Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • 오프 셀들의 전류를 보상하는 메모리 장치 및 그것의 동작 방법

오프 셀들의 전류를 보상하는 메모리 장치 및 그것의 동작 방법

Номер патента: KR102480012B1
Опубликовано: 21-12-2022
Автор(ы): 김무성, 나태희, 벤카타라마나 간가사니, 신준호
Принадлежит: 삼성전자 주식회사
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Resistive memory device including reference cell to compensate for a leakage current

Номер патента: USRE50133E1. Автор: Artur ANTONYAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Nonvolatile memory device, operating method of nonvolatile memory device, and electronic device including nonvolatile memory device

Номер патента: US11727965B2. Автор: Suk-Soo Pyo,Eunji Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-15.

Phase-change memory with selectors in bjt technology and differential-reading method thereof

Номер патента: US20200126616A1. Автор: Antonino Conte. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2020-04-23.

Memory device using a plurality of supply voltages and operating method thereof

Номер патента: US20240282367A1. Автор: Taehyun Kim,Taemin CHOI,Seongook JUNG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2024-08-22.

Nonvolatile memory edvice and operating method

Номер патента: US20210264974A1. Автор: Artur ANTONYAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-08-26.

Memory device having an increased sensing margin

Номер патента: US20210012835A1. Автор: Makoto Hirano,Yongsung CHO,Junho SHIN,Taehui Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-14.

Memory device with a three-dimensional vertical structure and driving method thereof

Номер патента: WO2024153970A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Andrea Martinelli,Christophe Vincent Antoine Laurent,Efrem Bolandrina. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-07-25.

Resistive memory device and operating method thereof

Номер патента: US20190279709A1. Автор: Jae-Yeon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-09-12.

Semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: US20170076792A1. Автор: Shigeki Kobayashi,Takeshi Yamaguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Resistive semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: US09779809B2. Автор: Shigeki Kobayashi,Takeshi Yamaguchi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: US09520166B2. Автор: Shigeki Kobayashi,Takeshi Yamaguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Analog storage using memory device

Номер патента: US12080365B2. Автор: Innocenzo Tortorelli,Mattia Boniardi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: EP3965106A3. Автор: Jeongho Lee,Kwangjin Lee,Hee Hyun Nam,Youngkwang YOO,Jaeho SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-08.

Memory and operating method thereof

Номер патента: US20240203491A1. Автор: Meng-Fan Chang,Yen-Cheng Chiu. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2024-06-20.

Resistive memory device and reliability enhancement method thereof

Номер патента: US20220069209A1. Автор: Frederick Chen,Chia-Wen Cheng,Ping-Kun Wang,Ming-Che Lin,Chang-Tsung Pai,Tzu-Yun Huang,He-Hsuan CHAO. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Nonvolatile memory device including reference memory cell with fixed state

Номер патента: US20180137913A1. Автор: Daeshik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-17.

Memory device

Номер патента: US20220101916A1. Автор: Tetsuo Endoh,Yoshihisa Sekiguchi. Владелец: Sharp Semiconductor Innovation Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Resistive memory device with temperature compensation, resistive memory system, and operating method thereof

Номер патента: US09728252B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Man Chang,Hyun-Kook PARK,Yeong-Taek Lee,Yong-kyu Lee,In-Gyu Baek,Lijie Zhang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US12033697B2. Автор: Meng-Fan Chang,Win-San Khwa,Yen-Cheng Chiu. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2024-07-09.

Methods, structures, and devices for reducing operational energy in phase change memory

Номер патента: US20120002465A1. Автор: Roy E. Meade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

Memory devices with reduced operational energy in phase change material and methods of operation

Номер патента: US09865339B2. Автор: Roy E. Meade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Resistive memory device and operating method thereof

Номер патента: US20210193223A1. Автор: Ho-Seok EM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Phase change memory device, operation method thereof, and data storage device having the same

Номер патента: US20130155765A1. Автор: Dong Keun Kim,Sun Hyuck Yon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-06-20.

Resistive memory device and operation method thereof

Номер патента: US09818481B2. Автор: Se Ho LEE,Hae Chan PARK,Seung Yun Lee,Myoung Sub KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Resistive memory device and operation method thereof

Номер патента: US09613690B2. Автор: Se Ho LEE,Hae Chan PARK,Seung Yun Lee,Myoung Sub KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Resistive memory device having reduced chip size and operation method thereof

Номер патента: US20190311755A1. Автор: Tae-Joong Song,Hyun-Taek Jung,Suk-Soo Pyo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-10.

Semiconductor device for performing sum-of-product computation and operating method thereof

Номер патента: US20200133635A1. Автор: Ming-Hsiu Lee,Chao-Hung Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Resistive memory device having reduced chip size and operation method thereof

Номер патента: US10600466B2. Автор: Tae-Joong Song,Hyun-Taek Jung,Suk-Soo Pyo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-03-24.

Memory device and method for thermoelectric heat confinement

Номер патента: US09548110B2. Автор: Daniel Krebs,Aravinthan Athmanathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Resistive memory device having a trimmable resistance of at least on of a driver and a sinker is trimmed based on a row location

Номер патента: US09679643B1. Автор: Chung-Cheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Nonvolatile memory device using variable resistance material and method for driving the same

Номер патента: US20140119095A1. Автор: Yeong-Taek Lee,Sung Yeon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-01.

Sense amplifier for non-volatile memory devices and related methods

Номер патента: US10068643B2. Автор: Marco Pasotti,Chantal Auricchio,Marcella CARISSIMI,Rajat Kulshrestha. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2018-09-04.

Sense amplifier for non-volatile memory devices and related methods

Номер патента: US09613692B1. Автор: Marco Pasotti,Chantal Auricchio,Marcella CARISSIMI,Rajat Kulshrestha. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2017-04-04.

Sense amplifier for non-volatile memory devices and related methods

Номер патента: US20170178722A1. Автор: Marco Pasotti,Chantal Auricchio,Marcella CARISSIMI,Rajat Kulshrestha. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2017-06-22.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US12087361B2. Автор: Jungyu Lee,Bilal Ahmad Janjua,Jongryul Kim,Venkataramana Gangasani. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240257872A1. Автор: Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Data storage device with temperature compensation and operating method thereof

Номер патента: US09666249B1. Автор: Sang Hyun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20210295933A1. Автор: Eui Cheol Lim,Myoung Seo KIM,Mi Seon HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-23.

Resistive memory device, resistive memory, and operating method of the resistive memory device

Номер патента: US09646685B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Hyun-Kook PARK,Yeong-Taek Lee,Yong-kyu Lee,Hyo-Jin KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Improved vertical 3d memory device and accessing method

Номер патента: US20240237358A1. Автор: Corrado Villa,Efrem Bolandrina,Paolo Fantini,Stefan Frederik Schippers. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory cell and manufacturing method thereof and memory device

Номер патента: US20200328254A1. Автор: Chun-Chih Liu,Yi-Cheng Lee,Yu-Cheng Liao. Владелец: Jiangsu Advanced Memory Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-15.

Decoder architecture for memory device

Номер патента: US12051463B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Corrado Villa,Jeffrey E. Koelling,Hari Giduturi,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Memory device and operation method thereof for performing multiply-accumulate operation

Номер патента: US12040015B2. Автор: Yu-Yu Lin,Feng-Min Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Nonvolatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US20180122467A1. Автор: Suk-Soo Pyo,BoYoung Seo,Taejoong Song,Hyuntaek JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-03.

Memory device, operation method of the same, and operation method of memory controller

Номер патента: US09842644B1. Автор: Yong-Ju Kim,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Resistive memory device and operating method

Номер патента: US09536605B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Hyun-Kook PARK,Yeong-Taek Lee,Bo-Geun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Resistive memory device and operating method

Номер патента: US09552878B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Hyun-Kook PARK,Chi-Weon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-24.

Resistive random access memory device embedding tunnel insulating layer and memory array using the same and fabrication method thereof

Номер патента: US09799706B2. Автор: Sungjun Kim,Byung-gook Park,Seongjae Cho. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Gachon University. Дата публикации: 2017-10-24.

Memory device for performing read operation and method of operating the same

Номер патента: US11887673B2. Автор: Jong Woo Kim,Young Cheol SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Nonvolatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US20190164603A1. Автор: Suk-Soo Pyo,BoYoung Seo,Taejoong Song,Hyuntaek JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-30.

CAM cell, CAM device and operation method thereof, and method for searching and comparing data

Номер патента: US12068030B2. Автор: Feng-Min Lee,Ming-Hsiu Lee,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Cam cell, cam device and operation method thereof, and method for searching and comparing data

Номер патента: US20240363164A1. Автор: Feng-Min Lee,Ming-Hsiu Lee,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Memory device for write operation including verification and operating method thereof

Номер патента: US20210319839A1. Автор: Artur ANTONYAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-14.

Resistive memory device, resistive memory system, and operating method thereof

Номер патента: US09514813B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Man Chang,Yeong-Taek Lee,Yong-kyu Lee,In-Gyu Baek,Lijie Zhang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-06.

Program and operating methods of nonvolatile memory device

Номер патента: US12020761B2. Автор: Boh-Chang KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US10453550B2. Автор: Hyungsup KIM,Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-22.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200005888A1. Автор: Hyungsup KIM,Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-02.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20190130992A1. Автор: Hyungsup KIM,Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-05-02.

Memory system including semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09607699B2. Автор: Tae Hoon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Resistive memory device and operating method

Номер патента: US09646687B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Hyun-Kook PARK,Yeong-Taek Lee,Yong-kyu Lee,Hyo-Jin KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Memory device and operating method for resistive memory cell

Номер патента: US09711217B1. Автор: Ming-Hsiu Lee,Chao-I Wu,Tien-Yen Wang,Dai-Ying LEE. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Memory device and manufacturing method the same

Номер патента: US09786669B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Ryoji Nomura,Masayuki Sakakura,Tamae Takano,Yoshinobu Asami. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Cam cell, cam device and operation method thereof, and method for searching and comparing data

Номер патента: US20230036141A1. Автор: Feng-Min Lee,Ming-Hsiu Lee,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US20220284952A1. Автор: Dai-Ying LEE,Yun-Yuan Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Memory array, memory cell, and data read and write method thereof

Номер патента: US20230197133A1. Автор: XIAOGUANG WANG,Yulei Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor memory device having column select line driving scheme for reducing skew between column select lines and column select line driving method thereof

Номер патента: US6944069B2. Автор: Byung-Chul Kim,Seung-Bum Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-09-13.

Nonvolatile memory device maintaining a bitline precharge during program verification periods for multi-level memory cells and related programming method

Номер патента: US09418747B2. Автор: Dong-ku Kang,Seung-Bum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-16.

Multi-mode memory device and method having stacked memory dice, a logic die and a command processing circuit and operating in direct and indirect modes

Номер патента: US10109343B2. Автор: Joseph M. Jeddeloh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-23.

Non-volatile memory device and operation and fabricating methods thereof

Номер патента: US20150049557A1. Автор: Hiroshi Watanabe. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Portable DRAM type memory device for a computer, especially a PC type computer, has an autonomous power supply and operating mode memory unit to permits its transfer between different computers without loss of memory contents

Номер патента: DE10338679A1. Автор: Erwin Thalmann. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-12-09.

Non-volatile memory device

Номер патента: US4962484A. Автор: Naoki Mitsuishi,Masahiko Takeshima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1990-10-09.

Memory device configured to generate read current based on size of memory cell and value of read current actually applied to memory cell

Номер патента: US20240062795A1. Автор: Daeshik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20220139458A1. Автор: Shizuka Kutsukake. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-05-05.

Flash memory device including bit line voltage clamp circuit for controlling bit line voltage during programming, and bit line voltage control method thereof

Номер патента: TWI279809B. Автор: Se-Eun O. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-04-21.

Flash memory device including bit line voltage clamp circuit for controlling bit line voltage during programming, and bit line voltage control method thereof

Номер патента: US7251163B2. Автор: Se-Eun O. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-07-31.

Semiconductor memory device voltage generating circuit for avoiding leakage currents of parasitic diodes

Номер патента: US7768842B2. Автор: Young Do Hur,Yeon Uk KIM. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-08-03.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20240145008A1. Автор: Young Hwan Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Voltage supply circuit, memory device including the same, and operating method of memory device

Номер патента: US20240233804A1. Автор: Sangwan Nam,ChiWeon Yoon,Chihyun Kim,Jayang Yoon,Hyeongdo CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US09761282B2. Автор: Dong Yeob CHUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240242743A1. Автор: Jungyu Lee,Jihyun Park,ChiWeon Yoon,Yumin KIM,Eunchan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory devices and operation methods thereof including a write voltage selectively applied to a well of a column multiplexer circuit

Номер патента: US12051456B2. Автор: Suk-Soo Pyo,Gyuseong KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09818461B1. Автор: Yun-gi Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Pre-charge circuit and method for memory devices with shared sense amplifiers

Номер патента: US20030043666A1. Автор: Michael Killian,Mark Jacunski. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-03-06.

Memory device for increasing write margin during write operation and reducing current leakage during standby operation and operation method thereof

Номер патента: US11776621B2. Автор: Jinn Shyan Wang,Chien Tung LIU,Chih Jung LIU. Владелец: NATIONAL CHUNG CHENG UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-10-03.

Memory device for controlling word line voltage and operating method thereof

Номер патента: EP4187541A1. Автор: Hyunkook Park,Sara Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-31.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US11978519B2. Автор: Jung Ae Kim,Jee Yul KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Voltage regulator, memory system having the same and operating method thereof

Номер патента: US09886986B2. Автор: Ki Soo Kim,Jin Seong KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Voltage regulator, memory system having the same and operating method thereof

Номер патента: US09647538B2. Автор: Ki Soo Kim,Jin Seong KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20210005241A1. Автор: Wen-Jer Tsai,Chun-Chang LU. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-07.

Memory chip and operating method thereof

Номер патента: US20240265956A1. Автор: Kuo-Hsiang Chen,Shih-Hsien Yang,Chung-Hung Chen,Yu-Chih Wang,Hsiang-Chi Cheng,Shyh-Bin KUO,Yi-Cheng LAl. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US20240329862A1. Автор: Seung-Jun Lee,Woongdai KANG,YooJin NAM,Dongyeong CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Storage device communicating with specific pattern and operating method thereof

Номер патента: US20160239220A1. Автор: Kui-Yon Mun,Youngwook Kim,Jae-Sung Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-18.

Storage device using power state information and operating method thereof

Номер патента: US09672915B2. Автор: Se-wook Na,Hyunchul PARK,Young-Jae Jung,Durina Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Device for determining read reference voltage of a memory device and operating method thereof

Номер патента: US20230298677A1. Автор: Sang Ho Yun,Jaekyun Moon,Younghyun Park,Sunyoung JO,Jungwuk PARK. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-09-21.

Controller and operating method thereof

Номер патента: US20190206457A1. Автор: Byoung Jun PARK,Seong Jo Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US12050503B2. Автор: Woo Sick CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US20240345648A1. Автор: Woo Sick CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Nonvolatile memory device, nonvolatile memory system, and operating method of nonvolatile memory

Номер патента: US09928885B2. Автор: Sung-Hyun Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Memory device detecting defect of word line path and operating method thereof

Номер патента: US20240296898A1. Автор: Daeseok Byeon,Taehong KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-05.

Memory device for improving speed of program operation and operating method thereof

Номер патента: US11972111B2. Автор: Minseok Kim,Jisu Kim,Junyong PARK,Ilhan Park,Doohyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-30.

Memory device for improving speed of program operation and operating method thereof

Номер патента: EP4177896A1. Автор: Minseok Kim,Jisu Kim,Junyong PARK,Ilhan Park,Doohyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-10.

Non-volatile memory device, storage device having the same and operating method of non-volatile memory device

Номер патента: US20240242765A1. Автор: Sangsoo Park,ChiWeon Yoon,Chihyun Kim,Junehong PARK,Jayang Yoon,Hyeongdo CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Non-volatile memory device, storage device having the same and operating method of non-volatile memory device

Номер патента: EP4401079A1. Автор: Sangsoo Park,ChiWeon Yoon,Chihyun Kim,Junehong PARK,Jayang Yoon,Hyeongdo CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-17.

Memory device and operating method of the same

Номер патента: US20240290408A1. Автор: Yih Wang,Perng-Fei Yuh,Chia-En HUANG,Tung-Cheng Chang,Chun-Ying Lee,Gu-Huan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Non-volatile memory device optimized for a surface mount technology (smt) process and an operating method thereof

Номер патента: US20230251781A1. Автор: Joohee Son,Wandong Kim,Hune Seo,Dongcheul Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-10.

Memory device, the operation method thereof and memory system

Номер патента: US12112802B2. Автор: JING Wei,Zhihong Li,Masao Kuriyama. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Memory device having a comparator circuit

Номер патента: US12136454B2. Автор: Atul Katoch,Jaspal Singh Shah. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Memory device

Номер патента: US12079482B2. Автор: Sukhan Lee,Shinhaeng KANG,Kyomin Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory device

Номер патента: US20210201989A1. Автор: Atul Katoch,Jaspal Singh Shah. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Memory device

Номер патента: US20230214124A1. Автор: Sukhan Lee,Shinhaeng KANG,Kyomin Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-06.

Memory device

Номер патента: US20240096383A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor memory apparatus optimized for setting operation parameter and operating parameter setting method thereof

Номер патента: US09489993B2. Автор: Eun Kyu IN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor memory device including data input output circuit operated according to DQ interleaved data access test method and data input output method thereof

Номер патента: KR100546345B1. Автор: 신동학. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-01-26.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US09646707B1. Автор: Jong Won Park,Chan Woo Yang,Ju Hyeon HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US20190121741A1. Автор: Sok Kyu Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-04-25.

Memory device comprising stacked memory cells and electronic device including the same

Номер патента: US09748274B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yutaka Shionoiri,Shuhei Nagatsuka,Tatsuya Onuki,Takahiko Ishizu,Naoaki Tsutsui. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Drift correction in slc and mlc memory devices

Номер патента: US20240071483A1. Автор: Andrea Martinelli,Christophe Vincent Antoine Laurent,Efrem Bolandrina,Francesco Mastroianni,Karthik Sarpatwari,Nevil N. Gajera,Riccardo Muzzetto,Zhongyuan Lu,Lucia Di Martino. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor memory device including dummy memory cells and memory system including the same

Номер патента: US09691490B2. Автор: Eun Seok Choi,Jung Seok Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Device for recording of information for magnetoresistive ram

Номер патента: RU2677564C1. Автор: Петр Николаевич Скирдков,Александр Михайлович Шикин,Анна Алексеевна Рыбкина,Артем Геннадиевич Рыбкин,Илья Игоревич Климовских. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный университет" (СПбГУ). Дата публикации: 2019-01-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20180090220A1. Автор: Masanobu Shirakawa,Hiroe MINAGAWA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-29.

Non-volatile memory device and method of compensating leakage reading current of a non-volatile memory array

Номер патента: US7483302B2. Автор: Chun-Hsiung Hung,Su-Chueh Lo,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-27.

Non-volatile memory device and method of compensating leakage reading current of a non-volatile memory array

Номер патента: US20080186770A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Su-Chueh Lo,Han-Sung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-07.

Memory device for setting channel initialization time based on inhabition count value and method of the memory device

Номер патента: US11804273B2. Автор: Jong Wook Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor memory device and programming method thereof

Номер патента: US20120268977A1. Автор: Won Kyung KANG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-10-25.

NONVOLATILE MEMORY DEVICE, STORAGE DEVICE HAVING THE SAME, AND OPERATION AND READ METHODS THEREOF

Номер патента: US20160247578A1. Автор: YUN Sung-Won. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-25.

NONVOLATILE MEMORY DEVICE, STORAGE DEVICE HAVING THE SAME, AND OPERATION AND READ METHODS THEREOF

Номер патента: US20150318045A1. Автор: YUN Sung-Won. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-05.

Nonvolatile memory device, storage device having the same, and operation and read methods thereof

Номер патента: US9837164B2. Автор: Sung-Won Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-05.

Integrated solution for identifying malfunctioning components within memory devices

Номер патента: US20110158016A1. Автор: Carolina Selva,Danilo Rimondi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2011-06-30.

Integrated solution for identifying malfunctioning components within memory devices

Номер патента: US20130077422A1. Автор: Carolina Selva,Danilo Rimondi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2013-03-28.

NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND OPERATION AND FABRICATING METHODS THEREOF

Номер патента: US20150049557A1. Автор: Watanabe Hiroshi. Владелец: PHISON ELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2015-02-19.

System for reducing row periphery power consumption in memory devices

Номер патента: US20050007861A1. Автор: Xiaowei Deng,Theodore Houston,Bryan Sheffield. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2005-01-13.

Read level compensation for partially programmed blocks of memory devices

Номер патента: US20240087655A1. Автор: Jian Huang,Zhenming Zhou,Paing Z. Htet,Thomas Fiala,Nagendra Prasad Ganesh Rao,Sead Zildzic, JR.. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

System for reducing row periphery power consumption in memory devices

Номер патента: US7120082B2. Автор: Theodore W. Houston,Xiaowei Deng,Bryan D. Sheffield. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2006-10-10.

MULTI-MODE MEMORY DEVICE AND METHOD HAVING STACKED MEMORY DICE, A LOGIC DIE AND A COMMAND PROCESSING CIRCUIT AND OPERATING IN DIRECT AND INDIRECT MODES

Номер патента: US20170249984A1. Автор: Jeddeloh Joseph M.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2017-08-31.

MULTI-MODE MEMORY DEVICE AND METHOD HAVING STACKED MEMORY DICE, A LOGIC DIE AND A COMMAND PROCESSING CIRCUIT AND OPERATING IN DIRECT AND INDIRECT MODES

Номер патента: US20180374530A1. Автор: Jeddeloh Joseph M.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-12-27.

Multi-mode memory device and method having stacked memory dice, a logic die and a command processing circuit and operating in direct and indirect modes

Номер патента: US10892003B2. Автор: Joseph M. Jeddeloh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-12.

Multi-mode memory device and method having stacked memory dice, a logic die and a command processing circuit and operating in direct and indirect modes

Номер патента: US9659630B2. Автор: Joseph M. Jeddeloh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-05-23.

Memory device having memory cell units each composed of a memory and complementary memory cell and reading method

Номер патента: EP1398787B1. Автор: Ki Nam Kim,Byung Gil Jeon,Mun Kyu Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-03-01.

Flash memory device having uniform threshold voltage distribution without under-programed or over-programed flash cells and program verify method thereof

Номер патента: KR100496866B1. Автор: 이성수,이경한. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-06-22.

Thin film magnetic memory device for programming required information with an element similar to a memory cell and information programming method

Номер патента: US6987690B2. Автор: Hideto Hidaka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-01-17.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09530467B1. Автор: Jin Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US09524758B2. Автор: Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US20200013451A1. Автор: Jongpil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-09.

Nonvolatile memory device and operation method thereof

Номер патента: US20200194073A1. Автор: Joonsoo Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-18.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US09741402B2. Автор: Myeong Woon JEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US11450363B2. Автор: Jae Woong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-09-20.

Memory device including page buffer, memory system including page buffer, and operating method thereof

Номер патента: US20240242745A1. Автор: Yan Wang,Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20230108946A1. Автор: Se Chun Park,Sung Hyun Hwang,Jae Yeop Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-06.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20170263293A1. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-14.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US11929126B2. Автор: Se Chun Park,Sung Hyun Hwang,Jae Yeop Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Memory device performing incremental step pulse program operation and operating method thereof

Номер патента: US11776630B2. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09997215B2. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09478261B1. Автор: Seung Hwan Baek,Sung Yong Lim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Memory device with low power consumption and operation method thereof

Номер патента: US12040011B2. Автор: Meng-Fan Chang,Jui-Jen Wu,Win-San Khwa,Yen-Cheng Chiu,Yi-Lun Lu,Je-Min Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory devices and control methods thereof

Номер патента: US20150213879A1. Автор: Chia-Wei Wang,Shu-Hsuan Lin. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2015-07-30.

Memory devices and control methods thereof

Номер патента: US09449679B2. Автор: Chia-Wei Wang,Shu-Hsuan Lin. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Storage device and the read operating method thereof

Номер патента: US11923011B2. Автор: Do Gyeong Lee,Ju Won Lee,Jun-Ho SEO,Suk-Eun Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-05.

Memory device and data search method for in-memory search

Номер патента: US20240021254A1. Автор: Po-Hao Tseng,Tian-Cih BO. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Non-volatile memory device and operation method of the same

Номер патента: US20200258577A1. Автор: Hyun-Jin Kim,Soo-Woong Lee,Jae-Yong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-13.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US09711197B1. Автор: Jae Woong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Nonvolatile memory device for invalidating data stored therein, memory system including the same, and operating method thereof

Номер патента: US20200090746A1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Sang-Gu JO,Jae-Min Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-03-19.

Semiconductor memory device for preventing mal-operation induced by misrecognizing addresses/data as commands and operating method thereof

Номер патента: US7944763B2. Автор: Ji-Hyae Bae. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-05-17.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09836216B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09672913B1. Автор: Byoung In JOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: US09508454B2. Автор: Seong-Sik PARK,Ho-Youb Cho,Yo-Han JEONG,Seong-Je Park,Chang-Won Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US12106070B2. Автор: Yung-Chun Lee,Han-Wen Hu,Bo-Rong Lin,Huai-Mu WANG. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Memory device for performing in-memory-search and operating method thereof

Номер патента: US20240274165A1. Автор: Feng-Min Lee,Po-Hao Tseng,Tian-Cih BO. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor Memory Device and Operating Method Thereof

Номер патента: US20100277994A1. Автор: Ji-Hyae Bae. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-11-04.

Memory controller and operation method thereof

Номер патента: EP4390927A1. Автор: Youngjin Cho,Sungwon KO,Hoyoung Chang,Kwansuk JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-26.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240257843A1. Автор: Jungyu Lee,Jihyun Park,ChiWeon Yoon,Yumin KIM,Eunchan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20170287564A1. Автор: Byoung Jun PARK,Seong Jo Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-05.

Memory device performing offset calibration and operating method thereof

Номер патента: US20230129949A1. Автор: Kiho Kim,DongHun Lee,Kihan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-27.

Memory device performing offset calibration and operating method thereof

Номер патента: US12125553B2. Автор: Kiho Kim,DongHun Lee,Kihan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Memory device, operating method thereof, and operating method of memory system including the same

Номер патента: US20200005842A1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Sung-Eun Lee,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-02.

Memory device, operating method thereof, and operating method of memory system including the same

Номер патента: US10515675B2. Автор: Jung-Hyun Kwon,Sung-Eun Lee,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-12-24.

Operating method of memory device for extending synchronization of data clock signal, and operating method of electronic device including the same

Номер патента: US12040046B2. Автор: Seung-Jun Lee,Kyungryun Kim,Young Ju Kim,Jin-Hoon Jang,Youngbin LEE,Yeonkyu CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory device, operating method thereof, and operating method of memory system including the same

Номер патента: US20180151205A1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Sung-Eun Lee,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-31.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US20230238040A1. Автор: Seung Han RYU,In Bo Shim,Hae Seong JEONG,Hyeong Rak Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20230221956A1. Автор: Yuan-Hao Chang,Tei-Wei Kuo,Wei-Chen Wang,Yung-Chun Li,Chien-Chung Ho,Han-Wen Hu,Huai-Mu WANG. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Data output circuit of semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: US20070133313A1. Автор: Kwang Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-06-14.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US20240281166A1. Автор: Jae Woong Jeong,In Bo Shim,Dal Gon KIM,Na Yeong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Operating method of memory device for extending synchronization of data clock signal, and operating method of electronic device including the same

Номер патента: US20240329045A1. Автор: Seung-Jun Lee,Kyungryun Kim,Young Ju Kim,Jin-Hoon Jang,Youngbin LEE,Yeonkyu CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory controller and operating method thereof

Номер патента: US09823961B1. Автор: Yu-Ming Huang,Yu-Ming Chang,Hsi-Chia Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Memory device including one-time programmable block and operation method thereof

Номер патента: US20230153000A1. Автор: Sangyong Yoon,Sang-Wan Nam,Jae-Hoon Choi,Kookhyun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-18.

Method for accessing memory cells, semiconductor memory device including memory cells, and operating method of memory controller controlling memory device

Номер патента: EP4141873A1. Автор: Won-Hyung SONG,Seong-Jin Cho,Jung Min YOU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-01.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US09946586B2. Автор: Jun-Seo Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09824758B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US09754675B2. Автор: Jong-Ju PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09627069B1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US20240232012A1. Автор: Kyung-Ho Lee,Kijun Lee,Sunghye CHO,Myungkyu Lee,Kyomin Sohn,Ki-Heung Kim,Hyongryol Hwang,Seongmuk Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20220319608A1. Автор: Yeong Jo MUN,Hyun Seob SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Memory device with relaxed timing parameter according to temperature, operating method thereof, and memory controller and memory system using the memory device

Номер патента: US09465757B2. Автор: Chul-woo Park,Uk-Song KANG,Jong-Pil Son,Seong-Young Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Memory system, memory access interface device and operation method thereof

Номер патента: US20240231416A9. Автор: Chih-Wei Chang,Fu-Chin Tsai,Ger-Chih Chou,Chun-Chi Yu,Min-Han TSAI. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory device and memory system performing request-based refresh, and operating method of the memory device

Номер патента: US09940991B2. Автор: Ho-young Song,Hyun-Joong Kim,Hoi-Ju CHUNG,Sang-Uhn CHA,Ju-Yun JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US09842641B2. Автор: Nak-Kyu Park,Sun-Hye Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor memory device, memory system including the same and operating method thereof

Номер патента: US09761287B2. Автор: Jin Su Park,Min gi HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US09640245B2. Автор: Nak-Kyu Park,Sun-Hye Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US09613667B2. Автор: Dong Yeob CHUN,Re Sen AHN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor memory device, memory system including the same and operating method thereof

Номер патента: US09601169B2. Автор: Jin Su Park,Min gi HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US09508400B1. Автор: Dong Yeob CHUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Nonvolatile memory device and operation method thereof

Номер патента: EP4181142A1. Автор: Dongkyo Shim,Sang Soo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-17.

Memory device and operating method for target refresh operation based on number of accesses

Номер патента: US20240274182A1. Автор: Woongrae Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory device and system supporting command bus training, and operating method thereof

Номер патента: US09959918B2. Автор: Tae-Young Oh,Hye-Ran Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor memory device having dummy word lines and operating method thereof

Номер патента: US09741408B2. Автор: Yeonghun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor memory device including three-dimensional memory cell array structure and operating method thereof

Номер патента: US09520198B2. Автор: Eun Seok Choi,Jung Seok Oh,Se Kyoung Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Device for controlling data output for high-speed memory device and method thereof

Номер патента: US20060104126A1. Автор: Nak Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-05-18.

Memory device and computing method thereof

Номер патента: US12094564B2. Автор: Feng-Min Lee,Ming-Hsiu Lee,Dai-Ying LEE,Cheng-Hsien Lu,Yun-Yuan Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory device receiving data clock signals and operation method thereof

Номер патента: US20210043242A1. Автор: Joungyeal Kim,Seongheon Yu,Doowon Bong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-11.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200066348A1. Автор: Joo-young Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-02-27.

Non-volatile memory device including high voltage switching circuit, and operation method of the non-volatile memory device

Номер патента: US20210391015A1. Автор: Hyunjin SHIN,Sanggyeong Won,Dohui Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-16.

Memory device for controlling a data output order and an operating method thereof

Номер патента: US20240321381A1. Автор: Jiwon SEO,KeeHo JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory device outputting read-busy signal and memory system including the same

Номер патента: US09911479B2. Автор: Kwang Hyun Kim,Jae Hyeong Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Programming dummy data into bad pages of a memory system and operating method thereof

Номер патента: US09570177B2. Автор: Haegi CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor memory device and operating method of the semiconductor memory device

Номер патента: US12073894B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Storage device including nonvolatile memory and memory controller and operating method of retiming circuit interfacing communication between nonvolatile memory and memory controller

Номер патента: US09601171B2. Автор: Hyunjin Kim,Youngjin Jeon,Seonkyoo Lee,Jeongdon Ihm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US09570120B2. Автор: Dae-Suk Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20210257019A1. Автор: Jungho LIM,Nogeun Joo,Byeongchan Choi,Jeongtae HWANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Memory device including ternary memory cell

Номер патента: US20220413800A1. Автор: Myoung Kim,Jae Won Jeong,Youngeun CHOI,Kyung Rok Kim,Wooseok Kim. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Calibration circuit for controlling resistance of output driver circuit, memory device including the same, and operating method of the memory device

Номер патента: US20210027827A1. Автор: Junha Lee,Hundae CHOI,Hwapyong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-28.

Memory device supporting DBI interface and operating method of memory device

Номер патента: US11756592B2. Автор: ChiWeon Yoon,Tongsung KIM,Byunghoon Jeong,Youngmin Jo,Seonkyoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-12.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20210118479A1. Автор: Won Jae Choi,Gwan Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-22.

Data interface circuit, nonvolatile memory device including the same and operating method thereof

Номер патента: US20120218839A1. Автор: Byoung-Sung Yoo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-08-30.

Controller, memory system and operating method of memory system

Номер патента: US20240363189A1. Автор: Young Ook SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor memory device performing read retry mode and operating method of the same

Номер патента: US09293209B2. Автор: Jung Ryul Ahn,Seung Hwan BAIK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-03-22.

Storage device and operating method of storage device

Номер патента: US11836041B2. Автор: Chulseung Lee,Choongeui Lee,Soon Suk Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-05.

Error correction device and methods thereof

Номер патента: WO2007112163A2. Автор: Anis M. Jarrar,Jim C. Nash. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2007-10-04.

Semiconductor memory device and production method thereof

Номер патента: US20160247571A1. Автор: Hideto Takekida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-25.

Storage device and operating method of storage device

Номер патента: US20220413963A1. Автор: Chulseung Lee,Choongeui Lee,Soon Suk Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-29.

Memory device, a memory system and an operating method of the memory device

Номер патента: US12073914B2. Автор: Kyungryun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor memory apparatus and operating method thereof, and semiconductor memory system

Номер патента: US20210391020A1. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

Echo clock generating circuit of semiconductor memory device and method thereof

Номер патента: US6353575B2. Автор: Kwang-Jin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-03-05.

Semiconductor memory device for improving signal integrity issue in center pad type of stacked chip structure

Номер патента: US09830973B2. Автор: Heeseok Lee,Seung-yong Cha,Keung Beum Kim,HyunJong MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Three-dimensional semiconductor device with top dummy cells, bottom dummy cells and operating method thereof

Номер патента: US09754647B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor memory device for improving signal integrity issue in center pad type of stacked chip structure

Номер патента: US09721644B2. Автор: Heeseok Lee,Seung-yong Cha,Keung Beum Kim,HyunJong MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US09583194B2. Автор: Young-Jin Park,Gi-Pyo UM,Jong-Ju PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Non-volatile memory device, operating method thereof, controller for controlling the same, and storage device having the same

Номер патента: US12094552B2. Автор: Jinyoung Kim,Sangwan Nam,Ilhan Park,Sehwan Park,Kyoman KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: US20160260502A1. Автор: Seong-Sik PARK,Ho-Youb Cho,Yo-Han JEONG,Seong-Je Park,Chang-Won Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Non-volatile memory device for mitigating cycling trapped effect and control method thereof

Номер патента: US12020754B2. Автор: Po-Yuan TANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Memory device including address table and operating method for memory controller

Номер патента: EP4273707A1. Автор: Changmin Lee,Dohan Kim,Insu Choi,Namhyung Kim,Taekyeong Ko,Bobae KIM,Chinam Kim,Byeongnoh Kim,Kyeongjin Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-08.

Storage device and operating method of storage device

Номер патента: US20240257849A1. Автор: Hyungjin Kim,Youngwook Kim,Soong-Man Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US11748036B2. Автор: Chu Seok KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor memory device, memory system including the same, and operating method thereof

Номер патента: US9384846B1. Автор: Keon Soo Shim,Bong Yeol PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US12068046B2. Автор: Sang Ho Yun,Jang Seob KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US20230326518A1. Автор: Meng-Fan Chang,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang,Yi-Tse Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Non-volatile memory device, operating method thereof, memory system including the non-volatile memory device, and operating method of the memory system

Номер патента: US09576666B2. Автор: Jae-Hong Kim,Young-Seop Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20200286542A1. Автор: Young Jin Woo,Won Yeol Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-09-10.

Memory device and operation methods thereof

Номер патента: US09978435B1. Автор: San-Ha Park. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Nonvolatile memory device for performing duty correction operation, memory system, and operating method thereof

Номер патента: US09583162B1. Автор: Hoon Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Memory device for adjusting magnitude of signal used to precharge bit line according to position of plug hole and operating method thereof

Номер патента: US12014782B2. Автор: Jung Hyeong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: US09396818B2. Автор: Choung-Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-19.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20220084597A1. Автор: Yeong Jo MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20180075916A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-15.

Nonvolatile memory device and operation method thereof

Номер патента: US20230352104A1. Автор: Jung Woo Lee,Yang Kyu Choi,Ji Man YU. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-11-02.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: WO2024197764A1. Автор: Li Xiang,Ke Liang,Jinchi HAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US20240331775A1. Автор: Li Xiang,Ke Liang,Jinchi HAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor memory device having memory strings coupled to bit lines and operating method thereof

Номер патента: US09899093B2. Автор: Jong Won Lee,Jin Su Park,Hyun Su WOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09741437B2. Автор: Min Kyu Lee,Kyoung Hoon LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09627071B2. Автор: Min Kyu Lee,Kyoung Hoon LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09620221B1. Автор: Myeong Cheol SON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09478304B2. Автор: Dong Wook Lee,Myung Su KIM,Hwang Huh,Min Sang Park,Sung Hoon Cho,Sang Jo Lee,Gil Bok CHOI,Suk Kwang PARK,Yun Bong Lee,Chang Jin SUNWOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20190051357A1. Автор: Ji Ho Park,Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-02-14.

Memory device and operating method including a partial program operation and a partial erase operation thereof

Номер патента: US20180322925A1. Автор: Ji Ho Park,Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-11-08.

Memory device and operating method including a partial program operation and a partial erase operation thereof

Номер патента: US10503439B2. Автор: Ji Ho Park,Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-12-10.

Memory device and operating method including a partial program operation and a partial erase operation thereof

Номер патента: US10049746B2. Автор: Ji Ho Park,Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-08-14.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US20190392907A1. Автор: Dong Hyun Kim,Jae Min Lee,Seung Il Kim,Yong Ho Kim,Seon Young Choi,Min Ho HER. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-12-26.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09672914B1. Автор: Eun Young Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09524793B1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Memory device and operation method thereof for performing multiply accumulate operation

Номер патента: US12033699B2. Автор: Po-Kai Hsu,Hang-Ting Lue. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20160148690A1. Автор: Chi Wook An. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-26.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20080025086A1. Автор: Lu-Ping chiang,Po-An Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2008-01-31.

Memory devices for performing repair operation, memory systems including the same, and operating methods thereof

Номер патента: US20210200625A1. Автор: Yongsang Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-01.

Memory device controlling pass voltage and operating method thereof

Номер патента: US20240265971A1. Автор: Yeong Jo MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US20240355394A1. Автор: Feng-Min Lee,Yu-Hsuan Lin,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09607711B1. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor memory device improving threshold voltage of unselected memory block and operating method thereof

Номер патента: US09466372B2. Автор: Chi Wook An. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20210035622A1. Автор: Jong Wook Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20220122678A1. Автор: Young Il Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor memory device, controller, and operating method thereof

Номер патента: US20220262442A1. Автор: Un Sang Lee,Moon Sik SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-08-18.

Semiconductor device performing block program and operating method thereof

Номер патента: US12073887B2. Автор: Sanggyu KO,Yeongmin YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory device for performing read operation and operating method thereof

Номер патента: US20240282388A1. Автор: Byoung In JOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor memory device detecting defect, and operating method thereof

Номер патента: US12100463B2. Автор: Sangwan Nam,KeeHo JUNG,Bongkil Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Memory device including predecoder and operating method thereof

Номер патента: US12112795B2. Автор: Chan Ho Lee,Tae Min CHOI,Kyu Won CHOI,Hyeong Cheol Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Memory device and operation method thereof, and memory system

Номер патента: US20240355399A1. Автор: Li Xiang,Shuai Wang,Zhuo Chen,Chunyuan HOU,Zhipeng DONG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Memory system for reducing program preparation operation time and operation method thereof

Номер патента: US09984001B2. Автор: Jin-woong Kim,Jong-Min Lee,Byoung-Sung YOU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US09881696B2. Автор: Ju Seok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor memory device for performing a post package repair operation and operating method thereof

Номер патента: US09870837B1. Автор: Young-Bo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US09570189B1. Автор: Jae Yoon Lee,Hyung Min Lee,Myeong Woon JEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09570178B2. Автор: Byoung In JOO,Byoung Young KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20210255781A1. Автор: Chol Su CHAE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Memory device for effectively checking program state and operation method thereof

Номер патента: US20240038312A1. Автор: Soo Yeol CHAI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US12032854B2. Автор: Beom Rae JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240203492A1. Автор: Yu Wang,Ke Jiang,Zhichao DU,Weijun Wan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US11749361B2. Автор: Young Il Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: EP4332972A1. Автор: Kui-Yon Mun,JooYoung HWANG,Seunghyun Choi,Gyeongmin Kim,Junyeong HAN,Keunsan Park,HeeTak Shin,Joon-Whan BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-06.

Memory cell, memory device manufacturing method and memory device operation method thereof

Номер патента: US12069857B2. Автор: Feng-Min Lee,Yu-Hsuan Lin,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Storage device and operating method of the storage device

Номер патента: US20220059142A1. Автор: Seung Hyun Chung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-02-24.

Nonvolatile memory device and storage device having the same and operation method thereof

Номер патента: US09864682B2. Автор: Kitae Park,Doohyun Kim,BoGeun Kim,Jinman Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09704587B1. Автор: Eun Young Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor memory device for performing test operation of circuits related to repair scheme and operating method thereof

Номер патента: US09589668B2. Автор: Sang-Hee Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20210241834A1. Автор: Sang Sik Kim,Dae Sung Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-05.

Semiconductor memory device performing program operation and operating method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20240265981A1. Автор: Yeong Jo MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory system including memory device and memory controller, and operating method thereof

Номер патента: US20230266893A1. Автор: Taehun Kim,Wooil Kim,Taewoo HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-24.

Memory system including memory device and memory controller, and operating method thereof

Номер патента: US12079491B2. Автор: Taehun Kim,Wooil Kim,Taewoo HAN. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Dongguk University. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US20220375523A1. Автор: Hang-Ting Lue,Teng-Hao Yeh,Yung-Feng Lin,Su-Chueh Lo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-24.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US09966135B2. Автор: Il Park,Soo Hong Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US09653157B1. Автор: Ki-Sung Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Non-volatile semiconductor memory device and improved verification and programming method for the same

Номер патента: US09646701B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US09570187B2. Автор: Ji Man HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Memory controller and operating method thereof

Номер патента: US12051470B2. Автор: Sung Yeob Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Data storage device and operation method thereof

Номер патента: US20160035427A1. Автор: Jae-Duk Yu,Dongku Kang,Chul Bum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-04.

Semiconductor memory device, semiconductor memory module and operation methods thereof

Номер патента: US20150124542A1. Автор: Jeong-Tae Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-05-07.

Stacked memory device and operating method thereof

Номер патента: US20210240615A1. Автор: Hyunjoong Kim,Jihyun Choi,Seunghyun CHO,Joonsik Sohn,Woongjae SONG,Soowoong AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-08-05.

Memory system and operating method thereof for performing urgent fine program operation

Номер патента: US12056367B2. Автор: Sang Sik Kim,Chung Un NA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Controller, semiconductor memory system and operating method thereof

Номер патента: US20180341543A1. Автор: Dae-sung Kim,Jeong-Seok Ha,Su-Hwang JEONG. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2018-11-29.

Memory controller and operating method thereof

Номер патента: US11276477B2. Автор: Min Hwan MOON,Su Jin LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-15.

Memory module and operating method thereof

Номер патента: US20210081204A1. Автор: Youngjin Cho,Hee Hyun Nam,Hyo-Deok Shin,Younho Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09972397B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor memory device including multi-level cell and programming method thereof

Номер патента: US09859014B2. Автор: Sung Ho Kim,Min Sang Park,Gil Bok CHOI,Kyong Taek LEE,Yun Bong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09741455B1. Автор: Mun-Phil Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09633732B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Memory controller and operating method thereof

Номер патента: US09564239B2. Автор: Yu Cai,Johnson Yen,Ngok Ying Chu. Владелец: SK Hynix Memory Solutions America Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Nonvolatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US09524781B2. Автор: Seung-Bum Kim,Woopyo JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor memory device, memory system having the same and operating method thereof

Номер патента: US09508438B2. Автор: Min Kyu Lee,Chi Wook An. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Nonvolatile memory device detecting power noise and operating method thereof

Номер патента: US20180122485A1. Автор: Sang-Soo Park,Jaeyong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-03.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20190198119A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US12062406B2. Автор: Byoung Sung You. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Memory apparatus performing program operation and operating method thereof

Номер патента: US20240265972A1. Автор: Hyung Jin Choi,Chan Hui Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory device including charge pump, and operation method of the memory device

Номер патента: US20240312531A1. Автор: Jungyu Lee,Bilal Ahmad Janjua,Jihyun Park,ChiWeon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: EP4447050A1. Автор: Dongha Kim,Do-Han Kim,Tae-Kyeong Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-16.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US20240339145A1. Автор: Dongha Kim,Do-Han Kim,Tae-Kyeong Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-10.

Memory device including row-hammer cells and operating method thereof

Номер патента: US20240339147A1. Автор: Saeng Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor memory device outputting status fail signal and operating method thereof

Номер патента: US09959938B2. Автор: Chan Woo Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20130235671A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-12.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US09824763B2. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US09785550B1. Автор: Sung Kwan Hong,Yeong Sik YI,Se Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Controller, semiconductor memory system and operating method thereof

Номер патента: US09778980B2. Автор: Do-Hun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor memory device, memory system including the same, and operating method thereof

Номер патента: US09754677B2. Автор: Jong Won Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Controller controlling semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09542269B1. Автор: Se Chun Park,Young Dong Roh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09508458B2. Автор: Sung-Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Nonvolatile memory device and method of reading the same

Номер патента: US09508423B2. Автор: Boh-Chang KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor memory device mapping external address as internal address wherein internal addresses of spare cells of two blocks differ by upper most bit and internal addresses of main cells of two blocks differ by upper most bit and the internal addresses of main cell and spare cell of each block differ by one bit and operating method for the same

Номер патента: US09443618B2. Автор: Sang-Oh LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US10818365B2. Автор: Jung-Hyun Kwon,Seung-Gyu JEONG,Do-Sun HONG,Won-Gyu SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-10-27.

Nonvolatile memory device, data storage device and operating method thereof

Номер патента: US20180018106A1. Автор: Sok Kyu Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-18.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200012603A1. Автор: Hae-Gi CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Memory array and operation method thereof

Номер патента: US12048164B2. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Yi-Ching Liu,Sheng-Chih Lai,Ya-Yun Cheng,Chen-Jun Wu,Wen-Ling LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: EP4332969A1. Автор: JooYoung HWANG,Seunghyun Choi,Gyeongmin Kim,Junyeong HAN,Keunsan Park,HeeTak Shin,Joon-Whan BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-06.

Data storage device including nonvolatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US20160203870A1. Автор: Sangkwon Moon,Seungkyung Ro,Sang-Hwa Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-14.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20190237150A1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Seung-Gyu JEONG,Do-Sun HONG,Won-Gyu SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US11163689B2. Автор: Hae-Gi CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-11-02.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US20150270005A1. Автор: Yoon-hee Choi,Daeseok Byeon,Byunggil JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-09-24.

Memory controller and operating method thereof

Номер патента: US20200310966A1. Автор: Mi Hee Lee,Dae Gyu Ha,Ho Ryong You. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

Nand flash memory device with enhanced data retention characteristics and operating method thereof

Номер патента: US20240265975A1. Автор: Sung Ho Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240290369A1. Автор: Dayoung Kim,Younghun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Magnetic memory device and operating method thereof

Номер патента: US09875782B2. Автор: Hongil Yoon,Kangwook JO,Jongil HONG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2018-01-23.

Memory system including a memory device, and methods of operating the memory system and the memory device

Номер патента: US09728279B2. Автор: Sang-Yong Yoon,Hye-Jin Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Data storage device including nonvolatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US09589640B2. Автор: Sangkwon Moon,Seungkyung Ro,Sang-Hwa Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor memory device including peripheral circuit for performing program and read opeartions and operating method thereof

Номер патента: US09558794B2. Автор: Ho Seok Lee,Won Hee Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240203509A1. Автор: Seungbum Kim,Hyun SEO,Yonghyuk Choi,Seungyong Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory system for accessing data in stripe form and operating method thereof

Номер патента: US20210382787A1. Автор: Dong Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20160055913A1. Автор: Hee Youl Lee,Kyung Sik Mun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-02-25.

Memory device, memory system including the same and operating method thereof

Номер патента: US20240257886A1. Автор: Sung Yong Lim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Storage device and operation method thereof

Номер патента: US12061796B2. Автор: Gyeongmin Nam,Chanha KIM,Seungryong Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Nonvolatile memory device and operation method thereof

Номер патента: US20190278487A1. Автор: Chankyung Kim,Uksong Kang,Youngjin Cho,JinHyeok Choi,Sungyong SEO,Sun-Young Lim,Duckhyun Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-12.

Storage device and operating method of storage device

Номер патента: EP4181136A1. Автор: Hee-Woong Kang,Yunjung LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-17.

Non-volatile content addressable memory device having simple cell configuration and operating method of the same

Номер патента: US20240265967A1. Автор: Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Taehwan MOON,Hagyoul BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Flash memory device and operating method thereof

Номер патента: US20120051135A1. Автор: Jung-Hwan Lee,Seong-Je Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-03-01.

Refresh control circuit for target refresh operation of semiconductor memory device, and operating method thereof

Номер патента: US09953696B2. Автор: Jung-Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor memory device and writing operation method thereof

Номер патента: US09911498B2. Автор: Masanobu Shirakawa,Kenta Yasufuku,Akira Yamaga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US09886381B2. Автор: Eun-Soo Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US09798480B2. Автор: Jeen PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Nonvolatile memory device including memory area storing information used for searching erased page, data storage device including the same, and operating method thereof

Номер патента: US09640268B2. Автор: Chan Woo Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Controller, semiconductor memory system and operating method thereof

Номер патента: US09575833B2. Автор: Myeong-Woon JEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Nonvolatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US09543026B2. Автор: Il-han Park,Minsu Kim,Jung-ho Song,Su Chang Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor memory device outputting status signal and operating method thereof

Номер патента: US09424901B1. Автор: Chi Wook An,Ju Yeab Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200089581A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-03-19.

Nonvolatile memory device and operation method thereof

Номер патента: US12033707B2. Автор: Won-Taeck JUNG,Dongku Kang,Su Chang Jeon,Kyung-Min Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Nonvolatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240221844A1. Автор: Yohan Lee,Sangsoo Park,Jonghoon Park,Jaeduk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Nonvolatile memory device for performing multi-plane read operation and operation method thereof

Номер патента: US20240203478A1. Автор: Seokin Hong,Yeji Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory device and in-memory search method thereof

Номер патента: US20240221830A1. Автор: Feng-Min Lee,Po-Hao Tseng,Tian-Cih BO. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Controller and operation method thereof

Номер патента: US20220404972A1. Автор: Ju Hyun Kim,Do Hun Kim,Jin Yeong Kim,Jae Wan YEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-12-22.

Controller and operation method thereof

Номер патента: US20230409228A1. Автор: Ju Hyun Kim,Do Hun Kim,Jin Yeong Kim,Jae Wan YEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Controller and operation method thereof

Номер патента: US11789637B2. Автор: Ju Hyun Kim,Do Hun Kim,Jin Yeong Kim,Jae Wan YEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20240013838A1. Автор: Jae Woong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US20210149581A1. Автор: Hyeon Cheol Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-05-20.

Memory device, memory system, and operation method thereof

Номер патента: US10740226B2. Автор: Jung-Hyun Kwon,Sung-Eun Lee,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-08-11.

Memory device, memory system, and operation method thereof

Номер патента: US20180210826A1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Sung-Eun Lee,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-26.

Memory controller, memory system including the same, and operation method of memory controller

Номер патента: US20240272808A1. Автор: Younsoo Cheon,Haedong No,Youjin JEON,Minjin JO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory device, electronic device, and operating method of memory device for voting valid signal

Номер патента: US20240249051A1. Автор: Jaewon Park,SungOh Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory device for performing target refresh operation, memory system and operating method of memory system

Номер патента: US20240339146A1. Автор: Saeng Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Memory system and operating method of the memory system

Номер патента: US12073896B2. Автор: Moon Sik SEO,Gil Bok CHOI,Dae Hwan YUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory devices with reduced bit line capacitance and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240371412A1. Автор: Yen-Huei Chen,Yuichiro Ishii,Chih-Yu Lin,Koji Nii,Makoto Yabuuchi,Hidehiro Fujiwara,Masaya Hamada. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Nonvolatile memory device and operation method thereof

Номер патента: US20240331785A1. Автор: Won-Taeck JUNG,Dongku Kang,Su Chang Jeon,Kyung-Min Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Nonvolatile memory device for supporting fast checking function and operating method of data storage device including the same

Номер патента: US09899094B2. Автор: Ji Man HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Nonvolatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US09672924B2. Автор: Ohsuk Kwon,Kihwan Choi,Yongsung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: US09583203B2. Автор: Young-Il Kim,Sung-Wook Choi,Sang-Sun Lee,Jung-Hoon HAM. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09552883B1. Автор: SUNG Wook Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US09502126B1. Автор: Dong Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Memory devices and operating methods thereof, memory system

Номер патента: US20240203514A1. Автор: Lu GUO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor memory device for performing refresh operation and operating method therof

Номер патента: US20170186480A1. Автор: Jae-Hoon Cha,Geun-il Lee,Sung-Yub LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-29.

Dynamic random access memory device with long retention and operating method thereof

Номер патента: US11922988B2. Автор: Yang-Kyu Choi,Myung-Su Kim. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-03-05.

Operating method of a nonvolatile memory device for programming multi-page data

Номер патента: EP3958265A1. Автор: Jinyoung Kim,Sangwan Nam,Sehwan Park,Hyun SEO,Wandong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-23.

Memory system and operating method of the same

Номер патента: US20210375347A1. Автор: Seungwon Lee,Daeseok Byeon,Youngmin Jo,Taehyo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-02.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240194275A1. Автор: Jong Woo Kim,Young Cheol SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240304249A1. Автор: Hyung Jin Choi,Se Chun Park,Chan Hui Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory device, memory system, and program operation method thereof

Номер патента: US12093535B2. Автор: Hongtao Liu,XiangNan Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory device, memory system, and program operation method thereof

Номер патента: EP4441740A1. Автор: Hongtao Liu,XiangNan Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US12125536B2. Автор: Se Chun Park,Chan Hui Jeong,Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor memory device capable of controlling a floating state of adjacent word lines and an operating method thereof

Номер патента: US12124702B2. Автор: Hyunkook Park,Sara Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US09818491B2. Автор: Jae-il Kim,Jong-Sam Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor memory device for performing refresh operation and operating method therof

Номер патента: US09786351B2. Автор: Jae-Hoon Cha,Geun-il Lee,Sung-Yub LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09607698B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20180190366A1. Автор: Jung-Ho LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

Spin orbit torque magnetic memory devices, operating methods thereof, and electronic apparatuses including the magnetic memory devices

Номер патента: US20240147868A1. Автор: Atsushi Okada,Soichiro Mizusaki,Kwangseok KIM,Jeongchun Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Non-volatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240233831A1. Автор: ByungKyu Cho,Hyunkook Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory device, operation method of memory device, and operation method of test device configured to test memory device

Номер патента: US20240233857A1. Автор: Sang-Won Park,Bongsoon LIM,Won-Taeck JUNG,Kuihan KO,Heewon Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20240177780A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US20180130544A1. Автор: Jae Won Cha,Sam Kyu Won,Myung Su KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-10.

Memory device having improved program and erase operations and operating method of the memory device

Номер патента: US20200211650A1. Автор: Sang Heon Lee,Keon Soo Shim,Byung In Lee,Hee Joung PARK,Jae Il TAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20240249782A1. Автор: Joonsuc Jang,Ji-Sang LEE,Minkyeong CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US11755247B2. Автор: Dae Sung Kim,Jae Hyeong Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Nonvolatile Memory Device And Operation Method Thereof

Номер патента: US20230153001A1. Автор: Dongkyo Shim,Sang Soo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-18.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US20190102245A1. Автор: Yeong Dong GIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-04-04.

Semiconductor memory device that determines a deterioration level of memory cells and an operation method thereof

Номер патента: US20170169895A1. Автор: Yoshiki Terabayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Data processing system and operating method thereof

Номер патента: US12050508B2. Автор: Eung-Bo SHIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US20240194245A1. Автор: Sung Yeob Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Nonvolatile memory device, operation method of a nonvolatile memory device, and operation method of a controller

Номер патента: US20230410900A1. Автор: Sung-Won Yun,Hyejin YIM,Il Han Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor memory device and writing method thereof

Номер патента: US20240347103A1. Автор: Hsi-Yuan Wang,Ying-Te Tu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Non-volatile memory device for performing precharge to cell string and program method thereof

Номер патента: US12062402B2. Автор: Byungsoo Kim,Kyungsoo Park,Hyunggon KIM,Sejin BAEK,Sangbum YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Memory device for internally performing read-verify operation, method of operating the same, and memory system including the same

Номер патента: US09990149B2. Автор: Hyun Ju Kim,Taek Kyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US09899102B2. Автор: Jae Won Cha,Sam Kyu Won,Myung Su KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor memory device that determines a deterioration level of memory cells and an operation method thereof

Номер патента: US09786381B2. Автор: Yoshiki Terabayashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Nonvolatile memory system including nonvolatile memory device and memory controller and operating method of memory controller

Номер патента: US09741441B2. Автор: Kyungryun Kim,Sangyong Yoon,Kiwhan Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-22.

Peripheral circuit, semiconductor memory device and operating method of the semiconductor device and/or peripheral circuit

Номер патента: US09715934B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09710328B2. Автор: Hyung-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09691469B2. Автор: Seung-chan Kim,Hyeng-Ouk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US09640281B1. Автор: Won-Jin Jung,Yoon-Seong Seo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Memory device using spin hall effect and methods of manufacturing and operating the memory device

Номер патента: US09530478B2. Автор: Sung-Chul Lee,Kee-Won Kim,Kwang-Seok Kim,Young-man Jang,Ung-hwan Pi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-27.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US09501373B2. Автор: Eu Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Memory device for realizing sector erase function and operating method thereof

Номер патента: US09489995B2. Автор: Nai-Ping Kuo,Cai-Yun Wu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09478289B1. Автор: Byung Ryul Kim,Yong Hwan HONG,Dae Il Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09466376B1. Автор: Hee Youl Lee,Hyun Seung Yoo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Nonvolatile memory system including nonvolatile memory device and memory controller and operating method of memory controller

Номер патента: US09449695B2. Автор: Kyungryun Kim,Sangyong Yoon,Kiwhan Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Three-dimensional memory device and operating method of a storage device including the same

Номер патента: US09401214B2. Автор: Donghun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-26.

Memory devices, operating methods of the memory devices, and test systems including the memory devices

Номер патента: EP4280213A2. Автор: Wonyoung Choi,Changkyu Seol,Jeongseok PARK,Hyeran Kim,Sungrae Kim,Gilyoung Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-22.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20210201982A1. Автор: Sangwan Nam,Yonghyuk Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-01.

Memory controller managing refresh operation and operating method thereof

Номер патента: US20240249793A1. Автор: Kijun Lee,Sunghye CHO,Myungkyu Lee,Kyomin Sohn,Jungmin YOU,Eunae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory controller and operating method thereof

Номер патента: US11709606B2. Автор: Jae Gwang Lee,Gyung Min PARK,Keon Yeong LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-07-25.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20180068731A1. Автор: Soo-Nyun KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

Memory system and operating method of the memory system

Номер патента: US20210098071A1. Автор: Ju Hyeon HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US12068045B2. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Nonvolatile memory device and operating method of nonvolatile memory device

Номер патента: US20240282377A1. Автор: Woojae Jang,Jaeduk LEE,Sejun Park,YuJeong Seo,Chaehyeon LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Nonvolatile memory devices, operating methods thereof and memory systems including the same

Номер патента: US20230268017A1. Автор: Jae-Hoon Jang,Jaehun Jeong,Hansoo Kim,Donghyuk Chae,Sun-Il Shim,Youngho Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-24.

Operation method of memory device, memory device, memory system, and electronic apparatus

Номер патента: US20240321364A1. Автор: An ZHANG,Jianquan Jia,Kaiwei LI,Yali SONG,Junbao WANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US09998151B2. Автор: Do Hun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US09996277B2. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Controller, semiconductor memory system and operating method thereof

Номер патента: US09825651B2. Автор: Sung-Gun CHO,Jun-Rye RHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Nonvolatile memory device, storage device including nonvolatile memory device and operating method of nonvolatile memory device

Номер патента: US09812214B2. Автор: Dongkyo Shim,Sang-Soo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Nonvolatile memory devices, operating methods thereof and memory systems including the same

Номер патента: US09747995B2. Автор: Jae-Hoon Jang,Jaehun Jeong,Hansoo Kim,Donghyuk Chae,Sun-Il Shim,Youngho Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US09704583B2. Автор: Min-O SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Nonvolatile storage device and operating system (OS) image program method thereof

Номер патента: US09529541B2. Автор: Sung-hyun Cho,Dongin Kim,Junseok Park,Taemin LEE,Chaesuk LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-27.

Memory system and operating method of the memory system

Номер патента: US20190066794A1. Автор: Jong Woo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Memory device for supporting cache read operation, operating method thereof, and memory system including the same

Номер патента: US20220342817A1. Автор: Gwan Park,Jeong Gil CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-27.

Word line drivers for multiple-die memory devices

Номер патента: US12051459B2. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Nonvolatile memory device and method of detecting defective memory cell block of nonvolatile memory device

Номер патента: US20240021255A1. Автор: Wontaeck Jung,Daehan Kim,Myungnam Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Ferroelectric memory devices and operating methods thereof

Номер патента: US8385098B2. Автор: Jai-Kwang Shin,Ki-ha Hong,Jeong-Seob Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-02-26.

Page buffer, memory device including the page buffer and operating method thereof

Номер патента: US11776657B2. Автор: Tae Ho Kim,Jae Hyeon Shin,Sungmook Lim,In Gon YANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor memory device and operation method

Номер патента: US20220413748A1. Автор: Makoto Senoo,Katsutoshi Suito. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Flash memory device and a method of verifying the same

Номер патента: US9196372B2. Автор: Seungwon Lee,Byeonghoon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-11-24.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20230102395A1. Автор: Sung Hyun Hwang,Yeong Jo MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-03-30.

Memory device and multi physical cells error correction method thereof

Номер патента: US20210141689A1. Автор: Seow Fong Lim,Chuen-Der Lien,Ming-Huei Shieh,Chi-Shun Lin,Ngatik Cheung. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-05-13.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20240257885A1. Автор: Sung Hyun Hwang,Yeong Jo MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory device having reduced power noise in refresh operation and operating method thereof

Номер патента: US12056371B2. Автор: Jungmin YOU,Seongjin Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Ferroelectric memory device and operation method thereof

Номер патента: US11765907B2. Автор: Masaharu Kobayashi,Toshiro Hiramoto,Fei MO. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2023-09-19.

Flash Memory Device and a Method of Verifying the Same

Номер патента: US20140071769A1. Автор: Seungwon Lee,Byeonghoon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-03-13.

Word line drivers for multiple-die memory devices

Номер патента: US20240274184A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory device and operating method for performing pre-program operation on over-erasure cells

Номер патента: US12087376B2. Автор: Jae Woong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US12093554B2. Автор: Hee Chan Shin,Young Ho AHN,Jae Gwang Lee,Gi Gyun Yoo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory device storing logical page data and operating method of the memory device

Номер патента: US12106806B2. Автор: Jeong Hwan Kim,Jae Woong Kim,In Su Park,Jung Dal Choi,Jung Shik JANG,Woo Pyo Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Memory device including row-hammer tracking circuit and operating method thereof

Номер патента: US20240355375A1. Автор: Jun Seok Noh,No Geun JOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Flash memory device having multi-stack structure and channel separation method thereof

Номер патента: US12119066B2. Автор: Ho-Jun Lee,Yohan Lee,Hyebin KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Memory controller, memory system, and operating method thereof

Номер патента: US12118241B2. Автор: Do Hun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Memory controller calculating optimal read level, memory system including the same, and operating method of memory controller

Номер патента: US12067287B2. Автор: Dongmin Shin,Wijik LEE,Hongrak Son,Kwanwoo NOH,Seonghyeog Choi,Hyeonjong Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory device performing precharge operation, and operating method thereof

Номер патента: US20240312503A1. Автор: Duck Hwa Hong,Sang Hyun Ku,Do Hong Kim,Min Ho Seok,So Yoon KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor memory device and operating method of biasing memory blocks

Номер патента: US09842653B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Memory system performing wear leveling using average erase count value and operating method thereof

Номер патента: US09805814B2. Автор: Jin-woong Kim,Byeong-Gyu PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Controller, semiconductor memory system and operating method thereof

Номер патента: US09798614B2. Автор: Do-Hun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Controller, semiconductor memory system and operating method thereof

Номер патента: US09698827B2. Автор: Jae-Bum Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Controller, semiconductor memory system, data storage system and operating method thereof

Номер патента: US09680504B2. Автор: Jae-Bum Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Nonvolatile memory device, storage device including the nonvolatile memory device, and operating method of the storage device

Номер патента: US09659658B2. Автор: Dae Han Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Nonvolatile memory device, storage device having the same, operating method thereof

Номер патента: US09570176B2. Автор: Ohsuk Kwon,Won-Taeck JUNG,Tae-Hong Kwon,Tae-Min Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Memory device and operating method of the memory device including detecting erase cell disturbance during programming

Номер патента: US12148485B2. Автор: Soo Yeol CHAI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-19.

3d memory device and programming method thereof

Номер патента: US20230352106A1. Автор: Amedeo IANTORNO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Memory controller calculating optimal read level, memory system including the same, and operating method of memory controller

Номер патента: US20230057932A1. Автор: Dongmin Shin,Wijik LEE,Hongrak Son,Kwanwoo NOH,Seonghyeog Choi,Hyeonjong Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-23.

Data processing system and operation method of data processing system

Номер патента: US20210124578A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Data processing system and operation method of data processing system

Номер патента: US20220318011A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Clock driver, operating method thereof, memory device including clock driver, and memory system

Номер патента: EP4407619A1. Автор: Bumsoo LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-31.

Flash memory device and programming method thereof

Номер патента: US8194463B2. Автор: Jong-Hwa Kim,Young-Joon Choi,Seok-Cheon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-06-05.

Clock driver, operating method thereof, memory device including clock driver, and memory system

Номер патента: US20240248511A1. Автор: Bumsoo LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of Operating Semiconductor Memory Device with Floating Body Transistor Using Silicon Controlled Rectifier Principle

Номер патента: US20210257365A1. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Nonvolatile memory device, storage device including nonvolatile memory device, and operating method of storage device

Номер патента: US20240321366A1. Автор: Kun-Woo Song,Jonghwa Kim,Kyungyong Jeoung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US12119063B2. Автор: Sang-Wan Nam,Bong-Kil Jung,Hyunggon KIM,Juseong HWANG,Younho HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Method of operating semiconductor memory device with floating body transisor using silicon controlled rectifier principle

Номер патента: US09960166B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Error-resilient memory device with row and/or column folding with redundant resources and repair method thereof

Номер патента: US09905315B1. Автор: Sourav Roy,Prokash Ghosh,Neha Raj. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2018-02-27.

Method of operating semiconductor memory device with floating body transistor using silicon controlled rectifier principle

Номер патента: US09761589B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Nonvolatile memory system and operation method of a memory controller that manages page serial numbers according to program elapsed times of pages

Номер патента: US09727250B2. Автор: In-Hwan Choi,Bomi KIM,Byungjune SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Memory system and read reclaim method thereof

Номер патента: US09672104B2. Автор: Bong-Gwan Seol,Hwan-Chung Kim,Young Woo Jung,Eunju Park,Kyoungkuy Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Non-volatile memory device and memory system including the same and program method thereof

Номер патента: US12094540B2. Автор: Jinwoo Park,Sang-Wan Nam,Jaeyong Jeong,Won-Taeck JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor memory device that controls refresh period, memory system and operating method thereof

Номер патента: US09490001B2. Автор: Cheol Kim,Jung-Sik Kim,Sang-Ho Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Method of operating semiconductor memory device with floating body transistor using silicon controlled rectifier principle

Номер патента: US09484082B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Memory system and read reclaim method thereof

Номер патента: US09431117B2. Автор: Bong-Gwan Seol,Hwan-Chung Kim,Young Woo Jung,Eunju Park,Kyoungkuy Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Non-volatile memory device capable of minimizing instant current consumption and performing memory operations in parallel, and method for operating the same, and system including the same

Номер патента: US09378134B2. Автор: Eui-Jin Kim,Byoung-Sung Yoo,Jun-Rye RHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-28.

Semiconductor memory device, memory system including the same and operating method thereof

Номер патента: US20150155041A1. Автор: Min Kyu Lee,Chi Wook An. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-04.

Memory device and test operation method thereof

Номер патента: US20200381070A1. Автор: Dong Hyun Lee,Seung Jin PARK,Chang Kyun PARK,Young Sik KOH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Nonvolatile memory device and opeation method thereof

Номер патента: US20240177764A1. Автор: Sangkwon Moon,Heewon Lee,Seungkyung Ro,Su Chang Jeon,Woohyun Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-30.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US20190348136A1. Автор: JiMan Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US20180374545A1. Автор: JiMan Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-12-27.

Non-volatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US9805796B2. Автор: Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King. Владелец: Copee Technology Co. Дата публикации: 2017-10-31.

Method and a device for testing electronic memory devices

Номер патента: US20020018376A1. Автор: Giovanni Campardo,Stefano Commodaro,Massimiliano Picca,Patrizia Mongelli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-14.

Method and a device for testing electronic memory devices

Номер патента: US7168016B2. Автор: Giovanni Campardo,Stefano Commodaro,Massimiliano Picca,Patrizia Mongelli. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2007-01-23.

Memory device and operation thereof

Номер патента: US20240274197A1. Автор: Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

3D NAND flash memory devices, and related electronic systems

Номер патента: US12096626B2. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory device and operation based on threshold voltage distribution of memory cells of adjacent states

Номер патента: US12106807B2. Автор: Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Memory device and erasing and verification method thereof

Номер патента: US20240363169A1. Автор: Hongtao Liu,An ZHANG,Jianquan Jia,Kaiwei LI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Memory system and operation method of the same

Номер патента: US09990312B2. Автор: Jung-Hyun Kwon,Yong-Ju Kim,Sung-Eun Lee,Jing-Zhe Xu. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Memory device, memory system, and read/verify operation method of the memory device

Номер патента: US09978458B2. Автор: Ji-Su Kim,Se-heon BAEK,Seong-Ook Jung,Yo-Han Lee,Jin-Young Chun,Ji-Suk Kim,Jun-young Ko,Chang-Yeon YU. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2018-05-22.

Non-volatile memory device and operation method thereof

Номер патента: US09899538B1. Автор: Tien-Fan Ou,Chun-Lung Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Memory device, memory system, and program operation method thereof

Номер патента: EP4460822A1. Автор: Ying Cui,Yali SONG,XiangNan Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-13.

Non-volatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US09805796B2. Автор: Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King. Владелец: Copee Technology Co. Дата публикации: 2017-10-31.

Dual-inverter memory device and operating method thereof

Номер патента: US09672899B2. Автор: Gong Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Circuit for driving sense amplifier of semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09620197B1. Автор: Young-Seok Park,Soo-bong Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-11.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240005998A1. Автор: Byoung Jun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Memory device for performing program operation including program loops and method of operating the same

Номер патента: US20240233830A1. Автор: Chan Sik Park,Hyung Jin Choi,Gwi Han KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory device including command log register and command log output method thereof

Номер патента: US20230335209A1. Автор: Donghee Kim,Jun-Ho Jo,Youngsan Kang,Jungho Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Flash memory device and programming method thereof

Номер патента: US20120243334A1. Автор: Hsing-Wen Chang,Yao-Wen Chang,Chu-Yung Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-27.

Memory controller, storage device and operating method of memory controller

Номер патента: US20220083259A1. Автор: Young Jun Hwang,Hong Rak Son,Dong-Min Shin,Wi Jik Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-17.

Memory controller, storage device and operating method of memory controller

Номер патента: US20230266916A1. Автор: Young Jun Hwang,Hong Rak Son,Dong-Min Shin,Wi Jik Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-24.

Memory device and operation method of the same

Номер патента: US20190196904A1. Автор: Sung-Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Memory system with a zoned namespace and an operating method thereof

Номер патента: US20220261180A1. Автор: Hee Chan Shin,Yong Seok Oh,Young Ho AHN,Jhu Yeong Jhin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-08-18.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20230282576A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US20170109273A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-20.

Flash memory device and programming method thereof

Номер патента: US20140126296A1. Автор: Hsing-Wen Chang,Yao-Wen Chang,Chu-Yung Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-08.

Non-volatile memory device and operating method of the same

Номер патента: US20230127162A1. Автор: Junhyung Kim,Jinyoung Park,Kibog PARK,Sungchul JUNG,Seokhyeong Kang,Wonho SONG,Jaehyeong JO. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2023-04-27.

Semiconductor memory device for performing remaining bank refresh operation and refresh method thereof

Номер патента: US20240233802A9. Автор: Jongpil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory device for performing remaining bank refresh operation and refresh method thereof

Номер патента: US20240135982A1. Автор: Jongpil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor memory device for performing program operation

Номер патента: US20240312524A1. Автор: Hyung Jin Choi,In Gon YANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory device, a memory system and an operation method

Номер патента: US20240345728A1. Автор: Ying Huang,Hongtao Liu,Ke Liang,Ling Chu,Zhipeng DONG,Manxi Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory system with a zoned namespace and an operating method thereof

Номер патента: US12118237B2. Автор: Hee Chan Shin,Yong Seok Oh,Young Ho AHN,Jhu Yeong Jhin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Nonvolatile memory device, operating method thereof and memory system including the same

Номер патента: US09947416B2. Автор: Jae-Woo Park,Chi Weon Yoon,Sang-Wan Nam,Donghyuk Chae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Nonvolatile memory device and storage device for storing bad block management information with high reliability

Номер патента: US09916093B2. Автор: Min-Soo Shim,Jinsung Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-13.

Memory device with over-refresh and method thereof

Номер патента: US09685217B2. Автор: Sergiy Romanovskyy,Cormac Michael Oconnell. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Memory device, memory system including the same and operation method of the memory system

Номер патента: US09666297B1. Автор: Sang-Hyun Song,Chang-Wan Ha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Nonvolatile memory device and programming method thereof

Номер патента: US09595333B2. Автор: Youngwoo Park,Jaesung SIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor memory device and controlling method thereof

Номер патента: US09589651B1. Автор: Muneyuki TSUDA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Operating methods of nonvolatile memory devices including a ground select transistor and first and second dummy memory cells

Номер патента: US09548123B2. Автор: Kihyun Kim,Byeong-In Choe,Sunil Shim,Jaehoon Jang,Woonkyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-17.

Data storage device for performing read operation and operating method thereof

Номер патента: US11880601B2. Автор: Dae Sung Kim,Sung Ho Ahn,Jae Hyeong Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Memory device for performing temperature compensation and operating method thereof

Номер патента: US20220068399A1. Автор: Yongsung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-03.

Memory device for performing temperature compensation and operating method thereof

Номер патента: EP3961629A1. Автор: Yongsung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-02.

Memory devices performing repair operations and repair operation methods thereof

Номер патента: US20200111541A1. Автор: Kyungryun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-09.

Memory device and memory device operating method

Номер патента: US20240242766A1. Автор: Hyun SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory device and memory system including the same, and operation method of memory device

Номер патента: US20140317338A1. Автор: Choung-Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-23.

Memory devices configured to perform leak checks

Номер патента: US20170352431A1. Автор: Kenneth W. Marr,Renato C. Padilla,Joemar Sinipete,Chiming Chu,Jason L. Nevill,Jeffrey A. Kessenich. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-07.

Memory system for write operation and method thereof

Номер патента: US20210240384A1. Автор: Siarhei Kryvaltsevich. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-05.

Non-volatile memory including judgment memory cell strings and operating method thereof

Номер патента: US20240221847A1. Автор: Yu-Cheng Chen,Chieh-Yen Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Ternary content addressable memory device for software defined networking and method thereof

Номер патента: US09941008B1. Автор: An-Yeu Wu,Ting-Sheng Chen,Tsung-Te Liu,Ding-Yuan Lee. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2018-04-10.

Nonvolatile memory device, operating method thereof, and test system for optimizing erase loop operations

Номер патента: US09786374B2. Автор: Jae Won Cha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Memory device and memory system including the same, and operation method of memory device

Номер патента: US09576629B2. Автор: Choung-Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor memory device with dummy memory mat and refresh operating method thereof

Номер патента: US09472259B2. Автор: Ga-Ram Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US10643724B2. Автор: Dong Hyun Kim,Seung Il Kim,Youn Ho Jung,Min Ho HER. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-05-05.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US11798639B2. Автор: Yao-Wen Chang,Guan-Wei Wu,I-Chen Yang,Chun-Liang Lu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Memory system for performing read retry operation and operating method thereof

Номер патента: US10394652B2. Автор: Min Sang Park,Gil Bok CHOI,Suk Kwang PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-27.

Memory controller and operating method thereof

Номер патента: US20220100405A1. Автор: Ji Hoon Lee,Woo Young Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Controller, memory system, and operating methods thereof

Номер патента: US20210026767A1. Автор: Jeen PARK,Hyeong Ju NA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Memory device with in-memory searching array and operation method thereof for implementing finite state machine

Номер патента: US11776618B2. Автор: Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Memory device with SRAM cells assisted by non-volatile memory cells and operation method thereof

Номер патента: US11929115B2. Автор: Meng-Fan Chang,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang,Yi-Tse Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240170068A1. Автор: Yeong Jo MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Memory device, and manufacturing method and driving method thereof

Номер патента: US20230232635A1. Автор: Shuai Guo,Shijie BAI,Mingguang ZUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Nand memory device wordlines pre-charging and operating method of the same

Номер патента: EP4398251A1. Автор: Yohan Lee,Sangsoo Park,Jonghoon Park,Jaeduk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-10.

Memory device pre-charging common source line and operating method of the same

Номер патента: US20240221836A1. Автор: Yohan Lee,Sangsoo Park,Jonghoon Park,Jaeduk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Memory system and method of operating method thereof

Номер патента: US20220012181A1. Автор: Yeong Dong GIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Memory system, operating method thereof, and electronic device

Номер патента: US20190347196A1. Автор: Kyung Min Kim,Dae Hong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Refresh rate control for a memory device

Номер патента: EP3924968A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-22.

Refresh rate control for a memory device

Номер патента: WO2020167817A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-08-20.

Non-volatile memory with a single gate-source common terminal and operation method thereof

Номер патента: US20160013194A1. Автор: ya-ting Fan,Hsin-Chang Lin,Wen-Chien Huang. Владелец: Yield Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-01-14.

Memory device and method for testing memory devices with repairable redundancy

Номер патента: US20060198215A1. Автор: Martin Perner,Volker Kilian. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-09-07.

Controller for storing performance information based on test operation result, operating method thereof and computing system including the same

Номер патента: US12039185B2. Автор: Jeong Ho Jeon,Kang Rak KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Device for testing regional performance of plate-type SOFC (solid oxide Fuel cell) and assembly method and testing method thereof

Номер патента: CN114944501B. Автор: 徐心海,仲政,吴愉华. Владелец: Shenzhen Graduate School Harbin Institute of Technology. Дата публикации: 2022-12-27.

Storage device for setting a flag in a mapping table according to a sequence number and operating method thereof

Номер патента: US11841795B2. Автор: Min Jun Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Electronic device for effect-driven dynamic media selection for visual iot service using reinforcement learning and operating method thereof

Номер патента: US20210352153A1. Автор: In-Young Ko,Kyeongdeok BAEK. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2021-11-11.

Electronic device for resource-efficient object recognition using artificial neural network with long-range connection and operating method thereof

Номер патента: US20210295097A1. Автор: Youngjin Park,Se-Bum PAIK,Seungdae BAEK. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2021-09-23.

Device for centrifuge testing of driven pile in different installation and pull-out modes and operation method therefor

Номер патента: US11739494B2. Автор: Wei Qin,Jun Wang,Ziyang Gao,Ning Fan,Junfeng Ni. Владелец: Wenzhou University. Дата публикации: 2023-08-29.

Electronic device for resource-efficient object recognition using artificial neural network with long-range connection and operating method thereof

Номер патента: US11403484B2. Автор: Youngjin Park,Se-Bum PAIK,Seungdae BAEK. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2022-08-02.

Electronic device for removing advertisement thumbnail from display screen for providing list of live sports and operating method thereof

Номер патента: US20220124402A1. Автор: Dongho Lee,Kyung Tae Kang,Hyungwoo KIM,Jun Bong BAEK. Владелец: Naver Corp. Дата публикации: 2022-04-21.

Electronic device for removing advertisement thumbnail from display screen for providing list of live sports and operating method thereof

Номер патента: US12003807B2. Автор: Dongho Lee,Kyung Tae Kang,Hyungwoo KIM,Jun Bong BAEK. Владелец: Naver Corp. Дата публикации: 2024-06-04.

Device for remotely tracking bodies of water and method for remotely and simultaneously managing and operating a set of said devices

Номер патента: US20140137785A1. Автор: Raúl GARCÍA CRUZ,Francisco Javier GUTIÈRREZ ROYO,Gabriel NAVARRO ALMENDROS,Javier Tomás RUIZ SEGURA. Владелец: Consejo Superior de Investigaciones Cientificas CSIC. Дата публикации: 2014-05-22.

Device for radical diagnostic in plasma processing chamber, radical diagnostic system having the same, and operating method thereof

Номер патента: US20230197423A1. Автор: Kyungmin Lee,SeungBo SHIM,Youngdo Kim,Sungyeol KIM,Sangki NAM,Sungyong LIM,Chansoo KANG,Namkyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-22.

Device for radical diagnostic in plasma processing chamber, radical diagnostic system having the same, and operating method thereof

Номер патента: US11996275B2. Автор: Kyungmin Lee,SeungBo SHIM,Youngdo Kim,Sungyeol KIM,Sangki NAM,Sungyong LIM,Chansoo KANG,Namkyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-28.

Electronic device for providing visualized artificial intelligence service on basis of information about external object, and operating method for electronic device

Номер патента: US20220132081A1. Автор: Minyoung Lee,Junyoung KIM,Kihwan Kim,Younjung Kim,Sanghee Park,Yunson Yoo,Jinhak LEE,Ilkwang CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-28.

Pixel compensation circuit, driving method thereof and display device

Номер патента: US20230178015A1. Автор: LI Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Memory devices including idle time prediction

Номер патента: US20240069809A1. Автор: Xiangyu Tang,Roberto IZZI,Sundararajan N. SANKARANARAYANAN,Tyler L. Betz,Massimo Zucchinali. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Packaged integrated circuit synchronous memory device with circuits for compensating clock signals having different loads using phase adjustments

Номер патента: US6349070B1. Автор: Sung-Min Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-02-19.

Memory devices including idle time prediction

Номер патента: US12124739B2. Автор: Xiangyu Tang,Roberto IZZI,Sundararajan N. SANKARANARAYANAN,Tyler L. Betz,Massimo Zucchinali. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Pixel compensation circuit, driving method thereof and display device

Номер патента: US11955073B2. Автор: LI Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Apparatus and method for checking an error of a non-volatile memory device in a memory system

Номер патента: US11941289B2. Автор: Jung Ae Kim,Jee Yul KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Electronic device for executing operation based on user input via electronic pen, and operating method thereof

Номер патента: EP3938874A1. Автор: Faisal Khan,Md Mahmud Muntakim KHAN,M Shaykat SHUVA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-19.

Electronic device for executing operation based on user input via electronic pen, and operating method thereof

Номер патента: WO2020197039A1. Автор: Faisal Khan,Md Mahmud Muntakim KHAN,M Shaykat SHUVA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-10-01.

Method and device for predicting potential accident of agricultural machine that performs autonomous driving and operates pto, and controlling operation to avoid potential accident, in communication system

Номер патента: US20240349638A1. Автор: Yong Hyeon Kim,Seung Rak Son. Владелец: GINT Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Method and device for estimating power and/or current of inverter

Номер патента: US20150198638A1. Автор: Samuli HEIKKILÄ. Владелец: ABB Oy. Дата публикации: 2015-07-16.

ELECTRONIC DEVICE FOR HIGH-PRECISION BEHAVIOR PROFILING FOR TRANSPLANTING WITH HUMANS' INTELLIGENCE INTO ARTIFICIAL INTELLIGENCE AND OPERATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20210279547A1. Автор: Kim Dongjae,Lee Sang Wan,SHIN Jae Hoon. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-09.

ELECTRONIC DEVICE FOR EFFECT-DRIVEN DYNAMIC MEDIA SELECTION FOR VISUAL IOT SERVICE USING REINFORCEMENT LEARNING AND OPERATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20210352153A1. Автор: KO In-Young,BAEK Kyeongdeok. Владелец: . Дата публикации: 2021-11-11.

Electronic terminal device for performing a correction process for a homophonic vowel based on speech recognition and operating method thereof

Номер патента: KR102119743B1. Автор: 최보람. Владелец: 주식회사 한글과컴퓨터. Дата публикации: 2020-06-05.

Flat panel display device and operating voltage adjusting method thereof

Номер патента: TW201227694A. Автор: Pin-Miao Liu,Pei-Chun Liao,Sung-Hui Lin. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-07-01.

Secure access system and operating method method thereof

Номер патента: EP2953078B1. Автор: JO Geon You. Владелец: LG CNS Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-11.

Server for cloud big data operation architecture and operation resource optimization method thereof

Номер патента: CN108089921B. Автор: 周志远,林展逸,吕世佑,陈振群,吕欣泽. Владелец: INSTITUTE FOR INFORMATION INDUSTRY. Дата публикации: 2022-01-21.

Aligning detector of off-axis reflection type terahertz imaging system and aligning method thereof

Номер патента: CN106568578A. Автор: 谢巍,袁毅,侯丽伟,张皓星. Владелец: CETC 50 Research Institute. Дата публикации: 2017-04-19.

Capacitive touch panel and recognition method and fabrication method thereof

Номер патента: US20130038562A1. Автор: Te-Mu CHEN,Hsin-Hao Lee. Владелец: HTC Corp. Дата публикации: 2013-02-14.

Device for measuring nutritional intake

Номер патента: US12056562B2. Автор: Christopher Russell,Spencer Charles Norton. Владелец: Norvitech Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Device for switching between a vehicle navigation system and a night vision system as well as a switching method thereof

Номер патента: EP2762836B1. Автор: Peng Lu,Min Zhuang. Владелец: Shenzhen Protruly Electronic Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-06.

Computer system and electronic apparatus having secure boot mechanism and operation status restoring method thereof

Номер патента: US20220067167A1. Автор: CHEN YI-RUEI. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-03.

Electronic Apparatus and Operation Mode Enabling Method Thereof

Номер патента: US20160239256A1. Автор: Chun-Tang Hsu,Shou-Kuo Tai. Владелец: Avermedia Technologies Inc. Дата публикации: 2016-08-18.

Speech recognition function-equipped electronic device and operation-related notification method thereof

Номер патента: US20200258520A1. Автор: Jinwoong Kim,Minsung Kim,Hojun JAYGARL,Kwangbin Lee,Youngbin Kim,Donghee SUH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-13.

Reactive power compensation device and operation test control method thereof

Номер патента: KR102369643B1. Автор: 최호석. Владелец: 엘에스일렉트릭(주). Дата публикации: 2022-03-04.

Panel source driver having data register structure using common data demultiplexing and operation mode control method thereof

Номер патента: KR100604917B1. Автор: 강창식. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-07-28.

Automatic control system and operation and maintenance method thereof

Номер патента: CN110531678B. Автор: 张振宇,牟桂贤,申伟刚. Владелец: Gree Electric Appliances Inc of Zhuhai. Дата публикации: 2020-10-02.

Input device and operation state switching method thereof

Номер патента: CN111381695A. Автор: 刘成,边毅,郭冠出,郭思佳. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-07.

Terminal try-on simulation system and operating and applying method thereof

Номер патента: US20080163344A1. Автор: Cheng-Hsien Yang. Владелец: Cheng-Hsien Yang. Дата публикации: 2008-07-03.

Recording apparatus and operating environment setting method thereof

Номер патента: JP3159223B2. Автор: 隆 加藤,克彦 西澤. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2001-04-23.

Electronic device and operating system switching method thereof

Номер патента: TWI522924B. Автор: 江威,林榮隆,高啓修,陳衍文. Владелец: 宏碁股份有限公司. Дата публикации: 2016-02-21.

Mobile terminal and operating system switching method thereof

Номер патента: CN105843681A. Автор: 金鑫. Владелец: JRD Communication Shenzhen Ltd. Дата публикации: 2016-08-10.

METHOD FOR COMPENSATING THE SWIRL CURRENT OF A GRADIENT MAGNETIC FIELD.

Номер патента: DE3685947D1. Автор: Gary Harold Glover,Norbert Joseph Pelc. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1992-08-13.

Display panel and operation and control method thereof, and display device

Номер патента: WO2013139152A1. Автор: 周伟峰. Владелец: 京东方科技集团股份有限公司. Дата публикации: 2013-09-26.

Device for prebaking alignment film by using temperature-controllable pin to support substrate and method thereof

Номер патента: US9075266B2. Автор: Jianjun Zhao,Meina Zhu,Hsiangyin Shih. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-07.

Computer system and operating system switching method thereof

Номер патента: CN102122250B. Автор: 黄宗庆,吴青晃,张国航,林泰余. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2013-09-25.

Speech recognition function-equipped electronic device and operation-related notification method thereof

Номер патента: WO2020166809A1. Автор: Jinwoong Kim,Minsung Kim,Hojun JAYGARL,Kwangbin Lee,Youngbin Kim,Donghee SUH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-08-20.

Electronic apparatus and operation mode control method thereof

Номер патента: JP3601205B2. Автор: 淳二 加藤,幸彦 青木. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-12-15.

DEVICE FOR CENTRIFUGE TESTING OF DRIVEN PILE IN DIFFERENT INSTALLATION AND PULL-OUT MODES AND OPERATION METHOD THEREFOR

Номер патента: US20220064896A1. Автор: Wang Jun,QIN Wei,NI Junfeng,GAO Ziyang,FAN Ning. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-03.

DEVICE FOR NOTIFYING MANAGER TERMINAL OF EVENT THAT HAS OCCURRED AT COFFEE MAKING DEVICE, AND OPERATION METHOD THEREFOR

Номер патента: US20200175619A1. Автор: JEE Sungwon,KANG Youngseok,HEO Woobeom. Владелец: DAL.KOMM CO., LTD. Дата публикации: 2020-06-04.

Method and Device for Controlling Wind Turbine Generator Operation and Maintenance Based on Image Recognition, and Equipment Executing the Method Thereof

Номер патента: LU505192B1. Автор: Tao Li,Yun Dong,Xin Zhang,Bo Zhang,Wei Xie,Wen LV,Biao FENG,Zhenzhu WANG,Yongbin LI,Shaogeng Li,Pengfei Dong,Wenkang ZHANG,Shaofei Yao,Qijiang Wang,Gui Shi,Chongkun Yang. Владелец: Huaneng Dali Wind Power Generation Co Ltd Xiangyun Branch. Дата публикации: 2024-03-27.

DEVICE FOR REMOTELY TRACKING BODIES OF WATER AND METHOD FOR REMOTELY AND SIMULTANEOUSLY MANAGING AND OPERATING A SET OF SAID DEVICES

Номер патента: US20140137785A1. Автор: Garcia Cruz Raul,Gutierrez Royo Francisco Javier,Navarro Almendros Gabriel,Ruiz Segura Javier Tomas. Владелец: CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS (C.S.I.C.). Дата публикации: 2014-05-22.

Device for preventing false warning, blind-spot collision warning system for preventing false warning when changing lanes and method thereof

Номер патента: US20230144727A1. Автор: Jeongjoo Kim. Владелец: HL Klemove Corp. Дата публикации: 2023-05-11.

Device for position tracking and monitoring of endangered rescue personnel in indoor diseaster environment using wireless communication and method thereof

Номер патента: KR101906324B1. Автор: 박상현,정선이,서영광. Владелец: 주식회사 텔레웍스. Дата публикации: 2018-10-10.

A device for determining the deterioration of the high voltage motor stator windings using an endoscopic camera and the method thereof

Номер патента: KR102212107B1. Автор: 박영호,김홍철,김희동. Владелец: 한성중공업 주식회사. Дата публикации: 2021-02-04.

Electronic device for executing different functions based on the touch patterns using different portions of the finger and control method thereof

Номер патента: US9430082B2. Автор: Yeongkyu Lim,Youngho Sohn,Hyewon SONG. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2016-08-30.

Solar cell and semiconductor device, and manufacturing method thereof

Номер патента: CN102522462A. Автор: 伊佐敏行,西和夫,藤井严,青木智幸. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-27.

METHOD AND DEVICES FOR GENERATING A SECONDARY ALTERNATING CURRENT OF WHICH THE INTENSITY IS PROPORTIONAL TO THAT OF A PRIMARY CURRENT AND COUNTERS EQUIPPED WITH SUCH DEVICES

Номер патента: FR2638235B1. Автор: . Владелец: Robert Jean. Дата публикации: 1991-04-19.

METHOD AND DEVICE FOR ADJUSTING THE COOLING FLUID CURRENT OF A FUEL ASSEMBLY OF A PRESSURE WATER REACTOR.

Номер патента: FR2668291B1. Автор: Olov Nylund,Bertil Scholin. Владелец: ABB Atom AB. Дата публикации: 1994-04-15.

METHOD AND DEVICE FOR ADJUSTING THE COOLING FLUID CURRENT OF A COMBUSTIBLE ASSEMBLY OF A PRESSURE WATER REACTOR.

Номер патента: FR2668291A1. Автор: Nylund Olov,Scholin Bertil. Владелец: ABB Atom AB. Дата публикации: 1992-04-24.

DEVICE FOR GENERATION AND REGULATION OF CURRENTS OF HIGH CURRENT STRENGTH, SPECIAL OF WELDING CURRENTS

Номер патента: SE7600043L. Автор: J Wertli,P Matter. Владелец: KALNBACH WKS SCHWEISSTECH. Дата публикации: 1976-07-12.

METHOD AND DEVICE FOR ESTIMATING POWER AND/OR CURRENT OF INVERTER

Номер патента: US20150198638A1. Автор: HEIKKILÄ Samuli. Владелец: ABB Oy. Дата публикации: 2015-07-16.

Method and device for monitoring charge and discharge currents of a battery

Номер патента: US20180294658A1. Автор: Xiaofang Luan. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-11.

Wireless device for measuring temperature and load current of cable based on induction electricity taking

Номер патента: CN113847952A. Автор: 王晓明,周柯,田兵,尹旭,孙宏棣,金庆忍,林翔宇,奉斌,巫聪云,宋益. Владелец: Southern Power Grid Digital Grid Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-28.

DEVICE FOR MEASURING THE POST-ARC CURRENT OF AN ELECTRIC POWER SWITCH.

Номер патента: FR2673762B1. Автор: Pierre Leclercq,Paul Glenat,Georges Bernard. Владелец: Merlin Gerin SA. Дата публикации: 1996-12-13.

Device for measuring the post-arc current of an electrical power switch

Номер патента: FR2673762A1. Автор: Bernard Georges,Glenat Paul,Leclercq Pierre. Владелец: Merlin Gerin SA. Дата публикации: 1992-09-11.

Method and device for detecting idle-state sleep current of terminal

Номер патента: CN111351972B. Автор: 王磊,黄海,赵静,何峣,陈淑珍,杨敏维,朱先飞,陈平辉,宛传东,桂烜,张诺亚. Владелец: China Telecom Corp Ltd. Дата публикации: 2022-07-05.

DEVICE FOR DELIVERING A DETERMINED DOSE OF A LIQUID SAMPLE IN A CELL AND ASSOCIATED METHOD

Номер патента: FR2503866A1. Автор: . Владелец: Guigan Jean. Дата публикации: 1982-10-15.

Powder supply device for supply of cover powder to powder applicator, installation of powder coating application and operating method of powder supply device

Номер патента: RU2742281C2. Автор: Гилберт ЛУТЦ,Патрик СТУДЕРУС. Владелец: Вагнер Интернэшнл Аг. Дата публикации: 2021-02-04.

Electronic device for determining gop interval on basis of performance information about external electronic device and operation method for electronic device

Номер патента: EP4415348A1. Автор: Yongtae Kim,Hoonjae Lee,Taewon Do,Hyeyoung JUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-14.

Method for compensation of dark current of CCD-sensor in dental x-raying

Номер патента: US5519437A. Автор: Per Nelvig. Владелец: Regam Medical AB. Дата публикации: 1996-05-21.

Method for forming a memory device with at least one memory cell, in particular a phase change memory cell, and memory device

Номер патента: US20070287251A1. Автор: Ulrike Gruening-Von Schwerin. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-12-13.

Device for for compensating head weight

Номер патента: RU2669477C1. Автор: Александр Александрович Воробьёв,Фёдор Андреевич Андрющенко,Денис Владимирович Коженков. Владелец: Денис Владимирович Коженков. Дата публикации: 2018-10-11.

Device for pre-startup heating of engine, independent heating, generation of hydrogen-bearing gas and operating method of device

Номер патента: RU2440507C1. Автор: Владимир Александрович Собянин,Валентин Николаевич Пармон,Валерий Александрович Кириллов,Павел Валерьевич Снытников. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Новосибирский национальный исследовательский государственный университет" (НГУ). Дата публикации: 2012-01-20.

Device for injecting at least one chemical substance and/or preparation into trees and/or palmaceae and application method thereof

Номер патента: CA2794264C. Автор: Juan Jesus Barbado Montero. Владелец: Fertinyet SL. Дата публикации: 2017-07-25.

Device for transferring objects against the current of a gas stream

Номер патента: US5255496A. Автор: Jean F. Gregoire. Владелец: Kerplas SNC. Дата публикации: 1993-10-26.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240302982A1. Автор: Jae Woong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US20210034522A1. Автор: Sarath Kumar Kunnumpurathu Sivan. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Controller, memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200057728A1. Автор: Sang Hyun Kim,Duck Hoi KOO,Soong Sun SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-02-20.

Electronic system, operating method thereof, and operating method of memory device

Номер патента: EP4213021A1. Автор: Seung Jun Yang,Hye Joon YI,Mi Jung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-19.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US20230305741A1. Автор: Chul Woo Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US20240377988A1. Автор: Jae Hyun Choi,Sooyong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-14.

Memory systems and operation methods thereof

Номер патента: US20240281147A1. Автор: Yufei FENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Non-volatile memory storage, computing system including the same and operation method thereof

Номер патента: US20210216466A1. Автор: Tae Hee Han,Yong Wook Kim,Min Gu Kang,Jeong Beom HONG,Jo Eun LEE. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2021-07-15.

Non-volatile memory storage, computing system including the same and operation method thereof

Номер патента: US11294822B2. Автор: Tae Hee Han,Yong Wook Kim,Min Gu Kang,Jeong Beom HONG,Jo Eun LEE. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2022-04-05.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US11755492B2. Автор: Jun Hee Ryu,Kwang Jin KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Memory system, memory controller and operation method thereof

Номер патента: US12066928B2. Автор: Eu Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory controller and operation method thereof

Номер патента: US20240211170A1. Автор: Youngjin Cho,Sungwon KO,Hoyoung Chang,Kwansuk JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US11567863B2. Автор: Sung Jin Park,Jee Yul KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-01-31.

Memory system and operation method thereof and power management module

Номер патента: US20240295916A1. Автор: MeiFa CHEN,Guiyuan Duan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US12131045B2. Автор: Myung Hyun Rhee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US20220004338A1. Автор: Jun Ho Lee,Bo Hyun Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-01-06.

Controller, memory system and operating method of the controller

Номер патента: US20200310982A1. Автор: Eu Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

Memory system, memory controller and operating method thereof

Номер патента: US20210103405A1. Автор: Dae Hoon Jang,Young Guen CHOI,Dong Ham YIM,Young Hoon CHA,Jeong Sun PARK,Cheon Ok JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-08.

Storage device and operating method utilizing a buffer when a write failure occurs

Номер патента: US12141471B2. Автор: Chul Woo Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-12.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20240201865A1. Автор: Kwang Hun Lee,Won Jun Choi,Jae Gwan Kim,Dong Young Seo,Ye Rin Kim,Bu Yong SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory system for adjusting difference between operation time points in sequential command operations performed in memory device, and operation method thereof

Номер патента: US20210303209A1. Автор: Dong Yeob CHUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240289014A1. Автор: Jae Young Lee,Han Bin Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Data processing system allocating memory area in host as extension of memory and operating method thereof

Номер патента: US20230244616A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-03.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200097401A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-03-26.

Data processing system allocating memory area in host as extension of memory and operating method thereof

Номер патента: US20210097008A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US09977744B2. Автор: Hae-Gi CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US09898199B2. Автор: Jun Seop Chung,An Ho CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US20240248643A1. Автор: Suhyun KIM,Hyunsook Lee,Seonghoon Woo,Tae-Eun Park,Haejong JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US10509590B2. Автор: Jun-Seop Chung,An-Ho CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-12-17.

Storage device, electronic device including the same, and operating method thereof

Номер патента: US12056356B2. Автор: Seung Kyu HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Storage device, electronic device including the same, and operating method thereof

Номер патента: US20240345729A1. Автор: Seung Kyu HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor memory device, memory system including the same, and operating method thereof

Номер патента: US09529536B2. Автор: Hong-Sik Kim,Young-Ook SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Key-value storage device and operating method thereof

Номер патента: US12019602B2. Автор: Youngho Park,Byung-Ki Lee,Jekyeom JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200081632A1. Автор: Chan-Jong WOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-03-12.

Storage device, operation method of storage device, and operation method of storage controller

Номер патента: US20240256175A1. Автор: Sangwon Hwang,Jiseok Lee,Hyunyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US12056361B2. Автор: Yuan-Hao Chang,Tei-Wei Kuo,Wei-Chen Wang,Tse-Yuan Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Storage device, operation method of storage device, and operation method of storage controller

Номер патента: EP4421640A2. Автор: Sangwon Hwang,Jiseok Lee,Hyunyoung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-28.

Memory device for processing in memory and operating method of memory device

Номер патента: US20240330171A1. Автор: Byeongho Kim,Yuhwan Ro,Sungjoo YOO,Suk Han Lee,Jaeyoung HEO. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US12112046B2. Автор: Eujoon Byun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US09996292B2. Автор: Jung-Hyun Kwon,Dong-Gun KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Nonvolatile memory system for creating and updating program time stamp and operating method thereof

Номер патента: US09798478B2. Автор: In-Hwan Choi,Byungjune SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Memory device, memory system, and operating method of memory system

Номер патента: US09569371B2. Автор: Jun-Jin Kong,Pil-Sang Yoon,Chang-kyu Seol,Seong-Hyeog CHOI,Hong-rak Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Storage device for providing event data and operation method of storage device

Номер патента: US20240232010A9. Автор: Jooyoung Kim,Jihong Kim,Yongkoo JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US20160342332A1. Автор: Tai Kyu Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-24.

Data storage apparatus and operation method thereof

Номер патента: US20210191655A1. Автор: Da Eun SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20180004439A1. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-04.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US09927994B2. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US09875179B2. Автор: Tai Kyu Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Device for registration of infrared radiation based on matrix of bolometric detectors with nonuniformity compensation scheme

Номер патента: RU2679272C1. Автор: Владимир Евгеньевич Турков,Светлана Александровна Жукова,Юрий Степанович Четверов,Андрей Дмитриевич Чербов,Дмитрий Анатольевич Копцев. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный научно-исследовательский институт химии и механики" (ФГУП "ЦНИИХМ"). Дата публикации: 2019-02-06.

System for slowdown status notification and operating method thereof

Номер патента: US20190065289A1. Автор: Seong Won SHIN,Kyoungsun HONG. Владелец: SK Hynix Memory Solutions America Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US20210382824A1. Автор: Da Eun SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: EP4400971A1. Автор: Kyung-Ho Lee,Kijun Lee,Sunghye CHO,Myungkyu Lee,Kyomin Sohn,Ki-Heung Kim,Hyongryol Hwang,Seongmuk Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-17.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US11513960B2. Автор: Da Eun SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-11-29.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20180113650A1. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-26.

Memory controller and operating method thereof

Номер патента: US20220004332A1. Автор: Hye Mi KANG,Eu Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-01-06.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: EP4246330A1. Автор: Tae-hwan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-20.

Memory systems and operation methods thereof

Номер патента: US20240311237A1. Автор: Yufei FENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Storage device and operating method of storage device

Номер патента: US20240345758A1. Автор: Minji Kim,Jinwoo Park,Sangwon Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory system for storing data corresponding to logical addresses into physical location accessible using interleaving, and operation method thereof

Номер патента: US09892035B2. Автор: Hae-Gi CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Memory controller performing error correction and operating method thereof

Номер патента: US20240211345A1. Автор: Dae Sung Kim,Min Su Choi,Jae yong Son. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Method and device for compensating leakage currents in an electrical power converter

Номер патента: US20240178738A1. Автор: Stefan Endres,Daniel Spesser,Florian Mayer,Tim Pfizenmaier. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2024-05-30.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US20230297261A1. Автор: Byung Jun Kim,Taek Gyu LEE,Kyoung Ku Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200379681A1. Автор: Joo-young Lee,Hoe-Seung JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Method and device for compensating leakage currents in an electrical power converter

Номер патента: GB2626643A. Автор: ENDRES Stefan,Spesser Daniel,Pfizenmaier Tim,Mayer Florian. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2024-07-31.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20180024774A1. Автор: Beom Ju Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-25.

Error correction decoder, storage device including error correction decoder, and operating method thereof

Номер патента: US20240296093A1. Автор: Dae Sung Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US12086442B2. Автор: Byung Jun Kim,Taek Gyu LEE,Kyoung Ku Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US12086073B2. Автор: Heechul CHAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US12093185B2. Автор: Heechul CHAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Storage device performing a data protection operation and operation method thereof

Номер патента: US12073095B2. Автор: In-Su Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Storage device and operating method of storage device

Номер патента: EP4459471A1. Автор: YoungMin Lee,Gyuseok Choe,Myungsub SHIN,Seongyong JANG,Seongheum BAIK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-06.

Storage device and operating method of storage device

Номер патента: US20240370196A1. Автор: YoungMin Lee,Gyuseok Choe,Myungsub SHIN,Seongyong JANG,Seongheum BAIK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Memory system and operation method for the same

Номер патента: US09703487B2. Автор: Hae-Gi CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Memory system, memory access interface device and operation method thereof

Номер патента: US20240310869A1. Автор: Chih-Wei Chang,Fu-Chin Tsai,Ger-Chih Chou,Chun-Chi Yu. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US09477593B2. Автор: Hong-Sik Kim,Dong-Gun KIM,Yong-Kee KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Raid system including nonvolatile memory and operating method of the same

Номер патента: US20180150354A1. Автор: Ju Pyung LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-31.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US20220113870A1. Автор: Sung Kwan Hong,Byeong Gyu Park,Young Ick CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-04-14.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US20190108136A1. Автор: Jongju Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-04-11.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US20180293101A1. Автор: Jong Min Lee,Jeen PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-10-11.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US20170371548A1. Автор: Gi-Pyo UM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-28.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20240264757A1. Автор: Duck Joo Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200183599A1. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

Memory device compressing soft decision data and operating method thereof

Номер патента: US20240319874A1. Автор: Ilhan Park,Suyong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Storage device and operating method of the storage device

Номер патента: US12032851B2. Автор: Jae Young Lee,Byung Ryul Kim,Hyeok Chan Sohn,Kang Wook JO,Hyeon Cheon Seol. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Storage device including memory controller and operating method of memory controller

Номер патента: EP4024220A1. Автор: Duckho Bae,Huijeong Kim,Cheolho Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-06.

Storage system, storage device and operating method thereof

Номер патента: US20240211135A1. Автор: Je-Min Lee,Jee-Seok Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Storage device and operating method of controller

Номер патента: US20240126452A1. Автор: Tae Hoon Kim,Do Hyun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Storage device including non-volatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: US20240241642A1. Автор: Young-rok Oh,Daesung CHEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Compensation device for leakage currents

Номер патента: US20210099005A1. Автор: Daniel Spesser,Tim Pfizenmaier. Владелец: Dr Ing HCF Porsche AG. Дата публикации: 2021-04-01.

Memory system, memory controller and operating method thereof for determining garbage collection victim block

Номер патента: US12056047B2. Автор: Jung Woo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Storage device and operating method of the storage device

Номер патента: US20240302992A1. Автор: Jae Young Lee,Byung Ryul Kim,Hyeok Chan Sohn,Kang Wook JO,Hyeon Cheon Seol. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Storage device, and operating method of memory controller

Номер патента: EP4432067A1. Автор: Hyunsub KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

Interactive computerised editor for compensators used in planning radiotherapy

Номер патента: RU2571374C2. Автор: Ин СЮН,Михель КАУС,Михель А. МЕЛЬТСНЕР. Владелец: Конинклейке Филипс Электроникс, Н.В.. Дата публикации: 2015-12-20.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US20170123973A1. Автор: Min Chul Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-04.

Image processing device, electronic device having the same, and operating method thereof

Номер патента: US20240267479A1. Автор: Seungwon Choi,Jongseong Choi,Juntaek KONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Image processing device, electronic device having the same, and operating method thereof

Номер патента: EP4415344A1. Автор: Seungwon Choi,Jongseong Choi,Juntaek KONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-14.

Memory devices performing selective post package repair, electronic devices including the same, and operating methods of the same

Номер патента: US20240362109A1. Автор: Taekhoon KIM,June-Hyun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Memory devices for detecting known initial states and related methods and electronic systems

Номер патента: US09977603B2. Автор: Graziano Mirichigni,Luca Porzio,Danilo Caraccio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US09852067B2. Автор: Min Chul Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Nonvolatile memory system and operation method of the same

Номер патента: US09760308B2. Автор: Nam Wook Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor system and operating method thereof

Номер патента: US09575888B2. Автор: Eui Jin Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20190332324A1. Автор: Do Hun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Memory system, memory controller, and operation method of memory system for loading and updating mapping information to host memory area

Номер патента: US12072809B2. Автор: Kyu Ho Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US10712962B2. Автор: Se-Hyun Kim,Jung-Woo Kim,Kyung-hoon Lee,Sung-Hun JEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-07-14.

Memory system, memory controller and operating method of the memory system operating as read boost mode

Номер патента: US12099751B2. Автор: Eu Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Controller and operating method thereof

Номер патента: US20190138447A1. Автор: Yong-Tae Kim,Duck-Hoi KOO,Soong-Sun SHIN,Cheon-Ok Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-05-09.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US20240345749A1. Автор: Jung Hyun Kwon,Min Seob Lee,Dong Gun KIM,Kwang Hyo JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Storage controller, storage device including the same, and operating method thereof

Номер патента: US20240295986A1. Автор: Jinwook Lee,Heeseok Eun,Seungcheol Lee,Hyunjoon Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-05.

System including multi channel memory and operating method for the same

Номер патента: US09811460B2. Автор: Nak-Hee Seong,Hyeok-Man Kwon,Seung-hong Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Data storage device using non-sequential segment access and operating method thereof

Номер патента: US09778864B2. Автор: Ji Man HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Data processing system and operating method thereof

Номер патента: US20200192604A1. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-06-18.

Memory device, system including the same, and operating method of memory device

Номер патента: US20240248850A1. Автор: Daehyun Kim,Jiho Kim,Sukhan Lee,Kijun Lee,Yeonggeol Song,Myungkyu Lee,Kyomin Sohn,Seongmuk Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US12079131B2. Автор: Jooyoung Lee,Hoeseung Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory system and operation thereof

Номер патента: EP4459473A2. Автор: Mo CHENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-06.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US09619323B2. Автор: Jong Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US09594525B2. Автор: Hong-Sik Kim,Dong-Gun KIM,Yong-Kee KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Memory device and operating method for controlling data output time

Номер патента: US20240176495A1. Автор: Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US12032832B2. Автор: Chang Hwan Kim,Young-Sik Lee,Sung Jin Moon,Eun Ju Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Memory device, memory system including the same, and operating method of memory system

Номер патента: EP4411551A1. Автор: Jungho Park,Insu Kim,Jaeyong Jeong,Beomkyu Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-07.

Image apparatus and operating method thereof

Номер патента: US20230252958A1. Автор: Toshihiko Araki,Naoki Sumi,Jian-Cheng Chen,Keiko Edo. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2023-08-10.

Memory expander, host device using memory expander, and operation method of sever system including memory expander

Номер патента: US12079506B2. Автор: Chon Yong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Image apparatus and operating method thereof

Номер патента: US12100371B2. Автор: Toshihiko Araki,Naoki Sumi,Jian-Cheng Chen,Keiko Edo. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Memory controller, storage device including memory controller, and operating method of memory controller

Номер патента: US20240311020A1. Автор: Hyunsub KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Storage device, electronic device including storage device, and operating method of electronic device including storage device

Номер патента: US20240311015A1. Автор: Hyun Jin Choi,JooYoung HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory device, memory system including the same, and operating method of memory system

Номер патента: US20240264934A1. Автор: Jungho Park,Insu Kim,Jaeyong Jeong,Beomkyu Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Operating method of non-volatile memory device

Номер патента: US20240361946A1. Автор: Jaeyong Lee,Jihong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US09946644B2. Автор: Curtis LEHMAN,Frank Liao. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Memory device and operating method of same

Номер патента: US09817588B2. Автор: Hung-Sheng Chang,Hsiang-Pang Li,Yu-Ming Chang,Li-Chun Huang,Nai-Ping Kuo,Wei-Chieh Huang,Ting-Yu Liu,Chien-Hsin Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Memory storage device and operating method thereof

Номер патента: US9804799B2. Автор: Ching-Chung Lai,Lian-Chun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US11036273B2. Автор: Dong Yeob CHUN,Dong Sop LEE,In Jae YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-06-15.

Electronic system, operating method thereof, and operating method of memory device

Номер патента: US20230229493A1. Автор: Seung Jun Yang,Hye Joon YI,Mi Jung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-20.

Electronic device for performing behavior recognition and operation method thereof

Номер патента: US20240212390A1. Автор: Geon Min Yeo. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2024-06-27.

Multi-die memory apparatus and identification method thereof

Номер патента: US20210349645A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Su-Chueh Lo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US12050533B2. Автор: In Jong Jang,Kyu Min LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Storage device for managing map data in a host and operation method thereof

Номер патента: US20240256457A1. Автор: Ki Young Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory device to train neural networks

Номер патента: WO2021231069A1. Автор: Vijay S. Ramesh. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-11-18.

Spectrometer, optomechanical module, and operation method for spectrometer

Номер патента: US10816400B2. Автор: Yung-Yu Huang,Cheng-Hsiung Chen,Ming-Hui Lin,Hsi-Pin Li,He-Yi Hsieh. Владелец: Innospectra Corp. Дата публикации: 2020-10-27.

Spectrometer, optomechanical module, and operation method for spectrometer

Номер патента: US20190368928A1. Автор: Yung-Yu Huang,Cheng-Hsiung Chen,Ming-Hui Lin,Hsi-Pin Li,He-Yi Hsieh. Владелец: Innospectra Corp. Дата публикации: 2019-12-05.

Storage system performing overwrite, host system controlling storage system, and operating method for storage system

Номер патента: US12061816B2. Автор: Byungki Lee,Jeonguk Kang,Junhee Kim,Jekyeom JEON,JooYoung HWANG,Keunsan Park,Sunghyun Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Storage device, control method for partitioning logical memory devices, and medium embodying program for partitioning logical memory devices

Номер патента: US20050278489A1. Автор: Hiroyuki Otani. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2005-12-15.

Memory device, memory module including the memory device, and operating method of memory controller

Номер патента: US12141478B2. Автор: Dohan Kim,Hoyoung Lee,Daejeong Kim,Insu Choi,Namhyung Kim,Deokho Seo,Taekyeong Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-12.

Device for measuring of the hydroacoustic antenna direction characteristics

Номер патента: RU2690054C1. Автор: Дмитрий Борисович Островский,Игорь Романович Бирюков. Владелец: Акционерное Общество "Концерн "Океанприбор". Дата публикации: 2019-05-30.

Device for controlling fluid medium and operation method thereof

Номер патента: RU2456572C2. Автор: Натан БОЙД. Владелец: Интелисис Лимитед. Дата публикации: 2012-07-20.

Memory system executing background operation using external device and operation method thereof

Номер патента: US11972127B2. Автор: Jung Woo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-30.

Memory system for updating firmware when SPO occurs and operating method thereof

Номер патента: US11966603B2. Автор: Joo Young Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Data processing system and operating method thereof

Номер патента: US20180052710A1. Автор: Jun-Seop Chung,An-Ho CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-22.

Error correction code circuit, memory device including error correction code circuit, and operation method of error correction code

Номер патента: EP4379555A1. Автор: Daehyun Kim,Kijun Lee,Sunghye CHO,Myungkyu Lee,Kyomin Sohn,Seongmuk Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-05.

Computing system, and driving method and compiling method thereof

Номер патента: US20190079779A1. Автор: Chae-seok Im,Seung-Won Lee,Suk-Jin Kim,Seok-hwan JO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-03-14.

Electronic device for wireless lan communication with plurality of external apparatuses, and operation method therefor

Номер патента: EP4401502A1. Автор: NamJu Cho,Junsu CHOI,Sunkee LEE,Buseop Jung,Hyejung BANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-17.

Memory device

Номер патента: US20240381609A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Communication device for performing differential phase shift keying based on a plurality of previous signals and operating method thereof

Номер патента: US12021671B2. Автор: Jonghyun BAIK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Communication device for performing differential phase shift keying based on a plurality of previous signals and operating method thereof

Номер патента: EP4138350A1. Автор: Jonghyun BAIK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-22.

Communication device for performing differential phase shift keying based on a plurality of previous signals and operating method thereof

Номер патента: US20230056358A1. Автор: Jonghyun BAIK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-23.

Device for compensation of capacitive currents of short circuit in networks with isolated neutral 6-10 kb

Номер патента: RU2626011C2. Автор: Сергей Александрович Харитонов,Павел Николаевич Смирнов,Евгений Борисович Преображенский. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Образования "Новосибирский Государственный Технический Университет". Дата публикации: 2017-07-21.

Electronic device for performing secure communication based on asymmetric key using polynomial ring and the operating method thereof

Номер патента: US20240121103A1. Автор: Young Sik Kim,Chanki Kim. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Chosun National University. Дата публикации: 2024-04-11.

Active device for compensation of harmonic currents

Номер патента: RU2465710C2. Автор: Марк БЕКМАН. Владелец: Альстом Транспорт Са. Дата публикации: 2012-10-27.

Electronic device for prohibiting operation of measuring quality of signal on basis of paging message, and operation method of electronic device

Номер патента: EP4376513A4. Автор: KyungHoon Lee,Dongho Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

Device for preparing reconstituted tobacco by multi-point air inlet type thick slurry method and operation method thereof

Номер патента: CN110679981B. Автор: 陈永宽,段沅杏,赵伟,巩效伟,王程娅,缪明明,张霞,袁大林,刘志华,孙志勇,李廷华,司晓喜,王昆淼,朱瑞芝,董高峰,田永峰. Владелец: China Tobacco Yunnan Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-16.

Image processing apparatus and operation condition setting method thereof

Номер патента: EP1804490B1. Автор: Yuji Omron Corp. Suzuki,Yutaka Omron Corp. Kato. Владелец: Omron Tateisi Electronics Co. Дата публикации: 2014-12-17.

Terminal device for sending reply message showing that communication device received image, system having the terminal device, and control methods thereof

Номер патента: US12143548B2. Автор: Sho Kamihisa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2024-11-12.

COMMUNICATION CONTROL DEVICE, MEMORY DEVICE, DEVICE FOR DETERMINING COMMUNICATION CONTROL MODE AND SERVER DEVICE

Номер патента: RU2018107644A. Автор: Сё ФУРУИТИ. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2019-09-03.

Portable air conditioner and operation mode switching method thereof

Номер патента: US11859839B2. Автор: Ming-Tsung Chiu. Владелец: New Widetech Industries Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Electronic device for prohibiting operation of measuring quality of signal on basis of paging message, and operation method of electronic device

Номер патента: EP4376513A1. Автор: KyungHoon Lee,Dongho Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-29.

Portable air conditioner and operation mode switching method thereof

Номер патента: US20230204237A1. Автор: Ming-Tsung Chiu. Владелец: New Widetech Industries Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Method and access network device for interference coordination

Номер патента: US09894672B2. Автор: Fei Qin,Jinbo Zhao,Zhiqiu Zhu. Владелец: China Academy of Telecommunications Technology CATT. Дата публикации: 2018-02-13.

Device for generating hydro-electric energy

Номер патента: US09581127B2. Автор: Boudewijn Gabriel Van Rompay. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-02-28.

Safe operation and maintenance gateway and operation and maintenance method thereof

Номер патента: CN109617918B. Автор: 李骏,鲁大军. Владелец: Anchor Ding Science And Technology Wuhan Co ltd. Дата публикации: 2021-11-05.

Operation control apparatus for air conditioner and oper ation control method thereof

Номер патента: KR100248765B1. Автор: 최광수. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-04-01.

Redox-flow battery and operating method

Номер патента: US20230187676A1. Автор: Klaus Krüger,Thomas Lüth. Владелец: VOITH PATENT GMBH. Дата публикации: 2023-06-15.

Distributed direct-current backup power supply device for station and operation and installation method thereof

Номер патента: CN110571905A. Автор: 刘彬,徐磊,刘健,赵树仁,张台华,左宝峰,豆敏娜. Владелец: Jiangsu Zhaohe Electric Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-13.

Large area dye-sensitized solar cell and the thermal spraying fabrication methods thereof

Номер патента: TW201010108A. Автор: Chih-Cheng Chou,Chien-Chon Chen,Wei-Guang Diau,Yun-Pei Chen,Chin-Shing Chen,Shih-Shun Chen. Владелец: Dc Solar Corp. Дата публикации: 2010-03-01.

OSCILLATION CIRCUIT AND OPERATING CURRENT CONTROL METHOD THEREOF

Номер патента: US20130082789A1. Автор: Inoue Fumihiro. Владелец: . Дата публикации: 2013-04-04.

Operation management device for a vaporization device, fresh water generator provided with the operation management device, and operation management method and fresh water-generating method for vaporization devices

Номер патента: KR101666920B1. Автор: 요시오 다니구치,다카지 아키야,시게루 아라키,오스만 아메드 하마드,라드완 에이 알-라쉬드,도루 간나리,가즈토 마에카와. Владелец: 가부시키가이샤 사사꾸라. Дата публикации: 2016-10-17.

Method for compensating the dark current of an electronic sensor having several pixels

Номер патента: US6351519B1. Автор: Uwe Zeller,Roland Bonk. Владелец: SIRONA DENTAL SYSTEMS GMBH. Дата публикации: 2002-02-26.

DEVICE FOR TURBOGENERATOR OF THREE-PHASE CURRENTS OF TWO DIFFERENT FREQUENCIES

Номер патента: RU2015151316A. Автор: Борис Алексеевич Скворцов,Валентин Алексеевич Хомяк. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации. Дата публикации: 2017-06-05.

Operation management device for a vaporization device, fresh water generator provided with the operation management device, and operation management method and fresh water-generating method for vaporization devices

Номер патента: WO2010090273A1. Автор: 鷹二 秋谷,茂 荒木,良雄 谷口,和人 前川,オスマン アハメド ハマド,エイ アル ラシード ラドワン,徹 神成. Владелец: セイリーン ウォーター コンバージョン コーポレイション. Дата публикации: 2010-08-12.

Material for improving mortar coagulating time and operability and use method thereof

Номер патента: CN102030493B. Автор: 李云龙,朱宇,张宝田,刘兮,魏晓冬,苏敬,李京川,武廷超,钱选清,郭顺祥. Владелец: BEIJING UNI-CONSTRUCTION SIXTH DEVELOPMENT AND CONSTRUCTION Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-03.

Running machine and operating system and method thereof

Номер патента: KR100408989B1. Автор: Hee Joo Yeo,Kwang Sik Eom. Владелец: Robopia Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-11.

Device for cleaning and processing the rectum and pelvis of slaughtered pigs and the operating method for the device

Номер патента: CA2979959A1. Автор: Francisco Javier Jane Lopez. Владелец: Innovative Food Robotics Banss and Aira SL. Дата публикации: 2016-10-06.

Power generation apparatus with integrated clp and sofc and operation and control method thereof

Номер патента: AU2016269456A1. Автор: Wen-Sheng Chang,Jar-Lu Huang,Hsi-Chuan Chen,Cheng-Hsien Shen,Chun-I Lee,Yu-Ching Chang,Fu-Pin Ting. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2017-06-22.

Hydrogen power system based on automatic power generation control and operation and inspection method thereof

Номер патента: CN114744652A. Автор: 魏炜,李文武,罗坚,谭轶童,饶文涛,蔡方伟,吴亦伟,宋君花,周佃民,杨建夏. Владелец: Baowu Clean Energy Co ltd. Дата публикации: 2022-07-12.

Image sensor having multiple sensing layers and operation and fabrication method thereof

Номер патента: CN102177585B. Автор: 约翰·P·麦卡滕,克里斯蒂安·亚历山德鲁·蒂瓦鲁斯,约瑟夫·苏马. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2014-01-15.

Zero-carbon intelligent public toilet and operation and maintenance method thereof

Номер патента: CN115199091A. Автор: 李晶,杨强,田文超,邢晨,贺小峰,冯丰,齐贺,王欣博,苟堂,梁丞玮,田中省,黄静仪,黄晓南,杨仪广. Владелец: China Construction Science and Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-18.

Flue gas recirculation Combustion System of Boiler Burning Fine and operating mode changing method thereof

Номер патента: CN103968415B. Автор: 程强,柳朝晖,罗自学. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2016-04-13.

Wind load sensing node device and operating state control method thereof

Номер патента: CN105025556A. Автор: 王冰,许海燕,王文襄,毛超民,马明鸿,孙晋玲. Владелец: Kunshan Shuangqiao Sensor Measurement Controlling Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-04.

Material for improving mortar coagulating time and operability and use method thereof

Номер патента: CN102030493A. Автор: 李云龙,朱宇,张宝田,刘兮,魏晓冬,苏敬,李京川,武廷超,钱选清,郭顺祥. Владелец: BEIJING UNI-CONSTRUCTION SIXTH DEVELOPMENT AND CONSTRUCTION Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-27.

Bioreactor and operating and cleaning method thereof

Номер патента: CN101851581A. Автор: 陈文庆,王建超,刘俊生. Владелец: Beijing Skywing Technology Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-06.

The optical module being applied in wide temperature range and operating temperature control method thereof

Номер патента: CN103281132B. Автор: 王斌,张华�,赵平,吴锡贵. Владелец: Hisense Broadband Multimedia Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-07.

Device for continuously welding electrode of power battery through ultrasonic waves in rolling mode and operation method of device

Номер патента: CN102699518B. Автор: 雷广伟,潘劲光,郑伟亮,朱文庭. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-02-25.

Culture medium for obtaining mesenchymal stem cells and exosomes thereof and preparation method thereof

Номер патента: CN114480273A. Автор: 雷鸣,田朋飞,陈相波,应荣. Владелец: Hangzhou Rongze Biotechnology Group Co ltd. Дата публикации: 2022-05-13.

Device for preparing raw material gas for synthetic ammonia and L NG by liquid nitrogen washing and preparation method thereof

Номер патента: CN105066586B. Автор: 曹卫华,唐钦华. Владелец: Chengdu Shenleng Liquefaction Plant Co ltd. Дата публикации: 2018-06-22.

Device for generating views corresponding to network data flow from source to destination and vice versa and a method thereof

Номер патента: US20200274781A1. Автор: Deepak Kushwaha,Puneet Tutliani. Владелец: ColorTokens Inc. Дата публикации: 2020-08-27.

BIFACIAL P-TYPE PERC SOLAR CELL AND MODULE, SYSTEM, AND PREPARATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20200013909A1. Автор: Chen Gang,Lin Kang-Cheng,Fang Jiebin. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-09.

BIFACIAL P-TYPE PERC SOLAR CELL AND MODULE, SYSTEM, AND PREPARATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20200119208A1. Автор: Chen Gang,Lin Kang-Cheng,Fang Jiebin. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-16.

BIFACIAL P-TYPE PERC SOLAR CELL AND MODULE, SYSTEM, AND PREPARATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20200127149A1. Автор: Chen Gang,Lin Kang-Cheng,Fang Jiebin. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-23.

BIFACIAL P-TYPE PERC SOLAR CELL AND MODULE, SYSTEM, AND PREPARATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20190259887A1. Автор: Chen Gang,Lin Kang-Cheng,Fang Jiebin. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-22.

DEVICE FOR GENERATING VIEWS CORRESPONDING TO NETWORK DATA FLOW FROM SOURCE TO DESTINATION AND VICE VERSA AND A METHOD THEREOF

Номер патента: US20200274781A1. Автор: Kushwaha Deepak,Tutliani Puneet. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-27.

BIFACIAL PUNCHED PERC SOLAR CELL AND MODULE, SYSTEM, AND PREPARATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20200381572A1. Автор: Chen Gang,Fang Jiebin,Ho Ta-Neng. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-03.

Device for recharging batteries on electric vehicle or hybrid vehicle wirelessly by means of electromagnetic coupled resonance and method thereof

Номер патента: KR20110068621A. Автор: 이기범. Владелец: 재단법인 포항산업과학연구원. Дата публикации: 2011-06-22.

Canine umbilical cord mesenchymal stem cells and preparation method and cryopreservation method thereof

Номер патента: CN108456657B. Автор: 王小武,迟大明,朱春颖,郭春明,许晓椿. Владелец: Tianjin Boyalife Biotechnology Co ltd. Дата публикации: 2020-08-18.

Communication device for use in vehicle, comprises fixed part and removable part with display screen and operating controls

Номер патента: NL1019894C2. Автор: Paul Pieter Van Den Avoort. Владелец: Git Dev B V. Дата публикации: 2003-08-05.

Device for recycling high chlorine wastewater generated during production of polyvinyl chloride by calcium carbide method and application method thereof

Номер патента: CN104445724A. Автор: 肖军,冯斌,肖文,郝江涛,李富勇,周菊,单玲. Владелец: Xinjiang Zhongtai Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-25.

BAK cell and preparation kit and preparation method thereof

Номер патента: CN110656084A. Автор: 刘永进,秦森邦,古筝. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-01-07.

Device for Preventing the Spread of an Air Bag in a Collision with a Low Speed and the Method Thereof

Номер патента: KR100558407B1. Автор: 진정문. Владелец: 기아자동차주식회사. Дата публикации: 2006-03-10.

CONTAINER DEVICE FOR FOUNTAIN-LIKE BEVERAGE DISPENSING SYSTEM, STORAGE ELEMENTS OF SUCH CONTAINER DEVICES, WATER FOUNTAIN AND WATER CONDITIONING METHOD THEREOF

Номер патента: FR2871447B1. Автор: Philippe Abgrall. Владелец: BOUIS FILS SCI SOC CIV ILE IMM. Дата публикации: 2007-07-13.

Biological glue for promoting blood vessel reconstruction after cell and organ transplantation and preparation method thereof

Номер патента: CN107693849B. Автор: 鲁翠涛,赵应征,傅红兴,刘成洋,蒋煊,朱群燕. Владелец: Wenzhou Medical University. Дата публикации: 2020-11-03.

CONTROLLER FOR DETECTING AN OUTPUT CURRENT OF A POWER CONVERTER, DEVICE FOR DETECTING AN AVERAGE OUTPUT CURRENT OF A POWER CONVERTER, METHOD FOR DETECTING AN AVERAGE OUTPUT CURRENT OF A POWER CONVERTER, AND METHOD FOR DETECTING AN OUTPUT CURRENT OF A POWER CONVERTER

Номер патента: US20140211511A1. Автор: Chang Chih-Chi,Tsou Ming-Chang,TSAI MENG-JEN. Владелец: LEADTREND TECHNOLOGY CORP.. Дата публикации: 2014-07-31.

Electrochemical device for feeding energy using air electrode

Номер патента: RU2119701C1. Автор: Ральф Зайто. Владелец: Нэшнл Пауэр Пи-Эл-Си. Дата публикации: 1998-09-27.

Method and device for resource sensing and selection in sidelink communication supporting drx operation

Номер патента: EP4294097A1. Автор: Hyuk Min SON,Gene Back Hahn,Ui Hyun Hong. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Wonkwang University. Дата публикации: 2023-12-20.

Device for pulse control of excitation current of traction motors

Номер патента: SU933491A1. Автор: Валерий Александрович Мнацаканов,Игорь Алексеевич Рюмин. Владелец: Всесоюзный Научно-Исследовательский Институт Вагоностроения. Дата публикации: 1982-06-07.

Filtration processes, kits and devices for isolating plasmids

Номер патента: US6146854A. Автор: Hubert Koster,Andreas Ruppert. Владелец: Sequenom Inc. Дата публикации: 2000-11-14.

DEVICE FOR SUPPLYING AND REGULATING THE CURRENT OF A CATHODE FILAMENT OF A RADIOGENIC TUBE.

Номер патента: FR2666000B1. Автор: Jacques Laeuffer. Владелец: General Electric CGR SA. Дата публикации: 1996-09-13.

Device for regulating the flow of current of discharge vessels controlled by grids

Номер патента: FR762786A. Автор: . Владелец: Siemens Schuckertwerke AG. Дата публикации: 1934-04-18.

Automatic control device for motors supplied with alternating current of variable frequency and intended, in particular, for the direct drive of ultracentrifuges

Номер патента: FR1237765A. Автор: . Владелец: SANDOZ AG. Дата публикации: 1960-08-05.

Device for the production of alternating currents of any frequency

Номер патента: FR638543A. Автор: Pierre Drouin. Владелец: . Дата публикации: 1928-05-26.

Device for receiving pulse trains of current, of predetermined duration and frequency of repetition

Номер патента: FR1232875A. Автор: . Владелец: TECH POUR L IND NOUVELLE SOC. Дата публикации: 1960-10-12.

DEVICE FOR PRODUCING ELECTRICITY USING THE CURRENT OF A COURSE OF WATER

Номер патента: FR3010151A1. Автор: Gilles Grandperret. Владелец: LINECO EN. Дата публикации: 2015-03-06.

Solid polymer electrolyte fuel cell and non-humidifying operating method therefor

Номер патента: CA2329644C. Автор: Hideo Kato,Takashi Moriya,Takahiro Yosida. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-13.

Device for pulse controlling of excitation current of traction d.c.motor of vehicle

Номер патента: SU1216045A1. Автор: Юрий Васильевич Колоколов,Андрей Константинович Криушов,Игорь Андреевич Абрамов. Владелец: Научно-Исследовательский Институт Автоматики И Электромеханики При Томском Институте Автоматизированных Систем Управления И Радиоэлектроники. Дата публикации: 1986-03-07.

device for controlling the unloading of paper rolls coming out of a winding machine, and an operational method for controlling the unloading of paper rolls coming out of a winding machine

Номер патента: BR112015032680B1. Автор: Fabio Perini. Владелец: FUTURA S.P.A.. Дата публикации: 2021-01-26.

Device for converting direct current into current of a different voltage, working with the aid of a multiple capacitor

Номер патента: DE670006C. Автор: . Владелец: WILLI DOERBECKER DIPL ING. Дата публикации: 1939-01-09.

Relay switch device for turning on/off high current of battery pack

Номер патента: US11804723B2. Автор: Jin-Hyung Lee,Chang-Bok Lee. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Process and electronic device for the regulation of the current of an electric motor fed by a dc source with a fixed voltage

Номер патента: DE3469655D1. Автор: Jean Claude Petit. Владелец: Individual. Дата публикации: 1988-04-07.

Relay Switch Device for Turning On/Off High Current of Battery Pack

Номер патента: US20210234383A1. Автор: LEE Jin-Hyung,Lee Chang-Bok. Владелец: LG CHEM, LTD.. Дата публикации: 2021-07-29.

Device for measuring and registering discharge current of chemical current sources

Номер патента: SU866613A1. Автор: Вячеслав Иванович Шавлов,Дмитрий Станиславович Просцевич. Владелец: Предприятие П/Я Г-4035. Дата публикации: 1981-09-23.

Fuel cartridge of fuel cell and fuel cartridge operation method

Номер патента: CN102130347B. Автор: 王正,洪国泰. Владелец: Young Green Energy Co. Дата публикации: 2013-10-16.

Device for switching on the coagulation current of a bipolar coagulation forceps

Номер патента: DE2540968C2. Автор: Günter Ing.(grad.) 7400 Tübingen Farin,Istvan Dipl.-Ing. Fodor. Владелец: Erbe Elektromedizin 7400 Tuebingen GmbH. Дата публикации: 1982-12-30.

Protection device for protection against overcharging and excessive charging currents when charging battery cells and battery cell with such a protection device

Номер патента: DE19524870C2. Автор: Tadamitsu Azema. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 1999-03-04.

DEVICE FOR DECREASING OR ELIMINATING LEAKAGE CURRENTS OF ELECTROMEDICAL DEVICES

Номер патента: FR2759573A1. Автор: Peter Uphoff. Владелец: Huttinger Medizintechnik GmbH and Co KG. Дата публикации: 1998-08-21.

REGENERABLE PURIFICATION DEVICE FOR THE CONTINUOUS REMOVAL OF AMMONIA AND ITS APPLICATION TO FUEL CELLS AND REFORMING GASES

Номер патента: FR2443870A1. Автор: . Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 1980-07-11.

Device for regulating the voltage or current of mercury vapor rectifiers or similar discharge devices

Номер патента: FR766793A. Автор: . Владелец: General Electric Co PLC. Дата публикации: 1934-07-04.

FUEL CELL AND FUEL CELL OPERATING METHOD

Номер патента: JPWO2007010834A1. Автор: 新 中村,隆志 眞子,義徳 渡邉,英明 佐々木,毅 小畑,中村　新,佐々木　英明,眞子　隆志,小畑　毅. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2009-01-29.

Relay switch device for turning on/off high current of battery pack

Номер патента: WO2020096387A1. Автор: 이진형,이창복. Владелец: 주식회사 엘지화학. Дата публикации: 2020-05-14.

Method for producing a fuel cell, device for producing a membrane electrode arrangement for a fuel cell, fuel cell and fuel cell stack

Номер патента: DE102020106082A1. Автор: Gerold HÜBNER,Hannes Scholz. Владелец: Audi AG. Дата публикации: 2021-09-09.

DEVICE FOR LIMITING AND REGULATING THE CURRENT OF A GAS DISCHARGE LAMP

Номер патента: DE3235197A1. Автор: Martti 02170 Espoo Sairanen,Matti 00350 Helsinki Virta. Владелец: Helvar Oy AB. Дата публикации: 1983-04-28.

Method and device for updating at least one monitoring list of information identifying a cell, and a computer program associated with the method

Номер патента: JP4907578B2. Автор: ニコラ・ヴォワイエ,エルヴェ・ボネヴィル. Владелец: Mitsubishi Electric R&D Centre Europe BV Netherlands. Дата публикации: 2012-03-28.

Method and device for inhibiting and eliminating leakage current of photovoltaic grid connection system without transformer

Номер патента: CN102136736B. Автор: 童立青,孙耀杰,林燕丹,苏晓萌. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-04-17.

Polymer electrolyte membrane, polymer electrolyte membrane / electrode assembly, fuel cell, and fuel cell operating method

Номер патента: JP5470674B2. Автор: 全広 山下,幸太 北村. Владелец: Toyobo Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-16.

Braking device for vehicles in which the current of a dynamo driven by the vehicle axles or the drive electric motors acting as a power generator is used for braking

Номер патента: DE434791C. Автор: . Владелец: Cie Internationale des Freins Automatiques SA. Дата публикации: 1926-10-02.

Device for regulating the internal pressure in a housing surrounding a battery cell and battery housing with such a device

Номер патента: DE102013213909A1. Автор: Andreas Lemke,Boris Gendlin,Kai-Uwe Haben,Nicolae Folea. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2015-01-22.

DEVICE FOR CONTINUOUS ELECTROPLATING OF METALS AT HIGH VOLUME DENSITY IN VERTICAL CELLS AND APPLICATION OF THE DEVICE

Номер патента: SE462981B. Автор: M Podrini. Владелец: Sviluppo Materiali Spa. Дата публикации: 1990-09-24.

Non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12089419B2. Автор: Chia-Chang Hsu,Cheng-Yi Lin,Chia-hung Lin,Tang Chun Weng,Yung Shen Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Systems and methods for compensating current in a battery module

Номер патента: US09698611B2. Автор: Yan Li,Guoxing Li,Anquan Xiao,Weidong Xue. Владелец: O2Micro Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor memory device using a ferroelectric characteristic of charge storage layer and operating method thereof

Номер патента: US12120883B2. Автор: Jin-Hong Park,Sang-Yong Park,Sungjoo Lee. Владелец: Research And Business Foundation Sungky. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device integrated with memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20190273119A1. Автор: Zhi-Biao Zhou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Memory device and fabricating method thereof

Номер патента: US20170200724A1. Автор: Pu-Sung Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-13.

Memory device and fabricating method thereof

Номер патента: US09704872B1. Автор: Pu-Sung Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Heat recovery apparatus based on fuel cell and operating method thereof

Номер патента: US09620795B2. Автор: Jung Tae Hwang,Hyun Lae Lee,Ja Hoon Jeong,Sung Lay Ryu. Владелец: Posco Energy Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Access authorization method and device for its implementation

Номер патента: RU2608710C1. Автор: Виктор Николаевич Фомченко,Александр Петрович Кушнарев,Андрей Васильевич Клюшев,Сергей Владимирович Елагин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Российский Федеральный ядерный центр-Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики" (ФГУП "РФЯЦ-ВНИИЭФ"). Дата публикации: 2017-01-23.

Control device for controlling operating units of packing machine and related method

Номер патента: RU2587052C2. Автор: Фьоренцо ДРАГЕТТИ. Владелец: Джима Тт С.Р.Л.. Дата публикации: 2016-06-10.

Memory device, semiconductor device, and manufacturing method thereof

Номер патента: US12068245B2. Автор: Sheng-Chih Lai,Hung-Chang Sun,Yu-Wei Jiang,Kuo-Chang Chiang,TsuChing Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Organic electric memory device based on phosphonic acid or trichlorosilane-modified ITO glass substrate and preparation method thereof

Номер патента: US09818963B1. Автор: Jianmei Lu,Jinghui HE. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-11-14.

Electrical device and method for compensating an effect of an electrical current of a load, in particular a led unit, and driver device for driving a load, in particular a led unit

Номер патента: RU2669381C2. Автор: Харальд Йозеф Гюнтер РАДЕРМАХЕР,Дмитро Викторович МАЛИНА,БРЮЙККЕР Патрик Алауисиус Мартина ДЕ. Владелец: Филипс Лайтинг Холдинг Б.В.. Дата публикации: 2018-10-11.

Active filter of higher harmonics of currents of three-phase network

Номер патента: RU2667479C1. Автор: Анатолий Юрьевич Афанасьев,Ильдар Фависович Газизов,Андрей Алексеевич Кунгурцев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Казанский национальный исследовательский технический университет им. А.Н. Туполева-КАИ" (КНИТУ-КАИ). Дата публикации: 2018-09-20.

Device for monitoring information associated to solar panels operation, system comprising the device and operation method thereof

Номер патента: WO2011128875A1. Автор: Jorge Miguel Aguglia. Владелец: S.I.E.M. S.R.L.. Дата публикации: 2011-10-20.

Device for compensation of capacitor currents of single-phase short circuits to earth in electric networks with insulated neutral line

Номер патента: RU2549974C2. Автор: Владимир Николаевич Козлов,Александр Витальевич Булычев,Николай Самсонович Ефимов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "НПП Бреслер". Дата публикации: 2015-05-10.

Method for generation of double-frequency current of inductor and device for generation of double-frequency current of inductor

Номер патента: RU2399168C1. Автор: Юрий Михайлович Казанцев,Святослав Константинович Земан,Александр Владимирович Осипов,Алексей Васильевич Юшков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Магнит". Дата публикации: 2010-09-10.

Method for compensation of full current of single-phase fault

Номер патента: RU2582571C1. Автор: Владимир Анатольевич Благинин,Илья Евгеньевич Кажекин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Калининградский государственный технический университет". Дата публикации: 2016-04-27.

Device for linear suppression of retransmitted noise

Номер патента: RU2360360C1. Автор: Сергей Николаевич Киреев,Юрий Григорьевич Нестеров,Леонид Иванович Пономарев,Валерий Гизатович Валеев,Виктор Александрович Таланов. Владелец: ОАО "Уральское проектно-конструкторское бюро "Деталь". Дата публикации: 2009-06-27.

Method of using fuel and working medium in steam power cycle and device for its implementation

Номер патента: RU2579414C1. Автор: Владимир Константинович Черкасов,Константин Владимирович Черкасов,Александр Дмитриевич Шаратинов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Вологодский государственный университет" (ВоГУ). Дата публикации: 2016-04-10.

MULTI-MODE MEMORY DEVICE AND METHOD HAVING STACKED MEMORY DICE, A LOGIC DIE AND A COMMAND PROCESSING CIRCUIT AND OPERATING IN DIRECT AND INDIRECT MODES

Номер патента: US20130010552A1. Автор: Jeddeloh Joseph M.. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-10.

Hydraulic support for filling behind support and operation and use method thereof

Номер патента: ZA202201103B. Автор: Qi Cheng,Bin Tian,Weili Li,Xudong Wang,Qun NIU,Wanwei Fang,Yehuai Liu,Deyou Gao. Владелец: INNER MONGOLIA FUCHENG MINING CO Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Wireless communication apparatus and operating mode switching method thereof

Номер патента: TW200824413A. Автор: Chun-yi Lee. Владелец: Mitac Int Corp. Дата публикации: 2008-06-01.

Device for compensating the dynamic current of the motor winder

Номер патента: SU93831A1. Автор: М.Э. Гольденталь. Владелец: М.Э. Гольденталь. Дата публикации: 1951-11-30.

FLAT PANEL DISPLAY DEVICE AND OPERATING VOLTAGE ADJUSTING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120162182A1. Автор: Lin Sung-Hui,Liu Pin-Miao,Liao Pei-Chun. Владелец: AU OPTRONICS CORP.. Дата публикации: 2012-06-28.

Computer System and Operating System Switching Method Thereof

Номер патента: US20120191961A1. Автор: Wu Chin-Hwaun,Huang Chung-Ching,Chang Kuo-Han,Lin Tai-Yu. Владелец: VIA TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2012-07-26.

CODEC DEVICES AND OPERATING AND DRIVING METHOD THEREOF

Номер патента: US20130085763A1. Автор: Wang Hui-Lin,PENG Tzu-Ching,LIAO Wei-Tung,LU Ping-Hsien. Владелец: VIA TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2013-04-04.

Electronic device having touch panel and noise detection and operation mode configuration methods thereof

Номер патента: TWI533170B. Автор: 黃榮壽,吳珈穆,許益嘉. Владелец: 義隆電子股份有限公司. Дата публикации: 2016-05-11.

Tunnel and vibration transverse propagation characteristic monitoring system and operation safety monitoring method thereof

Номер патента: CN114323247A. Автор: 刘博�,张世杰,孙立,张泽,叶松,罗伟,许国平,林超,潘建军,朱彬,李秋义. Владелец: China Railway Construction Corp Ltd CRCC. Дата публикации: 2022-04-12.

Hotel management system and operation and management method thereof

Номер патента: CN103729817A. Автор: 周琦,郭家虎,付珊珊,樊明如. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-04-16.

Isolated salt lake brine evaporation tank and operation mode selection method thereof

Номер патента: CN109761247B. Автор: 彭云,武永猛,陈礼石,童阳春,郭虎强. Владелец: China Bluestar Chonfar Engineering and Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-07.

Device and circuit with programmable metallization unit and operation and manufacturing method thereof

Номер патента: CN103296200A. Автор: 林昱佑,李峰旻. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-11.

Integrated fruit selector and operation and configration method thereof.

Номер патента: TW201121666A. Автор: Zhen-Zhang Zhu,guo-ming Zheng. Владелец: Zhen-Zhang Zhu. Дата публикации: 2011-07-01.

DEVICE FOR INJECTING AT LEAST ONE CHEMICAL SUBSTANCE AND/OR PREPARATION INTO TREES AND/OR PALMACEAE AND APPLICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120266534A1. Автор: BARBADO MONTERO Juan Jesús. Владелец: . Дата публикации: 2012-10-25.

DEVICE FOR AUTOMATICALLY ADJUSTING THE HARDNESS OF AN AIR BED BASED ON FRONT LYING OR SIDE LYING AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20130205508A1. Автор: HSU Han-Chung. Владелец: . Дата публикации: 2013-08-15.

Device for achieving input function and output function of single IO port at the same time and implementation method thereof

Номер патента: CN104242901A. Автор: 吴新祥. Владелец: Shenzhen Bangyan Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-24.

Device for judging fault of remote leakage protector and blockage or fault of alternating current contactor, and analysis method thereof

Номер патента: CN102636705A. Автор: 王耘,王新华,吴宇红,宋云轩,方百荣. Владелец: DEQING POWER SUPPLY BUREAU. Дата публикации: 2012-08-15.

Skin substitute for automatically capturing endothelial progenitor cells and promoting vascularization and construction method thereof

Номер патента: CN101985052B. Автор: 王俊杰,王光毅,李恒宇,夏照帆,肖仕初,朱世辉,纪世召. Владелец: Second Military Medical University SMMU. Дата публикации: 2013-11-06.

Device for lamination of plates

Номер патента: RU2297909C2. Автор: Виктор Алексеевич Зайцев. Владелец: Виктор Алексеевич Зайцев. Дата публикации: 2007-04-27.

Process measuring current of indicating electrode of electrochemical cell and device for its implementation

Номер патента: RU2149391C1. Автор: С.А. Литвинов,А.Д. Жерновой,З.А. Темердашев. Владелец: Кубанский государственный университет. Дата публикации: 2000-05-20.

Device for recording of amplitude of current of lightning across ferroconcrete support

Номер патента: SU1746543A1. Автор: Фагим Ахмедзеевич Гиндуллин,Наталья Семеновна Берлина. Владелец: Научно-исследовательский институт высоких напряжений при Томском политехническом институте им.С.М.Кирова. Дата публикации: 1992-07-07.

Device for measuring rotational speed and current of armature of d.c. motor with pulse control

Номер патента: SU1125722A2. Автор: Александр Витальевич Тюрев,Александр Николаевич Шаров. Владелец: Предприятие П/Я А-1097. Дата публикации: 1984-11-23.

Device for automatic measuring of critical current of technical superconductors

Номер патента: SU1045791A1. Автор: А.Н. Ерохин,В.Ф. Куршецов,Л.С. Ширшов. Владелец: Предприятие П/Я М-5631. Дата публикации: 1991-08-07.

Device for pulse controlling of excitation current of series traction motor

Номер патента: SU1175748A1. Автор: Валерий Александрович Мнацаканов,Игорь Алексеевич Рюмин. Владелец: Всесоюзный Научно-Исследовательский Институт Вагоностроения. Дата публикации: 1985-08-30.

Device for pulse control of excitement current of series traction engine

Номер патента: SU954271A1. Автор: Валерий Александрович Мнацаканов,Игорь Алексеевич Рюмин. Владелец: Всесоюзный Научно-Исследовательский Институт Вагоностроения. Дата публикации: 1982-08-30.

Device for automatic equalizing of emitter currents of transistors connected in parallel

Номер патента: SU1304007A1. Автор: Владимир Федорович Осипов,Вадим Револьдович Ружинский,Евгений Владимирович Рабинский. Владелец: Предприятие П/Я Г-4173. Дата публикации: 1987-04-15.

Device for pulsed control of excitation current of series-wound traction motor

Номер патента: SU835853A1. Автор: Владимир Васильевич Малеев,Анатолий Яковлевич Калиниченко,Валерий Александрович Мнацаканов,Виктор Иванович Кириллов,Валентин Максимович Старовойтов,Сергей Михайлович Андрианов,Владимир Игоревич Кошлаков-Крестовский. Владелец: Всесоюзный Научно-Исследовательскийинститут Вагоностроения. Дата публикации: 1981-06-07.

Device for smooth control of average current of thyratrons

Номер патента: SU113216A1. Автор: В.М. Абзианидзе. Владелец: В.М. Абзианидзе. Дата публикации: 1957-11-30.

A device for comparing the strengths of currents of two circuits, measuring resistance, etc.

Номер патента: SU32624A1. Автор: А.К. Конторович. Владелец: А.К. Конторович. Дата публикации: 1933-10-31.

Device for measurement of velocity in current of liquid

Номер патента: RU1781613C. Автор: Владимир Иванович Соколов,Олег Николаевич Беззубик. Владелец: Центральный научно-исследовательский институт им.акад.А.Н.Крылова. Дата публикации: 1992-12-15.

Device for determining value of spot current of electric discharge

Номер патента: SU1167515A1. Автор: Антон Антонович Янковский,Лев Алексеевич Стрелков. Владелец: Ордена Трудового Красного Знамени Институт Физики Ан Бсср. Дата публикации: 1985-07-15.

Device for simulating inrush of magnetizing current of power transmission

Номер патента: SU1136247A1. Автор: Василий Васильевич Подгорный. Владелец: Новочеркасский Ордена Трудового Красного Знамени Политехнический Институт Им.Серго Орджоникидзе. Дата публикации: 1985-01-23.

DEVICE FOR AUTOMATIC COMPENSATION OF WANDLING CURRENTS OF OVERVERSE DIRECTIONS

Номер патента: SU368351A1. Автор: Е. Я. Клоцман витель В. П. Фишмап. Владелец: Украинский государственный институт проектированию металлургических заводов. Дата публикации: 1973-01-26.

Device for automatic compensating of capacitive current of one-phase earth leakage

Номер патента: SU1265914A1. Автор: Иван Николаевич Степанов. Владелец: Чувашский государственный университет им.И.Н.Ульянова. Дата публикации: 1986-10-23.

Device for automatic control of excitation current of synchronous motor

Номер патента: SU1663728A1. Автор: Игорь Андреевич Селиванов,Александр Сергеевич Карандаев,Геннадий Петрович Корнилов,Галина Владимировна Шурыгина. Владелец: Магнитогорский горно-металлургический институт им.Г.И.Носова. Дата публикации: 1991-07-15.

Device for automatic control of rectified current of mercury-conversion substations of electrolysis plants

Номер патента: SU133948A1. Автор: В.А. Кухтин,А.Т. Мамонтов,А.Е. Булин,Б.И. Мазур. Владелец: Б.И. Мазур. Дата публикации: 1960-11-30.

Device for measuring rotational speed and current of armature of dc electric motor with pulse control

Номер патента: SU913537A1. Автор: Aleksandr N Sharov,Aleksandr V Tyurev. Владелец: Aleksandr V Tyurev. Дата публикации: 1982-03-15.

Device for stabilization of steady leakage current of two-stroke stage output transistors

Номер патента: RU2322754C1. Автор: Олег Васильевич Сучков. Владелец: Олег Васильевич Сучков. Дата публикации: 2008-04-20.

Device for automatic compensating for capacitive currents of single-phase earthing in electric network

Номер патента: SU866633A1. Автор: Олег Александрович Петров,Владимир Иванович Гиря,Валерий Валентинович Семенов. Владелец: Челябинский политехнический институт им. Ленинского комсомола. Дата публикации: 1981-09-23.

Device for measuring relationship between critical current of technical superconductor specimens and external magnetic field

Номер патента: SU1077466A1. Автор: В.Ф. Куршецов,Л.С. Ширшов,М.Н. Апалихин. Владелец: Предприятие П/Я М-5631. Дата публикации: 1986-12-23.

Device for supplying loads with direct current of two voltage levels

Номер патента: SU1561146A1. Автор: Виктор Александрович Будыко,Владимир Владимирович Коноваленко,Валентин Дмитриевич Куцов,Алексей Аркадьевич Несен,Анатолий Давыдович Парнас. Владелец: Предприятие П/Я А-1405. Дата публикации: 1990-04-30.

Monitoring device for ground wire resistance and current of distribution transformer

Номер патента: CN201569705U. Автор: 付铮,王国泉,陈安卫. Владелец: Guodian Longyuan Electrical Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-01.

Device for protection from short-circuit currents of an electrical AC network

Номер патента: SU504273A1. Автор: Анатолий Михайлович Харченко,Владимир Федорович Петриченко,Виталий Иванович Кошман,Николай Федорович Шишкин,Вячеслав Георгиевич Мироненко. Владелец: . Дата публикации: 1976-02-25.

Device for measuring forward and reverse currents of power valves

Номер патента: SU483632A1. Автор: Владимир Абрамович Долгих,Владимир Яковлевич Меньшиков. Владелец: Научно-Исследовательский Институт Постоянного Тока. Дата публикации: 1975-09-05.

POWER MONITORING DEVICE FOR IDENTIFYING STATE OF ELECTRIC APPLIANCE AND POWER MONITORING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120004871A1. Автор: . Владелец: NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

OPERATION METHODS FOR MEMORY CELL AND ARRAY FOR REDUCING PUNCH THROUGH LEAKAGE

Номер патента: US20120002484A1. Автор: Tsai Wen-Jer,HUANG JYUN-SIANG,OU TIEN-FAN,CHONG LIT-HO. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

CHARGE EQUILIBRIUM ACCELERATION IN A FLOATING GATE MEMORY DEVICE VIA A REVERSE FIELD PULSE

Номер патента: US20120002482A1. Автор: Kalavade Pranav,Franklin Nathan R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

TEST MODE CONTROL CIRCUIT IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND TEST MODE ENTERING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002494A1. Автор: Jo Jun-Ho,PARK Kyu-Min,KIM BYOUNGSUL,LEE Hakyong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

STRESS-ENGINEERED RESISTANCE-CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120001148A1. Автор: . Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Display device, pixel circuit and display drive method thereof

Номер патента: US20120001948A1. Автор: Uchino Katsuhide,Toyomura Naobumi. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001252A1. Автор: Alsmeier Johann,Purayath Vinod Robert,Chien Henry,Matamis George,Lee Yao-Sheng,Kai James,Zhang Yuan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002475A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PROGRAMMING A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002481A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE CAPTURE APPARATUS, CONTROL METHOD THEREOF, AND RECORDING MEDIUM

Номер патента: US20120002098A1. Автор: . Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

RESISTANCE CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002458A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL APPARATUS, IMAGE SENSING DEVICE, AND CONTROL METHODS THEREOF

Номер патента: US20120002060A1. Автор: KUSANAGI SUGURU. Владелец: CANON KABISHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND DEVICE FOR MONITORING A PHOTOVOLTAIC UNIT

Номер патента: US20120004870A1. Автор: Ney Jörg-Werner. Владелец: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT. Дата публикации: 2012-01-05.

Recessed Access Device for a Memory

Номер патента: US20120001245A1. Автор: Beigel Kurt D.,Trivedi Jigish D.,Duesman Kevin G.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

VIDEO PROCESSING APPARATUS AND CONTROL METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002013A1. Автор: Asanuma Tomoya. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002457A1. Автор: KANDA Kazushige. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002469A1. Автор: IMAMOTO Akihiro,Abiko Naofumi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Circuit and method for eliminating bit line leakage current in random access memory devices

Номер патента: US20120002496A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THEREOF

Номер патента: US20120001246A1. Автор: . Владелец: Micron Technology Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002472A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002478A1. Автор: Isobe Katsuaki,Kojima Masatsugu. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002485A1. Автор: Ono Takashi,MARUYAMA Takafumi,NISHIKAWA Kazuyo,Suwa Hitoshi,Nitta Tadashi,Ueminami Masahiro. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method, Apparatus, and Network Device for Power Control

Номер патента: US20120004007A1. Автор: ZHOU Mingyu,Wan Lei,Ren Xiaotao,Zhao Yajun. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

STEREOSCOPIC IMAGE DISPLAY DEVICE AND DRIVING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002123A1. Автор: KANG Dongwoo. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Device for protecting information from unsanctioned access for computers of informational and computing systems

Номер патента: RU2321055C2. Автор: Юрий Васильевич Романец,Владимир Кимович Сырчин,Петр Александрович Тимофеев,Владимир Михайлович Полетаев,Николай Николаевич Алференков,Павел Валентинович Снетков,Александр Викторович Чентуков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Фирма "Анкад". Дата публикации: 2008-03-27.

Device for current protection of electrical installation

Номер патента: RU2704792C1. Автор: Марк Яковлевич Клецель,Даурен Джамбулович Исабеков,Александр Петрович Кислов,Ирина Игоревна Шолохова. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет". Дата публикации: 2019-10-31.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002470A1. Автор: Honma Mitsuaki,Futatsuyama Takuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Device for preventing unsanctioned access to information, stored on personal computer

Номер патента: RU2263950C2. Автор: Ю.В. Бородакий,А.Ю. Добродеев,Н.Л. Терешкин,Ю.П. Свиридюк. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Концерн "Системпром". Дата публикации: 2005-11-10.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.