Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Methods of forming programmable memory devices

Номер патента: US20060252207A1
Опубликовано: 09-11-2006
Автор(ы): Kevin Beaman, Ronald Weimer
Принадлежит: Individual
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Non-volatile memory device with charge trapping layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20090108332A1. Автор: Ki Hong Lee,Jae Young Park,Moon Sig Joo,Ki Seon Park,Yong Top Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-04-30.

Floating gate having multiple charge storing layers, method of fabricating the floating gate, non-volatile memory device using the same, and fabricating method thereof

Номер патента: US20090085094A1. Автор: Jaegab LEE,Jang-Sik Lee,Jinhan Cho. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kookmin University. Дата публикации: 2009-04-02.

Method of forming floating gate, non-volatile memory device using the same, and fabricating method thereof

Номер патента: US20080237692A1. Автор: Jaegab LEE,Jang-Sik Lee,Chi Young LEE,Byeong Hyeok SOHN. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kookmin University. Дата публикации: 2008-10-02.

Programmable memory devices supported by semiconductor substrates

Номер патента: US6873005B2. Автор: Robert Carr,Graham Wolstenholme,Paul J. Rudeck. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-03-29.

Programmable memory devices supported by semiconductor substrates

Номер патента: US20050098825A1. Автор: Robert Carr,Graham Wolstenholme,Paul Rudeck. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-05-12.

Programmable memory devices supported by semiconductor substrates

Номер патента: US20040201060A1. Автор: Robert Carr,Graham Wolstenholme,Paul Rudeck. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-14.

Ferroelectric memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240055517A1. Автор: Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Chun-Chieh Lu,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Po-Ting Lin,Kuo-Chang Chiang,Yu-Chuan Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Interface film to mitigate size effect of memory device

Номер патента: US12035537B2. Автор: Hsun-Chung KUANG,Cheng-Yuan Tsai,Hai-Dang Trinh,Bi-Shen LEE,Yi Yang Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Method of forming capacitors through wafer bonding

Номер патента: US20240276735A1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Noriyuki Sato,Niloy Mukherjee,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Tanay GOSAVI,Biswajeet Guha,Mauricio Manfrini,Somilkumar J. Rathi,James David Clarkson,Abel Fernandez. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of forming stacked capacitors through wafer bonding

Номер патента: US20240274651A1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Noriyuki Sato,Niloy Mukherjee,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Tanay GOSAVI,Biswajeet Guha,Mauricio Manfrini,Somilkumar J. Rathi,James David Clarkson,Abel Fernandez. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Three-dimensional memory device with ferroelectric material

Номер патента: US12101939B2. Автор: Chun-Chieh Lu,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui,Chenchen Jacob WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240215254A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Method of forming power mosfet

Номер патента: US20110171799A1. Автор: Yi-Chi Chang,Chia-Lien Wu. Владелец: Excelliance Mos Corp. Дата публикации: 2011-07-14.

Method of manufacture of vertical split gate flash memory device

Номер патента: US6087222A. Автор: Shui-Hung Chen,Di-Son Kuo,Chrong Jung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2000-07-11.

Method Of Making Memory Cells, High Voltage Devices And Logic Devices On A Substrate With Silicide On Conductive Blocks

Номер патента: US20220052059A1. Автор: Chunming Wang,Andy Yang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Jack Sun,Guo Xiang Song. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20160027651A1. Автор: Kentaro Saito,Yoshiyuki Kawashima,Hiraku Chakihara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-01-28.

Method of forming a gate oxide film for a high voltage region of a flash memory device

Номер патента: US7235449B2. Автор: Eun Soo Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-06-26.

Method of forming a gate oxide film for a high voltage region of a flash memory device

Номер патента: US20060258106A1. Автор: Eun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-11-16.

Method of forming a gate oxide film for a high voltage region of a flash memory device

Номер патента: US20070210358A1. Автор: Eun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-09-13.

Flash memory devices with thickened source/drain silicide

Номер патента: US20230402516A1. Автор: Bin Zhu,Young Way Teh,Madhu Sudan Mukhopadhyay,Subramanian Sundareswara. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-12-14.

Gate structure and method of forming the same, non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: KR100755410B1. Автор: 김병희,최길현,성금중,이장희,박희숙,차태호. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-09-04.

Method of forming gate of a flash memory device

Номер патента: KR100645196B1. Автор: 박은실. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-11-10.

Charge trapping non-volatile memory device and method of fabricating the same and method of operating the charge trapping non-volatile memory device

Номер патента: CN105895636A. Автор: 权永俊. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-08-24.

Charge trapping non-volatile memory device and method of fabricating the same, and method of operating the charge trapping non-volatile memory device

Номер патента: KR102300122B1. Автор: 권영준. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2021-09-09.

Charge trapping non-volatile memory device and method of fabricating the same, and method of operating the charge trapping non-volatile memory device

Номер патента: KR20160101587A. Автор: 권영준. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2016-08-25.

Method of fabricating the floating gate of flash memory device

Номер патента: CN1988111A. Автор: 金成均. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-27.

Manufacturing method of a charge trap type non-volatile memory device

Номер патента: KR101566921B1. Автор: 이학선,신경섭,최정동. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2015-11-09.

Method of fabricating the floating gate in flash memory device

Номер патента: KR100661236B1. Автор: 김성균. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-12-22.

Multi-bit non-volatile memory device, method of operating the same, and method of manufacturing the multi-bit non-volatile memory device

Номер патента: US20070247913A1. Автор: Sang-Min Shin,Won-joo Kim,Sun-Ae Seo,Choong-rae Cho,Yoon-dong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-10-25.

Multi-bit non-volatile memory device, method of operating the same, and method of manufacturing the multi-bit non-volatile memory device

Номер патента: US7361554B2. Автор: Sang-Min Shin,Won-joo Kim,Sun-Ae Seo,Choong-rae Cho,Yoon-dong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-22.

Multi-bit non-volatile memory device, method of operating the same, and method of manufacturing the multi-bit non-volatile memory device

Номер патента: US20060097308A1. Автор: Sang-Min Shin,Won-joo Kim,Sun-Ae Seo,Choong-rae Cho,Yoon-dong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-11.

Method of forming aluminum oxide layer and method of manufacturing charge trap memory device using the same

Номер патента: US8043952B2. Автор: Sang-jin Park,Eun-ha Lee,Sang-Moo Choi,Woong-Chul Shin,Kwang-Soo Seol,Jung-hun Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-10-25.

Non-volatile memory device and operating method of the same

Номер патента: US20230127162A1. Автор: Junhyung Kim,Jinyoung Park,Kibog PARK,Sungchul JUNG,Seokhyeong Kang,Wonho SONG,Jaehyeong JO. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2023-04-27.

Memory devices including dielectric thin film and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070126045A1. Автор: Ansoon Kim,Han Young Yu,Sung-Yool Choi,Chil Seong Ah,Min Ki Ryu. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2007-06-07.

Method of forming gate of non-volatile memory device

Номер патента: KR100460028B1. Автор: 임헌형,김봉현,이현덕,형용우. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-12-03.

Method of forming a isolation in flash memory device

Номер патента: KR100822605B1. Автор: 이상수,신승우,동차덕,정우리,손현수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-04-17.

Electrode structure, method of manufacturing the electrode structure, phase changeable memory device having the electrode structure and method of manufacturing the phase changeable memory device

Номер патента: KR100625170B1. Автор: 김경현,고용선,민충기. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-09-15.

METHOD OF MANUFACTURING AN EMBEDDED SPLIT-GATE FLASH MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150295056A1. Автор: Zhang Jing,ZHANG Liqun,MA Huilin. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-15.

Floating gate memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040229432A1. Автор: Sang-Hoon Lee,Hun-Hyeoung Leam,Young-Sub You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-11-18.

Floating gate memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7041558B2. Автор: Sang-Hoon Lee,Hun-Hyeoung Leam,Young-Sub You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-09.

Method Of Forming Split-Gate Flash Memory Cell With Spacer Defined Floating Gate And Discretely Formed Polysilicon Gates

Номер патента: US20210005724A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Melvin DIAO,Guo Yong LIU. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-07.

Methods of fabricating fully silicide gate and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20070077740A1. Автор: Han Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-05.

Method of forming select lines for NAND memory devices

Номер патента: US6951790B1. Автор: Michael Violette. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-10-04.

Method of fabrication thereof a multi-level vertical memory device including inter-level channel connector

Номер патента: US11805643B2. Автор: Qian Tao,Enbo Wang,Yushi Hu,Haohao YANG,Ruo Fang ZHANG,Qianbing Xu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Method of forming select lines for nand memory devices

Номер патента: US20050215002A1. Автор: Michael Violette. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-09-29.

Nonvolatile memory device and method of fabricating same

Номер патента: US20210233929A1. Автор: Tae Hun Kim,Seung Won Lee,Min Cheol Park,Jun Hee Lim,Hye Ri Shin,Si Yeon Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-29.

Method of forming split-gate memory cell array along with low and high voltage logic devices

Номер патента: US9496369B2. Автор: Chun-Ming Chen,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Flash memory device including a buried floating gate and a buried erase gate and methods of forming the same

Номер патента: US11728399B2. Автор: Yu-Chu Lin,Keng-Ying Liao,Wen-Chih Chiang,Huai-Jen Tung,Chi-Chung JEN,Chia-Ming PAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Three-dimensional nand memory device and fabrication method

Номер патента: US20240237338A9. Автор: Wei Xu,Zongliang Huo,Lei Xue,Longxiang Yan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Flash memory cell and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030003663A1. Автор: Sung Jung,Kwi KIM,Sung Sim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-02.

Split-gate memory device and method of forming same

Номер патента: US20220310845A1. Автор: Tao Yu,Binghan Li. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-09-29.

Split-gate memory device and method of forming same

Номер патента: US11728438B2. Автор: Tao Yu,Binghan Li. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-08-15.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240188290A1. Автор: Zhiliang Xia,Di Wang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Wei Xie,Dongyu FAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: NL2018616B1. Автор: OHTANI Kinya. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2018-02-01.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20190097041A1. Автор: Kinya Ohtani. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20100112770A1. Автор: Yoshitaka Kubota. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-05-06.

Method for forming programmable memory

Номер патента: US11832444B2. Автор: Tzu-Yun Chang,Hsueh-Chun Hsiao,Yi-Ning Peng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: NL2018614B1. Автор: OHTANI Kinya. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2018-02-01.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US20220208856A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-06-30.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US20120064709A1. Автор: Kyung-yub Jeon,Je-woo Han,Jun-ho Yoon,Kyoung-sub Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-03-15.

Method of fabricating a charge trap nand flash memory device

Номер патента: US20130087849A1. Автор: Marcello Mariani,Giulio Albini,Paolo Tessariol,Umberto M. Meotto,Paola Bacciaglia. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-04-11.

Method of fabricating a charge trap NAND flash memory device

Номер патента: US9224873B2. Автор: Marcello Mariani,Giulio Albini,Paolo Tessariol,Umberto M. Meotto,Paola Bacciaglia. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-12-29.

Methods of fabricating a three-dimensional non-volatile memory device

Номер патента: US20150079742A1. Автор: Raghuveer S. Makala,Johann Alsmeier,Jayavel Pachamuthu,Yao-Sheng Lee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-03-19.

Semiconductor memory device and method of forming the same

Номер патента: US20180277546A1. Автор: Li-Wei Feng,Ying-Chiao Wang,Chien-Ting Ho,Tsung-Ying Tsai. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-27.

Non-volatile memory devices and methods of forming the same

Номер патента: US20070090449A1. Автор: Dong-gun Park,Choong-ho Lee,Byung-yong Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-04-26.

Method of manufacturing ferroelectric memory device

Номер патента: US20020098599A1. Автор: Takashi Nakamura,Hidemi Takasu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-25.

Three-dimensional memory device with ferroelectric material

Номер патента: US20210375929A1. Автор: Chun-Chieh Lu,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui,Chenchen Jacob WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Electromechanical memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US7705372B2. Автор: Dong-won Kim,Sung-Young Lee,Eunjung Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-04-27.

Electromechanical memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20100165737A1. Автор: Dong-won Kim,Sung-Young Lee,Eunjung Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-07-01.

Methods Of Forming Memory Cells

Номер патента: US20110147826A1. Автор: Ronald A. Weimer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-06-23.

Method of forming non-volatile memory cell using sacrificial pillar spacers and non-volatile memory cell formed according to the method

Номер патента: WO2007059239A1. Автор: Krishna Parat,Steven R. Soss. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2007-05-24.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US20070211533A1. Автор: Sang-jin Park,Sang-Min Shin,Young-soo Park,Young-Kwan Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-09-13.

Method of forming floating gate in flash memory device

Номер патента: CN1170959A. Автор: 金明宣,白善幸. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-01-21.

ONON sidewall structure for memory device and methods of making the same

Номер патента: US11854621B2. Автор: Chen-Ming Huang,Shih-Hsien Chen,Chia-Sheng Lin,Po-Wei Liu,Hung-Ling Shih,Yu-Chun Chang,Wei-Lin Chang,Wen-Tuo Huang,Yu-Hsiang Yang,Shihkuang YANG,Yu-Ling Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

ONON Sidewall Structure for Memory Device and Method for Making the Same

Номер патента: US20230335196A1. Автор: Chen-Ming Huang,Shih-Hsien Chen,Chia-Sheng Lin,Po-Wei Liu,Hung-Ling Shih,Yu-Chun Chang,Wei-Lin Chang,Wen-Tuo Huang,Yu-Hsiang Yang,Shihkuang YANG,Yu-Ling Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

ONON sidewall structure for memory device and method for making the same

Номер патента: US12009033B2. Автор: Chen-Ming Huang,Shih-Hsien Chen,Chia-Sheng Lin,Po-Wei Liu,Hung-Ling Shih,Yu-Chun Chang,Wei-Lin Chang,Wen-Tuo Huang,Yu-Hsiang Yang,Shihkuang YANG,Yu-Ling Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Multi-bit non-volatile memory device, method of operating the same, and method of manufacturing the multi-bit non-volatile memory device

Номер патента: US7256447B2. Автор: Sang-Min Shin,Won-joo Kim,Sun-Ae Seo,Choong-rae Cho,Yoon-dong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-14.

Electrically programmable and erasable memory cell having an improved floating gate and a method of manufacturing said floating gate and a memory device having an array of such cells made thereby

Номер патента: US20040238877A1. Автор: Pavel Klinger,Sreeni Maheshwarla. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2004-12-02.

Method of forming metal line of semiconductor memory device

Номер патента: US20080003814A1. Автор: Eun Soo Kim,Seung Hee Hong,Cheol Mo Jeong,Jung Geun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-01-03.

Field effect transistors having improved breakdown voltages and methods of forming the same

Номер патента: EP2622638A1. Автор: Edward John Coyne,Jagar Singh,William Allan Lane,Patrick Martin McGuinness,Paul Malachy Daly,Seamus Whiston. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2013-08-07.

Method of manufacturing a flash memory device

Номер патента: US7696043B2. Автор: Byoung ki Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-04-13.

Access device, fabrication method thereof, and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20150200088A1. Автор: Min Yong Lee,Young Ho Lee,Keum Bum Lee,Hyung Suk Lee,Seung Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-07-16.

Access device, fabrication method thereof, and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20140054532A1. Автор: Min Yong Lee,Young Ho Lee,Keum Bum Lee,Hyung Suk Lee,Seung Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-02-27.

Fabrication method of semiconductor memory device

Номер патента: US9305775B2. Автор: Min Yong Lee,Young Ho Lee,Keum Bum Lee,Hyung Suk Lee,Seung Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-04-05.

Access device having counter doping layer and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US9018612B2. Автор: Min Young Lee,Young Ho Lee,Keum Bum Lee,Hyung Suk Lee,Seung Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-04-28.

Vertical memory devices and apparatuses

Номер патента: US20140070306A1. Автор: Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-03-13.

Method of making embedded memory device with silicon-on-insulator substrate

Номер патента: EP3195349A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Chien-Sheng Su,Mandana TADAYONI. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-26.

Split gate non-volatile memory cells, hv and logic devices with finfet structures, and method of making same

Номер патента: EP4238130A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Guo Xiang Song. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-06.

Semiconductor memory device having composite dielectric film structure and methods of forming the same

Номер патента: US12014966B2. Автор: Ming Chyi Liu,Sheng-Chieh Chen,Wei-Ming Wang,Chih-Ren Hsieh,Ming-Lun Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor memory device having composite dielectric film structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240290672A1. Автор: Ming Chyi Liu,Sheng-Chieh Chen,Wei-Ming Wang,Chih-Ren Hsieh,Ming-Lun Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

3D Stackable Memory and Methods of Manufacture

Номер патента: US20240268128A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Chih-Yu Chang,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Alignment Structure for Semiconductor Device and Method of Forming Same

Номер патента: US20210257310A1. Автор: Chih-Han Lin,Kuei-Yu Kao,Li-Ting Chen,Chi-Sheng Lai,Wei-Chung Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Multi-gate field-effect transistors and methods of forming the same

Номер патента: US12087633B2. Автор: Shih-Hao Lin,Chih-Chuan Yang,Ping-Wei Wang,Chia-Hao Pao,Kuo-Hsiu Hsu,Shang-Rong Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

System, apparatus, and method of programming a one-time programmable memory circuit

Номер патента: US20190156895A1. Автор: XIAO Lu,Xia Li,Zhongze Wang,Xiaonan Chen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-05-23.

System, apparatus, and method of programming a one-time programmable memory circuit

Номер патента: WO2016137734A3. Автор: XIAO Lu,Xia Li,Zhongze Wang,Xiaonan Chen. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-11-24.

System, apparatus, and method of programming a one-time programmable memory circuit

Номер патента: US20160254056A1. Автор: XIAO Lu,Xia Li,Zhongze Wang,Xiaonan Chen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-09-01.

System, apparatus, and method of programming a one-time programmable memory circuit

Номер патента: WO2016137734A2. Автор: XIAO Lu,Xia Li,Zhongze Wang,Xiaonan Chen. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-09-01.

System, apparatus, and method of programming a one-time programmable memory circuit

Номер патента: EP3262691A2. Автор: XIAO Lu,Xia Li,Zhongze Wang,Xiaonan Chen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-03.

SYSTEM, APPARATUS, AND METHOD OF PROGRAMMING A ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY CIRCUIT

Номер патента: US20190156895A1. Автор: Li Xia,Wang Zhongze,Chen Xiaonan,Lu Xiao. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-23.

Methods of operating and fabricating nanoparticle-based nonvolatile memory devices

Номер патента: KR101105645B1. Автор: 이장식. Владелец: 국민대학교산학협력단. Дата публикации: 2012-01-18.

Methods of forming microelectronic devices, and related memory devices and electronic systems

Номер патента: US20240170405A1. Автор: Sidhartha Gupta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Embedded non-volatile memory device and fabrication method of the same

Номер патента: US20210134811A1. Автор: Unsoon Kim,Chun Chen,Sung-taeg Kang,Kuo Tung CHANG,James Pak,Inkuk Kang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-05-06.

Transistor, memory and method of forming same

Номер патента: US12069851B2. Автор: Chung-Yen Chou,Chih-Yuan Chen,Jen-Chieh Cheng,Chao-Wei Lin,Qinfu ZHANG,Chia-Yi Chu,Huixian Lai,Jen-Kuo WU. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

3-d dram structures and methods of manufacture

Номер патента: US20210249415A1. Автор: Nitin K. Ingle,Tomohiko Kitajima,Sung-Kwan Kang,Chang Seok Kang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-08-12.

Methods of forming integrated circuitry and methods of forming elevated source/drain regions of a field effect transistor

Номер патента: US20010009791A1. Автор: Lyle Jones,Aftab Ahmad. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-26.

Fabricating method of electrically erasable and programmable read only memory device

Номер патента: KR100512464B1. Автор: 김동욱,한창훈. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-09-07.

Semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20210028068A1. Автор: Naoto Horiguchi,Lars-Ake Ragnarsson,Yusuke Oniki,Eugenio Dentoni Litta. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-01-28.

Method of forming gate-all-around (gaa) finfet and gaa finfet formed thereby

Номер патента: US20190123160A1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang,Andreas Knorr,Ruilong Xie,Julien Frougier. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-04-25.

Methods of forming a masking pattern and a semiconductor device structure

Номер патента: US20160260606A1. Автор: Hans-Peter Moll,Peter Baars. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Method of fabricating thin film transistor using metal induced lateral crystallization by etch-stopper layer patterns

Номер патента: US20060003504A1. Автор: Woon Paik. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-05.

Method of forming a flash memory

Номер патента: US20090117727A1. Автор: Chih-Hsiung Hung. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-05-07.

Gate structure of semiconductor device and method of forming same

Номер патента: US20240322016A1. Автор: Ru-Shang Hsiao,Ying Hsin Lu,Ying Ming Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Layout structure and method of a column path of a semiconductor memory device

Номер патента: US6700168B2. Автор: Hyang-Ja Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-03-02.

Three-Dimensional Memory Device and Method

Номер патента: US20220359270A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Three-dimensional memory device and method

Номер патента: US20240312830A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory device based on igo channel layer and method of fabricating the same

Номер патента: US20240224527A1. Автор: Xuan Wang,Jae Kyeong Jeong,Chang Hwan Choi,Hyeon Joo SEUL,Hoon Hee HAN,Soon Oh Jeong. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-07-04.

Three-dimensional memory device and method

Номер патента: US12027412B2. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Method of forming isolation film of semiconductor memory device

Номер патента: KR100822606B1. Автор: 이상수,신승우,동차덕,정우리,손현수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-04-16.

Methods of fabricating a three-dimensional non-volatile memory device

Номер патента: US20150079742A1. Автор: Raghuveer S. Makala,Johann Alsmeier,Jayavel Pachamuthu,Yao-Sheng Lee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-03-19.

Method of manufacturing a dielectric layer in a memory device that includes nitriding step

Номер патента: US7361560B2. Автор: Ki-chul Kim,Jai-Dong Lee,In-Wook Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-22.

Method of forming split gate memory cells with thinned tunnel oxide

Номер патента: EP4101003A1. Автор: Jinho Kim,Nhan Do,Catherine Decobert,Parviz Ghazavi,Yuri Tkachev,Bruno Villard,Elizabeth Cuevas,Bernard Bertello,Gilles Festes. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-14.

Method of forming split gate memory cells with thinned tunnel oxide

Номер патента: WO2021158257A1. Автор: Jinho Kim,Nhan Do,Catherine Decobert,Parviz Ghazavi,Yuri Tkachev,Bruno Villard,Elizabeth Cuevas,Bernard Bertello,Gilles Festes. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2021-08-12.

Methods of Forming CoSi2, Methods of Forming Field Effect Transistors, and Methods of Forming Conductive Contacts

Номер патента: US20110269288A1. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-11-03.

Methods of forming CoSi2, methods of forming field effect transistors, and methods of forming conductive contacts

Номер патента: US20070032071A1. Автор: Yongjun Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-02-08.

METHODS OF FORMING CoSi2, METHODS OF FORMING FIELD EFFECT TRANSISTORS, AND METHODS OF FORMING CONDUCTIVE CONTACTS

Номер патента: WO2007018968A1. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2007-02-15.

Methods of Forming CoSi2, Methods of Forming Field Effect Transistors, and Methods of Forming Conductive Contacts

Номер патента: US20090035938A1. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-02-05.

Method of forming DRAM circuitry

Номер патента: US20030017680A1. Автор: Gurtej Sandhu,Cem Basceri,Garo Derderian,M. Visokay,J. Drynan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-23.

Semiconductor device with gate cut structure and method of forming the same

Номер патента: US12057341B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Ching-Wei Tsai,Chun-Yuan Chen,Pei-Yu Wang,Yi-Hsun CHIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Method of forming semiconductor device using titanium-containing layer and device formed

Номер патента: US20180166287A1. Автор: Shiu-Ko Jangjian,Chia-Yang Wu,Keng-Chuan Chang,Ting-Siang Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Method of manufacturing semiconductor device with reduced number of process steps for capacitor formation

Номер патента: US6762109B2. Автор: Naofumi Murata. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-07-13.

Transistor structures, methods of incorporating nitrogen into silicon-oxide-containing layers; and methods of forming transistors

Номер патента: US20020182812A1. Автор: John Moore,Neal Rueger,Gurtej Sandhu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

FinFET Device and Method of Forming

Номер патента: US20200135476A1. Автор: Shih-Chieh Chang,Yi-Min Huang,Huai-Tei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Three-dimensional memory device and method

Номер патента: US11856781B2. Автор: Sheng-Chih Lai,Hung-Chang Sun,Yu-Wei Jiang,TsuChing Yang,Kuo Chang Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Three-dimensional memory device and method

Номер патента: US20240114690A1. Автор: Sheng-Chih Lai,Hung-Chang Sun,Yu-Wei Jiang,TsuChing Yang,Kuo Chang Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Method of forming a magnetoresistive random-access memory device

Номер патента: US8895323B2. Автор: Joydeep Guha. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2014-11-25.

V-grooved vertical channel-type 3d semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180182851A1. Автор: Jan Van Houdt. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-06-28.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of fabrication of the same

Номер патента: US5726470A. Автор: Yasuo Sato. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1998-03-10.

Switching device, method of fabricating the same, and non-volatile memory device having the same

Номер патента: KR102465179B1. Автор: 김형준,김영석,박지운. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2022-11-08.

Switching device, method of fabricating the same, and non-volatile memory device having the same

Номер патента: KR20190088196A. Автор: 김형준,김영석,박지운. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2019-07-26.

Switching device, method of fabricating the same, and non-volatile memory device having the same

Номер патента: US10892409B2. Автор: Hyeong Joon Kim,Young Seok Kim,Ji Woon Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-12.

Method of operating non-volatile memory cell and memory device utilizing the method

Номер патента: CN101814322B. Автор: 吴昭谊. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-19.

Methods of writing junction-isolated depletion mode ferroelectric memory devices

Номер патента: US20040257853A1. Автор: Craig Salling,Brian Huber. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-12-23.

Nonvolatile memory devices and methods forming the same

Номер патента: US20150214243A1. Автор: Changhyun LEE,Byoungkeun Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-07-30.

Nonvolatile memory devices and methods forming the same

Номер патента: US20140104945A1. Автор: Changhyun LEE,Byoungkeun Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-04-17.

Nonvolatile memory devices and methods forming the same

Номер патента: US20180019258A1. Автор: Changhyun LEE,Byoungkeun Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-18.

Wiring structure in a semiconductor device and method of forming the same, non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: KR100750950B1. Автор: 고영호,민지영,박현,김원진,정병홍. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-08-22.

Method of forming capacitor of a semiconductor memory device

Номер патента: US6673668B2. Автор: Ki-Seon Park,Kyong-Min Kim,Han-Sang Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-01-06.

Method of forming metal wiring in flash memory device

Номер патента: KR100562985B1. Автор: 유현규. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-03-23.

Nonvolatile Memory Device and Method of Manufacturing the same

Номер патента: US20100072560A1. Автор: Hee Youl Lee,Jae Yoon Noh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-03-25.

Method of forming a junction field effect transistor

Номер патента: US20170062431A1. Автор: Geert Van Der Plas,Geert Hellings,Mirko Scholz. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-03-02.

Methods of forming integrated circuits, and DRAM circuitry memory cells

Номер патента: US20060040466A1. Автор: Gurtej Sandhu,Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-23.

Methods of forming integrated circuits, and DRAM circuitry memory cells

Номер патента: US20060040455A1. Автор: Gurtej Sandhu,Chandra Mouli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-23.

Conductive wiring for a semiconductor device and method of forming the same, and flash memory device having the conductive wiring and method of manufacturing the same

Номер патента: KR100795363B1. Автор: 최길현,최경인,박현,이종명,홍종원,이현배. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-01-17.

