Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Method of controlling copy-back operation of flash memory device including multi-level cells

Method of controlling copy-back operation of flash memory device including multi-level cells

Номер патента: US20080068884A1
Опубликовано: 20-03-2008
Автор(ы): Jin Yong, Sam Kyu
Принадлежит: Hynix Semiconductor Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method of programming multi-level cells in non-volatile memory device

Номер патента: US20130135929A1. Автор: Ki-hwan Choi,Chung-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-05-30.

Method of controlling copy-back operation of flash memory device including multi-level cells

Номер патента: CN1881473B. Автор: 成镇溶,元参规. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-08-17.

Method of controlling copy-back operation of flash memory device including multi-level cells

Номер патента: CN101373638B. Автор: 成镇溶,元参规. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-12-21.

Method for controlling copyback operation of flash memory device including multi-level cells

Номер патента: KR100673703B1. Автор: 원삼규,성진용. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-24.

Method of operating memory device having page buffer

Номер патента: US20100309727A1. Автор: Jong Hyun Wang,Se Chun Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-09.

Faster programming of higher level states in multi-level cell flash memory

Номер патента: EP1866928B1. Автор: Gerritt Hemink. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2013-07-17.

Faster programming of higher level states in multi-level cell flash memory

Номер патента: TW200643961A. Автор: Gerrit Jan Hemink. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2006-12-16.

Faster programming of higher level states in multi-level cell flash memory

Номер патента: US20060120165A1. Автор: Gerrit Hemink. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2006-06-08.

Faster programming of higher level states in multi-level cell flash memory

Номер патента: WO2006107796A2. Автор: Gerritt Hemink. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2006-10-12.

Flash memory device for reducing programming time of multi level cell and programming method of the same

Номер патента: KR100866954B1. Автор: 이진엽,박대식. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-11-05.

Wiederherstellungsverfahren für eine LSB-Speicherseite zur Verwendung in einer Multi-Level-Cell-Flashspeichervorrichtung

Номер патента: DE112009002214T5. Автор: Kyung-Min Kyonggi Park,Seong-Jun Kyonggi Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-28.

Methods of biasing a multi-level-cell memory

Номер патента: US20080266979A1. Автор: Chao-I Wu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-30.

Structures and methods of high efficient bit conversion for multi-level cell non-volatile memories

Номер патента: US20130235661A1. Автор: Lee Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-12.

Multi-level cell memory devices and methods of storing data in and reading data from the memory devices

Номер патента: US20080151621A1. Автор: Jun Jin Kong,Dong Ku Kang,Young Hwan Lee,Sung Chung Park,Si Hoon Hong,Jae Woong Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-26.

Method for programming multi-level cell flash memory device

Номер патента: KR100877104B1. Автор: 황경필. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-01-07.

Method of programming a multi level cell

Номер патента: CN101154453B. Автор: 朴成济. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-04-20.

Multi-level cell and multi-sub-block programming in a memory device

Номер патента: CN116343869A. Автор: J·S·麦克尼尔,T·O·伊瓦萨基,L·C·米兰达,宁涉洋. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-27.

Double programming methods of a multi-level-cell nonvolatile memory

Номер патента: US20090219759A1. Автор: Wen-Chiao Ho,Kuen-Long Chang,Chun-Hsiung Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-09-03.

Semiconductor memory device having single-level cells and multi-level cells and method of driving the semiconductor memory device

Номер патента: US7698615B2. Автор: Young-Joon Choi,Sang-Kil Lee,Dae-Hyun Lee,Eun-Suk Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-04-13.

Multi-level cell access buffer with dual function

Номер патента: EP2150958A1. Автор: Hong Beom Pyeon. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2010-02-10.

Multi-level cell access buffer with dual function

Номер патента: US20120320674A1. Автор: Hong Beom Pyeon. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2012-12-20.

Multi-level cell access buffer with dual function

Номер патента: WO2008134858A1. Автор: Hong Beom Pyeon. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2008-11-13.

Pre-read technique for multi-pass programming of flash memory

Номер патента: US10650896B1. Автор: XIN YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-12.

Programming method of non-volatile memory device having multi-level cell

Номер патента: KR101080912B1. Автор: 노금환. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-11-09.

Multi-level cell memory device and corresponding programming verification method

Номер патента: DE102008003168B4. Автор: Duck Ju Kim,Jong Hyun Wang,Chang Won YANG,Seong Hun Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-08-08.

Multi-level cell memory device with improved reliability

Номер патента: JP4534211B2. Автор: 智晴 田中. Владелец: マイクロン テクノロジー， インク．. Дата публикации: 2010-09-01.

Low power multi-level cell (mlc) programming in non-volatile memory structures

Номер патента: WO2023229814A1. Автор: Xiang Yang,Muhammad Masuduzzaman,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-30.

Low power multi-level cell (mlc) programming in non-volatile memory structures

Номер патента: US20230386569A1. Автор: Xiang Yang,Muhammad Masuduzzaman,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-30.

Data path for multi-level cell memory, methods for storing and methods for utilizing a memory array

Номер патента: EP2351039A4. Автор: Mark Bauer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-05-09.

Data path for multi-level cell memory, methods for storing and methods for utilizing a memory array

Номер патента: KR101355317B1. Автор: 마크 바우어. Владелец: 마이크론 테크놀로지, 인크.. Дата публикации: 2014-01-23.

Data path for multi-level cell memory, methods for storing and methods for utilizing a memory array

Номер патента: EP2351039A1. Автор: Mark Bauer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-08-03.

Threshold optimization for flash memory

Номер патента: US20140056067A1. Автор: Ming Jin,Fan Zhang,Abdel-Hakim S. Alhussien. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2014-02-27.

Circuit of page buffer for multi level cell flash memory and method of operating the same

Номер патента: KR100938084B1. Автор: 김의석. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-01-21.

Control method for nand flash memory to complete xnor operation

Номер патента: US20240194271A1. Автор: Qiang Tang. Владелец: Unim Innovation Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Multi level cell flash memory device and program method thereof

Номер патента: KR100854970B1. Автор: 정재용,공재필. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-08-28.

Method and apparatus for programming multi level cell flash memory device

Номер патента: US20080068885A1. Автор: Jae-Yong Jeong,Jae-Phil Kong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-20.

Method and apparatus for programming multi level cell flash memory device

Номер патента: US20070035994A1. Автор: Jae-Yong Jeong,Jae-Phil Kong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-02-15.

Program verification time reduction in non-volatile memory devices

Номер патента: US20190043563A1. Автор: Chang Wan Ha,Ali Khakifirooz,Pranav Kalavade,Uday Chandrasekhar,Trupti Bemalkhedkar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-02-07.

High speed multi-level cell (MLC) programming in non-volatile memory structures

Номер патента: US12112800B2. Автор: Xiang Yang,Deepanshu Dutta,Muhammad Masuduzzaman,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-08.

Multi-level cell memory device and method for recording and reading data in the memory device

Номер патента: JP5091253B2. Автор: ジュン・ジン・コン,ソン・ジョン・パク,ドン・ク・カン,ヨン・ファン・イ,シ・フン・ホン,ジェ・ウン・ヒュン. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-12-05.

High speed multi-level cell (mlc) programming in non-volatile memory structures

Номер патента: WO2023229816A1. Автор: Xiang Yang,Deepanshu Dutta,Muhammad Masuduzzaman,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-30.

High speed multi-level cell (mlc) programming in non-volatile memory structures

Номер патента: US20230386568A1. Автор: Xiang Yang,Deepanshu Dutta,Muhammad Masuduzzaman,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-30.

Methods of biasing a multi-level-cell memory

Номер патента: TW200845369A. Автор: Chao-I Wu. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2008-11-16.

Hochgeschwindigkeits-multi-level-cell-programmierung (mlc-programmierung) in nichtflüchtigen speicherstrukturen

Номер патента: DE112023000263T5. Автор: Xiang Yang,Deepanshu Dutta,Muhammad Masuduzzaman,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-08.

METHODS AND APPARATUS TO PROGRAM MULTI-LEVEL CELL MEMORY USING TARGET-ONLY VERIFY

Номер патента: US20170076816A1. Автор: Srinivasan Dheeraj. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-16.

Method for programming multi-level cell memory array

Номер патента: US7397705B1. Автор: Chun Jen Huang,Chung Kuang Chen,Hsin Yi Ho. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-08.

Method for programming multi-level cell memory array

Номер патента: CN101236786A. Автор: 陈重光,黄俊仁,何信义. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-06.

Semiconductor memory device including multi-level cell and programming method thereof

Номер патента: US09859014B2. Автор: Sung Ho Kim,Min Sang Park,Gil Bok CHOI,Kyong Taek LEE,Yun Bong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Flash memory device having a multi level cell and programming method thereof

Номер патента: KR20080054333A. Автор: 김경섭. Владелец: 김경섭. Дата публикации: 2008-06-17.

Multi-level cell access buffer with dual function

Номер патента: TW200912950A. Автор: Hong Beom Pyeon. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2009-03-16.

Devices and methods of managing nonvolatile memory device having single-level cell and multi-level cell areas

Номер патента: US09805799B2. Автор: Kyung-Ho Shin,Mi-Hyang Lee,Gwang-Ok Go,Joon-Ho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Non-volatile memory array partitioning architecture and method to utilize single level cells and multi-level cells within the same memory

Номер патента: US20090113115A1. Автор: Hagop Nazarian,Ali Pourkeramati. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-04-30.

Multi-level cell memory device using tcm

Номер патента: KR100785925B1. Автор: 이영환,공준진,강동구,박성정,이윤태,현재웅,홍시훈. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-12-17.

Method and system for programming multi-level cell memory

Номер патента: US20150262676A1. Автор: Chao-I Wu,Win-San Khwa. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-17.

Flash memory cell and method to achieve multiple bits per cell

Номер патента: US20030142541A1. Автор: Christoph Ludwig,Georg Tempel,Danny Shum. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-07-31.

Systems and methods for programming a memory device

Номер патента: US8369140B2. Автор: Wen-Jer Tsai,Chih-Chieh Yeh,Yi-Ying Liao. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-02-05.

Systems and methods for programming a memory device

Номер патента: US20070081390A1. Автор: Yi Liao,Chih Yeh,Wen Tsai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-12.

Multi-level cell program method of nonvolatile memory device

Номер патента: KR101060258B1. Автор: 정민중,주석진. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-08-30.

Accelerated soft read for multi-level cell nonvolatile memories

Номер патента: TW201415472A. Автор: Zhengang Chen,Hao ZHONG. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2014-04-16.

System and method for pre-encoding of data for direct write to multi-level cell memory

Номер патента: US20160098319A1. Автор: Sergey Anatolievich Gorobets. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-04-07.

Hybrid multi-level cell programming sequences

Номер патента: US20130170293A1. Автор: Sergey Anatolievich Gorobets,Steven Sprouse,Chris Avila. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2013-07-04.

Method for Operating a High Density Multi-Level Cell Non-Volatile Flash Memory Device

Номер патента: US20130155768A1. Автор: FENG Yan,YUE Xu,Xiaoli Ji,Ling Pu. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-06-20.

All levels dynamic start voltage programming of a memory device in a memory sub-system

Номер патента: US11756612B2. Автор: Jun Xu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Page buffer of multi level cell flash memory device and method for programming multi level cell flash memory device using the same

Номер патента: KR100904731B1. Автор: 황경필. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-06-26.

Multi-level Cell Flash Memory and Method of Programming the Same

Номер патента: US20090031074A1. Автор: Chang-il Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-01-29.

Systems and methods of write precompensation to extend life of a solid-state memory

Номер патента: WO2014165550A1. Автор: Haibo Li,Kroum S. Stoev,Dengtao Zhao,Yongke Sun. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2014-10-09.

Systems and methods of write precompensation to extend life of a solid-state memory

Номер патента: EP2981966A1. Автор: Haibo Li,Kroum S. Stoev,Dengtao Zhao,Yongke Sun. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2016-02-10.

Methods of programming multi-level cell nonvolatile memory devices and devices so operating

Номер патента: US9343158B2. Автор: Jung-ho Song,Sang-Won Hwang,Su-yong KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-17.

Multi-level cell copyback program method of nonvolatile memory device

Номер патента: KR100875035B1. Автор: 박성제,성진용. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-12-19.

Memory device and memory programming method

Номер патента: KR101492857B1. Автор: 조경래,유동헌. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2015-02-12.

Multi-level cell memory device and operating method thereof

Номер патента: US20140153331A1. Автор: Sangyong Yoon,Joonsuc Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-06-05.

METHOD OF WRITING AND READING A DELEGALLY PROGRAMMABLE AND DELEGALLY MULTI-LEVEL DEAD MEMORY AND CORRESPONDING MEMORY DEVICE

Номер патента: FR3012654A1. Автор: Francois Tailliet. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2015-05-01.

Multi-level cell memory structures with enlarged second bit operation window

Номер патента: TW200802825A. Автор: Chao-I Wu. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-01.

Multi-level cell memory structures with enlarged second bit operation window

Номер патента: TWI343643B. Автор: Chao I Wu. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-11.

Multi-level cell nor flash memory device

Номер патента: US20120163077A1. Автор: Yider Wu,Sheng-Da Liu. Владелец: Eon Silicon Solutions Inc. Дата публикации: 2012-06-28.

Selective erasure of a non-volatile memory cell of a flash memory device

Номер патента: WO2001065567A2. Автор: Timothy Thurgate. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2001-09-07.

Selective erasure of a non-volatile memory cell of a flash memory device

Номер патента: WO2001065566A2. Автор: Daniel Sobek,Timothy J. Thurgate. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2001-09-07.

Direct multi-level cell programming

Номер патента: US20140254266A1. Автор: Yan Li,Idan Alrod,Eran Sharon,Hadas Oshinsky,Alon Marcu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2014-09-11.

Multi-level cell serial-parallel sense scheme for non-volatile flash memory

Номер патента: US20080316813A1. Автор: Rezaul Haque. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-12-25.

Method and apparatus to improve write bandwidth of a block-based multi-level cell nonvolatile memory

Номер патента: US11237732B2. Автор: Shankar Natarajan,Yihua Zhang,Suresh Nagarajan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-02-01.

Memory apparatus and method of operation using state dependent strobe tier scan to reduce peak ICC

Номер патента: US12057175B2. Автор: Xiang Yang,Hiroyuki Mizukoshi,Deepanshu Dutta,Chin-Yi Chen,Jiahui Yuan,Muhammad Masuduzzaman,Kou Tei. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-06.

Garbage collection adapted to memory device life expectancy

Номер патента: US11693769B2. Автор: Qing Liang,Deping He,David Aaron Palmer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-04.

Memory system and operating method of the memory system

Номер патента: US12073896B2. Автор: Moon Sik SEO,Gil Bok CHOI,Dae Hwan YUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory apparatus and method of operation using state dependent strobe tier scan to reduce peak icc

Номер патента: US20230326530A1. Автор: Xiang Yang,Hiroyuki Mizukoshi,Deepanshu Dutta,Chin-Yi Chen,Jiahui Yuan,Muhammad Masuduzzaman,Kou Tei. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-10-12.

Flash memory device having multi-level cell and method for its reading operation and program operation

Номер патента: KR100512181B1. Автор: 김동환,이영택. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-09-05.

Flash memory device having multi-level cell and reading and programming method thereof

Номер патента: US7254064B2. Автор: Yeong-Taek Lee,Dong-Hwan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-07.

Flash memory device having multi-level cell and reading and programming method thereof

Номер патента: US7489544B2. Автор: Yeong-Taek Lee,Dong-Hwan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-10.

Flash memory device having multi-level cell and reading and programming method thereof

Номер патента: US7035144B2. Автор: Yeong-Taek Lee,Dong-Hwan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-25.

Control circuit and method for programming a flash memory device with multi-level cells

Номер патента: KR100616214B1. Автор: 장희현,이희열. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-08-28.

All levels programming of a memory device in a memory sub-system

Номер патента: US11887668B2. Автор: Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Level shifting in all levels programming of a memory device in a memory sub-system

Номер патента: WO2022204608A1. Автор: Sheyang NING,Lawrence Celso Miranda. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-09-29.

Multi-level cell memory devices and methods using sequential writing of pages to cells sharing bit buffers

Номер патента: US7813173B2. Автор: Song-ho Yoon,Jin-Kyu Kim,Nam-yoon Woo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-10-12.

Non-volatile memory with multi-level cell array and associated program control method

Номер патента: EP3910637A1. Автор: Chia-Fu Chang,Hung-Yi Liao. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-17.

Memory system and operating method of the memory system

Номер патента: US20230307073A1. Автор: Moon Sik SEO,Gil Bok CHOI,Dae Hwan YUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Non-volatile memory with multi-level cell array and associated program control method

Номер патента: US20210350862A1. Автор: Chia-Fu Chang,Hung-Yi Liao. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-11.

Apparatus and method for reduced peak power consumption during common operation of multi-NAND flash memory devices

Номер патента: US7701764B2. Автор: Dzung Nguyen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-04-20.

Multi-level cell memory device using concatenated coding

Номер патента: KR100766042B1. Автор: 이영환,공준진,강동구,박성정. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-10-12.

Apparatus and method for reduced peak power consumption during common operation of multi-nand flash memory devices

Номер патента: WO2007136944A2. Автор: Dzung Nguyen. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2007-11-29.

Multi-level cell memory device and method thereof

Номер патента: US8255770B2. Автор: Jun Jin Kong,Dong Ku Kang,Young Hwan Lee,Sung Chung Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-08-28.

Multi-level cell copyback program method in a non-volatile memory device

Номер патента: US7848141B2. Автор: Seong Je Park,Jin Yong Seong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-07.

Crash protected memory devices utilizing multi-level cell technology

Номер патента: CA2756895A1. Автор: Joseph Bernard Steffler. Владелец: GE AVIATION SYSTEMS LLC. Дата публикации: 2012-05-22.

Multi-level cell programming speed improvement through program level exchange

Номер патента: TW201131567A. Автор: Tsung-Yi Chou,Ti-Wen Chen. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-16.

Non-volatile memory with multi-level cell array and associated program control method

Номер патента: EP3910637B1. Автор: Chia-Fu Chang,Hung-Yi Liao. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-04.

Apparatus and method for sensing multi-level cell data

Номер патента: US7952908B2. Автор: Kyoung-Wook Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-05-31.

Multi-level cell data sensing device and method thereof

Номер патента: KR101057725B1. Автор: 박경욱. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-08-18.

Method of controlling program operation of flash memory device with reduced program time

Номер патента: US20070002614A1. Автор: Byoung Jeong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-01-04.

Nonvolatile memory device and method of controlling the same

Номер патента: EP4421811A1. Автор: Yohan Lee,Sangsoo Park,Yonghyuk Choi,Jaeduk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-28.

Nonvolatile memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20240290401A1. Автор: Yohan Lee,Sangsoo Park,Yonghyuk Choi,Jaeduk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

A method, system and computer-readable code for testing of flash memory

Номер патента: WO2007052259A2. Автор: Meir Avraham,Mark Murin,Menahem Lasser. Владелец: SANDISK IL LTD.. Дата публикации: 2007-05-10.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240203492A1. Автор: Yu Wang,Ke Jiang,Zhichao DU,Weijun Wan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Pulse based multi-level cell programming

Номер патента: US20240347081A1. Автор: Innocenzo Tortorelli,Hernan A. Castro,Mattia Boniardi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Adjustable programming pulses for a multi-level cell

Номер патента: US20220392560A1. Автор: Karthik Sarpatwari,Nevil N. Gajera,Amitava Majumdar,Xuan-Anh Tran. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-08.

Pulse based multi-level cell programming

Номер патента: US20230360681A1. Автор: Innocenzo Tortorelli,Hernan A. Castro,Mattia Boniardi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Pulse based multi-level cell programming

Номер патента: US11984191B2. Автор: Innocenzo Tortorelli,Hernan A. Castro,Mattia Boniardi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Nand flash memory programming

Номер патента: US20100202217A1. Автор: Qiang Tang,Ramin Ghodsi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-12.

Nand flash memory programming with floating substrate

Номер патента: WO2008027409A3. Автор: Qiang Tang,Ramin Ghodsi. Владелец: Ramin Ghodsi. Дата публикации: 2008-07-03.

Nand flash memory programming with floating substrate

Номер патента: WO2008027409A2. Автор: Qiang Tang,Ramin Ghodsi. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2008-03-06.

NAND flash memory programming

Номер патента: US20080049518A1. Автор: Qiang Tang,Ramin Ghodsi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-02-28.

Method and apparatus for accessing multi level cell flash memory device

Номер патента: KR100648285B1. Автор: 정재용,이정우. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-11-23.

Flash memory device with multi level cell and burst access method therein

Номер патента: US8045376B2. Автор: Jung-Woo Lee,Jae-Yong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-10-25.

Program-verify sensing for a multi-level cell (MLC) flash memory device

Номер патента: US7489555B2. Автор: Rezaul Haque,Darshak Udeshi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-02-10.

Program-verify sensing for a multi-level cell (mlc) flash memory device

Номер патента: US20080316814A1. Автор: Rezaul Haque,Darshak Udeshi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-12-25.

Method to create a uniformly distributed multi-level cell (mlc) bitstream from a non-uniform mlc bitstream

Номер патента: US20090013146A1. Автор: Chung H. Lam,Bipin Rajendran. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-08.

Piggyback programming using timing control for multi-level cell flash memory designs

Номер патента: US6466483B1. Автор: Allan Parker. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-10-15.

Method and system to improve the performance of a multi-level cell (mlc) nand flash memory

Номер патента: TW201120889A. Автор: Frickey, Iii,Jonathan M Hughes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2011-06-16.

Method for controlling nand flash memory to implement xnor operation

Номер патента: US20240194246A1. Автор: Qiang Tang. Владелец: Unim Innovation Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Dynamic program and read adjustment for multi-level cell memory array

Номер патента: TW200822117A. Автор: Wen-Chiao Ho,Kuen-Long Chang,Chun-Hsiung Hung,Chin-Hung Chang. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-16.

Methods and apparatus to program multi-level cell memory using target-only verify

Номер патента: US9478305B1. Автор: Dheeraj Srinivasan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Level verification and adjustment for multi-level cell (mlc) non-volatile memory (nvm)

Номер патента: US20090103361A1. Автор: Lee Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-04-23.

Error corrected pre-read for upper page write in a multi-level cell memory

Номер патента: US20140164872A1. Автор: Xin Guo,Yogesh B. Wakchaure,Robert E. Frickey,Iwen Chao,Kristopher H. Gaewsky. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-06-12.

Systems and methods of implementing a calibration wordline to compensate for voltage threshold shift in nand flash memory

Номер патента: US20220115074A1. Автор: Chai Im Teoh,Lip Vui Kan. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2022-04-14.

Device, system, and method to verify data programming of a multi-level cell memory based on one of temperature, pressure, wear condition or relative position of the memory cell

Номер патента: US20210257036A1. Автор: Xiang Yang,Shantanu Rajwade,Arun THATHACHARY,Narayanan RAMANAN,Tarek Ahmed AMEEN BESHARI,Matin Amani. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-08-19.

Device, system, and method to verify data programming of a multi-level cell memory

Номер патента: EP3866167A1. Автор: Xiang Yang,Shantanu Rajwade,Tarek Ameen Beshari,Arun THATHACHARY,Narayanan RAMANAN,Matin Amani. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-08-18.

Flash memory device revising program voltage, three-dimensional memory device, memory system including the memory device, and methods of programming the memory device

Номер патента: US09779833B2. Автор: Sang-Hyun Joo,Jae-Woo Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Non-volatile memory device for mitigating cycling trapped effect and control method thereof

Номер патента: US12020754B2. Автор: Po-Yuan TANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Non-volatile memory device for mitigating cycling trapped effect and control method thereof

Номер патента: US20240046997A1. Автор: Po-Yuan TANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Memory device and compensation method of data retention thereof

Номер патента: US20240304264A1. Автор: Chih-Chang Hsieh,Chih-Wei Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Error characterization and mitigation for 16nm mlc nand flash memory under total ionizing dose effect

Номер патента: US20190172545A1. Автор: Yue Li,Jehoshua Bruck. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2019-06-06.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12096628B2. Автор: Koichiro Yamaguchi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US20240331775A1. Автор: Li Xiang,Ke Liang,Jinchi HAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Wear leveling in eeprom emulator formed of flash memory cells

Номер патента: US20220130477A1. Автор: Vipin Tiwari,Xiaozhou QIAN,Guangming Lin,Zhenlin Ding,Xiao Yan Pl. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-04-28.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20240013838A1. Автор: Jae Woong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor memory device and method of controlling semiconductor memory device

Номер патента: US20220270693A1. Автор: Hideyuki Kataoka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-25.

