Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Memory device using PVDF film bonded with azobenzene and manufacturing method thereof

Memory device using PVDF film bonded with azobenzene and manufacturing method thereof

Номер патента: KR101626717B1
Опубликовано: 13-06-2016
Автор(ы): 박병은
Принадлежит: 서울시립대학교 산학협력단
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Gas sensor chip with dielectric multi-layer, and manufacturing and sensing method thereof

Номер патента: KR100927379B1. Автор: 조민석,정호철,김영섭,진성일,장성우,박찬량,항 최. Владелец: 박찬량. Дата публикации: 2009-11-19.

Single poly non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11825650B2. Автор: Jung Hwan Lee,Min Kuck Cho,Su Jin Kim,In Chul Jung. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Single poly non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240049463A1. Автор: Jung Hwan Lee,Min Kuck Cho,Su Jin Kim,In Chul Jung. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Single poly non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230053444A1. Автор: Jung Hwan Lee,Min Kuck Cho,Su Jin Kim,In Chul Jung. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-23.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12137561B2. Автор: Sung-Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

Split gate memory device, semiconductor device and forming method thereof

Номер патента: US09536889B2. Автор: Lingyue Zhang. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device and manufacturing method of semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device

Номер патента: US20220157840A1. Автор: Jung Hwan Lee,Min Kuck Cho,Hyun Chul Kim,Kwang Il Kim,Yang Beom KANG. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device and manufacturing method of semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device

Номер патента: US20210028183A1. Автор: Jung Hwan Lee,Min Kuck Cho,Hyun Chul Kim,Kwang Il Kim,Yang Beom KANG. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-28.

Pin diode and manufacturing method thereof, and x-ray detector using pin diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US09484486B2. Автор: Sung Jin Choi. Владелец: Hydis Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Display device including transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240234432A1. Автор: Junichiro Sakata,Toshinari Sasaki,Miyuki HOSOBA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Display device including transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09837441B2. Автор: Junichiro Sakata,Toshinari Sasaki,Miyuki HOSOBA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Display device including transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09812465B2. Автор: Junichiro Sakata,Toshinari Sasaki,Miyuki HOSOBA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Method for manufacturing material layer, method for manufacturing ferroelectric capacitor using the same, ferroelectric capacitor manufactured by the same method, semiconductor memory device having ferroelectric capacitor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080210998A1. Автор: Jung-hyun Lee,Sang-Min Shin,Young-soo Park,Suk-pil Kim,Bum-seok Seo,June-mo Koo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-04.

C-axis aligned crystalline igzo thin film and manufacture method thereof

Номер патента: US20190153595A1. Автор: Xuanyun Wang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Trench insulated-gate bipolar transistor and manufacture method thereof

Номер патента: US20140346562A1. Автор: Jianxin Ji,Yongsheng Sun,Weiqing Ma,Hongxiang Tang. Владелец: Wuxi China Resources Huajing Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09991293B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Three-dimensional stacking structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09748206B1. Автор: Chaochieh Tsai,Peter Yu Fei Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

TFT substrate structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09728647B2. Автор: Yue Wu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Manufacturing method of thin film transistor and manufacturing method of array substrate

Номер патента: US09508808B2. Автор: Huibin Guo,Xiaowei Liu,Shoukun WANG,Zongjie Guo,Yuchun FENG. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12144179B2. Автор: Eun Seok Choi,Seo Hyun Kim,Dong Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-12.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: EP4454434A1. Автор: Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Lei Xue. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

Semiconductor devices having fin field effect transistor (FinFET) structures and manufacturing and design methods thereof

Номер патента: US09818745B2. Автор: Tung Ying Lee,Chih-Hao Chang,Shou-Zen Chang,Wen-Huei Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor Devices having Fin Field Effect Transistor (FinFET) Structures and Manufacturing and Design Methods Thereof

Номер патента: US20180350802A1. Автор: Tung Ying Lee,Chih-Hao Chang,Shou-Zen Chang,Wen-Huei Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-12-06.

Semiconductor Devices having Fin Field Effect Transistor (FinFET) Structures and Manufacturing and Design Methods Thereof

Номер патента: US20200111782A1. Автор: Tung Ying Lee,Chih-Hao Chang,Shou-Zen Chang,Wen-Huei Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-09.

Array substrate and manufacturing and repairing method thereof, display device

Номер патента: US09502438B2. Автор: Jaikwang Kim,Yongjun Yoon. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Thyristor random access memory device and method

Номер патента: US09954075B2. Автор: John K. Zahurak,Sanh D. Tang,Michael P. Violette. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Thyristor random access memory device and method

Номер патента: US09461155B2. Автор: John K. Zahurak,Sanh D. Tang,Michael P. Violette. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12063779B2. Автор: Ryota Katsumata,Yoshihiro AKUTSU. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09768185B2. Автор: Ryota Katsumata,Yoshihiro AKUTSU. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor apparatus and manufacturing method therefor

Номер патента: US20010050381A1. Автор: Hisamitsu Kimoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-13.

Semiconductor Devices and Manufacturing and Design Methods Thereof

Номер патента: US20130228866A1. Автор: Tung Ying Lee,Chih-Hao Chang,Shou-Zen Chang,Wen-Huie Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-09-05.

Semiconductor Devices Having Fin Field Effect Transistor (FinFET) Structures and Manufacturing and Design Methods Thereof

Номер патента: US20180040618A1. Автор: Lee Tung Ying,Chang Chih-Hao,Guo Wen-Huei,Chang Shou-Zen. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-08.

Semiconductor Devices having Fin Field Effect Transistor (FinFET) Structures and Manufacturing and Design Methods Thereof

Номер патента: US20210098452A1. Автор: Tung Ying Lee,Chih-Hao Chang,Shou-Zen Chang,Wen-Huei Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor Devices having Fin Field Effect Transistor (FinFET) Structures and Manufacturing and Design Methods Thereof

Номер патента: US20200111782A1. Автор: Lee Tung Ying,Chang Chih-Hao,Guo Wen-Huei,Chang Shou-Zen. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-09.

Semiconductor Devices having Fin Field Effect Transistor (FinFET) Structures and Manufacturing and Design Methods Thereof

Номер патента: US20180350802A1. Автор: Lee Tung Ying,Chang Chih-Hao,Guo Wen-Huei,Chang Shou-Zen. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-06.

Semiconductor devices and manufacturing and design methods thereof

Номер патента: KR20130100660A. Автор: 퉁 잉 리,치-하오 창,웬-훼이 궈,쇼우 젠 창. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2013-09-11.

Substrate and manufacturing and application method thereof

Номер патента: WO2013083007A1. Автор: 梁秉文. Владелец: 光达光电设备科技（嘉兴）有限公司. Дата публикации: 2013-06-13.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030198095A1. Автор: Chong-Jen Huang,Kuang-Wen Liu,Jui-Lin Lu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-23.

Nonvolatile memory device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240040788A1. Автор: Kazuya Saito,Takeshi Masuda,Noriyuki Miyata,Kazumasa Horita,Shutaro Asanuma,Takehito Jinbo,Kyoko Sumita,Yuusuke Miyaguchi. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Display device and manufacturing and testing methods thereof

Номер патента: US09368522B2. Автор: Jin Seob Park,Jun Su Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-14.

Array substrate wiring and the manufacturing and repairing method thereof

Номер патента: US9666609B2. Автор: Chao Liu,Lei Chen,Yujun Zhang,Zengsheng He. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

DISPLAY CONTROL CIRCUIT AND DRIVING METHOD THEREOF, DISPLAY PANEL AND MANUFACTURING AND CONTROLLING METHODS THEREOF

Номер патента: US20200043963A1. Автор: HU Weipin,BU Qianqian. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-06.

Array substrate and manufacturing and repairing method thereof, display device

Номер патента: US20160013211A1. Автор: Jaikwang Kim,Yongjun Yoon. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-14.

Display device and manufacturing and testing methods thereof

Номер патента: US20160043107A1. Автор: Jin Seob Park,Jun Su Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-11.

Touch Glasses-Free Grating 3D Display Device and Manufacturing and Control Methods Thereof

Номер патента: US20170048516A1. Автор: Dong Xue,Wang Haisheng,Ding Xiaoliang,Yang Shengji,ZHAO Wenqing,Xue Hailin. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-16.

DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING AND TESTING METHODS THEREOF

Номер патента: US20150155212A1. Автор: KIM Jun Su,PARK Jin Seob. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-04.

Semiconductor Devices having Fin Field Effect Transistor (FinFET) Structures and Manufacturing and Design Methods Thereof

Номер патента: US20150348967A1. Автор: Lee Tung Ying,Chang Chih-Hao,Guo Wen-Huei,Chang Shou-Zen. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-03.

High-brightness LED with surface microstructure and manufacturing and screening method thereof

Номер патента: CN103872203A. Автор: 吴超瑜,王笃祥,吴俊毅,陶青山,卢怡安,蔡坤煌. Владелец: Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-18.

Display device and manufacturing and testing methods thereof

Номер патента: EP2878996B1. Автор: Jin Seob Park,Jun Su Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-29.

Capacitor-less floating-body volatile memory cell comprising a pass transistor and a vertical read/write enable transistor and manufacturing and programming methods thereof

Номер патента: CN101641788B. Автор: 钱德拉·V·穆利,费尔南多·冈萨雷斯. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-08-08.

Liquid crystal display device and manufacturing and repairing methods thereof

Номер патента: US20110037934A1. Автор: Dae Young Seok,Mon Soo Kang,Hyun Jeong Lee,Jae Ho YOON,Dong Chun KANG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-17.

Solid State Image Sensing Device and Manufacturing and Driving Methods Thereof

Номер патента: US20070134836A1. Автор: Masaki Funaki. Владелец: Victor Company of Japan Ltd. Дата публикации: 2007-06-14.

Inductance device using an enclosed magnetic flux pattern to improve magnetic permeability and electric conductivity and its manufacturing method

Номер патента: TW529046B. Автор: Yu-Jen Lin,Jiung-Ting Ou. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2003-04-21.

Non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150311299A1. Автор: Kyung Min Kim,Jung Goo Park,Jeong Ho Cho,Se Woon KIM. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11751376B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030080374A1. Автор: Hajime Arai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-01.

Semiconductor memory devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US09443734B2. Автор: Jung-Hwan Park,Kyu-Hyun Lee,Ki-Seok Lee,Hyo-Jin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11758725B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200194598A1. Автор: Wen-Yueh Jang. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09748260B2. Автор: Akihiro Nitayama,Masaru Kito,Mitsuru Sato,Yasuyuki Matsuoka,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9691907B1. Автор: Shih-Chang Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09691907B1. Автор: Shih-Chang Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Flash memory device and manufacturing method the same

Номер патента: US20100163969A1. Автор: Cheon-Man Shim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09449697B2. Автор: Masaru Yano,Pin-Yao Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20210028104A1. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Memory device and manufacturing method of the memory device

Номер патента: US20240276730A1. Автор: Dong Hun Lee,Jung Shik JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12035533B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240268109A1. Автор: Yusuke Shima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory device, semiconductor device, and manufacturing method thereof

Номер патента: US12068245B2. Автор: Sheng-Chih Lai,Hung-Chang Sun,Yu-Wei Jiang,Kuo-Chang Chiang,TsuChing Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US12087686B2. Автор: Jin Won Lee,Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US12133379B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240334704A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09711510B2. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080296647A1. Автор: Tomohiko Tatsumi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-04.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210020654A1. Автор: Dong Hyuk Kim,Sung Lae OH,Soo Nam JUNG,Tae Sung Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080105916A1. Автор: Hiroshi Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-05-08.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100133613A1. Автор: Hironobu FURUHASHI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-06-03.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030011024A1. Автор: Naho Nishioka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-01-16.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09647031B2. Автор: Kiyohito Nishihara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device layout structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180069093A1. Автор: Gang Qian,Yanlin Sun,Yiming Miao,Xubo Chen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-03-08.

Bidirectional conduction trench gate power mos device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230170411A1. Автор: Dong Fang,Bo Zhang,Yong Chen,Ming Qiao,Wenliang LIU,Fabei ZHANG. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2023-06-01.

Semiconductor memory device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20180190586A1. Автор: Feng-Yi Chang,Shih-Fang Tzou,Fu-Che Lee,Feng-Ming Huang,Chien-Cheng Tsai. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-05.

Flash memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20100163951A1. Автор: Cheon Man Shim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Non-volatile semiconductor memory device, and manufacture method for non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100001338A1. Автор: Kenichiro Nakagawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-01-07.

Through electrode, manufacturing method thereof, and semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09818645B2. Автор: Wei Feng,Katsuya Kikuchi,Naoya Watanabe,Masahiro Aoyagi,Tung Thanh BUI. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2017-11-14.

Magnetoresistive memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09773838B2. Автор: Satoshi Inaba. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Bit line landing pad and borderless contact on bit line stud with localized etch stop layer formed in void region, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030214022A1. Автор: Won-suk Yang,Sang-Ho Song,Ki-nam Kim,Hong-Sik Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-11-20.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US8860003B2. Автор: Jae Min Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-14.

Circuit-board component and manufacturing method thereof, and light-emitting component and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230073554A1. Автор: Feng Zhai,Chun-Lung Hsiao. Владелец: Chongqing Konka Photoelectric Technology Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-09.

Semiconductor devices, fabrication methods thereof, 3d memories and memory devices

Номер патента: US20240292625A1. Автор: LAN Yao,Jie Yan,Quan Zhang,Boru Xie. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Through substrate via structure and manufacturing method thereof, redistribution layer structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US12087665B2. Автор: Hsiang-Hung Chang,Wei-Lan Chiu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2024-09-10.

Manufacturing method of via-hole connection structure, array substrate and manufacturing method thereof, display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210351353A1. Автор: HUI Wang,Xiaochuan Chen,Pengcheng LU,Shengji Yang,Kuanta HUANG,Yanming Wang,Weihai WANG,Guohong QIN,Jiantong LI,Yage SONG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Manufacturing Method of Via Hole, Display Substrate, and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20190311943A1. Автор: Wenlong Wang,Ke Cao,Chengshao Yang,Yunhai Wan. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-10.

Semiconductor package with air gap and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210343668A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-04.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11749565B2. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Thin film transistor and manufacturing method thereof, display device

Номер патента: US9954070B2. Автор: Gang Wang,Baoxia ZHANG,Yongqian Li,Cuili Gai,Zhongyuan Wu,Kun CAO,Quanhu LI,Longyan Wang,Jingwen Yin. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Thin film transistor and manufacturing method thereof, display device

Номер патента: US09954070B2. Автор: Gang Wang,Baoxia ZHANG,Yongqian Li,Cuili Gai,Zhongyuan Wu,Kun CAO,Quanhu LI,Longyan Wang,Jingwen Yin. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Memory device structure and fabricating method thereof

Номер патента: US09640432B2. Автор: Sheng-Fen Chiu,Shaobin Li,Jinshuang Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230317636A1. Автор: Jae Taek Kim,Hye Yeong JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11769727B2. Автор: Feng-Yi Chang,Shih-Fang Tzou,Fu-Che Lee,Feng-Ming Huang,Chien-Cheng Tsai. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Three-dimensional memory devices having first semiconductor structure bonded with second semiconductor structure each including peripheral circuit and methods for forming the same

Номер патента: US12082408B2. Автор: WEI Liu,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory device and fabricating method thereof

Номер патента: US20170200724A1. Автор: Pu-Sung Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09899405B2. Автор: Yong Min Yoo,Young Jae Kim,Seung Woo Choi. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-02-20.

Memory device and fabricating method thereof

Номер патента: US09704872B1. Автор: Pu-Sung Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230337433A1. Автор: SUNG Wook Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Non-volatile memory device having asymmetrical control gates surrounding a floating gate and manufacturing method thereof

Номер патента: US9502257B2. Автор: Kyung Min Kim,Jung Goo Park,Jeong Ho Cho,Se Woon KIM. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Three-dimensional memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190148406A1. Автор: Fu-Chou Liu. Владелец: Nustorage Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230413506A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor structure for three-dimensional memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200312866A1. Автор: Yuan-Chieh Chiu,Yao-An Chung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210242219A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-05.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11205653B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-12-21.

Release film for semiconductor package, manufacturing method thereof, and manufacturing method of semiconductor package using the same

Номер патента: US20240222146A1. Автор: Jeong-Eun Lee,Goan-Hee Yoon. Владелец: Siltech Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US11978737B2. Автор: Kun Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Sensor packaging structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180366381A1. Автор: Yangyuan LI,Shaobo DING. Владелец: Microarray Microelectronics Corp ltd. Дата публикации: 2018-12-20.

Array substrate and manufacturing method thereof, as well as display device

Номер патента: US20160247829A1. Автор: Jinzhong Zhang. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-25.

Board on chip package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070210439A1. Автор: Myung-Sam Kang,Jung-Hyun Park,Chang-Sup Ryu,Ji-Eun Kim,Hoe-Ku Jung. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-13.

Pattern of a flim layer including aluminum, and manufacturing method and aftertreatment method thereof

Номер патента: US20190062925A1. Автор: Jihoon Lee,Soondong LEE,Xiaodi Huo,Guote Wu. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Array substrate and manufacturing method thereof, as well as display device

Номер патента: US9646998B2. Автор: Jinzhong Zhang. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Electronic device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240275024A1. Автор: Ying-Jen Chen,Yan-Zheng WU. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device, fabricating method, memory device and device system

Номер патента: US20240312925A1. Автор: Peng Chen,Xin Feng,XinRu Zeng,Ping Mo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor memory device and a manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20240373638A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Memory device, and manufacturing method and driving method thereof

Номер патента: US20230232635A1. Автор: Shuai Guo,Shijie BAI,Mingguang ZUO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9881931B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09881931B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12089419B2. Автор: Chia-Chang Hsu,Cheng-Yi Lin,Chia-hung Lin,Tang Chun Weng,Yung Shen Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010020710A1. Автор: Jiro Matsufusa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-09-13.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210066493A1. Автор: Kuo-Feng Huang,Yu-Chi Kuo,Che-Jui HSU,Ying-Fu Tung,Chun-Sheng Lu,Wang-Ta Li. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Three-dimensional memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230129701A1. Автор: Hyun Soo Shin,Sang Hyun Sung,Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240282365A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Three-dimensional memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11723209B2. Автор: Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Chun-Fu CHENG,Meng-Han LIN,Yu-Chien Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-08.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230007879A1. Автор: Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240349499A1. Автор: Chung-Hsien Liu,Tzu-Yun Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory device and manufacturing method the same

Номер патента: US09786669B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Ryoji Nomura,Masayuki Sakakura,Tamae Takano,Yoshinobu Asami. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12100651B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Integrated circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230413514A1. Автор: Chung-Te Lin,Katherine H Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10868196B2. Автор: Wen-Yueh Jang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2020-12-15.

Semiconductor memory device using silicon nitride film as charge storage layer of storage transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090184365A1. Автор: Yoshio Ozawa,Masaru Kito,Katsuyuki Sekine. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-23.

Semiconductor memory device and manufacturing method and read/write method therefor, and electronic device and memory circuit

Номер патента: EP4395490A1. Автор: Chao Zhao,Zhengyong Zhu,Guilei Wang,BokMoon Kang. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2024-07-03.