Nanocrystal silicon layer structures formed using plasma deposition technique, methods of forming the same, nonvolatile memory devices having the nanocrystal silicon layer structures, and methods of fabricating the nonvolatile memory devices

Номер патента: US8110485B2. Автор: SUNG Wook Jung,Kyung Soo Jang,Jae Hyun Cho,Byoung Deog Choi,Jun Sin Yi. Владелец: Sungkyunkwan University Foundation For Corporate Collaboration. Дата публикации: 2012-02-07.

Methods of forming microelectronic devices, and related microelectronic devices, memory devices, and electronic systems

Номер патента: EP4420494A1. Автор: Kunal R. Parekh,Angela S. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

HK embodied flash memory and methods of forming the same

Номер патента: US9620372B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Wei-Hang Huang,Ming-Chyi Liu,Ru-Liang Lee,Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Wei Cheng Wu,Chang-Ming Wu,Yu-Hsing Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor devices comprising continuous crystalline structures, and related memory devices and systems

Номер патента: US11728387B2. Автор: Manuj Nahar,Michael Mutch. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor devices comprising continuous crystalline structures, and related memory devices and systems

Номер патента: US20210265466A1. Автор: Manuj Nahar,Michael Mutch. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-26.

Methods of forming copper iodide layer and structures including copper iodide layer

Номер патента: US20230243032A1. Автор: Michael Givens,Varun Sharma,Charles DEZELAH,Bart Vermeulen,Andrea Illiberi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-08-03.

Semiconductor structures, memory devices and systems, and methods of forming same

Номер патента: US20200075330A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Ashonita A. Chavan,Sameer Chhajed,Michael Mutch. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-03-05.

Methods of forming semiconductor structures

Номер патента: US20200075713A1. Автор: Wayne I. Kinney,Manuj Nahar,Michael Mutch. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-03-05.

Method of forming buffer architecture (versions) and microelectronic structure formed thus

Номер патента: RU2468466C2. Автор: Манту К. ХАДЕЙТ,Питер Г. ТОЛЧИНСКИ,Лорен А. ЧОУ,Дмитрий ЛОУБЫЧЕВ,Жоэль М. ФАСТЕНО,Ами В.К. ЛИУ. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2012-11-27.

Method of forming contact hole and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20060134910A1. Автор: Pin-Yao Wang,Min-San Huang,Leon Lai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-22.

Integrated circuit devices including a vertical field-effect transistor (vfet) and methods of forming the same

Номер патента: US20210376126A1. Автор: Seon-Bae Kim,Seung Hyun Song,Chang Woo SOHN,Young Chai Jung,Min Cheol Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-02.

Methods of forming transistors and devices comprising transistors

Номер патента: US20220189828A1. Автор: Kevin J. Torek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Integrated circuit devices including a vertical field-effect transistor (vfet) and methods of forming the same

Номер патента: US20210111270A1. Автор: Seon-Bae Kim,Seung Hyun Song,Chang Woo SOHN,Young Chai Jung,Min Cheol Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-15.

Methods of forming power semiconductor devices having merged split-well body regions therein and devices formed thereby

Номер патента: EP1027725A2. Автор: Jun Zeng,Carl Franklin Wheatley. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2000-08-16.

Method of forming a semiconductor device including trench termination

Номер патента: US9773693B2. Автор: Gordon M. Grivna,Zia Hossain,Ali Salih. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-09-26.

Method of forming pn junction including transition metal dichalcogenide, method of fabricating semiconductor device using the same, and semiconductor device fabricated by the same

Номер патента: US20230245887A1. Автор: Jin-Hong Park,Jin-Hyuk Kim,Sang-Yong Park,Sejin KYUNG. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-08-03.

Semiconductor structure with a logic device and a memory device being formed in different levels, and method of forming the same

Номер патента: US12058869B2. Автор: Chung-Te Lin,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Method of Forming Internal Spacer for Nanowires

Номер патента: US20180166534A1. Автор: Zheng Tao,Boon Teik CHAN,Soon Aik Chew. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-06-14.

Method of Manufacturing Array Substrate and Method of Manufacturing Display Device

Номер патента: US20190027512A1. Автор: Qi Yao,Haixu Li,Zhanfeng CAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-24.

Semiconductor Device Manufacturing Methods and Methods of Forming Insulating Material Layers

Номер патента: US20130043512A1. Автор: Neng-Kuo Chen,Sey-Ping Sun,Clement Hsingjen Wann,Gin-Chen Huang,Tsai-fu Hsiao,Ching-Hong Jiang,Hongfa Luan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-02-21.

Self-aligned inner spacer on gate-all-around structure and methods of forming the same

Номер патента: US11749742B2. Автор: Pang-Yen Tsai,Pei-Wei Lee,Tsungyu Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Methods of forming a P-well in an integrated circuit device

Номер патента: US20060024927A1. Автор: Frank Thiel,Ranadeep Dutta. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-02.

Nonvolatile semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110217831A1. Автор: Takeshi Kikuchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-09-08.

Three-dimensional stackable ferroelectric random access memory devices and methods of forming

Номер патента: US20240268122A1. Автор: Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory devices, memory arrays, and methods of forming memory arrays

Номер патента: US20180182761A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-28.

Ferroelectric random access memory devices and methods

Номер патента: US11758736B2. Автор: Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Vertical transistor, memory cell, device, system and method of forming same

Номер патента: US20150262643A1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-09-17.

Memory device and method for making same

Номер патента: US9041084B2. Автор: Armin Tilke. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-05-26.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US20220384525A1. Автор: Yu-Ming Lin,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240147738A1. Автор: Yu-Ming Lin,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Vertical transistor, memory cell, device, system and method of forming same

Номер патента: US20130258756A1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-10-03.

Write Assist for a Memory Device and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20190295632A1. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-09-26.

Write Assist for a Memory Device and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20210201991A1. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Magnetic tunnel junctions and methods of forming magnetic tunnel junctions

Номер патента: EP3044815A1. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-07-20.

Method of forming p-n junction on zno thin film and p-n junction thin film

Номер патента: US20030183818A1. Автор: Young-Chang Kim,Sang-Yeol Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-02.

Memory Devices which include Memory Arrays

Номер патента: US20180261602A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-09-13.

Method of forming a high-voltage device

Номер патента: US6063671A. Автор: Ming-Tsung Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2000-05-16.

Memory device having 2-transistor vertical memory cell and a common plate

Номер патента: US11776907B2. Автор: Haitao Liu,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Karthik Sarpatwari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Method of forming a diode for integration with a semiconductor device and method of forming a transistor device having an integrated diode

Номер патента: EP1102318B1. Автор: Evgueniy Stefanov,Jean-Michel Reynes,Ivana Deram. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2005-06-29.

Method of forming a mos transistor of a semiconductor

Номер патента: US20020001910A1. Автор: Tony Lin,Jih-Wen Chou,Chin-Lai Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-01-03.

Elevationally-Extending String of Memory Cells and Methods of Forming an Elevationally-Extending String of Memory Cells

Номер патента: US20230157024A1. Автор: John D. Hopkins,David Daycock. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Magnetic Tunnel Junctions And Methods Of Forming Magnetic Tunnel Junctions

Номер патента: US20160118439A1. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2016-04-28.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230143211A1. Автор: Chih-Jen Huang,Chao-Yang Chen. Владелец: Memorist Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Method of forming bit line of flash memory device

Номер патента: US7807565B2. Автор: Tae Kyung Kim,Eun Soo Kim,Woo Yung Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-10-05.

Structure of active pattern and method of forming the same, non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: KR101108711B1. Автор: 이충호,강희수. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2012-01-30.

Method of forming isolation film of semiconductor memory device

Номер патента: KR101002474B1. Автор: 김은수,조휘원,조종혜. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-12-17.

method of of forming interconnection lines in a semiconductor memory device

Номер патента: KR100558493B1. Автор: 나영섭. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-03-07.

Method of Forming Isolation Layer of Semiconductor Memory Device

Номер патента: US20080206957A1. Автор: Min Sik Jang,Kwang Hyun Yun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-08-28.

Method of forming gate pattern of flash memory device including over etch with argon

Номер патента: US7741203B2. Автор: In No Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-06-22.

Method of Forming Isolation Layer of Semiconductor Memory Device

Номер патента: US20090170321A1. Автор: Whee Won Cho,Jong Hye Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-07-02.

Method of forming isolation structure of semiconductor memory device

Номер патента: US20080242047A1. Автор: Doo Ho Choi,Kwang Hyun Yun,Wan Sup SHIN. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-10-02.

Method of forming gate pattern of flash memory device

Номер патента: CN101276755B. Автор: 李仁鲁. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-08-04.

Method of forming metal wiring in flash memory device

Номер патента: KR20050042862A. Автор: 이재중. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-05-11.

Method of forming an isolation in flash memory device

Номер патента: KR100946116B1. Автор: 이동환,박병수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-03-10.

Method of fabricating trap type nonvolatile memory device

Номер патента: US20070134868A1. Автор: Chang-Hyun Lee,Young-sun Kim,Seung-Hwan Lee,Sung-Jung Kim,Han-mei Choi,Young-Geun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-06-14.

Method of fabricating flat-cell mask read-only memory devices

Номер патента: US20030153153A1. Автор: Hee-Jueng Lee,Myung-Ho Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-08-14.

Method of making a capacitor electrode of a memory device having alternately stacked oxides and nitrides over a sacrificial layer

Номер патента: US10861857B2. Автор: Feng-Yi Chang,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-08.

Formation method of field etch stop layer in semiconductor memory devices

Номер патента: KR20020006089A. Автор: 위영진. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2002-01-19.

Resistive random access memory devices, and related semiconductor device structures

Номер патента: US20140145138A1. Автор: Timothy A. Quick. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-05-29.

3D NAND flash memory devices, and related electronic systems

Номер патента: US12096626B2. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory devices, semiconductor devices and related methods

Номер патента: US20190267323A1. Автор: Michael A. Smith,Eric H. Freeman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-29.

Variable resistance memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200219934A1. Автор: ByeongJu Bae,Duckhee Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-09.

Integrated circuit, memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230071284A1. Автор: Chih-Wei Hung,Kuo-Pin Chang,Chien Hung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-09.

Variable resistance memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20140103283A1. Автор: Kwon Hong,Kee-Jeung Lee,Beom-Yong Kim,Woo-young Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-04-17.

Non-volatile memory device with filament confinement

Номер патента: US20230052035A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Desmond Jia Jun Loy. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-02-16.

Method of forming three-dimensional memory device

Номер патента: US20230088149A1. Автор: Chia-Jung Chiu,Kuan-Yuan SHEN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-23.

Method of forming a silicide interconnect over a silicon comprising substrate and method of forming a stack of refractory metal nitride over refractory metal silicide over silicon

Номер патента: US20010014532A1. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-16.

Method of using platinum metallization in system of redistribution of contact pads of crystals of integrated microcircuits and semiconductor devices

Номер патента: RU2717264C1. Автор: Никита Владимирович Рогозин,Виталий Владимирович Побединский. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники". Дата публикации: 2020-03-19.

Nonvolatile nand-type memory devices including charge storage layers connected to insulating layers

Номер патента: US20100128531A1. Автор: Changhyun LEE,Jungdal CHOI,Yoocheol Shin,Yongsik Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-05-27.

Test terminal negation circuit, method of negating a test singal, nonvolatile semiconductor memory device, and ic card

Номер патента: TWI296374B. Автор: Shuro Fukuhara. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2008-05-01.

Method of forming copper wiring and method and system for forming copper film

Номер патента: US20120196052A1. Автор: Kenzi Suzuki,Osamu Yokoyama,Tadahiro Ishizaka,Atsushi Gomi,Takashi Sakuma,Masamichi Hara,Tatsuo Hatano,Yasushi Mizusawa,Hiroyuki Toshima,Chiaki Yasumuro,Takara KATO. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-08-02.

Methods of forming a metal silicide region in an integrated circuit

Номер патента: US20130026617A1. Автор: Michael G. Ward,Igor V. Peidous. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2013-01-31.

Method of selectively forming layer using atomic layer deposition and method of forming interconnect of semiconductor device using the same

Номер патента: US20240203788A1. Автор: Jeongyub Lee,Sunghee Lee,Eunhyoung Cho,Hanboram LEE. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-06-20.

Conformal and smooth titanium nitride layers and methods of forming the same

Номер патента: US20230215725A1. Автор: Sung-hoon Jung,Niloy Mukherjee,Hae Young Kim,Yoshikazu Okuyama,Nariman Naghibolashrafi,Bunsen B. Nie,Somilkumar J. Rathi. Владелец: Eugenus Inc. Дата публикации: 2023-07-06.

Method of selectively forming layer using atomic layer deposition and method of forming interconnect of semiconductor device using the same

Номер патента: EP4389930A2. Автор: Jeongyub Lee,Sunghee Lee,Eunhyoung Cho,Hanboram LEE. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-06-26.

Method of selectively forming layer using atomic layer deposition and method of forming interconnect of semiconductor device using the same

Номер патента: EP4389930A3. Автор: Jeongyub Lee,Sunghee Lee,Eunhyoung Cho,Hanboram LEE. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-08-14.

Conformal and smooth titanium nitride layers and methods of forming the same

Номер патента: US20210104396A1. Автор: Sung-hoon Jung,Niloy Mukherjee,Hae Young Kim,Yoshikazu Okuyama,Nariman Naghibolashrafi,Bunsen B. Nie,Somilkumar J. Rathi. Владелец: Eugenus Inc. Дата публикации: 2021-04-08.

Method of forming a semiconductor device with a multi-layer WSix film with small grain size structure, and a semiconductor device having a polysilicon layer with a multi-layer WSix film formed thereon

Номер патента: US20030100184A1. Автор: Hsiao-Che Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-29.

Methods of forming microelectronic devices, and related memory devices, and electronic systems

Номер патента: US20220181352A1. Автор: Justin B. Dorhout,Indra V. Chary,Shuangqiang Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-09.

Method of reducing reliability degradation of nonvolatile memory device, nonvolatile memory device using the same and method of testing nonvolatile memory device using the same

Номер патента: US11915770B2. Автор: Minseok Kim,Junyong PARK,Ilhan Park,Doohyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-27.

Method of forming pad layer in semiconductor memory device

Номер патента: KR970054130A. Автор: 이주영,장순규. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-07-31.

Method of forming metal line in flash memory devices

Номер патента: KR100646960B1. Автор: 이민규. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-11-17.

Methods of Forming Three-Dimensional Phase Change Memory Devices

Номер патента: KR20220003005A. Автор: 쥔 류. Владелец: 양쯔 메모리 테크놀로지스 씨오., 엘티디.. Дата публикации: 2022-01-07.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230422475A1. Автор: LING Li,Tsun-Min Cheng,Ronghui Lin,Wen-Yi Teng,Liandie Zhuang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Preparation method of high-density three-dimensional programmable memory

Номер патента: CN113035874A. Автор: 彭泽忠. Владелец: Chengdu Ppm Technology Ltd. Дата публикации: 2021-06-25.

Memory system including a nonvolatile memory device, and an erasing method thereof

Номер патента: US11894092B2. Автор: Wontaeck Jung,Buil Nam,Myoungho Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-06.

Nonvolatile memory device and operating method of the same

Номер патента: US20210193225A1. Автор: Jong-Chul Park,Youn-yeol Lee,Seul-bee LEE,Kyung-sub LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-24.

Method of verifying layout of vertical memory device

Номер патента: US20170243882A1. Автор: Sung-Hoon Kim,Ki-Won Kim,Jae-Ick SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-24.

Memory cell, memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230371400A1. Автор: Chien-Min Lee,Shy-Jay Lin,Kai-Tai Chang,Tung-Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Non-volatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210066583A1. Автор: Taeho Kim,Woo Young Park,Hyunchul SOHN,Jinyeol LEE. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2021-03-04.

Non-volatile memory device having threshold switching resistor, memory array including the non-volatile memory device and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20090086527A1. Автор: Young-soo Park,Myoung-Jae Lee,Chang-burn Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-04-02.

Switching device, driving method and manufacturing method of switching device, integrated circuit device, and memory device

Номер патента: WO2006070698A1. Автор: Hiroshi Sunamura,Hisao Kawaura. Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2006-07-06.

Method of arranging pads in semiconductor device, semiconductor memory device using the method, and processing system having mounted therein the semiconductor memory device

Номер патента: US8680524B2. Автор: Chi-Sung Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-03-25.

Three-dimensional non-volatile memory device with filament confinement

Номер патента: US20230200091A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Desmond Jia Jun Loy. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-06-22.

Method of providing variable retention time to a memory device and a memory device that uses the method

Номер патента: TWI368911B. Автор: Aaron Mandell,Stuart Spitzer,Juri H Krieger,Michael A Vanbuskirk. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2012-07-21.

RESISTANCE CHANGE MEMORY DEVICE HAVING THRESHOLD SWITCHING AND MEMORY SWITCHING CHARACTERISTICS, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND RESISTANCE CHANGE MEMORY DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20130270509A1. Автор: Liu Xinjun,KIM Seonghyun,HWANG Hyunsang. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2013-10-17.

Magnetoresistive structures, memory devices including the same, and methods of manufacturing the magnetoresistive structures and the memory devices

Номер патента: US20140231941A1. Автор: Sung-Chul Lee,Kee-Won Kim,Kwang-Seok Kim,Young-man Jang,Ung-hwan Pi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-08-21.

SWITCHING DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND NON-VOLATILE MEMORY DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20190221739A1. Автор: Kim Young Seok,PARK Ji Woon,Kim Hyeong Joon. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-18.

Resistance change memory device having threshold switching and memory switching characteristics, method of fabricating the same, and resistance change memory device including the same

Номер патента: US9269901B2. Автор: Xinjun Liu,Seonghyun Kim,Hyunsang Hwang. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2016-02-23.

Layout structure and method of a column path of a semiconductor memory device

Номер патента: TW495957B. Автор: Hyang-Ja Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-07-21.

METHOD OF FABRICATING A CHARGE TRAP NAND FLASH MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130087849A1. Автор: Mariani Marcello,Albini Giulio,Meotto Umberto M.,Tessariol Paolo,Bacciaglia Paola. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-04-11.

METHODS OF FABRICATING A THREE-DIMENSIONAL NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150079743A1. Автор: Alsmeier Johann,Lee Yao-Sheng,Makala Raghuveer S.,PACHAMUTHU Jayavel. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2015-03-19.

METHOD OF INITIALIZING AND PROGRAMING 3D NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170125109A1. Автор: LEE Sang Ho,PARK Byung Gook,KWON Dae Woong,KIM Do Bin. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-04.

METHOD OF MANUFACTURING A THREE-DIMENSIONAL NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200194441A1. Автор: LEE Da Som,KWON Eun Mee. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-18.

Method of manufacturing charge storage electrode in semiconductor memory device

Номер патента: KR940016770A. Автор: 김재갑. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1994-07-25.

Method of forming semiconductor structures for converting the radio-chemical decay of c-14 into electric energy

Номер патента: RU2714783C2. Автор: Виктор Иванович Чепурнов,Олег Леонидович Сурнин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "БетаВольтаика". Дата публикации: 2020-02-19.

Method of forming chalcogenide thin film

Номер патента: US20110027976A1. Автор: Jung-Wook Lee,Dong-Ho You,Ki-hoon Lee. Владелец: IPS Ltd. Дата публикации: 2011-02-03.

Method of forming junction of semiconductor device

Номер патента: US20090111233A1. Автор: Dong Ho Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-04-30.

Interconnects for stacked non-volatile memory device and method

Номер патента: US20120112155A1. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2012-05-10.

Methods of forming semiconductor memory devices

Номер патента: US20150037949A1. Автор: Jaegoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-02-05.

Methods of forming microelectronic devices with nitrogen-rich insulative structures, and related memory devices and electronic systems

Номер патента: US20240215246A1. Автор: Kadir Abdul,Swapnil A. Lengade,Jeremy Adams,Naiming Liu,Jeslin J. Wu,Carlo Mendoza OROFEO. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Methods of forming transistor gates; and methods of forming programmable read-only memory constructions

Номер патента: US20060046451A1. Автор: Winston Scott. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-02.

Methods of forming transistor gates; and methods of forming programmable read-only memory constructions

Номер патента: US20020187611A1. Автор: Winston Scott. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-12.

Methods of forming transistor gates; and methods of forming programmable read-only memory constructions

Номер патента: US20040038460A1. Автор: Winston Scott. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-26.

Nonvolatile memory device having STI structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20020182806A1. Автор: Sun-Young Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-12-05.

Interconnects for stacked non-volatile memory device and method

Номер патента: US20120273748A1. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2012-11-01.

Methods of forming package structures for enhanced memory capacity and structures formed thereby

Номер патента: US20180182734A1. Автор: Ranjul Balakrishnan,Navneet K. Singh,Shanto A. Thomas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-06-28.

Methods of forming memory device with reduced resistivity

Номер патента: WO2023278296A1. Автор: Deenesh Padhi,Abdul Wahab MOHAMMED,Gill Yong Lee,Hang Yu,Sung-Kwan Kang,Chuanxi YANG,Hailing Liu,Qixin Shen. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-01-05.

Methods of forming microelectronic devices, and related microelectronic devices, memory devices, and electronic systems

Номер патента: WO2022132537A1. Автор: Lifang Xu,John D. Hopkins,Nancy M. LOMELI,Kar Wui Thong,Indra V. Chary,Shuangqiang Luo,Shicong Wang. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-06-23.

Methods of forming memory devices

Номер патента: US12022752B2. Автор: Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Methods of forming microelectronic devices

Номер патента: US20230301081A1. Автор: Lifang Xu,Christopher J. Larsen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Method of forming semiconductor memory device

Номер патента: US20210151442A1. Автор: Yi-Wei Chen,Chun-Chieh Chiu,Shih-Fang Tzou,Hsu-Yang Wang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-20.

Method of forming semiconductor memory device

Номер патента: US12058851B2. Автор: Yi-Wei Chen,Chun-Chieh Chiu,Shih-Fang Tzou,Hsu-Yang Wang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Method of forming semiconductor memory device

Номер патента: US20240324187A1. Автор: Yi-Wei Chen,Chun-Chieh Chiu,Shih-Fang Tzou,Hsu-Yang Wang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Peripheral circuitry under array memory device and method of fabricating thereof

Номер патента: US20230371261A1. Автор: Chung-Te Lin,Sheng-Chih Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Pattern forming method, semiconductor memory device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240266170A1. Автор: Donghwan Lee,Wonchul Lee,Kanguk KIM,Seokhyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Titanium containing dielectric films and methods of forming same

Номер патента: AU7083400A. Автор: Cem Basceri,Dan Gealy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-03-26.

Titanium containing dielectric films and methods of forming same

Номер патента: EP1212476A1. Автор: Cem Basceri,Dan Gealy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-06-12.

Methods of forming microelectronic devices, and related microelectronic devices, memory devices, and electronic systems

Номер патента: US20230290409A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Shuangqiang Luo,Jiewei Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Memory device including staircase structure having conductive pads

Номер патента: US11721629B2. Автор: Yiping Wang,John Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Alyssa N. SCARBROUGH. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-08.

3d memory device and method of forming seal structure

Номер патента: US20240234339A9. Автор: Teng-Hao Yeh,Cheng-Yu Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Methods of electrically contacting to conductive plugs, methods of forming contact openings, and methods of forming dynamic random access memory circuitry

Номер патента: US20010012657A1. Автор: Martin Roberts,Kunal Parekh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-09.

Methods of forming microelectronic devices

Номер патента: US20240250033A1. Автор: XIAO Li,Lifang Xu,Shuangqiang Luo,Jivaan Kishore Jhothiraman,Mohad Baboli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Methods of forming dielectric materials, methods of forming capacitors, and capacitor constructions

Номер патента: US20020066920A1. Автор: Er-Xuan Ping,Lingyi Zheng,Behnam Moradi,John Packard. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-06-06.

Microelectrode array unit having liquid crystal polymer, and method of making said unit

Номер патента: RU2488914C2. Автор: Сун Джун КИМ,Сеун Воо ЛИ,Чоон Джае ЛИ,Соонкван АН. Владелец: Нуро Био-Системз Корп.. Дата публикации: 2013-07-27.

Construction Of Integrated Circuitry And A Method Of Forming An Elevationally-Extending Conductor Laterally Between A Pair Of Structures

Номер патента: US20190139893A1. Автор: Silvia Borsari. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-05-09.

Methods of forming dielectric materials, methods of forming capacitors, and capacitor constructions

Номер патента: US20020076938A1. Автор: Er-Xuan Ping,Lingyi Zheng,Behnam Moradi,John Packard. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-20.

Method of forming via hole, array substrate and method of forming the same and display device

Номер патента: US20180233379A1. Автор: Zhidong Yuan. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-16.

Methods of forming a semiconductor cell array region, method of forming a semiconductor device including the semiconductor cell array region, and method of forming a semiconductor module including the semiconductor device

Номер патента: US20110177671A1. Автор: Yong-Hoon Son,Byeong-Chan Lee,Sun-Ghil Lee,Sung-Woo Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-21.

Methods of forming contacts,methods of contacting lines,methods of operating integrated circuitry , and integrated circuits

Номер патента: US20020016053A1. Автор: Tyler A. Lowrey,Robert Kerr,Luan C. Tran,Brian Shirley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-07.

Method of forming contacts, methods of contacting lines, methods of operating integrated circuitry, and integrated circuits

Номер патента: US20030075810A1. Автор: Robert Kerr,Tyler Lowrey,Luan Tran,Brian Shirley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-24.

A construction of integrated circuitray and a method of forming an elevationally-extending conductor laterally between a pair of structures

Номер патента: WO2018194713A1. Автор: Silvia Borsari. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-10-25.

Array Of Capacitors, Array Of Memory Cells, Methods Of Forming An Array Of Capacitors, And Methods Of Forming An Array Of Memory Cells

Номер патента: US20220037342A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Method of forming shape on mask based on deep learning, and mask manufacturing method using the method of forming the shape on mask

Номер патента: US11747721B2. Автор: Mincheol Kang,Useong KIM,Woojoo SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-05.

Method of forming wiring pattern, and method of forming source electrode and drain electrode for TFT

Номер патента: US20060051500A1. Автор: Toshimitsu Hirai,Shinri Sakai. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-03-09.

Method of Forming Contacts for Devices with Multiple Stress Liners

Номер патента: US20120299160A1. Автор: Peter Baars,Thilo Scheiper,Marco Lepper. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-11-29.

Method of forming a capacitor and an electrical connection thereto, and method of forming DRAM circuitry

Номер патента: US20010055850A1. Автор: Howard Rhodes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-27.

Semiconductor packaging structure and method of forming the same

Номер патента: US20190319010A1. Автор: Boo Yang Jung,Jason Au. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2019-10-17.

Method of patterning capacitors and capacitors made thereby

Номер патента: US20040063278A1. Автор: Haoren Zhuang,Ulrich Egger,Karl Hornik,Jenny Lian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-01.

Method of patterning capacitors and capacitors made thereby

Номер патента: WO2004030069A2. Автор: Haoren Zhuang,Ulrich Egger,Karl Hornik,Jenny Lian. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-04-08.

Semiconductor Constructions, Memory Arrays, Methods of Forming Semiconductor Constructions and Methods of Forming Memory Arrays

Номер патента: US20140021439A1. Автор: Fabio Pellizzer,Cinzia Perrone. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-01-23.

Standard cell device and method of forming an interconnect structure for a standard cell device

Номер патента: US20200328109A1. Автор: Juergen Boemmels,Julien Ryckaert. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-10-15.

Capacitors, methods of forming capacitors, and methods of forming capacitor dielectric layers

Номер патента: US20030045050A1. Автор: John Moore,Scott DeBoer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-06.