Circuit and method for programming and reading multi-level flash memory

Номер патента: US20020085436A1. Автор: Seung Ho Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-07-04.

Semiconductor memory device and method of controlling semiconductor memory device

Номер патента: US11676673B2. Автор: Hideyuki Kataoka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-06-13.

Multi-level cell designs for high density low power gshe-stt mram

Номер патента: WO2015116415A1. Автор: Wenqing Wu,Karim Arabi,Kendrick Hoy Leong YUEN. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-08-06.

Bipolar switching operation of confined phase change memory for a multi-level cell memory

Номер патента: US20190325954A1. Автор: Wanki Kim,Yu Zhu,Yujun Xie,Matthew Joseph BrightSky. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

Methods of operating nonvolatile memory devices, methods of operating storage device and storage devices

Номер патента: US20200194072A1. Автор: Sang-Won Jung,Shin-Ho Oh,Sang-Kwon Moon,Min-cheol Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-18.

Memory system and method of accessing a semiconductor memory device

Номер патента: US8027194B2. Автор: Wonmoon Cheon,Jong Tae Park,Wonhee CHO,Seung-Duk Cho,Jaehoon Heo,Yang-Sup Lee,Hojun Shim,Jaesoo Lee,Kangho Roh,Youngjoon Choi,Je-Hyuck SONG,Seontaek Kim,Moonwook Oh,Chanik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-27.

Method for modifying data more than once in a multi-level cell memory location within a memory array

Номер патента: US20130311715A1. Автор: Michael M. Abraham. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-11-21.

Piggyback programming using an extended first pulse for multi-level cell flash memory designs

Номер патента: US6552929B1. Автор: Allan Parker. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-04-22.

Memory Device and Operation Method Therefor

Номер патента: US20110087838A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Chung-Kuang Chen,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-14.

Method for modifying data more than once in a multi-level cell memory location within a memory array

Номер патента: US20120206966A1. Автор: Michael M. Abraham. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-08-16.

Comprise non-volatile memory devices and the system and method for multi-level-cell

Номер патента: CN102982844B. Автор: 李承宰,姜东求,蔡东赫. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-18.

Non-Sequential Encoding Scheme for Multi-Level Cell (MLC) Memory Cells

Номер патента: US20120243311A1. Автор: Patrick J. Ryan,Dadi Setiadi,Yiran Chen. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2012-09-27.

Direct multi-level cell programming

Номер патента: WO2014035553A1. Автор: Yan Li,Idan Alrod,Eran Sharon,Hadas Oshinsky,Alon Marcu. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2014-03-06.

System and method for data recovery in multi-level cell memories

Номер патента: US20120005558A1. Автор: Michael KATZ,Hanan Weingarten,Avi STEINER,Ofir Avraham Kanter,Erez Sabbag,Avigdor Segal. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-05.

MULTIPLE (MULTI-) LEVEL CELL (MLC) NON-VOLATILE (NV) MEMORY (NVM) MATRIX CIRCUITS FOR PERFORMING MATRIX COMPUTATIONS WITH MULTI-BIT INPUT VECTORS

Номер патента: US20190019564A1. Автор: Li Xia,Chen Wei-Chuan,Kang Seung Hyuk. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-17.

SYSTEM AND METHOD FOR PRE-ENCODING OF DATA FOR DIRECT WRITE TO MULTI-LEVEL CELL MEMORY

Номер патента: US20160098319A1. Автор: Gorobets Sergey Anatolievich. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-07.

METHOD AND SYSTEM FOR PROGRAMMING MULTI-LEVEL CELL MEMORY

Номер патента: US20150262676A1. Автор: Wu Chao-I,Khwa Win-San. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2015-09-17.

Reading data from multi-level cell memory

Номер патента: US8787079B2. Автор: Idan Alrod,Eran Sharon. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2014-07-22.

Direct multi-level cell programming

Номер патента: US8885410B2. Автор: Yan Li,Idan Alrod,Eran Sharon,Hadas Oshinsky,Alon Marcu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2014-11-11.

Direct multi-level cell programming

Номер патента: US20150023099A1. Автор: Yan Li,Idan Alrod,Eran Sharon,Hadas Oshinsky,Alon Marcu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-01-22.

Multi-level cell data encoding

Номер патента: US12057182B2. Автор: JEN-CHIEH LIU,Meng-Fan Chang,Jui-Jen Wu,Win-San Khwa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Methods of controlling pcram devices in single-level-cell (slc) and multi-level-cell (mlc) modes and a controller for performing the same methods

Номер патента: US20220230681A1. Автор: Yu-Sheng Chen,Kerem Akarvardar,Win-San Khwa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Multi-level cell data encoding

Номер патента: US20230037044A1. Автор: JEN-CHIEH LIU,Meng-Fan Chang,Jui-Jen Wu,Win-San Khwa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.

Multi-Level Cell Thin-Film Transistor Memory and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20200119033A1. Автор: Wei Zhang,Wenjun Liu,Shibing QIAN,Shijin Ding. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-04-16.

Non-volatile multi-level-cell memory with decoupled bits for higher performance and energy efficiency

Номер патента: US09852792B2. Автор: Norman Paul Jouppi,Naveen Muralimanohar,Han Bin YOON. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-12-26.

Copy-back operations in a memory device

Номер патента: US20200278907A1. Автор: Giuseppe Cariello,Fulvio Rori. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-03.

Copy-back operations in a memory device

Номер патента: US11042438B2. Автор: Giuseppe Cariello,Fulvio Rori. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-22.

Methods of controlling PCRAM devices in single-level-cell (SLC) and multi-level-cell (MLC) modes and a controller for performing the same methods

Номер патента: US11942146B2. Автор: Yu-Sheng Chen,Kerem Akarvardar,Win-San Khwa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Methods of controlling pcram devices in single-level-cell (slc) and multi-level-cell (mlc) modes and a controller for performing the same methods

Номер патента: US20240194254A1. Автор: Yu-Sheng Chen,Kerem Akarvardar,Win-San Khwa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Device and method for storing data in a plurality of multi-level cell memory chips

Номер патента: US09891988B2. Автор: Thomas Mittelholzer,Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Thomas Parnell,Tobias Blaettler,Milos Stanisavljevic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Non-volatile multi-level-cell memory with decoupled bits for higher performance and energy efficiency

Номер патента: EP2951834A1. Автор: Norman Paul Jouppi,Naveen Muralimanohar,Han Bin YOON. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2015-12-09.

Copy-back operations in a memory device

Номер патента: US20200110660A1. Автор: Giuseppe Cariello,Fulvio Rori. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-09.

Multi-level cell memory management

Номер патента: US12019879B2. Автор: Seyedmohammad Seyedzadehdelcheh. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Multi-level cell flash memory

Номер патента: US20090262577A1. Автор: Yasuyuki Tanaka. Владелец: Kyoto Software Res Inc. Дата публикации: 2009-10-22.

Circuit and method of generating high voltage for programming operation of flash memory device

Номер патента: US7443758B2. Автор: Hyun-Chul Ha,Jong-Hwa Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-10-28.

Flash memory device and method for driving the same

Номер патента: US20080247247A1. Автор: Sang-Gu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-10-09.

Nonvolatile memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20240274206A1. Автор: Sangsoo Park,Jonghoon Park,Yongseok Kwon,Jaeduk Yu,Jauang YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Nonvolatile memory device, memory system including nonvolatile memory device, and method of controlling nonvolatile memory device

Номер патента: US20200135281A1. Автор: Minsoo Kim,Kyunghoon Sung,Deahan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-30.

Flash memory device and programming method thereof

Номер патента: US8194463B2. Автор: Jong-Hwa Kim,Young-Joon Choi,Seok-Cheon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-06-05.

Methods of Programming Data in a Non-Volatile Memory Device and Methods of Operating a Nand Flash Memory Device Using the Same

Номер патента: US20110170356A1. Автор: Dong-Uk Choi,Hee-Soo Kang,Choong-ho Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-07-14.

High-density flash memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190371804A1. Автор: Hang-Ting Lue,Teng-Hao Yeh,Chih-Wei Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

Program method of flash memory device

Номер патента: US20090207660A1. Автор: Min Kyu Lee,Sook Kyung Kim,Seok Jin Joo,Hyung Seok Kim,Kyung Pil Hwang,Keum Hwan Noh,Ju In KIM. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-08-20.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20210304831A1. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US11355207B2. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-06-07.

Memory controller, method of operating the same, and system including the same

Номер патента: US20140281827A1. Автор: Jun Jin Kong,Hong Rak Son,Avner Dor,Moshe Twitto,Chang Kyu Seol. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-09-18.

Methods and apparatus for storing data in a multi-level cell flash memory device with cross-page sectors, multi-page coding and per-page coding

Номер патента: EP2266036B9. Автор: Milos Ivkovic,Andrei Vityaev,Victor Krachkovsky,Clifton Williamson,Johnson Yen,Erich F. Haratsch,Harley F. Burger, Jr.. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2016-05-18.

Methods and apparatus for storing data in a multi-level cell flash memory device with cross-page sectors, multi-page coding and per-page coding

Номер патента: CN101999116A. Автор: 小H·F·博格,M·伊威科维克,V·克拉琦科夫斯基,J·延,E·F·哈拉特施,A·维特雅一夫,C·威廉姆森. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2011-03-30.

Methods and apparatus for storing data in a multi-level cell flash memory device with cross-page sectors, multi-page coding and per-page coding

Номер патента: TWI533304B. Автор: 二世 哈利Ｆ 伯格,艾利希Ｆ 哈瑞區,米洛斯 伊夫柯維克,維克特 克拉契柯夫斯基,安德利 維堤亞夫,克利夫頓 威廉森,強森 言. Владелец: 艾基爾系統公司. Дата публикации: 2016-05-11.

Methods and apparatus for storing data in a multi-level cell flash memory device with cross-page sectors, multi-page coding and per-page coding

Номер патента: EP2592552A2. Автор: Milos Ivkovic,Andrei Vityaev,Victor Krachkovsky,Clifton Williamson,Johnson Yen,Erich F. Haratsch,Harley F. Burger Jr.. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2013-05-15.

Non-volatile memory with multi-level cell array and associated read control method

Номер патента: EP3910636A1. Автор: Wei-Ming Ku,Chia-Fu Chang,Hung-Yi Liao. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-17.

Non-volatile memory with multi-level cell array and associated read control method

Номер патента: US20210358543A1. Автор: Wei-Ming Ku,Chia-Fu Chang,Hung-Yi Liao. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-18.

Non-volatile memory with multi-level cell array and associated read control method

Номер патента: EP3910636B1. Автор: Wei-Ming Ku,Chia-Fu Chang,Hung-Yi Liao. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-25.

Non-volatile memory with multi-level cell array and associated read control method

Номер патента: US11264092B2. Автор: Wei-Ming Ku,Chia-Fu Chang,Hung-Yi Liao. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-01.

Multi-level cell configurations for non-volatile memory elements in a bitcell

Номер патента: US20220181387A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Desmond Jia Jun Loy. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-06-09.

Neuromorphic memories with split gate flash multi-level cell and method of making the same

Номер патента: US20200019500A1. Автор: Fan Zhang,Danny Pak-Chum Shum,Shyue Seng Tan,Xinshu CAI,Soh Yun Siah,Tze Ho Simon Chan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2020-01-16.

Method and apparatus for recording high-speed input data into matrix of memory devices

Номер патента: RU2417461C2. Автор: Томас БРУНЕ,Йенс Петер ВИТТЕНБУРГ. Владелец: Томсон Лайсенсинг. Дата публикации: 2011-04-27.

Flash memory controller and memory device for accessing flash memory module, and associated method

Номер патента: US20180373593A1. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2018-12-27.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20210118479A1. Автор: Won Jae Choi,Gwan Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-22.

Flash memory device and method of operation

Номер патента: US20110255337A1. Автор: Franz Michael Schuette. Владелец: OCZ Technology Group Inc. Дата публикации: 2011-10-20.

Storage device supporting multi-streaming and method of controlling operation of nonvolatile memory device

Номер патента: US20200393992A1. Автор: Kyungduk Lee,Jinwoo Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-17.

Method of initializing and driving 3D non-volatile memory device using time varying erase signal

Номер патента: US09754673B2. Автор: Sang Ho Lee,Byung Gook Park,Dae Woong KWON,Do Bin KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

System and Methods for Extending Operational Lifetime of Flash Memory

Номер патента: US20150161041A1. Автор: Joseph Sullivan,Conor Maurice Ryan. Владелец: NATIONAL DIGITAL RESEARCH CENTRE Ltd. Дата публикации: 2015-06-11.

Memory control device, control method of flash memory, and method for generating security feature of flash memory

Номер патента: US10705743B2. Автор: Shih-Fu Huang,Cheng-Yu Chen,Jing-Long XIAO,Yi-Lin Hsieh. Владелец: RayMX Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-07-07.

Memory device with defined programming transaction time

Номер патента: US09934866B2. Автор: Ian Shaeffer,Brent Haukness. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-04-03.

Flash memory device capable of reduced programming time

Номер патента: US20060126399A1. Автор: Myong-Jae Kim,Ji-Ho Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-06-15.

Flash memory device capable of reduced programming time

Номер патента: US20080181011A1. Автор: Myong-Jae Kim,Ji-Ho Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-31.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: WO2024197764A1. Автор: Li Xiang,Ke Liang,Jinchi HAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory device, method of operating the same, and method of operating storage device including the same

Номер патента: US12040020B2. Автор: Minseok Kim,Kwangho Choi,Joonsuc Jang,Jun-Yong Park,Il Han Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Nonvolatile memory device and operating method of nonvolatile memory device

Номер патента: US20240282377A1. Автор: Woojae Jang,Jaeduk LEE,Sejun Park,YuJeong Seo,Chaehyeon LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Controller for controlling semiconductor memory device and method of operating the controller

Номер патента: US12046295B2. Автор: Sang Ho Yun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Controller for controlling semiconductor memory device and method of operating the controller

Номер патента: US20220383958A1. Автор: Sang Ho Yun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-12-01.

Method Of Arranging Data In A Multi-Level Cell Memory Device

Номер патента: US20070180346A1. Автор: Mark Murin. Владелец: Sandisk IL Ltd. Дата публикации: 2007-08-02.

APPARATUS AND METHOD FOR REDUCED PEAK POWER CONSUMPTION DURING COMMON OPERATION OF MULTI-NAND FLASH MEMORY DEVICES

Номер патента: US20130308388A1. Автор: Nguyen Dzung. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-11-21.

Non-volatile semiconductor memory device with cache function and program, read and page copy-back operations thereof

Номер патента: KR100454119B1. Автор: 변대석,임영호. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-10-26.

Nonvolatile memory array partitioning architecture and method to utilize single level cells and multi level cells within said architecture

Номер патента: US20090109758A1. Автор: Hagop Nazarian,Michael Achter,Harry Kuo. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2009-04-30.

Adaptive Operation of Multi Level Cell Memory

Номер патента: US20140160842A1. Автор: Yang Nian Niles,Avila Chris Nga Yee,Takafuji Ryan Chiezo. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2014-06-12.

METHOD AND APPARATUS TO IMPROVE WRITE BANDWIDTH OF A BLOCK-BASED MULTI-LEVEL CELL NON-VOLATILE MEMORY

Номер патента: US20190361614A1. Автор: Zhang Yihua,Natarajan Shankar,Nagarajan Suresh. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-28.

Systems and methods for reliable multi-level cell flash storage

Номер патента: US8301828B2. Автор: Mark E Miller. Владелец: Conexant Systems LLC. Дата публикации: 2012-10-30.

Managing bin placement for block families of a memory device based on trigger metric valves

Номер патента: US11847317B2. Автор: Shane Nowell,Mustafa N Kaynak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Read enable signal adjusting flash memory device and read control method of flash memory device

Номер патента: EP2232500A1. Автор: Hyunmo Chung,Hanmook Park. Владелец: Indilinx Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-29.

Read enable signal adjusting flash memory device and read control method of flash memory device

Номер патента: WO2009084796A1. Автор: Hyunmo Chung,Hanmook Park. Владелец: Indilinx Co., Ltd.. Дата публикации: 2009-07-09.

Flash memory device and method of operating the same

Номер патента: US20090040826A1. Автор: Jae Won Cha,Sam Kyu Won,Kwang Ho Baek. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-02-12.

Cell string of flash memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070064496A1. Автор: Sang Oh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-03-22.

Nand-type flash memory and nand-type flash memory controlling method

Номер патента: US20100067302A1. Автор: Yoshihisa Watanabe,Yuka Furuta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-03-18.

Methods for active boosting to minimize capacitive coupling effect between adjacent gates of flash memory devices

Номер патента: US20080144384A1. Автор: Hao Fang,Masaaki Higashitani,Gerrit Jan Hemink,Tuan D. Pham. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2008-06-19.

Semiconductor device with a memory capable of batch erasing a plurality of sectors and method of manufacturing the same

Номер патента: US12087364B2. Автор: Masafumi Hayakawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Methods for active boosting to minimize capacitive coupling effect between adjacent gates of flash memory devices

Номер патента: US7672165B2. Автор: Masaaki Higashitani,Gerrit Jan Hemink,Tuan D Pham,Hao Fang Fang. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2010-03-02.

Multi-level cell (mlc) static random access memory (sram) (mlc sram) cells configured to perform multiplication operations

Номер патента: US20190088309A1. Автор: Xia Li,Seung Hyuk KANG,Nicholas Ka Ming Stevens-Yu,Venkat Rangan,Rashid Ahmed Akbar Attar. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-03-21.

Multi-level cells, and related arrays, devices, systems, and methods

Номер патента: US20230395101A1. Автор: Yuan He,Jiyun Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Methods And Apparatus For Storing Data In A Multi-Level Cell Flash Memory Device With Cross-Page Sectors, Multi-Page Coding And Per-Page Coding

Номер патента: US20140126289A1. Автор: Krachkovsky Victor,Yen Johnson,Haratsch Erich F.,Burger Harley F.,Vityaev Andrei,Williamson Clifton,Ivkovich Milos. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2014-05-08.

Block select circuit in a flash memory device

Номер патента: US20040156237A1. Автор: Jong Jeong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-08-12.

DEVICE, SYSTEM, AND METHOD TO VERIFY DATA PROGRAMMING OF A MULTI-LEVEL CELL MEMORY BASED ON ONE OF TEMPERATURE, PRESSURE, WEAR CONDITION OR RELATIVE POSITION OF THE MEMORY CELL

Номер патента: US20210257036A1. Автор: Yang Xiang,RAMANAN Narayanan,Rajwade Shantanu,AMANI Matin,Ameen Beshari Tarek Ahmed,THATHACHARY Arun. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2021-08-19.

DATA PATH FOR MULTI-LEVEL CELL MEMORY, METHODS FOR STORING AND METHODS FOR UTILIZING A MEMORY ARRAY

Номер патента: US20130294159A1. Автор: Bauer Mark. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-07.

Voltage Generating Circuit For Multi-Level Cell Memory

Номер патента: KR101006797B1. Автор: 이종석,이학수,김영일,곽계달,윤한섭. Владелец: 한양대학교 산학협력단. Дата публикации: 2011-01-10.

Nonvolatile memory devices including multiple user-selectable program modes and related methods of operation

Номер патента: US20080172520A1. Автор: Bong-ryeol Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-17.

Coding method of multi-level memory cell

Номер патента: US20020181278A1. Автор: Cheng-Jye Liu,Chia-Hsing Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-05.

Apparatuses including multi-level memory cells and methods of operation of same

Номер патента: US11798620B2. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Andrea Redaelli,Agostino Pirovano,Lorenzo Fratin,Russell L. Meyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Multi level cell programming method of non volatile memory device

Номер патента: KR100954949B1. Автор: 주석진,박성제. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-04-27.

Multi-Level Cell Programming Using Optimized Multiphase Mapping With Balanced Gray Code

Номер патента: US20200327933A1. Автор: James Fitzpatrick,Niranjay RAVINDRAN,Mostafa EL GAMAL. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Multi-level cell programming using optimized multiphase mapping with balanced gray code

Номер патента: US11735252B2. Автор: James Fitzpatrick,Niranjay RAVINDRAN,Mostafa EL GAMAL. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Multi-level cell programming using optimized multiphase mapping with balanced gray code

Номер патента: US20200194063A1. Автор: James Fitzpatrick,Niranjay RAVINDRAN,Mostafa EL GAMAL. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-06-18.

Multi-Level Cell Programming Using Optimized Multiphase Mapping with Balanced Gray Code

Номер патента: US20210327504A1. Автор: James Fitzpatrick,Niranjay RAVINDRAN,Mostafa EL GAMAL. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

method of programming a multi level cell

Номер патента: US20110026325A1. Автор: Jae Won Cha,Sam Kyu Won,Kwang Ho Baek. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-02-03.

LOWER PAGE READ FOR MULTI-LEVEL CELL MEMORY

Номер патента: US20160155497A1. Автор: GUO XIN,WAKCHAURE Yogesh B.,Chao Iwen,Frickey Robert E.,Gaewsky Kristopher H.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-06-02.

MULTI-LEVEL CELL PROGRAMMING USING OPTIMIZED MULTIPHASE MAPPING WITH BALANCED GRAY CODE

Номер патента: US20200194063A1. Автор: Fitzpatrick James,Ravindran Niranjay,EL GAMAL Mostafa. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-18.

Multi-Level Cell Programming Using Optimized Multiphase Mapping With Balanced Gray Code

Номер патента: US20200327933A1. Автор: Fitzpatrick James,Ravindran Niranjay,EL GAMAL Mostafa. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-15.

Reduced-power programming of multi-level cell (MLC) memory

Номер патента: US8014196B2. Автор: Nils Graef. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2011-09-06.

Non-volatile multi-level cell memory system and method of performing adaptive data back-up in the system

Номер патента: US09747170B2. Автор: Jae Il LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Series of parallel sensing operations for multi-level cells

Номер патента: US11735235B2. Автор: Yih Wang,Yen-Ting Lin,Qing Dong,Carlos H. Diaz,Kerem Akarvardar,Mahmut Sinangil. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Multi-level cell maintenance operations

Номер патента: US20240274215A1. Автор: Giuseppe Cariello,Jameer Mulani,Nitul Gohain. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Storage device and data accessing method using multi-level cell

Номер патента: US11914887B2. Автор: Yung-Chun Li,Han-Wen Hu,Bo-Rong Lin,Huai-Mu WANG. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Series of parallel sensing operations for multi-level cells

Номер патента: US20230377614A1. Автор: Yih Wang,Yen-Ting Lin,Qing Dong,Carlos H. Diaz,Kerem Akarvardar,Mahmut Sinangil. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Series of parallel sensing operations for multi-level cells

Номер патента: US20210390987A1. Автор: Yih Wang,Yen-Ting Lin,Qing Dong,Carlos H. Diaz,Kerem Akarvardar,Mahmut Sinangil. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-16.

System and method for folding partial blocks into multi-level cell memory blocks

Номер патента: US09778863B2. Автор: Vimal Kumar Jain,Dinesh Agarwal,Sourabh Sankule,Vijay Sivasankaran. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-10-03.

Data encoding on single-level and variable multi-level cell storage

Номер патента: WO2016137716A2. Автор: Henrique S. Malvar,Qing Guo,Luis Henrique Ceze,Karin Strauss. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2016-09-01.

Data encoding on single-level and variable multi-level cell storage

Номер патента: EP3262838A2. Автор: Henrique S. Malvar,Qing Guo,Luis Henrique Ceze,Karin Strauss. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2018-01-03.

Multi-level cell threshold voltage operation of one-selector-one-resistor structure included in a crossbar array

Номер патента: US20210225441A1. Автор: Christopher P. Miller,Hsiang-Lan Lung,Wei-Chih Chien,Nanbo Gong,Matthew Joseph BrightSky. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Multi-level cell threshold voltage operation of one-selector-one-resistor structure included in a crossbar array

Номер патента: US20210375360A1. Автор: Christopher P. Miller,Hsiang-Lan Lung,Wei-Chih Chien,Nanbo Gong,Matthew Joseph BrightSky. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Multiple (multi-) level cell (mlc) non-volatile (nv) memory (nvm) matrix circuits for performing matrix computations with multi-bit input vectors

Номер патента: WO2019013955A1. Автор: Xia Li,Wei-Chuan Chen,Seung Hyuk KANG. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-01-17.

Local checkpointing using a multi-level cell

Номер патента: EP2842036A1. Автор: Parthasarathy Ranganathan,Doe Hyun Yoon,Robert Schreiber,Naveen Muralimanohar,Jichuan Chang,Paolo Faraboschi. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2015-03-04.

