Memory Device, Manufacturing Method and Operating Method of the Same
Номер патента: US20120182808A1
Опубликовано: 19-07-2012
Автор(ы): Hang-Ting Lue, Shih-Hung Chen
Принадлежит: Macronix International Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 19-07-2012
Автор(ы): Hang-Ting Lue, Shih-Hung Chen
Принадлежит: Macronix International Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor memory device
Номер патента: US20240242769A1. Автор: Hideyuki Kataoka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-18.