-dimensional packaging

Номер патента: US11844223B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Christopher B. Wilkerson,Debo Olaosebikan. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

1s-1t ferroelectric memory

Номер патента: US20200234750A1. Автор: Abhishek A. Sharma,Brian S. Doyle,Ravi Pillarisetty,Elijah V. KARPOV,Prashant Majhi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

Memory device with content addressable memory units

Номер патента: US11854619B2. Автор: Katherine H. Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Memory device with content addressable memory units

Номер патента: US20230230637A1. Автор: Katherine H. Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Memory device with content addressable memory units

Номер патента: US20230377651A1. Автор: Katherine H. Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Two transistor ferroelectric memory cell

Номер патента: US5932904A. Автор: Sheng Teng Hsu,Jong Jan Lee. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 1999-08-03.

Method of making a two transistor ferroelectric memory cell

Номер патента: US6146904A. Автор: Sheng Teng Hsu,Jong Jan Lee. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2000-11-14.

Memory devices having a carbon nanotube

Номер патента: US20090289322A1. Автор: Xiaofeng Wang,Dong-Woo Kim,Sun-Woo Lee,Hong-Sik Yoon,Seong-ho Moon,Subramanya Mayya. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-11-26.

Ferroelectric field-effect transistor devices having a top gate and a bottom gate

Номер патента: US20210175238A1. Автор: Kaan OGUZ,Kevin P. O'brien,Ricky J. TSENG,Brain S. DOYLE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-06-10.

Semiconductor memory device having variable resistance elements provided at intersections of wiring lines

Номер патента: US09812502B2. Автор: Takuya Konno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor memory device having integrated DOSRAM and NOSRAM

Номер патента: US09564217B1. Автор: Zhibiao Zhou,Shao-Hui Wu,Chi-Fa Ku,Chen-Bin Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Vertical non-volatile memory device, method of fabricating the same device, and electric-electronic system having the same device

Номер патента: US09881934B2. Автор: Sung-Min Hwang,Han-Soo Kim,Jae-Hoon Jang,Won-Seok Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-30.

Memory device having self-aligned cell structure

Номер патента: US09773839B2. Автор: Jun Liu,Michael P. Violette. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Memory device having vertical structure

Номер патента: US20220122932A1. Автор: Sang Woo Park,Dong Hyuk Chae,Ki Soo Kim,Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Stacked semiconductor memory device with compound read buffer

Номер патента: US20110138087A1. Автор: Hoe-ju Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-06-09.

Memory devices and memory device forming methods

Номер патента: US09831287B2. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor memory device having power mesh structure

Номер патента: US20180240504A1. Автор: Nam-Hea JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-08-23.

Non-volatile memory device having vertical structure and method of operating the same

Номер патента: US09564221B2. Автор: Han-Soo Kim,Jae-Hoon Jang,Won-Seok Cho,Jae-Hun Jeong,Sun-Il Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Non-volatile memory device having vertical structure and method of operating the same

Номер патента: US09478291B2. Автор: Han-Soo Kim,Jae-Hoon Jang,Won-Seok Cho,Jae-Hun Jeong,Sun-Il Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-25.

Non-volatile semiconductor memory device having multiple different sized floating gates

Номер патента: US6188102B1. Автор: Masaru Tsukiji. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-02-13.

Memory device having word line with dual conductive materials

Номер патента: US20230298998A1. Автор: Jhen-Yu Tsai,Yu-Ping Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Magnetic memory devices having a perpendicular magnetic tunnel junction

Номер патента: US09859333B2. Автор: Woojin Kim,Ki Woong Kim,Woo Chang Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Magnetic memory devices having a perpendicular magnetic tunnel junction

Номер патента: US09490298B2. Автор: Woojin Kim,Ki Woong Kim,Woo Chang Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Memory devices

Номер патента: US09466361B2. Автор: Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Non-volatile semiconductor memory device having depletion-type and enhancement-type channel regions

Номер патента: US09424924B2. Автор: Yasuhiro Taniguchi,Kosuke Okuyama. Владелец: Floadia Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Resistive memory device having a retention layer with non-linear ion conductivity

Номер патента: US20190319185A1. Автор: Seshubabu Desu,Michael Van Buskirk. Владелец: 4DS Memory Ltd. Дата публикации: 2019-10-17.

Vertically-integrated nonvolatile memory devices having laterally-integrated ground select transistors

Номер патента: US20160056172A1. Автор: Kihyun Kim,Jaehun Jeong,Sunil Shim,Jaehoon Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-25.

Memory devices having vertically extending channel structures therein

Номер патента: US20190287984A1. Автор: Yong Hoon Son,Han Vit Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-19.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US09887006B1. Автор: Robert Strenz,Robert Allinger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-02-06.

Three dimensional memory device having well contact pillar and method of making thereof

Номер патента: US09768186B2. Автор: Hiroyuki Ogawa,Ryoichi Honma,Fumiaki TOYAMA,Yuki Mizutani,Seiji Shimabukuro. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-09-19.

Memory device having resistance change element and method of controlling the same

Номер патента: US09472283B2. Автор: Kenichi Murooka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Nonvolatile memory device having pad structure for high speed operation

Номер патента: US09899409B2. Автор: Sunghoon Kim,Jae-Eun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Memory device having only the top poly cut

Номер патента: US20160372198A1. Автор: Cheng-Hsien Cheng,Chih-Wei Lee,Shaw-Hung Ku. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

Semiconductor memory device and electric device with the same

Номер патента: US20050105335A1. Автор: Riichiro Shirota,Masayuki Ichige,Kikuko Sugimae,Takuya Futatsuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-05-19.

Multi-chip package semiconductor memory device

Номер патента: US20110309525A1. Автор: Satoshi Miyazaki,Hidekazu Nasu. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-22.

Non-volatile memory device, storage device having the same, and reading method thereof

Номер патента: US20210272627A1. Автор: Kitaek LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-02.

Staircase structure in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US20210384118A1. Автор: Zhiliang Xia,Di Wang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-09.

Multi-chip package semiconductor memory device

Номер патента: US8723303B2. Автор: Satoshi Miyazaki,Hidekazu Nasu. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-13.

Semiconductor memory device, method for fabricating the same and electronic system including the same

Номер патента: US20240306383A1. Автор: Ki Joon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory devices having source lines directly coupled to body regions and methods

Номер патента: US09997247B2. Автор: Akira Goda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor memory device having memory strings including drain-side and source-side memory cells connected to pipe transistor and peripheral circuit suitable for applying pipe gate voltage to pipe transistor during read operation

Номер патента: US09558827B2. Автор: Kyung Sik Mun,Moon Sik SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Memory device having only the top poly cut

Номер патента: US09548121B2. Автор: Cheng-Hsien Cheng,Chih-Wei Lee,Shaw-Hung Ku. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Memory devices having source lines directly coupled to body regions and methods

Номер патента: US09484100B2. Автор: Akira Goda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Nonvolatile memory device, a storage device having the same and an operating method of the same

Номер патента: US09460795B2. Автор: Donghun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Static random access memory device having uniform write characteristics

Номер патента: US20180158516A1. Автор: Chanho LEE,Jaeseung Choi,Ingyu Park,Inhak LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-07.

Static random access memory device having uniform write characteristics

Номер патента: US9990986B1. Автор: Chanho LEE,Jaeseung Choi,Ingyu Park,Inhak LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Vertical memory device having improved electrical characteristics and method of operating the same

Номер патента: US20210166768A1. Автор: Yo-Han Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-03.

Multi-port memory device having serial input/output interface

Номер патента: US20100135057A1. Автор: Jae-Hyuk Im,Chang-Ho Do. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-03.

Multi-port memory device having serial input/output interface

Номер патента: US7915745B2. Автор: Jae-Hyuk Im,Chang-Ho Do. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-29.

Multi-port memory device having serial input/output interface

Номер патента: US20070241465A1. Автор: Jae-Hyuk Im,Chang-Ho Do. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-10-18.

Three-dimensional memory devices having first semiconductor structure bonded with second semiconductor structure each including peripheral circuit and methods for forming the same

Номер патента: US12082408B2. Автор: WEI Liu,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Method of making a semiconductor memory device

Номер патента: US4830977A. Автор: Yoshiharu Takeuchi,Akira Endo,Hisao Katto,Yuji Arakawa,Nozomi Horino,June Sugiura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1989-05-16.

Memory device having improved data reliability and method of operating the same

Номер патента: US20200350020A1. Автор: Min-Su Kim,Seung-Bum Kim,Deok-Woo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-05.

Semiconductor memory device having first and second floating gates of different polarity

Номер патента: US09966476B2. Автор: Tomomitsu Risaki. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Method of fabricating a three-dimensional semiconductor memory device having a plurality of memory blocks on a peripheral logic structure

Номер патента: US09837429B2. Автор: Youngwoo Park,Shinhwan Kang,Jaeduk LEE,Yunghwan Son,Jaesung SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-05.

Resistive memory device having sidewall spacer electrode and method of making thereof

Номер патента: US09806256B1. Автор: Tanmay Kumar,Chuanbin Pan,Ming-Che Wu,Guangle ZHOU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-10-31.

Memory device having three-dimensional arrayed memory elements

Номер патента: US09666293B2. Автор: Wataru Sakamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Detecting defective connections in stacked memory devices

Номер патента: US09607716B2. Автор: Saravanan Sethuraman,Warren E. Maule,Charles A. Kilmer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor devices having staggered conductive contacts, and associated systems and methods

Номер патента: US20230282246A1. Автор: Yushi Inoue,Yukitoshi Hirose. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: US12052930B2. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-30.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: US20240334840A1. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Portable electronic device having transistor comprising oxide semiconductor

Номер патента: US12001241B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Portable electronic device having transistor comprising oxide semiconductor

Номер патента: US09740241B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Ferroelectric memories,and method of activating the same

Номер патента: US3820088A. Автор: R Thomas,A Hadni. Владелец: Agence National de Valorisation de la Recherche ANVAR. Дата публикации: 1974-06-25.

Method for forming a ferroelectric memory device

Номер патента: US20020001859A1. Автор: Nam-Soo Kang,Bee-Lyong Yang. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-03.

Integrated circuit ferroelectric memory devices including plate lines directly on ferroelectric capacitors

Номер патента: US6828611B2. Автор: Hyun-Ho Kim,Ki-nam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-12-07.

Methods for fabricating ferroelectric memory devices with improved ferroelectric properties

Номер патента: US7488628B2. Автор: Ki-nam Kim,Yoon-Jong Song,Nak-Won Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-10.

Ferroelectric random access memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20040013014A1. Автор: Eun-Seok Choi,Seung-Jin Yeom. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-01-22.

Ferroelectric memory and electronic apparatus

Номер патента: US20020155666A1. Автор: Eiji Natori,Kazumasa Hasegawa,Setsuya Iwashita,Hiromu Miyazawa,Takamitsu Higuchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-10-24.

Method for forming ferroelectric memory device

Номер патента: US7517703B2. Автор: Suk-Hun Choi,Yoon-ho Son,Sang-don Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-04-14.

Method for forming ferroelectric memory device

Номер патента: US20070243641A1. Автор: Suk-Hun Choi,Yoon-ho Son,Sang-don Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-10-18.

Semiconductor memory device having voids between word lines and a source line

Номер патента: US09728552B1. Автор: Atsushi Fukumoto,Hajime Nagano,Fumiki Aiso. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

System on chip (SOC) with processor and integrated ferroelectric memory

Номер патента: US12125513B2. Автор: Mohamad El-Batal,Darshana H. Mehta,Jon D. Trantham,Praveen Viraraghavan,John W. Dykes,Ian J. Gilbert,Sangita Shreedharan Kalarickal,Matthew J. Totin. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2024-10-22.

Ferroelectric polymer memory device including polymer electrodes and method of fabricating same

Номер патента: US20060071256A1. Автор: Ebrahim Andideh,Lee Rockford. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-04-06.

Ferroelectric polymer memory device including polymer electrodes and method of fabricating the same

Номер патента: WO2006036691A2. Автор: Ebrahim Andideh,Lee Rockford. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2006-04-06.

Ferroelectric memory device

Номер патента: US9190136B2. Автор: Naoharu Shinozaki,Keizo Morita,Tomohisa Hirayama. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-11-17.

Method of manufacture of ferroelectric memory

Номер патента: US20030203511A1. Автор: Kinya Ashikaga. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-30.

Ferroelectric memory devices having expanded plate lines

Номер патента: US20080025065A1. Автор: Hyun-Ho Kim,Kyu-Mann Lee,Dong-Jin Jung,Ki-nam Kim,Sang-don Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-31.

Ferroelectric memory devices having expanded plate lines

Номер патента: US20050035384A1. Автор: Hyun-Ho Kim,Kyu-Mann Lee,Dong-Jin Jung,Ki-nam Kim,Sang-don Nam. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-17.

Non-volatile ferroelectric memory cells with multilevel operation

Номер патента: EP3143650A1. Автор: Ji Hoon Park,Ihab N. Odeh,Husam N. Alshareef,Mohd A. KHAN. Владелец: SABIC Global Technologies BV. Дата публикации: 2017-03-22.

Method for efficiently waking up ferroelectric memory

Номер патента: US20240363155A1. Автор: Tzu-Yu Chen,Fu-Chen Chang,Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu,Sheng-Hung SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method for efficiently waking up ferroelectric memory

Номер патента: US12057154B2. Автор: Tzu-Yu Chen,Fu-Chen Chang,Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu,Sheng-Hung SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Ferroelectric memory cell with shunted ferroelectric capacitor and method of making same

Номер патента: EP1016088A1. Автор: David A. Kamp. Владелец: CELIS SEMICONDUCTER Corp. Дата публикации: 2000-07-05.

Three-dimensional ferroelectric memory devices

Номер патента: WO2020034809A1. Автор: Qian Tao,Zhenyu Lu,Feng Pan,Yushi Hu. Владелец: Wuxi Petabyte Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-02-20.

Three-dimensional ferroelectric memory devices

Номер патента: EP3827432A1. Автор: Qian Tao,Zhenyu Lu,Feng Pan,Yushi Hu. Владелец: Wuxi Petabyte Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-02.

Ferroelectric memory device

Номер патента: US5969979A. Автор: Hiroshige Hirano. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1999-10-19.

Ferroelectric memory devices including patterned conductive layers

Номер патента: US6359295B2. Автор: Mi-Hyang Lee,Dong-Jin Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-03-19.

Methods of forming and reading ferroelectric memory cells

Номер патента: US20020064065A1. Автор: Craig Salling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-05-30.

Ferroelectric polymer memory device including polymer electrodes and method of fabricating same

Номер патента: US20110073831A1. Автор: Ebrahim Andideh,Lee D. Rockford. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-03-31.

Method of making a self-aligned ferroelectric memory transistor

Номер патента: US20030071292A1. Автор: Tingkai Li,Sheng Hsu,Fengyan Zhang. Владелец: SHENG LABORATORIES OF AMERICA Inc. Дата публикации: 2003-04-17.

Ferroelectric nonvolatile memory device and integration schemes

Номер патента: US11825663B2. Автор: Johannes Müller,Ralf Richter,Thomas Melde,Stefan Dunkel. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Apparatuses, systems, and methods for ferroelectric memory cell operations

Номер патента: US11763870B2. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Ferroelectric memory architecture with gap region

Номер патента: US20230397436A1. Автор: Marcello Mariani,Giorgio Servalli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Ferroelectric memory and memory element thereof

Номер патента: US11837270B2. Автор: Toshiyuki Kobayashi,Jun Okuno. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-12-05.

Ferroelectric memory device and method for forming the same

Номер патента: US20230413576A1. Автор: Wei Zhang,Zhenyu Lu,Jianhua Sun,Yushi Hu,Meilan GUO. Владелец: Wuxi Smart Memories Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Pulse Generator and Ferroelectric Memory Circuit

Номер патента: US20140169060A1. Автор: David Eric Schwartz. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2014-06-19.

Apparatuses and methods including ferroelectric memory and for accessing ferroelectric memory

Номер патента: EP3507806A1. Автор: Christopher J. KAWAMURA,Scott J. Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-07-10.

Method for fabricating ferroelectric memory cells

Номер патента: US6806097B2. Автор: Matthias Kroenke,Igor Kasko. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-10-19.

Method for fabricating ferroelectric memory cells

Номер патента: US20040157345A1. Автор: Matthias Kroenke,Igor Kasko. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-08-12.

Ferroelectric memory arrays with low permittivity dielectric barriers

Номер патента: US20230397428A1. Автор: Marcello Mariani,Giorgio Servalli,Kamal Karda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Memory device having ultra-lightly doped region

Номер патента: US20240196595A1. Автор: Chung-Lin Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Memory device having bit line with stepped profile

Номер патента: US20230345707A1. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-26.

Non-volatile content addressable memory device having simple cell configuration and operating method of the same

Номер патента: US20240265967A1. Автор: Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Taehwan MOON,Hagyoul BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory device having laterally extending capacitors of different lengths and levels

Номер патента: US20240008250A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor Memory Devices Having Strain Layers Therein That Increase Device Performance And Methods of Forming Same

Номер патента: US20110254103A1. Автор: Young-Nam Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-10-20.

Method for manufacturing memory device having word line with dual conductive materials

Номер патента: US20230301072A1. Автор: Jhen-Yu Tsai,Yu-Ping Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor memory device having multilayered storage node contact plug and method for fabricating the same

Номер патента: US20020093035A1. Автор: Byeong-Yun Nam,Beom-jun Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-07-18.

