Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • 탄소나노튜브를 이용하는 메모리 소자 및 그 제조방법

탄소나노튜브를 이용하는 메모리 소자 및 그 제조방법

Номер патента: KR20030068029A
Опубликовано: 19-08-2003
Автор(ы): 유인경, 주제욱, 최원봉
Принадлежит: 삼성전자주식회사
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Resistive random access memory device embedding tunnel insulating layer and memory array using the same and fabrication method thereof

Номер патента: US09799706B2. Автор: Sungjun Kim,Byung-gook Park,Seongjae Cho. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Gachon University. Дата публикации: 2017-10-24.

Bonded unified semiconductor chips and fabrication and operation methods thereof

Номер патента: EP3891788A1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-13.

Bonded unified semiconductor chips and fabrication and operation methods thereof

Номер патента: US20220093614A1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-24.

Storage node having a metal-insulator-metal structure, non-volatile memory device including a storage node having a metal-insulator-metal structure and method of operating the same

Номер патента: US20070126043A1. Автор: Sang-mock Lee,Eun-Hong Lee,In-kyeong Yoo,Chang-wook Moon,Choong-rae Cho,Seung-Woon Lee,El Bourim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-06-07.

Storage node having a metal-insulator-metal structure, non-volatile memory device including a storage node having a metal-insulator-metal structure and method of operating the same

Номер патента: US7859035B2. Автор: Sang-mock Lee,Eun-Hong Lee,In-kyeong Yoo,Chang-wook Moon,Choong-rae Cho,Seung-Woon Lee,El Mostafa Bourim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-12-28.

Memory device with a double helix biopolymer layer and fabricating method thereof

Номер патента: US8772081B2. Автор: Yu-Chueh Hung,Wei-Ting Hsu,Ting-Yu Lin,Ljiljana Fruk. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2014-07-08.

Memory Device with a Double Helix Biopolymer Layer and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20130320305A1. Автор: Yu-Chueh Hung,Wei-Ting Hsu,Ting-Yu Lin,Ljiljana Fruk. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2013-12-05.

Memory device and formation method thereof

Номер патента: US20240315153A1. Автор: Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory device and programming method thereof

Номер патента: US12029143B2. Автор: Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Resistive random-access memory devices with a via device structure

Номер патента: US20230292635A1. Автор: Ning Ge,Minxian Zhang,Mingche Wu. Владелец: Tetramem Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Bonded unified semiconductor chips and fabrication and operation methods thereof

Номер патента: EP3891788B1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Memory device and manufacturing method the same

Номер патента: US09786669B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Ryoji Nomura,Masayuki Sakakura,Tamae Takano,Yoshinobu Asami. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Resistive memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20180190352A1. Автор: Jaeyeon LEE,Cheol Seong Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

Resistive memory device and reliability enhancement method thereof

Номер патента: US20220069209A1. Автор: Frederick Chen,Chia-Wen Cheng,Ping-Kun Wang,Ming-Che Lin,Chang-Tsung Pai,Tzu-Yun Huang,He-Hsuan CHAO. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Memory and operating method thereof

Номер патента: US20240203491A1. Автор: Meng-Fan Chang,Yen-Cheng Chiu. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US12087361B2. Автор: Jungyu Lee,Bilal Ahmad Janjua,Jongryul Kim,Venkataramana Gangasani. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Improved vertical 3d memory device and accessing method

Номер патента: US20240237358A1. Автор: Corrado Villa,Efrem Bolandrina,Paolo Fantini,Stefan Frederik Schippers. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Non-volatile memory device, storage device having the same, and reading method thereof

Номер патента: US20210272627A1. Автор: Kitaek LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-02.

High density selector-based non volatile memory cell and fabrication

Номер патента: US09698201B2. Автор: Sung Hyun Jo,Harry Yue Gee,Hagop Nazarian. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Resistance change memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20180175289A1. Автор: Frederick Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-06-21.

Mim efuse memory devices and fabrication method thereof

Номер патента: US20230377666A1. Автор: Yih Wang,Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Memory device and programming method thereof

Номер патента: US20220367807A1. Автор: Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Memory device with a three-dimensional vertical structure and driving method thereof

Номер патента: WO2024153970A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Andrea Martinelli,Christophe Vincent Antoine Laurent,Efrem Bolandrina. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory cell and manufacturing method thereof and memory device

Номер патента: US20200328254A1. Автор: Chun-Chih Liu,Yi-Cheng Lee,Yu-Cheng Liao. Владелец: Jiangsu Advanced Memory Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-15.

Three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: EP3912188A1. Автор: Linchum WU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-24.

Nonvolatile memory device and erasing method thereof

Номер патента: US09627076B2. Автор: Sang-Wan Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Memory array and operation method thereof

Номер патента: US12048164B2. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Yi-Ching Liu,Sheng-Chih Lai,Ya-Yun Cheng,Chen-Jun Wu,Wen-Ling LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Vertically-Integrated Nonvolatile Memory Devices Having Laterally-Integrated Ground Select Transistors

Номер патента: US20140241065A1. Автор: Kihyun Kim,Jaehun Jeong,Sunil Shim,Jaehoon Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-08-28.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050270845A1. Автор: Keita Takahashi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-08.

Phase change memory device, operation method thereof, and data storage device having the same

Номер патента: US20130155765A1. Автор: Dong Keun Kim,Sun Hyuck Yon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-06-20.

Semiconductor memory device and production method thereof

Номер патента: US20160247571A1. Автор: Hideto Takekida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-25.

Bonded memory devices having flash memory controller and fabrication and operation methods thereof

Номер патента: US20200350286A1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

Bonded memory devices having flash memory controller and fabrication and operation methods thereof

Номер патента: EP3891808A4. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-09.

Bonded memory devices having flash memory controller and fabrication and operation methods thereof

Номер патента: WO2020220483A1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-11-05.

Semiconductor memory device with MOS transistors, each including a floating gate and a control gate, a control method thereof, and a memory card including the same

Номер патента: US7158413B2. Автор: Takuya Fujimoto,Yoshiharu Hirata,Nozomi Kasai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-01-02.

DATA STORAGE DEVICE, AND FABRICATION AND CONTROL METHODS THEREOF

Номер патента: US20140307504A1. Автор: Park Eungjoon,HUNG Hsi-Hsien. Владелец: WINBOND ELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2014-10-16.

One-time programmable memory based on 3d stacked array and fabrication and operation methods thereof

Номер патента: KR102555572B1. Автор: 김재성,박준희,권희태,윤 김. Владелец: 서울시립대학교 산학협력단. Дата публикации: 2023-07-13.

Metallocenyl dendrimer, organic memory device using the same and fabrication method of the organic memory device

Номер патента: US20080111124A1. Автор: Kwang Hee Lee,Tae Lim Choi,Sang Kyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-15.

Metallocenyl dendrimer, organic memory device using the same and fabrication method of the organic memory device

Номер патента: US20110213172A1. Автор: Kwang Hee Lee,Tae Lim Choi,Sang Kyun Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-01.

Nonvolatile memory device and operation method thereof

Номер патента: US20230352104A1. Автор: Jung Woo Lee,Yang Kyu Choi,Ji Man YU. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-11-02.

Steep-slope field-effect transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US11869950B2. Автор: Yang-Kyu Choi,Myung-Su Kim. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-01-09.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: WO2024130656A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-06-27.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240212753A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210296351A1. Автор: Linchun Wu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20230282576A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Memory device structure and fabrication method

Номер патента: US20240194260A1. Автор: LIANG Chen,WEI Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Three-dimensional semiconductor devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US09601204B2. Автор: Youngwoo Park,Jintaek Park,Jaeduk LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Non-volatile semiconductor memory device and fabricating method thereof

Номер патента: US6809966B2. Автор: Hung-Jin Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2004-10-26.

Memory device, and manufacturing method and driving method thereof

Номер патента: US20230232635A1. Автор: Shuai Guo,Shijie BAI,Mingguang ZUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Spin orbit torque magnetic memory devices, operating methods thereof, and electronic apparatuses including the magnetic memory devices

Номер патента: US20240147868A1. Автор: Atsushi Okada,Soichiro Mizusaki,Kwangseok KIM,Jeongchun Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Nonvolatile memory devices, operating methods thereof and memory systems including the same

Номер патента: US20230268017A1. Автор: Jae-Hoon Jang,Jaehun Jeong,Hansoo Kim,Donghyuk Chae,Sun-Il Shim,Youngho Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-24.

Memory cell, memory device manufacturing method and memory device operation method thereof

Номер патента: US12069857B2. Автор: Feng-Min Lee,Yu-Hsuan Lin,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Voltage regulator, memory system having the same and operating method thereof

Номер патента: US09886986B2. Автор: Ki Soo Kim,Jin Seong KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Memory device, peripheral circuit thereof and single-byte data write method thereof

Номер патента: US09805776B2. Автор: Yih-Lang Lin. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Nonvolatile memory devices, operating methods thereof and memory systems including the same

Номер патента: US09747995B2. Автор: Jae-Hoon Jang,Jaehun Jeong,Hansoo Kim,Donghyuk Chae,Sun-Il Shim,Youngho Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Voltage regulator, memory system having the same and operating method thereof

Номер патента: US09647538B2. Автор: Ki Soo Kim,Jin Seong KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US20230326518A1. Автор: Meng-Fan Chang,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang,Yi-Tse Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Memory device for controlling word line voltage and operating method thereof

Номер патента: EP4187541A1. Автор: Hyunkook Park,Sara Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-31.

Memory device and operation method thereof for performing multiply-accumulate operation

Номер патента: US12040015B2. Автор: Yu-Yu Lin,Feng-Min Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor memory device and arrangement method thereof

Номер патента: US20080013357A1. Автор: Chul-woo Park,Sung-Hoon Kim,Jung-Bae Lee,Hyuk-joon Kwon,Youn-Sik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-17.

Sensing circuit of a phase change memory and sensing method thereof

Номер патента: US7796454B2. Автор: Shyh-Shyuan Sheu,Lieh-Chiu Lin,Pei-Chia Chiang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2010-09-14.

Cam cell, cam device and operation method thereof, and method for searching and comparing data

Номер патента: US20240363164A1. Автор: Feng-Min Lee,Ming-Hsiu Lee,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Non-overlapped-extension-implantation nonvolatile memory device capable of being treated with anti-fuse operation

Номер патента: US09991269B2. Автор: Syang-Ywan Jeng. Владелец: CHUNG YUAN CHRISTIAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-06-05.

Memory device for adjusting magnitude of signal used to precharge bit line according to position of plug hole and operating method thereof

Номер патента: US12014782B2. Автор: Jung Hyeong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

In-memory computing (imc) memory device and imc method thereof

Номер патента: US20240231623A9. Автор: Hsiang-Lan Lung,Wei-Chih Chien,Cheng-Lin Sung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

CAM cell, CAM device and operation method thereof, and method for searching and comparing data

Номер патента: US12068030B2. Автор: Feng-Min Lee,Ming-Hsiu Lee,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor memory device and arrangement method thereof

Номер патента: US20080013397A1. Автор: Chul-woo Park,Sung-Hoon Kim,Jung-Bae Lee,Hyuk-joon Kwon,Youn-Sik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-17.

Semiconductor memory device and arrangement method thereof

Номер патента: US7679985B2. Автор: Chul-woo Park,Sung-Hoon Kim,Jung-Bae Lee,Hyuk-joon Kwon,Youn-Sik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-03-16.

Memory chip and operating method thereof

Номер патента: US20240265956A1. Автор: Kuo-Hsiang Chen,Shih-Hsien Yang,Chung-Hung Chen,Yu-Chih Wang,Hsiang-Chi Cheng,Shyh-Bin KUO,Yi-Cheng LAl. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2024-08-08.

Flash memory device having multi-stack structure and channel separation method thereof

Номер патента: US12119066B2. Автор: Ho-Jun Lee,Yohan Lee,Hyebin KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Resistive memory device with temperature compensation, resistive memory system, and operating method thereof

Номер патента: US09728252B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Man Chang,Hyun-Kook PARK,Yeong-Taek Lee,Yong-kyu Lee,In-Gyu Baek,Lijie Zhang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Data storage device with temperature compensation and operating method thereof

Номер патента: US09666249B1. Автор: Sang Hyun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Volatile semicondcutor memory device, refresh control circuit and method thereof

Номер патента: US09653142B1. Автор: Yuji Kihara. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Resistive memory device, resistive memory system, and operating method thereof

Номер патента: US09514813B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Man Chang,Yeong-Taek Lee,Yong-kyu Lee,In-Gyu Baek,Lijie Zhang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: EP3965106A3. Автор: Jeongho Lee,Kwangjin Lee,Hee Hyun Nam,Youngkwang YOO,Jaeho SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-08.

Non-volatile memory device, controller for controlling the same, storage device having the same, and reading method thereof

Номер патента: US12045132B2. Автор: Jinyoung Kim,Dongmin Shin,Sehwan Park,Youngdeok SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Clock driver, operating method thereof, memory device including clock driver, and memory system

Номер патента: US20240248511A1. Автор: Bumsoo LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory device including predecoder and operating method thereof

Номер патента: US12112795B2. Автор: Chan Ho Lee,Tae Min CHOI,Kyu Won CHOI,Hyeong Cheol Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09748260B2. Автор: Akihiro Nitayama,Masaru Kito,Mitsuru Sato,Yasuyuki Matsuoka,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Memory device and operation method thereof for performing multiply accumulate operation

Номер патента: US12033699B2. Автор: Po-Kai Hsu,Hang-Ting Lue. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US12033697B2. Автор: Meng-Fan Chang,Win-San Khwa,Yen-Cheng Chiu. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2024-07-09.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US10453550B2. Автор: Hyungsup KIM,Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-22.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240282365A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200005888A1. Автор: Hyungsup KIM,Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-02.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20190130992A1. Автор: Hyungsup KIM,Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-05-02.

Static random access memory device and forming method thereof

Номер патента: US09871049B1. Автор: Su Xing,Wanxun He. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Memory system having overwrite operation control method thereof

Номер патента: US09627388B2. Автор: Heewon Lee,Hee-Woong Kang,Suejin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Nonvolatile memory device with reduced coupling noise and driving method thereof

Номер патента: US09570168B2. Автор: Kwang-Jin Lee,Beak-Hyung Cho,Dong-Hoon Jeong,Woo-Jung SUN,Jae-Yun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Non-volatile memory device and memory system including the same and program method thereof

Номер патента: US12094540B2. Автор: Jinwoo Park,Sang-Wan Nam,Jaeyong Jeong,Won-Taeck JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US11450363B2. Автор: Jae Woong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-09-20.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20210295933A1. Автор: Eui Cheol Lim,Myoung Seo KIM,Mi Seon HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-23.

Memory device, error correction device and error correction method thereof

Номер патента: US11949429B2. Автор: Kuan-Chieh Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Stacked memory device and operating method thereof

Номер патента: US20210240615A1. Автор: Hyunjoong Kim,Jihyun Choi,Seunghyun CHO,Joonsik Sohn,Woongjae SONG,Soowoong AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-08-05.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240257872A1. Автор: Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Nonvolatile memory device, operating method thereof and memory system including the same

Номер патента: US09947416B2. Автор: Jae-Woo Park,Chi Weon Yoon,Sang-Wan Nam,Donghyuk Chae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Resistive memory device and operation method thereof

Номер патента: US09613690B2. Автор: Se Ho LEE,Hae Chan PARK,Seung Yun Lee,Myoung Sub KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20180190366A1. Автор: Jung-Ho LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

Memory device, driving method thereof, semiconductor device, electronic component, and electronic device

Номер патента: US20200043548A1. Автор: Shuhei Nagatsuka,Takahiko Ishizu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-06.

Memory device for write operation including verification and operating method thereof

Номер патента: US20210319839A1. Автор: Artur ANTONYAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-14.

Resistive memory device and operating method thereof

Номер патента: US20210193223A1. Автор: Ho-Seok EM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Vertically-integrated nonvolatile memory devices having laterally-integrated ground select transistors

Номер патента: US20160056172A1. Автор: Kihyun Kim,Jaehun Jeong,Sunil Shim,Jaehoon Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-25.

Semiconductor memory device and controlling method thereof

Номер патента: US20120250393A1. Автор: Masanobu Shirakawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-04.

Non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4362077A3. Автор: Jinyong OH. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-14.

Resistive memory device and operation method thereof

Номер патента: US09818481B2. Автор: Se Ho LEE,Hae Chan PARK,Seung Yun Lee,Myoung Sub KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor memory device and controlling method thereof

Номер патента: US09589651B1. Автор: Muneyuki TSUDA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Memory device, operating and control method thereof

Номер патента: US09583189B2. Автор: Jun-Jin Kong,Pil-Sang Yoon,Hong-rak Son,Dong-Min Shin,Eun-Chu Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Nonvolatile memory device and nonvolatile memory system and random data read method thereof

Номер патента: US09400750B2. Автор: Jaehong Kim,Kijun Lee,Sejin Lim,Jungsoo Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-26.

MRAM device and fabrication method thereof

Номер патента: US8884386B2. Автор: Tien-Wei Chiang,Chwen Yu,Ya-Chen Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-11-11.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: WO2023164911A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-09-07.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: EP4260372A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-18.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09853033B2. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09449697B2. Автор: Masaru Yano,Pin-Yao Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Three-dimensional nand memory and fabrication method thereof

Номер патента: EP4285414A1. Автор: Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-06.

Semiconductor memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20200176510A1. Автор: Chia-Chang Hsu,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Yu-Ping Wang,Hung-Chan Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-06-04.

Semiconductor memory device performing recursive zq calibration and calibration method thereof

Номер патента: US20240223187A1. Автор: Taesung Lee,Tongsung KIM,Seungjun Bae,Seonkyoo Lee,Younggyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Ferroelectric memory devices and operating methods thereof

Номер патента: US8385098B2. Автор: Jai-Kwang Shin,Ki-ha Hong,Jeong-Seob Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-02-26.

Organic light emitting diode display, and fabricating and inspecting methods thereof

Номер патента: US09547036B2. Автор: Woocheol Jeong,Imkuk KANG,Sungjun YUN. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor memory device storing memory characteristic information, memory module and memory system having the same, and operating method thereof

Номер патента: US20130170274A1. Автор: Hak-soo Yu,Joo-Sun Choi,Hong-Sun Hwan. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-07-04.

