Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Programmable memory device sense amplifier

Номер патента: US09478308B1
Опубликовано: 25-10-2016
Автор(ы): El Mehdi Boujamaa
Принадлежит: Intel IP Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Programmable memory device sense amplifier

Номер патента: US09940978B2. Автор: El Mehdi Boujamaa. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Sense amplifier, nonvolatile memory device including the sense amplifier and sensing method of the sense amplifier

Номер патента: US9349428B2. Автор: Artur ANTONYAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-24.

Non-volatile memory device including sense amplifier and method for operating the same

Номер патента: US20230238069A1. Автор: Seong Jun Park,Kee Sik AHN,Sung Bum Park. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Non-volatile memory device including sense amplifier and method for operating the same

Номер патента: US20240071540A1. Автор: Seong Jun Park,Kee Sik AHN,Sung Bum Park. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Non-volatile memory device including sense amplifier and method for operating the same

Номер патента: US11848061B2. Автор: Seong Jun Park,Kee Sik AHN,Sung Bum Park. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Reduced power read sensing for one-time programmable memories

Номер патента: US09548131B1. Автор: Colin Stewart Bill. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Testing one-time programmable (otp) memory with data input capture through sense amplifier circuit

Номер патента: US20210257007A1. Автор: Hochul Lee,Keejong Kim,Anil Kota. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Structure for multiple sense amplifiers of memory device

Номер патента: US11854617B2. Автор: Hiroki Noguchi,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Structure for multiple sense amplifiers of memory device

Номер патента: US20240127887A1. Автор: Hiroki Noguchi,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Sense amplifier, nonvolatile memory device including the sense amplifier and sensing method of the sense amplifier

Номер патента: US20150170726A1. Автор: Artur ANTONYAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-06-18.

Memory device

Номер патента: US20180204615A1. Автор: Akira Katayama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Memory device

Номер патента: US9953707B2. Автор: Akira Katayama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Self-latch sense timing in a one-time-programmable memory architecture

Номер патента: US09881687B2. Автор: Harold L. Davis,Yunchen Qiu,David J. Toops. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Self-latch sense timing in a one-time-programmable memory architecture

Номер патента: US10192629B2. Автор: Harold L. Davis,Yunchen Qiu,David J. Toops. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-01-29.

Self-Latch Sense Timing in a One-Time-Programmable Memory Architecture

Номер патента: US20180137928A1. Автор: Harold L. Davis,Yunchen Qiu,David J. Toops. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-05-17.

Sense amplifier circuit with offset compensation for a non-volatile memory device

Номер патента: US09627011B1. Автор: Francesco La Rosa,Antonino Conte. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-04-18.

Sense amplifier driving device

Номер патента: US20180144809A1. Автор: Duk Ju Jeong. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-05-24.

Memory device with built-in flexible double redundancy

Номер патента: WO2021247176A1. Автор: Anil Chowdary Kota,Hochul Lee. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2021-12-09.

Memory device with built-in flexible double redundancy

Номер патента: US20210407559A1. Автор: Anil Chowdary Kota,Hochul Lee. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US12014796B2. Автор: Meng-Sheng CHANG,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Anti-fuse memory device

Номер патента: US20240161843A1. Автор: Chun-Hung Lin,Chia-Fu Chang,Jen-Yu Peng,You-Ruei Chuang. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240312497A1. Автор: Meng-Sheng CHANG,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Phase change random access memory device

Номер патента: US20120081955A1. Автор: Dong Keun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-04-05.

Structure for multiple sense amplifiers of memory device

Номер патента: US12125551B2. Автор: Hiroki Noguchi,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Redundancy memory device comprising a plurality of selecting circuits

Номер патента: US09767863B2. Автор: Akira Katayama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Sensing circuit and method utilizing voltage replication for non-volatile memory device

Номер патента: US09754640B1. Автор: Shang-Chi Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor memory device including a control circuit for controlling a read operation

Номер патента: US20200013459A1. Автор: Deog-Kyoon Jeong,Hong Seok Choi,Hyungrok DO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Sense amplifier for non-volatile memory devices and related methods

Номер патента: US20170178722A1. Автор: Marco Pasotti,Chantal Auricchio,Marcella CARISSIMI,Rajat Kulshrestha. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2017-06-22.

Sense amplifier for non-volatile memory devices and related methods

Номер патента: US10068643B2. Автор: Marco Pasotti,Chantal Auricchio,Marcella CARISSIMI,Rajat Kulshrestha. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2018-09-04.

Sense amplifier, and nonvolatile memory device and system including the same

Номер патента: US09997243B2. Автор: Seung Han OAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Sense amplifier for non-volatile memory devices and related methods

Номер патента: US09613692B1. Автор: Marco Pasotti,Chantal Auricchio,Marcella CARISSIMI,Rajat Kulshrestha. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2017-04-04.

Phase change memory device with improved performance that minimizes cell degradation

Номер патента: US20110255333A1. Автор: Hee Bok Kang,Suk Kyoung Hong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-10-20.

Semiconductor memory devices having separate sensing circuits and related sensing methods

Номер патента: US09865342B2. Автор: Jaekyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Memory with sense amplifiers

Номер патента: EP4047606A2. Автор: Michael A. Sadd,Jon Scott Choy. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-08-24.

Memory with sense amplifiers

Номер патента: EP4047606A3. Автор: Michael A. Sadd,Jon Scott Choy. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-03-01.

Structure for multiple sense amplifiers of memory device

Номер патента: US20220358973A1. Автор: Hiroki Noguchi,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Resistive memory device and memory system including resistive memory device

Номер патента: US09627056B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Yeong-Taek Lee,Mu-hui Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Structure for multiple sense amplifiers of memory device

Номер патента: US20210134333A1. Автор: Hiroki Noguchi,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Memory device

Номер патента: US20170076759A1. Автор: Akira Katayama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Memory devices, circuits and methods of adjusting a sensing current for the memory device

Номер патента: US11915733B2. Автор: JEN-CHIEH LIU,Meng-Fan Chang,Jui-Jen Wu,Win-San Khwa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Memory devices, circuits and methods of adjusting a sensing current for the memory device

Номер патента: US20240177757A1. Автор: JEN-CHIEH LIU,Meng-Fan Chang,Jui-Jen Wu,Win-San Khwa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Sense amplifier architecture for a non-volatile memory storing coded information

Номер патента: EP4210054A1. Автор: Alessandro Tomasoni,Marcella CARISSIMI,Fabio Enrico Carlo Disegni,Daniele Lo Iacono. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-07-12.

Sense amplifier circuit for preventing read disturb

Номер патента: US20220084590A1. Автор: Seong-Jun Jang. Владелец: Integrated Silicon Solution Cayman Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Structure for multiple sense amplifiers of memory device

Номер патента: US20220270681A1. Автор: Hiroki Noguchi,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-25.

Sense amplifier employing control circuitry for decoupling resistive memory sense inputs during state sensing to prevent current back injection, and related methods and systems

Номер патента: EP3092645A1. Автор: Wenqing Wu,Venkatasubramanian Narayanan,Kendrick Hoy Leong YUEN. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-11-16.

Nonvolatile memory device and method for sensing the same

Номер патента: US09728254B2. Автор: Mu-hui Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Memory devices and methods for storing single data value in multiple programmable resistance elements

Номер патента: US09721658B1. Автор: Nad Edward Gilbert,Shane Charles Hollmer. Владелец: Adesto Technologies Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Sense amplifier

Номер патента: US09601165B1. Автор: Cyrille Dray,El Mehdi Boujamaa. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Sense amplifier circuit, memory device, method for determining a state value of a resistive memory cell and method for operating a memory device

Номер патента: US10685706B2. Автор: Ulrich Loibl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-06-16.

Latch-type sense amplifier for a non-volatile memory with reduced margin between supply voltage and bitline-selection voltage

Номер патента: US20210020237A1. Автор: Marco Pasotti,Laura Capecchi,Marcella CARISSIMI,Fabio Enrico Carlo Disegni. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-01-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20180268897A1. Автор: Yoshihiro Ueda. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

Sense amplifier circuit

Номер патента: US09741435B1. Автор: Michael A. Sadd,Michael Garrett Neaves,Jon Scott Choy. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Sense amplifier circuit, memory device, method for determining a state value of a resistive memory cell and method for operating a memory device

Номер патента: US20190259451A1. Автор: Ulrich Loibl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-08-22.

Phase change memory device, system including the memory device, and method for operating the memory device

Номер патента: US11756614B2. Автор: Davide Manfre,Maurizio Francesco Perroni,Fabio Enrico Carlo Disegni,Cesare Torti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-09-12.

Phase change memory device, system including the memory device, and method for operating the memory device

Номер патента: US20210193220A1. Автор: Davide Manfre,Maurizio Francesco Perroni,Fabio Enrico Carlo Disegni,Cesare Torti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-06-24.

Memory sense amplifier with precharge

Номер патента: US20240062815A1. Автор: Chung-Cheng Chou,Pei-Ling Tseng,Zheng-Jun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Memory sense amplifier with precharge

Номер патента: US20200388333A1. Автор: Chung-Cheng Chou,Pei-Ling Tseng,Zheng-Jun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-10.

Memory sense amplifier with precharge

Номер патента: US20220359008A1. Автор: Chung-Cheng Chou,Pei-Ling Tseng,Zheng-Jun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Memory sense amplifier with precharge

Номер патента: US11837287B2. Автор: Chung-Cheng Chou,Pei-Ling Tseng,Zheng-Jun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Single ended sense amplifier with current pulse circuit

Номер патента: US20240127868A1. Автор: Suresh Pasupula,Chunsung CHIANG,Siva Kumar Chinthu,Devesh Dwivedi. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Pre-charge circuit and method for memory devices with shared sense amplifiers

Номер патента: US20030043666A1. Автор: Michael Killian,Mark Jacunski. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-03-06.

Semiconductor memory device including a sense amplifier having a reduced operating current

Номер патента: US20080112244A1. Автор: Yoji Idei,Kazuhiro Teramoto. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-05-15.

Semiconductor memory device with improved sense amplifier driver

Номер патента: US6075736A. Автор: Tae-Hyoung Kim,Jae-Goo Lee,Chang-Man Khang,Ha-Soo Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2000-06-13.

Sense amplifier and driving method thereof, and semiconductor memory device having the sense amplifier

Номер патента: US20100302878A1. Автор: Hee Bok Kang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-02.

One-time programmable memory devices and methods

Номер патента: US20240321371A1. Автор: Dimitri Houssameddine,Mark Lin,Juan P. Saenz,Deniz Bozdag. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-26.

Non-volatile re-programmable memory device

Номер патента: EP2407976A3. Автор: YUAN Li,Tao Guoqiao. Владелец: NXP Semiconductors NV. Дата публикации: 2012-03-07.

Non-volatile re-programmable memory device

Номер патента: EP2407976A8. Автор: YUAN Li,Tao Guoqiao. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2012-04-18.

Sense amplifier and driving method thereof, and semiconductor memory device having the sense amplifier

Номер патента: US7755963B2. Автор: Hee Bok Kang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-07-13.

Sense amplifier and driving method thereof, and semiconductor memory device having the sense amplifier

Номер патента: US20090147604A1. Автор: Hee Bok Kang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-06-11.

One-time programmable memory device and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20230377672A1. Автор: Yeongmuk CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-23.

One-time programmable memory device with ecc circuit and double error processing

Номер патента: EP4280214A1. Автор: Yeongmuk CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-22.

Memory device

Номер патента: US11798630B2. Автор: Chantal Auricchio,Laura Capecchi,Emanuela Calvetti,Marcella CARISSIMI,Fabio Enrico Carlo Disegni,Cesare Torti,Davide Manfre',Stefano ZANCHI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-10-24.

One-time programmable memory read-write circuit

Номер патента: US11682466B2. Автор: Zhan Ying,Xin Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-20.

Read-write circuit of one-time programmable memory

Номер патента: EP3905252A1. Автор: Zhan Ying,Xin Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-11-03.

Method and Apparatus for Implementing Efuse Sense Amplifier Testing Without Blowing the Efuse

Номер патента: US20080170449A1. Автор: Louis Bernard Bushard,Anthony Gus Aipperspach,David Howard Allen,Gregory John Uhlmann,Phil Christopher Felice Paone. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-17.

Memory device for write operation including verification and operating method thereof

Номер патента: US20210319839A1. Автор: Artur ANTONYAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-14.

Semiconductor memory device

Номер патента: US10910043B2. Автор: Shinichi Sasaki,Jun Deguchi,Daisuke Miyashita. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-02-02.

One-time programmable memory device having access circuit

Номер патента: US09905309B2. Автор: Sang Seok Lee,Hoon Jin Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Programmable read-only memory device

Номер патента: GB2572148A. Автор: RACHINSKY Rumen,IVANOV Valeri,Radv Aleksandar. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2019-09-25.

Antifuse programmable memory array

Номер патента: EP2513909A1. Автор: Kevin Zhang,Sarvesh H. Kulkarni,Zhanping Chen. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2012-10-24.

One-time programmable memory devices

Номер патента: US20060056222A1. Автор: Joachim Reiner. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-03-16.

One-time programmable memory device

Номер патента: EP1573747B1. Автор: Joachim Christian Reiner. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-10-21.

One-time programmable memory device

Номер патента: EP1573747A1. Автор: Joachim Christian Reiner. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-09-14.

One-time programmable memory circuit, one-time programmable memory and operation method thereof

Номер патента: EP4386758A1. Автор: E Ray HSIEH. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2024-06-19.

Programmable storage unit and programmable memory array and reading and writing method therefor

Номер патента: EP3933840A1. Автор: Zhan Ying,Xin Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-01-05.

One time programmable memory with a twin gate structure

Номер патента: US09659944B2. Автор: MEI Xue,Akira Ito,Qintao Zhang,Wenwei YANG. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Methods and apparatus to improve performance while reading a one-time programmable memory

Номер патента: US20200265907A1. Автор: Suresh Balasubramanian,George B Jamison,Stephen Wayne Spriggs. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-08-20.

Quad SRAM Based One Time Programmable Memory

Номер патента: US20090109723A1. Автор: Myron Buer,Jonathan Schmitt,Laurentiu Vasiliu. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2009-04-30.

Verifiable one-time programmable memory device

Номер патента: EP4205113A1. Автор: Hakan Englund,Niklas LINDSKOG. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2023-07-05.

Verifiable one-time programmable memory device

Номер патента: US20230317187A1. Автор: Hakan Englund,Niklas LINDSKOG. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2023-10-05.

Apparatus and method for testing one-time-programmable memory

Номер патента: WO2012012711A4. Автор: Howard R. Samuels,Thomas W. Kelly. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2012-03-22.

One-time programmable memory circuit, one-time programmable memory and operation method thereof

Номер патента: US20240203515A1. Автор: E Ray HSIEH. Владелец: National Central University. Дата публикации: 2024-06-20.

Programmable memory and method for driving programmable memory

Номер патента: US20230402118A1. Автор: Rumin JI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Memory device

Номер патента: US4445203A. Автор: Hiroshi Iwahashi. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1984-04-24.

Semiconductor memory device and method with two sense amplifiers

Номер патента: US8050124B2. Автор: Yukio Fuji,Yasuko Tonomura,Satoshi Katagiri. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-11-01.

Semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US20080247227A1. Автор: Yukio Fuji,Yasuko Tonomura,Satoshi Katagiri. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-10-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09589608B2. Автор: Akiyoshi Seko. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2017-03-07.

Selective sense amplifier enablement

Номер патента: WO2016007372A1. Автор: Manuel Antonio d'Abreu. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2016-01-14.

Write error counter for media management in a memory device

Номер патента: US20240321351A1. Автор: John Christopher M. Sancon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Write error counter for media management in a memory device

Номер патента: US20230352086A1. Автор: John Christopher M. Sancon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Write error counter for media management in a memory device

Номер патента: US12014775B2. Автор: John Christopher M. Sancon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

One-time programmable memory device

Номер патента: WO2023247645A1. Автор: Josep Montanya Silvestre. Владелец: Nanusens SL. Дата публикации: 2023-12-28.

Programmable memory device

Номер патента: US20220044747A1. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-10.

Non-volatile programmable memory cell and memory array

Номер патента: WO2010002585A1. Автор: Gerardo Monreal. Владелец: Allegro Microsystems, Inc.. Дата публикации: 2010-01-07.

One-time programmable memory cell and memory thereof

Номер патента: US20230422494A1. Автор: Yulong Wang,Dan Ning. Владелец: Chengdu Analog Circuit Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Memory device including sense amplifying circuit

Номер патента: US20240233851A1. Автор: Woongrae Kim,Yeonsu JANG,Jung Min Yoon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory device including a sense amplifier on a semiconductor substrate, a memory cell including a capacitor and a transistor including conductive lines electrically connected to the sense amplifier

Номер патента: US09806082B2. Автор: Yoshihiro Ueda,Tsutomu Tezuka,Keiji Ikeda,Chika Tanaka,Toshinori Numata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor memory device which controls sense amplifier for detecting bit line bridge and method of controlling the semiconductor memory device

Номер патента: US6396754B1. Автор: Hyong-yong Lee,Suk-bae Jun,Choong-Sun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-05-28.

Memory device including bitline sense amplifier and operating method thereof

Номер патента: US20220020423A1. Автор: Jong-Ho Moon,Sung-hwan Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-20.

Memory device with multistage sense amplifier

Номер патента: US7292479B2. Автор: Sven Boldt,Erwin Thalmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-11-06.

Memory device with multistage sense amplifier

Номер патента: US20050286316A1. Автор: Sven Boldt,Erwin Thalmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-12-29.

Semiconductor memory device including a sense amplifier on a semiconductor substrate, a memory cell including a capacitor and a transistor including conductive lines electrically connected to the sense amplifier

Номер патента: US20170271341A1. Автор: Yoshihiro Ueda,Tsutomu Tezuka,Keiji Ikeda,Chika Tanaka,Toshinori Numata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Sense amplifier and semiconductor memory device including the sense amplifier

Номер патента: US11776588B2. Автор: Seok Jae LEE,Kyoung Min Kim,Dong Geon Kim,Bok-yeon Won,In Seok BAEK,Myeong Sik Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor memory device having dummy sense amplifiers and methods of utilizing the same

Номер патента: US20100118633A1. Автор: Dong-Min Kim,Sang-Seok Kang,Min-Ki HONG. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-05-13.

Semiconductor memory device having a sense amplifier circuit with decreased offset

Номер патента: US20110079858A1. Автор: Tomonori Sekiguchi,Satoru Akiyama,Hiroaki Nakaya,Yuko Watanabe,Shinichi Miyatake,Riichiro Takemura. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-04-07.

Semiconductor memory device having a sense amplifier circuit with decreased offset

Номер патента: US7876627B2. Автор: Tomonori Sekiguchi,Satoru Akiyama,Hiroaki Nakaya,Yuko Watanabe,Shinichi Miyatake,Riichiro Takemura. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-01-25.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20110128774A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-06-02.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8149611B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-04-03.

On chip voltage regulator for common collection matrix programmable memory array

Номер патента: US5193073A. Автор: Rohit L. Bhuva. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1993-03-09.

Semiconductor nonvolatile memory device with one-time programmable memories

Номер патента: US09355740B2. Автор: Kosuke Tatsumura,Koichiro ZAITSU. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

One time programmable memory

Номер патента: US20090059645A1. Автор: Jonathan A. Schmitt,Joseph Eugene Glenn. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2009-03-05.

Structures and methods of identifying unprogrammed bits for one-time-programmable-memory (OTPM)

Номер патента: US11694757B2. Автор: Toshiaki Kirihata,Balaji Jayaraman,Amit K. Mishra. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-07-04.

One-time programmable memory and method for verification and access

Номер патента: US11823750B2. Автор: Philippe Sirito-Olivier,Giovanni Luca Torrisi. Владелец: STMicroelectronics Alps SAS. Дата публикации: 2023-11-21.

Built-in self test for one-time-programmable memory

Номер патента: US8508972B2. Автор: James M. Lee,Howard R. Samuels,Thomas W. Kelly. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2013-08-13.

Built-In Self Test for One-Time-Programmable Memory

Номер патента: US20120092916A1. Автор: James M. Lee,Howard R. Samuels,Thomas W. Kelly. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2012-04-19.

Built-In Self Test for One-Time-Programmable Memory

Номер патента: US20130294143A1. Автор: James M. Lee,Howard R. Samuels,Thomas W. Kelly. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2013-11-07.

1.5t otp memory device and method for fabricating same

Номер патента: US20240179896A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Programmable memory with memory cells programmed by addressing

Номер патента: US4727514A. Автор: Rohit L. Bhuva,Allen Y. Chen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1988-02-23.

Structures and methods of identifying unprogrammed bits for one-time-programmable-memory (otpm)

Номер патента: US20220343988A1. Автор: Toshiaki Kirihata,Balaji Jayaraman,Amit K. Mishra. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-10-27.

Unit array of a memory device, memory device, and memory system including the same

Номер патента: US09892773B2. Автор: Artur ANTONYAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Selective non-volatile memory device and associated reading method

Номер патента: US11923006B2. Автор: Gabriele Navarro,Anthonin Verdy. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-03-05.

Memory device

Номер патента: US20140286082A1. Автор: Masahiro Takahashi,Tsuneo Inaba,Dong Keun Kim,Ji Wang Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-09-25.

Nonvolatile memory device using variable resistance material and method for driving the same

Номер патента: US20140119095A1. Автор: Yeong-Taek Lee,Sung Yeon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-01.

Memory device

Номер патента: US09824736B1. Автор: Akira Katayama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Memory device

Номер патента: US09548111B2. Автор: Masahiro Takahashi,Tsuneo Inaba,Dong Keun Kim,Ji Wang Lee. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Memory device having an increased sensing margin

Номер патента: US20210012835A1. Автор: Makoto Hirano,Yongsung CHO,Junho SHIN,Taehui Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-14.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20180277201A1. Автор: Yoshihisa Iwata,Megumu HORI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Semiconductor memory device and controlling method thereof

Номер патента: US20120250393A1. Автор: Masanobu Shirakawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-04.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09330732B2. Автор: Kosuke Hatsuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-03.

Semiconductor memory device with dual address memory read amplifiers

Номер патента: US5619473A. Автор: Yasuhiro Hotta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1997-04-08.

Nonvolatile memory device, memory system including the same and method for driving nonvolatile memory device

Номер патента: US20150287455A1. Автор: Hyun-Kook PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-08.

Nonvolatile memory device, memory system including the same and method for driving nonvolatile memory device

Номер патента: US09443586B2. Автор: Hyun-Kook PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

3d memory device

Номер патента: US20210233583A1. Автор: Makoto Hirano,Jinyoung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-29.

Controlling both current and voltage of resistive random access memory device

Номер патента: US09672907B2. Автор: Chih-Kai Huang,Chih-Hao Lai,Jou-Hung Wang. Владелец: Brocere Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Independent sense amplifier addressing and quota sharing in non-volatile memory

Номер патента: US09837152B2. Автор: Yibo Yin,Tianhong Yan,Gopinath Balakrishnan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-12-05.

Independent sense amplifier addressing and quota sharing in non-volatile memory

Номер патента: US09564215B2. Автор: Yibo Yin,Tianhong Yan,Gopinath Balakrishnan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-02-07.

Nonvolatile memory device including reference memory cell with fixed state

Номер патента: US20180137913A1. Автор: Daeshik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20110235402A1. Автор: Yoshihiro Ueda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-29.

Sense amplifier with integrating capacitor and methods of operation

Номер патента: US09704572B2. Автор: Yingchang Chen,Chang SIAU,Anurag Nigam. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-07-11.

Circuit and method for memory device with defect current isolation

Номер патента: US6154401A. Автор: Brent Keeth,Stephen L. Casper,David Pinney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-11-28.

Phase-changeable memory device and read method thereof

Номер патента: US20070133271A1. Автор: Hyung-rok Oh,Woo-Yeong Cho,Byung-Gil Choi,Du-Eung Kim,Beak-Hyung Cho,Yu-Hwan Ro. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-06-14.

One-time programmable memory devices using FinFET technology

Номер патента: US09754679B2. Автор: Shine C. Chung. Владелец: Attopsemi Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20100177576A1. Автор: Dong-Hyuk Lee,Jung-Bae Lee,Chi-Sung Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-07-15.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20140016420A1. Автор: In-Chul Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-01-16.

Memory device

Номер патента: US20240304237A1. Автор: Francois Tailliet,Marc Battista,Christophe Goncalves. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160163364A1. Автор: Sung-Soo Chi,Sung-Yub LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09478265B2. Автор: Sung-Soo Chi,Sung-Yub LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Programmable Memory Cell Using an Internal Parasitic Diode for Programming the Programmable Memory Cell

Номер патента: US20200251171A1. Автор: Ching-Hsiang Lin,Wen-Hua Yu,Wei-Fan Wu,Shih-Hsiu CHEN,Hsuan-Chi Su,Wei Huan Chen,Yung-Chien Lee,Shui-Shou Wang. Владелец: Agi Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

Programmable Memory Cell with a Feedback Signal for Programming the Programmable Memory Cell

Номер патента: US20200251166A1. Автор: Ching-Hsiang Lin,Wen-Hua Yu,Wei-Fan Wu,Shih-Hsiu CHEN,Hsuan-Chi Su,Wei Huan Chen,Yung-Chien Lee,Shui-Shou Wang. Владелец: Agi Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

Integrated circuit memory devices having sense amplifier driver circuits therein that improve writing efficiency

Номер патента: US6154404A. Автор: Hong-Sun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-11-28.

Memory reading circuit, memory device and method of operating memory device

Номер патента: US09489991B2. Автор: Cheng Hung Lee,Jonathan Tsung-Yung Chang,Yangsyu Lin,Chiting Cheng,Hsin-Hsin Ko. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor memory device with information loss self-detect capability

Номер патента: US7414902B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Claudio Resta. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2008-08-19.

Three-dimensional one-time-programmable memory comprising off-die address/data-translator

Номер патента: US09666300B2. Автор: CHEN Shen,Xuguang WANG,Bin Yu,Guobiao Zhang,Hongyu Yu,Chenchang ZHAN,Jinfeng Kang,Dongyun Zhang,Xiangdong Lu,RangYu Deng. Владелец: XiaMen HaiCun IP Technology LLC. Дата публикации: 2017-05-30.

Three-dimensional one-time-programmable memory comprising off-die read/write-voltage generator

Номер патента: US09508395B2. Автор: Guobiao Zhang. Владелец: Hangzhou Haicun Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Memory storage technique for a bi-directionally programmable memory device

Номер патента: US20080232163A1. Автор: Lance W. Dover. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-09-25.

Memory device for selectively operating multiple memory groups in different speeds and memory system including the same

Номер патента: US12020763B2. Автор: Hyungsup KIM,Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor memory device having sensing power driver

Номер патента: US20020097614A1. Автор: Jae Cha. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-07-25.

SENSE AMPLIFIER AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE INCLUDING THE SENSE AMPLIFIER

Номер патента: US20220139429A1. Автор: WON Bok-Yeon,KIM Kyoung Min,LEE Seok Jae,KIM Dong Geon,RYU Myeong Sik,BAEK In Seok. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-05.

Semiconductor memory device having a sense amplifier and method for over driving its sense amplifier

Номер патента: KR100546188B1. Автор: 권기섭. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-01-24.

Semiconductor memory device with overdriven sense amplifier and semiconductor device

Номер патента: DE19929095B4. Автор: Kaoru Kawasaki Mori,Masato Kawasaki Matsumiya,Ayako Kawasaki Kitamoto,Shinichi Kawasaki Yamada,Yuki Kawasaki Ishii,Hideki Kawasaki Kanou,Masato Kawasaki Takita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-12-08.

Semiconductor memory device having local sense amplifier with on/off control

Номер патента: US20060028888A1. Автор: Sang-woong Shin,Chul-Soo Kim,Young-Hyun Jun,Sang-Bo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-02-09.

Semiconductor memory device having local sense amplifier with on/off control

Номер патента: CN100583291C. Автор: 金哲洙,申相雄,李相普,全永铉. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-20.

Semiconductor memory device having local sense amplifier with on/off control

Номер патента: KR20060012408A. Автор: 김철수,이상보,전영현,신상웅. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-02-08.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor memory device including overdriving sense amplifier

Номер патента: KR100600543B1. Автор: 야마다신이치,하타케야마아츠시,니시무라고이치,마츠미야마사토,모리가오루,기타모토아야코,다키타마사토. Владелец: 후지쯔 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2006-07-13.

Semiconductor memory device having local sense amplifier

Номер патента: KR100763247B1. Автор: 이찬용,김치욱. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-10-04.

Memory device comprising bitline sense amplifier and operating method thereof

Номер патента: KR20220010699A. Автор: 문종호,장성환. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-01-26.

Semiconductor memory device having dummy sense amplifier and method for sensing data therefore

Номер патента: KR20070021710A. Автор: 강상석,홍민기. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-02-23.

Semiconductor memory device having local sense amplifier

Номер патента: US7525858B2. Автор: Chan-Yong Lee,Chi-wook Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-04-28.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor memory device including overdriving sense amplifier

Номер патента: TW464865B. Автор: Kaoru Mori,Shinichi Yamada,Masato Matsumiya,Ayako Kitamoto,Masato Takita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-11-21.

Semiconductor memory device having dummy sense amplifier and method for repairing cell therefore

Номер патента: KR100735836B1. Автор: 김동민. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-07-04.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor memory device including overdriving sense amplifier

Номер патента: US6236605B1. Автор: Koichi Nishimura,Kaoru Mori,Shinichi Yamada,Atsushi Hatakeyama,Masato Matsumiya,Ayako Kitamoto,Masato Takita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-05-22.

Semiconductor memory device having dummy sense amplifier and method for sensing data therefore

Номер патента: KR100702841B1. Автор: 강상석,홍민기. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-04-03.

Memory device employing bitline sense amplifier having sensing direction by gate bias control and bitline sensing method

Номер патента: KR100604824B1. Автор: 이병재,김규홍. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-07-28.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20200013446A1. Автор: Hyo-Jin Kim,Seunghan Park,Keun Hwi Cho,Gukil AN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-09.

Memory device for selectively operating multiple memory groups in different speeds and memory system including the same

Номер патента: US12020764B2. Автор: Hyungsup KIM,Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Improved vertical 3d memory device and accessing method

Номер патента: US20240237358A1. Автор: Corrado Villa,Efrem Bolandrina,Paolo Fantini,Stefan Frederik Schippers. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Sense amplifier

Номер патента: US20180012639A1. Автор: George McNeil Lattimore,Robert Campbell Aitken,Bal S. Sandhu,Cezary Pietrzyk. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-01-11.

Memory device

Номер патента: US20190088298A1. Автор: Kosuke Hatsuda,Jieyun ZHOU,Yorinobu FUJINO,Yoshiaki Osada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

One time programmable memory

Номер патента: US20210391018A1. Автор: Yu-Der Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-16.

One time programmable memory

Номер патента: US20230282287A1. Автор: Yu-Der Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

One time programmable memory

Номер патента: US20220199167A1. Автор: Yu-Der Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Semiconductor memory device

Номер патента: US5101380A. Автор: Kazuo Tanaka,Hirofumi Yasuda,Toshihiko Kondo. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 1992-03-31.

Semiconductor memory device with substrate voltage biasing

Номер патента: IE50955B1. Автор: . Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1986-08-20.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240321326A1. Автор: Koji Tabata. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory device with a sense amplifier controller for maintaining the connection of a previously selected memory cell array

Номер патента: US7995421B2. Автор: Young-Bo Shim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-08-09.

Semiconductor memory device with a sense amplifier controller for maintaining the connection of a previously selected memory cell array

Номер патента: US20110249523A1. Автор: Young-Bo Shim. Владелец: Young-Bo Shim. Дата публикации: 2011-10-13.

Pre-Sense Gut Node Amplification in Sense Amplifier

Номер патента: US20230395130A1. Автор: Christopher K. Morzano,Christopher J. KAWAMURA,Charles L. Ingalls,Huy T. Vo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Pre-sense gut node amplification in sense amplifier

Номер патента: US11967362B2. Автор: Christopher K. Morzano,Christopher J. KAWAMURA,Charles L. Ingalls,Huy T. Vo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Memory device with dynamically operated reference circuits

Номер патента: US09576642B2. Автор: Richard Ferrant,Roland Thewes. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20110149663A1. Автор: Soichiro Yoshida. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-06-23.

Single-ended sense amplifier circuit

Номер патента: US20100124089A1. Автор: Shahid Ali,Raviprakash Suryanarayana Rao. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-05-20.

Memory device having sensing circuitry with automatic latching of sense amplifier output node

Номер патента: US20130215685A1. Автор: Md Rahim Chand Sk. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2013-08-22.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20140063992A1. Автор: Soichiro Yoshida. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2014-03-06.

Sense timing generation circuit and semiconductor memory device

Номер патента: US20230326534A1. Автор: Osamu Hirabayashi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Memory device, sensing amplifier, and method for sensing memory cell

Номер патента: US20210272606A1. Автор: Yih Wang,Hiroki Noguchi,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-02.

Data-dependent self-biased differential sense amplifier

Номер патента: US09460760B2. Автор: Krishnan S. Rengarajan,Toshiaki Kirihata,Balaji Jayaraman,Ramesh Raghavan,Thejas Kempanna,Rajesh R. Tummuru. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Data-dependent self-biased differential sense amplifier

Номер патента: US20160217832A1. Автор: Krishnan S. Rengarajan,Toshiaki Kirihata,Balaji Jayaraman,Ramesh Raghavan,Thejas Kempanna,Rajesh R. Tummuru. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-07-28.

Low-power compiler-programmable memory with fast access timing

Номер патента: EP1704570A2. Автор: James W. Nicholes. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2006-09-27.

Low-power compiler-programmable memory with fast access timing

Номер патента: WO2005060465A3. Автор: James W Nicholes. Владелец: James W Nicholes. Дата публикации: 2005-09-09.

Low-power compiler-programmable memory with fast access timing

Номер патента: EP1704570A4. Автор: James W Nicholes. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2009-05-06.

Memory device, sense amplifier and method for mismatch compensation

Номер патента: US20230123830A1. Автор: Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Memory device, sense amplifier and method for mismatch compensation

Номер патента: US11854650B2. Автор: Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20080159037A1. Автор: Jong-Cheol Lee,Myeong-o Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-03.

Bit line sense amplifier of semiconductor memory device having open bit line structure

Номер патента: US7889532B2. Автор: Hyang-Ja Yang,Su-Yeon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-02-15.

Bit line sense amplifier of semiconductor memory device having open bit line structure

Номер патента: US20090310432A1. Автор: Hyang-Ja Yang,Su-Yeon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-12-17.

Devices and methods for a finfet sense amplifier

Номер патента: US20240203462A1. Автор: Wenjun Li,Christopher G. Wieduwilt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Fast-sensing amplifier for flash memory

Номер патента: US20030112683A1. Автор: Michael Briner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-06-19.

Memory device and operation methods thereof

Номер патента: US09978435B1. Автор: San-Ha Park. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Memory device with separately controlled sense amplifiers

Номер патента: US09384790B2. Автор: Setti Shanmukheswara Rao,Ankur Goel,Manish Trivedi. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Sense amplifiers as static random access memory cache

Номер патента: US20240256448A1. Автор: Troy A. Manning,Glen E. Hush,Troy D. Larsen,Peter L. Brown,Timothy P. Finkbeiner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor memory device including clock-independent sense amplifier

Номер патента: EP1298668A3. Автор: Yasuhiro Watanabe,Kiyoharu Oikawa,Kimio Maruyama,Naokazu Kuzuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-10-04.

Sense amplifiers for sensing multilevel cells and memory devices including the same

Номер патента: US20200143869A1. Автор: Dong-Il Lee,Young-Hun Seo,Hye-Jung KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-07.

Sense Amplifier Reference Voltage Through Sense Amplifier Latch Devices

Номер патента: US20230395131A1. Автор: Eric Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Driving voltage controller of sense amplifiers for memory device

Номер патента: US20040213063A1. Автор: Jong Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-10-28.

Semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20040004890A1. Автор: Hiroki Fujisawa,Hideyuki Yokou. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2004-01-08.

Sense amplifier reference voltage through sense amplifier latch devices

Номер патента: US12131771B2. Автор: Eric Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Memory device with open bit line structure which minimizes loading difference of sense amplifiers arranged outermost part

Номер патента: US09570150B2. Автор: Dong-Keun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Non-destructive pattern identification at a memory device

Номер патента: US11935617B2. Автор: Takamasa Suzuki,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor memory device in which a BIT line pair having a high load is electrically separated from a sense amplifier

Номер патента: US6118718A. Автор: Yoshikazu Yabe. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-09-12.

Semiconductor memory device using tapered arrangement of local input and output sense amplifiers

Номер патента: US20050169079A1. Автор: Youn-cheul Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-08-04.

Non-destructive pattern identification at a memory device

Номер патента: US20230326494A1. Автор: Takamasa Suzuki,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Sense amplifying circuit capable of operating with lower voltage and nonvolatile memory device including the same

Номер патента: US20080089122A1. Автор: Se-Eun O. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-17.

Memory device with sense amplifier groups and pipe latch groups

Номер патента: US09679620B1. Автор: Dong-Beom Lee,Tae-Sik Yun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Memory device and method for performing consecutive memory accesses

Номер патента: US12027200B2. Автор: CHRISTIAN Weis,Andre GUNTORO,Leonardo Luiz Ecco,Norbert Wehn,Chirag SUDARSHAN,Taha Ibrahim Ibrahim Soliman. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20110158023A1. Автор: Kang-Seol Lee,Tae-Sik Yun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-30.

Semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20030227808A1. Автор: Atsumasa Sako. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-12-11.

Systems and methods for controlling common mode level for sense amplifier circuitry

Номер патента: US12094521B2. Автор: Ki-Jun Nam. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20140064005A1. Автор: Woong-Ju JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-03-06.

Sense amplifier control circuit of semiconductor memory device

Номер патента: US20020089888A1. Автор: Daisuke Kato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-11.

Semiconductor memory device using VSS or VDD bit line precharge approach without reference cell

Номер патента: US7031213B2. Автор: Kyong-Jun Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-18.

Semiconductor memory device

Номер патента: US5619465A. Автор: Hiroshi Yamamoto,Masami Nakashima,Hidenori Nomura,Kenji Nagai,Isaya Sobue. Владелец: Fujitsu Vlsi Ltd. Дата публикации: 1997-04-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20080084770A1. Автор: Chang-Hyuk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-04-10.

Semiconductor memory device and driving method thereof

Номер патента: US20050249004A1. Автор: Ju-Young Seo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-11-10.

Sense amplifier systems and a matrix-addressable memory device provided therewith

Номер патента: AU2004222869A1. Автор: Geirr I. Leistad,Robert Schweickert. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2004-10-07.

Memory device with charge-recycling arrangement

Номер патента: US20210295881A1. Автор: Hung-Chang Yu,Ta-Ching Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20030151085A1. Автор: Kohichi Kuroki. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-08-14.

Memory device layout with intersecting region between sub-wordline and sense amplifier

Номер патента: US12094520B2. Автор: Harish Gadamsetty,John A. Winegard. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Reference circuit to compensate for PVT variations in single-ended sense amplifiers

Номер патента: US09478275B2. Автор: Roland Thewes. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2016-10-25.

Amplifying circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09455002B2. Автор: Sung-Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Apparatuses and methods for single-ended sense amplifiers

Номер патента: US12051460B2. Автор: Tae H. Kim,Christopher J. KAWAMURA,Jiyun Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Sense amplifier systems and a matrix-addressable memory device provided therewith

Номер патента: EP1606820A1. Автор: Geirr I. Leistad,Robert Schweickert. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2005-12-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: EP1619690A3. Автор: Hitoshi Ikeda,Shinya Fujioka,Masato Matsumiya. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-10-17.

Memory device

Номер патента: US20240005979A1. Автор: Ying-Te Tu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Voltage sense amplifier and methods for implementing the same

Номер патента: WO1998048424A1. Автор: Scott T. Becker,Steve P. Kornachuk. Владелец: Artisan Components, Inc.. Дата публикации: 1998-10-29.

Sense Amplifier Circuitry and Threshold Voltage Compensation

Номер патента: US20240290376A1. Автор: Yuan He,Shinichi Miyatake,Hiroki Fujisawa,Wenlun Zhang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Sense amplifier

Номер патента: US20010038564A1. Автор: Michael Verbeck. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-08.

Data output circuit of semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: US20070133313A1. Автор: Kwang Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-06-14.

Reversed bias compensation for sense amplifier operation

Номер патента: US20200098402A1. Автор: Shinichi Miyatake. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-03-26.

Memory device

Номер патента: US12125522B2. Автор: Young Hun Seo,Mi Ji JANG,Kyeong Tae NAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Non-volatile memory device with a plurality of cache latches and switches and method for operating non-volatile memory device

Номер патента: US09997250B2. Автор: Kang-Woo PARK,Eun-Ji Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Circuit for driving sense amplifier of semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09620197B1. Автор: Young-Seok Park,Soo-bong Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-11.

Voltage generation circuit, semiconductor memory device including the same, and method for driving the same

Номер патента: US09508398B1. Автор: Jae-Boum Park,Yoon-Jae Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor memory device having calibration circuitry for dual-gate transistors associated with a memory array

Номер патента: US09455001B1. Автор: Michael C. Stephens, Jr.. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-09-27.

Sense amplifier systems and a matrix-addressable memory device provided therewith

Номер патента: WO2004086406A8. Автор: Geirr I Leistad,Robert Schweickert. Владелец: Robert Schweickert. Дата публикации: 2006-04-20.

Current sense amplifiers, memory devices and methods

Номер патента: US09659631B2. Автор: Hoon Choi,Seong-Hoon Lee,Jongtae Kwak,Onegyun Na. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor memory device capable of detecting write completion at high speed

Номер патента: US8040735B2. Автор: Mitsuaki Honma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-10-18.

Input/output line sense amplifiers and/or input/output line drivers in semiconductor memory devices and methods of operating such devices

Номер патента: US20050068833A1. Автор: Jung-hwan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-03-31.

Reference circuit to compensate for pvt variations in single-ended sense amplifiers

Номер патента: WO2014057033A1. Автор: Roland Thewes. Владелец: SOITEC. Дата публикации: 2014-04-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20110216616A1. Автор: Tai-Young Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-08.

Memory device with recycling arrangement for gleaned charge

Номер патента: US20200098403A1. Автор: Hung-Chang Yu,Ta-Ching Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-26.

Memory device and method of operating same

Номер патента: US20180151203A1. Автор: Hung-Chang Yu,Ta-Ching Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-31.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20180082733A1. Автор: Tsutomu Tezuka,Keiji Ikeda,Chika Tanaka,Toshinori Numata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

Memory device

Номер патента: US20230298673A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Sense amplifier and semiconductor memory device employing the same

Номер патента: US20160181993A1. Автор: Seongook JUNG,Hanwool Jeong,Young Hwi YANG,Kyoman KANG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2016-06-23.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09978441B2. Автор: Tsutomu Tezuka,Keiji Ikeda,Chika Tanaka,Toshinori Numata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Memory device including memory cell for generating reference voltage

Номер патента: US09972371B2. Автор: Soo-ho Cha,Chankyung Kim,Sungchul Park,Kwangchol CHOE,Hoyoung SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Data sense amplification circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09947385B1. Автор: Hae-Rang Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Reconfigurable sense amplifier for a memory device

Номер патента: US09761316B2. Автор: Francois Tailliet,Victorien Brecte. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2017-09-12.

Sense amplifier circuit and semiconductor memory device

Номер патента: US09659607B2. Автор: Kazutaka Taniguchi,Hidetoshi Ozoe,Yasuhiro Tonda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Sense amplifier and semiconductor memory device employing the same

Номер патента: US09576623B2. Автор: Seongook JUNG,Hanwool Jeong,Young Hwi YANG,Kyoman KANG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2017-02-21.

Memory device and method thereof

Номер патента: US09530463B1. Автор: Bruce Lee Morton. Владелец: TAGMATECH LLC. Дата публикации: 2016-12-27.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US09524758B2. Автор: Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Bit-line sense amplifier capable of compensating mismatch between transistors, and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09431071B2. Автор: Jong-Ho Moon,Tai-Young Ko,Hyung-Sik You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor Memory Device for Simultaneously Performing Read Access and Write Access

Номер патента: US20080259692A1. Автор: Sang Hoon Hong. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2008-10-23.

Memory sense amplifier trimming

Номер патента: US20240170031A1. Автор: Yi-Chun Shih,Chia-Fu Lee,Yu-Der Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Bitline sense amplifier and a memory device

Номер патента: US20240221824A1. Автор: Seok Jae LEE,Kyoung Min Kim,Sang Wook Park,Dong Geon Kim,Bok-yeon Won,Young-Il Lim,In Seok BAEK,Myeong Sik Ryu,Soo Bong CHANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Local sense amplifier in memory device

Номер патента: US20070195625A1. Автор: Sang-Bo Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-23.

Local sense amplifier in memory device

Номер патента: US7423896B2. Автор: Sang-Bo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-09-09.

Reduced area sense amplifier isolation layout in a dynamic RAM architecture

Номер патента: US20020191461A1. Автор: Brent Keeth. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-19.

Reduced area sense amplifier isolation layout in a dynamic ram architecture

Номер патента: WO1997008700A1. Автор: Brent Keeth. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 1997-03-06.

Reduced area sense amplifier isolation layout in a dynamic ram architecture

Номер патента: US20020110015A1. Автор: Brent Keeth. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-15.

Bit line sense amplifier and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US12051461B2. Автор: Sunyoung Kim,Younghun Seo,Hoseok LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-30.

Circuit and method of controlling input/output sense amplifier of a semiconductor memory device

Номер патента: US20080008011A1. Автор: Jong-Hyoung Lim,Jang-Won Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-10.

Bit line sense amplifier and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20240339153A1. Автор: Sunyoung Kim,Younghun Seo,Hoseok LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-10.

Memory Device with Progressive Row Reading and Related Reading Method

Номер патента: US20180047455A1. Автор: Giovanni Campardo,Salvatore Polizzi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-02-15.

Non-volatile memory device with current injection sensing amplifier

Номер патента: EP2831885A1. Автор: Yao Zhou,Xiaozhou QIAN,Ning BAI. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2015-02-04.

Memory device with progressive row reading and related reading method

Номер патента: US09805810B1. Автор: Giovanni Campardo,Salvatore Polizzi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-10-31.

Sense amplifier for memory device

Номер патента: US09792962B1. Автор: Francesco La Rosa,Gineuve Alieri. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of operating memory device and refresh method of the same

Номер патента: US09589625B2. Автор: Hyun-Ki Kim,Hyung-Sik You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Sense amplifiers for wider i/o memory devices

Номер патента: US20200227110A1. Автор: Yutaka Nakamura. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

Memory device with high charging voltage bit line

Номер патента: US20040174758A1. Автор: Chieng-Chung Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2004-09-09.

Voltage controlleer and memory device including same

Номер патента: US20210110860A1. Автор: Jaewoo JEONG,Byongmo Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-15.

Sub-sense amplifier and semiconductor memory device

Номер патента: US20220399051A1. Автор: Hisayuki Nagamine. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-12-15.

Memory device with progressive row reading and related reading method

Номер патента: US10002672B2. Автор: Giovanni Campardo,Salvatore Polizzi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-06-19.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20110103152A1. Автор: Koji Hosono,Masahiro Yoshihara,Toshiaki Edahiro. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-05-05.

Data Transmission Circuit and Memory Device

Номер патента: US20240265952A1. Автор: Weibing SHANG,Xiaoqing SHI,Xianjun Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Data sense amplifier and a memory device with open or folded bit line structure

Номер патента: US09990962B2. Автор: Dong-Keun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Low power consumption memory device

Номер патента: US09928888B1. Автор: Yi-Tzu Chen,Hau-Tai Shieh,Anjana Singh,Che-Ju Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Memory device and method of operating same

Номер патента: US09875774B1. Автор: Hung-Chang Yu,Ta-Ching Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09524789B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09472297B2. Автор: Sang Oh Lim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Memory device having I/O sense amplifier with variable current gain

Номер патента: US6314029B1. Автор: Sang-Jae Rhee,Tae-Young Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-11-06.

Sense amplifier for multilevel non-volatile integrated memory devices

Номер патента: WO2003044803A3. Автор: Shahzad Khalid. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2003-08-28.

Sense amplifier for multilevel non-volatile integrated memory devices

Номер патента: EP1446807A2. Автор: Shahzad Khalid. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2004-08-18.

Semiconductor memory device having input/output sense amplification circuit with reduced junction loading and circuit layout area

Номер патента: US20080198680A1. Автор: Ki Chon PARK. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-08-21.

Sense amplifier for multilevel non-volatile integrated memory devices

Номер патента: EP1446807A4. Автор: Shahzad Khalid. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2005-11-30.

Sense amplifier for multilevel non-volatile integrated memory devices

Номер патента: WO2003044803A2. Автор: Shahzad Khalid. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2003-05-30.

Sense amplifier circuit, method for operating same, and fabrication method for same

Номер патента: US12100440B2. Автор: Qinghua Han. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor memory device

Номер патента: US5848011A. Автор: Yoshiaki Takeuchi,Masaru Koyanagi,Kazuyoshi Muraoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-12-08.

Quasi-volatile memory with enhanced sense amplifier operation

Номер патента: US11848056B2. Автор: Raul Adrian Cernea. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2023-12-19.

Semiconductor memory device

Номер патента: US8902675B2. Автор: Teruo Takagiwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20130235676A1. Автор: Teruo Takagiwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-12.

Quasi-volatile memory with enhanced sense amplifier operation

Номер патента: US20220180943A1. Автор: Raul Adrian Cernea. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2022-06-09.

Sense amplifier circuit, memory device, and operation method thereof

Номер патента: EP4042422A1. Автор: Weibing SHANG,Kanyu Cao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-08-17.

Techniques for reducing disturbance in a semiconductor memory device

Номер патента: US20140056090A1. Автор: David Kim,Jungtae Kwon,Sunil Bhardwaj. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-02-27.

Techniques for reducing disturbance in a semiconductor memory device

Номер патента: US09812179B2. Автор: David Kim,Jungtae Kwon,Sunil Bhardwaj. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor memory device and a method of operating a bit line sense amplifier of the same

Номер патента: US9704545B2. Автор: Ki-Seok OH,Jonghyun Choi,Seong-Heon Yu,Dongwoo Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor memory device having power line arranged in a meshed shape

Номер патента: US5815454A. Автор: Shigeki Tomishima,Hideto Hidaka,Kazutami Arimoto,Mikio Asakura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-09-29.

Apparatuses and methods for performing operations using sense amplifiers and intermediary circuitry

Номер патента: US11783872B2. Автор: Glen E. Hush,Richard C. Murphy,Honglin Sun. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Sense amplifier circuit, memory device, and operation method thereof

Номер патента: US20220270653A1. Автор: Weibing SHANG,Kanyu Cao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-08-25.

Semiconductor memory device having memory chip bonded to a cmos chip including a peripheral circuit

Номер патента: US20230402087A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Apparatuses and methods for performing operations using sense amplifiers and intermediary circuitry

Номер патента: US20210035615A1. Автор: Glen E. Hush,Richard C. Murphy,Honglin Sun. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Apparatuses and methods for performing operations using sense amplifiers and intermediary circuitry

Номер патента: EP4004920A1. Автор: Glen E. Hush,Richard C. Murphy,Honglin Sun. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-01.

Apparatuses and methods for performing operations using sense amplifiers and intermediary circuitry

Номер патента: WO2021021288A1. Автор: Glen E. Hush,Richard C. Murphy,Honglin Sun. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-02-04.

Capacitively isolated mismatch compensated sense amplifier

Номер патента: WO2010074833A1. Автор: John E. Barth, Jr.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2010-07-01.

Sense amplifier random noise stress

Номер патента: WO2017136106A1. Автор: Chulmin Jung,Sei Seung Yoon,Fahad Ahmed,Keejong Kim. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-08-10.

Memory with redundant sense amplifier

Номер патента: US20140269025A1. Автор: Michael R. Seningen,Michael E. Runas. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

Low power memory device

Номер патента: US20150279435A1. Автор: Chih-Cheng Hsiao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-10-01.

Semiconductor memory device for reducing chip size

Номер патента: US6804163B2. Автор: Yun-sang Lee,Jung-Bae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-10-12.

Settable digital cmos differential sense amplifier

Номер патента: US20020030514A1. Автор: Daniel Bailey,Mark Matson. Владелец: Compaq Information Technologies Group LP. Дата публикации: 2002-03-14.

Sense amplifier

Номер патента: WO2015042752A1. Автор: Lorenzo Bedarida,Xiaobao Wang,Sheng Huang,Emmanuel Racape. Владелец: ATMEL CORPORATION. Дата публикации: 2015-04-02.

Sense amplifier

Номер патента: US09444408B2. Автор: Lorenzo Bedarida,Xiaobao Wang,Sheng Huang,Emmanuel Racape. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Low power memory device

Номер патента: US09431073B2. Автор: Chih-Cheng Hsiao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor memory device operating at a low level power supply voltage

Номер патента: US6088275A. Автор: Hidehiko Tanaka. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2000-07-11.

Potential difference transmission device and semiconductor memory device using the same

Номер патента: US5672987A. Автор: Tsuguyasu Hatsuda,Isao Tanaka. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1997-09-30.

Semiconductor memory device and method of testing the same

Номер патента: US20140226422A1. Автор: Suk Min Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-08-14.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US20240161788A1. Автор: Chia-Fu Chang. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Layout for equalizer and data line sense amplifier employed in a high speed memory device

Номер патента: US20070041256A1. Автор: Chi-wook Kim,Soo-bong Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-02-22.

Memory device

Номер патента: US20240203465A1. Автор: Takeharu Imai,Tengai Kubo. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Sense amplifier, memory and control method

Номер патента: US12033690B2. Автор: Hsin-Cheng Su. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Sense amplifier random noise stress

Номер патента: EP3411879A1. Автор: Chulmin Jung,Sei Seung Yoon,Fahad Ahmed,Keejong Kim. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-12-12.

Timed sense amplifier circuits and methods in a semiconductor memory

Номер патента: US20170221551A1. Автор: Chulmin Jung,Sei Seung Yoon,Fahad Ahmed,Keejong Kim. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-08-03.

Self-calibrating sense amplifier strobe

Номер патента: EP1516341A1. Автор: Ajay Bhatia,Shashank Shastry,Michael C. Braganza,Shannon V. Morton. Владелец: Silicon Graphics Inc. Дата публикации: 2005-03-23.

Self-calibrating sense amplifier strobe

Номер патента: WO2004003920A1. Автор: Ajay Bhatia,Shashank Shastry,Michael C. Braganza,Shannon V. Morton. Владелец: Silicon Graphics, Inc.. Дата публикации: 2004-01-08.

Bit line sense amplifier and memory device including the same

Номер патента: US20230121199A1. Автор: Seongjin Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-20.

Sense amplifier having a high operation speed and a low power consumption

Номер патента: US5675535A. Автор: Toshikatsu Jinbo. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-10-07.

Sense Amplifier

Номер патента: US20160380596A1. Автор: Lorenzo Bedarida,Xiaobao Wang,Sheng Huang,Emmanuel Racape. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2016-12-29.

Sense Amplifier

Номер патента: US20160204746A1. Автор: Lorenzo Bedarida,Xiaobao Wang,Sheng Huang,Emmanuel Racape. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2016-07-14.

Apparatuses including a memory array with separate global read and write lines and/or sense amplifier region column select line and related methods

Номер патента: US20160071556A1. Автор: John F. Schreck,Harish N. Venkata,Mansour Fardad. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-03-10.

DRAM sense amplifier having pre-charged transistor body nodes

Номер патента: US20030026153A1. Автор: Greg Blodgett. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-06.

Circuit providing compensated power for sense amplifier and driving method thereof

Номер патента: US20090161463A1. Автор: Jun Gi Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-06-25.

Sense amplifier drive circuit

Номер патента: US20020079931A1. Автор: Young Pyo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-06-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20210118481A1. Автор: HIROSHI Yoshioka. Владелец: Fujitsu Semiconductor Memory Solution Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Bit line sense amplifier and memory device including the same

Номер патента: US12087351B2. Автор: Seongjin Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

DRAM sense amplifier having pre-charged transistor body nodes

Номер патента: US6618308B2. Автор: Greg A. Blodgett. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-09-09.

Timed sense amplifier circuits and methods in a semiconductor memory

Номер патента: US09959912B2. Автор: Chulmin Jung,Sei Seung Yoon,Fahad Ahmed,Keejong Kim. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Sense amplifier

Номер патента: US09621112B2. Автор: Lorenzo Bedarida,Xiaobao Wang,Sheng Huang,Emmanuel Racape. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

On-the-fly trimmable sense amplifier

Номер патента: US09431072B2. Автор: Yao Zhou,Xiaozhou QIAN. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Sense amplifiers, memories, and apparatuses and methods for sensing a data state of a memory cell

Номер патента: US09406353B2. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-02.

Differential sense amplifier circuit for high speed ROMS, and flash memory devices

Номер патента: US4903237A. Автор: Kameswara K. Rao. Владелец: Catalyst Semiconductor Inc. Дата публикации: 1990-02-20.

Systems and methods for controlling common mode level for sense amplifier circuitry

Номер патента: US20240055044A1. Автор: Ki-Jun Nam. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor memory device and sense amplifier

Номер патента: US20130064028A1. Автор: Atsushi Kawasumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-03-14.

Memory device and method for forming sense amplifiers of memory device

Номер патента: US20230298635A1. Автор: Chun-Yen Lin,Cheng-Chang Chen,Chih-Chieh Chiu. Владелец: Sonic Star Global Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20010005325A1. Автор: Takashi Obara,Yasushi Matsubara,Yasuji Koshikawa,Yukio Fukuzo,Makoto Kitayama,Toru Chonan,Hideki Mitou. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-06-28.

Bit line sense amplifier and bit line sensing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20230395102A1. Автор: Keewon Kwon,Chaehwan PARK. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-12-07.

Programmable logic device having a sense amplifier with varying capabilities

Номер патента: WO1998003976A1. Автор: Howard Benjamin Ashmore, Jr.. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 1998-01-29.

Semiconductor memory device for reducing chip size

Номер патента: US20030174571A1. Автор: Yun-sang Lee,Jung-Bae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-09-18.

Sense amplifier layout

Номер патента: EP1320891A2. Автор: Gunther Lehmann,Armin Reith,Tina Leidinger. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-06-25.

Apparatuses and methods for logic/memory devices

Номер патента: US20240194247A1. Автор: Richard C. Murphy. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-06-13.

Apparatuses and methods for logic/memory devices

Номер патента: EP3427263A1. Автор: Richard C. Murphy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-16.

Sense amplifier with digit line multiplexing

Номер патента: US20230352080A1. Автор: Daniele Vimercati,Eric Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Sense amplifier used in electrically erasable programmable read-only memory and the implementing method thereof

Номер патента: US20100014356A1. Автор: LIANG Xu,Xiang Yao,Nan Wang,Zi WANG,Li Zhaogui. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-21.

Memory device with charge-recycling arrangement and method of operating the same

Номер патента: US20230178120A1. Автор: Hung-Chang Yu,Ta-Ching Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Apparatuses and methods for logic/memory devices

Номер патента: US20180294027A1. Автор: Richard C. Murphy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-11.

Sense amplifier layout

Номер патента: WO2002029894A3. Автор: Gunther Lehmann,Armin Reith,Tina Leidinger. Владелец: Infineon Technologies Corp. Дата публикации: 2003-02-06.

Sense amplifier layout

Номер патента: WO2002029894A2. Автор: Gunther Lehmann,Armin Reith,Tina Leidinger. Владелец: Infineon Technologies North America Corp.. Дата публикации: 2002-04-11.

Memory device, related method, and related electronic device

Номер патента: US20170110167A1. Автор: Hong Yu,Hao Ni,Yi Jin Kwon,Chuntian YU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-04-20.

Sense amplifier with digit line multiplexing

Номер патента: US12073870B2. Автор: Daniele Vimercati,Eric Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory and sense amplifying device thereof

Номер патента: US12094543B2. Автор: Chung-Zen Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Processing in memory (PIM) capable memory device having sensing circuitry performing logic operations

Номер патента: US09997232B2. Автор: Richard C. Murphy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Memory device, related method, and related electronic device

Номер патента: US09953689B2. Автор: Hong Yu,Hao Ni,Yi Jin Kwon,Chuntian YU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Current-mode sense amplifier and reference current circuitry

Номер патента: US09767872B2. Автор: Alexander Fritsch,Rolf Sautter,Michael Kugel,Gerhard Hellner. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor memory device, method for designing semiconductor memory device, and recording medium having designing method recorded therein

Номер патента: US09639649B2. Автор: Satoshi Yamano,Jumpei Sato,Tsuyoshi ETOU,Osamu OOTO,Souichi MINEMURA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Single ended bitline current sense amplifier for SRAM applications

Номер патента: US09589604B1. Автор: Juergen Pille,Alexander Fritsch,Shankar Kalyanasundaram,Michael Kugel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Current-mode sense amplifier and reference current circuitry

Номер патента: US09564188B2. Автор: Alexander Fritsch,Rolf Sautter,Michael Kugel,Gerhard Hellner. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor memory device having sense amplifier having improved activation timing thereof and operating method thereof

Номер патента: US4916671A. Автор: Tetsuichiro Ichiguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1990-04-10.

Memory devices having sense amplifiers therein that support offset compensation and methods of operating same

Номер патента: US20240029782A1. Автор: Sun Young Kim,Dongil LEE,Younghun Seo,Hoseok LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Balanced sense amplifier control for open digit line architecture memory devices

Номер патента: US20020131311A1. Автор: Stephen Porter,Scott Derner,Scot Graham. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-19.

Current sense amplifiers, memory devices and methods

Номер патента: US20170249985A1. Автор: Hoon Choi,Seong-Hoon Lee,Jongtae Kwak,Onegyun Na. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-31.

Balanced sense amplifier control for open digit line architecture memory devices

Номер патента: US20030081476A1. Автор: Stephen Porter,Scott Derner,Scot Graham. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-01.

Edge memory array mats with sense amplifiers

Номер патента: US11783887B2. Автор: Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Method and apparatus for measuring the offset voltages of SRAM sense amplifiers

Номер патента: US5896332A. Автор: Jeffery C. Brauch. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1999-04-20.

Semiconductor device with sense amplifier for memory cells

Номер патента: US7242628B2. Автор: Tadashi Haruki. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-07-10.

Sense amplifier and operation method thereof

Номер патента: US20230298660A1. Автор: Han-Wen Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Reference Averaging for MRAM Sense Amplifiers

Номер патента: US20130176773A1. Автор: Pokang Wang,Perng-Fei Yuh,Lejan Pu. Владелец: Headway Technologies Inc. Дата публикации: 2013-07-11.

Sense-amplifier monotizer

Номер патента: US20120154188A1. Автор: Samuel D. Naffziger,Visvesh S. Sathe,Srikanth Arekapudi. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2012-06-21.

DRAM sense amplifier that supports low memory-cell capacitance

Номер патента: US9437280B2. Автор: Gary B. Bronner,Thomas Vogelsang. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2016-09-06.

Dram sense amplifier that supports low memory-cell capacitance

Номер патента: WO2011068694A3. Автор: Gary B. Bronner,Thomas Vogelsang. Владелец: RAMBUS INC.. Дата публикации: 2011-11-24.

Sense amplifier output control circuit

Номер патента: US20020041521A1. Автор: Kyu-Ha Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-04-11.

DRAM memory with a shared sense amplifier structure

Номер патента: US20040208073A1. Автор: Manfred Proell,Stephan Schroeder,Marcin Gnat,Aurel Campenhausen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-10-21.

Method for controlling sense amplifier and control device using the same

Номер патента: US20240055031A1. Автор: JEN-CHIEH LIU,Meng-Fan Chang,Jui-Jen Wu,Win-San Khwa,Yi-Lun Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Sense amplifier and input/output circuit of semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US09875775B2. Автор: Jong Su Kim,Yong Sung Lee,Dong Jae Lee,Deok Won KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Sense amplifier in low power and high performance SRAM

Номер патента: US09799395B2. Автор: Vinod Menezes. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Sense amplifier of semiconductor device

Номер патента: US09767871B2. Автор: Bum Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Current-mode sense amplifier

Номер патента: US09761286B2. Автор: Juergen Pille,Dieter Wendel,Alexander Fritsch,Michael Kugel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

DRAM sense amplifier that supports low memory-cell capacitance

Номер патента: US09437280B2. Автор: Gary B. Bronner,Thomas Vogelsang. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2016-09-06.

Sense amplifier for a memory device

Номер патента: US5126974A. Автор: Katsuro Sasaki,Koichiro Ishibashi,Katsuhiro Shimohigashi,Shoji Hanamura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1992-06-30.

Semiconductor memory device

Номер патента: US5311469A. Автор: Kazuhiko Takahashi,Masami Masuda,Satoru Hoshi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-05-10.

Sense amplifier structure for multilevel non-volatile memory devices and corresponding reading method

Номер патента: EP1324344A1. Автор: Emanuele Confalonieri. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2003-07-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US5555210A. Автор: Yoshiharu Kato. Владелец: Fujitsu Vlsi Ltd. Дата публикации: 1996-09-10.

Memory device having a simplified sense amplifier with a buffer conductive during both precharge and read operations

Номер патента: US4811300A. Автор: Michel Lanfranca. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1989-03-07.

Dynamic type semiconductor memory device having function of compensating for threshold value

Номер патента: US6130845A. Автор: Isao Naritake,Tetsuya Ootsuki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-10-10.

Circuit for driving sense amplifier of semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20170103799A1. Автор: Young-Seok Park,Soo-bong Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-13.

Memory cell sensing based on precharging an access line using a sense amplifier

Номер патента: US10692564B2. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-23.

Memory devices having sense amplifiers therein that support offset cancellation and methods of operating same

Номер патента: US20240062806A1. Автор: Eunki Hong,Minsoo Jang,Seungki HONG,Jaeseong Lim,Jinsol PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor memory device having segmented cell bit line

Номер патента: EP4326023A2. Автор: Sang-Yun Kim,Younghun Seo,Juwon LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-21.

Semiconductor memory device and method of driving the same

Номер патента: US20110188333A1. Автор: Jung-han Kim,Jong Doo Joo,Cheol Ha Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-04.

Memory device including arithmetic circuit and neural network system including the same

Номер патента: US20200160157A1. Автор: Soon-Young Kim,Chan-kyung Kim,Sang-Kil Lee,Young-Nam Hwang,Jin-Min Kim,Jae-Hong Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240105270A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Memory cell sensing based on precharging an access line using a sense amplifier

Номер патента: US20200335152A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-22.

Memory cell sensing based on precharging an access line using a sense amplifier

Номер патента: US20200118613A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor memory device capable of detecting write completion at high speed

Номер патента: US20100008157A1. Автор: Mitsuaki Honma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-14.

Memory device with test mode for controlling of bitline sensing margin time

Номер патента: US20040218438A1. Автор: Chang-Ho Do. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-11-04.

Semiconductor memory device having segmented cell bit line

Номер патента: EP4326023A3. Автор: Sang-Yun Kim,Younghun Seo,Juwon LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-05.

Memory device

Номер патента: US11984153B2. Автор: Ying-Te Tu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor memory device having segmented cell bit line

Номер патента: US20240064973A1. Автор: Sang-Yun Kim,Younghun Seo,Juwon LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-22.

Sense amplifier, memory, and control method

Номер патента: EP4092673A1. Автор: Hsin-Cheng Su. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-23.

Input/output sense amplifier and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US20130293300A1. Автор: Kyu Nam LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-11-07.

Sense amplifier circuit

Номер патента: US8503252B2. Автор: Yuan-Long Siao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-08-06.

Memory device and method of operating same

Номер патента: US20190103142A1. Автор: Hung-Chang Yu,Ta-Ching Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-04.

Semiconductor memory device

Номер патента: EP2793231A3. Автор: Hitoshi Ikeda,Shinya Fujioka,Masato Matsumiya. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-02-25.

Semiconductor memory device with a triple well structure

Номер патента: US20010006247A1. Автор: Akemi Maruyama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-07-05.

Semiconductor memory device with a triple well structure

Номер патента: US6404036B2. Автор: Akemi Maruyama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-06-11.

Sense amplifier, memory, and control method

Номер патента: US12112825B2. Автор: Hsin-Cheng Su. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09728239B2. Автор: Masahiro Takahashi,Tsuneo Inaba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Reciprocal quantum logic (RQL) sense amplifier

Номер патента: US09646682B1. Автор: Donald L. Miller,Quentin P. Herr,Anna Y. Herr. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Self-timed, single-ended sense amplifier

Номер патента: US09542981B2. Автор: Igor Arsovski,Travis R. Hebig. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor memory device with sense amplifiers

Номер патента: US4748596A. Автор: Yasuo Itoh,Mitsugi Ogura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1988-05-31.

Semiconductor dynamic memory device

Номер патента: USRE35953E. Автор: Tomio Nakano,Yoshiro Takemae. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1998-11-10.

Sense amplifier for complementary or non-complementary data signals

Номер патента: US6005816A. Автор: Troy A. Manning,Chris G. Martin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-12-21.

Sense amplifier power-gating technique for integrated circuit memory devices and those devices incorporating embedded dynamic random access memory (DRAM)

Номер патента: US7248522B2. Автор: Kim C. Hardee. Владелец: United Memories Inc. Дата публикации: 2007-07-24.

Sense amplifier and control method therefor, memory read-write circuit and memory

Номер патента: EP4020473A1. Автор: Weibing SHANG,Kanyu Cao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-06-29.

Semiconductor memory device for minimizing mismatch of sense amplifier

Номер патента: US20120213025A1. Автор: Dong Chul Koo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-08-23.

Memory device, memory cell read circuit, and control method for mismatch compensation

Номер патента: US20240087617A1. Автор: Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20210005243A1. Автор: Whiyoung BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-07.

Semiconductor memory device having a develop reference voltage generator for sense amplifiers

Номер патента: US20070047331A1. Автор: Dong-Su Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-01.

Sense Amplifier Circuit

Номер патента: US20120307571A1. Автор: Yuan-Long Siao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-12-06.

Memory circuit with sense amplifier calibration mechanism

Номер патента: US20230267973A1. Автор: Chih-Ming Lai,Chih-Sheng Lin,Tuo-Hung Hou,Yu-Hui Lin,Jian-Wei Su,Fu-Cheng TSAI. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2023-08-24.

Sense amplifier, memory, and control method

Номер патента: US20240005967A1. Автор: Hsin-Cheng Su. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20200372947A1. Автор: Wan Seob LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-11-26.

Semiconductor memory device

Номер патента: US8111560B2. Автор: Sun Young Hwang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-02-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20100085818A1. Автор: Sun Young Hwang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-04-08.

Sense amplifier with adaptive reference generation

Номер патента: US20040213065A1. Автор: Esin Terzioglu,Gil Winograd,Morteza Afghahi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-28.

Sense amplifier with adaptive reference generation

Номер патента: US20040151046A1. Автор: Esin Terzioglu,Gil Winograd,Morteza Afghahi. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2004-08-05.

Magnetic random access memory using current sense amplifier for reading cell data and related method

Номер патента: US09916883B2. Автор: Sergiy Romanovskyy. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Metal-oxide semiconductor (MOS) transistor offset-cancelling (OC), zero-sensing (ZS) dead zone, current-latched sense amplifiers (SAs) (CLSAs) (OCZS-SAs) for sensing differential voltages

Номер патента: US09852783B1. Автор: Jung Pill Kim,Seung Hyuk KANG,Seong-Ook Jung,Taehui Na,Byung Kyu Song. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2017-12-26.

Sense amplifier circuits and methods of operation

Номер патента: US09697891B2. Автор: Bharath Upputuri. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Single-ended memory device with differential sensing

Номер патента: US09679637B1. Автор: Kuoyuan Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20200051640A1. Автор: Takuya Futatsuyama,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-02-13.

Bit line control circuit for semiconductor memory device

Номер патента: US20070070706A1. Автор: Khil-Ohk Kang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-03-29.

Layouts for sense amplifiers and related apparatuses and systems

Номер патента: US20210407578A1. Автор: Yuko Watanabe,Takefumi Shirako. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Data read-out circuit in semiconductor memory device and method of data reading in semiconductor memory device

Номер патента: US20120072804A1. Автор: Satoru Oku. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-03-22.

Memory device

Номер патента: US20240161810A1. Автор: Seung-Jun Lee,Younghun Seo,Hoseok LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020024853A1. Автор: Koji Matsuura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-02-28.

Semiconductor memory device for reducing bit line coupling noise

Номер патента: US20110182099A1. Автор: Sang-Yun Kim,Tai-Young Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-28.

Sense amplifier, memory, and control method

Номер патента: US20220310134A1. Автор: Hsin-Cheng Su. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Low power sense amplifier for a flash memory system

Номер патента: EP3384497A1. Автор: Xiaozhou QIAN,Kai Man Yue,Qing Rao,Xiao Yan Pi,Lisa BIAN. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-10.

Sense amplifier, semiconductor device, operation method thereof, and electronic device

Номер патента: US12040009B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Sense amplifier, semiconductor device, operation method thereof, and electronic device

Номер патента: US20200168266A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-28.

Sense amplifier design

Номер патента: US5737274A. Автор: Satish C. Saripella,Jeffery Scott Hunt. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 1998-04-07.

Apparatuses and methods for compensated sense amplifier with cross coupled N-type transistors

Номер патента: US12080336B2. Автор: Tae H. Kim,Christopher J. KAWAMURA,Jiyun Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Single ended output sense amplifier circuit with reduced power consumption and noise

Номер патента: US20040004881A1. Автор: Naren Sahoo. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2004-01-08.

Sense amplifier, memory, and control method

Номер патента: US12094562B2. Автор: Hsin-Cheng Su. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Sense Amplifier Scan Capture Circuit with Reduced Sense Amplifier Offset

Номер патента: US20240321376A1. Автор: Rahul Sahu,Debarghya DUTTA,Ramakoti NIMMAKAYALA. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Sensing amplifier, method and controller for sensing memory cell

Номер патента: US20240321325A1. Автор: Yih Wang,Hiroki Noguchi,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Single-ended sense amplifier

Номер патента: US10971196B1. Автор: Jinn-Shyan Wang,Chien-Tung Liu. Владелец: NATIONAL CHUNG CHENG UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-04-06.

Memory device sensing circuit

Номер патента: US09947392B1. Автор: Kuoyuan Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Layout method for bit line sense amplifier driver

Номер патента: US6661722B2. Автор: Jong-Hyun Choi,Jae-Young Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-12-09.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US6108259A. Автор: Young-Ho Lim,Soo-Hwan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-08-22.

Sense amplifier circuitry

Номер патента: US5528543A. Автор: Harvey J. Stiegler. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1996-06-18.

ROM type semiconductor memory device with large operating margin

Номер патента: US5717640A. Автор: Kiyokazu Hashimoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-02-10.

Memory device comprising double cascode sense amplifiers

Номер патента: US9564181B2. Автор: Kerry Tedrow. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Nonvolatile semiconductor memory circuit including a reliable sense amplifier

Номер патента: US5058062A. Автор: Yukio Wada,Tadashi Maruyama,Toshimasa Nakamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1991-10-15.

Low power consuming memory sense amplifying circuitry

Номер патента: US5717633A. Автор: Scott T. Becker,Dhrumil Gandhi,Daniel F. LaBouve. Владелец: Artisan Components Inc. Дата публикации: 1998-02-10.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US20190189220A1. Автор: Yi-Ching Liu,Chih-He Chiang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-20.

Semiconductor device including asymmetric sense amplifier

Номер патента: US8009496B2. Автор: Hyung-seuk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-30.

Semiconductor memory device having memory chip bonded to a CMOS chip including a peripheral circuit

Номер патента: US11783888B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-10.

Bit line sense amplifier, semiconductor memory device and multi bit data sensing method thereof

Номер патента: US20190189192A1. Автор: Kyungryun Kim,Younghun Seo,Soobong Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-20.

Sense amplifier circuit, method for operating same, and fabrication method for same

Номер патента: US20230253030A1. Автор: Qinghua Han. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Timing adjusting circuit and semiconductor memory device

Номер патента: US6876568B2. Автор: HIROSHI Yoshioka,Yutaka Ueda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-04-05.

Bitline sense amplifier and a memory device with an equalizer

Номер патента: US11961551B2. Автор: Seok Jae LEE,Kyoung Min Kim,Sang Wook Park,Dong Geon Kim,Bok-yeon Won,Young-Il Lim,In Seok BAEK,Myeong Sik Ryu,Soo Bong CHANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-16.