Method of forming carbon layer and method of forming interconnect structure

Номер патента: US20220068633A1. Автор: Hyeonjin Shin,Keunwook SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-03.

Methods of forming a metal telluride material, related methods of forming a semiconductor device structure, and related semiconductor device structures

Номер патента: US20140227863A1. Автор: Stefan Uhlenbrock,Eugene P. Marsh,Timothy A. Quick. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-14.

Methods of forming features in semiconductor device structures

Номер патента: US20140145311A1. Автор: Adam L. Olson,William R. Brown,Ho Seop Eom,Xue Chen,Kaveri Jain,Anton J. deVilliers,Lijing Gou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-05-29.

Methods of reducing silicon consumption, methods of forming a semiconductor structure, and methods of forming isolation structures

Номер патента: US20190355578A1. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-21.

Sheet of semiconducting material, system for forming same, and method of forming same

Номер патента: WO2014058698A1. Автор: Prantik Mazumder,Samir Biswas,Glen Bennett Cook,Balram Suman,Kamal Kishore Soni,Douglass Lane Blanding. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2014-04-17.

Method of forming nano-scale structures from polycrystalline materials and nano-scale structures formed thereby

Номер патента: MY120870A. Автор: Lawrence A Clevenger,Munir D Naeem. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2005-11-30.

METHOD OF FORMING p-TYPE GALLIUM NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR, METHOD OF FORMING NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF FORMING EPITAXIAL WAFER

Номер патента: US20110111578A1. Автор: Masaki Ueno,Takao Nakamura,Yusuke Yoshizumi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-05-12.

METHOD OF FORMING p-TYPE GALLIUM NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR, METHOD OF FORMING NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF FORMING EPITAXIAL WAFER

Номер патента: US20100279495A1. Автор: Masaki Ueno,Takao Nakamura,Yusuke Yoshizumi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-11-04.

Method of minimizing via sidewall damages during dual damascene trench reactive ion etching in a via first scheme

Номер патента: SG151170A1. Автор: Hermann Wendt,Ravi Prakash Srivastava,Kaushik A Kumar,Nicholson M Lee. Владелец: Infineon Technologies Corp. Дата публикации: 2009-04-30.

Semiconductor processing methods of forming contact openings, methods of forming electrical connections and interconnections, and integrated circuitry

Номер патента: US20010010969A1. Автор: Charles Dennison. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-02.

Semiconductor processing methods of forming contact openings, methods of forming electrical connections and interconnections, and integrated circuitry

Номер патента: US20020013047A1. Автор: Charles Dennison. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-31.

Semiconductor processing methods of forming contact openings, methods of forming electrical connections and interconnections, and integrated circuitry

Номер патента: WO2000014792A1. Автор: Charles H. Dennison. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2000-03-16.

Method of growing thick oxide films at low temperature of thermal oxide quality

Номер патента: EP3942596A1. Автор: Steven Verhaverbeke,Kurtis LESCHKIES,Benjamin Colombeau,Johanes F. Swenberg. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-01-26.

Semiconductor processing methods of forming contact openings, methods of forming electrical connections and interconnections, and integrated circuitry

Номер патента: US6753241B2. Автор: Charles H. Dennison. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-06-22.

Semiconductor processing methods of forming contact openings, methods of forming electrical connections and interconnections

Номер патента: US6468883B2. Автор: Charles H. Dennison. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-10-22.

Methods of forming staircase structures

Номер патента: US20190206726A1. Автор: Adam L. Olson,William R. Brown,Kaveri Jain,Robert Dembi,Lance Williamson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

Structure and method of forming a semiconductor device with resistive elements

Номер патента: US12074107B2. Автор: Wen-Sheh Huang,Yung-Shih Cheng,Hong-Wei Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Methods of processing units comprising crystalline materials, and methods of forming semiconductor-on insulator constructions

Номер патента: EP2764551A1. Автор: Ming Zhang,SHU QIN. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-13.

Method of forming a bottom electrode of a capacitor in a dynamic random access memory cell

Номер патента: US20010008785A1. Автор: Chien-Li Kuo,Wei-Wu Liao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-07-19.

Method of forming semiconductor structure

Номер патента: US20090053873A1. Автор: Chung-Lin Huang,Ching-Nan Hsiao,Hung-Mine Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-02-26.

Method of forming chip package having stacked chips

Номер патента: US12087737B2. Автор: Weiping Li. Владелец: Yibu Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor devices having insulating substrates and methods of formation thereof

Номер патента: US20160284990A1. Автор: Volker Strutz,Carsten Von Koblinski,Manfred Engelhardt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-09-29.

Method of forming ferroelectric film

Номер патента: US20040259275A1. Автор: Takeshi Kijima,Eiji Natori,Yasuaki Hamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-12-23.

Methods Of Forming A Plurality Of Conductive Lines In The Fabrication Of Integrated Circuitry, Methods Of Forming An Array Of Conductive Lines, And Integrated Circuitry

Номер патента: US20110266689A1. Автор: Ming Zhang,Sanh Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-11-03.

Methods of forming a plurality of conductive lines in the fabrication of integrated circuitry, methods of forming an array of conductive lines, and integrated circuitry

Номер патента: SG175834A1. Автор: Ming Zhang,Sanh D Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-12-29.

Methods of forming interconnect structures using via holes filled with dielectric film first and structures formed thereby

Номер патента: US20200365451A1. Автор: Chung-Ju Lee,Chih-Wei Lu,Hsi-Wen Tien,Wei-Hao Liao,Pin-Ren Dai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Methods of forming rutile titanium dioxide and associated methods of forming semiconductor structures

Номер патента: WO2012109026A2. Автор: Chris Carlson,Vishwanath Bhat,Tsai-Yu Huang,Vassil Antonov. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-08-16.

Method of forming overlay mark structure

Номер патента: US20200013724A1. Автор: Yi-Ting Chen,En-Chiuan Liou,Hsiao-Lin Hsu,Sho-Shen Lee,zheng-feng Chen,Lu-Wei KUO. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-09.

Method of making a polycrystalline thin film, a mask pattern used in the same and a method of making a flat panel display device using the same

Номер патента: US20070015320A1. Автор: Ki-Yong Lee,Hye-Hyang Park. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-18.

Method of forming ferroelectric film, ferroelectric memory, method of manufacturing the same, semiconductor device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040080991A1. Автор: Tatsuo Sawasaki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-04-29.

Method of forming ferroelectric film, ferroelectric memory, method of manufacturing the same, semiconductor device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US6787371B2. Автор: Tatsuo Sawasaki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-09-07.

Methods of forming patterns for semiconductor device structures

Номер патента: US20160048074A1. Автор: Scott L. Light,Yuan He,Michael Hyatt,Michael A. Many. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-02-18.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20050026314A1. Автор: Koji Yamaguchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-02-03.

Methods of forming nanostructures utilizing self-assembled nucleic acids

Номер патента: US20220262623A1. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-18.

Method of forming line/space patterns

Номер патента: US8338310B2. Автор: Sung-Gon Jung,Woo-Sung Han,Suk-joo Lee,Seong-Woon Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-12-25.

Method of fabricating a semiconductor device with reduced oxide film variation

Номер патента: US7947567B2. Автор: Masanori Terahara,Junji Oh. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-05-24.

Method of forming electrode on ceramic green sheet and method of manufacturing multilayer ceramic electronic component

Номер патента: US5865920A. Автор: Masahiro Sakuratani,Isao Kaizaki. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 1999-02-02.

Method of forming dielectric film and capacitor manufacturing method using the same

Номер патента: US20070173028A1. Автор: Kenji Komeda. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-07-26.

Semiconductor Devices Having Insulating Substrates and Methods of Formation Thereof

Номер патента: US20170148981A1. Автор: Volker Strutz,Carsten Von Koblinski,Manfred Engelhardt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-25.

Double Patterning Method Of Forming Semiconductor Active Areas And Isolation Regions

Номер патента: US20150206788A1. Автор: Chien-Sheng Su,Jeng-Wei Wang. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2015-07-23.

Method of forming cavity between multilayered wirings

Номер патента: US7005248B2. Автор: Takahiko Kurosawa,Kaori Shirato. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2006-02-28.

Method of forming cavity between multilayered wirings

Номер патента: US20040092127A1. Автор: Takahiko Kurosawa,Kaori Shirato. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2004-05-13.

Methods of forming openings in semiconductor structures

Номер патента: US20150380307A1. Автор: Adam L. Olson,William R. Brown,Ho Seop Eom,Kaveri Jain,Anton J. deVilliers,Lijing Gou,Xue (Gloria) Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-12-31.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20040115924A1. Автор: Min Yong Lee,Yong Seok Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-06-17.

Method of forming a capacitor dielectric layer

Номер патента: US20030207592A1. Автор: John Moore,Scott DeBoer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-06.

Method of forming openings in a semiconductor device and a semiconductor device fabricated by the method

Номер патента: US20100291770A1. Автор: Massud Abubaker Aminpur,Scott Warrick,Lionel Riviere-Cazeaux,Will Conley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-18.

Method of forming extruded structures from polycrystalline materials and devices formed thereby

Номер патента: US20020179201A1. Автор: Lawrence Clevenger,Munir Naeem. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Methods of forming metal nitride, and methods of forming capacitor constructions

Номер патента: US20060009019A1. Автор: Er-Xuan Ping,Lingyi Zheng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-12.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20080272444A1. Автор: Hiroyuki Kitamura. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-11-06.

Method of forming patterns of semiconductor device

Номер патента: US20240194521A1. Автор: JungHan LEE,Kwanyoung Chun,Jisoo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Template, method of forming a template, apparatus and method of manufacturing an article

Номер патента: US12085852B2. Автор: Amir Tavakkoli Kermani Ghariehali. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Methods of forming microelectronic devices, and related microelectronic devices, memory devices, and electronic systems

Номер патента: US20220246681A1. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-04.

Methods of forming microelectronic devices, and related microelectronic devices, memory devices, and electronic systems

Номер патента: US20220077168A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Nancy M. LOMELI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Methods of forming microelectronic devices

Номер патента: US12041769B2. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Nancy M. LOMELI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Microelectronic devices, and related methods and memory devices

Номер патента: US12089422B2. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Three-dimensional memory device and method of making thereof by non-conformal selective deposition of insulating spacers in a memory opening

Номер патента: US20240237346A1. Автор: Bing Zhou,Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Senaka Kanakamedala,Adarsh RAJASHEKHAR,Kartik SONDHI,Roshan Jayakhar TIRUKKONDA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory device manufacturing method

Номер патента: US6743647B2. Автор: Yukinobu Hikosaka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-06-01.

Memory devices, systems, and methods of forming arrays of memory cells

Номер патента: US20180190717A1. Автор: Shigeru Sugioka. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

Methods of Forming Resistive Memory Devices

Номер патента: US20100233849A1. Автор: Hyun-Jun Sim,Jang Eun Lee,Jun-Ho Jeong,Se-Chung Oh,Kyung-Tae Nam,Dae-Kyom Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-09-16.

Methods of Forming Capacitors For Semiconductor Memory Devices

Номер патента: US20110117715A1. Автор: Yoo-Sang Hwang,Jeong-sic Jeon,Chun-Suk Suh,Jong-Seo Hong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-05-19.

Method of fabricating memory

Номер патента: US7344938B2. Автор: Yider Wu,Jongoh Kim,Kent Kuohua Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-18.

Method of forming memory device with physical vapor deposition system

Номер патента: US12035538B2. Автор: Chin-Szu Lee,Yu-Jen Chien,I-Pin CHIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor devices having balancing capacitor and methods of forming the same

Номер патента: US20140291804A1. Автор: Yoo-Sang Hwang,Hyun-Woo CHUNG,Jong-Un Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-10-02.

Method of forming gallium nitride template with semipolar (20-23) orientation on silicon substrate and semiconductor light-emitting device made using said method

Номер патента: RU2540446C1. Автор: Сергей Арсеньевич Кукушкин,Андрей Витальевич Лукьянов,Андрей Викторович Осипов,Василий Николаевич БЕССОЛОВ,Елена Васильевна Коненкова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Новые Кремневые Технологии". Дата публикации: 2015-02-10.

Method of forming a double-layer light-absorbing electroconductive structure

Номер патента: RU2714273C1. Автор: Евгений Алексеевич Гудилин,Андрей Андреевич Петров,Сергей Анатольевич Фатеев,Алексей Борисович Тарасов,Николай Андреевич Белич,Алексей Юрьевич Гришко,Наталья Николаевна Шлёнская. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2020-02-13.

Method for forming semiconductor memory device

Номер патента: US20240276704A1. Автор: Yifei Yan. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Bottom electrode structure in memory device

Номер патента: US20230255124A1. Автор: Wen-Ting Chu,Chao-Yang Chen,Chun-Yang Tsai,Kuo-Ching Huang,Pili Huang,Cheng-Jun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Ferroelectric random access memory device with seed layer

Номер патента: US12069867B2. Автор: Hsun-Chung KUANG,Hsing-Lien Lin,Bi-Shen LEE,Yi Yang Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Embedded recess in polymer memory package and method of making same

Номер патента: US20030017643A1. Автор: JIAN Li,Xiao-Chun Mu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-01-23.

Structures, lithographic mask forming solutions, mask forming methods, field emission display emitter mask forming methods, and methods of forming plural field emission display emitters

Номер патента: US20020006557A1. Автор: David Wells,Eric Knappenberger,James Alwan,John Michiels. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-17.

Nitride semiconductor light-emitting element and method of making same

Номер патента: RU2586452C2. Автор: Акинори ЁНЭДА,Хирофуми КАВАГУТИ,Коитирох ДЭГУТИ. Владелец: Нития Корпорейшн. Дата публикации: 2016-06-10.

Semiconductive substrate processing methods and methods of processing a semiconductive substrate

Номер патента: US20030022076A1. Автор: David Wells,Eric Knappenberger,James Alwan,John Michiels. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-30.

Method of making a semiconductor memory device

Номер патента: US4830977A. Автор: Yoshiharu Takeuchi,Akira Endo,Hisao Katto,Yuji Arakawa,Nozomi Horino,June Sugiura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1989-05-16.

Methods of forming capacitors, and methods of forming capacitor-over-bit line memory circuitry, and related integrated circuitry constructions

Номер патента: US20020045313A1. Автор: D. Durcan,Tyler Lowrey,Luan Tran,Alan Reinberg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-18.

Methods of forming capacitors, and methods of forming capacitor-over-bit line memory circuitry, and related integrated circuitry constructions

Номер патента: US20010001489A1. Автор: D. Durcan,Tyler Lowrey,Luan Tran,Alan Reinberg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-05-24.

Methods of forming capacitors, methods of forming capacitor-over-bit line memory circuitry, and related integrated circuitry constructions

Номер патента: EP1589575A3. Автор: Tyler A Lowrey,Luan C Tran,D Mark Durcan,Alan R Reinburg. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-05-02.

Method of forming a memory device structure and memory device structure

Номер патента: US20170117322A1. Автор: Ran Yan,Ralf Richter,Yu-Teh Chiang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-27.

A method of forming nano-patterns on a substrate

Номер патента: SG11201901931UA. Автор: Arseniy KUZNETSOV,Yefeng YU,Kwang Wei Joel Yang,Zhaogang DONG,Ramon Paniagua-Dominguez. Владелец: Agency Science Tech & Res. Дата публикации: 2019-04-29.

Method of Forming Bump, Method of Forming Image Sensor Using the Method, Semiconductor Chip and the Sensor so Formed

Номер патента: US20070105360A1. Автор: Jong-Wook Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-10.

Memory device having control gate dielectric structure with different dielectric materials

Номер патента: US20230397406A1. Автор: Soichi Sugiura,Jaydip Guha,Richard Beeler,Sau Ha Cheung,Anthony J. Kanago. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Methods of forming capacitor-over-bit line memory circuitry

Номер патента: EP1603152A3. Автор: Tyler A. Lowrey,Alan R. Reinberg,Luan C. Tran,D Mark Durcan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-05-16.

Hybrid ultrasonic transducer and method of forming the same

Номер патента: US10944041B1. Автор: Ching-Hui Lin,Chun-Ren Cheng,Fu-Chun Huang,Yi Heng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-09.

Methods of Forming an Array Comprising Pairs of Vertically Opposed Capacitors and Arrays Comprising Pairs of Vertically Opposed Capacitors

Номер патента: US20180122798A1. Автор: Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-05-03.

Methods of forming an array comprising pairs of vertically opposed capacitors and arrays comprising pairs of vertically opposed capacitors

Номер патента: WO2018085016A2. Автор: Durai Vishak Nirmai RAMASWAMY. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-05-11.

Method of manufacturing heat sink and heat sink

Номер патента: US20210138592A1. Автор: Keiichi Takahashi,Kazuto Arai. Владелец: Nakamura Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-13.

Material pattern, and mold, metal thin-film pattern, metal pattern using thereof, and methods of forming the same

Номер патента: US8278028B2. Автор: Jun-Bo Yoon,Koeng Su Lim,Jin-Wan Jeon. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2012-10-02.

Post bump and method of forming the same

Номер патента: US20090184420A1. Автор: Chang-Sup Ryu,Seung-Hyun Cho,Seung-Wan Kim,Jin-won Choi. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-23.

Method of producing substrate and method of producing display device

Номер патента: US20190350085A1. Автор: Mikihiro Noma. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2019-11-14.

Semiconductor device with inductive component and method of forming

Номер патента: US20240234481A1. Автор: Kai Tzeng,Chi-Cheng Chen,Chun Yi Wu,Yuh-Sen Chang,Chi-Chun Peng,Szu-Shu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Manufacturing method of a composite photovoltaic structure

Номер патента: US20200402728A1. Автор: Shih-Wen Liao. Владелец: Ways Technical Corp Ltd. Дата публикации: 2020-12-24.

Methods Of Forming An Array Of Cross Point Memory Cells

Номер патента: US20180090679A1. Автор: Scott E. Sills,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-29.

Methods of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US10312086B2. Автор: Kuo-Yao Chou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-04.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110183470A1. Автор: Ryosuke Watanabe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-28.

Methods of fabricating a device

Номер патента: US20190259614A1. Автор: Kuo-Yao Chou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-22.

Methods Of Forming An Array Of Cross Point Memory Cells

Номер патента: US20180342671A1. Автор: Scott E. Sills,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-11-29.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: WO2007043285A9. Автор: Ryosuke Watanabe. Владелец: Ryosuke Watanabe. Дата публикации: 2007-06-07.

Optical element module and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100142886A1. Автор: Masayuki Ishida,Yoshihisa Warashina. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2010-06-10.

Methods Of Forming Memory Cells, And Methods Of Patterning Chalcogenide-Containing Stacks

Номер патента: US20130149834A1. Автор: Jun Liu,Jerome Imonigie. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-06-13.

Method of manufacturing gas barrier film

Номер патента: US20230257874A1. Автор: Yoshihiko Mochizuki,Shinya Suzuki. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Memory devices and methods of forming memory devices

Номер патента: US20210273160A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Desmond Jia Jun Loy. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-09-02.

Resistive random access memory devices

Номер патента: US20210359203A1. Автор: Yi Jiang,Juan Boon Tan,Kai Kang,Wanbing YI,Curtis Chun-I HSIEH,Wei-Hui HSU. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-11-18.

Liquid Crystal Display and Method of Forming the Same

Номер патента: US20120140155A1. Автор: Dae-Seung Yun. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-07.

Semiconductor Memory Devices Having Strain Layers Therein That Increase Device Performance And Methods of Forming Same

Номер патента: US20110254103A1. Автор: Young-Nam Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-10-20.

Photomasks, methods of exposing a substrate to light, methods of forming a pattern, and methods of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20110053096A1. Автор: Sang-Yong Yu,Gi-sung Yoon,Sung-Hyuck Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-03-03.

Method of Forming a Metal Line and Method of Manufacturing a Display Substrate by Using the Same

Номер патента: US20070249097A1. Автор: Sang-Gab Kim,Jang-Soo Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-25.

Method of producing surface acoustic wave device and the surface acoustic wave device

Номер патента: US20070278897A1. Автор: Kyosuke Ozaki. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-06.

Methods of forming bump structures that include a protection layer

Номер патента: SG189636A1. Автор: Kuechenmeister Frank,Lehmann Lothar,Platz Alexander,Jungnickel Gotthard,Kosgalwies Sven. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-05-31.

Ceramics-metal bonded body and method of manufacturing same, and multi-piece ceramics-metal bonded body and method of manufacturing same

Номер патента: EP3780917A1. Автор: Koya Arai,Masahito Komasaki. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2021-02-17.

Method of fabricating capacitor for semiconductor device

Номер патента: US6190993B1. Автор: Byung Jae Choi,Soo Jin Seo. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-02-20.

Method of fabricating a bond pad structure

Номер патента: US9601446B2. Автор: Shin-puu Jeng,Hsien-Wei Chen,Hao-Yi Tsai,Yu-Wen Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12068263B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Ceramic-metal joined body and method of manufacturing the same, and multi-piece ceramic-metal joined body and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210107837A1. Автор: Koya Arai,Masahito Komasaki. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2021-04-15.

Method of forming bridging lateral nanowires and device manufactured thereby

Номер патента: WO2005062384A3. Автор: Shashank Sharma,Theodore I Kamins,M Saiful Islam. Владелец: M Saiful Islam. Дата публикации: 2005-09-15.

Memory devices and methods of forming the same

Номер патента: US12051663B2. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Method of forming a non-volatile resistance variable device, and non-volatile resistance variable device

Номер патента: US20040157416A1. Автор: John Moore,Terry Gilton. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-12.

Semiconductor device having conducting material film formed in trench, manufacturing method thereof and method of forming resist pattern used therein

Номер патента: US20010010378A1. Автор: HIROSHI Matsubara,Syuji Nakao. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-08-02.

Sputtering target and method of manufacturing the same, and memory device manufacturing method

Номер патента: US20220162742A1. Автор: Kazuhiro Ohba,Katsuhisa Aratani,Shuichiro Yasuda,Hiroaki Sei. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Methods of Programming Data in a Non-Volatile Memory Device and Methods of Operating a Nand Flash Memory Device Using the Same

Номер патента: US20110170356A1. Автор: Dong-Uk Choi,Hee-Soo Kang,Choong-ho Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-07-14.

Systems and methods of decoding error correction code of a memory device with dynamic bit error estimation

Номер патента: US12009840B2. Автор: Yasuhiko Kurosawa,Avi STEINER,Ofir Kanter. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

Memory cell, memory device, and methods of forming the same

Номер патента: SG11201806324UA. Автор: XINPENG WANG,Hideaki Fukuzawa,Jun Yu,Michael Han,Vladimir Bliznetsov. Владелец: Agency Science Tech & Res. Дата публикации: 2018-08-30.

Method of forming insulated electric conductor

Номер патента: RU2648996C2. Автор: Аллан Рой ГЕЙЛ,Ларри Дин ЭЛИ,Клей Уэсли МАРАНВИЛЛ,Джон Мэттью ДЖИНДЕР. Владелец: ФОРД ГЛОУБАЛ ТЕКНОЛОДЖИЗ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2018-03-29.

Method of forming direction finding radiation patterns in a circular electronic scanning antenna

Номер патента: RU2680729C1. Автор: Олег Станиславович Алексеев,Анатолий Исакович Синани,Георгий Феодосьевич Мосейчук,Александр Николаевич Грибанов,Игорь Владимирович Голиков. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт Приборостроения имени В.В. Тихомирова". Дата публикации: 2019-02-26.

Method of forming differential direction diagrams in antennas of circular electronic scanning

Номер патента: RU2680732C1. Автор: Олег Станиславович Алексеев,Анатолий Исакович Синани,Георгий Феодосьевич Мосейчук,Александр Николаевич Грибанов,Игорь Владимирович Голиков. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт Приборостроения имени В.В. Тихомирова". Дата публикации: 2019-02-26.

Method of transverse pumping of working medium of laser

Номер патента: RU2714781C1. Автор: Сергей Григорьевич Гаранин,Григорий Николаевич Качалин,Станислав Михайлович Куликов,Станислав Александрович Сухарев,Николай Александрович Кирдяев,Кирилл Викторович Комаров. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом"). Дата публикации: 2020-02-19.

Method of forming carbon nanotubes, field emission display device having carbon nanotubes formed through the method, and method of manufacturing field emission display device

Номер патента: US20060202609A1. Автор: Jin Jang,Sung-hoon Lim,Kyu-Chang Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Method of forming a carbon nanotube structure and method of manufacturing field emission device using the method of forming a carbon nanotube structure

Номер патента: US20080003733A1. Автор: In-taek Han,Ha-Jin Kim,Young-Chul Choi,Kwang-Seok Jeong. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-03.

Method of forming elliptical direction diagram for active phased antenna array

Номер патента: RU2642515C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Хаджимурат Магомедович Гаджиев,Александр Федотович Крячко,Таджидин Экберович Саркаров,Александр Сергеевич Шкурко. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет". Дата публикации: 2018-01-25.

Methods of forming biocompatible rechargable energisation elements for biomedical devices

Номер патента: RU2675797C2. Автор: Адам ТОНЕР,Джеймс Дэниел РАЙЕЛЛ,Шивкумар МАХАДЕВАН,Рэндалл Б. ПЬЮ,Фредерик А. ФЛИТШ,Дэниел Б. ОТТС. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Вижн Кэа, Инк.. Дата публикации: 2018-12-25.

Stacked structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120069487A1. Автор: Tatsuya Nakamura,Hitoshi Noguchi,Naoki Tanaka. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-22.

Method of forming positive electrode active material and method of fabricating secondary battery

Номер патента: US20230295005A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yohei MOMMA,Tetsuji Ishitani,Tetsuya Kakehata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Method of forming connector press-connecting terminal

Номер патента: US20020031957A1. Автор: Yujiro Imai. Владелец: AutoNetworks Technologies Ltd. Дата публикации: 2002-03-14.

Method of forming hollow single-crystal cylindrical tubes

Номер патента: RU2630811C1. Автор: Мырзамамат Арзиевич Каримбеков,Виктор Васильевич Новокрещенов,Регина Владимировна Родякина,Вячеслав Николаевич Ластовиря. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "МЭИ" (ФГБОУ ВО "НИУ "МЭИ"). Дата публикации: 2017-09-13.

Method of forming shell of soft pack battery

Номер патента: US20240109116A1. Автор: Chin-Han Wang. Владелец: Huang Chiem Metal Composite Material Tech Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Method of forming colored appearance and conductive casing

Номер патента: US20140051296A1. Автор: I-Cheng Chuang,Chih-Wei Tu. Владелец: HTC Corp. Дата публикации: 2014-02-20.

Shadow mask, a method of forming the shadow mask, and a method of manufacturing a semiconductor device with using the shadow mask

Номер патента: US20020135287A1. Автор: Shinichi Fukuzawa,Shigeyoshi Ootsuki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-26.

Method of manufacturing a solid electrolyte membrane

Номер патента: US12087911B2. Автор: Satoru Nakamura,Midori Takasaki,Ryo Ishiguro,Sotaro NAMBU. Владелец: Japan Steel Works Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Method of manufacturing photoelectric conversion element, photoelectric conversion element manufactured by the same, method of manufacturing photoelectric conversion element module, and photoelectric conversion element module manufactured by the same

Номер патента: US20110088773A1. Автор: Hiroki Usui. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2011-04-21.

Discharge light source and method of fabricating the same

Номер патента: US20050264214A1. Автор: Tsuyoshi Haga. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2005-12-01.

Sputtering targets, sputter reactors, methods of forming cast ingots, and methods of forming metallic articles

Номер патента: WO2003008656B1. Автор: Wuwen Yi,Chi Tse Wu,Frederick B Hidden. Владелец: Frederick B Hidden. Дата публикации: 2004-04-08.