Implementing enhanced data read for multi-level cell (MLC) memory using threshold voltage-drift or reistance drift tolerant moving baseline memory data

Номер патента: GB201301474D0. Автор: . Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2013-03-13.

Local checkpointing using a multi-level cell

Номер патента: US20140351495A1. Автор: Parthasarathy Ranganathan,Doe Hyun Yoon,Robert Schreiber,Naveen Muralimanohar,Jichuan Chang,Paolo Faraboschi. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2014-11-27.

Biasing method and structure for reducing band-to-band and/or avalanche currents during the erase of flash memory devices

Номер патента: EP1040486A1. Автор: Daniel Sobek,Sameer S. Haddad,Vei-Han Chan,Scott D. Luning,Timothy James Thurgate. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-10-04.

Operating method of semiconductor memory device, controller, and memory system having the same

Номер патента: US11550495B2. Автор: Ju Hee Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-01-10.

Method of screening non-volatile memory devices

Номер патента: US20030147294A1. Автор: Yasuhito Anzai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: EP2225648A1. Автор: Keiji Maeda,Masato Sugita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-09-08.

Discharge circuits for a nand flash memory

Номер патента: US20240296894A1. Автор: Liang Qiao,Weiwei He,Mingxian LEI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

System and method of accessing memory of a data storage device

Номер патента: WO2014159396A2. Автор: Menahem Lasser. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2014-10-02.

Method of improving an electrostatic discharge characteristic in a flash memory device

Номер патента: US6421278B1. Автор: Jong Woo Kim,Tae Kyu Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-07-16.

Methods of forming microelectronic devices, and related microelectronic devices, memory devices, and electronic systems

Номер патента: US20230290409A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Shuangqiang Luo,Jiewei Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Method and system for detecting defective material surrounding flash memory cells

Номер патента: US6765827B1. Автор: JIANG LI,Lee Cleveland,Ming Kwan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-07-20.

Method of monitoring a source contact in a flash memory

Номер патента: US6391665B1. Автор: Keun Woo Lee,Jin Shin,Ki Seog Kim,Sang Hoan Chang. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-21.

Source side sensing scheme for virtual ground read of flash eprom array with adjacent bit precharge

Номер патента: WO2003063168A3. Автор: Yu Sun,Pau-Ling Chen,Michael A Vanbuskirk. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-11-27.

Nor-type memory device, method of manufacturing nor-type memory device, and electronic apparatus including memory device

Номер патента: US20230301100A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institure Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences. Дата публикации: 2023-09-21.

Methods And Apparatus For Storing Data In A Multi-Level Cell Flash Memory Device With Cross-Page Sectors, Multi-Page Coding And Per-Page Coding

Номер патента: US20140126287A1. Автор: Krachkovsky Victor,Yen Johnson,Haratsch Erich F.,Ivkovic Milos,Burger Harley F.,Vityaev Andrei,Williamson Clifton. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2014-05-08.

Memory device and programming method thereof

Номер патента: US20240062814A1. Автор: Jeremy Guy. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Memory device including multi-level cell and method of operating the same

Номер патента: CN105632558B. Автор: 朴贤国,边大锡,尹治元. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-12.

CROSS-POINT MEMORY DEVICE INCLUDING MULTI-LEVEL CELLS AND OPERATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20160148678A1. Автор: YOON CHI-WEON,BYEON DAE-SEOK,PARK HYUN-KOOK. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-26.

Cross-point memory device including multi-level cells and operating method thereof

Номер патента: US9478285B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Hyun-Kook PARK,Chi-Weon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-25.

Cross-point memory device including multi-level cells and operating method thereof

Номер патента: CN105632558A. Автор: 朴贤国,边大锡,尹治元. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-06-01.

APPARATUSES INCLUDING MULTI-LEVEL MEMORY CELLS AND METHODS OF OPERATION OF SAME

Номер патента: US20180040370A1. Автор: Pirovano Agostino,Tortorelli Innocenzo,Redaelli Andrea,Pellizzer Fabio,Fratin Lorenzo,Meyer Russell L.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-02-08.

APPARATUSES INCLUDING MULTI-LEVEL MEMORY CELLS AND METHODS OF OPERATION OF SAME

Номер патента: US20190295636A1. Автор: Pirovano Agostino,Tortorelli Innocenzo,Redaelli Andrea,Pellizzer Fabio,Fratin Lorenzo,Meyer Russell L.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-09-26.

APPARATUSES INCLUDING MULTI-LEVEL MEMORY CELLS AND METHODS OF OPERATION OF SAME

Номер патента: US20220366974A1. Автор: Pirovano Agostino,Tortorelli Innocenzo,Redaelli Andrea,Pellizzer Fabio,Fratin Lorenzo,Meyer Russell L.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-11-17.

Sense amplifier for sensing multi-level cell and memory device including the sense amplifer

Номер патента: US20200294574A1. Автор: Kyung-Ryun Kim,Young-Hun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-09-17.

Flash memory device and architecture with multi level cells

Номер патента: US7082056B2. Автор: Ben Wei Chen,Augustine W. Chang. Владелец: Super Talent Electronics Inc. Дата публикации: 2006-07-25.

SENSE AMPLIFIER FOR SENSING MULTI-LEVEL CELL AND MEMORY DEVICE INCLUDING THE SENSE AMPLIFER

Номер патента: US20200294574A1. Автор: KIM KYUNG-RYUN,Seo Young-Hun. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-17.

NON-VOLATILE MEMORY DEVICE HAVING MULTI-LEVEL CELLS AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20130336046A1. Автор: Oh Gyu-Hwan. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-19.

Storage device based on a flash memory and user device including the same

Номер патента: KR101596833B1. Автор: 김지수,박찬익,오상진. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2016-02-24.

MULTI-LEVEL CELL (MLC) STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM) (MLC SRAM) CELLS CONFIGURED TO PERFORM MULTIPLICATION OPERATIONS

Номер патента: US20190088309A1. Автор: Attar Rashid Ahmed Akbar,Rangan Venkat,Li Xia,Kang Seung Hyuk,Stevens-Yu Nicholas Ka Ming. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-21.

Fabricating and operating a memory array having a multi-level cell region and a single-level cell region

Номер патента: TW201040965A. Автор: Fumitoshi Ito,Shinji Sato. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2010-11-16.

NON-VOLATILE MULTI-LEVEL CELL MEMORY USING A FERROELECTRIC SUPERLATTICE AND RELATED SYSTEMS

Номер патента: US20210098060A1. Автор: Ni Kai,Datta Suman,Kummel Andrew. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-01.

Multi-Level Cell Memory

Номер патента: US20150162078A1. Автор: Jouppi Norman Paul,Muralimanohar Naveen,Yoon Han Bin. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2015-06-11.

MULTI-LEVEL CELL DESIGNS FOR HIGH DENSITY LOW POWER GSHE-STT MRAM

Номер патента: US20150213867A1. Автор: WU Wenqing,Yuen Kendrick Hoy Leong,Arabi Karim. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-30.

NON-VOLATILE MEMORY WITH MULTI-LEVEL CELL ARRAY AND ASSOCIATED READ CONTROL METHOD

Номер патента: US20210358543A1. Автор: Ku Wei-Ming,Chang Chia-Fu,LIAO Hung-Yi. Владелец: . Дата публикации: 2021-11-18.

BIPOLAR SWITCHING OPERATION OF CONFINED PHASE CHANGE MEMORY FOR A MULTI-LEVEL CELL MEMORY

Номер патента: US20190325954A1. Автор: Zhu Yu,KIM WANKI,BrightSky Matthew Joseph,Xie Yujun. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-24.

Multi-level cell operation in silver/amorphous silicon RRAM

Номер патента: US9058865B1. Автор: Tanmay Kumar,Sung Hyun Jo. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2015-06-16.

Phase-change multi-level cell and operating method thereof

Номер патента: US20060145135A1. Автор: Erh-Kun Lai,Jen-Ren Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-06.

Multi-level cell resistance random access storage organization and manufacture method thereof that metal oxide is arranged

Номер патента: CN100563020C. Автор: 何家骅,谢光宇,赖二琨. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-11-25.

Method and structure of a multi-level cell resistance random access memory with metal oxides

Номер патента: CN101226952A. Автор: 何家骅,谢光宇,赖二琨. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-23.

Multi-level cell programming of PCM by varying the RESET amplitude

Номер патента: TW201117212A. Автор: Bipin Rajendran,Ming-Hsiu Lee,Chung H Lam,Thomas Nirschi. Владелец: Infineon Technologies Corp. Дата публикации: 2011-05-16.

Accelerating programming of a flash memory module

Номер патента: US09972393B1. Автор: Avigdor Segal. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Methods of controlling pcram devices in single-level-cell (slc) and multi-level-cell (mlc) modes and a controller for performing the same methods

Номер патента: US20230197150A1. Автор: Yu-Sheng Chen,Kerem Akarvardar,Win-San Khwa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Swappable Sets of Partial-Mapping Tables in a Flash-Memory System With A Command Queue for Combining Flash Writes

Номер патента: US20090113121A1. Автор: Abraham C. Ma,Charles C. Lee,Frank Yu. Владелец: Super Talent Electronics Inc. Дата публикации: 2009-04-30.

Methods And Apparatus For Storing Data In A Multi-Level Cell Flash Memory Device With Cross-Page Sectors, Multi-Page Coding And Per-Page Coding

Номер патента: US20140126288A1. Автор: Krachkovsky Victor,Yen Johnson,Haratsch Erich F.,Ivkovic Milos,Burger Harley F.,Vityaev Andrei,Williamson Clifton. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2014-05-08.

MULTI-LEVEL CELL MEMORY DEVICES AND METHODS OF STORING DATA IN AND READING DATA FROM THE MEMORY DEVICES

Номер патента: US20130294158A1. Автор: KANG Dong-Ku,KONG Jun Jin,LEE Young Hwan,PARK Sung Chung,HONG Si Hoon,HYUN Jae Woong. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-07.

MEMORY SYSTEM INCLUDING MULTI-LEVEL MEMORY CELLS AND PROGRAMMING METHOD USING DIFFERENT PROGRAM START VOLTAGES

Номер патента: US20150146484A1. Автор: Lee Bong-Yong,CHOI YU-SIK. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-28.

Nonvolatile memory device supporting protection mode and memory system including the same

Номер патента: US11853601B2. Автор: Do Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

NEUROMORPHIC MEMORIES WITH SPLIT GATE FLASH MULTI-LEVEL CELL AND METHOD OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20200019500A1. Автор: Zhang Fan,Tan Shyue Seng,SHUM Danny Pak-Chum,CAI Xinshu,SIAH Soh Yun,CHAN Tze Ho Simon. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-16.

Multi-Level Cell Thin-Film Transistor Memory and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20200119033A1. Автор: ZHANG Wei,Liu Wenjun,Ding Shijin,QIAN Shibing. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-16.

COPY-BACK OPERATIONS IN A MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200110660A1. Автор: Cariello Giuseppe,Rori Fulvio. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-09.

COPY-BACK OPERATIONS IN A MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200278907A1. Автор: Cariello Giuseppe,Rori Fulvio. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-03.

Writing method of flash memory and memory storage device

Номер патента: US12040023B2. Автор: Koying Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

DIRECT MULTI-LEVEL CELL PROGRAMMING

Номер патента: US20150023099A1. Автор: Li Yan,SHARON ERAN,ALROD IDAN,Marcu Alon,Oshinsky Hadas. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-22.

ERROR CORRECTED PRE-READ FOR UPPER PAGE WRITE IN A MULTI-LEVEL CELL MEMORY

Номер патента: US20140164872A1. Автор: GUO XIN,WAKCHAURE Yogesh B.,Chao Iwen,Frickey Robert E.,Gaewsky Kristopher H.. Владелец: . Дата публикации: 2014-06-12.

Systems and Methods for Partial Page Programming of Multi Level Cells

Номер патента: US20150162086A1. Автор: Dusija Gautam A.,Avila Chris,Koh Pao-Ling,Dong Yingda,Mui Man,RAGHU DEEPAK,Mak Alexander Kwok-Tung. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2015-06-11.

DIRECT MULTI-LEVEL CELL PROGRAMMING

Номер патента: US20140254266A1. Автор: Li Yan,SHARON ERAN,ALROD IDAN,Marcu Alon,Oshinsky Hadas. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2014-09-11.

Non-volatile multi-level-cell memory with decoupled bits for higher performance and energy efficiency

Номер патента: US20150364191A1. Автор: Norman Paul Jouppi,Naveen Muralimanohar,Han Bin YOON. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2015-12-17.

Approximate multi-level cell memory operations

Номер патента: CN105164756A. Автор: D·C·伯格,K·斯特劳斯,A·桑普森,L·H·西泽. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2015-12-16.

Flash memory device with increase of efficiency during an apde (automatic program disturb after erase) process

Номер патента: WO2002095762A3. Автор: Richard Fastow,Zhigang Wang,Chi Chang,Sameer Haddad,Sheung-Hee Park. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-02-20.

Flash memory device with increase of efficiency during an apde (automatic program disturb after erase) process

Номер патента: WO2002095762A2. Автор: Richard Fastow,Zhigang Wang,Chi Chang,Sameer Haddad,Sheung-Hee Park. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2002-11-28.

Flash memory device performing adaptive loop, memory system and method of operating the memory system

Номер патента: US09941016B2. Автор: Jae-Hong Kim,Young-Seop Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Writing method of flash memory and memory storage device

Номер патента: US20230207020A1. Автор: Koying Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Nonvolatile memory device and method of controlling suspension of command execution of the same

Номер патента: US09928165B2. Автор: Dong-Hun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Partial page fail bit detection in flash memory devices

Номер патента: WO2008005735A2. Автор: Gerrit Jan Hemink. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2008-01-10.

Storage controller including parity management module, storage device including the same, and operating method of storage device

Номер патента: US12073904B2. Автор: Jongpil Kim,Sanggyu KO,Yeongmin YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Flash memory device with multi-level cells and method of performing operations therein according to a detected writing patter

Номер патента: US09886202B2. Автор: Chan-Ik Park,Seon-Taek Kim,Sung-Up Choi,Won-Moon CHEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Multi-level cell page writes

Номер патента: US20220215875A1. Автор: Hari Kannan,Peter E. Kirkpatrick. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2022-07-07.

METHODS OF PROGRAMMING MULTI-LEVEL CELL NONVOLATILE MEMORY DEVICES AND DEVICES SO OPERATING

Номер патента: US20140211565A1. Автор: KIM SU-YONG,SONG JUNG-HO,Hwang Sang-Won. Владелец: . Дата публикации: 2014-07-31.

Method for performing copy back operations and flash storage device

Номер патента: TW201101320A. Автор: Hong-Ching Chen,Chien-Chung Wu,Chi-Wei Peng. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2011-01-01.

Program method of flash memory device

Номер патента: US20080123429A1. Автор: Seong Je Park,Seung Ho Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-05-29.

Flash memory device and a method of verifying the same

Номер патента: US9196372B2. Автор: Seungwon Lee,Byeonghoon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-11-24.

Flash Memory Device and a Method of Verifying the Same

Номер патента: US20140071769A1. Автор: Seungwon Lee,Byeonghoon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-03-13.

Method of erasing data in flash memory device

Номер патента: US7986565B2. Автор: Jae-Yong Jeong,Jin-Young Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-26.

Flash memory device and method of erasing

Номер патента: US20030128591A1. Автор: ANDREI Mihnea,Chun Chen,Paul Rudeck,Andrew Bicksler. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-07-10.

Semiconductor memory device with a stacked gate including a charge storage layer and a control gate and method of controlling the same

Номер патента: US20090268526A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Koji Hosono,Takeshi Nakano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-10-29.

Method of reducing trapped holes induced by erase operations in the tunnel oxide of flash memory cells

Номер патента: US6493280B2. Автор: ANDREI Mihnea,Chun Chen,Jeffrey Kessenich. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-12-10.

Implementing Enchanced Data Write for Multi-Level Cell (MLC) Memory Using Threshold Voltage-Drift or Resistance Drift tolerant Moving Baseline Memory Data

Номер патента: GB201301472D0. Автор: . Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2013-03-13.

Memory Device and Method of Making Same

Номер патента: US20110227027A1. Автор: Wolodymyr Czubatyj,Tyler Lowrey,Sergey Kostylev. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2011-09-22.

MULTI-LEVEL CELL MEMORY DEVICE AND METHOD OF OPERATING MULTI-LEVEL CELL MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140185377A1. Автор: Yoon Sangyong,Kim Kyungryun. Владелец: . Дата публикации: 2014-07-03.

Dynamic sensing levels for nonvolatile memory devices

Номер патента: WO2023064548A1. Автор: Pawan Singh,Yoram Betser,Stefano Amato,Shivananda Shetty,Alexander Kushnarenko. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2023-04-20.

Dynamic sensing levels for nonvolatile memory devices

Номер патента: US11978528B2. Автор: Pawan Singh,Yoram Betser,Stefano Amato,Shivananda Shetty,Alexander Kushnarenko. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-07.

Dynamic sensing levels for nonvolatile memory devices

Номер патента: WO2023064548A9. Автор: Pawan Singh,Yoram Betser,Stefano Amato,Shivananda Shetty,Alexander Kushnarenko. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-10.

LEVEL-ESTIMATION IN MULTI-LEVEL CELL MEMORY

Номер патента: US20140211564A1. Автор: Mittelholzer Thomas,Papandreou Nikolaos,Pozidis Charalampos. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-07-31.

MULTI-LEVEL CELL (MLC) NON-VOLATILE MEMORY DATA READING METHOD AND APPARATUS

Номер патента: US20140247655A1. Автор: MOTWANI RAVI H.. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-04.

Multi-level cell memory

Номер патента: TW201407613A. Автор: Norman Paul Jouppi,Naveen Muralimanohar,Han-Bin Yoon. Владелец: Hewlett Packard Development Co. Дата публикации: 2014-02-16.

Method of correcting error of flash memory device, and, flash memory device and storage system using the same

Номер патента: US8612830B2. Автор: Jun Kitahara,Nagamasa Mizushima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2013-12-17.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller with making memory cell array generating errors

Номер патента: US12112816B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller without making memory cell array generating errors

Номер патента: US12105958B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Storage devices and methods of operating storage devices

Номер патента: US12056007B2. Автор: Eun Chu Oh,Byungchul Jang,Junyeong Seok,Younggul SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Method of managing semiconductor memories, corresponding interface, memory and device

Номер патента: US20180240523A1. Автор: Michele Alessandro CARRANO,Daniele Mangano,Gaetano Di Stefano,Roberto Sebastiano RUGGIRELLO. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-08-23.

Device and method of controlling flash memory

Номер патента: EP2329381A1. Автор: Jongmin Lee,Donghee Lee,Hanmook Park. Владелец: Indilinx Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-08.

Device and method of controlling flash memory

Номер патента: WO2010018886A1. Автор: Jongmin Lee,Donghee Lee,Hanmook Park. Владелец: Indilinx Co., Ltd.. Дата публикации: 2010-02-18.

Method of programming a continuous-channel flash memory device

Номер патента: US09892790B2. Автор: Yuniarto Widjaja,Feng Gao,Dana Lee,John W. Cooksey,Changyuan Chen,Ya-Fen Lin. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Memory device

Номер патента: US09922713B2. Автор: Leroy Cronin,Asen ASENOV. Владелец: University of Glasgow. Дата публикации: 2018-03-20.

Method for compacting the erased threshold voltage distribution of flash memory devices during writing operations

Номер патента: US20080049521A1. Автор: Rino Micheloni,Luca Crippa,Federico Pio,Roberto Ravasio. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-02-28.

Method, memory controller and memory device that organizes data during refresh cycles

Номер патента: EP4414985A1. Автор: Saugata Das Purkayastha,Rowen Alphonso Pereira,Chandrashekhar Mallikarjuna Joshi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-14.

Control method for requesting status of flash memory, flash memory system

Номер патента: US12086474B2. Автор: Shih Chou Juan,Min Zhi Ji. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Method and device for changing content of memory devices of control blocks

Номер патента: RU2248627C2. Автор: Мартин ХУРИХ,Геральд ХОЛЬЦАПФЕЛЬ. Владелец: Роберт Бош Гмбх. Дата публикации: 2005-03-20.

Flash memory data read/write processing method

Номер патента: WO2008145070A1. Автор: HE Huang. Владелец: Memoright Memoritech (Shenzhen) Co., Ltd. Дата публикации: 2008-12-04.

Method of writing data in memory device, method of reading data from memory device and method of operating memory device including the same

Номер патента: US20210181984A1. Автор: Youngsun Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-17.

Storage device including nonvolatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US11775203B2. Автор: Jinyoung Kim,Dongmin Shin,Sehwan Park,Youngdeok SEO,Woohyun Kang,Shinho Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Method and apparatus for staggered start-up of a predefined, random or dynamic number of flash memory devices

Номер патента: US9036423B2. Автор: Kenneth Alan Okin,Gregory Charles Yancey,Bradley Edman SUNDAHL,Sean Michael O'Mullan. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-05-19.

Method and apparatus for staggered start-up of a predefined, random, or dynamic number of flash memory devices

Номер патента: US09928919B1. Автор: Kenneth Alan Okin,Gregory Charles Yancey,Bradley Edman SUNDAHL,Sean Michael O'Mullan. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Data storage device and flash memory control method thereof

Номер патента: US20140078825A1. Автор: Chang-Kai Cheng. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2014-03-20.

Semiconductor device having electrically floating body transistor, semiconductor device having both volatile and non-volatile functionality and method of operating

Номер патента: US09747983B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Memory cell including multi-level sensing

Номер патента: US20190043570A1. Автор: Bruce Querbach,Christopher CONNOR. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Semiconductor device having electrically floating body transistor, semiconductor device having both volatile and non-volatile functionality and method of operating

Номер патента: US11887666B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Semiconductor Device Having Electrically Floating Body Transistor, Semiconductor Device Having Both Volatile and Non-Volatile Functionality and Method of Operating

Номер патента: US20240127889A1. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Systems and methods of pipelined output latching involving synchronous memory arrays

Номер патента: US20180218761A1. Автор: Yoshinori Sato,Lee-Lean Shu. Владелец: GSI Technology Inc. Дата публикации: 2018-08-02.

Systems and methods of pipelined output latching involving synchronous memory arrays

Номер патента: US20160343415A1. Автор: Yoshinori Sato,Lee-Lean Shu. Владелец: GSI Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-24.

Systems and methods of pipelined output latching involving synchronous memory arrays

Номер патента: US20170125074A1. Автор: Yoshinori Sato,Lee-Lean Shu. Владелец: GSI Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-04.

Systems and methods of pipelined output latching involving synchronous memory arrays

Номер патента: US20140286083A1. Автор: Yoshinori Sato,Lee-Lean Shu. Владелец: GSI Technology Inc. Дата публикации: 2014-09-25.

Systems and methods of pipelined output latching involving synchronous memory arrays

Номер патента: US09966118B2. Автор: Yoshinori Sato,Lee-Lean Shu. Владелец: GSI Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Systems and methods of pipelined output latching involving synchronous memory arrays

Номер патента: US09847111B2. Автор: Yoshinori Sato,Lee-Lean Shu. Владелец: GSI Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Memory device including semiconductor

Номер патента: US20230298659A1. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada,Masakazu Kakumu. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory cell including multi-level sensing

Номер патента: US20190043570A1. Автор: Bruce Querbach,Christopher CONNOR. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Memory cell including multi-level sensing

Номер патента: EP3537442B1. Автор: Bruce Querbach,Christopher CONNOR. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-06-15.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230320065A1. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada,Masakazu Kakumu. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Memory device, storage module, host and operating methods for performing a refresh operation based on temperature information

Номер патента: US11940932B2. Автор: Chang Ho Yun,Seung-Hun Lee,Doo Hwan Oh,Kyung-Hee Han,Jin Hun Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-26.

Memory device, storage module, host and operating methods for performing a refresh operation based on temperature information

Номер патента: US20240193103A1. Автор: Chang Ho Yun,Seung-Hun Lee,Doo Hwan Oh,Kyung-Hee Han,Jin Hu Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Memory device tester and method for testing reduced power states

Номер патента: US20020190708A1. Автор: Matthew Harrington,Van Huynh,Adin Hyslop. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-12-19.

Memory device tester and method for testing reduced power states

Номер патента: US20020149982A1. Автор: Matthew Harrington,Van Huynh,Adin Hyslop. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-10-17.

Memory device tester and method for testing reduced power states

Номер патента: US20020149981A1. Автор: Matthew Harrington,Van Huynh,Adin Hyslop. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-10-17.

Memory device tester and method for testing reduced power states

Номер патента: US6914843B2. Автор: Adin E. Hyslop,Matthew R. Harrington,Van C. Huynh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-07-05.