Flash memory device used as a boot-up memory in a computer system and a data read method thereof

Номер патента: KR100308479B1. Автор: 권석천. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-11-01.

Semiconductor memory device capable of data processing speed and efficiency of data pin and read-write control method thereof

Номер патента: KR100287188B1. Автор: 이정배,김건태. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-04-16.

Semiconductor memory device providing for writing only bit line load capacitance lowering in reading/scanning operation and method thereof

Номер патента: KR100532438B1. Автор: 김태형,송태중. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-11-30.

Flash memory device having column pre-decoder capable of selecting all column selection transistors and stress test method thereof

Номер патента: KR100515055B1. Автор: 정재용,임흥수. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-09-14.

Semiconductor memory device providing for writing only bit line load capacitance lowering in reading/scanning operation and method thereof

Номер патента: KR20040102764A. Автор: 김태형,송태중. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-12-08.

Nanowire and memory device using it as a medium for current-induced wall displacement

Номер патента: US20110007559A1. Автор: Hyun-Woo Lee,Kyung-Jin Lee,Soon-Wook Jung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-13.

Nanowire and memory device using it as a medium for current-induced domain wall displacement

Номер патента: WO2009072819A1. Автор: Hyun-Woo Lee,Kyung-Jin Lee,Soon-Wook Jung. Владелец: KOREA UNIVERSITY INDUSTRIAL & ACADEMIC COLLABORATION FOUNDATION. Дата публикации: 2009-06-11.

Nanowire and memory device using it as a medium for current-induced domain wall displacement

Номер патента: US8300445B2. Автор: Hyun-Woo Lee,Kyung-Jin Lee,Soon-Wook Jung. Владелец: Industry Academy Collaboration Foundation of Korea University. Дата публикации: 2012-10-30.

Semiconductor memory device and driving method thereof

Номер патента: US20050249004A1. Автор: Ju-Young Seo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-11-10.

Memory device with relaxed timing parameter according to temperature, operating method thereof, and memory controller and memory system using the memory device

Номер патента: US09465757B2. Автор: Chul-woo Park,Uk-Song KANG,Jong-Pil Son,Seong-Young Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Non-volatile semiconductor memory device and writing method thereof

Номер патента: US09424934B2. Автор: Mathias Yves Gilbert BAYLE. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Memory device and in-memory search method thereof

Номер патента: US20240221830A1. Автор: Feng-Min Lee,Po-Hao Tseng,Tian-Cih BO. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20160148690A1. Автор: Chi Wook An. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-26.

Memory device and test method thereof

Номер патента: US20090265592A1. Автор: Jih-Nung Lee,Hsiang-Huang Wu. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2009-10-22.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20180075916A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-15.

Semiconductor memory device, memory system including the same, and operating method thereof

Номер патента: US9384846B1. Автор: Keon Soo Shim,Bong Yeol PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

Multilevel Cell Memory Devices Having Reference Point Cells

Номер патента: US20100315872A1. Автор: Jonathan W. Haines. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2010-12-16.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US20240281166A1. Автор: Jae Woong Jeong,In Bo Shim,Dal Gon KIM,Na Yeong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Electronic device, memory device, and write leveling method thereof

Номер патента: US20240265955A1. Автор: Shun-Ke WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory device and test method thereof

Номер патента: US20240221855A1. Автор: Hang-Ting Lue,Chih-Wei Hu,Teng Hao Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Memory device and operation method thereof, and memory system

Номер патента: US20240355399A1. Автор: Li Xiang,Shuai Wang,Zhuo Chen,Chunyuan HOU,Zhipeng DONG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Electronic device, memory device, and write leveling method thereof

Номер патента: US12125557B2. Автор: Shun-Ke WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor memory device and writing method thereof

Номер патента: US20240347103A1. Автор: Hsi-Yuan Wang,Ying-Te Tu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Volatile memory device and electronic device comprising refresh information generator, information providing method thereof, and refresh control method thereof

Номер патента: US09928895B2. Автор: Yanggyoon Loh,Hoyoung SONG,Sangwoong Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

System and method for polling the status of memory devices

Номер патента: US09910600B2. Автор: Matthew Stephens,Neil Buxton. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor memory device having memory strings coupled to bit lines and operating method thereof

Номер патента: US09899093B2. Автор: Jong Won Lee,Jin Su Park,Hyun Su WOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor memory device including multi-level cell and programming method thereof

Номер патента: US09859014B2. Автор: Sung Ho Kim,Min Sang Park,Gil Bok CHOI,Kyong Taek LEE,Yun Bong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09836216B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US09761282B2. Автор: Dong Yeob CHUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09620221B1. Автор: Myeong Cheol SON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09530467B1. Автор: Jin Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Memory device and programming method thereof

Номер патента: US09466375B1. Автор: Yao-Wen Chang,Che-Shih Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor memory device improving threshold voltage of unselected memory block and operating method thereof

Номер патента: US09466372B2. Автор: Chi Wook An. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Test device and test method thereof

Номер патента: US20240145024A1. Автор: Yao-Chang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US11978519B2. Автор: Jung Ae Kim,Jee Yul KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Memory controller and operating method thereof

Номер патента: US12051470B2. Автор: Sung Yeob Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor memory device and method thereof

Номер патента: US20080165596A1. Автор: Chang-yong Lee,Won-kyung Chung,Kwun-Soo Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-10.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US11748036B2. Автор: Chu Seok KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Memory controller and operating method thereof

Номер патента: US20200310966A1. Автор: Mi Hee Lee,Dae Gyu Ha,Ho Ryong You. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

Memory device including one-time programmable block and operation method thereof

Номер патента: US20230153000A1. Автор: Sangyong Yoon,Sang-Wan Nam,Jae-Hoon Choi,Kookhyun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-18.

Nonvolatile memory device and program method thereof

Номер патента: US20160358657A1. Автор: Jinwoo Kim,Youngjin Cho,Seong Yeon Kim,Hyo-Deok Shin,Younggeun LEE,Jaegeun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-08.

Memory device and computing method thereof

Номер патента: US12094564B2. Автор: Feng-Min Lee,Ming-Hsiu Lee,Dai-Ying LEE,Cheng-Hsien Lu,Yun-Yuan Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor memory device detecting defect, and operating method thereof

Номер патента: US12100463B2. Автор: Sangwan Nam,KeeHo JUNG,Bongkil Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US12106070B2. Автор: Yung-Chun Lee,Han-Wen Hu,Bo-Rong Lin,Huai-Mu WANG. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Memory system for reducing program preparation operation time and operation method thereof

Номер патента: US09984001B2. Автор: Jin-woong Kim,Jong-Min Lee,Byoung-Sung YOU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US09881696B2. Автор: Ju Seok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-30.

Nonvolatile memory device and program method thereof

Номер патента: US09799402B2. Автор: Jinwoo Kim,Youngjin Cho,Seong Yeon Kim,Hyo-Deok Shin,Younggeun LEE,Jaegeun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09704587B1. Автор: Eun Young Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09672914B1. Автор: Eun Young Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09607711B1. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09524793B1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Memory controller and operation method thereof

Номер патента: EP4390927A1. Автор: Youngjin Cho,Sungwon KO,Hoyoung Chang,Kwansuk JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-26.

Error correction device and methods thereof

Номер патента: WO2007112163A2. Автор: Anis M. Jarrar,Jim C. Nash. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2007-10-04.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US12032854B2. Автор: Beom Rae JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Programming mode for multi-layer storage flash memory array and switching control method thereof

Номер патента: US9542311B2. Автор: Jipeng Xing,Wenjie Huo,Dongxia Zhou. Владелец: Memoright Wuhan Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240203492A1. Автор: Yu Wang,Ke Jiang,Zhichao DU,Weijun Wan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20210005241A1. Автор: Wen-Jer Tsai,Chun-Chang LU. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-07.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20190051357A1. Автор: Ji Ho Park,Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-02-14.

Memory device and operating method including a partial program operation and a partial erase operation thereof

Номер патента: US20180322925A1. Автор: Ji Ho Park,Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-11-08.

Memory device and operating method including a partial program operation and a partial erase operation thereof

Номер патента: US10503439B2. Автор: Ji Ho Park,Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-12-10.

Memory device and operating method including a partial program operation and a partial erase operation thereof

Номер патента: US10049746B2. Автор: Ji Ho Park,Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-08-14.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240257843A1. Автор: Jungyu Lee,Jihyun Park,ChiWeon Yoon,Yumin KIM,Eunchan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20220084597A1. Автор: Yeong Jo MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20170287564A1. Автор: Byoung Jun PARK,Seong Jo Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-05.

Storage device and operation method thereof

Номер патента: US12061796B2. Автор: Gyeongmin Nam,Chanha KIM,Seungryong Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Nonvolatile memory device and operation method thereof

Номер патента: US20190278487A1. Автор: Chankyung Kim,Uksong Kang,Youngjin Cho,JinHyeok Choi,Sungyong SEO,Sun-Young Lim,Duckhyun Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-12.

Memory device for performing in-memory-search and operating method thereof

Номер патента: US20240274165A1. Автор: Feng-Min Lee,Po-Hao Tseng,Tian-Cih BO. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Nand architecture memory devices and operation

Номер патента: WO2007075708A1. Автор: Frankie F. Roohparvar. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2007-07-05.

Semiconductor memory device with data and local redundancy memory cell arrays, and redundancy method thereof

Номер патента: US20080049526A1. Автор: Seung-Bum Ko,Han-Gyun Jung,Nak-Won Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-28.

Semiconductor Memory Device and Operating Method Thereof

Номер патента: US20100277994A1. Автор: Ji-Hyae Bae. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-11-04.

Semiconductor memory device for preventing mal-operation induced by misrecognizing addresses/data as commands and operating method thereof

Номер патента: US7944763B2. Автор: Ji-Hyae Bae. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-05-17.

Memory device and enhance programming method thereof

Номер патента: US20240347118A1. Автор: Ju-Chieh Cheng,Ngatik Cheung,Lung-Chi Cheng,Ying-Shan Kuo,Shan-Hsuan Tsai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US20220375523A1. Автор: Hang-Ting Lue,Teng-Hao Yeh,Yung-Feng Lin,Su-Chueh Lo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-24.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US12068046B2. Автор: Sang Ho Yun,Jang Seob KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory device and reading method thereof

Номер патента: US20240371456A1. Автор: Wen-Jer Tsai,Chun-Chang LU,You-Liang CHOU. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09824758B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09741437B2. Автор: Min Kyu Lee,Kyoung Hoon LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Nonvolatile memory device including memory area storing information used for searching erased page, data storage device including the same, and operating method thereof

Номер патента: US09640268B2. Автор: Chan Woo Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09627071B2. Автор: Min Kyu Lee,Kyoung Hoon LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: US09508454B2. Автор: Seong-Sik PARK,Ho-Youb Cho,Yo-Han JEONG,Seong-Je Park,Chang-Won Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Memory devices and control methods thereof

Номер патента: US09437284B1. Автор: Jui-Lung Chen,Wei-Ting Chen,Yu-Hsi Ke. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20210035622A1. Автор: Jong Wook Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

3d memory device and programming method thereof

Номер патента: US20230352106A1. Автор: Amedeo IANTORNO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Nonvolatile semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US9899095B2. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Memory device, memory system, and operation method thereof

Номер патента: US10740226B2. Автор: Jung-Hyun Kwon,Sung-Eun Lee,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-08-11.

Memory device, memory system, and operation method thereof

Номер патента: US20180210826A1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Sung-Eun Lee,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-26.

Clock driver, operating method thereof, memory device including clock driver, and memory system

Номер патента: EP4407619A1. Автор: Bumsoo LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-31.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US20230238040A1. Автор: Seung Han RYU,In Bo Shim,Hae Seong JEONG,Hyeong Rak Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Storage device and power management method thereof

Номер патента: US12067272B2. Автор: Seung Hyun Chung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory device and erasing method thereof

Номер патента: US9678829B2. Автор: Kuen-Long Chang,Ken-Hui Chen,Yu-Chen Wang,Chin-Hung Chang,Chia-Feng Cheng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Memory device and multi physical cells error correction method thereof

Номер патента: US20210141689A1. Автор: Seow Fong Lim,Chuen-Der Lien,Ming-Huei Shieh,Chi-Shun Lin,Ngatik Cheung. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-05-13.

Semiconductor memory device and layout method of the same

Номер патента: US20040095836A1. Автор: Hyun-su Choi,Nak-woo Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-05-20.

Memory system including memory device and memory controller, and operating method thereof

Номер патента: US20230266893A1. Автор: Taehun Kim,Wooil Kim,Taewoo HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-24.

Memory system including memory device and memory controller, and operating method thereof

Номер патента: US12079491B2. Автор: Taehun Kim,Wooil Kim,Taewoo HAN. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Dongguk University. Дата публикации: 2024-09-03.

Nand architecture memory devices and operation

Номер патента: US20090147584A1. Автор: Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-06-11.

Device for controlling data output for high-speed memory device and method thereof

Номер патента: US20060104126A1. Автор: Nak Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-05-18.

Memory device and in-memory search method thereof

Номер патента: US20240274164A1. Автор: Feng-Min Lee,Po-Hao Tseng,Tian-Cih BO. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: WO2024197764A1. Автор: Li Xiang,Ke Liang,Jinchi HAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US20240355394A1. Автор: Feng-Min Lee,Yu-Hsuan Lin,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US20240331775A1. Автор: Li Xiang,Ke Liang,Jinchi HAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory device and operation methods thereof

Номер патента: US09978435B1. Автор: San-Ha Park. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US09966135B2. Автор: Il Park,Soo Hong Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor memory device and writing operation method thereof

Номер патента: US09911498B2. Автор: Masanobu Shirakawa,Kenta Yasufuku,Akira Yamaga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Multiple memory rank system and selection method thereof

Номер патента: US09851900B2. Автор: Frederick A. Ware,John Eric Linstadt. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-12-26.

Non-volatile semiconductor memory device and erasing method thereof

Номер патента: US09786376B2. Автор: Pin-Yao Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Multiple memory rank system and selection method thereof

Номер патента: US09703483B2. Автор: Frederick A. Ware,John Eric Linstadt. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-07-11.

Memory device and erasing method thereof

Номер патента: US09678829B2. Автор: Kuen-Long Chang,Ken-Hui Chen,Yu-Chen Wang,Chin-Hung Chang,Chia-Feng Cheng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09672913B1. Автор: Byoung In JOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US09646707B1. Автор: Jong Won Park,Chan Woo Yang,Ju Hyeon HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US09570187B2. Автор: Ji Man HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09570178B2. Автор: Byoung In JOO,Byoung Young KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Memory device and test operation method thereof

Номер патента: US20200381070A1. Автор: Dong Hyun Lee,Seung Jin PARK,Chang Kyun PARK,Young Sik KOH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20080025086A1. Автор: Lu-Ping chiang,Po-An Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2008-01-31.

Memory devices and operating methods thereof, memory system

Номер патента: US20240203514A1. Автор: Lu GUO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Nonvolatile memory device and opeation method thereof

Номер патента: US20240177764A1. Автор: Sangkwon Moon,Heewon Lee,Seungkyung Ro,Su Chang Jeon,Woohyun Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-30.

Nonvolatile memory device and operation method thereof

Номер патента: US20200194073A1. Автор: Joonsoo Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-18.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20210255781A1. Автор: Chol Su CHAE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Storage device communicating with specific pattern and operating method thereof

Номер патента: US20160239220A1. Автор: Kui-Yon Mun,Youngwook Kim,Jae-Sung Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-18.

Methods of bit-flagged sketch-based memory management and memory devices utilizing the same

Номер патента: US20180293002A1. Автор: Samuel E. Bradshaw. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-11.

Memory device for increasing write margin during write operation and reducing current leakage during standby operation and operation method thereof

Номер патента: US11776621B2. Автор: Jinn Shyan Wang,Chien Tung LIU,Chih Jung LIU. Владелец: NATIONAL CHUNG CHENG UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-10-03.

Data storage device and operation method thereof

Номер патента: US20160035427A1. Автор: Jae-Duk Yu,Dongku Kang,Chul Bum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-04.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US12050503B2. Автор: Woo Sick CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor memory device, controller, and operating method thereof

Номер патента: US20220262442A1. Автор: Un Sang Lee,Moon Sik SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-08-18.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20200286542A1. Автор: Young Jin Woo,Won Yeol Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-09-10.

Flash memory device and programming method thereof

Номер патента: US8194463B2. Автор: Jong-Hwa Kim,Young-Joon Choi,Seok-Cheon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-06-05.

Memory device and glitch prevention method thereof

Номер патента: US20230024257A1. Автор: Minho Yoon. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-01-26.

Memory system with a zoned namespace and an operating method thereof

Номер патента: US20220261180A1. Автор: Hee Chan Shin,Yong Seok Oh,Young Ho AHN,Jhu Yeong Jhin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-08-18.

Memory system and operating method thereof for performing urgent fine program operation

Номер патента: US12056367B2. Автор: Sang Sik Kim,Chung Un NA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory storage device and wear leveling method thereof

Номер патента: US20240264932A1. Автор: Sanghoon Yoo,Wan-soo Choi,Hee Yeon TAK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Methods of bit-flagged sketch-based memory management and memory devices utilizing the same

Номер патента: US20190107958A1. Автор: Samuel E. Bradshaw. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-04-11.

Non-volatile memory device, operating method thereof, controller for controlling the same, and storage device having the same

Номер патента: US12094552B2. Автор: Jinyoung Kim,Sangwan Nam,Ilhan Park,Sehwan Park,Kyoman KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory storage device and wear leveling method thereof

Номер патента: EP4411736A1. Автор: Sanghoon Yoo,Wan-soo Choi,Hee Yeon TAK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-07.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US20240345648A1. Автор: Woo Sick CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory system with a zoned namespace and an operating method thereof

Номер патента: US12118237B2. Автор: Hee Chan Shin,Yong Seok Oh,Young Ho AHN,Jhu Yeong Jhin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Error-resilient memory device with row and/or column folding with redundant resources and repair method thereof

Номер патента: US09905315B1. Автор: Sourav Roy,Prokash Ghosh,Neha Raj. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2018-02-27.