Electrochemical cell and method of fabricating same

Номер патента: US20020108235A1. Автор: Eric Pasquier,Ib Olsen. Владелец: Alcatel SA. Дата публикации: 2002-08-15.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US12101944B2. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Desmond Jia Jun Loy. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Organic thin film transistors and methods of forming the same

Номер патента: US20100237443A1. Автор: Yong-Young Noh,In-Kyu You,Jae Bon Koo. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2010-09-23.

Integrated circuit, memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12063785B2. Автор: Chih-Wei Hung,Kuo-Pin Chang,Chien Hung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Memory element and method of manufacturing the same, and memory device

Номер патента: US20120145987A1. Автор: Shuichiro Yasuda,Hiroaki Sei. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-06-14.

Storage node having a metal-insulator-metal structure, non-volatile memory device including a storage node having a metal-insulator-metal structure and method of operating the same

Номер патента: US20070126043A1. Автор: Sang-mock Lee,Eun-Hong Lee,In-kyeong Yoo,Chang-wook Moon,Choong-rae Cho,Seung-Woon Lee,El Bourim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-06-07.

Storage node having a metal-insulator-metal structure, non-volatile memory device including a storage node having a metal-insulator-metal structure and method of operating the same

Номер патента: US7859035B2. Автор: Sang-mock Lee,Eun-Hong Lee,In-kyeong Yoo,Chang-wook Moon,Choong-rae Cho,Seung-Woon Lee,El Mostafa Bourim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-12-28.

Non-volatile memory device with filament confinement

Номер патента: US11716914B2. Автор: Juan Boon Tan,Jianxun Sun,Tupei Chen. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-08-01.

Method of Manufacturing an Integrated Circuit

Номер патента: US20090159558A1. Автор: Stéphane CHOLET. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-25.

Reference cells for spin torque based memory device

Номер патента: WO2011084905A2. Автор: John K. DeBrosse,Daniel C. Worledge. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORP.. Дата публикации: 2011-07-14.

Method of smart saving high-density data and memory device

Номер патента: US20170060467A1. Автор: Marco Castellano,Marco Leo,Paolo Rosingana,Alessandro Giuliano Locardi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-03-02.

A memory device and method of performing access operations within such a memory device

Номер патента: GB201412312D0. Автор: . Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2014-08-27.

Method of fabricating a buried bit line and memory device including the same

Номер патента: TWI220315B. Автор: Jiun-Ren Lai. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-11.

NAND falsh memory device and method of forming well of NAND flash memory device

Номер патента: TW200537650A. Автор: Hee-Youl Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-11-16.

Operating method of storage device and operating method of storage system including storage device

Номер патента: US20240160794A1. Автор: Jimin Ryu,Jisoo Kim,Younsung CHU,Yonghwan Song,Jaegyu LEE,Daejin JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Operating method of storage device and operating method of storage system including storage device

Номер патента: EP4369225A1. Автор: Jimin Ryu,Jisoo Kim,Younsung CHU,Yonghwan Song,Jaegyu LEE,Daejin JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-15.

Nonvolatile memory device, erasing method of nonvolatile memory device, operating method of nonvolatile memory device, memory system including nonvolatile memory device, operating method of memory system, memory card including nonvolatile memory device, and solid state drive

Номер патента: JP6083969B2. Автор: ▲尚▼完 南. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-22.

Semiconductor memory device for eliminating floating body effect and method of fabricating the same

Номер патента: US6806140B1. Автор: Kyung-Ho Kim,Chang-Hyun Kim,Won-suk Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-10-19.

METHOD OF OBTAINING A MAIN KEY FROM A MEMORY DEVICE, METHOD OF GENERATING AUTHENTICATION INFORMATION FOR A MEMORY DEVICE, AN EXTERNAL DEVICE AND SYSTEM ICLUDING THE EXTERNAL DEVICE

Номер патента: US20130156195A1. Автор: KIM MIN-KWON,LEE JAE-BUM,JANG Hyoung-Suk,KIM Seok-Heon. Владелец: . Дата публикации: 2013-06-20.

Nonvolatile memory device and method of operating and fabricating the same

Номер патента: US8004906B2. Автор: Sung-Il Park,Young-Gu Jin,Jong-Seob Kim,Jai-Kwang Shin,Jae-woong Hyun,Ki-ha Hong,Sung-Hoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-23.

Nanowire memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120178233A1. Автор: Jung-Hoon Lee,Jin-Gyoo Yoo,Cheol-soon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-07-12.

Non-volatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US11825755B2. Автор: Taeho Kim,Woo Young Park,Hyunchul SOHN,Jinyeol LEE. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2023-11-21.

A memory device and method of controlling leakage current within such a memory device

Номер патента: GB2513701A. Автор: Bo Zheng,Gus Yeung,Fakhruddin Ali Bohra. Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2014-11-05.

Method of pinning domain walls in a nanowire magnetic memory device

Номер патента: WO2013054098A1. Автор: Atsufumi Hirohata,Kevin O'Grady,Gonzalo Vallejo Fernandez. Владелец: UNIVERSITY OF YORK. Дата публикации: 2013-04-18.

Phase change layer and method of manufacturing the same and phase change memory device comprising phase change layer and methods of manufacturing and operating phase change memory device

Номер патента: US7993963B2. Автор: Youn-Seon Kang,Jin-seo Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-09.

Memory device, method of calibrating signal level thereof, and memory system having the same

Номер патента: EP3968327A1. Автор: Jaewoo Park,YoungHoon SON,Youngdon CHOI,Junghwan Choi,Youngdo Um. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-16.

Memory device, method of calibrating signal level thereof, and memory system having the same

Номер патента: US11782618B2. Автор: Jaewoo Park,YoungHoon SON,Youngdon CHOI,Junghwan Choi,Youngdo Um. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-10.

Memory device, method of calibrating signal level thereof, and memory system having the same

Номер патента: US20230418488A1. Автор: Jaewoo Park,YoungHoon SON,Youngdon CHOI,Junghwan Choi,Youngdo Um. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-28.

Memory system capable of calibrating output voltage level of semiconductor memory device and method of calibrating output voltage level of semiconductor memory device

Номер патента: US20130182513A1. Автор: Young-Jin Jeon,Young-Chul Cho,Yong-Cheol Bae,Yoon-Joo EOM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-07-18.

A voltage booster circuit for a semiconductor memory device and a method of boosting a voltage of a semiconductor memory device

Номер патента: DE102006059817A1. Автор: Young-Sun Min,Jong-Hyun Suwon Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-07-19.

Memory device and method of controlling leakage current within such a memory device

Номер патента: US20140286096A1. Автор: Hsin-Yu Chen,Yew Keong Chong,Sanjay Mangal. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2014-09-25.

A memory device and method of performing access operations within such a memory device

Номер патента: TWI620197B. Автор: 鍾怡康,麥提百卡斯,金凱德馬丁傑. Владелец: Ａｒｍ股份有限公司. Дата публикации: 2018-04-01.

A memory device and method of controling leakage current within such a memory device

Номер патента: GB201403904D0. Автор: . Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2014-04-16.

Method of manufacturing conductive lines of a semiconductor memory device

Номер патента: KR101056883B1. Автор: 우원식. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-08-12.

Method of selecting operating characteristics of a resistive memory device

Номер патента: US20080112206A1. Автор: An Chen,Swaroop Kaza,Sameer Haddad,Tzu-Ning Fang. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-05-15.

method of reading data in a non-volatile memory device

Номер патента: KR101588293B1. Автор: 이진욱,황상원. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2016-01-26.

Semiconductor memory devices with open bitline architectures and methods of controlling the bitlines of such semiconductor memory devices

Номер патента: US20070047350A1. Автор: Ji-hoon Park,Chang-Yeong Jeong,Sung-Wan Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-01.

Method of initializing and programing 3d non-volatile memory device

Номер патента: US20170133095A1. Автор: Sang Ho Lee,Byung Gook Park,Dae Woong KWON,Do Bin KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-11.

Method of initializing and programing 3d non-volatile memory device

Номер патента: US20180197615A1. Автор: Sang Ho Lee,Byung Gook Park,Dae Woong KWON,Do Bin KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-12.

Method of initializing and programming 3D non-volatile memory device

Номер патента: US9947413B2. Автор: Sang Ho Lee,Byung Gook Park,Dae Woong KWON,Do Bin KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Method of estimating self refresh period of semiconductor memory device

Номер патента: US8264904B2. Автор: Hyung-Dong Kim,Byung-Hwan So. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-09-11.

Method of erasing data in non-volatile semiconductor memory device while suppressing variation

Номер патента: US20060158939A1. Автор: Takashi Ito,Hidenori Mitani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-07-20.

Methods of charging local input/output lines of memory devices, and related devices and systems

Номер патента: US20230116292A1. Автор: JIN Lan,Genta Takaya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-13.

Methods of charging local input/output lines of memory devices, and related devices and systems

Номер патента: US20210335402A1. Автор: JIN Lan,Genta Takaya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Operation method of system-on-chip configured to control memory device

Номер патента: EP3822797A2. Автор: Yongseob Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-19.

Operation method of system-on-chip configured to control memory device

Номер патента: US20210151084A1. Автор: Yongseob Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-20.

Operation method of system-on-chip configured to control memory device

Номер патента: EP3822797A3. Автор: Yongseob Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-30.

Methods of charging local input/output lines of memory devices, and related devices and systems

Номер патента: US20230377619A1. Автор: JIN Lan,Genta Takaya. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-11-23.

Method of providing an operating voltage in a memory device and a memory controller for the memory device

Номер патента: US8441856B2. Автор: Moo Sung Kim,Wook Ghee Hahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-05-14.

Method of counting number of cells in nonvolatile memory device and nonvolatile memory device performing the same

Номер патента: US20220093160A1. Автор: Minseok Kim,Hyunggon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-24.

Methods of enhancing speed of reading data from memory device

Номер патента: EP4235672A3. Автор: Li Xiang,Ke Liang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-18.

Method of providing an operating voltage in a memory device and a memory controller for the memory device

Номер патента: US20120120727A1. Автор: Moo Sung Kim,Wook Ghee Hahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-05-17.

Methods of enhancing speed of reading data from memory device

Номер патента: EP4235672A2. Автор: Li Xiang,Ke Liang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-30.

Methods of enhancing speed of reading data from memory device

Номер патента: US20210166769A1. Автор: Li Xiang,Ke Liang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-03.

Methods of enhancing speed of reading data from memory device

Номер патента: EP3915115A1. Автор: Li Xiang,Ke Liang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-01.

System and method of command based and current limit controlled memory device power up

Номер патента: US9305609B2. Автор: Jeff Yu,Ted Pekny. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-04-05.

Zq calibration circuit, operation method of the zq calibration circuit, and semiconductor memory device

Номер патента: US20240127871A1. Автор: Sungyong Cho,Jaehyeok Baek,Donggun AN,Moonchul Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Methods of enhancing speed of reading data from memory device

Номер патента: US20210280258A1. Автор: Li Xiang,Ke Liang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-09.

Methods of forming electronic devices, and related electronic devices

Номер патента: US11744086B2. Автор: Jonghun Kim,David A. Daycock. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Method of forming floating gate array of flash memory device

Номер патента: US20070141785A1. Автор: Jong Choi. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-21.

Processing methods of forming integrated circuitry memory devices, methods of forming DRAM arrays, and related semiconductor masks

Номер патента: US20010051409A1. Автор: Kris Brown. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-13.

Processing methods of forming integrated circuitry memory devices, methods of forming DRAM arrays, and related semiconductor masks

Номер патента: US20030003654A1. Автор: Kris Brown. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-02.

Memory device, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US11737287B2. Автор: Yu-Chao Lin,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Methods for forming three-dimensional memory devices, and related structures

Номер патента: US20120199987A1. Автор: Nishant Sinha,Krishna K. Parat. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-08-09.

Method of forming results of measurements based on signals of sensors

Номер патента: RU2643746C2. Автор: Фолькер ВАРЦЕХА,Эрих КЮБАНДНЕР. Владелец: Байерн Инжиниринг Гмбх Унд Ко. Кг. Дата публикации: 2018-02-05.

Electrode structure for a non-volatile memory device and method

Номер патента: US20140084233A1. Автор: Steven Patrick MAXWELL. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2014-03-27.

Image forming systems and methods of forming an image

Номер патента: GB2368953B. Автор: Robert E Haines,Darius Boockholdt,Quintin T Phillips,Mark A Harper,Mary B Baumunk. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2004-06-23.

Method of forming memory device

Номер патента: US20240276700A1. Автор: Yasuyuki Sakogawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Three-dimensional memory device containing composite word lines including a respective fluorine-free capping sublayer and methods of forming the same

Номер патента: US20240306386A1. Автор: Raghuveer S. Makala,Yusuke Mukae,Tatsuya Hinoue,Shungo ASAEDA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-12.

Three-dimensional memory device and method of making thereof including non-conformal selective deposition of spacers in memory openings

Номер патента: US20240244844A1. Автор: Senaka Kanakamedala,Kartik SONDHI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-18.

Method of fabricating memeory

Номер патента: US20070259493A1. Автор: Yider Wu,Jongoh Kim,Kent Kuohua Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-08.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20020033517A1. Автор: Bohumil Lojek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-21.

Resistance variable memory device with sputtered metal-chalcogenide region and method of fabrication

Номер патента: US20070287219A1. Автор: Kristy Campbell,Joseph Brooks,Jon Daley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-12-13.

Three-dimensional memory device containing silicon oxycarbide liners and methods of forming the same

Номер патента: US20240260267A1. Автор: Takashi Kudo,Ryota Suzuki,Masanori Tsutsumi,Naohiro Hosoda,Takumi Moriyama,Nobuyuki Fujimura. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-01.

Three-dimensional memory device containing silicon oxycarbide liners and methods of forming the same

Номер патента: WO2024158467A1. Автор: Hiroyuki Tanaka,Takashi Kudo,Tomohiro Kubo,Ryota Suzuki,Takashi Kashimura,Masanori Tsutsumi,Naohiro Hosoda,Tatsuya Hinoue,Takumi Moriyama,Nobuyuki Fujimura,Hisakazu Otoi,Seiji Shimabukuro,Shunsuke Takuma. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-02.

Method of fabricating memeory

Номер патента: US20060270142A1. Автор: Yider Wu,Jongoh Kim,Kent Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-30.

Methods of forming a magnetic random access memory etch spacer and structures formed thereby

Номер патента: EP3087618A1. Автор: Oleg Golonzka,Christopher WIEGAND,Daniel R. LAMBORN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-02.

Methods of forming a magnetic random access memory etch spacer and structures formed thereby

Номер патента: WO2015099899A1. Автор: Oleg Golonzka,Christopher WIEGAND,Daniel R. LAMBORN. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2015-07-02.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US12089414B2. Автор: Yih Wang,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Shih-Lien Linus Lu,Chia-En HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

3D NAND memory device and method of forming the same

Номер патента: US11737263B2. Автор: Fushan Zhang,Enbo Wang,Yushi Hu,Haohao YANG,Ruo Fang ZHANG,Qianbing Xu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Contact in semiconductor memory device and method of forming the same

Номер патента: US20010009786A1. Автор: Eun-young Minn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-26.

Method of forming common secret key of two remote subscribers

Номер патента: RU2719554C1. Автор: Дмитрий Николаевич Молдовян. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина)". Дата публикации: 2020-04-21.

Method of forming relief from electronic or photonic material

Номер патента: RU2495515C2. Автор: Хеннинг ЗИРРИНГХАУС,Цзуй-Фэнь ЧАН. Владелец: Кембридж Энтерпрайз Лимитед. Дата публикации: 2013-10-10.

Non-volatile memory device and method of forming the same

Номер патента: WO2024076297A1. Автор: Wen Siang LEW,Putu Andhita DANANJAYA,Yuanmin DU,Weng Hong Lai. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-04-11.

Methods of making bulk metallic glass from powder and foils

Номер патента: US20180080109A1. Автор: Naoto Matsuyuki,Yoshihiko Yokoyama,Theodore A. Waniuk. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-03-22.

A method of providing a marking to a solid-state material, markings formed from such a method and solid-state materials marked according to such a method

Номер патента: WO2022127759A9. Автор: Jianxing Huang,Yingnan WANG. Владелец: GOLDWAY TECHNOLOGY LIMITED. Дата публикации: 2022-10-13.

Manufacturing method of magnetoresistive effect element, manufacturing method of thin-film magnetic head and thin-film magnetic head

Номер патента: US20070279801A1. Автор: Takeo Kagami,Naoki Ohta. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2007-12-06.

Device and method of implementation of image display support

Номер патента: RU2627097C2. Автор: Харальд ГРАЙНЕР,Ули ТЕССЕЛЬ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2017-08-03.

Method of forming high-density thick piezoelectric layer and piezoelectric device including high-density thick piezoelectric layer formed using the method

Номер патента: US20080122319A1. Автор: Jae-Woo Chung,Tae-Kyung Lee,Seung-Mo Lim,Hwa-Sun Lee,Kyo-yeol Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-29.

Method of forming pixel cell for three-dimensional image display

Номер патента: US20050057567A1. Автор: Sang-Hoon Shin,Jung-Young Son,Yong-jin Choi,Kae-Dal Kwack,Saveliev Vladmir. Владелец: Hanyang Hak Won Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-17.

Method of start-up of a switched reluctance motor

Номер патента: RU2669192C2. Автор: Алексей Николаевич Агафонов,Константин Эдуардович Буренков,Андрей Владимирович Чернов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ГИОР". Дата публикации: 2018-10-09.

Double-bit non-volatile memory structure and corresponding method of manufacture

Номер патента: US20020121657A1. Автор: Chin-Yang Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-09-05.

Rubbing cloth, roller, method of forming LC alignment angle and method of cleaning debris

Номер патента: US9465255B2. Автор: Chao TIAN,Yupeng Wang. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Variable resistance memory device with an interfacial adhesion heating layer, systems using the same and methods of forming the same

Номер патента: WO2008147595A1. Автор: Jun Liu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2008-12-04.

Methods Of Forming Memory Cells, And Methods Of Patterning Chalcogenide-Containing Stacks

Номер патента: US20120015475A1. Автор: Jun Liu,Jerome Imonigie. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-19.

Double-bit non-volatile memory structure and corresponding method of manufacture

Номер патента: US20030022443A1. Автор: Chin-Yang Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-30.

Method of making a semiconductor device

Номер патента: US5459082A. Автор: Jae S. Jeong. Владелец: Gold Star Co Ltd. Дата публикации: 1995-10-17.

Rubbing cloth, roller, method of forming lc alignment angle and method of cleaning debris

Номер патента: US20150253630A1. Автор: Chao TIAN,Yupeng Wang. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-10.

Method of forming metal wiring and metal wiring formed using the same

Номер патента: US8216635B2. Автор: Jae Woo Joung,Tae Hoon Kim,Ji Hoon Lee,In Young Kim,Sung Il Oh,Young Ah Song,Young Chang Joo,Seol Min Yi. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-10.

Method of manufacturing liquid ejection head

Номер патента: US20060196025A1. Автор: Tsuyoshi Mita. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-07.

Semiconductor constructions having a buried bit line, and methods of forming same

Номер патента: EP1723674A2. Автор: H. Montgomery Manning,Todd R. Abbott. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-11-22.

Device and method of processing stereophonic signals for reproduction in cars to achieve separate three-dimensional sound by means of front loudspeakers

Номер патента: RU2706581C2. Автор: Юрген ХЕРРЕ,Оливер ХЕЛЛЬМУТ,Ян ПЛОГСТИС,Эмануэль ХАБЕТС,Штефан ФАРГА,Вольфганг ХЕСС. Владелец: Фраунхофер-Гезелльшафт Цур Фердерунг Дер Ангевандтен Форшунг Е.Ф.. Дата публикации: 2019-11-19.

Method of forming printed circuit pattern, forming guide for pattern, and guide-forming ink

Номер патента: US20090286004A1. Автор: Hye-Jin Cho,Jae-Woo Joung,Hyun-Chul Jung,In-young Kim,Sung-Il Oh,Young-Ah SONG,Sung-Nam Cho,Su-Hwan CHO. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2009-11-19.

Methods of forming acoustic resonator device wafers integrated with electronic semiconductor switching device wafers using a wafer transfer process and related structures

Номер патента: US20240196753A1. Автор: Daeho Kim,Ramakrishna Vetury,Abhay Saranswarup Kochhar,Kamran Cheema. Владелец: Akoustis Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Method of marking a diamond, markings formed from such methods and diamonds marked according to such method

Номер патента: US12030217B2. Автор: Koon Chung Hui,Ka Wing CHENG,Yau Chuen YIU. Владелец: Master Dynamic Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Manufacturing method of display device and display device

Номер патента: US20240040817A1. Автор: Jun Hanari. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Band filter using film bulk acoustic resonator and method of fabricating the same

Номер патента: EP1684420A3. Автор: In-Sang Song,Kyu-Sik Kim,Seog-Woo Hong,Byeoung-ju Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-10-10.

Flash memory and method of forming flash memory

Номер патента: US20030064563A1. Автор: Graham Wolstenholme. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-03.

Method of, and system for, using a plurality of transmission lines and connection mode setting method

Номер патента: EP1102435A3. Автор: Kazuhiro Suzuki,Satoshi Kobayashi,Masahiko Sato,Yuji Kimura,Makoto Sato,Kenji Matsuoka,Hiroshi Utsunomiya,Futoshi Kaibuki,Kazue Sadanaka. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-09-03.

Method of marking a solid-state material, markings formed from such methods and solid-state materials marked according to such a method

Номер патента: EP4028226A1. Автор: Koon Chung Hui,Ka Wing CHENG,Yau Chuen YIU. Владелец: Master Dynamic Ltd. Дата публикации: 2022-07-20.

Manufacturing method of deposition mask and manufacturing method of organic EL display

Номер патента: US12058922B2. Автор: Katsunari Obata,Yasuko Sone. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Method of forming amorphous titanium dioxide thin film using low temperature atomic layer deposition method and method of fabricating optical structure

Номер патента: US20230280505A1. Автор: Seokho YUN,Hyunjung Shin,Hongkyu PARK,Hyoungmin Park,Minwoo Lim. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-09-07.

Methods of forming FLASH memories

Номер патента: US20030027390A1. Автор: Graham Wolstenholme. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-06.

Method of manufacturing a composite of copper and resin

Номер патента: US20080026565A1. Автор: Masaki Kondo. Владелец: Rohm and Haas Electronic Materials LLC. Дата публикации: 2008-01-31.

Method of fabricating display device

Номер патента: US20240324279A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Yuichi Yanagisawa,Shun Mashiro,Naoto GOTO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

System and method of information control and presentation

Номер патента: RU2628438C1. Автор: Джон ШУЛЬЦ,Кристофер ВУД. Владелец: Экспед Холдингс Пти Лтд. Дата публикации: 2017-08-16.

Methods of testing repair circuits of memory devices

Номер патента: US20240290414A1. Автор: Taeyun Kim,Taewon Kim,Sanghee KANG,Kiho Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Storage device supporting multi-streaming and method of controlling operation of nonvolatile memory device

Номер патента: US20200393992A1. Автор: Kyungduk Lee,Jinwoo Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-17.

Memory device including voltage regions and method of operating same

Номер патента: SG10201804015PA. Автор: Oh Tae-Young,Kim Young-Hwa,CHO SEOK-JIN,JANG JIN-HOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-02-27.

Method of operating image processor generating top- down heat map and electronic device having the image processor

Номер патента: US20240185427A1. Автор: Yongjin Lee,Sung Yup LEE. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2024-06-06.

Controller, memory system and operating method of the controller

Номер патента: US20200310982A1. Автор: Eu Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

Memory system and method of performing background operation

Номер патента: US20240289039A1. Автор: Yong Seok WON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Raid system including nonvolatile memory and operating method of the same

Номер патента: US20180150354A1. Автор: Ju Pyung LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-31.

A secure non-volatile memory device and a method of protecting data therein

Номер патента: EP2074628A2. Автор: Guoqiao Tao. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-07-01.

A secure non-volatile memory device and a method of protecting data therein

Номер патента: WO2008038242A2. Автор: Guoqiao Tao. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2008-04-03.

A secure non-volatile memory device and a method of protecting data therein

Номер патента: WO2008038243A1. Автор: Guoqiao Tao,Steven V. E. S. Van Dijk. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2008-04-03.

A secure non-volatile memory device and a method of protecting data therein

Номер патента: EP2074629A1. Автор: Guoqiao Tao,Steven V. E. S. Van Dijk. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-07-01.

secure non-volatile memory device and method of protecting data therein

Номер патента: US20100002511A1. Автор: Guoqiao Tao,Steven V. E. S. Van Dijk. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-01-07.

Memory system and method of operating method thereof

Номер патента: US20220012181A1. Автор: Yeong Dong GIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Semiconductor memory device having a global data bus

Номер патента: US20050259499A1. Автор: Seok-Cheol Yoon,Kyoung-Nam Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-11-24.

Method of designing semiconductor device

Номер патента: US10552566B2. Автор: Jin Young Park,Myung Jin Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-04.

Methods and systems for serial memory device control

Номер патента: US20190371373A1. Автор: Kishalay Haldar. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-12-05.

Operation method of memory controller configured to control memory device

Номер патента: EP4152333A2. Автор: Hong Rak Son,Dong-Min Shin,Seonghyeog Choi,Hyeonjong Song,Yeongcheol JO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-22.

Operating method of nonvolatile memory device and operating method of memory controller controlling the nonvolatile memory device

Номер патента: US20150036431A1. Автор: Hyung Suk Kim,Kiwhan Song,Boh-Chang KIM,Hai-Seok PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-02-05.

Memory device, storage device including the same and method of operating the storage device

Номер патента: EP3985516A1. Автор: Hosung Ahn,Younsoo Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-20.

Memory device, storage device including the same and method of operating the storage device

Номер патента: US11868645B2. Автор: Hosung Ahn,Younsoo Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Memory device, storage device including the same and method of operating the storage device

Номер патента: US20220113896A1. Автор: Hosung Ahn,Younsoo Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-14.

Method of reading data in non-volatile memory device, and device thereof

Номер патента: US20120033502A1. Автор: Jae Hong Kim,Kyoung Lae Cho,Hee Seok EUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-02-09.

SYSTEM, APPARATUS, AND METHOD OF PROGRAMMING A ONE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY CIRCUIT

Номер патента: US20160254056A1. Автор: Li Xia,Wang Zhongze,Chen Xiaonan,Lu Xiao. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-01.

Memory system and method of operating the same

Номер патента: US20230051018A1. Автор: Yong Seok WON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Storage device supporting multi-streaming and method of controlling operation of nonvolatile memory device

Номер патента: US11314452B2. Автор: Kyungduk Lee,Jinwoo Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-26.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20220101933A1. Автор: Hyung Jin Choi,Hee Joo LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Memory system and method of performing background operation

Номер патента: US12008249B2. Автор: Yong Seok WON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Method of performing access to a single-port memory device, memory access device, integrated circuit device and method of use of an integrated circuit device

Номер патента: WO2003090231A2. Автор: Corneliu Tobescu,Antonius Petrus Gerardus Welbers. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2003-10-30.

Method and apparatus for transferring binary image into memory device

Номер патента: US20170031629A1. Автор: Shinichi Iwamoto,Takayoshi Nakamoto,Taku Yokawa,Mutsuo Tanabe,Takafumi NARITA,Takeshi IGASAKI. Владелец: Denso Ten Ltd. Дата публикации: 2017-02-02.

Method of performing access to a single-port memory device, memory access device, integrated circuit device and method of use of an integrated circuit device

Номер патента: US20050180254A1. Автор: Corneliu Tobescu,Antonius Petrus Welbers. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-18.

