Memory device and data erasing method thereof.

Memory device and data erasing method thereof

Номер патента: US09361989B1
Опубликовано: 07-06-2016
Автор(ы): Kuo-Pin Chang
Принадлежит: Macronix International Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Memory device and data erasing method thereof

Номер патента: US20160172040A1. Автор: Kuo-Pin Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-16.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND NAND-TYPE FLASH MEMORY ERASE METHOD

Номер патента: US20190272879A1. Автор: Sudo Naoaki. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-05.

Non-volatile memory devices and data erasing methods

Номер патента: US20240105266A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Non-volatile semiconductor memory device and erasing method thereof

Номер патента: US09786376B2. Автор: Pin-Yao Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

CAM cell, CAM device and operation method thereof, and method for searching and comparing data

Номер патента: US12068030B2. Автор: Feng-Min Lee,Ming-Hsiu Lee,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Cam cell, cam device and operation method thereof, and method for searching and comparing data

Номер патента: US20240363164A1. Автор: Feng-Min Lee,Ming-Hsiu Lee,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Flash memory device and bit line charging method thereof

Номер патента: US20210375369A1. Автор: Chih-Ting Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Nonvolatile memory device and programming method thereof

Номер патента: US09595333B2. Автор: Youngwoo Park,Jaesung SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-14.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20220319608A1. Автор: Yeong Jo MUN,Hyun Seob SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Non-volatile memory device for performing precharge to cell string and program method thereof

Номер патента: US12062402B2. Автор: Byungsoo Kim,Kyungsoo Park,Hyunggon KIM,Sejin BAEK,Sangbum YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Nonvolatile memory device performing incremental step pulse program operation and operating method thereof

Номер патента: US11901022B2. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Flash memory device reducing noise of common source line, program verify method thereof, and memory system including that

Номер патента: KR101434399B1. Автор: 이희원,송중호,이주석,강상구. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2014-08-29.

Semiconductor memory device and data erasing method

Номер патента: US9355731B2. Автор: Kenichi Abe,Masanobu Shirakawa,Hidehiro Shiga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Non-volatile semiconductor memory with high reliability and data erasing method thereof

Номер патента: US09715935B2. Автор: Riichiro Shirota. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Non-volatile semiconductor memory device and erase method thereof

Номер патента: US09779830B2. Автор: Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Nonvolatile memory device and erasing method thereof

Номер патента: US09627076B2. Автор: Sang-Wan Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09620221B1. Автор: Myeong Cheol SON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09704587B1. Автор: Eun Young Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Flash memory device and erase method thereof capable of reducing power consumption

Номер патента: US09865358B2. Автор: Kenichi Arakawa,Hiroki Murakami. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Data storage device and operation method thereof

Номер патента: US20160035427A1. Автор: Jae-Duk Yu,Dongku Kang,Chul Bum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-04.

Non-volatile memory device and memory system including the same and program method thereof

Номер патента: US12094540B2. Автор: Jinwoo Park,Sang-Wan Nam,Jaeyong Jeong,Won-Taeck JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory device and programming method thereof

Номер патента: EP4394773A1. Автор: Kuan-Fu Chen,Ya-Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Memory device and programming method thereof

Номер патента: US20240221835A1. Автор: Kuan-Fu Chen,Ya-Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20050029051A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Koji Hosono,Kenichi Imamiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-02-10.

Memory device and erasing and verification method thereof

Номер патента: US20240363169A1. Автор: Hongtao Liu,An ZHANG,Jianquan Jia,Kaiwei LI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Memory device and programming method thereof

Номер патента: US12112803B2. Автор: Kuan-Fu Chen,Ya-Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Nonvolatile memory device and an erase method thereof

Номер патента: US09299446B2. Автор: Ju-Hyung Kim,Chang-seok Kang,Young-Suk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-03-29.

Method and apparatus for data erase in memory devices

Номер патента: EP4325504A2. Автор: LEI Liu,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-21.

Non-volatile semiconductor memory with high reliability and data erasing method thereof

Номер патента: US20160099064A1. Автор: Riichiro Shirota. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-04-07.

Method and apparatus for data erase in memory devices

Номер патента: EP4325504A3. Автор: LEI Liu,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-29.

Memory Device and Erasing and Verification Method Thereof

Номер патента: US20210335426A1. Автор: Hongtao Liu,An ZHANG,Jianquan Jia,Kaiwei LI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-28.

Memory device and erasing and verification method thereof

Номер патента: US20230268007A1. Автор: Hongtao Liu,An ZHANG,Jianquan Jia,Kaiwei LI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Memory device and erasing and verification method thereof

Номер патента: US12100456B2. Автор: Hongtao Liu,An ZHANG,Jianquan Jia,Kaiwei LI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240203509A1. Автор: Seungbum Kim,Hyun SEO,Yonghyuk Choi,Seungyong Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory device and program operation method thereof

Номер патента: US12094536B2. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09633732B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US12068045B2. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: US09583203B2. Автор: Young-Il Kim,Sung-Wook Choi,Sang-Sun Lee,Jung-Hoon HAM. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2017-02-28.

Method and apparatus for data erase in memory devices

Номер патента: US11862251B2. Автор: LEI Liu,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Non-volatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US9805796B2. Автор: Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King. Владелец: Copee Technology Co. Дата публикации: 2017-10-31.

Nonvolatile memory device, storage device including nonvolatile memory device, and operating method of storage device

Номер патента: US20240321366A1. Автор: Kun-Woo Song,Jonghwa Kim,Kyungyong Jeoung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory device, memory system including the memory device, and test operation of the memory device

Номер патента: US12125550B2. Автор: Jun Hyuk Lee,Min Kyu Lee,Deung Kak YOO,Dong Jae JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Non-volatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US09805796B2. Автор: Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King. Владелец: Copee Technology Co. Дата публикации: 2017-10-31.

Memory device for adjusting magnitude of signal used to precharge bit line according to position of plug hole and operating method thereof

Номер патента: US12014782B2. Автор: Jung Hyeong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: EP3912188A1. Автор: Linchum WU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-24.

Three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20210296351A1. Автор: Linchun Wu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Memory device performing incremental step pulse program operation and operating method thereof

Номер патента: US11776630B2. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Nonvolatile memory device having a dummy bit line driver and operation method thereof

Номер патента: US11887672B2. Автор: Dongha Shin,SeungYeon Kim,Beakhyung Cho,Myeong-Woo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-30.

Memory device capable of reducing program disturbance and erasing method thereof

Номер патента: WO2021092830A1. Автор: Qiang Tang,Xiang FU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-05-20.

Non-volatile memory device for performing precharge to cell string and program method thereof

Номер патента: US20220139473A1. Автор: Byungsoo Kim,Kyungsoo Park,Hyunggon KIM,Sejin BAEK,Sangbum YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-05.

Flash memory device having multi-level cell and reading and programming method thereof

Номер патента: US7254064B2. Автор: Yeong-Taek Lee,Dong-Hwan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-07.

Flash memory device having multi-level cell and reading and programming method thereof

Номер патента: US7489544B2. Автор: Yeong-Taek Lee,Dong-Hwan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-10.

Flash memory device having multi-level cell and reading and programming method thereof

Номер патента: US7035144B2. Автор: Yeong-Taek Lee,Dong-Hwan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-25.

Memory device and data search method for in-memory search

Номер патента: US20240021254A1. Автор: Po-Hao Tseng,Tian-Cih BO. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Memory device and in-memory search method thereof

Номер патента: US20240221830A1. Автор: Feng-Min Lee,Po-Hao Tseng,Tian-Cih BO. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Memory device and programming method thereof

Номер патента: US09466375B1. Автор: Yao-Wen Chang,Che-Shih Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20180075916A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-15.

Semiconductor memory device having memory strings coupled to bit lines and operating method thereof

Номер патента: US09899093B2. Автор: Jong Won Lee,Jin Su Park,Hyun Su WOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09672914B1. Автор: Eun Young Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09607711B1. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor memory device improving threshold voltage of unselected memory block and operating method thereof

Номер патента: US09466372B2. Автор: Chi Wook An. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20160148690A1. Автор: Chi Wook An. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-26.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240203492A1. Автор: Yu Wang,Ke Jiang,Zhichao DU,Weijun Wan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09570178B2. Автор: Byoung In JOO,Byoung Young KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Nonvolatile semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US9899095B2. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20220084597A1. Автор: Yeong Jo MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Memory device for controlling word line voltage and operating method thereof

Номер патента: EP4187541A1. Автор: Hyunkook Park,Sara Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-31.

Semiconductor memory device and writing operation method thereof

Номер патента: US09911498B2. Автор: Masanobu Shirakawa,Kenta Yasufuku,Akira Yamaga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Nonvolatile memory device, operating method thereof, and data storage device including the same

Номер патента: US09728264B2. Автор: Tae Hoon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: WO2024197764A1. Автор: Li Xiang,Ke Liang,Jinchi HAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US20240331775A1. Автор: Li Xiang,Ke Liang,Jinchi HAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US09570187B2. Автор: Ji Man HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Non-volatile memory device, operating method thereof, memory system including the non-volatile memory device, and operating method of the memory system

Номер патента: US09576666B2. Автор: Jae-Hong Kim,Young-Seop Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Nonvolatile memory device and operation method thereof

Номер патента: US12033707B2. Автор: Won-Taeck JUNG,Dongku Kang,Su Chang Jeon,Kyung-Min Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US12062406B2. Автор: Byoung Sung You. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Nonvolatile memory device and operation method thereof

Номер патента: US20240331785A1. Автор: Won-Taeck JUNG,Dongku Kang,Su Chang Jeon,Kyung-Min Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Non-volatile semiconductor memory device and improved verification and programming method for the same

Номер патента: US09646701B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Nonvolatile memory device and read method thereof

Номер патента: US09564237B2. Автор: Byeong-In Choe,Changhyun LEE,Jungdal CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20130235671A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-12.

Memory device and control method thereof

Номер патента: US09747989B1. Автор: Kuo-Pin Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Non-volatile semiconductor memory device and a programming method thereof

Номер патента: US20110228610A1. Автор: Naoyuki Shigyo,Kunihiro Yamada,Hideto Horii,Michiru Hogyoku. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-22.

Semiconductor memory device and controlling method thereof

Номер патента: US09589651B1. Автор: Muneyuki TSUDA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US8493788B2. Автор: Mitsuaki Honma,Yuko NAMIKI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-07-23.

Semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US20110216599A1. Автор: Mitsuaki Honma,Yuko NAMIKI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-08.

Memory device and wrap around read method thereof

Номер патента: US20240265954A1. Автор: Chung-Zen Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Nonvolatle memory device and memory system having the same, and related memory management, erase and programming methods

Номер патента: US09818485B2. Автор: Junjin Kong,Eun Chu Oh,Jongha KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-14.

Nonvolatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US09543026B2. Автор: Il-han Park,Minsu Kim,Jung-ho Song,Su Chang Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Erase method of nonvolatile memory device and storage device employing the same

Номер патента: US09478296B2. Автор: Sang-Wan Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-25.

Data storage device including nonvolatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US20160203870A1. Автор: Sangkwon Moon,Seungkyung Ro,Sang-Hwa Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-14.

Data storage device including nonvolatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US09589640B2. Автор: Sangkwon Moon,Seungkyung Ro,Sang-Hwa Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Storage device and table management method thereof

Номер патента: US09691487B2. Автор: Wan-soo Choi,Byungjune SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09607698B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20220122678A1. Автор: Young Il Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US11749361B2. Автор: Young Il Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor memory device, memory system including the same, and operating method thereof

Номер патента: US9384846B1. Автор: Keon Soo Shim,Bong Yeol PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20080025101A1. Автор: Koichi Fukuda,Midori Morooka,Hiroyuki Dohmae. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-01-31.

Memory device and reading method thereof

Номер патента: US09520199B2. Автор: Kuo-Pin Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240304249A1. Автор: Hyung Jin Choi,Se Chun Park,Chan Hui Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US12119063B2. Автор: Sang-Wan Nam,Bong-Kil Jung,Hyunggon KIM,Juseong HWANG,Younho HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Memory device, and manufacturing method and driving method thereof

Номер патента: US20230232635A1. Автор: Shuai Guo,Shijie BAI,Mingguang ZUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Memory device for stabilizing internal voltage and internal voltage stabilizing method thereof

Номер патента: KR20200117525A. Автор: 박용하,남상완,김채훈. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2020-10-14.

Memory device performing incremental step pulse program operation and operation method thereof

Номер патента: KR20220165109A. Автор: 최형진. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2022-12-14.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US5428569A. Автор: Hideo Kato,Masamichi Asano,Hiroto Nakai,Kaoru Tokushige. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1995-06-27.

Semiconductor memory device and data write method thereof

Номер патента: US09754662B2. Автор: Yukio Komatsu. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Memory device and computing method thereof

Номер патента: US12094564B2. Автор: Feng-Min Lee,Ming-Hsiu Lee,Dai-Ying LEE,Cheng-Hsien Lu,Yun-Yuan Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US11978519B2. Автор: Jung Ae Kim,Jee Yul KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US20220375523A1. Автор: Hang-Ting Lue,Teng-Hao Yeh,Yung-Feng Lin,Su-Chueh Lo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-24.

Memory controller and operating method thereof

Номер патента: US12051470B2. Автор: Sung Yeob Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US12068046B2. Автор: Sang Ho Yun,Jang Seob KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20210035622A1. Автор: Jong Wook Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09824758B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

3d memory device and programming method thereof

Номер патента: US20230352106A1. Автор: Amedeo IANTORNO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Nonvolatile memory device and operation method thereof

Номер патента: US20200194073A1. Автор: Joonsoo Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-18.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US09570189B1. Автор: Jae Yoon Lee,Hyung Min Lee,Myeong Woon JEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20200286542A1. Автор: Young Jin Woo,Won Yeol Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-09-10.

Memory system and operating method thereof for performing urgent fine program operation

Номер патента: US12056367B2. Автор: Sang Sik Kim,Chung Un NA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09627069B1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Nonvolatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US09524781B2. Автор: Seung-Bum Kim,Woopyo JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Memory device and program speed control method thereof

Номер патента: US12067258B2. Автор: Dong Hun Kwak,Hyun Seob SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory device and program speed control method thereof

Номер патента: US20240361921A1. Автор: Dong Hun Kwak,Hyun Seob SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor memory device and production method thereof

Номер патента: US20160247571A1. Автор: Hideto Takekida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-25.

Nonvolatile memory device and operation method thereof

Номер патента: EP4181142A1. Автор: Dongkyo Shim,Sang Soo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-17.

Flash memory device and programming method thereof

Номер патента: US20140126296A1. Автор: Hsing-Wen Chang,Yao-Wen Chang,Chu-Yung Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-08.

Nonvolatile memory device and wordline driving method thereof

Номер патента: US09786372B2. Автор: Yoon-hee Choi,Sang-Wan Nam,Bongsoon LIM,Sun-Min YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor storage device and production method thereof

Номер патента: US6538927B1. Автор: Hitoshi Nakamura,Kiyokazu Ishige,Kazuhiko Sanada,Kenji Saitou. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-03-25.

Flash memory device and programming method thereof

Номер патента: US20120243334A1. Автор: Hsing-Wen Chang,Yao-Wen Chang,Chu-Yung Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-27.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050270845A1. Автор: Keita Takahashi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-08.

Nonvolatile memory device and storage device having the same and operation method thereof

Номер патента: US09864682B2. Автор: Kitae Park,Doohyun Kim,BoGeun Kim,Jinman Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US09711197B1. Автор: Jae Woong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US12125536B2. Автор: Se Chun Park,Chan Hui Jeong,Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Flash memory device and programming and erasing methods therewith

Номер патента: US20090206382A1. Автор: Jin Hyo Jung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-08-20.

Flash memory device and programming and erasing methods therewith

Номер патента: US7538378B2. Автор: Jin Hyo Jung. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-05-26.

Multi-bit memory device and on-chip buffered program method thereof

Номер патента: US09847122B2. Автор: Jae-hwa Lee,Wan-soo Choi,Sang-Wook Nam,Taec-Jun KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-19.

Non-volatile semiconductor memory device and writing method thereof

Номер патента: US09424934B2. Автор: Mathias Yves Gilbert BAYLE. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20080025086A1. Автор: Lu-Ping chiang,Po-An Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2008-01-31.

Three-dimensional semiconductor devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US09601204B2. Автор: Youngwoo Park,Jintaek Park,Jaeduk LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Memory device and data approximation search method thereof

Номер патента: US20230368821A1. Автор: Chih-Chang Hsieh,Hang-Ting Lue. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Nonvolatile semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US20100008143A1. Автор: Akira Umezawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-14.

Device for determining read reference voltage of a memory device and operating method thereof

Номер патента: US20230298677A1. Автор: Sang Ho Yun,Jaekyun Moon,Younghyun Park,Sunyoung JO,Jungwuk PARK. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-09-21.