Memory device tester and method for testing reduced power states

Номер патента: US6674677B2. Автор: Adin E. Hyslop,Matthew R. Harrington,Van C. Huynh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-01-06.

Method of and apparatus for improved dynamic random access memory (dram) providing increased data bandwidth and addressing range for current dram devices and/or equivalent bandwidth and addressing range for smaller dram devices

Номер патента: CA2159953A1. Автор: Mukesh Chatter. Владелец: Individual. Дата публикации: 1996-04-08.

Sensing techniques for multi-level cells

Номер патента: US10535397B1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-14.

Semiconductor memory device

Номер патента: US5828619A. Автор: Masaya Okada,Hiroshige Hirano. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1998-10-27.

Method of detecting bit line bridge by selectively floating even-or odd-numbered bit lines of memory device

Номер патента: US20080062787A1. Автор: Ji-hyun Lee,Jung-Hwa Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-13.

MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY WITH FIELD COMPENSATING LAYER AND MULTI-LEVEL CELL

Номер патента: US20130286723A1. Автор: Zhou Yuchen,Ranjan Rajiv Yadav,Zhang Jing,Huai Yiming. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-31.

STT-MRAM device comprising multi-level cell and driving method thereof

Номер патента: KR101040163B1. Автор: 송윤흡. Владелец: 한양대학교 산학협력단. Дата публикации: 2011-06-09.

Sensing techniques for multi-level cells

Номер патента: CN110853687B. Автор: C·J·卡瓦姆拉,S·J·德尔纳. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-24.

Multi-level-cell trapping dram

Номер патента: US20080304318A1. Автор: Chao-I Wu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-11.

Multi-level-cell trapping DRAM

Номер патента: TW200849491A. Автор: Chao-I Wu. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-16.

OVER-VOLTAGE WRITE OPERATION OF TUNNEL MAGNET-RESISTANCE ("TMR") MEMORY DEVICE AND CORRECTING FAILURE BITS THEREFROM BY USING ON-THE-FLY BIT FAILURE DETECTION AND BIT REDUNDANCY REMAPPING TECHNIQUES

Номер патента: US20190121694A1. Автор: Louie Benjamin,BERGER Neal,EL-BARAJI Mourad,CRUDELE Lester. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-25.

Over-voltage write operation of tunnel magnet-resistance (“TMR”) memory device and correcting failure bits therefrom by using on-the-fly bit failure detection and bit redundancy remapping techniques

Номер патента: US10656994B2. Автор: Neal Berger,Benjamin Louie,Mourad El-Baraji,Lester CRUDELE. Владелец: Spin Memory Inc. Дата публикации: 2020-05-19.

Garbage collection strategy for memory system and method of executing such garbage collection

Номер патента: US20190310936A1. Автор: Andrei Konan,Igor NOVOGRAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-10.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US12093554B2. Автор: Hee Chan Shin,Young Ho AHN,Jae Gwang Lee,Gi Gyun Yoo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor memory device, controller, and operating method thereof

Номер патента: US20220262442A1. Автор: Un Sang Lee,Moon Sik SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-08-18.

Memory controller, method of operating, and apparatus including same

Номер патента: US09798656B2. Автор: Won Chul Lee,Moo Sung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Nand flash memory with reconfigurable neighbor assisted llr correction with downsampling and pipelining

Номер патента: US20200043557A1. Автор: Jun Feng,Fan Zhang,Yu Cai,Norton Chu. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-02-06.

Method and apparatus for storing data in a flash memory including single level memory cells and multi level memory cells

Номер патента: US8495320B1. Автор: Lau Nguyen,Joseph Sheredy. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2013-07-23.

Systems and methods of configuring a mode of operation in a solid-state memory

Номер патента: EP2943882A1. Автор: Robert L. Horn,Sebastien A. Jean. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2015-11-18.

Method for reducing effective raw bit error rate in multi-level cell NAND flash memory

Номер патента: US8935599B2. Автор: Siamack Nemazie,Anilkumar Mandapuram. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2015-01-13.

Memory device based on phase change memory for deep neural network and method for storing weight thereof

Номер патента: US20240161823A1. Автор: Joon-Sung Yang. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2024-05-16.

Method for Reducing Effective Raw Bit Error Rate in Multi-Level Cell NAND Flash Memory

Номер патента: US20140281825A1. Автор: Siamack Nemazie,Anilkumar Mandapuram. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

Runtime storage capacity reduction avoidance in sequentially-written memory devices

Номер патента: US12026372B2. Автор: Vijaya Janarthanam,Vinay Vijendra Kumar Lakshmi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Memory controller, storage device and operating method of memory controller

Номер патента: US20220083259A1. Автор: Young Jun Hwang,Hong Rak Son,Dong-Min Shin,Wi Jik Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-17.

Memory controller, storage device and operating method of memory controller

Номер патента: US20230266916A1. Автор: Young Jun Hwang,Hong Rak Son,Dong-Min Shin,Wi Jik Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-24.

Runtime storage capacity reduction avoidance in sequentially-written memory devices

Номер патента: US20240311004A1. Автор: Vijaya Janarthanam,Vinay Vijendra Kumar Lakshmi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Flash memory storage device for adjusting efficiency in accessing flash memory

Номер патента: US20090204746A1. Автор: Nei-Chiung Perng,Ju-Peng Chen. Владелец: Genesys Logic Inc. Дата публикации: 2009-08-13.

Memory devices and methods of forming the same

Номер патента: US20210358544A1. Автор: Yi Jiang,Juan Boon Tan,Kai Kang,Wanbing YI,Curtis Chun-I HSIEH,Wei-Hui HSU. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-11-18.

Memory devices and methods of forming the same

Номер патента: US11978510B2. Автор: Yi Jiang,Juan Boon Tan,Kai Kang,Wanbing YI,Curtis Chun-I HSIEH,Wei-Hui HSU. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-05-07.

Memory devices and methods of forming the same

Номер патента: US20210287741A1. Автор: Yi Jiang,Juan Boon Tan,Kai Kang,Wanbing YI,Curtis Chun-I HSIEH,Wei-Hui HSU. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-09-16.

Operating Method of Controller Controlling Nonvolatile Memory Device and Mapping Pattern Selecting Method of Selecting Mapping Pattern Mapping Polar Coded Code Word with Multi Bit Data of Nonvolatile Memory Device

Номер патента: US20130283128A1. Автор: Junjin Kong,Kijun Lee,Myungkyu Lee,Dong-Min Shin,Seung-Chan Lim,Kyeongcheol Yang. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2013-10-24.

Flash memory device having a multi-leveled cell and programming method thereof

Номер патента: KR100771521B1. Автор: 천원문,김선택,박찬익,최성업. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-10-30.

Semiconductor memory device, controller, and operating method thereof

Номер патента: US11810623B2. Автор: Un Sang Lee,Moon Sik SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Resistive random access memory devices

Номер патента: US11793004B2. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Desmond Jia Jun Loy. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Non-volatile memory device having multi level cell and method of forming the same

Номер патента: KR101911361B1. Автор: 오규환. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2019-01-04.

Enterprise data storage system using multi-level cell flash memory

Номер патента: US8239617B1. Автор: Thomas E. Linnell. Владелец: EMC Corp. Дата публикации: 2012-08-07.

Storage device based on a flash memory and user device including the same

Номер патента: KR101824949B1. Автор: 최현진,정다운,오상진. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2018-02-05.

Multi-level cell (mlc) non-volatile memory data reading method and apparatus

Номер патента: US20160012887A1. Автор: Ravi H. MOTWANI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-01-14.

Memory system, memory controller and operating method of memory system

Номер патента: US11960359B2. Автор: Geu Rim LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Non-volatile memory system storing data at single-level cell or multi-level cell based on the feature of data

Номер патента: KR100833188B1. Автор: 박찬익,이양섭,프라카스 탈라와. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-05-28.

Read-detection in multi-level cell memory

Номер патента: GB201307788D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-06-12.

Read cache management in multi-level cell (MLC) non-volatile memory

Номер патента: US09952981B2. Автор: Alex Radinski,Tsafrir Kamelo. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Structure and Method for a Forming Free Resistive Random Access Memory with Multi-Level Cell

Номер патента: US20130336041A1. Автор: Tsai Chun-Yang,Ting Yu-Wei,Huang Kuo-Ching. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2013-12-19.

MULTI-LEVEL CELL DATA LOAD OPTIMIZATION

Номер патента: US20200004446A1. Автор: Palmer David Aaron,Bueb Christopher,Reche Cory J.. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

APPROXIMATE MULTI-LEVEL CELL MEMORY OPERATIONS

Номер патента: US20150009736A1. Автор: Burger Douglas C.,Strauss Karin,Ceze Luis Henrique,Sampson Adrian. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-08.

MULTI-LEVEL CELL (MLC) NON-VOLATILE MEMORY DATA READING METHOD AND APPARATUS

Номер патента: US20160012887A1. Автор: MOTWANI RAVI H.. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-14.

SYSTEM AND METHOD FOR FOLDING PARTIAL BLOCKS INTO MULTI-LEVEL CELL MEMORY BLOCKS

Номер патента: US20160092129A1. Автор: Agarwal Dinesh,Jain Vimal Kumar,Sivasankaran Vijay,Sankule Sourabh. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-31.

APPROXIMATE MULTI-LEVEL CELL MEMORY OPERATIONS

Номер патента: US20140258593A1. Автор: Burger Douglas C.,Strauss Karin,Ceze Luis Henrique,Sampson Adrian. Владелец: MICROSOFT CORPORATION. Дата публикации: 2014-09-11.

DEVICE AND METHOD FOR STORING DATA IN A PLURALITY OF MULTI-LEVEL CELL MEMORY CHIPS

Номер патента: US20170192908A1. Автор: Mittelholzer Thomas,Papandreou Nikolaos,Pozidis Charalampos,Parnell Thomas,Stanisavljevic Milos,Blaettler Tobias. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-06.

MULTI-LEVEL CELL THRESHOLD VOLTAGE OPERATION OF ONE-SELECTOR-ONE-RESISTOR STRUCTURE INCLUDED IN A CROSSBAR ARRAY

Номер патента: US20210225441A1. Автор: CHIEN WEI-CHIH,LUNG HSIANG-LAN,MILLER Christopher P.,Gong Nanbo,BrightSky Matthew Joseph. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-22.

Method to vertically align multi-level cell

Номер патента: US20190215199A1. Автор: FENG Lin,Timothy M. Hollis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-07-11.

READ-DETECTION IN MULTI-LEVEL CELL MEMORY

Номер патента: US20140325296A1. Автор: Mittelholzer Thomas,Papandreou Nikolaos,Pozidis Charalampos. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-10-30.

DATA ENCODING ON SINGLE-LEVEL AND VARIABLE MULTI-LEVEL CELL STORAGE

Номер патента: US20160253238A1. Автор: Malvar Henrique S.,Strauss Karin,Guo Qing,Ceze Luis Henrique. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-01.

Local checkpointing using a multi-level cell

Номер патента: US20140351495A1. Автор: Parthasarathy Ranganathan,Doe Hyun Yoon,Robert Schreiber,Naveen Muralimanohar,Jichuan Chang,Paolo Faraboschi. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2014-11-27.

Multi level cell nonvolatile memory system

Номер патента: KR20140104829A. Автор: 정다운,전병희,마진희. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2014-08-29.

Non-volatile multi-level cell memory system and Method for performing adaptive data back-up in the system

Номер патента: KR102094334B1. Автор: 이재일. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2020-03-27.

Error correction for multi-level cell memory with overwrite capability

Номер патента: US7356755B2. Автор: Richard E. Fackenthal. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-04-08.

Versioned memories using a multi-level cell

Номер патента: EP2820548A1. Автор: Parthasarathy Ranganathan,Doe Hyun Yoon,Robert Schreiber,Naveen Muralimanohar,Jichuan Chang,Paolo Faraboschi. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2015-01-07.

Versioned memories using a multi-level cell

Номер патента: CN104081362A. Автор: 帕塔萨拉蒂·兰加纳坦,尹大贤,常继川,纳温·穆拉利马诺哈尔,罗伯特·施赖贝尔,保罗·法拉博斯基. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2014-10-01.

Non-volatile memory elements with a multi-level cell configuration

Номер патента: US11069743B1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Desmond Jia Jun Loy. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-07-20.

Multi-level cell (mlc) cross-point memory

Номер патента: EP3886103B1. Автор: Sanjay Rangan,Kiran Pangal. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-22.

Method and controller for performing a copy-back operation

Номер патента: TWI514403B. Автор: Gary Lin,Paul Lassa,Chaoyang Wang,Robert D Selinger. Владелец: SanDisk Technologies Inc. Дата публикации: 2015-12-21.

Portable electronic device capable of protecting specific block of flash memory chip

Номер патента: US20040264231A1. Автор: Chun-Chang Chen,Show-Nan Chung,Chin-Peng Tsai. Владелец: Tatung Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-30.

Memory system including on-die termination and method of controlling on-die termination thereof

Номер патента: US20190050352A1. Автор: Sung-Joon Kim,Changho YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-02-14.

Memory system including on-die termination and method of controlling on-die termination thereof

Номер патента: US10108563B2. Автор: Sung-Joon Kim,Changho YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-10-23.

Method and signal generator for controlling timing of signal in memory device

Номер патента: US11398261B2. Автор: Ming-Hung Chang,He-Zhou Wan,Xiu-Li Yang,Mu-Yang YE,Lu-Ping KONG. Владелец: TSMC Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-26.

Semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20040004890A1. Автор: Hiroki Fujisawa,Hideyuki Yokou. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2004-01-08.

Method and memory system for optimizing on-die termination settings of multi-ranks in a multi-rank memory device

Номер патента: US20210082479A1. Автор: Ki-Seok OH,Young-Soo Sohn,Jin-Hoon Jang,Kyung-Soo Ha,Seok-Hun Hyun,Yeon-Kyu Choi,Chang-kyo LEE,Dae-Sik Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor memory devices with open bitline architectures and methods of controlling the bitlines of such semiconductor memory devices

Номер патента: US20070047350A1. Автор: Ji-hoon Park,Chang-Yeong Jeong,Sung-Wan Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-01.

Flash memory devices including dram

Номер патента: US20230377626A1. Автор: Walter Di Francesco,Chang SIAU,Luca Nubile,Yankang He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Multi-site testing of computer memory devices and serial io ports

Номер патента: US20140026006A1. Автор: Chinsong Sul. Владелец: Silicon Image Inc. Дата публикации: 2014-01-23.

Dynamic semiconductor memory device and method of controlling refresh thereof

Номер патента: US20030112690A1. Автор: Shyuichi Tsukada. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2003-06-19.

Magnetic tunneling junction device, memory device including the same, and method of manufacturing the magnetic tunneling junction device

Номер патента: US20220285607A1. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-08.

Magnetic tunneling junction device, memory device including the same, and method of manufacturing the magnetic tunneling junction device

Номер патента: EP4053925A3. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-19.

Memory devices, systems, and methods of forming arrays of memory cells

Номер патента: US20180190717A1. Автор: Shigeru Sugioka. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

Magnetic tunneling junction device, memory device including the same, and method of manufacturing the magnetic tunneling junction device

Номер патента: EP4053925A2. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-07.

Method of performing internal processing operation of memory device

Номер патента: US12073871B2. Автор: Pavan Kumar Kasibhatla,Hak-soo Yu,Seong-il O. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller with making memory cell array generating errors.

Номер патента: US20240233849A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Flash memory device including deduplication, and related methods

Номер патента: US09841918B2. Автор: Jun Jin Kong,Avner Dor,Elona Erez. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Adaptive threshold for bad flash memory blocks

Номер патента: US12087382B2. Автор: John Roper,John Boyle,Matthew D. Fleming,Eric Mueller,Nenad Miladinovic,Hari Kannan,Eric Michael Verwillow. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for extending period of data retention of flash memory device and device for the same

Номер патента: US09904479B1. Автор: Ming-Sheng Chen,Ting-Chiang Liu,Liang-Tsung Wang. Владелец: Innodisk Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Methods and devices for regulating the timing of control signals in integrated circuit memory devices

Номер патента: US20070280033A1. Автор: Chi-wook Kim,Tai-Young Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-12-06.

Systems and methods for improved access to flash memory devices

Номер патента: US09772777B2. Автор: Michael A. Koets,Larry T. McDANIEL, III,Miles R. DARNELL. Владелец: Southwest Research Institute SwRI. Дата публикации: 2017-09-26.

Data arrangement method of flash memory, flash memory storage device and flash memory control circuit unit

Номер патента: US20210294737A1. Автор: Yan Zheng,ZHI Wang,Xiaoyang Zhang,Kai-Di Zhu. Владелец: Hefei Core Storage Electronic Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Storage system including a plurality of flash memory devices

Номер патента: US20140095776A1. Автор: Kazuhisa Fujimoto,Shuji Nakamura,Akira Fujibayashi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2014-04-03.

Redundancy circuit and method for flash memory devices

Номер патента: US20030026129A1. Автор: Luca Fasoli,Stella Matarrese. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2003-02-06.

Flash memory controller and method capable of transmitting multiple set-feature signals and macro settings to flash memory device

Номер патента: US20240004581A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

3D NAND flash memory devices, and related electronic systems

Номер патента: US12096626B2. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Flash memory controller and method capable of using one set-feature signal as a macro execution signal to execute multiple set-feature operations for flash memory device

Номер патента: US12073085B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US09935116B2. Автор: Masaru Yano,Pin-Yao Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US09768184B2. Автор: Masaru Yano,Pin-Yao Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Flash memory array, and write method and erasure method therefor

Номер патента: EP4394771A1. Автор: Jiayong JIANG,Zhendong SHI. Владелец: Beijing Panxin Microelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Circuit and method of controlling input/output sense amplifier of a semiconductor memory device

Номер патента: US20080008011A1. Автор: Jong-Hyoung Lim,Jang-Won Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-10.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240363555A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Flash memory device and memory system including the same

Номер патента: US20120166714A1. Автор: Kui-Yon Mun,Jongkeun Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-06-28.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12068263B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Flash memory device with improved management of protection information

Номер патента: US20070016735A1. Автор: Mauro Sali,Francesco Mastroianni,Antonino Mondello,Massimiliano Mollichelli,Elena Cussotto. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2007-01-18.

Semiconductor memory device and operation method

Номер патента: US20220413748A1. Автор: Makoto Senoo,Katsutoshi Suito. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Method and system for rebalancing data stored in flash memory devices

Номер патента: US9442670B2. Автор: Warren Fritz Kruger. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-13.

Wear management for flash memory devices

Номер патента: CA2941172C. Автор: Michael Stephen Rothberg. Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2019-03-12.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US20230079939A1. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US20200319953A1. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-08.

Pad arrangement in semiconductor memory device and method of driving semiconductor device

Номер патента: US20040256641A1. Автор: Jung-Bae Lee,Mee-Hyun Ahn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-23.

Device and method for detecting controller signal errors in flash memory

Номер патента: US09852811B2. Автор: Ken Hui Chen,Kuen Long Chang,Su Chueh Lo,Chia-Feng Cheng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Memory device with adaptive voltage scaling based on error information

Номер патента: US09786356B2. Автор: Jonathan Liu,Zhongze Wang,Choh fei Yeap,Niladri Narayan MOJUMDER. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Three dimensional memory and methods of forming the same

Номер патента: US09780115B2. Автор: John K. Zahurak,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Error correction based on thermal profile of flash memory device

Номер патента: US09760437B2. Автор: Diyanesh B. Chinnakkonda Vidyapoornachary,Gary A. Tressler,Vijay Anand Mathiyalagan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Redundant dual bank architecture for a simultaneous operation flash memory

Номер патента: WO2001029668A1. Автор: Yasushi Kasa,Guowei Wang. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2001-04-26.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: EP4332972A1. Автор: Kui-Yon Mun,JooYoung HWANG,Seunghyun Choi,Gyeongmin Kim,Junyeong HAN,Keunsan Park,HeeTak Shin,Joon-Whan BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-06.

Three-dimensional memory device structures and methods

Номер патента: US12052874B2. Автор: Chung-Liang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Storage device, method of operating the same, and method of providing a plurality of performance tables

Номер патента: US11681599B2. Автор: Heechul LEE,Youngrok Oh,Heeyoub KANG,Kitaek LEE,Haejung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-20.

Integrated circuit memory devices with per-bit redundancy and methods of operation thereof

Номер патента: US20020110029A1. Автор: Jae-Goo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-08-15.

Semiconductor storage device and method of controlling the same

Номер патента: US20230290390A1. Автор: Yoshikazu Harada,Shoichiro Hashimoto,Akio SUGAHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor storage device and method of controlling the same

Номер патента: US20240221799A1. Автор: Yoshikazu Harada,Shoichiro Hashimoto,Akio SUGAHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Memory system having a read and copy-back operation and method for the same

Номер патента: US09875035B2. Автор: Beom-Ju Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Single-level cell block storing data for migration to multiple multi-level cell blocks

Номер патента: US20240061597A1. Автор: Nathaniel WESSEL,Johnny Au LAM. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Single-level cell block storing data for migration to multiple multi-level cell blocks

Номер патента: US11995328B2. Автор: Nathaniel WESSEL,Johnny Au LAM. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Multi-level cell solid state device and method for transferring data between a host and the multi-level cell solid state device

Номер патента: US10372342B2. Автор: Matthew Davidson,Mrinal Kochar,Gautam Ashok Dusija. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2019-08-06.

Multi-level cell (mlc) dual personality extended fiber optic flash memory device

Номер патента: US20080320207A1. Автор: Charles C. Lee,David Nguyen,I-Kang Yu,Ming-Shiang Shen,Abraham Ma. Владелец: Super Talent Electronics Inc. Дата публикации: 2008-12-25.

Method of optimizing servo controller power in two-dimensional flexure mems storage devices

Номер патента: EP1987404A2. Автор: Sri M. Sri-Jayantha,Hien P. Dang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-11-05.

Method of optimizing servo controller power in two-dimensional flexure mems storage devices

Номер патента: WO2007092327A3. Автор: Sri M Sri-Jayantha,Hien P Dang. Владелец: Hien P Dang. Дата публикации: 2008-04-24.

Method of optimizing servo controller power in two-dimensional flexutre mems storage devices

Номер патента: US20090015187A1. Автор: Sri M. Sri-Jayantha,Hien P. Dang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-01-15.

Method of optimizing servo controller power in two-dimensional flexure mems storage devices

Номер патента: WO2007092327A2. Автор: Sri M. Sri-Jayantha,Hien P. Dang. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2007-08-16.

Method of optimizing servo controller power in two-dimensional flexure mems storage devices

Номер патента: US20070176572A1. Автор: Sri Sri-Jayantha,Hien Dang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-08-02.

Flash-based storage device and copy-back operation method thereof

Номер патента: US20230350797A1. Автор: Jiho Kim,Myoungsoo Jung,JohnDongjun KIM. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-11-02.

Auxiliary parity bits for data written in multi-level cells

Номер патента: EP2513795A1. Автор: Idan Alrod,Eran Sharon. Владелец: Sandisk IL Ltd. Дата публикации: 2012-10-24.

Method of driving a flash device and a number of loads powered by a battery and handheld electronic device including the same

Номер патента: US8421357B2. Автор: Ryan Alexander Geris. Владелец: Research in Motion Ltd. Дата публикации: 2013-04-16.

Method of driving a flash device and a number of loads powered by a battery and handheld electronic device including the same

Номер патента: US8084946B2. Автор: Ryan A. Geris. Владелец: Research in Motion Ltd. Дата публикации: 2011-12-27.

Method of driving a flash device and a number of loads powered by a battery and handheld electronic device including the same

Номер патента: CA2691328C. Автор: Ryan Alexander Geris. Владелец: Research in Motion Ltd. Дата публикации: 2013-04-02.

Storage control device, storage system and method of controlling a storage device

Номер патента: US20170263284A1. Автор: Takeshi Watanabe,Chikashi Maeda,Kazuhiro URATA,Yukari Tsuchiyama,Guangyu ZHOU. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-09-14.

Method and apparatus for configuring multi-level cells or cell clusters and communications system

Номер патента: EP3520457A1. Автор: Yang Yang,Richard MACKENZIE,Mo HAO. Владелец: British Telecommunications plc. Дата публикации: 2019-08-07.

Operation method of a controller

Номер патента: US20200363968A1. Автор: Ki-Sung Kim,Yong-Sang Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-11-19.

Mobile device and method of controlling therefor

Номер патента: WO2015016430A1. Автор: Jihwan Kim,Eunhyung Cho,Jongho Kim,Sinae Chun. Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2015-02-05.