Nonvolatile memory device having multi-level resistance and capacitance characteristics, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200313085A1. Автор: Jae Hyung JANG,Rani Anoop,Se I Oh. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2020-10-01.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180261603A1. Автор: Li-Wei Feng,Ying-Chiao Wang,Wen-Chieh Lu,Chien-Ting Ho,Li-Wei Liu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-13.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10074656B1. Автор: Li-Wei Feng,Ying-Chiao Wang,Wen-Chieh Lu,Chien-Ting Ho,Li-Wei Liu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-11.

Memory cell, memory device manufacturing method and memory device operation method thereof

Номер патента: US12069857B2. Автор: Feng-Min Lee,Yu-Hsuan Lin,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120241828A1. Автор: Seung Hyun Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-09-27.

Non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4362077A3. Автор: Jinyong OH. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-14.

Non-volatile memory devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US09564519B2. Автор: Young Woo Park,Jae Duk Lee,Jin Taek Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Reduced leakage dram memory cells with vertically oriented nanorods and manufacturing methods thereof

Номер патента: WO2008036371A2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Chandra Mouli. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2008-03-27.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230320102A1. Автор: Zhiqiang Wu,Han-Jong Chia,Chun-Fu CHENG,Meng-Han LIN,Chung-Wei Wu,Yu-Chien Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Memory cell and manufacturing method thereof and memory device

Номер патента: US20200328254A1. Автор: Chun-Chih Liu,Yi-Cheng Lee,Yu-Cheng Liao. Владелец: Jiangsu Advanced Memory Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-15.

Memory device, semiconductor device and manufacturing method of the memory device

Номер патента: US20210398989A1. Автор: Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100301405A1. Автор: Shigeto Oota,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-02.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20230129734A1. Автор: Dong Won Choi,Kyung Min Park,Jun Hyuk Park,Sung Gon Jin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09853033B2. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Stack capacitor, a flash memory device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20220359551A1. Автор: Zhi Tian,Hua Shao,Haoyu Chen,Juanjuan Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-11-10.

Stack capacitor, a flash memory device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20210305265A1. Автор: Zhi Tian,Hua Shao,Haoyu Chen,Juanjuan Li. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US12048155B2. Автор: Eun Seok Choi,Seo Hyun Kim,Dong Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Three-dimensional memory device with word lines extending through sub-arrays, semiconductor device including the same and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230345732A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240266339A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory device and manufacturing method of the memory device

Номер патента: US20240324222A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory device and manufacturing method of the memory device

Номер патента: US20240324202A1. Автор: Jae Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20240341098A1. Автор: Eun Seok Choi,Seo Hyun Kim,Dong Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12148735B2. Автор: Ting-Chu Ko,Han-Ping Pu,Ming-Kai Liu,Ching-Yu Huang,Yung-Ping Chiang,Yu-Sheng Hsieh,Chang-Wen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

Memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09425191B2. Автор: Yi-Hsuan Hsiao,Shih-Hung Chen,Hang-Ting Lue,Yen-Hao Shih. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Three-dimensional memory devices and manufacturing methods thereof and three-dimensional memories

Номер патента: US20230422528A1. Автор: Siping Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Three-dimensional memory device and manufacturing method therefor, and three-dimensional memory

Номер патента: EP4266369A1. Автор: Siping Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-25.

Variable resistance memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20220102628A1. Автор: Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Memory device and manufacturing method of memory device

Номер патента: US20210288253A1. Автор: Yoshinori Kumura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-16.

Memory device and manufacturing method of memory device

Номер патента: US20230108500A1. Автор: Yoshinori Kumura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-04-06.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240107903A1. Автор: Shih-Yen Lin,Po-Cheng TSAI. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-03-28.

Three-dimensional memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240251564A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210175241A1. Автор: Ki Hong Lee,Seung Wook Ryu. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070076482A1. Автор: Juri Kato. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-04-05.

Three-dimensional memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12063787B2. Автор: Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Non-volatile memory device including selection gate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220406802A1. Автор: Su Jin Kim,Won Kyu Lim,Jin Shik CHOI. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-22.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090294827A1. Автор: Motoi Ashida. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-12-03.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140252453A1. Автор: Yoshio Ozawa,Masaaki Higuchi,Katsuyuki Sekine,Ryota Fujitsuka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030011025A1. Автор: Naoki Tsuji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-01-16.

Three-dimensional memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240357828A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09997524B2. Автор: Po-Wei Liu,Yong-Shiuan Tsair,Tsun-Kai Tsao,Chieh-Fei Chiu,Hung-Ling Shih,Wen-Tuo Huang,Yu-Ling Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Resistive random access memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09559300B2. Автор: Hiroyuki Ode,Takeshi Takagi,Toshiharu Tanaka,Takeshi Yamaguchi,Masaki Yamato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US11756934B2. Автор: Chung-Liang Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09666570B2. Автор: Bo-Lun Wu,Chia-Hua Ho,Meng-Hung Lin,Ting-Ying SHEN. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Contact pads of three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US12033966B2. Автор: He Chen,LIANG XIAO,Yongqing Wang,Shu Wu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Multi-die memory apparatus and identification method thereof

Номер патента: US20210349645A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Su-Chueh Lo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor memory device using a ferroelectric characteristic of charge storage layer and operating method thereof

Номер патента: US12120883B2. Автор: Jin-Hong Park,Sang-Yong Park,Sungjoo Lee. Владелец: Research And Business Foundation Sungky. Дата публикации: 2024-10-15.

Organic electric memory device based on phosphonic acid or trichlorosilane-modified ITO glass substrate and preparation method thereof

Номер патента: US09818963B1. Автор: Jianmei Lu,Jinghui HE. Владелец: SUZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-11-14.

Wire grid polarizer and manufacturing method thereof, display panel and display device

Номер патента: US09759947B2. Автор: Yanbing WU,Xiangyan ZHANG,Wenbo Li,Kairan LIU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Resistive memory device

Номер патента: US09728721B2. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Yuan Sun,Elgin Kiok Boone Quek,Xuan Anh TRAN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Magnetoresistive memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09590174B2. Автор: Tadashi Kai,Katsuya Nishiyama,Yutaka Hashimoto,Masaru Toko,Kuniaki Sugiura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Thermoelectric device and manufacturing mold and manufacturing method therefor

Номер патента: US20230010940A1. Автор: YI WU,Mingzhe RONG,Chunping NIU,Hailong He,Hongrui REN. Владелец: Xian Jiaotong University. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US11751384B2. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Three-dimensional memory devices having hydrogen blocking layer and fabrication methods thereof

Номер патента: US11728236B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor memory device and manufacturing method

Номер патента: US20030205771A1. Автор: Hiroshi Mizuta,Hideo Sunami,Kazuo Nakazato,Kiyoo Itoh,Toshikazu Shimada. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-11-06.

Nonvolatile memory device and operation method thereof

Номер патента: US20230352104A1. Автор: Jung Woo Lee,Yang Kyu Choi,Ji Man YU. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-11-02.

Thin-film transistor and manufacturing method thereof, array substrate and manufacturing method thereof, and display apparatus

Номер патента: US09899532B2. Автор: WEI Liu,Chunsheng Jiang,Xuyuan Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Memory system topologies including a buffer device and an integrated circuit memory device

Номер патента: US09865329B2. Автор: Ely Tsern,Ian Shaeffer,Craig Hampel. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-01-09.

Array substrate, manufacturing method thereof, display device, thin-film transistor (TFT) and manufacturing method thereof

Номер патента: US09818775B2. Автор: Chunping Long,Chien Hung Liu,Jang Soon Im. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Memory device, peripheral circuit thereof and single-byte data write method thereof

Номер патента: US09805776B2. Автор: Yih-Lang Lin. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

TFT and manufacturing method thereof, array substrate and manufacturing method thereof, X-ray detector and display device

Номер патента: US09647019B2. Автор: Peng Li,Zongmin Tian,Huichao Gao. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Memory system topologies including a buffer device and an integrated circuit memory device

Номер патента: US09563583B2. Автор: Ely Tsern,Ian Shaeffer,Craig Hampel. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-02-07.

Array substrate and manufacturing method thereof, display device, thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09478562B2. Автор: Zheng Liu,Chunping Long,Zuqiang Wang,Jang Soon Im. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20220320305A1. Автор: Won Tae KOO,Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Reduced leakage dram memory cells with vertically oriented nanorods and manufacturing methods therefor

Номер патента: EP2067168A2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Chandra Mouli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-06-10.

Memory device, memory circuit and manufacturing method of memory circuit

Номер патента: US20230189499A1. Автор: Chen-Shuo Huang. Владелец: AUO Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US20230326518A1. Автор: Meng-Fan Chang,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang,Yi-Tse Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the semiconductor memory device

Номер патента: US20230320086A1. Автор: Sang Soo Kim,Kun Young Lee,Sang Wan JIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Manufacturing method of three-dimensional semiconductor device

Номер патента: US11705189B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-07-18.

Semiconductor memory device and arrangement method thereof

Номер патента: US20080013357A1. Автор: Chul-woo Park,Sung-Hoon Kim,Jung-Bae Lee,Hyuk-joon Kwon,Youn-Sik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-17.

Metal mesh array and manufacturing method thereof, thin film sensor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240211082A1. Автор: Feng Qu,Kui Liang. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240313073A1. Автор: Won Tae KOO,Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Nonvolatile memory devices, operating methods thereof and memory systems including the same

Номер патента: US09747995B2. Автор: Jae-Hoon Jang,Jaehun Jeong,Hansoo Kim,Donghyuk Chae,Sun-Il Shim,Youngho Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Array substrate, manufacturing method thereof, display device, thin-film transistor (TFT) and manufacturing method thereof

Номер патента: US09634043B2. Автор: Chunping Long,Chien Hung Liu,Jang Soon Im. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230262993A1. Автор: Chia-Chang Hsu,Cheng-Yi Lin,Chia-hung Lin,Tang Chun Weng,Yung Shen Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Detection substrate and manufacturing method thereof, flat panel detector and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230378100A1. Автор: Ye Zhang,Bin Zhao,Jinyu Li,Chuncheng CHE,Shuai Xu,Binbin Xu,Xuecheng Hou. Владелец: Beijing BOE Sensor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor memory device and manufacturing method therefor

Номер патента: US11069701B2. Автор: Takeshi Murata,Mitsuhiko Noda,Kosei Noda. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-07-20.

Resistive memory device and reliability enhancement method thereof

Номер патента: US20220069209A1. Автор: Frederick Chen,Chia-Wen Cheng,Ping-Kun Wang,Ming-Che Lin,Chang-Tsung Pai,Tzu-Yun Huang,He-Hsuan CHAO. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Array substrate and manufacturing method thereof, and display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210217837A1. Автор: Qi Yao,Zhiwei Liang,Yingwei Liu,Renquan Gu,Wusheng Li,Muxin DI,Jaiil Ryu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-15.

Semiconductor memory device and arrangement method thereof

Номер патента: US20080013397A1. Автор: Chul-woo Park,Sung-Hoon Kim,Jung-Bae Lee,Hyuk-joon Kwon,Youn-Sik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-17.

Semiconductor memory device and arrangement method thereof

Номер патента: US7679985B2. Автор: Chul-woo Park,Sung-Hoon Kim,Jung-Bae Lee,Hyuk-joon Kwon,Youn-Sik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-03-16.

Array substrate and manufacturing method thereof, display device, thin-film transistor (tft) and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160027807A1. Автор: Jiaxiang ZHANG. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-28.

Encapsulant film and manufacturing method thereof, solar cell module and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4235812A1. Автор: Xinwei NIU,Hongyue CHEN,Yanfang Zhou. Владелец: JA Solar Technology Yangzhou Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-30.

Pixel circuit, display device using the same and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240177654A1. Автор: Younghyun Kim,Taewon Jin,Taehyeon Noh,Seoungmin Park. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7608488B2. Автор: Susumu Yoshikawa,Yasuyuki Baba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-27.

Organic semiconductor element, manufacturing method thereof, compound, composition for forming organic semiconductor film, organic semiconductor film, and manufacturing method thereof

Номер патента: US09932441B2. Автор: Tetsu Kitamura. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Contact layer for magnetic tunnel junction element and manufacturing method thereof

Номер патента: US09698342B2. Автор: Yuichi Ito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Array substrate and manufacturing method thereof, display device, thin-film transistor (TFT) and manufacturing method thereof

Номер патента: US09653484B2. Автор: Jiaxiang ZHANG. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Testing method, manufacturing method, and testing device of memory device

Номер патента: US09653182B1. Автор: Tatsuya Kishi,Masaru Toko,Keiji Hosotani,Hisanori Aikawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Resistive memory structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230354724A1. Автор: Chuan-Fu Wang,Wen-Jen Wang,Chun-hung Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Improved vertical 3d memory device and accessing method

Номер патента: US20240237358A1. Автор: Corrado Villa,Efrem Bolandrina,Paolo Fantini,Stefan Frederik Schippers. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Mid-infrared light emitting diode and manufacturing method thereof, silicon photonic circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220140187A1. Автор: Chang-Hua Liu. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2022-05-05.

Chip scale light-emitting diode package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220115557A1. Автор: Seunghyun Oh,Sungsik JO,Pyoynggug KIM. Владелец: Lumens Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-14.

Hybrid resistive memory devices and methods of operating and manufacturing the same

Номер патента: US8902632B2. Автор: Chang-Jung Kim,Young-Bae Kim,Hyun-Sang Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-12-02.

Semiconductor device integrated with memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20190273119A1. Автор: Zhi-Biao Zhou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Chip scale light-emitting diode package and manufacturing method thereof

Номер патента: US12015101B2. Автор: Seunghyun Oh,Sungsik JO,Pyoynggug KIM. Владелец: Lumens Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Split-gate non-volatile memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240276716A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Chip scale light-emitting diode package and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240304750A1. Автор: Seunghyun Oh,Sungsik JO,Pyoynggug KIM. Владелец: Lumens Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor structures and fabrication method thereof, memory device and memory system

Номер патента: US20240355736A1. Автор: Min WEN,Zhen Pan,Chengbao Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US12136599B2. Автор: He Chen,Yi Zhao,Shu Wu,Siping Hu,Ziqun HUA,Zhen Pan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Dual-gate TFT array substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09966450B2. Автор: Shimin Ge. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Static random access memory device and forming method thereof

Номер патента: US09871049B1. Автор: Su Xing,Wanxun He. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Conductive flexible substrate and manufacture thereof, and OLED display device and manufacture method thereof

Номер патента: US09634269B2. Автор: Yifan Wang,Qinghua Zou,Taipi Wu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Thin film transistor driving backplane and manufacturing method thereof, and display panel

Номер патента: US09543415B2. Автор: Chien Hung Liu,Zuqiang Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Memory device using spin hall effect and methods of manufacturing and operating the memory device

Номер патента: US09530478B2. Автор: Sung-Chul Lee,Kee-Won Kim,Kwang-Seok Kim,Young-man Jang,Ung-hwan Pi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-27.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: WO2024130656A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-06-27.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240212753A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240215271A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240215272A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Magnetoresistive memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20170069687A1. Автор: Tadashi Kai,Kenji Noma,Masahiko Nakayama,Yutaka Hashimoto,Yasuyuki Sonoda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Magnetoresistive memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20170263856A1. Автор: Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20060024918A1. Автор: Fukashi Morishita,Masakazu Hirose. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-02-02.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20080023743A1. Автор: Fukashi Morishita,Masakazu Hirose. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-01-31.

Backlight module and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240280855A1. Автор: Chien-Tzu Chu,Chao-Chin Sung,Chueh-Yuan NIEN,Chao-Sen Yang. Владелец: Carux Technology Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory device and manufacturing method

Номер патента: US20200135742A1. Автор: Feng-Ming Chang,Kuo-Hung Lo,Ying-Hsiu KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Memory device and manufacturing method

Номер патента: US20220208774A1. Автор: Feng-Ming Chang,Kuo-Hung Lo,Ying-Hsiu KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Memory device and manufacturing method

Номер патента: US20230276608A1. Автор: Feng-Ming Chang,Kuo-Hung Lo,Ying-Hsiu KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Memory device and manufacturing method

Номер патента: US20210066312A1. Автор: Feng-Ming Chang,Kuo-Hung Lo,Ying-Hsiu KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Non-volatile memory device, storage device having the same, and reading method thereof

Номер патента: US20210272627A1. Автор: Kitaek LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-02.

Manufacturing method for a semiconductor device

Номер патента: US11462627B2. Автор: Xiang Peng,Haoyu Chen,Qiwei Wang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-10-04.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US8980683B2. Автор: Min Yong Lee,JONG CHUL LEE,Young Ho Lee,Seung Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-03-17.

Method for forming a three-dimensional (3D) memory device having bonded semiconductor structures

Номер патента: US12080697B2. Автор: WEI Liu,Shiqi HUANG,Bater Chelon,Siping Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Magnetoresistive memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20160322421A1. Автор: Yuichi Ito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-11-03.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US8890104B2. Автор: Min Yong Lee,JONG CHUL LEE,Young Ho Lee,Seung Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-11-18.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20130228733A1. Автор: Min Yong Lee,JONG CHUL LEE,Young Ho Lee,Seung Beom Baek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-05.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20140322886A1. Автор: Min Yong Lee,JONG CHUL LEE,Young Ho Lee,Seung Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-30.

Contact pads of three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US12133386B2. Автор: Yongqing Wang,Siping Hu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Array substrate comprising separating region and manfacturing method thereof,display apparatus

Номер патента: US09905591B2. Автор: Tao Wu,Chun Li,Hongwei Sun,Yanming Wang,Ruitao Song. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Quantum dot color filter substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09817264B2. Автор: Dongze Li. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Array substrate and manufacture method thereof

Номер патента: US09804459B2. Автор: Liwang Song. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Resistive random access memory device having a nano-scale tip, memory array using the same and fabrication method thereof

Номер патента: US09768381B2. Автор: Byung-gook Park,Seongjae Cho,Sunghun Jung. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2017-09-19.

Array substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09728403B2. Автор: YUAN Guo,Chao He,Juan Li,Guoqiang Tang,Yuxia Chen. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Magnetoresistive memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09647034B2. Автор: Tadashi Kai,Kenji Noma,Masahiko Nakayama,Yutaka Hashimoto,Yasuyuki Sonoda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Memory system having overwrite operation control method thereof

Номер патента: US09627388B2. Автор: Heewon Lee,Hee-Woong Kang,Suejin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Magnetoresistive memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09583535B2. Автор: Yuichi Ito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Electroluminescent device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09520453B2. Автор: Yuxin Zhang,Hongfei Cheng. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09508620B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junya Maruyama,Toru Takayama,Yumiko Ohno. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Organic light emitting display device, driving method thereof, and manufacturing method thereof

Номер патента: US09501978B2. Автор: Dong-Wook Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Epitaxial wafer and manufacturing method thereof

Номер патента: US09425345B2. Автор: Masahiro Sakurada,Izumi Fusegawa,Ryoji Hoshi. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20040129986A1. Автор: Takashi Kobayashi,Yoshihiro Ikeda,Kenji Kanamitsu,Yoshitaka Sasago,Tsuyoshi Arigane. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-07-08.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240032273A1. Автор: Tsuo-Wen Lu,Xuanxuan CHEN,Mingqin Shangguan,Changfu Ye. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11963355B2. Автор: Dong Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210407585A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210217468A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230343388A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Memory cell, memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230371400A1. Автор: Chien-Min Lee,Shy-Jay Lin,Kai-Tai Chang,Tung-Ying Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240107746A1. Автор: Li-Ping Huang,Chao-Chun Lu,Wen-Hsien TU. Владелец: Invention and Collaboration Laboratory Pte Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Electrically erasable programmable read-only memory cell and memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060054966A1. Автор: Jung-Ching Chen,Spring Chen,Chuang-Hsin Chueh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-16.

Memory structure, memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070166910A1. Автор: Ming-Tzong Yang,Wan-Chun Liao,Sheng-Chin Lee,Hsiao-Lin Chen,Chien-Hao Lee,Shr-Wei Shiu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-07-19.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200058666A1. Автор: Chun-Min Cheng,Chien-Lan Chiu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-20.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240188296A1. Автор: Dong Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210242224A1. Автор: Jae Taek Kim,Hye Yeong JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-05.

Memory device, memory integrated circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220093857A1. Автор: Fu-Ting Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-24.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230010950A1. Автор: Yumeng SUN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Memory device and computing device using the same

Номер патента: US20200356308A1. Автор: Ga Ram Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-12.

Semiconductor memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20220310697A1. Автор: Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Chen-Yi Weng,Ching-Hua Hsu,Si-Han Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-09-29.

Quantum dot color filter substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170254933A1. Автор: Dongze Li. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-07.

Highly Reliable Nonvolatile Memory and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20150349253A1. Автор: Yimao Cai,Ru Huang,Yinglong Huang,Muxi Yu,Wenliang Bai. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-12-03.

Vertical memory cells and memory devices using the same

Номер патента: US20200020377A1. Автор: Chun-Chieh Mo,Shih-Chi Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Three-dimensional ferroelectric field effect transistor random access memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: WO2024103281A1. Автор: Tao Yang,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-23.

Heterojunction solar cell and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4333082A1. Автор: Chaohui LIN,Kairui LIN. Владелец: Gold Stone Fujian Energy Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-06.

Heterojunction solar cell and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4333083A1. Автор: Chaohui LIN,Kairui LIN. Владелец: Gold Stone Fujian Energy Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-06.

Memory device, driving method thereof, semiconductor device, electronic component, and electronic device

Номер патента: US20200043548A1. Автор: Shuhei Nagatsuka,Takahiko Ishizu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-06.

Thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate, display device

Номер патента: US20160197274A1. Автор: Yanzhao Li,Yong Qiao,Long Wang,Yongchun Lu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-07.

Solar cell string, string group, module, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210257506A1. Автор: Hongyue CHEN,Yanfang Zhou. Владелец: Jingao Solar Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Array substrate and manufacturing method thereof, display panel, and display device

Номер патента: EP3796385A1. Автор: Zhen Zhang. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-24.

Coupling capacitor and semiconductor memory device using the same

Номер патента: US7602043B2. Автор: Jin-Woo Lee,Eun-Cheol Lee,Won-suk Yang,Tae-Young Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-10-13.

Ceramic wafer and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240246258A1. Автор: Yan-Kai Zeng,Bai-Xuan Jiang,Rui-Feng Jiang. Владелец: Hong Chuang Applied Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Thin-film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US10153379B2. Автор: Zhe Chen. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-11.

Stacked memory device and operating method thereof

Номер патента: US20210240615A1. Автор: Hyunjoong Kim,Jihyun Choi,Seunghyun CHO,Joonsik Sohn,Woongjae SONG,Soowoong AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-08-05.

Array substrate and manufacturing method thereof, display device

Номер патента: US20200401005A1. Автор: Xinjie Zhang,Chengwei Liu. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-24.

Memory device and programming method thereof

Номер патента: US20220367807A1. Автор: Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20230282576A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Oled drive circuit and manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US20190213954A1. Автор: Xiaodong GUO. Владелец: Changchun Flexible Display Technology Co ltd. Дата публикации: 2019-07-11.

Memory device, manufacturing method for memory device and method for data writing

Номер патента: US20110242895A1. Автор: Daisuke Watanabe,Toshiyuki Okayasu. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2011-10-06.

Thin-film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20180226507A1. Автор: Zhe Chen. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-09.

Memory device having a container-shaped electrode and method for fabricating the same

Номер патента: US20240332349A1. Автор: Yao-Hsiung Kung,Chao-Wen Lay. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Storage device using wafer-to-wafer bonding and method of manufacturing the same

Номер патента: US12125534B2. Автор: Eun Chu Oh,Byungchul Jang,Junyeong Seok,Younggul SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Photovoltaic cell module and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240355948A1. Автор: Yaolun HUANG. Владелец: Cando Solarphotoelectric Technology Changzhou Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Method for forming a thin-film layer pattern, display substrate and manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US20160020231A1. Автор: Ming Tian,Junwei Wang,Liyan XU. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-21.

Thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US12068416B2. Автор: Xiaobo Hu. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Embedded terminal module and connector and manufacturing and assembling method thereof

Номер патента: US12034242B2. Автор: Kuo-Chi Yu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-09.

Resolver and manufacturing manufacturing method thereof

Номер патента: KR101964371B1. Автор: 박용호,이진주,진창성. Владелец: 한화디펜스 주식회사. Дата публикации: 2019-04-01.

Electrode assembly and manufacturing apparatus and method thereof, cylindrical battery including the electrode assembly, and battery pack and vehicle including the same

Номер патента: CA3237122A1. Автор: Joo-Young Chung,Tae-Jong Kim,Jin-Gon Kim,Su-Taek Jung,Byeong-Kyu Lee. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Embedded Terminal Module and Connector and Manufacturing and Assembling Method Thereof

Номер патента: US20220102895A1. Автор: YU Kuo-Chi. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-31.

Integral structure of electroabsorption modulation laser and manufacturing and testing method thereof

Номер патента: CN108242763B. Автор: 王宝军,黄永光,朱洪亮,张瑞康. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2020-02-18.

Anode material of lithium ion battery and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN108432006B. Автор: 马晓华,马克·N·奥布罗瓦茨. Владелец: JOHNSON MATTHEY PLC. Дата публикации: 2022-04-26.

Socket insulation assembly and manufacturing device and method thereof

Номер патента: CN112186391B. Автор: 吴学东,何泽顺. Владелец: Hongya Chuangjie Communication Co ltd. Дата публикации: 2022-03-29.

Secondary battery and manufacturing system and method thereof

Номер патента: EP1489679A2. Автор: Yukimasa Nishide. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2004-12-22.

Enameled wire and manufacturing and processing method thereof

Номер патента: CN112349451A. Автор: 吕宁,盛珊瑜. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-02-09.

Electron generating device, image forming device and manufacturing and adjusting method thereof

Номер патента: KR970060294A. Автор: 히데또시 스즈끼,에이지 야마구찌,아끼라 후지이. Владелец: 미따라이 후지오. Дата публикации: 1997-08-12.

Memory device for adjusting magnitude of signal used to precharge bit line according to position of plug hole and operating method thereof

Номер патента: US12014782B2. Автор: Jung Hyeong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Spin orbit torque magnetic memory devices, operating methods thereof, and electronic apparatuses including the magnetic memory devices

Номер патента: US20240147868A1. Автор: Atsushi Okada,Soichiro Mizusaki,Kwangseok KIM,Jeongchun Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Proton exchange membrane and manufacturing method thereof

Номер патента: US10276885B2. Автор: Fan-Gang Tseng,Yu-Ting Chiu,Pen-Cheng WANG. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2019-04-30.

Microwave device using magnetic material nano wire array and manufacturing method thereof

Номер патента: US09543627B2. Автор: Han Young Yu,Yong Sun Yoon,Yark Yeon Kim,Won Ick Jang. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2017-01-10.

Manufacturing method of tunnel magnetoresistance element and manufacturing method of nonvolatile memory device

Номер патента: US20070277910A1. Автор: Masashige Sato,Kazuo Kobayashi,Hiroshi Ashida,Takao Ochiai,Shinjiro Umehara. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-12-06.

Tag for marking defective part of electrode for secondary battery and manufacturing method thereof

Номер патента: CA3206420A1. Автор: Eun Mi CHO. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-08-25.

Nano-porous electrode for super capacitor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09847183B2. Автор: Myung Gi Jeong,Chanhwa Chung,Serhiy Cherevko. Владелец: Sungkyunkwan University Foundation For Corporate Collaboration. Дата публикации: 2017-12-19.

Metal foil with conductive layer and manufacturing method thereof

Номер патента: RU2572840C2. Автор: Михаил Рудольфович Предтеченский,Андрей Геннадьевич Косолапов,Олег Филиппович Бобренок. Владелец: МСД Текнолоджис частная компания с ограниченной ответственностью. Дата публикации: 2016-01-20.

High-voltage composite positive electrode material and manufacturing method thereof

Номер патента: AU2023203287A1. Автор: Han-Wei Hsieh,Ding-De He. Владелец: Advanced Lithium Electrochemistry Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

High-voltage composite positive electrode material and manufacturing method thereof

Номер патента: AU2023203287B2. Автор: Han-Wei Hsieh,Ding-De He. Владелец: Advanced Lithium Electrochemistry Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Circuit board and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240006748A1. Автор: Chih-Chieh Fu,Yu-Jia Men. Владелец: Garuda Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

High-efficiency oxidized vcsel including current diffusion layer having high-doping emission region, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200203928A1. Автор: Hyung Joo Lee. Владелец: AUK CORP. Дата публикации: 2020-06-25.

High-efficiency oxide vcsel with improved light extraction, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200059072A1. Автор: Hyung Joo Lee. Владелец: AUK CORP. Дата публикации: 2020-02-20.

Conductive paste, manufacturing method thereof, capacitor element and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240266119A1. Автор: Ching Feng Lin,Chieh Lin,Shang-Che Lan,Shuo Yan MA. Владелец: Apaq Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Electric device, battery, and battery unit and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240297419A1. Автор: Qian Liu,Yonghuang YE,Quanguo LI,Chunpeng YU,Dejun XIAO. Владелец: Contemporary Amperex Technology Hong Kong Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Pad for wireless charging and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210184497A1. Автор: I-Kuang Lai. Владелец: E-Century Technical & Industrial Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Resistive random access memory device and manufacturing and operating methods thereof

Номер патента: CN102270654B. Автор: 孙兵,高滨,康晋锋,刘晓彦,刘力锋,韩汝琦,陈沅沙. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-10-16.

Multi-valued resistor memory device and manufacturing and operating method thereof

Номер патента: JP5209852B2. Автор: 正 賢 李. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-06-12.

Magnetic random access memory using single crystal self-aligned diode and manufacturing and operating method thereof

Номер патента: TWI332210B. Автор: Chia Hua Ho,Hsiang Lan Lung,Yen Hao Shih. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-21.

Electrostatically actuated oscillating structure with oscillation starting phase control, and manufacturing and driving method thereof

Номер патента: US09921405B2. Автор: Benedetto Vigna,Marco Ferrera,Sonia Costantini,Marco Salina. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2018-03-20.

ELECTROSTATICALLY ACTUATED OSCILLATING STRUCTURE WITH OSCILLATION STARTING PHASE CONTROL, AND MANUFACTURING AND DRIVING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170123202A1. Автор: Vigna Benedetto,FERRERA Marco,COSTANTINI Sonia,Salina Marco. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-04.

ELECTROSTATICALLY ACTUATED OSCILLATING STRUCTURE WITH OSCILLATION STARTING PHASE CONTROL, AND MANUFACTURING AND DRIVING METHOD THEREOF

Номер патента: US20180157030A1. Автор: Vigna Benedetto,FERRERA Marco,COSTANTINI Sonia,Salina Marco. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-07.

ELECTROSTATICALLY ACTUATED OSCILLATING STRUCTURE WITH OSCILLATION STARTING PHASE CONTROL, AND MANUFACTURING AND DRIVING METHOD THEREOF

Номер патента: US20150168715A1. Автор: Vigna Benedetto,FERRERA Marco,COSTANTINI Sonia,Salina Marco. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-18.

Electrostatically actuated oscillating structure with oscillation starting phase control, and manufacturing and driving method thereof

Номер патента: US9753279B2. Автор: Benedetto Vigna,Marco Ferrera,Sonia Costantini,Marco Salina. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2017-09-05.

Non-volatile memory and manufacturing and operating method thereof

Номер патента: US20060170038A1. Автор: Ching-Sung Yang,Wei-Zhe Wong. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2006-08-03.

Automatic door control image intensifier shell and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN111885861A. Автор: 王强,周盛涛,杜培德,朱文锦,曾进能,杨玺文,李亚情. Владелец: North Night Vision Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-03.

Flexible Printed Cercuit Board having Conductive Circuit Pattern by Laser Direct Writing Method and Manufacturing System and Method Thereof

Номер патента: KR100906408B1. Автор: 이제훈,손현기,신동식,노지환,서정,조수재. Владелец: 한국기계연구원. Дата публикации: 2009-07-09.

Nonvolatile memory device including memory area storing information used for searching erased page, data storage device including the same, and operating method thereof

Номер патента: US09640268B2. Автор: Chan Woo Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor memory device having column select line driving scheme for reducing skew between column select lines and column select line driving method thereof

Номер патента: US6944069B2. Автор: Byung-Chul Kim,Seung-Bum Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-09-13.

Decorative nail tip and manufacturing system and method thereof

Номер патента: US20240251926A1. Автор: Jingbiao DENG. Владелец: Shanghai Huizi Cosmetics Co ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Decorative nail tip and manufacturing system and method thereof

Номер патента: US12102206B2. Автор: Jingbiao DENG. Владелец: Shanghai Huizi Cosmetics Co ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Memory device, memory integrated circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240215463A1. Автор: Fu-Ting Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240298436A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Li-Wei Feng,Janbo Zhang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240324203A1. Автор: In Su Park,Jung Shik JANG,Won Geun CHOI,Rho Gyu KWAK,Seok Min Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240373653A1. Автор: Yu-Ming Lin,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12114513B2. Автор: Yu-Ming Lin,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Memory device having ultra-lightly doped region and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240196597A1. Автор: Chung-Lin Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240324176A1. Автор: Shou-Te WANG. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory device having improved p-n junction and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240244829A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory device having improved p-n junction and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240244827A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240349506A1. Автор: Chih-Kai Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Three-dimensional memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12069871B2. Автор: Yu-Ming Lin,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050270845A1. Автор: Keita Takahashi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-08.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240298445A1. Автор: Yusuke Morikawa,Tatsufumi Hamada,Yosuke MITSUNO,Tomohiro KUKI,Ryouji MASUDA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Three-dimensional memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240357838A1. Автор: Yu-Ming Lin,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Phase change memory devices with,bipolar transitstors and manufacturing methods thereof

Номер патента: WO2008097910A2. Автор: Albert Wu,Chien-Chuan Wei,Roger Switzer. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD.. Дата публикации: 2008-08-14.

Phase change memory devices with,bipolar transitstors and manufacturing methods thereof

Номер патента: WO2008097910A9. Автор: Albert Wu,Chien-Chuan Wei,Roger Switzer. Владелец: Roger Switzer. Дата публикации: 2008-10-09.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090065844A1. Автор: Toshihiko Iinuma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-12.

Resistive memory device and manufacturing method

Номер патента: US20240237561A9. Автор: Christelle Charpin-Nicolle,Serge Blonkowski,Remy Gassilloud,Thomas Magis. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240276717A1. Автор: Li-Yen Liang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Magnetic random access memory device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240251684A1. Автор: Shujun YE,Yeliang Wang. Владелец: Yangtze Delta Graduate School Of Bit Jiaxing. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12048154B2. Автор: Hong-Ji Lee,Tzung-Ting Han,Yu-Fong Huang,Chih-Chin Chang,Lo Yueh LIN,Yu-Hsiang Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US5177575A. Автор: Yutaka Ikeda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-01-05.

Manufacturing method of memory device

Номер патента: US20230301210A1. Автор: Da-Jun Lin,Fu-Yu Tsai,Bin-Siang Tsai,Shih-Wei Su,Chich-Neng Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Manufacturing method of memory device

Номер патента: US12108691B2. Автор: Da-Jun Lin,Fu-Yu Tsai,Bin-Siang Tsai,Shih-Wei Su,Chich-Neng Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Memory device, memory system, and operating method of memory system

Номер патента: US09569371B2. Автор: Jun-Jin Kong,Pil-Sang Yoon,Chang-kyu Seol,Seong-Hyeog CHOI,Hong-rak Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Thermoelectric device and manufacturing mold and manufacturing method therefor

Номер патента: US11980101B2. Автор: YI WU,Mingzhe RONG,Chunping NIU,Hailong He,Hongrui REN. Владелец: Xian Jiaotong University. Дата публикации: 2024-05-07.

Magnetic Memory Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20080157239A1. Автор: Song Hee Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Voltage regulator, memory system having the same and operating method thereof

Номер патента: US09886986B2. Автор: Ki Soo Kim,Jin Seong KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Voltage regulator, memory system having the same and operating method thereof

Номер патента: US09647538B2. Автор: Ki Soo Kim,Jin Seong KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Memory device for controlling word line voltage and operating method thereof

Номер патента: EP4187541A1. Автор: Hyunkook Park,Sara Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-31.

Magnetic memory device and manufacturing method of magnetic memory device

Номер патента: US12069959B2. Автор: Kuniaki Sugiura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Metallocenyl dendrimer, organic memory device using the same and fabrication method of the organic memory device

Номер патента: US20080111124A1. Автор: Kwang Hee Lee,Tae Lim Choi,Sang Kyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-15.

Nonvolatile memory devices, operating methods thereof and memory systems including the same

Номер патента: US20230268017A1. Автор: Jae-Hoon Jang,Jaehun Jeong,Hansoo Kim,Donghyuk Chae,Sun-Il Shim,Youngho Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor memory device and manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US20240292620A1. Автор: Takahiro Kotou. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Metallocenyl dendrimer, organic memory device using the same and fabrication method of the organic memory device

Номер патента: US20110213172A1. Автор: Kwang Hee Lee,Tae Lim Choi,Sang Kyun Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-01.

Magnetic memory device, and manufacturing method of magnetic memory device

Номер патента: US20240315049A1. Автор: Kazuya Sawada,Naoki Akiyama,Kenichi Yoshino,Takuya Shimano,Hyungjun Cho. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Secure transfer and tracking of data using removable nonvolatile memory devices

Номер патента: US09647992B2. Автор: Robert D. Widergren,Martin Paul Boliek. Владелец: Mo DV Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor memory device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20050230748A1. Автор: Hiroshi Furuta,Kenji Saito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-10-20.

Track activities of components in endpoints having secure memory devices via identity validation

Номер патента: US12088581B2. Автор: Lance W. Dover,Jeffrey Charles Shiner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory chip and operating method thereof

Номер патента: US20240265956A1. Автор: Kuo-Hsiang Chen,Shih-Hsien Yang,Chung-Hung Chen,Yu-Chih Wang,Hsiang-Chi Cheng,Shyh-Bin KUO,Yi-Cheng LAl. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US12087361B2. Автор: Jungyu Lee,Bilal Ahmad Janjua,Jongryul Kim,Venkataramana Gangasani. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Flash memory device having multi-stack structure and channel separation method thereof

Номер патента: US12119066B2. Автор: Ho-Jun Lee,Yohan Lee,Hyebin KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Memory device, integrated circuit and manufacturing method of the same

Номер патента: US20240357805A1. Автор: Te-Hsun Hsu. Владелец: Ipcell Corp Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Data decoding method of non-volatile memory device and apparatus for performing the method

Номер патента: US09672942B2. Автор: Jun Jin Kong,Myung Kyu Lee,Kwang Hoon Kim,Beom Kyu Shin,Pil Sang Yoon,Ung Hwan KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Volatile semicondcutor memory device, refresh control circuit and method thereof

Номер патента: US09653142B1. Автор: Yuji Kihara. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor memory device with guard pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US11785765B2. Автор: Chang-Hung Lin. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-10-10.

Memory device and operation method thereof for performing multiply accumulate operation

Номер патента: US12033699B2. Автор: Po-Kai Hsu,Hang-Ting Lue. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Memory and operating method thereof

Номер патента: US20240203491A1. Автор: Meng-Fan Chang,Yen-Cheng Chiu. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2024-06-20.

Non-volatile memory device, controller for controlling the same, storage device having the same, and reading method thereof

Номер патента: US12045132B2. Автор: Jinyoung Kim,Dongmin Shin,Sehwan Park,Youngdeok SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Clock driver, operating method thereof, memory device including clock driver, and memory system

Номер патента: US20240248511A1. Автор: Bumsoo LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory device including predecoder and operating method thereof

Номер патента: US12112795B2. Автор: Chan Ho Lee,Tae Min CHOI,Kyu Won CHOI,Hyeong Cheol Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Compound, Coating Composition Including Same, Organic Light-Emitting Device Using Same, and Manufacturing Method Therefor

Номер патента: US20240341174A1. Автор: Jaechol LEE,Jiyoung LEE,Doowhan Choi,Songrim Jang,Sejin JUNG,Hyeonah Shin,Dowon LIM. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Nonvolatile memory device and erasing method thereof

Номер патента: US09627076B2. Автор: Sang-Wan Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Three-dimensional memory devices and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240215273A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US11450363B2. Автор: Jae Woong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-09-20.

Compound, coating composition including same, organic light-emitting device using same, and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4382507A1. Автор: Jaechol LEE,Jiyoung LEE,Doowhan Choi,Songrim Jang,Sejin JUNG,Hyeonah Shin,Dowon LIM. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2024-06-12.

Semiconductor memory device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20100163944A1. Автор: Hiroyuki Kanaya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Memory device, error correction device and error correction method thereof

Номер патента: US11949429B2. Автор: Kuan-Chieh Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor memory device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240090222A1. Автор: Hiroyasu Sato,Yusuke Morikawa,Tatsufumi Hamada,Yosuke MITSUNO,Tomohiro KUKI,Ryouji MASUDA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Wavelength conversion device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12044868B2. Автор: Chi-Tang Hsieh,I-Hua Chen. Владелец: Coretronic Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Adaptive read recovery for NAND flash memory devices

Номер патента: US12107603B1. Автор: Nedeljko Varnica,Nirmal Shende. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Controller, semiconductor memory system and operating method thereof

Номер патента: US09575833B2. Автор: Myeong-Woon JEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Non-volatile memory device and memory system including the same and program method thereof

Номер патента: US12094540B2. Автор: Jinwoo Park,Sang-Wan Nam,Jaeyong Jeong,Won-Taeck JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Three-dimensional memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230337436A1. Автор: Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Chun-Fu CHENG,Meng-Han LIN,Yu-Chien Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Memory device, memory integrated circuit and manufacturing method thereof

Номер патента: US11950523B2. Автор: Fu-Ting Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20180190366A1. Автор: Jung-Ho LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

Structure of a memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20040004256A1. Автор: Jiun-Ren Lai,Chun-Yi Yang,Shi-Xian Chen,Gwen Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-08.

Memory device and programming method thereof

Номер патента: US12029143B2. Автор: Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Memory array and operation method thereof

Номер патента: US12048164B2. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Yu-Ming Lin,Yi-Ching Liu,Sheng-Chih Lai,Ya-Yun Cheng,Chen-Jun Wu,Wen-Ling LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Dynamic power control system for memory device and memory device using the same

Номер патента: US20200126598A1. Автор: Sung Whan Seo,Dae Seok Byeon,Young Sun Min,Tae Hong KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-23.

Memory device with a three-dimensional vertical structure and driving method thereof

Номер патента: WO2024153970A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Andrea Martinelli,Christophe Vincent Antoine Laurent,Efrem Bolandrina. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-07-25.

Brushless direct currency (bldc) motor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200195088A1. Автор: Hyun Tae LEE,Gyu Sang Yu,Dong Heon Mo,Jung Kil Lee. Владелец: COAVIS. Дата публикации: 2020-06-18.

Memory device and formation method thereof

Номер патента: US20240315153A1. Автор: Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

LIGHT GUIDE FILM AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, LIGHT GUIDE PLATE AND MANUFACTURING AND RECYCLING METHODS THEREOF

Номер патента: US20170115445A1. Автор: Wang Peina. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-27.

Easy-split reclosable tape and manufacturing method thereof, and packaging bag with easy-split reclosable tape and manufacturing apparatus and method thereof

Номер патента: TWI399326B. Автор: Kenichi Tanaka,Shuichi Goto,Yoshinori Namba. Владелец: Idemitsu Unitech Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-21.

Optical thin film bonding agent, optical thin film adhesive phase and manufacture method, adhesive optical film and image display device

Номер патента: CN100552478C. Автор: 诸石裕,中野史子,佐竹正之,小笠原晶子,外山雄祐. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2009-10-21.

Barrel fastened or bonded with multiple composite inner frames and manufacturing method thereof

Номер патента: KR102275756B1. Автор: 안현수. Владелец: (주)에이엔에이치스트럭쳐. Дата публикации: 2021-07-09.

Barrel fastened or bonded with multiple composite inner frames and manufacturing method thereof

Номер патента: KR20210042844A. Автор: 안현수. Владелец: (주)에이엔에이치스트럭쳐. Дата публикации: 2021-04-20.

Multi-component thermal spray coating material for semiconductor processing equipment, and manufacturing and coating method thereof

Номер патента: TW201043592A. Автор: Hyun-Kwang Seok,Kyeong-Ho Baik,Yu-Chan Kim. Владелец: Korea Inst Sci & Tech. Дата публикации: 2010-12-16.

Fixed value residual stress test block and manufacturing and preservation method thereof

Номер патента: US09989496B2. Автор: XIAO Li,LANG Xu,Chunguang Xu,Wentao SONG,Dingguo Xiao,Qinxue PAN. Владелец: Beijing Institute of Technology BIT. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor memory device including data input output circuit operated according to DQ interleaved data access test method and data input output method thereof

Номер патента: KR100546345B1. Автор: 신동학. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-01-26.

Flash memory device including bit line voltage clamp circuit for controlling bit line voltage during programming, and bit line voltage control method thereof

Номер патента: TWI279809B. Автор: Se-Eun O. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-04-21.

Flash memory device including bit line voltage clamp circuit for controlling bit line voltage during programming, and bit line voltage control method thereof

Номер патента: US7251163B2. Автор: Se-Eun O. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-07-31.

High-strength glued wood beam bridge convenient to manufacture and construct and manufacturing and construction method thereof

Номер патента: CN112482186A. Автор: 陈义龙,周建华,陈浩东,陈爱军,王虎瑞,王皓磊,贺国京,王解军. Владелец: Central South University of Forestry and Technology. Дата публикации: 2021-03-12.

Pocket spring mattress attached with strip material at side surface thereof and manufacturing device and method thereof

Номер патента: EP3821765A1. Автор: Zhiming Tan,Jie Liang. Владелец: Guangzhou Lianrou Machinery and Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-19.

MULTI-HEAD PROBE AND MANUFACTURING AND SCANNING METHODS THEREOF

Номер патента: US20140020140A1. Автор: Tseng Fan-Gang,CHANG JOE-MING. Владелец: National Tsing Hua University. Дата публикации: 2014-01-16.

Fixed Value Residual Stress Test Block And Manufacturing And Preservation Method Thereof

Номер патента: US20160033452A1. Автор: Li Xiao,Xu Chunguang,Xiao Dingguo,SONG Wentao,XU Lang,PAN Qinxue. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-04.

Heat protector and manufacturing and mounting methods thereof

Номер патента: US20150060026A1. Автор: Tae-Wan Kim,Kwang-Weon Ahn. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2015-03-05.

Gel Nail Polish and Manufacturing and Using Method Thereof

Номер патента: US20170056312A1. Автор: Zhen Lijuan. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-02.

RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY AND MANUFACTURING AND CONTROL METHODS THEREOF

Номер патента: US20160148684A1. Автор: Wu Chien-Min,Wu Bo-Lun,LIN Meng-Heng. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-26.

Bagged spring bed core with side connected to strip-shaped material and manufacturing device and method thereof

Номер патента: US20200198961A1. Автор: Zhiming Tan,Jie Liang. Владелец: Guangzhou Lianrou Machinery and Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-25.

Fixed Value Residual Stress Test Block And Manufacturing And Preservation Method Thereof

Номер патента: US20180231499A1. Автор: Li Xiao,Xu Chunguang,Xiao Dingguo,SONG Wentao,XU Lang,PAN Qinxue. Владелец: Beijing Institute of Technology. Дата публикации: 2018-08-16.

Gel Nail Polish and Manufacturing and Using Method Thereof

Номер патента: US20180250219A1. Автор: Zhen Lijuan. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-06.

ENCODER SCALE AND MANUFACTURING AND ATTACHING METHOD THEREOF

Номер патента: US20160313144A1. Автор: MORITA Ryo,Kodama Kazuhiko,Otsuka Takanori,Wakasa Taisuke,Yoshihara Kouichi. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-27.

Self-healing asphalt composition and manufacturing, waterproofing structure method thereof

Номер патента: KR102265535B1. Автор: 황정준. Владелец: 주식회사 삼송마그마. Дата публикации: 2021-06-17.

Grinding wheel and manufacturing apparatus, mold, method thereof

Номер патента: KR100459810B1. Автор: 이환철,김상욱,박강래,서준원. Владелец: 신한다이아몬드공업 주식회사. Дата публикации: 2004-12-03.

Fiber and manufacture system and method thereof

Номер патента: CN105988160A. Автор: 蒋方荣,邹国辉,肖尚宏. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-05.

Single-clad-surface bendable multi-layer stacked corrugated core material and manufacturing and bending method thereof

Номер патента: CN113306259B. Автор: 张志智,郝景新,于利亚,李士豪,吴新凤. Владелец: Shenzhen Langhui Exhibition Co ltd. Дата публикации: 2022-11-29.

Surface wettability variable micro-pore model and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN112161907B. Автор: 郭威,王一凡,胡冉,魏鹳举,廖震,周晨星,陈旭升,武东生,陈益峰. Владелец: Wuhan University WHU. Дата публикации: 2021-06-04.

Converter slag modifier and manufacture and using method thereof

Номер патента: CN102719575B. Автор: 徐鹏飞,于淑娟,侯洪宇,马光宇,耿继双,王向锋,杨大正. Владелец: Angang Steel Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-04.

Multi-layer wet tissue sheets and manufacturing apparatus and method thereof

Номер патента: KR100495309B1. Автор: 박한욱. Владелец: 애드윈코리아 주식회사. Дата публикации: 2005-06-16.

I section composite girder, girder bridge and manufacturing and constructing method thereof

Номер патента: KR101182680B1. Автор: 박정환. Владелец: 대영스틸산업주식회사. Дата публикации: 2012-09-14.

Bedding layer for dairy cow breeding and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN112205307B. Автор: 张青,杨洋,刘国锋,张华斌,程媛,程泽华,程武增,孙海栓,花勤孟,孙正沿,付希强,刘哲澔. Владелец: Shandong Huibangbohai Agricultural Development Co ltd. Дата публикации: 2022-02-22.

High-stability small infrared gas sensor and manufacturing and implementation method thereof

Номер патента: CN112067572B. Автор: 卿笃安,曹绍情. Владелец: Shenzhen Nuoan Environmental & Safety Inc. Дата публикации: 2021-06-15.

Conditioner for fermenting organic fertilizer from sludge and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN102391027B. Автор: 陈志峰,黄明强,许文江,刘美龄,谢小青,戴兰华,余淑蓉,郑晓倩,谢鸿根,宋志瑜. Владелец: SUBTROPICAL CROPS INSTITUTE OF FUJIAN PROVINCE. Дата публикации: 2014-04-02.

Protection barrier layer and manufacture and use method thereof

Номер патента: CN106163809A. Автор: J·P·凯利,R·D·乔丹,R·C·小诺里斯,F·J·柯西奥. Владелец: Georgia Pacific Consumer Products LP. Дата публикации: 2016-11-23.

Strain sensor based on flexible capacitor and manufacturing and test method thereof

Номер патента: CN105783696A. Автор: 刘昊,王亚楠,秦国轩,黄治塬,靳萌萌,党孟娇. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-07-20.

anti-transfer RFID intelligent label and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN106682722B. Автор: 朱阁勇. Владелец: SHANGHAI CHINA CARD SMART CARD CO Ltd. Дата публикации: 2019-12-10.

3-dimension structural semiconductor bridge igniter and manufacturing and packaging method thereof

Номер патента: KR100482156B1. Автор: 박종욱,김선환,김윤범,이정복,김길현,박명일. Владелец: 주식회사 한화. Дата публикации: 2005-04-13.

Decorative surface of complete furniture and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN111493566A. Автор: 吴根水. Владелец: Suzhou Jiahui Wooden Industry Constructing Co ltd. Дата публикации: 2020-08-07.

Water bag concrete engineering deformation joint water stop type cavity die and manufacturing and construction method thereof

Номер патента: CN104314047A. Автор: 张朝利. Владелец: 张朝利. Дата публикации: 2015-01-28.

Root crop hoe blade, blade set, hoe blade and manufacturing and maintaining method thereof

Номер патента: CN111083984A. Автор: 安东·诺伊迈尔,爱德华·里克特. Владелец: EXEL INDUSTRIES SA. Дата публикации: 2020-05-01.

Flexible pipe with stable flow speed and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN110603140A. Автор: J·贝克,C·S·哥鲁布,H·S·列侬,M·T·怀特,L·雷,G·H·凌. Владелец: Saint Gobain Performance Plastics Corp. Дата публикации: 2019-12-20.

Steel-UHPC combined structure shear connector and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN112176850B. Автор: 刘扬,曾丹,曹磊,鲁乃唯,陈方怀. Владелец: Hunan University of Technology. Дата публикации: 2022-07-01.

Prefabricated wall modular decoration combination and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN113802789A. Автор: 林有昌. Владелец: Tongtong Global Co ltd. Дата публикации: 2021-12-17.

Positioning device with external spiral grooves and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN109727682B. Автор: 刘璐,冯丽,王大伟,李金阳,张璐,于锐,彭天骥,盛鑫,顾龙,朱彦雷,秦长平,姜韦,范大军,唐延泽,田旺盛,范旭凯,崔青蓝. Владелец: Institute of Modern Physics of CAS. Дата публикации: 2020-11-10.

Micro-nano optical sensor for detecting chemical components and manufacturing and detecting method thereof

Номер патента: CN113804630A. Автор: 金庆辉,郜晚蕾,鹿胜康,管轶华,冯璐璠. Владелец: Ningbo University. Дата публикации: 2021-12-17.

Grinding wheel and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN103567858A. Автор: 聂大仕,黄胜蓝,缑高翔. Владелец: Saint Gobain Abrasifs SA. Дата публикации: 2014-02-12.

Concrete slump detection device and manufacturing and operating method thereof

Номер патента: CN112269018A. Автор: 李岳,阳欢,夏开飞,邱燕飞,蔡关虎. Владелец: Sichuan Xing Cheng Gang Rui Building Materials Co ltd. Дата публикации: 2021-01-26.

Multilayer compound eccentric-wear-preventing continuous sucker rod and manufacturing device and method thereof

Номер патента: CN104060944A. Автор: 李强,崔昌瑞,王瑞星,吴永太. Владелец: Shengli Oilfield Xinda Pipes Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-24.

Packaging structure and manufacturing machine and method thereof

Номер патента: JP4633343B2. Автор: アレクンダー テーラー アルフレッド,ディ パルマ ルイギ. Владелец: ティー・エヌ・エー オーストラリア ピィー・ティー・ワイ リミテッド. Дата публикации: 2011-02-16.

Modular assembly type copper-aluminum composite efficient cooling and heating radiation plate unit and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN109323344B. Автор: 张文丰. Владелец: Langfang Congpin Air Conditioning Equipment Manufacturing Co ltd. Дата публикации: 2022-02-18.

Gas-insulated GIL size effect test electrode device and manufacturing and testing methods thereof

Номер патента: CN109633397B. Автор: 郑宇�,张天然,周文俊,喻剑辉. Владелец: Wuhan University WHU. Дата публикации: 2021-02-02.

Circular polarization device and manufacturing and application methods thereof

Номер патента: CN106646919A. Автор: 苏刚. Владелец: SHENZHEN WANMING PRECISION TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-10.

Projection welding insulation positioning pin and manufacturing device and method thereof

Номер патента: CN111250852A. Автор: 黎华. Владелец: Jiangling Motors Corp Ltd. Дата публикации: 2020-06-09.

Anti-transfer RFID intelligent label and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN106682722A. Автор: 朱阁勇. Владелец: SHANGHAI CHINA CARD SMART CARD CO Ltd. Дата публикации: 2017-05-17.

Projection exposure apparatus and manufacturing and adjusting methods thereof

Номер патента: US6621556B2. Автор: Osamu Yamashita,Masaya Iwasaki. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2003-09-16.

Endoscope optical system and manufacture device and method thereof

Номер патента: CN104473613A. Автор: 赵跃东. Владелец: NANJING DONGLILAI PHOTOELECTRIC INDUSTRIAL Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-01.

Foldable water stopping type cavity die for concrete deformation joint and manufacturing and construction method thereof

Номер патента: CN104314049A. Автор: 张朝利. Владелец: 张朝利. Дата публикации: 2015-01-28.

External steel beam joint of original concrete cylindrical structure and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN115596083A. Автор: 余晓波,孙江龙,张洪,张洋洋,潘炜,刘超超,张泽玉,杨同林,周帅翰. Владелец: China Construction First Group Construction and Development Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-13.

Eelectricity candle paraffin wax body and manufacturing instrument and method thereof

Номер патента: KR101323505B1. Автор: 이종걸. Владелец: 이종걸. Дата публикации: 2013-11-04.

Flexible 3D biological printing coaxial nozzle and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN106671408B. Автор: 赵波,李瑜,王建平,石国宏,卞平艳,殷森. Владелец: Henan University of Technology. Дата публикации: 2023-02-28.

Encoder scale and manufacturing and attaching method thereof

Номер патента: US9739642B2. Автор: Kazuhiko Kodama,Ryo Morita,Takanori Otsuka,Taisuke Wakasa,Kouichi Yoshihara. Владелец: Mitutoyo Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Modularized ship cabin and manufacturing and installing method thereof

Номер патента: CN106628012A. Автор: 王旭,姜军,于航,储云泽,周文鑫,邢宏岩. Владелец: Shanghai Shipbuilding Technology Research Institute. Дата публикации: 2017-05-10.

Substrate for display device, liquid crystal device using the substrate for display device, electronic machine having the liquid crystal device and the manufacturing method thereof

Номер патента: TW200301387A. Автор: Tomomi Kawase. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-07-01.

Impact-resistant, high-temperature-resistant and high-hardness welding wire and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN110560959B. Автор: 曾斌,刘鑫. Владелец: Angang No3 Steel Making And Repairing Plant. Дата публикации: 2021-07-13.

Conductive Structure Body Having Conductive Darkening Layer, and Manufacturing Apparatus and Method thereof

Номер патента: KR20160127295A. Автор: 이상일,이정현,정좌진,권이태. Владелец: 주식회사 아텍. Дата публикации: 2016-11-03.

Cross form for porous concrete pile and manufacturing and construction method thereof

Номер патента: CN107116665B. Автор: 陈�峰. Владелец: Maanshan City Sanshan Machinery Co ltd. Дата публикации: 2022-06-14.

Mold for customizing whole complete gourd appliance and manufacturing and use method thereof

Номер патента: CN105493917A. Автор: 黄全华. Владелец: TIANJIN ZHAOFU SCIENCE & TECHNOLOGY DEVELOPMENT Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-20.

Accurate positioning device for embedded bolts of prefabricated stairs and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN109025323B. Автор: 尹万云,钱元弟,鲁德建. Владелец: China MCC17 Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-19.

Nasal cavity dust removal and humidification dosing device and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN105963872A. Автор: 张朝峰,许小磊. Владелец: Suzhou Huicheng Zhizao Industrial Design Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-28.

Through bar type concrete composite floor slab structure and manufacturing and assembling method thereof

Номер патента: CN106368365A. Автор: 李明,王浩然,赵唯坚. Владелец: Shenyang Jianzhu University. Дата публикации: 2017-02-01.

Gusset for lightweight bag, bag assembled therefrom, and manufacturing and assembling method thereof

Номер патента: JP4376864B2. Автор: ティム ジェイ フェントン,ポール ヴィー シクルーナ,ディック エイチ ポーウェル. Владелец: テューミ インコーポレイテッド. Дата публикации: 2009-12-02.

Composite bearing and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN113508241A. Автор: B·S·墨菲,文森特·迪玛蒂诺,格雷戈里·阿里. Владелец: Saint Gobain Performance Plastics Corp. Дата публикации: 2021-10-15.

Hard umbrella skirt composite insulated cross arm for use at high voltage and manufacturing device and method thereof

Номер патента: CN106320797A. Автор: 吴昊,吴亚民. Владелец: TAIPURUI ELECTROTECHNICAL INSULATION TECHNIQUE CO Ltd SHAANXI. Дата публикации: 2017-01-11.

SHEET WITH HIGH PRICE PRINTABLE "SKIN" TOUCH AND MANUFACTURING AND PACKAGING METHOD THEREOF

Номер патента: FR2791368A1. Автор: Gilles Gesson,Philippe Baretje. Владелец: ArjoWiggins SAS. Дата публикации: 2000-09-29.

Hydraulic closing system for water gate and manufacturing and constructing method thereof

Номер патента: CN105507217A. Автор: 张朝峰. Владелец: Suzhou Duogu Engineering Design Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-20.

Tank of benzene hydrogenation engineering and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN104843357B. Автор: 陈和平,刘昌球,匡礼毅,兰静,冯娜. Владелец: MCC5 Group Shanghai Corp Ltd. Дата публикации: 2017-02-15.

Bone cutting navigation device capable of positioning accurately and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN104706425B. Автор: 李伟,李川,陆声,周游,徐小山,王均. Владелец: 周游. Дата публикации: 2017-02-22.

Manual pipe bending tool for marine instrument pipeline and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN111702051A. Автор: 李为民,左浩,许淳雄. Владелец: Hudong Zhonghua Shipbuilding Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-25.

Injection molded optical ferrules and manufacturing apparatus and method thereof

Номер патента: KR100301075B1. Автор: 멜빈해리 존슨,프랭크마스덴 윌리스. Владелец: 이.아이,듀우판드네모아앤드캄파니. Дата публикации: 2001-10-22.

Condensation heat exchange pipe and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN105547032A. Автор: 李凯,王恩禄,茅锦达,万丛,徐煦. Владелец: Shanghai Jiaotong University. Дата публикации: 2016-05-04.

Composite pipe and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN107345598B. Автор: 黄险波,熊鑫,陈大华,孙雅杰,蔡华轮,范欣愉,徐光磊,李晓拓,蒲颖. Владелец: Guangzhou Kingfa Carbon Fiber New Materials Development Co ltd. Дата публикации: 2020-04-07.

Information processing apparatus and method, information recording medium, and manufacturing apparatus and method thereof

Номер патента: CN1971740B. Автор: 高岛芳和. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-06-16.

High-safety intelligent hydrogen storage device and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN114370597B. Автор: 陆晓峰,朱晓磊,刘杨. Владелец: NANJING TECH UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-07-14.

Steel-UHPC combined structure shear connector and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN112176850A. Автор: 刘扬,曾丹,曹磊,鲁乃唯,陈方怀. Владелец: Hunan University of Technology. Дата публикации: 2021-01-05.

Novel radio frequency electrode and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN114343836A. Автор: 李芳�,冯超,卢科军,王李成. Владелец: Shaanxi Xindailu Electronic Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-04-15.

Flexible magnetic flux sensor and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN111830445A. Автор: 魏建东,郝放,戚丹丹,陈家模,齐清华. Владелец: ZHENGZHOU UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-10-27.

Hardware address addressing circuit and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN106844266B. Автор: 黄赛,蒋政,李繁,颜然. Владелец: Tianjin Comba Telecom Systems Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-14.

Silver wear-resisting powder coating and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN104962180A. Автор: 袁文荣. Владелец: Suzhou Pu Le New Material Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-07.

Cutting torch cutting nozzle adapter and structure and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN112958868A. Автор: 宋晓波. Владелец: Anhui Jinhuoshen Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-15.

Underground windowless side waterproof sheet film and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN112776426A. Автор: 埃米尔·夏伊·卢蒂安. Владелец: Ai MierXiayiLudian. Дата публикации: 2021-05-11.

Medium-low temperature fast curing trivalent chromium passivation solution and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN112301338A. Автор: 俞威,陈星�,朱丹青,陆海涛,曾建峰,朱洪帆. Владелец: Shanghai Xingsaier Surface Material Co ltd. Дата публикации: 2021-02-02.

Resistive random access memory and manufacturing and control methods thereof

Номер патента: US20160148684A1. Автор: Meng-Heng Lin,Bo-Lun Wu,Chien-Min Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-26.

Resistive random access memory with high-reliability and manufacturing and control methods thereof

Номер патента: US9899078B2. Автор: Meng-Heng Lin,Bo-Lun Wu,Chien-Min Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Memory device with relaxed timing parameter according to temperature, operating method thereof, and memory controller and memory system using the memory device

Номер патента: US09465757B2. Автор: Chul-woo Park,Uk-Song KANG,Jong-Pil Son,Seong-Young Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Phase change memory dynamic resistance test and manufacturing methods

Номер патента: US20090175071A1. Автор: Chung Hon Lam,Bipin Rajendran,Ming-Hsiu Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-09.

Storage device using power state information and operating method thereof

Номер патента: US09672915B2. Автор: Se-wook Na,Hyunchul PARK,Young-Jae Jung,Durina Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Electrical distance-based wave shaping for a memory device

Номер патента: US20220013168A1. Автор: John Christopher Sancon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Liquid crystal display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09874780B2. Автор: Yanan Wang,Hongquan Wei. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Memory device and in-memory search method thereof

Номер патента: US20240221830A1. Автор: Feng-Min Lee,Po-Hao Tseng,Tian-Cih BO. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Electronic system, operating method thereof, and operating method of memory device

Номер патента: EP4213021A1. Автор: Seung Jun Yang,Hye Joon YI,Mi Jung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-19.

File memory device and information processing apparatus using the same

Номер патента: US20010007119A1. Автор: Jun Kitahara,Kunihiro Katayama,Kenichi Kaki,Kazunori Furusawa,Tsunehiro Tobita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-05.

Memory device and test method thereof

Номер патента: US20090265592A1. Автор: Jih-Nung Lee,Hsiang-Huang Wu. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2009-10-22.

Memory systems and operation methods thereof

Номер патента: US20240281147A1. Автор: Yufei FENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20180075916A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-15.

Memory device and password storing method thereof

Номер патента: WO2008076999A3. Автор: Mitsuhiro Nagao. Владелец: Mitsuhiro Nagao. Дата публикации: 2008-08-14.

Testing for memory devices using dedicated command and address channels

Номер патента: US20240281350A1. Автор: Stephen Hanna. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US20240281166A1. Автор: Jae Woong Jeong,In Bo Shim,Dal Gon KIM,Na Yeong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Electronic device, memory device, and write leveling method thereof

Номер патента: US20240265955A1. Автор: Shun-Ke WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory device and test method thereof

Номер патента: US20240221855A1. Автор: Hang-Ting Lue,Chih-Wei Hu,Teng Hao Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Memory device and operation method thereof, and memory system

Номер патента: US20240355399A1. Автор: Li Xiang,Shuai Wang,Zhuo Chen,Chunyuan HOU,Zhipeng DONG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Electronic device, memory device, and write leveling method thereof

Номер патента: US12125557B2. Автор: Shun-Ke WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor memory device and writing method thereof

Номер патента: US20240347103A1. Автор: Hsi-Yuan Wang,Ying-Te Tu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory system, memory controller and operation method thereof

Номер патента: US12066928B2. Автор: Eu Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Volatile memory device and electronic device comprising refresh information generator, information providing method thereof, and refresh control method thereof

Номер патента: US09928895B2. Автор: Yanggyoon Loh,Hoyoung SONG,Sangwoong Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

System and method for polling the status of memory devices

Номер патента: US09910600B2. Автор: Matthew Stephens,Neil Buxton. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor memory device having memory strings coupled to bit lines and operating method thereof

Номер патента: US09899093B2. Автор: Jong Won Lee,Jin Su Park,Hyun Su WOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Scheduling operations in non-volatile memory devices using preference values

Номер патента: US09870149B2. Автор: Steven Sprouse,Ryan Marlin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09836216B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Data storage device and method thereof

Номер патента: US09785584B2. Автор: Jeen PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US09761282B2. Автор: Dong Yeob CHUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09620221B1. Автор: Myeong Cheol SON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Dynamically improving performance of a host memory controller and a memory device

Номер патента: US09519428B2. Автор: Nir Strauss,David Teb,Racheli Angel Manor. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Memory device and programming method thereof

Номер патента: US09466375B1. Автор: Yao-Wen Chang,Che-Shih Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor memory device improving threshold voltage of unselected memory block and operating method thereof

Номер патента: US09466372B2. Автор: Chi Wook An. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Cache memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US5719804A. Автор: Naoshi Higaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1998-02-17.

Cache memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US5831889A. Автор: Naoshi Higaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1998-11-03.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20160148690A1. Автор: Chi Wook An. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-26.

Test device and test method thereof

Номер патента: US20240145024A1. Автор: Yao-Chang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US11978519B2. Автор: Jung Ae Kim,Jee Yul KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Memory controller and operating method thereof

Номер патента: US12051470B2. Автор: Sung Yeob Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US20230305741A1. Автор: Chul Woo Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Memory device and operation method thereof for performing multiply-accumulate operation

Номер патента: US12040015B2. Автор: Yu-Yu Lin,Feng-Min Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor memory device, memory system including the same, and operating method thereof

Номер патента: US9384846B1. Автор: Keon Soo Shim,Bong Yeol PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

Semiconductor memory device and method thereof

Номер патента: US20080165596A1. Автор: Chang-yong Lee,Won-kyung Chung,Kwun-Soo Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-10.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US11748036B2. Автор: Chu Seok KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Memory controller and operating method thereof

Номер патента: US20200310966A1. Автор: Mi Hee Lee,Dae Gyu Ha,Ho Ryong You. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-10-01.

Sensing circuit of a phase change memory and sensing method thereof

Номер патента: US7796454B2. Автор: Shyh-Shyuan Sheu,Lieh-Chiu Lin,Pei-Chia Chiang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2010-09-14.

Memory device including one-time programmable block and operation method thereof

Номер патента: US20230153000A1. Автор: Sangyong Yoon,Sang-Wan Nam,Jae-Hoon Choi,Kookhyun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-18.

Nonvolatile memory device and program method thereof

Номер патента: US20160358657A1. Автор: Jinwoo Kim,Youngjin Cho,Seong Yeon Kim,Hyo-Deok Shin,Younggeun LEE,Jaegeun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-08.

Memory device using a plurality of supply voltages and operating method thereof

Номер патента: US20240282367A1. Автор: Taehyun Kim,Taemin CHOI,Seongook JUNG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory device and computing method thereof

Номер патента: US12094564B2. Автор: Feng-Min Lee,Ming-Hsiu Lee,Dai-Ying LEE,Cheng-Hsien Lu,Yun-Yuan Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory system and operation method thereof and power management module

Номер патента: US20240295916A1. Автор: MeiFa CHEN,Guiyuan Duan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor memory device detecting defect, and operating method thereof

Номер патента: US12100463B2. Автор: Sangwan Nam,KeeHo JUNG,Bongkil Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Efficient buffer management for media management commands in memory devices

Номер патента: US20240329874A1. Автор: Bharani Rajendiran. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US12106070B2. Автор: Yung-Chun Lee,Han-Wen Hu,Bo-Rong Lin,Huai-Mu WANG. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Cam cell, cam device and operation method thereof, and method for searching and comparing data

Номер патента: US20240363164A1. Автор: Feng-Min Lee,Ming-Hsiu Lee,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Memory system for reducing program preparation operation time and operation method thereof

Номер патента: US09984001B2. Автор: Jin-woong Kim,Jong-Min Lee,Byoung-Sung YOU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US09881696B2. Автор: Ju Seok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor memory device including multi-level cell and programming method thereof

Номер патента: US09859014B2. Автор: Sung Ho Kim,Min Sang Park,Gil Bok CHOI,Kyong Taek LEE,Yun Bong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Nonvolatile memory device and program method thereof

Номер патента: US09799402B2. Автор: Jinwoo Kim,Youngjin Cho,Seong Yeon Kim,Hyo-Deok Shin,Younggeun LEE,Jaegeun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09704587B1. Автор: Eun Young Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09672914B1. Автор: Eun Young Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09607711B1. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor devices including application processor connected to high-bandwidth memory and low-bandwidth memory, and channel interleaving method thereof

Номер патента: US09606916B2. Автор: Sung Hyun Lee,Jun Hee Yoo,Il Park,Dongsoo Kang,Kiyeon Lee,Euicheol Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Memory controller and operating method thereof

Номер патента: US09564239B2. Автор: Yu Cai,Johnson Yen,Ngok Ying Chu. Владелец: SK Hynix Memory Solutions America Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09530467B1. Автор: Jin Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09524793B1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Master plate of optical memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: CA2087108C. Автор: Hiroyuki Katayama,Junji Hirokane,Junichiro Nakayama,Kenji Ohta,Michinobu Mieda. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1999-02-16.

Compound containing carboxylate ester and N2S2 ligand bi-functional groups and manufacturing method thereof

Номер патента: US7935833B2. Автор: Lie-Hang Shen,Cheng-Hsien Lin,Tsai-Yueh Luo,Cheng-Fang Hsu,Show-Wen Liu,Tsyh-Lang Lin,Haw-Jan Chen. Владелец: Institute of Nuclear Energy Research. Дата публикации: 2011-05-03.

Electrical distance-based wave shaping for a memory device

Номер патента: WO2021257260A1. Автор: John Christopher Sancon. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC. Дата публикации: 2021-12-23.

Humidity sensitive nano-photonics and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240125974A1. Автор: Jae Kyoung Kim,Jun Suk RHO,Trevon Badloe,Young Hwan YANG,Byoung Su KO. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2024-04-18.

In-memory computing (imc) memory device and imc method thereof

Номер патента: US20240231623A9. Автор: Hsiang-Lan Lung,Wei-Chih Chien,Cheng-Lin Sung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory controller and operation method thereof

Номер патента: EP4390927A1. Автор: Youngjin Cho,Sungwon KO,Hoyoung Chang,Kwansuk JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-26.

Data storage apparatus and operation method thereof

Номер патента: US20210191655A1. Автор: Da Eun SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Error correction device and methods thereof

Номер патента: WO2007112163A2. Автор: Anis M. Jarrar,Jim C. Nash. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2007-10-04.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US12032854B2. Автор: Beom Rae JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Programming mode for multi-layer storage flash memory array and switching control method thereof

Номер патента: US9542311B2. Автор: Jipeng Xing,Wenjie Huo,Dongxia Zhou. Владелец: Memoright Wuhan Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240203492A1. Автор: Yu Wang,Ke Jiang,Zhichao DU,Weijun Wan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20210005241A1. Автор: Wen-Jer Tsai,Chun-Chang LU. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-07.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20190051357A1. Автор: Ji Ho Park,Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-02-14.

Memory device and operating method including a partial program operation and a partial erase operation thereof

Номер патента: US20180322925A1. Автор: Ji Ho Park,Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-11-08.

Memory device and operating method including a partial program operation and a partial erase operation thereof

Номер патента: US10503439B2. Автор: Ji Ho Park,Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-12-10.

Memory device and operating method including a partial program operation and a partial erase operation thereof

Номер патента: US10049746B2. Автор: Ji Ho Park,Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-08-14.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240257843A1. Автор: Jungyu Lee,Jihyun Park,ChiWeon Yoon,Yumin KIM,Eunchan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US20240248643A1. Автор: Suhyun KIM,Hyunsook Lee,Seonghoon Woo,Tae-Eun Park,Haejong JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Compound containing carboxylate ester and N2S2 ligand bi-functional groups and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100056804A1. Автор: Lie-Hang Shen,Cheng-Hsien Lin,Tsai-Yueh Luo,Cheng-Fang Hsu,Show-Wen Liu,Tsyh-Lang Lin,Hwa-Jan Chen. Владелец: Institute of Nuclear Energy Research. Дата публикации: 2010-03-04.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20220084597A1. Автор: Yeong Jo MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Memory device and memory device controlling apparatus

Номер патента: US20100017541A1. Автор: Hideaki Yamashita,Takeshi Ootsuka. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-01-21.

Memory controller and operation method thereof

Номер патента: US20240211170A1. Автор: Youngjin Cho,Sungwon KO,Hoyoung Chang,Kwansuk JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20170287564A1. Автор: Byoung Jun PARK,Seong Jo Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-05.

Electrical distance-based wave shaping for a memory device

Номер патента: US20230111770A1. Автор: John Christopher Sancon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-13.

Storage device and operation method thereof

Номер патента: US12061796B2. Автор: Gyeongmin Nam,Chanha KIM,Seungryong Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Spunbond nonwoven fabric with improved opening quality and no hazardous residue, manufacturing method thereof and manufacturing apparatus thereof

Номер патента: US20230279594A1. Автор: Min-Ho Lee,Dongheon KANG,Woo-Seok Choi,Young-Shin Park,Hee-jung CHO,Jung-soon JANG. Владелец: KOLON INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2023-09-07.

Storage device and power management method thereof

Номер патента: US12067272B2. Автор: Seung Hyun Chung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Storage device, electronic device including the same, and operating method thereof

Номер патента: US12056356B2. Автор: Seung Kyu HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Nonvolatile memory device and operation method thereof

Номер патента: US20190278487A1. Автор: Chankyung Kim,Uksong Kang,Youngjin Cho,JinHyeok Choi,Sungyong SEO,Sun-Young Lim,Duckhyun Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-12.

Memory device for performing in-memory-search and operating method thereof

Номер патента: US20240274165A1. Автор: Feng-Min Lee,Po-Hao Tseng,Tian-Cih BO. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

CAM cell, CAM device and operation method thereof, and method for searching and comparing data

Номер патента: US12068030B2. Автор: Feng-Min Lee,Ming-Hsiu Lee,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory access control device equipped with memory access request generating modules/arbitrator and control method thereof

Номер патента: US8131949B2. Автор: Liang-Ta Lin. Владелец: ILI Techonology Corp. Дата публикации: 2012-03-06.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US11755492B2. Автор: Jun Hee Ryu,Kwang Jin KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor memory device with data and local redundancy memory cell arrays, and redundancy method thereof

Номер патента: US20080049526A1. Автор: Seung-Bum Ko,Han-Gyun Jung,Nak-Won Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-28.

Semiconductor Memory Device and Operating Method Thereof

Номер патента: US20100277994A1. Автор: Ji-Hyae Bae. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-11-04.

Memory device and in-memory search method thereof

Номер патента: US20240274164A1. Автор: Feng-Min Lee,Po-Hao Tseng,Tian-Cih BO. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Nutrition gum and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2006126786A1. Автор: Seung Hee Shin. Владелец: Seung Hee Shin. Дата публикации: 2006-11-30.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240302982A1. Автор: Jae Woong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Program current controller and sense circuit for cross-point memory devices

Номер патента: US20240321355A1. Автор: Andrea Ghetti,Ferdinando Bedeschi,Andrea Martinelli,Efrem Bolandrina,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory systems and operation methods thereof

Номер патента: US20240311237A1. Автор: Yufei FENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor memory device for preventing mal-operation induced by misrecognizing addresses/data as commands and operating method thereof

Номер патента: US7944763B2. Автор: Ji-Hyae Bae. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-05-17.

Storage device, electronic device including the same, and operating method thereof

Номер патента: US20240345729A1. Автор: Seung Kyu HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory device using wordline calibration for matrix vector multiplication

Номер патента: US20240331762A1. Автор: Huai-Yuan Tseng,William Charles Filipiak. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory device and enhance programming method thereof

Номер патента: US20240347118A1. Автор: Ju-Chieh Cheng,Ngatik Cheung,Lung-Chi Cheng,Ying-Shan Kuo,Shan-Hsuan Tsai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Waveguide structure and manufacturing method therefor, and photonic integrated circuit and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4451023A1. Автор: Yunpeng Zhu,Dadi Setiadi,Zhan SU,Huaiyu MENG,Yichen SHEN,Jianhua Wu,Yelong Xu,Yanfei BAI,Jinghui ZOU. Владелец: Shanghai Xizhi Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US20220375523A1. Автор: Hang-Ting Lue,Teng-Hao Yeh,Yung-Feng Lin,Su-Chueh Lo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-24.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US12068046B2. Автор: Sang Ho Yun,Jang Seob KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory device and reading method thereof

Номер патента: US20240371456A1. Автор: Wen-Jer Tsai,Chun-Chang LU,You-Liang CHOU. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Memory devices and their operation having trim registers associated with access operation commands

Номер патента: US09997246B2. Автор: Terry Grunzke. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US09966135B2. Автор: Il Park,Soo Hong Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor memory device and writing operation method thereof

Номер патента: US09911498B2. Автор: Masanobu Shirakawa,Kenta Yasufuku,Akira Yamaga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Display panel and manufacturing method thereof, mask and manufacturing method thereof, and display device

Номер патента: US09880426B2. Автор: Huifang Yuan. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09824758B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09741437B2. Автор: Min Kyu Lee,Kyoung Hoon LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Resistive memory device with temperature compensation, resistive memory system, and operating method thereof

Номер патента: US09728252B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Man Chang,Hyun-Kook PARK,Yeong-Taek Lee,Yong-kyu Lee,In-Gyu Baek,Lijie Zhang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Data storage device with temperature compensation and operating method thereof

Номер патента: US09666249B1. Автор: Sang Hyun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US09646707B1. Автор: Jong Won Park,Chan Woo Yang,Ju Hyeon HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09627071B2. Автор: Min Kyu Lee,Kyoung Hoon LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Programming and/or erasing a memory device in response to its program and/or erase history

Номер патента: US09613706B2. Автор: June Lee,Fred Jaffin, III. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US09570187B2. Автор: Ji Man HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Resistive memory device, resistive memory system, and operating method thereof

Номер патента: US09514813B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Man Chang,Yeong-Taek Lee,Yong-kyu Lee,In-Gyu Baek,Lijie Zhang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: US09508454B2. Автор: Seong-Sik PARK,Ho-Youb Cho,Yo-Han JEONG,Seong-Je Park,Chang-Won Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Memory devices and control methods thereof

Номер патента: US09437284B1. Автор: Jui-Lung Chen,Wei-Ting Chen,Yu-Hsi Ke. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Film and manufacturing method thereof

Номер патента: RU2600431C2. Автор: Людвиг БРЕМ,Дитер ГАЙМ,Ханс Петер БЕЦОЛЬД. Владелец: Леонхард Курц Штифтунг Унд Ко. Кг. Дата публикации: 2016-10-20.

Key-value storage device and operating method thereof

Номер патента: US12019602B2. Автор: Youngho Park,Byung-Ki Lee,Jekyeom JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Dynamic programming time for a memory device

Номер патента: US20240221804A1. Автор: Yue Wang,Jingcheng Yuan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20210035622A1. Автор: Jong Wook Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US12033697B2. Автор: Meng-Fan Chang,Win-San Khwa,Yen-Cheng Chiu. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2024-07-09.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200081632A1. Автор: Chan-Jong WOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-03-12.

3d memory device and programming method thereof

Номер патента: US20230352106A1. Автор: Amedeo IANTORNO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20240201865A1. Автор: Kwang Hun Lee,Won Jun Choi,Jae Gwan Kim,Dong Young Seo,Ye Rin Kim,Bu Yong SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: EP3965106A3. Автор: Jeongho Lee,Kwangjin Lee,Hee Hyun Nam,Youngkwang YOO,Jaeho SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-08.

HOST-MANAGED Logical MASS STORAGE DEVICE USING MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY (MRAM)

Номер патента: US20150026392A1. Автор: Mehdi Asnaashari. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2015-01-22.

Host-managed logical mass storage device using magnetic random access memory (MRAM)

Номер патента: US8670276B1. Автор: Mehdi Asnaashari. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2014-03-11.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US20210382824A1. Автор: Da Eun SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20210255781A1. Автор: Chol Su CHAE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Controller, memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200057728A1. Автор: Sang Hyun Kim,Duck Hoi KOO,Soong Sun SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-02-20.

Memory device and computing in memory method thereof

Номер патента: US20210117187A1. Автор: Yuan-Hao Chang,Tei-Wei Kuo,Hung-Sheng Chang,Han-Wen Hu,Tse-Yuan Wang,Yueh-Han Wu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Method of determining deterioration state of memory device and memory system using the same

Номер патента: US9164881B2. Автор: Jun-Jin Kong,Chang-kyu Seol,Hong-rak Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-20.

Nonvolatile semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US9899095B2. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Memory device, memory system, and operation method thereof

Номер патента: US10740226B2. Автор: Jung-Hyun Kwon,Sung-Eun Lee,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-08-11.

Memory device, memory system, and operation method thereof

Номер патента: US20180210826A1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Sung-Eun Lee,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-26.

Micro total analysis system, operating method and manufacturing method thereof

Номер патента: US11703478B2. Автор: Qi Yao,Feng Zhang,Liwen Dong,Zhijun LV,Libo Wang,Wenqu Liu,Xiaoxin Song,Zhao CUI,Detian MENG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-18.

Storage device communicating with specific pattern and operating method thereof

Номер патента: US20160239220A1. Автор: Kui-Yon Mun,Youngwook Kim,Jae-Sung Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-18.

Test chamber for memory device, test system for memory device having the same and method of testing memory devices using the same

Номер патента: US20190285695A1. Автор: Chang-Ho Lee,Jin-Ho Choi,Min-Woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-19.

Test chamber for memory device, test system for memory device having the same and method of testing memory devices using the same

Номер патента: US20210003632A1. Автор: Chang-Ho Lee,Jin-Ho Choi,Min-Woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-07.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US12050503B2. Автор: Woo Sick CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US20210034522A1. Автор: Sarath Kumar Kunnumpurathu Sivan. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US11567863B2. Автор: Sung Jin Park,Jee Yul KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-01-31.

Clock driver, operating method thereof, memory device including clock driver, and memory system

Номер патента: EP4407619A1. Автор: Bumsoo LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-31.

Memory system including memory controller and memory device and method for recovering from an error thereof

Номер патента: US20240168846A1. Автор: Sung-Joon Kim,Ho-Young Lee,Kyung-Hee Han,Insu Choi,Changho YUN,Kyungjin PARK,Ilho Kim,Jinhun JEONG,Yunmi HWANG,Jongwon Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Flash memory device and programming method thereof

Номер патента: US8194463B2. Автор: Jong-Hwa Kim,Young-Joon Choi,Seok-Cheon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-06-05.

Method and apparatus for staggered start-up of a predefined, random or dynamic number of flash memory devices

Номер патента: US9036423B2. Автор: Kenneth Alan Okin,Gregory Charles Yancey,Bradley Edman SUNDAHL,Sean Michael O'Mullan. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-05-19.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US12056361B2. Автор: Yuan-Hao Chang,Tei-Wei Kuo,Wei-Chen Wang,Tse-Yuan Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US11513960B2. Автор: Da Eun SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-11-29.

Complex page access in memory devices

Номер патента: US20240290391A1. Автор: Dmitri Yudanov,Jeongsu JEONG. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US20230238040A1. Автор: Seung Han RYU,In Bo Shim,Hae Seong JEONG,Hyeong Rak Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US10453550B2. Автор: Hyungsup KIM,Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-22.

Memory device and erasing method thereof

Номер патента: US9678829B2. Автор: Kuen-Long Chang,Ken-Hui Chen,Yu-Chen Wang,Chin-Hung Chang,Chia-Feng Cheng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Memory system with a zoned namespace and an operating method thereof

Номер патента: US20220261180A1. Автор: Hee Chan Shin,Yong Seok Oh,Young Ho AHN,Jhu Yeong Jhin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-08-18.

Memory device and protection method thereof

Номер патента: US20240273194A1. Автор: Kuo-Chiang WANG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory device and multi physical cells error correction method thereof

Номер патента: US20210141689A1. Автор: Seow Fong Lim,Chuen-Der Lien,Ming-Huei Shieh,Chi-Shun Lin,Ngatik Cheung. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-05-13.

Semiconductor memory device and layout method of the same

Номер патента: US20040095836A1. Автор: Hyun-su Choi,Nak-woo Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-05-20.

Memory system including memory device and memory controller, and operating method thereof

Номер патента: US20230266893A1. Автор: Taehun Kim,Wooil Kim,Taewoo HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-24.

Memory system including memory device and memory controller, and operating method thereof

Номер патента: US12079491B2. Автор: Taehun Kim,Wooil Kim,Taewoo HAN. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Dongguk University. Дата публикации: 2024-09-03.

Hydrophilic acrylic-modified polyurethane and method for preparing same, and water-based paint composition prepared therefrom and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230235112A1. Автор: Jae Hoon Lee,Hoon Ryu,Jun Seop Im,Seong Ye SEO. Владелец: Samyang Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Memory storage device and wear leveling method thereof

Номер патента: US20240264932A1. Автор: Sanghoon Yoo,Wan-soo Choi,Hee Yeon TAK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory controller and operating method thereof

Номер патента: US20220004332A1. Автор: Hye Mi KANG,Eu Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-01-06.

Device for controlling data output for high-speed memory device and method thereof

Номер патента: US20060104126A1. Автор: Nak Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-05-18.

Powder for ceramic manufacturing, ceramic manufactured object, and manufacturing method thereof

Номер патента: US11718567B2. Автор: Makoto Kubota,Hiroshi Saito,Yoshihiro Ohashi,Hisato Yabuta,Nobuhiro Yasui,Akira UEBAYASHI,Kanako Oshima. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-08-08.

Lifespan forecasting of memory devices and predictive device health management

Номер патента: US20240272803A1. Автор: Manjunath Chandrashekaraiah. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory system performing cache bypassing operation and cache management method thereof

Номер патента: US20240256452A1. Автор: Shinhaeng KANG,Kyomin Sohn,Suk Han Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200005888A1. Автор: Hyungsup KIM,Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-02.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20190130992A1. Автор: Hyungsup KIM,Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-05-02.

Memory storage device and wear leveling method thereof

Номер патента: EP4411736A1. Автор: Sanghoon Yoo,Wan-soo Choi,Hee Yeon TAK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-07.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US20240345648A1. Автор: Woo Sick CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: WO2024197764A1. Автор: Li Xiang,Ke Liang,Jinchi HAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US20240355394A1. Автор: Feng-Min Lee,Yu-Hsuan Lin,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US20240331775A1. Автор: Li Xiang,Ke Liang,Jinchi HAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US12131045B2. Автор: Myung Hyun Rhee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Powder for ceramic manufacturing, ceramic manufactured object, and manufacturing method thereof

Номер патента: US12024469B2. Автор: Makoto Kubota,Hiroshi Saito,Yoshihiro Ohashi,Hisato Yabuta,Nobuhiro Yasui,Akira UEBAYASHI,Kanako Oshima. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Memory system with a zoned namespace and an operating method thereof

Номер патента: US12118237B2. Автор: Hee Chan Shin,Yong Seok Oh,Young Ho AHN,Jhu Yeong Jhin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Wear-heat-resistant anti-bacterial anti-fouling steel wire framed pipe and manufacturing method thereof

Номер патента: US09989188B2. Автор: Hongbo Hao,Shuangquan Zhang. Владелец: Kangtai Plastic Science and Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Memory device and operation methods thereof

Номер патента: US09978435B1. Автор: San-Ha Park. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US09977744B2. Автор: Hae-Gi CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Quick response liquid crystal display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09965072B1. Автор: Hongquan Wei. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Method and apparatus for staggered start-up of a predefined, random, or dynamic number of flash memory devices

Номер патента: US09928919B1. Автор: Kenneth Alan Okin,Gregory Charles Yancey,Bradley Edman SUNDAHL,Sean Michael O'Mullan. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Storage and programming method thereof

Номер патента: US09875793B2. Автор: Kyungryun Kim,Sangyong Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Multiple memory rank system and selection method thereof

Номер патента: US09851900B2. Автор: Frederick A. Ware,John Eric Linstadt. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-12-26.

Non-volatile semiconductor memory device and erasing method thereof

Номер патента: US09786376B2. Автор: Pin-Yao Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Data storage device using non-sequential segment access and operating method thereof

Номер патента: US09778864B2. Автор: Ji Man HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Flash-based storage warehouse apparatuses and methods thereof

Номер патента: US09766811B1. Автор: David Slik,Peter Corbett. Владелец: NetApp Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Memory system including nonvolatile memory device and erase method thereof

Номер патента: US09733864B2. Автор: Kyung Ho Kim,Sangkwon Moon,Jihong Kim,Jaeyong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-15.

Multiple memory rank system and selection method thereof

Номер патента: US09703483B2. Автор: Frederick A. Ware,John Eric Linstadt. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-07-11.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US20240377988A1. Автор: Jae Hyun Choi,Sooyong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-14.

Memory device and erasing method thereof

Номер патента: US09678829B2. Автор: Kuen-Long Chang,Ken-Hui Chen,Yu-Chen Wang,Chin-Hung Chang,Chia-Feng Cheng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09672913B1. Автор: Byoung In JOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Memory system and read reclaim method thereof

Номер патента: US09672104B2. Автор: Bong-Gwan Seol,Hwan-Chung Kim,Young Woo Jung,Eunju Park,Kyoungkuy Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Driving method of memory controller and nonvolatile memory device controlled by memory controller

Номер патента: US09594673B2. Автор: Kyungryun Kim,Seokjun Ham. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-14.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US09570189B1. Автор: Jae Yoon Lee,Hyung Min Lee,Myeong Woon JEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09570178B2. Автор: Byoung In JOO,Byoung Young KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Nonvolatile memory device, storage device having the same, operating method thereof

Номер патента: US09570176B2. Автор: Ohsuk Kwon,Won-Taeck JUNG,Tae-Hong Kwon,Tae-Min Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Nonvolatile memory device with reduced coupling noise and driving method thereof

Номер патента: US09570168B2. Автор: Kwang-Jin Lee,Beak-Hyung Cho,Dong-Hoon Jeong,Woo-Jung SUN,Jae-Yun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Memory system having first and second memory devices and driving method thereof

Номер патента: US09552314B2. Автор: Dong-Hwi Kim,Sun-Young Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-24.

Method of measuring refractive index of semiconductor memory device and method of classifying product group using the same

Номер патента: US20240331788A1. Автор: Ho Jung KANG,Tae Un Youn,Nam Cheol JEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Nonvolatile storage device and operating system (OS) image program method thereof

Номер патента: US09529541B2. Автор: Sung-hyun Cho,Dongin Kim,Junseok Park,Taemin LEE,Chaesuk LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-27.

Control of solid state memory device temperature using queue depth management

Номер патента: US09423804B2. Автор: Xiaojin Wei,Craig A. Bickelman,Edward W. Chencinski,Seth R. Greenspan,M. Dean Sciacca. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

High-strength sheet steel with coating obtained with hot dipping, which has high impact strength at low temperatures, for being used in forming, and manufacturing method thereof

Номер патента: RU2430185C2. Автор: Масаюки АБЕ,Синити ЯМАГУТИ,Ясуто ГОТО,Хиронори САТО. Владелец: Ниппон Стил Корпорейшн. Дата публикации: 2011-09-27.

High-strength steel pipes with low ratio of yield strength to ultimate strength, welded with electric contact welding, steel strip for pipes, welded with electric contact welding, and manufacturing methods thereof

Номер патента: RU2605396C2. Автор: Ясухиро МАЦУКИ,Томохиро ИНОУЭ. Владелец: ДжФЕ СТИЛ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2016-12-20.

Element for neutralising or decreasing toxic level of waste gases and manufacturing method thereof

Номер патента: RU2352794C2. Автор: Рольф БРЮКК,Петер ХИРТ,Томас ХЭРИГ. Владелец: Эмитек Гезельшафт Фюр Эмиссионстехнологи Мбх. Дата публикации: 2009-04-20.

Memory device performing in-memory operation and method thereof

Номер патента: US12032829B2. Автор: Changhyun KIM,Won Jun Lee,Seon Wook Kim,Yoonah PAIK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Memory device and test operation method thereof

Номер патента: US20200381070A1. Автор: Dong Hyun Lee,Seung Jin PARK,Chang Kyun PARK,Young Sik KOH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US20160342332A1. Автор: Tai Kyu Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-24.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20080025086A1. Автор: Lu-Ping chiang,Po-An Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2008-01-31.

Memory devices and operating methods thereof, memory system

Номер патента: US20240203514A1. Автор: Lu GUO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Non-volatile memory device for mitigating cycling trapped effect and control method thereof

Номер патента: US12020754B2. Автор: Po-Yuan TANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Nonvolatile memory device and opeation method thereof

Номер патента: US20240177764A1. Автор: Sangkwon Moon,Heewon Lee,Seungkyung Ro,Su Chang Jeon,Woohyun Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-30.

Nonvolatile resistive memory device using dynamic reference in dual domain and read method thereof

Номер патента: US20230138195A1. Автор: Jongsun Park,Joo Yoon KIM. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2023-05-04.

Nonvolatile memory device and operation method thereof

Номер патента: US20200194073A1. Автор: Joonsoo Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-18.

Nanowire and memory device using it as a medium for current-induced wall displacement

Номер патента: US20110007559A1. Автор: Hyun-Woo Lee,Kyung-Jin Lee,Soon-Wook Jung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-13.

Memory devices performing repair operations and repair operation methods thereof

Номер патента: US20200111541A1. Автор: Kyungryun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-09.

Nanowire and memory device using it as a medium for current-induced domain wall displacement

Номер патента: WO2009072819A1. Автор: Hyun-Woo Lee,Kyung-Jin Lee,Soon-Wook Jung. Владелец: KOREA UNIVERSITY INDUSTRIAL & ACADEMIC COLLABORATION FOUNDATION. Дата публикации: 2009-06-11.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20190198119A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Porous tricalcium phosphate material, method for bone healing using the same and manufacturing method thereof

Номер патента: AU2022201939A1. Автор: Yu-Hao Chan,Yi-Jen Sheng,Yu-Quan Peng. Владелец: Popeye Marine Biotechnology Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Memory devices and control methods thereof

Номер патента: US20150213879A1. Автор: Chia-Wei Wang,Shu-Hsuan Lin. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2015-07-30.

Memory system, memory access interface device and operation method thereof

Номер патента: US20240231416A9. Автор: Chih-Wei Chang,Fu-Chin Tsai,Ger-Chih Chou,Chun-Chi Yu,Min-Han TSAI. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20210241834A1. Автор: Sang Sik Kim,Dae Sung Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-05.

Non-volatile memory storage, computing system including the same and operation method thereof

Номер патента: US20210216466A1. Автор: Tae Hee Han,Yong Wook Kim,Min Gu Kang,Jeong Beom HONG,Jo Eun LEE. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2021-07-15.

Non-volatile memory storage, computing system including the same and operation method thereof

Номер патента: US11294822B2. Автор: Tae Hee Han,Yong Wook Kim,Min Gu Kang,Jeong Beom HONG,Jo Eun LEE. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2022-04-05.

Methods for programming a memory device and memory devices using inhibit voltages that are less than a supply voltage

Номер патента: US20100271871A1. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-10-28.

Storage device using buffer memory in read reclaim operation

Номер патента: US20200110708A1. Автор: Jisoo Kim,Jin-Hee Ma,Sukhee Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-09.

Storage device using buffer memory in read reclaim operation

Номер патента: EP3633516A1. Автор: Jisoo Kim,Jin-Hee Ma,Sukhee Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-08.

Storage device using buffer memory in read reclaim operation

Номер патента: US20220188236A1. Автор: Jisoo Kim,Jin-Hee Ma,Sukhee Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-16.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US20230297261A1. Автор: Byung Jun Kim,Taek Gyu LEE,Kyoung Ku Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory device performing offset calibration and operating method thereof

Номер патента: US20230129949A1. Автор: Kiho Kim,DongHun Lee,Kihan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-27.

Memory device for increasing write margin during write operation and reducing current leakage during standby operation and operation method thereof

Номер патента: US11776621B2. Автор: Jinn Shyan Wang,Chien Tung LIU,Chih Jung LIU. Владелец: NATIONAL CHUNG CHENG UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-10-03.

Data storage device and operation method thereof

Номер патента: US20160035427A1. Автор: Jae-Duk Yu,Dongku Kang,Chul Bum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-04.

Non-volatile memory device for mitigating cycling trapped effect and control method thereof

Номер патента: US20240046997A1. Автор: Po-Yuan TANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US10509590B2. Автор: Jun-Seop Chung,An-Ho CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-12-17.

Nonvolatile Memory Device And Operation Method Thereof

Номер патента: US20230153001A1. Автор: Dongkyo Shim,Sang Soo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-18.

Semiconductor memory device, controller, and operating method thereof

Номер патента: US20220262442A1. Автор: Un Sang Lee,Moon Sik SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-08-18.

Nanowire and memory device using it as a medium for current-induced domain wall displacement

Номер патента: US8300445B2. Автор: Hyun-Woo Lee,Kyung-Jin Lee,Soon-Wook Jung. Владелец: Industry Academy Collaboration Foundation of Korea University. Дата публикации: 2012-10-30.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20200286542A1. Автор: Young Jin Woo,Won Yeol Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-09-10.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US12062406B2. Автор: Byoung Sung You. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Methods for programming a memory device and memory devices using inhibit voltages that are less than a supply voltage

Номер патента: US20110164456A1. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-07-07.

Food container having improved oxygen barrier properties and manufacturing method thereof

Номер патента: EP2819930A1. Автор: Seong Jin Kim,Kyoung Sik Jo,Myoung Woon Moon,Kwang Ryeol Lee,Eun Kyung Song,Tae Kyung Yun. Владелец: Korea Institute of Science and Technology KIST. Дата публикации: 2015-01-07.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20180024774A1. Автор: Beom Ju Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-25.

Memory device and glitch prevention method thereof

Номер патента: US20230024257A1. Автор: Minho Yoon. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-01-26.

Semiconductor device performing block program and operating method thereof

Номер патента: US12073887B2. Автор: Sanggyu KO,Yeongmin YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory system and operating method thereof for performing urgent fine program operation

Номер патента: US12056367B2. Автор: Sang Sik Kim,Chung Un NA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Methods for programming a memory device and memory devices using inhibit voltages that are less than a supply voltage

Номер патента: US8194446B2. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-06-05.

Plated steel sheets for hot press forming having excellent hydrogen brittleness resistance and impact resistance, hot press formed parts, and manufacturing methods thereof

Номер патента: EP4242341A1. Автор: Sang-Heon Kim,Seong-Woo Kim,Jin-keun Oh,Sang-Bin Han. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-13.

Timing device and method thereof

Номер патента: US9501042B1. Автор: Ming-Hsiu Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Decorative building material manufactured by using sublimation transfer printing technique and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200071940A1. Автор: Gye Hyun LEE. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-03-05.

Non-volatile semiconductor memory device and a programming method thereof

Номер патента: US20110228610A1. Автор: Naoyuki Shigyo,Kunihiro Yamada,Hideto Horii,Michiru Hogyoku. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-22.

Power efficient codeword scrambling in a non-volatile memory device

Номер патента: US12067264B2. Автор: Zhengang Chen,Yoav Weinberg,Eyal EN GAD. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Reducing cryptographic update errors in memory devices using cyclical redundancy checks

Номер патента: US12066887B2. Автор: Zhan Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Nonvolatile memory device for invalidating data stored therein, memory system including the same, and operating method thereof

Номер патента: US20200090746A1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Sang-Gu JO,Jae-Min Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-03-19.

Memory device and program speed control method thereof

Номер патента: US12067258B2. Автор: Dong Hun Kwak,Hyun Seob SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor memory device with security function and control method thereof

Номер патента: US20110182101A1. Автор: Ji Hyae Bae. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-07-28.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US20190392907A1. Автор: Dong Hyun Kim,Jae Min Lee,Seung Il Kim,Yong Ho Kim,Seon Young Choi,Min Ho HER. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-12-26.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240257872A1. Автор: Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Refreshing a memory device using real-time clock information

Номер патента: US20240249763A1. Автор: Gianluca Coppola. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Error correction decoder, storage device including error correction decoder, and operating method thereof

Номер патента: US20240296093A1. Автор: Dae Sung Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Memory system, memory controller and operating method thereof

Номер патента: US20210103405A1. Автор: Dae Hoon Jang,Young Guen CHOI,Dong Ham YIM,Young Hoon CHA,Jeong Sun PARK,Cheon Ok JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-08.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US12086442B2. Автор: Byung Jun Kim,Taek Gyu LEE,Kyoung Ku Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Non-volatile memory device, operating method thereof, controller for controlling the same, and storage device having the same

Номер патента: US12094552B2. Автор: Jinyoung Kim,Sangwan Nam,Ilhan Park,Sehwan Park,Kyoman KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US12086073B2. Автор: Heechul CHAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method thereof

Номер патента: US12093185B2. Автор: Heechul CHAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Memory device, memory system, and program operation method thereof

Номер патента: US12093535B2. Автор: Hongtao Liu,XiangNan Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Method and system for repairing a dynamic random access memory (dram) of memory device

Номер патента: EP4439564A1. Автор: Nidhi Shukla,Preeti JOSEPH,Hyunbum CHO,Yongjae Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-02.

Memory device, the operation method thereof and memory system

Номер патента: US12112802B2. Автор: JING Wei,Zhihong Li,Masao Kuriyama. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Method and system for repairing a dynamic random access memory (dram) of memory device

Номер патента: US20240330133A1. Автор: Nidhi Shukla,Preeti JOSEPH,Hyunbum CHO,Yongjae Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory device, memory system, and program operation method thereof

Номер патента: EP4441740A1. Автор: Hongtao Liu,XiangNan Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Memory device for controlling a data output order and an operating method thereof

Номер патента: US20240321381A1. Автор: Jiwon SEO,KeeHo JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory device performing offset calibration and operating method thereof

Номер патента: US12125553B2. Автор: Kiho Kim,DongHun Lee,Kihan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Memory device and program speed control method thereof

Номер патента: US20240361921A1. Автор: Dong Hun Kwak,Hyun Seob SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Moisture permeable waterproof fabric and manufacturing method thereof

Номер патента: WO1995011332A1. Автор: In Hee Kim,Youn Heum Park. Владелец: Sung Won Ind. Co., Ltd.. Дата публикации: 1995-04-27.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US09996292B2. Автор: Jung-Hyun Kwon,Dong-Gun KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Memory system and wear-leveling method thereof

Номер патента: US09990153B2. Автор: Jung-Hyun Kwon,Dong-Gun KIM,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20130235671A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-12.

Error-resilient memory device with row and/or column folding with redundant resources and repair method thereof

Номер патента: US09905315B1. Автор: Sourav Roy,Prokash Ghosh,Neha Raj. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US09905288B2. Автор: Seung-Woo Ryu,Sang-Kyu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US09898199B2. Автор: Jun Seop Chung,An Ho CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US09875179B2. Автор: Tai Kyu Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US09842641B2. Автор: Nak-Kyu Park,Sun-Hye Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Memory device, memory system, and program operation method thereof

Номер патента: EP4460822A1. Автор: Ying Cui,Yali SONG,XiangNan Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-13.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US09818491B2. Автор: Jae-il Kim,Jong-Sam Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Nonvolatile memory device, operating method thereof, and test system for optimizing erase loop operations

Номер патента: US09786374B2. Автор: Jae Won Cha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US09785550B1. Автор: Sung Kwan Hong,Yeong Sik YI,Se Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor memory device, memory system including the same and operating method thereof

Номер патента: US09761287B2. Автор: Jin Su Park,Min gi HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Integrated erase voltage path for multiple cell substrates in nonvolatile memory devices

Номер патента: US09704580B2. Автор: Hyoung Seub Rhie. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Non-volatile semiconductor memory device and improved verification and programming method for the same

Номер патента: US09646701B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US09640245B2. Автор: Nak-Kyu Park,Sun-Hye Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09633732B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Read methods of memory devices using bit line sharing

Номер патента: US09633704B2. Автор: Dongku Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-25.

Data storage device and error correction method thereof

Номер патента: US09632805B2. Автор: Shih-Ming Wang,Chia-Fang Chang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09627069B1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Memory system, memory access interface device and operation method thereof

Номер патента: US20240310869A1. Автор: Chih-Wei Chang,Fu-Chin Tsai,Ger-Chih Chou,Chun-Chi Yu. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor memory device, memory system including the same and operating method thereof

Номер патента: US09601169B2. Автор: Jin Su Park,Min gi HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Nonvolatile memory device, program method thereof, and storage device including the same

Номер патента: US09583197B2. Автор: Ji-Sang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Memory apparatus and methods thereof for preventing read errors on weak pages in a non-volatile memory system

Номер патента: US09582417B2. Автор: Sandeep Sharma,Ajith Kumar,Ashwin Narasimha,Vibhor Patel. Владелец: Virident Systems LLC. Дата публикации: 2017-02-28.

Memory device and erasing method thereof

Номер патента: US20240290400A1. Автор: Ju-Chieh Cheng,Lung-Chi Cheng,Ying-Shan Kuo. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Non-volatile memory device, operating method thereof, memory system including the non-volatile memory device, and operating method of the memory system

Номер патента: US09576666B2. Автор: Jae-Hong Kim,Young-Seop Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09508458B2. Автор: Sung-Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Timing device and method thereof

Номер патента: US09501042B1. Автор: Ming-Hsiu Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US09477593B2. Автор: Hong-Sik Kim,Dong-Gun KIM,Yong-Kee KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor memory device with dummy memory mat and refresh operating method thereof

Номер патента: US09472259B2. Автор: Ga-Ram Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Color liquid crystal display panel comprising dichroic dyes mixed in a liquid crystal material and manufacturing method thereof

Номер патента: US09459487B2. Автор: Xinhui Zhong. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Memory devices and control methods thereof

Номер патента: US09449679B2. Автор: Chia-Wei Wang,Shu-Hsuan Lin. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Nonvolatile memory device and method for testing nonvolatile memory device using variable resistance material

Номер патента: US09443582B2. Автор: Ki-won Lim,Moon-Ki Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Memory system and read reclaim method thereof

Номер патента: US09431117B2. Автор: Bong-Gwan Seol,Hwan-Chung Kim,Young Woo Jung,Eunju Park,Kyoungkuy Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: US09396818B2. Автор: Choung-Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-19.

Nonvolatile memory device and operation method thereof

Номер патента: US12033707B2. Автор: Won-Taeck JUNG,Dongku Kang,Su Chang Jeon,Kyung-Min Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Spherical silicon oxycarbide particle material and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160368776A1. Автор: KEIZO Iwatani,TETSURO Kizaki. Владелец: JNC Corp. Дата публикации: 2016-12-22.

Nonvolatile memory device, data storage device and operating method thereof

Номер патента: US20180018106A1. Автор: Sok Kyu Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-18.

Memory device and programming method thereof

Номер патента: US20240071523A1. Автор: Shih-Chang Huang,Han-Sung Chen,Kun-Tse Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US20220004338A1. Автор: Jun Ho Lee,Bo Hyun Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-01-06.

Memory system, operating method thereof, and electronic device

Номер патента: US20190347196A1. Автор: Kyung Min Kim,Dae Hong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

System for slowdown status notification and operating method thereof

Номер патента: US20190065289A1. Автор: Seong Won SHIN,Kyoungsun HONG. Владелец: SK Hynix Memory Solutions America Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Semiconductor memory device including command log register and command log output method thereof

Номер патента: US20230335209A1. Автор: Donghee Kim,Jun-Ho Jo,Youngsan Kang,Jungho Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Electronic device including memory device and training method

Номер патента: US20220093157A1. Автор: Kyumin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-24.

Storage device, storage system and logging method thereof

Номер патента: EP4383260A1. Автор: Kyungduk Lee,Sohyun Han,Jong-Sung Na,Seona CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-12.

Memory device including page buffer, memory system including page buffer, and operating method thereof

Номер патента: US20240242745A1. Автор: Yan Wang,Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Composite nanofiber catalyst having improved lifespan performance and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200261890A1. Автор: Ji Min Lee,Dong Hoon Nam,Joo Hyun Park,Hoon Mo Park,Yong Ho Choa,Kyung Moon Lee,Seung Hyeon CHOI. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2020-08-20.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US20220113870A1. Автор: Sung Kwan Hong,Byeong Gyu Park,Young Ick CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-04-14.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20170263293A1. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-14.

Memory Device and Erasing and Verification Method Thereof

Номер патента: US20210335426A1. Автор: Hongtao Liu,An ZHANG,Jianquan Jia,Kaiwei LI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-28.

Memory device and erasing and verification method thereof

Номер патента: US20230268007A1. Автор: Hongtao Liu,An ZHANG,Jianquan Jia,Kaiwei LI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20210295933A1. Автор: Eui Cheol Lim,Myoung Seo KIM,Mi Seon HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-23.

Memory system for adjusting difference between operation time points in sequential command operations performed in memory device, and operation method thereof

Номер патента: US20210303209A1. Автор: Dong Yeob CHUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240242743A1. Автор: Jungyu Lee,Jihyun Park,ChiWeon Yoon,Yumin KIM,Eunchan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory device, memory system including the same and operating method thereof

Номер патента: US20240257886A1. Автор: Sung Yong Lim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Controller for storing performance information based on test operation result, operating method thereof and computing system including the same

Номер патента: US12039185B2. Автор: Jeong Ho Jeon,Kang Rak KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Storage device including nonvolatile memory device and operating method of storage device

Номер патента: EP4332969A1. Автор: JooYoung HWANG,Seunghyun Choi,Gyeongmin Kim,Junyeong HAN,Keunsan Park,HeeTak Shin,Joon-Whan BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-06.

Phase change memory device, operation method thereof, and data storage device having the same

Номер патента: US20130155765A1. Автор: Dong Keun Kim,Sun Hyuck Yon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-06-20.

Memory device and data erasing method thereof

Номер патента: US20160172040A1. Автор: Kuo-Pin Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-16.

Memory device and programming method thereof

Номер патента: EP4394773A1. Автор: Kuan-Fu Chen,Ya-Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Memory device and programming method thereof

Номер патента: US20240221835A1. Автор: Kuan-Fu Chen,Ya-Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Granule aggregate for substituting bone and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2019031772A3. Автор: Ki Soo Kim,Seok Beom Song. Владелец: BIOALPHA CORPORATION. Дата публикации: 2019-03-28.

Flash memory device and programming method thereof

Номер патента: US20120243334A1. Автор: Hsing-Wen Chang,Yao-Wen Chang,Chu-Yung Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-27.

Memory device for write operation including verification and operating method thereof

Номер патента: US20210319839A1. Автор: Artur ANTONYAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-14.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US20190108136A1. Автор: Jongju Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-04-11.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20240249782A1. Автор: Joonsuc Jang,Ji-Sang LEE,Minkyeong CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US11755247B2. Автор: Dae Sung Kim,Jae Hyeong Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Nonvolatile memory device and operation method thereof

Номер патента: EP4181142A1. Автор: Dongkyo Shim,Sang Soo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-17.

Resistive memory device and operating method thereof

Номер патента: US20210193223A1. Автор: Ho-Seok EM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Memory device and computing device using the same

Номер патента: US11307826B2. Автор: Ga Ram Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-19.

Data storage device and operating method thereof

Номер патента: US20190102245A1. Автор: Yeong Dong GIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-04-04.

Nonvolatile memory device using variable resistance material and method for driving the same

Номер патента: US20140119095A1. Автор: Yeong-Taek Lee,Sung Yeon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-01.

Thin cycloidal speed reducer and manufacturing method thereof

Номер патента: US12013012B2. Автор: Chang-Hyun Kim. Владелец: Bonsystems Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Food container having improved oxygen barrier properties and manufacturing methed thereof

Номер патента: US20140332437A1. Автор: Seong Jin Kim,Kyoung Sik Jo,Myoung Woon Moon,Kwang Ryeol Lee,Eun Kyung Song,Tae Kyung Yun. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2014-11-13.

Memory controller and operating method thereof

Номер патента: US11709606B2. Автор: Jae Gwang Lee,Gyung Min PARK,Keon Yeong LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-07-25.

Memory system for write operation and method thereof

Номер патента: US20210240384A1. Автор: Siarhei Kryvaltsevich. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-05.

Semiconductor memory device that determines a deterioration level of memory cells and an operation method thereof

Номер патента: US20170169895A1. Автор: Yoshiki Terabayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Symmetric bit coding for printed memory devices

Номер патента: US20170068830A1. Автор: Jeffrey Michael FOWLER. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20230221956A1. Автор: Yuan-Hao Chang,Tei-Wei Kuo,Wei-Chen Wang,Yung-Chun Li,Chien-Chung Ho,Han-Wen Hu,Huai-Mu WANG. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor memory device using VSS or VDD bit line precharge approach without reference cell

Номер патента: US7031213B2. Автор: Kyong-Jun Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-04-18.

Data processing system and operating method thereof

Номер патента: US12050508B2. Автор: Eung-Bo SHIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Memory device controlling pass voltage and operating method thereof

Номер патента: US20240265971A1. Автор: Yeong Jo MUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Led illumination apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120294018A1. Автор: Sung-Chul Park,Cheol-Hyun Kim. Владелец: V L SYSTEM CO Ltd. Дата публикации: 2012-11-22.

Display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140204300A1. Автор: Chang Oh Jeong,Hyang-Shik Kong,Seon-Il Kim,Yeun Tae KIM,Hong Sick Park,Min Ho MOON. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-24.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US12068045B2. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20240264757A1. Автор: Duck Joo Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Protective film for substrate, manufacturing method thereof, substrate and manufacturing method of display panel

Номер патента: US20210341650A1. Автор: HAO Yan,Yu Zhang,Zhiliang Jiang,Zhenghong Wang,Haitao YI. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US20200013451A1. Автор: Jongpil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-09.

Memory controller and operating method thereof

Номер патента: US11276477B2. Автор: Min Hwan MOON,Su Jin LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-15.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: EP4246330A1. Автор: Tae-hwan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-20.

Memory module and operating method thereof

Номер патента: US20210081204A1. Автор: Youngjin Cho,Hee Hyun Nam,Hyo-Deok Shin,Younho Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor memory device and controlling method thereof

Номер патента: US20120250393A1. Автор: Masanobu Shirakawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-04.

Memory device and control method thereof

Номер патента: US20220254420A1. Автор: Chung-Kuang Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Semiconductor memory device and driving method thereof

Номер патента: US20050249004A1. Автор: Ju-Young Seo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-11-10.

Memory device, method of operating the memory device, memory module, and method of operating the memory module

Номер патента: US20230298638A1. Автор: Jaegon Lee,Sunyoung LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Electronic device including memory device and training method

Номер патента: US11200941B2. Автор: Kyumin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-14.

Data output circuit of semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: US20070133313A1. Автор: Kwang Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-06-14.

Gel nail sticker containing graphene and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230074733A1. Автор: Shin Woong KOH. Владелец: Transurfing Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-09.

Catalyst for removing nitrogen oxides and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240149218A1. Автор: Kwan-Young Lee,Do Heui KIM,Se Won JEON,Inhak SONG. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2024-05-09.

Nand flash memory device with enhanced data retention characteristics and operating method thereof

Номер патента: US20240265975A1. Автор: Sung Ho Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory apparatus performing program operation and operating method thereof

Номер патента: US20240265972A1. Автор: Hyung Jin Choi,Chan Hui Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor memory device for performing remaining bank refresh operation and refresh method thereof

Номер патента: US20240233802A9. Автор: Jongpil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Touchup for memory device using embedded encoder/decoder

Номер патента: US20240289218A1. Автор: Vikas RANA,Kishore Kumar Muchherla,James Fitzpatrick,William Richard Akin,Kevin R. Brandt,Dung V. Nguyen,David Ebsen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Storage device and operating method thereof

Номер патента: US20240194245A1. Автор: Sung Yeob Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor memory device for performing remaining bank refresh operation and refresh method thereof

Номер патента: US20240135982A1. Автор: Jongpil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Nanotube dispersion, nanotube film using the nanotube dispersion and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230340281A1. Автор: Sang Seok Lee,Dong Su Lee,Jungwon Kim,Jangyup Son,Seokhoon AHN,Se Gyu Jang,Yongho Joo,Dae-Young Jeon,Sukang Bae. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-10-26.

Data processing system allocating memory area in host as extension of memory and operating method thereof

Номер патента: US20230244616A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-03.

Flash memory device and bit line charging method thereof

Номер патента: US20210375369A1. Автор: Chih-Ting Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200183599A1. Автор: Eu-Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200097401A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-03-26.

Touchup for memory device using embedded encoder and decoder

Номер патента: WO2024178374A1. Автор: Vikas RANA,Kishore Kumar Muchherla,James Fitzpatrick,William Richard Akin,Kevin R. Brandt,Dung V. Nguyen,David Ebsen. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory device using multistage acceleration, operating method of memory device, and electronic device including the same

Номер патента: US20240319871A1. Автор: Jinhyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory device compressing soft decision data and operating method thereof

Номер патента: US20240319874A1. Автор: Ilhan Park,Suyong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Data processing system allocating memory area in host as extension of memory and operating method thereof

Номер патента: US20210097008A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Memory device using multistage acceleration, operating method of memory device, and electronic device including the same

Номер патента: EP4435612A1. Автор: Jinhyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-25.

Ultra-high strength cold-rolled steel sheet having excellent elongation and manufacturing method thereof

Номер патента: EP4442851A1. Автор: Eun-Young Kim,Min-Seo KOO. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Semiconductor memory device capable of controlling a floating state of adjacent word lines and an operating method thereof

Номер патента: US12124702B2. Автор: Hyunkook Park,Sara Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US20240329862A1. Автор: Seung-Jun Lee,Woongdai KANG,YooJin NAM,Dongyeong CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Manufacturing and assembling mechanism of light guide plate with scheduled torn off edge material and manufacturing and assembling method thereof

Номер патента: TWI776615B. Автор: 李明彥. Владелец: 茂林光電科技股份有限公司. Дата публикации: 2022-09-01.

Self-adhesive waterproof roll and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN103556788A. Автор: 崔学民,宋敦清,薛兴勇,龚荣华. Владелец: GUANGXI QINGLONG CHEMICAL BUILDING MATERIAL CO Ltd. Дата публикации: 2014-02-05.

Double-layer solid wood floorboard and manufacturing and installing method thereof

Номер патента: CN103510682A. Автор: 陈建国. Владелец: Shanghai Zhubang Wood Industry Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-15.

Unit extensible type assembled metal gutter and manufacturing and installing method thereof

Номер патента: CN103422625A. Автор: 李春光,刘献文,杨时银,杨亚. Владелец: Jangho Group Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-04.

Improved sandwiched color-steel plate and manufacture and construction method thereof

Номер патента: CN105064602A. Автор: 吴耀荣. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-11-18.

Connector capable of realizing deep-sea hot plugging and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN101944678B. Автор: 康图强. Владелец: 康图强. Дата публикации: 2012-09-05.

Filled karst pipeline system and manufacturing and refilling methods thereof

Номер патента: CN104215425A. Автор: 周毅,李利平,石少帅,李术才,张乾青,陈迪杨,许振浩,孙尚渠. Владелец: Shandong University. Дата публикации: 2014-12-17.

Solid-state imaging device, and manufacturing and driving method thereof

Номер патента: CN100481482C. Автор: 阿部秀司,佐藤充,北野良昭,黑岩淳,平田清,大木洋昭,唐泽信浩,滝泽律夫,山下满,国分胜则. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-04-22.

Connector capable of realizing deep-sea live-wire insertion and extraction and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN101944678A. Автор: 康图强. Владелец: 康图强. Дата публикации: 2011-01-12.

Belt transmission water flow energy dissipation, power generation and settling device and manufacturing and construction method thereof

Номер патента: CN104819090A. Автор: 张朝利. Владелец: Suzhou Huicheng Zhizao Industrial Design Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-05.

Micro-pressure sensor and manufacturing and detecting method thereof

Номер патента: CN103983395A. Автор: 赵玉龙,李萍,赵立波,乔智霞,蒋庄德,李支康,叶志英,薛方正. Владелец: Xian Jiaotong University. Дата публикации: 2014-08-13.

High-molecular polymer based resistance type humidity sensor and manufacturing and testing method thereof

Номер патента: CN102928475B. Автор: 陈宏�,吴佳俊,卞侃,熊克,潘潇. Владелец: Nanjing University of Aeronautics and Astronautics. Дата публикации: 2015-01-14.

Surface-mounted electronic device package structure and manufacturing and application methods thereof

Номер патента: CN104340516A. Автор: 弗兰克·魏. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-02-11.

Blank-filling bar code circle menu and manufacturing and interpreting methods thereof

Номер патента: CN101739580A. Автор: 吴坤荣,吴伊婷,黄景焕,郑维恒,简大为. Владелец: Chunghwa Telecom Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-16.

Automatic ordering and manufacturing system and method thereof

Номер патента: KR100561067B1. Автор: 김상현,오인환,송병래. Владелец: 주식회사 포스코. Дата публикации: 2006-03-16.

Image identifier capable of obtaining hidden information and manufacturing and reading method thereof

Номер патента: CN103295047A. Автор: 谢婧. Владелец: 谢婧. Дата публикации: 2013-09-11.

Foldable multifunctional overhanging unloading platform and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN105239765B. Автор: 张磊,孙涛,陈晓东,于光,张平平,杨少林,史一剑,包海明,王立营,史剑. Владелец: China Construction Baili Engineering Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-26.

Differential transformer type line displacement sensor and manufacture and use methods thereof

Номер патента: CN102175128A. Автор: 杨蕾,梁锋,韦林,王卫斌. Владелец: XI'AN XUTONG ELECTRONIC TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-07.

Adjustable body type hybrid power system test-bed and manufacturing and adjusting method thereof

Номер патента: CN102435439B. Автор: 张伟健,张兆龙,周炳峰. Владелец: Shanghai Zhongke Shenjiang Electric Vehicle Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-09.

Patch type RFID (Radio Frequency Identification Device) tire electronic tag device and manufacturing and mounting method thereof

Номер патента: CN102054195B. Автор: 陈海军,王曙光,董兰飞,袁仲雪,邬立春,刘川来. Владелец: Mesnac Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-17.

Building construction all-steel mold plate and manufacturing and assembling method thereof

Номер патента: CN102182302B. Автор: 李春林,张晓亮,李青文,刘肆方,邝维萍. Владелец: THIRD INSTALLATION ENGINEERING Co Ltd OF SINOCHEM 2 CONSTRUCTION GROUP Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-30.

Glass rod preventing liquid from bumping, and manufacture and usage method thereof

Номер патента: CN104415800A. Автор: 彭慧仙. Владелец: Pangang Group Panzhihua Iron and Steel Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-18.

Arc diameter detector and manufacturing and using methods thereof

Номер патента: CN101650149A. Автор: 宁杰,袁福吾,黄恭祝,覃洪东. Владелец: Guangxi Yuchai Machinery Co Ltd. Дата публикации: 2010-02-17.

Grouting bag for grouting and lifting of ballastless track and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN104153260A. Автор: 曾志,郑新国,王月华,杨德军,谢永江,李书明,刘竞,翁智财,朱长华,仲新华. Владелец: Railway Engineering Research Institute of CARS. Дата публикации: 2014-11-19.

Film transistor array substrate and manufacturing and repairing methods thereof

Номер патента: CN102213879A. Автор: 白国晓. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-12.

Dismantling-free stiffened composite template and manufacturing and using method thereof

Номер патента: CN103195238A. Автор: 张建华. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-07-10.

Electric-controlled equipment real-time reading and writing system in assembly and manufacture process and method thereof

Номер патента: CN101387869A. Автор: 陈兴,邢晓龙. Владелец: Shanghai Baosight Software Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-18.

'8'-shaped double-pancake coil of transformer and manufacturing and assembling method thereof

Номер патента: CN102568771A. Автор: 李德荣,卢永安,梁湖. Владелец: LIUZHOU SOENEN SPECIAL TRANSFORMER CO Ltd. Дата публикации: 2012-07-11.

Cement concrete building solid phase filler surfactant and manufacturing and use methods thereof

Номер патента: CN104496246A. Автор: 熊敏. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-04-08.

Epoxy resin AB glue used in high-temperature environment and manufacturing and use methods thereof

Номер патента: CN104987849A. Автор: 张隽华,张向宇. Владелец: Zhuzhou Shilin Polymer Co ltd. Дата публикации: 2015-10-21.

Fibre strengthening resin structure material and manufacturing device and method thereof

Номер патента: CN101209588A. Автор: 本居孝治. Владелец: Sekisui Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-02.

Silicon-based silicon dioxide waveguide, and manufacturing and application methods thereof

Номер патента: CN103364873B. Автор: 张小平,张卫华,单欣岩,李铭晖. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-02-08.

Collosol counter stiffener and manufacturing equipment and method thereof

Номер патента: CN101849728A. Автор: 邱于建. Владелец: SHISHI TESI NON-WOVEN FABRICS GARMENT Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-06.

Spherical poultry-egg label and manufacturing and pasting methods thereof

Номер патента: CN103680305A. Автор: 王众. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-03-26.

Array substrate and manufacturing and maintaining method thereof and display device

Номер патента: CN102931189A. Автор: 张明,蔡振飞,郝昭慧,尹雄宣,贾丕健. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2013-02-13.

Weak alkaline reverse osmosis water and weak alkaline mineral water and manufacturing system and method thereof

Номер патента: TW201102350A. Автор: Wei Fang,Shi-Wei Kong,Ming-Yih Chang,Chi-Yu Chuang,Lin-Chi Chen. Владелец: Ming-Yih Chang. Дата публикации: 2011-01-16.

Optical fiber coupler and manufacturing device and method thereof

Номер патента: TWI239413B. Автор: Li-Ming Liou,Jeng-Tsan Jou. Владелец: Coretech Optical Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-11.

POWER MONITORING DEVICE FOR IDENTIFYING STATE OF ELECTRIC APPLIANCE AND POWER MONITORING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120004871A1. Автор: . Владелец: NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

HUMIDITY SENSOR PACKAGE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120000284A1. Автор: Hasegawa Hideki,Yokoyama Shinya,Waga Satoshi,Tondokoro Atsushi,Sakashita Tadashi,Morita Sumihito,Kamimura Hideki,Yamatani Masaya. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL APPARATUS, IMAGE SENSING DEVICE, AND CONTROL METHODS THEREOF

Номер патента: US20120002060A1. Автор: KUSANAGI SUGURU. Владелец: CANON KABISHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD AND MANUFACTURING APPARATUS FOR CATALYST-COATED MEMBRANE ASSEMBLY

Номер патента: US20120003572A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

STRESS-ENGINEERED RESISTANCE-CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120001148A1. Автор: . Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

CHARGE EQUILIBRIUM ACCELERATION IN A FLOATING GATE MEMORY DEVICE VIA A REVERSE FIELD PULSE

Номер патента: US20120002482A1. Автор: Kalavade Pranav,Franklin Nathan R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

TEST MODE CONTROL CIRCUIT IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND TEST MODE ENTERING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002494A1. Автор: Jo Jun-Ho,PARK Kyu-Min,KIM BYOUNGSUL,LEE Hakyong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SIGNAL TRANSMISSION DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Номер патента: US20120002923A1. Автор: Nakano Yoshiaki,Song Xueliang,Yit Foo Cheong,Wang Shurong,Horiguchi Katsumasa. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Organic Light Emitting Diode Display and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001185A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ANTI-REFLECTION DISPLAY WINDOW PANEL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002289A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DIODE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001152A1. Автор: Kim Young Sun,KIM Ki Sung,KIM Gi Bum,KIM Tae Hun,SHIN Young Chul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

TRANSFLECTIVE TYPE LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001188A1. Автор: HAYASHI Masami. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SPARK PLUG AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001533A1. Автор: . Владелец: NGK SPARK PLUG CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120001885A1. Автор: Kim Na-Young,Kang Ki-Nyeng,Park Yong-Sung. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

VIDEO PROCESSING APPARATUS AND CONTROL METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002013A1. Автор: Asanuma Tomoya. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

CAPACITIVE TYPE HUMIDITY SENSOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120000285A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRIC DOUBLE LAYER CAPACITOR, LITHIUM ION CAPACITOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002348A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PROGRAMMING A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002481A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL FILM AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Номер патента: US20120004360A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Switchable 3-Dimensional Conversion Device, Method for Manufacturing the Same and Stereoscopic Image Display Device Using the Same

Номер патента: US20120001890A1. Автор: Im Hee-Jin,Kim Chul-Ho,KOOK Yun-Ho,Yoo Soon-Sung. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SURFACE MODIFICATION OF NANO-DIAMONDS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003479A1. Автор: . Владелец: INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE CAPTURE APPARATUS, CONTROL METHOD THEREOF, AND RECORDING MEDIUM

Номер патента: US20120002098A1. Автор: . Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

WAFER LEVEL PACKAGE HAVING A PRESSURE SENSOR AND FABRICATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001274A1. Автор: Chen Chien-An,Huang Chun-An,Chiu Shih-Kuang,Liao Hsin-Yi,Chang Hong-Da. Владелец: SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Blank for magnetic disks and manufacturing method thereof

Номер патента: MY149819A. Автор: Masanobu Onishi,Takashi Mori. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-14.

Tuyere for bottom gas metal purging in ladle and manufacturing method thereof

Номер патента: RU2373023C2. Автор: . Владелец: Завьялов Олег Александрович. Дата публикации: 2009-11-20.

Woven circuit board and manufacturing method thereof

Номер патента: RU2600037C2. Автор: Николай Владимирович Иванов. Владелец: Николай Владимирович Иванов. Дата публикации: 2016-10-20.

Three-dimensional phase-change memory devices and controlling method thereof

Номер патента: WO2024216434A1. Автор: Jianping Li,Xiaojun Sun,Zuqi DONG. Владелец: Yangtze Advanced Memory Industrial Innovation Center Co., Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

TUNABLE CHOKE TUBE FOR PULSATION CONTROL DEVICE USED WITH GAS COMPRESSOR

Номер патента: US20120003106A1. Автор: Deffenbaugh Danny,McKee Robert,Nored Marybeth. Владелец: SOUTHWEST RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002457A1. Автор: KANDA Kazushige. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Transport vehicle heater and manufacturing method thereof

Номер патента: RU2435335C1. Автор: Косиро ТАГУТИ. Владелец: Косиро ТАГУТИ. Дата публикации: 2011-11-27.

Three-dimensional phase-change memory devices and controlling method thereof

Номер патента: WO2024216432A1. Автор: Jianping Li,Xiaojun Sun,Zuqi DONG. Владелец: Yangtze Advanced Memory Industrial Innovation Center Co., Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.