Nonvolatile memory devices, operating methods thereof and memory systems including the same

Номер патента: US20230268017A1. Автор: Jae-Hoon Jang,Jaehun Jeong,Hansoo Kim,Donghyuk Chae,Sun-Il Shim,Youngho Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-24.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240194275A1. Автор: Jong Woo Kim,Young Cheol SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Nonvolatile memory devices, operating methods thereof and memory systems including the same

Номер патента: US09747995B2. Автор: Jae-Hoon Jang,Jaehun Jeong,Hansoo Kim,Donghyuk Chae,Sun-Il Shim,Youngho Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor memory device detecting defect, and operating method thereof

Номер патента: US12100463B2. Автор: Sangwan Nam,KeeHo JUNG,Bongkil Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Non-volatile memory device and operation method thereof

Номер патента: US09899538B1. Автор: Tien-Fan Ou,Chun-Lung Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Three-dimensional memory device and operating method of a storage device including the same

Номер патента: US09401214B2. Автор: Donghun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-26.

Non-volatile memory devices and systems with read-only memory features and methods for operating the same

Номер патента: US11769561B2. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Read enable signal adjusting flash memory device and read control method of flash memory device

Номер патента: EP2232500A1. Автор: Hyunmo Chung,Hanmook Park. Владелец: Indilinx Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-29.

Read enable signal adjusting flash memory device and read control method of flash memory device

Номер патента: WO2009084796A1. Автор: Hyunmo Chung,Hanmook Park. Владелец: Indilinx Co., Ltd.. Дата публикации: 2009-07-09.

Method for controlling a read voltage of memory device and data read operating method using method thereof

Номер патента: KR101979734B1. Автор: 김수진,조경래,옥동주,노혜리. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2019-05-17.

Memory device, device and method for memory management

Номер патента: KR101028901B1. Автор: 이용석,정현모. Владелец: (주)인디링스. Дата публикации: 2011-04-12.

Resistance change memory, and data write and erase methods thereof

Номер патента: US7869259B2. Автор: Yoshiaki Asao. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-01-11.

Memory device with a three-dimensional vertical structure and driving method thereof

Номер патента: WO2024153970A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Andrea Martinelli,Christophe Vincent Antoine Laurent,Efrem Bolandrina. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-07-25.

In-memory computing (imc) memory device and imc method thereof

Номер патента: US20240231623A9. Автор: Hsiang-Lan Lung,Wei-Chih Chien,Cheng-Lin Sung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Programming mode for multi-layer storage flash memory array and switching control method thereof

Номер патента: US9542311B2. Автор: Jipeng Xing,Wenjie Huo,Dongxia Zhou. Владелец: Memoright Wuhan Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Nonvolatile memory devices and data storage systems including the same

Номер патента: US20240347490A1. Автор: Jiwon Kim,Sungmin Hwang,Jaeho Ahn,Sukkang SUNG,Joonsung Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US20240355394A1. Автор: Feng-Min Lee,Yu-Hsuan Lin,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Nonvolatile memory devices and data storage systems including the same

Номер патента: US12057421B2. Автор: Jiwon Kim,Sungmin Hwang,Jaeho Ahn,Sukkang SUNG,Joonsung Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory device and operation method thereof for performing multiply accumulate operation

Номер патента: US12033699B2. Автор: Po-Kai Hsu,Hang-Ting Lue. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09748260B2. Автор: Akihiro Nitayama,Masaru Kito,Mitsuru Sato,Yasuyuki Matsuoka,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US12050503B2. Автор: Woo Sick CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US20240345648A1. Автор: Woo Sick CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: WO2024130656A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-06-27.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240212753A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US11450363B2. Автор: Jae Woong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-09-20.

Storage device using power state information and operating method thereof

Номер патента: US09672915B2. Автор: Se-wook Na,Hyunchul PARK,Young-Jae Jung,Durina Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20210201982A1. Автор: Sangwan Nam,Yonghyuk Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor memory device and block management method of the same

Номер патента: US8127071B2. Автор: Min-Young Kim,Su-Ryun LEE,Song-ho Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-02-28.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09972397B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Memory devices and operating methods thereof, memory system

Номер патента: US20240203514A1. Автор: Lu GUO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory devices and operation methods thereof including a write voltage selectively applied to a well of a column multiplexer circuit

Номер патента: US12051456B2. Автор: Suk-Soo Pyo,Gyuseong KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-30.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US11755247B2. Автор: Dae Sung Kim,Jae Hyeong Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Bad block managing device and bad block managing method

Номер патента: WO2008013431A1. Автор: Kwang-su Kim. Владелец: MTEKVISION CO., LTD.. Дата публикации: 2008-01-31.

Memory device and programming method thereof

Номер патента: US20240071523A1. Автор: Shih-Chang Huang,Han-Sung Chen,Kun-Tse Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09449697B2. Автор: Masaru Yano,Pin-Yao Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Nor-type memory device, method of manufacturing nor-type memory device, and electronic apparatus including memory device

Номер патента: US20230301100A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institure Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US20070211533A1. Автор: Sang-jin Park,Sang-Min Shin,Young-soo Park,Young-Kwan Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-09-13.

Storage device and read methods thereof

Номер патента: US09836219B2. Автор: Yoon Kim,Kyungryun Kim,Sangyong Yoon,Kyehyun Kyung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor element memory cell and semiconductor element memory device

Номер патента: US20230377636A1. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor memory device and test method thereof

Номер патента: US20040223384A1. Автор: Kenichi Imamiya,Koichi Kawai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-11-11.

Semiconductor memory device and test method thereof

Номер патента: US20050213402A1. Автор: Kenichi Imamiya,Koichi Kawai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-09-29.

Scan fragmentation in memory devices

Номер патента: US20240256145A1. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Saeed Sharifi Tehrani,Christopher M. Smitchger. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Non-volatile semiconductor memory and erasing method thereof

Номер патента: US09870828B2. Автор: Riichiro Shirota,Katsutoshi Suito. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Non-volatile memory device capable of minimizing instant current consumption and performing memory operations in parallel, and method for operating the same, and system including the same

Номер патента: US09378134B2. Автор: Eui-Jin Kim,Byoung-Sung Yoo,Jun-Rye RHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-28.

Memory device structure and fabrication method

Номер патента: US20240194260A1. Автор: LIANG Chen,WEI Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Memory device for improving speed of program operation and operating method thereof

Номер патента: US11972111B2. Автор: Minseok Kim,Jisu Kim,Junyong PARK,Ilhan Park,Doohyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-30.

Memory device for improving speed of program operation and operating method thereof

Номер патента: EP4177896A1. Автор: Minseok Kim,Jisu Kim,Junyong PARK,Ilhan Park,Doohyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-10.

Nonvolatile memory device, wordline voltage generating method, programming method and reading method thereof, memory system and electronic device having the same

Номер патента: KR101780421B1. Автор: 이수웅,권석천,강상철. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2017-09-21.

NONVOLATILE MEMORY DEVICE, DATA STORAGE DEVICE INCLUDING THE SAME, AND OPERATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170062057A1. Автор: YANG Chan Woo. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-02.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, CONTROLLER, STORAGE DEVICE HAVING THE SAME, AND OPERATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20200202951A1. Автор: HONG Jiman. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-25.

Page buffer circuit of flash memory device with dual page program function and program operation method thereof

Номер патента: US20070035999A1. Автор: Byung Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-02-15.

Page buffer circuit of flash memory device with dual page program function and program operation method thereof

Номер патента: US7433240B2. Автор: Byung Ryul Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-10-07.

Self-Detecting and Data Rewriting System and Application Method Thereof

Номер патента: US20240152469A1. Автор: Chien-Liang Kuo. Владелец: Yahalala Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09741437B2. Автор: Min Kyu Lee,Kyoung Hoon LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09627071B2. Автор: Min Kyu Lee,Kyoung Hoon LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor memory device and data writing method

Номер патента: US20160225416A1. Автор: Tomotsugu GOTO. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2016-08-04.

Flash memory device and programming method thereof

Номер патента: US8194463B2. Автор: Jong-Hwa Kim,Young-Joon Choi,Seok-Cheon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-06-05.

Data erase operations for a memory system

Номер патента: US20230005548A1. Автор: Jonathan Tanguy,Adam J. Hieb,Preston A. Thomson,Kevin R. Brandt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Data erase operations for a memory system

Номер патента: US20210035645A1. Автор: Jonathan Tanguy,Adam J. Hieb,Preston A. Thomson,Kevin R. Brandt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Flash memory device and system including program sequencer and program method thereof

Номер патента: KR101734204B1. Автор: 박재우,이성수,주상현,최기환. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2017-05-12.

Nonvolatile memory device and real-time adaptive read voltage adjustment method thereof

Номер патента: CN107025940B. Автор: 戴颖煜,朱江力. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2020-11-20.

NONVOLATILE MEMORY DEVICE, DATA STORAGE DEVICE INCLUDING THE SAME AND OPERATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20190088293A1. Автор: Kim Do Hyun. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-21.

FLASH MEMORY DEVICE REDUCING NOISE PEAK AND PROGRAM TIME AND PROGRAMMING METHOD THEREOF

Номер патента: US20150063029A1. Автор: Lee Jong Cheol. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-05.

Flash memory device reducing noise peak and program time and programming method thereof

Номер патента: KR101449933B1. Автор: 이종철. Владелец: (주)니모스텍. Дата публикации: 2014-10-15.

Flash memory device with reduced coupling effect between cells and driving method thereof

Номер патента: KR100874920B1. Автор: 채동혁. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-12-19.

Memory device and erasing method thereof

Номер патента: US9678829B2. Автор: Kuen-Long Chang,Ken-Hui Chen,Yu-Chen Wang,Chin-Hung Chang,Chia-Feng Cheng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Memory device and erasing method thereof

Номер патента: US09678829B2. Автор: Kuen-Long Chang,Ken-Hui Chen,Yu-Chen Wang,Chin-Hung Chang,Chia-Feng Cheng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Memory device and erasing method thereof

Номер патента: US20240290400A1. Автор: Ju-Chieh Cheng,Lung-Chi Cheng,Ying-Shan Kuo. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Nonvolatile memory device and data storage device including the same

Номер патента: US09697903B1. Автор: Gi Pyo UM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09530467B1. Автор: Jin Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Nonvolatile memory device and data storage device including the same

Номер патента: US09773561B1. Автор: Gi Pyo UM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Nonvolatile memory device and an erasing method thereof

Номер патента: US09558834B2. Автор: Dongseog EUN,Byeong-In Choe,Mincheol Park,Eunsuk Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-31.

Memory device and control method thereof

Номер патента: US20220254420A1. Автор: Chung-Kuang Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Phase change memory device, operation method thereof, and data storage device having the same

Номер патента: US20130155765A1. Автор: Dong Keun Kim,Sun Hyuck Yon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-06-20.

Flash memory device and operating method thereof

Номер патента: US20120051135A1. Автор: Jung-Hwan Lee,Seong-Je Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-03-01.

Memory systems including nonvolatile memory devices and dynamic access methods thereof

Номер патента: US09646705B2. Автор: Kyung Ho Kim,Sangkwon Moon,Jihong Kim,Jaeyong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Memory device with relaxed timing parameter according to temperature, operating method thereof, and memory controller and memory system using the memory device

Номер патента: US09465757B2. Автор: Chul-woo Park,Uk-Song KANG,Jong-Pil Son,Seong-Young Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Memory device, peripheral circuit thereof and single-byte data write method thereof

Номер патента: US09805776B2. Автор: Yih-Lang Lin. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Resistive memory device with temperature compensation, resistive memory system, and operating method thereof

Номер патента: US09728252B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Man Chang,Hyun-Kook PARK,Yeong-Taek Lee,Yong-kyu Lee,In-Gyu Baek,Lijie Zhang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor memory device including command log register and command log output method thereof

Номер патента: US20230335209A1. Автор: Donghee Kim,Jun-Ho Jo,Youngsan Kang,Jungho Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor memory device for performing remaining bank refresh operation and refresh method thereof

Номер патента: US20240233802A9. Автор: Jongpil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory device for performing remaining bank refresh operation and refresh method thereof

Номер патента: US20240135982A1. Автор: Jongpil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Shift register memory device, shift register, and data storage method

Номер патента: US20150310928A1. Автор: Hideaki Aochi,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-29.

Memory device detecting defect of word line path and operating method thereof

Номер патента: US20240296898A1. Автор: Daeseok Byeon,Taehong KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-05.

Memory device using a plurality of supply voltages and operating method thereof

Номер патента: US20240282367A1. Автор: Taehyun Kim,Taemin CHOI,Seongook JUNG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor memory device that controls refresh period, memory system and operating method thereof

Номер патента: US09490001B2. Автор: Cheol Kim,Jung-Sik Kim,Sang-Ho Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Nonvolatile memory device for performing multi-plane read operation and operation method thereof

Номер патента: US20240203478A1. Автор: Seokin Hong,Yeji Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Nonvolatile resistive memory device using dynamic reference in dual domain and read method thereof

Номер патента: US20230138195A1. Автор: Jongsun Park,Joo Yoon KIM. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2023-05-04.

Memory device with parallel odd and even column access and methods thereof

Номер патента: US09552255B2. Автор: Dong-Uk Lee,Kyung-Whan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Memory device with a double helix biopolymer layer and fabricating method thereof

Номер патента: US8772081B2. Автор: Yu-Chueh Hung,Wei-Ting Hsu,Ting-Yu Lin,Ljiljana Fruk. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2014-07-08.

Memory Device with a Double Helix Biopolymer Layer and Fabricating Method Thereof

Номер патента: US20130320305A1. Автор: Yu-Chueh Hung,Wei-Ting Hsu,Ting-Yu Lin,Ljiljana Fruk. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2013-12-05.

Memory device, semiconductor system, and data processing system

Номер патента: US20230326500A1. Автор: Joo Young Kim,Min su Park,Min Soo LIM,Yong Sang PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Memory device with a data output buffer and the control method thereof

Номер патента: US6094380A. Автор: Jung Pill Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2000-07-25.

Memory device using a plurality of supply voltages and operating method thereof

Номер патента: US11990179B2. Автор: Taehyun Kim,Taemin CHOI,Seongook JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-21.

Nonvolatile memory device, data storage device including the same and operating method thereof

Номер патента: US20200073804A1. Автор: Min Gu Kang,Min Hwan MOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-03-05.

NONVOLATILE MEMORY DEVICE, MEMORY SYSTEM HAVING THE SAME, EXTERNAL POWER CONTROLLING METHOD THEREOF

Номер патента: US20140204680A1. Автор: Kim Taehyun,PARK JUNE-HONG,SEO SUNGWHAN,Lee Jinyub. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-07-24.

NONVOLATILE MEMORY DEVICE, MEMORY SYSTEM HAVING THE SAME, EXTERNAL POWER CONTROLLING METHOD THEREOF

Номер патента: US20150364204A1. Автор: Kim Tae Hyun,PARK JUNE-HONG,LEE JIN-YUB,SEO SUNGWHAN. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-17.

Semiconductor memory device, semiconductor device, and data write method

Номер патента: US7570522B2. Автор: Tokumasa Hara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-08-04.

Memory device

Номер патента: US20240272833A1. Автор: Yuji Nagai,Akio SUGAHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Nonvolatile memory device and operation method thereof

Номер патента: US20230352104A1. Автор: Jung Woo Lee,Yang Kyu Choi,Ji Man YU. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-11-02.

Sensing circuit of a phase change memory and sensing method thereof

Номер патента: US7796454B2. Автор: Shyh-Shyuan Sheu,Lieh-Chiu Lin,Pei-Chia Chiang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2010-09-14.

Memory device and test method thereof

Номер патента: US20240221855A1. Автор: Hang-Ting Lue,Chih-Wei Hu,Teng Hao Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09836216B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Storage device and operation method thereof

Номер патента: US12061796B2. Автор: Gyeongmin Nam,Chanha KIM,Seungryong Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Memory device and operation method thereof, and memory system

Номер патента: US20240355399A1. Автор: Li Xiang,Shuai Wang,Zhuo Chen,Chunyuan HOU,Zhipeng DONG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Nonvolatile memory device and program method thereof

Номер патента: US09799402B2. Автор: Jinwoo Kim,Youngjin Cho,Seong Yeon Kim,Hyo-Deok Shin,Younggeun LEE,Jaegeun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Nonvolatile memory device and operation method thereof

Номер патента: US20190278487A1. Автор: Chankyung Kim,Uksong Kang,Youngjin Cho,JinHyeok Choi,Sungyong SEO,Sun-Young Lim,Duckhyun Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-12.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US11748036B2. Автор: Chu Seok KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Nonvolatile memory device and program method thereof

Номер патента: US20160358657A1. Автор: Jinwoo Kim,Youngjin Cho,Seong Yeon Kim,Hyo-Deok Shin,Younggeun LEE,Jaegeun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-08.

Semiconductor memory device including multi-level cell and programming method thereof

Номер патента: US09859014B2. Автор: Sung Ho Kim,Min Sang Park,Gil Bok CHOI,Kyong Taek LEE,Yun Bong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Data storage device with temperature compensation and operating method thereof

Номер патента: US09666249B1. Автор: Sang Hyun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09524793B1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Memory device and enhance programming method thereof

Номер патента: US20240347118A1. Автор: Ju-Chieh Cheng,Ngatik Cheung,Lung-Chi Cheng,Ying-Shan Kuo,Shan-Hsuan Tsai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US20230238040A1. Автор: Seung Han RYU,In Bo Shim,Hae Seong JEONG,Hyeong Rak Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Nonvolatile Memory Device And Operation Method Thereof

Номер патента: US20230153001A1. Автор: Dongkyo Shim,Sang Soo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-18.