Method of performing access to a single-port memory device, memory access device, integrated circuit device and method of use of an integrated circuit device

Номер патента: TW200402067A. Автор: Corneliu Tobescu,Antonius Petrus Gerardus Welbers. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2004-02-01.

Method of performing access to a single-port memory device, memory access device, integrated circuit device and method of use of an integrated circuit device

Номер патента: TWI301275B. Автор: Tobescu Corneliu,Petrus Gerardus Welbers Antonius. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-09-21.

Metadata registers for a memory device

Номер патента: US20240126438A1. Автор: Jungwon Suh,Subbarao Palacharla,Olivier Alavoine,Michael Hawjing Lo,Pankaj Sharadchandra Deshmukh. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Memory controller, method of controlling the same, and semiconductor memory device having both

Номер патента: US20160196209A1. Автор: Jungug Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-07.

Metadata registers for a memory device

Номер патента: WO2024086414A1. Автор: Jungwon Suh,Subbarao Palacharla,Olivier Alavoine,Pankaj Deshmukh,Michael Hawjing Lo. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-04-25.

Memory device and memory controller and storage device including the memory device and memory controller

Номер патента: US11908535B2. Автор: Jonghwa Kim,Jinmin SEOK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

Method of reducing trapped holes induced by erase operations in the tunnel oxide of flash memory cells

Номер патента: US6493280B2. Автор: ANDREI Mihnea,Chun Chen,Jeffrey Kessenich. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-12-10.

Integrated circuit, method of reading data from an integrated circuit memory device, method of writing data to an integrated circuit memory device, memory module, and computer program

Номер патента: DE102007019825A1. Автор: Jan Keller. Владелец: Altis Semiconductor SNC. Дата публикации: 2008-08-28.

Memory devices, circuits and methods of adjusting a sensing current for the memory device

Номер патента: US11915733B2. Автор: JEN-CHIEH LIU,Meng-Fan Chang,Jui-Jen Wu,Win-San Khwa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Memory devices, circuits and methods of adjusting a sensing current for the memory device

Номер патента: US20240177757A1. Автор: JEN-CHIEH LIU,Meng-Fan Chang,Jui-Jen Wu,Win-San Khwa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

METHOD OF COUNTING NUMBER OF CELLS IN NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND NONVOLATILE MEMORY DEVICE PERFORMING THE SAME

Номер патента: US20220093160A1. Автор: Kim Minseok,KIM Hyunggon. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-24.

Methods of charging local input/output lines of memory devices, and related devices and systems

Номер патента: US20210335402A1. Автор: JIN Lan,Genta Takaya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Nonvolatile memory device, memory system including the same and method of controlling command execution of the nonvolatile memory device

Номер патента: KR102083490B1. Автор: 곽동훈. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2020-03-03.

Method of inputting address in a non volatile memory device and method of operating the same

Номер патента: KR100953062B1. Автор: 박영수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-04-13.

A random access memory device, a semiconductor memory device, and a method of reducing power consumption in a dynamic memory device

Номер патента: DE102004044984B4. Автор: Joo-Sang Lee. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2010-08-19.

Method of providing an operating voltage in a memory device and a memory controller for the memory device

Номер патента: US20120120727A1. Автор: Moo Sung Kim,Wook Ghee Hahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-05-17.

METHOD OF PROVIDING AN OPERATING VOLTAGE IN A MEMORY DEVICE AND A MEMORY CONTROLLER FOR THE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130250691A1. Автор: KIM Moo Sung,Hahn Wook Ghee. Владелец: . Дата публикации: 2013-09-26.

MEMORY SYSTEM INCLUDING A MEMORY DEVICE, AND METHODS OF OPERATING THE MEMORY SYSTEM AND THE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150049554A1. Автор: YOON SANG-YONG,YIM HYE-JIN. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-19.

MEMORY DEVICE AND METHOD OF PERFORMING ACCESS OPERATIONS WITHIN SUCH A MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150049563A1. Автор: Chong Yew Keong,Maiti Bikas,Kinkade Martin Jay. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2015-02-19.

MEMORY DEVICE AND METHOD OF PERFORMING A WRITE OPERATION IN A MEMORY DEVICE

Номер патента: US20160118091A1. Автор: Hoxey Paul Darren,ASENOV Plamen Asenov,NEW David Anthony. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-28.

MEMORY DEVICE AND METHOD OF CONTROLLING LEAKAGE CURRENT WITHIN SUCH A MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140269091A1. Автор: Zheng Bo,Yeung Gus,Bohra Fakhruddin Ali. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-18.

METHOD OF PROVIDING AN OPERATING VOLTAGE IN A MEMORY DEVICE AND A MEMORY CONTROLLER FOR THE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140347935A1. Автор: KIM Moo Sung,Hahn Woo Ghee. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-27.

MEMORY SYSTEM INCLUDING A MEMORY DEVICE, AND METHODS OF OPERATING THE MEMORY SYSTEM AND THE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170301404A1. Автор: YOON SANG-YONG,YIM HYE-JIN. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-19.

METHOD OF PROVIDING AN OPERATING VOLTAGE IN A MEMORY DEVICE AND A MEMORY CONTROLLER FOR THE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150325304A1. Автор: KIM Moo Sung,Hahn Wook Ghee. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-12.

Memory device and method of controlling an auto-refresh in the memory device

Номер патента: KR102443275B1. Автор: 김진욱,진영재. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2022-09-15.

Recording material comprising ferroelectric layer, nonvolatile memory device comprising the same, and methods of writing and reading data for the memory device

Номер патента: KR100561858B1. Автор: 홍승범,김윤석,노광수. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-03-16.

Method of managing fails in a non-volatile memory device and relative memory device

Номер патента: US7571362B2. Автор: Demetrio Pellicone,Gianfranco Ferrante,Procolo Carannante,Adamo Corsi,Marco Roveda,Concetta Di Tuoro. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-08-04.

Methods of reading and/or writing data to memory devices including virtual ground lines and/or multiple write circuits and related devices

Номер патента: US20040076065A1. Автор: Seong-ho Jeung. Владелец: Jeung Seong-Ho. Дата публикации: 2004-04-22.

Non-volatile semiconductor memory device and method of writing data in non-volatile semiconductor memory devices

Номер патента: US20090262579A1. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-22.

Method of programming a multi-bit non-volatile memory device and multi-bit non-volatile memory device

Номер патента: EP1892721A3. Автор: Hyun-Sun Mo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-30.

Non-volatile memory device and method of reading data in a non-volatile memory device

Номер патента: US20100315881A1. Автор: Jae-ho Kim,Hyun-Sil Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-12-16.

Recording material comprising ferroelectric layer, nonvolatile memory device comprising the same, and methods of writing and reading data for the memory device

Номер патента: KR20050022243A. Автор: 홍승범,김윤석,노광수. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-03-07.

Methods of reading and/or writing data to memory devices including virtual ground lines and/ or multiple write circuits and related devices

Номер патента: US6674670B2. Автор: Seong-ho Jeung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-01-06.

Memory devices, circuits and methods of adjusting a sensing current for the memory device

Номер патента: US20230028413A1. Автор: JEN-CHIEH LIU,Meng-Fan Chang,Jui-Jen Wu,Win-San Khwa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-26.

The method of sensing circuit, storage device and operating memory device

Номер патента: CN105741877B. Автор: 伍冬,吴华强,朱一明,钱鹤,曹堪宇,肖化鹏. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2019-11-08.

METHODS OF ENHANCING SPEED OF READING DATA FROM MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210166769A1. Автор: Liang Ke,Xiang Li. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-03.

METHODS OF ENHANCING SPEED OF READING DATA FROM MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210280258A1. Автор: Liang Ke,Xiang Li. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-09.

Method of driving a word line of semiconductor memory device

Номер патента: KR100361866B1. Автор: 한종희. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-11-22.

Method of operating a memory system including a memory device capable of performing a rewrite operation

Номер патента: CN105843553B. Автор: 吴银珠,徐圣镕,禹泳再,申韩臣,方卿镒,权们相. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-09.

Selection method of merged data output mode of semiconductor memory device

Номер патента: KR0172372B1. Автор: 김태윤,황현성. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1999-03-30.

Method of controlling copy-back operation of flash memory device including multi-level cells

Номер патента: CN1881473B. Автор: 成镇溶,元参规. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-08-17.

Method of reading page data of nand flash memory device

Номер патента: KR101348354B1. Автор: 황선모. Владелец: 주식회사 디에이아이오. Дата публикации: 2014-01-08.

Circuit and method of detecting defective word line of semiconductor memory device

Номер патента: KR0172439B1. Автор: 김병철,한진만. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1999-03-30.

Method of controlling copy-back operation of flash memory device including multi-level cells

Номер патента: US20080068884A1. Автор: Jin Yong,Sam Kyu. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-03-20.

Method of controlling copy-back operation of flash memory device including multi-level cells

Номер патента: CN101373638B. Автор: 成镇溶,元参规. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-12-21.

The method of providing a deselect signal of semiconductor memory device

Номер патента: KR100206720B1. Автор: 김종영,김창래. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-07-01.

Method of reading page data of nand flash memory device

Номер патента: KR20130133935A. Автор: 황선모. Владелец: 주식회사 디에이아이오. Дата публикации: 2013-12-10.

DRIVING METHOD OF VARIABLE RESISTANCE ELEMENT AND NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140050014A1. Автор: Mitani Satoru,Muraoka Shunsaku,TAKAGI Takeshi,Katayama Koji. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2014-02-20.

Methods of Performing Error Detection/Correction in Nonvolatile Memory Devices

Номер патента: US20140082458A1. Автор: KIM Yong June,KONG JUNJIN,CHO Kyounglae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-03-20.

METHODS OF COMMAND BASED AND CURRENT LIMIT CONTROLLED MEMORY DEVICE POWER UP

Номер патента: US20190027196A1. Автор: Pekny Ted,Yu Jeff. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

METHOD OF DRIVING NONVOLATILE MEMORY ELEMENT AND NONVOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140126268A1. Автор: Mitani Satoru,Muraoka Shunsaku,TAKAGI Takeshi,Katayama Koji,WEI Zhiqiang. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2014-05-08.

METHOD OF SMART SAVING HIGH-DENSITY DATA AND MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170060467A1. Автор: Leo Marco,Castellano Marco,Rosingana Paolo,Locardi Alessandro Giuliano. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-02.

METHOD OF PERFORMING WEAR MANAGEMENT IN NON-VOLATILE MEMORY DEVICES

Номер патента: US20160078966A1. Автор: Li Tseng-Ho,Chen Yung-Ju. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-17.

METHOD OF OPERATING ARTIFICIAL NEURAL NETWORK WITH NONVOLATILE MEMORY DEVICES

Номер патента: US20190087715A1. Автор: JENG SYANG-YWAN. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-21.

METHOD OF PROCESSING INCOMPLETED MEMORY OPERATIONS IN A MEMORY DEVICE DURING A POWER UP SEQUENCE AND A POWER DOWN SEQUENCE USING A DYNAMIC REDUNDANCY REGISTER

Номер патента: US20180121117A1. Автор: Louie Benjamin,BERGER Neal,EL-BARAJI Mourad,CRUDELE Lester,HILLMAN Daniel. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-03.

METHOD OF INITIALIZING AND PROGRAMING 3D NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170133095A1. Автор: LEE Sang Ho,PARK Byung Gook,KWON Dae Woong,KIM Do Bin. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-11.

SYSTEM AND METHOD OF COMMAND BASED AND CURRENT LIMIT CONTROLLED MEMORY DEVICE POWER UP

Номер патента: US20160180892A1. Автор: Pekny Ted,Yu Jeff. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-23.

METHOD OF INITIALIZING AND PROGRAMING 3D NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20180197615A1. Автор: LEE Sang Ho,PARK Byung Gook,KWON Dae Woong,KIM Do Bin. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-12.

SYSTEM AND METHOD OF COMMAND BASED AND CURRENT LIMIT CONTROLLED MEMORY DEVICE POWER UP

Номер патента: US20170221532A1. Автор: Pekny Ted,Yu Jeff. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-03.

FLIP-FLOP CIRCUIT, METHOD OF CONTROLLING A FLIP-FLOP CIRCUIT AND MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170243624A1. Автор: FOONG Huey Chian. Владелец: AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH. Дата публикации: 2017-08-24.

METHODS OF ERROR-BASED READ DISTURB MITIGATION AND MEMORY DEVICES UTILIZING THE SAME

Номер патента: US20190272881A1. Автор: Hoei Jung Sheng,Ratnam Sampath K.,Malshe Ashutosh,Miller Michael G.,Besinga Gary F.,Padilla Renato C.,Muchherla Kishore Kumar,Singidi Harish R.,Awusie Roland J.. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-05.

METHODS OF COMMAND BASED AND CURRENT LIMIT CONTROLLED MEMORY DEVICE POWER UP

Номер патента: US20200294555A1. Автор: Pekny Ted,Yu Jeff. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-17.

METHODS OF ERROR-BASED READ DISTURB MITIGATION AND MEMORY DEVICES UTILIZING THE SAME

Номер патента: US20180374549A1. Автор: Hoei Jung Sheng,Ratnam Sampath K.,Malshe Ashutosh,Miller Michael G.,Besinga Gary F.,Padilla Renato C.,Muchherla Kishore Kumar,Singidi Harish R.,Awusie Roland J.. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-27.

Method of processing incomplete memory operations in a memory device during a power up sequence and a power down sequence using a dynamic redundancy register

Номер патента: US10437491B2. Автор: Neal Berger,Benjamin Louie,Mourad El-Baraji,Lester CRUDELE,Daniel HILLMAN. Владелец: Spin Memory Inc. Дата публикации: 2019-10-08.

Circuit and method of controlling row active time, and semiconductor memory device having the same

Номер патента: KR100845140B1. Автор: 이지현,임종형. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-07-09.

Method of erasing stored data in nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: JP3359404B2. Автор: 武志 中山,好和 宮脇,雅章 三原,伸治 河井,実 大川. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-12-24.

Operation method of memory controller for controlling non-volatile memory device with refresh read

Номер патента: KR20170130788A. Автор: 이준호,최현진,장실완,함동훈. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2017-11-29.

Methods of Performing Error Detection/Correction in Nonvolatile Memory Devices

Номер патента: US20110209031A1. Автор: Yong June Kim,Junjin Kong,KyoungLae Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-25.

Method of reading data in a non-volatile memory device

Номер патента: CN101266838B. Автор: 朴成济. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-16.

Method of reading data in a non-volatile memory device

Номер патента: US8760951B2. Автор: Jin Su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-24.

Method of providing block state information in semiconductor memory device including flash memory

Номер патента: US20080109591A1. Автор: Hye-Young Kim,Jung-Been Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-08.

Methods of performing error detection/correction in nonvolatile memory devices

Номер патента: US8839080B2. Автор: Yong June Kim,Junjin Kong,KyoungLae Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-09-16.

Management method of metadata for preventing data loss and memory device using the same

Номер патента: US10782895B2. Автор: Chia-Hao Hsu,Cheng-Kuang Hsieh. Владелец: Wiwynn Corp. Дата публикации: 2020-09-22.

METHOD OF CONVERSION CONVERSION FOR A DOUBLE CONNECTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: SE9002149L. Автор: J-K Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1991-11-05.

method of controlling data writing in non volatile memory device and memory controller having wearleveling control function

Номер патента: KR102003930B1. Автор: 이원석,김택성,문영국. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2019-07-25.

Method of writing, erasing, and controlling memory for memory device

Номер патента: US7188210B2. Автор: Shinpei Komatsu,Yumi Ishii. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-03-06.

Methods of writing data in a non-volatile memory device to place data in an in-place arrangement

Номер патента: US20080195828A1. Автор: Jin-Hyuk Kim,Young-Gon Kim,Jae-wook Cheong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-14.

Driving method of variable resistance element and non-volatile memory device

Номер патента: US9390797B2. Автор: Takeshi Takagi,Shunsaku Muraoka,Koji Katayama,Satoru Mitani. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-12.

A memory controller and a method of operating an electrically alterable non-volatile memory device

Номер патента: TW201027333A. Автор: Fong Long Lin,Je-Hurn Shieh. Владелец: Silicon Storage Tech Inc. Дата публикации: 2010-07-16.

Silver halide material for optical memory devices with luminescent reading and methods for the treatment thereof

Номер патента: WO1998037456A9. Автор: Mark A Alperovich,Eugene B Levich,Jacob N Malkin,Boris M Shapiro. Владелец: Boris M Shapiro. Дата публикации: 1999-11-11.

Silver halide material for optical memory devices with luminescent reading and methods for the treatment thereof

Номер патента: US20020115026A1. Автор: Mark Alperovich,Eugene Levich,Jacob Malkin,Boris Shapiro. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-22.

Method for patching code located in one time programmable memory

Номер патента: US20240264825A1. Автор: Marius Grannaes. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of forming hydraulic curtain (embodiments), method of protecting fish from ingress into water intake (embodiments), method of antifouling protection (embodiments), fish-protection device, complex fish-protective device (embodiments), protective element

Номер патента: RU2697091C2. Автор: Сергей Николаевич Салиенко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Осанна" (ООО "Осанна"). Дата публикации: 2019-08-12.

Needle for insertion of implant and method of its implementation

Номер патента: RU2685765C2. Автор: Оливер КУБЕ,Штефан-Михаэль ФРАЙ,Андреа РИТТИНГХАУС. Владелец: Ф.Хоффманн-Ля Рош Аг. Дата публикации: 2019-04-23.

Method of production of polyethyleneterephthalate containers with a shifted from its center nozzle

Номер патента: RU2261176C2. Автор: Мауро ФИББЬЯ,Альберто АРМЭЛЛИН. Владелец: Сипа С.П.А.. Дата публикации: 2005-09-27.

Methods of forming solid-woven multilayer shells of variable thickness (embodiments)

Номер патента: RU2765455C1. Автор: Вячеслав Максимович Бушуев,Евгений Васильевич Лапин,Андрей Алексеевич Черепанов. Владелец: Акционерное общество "Уральский научно-исследовательский институт композиционных материалов". Дата публикации: 2022-01-31.

Method of foarming the skill of constructing symmetrical images in connection with the training of the eye and the device for its implementation

Номер патента: RU2749251C1. Автор: Сергей Аркадьевич Новоселов,Лариса Ивановна Львова,Лидия Сергеевна Попова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Уральский государственный педагогический университет" (УрГПУ). Дата публикации: 2021-06-07.

Overmolded medical connector tubing and method of producing same

Номер патента: RU2649471C2. Автор: Майкл А. СПОН,Кори Дж. ПРАЙС,Эндрю В. МЕЙЕР. Владелец: БАЙЕР ХелсКер ЛЛСи. Дата публикации: 2018-04-03.

Method of producing a collagen-based coating by aerosol spraying from an aqueous dispersion

Номер патента: RU2730839C1. Автор: Алексей Валентинович Ромашкин,Денис Дмитриевич Левин,Юрий Александрович Поликарпов,Владимир Кириллович Неволин. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники". Дата публикации: 2020-08-26.

Method of forming an element of x-ray optics

Номер патента: RU2707766C1. Автор: Валерий Васильевич Савин,Анатолий Александрович СНИГИРЕВ,Виктория Чайка,Иван Сергеевич Жеребцов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Балтийский федеральный университет имени Иммануила Канта" (БФУ им. И. Канта). Дата публикации: 2019-11-29.

Method of determining inclination angles of reflecting boundaries in a geological environment from profile seismic survey data 2d

Номер патента: RU2692001C1. Автор: Владимир Иванович Бондарев,Сергей Михайлович Крылатков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Уральский государственный горный университет" (ФГБОУ ВО "УГГУ"). Дата публикации: 2019-06-19.

Method of manufacturing capacitive deionization (cdi) device, cdi device and apparatus for treating water, electrode for capacitive deionization and method of forming same

Номер патента: SG11201903410XA. Автор: Cheng Zhou,Meng Ding,Hui Ying YANG,Zhi Yi LEONG,Francois Zaviska,Xianfen Wang. Владелец: Univ Singapore Technology & Design. Дата публикации: 2019-05-30.

One-time programmable memory and an operation method thereof

Номер патента: US20210312998A1. Автор: Ying Yan,Jianming Jin. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-10-07.

Method of forming articles of composite material

Номер патента: RU2603798C1. Автор: Николай Викторович Степанов,Галина Михайловна Разина,Татьяна Петровна Асеева,Елена Юрьевна Зайцева. Владелец: Акционерное общество "Обнинское научно-производственное предприятие "Технология" им. А.Г. Ромашина". Дата публикации: 2016-11-27.

Method of forming porous fibres

Номер патента: RU2739906C1. Автор: Василий А. ТОПОЛКАРАЕВ,Райан Дж. МАКИНИНИ,Юэвень СЮЙ. Владелец: Кимберли-Кларк Ворлдвайд, Инк.. Дата публикации: 2020-12-29.

Method of producing structural component from composite material reinforced by fibers using formed core, and formed core

Номер патента: RU2445206C2. Автор: Торбен ЯКОБ,Йоахим ПИПЕНБРОК. Владелец: Эйрбас Оперейшинз Гмбх. Дата публикации: 2012-03-20.

Small crystal ferrierite and method of making the same

Номер патента: RU2640072C9. Автор: Хун-синь ЛИ,Антон ПЕТУШКОВ,Уильям Е. КОРМАЙЕР. Владелец: ПиКью КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2018-05-30.

Method of obtaining agent for the treatment of solid-hoofed animals with parasitosis

Номер патента: RU2681214C1. Автор: Шахаб Вахидович Вацаев,Владислав Евгеньевич Абрамов,Виктор Васильевич Гришин,Маулды Баудинович Мусаев,Иван Алексеевич Архипов,Ирина Евгеньевна Шумакович,Надежда Борисовна Емельянова,Павел Павлович Кочетков,Имран Русланович Салгириев,Айшет Зеудыевна Джамалова,Хеди Имрановна Берсанова,Виктория Владимировна Защепкина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный научный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной ветеринарии имени К.И. Скрябина и Я.Р. Коваленко Российской академии наук. Дата публикации: 2019-03-05.

Method of forming and apparatus for generating satellite constellation

Номер патента: RU2719067C2. Автор: Дзунити АМИМОТО,Масанобу ФУДЗИМУРА. Владелец: АйЭйчАй АЭРОСПЕЙС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2020-04-17.

Method of metals extraction form oil dross

Номер патента: RU2348707C1. Автор: Сергей Викторович Дигонский,Виталий В чеславович Тен,Виталий Вячеславович Тен. Владелец: Виталий Вячеславович Тен. Дата публикации: 2009-03-10.

System and method of utilizing off-chip memory

Номер патента: US20050060485A1. Автор: Mark Buer. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2005-03-17.

Cyclosporine suspensions a of form 2

Номер патента: RU2641963C2. Автор: Анурадха В. ГОР,Прем Сваруп МОХАНТИ,Э. Квинн ФАРНЕС. Владелец: Аллерган, Инк.. Дата публикации: 2018-01-23.

Method of forming three-dimensional images in coatings

Номер патента: RU2590880C2. Автор: Петер КЛАУТЕР,Томас ГЁТЦ. Владелец: Мерк Патент Гмбх. Дата публикации: 2016-07-10.

Method of forming recommended routes for railway cars

Номер патента: RU2745549C1. Автор: Александр Владимирович Докучаев,Андрей Петрович Котенко,Андрей Андреевич Котенко. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Самарский государственный технический университет". Дата публикации: 2021-03-26.

Surgical treatment method of hypospadias

Номер патента: RU2738557C1. Автор: Герман Владимирович Козырев,Дина Тамазиевна МАНАШЕРОВА,Радош Джинович. Владелец: Дина Тамазиевна МАНАШЕРОВА. Дата публикации: 2020-12-14.

Method of forming coating on metal with electron-beam surfacing of ceramic powder

Номер патента: RU2735688C1. Автор: Илья Юрьевич Бакеев. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники». Дата публикации: 2020-11-05.

Method of determining humidity threshold for formation of gas hydrate in samples of natural coal

Номер патента: RU2725047C1. Автор: Валерий Васильевич Дырдин,Вячеслав Геннадьевич Смирнов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кузбасский государственный технический университет имени Т.Ф. Горбачева" (КузГТУ). Дата публикации: 2020-06-29.

Method of forming a gingival cuff in the dental implant area from autogenous tissue of the patient attached on the bone

Номер патента: RU2750275C1. Автор: Сергей Сергеевич ЕДРАНОВ. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Профессорская клиника Едранова". Дата публикации: 2021-06-25.

Esters of hyaluronic acid with rhein, method of preparing said esters and composition containing said esters

Номер патента: RU2383554C2. Автор: Антонелло ПЬЕТРАНДЖЕЛО,Вальтер ТРАВАЛЬ. Владелец: Лаборатуар Медидом С.А.. Дата публикации: 2010-03-10.

Method of holographic recording remote formation

Номер патента: RU2707582C1. Автор: Сергей Александрович Шойдин. Владелец: Сергей Александрович Шойдин. Дата публикации: 2019-11-28.

Method of shaping profile of specified shape for stretch ceilings

Номер патента: RU2735136C1. Автор: Руслан Тимихович Бекоев. Владелец: ПИНЧУК Алексей Геннадьевич. Дата публикации: 2020-10-28.

Device for forming and freezing tissue samples of a patient or animal and a method of forming and freezing tissue samples of a patient or animal

Номер патента: RU2769506C2. Автор: Дмитрий В. КРАВЦОВ,Норман ГРЭЙ. Владелец: Ванесса Рисерч, Инк.. Дата публикации: 2022-04-01.

Method of forming ink ejection adjustment pattern, ink ejection adjustment method for inkjet head and inkjet printer

Номер патента: US20140009524A1. Автор: Masanobu Ogawa. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2014-01-09.

Method of providing data relating to the patients of medical institution

Номер патента: RU2586854C1. Автор: Олег Николаевич Бодин,Касымбек Адильбекович Ожикенов,Фагим Касымович Рахматуллов,Виталий Германович Полосин,Максим Игоревич Сафронов,Антон Сергеевич Сергеенков,Светлана Александровна Балахонова,Антон Александрович Иванчуков,Абдуразак Оразгелдиевич Касимов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Пензенский государственный университет" (ФГБОУ ВПО "Пензенский государственный университет"). Дата публикации: 2016-06-10.

Method of forming of composite material of empty aerodynamic surfaces - 1

Номер патента: RU2674972C2. Автор: Виктор Степанович Ермоленко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Фирма "МВЕН". Дата публикации: 2018-12-13.

Method of forming hydraulic resistance lengthwise fish conduit and fish pass implementing the method

Номер патента: RU2245415C1. Автор: А.А. Чистяков,ков А.А. Чист. Владелец: Новочеркасская государственная мелиоративная академия НГМА. Дата публикации: 2005-01-27.

Confectionery product with filling (options) and method of its making

Номер патента: RU2647280C2. Автор: Лок Яан Амброзе ЧАН,ШоМенг ЧИН,Луис БОРДЕРА,Деннис АБАД,Венди ЛАУ. Владелец: Вм. Ригли Джр. Компани. Дата публикации: 2018-03-15.

Method of producing metal parts, in which deposition of material is used, and device for realizing said method

Номер патента: RU2723496C2. Автор: Ян СМОЛИК,Иван ДИВИС,Томас ФОРМУСЕК,Франтисек КОМАРЕК,Ян МАЛЫ,Станислав ХОСНЕДЛ. Владелец: Ковосвит Мас, А.С.. Дата публикации: 2020-06-11.

Method of forming composite image, system for realising said method, method of calculating mismatch value and data medium

Номер патента: RU2475850C2. Автор: Джини А. ГРИНДСТАФФ,Шейла Дж. УАЙТЭКЕР. Владелец: Интегрэф Софтвеа Текнолоджис Кампэни. Дата публикации: 2013-02-20.