System of data transfer, device of transfer, method of transfer, device of reception and method of reception

Номер патента: RU2479147C2. Автор: Тосихиде ХАЯСИ,Масаюки ЦУМУРА,Коки ЦУМОРИ,Кацухиро СИМИЦУ,Бан КАВАМУРА. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2013-04-10.

Method of planning a conveyor arrangement

Номер патента: WO2024149872A1. Автор: Christian Ripperda. Владелец: INTERROLL HOLDING AG. Дата публикации: 2024-07-18.

Support-lifting device and method of its operation control

Номер патента: RU2729922C2. Автор: Джейсон КЕРЕСТЕС. Владелец: Зе Боинг Компани. Дата публикации: 2020-08-13.

Methods of and systems for controlling access to networked devices provided with machine-readable codes scanned by mobile phones and computing devices

Номер патента: WO2022035912A2. Автор: Mark Christopher Schmidt,Wesley Edward SWOGGER,Thomas Dwayne Taylor,Michael BUCHOFF. Владелец: Safemark Systems, L.P.. Дата публикации: 2022-02-17.

Methods of and systems for controlling access to networked devices provided with machine-readable codes scanned by mobile phones and computing devices

Номер патента: US11995943B2. Автор: Mark Christopher Schmidt,Wesley Edward SWOGGER,Thomas Dwayne Taylor,Michael BUCHOFF. Владелец: ScooterBug Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Substrate for flat panel display device, method of manufacturing the same, flat panel display device using substrate and method of manufacturing flat panel display device

Номер патента: WO2007132979A1. Автор: Jong-Uk Bu,Dong-Chun Kim. Владелец: Senplus Inc.. Дата публикации: 2007-11-22.

Storage controller providing status information of zone region, method of operating the same, and method of operating electronic device having the same

Номер патента: US20240319918A1. Автор: Minkyeong Lee,Donghee Lee,Junho Kim,Jaesub KIM,Yangwoo Roh,Youkun Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of halftoning for asymmetric print resolutions and a printer

Номер патента: US20130188225A1. Автор: Paul Kuiper. Владелец: Oce Technologies BV. Дата публикации: 2013-07-25.

Information processing apparatus and method of operating neural network computing device therein

Номер патента: US20200327390A1. Автор: Joo Hyun Lee,Mi Young Lee. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2020-10-15.

Method of processing audio or video data, device, and storage medium

Номер патента: US20220124420A1. Автор: Mingyue Zhang. Владелец: Beijing Baidu Netcom Science And Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Method of active flash management, and associated memory device and controller thereof

Номер патента: US20110138108A1. Автор: Xiangrong Li. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2011-06-09.

Systems and methods of delivering anonymized targeted advertisements while providing multi-level compensation to users

Номер патента: US20240185301A1. Автор: Glenn D. Oliver. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-06-06.

Method of producing electrochromic composition capable of diversifying colors

Номер патента: US20210403730A1. Автор: Young Chan Kim,Tae Ho Jeong,Byung Hong Lee. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2021-12-30.

Micromachined device for receiving and retaining at least one liquid droplet, method of making the device and method of using the device

Номер патента: EP1353751A2. Автор: Robert W. Hower,Richard B. Brown. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2003-10-22.

Method of producing electrochromic composition capable of diversifying colors

Номер патента: US12071564B2. Автор: Young Chan Kim,Tae Ho Jeong,Byung Hong Lee. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Method of calculating rank for importance of data and apparatus for performing the same

Номер патента: US20230133094A1. Автор: Taehyoung SHIM. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2023-05-04.

Nor Flash Memory Controller

Номер патента: US20120151259A1. Автор: Peng Zhan. Владелец: Mediatek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2012-06-14.

Controller and memory system controlling garbage collection operation at power-on, and method of operating the controller and memory system

Номер патента: US20240160564A1. Автор: Wan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Method of controlling virtual content, terminal device and computer readable medium

Номер патента: US20200126267A1. Автор: Jie He,Yiqun WU,Jingwen Dai,Yongtao Hu. Владелец: Guangdong Virtual Reality Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Method of generating search trees and navigation device

Номер патента: US09904742B2. Автор: Carsten-Christian Spindler,Stefan Baptist,Marcus Heitmann,Jeurgen Welscher. Владелец: Harman Becker Automotive Systems GmbH. Дата публикации: 2018-02-27.

FLASH MEMORY DEVICE WITH MULTI-LEVEL CELLS AND METHOD OF WRITING DATA THEREIN

Номер патента: US20130173857A1. Автор: Cheon Won-Moon,Kim Seon-Taek,Park Chan-Ik,Choi Sung-up. Владелец: . Дата публикации: 2013-07-04.

FLASH MEMORY DEVICE WITH MULTI-LEVEL CELLS AND METHOD OF WRITING DATA THEREIN

Номер патента: US20140379970A1. Автор: Cheon Won-Moon,Kim Seon-Taek,Park Chan-Ik,Choi Sung-up. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-25.

FLASH MEMORY DEVICE WITH MULTI-LEVEL CELLS AND METHOD OF WRITING DATA THEREIN

Номер патента: US20150370491A1. Автор: Cheon Won-Moon,Kim Seon-Taek,Park Chan-Ik,Choi Sung-up. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-24.

Method of installing a plug and play device driver

Номер патента: US7117589B2. Автор: Wen-Hwa Chou,Yun-Kuo Lee. Владелец: Prolific Technology Inc. Дата публикации: 2006-10-10.

Method of operating an rfid reader in an rfid system

Номер патента: WO2011093937A3. Автор: Matthew R. LaFontaine,Court H. Sailor. Владелец: Solstice Medical, Inc.. Дата публикации: 2011-09-22.

Image forming device capable of controlling scanning unit and method to control scanning unit thereof

Номер патента: EP1898285A3. Автор: Hyoung-Il Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-11-09.

Device for protection against sparkage and the method of its work

Номер патента: RU2660285C1. Автор: Алексей Николаевич Немцов,Александр Сергеевич Мкртумов,Федор Николаевич Немцов. Владелец: Федор Николаевич Немцов. Дата публикации: 2018-07-05.

MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY JOURNAL FOR MULTI-LEVEL CELL FLASH MEMORY

Номер патента: US20140122779A1. Автор: Smith Trevor,Kamath Ashwin. Владелец: Mangstor, Inc.. Дата публикации: 2014-05-01.

Method of determining armored object inner volumes

Номер патента: RU2695432C1. Автор: Александр Александрович Котровский. Владелец: Александр Александрович Котровский. Дата публикации: 2019-07-23.

Device and method for determining information for at least partially improving operation of a spinning mill

Номер патента: US20240310829A1. Автор: Nitin T. Patil. Владелец: Maschinenfabrik Rieter AG. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of cutting areas removal

Номер патента: RU2663280C1. Автор: Владимир Иванович Мелехов,Татьяна Витальевна Тюрикова,Екатерина Владимировна Сазанова,Валентин Васильевич Корнейчук,Оксана Валентиновна Скуднева,Сергей Иванович Чумаченко,Владимир Константинович Вороницын. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Северный (Арктический) федеральный университет имени М.В. Ломоносова". Дата публикации: 2018-08-03.

Improved memory device performance based on storage traffic pattern detection

Номер патента: WO2022020315A1. Автор: Dionisio Minopoli,Luca Porzio,Nicola Colella. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-01-27.

Multi level cell memory device and data store method of the memory device

Номер патента: KR101261052B1. Автор: 신동환. Владелец: 주식회사 팬택앤큐리텔. Дата публикации: 2013-05-06.

Method of generating summary based on main speaker

Номер патента: US20230419968A1. Автор: Seungho Kwak,Seongmin Park. Владелец: Actionpower Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Electronic devices including transfer layer, methods of manufacturing the electronic devices, and electronic apparatuses including the electronic devices

Номер патента: US20230266627A1. Автор: Young Kim,Hoon Song,HongSuk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-24.

Thin film transistor substrate including multi-level transparent electrodes having slits

Номер патента: US11899319B2. Автор: Do-Yeon Kim,Jong-Hyun Kim,Byung-Sam Min. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Runtime storage capacity reduction avoidance in sequentially-written memory devices

Номер патента: US20240143170A1. Автор: Vijaya Janarthanam,Vinay Vijendra Kumar Lakshmi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Nor flash memory controller

Номер патента: WO2012079216A1. Автор: Peng Zhan. Владелец: MEDIATEK SINGAPORE PTE. LTD.. Дата публикации: 2012-06-21.

Multi-Level Cell Flash Memory Control Mechanisms

Номер патента: US20160041760A1. Автор: Nam Gi-Joon,Tressler Gary A.,Kuang Jente B.,Mukundan Janani. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-11.

Method for Reducing Effective Raw Bit Error Rate in Multi-Level Cell NAND Flash Memory

Номер патента: US20140281825A1. Автор: Nemazie Siamack,Mandapuram Anilkumar. Владелец: AVALANCHE TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-09-18.

MITIGATION OF WRITE ERRORS IN MULTI-LEVEL CELL FLASH MEMORY THROUGH ADAPTIVE ERROR CORRECTION CODE DECODING

Номер патента: US20150229337A1. Автор: LI Yue,Cohen Earl T.,Haratsch Erich F.,Djurdjevic Ivana,Alhussien AbdelHakim S.,CAI Yu. Владелец: LSI Corporation. Дата публикации: 2015-08-13.

Recycling Partially-Stale Flash Blocks Using a Sliding Window for Multi-Level-Cell (MLC) Flash Memory

Номер патента: US20070268754A1. Автор: Frank Yu,Charles Lee,Ming-Shiang Shen,Abraham Ma. Владелец: Super Talent Electronics Inc. Дата публикации: 2007-11-22.

Portable media playback device including user interface event passthrough to non-media-playback processing

Номер патента: US7729791B2. Автор: Jesse Boettcher. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2010-06-01.

Control of a display device included in a display grid

Номер патента: US12019939B1. Автор: Varun Gupta,Benjamin Weaver,Jesse Chor,Glen Wong,Tuba Rafi. Владелец: Splunk Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

STORAGE DEVICE BASED ON A FLASH MEMORY AND USER DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20130132650A1. Автор: Choi Hyun Jin,Jung Dawoon,Oh Sang-Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-05-23.

Operating method of portable device, operating method of content reproducing device, portable device, and content reproducing device

Номер патента: US10057632B2. Автор: Je-Hwan Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-08-21.

Data transmission method, non-transitory storage medium, data transmission device, lithography apparatus, and method of manufacturing product

Номер патента: US10394683B2. Автор: Mitsuhiro Masuda. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2019-08-27.

Data transmission method, non-transitory storage medium, data transmission device, lithography apparatus, and method of manufacturing product

Номер патента: US20170300399A1. Автор: Mitsuhiro Masuda. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-10-19.

Method of and electronic device for computing data for controlling operation of self driving car (sdc)

Номер патента: EP3842317B1. Автор: Sergey Dmitrievich FEDOROV. Владелец: Direct Cursus Technology LLC. Дата публикации: 2024-07-24.

NON-VOLATILE MULTI-LEVEL CELL MEMORY SYSTEM AND METHOD OF PERFORMING ADAPTIVE DATA BACK-UP IN THE SYSTEM

Номер патента: US20140281174A1. Автор: LEE JAE IL. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-09-18.

Electronic device and method for preventing deterioration due to operation of antenna module

Номер патента: EP4318981A1. Автор: Yeonwoo Kim,Kicheol Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-07.

Operation Method of Electronic Device

Номер патента: US20200082774A1. Автор: Yuki Okamoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-12.

Digital device and method of processing screensaver thereof

Номер патента: WO2015130098A1. Автор: Kyungho Lee,Kihoon Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2015-09-03.

Method of analyzing electrostatic discharge network using common resistance removal, system performing the same and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20240193339A1. Автор: Chanhee Jeon,Woojin SEO,Jordan Timothy Davis. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Method of driving a flash device and a number of loads powered by a battery and handheld electronic device including the same

Номер патента: US20100213842A1. Автор: Ryan A. Geris. Владелец: Research in Motion Ltd. Дата публикации: 2010-08-26.

Method of driving a flash device and a number of loads powered by a battery and handheld electronic device including the same

Номер патента: EP2224286A1. Автор: Ryan A. Geris. Владелец: Research in Motion Ltd. Дата публикации: 2010-09-01.

FABRICATING AND OPERATING A MEMORY ARRAY HAVING A MULTI-LEVEL CELL REGION AND A SINGLE-LEVEL CELL REGION

Номер патента: US20130097370A1. Автор: Ito Fumitoshi,SATO Shinji. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2013-04-18.

SINGLE-LEVEL CELL AND MULTI-LEVEL CELL HYBRID SOLID STATE DRIVE

Номер патента: US20130254458A1. Автор: Pittelko Michael H.. Владелец: . Дата публикации: 2013-09-26.

Tiered Caching Using Single Level Cell and Multi-Level Cell Flash Technology

Номер патента: US20140223072A1. Автор: Ish Mark,Shivashankaraiah Vinay Bangalore. Владелец: LSI Corporation. Дата публикации: 2014-08-07.

Multi-channel self-diagnosed computer system with reserve substitution and method of improving its fault-tolerance (versions)

Номер патента: RU2634189C1. Автор: Валентин Николаевич Русанов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова". Дата публикации: 2017-10-24.

Methods and apparatuses for predicting and using one or more resonance frequencies for efficient operation of an acoustofluidic cavity

Номер патента: US11841345B2. Автор: Thomas Laurell,Fabio Garofalo,Andreas Lenshof,Giulia Core,Valentina Vitali. Владелец: ACOUSORT AB. Дата публикации: 2023-12-12.

Methods and apparatuses for predicting and using one or more resonance frequencies for efficient operation of an acoustofluidic cavity

Номер патента: US20210262989A1. Автор: Thomas Laurell,Fabio Garofalo,Andreas Lenshof,Giulia Core,Valentina Vitali. Владелец: ACOUSORT AB. Дата публикации: 2021-08-26.

Methods and apparatuses for predicting and using one or more resonance frequencies for efficient operation of an acoustofluidic cavity

Номер патента: EP3841379A1. Автор: Thomas Laurell,Fabio Garofalo,Andreas Lenshof,Giulia Core,Valentina Vitali. Владелец: ACOUSORT AB. Дата публикации: 2021-06-30.

Methods and apparatuses for predicting and using one or more resonance frequencies for efficient operation of an acoustofluidic cavity

Номер патента: WO2020039102A1. Автор: Thomas Laurell,Fabio Garofalo,Andreas Lenshof,Giulia Core,Valentina Vitali. Владелец: ACOUSORT AB. Дата публикации: 2020-02-27.

Systems and methods for storing data in a multi-level cell solid state storage device

Номер патента: US20130151764A1. Автор: Todd Ray Strope. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2013-06-13.

METHOD FOR MODIFYING DATA MORE THAN ONCE IN A MULTI-LEVEL CELL MEMORY LOCATION WITHIN A MEMORY ARRAY

Номер патента: US20130311715A1. Автор: Abraham Michael M.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-11-21.

METHOD TO VERTICALLY ALIGN MULTI-LEVEL CELLS

Номер патента: US20190044765A1. Автор: Hollis Timothy M.,LIN Feng. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-07.

DEVICE AND METHOD FOR STORING DATA IN A PLURALITY OF MULTI-LEVEL CELL MEMORY CHIPS

Номер патента: US20160070506A1. Автор: Mittelholzer Thomas,Papandreou Nikolaos,Pozidis Charalampos,Parnell Thomas,Stanisavljevic Milos,Blaettler Tobias. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-10.

VERSIONED MEMORIES USING A MULTI-LEVEL CELL

Номер патента: US20150074456A1. Автор: Muralimanohar Naveen,Chang Jichuan,Ranganathan Parthasarathy,YOON Doe Hyun,Schreiber Robert,Faraboschi Paolo. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-12.

READ CACHE MANAGEMENT IN MULTI-LEVEL CELL (MLC) NON-VOLATILE MEMORY

Номер патента: US20160092372A1. Автор: Radinski Alex,Kamelo Tsafrir. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-31.

LOWER PAGE READ FOR MULTI-LEVEL CELL MEMORY

Номер патента: US20140173174A1. Автор: GUO XIN,WAKCHAURE Yogesh B.,Chao Iwen,Frickey Robert E.,Gaewsky Kristopher H.. Владелец: . Дата публикации: 2014-06-19.

MULTI-LEVEL CELL SOLID STATE DEVICE AND METHOD FOR STORING DATA TO PROVIDE CASCADED DATA PATH PERFORMANCE

Номер патента: US20190102083A1. Автор: Davidson Matthew,Kochar Mrinal,Dusija Gautam Ashok. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-04.

SELECTIVELY PROGRAMMING DATA IN MULTI-LEVEL CELL MEMORY

Номер патента: US20140229663A1. Автор: Yang Xueshi,Yoon Tony. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD.. Дата публикации: 2014-08-14.

READ-DETECTION IN MULTI-LEVEL CELL MEMORY

Номер патента: US20160179619A1. Автор: Mittelholzer Thomas,Papandreou Nikolaos,Pozidis Charalampos. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-23.

MULTI LEVEL CELL MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20140304459A1. Автор: Kim Moo-Sung,JUN Byung-Hei. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-10-09.

NON-VOLATILE MEMORY ARRAY WITH WRITE FAILURE PROTECTION FOR MULTI-LEVEL CELL (MLC) STORAGE ELEMENTS USING COUPLED WRITES

Номер патента: US20210303203A1. Автор: Bazarsky Alexander,ELIASH Tomer Tzvi. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-30.

Auxiliary parity bits for data written in multi-level cells

Номер патента: WO2011073710A1. Автор: Idan Alrod,Eran Sharon. Владелец: Sandisk IL Ltd. Дата публикации: 2011-06-23.

Access heatmap generation at a memory device

Номер патента: US20230393783A1. Автор: David Andrew Roberts,Nabeel Meeramohideen Mohamed,Steven Andrew Moyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Method of operating storage device using program suspension control and storage device performing the same

Номер патента: US20240176543A1. Автор: Youngil Kim,Jeongjae CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-30.

Method of operating storage device using program suspension control and storage device performing the same

Номер патента: EP4375839A1. Автор: Youngil Kim,Jeongjae CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-29.

Storage device initiated copy back operation

Номер патента: US20190065382A1. Автор: Gomathirajan Authoor Velayuthaperumal,Vijay Nanjunda Swamy. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2019-02-28.

METHOD OF INTEGRATING FRACTURE, PRODUCTION, AND RESERVOIR OPERATIONS INTO GEOMECHANICAL OPERATIONS OF A WELLSITE

Номер патента: US20180355707A1. Автор: Onda Hitoshi,PANKAJ Piyush,KAMAT Sumant,Rodriguez Herrera Adrian. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-13.

Protocol and system for performing line-fill addressing during copy-back operation

Номер патента: KR100218616B1. Автор: 부처 티모티,크리스토퍼 헤스터 더글러스,빅터 셀 존,엔 트란 캉. Владелец: 포만 제프리 엘. Дата публикации: 1999-09-01.

Vending machine having product level sensing switch and method of conversion of multi-column vending machines for conjoint operation of columns

Номер патента: CA967527A. Автор: James C. Lindsey. Владелец: CAVALIER CORP. Дата публикации: 1975-05-13.

Storage device initiated copy back operation

Номер патента: US10915448B2. Автор: Gomathirajan Authoor Velayuthaperumal,Vijay Nanjunda Swamy. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2021-02-09.

Apparatus for checking operation of carrier device and computer program

Номер патента: US20230227268A1. Автор: Toshiyuki Tachibana,Shin Asada. Владелец: Itoh Denki Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Apparatus for checking operation of carrier device and computer program

Номер патента: EP4169856A1. Автор: Toshiyuki Tachibana,Shin Asada. Владелец: Itoh Denki Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-26.

Method of integrating volatile and non-volatile memory cells on the same substrate and a semiconductor memory device thereof

Номер патента: US20020197792A1. Автор: Louis Hsu,Carl Radens,Li-Kong Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-12-26.

Method of forming a gate oxide film for a high voltage region of a flash memory device

Номер патента: US7235449B2. Автор: Eun Soo Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-06-26.

Method of forming a gate oxide film for a high voltage region of a flash memory device

Номер патента: US20060258106A1. Автор: Eun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-11-16.

Method of forming a gate oxide film for a high voltage region of a flash memory device

Номер патента: US20070210358A1. Автор: Eun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-09-13.

Delay locked loop circuit for a synchronous semiconductor memory device and a method of generating information about a load connected to a data pin of a synchronous semiconductor memory device

Номер патента: US20080219065A1. Автор: Jae-Jun Lee,Hoe-ju Chung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-11.

Method of puncture needle guidance on portal vein when performing operation of transjugular intrahepatic portosystemic shunting

Номер патента: RU2725053C1. Автор: Алексей Александрович Поликарпов,Дмитрий Анатольевич Гранов,Дмитрий Николаевич Майстренко,Андрей Викторович Моисеенко,Павел Гадельгараевич Таразов. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "РОССИЙСКИЙ НАУЧНЫЙ ЦЕНТР РАДИОЛОГИИ И ХИРУРГИЧЕСКИХ ТЕХНОЛОГИЙ ИМЕНИ АКАДЕМИКА А.М. ГРАНОВА" МИНИСТЕРСТВА ЗДРАВООХРАНЕНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ / ФГБУ "РНЦРХТ им. академика А.М. Гранова" Минздрава России. Дата публикации: 2020-06-29.

Methods of forming multi-level cell of semiconductor memory

Номер патента: US8187918B2. Автор: Dong-ho Ahn,Gyu-Hwan OH,Soon-Oh Park,Young-Lim Park,Hyeung-Geun An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-05-29.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller without making memory cell array generating errors

Номер патента: US20240232085A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller without making memory cell array generating errors

Номер патента: US20240231625A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller with making memory cell array generating errors

Номер патента: US20240231638A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Control method of flash memory controller and associated flash memory controller and electronic device

Номер патента: US20230289098A1. Автор: Chia-Chi Liang,Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Control method of flash memory controller and associated flash memory controller and storage device

Номер патента: US20240320142A1. Автор: Yen-Yu Jou,Kun-Cheng Lai. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Control method of flash memory controller and associated flash memory controller and storage device

Номер патента: US20240319897A1. Автор: Yen-Yu Jou,Kun-Cheng Lai. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Driving system and driving method of display panel

Номер патента: US12067926B2. Автор: BO XIAO. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Control method of flash memory controller and associated flash memory controller and storage device

Номер патента: US12135889B2. Автор: Ching-Hui Lin. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

Method for processing memory device

Номер патента: US20240338313A1. Автор: Chan Ho SOHN,Ting Lun OU,Kwang Soo MOON. Владелец: Essencore Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Method of classifying data by lifespan according to the number of times of moving data to improve performance and lifespan of flash memory-based ssd

Номер патента: US20240231634A1. Автор: Jae Ho Kim,Eun Jae Lee,Hyun Seung PARK,Sam Hyuk Noh. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Adaptive read recovery for NAND flash memory devices

Номер патента: US12107603B1. Автор: Nedeljko Varnica,Nirmal Shende. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Flash memory controller and method capable of sending data toggle set-feature signal to enable, disable, or configure data toggle operation of flash memory device

Номер патента: US20230266895A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Flash memory controller and method capable of sending data toggle set-feature signal to enable, disable, or configure data toggle operation of flash memory device

Номер патента: US11977752B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Method for processing data of flash memory by separating levels and flash memory device thereof

Номер патента: US20100180071A1. Автор: Tsung-Ming Chang,Chin-Tung Hsu. Владелец: Innostor Tech Corp. Дата публикации: 2010-07-15.

Method and apparatus for enforcing a flash memory caching policy

Номер патента: EP2342639A1. Автор: Menahem Lasser,Opher Lieber,Izhak Afriat. Владелец: Sandisk IL Ltd. Дата публикации: 2011-07-13.

Packed commands for communicating with flash memory system

Номер патента: US20240302965A1. Автор: Madhu Yashwanth Boenapalli,Surendra Paravada,Sai Praneeth Sreeram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Packed commands for communicating with flash memory system

Номер патента: WO2024186388A1. Автор: Madhu Yashwanth Boenapalli,Surendra Paravada,Sai Praneeth Sreeram. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-09-12.

Method of attenuation of light illumination effect, control system and control device

Номер патента: RU2695105C1. Автор: Владимир Эльич Пашковский. Владелец: Владимир Эльич Пашковский. Дата публикации: 2019-07-19.

Device and method of supplying combined medical solution

Номер патента: RU2514541C2. Автор: Ганс-Мартин ЛАУЭР,Матиас ВУФКА,Дорис РОЭТЛЕЙН,Себастьян ХЕРНИГ. Владелец: Б. Браун Мелзунген Аг. Дата публикации: 2014-04-27.