Memory system for write operation and method thereof

Номер патента: US20210240384A1. Автор: Siarhei Kryvaltsevich. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-05.

Storage and programming method thereof

Номер патента: US09875793B2. Автор: Kyungryun Kim,Sangyong Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Resistive memory device and operation method thereof

Номер патента: US09818481B2. Автор: Se Ho LEE,Hae Chan PARK,Seung Yun Lee,Myoung Sub KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Resistive memory device and operation method thereof

Номер патента: US09613690B2. Автор: Se Ho LEE,Hae Chan PARK,Seung Yun Lee,Myoung Sub KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20210295933A1. Автор: Eui Cheol Lim,Myoung Seo KIM,Mi Seon HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09466376B1. Автор: Hee Youl Lee,Hyun Seung Yoo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US09741402B2. Автор: Myeong Woon JEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Memory device and program/erase method therefor

Номер патента: US20190244670A1. Автор: Jun-Lin Yeh. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2019-08-08.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09478261B1. Автор: Seung Hwan Baek,Sung Yong Lim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device and data storage system including the same

Номер патента: US20240249775A1. Автор: Jiwon Kim,Sungmin Hwang,Jaeho Ahn,Sukkang SUNG,Joonsung Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory cell, memory device manufacturing method and memory device operation method thereof

Номер патента: US12069857B2. Автор: Feng-Min Lee,Yu-Hsuan Lin,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory system and memory device

Номер патента: US20190180800A1. Автор: Toshiya Matsuda,Hiroyuki Kawano,Kousuke Fujita. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09552883B1. Автор: SUNG Wook Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09478304B2. Автор: Dong Wook Lee,Myung Su KIM,Hwang Huh,Min Sang Park,Sung Hoon Cho,Sang Jo Lee,Gil Bok CHOI,Suk Kwang PARK,Yun Bong Lee,Chang Jin SUNWOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Storage devices and methods of operating storage devices

Номер патента: US12056007B2. Автор: Eun Chu Oh,Byungchul Jang,Junyeong Seok,Younggul SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Nonvolatile semiconductor memory device with read voltage setting controller

Номер патента: US09875804B2. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Memory devices, memory device operational methods, and memory device implementation methods

Номер патента: US09576618B2. Автор: Makoto Kitagawa,Yogesh Luthra. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Storage device for storing address information and data in memory device in response to occurrence of power loss and operating method of the storage device

Номер патента: US11797444B2. Автор: Jae Il LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Dual-gate device and method

Номер патента: US20080318380A1. Автор: Andrew J. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-25.

Semiconductor memory device that randomizes data and randomizer thereof

Номер патента: US09921772B2. Автор: Yasuhiko Kurosawa,Tsuyoshi Atsumi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Nonvolatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US09672924B2. Автор: Ohsuk Kwon,Kihwan Choi,Yongsung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor element memory device

Номер патента: US20230377658A1. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

A secure non-volatile memory device and a method of protecting data therein

Номер патента: EP2074628A2. Автор: Guoqiao Tao. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-07-01.

A secure non-volatile memory device and a method of protecting data therein

Номер патента: WO2008038242A2. Автор: Guoqiao Tao. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2008-04-03.

Memory controller and operation method thereof

Номер патента: EP4390927A1. Автор: Youngjin Cho,Sungwon KO,Hoyoung Chang,Kwansuk JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-26.

Flash memory device and method thereof

Номер патента: US12051756B2. Автор: Yen Chuang,Chia-Yu Liu,Nai-Wen Hsu,Yu-Jui Wu,Jiun-Yun Li,Wei-Chih Hou. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-07-30.

A secure non-volatile memory device and a method of protecting data therein

Номер патента: WO2008038243A1. Автор: Guoqiao Tao,Steven V. E. S. Van Dijk. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2008-04-03.

Nonvolatile memory device and operation method of storage device including the nonvolatile memory device

Номер патента: US09990130B2. Автор: Donghun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Nonvolatile memory device and operation method of storage device including the nonvolatile memory device

Номер патента: US09720595B2. Автор: Donghun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US09881696B2. Автор: Ju Seok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-30.

Nonvolatile memory system and data recovery method thereof

Номер патента: US09824778B2. Автор: Hyung-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US10453550B2. Автор: Hyungsup KIM,Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-22.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200005888A1. Автор: Hyungsup KIM,Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-02.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20190130992A1. Автор: Hyungsup KIM,Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-05-02.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240242743A1. Автор: Jungyu Lee,Jihyun Park,ChiWeon Yoon,Yumin KIM,Eunchan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory module including on-die termination circuit and control method thereof

Номер патента: US09978460B2. Автор: SukYong Kang,Hun-Dae Choi,Hangi Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-22.

Nonvolatile memory device and operation method of storage device including the nonvolatile memory device

Номер патента: US20170315723A1. Автор: Donghun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-02.

Semiconductor memory device, and data transmitting/receiving system

Номер патента: US20070274148A1. Автор: Tadashi Nitta,Kazuyo Nishikawa,Masahiro Ueminami. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-29.

Controller controlling semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09542269B1. Автор: Se Chun Park,Young Dong Roh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor memory device and method for operating the same

Номер патента: US20180157546A1. Автор: Deung Kak YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-07.

Semiconductor memory device and method for operating the same

Номер патента: US10180873B2. Автор: Deung Kak YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-01-15.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240290369A1. Автор: Dayoung Kim,Younghun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of correcting error of flash memory device, and, flash memory device and storage system using the same

Номер патента: US8612830B2. Автор: Jun Kitahara,Nagamasa Mizushima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2013-12-17.

Memory device and driving method of the memory device

Номер патента: US8854867B2. Автор: Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-07.

Memory device, memory controller and data access method thereof

Номер патента: CN112306733B. Автор: 胡家伟,谢宗儒,魏志嘉. Владелец: Asolid Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-08.

Memory device, memory controller and data access method thereof

Номер патента: CN112306733A. Автор: 胡家伟,谢宗儒,魏志嘉. Владелец: Asolid Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-02.

Memory device employing dual clocking for generating systematic code and method thereof

Номер патента: TW200845038A. Автор: Hoe-ju Chung,Youn-cheul Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-11-16.

Static random access memory device including dual power line and bit line precharge method thereof

Номер патента: US9171610B2. Автор: Jong-Sang Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-27.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE THAT CONTROLS REFRESH PERIOD, MEMORY SYSTEM AND OPERATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20140016422A1. Автор: KIM Jung-Sik,Kim Cheol,SHIN Sang-ho. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-16.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, MEMORY CONTROLLER, AND DATA PROCESSING SYSTEM INCLUDING THESE

Номер патента: US20140078848A1. Автор: IDE Akira,Hayashi Junichi. Владелец: . Дата публикации: 2014-03-20.

MEMORY DEVICE INCLUDING VIRTUAL FAIL GENERATOR AND MEMORY CELL REPAIR METHOD THEREOF

Номер патента: US20180166150A1. Автор: LEE Kwang-won,Nam In Cheol. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2018-06-14.

Bonded memory devices having flash memory controller and fabrication and operation methods thereof

Номер патента: US20200350286A1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

Memory device including virtual fail generator and memory cell repair method thereof

Номер патента: TWI736714B. Автор: 李光元,南仁哲. Владелец: 南韓商三星電子股份有限公司. Дата публикации: 2021-08-21.

Resistance memory device, memory apparatus and data processing system having the same

Номер патента: KR20140026157A. Автор: 이성민. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2014-03-05.

Memory device,memory unit and data write-in method

Номер патента: TWI524341B. Автор: 大澤隆,遠藤哲郎. Владелец: 國立大學法人東北大學. Дата публикации: 2016-03-01.

Semiconductor memory device, memory controller, and data processing system including these

Номер патента: US20110305057A1. Автор: Junichi Hayashi,Akira Ide. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-12-15.

Bonded memory devices having flash memory controller and fabrication and operation methods thereof

Номер патента: EP3891808A4. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-09.

Memory device including virtual fail generator and memory cell repair method thereof

Номер патента: TW201822220A. Автор: 李光元,南仁哲. Владелец: 南韓商三星電子股份有限公司. Дата публикации: 2018-06-16.

Bonded memory devices having flash memory controller and fabrication and operation methods thereof

Номер патента: WO2020220483A1. Автор: Jun Liu,Weihua Cheng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-11-05.

Semiconductor memory device and fail cell address program circuit and method thereof

Номер патента: KR100462877B1. Автор: 김재훈,오효진,서동일. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-12-17.

MEMORY DEVICE, PERIPHERAL CIRCUIT THEREOF AND SINGLE-BYTE DATA WRITE METHOD THEREOF

Номер патента: US20170206945A1. Автор: Lin Yih-Lang. Владелец: eMemory Technology Inc.. Дата публикации: 2017-07-20.

NONVOLATILE MEMORY DEVICE, DATA STORAGE DEVICE INCLUDING THE SAME AND OPERATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20200073804A1. Автор: KANG Min Gu,MOON Min Hwan. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-05.

SHIFT REGISTER MEMORY DEVICE, SHIFT REGISTER, AND DATA STORAGE METHOD

Номер патента: US20130294138A1. Автор: Aochi Hideaki,FUKUZUMI Yoshiaki. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-07.

SHIFT REGISTER MEMORY DEVICE, SHIFT REGISTER, AND DATA STORAGE METHOD

Номер патента: US20150310928A1. Автор: Aochi Hideaki,FUKUZUMI Yoshiaki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2015-10-29.

Semiconductor memory device having address and data pins

Номер патента: KR100214465B1. Автор: 최영근. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-08-02.

Sense amplifier and semiconductor memory device comprising it, and data sensing method

Номер патента: KR100780954B1. Автор: 이윤상,김명오. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-12-03.

Shift register memory device, shift register, and data storage method

Номер патента: US9548132B2. Автор: Hideaki Aochi,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

STATIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE INCLUDING DUAL POWER LINE AND BIT LINE PRECHARGE METHOD THEREOF

Номер патента: US20150063007A1. Автор: Choi Jong-Sang. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-05.

MEMORY DEVICE COMPENSATING FOR VARIATION IN TRIP VOLTAGE AND READ METHOD THEREOF

Номер патента: US20180096718A1. Автор: LEE Taeyun,KANG Kyoman,KIM CHAEHOON,KWON TAE-HONG,CHUN JIN-YOUNG. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE FOR PERFORMING DISABLE OPERATION USING ANTI-FUSE AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20140241085A1. Автор: SEO Sung-Min,RYU JE-MIN,CHO YONG-HO,HEO Nak-Won. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-08-28.

MEMORY DEVICE PERFORMING CARE OPERATION FOR DISTURBED ROW AND OPERATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20180342283A1. Автор: LEE Seung-Jun,HWANG Ju-seong,SHIN Seung-Jun,Choi Ik-Joon,SIN Hoon. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-29.

MEMORY DEVICE WITH PARALLEL ODD AND EVEN COLUMN ACCESS AND METHODS THEREOF

Номер патента: US20160365131A1. Автор: Lee Dong-Uk,KIM Kyung-Whan. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-15.

Synchronous semiconductor memory device having wave pipeline structure and wave pipeline control method thereof

Номер патента: KR100438778B1. Автор: 정대현. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-07-05.

The non-volatile memory device using organic ferroelectric thin film and the manufacturing method thereof

Номер патента: KR101211070B1. Автор: 윤성민,강승열,유병곤,황치선,변춘원,양신혁. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2012-12-12.

Static random access memory device for sharing power of local bitline and control method thereof

Номер патента: KR20190009143A. Автор: 김현준,박주현,정성욱,오태우. Владелец: 연세대학교 산학협력단. Дата публикации: 2019-01-28.

Static random access memory device for sharing power of local bitline and control method thereof

Номер патента: KR101986416B1. Автор: 김현준,박주현,정성욱,오태우. Владелец: 연세대학교 산학협력단. Дата публикации: 2019-06-05.

Semiconductor memory device having an improved signal transmission path and driving method thereof

Номер патента: KR100800486B1. Автор: 백승덕,강선원. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-02-04.

Memory device for compensating current of off cells and operating method thereof

Номер патента: KR102480012B1. Автор: 김무성,신준호,벤카타라마나 간가사니,나태희. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2022-12-21.

Resistance-variable memory device including carbide-based solid electrolyte membrane and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2010036001A2. Автор: 황현상,편명범. Владелец: 광주과학기술원. Дата публикации: 2010-04-01.

Semiconductor memory device including command log register and command log output method thereof

Номер патента: KR102428901B1. Автор: 김동희,정정호,조준호,강영산. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-08-04.

Memory device using polymer film by self-assembly and manufacturing method thereof

Номер патента: JP4886160B2. Автор: エイチ．クリージャージュリ,エフ．ユダノフニコライ. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2012-02-29.

Memory device employing dual clocking for generating systematic code and method thereof

Номер патента: US20080162833A1. Автор: Hoe-ju Chung,Youn-cheul Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-03.

Semiconductor memory device capable of multi-row address test and test method thereof

Номер патента: JP4685282B2. Автор: 金哲洙,金成勲,尹鴻九. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-05-18.

Semiconductor memory device for stack package and read data skew control method thereof

Номер патента: US20080043548A1. Автор: Hi-choon Lee,Won-Chang Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-21.

Memory device capable of refreshing data using buffer and refresh method thereof

Номер патента: TWI282989B. Автор: Min-Yeol Ha,Hyun-Taek Jung,Suk-Soo Pyo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-06-21.

Semiconductor Device and Method of Controlling Non-Volatile Memory Device

Номер патента: US20150261668A1. Автор: Seiji Miura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2015-09-17.

Multi-bank memory device and system

Номер патента: US09653148B1. Автор: Ming-Hung Wang,Tah-Kang Joseph Ting,Gyh-Bin Wang. Владелец: PieceMakers Tech Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Methods of operating semiconductor memory devices and semiconductor memory devices

Номер патента: US20190172512A1. Автор: Ki-Seok OH,Seong-Hwan Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-06.

Memory system and data processing system including the same

Номер патента: US12056027B2. Автор: Hyung-sup KIM,Eung-Bo SHIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory system and data processing system including the same

Номер патента: US20240354210A1. Автор: Hyung-sup KIM,Eung-Bo SHIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Memory device and method for altering performance characteristic based on bandwidth demand

Номер патента: US09588888B2. Автор: Janice H. Nickel,Gilberto Ribeiro. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-03-07.

Solid-state memory device with plurality of memory devices

Номер патента: WO2017046638A1. Автор: James T. Cerrelli. Владелец: 2419265 Ontario Limited. Дата публикации: 2017-03-23.

Method and device to distribute code and data stores between volatile memory and non-volatile memory

Номер патента: US09582216B2. Автор: Balaji Vembu,Murali Ramadoss. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor memory device and data masking method of the same

Номер патента: US20090161445A1. Автор: Sang Hee Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-25.

Storage devices and methods of operating storage devices

Номер патента: EP3955123A1. Автор: Jiwoon Park,Jaehyurk CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-16.

Storage devices and methods of operating storage devices

Номер патента: US20220051733A1. Автор: Jiwoon Park,Jaehyurk CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-17.

Memory device capable of calibration and calibration methods therefor

Номер патента: US20040141370A1. Автор: Manoj Bhattacharyya,Lung Tran. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-22.

Semiconductor integrated circuit with a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20200251174A1. Автор: Yoshihiro Yamaguchi,Ryouta Niwa,Katsumichi Katou,Nobuyuki Ishigooka,Masaki Sekimizu. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

Semiconductor Device and Method of Controlling Non-Volatile Memory Device

Номер патента: US20150032949A1. Автор: Seiji Miura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2015-01-29.

Memory device and test method thereof

Номер патента: US20090265592A1. Автор: Jih-Nung Lee,Hsiang-Huang Wu. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2009-10-22.

Semiconductor memory device and manufacturing method and read/write method therefor, and electronic device and memory circuit

Номер патента: EP4395490A1. Автор: Chao Zhao,Zhengyong Zhu,Guilei Wang,BokMoon Kang. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-07-03.

System and method for polling the status of memory devices

Номер патента: US09910600B2. Автор: Matthew Stephens,Neil Buxton. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Test device and test method thereof

Номер патента: US20240145024A1. Автор: Yao-Chang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US20230326518A1. Автор: Meng-Fan Chang,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang,Yi-Tse Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor memory device and driving method thereof

Номер патента: US20080002514A1. Автор: Kwang-Myoung Rho,Young-Hoon Oh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-01-03.

Semiconductor memory device and driving method thereof

Номер патента: US7746723B2. Автор: Kwang-Myoung Rho,Young-Hoon Oh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-06-29.

Semiconductor memory device and driving method thereof

Номер патента: USRE44632E1. Автор: Kwang-Myoung Rho,Young-Hoon Oh. Владелец: 658868 N B Inc. Дата публикации: 2013-12-10.