Method of forming blade edge

Номер патента: RU2725946C2. Автор: Сергей Георгиевич Бирюков. Владелец: Сергей Георгиевич Бирюков. Дата публикации: 2020-07-07.

Method of forming dump

Номер патента: RU2667395C2. Автор: Сергей Павлович Вострецов,Эльвира Вагизовна Пономарева. Владелец: Акционерное общество "ВНИИ Галургии" (АО "ВНИИ Галургии"). Дата публикации: 2018-09-19.

Method of oxidative dehydration with improved regulatibility for obtaining butadiene

Номер патента: RU2628519C2. Автор: Джозеф Г. ДАФФ,Лиана КАСИУЛА,Элизабет БАЛЛАРД,Сириша ЧАДА,Сесил Дж. МакФАРЛАНД. Владелец: ТиПиСи ГРУП ЭлЭлСи. Дата публикации: 2017-08-17.

Method of erecting building cover or overfly structure

Номер патента: RU2582682C1. Автор: Александр Павлович Белоглазов,Владимир Лазаревич Чернявский,Гаяне Ашотовна Искандарян,Татьяна Евгеньевна Чернявская. Владелец: Татьяна Евгеньевна Чернявская. Дата публикации: 2016-04-27.

Method of producing powder of uranium and molybdenum-based alloy

Номер патента: RU2586373C2. Автор: Мерил БРОТЬЕР,Жером АЛЛЕНУ,Франсуа ШАРОЛЛЕ,Ксавье ИЛТИ,Оливье ТУГЭ,Матье ПАСТЮРЕЛЬ,Анри НОЭЛЬ. Владелец: Юниверсите Де Ренн 1. Дата публикации: 2016-06-10.

Method of making component of fibrous composite for aircraft and space engineering

Номер патента: RU2492046C2. Автор: Кристиан НИТШ. Владелец: Эйрбас Оператионс Гмбх. Дата публикации: 2013-09-10.

Method of forming medium of specified temperature in working chamber of 3d printer

Номер патента: RU2736449C1. Автор: Евгений Владимирович Матвеев,Дмитрий Николаевич Трушников,Игорь Игоревич Безукладников,Александр Андреевич Осколков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Ф2 ИННОВАЦИИ". Дата публикации: 2020-11-17.

Method of selecting an object on a distant background with optical systems from an air carrier

Номер патента: RU2714701C1. Автор: Владимир Аминович Подгорнов,Семён Владимирович Подгорнов,Алексей Евгеньевич Кипкаев,Георгий Анатольевич Крестьянинов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт технической физики имени академика Е.И. Забабахина". Дата публикации: 2020-02-19.

Method of separating discrete portion from web

Номер патента: RU2601220C2. Автор: Джеффри Алан ДЕБРО,Эрик Луис ШРЁДЕР,Кирк Джон ДЕМПСИ. Владелец: Кимберли-Кларк Ворлдвайд, Инк.. Дата публикации: 2016-10-27.

Method of treating fresh ruptures of the thigh quadriceps muscle tendon

Номер патента: RU2723218C1. Автор: Илья Вячеславович Сутягин,Евгений Александрович Дудко,Сергей Петрович Бойчук. Владелец: федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный медицинский исследовательский центр травматологии и ортопедии имени академика Г.А. Илизарова" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2020-06-09.

Cartridge, components and methods of the inhaled environment generating

Номер патента: RU2664376C1. Автор: Колин ДИККЕНС,Доминик ТЁРНЕР. Владелец: Бритиш Америкэн Тобэкко (Инвестментс) Лимитед. Дата публикации: 2018-08-16.

Method of drying panels and other building structures

Номер патента: WO2013171475A2. Автор: Robert Bresnahan,David MAYLE,Max BURBIDGE,Piers ASHLEY-CARTER,Mark PATTEN,Ian PRITCHETT. Владелец: Lime Technology Limited. Дата публикации: 2013-11-21.

Method of forming ink ejection adjustment pattern, ink ejection adjustment method for inkjet head and inkjet printer

Номер патента: US20150174895A1. Автор: Masanobu Ogawa. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2015-06-25.

Method of forming nanopattern and substrate having pattern formed using the method

Номер патента: EP1999513A1. Автор: Seung-Tae Oh,Sang-Choll Han,Deok-Joo Kim,Matthias Henyk. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2008-12-10.

Methods of and apparatus for forming a biometric image

Номер патента: WO2008155550A3. Автор: Robin Hamilton. Владелец: Innometriks Ltd. Дата публикации: 2009-04-16.

Methods of and apparatus for forming a biometric image

Номер патента: WO2008155550A2. Автор: Robin Hamilton. Владелец: Innometriks Limited. Дата публикации: 2008-12-24.

Mats of glass fibers and pulp fibers and their method of manufacture

Номер патента: EP1218595A1. Автор: Daojie Dong. Владелец: Owens Corning. Дата публикации: 2002-07-03.

Method of forming mask pattern, method of forming thin film pattern and method of forming magnetoresistive element

Номер патента: US20090294403A1. Автор: Hideyuki Yatsu,Akifumi Kamijima,Hitoshi Hatate. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2009-12-03.

Methods of and apparatus for forming a biometric image

Номер патента: EP2158562A2. Автор: Robin Hamilton. Владелец: Innometriks Ltd. Дата публикации: 2010-03-03.

Method of incorporating carbon nanotubes in a medical appliance, a carbon nanotube medical appliance, and a medical appliance coated using carbon nanotube technology

Номер патента: WO2006052538A3. Автор: Shrirang V Ranade. Владелец: Shrirang V Ranade. Дата публикации: 2006-11-23.

Method of producing calcium carbonate

Номер патента: RU2676292C1. Автор: Елена Александровна Вилкай,Игорь Александрович Кабанов,Луиза Яковлевна Коноплина,Александр Павлович Шушкин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Комбинат "Электрохимприбор". Дата публикации: 2018-12-27.

Method of forming nonround perforations in underground bed bearing hydrocarbons, non-linear cumulative perforator, firing perforator (versions)

Номер патента: RU2358094C2. Автор: Эрнест Л. БЕЙКЕР,Дейвид К. ДЕЙНИЭЛ,Дейвид С. ВЕССОН,Джон Л. БЁРБА III,Артур С. ДЕЙНИЭЛС,Роберт И. ДЕЙВИС. Владелец: Моликорп, Инк.. Дата публикации: 2009-06-10.

Method of forming a control signal of a steering drive of an uncleaned aircraft and a device for its implementation

Номер патента: RU2681823C1. Автор: Андрей Борисович Петров,Анатолий Сергеевич Сыров,Александр Михайлович Пучков,Дмитрий Григорьевич Тацюк,Артем Владимирович Хлопкин,Надежда Николаевна Кедрова,Валерия Львовна Сухова. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Московское опытно-конструкторское бюро "Марс" (ФГУП МОКБ "Марс"). Дата публикации: 2019-03-12.

Method of packing solid materials during underground treatment operations

Номер патента: RU2679934C1. Автор: Раджеш К. САИНИ,Клейтон С. СМИТ,Мэтью М. СЭМЮЭЛ,Керн Л СМИТ,Чин-Чау ХВАН,Леонид Вигдерман,Дуэйн ТРЕЙБИГ. Владелец: Зе Лубризол Корпорейшн. Дата публикации: 2019-02-14.

Method of obtaining protection elements and hologram

Номер патента: RU2640711C2. Автор: Николай А. ГРИГОРЕНКО,Мишель РИШЕР,Ролан ФЛЕРИ. Владелец: БАСФ СЕ. Дата публикации: 2018-01-11.

Method of forming an image of an augmented reality that provides the correlation of visual characteristics of real and virtual objects

Номер патента: RU2667602C2. Автор: Андрей Леонидович Горбунов,Андрей Юрьевич Зелинский,Андрей Иванович Кауров,Александра Андреевна Горбунова,Марина Федоровна Козлова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "АВИАРЕАЛ". Дата публикации: 2018-09-21.

Method of adaptive control of active power and frequency of hydraulic unit with kaplan turbine

Номер патента: RU2531068C1. Автор: Анатолий Сергеевич Гольцов,Сергей Анатольевич Гольцов. Владелец: Сергей Анатольевич Гольцов. Дата публикации: 2014-10-20.

Containers made from aluminium scrap processed by method of impact compaction

Номер патента: RU2593799C2. Автор: Джон Л. САЙЛС,Сэмьюэл МЕЛАНКОН,Энтони ШАТЕ,Стенли М. ПЛАТЕК. Владелец: Болл Корпорейшн. Дата публикации: 2016-08-10.

Device, plant and method of sheet metal workpiece forming, and part, produced according to this method

Номер патента: RU2634830C2. Автор: Петер КЕНИГ,Михаэль ВОЛЬФ,Оттмар ЛЕР,Клаус ЛЯЙНМЮЛЛЕР,Дитер ВАЙДМАНН. Владелец: Алльгайер Верке Гмбх. Дата публикации: 2017-11-03.

Method of automated establishment and use of the basis of electronic information data of remote sensing of the earth and a multifunctional ground complex for its implementation

Номер патента: RU2646370C1. Автор: Анатолий Васильевич Шишанов,Владимир Васильевич Ромашкин,Михаил Ефимович Синькевич,Павел Алексеевич Лошкарев,Александр Игоревич Макеров,Валерий Александрович Заичко,Овнан Олегович Тохиян,Валерий Павлович Поселяничев. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт точных приборов". Дата публикации: 2018-03-02.

Method of surgical treatment of the chronic lateral instability of the ankle joint with the anteromedial access

Номер патента: RU2680179C1. Автор: Гурген Абавенович Кесян,Александр Алексеевич Очкуренко,Авет Гагикович Ширмазанян,Артак Мацакович Мацакян,Бутай Гайдарович Бутаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный медицинский исследовательский центр травматологии и ортопедии имени Н.Н. Приорова" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГБУ "НМИЦ ТО им. Н.Н. Приорова" Минздрава России). Дата публикации: 2019-02-18.

Device and method of supplying combined medical solution

Номер патента: RU2514541C2. Автор: Ганс-Мартин ЛАУЭР,Матиас ВУФКА,Дорис РОЭТЛЕЙН,Себастьян ХЕРНИГ. Владелец: Б. Браун Мелзунген Аг. Дата публикации: 2014-04-27.

Method of forming mismatch parameters in a radio-electronic system for controlling an air-to-air missile with its self-homing on an aircraft of a pair of them according to its functional purpose on the principle of "master-slave"

Номер патента: RU2695762C1. Автор: Александр Викторович Богданов,Валентин Александрович Голубенко,Александр Александрович Кучин,Сергей Александрович Горбунов,Александр Григорьевич Коваленко,Александр Александрович Лобанов. Владелец: Федеральное государственное казённое военное образовательное учреждение высшего образования "Военная академия воздушно-космической обороны имени Маршала Советского Союза Г.К. Жукова" Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2019-07-25.

Method of forming a digital signal of angular stabilization of a non-stationary object of control and a device for its implementation

Номер патента: RU2653409C1. Автор: Алексей Сергеевич Соловьев,Сергей Валентинович Кравчук,Анатолий Сергеевич Сыров,Александр Михайлович Пучков,Юрий Александрович Чернышов,Надежда Павловна Жданович. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Московское опытно-конструкторское бюро "Марс" (ФГУП МОКБ "Марс"). Дата публикации: 2018-05-08.

Methods of controlling polymorphism in organic-free synthesis of na-zeolites and zeolite crystals formed therefrom

Номер патента: US20170369327A1. Автор: Jeffrey D. Rimer,Miguel Maldonado,Matthew D. OLEKSIAK. Владелец: UNIVERSITY OF HOUSTON SYSTEM. Дата публикации: 2017-12-28.

Methods of forming objects by diffusion welding of foils

Номер патента: EP3452245A1. Автор: David Myron Lineman,Martin Herbert Goller. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2019-03-13.

Method of manufacturing multi-segmented optical fiber and preform

Номер патента: US20020189296A1. Автор: Michael Cain,Richard Fiacco,Liam dePaor,Robert Desorcie,Cynthia Giroux. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2002-12-19.

Thin film magnetic head, method of manufacturing the same and method of forming magnetic layer pattern

Номер патента: US20020034045A1. Автор: Yoshitaka Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2002-03-21.

Optical recording medium, and method of manufacturing same

Номер патента: US20010017841A1. Автор: Shin Masuhara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-30.

Binuclear crystalline complexes of rare-earth ions (3+), method for production thereof, method of producing magnetic polymer composites, use of magnetic polymer composites as photosensitive magnetic media for spintronics and memory devices

Номер патента: RU2728127C1. Автор: Роман Борисович Моргунов,Наталия Алексеевна Санина,Екатерина Игоревна Куницына,Федор Анатольевич Пруднов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем химической физики Российской академии наук (ФГБУН ИПХФ РАН). Дата публикации: 2020-07-28.

Method of combined liposuction

Номер патента: RU2647621C1. Автор: Виталий Александрович Игумнов,Александр Александрович Игумнов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Центр пластической хирургии и косметологии "Шарм". Дата публикации: 2018-03-16.

Thermal transfer printing method and a method of forming an image on ink ribbon during thermal transfer printing

Номер патента: RU2709564C1. Автор: Александр Евгеньевич Виршке. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Виршке". Дата публикации: 2019-12-18.

Method for choosing a method of surgical treatment of stage ii keratoconus

Номер патента: RU2747248C1. Автор: Александр Владимирович Терещенко,Сергей Константинович Демьянченко,Екатерина Николаевна Вишнякова,Максим Александрович Тимофеев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение "Национальный медицинский исследовательский центр "Межотраслевой научно-технический комплекс "Микрохирургия глаза" имени академика С.Н. Федорова" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2021-04-29.

Rounding device for food dough and method of rounding food dough

Номер патента: RU2582348C1. Автор: Митио МОРИКАВА,Кацумити ХИГУТИ,Акинори ТАКАМА,Суя САТО,Акира ТОДАТЕ. Владелец: Реон Отомэтик Машинери Ко., Лтд.. Дата публикации: 2016-04-27.

Multi-layer fabric and its method of its manufacture

Номер патента: RU2507332C2. Автор: Роберт А. ХЭНСЕН. Владелец: Олбани Интернешнл Корп.. Дата публикации: 2014-02-20.

Method of forming lifting force, aeroplane and method of takeoff and landing

Номер патента: RU2223891C1. Автор: Г.И. Авруцкий,И.Г. Авруцка,И.Г. Авруцкая. Владелец: Авруцкая Ирина Гарриевна. Дата публикации: 2004-02-20.

Method of forming document openehr

Номер патента: RU2686032C1. Автор: Евгений Викторович Леонов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Солит Клаудз". Дата публикации: 2019-04-23.

Methods of synthesizing lipstatin derivatives

Номер патента: US20240228451A1. Автор: Zeeshan KAMAL,Apparao BOKKA,Gopalakrishna AKURATHI,Gary Richard Lee. Владелец: Panafina Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Method and memory system for optimizing on-die termination settings of multi-ranks in a multi-rank memory device

Номер патента: US20210082479A1. Автор: Ki-Seok OH,Young-Soo Sohn,Jin-Hoon Jang,Kyung-Soo Ha,Seok-Hun Hyun,Yeon-Kyu Choi,Chang-kyo LEE,Dae-Sik Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-18.

A method of enhancing ethanol fermentation

Номер патента: WO2021186164A1. Автор: Andrew John LEE. Владелец: Lytegro Limited. Дата публикации: 2021-09-23.

Fabrication methods of a luneburg lens

Номер патента: US20240227329A9. Автор: Andrey Kobyakov,Gregory Kobyakov. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of forming hydrophobic coating layer on surface of nozzle plate of inkjet printhead

Номер патента: US20110049095A1. Автор: Jae-Woo Chung,Seung-Mo Lim,Sung-gyu Kang,Kae-dong Back. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-03-03.

A method of enhancing ethanol fermentation

Номер патента: CA3175585A1. Автор: Andrew John LEE. Владелец: Lytegro Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

A method of enhancing ethanol fermentation

Номер патента: AU2021236950A1. Автор: Andrew John LEE. Владелец: Lytegro Ltd. Дата публикации: 2022-11-03.

A method of enhancing ethanol fermentation

Номер патента: EP4121509A1. Автор: Andrew John LEE. Владелец: Lytegro Ltd. Дата публикации: 2023-01-25.

Fibrin particles and methods of forming fibrin particles

Номер патента: US12030918B2. Автор: John Oakey,Alan STENQUIST. Владелец: UNIVERSITY OF WYOMING. Дата публикации: 2024-07-09.

Mesh containers and method of making

Номер патента: WO2006014707A9. Автор: Christopher Hardy,Hsi-Ming Cheng,Neal R Post. Владелец: Design Ideas Ltd. Дата публикации: 2006-05-11.

Method of manufacturing nozzle plate

Номер патента: US20070054221A1. Автор: Tsutomu Yokouchi. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-08.

Method of producing a collapsible hat

Номер патента: US20140109291A1. Автор: Shane Douglas Smith. Владелец: BUYSEASONS Inc. Дата публикации: 2014-04-24.

Method of manufacturing liquid jet head

Номер патента: US20050185025A1. Автор: Masato Shimada,Tetsushi Takahashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-08-25.

Method of forming article, coated powder and article

Номер патента: US11945030B2. Автор: David A. Stewart. Владелец: Rolls Royce PLC. Дата публикации: 2024-04-02.

Magnetic filtration process, magnetic filtering material, and methods of forming magnetic filtering material

Номер патента: US20140008564A1. Автор: Cristian I. Contescu,Joanna Mcfarlane,Constantino Tsouris,Patricia Taboada-Serrano. Владелец: UT Battelle LLC. Дата публикации: 2014-01-09.

Thermoforming mould, method of fabrication of a thermoforming mould, thermoformed product and mould, method of fabrication of a thermoformed product

Номер патента: WO2016135443A1. Автор: Keith Harrison. Владелец: Par-Pak Europe Limited. Дата публикации: 2016-09-01.

Methods of forming resist pattern, forming electrode pattern, and manufacturing surface acoustic wave device

Номер патента: US6821712B2. Автор: Kenji Sakaguchi,Yoshihiro Koshido,Toshiyuki Fuyutsume. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2004-11-23.

Storage device, method of operating storage device, computing system including storage device and host device for controlling storage device, and method of operating computing system

Номер патента: US20210049096A1. Автор: Seok Jun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Method of forming an article of footwear incorporating a knitted upper with tensile strand

Номер патента: EP3673758A2. Автор: John Droege,Daniel A. Podhajny. Владелец: Nike Innovate CV USA. Дата публикации: 2020-07-01.

Method of forming an article of footwear incorporating a knitted upper with tensile strand

Номер патента: EP3673758A3. Автор: John Droege,Daniel A. Podhajny. Владелец: Nike Innovate CV USA. Дата публикации: 2020-09-02.

Method of forming an article of footwear incorporating a knitted upper with tensile strand

Номер патента: EP3041379A1. Автор: John Droege,Daniel A. Podhajny. Владелец: Nike Innovate CV USA. Дата публикации: 2016-07-13.

Method of forming an article of footwear incorporating a knitted upper with tensile strand

Номер патента: WO2015034568A1. Автор: John Droege,Daniel A. Podhajny. Владелец: Nike Innovate C.V.. Дата публикации: 2015-03-12.

Method of manufacturing slider

Номер патента: US20090238952A1. Автор: Mitsuru Kubo,Satoshi Tomita,Masayuki Hamakawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-09-24.

Method of manufacturing housing

Номер патента: EP3750650A1. Автор: Haruhiko Tan,Shota Tominaga. Владелец: Kawasaki Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2020-12-16.

Method of gradual forming of part with concave and convex surfaces

Номер патента: RU2515973C2. Автор: Виджитха Сенака КИРИДЕНА,Чжиюн Седрик СЯ. Владелец: Форд Глобал Технолоджис, ЛЛК. Дата публикации: 2014-05-20.

Systems and methods of encoding biosensor calibration

Номер патента: RU2688222C2. Автор: Игорь ГОФМАН. Владелец: Асцензия Диабетс Кэар Холдингс АГ. Дата публикации: 2019-05-21.

Method of forming metal powders for additive technologies in plasma generator apparatus with sorting by weight in electric field

Номер патента: RU2745551C2. Автор: Александр Александрович Иванченко,Владимир Сергеевич Балахнин,Иван Николаевич Корепин,Антон Анатольевич Ващилло,Роман Андреевич Кузьменко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Ботлихский радиозавод". Дата публикации: 2021-03-26.

Method of forming microrelief on surface of metal articles

Номер патента: RU2642243C2. Автор: Вячеслав Геннадьевич Кузнецов,Тельман Айдабекович Курбанов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем машиноведения Российской академии наук (ИПМаш РАН). Дата публикации: 2018-01-24.

Device and method of continuous long element forming made from foam plastic, plant with said element and structural element made from said foam plastic

Номер патента: RU2502597C2. Автор: Пьеро КРЕТТИ. Владелец: Джилэнбери Трейдинг Лтд.. Дата публикации: 2013-12-27.

Negative photosensitive polymer composition, method of forming pattern and liquid ejection head

Номер патента: RU2495468C1. Автор: Хио ТАКАХАСИ,Кен ИКЕГАМЕ,Масако СИМОМУРА. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2013-10-10.

Method of carrying out operations for prosthetic dentistry and mobile complex of dental equipment for its implementation

Номер патента: RU2663494C1. Автор: Михаил Федорович Егоров. Владелец: Михаил Федорович Егоров. Дата публикации: 2018-08-06.

Method of forming anastomoses when performing linear aortic prosthetics

Номер патента: RU2701389C1. Автор: Денис Александрович Черновалов,Олег Владимирович Дмитриев,Игорь Игоревич Козин,Антон Юрьевич Итальянцев,Алексей Анатольевич Лукьянов. Владелец: Олег Владимирович Дмитриев. Дата публикации: 2019-09-26.

Method of sludge waste disposal in the operating underground salt chamber

Номер патента: RU2628559C2. Автор: Евгений Павлович Каратыгин,Александр Владимирович Кубланов,Алексей Иванович Левченко. Владелец: ООО "ПТЦ "Геосалт". Дата публикации: 2017-08-18.

Method of forming precision bihepaticojejunoanastomosis after iatrogenic damage of confluence of hepatic ducts without replaceable transhepatic drainages

Номер патента: RU2717893C1. Автор: Наталья Григорьевна Шахназарян,Артур Насирович Айдемиров,Арсен Михайлович Шахназарян,Альберт Закирович Вафин,Константин Иванович Делибалтов,Артем Олегович Градинар. Владелец: Артур Насирович Айдемиров. Дата публикации: 2020-03-26.

Method of alloying metals and alloys

Номер патента: RU2639176C2. Автор: Владимир Дмитриевич Шкилев,Людмила Сергеевна Беккель,Виктор Ефимович Хайченко,Инна Аркадиевна Филиппова,Юлия Геннадьевна Головачева. Владелец: Юлия Геннадьевна Головачева. Дата публикации: 2017-12-20.

Method of forming magnetic patterned structure in non-magnetic matrix

Номер патента: RU2526236C1. Автор: Борис Аронович Гурович,Евгения Анатольевна Кулешова,Кирилл Евгеньевич Приходько. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2014-08-20.

Method of complete abdominoplasty

Номер патента: RU2730981C1. Автор: Денис Константинович Бага,Яна Вячеславовна Цехмистро. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный педиатрический медицинский университет" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГБОУ ВО СПбГПМУ Минздрава России). Дата публикации: 2020-08-26.

Method of forming titanium oxide coating on steel surface

Номер патента: RU2698160C2. Автор: Светлана Станиславовна Павлова,Маргарита Кондратьевна Котванова,Ирина Александровна Сологубова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Югорский государственный университет". Дата публикации: 2019-08-22.

Method of forming navigational satellite system

Номер патента: RU2314232C2. Автор: Юрий Матэвич Урличич,Владимир Александрович Поповкин,Вячеслав Владимирович Дворкин,В чеслав Владимирович Дворкин,Вячеслав Филиппович Фатеев,Арнольд Сергеевич Селиванов,В чеслав Филиппович Фатеев,Владимир Иванович Горбулин. Владелец: Закрытое акционерное общество "НПО Космического Приборостроения". Дата публикации: 2008-01-10.

Method of forming fascial duplication in eliminating an anterior rectal wall defect following prostatectomy

Номер патента: RU2735904C1. Автор: Олег Владимирович Леонов,Дмитрий Михайлович Вьюшков,Евгений Иванович Копыльцов,Юрий Николаевич Юргель,Иван Александрович Сихвардт,Николай Юрьевич Юргель. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Омский государственный медицинский университет» Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГБОУ ВО ОмГМУ Минздрава России). Дата публикации: 2020-11-10.

Method of flow production assembling frameless sandwich cabins in field conditions

Номер патента: RU2601788C2. Автор: Мефодий Николаевич Бондарчук. Владелец: Мефодий Николаевич Бондарчук. Дата публикации: 2016-11-10.

Method for writing in mram-based memory device with reduced power consumption

Номер патента: RU2546572C2. Автор: Нил БЕРГЕР,БАРАДЖИ Мурад ЭЛЬ. Владелец: Крокус Текнолоджи Са. Дата публикации: 2015-04-10.

Method of manufacturing uni- and no-code test stripes

Номер патента: RU2680140C2. Автор: Александер ИБАХ,Ильмаз ИСГЁРЕН. Владелец: Ф.Хоффманн-Ля Рош Аг. Дата публикации: 2019-02-18.

Method of manufacturing litogrunt artificial soil

Номер патента: RU2682920C1. Автор: Евгений Валерьевич Круглей,Дмитрий Игоревич Волченко. Владелец: Евгений Валерьевич Круглей. Дата публикации: 2019-03-22.

Method of forming fine pattern

Номер патента: US20040248042A1. Автор: Meiten Koh,Hiroyuki Watanabe,Takuji Ishikawa,Takayuki Araki,Toshiro Itani,Minoru Toriumi,Tamio Yamazaki. Владелец: Semiconductor Leading Edge Technologies Inc. Дата публикации: 2004-12-09.

Wire pad design of a connection pad in a prelam body of a smart card, prelam body, smart card, method of forming a wire pad design, and method of forming a smart card

Номер патента: EP4392895A1. Автор: Carsten Nieland,Fycommee AKKADECH. Владелец: Linxens Holding SAS. Дата публикации: 2024-07-03.

Glass forming apparatus and methods of forming a glass ribbon

Номер патента: EP3074352A1. Автор: Cameron Wayne Tanner,Thomas Dale Ketcham,Hilary Tony Godard,Scott Michael Jarvis,James Robert Rustad. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2016-10-05.

Image forming apparatus and method of controlling the same

Номер патента: US9256182B2. Автор: Soo Yong KIM,Hyun Ki Cho,Sang Bum WOO,Jae Il YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-09.

Layered candle assembly and methods of forming thereof

Номер патента: US20170218300A1. Автор: Michael Leach,Gerald Andy. Владелец: CL PRODUCTS INTERNATIONAL LLC. Дата публикации: 2017-08-03.

Method of forming opening in base plate of stoma device, template sheet and label used in this method, and base plate and stoma device

Номер патента: EP2648662A2. Автор: HORI Kiyoshi. Владелец: Coloplast AS. Дата публикации: 2013-10-16.

Methods of forming dental tooth positioning appliances

Номер патента: US12011332B2. Автор: Anthony W. Morefield,Rick M. Matty,Devin K. Webb. Владелец: Align Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Method of forming a panel using a forming tool having a central vacuum forming portion and an outer press forming portion

Номер патента: SE539836C2. Автор: Rossander Ronnie,Skåre Mikael. Владелец: Safeman Ab. Дата публикации: 2017-12-12.

