Ferroelectric memory device and operation method thereof
Номер патента: US11765907B2
Опубликовано: 19-09-2023
Автор(ы): Fei MO, Masaharu Kobayashi, Toshiro Hiramoto
Принадлежит: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 19-09-2023
Автор(ы): Fei MO, Masaharu Kobayashi, Toshiro Hiramoto
Принадлежит: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Ferroelectric memory device containing a series connected select gate transistor and method of forming the same
Номер патента: US20200411072A1. Автор: Yanli Zhang,Johann Alsmeier. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-12-31.