Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Nand memory device and programming methods

Номер патента: US20110292732A1
Опубликовано: 01-12-2011
Автор(ы): Chang Wan Ha
Принадлежит: Individual
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Memory device, memory system, and program operation method thereof

Номер патента: US20230386587A1. Автор: Ying Cui,Yali SONG,XiangNan Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Memory device, memory system, and program operation method thereof

Номер патента: WO2023226417A1. Автор: Ying Cui,Yali SONG,XiangNan Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-11-30.

Plural operation of memory device

Номер патента: US20150063023A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Yi Ching Liu,Tzung Shen Chen,Shuo Nan Hong. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

Methods of reducing program disturb by array source coupling in 3D NAND memory devices

Номер патента: US11769559B2. Автор: Chunyuan HOU,Weijun Wan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Architecture and method for nand memory programming

Номер патента: US20240194280A1. Автор: Weijun Wan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Architecture and method for NAND memory programming

Номер патента: US11942165B2. Автор: Weijun Wan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor memory device and method for writing data into the semiconductor memory device

Номер патента: US20070064499A1. Автор: Thomas Kern,Luca Ambroggi. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-03-22.

Memory device, memory system, and program method thereof

Номер патента: US20240185925A1. Автор: Hongtao Liu,Chenhui Li,XiangNan Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Nand architecture memory devices and operation

Номер патента: US20090147584A1. Автор: Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-06-11.

Nand architecture memory devices and operation

Номер патента: WO2007075708A1. Автор: Frankie F. Roohparvar. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2007-07-05.

Three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: EP3912188A1. Автор: Linchum WU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-24.

Three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210296351A1. Автор: Linchun Wu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Three-dimensional memory device programming with reduced disturbance

Номер патента: US11710529B2. Автор: Jianquan Jia,Kaikai You,Yali SONG,XiangNan Zhao,Yuanyuan MIN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-25.

Memory device and programming method thereof

Номер патента: EP4394773A1. Автор: Kuan-Fu Chen,Ya-Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Memory device and programming method thereof

Номер патента: US20240221835A1. Автор: Kuan-Fu Chen,Ya-Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Memory device and programming method thereof

Номер патента: US12112803B2. Автор: Kuan-Fu Chen,Ya-Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Architecture and method for NAND memory operation

Номер патента: US12094538B2. Автор: Kaijin Huang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory device and program operation method thereof

Номер патента: US12094536B2. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Nand memory device wordlines pre-charging and operating method of the same

Номер патента: EP4398251A1. Автор: Yohan Lee,Sangsoo Park,Jonghoon Park,Jaeduk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-10.

Multiple blocks per string in 3d nand memory

Номер патента: US20180158529A1. Автор: Tomoharu Tanaka,Akira Goda,Graham Richard Wolstenholme. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-06-07.

Multiple blocks per string in 3d nand memory

Номер патента: US20170076805A1. Автор: Tomoharu Tanaka,Akira Goda,Graham Richard Wolstenholme. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Multiple blocks per string in 3d nand memory

Номер патента: WO2017044220A1. Автор: Tomoharu Tanaka,Akira Goda,Graham Richard Wolstenholme. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-03-16.

Methods of forming integrated circuit structures for capacitive sense NAND memory

Номер патента: US12080356B2. Автор: Shuji Tanaka,Yoshihiko Kamata,Masashi Yoshida,Masanobu Saito,Yoshiaki Fukuzumi,Jun Fujiki. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Programming for three-dimensional nand memory

Номер патента: US20220319607A1. Автор: Chao Zhang,Haibo Li,Joohyun Jin. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Programming for three-dimensional NAND memory

Номер патента: US11887671B2. Автор: Chao Zhang,Haibo Li,Joohyun Jin. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Programming for three-dimensional nand memory

Номер патента: US20240112739A1. Автор: Chao Zhang,Haibo Li,Joohyun Jin. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Page buffer circuits of three-dimensional memory device

Номер патента: US11935619B2. Автор: Yan Wang,Masao Kuriyama,Teng CHEN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Memory device and programming method thereof

Номер патента: US20180061503A1. Автор: Kuan-Fu Chen,Ya-Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-01.

Microelectronic devices, and related memory devices and electronic systems

Номер патента: US12101932B2. Автор: Yoshiaki Fukuzumi,Tomoko Ogura Iwasaki,Erwin E. Yu,Surendranath C. Eruvuru. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Nonvolatile memory device and program method

Номер патента: US20150078093A1. Автор: Doohyun Kim,Changyeon Yu,Wookghee Hahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-19.

Program method of flash memory device

Номер патента: US20090207660A1. Автор: Min Kyu Lee,Sook Kyung Kim,Seok Jin Joo,Hyung Seok Kim,Kyung Pil Hwang,Keum Hwan Noh,Ju In KIM. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-08-20.

Nonvolatile memory device, storage device including nonvolatile memory device, and operating method of storage device

Номер патента: US20240321366A1. Автор: Kun-Woo Song,Jonghwa Kim,Kyungyong Jeoung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory device, memory system including the memory device, and test operation of the memory device

Номер патента: US12125550B2. Автор: Jun Hyuk Lee,Min Kyu Lee,Deung Kak YOO,Dong Jae JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Memory device and program operation method thereof

Номер патента: US20230290412A1. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Memory device, memory system, and program operation method thereof

Номер патента: US12093535B2. Автор: Hongtao Liu,XiangNan Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory device, memory system, and program operation method thereof

Номер патента: EP4441740A1. Автор: Hongtao Liu,XiangNan Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Semiconductor memory device, erasing method and programing method thereof

Номер патента: US20170229184A1. Автор: Kazuki Yamauchi. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Nonvolatile memory device and high-speed programming method thereof

Номер патента: JP4965106B2. Автор: 載禹 任. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-07-04.

Method of reducing program operation time in 3d nand memory systems

Номер патента: US20240296889A1. Автор: Hongtao Liu,XiangNan Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Double program debug method for nand memory using self-verification by internal firmware

Номер патента: EP4437542A1. Автор: Youxin He. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Nand memory device column charging

Номер патента: WO2007103045A3. Автор: Frankie F Roohparvar. Владелец: Frankie F Roohparvar. Дата публикации: 2007-10-25.

Pseudo single pass nand memory programming

Номер патента: US20190096490A1. Автор: Xin Guo,Purval S. Sule,Aliasgar S. Madraswala,David B. Carlton. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-03-28.

Erasing and erasing verification for three-dimensional nand memory

Номер патента: US20240112742A1. Автор: Kaijin Huang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Non-volatile semiconductor memory device and a programming method thereof

Номер патента: US20110228610A1. Автор: Naoyuki Shigyo,Kunihiro Yamada,Hideto Horii,Michiru Hogyoku. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-22.

Double program debug method for NAND memory using self-verification by internal firmware

Номер патента: US11887678B2. Автор: Youxin He. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20240013838A1. Автор: Jae Woong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Double program debug method for nand memory using self-verification by internal firmware

Номер патента: WO2023137576A1. Автор: Youxin He. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-07-27.

Nonvolatile memory device and operation method thereof

Номер патента: US12033707B2. Автор: Won-Taeck JUNG,Dongku Kang,Su Chang Jeon,Kyung-Min Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device and programming method

Номер патента: US20230253051A1. Автор: Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-08-10.

Nonvolatile memory device and operation method thereof

Номер патента: US20240331785A1. Автор: Won-Taeck JUNG,Dongku Kang,Su Chang Jeon,Kyung-Min Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory device and program operation thereof

Номер патента: US20210295922A1. Автор: Gang Liu,Kaijin Huang,Jin LYU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Processors for programming multilevel-cell NAND memory devices

Номер патента: US8693251B2. Автор: Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-08.

Double program debug method for nand memory using self-verification by internal firmware

Номер патента: US20240105273A1. Автор: Youxin He. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Word line dependent pass voltage ramp rate to improve performance of nand memory

Номер патента: WO2024049531A1. Автор: Jiahui Yuan,Abu Naser Zainuddin,Towhidur Razzak. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-07.

Word line dependent pass voltage ramp rate to improve performance of nand memory

Номер патента: US20240071493A1. Автор: Jiahui Yuan,Abu Naser Zainuddin,Towhidur Razzak. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory device and program operation thereof

Номер патента: US20240282393A1. Автор: Ying Huang,Hongtao Liu,Wenzhe WEI,Dejia Huang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Mixing normal and reverse order programming in nand memory devices

Номер патента: US20230253046A1. Автор: Qing Li,Xiaoyu Yang,Henry Chin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-08-10.

Mixing normal and reverse order programming in NAND memory devices

Номер патента: US11967382B2. Автор: Qing Li,Xiaoyu Yang,Henry Chin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-23.

Gate voltage step and program verify level adjustment in a memory device

Номер патента: US20240290404A1. Автор: Zhenming Zhou,Murong Lang,Christina Papagianni. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Gate voltage step and program verify level adjustment in a memory device

Номер патента: WO2024178393A1. Автор: Zhenming Zhou,Murong Lang,Christina Papagianni. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-08-29.

Non-volatile memory device for performing precharge to cell string and program method thereof

Номер патента: US12062402B2. Автор: Byungsoo Kim,Kyungsoo Park,Hyunggon KIM,Sejin BAEK,Sangbum YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Methods for segmented programming and memory devices

Номер патента: US20130107626A1. Автор: Jung-Sheng Hoei. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-05-02.

Methods for segmented programming and memory devices

Номер патента: EP2652742A2. Автор: Jung-Sheng Hoei. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-10-23.

Reducing widening of threshold voltage distributions in a memory device due to temperature change

Номер патента: EP3685384A1. Автор: Zhengyi Zhang,Yingda Dong. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-07-29.

Methods for segmented programming and memory devices

Номер патента: WO2012082334A2. Автор: Jung-Sheng Hoei. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-06-21.

Nonvolatile memory device having selectable sensing modes, memory system having the same and programming method thereof

Номер патента: US20140153339A1. Автор: Kitae Park,Minseok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-06-05.

Memory device and programming method thereof

Номер патента: US20160035425A1. Автор: Wen-Jer Tsai,Ping-Hung Tsai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-04.

Non-volatile memory device, storage device and program method thereof

Номер патента: US20220230687A1. Автор: Jun-Ho SEO,Sangwon Hwang,Haneol JANG,Suk-Eun Kang,Youngwook JEONG,Wanha HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-21.

Semiconductor memory device and programming method thereof

Номер патента: US20180068733A1. Автор: Un Sang Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

Memory device and program method thereof

Номер патента: EP4156190A1. Автор: Sangwan Nam,Byungsoo Kim,Hanjun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-29.

Non-volatile memory device, storage device and program method thereof

Номер патента: US20210225451A1. Автор: Jun-Ho SEO,Sangwon Hwang,Haneol JANG,Suk-Eun Kang,Youngwook JEONG,Wanha HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-22.

Non-volatile memory device and programming method thereof

Номер патента: US20200350019A1. Автор: Ji-Sang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-05.

Non-volatile memory device and programming method thereof

Номер патента: US20210375366A1. Автор: Ji-Sang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-02.

Non-volatile memory device and programming method thereof

Номер патента: US20230170025A1. Автор: Ji-Sang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-01.

Non-volatile memory device and programming method thereof

Номер патента: US20240046991A1. Автор: Ji-Sang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-08.

Non-volatile memory device and programming method thereof

Номер патента: US11830554B2. Автор: Ji-Sang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-28.

Nonvolatile memory device and operation method thereof

Номер патента: US20200395090A1. Автор: Won-Taeck JUNG,Dongku Kang,Su Chang Jeon,Kyung-Min Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-17.

Nonvolatile memory device and operation method thereof

Номер патента: US20230253059A1. Автор: Won-Taeck JUNG,Dongku Kang,Su Chang Jeon,Kyung-Min Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-10.

Sub-block definition in a memory device using segmented source plates

Номер патента: US20240312535A1. Автор: Aaron S. Yip,Paolo Tessariol. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory device storing logical page data and operating method of the memory device

Номер патента: US12106806B2. Автор: Jeong Hwan Kim,Jae Woong Kim,In Su Park,Jung Dal Choi,Jung Shik JANG,Woo Pyo Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20240177780A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Storage device and method of operating the storage device

Номер патента: US12112799B2. Автор: Yong Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Memory device and program operation thereof

Номер патента: US11715523B2. Автор: Ke Liang,Yueping Li,Chunyuan HOU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-01.

Memory device and program operation thereof

Номер патента: US20240221848A1. Автор: Weijun Wan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Memory device and method of managing temperature of the same

Номер патента: US20240203505A1. Автор: Jung Ae Kim,Jee Yul KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory device and in-memory search method thereof

Номер патента: US20240221830A1. Автор: Feng-Min Lee,Po-Hao Tseng,Tian-Cih BO. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Nonvolatile memory device and program programming method thereof

Номер патента: KR102139323B1. Автор: 남상완,최윤희,이강빈. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2020-07-29.

Enhanced io interface for plc program and program-suspend-resume operations

Номер патента: US20230395107A1. Автор: Aliasgar S. Madraswala,Sagar UPADHYAY. Владелец: Intel NDTM US LLC. Дата публикации: 2023-12-07.

Systems, methods and media of optimization of temporary read errors in 3D NAND memory devices

Номер патента: US12136453B2. Автор: LEI Jin,Pan Xu,Wen Zhou,Da Li,Kun Yang,Jianquan Jia,Kaikai You,Zhe Luo,Xinlei Jia,Jiayin HAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240312522A1. Автор: WEI Liu,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Data buffering operation of three-dimensional memory device with static random-access memory

Номер патента: US11922058B2. Автор: Yue Ping Li,Chun Yuan Hou,Wei Jun Wan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

3D NAND memory device and control method thereof

Номер патента: US12057176B2. Автор: Ke Liang,Liang Qiao,Zhipeng DONG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

3d memory device and programming method thereof

Номер патента: US20230352106A1. Автор: Amedeo IANTORNO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

3d nor and 3d nand memory integration

Номер патента: US20230106571A1. Автор: Chia-Jung Chiu,Kuan-Yuan SHEN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Three-dimensional memory device erase operation

Номер патента: US20220293626A1. Автор: Feng Xu,LEI Jin,Jie Yuan,Shiyu Xia,Wenqiang CHEN,Xuezhun Xie. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

Three-dimensional memory device erase operation

Номер патента: US11521988B2. Автор: Feng Xu,LEI Jin,Jie Yuan,Shiyu Xia,Wenqiang CHEN,Xuezhun Xie. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-06.

Source lines for NAND memory devices

Номер патента: US20050279983A1. Автор: Mark Helm,Roger Lindsay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-12-22.

Three-dimensional memory devices

Номер патента: US12020750B2. Автор: WEI Liu,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Nonvolatile memory device and programming method of nonvolatile memory

Номер патента: US11990189B2. Автор: Younghwi Yang,Joonsuc Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-21.

Nonvolatile memory device and programming method of nonvolatile memory

Номер патента: US20230207026A1. Автор: Younghwi Yang,Joonsuc Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-29.

Source lines for NAND memory devices

Номер патента: US20070290255A1. Автор: Mark Helm,Roger Lindsay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-12-20.

Flash Memory Device and Program Method Thereof

Номер патента: US20110310668A1. Автор: Jin-Sung Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-22.

Variable programming clocks during a multi-stage programming operation in a nand memory device

Номер патента: US20230253048A1. Автор: Ravi Kumar,Sujjatul Islam. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-08-10.

Systems, methods and media of optimization of temporary read errors in 3d nand memory devices

Номер патента: US20240046980A1. Автор: LEI Jin,Pan Xu,Wen Zhou,Da Li,Kun Yang,Jianquan Jia,Kaikai You,Zhe Luo,Xinlei Jia,Jiayin HAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Data protection in NAND memory using internal firmware to perform self-verification

Номер патента: US11887679B2. Автор: Youxin He. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Three-dimensional nor-nand combination memory device and method of making the same

Номер патента: WO2022031349A1. Автор: Zhixin Cui,Hardwell Chibvongodze,Rajdeep Gautam. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-02-10.

A cell array with a manufacturable select gate for a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: WO2015051452A1. Автор: Hyoung Seub Rhie. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc.. Дата публикации: 2015-04-16.

Nonvolatile memory device and operation method thereof

Номер патента: US20200194073A1. Автор: Joonsoo Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-18.

NAND memory arrays

Номер патента: US20070063262A1. Автор: Garo Derderian,Todd Abbott,Michael Violette. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-03-22.

Storage device and method of operating the same

Номер патента: US20220068392A1. Автор: Byoung Sung You. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Flash memory device and programming method thereof

Номер патента: US20120243334A1. Автор: Hsing-Wen Chang,Yao-Wen Chang,Chu-Yung Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-27.

NAND memory arrays and methods

Номер патента: US7276414B2. Автор: Garo Derderian,Todd R. Abbott,Michael Violette. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-10-02.

Row decoder for NAND memories

Номер патента: US20060050575A1. Автор: Carlo Borromeo,Raffaele Mastrangelo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-09.

Memory device and program speed control method thereof

Номер патента: US12067258B2. Автор: Dong Hun Kwak,Hyun Seob SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Fast and efficient verify recovery and array discharge for 3d nand memory arrays

Номер патента: US20240071532A1. Автор: Rohit S. Shenoy,Shantanu R. Rajwade,Sagar UPADHYAY,Golnaz Karbasian,Tarek Ahmed AMEEN BESHARI. Владелец: Intel NDTM US LLC. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory device and program speed control method thereof

Номер патента: US20240361921A1. Автор: Dong Hun Kwak,Hyun Seob SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Separate peak current checkpoints for closed and open block read icc countermeasures in nand memory

Номер патента: US20240355400A1. Автор: Mark Shlick,Jiahui Yuan,Abu Naser Zainuddin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-24.

Separate peak current checkpoints for closed and open block read icc countermeasures in nand memory

Номер патента: WO2024226121A1. Автор: Mark Shlick,Jiahui Yuan,Abu Naser Zainuddin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-31.

Flash memory device and programming and erasing methods therewith

Номер патента: US20090206382A1. Автор: Jin Hyo Jung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-08-20.

Flash memory device and programming and erasing methods therewith

Номер патента: US7538378B2. Автор: Jin Hyo Jung. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-05-26.

Flash memory device and programming method thereof

Номер патента: US20140126296A1. Автор: Hsing-Wen Chang,Yao-Wen Chang,Chu-Yung Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-08.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240194275A1. Автор: Jong Woo Kim,Young Cheol SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Methods of operating nonvolatile memory devices, methods of operating storage device and storage devices

Номер патента: US20200194072A1. Автор: Sang-Won Jung,Shin-Ho Oh,Sang-Kwon Moon,Min-cheol Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-18.

Selective body reset operation for three dimensional (3D) NAND memory

Номер патента: US10176880B1. Автор: Changhyun LEE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-01-08.

3d nand memory device and control method thereof

Номер патента: US20240087654A1. Автор: Ke Liang,Liang Qiao,Zhipeng DONG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Methods for fabricating a layered semiconductor structure for nand memory devices

Номер патента: US20240064977A1. Автор: QIAN LI,LIANG XIAO,Lei Li,Shu Wu,Hao PU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Architecture and method for NAND memory operation

Номер патента: US11901023B2. Автор: Haibo Li,Changhyun LEE,XiangNan Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Architecture and method for nand memory operation

Номер патента: EP4244894A1. Автор: Haibo Li,Changhyun LEE,XiangNan Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-20.

Row driver circuit for nand memories including a decoupling inverter

Номер патента: US20130077412A1. Автор: Stefano Sivero. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-03-28.

Memory devices and systems having reduced bit line to drain select gate shorting and associated methods

Номер патента: US20170170190A1. Автор: Jun Zhao,Gordon Haller,Hongbin Zhu,Damir Fazil,Purnima Narayanan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Multi level sensing of NAND memory cells by external bias current

Номер патента: US6141244A. Автор: Shane Charles Hollmer,Pau-Ling Chen,Joseph G. Pawletko. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-10-31.

Segmentation of Blocks for Faster Bit Line Settling/Recovery in Non-Volatile Memory Devices

Номер патента: US20160012903A1. Автор: Hao Nguyen,Man Mui,Seungpil Lee,Amul Dhirajbhai Desai. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-01-14.

In-place write techniques without erase in a memory device

Номер патента: US20240071509A1. Автор: Xiang Yang,Jiacen Guo,Shubhajit Mukherjee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-29.

Method of initializing and programing 3d non-volatile memory device

Номер патента: US20180197615A1. Автор: Sang Ho Lee,Byung Gook Park,Dae Woong KWON,Do Bin KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-12.