Storage device and operating method of controller

Номер патента: US20240126452A1. Автор: Tae Hoon Kim,Do Hyun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Integrated complex of engineering means of protection "post" and method of its operation

Номер патента: RU2647630C1. Автор: Александр Вячеславович Кожевников. Владелец: Александр Вячеславович Кожевников. Дата публикации: 2018-03-16.

Method of controlling access to multiple computer resources

Номер патента: RU2580468C9. Автор: Дмитрий Игоревич ГАЯЗОВ. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Э-Студио". Дата публикации: 2017-03-24.

Method and apparatus for caching address mapping information in flash memory based storage device

Номер патента: US20230289091A1. Автор: Yi-Kai Pai. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Data Managing Method for Flash Memory and Flash Memory Device Using the Same

Номер патента: US20100153623A1. Автор: Pang-Mei Lo. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2010-06-17.

Vertical three-dimensional stack NOR flash memory

Номер патента: US12114495B2. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Method, system, and apparatus for flash memory endurance management

Номер патента: WO2022139622A1. Автор: Petr Sergeevich KRINOV,Vitaliy KHARIN,Aleksandr TARASOV,Sergey ILISAVSKII. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-06-30.

Flash memory management system and method

Номер патента: WO2003102782A1. Автор: James Chow,Thomas K. Gender. Владелец: HONEYWELL INTERNATION INC.. Дата публикации: 2003-12-11.

Lens control device having lens position control function for bringing, method of controlling the same, and storage medium

Номер патента: US20110188129A1. Автор: Yusuke Kazami. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2011-08-04.

Memory device with compressed soft information and associated control method

Номер патента: US20240329845A1. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Flash memory device having a calibration mode

Номер патента: US12072817B2. Автор: Liji GOPALAKRISHNAN,Pravin Kumar Venkatesan,Kashinath Ullhas Prabhu,Makarand Ajit Shirasgaonkar. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-08-27.

Electronic device and method of its control

Номер патента: RU2641480C2. Автор: Янг-ик ДЗАНГ,Чанг-йонг КИМ,Дзонг-хиук ДЗАНГ,Дзеа-хее ХАН. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2018-01-17.

Recording system and method of controlling said recording system

Номер патента: RU2363977C2. Автор: Акитоси ЯМАДА,Такао АИТИ,Казуя САКАМОТО,Кентаро ЯНО,Фумихиро ГОТО. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2009-08-10.

Control method of flash memory controller and associated flash memory controller and electronic device

Номер патента: US11809748B2. Автор: Chia-Chi Liang,Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Flash memory controller, control method of flash memory controller and associated electronic device

Номер патента: US20200110543A1. Автор: Yu-Chih Lin,Chang-Wei SHEN,Guan-Yao HUANG. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-04-09.

Method of diagnosing failure location of control apparatus, diagnostic apparatus, control apparatus, lithography apparatus, article manufacturing method, and non-transitory computer-readable storage medium

Номер патента: US20230375942A1. Автор: Takumi Hashimoto,Tomoyasu Hata,Yasunobu Asakura,Hirokazu Kusayanagi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Flash memory management system and method

Номер патента: EP1509845A1. Автор: James Chow,Thomas K. Gender. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2005-03-02.

Electronic signal adapter module of flash memory card

Номер патента: US20030081388A1. Автор: Wen-Ji Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-01.

Predicting lifespan of flash memory based on actual usage profile

Номер патента: US20220276790A1. Автор: Wei Zhang,Yu Zhu,Edward A. Naddeo. Владелец: Continental Automotive Systems Inc. Дата публикации: 2022-09-01.

Mainboard device and update method of basic input-output system thereof

Номер патента: US20240143053A1. Автор: Keng Hao HSU,Che Min Liao. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Control method for flash memory controller and associated flash memory controller and memory device

Номер патента: US20220066687A1. Автор: Ching-Hui Lin. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Control method of memory device and associated flash memory controller

Номер патента: US20240329871A1. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of recording data to digital information drive on basis of nand type flash-memory

Номер патента: RU2636107C1. Автор: Сергей Александрович Образцов,Илья Игоревич Чукляев,Ксения Петровна Коршунова,Алексей Владимирович Воропаев,Евгений Игоревич Чукляев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Лаборатория информационно-измерительной и преобразовательной техники". Дата публикации: 2017-11-20.

Method of emulating eeprom-memory in flash-memory

Номер патента: RU2716899C1. Автор: Константин Анатольевич Черников,Антон Олегович Таршиков,Игорь Олегович Коваленко,Сергей Александрович Поскряков. Владелец: Акционерное общество "Актив-софт". Дата публикации: 2020-03-17.

File memory device and information processing apparatus using the same

Номер патента: US20010007119A1. Автор: Jun Kitahara,Kunihiro Katayama,Kenichi Kaki,Kazunori Furusawa,Tsunehiro Tobita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-05.

Computing devices and methods of allocating power to plurality of cores in each computing device

Номер патента: US20180246554A1. Автор: Dong-hoon Yoo,Bernhard Egger,Younghyun CHO,Su-Rim Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-08-30.

Distributed flash memory storage manager systems

Номер патента: US20100254173A1. Автор: Wei Zhou,Po-Chien Chang,Chee Hoe Chu. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2010-10-07.

Flash memory scheme capable of automatically generating or removing dummy data portion of full page data by using flash memory device

Номер патента: US12067240B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Device and method of collecting diagnostic data

Номер патента: RU2399946C2. Автор: Драган ФИЛИПОВИЧ. Владелец: КРАФТ ФУДЗ ГЛОБАЛ БРЭНДС ЭлЭлСи. Дата публикации: 2010-09-20.

Method and system for migrating data between flash memory devices

Номер патента: US9519577B2. Автор: Warren Fritz Kruger. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-13.

Information processing device, method of controlling information processing device and control program for said method and device

Номер патента: RU2469379C2. Автор: Хироси ОЗАКИ. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2012-12-10.

Driving system and driving method of display panel

Номер патента: US20240013701A1. Автор: BO XIAO. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Control method of flash memory controller and associated flash memory controller and storage device

Номер патента: US20230342055A1. Автор: Ching-Hui Lin. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Control method of flash memory controller and associated flash memory controller and storage device

Номер патента: US11809328B2. Автор: Ching-Hui Lin,Ken-Fu Hsu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Micro Controller Unit System Including Flash Memory and Method of Accessing the Flash Memory By the Micro Controller Unit

Номер патента: US20080195805A1. Автор: Kyoung Hwan Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-14.

Swap memory device providing data and data block, method of operating the same, and method of operating electronic device including the same

Номер патента: US20240152461A1. Автор: Jiwon Lee,Jeonghoon CHOI,Won Woo Ro,Hyoseong Choi. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2024-05-09.

Memory controller and method of operating the same

Номер патента: US20230305714A1. Автор: Jae Il LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

A layer, an electronic device, a method of controlling spin transport in the layer

Номер патента: US20230305190A1. Автор: Cesare Soci,Giorgio Adamo,Mustafa EGINLIGIL,Xinxing SUN,Harish N.S. KRISHNAMOORTHY,Nikolay I. Zheludev. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-09-28.

A layer, an electronic device, a method of controlling spin transport in the layer

Номер патента: WO2022039674A1. Автор: Cesare Soci,Giorgio Adamo,Mustafa EGINLIGIL,Xinxing SUN,Nikolay I. Zheludev,Harish N. S. KRISHNAMOORTHY. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-02-24.

Storage device, and operating method of memory controller

Номер патента: EP4432067A1. Автор: Hyunsub KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

Flash memory management

Номер патента: US09817754B2. Автор: Randal C. Swanberg,Madhusudanan Kandasamy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Flash memory management

Номер патента: US09817753B2. Автор: Randal C. Swanberg,Madhusudanan Kandasamy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Lighting control device, lighting system, and method of controlling lighting device

Номер патента: US09791133B2. Автор: Minoru Tanaka,Ryo Kawamura,Teruyuki Kimata,Satoshi Hyodo,Tatsuya SASAGO,Haruka MIYAGATA. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Mobile terminal and method of user interface provision when used

Номер патента: RU2420028C2. Автор: Чунгхун ЛИ,Мусунг КИМ,Юми СОНГ. Владелец: ЭлДжи ЭЛЕКТРОНИКС ИНК.. Дата публикации: 2011-05-27.

Method of bills control

Номер патента: RU2623189C1. Автор: Александр Вадимович Камышников. Владелец: Акционерное общество "Квантум Системс". Дата публикации: 2017-06-22.

Method and apparatus for enforcing a flash memory caching policy

Номер патента: WO2010049793A1. Автор: Menahem Lasser,Opher Lieber,Izhak Afriat. Владелец: SANDISK IL LTD.. Дата публикации: 2010-05-06.

Storage device and a method of operating the same

Номер патента: US20240220103A1. Автор: JinHyuk Lee,Dongeun Shin,Dohyeon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

System and method of controlling position of motor

Номер патента: US20230344371A1. Автор: Minkyu Kim,Sungjoon Park,Sungshin KWAK,Hongju MUN. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Security inspection apparatus and method of controlling the same

Номер патента: US12007523B2. Автор: Jian Wu,Yuanjing Li,Ziran Zhao,Xuming MA,Yan YOU. Владелец: Nuctech Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Printing system and method of controlling printing system

Номер патента: US20230384990A1. Автор: Kazushi Aruga. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Portable electronic device including physical keyboard and method of controlling selection of information

Номер патента: US20180210639A1. Автор: Neil Patrick Adams. Владелец: BlackBerry Ltd. Дата публикации: 2018-07-26.

Image forming apparatus, method of recommending replacement of rotatable member, method of cleaning rotatable member and method of controlling image formation

Номер патента: US20080008482A1. Автор: Tetsuo Yamada,Atsumi Kurita,Tohru Inoue,Aya Kakishima. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-10.

Computing systems having congestion monitors therein and methods of controlling operation of same

Номер патента: US20240281402A1. Автор: Younghyun Lee,Jin Jung,Kyungsoo Kim,Jinin SO,Yongsuk Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Methods Of Forming Memory Cells

Номер патента: US20110147826A1. Автор: Ronald A. Weimer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-06-23.

Resistive random access memory devices

Номер патента: US20210359203A1. Автор: Yi Jiang,Juan Boon Tan,Kai Kang,Wanbing YI,Curtis Chun-I HSIEH,Wei-Hui HSU. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-11-18.

Method of forming a submicron t-shaped gate

Номер патента: RU2724354C1. Автор: Евгений Викторович Ерофеев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники" (ТУСУР). Дата публикации: 2020-06-23.

Method of electric power supply for autonomous consumers by wind power devices

Номер патента: RU2742889C1. Автор: Юлий Борисович Соколовский. Владелец: Юлий Борисович Соколовский. Дата публикации: 2021-02-11.

Method of operating microelectronic package

Номер патента: US20220157800A1. Автор: Lin Ma,Alessandro Minzoni,Wenliang Chen. Владелец: AP Memory Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US8860003B2. Автор: Jae Min Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-14.

Preparation method of light-emitting device, light-emitting device and light-emitting apparatus

Номер патента: US20240276856A1. Автор: Tieshi WANG. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of forming a gate oxide film for a high voltage region of a flash memory device

Номер патента: TW200639941A. Автор: Eun-Soo Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-11-16.

Method of forming a gate oxide film for a high voltage region of a flash memory device

Номер патента: TWI300250B. Автор: Eun Soo Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-08-21.

Lower leg strengthening device and method of use thereof

Номер патента: US20230089120A1. Автор: Michael Sears. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-03-23.

A lower leg strengthening device and method of use thereof

Номер патента: AU2022231766A1. Автор: Michael Sears. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-04-06.

Method of transmitting and receiving user equipment management information in wireless communication system and electronic device for performing the method

Номер патента: US12120715B2. Автор: Jeonghun Kim,Jungmin Park,Huiwon Je. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device having an airbridge and method of fabricating the same

Номер патента: US09859205B2. Автор: Timothy J. Whetten,Wayne P. Richling. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20100133698A1. Автор: Naoto Kurosawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-06-03.

Organic light emitting diode display device and method of fabricating the same

Номер патента: US20150179718A1. Автор: Jae-Sung Lee,Eun-ah Kim,Joon-Suk Lee. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-25.

Exhaust purification device and method of calculating NH3 mass generated in lean NOx trap of exhaust purification device

Номер патента: US09771846B2. Автор: Jin Woo Park,Joschka Schaub,Jin Ha Lee,Thomas Wittka,Alexander VOVK. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2017-09-26.

Drying structure and method of laundry treatment device, laundry treatment device

Номер патента: US20200216999A1. Автор: Tao Li,Lijun Zhang,Yonghong Xu,Xueli ZHAO. Владелец: Qingdao Haier Washing Machine Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-09.

Method for operation of charge pressure regulator of engine (options)

Номер патента: RU2682300C2. Автор: Ян ВАН,Эрик ЛЬЮЭРСЕН. Владелец: ФОРД ГЛОУБАЛ ТЕКНОЛОДЖИЗ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2019-03-18.

Method of controlling cooling device

Номер патента: US20140238056A1. Автор: Eizo Takahashi,Yoshiaki Kawakami,Yuki JOJIMA,Kousuke Sato. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2014-08-28.

Memory device and semiconductor die having the memory device

Номер патента: US20240049477A1. Автор: Chien-Hsing Lee,Shao-Ming Yu,Tung-Ying Lee,Win-San Khwa,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Mobile device having function of controlling call connection in lock mode by using voice signal

Номер патента: US20160080569A1. Автор: Yong Won Lee. Владелец: ADESIGN. Дата публикации: 2016-03-17.

Device structure for increasing coupling ratio of body-tied fin structure flash memory cell

Номер патента: US11282968B2. Автор: Zhi Tian,Hua Shao,Haoyu Chen,Juanjuan Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-03-22.

Operating method of hydropneumatic unit and device for its implementation

Номер патента: RU2736555C1. Автор: Александр Павлович Болштянский,Виктор Евгеньевич Щерба,Евгений Юрьевич Носов,Андрей Владимирович Занин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Омский государственный технический университет" (ОмГТУ). Дата публикации: 2020-11-18.

Working material feed system and the method of operation of the working material feed system

Номер патента: RU2653266C2. Автор: Владимир Семенович Ковтун,Надежда Владимировна Ковтун,Денис Вячеславович Сысоев. Владелец: Публичное акционерное общество "Ракетно-космическая корпорация "Энергия" имени С.П. Королёва". Дата публикации: 2018-05-07.

Two-stroke piston internal combustion engine and method of operation thereof

Номер патента: RU2729562C1. Автор: Геннадий Витальевич Кореневский. Владелец: Геннадий Витальевич Кореневский. Дата публикации: 2020-08-07.

Method of producing hardeners of epoxy resins

Номер патента: RU2735284C1. Автор: Татьяна Валентиновна Лапицкая. Владелец: Акционерное общество "ЭНПЦ Эпитал". Дата публикации: 2020-10-29.

Electronic device including multi-level package substrate

Номер патента: CN115701655A. Автор: Y·唐,R·M·穆卢干. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-02-10.

Electronic devices including multi-level bit lines and related methods and systems

Номер патента: CN115692373A. Автор: R·J·希尔,福住嘉晃,L·P·海内克,H·N·贾殷,N·考希克,A·L·奥尔森. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-03.

Footwear including multi-level support member

Номер патента: US20240306764A1. Автор: Jean-Luc Diard. Владелец: Deckers Outdoor Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of generating non-induction toroidal seeding current during steady-state operation of thermonuclear reactor

Номер патента: RU2510678C1. Автор: Юрий Владимирович Готт,Эдуард Иванович Юрченко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт". Дата публикации: 2014-04-10.

Memory devices having an electrode with tapered sides

Номер патента: US11844292B2. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Desmond Jia Jun Loy. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-12-12.

Junction structure element and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230361193A1. Автор: Hyun Ho Yoo,Sung Joo Lee,Sung Pyo BAEK,Su Min JEON,Jingjie NIU. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-11-09.

Activating and deactivating a safe mode of operation of a wind turbine

Номер патента: EP4278086A1. Автор: Ryan A. Sievers,Martin Folmer Andersen,Samuel Hawkins. Владелец: Siemens Gamesa Renewable Energy AS. Дата публикации: 2023-11-22.

Activating and deactivating a safe mode of operation of a wind turbine

Номер патента: US20240318630A1. Автор: Ryan A. Sievers,Martin Folmer Andersen,Samuel Hawkins. Владелец: Siemens Gamesa Renewable Energy AS. Дата публикации: 2024-09-26.

Washing machine and control method of washing machine

Номер патента: US12049722B2. Автор: Han Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-07-30.

Electronic device having housing having matt surface and method of producing the same

Номер патента: US20220400569A1. Автор: Yoonhee Lee,Hangyu HWANG,Juncheol SHIN,Jungmin Yeo,Yucheol KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-15.

Apparatus and method for controlling the operations of controlled devices within a vehicle

Номер патента: US20220048496A1. Автор: Francesco Migneco,David Gallagher,Sajad Arabnejad,Samuel Hanlon. Владелец: Lear Corp. Дата публикации: 2022-02-17.

Memory devices and methods of making the same

Номер патента: US20230065317A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Desmond Jia Jun Loy. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-03-02.

Memory devices and method of forming the same

Номер патента: US11818969B2. Автор: Juan Boon Tan,Jianxun Sun,Tupei Chen. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-11-14.

Device structure for increasing coupling ratio of body-tied fin structure flash memory cell

Номер патента: US20210305423A1. Автор: Zhi Tian,Hua Shao,Haoyu Chen,Juanjuan Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Method of forming transistor using the step shallow trench isolation profile in a nand flash memory device

Номер патента: KR100729923B1. Автор: 허현. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-06-18.

Apparatus for automating high frequency heat treatment include multi-level

Номер патента: KR102323895B1. Автор: 박종규. Владелец: (주)대성종합열처리. Дата публикации: 2021-11-09.

Method of manufacturing semiconductor device, substrate processing apparatus, gas supply system, program, three-dimensional flash memory, dynamic random access memory, and semiconductor device

Номер патента: KR101822238B1. Автор: 유고 오리하시,아츠시 모리야,나오하루 나카이소,고타로 무라카미. Владелец: 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키. Дата публикации: 2018-01-25.

Organic light emitting display device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070247068A1. Автор: Jin Woo Park. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-25.

NON-VOLATILE MEMORY DEVICE HAVING MULTI-LEVEL CELLS AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20140326942A1. Автор: Oh Gyu-Hwan. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-06.

Semiconductor device including interlayer insulating film

Номер патента: US5132774A. Автор: Hideo Kotani,Shigeo Nagao,Atsuhiro Fujii,Masazumi Matsuura,Hideki Genjo. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1992-07-21.

Device for cleaning glass substrate and method of cleaning glass substrate

Номер патента: US11607714B2. Автор: WEI YANG. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-21.

Tension Adjustment Method of Warp Knitting Variable-speed and Uniform-tension Yarn Feeding Device, and Weaving Method

Номер патента: US20240158964A1. Автор: Fenglin XIA,Gaoming JIANG,Honglian CONG,Pibo MA,Luhong Li. Владелец: JIANGNAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-05-16.

Method of transmitting and receiving user equipment management information in wireless communication system and electronic device for performing the method

Номер патента: US20230284248A1. Автор: Jeonghun Kim,Jungmin Park,Huiwon Je. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-07.

Device for cleaning glass substrate and method of cleaning glass substrate

Номер патента: US20220168782A1. Автор: WEI YANG. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-02.

Method of transmitting and receiving user equipment management information in wireless communication system and electronic device for performing the method

Номер патента: US20200275449A1. Автор: Jeonghun Kim,Jungmin Park,Huiwon Je. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-27.

Method of releasably securing a stator, method of releasably securing a clamping device, method of adjusting a wedge angle, clamping device, and wedge device

Номер патента: US4574460A. Автор: Eugene C. Bair. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1986-03-11.

Multifunctional supramolecular hybrids encompassing hierarchical self-ordering of metal-organic framework nanoparticles and method of preparing same

Номер патента: EP3031846A1. Автор: Jin-Chong Tan,Abhijeet K. CHAUDHARI. Владелец: University of Oxford. Дата публикации: 2016-06-15.

Method of operating microelectronic package

Номер патента: US11887974B2. Автор: Lin Ma,Alessandro Minzoni,Wenliang Chen. Владелец: AP Memory Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Semiconductor Devices Including Backside Power Via and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20230387012A1. Автор: Tze-Liang Lee,Zhen-Cheng Wu,Chi On Chui,Po-Hsien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Method of high density memory fabrication

Номер патента: WO2011040953A1. Автор: Wai-Ming J. Kan,Adam Zhong,Tom Zhong,Chyu Jiuh Torng. Владелец: MAGIC TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2011-04-07.

Semiconductor devices and methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20200211839A1. Автор: Alessio Spessot,Shairfe Muhammad Salahuddin. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-07-02.

PIEZOELECTRIC VALVE MODULE, METHOD OF MANUFACTURE OF THE VALVE MODULE, METHOD OF OPERATION OF THE VALVE MODULE AND BREATHING AID DEVICE INCLUDING ONE OR MORE VALVE MODULES

Номер патента: IT201800003552A1. Автор: Domenico Giusti,Marco Oriana Rita Antonia Di,Igor Varisco. Владелец: St Microelectronics Srl. Дата публикации: 2019-09-14.

Method of forming poly-si pattern, diode having poly-si pattern, multi-layer cross point resistive memory device having poly-si pattern, and method of manufacturing the diode and the memory device

Номер патента: US20080026547A1. Автор: WENXU Xianyu,Huaxiang Yin,Young-soo Park,Hans S. Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-31.

Method of forming poly-si pattern, diode having poly-si pattern, multi-layer cross point resistive memory device having poly-si pattern, and method of manufacturing the diode and the memory device

Номер патента: CN101114585A. Автор: 殷华湘,朴永洙,鲜于文旭,赵世泳. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-30.

Device for enhancing operation of a game controller and method of using the same

Номер патента: WO2010135287A2. Автор: David Kotkin. Владелец: Icontrol Enterprises, Llc. Дата публикации: 2010-11-25.

Method of controlling shift action in up-shift mode operation of automatic transmission for vehicles

Номер патента: US6714850B2. Автор: Byeong-Wook Jeon. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2004-03-30.

METHOD AND APPARATUS FOR CONFIGURING MULTI-LEVEL CELLS OR CELL CLUSTERS AND COMMUNICATIONS SYSTEMS

Номер патента: US20190246284A1. Автор: Yang Yang,MACKENZIE Richard,HAO Mo. Владелец: BRITISH TELECOMMUNICATIONS PUBLIC LIMITED COMPANY. Дата публикации: 2019-08-08.

Method of operation of a detonation rocket engine

Номер патента: RU2742319C1. Автор: Леонид Самойлович Яновский,Сергей Михайлович Фролов,Алексей Витальевич Байков. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный институт авиационного моторостроения имени П.И. Баранова". Дата публикации: 2021-02-04.

Device for treatment of crude oil emulsion and method of operating said device

Номер патента: RU2594740C2. Автор: Фатиха АКРОУР. Владелец: Акер Просесс Системз Ас. Дата публикации: 2016-08-20.

Method of forming mixed-phase compressive tantalum thin films using nitrogen residual gas, thin films and fluid ejection devices including same

Номер патента: US6926390B2. Автор: Arjang Fartash. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2005-08-09.

Handover in a mobile communication system with multipleHandover in a mobile communication system with multi-level cell coverage in cell coverage

Номер патента: FI961668A0. Автор: Oscar Salonaho. Владелец: Nokia Telecommunications Oy. Дата публикации: 1996-04-16.

Multi-level home network pricing for cell networks Home multi-level cell network pricing mobile phones mobile phones

Номер патента: FI952965A0. Автор: Mobile Phones Ltd Nokia. Владелец: Mobile Phones Ltd Nokia. Дата публикации: 1995-06-15.

Steel plant with multiple co-rolling lines and corresponding method of production

Номер патента: RU2676113C2. Автор: Джанпьетро БЕНЕДЕТТИ,Альфредо ПОЛОНИ,Джузеппе БОРДИНЬОН,Фабрицио МУЛИНАРИС. Владелец: Даньели И К. Оффичине Мекканике Спа. Дата публикации: 2018-12-26.

Control methods of material migration in form of particles in underground formation

Номер патента: RU2425966C2. Автор: Филип Д. НГУЙЕН,Томас Д. ВЕЛТОН,Мэттью Е. БЛОЧ. Владелец: ХЭЛЛИБЕРТОН ЭНЕРДЖИ СЕРВИСИЗ, ИНК.. Дата публикации: 2011-08-10.