Storage and programming method thereof

Номер патента: US09875793B2. Автор: Kyungryun Kim,Sangyong Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US09842641B2. Автор: Nak-Kyu Park,Sun-Hye Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Memory device, memory system, and program operation method thereof

Номер патента: EP4460822A1. Автор: Ying Cui,Yali SONG,XiangNan Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-13.

Storage device using power state information and operating method thereof

Номер патента: US09672915B2. Автор: Se-wook Na,Hyunchul PARK,Young-Jae Jung,Durina Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Memory system and read reclaim method thereof

Номер патента: US09672104B2. Автор: Bong-Gwan Seol,Hwan-Chung Kim,Young Woo Jung,Eunju Park,Kyoungkuy Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US09640245B2. Автор: Nak-Kyu Park,Sun-Hye Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Memory apparatus and methods thereof for preventing read errors on weak pages in a non-volatile memory system

Номер патента: US09582417B2. Автор: Sandeep Sharma,Ajith Kumar,Ashwin Narasimha,Vibhor Patel. Владелец: Virident Systems LLC. Дата публикации: 2017-02-28.

Non-volatile memory device, operating method thereof, memory system including the non-volatile memory device, and operating method of the memory system

Номер патента: US09576666B2. Автор: Jae-Hong Kim,Young-Seop Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US09570189B1. Автор: Jae Yoon Lee,Hyung Min Lee,Myeong Woon JEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Nonvolatile memory device, storage device having the same, operating method thereof

Номер патента: US09570176B2. Автор: Ohsuk Kwon,Won-Taeck JUNG,Tae-Hong Kwon,Tae-Min Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Nonvolatile storage device and operating system (OS) image program method thereof

Номер патента: US09529541B2. Автор: Sung-hyun Cho,Dongin Kim,Junseok Park,Taemin LEE,Chaesuk LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-27.

Memory system and read reclaim method thereof

Номер патента: US09431117B2. Автор: Bong-Gwan Seol,Hwan-Chung Kim,Young Woo Jung,Eunju Park,Kyoungkuy Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Nonvolatile memory device and operation method thereof

Номер патента: US12033707B2. Автор: Won-Taeck JUNG,Dongku Kang,Su Chang Jeon,Kyung-Min Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Non-volatile memory device for mitigating cycling trapped effect and control method thereof

Номер патента: US12020754B2. Автор: Po-Yuan TANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Memory system, operating method thereof, and electronic device

Номер патента: US20190347196A1. Автор: Kyung Min Kim,Dae Hong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Memory device including page buffer, memory system including page buffer, and operating method thereof

Номер патента: US20240242745A1. Автор: Yan Wang,Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory devices performing repair operations and repair operation methods thereof

Номер патента: US20200111541A1. Автор: Kyungryun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-09.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20190198119A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Memory devices and control methods thereof

Номер патента: US20150213879A1. Автор: Chia-Wei Wang,Shu-Hsuan Lin. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2015-07-30.

Memory system, memory access interface device and operation method thereof

Номер патента: US20240231416A9. Автор: Chih-Wei Chang,Fu-Chin Tsai,Ger-Chih Chou,Chun-Chi Yu,Min-Han TSAI. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240242743A1. Автор: Jungyu Lee,Jihyun Park,ChiWeon Yoon,Yumin KIM,Eunchan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20210241834A1. Автор: Sang Sik Kim,Dae Sung Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-05.

Memory device and data erasing method thereof

Номер патента: US20160172040A1. Автор: Kuo-Pin Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-16.

Memory device and programming method thereof

Номер патента: EP4394773A1. Автор: Kuan-Fu Chen,Ya-Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Memory device performing offset calibration and operating method thereof

Номер патента: US20230129949A1. Автор: Kiho Kim,DongHun Lee,Kihan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-27.

Non-volatile memory device for mitigating cycling trapped effect and control method thereof

Номер патента: US20240046997A1. Автор: Po-Yuan TANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Nonvolatile memory device and operation method thereof

Номер патента: EP4181142A1. Автор: Dongkyo Shim,Sang Soo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-17.

Nonvolatile Memory Device And Operation Method Thereof

Номер патента: US20230153001A1. Автор: Dongkyo Shim,Sang Soo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-18.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US12062406B2. Автор: Byoung Sung You. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor memory device that determines a deterioration level of memory cells and an operation method thereof

Номер патента: US20170169895A1. Автор: Yoshiki Terabayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Semiconductor device performing block program and operating method thereof

Номер патента: US12073887B2. Автор: Sanggyu KO,Yeongmin YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Non-volatile semiconductor memory device and a programming method thereof

Номер патента: US20110228610A1. Автор: Naoyuki Shigyo,Kunihiro Yamada,Hideto Horii,Michiru Hogyoku. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-22.

Nonvolatile memory device for invalidating data stored therein, memory system including the same, and operating method thereof

Номер патента: US20200090746A1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Sang-Gu JO,Jae-Min Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-03-19.

Memory controller and operating method thereof

Номер патента: US11276477B2. Автор: Min Hwan MOON,Su Jin LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-15.

Memory module and operating method thereof

Номер патента: US20210081204A1. Автор: Youngjin Cho,Hee Hyun Nam,Hyo-Deok Shin,Younho Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-18.

Memory device and program speed control method thereof

Номер патента: US12067258B2. Автор: Dong Hun Kwak,Hyun Seob SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor memory device with security function and control method thereof

Номер патента: US20110182101A1. Автор: Ji Hyae Bae. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-07-28.

Memory device and control method thereof

Номер патента: US20220254420A1. Автор: Chung-Kuang Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US20190392907A1. Автор: Dong Hyun Kim,Jae Min Lee,Seung Il Kim,Yong Ho Kim,Seon Young Choi,Min Ho HER. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-12-26.

Nand flash memory device with enhanced data retention characteristics and operating method thereof

Номер патента: US20240265975A1. Автор: Sung Ho Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor memory device for performing remaining bank refresh operation and refresh method thereof

Номер патента: US20240233802A9. Автор: Jongpil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory device for performing remaining bank refresh operation and refresh method thereof

Номер патента: US20240135982A1. Автор: Jongpil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Flash memory device and bit line charging method thereof

Номер патента: US20210375369A1. Автор: Chih-Ting Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Memory device, memory system, and program operation method thereof

Номер патента: US12093535B2. Автор: Hongtao Liu,XiangNan Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory device, the operation method thereof and memory system

Номер патента: US12112802B2. Автор: JING Wei,Zhihong Li,Masao Kuriyama. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Memory device, memory system, and program operation method thereof

Номер патента: EP4441740A1. Автор: Hongtao Liu,XiangNan Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Memory device for controlling a data output order and an operating method thereof

Номер патента: US20240321381A1. Автор: Jiwon SEO,KeeHo JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory device capable of controlling a floating state of adjacent word lines and an operating method thereof

Номер патента: US12124702B2. Автор: Hyunkook Park,Sara Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Memory device performing offset calibration and operating method thereof

Номер патента: US12125553B2. Автор: Kiho Kim,DongHun Lee,Kihan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Memory device and program speed control method thereof

Номер патента: US20240361921A1. Автор: Dong Hun Kwak,Hyun Seob SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Non-volatile memory device for performing precharge to cell string and program method thereof

Номер патента: US12062402B2. Автор: Byungsoo Kim,Kyungsoo Park,Hyunggon KIM,Sejin BAEK,Sangbum YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09972397B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20130235671A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-12.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US09818491B2. Автор: Jae-il Kim,Jong-Sam Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Apparatuses and methods for a memory device with dual common data I/O lines

Номер патента: US09805786B1. Автор: Atsushi Hiraishi,Shunichi Saito,Toshio Sugano,Atsuo Koshizuka. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor memory device that determines a deterioration level of memory cells and an operation method thereof

Номер патента: US09786381B2. Автор: Yoshiki Terabayashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Nonvolatile memory device, operating method thereof, and test system for optimizing erase loop operations

Номер патента: US09786374B2. Автор: Jae Won Cha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US09785550B1. Автор: Sung Kwan Hong,Yeong Sik YI,Se Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor memory device, memory system including the same and operating method thereof

Номер патента: US09761287B2. Автор: Jin Su Park,Min gi HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor memory device having dummy word lines and operating method thereof

Номер патента: US09741408B2. Автор: Yeonghun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US09711197B1. Автор: Jae Woong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Non-volatile semiconductor memory device and improved verification and programming method for the same

Номер патента: US09646701B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09633732B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09627069B1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor memory device, memory system including the same and operating method thereof

Номер патента: US09601169B2. Автор: Jin Su Park,Min gi HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Nonvolatile memory device, program method thereof, and storage device including the same

Номер патента: US09583197B2. Автор: Ji-Sang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Memory device and erasing method thereof

Номер патента: US20240290400A1. Автор: Ju-Chieh Cheng,Lung-Chi Cheng,Ying-Shan Kuo. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Nonvolatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US09524781B2. Автор: Seung-Bum Kim,Woopyo JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09508458B2. Автор: Sung-Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor memory device with dummy memory mat and refresh operating method thereof

Номер патента: US09472259B2. Автор: Ga-Ram Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Memory system, program method thereof, and computing system including the same

Номер патента: US09460796B2. Автор: Song-ho Yoon,Woon-Jae Chung,In-Hwan Choi,Jun-Ho Jang,Kyung-wook Ye. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Memory devices and control methods thereof

Номер патента: US09449679B2. Автор: Chia-Wei Wang,Shu-Hsuan Lin. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: US09396818B2. Автор: Choung-Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-19.

Memory device and data erasing method thereof

Номер патента: US09361989B1. Автор: Kuo-Pin Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-07.

Nonvolatile memory device, data storage device and operating method thereof

Номер патента: US20180018106A1. Автор: Sok Kyu Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-18.

Memory device and programming method thereof

Номер патента: US20240071523A1. Автор: Shih-Chang Huang,Han-Sung Chen,Kun-Tse Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor memory device including command log register and command log output method thereof

Номер патента: US20230335209A1. Автор: Donghee Kim,Jun-Ho Jo,Youngsan Kang,Jungho Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Storage device, storage system and logging method thereof

Номер патента: EP4383260A1. Автор: Kyungduk Lee,Sohyun Han,Jong-Sung Na,Seona CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-12.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20170263293A1. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-14.

Memory Device and Erasing and Verification Method Thereof

Номер патента: US20210335426A1. Автор: Hongtao Liu,An ZHANG,Jianquan Jia,Kaiwei LI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-28.

Memory device and erasing and verification method thereof

Номер патента: US20230268007A1. Автор: Hongtao Liu,An ZHANG,Jianquan Jia,Kaiwei LI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Non-volatile memory device optimized for a surface mount technology (smt) process and an operating method thereof

Номер патента: US20230251781A1. Автор: Joohee Son,Wandong Kim,Hune Seo,Dongcheul Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-10.

Controller and operating method thereof

Номер патента: US20190206457A1. Автор: Byoung Jun PARK,Seong Jo Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

Memory device, memory system including the same and operating method thereof

Номер патента: US20240257886A1. Автор: Sung Yong Lim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Controller for storing performance information based on test operation result, operating method thereof and computing system including the same

Номер патента: US12039185B2. Автор: Jeong Ho Jeon,Kang Rak KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory device and programming method thereof

Номер патента: US20240221835A1. Автор: Kuan-Fu Chen,Ya-Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Flash memory device and programming method thereof

Номер патента: US20120243334A1. Автор: Hsing-Wen Chang,Yao-Wen Chang,Chu-Yung Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-27.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20240249782A1. Автор: Joonsuc Jang,Ji-Sang LEE,Minkyeong CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US11755247B2. Автор: Dae Sung Kim,Jae Hyeong Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US20190102245A1. Автор: Yeong Dong GIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-04-04.

Memory controller and operating method thereof

Номер патента: US11709606B2. Автор: Jae Gwang Lee,Gyung Min PARK,Keon Yeong LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-07-25.

Memory system for write operation and method thereof

Номер патента: US20210240384A1. Автор: Siarhei Kryvaltsevich. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-05.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20230221956A1. Автор: Yuan-Hao Chang,Tei-Wei Kuo,Wei-Chen Wang,Yung-Chun Li,Chien-Chung Ho,Han-Wen Hu,Huai-Mu WANG. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Data processing system and operating method thereof

Номер патента: US12050508B2. Автор: Eung-Bo SHIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Memory device controlling pass voltage and operating method thereof

Номер патента: US20240265971A1. Автор: Yeong Jo MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US12068045B2. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US20200013451A1. Автор: Jongpil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-09.

Data output circuit of semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: US20070133313A1. Автор: Kwang Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-06-14.

Memory apparatus performing program operation and operating method thereof

Номер патента: US20240265972A1. Автор: Hyung Jin Choi,Chan Hui Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US20240194245A1. Автор: Sung Yeob Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Memory device and program operation method thereof

Номер патента: US12094536B2. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US20240329862A1. Автор: Seung-Jun Lee,Woongdai KANG,YooJin NAM,Dongyeong CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Nonvolatile memory device and operation method thereof

Номер патента: US20240331785A1. Автор: Won-Taeck JUNG,Dongku Kang,Su Chang Jeon,Kyung-Min Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory device and erasing and verification method thereof

Номер патента: US20240363169A1. Автор: Hongtao Liu,An ZHANG,Jianquan Jia,Kaiwei LI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Memory device and erasing and verification method thereof

Номер патента: US12100456B2. Автор: Hongtao Liu,An ZHANG,Jianquan Jia,Kaiwei LI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Memory device and programming method thereof

Номер патента: US12112803B2. Автор: Kuan-Fu Chen,Ya-Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09997215B2. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Memory module including on-die termination circuit and control method thereof

Номер патента: US09978460B2. Автор: SukYong Kang,Hun-Dae Choi,Hangi Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-22.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US09946586B2. Автор: Jun-Seo Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Ternary content addressable memory device for software defined networking and method thereof

Номер патента: US09941008B1. Автор: An-Yeu Wu,Ting-Sheng Chen,Tsung-Te Liu,Ding-Yuan Lee. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2018-04-10.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US09886381B2. Автор: Eun-Soo Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Nonvolatile memory device and storage device having the same and operation method thereof

Номер патента: US09864682B2. Автор: Kitae Park,Doohyun Kim,BoGeun Kim,Jinman Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Multi-bit memory device and on-chip buffered program method thereof

Номер патента: US09847122B2. Автор: Jae-hwa Lee,Wan-soo Choi,Sang-Wook Nam,Taec-Jun KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor memory device and weak cell detection method thereof

Номер патента: US09824776B1. Автор: Youk-Hee Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US09798480B2. Автор: Jeen PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Nonvolatile memory device and wordline driving method thereof

Номер патента: US09786372B2. Автор: Yoon-hee Choi,Sang-Wan Nam,Bongsoon LIM,Sun-Min YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Non-volatile semiconductor memory device and erase method thereof

Номер патента: US09779830B2. Автор: Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor memory device, memory system including the same, and operating method thereof

Номер патента: US09754677B2. Автор: Jong Won Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US09754675B2. Автор: Jong-Ju PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Memory device and control method thereof

Номер патента: US09747989B1. Автор: Kuo-Pin Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US09741402B2. Автор: Myeong Woon JEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Nonvolatile memory device, storage device having the same, operating method thereof

Номер патента: US09711235B2. Автор: Won-Tae Kim,Jin-Yub Lee,Yohan Lee,Venkataramana Gangasani,Sungwhan SEO,Dojeon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Nonvolatile memory device and programming method thereof

Номер патента: US09595333B2. Автор: Youngwoo Park,Jaesung SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor memory device, operating method thereof, and data storage device including the same

Номер патента: US09588708B2. Автор: Gi Pyo UM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: US09583203B2. Автор: Young-Il Kim,Sung-Wook Choi,Sang-Sun Lee,Jung-Hoon HAM. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2017-02-28.

Nonvolatile memory device for performing duty correction operation, memory system, and operating method thereof

Номер патента: US09583162B1. Автор: Hoon Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Nonvolatile memory device and read method thereof

Номер патента: US09564237B2. Автор: Byeong-In Choe,Changhyun LEE,Jungdal CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Controller controlling semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09542269B1. Автор: Se Chun Park,Young Dong Roh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor memory device, memory system having the same and operating method thereof

Номер патента: US09508438B2. Автор: Min Kyu Lee,Chi Wook An. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US09501373B2. Автор: Eu Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09478304B2. Автор: Dong Wook Lee,Myung Su KIM,Hwang Huh,Min Sang Park,Sung Hoon Cho,Sang Jo Lee,Gil Bok CHOI,Suk Kwang PARK,Yun Bong Lee,Chang Jin SUNWOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09478289B1. Автор: Byung Ryul Kim,Yong Hwan HONG,Dae Il Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09466376B1. Автор: Hee Youl Lee,Hyun Seung Yoo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor memory device, operating method thereof, and data storage device including the same

Номер патента: US09424922B2. Автор: Gi Pyo UM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US10818365B2. Автор: Jung-Hyun Kwon,Seung-Gyu JEONG,Do-Sun HONG,Won-Gyu SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-10-27.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240203509A1. Автор: Seungbum Kim,Hyun SEO,Yonghyuk Choi,Seungyong Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US20240232012A1. Автор: Kyung-Ho Lee,Kijun Lee,Sunghye CHO,Myungkyu Lee,Kyomin Sohn,Ki-Heung Kim,Hyongryol Hwang,Seongmuk Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory device with low power consumption and operation method thereof

Номер патента: US12040011B2. Автор: Meng-Fan Chang,Jui-Jen Wu,Win-San Khwa,Yen-Cheng Chiu,Yi-Lun Lu,Je-Min Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20210201982A1. Автор: Sangwan Nam,Yonghyuk Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-01.

Memory devices and operation methods thereof including a write voltage selectively applied to a well of a column multiplexer circuit

Номер патента: US12051456B2. Автор: Suk-Soo Pyo,Gyuseong KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-30.

Data storage device including nonvolatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US20160203870A1. Автор: Sangkwon Moon,Seungkyung Ro,Sang-Hwa Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-14.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20190237150A1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Seung-Gyu JEONG,Do-Sun HONG,Won-Gyu SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20180068731A1. Автор: Soo-Nyun KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

Flash memory device and programming method thereof

Номер патента: US20140126296A1. Автор: Hsing-Wen Chang,Yao-Wen Chang,Chu-Yung Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-08.

Semiconductor memory device outputting status fail signal and operating method thereof

Номер патента: US09959938B2. Автор: Chan Woo Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Memory system using non-linear filtering scheme and read method thereof

Номер патента: US09892796B2. Автор: Junjin Kong,Hong Rak Son,Jinman Han,Young-Seop Shim,Pilsang Yoon,Dongsup Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Flash memory device and erase method thereof capable of reducing power consumption

Номер патента: US09865358B2. Автор: Kenichi Arakawa,Hiroki Murakami. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US09824763B2. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Non-volatile semiconductor memory device with multiple pass voltage and improved verification and programming operating method thereof

Номер патента: US09761313B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US09704583B2. Автор: Min-O SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Storage device and table management method thereof

Номер патента: US09691487B2. Автор: Wan-soo Choi,Byungjune SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Memory device with over-refresh and method thereof

Номер патента: US09685217B2. Автор: Sergiy Romanovskyy,Cormac Michael Oconnell. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Memory systems including nonvolatile memory devices and dynamic access methods thereof

Номер патента: US09646705B2. Автор: Kyung Ho Kim,Sangkwon Moon,Jihong Kim,Jaeyong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09607698B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Data storage device including nonvolatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US09589640B2. Автор: Sangkwon Moon,Seungkyung Ro,Sang-Hwa Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09478261B1. Автор: Seung Hwan Baek,Sung Yong Lim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Method for performing access management of memory device with aid of information arrangement, associated memory device and controller thereof, associated electronic device

Номер патента: US20200379898A1. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Memory device receiving data clock signals and operation method thereof

Номер патента: US20210043242A1. Автор: Joungyeal Kim,Seongheon Yu,Doowon Bong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-11.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20220122678A1. Автор: Young Il Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Nonvolatile memory device detecting power noise and operating method thereof

Номер патента: US20180122485A1. Автор: Sang-Soo Park,Jaeyong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-03.

Semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US8493788B2. Автор: Mitsuaki Honma,Yuko NAMIKI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-07-23.

Semiconductor memory device and test method thereof

Номер патента: US20040223384A1. Автор: Kenichi Imamiya,Koichi Kawai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-11-11.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200012603A1. Автор: Hae-Gi CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Semiconductor memory device and test method thereof

Номер патента: US20050213402A1. Автор: Kenichi Imamiya,Koichi Kawai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-09-29.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US11749361B2. Автор: Young Il Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US20210149581A1. Автор: Hyeon Cheol Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-05-20.

Page buffer, memory device including the page buffer and operating method thereof

Номер патента: US11776657B2. Автор: Tae Ho Kim,Jae Hyeon Shin,Sungmook Lim,In Gon YANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor memory device, semiconductor memory module and operation methods thereof

Номер патента: US20150124542A1. Автор: Jeong-Tae Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-05-07.

Semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US20110216599A1. Автор: Mitsuaki Honma,Yuko NAMIKI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-08.

Resistive random access memory device having a nano-scale tip, memory array using the same and fabrication method thereof

Номер патента: US09768381B2. Автор: Byung-gook Park,Seongjae Cho,Sunghun Jung. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2017-09-19.

Nonvolatile resistance random access memory device with low and reliable operating voltage and long-term stability and fabrication method thereof

Номер патента: US20170155044A1. Автор: Jong Hyuk Park,Sang-soo Lee,Young Jin Kim,Wan Ki BAE,Jeong Gon SON,Heesuk KIM,Keun-Young SHIN. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2017-06-01.

Dynamic memory device having a single-crystal transistor on a trench capacitor structure and a fabrication method therefor

Номер патента: US4649625A. Автор: Nicky C. Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1987-03-17.

ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY, AND FABRICATING AND INSPECTING METHODS THEREOF

Номер патента: US20150162393A1. Автор: YUN Sungjun,Kang Imkuk,JEONG Woocheol. Владелец: LG DISPLAY CO., LTD.. Дата публикации: 2015-06-11.

TESTING STRUCTURE, AND FABRICATION AND TESTING METHODS THEREOF

Номер патента: US20180190551A1. Автор: Li Yong. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-05.

Organic light emitting diode display, and fabricating and inspecting methods thereof

Номер патента: CN104701348A. Автор: 郑宇喆,康任局,尹圣埈. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-10.

Display substrate and fabricating method thereof, and display device

Номер патента: US20170207420A1. Автор: Kun Li,Chun Ye,Yuting YANG,Shancai ZHANG. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-20.

Neuromorphic device including a synapse having carbon nano-tubes

Номер патента: US20180240846A1. Автор: Yong-soo Choi,Hyung-Dong Lee,Keun HEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-08-23.

Light guide plate, backlight unit having the same, and fabrication device and method thereof

Номер патента: WO2016177028A1. Автор: XIANG Liu. Владелец: Hefei Boe Display Light Co., Ltd.. Дата публикации: 2016-11-10.

Light guide plate, backlight unit having the same, and fabrication device and method thereof

Номер патента: US10195800B2. Автор: XIANG Liu. Владелец: Hefei BOE Display Lighting Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-05.

Light guide plate, backlight unit having the same, and fabrication device and method thereof

Номер патента: US20170139107A1. Автор: XIANG Liu. Владелец: Hefei BOE Display Lighting Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-18.

Multi-die memory apparatus and identification method thereof

Номер патента: US20210349645A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Su-Chueh Lo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Substrate of semiconductor device and fabrication method thereof as well as semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20020014626A1. Автор: Hisashi Ohtani,Shunpei Yamazaki,Satoshi Teramoto,Setsuo Nakajima,Toshiji Hamatani. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2002-02-07.

Substrate of semiconductor device and fabrication method thereof as well as semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20050032339A1. Автор: Hisashi Ohtani,Shunpei Yamazaki,Satoshi Teramoto,Setsuo Nakajima,Toshiji Hamatani. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-10.

Array substrate and fabrication method thereof, display device and driving method thereof

Номер патента: US09928801B2. Автор: Xin Gu,Jaegeon You. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Array substrate and fabricating method thereof, and display apparatus

Номер патента: US09696580B2. Автор: Tian Yang,Yanbing WU,Wenbo Li,Chunyan JI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09893098B2. Автор: Jian Guo. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

UV mask and fabrication method thereof

Номер патента: US09638845B2. Автор: Sung Hun Song. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09466624B2. Автор: Jian Guo. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Array substrate and fabrication method thereof and display panel

Номер патента: US20190067339A1. Автор: Haihong Zheng. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Display substrate and fabricating method thereof, and system for fabricating display substrate and display device

Номер патента: US09905762B2. Автор: ZHEN Wang. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Array substrate and fabrication method thereof and display device

Номер патента: US09804463B2. Автор: Qi Yao,Zhanfeng CAO,Xiaoyang Tong. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

TN-type array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09620535B2. Автор: Song Wu,Jieqiong Bao. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Flexible display panel and fabricating method thereof, and image display terminal unit

Номер патента: US09591765B2. Автор: SeokHee JEONG,Jungchul Kim,Soonkwang Hong. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09437487B2. Автор: Shi Shu,Feng Zhang,Feng Gu,Fang He,Yaohui GU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US09418896B2. Автор: Kang-ill Seo,Jin-Wook Lee,Yong-min Cho,Hyun-Jae Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-16.

Touch-sensing liquid crystal panel and fabrication method thereof

Номер патента: US09355807B2. Автор: Kun-hua Tsai,Yu-Cheng Lin,Hsu-Ho Wu,Hsing-Ying LEE,Ping-Yuan Su. Владелец: Hannstar Display Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Hybrid integrated optical device and fabrication method thereof

Номер патента: US20140023313A1. Автор: Hyun Soo Kim,Mi-Ran Park,O-Kyun Kwon,Jong Sool Jeong,Byungseok CHOI. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2014-01-23.

Electronic Package Device and Fabrication Method Thereof, Method for Testing Electronic Package Device

Номер патента: US20160056381A1. Автор: Dan Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-25.

Mark structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09773739B2. Автор: Hong Wei Zhang,Kui Feng,Dao Liang LU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Printed circuit board and fabricating method thereof, and displaying device

Номер патента: US20240224416A1. Автор: Bin Zhang,Chang Wang,Fei Li,Kun Zuo,Xin Mu,Jiaxiang ZHANG,Yonglin CHEN,Mingqiang Wang,Hongjin HU,Xin Bi,Seungyong OH,Jiuyuan BAI. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Array substrate motherboard, display panel motherboard, and fabricating method thereof

Номер патента: WO2017161893A1. Автор: Wei Li,ZHI Li,Namin Kwon,Bin Cao,Jiaxin Yu,Fengwu YU,Jinhu CAO,Minghui MA,Xinlei CAO,Enke GUO. Владелец: BEIJING BOE DISPLAY TECHNOLOGY CO., LTD.. Дата публикации: 2017-09-28.

Array substrate motherboard, display panel motherboard, and fabricating method thereof

Номер патента: EP3433670A1. Автор: Wei Li,ZHI Li,Namin Kwon,Bin Cao,Jiaxin Yu,Fengwu YU,Jinhu CAO,Minghui MA,Xinlei CAO,Enke GUO. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-30.

Photo sensor and fabrication method thereof

Номер патента: US20080023782A1. Автор: Cha-Hsin Lin,Lurng-Shehng Lee,Ching-Chiun Wang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2008-01-31.

Flexible housing and fabrication method thereof

Номер патента: US20190307004A1. Автор: Run YANG,Xiaoli Fan. Владелец: Lenovo Beijing Ltd. Дата публикации: 2019-10-03.

Image processing device, electronic device having the same, and operating method thereof

Номер патента: US20240267479A1. Автор: Seungwon Choi,Jongseong Choi,Juntaek KONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Molten metal-filled silicon carbide fuel cladding tube and uniform distribution fabrication method

Номер патента: EP4233075A1. Автор: Jiping Zhang,Gokul VASUDEVAMURTHY,Jonas Opperman,Jack GAZZA,Arthur BLACKLOCK,Austin TRAVIS. Владелец: General Atomics Corp. Дата публикации: 2023-08-30.

LIGHT GUIDE PLATE, BACKLIGHT UNIT HAVING THE SAME, AND FABRICATION DEVICE AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20170139107A1. Автор: LIU Xiang. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-18.

Liquid crystal display device and fabricating and driving method thereof

Номер патента: CN1991501A. Автор: 秋教燮,姜熙光. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-04.

Liquid crystal display device and fabricating and driving method thereof

Номер патента: US20110187954A1. Автор: Hee Kwang Kang,Kyo Seop Choo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-04.

Molten metal-filled silicon carbide fuel cladding tube and uniform distribution fabrication method

Номер патента: CA3198432A1. Автор: Jiping Zhang,Gokul VASUDEVAMURTHY,Jonas Opperman,Jack GAZZA,Arthur BLACKLOCK,Austin TRAVIS. Владелец: General Atomics Corp. Дата публикации: 2022-04-28.

Dual emissive electroluminescent displays and fabricating and display methods thereof

Номер патента: US20060033424A1. Автор: Chung-Wen Ko. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2006-02-16.

A kind of N-shaped acridine/carbon nano-tube composite heat electric material and preparation method thereof

Номер патента: CN109103326B. Автор: 王雷,高春梅,刘仪嘉. Владелец: SHENZHEN UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-08-13.

A dynamic memory device having a single-crystal transistor on a trench capacitor structure and a fabrication method therefor

Номер патента: AU575499B2. Автор: Nicky Chau-Chun Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1988-07-28.

Ordering structure of scintillator and fabrication method

Номер патента: US09551793B2. Автор: Ker-Jer Huang,Soon-Lin Chen,Chien-Chon Chen,Deng-Horng Tsai,Tsan-Nan Yang. Владелец: National Chung Shan Institute of Science and Technology NCSIST. Дата публикации: 2017-01-24.

Nitride/graphitized carbon nano sheet coated ternary positive electrode material and preparation method thereof

Номер патента: CN114023936B. Автор: 张坤,张翔,许开华,张云河,何锐,丁卫丰. Владелец: Greenmei Hubei New Energy Materials Co ltd. Дата публикации: 2023-08-01.

Flash-based storage warehouse apparatuses and methods thereof

Номер патента: US09766811B1. Автор: David Slik,Peter Corbett. Владелец: NetApp Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Wire grid polarizer and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09897735B2. Автор: Yanbing WU,Yingyi LI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Thermoluminescent dosimeter for radiation monitoring, comprising LiF doped with Mg, Cu, and Si, and fabrication method thereof

Номер патента: US20080142731A1. Автор: Jong-Soo Kim,Bong-Hwan Kim,Jung-Il Lee,Jang-Lyul Kim,Jeong-Sun Yang. Владелец: Korea Hydro and Nuclear Power Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-19.

RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE EMBEDDING TUNNEL INSULATING LAYER AND MEMORY ARRAY USING THE SAME AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20170025605A1. Автор: Park Byung-Gook,KIM Sungjun,Cho Seongjae. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-26.

RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE HAVING A NANO-SCALE TIP, MEMORY ARRAY USING THE SAME AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20160104838A1. Автор: Park Byung-Gook,Cho Seongjae,JUNG Sunghun. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-14.

NONVOLATILE RESISTANCE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE WITH LOW AND RELIABLE OPERATING VOLTAGE AND LONG-TERM STABILITY AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20170155044A1. Автор: LEE Sang-Soo,KIM Young Jin,PARK Jong Hyuk,SON Jeong Gon,KIM Heesuk,BAE Wan Ki,SHIN Keun-Young. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-01.

Carbon nano tube/graphene composite conducting slurry and preparation method thereof

Номер патента: CN108550856A. Автор: 陈欣,李华锋,单体金,董贺存,王春雨. Владелец: Shandong Xin Cheng Xin Mstar Technology Ltd. Дата публикации: 2018-09-18.

Carbon nano tube composite flexible conductive film and preparation method thereof

Номер патента: CN111462941A. Автор: 谭化兵,王�锋,潘智军. Владелец: Anhui Aerospace and PMA Health Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-28.

Current-limiting protection structure of carbon nano tube field emission electron source and preparation method thereof

Номер патента: CN110875166B. Автор: 姚智伟,孙泳海. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-03-15.

A kind of ferrite-carbon nano tube composite wave-absorbing material and preparation method thereof

Номер патента: CN109348698A. Автор: 刘立东,郝斌,蒋劭培. Владелец: Hengdian Group DMEGC Magnetics Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-15.

Current-limiting protection structure of carbon nano tube field emission electron source and preparation method thereof

Номер патента: CN110875166A. Автор: 姚智伟,孙泳海. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-03-10.

Nonvolatile Semiconductor Memory Device Having Multi-Layered Oxide/(OXY) Nitride Film as Inter-Electrode Insulating Film and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120034772A1. Автор: Masayuki Tanaka,Yoshio Ozawa,Hirokazu Ishida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-02-09.

Semiconductor memory device provided with stacked layer gate including charge accumulation layer and control gate, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090278195A1. Автор: Takayuki Toba. Владелец: TOBA Takayuki. Дата публикации: 2009-11-12.

Semiconductor chip, and fabrication and packaging methods thereof

Номер патента: US20180337143A1. Автор: Ya Ping Wang,Li Hui Lu,Chun Chao FEI,Po Yuan CHIANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-11-22.

BONDED UNIFIED SEMICONDUCTOR CHIPS AND FABRICATION AND OPERATION METHODS THEREOF

Номер патента: US20220093614A1. Автор: Liu Jun,CHENG Weihua. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-24.

IMAGE SENSORS, AND FABRICATION AND OPERATION METHODS THEREOF

Номер патента: US20180277586A1. Автор: LIU Xuan Jie,ZHANG Hai Fang,Lu Jue,YAO Guo Feng. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-27.

SEMICONDUCTOR CHIP, AND FABRICATION AND PACKAGING METHODS THEREOF

Номер патента: US20180337143A1. Автор: LU Li Hui,FEI Chun Chao,CHIANG Po Yuan,WANG Ya Ping. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-22.

BONDED UNIFIED SEMICONDUCTOR CHIPS AND FABRICATION AND OPERATION METHODS THEREOF

Номер патента: US20200350322A1. Автор: Liu Jun,CHENG Weihua. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-05.

Substrate structure, and fabrication and packaging methods thereof

Номер патента: US20220238351A1. Автор: Peng Chen,XinRu Zeng,Houde Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

Method manufacturing inner shield for color cathode-ray tube and inner shieid made by method thereof

Номер патента: KR100524863B1. Автор: 김태근,최영수. Владелец: 엘지.필립스 디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2005-10-31.

Image sensor with a waveguide tube and a related fabrication method

Номер патента: US7524690B2. Автор: Kuen-Chu Chen,Teng-Yuan Ko,Nien-Tsu Peng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2009-04-28.

Phase change memory device having carbon nano tube lower electrode material and method of manufacturing the same

Номер патента: US7589342B2. Автор: Heon Yong Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-09-15.

Method for performing power saving control in a memory device, associated memory device and memory controller thereof, and associated electronic device

Номер патента: US20190377402A1. Автор: Wen-Chi Chao,Kuo-Cyuan Kuo. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Method and apparatus for performing access management of memory device in predetermined communications architecture with aid of automatic parameter setting

Номер патента: US20240232067A1. Автор: Shen-Ting Chiu,Te-Kai WANG,Po-Lin WU,Lu-Ting Wu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory device and password storing method thereof

Номер патента: WO2008076999A3. Автор: Mitsuhiro Nagao. Владелец: Mitsuhiro Nagao. Дата публикации: 2008-08-14.

Electronic system, operating method thereof, and operating method of memory device

Номер патента: EP4213021A1. Автор: Seung Jun Yang,Hye Joon YI,Mi Jung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-19.