Manufacturing method memory device having laterally extending capacitors of different lengths and levels

Номер патента: US20240006471A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Method for manufacturing memory device having a protruding channel structure

Номер патента: US20230371232A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Memory device having buried gate and method of fabricating the same

Номер патента: US09691769B2. Автор: Jungwoo Song,Sang-Jun Lee,Yongjun Kim,Keeshik PARK,Donggyun Han,Jaerok KAHNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Non-volatile memory device having threshold switching resistor, memory array including the non-volatile memory device and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20090086527A1. Автор: Young-soo Park,Myoung-Jae Lee,Chang-burn Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-04-02.

Memory device having volatile and non-volatile memory cells

Номер патента: US11922984B2. Автор: Minhee Cho,Sangkil Lee,Hyunmog Park,Woobin SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-05.

Semiconductor memory device having stacked capacitor- type memory cells

Номер патента: CA1210865A. Автор: Kimiaki Sato,Yoshihiro Takemae,Tomio Nakano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1986-09-02.

Semiconductor memory device having a charge barrier layer for preventing soft error

Номер патента: US4961165A. Автор: Taiji Ema. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1990-10-02.

Poly α-amino acid and ferroelectric memory element using same

Номер патента: US09464167B2. Автор: Satoru Ohashi,Manabu Kitazawa,Sei Uemura,Toshihide Kamata. Владелец: Ajinomoto Co Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor memory device including a selection element pattern confined to a hole

Номер патента: US20190157346A1. Автор: JONG CHUL LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-05-23.

Three dimensional memory device having isolated periphery contacts through an active layer exhume process

Номер патента: WO2017048367A1. Автор: Jian Zhou,Sri Sai Sivakumar Vegunta,Gowrisankar Damarla. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-03-23.

A ferroelectric memory circuit and method for its fabrication

Номер патента: EP1346367A1. Автор: Lichun Chen,Nicklas Johansson. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2003-09-24.

A ferroelectric memory circuit and method for its fabrication

Номер патента: EP1346367B1. Автор: Lichun Chen,Nicklas Johansson. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2005-03-09.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090065838A1. Автор: Takeshi Nagao. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-12.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: EP4120376A2. Автор: Naoki Hase,Kiwoong Kim,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-18.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: EP4271164A2. Автор: Naoki Hase,Kiwoong Kim,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-01.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: EP4250296A2. Автор: Naoki Hase,Kiwoong Kim,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-27.

Two bit memory device and method for operating the two-bit memory device and electronic component

Номер патента: US12046269B2. Автор: Peer Kirsch,Marc Tornow,Henning SEIM,Itai Lieberman,Takuya Kamiyama,Sebastian RESCH,Julian DLUGOSCH. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2024-07-23.

Nonvolatile magnetic memory device and photomask

Номер патента: US7816719B2. Автор: Hajime Yamagishi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-10-19.

Nonvolatile magnetic memory device and photomask

Номер патента: US20080253176A1. Автор: Hajime Yamagishi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-10-16.

Nonvolatile magnetic memory device and photomask

Номер патента: US20080253175A1. Автор: Hajime Yamagishi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-10-16.

Nonvolatile magnetic memory device and photomask

Номер патента: US7781816B2. Автор: Hajime Yamagishi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-08-24.

Nonvolatile magnetic memory device and photomask

Номер патента: US7521743B2. Автор: Hajime Yamagishi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-04-21.

Magnetic memory device having a plurality of magneto-resistance effect elements arranged in a matrix form and method for manufacturing the same

Номер патента: US7267998B2. Автор: Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-09-11.

Magnetic memory device having a plurality of magneto-resistance effect elements arranged in a matrix form and method for manufacturing the same

Номер патента: US20060013050A1. Автор: Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-19.

Sequence dependent assembly to control molecular interface properties for memory devices, solar cells and molecular diodes

Номер патента: EP2909871A2. Автор: Milko E. Van Der Boom,Graham De Ruiter,Michal Lahav,Hodaya KEISAR,Renata BALGLEY. Владелец: Yeda Research and Development Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-26.

Vertical internally-connected trench cell (V-ICTC) and formation method for semiconductor memory devices

Номер патента: US20030098483A1. Автор: John Walsh,Brian Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-29.

Magnetoresistive memory devices

Номер патента: US20050029565A1. Автор: John Mattson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-10.

Memory device having different numbers of bits stored in memory cells

Номер патента: US20210043244A1. Автор: Bongsoon LIM,Yonghyuk Choi,Jaeduk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-11.

Memory devices having vertical transistors in staggered layouts

Номер патента: US12082399B2. Автор: Tao Yang,Zhiliang Xia,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory device having sub wordline driver

Номер патента: US12106795B2. Автор: Sangwook Park,Donggeon Kim,Kyoungmin Kim,Myeongsik Ryu,Inseok Baek,Bokyeon Won. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor memory device having a sense amplifier circuit with decreased offset

Номер патента: US20110079858A1. Автор: Tomonori Sekiguchi,Satoru Akiyama,Hiroaki Nakaya,Yuko Watanabe,Shinichi Miyatake,Riichiro Takemura. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-04-07.

Semiconductor memory device having a sense amplifier circuit with decreased offset

Номер патента: US7876627B2. Автор: Tomonori Sekiguchi,Satoru Akiyama,Hiroaki Nakaya,Yuko Watanabe,Shinichi Miyatake,Riichiro Takemura. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-01-25.

Integrated circuit having wiring structure, solid image pickup element having the wiring structure, and imaging device having the solid image pickup element

Номер патента: US20100244176A1. Автор: Takeharu Eto. Владелец: KINKI UNIVERSITY. Дата публикации: 2010-09-30.

Multi-bit nonvolatile ferroelectric memory device having fail cell repair circuit and repair method thereof

Номер патента: US20060242538A1. Автор: Hee Kang,Jin Ahn. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-26.

Self-selecting memory device having polarity dependent threshold voltage shift characteristics and memory apparatus including the same

Номер патента: US20240324246A1. Автор: Bonwon KOO,Kiyeon YANG,Changseung LEE,Jeonghee Park,Zhe Wu,Minwoo Choi,Hajun SUNG,Dongho Ahn,Donggeon Gu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory device having a systematic arrangement of logical data locations and having plural data portals

Номер патента: US20020062420A1. Автор: James Bullen,Robert Mclaughlin,Lawrence Plumhoff. Владелец: Image Telecommunications Corp. Дата публикации: 2002-05-23.

Physically unclonable function circuit using resistive memory device

Номер патента: US09916884B2. Автор: James W. Tschanz,Charles Augustine,Carlos Tokunaga. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Memory device having asymmetric page buffer array architecture

Номер патента: EP4386752A1. Автор: Daeseok Byeon,Gyosoo Choo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-19.

Memory device having heterogeneous terminals

Номер патента: US09468117B2. Автор: Jin-Woo Lee. Владелец: Duin Digitech Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Resistive memory device having a retention layer

Номер патента: WO2019215489A1. Автор: Seshubabu Desu,Michael Van Buskirk. Владелец: 4D-S, LTD.. Дата публикации: 2019-11-14.

Resistive memory device having ohmic contacts

Номер патента: WO2019175671A1. Автор: Seshubabu Desu. Владелец: 4D-S, LTD.. Дата публикации: 2019-09-19.

Non-volatile memory device, controller for controlling the same, storage device having the same, and reading method thereof

Номер патента: US12045132B2. Автор: Jinyoung Kim,Dongmin Shin,Sehwan Park,Youngdeok SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Memory device for a hierarchical memory architecture

Номер патента: US20150370750A1. Автор: Sean Eilert,Mark Leinwander. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-12-24.

Vertically-Integrated Nonvolatile Memory Devices Having Laterally-Integrated Ground Select Transistors

Номер патента: US20140241065A1. Автор: Kihyun Kim,Jaehun Jeong,Sunil Shim,Jaehoon Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-08-28.

Power-on reset circuit and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US09899065B1. Автор: Hyun Chul Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor memory device having a heat insulating mechanism

Номер патента: US09788463B2. Автор: Kazuhiro Yoshida,Yasuyuki Ozawa,Yoshiharu Matsuda,Masahiro Iijima,Kenichi SAWANAKA,Fuminori Kimura,Masaaki Niijima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Memory device for a hierarchical memory architecture

Номер патента: US09626327B2. Автор: Sean Eilert,Mark Leinwander. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Memory device having physical unclonable function and memory system including the memory device

Номер патента: EP4105933A1. Автор: Daeseok Byeon,Jooyong PARK,Pansuk Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-21.

Memory device having physical unclonable function and memory system including the memory device

Номер патента: US20240145002A1. Автор: Daeseok Byeon,Jooyong PARK,Pansuk Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Non-volatile memory device, storage device having the same and operating method of non-volatile memory device

Номер патента: US20240242765A1. Автор: Sangsoo Park,ChiWeon Yoon,Chihyun Kim,Junehong PARK,Jayang Yoon,Hyeongdo CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Non-volatile memory device, storage device having the same and operating method of non-volatile memory device

Номер патента: EP4401079A1. Автор: Sangsoo Park,ChiWeon Yoon,Chihyun Kim,Junehong PARK,Jayang Yoon,Hyeongdo CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-17.

Couplings within memory devices

Номер патента: US20100091544A1. Автор: Seiichi Aritome,Akira Goda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-04-15.

Couplings within memory devices

Номер патента: US8208278B2. Автор: Seiichi Aritome,Akira Goda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-06-26.

Couplings within memory devices

Номер патента: US20120258574A1. Автор: Seiichi Aritome,Akira Goda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-10-11.

Memory devices having source lines directly coupled to body regions and methods

Номер патента: US12062396B2. Автор: Akira Goda. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-08-13.

System including an integrated circuit memory device having an adjustable output voltage setting

Номер патента: US6975160B2. Автор: Billy Wayne Garrett, Jr.,Michael Tak-Kei Ching,Andy Peng-Pui Chan,John B. Dillon, deceased,Matthew M. Griffin,William E. Stonecynher. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2005-12-13.

Flash memory device having multi-stack structure and channel separation method thereof

Номер патента: US12119066B2. Автор: Ho-Jun Lee,Yohan Lee,Hyebin KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Three-dimensional memory device and method for enhanced page register reset

Номер патента: US20240134573A1. Автор: Xiang Ming ZHI,Augustus TSAI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-25.

Method of designing a printed circuit board, and package test device having the printed circuit board

Номер патента: US20110004861A1. Автор: Jae-hoon Jeong,Chang-woo Ko,Ki-Jae Song,Hun-Kyo Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-01-06.

Quadrature error correction circuit and memory device having the same

Номер патента: US20240241802A1. Автор: Hyunyoon Cho,Junghwan Choi,Joohwan Kim,Junyoung Park,Eunseok SHIN,Jindo BYUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Three-dimensional memory device and method for enhanced page register reset

Номер патента: US11983439B2. Автор: Xiang Ming ZHI,Augustus TSAI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US5177575A. Автор: Yutaka Ikeda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-01-05.

Programming techniques for memory devices having partial drain-side select gates

Номер патента: US20220399063A1. Автор: Parth AMIN,Anubhav Khandelwal. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-12-15.

Compact memory device having a backup power source

Номер патента: US12062409B2. Автор: Naseem Jamal,Tomer Plut,Itai Ben Zion. Владелец: Pliops Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20030030087A1. Автор: Makoto Ooi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-02-13.

Semiconductor device having dual-gate transistors and calibration circuitry

Номер патента: US09601167B1. Автор: Michael C. Stephens, Jr.. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor memory device having calibration circuitry for dual-gate transistors associated with a memory array

Номер патента: US09455001B1. Автор: Michael C. Stephens, Jr.. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-09-27.

Electrically conducting structure of ferroelectric memory chip, semiconductor device having the electrically conducting structure, and manufacture of the semiconductor device

Номер патента: JPH11121509A. Автор: Hiroshi Oka,浩 岡. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 1999-04-30.

Fin structure for increasing performance of ferroelectric memory device

Номер патента: US20230345733A1. Автор: Kuo-Ching Huang,Kuen-Yi Chen,Yi Ching Ong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Ferroelectric memory devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US20040173829A1. Автор: Hyun-Ho Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-09-09.

Methods for fabricating ferroelectric memory devices

Номер патента: US20060049442A1. Автор: Hyun-Ho Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-09.

Semiconductor memory device having a decoupling capacitor

Номер патента: US20060113633A1. Автор: Je-min Park,Yoo-Sang Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-06-01.

Semiconductor memory device having wiring line structure

Номер патента: US20200312830A1. Автор: Jin HO KIM,Young Ki Kim,Sang Hyun Sung,Sung Lae OH,Byung Hyun Jeon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

Memory device having cell over periphery (COP) structure, memory package and method of manufacturing the same

Номер патента: US09799672B2. Автор: Sung-Hoon Kim,Jae-Ick SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Three-dimensional memory devices having transferred interconnect layer and methods for forming same

Номер патента: EP3867953A1. Автор: Lihong Xiao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-25.

Three-dimensional memory devices having transferred interconnect layer and methods for forming same

Номер патента: WO2020124879A1. Автор: Lihong Xiao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-06-25.

Semiconductor memory device having high electrical performance and mask and photolithography friendliness

Номер патента: US20050035387A1. Автор: Gi-sung Yeo,Woo-Sung Han,Jung-Hyeon Lee,Doo-Hoon Goo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-02-17.

Method and structure of an auxiliary transistor arrangement used for fabricating a semiconductor memory device

Номер патента: US20050037564A1. Автор: Michael Sommer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-02-17.

Vertical memory device having first contact plugs connected to plurality of staircase gate electrodes, respectively and second contact plugs extending through the staircase gate structure in the pad region

Номер патента: US12063781B2. Автор: Kohji Kanamori,Shin-Hwan Kang,Min-Yeong Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Memory devices having common source lines including layers of different materials

Номер патента: US09853049B2. Автор: Kwang Soo Kim,Jae Hoon Jang,Byoung Keun SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Vertical structure non-volatile memory device having insulating regions that are formed as air gaps

Номер патента: US09406688B2. Автор: Sung-Min Hwang,Han-Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-02.

Nonvolatile memory transistor having poly-silicon fin, stacked nonvolatile memory device having the transistor, method of fabricating the transistor, and method of fabricating the device

Номер патента: US7842994B2. Автор: WENXU Xianyu,Huaxiang Yin,Young-soo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-11-30.

Circuit and method for testing a ferroelectric memory device

Номер патента: EP1333446A3. Автор: David C. McClure. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2004-08-18.

A method for making a ferroelectric memory cell in a ferroelectric memory device, and a ferroelectric memory device

Номер патента: EP1550133A1. Автор: Göran Gustafsson,Johan Carlsson,Henrik Ljungcrantz,Niclas Edvardsson. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2005-07-06.

Interface film to mitigate size effect of memory device

Номер патента: US12035537B2. Автор: Hsun-Chung KUANG,Cheng-Yuan Tsai,Hai-Dang Trinh,Bi-Shen LEE,Yi Yang Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Process monitoring for ferroelectric memory devices with in-line retention test

Номер патента: US20060146588A1. Автор: Richard Bailey,John Rodriguez. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2006-07-06.

Semiconductor memory device comprising ferroelectric capacitors

Номер патента: US5901077A. Автор: Kiyoshi Nishimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 1999-05-04.

Ferroelectric memory cell sensing

Номер патента: US20200090727A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-03-19.

Ferroelectric memory cell sensing

Номер патента: US20180358077A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-13.

Accelerated test method for ferroelectric memory device

Номер патента: US20040041574A1. Автор: Atsushi Noma,Katsuki Nagahashi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-03-04.

Ferroelectric memory cell sensing

Номер патента: US09792973B2. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Three-dimensional ferroelectric memory devices including a backside gate electrode and methods of making same

Номер патента: WO2020149937A1. Автор: Koji Sato. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-07-23.

Ferroelectric memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180286988A1. Автор: Hyangkeun YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-10-04.

Ferroelectric memory device

Номер патента: US20190147951A1. Автор: Wenliang Chen. Владелец: AP Memory Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Method of manufacturing ferroelectric memory device

Номер патента: US20020098599A1. Автор: Takashi Nakamura,Hidemi Takasu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-25.

Multi-level ferroelectric memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09954000B2. Автор: Se Hun Kang,Deok Sin Kil. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Circuit and method for asynchronously accessing a ferroelectric memory device

Номер патента: EP1225594A3. Автор: David C. McClure. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2003-12-03.

Fixed voltage sensing in a memory device

Номер патента: US09558803B2. Автор: Adam D. Johnson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Ferroelectric memory device having a ferroelectric capacitor disposed on an extended active area

Номер патента: US6477076B2. Автор: Jae-Whan Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-05.

Fixed voltage sensing in a memory device

Номер патента: US20200357456A1. Автор: Adam D. Johnson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-12.

Ferroelectric memory device and method of forming the same

Номер патента: US11758737B2. Автор: Han-Jong Chia. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Three-dimensional ferroelectric memory

Номер патента: US11296117B2. Автор: Jan Van Houdt. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2022-04-05.

Three-dimensional ferroelectric memory

Номер патента: US20210175254A1. Автор: Jan Van Houdt. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-06-10.

Ferroelectric memories based on arrays of autonomous memory bits

Номер патента: WO2011156525A2. Автор: Joseph Tate Evans. Владелец: Radiant Technologies, Inc.. Дата публикации: 2011-12-15.

