Magneto resistive memory device.

Magneto resistive memory device

Номер патента: WO2023135019A1
Опубликовано: 20-07-2023
Автор(ы): Fabien Leroy, Julien Louche, Victorien Brecte
Принадлежит: Antaios
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Magneto resistive memory device

Номер патента: EP4210058A1. Автор: Victorien Brecte,Fabien Leroy,Julien Louche. Владелец: Antaios SAS. Дата публикации: 2023-07-12.

Voltage-switched magneto-resistive random access memory (mram) employing separate read operation circuit paths from a shared spin torque write operation circuit path

Номер патента: WO2019006066A1. Автор: Xia Li,Seung Hyuk KANG,Jimmy Jianan KAN,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-01-03.

Magneto-resistive element

Номер патента: US8349622B2. Автор: Tadashi Kai,Hiroaki Yoda,Masahiko Nakayama,Sumio Ikegawa,Eiji Kitagawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-01-08.

Magneto-resistive element

Номер патента: US20070070689A1. Автор: Tadashi Kai,Hiroaki Yoda,Masahiko Nakayama,Sumio Ikegawa,Eiji Kitagawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-29.

Variable resistance memory device

Номер патента: US12051455B2. Автор: Yong Jae Lee,Jihun Byun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-30.

Resistive memory device including a reference cell and method of controlling a reference cell to identify values stored in memory cells

Номер патента: US10762958B2. Автор: Tae-Joong Song,Hyun-Taek Jung,Suk-Soo Pyo,So-Hee Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-09-01.

Memory device for reducing leakage current

Номер патента: US20200090724A1. Автор: Artur ANTONYAN,Suk-Soo Pyo,Hyuntaek JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-03-19.

Relaxed pitch backside magneto-resistive random access memory integration with self-aligned micro stud and backside power distribution network

Номер патента: US20240224812A1. Автор: Tao Li,Michael RIZZOLO,Ruilong Xie,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Spatial Correlation of Reference Cells in Resistive Memory Array

Номер патента: US20100110761A1. Автор: Xiaobin Wang,Hai Li,Henry Huang,Yiran Chen,Wenzhong Zhu,Hongyue Liu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2010-05-06.

Simultaneous electrodes for magneto-resistive random access memory devices

Номер патента: US20230402078A1. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Koichi Motoyama. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Simultaneous electrodes for magneto-resistive random access memory devices

Номер патента: US11887641B2. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Koichi Motoyama. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Magneto-resistive devices

Номер патента: EP1376601A2. Автор: Manish Sharma,Manoj Bhattacharyya,Lung The Tran. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2004-01-02.

High sensing margin magnetic resistive memory device in which a memory cell read and write select transistors to provide different read and write paths

Номер патента: US09734881B2. Автор: Eng Huat Toh,Kiok Boone Elgin Quek,Vinayak Bharat Naik. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-08-15.

Thin film magnetic memory device including memory cells having a magnetic tunnel junction

Номер патента: US20030026125A1. Автор: Hideto Hidaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-02-06.

Tunneling metamagnetic resistance memory device and methods of operating the same

Номер патента: US20210327483A1. Автор: Bhagwati PRASAD,Alan Kalitsov. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Spin hall write select for magneto-resistive random access memory

Номер патента: US09947383B1. Автор: Daniel C. Worledge,Luqiao Liu,Jonathan Z. Sun. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Magnetic memory device

Номер патента: US10204672B2. Автор: Shinya Kobayashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-02-12.

Magnetic memory device

Номер патента: US20180233190A1. Автор: Shinya Kobayashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-08-16.

Resistive memory device capable of improving sensing margin of data

Номер патента: US20150194200A1. Автор: Jae-Kyu Lee,Ki-Seok SUH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-07-09.

Variable resistance memory device

Номер патента: US09514807B2. Автор: Masayuki Terai,Youngbae Kim,Jungdal CHOI,Seungjae Jung,Jung Moo Lee,YounSeon KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-06.

Writing method for resistive memory cell and resistive memory

Номер патента: US09496036B1. Автор: Frederick Chen,Shao-Ching Liao,Ping-Kun Wang,Pei-Hsiang Liao. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Variable resistance memory

Номер патента: US09905611B2. Автор: Yoshihiro Ueda. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Free Layer Having a Low Boron Concentration Region and a High Boron Concentration Region, Magneto-resistive Cell, and Magneto-resistive Random Access Memory Device Having the Same, and Methods of Fabricating the Same

Номер патента: KR102397904B1. Автор: 김기웅,박용성,장영만,이준명. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-05-13.

Magneto-resistive random storage unit, memory, and access method

Номер патента: EP3872879A1. Автор: Jeffrey Junhao XU,Huan Yang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-01.

Magneto resistive memory device

Номер патента: US11362266B2. Автор: Marc Drouard,Jérémie VIGIER,Jérémy BRUN-PICARD. Владелец: Antaios SAS. Дата публикации: 2022-06-14.

Dynamically controlling voltage for access operations to magneto-resistive random access memory (mram) bit cells to account for ambient temperature

Номер патента: WO2019036360A1. Автор: Xia Li,Wei-Chuan Chen,Seung Hyuk KANG,Wah Nam Hsu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-02-21.

Resistive memory device with temperature compensation, resistive memory system, and operating method thereof

Номер патента: US09728252B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Man Chang,Hyun-Kook PARK,Yeong-Taek Lee,Yong-kyu Lee,In-Gyu Baek,Lijie Zhang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Sensing a non-volatile memory device utilizing selector device holding characteristics

Номер патента: US09633724B2. Автор: Sung Hyun Jo,Hagop Nazarian,Lin Shih Liu. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Resistive memory device and operating method

Номер патента: US09536605B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Hyun-Kook PARK,Yeong-Taek Lee,Bo-Geun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Magneto-resistive Speichervorrichtung mit Source-Leitungs-Spannungsgenerator

Номер патента: DE102013105907B4. Автор: Hye-jin Kim,Dong-hyun Sohn,Dong-Min Kim,Kyu-Chan Lee,Sang-Kyu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor memory device

Номер патента: US9401385B2. Автор: Yongkyu Lee,Keemoon Chun,BoYoung Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-26.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09401385B2. Автор: Yongkyu Lee,Keemoon Chun,BoYoung Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-26.

Memory devices and related methods

Номер патента: US09589633B2. Автор: Peter K. Nagey. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-07.

System and method to trim reference levels in a resistive memory

Номер патента: US09455013B2. Автор: Jung Pill Kim,Taehyun Kim,Sungryul KIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Nonvolatile memory device using variable resistance material and method for driving the same

Номер патента: US20140119095A1. Автор: Yeong-Taek Lee,Sung Yeon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-01.

On-chip resistance measurement circuit and resistive memory device including the same

Номер патента: US09659641B2. Автор: Chan-kyung Kim,Kee-won Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Magneto-resistive random access memory magnetic tunnel junction and cell with voltage-controlled writing

Номер патента: US11963462B2. Автор: Romney R. Katti. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Magneto-resistive random access memory magnetic tunnel junction and cell with voltage-controlled writing

Номер патента: US20230301198A1. Автор: Romney R. Katti. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Thin film magnetic memory device having data read current tuning function

Номер патента: US20040062092A1. Автор: Hideto Hidaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-04-01.

Sense amplifier circuit, memory device, method for determining a state value of a resistive memory cell and method for operating a memory device

Номер патента: US20190259451A1. Автор: Ulrich Loibl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-08-22.

Sense amplifier circuit, memory device, method for determining a state value of a resistive memory cell and method for operating a memory device

Номер патента: US10685706B2. Автор: Ulrich Loibl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-06-16.

Resistive memory device and method for reading data in the resistive memory device

Номер патента: US11798621B2. Автор: Chan Kyung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-24.

Memory Devices and Related Methods

Номер патента: US20140321198A1. Автор: Peter K. Naji. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-10-30.

Spin orbit torque magnetoresistive random access memory device

Номер патента: US20200202914A1. Автор: Mohit Gupta,Kevin Garello,Sushil Sakhare,Manu Komalan Perumkunnil. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-06-25.

Resistive memory device including reference cell and operating method thereof

Номер патента: US20200194068A1. Автор: Artur ANTONYAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-18.

Resistive memory array

Номер патента: EP1291879A2. Автор: Lung T. Tran. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2003-03-12.

Resistive memory array

Номер патента: EP1291879A3. Автор: Lung T. Tran. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2004-04-07.

AC sensing for a resistive memory

Номер патента: EP2026353A3. Автор: Thomas W. Voshell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-06-03.

Reference current generation in resistive memory device

Номер патента: US20150357036A1. Автор: Justin Kim,Seong Jun Jang,Geun-Young Park. Владелец: Integrated Silicon Solution Inc. Дата публикации: 2015-12-10.

Resistive memory

Номер патента: US20100165701A1. Автор: Yoshihiro Ueda,Kenji Tsuchida,Kiyotaro Itagaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

System and method to trim reference levels in a resistive memory

Номер патента: WO2015047814A2. Автор: Jung Pill Kim,Taehyun Kim,Sungryul KIM. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-04-02.

Apparatus for time domain offset cancellation to improve sensing margin of resistive memories

Номер патента: US20150155036A1. Автор: Liqiong Wei,Nathaniel J. August. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-06-04.

Resistive memory device with magnetic layer having topological spin textures for tuning

Номер патента: US11793002B2. Автор: Seyoung Kim,MinGu Kang,Seonghoon Woo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Resistive memory device with magnetic layer having topological spin textures for tuning

Номер патента: WO2022233235A1. Автор: Seyoung Kim,MinGu Kang,Seonghoon Woo. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2022-11-10.

Resistive memory device and method for reading data in the resistive memory device

Номер патента: KR20220033146A. Автор: 김찬경. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-03-16.

High-speed sensing for resistive memories

Номер патента: EP2577665A1. Автор: Hari M. Rao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-04-10.

High-speed sensing for resistive memories

Номер патента: WO2011153159A1. Автор: Hari M. Rao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2011-12-08.

Resistive memory element sensing using averaging

Номер патента: US20140197847A1. Автор: R. Jacob Baker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-17.

Constant sensing current for reading resistive memory

Номер патента: US09502088B2. Автор: Jung Pill Kim,Seung Hyuk KANG,Seong-Ook Jung,Jisu Kim,Taehui Na,Sara Choi. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Method and apparatus for reading variable resistance memory elements

Номер патента: US20140169063A1. Автор: Liqiong Wei,Nathaniel J. August. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2014-06-19.

Resistive memory sensing methods and devices

Номер патента: US09779806B2. Автор: Adam D. Johnson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Read and logic operation methods for voltage-divider bit-cell memory devices

Номер патента: WO2020188239A1. Автор: Mudit Bhargava,Akhilesh Ramlaut Jaiswal. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2020-09-24.

Resistive memory sensing

Номер патента: US20140169066A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Brent Keeth,Scott E. Sills,D.V. Nirmal Ramaswamy,Alessandro Calderoni,Lei Bi,Adam D. Johnson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-06-19.

Resistive memory sensing

Номер патента: US20180342294A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Brent Keeth,Scott E. Sills,D.V. Nirmal Ramaswamy,Alessandro Calderoni,Lei Bi,Adam D. Johnson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-11-29.

Resistive memory sensing

Номер патента: US20150255153A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Brent Keeth,Scott E. Sills,D.V. Nirmal Ramaswamy,Alessandro Calderoni,Lei Bi,Adam D. Johnson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-09-10.

Sense amplifier employing control circuitry for decoupling resistive memory sense inputs during state sensing to prevent current back injection, and related methods and systems

Номер патента: EP3092645A1. Автор: Wenqing Wu,Venkatasubramanian Narayanan,Kendrick Hoy Leong YUEN. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-11-16.

Constant sensing current for reading resistive memory

Номер патента: WO2016048887A2. Автор: Jung Pill Kim,Seung Hyuk KANG,Seong-Ook Jung,Jisu Kim,Taehui Na,Sara Choi. Владелец: Industry-Academic Cooperation Foundation, Yonsei University. Дата публикации: 2016-03-31.

Dynamic reference scheme for improving read margin of resistive memory array

Номер патента: US10706904B2. Автор: Massimo Alioto,Kien TRINH QUANG,Sergio RUOCCO. Владелец: Agency Fpr Science Technology And Research. Дата публикации: 2020-07-07.

Constant sensing current for reading resistive memory

Номер патента: WO2016048887A3. Автор: Jung Pill Kim,Seung Hyuk KANG,Seong-Ook Jung,Jisu Kim,Taehui Na,Sara Choi. Владелец: Industry-Academic Cooperation Foundation, Yonsei University. Дата публикации: 2016-06-16.

Constant sensing current for reading resistive memory

Номер патента: US20160093351A1. Автор: Jung Pill Kim,Seung Hyuk KANG,Seong-Ook Jung,Jisu Kim,Taehui Na,Sara Choi. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2016-03-31.

Constant sensing current for reading resistive memory

Номер патента: EP3201924A2. Автор: Jung Pill Kim,Seung Hyuk KANG,Seong-Ook Jung,Jisu Kim,Taehui Na,Sara Choi. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2017-08-09.

Integrated Circuit, Memory Cell Arrangement, Thermal Select Magneto-Resistive Memory Cell, Method of Operating a Thermal Select Magneto-Resistive Memory Cell, and Method of Manufacturing a Thermal Select Magneto-Resistive Memory Cell

Номер патента: US20090251950A1. Автор: Ulrich Klostermann. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-10-08.

Magneto-resistive memory cell structures with improved selectivity

Номер патента: US20040213055A1. Автор: Theodore Zhu,Yong Lu,Anthony Arrott. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-28.

Thin film magnetic memory device provided with program element

Номер патента: US20050117393A1. Автор: Hideto Hidaka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-06-02.

Magneto-resistive devices including a free layer having different magnetic properties during operations

Номер патента: US09715915B2. Автор: Yoshiaki Sonobe,Eiji Kita. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-25.

Magneto-resistive effect element

Номер патента: US20140293683A1. Автор: Hideo Hosono,Hideya Kumomi,Yutaka Majima,Shinya Kano,Ali Javey,Kuniharu Takei. Владелец: Tokyo Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2014-10-02.

Dynamically controlling voltage for access operations to magneto-resistive random access memory (MRAM) bit cells to account for process variations

Номер патента: US09842638B1. Автор: Xia Li,Xiaochun Zhu,Seung Hyuk KANG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Read methods for magneto-resistive device having soft reference layer

Номер патента: US20030058685A1. Автор: Manish Sharma,Lung Tran. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 2003-03-27.

Magnetoresistive random access memory device

Номер патента: US12112784B2. Автор: Sungchul Lee,Kyungjin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Entropy source with magneto-resistive element for random number generator

Номер патента: EP2758865A2. Автор: Wenqing Wu,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu,David M. Jacobson,Kendrick Hoy Leong YUEN. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-07-30.

Entropy source with magneto-resistive element for random number generator

Номер патента: WO2013043543A3. Автор: Wenqing Wu,Seung H. Kang,Xiaochun Zhu,David M. Jacobson,Kendrick Hoy Leong YUEN. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2013-06-06.

Entropy source with magneto-resistive element for random number generator

Номер патента: US20170010864A1. Автор: Wenqing Wu,Xiaochun Zhu,Seung Kang,David Jacobson,Kendrick Hoy Leong YUEN. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-01-12.

Magneto-resistive random access memory with laterally-recessed free layer

Номер патента: WO2022128646A9. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Koichi Motoyama,Kenneth Chun Kuen Cheng,Joseph MANISCALCO. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for manufacturing memory device

Номер патента: US12114514B2. Автор: Erh-Kun Lai,Feng-Min Lee,Yu-Hsuan Lin,Ming-Hsiu Lee,Po-Hao Tseng,Dai-Ying LEE. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Resistive memory device, resistive memory system, and operating method thereof

Номер патента: US09514813B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Man Chang,Yeong-Taek Lee,Yong-kyu Lee,In-Gyu Baek,Lijie Zhang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-06.

Resistive memory device, resistive memory system and method of operating the resistive memory device

Номер патента: US09449686B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Yeong-Taek Lee,Hyo-Jin KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Digital to analog converters and memory devices and related methods

Номер патента: US09892782B1. Автор: Peter K. Nagey. Владелец: Terra Prime Technologies LLC. Дата публикации: 2018-02-13.

Resistive memory device and a memory system including the same

Номер патента: US20170309330A1. Автор: Suk-Soo Pyo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-26.

Resistive memory device and a memory system including the same

Номер патента: US09899081B2. Автор: Suk-Soo Pyo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Memory device for matrix-vector multiplications

Номер патента: US20190188242A1. Автор: Abu Sebastian,Manuel Le Gallo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-20.

Non-volatile memory device and method of writing to non-volatile memory device

Номер патента: US11195582B2. Автор: Yoshikazu Katoh,Naoto Kii,Yuhei YOSHIMOTO. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2021-12-07.

Magneto-resistive effect element and magnetic memory

Номер патента: US7547934B2. Автор: Yoshiaki Saito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-06-16.

VARYING ENERGY BARRIERS OF MAGNETIC TUNNEL JUNCTIONS (MTJs) IN DIFFERENT MAGNETO-RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY (MRAM) ARRAYS IN A SEMICONDUCTOR DIE TO FACILITATE USE OF MRAM FOR DIFFERENT MEMORY APPLICATIONS

Номер патента: US20190147930A1. Автор: Xia Li,Wei-Chuan Chen,Seung Hyuk KANG,Wah Nam Hsu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-05-16.

Magneto resistive element

Номер патента: US20240099152A1. Автор: Kazuumi INUBUSHI,Katsuyuki Nakada,Shinto ICHIKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Back gate biasing magneto-resistive random access memory (mram) bit cells to reduce or avoid write operation failures caused by source degeneration

Номер патента: WO2019040891A1. Автор: Xia Li,Seung Hyuk KANG. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-02-28.

Resistive memory device, resistive memory system, and method of operating resistive memory device

Номер патента: US09633726B2. Автор: Hyun-Kook PARK,Yeong-Taek Lee,Chi-Weon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-25.

Resistive memory device including reference cell to compensate for a leakage current

Номер патента: USRE50133E1. Автор: Artur ANTONYAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Method of operating semiconductor memory device

Номер патента: US09424905B2. Автор: Jungwoo Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-23.

Resistive memory device controlling bitline voltage

Номер патента: US20210151101A1. Автор: Satoru Yamada,Kyunghwan Lee,Yongseok Kim,Junhee LIM,Cheonan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-20.

Resistive memory device, resistive memory system, and method of operating the resistive memory system

Номер патента: US09881671B2. Автор: Jun Jin Kong,Eun Chu Oh,Hong-rak Son,Young-Geon YOO,Han-Shin Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-30.

Resistive memory device and method of operating the same

Номер патента: US09570170B2. Автор: Hyun-Kook PARK,Yeong-Taek Lee,Yong-kyu Lee,Chi-Weon Yoon,Bo-Geun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Memory devices

Номер патента: US11765913B2. Автор: Minchul Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-19.

Memory device

Номер патента: US20210296568A1. Автор: Tadashi Kai,Junichi Ito,Tadaomi Daibou,Taichi IGARASHI,Shogo ITAI,Toshiyuki Enda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Resistive memory device and method of programming the same

Номер патента: US09761306B1. Автор: Naoki Shimizu. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Resistive memory device having a trimmable resistance of at least on of a driver and a sinker is trimmed based on a row location

Номер патента: US09679643B1. Автор: Chung-Cheng Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Resistive memory device and operating method

Номер патента: US09552878B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Hyun-Kook PARK,Chi-Weon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-24.

Nonvolatile memory device and method for sensing the same

Номер патента: US09728254B2. Автор: Mu-hui Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Resistive memory system and method of operating the resistive memory system

Номер патента: US09691477B2. Автор: Young Bae Kim,Han Shin Shin,Jun Jin Kong,Hong Rak Son,Eun Chu Oh,Pil Sang Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Resistive memory system and method of operating the resistive memory system

Номер патента: US20160240252A1. Автор: Young Bae Kim,Han Shin Shin,Jun Jin Kong,Hong Rak Son,Eun Chu Oh,Pil Sang Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-18.

Magneto-resistive random access memory with laterally-recessed free layer

Номер патента: US20230371394A1. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Koichi Motoyama,Kenneth Chun Kuen Cheng,Joseph F. Maniscalco. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor resistive memory devices including separately controllable source lines

Номер патента: US09620190B2. Автор: Jaekyu Lee,Kiseok Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-11.

Electrode structure for resistive memory device

Номер патента: US20180102472A1. Автор: Yu Lu,Xia Li,Seung Hyuk KANG,Junjing Bao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-04-12.

Magneto-resistive random access memory with laterally-recessed free layer

Номер патента: EP4264692A1. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Koichi Motoyama,Kenneth Chun Kuen Cheng,Joseph MANISCALCO. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-25.

Magneto-resistive random access memory with hemispherical top electrode

Номер патента: US20230389434A1. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Koichi Motoyama,Scott A. DeVries. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Magneto-resistive random access memory with laterally-recessed free layer

Номер патента: WO2022128646A1. Автор: Yang Chih-Chao,Oscar van der Straten,Koichi Motoyama,Kenneth Chun Kuen Cheng,Joseph MANISCALCO. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2022-06-23.