Memory sense amplifier trimming

Номер патента: US11923036B2. Автор: Yi-Chun Shih,Chia-Fu Lee,Yu-Der Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Semiconductor device including asymmetric sense amplifier

Номер патента: US20100074041A1. Автор: Hyung-seuk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-03-25.

Reduced area sense amplifier isolation layout in a dynamic RAM architecture

Номер патента: US6577523B2. Автор: Brent Keeth. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-06-10.

Semiconductor memory device for reducing bit line coupling noise

Номер патента: US8467216B2. Автор: Sang-Yun Kim,Tai-Young Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-06-18.

Semiconductor memory device that does not require a sense amplifier

Номер патента: US20150016197A1. Автор: Chih-Cheng Hsiao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-01-15.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20200265889A1. Автор: Mi-Hyun Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-08-20.

Timing adjusting circuit and semiconductor memory device

Номер патента: US20040042300A1. Автор: HIROSHI Yoshioka,Yutaka Ueda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-03-04.

Asymmetric sensing amplifier, memory device and designing method

Номер патента: US20140269110A1. Автор: Cheng Hung Lee,Chia-En HUANG,Fu-An Wu,Chih-Chieh Chiu,Jung-Ping Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-09-18.

Single-Ended Sense Amplifier for Solid-State Memories

Номер патента: US20140119093A1. Автор: Sahilpreet Singh,Disha Singh. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2014-05-01.

Semiconductor memory device and data read method thereof

Номер патента: US20110080795A1. Автор: Suk-Soo Pyo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-04-07.

Memory with reduced capacitance at a sense amplifier

Номер патента: EP4392973A1. Автор: Anil Chowdary Kota,Hochul Lee,Arun Babu PALLERLA. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-07-03.

Self-timed integrating differential current sense amplifier

Номер патента: US20090059672A1. Автор: Thomas Kern. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2009-03-05.

Sense amplifier screen circuit and screen method thereof

Номер патента: US20080159028A1. Автор: Won Jun Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-07-03.

Differential sense amplifier circuit and dynamic logic circuit using the same

Номер патента: EP1111782A2. Автор: Koji Hirairi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-06-27.

Low Power Sense Amplifier For A Flash Memory System

Номер патента: US20170194055A1. Автор: Xiaozhou QIAN,Kai Man Yue,Qing Rao,Xiao Yan Pi,Lisa BIAN. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2017-07-06.

Shared Sense Amplifier and Write Driver

Номер патента: US20170345465A1. Автор: Cheng Hung Lee,Fu-An Wu,Chi-Kai Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-30.

Input/output sense amplifier

Номер патента: US20140062598A1. Автор: Jong Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-03-06.

Input Circuit Devices for Sense Amplifier Circuits

Номер патента: US20200372942A1. Автор: El Mehdi Boujamaa,Cyrille Nicolas Dray. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2020-11-26.

Forming method of sense amplifier and layout structure of sense amplifier

Номер патента: US12106799B2. Автор: Tzung-Han Lee,Chih-Cheng Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Apparatuses and methods including memory cells, digit lines, and sense amplifiers

Номер патента: US20220036940A1. Автор: Tae H. Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Shared sense amplifier and write driver

Номер патента: US09934828B2. Автор: Cheng Hung Lee,Fu-An Wu,Chi-Kai Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Fast and low-power sense amplifier and writing circuit for high-speed MRAM

Номер патента: US09672886B2. Автор: Kang L. Wang,Pedram Khalili Amiri,Hochul Lee,Juan G. Alzate. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2017-06-06.

Sense amplifier and semiconductor device for securing operation margin of sense amplifier

Номер патента: US09627033B2. Автор: Dong Keun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Current mode sense amplifier with load circuit for performance stability

Номер патента: US09484074B2. Автор: Seong-Hoon Lee,Jongtae Kwak,Onegyun Na. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Apparatus and method for sense amplifying

Номер патента: US09418713B2. Автор: Caleb Yu-Sheng Cho,Yu-Fan Lin,Jih-Chen Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Memory bus output driver of a multi-bank memory device and method therefor

Номер патента: EP2082399A2. Автор: Ajay Anant Ingle,Jentsung Lin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2009-07-29.

Sense amplifier with local write drivers

Номер патента: US6088270A. Автор: Kim C. Hardee. Владелец: Nippon Steel Semiconductor Corp. Дата публикации: 2000-07-11.

Fast sense amplifier for small voltage differences

Номер патента: US5905686A. Автор: George B. Raad. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-05-18.

Sense amplifier, memory and method for controlling sense amplifier

Номер патента: US11869624B2. Автор: Jun He,Zhan Ying,Xin Li,Junning Chen,Kanyu Cao,Wenjuan Lu,Chunyu PENG,Zhiting Lin,Xiulong Wu,Yangkuo Zhao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Dram architecture with combined sense amplifier pitch

Номер патента: WO1998033185A1. Автор: Brian M. Shirley. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 1998-07-30.

Sense amplifier, memory and method for controlling sense amplifier

Номер патента: US11315610B1. Автор: Jun He,Zhan Ying,Xin Li,Junning Chen,Kanyu Cao,Zijian Wang,Wenjuan Lu,Chunyu PENG,Zhiting Lin,Xiulong Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-04-26.

DRAM with edge sense amplifiers which are activated along with sense amplifiers internal to the array during a read cycle

Номер патента: US6011737A. Автор: Michael A. Murray,Li-Chun Li,Lawrence C. Liu. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2000-01-04.

Data bus sense amplifier circuit

Номер патента: US7639553B2. Автор: Keun Kook Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-12-29.

Sense amplifier circuit

Номер патента: US5604451A. Автор: Toshikazu Sakata. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1997-02-18.

Read circuit for semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US20100118624A1. Автор: Tetsuya Kaneko. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-05-13.

Memory with redundant sense amplifier

Номер патента: EP2834817A1. Автор: Michael R. Seningen,Michael E. Runas. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2015-02-11.

Self adjusting sense amplifier clock delay circuit

Номер патента: US5682353A. Автор: Boaz Eitan,Larry Willis Petersen,Yaron Slezak. Владелец: Waferscale Integration Inc. Дата публикации: 1997-10-28.

Dynamic random access memory device

Номер патента: US6295241B1. Автор: Fujio Masuoka,Koji Sakui,Kenji Numata,Tsuneaki Fuse,Shigeyoshi Watanabe,Yukihito Oowaki,Masako Ohta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-09-25.

Hybrid sense amplifier and method, and memory device using same

Номер патента: US7990792B2. Автор: Keiichiro Abe,Yukata Ito. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-08-02.

Sense amplifier for programmable logic device having selectable power modes

Номер патента: US5631583A. Автор: Napoleon W. Lee,Wei-Yi Ku. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 1997-05-20.

Input circuit of a non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US7710791B2. Автор: Qi Wang,Hye-jin Kim,Kwang-Jin Lee,Won-seok Lee,Joon Yong Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-05-04.

Dynamic semiconductor memory device with banks capable of operating independently

Номер патента: US5970016A. Автор: Takashi Ohsawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-10-19.

Semiconductor memory device

Номер патента: US5392240A. Автор: Kazuyoshi Muraoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1995-02-21.

Reference voltage generating circuit of sense amplifier using residual data line

Номер патента: US6002616A. Автор: Bong-Hwa Jeong. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1999-12-14.

Sense amplifier optimized lay-out from dynamic random access memories on complementary metal oxide semicondutor

Номер патента: US4825417A. Автор: Seung M. Seo. Владелец: Samsung Semiconductor and Telecomunications Co Ltd. Дата публикации: 1989-04-25.

Dual Sensing Current Latched Sense Amplifier

Номер патента: US20110235449A1. Автор: Nan Chen,Ritu Chaba. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2011-09-29.

Sense amplifier structure for non-volatile memory with neighbor bit line local data bus data transfer

Номер патента: US11901018B2. Автор: Tai-Yuan Tseng,Iris LU,Chia-kai Chou. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-13.

Sense amplifier, memory and method for controlling sense amplifier

Номер патента: US11894047B2. Автор: Jun He,Zhan Ying,Xin Li,Junning Chen,Rumin JI,Wenjuan Lu,Chunyu PENG,Zhiting Lin,Xiulong Wu,Yangkuo Zhao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Sense amplifier, memory and method for controlling sense amplifier

Номер патента: US11929716B2. Автор: Li Zhao,Jun He,Zhan Ying,Xin Li,Junning Chen,Kanyu Cao,Wenjuan Lu,Chunyu PENG,Zhiting Lin,Xiulong Wu,Yangkuo Zhao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Sense amplifier, storage device and read-write method

Номер патента: US11862283B2. Автор: YING Wang,Sunsoo Chi. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Dynamic semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US20200176052A1. Автор: Kwang Hyun Kim,Chul Hwan Choo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-04.

Local sense amplifier and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20060291313A1. Автор: Kee-won Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-12-28.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20140063964A1. Автор: Takuya Futatsuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

Semiconductor memory apparatus having sense amplifier

Номер патента: US20120026773A1. Автор: Myoung Jin LEE. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-02-02.

Power line compensation for flash memory sense amplifiers

Номер патента: US20190355420A1. Автор: Hieu Van Tran. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-21.

Sense amplifier, storage device and read-write method

Номер патента: US20210407558A1. Автор: YING Wang,Sunsoo Chi. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Sense amplifier and method for generating variable reference level

Номер патента: US20050201171A1. Автор: Hong-Seok Kim,Sang-Won Kim,Jeong-Un Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-09-15.

Sense amplifier, memory and method for controlling a sense amplifier

Номер патента: US20220208235A1. Автор: Jun He,Zhan Ying,Xin Li,Junning Chen,Kanyu Cao,Wenjuan Lu,Junlin GE,Chunyu PENG,Zhiting Lin,Xiulong Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-06-30.

Circuit for controlling an enabling time of an internal control signal according to an operating frequency of a memory device and the method thereof

Номер патента: USRE42202E1. Автор: Ji Hyun Kim,Young Jun Nam. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-08.

Dual sensing current latched sense amplifier

Номер патента: EP2550654A1. Автор: Nan Chen,Ritu Chaba. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-01-30.

Dual sensing current latched sense amplifier

Номер патента: WO2011119643A1. Автор: Nan Chen,Ritu Chaba. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2011-09-29.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20010015930A1. Автор: Tsukasa Ooishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-08-23.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20090180343A1. Автор: Tomonori Sekiguchi,Satoru Akiyama,Takayuki Kawahara,Riichiro Takemura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-16.

Memory device architecture coupled to a system-on-chip

Номер патента: US20230005561A1. Автор: Antonino Mondello,Alberto Troia. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Memory device and method of performing a read operation within such a memory device

Номер патента: US20140071776A1. Автор: Yew Keong Chong,Sanjay Mangal. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-03-13.

Magnetic memory device, sense amplifier circuit and method of reading from magnetic memory device

Номер патента: US20060120146A1. Автор: Keiji Koga,Yuji Kakinuma,Joichiro Ezaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2006-06-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20110090736A1. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-04-21.

Semiconductor memory device including circuits with data holding capability and bus for data transmission

Номер патента: US09472296B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Bit line sense amplifier of semiconductor memory device

Номер патента: US5566116A. Автор: Kyung-Woo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1996-10-15.

Dynamic sense amplifier for CMOS static RAM

Номер патента: US4843264A. Автор: Douglas C. Galbraith. Владелец: VISIC Inc. Дата публикации: 1989-06-27.

Memory device and semiconductor device

Номер патента: US09478276B2. Автор: Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductive memory device

Номер патента: WO2022189948A1. Автор: Nezam ROHBANI,Sina DARABI-MOGHADDAM,Hamid SARBAZI-AZAD. Владелец: Sarbazi Azad Hamid. Дата публикации: 2022-09-15.

Semiconductive memory device

Номер патента: US20220328094A1. Автор: Nezam ROHBANI,Sina DARABI-MOGHADDAM,Hamid SARBAZI-AZAD. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-10-13.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20130193507A1. Автор: Tomonori Sekiguchi,Soichiro Yoshida,Yoshimitsu Yanagawa,Akira Kotabe. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-08-01.

Semiconductor memory device and method of inspecting the same

Номер патента: US20100054042A1. Автор: Kazuhiko Miki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-03-04.

Semiconductor device, memory device, and electronic device

Номер патента: US20210343329A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Takanori Matsuzaki,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Flash memory devices with flash fuse cell arrays

Номер патента: US7561486B2. Автор: Tae-Seong Kim,Gyu-Hong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-07-14.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE INCLUDING A SENSE AMPLIFIER ON A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, A MEMORY CELL INCLUDING A CAPACITOR AND A TRANSISTOR INCLUDING CONDUCTIVE LINES ELECTRICALLY CONNECTED TO THE SENSE AMPLIFIER

Номер патента: US20170271341A1. Автор: Ikeda Keiji,Numata Toshinori,Tezuka Tsutomu,Ueda Yoshihiro,Tanaka Chika. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2017-09-21.

Program verify compensation by sensing time modulation in a memory device with a defective deck

Номер патента: US20240185934A1. Автор: Yu-Chung Lien,Zhenming Zhou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

MEMORY DEVICE WITH SWITCHABLE SENSE AMPLIFIER

Номер патента: US20170069368A1. Автор: PARK Young-Seok,WOO JUN-MYUNG. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-09.

SRAM-compatible memory device having three sense amplifiers between two memory blocks

Номер патента: TW200426831A. Автор: Gi-hong Kim,Sun-Hyoung Lee. Владелец: Silicon7 Inc. Дата публикации: 2004-12-01.

Non-volatile memory device with a sense amplifier capable of copying back

Номер патента: EP0642133A2. Автор: Junichi C/O Intellectual Property Div. Miyamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1995-03-08.

Memory device with switchable sense amplifier

Номер патента: US9773544B2. Автор: Young-Seok Park,Jun-Myung Woo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

A dynamic semiconductor memory device using a sense amplifier as a cache memory

Номер патента: KR970003209A. Автор: 타카히로 쭈루다,카쯔타미 아리모토. Владелец: 기다오까 다까시. Дата публикации: 1997-01-28.

Semiconductor memory device having dummy sense amplifiers and methods of utilizing the same

Номер патента: US20070041260A1. Автор: Dong-Min Kim,Sang-Seok Kang,Min-Ki HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-02-22.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: EP4443434A1. Автор: Yohan Lee,Taeyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-09.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240331783A1. Автор: Yohan Lee,Taeyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20070297208A1. Автор: Tatsuya Matano. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-12-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US4409678A. Автор: Yoshihiro Takemae,Fumio Baba. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1983-10-11.

Semiconductor memory device having bit line disturbance preventing unit

Номер патента: US20100110772A1. Автор: Hyun-Bae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-05-06.

Semiconductor memory device and weak cell detection method thereof

Номер патента: US09824776B1. Автор: Youk-Hee Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Multiple sense amplifier and data path-based pseudo dual port sram

Номер патента: US20210287725A1. Автор: Igor Arsovski,Venkatraghavan Bringivijayaraghavan,Sreejith Chidambaran,Arjun Sankar. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2021-09-16.

Memory device and wrap around read method thereof

Номер патента: US20240265954A1. Автор: Chung-Zen Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Apparatus and method for controlling enable time of signal controlling operation of data buses of memory device

Номер патента: US7177228B2. Автор: Ji Hyun Kim,Young Jun Nam. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-02-13.

Memory device, read clock generation circuit, and method for controlling read operation in memory device

Номер патента: US20240339140A1. Автор: Sanjeev Kumar Jain,Atul Katoch. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12062412B2. Автор: Zhao Lu,Yuji Nagai,Masaru Koyanagi,Akio SUGAHARA,Takehisa KUROSAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240347087A1. Автор: Zhao Lu,Yuji Nagai,Masaru Koyanagi,Akio SUGAHARA,Takehisa KUROSAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Self-timer for sense amplifier in memory device

Номер патента: US09620235B2. Автор: Yao Zhou,Xiaozhou QIAN,Bin SHENG,Kai Man Yue. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20070127301A1. Автор: Tomoko Nobutoki,Kyoichi Nagata. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-06-07.

Self-timer for sense amplifier in memory device

Номер патента: EP2973570A1. Автор: Yao Zhou,Xiaozhou QIAN,Bin SHENG,Kaiman YUE. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-01-20.

Semiconductor memory device and test method thereof

Номер патента: US20090268534A1. Автор: Jun Suzuki,Shuichi Kubouchi. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-10-29.

Semiconductor memory devices and a method thereof

Номер патента: US20080151635A1. Автор: Dae-Han Kim,Sang-Kug Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-26.

Memory device sense amplifier control

Номер патента: US20240096400A1. Автор: Cheng Hung Lee,Chien-yuan Chen,Hau-Tai Shieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Apparatuses and methods for accessing memory including sense amplifier sections and coupled sources

Номер патента: US09390770B2. Автор: Harish Venkata. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-07-12.

Memory device write circuitry

Номер патента: US20190198088A1. Автор: Harish N. Venkata. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US7542364B2. Автор: Tatsuya Matano. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-06-02.

Sense Amplifier Column Redundancy

Номер патента: US20140269104A1. Автор: Chulmin Jung. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

Sense amplifier column redundancy

Номер патента: EP2973587A2. Автор: Chulmin Jung. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-01-20.

Sense amplifier column redundancy

Номер патента: WO2014150548A2. Автор: Chulmin Jung. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-09-25.

Semiconductor memory device and refresh method thereof

Номер патента: US20130176803A1. Автор: Jong-ho Lee,Kyu-Chang KANG,Jae-Youn Youn,Sang-Jae Rhee,Hyo-chang KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-07-11.

Signal sensing circuit and semiconductor memory device using the same

Номер патента: US20080279026A1. Автор: Chun Shiah,Cheng-Nan CHANG,Chun-Peng Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-13.

Sense amplifier driving device

Номер патента: US20160372176A1. Автор: Jong Ho Son,Jun Yong Song,Saeng Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-22.

Method and system for reading from memory cells in a memory device

Номер патента: US20120218830A1. Автор: Cyrille Dray,Alexandre Ney. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-08-30.

Sense amplifier driving device

Номер патента: US09659629B2. Автор: Jong Ho Son,Jun Yong Song,Saeng Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Sense amplifier control circuit for semiconductor memory device and method for controlling sense amplifier control circuit

Номер патента: US7813200B2. Автор: Ju-Young Seo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-10-12.

Multiple sense amplifier and data path-based pseudo dual port sram

Номер патента: US20210118477A1. Автор: Igor Arsovski,Venkatraghavan Bringivijayaraghavan,Sreejith Chidambaran,Arjun Sankar. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Semiconductor memory device and method of controlling timing

Номер патента: EP1903578A1. Автор: Toshikazu c/o FUJITSU LIMITED NAKAMURA,Hiroyuki c/o Fujitsu Limited Kobayashi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-03-26.

Sense amplifier and write driver enabling scheme

Номер патента: WO2017165086A1. Автор: ChangHo Jung,Tony Chung Yiu Kwok. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-09-28.

Sense amplifier and write driver enabling scheme

Номер патента: EP3433859A1. Автор: ChangHo Jung,Tony Chung Yiu Kwok. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-01-30.

Sense amplifier enabling scheme

Номер патента: US09978444B2. Автор: ChangHo Jung,Tony Chung Yiu Kwok. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor memory device with a decoupling capacitor

Номер патента: US20040141398A1. Автор: Hyong-Ryol Hwang,Jae-Yoon Sim,Young-Hun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-07-22.

Sense amplifier, memory and control method

Номер патента: US11894101B2. Автор: Hsin-Cheng Su. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Sense amplifier, memory and control method

Номер патента: US20220310142A1. Автор: Hsin-Cheng Su. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Circuits for pulse-width control in memory devices and related methods

Номер патента: US20190013064A1. Автор: Manish Trivedi,Dharin Nayeshbhai Shah. Владелец: Mediatek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2019-01-10.

Method and apparatus for performing data operations within a memory device

Номер патента: WO2016153615A1. Автор: Shigeki Tomishima,Shih-Lien Lu. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-09-29.

Apparatuses and methods for accessing memory including sense amplifier sections and coupled sources

Номер патента: US20150332740A1. Автор: Harish Venkata. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-11-19.

Handshaking sense amplifier

Номер патента: US09418730B2. Автор: Andreas J. GOTTERBA,Jesse S. WANG. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

A ferroelectric memory device and a nondestructive accessing method thereof

Номер патента: GB2318230A. Автор: Byung-Gil Jeon,Chul-Sung Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-04-15.

Semiconductor device having sense amplifiers

Номер патента: US20110205821A1. Автор: Akira Ichinose. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-08-25.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20080219073A1. Автор: Khil-Ohk Kang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-09-11.

Semiconductor memory device with column to be selected by bit line selection signal

Номер патента: US20060171226A1. Автор: Daisuke Kato,Yasuyuki Kajitani,Mariko Kaku. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-03.

Non-volatile semiconductor memory device with nand type memory cell arrays

Номер патента: US5978265A. Автор: Fujio Masuoka,Riichiro Shirota,Seiichi Aritome,Ryozo Nakayama,Yasuo Itoh,Masaki Momodomi,Ryouhei Kirisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-11-02.

Non-volatile one-time programmable memory device

Номер патента: US09876123B2. Автор: XIAO Lu,Xia Li,Jeffrey Junhao XU,Bin Yang,Jun Yuan,Zhongze Wang,Xiaonan Chen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

One-time programmable memory device

Номер патента: US20230420063A1. Автор: Josep Montanya Silvestre. Владелец: Nanusens SL. Дата публикации: 2023-12-28.

Non-volatile multiple time programmable memory device

Номер патента: WO2016007254A3. Автор: Yu Lu,XIAO Lu,Xia Li,Matthew Michael Nowak,Jeffrey Junhao XU,Seung Hyuk KANG,Zhongze Wang,Xiaonan Chen. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-03-24.

Non-volatile multiple time programmable memory device

Номер патента: US09508439B2. Автор: Yu Lu,XIAO Lu,Xia Li,Matthew Michael Nowak,Jeffrey Junhao XU,Seung Hyuk KANG,Zhongze Wang,Xiaonan Chen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Flash memory device with sense-amplifier-bypassed trim data read

Номер патента: US20150279473A1. Автор: Sung Jin Yoo,HanKook Kang. Владелец: Integrated Silicon Solution Inc. Дата публикации: 2015-10-01.

Semiconductor device with one-time programmable memory cell including anti-fuse with maetal/polycide gate

Номер патента: US20130301356A1. Автор: Re-Long Chiu,Shu-Lan Ying,Wen-Szu Chung. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2013-11-14.

Semiconductor device with one-time programmable memory cell including anti-fuse with metal/polycide gate

Номер патента: US20140233319A1. Автор: Re-Long Chiu,Shu-Lan Ying,Wen-Szu Chung. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2014-08-21.

Semiconductor device with one-time programmable memory cell including anti-fuse with metal/polycide gate

Номер патента: US9136271B2. Автор: Re-Long Chiu,Shu-Lan Ying,Wen-Szu Chung. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2015-09-15.

Semiconductor device with one-time programmable memory cell including anti-fuse with metal/polycide gate

Номер патента: US8743585B2. Автор: Re-Long Chiu,Shu-Lan Ying,Wen-Szu Chung. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2014-06-03.

Low power high speed program method for multi-time programmable memory device

Номер патента: US09543016B1. Автор: Kyoung Chon Jin. Владелец: Integrated Silicon Solution Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09748260B2. Автор: Akihiro Nitayama,Masaru Kito,Mitsuru Sato,Yasuyuki Matsuoka,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Hacker-proof one time programmable memory

Номер патента: US20040228157A1. Автор: Myron Buer,Tony Turner. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2004-11-18.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09940031B2. Автор: Takuya Futatsuyama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09612762B2. Автор: Takuya Futatsuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Controller device for use with electrically erasable programmable memory chip with error detection and retry modes of operation

Номер патента: US09459960B2. Автор: Frederick A. Ware,Mark A. Horowitz,Ely K. Tsern. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2016-10-04.

Read only memory (ROM)-emulated memory (REM) profile mode of memory device

Номер патента: US11798601B2. Автор: Qisong Lin,Fulvio Rori,Preston A. Thomson,Jonathan Wen Jian Oh,Allison Jayne Olson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Tuning alignment data memory device for tuning circuits tunable to selectable frequencies

Номер патента: US4742564A. Автор: Dumont Daniel. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1988-05-03.

Programmable memory controller

Номер патента: US20130282972A1. Автор: Arun S. JAGATHEESAN,Engin Ipek,Mahdi Nazm Bojnordi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-10-24.

Non-volatile programmable memory cell for programmable logic array

Номер патента: EP1927112A4. Автор: Hung-Sheng Chen,John McCollum,Frank Hawley. Владелец: Actel Corp. Дата публикации: 2009-04-01.

Non-volatile programmable memory cell for programmable logic array

Номер патента: WO2007037823A1. Автор: Hung-Sheng Chen,John McCollum,Frank Hawley. Владелец: Actel Corporation. Дата публикации: 2007-04-05.

Non-volatile programmable memory cell and array for programmable logic array

Номер патента: US09754948B2. Автор: Fethi Dhaoui,John McCollum,Frank Hawley,Leslie Richard Wilkinson. Владелец: Microsemi SoC Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Field programmable memory array

Номер патента: US5949719A. Автор: Scott Whitney Gould,Terrance John Zittritsch,Frank Ray Keyser, III,Kim P. N. Clinton,Joseph Andrew Iadanza,Ralph David Kilmoyer,Michael Joseph Laramie,Victor Paul Seidel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1999-09-07.

Page buffer for a programmable memory device

Номер патента: US7298650B2. Автор: Osama Khouri,Stefano Zanardi,Giulio Martinozzi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-11-20.

Non-volatile programmable memory cell for programmable logic array

Номер патента: EP1927112A1. Автор: Hung-Sheng Chen,John McCollum,Frank Hawley. Владелец: Actel Corp. Дата публикации: 2008-06-04.

Semiconductor programmable memory device and method of writing a predetermined pattern to same

Номер патента: US4744058A. Автор: Hideki Arakawa,Hiromi Kawashima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1988-05-10.

Non-volatile multiple time programmable memory device

Номер патента: US20160012896A1. Автор: Yu Lu,XIAO Lu,Xia Li,Matthew Michael Nowak,Jeffrey Junhao XU,Seung Hyuk KANG,Zhongze Wang,Xiaonan Chen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-01-14.

Non-volatile multiple time programmable memory device

Номер патента: EP3167488A2. Автор: Yu Lu,XIAO Lu,Xia Li,Matthew Michael Nowak,Jeffrey Junhao XU,Seung Hyuk KANG,Zhongze Wang,Xiaonan Chen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-05-17.

Non-volatile multiple time programmable memory device

Номер патента: WO2016007254A2. Автор: Yu Lu,XIAO Lu,Xia Li,Matthew Michael Nowak,Jeffrey Junhao XU,Seung Hyuk KANG,Zhongze Wang,Xiaonan Chen. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-01-14.

Universally accessible fully programmable memory built-in self-test (MBIST) system and method

Номер патента: US20040230395A1. Автор: Luis Basto. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2004-11-18.

Method apparatus for resuming and recovery checking from interrupted programming of one-time programmable memory device

Номер патента: US20200104221A1. Автор: Michael A Kost,Girish Subramaniam,John P Tourish,Bradley A Lambert. Владелец: Cirrus Logic International Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Distributed block redundancy for memory devices

Номер патента: EP1008937A1. Автор: Peter Poechmueller,Armin Reith. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2000-06-14.

Method for writing data of a first memory cell transistor of a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US11903207B2. Автор: Akihiro Nitayama,Masaru Kito,Mitsuru Sato,Yasuyuki Matsuoka,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Method for reading data of a first memory cell transistor of a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US11903205B2. Автор: Akihiro Nitayama,Masaru Kito,Mitsuru Sato,Yasuyuki Matsuoka,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240138150A1. Автор: Akihiro Nitayama,Masaru Kito,Mitsuru Sato,Yasuyuki Matsuoka,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Programmable memory timing

Номер патента: US11894099B2. Автор: Hyun Yoo Lee,Kang-Yong Kim,Dong Soon Lim,Timothy M. Hollis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Programmable Memory Timing

Номер патента: US20240161796A1. Автор: Hyun Yoo Lee,Kang-Yong Kim,Dong Soon Lim,Timothy M. Hollis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Memory device with post package repair function and method for operating the same

Номер патента: US20210366568A1. Автор: Nung Yen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020172078A1. Автор: Jae Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-11-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09741426B2. Автор: Nak-Kyu Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Bit line sense amplifier of semiconductor memory device and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20240233811A9. Автор: Donggeon Kim,Bok-yeon Won,Jonghyuk Kim,Selyung Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Low voltage one-time-programmable memory and array thereof

Номер патента: US12040028B2. Автор: Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King,Yao-Hung Huang. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2024-07-16.

Nonvolatile semiconductor memory device and verification control method for the same

Номер патента: US20130176791A1. Автор: Mitsuharu Sakakibara. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-07-11.

Semiconductor memory device with sense amplifier

Номер патента: US20040141349A1. Автор: Satoshi Kawasaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-07-22.

Semiconductor memory device with sense amplifier

Номер патента: US6879539B2. Автор: Satoshi Kawasaki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-04-12.

Semiconductor memory device having compression test mode

Номер патента: US20140301149A1. Автор: Jen-Shou Hsu. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2014-10-09.

Method for measuring bias voltage of sense amplifier in memory device

Номер патента: US6667898B2. Автор: Matthias Klaus. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2003-12-23.

Method for measuring bias voltage of sense amplifier in memory device

Номер патента: US20030161176A1. Автор: Matthias Klaus. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2003-08-28.

Semiconductor memory devices with open bitline architectures and methods of controlling the bitlines of such semiconductor memory devices

Номер патента: US20070047350A1. Автор: Ji-hoon Park,Chang-Yeong Jeong,Sung-Wan Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-01.

Semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US20240339150A1. Автор: Takuya Kadowaki. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor memory device having compression test mode

Номер патента: US09484117B2. Автор: Jen-Shou Hsu. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20040223360A1. Автор: Toshiki Yamanaka. Владелец: Axiohm Transaction Solutions Inc. Дата публикации: 2004-11-11.

Semiconductor memory device which includes memory cell having charge accumulation layer and control gate

Номер патента: US8219744B2. Автор: Takahiro Suzuki,Tokumasa Hara,Masuji Nishiyama,Shinya Fujisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-10.

Integrated circuit memory devices with per-bit redundancy and methods of operation thereof

Номер патента: US20020110029A1. Автор: Jae-Goo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-08-15.

Reference voltage modification in a memory device

Номер патента: US09349432B2. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Joab D. Henderson,Edgar R. Cordero,Anuwat Saetow,Jeffrey A. Sabrowski. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-24.

Data processing system which permits of using the same erasable and programmable memory for instructions and data both in reading and writing

Номер патента: US4665480A. Автор: Pierre Fevrier,Serge Robert. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1987-05-12.

Memory device that stores number of activation times of word lines

Номер патента: US12040008B2. Автор: Seong-Jin Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory device, memory device read method

Номер патента: US20060034135A1. Автор: Fumi Kambara. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-02-16.

Sense amplifying methods and sense amplification and output buffer integrated circuits

Номер патента: WO1998035354A1. Автор: Scott T. Becker,Dhrumil Gandhi,Daniel F. LaBouve. Владелец: Artisan Components, Inc.. Дата публикации: 1998-08-13.

Semiconductor memory device and data storage method

Номер патента: US20090027993A1. Автор: Hironori Nakamura,Takayuki Kurokawa,Tatsuya Ishizaki,Kenichi Ushikoshi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-01-29.

Self-correcting semiconductor memory device and microcomputer incorporating the same

Номер патента: US4901320A. Автор: Nobuhiro Tomari,Kikuzo Sawada,Tomoaki Yoshida,Kouzi Tanagawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1990-02-13.

Memory device

Номер патента: US20240257883A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20220246197A1. Автор: Mario Sako. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Memory device, memory device read method

Номер патента: US7065002B2. Автор: Fumi Kambara. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-06-20.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020113253A1. Автор: Toru Ishikawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-08-22.

Line memory device and image sensor including the same

Номер патента: US09978431B2. Автор: Min-Ho Kwon,Won-Ho Choi,Dong-Hun Lee,Seog-Heon Ham,Kwi-sung Yoo,Wun-ki Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-22.

Bit-line sense amplifier, semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US09449670B2. Автор: Jung-Bae Lee,Hyung-Sik You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Method for erasing memory cells in a flash memory device

Номер патента: US6137729A. Автор: Ki-hwan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-10-24.

Zero-power programmable memory cell

Номер патента: USRE40311E1. Автор: Sunil D. Mehta,Fabiano Fontana. Владелец: Lattice Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-05-13.

Dynamic Semiconductor memory device

Номер патента: US4481610A. Автор: Yoshihiro Takemae,Hatsuo Miyahara. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1984-11-06.

Semiconductor memory device allowing high-speed data reading

Номер патента: US20060023555A1. Автор: Chikayoshi Morishima. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-02-02.

Semiconductor memory device compensating difference of bitline interconnection resistance

Номер патента: US09595315B2. Автор: Junhee LIM,Sungho Jang,Won-Kyung Park,Joon HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-14.

Electrically programmable memory matrix

Номер патента: US4502131A. Автор: Burkhard Giebel. Владелец: ITT Industries Inc. Дата публикации: 1985-02-26.

Semiconductor device, memory device, electronic device, and method for operating the semiconductor device

Номер патента: US09741400B2. Автор: Kazuaki Ohshima,Shuhei Nagatsuka,Tomokazu Yokoi,Tatsuya Onuki,Naoaki Tsutsui. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Programmable memory circuit with an improved programming voltage applying circuit

Номер патента: US4583205A. Автор: Takeshi Watanabe. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1986-04-15.

Flash memory device and a method of verifying the same

Номер патента: US9196372B2. Автор: Seungwon Lee,Byeonghoon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-11-24.

Flash Memory Device and a Method of Verifying the Same

Номер патента: US20140071769A1. Автор: Seungwon Lee,Byeonghoon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-03-13.

Memory device through use of semiconductor device

Номер патента: US12108589B2. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Volatile memory devices and methods of operating same to improve reliability

Номер патента: US20240212775A1. Автор: Junyoung Ko,Jungmin Bak,Changhwi Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Single command, multiple column-operation memory device

Номер патента: US20170293552A1. Автор: Liang Peng,Lawrence Lai,Bohuslav Rychlik,Thomas A. Sheffler. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-10-12.

Semiconductor memory device capable of relieving defective cell

Номер патента: US20040196703A1. Автор: Ryo Fukuda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-07.

Integrated semiconductor memory device with test circuit for sense amplifier

Номер патента: US20060152982A1. Автор: Martin Perner. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-07-13.

Synchronous semiconductor memory device and method for operating same

Номер патента: US20020060946A1. Автор: Yong-Hwan Noh,Kyo-Min Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-05-23.

Non-volatile semiconductor memory device having a stable read margin

Номер патента: US20020018369A1. Автор: Taku Ogura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-14.

Memory device capable of performing in-memory computing

Номер патента: US20240304232A1. Автор: Shu-Sen Lin. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Single command, multiple column-operation memory device

Номер патента: US09898400B2. Автор: Liang Peng,Lawrence Lai,Bohuslav Rychlik,Thomas A. Sheffler. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor memory device for sensing memory cell with variable resistance

Номер патента: US09747966B2. Автор: Katsuyuki Fujita. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Single command, multiple column-operation memory device

Номер патента: US09658953B2. Автор: Liang Peng,Thomas Sheffler,Lawrence Lai,Bohuslav Rychlik. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-05-23.

Non-volatile semiconductor memory device and reading method for non-volatile semiconductor memory device that includes charging of data latch input node prior to latching of sensed data

Номер патента: US09543029B2. Автор: Takuyo Kodama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

One-time programmable memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US11362097B1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2022-06-14.

One-time programmable memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20220181336A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Memory device and in-memory search method thereof

Номер патента: US20240221830A1. Автор: Feng-Min Lee,Po-Hao Tseng,Tian-Cih BO. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Coupling capacitor and semiconductor memory device using the same

Номер патента: US7602043B2. Автор: Jin-Woo Lee,Eun-Cheol Lee,Won-suk Yang,Tae-Young Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-10-13.

Echo clock generating circuit of semiconductor memory device and method thereof

Номер патента: US6353575B2. Автор: Kwang-Jin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-03-05.

Memory device and sense amplifier capable of performing logical not operation

Номер патента: US20240304236A1. Автор: Shu-Sen Lin. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor memory device and writing method thereof

Номер патента: US20240347103A1. Автор: Hsi-Yuan Wang,Ying-Te Tu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor memory device having sense amplifier

Номер патента: US09472264B2. Автор: Tetsuaki Okahiro,Ryuji Takishita. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Low voltage one-time-programmable memory and array thereof

Номер патента: US20230343403A1. Автор: Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King,Yao-Hung Huang. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020015333A1. Автор: Kazuto Furumochi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-02-07.

Non-volatile memory device and method of operation thereof

Номер патента: US20230170028A1. Автор: Jae Hun Lee,Yong Kyu Lee,Chang Min Jeon,Hyun Ik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-01.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20080025101A1. Автор: Koichi Fukuda,Midori Morooka,Hiroyuki Dohmae. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-01-31.

Semiconductor memory device and method of reading data

Номер патента: US20050128849A1. Автор: HIROSHI Yoshioka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-06-16.

Integrated circuit memory device with bit line pre-charging based upon partial address decording

Номер патента: US20060039216A1. Автор: Neal Berger,George Chang,Pearl Cheng,Anne Koh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-23.

Ferroelectric FET nonvolatile sense-amplifier-based flip-flop

Номер патента: US12087344B2. Автор: Seong Ook Jung,Tae Woo Oh,Dong Han KO,Se Hee LIM,Se Keon KIM. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240321363A1. Автор: Kiichi Tachi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: US09620191B2. Автор: Suk-Soo Pyo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-11.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09558837B2. Автор: Yoshikazu Harada,Masahiro Yoshihara,Akio SUGAHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09524788B1. Автор: Shizuka Kutsukake. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Memory device of a single-ended bitline structure including reference voltage generator

Номер патента: US09524772B2. Автор: Woong Choi,Taejoong Song,Jongsun Park,Woojin Rim,Gyuhong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Memory device including semiconductor element

Номер патента: US20240206150A1. Автор: Koji Sakui,Yoshihisa Iwata,Nozomu Harada,Masakazu Kakumu. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8243539B2. Автор: Katsumi Abe,Makoto Takizawa,Shoichi Ozaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-14.

semiconductor memory device

Номер патента: US20030001233A1. Автор: Hiroyuki Yamauchi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-02.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100296342A1. Автор: Katsumi Abe,Makoto Takizawa,Shoichi Ozaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-11-25.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11756632B2. Автор: Kosuke Yanagidaira,Hiroshi TSUBOUCHI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160042800A1. Автор: Noboru Shibata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20070236985A1. Автор: Haruki Toda,Toshiaki Edahiro. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-10-11.

Semiconductor memory device with internal power supply potential genaration circuit

Номер патента: US20020060942A1. Автор: Fukashi Morishita,Akira Yamazaki,Yasuhiko Taito,Nobuyuki Fujii,Mihoko Akiyama,Mako Okamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-05-23.

Non-volatile memory device with comparison capability between target and readout data

Номер патента: US20220336027A1. Автор: Hsing-Yu Liu,Jyun-Yu Lai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-10-20.

Sense amplifier, method of operating the same, and volatile memory device including the same

Номер патента: US20240339151A1. Автор: Dongil LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09761318B1. Автор: Shigeo Kondo. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09640274B1. Автор: Shigeo Kondo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Volatile memory device

Номер патента: US20230144366A1. Автор: Jae Pil LEE,Hi Jung Kim,Kwang Sook Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-11.

Volatile memory device

Номер патента: US12014769B2. Автор: Jae Pil LEE,Hi Jung Kim,Kwang Sook Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-18.

Control circuit and method for controlling a data line switching circuit in a semiconductor memory device

Номер патента: US5654936A. Автор: Ho-Yeol Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1997-08-05.

Semiconductor memory device and method of testing the same

Номер патента: US20110164464A1. Автор: Tomohiro Sawada. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-07-07.

Non-volatile semiconductor memory device and method of controlling the non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140269097A1. Автор: Yoshikazu Harada,Masahiro Yoshihara,Hiroyuki Kaga,Naofumi ABIKO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Current sense amplifier

Номер патента: US12081182B2. Автор: Ankit Khanna,Partha Basu,Dimitar Trifonov,Chase PUGLISI. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Signal development caching in a memory device

Номер патента: US20240329885A1. Автор: Dmitri A. Yudanov,Shanky Kumar Jain. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Data Sense Amplifier Circuit with a Hybrid Architecture

Номер патента: US20240339152A1. Автор: YANG LU,WonJun CHOI,Kang-Yong Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Low noise sense amplifier control circuits for dynamic random access memories and related methods

Номер патента: US5708616A. Автор: Jong-Hyun Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-01-13.

Memory device having a relatively wide data bus

Номер патента: US6034900A. Автор: Brian Shirley,Layne Bunker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-03-07.

Semiconductor memory device and method

Номер патента: US5877990A. Автор: Tae-Hyoung Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1999-03-02.

Read broadcast operations associated with a memory device

Номер патента: US20240281171A1. Автор: Dmitri A. Yudanov,Shanky Kumar Jain. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor memory device

Номер патента: US6233189B1. Автор: Shigeru Atsumi,Toru Tanzawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-05-15.

Memory device with post package repair function and method for operating the same

Номер патента: US11468966B2. Автор: Nung Yen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-10-11.

Semiconductor memory device including internal clock doubler

Номер патента: US20050226091A1. Автор: Tae Kwon,Duk Jeong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-10-13.

Memory cell array and non-volatile memory device

Номер патента: US20090059666A1. Автор: Ji-Ho Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US4426687A. Автор: Fujio Masuoka. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1984-01-17.

Method for testing memory device

Номер патента: US7307903B2. Автор: Young Bo Shim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-12-11.

Semiconductor device with stacked structure of memory cells over sensing amplifiers, circuit board, and electronic device

Номер патента: US09704562B2. Автор: Kiyoshi Kato,Tatsuya Onuki,Takahiko Ishizu,Wataru Uesugi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Analog sensing of memory cells in a solid-state memory device

Номер патента: EP2469539A1. Автор: Vishal Sarin,Jung-Sheng Hoei,Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-06-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US5644527A. Автор: Yasushi Kubota. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1997-07-01.

Semiconductor memory device with sub-amplifiers having a variable current source

Номер патента: US7304910B1. Автор: Tomonori Sekiguchi,Satoru Akiyama,Kazuhiko Kajigaya,Satoru Hanzawa,Riichiro Takemura. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-12-04.

Three-dimensional memory device including sense amplifiers having a common width and separation

Номер патента: US11925027B2. Автор: Hiroyuki Ogawa,Masayuki Hiroi,Masatoshi Okumura,Takuma Takimoto. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-05.

Sense amplifier activation timing scheme to suppress disturbance in memory cells of dram memory device

Номер патента: US11735250B2. Автор: Takahiko Sato. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-08-22.

Semiconductor memory device which includes memory cell having charge accumulation layer and control gate

Номер патента: US20080177928A1. Автор: Takahiro Suzuki,Tokumasa Hara,Masuji Nishiyama,Shinya Fujisawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-24.

Semiconductor memory device which includes memory cell having charge accumulation layer and control gate

Номер патента: US8082383B2. Автор: Takahiro Suzuki,Tokumasa Hara,Masuji Nishiyama,Shinya Fujisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-12-20.

Semiconductor memory device which includes memory cell having charge accumulation layer and control gate

Номер патента: US20120246422A1. Автор: Takahiro Suzuki,Tokumasa Hara,Masuji Nishiyama,Shinya Fujisawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-09-27.

Ferroelectric memory device

Номер патента: US20020080642A1. Автор: Eiichi Sadayuki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-27.

Bit line sense amplifier of semiconductor memory device and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20240135987A1. Автор: Donggeon Kim,Bok-yeon Won,Jonghyuk Kim,Selyung Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor memory device which includes memory cell having charge accumulation layer and control gate

Номер патента: US20120063229A1. Автор: Takahiro Suzuki,Tokumasa Hara,Masuji Nishiyama,Shinya Fujisawa. Владелец: Shinya Fujisawa. Дата публикации: 2012-03-15.

Negative Pull-Down Voltage in a Sense Amplifier

Номер патента: US20240203482A1. Автор: Charles L. Ingalls,Shizhong Mei,Huy T. Vo,Luoqi Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Microelectronic devices including control logic circuitry overlying memory arrays, and related memory devices and electronic systems

Номер патента: US20240071473A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Method and apparatus for rapidly testing memory devices

Номер патента: US20010022752A1. Автор: Kevin Duesman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-20.

Memory circuits, memory structures, and methods for fabricating a memory device

Номер патента: US12068023B2. Автор: Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Jonathan Tsung-Yung Chang,Wen-Chang Cheng,Chieh Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20080180984A1. Автор: Daisaburo Takashima,Ryu Ogiwara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-07-31.

Semiconductor memory device having a burst continuous read function

Номер патента: US20050024942A1. Автор: Yasuhiko Honda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-02-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20080084730A1. Автор: Daisaburo Takashima,Katsuhiko Hoya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-10.

Sense amplifier and nonvolatile memory device

Номер патента: US20240161813A1. Автор: Seiichi Yamamoto. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Memory circuits, memory structures, and methods for fabricating a memory device

Номер патента: US20240371433A1. Автор: Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Jonathan Tsung-Yung Chang,Wen-Chang Cheng,Chieh Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Sense amplifier, semiconductor memory device using thereof and read method thereof

Номер патента: US09672895B2. Автор: Artur ANTONYAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Method and apparatus for reading/writing data from/into semiconductor memory device

Номер патента: US5596533A. Автор: Kee W. Park. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1997-01-21.

High speed semiconductor memory device having a high gain sense amplifier

Номер патента: USRE34060E. Автор: Sho Yamamoto,Isao Akima,Kazuo Yoshizaki,Nobuyoshi Tanimura. Владелец: Hitachi Microcomputer Engineering Ltd. Дата публикации: 1992-09-08.

Semiconductor memory device adopting improved local input/output line precharging scheme

Номер патента: US20100157702A1. Автор: Seong-Young Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-06-24.

Reference voltage modification in a memory device

Номер патента: US20150228328A1. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Joab D. Henderson,Edgar R. Cordero,Anuwat Saetow,Jeffrey A. Sabrowski. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-08-13.

Memory device with improved sensing structure

Номер патента: US20230410930A1. Автор: Antonino Mondello,Alberto Troia. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-12-21.

Memory device that stores number of activation times of word lines

Номер патента: US20230186969A1. Автор: Seong-Jin Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-15.

PMOS THRESHOLD COMPENSATION SENSE AMPLIFIER FOR FeRAM DEVICES

Номер патента: US20230386545A1. Автор: Tong Liu,Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Memory device

Номер патента: US20240103735A1. Автор: Seungjun Shin,Younghun Seo,Yeongwoo Kang,DongHyeok Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Managing sense amplifier latch and data latch voltage to reduce standby current

Номер патента: US20240170075A1. Автор: Kwang Ho Kim,Erwin E. Yu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Memory device and semiconductor device including the same

Номер патента: US20170358334A1. Автор: Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-14.

Semiconductor memory devices having adjustable i/o signal line loading that supports reduced power consumption during read and write operations

Номер патента: US20240105255A1. Автор: Seung-Jun Lee,Sang-Yun Kim,Bok-yeon Won,Jonghyuk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Memory device with self-refresh operations

Номер патента: WO2009076511A3. Автор: Seung-Moon Yoo,Myung Chan Choi,Arthur Kwon. Владелец: Arthur Kwon. Дата публикации: 2009-08-20.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating semiconductor memory device

Номер патента: US20060028856A1. Автор: Kinya Ashikaga. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-09.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating semiconductor memory device

Номер патента: US6972980B2. Автор: Kinya Ashikaga. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-06.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating semiconductor memory device

Номер патента: US20050098810A1. Автор: Kinya Ashikaga. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-12.

Ferroelectric memory device, electronic device

Номер патента: US20060007725A1. Автор: Hiroyoshi Ozeki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-01-12.

Ferroelectric memory device, electronic device

Номер патента: US7209377B2. Автор: Hiroyoshi Ozeki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-04-24.

Dynamic semiconductor memory device and method of controlling refresh thereof

Номер патента: US20030112690A1. Автор: Shyuichi Tsukada. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2003-06-19.

Memory device for wafer-on-wafer formed memory and logic

Номер патента: US12112792B2. Автор: Glen E. Hush,Kunal R. Parekh,Sean S. Eilert,Aliasger T. Zaidy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Magnetic memory device

Номер патента: US20240321335A1. Автор: Yosuke Kobayashi,Naoki Matsushita,Kuniaki Sugiura,Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Page buffer and memory device including the same

Номер патента: US09990969B2. Автор: In Gon YANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Systems and methods for testing a semiconductor memory device having a reference memory array

Номер патента: US09767919B1. Автор: Yutaka Ito,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor memory device and method of controlling semiconductor memory device

Номер патента: US09406366B2. Автор: Masaki Aoki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Memory device with end of cycle precharge utilizing write signal and data transition detectors

Номер патента: US5404327A. Автор: Theodore W. Houston. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1995-04-04.

Sense amplifier, memory device including sense amplifier and operating method of memory device

Номер патента: US20240096402A1. Автор: Kyuchang KANG,Changyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Integrated circuit memory devices providing per-bit redundancy and methods of operating same

Номер патента: US20020109154A1. Автор: Jae-Goo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-08-15.

Memory core circuit having cell on periphery structure and memory device including the same

Номер патента: US20230337418A1. Автор: Jaepil Lee,Chulkwon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Memory device

Номер патента: US20230307012A1. Автор: Shuhei Nagatsuka,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor memory device with first and second sense amplifiers

Номер патента: US20230410916A1. Автор: Kosuke Yanagidaira. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

3D Memory with 3D Sense Amplifier

Номер патента: US20220189515A1. Автор: Sang-Yun Lee. Владелец: BeSang Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Sense amplifier driving device and semiconductor device including the same

Номер патента: US20160284391A1. Автор: Jong Ho Son,Jun Yong Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-29.

Sense amplifier soft-fail detection circuit

Номер патента: US20140126312A1. Автор: Greg M. Hess,II James E. Burnette. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2014-05-08.

Sense amplifier read line sharing

Номер патента: US20090190425A1. Автор: Esin Terzioglu,Gil I. Winograd,Andreas Gotterba. Владелец: Novelics Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Sense amplifier driving device and semiconductor device including the same

Номер патента: US9460775B1. Автор: Jong Ho Son,Jun Yong Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Sense amplifier driving device and semiconductor device including the same

Номер патента: US09460775B1. Автор: Jong Ho Son,Jun Yong Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor memory device

Номер патента: US5535169A. Автор: Tetsuya Endo,Yoshihiro Takemae,Yukinori Kodama,Hirohiko Mochizuki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1996-07-09.

Input/output line sense amplifier and semiconductor memory device using the same

Номер патента: US20080316840A1. Автор: Chang-Il Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-12-25.

Semiconductor memory device equipped with step-down power voltage supply system for sense amplifier circuit arrays

Номер патента: US5272677A. Автор: Ryuji Yamamura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1993-12-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240057339A1. Автор: Jumpei Sato. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Memory device and method for shifting memory values

Номер патента: US20220383913A1. Автор: CHRISTIAN Weis,Andre GUNTORO,Leonardo Luiz Ecco,Norbert Wehn,Chirag SUDARSHAN,Taha Soliman. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2022-12-01.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240099033A1. Автор: Toshiaki Sato,Masaki UNNO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160365154A1. Автор: Satoru Hoshi,Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-15.

Memory device with improved sensing structure

Номер патента: WO2020240232A1. Автор: Antonino Mondello,Alberto Troia. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-12-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: EP4344379A1. Автор: Toshiaki Sato,Masaki UNNO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-27.

Flash memory device and program method thereof

Номер патента: US20240153569A1. Автор: Wen-Chiao Ho. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Memory device and method for shifting memory values

Номер патента: US11955197B2. Автор: CHRISTIAN Weis,Andre GUNTORO,Leonardo Luiz Ecco,Norbert Wehn,Chirag SUDARSHAN,Taha Ibrahim Ibrahim Soliman. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20220310153A1. Автор: Masaharu Wada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-29.

Memory device

Номер патента: US20240212727A1. Автор: Yih Wang,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120002475A1. Автор: Hiroyuki Nagashima,Koki Ueno. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-05.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20020071313A1. Автор: Toru Tanzawa,Yoshinori Takano,Tadayuki Taura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-06-13.

Method for supplying reference potential to sense amplifier circuit in semiconductor integrated circuit, semiconductor integrated circuit, semiconductor device equipped with many of the semiconductor integrated circuits, and electronic apparatus using the simconductor device

Номер патента: US20020015324A1. Автор: Akira Maruyama. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-02-07.

Semiconductor memory device having a plurality of mosfets controlled to be in an active state or a standby state

Номер патента: US09922698B2. Автор: Kazumasa Yanagisawa,Kenichi Osada,Masanao Yamaoka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Memory device with shared read/write circuitry

Номер патента: US09697879B2. Автор: Syed M. Alam,Chitra K. Subramanian. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09418732B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Single-ended CMOS sense amplifier

Номер патента: US4598389A. Автор: Charvaka Duvvury,Russel W. Strawn. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1986-07-01.

Cross point array memory device

Номер патента: US5034920A. Автор: Robert N. Rountree. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1991-07-23.

Three-dimensional memory device

Номер патента: US11894065B2. Автор: Tzu-Hsuan Hsu,Hang-Ting Lue,Teng-Hao Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Sense amplifier circuit and semiconductor memory device

Номер патента: US20240105253A1. Автор: Osamu Hirabayashi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Bit-line sense amplifier, semiconductor memory device having the same, and method of testing bit-line micro-bridge defect

Номер патента: US20110199836A1. Автор: Jung-Bae Lee,Cheol Kim,Jun-Phyo Lee,Sang-Kyun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-18.

Single command, multiple column-operation memory device

Номер патента: US20200257619A1. Автор: Liang Peng,Lawrence Lai,Bohuslav Rychlik,Thomas J. Sheffler. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2020-08-13.

Bit line sense amplifier and bit line sensing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20230260567A1. Автор: Keewon Kwon,Chaehwan PARK. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-08-17.

Nonvolatile semiconductor memory device detecting sign of data transformation

Номер патента: US20020105832A1. Автор: Yukitoshi Kawakami. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-08-08.

Magneto resistive memory device

Номер патента: WO2023135019A1. Автор: Victorien Brecte,Fabien Leroy,Julien Louche. Владелец: Antaios. Дата публикации: 2023-07-20.

Wordline defect detection circuit, wordline defect detection method, and memory device including the same

Номер патента: EP4398253A2. Автор: Seongjin Kim,Chihyun Kim,Junehong PARK,Jayang Yoon,Hyeongdo CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-10.

Dynamic semiconductor memory device

Номер патента: IE55282B1. Автор: . Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1990-08-01.

Sensing of memory cells in a solid state memory device by fixed discharge of a bit line

Номер патента: US20100039866A1. Автор: Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-02-18.

High-endurance memory device

Номер патента: US20080186774A1. Автор: Yue-Der Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-08-07.

Wordline defect detection circuit, wordline defect detection method, and memory device including the same

Номер патента: US20240233850A1. Автор: Seongjin Kim,Chihyun Kim,Junehong PARK,Jayang Yoon,Hyeongdo CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Wordline defect detection circuit, wordline defect detection method, and memory device including the same

Номер патента: EP4398253A3. Автор: Seongjin Kim,Chihyun Kim,Junehong PARK,Jayang Yoon,Hyeongdo CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020141245A1. Автор: Masaaki Kuroki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-03.

Memory device that recycles a signal charge

Номер патента: US20050195669A1. Автор: Jae-Yoon Sim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-09-08.

Dram with hybrid sense amplifier

Номер патента: US20080266992A1. Автор: Esin Terzioglu,Gil I. Winograd,Melinda L. Miller. Владелец: Novelics Corp. Дата публикации: 2008-10-30.

Semiconductor-element-including memory device

Номер патента: US12100443B2. Автор: Riichiro Shirota,Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Automatic inspecting apparatus for precharge of data line in memory device

Номер патента: US5291451A. Автор: Young W. Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1994-03-01.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240304245A1. Автор: Kazutaka IKEGAMI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory device using semiconductor element

Номер патента: US20240334675A1. Автор: Koji Sakui,Yoshihisa Iwata,Nozomu Harada,Masakazu Kakumu. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09953709B2. Автор: Yuji Nagai,Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Electrically-programmable and electrically-erasable MOS memory device

Номер патента: US4558344A. Автор: George Perlegos. Владелец: Seeq Technology Inc. Дата публикации: 1985-12-10.

Semiconductor integrated circuit device implemented by bipolar and field effect transistors and having stable sense amplifier

Номер патента: US5550778A. Автор: Hiroyuki Takahashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-08-27.

Semiconductor element memory device

Номер патента: US11823727B2. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Current sense amplifier

Номер патента: US20240146266A1. Автор: Ankit Khanna,Partha Basu,Dimitar Trifonov,Chase PUGLISI. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Memory device

Номер патента: US11967379B2. Автор: Masanobu Shirakawa,Marie Takada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Semiconductor memory device having write column select gate

Номер патента: US20030123317A1. Автор: Takeshi Fujino. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-07-03.

