Resistive memory devices and methods of controlling the same
Номер патента: US20160155500A1
Опубликовано: 02-06-2016
Автор(ы): Hyun-Sang Hwang, In-Gyu Baek, Man Chang, Sang-Heon Lee
Принадлежит: Academy Industry Foundation of POSTECH
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 02-06-2016
Автор(ы): Hyun-Sang Hwang, In-Gyu Baek, Man Chang, Sang-Heon Lee
Принадлежит: Academy Industry Foundation of POSTECH
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Phase change random access memory device with transistor, and method for fabricating a memory device
Номер патента: US20080142776A1. Автор: Harald Seidl. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-06-19.