Method of leveling buildings and structures

Номер патента: RU2603783C1. Автор: Игорь Яковлевич Харченко,Алексей Игоревич Харченко,Валерий Евсеевич Меркин,Александр Алексеевич Пискунов,Владимир Алексеевич Беляков,Константин Николаевич Матвеев,Алексей Николаевич Симутин. Владелец: Алексей Николаевич Симутин. Дата публикации: 2016-11-27.

Methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20240081075A1. Автор: JaeMin JUNG,Byongju Kim,Wonjun PARK,Donghwa LEE,Changheon Cheon,Dongsung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-07.

Apparatus and method for shf/ehf band wireless transmission on multi-level cell configuration

Номер патента: US20130231150A1. Автор: Tae Joong Kim,Pyeong Jung Song,Seung Chan Bang,Hyeong Jun PARK. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2013-09-05.

MULTI-LEVEL CELL FORMING STRUCTURES AND THEIR USE IN DISPOSABLE CONSUMER PRODUCTS

Номер патента: US20160067939A1. Автор: KLINE Mark James,LIEBE Tina,HIPPE Mathias Konrad. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-10.

MULTI-LEVEL CELL CONFIGURATIONS FOR NON-VOLATILE MEMORY ELEMENTS IN A BITCELL

Номер патента: US20220181387A1. Автор: Tan Shyue Seng,Toh Eng Huat,Loy Desmond Jia Jun. Владелец: . Дата публикации: 2022-06-09.

A multi-level cell culture system

Номер патента: ES2733631T3. Автор: Christopher Scott,Phil Clark,Kurt Greenizen,Marc Emerick. Владелец: EMD Millipore Corp. Дата публикации: 2019-12-02.

Multi-level cell phone holder

Номер патента: KR200257661Y1. Автор: 이용규. Владелец: 이용규. Дата публикации: 2001-12-24.

Reducing ignition of mine gas during operation of a section-cutting gallery driving machine

Номер патента: GB2167789A. Автор: Friedrich Wilhelm Paurat,Roland Paurat. Владелец: Individual. Дата публикации: 1986-06-04.

Multi-level cell forming structures and their use in disposable consumer products

Номер патента: CN106714752A. Автор: M·J·克林,M·K·希皮,T·利贝. Владелец: Procter and Gamble Ltd. Дата публикации: 2017-05-24.

Method of collecting information in mobile communication system

Номер патента: US9107101B2. Автор: Akio Aoyama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2015-08-11.

Multi-level cell forming structures and their use in disposable consumer products

Номер патента: WO2016040613A1. Автор: Mark James Kline,Matthias Konrad Hippe,Tina Liebe. Владелец: The Procter & Gamble Company. Дата публикации: 2016-03-17.

Method of monitoring an overheating protective arrangement during full-load operation of an internal combustion engine

Номер патента: US5927248A. Автор: Klaus Joos,Ernst-Walter Lang,Bernd Schott. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 1999-07-27.

Method of manufacturing a silicon carbide ingot comprising moving a heater surrounding a reactor to induce silicon carbide raw materials to sublimate and growing the silicon carbide ingot on a seed crystal

Номер патента: US11795572B2. Автор: Jong Hwi Park,Jung-Gyu Kim,Eun Su Yang,Byung Kyu Jang,Jung Woo Choi,Sang Ki Ko,Kap-Ryeol KU. Владелец: Senic Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Method of manufacturing multilayer electronic component

Номер патента: US20240161977A1. Автор: Tae Gyun Kwon,Eung Seok Lee,So Hyeon HONG. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Method of identifying faults in the operation of hydraulic fuel injectors having accelerometers

Номер патента: EP3791058A1. Автор: Andreas Nilsson,Edward T. Williams. Владелец: Delphi Technologies IP Ltd. Дата публикации: 2021-03-17.

Transition-metal chalcogenide thin film and preparing method of the same

Номер патента: US20210172065A1. Автор: Changgu Lee,Hyonggoo YOO. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2021-06-10.

Transition-metal chalcogenide thin film and preparing method of the same

Номер патента: US11753721B2. Автор: Changgu Lee,Hyonggoo YOO. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-09-12.

Method of etching thin film and substrate processing apparatus

Номер патента: US20230377911A1. Автор: Won-Geun Kim. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

METHOD OF INSTALLING A SELF-LIFTING GRAVITY PLATFORM FOR THE OPERATION OF AN OIL FIELD AT SEA

Номер патента: FR2779408B1. Автор: Dominique Michel,Philippe Andre Dumas,Vincent Frederic Paul Foglia,Stanislas Jean Cyran. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-07-21.

Method of extracting the skirts of stopper caps comprising an operation of unpleating the skirt and corresponding device

Номер патента: FR2535699A1. Автор: Roger Vandrebeck. Владелец: Cebal SAS. Дата публикации: 1984-05-11.

Method of functional analysis for electromechanical drive purposed for power operation of crane and drive for its implementation

Номер патента: RU2487460C2. Автор: Бернар ГРЕАН,Ален ТРАНШАН,ДЭО Жоффруа ДЮМОН. Владелец: Сомфи Сас. Дата публикации: 2013-07-10.

METHOD OF INSTALLING A SELF-LIFTING GRAVITY PLATFORM FOR THE OPERATION OF AN OIL FIELD AT SEA

Номер патента: FR2779408A1. Автор: Dominique Michel,Philippe Andre Dumas,Vincent Frederic Paul Foglia,Stanislas Jean Cyran. Владелец: Doris Engineering. Дата публикации: 1999-12-10.

METHOD OF LOADING AND UNLOADING A CATALYST WITHOUT STOPPING THE OPERATION OF AN OPERATION

Номер патента: FR2759302B1. Автор: Alain Forestiere,Jean Paul Dessapt,Pierre Marache. Владелец: IFP Energies Nouvelles IFPEN. Дата публикации: 1999-03-19.

Flash memory device including a buried floating gate and a buried erase gate and methods of forming the same

Номер патента: US11728399B2. Автор: Yu-Chu Lin,Keng-Ying Liao,Wen-Chih Chiang,Huai-Jen Tung,Chi-Chung JEN,Chia-Ming PAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Method of forming floating gate array of flash memory device

Номер патента: US20070141785A1. Автор: Jong Choi. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-21.

3d memory device and method of forming seal structure

Номер патента: US20240234339A9. Автор: Teng-Hao Yeh,Cheng-Yu Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Flash memory process with high voltage LDMOS embedded

Номер патента: US20060019444A1. Автор: Cheng-Hsiung Kuo,Hsiang-Tai Lu,Chin-Huang Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-01-26.

Memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240298442A1. Автор: Yan-Ru Su. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Solid-source doping for source/drain of flash memory

Номер патента: WO2001033622A1. Автор: Timothy Thurgate,Carl Robert Huster. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2001-05-10.

Three-dimensional memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240268111A1. Автор: Pi-Shan Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240324199A1. Автор: Min-Feng Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240357811A1. Автор: Chia-Tze Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Split gate non-volatile flash memory cell having metal gates and method of making same

Номер патента: US09972630B2. Автор: FENG Zhou,Hieu Van Tran,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Method of fabricating flash memory device

Номер патента: US09793155B2. Автор: Jee-hoon Han,Ho-Jun SEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Flash memory device including a buried floating gate and a buried erase gate and methods of forming the same

Номер патента: US20220028993A1. Автор: Yu-Chu Lin,Keng-Ying Liao,Wen-Chih Chiang,Huai-Jen Tung,Chi-Chung JEN,Chia-Ming PAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-27.

Flash memory device including a buried floating gate and a buried erase gate and methods of forming the same

Номер патента: US20210328034A1. Автор: Yu-Chu Lin,Keng-Ying Liao,Wen-Chih Chiang,Huai-Jen Tung,Chi-Chung JEN,Chia-Ming PAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Flash memory device including a buried floating gate and a buried erase gate and methods of forming the same

Номер патента: US20230343844A1. Автор: Yu-Chu Lin,Keng-Ying Liao,Wen-Chih Chiang,Huai-Jen Tung,Chi-Chung JEN,Chia-Ming PAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

3-dimensional nand flash memory device, method of fabricating the same, and method of driving the same

Номер патента: US20220384481A1. Автор: Woo Young Choi. Владелец: SOGANG UNIVERSITY RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2022-12-01.

Device isolation method of semiconductor memory device and flash memory device fabricating method using the same

Номер патента: US20050142796A1. Автор: Sung Jung,Jum Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

3-dimensional nand flash memory device, method of fabricating the same, and method of driving the same

Номер патента: US20210288070A1. Автор: Woo Young Choi. Владелец: SOGANG UNIVERSITY RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2021-09-16.

3D AND flash memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US12052869B2. Автор: Hang-Ting Lue,Teng-Hao Yeh,Chih-Wei Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Flash memory device with enlarged control gate structure, and methods of making same

Номер патента: WO2007117851A1. Автор: Chandra Mouli,Di Li. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2007-10-18.

HK embodied flash memory and methods of forming the same

Номер патента: US9620372B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Wei-Hang Huang,Ming-Chyi Liu,Ru-Liang Lee,Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Wei Cheng Wu,Chang-Ming Wu,Yu-Hsing Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

High density flash memory architecture with columnar substrate coding

Номер патента: US20040041200A1. Автор: Sukyoon Yoon. Владелец: Hyundai Electronics America Inc. Дата публикации: 2004-03-04.

Method of forming gate of flash memory cell

Номер патента: US20050142726A1. Автор: Chul Yoon. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20090008700A1. Автор: Choong-ho Lee,Byung-yong Choi,Albert Fayrushin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-01-08.

Linen treatment device and method of controlling thereof

Номер патента: RU2578579C1. Автор: Сангхи ЙОО,Гилнам ЛИ,Квангхиун КИМ,Таеван КИМ. Владелец: ЭлДжи ЭЛЕКТРОНИКС ИНК.. Дата публикации: 2016-03-27.

Method of controlling supply of liquid into a sprayer and a fluid feed regulator for carrying out the disclosed method

Номер патента: RU2685630C1. Автор: Александр Александрович Богатырёв,Лариса Геннадьевна Шарова,Константин Викторович Раёв,Александр Германович Михин. Владелец: Константин Викторович Раёв. Дата публикации: 2019-04-22.

Flash memory device and manufacturing method the same

Номер патента: US20100163969A1. Автор: Cheon-Man Shim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Method of Manufacturing flash memory device

Номер патента: US20080081451A1. Автор: Se Hoon Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-04-03.

Method of manufacturing a flash memory device

Номер патента: US7696043B2. Автор: Byoung ki Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-04-13.

Electronic device with flash function and driving method of flash

Номер патента: US12132997B2. Автор: Jo-Fan WU,Hui-Chi Chuang. Владелец: ASUSTeK Computer Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Method of adaptive control of active power and frequency of hydraulic unit with kaplan turbine

Номер патента: RU2531068C1. Автор: Анатолий Сергеевич Гольцов,Сергей Анатольевич Гольцов. Владелец: Сергей Анатольевич Гольцов. Дата публикации: 2014-10-20.

Method of electrotherapy and anesthesia and device for its implementation

Номер патента: RU2744473C9. Автор: Борис Петрович Буров. Владелец: Борис Петрович Буров. Дата публикации: 2021-05-05.

Low-voltage distribution device and method of controlling opening of low-voltage switchgear

Номер патента: RU2742141C1. Автор: Симон Тиан,Лэй ЧЖОУ,Фенг МА,Цюаньхэ ЛЮ,Бин ШУАН,Жан-Батист БЕРНАР. Владелец: ШНЕЙДЕР ЭЛЕКТРИК ЭНДЮСТРИ САС. Дата публикации: 2021-02-02.

Control system for agricultural vehicle, agricultural vehicle and method of control of controlled means of product transportation

Номер патента: RU2520148C2. Автор: Кристиан КИРК,Мортен Руфус БЛАС,Томми Эртбол МАДСЕН. Владелец: КЛААС Агросистемс КГаА мбХ & КГ. Дата публикации: 2014-06-20.

3d and flash memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230262979A1. Автор: Yan-Ru Su. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Method of manufacturing a flash memory device

Номер патента: US6316313B1. Автор: Keun Woo Lee,Sung Kee Park,Ki Seog Kim,Sang Hoan Chang. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-11-13.

Method for reducing shallow trench isolation edge thinning on tunnel oxides using partial nitride strip and small bird's beak formation for high performance flash memory devices

Номер патента: US6764920B1. Автор: Unsoon Kim,John Jianshi Wang,Nian Yang. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-07-20.

Split-gate flash memory cell with varying insulation gate oxides, and method of forming same

Номер патента: EP3815149A1. Автор: Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-05.

Split-gate flash memory cell with varying insulation gate oxides, and method of forming same

Номер патента: WO2019217022A1. Автор: Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2019-11-14.

Flash memory device with a plurality of source plates

Номер патента: US8217447B2. Автор: Cheon-Man Shim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2012-07-10.

Method of complete conversion of heavy charge into distillation products

Номер патента: RU2455343C2. Автор: Марио МАРКЬОННА,Николетта ПАНАРИТИ,Альберто ДЕЛЬБЬЯНКО,Сальваторе МЕЛИ,Луиджи ПАТРОН. Владелец: Эни С.П.А.. Дата публикации: 2012-07-10.

Method of manufacturing flash memory device

Номер патента: US20110250727A1. Автор: Chih-Jen Huang,Chien-Hung Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2011-10-13.

Method of manufacturing a flash memory device

Номер патента: US20080081450A1. Автор: Byoung ki Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-04-03.

3D and flash memory device having metal silicide source/drain pillars and method of fabricating the same

Номер патента: US12127405B2. Автор: Yan-Ru Su. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Embedded memory and methods of forming the same

Номер патента: US09929168B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei Cheng Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Method of manufacturing semiconductor memory device having charge accumulation layer positioned between control gate electrode and semiconductor layer

Номер патента: US09793290B2. Автор: Takuo Ohashi,Fumiki Aiso. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Control device, mobile station, system of mobile communication and method of control

Номер патента: RU2409011C2. Автор: Кэнъити ХИГУТИ,Мамору САВАХАСИ,Садаюки АБЭТА,Акихито МОРИМОТО. Владелец: Нтт Досомо, Инк.. Дата публикации: 2011-01-10.

Flash memory device

Номер патента: US7670906B2. Автор: Tae-Woong Jeong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-03-02.

Flash memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090140314A1. Автор: Jin-Ha Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-04.

Flash memory device

Номер патента: US20080157167A1. Автор: Tae-Woong Jeong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Flash memory device with three-dimensional half flash structure and methods for forming the same

Номер патента: US20220359760A1. Автор: Yu-Chu Lin,Yi-Ling Liu,Keng-Ying Liao,Wen-Chih Chiang,Huai-Jen Tung,Chi-Chung JEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Flash memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20100163951A1. Автор: Cheon Man Shim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Fabrication method for a flash memory device

Номер патента: US20040203204A1. Автор: Chun-Lein Su,Tzung-Ting Han. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-14.

Memory device, method of manufacturing memory device, and electronic device including memory device

Номер патента: US20240292618A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09735171B2. Автор: Junya Fujita,Fumiki Aiso. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Method of alumina trihydrate production

Номер патента: RU2505483C2. Автор: Люк ФОРТЭН,Ги ФОРТ,Анри ТОМА,Эль Кади БАССАМ. Владелец: Рио Тинто Алкан Интернэшнл Лимитед. Дата публикации: 2014-01-27.

Method of forming gate of flash memory device

Номер патента: US20080003754A1. Автор: Cheol Mo Jeong,Jung Geun Kim,Whee Won Cho,Seong Hwan Myung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-01-03.

Method of forming flash memory, method of forming flash memory and sram circuitry, and etching methods

Номер патента: US20020013028A1. Автор: Kirk D. Prall,Graham Wolstenholme,Gregg Rettschlag. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-31.

Method of manufacturing flash memory device

Номер патента: US20060237772A1. Автор: Hee Gee Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-26.

Dim-to-warm system and method of operating the same

Номер патента: CA2982952C. Автор: Douglas M. Hamilton,Anthony M. MACKEY. Владелец: Hubbell Lighting Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Circuit structure, semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230361026A1. Автор: Li-Yen Liang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Memory device, method of manufacturing memory device, and electronic apparatus including memory device

Номер патента: US20230380133A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-11-23.

Method of fabricating a charge trap nand flash memory device

Номер патента: US20130087849A1. Автор: Marcello Mariani,Giulio Albini,Paolo Tessariol,Umberto M. Meotto,Paola Bacciaglia. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-04-11.

Flash memory layout to eliminate floating gate bridge

Номер патента: US12063776B2. Автор: Ching-Hung Kao,Tung-Huang Chen,Shun-Neng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Method for forming a split-gate flash memory cell device with a low power logic device

Номер патента: US20160365350A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-15.

Method of manufacturing memory device and method of manufacturing phase-change memory device using the same

Номер патента: US20100197111A1. Автор: Hye Jin Seo,Keum Bum Lee,Hyung Suk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-08-05.

Flash memory cell and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030003663A1. Автор: Sung Jung,Kwi KIM,Sung Sim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-02.

Methods of forming microelectronic devices, and related microelectronic devices, memory devices, and electronic systems

Номер патента: US20240334717A1. Автор: Kunal R. Parekh,Russell L. Meyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Methods of forming microelectronic devices, and related microelectronic devices, memory devices, and electronic systems

Номер патента: WO2024206702A1. Автор: Kunal R. Parekh,Russell L. Meyer. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-10-03.

Fluid application device, strand engagement device and method of controlling the same

Номер патента: US09932704B2. Автор: Mel Steven Lessley,Edward Wayne Bolyard, JR.. Владелец: ILLINOIS TOOL WORKS INC. Дата публикации: 2018-04-03.

Apparatuses including stair-step structures and methods of forming the same

Номер патента: US09870990B2. Автор: Michael A. Smith,Eric H. Freeman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Method of control of suction valve feed, device for its embodiment, suction valve and piston compressor

Номер патента: RU2166144C2. Автор: Замланд Георг,Келлер Кристиан. Владелец: Машиненфабрик Зульцер-Буркхардт АГ. Дата публикации: 2001-04-27.

Methods of fabricating nonvolatile memory devices including voids between active regions and related devices

Номер патента: US20120202335A1. Автор: Young-woo Park,Sung-Hoi Hur,Dong-Sik Lee,Jang-Hyun You,Jee-hoon Han,Sang-Ick Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-08-09.

Methods of fabricating nonvolatile memory devices including voids between active regions and related devices

Номер патента: US20140248755A1. Автор: Young-woo Park,Sung-Hoi Hur,Dong-Sik Lee,Jang-Hyun You,Jee-hoon Han,Sang-Ick Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-09-04.

Method of assembling microelectronic package and method of operating the same

Номер патента: US20200411497A1. Автор: Lin Ma,Alessandro Minzoni,Wenliang Chen. Владелец: AP Memory Technology Corp. Дата публикации: 2020-12-31.

Memory device and method of manufacturing memory device

Номер патента: US20240260265A1. Автор: Jae Young Oh,Eun Seok Choi,Dong Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Nanocrystal silicon layer structures formed using plasma deposition technique, methods of forming the same, nonvolatile memory devices having the nanocrystal silicon layer structures, and methods of fabricating the nonvolatile memory devices

Номер патента: US8110485B2. Автор: SUNG Wook Jung,Kyung Soo Jang,Jae Hyun Cho,Byoung Deog Choi,Jun Sin Yi. Владелец: Sungkyunkwan University Foundation For Corporate Collaboration. Дата публикации: 2012-02-07.

Non-volatile memory cell and method of manufacture

Номер патента: US20160163721A1. Автор: Gregory James Scott,Thierry Coffi Herve Yao. Владелец: Deutsche Bank AG New York Branch. Дата публикации: 2016-06-09.

Method of fabricating memory devices including b-site dopants and logic devices through wafer bonding

Номер патента: US20240276734A1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Noriyuki Sato,Niloy Mukherjee,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Tanay GOSAVI,Biswajeet Guha,Mauricio Manfrini,Somilkumar J. Rathi,James David Clarkson,Abel Fernandez. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230051615A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Method of Manufacturing Flash Memory Device

Номер патента: US20100112799A1. Автор: Hee Don Jeong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-05-06.

Method and system for providing reducing thinning of field isolation structures in a flash memory device

Номер патента: US20020158284A1. Автор: Hyeon-Seag Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-31.

Method of restoring impaired innervation of stomach in case of operations of proximal stomach resection

Номер патента: RU2487674C1. Автор: Георгий Цыренович Дамбаев,Михаил Михайлович Соловьев,Василий Васильевич Скиданенко,Александр Николаевич Вусик,Чахангирбай Карипович Абилов. Владелец: Государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирский государственный медицинский университет" Министерства здравоохранения и социального развития Российской Федерации (ГБОУ ВПО СибГМУ Минздравсоцразвития России). Дата публикации: 2013-07-20.

Method of determining duration of ophthalmohypertension recurrence existance after antiglaucomatous operations of non-penetrating type by means of ultrasonic biomicroscopy

Номер патента: RU2394530C1. Автор: Анна Владимировна Овчинникова,Элеонора Валентиновна Егорова,Джульетта Григорьевна Узунян,Валентина Владимировна Ершова. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Межотраслевой научно-технический комплекс "Микрохирургия глаза" имени академика С.Н. Федорова Федерального агентства по высокотехнологичной медицинской помощи". Дата публикации: 2010-07-20.

CHARGE EQUILIBRIUM ACCELERATION IN A FLOATING GATE MEMORY DEVICE VIA A REVERSE FIELD PULSE

Номер патента: US20120002482A1. Автор: Kalavade Pranav,Franklin Nathan R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002457A1. Автор: KANDA Kazushige. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RRAM structure and method of making the same

Номер патента: US20120001141A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ARRAY SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING THE ARRAY SUBSTRATE, AND DISPLAY APPARATUS INCLUDING THE ARRAY SUBSTRATE

Номер патента: US20120001191A1. Автор: . Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

POROUS CLUSTERS OF SILVER POWDER COMPRISING ZIRCONIUM OXIDE FOR USE IN GAS DIFFUSION ELECTRODES, AND METHODS OF PRODUCTION THEREOF

Номер патента: US20120003549A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FLASH MEMORY DEVICE WITH MULTI-LEVEL CELLS AND METHOD OF WRITING DATA THEREIN

Номер патента: US20120159054A1. Автор: Cheon Won-Moon,Kim Seon-Taek,Park Chan-Ik,Choi Sung-up. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-06-21.

Electrostatically depositing powder and the method of production of the abrasive flexible tool

Номер патента: RU2261262C2. Автор: Гво Шин СВЕИ,Силвэйн ПЕТИГНИ. Владелец: Сент-Гобэн Абразивс, Инк.. Дата публикации: 2005-09-27.

Method of converting turbo shaft engine into ground-based gas-turbine plant

Номер патента: RU2579526C2. Автор: Валерий Игнатьевич Гуров,Сергей Валентинович Харьковский,Константин Никодимович Шестаков. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный институт авиационного моторостроения имени П.И. Баранова". Дата публикации: 2016-04-10.

Method of rocket firing and rocket for its realization

Номер патента: RU2197707C1. Автор: Г.А. Денежкин,А.А. Каширкин,Н.А. Макаровец,Г.В. Калюжный,В.В. Семилет,В.И. Подчуфаров,Л.И. Обозов,В.Н. Белобрагин,Б.М. Романовцев,В.Р. Аляжединов,О.Л. Захаров. Владелец: Федеральное Государственное унитарное предприятие "Государственное научно-производственное предприятие "Сплав". Дата публикации: 2003-01-27.

Method of delivery of cushioned furniture products and its assembly (2 versions)

Номер патента: RU2553965C1. Автор: Андрей Павлович Заборонок,Александр Александрович Демянец. Владелец: Частное унитарное производственное предприятие "Мебельная фабрика "Лагуна". Дата публикации: 2015-06-20.

Footwear including multi-level support member

Номер патента: WO2024196820A1. Автор: Jean-Luc Diard. Владелец: DECKERS OUTDOOR CORPORATION. Дата публикации: 2024-09-26.

MANUFACTURING METHOD OF MULTI-LEVEL CELL NOR FLASH MEMORY

Номер патента: US20120094450A1. Автор: . Владелец: EON SILICON SOLUTION INC.. Дата публикации: 2012-04-19.

MULTI-LEVEL CELL NOR FLASH MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120163077A1. Автор: WU YIDER,LIU SHENG-DA. Владелец: EON SILICON SOLUTION INC.. Дата публикации: 2012-06-28.

TRELLIS-CODED MODULATION IN A MULTI-LEVEL CELL FLASH MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120240006A1. Автор: HU Xinde,WEATHERS Anthony D.,BARNDT Richard D.. Владелец: STEC, INC.. Дата публикации: 2012-09-20.