Semiconductor memory device and data storage method

Номер патента: US20090027993A1. Автор: Hironori Nakamura,Takayuki Kurokawa,Tatsuya Ishizaki,Kenichi Ushikoshi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-01-29.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US20240281166A1. Автор: Jae Woong Jeong,In Bo Shim,Dal Gon KIM,Na Yeong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Electronic device, memory device, and write leveling method thereof

Номер патента: US20240265955A1. Автор: Shun-Ke WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Electronic device, memory device, and write leveling method thereof

Номер патента: US12125557B2. Автор: Shun-Ke WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor memory device and writing method thereof

Номер патента: US20240347103A1. Автор: Hsi-Yuan Wang,Ying-Te Tu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Voltage regulator, memory system having the same and operating method thereof

Номер патента: US09886986B2. Автор: Ki Soo Kim,Jin Seong KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Voltage regulator, memory system having the same and operating method thereof

Номер патента: US09647538B2. Автор: Ki Soo Kim,Jin Seong KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US12032854B2. Автор: Beom Rae JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Memory device and operation method thereof for performing multiply-accumulate operation

Номер патента: US12040015B2. Автор: Yu-Yu Lin,Feng-Min Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory controller and operating method thereof

Номер патента: US20200310966A1. Автор: Mi Hee Lee,Dae Gyu Ha,Ho Ryong You. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

Semiconductor memory device and arrangement method thereof

Номер патента: US20080013357A1. Автор: Chul-woo Park,Sung-Hoon Kim,Jung-Bae Lee,Hyuk-joon Kwon,Youn-Sik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-17.

Semiconductor memory device and arrangement method thereof

Номер патента: US7679985B2. Автор: Chul-woo Park,Sung-Hoon Kim,Jung-Bae Lee,Hyuk-joon Kwon,Youn-Sik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-03-16.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US12106070B2. Автор: Yung-Chun Lee,Han-Wen Hu,Bo-Rong Lin,Huai-Mu WANG. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Memory device and reading method thereof

Номер патента: US20240371456A1. Автор: Wen-Jer Tsai,Chun-Chang LU,You-Liang CHOU. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Memory system for reducing program preparation operation time and operation method thereof

Номер патента: US09984001B2. Автор: Jin-woong Kim,Jong-Min Lee,Byoung-Sung YOU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Volatile memory device and electronic device comprising refresh information generator, information providing method thereof, and refresh control method thereof

Номер патента: US09928895B2. Автор: Yanggyoon Loh,Hoyoung SONG,Sangwoong Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240257843A1. Автор: Jungyu Lee,Jihyun Park,ChiWeon Yoon,Yumin KIM,Eunchan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory device and test method of the same

Номер патента: US10269443B2. Автор: Chih-Wei Chang,Chun-Chi Yu,Shen-Kuo Huang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-04-23.

Semiconductor memory device and method thereof

Номер патента: US20080165596A1. Автор: Chang-yong Lee,Won-kyung Chung,Kwun-Soo Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-10.

Semiconductor memory device and arrangement method thereof

Номер патента: US20080013397A1. Автор: Chul-woo Park,Sung-Hoon Kim,Jung-Bae Lee,Hyuk-joon Kwon,Youn-Sik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-17.

Methods for asynchronously signaling updated information from a memory device to a host and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20240289060A1. Автор: Frank F. Ross. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory devices and control methods thereof

Номер патента: US09437284B1. Автор: Jui-Lung Chen,Wei-Ting Chen,Yu-Hsi Ke. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Memory device using semiconductor element

Номер патента: US20240196591A1. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada,Masakazu Kakumu. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Resistive memory device and reliability enhancement method thereof

Номер патента: US20220069209A1. Автор: Frederick Chen,Chia-Wen Cheng,Ping-Kun Wang,Ming-Che Lin,Chang-Tsung Pai,Tzu-Yun Huang,He-Hsuan CHAO. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Error correction device and methods thereof

Номер патента: WO2007112163A2. Автор: Anis M. Jarrar,Jim C. Nash. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2007-10-04.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20210005241A1. Автор: Wen-Jer Tsai,Chun-Chang LU. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-07.

Memory device and operating method including a partial program operation and a partial erase operation thereof

Номер патента: US20180322925A1. Автор: Ji Ho Park,Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-11-08.

Memory device and operating method including a partial program operation and a partial erase operation thereof

Номер патента: US10503439B2. Автор: Ji Ho Park,Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-12-10.

Memory device and operating method including a partial program operation and a partial erase operation thereof

Номер патента: US10049746B2. Автор: Ji Ho Park,Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-08-14.

Semiconductor memory device and layout method of the same

Номер патента: US20040095836A1. Автор: Hyun-su Choi,Nak-woo Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-05-20.

Memory system including memory device and memory controller, and operating method thereof

Номер патента: US20230266893A1. Автор: Taehun Kim,Wooil Kim,Taewoo HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-24.

Memory system including memory device and memory controller, and operating method thereof

Номер патента: US12079491B2. Автор: Taehun Kim,Wooil Kim,Taewoo HAN. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Dongguk University. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor Memory Device and Operating Method Thereof

Номер патента: US20100277994A1. Автор: Ji-Hyae Bae. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-11-04.

Memory device and in-memory search method thereof

Номер патента: US20240274164A1. Автор: Feng-Min Lee,Po-Hao Tseng,Tian-Cih BO. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory chip and operating method thereof

Номер патента: US20240265956A1. Автор: Kuo-Hsiang Chen,Shih-Hsien Yang,Chung-Hung Chen,Yu-Chih Wang,Hsiang-Chi Cheng,Shyh-Bin KUO,Yi-Cheng LAl. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US12087361B2. Автор: Jungyu Lee,Bilal Ahmad Janjua,Jongryul Kim,Venkataramana Gangasani. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor memory device for preventing mal-operation induced by misrecognizing addresses/data as commands and operating method thereof

Номер патента: US7944763B2. Автор: Ji-Hyae Bae. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-05-17.

Memory device including predecoder and operating method thereof

Номер патента: US12112795B2. Автор: Chan Ho Lee,Tae Min CHOI,Kyu Won CHOI,Hyeong Cheol Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Memory device and operation methods thereof

Номер патента: US09978435B1. Автор: San-Ha Park. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US09966135B2. Автор: Il Park,Soo Hong Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Improved vertical 3d memory device and accessing method

Номер патента: US20240237358A1. Автор: Corrado Villa,Efrem Bolandrina,Paolo Fantini,Stefan Frederik Schippers. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory and operating method thereof

Номер патента: US20240203491A1. Автор: Meng-Fan Chang,Yen-Cheng Chiu. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20190051357A1. Автор: Ji Ho Park,Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-02-14.

Storage device and power management method thereof

Номер патента: US12067272B2. Автор: Seung Hyun Chung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Resistance memory device and memory apparatus and data processing system

Номер патента: US9214223B2. Автор: Hyung Dong Lee,Hyun Mi HWANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-15.

Memory device and multi physical cells error correction method thereof

Номер патента: US20210141689A1. Автор: Seow Fong Lim,Chuen-Der Lien,Ming-Huei Shieh,Chi-Shun Lin,Ngatik Cheung. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-05-13.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09672913B1. Автор: Byoung In JOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: US09508454B2. Автор: Seong-Sik PARK,Ho-Youb Cho,Yo-Han JEONG,Seong-Je Park,Chang-Won Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: EP3965106A3. Автор: Jeongho Lee,Kwangjin Lee,Hee Hyun Nam,Youngkwang YOO,Jaeho SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-08.

Memory devices, systems, and methods of forming arrays of memory cells

Номер патента: US20180190717A1. Автор: Shigeru Sugioka. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

Memory device for increasing write margin during write operation and reducing current leakage during standby operation and operation method thereof

Номер патента: US11776621B2. Автор: Jinn Shyan Wang,Chien Tung LIU,Chih Jung LIU. Владелец: NATIONAL CHUNG CHENG UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-10-03.

Non-volatile memory device, controller for controlling the same, storage device having the same, and reading method thereof

Номер патента: US12045132B2. Автор: Jinyoung Kim,Dongmin Shin,Sehwan Park,Youngdeok SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Memory system with a zoned namespace and an operating method thereof

Номер патента: US20220261180A1. Автор: Hee Chan Shin,Yong Seok Oh,Young Ho AHN,Jhu Yeong Jhin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-08-18.

Device for controlling data output for high-speed memory device and method thereof

Номер патента: US20060104126A1. Автор: Nak Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-05-18.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240282365A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020018359A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Hiroyuki Mizuno,Kenichi Osada,Suguru Tachibana. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-14.

Memory system with a zoned namespace and an operating method thereof

Номер патента: US12118237B2. Автор: Hee Chan Shin,Yong Seok Oh,Young Ho AHN,Jhu Yeong Jhin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Memory device and manufacturing method the same

Номер патента: US09786669B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Ryoji Nomura,Masayuki Sakakura,Tamae Takano,Yoshinobu Asami. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US09646707B1. Автор: Jong Won Park,Chan Woo Yang,Ju Hyeon HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Nonvolatile memory device with reduced coupling noise and driving method thereof

Номер патента: US09570168B2. Автор: Kwang-Jin Lee,Beak-Hyung Cho,Dong-Hoon Jeong,Woo-Jung SUN,Jae-Yun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Nonvolatile storage device and operating system (OS) image program method thereof

Номер патента: US09529541B2. Автор: Sung-hyun Cho,Dongin Kim,Junseok Park,Taemin LEE,Chaesuk LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-27.

Memory devices and control methods thereof

Номер патента: US09449679B2. Автор: Chia-Wei Wang,Shu-Hsuan Lin. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Memory device and test operation method thereof

Номер патента: US20200381070A1. Автор: Dong Hyun Lee,Seung Jin PARK,Chang Kyun PARK,Young Sik KOH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US12033697B2. Автор: Meng-Fan Chang,Win-San Khwa,Yen-Cheng Chiu. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2024-07-09.

Memory devices and control methods thereof

Номер патента: US20150213879A1. Автор: Chia-Wei Wang,Shu-Hsuan Lin. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2015-07-30.

Memory device, error correction device and error correction method thereof

Номер патента: US11949429B2. Автор: Kuan-Chieh Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor memory device and erasing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20210327805A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240257872A1. Автор: Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Stacked memory device with interface die

Номер патента: EP4423813A1. Автор: Torsten Partsch. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-09-04.

Memory device and formation method thereof

Номер патента: US20240315153A1. Автор: Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Static random access memory device and forming method thereof

Номер патента: US09871049B1. Автор: Su Xing,Wanxun He. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US09842641B2. Автор: Nak-Kyu Park,Sun-Hye Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US09640245B2. Автор: Nak-Kyu Park,Sun-Hye Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09508458B2. Автор: Sung-Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Memory systems and methods for dynamically phase adjusting a write strobe and data to account for receive-clock drift

Номер патента: US09431090B2. Автор: Frederick A. Ware. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2016-08-30.

Resistive memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20180190352A1. Автор: Jaeyeon LEE,Cheol Seong Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

Nonvolatile memory device and opeation method thereof

Номер патента: US20240177764A1. Автор: Sangkwon Moon,Heewon Lee,Seungkyung Ro,Su Chang Jeon,Woohyun Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-30.

Memory device and programming method thereof

Номер патента: US12029143B2. Автор: Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Memory system, memory access interface device and operation method thereof

Номер патента: US20240231416A9. Автор: Chih-Wei Chang,Fu-Chin Tsai,Ger-Chih Chou,Chun-Chi Yu,Min-Han TSAI. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory device and glitch prevention method thereof

Номер патента: US20230024257A1. Автор: Minho Yoon. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-01-26.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20230221956A1. Автор: Yuan-Hao Chang,Tei-Wei Kuo,Wei-Chen Wang,Yung-Chun Li,Chien-Chung Ho,Han-Wen Hu,Huai-Mu WANG. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Memory device and programming method thereof

Номер патента: US20220367807A1. Автор: Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Memory module and operating method thereof

Номер патента: US20210081204A1. Автор: Youngjin Cho,Hee Hyun Nam,Hyo-Deok Shin,Younho Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor memory device and controlling method thereof

Номер патента: US20120250393A1. Автор: Masanobu Shirakawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-04.

Data output circuit of semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: US20070133313A1. Автор: Kwang Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-06-14.

Non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4362077A3. Автор: Jinyong OH. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-14.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US09946586B2. Автор: Jun-Seo Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor memory device and weak cell detection method thereof

Номер патента: US09824776B1. Автор: Youk-Hee Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Memory storage device and wear leveling method thereof

Номер патента: US20240264932A1. Автор: Sanghoon Yoo,Wan-soo Choi,Hee Yeon TAK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Multilevel Resistive Memory device and its writing erasing method

Номер патента: EP1557841A3. Автор: Katsuhisa Sony Corporation ARATANI,Tomohito Sony Corporation Tsushima,Akira Sony Corporation Kouchiyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-10-25.

Semiconductor memory device and driving method thereof

Номер патента: US20050249004A1. Автор: Ju-Young Seo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-11-10.

Memory storage device and wear leveling method thereof

Номер патента: EP4411736A1. Автор: Sanghoon Yoo,Wan-soo Choi,Hee Yeon TAK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-07.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US09785550B1. Автор: Sung Kwan Hong,Yeong Sik YI,Se Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09478289B1. Автор: Byung Ryul Kim,Yong Hwan HONG,Dae Il Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: US09396818B2. Автор: Choung-Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-19.

Nonvolatile memory device, data storage device and operating method thereof

Номер патента: US20180018106A1. Автор: Sok Kyu Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-18.

Resistive memory device and operating method thereof

Номер патента: US20210193223A1. Автор: Ho-Seok EM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Error correction management for a memory device

Номер патента: US11720443B2. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-08.

Stacked memory device and operating method thereof

Номер патента: US20210240615A1. Автор: Hyunjoong Kim,Jihyun Choi,Seunghyun CHO,Joonsik Sohn,Woongjae SONG,Soowoong AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-08-05.

Data processing system and operating method thereof

Номер патента: US12050508B2. Автор: Eung-Bo SHIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Output circuit for a semiconductor memory device and data output method

Номер патента: US20080291755A1. Автор: Yoshinori Matsui. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-11-27.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20230282576A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US20240194245A1. Автор: Sung Yeob Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US20240329862A1. Автор: Seung-Jun Lee,Woongdai KANG,YooJin NAM,Dongyeong CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US09818491B2. Автор: Jae-il Kim,Jong-Sam Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Memory module, memory system including the same, and data storage system including the memory module

Номер патента: US09754658B2. Автор: Do Hyung Kim,Young Ho Lee,Dong Min JANG,Jong Hyun SEOK,In Young Park,Dong Yoon SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor memory device, operating method thereof, and data storage device including the same

Номер патента: US09588708B2. Автор: Gi Pyo UM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor memory device, operating method thereof, and data storage device including the same

Номер патента: US09424922B2. Автор: Gi Pyo UM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Nonvolatile memory device and nonvolatile memory system and random data read method thereof

Номер патента: US09400750B2. Автор: Jaehong Kim,Kijun Lee,Sejin Lim,Jungsoo Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-26.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US20240232012A1. Автор: Kyung-Ho Lee,Kijun Lee,Sunghye CHO,Myungkyu Lee,Kyomin Sohn,Ki-Heung Kim,Hyongryol Hwang,Seongmuk Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Ferroelectric memory devices and operating methods thereof

Номер патента: US8385098B2. Автор: Jai-Kwang Shin,Ki-ha Hong,Jeong-Seob Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-02-26.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240268109A1. Автор: Yusuke Shima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US20190392907A1. Автор: Dong Hyun Kim,Jae Min Lee,Seung Il Kim,Yong Ho Kim,Seon Young Choi,Min Ho HER. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-12-26.

Echo clock generating circuit of semiconductor memory device and method thereof

Номер патента: US6353575B2. Автор: Kwang-Jin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-03-05.

Storage device and method for accelerating storage device write and read speed using a turbo-write buffer

Номер патента: US12067296B2. Автор: Dong-Min Kim,Jeong-Woo Park,Kyoung Back Lee,Youngmoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09741455B1. Автор: Mun-Phil Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Variable resistance memory device and method of driving the same

Номер патента: US09666642B2. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US09524758B2. Автор: Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US09501373B2. Автор: Eu Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Arrangement of memory devices in a multi-rank memory module

Номер патента: US09426916B1. Автор: Son H. Nguyen,Jayesh R. Bhakta. Владелец: Netlist Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20180190366A1. Автор: Jung-Ho LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20170263293A1. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-14.

Memory controller for RPMB-inclusive memory device, operating method thereof and electronic device including the same

Номер патента: US11914526B2. Автор: Kwang Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Temperature control method and data storage system

Номер патента: US12045460B2. Автор: Tz-Yu FU,Yi-Jhong HUANG. Владелец: Acer Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Memory controller for rpmb-inclusive memory device, operating method thereof and electronic device including the same

Номер патента: US20240202138A1. Автор: Kwang Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US20190102245A1. Автор: Yeong Dong GIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-04-04.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US20200013451A1. Автор: Jongpil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-09.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: EP4447050A1. Автор: Dongha Kim,Do-Han Kim,Tae-Kyeong Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-16.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US20240339145A1. Автор: Dongha Kim,Do-Han Kim,Tae-Kyeong Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09997215B2. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Refresh control circuit for target refresh operation of semiconductor memory device, and operating method thereof

Номер патента: US09953696B2. Автор: Jung-Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09818461B1. Автор: Yun-gi Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor memory device, method of controlling read preamble signal thereof, and data transmission system

Номер патента: US09576640B2. Автор: Atsuo Koshizuka. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2017-02-21.

Content addressable memory device

Номер патента: US8400803B2. Автор: Mihoko Akiyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-03-19.

Spin orbit torque magnetic memory devices, operating methods thereof, and electronic apparatuses including the magnetic memory devices

Номер патента: US20240147868A1. Автор: Atsushi Okada,Soichiro Mizusaki,Kwangseok KIM,Jeongchun Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: US20170076792A1. Автор: Shigeki Kobayashi,Takeshi Yamaguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Memory device and method for testing memory devices with repairable redundancy

Номер патента: US20060198215A1. Автор: Martin Perner,Volker Kilian. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-09-07.

Embedded memory device and method for embedding memory device in a substrate

Номер патента: US20200075567A1. Автор: Andrew Collins. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Memory having internal processors and data communication methods in memory

Номер патента: US20170024337A1. Автор: Robert M. Walker,Todd A. Merritt,J. Thomas Pawlowski,Dan Skinner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-26.

Memory having internal processors and data communication methods in memory

Номер патента: EP2491496A1. Автор: Todd A. Merritt,Robert Walker,J. Thomas Pawlowski,Dan Skinner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-08-29.

Memory having internal processors and data communication methods in memory

Номер патента: WO2011049752A1. Автор: Todd A. Merritt,Robert Walker,J. Thomas Pawlowski,Dan Skinner. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2011-04-28.

Fusion memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US12119336B2. Автор: Daehyun Kim,Jinmin Kim,Hyunsik Park,Hei Seung Kim,Sangkil Lee,Hyunmog Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Memory controller, memory system, and operating method thereof

Номер патента: US12118241B2. Автор: Do Hun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Memory system topologies including a buffer device and an integrated circuit memory device

Номер патента: US09865329B2. Автор: Ely Tsern,Ian Shaeffer,Craig Hampel. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-01-09.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09853033B2. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Resistive semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: US09779809B2. Автор: Shigeki Kobayashi,Takeshi Yamaguchi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US09761282B2. Автор: Dong Yeob CHUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor memory device and testing method thereof

Номер патента: US09583215B2. Автор: Hoiju CHUNG,Yonghwan JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Memory system topologies including a buffer device and an integrated circuit memory device

Номер патента: US09563583B2. Автор: Ely Tsern,Ian Shaeffer,Craig Hampel. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: US09520166B2. Автор: Shigeki Kobayashi,Takeshi Yamaguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Memory having internal processors and data communication methods in memory

Номер патента: US09477636B2. Автор: Robert M. Walker,Todd A. Merritt,J. Thomas Pawlowski,Dan Skinner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Memory devices, operating methods of the memory devices, and test systems including the memory devices

Номер патента: EP4280213A2. Автор: Wonyoung Choi,Changkyu Seol,Jeongseok PARK,Hyeran Kim,Sungrae Kim,Gilyoung Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-22.

Memory device and process for improving the state of a termination

Номер патента: US20030076712A1. Автор: Seong-Jin Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-04-24.

Training method of memory device and electronic device and electronic system including the same

Номер патента: US11461113B2. Автор: Dong Kim,Jong Un Kim,Jang Seon PARK,Ju Chan LEE,Hyung Lae EUN,In Hoon PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-04.

Memory system for selecting counter-error operation through error analysis and data process system including the same

Номер патента: US20210208966A1. Автор: Nam Young AHN,Eung Bo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-07-08.

Multi-site testing of computer memory devices and serial io ports

Номер патента: US20140026006A1. Автор: Chinsong Sul. Владелец: Silicon Image Inc. Дата публикации: 2014-01-23.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20060262635A1. Автор: Hidenari Kanehara. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-23.

Ferroelectric memory device and operation method thereof

Номер патента: US11765907B2. Автор: Masaharu Kobayashi,Toshiro Hiramoto,Fei MO. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2023-09-19.

Memory system, including memory device capable of overwrite operation, and method of operating the memory system

Номер патента: US09952766B2. Автор: Sung-Yong Seo,Kyoung-il Bang,Moon-sang Kwon,Yeong-Jae WOO,Eun-Chu Oh,Han-Shin Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Methods of forming microelectronic devices, and related microelectronic devices, memory devices, and electronic systems

Номер патента: US20220246681A1. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-04.

Memory devices configured to provide external regulated voltages

Номер патента: US20240203479A1. Автор: Thomas H. Kinsley,Matthew A. Prather. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Device and method for protecting a memory

Номер патента: US12032692B2. Автор: Sylvain Guilley,Michel LE ROLLAND,Adrien FACON. Владелец: Secure IC SAS. Дата публикации: 2024-07-09.

Apparatus and method for detecting errors in a memory device

Номер патента: US12009041B2. Автор: Siddharth Gupta,Antony John Penton,Sachin Gulyani,Cyrille Nicolas Dray,Luc Olivier PALAU. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2024-06-11.

Packet routing between memory devices and related apparatuses, methods, and memory systems

Номер патента: US20240241641A1. Автор: John D. Leidel. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Methods for tuning command/address bus timing and memory devices and memory systems using the same

Номер патента: US20240249758A1. Автор: Dirgha Khatri,Timothy M. Hollis,Eric J. Stave,Matthew B. Leslie,Baekkyu Choi,Yogesh Sharma,Scott R. Cyr,Elancheren Durai,Quincy R. Holton,Boe L. Holbrook. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Configurable memory device

Номер патента: WO2024049683A1. Автор: Torsten Partsch. Владелец: RAMBUS INC.. Дата публикации: 2024-03-07.

Non-destructive pattern identification at a memory device

Номер патента: US11935617B2. Автор: Takamasa Suzuki,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Test chamber for memory device, test system for memory device having the same and method of testing memory devices using the same

Номер патента: US20190285695A1. Автор: Chang-Ho Lee,Jin-Ho Choi,Min-Woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-19.

Test chamber for memory device, test system for memory device having the same and method of testing memory devices using the same

Номер патента: US20210003632A1. Автор: Chang-Ho Lee,Jin-Ho Choi,Min-Woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-07.

Microelectronic devices including contact structures, and related memory devices, electronic systems, and methods

Номер патента: EP4417026A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-21.

Memory apparatus and memory testing method thereof for correcting ROM code having error by ECC processing unit after determined to transition to safe mode

Номер патента: US12067283B2. Автор: Makoto Senoo,Katsutoshi Suito. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Non-destructive pattern identification at a memory device

Номер патента: US20230326494A1. Автор: Takamasa Suzuki,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: US20200243146A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-30.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: EP3769203A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-27.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: US20190295666A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-26.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: US20210082529A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: WO2019182747A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-09-26.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: US10867685B2. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-15.

Method of performing internal processing operation of memory device

Номер патента: US12073871B2. Автор: Pavan Kumar Kasibhatla,Hak-soo Yu,Seong-il O. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory device including one-time programmable block and operation method thereof

Номер патента: US20230153000A1. Автор: Sangyong Yoon,Sang-Wan Nam,Jae-Hoon Choi,Kookhyun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-18.

Methods for independent memory bank maintenance and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20240257858A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-08-01.

Microelectronic devices, and related methods and memory devices

Номер патента: US12089422B2. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

3D NAND flash memory devices, and related electronic systems

Номер патента: US12096626B2. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Method for controlling memory device asynchronously with respect to system clock, and related memory device and memory system

Номер патента: US20150287445A1. Автор: Tah-Kang Joseph Ting,Gyh-Bin Wang,Yung-Ching Hsieh. Владелец: PieceMakers Tech Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

Data storage device and method for dynamically determining a buffer size

Номер патента: US12099745B2. Автор: Po-Wei Wu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Memory device configured to perform a search operation

Номер патента: US20240304239A1. Автор: Tomoya Sanuki,Yasuhito Yoshimizu. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Self-testing data storage devices and methods

Номер патента: US09972403B2. Автор: Roderick A. Hyde,Muriel Y. Ishikawa,Lowell L. Wood, JR.,Jordin T. Kare,Jeffrey A. Bowers,Victoria Y. H. Wood,Peter L. Hagelstein. Владелец: ELWHA LLC. Дата публикации: 2018-05-15.

Page migration in a hybrid memory device

Номер патента: US09910605B2. Автор: Niladrish Chatterjee,James M. O'Connor,Gabriel H. Loh,Nuwan S. Jayasena. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Magnetic memory device and operating method thereof

Номер патента: US09875782B2. Автор: Hongil Yoon,Kangwook JO,Jongil HONG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2018-01-23.

Method for controlling memory device asynchronously with respect to system clock, and related memory device and memory system

Номер патента: US09679622B2. Автор: Tah-Kang Joseph Ting,Gyh-Bin Wang,Yung-Ching Hsieh. Владелец: PieceMakers Tech Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Method of performing internal processing operation of memory device

Номер патента: US20240379150A1. Автор: Pavan Kumar Kasibhatla,Hak-soo Yu,Seong-il O. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor memory device and refresh control method thereof

Номер патента: US09672889B2. Автор: Sung-Soo Chi,Sung-Yub LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US09570120B2. Автор: Dae-Suk Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Resistive random access memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09559300B2. Автор: Hiroyuki Ode,Takeshi Takagi,Toshiharu Tanaka,Takeshi Yamaguchi,Masaki Yamato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Storage device and data training method thereof

Номер патента: US20190080774A1. Автор: Chulseung Lee,Choongeui Lee,Soon Suk Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-03-14.

Memory device training

Номер патента: US12027195B2. Автор: QI Dong,Xuesong Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Temperature-dependent read operation time adjustment in non-volatile memory devices

Номер патента: US20190043567A1. Автор: Ali Khakifirooz,Pranav Kalavade,Aliasgar MADRASWALA,Shantanu Rajwade,Rohit Shenoy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Memory device comprising an ecc for error correction based on hint data

Номер патента: EP4170660A1. Автор: YoungMin Lee,Jeongmin Seo,Changjun LEE,Eunkak Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-26.

Memory device, and electronic device including the same

Номер патента: US20210201992A1. Автор: Garam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-01.

Configurable data protection circuitry for memory devices

Номер патента: US12046322B2. Автор: Marco Sforzin,Paolo Amato. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Nonvolatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US20180122467A1. Автор: Suk-Soo Pyo,BoYoung Seo,Taejoong Song,Hyuntaek JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-03.

Nonvolatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US20190164603A1. Автор: Suk-Soo Pyo,BoYoung Seo,Taejoong Song,Hyuntaek JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-30.

Layouts for pads and conductive lines of memory devices, and related devices, systems, and methods

Номер патента: US11742306B2. Автор: Takashi Ishihara. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller with making memory cell array generating errors.

Номер патента: US20240233849A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Methods for providing device status in response to read commands directed to write-only mode register bits and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20220084565A1. Автор: Matthew A. Prather,Randall J. Rooney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor memory device and test method thereof

Номер патента: US20090016121A1. Автор: Yasushi Matsubara. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-01-15.

Non-volatile memory device, a memory system that includes the non-volatile memory device, and an operating method of the non-volatile memory device

Номер патента: US11749356B2. Автор: Jinyoung Kim,Dongmin Shin,Sehwan Park,Youngdeok SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-05.

Memory device for performing in-memory-search and operating method thereof

Номер патента: US20240274165A1. Автор: Feng-Min Lee,Po-Hao Tseng,Tian-Cih BO. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor memory device

Номер патента: US5978290A. Автор: Mamoru Fujita. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-11-02.

Optical disc data erasing device and optical disc data erasing method

Номер патента: WO2002067249A1. Автор: Tsuyoshi Yokokawa. Владелец: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.. Дата публикации: 2002-08-29.

Method, device and data structure for data storage on memory devices

Номер патента: WO2009081224A1. Автор: Petteri HANHIMÄKI,Ilpo Henrik JÄRVINEN. Владелец: Nokia Corporation. Дата публикации: 2009-07-02.

Swap memory device providing data and data block, method of operating the same, and method of operating electronic device including the same

Номер патента: US20240152461A1. Автор: Jiwon Lee,Jeonghoon CHOI,Won Woo Ro,Hyoseong Choi. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2024-05-09.

Personal electronic device and data theft prevention system and method thereof

Номер патента: US09424434B2. Автор: Kuan-Ju Huang. Владелец: Wistron Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Display device and anti-peep state switching film driving method thereof

Номер патента: US20240027799A1. Автор: Wanchun WU. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Display device and anti-peep state switching film driving method thereof

Номер патента: US12025867B2. Автор: Wanchun WU. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Clock and data recovery system and operating method thereof

Номер патента: EP4213437A1. Автор: Gaurav Malhotra. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-19.

Universal serial bus device and bulk transfer control circuit and control method thereof

Номер патента: US20120096194A1. Автор: Che-Wei Chang,Yung-Ta Chan,Wei-Cheng Hung,Wei-Lu SU,Chun-Chi Chu,Feng-Ting Jaw. Владелец: Asix Electronics Corp. Дата публикации: 2012-04-19.

Electronic vaporization device, and heating control apparatus and heating control method thereof

Номер патента: EP4176745A1. Автор: Hua Tan,Zhihua Wen,Fenglei Xing,Houlin Chen. Владелец: Shenzhen Smoore Technology Ltd. Дата публикации: 2023-05-10.

Semiconductor memory device, memory system and data recovery methods thereof

Номер патента: US20090292839A1. Автор: Sang-Jin Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-11-26.

MEMORY DEVICE WITH RELAXED TIMING PARAMETER ACCORDING TO TEMPERATURE, OPERATING METHOD THEREOF, AND MEMORY CONTROLLER AND MEMORY SYSTEM USING THE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140359242A1. Автор: KANG Uk-song,PARK Chul-woo,SON Jong-Pil,Seo Seong-Young. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-12-04.

Liquid crystal panel, display device, and manufacturing method and driving methods thereof

Номер патента: US09513517B2. Автор: Hao Wu. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Memory storage device and memory controller and access method thereof

Номер патента: US09514040B2. Автор: Chia-Jung Hsu,Shih-Hsien HSU. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Wearable device, and notification system and notification method thereof

Номер патента: US11086275B2. Автор: Kai-Yi Chen,Ting-Wei Wu,Ruei-Hong Hong,Cheng-Yuan Wei,Chun-Yu Yang,Yu-Hao Wu. Владелец: Compal Electronics Inc. Дата публикации: 2021-08-10.

NONVOLATILE MEMORY DEVICE, DATA STORAGE DEVICE INCLUDING THE SAME AND OPERATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20190265908A1. Автор: KIM Jee Yul. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-29.

Device and system for three-dimensional scanning, and method thereof

Номер патента: EP2972080A1. Автор: Sandro Moos,Enrico VEZZETTI,Daniel GRIVON,Kenneth BRAUL DE LEON RAYANT,Estuardo FUENTES BRACO GILMAR,Vincenzo MARINO. Владелец: POLITECNICO DI TORINO. Дата публикации: 2016-01-20.

Device and system for three-dimensional scanning, and method thereof

Номер патента: US09560335B2. Автор: Sandro Moos,Enrico VEZZETTI,Daniel GRIVON,Vincenzo MARINO,Rayant Kenneth Braul De Leon,Gilmar Estuardo Fuentes Bravo. Владелец: Sisvel SpA. Дата публикации: 2017-01-31.

Memory device, terminal apparatus, and data repair system

Номер патента: EP1471429A1. Автор: Osamu Sasaki,Yoshiaki Nakanishi,Yoshihiko Takagi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-27.

Memory device, terminal apparatus, and data repair system

Номер патента: WO2003065225A1. Автор: Osamu Sasaki,Yoshiaki Nakanishi,Yoshihiko Takagi. Владелец: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.. Дата публикации: 2003-08-07.

INPUT AND OUTPUT RECORDING DEVICE AND METHOD, CPU AND DATA READ AND WRITE OPERATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20180239686A1. Автор: Liu Leibo,WEI Shaojun,LUO Ao. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-23.

PERSONAL ELECTRONIC DEVICE AND DATA THEFT PREVENTION SYSTEM AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20150205972A1. Автор: Huang Kuan-Ju. Владелец: WISTRON CORP.. Дата публикации: 2015-07-23.

Electronic system driving distributed file system using different types of storage mediums, and data storing method and managing method thereof

Номер патента: KR102079340B1. Автор: 이재환,기양석. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2020-04-07.

Electronic system driving distributed file system using different types of storage mediums, and data storing method and managing method thereof

Номер патента: KR20150139408A. Автор: 이재환,기양석. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2015-12-11.

Electronic system driving distributed file system using different types of storage mediums, and data storing method and managing method thereof

Номер патента: KR102173284B1. Автор: 이재환,기양석. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2020-11-03.

Automatic detection line and data acquisition system and acquisition method thereof

Номер патента: CN110110822B. Автор: 卢阔,时明,王宗宾,邱文信,姜江龙. Владелец: Hangzhou Gengde Electronics Co ltd. Дата публикации: 2023-01-17.

Industrial control system safe support framework and data safe transmission and storage method thereof

Номер патента: CN104991526A. Автор: 李�昊,张敏,陈震宇,秦宇,苏璞睿,迟佳琳. Владелец: Institute of Software of CAS. Дата публикации: 2015-10-21.

