Methods of forming programmable memory devices
Номер патента: US20060252207A1
Опубликовано: 09-11-2006
Автор(ы): Kevin Beaman, Ronald Weimer
Принадлежит: Individual
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 09-11-2006
Автор(ы): Kevin Beaman, Ronald Weimer
Принадлежит: Individual
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Non-volatile memory device with charge trapping layer and method for fabricating the same
Номер патента: US20090108332A1. Автор: Ki Hong Lee,Jae Young Park,Moon Sig Joo,Ki Seon Park,Yong Top Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-04-30.