Memory device and operating method thereof
Номер патента: US11450363B2
Опубликовано: 20-09-2022
Автор(ы): Jae Woong Kim
Принадлежит: SK hynix Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 20-09-2022
Автор(ы): Jae Woong Kim
Принадлежит: SK hynix Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Memory device, memory system, and operating method of memory system
Номер патента: US20240062790A1. Автор: Seung Yong Shin,Sun Young Lim,Hyun Duk Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-22.