A method of forming a three-dimensional image

Номер патента: WO2022225463A1. Автор: Ho Hoai Duc NGUYEN. Владелец: ams Sensors Singapore Pte. Ltd.. Дата публикации: 2022-10-27.

Array of nano-electrochemical cells and method of fabrication

Номер патента: WO2003002249A3. Автор: Mino Green. Владелец: Mino Green. Дата публикации: 2003-05-08.

Array of nano-electrochemical cells and method of fabrication

Номер патента: EP1438127A2. Автор: Mino Green. Владелец: Imperial College Innovations Ltd. Дата публикации: 2004-07-21.

Array of nano-electrochemical cells and method of fabrication

Номер патента: WO2003002249A2. Автор: Mino Green. Владелец: IMPERIAL COLLEGE INNOVATIONS LIMITED. Дата публикации: 2003-01-09.

Layered Candle Assembly and Methods Of Forming Thereof

Номер патента: US20140170578A1. Автор: Michael Leach,Gerald Andy. Владелец: Lancaster Colony Corp. Дата публикации: 2014-06-19.

Stamper, method of forming a concave/convex pattern, and method of manufacturing an information recording medium

Номер патента: US7829267B2. Автор: Minoru Fujita,Mikiharu Hibi. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2010-11-09.

Press forming method of formed member with flange

Номер патента: US20090145310A1. Автор: Jiro Iwaya,Hiroshi Akamizu. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2009-06-11.

Method of forming a panel

Номер патента: SE1551089A1. Автор: Rossander Ronnie,Skåre Mikael. Владелец: Safeman Ab. Дата публикации: 2017-02-22.

Composite structures and methods of forming composite structures

Номер патента: US11745443B2. Автор: William B. Montague,Matthew T. Giaraffa. Владелец: Guerrilla Industries LLC. Дата публикации: 2023-09-05.

Method of forming a three-dimensional conductive knit patch

Номер патента: WO2018161152A1. Автор: Gabriel Stefan,Tony CHAHINE. Владелец: MYANT INC.. Дата публикации: 2018-09-13.

Methods of fabricating polycrystalline diamond by functionalizing diamond nanoparticles, green bodies including functionalized diamond nanoparticles, and methods od forming polycrystalline diamond cutting elements

Номер патента: EP2961690A1. Автор: Gaurav Agrawal,Anthony A. DiGiovanni,Valery N. KABASHESKU. Владелец: Baker Hughes Inc. Дата публикации: 2016-01-06.

Method of forming a flat glass into a glass component and forming tool for use in the method

Номер патента: US20220411312A1. Автор: Christian Franz,Thomas Höing,Julia Wallner,Damien Czwalinna. Владелец: FLABEG Automotive Germany GmbH. Дата публикации: 2022-12-29.

Concrete form & stake assembly and method of making same

Номер патента: US20030042393A1. Автор: John Osborn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-06.

The method of forming the images in the systems having objects moving relative to each other

Номер патента: EP1045366B1. Автор: Igor Petrovich Kurganov. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-16.

Method of forming high temperature corrosion resistant film

Номер патента: US20070116894A1. Автор: Toshio Narita,Shigenari Hayashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-24.

Method of producing micro structure, method of producing liquid discharge head

Номер патента: US20020006584A1. Автор: Takayuki Yagi,Masahiko Kubota,Teruo Ozaki,Tomoyuki Hiroki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-17.

Mineral-filled polymer articles and methods of forming same

Номер патента: US20220347908A1. Автор: William Patchen,Ming Ho. Владелец: Pactiv Evergreen Inc. Дата публикации: 2022-11-03.

Metal container with a carrier ring and methods of making the same

Номер патента: US20240308719A1. Автор: Dennis E. Green,Gerald Meador,Paul Whittaker,Erika S. Love. Владелец: Belvac Production Machinery Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Metal container with a carrier ring and methods of making the same

Номер патента: US20240308717A1. Автор: Dennis E. Green,Gerald Meador,Paul Whittaker,Erika S. Love. Владелец: Belvac Production Machinery Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Manufacturing method of phase difference element, phase difference element, and projection image display device

Номер патента: US20200018882A1. Автор: Junichi Sugawara,Toshiaki Sugawara,Yoshi Kanega. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2020-01-16.

Method of acoustic tomography system fields in the atmosphere, the oceans and crust of different physical nature in the marine environment

Номер патента: RU2624607C1. Автор: Михаил Владимирович Мироненко,Анна Михайловна Василенко,Валерий Александрович Пятакович,Олег Адольфович Алексеев. Владелец: Федеральное Государственное Казенное Военное Образовательное Учреждение Высшего Образования "Тихоокеанское Высшее Военно-Морское Училище Имени С.О. Макарова" Министерства Обороны Российской Федерации (Г. Владивосток). Дата публикации: 2017-07-04.

Ice-resistant drilling complex for development of continental shelf and method of formation of ice-resistant drilling complex for development of continental shelf

Номер патента: RU2734326C1. Автор: Виктор Фёдорович Ленский,Максим Васильевич Ковалев,Виталий Викторович Носков. Владелец: Акционерное общество "Центральное конструкторское бюро "Коралл". Дата публикации: 2020-10-15.

Method of forming, bearing support and steering gear produced thereby

Номер патента: RU2405647C2. Автор: Мэтью А. КОРДИВАРИ. Владелец: Сэнт-Гобэн Перформансес Пластикс Корпорейшн. Дата публикации: 2010-12-10.

Method of producing 3-trifluoromethyl chalcones

Номер патента: RU2502720C2. Автор: Гари Дэвид АННИС. Владелец: Е.И.Дюпон де Немур энд Компани. Дата публикации: 2013-12-27.

Method of manufacturing ball-shaped protective-decorative tip

Номер патента: RU2661693C1. Автор: Олег Алексеевич Пятков. Владелец: Олег Алексеевич Пятков. Дата публикации: 2018-07-19.

Method of forming a user query

Номер патента: RU2677379C2. Автор: Максим Андреевич Балян. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Яндекс". Дата публикации: 2019-01-16.

Method of forming a model of pressure pneumothorax of large animals on the example of a swine

Номер патента: RU2747905C1. Автор: Виталий Юрьевич Маркевич,Константин Петрович Головко,Константин Владимирович Петухов,Александр Борисович Вертий,Константин Николаевич Демченко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное военное образовательное учреждение высшего образования "Военно-медицинская академия имени С.М. Кирова" Министерства обороны Российской Федерации (ВМедА). Дата публикации: 2021-05-17.

Method of producing pgm-enriched alloy

Номер патента: RU2722840C1. Автор: Феликс ШТОФФНЕР,Крис ХОББС. Владелец: ХЕРАЕУС ПРЕШИС МЕТАЛС НОРТ АМЕРИКА ЭлЭлСи.. Дата публикации: 2020-06-04.

Packaging element with improved method of sealing and method of such packaging element formation

Номер патента: RU2654427C1. Автор: Ульрика ПЕРССОН,Конни ДАЛЬКВИСТ,София ЭКСТЕДТ. Владелец: Ска Хайджин Продактс Аб. Дата публикации: 2018-05-17.

Vehicle with function of forming energy-efficient track of operated vehicle when operated vehicle is moving along path section that includes mandatory deceleration point

Номер патента: RU2766897C1. Автор: Борис Валерьевич Паньков. Владелец: Осаюхинг Омникомм. Дата публикации: 2022-03-16.

Method of forming a multilayer coating film

Номер патента: WO2017162475A9. Автор: Toru Kurashina,Kazuhiko SHINMURA. Владелец: BASF COATINGS GMBH. Дата публикации: 2019-10-17.

Building materials and components and methods of making the same

Номер патента: US20240150245A1. Автор: Gang Tan,Richard HORNER,Tengyao JIANG,Jennifer Tanner EISENHAUER. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-05-09.

Manufacturing method of liquid ejection head, liquid ejection head, and inkjet printing apparatus

Номер патента: US20130321529A1. Автор: Kiyomitsu Kudo,Yuichiro Akama. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2013-12-05.

Method of forming graphene nanoplatelets, graphene nanoplatelets so-obtained and composites comprising said nanoplatelets

Номер патента: EP3512807A1. Автор: Francesco Cristiano,Francesco BERTOCCHI,Ahmed ELMARAKBI,Franco INNOCENTE,Alessandra CIAPPA,Elvira VILLARO. Владелец: Delta Tech SpA. Дата публикации: 2019-07-24.

Method of forming a torsional vibration damping disk

Номер патента: US20090107793A1. Автор: Timothy Simon. Владелец: LuK Lamellen und Kupplungsbau Beteiligungs KG. Дата публикации: 2009-04-30.

Method for manufacturing a master mold which is used to form a micropatterned film applied to an exterior of a household appliance and manufacturing apparatus and method of the film using the master mold

Номер патента: WO2011028060A9. Автор: Ju Hyun Kim,Young Kyu Kim,Seok Jae JEONG. Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2011-08-04.

Method of producing a microneedle array, microneedle array and use thereof

Номер патента: EP4359056A1. Автор: Ferdinand KOHLE. Владелец: Cipherx Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-05-01.

Plant-based poultry products, and methods of producing the same

Номер патента: WO2024129234A1. Автор: Hung Pham,Ethan MILLER,Matthew Skinner,Jade Elizabeth ZHU,Richard COLWELL,Avinash SHRIKANTIA,Clémence Jehl DE MÉNORVAL,Gemma COTTON,Mary Feyrer,Maya REESE,Priya GANDHI. Владелец: Tender Food, Inc.. Дата публикации: 2024-06-20.

Method of manufacturing display device and display device

Номер патента: US10795216B2. Автор: Hideki Nishimura,Futoshi Nakanishi,Tetsuroh Asakura. Владелец: Tianma Japan Ltd. Дата публикации: 2020-10-06.

Method of forming a surface coating having high surface hardness on a metal, alloy or ceramic substrate

Номер патента: US6960280B2. Автор: Tetsuo Kado. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2005-11-01.

Methods of forming supporting substrates for cutting elements, and related cutting elements, methods of forming cutting elements, and earth-boring tools

Номер патента: CA3063097C. Автор: Marc W. Bird. Владелец: Baker Hughes Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Mask for charged particle beam exposure, and method of forming the same

Номер патента: US20050008946A1. Автор: Kenichi Morimoto,Yoshinori Kinase,Yuki Aritsuka. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2005-01-13.

Method of forming a structural composite and structural composite obtained thereby

Номер патента: WO2018156592A1. Автор: Hamid Saadatmanesh,Davoud ZAMANI,Oksana PILATOVA. Владелец: Dowaksa Usa LLC. Дата публикации: 2018-08-30.

Methods Of Forming A Tellurium Alkoxide And Methods Of Forming A Mixed Halide-Alkoxide Of Tellurium

Номер патента: US20100267998A1. Автор: Stefan Uhlenbrock. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-10-21.

Methods Of Forming A Tellurium Alkoxide And Methods Of Forming A Mixed Halide-Alkoxide Of Tellurium

Номер патента: US20120330064A1. Автор: Stefan Uhlenbrock. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-12-27.

Methods of forming a tellurium alkoxide and methods of forming a mixed halide-alkoxide of tellurium

Номер патента: US8283503B2. Автор: Stefan Uhlenbrock. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-10-09.

Methods of forming a tellurium alkoxide and methods of forming a mixed halide-alkoxide of tellurium

Номер патента: WO2010120459A2. Автор: Stefan Uhlenbrock. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2010-10-21.

Manufacturing method of honeycomb structure, and honeycomb formed body

Номер патента: US20160243723A1. Автор: Takehiko Watanabe,Daniel Yukichi KITAGUCHI. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2016-08-25.

Method for manufacturing a master mold which is used to form a micropatterned film applied to an exterior of a household appliance and manufacturing apparatus and method of the film using the master mold

Номер патента: EP2473329A2. Автор: Ju Hyun Kim,Young Kyu Kim,Seok Jae JEONG. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2012-07-11.

Novel use of lipolytic enzyme for formation of anti-fingerprint coating, method of forming anti-fingerprint coating, substrate comprising the anti-fingerprint coating formed by the method, and product comprising the substrate

Номер патента: US20130302875A1. Автор: Young Jun Hong,Eun Jeong Lee. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2013-11-14.

Multi-site testing of computer memory devices and serial io ports

Номер патента: US20140026006A1. Автор: Chinsong Sul. Владелец: Silicon Image Inc. Дата публикации: 2014-01-23.

Method of manufacturing substrate laminated body, substrate for liquid ejection head and method of manufacturing substrate for liquid ejection head

Номер патента: US11305539B2. Автор: Taichi YONEMOTO. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2022-04-19.

Multicomponent mats of glass fibers and natural fibers and their method of manufacture

Номер патента: US20020195216A1. Автор: Daojie Dong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Method of producing a laminated wood product, and laminated wood products

Номер патента: EP3310541A1. Автор: Markus HIRMKE. Владелец: STORA ENSO OYJ. Дата публикации: 2018-04-25.

Method of producing magnetic recording medium and magnetic recording and reproducing apparatus

Номер патента: US20120044596A1. Автор: Masato Fukushima,Akira Yamane,Shinichi Ishibashi. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2012-02-23.

The method of forming the images in the systems having objects moving relative to each other

Номер патента: AU6858798A. Автор: Igor Petrovich Kurganov. Владелец: Individual. Дата публикации: 1999-07-19.

Method of forming the images in the systems having objects moving relative to each other

Номер патента: US6518942B1. Автор: Igor P. Kurganov. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-11.

Method of fabricating optical aperture and method of fabricating probe for near field light device

Номер патента: EP1209690A3. Автор: Yasuyuki C/O Seiko Instruments Inc. Mitsuoka,Nobuyuki c/o Seiko Instruments Inc. Kasama,Kenji c/o Seiko Instruments Inc. Kato,Takashi c/o Seiko Instruments Inc. Niwa,Manabu c/o Seiko Instruments Inc. Oumi,Susumu c/o Seiko Instruments Inc. Ichihara,Yoko c/o Seiko Instruments Inc. Shinohara,Hidetaka c/o Seiko Instruments Inc. Maeda. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2003-01-08.

Insulation packaging material, use of an insulation packaging material, insulation board package, method of forming a predetermined template

Номер патента: WO2024141555A1. Автор: Fernando Lozano Echle. Владелец: Ursa Insulation S.A.. Дата публикации: 2024-07-04.

Methods of forming a structure, and related tools for additively manufacturing the structure

Номер патента: CA3239642A1. Автор: Eric G. Barnes,Benjamin W. Garcia. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Artificial blood vessel and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20130137156A1. Автор: Hideyuki Miyake,Ikuo Morita. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2013-05-30.

Polycrystalline compacts including nanoparticulate inclusions, cutting elements and earth-boring tools including such compacts, and methods of forming same

Номер патента: EP2638234A1. Автор: Anthony A. DiGiovanni. Владелец: Baker Hughes Inc. Дата публикации: 2013-09-18.

Method of forming, cutting and conducting covered grape bushes

Номер патента: RU2717985C1. Автор: Алексей Семенович Овчинников,Василий Васильевич Иванов,Пантелей Константинович Заманиди,Омарий Георгиевич Чамурлиев,Максим Алексеевич Овчинников,Галина Сергеевна Егорова,Георгий Омариевич Чамурлиев. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Волгоградский государственный аграрный университет" (ФГБОУ ВО Волгоградский ГАУ). Дата публикации: 2020-03-27.

Method of producing catalyst and method for transalkylation of benzene with diethylbenzenes using same

Номер патента: RU2553256C1. Автор: Борис Иванович Кутепов,Михаил Леонардович Павлов,Ольга Сергеевна Травкина,Рашида Алмагиевна Басимова,Антон Сергеевич Эрштейн,Назифа Наилевна Шавалеева,Дамир Ахатович Шавалеев. Владелец: Открытое акционерное общество "Газпром нефтехим Салават"(ОАО "Газпром нефтехим Салават"). Дата публикации: 2015-06-10.

Method of forming articles with coating

Номер патента: RU2481189C2. Автор: Клаус АЛЬБРЕХТ,Арне ШМИДТ,Марк ПОТ,Мартин АЙХЛЬЗЕДЕР,Кристиан ЭБЕРЛЕ,Эрвин БЮРКЛЕ. Владелец: Крауссмаффай Текнолоджиз Гмбх. Дата публикации: 2013-05-10.

Method of laser thermal treatment of thread connections

Номер патента: RU2675884C1. Автор: Григорий Анатольевич Евстюнин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Новые технологии лазерного термоупрочнения" (ООО "НТЛТ"). Дата публикации: 2018-12-25.

Method of making reflecting surfaces for scintillation elements

Номер патента: RU2711219C1. Автор: Петр Сергеевич Соколов,Дмитрий Александрович Комиссаренко,Михаил Васильевич Коржик,Георгий Алексеевич Досовицкий,Алексей Ефимович Досовицкий,Андрей Анатольевич Федоров. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ УНИТАРНОЕ ПРЕДПРИЯТИЕ "ИНСТИТУТ ХИМИЧЕСКИХ РЕАКТИВОВ И ОСОБО ЧИСТЫХ ХИМИЧЕСКИХ ВЕЩЕСТВ НАЦИОНАЛЬНОГО ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКОГО ЦЕНТРА "КУРЧАТОВСКИЙ ИНСТИТУТ" (НИЦ "Курчатовский институт - ИРЕА"). Дата публикации: 2020-01-15.

Digital platform for classifying initial data and methods of its work

Номер патента: RU2749969C1. Автор: Александр Владимирович Царёв. Владелец: Александр Владимирович Царёв. Дата публикации: 2021-06-21.

Honeycomb structure and method of forming same

Номер патента: RU2650364C2. Автор: Томас А. ДИН,Бренда К. БЕНЕДЕТТИ. Владелец: Зе Боинг Компани. Дата публикации: 2018-04-11.

A new method of increasing access cycle time in a memory device is achieved

Номер патента: TW200613972A. Автор: Chiun-chi Shen,Der-Min Yuan. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2006-05-01.

A new method of increasing access cycle time in a memory device is achieved

Номер патента: TWI259953B. Автор: Chiun-chi Shen,Der-Min Yuan. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2006-08-11.

METHOD OF FORMING A CHALCOGENIDE MATERIAL, METHODS OF FORMING A RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE INCLUDING A CHALCOGENIDE MATERIAL, AND RANDOM ACCESS MEMORY DEVICES INCLUDING A CHALCOGENIDE MATERIAL

Номер патента: US20120104347A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-05-03.

Method of Forming Conductive Lines of Semiconductor Memory Device

Номер патента: US20120009770A1. Автор: Woo Won Sic. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-12.

Method of forming conductive stud in vertical memory device

Номер патента: TWI223384B. Автор: Shian-Jyh Lin,Chia-Sheng Yu,Wen-Sung Tsou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-11-01.

Method of forming conductive stud in vertical memory device

Номер патента: TW200511478A. Автор: Shian-Jyh Lin,Chia-Sheng Yu,Wen-Sung Tsou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-03-16.

MEMORY DEVICE, SYSTEMS AND DEVICES INCLUDING A MEMORY DEVICE, METHODS OF OPERATING A MEMORY DEVICE, AND/OR METHODS OF OPERATING SYSTEMS AND DEVICES INCLUDING A MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120039132A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-02-16.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

A method of writing and reading binary numbers in memory devices and a memory device for implementing this method.

Номер патента: SU124705A1. Автор: Л.И. Гутенмахер. Владелец: Л.И. Гутенмахер. Дата публикации: 1958-11-30.

Memory device and method of controlling a write operation within a memory device

Номер патента: US20120230122A1. Автор: Kim Daeyeon,Chandra Vikas. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2012-09-13.

DATA READ CIRCUIT, A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE HAVING THE SAME, AND A METHOD OF READING DATA FROM THE NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130051114A1. Автор: PARK Chul-woo,HWANG Hong-sun,Kim Chan-kyung,Kang Sang-beom,Oh Hyung-rok. Владелец: . Дата публикации: 2013-02-28.

Memory device and method of performing a read operation within a memory device

Номер патента: US20130077416A1. Автор: Hold Betina. Владелец: . Дата публикации: 2013-03-28.

LOGIC CIRCUIT FOR A SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, AND METHOD OF MANAGING AN OPERATION IN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130135007A1. Автор: Surico Stefano,Moioli Giuseppe. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2013-05-30.

Method of Executing Wear Leveling in a Flash Memory Device According to Ambient Temperature Information and Related Flash Memory Device

Номер патента: US20140050026A1. Автор: Li Tseng-Ho. Владелец: . Дата публикации: 2014-02-20.

METHOD OF READING DATA IN A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120099391A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-04-26.

Method of packing piece goods and device for its implementation

Номер патента: RU2523852C1. Автор: Сергей Викторович Полежаев,Петр Владимирович Мочалов,Павел Сергеевич Милык. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Фудлайн". Дата публикации: 2014-07-27.

Punching method of liquid metal of cutters on die casting machine with horizontal chamber of pressing and facility for its implementation

Номер патента: RU2353468C2. Автор: Вениамин Константинович Гребешков,Виктор Юрьевич Пирайнен. Владелец: Виктор Юрьевич Пирайнен. Дата публикации: 2009-04-27.

Method of forming the system of forces of flying vehicle and flying vehicle-ground-air-amphibian for realization of this method

Номер патента: RU2317220C1. Автор: Сергей Михайлович Семенов,Валентин Васильевич Назаров,Дмитрий Валентинович Назаров,Евгений Алексеевич Лозовик. Владелец: Валентин Васильевич Назаров. Дата публикации: 2008-02-20.

Retained form assembly, method of assembly production and method of wall erection with the use of above assembly

Номер патента: RU2253719C1. Автор: С.Г. Степанюк,А.Г. Дорофеев. Владелец: Дорофеев Александр Григорьевич. Дата публикации: 2005-06-10.

Method of producing diamond-like carbon and device to this end

Номер патента: RU2567770C2. Автор: Александр Петрович Семенов,Ирина Александровна Семенова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физического материаловедения Сибирского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2015-11-10.

Method of forming waterproof screen in cracked watercut mountain arrays using bridging

Номер патента: RU2531410C1. Автор: Александр Порфирович Андриевский,Алексей Евгеньевич Зуев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии и химической технологии Сибирского отделения Российской академии наук (ИХХТ СО РАН). Дата публикации: 2014-10-20.

Method of forming carbon nano-objects on glass-ceramic substrates

Номер патента: RU2601044C2. Автор: Владимир Николаевич Чернышов,Виктор Прокопьевич Шелохвостов,Алексей Геннадьевич Стивкин,Максим Николаевич Дутов,Денис Владимирович Образцов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тамбовский государственный технический университет" ФГБОУ ВПО ТГТУ. Дата публикации: 2016-10-27.

Method of forming areflux esophageal-enteric anastomosis

Номер патента: RU2437623C2. Автор: Игорь Александрович Ли. Владелец: Игорь Александрович Ли. Дата публикации: 2011-12-27.

Method of forming proton images obtained by magnetic optics operating with magnification

Номер патента: RU2536103C1. Автор: Константин Леонидович Михайлюков,Игорь Васильевич Храмов. Владелец: Федеральное Государственное унитарное предприятие "Российский Федеральный ядерный центр-Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики-ФГУП "РФЯЦ-ВНИИЭФ", Российская Федерация. Дата публикации: 2014-12-20.

Highly productive method of depositing carbon nanotubes and composite films

Номер патента: RU2342316C2. Автор: Станислав Викторович Хартов,Владимир Кириллович Неволин,Сергей Владимирович Бараш. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет). Дата публикации: 2008-12-27.

Method of forming fabric with variable density of filling thread

Номер патента: RU2495168C2. Автор: Владимир Юрьевич Селиверстов,Александр Павлович Гречухин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Костромской государственный технологический университет". Дата публикации: 2013-10-10.

Method of forming articles out of explosive composition

Номер патента: RU2346918C1. Автор: Исак Гасинович Гатаулин,Геннадий Васильевич Куценко,Геннадий Эдуардович Кузьмицкий,Николай Сергеевич Божья-Воля,Рафис Фассахович Салахов,Анатолий Михайлович Кранидов,Валентина Алексеевна Ступникова,-Вол Николай Сергеевич Божь,Владимир Михайлович Лисовский,Нина Ивановна Куркина,Ирина Викторовна Артемова,Юрий Васильвич Замахаев. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт полимерных материалов". Дата публикации: 2009-02-20.

Method of forming profile of rail head by forming cutters furnished with change polyhedral blades and milling cutters for rail forming

Номер патента: RU2291929C2. Автор: Сергей Геннадьевич Емельянов,Сергей Александрович Чевычелов,нов Сергей Геннадьевич Емель. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Курский государственный технический университет". Дата публикации: 2007-01-20.

Method of surgical treatment of tongue and oral cavity floor

Номер патента: RU2391923C1. Автор: Павел Викторович Светицкий,Абдуаваз Абдулахатович Ганиев,Василий Васильевич Калий,Мамука Важаевич Баужадзе. Владелец: Мамука Важаевич Баужадзе. Дата публикации: 2010-06-20.

Method of stitch formation in pyelitis and pyelitisuretroanastomosis

Номер патента: RU2369343C1. Автор: Валерий Иргюнович Ким,Илья Иосифович Каган,Игорь Владимирович Семенякин,Айнур Мухаметгалеевич Хазимов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Оренбургская государственная медицинская академия" Федерального агентства по здравоохранению и социальному развитию" (ГОУ ВПО ОрГМА Росздрава). Дата публикации: 2009-10-10.

Method of forming of furrow slices and device for its implementation

Номер патента: RU2537554C1. Автор: Адаман Габдинагимович Габдуллин,Станислав Степанович Литвинов,Иван Иванович Вирченко. Владелец: Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт овощеводства Российской академии сельскохозяйственных наук. Дата публикации: 2015-01-10.

Fabrication method of seamless hot-deformed tubes of large and mean diametres on tube-forming installations with pilger mills

Номер патента: RU2387498C2. Автор: Александр Анатольевич Федоров,Леонид Игнатьевич Лапин,Анатолий Васильевич Сафьянов,Валерий Андреевич Логовиков,Александр Юрьевич Матюшин,Николай Петрович Климов,Валерий Александрович Головинов,Владимир Сергеевич Баричко,Сергей Васильевич Ненахов,Николай Григорьевич Дановский,Борис Семёнович Литвак,Дмитрий Всеволодович Марков,Юрий Борисович Белокозович,Сергей Геннадьевич Чикалов,Константин Николаевич Бубнов. Владелец: ОАО "Челябинский трубопрокатный завод". Дата публикации: 2010-04-27.

Method of forming rectangular groove for mounting open shed in wooden structure members joined by said groove and milling cutter for working rectangular groove

Номер патента: RU2278023C1. Автор: Владимир Яковлевич Нагорный. Владелец: Владимир Яковлевич Нагорный. Дата публикации: 2006-06-20.

Method of forming switching jumper

Номер патента: RU2579166C2. Автор: Сергей Иванович Бабкин,Святослав Игоревич Волков. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Федеральный научный центр Научно-исследовательский институт системных исследований Российской академии наук" (ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН). Дата публикации: 2016-04-10.

Method of manufacturing vermicompost and device for its implementation

Номер патента: RU2546893C1. Автор: Владимир Яковлевич Спевак,Николай Владимирович Спевак,Роман Максимович Медведев,Владислав Васильевич Лифатов,Анастасия Александровна Никульникова,Ирина Геннадьевна Шарапова,Евгений Владимирович Моисеев. Владелец: Николай Владимирович Спевак. Дата публикации: 2015-04-10.