Method for Operating a High Density Multi-Level Cell Non-Volatile Flash Memory Device

Номер патента: US20130155768A1. Автор: Yan Feng,XU YUE,PU LING,JI XIAOLI. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-06-20.

Method of control over object ( variants ) and system ( variants ) for its realization

Номер патента: RU2209443C2. Автор: А.Г. Шипунов,В.И. Образумов,В.В. Петрушин,Ю.Н. Ткаченко,В.М. Понятский. Владелец: Государственное унитарное предприятие "Конструкторское бюро приборостроения". Дата публикации: 2003-07-27.

Flash memory data writing method and flash memory controller

Номер патента: CN101483067A. Автор: 赵伟程,朱健华. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2009-07-15.

Method of supporting operation of organisational system

Номер патента: RU2532723C2. Автор: Александр Петрович Шабанов,Александр Алексеевич Зацаринный,Александр Павлович Сучков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт проблем информатики Российской академии наук (ИПИ РАН). Дата публикации: 2014-11-10.

PHASE-CHANGE MEMORY DEVICE HAVING MULTI-LEVEL CELL AND A METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130099188A1. Автор: KIM Jin Hyock,Kwon Young Seok,CHAE Su Jin. Владелец: . Дата публикации: 2013-04-25.

METHOD OF PROGRAMMING MULTI-LEVEL CELLS IN NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130135929A1. Автор: CHOI KI-HWAN,LEE Chung-Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-05-30.

METHOD OF SUPPORT OF THE CRANCHER TO ENSURE THE SAFE OPERATION OF THE LOAD CRANE

Номер патента: RU2004134628A. Автор: Владимир Андреевич Коровин,Константин Владимирович Коровин,Владимир Андреевич Коровин (RU),Константин Владимирович Коровин (RU). Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-производственное предпри тие "Резонанс" (RU). Дата публикации: 2005-04-20.

Block management method for flash memory, storage system and controller

Номер патента: CN101634967A. Автор: 叶志刚. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2010-01-27.

Method of loading and unloading a catalyst without stopping the operation of an operac

Номер патента: MXPA98001181A. Автор: Forestiere Alain,Marache Pierre,Dessapt Jeanpaul. Владелец: Institut Francais Du Petrole. Дата публикации: 1999-02-01.

STRUCTURES AND METHODS OF HIGH EFFICIENT BIT CONVERSION FOR MULTI-LEVEL CELL NON-VOLATILE MEMORIES

Номер патента: US20130235661A1. Автор: WANG Lee. Владелец: . Дата публикации: 2013-09-12.

Double programming methods of a multi-level-cell nonvolatile memory

Номер патента: TWI327319B. Автор: Chun Hsiung Hung,Kuen Long Chang,Wen Chiao Ho. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2010-07-11.

Multi-level-cell programming methods of non-volatile memories

Номер патента: TWI297500B. Автор: Chun Hsiung Hung,Kuen Long Chang,Chin Hung Chang,Wen Chiao Ho. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-01.

METHOD OF DRIVING A FLASH DEVICE AND A NUMBER OF LOADS POWERED BY A BATTERY AND HANDHELD ELECTRONIC DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20120068599A1. Автор: . Владелец: RESEARCH IN MOTION LIMITED. Дата публикации: 2012-03-22.

Magnetic Memory Cell With Multi-Level Cell (MLC) Data Storage Capability

Номер патента: US20120134200A1. Автор: Gao Zheng,Khoueir Antoine,Xue Song S.. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2012-05-31.

APPARATUS, SYSTEM, AND METHOD FOR USING MULTI-LEVEL CELL STORAGE IN A SINGLE-LEVEL CELL MODE

Номер патента: US20120173827A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-07-05.

Method of altering distribution of a chosen characteristic of a plurality of memory cells forming a memory device

Номер патента: US20120230129A1. Автор: Chandra Vikas,Aitken Robert Campbell. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2012-09-13.

APPARATUS, SYSTEM, AND METHOD FOR USING MULTI-LEVEL CELL SOLID-STATE STORAGE AS SINGLE-LEVEL CELL SOLID-STATE STORAGE

Номер патента: US20120266046A1. Автор: . Владелец: FUSION-IO. Дата публикации: 2012-10-18.

APPARATUS, SYSTEM, AND METHOD FOR USING MULTI-LEVEL CELL SOLID-STATE STORAGE AS REDUCED-LEVEL CELL SOLID-STATE STORAGE

Номер патента: US20130003457A1. Автор: Wood Robert,Hyun Jea Woong. Владелец: FUSION-IO. Дата публикации: 2013-01-03.

Manufacturing method of multi-level copper metallisation of vlsic

Номер патента: RU2420827C1. Автор: Константин Анатольевич Воротилов,Владимир Александрович Васильев,Адиль Салихович Валеев,Геннадий Яковлевич Красников,Николай Алексеевич Шелепин,Олег Павлович Гущин,Сергей Николаевич Аверкин,Геннадий Яковлевич Красников (RU),Адиль Салихович Валеев (RU),Николай Алексеевич Шелепин (RU),Олег Павлович Гущин (RU),Константин Анатольевич Воротилов (RU),Владимир Александрович Васильев (RU),Сергей Николаевич Аверкин (RU). Владелец: Открытое акционерное общество "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон". Дата публикации: 2011-06-10.

Level-Estimation in Multi-Level cell memory

Номер патента: GB201301623D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-03-13.

Process for producing multi-level cell photomask ROM and structure thereof

Номер патента: TW359899B. Автор: Heng-Sheng Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-06-01.

METHODS OF FORMING RESISTIVE MEMORY ELEMENTS AND RELATED RESISTIVE MEMORY ELEMENTS, RESISTIVE MEMORY CELLS, AND RESISTIVE MEMORY DEVICES

Номер патента: US20130334483A1. Автор: Zahurak John K.,Torsi Alessandro,Tang Sanh D.,Chen Xiaonan,Ramaswamy D. V. Nirmal,Balakrishnan Muralikrishnan. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-12-19.

Forging mechanism of four-striker radial forging machine and method for controlling operation of such mechanism

Номер патента: RU2141881C1. Автор: В.В. Попов,В.А. Лимаренко. Владелец: Рязанское акционерное общество открытого типа "Тяжпрессмаш". Дата публикации: 1999-11-27.

Word line voltage generating circuit for reading operation of NAND type flash memory

Номер патента: CN104934068A. Автор: 刁静. Владелец: Hefei Hengshuo Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-23.

METHOD FOR INCREASING PROGRAM SPEED AND CONTROL READ WINDOWS FOR MULTI-LEVEL CELL NON-VOLATILE MEMORY

Номер патента: US20120170363A1. Автор: Tsai Fu Kai,Hung Liu Chien. Владелец: . Дата публикации: 2012-07-05.

DATA PATH FOR MULTI-LEVEL CELL MEMORY, METHODS FOR STORING AND METHODS FOR UTILIZING A MEMORY ARRAY

Номер патента: US20120182799A1. Автор: Bauer Mark. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-07-19.

MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY WITH FIELD COMPENSATING LAYER AND MULTI-LEVEL CELL

Номер патента: US20120205760A1. Автор: Zhou Yuchen,Ranjan Rajiv Yadav,Huai Yiming. Владелец: AVALANCHE TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-08-16.

MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY WITH FIELD COMPENSATING LAYER AND MULTI-LEVEL CELL

Номер патента: US20120206958A1. Автор: . Владелец: AVALANCHE TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-08-16.

METHOD FOR MODIFYING DATA MORE THAN ONCE IN A MULTI-LEVEL CELL MEMORY LOCATION WITHIN A MEMORY ARRAY

Номер патента: US20120206966A1. Автор: Abraham Michael M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-08-16.

METHOD FOR INCREASING RELIABILITY OF DATA ACCESSING FOR A MULTI-LEVEL CELL TYPE NON-VOLATILE MEMORY

Номер патента: US20120311243A1. Автор: Lin Chanson. Владелец: ITE Tech. Inc.. Дата публикации: 2012-12-06.

MULTI-LEVEL CELL ACCESS BUFFER WITH DUAL FUNCTION

Номер патента: US20120320674A1. Автор: . Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2012-12-20.

HYBRID MULTI-LEVEL CELL PROGRAMMING SEQUENCES

Номер патента: US20130170293A1. Автор: Avila Chris,Sprouse Steven,Gorobets Sergey Anatolievich. Владелец: . Дата публикации: 2013-07-04.

IMPLEMENTING ENHANCED DATA WRITE FOR MULTI-LEVEL CELL (MLC) MEMORY USING THRESHOLD VOLTAGE-DRIFT OR RESISTANCE DRIFT TOLERANT MOVING BASELINE MEMORY DATA ENCODING

Номер патента: US20130194864A1. Автор: Bandic Zvonimir Z.,Mateescu Robert Eugeniu,Guyot Cyril,Franca-Neto Luiz M.. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V.. Дата публикации: 2013-08-01.

IMPLEMENTING ENHANCED DATA READ FOR MULTI-LEVEL CELL (MLC) MEMORY USING THRESHOLD VOLTAGE-DRIFT OR RESISTANCE DRIFT TOLERANT MOVING BASELINE MEMORY DATA ENCODING

Номер патента: US20130194865A1. Автор: Bandic Zvonimir Z.,Mateescu Robert Eugeniu,Guyot Cyril,Franca-Neto Luiz M.. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V.. Дата публикации: 2013-08-01.

IMPLEMENTING ENHANCED DATA PARTIAL-ERASE FOR MULTI-LEVEL CELL (MLC) MEMORY USING THRESHOLD VOLTAGE-DRIFT OR RESISTANCE DRIFT TOLERANT MOVING BASELINE MEMORY DATA ENCODING

Номер патента: US20130198436A1. Автор: Bandic Zvonimir Z.,Mateescu Robert Eugeniu,Guyot Cyril,Franca-Neto Luiz M.. Владелец: Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V.. Дата публикации: 2013-08-01.

READING DATA FROM MULTI-LEVEL CELL MEMORY

Номер патента: US20130294157A1. Автор: SHARON ERAN,ALROD IDAN. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2013-11-07.

CIRCUIT FOR SENSING MULTI-LEVEL CELL

Номер патента: US20130308404A1. Автор: TSAI CHENG-HUNG. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc.. Дата публикации: 2013-11-21.

MULTI-LEVEL CELL (MLC) UPDATE WITH PROTECTED MODE CAPABILITY

Номер патента: US20130322169A1. Автор: Goss Ryan James,Seekins David Scott,Gaertner Mark Allen. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2013-12-05.

DIRECT MULTI-LEVEL CELL PROGRAMMING

Номер патента: US20140063939A1. Автор: Li Yan,SHARON ERAN,ALROD IDAN,Marcu Alon,Oshinsky Hadas. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2014-03-06.

ACCELERATED SOFT READ FOR MULTI-LEVEL CELL NONVOLATILE MEMORIES

Номер патента: US20140104943A1. Автор: Chen Zhengang,Zhong Hao. Владелец: LSI Corporation. Дата публикации: 2014-04-17.

Multi-level-cell programming methods for memory non-volatile memories

Номер патента: TW200721173A. Автор: Wen-Chiao Ho,Kuen-Long Chang,Chun-Hsiung Hung,Chin-Hung Chang. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-01.

Method of reduction of man's impact on environment during operation of natural gas field and underground gas storages

Номер патента: RU2386014C2. Автор: Вадим Георгиевич Гераськин,Сергей Николаевич Шабров,Сергей Анатольевич Жвачкин,Юрий Иванович Баканов,Надежда Ивановна Кобелева,Вячеслав Васильевич Климов,Геннадий Алексеевич Севрюков,Александр Николаевич Черномашенко,Аркадий Арменович Енгибарян,Сергей Анатольевич Кучеренко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Кубаньгазпром". Дата публикации: 2010-04-10.

Vending machine having product level sensing switch and method of conversion of multi-column vending machines for conjoint operation of columns

Номер патента: CA983892A. Автор: James C. Lindsey. Владелец: CAVALIER CORP. Дата публикации: 1976-02-17.

METHODS OF FORMING NANOSCALE FLOATING GATE

Номер патента: US20120001248A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Ramaswamy D.V. Nirmal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRONIC DEVICE AND METHOD OF CONTROLLING THE SAME

Номер патента: US20120001490A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

TEST MODE CONTROL CIRCUIT IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND TEST MODE ENTERING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002494A1. Автор: Jo Jun-Ho,PARK Kyu-Min,KIM BYOUNGSUL,LEE Hakyong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RESISTANCE CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002458A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PROGRAMMING A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002481A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002475A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MOBILE WIRELESS COMMUNICATIONS DEVICE INCLUDING A KEYBOARD ASSEMBLY FOR REDUCING SAR AND RELATED METHODS

Номер патента: US20120001851A1. Автор: QIU MEIDE,Chen Huanyu. Владелец: RESEARCH IN MOTION LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

MULTI-CHIP PACKAGE WITH THERMAL FRAME AND METHOD OF ASSEMBLING

Номер патента: US20120001314A1. Автор: Schuetz Roland. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

MOBILE TERMINAL AND METHOD OF CONTROLLING THE SAME

Номер патента: US20120003966A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE PHOTOGRAPHING APPARATUS AND METHOD OF CONTROLLING THE SAME

Номер патента: US20120002065A1. Автор: PARK Wan Je,Seung Jung Ah. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001329A1. Автор: Kim Young Lyong,Lee Jongho,AHN EUNCHUL,Kim Hyeongseob. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

CANCER BIOMARKERS AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120003639A1. Автор: KERLIKOWSKE KARLA,TLSTY THEA D.,GAUTHIER MONA L.,BERMAN HAL K.,BREMER TROY,MOLINARO ANNETTE M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

WAFER STACKED PACKAGE WAVING BERTICAL HEAT EMISSION PATH AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001348A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ALLOCATING RADIO RESOURCE

Номер патента: US20120002634A1. Автор: Seok Yong Ho. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001252A1. Автор: Alsmeier Johann,Purayath Vinod Robert,Chien Henry,Matamis George,Lee Yao-Sheng,Kai James,Zhang Yuan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ION MOBILITY SPECTROMETRY SYSTEMS AND ASSOCIATED METHODS OF OPERATION

Номер патента: US20120004862A1. Автор: Davis Eric J.,Hill,JR. Herbert H.. Владелец: WASHINGTON STATE UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

Driving Method of Input/Output Device

Номер патента: US20120001847A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

COMMUNICATION APPARATUS AND METHOD OF CONTROLLING SAME

Номер патента: US20120002562A1. Автор: Kawade Takahisa. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

CONTROL DEVICE FOR VEHICLE LAMP, VEHICLE LAMP, AND METHOD OF CONTROLLING VEHICLE LAMP

Номер патента: US20120002430A1. Автор: Yamazaki Masashi,GOTO Kazuo,TOMONO Toshikazu. Владелец: KOITO MANUFACTURING CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITIONS FOR SITE-SPECIFIC DELIVERY OF IMATINIB AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120003319A9. Автор: Liversidge Gary,Jenkins Scott. Владелец: ELAN PHARMA INTERNATIONAL LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF ENERGY STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003383A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING WAX-CONTAINING POLYMER PARTICLES

Номер патента: US20120003581A1. Автор: Yang Xiqiang,Bennett James R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of controlling state and recording running time of power production equipment and method to this effect

Номер патента: RU2534704C1. Автор: Владимир Григорьевич Бартенев. Владелец: Владимир Григорьевич Бартенев. Дата публикации: 2014-12-10.

COMPOSITION FOR LIGHT-EMITTING PARTICLE-POLYMER COMPOSITE, LIGHT-EMITTING PARTICLE-POLYMER COMPOSITE, AND DEVICE INCLUDING THE LIGHT-EMITTING PARTICLE-POLYMER COMPOSITE

Номер патента: US20120001217A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGES AND METHODS OF PACKAGING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120001306A1. Автор: Suthiwongsunthorn Nathapong,Gan Richard Te,WANG Chuen Khiang,SAE LE Kriangsak,NG Catherine Bee Liang,ENG Kian Teng,DIMAANO Antonio Jr B. Владелец: UNITED TEST AND ASSEMBLY CENTER LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002478A1. Автор: Isobe Katsuaki,Kojima Masatsugu. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

DIESEL ENGINE AND METHOD OF CONTROLLING THE DIESEL ENGINE

Номер патента: US20120004826A1. Автор: . Владелец: MAZDA MOTOR CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

STRESS-ENGINEERED RESISTANCE-CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120001148A1. Автор: . Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MIST COLLECTING APPARATUS, LIQUID EJECTING APPARATUS, AND METHOD OF CONTROLLING MIST COLLECTING APPARATUS

Номер патента: US20120001985A1. Автор: . Владелец: SEIKO EPSON CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

CARD READER AND CONTROL METHOD OF CARD READER

Номер патента: US20120002313A1. Автор: Ishikawa Kazutoshi,Higashi Katsuhisa,Miyabe Takaaki,Komatsu Yoshihito. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002469A1. Автор: IMAMOTO Akihiro,Abiko Naofumi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

PRINTING APPARATUS, CONTROL METHOD OF PRINTING APPARATUS, AND STORAGE MEDIUM

Номер патента: US20120003023A1. Автор: Igarashi Hiroya. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of control efficiency evaluation and device for its implementation

Номер патента: RU2326442C1. Автор: Валерий Анатольевич Селифанов,Валентин Валерьевич Селифанов. Владелец: Валерий Анатольевич Селифанов. Дата публикации: 2008-06-10.

CIRCUIT FOR THE OPTIMIZATION OF THE PROGRAMMING OF A FLASH MEMORY

Номер патента: US20120002479A1. Автор: . Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002485A1. Автор: Ono Takashi,MARUYAMA Takafumi,NISHIKAWA Kazuyo,Suwa Hitoshi,Nitta Tadashi,Ueminami Masahiro. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method Of Polishing Chalcogenide Alloy

Номер патента: US20120003834A1. Автор: Reddy Kancharla-Arun Kumar,Liu Zhendong,Koo Ja-Ho,Sawant Kaveri. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of flash reconnaissance by telemetric thermal temperature sight of missile system launcher

Номер патента: RU2564807C1. Автор: Юрий Борисович Подчуфаров,Андрей Викторович Ларин,Дмитрий Викторович Ларин,Игорь Викторович Черносвитов,Олег Юрьевич Ястребов,Алексей Михайлович Костин,Роман Викторович Куренков. Владелец: Акционерное общество "Конструкторское бюро приборостроения им. академика А.Г. Шипунова". Дата публикации: 2015-10-10.

SEMICONDUCTOR DEVICE EQUIPPED WITH A PLURALITY OF MEMORY BANKS AND TEST METHOD OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120002464A1. Автор: MAE Kenji. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Automated complex of devices to handle plantation of plants and method of handling plantation of plants

Номер патента: RU2477037C2. Автор: Аслан Узеирович Заммоев. Владелец: Аслан Узеирович Заммоев. Дата публикации: 2013-03-10.

Selection method of radio signals, selection device of radio signals and suppression determining device

Номер патента: RU2549119C2. Автор: Андрей Александрович Федчун. Владелец: Андрей Александрович Федчун. Дата публикации: 2015-04-20.

Operational pocket personal computer automatic controller device and method of controlling execution of technological process by operator using operational pocket personal computer automatic controller device

Номер патента: RU2500020C2. Автор: Юрий Михайлович Рындин. Владелец: Юрий Михайлович Рындин. Дата публикации: 2013-11-27.

Semiconductor Package and Method of Forming Similar Structure for Top and Bottom Bonding Pads

Номер патента: US20120001326A1. Автор: . Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

DIGITAL BROADCASTING SYSTEM AND METHOD OF PROCESSING DATA IN DIGITAL BROADCASTING SYSTEM

Номер патента: US20120002748A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PDK INHIBITOR COMPOUNDS AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120004284A1. Автор: . Владелец: UNIVERSITY OF FLORIDA RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Control method of shield of tunnel boring complex, and tracking system for its implementation

Номер патента: RU2509892C1. Автор: Борис Владимирович Сухинин,Виктор Васильевич Сурков,Вадим Борисович Будников. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тульский государственный университет" (ТулГУ). Дата публикации: 2014-03-20.

ADAPTIVE DATA READER AND METHOD OF OPERATING

Номер патента: US20120000982A1. Автор: Gao WenLiang,Cherry Craig D.. Владелец: Datalogic Scanning, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

MONITORING CAMERA AND METHOD OF TRACING SOUND SOURCE

Номер патента: US20120002047A1. Автор: Kim Sung Jin,AN Kwang Ho. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SCANNING APPARATUS AND CONTROL METHOD OF DOCUMENT SIZE DETECTION LIGHT SOURCE

Номер патента: US20120002247A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

System, method and computer software for generation of control signal in vibration metering device

Номер патента: RU2561821C2. Автор: Крейг Б. МАКАНАЛЛИ. Владелец: Майкро Моушн, Инк.. Дата публикации: 2015-09-10.

Method of visual estimation of photoinhibition and photodegradation resistance of plants

Номер патента: RU2364077C2. Автор: Ольга Николаевна Будаговская,Андрей Валентинович Будаговский. Владелец: Ольга Николаевна Будаговская. Дата публикации: 2009-08-20.

Method of materials processing by liquid jet

Номер патента: RU2355497C2. Автор: Анатолий Леонидович Суркаев,Вячеслав Анатольевич Суркаев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Волгоградский государственный технический университет (ВолгГТУ). Дата публикации: 2009-05-20.

Novel embedded NOR flash memory process with NAND cell and true logic compatible low voltage device

Номер патента: US20120001233A1. Автор: Lee Peter Wung,Hsu Fu-Chang,Ma Han-Rei. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Engine systems and methods of operating an engine

Номер патента: US20120000435A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CONTROL SYSTEM AND METHOD OF USE FOR CONTROLLING CONCENTRATIONS OF ELECTROLYZED WATER IN CIP APPLICATIONS

Номер патента: US20120000488A1. Автор: Herdt Brandon,Ryther Robert. Владелец: ECOLAB USA INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF CONTROLLING WELDING

Номер патента: US20120000895A1. Автор: Nakagawa Akira,KAWAMOTO Atsuhiro,MUKAI Yasushi,KOWA Masaru,Sato Kimiya. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

MAGNETIC RESONANCE IMAGING APPARATUS AND MAGNETIC RESONANCE IMAGING METHOD OF CONTROLLING IMAGE CONTRAST

Номер патента: US20120001632A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF AND ARRANGEMENT FOR LINKING IMAGE COORDINATES TO COORDINATES OF REFERENCE MODEL

Номер патента: US20120002840A1. Автор: van Dam Peter Michael,Linnenbank Andreas Christianus. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE PROCESSING APPARATUS, METHOD OF PROCESSING IMAGE, AND COMPUTER-READABLE RECORDING MEDIUM

Номер патента: US20120002879A1. Автор: . Владелец: OLYMPUS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

BACILLUS ISOLATES AND METHODS OF THEIR USE TO PROTECT AGAINST PLANT PATHOGENS AND VIRUS TRANSMISSION

Номер патента: US20120003197A1. Автор: JACOBSEN Barry J.,Bradley Clifford,Zidack Nina K.,Larson Rebecca. Владелец: MONTANA STATE UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

NUCLEOTIDE SEQUENCES ENCODING GSH1 POLYPEPTIDES AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120004114A1. Автор: . Владелец: E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY AND PIONEER HI-BRED INTERNATIONAL. Дата публикации: 2012-01-05.

BUMETANIDE, FUROSEMIDE, PIRETANIDE, AZOSEMIDE, AND TORSEMIDE ANALOGS, COMPOSITIONS AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120004225A1. Автор: COLLINS Stephen D.,Partridge John J.,Wanaski Stephen. Владелец: NeuroTherapeutics Pharma, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEMS AND METHODS OF DETERMINING PATIENT PHYSIOLOGICAL PARAMETERS FROM AN IMAGING PROCEDURE

Номер патента: US20120004561A1. Автор: John Kalafut F.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND SYSTEM OF CONTROLLING AIR TRAFFIC

Номер патента: US20120004837A1. Автор: MCDONALD GREG. Владелец: AIRSERVICES AUSTRALIA. Дата публикации: 2012-01-05.

METABOLIC BIOMARKERS FOR OVARIAN CANCER AND METHODS OF USE THEREOF

Номер патента: US20120004854A1. Автор: Gray Alexander,Guan Wei,Fernandez Facundo M.,McDonald John,Zhou Manshui. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Cavitation fuel oil heating device and method of its operation

Номер патента: RU2390693C2. Автор: Виктор Сергеевич Бороздин,Сергей Валентинович Ворожейкин. Владелец: ЗАО НПФ "ЭнергоТрансСервис-ТСА". Дата публикации: 2010-05-27.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.