Electrode structure for resistive memory device

Номер патента: US09865798B2. Автор: Yu Lu,Xia Li,Seung Hyuk KANG,Junjing Bao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Resistive memory write operation with merged reset

Номер патента: US09520192B2. Автор: Charles Augustine,Helia Naeimi,Shih-Lien L Lu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Resistive memory device having reduced chip size and operation method thereof

Номер патента: US20190311755A1. Автор: Tae-Joong Song,Hyun-Taek Jung,Suk-Soo Pyo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-10.

Resistive memory device having reduced chip size and operation method thereof

Номер патента: US10600466B2. Автор: Tae-Joong Song,Hyun-Taek Jung,Suk-Soo Pyo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-03-24.

Resistive memory device including column decoder and method of performing a bidirectional driving operation and providing appropriate biasing with respect to bit lines

Номер патента: US09589632B2. Автор: Hyun-Kook PARK,Yeong-Taek Lee,Chi-Weon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Nonvolatile memory device having ferroelectric memory element and resistive memory element and method of writing signal in nonvolatile memory device having the same

Номер патента: US10283184B2. Автор: Joong Sik Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-05-07.

Nonvolatile memory device and method of writing signal in nonvolatile memory device

Номер патента: US20180114560A1. Автор: Joong Sik Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-26.

Methods and systems for compensating for degradation of resistive memory device

Номер патента: US20200051629A1. Автор: Ki-Sung Kim,Han-Sung Joo,Seung-you BAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-13.

Resistive memory device, resistive memory system, and operating method thereof

Номер патента: US20160099052A1. Автор: Dae-Seok Byeon,Man Chang,Yeong-Taek Lee,Yong-kyu Lee,In-Gyu Baek,Lijie Zhang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-04-07.

Method for manufacturing memory device

Номер патента: US20240090238A1. Автор: Erh-Kun Lai,Feng-Min Lee,Yu-Hsuan Lin,Ming-Hsiu Lee,Po-Hao Tseng,Dai-Ying LEE. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Resistive memory device and method of programming the same

Номер патента: US11640842B2. Автор: Moonki Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-02.

Hidden writes in a resistive memory

Номер патента: US11961558B2. Автор: Tahmina Akhter,Gilles Joseph Maurice Muller. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Hidden writes in a resistive memory

Номер патента: US20230083511A1. Автор: Tahmina Akhter,Gilles Joseph Maurice Muller. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-03-16.

Memory device for matrix-vector multiplications

Номер патента: US20180046598A1. Автор: Abu Sebastian,Manuel Le Gallo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Memory device including a resistive memory cell and electronic device including the same

Номер патента: US20210397366A1. Автор: Jung Hyuk Lee,Kang Ho Lee,Hye Min Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-23.

Hidden writes in a resistive memory

Номер патента: EP4152327A1. Автор: Tahmina Akhter,Gilles Joseph Maurice Muller. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-03-22.

Method for capacitively reading resistive memory elements and nonvolatile, capacitively readable memory elements for implementing the method

Номер патента: US09443589B2. Автор: Stefan Tappertzhofen,Eike Linn,Lutz Nielen,Ilia Valov,Rainer Waser. Владелец: Rheinisch Westlische Technische Hochschuke RWTH. Дата публикации: 2016-09-13.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11871588B2. Автор: Erh-Kun Lai,Feng-Min Lee,Yu-Hsuan Lin,Ming-Hsiu Lee,Po-Hao Tseng,Dai-Ying LEE. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Variable resistance memory device

Номер патента: US11756617B2. Автор: Yoshiaki Asao. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Nonvolatile static random access memory (NVSRAM) system having a static random access memory (SRAM) array and a resistive memory array

Номер патента: US09640256B1. Автор: Jon S. Choy,Anirban Roy,Michael A. Sadd. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Method of operating semiconductor memory device

Номер патента: US20150162080A1. Автор: Jungwoo Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-06-11.

Reduced current memory device

Номер патента: US20170004883A1. Автор: Deepak Chandra Sekar. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-01-05.

Semiconductor devices including resistive memory cells

Номер патента: US20170117042A1. Автор: Jae-Kyu Lee,Sung-In KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-27.

Resistive memory device and operating method thereof

Номер патента: US20190279709A1. Автор: Jae-Yeon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-09-12.

Adjusting resistive memory write driver strength based on a mimic resistive memory write operation

Номер патента: US20160240237A1. Автор: Jung Pill Kim,Taehyun Kim,Sungryul KIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-08-18.

Adjusting resistive memory write driver strength based on a mimic resistive memory write operation

Номер патента: EP3257046A1. Автор: Jung Pill Kim,Taehyun Kim,Sungryul KIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-12-20.

Adjusting resistive memory write driver strength based on a mimic resistive memory write operation

Номер патента: US09583170B2. Автор: Jung Pill Kim,Taehyun Kim,Sungryul KIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Resistive memory device and method of operating the same

Номер патента: US20160148683A1. Автор: Hyun-Kook PARK,Yeong-Taek Lee,Yong-kyu Lee,Chi-Weon Yoon,Bo-Geun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-26.

Increasing Current to Memory Devices While Controlling Leakage Current

Номер патента: US20200265891A1. Автор: El Mehdi Boujamaa,Akshay Kumar. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2020-08-20.

Memory device

Номер патента: US11316097B2. Автор: Tadashi Kai,Junichi Ito,Tadaomi Daibou,Taichi IGARASHI,Shogo ITAI,Toshiyuki Enda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-04-26.

Variable resistance memory devices using read mirror currents

Номер патента: US8605517B2. Автор: Young-don Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-12-10.

Variable resistance memory devices using read mirror currents

Номер патента: US20120176830A1. Автор: Young-don Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-07-12.

Selector resistive memory, equipped with a capacitor writing, and associated writing method

Номер патента: US20230186987A1. Автор: Gael Pillonnet,Gabriel Molas,Amir REGEV,Anthonin Verdy,Paola Trotti. Владелец: Weebit Nano Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Apparatuses and methods for detecting write completion for resistive memory

Номер патента: EP3149742A1. Автор: Cyrille Dray,Liqiong Wei,Blake C. Lin,Ananda Roy,Faith Hamzaoglu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-05.

Resistive memory device with magnetic layer having topological spin textures for tuning

Номер патента: US20220359617A1. Автор: Seyoung Kim,MinGu Kang,Seonghoon Woo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-11-10.

Magnetic tunnel junction device and magnetic resistance memory device

Номер патента: US10840435B2. Автор: Yoshiaki Sonobe,Yoshinobu Nakatani. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-17.

Magnetic tunnel junction device and magnetic resistance memory device

Номер патента: US20200144482A1. Автор: Yoshiaki Sonobe,Yoshinobu Nakatani. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-07.

Variable resistance memory device

Номер патента: US20210020695A1. Автор: Woojin Kim,Junghwan Moon,Seowon Lee,Junghoon Bak,Nayoung JI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-21.

Sensing scheme for programmable resistance memory using voltage coefficient characteristics

Номер патента: US20050002218A1. Автор: Hagop Nazarian. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-06.

Stabilization of resistive memory

Номер патента: WO2013059047A1. Автор: Xiaonan Chen. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-04-25.

Apparatus to reduce retention failure in complementary resistive memory

Номер патента: US09830988B2. Автор: Wei Wu,Shigeki Tomishima,James W. Tschanz,Charles Augustine,Shih-Lien L. Lu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Resistive memory device for writing data and operating method thereof

Номер патента: US11935592B2. Автор: Chankyung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-19.

3D variable resistance memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9257176B1. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-02-09.

Resistive memory device including column decoder and operating method thereof

Номер патента: US20160172028A1. Автор: Hyun-Kook PARK,Yeong-Taek Lee,Chi-Weon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-06-16.

3d variable resistance memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160027505A1. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-01-28.

3d variable resistance memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160028010A1. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-01-28.

Resistive memory device having reduced chip size and operation method thereof

Номер патента: US20190074045A1. Автор: Tae-Joong Song,Hyun-Taek Jung,Suk-Soo Pyo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-03-07.

Write pulse width scheme in a resistive memory

Номер патента: EP3063767A1. Автор: Jung Pill Kim,Taehyun Kim,Sungryul KIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-09-07.

Write pulse width scheme in a resistive memory

Номер патента: WO2015065707A1. Автор: Jung Pill Kim,Taehyun Kim,Sungryul KIM. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-05-07.

Adjusting resistive memory write driver strength based on write error rate (WER) to improve WER yield, and related methods and systems

Номер патента: US9455014B1. Автор: Jung Pill Kim,Seung Hyuk KANG,Kangho Lee,Taehyun Kim,Sungryul KIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Data write circuit of resistive memory element

Номер патента: US20200082884A1. Автор: Hideo Ohno,Daisuke Suzuki,Tetsuo Endoh,Takahiro Hanyu. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2020-03-12.

Cross point resistive memory array

Номер патента: US7002197B2. Автор: Manish Sharma,Frederick A. Perner. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2006-02-21.

Split write operation for resistive memory cache

Номер патента: US20160092355A1. Автор: Xiaochun Zhu,Jungwon Suh,Xiangyu Dong. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-03-31.

Split write operation for resistive memory cache

Номер патента: EP3061096A1. Автор: Xiaochun Zhu,Jungwon Suh,Xiangyu Dong. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-08-31.

Data-masked analog and digital read for resistive memories

Номер патента: US20150003145A1. Автор: Syed M. Alam,Thomas W. Andre. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2015-01-01.

Split write operation for resistive memory cache

Номер патента: US09411727B2. Автор: Xiaochun Zhu,Jungwon Suh,Xiangyu Dong. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Programmable resistance memory on wide-bandgap semiconductor technologies

Номер патента: US12002527B2. Автор: Shine C. Chung. Владелец: Attopsemi Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Giant magneto-resistive static read RAM memory architecture

Номер патента: US20070091669A1. Автор: Romney Katti,Daniel Reed,Roy Wang,Owen Hynes. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2007-04-26.

Magnetic memory device having a plurality of magneto-resistance effect elements arranged in a matrix form and method for manufacturing the same

Номер патента: US20060013050A1. Автор: Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-19.

Magnetic memory device having a plurality of magneto-resistance effect elements arranged in a matrix form and method for manufacturing the same

Номер патента: US7267998B2. Автор: Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-09-11.

Magneto-resistive bit structure and method of manufacturing therefor

Номер патента: AU2002361582A1. Автор: YONG Li,Romney R. Katti,Shaoping Li,Lonny Berg,Theodore Zhu,Harry Liu,William Larson,Anthony Arrott. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-05-12.

Magneto-resistive bit structure and method of manufacturing therefor

Номер патента: EP1449239B1. Автор: Romney R. Katti,Shaoping Li,Lonny Berg,Theodore Zhu,Yong Lu,Harry Liu,William Larson,Anthony Arrott. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-05-13.

Magneto-resistive bit structure and method of manufacturing therefor

Номер патента: EP1449239A2. Автор: YONG Li,Romney R. Katti,Shaoping Li,Lonny Berg,Theodore Zhu,Harry Liu,William Larson,Anthony Arrott. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-08-25.

Magneto-resistive random access memory and method for manufacturing the same

Номер патента: US20050036399A1. Автор: Sang-jin Park,Tae-Wan Kim,Wan-jun Park,I-hun Song,Taek-Dong Lee,Byeong-kook Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-02-17.

Semiconductor memory device including magneto resistive element and method of fabricating the same

Номер патента: US6764865B2. Автор: Takeshi Kajiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-07-20.

Semiconductor memory device including magneto resistive element and method of fabricating the same

Номер патента: US20040105320A1. Автор: Takeshi Kajiyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-03.

Memory device and operating method for resistive memory cell

Номер патента: US09711217B1. Автор: Ming-Hsiu Lee,Chao-I Wu,Tien-Yen Wang,Dai-Ying LEE. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Memory Devices Having an Embedded Resistance Memory with Metal-Oxygen Compound

Номер патента: US20100301330A1. Автор: Erh-Kun Lai,ChiaHua Ho. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-02.

Nonvolatile memory device, memory system including the same and method for driving nonvolatile memory device

Номер патента: US20150287455A1. Автор: Hyun-Kook PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-08.

Nonvolatile memory device, memory system including the same and method for driving nonvolatile memory device

Номер патента: US09443586B2. Автор: Hyun-Kook PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Volatile memory device employing a resistive memory element

Номер патента: US09953697B2. Автор: Tanmay Kumar,Alper Ilkbahar. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-04-24.

Resistive memory device and method of operating the resistive memory device

Номер патента: US09558822B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Hyun-Kook PARK,Yeong-Taek Lee,Yong-kyu Lee,Hyo-Jin KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-31.

Resistive memory devices and methods of controlling resistive memory devices according to selected pulse power specifications

Номер патента: US09633727B2. Автор: Man Chang,Hyun-Sang Hwang,In-Gyu Baek,Sang-Heon Lee. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2017-04-25.

Resistive memory device and memory system including resistive memory device

Номер патента: US09627056B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Yeong-Taek Lee,Mu-hui Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Nonvolatile memory device having variable resistance memory cells and a method of resetting by initially performing pre-read or strong set operation

Номер патента: US09552879B2. Автор: Youngbae Kim,Yongkyu Lee,Yeongtaek Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-24.

Resistive memory device, method of fabricating the same, and memory apparatus and data processing system having the same

Номер патента: US09378813B2. Автор: Sung Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-28.

Resistive memory device

Номер патента: US09613697B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Hyun-Kook PARK,Yeong-Taek Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-04.

Hybrid resistive memory devices and methods of operating and manufacturing the same

Номер патента: US8902632B2. Автор: Chang-Jung Kim,Young-Bae Kim,Hyun-Sang Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-12-02.

Hybrid memory device and method of forming the same

Номер патента: US12041793B2. Автор: Yu-Ming Lin,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Hybrid memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240334718A1. Автор: Yu-Ming Lin,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory devices

Номер патента: US20200075675A1. Автор: Jin-Woo Lee,Zhe Wu,Ja-bin Lee,Kyu-Bong Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-03-05.

Resistive memory device

Номер патента: WO2019064111A1. Автор: Abu Sebastian,Benedikt Kersting,Martin Salinga,Wabe Koelmans,Vara JONNALAGADDA. Владелец: Ibm (China) Investment Company Ltd.. Дата публикации: 2019-04-04.

Resistive memory device and memory system including resistive memory device

Номер патента: US20160358648A1. Автор: Dae-Seok Byeon,Yeong-Taek Lee,Mu-hui Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-08.

Resistive memory structure for single or multi-bit data storage

Номер патента: US09805791B2. Автор: Pinaki Mazumder,Yalcin YILMAZ. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2017-10-31.

Resistive memory devices and methods of controlling the same

Номер патента: US20160155500A1. Автор: Man Chang,Hyun-Sang Hwang,In-Gyu Baek,Sang-Heon Lee. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2016-06-02.

Analog programmable resistive memory

Номер патента: US20240237565A9. Автор: Viorel-Georgel Dumitru,Octavian-Narcis IONESCU. Владелец: Cyberswarm Inc USA. Дата публикации: 2024-07-11.

Circuit and a method of determining the resistive state of a resistive memory cell

Номер патента: EP1847999A9. Автор: Jens Egerer. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2011-06-15.

Hybrid resistive memory devices and methods of operating and manufacturing the same

Номер патента: US20130301338A1. Автор: Chang-Jung Kim,Young-Bae Kim,Hyun-Sang Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-11-14.

Multi-level resistive memory structure

Номер патента: US09941003B2. Автор: Pinaki Mazumder,Yalcin YILMAZ. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2018-04-10.

Resistive memory device with a treated interface

Номер патента: US20040159828A1. Автор: Darrell Rinerson,Christophe Chevallier,Wayne Kinney,Steven Longcor,John Sanchez,Edmond Ward,Steve Hsia. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2004-08-19.

Variable resistive memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US9070478B2. Автор: Tae Hyeon Kim,Hye Jin Choi,Mann Ho CHO,Ju Heyuck Baeck. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2015-06-30.

Read circuit for a variable resistance memory device

Номер патента: US10446227B2. Автор: Masamichi Suzuki,Reika Ichihara,Kensuke Ota. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-10-15.

Method and apparatus for faster deterimation of cell state of a resistive memory cell using a parallel resistor

Номер патента: US20160372192A1. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Abu Sebastian,Milos Stanisavljevic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-22.

Method and apparatus for faster determination of cell state of a resistive memory cell using a parallel resistor

Номер патента: US09953706B2. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Abu Sebastian,Milos Stanisavljevic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Method and apparatus for faster determination of a cell state of a resistive memory cell using a parallel resistor

Номер патента: US09496031B2. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Abu Sebastian,Milos Stanisavljevic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Read measurement of a plurality of resistive memory cells

Номер патента: US20140211541A1. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Abu Sebastian. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-31.

Resistive Memory Apparatus Using Variable-Resistance Channels With High- And Low-Resistance Regions

Номер патента: US20180254083A1. Автор: Abu Sebastian,Lukas Czornomaz,Vara Sudananda Prasad Jonnalagadda,Veeresh Vidyadhar Deshpande,Wabe Koelmans. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-09-06.

Hybrid resistive memory

Номер патента: US20220148653A1. Автор: Elisa Vianello,Jean-François NODIN. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2022-05-12.

Determining a cell state of a resistive memory cell

Номер патента: US09666273B2. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Milos Stanisavljevic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Read measurement of a plurality of resistive memory cells for alleviating resistance and current drift

Номер патента: US09576650B2. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Abu Sebastian. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Analog neuromorphic circuit implemented using resistive memories

Номер патента: US20200364550A1. Автор: Chris Yakopcic,Tarek M. Taha,Md Raqibul Hasan. Владелец: University of Dayton. Дата публикации: 2020-11-19.

Analog neuromorphic circuit implemented using resistive memories

Номер патента: US20210326688A1. Автор: Chris Yakopcic,Tarek M. Taha,Md Raqibul Hasan. Владелец: University of Dayton. Дата публикации: 2021-10-21.

Analog neuromorphic circuit implemented using resistive memories

Номер патента: US20230095626A1. Автор: Chris Yakopcic,Tarek M. Taha,Raqibul Hasan. Владелец: University of Dayton. Дата публикации: 2023-03-30.

Analog neuromorphic circuit implemented using resistive memories

Номер патента: US20200074291A1. Автор: Chris Yakopcic,Tarek M. Taha,Md Raqibul Hasan. Владелец: University of Dayton. Дата публикации: 2020-03-05.

Resistive memory cell and associated cell array structure

Номер патента: US12069873B2. Автор: Tsung-Mu Lai,Wei-Chen Chang. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Programmable resistance memory element and method for making same

Номер патента: US20050012086A1. Автор: Jon Maimon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

Programmable resistance memory element and method for making same

Номер патента: WO2003067633A3. Автор: Jon Maimon. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2003-10-16.

Programmable resistance memory element and method for making same

Номер патента: WO2003067633A2. Автор: Jon Maimon. Владелец: Ovonyx, Inc.. Дата публикации: 2003-08-14.

Resistive memory device including ferroelectrics and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190109279A1. Автор: Se Hun Kang,Deok Sin Kil. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-04-11.

Programmable resistive memory element and a method of making the same

Номер патента: US20230360701A1. Автор: Viorel-Georgel Dumitru,Cristina Besleaga Stan,Alin Velea,Aurelian-Catalin Galca. Владелец: Cyberswarm Inc USA. Дата публикации: 2023-11-09.

Programmable resistive memory element and a method of making the same

Номер патента: US20190378570A1. Автор: Viorel-Georgel Dumitru,Cristina Besleaga Stan,Alin Velea,Aurelian-Catalin Galca. Владелец: Cyberswarm Inc USA. Дата публикации: 2019-12-12.

Programmable resistive memory element and a method of making the same

Номер патента: US20210151108A1. Автор: Viorel-Georgel Dumitru,Cristina Besleaga Stan,Alin Velea,Aurelian-Catalin Galca. Владелец: Cyberswarm Inc USA. Дата публикации: 2021-05-20.

Resistive memory apparatus, selective write circuit therefor, and operation method thereof

Номер патента: US9947404B1. Автор: Kee Teok Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Resistive memory structure for single or multi-bit data storage

Номер патента: US20150332763A1. Автор: Pinaki Mazumder,Yalcin YILMAZ. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2015-11-19.

Analog programmable resistive memory

Номер патента: EP4358687A1. Автор: Viorel-Georgel Dumitru,Octavian-Narcis IONESCU. Владелец: Cyberswarm Inc. Дата публикации: 2024-04-24.

Analog programmable resistive memory

Номер патента: US20240138275A1. Автор: Viorel-Georgel Dumitru,Octavian-Narcis IONESCU. Владелец: Cyberswarm Inc USA. Дата публикации: 2024-04-25.

Variable resistance memory apparatus, manufacturing method thereof

Номер патента: US9478281B2. Автор: Min Seok Son. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Variable resistance memory apparatus, manufacturing method thereof

Номер патента: US20150103588A1. Автор: Min Seok Son. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-04-16.

Programmable Resistance Memory Element and Method for Making Same

Номер патента: US20110114911A1. Автор: Patrick Klersy. Владелец: Patrick Klersy. Дата публикации: 2011-05-19.

Device and method for determining a cell level of a resistive memory cell

Номер патента: US20150302921A1. Автор: Abu Sebastian,Daniel Krebs,Manuel Le Gallo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-10-22.

Determining a cell state of a resistive memory cell

Номер патента: US20150287456A1. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Abu Sebastian,Milos Stanisavljevic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-10-08.

Method and apparatus for determining a cell state of a resistive memory cell

Номер патента: US10395734B2. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Milos Stanisavljevic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-08-27.