Method of forming "grape bowl ru" from fruit shoots (version of russian logic - version 10)

Номер патента: RU2537569C1. Автор: Лев Петрович Петренко. Владелец: Лев Петрович Петренко. Дата публикации: 2015-01-10.

Method of producing microoptical raster

Номер патента: RU2554595C1. Автор: Вадим Павлович Вейко,Галина Кирилловна Костюк,Максим Михайлович Сергеев,Евгений Борисович Яковлев,Роман Алексеевич Заколдаев. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО). Дата публикации: 2015-06-27.

Method of forming frameless centrifugal structure (versions) and device for realization of this method

Номер патента: RU2309875C1. Автор: Виталий Михайлович Мельников,Владимир Александрович Комков,Виталий Михайлович Мельников (RU),Владимир Александрович Комков (RU). Владелец: Закрытое акционерное общество "ТехКом". Дата публикации: 2007-11-10.

Method of forming vertically oriented vegetable crops (version of russian logic - version 1)

Номер патента: RU2476065C1. Автор: Лев Петрович Петренко. Владелец: Лев Петрович Петренко. Дата публикации: 2013-02-27.

Method of forming magnetic tunnel junction based on nanosize metal-insulator-metal structures and magnetic tunnel junction strucure based on nanosize metal-insulator-metal structures (versions)

Номер патента: RU2394304C2. Автор: Андрей Владимирович Зенкевич,Александр Юрьевич Гойхман,Юрий Юрьевич Лебединский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ" (НИЯУ МИФИ). Дата публикации: 2010-07-10.

Method of forming vines

Номер патента: RU2478279C1. Автор: Николай Васильевич Матузок,Петр Пантелеевич Радчевский. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кубанский государственный аграрный университет". Дата публикации: 2013-04-10.

Method of surgical correction of myopic astigmatism

Номер патента: RU2376964C1. Автор: Александр Иванович Мягких. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Ост-Оптик К". Дата публикации: 2009-12-27.

METHOD OF PRODUCING SILICON p-i-n PHOTODIODE

Номер патента: RU2541416C1. Автор: Сергей Иванович Денисов,Станислав Стефанович Демидов,Евгений Алексеевич Климанов,Марина Александровна Нури. Владелец: Открытое акционерное общество "НПО "Орион". Дата публикации: 2015-02-10.

Method of and device for orientation of different-shape articles at transportation

Номер патента: RU2288871C2. Автор: Лев Петрович Петренко. Владелец: Лев Петрович Петренко. Дата публикации: 2006-12-10.

Method of forming "grape bowl ru" from fruit shoots (version of russian logic - version 1)

Номер патента: RU2537571C1. Автор: Лев Петрович Петренко. Владелец: Лев Петрович Петренко. Дата публикации: 2015-01-10.

Method of forming nanowires from colloidal natural material

Номер патента: RU2533330C1. Автор: Александр Павлович Кузьменко,Владимир Владимирович Чаков,Ньен Аунг Чан,Валерия Александровна Башкатова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗГУ). Дата публикации: 2014-11-20.

Method of forming divided charges in flooded wells

Номер патента: RU2306522C1. Автор: Евгений Борисович Шевкун,Александр Валентинович Лещинский. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тихоокеанский государственный университет". Дата публикации: 2007-09-20.

Method of treating obesity in case of external type of eating behavior disorder

Номер патента: RU2264232C2. Автор: О.И. Хвостова,Е.Н. Лобыкина,В.З. Колтун. Владелец: Новокузнецкий государственный институт усовершенствования врачей. Дата публикации: 2005-11-20.

Method of forming divided charges in flooded wells

Номер патента: RU2306523C1. Автор: Евгений Борисович Шевкун,Александр Валентинович Лещинский. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тихоокеанский государственный университет". Дата публикации: 2007-09-20.

Method of forming vessels, activating lifting force of overwater transport performing cargo transportation (version of russian logic - version 4)

Номер патента: RU2582735C1. Автор: Лев Петрович Петренко. Владелец: Лев Петрович Петренко. Дата публикации: 2016-04-27.

Method of repeated producing formation exposing and device for its implementation

Номер патента: RU2365743C1. Автор: Сергей Сергеевич Яковлев,Максим Павлович Копотилов. Владелец: Максим Павлович Копотилов. Дата публикации: 2009-08-27.

Method of obtaining calcium apatite

Номер патента: RU2473461C2. Автор: Альберт Семенович Алой,Николай Константинович Мокин,Анастасия Вадимовна Макарова. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное объединение "Радиевый институт им. В.Г. Хлопина". Дата публикации: 2013-01-27.

Method of forming single-crystal nanowires in matrix of native oxide

Номер патента: RU2503084C1. Автор: Борис Аронович Гурович,Кирилл Евгеньевич Приходько. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2013-12-27.

Method of forming three-dimensional image of earth's surface and air environment using antenna array

Номер патента: RU2539558C1. Автор: Владимир Константинович Клочко,Алексей Николаевич Усачев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Рязанский государственный радиотехнический университет". Дата публикации: 2015-01-20.

Method of forming neck of urinary bladder after prostatectomy

Номер патента: RU2462201C1. Автор: Валерий Иргюнович Ким,Михаил Иванович Васильченко,Игорь Владимирович Семенякин,Айнур Мухаметгалеевич Хазимов,Дмитрий Александрович Зеленин,Евгений Александрович Яшин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Оренбургская государственная медицинская академия" Министерства здравоохранения и социального развития Российской Федерации (ГОУ ВПО ОрГМА Минздравсоцразвития России). Дата публикации: 2012-09-27.

Method of differential diagnostics of form of erectile dysfunction

Номер патента: RU2460462C1. Автор: Пётр Витальевич Глыбочко,Юрий Михайлович Есилевский,Армаис Альбертович Камалов,Петр Витальевич Глыбочко (RU),Армаис Альбертович Камалов (RU),Юрий Михайлович Есилевский (RU). Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Первый Московский государственный медицинский университет им. И.М. Сеченова Министерства здравоохранения и социального развития Российской Федерации (ГОУ ВПО Первый МГМУ им. И.М. Сеченова Минздравсоцразвития России). Дата публикации: 2012-09-10.

Method of forming cavitation jets for treatment of surfaces submerged in liquid

Номер патента: RU2271300C2. Автор: Анатолий Иванович Харламов,Валерий Борисович Мустафин,Бандула ВИДЖАЯРАТХНА. Владелец: Анатолий Иванович Харламов. Дата публикации: 2006-03-10.

Method of surface hardening

Номер патента: RU2375465C1. Автор: Святослав Феоктистович Кукин,Олег Георгиевич Девойно,Александр Алексеевич Баркун,Александр Святославович Кукин. Владелец: Республиканское унитарное предприятие "Минский тракторный завод". Дата публикации: 2009-12-10.

Method of forming protective coat (versions)

Номер патента: RU2292325C2. Автор: ров Александр Петрович Стол,Александр Петрович Столяров. Владелец: Александр Петрович Столяров. Дата публикации: 2007-01-27.

Method of control efficiency evaluation and device for its implementation

Номер патента: RU2326442C1. Автор: Валерий Анатольевич Селифанов,Валентин Валерьевич Селифанов. Владелец: Валерий Анатольевич Селифанов. Дата публикации: 2008-06-10.

Method of forming end-side oesophageal-gastric anastomosis after proximal stomach resection

Номер патента: RU2535075C2. Автор: Илья Иосифович Каган,Анатолий Андреевич Третьяков,Петр Владимирович Самойлов,Валерий Иванович Ким. Владелец: Государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Оренбургская государственная медицинская академия" Министерства здравоохранения и социального развития Российской Федерации /ГБОУ ВПО ОрГМА Минздравсоцразвития России/. Дата публикации: 2014-12-10.

METHOD OF FORMING CONTACT PADS ON YBA2CU3O7-x FILMS

Номер патента: RU2538932C2. Автор: Сергей Александрович Сычев,Александр Геннадьевич Петров,Денис Викторович Федосов,Геннадий Михайлович Серопян,Ирина Станиславовна Позыгун. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Инженерные решения". Дата публикации: 2015-01-10.

Method of suture fixation of intraocular lens in ciliary sulcus

Номер патента: RU2472474C1. Автор: Виктор Петрович Фокин,Александр Михайлович Марухненко,Наталья Валентиновна Кадатская. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Межотраслевой научно-технический комплекс "Микрохирургия глаза" имени академика С.Н. Федорова Федерального агентства по высокотехнологичной медицинской помощи". Дата публикации: 2013-01-20.

Method of producing abrasive wheel by water-ice jet

Номер патента: RU2407625C2. Автор: Юрий Сергеевич Степанов,Андрей Викторович Киричек,Борис Иванович Афанасьев,Дмитрий Сергеевич Фомин,Михаил Анатольевич Бурнашов,Михаил Алексеевич Степанищев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Орловский государственный технический университет" (ОрелГТУ). Дата публикации: 2010-12-27.

Method of forming information space-time field

Номер патента: RU2492517C2. Автор: Владимир Степанович Телешевский,Анатолий Павлович Арцебарский,Арман Анетович Кульбеков. Владелец: Акционерное общество "Национальная компания "Казакстан Ғарыш Сапары". Дата публикации: 2013-09-10.

Method of catalytic purification of hydrogen-containing gaseous mixture from carbon oxides

Номер патента: RU2534249C1. Автор: Алексей Викторович Дульнев,Анатолий Васильевич Обысов,Мария Александровна Круглова,Валерий Иванович Головков,Татьяна Ивановна Мозгунова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "НИАП-КАТАЛИЗАТОР". Дата публикации: 2014-11-27.

Method of forming active layer of tubular catalyst

Номер патента: RU2401699C1. Автор: Юрий Терентьевич Синяпкин. Владелец: Юрий Терентьевич Синяпкин. Дата публикации: 2010-10-20.

Liana-shaped method of forming vines

Номер патента: RU2535734C1. Автор: Александр Юрьевич Ваулин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Челябинская государственная агроинженерная академия" (ФГБОУ ВПО ЧГАА). Дата публикации: 2014-12-20.

Method of laparoscopic anti-reflux operation of fundoplication

Номер патента: RU2463004C1. Автор: Михаил Владимирович Бурмистров,Евгений Иосифович Сигал,Алексей Владимирович Бердников,Том Леонидович Шарапов,Антон Александрович Морошек,Ксения Владимировна Семенова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Казанский национальный исследовательский технический университет им. А.Н. Туполева-КАИ" (КНИТУ-КАИ). Дата публикации: 2012-10-10.

Method of forming vessels with sliding devices, activating lifting force of overwater transport performing cargo transportation (version of russian logic - version 2)

Номер патента: RU2580387C1. Автор: Лев Петрович Петренко. Владелец: Лев Петрович Петренко. Дата публикации: 2016-04-10.

Method of determining parameters of heart rhythm variability

Номер патента: RU2546103C9. Автор: Игорь Анатольевич Ермоленко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Калининградский государственный технический университет". Дата публикации: 2016-01-27.

Method of forming single information pattern from interlinked fragments for display thereof in viewing window of demonstration stand

Номер патента: RU2530854C2. Автор: Сергей Евгеньевич Маркин. Владелец: Сергей Евгеньевич Маркин. Дата публикации: 2014-10-20.

Method of forming vessels, activating lifting force of overwater transport performing cargo transportation (version of russian logic - version 2)

Номер патента: RU2582724C1. Автор: Лев Петрович Петренко. Владелец: Лев Петрович Петренко. Дата публикации: 2016-04-27.

Method of forming crown of vineyard at lower part of poplar woody plants (version of russian logic - version 3)

Номер патента: RU2532426C1. Автор: Лев Петрович Петренко. Владелец: Лев Петрович Петренко. Дата публикации: 2014-11-10.

Method of hip joint endoprosthesis in case of juvenile arthritis in combination with osteoporosis in teenagers

Номер патента: RU2482810C1. Автор: Олег Алексеевич Малахов,Олег Олегович Малахов,Сергей Юрьевич Морев,Екатерина Иосифовна Алексеева. Владелец: Учреждение Российской академии медицинских наук Научный центр здоровья детей РАМН (НЦЗД РАМН). Дата публикации: 2013-05-27.

Thermal processing method of deep-lying slate coals

Номер патента: RU2388790C1. Автор: Ефим Вульфович Крейнин,Алексей Юрьевич Зоря,Александр Мирославович Карасевич. Владелец: Открытое акционерное общество "Газпром промгаз" (ОАО "Газпром промгаз"). Дата публикации: 2010-05-10.

Method of floors repair

Номер патента: RU2381344C1. Автор: Анатолий Сергеевич Ведяшкин,Николай Леонидович Великанов,Юрий Михайлович Сапрыкин. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Калининградский государственный технический университет". Дата публикации: 2010-02-10.

Method of arc welding or building-up

Номер патента: RU2490101C2. Автор: Алексей Алексеевич Казинский,Роман Юрьевич Ещенко,Никита Алексеевич Казинский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Саратовский государственный технический университет" (СГТУ). Дата публикации: 2013-08-20.

Method of forming system of flows in working chamber of heat-and-mass exchange apparatus and heat-and-mass exchanger apparatus for realization of this method

Номер патента: RU2137074C1. Автор: А.Ф. Гуцол. Владелец: Поляков Евгений Георгиевич. Дата публикации: 1999-09-10.

Method of forming large-size load-bearing structures from glass-reinforced plastic and forming device to this end

Номер патента: RU2405710C1. Автор: Александр Анатольевич Андриенко,Ольга Евгеньевна Федорова,Валерий Михайлович Левшаков. Владелец: Открытое акционерное общество "Центр технологии судостроения и судоремонта" (ОАО "ЦТСС"). Дата публикации: 2010-12-10.

Method of forming composite coatings on magnesium

Номер патента: RU2704344C1. Автор: Сергей Васильевич Гнеденков,Сергей Леонидович Синебрюхов,Вячеслав Михайлович Бузник,Игорь Михайлович Имшинецкий,Дмитрий Валерьевич Машталяр,Александр Константинович Цветников,Константинэ Вахтангович Надараиа,Дмитрий Павлович Кирюхин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии Дальневосточного отделения Российской академии наук (ИХ ДВО РАН). Дата публикации: 2019-10-28.

Method of manufacturing interconnections for semiconductor devices

Номер патента: RU2593415C1. Автор: Сергей Владимирович Дубков,Дмитрий Геннадьевич Громов,Евгений Александрович Лебедев,Борис Николаевич Рыгалин,Алексей Сергеевич Шулятьев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" (МИЭТ). Дата публикации: 2016-08-10.

Method of manufacturing interconnections for semiconductor devices

Номер патента: RU2593416C1. Автор: Сергей Владимирович Дубков,Дмитрий Геннадьевич Громов,Евгений Александрович Лебедев,Борис Николаевич Рыгалин,Алексей Сергеевич Шулятьев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" (МИЭТ). Дата публикации: 2016-08-10.

Method of obtaining hydrogel of medicinal purpose (versions)

Номер патента: RU2432954C1. Автор: Андрей Павлович Морыганов,Наталия Дмитриевна Олтаржевская,Мария Анатольевна Коровина,Лариса Ивановна Макарова,Ирина Михайловна Липатова,Елена Александровна Мезина. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт химии растворов РАН. Дата публикации: 2011-11-10.

Method of forming protective coats for graphite substrate holders and device for method embodiment

Номер патента: RU2165999C2. Автор: Ю.Н. Баранов,Е.Н. Любушкин,С.Н. Батюк,Э.Б. Сигалов,Н.С. Волков. Владелец: Научно-исследовательский институт молекулярной электроники. Дата публикации: 2001-04-27.

Method of forming ground cereal products

Номер патента: RU2263544C1. Автор: В.Л. Злочевский,А.В. Злочевский. Владелец: Злочевский Алексей Валерьевич. Дата публикации: 2005-11-10.

Method of surgical correction of myopic astigmatism

Номер патента: RU2379012C1. Автор: Александр Иванович Мягких. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Ост-Оптик К". Дата публикации: 2010-01-20.

Method of forming articles from light alloys and device to this end

Номер патента: RU2455094C2. Автор: Евгений Александрович Колкунов. Владелец: Евгений Александрович Колкунов. Дата публикации: 2012-07-10.

Method of direct reduction of iron oxides

Номер патента: RU2640371C1. Автор: Петр Петрович Петров,Петр Петрович Тарасов,Борис Юрьевич Прядезников,Ксения Валерьевна Степанова,Валерия Валерьевна Малышева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физико-технических проблем Севера им. В.П. Ларионова СО РАН. Дата публикации: 2017-12-28.

Method of making impeller of centrifugal compressor from composite material

Номер патента: RU2576725C1. Автор: Александр Владимирович Грибановский. Владелец: Александр Владимирович Грибановский. Дата публикации: 2016-03-10.

Method of forming self-incandescent hollow cathode from titanium nitride for nitrogen plasma generating system

Номер патента: RU2513119C2. Автор: Николай Васильевич Гаврилов,Андрей Игоревич Меньшаков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт электрофизики Уральского отделения Российской академии наук (ИЭФ УрО РАН). Дата публикации: 2014-04-20.

Method of bone window formation in course of external dacryocystorhinostomy

Номер патента: RU2361549C1. Автор: Сергей Филиппович Школьник. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Межотраслевой научно-технический комплекс "Микрохирургия глаза" имени академика С.Н. Федорова Федерального агентства по высокотехнологичной медицинской помощи". Дата публикации: 2009-07-20.

Method of forming protective coating based non-crystalline carbon film

Номер патента: RU2530224C1. Автор: Владимир Михайлович Рощин,Илья Николаевич Мочегов,Анна Сергеевна Савватеева,Михаил Васильевич Басс. Владелец: Открытое акционерное общество "Институт точной технологии и проектирования". Дата публикации: 2014-10-10.

Manufacturing method of parts of shell or bowl type from aluminium alloy

Номер патента: RU2532678C2. Автор: Семар Тимофеевич Басюк,Ирина Владимировна Гринберг,Тимофей Викторович Мягких. Владелец: Закрытое акционерное общество "ДИСК БС". Дата публикации: 2014-11-10.

Method of forming sown associations of long-established hay fields and pastures

Номер патента: RU2268566C1. Автор: Александр Макарович Салдаев,Алексей Фруминович Рогачев,н Антонина Федоровна Туман,Антонина Федоровна Туманян. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Волгоградская государственная сельскохозяйственная академия". Дата публикации: 2006-01-27.

Method of forming high-strength and corrosion-resistant structure of aluminium-magnesium alloy

Номер патента: RU2641211C1. Автор: Владимир Ильич Копылов,Александр Андреевич Бобров,Владимир Николаевич Чувильдеев,Михаил Константинович Чегуров,Никита Владимирович Сахаров,Алексей Владимирович Нохрин,Юрий Геннадьевич Лопатин,Наталия Анатольевна Козлова. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского". Дата публикации: 2018-01-16.

Method of manufacture of vehicle wheel cup-semifinished part

Номер патента: RU2318629C1. Автор: Семар Тимофеевич Басюк,Ирина Владимировна Гринберг,Евгений Иванович Крамаренко,Александр Евгеньевич Крамаренко. Владелец: Александр Евгеньевич Крамаренко. Дата публикации: 2008-03-10.

Method of nano-dispersed powder of aluminium receiving

Номер патента: RU2353584C2. Автор: Владимир Ильич Мазин,Юрий Михайлович Кузнецов,Николай Владимирович Дедов,Сергей Николаевич Круглов,Сергей Петрович Андриец,Александр Михайлович Селиховкин,Эдуард Михайлович Кутявин,Игорь Анатольевич Степанов,Юрий Николаевич Сенников. Владелец: Открытое акционерное общество "Сибирский химический комбинат", (ОАО "СХК"). Дата публикации: 2009-04-27.

Method of friction welding with displacement of blank materials (versions)

Номер патента: RU2289496C1. Автор: Валентин Андреевич Половцев,Николай Валентинович Макаров,Геннадий Васильевич Шилло,Дмитрий Федорович Главочевский. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный космический научно-производственный центр им. М.В. Хруничева". Дата публикации: 2006-12-20.

Low-reflecting omega particle-based coating and method of making said coating

Номер патента: RU2497245C1. Автор: Вячеслав Александрович Неганов,Иван Михайлович Градинарь. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Самарский государственный университет". Дата публикации: 2013-10-27.

Method of forming pattern of textile materials

Номер патента: RU2485232C1. Автор: Наталья Александровна Новикова. Владелец: Наталья Александровна Новикова. Дата публикации: 2013-06-20.

Method of preparation of cement slurry and device for its implementation

Номер патента: RU2536075C1. Автор: Ирек Сулейманович Катеев,Ринат Ильдусович Шафигуллин,Раиса Ирековна Катеева,Александр Михайлович Луконин,Сергей Васильевич Белоногов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Бурение". Дата публикации: 2014-12-20.

Method of forming biocovers on silver-titanium implants

Номер патента: RU2581825C1. Автор: Есения Дмитриевна Перинская,Ирина Владимировна Перинская,Владимир Владимирович Перинский,Кристина Сергеевна Пятакова,Марина Васильевна Частова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А." (СГТУ имени Гагарина Ю.А.). Дата публикации: 2016-04-20.

Method of arthrodesis of ankle joint in purulent osteoarthritis

Номер патента: RU2435541C1. Автор: Анатолий Петрович Барабаш,Юрий Анатольевич Барабаш,Константин Александрович Гражданов,Сергей Павлович Скрипкин,Михаил Анатольевич Клочков. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Саратовский научно-исследовательский институт травматологии и ортопедии" Министерства здравоохранения и социального развития Российской Федерации (ФГУ "СарНИИТО" Минздравсоцразвития России). Дата публикации: 2011-12-10.

Metal container with a carrier ring and methods of making the same

Номер патента: WO2024196895A1. Автор: Dennis E. Green,Gerald Meador,Paul Whittaker,Erika S. Love. Владелец: BELVAC PRODUCTION MACHINERY, INC.. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of transmitting data between processes

Номер патента: RU2592461C2. Автор: Валерий Александрович Солдатов,Владимир Борисович Бетелин,Александр Николаевич Годунов,Андрей Игоревич Грюнталь,Игорь Иванович Хоменков. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Федеральный научный центр Научно-исследовательский институт системных исследований Российской академии наук"(ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН). Дата публикации: 2016-07-20.

Method of determining eye fundus condition in patients with type 2 diabetes mellitus in case of diabetic retinopathy, combined with age-related macular degeneration

Номер патента: RU2564142C1. Автор: Ирина Витальевна Воробьева,Валентин Иванович Алехнович,Любава Геннадиевна МИХАЛЕВА,Геннадий Васильевич Подгузов. Владелец: Ирина Витальевна Воробьева. Дата публикации: 2015-09-27.

Method of quality inspection of construction structures

Номер патента: RU2114426C1. Автор: О.В. Козлов,А.И. Савич. Владелец: Центр службы геодинамических наблюдений в электроэнергетической отрасли Филиал акционерного общества "Институт Гидропроект". Дата публикации: 1998-06-27.

Method of forming first swarm of bees

Номер патента: RU2256319C1. Автор: А.М. Пантелеев. Владелец: Пантелеев Александр Михайлович. Дата публикации: 2005-07-20.

Method of improvement of soil fertility for tree and grass cultures (russian logic version - version 3)

Номер патента: RU2532122C1. Автор: Лев Петрович Петренко. Владелец: Лев Петрович Петренко. Дата публикации: 2014-10-27.

Opening method of high-pressure stratums, saturated by strong brines

Номер патента: RU2365735C2. Автор: Андрей Гелиевич Вахромеев,Андрей Гелиевич Вахромеев (RU). Владелец: Андрей Гелиевич Вахромеев. Дата публикации: 2009-08-27.

Method of forming powder materials with liophobic fluid and device to this end

Номер патента: RU2482938C1. Автор: Владимир Владимирович Шуменко,Владимир Николаевич Шуменко,Максим Алексеевич Федоренко,Светлана Сергеевна Судина,Татьяна Владимировна Логинова,Тун Вин ТАУК. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС". Дата публикации: 2013-05-27.

Method of semidry molding of air-dried brick on press

Номер патента: RU2151694C1. Автор: Н.М. Анжеуров,В.В. Аверин,А.Т. Крук,А.Д. Никулин,В.И. Соков,И.Н. Филькин,И.А. Чуриков,В.И. Энтин,Т.И. Золотарёва,А.Т. Важинский,В.И. Жаглин,А.А. Суслов,Е.И. Шмитько. Владелец: ЗАО "Семилукский комбинат строительных материалов". Дата публикации: 2000-06-27.

Method of determining structural and stratigraphic features of snow cover structure

Номер патента: RU2704432C1. Автор: Михаил Пантелеймонович Тентюков,Егор Григорьевич Язиков,Виктор Сергеевич Бучельников,Денис Валентинович Симоненков,Екатерина Анатольевна Филимоненко. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет". Дата публикации: 2019-10-28.

Method of milk chocolate production

Номер патента: RU2150845C1. Автор: М.Е. Ткешелашвили,А.С. Овчинникова,Е.С. Макеева,А.А. Карпунин,Н.М. Лукинова,С.В. Агеева. Владелец: Открытое акционерное общество "РОТ ФРОНТ". Дата публикации: 2000-06-20.

Method of forming subdiffractive quasiregular single- and two-dimensional nanotexture of material surface and device for its realisation

Номер патента: RU2534454C1. Автор: Сергей Иванович Кудряшов,Андрей Алексеевич Ионин,Леонид Владимирович Селезнев,Сергей Владимирович Макаров. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук (ФИАН). Дата публикации: 2014-11-27.

Method of formed food production based on vegetal resources

Номер патента: RU2333674C1. Автор: Наталья Тимофеевна Шамкова,Наталья Геннадьевна Колесникова,Галина Михайловна Зайко,Наталь Тимофеевна Шамкова (RU),Галина Михайловна Зайко (RU),Наталь Геннадьевна Колесникова (RU). Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кубанский государственный технологический университет" (ГОУВПО "КубГТУ"). Дата публикации: 2008-09-20.

Method of ice pistons production and device to this end

Номер патента: RU2411103C1. Автор: Олег Алексеевич Финогеев,Николай Васильевич Пасечник,Борис Александрович Сивак,Валерий Александрович Виноградов,Анатолий Александрович Сапрыкин,Игорь Яковлевич Белоусов,Александр Геннадьевич Белякин,Антон Сергеевич Журавлев. Владелец: Открытое акционерное общество Акционерная холдинговая компания "Всероссийский научно-исследовательский и проектно-конструкторский институт металлургического машиностроения имени академика Целикова" (ОАО АХК "ВНИИМЕТМАШ"). Дата публикации: 2011-02-10.

Method of forming of polycrystalline silicon layers

Номер патента: RU2261937C2. Автор: Н.М. Манжа,А.Н. Долгов,М.И. Клычников,Д.Г. Кравченко. Владелец: Акционерное общество открытого типа "НИИ молекулярной электроники и завод "МИКРОН" (АООТ "НИИМЭ и завод "МИКРОН"). Дата публикации: 2005-10-10.

Method of finding direction of radio signals and direction finder to this end

Номер патента: RU2341811C1. Автор: Павел Леонидович Смирнов,Олег Владимирович Царик,Сергей Петрович Киселев,Валерий Алексеевич Липатников,Алексей Васильевич Терентьев,Александр Иванович Соломатин,Леонид Алексеевич Гудков,нин Александр Генадьевич Мит,Александр Генадьевич Митянин. Владелец: ВОЕННАЯ АКАДЕМИЯ СВЯЗИ имени С.М. Буденного. Дата публикации: 2008-12-20.

Method of forming screw propeller for overwater transport performing freightage (version of russian logic)

Номер патента: RU2595218C1. Автор: Лев Петрович Петренко. Владелец: Лев Петрович Петренко. Дата публикации: 2016-08-20.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.