Method of initializing and programming 3D non-volatile memory device

Номер патента: US9947413B2. Автор: Sang Ho Lee,Byung Gook Park,Dae Woong KWON,Do Bin KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Loop dependent word line ramp start time for program verify of multi-level nand memory

Номер патента: WO2024049533A1. Автор: Toru Miwa,Jiahui Yuan,Abu Naser Zainuddin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-07.

Method of initializing and programing 3d non-volatile memory device

Номер патента: US20170133095A1. Автор: Sang Ho Lee,Byung Gook Park,Dae Woong KWON,Do Bin KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-11.

Source bias temperature compensation for read and program verify operations on a memory device

Номер патента: US20230197175A1. Автор: Ching-Huang Lu,Ronit Roneel Prakash. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Skip coding for fractional bit-per-cell nand memories

Номер патента: WO2021118618A1. Автор: Hiroki Yabe. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2021-06-17.

Loop dependent word line ramp start time for program verify of multi-level NAND memory

Номер патента: US11875043B1. Автор: Toru Miwa,Jiahui Yuan,Abu Naser Zainuddin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-01-16.

Architecture and method for nand memory operation

Номер патента: US20240177787A1. Автор: Haibo Li,Changhyun LEE,XiangNan Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Operating method of a nonvolatile memory device for programming multi-page data

Номер патента: EP3958265A1. Автор: Jinyoung Kim,Sangwan Nam,Sehwan Park,Hyun SEO,Wandong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-23.

Nonvolatile memory device, programming method of nonvolatile memory device and memory system including nonvolatile memory device

Номер патента: US8902651B2. Автор: Sang-Won Park,Donghun Kwak,Won-Taeck JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-12-02.

In-place write techniques without erase in a memory device

Номер патента: US20240071508A1. Автор: Xiang Yang,Takayuki Inoue,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-29.

Storage device and program method thereof

Номер патента: US20240120019A1. Автор: Jae Hun JANG,Hyeonwu Kim,Hojun Jo,Jihwan Mun,Yoonjin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-11.

Non-volatile memory devices and program methods thereof

Номер патента: US20210020256A1. Автор: Jinwoo Park,Sang-Wan Nam,Wandong Kim,Seongjin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-21.

Method for accessing a multilevel nonvolatile memory device of the flash nand type

Номер патента: US20070047299A1. Автор: Rino Micheloni,Roberto Ravasio,Angelo Bovino,Vincenzo Altieri,Mario De Matteis. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-03-01.

Methods for active boosting to minimize capacitive coupling effect between adjacent gates of flash memory devices

Номер патента: US20080144384A1. Автор: Hao Fang,Masaaki Higashitani,Gerrit Jan Hemink,Tuan D. Pham. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2008-06-19.

Methods for active boosting to minimize capacitive coupling effect between adjacent gates of flash memory devices

Номер патента: US7672165B2. Автор: Masaaki Higashitani,Gerrit Jan Hemink,Tuan D Pham,Hao Fang Fang. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2010-03-02.

Program method of multi-bit memory device and data storage system using the same

Номер патента: US20110249496A1. Автор: Jun Jin Kong,Jaehong Kim,Hong Rak Son,Han Woong Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-10-13.

Non-volatile memory device and programming method thereof

Номер патента: US11901012B2. Автор: Byungsoo Kim,Jaeyong Jeong,Wandong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-13.

Method for Accessing in Reading, Writing and Programming to a NAND Non-Volatile Memory Electronic Device Monolithically Integrated on Semiconductor

Номер патента: US20090180328A1. Автор: Luigi Pascucci,Paolo Rolandi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2009-07-16.

Non-volatile memory device and method for programming the same

Номер патента: US20210027840A1. Автор: Sang-Won Park,Sang-Wan Nam,Jung-Yun Yun,Ji Ho Cho,Sang Gi HONG,Won Bo Shim,Ji Yeon SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-28.

Nonvolatile memory device and operation method thereof

Номер патента: US11837290B2. Автор: Joonsoo Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-05.

Storage device and method of operating the same

Номер патента: US11605433B2. Автор: Byoung Sung You. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-03-14.

Nonvolatile memory device and operation method thereof

Номер патента: US20200395079A1. Автор: Joonsoo Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-17.

Memory device, and manufacturing method and driving method thereof

Номер патента: US20230232635A1. Автор: Shuai Guo,Shijie BAI,Mingguang ZUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US11978519B2. Автор: Jung Ae Kim,Jee Yul KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Method and apparatus for optimizing erase and program times for a non-volatile memory device

Номер патента: US5801989A. Автор: Jin-Ki Kim,Sung-Soo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-09-01.

Memory device and program speed control method thereof

Номер патента: US20230350576A1. Автор: Dong Hun Kwak,Hyun Seob SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Methods for mitigating power loss events during operation of memory devices and memory devices employing the same

Номер патента: US20190272872A1. Автор: Violante Moschiano,Andrea Smaniotto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-05.

Methods for mitigating power loss events during operation of memory devices and memory devices employing the same

Номер патента: US11437093B2. Автор: Violante Moschiano,Andrea Smaniotto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-06.

Memory device and method of operating the memory device

Номер патента: US20210319838A1. Автор: Byoung In JOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-14.

Memory device and repair method of the memory device

Номер патента: EP4407621A1. Автор: Daeseok Byeon,Taehong KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-31.

Memory device and repair method of the memory device

Номер патента: US20240257898A1. Автор: Daeseok Byeon,Taehong KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20240145008A1. Автор: Young Hwan Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20230317816A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US10468113B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-11-05.

Vertical non-volatile memory device and electronic apparatus including the same

Номер патента: EP4398695A1. Автор: Minhyun LEE,Gukhyon Yon,Seungyeul YANG,Seokhoon CHOI,Kyunghun KIM,Seungdam HYUN,Hyungyung KIM,Hoseok HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-10.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, ERASING METHOD AND PROGRAMING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170229184A1. Автор: YAMAUCHI Kazuki. Владелец: WINBOND ELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2017-08-10.

Memory device, device and method for memory management

Номер патента: KR101028901B1. Автор: 이용석,정현모. Владелец: (주)인디링스. Дата публикации: 2011-04-12.

Source structure of three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: EP4258843A3. Автор: Qian Tao,Zhenyu Lu,Simon Shi-ning Yang,Jun Chen,Yushi Hu,Steve Weiyi Yang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Method of fixing a read evaluation time or the difference between a read charge voltage and a read discriminating voltage in a non-volatile nand type memory device

Номер патента: US20080062767A1. Автор: Rino Micheloni,Luca Crippa,Roberto Ravasio. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-03-13.

Source structure of three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: EP4258843A2. Автор: Qian Tao,Zhenyu Lu,Simon Shi-ning Yang,Jun Chen,Yushi Hu,Steve Weiyi Yang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-11.

Memory device and programming method thereof

Номер патента: US20240071523A1. Автор: Shih-Chang Huang,Han-Sung Chen,Kun-Tse Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Storing a logical-to-physical mapping in NAND memory

Номер патента: US12124380B2. Автор: Sanjay Subbarao. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

High density nand non-volatile memory device

Номер патента: EP1908108A2. Автор: Arup Bhattacharyya. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-04-09.

High density nand non-volatile memory device

Номер патента: WO2007011582A3. Автор: Arup Bhattacharyya. Владелец: Arup Bhattacharyya. Дата публикации: 2007-04-26.

High density nand non-volatile memory device

Номер патента: WO2007011582A2. Автор: Arup Bhattacharyya. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2007-01-25.

Techniques for preventing read disturb in NAND memory

Номер патента: US11769557B2. Автор: Shankar Natarajan,Yihua Zhang,Sriram Natarajan,Suresh Nagarajan,Arun Sitaram ATHREYA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

Techniques for preventing read disturb in NAND memory

Номер патента: US12094545B2. Автор: Shankar Natarajan,Yihua Zhang,Sriram Natarajan,Suresh Nagarajan,Arun Sitaram ATHREYA. Владелец: Intel NDTM US LLC. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory device

Номер патента: US20230299142A1. Автор: Yehwan KIM,Munkeun LEE,Samjong Choi,Cheongjun Kim,Yeonsook Kim,Euido Kim,Gayeong Baek,Hwon Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Three-dimensional memory device and methods for forming the same

Номер патента: EP4288997A1. Автор: Mingkang ZHANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-13.

Best read reference voltage search of 3d nand memory

Номер патента: EP4405951A1. Автор: Yufei FENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Memory device and program operation thereof

Номер патента: US20240272801A1. Автор: Jialiang DENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Read retry method for enhancing read performance and stability of 3d nand memory

Номер патента: US20240061606A1. Автор: Lu GUO,Guangchang YE,Zhongchen HUO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Leakage detection for three-dimensional nand memory

Номер патента: US20220399073A1. Автор: Kun Yang,Min She,Albert I. Ming CHANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-15.

Three-dimensional flat inverse nand memory device and method of making the same

Номер патента: WO2019139672A1. Автор: James Kai,Yingda Dong,Yangyin Chen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-07-18.

Storing a logical-to-physical mapping in nand memory

Номер патента: US20230359568A1. Автор: Sanjay Subbarao. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Techniques for preventing read disturb in nand memory

Номер патента: US20230395166A1. Автор: Shankar Natarajan,Yihua Zhang,Sriram Natarajan,Suresh Nagarajan,Arun Sitaram ATHREYA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Three-dimensional nand memory and fabrication method thereof

Номер патента: EP4285414A1. Автор: Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-06.

Firmware repair for three-dimensional nand memory

Номер патента: US20220391280A1. Автор: Yanlan Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-08.

Best read reference voltage search of 3d nand memory

Номер патента: US20240201853A1. Автор: Yufei FENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Firmware repair for three-dimensional NAND memory

Номер патента: US11892902B2. Автор: Yanlan Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Best read reference voltage search of 3d nand memory

Номер патента: WO2024124417A1. Автор: Yufei FENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-06-20.

Leakage detection for three-dimensional NAND memory

Номер патента: US11923032B2. Автор: Kun Yang,Min She,Albert I. Ming CHANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Nor-type memory device, method of manufacturing nor-type memory device, and electronic apparatus including memory device

Номер патента: US20230301100A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institure Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US20070211533A1. Автор: Sang-jin Park,Sang-Min Shin,Young-soo Park,Young-Kwan Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-09-13.

Memory device structure and fabrication method

Номер патента: US20240194260A1. Автор: LIANG Chen,WEI Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Microelectronic devices including through-silicon vias, and related memory devices and electronic systems

Номер патента: US20240290385A1. Автор: James E. Davis,Shyam Surthi,Kangyoul LEE,Yui Shimizu,Martin W. Popp. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Scan fragmentation in memory devices

Номер патента: US20240256145A1. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Saeed Sharifi Tehrani,Christopher M. Smitchger. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Methods of forming microelectronic devices, and related microelectronic devices, memory devices, and electronic systems

Номер патента: US20230290409A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Shuangqiang Luo,Jiewei Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Non-volatile memory devices and systems with read-only memory features and methods for operating the same

Номер патента: US11769561B2. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Nonvolatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190157284A1. Автор: Il-han Park,Bong-Soon Lim,June-Hong PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-23.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US20240355394A1. Автор: Feng-Min Lee,Yu-Hsuan Lin,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Nonvolatile memory device, memory system, and programming method

Номер патента: US20230343401A1. Автор: Tianyu Wang,Xueqing Huang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Nonvolatile memory device, wordline voltage generating method, programming method and reading method thereof, memory system and electronic device having the same

Номер патента: KR101780421B1. Автор: 이수웅,권석천,강상철. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2017-09-21.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND ITS OPTIMIZED PROGRAMMING METHOD.

Номер патента: ITMI921000D0. Автор: Jin-Ki Kim,Kang-Deog Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1992-04-28.

Multi-bit flash memory device with single latch structure, program method thereof, and memory card including the same

Номер патента: KR100778082B1. Автор: 이진엽,이호길. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-11-21.

Non-volatile memory device e.g. flash memory, programming method for e.g. personal computer, involves detecting whether bitline voltage falls below preset detection voltage during programming period associated with program loop

Номер патента: DE102005052213A1. Автор: Jae-Yong Yongin Jeong,Heung-Soo Yongin Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-04.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, READING METHOD, AND PROGRAMMING METHOD

Номер патента: US20150155043A1. Автор: Yano Masaru. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-04.

Flash memory device and programming method thereof

Номер патента: US8194463B2. Автор: Jong-Hwa Kim,Young-Joon Choi,Seok-Cheon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-06-05.

Flash memory device and program method thereof

Номер патента: US20240153569A1. Автор: Wen-Chiao Ho. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Dynamic random access memory and programming method therefor

Номер патента: US20220215884A1. Автор: Chao Yang Chen,Ming Sheng Tung. Владелец: NS Poles Technology Corp. Дата публикации: 2022-07-07.

Memory device and enhance programming method thereof

Номер патента: US20240347118A1. Автор: Ju-Chieh Cheng,Ngatik Cheung,Lung-Chi Cheng,Ying-Shan Kuo,Shan-Hsuan Tsai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

MEMORY DEVICE, MEMORY SYSTEM, AND PROGRAMMING METHOD THEREOF

Номер патента: US20130205073A1. Автор: HWANG Nam-oh,SONG Dong-hyun,JO Han-chan. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-08-08.

Non-volatile memory device and high speed program method thereof

Номер патента: KR100645047B1. Автор: 임재우. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-11-10.

Nonvolatile Memory Devices, Channel Boosting Methods Thereof, Programming Methods Thereof, And Memory Systems Including The Same

Номер патента: US20120039130A1. Автор: Sung-Won Yun,Sang-Wan Nam,Donghyuk Chae,ChiWeon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-02-16.

NONVOLATILE MEMORY DEVICES, CHANNEL BOOSTING METHODS THEREOF, PROGRAMMING METHODS THEREOF, AND MEMORY SYSTEMS INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20130279262A1. Автор: YUN Sung-Won,CHAE Donghyuk,NAM Sang-Wan,YOON Chiweon. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-24.

Nonvolatile memory device controlling program start voltage, program method thereof, and memory system including the same

Номер патента: KR101344347B1. Автор: 박기태,이영택. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2013-12-24.

Semiconductor device, semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20150294736A1. Автор: Young-Bo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-10-15.

Semiconductor device and programming method

Номер патента: US20070253266A1. Автор: WAI CHAN,Chi Yat Leung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-01.

Memory device storing parity and memory system including the same

Номер патента: US20220130485A1. Автор: Dongmin Shin,Geunyeong YU,Youngjun Hwang,Hongrak Son,Bohwan Jun,Heeyoul KWAK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-28.

A non-volatile memory device and a method of programming such device

Номер патента: WO2013085676A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2013-06-13.

A non-volatile memory device and a method of programming such device

Номер патента: EP2788987A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2014-10-15.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240334706A1. Автор: Ki Deok KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Anti-fuse memory device, memory array, and programming method of an anti-fuse memory device for preventing leakage current and program disturbance

Номер патента: US11783905B2. Автор: Chun-Hung Lin,Cheng-Da Huang,Chieh-Tse Lee,Ting-Yang Yen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Memory devices, memory device constructions, constructions, memory device forming methods, current conducting devices, and memory cell programming methods

Номер патента: WO2009142884A3. Автор: Chandra Mouli. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2010-02-18.

Three-dimensional memory devices having first semiconductor structure bonded with second semiconductor structure each including peripheral circuit and methods for forming the same

Номер патента: US12082408B2. Автор: WEI Liu,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Three-dimensional memory device with embedded dynamic random-access memory

Номер патента: EP4401127A2. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Correcting power loss in nand memory devices

Номер патента: US20190065108A1. Автор: Peter Sean Feeley,Kishore Kumar Muchherla,Sampath Ratnam,Michael G. Miller,Gary F. Besinga,Harish Singidi,Renan Padilla. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-02-28.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US11996152B2. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG,Yanhong Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Nonvolatile memory device and program method thereof

Номер патента: US20160358657A1. Автор: Jinwoo Kim,Youngjin Cho,Seong Yeon Kim,Hyo-Deok Shin,Younggeun LEE,Jaegeun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-08.

Semiconductor memory device that randomizes data and randomizer thereof

Номер патента: US20180210654A1. Автор: Yasuhiko Kurosawa,Tsuyoshi Atsumi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-07-26.

Memory device and program/erase method therefor

Номер патента: US20190244670A1. Автор: Jun-Lin Yeh. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2019-08-08.

Three-dimensional memory device with embedded dynamic random-access memory

Номер патента: WO2020220280A1. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-11-05.

Programming method for nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140219029A1. Автор: Cheng-Hung Tsai. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-07.

Cross-temperature compensation in non-volatile memory devices

Номер патента: US20240202071A1. Автор: Andrea Giovanni Xotta,Umberto Siciliani. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Non-volatile memory and programming method thereof

Номер патента: US12020747B2. Автор: Feng-Min Lee,Po-Hao Tseng,Yung-Chun Li. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20100135081A1. Автор: Shoichi Kawamura,Masahito Takehara. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-06-03.

Memory programming method, memory device, and memory system

Номер патента: US20240304247A1. Автор: XiangNan Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory device and programming method thereof

Номер патента: US20200051620A1. Автор: Ping-Hsien Lin,Yung-Chun Li. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Nonvolatile memory device and method of driving the same

Номер патента: US20090296467A1. Автор: Sung-Soo Lee,Hyung-Gon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-12-03.

Three-dimensional memory device and method for enhanced page register reset

Номер патента: US11983439B2. Автор: Xiang Ming ZHI,Augustus TSAI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Nonvolatile memory device and related programming method

Номер патента: US20120170374A1. Автор: Jae-Woo Park,Jung-no Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-07-05.

Memory system and memory device

Номер патента: US20190180800A1. Автор: Toshiya Matsuda,Hiroyuki Kawano,Kousuke Fujita. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Storage devices and methods of operating storage devices

Номер патента: US12056007B2. Автор: Eun Chu Oh,Byungchul Jang,Junyeong Seok,Younggul SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Nonvolatile memory device and operation method thereof

Номер патента: US20190278487A1. Автор: Chankyung Kim,Uksong Kang,Youngjin Cho,JinHyeok Choi,Sungyong SEO,Sun-Young Lim,Duckhyun Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-12.

Dual-gate device and method

Номер патента: US20080318380A1. Автор: Andrew J. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-25.

ONON Sidewall Structure for Memory Device and Method for Making the Same

Номер патента: US20240296890A1. Автор: Chen-Ming Huang,Shih-Hsien Chen,Chia-Sheng Lin,Po-Wei Liu,Hung-Ling Shih,Yu-Chun Chang,Wei-Lin Chang,Wen-Tuo Huang,Yu-Hsiang Yang,Shihkuang YANG,Yu-Ling Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Memory device and program operation thereof

Номер патента: US20240145007A1. Автор: Ke Jiang,Huangpeng ZHANG,Cong Luo,Zhichao DU,Daesik Song. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Storage device and a storage system including the same

Номер патента: US20210191883A1. Автор: Ji Soo Kim,Seung-jae Lee,Ye Jin Yoon,Min Gon Shin,Hwa Soo LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-24.

Storage device and a storage system including the same

Номер патента: EP3839776A1. Автор: Ji Soo Kim,Seung-jae Lee,Ye Jin Yoon,Min Gon Shin,Hwa Soo LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-23.

Single-chip microcomputer and method of modifying memory contents of its memory device

Номер патента: US20010048442A1. Автор: Izumi Takaishi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-06.

Storage device and operation method thereof

Номер патента: US12061796B2. Автор: Gyeongmin Nam,Chanha KIM,Seungryong Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US11748036B2. Автор: Chu Seok KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Methods for memory power management and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20210035617A1. Автор: Gregory A. King,George E. Pax,Chan H. Yoo,Randon K. Richards,Timothy M. Hollis,Eric J. Stave,Yogesh Sharma. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Methods for memory power management and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US12112830B2. Автор: Gregory A. King,George E. Pax,Chan H. Yoo,Randon K. Richards,Timothy M. Hollis,Eric J. Stave,Yogesh Sharma. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-10-08.

A secure non-volatile memory device and a method of protecting data therein

Номер патента: EP2074628A2. Автор: Guoqiao Tao. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-07-01.

A secure non-volatile memory device and a method of protecting data therein

Номер патента: WO2008038242A2. Автор: Guoqiao Tao. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2008-04-03.

Memory devices and methods of operating memory

Номер патента: US20130258769A1. Автор: Terry Grunzke. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-10-03.

Semiconductor device and source voltage control method

Номер патента: US20050286328A1. Автор: Shigekazu Yamada,Masaru Yano,Kazuhide Kurosaki. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2005-12-29.

Flash memory device and program method thereof

Номер патента: US20060245260A1. Автор: Moo-Sung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-11-02.

Method of correcting error of flash memory device, and, flash memory device and storage system using the same

Номер патента: US8612830B2. Автор: Jun Kitahara,Nagamasa Mizushima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2013-12-17.

Memory device and program operation thereof

Номер патента: WO2024138912A1. Автор: Weijun Wan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-07-04.

Methods for manufacturing and operating a memory device and a method for operating a system having the same

Номер патента: US20160005454A1. Автор: Young Jin Cho,Kui Yon MUN,Young Kwang YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-01-07.

Nonvolatile memory device, memory system, and program method threof

Номер патента: US20130262751A1. Автор: Donghun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-10-03.

Non-volatile memory device, memory system, and program method of the same

Номер патента: CN103366809A. Автор: 郭东勋. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-10-23.

Memory Devices, Memory Device Constructions, Constructions, Memory Device Forming Methods, Current Conducting Devices, and Memory Cell Programming Methods

Номер патента: US20190280046A1. Автор: Mouli Chandra. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-12.

Memory devices, memory device constructions, constructions, memory device forming methods, current conducting devices, and memory cell programming methods

Номер патента: KR101196052B1. Автор: 찬드라 물리. Владелец: 마이크론 테크놀로지, 인크.. Дата публикации: 2012-11-01.

Flash memory device and flash memory programming method equalizing wear-level

Номер патента: WO2009084797A1. Автор: Bumsoo Kim,Hyunmo Chung,Hanmook Park. Владелец: Indilinx Co., Ltd.. Дата публикации: 2009-07-09.

Nonvolatile storage device and os image program method thereof

Номер патента: KR102039537B1. Автор: 박준석,조성현,김동인,이태민,임채석. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2019-11-01.

Cache program operation of three-dimensional memory device with static random-access memory

Номер патента: US12019919B2. Автор: Yue Ping Li,Chun Yuan Hou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

NAND Flash Memory Device

Номер патента: US20160189788A1. Автор: Hui Chen,Oron Michael,Robin John Jigour. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-30.

NAND flash memory device

Номер патента: US9627082B2. Автор: Hui Chen,Oron Michael,Robin John Jigour. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of Operating a NAND Flash Memory Device

Номер патента: US20160189789A1. Автор: Hui Chen,Oron Michael,Robin John Jigour. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-30.

Method of operating a NAND flash memory device

Номер патента: US9620231B2. Автор: Hui Chen,Oron Michael,Robin John Jigour. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

3D NAND memory device and method of forming the same

Номер патента: US11737263B2. Автор: Fushan Zhang,Enbo Wang,Yushi Hu,Haohao YANG,Ruo Fang ZHANG,Qianbing Xu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Memory device and programming method thereof

Номер патента: US20240062814A1. Автор: Jeremy Guy. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Overhead reduction in data transfer protocol for NAND memory

Номер патента: US11755211B2. Автор: Min Peng,Hua-Ling Cynthia Hsu,Sahil Sharma,Daniel Tuers,YenLung Li,Grishma Shah. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Nonvolatile memory device and program method of the same

Номер патента: US20180268907A1. Автор: Yong-Seok Kim,Byoung-taek Kim,Ji-Ho Cho,Won-Bo Shim,Sun-gyung HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-09-20.

Method and apparatus for managing seed value for data scrambling in nand memory

Номер патента: US20210375374A1. Автор: Saugata Das Purkayastha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-02.

Memory device and programming method thereof

Номер патента: US12029143B2. Автор: Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Memory device and programming method thereof

Номер патента: US20220367807A1. Автор: Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Data processing device and method for operating data processing device

Номер патента: US11776596B2. Автор: Takayuki Ikeda,Shunpei Yamazaki,Hitoshi KUNITAKE. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Memory device

Номер патента: US12082391B2. Автор: Hitoshi KUNITAKE,Kazuki Tsuda,Satoru Ohshita. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Novel 3D NAND Memory Device And Method of Forming The Same

Номер патента: US20240090223A1. Автор: Ming Wang,Yali SONG,Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Overhead Reduction in Data Transfer Protocol for NAND Memory

Номер патента: US20220179568A1. Автор: Min Peng,Hua-Ling Cynthia Hsu,Sahil Sharma,Daniel Tuers,YenLung Li,Grishma Shah. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2022-06-09.

Memory devices with cryptographic components

Номер патента: US11868488B2. Автор: Antonino Mondello,Francesco Tomaiuolo,Tommaso Zerilli,Carmelo Condemi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Memory devices with cryptographic components

Номер патента: EP3915035A1. Автор: Antonino Mondello,Francesco Tomaiuolo,Tommaso Zerilli,Carmelo Condemi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-01.

Memory devices with cryptographic components

Номер патента: US20230086754A1. Автор: Antonino Mondello,Francesco Tomaiuolo,Tommaso Zerilli,Carmelo Condemi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-23.

Cache program operation of three-dimensional memory device with static random-access memory

Номер патента: EP3909048A1. Автор: Chun Yuan Hou,Yueping Li. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-17.

Fail safe refresh of data stored in nand memory device

Номер патента: WO2015070082A1. Автор: RICHARD Patrick,Benish Babu,William Edward Kimberly,Efrain ORTUNO. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-05-14.

Fail Safe Refresh of Data Stored in NAND Memory Device

Номер патента: US20150134888A1. Автор: RICHARD Patrick,Benish Babu,William Edward Kimberly,Efrain ORTUNO. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-05-14.

Fail safe refresh of data stored in nand memory device

Номер патента: EP3069349A1. Автор: RICHARD Patrick,Benish Babu,William Edward Kimberly,Efrain ORTUNO. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-09-21.

Integration of three-dimensional NAND memory devices with multiple functional chips

Номер патента: US11923339B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

NAND memory with different pass voltage ramp rates for binary and multi-state memory

Номер патента: US12046314B2. Автор: Jiahui Yuan,Abu Naser Zainuddin,Dong-il MOON. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-23.

Decoder for Nand Memory

Номер патента: US20120163087A1. Автор: Shuo-Nan Hung,Tseng-Yi Liu,Chang Ting Chen,Chi-Yu Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-28.

Novel 3d nand memory device and method of forming the same

Номер патента: US20230337423A1. Автор: Fushan Zhang,Enbo Wang,Yushi Hu,Haohao YANG,Ruo Fang ZHANG,Qianbing Xu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Nand memory with different pass voltage ramp rates for binary and multi-state memory

Номер патента: US20240071544A1. Автор: Jiahui Yuan,Abu Naser Zainuddin,Dong-il MOON. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-29.

3D NAND memory device and method of forming the same

Номер патента: US11825656B2. Автор: Ming Wang,Yali SONG,Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Nand memory with different pass voltage ramp rates for binary and multi-state memory

Номер патента: WO2024049532A1. Автор: Jiahui Yuan,Abu Naser Zainuddin,Dong-II MOON. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-07.

Unified chip enable, address and command latch enable protocol for nand memory

Номер патента: US20200363987A1. Автор: Vinayak Ghatawade,Sneha Bhatia,Sajal Mittal. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-11-19.

Memory device and formation method thereof

Номер патента: US20240315153A1. Автор: Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method of manufacturing the same and semiconductor manufacturing device

Номер патента: US8815652B2. Автор: Fumihiko Inoue,Kentaro Sera. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-08-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same and semiconductor manufacturing device

Номер патента: US20080316790A1. Автор: Fumihiko Inoue,Kentaro Sera. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-12-25.

Microelectronic devices including contact structures, and related memory devices, electronic systems, and methods

Номер патента: EP4417026A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-21.

Memcapacitor and programming method for same and capacitive memory

Номер патента: EP3680906A1. Автор: designation of the inventor has not yet been filed The. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-15.

Memory device and programming method

Номер патента: US10672447B2. Автор: Jung Hyuk Lee,Hyunsung Jung,Hyemin Shin,Yoonjong Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-02.

Nonvolatile memory device and program method of the same

Номер патента: US20210217477A1. Автор: Yong-Seok Kim,Byoung-taek Kim,Ji-Ho Cho,Won-Bo Shim,Sun-gyung HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-15.

Test device and test method thereof

Номер патента: US20240145024A1. Автор: Yao-Chang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Packet routing between memory devices and related apparatuses, methods, and memory systems

Номер патента: US20240241641A1. Автор: John D. Leidel. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Embedded memory device and method for embedding memory device in a substrate

Номер патента: US20200075567A1. Автор: Andrew Collins. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: IE58553B1. Автор: . Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1993-10-06.

Fusion memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US12119336B2. Автор: Daehyun Kim,Jinmin Kim,Hyunsik Park,Hei Seung Kim,Sangkil Lee,Hyunmog Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Methods of forming microelectronic devices, and related microelectronic devices, memory devices, and electronic systems

Номер патента: US20220246681A1. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-04.

Semiconductor memory device and manufacturing method and read/write method therefor, and electronic device and memory circuit

Номер патента: EP4395490A1. Автор: Chao Zhao,Zhengyong Zhu,Guilei Wang,BokMoon Kang. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-07-03.

Memory devices, operating methods of the memory devices, and test systems including the memory devices

Номер патента: EP4280213A2. Автор: Wonyoung Choi,Changkyu Seol,Jeongseok PARK,Hyeran Kim,Sungrae Kim,Gilyoung Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-22.

Memory device training

Номер патента: US12027195B2. Автор: QI Dong,Xuesong Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Apparatus and method for detecting errors in a memory device

Номер патента: US12009041B2. Автор: Siddharth Gupta,Antony John Penton,Sachin Gulyani,Cyrille Nicolas Dray,Luc Olivier PALAU. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2024-06-11.

Optical memory device and method therefor

Номер патента: US8335099B2. Автор: Franz Michael Schuette. Владелец: OCZ Technology Group Inc. Дата публикации: 2012-12-18.

Optical memory device and method therefor

Номер патента: US20110044086A1. Автор: Franz Michael Schuette. Владелец: OCZ Technology Group Inc. Дата публикации: 2011-02-24.

Memory device and process for improving the state of a termination

Номер патента: US20030076712A1. Автор: Seong-Jin Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-04-24.

Solid-state memory device with plurality of memory devices

Номер патента: WO2017046638A1. Автор: James T. Cerrelli. Владелец: 2419265 Ontario Limited. Дата публикации: 2017-03-23.

Memory devices and related electronic systems

Номер патента: US20240170427A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Training method of memory device and electronic device and electronic system including the same

Номер патента: US11461113B2. Автор: Dong Kim,Jong Un Kim,Jang Seon PARK,Ju Chan LEE,Hyung Lae EUN,In Hoon PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-04.

Memory device and method for testing memory devices with repairable redundancy

Номер патента: US20060198215A1. Автор: Martin Perner,Volker Kilian. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-09-07.

Methods for tuning command/address bus timing and memory devices and memory systems using the same

Номер патента: US20240249758A1. Автор: Dirgha Khatri,Timothy M. Hollis,Eric J. Stave,Matthew B. Leslie,Baekkyu Choi,Yogesh Sharma,Scott R. Cyr,Elancheren Durai,Quincy R. Holton,Boe L. Holbrook. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Test chamber for memory device, test system for memory device having the same and method of testing memory devices using the same

Номер патента: US20210003632A1. Автор: Chang-Ho Lee,Jin-Ho Choi,Min-Woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-07.

Three-dimensional memory device with word lines extending through sub-arrays, semiconductor device including the same and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230345732A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Methods of forming microelectronic devices, and related microelectronic devices, memory devices, and electronic systems

Номер патента: US20220077168A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Nancy M. LOMELI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Power-supply device and electronic device including the same

Номер патента: US10802963B2. Автор: Jeong Su Park,Yong Seok Oh,Joo Il Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-10-13.

Multi-site testing of computer memory devices and serial io ports

Номер патента: US20140026006A1. Автор: Chinsong Sul. Владелец: Silicon Image Inc. Дата публикации: 2014-01-23.

Heater devices for microelectronic devices and related microelectronic devices, modules, systems and methods

Номер патента: US20220293140A1. Автор: William A. Lendvay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-15.

Microelectronic devices including control logic circuitry overlying memory arrays, and related memory devices and electronic systems

Номер патента: US20230301053A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Microelectronic devices, and related methods and memory devices

Номер патента: US12089422B2. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Methods for asynchronously signaling updated information from a memory device to a host and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20240289060A1. Автор: Frank F. Ross. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

Storage device and access method thereof

Номер патента: US20200402580A1. Автор: Jihong Kim,Myoung Seok Kim,Kyungduk Lee,Young-Seop Shim,Kirock Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-24.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US20200218606A1. Автор: Hyun Jun Lee,Seung Gu JI,Byeong Gyu Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-07-09.

Chalcogenide memory device components and composition

Номер патента: US20200035753A1. Автор: F. Daniel Gealy,Enrico Varesi,Paolo Fantini,Swapril A. Lengade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-30.

Selectable fuse sets, and related methods, devices, and systems

Номер патента: US20220139492A1. Автор: James S. Rehmeyer,Christopher G. Wieduwilt,Seth A. Eichmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

Magnetic tunneling junction device, memory device including the same, and method of manufacturing the magnetic tunneling junction device

Номер патента: US20220285607A1. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-08.

Memory devices configured to provide external regulated voltages

Номер патента: US20240203479A1. Автор: Thomas H. Kinsley,Matthew A. Prather. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Magnetic tunneling junction device, memory device including the same, and method of manufacturing the magnetic tunneling junction device

Номер патента: EP4053925A3. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-19.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: EP4120376A2. Автор: Naoki Hase,Kiwoong Kim,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-18.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: EP4271164A2. Автор: Naoki Hase,Kiwoong Kim,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-01.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: US20230019156A1. Автор: Naoki Hase,Kiwoong Kim,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-19.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: EP4250296A2. Автор: Naoki Hase,Kiwoong Kim,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-27.

Method for performing page availability management of memory device, associated memory device and electronic device, and page availability management system

Номер патента: US10811120B2. Автор: Po-Wei Wu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-10-20.

Non-volatile memory circuit including voltage divider with phase change memory devices

Номер патента: EP2377128A1. Автор: John C. Costello,Peter J. McElheny,Richard G. Smolen. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2011-10-19.

Device and method for protecting a memory

Номер патента: US12032692B2. Автор: Sylvain Guilley,Michel LE ROLLAND,Adrien FACON. Владелец: Secure IC SAS. Дата публикации: 2024-07-09.

System and method for reducing pin-count of memory devices, and memory device testers for same

Номер патента: US20130229878A1. Автор: Benjamin S. Louie,Scott N. Gatzemeier,Adam D. Johnson,Wallace E. Fister. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-05.

Storage device including nonvolatile memory device and controller

Номер патента: US20240241648A1. Автор: Sangwoo Kim,Yongjun CHO,Changjun LEE,Dayeon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Storage device and operating method of storage device

Номер патента: US20240257849A1. Автор: Hyungjin Kim,Youngwook Kim,Soong-Man Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: US12052930B2. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-30.

Magnetic tunneling junction device, memory device including the same, and method of manufacturing the magnetic tunneling junction device

Номер патента: EP4053925A2. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-07.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: EP4332972A1. Автор: Kui-Yon Mun,JooYoung HWANG,Seunghyun Choi,Gyeongmin Kim,Junyeong HAN,Keunsan Park,HeeTak Shin,Joon-Whan BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-06.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: EP4332969A1. Автор: JooYoung HWANG,Seunghyun Choi,Gyeongmin Kim,Junyeong HAN,Keunsan Park,HeeTak Shin,Joon-Whan BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-06.

Non-destructive pattern identification at a memory device

Номер патента: US11935617B2. Автор: Takamasa Suzuki,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Method for performing page availability management of memory device, associated memory device and electronic device, and page availability management system

Номер патента: US20190347028A1. Автор: Po-Wei Wu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Coding-decoding device and coding-decoding method

Номер патента: US20030172340A1. Автор: Hiroshi Nozawa,Masao Takayama,Shinzo Koyama,Yoshikazu Fujimori. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2003-09-11.

Coding-decoding device and method for conversion of binary sequences

Номер патента: US7039847B2. Автор: Hiroshi Nozawa,Masao Takayama,Shinzo Koyama,Yoshikazu Fujimori. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2006-05-02.

Non-volatile memory circuit including voltage divider with phase change memory devices

Номер патента: WO2010083087A1. Автор: John C. Costello,Peter J. McElheny,Richard G. Smolen. Владелец: Altera Corporation. Дата публикации: 2010-07-22.

Dynamic random access memory device and μBGA package using multiple reference voltage pads

Номер патента: US6310796B1. Автор: Ho-sung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-10-30.

Test chamber for memory device, test system for memory device having the same and method of testing memory devices using the same

Номер патента: US20190285695A1. Автор: Chang-Ho Lee,Jin-Ho Choi,Min-Woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-19.

Layouts for pads and conductive lines of memory devices, and related devices, systems, and methods

Номер патента: US11742306B2. Автор: Takashi Ishihara. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Methods of operating semiconductor memory devices and semiconductor memory devices

Номер патента: US20190172512A1. Автор: Ki-Seok OH,Seong-Hwan Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-06.

Power-supply device and electronic device including the same

Номер патента: US10657043B2. Автор: Jeong Su Park,Yong Seok Oh,Joo Il Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-05-19.

Memory device, operating method of the memory device and memory system comprising the memory device

Номер патента: US12057194B2. Автор: Jae Woo Park,Young Don CHOI,Jung Hwan Choi,Hyeok Jun CHOI,Young Chul Cho,Seung Jin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor structure, memory device, semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210082817A1. Автор: Ling-Yi Chuang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

Methods of forming microelectronic devices, and related microelectronic devices, memory devices, and electronic systems

Номер патента: EP4420494A1. Автор: Kunal R. Parekh,Angela S. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Van der Waals heterostructure memory device and switching method

Номер патента: US11705200B2. Автор: Tao Liu,Wei Chen,DU Xiang. Владелец: Singapore Suzhou Research, National University of. Дата публикации: 2023-07-18.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12068263B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory device, operating method of the memory device and memory system comprising the memory device

Номер патента: US20230298645A1. Автор: Jae Woo Park,Young Don CHOI,Jung Hwan Choi,Hyeok Jun CHOI,Young Chul Cho,Seung Jin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Non-destructive pattern identification at a memory device

Номер патента: US20230326494A1. Автор: Takamasa Suzuki,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: US20200243146A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-30.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: EP3769203A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-27.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: US20190295666A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-26.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: US20210082529A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: WO2019182747A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-09-26.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: US10867685B2. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-15.

Memory device and read/write method of memory device

Номер патента: US12051392B2. Автор: Chang Sue Seo. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Methods of forming microelectronic devices, and related microelectronic devices, memory devices, and electronic systems

Номер патента: WO2022132537A1. Автор: Lifang Xu,John D. Hopkins,Nancy M. LOMELI,Kar Wui Thong,Indra V. Chary,Shuangqiang Luo,Shicong Wang. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-06-23.

Method of performing internal processing operation of memory device

Номер патента: US12073871B2. Автор: Pavan Kumar Kasibhatla,Hak-soo Yu,Seong-il O. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Van der waals heterostructure memory device and switching method

Номер патента: US20210391009A1. Автор: Tao Liu,Wei Chen,DU Xiang. Владелец: Singapore Suzhou Research Institute, National University of. Дата публикации: 2021-12-16.

Memory device tester and method for testing reduced power states

Номер патента: US20020190708A1. Автор: Matthew Harrington,Van Huynh,Adin Hyslop. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-12-19.

Memory device tester and method for testing reduced power states

Номер патента: US20020149982A1. Автор: Matthew Harrington,Van Huynh,Adin Hyslop. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-10-17.

Non-volatile memory device capable of supplying power

Номер патента: US20100027365A1. Автор: Chwei-Jing Yeh. Владелец: Ritek Corp. Дата публикации: 2010-02-04.

Memory device and a method for forming the memory device

Номер патента: US20210043637A1. Автор: Bin Liu,Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Desmond Jia Jun Loy. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-02-11.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US20240281166A1. Автор: Jae Woong Jeong,In Bo Shim,Dal Gon KIM,Na Yeong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Electronic device, memory device, and write leveling method thereof

Номер патента: US20240265955A1. Автор: Shun-Ke WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Artificial synapse device based on resistive change memory device, and method for manufacturing same

Номер патента: US20240237566A1. Автор: Jea Gun Park,Soo Min JIN,Dae Seong WOO,Sang Hong PARK,Sung Mok JUNG. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-07-11.

Storage device including nonvolatile memory device and controller, controller and operating method of nonvolatile memory device

Номер патента: US20230350609A1. Автор: Young-Ho Park,Yonghwa LEE,Seontaek Kim,Eun Ju Choi,Jesuk YEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-02.

3D NAND flash memory devices, and related electronic systems

Номер патента: US12096626B2. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory module including memory devices, each to which unique id is assigned, and storage device including the same

Номер патента: EP4425495A1. Автор: Taeyoung Oh,Ki-Heung Kim,Jinseong Yun,Hyongryol Hwang,Taekwoon Kim,Yoonjae Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-04.

Memory module including memory devices, each to which unique id is assigned, and storage device including the same

Номер патента: US20240289058A1. Автор: Taeyoung Oh,Ki-Heung Kim,Jinseong Yun,Hyongryol Hwang,Taekwoon Kim,Yoonjae Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory device tester and method for testing reduced power states

Номер патента: US6674677B2. Автор: Adin E. Hyslop,Matthew R. Harrington,Van C. Huynh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-01-06.

Adaptive optimization of error-handling flows in memory devices

Номер патента: US20240302968A1. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Jay Sarkar,Ipsita Ghosh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Microelectronic devices and memory devices

Номер патента: US20240349498A1. Автор: John D. Hopkins,Jordan D. GREENLEE,Nancy M. LOMELI. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-10-17.

Electronic device, memory device, and write leveling method thereof

Номер патента: US12125557B2. Автор: Shun-Ke WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240363555A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

On-die heater devices for memory devices and memory modules

Номер патента: US12073908B2. Автор: William A. Lendvay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor memory device and method providing log information

Номер патента: US12045496B2. Автор: Kwanghyun KIM,Boayeong Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Self-testing data storage devices and methods

Номер патента: US09972403B2. Автор: Roderick A. Hyde,Muriel Y. Ishikawa,Lowell L. Wood, JR.,Jordin T. Kare,Jeffrey A. Bowers,Victoria Y. H. Wood,Peter L. Hagelstein. Владелец: ELWHA LLC. Дата публикации: 2018-05-15.

Inductive energy harvesting and signal development for a memory device

Номер патента: US20220037920A1. Автор: Dmitri A. Yudanov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Memory device and electronic device

Номер патента: US20230335180A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Tatsuya Onuki,Takahiko Ishizu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: US20230020056A1. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-19.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: EP4120375A2. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-18.

Memory device stack availability

Номер патента: WO2024086104A1. Автор: John Eric Linstadt,Dongyun Lee,Wendy Elsasser. Владелец: RAMBUS INC.. Дата публикации: 2024-04-25.

Microelectronic device interface configurations, and associated methods, devices, and systems

Номер патента: US12033945B2. Автор: Satoru Sugimoto,Hiroki Hosaka,Hayato Oishi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Apparatus, memory device, and method for storing multiple parameter codes for operation parameters

Номер патента: US20220148631A1. Автор: Kiho Kim,Youngbin LEE,Yeonkyu CHOI,Jinhoon Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-12.

Temperature-dependent read operation time adjustment in non-volatile memory devices

Номер патента: US20190043567A1. Автор: Ali Khakifirooz,Pranav Kalavade,Aliasgar MADRASWALA,Shantanu Rajwade,Rohit Shenoy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Storage devices and methods of operating storage devices

Номер патента: EP3955123A1. Автор: Jiwoon Park,Jaehyurk CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-16.

Storage devices and methods of operating storage devices

Номер патента: US20220051733A1. Автор: Jiwoon Park,Jaehyurk CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-17.

Microelectronic devices and memory devices including conductive levels having varying compositions

Номер патента: US20230154856A1. Автор: Rita J. Klein,Yiping Wang,John D. Hopkins,Yongjun J. Hu,Jordan D. GREENLEE,Everett A. McTeer,Rajesh Balachandran. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Flash memory controller and method capable of transmitting multiple set-feature signals and macro settings to flash memory device

Номер патента: US20240004581A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Memory device comprising an ecc for error correction based on hint data

Номер патента: EP4170660A1. Автор: YoungMin Lee,Jeongmin Seo,Changjun LEE,Eunkak Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-26.

Semiconductor Memory Device And Method For Manufacturing The Same

Номер патента: US20230247823A1. Автор: Youngseok Kim,Jae Seong PARK,Sung-wook Jung,Daeyoung MOON,Young Sin Kim,Suhwan Hwang,Seongkeun CHO,Keum Joo Lee,Sungduk Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-03.

Memory device capable of calibration and calibration methods therefor

Номер патента: US20040141370A1. Автор: Manoj Bhattacharyya,Lung Tran. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-22.

Storage node of a resistive random access memory device with a resistance change layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US8362455B2. Автор: Sang-jun Choi,Jung-hyun Lee,Chang-Soo Lee,Hyung-Jin Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-01-29.

Error correction device and methods thereof

Номер патента: WO2007112163A2. Автор: Anis M. Jarrar,Jim C. Nash. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2007-10-04.

Resistive switching devices and methods for their manufacture and operation

Номер патента: WO2023170172A1. Автор: Ming Xiao,Judith Driscoll,Markus HELLENBRAND. Владелец: Cambridge Enterprise Limited. Дата публикации: 2023-09-14.

Memory device and method of manufacturing the memory device

Номер патента: US20240244842A1. Автор: Dae Sung EOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Adaptive optimization of error-handling flows in memory devices

Номер патента: US20240053893A1. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Jay Sarkar,Ipsita Ghosh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Memory device and method for input and output buffer control thereof

Номер патента: US20220020401A1. Автор: Shinya Fujioka. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-01-20.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: US20230059590A1. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-23.

Non-volatile memory device and method for programming a non-volatile memory device

Номер патента: US20240145016A1. Автор: Junyong PARK,Sungmin JOE,Byungsoo Kim,Hyunggon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Word line drivers for multiple-die memory devices

Номер патента: US12051459B2. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Two-bit magnetoresistive random-access memory device architecture

Номер патента: US20220254396A1. Автор: Ashim Dutta,Eric Raymond EVARTS. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-08-11.

Configurable data protection circuitry for memory devices

Номер патента: US12046322B2. Автор: Marco Sforzin,Paolo Amato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Storage devices and methods of operating storage devices

Номер патента: EP3955250A1. Автор: Jiwoon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-16.

Nor-type memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200343260A1. Автор: Chen-Chih WANG,Li-Wei Ho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-10-29.

NOR-type memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US11049874B2. Автор: Chen-Chih WANG,Li-Wei Ho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-06-29.

Two bit memory device and method for operating the two-bit memory device and electronic component

Номер патента: US12046269B2. Автор: Peer Kirsch,Marc Tornow,Henning SEIM,Itai Lieberman,Takuya Kamiyama,Sebastian RESCH,Julian DLUGOSCH. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2024-07-23.

Dynamic power control system for memory device and memory device using the same

Номер патента: US20200126598A1. Автор: Sung Whan Seo,Dae Seok Byeon,Young Sun Min,Tae Hong KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-23.

Storage node of a resistive random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080169459A1. Автор: Sang-jun Choi,Jung-hyun Lee,Chang-Soo Lee,Hyung-Jin Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-17.

Storage device and power management method thereof

Номер патента: US12067272B2. Автор: Seung Hyun Chung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor memory device and erasing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20210327805A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Methods for providing device status in response to read commands directed to write-only mode register bits and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20220084565A1. Автор: Matthew A. Prather,Randall J. Rooney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Non-volatile memory device, a memory system that includes the non-volatile memory device, and an operating method of the non-volatile memory device

Номер патента: US11749356B2. Автор: Jinyoung Kim,Dongmin Shin,Sehwan Park,Youngdeok SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-05.

Channel modulation for a memory device

Номер патента: EP3912043A1. Автор: Peter Mayer,Martin Brox,Thomas Hein,Timothy M. Hollis,Roy E. Greeff,Michael Dieter RICHTER,Wolfgang Anton SPIRKL. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-24.

A semiconductor memory device with an on-chip error correction circuit and a method of correcting a data error therein

Номер патента: GB9910278D0. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-06-30.

Hub devices and methods for initializing hub device

Номер патента: US20160275040A1. Автор: Wen-hao Cheng,Kuo-Yu Wu,Chih-Long Ho,Yi-Te Chen,Chun-Heng Lin,Po-Ming Huang. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2016-09-22.

Memory device tester and method for testing reduced power states

Номер патента: US20020149981A1. Автор: Matthew Harrington,Van Huynh,Adin Hyslop. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-10-17.

Pad arrangement in semiconductor memory device and method of driving semiconductor device

Номер патента: US20040256641A1. Автор: Jung-Bae Lee,Mee-Hyun Ahn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-23.

Device and method generating internal voltage in semiconductor memory device

Номер патента: US20090207674A1. Автор: Doo-Young Kim,Soo-bong Chang,Jung-Im Huh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-08-20.

Device and method generating internal voltage in semiconductor memory device

Номер патента: US20110090746A1. Автор: Doo-Young Kim,Soo-bong Chang,Jung-Im Huh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-04-21.

Word line drivers for multiple-die memory devices

Номер патента: US20240274184A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Methods for independent memory bank maintenance and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20240257858A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-08-01.

Magnetic random access memory device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240251684A1. Автор: Shujun YE,Yeliang Wang. Владелец: Yangtze Delta Graduate School Of Bit Jiaxing. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory device, electronic device, and operating method of memory device for voting valid signal

Номер патента: US20240249051A1. Автор: Jaewon Park,SungOh Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Storage device and method of discharging an operating voltage

Номер патента: US12087349B2. Автор: Seunghan Lee,Hyunjoon Yoo,Kyoungeun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor memory device, electronic device and method for setting the same

Номер патента: US12086011B2. Автор: Ki-Seok OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US12087361B2. Автор: Jungyu Lee,Bilal Ahmad Janjua,Jongryul Kim,Venkataramana Gangasani. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory device tester and method for testing reduced power states

Номер патента: US6914843B2. Автор: Adin E. Hyslop,Matthew R. Harrington,Van C. Huynh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-07-05.

Semiconductor memory device capable of reducing power supply noise caused by output data therefrom

Номер патента: US5883847A. Автор: Mariko Takahashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-03-16.

Data storage device and method for dynamically determining a buffer size

Номер патента: US12099745B2. Автор: Po-Wei Wu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Memory devices and systems configured to communicate a delay signal and methods for operating the same

Номер патента: US20240312512A1. Автор: Sujeet Ayyapureddi,Randall J. Rooney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory device health monitoring and dynamic adjustment of device parameters

Номер патента: US20240347127A1. Автор: Dongxiang Liao,Tomer Tzvi Eliash. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory device including predecoder and operating method thereof

Номер патента: US12112795B2. Автор: Chan Ho Lee,Tae Min CHOI,Kyu Won CHOI,Hyeong Cheol Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Magnetic tunneling junction device and memory device including the same

Номер патента: US20240334840A1. Автор: SEUNGJAE LEE,Naoki Hase,Seonggeon Park,Kwangseok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Methods for on-die memory termination and memory devices and systems employing the same

Номер патента: EP4446899A2. Автор: Thomas H. Kinsley,Matthew A. Prather,Gary Howe,Eric J. Stave. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-16.

Memory device, host device and method of operating the memory device

Номер патента: US12093569B2. Автор: Young Don CHOI,Joo Hwan Kim,Jung Hwan Choi,Eun Seok SHIN,Su Cheol Lee,Jin do Byun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Method for manufacturing memory device

Номер патента: US12114514B2. Автор: Erh-Kun Lai,Feng-Min Lee,Yu-Hsuan Lin,Ming-Hsiu Lee,Po-Hao Tseng,Dai-Ying LEE. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Memory device and electronic device including the same

Номер патента: EP4456069A1. Автор: Jaewoo Shin,Yunkyeong Jeong,Yunseok YANG,Minhwan AN,Jin Suk CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-30.

Semiconductor memory device, electronic device and method for setting the same

Номер патента: US20240361823A1. Автор: Ki-Seok OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Stacked memory devices, systems, and methods

Номер патента: US20240345737A1. Автор: Joe M. Jeddeloh. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-10-17.

Configurable data protection circuitry for memory devices

Номер патента: US20240371423A1. Автор: Marco Sforzin,Paolo Amato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Storage device and method for accelerating storage device write and read speed using a turbo-write buffer

Номер патента: US12067296B2. Автор: Dong-Min Kim,Jeong-Woo Park,Kyoung Back Lee,Youngmoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Stacked memory devices, systems, and methods

Номер патента: US09990144B2. Автор: Joe M. Jeddeloh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Data programming method, memory storage device and memory control circuit unit

Номер патента: US20160284414A1. Автор: Wei Lin,Yu-Cheng Hsu,Tien-Ching Wang,Kuo-Hsin Lai,Chi-Heng YANG. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-29.

Ferroelectric capacitors, transistors, memory devices, and methods of manufacturing ferroelectric devices

Номер патента: US20240206188A1. Автор: Sanghun Jeon. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-06-20.

Ferroelectric capacitors, transistors, memory devices, and methods of manufacturing ferroelectric devices

Номер патента: EP3846232A3. Автор: Sanghun Jeon. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2021-09-22.

Resistive memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20180190352A1. Автор: Jaeyeon LEE,Cheol Seong Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

Memory device and electronic device

Номер патента: US20210027828A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Tatsuya Onuki,Takahiko Ishizu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-28.

Devices and methods for a finfet sense amplifier

Номер патента: US20240203462A1. Автор: Wenjun Li,Christopher G. Wieduwilt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Magnetic memory device

Номер патента: US12035540B2. Автор: Kangho Lee,JungHyuk Lee,Yoonjong Song,BoYoung Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Generic physical layer providing a unified architecture for interfacing with an external memory device and methods of interfacing with an external memory device

Номер патента: US20220208240A1. Автор: Chee Hak Teh,Soon Chieh Lim,Tat Hin Tan. Владелец: SKYECHIP SDN BHD. Дата публикации: 2022-06-30.

Memory device, operation method of memory device, and operation method of test device configured to test memory device

Номер патента: US20240233857A1. Автор: Sang-Won Park,Bongsoon LIM,Won-Taeck JUNG,Kuihan KO,Heewon Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Sense circuits, memory devices, and related methods for resistance variable memory

Номер патента: US20170040045A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Michele Piccardi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-09.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US20230079939A1. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Technologies for issuing commands on selected memory devices

Номер патента: US20200133578A1. Автор: Muthukumar P. SWAMINATHAN,Kunal A. Khochare. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Technologies for issuing commands on selected memory devices

Номер патента: EP3761314A1. Автор: Muthukumar P. SWAMINATHAN,Kunal A. Khochare. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-01-06.

Power loss test engine device and method

Номер патента: US20200202971A1. Автор: Claudio Giaccio,Ferdinando Pascale,Erminio Di Martino,Raffaele Mastrangelo,Ferdinando D'Alessandro,Andrea Castaldo,Cristiano Castellano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-25.

Storage device, memory device and semiconductor device

Номер патента: US20170076756A1. Автор: Kosuke Yanagidaira,Shouichi Ozaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20220199149A1. Автор: Kaoru Mori. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Optical property storage device and system using same

Номер патента: EP4354441A1. Автор: Dae Hwan Kim,Hyun Kyu Lee,Dong Uk Kim,Chang Wook Kim,Sung Jin Choi,Jin Gyu Park,Dong Myoung Kim,Tae Jun Yang. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kookmin University. Дата публикации: 2024-04-17.

Memory device and method of testing the memory device for failure

Номер патента: US20240120020A1. Автор: Jung Ryul Ahn,Byung Wook Bae. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Memory device and method of manufacturing memory device

Номер патента: US20230413584A1. Автор: Yukihiro Nomura,Yoshiki Kamata,Daisaburo Takashima,Rieko FUNATSUKI,Yoshiaki Asao,Ryu Ogiwara,Takahiko IIZUKA,Misako Morota. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: EP3965106A3. Автор: Jeongho Lee,Kwangjin Lee,Hee Hyun Nam,Youngkwang YOO,Jaeho SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-08.

Storage device and operating method of storage device

Номер патента: US11836041B2. Автор: Chulseung Lee,Choongeui Lee,Soon Suk Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-05.

Methods for enlarging the memory window and improving data retention in resistive memory device

Номер патента: US12040019B2. Автор: Fu-Chen Chang,Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu,Chu-Jie HUANG,Nai-Chao Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Electronic device including memory device and training method

Номер патента: US20220093157A1. Автор: Kyumin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-24.

Semiconductor Device and Method of Controlling Non-Volatile Memory Device

Номер патента: US20150261668A1. Автор: Seiji Miura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2015-09-17.

Method and memory device with in-memory computing

Номер патента: US20240241694A1. Автор: Jaehyuk Lee,Seok Ju Yun,Daekun YOON,Dong-Jin Chang,Soon-Wan KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US20200319953A1. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-08.

Semiconductor memory devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US11903184B2. Автор: Yong Seok Kim,Kyung Hwan Lee,Jae Ho Hong,Hui-jung Kim,Min Hee Cho,Il Gweon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-13.

Recording and reproducing device and method and program thereof

Номер патента: US20060051069A1. Автор: Satoshi Mihara,Fumihiko Kato,Kenichi Iida,Izuru Tanaka. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-03-09.

Information processing device and method, recording medium, and program

Номер патента: US20170154650A1. Автор: Hideki Ando,Junichi Horigome. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-06-01.

Information processing device and method, recording medium, and program

Номер патента: US9911459B2. Автор: Hideki Ando,Junichi Horigome. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Information processing device and program

Номер патента: EP1536640B1. Автор: Hideyuki c/o SONY CORPORATION AGATA. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-11-30.

Method, device and and program for processing diffraction images of a crystalline material

Номер патента: WO2019115381A1. Автор: Stephane Roux,Francois Hild,Félix LATOURTE,Qiwei SHI. Владелец: Ecole Normale Superieure de Cachan. Дата публикации: 2019-06-20.

Welding robot programming device and welding robot programming method

Номер патента: JP6568169B2. Автор: 寛之 後平. Владелец: FANUC Corp. Дата публикации: 2019-08-28.

3d nand memory device devices and related electronic systems

Номер патента: US20230361083A1. Автор: Kunal R. Parekh,Akira Goda,Paolo Tessariol. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-11-09.

System and method for controlling access to a memory device of an electronic device

Номер патента: US20100199031A1. Автор: Runbo Fu. Владелец: Research in Motion Ltd. Дата публикации: 2010-08-05.

System and method for controlling access to a memory device of an electronic device

Номер патента: US8010762B2. Автор: Runbo Fu. Владелец: Research in Motion Ltd. Дата публикации: 2011-08-30.

Apparatus and method for booting a computing device from a nand memory device

Номер патента: WO2007130932A2. Автор: Edward Geiger,Nicolas Dade. Владелец: Symbol Technologies, Inc.. Дата публикации: 2007-11-15.

Method Of Writing To A NAND Memory Block Based File System With Log Based Buffering

Номер патента: US20110296080A1. Автор: Dongsheng Xing,Siamak Arya. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2011-12-01.

Multi-deck nand memory with hybrid deck slc

Номер патента: US20230376215A1. Автор: Xin Sun,Aliasgar S Madraswala,Sagar UPADHYAY,Naveen Prabhu VITTAL PRABHU. Владелец: Intel NDTM US LLC. Дата публикации: 2023-11-23.

Determining locations in nand memory for boot-up code

Номер патента: US20240241790A1. Автор: Giuseppe Cariello,Jameer Mulani,Nitul Gohain. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Three-dimensional nand memory device and system and method for performing read operations thereof

Номер патента: US20240192857A1. Автор: Hongtao Liu,Lei GUAN,XiangNan Zhao,Yuanyuan MIN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Recovering from hard decoding errors by remapping log likelihood ratio values read from nand memory cells

Номер патента: US20210328597A1. Автор: Naveen Kumar,Erich Franz Haratsch,Shuhei TANAKAMARU. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2021-10-21.

Evaluating an intermediate product related to a three-dimensional nand memory unit

Номер патента: US20210066026A1. Автор: Roman Kris,Vadim VERESCHAGIN,Elad Sommer,Assaf Shamir,Sharon Duvdevani-Bar,Meng Li Cecilia Lim. Владелец: Applied Materials Israel Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Nand memory management

Номер патента: US20140115231A1. Автор: Pranav Kalavade,Ravi H. MOTWANI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-04-24.

Method and apparatus for industrial planning, and device, storage medium and program product

Номер патента: EP4361746A1. Автор: Jia ZENG,Mingxuan YUAN,Fangzhou Zhu,Jianye Hao,Huiling ZHEN,Wanqian LUO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-01.

Program update system, program transmission device, and program transmission method

Номер патента: US12032946B2. Автор: Isao Watanabe,Kunihiro Miyauchi,Hiroya Andou. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Industrial programming method and apparatus, device, storage medium, and program product

Номер патента: US20240169291A1. Автор: Jia ZENG,Mingxuan YUAN,Fangzhou Zhu,Jianye Hao,Huiling ZHEN,Wanqian LUO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Information processing apparatus, secure module, information processing method, and program

Номер патента: EP2518658A3. Автор: Kiyoshi Kohiyama,Masakazu Takakusu,Kenichi Wagasugi. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-05-14.

Program update system, program transmission device, and program transmission method

Номер патента: US11714628B2. Автор: Isao Watanabe,Kunihiro Miyauchi,Hiroya Andou. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2023-08-01.

Memory programming method, memory device, and memory system

Номер патента: US20240295960A1. Автор: Yao Chen,Zhiliang Xia,Yifan Li. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Program update system, program transmission device, and program transmission method

Номер патента: US20240319986A1. Автор: Isao Watanabe,Kunihiro Miyauchi,Hiroya Andou. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Electronic Controller Programming Method, Electronic Controller And Management Server

Номер патента: AU2024200045A1. Автор: Xian Zhang,Peng Zhang,Xiangyang Wang,Chengyu Tan. Владелец: Chongqing Changan Automobile Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Programming method and device based on tire pressure sensing

Номер патента: EP4303039A1. Автор: Jianer Zhang,Mingguang Yu,Haijun DING. Владелец: Hamaton Automotive Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-10.

Programming method and device based on tire pressure sensing

Номер патента: US20240092127A1. Автор: Jianer Zhang,Mingguang Yu,Haijun DING. Владелец: Hamaton Automotive Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Microcomputer, programming method and erasing method

Номер патента: US20050122777A1. Автор: Eiichi Ishikawa,Naoki Yada. Владелец: Hitachi Hokkai Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2005-06-09.

Program generation apparatus and program generation method

Номер патента: US20240168447A1. Автор: Toshimitsu Ushio,Kohei Fujita. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2024-05-23.

Devices and methods for remote programming of implanted neurostimulation systems

Номер патента: AU2021369686A9. Автор: Guangqiang Jiang,John WOOCK,Prabodh Mathur,Rinda Sama,Faizal Abdeen,Charles Borlase. Владелец: Axonics Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Control system, method, and program to improve debugging efficiency of an NC program and sequence program respectively controlling a machine tool and a peripheral target instrument

Номер патента: US12045034B2. Автор: Yutsuka Shigemori. Владелец: Omron Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Device management system and program management method thereof

Номер патента: EP4439281A1. Автор: Ho Soo Kim,Jaehyeong SON,Jinhyuk AN,Duksu Kim. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-10-02.

Information processing device, information processing method and program

Номер патента: RU2683262C2. Автор: Дзунити РЕКИМОТО,Сунити КАСАХАРА. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2019-03-27.

Wireless programming device and methods for machine control systems

Номер патента: US20200328913A1. Автор: Charles Lee,Kevin Edward Wyas. Владелец: Connections Design LLC. Дата публикации: 2020-10-15.

Method of using peripheral device connected to computer via network, and program

Номер патента: US20090150571A1. Автор: Yusuke Hattori. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2009-06-11.

Semiconductor device, semiconductor system and program

Номер патента: US11599631B2. Автор: Hiroshi Yagi,Kazuki ONDA,Masamitsu MURATANI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-03-07.

Memory device programming technique for increased bits per cell

Номер патента: US20240231617A1. Автор: Tomoharu Tanaka,Dave Ebsen,Eric N. Lee,Kishore Kumar Muchherla,Akira Goda,Huai-Yuan Tseng,James Fitzpatrick,Dung V. Nguyen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

A method for calibrating and programming of a robot application

Номер патента: EP1631422A1. Автор: Zhongxue Gan,Gregory Rossano,Xiongzi Li,Yunquan Sun,Quing Tang,Torgny Brog Rdh,H Kan Brantmark. Владелец: Asea Brown Boveri AB. Дата публикации: 2006-03-08.

Semiconductor device, semiconductor system and program

Номер патента: US20200143048A1. Автор: Hiroshi Yagi,Kazuki ONDA,Masamitsu MURATANI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

Optoelectronic light emitting device with a programming device and method for controlling an optoelectronic light emitting device

Номер патента: US20220230583A1. Автор: Thomas Schwarz. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2022-07-21.

Operation consistency maintenance method, system and program

Номер патента: US20080155566A1. Автор: Naomi Ito,Hiroyuki Maeda,Daisuke Imaizumi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2008-06-26.

Programming device and program

Номер патента: US20240198527A1. Автор: Tatsuya Oumi. Владелец: FANUC Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Flash memory device for storing sensitive information and other data

Номер патента: US20160232109A1. Автор: Jeffrey B. Canter. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2016-08-11.

Transmission system and program

Номер патента: WO2014077411A1. Автор: Yoshinaga Kato. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2014-05-22.

Platooning assistance device, platooning assistance method, and program

Номер патента: US20240232834A9. Автор: Maya Matsushita,Tomoaki SHIMOZAWA,Yuka Mizushi,Atsushi Shitanaka. Владелец: Isuzu Motors Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method, device, and program product for managing computer system

Номер патента: US20220239750A1. Автор: Bin He,Zhen Jia,Min Gong,Jiacheng Ni,Zijia Wang. Владелец: EMC IP Holding Co LLC. Дата публикации: 2022-07-28.

Control system, analysis method, and program

Номер патента: EP4006663A1. Автор: Yutsuka Shigemori. Владелец: Omron Tateisi Electronics Co. Дата публикации: 2022-06-01.

Navigation device and navigation program

Номер патента: US20150168171A1. Автор: Daisuke Tanizaki,Tomofumi Shibata. Владелец: Aisin AW Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-18.

Connection method for connecting usb virtual com device and program therefor

Номер патента: US20220245088A1. Автор: Kyosuke Kubota. Владелец: Nidec Sankyo Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Operating method of non-volatile memory device

Номер патента: US20240361946A1. Автор: Jaeyong Lee,Jihong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Control device, imaging device, imaging system, movable object, control method, and program

Номер патента: US20200068128A1. Автор: Kenichi Honjo. Владелец: SZ DJI Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-27.

Offender Electronic Monitoring Program Compliance Assessment and Program Revision

Номер патента: US20230029238A1. Автор: Robert Todd Jones,Eric Brice Bennett,Justin T. Hawkins. Владелец: Talitrix Holdings LLC. Дата публикации: 2023-01-26.

Apparatus, method and program for contention arbitration

Номер патента: US20040098526A1. Автор: Yoshiaki Suzuki,Michiko Matsumoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-05-20.

Method, device, and program product for processing sample data in internet of things environment

Номер патента: US20230033980A1. Автор: Qiang Chen,Zhen Jia,Jinpeng LIU,Jiacheng Ni,Zijia Wang. Владелец: EMC IP Holding Co LLC. Дата публикации: 2023-02-02.

Notification method, connection device, method of realisation of communication and program

Номер патента: RU2345406C2. Автор: Кенити ФУДЗИИ,Масаки СИТАНО,Такаси ХИРАТА. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2009-01-27.

Device for image processing, method of image processing and program of image display

Номер патента: RU2441268C2. Автор: Хироюки ОЗАВА,Нобуки ФУРУЭ,Аяко ИВАСЕ,Сатоси АКАГАВА. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2012-01-27.

Method, device and program for analysis of destruction for point-welded part and machine readable data carrier

Номер патента: RU2505793C1. Автор: Хироси ЙОСИДА,Акихиро УЕНИСИ,Нарухико НОМУРА. Владелец: Ниппон Стил Энд Сумитомо Метал Корпорейшн. Дата публикации: 2014-01-27.

Device and method of supplying combined medical solution

Номер патента: RU2514541C2. Автор: Ганс-Мартин ЛАУЭР,Матиас ВУФКА,Дорис РОЭТЛЕЙН,Себастьян ХЕРНИГ. Владелец: Б. Браун Мелзунген Аг. Дата публикации: 2014-04-27.

Key device, method of operating said device and program product

Номер патента: RU2670398C2. Автор: Андерс БОРГ,Матс СЕДЕРБЛАД,Даниэль ГАРМЕН,Томас ЙОНССОН,Петер СИКЛОСИ. Владелец: Асса Аблой Аб. Дата публикации: 2018-10-22.

Device and method to process image, trained device and training method, and program

Номер патента: RU2479037C2. Автор: Казуки АИСАКА,Масатоси ЁКОКАВА,Йун МУРАЯМА. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2013-04-10.

Performance support system, method, and program, and musical instrument management system, method, and program

Номер патента: EP3920163A1. Автор: Hiroshi Miyajima,Makoto Matsumoto,Masaki Gotoh,Kento Suzuki,Atsushi KAJIHARA,Osamu NIIJIMA,Yuta UCHIUMI. Владелец: Ginga Software Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-08.

Error model calibration method and apparatus, electronic device, error model-based positioning method and apparatus, terminal, computer-readable storage medium, and program product

Номер патента: EP4206741A1. Автор: Jinglan SU. Владелец: Tencent Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-05.

Image processing device and method, and program

Номер патента: US20220147240A1. Автор: Chao Ma,Gakuya KONDO. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2022-05-12.

Data processing method and apparatus, and program product, computer device and storage medium

Номер патента: EP4455922A1. Автор: YANG LU,YANG Mo,Hu Lan,RUI Guo,Jun Li,HUI Zhang,Jun Liang,Zimin Chen,Bo Qin,Zongyou WANG,Zhiyong Liao,Cong Gao,Tao Fan,Gengliang Zhu,Yifang Shi,Hanqing Liu,Qucheng Liu,Yifang Zhang,Chaojie QI,Guihong HUANG,Zuodong LIANG,Lisen LI,Shitao XU,Shihao SHE,Kaixuan NIE,Yangjun HUANG,Like SHU,Jiangwei LU. Владелец: Tencent Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

Method, electronic device, and program product for training encoder and processing data

Номер патента: US12131505B2. Автор: Zhen Jia,Wenbin Yang,Jiacheng Ni,Zijia Wang. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-10-29.

Content delivery system, method of operating content delivery system, mobile object, method of operating mobile object, terminal device, method of operating terminal device, and program

Номер патента: EP4460009A1. Автор: Tetsugoro Ihara. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-11-06.

Device and method for processing information, record carrier and program

Номер патента: RU2312464C2. Автор: Хисато СИМА,Такехико НАКАНО. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2007-12-10.

Communication device, communication device control method and program

Номер патента: RU2693270C2. Автор: Кенити ФУДЗИИ. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2019-07-01.

Device, system and program for control of data output

Номер патента: RU2703337C1. Автор: Кенйи ХИРАКИ. Владелец: ЭЙЗО Корпорайшн. Дата публикации: 2019-10-16.

Image processing method and apparatus, electronic device, and program product

Номер патента: US20240221324A1. Автор: QUAN Wang. Владелец: Lemon Inc USA. Дата публикации: 2024-07-04.

Information processing method, information processing device, and program

Номер патента: US20240193953A1. Автор: Genta MATSUKAWA,Ryuji Takehara. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Calculation device, display device, and program

Номер патента: CA3133795A1. Автор: Kotaro Endo,Kosuke Tatsumura,Hayato Goto,Yoshisato Sakai. Владелец: Toshiba Digital Solutions Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Calculation device, display device, and program

Номер патента: CA3133795C. Автор: Kotaro Endo,Kosuke Tatsumura,Hayato Goto,Yoshisato Sakai. Владелец: Toshiba Digital Solutions Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Device and method for electronic document viewing

Номер патента: WO2013190339A1. Автор: Damir NAZAREVlĆ. Владелец: Nazarevlc Damir. Дата публикации: 2013-12-27.

Main body device, slave device, and program update method

Номер патента: US20150029546A1. Автор: Yutaka Nishizaki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2015-01-29.

Speech processing method and apparatus, and storage medium, computer device and program product

Номер патента: EP4404186A1. Автор: Jun Huang,Yannan Wang. Владелец: Tencent Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

System, method, device, and program for enhanced graph-based node classification

Номер патента: WO2024072412A1. Автор: Yulong Wang,Xiaohui RONG,Allan Kiplangat CHEPKOY. Владелец: Rakuten Symphony Singapore Pte. Ltd.. Дата публикации: 2024-04-04.

Information processing apparatus, information processing method, and program

Номер патента: CA3190695A1. Автор: Kentaro Sezaki,Bunpei Irie,Takuma Akagi,Tomoyuki Hamamura,Yasuhiro Ohkawa. Владелец: Toshiba Infrastructure Systems and Solutions Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Information processing apparatus, information processing method, and program

Номер патента: AU2021343666A1. Автор: Kentaro Sezaki,Bunpei Irie,Takuma Akagi,Tomoyuki Hamamura,Yasuhiro Ohkawa. Владелец: Toshiba Infrastructure Systems and Solutions Corp. Дата публикации: 2023-04-06.

Image processing device and method, and program therefor

Номер патента: US6738064B2. Автор: Hiroki Sotoike. Владелец: Nintendo Co Ltd. Дата публикации: 2004-05-18.

System, method, device, and program for enhanced graph-based node classification

Номер патента: US20240242068A1. Автор: Yulong Wang,Xiaohui RONG,Allan Kiplangat CHEPKOY. Владелец: Rakuten Symphony Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Image display system, terminal, method, and program for determining a difference between a first image and a second image

Номер патента: US12039773B2. Автор: Shizuo Sakamoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Display method and apparatus for information, electronic device, and program product

Номер патента: US20240272853A1. Автор: Qin Yu. Владелец: Beijing Zitiao Network Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Image processing apparatus, image processing method, mobile device, and program

Номер патента: US20210209783A1. Автор: Keitaro Yamamoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2021-07-08.

Information processing apparatus, information processing method, and program

Номер патента: AU2021343666B2. Автор: Kentaro Sezaki,Bunpei Irie,Takuma Akagi,Tomoyuki Hamamura,Yasuhiro Ohkawa. Владелец: Toshiba Infrastructure Systems and Solutions Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Image processing device and method, and program therefor

Номер патента: US20020113789A1. Автор: Hiroki Sotoike. Владелец: Nintendo Co Ltd. Дата публикации: 2002-08-22.

Information processing device and method, and program

Номер патента: US20150131907A1. Автор: Takami Mizukura,Naoya Katoh. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-05-14.

Image processing device and method, recording medium, and program

Номер патента: US7561188B2. Автор: Naoki Fujiwara,Tetsujiro Kondo,Junichi Ishibashi,Takashi Sawao,Seiji Wada,Takahiro Nagano,Toru Miyake. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-07-14.

Storage device, control method for partitioning logical memory devices, and medium embodying program for partitioning logical memory devices

Номер патента: US20050278489A1. Автор: Hiroyuki Otani. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2005-12-15.

Network systems, control methods, databases, controllers, and programs

Номер патента: US20240163245A1. Автор: Tomohiko Ikeda,Tatsuya Fukui,Ryota Shiina,Toshihito Fujiwara,Hiroya ONO. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Optical fiber measurement system, optical fiber measurement method, control arithmetic device, and program

Номер патента: US20230332980A1. Автор: Atsushi Nakamura,Daisuke Iida,Tomokazu Oda,Yusuke Koshikiya,Nazuki HONDA. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Virtual code-based control system, method and program, control device and control signal generating means for unmanned moving object

Номер патента: US12096208B2. Автор: Chang Hun Yoo. Владелец: SSenStone Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Information processing device and method, and program

Номер патента: US20240314562A1. Автор: Noriyuki Suzuki. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Signal processing device and signal processing method, and program

Номер патента: US12094475B2. Автор: Yoshiaki Oikawa,Yasuhiro Toguri. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Inertial measurement device, method of operating inertial measurement device, imaging device, display device, and program

Номер патента: US20240328790A1. Автор: Tetsuro Sato,Kosei Yamashita,Masato KIMISHIMA. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Encoding device and method, decoding device and method, and program

Номер патента: US20240321280A1. Автор: Hiroyuki Honma,Toru Chinen,Mitsuyuki Hatanaka,Akifumi Kono. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Workflow generation method, device and system, medium, and program product

Номер патента: EP4459398A1. Автор: Xiaoxun Zhu,Zhenhua Zhou. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2024-11-06.

Method of updating parameters for entropy coding and decoding of transformation coefficient level, and entropy coding device and entropy decoding device for transformation coefficient level with its use

Номер патента: RU2684587C1. Автор: Дзеонг-Хоон ПАРК,Чан-юл КИМ,Дзае-Хиун КИМ. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2019-04-09.

Information processing device, information processing method, and program

Номер патента: US12033490B2. Автор: Ryusei Koike. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Information processing device, information processing method, and program

Номер патента: EP4269946A1. Автор: Tsutomu Nakatsuru,Masato Kita,Masatsugu Ishiko,Yutaro Kamata,Taishu IWAMI,Daniel Marcel SCHNEIDER. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2023-11-01.

Imaging device, imaging method, and program

Номер патента: US20220417432A1. Автор: Yukinori Nishiyama,Taro Saito,Tomoharu Shimada,Takehiro Koguchi. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Operation control device and program

Номер патента: US20240192662A1. Автор: Takashi Idei,Masataka Koike,Hiroyuki Kawamura,Koichiro Horiguchi. Владелец: FANUC Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for image processing, electronic device and program product

Номер патента: WO2024099994A1. Автор: Xin Ge,Wenjin Yu,Yuehua Liu. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS N.V.. Дата публикации: 2024-05-16.

Method for performing power saving control in a memory device, associated memory device and memory controller thereof, and associated electronic device

Номер патента: US20190377402A1. Автор: Wen-Chi Chao,Kuo-Cyuan Kuo. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Method for performing access management in a memory device, associated memory device and controller thereof, and associated electronic device

Номер патента: US12038849B2. Автор: Jie-Hao LEE,Cheng-Yu Yu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Mobile terminals, methods, and program products that generate communication information based on characters recognized in image data

Номер патента: EP1766557A1. Автор: Anders Angelhag. Владелец: SONY ERICSSON MOBILE COMMUNICATIONS AB. Дата публикации: 2007-03-28.

Information processing device and method, and program

Номер патента: EP3886089A1. Автор: Toru Chinen,Yuki Yamamoto,Minoru Tsuji,Yoshiaki Oikawa. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2021-09-29.

Imaging device, control method, and program

Номер патента: US20230009731A1. Автор: Hiroshi Takagi,Kengo Takano,Hiroaki Minami,Katsunari Oda,Daisuke HIRO,Jumpei Kimura,Yasunori Sugawara,Jun Torobu. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2023-01-12.

URL Navigation Page Generation Method, Device and Program

Номер патента: US20140229601A1. Автор: Weihua Tao,Xiaobin Zong,Hongri Zhao. Владелец: Beijing Qihoo Technology Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-14.

System, method, and program for providing virtual code, virtual code generating device, and virtual code verifying device

Номер патента: US20220261474A1. Автор: Chang Hun Yoo. Владелец: SSenStone Inc. Дата публикации: 2022-08-18.

Data storage method, data read method, electronic device, and program product

Номер патента: US12058257B2. Автор: CHAO Chen,Zhen Jia,Yongjun Shi,Jinpeng LIU. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-08-06.

File memory device and information processing apparatus using the same

Номер патента: US20010007119A1. Автор: Jun Kitahara,Kunihiro Katayama,Kenichi Kaki,Kazunori Furusawa,Tsunehiro Tobita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-05.

Endoscope device, endoscope operation method, and program

Номер патента: US20210007581A1. Автор: Toshihiro USUDA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2021-01-14.

Storage device, method of operating storage device, computing system including storage device and host device for controlling storage device, and method of operating computing system

Номер патента: US20210049096A1. Автор: Seok Jun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Image processing device, image processing method, and program

Номер патента: US20240203021A1. Автор: Akira Umayabara. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Positioning apparatus, positioning method, and program

Номер патента: US12085391B2. Автор: Takahiro Tsujii. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Article processing method, electronic device, and program product

Номер патента: US12106228B2. Автор: Zhen Jia,Jiacheng Ni,Zijia Wang. Владелец: EMC IP Holding Co LLC. Дата публикации: 2024-10-01.

Image generating device, method, and program, training device, and training data

Номер патента: EP4455997A1. Автор: Seiya Inagi. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-10-30.

Action control device and action control method, and program

Номер патента: US12073732B2. Автор: Kenichiro Oi,Masahiko Toyoshi,Shun Lee,Masaki Handa,Takuto MOTOYAMA. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Printing system, method of generating halftone processing rule, method of acquiring characteristic parameter, image processing device, image processing method, halftone processing rule, halftone image, method of manufacturing printed material, inkjet printing system, and program

Номер патента: US09967428B2. Автор: Kimito Katsuyama. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Information processing device, information processing method, and program

Номер патента: US20220308657A1. Автор: Fujio Arai,Hidenori Aoki,Ryo Fukazawa,Tomohiko Gotoh,Keijiroh Nagano,Haruka Fujisawa. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2022-09-29.

Runtime selection of memory devices and storage devices in a disaggregated memory system

Номер патента: US20220214805A1. Автор: Richard C. Murphy,Reshmi Basu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-07.

Partitioning of memory device for multi-client computing system

Номер патента: EP2646925A1. Автор: Thomas J. Gibney,Patrick J. Koran. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2013-10-09.

Information processing device and program

Номер патента: US20230025846A1. Автор: Mitsuaki ISHIMOTO. Владелец: IO Inc. Дата публикации: 2023-01-26.

System, method, and program using near field communication for gaming machine

Номер патента: US20230177915A1. Автор: Edward Sepich,Thomas E. Soukup,Jeffrey George. Владелец: Konami Gaming LLC. Дата публикации: 2023-06-08.

Imaging device, control method of imaging device, and program

Номер патента: GB2626229A. Автор: SATO Ayumi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-07-17.

Signal processing device, method, and program

Номер патента: EP4358085A3. Автор: Toru Chinen,Yuki Yamamoto,Minoru Tsuji. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-07-10.

Storage device, operation method of storage device, and operation method of storage controller

Номер патента: US20240256175A1. Автор: Sangwon Hwang,Jiseok Lee,Hyunyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Swap memory device providing data and data block, method of operating the same, and method of operating electronic device including the same

Номер патента: US20240152461A1. Автор: Jiwon Lee,Jeonghoon CHOI,Won Woo Ro,Hyoseong Choi. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2024-05-09.

Memory device and memory device controlling apparatus

Номер патента: US20100017541A1. Автор: Hideaki Yamashita,Takeshi Ootsuka. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-01-21.

Data Storage Devices and Related Methods to Secure Host Memory Buffers with Low Latency

Номер патента: US20220108037A1. Автор: Shay Benisty. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2022-04-07.

Data storage device and data processing system having the same

Номер патента: US20160291873A1. Автор: Hyun Ju Yi,Jun Ho Choi,Chan Ho YOON,Seok Won AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-06.

Runtime selection of memory devices and storage devices in a disaggregated memory system

Номер патента: US11762553B2. Автор: Richard C. Murphy,Reshmi Basu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Device, method, and program for selecting os image

Номер патента: US20120072388A1. Автор: Yohei Ueda. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-03-22.

Systems, devices, and methods for data migration

Номер патента: US20220050616A1. Автор: Robert M. Walker,Paul Rosenfeld,Patrick A. La Fratta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

Storage device, operation method of storage device, and operation method of storage controller

Номер патента: EP4421640A2. Автор: Sangwon Hwang,Jiseok Lee,Hyunyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-28.

Information processing device, information processing method, and program

Номер патента: EP3680839A1. Автор: Hiroaki Ogawa,Shinobu Kuriya,Yasushi Tsuruta,Keisuke Touyama,Junki Ohmura,Kana Nishikawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2020-07-15.

Methods for controlling data transfer speed of a data storage device and a host device utilizing the same

Номер патента: US20180157309A1. Автор: Yen-Hung Chen,Fu-Jen Shih. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2018-06-07.

Bridge device and information processing apparatus including bridge device

Номер патента: US20200076645A1. Автор: Toshio Yoshihara,Daisuke Matsunaga,Yasutomo Tanaka,Yasushi Shinto. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2020-03-05.

Image processing device, operation method of image processing device, and program

Номер патента: US20240242367A1. Автор: Akimichi ICHINOSE. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Method, device, and program product for keystroke pattern analysis

Номер патента: US20220138457A1. Автор: Qiang Chen,Zhen Jia,Jiacheng Ni,Zijia Wang. Владелец: EMC IP Holding Co LLC. Дата публикации: 2022-05-05.

Storage device, control method for partitioning logical memory devices, and medium embodying program for partitioning logical memory devices

Номер патента: US7430644B2. Автор: Hiroyuki Otani. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2008-09-30.

Metadata communication by a memory device

Номер патента: US20240354028A1. Автор: Matthew A. Prather,Sujeet V. Ayyapureddi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Information processing device, information processing method, and program

Номер патента: EP3934182A1. Автор: Hiroaki Takano. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2022-01-05.

Information processing method, information processing device, and program

Номер патента: US20240354913A1. Автор: Kenji Ikeda,Kazuhiro Nakagawa,Hirokazu Tatsuta,Sakiko Yasukawa. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Information processing device, information processing method, and program

Номер патента: US20240290151A1. Автор: Yuki Tanaka,Daiki Kuwabara,Sakura Yamaki. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor memory device and operating method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20240118813A1. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang,Hun Wook LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Method, system, and program for handling input/output commands

Номер патента: WO2004010316A2. Автор: David Smith,Mark Schmisseur,Sailesh Bissessur,Richard Mackey. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2004-01-29.

Storage device and operating method of the storage device

Номер патента: US12032851B2. Автор: Jae Young Lee,Byung Ryul Kim,Hyeok Chan Sohn,Kang Wook JO,Hyeon Cheon Seol. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Apparatus and method for controlling access to a memory device

Номер патента: US20160357688A1. Автор: Mark Andrew Brittain,Michael Andrew Campbell. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2016-12-08.

Image processing apparatus, processing system, image display method, and program

Номер патента: US20240242330A1. Автор: Eiichi Tanaka. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Storage device including non-volatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: US20240241642A1. Автор: Young-rok Oh,Daesung CHEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Electronic device and method of operating the same

Номер патента: US20230315304A1. Автор: Jung Ae Kim,Tae Ha Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Electronic device and computing system including same

Номер патента: US11995002B1. Автор: Ju Hyun Kim,Gayoung LEE,Jae Wan YEON. Владелец: Metisx Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Host device, storage device, and method of operating the same

Номер патента: US11989446B2. Автор: Hyun Woo Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Storage device and method of operating the same

Номер патента: US20200409854A1. Автор: Jeen PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-31.

Storage device and method of operating the same

Номер патента: US20190324915A1. Автор: Jeen PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Memory devices

Номер патента: EP1618513A1. Автор: Ronald Barry Zmood. Владелец: Mems ID Pty Ltd. Дата публикации: 2006-01-25.

Memory devices

Номер патента: WO2004084131A1. Автор: Ronald Barry Zmood. Владелец: Mems-Id Pty Ltd.. Дата публикации: 2004-09-30.

Information processing apparatus, information processing method, and program

Номер патента: US20240163552A1. Автор: Daisuke Yamamoto,Takeshi Ogita,Keiichiro Taniguchi,Ayumi NAKAGAWA,Akiko Yoshimoto,Atsutaka Ito,Mayumi Uemura. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Storage device including nonvolatile memory device and controller

Номер патента: EP4404064A1. Автор: Sangwoo Kim,Yongjun CHO,Changjun LEE,Dayeon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-24.

Moving body, movement control method, and program

Номер патента: US20240219922A1. Автор: Shinichiro Abe,Masahiko Toyoshi,Masaki Handa,Kohei URUSHIDO,Takuto MOTOYAMA. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Memory device to train neural networks

Номер патента: WO2021231069A1. Автор: Vijay S. Ramesh. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-11-18.

System development assistance device and system development assistance method

Номер патента: SG11201900995SA. Автор: Mitsuhiro Tanaka,Masahiko Takeuchi,Hideyuki Katou,Kazuki YASUKAWA,Kouji Ikegami,Takako Gorai,Asami Higai. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2019-03-28.

Image processing device, processing system, image display method, and program

Номер патента: EP4411355A1. Автор: Eiichi Tanaka. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-08-07.

Memory device with cryptographic kill switch

Номер патента: US11726923B2. Автор: Gil Golov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Interleaved codeword transmission for a memory device

Номер патента: US20240289220A1. Автор: Thomas Hein,Steffen Buch. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Storage device, memory device, control device, and method for controlling memory device

Номер патента: US20120124391A1. Автор: Yoshihisa Aono. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-05-17.

Method and apparatus for managing a plurality of memory devices

Номер патента: US20160124674A1. Автор: Sei-Jin Kim,Min-Jung Kim,Bo-Young Seo,Sung-Hwan Yun,Dong-Wook Suh,Jung-Yup Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-05.

Storage device and method of operating the same

Номер патента: US20220197540A1. Автор: Joon Seop Sim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US20230305741A1. Автор: Chul Woo Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Memory device, system including the same, and operating method of memory device

Номер патента: US20240248850A1. Автор: Daehyun Kim,Jiho Kim,Sukhan Lee,Kijun Lee,Yeonggeol Song,Myungkyu Lee,Kyomin Sohn,Seongmuk Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Molecule Designing Method, Device and Program

Номер патента: US20230335227A1. Автор: Hiroyuki Tsujimoto,Hideki Yamamoto,Ippei Kimura,Natsumi Yamakawa. Владелец: Asahi Kasei Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Information terminal, information processing device, and program

Номер патента: US20210376952A1. Автор: Koji Kiyota. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Image forming apparatus using a developing liquid, developing device therefor and program recording medium

Номер патента: US20020076240A1. Автор: Noriyasu Takeuchi,Tsutomu Sasaki,Makoto Obu,Mie Yoshino. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-20.

Host controlled enablement of automatic background operations in a memory device, and associated memory devices, systems, and methods

Номер патента: US20240311012A1. Автор: Francesco Falanga,Danilo Caraccio. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-19.

Image file conversion method, image file conversion device, and program

Номер патента: US20240338344A1. Автор: Toshiki Kobayashi,Yuya Nishio,Shoki KASAHARA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Aerial optical fiber cable inspection method, aerial optical fiber cable inspection device, and program

Номер патента: US12031858B2. Автор: Daisuke Iida,Hiroyuki Oshida,Tatsuya Okamoto. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Method for detecting temperature in a flash memory device and the flash memory device thereof

Номер патента: US20240329850A1. Автор: Akhilesh Kumar Jaiswal,Puneet Kukreja,Vinay Kumar M N. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Content management system, host device and content key access method

Номер патента: US09979541B2. Автор: Ken Matsushita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Intelligent electronic device capable of operating as a USB master device and a USB slave device

Номер патента: US09885739B2. Автор: Erran Kagan. Владелец: Electro Industries Gauge Technology. Дата публикации: 2018-02-06.

Data storage device and data processing method

Номер патента: US20210373800A1. Автор: Shen-Ting Chiu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2021-12-02.

Key-value storage device and operating method thereof

Номер патента: US12019602B2. Автор: Youngho Park,Byung-Ki Lee,Jekyeom JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Storage device and method of operating the same

Номер патента: US20240231663A1. Автор: Jung Ki Noh,Soon Yeal Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Storage device and a method of operating the same

Номер патента: US20240220103A1. Автор: JinHyuk Lee,Dongeun Shin,Dohyeon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Management of error-handling flows in memory devices using probability data structure

Номер патента: US12032833B2. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Aswin Thiruvengadam. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Memory device and computing device using the same

Номер патента: US20200356308A1. Автор: Ga Ram Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-12.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: EP3673380A1. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-01.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: US20200349097A1. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: US20200242057A1. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-30.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: WO2019040200A1. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-02-28.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: US10983934B2. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-20.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: US10754801B2. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-25.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: US20210209039A1. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-08.

Management device and connection method for controlling connections of storage network

Номер патента: US20170045923A1. Автор: Tomonari Horikoshi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-02-16.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US20210382824A1. Автор: Da Eun SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Control device, storage device, and control method performed by control device

Номер патента: US20140013064A1. Автор: Kenichi Fujita,Chiaki Nagashima,Akimasa Yoshida,Satoshi Taki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-01-09.

Storage device and method of operating the same

Номер патента: US12050988B2. Автор: Sungroh YOON,Hyeokjun Choe,Seijoon KIM,Seongsik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-30.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US11567863B2. Автор: Sung Jin Park,Jee Yul KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-01-31.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US11513960B2. Автор: Da Eun SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-11-29.

Management of error-handling flows in memory devices using probability data structure

Номер патента: US20240289032A1. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Aswin Thiruvengadam. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Storage device and an operating method of a storage controller

Номер патента: US20240264766A1. Автор: Sang Hoon YOO,Wan-soo Choi,Young Ick CHO,Young Sun YOUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Portable memory device having mutually exclusive non-volatile electronic data storage

Номер патента: US20200241800A1. Автор: Chad Dustin Tillman,Evan Michael DORSEL. Владелец: Ipxcl LLC. Дата публикации: 2020-07-30.

Timing device and method thereof

Номер патента: US9501042B1. Автор: Ming-Hsiu Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

System for installing software on a small-memory device

Номер патента: WO2015190998A2. Автор: Ching Guan Tay,Tong Peow Ow. Владелец: Home Control Singapore Pte. Ltd.. Дата публикации: 2015-12-17.

Portable memory device and method of securing the integrity of stored data therein

Номер патента: WO1994015320A1. Автор: Alan J. Eisenberg. Владелец: Base 10 Systems, Inc.. Дата публикации: 1994-07-07.

Storage devices and methods of operating storage devices

Номер патента: US12079493B2. Автор: Taeyoung Kim,Wonjong Song,Soonyoung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Nand flash storage device and methods using non-nand storage cache

Номер патента: US20180314434A1. Автор: Dana L. Simonson. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-11-01.

Track activities of components in endpoints having secure memory devices via identity validation

Номер патента: US12088581B2. Автор: Lance W. Dover,Jeffrey Charles Shiner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory device and method for managing read counts of memory device

Номер патента: US20210365213A1. Автор: Yen-Hsiang Chen,Nai-Ping Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Testing for memory devices using dedicated command and address channels

Номер патента: US20240281350A1. Автор: Stephen Hanna. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Utilization of a memory device for per-user encryption

Номер патента: US20240267208A1. Автор: Zhan Liu,Lance W. Dover. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

A storage device and an operating method of a storage controller

Номер патента: EP4414852A1. Автор: Sang Hoon YOO,Wan-soo Choi,Young Ick CHO,Young Sun YOUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-14.

Managing power loss in a memory device

Номер патента: US12086062B2. Автор: Wei Wang,Jiangli Zhu,Frederick Adi,Venkata Naga Lakshman Pasala,Huapeng G. Guan,Yipei Yu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory device using multistage acceleration, operating method of memory device, and electronic device including the same

Номер патента: US20240319871A1. Автор: Jinhyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Storage device and operating method of the storage device

Номер патента: US20240302992A1. Автор: Jae Young Lee,Byung Ryul Kim,Hyeok Chan Sohn,Kang Wook JO,Hyeon Cheon Seol. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Storage device, electronic device including storage device, and operating method of electronic device including storage device

Номер патента: US20240311015A1. Автор: Hyun Jin Choi,JooYoung HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Storage device, and operating method of memory controller

Номер патента: EP4432067A1. Автор: Hyunsub KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

Memory device using multistage acceleration, operating method of memory device, and electronic device including the same

Номер патента: EP4435612A1. Автор: Jinhyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-25.

Storage device and operating method of storage device

Номер патента: US20240345758A1. Автор: Minji Kim,Jinwoo Park,Sangwon Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Apparatus and method for supporting data input/output operation based on a data attribute in a shared memory device or a memory expander

Номер патента: US20240338330A1. Автор: Sung Hyun Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Memory device including receiving circuit, electronic device, and received signal processing method of electronic device

Номер патента: US12111680B2. Автор: Dae Hyun Kwon,Wang Soo KIM,Min-Hyeong KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Storage device and method of operating the same

Номер патента: US12105964B2. Автор: Gyeong Min Park,Jong Tack JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Memory devices for detecting known initial states and related methods and electronic systems

Номер патента: US09977603B2. Автор: Graziano Mirichigni,Luca Porzio,Danilo Caraccio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Method of operating a memory device

Номер патента: US09971549B2. Автор: In-su Choi,Yong-Jun Yu,Doo-Hwan Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Power converter for a computer device and method for operating a power converter

Номер патента: US09921628B2. Автор: Andreas C. DOERING,Rihards Dziedatajs. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Information processing system performing synchronization between memory devices and memory devices performing wireless communication

Номер патента: US09898747B2. Автор: Shigeki Koizumi,Shuichi Sakurai,Keisuke Sato,Michio Ido,Masahiko Nakashima,Masaomi Teranishi,Shigeto ENDO. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

System, device and method of managing messages

Номер патента: RU2472213C2. Автор: Роберт ДУФОР,Рам ДАСАРИ,Стивен Джон МЕЦКЕР. Владелец: ЭйДжиЭй Инк.. Дата публикации: 2013-01-10.

Method of operating semiconductor memory device and memory system including semiconductor memory device

Номер патента: US20160259674A1. Автор: Ju Hyeon HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Gaming machine, control method for machine, and program for gaming machine

Номер патента: US20200105100A1. Автор: John Pariseau. Владелец: Konami Gaming Inc. Дата публикации: 2020-04-02.

Gaming machine, control method for a gaming machine, and program for gaming machine

Номер патента: US11922766B2. Автор: John Pariseau. Владелец: Konami Gaming Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Memory controller managing temperature of memory device and memory system having the memory controller

Номер патента: US20200409608A1. Автор: Young Jae JIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-31.

Method, associated memory device and controller thereof for performing dynamic resource management

Номер патента: US20190050154A1. Автор: Che-Wei Hsu,Hsin-Hsiang TSENG. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-02-14.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller without making memory cell array generating errors

Номер патента: US20240232085A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller without making memory cell array generating errors

Номер патента: US20240231625A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Authentication-permission system, equipment, authentication-permission method, and program

Номер патента: US20230396614A1. Автор: Akira Nagai,Yusuke IIJIMA,Masami IZUMI,Kan YASUDA. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US12113037B2. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG,Yanhong Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US12069854B2. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG,Yanhong Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for forming a three-dimensional (3D) memory device having bonded semiconductor structures

Номер патента: US12080697B2. Автор: WEI Liu,Shiqi HUANG,Bater Chelon,Siping Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Contact pads of three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US12133386B2. Автор: Yongqing Wang,Siping Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US11978737B2. Автор: Kun Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Techniques for manufacturing split-cell 3d-nand memory devices

Номер патента: US20220005827A1. Автор: XU Chang,Belgacem Haba,Rajesh Katkar,Javier A. Delacruz,David Edward Fisch. Владелец: Invensas LLC. Дата публикации: 2022-01-06.

Techniques for manufacturing split-cell 3d-nand memory devices

Номер патента: EP4176466A1. Автор: XU Chang,Belgacem Haba,Rajesh Katkar,Javier A. Delacruz,David Edward Fisch. Владелец: Invensas LLC. Дата публикации: 2023-05-10.

Three-dimensional nand memory device and fabrication method

Номер патента: US20240237338A9. Автор: Wei Xu,Zongliang Huo,Lei Xue,Longxiang Yan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Metal floating gate composite 3d nand memory devices and associated methods

Номер патента: WO2015094535A1. Автор: Nirmal Ramaswamy,Fatma A. Simsek-Ege. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2015-06-25.

Contact pads of three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US12033966B2. Автор: He Chen,LIANG XIAO,Yongqing Wang,Shu Wu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Three-dimensional memory devices having hydrogen blocking layer and fabrication methods thereof

Номер патента: US11728236B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Three-dimensional memory device comprising contact pads exposed by an opening passing through layer stack and fabrication method thereof

Номер патента: US12089406B2. Автор: Yongqing Wang,Siping Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US11805646B2. Автор: Qian Tao,Zhenyu Lu,Simon Shi-ning Yang,Jun Chen,Yushi Hu,Jifeng Zhu,Steve Weiyi Yang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Three-dimensional memory device with vertical field effect transistors and method of making thereof

Номер патента: US20220068966A1. Автор: Peter Rabkin,Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-03-03.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: WO2023272578A1. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG,Yanhong Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-01-05.

Three-dimensional flat nand memory device having curved memory elements and methods of making the same

Номер патента: US20200286915A1. Автор: Yanli Zhang,Masatoshi Nishikawa,Zhixin Cui. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-09-10.

Method of forming select lines for NAND memory devices

Номер патента: US6951790B1. Автор: Michael Violette. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-10-04.

Structure of 3d nand memory device and method of forming the same

Номер патента: US20200135752A1. Автор: Li Hong XIAO,Li Xun Gu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Method for Fabricating Word Lines of NAND Memory and NAND Memory Comprising Word Lines Fabricated by Adopting the Same

Номер патента: US20200402842A1. Автор: Guanqun Huang,Shaokang Yao,Xiaohua Ju. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-12-24.

Contact pads of three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: WO2022120630A1. Автор: Yongqing Wang,Siping Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-06-16.

Three dimensional nand string memory devices and methods of fabrication thereof

Номер патента: WO2016064508A3. Автор: Johann Alsmeier,Henry Chien,Jayavel Pachamuthu. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2016-06-09.

Three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210225865A1. Автор: Linchun Wu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Stack for 3d-nand memory cell

Номер патента: WO2021211361A1. Автор: Abhijit Basu Mallick,Susmit Singha Roy,Bo QI,Huiyuan WANG,Takehito KOSHIZAWA. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2021-10-21.

Three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: EP3966867A1. Автор: Linchun Wu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-16.

Three-dimensional memory device and methods for forming the same

Номер патента: EP4289005A1. Автор: Mingkang ZHANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-13.

Three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US11980030B2. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Dual deck three-dimensional nand memory and method for forming the same

Номер патента: US20210225866A1. Автор: FENG Lu,Jing Gao,Wenbin Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

3D NAND memory device and method of forming the same

Номер патента: US11563029B2. Автор: Jin Yong Oh,Youn Cheul Kim. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-24.

Three-dimensional memory device with vertical field effect transistors and method of making thereof

Номер патента: US11569215B2. Автор: Peter Rabkin,Kwang-Ho Kim. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-01-31.

Three-dimensional memory device with vertical field effect transistors and method of making thereof

Номер патента: US11963352B2. Автор: Peter Rabkin,Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-16.

Hybrid bonding contact structure of three-dimensional memory device

Номер патента: US12137568B2. Автор: Zhenyu Lu,Simon Shi-ning Yang,Jun Chen,Feng Pan,GuanPing WU,Weihua Cheng,Wenguang Shi,Steve Weiyi Yang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Metal floating gate composite 3d nand memory devices and associated methods

Номер патента: EP3084829A1. Автор: Nirmal Ramaswamy,Fatma A. Simsek-Ege. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-10-26.

Three-dimensional nand memory device and fabrication method

Номер патента: US20240015973A1. Автор: Wei Xu,Bo Xu,Zongliang Huo,Lei Xue,Longxiang Yan,Fazhan WANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Structure of 3d nand memory device and method of forming the same

Номер патента: US20220013541A1. Автор: Li Hong XIAO,Li Xun Gu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-13.

Three-dimensional nand memory device and fabrication method

Номер патента: US20240138148A1. Автор: Wei Xu,Zongliang Huo,Lei Xue,Longxiang Yan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Twisted array design for high speed vertical channel 3d nand memory

Номер патента: US20160268201A1. Автор: Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-15.

Structure of 3D NAND memory device and method of forming the same

Номер патента: US11856776B2. Автор: Li Hong XIAO,Li Xun Gu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Memory devices and methods of forming memory devices

Номер патента: WO2021146030A1. Автор: Yoshiaki Fukuzumi,Akira Goda. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-07-22.

Memory devices and methods of forming memory devices

Номер патента: EP4091196A1. Автор: Yoshiaki Fukuzumi,Akira Goda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-11-23.

Barrier layers for word line contacts in a three-dimensional NAND memory and fabrication methods thereof

Номер патента: US12094767B2. Автор: Di Wang,Zhong Zhang,Wenxi Zhou,Ling Xu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Barrier layers for word line contacts in three-dimensional nand memory and fabrication methods thereof

Номер патента: EP4442091A1. Автор: Di Wang,Zhong Zhang,Wenxi Zhou,Ling Xu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

3D-NAND Memory Cell Structure

Номер патента: US20210233779A1. Автор: Tomohiko Kitajima,Sung-Kwan Kang,Chang Seok Kang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2021-07-29.

Through array contact structure of three-dimensional memory device

Номер патента: EP4383982A2. Автор: Zhenyu Lu,GuanPing WU,Wenguang Shi,Xianjin Wan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-12.

Method for manufacturing NAND memory cells

Номер патента: US8222112B2. Автор: Ping-Chia Shih,Chun-Sung Huang,Chi-Cheng Huang,Chiao-Lin Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-07-17.

Method for manufacturing nand memory cells

Номер патента: US20110220988A1. Автор: Ping-Chia Shih,Chun-Sung Huang,Chi-Cheng Huang,Chiao-Lin Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2011-09-15.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP3965160A1. Автор: Youngjin Cho,Jinhong Kim,Seyun KIM,Soichiro Mizusaki,Yumin KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-09.

Electro-thermal method to manufacture monocrystalline vertically oriented silicon channels for three-dimensional (3D) NAND memories

Номер патента: US11521985B2. Автор: Victor Moroz,Salvatore AMOROSO. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2022-12-06.

Electro-thermal method to manufacture monocrystalline vertically oriented silicon channels for three-dimensional (3d) nand memories

Номер патента: WO2021138541A9. Автор: Victor Moroz,Salvatore AMOROSO. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2022-03-17.

Electro-thermal method to manufacture monocrystalline vertically oriented silicon channels for three-dimensional (3d) nand memories

Номер патента: US20210249437A1. Автор: Victor Moroz,Salvatore AMOROSO. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2021-08-12.

Method of integrating select gate source and memory hole for three-dimensional non-volatile memory device

Номер патента: WO2015038246A3. Автор: Johann Alsmeier,Henry Chien,Jayavel Pachamuthu. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2015-05-28.

NAND memory strings and methods of fabrication thereof

Номер патента: US9646990B2. Автор: Yanli Zhang,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,George Matamis,Senaka Kanakamedala,Sateesh KOKA,Yao-Sheng Lee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-09.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20210249436A1. Автор: Bo Xu,Lei DING,Chuan Yang,Ping Yan,Sen Zhang,Jing Gao,Lan Fang YU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-12.

Three-dimensional flat nand memory device having high mobility channels and methods of making the same

Номер патента: US20200279868A1. Автор: Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Senaka Krishna Kanakamedala,Yao-Sheng Lee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-09-03.

Through array contact structure of three-dimensional memory device

Номер патента: US11785776B2. Автор: Zhenyu Lu,GuanPing WU,Wenguang Shi,Xianjin Wan,Baoyou Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Three-dimensional flat nand memory device having curved memory elements and methods of making the same

Номер патента: US20200286903A1. Автор: Yanli Zhang,Masatoshi Nishikawa,Zhixin Cui. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-09-10.

Three-dimensional non-volatile memory device and methods of fabrication thereof

Номер патента: WO2015041824A2. Автор: Raghuveer S. Makala,Johann Alsmeier,Jayavel Pachamuthu,Yao-Sheng Lee. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2015-03-26.

Three dimensional (3d) memory device and fabrication method

Номер патента: US20230402394A1. Автор: Jing Liu,Jing Gao,Zhaosong Li,Chuanhai SHAN,Zhouyang LU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Three-dimensional flat nand memory device including wavy word lines and method of making the same

Номер патента: US20200098787A1. Автор: Ryosuke Kaneko. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-03-26.

Three-dimensional memory device and fabrication method

Номер патента: US20230402425A1. Автор: Yang Zhou,SHENG Peng,Jing Gao,Kai Yu,Wenbo Zhang,Zhiyong Lu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Method for fabricating three-dimensional memory device by thickening an epitaxial layer

Номер патента: US11716853B2. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-01.

Shallow trench isolation trenches and methods for nand memory

Номер патента: US20170278926A1. Автор: Yusuke Yoshida. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-09-28.

Shallow trench isolation trenches and methods for nand memory

Номер патента: EP3304587A1. Автор: Yusuke Yoshida. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-04-11.

Shallow trench isolation trenches and methods for nand memory

Номер патента: WO2017030636A1. Автор: Yusuke Yoshida. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-02-23.

Three-dimensional memory device and fabrication method

Номер патента: US20210296325A1. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, and 3d nand memory

Номер патента: US20230253511A1. Автор: LAN Yao,Lu Zhou,Quan Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Shallow trench isolation trenches and methods for nand memory

Номер патента: US20160284798A1. Автор: Yusuke Yoshida. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-29.

Device and method for the integrated presentation of a secondary service as a part of a primary service

Номер патента: EP1158790A3. Автор: John P. Godwin. Владелец: Hughes Electronics Corp. Дата публикации: 2004-05-19.

Integrated structures and NAND memory arrays

Номер патента: US10038008B1. Автор: John D. Hopkins,David Daycock. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-07-31.

Receiving device and method, transmitting device and method and program

Номер патента: RU2585253C2. Автор: Ясуаки ЯМАГИСИ,Ёсихару ДЕВА,Наохиса КИТАДЗАТО,Дзюн КИТАХАРА. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2016-05-27.

Methods of fabricating a three-dimensional non-volatile memory device

Номер патента: US20150079742A1. Автор: Raghuveer S. Makala,Johann Alsmeier,Jayavel Pachamuthu,Yao-Sheng Lee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-03-19.

Methods of tunnel oxide layer formation in 3d nand memory structures and associated devices

Номер патента: EP3127156A1. Автор: Gordon Haller,Sateesh KOKA,Shyam Surthi,John Hopkins,Anish Khandekar,Darwin Fan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-08.

Sacrificial layer for forming merged high aspect ratio contacts in 3d nand memory device

Номер патента: US20240090213A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Sung-Kwan Kang,Jialiang Wang,Abhijit B. MALLICK,Soonil Lee,Chang Seok Kang,Eswaranand VENKATASUBRAMANIAN,Srinivas Guggilla,Amy Child,Sanjay G. KAMATH. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Hybrid bonding contact structure of three-dimensional memory device

Номер патента: US20230363169A1. Автор: Zhenyu Lu,Simon Shi-ning Yang,Jun Chen,Feng Pan,GuanPing WU,Weihua Cheng,Wenguang Shi,Steve Weiyi Yang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Three-dimensional NAND memory device with source line comprising metallic and semiconductor layers

Номер патента: US11056501B2. Автор: Hideo Wada,Hideto Takekida. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-07-06.

Sacrificial layer for forming merged high aspect ratio contacts in 3d nand memory device

Номер патента: WO2024054369A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Sung-Kwan Kang,Jialiang Wang,Abhijit B. MALLICK,Soonil Lee,Chang Seok Kang,Eswaranand VENKATASUBRAMANIAN,Srinivas Guggilla,Amy Child,Sanjay G. KAMATH. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-03-14.

Junction formation for vertical gate 3d nand memory

Номер патента: US20150380430A1. Автор: Sheng-Chih Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-31.

Providing information accuracy in image encoding device, method and program for image encoding, image decoding device and method and program for image decoding

Номер патента: RU2679285C2. Автор: Мицуру МАЕДА,Масато СИМА. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2019-02-06.

Identity authentication method, authentication access controller, request device, storage medium, program, and program product

Номер патента: US20240056433A1. Автор: JUN Cao,Qin Li,LIANG Lu,Manxia Tie,Xiaolong Lai,Bianling Zhang,Xiaorong Zhao. Владелец: China Iwncomm Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Information processing system, server device, and control program

Номер патента: US09948971B2. Автор: Naoya Takao,Kunio Gobara,Masashi HITOTSUYA,Shota Hario. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

System, method and program for determining failed routers in a network

Номер патента: EP2245792A1. Автор: Jeremy John Mccourt. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-11-03.

System, method and program for determining failed routers in a network

Номер патента: WO2009144250A1. Автор: Jeremy John Mccourt. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2009-12-03.

Method, apparatus, device, storage medium and program for data transmission

Номер патента: US20240364623A1. Автор: Shu Shi,Bin Xu. Владелец: Beijing ByteDance Network Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Device and method of package degassing

Номер патента: RU2725384C1. Автор: Риккардо ПАЛУМБО,Джулио БЕНЕДЕТТИ,Стефан ЛЭНДОЛТ,Жваноэ РИЗЗИ,Глен Сэмюэл КИРКПАТРИК,Харис НАЦИК,Питер ТЮРИНГ. Владелец: Криовак, Инк.. Дата публикации: 2020-07-02.

Communication device, control device, communication system, method of processing of receiving package, communication device control method and program

Номер патента: RU2656706C1. Автор: Йодзи СУДЗУКИ,Масанори ТАКАСИМА,Мамору ТАКАДЗО. Владелец: Нек Корпорейшн. Дата публикации: 2018-06-06.

Mobile communication system, base station, top-level device, gateway device, communication method and program

Номер патента: RU2671952C1. Автор: Йосио УЕДА,Коити МОТИЗУКИ. Владелец: Нек Корпорейшн. Дата публикации: 2018-11-08.

Communication device, control device, communication system, communication method, communication device control method and program

Номер патента: RU2589867C2. Автор: Масанори ТАКАСИМА,Мамору ТАКАДЗО,Сихоми САТО. Владелец: Нек Корпорейшн. Дата публикации: 2016-07-10.

Positioning method and apparatus, and storage medium and program product

Номер патента: EP4436218A1. Автор: Xin Gao,Jianghua Liu,Jianfeng Li,Mengting LIU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Ignition control device and method

Номер патента: RU2230930C2. Автор: Мартин ХАУССМАНН,Харри ФРИДМАНН. Владелец: Роберт Бош Гмбх. Дата публикации: 2004-06-20.

Device and method for data processing in high-speed data patch access communication system over outgoing communication line

Номер патента: RU2297104C2. Автор: Сунг-Воок ПАРК,Канг-Гиу ЛИ,Санг-Хоон ЧАЕ,Дзин-Янг ОХ. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2007-04-10.

Device and method of evaluating communication quality and program used for evaluation

Номер патента: RU2383999C2. Автор: Таити МАДЗИМА,Таити МАДЗИМА (JP). Владелец: Кабусики Кайся Кенвуд. Дата публикации: 2010-03-10.

Control device, communication system, node control method and program

Номер патента: RU2586019C2. Автор: Масанори ТАКАСИМА,Сейдзи ОИКАВА. Владелец: Нек Корпорейшн. Дата публикации: 2016-06-10.

Communication device, communication method, and program

Номер патента: EP3634042A1. Автор: Takashi Suzuki. Владелец: Felica Networks Inc. Дата публикации: 2020-04-08.

Audio signal processing device and method, impulse response generation device and method, and program

Номер патента: EP3820161A1. Автор: Takao Fukui. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2021-05-12.

Packet flow monitoring device, packet data extraction device, extracted data aggregating device, and program

Номер патента: EP3879766A1. Автор: Ryo Hasegawa,Naoya Suzuki,Masaki Tsuji,Takuya Kurakake,Masahiro Kawaragi,Tomofumi KOYAMA,Keiichiro Katsuta. Владелец: Intelligent Wave Inc. Дата публикации: 2021-09-15.

Injection molding machine control device and program

Номер патента: US20230249386A1. Автор: Kensuke Namiki. Владелец: FANUC Corp. Дата публикации: 2023-08-10.

Network access device and method for the same, medium and computer program product

Номер патента: WO2022170167A1. Автор: Huiqi ZHOU. Владелец: ARRIS Enterprises LLC. Дата публикации: 2022-08-11.

Packet flow monitoring device, packet data extraction device, extraction data aggregation device, and program

Номер патента: US20210359923A1. Автор: Ryo Hasegawa,Naoya Suzuki,Masaki Tsuji,Takuya Kurakake,Masahiro Kawaragi,Tomofumi KOYAMA,Keiichiro Katsuta. Владелец: Intelligent Wave Inc. Дата публикации: 2021-11-18.

System, method, apparatus, and program for light tower control

Номер патента: CA3015341C. Автор: Sunil Gupta,Bruce DRESSEL,Matthew GAVIN. Владелец: Herc Rentals Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Packet flow monitoring device, packet data extraction device, extraction data aggregation device, and program

Номер патента: US11528202B2. Автор: Ryo Hasegawa,Naoya Suzuki,Masaki Tsuji,Takuya Kurakake,Masahiro Kawaragi,Tomofumi KOYAMA,Keiichiro Katsuta. Владелец: Intelligent Wave Inc. Дата публикации: 2022-12-13.

Signal processing device and method, and program

Номер патента: US20230020003A1. Автор: Masaki Murozuka. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-01-19.

Memory device, method of manufacturing memory device, and electronic device including memory device

Номер патента: US20240292618A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-08-29.

Information processing device and method, and program

Номер патента: US20240340605A1. Автор: Junya Suzuki,Kentaro Kimura. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Communication control device, communication method, terminal communication device and program

Номер патента: RU2602275C2. Автор: Хироаки ТАКАНО. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2016-11-20.

Device and method of information processing and program

Номер патента: RU2673102C2. Автор: Виджитха РАНАТУНГА. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2018-11-22.

Device capable of reading multiple documents, method of controlling said device and program

Номер патента: RU2508602C2. Автор: Наоя КАКУТАНИ. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2014-02-27.

Signal processing device and method, and program

Номер патента: US20240205551A1. Автор: Atsushi Totsuka. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

System comprised of a floor processing device, a memory device and at least one accessory device

Номер патента: US20230157502A1. Автор: Frederic Hahn. Владелец: Vorwerk and Co Interholding GmbH. Дата публикации: 2023-05-25.

Communication quality evaluation system, device, method, and program thereof

Номер патента: US20100091668A1. Автор: Takashi Ono,Hiroto Sugahara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2010-04-15.

Method for controlling the activity of a base station entity of a first type in a mobile communication network, base station entity, mobile device, mobile communication network and program comprising a computer readable program code

Номер патента: EP2661926A1. Автор: Markus Breitbach,Matthias RÖBKE. Владелец: DEUTSCHE TELEKOM AG. Дата публикации: 2013-11-13.

Digital camera devices and methods for implementing digital zoom in digital camera devices and corresponding program products

Номер патента: EP1897363A2. Автор: Ossi Kalevo,Jarno Nikkanen. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2008-03-12.

Digital camera devices and methods for implementing digital zoom in digital camera devices and corresponding program products

Номер патента: WO2007000486A2. Автор: Ossi Kalevo,Jarno Nikkanen. Владелец: Nokia Corporation. Дата публикации: 2007-01-04.

ONU device for providing EPG information and program notifying method thereof

Номер патента: US20050172317A1. Автор: Yun-Je Oh,Young-Seok Kim,Jun-Ho Koh,Hye-Young Park,Jee-Won Jeong,Kug Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-08-04.

Memory device, semiconductor device and manufacturing method of the memory device

Номер патента: US20210398989A1. Автор: Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Communication system, communication path switching method, communication device, and program

Номер патента: US20230208753A1. Автор: Shinichi Yoshihara,Hideo Kawata,Keisuke Yamagata. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Image processing device and method, imaging device and program

Номер патента: US20200213529A1. Автор: Masato Kamata. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2020-07-02.

Methods of forming microelectronic devices, and related microelectronic devices, memory devices, and electronic systems

Номер патента: US20240334717A1. Автор: Kunal R. Parekh,Russell L. Meyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Data transmission method and devices thereof, storage medium, and program product

Номер патента: AU2023238025A1. Автор: Feng Xie,Fei Wang,Yan Xue,Hanchao LIU. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Information processing device, method, and program

Номер патента: AU2024219691A1. Автор: Toru Chinen,Mitsuyuki Hatanaka. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory device, method of manufacturing memory device, and electronic apparatus including memory device

Номер патента: US20240365534A1. Автор: Jun Luo,Huilong Zhu,Tianchun Ye. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-10-31.

Information processing device and method, and program

Номер патента: US09998845B2. Автор: Runyu Shi,Toru Chinen,Yuki Yamamoto,Mitsuyuki Hatanaka. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device with integrated memory devices and mos devices and process of making the same

Номер патента: US20210233924A1. Автор: Wang Xiang,Weichang Liu,Chia-Ching Hsu,Shen-De Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device and manufacturing method of semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device

Номер патента: US20220157840A1. Автор: Jung Hwan Lee,Min Kuck Cho,Hyun Chul Kim,Kwang Il Kim,Yang Beom KANG. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device and manufacturing method of semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device

Номер патента: US20210028183A1. Автор: Jung Hwan Lee,Min Kuck Cho,Hyun Chul Kim,Kwang Il Kim,Yang Beom KANG. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-28.

Device and method for integrating satellite data with terrestrial networks

Номер патента: US20190208443A1. Автор: Rajiv Singh Cullen PAL. Владелец: DISH Network LLC. Дата публикации: 2019-07-04.

Bandwidth control system, method, and program storage medium storing program thereof

Номер патента: US20080181105A1. Автор: Nobuyuki Iwasaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-07-31.

Device isolation method of semiconductor memory device and flash memory device fabricating method using the same

Номер патента: US20050142796A1. Автор: Sung Jung,Jum Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Communication system, communication method, transmitting side switching device, receiving side switching device, and program

Номер патента: US20230336501A1. Автор: Hideaki Kimura,Shinichi Yoshihara,Hideo Kawata,Nobuhiro Shibata. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Memory device and semiconductor device including the memory device

Номер патента: US12063770B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Integration of non-volatile charge trap memory devices and logic cmos devices

Номер патента: WO2008147529A1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Sam Geha,Fredrick B. Jenne,Sagy Levy,Igor Kouznetsov,Jeremy Warren,Ravindra Kapre,William W.C. KOUTNY, Jr.. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2008-12-04.

Non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070102751A1. Автор: Sang-Bum Lee. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-05-10.

Communication system, communication method, transmitting side switching device, receiving side switching device, and program

Номер патента: US12088511B2. Автор: Hideaki Kimura,Shinichi Yoshihara,Hideo Kawata,Nobuhiro Shibata. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Methods of forming microelectronic devices, and related microelectronic devices, memory devices, and electronic systems

Номер патента: US20240349478A1. Автор: Chunhua Yao,Scott L. Light,Fatma Arzum Simsek-Ege,Efe S. Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Methods of forming microelectronic devices, and related microelectronic devices, memory devices, and electronic systems

Номер патента: WO2024206702A1. Автор: Kunal R. Parekh,Russell L. Meyer. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory devices including source structures over stack structures, and related methods

Номер патента: US20240371834A1. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-11-07.

Moving body balance detector, moving body balance detection program, method for moving body balance detection, and diagnostic technique for moving body balance

Номер патента: RU2511402C2. Автор: Юдзи АСАДА. Владелец: Омрон Хэлткэа Ко., Лтд.. Дата публикации: 2014-04-10.

Data storage device and method

Номер патента: RU2479019C2. Автор: Хайнц ВЕРНЛИ,Андреас КИЛЬХЕНМАНН,Урс РЮЭДИ. Владелец: Зульцер Метко Аг. Дата публикации: 2013-04-10.

Dynamic random access memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240224493A1. Автор: Wen-Yueh Chang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Memory device, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US11737287B2. Автор: Yu-Chao Lin,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12035533B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Methods of manufacturing phase-change memory device and semiconductor device

Номер патента: US20130102120A1. Автор: Hye Jin Seo,Keum Bum Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-04-25.

Location tracking method, server and program using the same

Номер патента: US20240179673A1. Автор: Min Young Kim. Владелец: Openit Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Method and system for providing reducing thinning of field isolation structures in a flash memory device

Номер патента: US20020158284A1. Автор: Hyeon-Seag Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-31.

Microelectronic devices, and related memory device packages and electronic systems

Номер патента: US20240304598A1. Автор: Seng Kim Dalson Ye,Chin Hui Chong,Ling Pan,Hong Wan Ng,See Hiong Leow,Kelvin Tan Aik Boo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Charging device and system

Номер патента: WO2016029251A1. Автор: Garry Allan RAMLER,Samuel Thomas RHODES. Владелец: Kube Systems R&D Pty Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

Microelectronic devices, and related memory device packages and electronic systems

Номер патента: WO2024186577A1. Автор: Seng Kim Dalson Ye,Chin Hui Chong,Ling Pan,Hong Wan Ng,See Hiong Leow,Kelvin Tan Aik Boo. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-09-12.

Microelectronic devices and memory devices including vertically spaced transistors and storage devices, and related electronic systems

Номер патента: US20240357793A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240334690A1. Автор: Kun Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240334704A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Method, device and program product for glass bending

Номер патента: WO2022188739A1. Автор: Xiaowei Sun,Bernard Nghiem,Romain Decourcelle,Zhiyi WANG. Владелец: SAINT-GOBAIN GLASS FRANCE. Дата публикации: 2022-09-15.

Microelectronic devices, and related memory devices, and electronic systems

Номер патента: US20240244820A1. Автор: Scott E. Sills,Richard E. Fackenthal,Hiroki Fujisawa,Si-Woo Lee`. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Non-volatile memory device and method of forming the same

Номер патента: WO2024076297A1. Автор: Wen Siang LEW,Putu Andhita DANANJAYA,Yuanmin DU,Weng Hong Lai. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20240237342A1. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Microelectronic devices, and related memory devices, and electronic systems

Номер патента: WO2024151406A1. Автор: Scott E. Sills,Richard E. Fackenthal,Hiroki Fujisawa,Si-Woo Lee. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-07-18.

Magnetic memory device, a method for manufacturing a magnetic memory device, and an integrated circuit device including such magnetic memory device

Номер патента: US20040233757A1. Автор: Akihiro Maesaka. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-11-25.

Non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150311299A1. Автор: Kyung Min Kim,Jung Goo Park,Jeong Ho Cho,Se Woon KIM. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US12052864B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Memory devices including staircase structures, and related 3d nand flash memory devices

Номер патента: US20240015971A1. Автор: Xuan Li,Shuangqiang Luo,Adeline Yii. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20210028104A1. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

System method and program for managing browser scripts sent from server to client

Номер патента: US20080109527A1. Автор: James R. Kunz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-05-08.

Microelectronic devices including staircase structures, and related methods, memory devices, and electronic systems

Номер патента: US20230307350A1. Автор: Lifang Xu,Richard J. Hill,Indra V. Chary. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Interconnects for stacked non-volatile memory device and method

Номер патента: US20120112155A1. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2012-05-10.

Interconnects for stacked non-volatile memory device and method

Номер патента: US20120273748A1. Автор: Scott Brad Herner. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2012-11-01.

Microelectronic device packages including wirebonding and related methods, memory devices, and electronic systems

Номер патента: US20240153914A1. Автор: Akanksha Sahoo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor device, semiconductor package, electronic device, and method for establishing information processing environment

Номер патента: US20060038270A1. Автор: Masaaki Oka. Владелец: Sony Computer Entertainment Inc. Дата публикации: 2006-02-23.

Semiconductor device, semiconductor package, electronic device, and method for establishing information processing environment

Номер патента: US20030080417A1. Автор: Masaaki Oka. Владелец: Sony Computer Entertainment Inc. Дата публикации: 2003-05-01.

Method for forming semiconductor memory device

Номер патента: US20240276704A1. Автор: Yifei Yan. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Device and method for establishing connection in load-balancing system

Номер патента: EP3338396A1. Автор: Yi Li,Jiaming Wu,Bengbeng XUE. Владелец: Alibaba Group Holding Ltd. Дата публикации: 2018-06-27.

Non-volatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220165884A1. Автор: Bo-An Tsai,Shiangshiou Yen. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US8860003B2. Автор: Jae Min Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-14.

Variable resistance memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210167130A1. Автор: Seulji SONG,Kyusul PARK,Woohyun Park,Ilmok Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-03.

Microelectronic devices and memory devices

Номер патента: WO2024155421A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Christopher G. Wieduwilt. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11770938B2. Автор: Soon-Oh Park,Dong-Jun Seong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-26.

Device and Method of Handling Aggregation of Cellular Network and Wireless Local Area Network

Номер патента: US20180007732A1. Автор: Chih-Hsiang Wu. Владелец: HTC Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Hybrid Memory Device And Electronic Device Including Same

Номер патента: US20230157037A1. Автор: Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Hagyoul BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-18.

Methods of forming electronic devices, and related electronic devices

Номер патента: US11744086B2. Автор: Jonghun Kim,David A. Daycock. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10593676B2. Автор: Tzu-Ming Ou Yang,Shu-Ming LEE. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-03-17.

Nonvolatile memory device having STI structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20020182806A1. Автор: Sun-Young Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-12-05.

Three-dimensional memory devices with deep isolation structures

Номер патента: US20210013088A1. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Cheng GAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20230129734A1. Автор: Dong Won Choi,Kyung Min Park,Jun Hyuk Park,Sung Gon Jin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Semiconductor systems with anti-warpage mechanisms and associated systems, devices, and methods

Номер патента: US20230290738A1. Автор: Quang Nguyen,Christopher Glancey,Koustav Sinha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Memory device and method of manufacturing memory device

Номер патента: US20240260269A1. Автор: Hyun Mi HWANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory device and manufacturing method of the memory device

Номер патента: US20240324222A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory device and manufacturing method of the memory device

Номер патента: US20240324202A1. Автор: Jae Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Three-dimensional memory devices

Номер патента: WO2024178583A1. Автор: Tao Yang,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-09-06.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US12087686B2. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7608488B2. Автор: Susumu Yoshikawa,Yasuyuki Baba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-27.

Memory device having planarized fins and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240341077A1. Автор: Ying-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Three-dimensional memory devices

Номер патента: WO2024178583A8. Автор: Tao Yang,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor structure with a logic device and a memory device being formed in different levels

Номер патента: US20240357829A1. Автор: Chung-Te Lin,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Memory devices including staircase structures, and related 3D NAND flash memory devices

Номер патента: US12108600B2. Автор: Xuan Li,Shuangqiang Luo,Adeline Yii. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-10-01.

Microelectronic devices including slot structures extending through pillar structures, and related memory devices

Номер патента: US20240357820A1. Автор: Christopher J. Larsen,Darwin A. Clampitt,Tom J. John,S M Istiaque Hossain,Anilkumar Chandolu,Kye Hyun Baek,Parkash Rau Mokhna Rau. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20240341097A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Memory device having planarized fins and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240341078A1. Автор: Ying-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12133379B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20240373634A1. Автор: Jae Young Oh,Eun Seok Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

3d memory device and method of forming seal structure

Номер патента: US20240234339A9. Автор: Teng-Hao Yeh,Cheng-Yu Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240099000A1. Автор: Kotaro Nomura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Durable memory device

Номер патента: US11439004B1. Автор: Chin Feng Chang. Владелец: Team Group Inc. Дата публикации: 2022-09-06.

Memory device and method for manufacturing memory device

Номер патента: US20190237479A1. Автор: Yasuhito Yoshimizu. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor memory device having composite dielectric film structure and methods of forming the same

Номер патента: US12014966B2. Автор: Ming Chyi Liu,Sheng-Chieh Chen,Wei-Ming Wang,Chih-Ren Hsieh,Ming-Lun Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Flash memory device and manufacturing method the same

Номер патента: US20100163969A1. Автор: Cheon-Man Shim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Methods of forming microelectronic devices with nitrogen-rich insulative structures, and related memory devices and electronic systems

Номер патента: US20240215246A1. Автор: Kadir Abdul,Swapnil A. Lengade,Jeremy Adams,Naiming Liu,Jeslin J. Wu,Carlo Mendoza OROFEO. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190319034A1. Автор: Meng-Chang Chan,Tzu-Ming Ou Yang,Shu-Ming LEE. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

Stack capacitor, a flash memory device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20220359551A1. Автор: Zhi Tian,Hua Shao,Haoyu Chen,Juanjuan Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-11-10.

Stack capacitor, a flash memory device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20210305265A1. Автор: Zhi Tian,Hua Shao,Haoyu Chen,Juanjuan Li. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Memory device, and semiconductor structure and forming method therefor

Номер патента: EP4199042A1. Автор: Shih-hung Lee. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-21.

Flash memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20030052359A1. Автор: Sung Shin,Jae Eom. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-03-20.

High density thyristor random access memory device and method

Номер патента: US20130009208A1. Автор: Chandra Mouli,Suraj J Mathew. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-01-10.

Memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240204049A1. Автор: Ping-Lung Yu,Po-Chun Shao. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor Memory Device and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20240244824A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Yifei Yan,Ken-Li Chen. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Non-volatile memory device and method of manufacturing same

Номер патента: US20230005958A1. Автор: Masaki Tsuji,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-01-05.

Device and method for making a memory device at a control unit of a motor vehicle unusable

Номер патента: EP2928763A1. Автор: Ortwin SCHLÜTER,Rasmus Backman. Владелец: SCANIA CV AB. Дата публикации: 2015-10-14.

Device and method for making a memory device at a control unit of a motor vehicle unusable

Номер патента: WO2014088489A1. Автор: Ortwin SCHLÜTER,Rasmus Backman. Владелец: SCANIA CV AB. Дата публикации: 2014-06-12.

Semiconductor memory device and method for fabricating thereof

Номер патента: US20210335798A1. Автор: Satoru Yamada,Hyun Cheol Kim,Yong Seok Kim,Kyung Hwan Lee,Jae Ho Hong,Sung Won YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-28.

Flash memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090140314A1. Автор: Jin-Ha Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-04.

Memory Devices, Memory Device Constructions, Constructions, Memory Device Forming Methods, Current Conducting Devices, and Memory Cell Programming Methods

Номер патента: US20120056151A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-03-08.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001252A1. Автор: Alsmeier Johann,Purayath Vinod Robert,Chien Henry,Matamis George,Lee Yao-Sheng,Kai James,Zhang Yuan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THEREOF

Номер патента: US20120001246A1. Автор: . Владелец: Micron Technology Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICE AND METHOD FOR REPLICATING A USER INTERFACE AT A DISPLAY

Номер патента: US20120004033A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CHARGE EQUILIBRIUM ACCELERATION IN A FLOATING GATE MEMORY DEVICE VIA A REVERSE FIELD PULSE

Номер патента: US20120002482A1. Автор: Kalavade Pranav,Franklin Nathan R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND PROGRAMMING TOOL FOR CREATING A USER PROGRAM FOR A SAFETY CONTROLLER

Номер патента: US20120004744A1. Автор: REUSCH Matthias,Bauer Ralf,Woehrle Stefan,Holzaepfel Matthias,Gilmore Maurice. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PLAYBACK DEVICE, RECORDING MEDIUM, PLAYBACK METHOD AND PROGRAM

Номер патента: US20120002520A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

INFORMATION PROCESSING APPARATUS, INFORMATION PROCESSING METHOD, AND PROGRAM

Номер патента: US20120001733A1. Автор: Kousaka Satoshi,Abeno Takashi. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE PROCESSING APPARATUS, SIGNAL PROCESSING APPARATUS, AND PROGRAM

Номер патента: US20120002074A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGING CONTROL APPARATUS, IMAGING CONTROL METHOD, AND PROGRAM

Номер патента: US20120002075A1. Автор: Shiga Akira,Yoshizumi Shingo,Kirisawa Tsukasa. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

PLAYBACK DEVICE, PLAYBACK METHOD AND PROGRAM

Номер патента: US20120002518A1. Автор: Yonezawa Takeshi,Sagara Seiichi,Uemura Kamon. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

DROWSINESS ASSESSMENT DEVICE AND PROGRAM

Номер патента: US20120002843A1. Автор: Tanaka Isahiko,KADOYA Akira,Omi Takuhiro,Yoda Takumi. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE PROCESSING APPARATUS, METHOD, AND PROGRAM THAT CLASSIFIES DATA OF IMAGES

Номер патента: US20120002878A1. Автор: . Владелец: CASIO COMPUTER CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL SHEET LAMINATING METHOD, OPTICAL SHEET LAMINATING DEVICE AND PROGRAM USED THEREWITH, AND DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120003434A1. Автор: HIROYA Tsutomu,SHIGEMURA Koji. Владелец: NEC LCD TECHNOLOGIES, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE PROCESSING DEVICE, IMAGE PROCESSING METHOD, AND PROGRAM

Номер патента: US20120002113A1. Автор: Nishio Kenichi,Kinoshita Hiroyuki,Kato Takuya,MINATO Atsuo,KANG HYONGMYONG,HASHINO Tsukasa,IRISAWA Gentaro. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

AUDIO PROCESSING DEVICE, AUDIO PROCESSING METHOD, AND PROGRAM

Номер патента: US20120002828A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Programmer and programming method

Номер патента: RU2362200C2. Автор: Нобуюки ТАКАХАСИ,Кацунори ТАНАКА,Даисуке ФУДЗИНО,Кендзи ИРИГУТИ,Юка МИТАНИ. Владелец: Мицубиси Электрик Корпорэйшн. Дата публикации: 2009-07-20.

VIDEO GAMING DEVICE AND METHOD OF WAGERING ON A VIRTUAL FOOTBALL GAME

Номер патента: US20120004018A1. Автор: Reeves,III Allen N.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RESISTIVE RAM DEVICES AND METHODS

Номер патента: US20120001144A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

STRESS-ENGINEERED RESISTANCE-CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120001148A1. Автор: . Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ILLUMINATION DEVICE AND METHOD FOR EMBEDDING DATA SYMBOLS IN A LUMINANCE OUTPUT

Номер патента: US20120002974A1. Автор: Wendt Matthias,Radermacher Harald Josef Günther,SCHENK Tim Corneel Wilhelmus,Kuppen Johan Wilhelmus Hermanus. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

COMMUNICATION BETWEEN A HOST DEVICE AND AN ACCESSORY VIA AN INTERMEDIATE DEVICE

Номер патента: US20120003934A1. Автор: Lydon Gregory T.,Tikalsky Terry,Ananny John,Laefer Jay S.. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

COMMUNICATION BETWEEN A HOST DEVICE AND AN ACCESSORY VIA AN INTERMEDIATE DEVICE

Номер патента: US20120003935A1. Автор: Lydon Gregory T.,Tikalsky Terry,Ananny John,Laefer Jay S.. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM INCLUDING AN IMPLANTABLE MEDICAL DEVICE AND ELECTRONIC VALVE INDICATOR AND LOCATOR DEVICE

Номер патента: US20120004538A1. Автор: Bertrand William J.,Speckman Lori C.. Владелец: Medtronic, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL APPARATUS, IMAGE SENSING DEVICE, AND CONTROL METHODS THEREOF

Номер патента: US20120002060A1. Автор: KUSANAGI SUGURU. Владелец: CANON KABISHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002457A1. Автор: KANDA Kazushige. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002469A1. Автор: IMAMOTO Akihiro,Abiko Naofumi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

INTERLEAVED MEMORY PROGRAM AND VERIFY METHOD, DEVICE AND SYSTEM

Номер патента: US20120002474A1. Автор: . Владелец: ROUND ROCK RESEARCH, LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002475A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

TEST MODE CONTROL CIRCUIT IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND TEST MODE ENTERING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002494A1. Автор: Jo Jun-Ho,PARK Kyu-Min,KIM BYOUNGSUL,LEE Hakyong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICE AND METHOD FOR DETECTING MOVEMENT OF OBJECT

Номер патента: US20120002842A1. Автор: MURASHITA Kimitaka,WATANABE Yuri,Fujimura Koichi. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE-PROCESSING DEVICE AND IMAGE-PROCESSING METHOD, IMAGE-PICKUP DEVICE, AND COMPUTER PROGRAM

Номер патента: US20120002849A1. Автор: Tokuse Akira. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002478A1. Автор: Isobe Katsuaki,Kojima Masatsugu. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

RESISTANCE CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002458A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

PRINT SHOP MANAGEMENT METHOD AND PROGRAM FOR PRINTING MIXED COLOR AND BLACK AND WHITE DOCUMENTS

Номер патента: US20120002219A1. Автор: . Владелец: KONICA MINOLTA SYSTEMS LABORATORY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Device and method to control track unoccupancy

Номер патента: RU2423265C2. Автор: Юрий Иосифович Полевой,Петр Филимонович Бестемьянов,Владимир Михайлович Лисенков,Андрей Владимирович Вайшнарас,Юрий Иосифович Полевой (RU),Владимир Михайлович Лисенков (RU),Петр Филимонович Бестемьянов (RU),Андрей Владимирович Вайшнарас (RU). Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Самарский государственный университет путей сообщения" (СамГУПС). Дата публикации: 2011-07-10.

METHOD AND PROGRAM FOR CUSTOM SPOOL PAGE PRINTING

Номер патента: US20120002229A1. Автор: TRAN John Phuong. Владелец: KONICA MINOLTA SYSTEMS LABORATORY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Device and editing method

Номер патента: RU2252448C2. Автор: Теппей ЕКОТА,Нобуюки КИХАРА. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2005-05-20.

Game machine and program

Номер патента: US20120004025A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA SEGA doing business as SEGA CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.