Nonvolatile memory device, memory system including the same and method for driving nonvolatile memory device
Номер патента: US09443586B2
Опубликовано: 13-09-2016
Автор(ы): Hyun-Kook PARK
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 13-09-2016
Автор(ы): Hyun-Kook PARK
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Apparatus and method for reading an array of nonvolatile memory cells including switchable resistor memory elements
Номер патента: US20070008786A1. Автор: Roy E. Scheuerlein. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-11.