Electronic device and video object motion trajectory modification method thereof

Номер патента: US20150125028A1. Автор: Chia-Wei Liao,Kai-Hsuan CHAN. Владелец: INSTITUTE FOR INFORMATION INDUSTRY. Дата публикации: 2015-05-07.

Storage device and task execution method thereof, and host corresponding to the storage device and task execution method thereof

Номер патента: US20170132035A1. Автор: Chao-Kuei Hsieh. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-05-11.

Liquid crystal panel, display device, and manufacturing method and driving methods thereof

Номер патента: US20160178976A1. Автор: Hao Wu. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-23.

Wearable device, and notification system and notification method thereof

Номер патента: US20190339652A1. Автор: Kai-Yi Chen,Ting-Wei Wu,Ruei-Hong Hong,Cheng-Yuan Wei,Chun-Yu Yang,Yu-Hao Wu. Владелец: Compal Electronics Inc. Дата публикации: 2019-11-07.

Electronic device and system for processing user input and method thereof

Номер патента: US20200265840A1. Автор: Sunok Kim,Sunbeom KWON,Hyelim WOO,Jeehun Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-20.

Electronic device and electronic pen for input control and method thereof

Номер патента: US12019814B2. Автор: Yeunwook Lim,Banghyun KWON,Hyunwoong KWON,Sangheon KIM,Inhyung JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Wearable device, display device, and system to provide exercise service and methods thereof

Номер патента: US20140135960A1. Автор: Yong-jin Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-15.

DEVICE AND SYSTEM FOR THREE-DIMENSIONAL SCANNING, AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20160065932A1. Автор: Vezzetti Enrico,Grivon Daniel,Braul De Leon Rayant Kenneth,Fuentes Braco Gilmar Estuardo,Marino Vincenzo,Moos Sandro. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-03.

DISPLAY DEVICE, AND OPTICAL COMPENSATION SYSTEM AND OPTICAL COMPENSATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20140184671A1. Автор: LEE Gil-Jae. Владелец: . Дата публикации: 2014-07-03.

Training device and training seat for kite surfing and method thereof

Номер патента: US20190160357A1. Автор: Andre Lange. Владелец: Lange Erfolg & Co KG GmbH. Дата публикации: 2019-05-30.

Scanning Switch for Calibration of a Temperature Metering Device and A Calibration System and A Calibration Method thereof

Номер патента: US20200209073A1. Автор: XU Zhenzhen. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-02.

ELECTRONIC DEVICE AND SYSTEM FOR PROCESSING USER INPUT AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20200265840A1. Автор: Kwon Sunbeom,KIM Sunok,WOO Hyelim,HA Jeehun. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-20.

SELF-MOVING DEVICE AND WORKING SYSTEM, IDENTIFICATION METHOD, AND WORKING METHOD THEREOF

Номер патента: US20200278691A1. Автор: DALFRA Davide,Conti Emanuel. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-03.

PORTABLE ELECTRONIC DEVICE AND TOUCH CONTROL CHIP AND TOUCH CONTROL METHOD THEREOF

Номер патента: US20160328087A1. Автор: Ho Kai-Ting,Jen Chi-An,Chen Chien-Chuan,Chen Wen-Ho. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-10.

Fireproof curtain device and a system containing it and operating methods thereof

Номер патента: KR20220035735A. Автор: 김주홍. Владелец: 김주홍. Дата публикации: 2022-03-22.

Studying system for providing interactive class using instructor smart device and learner smart device in classroom and method thereof

Номер патента: KR101215942B1. Автор: 김영남,김태중,김준수,김무중,조태용,라석. Владелец: 주식회사 청담러닝. Дата публикации: 2012-12-27.

Thin film semiconductor device and liquid crystal display unit, and fabrication methods thereof

Номер патента: KR100857039B1. Автор: 하시모토마코토,사토타쿠세이. Владелец: 소니 가부시끼 가이샤. Дата публикации: 2008-09-05.

Display device and display system and external device detecting method thereof

Номер патента: US20110207401A1. Автор: Min-Woo Lee,Youngsun Han,Taeseon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-25.

Electronic atomization device and solute dose consumption detection and control method thereof

Номер патента: CN111650134A. Автор: 林光榕,郑贤彬,张夕勇. Владелец: Shenzhen Happy Vaping Technology Ltd. Дата публикации: 2020-09-11.

Thin film semiconductor device and liquid crystal display unit, and fabrication methods thereof

Номер патента: EP1180716A2. Автор: Makoto Sony Corporation Hashimoto,Takusei Sony Corporation Sato. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-02-20.

Mobile storage device and, automatic install system of software and method thereof

Номер патента: KR101368714B1. Автор: 강춘운,이대현,주창남,유승혁. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2014-03-05.

Organic electroluminescence display device and method of manufacturing same and preparation method thereof

Номер патента: CN106876430A. Автор: 崔磊,黄添旺. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Silicon nitride fiber waveguide device and graphene detector integrated chip and preparation method thereof

Номер патента: CN108231803A. Автор: 吴云,顾晓文,牛斌,曹正义. Владелец: CETC 55 Research Institute. Дата публикации: 2018-06-29.

Thin film semiconductor device and liquid crystal display unit, and fabrication methods thereof

Номер патента: TW544906B. Автор: Makoto Hashimoto,Takusei Sato. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-08-01.

Server device and client device for sharing contents, and method thereof

Номер патента: KR101997583B1. Автор: 김성기,박태성,정도영,박춘배,류가현,임현우,성덕구. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2019-07-08.

Fixing device and image forming apparatus and temperature controlling method thereof

Номер патента: CN1940771A. Автор: 郑京植,郑在赫. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-04-04.

Display device, and optical compensation system and optical compensation method thereof

Номер патента: US9159258B2. Автор: Gil-Jae Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-13.

CURVE VELOCITY PLANNING METHOD, DEVICE, AND NUMERICAL CONTROL MACHINING ROUTE DATA PROCESSING METHOD THEREOF

Номер патента: US20180088551A1. Автор: PANG HUACHONG. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-29.

ELECTRONIC DEVICE AND HARDWARE DIAGNOSIS RESULT-BASED PROCESS EXECUTION METHOD THEREOF

Номер патента: US20170205259A1. Автор: Na Seokhee,CHOI Kyuok,Jang Minsuk,Koo Gyoseung. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-20.

ELECTRONIC DEVICE AND HARDWARE DIAGNOSIS RESULT-BASED PROCESS EXECUTION METHOD THEREOF

Номер патента: US20200217695A1. Автор: Na Seokhee,CHOI Kyuok,Jang Minsuk,Koo Gyoseung. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-09.

Exposure device for non planar substrate, patterning method for non planar substrate using the device and patterned non planar substrate using the method thereof

Номер патента: KR100837337B1. Автор: 김광영,이응숙,최병오,조정대,이택민. Владелец: 한국기계연구원. Дата публикации: 2008-06-12.

Electronic device and hardware diagnosis result-based process execution method thereof

Номер патента: EP3371768A1. Автор: Kyuok Choi,Minsuk JANG,Gyoseung KOO,Seokhee Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-09-12.

High-temperature fatigue test device and resin concrete high-temperature fatigue test method thereof

Номер патента: CN114279874B. Автор: 徐斌,徐速,尤其. Владелец: NINGBO ROABY TECHNOLOGY INDUSTRIAL GROUP Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-08.

Projection device and full-width piano keyboard picture projection method thereof

Номер патента: CN113506492A. Автор: 贲月婷,文伊琪. Владелец: Jiaole Education Technology Shanghai Co ltd. Дата публикации: 2021-10-15.

Gear type detection probe carrying device and oil pipe field electromagnetic flaw detection method thereof

Номер патента: CN112834604A. Автор: 高天宇,王帅,徐海英,单丽丽,高雷雷,李林聪,李辰昱. Владелец: China University of Petroleum East China. Дата публикации: 2021-05-25.

Electronic device and electronic pen for input control ant method thereof

Номер патента: KR20230023277A. Автор: 김상헌,정인형,임연욱,권현웅,권방현. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2023-02-17.

Memory device having word line surrounding gate structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240023321A1. Автор: Szu-Yao Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

3d nand memory device devices and related electronic systems

Номер патента: US20230361083A1. Автор: Kunal R. Parekh,Akira Goda,Paolo Tessariol. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-11-09.

Headset device and a device profile management system and method thereof

Номер патента: US09973591B2. Автор: Min-Liang Tan,Shiuwen WONG. Владелец: Razer Asia Pacific Pte Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Acoustic wave device, and preparation method therefor and temperature control method thereof

Номер патента: EP3989439A1. Автор: QUAN Wang,Hailong Chen,Shumin Zhang,Guohao WANG,Genlin ZHENG. Владелец: Hangzhou Sappland Microelectronics Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-04-27.

Headset device and a device profile management system and method thereof

Номер патента: EP2820555A1. Автор: Min-Liang Tan,Shiuwen WONG. Владелец: Razer Asia Pacific Pte Ltd. Дата публикации: 2015-01-07.

Acoustic wave device, and preparation method therefor and temperature control method thereof

Номер патента: US20220085786A1. Автор: QUAN Wang,Hailong Chen,Shumin Zhang,Guohao WANG,Genlin ZHENG. Владелец: Hangzhou Sappland Microelectronics Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-03-17.

Data storage device and data processing method

Номер патента: US20210373800A1. Автор: Shen-Ting Chiu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2021-12-02.

Method for writing data in parallel and data storage system

Номер патента: US20220308793A1. Автор: Tz-Yu FU,Guan-Yu HOU. Владелец: Acer Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Data storage device and data processing method

Номер патента: US20210278994A1. Автор: Tzu-Yi Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

Memory system including nonvolatile memory device and erase method thereof

Номер патента: US09733864B2. Автор: Kyung Ho Kim,Sangkwon Moon,Jihong Kim,Jaeyong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-15.

Data storage device and data processing method

Номер патента: US20240361934A1. Автор: Chi-Hung Cheng. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Application processor and data processing system including the same

Номер патента: US09977749B2. Автор: Sik Kim,Kook Won Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-22.

Data storage device and data processing system including the same

Номер патента: US09501130B2. Автор: Seung Jin PARK,Dong Jae Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Data storage device and data storage system

Номер патента: US12067235B2. Автор: Chen-Hao Chen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Storage device operating on zone basis and data processing system including the same

Номер патента: US20240118805A1. Автор: Joo Young Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-11.

Multi-die memory apparatus and identification method thereof

Номер патента: US20210349645A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Su-Chueh Lo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Nand flash storage device and methods using non-nand storage cache

Номер патента: US20180314434A1. Автор: Dana L. Simonson. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-11-01.

Bridge device and information processing apparatus including bridge device

Номер патента: US20200076645A1. Автор: Toshio Yoshihara,Daisuke Matsunaga,Yasutomo Tanaka,Yasushi Shinto. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2020-03-05.

Non-volatile memory storage, computing system including the same and operation method thereof

Номер патента: US20210216466A1. Автор: Tae Hee Han,Yong Wook Kim,Min Gu Kang,Jeong Beom HONG,Jo Eun LEE. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2021-07-15.

Non-volatile memory storage, computing system including the same and operation method thereof

Номер патента: US11294822B2. Автор: Tae Hee Han,Yong Wook Kim,Min Gu Kang,Jeong Beom HONG,Jo Eun LEE. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2022-04-05.

Data storage device and data processing system having the same

Номер патента: US20160291873A1. Автор: Hyun Ju Yi,Jun Ho Choi,Chan Ho YOON,Seok Won AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-06.

Memory systems and operation methods thereof

Номер патента: US20240281147A1. Автор: Yufei FENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory device and password storing method thereof

Номер патента: WO2008076999A3. Автор: Mitsuhiro Nagao. Владелец: Mitsuhiro Nagao. Дата публикации: 2008-08-14.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US20230305741A1. Автор: Chul Woo Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Memory system, memory controller and operation method thereof

Номер патента: US12066928B2. Автор: Eu Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory system and operation method thereof and power management module

Номер патента: US20240295916A1. Автор: MeiFa CHEN,Guiyuan Duan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Data storage device and method thereof

Номер патента: US09785584B2. Автор: Jeen PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Data storage apparatus and operation method thereof

Номер патента: US20210191655A1. Автор: Da Eun SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Memory control unit and data storage device including the same

Номер патента: US09652403B2. Автор: Kwang Hyun Kim,Jae Woo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor devices including application processor connected to high-bandwidth memory and low-bandwidth memory, and channel interleaving method thereof

Номер патента: US09606916B2. Автор: Sung Hyun Lee,Jun Hee Yoo,Il Park,Dongsoo Kang,Kiyeon Lee,Euicheol Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Instruction and data recording apparatus embedded in a host controller

Номер патента: US20230229337A1. Автор: Jie Chen,Moyang CHEN. Владелец: Innogrit Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US20210034522A1. Автор: Sarath Kumar Kunnumpurathu Sivan. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US11567863B2. Автор: Sung Jin Park,Jee Yul KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-01-31.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: US9218312B2. Автор: Byoung-Sul Kim,Hak-Yong Lee,Jun-Ho Jo,Kyu-Min Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-12-22.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US11755492B2. Автор: Jun Hee Ryu,Kwang Jin KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240302982A1. Автор: Jae Woong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Key-value storage device and operating method thereof

Номер патента: US12019602B2. Автор: Youngho Park,Byung-Ki Lee,Jekyeom JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US20210382824A1. Автор: Da Eun SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US20240248643A1. Автор: Suhyun KIM,Hyunsook Lee,Seonghoon Woo,Tae-Eun Park,Haejong JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US11513960B2. Автор: Da Eun SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-11-29.

Storage device, memory device, control device, and method for controlling memory device

Номер патента: US20120124391A1. Автор: Yoshihisa Aono. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-05-17.

Memory system performing cache bypassing operation and cache management method thereof

Номер патента: US20240256452A1. Автор: Shinhaeng KANG,Kyomin Sohn,Suk Han Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory systems and operation methods thereof

Номер патента: US20240311237A1. Автор: Yufei FENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Flash-based storage warehouse apparatuses and methods thereof

Номер патента: US09766811B1. Автор: David Slik,Peter Corbett. Владелец: NetApp Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US20240377988A1. Автор: Jae Hyun Choi,Sooyong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-14.

Memory control unit and data storage device including the same

Номер патента: US09501351B2. Автор: Kwang Hyun Kim,Jae Woo Kim,Joong Hyun AN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Memory device and computing in memory method thereof

Номер патента: US20210117187A1. Автор: Yuan-Hao Chang,Tei-Wei Kuo,Hung-Sheng Chang,Han-Wen Hu,Tse-Yuan Wang,Yueh-Han Wu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US12086073B2. Автор: Heechul CHAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US12093185B2. Автор: Heechul CHAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Data storage device and error correction method thereof

Номер патента: US09632805B2. Автор: Shih-Ming Wang,Chia-Fang Chang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Memory system having first and second memory devices and driving method thereof

Номер патента: US09552314B2. Автор: Dong-Hwi Kim,Sun-Young Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-24.

Nonvolatile memory device and data storage device including the same

Номер патента: US09507707B2. Автор: Hak Dae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US20160342332A1. Автор: Tai Kyu Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-24.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US10509590B2. Автор: Jun-Seop Chung,An-Ho CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-12-17.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US12056361B2. Автор: Yuan-Hao Chang,Tei-Wei Kuo,Wei-Chen Wang,Tse-Yuan Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Active calibration for high-speed memory devices

Номер патента: EP2384474A1. Автор: Frederick A. Ware,Jared L. Zerbe,Brian S. Leibowitz. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2011-11-09.

Memory device and protection method thereof

Номер патента: US20240273194A1. Автор: Kuo-Chiang WANG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Timing device and method thereof

Номер патента: US9501042B1. Автор: Ming-Hsiu Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Error correction decoder, storage device including error correction decoder, and operating method thereof

Номер патента: US20240296093A1. Автор: Dae Sung Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US09875179B2. Автор: Tai Kyu Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Digital multi-function peripheral and data protection method of external memory

Номер патента: US09672386B2. Автор: Minoru Takemura. Владелец: Toshiba TEC Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Memory system, memory access interface device and operation method thereof

Номер патента: US20240310869A1. Автор: Chih-Wei Chang,Fu-Chin Tsai,Ger-Chih Chou,Chun-Chi Yu. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Timing device and method thereof

Номер патента: US09501042B1. Автор: Ming-Hsiu Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US20230297261A1. Автор: Byung Jun Kim,Taek Gyu LEE,Kyoung Ku Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US12086442B2. Автор: Byung Jun Kim,Taek Gyu LEE,Kyoung Ku Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US09898199B2. Автор: Jun Seop Chung,An Ho CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US09477593B2. Автор: Hong-Sik Kim,Dong-Gun KIM,Yong-Kee KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Command and data path error protection

Номер патента: US20240232014A9. Автор: Tal Sharifie,Yoav Weinberg,Chandrakanth Rapalli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US20220004338A1. Автор: Jun Ho Lee,Bo Hyun Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-01-06.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US20220113870A1. Автор: Sung Kwan Hong,Byeong Gyu Park,Young Ick CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-04-14.

Cache memory device and data cache method

Номер патента: US20230169004A1. Автор: Jianbin Wang,Junjie Zhang,Mengchen Yang,Jing Qiao. Владелец: Shanghai Zhaoxin Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Memory system for adjusting difference between operation time points in sequential command operations performed in memory device, and operation method thereof

Номер патента: US20210303209A1. Автор: Dong Yeob CHUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Command and data path error protection

Номер патента: US12072764B2. Автор: Tal Sharifie,Yoav Weinberg,Chandrakanth Rapalli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: EP4246330A1. Автор: Tae-hwan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-20.

Feature activation control and data prefetching with network-connected mobile devices

Номер патента: US20230353658A1. Автор: Craig P. Rouse,Harry Cassell,Christopher B. Slovak. Владелец: Tealium Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Data processing system allocating memory area in host as extension of memory and operating method thereof

Номер патента: US20230244616A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-03.

Data processing system allocating memory area in host as extension of memory and operating method thereof

Номер патента: US20210097008A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Flash memory scheme capable of automatically generating or removing dummy data portion of full page data by using flash memory device

Номер патента: US12067240B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory device and data storing method

Номер патента: US09354818B2. Автор: Nobuhiro Kondo,Koichi Nagai,Shoji Sawamura,Yaotung KUO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

System for slowdown status notification and operating method thereof

Номер патента: US20190065289A1. Автор: Seong Won SHIN,Kyoungsun HONG. Владелец: SK Hynix Memory Solutions America Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: EP4400971A1. Автор: Kyung-Ho Lee,Kijun Lee,Sunghye CHO,Myungkyu Lee,Kyomin Sohn,Ki-Heung Kim,Hyongryol Hwang,Seongmuk Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-17.

Method and apparatus for authorizing a print device to perform a service using a portable memory device

Номер патента: US09930217B2. Автор: Donald J. Gusmano. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Shutdowns and data recovery to avoid read errors weak pages in a non-volatile memory system

Номер патента: US09921896B2. Автор: Sandeep Sharma,Ashwin Narasimha,Ajith Kumar Battaje,Vibhor Patale. Владелец: Virident Systems LLC. Дата публикации: 2018-03-20.

Data processing device and data processing method

Номер патента: US12033660B2. Автор: Ryotaro Aoki,Yuta Yuyama,Kunihiro Kumagai. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

File memory device and information processing apparatus using the same

Номер патента: US20010007119A1. Автор: Jun Kitahara,Kunihiro Katayama,Kenichi Kaki,Kazunori Furusawa,Tsunehiro Tobita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-05.

Storage device, control method for partitioning logical memory devices, and medium embodying program for partitioning logical memory devices

Номер патента: US20050278489A1. Автор: Hiroyuki Otani. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2005-12-15.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240289014A1. Автор: Jae Young Lee,Han Bin Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory system for storing data corresponding to logical addresses into physical location accessible using interleaving, and operation method thereof

Номер патента: US09892035B2. Автор: Hae-Gi CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Runtime selection of memory devices and storage devices in a disaggregated memory system

Номер патента: US20220214805A1. Автор: Richard C. Murphy,Reshmi Basu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-07.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US20170123973A1. Автор: Min Chul Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-04.

Partitioning of memory device for multi-client computing system

Номер патента: EP2646925A1. Автор: Thomas J. Gibney,Patrick J. Koran. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2013-10-09.

Method for performing power saving control in a memory device, associated memory device and memory controller thereof, and associated electronic device

Номер патента: US20190377402A1. Автор: Wen-Chi Chao,Kuo-Cyuan Kuo. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Electronic system, operating method thereof, and operating method of memory device

Номер патента: EP4213021A1. Автор: Seung Jun Yang,Hye Joon YI,Mi Jung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-19.

Image processing device, electronic device having the same, and operating method thereof

Номер патента: US20240267479A1. Автор: Seungwon Choi,Jongseong Choi,Juntaek KONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Runtime selection of memory devices and storage devices in a disaggregated memory system

Номер патента: US11762553B2. Автор: Richard C. Murphy,Reshmi Basu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Image processing device, electronic device having the same, and operating method thereof

Номер патента: EP4415344A1. Автор: Seungwon Choi,Jongseong Choi,Juntaek KONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-14.

Metadata communication by a memory device

Номер патента: US20240354028A1. Автор: Matthew A. Prather,Sujeet V. Ayyapureddi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Apparatus for monitoring data access to internal memory device and internal memory device

Номер патента: US09934165B2. Автор: Gang Shan. Владелец: Montage Technology Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Data processing device and associated memory management method

Номер патента: US20240370362A1. Автор: Yi-Lin Yang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US09852067B2. Автор: Min Chul Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Nonvolatile memory system for creating and updating program time stamp and operating method thereof

Номер патента: US09798478B2. Автор: In-Hwan Choi,Byungjune SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Method for performing access management in a memory device, associated memory device and controller thereof, and associated electronic device

Номер патента: US12038849B2. Автор: Jie-Hao LEE,Cheng-Yu Yu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory device and memory device controlling apparatus

Номер патента: US20100017541A1. Автор: Hideaki Yamashita,Takeshi Ootsuka. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-01-21.

Systems, devices, and methods for data migration

Номер патента: US20220050616A1. Автор: Robert M. Walker,Paul Rosenfeld,Patrick A. La Fratta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

Storage device, control method for partitioning logical memory devices, and medium embodying program for partitioning logical memory devices

Номер патента: US7430644B2. Автор: Hiroyuki Otani. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2008-09-30.

Controller and operating method thereof

Номер патента: US20190138447A1. Автор: Yong-Tae Kim,Duck-Hoi KOO,Soong-Sun SHIN,Cheon-Ok Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-05-09.

Storage device and operating method utilizing a buffer when a write failure occurs

Номер патента: US12141471B2. Автор: Chul Woo Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-12.

Flash Memory Device and Data Protection Method Thereof

Номер патента: US20120271986A1. Автор: Hsu-Ping Ou,Chun-Yi Lo. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2012-10-25.

Electronic device and method of operating the same

Номер патента: US20230315304A1. Автор: Jung Ae Kim,Tae Ha Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Storage device, operation method of storage device, and operation method of storage controller

Номер патента: US20240256175A1. Автор: Sangwon Hwang,Jiseok Lee,Hyunyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory device to train neural networks

Номер патента: WO2021231069A1. Автор: Vijay S. Ramesh. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-11-18.

Memory controller with ring bus for interconnecting memory clients to memory devices

Номер патента: WO2008008220A1. Автор: Patrick Law,Alex Miretsky,Warren F. Kruger. Владелец: Ati Technologies, U.L.C.. Дата публикации: 2008-01-17.

Storage device, operation method of storage device, and operation method of storage controller

Номер патента: EP4421640A2. Автор: Sangwon Hwang,Jiseok Lee,Hyunyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-28.

Storage device, method of operating storage device, computing system including storage device and host device for controlling storage device, and method of operating computing system

Номер патента: US20210049096A1. Автор: Seok Jun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Storage device and operating method of storage device

Номер патента: US20240345758A1. Автор: Minji Kim,Jinwoo Park,Sangwon Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Method for detecting temperature in a flash memory device and the flash memory device thereof

Номер патента: US20240329850A1. Автор: Akhilesh Kumar Jaiswal,Puneet Kukreja,Vinay Kumar M N. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Parallel scheduling of write commands to multiple memory devices

Номер патента: US09952779B2. Автор: Barak Baum,Etai Zaltsman,Moti Altahan,Roman Gindin,Yoni Labenski,Yoram Harel. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Information processing system performing synchronization between memory devices and memory devices performing wireless communication

Номер патента: US09898747B2. Автор: Shigeki Koizumi,Shuichi Sakurai,Keisuke Sato,Michio Ido,Masahiko Nakashima,Masaomi Teranishi,Shigeto ENDO. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Errors and erasures decoding from multiple memory devices

Номер патента: US09680509B2. Автор: Zion S. Kwok. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Read disturb and data retention handling for NAND devices

Номер патента: US09612957B2. Автор: Tatyana Brokhman,Konstantin Dorfman. Владелец: Qualcomm Innovation Center Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Memory device, memory system, and operating method of memory system

Номер патента: US09569371B2. Автор: Jun-Jin Kong,Pil-Sang Yoon,Chang-kyu Seol,Seong-Hyeog CHOI,Hong-rak Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Method for assigning addresses to memory devices

Номер патента: US09552311B2. Автор: Vinod C. Lakhani,Robert D. Norman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Device and method of supplying combined medical solution

Номер патента: RU2514541C2. Автор: Ганс-Мартин ЛАУЭР,Матиас ВУФКА,Дорис РОЭТЛЕЙН,Себастьян ХЕРНИГ. Владелец: Б. Браун Мелзунген Аг. Дата публикации: 2014-04-27.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller without making memory cell array generating errors

Номер патента: US20240232085A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller without making memory cell array generating errors

Номер патента: US20240231625A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Host device, storage device, and method of operating the same

Номер патента: US11989446B2. Автор: Hyun Woo Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Storage device and method of operating the same

Номер патента: US20200409854A1. Автор: Jeen PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-31.

Storage device and method of operating the same

Номер патента: US20190324915A1. Автор: Jeen PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Memory controller and operation method thereof

Номер патента: US20240211170A1. Автор: Youngjin Cho,Sungwon KO,Hoyoung Chang,Kwansuk JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller with making memory cell array generating errors

Номер патента: US20240231638A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Method and apparatus for managing a plurality of memory devices

Номер патента: US20160124674A1. Автор: Sei-Jin Kim,Min-Jung Kim,Bo-Young Seo,Sung-Hwan Yun,Dong-Wook Suh,Jung-Yup Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-05.

Memory device, system including the same, and operating method of memory device

Номер патента: US20240248850A1. Автор: Daehyun Kim,Jiho Kim,Sukhan Lee,Kijun Lee,Yeonggeol Song,Myungkyu Lee,Kyomin Sohn,Seongmuk Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory device, and semiconductor structure and forming method therefor

Номер патента: EP4199042A1. Автор: Shih-hung Lee. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-21.

Flash memory with reduced source resistance and fabrication method thereof

Номер патента: US20040161706A1. Автор: Chang Han,Sung Jung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-19.

Memory device with vertical transistor and trench capacitor and fabrication method thereof

Номер патента: TW200629527A. Автор: Cheng-Chih Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2006-08-16.

Own voice detection on a hearing device and a binaural hearing device system and methods thereof

Номер патента: US20240089673A1. Автор: Srdjan PETROVIC,Changxue Ma,Rob De Vries. Владелец: GN Hearing AS. Дата публикации: 2024-03-14.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE HAVING DUMMY CONDUCTIVE PATTERNS ON INTERCONNECTION AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20140248765A1. Автор: LEE Jang Uk. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-09-04.

Memory device having a highly integrated cell structure and fabrication method thereof

Номер патента: KR100642645B1. Автор: 박재현,오재희,이세호. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-11-10.

Semiconductor memory device including self-aligned charge trapping layer and manufacturing method thereof

Номер патента: KR100546401B1. Автор: 김용태,전희석,윤승범. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-01-26.

Semiconductor memory device formed of ferroelectric transistor storage cell and manufacturing method thereof

Номер патента: KR980006268A. Автор: 이기홍. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-03-30.

Memory device using PVDF film bonded with azobenzene and manufacturing method thereof

Номер патента: KR101626717B1. Автор: 박병은. Владелец: 서울시립대학교 산학협력단. Дата публикации: 2016-06-13.

Semiconductor memory device with bit line of small resistance and manufacturing method thereof

Номер патента: US8288227B2. Автор: Satoshi Shimizu. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-10-16.

Semiconductor memory device with bit line of small resistance and manufacturing method thereof

Номер патента: US20040262674A1. Автор: Satoshi Shimizu. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-12-30.

Semiconductor memory device with bit line of small resistance and manufacturing method thereof

Номер патента: US7224018B2. Автор: Satoshi Shimizu. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-05-29.

Semiconductor memory device having a gate insulation film and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20040140510A1. Автор: Hiroaki Hazama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-07-22.

Apparatus for power and data transmission and data reception using mutual resonance, apparatus for power and data reception and data transmission using mutual resonance, method thereof

Номер патента: KR102028112B1. Автор: 박재현,김기영,김남윤,송금수,권상욱,김동조,김봉철,박윤권,안치형,유영호,이병희,윤창욱. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2019-10-04.

Fast-locked clock and data recovery circuit and the method thereof

Номер патента: US20080084955A1. Автор: Wei-Zen Chen,Chin-Yuan Wei. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-10.

Charging device and safety function control circuit and method thereof

Номер патента: US20230261564A1. Автор: Che-Min Lin,Kuo-Chieh Chan,Ching-Chia Chu,Kuan-Jung Lee,Chi-Chang Lien. Владелец: FSP Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Electronic device and substrate with lds antennas and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180269568A1. Автор: Xuan XU,Ye Xiong,Yuan-Zi Duan. Владелец: Foxconn Interconnect Technology Ltd. Дата публикации: 2018-09-20.

Material increasing and decreasing manufacturing device and material increasing and decreasing composite manufacturing method thereof

Номер патента: CN112170838B. Автор: 任旭东,陈兰,郭二廓,张新洲,甘淑媛. Владелец: Jiangsu University. Дата публикации: 2022-02-15.

Own voice detection on a hearing device and a binaural hearing device system and methods thereof

Номер патента: US20230396942A1. Автор: Srdjan PETROVIC,Changxue Ma,Rob De Vries. Владелец: GN Hearing AS. Дата публикации: 2023-12-07.

Own voice detection on a hearing device and a binaural hearing device system and methods thereof

Номер патента: EP4287656A1. Автор: Srdjan PETROVIC,Changxue Ma,Rob De Vries. Владелец: GN Hearing AS. Дата публикации: 2023-12-06.

Wearable device, and antenna signal processing circuit and method therefor

Номер патента: US20190372242A1. Автор: XIN ZHAO,Yuge Zhu. Владелец: Goertek Inc. Дата публикации: 2019-12-05.

Inkjet and spray device and pressure control unit and pressure control method thereof

Номер патента: TWI305180B. Автор: Wei Liang Hsu,Shun Chuan Lin,Mei Jung Ho,Po Fu Chou. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 2009-01-11.

Inkjet and spray device and pressure control unit and pressure control method thereof

Номер патента: TW200812815A. Автор: Wei-Liang Hsu,Po-Fu Chou,Mei-Jung Ho,Shun-Chuan Lin. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 2008-03-16.

Acoustic wave device, and preparation method therefor and temperature control method thereof

HEADSET DEVICE AND A DEVICE PROFILE MANAGEMENT SYSTEM AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20150106475A1. Автор: TAN Min-Liang,Wong Shiuwen. Владелец: RAZER (ASIA-PACIFIC) PTE. LTD.. Дата публикации: 2015-04-16.

NETWORK DEVICE AND TERMINAL FOR MULTI-PATH COMMUNICATION, OPERATION METHOD THEREOF, AND PROGRAM IMPLEMENTING OPERATION METHOD

Номер патента: US20170134261A1. Автор: Kim Jinho,Oh Chang Yeol,SEO Sunghoon,RYU Junghun,HYUN Jai-Sop,MIN Seonjeong. Владелец: KT CORPORATION. Дата публикации: 2017-05-11.

POWER MODULE WITH BUILT-IN POWER DEVICE AND DOUBLE-SIDED HEAT DISSIPATION AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20190198424A1. Автор: GAO Weidong,Lam Wai Kin Raymond,Leung Ho Wai Derek,Chen Aibing. Владелец: RAYBEN TECHNOLOGIES (ZHUHAI) LIMITED. Дата публикации: 2019-06-27.

Headset device and a device profile management system and method thereof

Номер патента: US20180234521A1. Автор: Min-Liang Tan,Shiuwen WONG. Владелец: Razer Asia Pacific Pte Ltd. Дата публикации: 2018-08-16.

Devices and systems for isolating biomolecules and associated methods thereof

Номер патента: US20150259671A1. Автор: Li Zhu,Ralf Lenigk,Christopher Michael Puleo,John Richard Nelson,Xiaohui Chen,Erin Jean Finehout,Patrick Mccoy Spooner. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2015-09-17.

ELECTRONIC DEVICE AND SUBSTRATE WITH LDS ANTENNAS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20180269568A1. Автор: XIONG YE,XU Xuan,DUAN YUAN-ZI. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-20.

Cardiopulmonary resuscitation device and automatic defibrillator fusion system and control method thereof

Номер патента: KR102455019B1. Автор: 김현근,송인호. Владелец: 주식회사 씨유메디칼시스템. Дата публикации: 2022-10-18.

Medical system in which cardiopulmonary resuscitation device and automatic defibrillator are fused and control method thereof

Номер патента: KR102459284B1. Автор: 김현근,송인호. Владелец: 주식회사 씨유메디칼시스템. Дата публикации: 2022-10-28.

Concrete pumping equipment and arm-support-vibration semi-active control device and arm-support-vibration semi-active control method thereof

Номер патента: CN102493652B. Автор: 曾光,吴德志,刘仰清,王惠科,朱俊辉. Владелец: Zoomlion Heavy Industry Science and Technology Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-22.

Nitride semiconductor, light-emitting device, light-emitting diode, laser device and lamp using the semiconductor, and production methods thereof

Номер патента: KR100884288B1. Автор: 마사토 코바야카와,히데키 토모자와,미네오 오쿠야마. Владелец: 쇼와 덴코 가부시키가이샤. Дата публикации: 2009-02-18.

Display device and driving circuit, driving unit, and driving method thereof

Номер патента: KR100629130B1. Автор: 이와나가히로후미. Владелец: 어드밴스트 디스플레이 인코포레이티드. Дата публикации: 2006-09-27.

Heat treatment method of silicon single crystal wafer, heat treatment device and silicon single crystal wafer and manufacturing method thereof

Номер патента: KR100296365B1. Автор: 나오시 아다치,다케히로 히사토미,마사카즈 사노. Владелец: 고지마 마타오. Дата публикации: 2001-11-30.

Organic electroluminescence display device and method of manufacturing same and manufacture method thereof

Номер патента: CN100539786C. Автор: 李正一,梁埈荣. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2009-09-09.

Boarding bridge with a minute approaching device and a shock absorbing part and operation method thereof

Номер патента: CN102069916A. Автор: 朴殷友. Владелец: TECH CO Ltd AB. Дата публикации: 2011-05-25.

Organic electroluminescence display device and method of manufacturing same and preparation method thereof

Номер патента: CN106935726A. Автор: 刘亚伟,倪奎. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-07.

Nitride semiconductor; light-emitting device, light-emitting diode, laser device and lamp using the semiconductor; and production methods thereof

Номер патента: WO2005034253A1. Автор: Mineo Okuyama,Hideki Tomozawa,Masato Kobayakawa. Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2005-04-14.

Routing device, and protective gas automatic switching system and method thereof

Номер патента: CN101872729B. Автор: 吕岱烈,吕松霖,高雍,徐明鹏,郭飞敏. Владелец: Ase Assembly & Test (shanghai) Ltd. Дата публикации: 2012-02-29.

Authenticating System Between Devices And Creating System Of Secret Key And Method Thereof

Номер патента: KR100863644B1. Автор: 김영현,최문석,박병석,홍충선,허준,주성호,임용훈,현덕화. Владелец: 한국전력공사. Дата публикации: 2008-10-15.

Electronic packaging device, and preparation method and packaging effect detection method thereof

Номер патента: CN104332562A. Автор: 王丹. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-04.

Headset device and a device profile management system and method thereof

Номер патента: AU2012371684B2. Автор: Min-Liang Tan,Shiuwen WONG. Владелец: Razer Asia Pacific Pte Ltd. Дата публикации: 2014-12-04.

Automatic liquid feeding device and washing machine and automatic liquid addition method thereof

Номер патента: CN102660858A. Автор: 刘玉春,刘松,刘振华,刘大燕. Владелец: Hisense Ronshen Guangdong Refrigerator Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-12.

Network device and terminal for multi-path communication, operation method thereof, and program implementing operation method

Номер патента: AU2015280947B2. Автор: Jinho Kim,Jai-Sop HYUN,Seonjeong MIN,Chang Yeol Oh,Junghun RYU,Sunghoon SEO. Владелец: KT Corp. Дата публикации: 2019-07-11.

Light emitting element driving device, and dimming control circuit and dimming control method thereof

Номер патента: CN112714535B. Автор: 陈曜洲,邱仁炼,陈钰民. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2023-02-28.

Safety detection device and method for moving sidewalk and using method thereof

Номер патента: CN111807203A. Автор: 王继宏,邹俊,牛有权,茹晓英,王琪冰,李其朋,李东流. Владелец: Sicher Elevator Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-23.

Frame sash material cutting device and flat-open door and window processing method thereof

Номер патента: CN113814460A. Автор: 盛晓杰. Владелец: Jiangsu Ping An Energy Saving Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-12-21.

A downhole geothermal steam driving device and a genrating electricity and pumping liquid method thereof

Номер патента: WO2009065316A1. Автор: Zhiyong Gong. Владелец: Zhiyong Gong. Дата публикации: 2009-05-28.

Nitride semiconductro; light-emitting device, light-emitting diode, laser device and lamp using the semiconductor; and production methods thereof

Номер патента: TW200514285A. Автор: Mineo Okuyama,Hideki Tomozawa,Masato Kobayakawa. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2005-04-16.

Acoustic wave device, and preparation method therefor and temperature control method thereof

Номер патента: EP3989439A4. Автор: QUAN Wang,Hailong Chen,Shumin Zhang,Guohao WANG,Genlin ZHENG. Владелец: Hangzhou Sappland Microelectronics Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-08-09.

ELECTRONIC DEVICE AND CELLULAR COMMUNICATION QUALITY MEASUREMENT INTERVAL ADJUSTMENT METHOD THEREOF

Номер патента: US20210058808A1. Автор: LEE Sangho,KIM Junsuk,LEE Jangbok,CHUNG Wonsuk. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-25.

Coating device and coating surface density closed-loop adjusting method thereof

Номер патента: CN115569814A. Автор: 杨军,陈贵山,彭建林,胡旺辉,张挺挺. Владелец: Shenzhen Manst Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-06.

Electronic device and cellular communication quality measurement interval adjustment method thereof

Номер патента: WO2021033876A1. Автор: Sangho Lee,Junsuk Kim,Jangbok Lee,Wonsuk Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-02-25.

Electronic device and data transmission method thereof

Номер патента: US20240039901A1. Автор: Wen-Chiao Ho. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12089419B2. Автор: Chia-Chang Hsu,Cheng-Yi Lin,Chia-hung Lin,Tang Chun Weng,Yung Shen Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Integrated circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230413514A1. Автор: Chung-Te Lin,Katherine H Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US8860003B2. Автор: Jae Min Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-14.

Split gate memory device, semiconductor device and forming method thereof

Номер патента: US09536889B2. Автор: Lingyue Zhang. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Stack capacitor, a flash memory device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20220359551A1. Автор: Zhi Tian,Hua Shao,Haoyu Chen,Juanjuan Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-11-10.

Stack capacitor, a flash memory device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20210305265A1. Автор: Zhi Tian,Hua Shao,Haoyu Chen,Juanjuan Li. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9881931B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: EP4454434A1. Автор: Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Lei Xue. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09881931B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor structures and fabrication method thereof, memory device and memory system

Номер патента: US20240355736A1. Автор: Min WEN,Zhen Pan,Chengbao Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US12136599B2. Автор: He Chen,Yi Zhao,Shu Wu,Siping Hu,Ziqun HUA,Zhen Pan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12114513B2. Автор: Yu-Ming Lin,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150311299A1. Автор: Kyung Min Kim,Jung Goo Park,Jeong Ho Cho,Se Woon KIM. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

Semiconductor device integrated with memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20190273119A1. Автор: Zhi-Biao Zhou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210066493A1. Автор: Kuo-Feng Huang,Yu-Chi Kuo,Che-Jui HSU,Ying-Fu Tung,Chun-Sheng Lu,Wang-Ta Li. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240298436A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Li-Wei Feng,Janbo Zhang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11751376B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9691907B1. Автор: Shih-Chang Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Three-dimensional memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11723209B2. Автор: Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Chun-Fu CHENG,Meng-Han LIN,Yu-Chien Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-08.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230007879A1. Автор: Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240324203A1. Автор: In Su Park,Jung Shik JANG,Won Geun CHOI,Rho Gyu KWAK,Seok Min Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240349499A1. Автор: Chung-Hsien Liu,Tzu-Yun Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240373653A1. Автор: Yu-Ming Lin,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Memory device and fabricating method thereof

Номер патента: US09704872B1. Автор: Pu-Sung Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09691907B1. Автор: Shih-Chang Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240215271A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010020710A1. Автор: Jiro Matsufusa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-09-13.

Three-dimensional memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230129701A1. Автор: Hyun Soo Shin,Sang Hyun Sung,Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Method for forming a three-dimensional (3D) memory device having bonded semiconductor structures

Номер патента: US12080697B2. Автор: WEI Liu,Shiqi HUANG,Bater Chelon,Siping Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory device and fabricating method thereof

Номер патента: US20170200724A1. Автор: Pu-Sung Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-13.

Contact pads of three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US12133386B2. Автор: Yongqing Wang,Siping Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Resistive memory device

Номер патента: US09728721B2. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Yuan Sun,Elgin Kiok Boone Quek,Xuan Anh TRAN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240215272A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240215273A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030198095A1. Автор: Chong-Jen Huang,Kuang-Wen Liu,Jui-Lin Lu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-23.

Three-dimensional memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12069871B2. Автор: Yu-Ming Lin,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US8980683B2. Автор: Min Yong Lee,JONG CHUL LEE,Young Ho Lee,Seung Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-03-17.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US8890104B2. Автор: Min Yong Lee,JONG CHUL LEE,Young Ho Lee,Seung Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-11-18.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20130228733A1. Автор: Min Yong Lee,JONG CHUL LEE,Young Ho Lee,Seung Beom Baek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-05.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20140322886A1. Автор: Min Yong Lee,JONG CHUL LEE,Young Ho Lee,Seung Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-30.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240349506A1. Автор: Chih-Kai Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Three-dimensional memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240357838A1. Автор: Yu-Ming Lin,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09666570B2. Автор: Bo-Lun Wu,Chia-Hua Ho,Meng-Hung Lin,Ting-Ying SHEN. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20220310697A1. Автор: Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Chen-Yi Weng,Ching-Hua Hsu,Si-Han Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230320102A1. Автор: Zhiqiang Wu,Han-Jong Chia,Chun-Fu CHENG,Meng-Han LIN,Chung-Wei Wu,Yu-Chien Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US11978737B2. Автор: Kun Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100301405A1. Автор: Shigeto Oota,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-02.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12100651B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Mask read-only memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US09905566B2. Автор: Chao Zhang,YiPeng Chan. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor memory devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US09443734B2. Автор: Jung-Hwan Park,Kyu-Hyun Lee,Ki-Seok Lee,Hyo-Jin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Contact pads of three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US12033966B2. Автор: He Chen,LIANG XIAO,Yongqing Wang,Shu Wu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor Memory Device and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20240244824A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Yifei Yan,Ken-Li Chen. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Three-dimensional ferroelectric field effect transistor random access memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: WO2024103281A1. Автор: Tao Yang,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-23.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10868196B2. Автор: Wen-Yueh Jang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2020-12-15.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240292622A1. Автор: Qian Tao,Zhenyu Lu,Jun Chen,Yushi Hu,Jifeng Zhu,Xiaowang DAI,Yu Ru Huang,Yongna LI,Lidong SONG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor memory device and method for forming the same

Номер патента: US20230164974A1. Автор: PENG Guo,Yuanbao WANG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200194598A1. Автор: Wen-Yueh Jang. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Semiconductor device, fabricating method, memory device and device system

Номер патента: US20240312925A1. Автор: Peng Chen,Xin Feng,XinRu Zeng,Ping Mo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240298445A1. Автор: Yusuke Morikawa,Tatsufumi Hamada,Yosuke MITSUNO,Tomohiro KUKI,Ryouji MASUDA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240324176A1. Автор: Shou-Te WANG. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory and fabrication method thereof and memory system

Номер патента: US20240347452A1. Автор: Zhaoyun TANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240339402A1. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Kun Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Three-dimensional ferroelectric field effect transistor random access memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: EP4454020A1. Автор: Tao Yang,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

Memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US12027463B2. Автор: LIANG XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Single poly non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11825650B2. Автор: Jung Hwan Lee,Min Kuck Cho,Su Jin Kim,In Chul Jung. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Structure of a memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20040004256A1. Автор: Jiun-Ren Lai,Chun-Yi Yang,Shi-Xian Chen,Gwen Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-08.

Magnetic Memory Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20080157239A1. Автор: Song Hee Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Phase-change memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US8999745B2. Автор: Il Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-04-07.

Phase-change memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20150179929A1. Автор: Il Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Single poly non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240049463A1. Автор: Jung Hwan Lee,Min Kuck Cho,Su Jin Kim,In Chul Jung. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Single poly non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230053444A1. Автор: Jung Hwan Lee,Min Kuck Cho,Su Jin Kim,In Chul Jung. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-23.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11758725B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Phase-change memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20140166964A1. Автор: Il Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-19.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12063779B2. Автор: Ryota Katsumata,Yoshihiro AKUTSU. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030080374A1. Автор: Hajime Arai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-01.

Semiconductor memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240315142A1. Автор: Hui-Lin WANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Resistive memory device and preparation method thereof

Номер патента: US20230008157A1. Автор: WEI CHANG,XIAOGUANG WANG,Jiefang DENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09768185B2. Автор: Ryota Katsumata,Yoshihiro AKUTSU. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Memory device and fabricating method thereof

Номер патента: US09735161B2. Автор: Tieh-Chiang Wu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Phase-change memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US09640758B2. Автор: Il Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12148735B2. Автор: Ting-Chu Ko,Han-Ping Pu,Ming-Kai Liu,Ching-Yu Huang,Yung-Ping Chiang,Yu-Sheng Hsieh,Chang-Wen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

Device and method for data processing in high-speed data patch access communication system over outgoing communication line

Номер патента: RU2297104C2. Автор: Сунг-Воок ПАРК,Канг-Гиу ЛИ,Санг-Хоон ЧАЕ,Дзин-Янг ОХ. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2007-04-10.

Three-dimensional memory and fabricating method thereof

Номер патента: US20230144830A1. Автор: YING Zhou,Ming Li,Zhenzhen Zhang,LongDong LIU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Memory device, semiconductor device, and manufacturing method thereof

Номер патента: US12068245B2. Автор: Sheng-Chih Lai,Hung-Chang Sun,Yu-Wei Jiang,Kuo-Chang Chiang,TsuChing Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Manufacturing method of memory device

Номер патента: US20230301210A1. Автор: Da-Jun Lin,Fu-Yu Tsai,Bin-Siang Tsai,Shih-Wei Su,Chich-Neng Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Resistive random access memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240260490A1. Автор: Chuan-Fu Wang,Wen-Jen Wang,Yu-Huan Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240315048A1. Автор: Hui-Lin WANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Manufacturing method of memory device

Номер патента: US12108691B2. Автор: Da-Jun Lin,Fu-Yu Tsai,Bin-Siang Tsai,Shih-Wei Su,Chich-Neng Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Organic electric memory device based on phosphonic acid or trichlorosilane-modified ITO glass substrate and preparation method thereof

Номер патента: US09818963B1. Автор: Jianmei Lu,Jinghui HE. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor memory device and production method thereof

Номер патента: US09646987B2. Автор: Takashi Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12137561B2. Автор: Sung-Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

Three-dimensional memory and fabrication method thereof

Номер патента: US12052871B2. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Zongliang Huo,Wenbin Zhou,Wenxiang Xu,Ji XIA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080296647A1. Автор: Tomohiko Tatsumi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-04.

Semiconductor memory device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20180190586A1. Автор: Feng-Yi Chang,Shih-Fang Tzou,Fu-Che Lee,Feng-Ming Huang,Chien-Cheng Tsai. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-05.

Three-dimensional memory devices having hydrogen blocking layer and fabrication methods thereof

Номер патента: US11728236B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090065844A1. Автор: Toshihiko Iinuma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-12.

Three-dimensional memory device comprising contact pads exposed by an opening passing through layer stack and fabrication method thereof

Номер патента: US12089406B2. Автор: Yongqing Wang,Siping Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory device, method of manufacturing memory device, and electronic device including memory device

Номер патента: US20240292618A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor memory device and production method thereof

Номер патента: US09679911B2. Автор: Kei Sakamoto,Shigeki Kobayashi,Takamasa OKAWA,Ryosuke SAWABE. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Ignition control device and method

Номер патента: RU2230930C2. Автор: Мартин ХАУССМАНН,Харри ФРИДМАНН. Владелец: Роберт Бош Гмбх. Дата публикации: 2004-06-20.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210020654A1. Автор: Dong Hyuk Kim,Sung Lae OH,Soo Nam JUNG,Tae Sung Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Three-dimensional memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240251564A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240251558A1. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12048154B2. Автор: Hong-Ji Lee,Tzung-Ting Han,Yu-Fong Huang,Chih-Chin Chang,Lo Yueh LIN,Yu-Hsiang Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Three-dimensional memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12063787B2. Автор: Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Three-dimensional memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240357828A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US11955565B2. Автор: Chi REN,Chun-Sung Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US09922985B2. Автор: Hae Wan Yang,Sheng Fen Chiu,Guan Hua LI. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09711510B2. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Resistive random-access memory (RRAM) device and forming method thereof

Номер патента: US12010931B2. Автор: Wang Xiang,Chia-Ching Hsu,Shen-De Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100133613A1. Автор: Hironobu FURUHASHI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-06-03.

Non-volatile memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20040037147A1. Автор: Chien-Hung Liu,Tung-Cheng Kuo,Shyi-Shuh Pan,Shou-Wei Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-26.

Memory device, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US11737287B2. Автор: Yu-Chao Lin,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090294827A1. Автор: Motoi Ashida. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-12-03.

Method, device and chip for data erasing and writing control on electrically erasable and programmable read-only memory, and data writing method and consumable container for such memory

Номер патента: CN102509557A. Автор: 秦正南. Владелец: Print Rite Technology Development Co Ltd of Zhuhai. Дата публикации: 2012-06-20.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Memory device and data erasing method thereof

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты