Memory device and programming method thereof
Номер патента: US20240062814A1
Опубликовано: 22-02-2024
Автор(ы): Jeremy Guy
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 22-02-2024
Автор(ы): Jeremy Guy
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
CROSS-POINT MEMORY DEVICE INCLUDING MULTI-LEVEL CELLS AND OPERATING METHOD THEREOF
Номер патента: US20160148678A1. Автор: YOON CHI-WEON,BYEON DAE-SEOK,PARK HYUN-KOOK. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-26.