Memory systems and operation methods thereof

Номер патента: US20240281147A1. Автор: Yufei FENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US20230305741A1. Автор: Chul Woo Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Memory system, memory controller and operation method thereof

Номер патента: US12066928B2. Автор: Eu Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Data storage device and method thereof

Номер патента: US09785584B2. Автор: Jeen PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Cell-assembled motherboard and fabrication method thereof, and liquid crystal display panel and fabrication method thereof

Номер патента: US09488872B2. Автор: Mingchao Wang. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Memory system and operation method thereof and power management module

Номер патента: US20240295916A1. Автор: MeiFa CHEN,Guiyuan Duan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Field effect transistor array using single wall carbon nano-tubes

Номер патента: US09806273B2. Автор: Shashi P. Karna,Govind Mallick. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor devices including application processor connected to high-bandwidth memory and low-bandwidth memory, and channel interleaving method thereof

Номер патента: US09606916B2. Автор: Sung Hyun Lee,Jun Hee Yoo,Il Park,Dongsoo Kang,Kiyeon Lee,Euicheol Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Data storage apparatus and operation method thereof

Номер патента: US20210191655A1. Автор: Da Eun SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US20240248643A1. Автор: Suhyun KIM,Hyunsook Lee,Seonghoon Woo,Tae-Eun Park,Haejong JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory controller and operation method thereof

Номер патента: US20240211170A1. Автор: Youngjin Cho,Sungwon KO,Hoyoung Chang,Kwansuk JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US11755492B2. Автор: Jun Hee Ryu,Kwang Jin KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240302982A1. Автор: Jae Woong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Methods of sketch-based memory management and memory devices utilizing the same

Номер патента: WO2018187002A1. Автор: Samuel E. Bradshaw. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-10-11.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20240201865A1. Автор: Kwang Hun Lee,Won Jun Choi,Jae Gwan Kim,Dong Young Seo,Ye Rin Kim,Bu Yong SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US20210382824A1. Автор: Da Eun SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US20210034522A1. Автор: Sarath Kumar Kunnumpurathu Sivan. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US11567863B2. Автор: Sung Jin Park,Jee Yul KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-01-31.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US12056361B2. Автор: Yuan-Hao Chang,Tei-Wei Kuo,Wei-Chen Wang,Tse-Yuan Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US11513960B2. Автор: Da Eun SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-11-29.

Storage device, electronic device including the same, and operating method thereof

Номер патента: US12056356B2. Автор: Seung Kyu HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory controller and operating method thereof

Номер патента: US20220004332A1. Автор: Hye Mi KANG,Eu Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-01-06.

Memory access control device equipped with memory access request generating modules/arbitrator and control method thereof

Номер патента: US8131949B2. Автор: Liang-Ta Lin. Владелец: ILI Techonology Corp. Дата публикации: 2012-03-06.

Liquid crystal display device and fabrication method thereof

Номер патента: US20060273315A1. Автор: Yong-Min Ha,Han-Wook Hwang. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-07.

Memory system performing cache bypassing operation and cache management method thereof

Номер патента: US20240256452A1. Автор: Shinhaeng KANG,Kyomin Sohn,Suk Han Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory systems and operation methods thereof

Номер патента: US20240311237A1. Автор: Yufei FENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Storage device, electronic device including the same, and operating method thereof

Номер патента: US20240345729A1. Автор: Seung Kyu HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US12131045B2. Автор: Myung Hyun Rhee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Display panel with single substrate and fabricating method thereof

Номер патента: US09983446B2. Автор: Yanbing WU,Wenbo Li,Dongsheng Wang,Youmei Dong. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Memory system including nonvolatile memory device and erase method thereof

Номер патента: US09733864B2. Автор: Kyung Ho Kim,Sangkwon Moon,Jihong Kim,Jaeyong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-15.

Key-value storage device and operating method thereof

Номер патента: US12019602B2. Автор: Youngho Park,Byung-Ki Lee,Jekyeom JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200081632A1. Автор: Chan-Jong WOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-03-12.

Controller, memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200057728A1. Автор: Sang Hyun Kim,Duck Hoi KOO,Soong Sun SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-02-20.

Memory device and computing in memory method thereof

Номер патента: US20210117187A1. Автор: Yuan-Hao Chang,Tei-Wei Kuo,Hung-Sheng Chang,Han-Wen Hu,Tse-Yuan Wang,Yueh-Han Wu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US20230297261A1. Автор: Byung Jun Kim,Taek Gyu LEE,Kyoung Ku Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Methods of sketch-based memory management and memory devices utilizing the same

Номер патента: US20180293005A1. Автор: Samuel E. Bradshaw. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-11.

Encryption/decryption methods and devices utilizing the same

Номер патента: US7882355B2. Автор: Meng-Huang Chu,Haw-Kuen Su,Pei-Chieh Hu. Владелец: Tian Holdings LLC. Дата публикации: 2011-02-01.

Memory device and protection method thereof

Номер патента: US20240273194A1. Автор: Kuo-Chiang WANG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Timing device and method thereof

Номер патента: US9501042B1. Автор: Ming-Hsiu Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Error correction decoder, storage device including error correction decoder, and operating method thereof

Номер патента: US20240296093A1. Автор: Dae Sung Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Memory system, memory controller and operating method thereof

Номер патента: US20210103405A1. Автор: Dae Hoon Jang,Young Guen CHOI,Dong Ham YIM,Young Hoon CHA,Jeong Sun PARK,Cheon Ok JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-08.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US12086442B2. Автор: Byung Jun Kim,Taek Gyu LEE,Kyoung Ku Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US12086073B2. Автор: Heechul CHAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US12093185B2. Автор: Heechul CHAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory system and wear-leveling method thereof

Номер патента: US09990153B2. Автор: Jung-Hyun Kwon,Dong-Gun KIM,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US09977744B2. Автор: Hae-Gi CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Optimized flash memory device for miniaturized devices

Номер патента: US09861826B2. Автор: Charles R Gordon,Duane R Bigelow. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2018-01-09.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US20240377988A1. Автор: Jae Hyun Choi,Sooyong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-14.

Data storage device and error correction method thereof

Номер патента: US09632805B2. Автор: Shih-Ming Wang,Chia-Fang Chang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Memory system having first and second memory devices and driving method thereof

Номер патента: US09552314B2. Автор: Dong-Hwi Kim,Sun-Young Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-24.

Timing device and method thereof

Номер патента: US09501042B1. Автор: Ming-Hsiu Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US09477593B2. Автор: Hong-Sik Kim,Dong-Gun KIM,Yong-Kee KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Optimized flash memory device for miniaturized devices

Номер патента: US09440086B2. Автор: Charles R. Gordon,Duane R. Bigelow. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2016-09-13.

Silicon-based rib-waveguide modulator and fabrication method thereof

Номер патента: US09429776B2. Автор: Changhua Chen,Dong Pan,Tuo SHI,Tzung-I Su,Yongbo Shao. Владелец: SiFotonics Technologies USA Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Memory device performing in-memory operation and method thereof

Номер патента: US12032829B2. Автор: Changhyun KIM,Won Jun Lee,Seon Wook Kim,Yoonah PAIK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US20160342332A1. Автор: Tai Kyu Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-24.

Non-volatile memory storage, computing system including the same and operation method thereof

Номер патента: US20210216466A1. Автор: Tae Hee Han,Yong Wook Kim,Min Gu Kang,Jeong Beom HONG,Jo Eun LEE. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2021-07-15.

Non-volatile memory storage, computing system including the same and operation method thereof

Номер патента: US11294822B2. Автор: Tae Hee Han,Yong Wook Kim,Min Gu Kang,Jeong Beom HONG,Jo Eun LEE. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2022-04-05.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US20190108136A1. Автор: Jongju Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-04-11.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US10509590B2. Автор: Jun-Seop Chung,An-Ho CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-12-17.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20180024774A1. Автор: Beom Ju Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-25.

Methods for controlling data transfer speed of a data storage device and a host device utilizing the same

Номер патента: US20180157309A1. Автор: Yen-Hung Chen,Fu-Jen Shih. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2018-06-07.

Data processing system allocating memory area in host as extension of memory and operating method thereof

Номер патента: US20230244616A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-03.

Memory device compressing soft decision data and operating method thereof

Номер патента: US20240319874A1. Автор: Ilhan Park,Suyong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Data processing system allocating memory area in host as extension of memory and operating method thereof

Номер патента: US20210097008A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US09996292B2. Автор: Jung-Hyun Kwon,Dong-Gun KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US09898199B2. Автор: Jun Seop Chung,An Ho CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US09875179B2. Автор: Tai Kyu Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Touch device and fabrication method thereof

Номер патента: US09665230B2. Автор: FENG CHEN,Yuh-Wen Lee,Yanjun Xie,Hsiang-Lung Hsia,Xianbin Xu,Keming Ruan,Fengming Lin. Владелец: TPK Touch Solutions Xiamen Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Memory system, memory access interface device and operation method thereof

Номер патента: US20240310869A1. Автор: Chih-Wei Chang,Fu-Chin Tsai,Ger-Chih Chou,Chun-Chi Yu. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US20220004338A1. Автор: Jun Ho Lee,Bo Hyun Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-01-06.

System for slowdown status notification and operating method thereof

Номер патента: US20190065289A1. Автор: Seong Won SHIN,Kyoungsun HONG. Владелец: SK Hynix Memory Solutions America Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US20220113870A1. Автор: Sung Kwan Hong,Byeong Gyu Park,Young Ick CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-04-14.

Memory system for adjusting difference between operation time points in sequential command operations performed in memory device, and operation method thereof

Номер патента: US20210303209A1. Автор: Dong Yeob CHUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20240264757A1. Автор: Duck Joo Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: EP4246330A1. Автор: Tae-hwan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-20.

Liquid crystal display and fabricating method thereof

Номер патента: US20040227892A1. Автор: Ya-Hsiang Tai,Jun Chang Chen. Владелец: Toppoly Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2004-11-18.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200183599A1. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200097401A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-03-26.

Heat resistive particles for particle-based displays and fabrication methods thereof

Номер патента: US20130088768A1. Автор: Rong-Chang Liang,Jung-Yang Juang,Jiunn-Jye HWANG HWANG. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2013-04-11.

Liquid crystal panel and fabricating method thereof

Номер патента: US09933653B2. Автор: Yuejun TANG. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Liquid crystal display panel, driving method and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09645455B2. Автор: Miki Kashima. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: EP4400971A1. Автор: Kyung-Ho Lee,Kijun Lee,Sunghye CHO,Myungkyu Lee,Kyomin Sohn,Ki-Heung Kim,Hyongryol Hwang,Seongmuk Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-17.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20180004439A1. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-04.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20180113650A1. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-26.

Memory system, memory controller and operating method thereof for determining garbage collection victim block

Номер патента: US12056047B2. Автор: Jung Woo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

[pixel structure and fabricating method thereof]

Номер патента: US20050036079A1. Автор: Daisuke Nishino,Chih-Hung Chiang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-17.

Pixel structure and fabricating method thereof

Номер патента: US20060033101A1. Автор: Daisuke Nishino,Chih-Hung Chiang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-16.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US09927994B2. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Alignment film and fabrication method thereof, liquid crystal panel and display device

Номер патента: US09753331B2. Автор: Jifeng TAN,Xinxing Wang,Jikai YAO,Jaegeon You. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor memory device, memory system including the same, and operating method thereof

Номер патента: US09529536B2. Автор: Hong-Sik Kim,Young-Ook SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Waveplates on a curved surface and fabrication method thereof

Номер патента: EP3921145A1. Автор: Ying Geng,Babak Amirsolaimani. Владелец: Facebook Technologies LLC. Дата публикации: 2021-12-15.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US20170123973A1. Автор: Min Chul Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-04.

Liquid crystal display device and fabrication method thereof

Номер патента: US20100068965A1. Автор: Bong Chul Kim,Seung Hyun Lee,Jeong-Hyun Kim,Myoung Ho Lee,Min Joo Kim,Kyo Yong Koo,Hyeon Jin Seo,Se Jong Shin. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-18.

Memory device with flexible data pin configuration and method thereof

Номер патента: US20240241652A1. Автор: Minho Yoon. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Display-panel motherboard and fabricating method thereof

Номер патента: US20200292862A1. Автор: JI Li,Lisen Wang,Zhiyang Gao,Zhaozhe Xu. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Sales assistance system and method thereof with using computer network

Номер патента: US20080162301A1. Автор: Naoto Uchida,Kouki Tomita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-03.

Smart vending apparatus, and control method thereof

Номер патента: EP3723057A1. Автор: TAO Ji,Da Xu,Jiang DAI. Владелец: Hefei Midea Intelligent Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-14.

Computing system, and driving method and compiling method thereof

Номер патента: US20190079779A1. Автор: Chae-seok Im,Seung-Won Lee,Suk-Jin Kim,Seok-hwan JO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-03-14.

Touch substrate, mask plate for fabricating the same, and fabricating method thereof

Номер патента: EP3488329A1. Автор: Ming Zhang,Chunjian Liu,Ming Hu,Yu Zhu,Shifeng Xu,Zouming Xu,Xinbin TIAN,Qitao ZHENG. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-29.

Solid-state light emitting display and fabrication method thereof

Номер патента: US20080280384A1. Автор: Chun-Hung Lin,Chia-Chiang Chang,Chia-Hung Hung. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2008-11-13.

Memory system for processing a delegated task and an operation method thereof

Номер патента: US11740813B2. Автор: Su Won MOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor structures and fabrication method thereof, memory device and memory system

Номер патента: US20240355736A1. Автор: Min WEN,Zhen Pan,Chengbao Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US8860003B2. Автор: Jae Min Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-14.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US8980683B2. Автор: Min Yong Lee,JONG CHUL LEE,Young Ho Lee,Seung Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-03-17.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US8890104B2. Автор: Min Yong Lee,JONG CHUL LEE,Young Ho Lee,Seung Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-11-18.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20130228733A1. Автор: Min Yong Lee,JONG CHUL LEE,Young Ho Lee,Seung Beom Baek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-05.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20140322886A1. Автор: Min Yong Lee,JONG CHUL LEE,Young Ho Lee,Seung Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-30.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240215273A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Structure of a memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20040004256A1. Автор: Jiun-Ren Lai,Chun-Yi Yang,Shi-Xian Chen,Gwen Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-08.

Three-dimensional memory and fabrication method thereof

Номер патента: US12052871B2. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Zongliang Huo,Wenbin Zhou,Wenxiang Xu,Ji XIA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Memory and fabrication method thereof and memory system

Номер патента: US20240347452A1. Автор: Zhaoyun TANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Mask read-only memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US09905566B2. Автор: Chao Zhang,YiPeng Chan. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Three-dimensional memory and fabricating method thereof

Номер патента: US20230144830A1. Автор: YING Zhou,Ming Li,Zhenzhen Zhang,LongDong LIU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Phase-change memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US8999745B2. Автор: Il Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-04-07.

Phase-change memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20150179929A1. Автор: Il Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Phase-change memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20140166964A1. Автор: Il Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-19.

Memory device and fabricating method thereof

Номер патента: US09735161B2. Автор: Tieh-Chiang Wu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Phase-change memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US09640758B2. Автор: Il Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device integrated with memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20190273119A1. Автор: Zhi-Biao Zhou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Semiconductor memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20220310697A1. Автор: Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Chen-Yi Weng,Ching-Hua Hsu,Si-Han Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-09-29.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US12058864B2. Автор: Wei Xu,Wenbin Zhou,Qingqing WANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240315048A1. Автор: Hui-Lin WANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240315142A1. Автор: Hui-Lin WANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory devices having vertical transistors and fabricating methods thereof

Номер патента: EP4449503A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Memory devices having vertical transistors and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240381620A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240224526A1. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Wenyu HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240251558A1. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Non-volatile memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20040037147A1. Автор: Chien-Hung Liu,Tung-Cheng Kuo,Shyi-Shuh Pan,Shou-Wei Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-26.

Memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US8294189B2. Автор: Hou-Hong Chou,Chien-Sung Chu. Владелец: Inotera Memories Inc. Дата публикации: 2012-10-23.

Memory device and fabricating method thereof

Номер патента: US20240297125A1. Автор: Ying-Cheng Chuang,Hui Tzu CHAN. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US12133479B2. Автор: Chia-Ching Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Memory device structure and fabrication method

Номер патента: US20240196631A1. Автор: LIANG Chen,WEI Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Memory devices having vertical transistors and fabricating methods thereof

Номер патента: US20230380142A1. Автор: He Chen,WEI Liu,Yanhong Wang,Ziqun HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor Memory Device and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20240244824A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Yifei Yan,Ken-Li Chen. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12089419B2. Автор: Chia-Chang Hsu,Cheng-Yi Lin,Chia-hung Lin,Tang Chun Weng,Yung Shen Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20230361030A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Flash memory with reduced source resistance and fabrication method thereof

Номер патента: US20040161706A1. Автор: Chang Han,Sung Jung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-19.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240172429A1. Автор: Kun Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Resistive memory device and fabrication methods

Номер патента: US09673255B2. Автор: Kuk-Hwan Kim,Tanmay Kumar,Sung Hyun Jo. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240008375A1. Автор: Shao-Ming Yu,Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20130313504A1. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-11-28.

Memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US6875654B2. Автор: Tieh Chiang Wu,Yu-Wei Ting,Chien-Chang Huang,Bo Ching Jiang,Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-04-05.

Memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20040115927A1. Автор: Tieh Chiang Wu,Yu-Wei Ting,Chien-Chang Huang,Bo Ching Jiang,Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-06-17.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9881931B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09881931B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: WO2023246209A1. Автор: WEI Liu,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Dongxue Zhao,Dongyu FAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-12-28.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: WO2023246210A1. Автор: Tao Yang,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-12-28.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20230361031A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Device isolation method of semiconductor memory device and flash memory device fabricating method using the same

Номер патента: US20050142796A1. Автор: Sung Jung,Jum Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Three-dimensional memory and fabrication method thereof

Номер патента: US20220028890A1. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Zongliang Huo,Wenbin Zhou,Wenxiang Xu,Ji XIA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-27.

Split gate memory device and fabricating method thereof

Номер патента: US20030214864A1. Автор: Yong Choi,Og-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-11-20.

Memory device, memory integrated circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240215463A1. Автор: Fu-Ting Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010020710A1. Автор: Jiro Matsufusa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-09-13.

Three-dimensional memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230129701A1. Автор: Hyun Soo Shin,Sang Hyun Sung,Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240298436A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Li-Wei Feng,Janbo Zhang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Three-dimensional memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11723209B2. Автор: Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Chun-Fu CHENG,Meng-Han LIN,Yu-Chien Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-08.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230007879A1. Автор: Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240324203A1. Автор: In Su Park,Jung Shik JANG,Won Geun CHOI,Rho Gyu KWAK,Seok Min Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240349499A1. Автор: Chung-Hsien Liu,Tzu-Yun Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240373653A1. Автор: Yu-Ming Lin,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12114513B2. Автор: Yu-Ming Lin,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US11758710B2. Автор: An-Chi Liu,Ming-Feng Kuo,Yu-Cheng Tung,Fu-Che Lee,Gang-Yi Lin,Chien-Cheng Tsai,Junyi Zheng,Yi-Wang JHAN. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20090026516A1. Автор: Ming-Yuan Huang,Shian-Jyh Lin,Chien-Li Cheng. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-01-29.

Memory device having ultra-lightly doped region and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240196597A1. Автор: Chung-Lin Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Memory device having buried source/drain region and fabrication thereof

Номер патента: US20030199142A1. Автор: Shui-Chin Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-23.

Resistive memory device

Номер патента: US09728721B2. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Yuan Sun,Elgin Kiok Boone Quek,Xuan Anh TRAN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240206165A1. Автор: Yonggang YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Three-dimensional memory devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US20200312872A1. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240215241A1. Автор: QIAN LI,LIANG XIAO,Shu Wu,Ziqun HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030198095A1. Автор: Chong-Jen Huang,Kuang-Wen Liu,Jui-Lin Lu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-23.

Three-dimensional memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12069871B2. Автор: Yu-Ming Lin,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Manufacturing method of memory device

Номер патента: US20230301210A1. Автор: Da-Jun Lin,Fu-Yu Tsai,Bin-Siang Tsai,Shih-Wei Su,Chich-Neng Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12100651B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240298445A1. Автор: Yusuke Morikawa,Tatsufumi Hamada,Yosuke MITSUNO,Tomohiro KUKI,Ryouji MASUDA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240324176A1. Автор: Shou-Te WANG. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240349506A1. Автор: Chih-Kai Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Manufacturing method of memory device

Номер патента: US12108691B2. Автор: Da-Jun Lin,Fu-Yu Tsai,Bin-Siang Tsai,Shih-Wei Su,Chich-Neng Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Three-dimensional memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240357838A1. Автор: Yu-Ming Lin,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor memory devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US09443734B2. Автор: Jung-Hwan Park,Kyu-Hyun Lee,Ki-Seok Lee,Hyo-Jin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Three-dimensional memory devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US20210225874A1. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Semiconductor memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US11956972B2. Автор: Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Chen-Yi Weng,Ching-Hua Hsu,Si-Han Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Through array contact structure of three-dimensional memory device

Номер патента: EP4383982A2. Автор: Zhenyu Lu,GuanPing WU,Wenguang Shi,Xianjin Wan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-12.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230320102A1. Автор: Zhiqiang Wu,Han-Jong Chia,Chun-Fu CHENG,Meng-Han LIN,Chung-Wei Wu,Yu-Chien Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Fabrication method for a flash memory device

Номер патента: US20040203204A1. Автор: Chun-Lein Su,Tzung-Ting Han. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-14.

Method for forming channel hole plug of three-dimensional memory device

Номер патента: US11943928B2. Автор: Qian Tao,Zhenyu Lu,Jun Chen,Meng Wang,Yushi Hu,Li Hong XIAO,LongDong LIU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Contact structures for three-dimensional memory device

Номер патента: US11910599B2. Автор: Zhiliang Xia,Ming Hu,Kun Zhang,Kun Bao,Zhongwang SUN,Guangji Li,Jiwei CHENG,Shijin LUO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Contact structures for three-dimensional memory device

Номер патента: US20200194447A1. Автор: Zhiliang Xia,Ming Hu,Kun Zhang,Kun Bao,Zhongwang SUN,Guangji Li,Jiwei CHENG,Shijin LUO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-18.

Three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: EP3966867A1. Автор: Linchun Wu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-16.

Three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210225865A1. Автор: Linchun Wu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20230363138A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US11980030B2. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

NROM semiconductor memory device and fabrication method

Номер патента: US7344923B2. Автор: Franz Hofmann,Michael Specht,Erhard Landgraf. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-03-18.

Contact structures for three-dimensional memory device

Номер патента: US20210265375A1. Автор: Zhiliang Xia,Ming Hu,Kun Zhang,Kun Bao,Zhongwang SUN,Guangji Li,Jiwei CHENG,Shijin LUO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Contact structures for three-dimensional memory device

Номер патента: US20230086425A1. Автор: Zhiliang Xia,Ming Hu,Kun Zhang,Kun Bao,Zhongwang SUN,Guangji Li,Jiwei CHENG,Shijin LUO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-23.

Memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20190131524A1. Автор: Jyu-Horng Shieh,Chien-Min Lee,Chung-Te Lin,Wei-Chih Wen,Hui-Hsien Wei,Pin-Ren Dai,Han-Ting Tsai,Tai-Yen PENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-02.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20240237329A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Janbo Zhang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory cells with vertical transistor and capacitor and fabrication methods thereof

Номер патента: US7445986B2. Автор: Cheng-Chih Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-11-04.

Multi-bit memory unit and fabrication method thereof

Номер патента: US6858495B2. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-22.

Memory device having improved p-n junction and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240244829A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory device having improved p-n junction and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240244827A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Magnetic Memory Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20080157239A1. Автор: Song Hee Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Semiconductor Device and Fabrication Method thereof

Номер патента: US20200303380A1. Автор: Chen-Chih WANG,Yeu-Yang WANG. Владелец: Hexas Technology Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Memory cells with vertical transistor and capacitor and fabrication methods thereof

Номер патента: US20060175650A1. Автор: Cheng-Chih Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2006-08-10.

Memory cells with vertical transistor and capacitor and fabrication methods thereof

Номер патента: US20060270144A1. Автор: Cheng-Chih Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2006-11-30.

Multi-bit memory unit and fabrication method thereof

Номер патента: US20050035388A1. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-17.

Multi-bit memory unit and fabrication method thereof

Номер патента: US20030235967A1. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-25.

Resistive random access memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240260490A1. Автор: Chuan-Fu Wang,Wen-Jen Wang,Yu-Huan Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US12096704B2. Автор: YUAN Zhou,Guoan Du,Guohai ZHANG,Xian Feng Du. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Resistive RAM and fabrication method

Номер патента: US09680095B2. Автор: Wei-Chih Chien,I Yueh Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Organic electric memory device based on phosphonic acid or trichlorosilane-modified ITO glass substrate and preparation method thereof

Номер патента: US09818963B1. Автор: Jianmei Lu,Jinghui HE. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-11-14.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20150207068A1. Автор: Yong Seok Lee,Hyo Seob Yoon,Han Woo Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-07-23.

Memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240179902A1. Автор: LIANG XIAO,Yi Zhao,Shu Wu,Lina Miao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Directly flat-attached switching component for active frequency selective surface and fabricating method thereof

Номер патента: US11056796B2. Автор: Shyh-Jer Huang,Yang-Kuo Kuo,Jian-Long Ruan. Владелец: National Chung Shan Institute of Science and Technology NCSIST. Дата публикации: 2021-07-06.

Directly Flat-Attached Switching Component for Active Frequency Selective Surface and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20210005974A1. Автор: Shyh-Jer Huang,Yang-Kuo Kuo,Jian-Long Ruan. Владелец: National Chung Shan Institute of Science and Technology NCSIST. Дата публикации: 2021-01-07.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US12035523B2. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Ping Yan,Zongliang Huo,Wenbin Zhou,Wenxiang Xu,Haohao YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Electron transport material and fabricating method thereof, and organic light-emitting diode

Номер патента: US20240032419A1. Автор: Kui Wang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Organic thin film transistor array substrate and fabrication method thereof

Номер патента: US09716135B2. Автор: Hongyuan Xu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Three-dimensional memory devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US20210104547A1. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-08.

Three-dimensional memory devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US20200312870A1. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Nonvolatile memory device having multi-level resistance and capacitance characteristics, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200313085A1. Автор: Jae Hyung JANG,Rani Anoop,Se I Oh. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2020-10-01.

Flexible substrate and fabrication method thereof, and flexible display apparatus

Номер патента: US20200381639A1. Автор: Dawei Wang,Weifeng ZHOU,Mingche HSIEH,Hejin WANG,Shanchen Kao. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-03.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100301405A1. Автор: Shigeto Oota,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-02.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09666570B2. Автор: Bo-Lun Wu,Chia-Hua Ho,Meng-Hung Lin,Ting-Ying SHEN. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Electroluminescence display device and fabrication method thereof

Номер патента: US09508779B2. Автор: Yuxin Zhang,Hongfei Cheng. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US20090065893A1. Автор: Chien-Jung Yang,Chi-Huang Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-03-12.

Display panel and fabricating method thereof, and display device

Номер патента: US20240324405A1. Автор: PENG Hou,ZHU Wang,Shuo Li,Zhenglong Yan,Yanyang SHANG. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Organic thin film transistor, and fabricating method thereof

Номер патента: EP3408876A1. Автор: Leilei CHENG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-05.

OLED display device and fabrication method thereof, display panel and display device

Номер патента: US09847488B2. Автор: Feng Bai,Jiuxia YANG. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Display panel and fabricating method thereof, and displaying device

Номер патента: US20220157892A1. Автор: NA Li,Fei Chen,Myoungsoo Lee,Haijun Qiu,Chao Kong,Jibum Yang,Euiku LEE,Meishan XU. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Light emitting device and fabricating method thereof, and light emitting apparatus

Номер патента: US20240224582A1. Автор: Zhuo Chen,Tieshi WANG. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

[organic light-emtting device and fabricating method thereof]

Номер патента: US20040189192A1. Автор: Wei-Pang Huang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2004-09-30.

Array substrate and fabrication method thereof, array substrate motherboard and display device

Номер патента: US20210335978A1. Автор: Hongfei Cheng. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-28.

Cover plate and fabricating method thereof, display panel and display device

Номер патента: US20200052241A1. Автор: Wei Li,WEI Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-13.

Flat panel display device and fabrication method thereof

Номер патента: US20020041150A1. Автор: CHANG Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2002-04-11.

Flat panel display device and fabrication method thereof

Номер патента: EP1195814A3. Автор: Chang Nam Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2006-11-02.

Array substrate and fabrication method thereof, display panel

Номер патента: US20220285466A1. Автор: Ming Liu,Qiuhua Meng. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Oled and fabrication method thereof, and display apparatus

Номер патента: US20160141343A1. Автор: Wenyu Ma. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-19.

Nano niobium carbide/carbon nano tube reinforced diamond composite material and preparation method thereof

Номер патента: CN109913682B. Автор: 韩哲,李思奇,刘宝昌,王姝婧,戴文昊,赵新哲. Владелец: Jilin University. Дата публикации: 2020-12-15.

Carbon nano tube reinforced polyphenylene sulfide material and preparation method thereof

Номер патента: CN102382468B. Автор: 徐东,徐永,胡玉洁. Владелец: Polymer Science Shenzhen New Materials Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-05.

A kind of cobalt sulfide nickel carbon nanotube-carbon nano-fiber composite material of phosphorus doping and preparation method thereof

Номер патента: CN106076377B. Автор: 刘天西,樊玮,黄云鹏,左立增,张龙生,顾华昊. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-12-11.

Three-dimensional carbon nano-phase composite reinforced aluminum-based material and preparation method thereof

Номер патента: CN111996418B. Автор: 王文龙,陈俊锋,梁思琰,程佳乐. Владелец: FUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-11-02.

High-heat-dissipation insulation full-plastic covering fluorescent lamp tube and production equipment and production method thereof

Номер патента: CN103486481A. Автор: 孔作万. Владелец: Dongguan Changping Dajingjiu High Polymer Electric Conduction Static Electricity Research Center. Дата публикации: 2014-01-01.

Mask and fabricating method thereof, and displaying base plate and fabricating method thereof

Номер патента: US20220149282A1. Автор: Pengcheng LU,Yunlong Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-12.

Ultra-long silver nanowire material and fabrication method thereof

Номер патента: US12109621B2. Автор: Jing Zheng,Rui Dang. Владелец: Northwest Institute for Non Ferrous Metal Research. Дата публикации: 2024-10-08.

Laser firing apparatus for high efficiency solar cell and fabrication method thereof

Номер патента: WO2010077018A2. Автор: Jong-Hwan Kim,Hwa-Nyeon Kim,Ju-Hwan Yun. Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2010-07-08.

Complementary nanowire semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09972543B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Composite film and fabrication method thereof, photoelectric element and photoelectric apparatus

Номер патента: US09828544B2. Автор: Chen Tang,Jingxia Gu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Complementary nanowire semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09779999B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

RF MEMS switch and fabrication method thereof

Номер патента: US7456713B2. Автор: Hee-Chul Lee,Jae-Yeong Park. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2008-11-25.

RF MEMS switch and fabrication method thereof

Номер патента: US20070109081A1. Автор: Hee-Chul Lee,Jae-Yeong Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-17.

Wafer level package having a pressure sensor and fabrication method thereof

Номер патента: US20120001274A1. Автор: Shih-Kuang Chiu,Chien-An Chen,Hong-Da Chang,Chun-An Huang,Hsin-Yi Liao. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

Integrated structure of mems device and cmos image sensor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20100148283A1. Автор: Hui-Shen Shih. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2010-06-17.

Schottky diode with low leakage current and fabrication method thereof

Номер патента: US7382035B2. Автор: Hyung Choi,Dong-sik Shim,Il-Jong Song,Ja-nam Ku,Young-hoon Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-03.

A kind of functionalized carbon nano-tube epoxy resin nano composites and preparation method thereof

Номер патента: CN105907042B. Автор: 张艳,康志新,陈德馨. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2018-06-22.

Super-hydrophobic elastomer based on antibacterial nano silver/carbon nano tube microsphere/replica elastic surface and preparation method thereof

Номер патента: CN111100465B. Автор: 王琳,李想,肖建斌,赵树高,翟俊学,翟晋葶. Владелец: Qingdao University of Science and Technology. Дата публикации: 2022-08-09.

Super-hydrophobic elastomer based on antibacterial nano silver/carbon nano tube microsphere/replica elastic surface and preparation method thereof

Номер патента: CN111100465A. Автор: 王琳,李想,肖建斌,赵树高,翟俊学,翟晋葶. Владелец: Qingdao University of Science and Technology. Дата публикации: 2020-05-05.

Functionalized carbon nano-tube epoxy resin nano-composite and preparation method thereof

Номер патента: CN105907042A. Автор: 张艳,康志新,陈德馨. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2016-08-31.

A kind of polyolefin/carbon nano tube high-conductivity composite material and preparation method thereof

Номер патента: CN108117684A. Автор: 叶德生. Владелец: Guangzhou Moistening Front Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Carbon nano tube sizing carbon fiber pellet and manufacturing method thereof

Номер патента: KR101814496B1. Автор: 김근배,김기천,서정국. Владелец: (주)씨엔티솔루션. Дата публикации: 2018-01-04.

Silica gel/carbon nano tube dielectric elastomer composite material and preparation method thereof

Номер патента: CN110358309B. Автор: 张立群,田明,宁南英,刘美玉,孙海斌. Владелец: Beijing University of Chemical Technology. Дата публикации: 2020-09-11.

Carbon nano tube reinforced polypropylene composite material and preparation method thereof

Номер патента: CN109608669B. Автор: 邓飞. Владелец: Shenzhen Cone Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-07-13.

A kind of heat-conducting type carbon nano tube/epoxy resin composite material and preparation method thereof

Номер патента: CN107177165A. Автор: 张艳,康志新,冼业明. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2017-09-19.

A kind of carbon nano tube modified lead dioxide electrode and preparation method thereof

Номер патента: CN106809918B. Автор: 刘伟,赵雪松,任新,常立民,段小月. Владелец: Jilin Normal University. Дата публикации: 2019-06-25.

Carbon nano tube/polyurethane/polypropylene conductive fiber and preparation method thereof

Номер патента: CN103046157A. Автор: 张留学,孙亚丽,潘玮,刘红燕,赵尧敏. Владелец: Zhongyuan University of Technology. Дата публикации: 2013-04-17.

High-strength carbon nano tube grafted polystyrene dielectric material and preparation method thereof

Номер патента: CN111690105A. Автор: 庞焕林. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-09-22.

A kind of carbon nano-tube modification enhancing graphite electrode and preparation method thereof

Номер патента: CN110204349A. Автор: 李岩,王哲,耿磊,蒋兴华,翟学成. Владелец: Shandong Jingshi Dazhan Nanotechnology Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-06.

Carbon nano-tube with fluorine-containing surface and preparation method thereof

Номер патента: CN102730664B. Автор: 王旭,陈一,高杰,刘向阳. Владелец: Sichuan University. Дата публикации: 2014-11-05.

Carbon nano tube field effect transistor biosensor and preparation method thereof

Номер патента: CN114324528A. Автор: 张国军,李听弦. Владелец: Hubei College of Chinese Medicine. Дата публикации: 2022-04-12.

Antibacterial ultraviolet-proof fabric spraying agent and preparation method thereof, and fabric and preparation method thereof

Номер патента: CN111893774B. Автор: 刘慧香,谢玉青,张宜斐. Владелец: Shanghai Weilujia New Material Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-10-29.

Carbon nano fiber-graphene composite aerogel and cooperative assembly preparation method thereof

Номер патента: CN105161312A. Автор: 刘天西,张由芳,黄云鹏,赖飞立,缪月娥,鲁恒毅. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-12-16.

Deodorant for clothes and fabrics and manufacturing method thereof

Номер патента: KR101822929B1. Автор: 윤혜진. Владелец: 윤혜진. Дата публикации: 2018-01-29.

Deodorant for clothes and fabrics and manufacturing method thereof

Номер патента: KR20170128861A. Автор: 윤혜진. Владелец: 윤혜진. Дата публикации: 2017-11-24.

Anti-skid and anti-bouncing yarn and fabric and production method thereof

Номер патента: CN110629342A. Автор: 贺光明,柯文博,周冰倩. Владелец: Foshan Shunde Lianjin Textile Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-31.

Nano MoS2Carbon nano tube/bismaleimide resin composite material and preparation method thereof

Номер патента: CN108795041B. Автор: 刘振,李江涛,李树娜,贾园,李朋娜. Владелец: Xian Unversity of Arts and Science. Дата публикации: 2020-11-10.

Heat insulation integrated ultra-thin panel fixing structural and fabrication and installation method thereof

Номер патента: CN106284899A. Автор: 周荣,周平,周奇,周述文. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-01-04.

Boiling enhanced evaporation heat exchange tube and manufacturing device and manufacturing method thereof

Номер патента: CN113776377B. Автор: 杨辉,曹泷,赵露星,吴学红,王燕令. Владелец: Zhengzhou University of Light Industry. Дата публикации: 2022-11-18.

Adhesive for mullite ceramic tube and preparation method and application method thereof

Номер патента: CN111943707A. Автор: 吴建锋,徐晓虹,张亚祥,丁春江. Владелец: Wuhan University of Technology WUT. Дата публикации: 2020-11-17.

Three-dimensional memory devices having hydrogen blocking layer and fabrication methods thereof

Номер патента: US11728236B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: EP4454434A1. Автор: Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Lei Xue. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US12136599B2. Автор: He Chen,Yi Zhao,Shu Wu,Siping Hu,Ziqun HUA,Zhen Pan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Memory device structure and fabricating method thereof

Номер патента: US09640432B2. Автор: Sheng-Fen Chiu,Shaobin Li,Jinshuang Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Contact pads of three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US12133386B2. Автор: Yongqing Wang,Siping Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240215271A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240215272A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Memory device and fabricating method thereof

Номер патента: US20170200724A1. Автор: Pu-Sung Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-13.

Memory device and fabricating method thereof

Номер патента: US09704872B1. Автор: Pu-Sung Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Contact pads of three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US12033966B2. Автор: He Chen,LIANG XIAO,Yongqing Wang,Shu Wu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Three-dimensional memory device comprising contact pads exposed by an opening passing through layer stack and fabrication method thereof

Номер патента: US12089406B2. Автор: Yongqing Wang,Siping Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US09922985B2. Автор: Hae Wan Yang,Sheng Fen Chiu,Guan Hua LI. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Method for forming a three-dimensional (3D) memory device having bonded semiconductor structures

Номер патента: US12080697B2. Автор: WEI Liu,Shiqi HUANG,Bater Chelon,Siping Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US11978737B2. Автор: Kun Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Three-dimensional ferroelectric field effect transistor random access memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: WO2024103281A1. Автор: Tao Yang,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-23.

Three-dimensional ferroelectric field effect transistor random access memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: EP4454020A1. Автор: Tao Yang,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

Memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US12027463B2. Автор: LIANG XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240292622A1. Автор: Qian Tao,Zhenyu Lu,Jun Chen,Yushi Hu,Jifeng Zhu,Xiaowang DAI,Yu Ru Huang,Yongna LI,Lidong SONG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240339402A1. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Kun Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Barrier layers for word line contacts in a three-dimensional NAND memory and fabrication methods thereof

Номер патента: US12094767B2. Автор: Di Wang,Zhong Zhang,Wenxi Zhou,Ling Xu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Barrier layers for word line contacts in three-dimensional nand memory and fabrication methods thereof

Номер патента: EP4442091A1. Автор: Di Wang,Zhong Zhang,Wenxi Zhou,Ling Xu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Semiconductor devices, fabrication methods thereof, 3d memories and memory devices

Номер патента: US20240292625A1. Автор: LAN Yao,Jie Yan,Quan Zhang,Boru Xie. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US11895927B2. Автор: Chia-Chang Hsu,Yung-Shen Chen,Cheng-Yi Lin,Chia-hung Lin,Tang-Chun Weng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240122078A1. Автор: Chia-Chang Hsu,Yung-Shen Chen,Cheng-Yi Lin,Chia-hung Lin,Tang-Chun Weng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Non-volatile memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20070122978A1. Автор: Ki Lee,Hyun Kim,Jun Kim,Sung Jung,Jun Yi,Byoung Choi,Ho Chung. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-31.

Semiconductor memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20230029468A1. Автор: LIANG Yi,Zhiguo Li,Chi REN,Xiaojuan GAO. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-02-02.

Semiconductor memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US12040369B2. Автор: LIANG Yi,Chi REN. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US11955565B2. Автор: Chi REN,Chun-Sung Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor device, fabricating method, memory device and device system

Номер патента: US20240312925A1. Автор: Peng Chen,Xin Feng,XinRu Zeng,Ping Mo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Inductor structure having conductive sheets having fan plate shape arranged in ring structure and fabrication method thereof, electronic package and fabrication method thereof, and method for fabricating packaging carrier

Номер патента: US12062685B2. Автор: Shih-Ping Hsu. Владелец: Phoenix Pioneer Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Vertical resistor in 3D memory device with two-tier stack

Номер патента: US09941297B2. Автор: Hiroyuki Ogawa,Masatoshi Nishikawa,Toru Miwa,Kota Funayama. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-04-10.

Vertical resistor in 3D memory device with two-tier stack

Номер патента: US09691781B1. Автор: Hiroyuki Ogawa,Masatoshi Nishikawa,Toru Miwa,Kota Funayama. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-06-27.

Integrated circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230413514A1. Автор: Chung-Te Lin,Katherine H Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Mono gate memory device and fabricating method thereof

Номер патента: US7227216B2. Автор: Sang Bum Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-05.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20220246544A1. Автор: He Chen,Yi Zhao,Shu Wu,Siping Hu,Ziqun HUA,Zhen Pan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-04.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240170424A1. Автор: Zhiliang Xia,Jing Gao,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240170425A1. Автор: Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Lei Xue. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: WO2024108435A1. Автор: Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Lei Xue. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-30.

Antenna and fabricating method thereof, and antenna device and fabricating method thereof

Номер патента: US20220077579A1. Автор: Meng Wei,Wei Zhang,YING Wang,Liang Li,HAO LIU,Jie Wu,Chuncheng CHE,Tienlun Ting,Haocheng JIA,Cuiwei TANG,Qiangqiang LI. Владелец: Beijing BOE Sensor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

Three-dimensional nand memory device and fabrication method

Номер патента: US20240237338A9. Автор: Wei Xu,Zongliang Huo,Lei Xue,Longxiang Yan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Circuit structure and fabrication method thereof

Номер патента: US12133337B2. Автор: Yi Hung Lin,Li-Wei Sung. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: WO2024108427A1. Автор: Zhiliang Xia,Jing Gao,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-30.

Contact pads of three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: WO2022120630A1. Автор: Yongqing Wang,Siping Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-06-16.

Memory device structure and fabricating method thereof

Номер патента: US20160365313A1. Автор: Sheng-Fen Chiu,Shaobin Li,Jinshuang Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-12-15.

Stack capacitor, a flash memory device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20220359551A1. Автор: Zhi Tian,Hua Shao,Haoyu Chen,Juanjuan Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-11-10.

Stack capacitor, a flash memory device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20210305265A1. Автор: Zhi Tian,Hua Shao,Haoyu Chen,Juanjuan Li. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Split gate memory device, semiconductor device and forming method thereof

Номер патента: US09536889B2. Автор: Lingyue Zhang. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20230422524A1. Автор: Tao Yang,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20230422520A1. Автор: WEI Liu,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Dongxue Zhao,Dongyu FAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Stretchable composite electrode and fabricating method thereof

Номер патента: US20240212876A1. Автор: Wei Sheng CHEN,Ching Mao Huang,Jia Hui Zhou,Shu Xiong Wang,Chin Hui Lee,Huan Ran YUN. Владелец: TPK Advanced Solutions Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor devices and fabrication methods thereof, memory systems

Номер патента: US20240164117A1. Автор: LAN Yao,CHENG Chen,Jing Li,Quan Zhang,Yanwei Shi,Boru Xie. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

PMOS transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US09741820B2. Автор: Lihong Xiao,Qiuhua Han. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Integrated circuit and fabrication method thereof

Номер патента: US20200066580A1. Автор: Chien-Chung Huang,Jyu-Horng Shieh,Chang-Sheng Lin,Chih-Yuan Ting,Yu-Shu Chen,Tai-Yen PENG,Sin-Yi Yang,Chen-Jung Wang,Han-Ting Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-27.

Non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150311299A1. Автор: Kyung Min Kim,Jung Goo Park,Jeong Ho Cho,Se Woon KIM. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

Semiconductor fuses with nanowire fuse links and fabrication methods thereof

Номер патента: US10332834B2. Автор: Min-Hwa Chi,Chun Yu Wong,Ashish Baraskar,Jagar Singh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-06-25.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210066493A1. Автор: Kuo-Feng Huang,Yu-Chi Kuo,Che-Jui HSU,Ying-Fu Tung,Chun-Sheng Lu,Wang-Ta Li. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11751376B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9691907B1. Автор: Shih-Chang Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor Device and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20080079098A1. Автор: Ji Ho Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-04-03.

Three-dimensional memory device with deposited semiconductor plugs and methods for forming the same

Номер патента: US11758722B2. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor package structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09911702B2. Автор: Kuang-Hsiung Chen,Tien-Szu Chen,Sheng-Ming Wang,Yu-Ying Lee. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Carrier, semiconductor package and fabrication method thereof

Номер патента: US09899237B2. Автор: Shih-Kuang Chiu,Meng-Tsung Lee,Chiang-Cheng Chang,Jung-Pang Huang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09691907B1. Автор: Shih-Chang Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor fuses with nanowire fuse links and fabrication methods thereof

Номер патента: US09601428B2. Автор: Min-Hwa Chi,Chun Yu Wong,Ashish Baraskar,Jagar Singh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Contact liners for integrated circuits and fabrication methods thereof

Номер патента: US09431303B2. Автор: Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Three-dimensional memory devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US11302715B2. Автор: Jun Liu,Li Hong XIAO,Yu Ting ZHOU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-12.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20180047829A1. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Semiconductor device structures and fabrication methods thereof

Номер патента: WO2018223967A1. Автор: Rongfu ZHU. Владелец: CHANGXIN MEMORY TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2018-12-13.

FinFET and fabrication method thereof

Номер патента: US9647067B1. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Magnesium ion battery cathode material doped at magnesium site and fabricating method thereof

Номер патента: AU2021104796A4. Автор: Zhenbo Peng,Zhaoshen YU,Zhengyong Yuan. Владелец: Ningbo Polytechnic. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20240274684A1. Автор: Deyuan Xiao,GuangSu SHAO,Yunsong QIU. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-08-15.

Display panel, array substrate, and fabrication method thereof

Номер патента: US20170221925A1. Автор: Junhui Lou,Tianyi Wu. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

Image sensor pixel and fabrication method thereof

Номер патента: EP1900029A1. Автор: Cheol Soo Park. Владелец: Siliconfile Technologies Inc. Дата публикации: 2008-03-19.

Semiconductor memory device capable of preventing oxidation of plug and method for fabricating the same

Номер патента: US20030001186A1. Автор: Soon-Yong Kweon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-01-02.

Stacked semiconductor package and fabricating method thereof

Номер патента: US20030075788A1. Автор: Un-Young Chung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-24.

Array substrate and fabrication method thereof, and display panel

Номер патента: US09929184B2. Автор: Seungjin Choi,Youngjin Song. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Amorphous silicon photoelectric device and fabricating method thereof

Номер патента: US09741893B2. Автор: Xu Chen,Shaoying Xu,Zhenyu Xie. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Silicon carbide semiconductor element and fabrication method thereof

Номер патента: US09728606B2. Автор: Takashi Tsuji,Kenji Fukuda,Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device using EMC wafer support system and fabricating method thereof

Номер патента: US09627368B2. Автор: Doo Hyun Park,Jin Young Kim,Ju Hoon Yoon,Seong Min Seo,Choon Heung Lee,Glenn Rinne. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Array substrate and fabrication method thereof, and display device

Номер патента: US09502517B2. Автор: Jun Cheng,Guangcai Yuan,Dongfang Wang,Xiangyong Kong,Ce ZHAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Three-dimensional memory devices and fabrication methods thereof

Номер патента: US11943923B2. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Method and structure for forming stairs in three-dimensional memory devices

Номер патента: US20210134830A1. Автор: Zhu Yang,CHEN ZUO,Jingjing Geng,Xiangning Wang,Xinxin LIU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-06.

Multiple-stack three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: AU2018433803A1. Автор: Qian Tao,Zhenyu Lu,Jun Liu,Zongliang Huo,Yushi Hu,Lihong Xiao,Zhaohui Tang,Yuting Zhou,Sizhe Li,Zhaosong Li. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-15.

Method and structure for forming stairs in three-dimensional memory devices

Номер патента: US20230095343A1. Автор: Zhu Yang,CHEN ZUO,Jingjing Geng,Xiangning Wang,Xinxin LIU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Alkaloid halogen-doped sulfide glasses for optical amplifier and fabricating method thereof

Номер патента: US20020025898A1. Автор: Sun-Tae Jung,Jong Heo,Dong-Chin Lee,Hye-Sun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-02-28.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20180166342A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-06-14.

Fin field-effect transistor and fabrication method thereof

Номер патента: EP3190610A3. Автор: Gang MAO. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-07-19.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12063779B2. Автор: Ryota Katsumata,Yoshihiro AKUTSU. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Diffusion barrier layer for semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20030047811A1. Автор: Sung-Man Lee,Jae-Hee Ha,Hong Baik. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2003-03-13.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030080374A1. Автор: Hajime Arai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-01.

Multi-chip stack structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20080224289A1. Автор: Cheng-Hsu Hsiao,Chien-Ping Huang,Chin-Huang Chang,Chung-Lun Liu,Jung-Pin Huang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-18.

Circuit board structure for electrical testing and fabrication method thereof

Номер патента: US8222528B2. Автор: Pao-Hung Chou. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2012-07-17.

Transistor having germanium channel on silicon nanowire and fabrication method thereof

Номер патента: US09935189B2. Автор: Seongjae Cho,Mina Yun. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Gachon University. Дата публикации: 2018-04-03.

Conductive plug structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09837311B2. Автор: Liang Wang,Xiaotian Ma. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09768185B2. Автор: Ryota Katsumata,Yoshihiro AKUTSU. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Thin film transistor and fabrication method thereof, array substrate, and display device

Номер патента: US09716108B2. Автор: Jun Cheng,Guangcai Yuan. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device structures with self-aligned fin structure(s) and fabrication methods thereof

Номер патента: US09478661B1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Integrated device with inductive and capacitive portions and fabrication methods

Номер патента: US09460996B1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

FinFET fabrication method using buffer layers between channel and semiconductor substrate

Номер патента: US09425101B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Memory device, package structure and fabricating method thereof

Номер патента: US11855006B2. Автор: Ching-Hua Hsieh,Chih-Wei Lin,Yi-Da Tsai,Chao-Wei Li,Sheng-Hsiang Chiu,Yu-Hao Chen,Sheng-Feng Weng,Chia-Min Lin,Wei-Lun Tsai,Kai-Ming CHIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US11837541B2. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Kun Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Multiple-stack three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240179911A1. Автор: Qian Tao,Zhenyu Lu,Jun Liu,Zongliang Huo,Yushi Hu,Li Hong XIAO,Yu Ting ZHOU,Sizhe Li,Zhao Hui Tang,Zhaosong Li. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Method and structure for forming stairs in three-dimensional memory devices

Номер патента: US11950418B2. Автор: Zhu Yang,CHEN ZUO,Jingjing Geng,Xiangning Wang,Xinxin LIU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Three-dimensional ferroelectric field effect transistor random access memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240164107A1. Автор: Tao Yang,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20220115322A1. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Kun Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-14.

Semiconductor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20210066462A1. Автор: Qingchun Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor stacking layer and fabricating method thereof

Номер патента: US8188470B2. Автор: Chih-Yuan Hou. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-05-29.

Packaging structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20220246446A1. Автор: Lei Shi. Владелец: Nantong Tongfu Microelectronics Co ltd. Дата публикации: 2022-08-04.

Split-gate non-volatile memory and fabrication method thereof

Номер патента: US20200027888A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: Nexchip Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-23.

Semiconductor Device and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20100148278A1. Автор: Dong Woo Kang. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-17.

Semiconductor stacking layer and fabricating method thereof

Номер патента: US20120202339A1. Автор: Chih-Yuan Hou. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-08-09.

Semiconductor stacking layer and fabricating method thereof

Номер патента: US20100258800A1. Автор: Chih-Yuan Hou. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2010-10-14.

Thin film transistor and fabricating method thereof

Номер патента: US20020005540A1. Автор: Dong Kim,Kyo Moon. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-17.

Split-gate non-volatile memory and fabrication method thereof

Номер патента: US10636801B2. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: Nexchip Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-28.

Thin film transistor and fabricating method thereof

Номер патента: US20020121667A1. Автор: Dong Kim,Kyo Moon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-05.

Contact via structure and fabricating method thereof

Номер патента: US09978677B2. Автор: Ji Quan LIU. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Low temperature poly-silicon thin film transistor and fabrication method thereof, array substrate and display device

Номер патента: US09768308B2. Автор: Zheng Liu,Chunping Long,Xiaolong Li,Liang Sun,Xiaoyong Lu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Fin field effect transistor and fabricating method thereof

Номер патента: US09716178B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Package structure and fabrication method thereof

Номер патента: US09666536B2. Автор: Yi-Wei Liu,Yi-Che Lai,Hung-Wen Liu,Mao-Hua Yeh,Yan-Heng Chen. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Optical cover plate with improved solder mask dam on glass for image sensor package and fabrication method thereof

Номер патента: US09653500B2. Автор: Chia-Sheng Lin. Владелец: XinTec Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Static random-access memory and fabrication method thereof

Номер патента: US11088149B2. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-08-10.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US11990518B2. Автор: Jian-Feng Li,Chia-Hua Chang,Hsiang-Chieh Yen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Structure for reducing stress for vias and fabricating method thereof

Номер патента: US20090156001A1. Автор: Yung-Yu Hsu,Ra-Min Tain,Shyi-Ching Liau,Chih-Yuan Cheng,Shou-Lung Chen,Shan-Pu Yu,Ji-cheng Lin,Rong-Chang Feng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-18.

Single-sided light-emitting led chips and fabrication method thereof

Номер патента: US20200020832A1. Автор: Hui Lin,Liangchen Wang,Zhaozhong LIU,Wenxin LAN. Владелец: Shenzhen Niceuv Optics Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Quantum dot light-emitting diode and fabrication method thereof

Номер патента: US20230043770A1. Автор: Zhiwen NIE. Владелец: TCL Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Flash memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20030052359A1. Автор: Sung Shin,Jae Eom. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-03-20.

Single poly non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11825650B2. Автор: Jung Hwan Lee,Min Kuck Cho,Su Jin Kim,In Chul Jung. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

High-voltage-withstanding semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20080111192A1. Автор: Osamu Koike. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-15.

Active layer, thin film transistor, array substrate, and display apparatus and fabrication methods

Номер патента: EP3403281A1. Автор: Lei Wang,Liangchen YAN,Guangcai Yuan,Xiaoguang XU,Junbiao Peng,Linfeng Lan. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2018-11-21.

CMOS Device for Reducing Charge Sharing Effect and Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20130161757A1. Автор: DONG Yang,Xing Zhang,Ru Huang,Fei Tan,Xia An,Qianqian Huang. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-06-27.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20240194594A1. Автор: Min-Teng Chen. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Normally-closed device and fabrication method thereof

Номер патента: US20220285538A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Semiconductor structure and fabrication method thereof, and memory

Номер патента: US20230189518A1. Автор: Heng-Chia Chang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Digital garment using digital band and fabricating method thereof

Номер патента: WO2009107907A1. Автор: Dae Hoon Lee,Gi Soo Chung,Jae Sang An. Владелец: Korea Institute of Industrial Technology. Дата публикации: 2009-09-03.

Compensated Photonic Device Structure And Fabrication Method Thereof

Номер патента: US20170271543A1. Автор: Wang Chen,Su Li,Dong Pan,Pengfei Cai,Mengyuan Huang,Tzung-I Su,Ching-yin Hong. Владелец: SiFotonics Technologies Co Ltd Cayman Islands. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US12046647B2. Автор: King Yuen Wong,Hang Liao,Lijie Zhang. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: WO2022027536A1. Автор: Han-Chin Chiu. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-02-10.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20170365514A1. Автор: Lan-Lin Chao,Chih-Ming Chen,Cheng-Yuan Tsai,Szu-Yu Wang,Han-Yu Chen,Chun-Han TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-21.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US20190259848A1. Автор: Lan-Lin Chao,Chi-Ming Chen,Cheng-Yuan Tsai,Szu-Yu Wang,Han-Yu Chen,Chun-Han TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-22.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US11735635B2. Автор: Lan-Lin Chao,Chih-Ming Chen,Cheng-Yuan Tsai,Szu-Yu Wang,Han-Yu Chen,Chun-Han TSAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Semiconductor memory device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20180190586A1. Автор: Feng-Yi Chang,Shih-Fang Tzou,Fu-Che Lee,Feng-Ming Huang,Chien-Cheng Tsai. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor chip, semiconductor package and fabricating method thereof

Номер патента: US20160005697A1. Автор: Seok-Ha Lee,Hyun-Pil Noh,Jeong-Woon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-01-07.

Trench power MOSFET structure fabrication method

Номер патента: US9035378B2. Автор: Hsiu-wen Hsu,Chun-Ying Yeh,Yuan-Ming Lee. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-19.

Semiconductor device package and fabricating method thereof

Номер патента: US20090020881A1. Автор: Sang Chul Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-01-22.

Thin film transistor and fabricating method thereof, and array substrate

Номер патента: US10535781B2. Автор: Lin Chen,Mengyu Luan,Chengshao Yang,Haijiao QIAN. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-14.

Single-sided light-emitting LED chips and fabrication method thereof

Номер патента: US10825960B2. Автор: Hui Lin,Liangchen Wang,Zhaozhong LIU,Wenxin LAN. Владелец: Shenzhen Niceuv Optics Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-03.

Single poly non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240049463A1. Автор: Jung Hwan Lee,Min Kuck Cho,Su Jin Kim,In Chul Jung. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Single poly non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230053444A1. Автор: Jung Hwan Lee,Min Kuck Cho,Su Jin Kim,In Chul Jung. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-23.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10868196B2. Автор: Wen-Yueh Jang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2020-12-15.

Three-dimensional cavity surface emitting laser structure and fabrication method thereof

Номер патента: US5895224A. Автор: Hye-Yong Chu,Hyo-Hoon Park,Byueng-Su Yoo. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 1999-04-20.

Hybrid drive shaft using friction-stir welding and fabrication method thereof

Номер патента: US09958003B2. Автор: Dong Ho Kim. Владелец: Woo Shin Emc Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Composite decarbonization solution added with carbon nano tube for recycling carbon dioxide in mixed gas

Номер патента: EP3666366A1. Автор: Xiaojing Li,Shaoyun Chen,Yongchun Zhang. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2020-06-17.

Flooring material and fabrication method thereof

Номер патента: US09833974B2. Автор: Gyeongmin Lee,Hyunjong Kwon,Kyungtae Ha. Владелец: LG HAUSYS LTD. Дата публикации: 2017-12-05.

Electric Conductivity and Anti-abrasion Property Excellent Material and the manufacturing method thereof

Номер патента: KR100915394B1. Автор: 김주호,이대열,윤기덕,정성실,박동용. Владелец: 주식회사 어플라이드카본나노. Дата публикации: 2009-09-03.

Semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US20110195257A1. Автор: Shu-Lin Ho,Hsin-Chang Hsiung. Владелец: Core Precision Material Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-11.

Covering for railroad switch mechanisms in hollow sleepers and fabrication method thereof

Номер патента: EP2226426A3. Автор: Cesar Fernandez Sanchez,Luis Blanco Belda. Владелец: Desarrollos Y Fabricacion Dyf Sa. Дата публикации: 2014-01-01.

Multi-tubular reactor and multi-tubular reactor design and fabrication method

Номер патента: US09713800B2. Автор: Shingo Yamauchi,Tamotsu Takamoto. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Inkjet printer head and fabricating method thereof

Номер патента: US20070171259A1. Автор: Won-Chul Sim,Soon-Young Kim,Jae-Woo Joung. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2007-07-26.

Silicide capacitive micro electromechanical structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20230116389A1. Автор: Chun-Chieh Lin,Di-Bao Wang. Владелец: Taiwan Asia Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-04-13.

Aluminum alloy flux-cored welding wire and fabrication method thereof

Номер патента: US20240227087A1. Автор: Chang Miao,Rui CAO,Yutao Zhao,Xizhou Kai,Chengchao DU,Zhuangzhuang XU. Владелец: Jiangsu University. Дата публикации: 2024-07-11.

Artificial retinal nerve flexible microelectrode device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210290947A1. Автор: Chengzhi LUO. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Aluminum alloy flux-cored welding wire and fabrication method thereof

Номер патента: US12042885B1. Автор: Chang Miao,Rui CAO,Yutao Zhao,Xizhou Kai,Chengchao DU,Zhuangzhuang XU. Владелец: Jiangsu University. Дата публикации: 2024-07-23.

Nickel-iron alloy hydrogenation catalyst and fabricating method thereof

Номер патента: US20210113999A1. Автор: Chuh-Yung Chen,Cheng-Chien Wang,Ying-Ji Lin,Po-Wei LAN. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2021-04-22.

Nickel-iron alloy hydrogenation catalyst and fabricating method thereof

Номер патента: EP3808452A1. Автор: Chuh-Yung Chen,Cheng-Chien Wang,Ying-Ji Lin,Po-Wei LAN. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2021-04-21.

Nickel-iron alloy hydrogenation catalyst and fabricating method thereof

Номер патента: US11583835B2. Автор: Chuh-Yung Chen,Cheng-Chien Wang,Ying-Ji Lin,Po-Wei LAN. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2023-02-21.

Natural adhesive using garlic and fabricating method of the same

Номер патента: US20110000396A1. Автор: Jin Hwa Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-06.

Natural adhesive using garlic and fabricating method of the same

Номер патента: EP2195399A2. Автор: Jin Hwa Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-16.

Biomimetic, nanofiber-based and directional moisture-wicking electronic skins and fabrication methods thereof

Номер патента: US20240260899A1. Автор: Jinlian Hu,Shuo SHI,Yifan Si,Chuanwei ZHI. Владелец: City University of Hong Kong CityU. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of manufacturing ordered arrangement of graphene-carbon nano tube of metal substrate and composite coatings for carbon deposit

Номер патента: US20240150887A1. Автор: Shih-Pao Chien. Владелец: Trusval Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Suture-free coagulation-assisted fixed cardiac patch and preparation method thereof

Номер патента: US20240335272A1. Автор: Yang Zhu,Changyou Gao,Yuwen LU,Tanchen REN,Liyin SHEN,Xiaoqian HONG. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2024-10-10.

Organic silicon phosphate and fabrication method thereof

Номер патента: US20110160475A1. Автор: Dick Zhong,Hsueh-Tso Lin,Kuan-Ching Chen,Shang-Wei Tang. Владелец: Grand Tek Advance Material Science Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-30.

PHASE CHANGE MEMORY DEVICE HAVING BURIED CONDUCTION LINES DIRECTLY UNDERNEATH PHASE CHANGE MEMORY CELLS AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120149167A1. Автор: YANG Ki Ho. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-06-14.

Carbon nano tube polymer composite conductive material and preparation method thereof

Номер патента: CN109754907B. Автор: 李军,梅毅,谢德龙,吴华,邓卫斌,盛鑫鑫,陆文宇. Владелец: KUNMING UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2020-03-27.

Carbon nano-tube cement-based waterproof material and preparation method thereof

Номер патента: CN102603235A. Автор: 王婷,刘爱华,刘小艳,蒋亚清,明维,周茂昆. Владелец: Hohai University HHU. Дата публикации: 2012-07-25.

Carbon nano tube/epoxide resin composite material and preparation method thereof

Номер патента: CN101775194A. Автор: 王霞,贾润萍,张文静,李晓燕,廖圣云,窦仁美. Владелец: UNIVERSITY OF SHANGHAI FOR SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2010-07-14.

A kind of carbon nano-tube film frequency-selective surfaces and preparation method thereof, radome

Номер патента: CN105206942B. Автор: 江大志,鞠苏,石刚,张鉴炜,蒋彩,林少锋,朱璞. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF DEFENSE TECHNOLOGY. Дата публикации: 2018-02-27.

Carbon nano-tube cement-based waterproof material and preparation method thereof

Номер патента: CN102603235B. Автор: 王婷,刘爱华,刘小艳,蒋亚清,明维,周茂昆. Владелец: Hohai University HHU. Дата публикации: 2013-07-03.

Graphene/carbon nano tube/graphite film composite material and preparation method thereof

Номер патента: CN104029461A. Автор: 成文俊,杨玉晴,蔡铜祥. Владелец: Jiangsu Yueda Novel Material Science And Technology Ltd. Дата публикации: 2014-09-10.

Nitrogen-doped carbon nano-tube array and graphene hybrid and preparation method thereof

Номер патента: CN103407982A. Автор: 魏飞,张强,唐城,赵梦强,黄佳琦. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-11-27.

Catalyst using TiO2-coated carbon nano tube composite material as carrier and preparation method thereof

Номер патента: CN101623631B. Автор: 张孝彬,田唯,杨杭生,聂安民,樊孝玉,邱发敏,侯天峰. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2011-11-16.

Carbon nano tube/polyurethane gas separation membrane and preparation method thereof

Номер патента: CN104258744A. Автор: 王挺,吴礼光,陈雨霏. Владелец: ZHEJIANG GONGSHANG UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-01-07.

Modified carbon nano tube/thermosetting resin composite material and preparation method thereof

Номер патента: CN103073847B. Автор: 袁莉,顾嫒娟,梁国正,沈逸飞,强志翔. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-01-21.

MULTI-PIECE BOARD AND FABRICATION METHOD METHOD THEREOF

Номер патента: US20120047728A1. Автор: . Владелец: IBIDEN CO., LTD.. Дата публикации: 2012-03-01.

Memory device based on sulphonated graphene/poly(3,4-ethylenedioxythiophene)-poly(styrenesulfonate) composite materials and preparation method thereof

Номер патента: CN103594481A. Автор: 李亮,赵睿,张桥,喻湘华,吴艳光. Владелец: Wuhan Institute of Technology. Дата публикации: 2014-02-19.

A kind of carbon nano ring graft modification PBO polymkeric substance and preparation method thereof

Номер патента: CN103923316B. Автор: 黄玉东,刘丽,王明强,姜再兴. Владелец: Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2016-03-09.

Suction duct of air conditioner compressor and fabricating and connecting method thereof

Номер патента: CN101328878A. Автор: 马铁军,徐利华,戎谨,宗远华,谭嘉辉,余治忠,谭田养. Владелец: Guangdong Meizhi Compressor Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-24.

A kind of tin oxide nano tube self-assembled film material and preparation method thereof and arsenic removal application

Номер патента: CN107585783B. Автор: 李琦,张阁,杨炜沂. Владелец: Institute of Metal Research of CAS. Дата публикации: 2019-11-26.

Nano tube of cross linked polyphosphonitrile and preparation method thereof

Номер патента: CN1313516C. Автор: 朱路,唐小真. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2007-05-02.

A kind of precast splice type arch rib of ultra-high performance concrete and fabrication and installation method thereof

Номер патента: CN103898831B. Автор: 蒋田勇,田仲初,陈福焕. Владелец: CHANGSHA UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2016-05-18.

Anti-fuse one-time-programmable nonvolatile memory cell and fabricating and programming method thereof

Номер патента: TWI289855B. Автор: Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-11.

Embedded elastic retaining ring dust cover and fabrication and installation method thereof

Номер патента: CN106627636A. Автор: 李亚军,李鹏,罗燕,郭红锋,刘文松,杜方孟. Владелец: Zhuzhou Times New Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-10.

Multi-color blended yarn and fabric and production method thereof

Номер патента: CN102758363A. Автор: 徐伟杰,解新生,王景呈. Владелец: ZHEJIANG HUAFU MELANGE YARN CO Ltd. Дата публикации: 2012-10-31.

Three-dimensional annular braided composite material tube and mandrel separation system and method thereof

Номер патента: CN105350175B. Автор: 胡旭东,吴震宇,丁煌,应志平. Владелец: Zhejiang Sci Tech University ZSTU. Дата публикации: 2017-04-12.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

STRESS-ENGINEERED RESISTANCE-CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120001148A1. Автор: . Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

POWER MONITORING DEVICE FOR IDENTIFYING STATE OF ELECTRIC APPLIANCE AND POWER MONITORING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120004871A1. Автор: . Владелец: NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

WAFER LEVEL PACKAGE HAVING A PRESSURE SENSOR AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001274A1. Автор: Chen Chien-An,Huang Chun-An,Chiu Shih-Kuang,Liao Hsin-Yi,Chang Hong-Da. Владелец: SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

CHIP-SIZED PACKAGE AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001328A1. Автор: Huang Chien-Ping,Ke Chun-Chi,Chang Chiang-Cheng. Владелец: SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT-EMITTING DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001219A1. Автор: Park Kyungwook. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

TEST MODE CONTROL CIRCUIT IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND TEST MODE ENTERING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002494A1. Автор: Jo Jun-Ho,PARK Kyu-Min,KIM BYOUNGSUL,LEE Hakyong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Organic light emitting diode display and fabricating method thereof

Номер патента: US20120001206A1. Автор: Jeong Beung-Hwa,Kim Kwang-Nam,Jung Young-Ro,Ham Yun-Sik. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

VIDEO PROCESSING APPARATUS AND CONTROL METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002013A1. Автор: Asanuma Tomoya. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

Anti-corrosive coat with carbon nano-tubes filled with zinc

Номер патента: RU2312874C1. Автор: Александр Борисович Новиков,Сергей Семенович Меркулов,Борис Игоревич Ройтман. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный научно-исследовательский институт "Дельфин". Дата публикации: 2007-12-20.

OPTICAL APPARATUS, IMAGE SENSING DEVICE, AND CONTROL METHODS THEREOF

Номер патента: US20120002060A1. Автор: KUSANAGI SUGURU. Владелец: CANON KABISHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE CAPTURE APPARATUS, CONTROL METHOD THEREOF, AND RECORDING MEDIUM

Номер патента: US20120002098A1. Автор: . Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

Three-dimensional phase-change memory devices and controlling method thereof

Номер патента: WO2024216434A1. Автор: Jianping Li,Xiaojun Sun,Zuqi DONG. Владелец: Yangtze Advanced Memory Industrial Innovation Center Co., Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Three-dimensional phase-change memory devices and controlling method thereof

Номер патента: WO2024216432A1. Автор: Jianping Li,Xiaojun Sun,Zuqi DONG. Владелец: Yangtze Advanced Memory Industrial Innovation Center Co., Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002457A1. Автор: KANDA Kazushige. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002469A1. Автор: IMAMOTO Akihiro,Abiko Naofumi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THEREOF

Номер патента: US20120001246A1. Автор: . Владелец: Micron Technology Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001252A1. Автор: Alsmeier Johann,Purayath Vinod Robert,Chien Henry,Matamis George,Lee Yao-Sheng,Kai James,Zhang Yuan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPUTER SYSTEM AND CONTROL METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001913A1. Автор: Lee Kyung-Hee. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002472A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002475A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002478A1. Автор: Isobe Katsuaki,Kojima Masatsugu. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PROGRAMMING A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002481A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

CHARGE EQUILIBRIUM ACCELERATION IN A FLOATING GATE MEMORY DEVICE VIA A REVERSE FIELD PULSE

Номер патента: US20120002482A1. Автор: Kalavade Pranav,Franklin Nathan R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002485A1. Автор: Ono Takashi,MARUYAMA Takafumi,NISHIKAWA Kazuyo,Suwa Hitoshi,Nitta Tadashi,Ueminami Masahiro. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Circuit and method for eliminating bit line leakage current in random access memory devices

Номер патента: US20120002496A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RESISTANCE CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002458A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.