Ferroelectric memory device

Номер патента: US12051751B2. Автор: Hyangkeun YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Ferroelectric memory cell apparatuses and methods of operating ferroelectric memory cells

Номер патента: US09767880B1. Автор: Eric Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Analog ferroelectric memory with improved temperature range

Номер патента: US09697882B1. Автор: Calvin B. Ward,Joseph T. Evans, Jr.. Владелец: Radiant Technologies Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Ferroelectric memory device with stacked capacitors and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240298452A1. Автор: Yushi Hu. Владелец: Wuxi Smart Memories Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Ferroelectric memory device, electronic device

Номер патента: US20060007725A1. Автор: Hiroyoshi Ozeki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-01-12.

Ferroelectric memory device, electronic device

Номер патента: US7209377B2. Автор: Hiroyoshi Ozeki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-04-24.

Three-dimensional memory device containing epitaxial ferroelectric memory elements and methods for forming the same

Номер патента: US20210036018A1. Автор: Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Adarsh RAJASHEKHAR. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-02-04.

Ferroelectric memory and a test method thereof

Номер патента: US20030063488A1. Автор: Masanori Kasai. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-03.

Ferroelectric random access memory devices having short-lived cell detector available for life test for ferroelectric capacitor and method for testing ferroelectric memory cells

Номер патента: US5991189A. Автор: Tohru Miwa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-11-23.

Ferroelectric memory devices containing a two-dimensional charge carrier gas channel and methods of making the same

Номер патента: US20200203381A1. Автор: Peter Rabkin,Masaaki Higashitani,Alan Kalitsov. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-06-25.

Method for manufacturing ferroelectric memory device

Номер патента: US20070243640A1. Автор: Hiroaki Tamura. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-10-18.

Ferroelectric memory device having two columns of memory cells precharged to separate voltages

Номер патента: US6097623A. Автор: Takeshi Sakata,Katsutaka Kimura,Tomonori Sekiguchi,Masanori Isoda,Kazuhiko Kajigaya,Hiroki Fujisawa. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2000-08-01.

Apparatus and method for controlling erasing data in ferroelectric memory cells

Номер патента: US20190287602A1. Автор: Yasushi Matsubara,Kiyotake Sakurai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Ferroelectric memory device

Номер патента: US20040190324A1. Автор: Mitsuhiro Yamamura. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-09-30.

Ferroelectric memory device, manufacturing method of the ferroelectric memory device and semiconductor chip

Номер патента: US20220285396A1. Автор: Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Yu-Ming Lin,Yen-Chieh Huang Rainer. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Ferroelectric memory device, manufacturing method of the ferroelectric memory device and semiconductor chip

Номер патента: US20230269947A1. Автор: Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Yu-Ming Lin,Yen-Chieh Huang Rainer. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Charge extraction from ferroelectric memory cell

Номер патента: US20190096466A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-03-28.

Ferroelectric memory element and electronic apparatus

Номер патента: US20020154532A1. Автор: Setsuya Iwashita,Hiromu Miyazawa,Takamitsu Higuchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-10-24.

Ferroelectric memory device

Номер патента: US20020080642A1. Автор: Eiichi Sadayuki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-27.

Charge extraction from ferroelectric memory cell

Номер патента: US20190096467A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-03-28.

Method for fabricating nonvolatile ferroelectric memory

Номер патента: US6333201B1. Автор: Ki Hyun Yoon,Ki Young Oh. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-12-25.

Ferroelectric memory having a BaTiO3 recording layer oriented in a <111> direction

Номер патента: US6510074B2. Автор: Setsuya Iwashita,Hiromu Miyazawa,Takamitsu Higuchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-01-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20050195628A1. Автор: Kazuhiko Takahashi,Shinzo Sakuma,Shoichi Kokubo. Владелец: Shoichi Kokubo. Дата публикации: 2005-09-08.

Three-dimensional memory device containing templated crystalline ferroelectric memory elements and method of making thereof

Номер патента: US20240008281A1. Автор: Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Adarsh RAJASHEKHAR,Kartik SONDHI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-01-04.

Memory device containing ferroelectric-spacer-ferroelectric memory elements and method of making the same

Номер патента: US20240064995A1. Автор: Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Adarsh RAJASHEKHAR,Kartik SONDHI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-22.

Ferroelectric memory device and electronic apparatus

Номер патента: US7570506B2. Автор: Yasunori Koide. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-08-04.

A ferroelectric memory device and a nondestructive accessing method thereof

Номер патента: GB2318230A. Автор: Byung-Gil Jeon,Chul-Sung Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-04-15.

Non-volatile ferroelectric memory device with leakage preventing function

Номер патента: US5615144A. Автор: Hiroki Koike,Tohru Kimura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-03-25.

Self-referencing memory device

Номер патента: US20190066753A1. Автор: Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Self-referencing memory device

Номер патента: US11830536B2. Автор: Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Self-referencing memory device

Номер патента: EP3673488A1. Автор: Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-01.

Ferroelectric memory device containing word lines and pass gates and method of forming the same

Номер патента: US20200411554A1. Автор: Yanli Zhang,Johann Alsmeier. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-12-31.

Ferroelectric memory device

Номер патента: US20050002216A1. Автор: Mitsuhiro Yamamura,Kenya Watanabe. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-01-06.

Ferroelectric memory device

Номер патента: US6947309B2. Автор: Mitsuhiro Yamamura,Kenya Watanabe. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-09-20.

Ferroelectric memory device and control method thereof

Номер патента: US20040076053A1. Автор: Byung-Gil Jeon,Ki-nam Kim,Byung-Jun Min,Mun-Kyu Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-04-22.

Ferroelectric memory devices and method of using ferroelectric capacitors

Номер патента: US5764561A. Автор: Kiyoshi Nishimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 1998-06-09.

Process monitoring for ferroelectric memory devices with in-line retention test

Номер патента: US7149137B2. Автор: John Anthony Rodriguez,Richard Allen Bailey. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2006-12-12.

Ferroelectric memory device and method of forming the same

Номер патента: US11910617B2. Автор: Chun-Chieh Lu,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Ferroelectric memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060284224A1. Автор: Susumu Shuto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-12-21.

Nonvolatile ferroelectric memory device

Номер патента: US20060139986A1. Автор: Hee Kang,Jin Ahn. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-29.

Self-referencing memory device

Номер патента: WO2019040503A1. Автор: Riccardo Muzzetto. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-02-28.

Method for writing and reading a ferroelectric memory

Номер патента: US20010005326A1. Автор: Georg Braun. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-06-28.

Processing system with a ferroelectric memory

Номер патента: US5424976A. Автор: Roger Cuppens. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1995-06-13.

Method for operating a ferroelectric memory configuration and a ferroelectric memory configuration

Номер патента: US6538913B2. Автор: Thomas Rohr,Heinz Hönigschmid. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-03-25.

Virtual ground sensing circuitry and related devices, systems, and methods for crosspoint ferroelectric memory

Номер патента: US09786346B2. Автор: Giulio Giuseppe Marotta,Marco Domenico Tiburzi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Multibit ferroelectric memory cells and methods for forming the same

Номер патента: US11450687B2. Автор: Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Roshan TIRUKKONDA,Ramy Nashed Bassely SAID,Senaka Kanakamedala,Adarsh RAJASHEKHAR. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-09-20.

Memory device containing composition-controlled ferroelectric memory elements and method of making the same

Номер патента: US20240064991A1. Автор: Joyeeta Nag,Fei Zhou,Tiffany Santos,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Bhagwati PRASAD,Adarsh RAJASHEKHAR,Kartik SONDHI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-22.

Memory device containing composition-controlled ferroelectric memory elements and method of making the same

Номер патента: US20240064992A1. Автор: Joyeeta Nag,Fei Zhou,Tiffany Santos,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Bhagwati PRASAD,Kartik SONDHI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-22.

Ferroelectric memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240055517A1. Автор: Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Chun-Chieh Lu,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Po-Ting Lin,Kuo-Chang Chiang,Yu-Chuan Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Ferroelectric memory devices with reduced edge leakage and methods for forming the same

Номер патента: US20220005829A1. Автор: Yushi Hu. Владелец: Wuxi Petabyte Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-06.

Nonvolatile ferroelectric memory device

Номер патента: US7164594B2. Автор: Hee Bok Kang,Jin Hong Ahn. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-01-16.

Method of reading data in ferroelectric memory device and ferroelectric memory device

Номер патента: US20040240250A1. Автор: Takeshi Kijima,Eiji Natori,Junichi Karasawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-12-02.

Ferroelectric memory cell sensing

Номер патента: WO2017161103A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2017-09-21.

Method for operating a ferroelectric memory configuration and a ferroelectric memory configuration

Номер патента: US20010036099A1. Автор: Thomas Rohr,Heinz Hönigschmid. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-11-01.

Ferroelectric memory cell sensing

Номер патента: EP3430626A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-23.

Operation methods of ferroelectric memory

Номер патента: US20210142838A1. Автор: Feng Pan. Владелец: Wuxi Petabyte Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-13.

Operation methods of ferroelectric memory

Номер патента: WO2021093263A1. Автор: Feng Pan. Владелец: Wuxi Petabyte Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-05-20.

Ferroelectric memory plate power reduction

Номер патента: US20200211613A1. Автор: David L. Pinney,Adam S. El-Mansouri. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

Ferroelectric memory cell recovery

Номер патента: US09842661B1. Автор: Marcello Mariani,Giorgio Servalli,Andrea Locatelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Ferroelectric memory cell recovery

Номер патента: US09697913B1. Автор: Marcello Mariani,Giorgio Servalli,Andrea Locatelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Ferroelectric memory device and method for operating ferroelectric memory device

Номер патента: US20010040815A1. Автор: Yasuhiro Tanaka. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-11-15.

Three-dimensional ferroelectric memory device

Номер патента: EP4376567A1. Автор: Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Hyunjae Lee,Dukhyun CHOE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-29.

Ferroelectric semiconductor memory device

Номер патента: US7551472B2. Автор: Susumu Shuto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-06-23.

Ferroelectric memory cell apparatuses and methods of operating ferroelectric memory cells

Номер патента: US20190027203A1. Автор: Eric Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-24.

3d ferroelectric memory device

Номер патента: US20240008289A1. Автор: Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Hyunjae Lee,Taehwan MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-04.

Three-dimensional ferroelectric memory device

Номер патента: US20240172447A1. Автор: Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Hyunjae Lee,Dukhyun CHOE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

3d ferroelectric memory device

Номер патента: EP4304315A1. Автор: Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Hyunjae Lee,Taehwan MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-10.

Ferroelectric memory device

Номер патента: US20240049472A1. Автор: Yongseok Kim,Daewon HA,Hyuncheol Kim,Kiheun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-08.

Half density ferroelectric memory and operation

Номер патента: US20200388317A1. Автор: Scott J. Derner,Charles L. Ingalls. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-10.

Half density ferroelectric memory and operation

Номер патента: US20190333564A1. Автор: Scott J. Derner,Charles L. Ingalls. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Half density ferroelectric memory and operation

Номер патента: US20170358338A1. Автор: Scott J. Derner,Charles L. Ingalls. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-14.

Ferroelectric memory and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070275484A1. Автор: Hiroyuki Mitsui. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-11-29.

Ferroelectric memory

Номер патента: US20020135068A1. Автор: Toshiyuki Honda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-26.

Semiconductor memory device and method of reading data

Номер патента: US20050128849A1. Автор: HIROSHI Yoshioka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-06-16.

Circuit to simulate the polarization relaxation phenomenon of the ferroelectric memory

Номер патента: US20030058682A1. Автор: Ching-Wei Tsai,Ta-Hui Wang,Shyue-Yi Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-27.

Half density ferroelectric memory and operation

Номер патента: US09892776B2. Автор: Scott J. Derner,Charles L. Ingalls. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Offset compensation for ferroelectric memory cell sensing

Номер патента: US09552864B1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Ferroelectric memory device

Номер патента: US20070111335A1. Автор: Setsuya Iwashita,Hiromu Miyazawa,Takamitsu Higuchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-05-17.

Wear leveling for random access and ferroelectric memory

Номер патента: US20190392882A1. Автор: Daniele Vimercati,Richard E. Fackenthal,Duane R. Mills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-26.

Wear leveling for random access and ferroelectric memory

Номер патента: EP3676837A1. Автор: Daniele Vimercati,Richard E. Fackenthal,Duane R. Mills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-08.

Wear leveling for random access and ferroelectric memory

Номер патента: US20210264960A1. Автор: Daniele Vimercati,Richard E. Fackenthal,Duane R. Mills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-26.

Wear leveling for random access and ferroelectric memory

Номер патента: US20190066752A1. Автор: Daniele Vimercati,Richard E. Fackenthal,Duane R. Mills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Wear leveling for random access and ferroelectric memory

Номер патента: US10971203B2. Автор: Daniele Vimercati,Richard E. Fackenthal,Duane R. Mills. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-06.

Wear leveling for random access and ferroelectric memory

Номер патента: WO2019046104A1. Автор: Daniele Vimercati,Richard E. Fackenthal,Duane R. Mills. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-03-07.

Ferroelectric memory cell apparatuses and methods of operating ferroelectric memory cells

Номер патента: US20170270992A1. Автор: Eric Carman. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2017-09-21.

Ferroelectric memory device erasure

Номер патента: WO2024051446A1. Автор: Takashi Ando,Guy M. Cohen,Nanbo Gong. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-03-14.

Ferroelectric memory device erasure

Номер патента: US20240088065A1. Автор: Takashi Ando,Guy M. Cohen,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Column repair circuit in ferroelectric memory

Номер патента: US20030053328A1. Автор: Hee Kang,Duck Kim,Hun Kye,Je Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-03-20.

Ferroelectric memory cell access

Номер патента: US12062389B2. Автор: Umberto Di Vincenzo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Ferroelectric memory and electronic apparatus

Номер патента: US20020154554A1. Автор: Setsuya Iwashita,Hiromu Miyazawa,Takamitsu Higuchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-10-24.

Ferroelectric memory and methods of forming the same

Номер патента: US09768181B2. Автор: D. V. Nirmal Ramaswamy,Alessandro Calderoni,Ashonita A. Chavan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Reference circuit for a non-volatile ferroelectric memory

Номер патента: US5424975A. Автор: Tyler A. Lowrey,Wayne I. Kinney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1995-06-13.

3d ferroelectric memory

Номер патента: US20230363171A1. Автор: Chung-Te Lin,Sheng-Chih Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Non-volatile memory cell with multiple ferroelectric memory elements (FMEs)

Номер патента: US11996144B2. Автор: Mohamad El-Batal,Darshana H. Mehta,Jon D. Trantham,Praveen Viraraghavan,John W. Dykes,Ian J. Gilbert,Sangita Shreedharan Kalarickal,Matthew J. Totin. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2024-05-28.

Memory configuration including a plurality of resistive ferroelectric memory cells

Номер патента: US20010033516A1. Автор: Kurt Hoffmann,Oskar Kowarik. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2001-10-25.

Ferroelectric memory structure

Номер патента: US20240357827A1. Автор: Min-Cheng Chen,Jyun-Hong Shih. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device structures including ferroelectric memory cells

Номер патента: US09698343B2. Автор: Qian Tao,Matthew N. Rocklein,D.V. Nirmal Ramaswamy,Beth R. Cook. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Ferroelectric memory device and electronic apparatus

Номер патента: US20060023485A1. Автор: Mitsuhiro Yamamura. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-02-02.

Nonvolatile ferroelectric memory with folded bit line architecture

Номер патента: US5852571A. Автор: Wayne I. Kinney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1998-12-22.

Reference voltage generating circuit of nonvolatile ferroelectric memory device

Номер патента: US20030026154A1. Автор: Hee Kang,Duck Kim,Hun Kye,Je Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-02-06.

Ferroelectric memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230120089A1. Автор: Dae Hyun Kim,Sung Hyun Yoon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-20.

3d ferroelectric memory

Номер патента: US20210126013A1. Автор: Chung-Te Lin,Sheng-Chih Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Ferroelectric memory device and method of forming the same

Номер патента: US20230225130A1. Автор: Zhiqiang Wu,Ya-Yun Cheng,Chung-Wei Wu,Peng-Chun Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Ferroelectric memory device

Номер патента: US20230371274A1. Автор: Han-Jong Chia. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240074205A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Method of forming ferroelectric memory device

Номер патента: US20230363173A1. Автор: Tsann Lin,Chung-Te Lin,Han-Ting Tsai,Kuo-Chang Chiang,Min-Kun Dai,Rainer Yen-Chieh Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Charge extraction from ferroelectric memory cell

Номер патента: SG11201808666PA. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-11-29.

3D ferroelectric memory

Номер патента: US11770935B2. Автор: Chung-Te Lin,Sheng-Chih Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Ferroelectric memory device

Номер патента: US20230165012A1. Автор: MUSARRAT Hasan,Bongjin Kuh,Yongho Ha,Gabjin Nam,Geonju Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-25.

Three-dimensional ferroelectric memory device

Номер патента: EP4304316A1. Автор: Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Hyunjae Lee,Taehwan MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-10.

Three-dimensional ferroelectric memory device

Номер патента: US20240015983A1. Автор: Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Hyunjae Lee,Taehwan MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-11.

Charge mirror-based sensing for ferroelectric memory

Номер патента: US09881661B2. Автор: Daniele Vimercati,Xinwei Guo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Non-volatile ferroelectric memory with section plate line drivers and method for accessing the same

Номер патента: US5991188A. Автор: Byung-Gil Jeon,Yeon-Bae Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-11-23.

Ferroelectric memory device and display driver IC

Номер патента: US20040208041A1. Автор: Akira Maruyama. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-10-21.

Process and structure for masking integrated capacitors of particular utility for ferroelectric memory integrated circuits

Номер патента: US20030071294A1. Автор: Masahisa Ueda,Shan Sun,George Hickert,Diana Johnson,John Ortega,Eric Dale. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-17.

Process and structure for masking integrated capacitors of particular utility for ferroelectric memory integrated circuits

Номер патента: US20020117701A1. Автор: Masahisa Ueda,Shan Sun,George Hickert,Diana Johnson,John Ortega,Eric Dale. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-29.

Charge-mirror based sensing for ferroelectric memory

Номер патента: US12027192B2. Автор: Daniele Vimercati,Xinwei Guo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Ferroelectric memory

Номер патента: US7139187B2. Автор: Hideaki Suzuki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-11-21.

Ferroelectric memory

Номер патента: WO2003096352A2. Автор: Iu-Meng Tom Ho. Владелец: Iota Technology, Inc.. Дата публикации: 2003-11-20.

Use of palladium as an adhesion layer and as an electrode in ferroelectric memory devices

Номер патента: US5191510A. Автор: Maria Huffman. Владелец: Ramtron International Corp. Дата публикации: 1993-03-02.

Three-dimensional vertical single transistor ferroelectric memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US11839085B2. Автор: Huaxiang Yin,Tianchun Ye,Zhaozhao HOU,Chaolei Li. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-12-05.

Multi-layer electrode to improve performance of ferroelectric memory device

Номер патента: US20240021700A1. Автор: Hsun-Chung KUANG,Hai-Dang Trinh,Hsing-Lien Lin,Bi-Shen LEE,Hsin-Yu Lai,Yi Yang Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Multi-layer electrode to improve performance of ferroelectric memory device

Номер патента: US11916127B2. Автор: Hsun-Chung KUANG,Hai-Dang Trinh,Hsing-Lien Lin,Bi-Shen LEE,Hsin-Yu Lai,Yi Yang Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Three-dimensional ferroelectric memory devices

Номер патента: US20240164108A1. Автор: Kyunghwan Lee,Yongseok Kim,Daewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Ferroelectric memory and method of testing the same

Номер патента: US20040179385A1. Автор: Ryu Ogiwara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-16.

Systems and methods for reading ferroelectric memories

Номер патента: US20140085962A1. Автор: David Eric Schwartz. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2014-03-27.

Charge extraction from ferroelectric memory cell

Номер патента: EP3440674A2. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-13.

Ferroelectric memory device

Номер патента: US20180033486A1. Автор: Wenliang Chen. Владелец: AP Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-01.

Charge extraction from ferroelectric memory cell

Номер патента: WO2017176467A2. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2017-10-12.

Ferroelectric memory device

Номер патента: US20210013345A1. Автор: Hyangkeun YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-14.

Ferroelectric memory device

Номер патента: US20230054290A1. Автор: Hyangkeun YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

3d ferroelectric memory device

Номер патента: US20240172448A1. Автор: Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Hyunjae Lee,Dukhyun CHOE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Improved replacement electrode process for 3d ferroelectric memory

Номер патента: US20240114696A1. Автор: Christopher Neumann,Brian Doyle,Nazila Haratipour,Sou-Chi Chang,Shriram SHIVARAMAN,Uygar Avci,Tristan TRONIC,Cory Weinstein. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Ferroelectric memory

Номер патента: US6038161A. Автор: Takaaki Fuchikami. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2000-03-14.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20100020587A1. Автор: Daisaburo Takashima,Sumiko Doumae. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-01-28.

Ferroelectric memory device

Номер патента: US5926413A. Автор: Hiroki Koike,Junichi Yamada. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-07-20.

Test method for ferroelectric memory

Номер патента: US20080013361A1. Автор: Tadashi Miyakawa,Daisaburo Takashima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-01-17.

Ferroelectric memory

Номер патента: US20080037312A1. Автор: Yasuaki Hamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-02-14.

Ferroelectric memory

Номер патента: US6078516A. Автор: Hideki Hayashi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2000-06-20.

Column select circuit of ferroelectric memory

Номер патента: US20040208045A1. Автор: Shinichiro Shiratake. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-21.

Ferroelectric memory device and fabrication method thereof

Номер патента: EP3128534A3. Автор: Jan Van Houdt,Voon Yew Thean. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-04-12.

Ferroelectric memory device guaranteeing electrical interconnection between lower capacitor electrode and contact plug and method for fabricating the same

Номер патента: US6020233A. Автор: Jae Whan Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2000-02-01.

Memory device

Номер патента: US20240087633A1. Автор: Masamichi Suzuki,Kensuke Ota,Reika Tanaka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Offset compensation for ferroelectric memory cell sensing

Номер патента: SG11201807496XA. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-09-27.

Ferroelectric memory device

Номер патента: US20050286289A1. Автор: Kenya Watanabe. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-12-29.

Nonvolatile ferroelectric memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070194360A1. Автор: Hee Bok Kang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-08-23.

Integrated circuit including ferroelectric memory cells and methods for manufacturing

Номер патента: US20180233573A1. Автор: James Lin,Francesco Anthony Annetta. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-08-16.

Method for mitigating imprint in a ferroelectric memory

Номер патента: EP2237280A3. Автор: Craig Taylor,Shan Sun,Fan Chu. Владелец: Ramtron International Corp. Дата публикации: 2010-11-17.

Method for writing and reading a ferroelectric memory

Номер патента: US6327173B2. Автор: Georg Braun. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-12-04.

Ferroelectric memory structure

Номер патента: CA2035128A1. Автор: Jeff A. Bullington,Joseph T. Evans, Jr.,Bruce G. Armstrong,Stephen E. Bernacki. Владелец: Stephen E. Bernacki. Дата публикации: 1991-08-10.

Multi-level storage in ferroelectric memory

Номер патента: US11848042B2. Автор: Christopher John Kawamura. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Ferroelectric memory

Номер патента: US8085573B2. Автор: Shinichiro Shiratake. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-12-27.

Ferroelectric memory

Номер патента: US20100118586A1. Автор: Shinichiro Shiratake. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-05-13.

Memory configuration including a plurality of resistive ferroelectric memory cells

Номер патента: US20020018356A1. Автор: Kurt Hoffmann,Oskar Kowarik. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2002-02-14.

Method of preparing programmable diode, programmable diode and ferroelectric memory

Номер патента: US20230397429A1. Автор: Ming Liu,Qing LUO,Hangbing Lv. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-12-07.

Method for manufacturing ferroelectric memory

Номер патента: US20060046314A1. Автор: Kinya Ashikaga. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-02.

Ferroelectric memory

Номер патента: US20020024839A1. Автор: Yoshitaka Mano. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-02-28.

Offset compensation for ferroelectric memory cell sensing

Номер патента: EP3427266A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-16.

Offset compensation for ferroelectric memory cell sensing

Номер патента: US20180108393A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-19.

Offset compensation for ferroelectric memory cell sensing

Номер патента: US20170263302A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-14.

Offset compensation for ferroelectric memory cell sensing

Номер патента: WO2017156444A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2017-09-14.

Offset compensation for ferroelectric memory cell sensing

Номер патента: US9858978B2. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Ferroelectric memory plate power reduction

Номер патента: US20210312967A1. Автор: David L. Pinney,Adam S. El-Mansouri. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-07.

Reference circuit in ferroelectric memory and method for driving the same

Номер патента: US20030002318A1. Автор: Hee Kang,Geun Lee,Duck Kim,Hun Kye,Je Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-01-02.

Offset compensation for ferroelectric memory cell sensing

Номер патента: US20200035285A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-30.

Ferroelectric memory

Номер патента: US7990750B2. Автор: Daisaburo Takashima,Hidehiro Shiga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-08-02.

Offset compensation for ferroelectric memory cell sensing

Номер патента: US10600467B2. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-03-24.

Nonvolatile ferroelectric memory using selective reference cell

Номер патента: US6147896A. Автор: Shi-Ho Kim,Bo-Woo Kim,Won-Jae Lee,Byoung-Gon Yu. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2000-11-14.

Dual mode ferroelectric memory cell operation

Номер патента: EP3635721A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-15.

Dual mode ferroelectric memory cell operation

Номер патента: US20210050046A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Dual mode ferroelectric memory cell operation

Номер патента: US20190122718A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-04-25.

Dual mode ferroelectric memory cell operation

Номер патента: US20180358072A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-13.

Dual mode ferroelectric memory cell operation

Номер патента: WO2018226478A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-12-13.

Ferroelectric memory cell access

Номер патента: US20210020220A1. Автор: Umberto Di Vincenzo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Ferroelectric memory device and electronic apparatus

Номер патента: US20080055961A1. Автор: Yasunori Koide. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-03-06.

Sensing methodology for a 1T/1C ferroelectric memory

Номер патента: EP1265251A2. Автор: Dennis R. Wilson,William F. Kraus,Lark E. Lehman. Владелец: Ramtron International Corp. Дата публикации: 2002-12-11.

Ferroelectric memory cell

Номер патента: US11871581B2. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Ferroelectric memory cell

Номер патента: US20240090232A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor memory device

Номер патента: US7599207B2. Автор: Shinzo Sakuma. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2009-10-06.

Ferroelectric memory cell with access line disturbance mitigation

Номер патента: US20210020222A1. Автор: Xinwei Guo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Ferroelectric memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240206191A1. Автор: Zhenyu Lu,Jianhua Sun,Yushi Hu,Meilan GUO. Владелец: Wuxi Smart Memories Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Ferroelectric memory and method

Номер патента: US6275408B1. Автор: Katsuhiro Aoki,Tomoyuki Sakoda. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2001-08-14.

Carbon-free laminated hafnium oxide/zirconium oxide films for ferroelectric memories

Номер патента: US20220020862A1. Автор: Thomas H. Baum,Jun-Fei Zheng. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Piezoelectric element, droplet discharge head, ferroelectric memory, and piezoelectric actuator

Номер патента: EP4350790A1. Автор: Shintaro Hara,Yuji Matsushita,Hideki Mashima. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2024-04-10.

Setting of reference voltage for data sensing in ferroelectric memories

Номер патента: US20170345478A1. Автор: Keith A. Remack,John A. Rodriguez,Carl Z. Zhou. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-11-30.

Capacitor electrode for a ferroelectric memory cell and method for fabricating the same

Номер патента: EP1632990A2. Автор: Toru Nasu,Yoshihisa Nagano. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-08.

Nonvolatile memory device having STI structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20020182806A1. Автор: Sun-Young Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-12-05.

Memory devices including phase change material elements

Номер патента: US09748475B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2017-08-29.

Flash memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20030052359A1. Автор: Sung Shin,Jae Eom. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-03-20.

Three-dimensional memory device having multi-deck structure and methods for forming the same

Номер патента: US20210091102A1. Автор: Juan Tang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-25.

Non-volatile memory device having vertical cell

Номер патента: US09721965B2. Автор: Jang-Gn Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device having fin gate, resistive memory device including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US09466671B2. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Methods of forming memory device with reduced resistivity

Номер патента: WO2023278296A1. Автор: Deenesh Padhi,Abdul Wahab MOHAMMED,Gill Yong Lee,Hang Yu,Sung-Kwan Kang,Chuanxi YANG,Hailing Liu,Qixin Shen. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-01-05.

Nonvolatile charge trap memory device having a deuterated layer in a multi-layer charge-trapping region

Номер патента: WO2008147385A1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Fredrick B. Jenne,Sagy Levy. Владелец: Cypress Semiconductro Corporation. Дата публикации: 2008-12-04.

Three-dimensional memory devices having hydrogen blocking layer and fabrication methods thereof

Номер патента: US11728236B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Programmable memory devices supported by semiconductor substrates

Номер патента: US6873005B2. Автор: Robert Carr,Graham Wolstenholme,Paul J. Rudeck. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-03-29.

Programmable memory devices supported by semiconductor substrates

Номер патента: US20050098825A1. Автор: Robert Carr,Graham Wolstenholme,Paul Rudeck. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-05-12.

Programmable memory devices supported by semiconductor substrates

Номер патента: US20040201060A1. Автор: Robert Carr,Graham Wolstenholme,Paul Rudeck. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-14.

Semiconductor device having vertical channel, resistive memory device including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150236126A1. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-08-20.

Memory device having hybrid insulating layer and method for preparing same

Номер патента: US10529936B2. Автор: Youngkyoo Kim,Hawjeong Kim,Chulyeon Lee. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of KNU. Дата публикации: 2020-01-07.

3-dimensional memory device having peripheral circuit devices having source/drain contacts with different spacings

Номер патента: US09449986B1. Автор: Sun Young Kim,Jae Ho Jeong,Jang Gn Yun,Hyun Sook Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Nonvolatile memory device having multi-level resistance and capacitance characteristics, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200313085A1. Автор: Jae Hyung JANG,Rani Anoop,Se I Oh. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2020-10-01.

Nonvolatile memory device having a ferroelectric layer

Номер патента: US20220399371A1. Автор: Jae Gil Lee,Se Ho LEE,Hyangkeun YOO,Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-12-15.

Nonvolatile memory device having a ferroelectric layer

Номер патента: US12108606B2. Автор: Jae Gil Lee,Se Ho LEE,Hyangkeun YOO,Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Methods of forming memory devices having electrodes comprising nanowires

Номер патента: US09871196B2. Автор: Jun Liu,Michael P. Violette. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2018-01-16.

Memory devices having electrodes comprising nanowires

Номер патента: US09525131B2. Автор: Jun Liu,Michael P. Violette. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Contact pads of three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US12033966B2. Автор: He Chen,LIANG XIAO,Yongqing Wang,Shu Wu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Methods of fabricating a fully silicided gate and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20070077756A1. Автор: Han Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-05.

Methods of fabricating fully silicide gate and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20070077740A1. Автор: Han Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-05.

Non-volatile memory device having nanocrystal floating gate and method of fabricating same

Номер патента: US09899398B1. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor memory device having memory cells provided in a height direction

Номер патента: US09812398B2. Автор: Toshiyuki Takewaki,Ming Hu,Seiichi Omoto. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Resistive random access memory device having a nano-scale tip, memory array using the same and fabrication method thereof

Номер патента: US09768381B2. Автор: Byung-gook Park,Seongjae Cho,Sunghun Jung. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2017-09-19.

Magnetic memory device having a magnetic shield structure

Номер патента: US09685605B2. Автор: Masashi Otsuka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09536891B2. Автор: Sung-Kun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Memory device having bit line with stepped profile

Номер патента: US12022649B2. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Memory devices having low permittivity layers and methods of fabricating the same

Номер патента: US9362340B2. Автор: Masayuki Terai,Jung-Moo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-06-07.

Nonvolatile charge trap memory device having <100> crystal plane channel orientation

Номер патента: WO2008147383A1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Igor Polishchuk,Sagy Levy. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2008-12-04.

Memory device having a diagonally opposite gate pair per memory cell

Номер патента: US12004338B2. Автор: Marcello Mariani,Giorgio Servalli,Antonino Rigano,Marcello Calabrese. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Non-Volatile Memory Device with Improved Immunity to Erase Saturation and Method for Manufacturing Same

Номер патента: US20110183509A1. Автор: Hongyu Yu,Hag-Ju Cho,Bogdan Govoreanu. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2011-07-28.

Three-dimensional memory device having parallel trench type capacitor

Номер патента: US11690233B2. Автор: Won Seok Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-06-27.

Three-dimensional memory device having parallel trench type capacitor and a method of manufacturing the three-dimensional memory device

Номер патента: US20220149052A1. Автор: Won Seok Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-05-12.

Method for forming a three-dimensional (3D) memory device having bonded semiconductor structures

Номер патента: US12080697B2. Автор: WEI Liu,Shiqi HUANG,Bater Chelon,Siping Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory device having a diagonally opposite gate pair per memory cell

Номер патента: US20240324175A1. Автор: Marcello Mariani,Giorgio Servalli,Antonino Rigano,Marcello Calabrese. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Nonvolatile charge trap memory device having a deuterated layer in a multi-layer charge-trapping region

Номер патента: US09741803B2. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Fredrick Jenne,Sagy Levy. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Vertical-type non-volatile memory devices having dummy channel holes

Номер патента: US09406692B2. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-02.

Nonvolatile memory package, storage device having the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240284683A1. Автор: Jungmin Seo,Manho Lee,Sukkang SUNG,Cheonan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Resistive memory device having field enhanced features

Номер патента: US09997703B2. Автор: Zhang-Lin Zhou,Xia Sheng,Si-Ty Lam,Richard H. Henze. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-06-12.

Quantum memory device and method

Номер патента: US09385293B1. Автор: Anna Leese de Escobar,Kenneth Simonsen,Osama Nayfeh. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2016-07-05.

Memory device having multiple dielectric gate stacks with first and second dielectric layers and related methods

Номер патента: US20140291750A1. Автор: Qing Liu,Kangguo Cheng,Nicolas Loubet,Stephane Allegret-Maret,Bruce Doris,Hemanth Jagannathan,Prasanna Khare,Lisa Edge. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2014-10-02.

Nanocrystal silicon layer structures formed using plasma deposition technique, methods of forming the same, nonvolatile memory devices having the nanocrystal silicon layer structures, and methods of fabricating the nonvolatile memory devices

Номер патента: US8110485B2. Автор: SUNG Wook Jung,Kyung Soo Jang,Jae Hyun Cho,Byoung Deog Choi,Jun Sin Yi. Владелец: Sungkyunkwan University Foundation For Corporate Collaboration. Дата публикации: 2012-02-07.

Method of manufacturing nonvolatile memory device

Номер патента: US20100164019A1. Автор: Heedon Jeong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Method of manufacturing a semiconductor memory device having capacitor electrodes and a vertical contact plug

Номер патента: US11769721B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor memory device having local bit line with insulation layer formed therein

Номер патента: US20170263681A1. Автор: Kenichi Murooka,Tatsuya Ohguro,Shintaro Nakano,Shuichi Toriyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Floating gate memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040229432A1. Автор: Sang-Hoon Lee,Hun-Hyeoung Leam,Young-Sub You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-11-18.

Floating gate memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7041558B2. Автор: Sang-Hoon Lee,Hun-Hyeoung Leam,Young-Sub You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-09.

Memory devices having adjacent memory cells with mitigated disturb risk

Номер патента: US20240292630A1. Автор: Marcello Mariani,Giorgio Servalli,Riccardo Pazzocco. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Non-volatile memory device having vertical structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US09899408B2. Автор: Young-woo Park,Jae-Duk Lee,Young-Hwan Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor memory device having coplanar digit line contacts and storage node contacts in memory array and method for fabricating the same

Номер патента: US09881924B2. Автор: Sanh Tang,Shih-Fan Kuan,Kuo-Chen Wang,Lars Heineck. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor memory device having local bit line with insulation layer formed therein

Номер патента: US09831290B2. Автор: Kenichi Murooka,Tatsuya Ohguro,Shintaro Nakano,Shuichi Toriyama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor devices having airgaps and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09773795B2. Автор: Jinhyun Shin,Jae-Hwang Sim,Hojun SEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Device having multiple-layer pins in memory MUX1 layout

Номер патента: US09589885B2. Автор: Jung-Hsuan Chen,Hung-jen Liao,Ching-Wei Wu,Chung-Hsing Wang,Jui-che Tsai,Hong-Chen Cheng,Chien Chi TIEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor memory device having crossing interconnects separated by stacked films

Номер патента: US09583538B2. Автор: Kotaro Noda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor memory device having composite dielectric film structure and methods of forming the same

Номер патента: US12014966B2. Автор: Ming Chyi Liu,Sheng-Chieh Chen,Wei-Ming Wang,Chih-Ren Hsieh,Ming-Lun Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Memory device and method of assembling same

Номер патента: WO2024129239A1. Автор: Yoong Tatt Chin,Wei Chiat Teng,Chee Seng Wong. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and memory device

Номер патента: US12051726B2. Автор: Yasumasa Yamane,Shunpei Yamazaki,Yoshihiro Komatsu,Daisuke Yamaguchi,Shinobu Kawaguchi,Toshikazu OHNO,Tomosato KANAGAWA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor Device and Memory Device

Номер патента: US20200212185A1. Автор: Yasumasa Yamane,Shunpei Yamazaki,Yoshihiro Komatsu,Daisuke Yamaguchi,Shinobu Kawaguchi,Toshikazu OHNO,Tomosato KANAGAWA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-02.

Semiconductor memory device having composite dielectric film structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240290672A1. Автор: Ming Chyi Liu,Sheng-Chieh Chen,Wei-Ming Wang,Chih-Ren Hsieh,Ming-Lun Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory device having a container-shaped electrode

Номер патента: US20240332348A1. Автор: Yao-Hsiung Kung,Chao-Wen Lay. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory device having a container-shaped electrode and method for fabricating the same

Номер патента: US20240332349A1. Автор: Yao-Hsiung Kung,Chao-Wen Lay. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor memory devices having an electrode with an extension

Номер патента: US20230217843A1. Автор: Juan Boon Tan,Ramasamy Chockalingam,Jianxun Sun. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-07-06.

Non-volatile memory device having schottky diode

Номер патента: US20240237356A9. Автор: Peiching Ling,Nanray Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-11.

Staircase structure in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: EP4401116A2. Автор: Zhiliang Xia,Di Wang,Zhong Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12048150B2. Автор: Hyun Cheol Kim,Yong Seok Kim,Kyung Hwan Lee,Jae Ho Hong,Il Gweon Kim,Sung Won YOO,Hyeoung Won SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Method of manufacturing sidewall spacers on a memory device

Номер патента: US20130161700A1. Автор: Panda Durga,Robert Kerr,Jaydip Guha. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2013-06-27.

Non-volatile memory device having at least one metal and one semiconductor body extending through the electrode stack

Номер патента: US11765904B2. Автор: Masaki Tsuji,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor memory device having cylinder-type stacked capacitor and method for fabricating such a semiconductor memory device

Номер патента: US6873002B2. Автор: Nobuyuki Nishikawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-03-29.

Semiconductor memory device

Номер патента: US6995413B2. Автор: Shintaro Arai,Ken Inoue. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-02-07.

Staircase structure in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: EP4401116A3. Автор: Zhiliang Xia,Di Wang,Zhong Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-04.

Phase change memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120156840A1. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240357810A1. Автор: Hyun Cheol Kim,Yong Seok Kim,Kyung Hwan Lee,Jae Ho Hong,Il Gweon Kim,Sung Won YOO,Hyeoung Won SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Memory device having cell over periphery structure and memory package including the same

Номер патента: US09865541B2. Автор: Sung-Hoon Kim,Chang-Bum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09583536B2. Автор: Erh-Kun Lai,Yu-Hsuan Lin,Chao-I Wu,Dai-Ying LEE. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Three-dimensional non-volatile memory device having a silicide source line and method of making thereof

Номер патента: US09559117B2. Автор: Johann Alsmeier,Yingda Dong,Jayavel Pachamuthu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-01-31.

Three-dimensional memory device having pocket structure in memory string and method for forming the same

Номер патента: US12029038B2. Автор: Yonggang YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Variable resistance memory device having an anti-oxidation layer and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20220209103A1. Автор: Sanghoon Ahn,Jeonghee Park,Kihyun Hwang,Oik Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-30.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120168845A1. Автор: Hiroaki Takasu. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2012-07-05.

Three-dimensional flat nand memory device having curved memory elements and methods of making the same

Номер патента: US20200286915A1. Автор: Yanli Zhang,Masatoshi Nishikawa,Zhixin Cui. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-09-10.

Device having multiple-layer pins in memory mux1 layout

Номер патента: US20150162273A1. Автор: Jung-Hsuan Chen,Hung-jen Liao,Ching-Wei Wu,Chung-Hsing Wang,Jui-che Tsai,Hong-Chen Cheng,Chien Chi TIEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-06-11.

Structure of memory device having floating gate with protruding structure

Номер патента: US11765893B2. Автор: LIANG Yi,Boon Keat Toh,Qiuji Zhao,Zhiguo Li,Chi REN. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Vertical memory devices having support structures to replace dummy channels and methods of manufacturing the same

Номер патента: US12058859B2. Автор: Kangmin KIM,JoongShik SHIN,Hongik SON,Hyeonjoo SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Nonvolatile memory device having resistance change memory layer

Номер патента: US11469272B2. Автор: Se Ho LEE,Hyangkeun YOO,Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-11.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US12080665B2. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory device having contact plugs with narrower and wider portions

Номер патента: US11764274B2. Автор: Hung-Sheng Chen,cheng-hong Wei,Chien-Hsiang Yu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Structure of memory device having floating gate with protruding structure

Номер патента: US20230380154A1. Автор: LIANG Yi,Boon Keat Toh,Qiuji Zhao,Zhiguo Li,Chi REN. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Structure of memory device having floating gate with protruding structure

Номер патента: US20200395369A1. Автор: LIANG Yi,Boon Keat Toh,Qiuji Zhao,Zhiguo Li,Chi REN. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-12-17.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20240332232A1. Автор: WEI Liu,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US12127393B2. Автор: Tao Yang,Zhiliang Xia,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

3D and flash memory device having metal silicide source/drain pillars and method of fabricating the same

Номер патента: US12127405B2. Автор: Yan-Ru Su. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Method for forming semiconductor memory device having a t-shaped erase gate

Номер патента: US12057481B2. Автор: LIANG Yi,Zhiguo Li,Chi REN,Xiaojuan GAO. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Three-dimensional memory devices having through stair contacts and methods for forming the same

Номер патента: US12035530B2. Автор: Jianhua Sun,Ji XIA,Qinxiang Wei. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Three-dimensional memory device having a multilevel drain select gate electrode and method of making thereof

Номер патента: US09972641B1. Автор: Jin Liu,Yanli Zhang,Raghuveer S. Makala,Johann Alsmeier,Murshed CHOWDHURY. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-05-15.

Vertical memory devices having dummy channel regions

Номер патента: US09972636B2. Автор: Jong Won Kim,Young Woo Park,Woo Sung Lee,Chang Seok Kang,Seung Hyun Lim,Hanmei Choi,Jae Duk Lee,Jae Woo Lim,Dong Seog EUN,Dae Hoon BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Method of making a three-dimensional memory device having a heterostructure quantum well channel

Номер патента: US09941295B2. Автор: Peter Rabkin,Johann Alsmeier,Masaaki Higashitani,Jayavel Pachamuthu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-04-10.

Nonvolatile semiconductor memory device having electron scattering and electron accumulation capacities in charge accumulation layer

Номер патента: US09935122B2. Автор: Akira Takashima,Yasushi Nakasaki,Daisuke Matsushita,Tsunehiro Ino,Kenichiro TORATANI,Misako Morota. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Vertical memory devices having contact plugs contacting stacked gate electrodes

Номер патента: US09899394B2. Автор: Sung-Min Hwang,Dae-Seok Byeon,Jee-Yong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Magnetic memory devices having perpendicular magnetic tunnel junction

Номер патента: US09831422B2. Автор: Stuart S. P. Parkin,Woojin Kim,Yong Sung Park,JoonMyoung LEE. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor memory device having memory cells arranged three-dimensionally and method of manufacturing the same

Номер патента: US09806088B2. Автор: Takuya INATSUKA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of manufacturing semiconductor memory device having charge accumulation layer positioned between control gate electrode and semiconductor layer

Номер патента: US09793290B2. Автор: Takuo Ohashi,Fumiki Aiso. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09761601B2. Автор: Shota ISHIBASHI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Three-dimensional memory device having a transition metal dichalcogenide channel

Номер патента: US09721963B1. Автор: Peter Rabkin,Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-01.

Vertical memory devices having dummy channel regions

Номер патента: US09716104B2. Автор: Jong Won Kim,Young Woo Park,Woo Sung Lee,Chang Seok Kang,Seung Hyun Lim,Hanmei Choi,Jae Duk Lee,Jae Woo Lim,Dong Seog EUN,Dae Hoon BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-25.

Methods of manufacturing magnetic memory device having a magnetic tunnel junction pattern

Номер патента: US09647033B2. Автор: Jun Ho Park,Hye Min Shin,Dae Eun JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Nonvolatile memory devices having single-layered floating gates

Номер патента: US09634102B2. Автор: Tae Ho Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor memory device having stacked word lines and conductive pillar

Номер патента: US09634064B2. Автор: Shigeki Kobayashi,Takeshi Yamaguchi,Masaki Yamato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Nonvolatile semiconductor memory device having word line hookup region with dummy word lines

Номер патента: US09620519B2. Автор: Hirofumi Inoue,Yasuyuki Baba,Kazuichi Komenaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

3D nonvolatile memory device having common word line

Номер патента: US09515084B2. Автор: Jin HO KIM,Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Nonvolatile memory devices having single-layered gates

Номер патента: US09472500B2. Автор: Jung Hoon Kim,Nam Yoon Kim,Sung Kun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Three-dimensional memory device having a heterostructure quantum well channel

Номер патента: US09425299B1. Автор: Peter Rabkin,Johann Alsmeier,Masaaki Higashitani,Jayavel Pachamuthu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-08-23.

Method and apparatus for manufacturing three-dimensional-structure memory device

Номер патента: US09425057B2. Автор: Seung Woo Shin,Sang Ho Woo,Hai Won Kim,Sung Kil Cho,Gil Sun Jang,Wan Suk Oh. Владелец: Eugene Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Access device having counter doping layer and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US9018612B2. Автор: Min Young Lee,Young Ho Lee,Keum Bum Lee,Hyung Suk Lee,Seung Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-04-28.

Access device, fabrication method thereof, and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20150200088A1. Автор: Min Yong Lee,Young Ho Lee,Keum Bum Lee,Hyung Suk Lee,Seung Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-07-16.

Semiconductor device having slit between stacks and manufacturing method of the same

Номер патента: US9601509B1. Автор: Wan Cheul Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Methods of forming microelectronic devices, and related microelectronic devices, memory devices, and electronic systems

Номер патента: US11978705B2. Автор: XIAO Li,Lifang Xu,Shuangqiang Luo,Jivaan Kishore Jhothiraman,Mohadeseh Asadolahi Baboli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Compound having thiol anchoring group, method of synthesizing the same, and molecular electronic device having molecular active layer formed using the compound

Номер патента: US20100090210A1. Автор: Junghyun Lee,Hyoyoung Lee,Jonghyurk Park,Gyeong Sook BANG,Seung Rim Shin,Nak-Jin Choi,Heeyoel Baek,Kun Jun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-15.

Access device, fabrication method thereof, and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20140054532A1. Автор: Min Yong Lee,Young Ho Lee,Keum Bum Lee,Hyung Suk Lee,Seung Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-02-27.

Semiconductor device having fin gate, resistive memory device including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160079398A1. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-03-17.

Fabrication method of semiconductor memory device

Номер патента: US9305775B2. Автор: Min Yong Lee,Young Ho Lee,Keum Bum Lee,Hyung Suk Lee,Seung Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-04-05.

Electrodes of semiconductor memory devices having corners of acute angles

Номер патента: US20230320240A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-10-05.

Nonvolatile semiconductor memory device having stacked-gate type transistor

Номер патента: US5780894A. Автор: Katsuki Hazama. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1998-07-14.

Semiconductor memory device having protection against alpha strike induced errors

Номер патента: US4954455A. Автор: Drew Wanderman,Matthew Weinberg. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1990-09-04.

Non-volatile memory device, devices having the same, method of operating the same

Номер патента: KR101774496B1. Автор: 천원문,백승훈. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2017-09-05.

Non-volatile memory device, devices having the same, method of operating the same

Номер патента: KR20120063734A. Автор: 천원문,백승훈. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2012-06-18.

Monolithic semiconductor integrated circuit ferroelectric memory device, and methods of fabricating and utilizing same

Номер патента: US4707897A. Автор: George A. Rohrer,Larry McMillan. Владелец: Ramtron International Corp. Дата публикации: 1987-11-24.

Track activities of components in endpoints having secure memory devices via identity validation

Номер патента: US12088581B2. Автор: Lance W. Dover,Jeffrey Charles Shiner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Secure transfer and tracking of data using removable nonvolatile memory devices

Номер патента: US09647992B2. Автор: Robert D. Widergren,Martin Paul Boliek. Владелец: Mo DV Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Electronic device having ecc decoder

Номер патента: US20240202068A1. Автор: Dae Sung Kim,Sang Ho Yun,Soon Young KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Image processing device, electronic device having the same, and operating method thereof

Номер патента: US20240267479A1. Автор: Seungwon Choi,Jongseong Choi,Juntaek KONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Image processing device, electronic device having the same, and operating method thereof

Номер патента: EP4415344A1. Автор: Seungwon Choi,Jongseong Choi,Juntaek KONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-14.

Data compression method and flash memory device

Номер патента: US20240311005A1. Автор: Ying Yang,Xueming CAO,Yuanpeng MA,Juming LIAO. Владелец: Shenzhen Dapu Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Bridging device having a configurable virtual page size

Номер патента: US09977731B2. Автор: Hong Beom Pyeon,Jin-Ki Kim,Peter B. Gillingham. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Memory devices having programmable elements with accurate operating parameters stored thereon

Номер патента: US20120036314A1. Автор: Jeffery W. Janzen,Scott Schaefer,Todd D. Farrell. Владелец: Round Rock Research LLC. Дата публикации: 2012-02-09.

Semiconductor memory device having bit cells

Номер патента: US20180068715A1. Автор: Yongho Kim,Jonghoon Jung,Hoonki KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-08.

Semiconductor memory device having output driver for high frequency operation

Номер патента: US20040004893A1. Автор: Dong-Su Lee,Ki-whan Song,Ho-sung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-01-08.

Memory device having unity buffers with output current limiters

Номер патента: US20240170049A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Pierguido Garofalo,Michele Maria Venturini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor memory device having selective ECC function

Номер патента: US09646718B2. Автор: Jong-Wook Park,Ki-Won Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor memory device having a short reset time

Номер патента: US20080186792A1. Автор: Kwun-Soo Cheon,Byong-Wook Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-07.

Multi-site testing of computer memory devices and serial io ports

Номер патента: US20140026006A1. Автор: Chinsong Sul. Владелец: Silicon Image Inc. Дата публикации: 2014-01-23.

Memory device having variable impedance memory cells and time-to-transition sensing of data stored therein

Номер патента: US12014770B2. Автор: Ravindraraj Ramaraju. Владелец: R&d3 LLC. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor memory devices having adjustable i/o signal line loading that supports reduced power consumption during read and write operations

Номер патента: US20240105255A1. Автор: Seung-Jun Lee,Sang-Yun Kim,Bok-yeon Won,Jonghyuk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Memory cell and semiconductor memory device having thereof memory cell

Номер патента: US20090059655A1. Автор: Shinobu Asayama. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-03-05.

Memory device with self-refresh operations

Номер патента: WO2009076511A3. Автор: Seung-Moon Yoo,Myung Chan Choi,Arthur Kwon. Владелец: Arthur Kwon. Дата публикации: 2009-08-20.

Processing in memory (PIM) capable memory device having sensing circuitry performing logic operations

Номер патента: US09997232B2. Автор: Richard C. Murphy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Memory device capable of calibration and calibration methods therefor

Номер патента: US20040141370A1. Автор: Manoj Bhattacharyya,Lung Tran. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-22.

Electrical distance-based wave shaping for a memory device

Номер патента: WO2021257260A1. Автор: John Christopher Sancon. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC. Дата публикации: 2021-12-23.

Semiconductor memory device having a global data bus

Номер патента: US20050259499A1. Автор: Seok-Cheol Yoon,Kyoung-Nam Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-11-24.

Techniques for reducing disturbance in a semiconductor memory device

Номер патента: US20140056090A1. Автор: David Kim,Jungtae Kwon,Sunil Bhardwaj. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-02-27.

Semiconductor memory device having swap function for data output pads

Номер патента: US20100246276A1. Автор: Kwang-Sook Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-09-30.

Nonvolatile memory devices having enhanced write drivers therein

Номер патента: US11908503B2. Автор: ANTONYAN Artur,Hyuntaek JUNG,Gyuseong KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

Electrical distance-based wave shaping for a memory device

Номер патента: US20230111770A1. Автор: John Christopher Sancon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-13.

Sense amplifier and driving method thereof, and semiconductor memory device having the sense amplifier

Номер патента: US20100302878A1. Автор: Hee Bok Kang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-02.

Power network for providing power supply to memory device

Номер патента: US20220068346A1. Автор: Yew Keong Chong,Andy Wangkun CHEN,Sriram Thyagarajan,Sony,Ettore Amirante,Ayush Kulshrestha. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2022-03-03.

Nonvolatile memory device having selectable sensing modes, memory system having the same and programming method thereof

Номер патента: US20140153339A1. Автор: Kitae Park,Minseok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-06-05.

Hybrid volatile and non-volatile memory device having a programmable register for shadowed storage locations

Номер патента: US09905297B2. Автор: Scott C. Best. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor memory devices having separate sensing circuits and related sensing methods

Номер патента: US09865342B2. Автор: Jaekyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Techniques for reducing disturbance in a semiconductor memory device

Номер патента: US09812179B2. Автор: David Kim,Jungtae Kwon,Sunil Bhardwaj. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device, semiconductor memory device and data strobe method

Номер патента: US7460417B2. Автор: Sung-Hoon Kim,Kwang-Il Park,Joung-yeal Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-02.

Semiconductor device, semiconductor memory device and data strobe method

Номер патента: US20060203573A1. Автор: Sung-Hoon Kim,Kwang-Il Park,Joung-yeal Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-09-14.

Memory device including voltage regions and method of operating same

Номер патента: SG10201804015PA. Автор: Oh Tae-Young,Kim Young-Hwa,CHO SEOK-JIN,JANG JIN-HOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-02-27.

Memory device having terminals for transferring multiple types of data

Номер патента: US20090080270A1. Автор: Joo S. Choi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-26.

Nonvolatile memory device and storage device having the same and operation method thereof

Номер патента: US09864682B2. Автор: Kitae Park,Doohyun Kim,BoGeun Kim,Jinman Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor memory device having various column repair modes

Номер патента: US09552868B2. Автор: Jung-Taek You,Hyun-Gyu LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Nonvolatile memory device and storage device having the same

Номер патента: US09431083B2. Автор: Suk-Soo Pyo,Hyuntaek JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Memory cell, memory device, and electronic device having the same

Номер патента: US20180005692A1. Автор: Jong-Hoon Jung,Sung-Hyun Park,Woo-Jin Rim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-04.

Bit line sense amplifier of semiconductor memory device and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20240233811A9. Автор: Donggeon Kim,Bok-yeon Won,Jonghyuk Kim,Selyung Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Apparatuses and methods for logic/memory devices

Номер патента: US20240194247A1. Автор: Richard C. Murphy. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-06-13.

Apparatuses and methods for logic/memory devices

Номер патента: EP3427263A1. Автор: Richard C. Murphy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-16.

Bit line sense amplifier of semiconductor memory device having open bit line structure

Номер патента: US20090310432A1. Автор: Hyang-Ja Yang,Su-Yeon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-12-17.

Semiconductor memory device with advanced refresh control

Номер патента: US20070070765A1. Автор: Jee-Yul Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-03-29.

Static type semiconductor memory device

Номер патента: IE54486B1. Автор: . Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1989-10-25.

Apparatuses and methods for logic/memory devices

Номер патента: US20180294027A1. Автор: Richard C. Murphy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-11.

Bit line sense amplifier of semiconductor memory device having open bit line structure

Номер патента: US7889532B2. Автор: Hyang-Ja Yang,Su-Yeon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-02-15.

Semiconductor memory devices having hierarchical bit-line structures

Номер патента: US20100124135A1. Автор: Jin-Young Kim,Ki-whan Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-05-20.

Memory cell, memory device, and electronic device having the same

Номер патента: US09940998B2. Автор: Jong-Hoon Jung,Sung-Hyun Park,Woo-Jin Rim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Low power semiconductor memory device

Номер патента: US09928900B2. Автор: Koichiro Ishibashi,Kenichi Osada,Shigezumi Matsui,Masanao Yamaoka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Memory device having latency control circuit for controlling data write and read latency

Номер патента: US09858983B2. Автор: Han-gi Jung,Young-kwon Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Access methods and circuits for memory devices having multiple banks

Номер патента: US09666255B2. Автор: Jun Li,Thinh Tran,Joseph Tzou. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Resistive memory device, resistive memory system, and method of operating resistive memory device

Номер патента: US09633726B2. Автор: Hyun-Kook PARK,Yeong-Taek Lee,Chi-Weon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-25.

Hierarchical negative bitline boost write assist for SRAM memory devices

Номер патента: US09431096B1. Автор: Alexander Fritsch,Rolf Sautter,Michael B. Kugel,Werner Juchmes. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor memory device having preamplifier with improved data propagation speed

Номер патента: US20030198097A1. Автор: Takashi Kono. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-10-23.

Integrated circuit memory devices having efficient row hammer management and memory systems including the same

Номер патента: US20240233798A9. Автор: Kijun Lee,Sunghye CHO,Myungkyu Lee,Kyomin Sohn,Eunae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory device having non-uniform refresh

Номер патента: US12020740B2. Автор: Thomas Vogelsang. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-06-25.

Resistive memory device having reduced chip size and operation method thereof

Номер патента: US20190311755A1. Автор: Tae-Joong Song,Hyun-Taek Jung,Suk-Soo Pyo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-10.

Semiconductor memory device having bit line disturbance preventing unit

Номер патента: US20100110772A1. Автор: Hyun-Bae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-05-06.

Semiconductor memory device having different synchronzing timings depending on the value of CAS latency

Номер патента: US20070008809A1. Автор: Min-Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-01-11.

Memory device having command window generator

Номер патента: US20180012638A1. Автор: SukYong Kang,Hun-Dae Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-11.

Magnetic plated wire memory device

Номер патента: US3852725A. Автор: T Miyashita,Y Aida,I Ogura. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1974-12-03.

Two-stage signaling for voltage driver coordination in integrated circuit memory devices

Номер патента: US20210118492A1. Автор: Mingdong Cui,Nathan Joseph Sirocka. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-22.

Memory device having non-uniform refresh

Номер патента: EP3815084A1. Автор: Thomas Vogelsang. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2021-05-05.

Memory device with split power switch and related methods

Номер патента: EP2118717B1. Автор: Jun Liu,Ajay Bhatia,Daniel Fung,Yolin Lih,Dennis Wendell,Shyam Balasubramanian. Владелец: Oracle America Inc. Дата публикации: 2013-08-21.

Memory device having hidden refresh

Номер патента: US20240295961A1. Автор: Steven C. Woo,Thomas Vogelsang,Michael Raymond Miller. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-09-05.

Information processing system including semiconductor device having self-refresh mode

Номер патента: US20140340976A1. Автор: Hiroki Fujisawa. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2014-11-20.

Resistive memory device having reduced chip size and operation method thereof

Номер патента: US10600466B2. Автор: Tae-Joong Song,Hyun-Taek Jung,Suk-Soo Pyo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-03-24.

Semiconductor memory device having wafer burn-in test mode

Номер патента: US20090116322A1. Автор: Hi-Hyun Han,Jee-Yul Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-05-07.

Memory device that recycles a signal charge

Номер патента: US20050195669A1. Автор: Jae-Yoon Sim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-09-08.

Multi-port memory device having self-refresh mode

Номер патента: US20070070767A1. Автор: Jae-Hyuk Im,Chang-Ho Do. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-03-29.

Method and apparatus for an oscillator within a memory device

Номер патента: US20070189095A1. Автор: Wolfgang Hokenmaier,Helmut Seitz. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-08-16.

Semiconductor memory device and redundancy circuit, and method of increasing redundancy efficiency

Номер патента: US20010022747A1. Автор: Hyun Jung,Gyu Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-09-20.

Automatic inspecting apparatus for precharge of data line in memory device

Номер патента: US5291451A. Автор: Young W. Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1994-03-01.

Memory device having a comparator circuit

Номер патента: US12136454B2. Автор: Atul Katoch,Jaspal Singh Shah. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

One-time programmable memory device having access circuit

Номер патента: US09905309B2. Автор: Sang Seok Lee,Hoon Jin Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Nonvolatile memory device having connection unit for allowing precharging of bit lines in single step

Номер патента: US09653155B1. Автор: Ki-Chang Gwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor memory device having inverting circuit and controlling method there of

Номер патента: US09640233B2. Автор: Kyo-Min Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-02.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US09633718B1. Автор: Makoto Mitani,Hironori Hayashida. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Stacked memory device having serial to parallel address conversion, refresh control unit, and pipe control unit

Номер патента: US09620194B1. Автор: Chun-Seok Jeong,Hyun-Sung Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Read operations and circuits for memory devices having programmable elements, including programmable resistance elements

Номер патента: US09570166B1. Автор: Nad Edward Gilbert,Narbeh Derhacobian,Ishai Naveh. Владелец: Adesto Technologies Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Information processing system including semiconductor device having self-refresh mode

Номер патента: US09570119B2. Автор: Hiroki Fujisawa. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2017-02-14.

Nonvolatile memory device having variable resistance memory cells and a method of resetting by initially performing pre-read or strong set operation

Номер патента: US09552879B2. Автор: Youngbae Kim,Yongkyu Lee,Yeongtaek Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-24.

Memory device having adjustable refresh period and method of operating the same

Номер патента: US09529673B2. Автор: Sergiy Romanovskyy. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Memory circuit with leakage current blocking mechanism and memory device having the memory circuit

Номер патента: US11842769B2. Автор: Chun-Hsiung Hung,Tien-Yen Wang,Yun-Chen Chou. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Memory circuit with leakage current blocking mechanism and memory device having the memory circuit

Номер патента: US20230335187A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Tien-Yen Wang,Yun-Chen Chou. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11398272B2. Автор: Makoto Yabuuchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-07-26.

Multiport semiconductor memory device having RAM blocks and SAM blocks

Номер патента: US5319603A. Автор: Nobuo Watanabe,Katsumi Abe,Haruki Toda,Koichi Magome. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-06-07.

Integrated circuit memory devices having improved data masking capability

Номер патента: US5844848A. Автор: Il-Jae Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-12-01.

Memory cell array divided type multi-port semiconductor memory device

Номер патента: US5249165A. Автор: Haruki Toda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1993-09-28.

Security management of ferroelectric memory device

Номер патента: WO2022146959A1. Автор: Danilo Caraccio,Paolo Amato,Federica Cresci,Angelo Alberto Rovelli,Alessandro Orlando,Craig A. Jones,Niccolò Izzo. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-07-07.

Stack register having different ferroelectric memory element constructions

Номер патента: US11922055B2. Автор: Mohamad El-Batal,Darshana H. Mehta,Jon D. Trantham,Praveen Viraraghavan,John W. Dykes,Ian J. Gilbert,Sangita Shreedharan Kalarickal,Matthew J. Totin. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2024-03-05.

Stack register having different ferroelectric memory element constructions

Номер патента: US20220350523A1. Автор: Mohamad El-Batal,Darshana H. Mehta,Jon D. Trantham,Praveen Viraraghavan,John W. Dykes,Ian J. Gilbert,Sangita Shreedharan Kalarickal,Matthew J. Totin. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2022-11-03.

System having one or more memory devices

Номер патента: US20140325178A1. Автор: Hong Beom Pyeon,Hakjune Oh,Roland SCHUETZ,Steven Przybylski. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2014-10-30.

Nonvolatile memory device and operation method of storage device including the nonvolatile memory device

Номер патента: US09990130B2. Автор: Donghun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Nonvolatile memory device and operation method of storage device including the nonvolatile memory device

Номер патента: US09720595B2. Автор: Donghun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Test chamber for memory device, test system for memory device having the same and method of testing memory devices using the same

Номер патента: US20190285695A1. Автор: Chang-Ho Lee,Jin-Ho Choi,Min-Woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-19.

Test chamber for memory device, test system for memory device having the same and method of testing memory devices using the same

Номер патента: US20210003632A1. Автор: Chang-Ho Lee,Jin-Ho Choi,Min-Woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-07.

Configurable data protection circuitry for memory devices

Номер патента: US12046322B2. Автор: Marco Sforzin,Paolo Amato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor memory device having improved redundancy scheme

Номер патента: US20040047222A1. Автор: Duk-ha Park,Hi-choon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-03-11.

Configurable data protection circuitry for memory devices

Номер патента: US20240371423A1. Автор: Marco Sforzin,Paolo Amato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Memory device testing

Номер патента: US20020172086A1. Автор: Ebrahim Abedifard. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-11-21.

Memory devices and their operation having trim registers associated with access operation commands

Номер патента: US09997246B2. Автор: Terry Grunzke. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Nonvolatile memory device, storage device having the same, operating method thereof

Номер патента: US09711235B2. Автор: Won-Tae Kim,Jin-Yub Lee,Yohan Lee,Venkataramana Gangasani,Sungwhan SEO,Dojeon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Nonvolatile semiconductor memory device having multi-level memory cells and page buffer used therefor

Номер патента: US20070195636A1. Автор: Ho Jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-23.

Method and apparatus for detecting memory device interface

Номер патента: EP1609074A2. Автор: David Poisner. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-12-28.

Method and apparatus for detecting memory device interface

Номер патента: WO2004095298A2. Автор: David Poisner. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2004-11-04.

Nonvolatile semiconductor memory device having divided bit lines

Номер патента: US20030053339A1. Автор: Ching-Hsiang Hsu,Ching-Song Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-20.

Memory device having latch for charging or discharging data input/output line

Номер патента: US20070070774A1. Автор: Beom-Ju Shin,Sang-Jin Byeon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-03-29.

Operation method operating nonvolatile memory device having plurality of memory blocks

Номер патента: US09805807B2. Автор: Ji-Young Lee,Yoon-hee Choi,Mu-hui Park,Jiho Cho,Cheon An LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor memory device having a memory string that includes a transistor having a charge stored therein to indicate the memory string is defective

Номер патента: US09685232B2. Автор: Norichika ASAOKA,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Method, system and device for non-volatile memory device operation

Номер патента: US20190051349A1. Автор: George McNeil Lattimore,Bal S. Sandhu,Cezary Pietrzyk. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2019-02-14.

Output circuit, semiconductor memory device having the same, and method of expanding a valid output data window

Номер патента: US20070121397A1. Автор: Woo-Jin Lee,Seong-Jin Jang,Hyun-Dong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-31.

Analyzing monitor data information from memory devices having finite endurance and/or retention

Номер патента: WO2010115726A2. Автор: William John Kabelac,Steven Robert Hetzler. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2010-10-14.

Analyzing monitor data information from memory devices having finite endurance and/or retention

Номер патента: EP2417603A2. Автор: William John Kabelac,Steven Robert Hetzler. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-02-15.

Memory device having improved program and erase operations and operating method of the memory device

Номер патента: US20200211650A1. Автор: Sang Heon Lee,Keon Soo Shim,Byung In Lee,Hee Joung PARK,Jae Il TAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

Nonvolatile semiconductor memory device to which information can be written only once

Номер патента: US20060133127A1. Автор: Hiroshi Ito,Atsushi Nakayama,Toshimasa Namekawa,Hiroaki Nakano,Osamu Wada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-22.

Flash memory device and programming method thereof

Номер патента: US8194463B2. Автор: Jong-Hwa Kim,Young-Joon Choi,Seok-Cheon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-06-05.

Semiconductor memory device having compression test mode

Номер патента: US20140301149A1. Автор: Jen-Shou Hsu. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2014-10-09.

Semiconductor memory device having source areas of memory cells supplied with a common voltage

Номер патента: US20020031009A1. Автор: Toshiro Futatsugi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-03-14.

Memory system and memory device

Номер патента: US20190180800A1. Автор: Toshiya Matsuda,Hiroyuki Kawano,Kousuke Fujita. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

System and method for controlling optimized access to memory device having three-dimensional stacked structure

Номер патента: US09940260B1. Автор: Anne Hughes,Bikram Banerjee. Владелец: Cadence Design Systems Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor memory device having compression test mode

Номер патента: US09484117B2. Автор: Jen-Shou Hsu. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Runtime storage capacity reduction avoidance in sequentially-written memory devices

Номер патента: US12026372B2. Автор: Vijaya Janarthanam,Vinay Vijendra Kumar Lakshmi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

High performance semiconductor memory devices

Номер патента: US20030202405A1. Автор: Jeng-Jye Shau. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-30.

Storage device and method for updating meta slice including map chunks stored in nonvolatile memory device according to journal entries

Номер патента: US11734167B2. Автор: Ju Hyun Kim,Jin Yeong Kim,Jae Wan YEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Storage device having various recovery methods and recovery modes

Номер патента: USRE50129E1. Автор: Ji Hyung Park,Hyunjung Shin,Isaac BAEK,Jeonguk Kang,Minseok Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Runtime storage capacity reduction avoidance in sequentially-written memory devices

Номер патента: US20240311004A1. Автор: Vijaya Janarthanam,Vinay Vijendra Kumar Lakshmi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Devices and methods of managing nonvolatile memory device having single-level cell and multi-level cell areas

Номер патента: US09805799B2. Автор: Kyung-Ho Shin,Mi-Hyang Lee,Gwang-Ok Go,Joon-Ho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Non-volatile memory device having a memory size

Номер патента: US09753665B2. Автор: Francois Tailliet,Marc Battista. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device having a write prohibited region

Номер патента: US09728257B2. Автор: Seiji Miura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Erase voltage generator circuit for providing uniform erase execution time and nonvolatile memory device having the same

Номер патента: US20080205142A1. Автор: Jin-Yub Lee,Dae-Sik Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-28.

Erase voltage generator circuit for providing uniform erase execution time and nonvolatile memory device having the same

Номер патента: US20070183221A1. Автор: Jin-Yub Lee,Dae-Sik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-09.

Voltage generator and memory device having the voltage generator

Номер патента: US20210366555A1. Автор: Won Jae Choi,Hyun Chul Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-11-25.

Memory device

Номер патента: US20020152365A1. Автор: Uwe Weder,Hans-Heinrich Viehmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-10-17.

High voltage switch circuit and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US11735275B2. Автор: Hyun Soo Lee,Sun Young Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Non-volatile semiconductor memory device having different erase pass voltages for respective memory sectors and associated erase method

Номер патента: US20070280003A1. Автор: Jong In Choi,Jae Yong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-12-06.

Flash memory device and method for driving the same

Номер патента: US20080247247A1. Автор: Sang-Gu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-10-09.

Nonvolatile memory device having multiple read circuits and using variable resistive materials

Номер патента: US20140247646A1. Автор: Hyo-Jin KWON,Chae-Hoon Kim,Yong-Jun Lee,Yong-Jin KWON,Eun-Hye PARK,Hoi-Ju CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-09-04.

Non-volatile semiconductor memory device having different erase pass voltages for respective memory sectors and associated erase method

Номер патента: US7372733B2. Автор: Jong In Choi,Jae Yong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-13.

Non-volatile semiconductor memory device capable of suppressing writing and erasure failure rate

Номер патента: US20020036921A1. Автор: Tatsuya Saeki,Satoru Tamada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-03-28.

Pre-charge circuit and method for memory devices with shared sense amplifiers

Номер патента: US20030043666A1. Автор: Michael Killian,Mark Jacunski. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-03-06.

Repetitive erase verify technique for flash memory devices

Номер патента: US20080151636A1. Автор: Wing Leung,Sheung-Hee Park,Ming Kwan. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-06-26.

Word line driver, method for driving the word line driver, and semiconductor memory device having the word line driver

Номер патента: US20090323455A1. Автор: Kang-Seol Lee,Tae-Sik Yun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-12-31.

Apparatuses and methods for accessing variable resistance memory device

Номер патента: US09990990B2. Автор: Daniele Ielmini,Paolo Fantini,Nicola Ciocchini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Current sensing circuit and memory device having the same

Номер патента: US09966151B2. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Memory device having a controller to enable and disable mode control circuitry of the controller

Номер патента: US09965208B1. Автор: Kenneth J. Eldredge,Tommaso Vali,Frankie F. Roohparvar,Luca De Santis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Memory device having bank interleaving access

Номер патента: US09940982B2. Автор: Dong-Uk Lee,Kyung-Whan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Programmable memory device sense amplifier

Номер патента: US09940978B2. Автор: El Mehdi Boujamaa. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Restoring ECC syndrome in non-volatile memory devices

Номер патента: US09910729B1. Автор: Amit Shefi,Amichai GIVANT,Yoav Yogev,Ilan Bloom. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Memory device having error notification function

Номер патента: US09727412B2. Автор: Chul-woo Park,Seong-Jin Jang,Jong-Pil Son,Hoi-Ju CHUNG,Sang-Uhn CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Memory device having page state informing function

Номер патента: US09627015B2. Автор: Kwang-Il Park,Sei-Jin Kim,Tae-Young Kim,Young-Soo Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Non-volatile memory device having adjustable read voltage, memory system comprising same, and method of operating same

Номер патента: US09606864B2. Автор: Seung-yeon Lee,Hee-Woong Kang,Jong-Nam Baek,San Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Programmable memory device sense amplifier

Номер патента: US09478308B1. Автор: El Mehdi Boujamaa. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor memory device having write column select line or read column select line for shielding signal line

Номер патента: US20030133332A1. Автор: Yun-sang Lee,Won-Chang Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-07-17.

Partitioned content addressable memory device

Номер патента: EP1290697A2. Автор: Jose Pio Pereira. Владелец: Netlogic Microsystems Inc. Дата публикации: 2003-03-12.

Memory devices having embedded hardware acceleration and corresponding methods

Номер патента: US09965387B1. Автор: Dinesh Maheshwari. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor memory device and writing operation method thereof

Номер патента: US09911498B2. Автор: Masanobu Shirakawa,Kenta Yasufuku,Akira Yamaga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Resistive memory device with ramp-up/ramp-down program/erase pulse

Номер патента: US09734902B2. Автор: Michael Kozicki,John Dinh,Shane C. Hollmer,Deepak Kamalanathan,Juan Pablo Saenz Echeverry,Foroozan Sarah Koushan. Владелец: Axon Technologies Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Storage device having nonvolatile memory device and write method

Номер патента: US09715444B2. Автор: Joonho Lee,Sang-Wook Yoo,Intae Hwang,Jong-Nam Baek,Dong-hoon Ham. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-25.

Memory device having an improved ecc architecture

Номер патента: US20240221856A1. Автор: Christophe Laurent,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

High bandwidth memory device and system device having the same

Номер патента: SG10201901508YA. Автор: Reum Oh,Jun Gyu Lee,Ki Heung Kim,Moon Hee Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-30.

Memory device having an increased sensing margin

Номер патента: US20210012835A1. Автор: Makoto Hirano,Yongsung CHO,Junho SHIN,Taehui Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-14.

Semiconductor memory device having bit line pre-charge unit separated from data register

Номер патента: US20090180331A1. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-07-16.

Memory device and memory control method

Номер патента: US20110032781A1. Автор: Chun Shiah,Shi-Huei Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-02-10.

Semiconductor memory device having row repair circuitry

Номер патента: US20020167850A1. Автор: Jung Seop Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-11-14.

Peak power management in a memory device

Номер патента: US20230067294A1. Автор: Liang Yu,Luigi Pilolli,Jonathan Scott Parry. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Phase change memory device, operation method thereof, and data storage device having the same

Номер патента: US20130155765A1. Автор: Dong Keun Kim,Sun Hyuck Yon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-06-20.

Memory device performing program operation and method of operating the same

Номер патента: US20240274205A1. Автор: Hyung Jin Choi,In Gon YANG,Young Seung YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor memory device having row repair circuitry

Номер патента: US20020003279A1. Автор: Jung Seop Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-01-10.

Storage device having wide input/output and method of operating the same

Номер патента: US20200150893A1. Автор: Chanho YOON,Daekyoung Kim,Hyeonwu Kim,Seok-Won Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-14.

Phase change memory device with improved performance that minimizes cell degradation

Номер патента: US20110255333A1. Автор: Hee Bok Kang,Suk Kyoung Hong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-10-20.

Semiconductor memory device with a bypass circuit for verifying the characteristics of an internal clock signal

Номер патента: US20050002261A1. Автор: Jung-hwan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-01-06.

Semiconductor memory device having diagnostic unit operable on parallel data bits

Номер патента: US5079747A. Автор: Kazuhiro Nakada. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1992-01-07.

Non-volatile memory device, operating method thereof, controller for controlling the same, and storage device having the same

Номер патента: US12094552B2. Автор: Jinyoung Kim,Sangwan Nam,Ilhan Park,Sehwan Park,Kyoman KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Page buffer and memory device including the same

Номер патента: US09990969B2. Автор: In Gon YANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Nonvolatile memory device and calibration method for the same

Номер патента: US09972400B1. Автор: Albert Lee,Kang-Lung Wang,Hochul Lee. Владелец: Inston Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor memory device having memory strings coupled to bit lines and operating method thereof

Номер патента: US09899093B2. Автор: Jong Won Lee,Jin Su Park,Hyun Su WOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Non-volatile memory device having multiple string select lines

Номер патента: US09859007B2. Автор: Atsuhiro Suzuki,Chih-Wei Lee,Shaw-Hung Ku. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Nonvolatile memory device and storage device having the same

Номер патента: US09773566B2. Автор: Taesung Lee,Dong-Su Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Flash memory device having physical destroy means

Номер патента: US09704586B1. Автор: Chih-Chieh Kao. Владелец: Innodisk Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Non-volatile memory device, operating method thereof, memory system including the non-volatile memory device, and operating method of the memory system

Номер патента: US09576666B2. Автор: Jae-Hong Kim,Young-Seop Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Nonvolatile memory device and storage device having the same

Номер патента: US09576626B2. Автор: Taesung Lee,Dong-Su Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Nonvolatile memory device, storage device having the same, operating method thereof

Номер патента: US09570176B2. Автор: Ohsuk Kwon,Won-Taeck JUNG,Tae-Hong Kwon,Tae-Min Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor memory device and word line driving method thereof

Номер патента: US20100061177A1. Автор: Kang-Seol Lee,Tae-Sik Yun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-03-11.

Reducing Hot Electron Injection Type Of Read Disturb In 3D Memory Device Having Connected Source-End Select Gates

Номер патента: US20190057749A1. Автор: Yingda Dong,Hong-yan Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-02-21.

Memory device having a power supply-independent low power consumption bit line voltage clamp

Номер патента: MY116419A. Автор: Jagdish Pathak. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2004-01-31.

Memory devices having variable repair units therein and methods of repairing same

Номер патента: US20210124659A1. Автор: Hyunki Kim,Yesin RYU,Yoonna OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-29.

Methods of bit-flagged sketch-based memory management and memory devices utilizing the same

Номер патента: US20180293002A1. Автор: Samuel E. Bradshaw. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-11.

Memory device having switch providing voltage to bit line

Номер патента: US8576639B2. Автор: Giulio Martinozzi. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-11-05.

Row decoder and a memory device having the same

Номер патента: US20170084335A1. Автор: Wook-ghee Hahn,Chang-Yeon YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-23.

Semiconductor memory device having diode cell structure

Номер патента: US20110080776A1. Автор: Shuichi Tsukada. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-04-07.

Semiconductor memory device having configuration suited for high integration

Номер патента: US20020034116A1. Автор: Michio Nakajima,Takekazu Yamashita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-21.

Page buffer and semiconductor memory device having the page buffer

Номер патента: US20220044734A1. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-02-10.

High-performance input buffer and memory device having the same

Номер патента: EP4200850A1. Автор: Hang Song,Sangoh Lim,Gyuwan Kwon. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-28.

Methods of bit-flagged sketch-based memory management and memory devices utilizing the same

Номер патента: US20190107958A1. Автор: Samuel E. Bradshaw. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-04-11.

High-performance input buffer and memory device having the same

Номер патента: US20240264775A1. Автор: Hang Song,Sangoh Lim,Gyuwan Kwon. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor memory device having redundancy means

Номер патента: WO2004090910A1. Автор: Nikolaas K. J. Van Winkelhoff. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-10-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20060221754A1. Автор: Wataru Abe,Shuji Nakaya,Mituaki Hayashi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-05.

Flash memory device having a function for reducing data input error and method of inputting the data in the same

Номер патента: US20070223295A1. Автор: Duck Ju Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-09-27.

Memory device and applications thereof

Номер патента: US20090213662A1. Автор: Jean-Pierre Leburton,Jeanlex Soares de Sousa,Gil De Aquino Farias,Valder Nogueira Freire. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2009-08-27.

Memory controller and storage device having the same

Номер патента: US20200379682A1. Автор: Ho Chan MOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US6914847B1. Автор: Byung-Il Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-07-05.

Nonvolatile semiconductor memory device having a control circuit that controls voltage applied to non-selected word lines connected to unselected memory cells

Номер патента: US09947415B2. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Memory device having a shareable error correction code cell array

Номер патента: US09859022B2. Автор: Ho-young Song,Hyun-Joong Kim,Sang-Hoon Shin,Hae-Suk LEE,Kyo-Min Sohn,Ju-Yun JUNG,Bu-Il Jung,Soo-Hyeong KIM,Han-vit Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Nonvolatile memory devices having variable resistive load portion

Номер патента: US09837150B2. Автор: Hoe Sam Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Row decoder and a memory device having the same

Номер патента: US09818483B2. Автор: Wook-ghee Hahn,Chang-Yeon YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-14.

Row decoder for a non-volatile memory device, having reduced area occupation

Номер патента: US09767907B2. Автор: Giovanni Campardo,Salvatore Polizzi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor memory device having dummy word lines and operating method thereof

Номер патента: US09741408B2. Автор: Yeonghun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Memory device having input circuit and operating method of same

Номер патента: US09721675B1. Автор: Myung Chan Choi. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Memory device having different data-size access modes for different power modes

Номер патента: US09711192B2. Автор: Seong-Jin Jang,Tae-Young Oh,Hye-Ran Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US09672922B2. Автор: Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Reuse of electrical charge at a semiconductor memory device

Номер патента: US09659657B2. Автор: Giacomo Curatolo,Leonardo Castro. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-23.

Synchronous memory device having identification register

Номер патента: US6070222A. Автор: Mark Horowitz,Michael Farmwald. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2000-05-30.

System having one or more memory devices

Номер патента: WO2008101246A8. Автор: Hong Beom Pyeon,Hakjune Oh,Roland SCHUETZ,Steven Przybylski. Владелец: Steven Przybylski. Дата публикации: 2009-05-28.

Nonvolatile memory device and operation method of storage device including the nonvolatile memory device

Номер патента: US20170315723A1. Автор: Donghun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-02.

Flash memory device with improved erase operation

Номер патента: US20080151646A1. Автор: ANDREI Mihnea,Mark Helm,Daniel H. Doyle. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-26.

Method and apparatus for recording high-speed input data into matrix of memory devices

Номер патента: RU2417461C2. Автор: Томас БРУНЕ,Йенс Петер ВИТТЕНБУРГ. Владелец: Томсон Лайсенсинг. Дата публикации: 2011-04-27.

Integrated circuit memory device having built-in self test circuit with monitor and tester modes

Номер патента: US5936900A. Автор: Kuong Hua Hii,Theo J. Powell,Daniel R. Cline. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1999-08-10.

Nonvolatile semiconductor memory device having electrically and collectively erasable characteristics

Номер патента: EP1158535A2. Автор: Minoru Yamashita,Hiromi Kawashima,Takao Akaogi,Nobuaki Takashina,Yasushi Kasa,Kiyoshi Itano,Shouichi Kawamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-11-28.

FD-shaped adapter used for card-shaped memory device having comparatively large thickness and solidly-built structure

Номер патента: US20010017745A1. Автор: Makoto Takahashi,Makoto Sato. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2001-08-30.

Three-dimensional ferroelectric memory device

Номер патента: US20240224534A1. Автор: Woo Cheol LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Three-dimensional ferroelectric memory device containing lattice-matched templates and methods of making the same

Номер патента: WO2022154827A1. Автор: Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Adarsh RAJASHEKHAR. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-07-21.

Semiconductor memory device including ferroelectric memory formed using ferroelectric capacitor

Номер патента: US20030185086A1. Автор: Daisaburo Takashima,Katsuhiko Hoya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-02.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240315043A1. Автор: Shosuke Fujii. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

NAND ferroelectric memory cell with three-dimensional structure and preparation method thereof

Номер патента: US11917830B2. Автор: Min Liao,Qijun Yang,Yichun ZHOU,Yanwei HUAN,Siwei DAI,Zhaotong LIU. Владелец: XIANGTAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-02-27.

Method for fabricating a ferroelectric memory configuration

Номер патента: US20020110935A1. Автор: Christine Dehm,Thomas Roehr,Heinz Hoenigschmid,Georg Braun,Günther SCHINDLER,Renate Bergmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-08-15.

Ferroelectric memory device and memory array

Номер патента: US20240138153A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Ferroelectric memory and its manufacturing method

Номер патента: US20070284637A1. Автор: Shinichi Fukada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-12-13.

Ferroelectric memory and its manufacturing method

Номер патента: US7977720B2. Автор: Shinichi Fukada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2011-07-12.

Ferroelectric memory device and semiconductor die

Номер патента: US20240081081A1. Автор: Yen-Chieh Huang,Chung-Te Lin,Han-Ting Tsai,Ming-Yi Yang,Ya-Ling Lee,Wei-Gang Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Three-dimensional memory device containing self-aligned ferroelectric memory elements and method of making the same

Номер патента: US20240130137A1. Автор: Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Adarsh RAJASHEKHAR,Kartik SONDHI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-18.

Ferroelectric memory to prevent penetration of hydrogen into a ferroelectric layer of the ferroelectric memory

Номер патента: US7514735B2. Автор: Shinichi Fukada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-04-07.

Three-dimensional memory device containing epitaxial ferroelectric memory elements and methods for forming the same

Номер патента: WO2021025730A1. Автор: Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Adarsh RAJASHEKHAR. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-02-11.

Ferroelectric memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240215257A1. Автор: Zhenyu Lu,Yushi Hu,Meilan GUO. Владелец: Wuxi Smart Memories Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Piezoelectric element, piezoelectric actuator, liquid droplet discharging head, liquid droplet discharging device, and ferroelectric memory

Номер патента: EP4362649A1. Автор: Shintaro Hara,Yuji Matsushita,Hideki Mashima. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2024-05-01.

Semiconductor memory devices having contact plugs

Номер патента: US20240206157A1. Автор: Wonchul Lee,Dongsoo Woo,Hyejin Seong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2024-06-20.

A method for high speed framing and a device having framing capabilities

Номер патента: EP1972126A1. Автор: Adi Katz,Eran Glickman,Klod Asoline. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2008-09-24.

Semiconductor memory device having stack of polycrystalline semiconductor layers with diverse average crystal grain sizes

Номер патента: US12052872B2. Автор: Takayuki Kashima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Method of manufacturing memory device having word lines with improved resistance

Номер патента: US20240276701A1. Автор: Jung-Yu Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory device, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US11737287B2. Автор: Yu-Chao Lin,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: US12150387B2. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-19.

Memory device having ultra-lightly doped region and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240196597A1. Автор: Chung-Lin Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020033495A1. Автор: Jeong-Seok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-03-21.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020089037A1. Автор: Jeong-Seok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-07-11.

Phase change memory device having carbon nano tube lower electrode material and method of manufacturing the same

Номер патента: US7589342B2. Автор: Heon Yong Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-09-15.

Memory device having improved p-n junction and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240244829A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory device having improved p-n junction and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240244827A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Three-dimensional memory device having source-select-gate cut structures and methods for forming the same

Номер патента: US12048149B2. Автор: Zhong Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Method for fabricating memory cells for a memory device

Номер патента: US20060046317A1. Автор: Rainer Bruchhaus,Martin Gutsche. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-03-02.

Methods and devices having a key distributor function for improving the speed and quality of a handover

Номер патента: US09860220B2. Автор: Michael Bahr,Matthias Roth,Christian SCHWINGENSCHLÖGL,Thomas Gamer. Владелец: Unify GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-01-02.

Nonvolatile Memory Devices Having Memory Cell Transistors Therein with Lower Bandgap Source/Drain Regions

Номер патента: US20110233610A1. Автор: Sung-Hoi Hur,Jung-Dal Choi,Kwang-Soo Seol,Byung-Kyu Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-29.

Memory device having buried source/drain region and fabrication thereof

Номер патента: US20030199142A1. Автор: Shui-Chin Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-23.

Memory device having vertical structure

Номер патента: US12101930B2. Автор: Jin HO KIM,Sang Hyun Sung,Sung Lae OH,Chang Woon Choi,Kwang Hwi PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Memory device having planarized fins and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240341077A1. Автор: Ying-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Memory device having planarized fins and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240341078A1. Автор: Ying-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240251545A1. Автор: Jin-Seong Park,Seung Hee Lee,Dong-Gyu Kim,Tae Won Kim,Yu Rim KIM,Yong-Suk Tak,Dong-Hyeon Lee. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor memory devices having an electrode with an extension

Номер патента: US12102020B2. Автор: Juan Boon Tan,Ramasamy Chockalingam,Jianxun Sun. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor memory device, method for fabricating the same and electronic system including the same

Номер патента: US20240357824A1. Автор: Won Jun Park,Dong Hwa Lee,Jae Min Jung,Dong Sung CHOI,Byong Ju KIM,Chang Heon CHEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Process for the manufacturing of an electrically programmable non-volatile memory device

Номер патента: US20010021555A1. Автор: Bruno Vajana,Carlo Cremonesi,Roberta Bottini,Giovanna Libera. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-13.

Method of forming a charge-trapping memory device

Номер патента: US20070007586A1. Автор: Georg Tempel. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-01-11.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: WO2023028869A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Ziqun HUA,Hongbin Zhu,Wenyu HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-03-09.

Semiconductor Memory Device Having Auxiliary Conduction Region Of Deduced Area

Номер патента: US20020175349A1. Автор: Yoshinao Morikawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-11-28.

Nonvolatile memory device having resistance change layer

Номер патента: US12108611B2. Автор: Se Ho LEE,Hyangkeun YOO,Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor memory device having bit lines and isolation fins disposed on the substrate

Номер патента: US12114487B2. Автор: Yu-Cheng Tung,Li-Wei Feng,Janbo Zhang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Nonvolatile memory device having resistance change layer

Номер патента: US20240357836A1. Автор: Se Ho LEE,Hyangkeun YOO,Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor memory device having stacked-capacitor type memory cells

Номер патента: US4905064A. Автор: Taiji Ema,Takashi Yabu. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1990-02-27.

Method of fabricating a semiconductor memory device having a tree-type capacitor

Номер патента: US6080632A. Автор: Fang-Ching Chao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-06-27.

Semiconductor memory devices having contact plugs

Номер патента: US11968823B2. Автор: Wonchul Lee,Dongsoo Woo,Hyejin Seong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-23.

RFID device having nonvolatile ferroelectric memory device

Номер патента: US20070018821A1. Автор: Hee Kang,Jin Ahn. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-01-25.

Ferroelectric memory chiplet in a multi-dimensional packaging with I/O switch embedded in a substrate or interposer

Номер патента: US12086410B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Christopher B. Wilkerson,Debo Olaosebikan. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Ferroelectric memory chiplet in a multi-dimensional packaging

Номер патента: US12079475B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Christopher B. Wilkerson,Debo Olaosebikan. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Intelligent management of ferroelectric memory in a data storage device

Номер патента: US20240070070A1. Автор: Mohamad El-Batal,Darshana H. Mehta,Jon D. Trantham,Praveen Viraraghavan,John W. Dykes,Ian J. Gilbert,Sangita Shreedharan Kalarickal,Matthew J. Totin. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2024-02-29.

Intelligent management of ferroelectric memory in a data storage device

Номер патента: US11853213B2. Автор: Mohamad El-Batal,Darshana H. Mehta,Jon D. Trantham,Praveen Viraraghavan,John W. Dykes,Ian J. Gilbert,Sangita Shreedharan Kalarickal,Matthew J. Totin. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2023-12-26.

Intelligent management of ferroelectric memory in a data storage device

Номер патента: US20220350739A1. Автор: Mohamad El-Batal,Darshana H. Mehta,Jon D. Trantham,Praveen Viraraghavan,John W. Dykes,Ian J. Gilbert,Sangita Shreedharan Kalarickal,Matthew J. Totin. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2022-11-03.

Apparatus and method for a non-power-of-2 size cache in a first level memory device to cache data present in a second level memory device

Номер патента: US20170185315A1. Автор: Vedaraman Geetha,Brian S. Morris,Sreenivas Mandava,Henk G. Neefs,Massimo Sutera. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-29.

Apparatus and method for a non-power-of-2 size cache in a first level memory device to cache data present in a second level memory device

Номер патента: US09747041B2. Автор: Vedaraman Geetha,Brian S. Morris,Sreenivas Mandava,Henk G. Neefs,Massimo Sutera. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Method for assigning addresses to memory devices

Номер патента: US09552311B2. Автор: Vinod C. Lakhani,Robert D. Norman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Storage device having a controller that communicates with each of two memories through separate interfaces

Номер патента: US11762558B2. Автор: Changkyu Seol,Younggeon Yoo,Hyeonwu Kim,Hyeongseok Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-19.

Nonvolatile memory device and data storage device including the same

Номер патента: US09507707B2. Автор: Hak Dae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Memory device having a controller unit and an information-processing device including a memory device having a controller unit

Номер патента: US09524121B2. Автор: Nobuhiro Kondo,Kenichi Maeda,Atsushi Kunimatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Flash memory device having a calibration mode

Номер патента: US12072817B2. Автор: Liji GOPALAKRISHNAN,Pravin Kumar Venkatesan,Kashinath Ullhas Prabhu,Makarand Ajit Shirasgaonkar. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-08-27.

Lifespan forecasting of memory devices and predictive device health management

Номер патента: US20240272803A1. Автор: Manjunath Chandrashekaraiah. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Portable memory device having mutually exclusive non-volatile electronic data storage

Номер патента: US20200241800A1. Автор: Chad Dustin Tillman,Evan Michael DORSEL. Владелец: Ipxcl LLC. Дата публикации: 2020-07-30.

Storage controller providing status information of zone region, method of operating the same, and method of operating electronic device having the same

Номер патента: US20240319918A1. Автор: Minkyeong Lee,Donghee Lee,Junho Kim,Jaesub KIM,Yangwoo Roh,Youkun Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Optimized flash memory device for miniaturized devices

Номер патента: US09861826B2. Автор: Charles R Gordon,Duane R Bigelow. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2018-01-09.

Optimized flash memory device for miniaturized devices

Номер патента: US09440086B2. Автор: Charles R. Gordon,Duane R. Bigelow. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2016-09-13.

Memory device having redundant media management capabilities

Номер патента: EP4133374A1. Автор: Gil Golov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-15.

Memory device having redundant media management capabilities

Номер патента: WO2021207405A1. Автор: Gil Golov. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-10-14.

Storage controller performing active zone refresh, method of operating storage controller, and method of operating storage device having storage controller

Номер патента: US20230236765A1. Автор: Suhwan Kim,Junseok Park,Minsik Son,Hyunkoo KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-27.

Neuromorphic computing device, memory device, system, and method to maintain a spike history for neurons in a neuromorphic computing environment

Номер патента: US20180082176A1. Автор: Wei Wu,Somnath Paul,Charles Augustine. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

Methods and apparatus for authenticating an encryption key stored in removable memory devices, to access a compute device

Номер патента: US11281813B1. Автор: Martin Mayer,Steven Yates,Thomas Scott Morgan. Владелец: Management Services Group Inc. Дата публикации: 2022-03-22.

Memory device having redundant media management capabilities

Номер патента: US11734131B2. Автор: Gil Golov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Methods and apparatus for authenticating an encryption key stored in removable memory devices, to access a compute device

Номер патента: US12045379B1. Автор: Martin Mayer,Steven Yates,Thomas Scott Morgan. Владелец: Management Services Group Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Methods and apparatus for authenticating an encryption key stored in removable memory devices, to access a compute device

Номер патента: US11741269B1. Автор: Martin Mayer,Steven Yates,Thomas Scott Morgan. Владелец: Management Services Group Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Hybrid memory device for storing write data based on attribution of data stored therein

Номер патента: US09804801B2. Автор: Kyung Ho Kim,Jin-soo Kim,Young-Sik Lee,Sangkwon Moon,Jinkyu JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Device having a security module

Номер патента: US09798901B2. Автор: Juergen Frank,Manfred Thanner,Michael Staudenmaier. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Apparatuses and methods for exiting low power states in memory devices

Номер патента: US09778723B2. Автор: RAJESH Sundaram,Sowmiya Jayachandran,William Low. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of operating image processor generating top- down heat map and electronic device having the image processor

Номер патента: US20240185427A1. Автор: Yongjin Lee,Sung Yup LEE. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2024-06-06.

Motherboard and memory device thereof

Номер патента: US20080313394A1. Автор: Yueh-Chih Chen. Владелец: ASUSTeK Computer Inc. Дата публикации: 2008-12-18.

Input output memory management unit and electronic device having the same

Номер патента: US12032489B2. Автор: Youngseok Kim,Junbeom JANG,Seongmin JO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor memory device and control method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240320109A1. Автор: Yoshihiko Shindo. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory device having cache storing cache data and scrub data

Номер патента: US20240232095A9. Автор: Ferdinando Bedeschi,Christophe Vincent Antoine Laurent. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Methods of sketch-based memory management and memory devices utilizing the same

Номер патента: WO2018187002A1. Автор: Samuel E. Bradshaw. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-10-11.

Methods of sketch-based memory management and memory devices utilizing the same

Номер патента: US20180293005A1. Автор: Samuel E. Bradshaw. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-11.

Memory device having bonded integrated circuit dies used for multiplication

Номер патента: US20240303037A1. Автор: Hernan Castro. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Namespace mapping optimization in non-volatile memory devices

Номер патента: US20240311293A1. Автор: Alex Frolikov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Transferring data to a memory device based on importance

Номер патента: US20240095200A1. Автор: Robert Bielby. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Apparatus and method for a non-power-of-2 size cache in a first level memory device to cache data present in a second level memory device

Номер патента: US20180004433A1. Автор: Vedaraman Geetha,Brian S. Morris,Sreenivas Mandava,Henk G. Neefs,Massimo Sutera. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Performance allocation among users for accessing non-volatile memory devices

Номер патента: US11789614B2. Автор: Alex Frolikov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Performance allocation among users for accessing non-volatile memory devices

Номер патента: US20240103734A1. Автор: Alex Frolikov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Device having an internal and an external functional element and method for the production thereof

Номер патента: US09506911B2. Автор: Ulrich Klug,Andre Neumeister,Detlefr Rath. Владелец: LZH Laser Zentrum Hannover eV. Дата публикации: 2016-11-29.

Shape memory device having two-way cyclical shape memory effect due to compositional gradient and method of manufacture

Номер патента: US20060289295A1. Автор: Peter Jardine. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-12-28.

Shaped memory devices and method for using same in wellbores

Номер патента: US09382785B2. Автор: Jason J. Barnard,Dan M. Wells. Владелец: Baker Hughes Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

Non-Volatile Memory Device, Devices Having the Same, and Method of Operating the Same

Номер патента: US20120151124A1. Автор: BAEK Sung Hoon,Cheon Won Moon. Владелец: . Дата публикации: 2012-06-14.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

VPN NETWORK CLIENT FOR MOBILE DEVICE HAVING DYNAMICALLY CONSTRUCTED DISPLAY FOR NATIVE ACCESS TO WEB MAIL

Номер патента: US20120002814A1. Автор: Wei Yin,Iyer Subramanian,Campagna Richard,Wood James. Владелец: JUNIPER NETWORKS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

VPN NETWORK CLIENT FOR MOBILE DEVICE HAVING FAST RECONNECT

Номер патента: US20120002815A1. Автор: . Владелец: JUNIPER NETWORKS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

RESISTANCE CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002458A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

TRANSFORMER AND DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20120001714A1. Автор: LEE Young Min,Kim Jong Hae,Park Geun Young,Seo Sang Joon,Shin Hwi Beom. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

TIRE PRESSURE MONITORING DEVICE HAVING POWER SUPPLIED BY MAGNETIC INDUCTION

Номер патента: US20120000277A1. Автор: Fischer Uwe. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

GATE DRIVING CIRCUIT AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20120001894A1. Автор: LEE Hyun-Jeong,Kim Young-Do,Cha Je-Heon. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

INPUT/OUTPUT DEVICE HAVING HART COMMUNICATIONS FUNCTIONS

Номер патента: US20120002734A1. Автор: . Владелец: YAMATAKE CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

POLARIZATION-TRACKING DEVICE HAVING A WAVEGUIDE-GRATING COUPLER

Номер патента: US20120002971A1. Автор: Doerr Christopher R.. Владелец: Alcatel-Lucent USA Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE, DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME AND METHOD OF MANUFACTURING THE DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120003769A1. Автор: CHOI Jae-Ho,KIM Sung-Ryul,LEE Czang-Ho,YANG Sung-Hoon,YOON KAP-SOO,Kim Byoung-June,Oh Hwa-Yeul,Choi Yong-Mo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

CORE-SHEATH IMPLANT DEVICE HAVING AN INNER CORE LOBE

Номер патента: US20120004724A1. Автор: Hudson Michael E.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

STRESS-ENGINEERED RESISTANCE-CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120001148A1. Автор: . Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THEREOF

Номер патента: US20120001246A1. Автор: . Владелец: Micron Technology Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001252A1. Автор: Alsmeier Johann,Purayath Vinod Robert,Chien Henry,Matamis George,Lee Yao-Sheng,Kai James,Zhang Yuan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002457A1. Автор: KANDA Kazushige. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002469A1. Автор: IMAMOTO Akihiro,Abiko Naofumi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002472A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

CHARGE EQUILIBRIUM ACCELERATION IN A FLOATING GATE MEMORY DEVICE VIA A REVERSE FIELD PULSE

Номер патента: US20120002482A1. Автор: Kalavade Pranav,Franklin Nathan R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002485A1. Автор: Ono Takashi,MARUYAMA Takafumi,NISHIKAWA Kazuyo,Suwa Hitoshi,Nitta Tadashi,Ueminami Masahiro. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

TEST MODE CONTROL CIRCUIT IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND TEST MODE ENTERING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002494A1. Автор: Jo Jun-Ho,PARK Kyu-Min,KIM BYOUNGSUL,LEE Hakyong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Circuit and method for eliminating bit line leakage current in random access memory devices

Номер патента: US20120002496A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002475A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002478A1. Автор: Isobe Katsuaki,Kojima Masatsugu. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PROGRAMMING A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002481A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.