Sense amplifier with program biasing and fast sensing

Номер патента: WO2018071107A1. Автор: Raul Adrian Cernea,Tai-Yuan Tseng,Yen-Lung Li,Jong Hak Yuh,Seungpil Lee,Cynthia Hsu,Qui Nguyen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-04-19.

Sense amplifier design for ramp sensing

Номер патента: US09543030B1. Автор: Anirudh Amarnath,Tai-Yuan Tseng. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-01-10.

High performance dynamic sense amplifier with active loads

Номер патента: US4370575A. Автор: Lionel S. White, Jr.,Joseph C. McAlexander, III,G. R. Mohan Rao. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1983-01-25.

Semiconductor memory device with cache memory addressable by block within each column

Номер патента: US4926385A. Автор: Hideto Hidaka,Kazuyasu Fujishima,Yoshio Matsuda,Mikio Asakura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1990-05-15.

Semiconductor memory device having bit lines capable of partial operation

Номер патента: US5189639A. Автор: Hideshi Miyatake. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-02-23.

High-speed random access memory device

Номер патента: US6108243A. Автор: Takaaki Suzuki,Shinya Fujioka,Yasuharu Sato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2000-08-22.

Dynamic semiconductor memory device

Номер патента: US5555203A. Автор: Shinichiro Shiratake,Daisaburo Takashima,Kazunori Ohuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1996-09-10.

Method and apparatus for reading compressed test data from memory devices

Номер патента: US5809038A. Автор: Chris G. Martin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1998-09-15.

Memory device and memory system having the same

Номер патента: US11956376B2. Автор: Hyung Seuk KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US8923074B2. Автор: Katsumi Abe,Masahiro Yoshihara,Naofumi ABIKO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-30.

Dual bank flash memory device and method

Номер патента: EP1282134A3. Автор: Luca Giovanni Fasoli. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2004-06-23.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240062822A1. Автор: Takashi Maeda,Rieko FUNATSUKI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Three-dimensional memory device containing bit line switches

Номер патента: US20200185397A1. Автор: Masatoshi Nishikawa,Toru Miwa,Naoki Ookuma,Takuya Ariki,Hardwell Chibvongodze. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-06-11.

Memory device and method for secure readout of protected data

Номер патента: US20090313424A1. Автор: Michal PRAZAN,Lubomir Plavec,Ondrej SUBRT. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2009-12-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and nonvolatile semiconductor memory system

Номер патента: US20100027341A1. Автор: Shigeo Ohshima,Naoya Tokiwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-02-04.

Sense amplifier for bidirectional sensing of memory cells of a non-volatile memory

Номер патента: US20210193230A1. Автор: Seungpil Lee,Ali Al-Shamma,Yingchang Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-06-24.

Sense amplifier for static random access memories

Номер патента: WO2006017090A3. Автор: David C Lawson,Edward Maher,Shankarnarayana Ramaswamy,Tri Minh Hoang. Владелец: Tri Minh Hoang. Дата публикации: 2006-10-05.

Sense amplifying circuit and method, and semiconductor memory

Номер патента: US12112791B2. Автор: Dong Liu,Tianhao DIWU,Xikun CHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Using sense amplifier as a write booster in memory operating with a large dual rail voltage supply differential

Номер патента: US09966131B2. Автор: Niranjan Behera,Dharmesh Kumar Sonkar. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Sense amplifier with program biasing and fast sensing

Номер патента: US09881676B1. Автор: Raul Adrian Cernea,Tai-Yuan Tseng,Jong Hak Yuh,Seungpil Lee,Cynthia Hsu,Qui Nguyen,Yen-Lung Jason Li. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-30.

Threshold voltage mismatch compensation sense-amplifiers for static random access memories with multiple differential inputs

Номер патента: US09542995B2. Автор: Manoj Sachdev,Jaspal Singh Shah. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-01-10.

Sense amplifier layout for FinFET technology

Номер патента: US09466493B2. Автор: Jung-Hsuan Chen,Yen-Huei Chen,Kao-Cheng LIN,Chien Chi TIEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Circuit and method for performing test on memory array cells using external sense amplifier reference current

Номер патента: US6052321A. Автор: Frankie Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-04-18.

Redundant means of a semiconductor memory device and method thereof

Номер патента: US5255234A. Автор: Yong-Sik Seok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1993-10-19.

Semiconductor memory device having bitline coupling scheme capable of preventing deterioration of sensing speed

Номер патента: US20040125662A1. Автор: Sung-Ho Choi,Tae-Seong Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-07-01.

Nonvolatile memory device using serial diode cell

Номер патента: US20050169036A1. Автор: Hee Kang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-08-04.

Semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: EP4379720A1. Автор: Duk Sung Kim,Jangseok Choi,Byoungkon JO,Gyesik OH,Wangyong IM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240094959A1. Автор: Zhao Lu,Yuji Nagai,Akio SUGAHARA,Takehisa KUROSAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Static type semiconductor memory with multi-stage sense amplifier

Номер патента: US4891792A. Автор: Katsuro Sasaki,Takao Oono,Kiyotsugu Ueda,Shoji Hanamura,Masaaki Kubotera. Владелец: Hitachi ULSI Engineering Corp. Дата публикации: 1990-01-02.

Sensing amplifier for floating gate memory devices

Номер патента: US4223394A. Автор: Saroj Pathak,George Perlegos. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1980-09-16.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US5557570A. Автор: Hiroshi Iwahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1996-09-17.

Memory device and programming method

Номер патента: US10672447B2. Автор: Jung Hyuk Lee,Hyunsung Jung,Hyemin Shin,Yoonjong Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-02.

Semiconductor memory device having improved access to addresses

Номер патента: US5307317A. Автор: Youichi Suzuki,Sumako Shiraishi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-04-26.

CMOS dynamic memory device having multiple flip-flop circuits selectively coupled to form sense amplifiers specific to neighboring data bit lines

Номер патента: US5132930A. Автор: Koichiro Mashiko,Kazutami Arimoto,Yoshio Matsuda,Noriaki Matsumoto,Kiyohiro Furutani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1992-07-21.

Non-volatile semiconductor memory device with improved layout

Номер патента: US5166900A. Автор: Ichirou Kondo. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1992-11-24.

Semiconductor memory device

Номер патента: US4581720A. Автор: Kimiaki Sato,Yoshihiro Takemae,Tomio Nakano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1986-04-08.

Cell refresh circuit of memory device

Номер патента: US6081472A. Автор: Hong-Seok Jeong. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2000-06-27.

Dc sense amplifier

Номер патента: US3573496A. Автор: Hannon S Yourke,Joseph A Lake Jr. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1971-04-06.

Semiconductor memory device capable of generating internal data read timing precisely

Номер патента: US20030231527A1. Автор: Yasunobu Nakase,Koji Nii. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2003-12-18.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11861226B2. Автор: Zhao Lu,Yuji Nagai,Akio SUGAHARA,Takehisa KUROSAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20150364200A1. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160314848A1. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US9627080B2. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor memory device

Номер патента: US9412458B2. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US9147494B2. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-29.

Semiconductor memory device

Номер патента: US9818487B2. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Sense amplifier and operating method of the same

Номер патента: US20240112726A1. Автор: Shigeki Shimomura,Yongxi LI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Nonvolatile semiconductor memory device having a column decoder with multiple data bus portions connected via a switch

Номер патента: US9001582B2. Автор: Naofumi ABIKO,Tomofumi FUJIMURA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-07.

Disk drive read circuit comprising an ac coupled sense amplifier for amplifying a read signal

Номер патента: US20140334038A1. Автор: Michael L. Mallary,Yiao-Tee Hsia,William D. Huber. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2014-11-13.

One-time programmable memory device and method for verifying data for such memory device

Номер патента: US09740561B2. Автор: Cheng-Tie Chen,Guobing Mo,Shuna Xu. Владелец: Montage Technology Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

System and method for emulating many time programmable memory

Номер патента: US09465559B2. Автор: Timothy P. Butler,Leonid Mats,David Puleston,Javier Berrios,Robert W. Hamlin,Steve Beckhardt,Larry Moore. Владелец: Tego Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Method for patching code located in one time programmable memory

Номер патента: US20240264825A1. Автор: Marius Grannaes. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

One-time programmable memory device and fault tolerance method thereof

Номер патента: US11397535B2. Автор: Kun-Yi Wu,Yu-Shan LI. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2022-07-26.

One-time programmable memory device and fault tolerance method thereof

Номер патента: US20210200440A1. Автор: Kun-Yi Wu,Yu-Shan LI. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2021-07-01.

Controlling access to data storage means using a one-time-programmable memory device

Номер патента: GB2490875A. Автор: Nick Evans,Ian Storey. Владелец: FUTURE UPGRADES Ltd. Дата публикации: 2012-11-21.

Detecting method and apparatus using a programmable memory device for storing a digitized reference value

Номер патента: US6060991A. Автор: Shih-Hsiung Hsieh. Владелец: Everyday Tech Co Ltd. Дата публикации: 2000-05-09.

Sense amplifiers as static random access memory

Номер патента: US20240256156A1. Автор: Glen E. Hush. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Secure key access with one-time programmable memory and applications thereof

Номер патента: EP2381672A1. Автор: Norman Stewart,Paul Ducharne,Albert Yunsang Wong,Wendy Wai Yin,Shijun Hunang. Владелец: ViXS Systems Inc. Дата публикации: 2011-10-26.

Programmable memory system for electronic musical instrument

Номер патента: CA1087001A. Автор: Robert W. Wheelwright. Владелец: Wurlitzer Co. Дата публикации: 1980-10-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240296091A1. Автор: Tetsuro Takizawa. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Power saving by loading repair information before memory device sensing

Номер патента: US20240281351A1. Автор: Makoto Kitagawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Programmable memory controller and data terminal equipment

Номер патента: US5694585A. Автор: David William Nuechterlein,William Robert Lee,David Dwin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1997-12-02.

Single event upset tolerant memory device

Номер патента: US20240201863A1. Автор: Kumar Rahul,Nui Chong,Santosh Yachareni,John J. Wuu,Cheang Whang CHANG. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Single event upset tolerant memory device

Номер патента: US12045469B2. Автор: Kumar Rahul,Nui Chong,Santosh Yachareni,John J. Wuu,Cheang Whang CHANG. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US20240377988A1. Автор: Jae Hyun Choi,Sooyong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-14.

Sense amplifier decoding in a memory device to reduce power consumption

Номер патента: US5848428A. Автор: Michael J. Collins. Владелец: Compaq Computer Corp. Дата публикации: 1998-12-08.

High Precision Current Sensing using Sense Amplifier with Digital AZ Offset Compensation

Номер патента: US20190128932A1. Автор: Philippe Deval,Marija FERNANDEZ. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2019-05-02.

Universal CMOS single input, low swing sense amplifier without reference voltage

Номер патента: US20020125916A1. Автор: Mark Matson,Robert Dupcak,Randy Allmon. Владелец: Compaq Information Technologies Group LP. Дата публикации: 2002-09-12.

Aging compensation for poly-resistor based current sense amplifier

Номер патента: US20230417854A1. Автор: Ryan Desrosiers. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Nonvolatile semiconductor memory device with password unlock function

Номер патента: US20030079099A1. Автор: Junya Kawamata. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-04-24.

Current sense amplifier and method

Номер патента: US20020180418A1. Автор: David Jones,Heinz-Juergen Metzger. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2002-12-05.

Memory Device

Номер патента: US20230044721A1. Автор: Guobiao Zhang,Zhitang Song. Владелец: Southern University of Science and Technology. Дата публикации: 2023-02-09.

One-time programmable memory device

Номер патента: US20240324192A1. Автор: Shigenobu Maeda,Eun Young Lee,Sangjin Lee,Kwan Young Kim,Bora KIM,Hoonjin BANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Programmable memory devices supported by semiconductor substrates

Номер патента: US20050098825A1. Автор: Robert Carr,Graham Wolstenholme,Paul Rudeck. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-05-12.

Programmable memory devices supported by semiconductor substrates

Номер патента: US20040201060A1. Автор: Robert Carr,Graham Wolstenholme,Paul Rudeck. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-14.

Programmable memory devices supported by semiconductor substrates

Номер патента: US6873005B2. Автор: Robert Carr,Graham Wolstenholme,Paul J. Rudeck. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-03-29.

One-Time Programmable Memory Cell

Номер патента: US20140071731A1. Автор: Yong Lu,Jonathan Schmitt,Owen Hynes,Roy Milton Carlson. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Backside programmable memory

Номер патента: US20240164089A1. Автор: Carl Radens,Brent A. Anderson,Albert M. Young,Ruilong Xie,Albert M. Chu,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Sewing machine with programmable memory

Номер патента: US4092938A. Автор: John Addison Herr,Donald Jay Coughenour. Владелец: Singer Co. Дата публикации: 1978-06-06.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20110134695A1. Автор: Kazushige Kanda,Katsuaki Isobe,Toshiki Hisada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-06-09.

Programmable memory transistor

Номер патента: US20040119113A1. Автор: Jack GLENN,Thomas Simacek,Thomas Kotowski,Alireza Borzabadi. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2004-06-24.

Programmable memory and forming method thereof

Номер патента: US20230301083A1. Автор: Tzu-Yun Chang,Hsueh-Chun Hsiao,Yi-Ning Peng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Programmable memory and forming method thereof

Номер патента: US12082405B2. Автор: Tzu-Yun Chang,Hsueh-Chun Hsiao,Yi-Ning Peng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Method of self-aligning a floating gate to a control gate and to an isolation in an electrically erasable and programmable memory cell, and a cell made thereby

Номер патента: US20020019098A1. Автор: Yaw-Wen Hu,Bing Yeh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-14.

Methods of forming programmable memory devices

Номер патента: US20060252207A1. Автор: Kevin Beaman,Ronald Weimer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-09.

Programmable memory devices comprising tungsten

Номер патента: US20040004243A1. Автор: Robert Carr,Graham Wolstenholme,Paul Rudeck. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-08.

One-Time Programmable Memory and Operating Method Thereof

Номер патента: US20090323387A1. Автор: Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King. Владелец: Art Talent Industrial Ltd. Дата публикации: 2009-12-31.

Multi-time programmable memory cell and method therefor

Номер патента: US20240162314A1. Автор: Jerome Guillaume Anna Dubois,Michiel Jos Van Duuren,Johan Dick Boter. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-05-16.

Multi-time programmable memory cell and method therefor

Номер патента: EP4369413A1. Автор: Jerome Guillaume Anna Dubois,Michiel Jos Van Duuren,Johan Dick Boter. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-05-15.

Method for manufacturing high-density three-dimensional programmable memory

Номер патента: US20230069448A1. Автор: Jack Zezhong Peng. Владелец: Chengdu Pbm Technology Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120099374A1. Автор: Yasuhiko Matsunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-04-26.

One-time-programmable memory devices

Номер патента: US20230337419A1. Автор: Meng-Sheng CHANG,Yao-Jen Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

One-time programmable memory device including anti-fuse element

Номер патента: US20230284442A1. Автор: Jian-Hong Lin,Chiung-Ting Ou,Ming-Yih Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

One-time programmable memory device including anti-fuse element

Номер патента: US11963347B2. Автор: Jian-Hong Lin,Chiung-Ting Ou,Ming-Yih Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

One-time programmable memory device including anti-fuse element and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210366918A1. Автор: Jian-Hong Lin,Chiung-Ting Ou,Ming-Yih Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

One-time programmable memory device including anti-fuse element and manufacturing method thereof

Номер патента: US11665890B2. Автор: Jian-Hong Lin,Chiung-Ting Ou,Ming-Yih Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-30.

One-time programmable memory structure

Номер патента: US20240015958A1. Автор: Sheng-Yuan Hsueh,Shih-Chieh Hsu,Kuo-Hsing Lee,Chi-Horn Pai,Chang Chien Wong,Ching Hsiang Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

One-time programmable memory structure

Номер патента: US11825648B2. Автор: Sheng-Yuan Hsueh,Shih-Chieh Hsu,Kuo-Hsing Lee,Chi-Horn Pai,Chang Chien Wong,Ching Hsiang Tseng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

One-time programmable memory unit cell

Номер патента: US20230413540A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor memory device

Номер патента: US8315094B2. Автор: Kazushige Kanda,Katsuaki Isobe,Toshiki Hisada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-11-20.

Semiconductor memory device and method of reading data

Номер патента: US20050067645A1. Автор: Daisaburo Takashima,Katsuhiko Hoya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-03-31.

Operational transconductance amplifier, reconfigurable fully differential voltage sensing amplifier and reconfigurable fully differential capacitive sensing amplifier

Номер патента: US9337779B2. Автор: Sheng-Yu Peng,Tzu-Yun Wang,Min-Rui Lai. Владелец: National Taiwan University of Science and Technology NTUST. Дата публикации: 2016-05-10.

Bidirectional current sense amplifier

Номер патента: US20190068144A1. Автор: Razvan PUSCASU. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2019-02-28.

Phase locked loop with sense amplifier circuitry

Номер патента: US09871527B2. Автор: James D. Strom,Michael A. Sperling,Grant P. Kesselring,David M. Friend. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Clocked half-rail differential logic with single-rail logic and sense amplifier

Номер патента: US20040041589A1. Автор: Swee Choe. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2004-03-04.

Clocked half-rail differential logic with sense amplifier and shut-off

Номер патента: US20040036503A1. Автор: Swee Choe. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2004-02-26.

Device sensing method and apparatus

Номер патента: EP4451726A1. Автор: Xueru Li,Ruiyang DUAN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Bonded assembly with vertical power and control signal connection adjacent to sense amplifier regions and methods of forming the same

Номер патента: WO2021154325A1. Автор: Fumiaki TOYAMA,Yuki Mizutani,Jee-Yeon Kim. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-08-05.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8498155B2. Автор: Yasuhiko Matsunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-07-30.

Cascode array cell partitioning for a sense amplifier of a programmable logic device

Номер патента: US5491433A. Автор: Bradley A. Sharpe-Geisler. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1996-02-13.

Sense amplifier

Номер патента: US5276407A. Автор: Federico Faggin,Carver A. Mead. Владелец: Synaptics Inc. Дата публикации: 1994-01-04.

Semiconductor memory device with separate sense amplifier

Номер патента: KR970029814A. Автор: 유창수. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1997-06-26.

Cell of nonvolatile electrically programmable memory

Номер патента: RU2436190C1. Автор: Виктор Матвеевич Мордвинцев,Сергей Евгеньевич Кудрявцев. Владелец: Учреждение Российской академии наук Физико-технологический институт РАН (ФТИАН). Дата публикации: 2011-12-10.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002457A1. Автор: KANDA Kazushige. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002469A1. Автор: IMAMOTO Akihiro,Abiko Naofumi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

RESISTANCE CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002458A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002475A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002485A1. Автор: Ono Takashi,MARUYAMA Takafumi,NISHIKAWA Kazuyo,Suwa Hitoshi,Nitta Tadashi,Ueminami Masahiro. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

TEST MODE CONTROL CIRCUIT IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND TEST MODE ENTERING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002494A1. Автор: Jo Jun-Ho,PARK Kyu-Min,KIM BYOUNGSUL,LEE Hakyong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CHARGE EQUILIBRIUM ACCELERATION IN A FLOATING GATE MEMORY DEVICE VIA A REVERSE FIELD PULSE

Номер патента: US20120002482A1. Автор: Kalavade Pranav,Franklin Nathan R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002472A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Circuit and method for eliminating bit line leakage current in random access memory devices

Номер патента: US20120002496A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.