Circuit and method for programming resistive memory cells

Номер патента: EP3776554A1. Автор: Philip Wong,Elisa Vianello,Subhasish Mitra,Etienne Nowak,Binh Quang Le,Fan Tony WU. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2021-02-17.

Determining a cell state of a resistive memory cell

Номер патента: US20160372187A1. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Milos Stanisavljevic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-22.

Determining a cell state of a resistive memory cell

Номер патента: US20170330616A1. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Milos Stanisavljevic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-16.

Memory device sensors

Номер патента: EP4073799A1. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-19.

Memory device sensors

Номер патента: WO2021118711A1. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-17.

Multi-site testing of computer memory devices and serial io ports

Номер патента: US20140026006A1. Автор: Chinsong Sul. Владелец: Silicon Image Inc. Дата публикации: 2014-01-23.

Image sensor data management using a multi-port memory device

Номер патента: WO2022108935A1. Автор: Amit Gattani,Richard C. Murphy,Poorna Kale. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-05-27.

Memory devices, operating methods of the memory devices, and test systems including the memory devices

Номер патента: EP4280213A2. Автор: Wonyoung Choi,Changkyu Seol,Jeongseok PARK,Hyeran Kim,Sungrae Kim,Gilyoung Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-22.

Method and memory system for optimizing on-die termination settings of multi-ranks in a multi-rank memory device

Номер патента: US20210082479A1. Автор: Ki-Seok OH,Young-Soo Sohn,Jin-Hoon Jang,Kyung-Soo Ha,Seok-Hun Hyun,Yeon-Kyu Choi,Chang-kyo LEE,Dae-Sik Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-18.

Memory device low power mode

Номер патента: EP3899946A1. Автор: Peter Mayer,Martin Brox,Thomas Hein,Michael Dieter RICHTER,Wolfgang Anton SPIRKL. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-27.

Memory device low power mode

Номер патента: WO2020132207A1. Автор: Peter Mayer,Martin Brox,Thomas Hein,Michael Dieter RICHTER,Wolfgang Anton SPIRKL. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-06-25.

Memory device training

Номер патента: US12027195B2. Автор: QI Dong,Xuesong Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Refresh rate control for a memory device

Номер патента: EP3924968A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-22.

Refresh rate control for a memory device

Номер патента: WO2020167817A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-08-20.

Non-destructive pattern identification at a memory device

Номер патента: US11935617B2. Автор: Takamasa Suzuki,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Row hammer protection for a memory device

Номер патента: US11625170B2. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-11.

Error correction management for a memory device

Номер патента: US11720443B2. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-08.

Methods for providing device status in response to read commands directed to write-only mode register bits and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20220084565A1. Автор: Matthew A. Prather,Randall J. Rooney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Non-destructive pattern identification at a memory device

Номер патента: US20230326494A1. Автор: Takamasa Suzuki,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Method of performing internal processing operation of memory device

Номер патента: US12073871B2. Автор: Pavan Kumar Kasibhatla,Hak-soo Yu,Seong-il O. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Coordinating memory operations using memory-device generated reference signals

Номер патента: US20190114271A1. Автор: Scott C. Best,Ian Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2019-04-18.

Coordinating memory operations using memory-device-generated reference signals

Номер патента: US20210011867A1. Автор: Scott C. Best,Ian Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2021-01-14.

Coordinating memory operations using memory-device-generated reference signals

Номер патента: US20190294568A1. Автор: Scott C. Best,Ian Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2019-09-26.

Coordinating memory operations using memory-device generated reference signals

Номер патента: US20180150420A1. Автор: Scott C. Best,Ian Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-05-31.

Coordinating memory operations using memory-device generated reference signals

Номер патента: US09858216B2. Автор: Scott C. Best,Ian Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-01-02.

Method of performing internal processing operation of memory device

Номер патента: US20240379150A1. Автор: Pavan Kumar Kasibhatla,Hak-soo Yu,Seong-il O. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-14.

Memory devices, memory device operational methods, and memory device implementation methods

Номер патента: US09576618B2. Автор: Makoto Kitagawa,Yogesh Luthra. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Magneto-resistance element and magnetic sensor using the same

Номер патента: US09905752B2. Автор: Kenichi Ao,Toshifumi YANO,Yasuo Ando,Mikihiko Oogane,Takafumi Nakano. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2018-02-27.

Magneto-resistance element and magnetic sensor using the same

Номер патента: US20160218277A1. Автор: Kenichi Ao,Toshifumi YANO,Yasuo Ando,Mikihiko Oogane,Takafumi Nakano. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2016-07-28.

Magnetic memory device using SOI substrate

Номер патента: US6946712B2. Автор: Yoshiaki Asao. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-09-20.

Magneto-resistive random access memory (mram) employing an integrated physically unclonable function (puf) memory

Номер патента: US20190304527A1. Автор: Seung Hyuk KANG,Chando Park,Sungryul KIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Method of active layer producing for resistive memory

Номер патента: RU2603160C2. Автор: Виктор Яковлевич Принц,Ирина Вениаминовна Антонова,Надежда Александровна Небогатикова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН). Дата публикации: 2016-11-20.

Non-volatile analog resistive memory cells implementing ferroelectric select transistors

Номер патента: AU2021395683B2. Автор: Takashi Ando,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Method of erasing a resistive memory device

Номер патента: US20080130392A1. Автор: An Chen,Swaroop Kaza,Sameer Haddad,Yi-Ching Jean Wu. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-06-05.

Resistive memory device having a retention layer

Номер патента: WO2019215489A1. Автор: Seshubabu Desu,Michael Van Buskirk. Владелец: 4D-S, LTD.. Дата публикации: 2019-11-14.

Resistive memory device having ohmic contacts

Номер патента: WO2019175671A1. Автор: Seshubabu Desu. Владелец: 4D-S, LTD.. Дата публикации: 2019-09-19.

Methods for enlarging the memory window and improving data retention in resistive memory device

Номер патента: US12040019B2. Автор: Fu-Chen Chang,Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu,Chu-Jie HUANG,Nai-Chao Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Resistive memory device having a retention layer with non-linear ion conductivity

Номер патента: US20190319185A1. Автор: Seshubabu Desu,Michael Van Buskirk. Владелец: 4DS Memory Ltd. Дата публикации: 2019-10-17.

Resistive memory element

Номер патента: RU2714379C1. Автор: Ирина Вениаминовна Антонова,Регина Альфредовна Соотс,Артем Ильич Иванов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН). Дата публикации: 2020-02-14.

Multilevel Resistive Memory device and its writing erasing method

Номер патента: EP1557841A3. Автор: Katsuhisa Sony Corporation ARATANI,Tomohito Sony Corporation Tsushima,Akira Sony Corporation Kouchiyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-10-25.

Resistive memory device, resistive memory, and operating method of the resistive memory device

Номер патента: US09646685B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Hyun-Kook PARK,Yeong-Taek Lee,Yong-kyu Lee,Hyo-Jin KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Resistive memory devices having a not-and(nand) structure

Номер патента: GB201200865D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-02-29.

Method for producing active structure of non-volatile resistive memory element

Номер патента: RU2749028C1. Автор: Владимир Алексеевич Гриценко,Владимир Алексеевич Володин,Геннадий Николаевич Камаев,Андрей Андреевич Гисматуллин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН). Дата публикации: 2021-06-03.

Variable resistance non-volatile memory device

Номер патента: US20210065795A1. Автор: Takashi Ono,Kazuyuki Kouno,Masayoshi Nakayama,Reiji Mochida,Yuriko HAYATA. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Real time correction of bit failure in resistive memory

Номер патента: US09552244B2. Автор: Jung Pill Kim,Taehyun Kim,Sungryul KIM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Resistive memory array using P-I-N diode select device and methods of fabrication thereof

Номер патента: US09490126B2. Автор: Seungmoo Choi,Sameer Haddad. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Planar memory cell architectures in resistive memory devices

Номер патента: US09953705B2. Автор: Daniel Bedau. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Resistive memory device with semiconductor ridges

Номер патента: US09871077B2. Автор: Qiangfei Xia. Владелец: University of Massachusetts UMass. Дата публикации: 2018-01-16.

Resistive memory device including vertical stack structure, methods of manufacturing and operating the same, and electronic apparatus including the resistive memory device

Номер патента: EP4395525A2. Автор: KIM Yumin,Jinwoo Lee,Garam Park,Myunghun Woo,Seyun KIM,Hyunjae SONG,Dongho Ahn,Seungyeul YANG,Jooheon Kang,Seungdam HYUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-03.

Non-volatile memory device, storage device having the same, and reading method thereof

Номер патента: US20210272627A1. Автор: Kitaek LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-02.

Resistive memory device including vertical stack structure, methods of manufacturing and operating the same, and electronic apparatus including the resistive memory device

Номер патента: EP4395525A3. Автор: KIM Yumin,Jinwoo Lee,Garam Park,Myunghun Woo,Seyun KIM,Hyunjae SONG,Dongho Ahn,Seungyeul YANG,Jooheon Kang,Seungdam HYUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

Physically unclonable function circuit using resistive memory device

Номер патента: US09916884B2. Автор: James W. Tschanz,Charles Augustine,Carlos Tokunaga. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Memory storage apparatus and forming method of resistive memory device thereof

Номер патента: US20200265914A1. Автор: Shao-Ching Liao,Ping-Kun Wang,Ming-Che Lin,Chien-Min Wu,Chih-Cheng Fu,He-Hsuan CHAO. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-08-20.

Resistive memory device and method of operating the same

Номер патента: US09472282B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Yeong-Taek Lee,Yong-kyu Lee,Chi-Weon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-18.

Resistive memory device and reliability enhancement method thereof

Номер патента: US20220069209A1. Автор: Frederick Chen,Chia-Wen Cheng,Ping-Kun Wang,Ming-Che Lin,Chang-Tsung Pai,Tzu-Yun Huang,He-Hsuan CHAO. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Resistance memory device and memory apparatus and data processing system

Номер патента: US9214223B2. Автор: Hyung Dong Lee,Hyun Mi HWANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-15.

Resistive memory device and operation method thereof

Номер патента: US09818481B2. Автор: Se Ho LEE,Hae Chan PARK,Seung Yun Lee,Myoung Sub KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Resistive memory device and operating method

Номер патента: US09646687B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Hyun-Kook PARK,Yeong-Taek Lee,Yong-kyu Lee,Hyo-Jin KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Resistive memory device and operation method thereof

Номер патента: US09613690B2. Автор: Se Ho LEE,Hae Chan PARK,Seung Yun Lee,Myoung Sub KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Resistive memory device

Номер патента: US8547721B2. Автор: Changbum Lee,Bosoo Kang,Seungeon Ahn,Kihwan Kim,Changjung Kim,Myungjae LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-10-01.

Resistive memory device implementing selective memory cell refresh

Номер патента: US09496030B2. Автор: Justin Kim,Seong Jun Jang,Geun-Young Park. Владелец: Integrated Silicon Solution Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Method and apparatus for performing signal processing on a crossbar array of resistive memory devices

Номер патента: US09455030B1. Автор: Hai Li,Yiran Chen,Qing Wu,Mark Barnell,Richard Linderman. Владелец: US Air Force. Дата публикации: 2016-09-27.

Resistive memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20180190352A1. Автор: Jaeyeon LEE,Cheol Seong Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

Techniques for initializing resistive memory devices by applying voltages with different polarities

Номер патента: US12027206B2. Автор: Zhichao Lu,Brent Haukness,Gary Bronner. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Resistive memory device and operating method thereof

Номер патента: US20210193223A1. Автор: Ho-Seok EM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Variable resistive memory device including controller for driving bitline, word line, and method of operating the same

Номер патента: US09496032B2. Автор: Ki Myung Kyung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Three-dimensional resistive memory device with adjustable voltage biasing

Номер патента: US09437296B2. Автор: Hiroshi Kanno,Takayuki Tsukamoto,Atsushi Yoshida,Takamasa OKAWA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Resistive memory device having sidewall spacer electrode and method of making thereof

Номер патента: US09806256B1. Автор: Tanmay Kumar,Chuanbin Pan,Ming-Che Wu,Guangle ZHOU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-10-31.

Resistive memory device

Номер патента: US09570169B1. Автор: Abu Sebastian,Lukas Czornomaz,Veeresh V. Deshpande,Vara Sudananda Prasad Jonnalagadda,Wabe Koelmans. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Nonvolatile memory device and related method for reducing access latency

Номер патента: US20140247645A1. Автор: Hyo-Jin KWON,Yong-Jun Lee,Yong-Jin KWON,Eun-Hye PARK,Hoi-Ju CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-09-04.

Variable resistance memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20220102628A1. Автор: Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Page buffer architecture for programming, erasing and reading nanoscale resistive memory devices

Номер патента: EP1883929A1. Автор: Colin S. Bill,Wei Daisy Cai. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-02-06.

Resistive memory device and method relating to a read voltage in accordance with variable situations

Номер патента: US09990991B2. Автор: Seok Joon KANG,Ho Seok EM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Apparatuses and methods for accessing variable resistance memory device

Номер патента: US09990990B2. Автор: Daniele Ielmini,Paolo Fantini,Nicola Ciocchini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Resistive memory device and method relating to a read voltage in accordance with variable situations

Номер патента: US09875796B2. Автор: Seok Joon KANG,Ho Seok EM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Variable resistance memory device and method of driving the same

Номер патента: US09666642B2. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Resistive memory device with variable cell current amplification

Номер патента: US09589662B2. Автор: Yeon-Uk Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Write and erase scheme for resistive memory device

Номер патента: US09437297B2. Автор: Sung Hyun Jo,Hagop Nazarian. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor memory device and method for reading the same using a memory cell array including resistive memory cells to perform a single read command

Номер патента: US09424916B2. Автор: Jongmin Baek,Keewon Kwon,Dongjin Seo. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2016-08-23.

Magnetic memory device

Номер патента: US7598577B2. Автор: Takeshi Kajiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-06.

Semiconductor memory device

Номер патента: US11735260B2. Автор: Yasuhiro Tomita. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-08-22.

Variable resistance memory device

Номер патента: US20230301218A1. Автор: Dongho Ahn,Chungman Kim,Changyup Park,Wonjun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Resistive memory devices with a multi-component electrode

Номер патента: US09847378B2. Автор: Xia Sheng,Jianhua Yang,Hans S. Cho,Richard H. Henze,Yoocharn Jeon. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-12-19.

Nonvolatile semiconductor memory device of variable resistive type with reduced variations of forming current after breakdown

Номер патента: US09508431B2. Автор: Yusuke Jono,Yukio Tamai. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Memory device

Номер патента: US10770142B2. Автор: Meng-Fan Chang,Wen-Zhang Lin,Li-Ya LAI. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2020-09-08.

Method and apparatus providing multi-planed array memory device

Номер патента: US09614151B2. Автор: David H. Wells. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Tunable variable resistance memory device

Номер патента: US09583703B2. Автор: Kristy A. Campbell. Владелец: BOISE STATE UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-02-28.

Variable resistance memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130277637A1. Автор: Byeung Chul Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-10-24.

Resistive memory device

Номер патента: US12029048B2. Автор: Jungyu Lee,Daehwan Kang,Hyunmog Park,Sungho EUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-02.

Planar variable resistance memory

Номер патента: US09728255B2. Автор: Luiz M. Franca-Neto. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Resistive memory with low voltage operation

Номер патента: US12027205B2. Автор: Chung-Cheng Chou,Yu-Der Chih,Zheng-Jun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Fast read speed memory device

Номер патента: US20190348115A1. Автор: Frederick A. Ware,Deepak Chandra Sekar,Gary Bela Bronner. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2019-11-14.

Fast read speed memory device

Номер патента: US20180286480A1. Автор: Frederick A. Ware,Deepak Chandra Sekar,Gary Bela Bronner. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2018-10-04.

Fast read speed memory device

Номер патента: US20220130459A1. Автор: Frederick A. Ware,Deepak Chandra Sekar,Gary Bela Bronner. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Resistive memory with low voltage operation

Номер патента: US20240355389A1. Автор: Chung-Cheng Chou,Yu-Der Chih,Zheng-Jun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Fast read speed memory device

Номер патента: US09941005B2. Автор: Frederick A. Ware,Deepak Chandra Sekar,Gary Bela Bronner. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-04-10.

Method of forming a conductive filament in a living resistive memory device including a pre-forming step to form a localised path of oxygen vacancies from an interface layer

Номер патента: US09748477B2. Автор: Gabriel Molas,Marinela Barci. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-08-29.

Fast read speed memory device

Номер патента: US09490009B2. Автор: Frederick A. Ware,Deepak Chandra Sekar,Gary Bela Bronner. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2016-11-08.

Resistive memory devices using a carbon-based conductor line and methods for forming the same

Номер патента: US20210184111A1. Автор: Lain-Jong Li,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Resistive memory devices using a carbon-based conductor line and methods for forming the same

Номер патента: US20240155954A1. Автор: Lain-Jong Li,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Vertical variable resistance memory devices and methods of operation in the same

Номер патента: US20210265565A1. Автор: Yukio Hayakawa,Myunghun Woo,Doohee Hwang,Gunwook Yoon,Jooheon Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-08-26.

Nonvolatile resistive memory device using dynamic reference in dual domain and read method thereof

Номер патента: US20230138195A1. Автор: Jongsun Park,Joo Yoon KIM. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2023-05-04.

Resistive random access memory device and manufacturing methods

Номер патента: US20160087009A1. Автор: Fumitake Mieno. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-03-24.

Variable resistance memory device

Номер патента: US20200066799A1. Автор: Yong-Jin Park,Gyu-Hwan OH,Dong-Jun Seong,Jun-Hwan Paik. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-27.

Method and apparatus for performing close-loop programming of resistive memory devices in crossbar array based hardware circuits and systems

Номер патента: US09715655B2. Автор: Miao HU,Hai Li,Yiran Chen,Qing Wu,Richard Linderman,Garrett Rose. Владелец: US Air Force. Дата публикации: 2017-07-25.

Resistive memory for analog computing

Номер патента: EP4406390A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-31.

Variable resistance memory device with an interfacial adhesion heating layer, systems using the same and methods of forming the same

Номер патента: WO2008147595A1. Автор: Jun Liu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2008-12-04.

Resistive memory and method

Номер патента: US09443583B2. Автор: Christian Pacha,Tim Schönauer,Michael Kund. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-09-13.

Non-volatile analog resistive memory cells implementing ferroelectric select transistors

Номер патента: AU2021395683A9. Автор: Takashi Ando,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

System and method for extending lifetime of memory device

Номер патента: US11972826B2. Автор: Jian-Hong Lin,Pei-Chun Liao,Dawei Heh,Yung-Huei Lee,Wenhsien Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Non-volatile analog resistive memory cells implementing ferroelectric select transistors

Номер патента: US11948618B2. Автор: Takashi Ando,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Non-volatile analog resistive memory cells implementing ferroelectric select transistors

Номер патента: GB2616809A. Автор: Ando Takashi,Gong Nanbo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-20.

Non-volatile analog resistive memory cells implementing ferroelectric select transistors

Номер патента: CA3192550A1. Автор: Takashi Ando,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-06-16.

Non-volatile analog resistive memory cells implementing ferroelectric select transistors

Номер патента: AU2021395683A1. Автор: Takashi Ando,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Resistive memory device having a conductive barrier layer

Номер патента: WO2019175672A1. Автор: Seshubabu Desu,Michael Van Buskirk. Владелец: 4D-S, LTD.. Дата публикации: 2019-09-19.

Resistive memory devices using assymetrical bitline charging and discharging

Номер патента: US20110317484A1. Автор: Byung-Gil Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-12-29.

Resistive memory devices using assymetrical bitline charging and discharging

Номер патента: US20100046286A1. Автор: Byung-Gil Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-02-25.

Resistive memory device and method of operating the resistive memory device

Номер патента: US20240005989A1. Автор: In Ku Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Resistive memory device and method of operating the resistive memory device

Номер патента: US11804265B2. Автор: In Ku Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US20230253039A1. Автор: Yu-Yu Lin,Feng-Min Lee,Ming-Hsiu Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Electronic device, memory device, and method of operating memory device

Номер патента: US20200357464A1. Автор: Seung Yun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-11-12.

Methods for enlarging the memory window and improving data retention in restistive memory device

Номер патента: US20230274780A1. Автор: Fu-Chen Chang,Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu,Chu-Jie HUANG,Nai-Chao Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Memory device having resistance change material and operating method for the memory device

Номер патента: US20180197602A1. Автор: Jung Sunwoo,Young Hoon Oh,Yong Jun Lee,Hyun Kook PARK,Chea Ouk Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-07-12.

Methods and systems for detecting degradation of resistive memory devices

Номер патента: US20200051628A1. Автор: Ki-Sung Kim,Han-Sung Joo,Seung-you BAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-13.

Memory controller for controlling resistive memory device and memory system including the same

Номер патента: US20220108747A1. Автор: Jung Hyun Kwon,Won Gyu SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-04-07.

Non-volatile phase-change resistive memory

Номер патента: US20140355338A1. Автор: Luca Perniola. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2014-12-04.

Adjusting target values of resistive memory devices

Номер патента: US20180218771A1. Автор: John Paul Strachan,Brent Buchanan,Le Zheng. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-08-02.

Resistive memory device and forming method thereof with improved forming time and improved forming uniformity

Номер патента: US11915749B2. Автор: I-Lang Lin. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Resistive memory device

Номер патента: US20190097128A1. Автор: Abu Sebastian,Wabe W. Koelmans,Vara S. P. Jonnalagadda,Benedikt J. Kersting,Martin Salinga. Владелец: Rheinisch Westlische Technische Hochschuke RWTH. Дата публикации: 2019-03-28.

Variable resistance memory device

Номер патента: US20200234736A1. Автор: Kyu-Rie SIM,Taehui Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-23.

Variable resistance memory device having equal resistances between signal paths regardless of location of memory cells within the memory array

Номер патента: US20130215665A1. Автор: Sang Min Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-08-22.

Variable resistive memory device, memory system including the same and method of driving the variable resistive memory device

Номер патента: US11862241B2. Автор: Min Chul Shin,Seung Min BAEK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Nonvolatile semiconductor memory device and reading method of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8248837B2. Автор: Kentaro Kinoshita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-08-21.

Memory controller for controlling resistive memory device and memory system including the same

Номер патента: US11501832B2. Автор: Jung Hyun Kwon,Won Gyu SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-11-15.

Apparatus for modeling resistive memory devices

Номер патента: US20170199954A1. Автор: Sung Soo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-13.

Thermally shielded resistive memory element for low programming current

Номер патента: WO2011031534A1. Автор: Jun Liu,John Smythe,Gurtej Sandhu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2011-03-17.

Semiconductor memory device including variable resistance element

Номер патента: US09966136B2. Автор: Daisaburo Takashima,Ryu Ogiwara. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Memory system having resistive memory device and operating method thereof

Номер патента: US20190164604A1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Seung-Gyu JEONG,Do-Sun HONG,Won-Gyu SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-05-30.

Planar memory cell architectures in resistive memory devices

Номер патента: US20170309332A1. Автор: Daniel Bedau. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2017-10-26.

Memory device comprising resistance change material and method for driving the same

Номер патента: US10181348B2. Автор: Young Hoon Oh,Chi Weon Yoon,Yong Jun Lee,Hyun Kook PARK,Chea Ouk Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-01-15.

Resistive memory device

Номер патента: US20200066796A1. Автор: Jin-chan YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-27.

Variable resistance memory device and related method of operation

Номер патента: US20110228585A1. Автор: Ho Jung Kim,Deok-kee Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-22.

Memory device comprising resistance change material and method for driving the same

Номер патента: US20190108880A1. Автор: Young Hoon Oh,Chi Weon Yoon,Yong Jun Lee,Hyun Kook PARK,Chea Ouk Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-11.

Method to reduce read error rate for semiconductor resistive memory

Номер патента: US20160085613A1. Автор: Andy Huang. Владелец: ADVANCED INTEGRATED MEMORY Inc. Дата публикации: 2016-03-24.

Method for controlling resistive memory device

Номер патента: US20180182455A1. Автор: Takayuki Tsukamoto,Koichiro ZAITSU. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-28.

Method for controlling resistive memory device

Номер патента: US10199101B2. Автор: Takayuki Tsukamoto,Koichiro ZAITSU. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-02-05.

Resistive memory devices and methods of operating resistive memory devices

Номер патента: US20210020236A1. Автор: Jinyoung Kim,Jongmin Baek,Junho SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-21.

Method to reduce read error rate for semiconductor resistive memory

Номер патента: US9928133B2. Автор: Andy Huang. Владелец: ADVANCED INTEGRATED MEMORY Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Electronic device and method for reading data stored in resistive memory cell

Номер патента: US09984748B1. Автор: Tae-hoon Kim,Seung-Hwan Lee,Hyun-Jeong Kim,Woo-Tae LEE,Myoung-Sub Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Writing method for resistive memory cell and resistive memory

Номер патента: US09734908B1. Автор: Frederick Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Resistive memory device and manufacturing method of the resistive memory device

Номер патента: US20230240157A1. Автор: In Ku Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Memory device and method for operating memory device

Номер патента: US20180166136A1. Автор: Mu Hui Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-14.

Resistive memory devices

Номер патента: US11812619B2. Автор: Jinwoo Lee,Zhe Wu,Chungman Kim,Dongsung Choi,Seunggeun Yu,Jabin LEE,Soyeon CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-07.

Variable resistance memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200136037A1. Автор: Ji-Hyun Jeong,Si-Ho Song,Ilmok Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-30.

Variable resistance memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190123272A1. Автор: Ji-Hyun Jeong,Si-Ho Song,Ilmok Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-25.

Variably resistive memory device

Номер патента: US20190214084A1. Автор: Jung Hyuk YOON,Ki Won Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-07-11.

Memory cell array and variable resistive memory device including the same

Номер патента: US20130313511A1. Автор: Kang Sik Choi,Sung Cheoul KIM. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-11-28.

Resistive memory apparatus and operating method thereof and memory cell array thereof

Номер патента: US20240233819A9. Автор: Yu-Ting Chen,Ping-Kun Wang,Ming-Che Lin,Min-Chih Wei,Chih-Cheng Fu,Chang-Tsung Pai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Resistive memory storage apparatus and operating method thereof

Номер патента: US20210335421A1. Автор: Lih-Wei Lin,Ju-Chieh Cheng,Lung-Chi Cheng,Ying-Shan Kuo. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

Resistive memory storage apparatus and operating method thereof

Номер патента: EP3901953A1. Автор: Lih-Wei Lin,Ju-Chieh Cheng,Lung-Chi Cheng,Ying-Shan Kuo. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-10-27.

Resistive memory architectures with multiple memory cells per access device

Номер патента: US09997701B2. Автор: Jun Liu,Michael P. Violette. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2018-06-12.

Resistive memory and operating method for performing a forming operation thereof

Номер патента: US09824733B2. Автор: Frederick Chen,Shao-Ching Liao,Ping-Kun Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Resistive memory architectures with multiple memory cells per access device

Номер патента: US09472755B2. Автор: Jun Liu,Michael P. Violette. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2016-10-18.

Resistive memory system, driver circuit thereof and method for setting resistance thereof

Номер патента: US09443588B2. Автор: Chia-Chen Kuo,Meng-Fan Chang,Shyh-Shyuan Sheu,Pei-Ling Tseng. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2016-09-13.

Method for programming resistive memory cell and nonvolatile memory device thereof

Номер патента: US20190147950A1. Автор: Baohua Niu,Ji-Feng Ying,Jhong-Sheng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Resistance memory device and memory apparatus and data processing system

Номер патента: US20140169067A1. Автор: Hyung Dong Lee,Hyun Mi HWANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-19.

Resistive memory device implementing selective memory cell refresh

Номер патента: US20150357035A1. Автор: Justin Kim,Seong Jun Jang,Geun-Young Park. Владелец: Integrated Silicon Solution Inc. Дата публикации: 2015-12-10.

Resistive memory device and method of manufacturing the resistive memory device

Номер патента: US20190341545A1. Автор: Myung Sun Song,Hyuck Sang YIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-11-07.

Resistive memory with a thermally insulating region

Номер патента: WO2016056182A1. Автор: Koji Miyata,Scott Sills,Nirmal Ramaswamy,Shuichiro Yasuda,Beth Cook. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2016-04-14.

Neuromorphic hardware apparatus based on a resistive memory array

Номер патента: US20230048278A1. Автор: Ji-Sung Lee,Hyun-Sang Hwang,Woo-Seok Choi,Joon-Hyun Kwon,Han-saem Lee,Su-Jung Noh. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2023-02-16.

Variable resistance memory with lattice array using enclosing transistors

Номер патента: US11763885B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2023-09-19.

Resistive memory apparatus and a writing method thereof

Номер патента: US20170125098A1. Автор: Tuo-Hung Hou,I-Ting Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-04.

Resistive memory apparatus and voltage generating circuit therefor

Номер патента: US20170243641A1. Автор: Tae Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-24.

Resistive memory apparatus and voltage generating circuit therefor

Номер патента: US09881672B2. Автор: Tae Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Method for reading out a resistive memory cell and a memory cell for carrying out the method

Номер патента: US09865343B2. Автор: Ilia Valov,Rainer Waser,Jan Van Den Hurk,Elke Linn. Владелец: Rheinisch Westlische Technische Hochschuke RWTH. Дата публикации: 2018-01-09.

Resistive memory array using P-I-N diode select device and methods of fabrication thereof

Номер патента: US09837469B1. Автор: Sameer S. Haddad,Seungmoo Choi. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Resistive memory apparatus and a writing method thereof

Номер патента: US09715931B2. Автор: Tuo-Hung Hou,I-Ting Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Apparatus for boosting source-line voltage to reduce leakage in resistive memories

Номер патента: US09418761B2. Автор: Cyrille Dray,Umut ARSLAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Array voltage regulating technique to enable data operations on large cross-point memory arrays with resistive memory elements

Номер патента: US8559209B2. Автор: Chang Hua Siau. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-10-15.

Nonvolatile resistive memory devices

Номер патента: US8519376B2. Автор: Insik Jin,Haiwen Xi,Dimitar Velikov Dimitrov. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2013-08-27.

Array voltage regulating technique to enable data operations on large memory arrays with resistive memory elements

Номер патента: US10031686B2. Автор: Chang Hua Siau. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-07-24.

Resistive memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11329102B2. Автор: Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-05-10.

Forming operation of resistive memory device

Номер патента: US20240087644A1. Автор: Ping-Kun Wang,Ju-Chieh Cheng,I-Hsien Tseng,Jun-Yao Huang,Lung-Chi Cheng. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Resistive memory with vertical transport transistor

Номер патента: US20220399491A1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-12-15.

Memory device

Номер патента: US20200403035A1. Автор: Daisaburo Takashima,Ryu Ogiwara,Takahiko IIZUKA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-12-24.

Method of operating resistive memory device to increase read margin

Номер патента: US20200118626A1. Автор: Kwang-Woo LEE,Kyu-Rie SIM,Han-bin Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-16.

Variable resistance memory device including bidirectional switch, memory system including the same, and operating method thereof

Номер патента: US20180144793A1. Автор: Sungkyu Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-24.

Resistance memory device and apparatus, fabrication method thereof, operation method thereof, and system having the same

Номер патента: US20140365723A1. Автор: Mi Na Kim,Dong Yean Oh,Woon Ha YIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-12-11.

Variable resistive memory device and method of operating the same

Номер патента: US20160260477A1. Автор: Ki Myung Kyung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Control circuit of a resistive memory cell of a memory array

Номер патента: US20190115075A1. Автор: Meng-Fan Chang,Wen-Zhang Lin,Li-Ya LAI. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2019-04-18.

Method and apparatus managing worn cells in resistive memories

Номер патента: US20140104929A1. Автор: Yong-Hoon Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-04-17.

Memory including a selector switch on a variable resistance memory cell

Номер патента: US09947719B2. Автор: Andrea Redaelli,Agostino Pirovano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Selecting reversible resistance memory cells based on initial resistance switching

Номер патента: US09837153B1. Автор: Xinde Hu,Christopher Petti,Bijesh Rajamohanan. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Resistive memory and data writing method for memory cell thereof

Номер патента: US09627059B2. Автор: Po-Wei Huang,Chia-hung Lin,Lih-Wei Lin,Ju-Chieh Cheng,Tsung-Huan Tsai,I-Hsien Tseng. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Enhanced temperature compensation for resistive memory cell circuits

Номер патента: US09520189B1. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Milos Stanisavljevic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Memory including a selector switch on a variable resistance memory cell

Номер патента: US09502650B2. Автор: Andrea Redaelli,Agostino Pirovano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Resistive memory apparatus and writing method thereof

Номер патента: US09443587B1. Автор: Frederick Chen,Meng-Hung Lin,Shao-Ching Liao,Ping-Kun Wang,Chuan-Sheng Chou. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Resistive memory with enhanced redundancy writing

Номер патента: US11915752B2. Автор: Chung-Cheng Chou,Yu-Der Chih,Chen-Ming Hung,Chun-Yun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Resistive memory with enhanced redundancy writing

Номер патента: US20230317159A1. Автор: Chung-Cheng Chou,Yu-Der Chih,Chen-Ming Hung,Chun-Yun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Variable resistance memory device

Номер патента: US20230354617A1. Автор: Sung-Ho Eun,Yu Na GIL,Su Min YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-02.

Techniques for initializing resistive memory devices by applying voltages with different polarities

Номер патента: US20230012275A1. Автор: Zhichao Lu,Brent Haukness,Gary Bronner. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Resistive memory device containing carbon barrier and method of making thereof

Номер патента: US20180351093A1. Автор: Tanmay Kumar,Ming-Che Wu,Alvaro Padilla. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-12-06.

Resistive memory with enhanced redundancy writing

Номер патента: US20240153558A1. Автор: Chung-Cheng Chou,Yu-Der Chih,Chen-Ming Hung,Chun-Yun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Techniques for initializing resistive memory devices by applying different polarity voltages across resistance change material

Номер патента: US20210110870A1. Автор: Zhichao Lu,Brent Haukness,Gary Bronner. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2021-04-15.

Techniques for initializing resistive memory devices by applying different polarity voltages across resistance change material

Номер патента: US10943655B2. Автор: Zhichao Lu,Brent Haukness,Gary Bronner. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2021-03-09.

Resistive memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20190272875A1. Автор: Jaeyeon LEE,Cheol Seong Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-09-05.

Memory device

Номер патента: US20220028452A1. Автор: Daisaburo Takashima,Ryu Ogiwara,Takahiko IIZUKA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-01-27.

Techniques for initializing resistive memory devices

Номер патента: EP3516658A1. Автор: Zhichao Lu,Brent Haukness,Gary Bronner. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2019-07-31.

Techniques for initializing resistive memory devices

Номер патента: WO2018057191A1. Автор: Zhichao Lu,Brent Haukness,Gary Bronner. Владелец: RAMBUS INC.. Дата публикации: 2018-03-29.

Layout method of a semiconductor memory device

Номер патента: US20070195591A1. Автор: Byung-Gil Choi,Choong-Keun Kwak,Du-Eung Kim,Beak-Hyung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-23.

Programmable resistance memory with feedback control

Номер патента: US8503219B2. Автор: Ward Parkinson. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2013-08-06.

Resistive memory element with heater

Номер патента: EP1797565A1. Автор: Thomas Happ. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-06-20.

Variable-resistance memory and writing method thereof

Номер патента: US09887007B1. Автор: Chia-Chen Kuo,Shyh-Shyuan Sheu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2018-02-06.

Electronic device having flash memory array formed in at different level than variable resistance memory cells

Номер патента: US09337239B2. Автор: Hyung-Dong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-10.

Forming and operating memory devices that utilize correlated electron material (cem)

Номер патента: WO2018220356A1. Автор: Lucian Shifren,Glen Arnold Rosendale. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2018-12-06.

Forming and operating memory devices that utilize correlated electron material (cem)

Номер патента: US20190334086A1. Автор: Lucian Shifren,Glen Arnold Rosendale. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2019-10-31.

Forming and operating memory devices that utilize correlated electron material (cem)

Номер патента: US20180351098A1. Автор: Lucian Shifren,Glen Arnold Rosendale. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-12-06.

Memory device

Номер патента: US20190115074A1. Автор: Meng-Fan Chang,Wen-Zhang Lin,Li-Ya LAI. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2019-04-18.

Resistive memory and memory cell thereof

Номер патента: US09466366B1. Автор: Chien-Lung Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Resistive memory device with word lines coupled to multiple sink transistors

Номер патента: US9311997B2. Автор: Yongkyu Lee,Sungyeon Lee,Yeongtaek Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-04-12.

Variable resistance memory devices

Номер патента: US11514954B2. Автор: HongSoo KIM,Jongkook Park,Boram IM,Hose Choi,Hyunju Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-11-29.

Resistive memory device and operating method of the resistive memory device

Номер патента: US11948633B2. Автор: Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Systems having a resistive memory device

Номер патента: US9990995B2. Автор: Andrea Redaelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Resistive memory device and manufacturing method of the resistive memory device

Номер патента: US20230240084A1. Автор: In Ku Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Systems having a resistive memory device

Номер патента: US20180122474A1. Автор: Andrea Redaelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-03.

Variable resistance memory device

Номер патента: US20230180641A1. Автор: Taehyeong Kim,Jeonghee Park,Zhe Wu,Taeguen Kim,Minji YU. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2023-06-08.

Apparatus and method for detecting single flip-error in a complementary resistive memory

Номер патента: US20170153933A1. Автор: Wei Wu,Shigeki Tomishima,Charles Augustine,Shih Lien L. LU. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-01.

Apparatus and method for detecting single flip-error in a complementary resistive memory

Номер патента: US20160259676A1. Автор: Shigeki Tomishima. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-09-08.

Memory comprising a matrix of resistive memory cells, and associated method of interfacing

Номер патента: US12052876B2. Автор: Gabriel Molas,Amir REGEV,Anthonin Verdy,Paola Trotti. Владелец: Weebit Nano Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Non-volatile variable capacitive device including resistive memory cell

Номер патента: US20130148410A1. Автор: Sung Hyun Jo,Hagop Nazarian. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2013-06-13.

Variable resistance memory and memory system including the same

Номер патента: US8379441B2. Автор: Deok-kee Kim,Yoondong Park,Kwang Soo SEOL. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-02-19.

Resistive memory accelerator

Номер патента: US20180068722A1. Автор: Ji Liu,Ravi PATEL,Xiaochen Guo,Mohammad Kazemi,Eby Friedman,Engin Ipek,Isaac Richter,Kamil Pas. Владелец: UNIVERSITY OF ROCHESTER. Дата публикации: 2018-03-08.

Apparatus and method for detecting single flip-error in a complementary resistive memory

Номер патента: US09934082B2. Автор: Wei Wu,Shigeki Tomishima,Charles Augustine,Shih Lien L. LU. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Resistive memory accelerator

Номер патента: US09847125B2. Автор: Ji Liu,Ravi PATEL,Xiaochen Guo,Mohammad Kazemi,Eby Friedman,Engin Ipek,Isaac Richter,Kamil Pas. Владелец: UNIVERSITY OF ROCHESTER. Дата публикации: 2017-12-19.

Three dimensional resistive memory architectures

Номер патента: US09792980B2. Автор: Jeong Hwan Kim,Jae Yeon Lee,Sangmin Hwang,Frederick Perner,Jinwon Park,Sung Won Chung,Kwangmyoung Rho,Jae Yun Yi. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-10-17.

Apparatus and method for detecting single flip-error in a complementary resistive memory

Номер патента: US09529660B2. Автор: Wei Wu,Shigeki Tomishima,Charles Augustine,Shih-Lien L. Lu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Programmable logic circuit architecture using resistive memory elements

Номер патента: US09461649B2. Автор: Bingjun Xiao,Jingsheng J. CONG. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2016-10-04.

Resistive memory apparatus and memory cell thereof

Номер патента: US09424914B2. Автор: Ming-Huei Shieh,Young-Tae Kim,Douk-Hyoun Ryu,Yuan-Mou Su,Hua-Yu Su. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Resistive memory apparatus and reading method thereof

Номер патента: US09412445B1. Автор: Frederick Chen,Meng-Hung Lin,Ping-Kun Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Methods of forming resistive memory elements

Номер патента: US9893282B2. Автор: Scott E. Sills,D. V. Nirmal Ramaswamy,Christopher W. Petz,Yongjun Jeff Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Resistive memory devices with a cavity between electrodes

Номер патента: US20240049611A1. Автор: Juan Boon Tan,Kai Kang,Wanbing YI,Curtis Chun-I HSIEH,Wei-Hui HSU. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-02-08.

Resistive memory device and method relating to a read voltage in accordance with variable situations

Номер патента: US20180108406A1. Автор: Seok Joon KANG,Ho Seok EM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-19.

Processing unit with fast read speed memory device

Номер патента: US11984163B2. Автор: Frederick A. Ware,Deepak Chandra Sekar,Gary Bela Bronner. Владелец: Hefei Reliance Memory Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Variable resistance memory device

Номер патента: US20210126054A1. Автор: Jaerok KAHNG,Taehong HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-29.

Planar variable resistance memory

Номер патента: US20170330620A1. Автор: Luiz M. Franca-Neto. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2017-11-16.

Planar variable resistance memory

Номер патента: US20170103808A1. Автор: Luiz M. Franca-Neto. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2017-04-13.

Resistive memory device

Номер патента: US20220013171A1. Автор: Masayuki Terai. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-13.

Reversible resistive memory logic gate device

Номер патента: EP4315426A1. Автор: Hsueh-Chung Chen,Junli Wang,Su Chen Fan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-07.

Resistive memory element

Номер патента: US10050156B1. Автор: Lung-Han Peng,Jun-Wei Peng,Yen-Kai Chang. Владелец: Opto Tech Corp. Дата публикации: 2018-08-14.

Resistive memory for data storage devices

Номер патента: US20040140525A1. Автор: Steven Johnson,Frederick Perner,Andrew Brocklin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-22.

Analog neuromorphic circuits for dot-product operation implementing resistive memories

Номер патента: US20240256847A1. Автор: Chris Yakopcic,Tarek M. Taha,Md Raqibul Hasan. Владелец: University of Dayton. Дата публикации: 2024-08-01.

Error correction for identifier data generated from unclonable characteristics of resistive memory

Номер патента: US12119058B2. Автор: Mehdi Asnaashari. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Sensing circuit for resistive memory

Номер патента: US09972387B2. Автор: James S. Ignowski,Naveen Muralimanohar,Erik Ordentlich,Brent Buchanan,Jacquelyn M. INGEMI,Yoocharn Jeon,Martin Foltin. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-05-15.

Resistive memory and measurement system thereof

Номер патента: US09543010B2. Автор: Chia-hung Lin,Lih-Wei Lin,Ju-Chieh Cheng,Tsung-Huan Tsai,I-Hsien Tseng. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Gating device cell for cross array of bipolar resistive memory cells

Номер патента: US09508776B2. Автор: QI Liu,Ming Liu,Yan Wang,Hangbing Lv,Shibing Long. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-11-29.

Resistive memory devices using a carbon-based conductor line and methods for forming the same

Номер патента: US11910732B2. Автор: Lain-Jong Li,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Tunable Variable Resistance Memory Device

Номер патента: US20160351804A1. Автор: Kristy A. Campbell. Владелец: BOISE STATE UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-12-01.

Variable resistance memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180033826A1. Автор: Dong-ho Ahn,Hideki Horii,Seong-Geon Park,Min-Kyu YANG,Jung-Moo Lee,Dong-Jun Seong,Seol Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-01.

Resistive memory devices based on metal coordinated redox active ligands

Номер патента: US10984859B2. Автор: Abhijeet PATRA,Venkatesan Thirumalai,Sreetosh Goswami,Sreebrata Goswami. Владелец: Azometrix. Дата публикации: 2021-04-20.

Reference column sensing for resistive memory

Номер патента: US20180301187A1. Автор: James S Ignowski,Yoocharn Jeon,Martin Foltin. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-10-18.

Drift mitigation for resistive memory devices

Номер патента: US11805713B2. Автор: Takashi Ando,Guy M. Cohen,Kevin W. Brew,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-31.

Resistive memory devices based on metal coordinated redox active ligands

Номер патента: US20200312407A1. Автор: Abhijeet PATRA,Venkatesan Thirumalai,Sreetosh Goswami,Sreebrata Goswami. Владелец: Azometrix. Дата публикации: 2020-10-01.

Resistance memory cell

Номер патента: US9934851B2. Автор: Mark D. Kellam,Gary Bela Bronner. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-04-03.

Resistive memory apparatus and operating method thereof and memory cell array thereof

Номер патента: US20220068382A1. Автор: Yu-Ting Chen,Ping-Kun Wang,Ming-Che Lin,Min-Chih Wei,Chih-Cheng Fu,Chang-Tsung Pai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

Smart compute resistive memory

Номер патента: EP4179429A1. Автор: Eric Hall,Doug Smith,Nicholas T. Hendrickson,Jack Guedj. Владелец: Numem Inc. Дата публикации: 2023-05-17.

Smart compute resistive memory

Номер патента: WO2022011153A1. Автор: Eric Hall,Doug Smith,Nicholas T. Hendrickson,Jack Guedj. Владелец: NUMEM Inc.. Дата публикации: 2022-01-13.

Smart compute resistive memory

Номер патента: WO2022011153A8. Автор: Eric Hall,Doug Smith,Nicholas T. Hendrickson,Jack Guedj. Владелец: NUMEM Inc.. Дата публикации: 2023-02-09.

Resistive memory for analog computing

Номер патента: WO2023046564A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2023-03-30.

Resistive memory apparatus and operating method thereof and memory cell array thereof

Номер патента: US20240135990A1. Автор: Yu-Ting Chen,Ping-Kun Wang,Ming-Che Lin,Min-Chih Wei,Chih-Cheng Fu,Chang-Tsung Pai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Resistive memory apparatus and operating method thereof and memory cell array thereof

Номер патента: US11908516B2. Автор: Yu-Ting Chen,Ping-Kun Wang,Ming-Che Lin,Min-Chih Wei,Chih-Cheng Fu,Chang-Tsung Pai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Inverted variable resistance memory cell and method of making the same

Номер патента: WO2009008931A2. Автор: William Stanton. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2009-01-15.

Method having resistive memory crossbar array employing selective barrier layer growth

Номер патента: US10950787B2. Автор: Chih-Chao Yang,Lawrence A. Clevenger,Takashi Ando. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-03-16.

Filament forming method for resistive memory unit

Номер патента: US20230282279A1. Автор: Chia-hung Lin,Frederick Chen,Ping-Kun Wang,Jun-Yao Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Method for programming an array of resistive memory cells

Номер патента: US12087360B2. Автор: Gabriel Molas,Guiseppe Piccolboni,Amir REGEV,Alessandro BRICALLI. Владелец: Weebit Nano Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Amorphous carbon resistive memory element with lateral heat dissipating structure

Номер патента: US09640759B1. Автор: Abu Sebastian,Alessandro Curioni,Wabe W. Koelmans,Federico Zipoli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Digitally trimmable integrated resistors including resistive memory elements

Номер патента: US09589615B2. Автор: Ashoke Ravi,Dinesh Somasekhar,Ganesh Balamurugan,Tawfiq Musah,Sudip Shekhar,Tzu-Chien Hsueh,Jaydeep P. Kulkarni. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Nonvolatile resistive memory element with an oxygen-gettering layer

Номер патента: US09331276B2. Автор: Milind Weling,Tony P. Chiang,Dipankar Pramanik. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2016-05-03.

Nonvolatile variable resistance memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20080002458A1. Автор: Sang-jun Choi,Jung-hyun Lee,Hyung-Jin Bae,Bum-seok Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-03.

Variable resistance memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US8653493B2. Автор: Youngnam HWANG,Myung Jin Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-02-18.

Resistive memory architectures with multiple memory cells per access device

Номер патента: US20200044151A1. Автор: Jun Liu,Michael P. Violette. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2020-02-06.

Resistive memory architectures with multiple memory cells per access device

Номер патента: US20170069838A1. Автор: Jun Liu,Michael P. Violette. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2017-03-09.

Resistive memory architectures with multiple memory cells per access device

Номер патента: US20150179931A1. Автор: Jun Liu,Michael P. Violette. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Resistive memory architectures with multiple memory cells per access device

Номер патента: US20210005811A1. Автор: Jun Liu,Michael P. Violette. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2021-01-07.

Resistive memory architectures with multiple memory cells per access device

Номер патента: US20180337330A1. Автор: Jun Liu,Michael P. Violette. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2018-11-22.

Resistive memory architectures with multiple memory cells per access device

Номер патента: US20220271224A1. Автор: Jun Liu,Michael P. Violette. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2022-08-25.

Resistive memory and resistance window recovery method of resistive memory cell thereof

Номер патента: US10475513B2. Автор: Shao-Ching Liao,Ping-Kun Wang,Ming-Che Lin,Min-Chih Wei,Chuan-Sheng Chou. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2019-11-12.

Variable resistance memory device

Номер патента: US20130170282A1. Автор: Jae-Yun YI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-07-04.

Tunneling metamagnetic resistance memory device and methods of operating the same

Номер патента: US20210327484A1. Автор: Bhagwati PRASAD,Alan Kalitsov. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

A RESISTIVE MEMORY DEVICE STRUCTURE BASED ON STACKED LAYERS OF NANOCRYSTALLINE TMDCs

Номер патента: WO2021054898A1. Автор: MING Yang,Dongzhi Chi,Shi Wun Tong,Shijie Wang,Henry Medina Silva,Jianwei CHAI,Carlos MANZANO. Владелец: AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH. Дата публикации: 2021-03-25.

Variable resistance memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20140113429A1. Автор: Youngnam HWANG,Myung Jin Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-04-24.

Resistive memory device with boundary and edge transistors coupled to edge bit lines

Номер патента: US11961555B2. Автор: Makoto Hirano. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-16.

Resistive memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20190287611A1. Автор: Feng-Min Lee,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-19.

Vertical variable resistance memory devices and methods of operation in the same

Номер патента: US11957071B2. Автор: Yukio Hayakawa,Myunghun Woo,Doohee Hwang,Gunwook Yoon,Jooheon Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-09.

Resistive memory device

Номер патента: US20210174869A1. Автор: Makoto Hirano. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-10.

Resistive memory device

Номер патента: US20230397443A1. Автор: Yong Seok Kim,Min Jun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-07.

Resistive memory apparatus and method of operating a resistive memory apparatus

Номер патента: US20200211643A1. Автор: Anirban Roy,Yanzhe TANG. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

Resistive memory storage apparatus and writing method thereof

Номер патента: US20190074059A1. Автор: Lih-Wei Lin,Lung-Chi Cheng,Min-Yen Liu,Huan-Ming Chiang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2019-03-07.

Resistive memory apparatus

Номер патента: US11823738B2. Автор: Po-Yen Hsu,Hsiu-Han Liao,Chi-Shun Lin,Frederick Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Resistive memory

Номер патента: US20200279606A1. Автор: Yasuhiro Tomita. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-09-03.

Resistive memory apparatus and operating method thereof

Номер патента: US10916307B2. Автор: Shao-Ching Liao,Ping-Kun Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-02-09.

Resistive memory element arrays with shared electrode strips

Номер патента: EP4312479A1. Автор: Venkatesh Gopinath,Bipul C. Paul,Xiaoli Hu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-31.

Resistive memory apparatus and write-in method thereof

Номер патента: US9269434B2. Автор: Chung-Wei Hsu,Mei-Chin Chen,Tuo-Hung Hou. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-02-23.

Smart compute resistive memory

Номер патента: US11829775B2. Автор: Eric Hall,Doug Smith,Nicholas T. Hendrickson,Jack Guedj. Владелец: Numem Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Smart compute resistive memory

Номер патента: US20220382560A1. Автор: Eric Hall,Doug Smith,Nicholas T. Hendrickson,Jack Guedj. Владелец: Numem Inc. Дата публикации: 2022-12-01.

Resistive memory

Номер патента: US20200111836A1. Автор: Yasuhiro Tomita,Chi Shun LIN. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-04-09.

Physical unclonable functions based on a circuit including resistive memory elements

Номер патента: US20230267998A1. Автор: Pirooz Parvarandeh,Periyapatna G. Venkatesh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Physical unclonable functions based on a circuit including resistive memory elements

Номер патента: US11984160B2. Автор: Pirooz Parvarandeh,Periyapatna G. Venkatesh. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Method for reading out a resistive memory cell and a memory cell for carrying out the method

Номер патента: US20170162260A1. Автор: Ilia Valov,Rainer Waser,Jan Van Den Hurk,Elke Linn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-06-08.

Resistive memory element arrays with shared electrode strips

Номер патента: US20240023345A1. Автор: Venkatesh Gopinath,Bipul C. Paul,Xiaoli Hu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Resistive memory apparatus

Номер патента: US20230178149A1. Автор: Po-Yen Hsu,Hsiu-Han Liao,Chi-Shun Lin,Frederick Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-06-08.

Resistive memory storage apparatus and writing method thereof

Номер патента: US20190057738A1. Автор: Lih-Wei Lin,Ju-Chieh Cheng,Tsung-Huan Tsai,I-Hsien Tseng. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2019-02-21.

Smart compute resistive memory

Номер патента: US20240045697A1. Автор: Eric Hall,Doug Smith,Nicholas T. Hendrickson,Jack Guedj. Владелец: Numem Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Apparatus for boosting source-line voltage to reduce leakage in resistive memories

Номер патента: EP3230984A1. Автор: Cyrille Dray,Umut ARSLAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-18.

Assigning data to a resistive memory array based on a significance level

Номер патента: US20190065118A1. Автор: Naveen Muralimanohar,Ali Shafiee Ardestani,Ben Feinberg. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2019-02-28.

Assigning data to a resistive memory array based on a significance level

Номер патента: WO2017171773A1. Автор: Naveen Muralimanohar,Ali Shafiee Ardestani,Ben Feinberg. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-10-05.

Forming a characterization parameter of a resistive memory element

Номер патента: US20140258646A1. Автор: Ryan James Goss,Antoine Khoueir,Mark Allen Gaertner,Jon D. Trantham,David Scott Ebsen. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2014-09-11.

Vertical transport fin field effect transistors combined with resistive memory structures

Номер патента: US20200258941A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-13.

Programmable Resistance Memory with Feedback Control

Номер патента: US20110242887A1. Автор: Ward Parkinson. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2011-10-06.

Assigning data to a resistive memory array based on a significance level

Номер патента: EP3286639A1. Автор: Naveen Muralimanohar,Ali Shafiee Ardestani,Ben Feinberg. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-02-28.

Resistive memory arrays for performing multiply-accumulate operations

Номер патента: US20190108193A1. Автор: Brent Buchanan. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2019-04-11.

Resistive memory apparatus and operating method thereof

Номер патента: US20200350013A1. Автор: Shao-Ching Liao,Ping-Kun Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-11-05.

Resistive memory apparatus and write-in method thereof

Номер патента: US20150146473A1. Автор: Chung-Wei Hsu,Mei-Chin Chen,Tuo-Hung Hou. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2015-05-28.

Smart compute resistive memory

Номер патента: US20220012063A1. Автор: Eric Hall,Doug Smith,Nicholas T. Hendrickson,Jack Guedj. Владелец: Numem Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Resistive memory arrays for performing multiply-accumulate operations

Номер патента: EP3268969A1. Автор: Brent Buchanan. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-01-17.

Variable resistance memory device

Номер патента: US11856873B2. Автор: Youngjin Cho,Jinhong Kim,Doyoon KIM,Seyun KIM,Soichiro Mizusaki,Yumin KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor memory device including variable resistance element

Номер патента: US20180075903A1. Автор: Daisaburo Takashima,Ryu Ogiwara. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-15.

Resistive memory accelerator

Номер патента: US20170330617A1. Автор: Ji Liu,Ravi PATEL,Xiaochen Guo,Mohammad Kazemi,Eby Friedman,Engin Ipek,Isaac Richter,Kamil Pas. Владелец: UNIVERSITY OF ROCHESTER. Дата публикации: 2017-11-16.

Resistive memory having shunted memory cells

Номер патента: EP1901307A3. Автор: Thomas Nirschl,Jan Boris Philipp,Thomas Dr. Happ. Владелец: Qimonda North America Corp. Дата публикации: 2008-10-15.

Method and apparatus providing a cross-point memory array using a variable resistance memory cell and capacitance

Номер патента: US20110242877A1. Автор: Glen Hush. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-10-06.

Resistive memory accelerator

Номер патента: US20170040054A1. Автор: Ji Liu,Ravi PATEL,Xiaochen Guo,Mohammad Kazemi,Eby Friedman,Engin Ipek,Isaac Richter,Kamil Pas. Владелец: UNIVERSITY OF ROCHESTER. Дата публикации: 2017-02-09.

Resistive memory apparatus and memory cell thereof

Номер патента: US20150269993A1. Автор: Ming-Huei Shieh,Young-Tae Kim,Douk-Hyoun Ryu,Yuan-Mou Su,Hua-Yu Su. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2015-09-24.

Memory comprising a matrix of resistive memory cells, and associated method of interfacing

Номер патента: US20220190037A1. Автор: Gabriel Molas,Amir REGEV,Anthonin Verdy,Paola Trotti. Владелец: Weebit Nano Ltd. Дата публикации: 2022-06-16.

Method for resetting an array of resistive memory cells

Номер патента: US20230170023A1. Автор: Gabriel Molas,Guiseppe Piccolboni,Amir REGEV,Alessandro BRICALLI. Владелец: Weebit Nano Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Method for resetting an array of resistive memory cells

Номер патента: US12033698B2. Автор: Gabriel Molas,Guiseppe Piccolboni,Amir REGEV,Alessandro BRICALLI. Владелец: Weebit Nano Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Programmable resistive memories with low power read operation and novel sensing scheme

Номер патента: US20190392896A1. Автор: Shine C. Chung. Владелец: Attopsemi Technolog Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-26.

Method for resetting an array of resistive memory cells

Номер патента: WO2021110807A1. Автор: Gabriel Molas,Guiseppe Piccolboni,Amir REGEV,Alessandro BRICALLI. Владелец: Weebit Nano Ltd. Дата публикации: 2021-06-10.

Microelectronic devices including contact structures, and related memory devices, electronic systems, and methods

Номер патента: EP4417026A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-21.

Resistive memory cell

Номер патента: US20200098825A1. Автор: Philippe Boivin. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2020-03-26.

Resistive memory cell having an ovonic threshold switch

Номер патента: US20210384257A1. Автор: Philippe Boivin. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2021-12-09.

Resistive memory cell having an ovonic threshold switch

Номер патента: US20230240082A1. Автор: Philippe Boivin. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2023-07-27.

Resistive memory cell and associated cell array structure

Номер патента: US20230262994A1. Автор: Chun-Hung Lin,Tsung-Mu Lai,Wei-Chen Chang. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Amorphous carbon resistive memory element with lateral heat dissipating structure

Номер патента: US9947867B2. Автор: Abu Sebastian,Alessandro Curioni,Wabe W. Koelmans,Federico Zipoli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Resistive memory cell having an ovonic threshold switch

Номер патента: US12096640B2. Автор: Philippe Boivin. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2024-09-17.

Amorphous carbon resistive memory element with lateral heat dissipating structure

Номер патента: US20170162785A1. Автор: Abu Sebastian,Alessandro Curioni,Wabe W. Koelmans,Federico Zipoli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-08.

Resistive memory for data storage devices

Номер патента: US6777270B2. Автор: Andrew L. Van Brocklin,Steven C. Johnson,Frederick A. Perner. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2004-08-17.

Write method for differential resistive memories

Номер патента: US12119059B2. Автор: Ilan Sever,Bastien Giraud,Valentin Gherman,Cyrille LAFFOND,Sébastien RICAVY. Владелец: Weebit Nano Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Amorphous carbon resistive memory element with lateral heat dissipating structure

Номер патента: US09947867B2. Автор: Abu Sebastian,Alessandro Curioni,Wabe W. Koelmans,Federico Zipoli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

High voltage generating circuit for resistive memory apparatus

Номер патента: US09418736B2. Автор: Hae Chan PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Method and apparatus for recording high-speed input data into matrix of memory devices

Номер патента: RU2417461C2. Автор: Томас БРУНЕ,Йенс Петер ВИТТЕНБУРГ. Владелец: Томсон Лайсенсинг. Дата публикации: 2011-04-27.

Methods of accelerated life testing of programmable resistance memory elements

Номер патента: US7327602B2. Автор: Wolodymyr Czubatyj,Tyler Lowrey,Sergey A. Kostylev. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2008-02-05.

Error correction for identifier data generated from unclonable characteristics of resistive memory

Номер патента: US20230317158A1. Автор: Mehdi Asnaashari. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Adaptive Reading And Writing Of A Resistive Memory

Номер патента: US20140016396A1. Автор: Pinaki Mazumder,Idongesit Ebong. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2014-01-16.

Enhanced temperature compensation for resistive memory cell circuits

Номер патента: US9865340B2. Автор: Nikolaos Papandreou,Charalampos Pozidis,Milos Stanisavljevic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Error correction for identifier data generated from unclonable characteristics of resistive memory

Номер патента: WO2023192964A1. Автор: Mehdi Asnaashari. Владелец: Crossbar, Inc.. Дата публикации: 2023-10-05.

Analog neuromorphic circuits for dot-product operation implementing resistive memories

Номер патента: US11954588B2. Автор: Chris Yakopcic,Tarek M. Taha,Md Raqibul Hasan. Владелец: University of Dayton. Дата публикации: 2024-04-09.

Controlled heating of a memory device

Номер патента: EP3871064A1. Автор: Peter Mayer,Martin Brox,Thomas Hein,Michael Dieter RICHTER,Wolfgang Anton SPIRKL. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-01.

Memory device stack availability

Номер патента: WO2024086104A1. Автор: John Eric Linstadt,Dongyun Lee,Wendy Elsasser. Владелец: RAMBUS INC.. Дата публикации: 2024-04-25.

Solid-state memory device with plurality of memory devices

Номер патента: WO2017046638A1. Автор: James T. Cerrelli. Владелец: 2419265 Ontario Limited. Дата публикации: 2017-03-23.

Indicating a status of a memory built-in self-test for multiple memory device ranks

Номер патента: US12051477B2. Автор: Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Embedded memory device and method for embedding memory device in a substrate

Номер патента: US20200075567A1. Автор: Andrew Collins. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Garbage collection adapted to memory device life expectancy

Номер патента: US11693769B2. Автор: Qing Liang,Deping He,David Aaron Palmer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-04.

Nor-type memory device, method of manufacturing nor-type memory device, and electronic apparatus including memory device

Номер патента: US20230301100A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institure Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences. Дата публикации: 2023-09-21.

Electronic device, memory device, and write leveling method thereof

Номер патента: US20240265955A1. Автор: Shun-Ke WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Error correction memory device with fast data access

Номер патента: US20240303158A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Indicating a status of a memory built-in self-test for multiple memory device ranks

Номер патента: US20240347125A1. Автор: Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Electronic device, memory device, and write leveling method thereof

Номер патента: US12125557B2. Автор: Shun-Ke WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Memory system topologies including a buffer device and an integrated circuit memory device

Номер патента: US09865329B2. Автор: Ely Tsern,Ian Shaeffer,Craig Hampel. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-01-09.

Disabling a command associated with a memory device

Номер патента: US09740433B2. Автор: Kuljit S. Bains,Christopher P. Mozak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Memory system topologies including a buffer device and an integrated circuit memory device

Номер патента: US09563583B2. Автор: Ely Tsern,Ian Shaeffer,Craig Hampel. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2017-02-07.

Disabling a command associated with a memory device

Номер патента: US09542123B2. Автор: Kuljit S. Bains,Christopher P. Mozak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Methods of forming microelectronic devices, and related microelectronic devices, memory devices, and electronic systems

Номер патента: US20220246681A1. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-04.

Link evaluation for a memory device

Номер патента: US20210193252A1. Автор: Heinz Hoenigschmid,Thomas Hein,Markus Balb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Memory devices configured to provide external regulated voltages

Номер патента: US20240203479A1. Автор: Thomas H. Kinsley,Matthew A. Prather. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Link evaluation for a memory device

Номер патента: WO2021126838A1. Автор: Heinz Hoenigschmid,Thomas Hein,Markus Balb. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-24.

Temperature-dependent read operation time adjustment in non-volatile memory devices

Номер патента: US20190043567A1. Автор: Ali Khakifirooz,Pranav Kalavade,Aliasgar MADRASWALA,Shantanu Rajwade,Rohit Shenoy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Packet routing between memory devices and related apparatuses, methods, and memory systems

Номер патента: US20240241641A1. Автор: John D. Leidel. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory device and process for improving the state of a termination

Номер патента: US20030076712A1. Автор: Seong-Jin Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-04-24.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US20070211533A1. Автор: Sang-jin Park,Sang-Min Shin,Young-soo Park,Young-Kwan Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-09-13.

Extended utilization area for a memory device

Номер патента: US20240168635A1. Автор: Jani Hyvonen,Kimmo J. Mylly,Yevgen Gyl,Jussi Hakkinen. Владелец: Memory Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-23.

Method for improving memory device cycling endurance by providing additional pulses

Номер патента: US20090323428A1. Автор: Chao-I Wu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-31.

Training method of memory device and electronic device and electronic system including the same

Номер патента: US11461113B2. Автор: Dong Kim,Jong Un Kim,Jang Seon PARK,Ju Chan LEE,Hyung Lae EUN,In Hoon PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-04.

Storage device including nonvolatile memory device and controller

Номер патента: US20240241648A1. Автор: Sangwoo Kim,Yongjun CHO,Changjun LEE,Dayeon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Link evaluation for a memory device

Номер патента: US20230197181A1. Автор: Heinz Hoenigschmid,Thomas Hein,Markus Balb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Modified distribution of memory device states

Номер патента: US11776639B2. Автор: Vinayak Bhat,Harish R. Singidi,Amiya Banerjee. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Test chamber for memory device, test system for memory device having the same and method of testing memory devices using the same

Номер патента: US20190285695A1. Автор: Chang-Ho Lee,Jin-Ho Choi,Min-Woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-19.

Test chamber for memory device, test system for memory device having the same and method of testing memory devices using the same

Номер патента: US20210003632A1. Автор: Chang-Ho Lee,Jin-Ho Choi,Min-Woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-07.

Methods of forming microelectronic devices, and related microelectronic devices, memory devices, and electronic systems

Номер патента: EP4420494A1. Автор: Kunal R. Parekh,Angela S. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Method and system for tuning a memory device for high-speed transitions

Номер патента: US12067233B2. Автор: Sumeet Paul,Shankar Athanikar,Akhilesh Kumar Jaiswal,Puneet Kukreja,Vinay Kumar M N. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-20.

Scan fragmentation in memory devices

Номер патента: US20240256145A1. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Saeed Sharifi Tehrani,Christopher M. Smitchger. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Nonvolatile memory device, storage device including nonvolatile memory device, and operating method of storage device

Номер патента: US20240321366A1. Автор: Kun-Woo Song,Jonghwa Kim,Kyungyong Jeoung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Microelectronic devices, and related methods and memory devices

Номер патента: US12089422B2. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Microelectronic devices, and related memory devices and electronic systems

Номер патента: US12101932B2. Автор: Yoshiaki Fukuzumi,Tomoko Ogura Iwasaki,Erwin E. Yu,Surendranath C. Eruvuru. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Adaptive optimization of error-handling flows in memory devices

Номер патента: US20240302968A1. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Jay Sarkar,Ipsita Ghosh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Fusion memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US12119336B2. Автор: Daehyun Kim,Jinmin Kim,Hyunsik Park,Hei Seung Kim,Sangkil Lee,Hyunmog Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Memory system and memory device

Номер патента: US20190180800A1. Автор: Toshiya Matsuda,Hiroyuki Kawano,Kousuke Fujita. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Method and system for validating a memory device

Номер патента: US20220043708A1. Автор: Abhinav Sharma,Rengaraja Sudarmani,Sachin Suresh Upadhya,Prathiksha Gautham,Uday Kumar N B. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-10.

System and method for polling the status of memory devices

Номер патента: US09910600B2. Автор: Matthew Stephens,Neil Buxton. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Intelligent memory device test rack

Номер патента: US12142336B2. Автор: Patrick CARAHER,Michael R. Spica,Gary D. Hamor,João Elmiro da Rocha Chaves,Donald Shepard. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-12.

Memory device responding to device commands for operational controls

Номер патента: US09652170B2. Автор: Pete Vogt. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Passive devices for integration with three-dimensional memory devices

Номер патента: US09646981B2. Автор: Masahide Matsumoto,Masatoshi Nishikawa,Toru Miwa,Ryoichi Honma,Yuki Mizutani,Hiroaki Koketsu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-09.

Information processing apparatus, method for controlling information processing apparatus, non-transitory recording medium storing control tool, host device, non-transitory recording medium storing performance evaluation tool, and performance evaluation method for external memory device

Номер патента: US09594611B2. Автор: Daisuke Hashimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Magneto-resistive head having a thermally conductive layer

Номер патента: US7379275B2. Автор: Tetsuo Endo,Hiroyuki Osaki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-05-27.

Magnetic head comprising magneto-resistance effect element and side shields

Номер патента: US20170270954A1. Автор: Hideyuki Ukita,Hisayoshi Watanabe,Minoru Ota,Takahiko Machita,Tetsuya Hiraki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Magnetic head comprising magneto-resistance effect element and side shields

Номер патента: US09767834B1. Автор: Hideyuki Ukita,Hisayoshi Watanabe,Minoru Ota,Takahiko Machita,Tetsuya Hiraki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Magneto-resistive device with built-in test structure and method for determining resistance and track width

Номер патента: US20030222645A1. Автор: Mark Church. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-12-04.

First and second magneto-resistive sensors formed by first and second sections of a layer stack

Номер патента: US09618589B2. Автор: Juergen Zimmer,Harald Witschnig. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-11.

Magneto-resistive thin film magnetic head preventing entry of unnecessary magnetic flux and having good reproduction characteristics

Номер патента: US6538855B1. Автор: Akira Nakamura,Norio Hasegawa,Junji Numazawa,Kenji Machida,Toshihiro Uehara,Naoto Hayashi,Yasuhiko Shinjo,Morio Kondo,Kazutoshi Mutou. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-03-25.

Tunnel magneto-resistive head and manufacturing method thereof

Номер патента: US20020135950A1. Автор: Hitoshi Kanai,Hideyuki Kikuchi,Jun-Ichi Hashimoto,Michiaki Kanamine,Yigun Zhang. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-09-26.

Method of repairing the deterioration of magneto-resistive effect device

Номер патента: US20090168255A1. Автор: Yoshikazu Sawada,Yosuke Antoku,Takumi YANAGISAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2009-07-02.

Non-destructive defective magneto-resistive head detection utilizing a micro-track

Номер патента: US20020032886A1. Автор: Badih Arnaout,Harry Maxwell,Alejandro Laguna. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2002-03-14.

Current-Perpendicular-to-Plane Giant Magneto-Resistive Element and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20240186047A1. Автор: Yuichi Fujita,Yoshio Miura,Taisuke Sasaki,Kazuhiro Hono,Yuya SAKURABA. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2024-06-06.

Magneto-resistance effect type head

Номер патента: US20040037013A1. Автор: Takashi Suda. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2004-02-26.

Method of manufacturing magneto-resistance effect type head

Номер патента: US20050056346A1. Автор: Kenrou Yamamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-03-17.

Manufacturing method of magneto-resistive effect type head

Номер патента: US20020017018A1. Автор: Shigehisa Ohkawara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-02-14.

Dual-purpose lapping guide for the production of magneto-resistive heads

Номер патента: US20040009739A1. Автор: Li-Yan Zhu. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2004-01-15.

Current-perpendicular-to-plane magneto-resistance effect element

Номер патента: US09558767B2. Автор: Takao Furubayashi,Yukiko Takahashi,Ye Du,Kazuhiro Hono. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2017-01-31.

Magneto-resistance effect element, thin-film magnetic head, and method for manufacturing magneto-resistance effect element

Номер патента: US20070279809A1. Автор: Kazuki Sato,Takayasu Kanaya,Takahiko Machita,Daisuke Myiauchi. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2007-12-06.

Current-perpendicular-to-plane magneto-resistance effect element

Номер патента: US09589583B1. Автор: Takao Furubayashi,Yukiko Takahashi,Ye Du,Kazuhiro Hono. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2017-03-07.

Magneto-resistive sensor

Номер патента: MY106391A. Автор: Stephen Mowry Gregory. Владелец: Seagate Tech International. Дата публикации: 1995-05-30.

Magneto-resistance effect element provided with current limiting layer including magnetic material

Номер патента: US20090303640A1. Автор: Daisuke Miyauchi,Koji Shimazawa,Yoshihiro Tsuchiya,Tsutomu Chou,Shinji Hara,Hironobu Matsuzawa,Tomohito Mizuno,Takahiko Machita,Tsuyoshi Ichiki,Toshiyuki AYUKAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2009-12-10.

Magneto-resistance effect type magnetic head device

Номер патента: US5648886A. Автор: Hideo Suyama,Tomio Kobayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1997-07-15.

Magneto-resistive effect device, thin-film magnetic head, head gimbal assembly, and hard disk system

Номер патента: US20080117554A1. Автор: Kei Hirata,Koji Shimazawa,Yoshihiro Tsuchiya,Shinji Hara,Tomohito Mizuno. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2008-05-22.

Magneto-resistive or tunneling magneto-resistive element having a shielding film of an amorphous layer above a crystalline layer, and method for manufacturing the same

Номер патента: US7652854B2. Автор: Takeo Kagami,Naoki Ohta,Kazuki Sato,Satoshi Miura. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2010-01-26.

Magneto-resistive head

Номер патента: US5461527A. Автор: Hitoshi Iwasaki,Junichi Akiyama,Kohichi Tateyama,Hiroaki Yoda,Yuichi Ohsawa,Reiko Kondoh,Toshihiko Ohta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1995-10-24.

Direct access storage device with magneto-resistive transducing head apparatus and a common read return signal line

Номер патента: US5883767A. Автор: Dale Ernest Goodman,Jerome Thomas Coffey,Joe Martin Poss. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1999-03-16.

Current limiter for magneto-resistive circuit element

Номер патента: US20020080538A1. Автор: Thanh Nguyen,John Clapp. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2002-06-27.

Magneto-resistive effect element with recessed antiferromagnetic layer

Номер патента: US09478238B1. Автор: Takayasu Kanaya,Satoshi Miura,Naomichi Degawa,Kenzo Makino. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Magneto-resistive effect device, magnetic head gimbal assembly, magnetic recording/reproduction device, strain sensor, pressure sensor, blood pressure sensor, and structural health monitoring sensor

Номер патента: US09435868B2. Автор: Michiko Hara,Hideaki Fukuzawa,Hiromi Yuasa,Yoshihiko Fuji,Devin GIDDINGS. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Magneto-resistive head with crosstalk compensation

Номер патента: CA1046161A. Автор: Frederik W. Gorter,Jan A. L. Potgiesser. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1979-01-09.

Current-perpendicular-to-plane magneto-resistance effect element

Номер патента: US20170092307A1. Автор: Takao Furubayashi,Yukiko Takahashi,Ye Du,Kazuhiro Hono. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2017-03-30.

Improvements in or relating to magneto-resistive magnetic transducers

Номер патента: GB2023325A. Автор: . Владелец: EMI Ltd. Дата публикации: 1979-12-28.

Tunnel junction type magneto-resistive head

Номер патента: US20100103564A1. Автор: Koichi Nishioka,Hiroaki Chihaya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-29.

Magneto-resistive effect element having spacer layer containing gallium oxide, partially oxidized copper

Номер патента: US20120237796A1. Автор: Yoshihiro Tsuchiya,Tsutomu Chou,Hironobu Matsuzawa,Hayato Koike. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2012-09-20.

CPP magneto-resistive effect device utilizing an anti-oxidizing layer as part of the spacer layer in a thin-film magnetic head usable in a head gimbal assembly in a hard disk system

Номер патента: US7885042B2. Автор: Kei Hirata,Koji Shimazawa,Yoshihiro Tsuchiya,Tomohito Mizuno. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2011-02-08.

Method for compensating for track shift during servo control of a magneto resistive head

Номер патента: US6034836A. Автор: Hae-Jung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-03-07.

Method and circuitry to suppress additive disturbances in data channels containing magneto-resistive sensors

Номер патента: CA1330832C. Автор: Stephen A. Jove,Klaas B. Klaassen,Jacobus C. L. Van Peppen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1994-07-19.

Variable dynamic range magneto-resistive head

Номер патента: US4141051A. Автор: Karel E. Kuijk,Frederik W. Gorter,Jan A. L. Potgiesser. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1979-02-20.

Method using matched filters for determining head positioner micro-jog in hard disk drive employing magneto-resistive heads

Номер патента: US5691857A. Автор: James Fitzpatrick,Xiaodong Che. Владелец: Quantum Corp. Дата публикации: 1997-11-25.

Magneto-resistive effect element with recessed antiferromagnetic layer

Номер патента: US20160293188A1. Автор: Takayasu Kanaya,Satoshi Miura,Naomichi Degawa,Kenzo Makino. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Magneto-resistive effect device of the cpp structure and magnetic disk system

Номер патента: US20090109577A1. Автор: Hiroshi Yamazaki,Naoki Ohta. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2009-04-30.

Resistive memory

Номер патента: US8450716B2. Автор: Bao Tran. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-05-28.

Magneto-resistive angle sensor and sensor system using the same

Номер патента: US09435662B2. Автор: Udo Ausserlechner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-09-06.

Multi-axis magneto-resistance sensor package

Номер патента: US09995600B2. Автор: Peter William Lorraine,Kaustubh Ravindra Nagarkar. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2018-06-12.

Method for producing magneto-resistive effect element, magnetic sensor, rotation-angle detection device

Номер патента: US09488702B2. Автор: Hiroyuki Hoshiya,Kenichi Meguro,Yasunori Abe,Keizou Katou. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Method and device for measuring a magnetic field and the temperature of a magneto-resistive transducer

Номер патента: US09541612B2. Автор: Frederic Auzas,Bertrand Delaet,Sylvain Bacquet. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-01-10.

Method for detecting and compensating a stray magnetic field when determining a rotation angle of a rotatable element by means of a magneto-resistive sensor system and magneto-resistive sensor system

Номер патента: US20230258742A1. Автор: Jean DOUCEMENT. Владелец: Hella GmbH and Co KGaA. Дата публикации: 2023-08-17.

Magneto-resistive layered system and sensitive element on basis of such a layered system

Номер патента: RU2316783C2. Автор: ЗИГЛЕ Хенрик,РАБЕ Майк,МАЙ Ульрих. Владелец: Роберт Бош Гмбх. Дата публикации: 2008-02-10.

Magneto-resistive position detection apparatus

Номер патента: EP1242789A1. Автор: Jay R. Goetz,Edgar R. Mallison. Владелец: Honeywell Inc. Дата публикации: 2002-09-25.

Multi-axis magneto-resistance sensor package

Номер патента: AU2016216599B2. Автор: Peter William Lorraine,Kaustubh Ravindra Nagarkar. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2020-08-06.

Multi-axis magneto-resistance sensor package

Номер патента: CA2939710C. Автор: Peter William Lorraine,Kaustubh Ravindra Nagarkar. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2023-10-10.

Manufacturing method of magneto-resistance effect element

Номер патента: US20110256642A1. Автор: Eiji Ozaki,Hiroshi Akasaka,Naoko Matsui. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2011-10-20.

Magneto-resistive signal isolator

Номер патента: WO2001050308A2. Автор: Hong Wan,Jay R. Goetz. Владелец: Honeywell Inc.. Дата публикации: 2001-07-12.

Device based on a magneto-resistive mixed sensor without low frequency noise and associated method

Номер патента: US20100164490A1. Автор: Claude Fermon,Myriam Pannetier-Lecoeur,Hedwige Polovy. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2010-07-01.

Magneto-resistive angle sensor system and a vehicle comprising a magneto-resistive angle sensor system

Номер патента: US20220187054A1. Автор: Hyun Jeong Kim,Joo ll PARK,Sehwan KIM. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-06-16.

Magneto-resistive angle sensor system and a vehicle comprising a magneto-resistive angle sensor system

Номер патента: US11719528B2. Автор: Hyun Jeong Kim,Sehwan KIM,Joo Il Park. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-08-08.

Rotor position determination system with magneto-resistive sensors

Номер патента: US09809303B2. Автор: Troy C. Schank. Владелец: BELL HELICOPTER TEXTRON INC. Дата публикации: 2017-11-07.

Method for evaluating the deterioration of magneto-resistive effect device

Номер патента: US20090080491A1. Автор: Naoki Ohta,Yosuke Antoku,Takumi YANAGISAWA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2009-03-26.

Tunneling magneto-resistive device with set/reset and offset straps

Номер патента: US09417297B2. Автор: Aravind Padmanabhan,Perry Holman. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Measuring device with magneto-resistive electrodes, and measuring method

Номер патента: US6724186B2. Автор: Pascal Jordil. Владелец: Brown and Sharpe Tesa SA. Дата публикации: 2004-04-20.

Use of magneto-resistive sensors for borehole logging

Номер патента: CA2396764A1. Автор: Helmut Lechen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-10.

Magneto-resistive field effect transistor

Номер патента: WO2014199144A1. Автор: Daniel Anthony Allwood,Hadi Rasam Alqahtani,Matthew Thomas BRYAN,Martin Friedrich GRELL. Владелец: THE UNIVERSITY OF SHEFFIELD. Дата публикации: 2014-12-18.

A magneto-resistive magnetic field sensor

Номер патента: WO1997047982A3. Автор: Martinus Adela Maria Gijs,Cornelis Marinus Schep. Владелец: Philips Norden Ab. Дата публикации: 1998-02-19.

Barrier layers for anisotropic magneto-resistive sensors

Номер патента: US20240102830A1. Автор: Fuchao Wang,William French,Erika Mazotti,Ricky A. Jackson. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Method and apparatus for detecting presence of vehicle using a magnetic sensor employing a magneto-resistive effect

Номер патента: US20080243366A1. Автор: Karric Kwong,Robert Kavaler. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-10-02.

Manufacturing method of magneto-resistance effect element

Номер патента: US8465990B2. Автор: Eiji Ozaki,Hiroshi Akasaka,Naoko Matsui. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2013-06-18.

Magneto-resistance effect element

Номер патента: US5702834A. Автор: Hiroshi Sakakima,Hiroshi Takeuchi,Mitsuo Satomi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1997-12-30.

Magneto-resistive magnetic field detector

Номер патента: KR950019763A. Автор: 장 마르 쿠텔리에,니꼴라 블랑쉐르,띠에뤼 발레. Владелец: 똥송 세 에스 에프. Дата публикации: 1995-07-24.

Constant flux magneto resistive magnetic reluctance sensing apparatus

Номер патента: US4668913A. Автор: Albert W. Vinal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1987-05-26.

System and method for suppressing low frequency magnetic noise in magneto-resistive sensors

Номер патента: US20230366955A1. Автор: Claude Fermon,Myriam Pannetier-Lecoeur,Paolo Bortolotti,Aurelie Solignac,Vincent Cros,Mafalda JOTTA GARCIA,Julien Moulin,Steffen WITTROCK. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-11-16.

Tunnel magneto-resistive (TMR) sensor with perpendicular magnetic tunneling junction (p-MTJ) structures

Номер патента: US11791083B2. Автор: Kazutaka Yamane,Vinayak Bharat Naik,Hemant M. Dixit,Eng-Huat TOH. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Integrated circuit including magneto-resistive structures

Номер патента: US20090058402A1. Автор: Jürgen Zimmer,Klemens Prügl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2009-03-05.

Systems and methods for dynamic memory allocation of fault resistant memory (FRM)

Номер патента: US09471231B2. Автор: Krishnaprasad Koladi,Kiran Kumar Devarapalli,Jagadeesha Bollandoor,Robert J. Volentine. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2016-10-18.

Methods and apparatus for updating data in passive variable resistive memory

Номер патента: WO2012138700A2. Автор: Lisa Hsu,Brad BECKMANN. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2012-10-11.

Methods and apparatus for updating data in passive variable resistive memory

Номер патента: EP2695068A2. Автор: Lisa Hsu,Brad BECKMANN. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2014-02-12.

Resistive memory circuit for liquid state machine with temporal classifcation

Номер патента: US20240037380A1. Автор: Alex Henderson,Chris Yakopcic,Tarek M. Taha. Владелец: University of Dayton. Дата публикации: 2024-02-01.

Memory device and memory device controlling apparatus

Номер патента: US20100017541A1. Автор: Hideaki Yamashita,Takeshi Ootsuka. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-01-21.

Storage device, control method for partitioning logical memory devices, and medium embodying program for partitioning logical memory devices

Номер патента: US20050278489A1. Автор: Hiroyuki Otani. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2005-12-15.

Hardware latency monitoring for memory device input/output requests

Номер патента: US20240231633A1. Автор: Aviv Kfir,Liron Mula,Oren Duer,Shridhar Rasal. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Runtime selection of memory devices and storage devices in a disaggregated memory system

Номер патента: US20220214805A1. Автор: Richard C. Murphy,Reshmi Basu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-07.

Frequency monitoring for memory devices

Номер патента: WO2022066439A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm,Mark D. INGRAM,Todd Jackson Plum,Scott D. VAN DE GRAAFF. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-03-31.

Method for performing power saving control in a memory device, associated memory device and memory controller thereof, and associated electronic device

Номер патента: US20190377402A1. Автор: Wen-Chi Chao,Kuo-Cyuan Kuo. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Host timeout avoidance in a memory device

Номер патента: US20200004459A1. Автор: David Aaron Palmer,Nadav Grosz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-01-02.

Shared function for multi-port memory device

Номер патента: US20240241823A1. Автор: Marco Redaelli,Gaurav Sinha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Temperature monitoring for memory devices

Номер патента: US20240256187A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm,Mark D. INGRAM,Todd Jackson Plum,Scott D. VAN DE GRAAFF. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Runtime selection of memory devices and storage devices in a disaggregated memory system

Номер патента: US11762553B2. Автор: Richard C. Murphy,Reshmi Basu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Interrupt signaling for a memory device

Номер патента: WO2021126656A1. Автор: Heinz Hoenigschmid,Thomas Hein,Markus Balb. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-24.

Memory device virtualization

Номер патента: US20240289159A1. Автор: Marco Redaelli,Gaurav Sinha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

A Portable Memory Device For Use With An Infusion Device

Номер патента: US20230056279A1. Автор: Joshua Guthermann. Владелец: SANOFI SA. Дата публикации: 2023-02-23.

Method and apparatus for associating optically stored data with a wireless memory device

Номер патента: WO2000048115A1. Автор: Christopher A. Wiklof,H. Sprague Ackley. Владелец: Intermec Ip Corporation. Дата публикации: 2000-08-17.

System, apparatus, and methods for digitally labeling memory devices without affecting data storage

Номер патента: US20240241684A1. Автор: David D. Kwan. Владелец: Memoric Technology LLC. Дата публикации: 2024-07-18.

Interrupt signaling for a memory device

Номер патента: US12099746B2. Автор: Heinz Hoenigschmid,Thomas Hein,Markus Balb. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Storage device, control method for partitioning logical memory devices, and medium embodying program for partitioning logical memory devices

Номер патента: US7430644B2. Автор: Hiroyuki Otani. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2008-09-30.

Memory device health monitoring logic

Номер патента: US20240345932A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm,Mark D. INGRAM,Todd Jackson Plum,Scott D. VAN DE GRAAFF. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Memory device health monitoring logic

Номер патента: WO2024220299A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm,Mark D. INGRAM,Todd Jackson Plum,Scott D. VAN DE GRAAFF. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-10-24.

Method for detecting temperature in a flash memory device and the flash memory device thereof

Номер патента: US20240329850A1. Автор: Akhilesh Kumar Jaiswal,Puneet Kukreja,Vinay Kumar M N. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Secure transfer and tracking of data using removable nonvolatile memory devices

Номер патента: US09647992B2. Автор: Robert D. Widergren,Martin Paul Boliek. Владелец: Mo DV Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Host verification for a memory device

Номер патента: US20240361950A1. Автор: Lance W. Dover,Steffen Buch,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Using memory device sensors

Номер патента: WO2021118712A1. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-17.

Using memory device sensors

Номер патента: EP4073798A1. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-19.

Partitioning of memory device for multi-client computing system

Номер патента: EP2646925A1. Автор: Thomas J. Gibney,Patrick J. Koran. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2013-10-09.

Method for performing access management in a memory device, associated memory device and controller thereof, and associated electronic device

Номер патента: US12038849B2. Автор: Jie-Hao LEE,Cheng-Yu Yu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Address verification for a memory device

Номер патента: WO2021126457A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-24.

Memory device active command tracking

Номер патента: WO2024123886A1. Автор: Horia C. Simionescu,Prateek Sharma,Raja V.S. HALAHARIVI. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-06-13.

Swap memory device providing data and data block, method of operating the same, and method of operating electronic device including the same

Номер патента: US20240152461A1. Автор: Jiwon Lee,Jeonghoon CHOI,Won Woo Ro,Hyoseong Choi. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2024-05-09.

Storage device including nonvolatile memory device and controller

Номер патента: EP4404064A1. Автор: Sangwoo Kim,Yongjun CHO,Changjun LEE,Dayeon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-24.

Cluster namespace for a memory device

Номер патента: US20240231610A9. Автор: Marco Redaelli,Gaurav Sinha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Management of erase suspend and resume operations in memory devices

Номер патента: US20210173580A1. Автор: Suresh Rajgopal,Chandra M. Guda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Management of erase suspend and resume operations in memory devices

Номер патента: WO2021119203A1. Автор: Suresh Rajgopal,Chandra M. Guda. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-17.

File memory device and information processing apparatus using the same

Номер патента: US20010007119A1. Автор: Jun Kitahara,Kunihiro Katayama,Kenichi Kaki,Kazunori Furusawa,Tsunehiro Tobita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-05.

Memory device with cryptographic kill switch

Номер патента: US11726923B2. Автор: Gil Golov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Using memory device sensors

Номер патента: US12066916B2. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Power down of memory device based on hardware reset signal

Номер патента: US20240289035A1. Автор: Steffen Buch,Gianluca Coppola. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory device, system including the same, and operating method of memory device

Номер патента: US20240248850A1. Автор: Daehyun Kim,Jiho Kim,Sukhan Lee,Kijun Lee,Yeonggeol Song,Myungkyu Lee,Kyomin Sohn,Seongmuk Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory device activity-based copying defect management data

Номер патента: US20220019502A1. Автор: Sai Krishna Mylavarapu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Allocating variable media types of memory devices in a memory system

Номер патента: US20190332290A1. Автор: Michael B. Danielson,Paul A. Suhler,James H. Meeker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Allocating variable media types of memory devices in a memory system

Номер патента: US20210173574A1. Автор: Michael B. Danielson,Paul A. Suhler,James H. Meeker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020001173A1. Автор: Shiro Hayano,Kazuyoshi Nishiyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Generating codewords with diverse physical addresses for 3DXP memory devices

Номер патента: US11734190B2. Автор: Jian Huang,Zhenming Zhou. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Track activities of components in endpoints having secure memory devices via identity validation

Номер патента: US12088581B2. Автор: Lance W. Dover,Jeffrey Charles Shiner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Lifespan forecasting of memory devices and predictive device health management

Номер патента: US20240272803A1. Автор: Manjunath Chandrashekaraiah. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory device controlled low temperature thermal throttling

Номер патента: US20240176506A1. Автор: Marco Redaelli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Modifying conditions for memory device error connection operations

Номер патента: US20220050743A1. Автор: Tingjun Xie,Zhenlei Shen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

Metadata communication by a memory device

Номер патента: US20240354028A1. Автор: Matthew A. Prather,Sujeet V. Ayyapureddi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Scheduling operations in non-volatile memory devices using preference values

Номер патента: US09870149B2. Автор: Steven Sprouse,Ryan Marlin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-16.

Utilization of solid state memory devices

Номер патента: US09846661B2. Автор: Shmuel Ur,Mordehai MARGALIT,David Hirshberg,Shimon Gruper,Menahem Kaplan. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2017-12-19.

Protecting a memory device from becoming unusable

Номер патента: US09606853B2. Автор: Nitin V. Sarangdhar,Sudhakar Otturu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Memory device, information-processing device and information-processing method

Номер патента: US09575887B2. Автор: Nobuhiro Kondo,Daisuke Iwai,Shoji Sawamura,Takaya HORIKI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Method for assigning addresses to memory devices

Номер патента: US09552311B2. Автор: Vinod C. Lakhani,Robert D. Norman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Magneto-resistance random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9735351B2. Автор: Yongsun Ko,Wonjun Lee,Changkyu LEE,Shinhee Han,Inseak Hwang,Hyunchul SHIN,Jinhye Bae,Yoonsung HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device, magneto-resistive random-access memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: TWI727351B. Автор: 繼鋒應,林燦,李乾銘. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2021-05-11.

MAGNETO-RESISTANCE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20170092850A1. Автор: Lee Wonjun,KO Yongsun,HAN SHINHEE,Bae Jinhye,HWANG lnseak,HAN Yoonsung,LEE Changkyu,SHIN Hyunchul. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-30.

Integration of Magneto-Resistive Random Access Memory and Capacitor

Номер патента: US20180350877A1. Автор: Chung-Cheng Chou,Tien-Wei Chiang,Ya-Chen Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-12-06.

Magneto-resistive memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US7129534B2. Автор: Mark E. Tuttle. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-10-31.

Magneto resistive memory device

Номер патента: EP3945609A1. Автор: Witold Kula,Marc Drouard,Sylvain Martin. Владелец: Antaios SAS. Дата публикации: 2022-02-02.

Integration of Magneto-Resistive Random Access Memory and Capacitor

Номер патента: US20140264463A1. Автор: Chung-Cheng Chou,Tien-Wei Chiang,Ya-Chen Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-09-18.

Semiconductor device including magneto-resistive device

Номер патента: US09583534B2. Автор: Yong-kyu Lee,Bo-Young Seo,Choong-Jae Lee,Aliaksei IVANIUKOVICH,Hong-Kook Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Magneto-resistive chip package including shielding structure

Номер патента: US10074799B2. Автор: Young-Jae Kim,Baik-Woo Lee,Jae-gwon JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-09-11.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20120326251A1. Автор: Koji Yamakawa,Yasuyuki Sonoda,Daisuke Ikeno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-12-27.

Broad band frequency doubler and limiter utilizing magneto-resistive effect in a rotating magnetic field

Номер патента: US3771044A. Автор: L Cohen,B Shortt,M Urban. Владелец: GTE Laboratories Inc. Дата публикации: 1973-11-06.

Standard cell arrangement for a magneto-resistive component

Номер патента: US20040240258A1. Автор: Joachim Bangert. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2004-12-02.

Standardzellenanordung für ein magneto-resistives bauelement

Номер патента: EP1479166A2. Автор: Joachim Bangert. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2004-11-24.

Magneto-resistive element and method of manufacturing the magneto-resistive element

Номер патента: US20230389444A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Zhenyao TANG. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device including magneto-resistive device

Номер патента: US20160126289A1. Автор: Yong-kyu Lee,Bo-Young Seo,Choong-Jae Lee,Aliaksei IVANIUKOVICH,Hong-Kook Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-05.

Magneto-resistive random access memory with tapered sidewalls

Номер патента: US20230403944A1. Автор: Chih-Chao Yang,Koichi Motoyama,Oscar van der Strate. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Resistive switching memory devices and method(s) for forming the resistive switching memory devices

Номер патента: US12075712B2. Автор: Sundar Narayanan,Natividad VASQUEZ, JR.,Wee Chen Gan. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Resistive memory device and method of operating resistive memory device

Номер патента: US09450025B2. Автор: Jung-Dal Choi,Seung-Jae Jung,Youn-Seon Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Magneto-resistive sinusoidal commutation

Номер патента: US20220021280A1. Автор: Jordan James McBain. Владелец: Cool Mechatronics. Дата публикации: 2022-01-20.

Magneto resistive element and magnetic memory

Номер патента: US20230068442A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Zhenyao TANG. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-03-02.

Sidewall insulated resistive memory devices

Номер патента: US20180301507A1. Автор: Daniel Bedau. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-10-18.

Selective growth of seed layer for magneto-resistive random access memory

Номер патента: US10355204B2. Автор: Eugene J. O'Sullivan,Chandrasekharan Kothandaraman,Anthony J. Annunziata,Nathan P. Marchack. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-16.

Tunnel magneto-resistance element manufacturing apparatus

Номер патента: US20140353149A1. Автор: Koji Tsunekawa,Shigeo Kaneko,Eisaku Watanabe,Kazumasa Nishimura,Takuya Seino. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2014-12-04.

Magneto resistive element

Номер патента: US20230309415A1. Автор: Tomoyuki Sasaki,Katsuyuki Nakada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Variable resistance memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210167130A1. Автор: Seulji SONG,Kyusul PARK,Woohyun Park,Ilmok Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-03.

Complementary metal oxide heterojunction memory devices and methods related thereto

Номер патента: US09634247B2. Автор: Dongmin Chen,Lee Cleveland,Seshubabu Desu,Kurt Pfluger,Jean Yang-Scharlotta. Владелец: 4D S Pty Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Resistive memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230337556A1. Автор: Chuan-Fu Wang,Shu-Hung Yu,Chun-hung Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Resistive memory device

Номер патента: US09728721B2. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Yuan Sun,Elgin Kiok Boone Quek,Xuan Anh TRAN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Variable resistance memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200219934A1. Автор: ByeongJu Bae,Duckhee Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-09.

Resistive memory device having field enhanced features

Номер патента: US09997703B2. Автор: Zhang-Lin Zhou,Xia Sheng,Si-Ty Lam,Richard H. Henze. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-06-12.

Methods for fabricating resistive memory device switching material using ion implantation

Номер патента: US09583701B1. Автор: Steven Patrick MAXWELL,Natividad VASQUEZ, JR.,Harry Yue Gee,Mark Harold CLARK. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Resistive memory elements, resistive memory cells, and resistive memory devices

Номер патента: US09419220B2. Автор: John K. Zahurak,D. V. Nirmal Ramaswamy,Muralikrishnan Balakrishnan,Sanh D. Tang,Alessandro Torsi,Xiaonan Chen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Beveled magneto-resistive random access memory pillar structure

Номер патента: US20230422630A1. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Praneet Adusumilli. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Resistive memory device and manufacturing method

Номер патента: US20240237561A9. Автор: Christelle Charpin-Nicolle,Serge Blonkowski,Remy Gassilloud,Thomas Magis. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-07-11.

Variable resistance memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09812501B2. Автор: Jin-Woo Lee,Masayuki Terai,Seung-Jae Jung,Youn-Seon Kang,Hyun-Su Ju. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Variable resistance memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09685609B2. Автор: Seung-Jae Jung,Youn-Seon Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US8860003B2. Автор: Jae Min Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-14.

Variable resistance memory device

Номер патента: US09490299B2. Автор: Hyun Min Lee,Han Woo Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Variable resistance memory devices

Номер патента: US20200243764A1. Автор: Masayuki Terai,You-Jin Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-30.

Resistive memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140061571A1. Автор: Hyo Seob Yoon,Han Woo Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-03-06.

Resistive memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US8916949B2. Автор: Hyo Seob Yoon,Han Woo Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-12-23.

Variable resistance memory device

Номер патента: US12063876B2. Автор: Youngjin Cho,Jinhong Kim,Doyoon KIM,Seyun KIM,Soichiro Mizusaki,Yumin KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US8980683B2. Автор: Min Yong Lee,JONG CHUL LEE,Young Ho Lee,Seung Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-03-17.

Methods of Forming Resistive Memory Devices

Номер патента: US20100233849A1. Автор: Hyun-Jun Sim,Jang Eun Lee,Jun-Ho Jeong,Se-Chung Oh,Kyung-Tae Nam,Dae-Kyom Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-09-16.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US8890104B2. Автор: Min Yong Lee,JONG CHUL LEE,Young Ho Lee,Seung Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-11-18.

Variable resistance memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20140103283A1. Автор: Kwon Hong,Kee-Jeung Lee,Beom-Yong Kim,Woo-young Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-04-17.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20130228733A1. Автор: Min Yong Lee,JONG CHUL LEE,Young Ho Lee,Seung Beom Baek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-05.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20140322886A1. Автор: Min Yong Lee,JONG CHUL LEE,Young Ho Lee,Seung Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-30.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09985204B2. Автор: Jinwoo Lee,Jeonghee Park,Zhe Wu,Dongho Ahn,Heeju Shin,Ja Bin LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-29.

In-array magnetic shield for spin-transfer torque magneto-resistive random access memory

Номер патента: WO2023006411A1. Автор: Heng Wu,Dimitri Houssameddine,Karthik Yogendra,Saba Zare. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-02-02.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US10847721B2. Автор: Hyangkeun YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-11-24.

Resistive random access memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20240260490A1. Автор: Chuan-Fu Wang,Wen-Jen Wang,Yu-Huan Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Variable resistance memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200111954A1. Автор: Jaeho Jung,Young-Min Ko,Jonguk KIM,Byongju Kim,Dongsung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-09.

Variable resistance memory device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US09768232B2. Автор: Sung-Ho Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device having vertical channel, resistive memory device including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150236126A1. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-08-20.

Tunable variable resistance memory device

Номер патента: US09583699B2. Автор: Kristy A. Campbell. Владелец: BOISE STATE UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-02-28.

Resistive three-dimensional memory device with heterostructure semiconductor local bit line and method of making thereof

Номер патента: US09818801B1. Автор: Peter Rabkin,Christopher J. Petti,Masaaki Higashitani,Perumal Ratnam. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-11-14.

Resistive memory with varying dopant concentration in select transistor channel

Номер патента: US09997570B2. Автор: Tomonori KUROSAWA,Shuichi Toriyama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Variable resistance memory device

Номер патента: US20230337555A1. Автор: Youngjin Cho,Jinhong Kim,Seyun KIM,Soichiro Mizusaki,Jungho YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Variable resistance memory device having an anti-oxidation layer and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20220209103A1. Автор: Sanghoon Ahn,Jeonghee Park,Kihyun Hwang,Oik Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-30.

Variable resistance memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220013722A1. Автор: Jaeho Jung,Jonguk KIM,Kwangmin Park,Dongsung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-13.

Variable resistance material and variable resistance memory device including the same

Номер патента: US20240237564A1. Автор: Hideki Horii,Zhe Wu,Jung Moo Lee,Sukhwan Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for manufacturing a resistive random access memory device

Номер патента: US20170047514A1. Автор: Yu-Yu Lin,Feng-Min Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-16.

Three-dimensional resistive memory device

Номер патента: US11744087B2. Автор: Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Variable resistive memory device

Номер патента: US20180358557A1. Автор: Sug-Woo Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-12-13.

Variable resistive memory device

Номер патента: US10305037B2. Автор: Sug-Woo Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-28.

Resistive memory device and method for manufacturing with protrusion of electrode

Номер патента: US12041860B2. Автор: Yu-Der Chih,Yun-sheng Chen,Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King,Jonathan Tsung-Yung Chang,Wen-Zhang Lin,Cheng-Jun LIN,Wang-Yi Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Resistive memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240324474A1. Автор: Yu-Der Chih,Yun-sheng Chen,Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King,Jonathan Tsung-Yung Chang,Wen-Zhang Lin,Cheng-Jun LIN,Wang-Yi Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Variable resistance memory devices

Номер патента: US20210167285A1. Автор: Hideki Horii,Jungmoo LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-03.

Resistive memory device and preparation method thereof

Номер патента: US20230008157A1. Автор: WEI CHANG,XIAOGUANG WANG,Jiefang DENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Variable resistance memory device

Номер патента: US20210399220A1. Автор: Seunghan Yoo,Juhyun Moon,Youngju Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-23.

Method for manufacturing a resistive random access memory device

Номер патента: US09871198B2. Автор: Yu-Yu Lin,Feng-Min Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Resistive memory devices with an oxygen-supplying layer

Номер патента: US09847482B2. Автор: Hans S. Cho. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-12-19.

Resistive memory device and fabrication methods

Номер патента: US09673255B2. Автор: Kuk-Hwan Kim,Tanmay Kumar,Sung Hyun Jo. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Resistive memory device with ring-shaped metal oxide on top surfaces of ring-shaped metal layer and barrier layer

Номер патента: US09455402B2. Автор: Kuang-Hao Chiang,Yu-Yu Lin,Feng-Min Lee,Ming-Hsiu Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Resistive memory device with meshed electrodes

Номер патента: US11063089B2. Автор: Chih-Chao Yang,Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO,Takashi Ando. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-07-13.

Resistive memory device with meshed electrodes

Номер патента: US20200111838A1. Автор: Chih-Chao Yang,Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO,Takashi Ando. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-09.

Resistive memory device with meshed electrodes

Номер патента: US20200111837A1. Автор: Chih-Chao Yang,Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO,Takashi Ando. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-09.

Resistive memory structure with buffer layer

Номер патента: US20090020740A1. Автор: Kuo-Pin Chang,Erh-Kun Lai,Wei-Chih Chien,Kuang Yeu Hsieh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-22.

Variable resistive memory device

Номер патента: US20180061891A1. Автор: Young Hee YOON,Eun Jeong KWAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

Nanochannel array of nanowires for resistive memory devices

Номер патента: US09508928B2. Автор: Shih-Yuan Wang,Jianhua Yang. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2016-11-29.

Variable resistance memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210126194A1. Автор: Jaeho Jung,Jonguk KIM,Kwangmin Park,Dongsung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-29.

Variable resistance memory devices

Номер патента: US20200052038A1. Автор: Jong-Uk Kim,Jeong-hee Park,Young-Min Ko,Kwangmin Park,Byongju Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-13.

Memory devices

Номер патента: US9773842B2. Автор: Bo-Lun Wu,Kao-Tsair Tsai,Ting-Ying SHEN,Tso-Hua HUNG,Hsaio-Yu LIN. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Resistive memory device

Номер патента: US11930646B2. Автор: Jeonghee Park,Jonguk KIM,ByeongJu Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-12.

Variable resistance memory device

Номер патента: US11895850B2. Автор: Min Chul Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-06.

Resistive memory device by substrate reduction

Номер патента: US20180308900A1. Автор: Daniel Bedau. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-10-25.

Resistive memory structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230354724A1. Автор: Chuan-Fu Wang,Wen-Jen Wang,Chun-hung Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Variable resistance memory device

Номер патента: US20200111835A1. Автор: Masayuki Terai,Junghyun Cho,You-Jin Jung,Jinchan Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-09.

Resistive memory device

Номер патента: US20160028009A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Yuan Sun,Elgin Kiok Boone Quek,Xuan Anh TRAN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-01-28.

Memory devices

Номер патента: US20210313397A1. Автор: Jinwoo Lee,Zhe Wu,Kwangmin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20190288038A1. Автор: Jung-Hoon Park,Sung-Ho Eun,Seul-ji SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-19.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20190140021A1. Автор: Jung-Hoon Park,Sung-Ho Eun,Seul-ji SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-09.

Structure and method to fabricate resistive memory with vertical pre-determined filament

Номер патента: US20210343938A1. Автор: Kangguo Cheng,ChoongHyun Lee,Ruilong Xie,Chanro Park. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-11-04.

Structure and method to fabricate resistive memory with vertical pre-determined filament

Номер патента: US11937521B2. Автор: Kangguo Cheng,ChoongHyun Lee,Ruilong Xie,Chanro Park. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-19.

Resistive memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240107902A1. Автор: Chuan-Fu Wang,Wen-Jen Wang,Yu-Huan Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Variable resistance memory device

Номер патента: US20200006434A1. Автор: Yoosang Hwang,Kiseok LEE,Hui-jung Kim,Keunnam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-02.

Variable resistance memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20160197121A1. Автор: Jin-Woo Lee,Masayuki Terai,Seung-Jae Jung,Hyun-Su Ju,Youn-Sean KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-07.

Variable resistance memory device

Номер патента: US20210159277A1. Автор: Yoosang Hwang,Kiseok LEE,Hui-jung Kim,Keunnam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-27.

Resistive memory device and manufacturing method

Номер патента: US20240138273A1. Автор: Christelle Charpin-Nicolle,Serge Blonkowski,Remy Gassilloud,Thomas Magis. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-04-25.

Elementary cell comprising a resistive memory and associated method of initialization

Номер патента: US11711988B2. Автор: Anthonin Verdy. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-07-25.

Variable resistance memory device and electronic device including the same

Номер патента: EP4326029A2. Автор: Jinwoo Lee,Garam Park,Myunghun Woo,Seyun KIM,Sunho Kim,Hyunjae SONG,Dongho Ahn,Yumin KIM,Seungyeul YANG,Jooheon Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-21.

Variable resistance memory device and electronic device including the same

Номер патента: US20240065001A1. Автор: Jinwoo Lee,Garam Park,Myunghun Woo,Seyun KIM,Sunho Kim,Hyunjae SONG,Dongho Ahn,Yumin KIM,Seungyeul YANG,Jooheon Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-22.

Variable resistance memory device and electronic device including the same

Номер патента: EP4326029A3. Автор: Jinwoo Lee,Garam Park,Myunghun Woo,Seyun KIM,Sunho Kim,Hyunjae SONG,Dongho Ahn,Yumin KIM,Seungyeul YANG,Jooheon Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-27.

Variable resistance memory device with variable resistance material layer

Номер патента: US9935267B2. Автор: Min Seok Kim,Hyo Seob Yoon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Resistive memory device including a lateral air gap around a memory element and method of making thereof

Номер патента: WO2018186940A1. Автор: Federico Nardi,Chu-Chen Fu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-10-11.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20130313504A1. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-11-28.

Manufacturing method of resistive memory device

Номер патента: US11832536B2. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Variable resistance memory device including silicon capping pattern

Номер патента: US11171287B2. Автор: Jong-Uk Kim,Jeong-hee Park,Young-Min Ko,Kwang-Min Park,Byong-ju Kim,Dong-Sung CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-09.

Resistive memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230389338A1. Автор: In Ku Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Dual layer dielectric liner for resistive memory devices

Номер патента: US11495742B2. Автор: Juan Boon Tan,Tu Pei Chen,Jian Xun Sun. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-11-08.

Variable resistance memory devices

Номер патента: US20210183950A1. Автор: Junghyun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-17.

Resistive memory devices having laser-induced graphene composites and methods of making same

Номер патента: US20220055904A1. Автор: Amit Kumar THAKUR,Michael G. Stanford,Christopher John ARNUSCH,Steven E. Presutti,James Mitchell Tour,Swatantra Pratap SINGH,Duy X. LUONG,Kaichun Yang,John T. Li. Владелец: BG Negev Technologies and Applications Ltd. Дата публикации: 2022-02-24.

Resistive memory cell structures and methods

Номер патента: US20160307965A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Fabio Pellizzer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-20.

Resistive memory cell structures and methods

Номер патента: US20180108708A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Fabio Pellizzer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-19.

Resistive memory cell structures and methods

Номер патента: US20180323238A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Fabio Pellizzer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-11-08.

Resistive memory cell structures and methods

Номер патента: EP2805351A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Fabio Pellizzer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-11-26.

Resistive memory cell structures and methods

Номер патента: US20150333104A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Fabio Pellizzer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-11-19.

Resistive memory cell structures and methods

Номер патента: WO2013109920A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Fabio Pellizzer. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-07-25.

Resistive memory cell having a reduced conductive path area

Номер патента: EP3108512A1. Автор: Paul Fest,James Walls. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-28.

Resistive memory cell having a reduced conductive path area

Номер патента: WO2015126870A1. Автор: Paul Fest,James Walls. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2015-08-27.

Resistive memory cell structures and methods

Номер патента: US09935154B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Fabio Pellizzer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Resistive memory cell having a reduced conductive path area

Номер патента: US09917251B2. Автор: Paul Fest,James Walls. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Resistive memory cell having a single bottom electrode and two top electrodes

Номер патента: US09865814B2. Автор: Paul Fest,James Walls. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Reversible resistivity memory with crystalline silicon bit line

Номер патента: US09685484B1. Автор: Peter Rabkin,Masaaki Higashitani,Perumal Ratnam,Chris Petti. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-06-20.

Resistive memory cell structures and methods

Номер патента: US09419056B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Fabio Pellizzer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Resistive memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20150207068A1. Автор: Yong Seok Lee,Hyo Seob Yoon,Han Woo Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-07-23.

Vertical resistive memory device with embedded selectors

Номер патента: US20210167128A1. Автор: CHENG Chi,Takashi Ando,Praneet Adusumilli,Reinaldo Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Resistive memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220059762A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Layer stacks for a resistive memory element

Номер патента: US20240268241A1. Автор: Yongshun SUN,Juan Boon Tan,Kai Kang,Wanbing YI,Curtis Chun-I HSIEH,Eng-Huat TOH. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Layer stacks for a resistive memory element

Номер патента: EP4412425A1. Автор: Yongshun SUN,Juan Boon Tan,Kai Kang,Wanbing YI,Curtis Chun-I HSIEH,Eng-Huat TOH. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-08-07.

Resistive memory with small electrode and method for fabricating the same

Номер патента: US20150021539A1. Автор: Jun Mao,Yimao Cai,Ru Huang,Yue Pan,Yinglong Huang,Shenghu Tan. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-01-22.

Resistive memory elements having conductive islands embedded within the switching layer

Номер патента: US20220069013A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Desmond Jia Jun Loy. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-03-03.

Method for forming resistive memory cell having a spacer region under an electrolyte region and a top electrode

Номер патента: US09865813B2. Автор: Paul Fest. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device including a resistive memory layer and method of manufacturing the same including the cleaning of byproducts

Номер патента: US09748481B2. Автор: Gyu Hyun Kim,Dae Won Kim,Byoung ki Lee,Han Woo Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Nanoparticle-based resistive memory device and methods for manufacturing the same

Номер патента: US10290804B2. Автор: Lei Wan,Jeffrey Lille,Derek Stewart,Bruce Terris,Mac D. Apodaca,Ricardo Ruiz. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-05-14.

Tunable Variable Resistance Memory Device

Номер патента: US20160351801A1. Автор: Kristy A. Campbell. Владелец: BOISE STATE UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-12-01.

Confining filament at pillar center for memory devices

Номер патента: US20200328346A1. Автор: Takashi Ando,Kangguo Cheng,Juntao Li,Dexin Kong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-15.

Phase changeable memory device and semiconductor integrated circuit device including the same

Номер патента: US20190181335A1. Автор: Chang Soo Woo,Dong Yean Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-06-13.

Confining filament at pillar center for memory devices

Номер патента: US11937522B2. Автор: Takashi Ando,Kangguo Cheng,Juntao Li,Dexin Kong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-19.

Phase-change resistive memory

Номер патента: US20200243766A1. Автор: Gabriele Navarro. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2020-07-30.

Variable resistance memory

Номер патента: US8969846B2. Автор: Hirohisa Kawasaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-03.

Variable resistance memory

Номер патента: US8809830B2. Автор: Hirohisa Kawasaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-19.

A calculation method and device for elliptic curve digital signature to resist memory disclosure attacks

Номер патента: US20230254160A1. Автор: Li Song,Wei Wang,Jingqiang LIN,Qiongxiao WANG,Yuo FU. Владелец: Data Assurance and Communication Security Research Center of CAS. Дата публикации: 2023-08-10.

Resistance memory element and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110073833A1. Автор: Hiroyasu Kawano,Mizuhisa Nihei. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2011-03-31.

Method for making tapered opening for programmable resistance memory element

Номер патента: WO2004086459A2. Автор: John Rodgers,Jon Maimon. Владелец: Ovonyx, Inc.. Дата публикации: 2004-10-07.

Resistive memory having confined filament formation

Номер патента: US09722178B2. Автор: Jun Liu,Eugene P. Marsh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Resistive memory having confined filament formation

Номер патента: US09406880B2. Автор: Jun Liu,Eugene P. Marsh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-02.

Variable resistance memory device with shunt gate connected to corresponding gate

Номер патента: US9620566B2. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Resistance memory device

Номер патента: US9012880B2. Автор: Wen-Yueh Jang,Ming-Chung Chiang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2015-04-21.

Method of fabricating a variable resistance memory device

Номер патента: US11482670B2. Автор: Jiho Park,Jeonghee Park,Kwangmin Park,Changyup Park,Sukhwan Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-25.

Resistive memory device and method of forming

Номер патента: WO2023183473A1. Автор: Takashi Ando,Hiroyuki Miyazoe,Qingyun Yang,Devi Koty. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2023-09-28.

Variable resistance memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190123277A1. Автор: Ji-Hyun Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-25.

Manufacturing method of resistive memory device

Номер патента: US11778930B2. Автор: Chih-Chien Huang,Wen Yi Tan,Yunfei Fu,Yuheng Liu,Kuo Liang Huang. Владелец: United Semiconductor Xiamen Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Variable resistance memory device

Номер патента: US20200350497A1. Автор: Youngjin Cho,Soichiro Mizusaki,Jungho YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-05.

Resistive memory and methods of processing resistive memory

Номер патента: US20130009127A1. Автор: David H. Wells. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-01-10.

Resistive memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230240156A1. Автор: Yu-Der Chih,Yun-sheng Chen,Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King,Jonathan Tsung-Yung Chang,Wen-Zhang Lin,Cheng-Jun LIN,Wang-Yi Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Resistive memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230301216A1. Автор: Tae Woo Kim. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Variable resistance memory device having an anti-oxidation layer and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20200119259A1. Автор: Sanghoon Ahn,Jeonghee Park,Kihyun Hwang,Oik Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-16.

Resistive memory device and method of forming

Номер патента: US20230329127A1. Автор: Takashi Ando,Hiroyuki Miyazoe,Qingyun Yang,Devi Koty. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Variable resistance memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11856872B2. Автор: Jaeho Jung,Jonguk KIM,Kwangmin Park,Dongsung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-26.

Variable resistance memory device

Номер патента: US20210202833A1. Автор: Youngjin Cho,Jinhong Kim,Seyun KIM,Soichiro Mizusaki,Jungho YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-01.

Variable resistance memory device

Номер патента: US20210202840A1. Автор: Youngjin Cho,Jinhong Kim,Seyun KIM,Soichiro Mizusaki,Jungho YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-01.

Method of fabricating a variable resistance memory device

Номер патента: US20210104669A1. Автор: Jiho Park,Jeonghee Park,Kwangmin Park,Changyup Park,Sukhwan Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-08.

Resistive memory device

Номер патента: US20240188306A1. Автор: Chuan-Fu Wang,Hsiang-Hung Peng,Wen-Jen Wang,Yu-Huan Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Variable resistance memory device

Номер патента: US20230078373A1. Автор: Youngjin Cho,Jinhong Kim,Seyun KIM,Soichiro Mizusaki,Jungho YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Method for fabricating variable resistance memory device

Номер патента: US20120289020A1. Автор: Ki-hong Lee,Beom-Yong Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-11-15.

Variable resistance memory device and electronic apparatus including the same

Номер патента: US20240196763A1. Автор: Jinwoo Lee,Garam Park,Seyun KIM,Hyunjae SONG,Yumin KIM,Seungyeul YANG,Jooheon Kang,Seungdam HYUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Variable resistance memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20210028357A1. Автор: Jinwook Yang,Gyuhwan Oh,Yongjin PARK,Jiyoon Chung,Junhwan PAIK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-28.

Method for manufacturing a microelectronic device integrating a physical unclonable function provided by resistive memories, and said device

Номер патента: US11444040B2. Автор: Florian Pebay-Peyroula,Christelle Charpin-Nicolle. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2022-09-13.

Method for manufacturing a microelectronic device integrating a physical unclonable function provided by resistive memories, and said device

Номер патента: US20210091014A1. Автор: Florian Pebay-Peyroula,Christelle Charpin-Nicolle. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2021-03-25.

Ultra high density resistive memory structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20130221313A1. Автор: ChiaHua Ho,Ming-Daou Lee,Wen-Cheng Chiu,Cho-Lun HSU. Владелец: NATIONAL APPLIED RESEARCH LABORATORIES. Дата публикации: 2013-08-29.

Resistive memory and methods of processing resistive memory

Номер патента: WO2011097008A3. Автор: Gurtej S. Sandhu,John A. Smythe Iii. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2011-11-17.

Resistive memory with amorphous silicon filaments

Номер патента: US20190198757A1. Автор: Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-27.

Resistive memory device and production method

Номер патента: US20230060860A1. Автор: Mathieu Bernard,Christelle Charpin-Nicolle,Remy Gassilloud,Thomas Magis. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-03-02.

Resistive Memory Cell Having A Reduced Conductive Path Area

Номер патента: US20160190442A1. Автор: Paul Fest,James Walls. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2016-06-30.

Resistive memory with amorphous silicon filaments

Номер патента: US20190189918A1. Автор: Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-20.

Resistive memory elements accessed by bipolar junction transistors

Номер патента: US20240147736A1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Alexander Derrickson,Hongru Ren. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Resistive memory cell having a reduced conductive path area

Номер патента: WO2015126861A1. Автор: Paul Fest,James Walls. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2015-08-27.

Resistive memory cell having a reduced conductive path area

Номер патента: EP3108514A1. Автор: Paul Fest,James Walls. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-28.

Multifilament resistive memory with insulation layers

Номер патента: US20240090350A1. Автор: Takashi Ando,John Rozen,Eduard Albert Cartier,Paul Michael Solomon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Resistive memory

Номер патента: US11793094B2. Автор: Po-Yen Hsu,Bo-Lun Wu,Tse-Mian KUO. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Variable resistance memory and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2013021682A1. Автор: Hirohisa Kawasaki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-02-14.

Resistive Memory Cell with Sloped Bottom Electrode

Номер патента: US20150236257A1. Автор: Paul Fest,James Walls. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2015-08-20.

Variable resistance memory and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2013021674A1. Автор: Hirohisa Kawasaki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-02-14.

Resistive memory cell with sloped bottom electrode

Номер патента: WO2015126906A1. Автор: Paul Fest,James Walls. Владелец: MICROCHIP TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2015-08-27.

Three-dimensional resistive memory

Номер патента: US09859338B2. Автор: Frederick Chen,Chia-Hua Ho. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Resistive memory elements with an embedded heating electrode

Номер патента: US11832538B2. Автор: Juan Boon Tan,Calvin Lee,Curtis Chun-I HSIEH. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-11-28.

Resistive memory elements with multiple input terminals

Номер патента: US11744166B2. Автор: Eng Huat Toh,Lanxiang Wang,Shyue Seng Tan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-08-29.

Resistive memory elements with an embedded heating electrode

Номер патента: US20230071580A1. Автор: Juan Boon Tan,Calvin Lee,Curtis Chun-I HSIEH. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-03-09.

Resistive memory cells including localized filamentary channels, devices including the same, and methods of making the same

Номер патента: US20170271583A1. Автор: Brian S. Doyle,Uday Shah,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Elijah V. KARPOV,Prashant Majhi,Niloy Mukherjee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Resistive memory cells including localized filamentary channels, devices including the same, and methods of making the same

Номер патента: EP3234998A1. Автор: Brian S. Doyle,Uday Shah,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Elijah V. KARPOV,Prashant Majhi,Niloy Mukherjee. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-25.

Contact pads of three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US12033966B2. Автор: He Chen,LIANG XIAO,Yongqing Wang,Shu Wu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

System comprised of a floor processing device, a memory device and at least one accessory device

Номер патента: US20230157502A1. Автор: Frederic Hahn. Владелец: Vorwerk and Co Interholding GmbH. Дата публикации: 2023-05-25.

Method for improving erase saturation in non-volatile memory devices and devices obtained thereof

Номер патента: US20080185632A1. Автор: Maarten Rosmeulen,Pieter Blomme,Bogdan Govoreanu. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2008-08-07.

Memory device, method of manufacturing memory device, and electronic device including memory device

Номер патента: US20240292618A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device and manufacturing method of semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device

Номер патента: US20220157840A1. Автор: Jung Hwan Lee,Min Kuck Cho,Hyun Chul Kim,Kwang Il Kim,Yang Beom KANG. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device and manufacturing method of semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device

Номер патента: US20210028183A1. Автор: Jung Hwan Lee,Min Kuck Cho,Hyun Chul Kim,Kwang Il Kim,Yang Beom KANG. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-28.

Methods of fabricating nonvolatile memory devices including voids between active regions and related devices

Номер патента: US20120202335A1. Автор: Young-woo Park,Sung-Hoi Hur,Dong-Sik Lee,Jang-Hyun You,Jee-hoon Han,Sang-Ick Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-08-09.

Methods of fabricating nonvolatile memory devices including voids between active regions and related devices

Номер патента: US20140248755A1. Автор: Young-woo Park,Sung-Hoi Hur,Dong-Sik Lee,Jang-Hyun You,Jee-hoon Han,Sang-Ick Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-09-04.

Passive devices for integration with three-dimensional memory devices

Номер патента: EP3262680A2. Автор: Masahide Matsumoto,Masatoshi Nishikawa,Toru Miwa,Ryoichi Honma,Johann Alsmeier,Yuki Mizutani,Hiroaki Koketsu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-03.

Device isolation method of semiconductor memory device and flash memory device fabricating method using the same

Номер патента: US20050142796A1. Автор: Sung Jung,Jum Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Staggered horizontal cell architecture for memory devices

Номер патента: US20240107748A1. Автор: Christopher Locke,William M. Brewer,Kyle B. Campbell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Three-dimensional memory device having parallel trench type capacitor and a method of manufacturing the three-dimensional memory device

Номер патента: US20220149052A1. Автор: Won Seok Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-05-12.

Network access with a portable memory device

Номер патента: EP2039122A1. Автор: Teemu Savolainen,Petros Belimpasakis,Marko Luomi. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2009-03-25.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240315008A1. Автор: Jae Hyun Choi,Junsoo Kim,Taeyoon AN,Jun-Bum LEE,Jihye Kwon,Hyun Seung CHOI,Dongsik Kong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor memory device

Номер патента: EP4432803A1. Автор: Jae Hyun Choi,Junsoo Kim,Taeyoon AN,Jun-Bum LEE,Jihye Kwon,Hyun Seung CHOI,Dongsik Kong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

Methods of forming microelectronic devices, and related microelectronic devices, memory devices, and electronic systems

Номер патента: US20240334717A1. Автор: Kunal R. Parekh,Russell L. Meyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Methods of forming microelectronic devices, and related microelectronic devices, memory devices, and electronic systems

Номер патента: WO2024206702A1. Автор: Kunal R. Parekh,Russell L. Meyer. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-10-03.

Passive devices for integration with three-dimensional memory devices

Номер патента: US09589981B2. Автор: Masatoshi Nishikawa,Toru Miwa,Ryoichi Honma,Johann Alsmeier,Hiroaki Koketsu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-03-07.

NON-VOLATILE MEMORY WITH OVONIC THRESHOLD SWITCH AND RESISTIVE MEMORY ELEMENT

Номер патента: US20120002461A1. Автор: Karpov Elijah I.,Spadini Gianpaolo Paolo. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Spectral magnetoellipsometer with device for magneto-resistive measurements

Номер патента: RU2549843C1. Автор: Лариса Владимировна Панина,Александр Тимофеевич Морченко,Николай Анатольевич Юданов,Владимир Григорьевич Костишин,Денис Николаевич Читанов,Александр Сергеевич Комлев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС". Дата публикации: 2015-04-27.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE & METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001249A1. Автор: Alsmeier Johann,Samachisa George. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001250A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001252A1. Автор: Alsmeier Johann,Purayath Vinod Robert,Chien Henry,Matamis George,Lee Yao-Sheng,Kai James,Zhang Yuan. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Magneto resistive memory device

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты