• Главная
  • Nonvolatile memory device, memory system including the same and method for driving nonvolatile memory device

Nonvolatile memory device, memory system including the same and method for driving nonvolatile memory device

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Apparatus and method for reading an array of nonvolatile memory cells including switchable resistor memory elements

Номер патента: US20070008786A1. Автор: Roy E. Scheuerlein. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-11.

Apparatus and method for programming an array of nonvolatile memory cells including switchable resistor memory elements

Номер патента: US20070008785A1. Автор: Roy Scheuerlein. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-11.

Non-volatile memory device, non-volatile memory system, and program method of the same

Номер патента: KR20130107733A. Автор: 박정훈,남상완. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2013-10-02.

Semiconductor memory device and file memory system

Номер патента: US20150279456A1. Автор: Haruki Toda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-01.

Nonvolatile memory device, program method thereof, and storage device including the same

Номер патента: US09583197B2. Автор: Ji-Sang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Nonvolatile memory device, program method thereof, and storage device including the same

Номер патента: US20160027513A1. Автор: Ji-Sang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-01-28.

Flash memory, flash memory system and operating method of the same

Номер патента: US09812213B2. Автор: Kyung-Ryun Kim,Sang-Yong Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Method for regulating reading voltage of NAND flash memory device

Номер патента: US09558816B2. Автор: Seung-Hyun Han,Sun-Mo Hwang. Владелец: THE-AIO Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Resistive memory device and a memory system including the same

Номер патента: US20170309330A1. Автор: Suk-Soo Pyo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-26.

Resistive memory device and a memory system including the same

Номер патента: US09899081B2. Автор: Suk-Soo Pyo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor memory device and semiconductor memory system including the same

Номер патента: US20170047109A1. Автор: Jung-Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-16.

Phase change memory device, operation method thereof, and data storage device having the same

Номер патента: US20130155765A1. Автор: Dong Keun Kim,Sun Hyuck Yon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-06-20.

Method for low power accessing a phase change memory device

Номер патента: US20100165713A1. Автор: Claudio Resta,Ferdinando Bedeschui. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-01.

Nonvolatile memory erasure techniques

Номер патента: US09543024B2. Автор: Xin Guo,Kiran Pangal,Hiroyuki SANDA,Kaoru NAGANUMA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Method of programming/erasing the nonvolatile memory

Номер патента: US20110013459A1. Автор: Kai-Yuan Hsiao,Yun-Jen Ting. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2011-01-20.

Flash memory device, system and method with randomizing for suppressing error

Номер патента: WO2008078314B1. Автор: Eran Sharon,Eran Alrod. Владелец: Eran Alrod. Дата публикации: 2008-08-14.

Memory system

Номер патента: US20230223090A1. Автор: Masanobu Shirakawa,Marie Takada,Tsukasa TOKUTOMI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Memory system

Номер патента: US12073890B2. Автор: Masanobu Shirakawa,Marie Takada,Tsukasa TOKUTOMI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Nonvolatile memory erasure techniques

Номер патента: WO2013147818A1. Автор: Xin Guo,Kiran Pangal,Hiroyuki SANDA,Kaoru NAGANUMA. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2013-10-03.

NONVOLATILE MEMORY DEVICE, OPERATION METHOD THEREOF, AND STORAGE DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20190035478A1. Автор: Im Jaewoo,YUN Jae-Hak,Lee Dae Yeal,Lee Kangguk. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-31.

Mitigation of runaway programming of a memory device

Номер патента: US20100039863A1. Автор: Vishal Sarin,Frankie F. Roohparvar,Jonathan Pabustan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-02-18.

Mitigation of runaway programming of a memory device

Номер патента: US20110096608A1. Автор: Vishal Sarin,Frankie F. Roohparvar,Jonathan Pabustan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-04-28.

Method for reducing coupling effect between nonvolatile memory storage cell

Номер патента: CN100350503C. Автор: 陈健,田中智晴,方家荣,罕德克·N.·库德. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2007-11-21.

Semiconductor memory device, controller and memory system having the same

Номер патента: US20190333587A1. Автор: Hae Soo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Memory system and memory controller

Номер патента: US20120151123A1. Автор: Haruki Toda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-14.

Memory programming method, memory device, and memory system

Номер патента: US20240304247A1. Автор: XiangNan Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Method for Erasing Data of NAND Flash Memory Device

Номер патента: US20080158994A1. Автор: Hea Jong Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-07-03.

Resistive memory device and method of operating the same

Номер патента: US09570170B2. Автор: Hyun-Kook PARK,Yeong-Taek Lee,Yong-kyu Lee,Chi-Weon Yoon,Bo-Geun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Systems and Methods for Internal Initialization of a Nonvolatile Memory

Номер патента: US20140331002A1. Автор: Brent Ahlquist. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-11-06.

Systems and Methods for Internal Initialization of a Nonvolatile Memory

Номер патента: US20130091336A1. Автор: Brent Ahlquist. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-04-11.

Systems and methods for internal initialization of a nonvolatile memory

Номер патента: US10290351B2. Автор: Brent Ahlquist. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-05-14.

Systems and methods for internal initialization of a nonvolatile memory

Номер патента: US8725959B2. Автор: Brent Ahlquist. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-05-13.

Memory system and operating method of the same

Номер патента: US20210375347A1. Автор: Seungwon Lee,Daeseok Byeon,Youngmin Jo,Taehyo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-02.

Memory system and operating method of the same

Номер патента: US20240282349A1. Автор: Meng-Fan Chang,Win-San Khwa,Tai-Hao Wen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory device, and semiconductor device and electronic appliance including the same

Номер патента: US09715920B2. Автор: Takahiko Ishizu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Circuit for driving sense amplifier of semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09620197B1. Автор: Young-Seok Park,Soo-bong Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-11.

Multi-Chip Memory System Including DRAM Chips With Integrated Comparator Arrays And Method Of Operating Same

Номер патента: US20240164082A1. Автор: Richard Stephen Roy. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Multi-chip memory system including dram chips with integrated comparator arrays and method of operating same

Номер патента: WO2024107786A1. Автор: RICHARD ROY. Владелец: Atomera Incorporated. Дата публикации: 2024-05-23.

System and method to dynamically determine a timing parameter of a memory device

Номер патента: EP2973576A2. Автор: Jungwon Suh,Xiangyu Dong. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-01-20.

System and method to dynamically determine a timing parameter of a memory device

Номер патента: WO2014150815A2. Автор: Jungwon Suh,Xiangyu Dong. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-09-25.

Semiconductor memory device having ray detector, and electronic device including the same, and operating method thereof

Номер патента: US9053792B2. Автор: Jin-Wook SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-09.

Semiconductor memory device having ray detector, and electronic device including the same, and operating method thereof

Номер патента: US20150098262A1. Автор: Jin-Wook SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-04-09.

Method for writing to multiple banks of a memory device

Номер патента: US20020027824A1. Автор: Jeffrey Wright,Timothy Cowles. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-07.

Memory device, and semiconductor device and electronic appliance including the same

Номер патента: US20160322096A1. Автор: Takahiko Ishizu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-03.

Circuits and methods of mitigating hold time failure of pipeline for memory device

Номер патента: US12119079B2. Автор: Jaspal Singh Shah. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Circuits and methods of mitigating hold time failure of pipeline for memory device

Номер патента: US20240371418A1. Автор: Jaspal Singh Shah. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Access control unit and method for use with synchronous dynamic random access memory device

Номер патента: US20050125596A1. Автор: Chang-Cheng Yap. Владелец: RDC Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-09.

Circuit and method for reading and writing data in a memory device

Номер патента: US6021070A. Автор: Stephen L. Casper. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-02-01.

Method for writing to multiple banks of a memory device

Номер патента: US20030099142A1. Автор: Jeffrey Wright,Timothy Cowles. Владелец: Cowles Timothy B.. Дата публикации: 2003-05-29.

A memory device and method of performing a read operation within such a memory device

Номер патента: GB2520291A. Автор: Yew Keong Chong,Sanjay Mangal. Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2015-05-20.

Apparatuses, systems, and methods for read clock timing alignment in stacked memory devices

Номер патента: US11854601B2. Автор: Kiyoshi Nakai,Seiji Narui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Apparatuses, systems, and methods for read clock timing alignment in stacked memory devices

Номер патента: US20230206985A1. Автор: Kiyoshi Nakai,Seiji Narui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Circuits and methods of mitigating hold time failure of pipeline for memory device

Номер патента: US20230282252A1. Автор: Jaspal Singh Shah. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Memory device and method of performing a read operation within such a memory device

Номер патента: US20140071776A1. Автор: Yew Keong Chong,Sanjay Mangal. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-03-13.

Method for manufacturing semiconductor device having diode connectedto memory device

Номер патента: US20230320064A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Method for clock control in dynamic random access memory devices

Номер патента: US20150243344A1. Автор: Kallol Mazumder,Debra Bell. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2015-08-27.

Nonvolatile memory device, operating method thereof, and data storage device having the same

Номер патента: US8743632B2. Автор: Byung Ryul Kim,Duck Ju Kim,Cheul Hee Koo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-03.

RESISTIVE MEMORY DEVICE AND A MEMORY SYSTEM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20170309330A1. Автор: PYO SUK-SOO. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-26.

Nonvolatile memory device and operation method of storage device including the nonvolatile memory device

Номер патента: US09990130B2. Автор: Donghun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Nonvolatile memory device and operation method of storage device including the nonvolatile memory device

Номер патента: US09720595B2. Автор: Donghun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Nonvolatile memory device and method of driving word line of the nonvolatile memory

Номер патента: US09779790B2. Автор: Kitae Park,Sang-Won Park,Sang-Won Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Nonvolatile memory device and method of driving word line of the nonvolatile memory

Номер патента: US09431062B2. Автор: Kitae Park,Sang-Won Park,Sang-Won Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Nonvolatile memory device and operation method of storage device including the nonvolatile memory device

Номер патента: US20170315723A1. Автор: Donghun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-02.

Memory device and a memory system including the same

Номер патента: US09928006B2. Автор: Dong-ku Kang,Chul-Bum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Stacked memory device and semiconductor memory system including the same

Номер патента: US09851401B2. Автор: Kyung-Whan Kim,Jong-Chern Lee,Young-Jae Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Nonvolatile memory apparatus and method of using thin film transistor as nonvolatile memory

Номер патента: US7983092B2. Автор: Ting-Chang Chang,Te-Chih Chen,Fu-Yen Jian. Владелец: Acer Inc. Дата публикации: 2011-07-19.

Nonvolatile memory apparatus and method of using thin film transistor as nonvolatile memory

Номер патента: US20100254185A1. Автор: Ting-Chang Chang,Te-Chih Chen,Fu-Yen Jian. Владелец: Acer Inc. Дата публикации: 2010-10-07.

Method for determining programming voltage of nonvolatile memory

Номер патента: US20060083067A1. Автор: Naoki Ueda. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-04-20.

Memory system and operation method of the same

Номер патента: US09990312B2. Автор: Jung-Hyun Kwon,Yong-Ju Kim,Sung-Eun Lee,Jing-Zhe Xu. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Methods for activity-based memory maintenance operations and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20230144541A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-05-11.

Memory controller for RPMB-inclusive memory device, operating method thereof and electronic device including the same

Номер патента: US11914526B2. Автор: Kwang Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Memory controller for rpmb-inclusive memory device, operating method thereof and electronic device including the same

Номер патента: US20240202138A1. Автор: Kwang Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Operating method of semiconductor memory device, controller, and memory system having the same

Номер патента: US11550495B2. Автор: Ju Hee Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-01-10.

Flash memory device and flash memory system including the same

Номер патента: US20090213659A1. Автор: Seok-Cheon Kwon,Kyeong-Han Lee,Dong-yang Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-08-27.

Semiconductor memory device and a memory system having the same

Номер патента: US20210082478A1. Автор: Jeonghyeon Cho,Seonghoon JOO,llhan CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-18.

Memory system and operation method of the same

Номер патента: US20170329726A1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Yong-Ju Kim,Sung-Eun Lee,Jing-Zhe Xu. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-16.

Semiconductor memory device, controller and memory system having the same

Номер патента: US20210294503A1. Автор: Hyo Jae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-23.

System and method for programming cells in non-volatile integrated memory devices

Номер патента: EP1590811A1. Автор: Nima Mokhlesi,John H. Pasternak. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2005-11-02.

Memory system and operating method of the same

Номер патента: US20190107972A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-04-11.

Methods for executing data access commands and flash memory devices using the same

Номер патента: US09959232B2. Автор: Yu-Chuan Chang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Systems and methods for last written page handling in a memory device

Номер патента: US09928139B2. Автор: Yu Cai,Zhengang Chen,Erich F. Haratsch,Zhimin Dong. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-03-27.

Memory system and operating method of the same

Номер патента: US20200265911A1. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-08-20.

Apparatus and method for checking an operation status of a memory device in a memory system

Номер патента: US11815985B2. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Apparatus and method for programming data in a non-volatile memory device

Номер патента: US11990191B2. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Systems and methods for data path power savings in ddr5 memory devices

Номер патента: US20200133525A1. Автор: Ravi Kiran Kandikonda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-30.

Memory system and control method of the same

Номер патента: US09996268B2. Автор: Norio Aoyama,Ryuji Nishikubo,Hiroki Matsudaira. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Method for repairing defective memory cells in semiconductor memory device

Номер патента: US09704601B2. Автор: Ki-Seok Park,Ji-Hyuk OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Methods for activity-based memory maintenance operations and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20200201698A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-25.

Methods for activity-based memory maintenance operations and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US11947412B2. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-04-02.

Methods for activity-based memory maintenance operations and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20240202056A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor memory device performing read retry mode and operating method of the same

Номер патента: US09293209B2. Автор: Jung Ryul Ahn,Seung Hwan BAIK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-03-22.

Operating method of semiconductor memory device, controller, and memory system having the same

Номер патента: US20220171566A1. Автор: Ju Hee Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-06-02.

Memory system and operating method of the same

Номер патента: US20190252007A1. Автор: Byung-jun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-15.

Apparatus and method for detecting over-programming condition in multistate memory device

Номер патента: US6112314A. Автор: Christophe J. Chevallier,Robert D. Norman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-08-29.

Method for erasing memory cells in a flash memory device

Номер патента: US6137729A. Автор: Ki-hwan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-10-24.

Memory device included in memory system and method for detecting fail memory cell thereof

Номер патента: US20240079074A1. Автор: Junyoung Ko,Jungmin Bak,Changhwi Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-07.

Circuit and method for controlling local data line in semiconductor memory device

Номер патента: US20090168560A1. Автор: Sung-Soo Chi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-07-02.

Redundant circuit and method for replacing defective memory cells in a memory device

Номер патента: US20020113251A1. Автор: James Brady. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2002-08-22.

Apparatus and method for programming data in a non-volatile memory device

Номер патента: US11887669B2. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Apparatus and method for programming data in a non-volatile memory device

Номер патента: US11894059B2. Автор: Tae Hun Park,Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Device and method to reduce wordline RC time constant in semiconductor memory devices

Номер патента: US7570504B2. Автор: Huy Thanh Vo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-08-04.

Apparatus and method for erasing data in a non-volatile memory device

Номер патента: US11929122B2. Автор: Tae Heui Kwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Apparatus and method for programming data in a non-volatile memory device

Номер патента: US11915762B2. Автор: Hyung Jin Choi,Tae Hun Park,Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Apparatus and method for programming data in a non-volatile memory device

Номер патента: US20240028216A1. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Non-volatile memory device, controller and memory system

Номер патента: US20230395111A1. Автор: Jaeyong Jeong,Beomkyu Shin,Kuiyon Mun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-07.

System and method for addressing errors in a multiple-chip memory device

Номер патента: US20090006887A1. Автор: Hoon Ryu,Ryan Patterson,Klaus Nierle,Koonhee Lee. Владелец: Qimonda North America Corp. Дата публикации: 2009-01-01.

Method for checking the erasing phase of a memory device

Номер патента: US11869604B2. Автор: Antonino Mondello,Alberto Troia. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Method for checking the erasing phase of a memory device

Номер патента: WO2020240234A1. Автор: Antonino Mondello,Alberto Troia. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-12-03.

Method for checking the erasing phase of a memory device

Номер патента: US20230186999A1. Автор: Antonino Mondello,Alberto Troia. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE HAVING RAY DETECTOR, AND ELECTRONIC DEVICE INCLUDING THE SAME, AND OPERATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20150098262A1. Автор: SHIN Jin-Wook. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2015-04-09.

Nonvolatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US9691756B2. Автор: Euipil Kwon. Владелец: Rangduru Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Memory system temperature calibration

Номер патента: US20130182507A1. Автор: Gilad Marko,Shai Tubul,Alex Mostovoy. Владелец: Sandisk IL Ltd. Дата публикации: 2013-07-18.

Control methods and memory systems using the same

Номер патента: US09627031B1. Автор: Kai-Hsin CHEN,Shih-Hsiu Lin. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Dynamic semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US20200176052A1. Автор: Kwang Hyun Kim,Chul Hwan Choo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-04.

Memory device sensors

Номер патента: EP4073799A1. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-19.

Memory device sensors

Номер патента: WO2021118711A1. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US12027194B2. Автор: Seungki HONG,Geuntae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-02.

Systems and methods for reducing standby power in floating body memory devices

Номер патента: US11769550B2. Автор: Yuniarto Widjaja,Benjamin S. Louie. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Systems and methods for reducing standby power in floating body memory devices

Номер патента: US09947387B2. Автор: Yuniarto Widjaja,Benjamin S. Louie. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Systems and methods for reducing standby power in floating body memory devices

Номер патента: US09536595B2. Автор: Yuniarto Widjaja,Benjamin S. Louie. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Memory device and system including the same

Номер патента: US20180059967A1. Автор: Jong Sam Kim,Jong Yeol Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

Memory device sideband systems and methods

Номер патента: US20230317193A1. Автор: Joshua E. Alzheimer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Systems and Methods for Internal Initialization of a Nonvolatile Memory

Номер патента: US20140331002A1. Автор: Ahlquist Brent. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-11-06.

Sub word line driving circuit and a semiconductor memory device using the same

Номер патента: US5835439A. Автор: Jung Won Suh. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-11-10.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND SEMICONDUCTOR MEMORY SYSTEM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20170047109A1. Автор: Kim Jung-hyun. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-16.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND SEMICONDUCTOR MEMORY SYSTEM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20160086651A1. Автор: Kim Jung-hyun. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-24.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND SEMICONDUCTOR MEMORY SYSTEM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20150279442A1. Автор: HWANG Mi-Hyun. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-01.

Techniques for controlling a direct injection semiconductor memory device

Номер патента: US20120176845A1. Автор: Eric Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-07-12.

Method for controlling precharge timing of memory device and apparatus thereof

Номер патента: US20060140032A1. Автор: Kang Lee,Jae Im. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-29.

Method for controlling precharge timing of memory device and apparatus thereof

Номер патента: US20070268763A1. Автор: Kang Lee,Jae Im. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-22.

Techniques for providing a direct injection semiconductor memory device

Номер патента: US09425190B2. Автор: Serguei Okhonin,Mikhail Nagoga,Yogesh Luthra. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Circuit and method for controlling self-refresh operation in semiconductor memory device

Номер патента: US20120051168A1. Автор: Choung-Ki Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-03-01.

Circuits and methods for changing page length in a semiconductor memory device

Номер патента: TW200425162A. Автор: Yun-sang Lee,One-gyun La. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-11-16.

Sense amplifier circuit, method for operating same, and fabrication method for same

Номер патента: US12100440B2. Автор: Qinghua Han. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Reduction of power consumption in memory devices during refresh modes

Номер патента: US09984737B2. Автор: John B. Halbert,Christopher E. Cox,Kuljit Singh Bains. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Magnetic memory device and memory card and system including the same

Номер патента: KR101746615B1. Автор: 정준호,김영현,임우창,신희주. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2017-06-14.

Method of reading memory device in page mode and row decoder control circuit using the same

Номер патента: US6930952B2. Автор: Sung Ryong Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-08-16.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US20230143397A1. Автор: Seungki HONG,Geuntae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-11.

Individual data line strobe-offset control in memory systems

Номер патента: EP1784835A1. Автор: Scott C. c/o Rambus Inc. BEST. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2007-05-16.

Control arrangements and methods for accessing block oriented nonvolatile memory

Номер патента: US09489302B2. Автор: Stephen P. Van Aken. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Nonvolatile memory devices and data storage systems including the same

Номер патента: US12057421B2. Автор: Jiwon Kim,Sungmin Hwang,Jaeho Ahn,Sukkang SUNG,Joonsung Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Nonvolatile memory devices and data storage systems including the same

Номер патента: US20240347490A1. Автор: Jiwon Kim,Sungmin Hwang,Jaeho Ahn,Sukkang SUNG,Joonsung Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Storage device including nonvolatile memory device and method of programming the same

Номер патента: US09886219B2. Автор: Dukyoung Yun,Hyoungsuk JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Memory systems including an input/output buffer circuit

Номер патента: US09971505B2. Автор: Kilsoo Kim,Jinman Han,Youngjin Jeon,Jeongdon Ihm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Memory system

Номер патента: US20240005969A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Shohei Asami. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Nonvolatile memory devices and data storage systems including the same

Номер патента: US20220173060A1. Автор: Jiwon Kim,Sungmin Hwang,Jaeho Ahn,Sukkang SUNG,Joonsung Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-02.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120206968A1. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09805798B2. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09530510B2. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20210255796A1. Автор: Takayuki Takano. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-08-19.

Memory system

Номер патента: US11862262B2. Автор: YoungBong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-02.

Memory system

Номер патента: US20200244458A1. Автор: Yuki Kanbe. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-07-30.

Nonvolatile memory device, memory system, and operating methods

Номер патента: EP1501100A3. Автор: Jung-Hoon Park,Soo-Hwan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-02-14.

Lifetime mixed level non-volatile memory system

Номер патента: US20240013832A1. Автор: G.R. Mohan Rao. Владелец: Vervain LLC. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US20200273528A1. Автор: Dae Seok Byeon,Young Sun Min,Young Ho Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-27.

Lifetime mixed level non-volatile memory system

Номер патента: US11854612B1. Автор: G. R. Mohan Rao. Владелец: Vervain LLC. Дата публикации: 2023-12-26.

Memory controller and memory system including the same

Номер патента: US20240202069A1. Автор: Sung-Joon Kim,Ho-Young Lee,Kyung-Hee Han,Kyung Jin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Integrated circuit and memory device performing boot-up operation

Номер патента: US09934875B2. Автор: Jeong-Tae Hwang,Ja-Beom Koo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

System including hierarchical memory modules having different types of integrated circuit memory devices

Номер патента: US11823757B2. Автор: Craig Hampel,Mark Horowitz. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2023-11-21.

Neural network circuit comprising nonvolatile memory cells and reference-current cells

Номер патента: US11942163B2. Автор: Yoshiyuki Kawashima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND EMBEDDED MEMORY SYSTEM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20130223148A1. Автор: Seo BoYoung,Lee YongKyu,Jeon HeeSeog. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-08-29.

Multi-channel nonvolatile memory management

Номер патента: US20180356982A1. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Kevin Mcilvain,Adam J. McPadden,Nandita A. Mitra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-12-13.

Method of erasing data stored in a nonvolatile memory

Номер патента: US20030043635A1. Автор: Kenichi Watanabe,Takuji Yoshida. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-06.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20210020249A1. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20200013466A1. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-01-09.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140286100A1. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-25.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20180308550A1. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-10-25.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20220262439A1. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20180005695A1. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Multi-channel nonvolatile memory power loss management

Номер патента: US20180356981A1. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Kevin Mcilvain,Adam J. McPadden,Nandita A. Mitra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-12-13.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20240153560A1. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US11915756B2. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US20230079939A1. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US20200319953A1. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-08.

Nonvolatile memory device and method of fabricating same

Номер патента: US20210233929A1. Автор: Tae Hun Kim,Seung Won Lee,Min Cheol Park,Jun Hee Lim,Hye Ri Shin,Si Yeon Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-29.

System-in-package and method of testing thereof

Номер патента: US7743293B2. Автор: Meir Avraham. Владелец: Sandisk IL Ltd. Дата публикации: 2010-06-22.

System-in-package and method of testing thereof

Номер патента: WO2005043276A3. Автор: Meir Avraham. Владелец: Milsys Ltd. Дата публикации: 2006-06-01.

Nonvolatile memory device and operation method of storage device including the nonvolatile memory device

Номер патента: US20150331627A1. Автор: Donghun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-11-19.

NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND OPERATION METHOD OF STORAGE DEVICE INCLUDING THE NONVOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170315723A1. Автор: Kwak DongHun. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-02.

Method for reading nonvolatile memory at power-on stage

Номер патента: US20090154250A1. Автор: Yung Feng Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-06-18.

Hybrid memory system with configurable error thresholds and failure analysis capability

Номер патента: US20230418712A1. Автор: Jeffrey C. Solomon,Scott H. Milton,Kenneth S. Post. Владелец: Netlist Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Hybrid memory system with configurable error thresholds and failure analysis capability

Номер патента: US11914481B2. Автор: Jeffrey C. Solomon,Scott H. Milton,Kenneth S. Post. Владелец: Netlist Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

NONVOLATILE MEMORY DEVICE WITH FLAG CELLS AND USER DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20130279250A1. Автор: Park Sang-Soo,Park Kitae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-10-24.

NONVOLATILE MEMORY DEVICE, PROGRAM METHOD THEREOF, AND STORAGE DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20160027513A1. Автор: LEE JI-SANG. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-28.

Nonvolatile memory device and method of driving word line of the nonvolatile memory

Номер патента: US20150221351A1. Автор: Kitae Park,Sang-Won Park,Sang-Won Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-08-06.

NONVOLATILE MEMORY DEVICE, PROGRAM METHOD THEREOF, AND STORAGE DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20160293258A1. Автор: LEE JI-SANG. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-06.

Nonvolatile memory device and method of driving word line of the nonvolatile memory

Номер патента: US20160343419A1. Автор: Kitae Park,Sang-Won Park,Sang-Won Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-24.

Nonvolatile memory device, program method thereof, and storage device including the same

Номер патента: KR102375365B1. Автор: 이지상. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-03-18.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: SG10201803737SA. Автор: BAEK Byung-Joon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-29.

Method of erasing a nonvolatile memory for preventing over-soft-program

Номер патента: US20160078961A1. Автор: Chih-hao Chen. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2016-03-17.

Memory device and memory system including the same

Номер патента: US20210377080A1. Автор: Jaewoo Park,Youngdon CHOI,Junghwan Choi,Changsik YOO. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2021-12-02.

NONVOLATILE MEMORY DEVICE, OPERATING METHOD THEREOF, AND DATA STORAGE DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20140003159A1. Автор: JUNG Sung Hyun. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-01-02.

NONVOLATILE MEMORY DEVICE, OPERATING METHOD THEREOF, AND DATA STORAGE DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20140003167A1. Автор: JUNG Sung Hyun. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-01-02.

NONVOLATILE MEMORY DEVICE, OPERATING METHOD THEREOF, AND DATA STORAGE DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20140010026A1. Автор: KIM Duck Ju,KIM Byung Ryul,KOO Cheul Hee. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-01-09.

THREE-DIMENSIONAL NONVOLATILE MEMORY AND METHOD OF PERFORMING READ OPERATION IN THE NONVOLATILE MEMORY

Номер патента: US20200411097A1. Автор: NAM Sang-Wan,JUNG Won-Taeck. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-31.

Pooled frontline ecc decoders in memory systems

Номер патента: US20200081773A1. Автор: Paul Edward HANHAM,David Malcolm SYMONS,Francesco Giorgio,Jonghyeon Kim,Senthilkumar Diraviam. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Memory device for performing erase verify operation on cell string group basis and method of operating the same

Номер патента: US20240312539A1. Автор: Jun Young KWEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for programming a charge-trapping nonvolatile memory cell

Номер патента: TWI261257B. Автор: Hang-Ting Lue,Kuang-Yeu Hsieh. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-01.

Nonvolatile memory device including spare array and block erasing method in the same

Номер патента: KR100866626B1. Автор: 박기태,이영택,김두곤. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-11-03.

Memory controller and memory system including adjustment of scrub cycle rate

Номер патента: EP4390939A2. Автор: Sung-Joon Kim,Ho-Young Lee,Kyung-Hee Han,Kyung Jin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-26.

Method for controlling temperature of chips and related chips

Номер патента: US20240282347A1. Автор: Xiaohu ZHOU,Xiaopei GUO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for controlling temperature of chips and related chips

Номер патента: WO2024168826A1. Автор: Xiaohu ZHOU,Xiaopei GUO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for fabricating memory cell of nonvolatile memory device

Номер патента: TW565931B. Автор: Jae-Gap Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-11.

Memory system and method of performing background operation

Номер патента: US20240289039A1. Автор: Yong Seok WON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Methods for reducing write time in nonvolatile memory devices and related devices

Номер патента: CN101295543B. Автор: 金善券,李炳勋. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-05-01.

Memory modules including a mirroring circuit and methods of operating the same

Номер патента: US20230186954A1. Автор: KyuDong Lee,Gyuchae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-15.

Differential non-volatile memory device and bit reading method for the same

Номер патента: US20040190346A1. Автор: Fabio Pasolini,Michele Tronconi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2004-09-30.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US11989082B2. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-21.

Memory device, memory system having the same and operating method thereof

Номер патента: US20240212776A1. Автор: Jongpil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Memory device and method for synchronizing command start point (csp)

Номер патента: US20240265957A1. Автор: Taeyoung Oh,Hyeran Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Systems and methods for accessing a data storage device

Номер патента: WO1997005617A3. Автор: Richard A Hussong,Michael J Yetsko. Владелец: Michael J Yetsko. Дата публикации: 1997-05-01.

Preserving blocks experiencing program failure in memory devices

Номер патента: US20240363193A1. Автор: Pranam Shetty,Arunkumar B,Haritima Swapnil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Apparatus and method for programming threshold voltage of nonvolatile memory

Номер патента: KR100282522B1. Автор: 서석호. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2001-02-15.

Method for operating page buffer of nonvolatile memory device

Номер патента: US7313028B2. Автор: Gi Seok Ju. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-12-25.

Method for operating page buffer of nonvolatile memory device

Номер патента: US20060198188A1. Автор: Gi Ju. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-09-07.

Device and method for timing the reading a nonvolatile memory with reduced switching noise

Номер патента: US20020145909A1. Автор: Maurizio Perroni,Alessandro Maone. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-10-10.

Memory system

Номер патента: US20210110874A1. Автор: Masanobu Shirakawa,Marie Takada,Tsukasa TOKUTOMI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-04-15.

Idle mode temperature control for memory systems

Номер патента: US12039189B2. Автор: Francesco Basso,Francesco Falanga,Massimo Iaculo,Antonino Pollio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Preserving blocks experiencing program failure in memory devices

Номер патента: US12068052B2. Автор: Pranam Shetty,Arunkumar B,Haritima Swapnil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory system

Номер патента: US20150206590A1. Автор: Hiroshi Sukegawa,Hiroshi Yao,Kiwamu Sakuma,Hideaki Aochi,Tokumasa Hara,Yoshiaki Fukuzumi,Masumi SAITOH,Shirou Fujita,Ikuo Magaki,Haruka SAKUMA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-07-23.

BIT SCAN METHOD FOR PARTIAL PAGE PROGRAM AND NONVOLATILE MEMORY

Номер патента: US20200211670A1. Автор: CHEN Minyi. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-02.

Memory device, memory system and method for operating memory system

Номер патента: US20240111433A1. Автор: Haewon Lee,Jieun Shin,Sang-Kyu Kang,Ho-Cheol BANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-04.

Semiconductor device, data storage system and method for controlling termination circuits

Номер патента: US12066956B2. Автор: Tsan-Lin Chen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for wear leveling in a nonvolatile memory

Номер патента: US8782338B2. Автор: Hubert Rousseau. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2014-07-15.

Method for wear leveling in a nonvolatile memory

Номер патента: US9229857B2. Автор: Hubert Rousseau. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2016-01-05.

Method for determining programming voltage of nonvolatile memory

Номер патента: TW200627456A. Автор: Naoki Ueda. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2006-08-01.

Method for determining programming voltage of nonvolatile memory

Номер патента: TWI287225B. Автор: Naoki Ueda. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2007-09-21.

Method for setting programming start bias for flash memory device and programming method using the same

Номер патента: TW200822121A. Автор: Suk-Kyung Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-05-16.

Method for setting programming start bias for flash memory device and programming method using the same

Номер патента: TWI344647B. Автор: Suk Kyung Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-07-01.

FLASH MEMORY DEVICE AND FLASH MEMORY SYSTEM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20160005482A1. Автор: LEE DONG-YANG,LEE KYEONG-HAN,Kwon Seok-Cheon. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-07.

FLASH MEMORY DEVICE AND FLASH MEMORY SYSTEM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20160005483A1. Автор: LEE DONG-YANG,LEE KYEONG-HAN,Kwon Seok-Cheon. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-07.

FLASH MEMORY DEVICE AND FLASH MEMORY SYSTEM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20160005484A1. Автор: LEE DONG-YANG,LEE KYEONG-HAN,Kwon Seok-Cheon. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-07.

MEMORY DEVICE AND A MEMORY SYSTEM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20220028466A1. Автор: JEONG JAEYONG,JUNG Wontaeck,Kim Bohchang,Ko Kuihan. Владелец: . Дата публикации: 2022-01-27.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND SEMICONDUCTOR MEMORY SYSTEM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20160019975A1. Автор: KANG Dong-Ku,Yu Jae-Duk,LEE DAE-YEAL. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-21.

Stacked memory device and semiconductor memory system including the same

Номер патента: US20170146598A1. Автор: Kyung-Whan Kim,Jong-Chern Lee,Young-Jae Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-25.

FLASH MEMORY DEVICE AND FLASH MEMORY SYSTEM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20160189787A1. Автор: LEE DONG-YANG,LEE KYEONG-HAN,Kwon Seok-Cheon. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.

A memory device and a memory system including the same

Номер патента: KR20220013236A. Автор: 정재용,정원택,김보창,고귀한. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-02-04.

Flash memory device and flash memory system including the same

Номер патента: US9281072B2. Автор: Seok-Cheon Kwon,Kyeong-Han Lee,Dong-yang Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-03-08.

Flash memory device and flash memory system including the same

Номер патента: KR101529291B1. Автор: 권석천,이동양,이경한. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2015-06-17.

Method for testing memory device

Номер патента: US7307903B2. Автор: Young Bo Shim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-12-11.

Power management for a memory system

Номер патента: US12050785B2. Автор: Feifei Zhu,Youxin He. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Memory system with switchable operating bands

Номер патента: US09898218B2. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Hillery C. Hunter,Michael B. Healy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Memory system and method of operating the same

Номер патента: US20230051018A1. Автор: Yong Seok WON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Providing time-stamps for a memory device and method for managing the same

Номер патента: US11599273B2. Автор: Alberto Troia,Vincenzo Reina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-07.

Memory system and operation method thereof

Номер патента: US09754675B2. Автор: Jong-Ju PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Memory system and electronic device

Номер патента: US09620180B2. Автор: Young-Jin Cho,Oh-seong Kwon,Dong-yang Lee,Sun-Young Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09575880B2. Автор: Yong Deok Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Apparatus and method for mounting microelectronic devices on a mirrored board assembly

Номер патента: US20040076030A1. Автор: Brian Johnson,Walter Moden,Brent Keeth,Chris Martin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-22.

Memory device and method for managing the same

Номер патента: WO2020157529A1. Автор: Alberto Troia,Vincenzo Reina. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-08-06.

Memory device and method for managing the same

Номер патента: EP3918600A1. Автор: Alberto Troia,Vincenzo Reina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-08.

Memory device and memory system having the same

Номер патента: US20200027510A1. Автор: Min Su Kim,Sang Hwan Kim,Kyeong Min CHAE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-23.

Memory device and method for managing the same

Номер патента: US20210342074A1. Автор: Alberto Troia,Vincenzo Reina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-04.

Memory device for synchronizing command start point (csp)

Номер патента: EP4411546A1. Автор: Taeyoung Oh,Hyeran Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-07.

Apparatus with a data security mechanism and methods for operating the same

Номер патента: US20210152190A1. Автор: Brett K. Dodds. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-20.

Memory devices and systems with parallel impedance adjustment circuitry and methods for operating the same

Номер патента: US12001368B2. Автор: Hyun Yoo Lee. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-06-04.

Reducing leakage current in a memory device

Номер патента: US09916904B2. Автор: Nan Chen,Mehdi Hamidi Sani,Ritu Chaba. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor memory device for accumulation test and system including the same

Номер патента: KR101519491B1. Автор: 이진엽,전수창. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2015-05-12.

Application processors and electronic devices including the same

Номер патента: US20230420037A1. Автор: Kyumin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-28.

Test circuit, memory device, storage device, and method of operating the same

Номер патента: US20220051741A1. Автор: Sung Won Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

Continuous adaptive calibration for flash memory devices

Номер патента: US20180188991A1. Автор: Dillip K. Dash,Aniryudh Reddy Durgam,Haritha Uppalapati. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

Application processors and electronic devices including the same

Номер патента: US11776617B2. Автор: Kyumin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor structure and method for manufacturing same, memory and operation method thereof

Номер патента: US20230422492A1. Автор: Yanzhe TANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Test circuit, memory device, storage device, and method of operating the same

Номер патента: US11257559B1. Автор: Sung Won Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-02-22.

Temperature management in open-channel memory devices

Номер патента: US20190043559A1. Автор: Jeffrey L. McVay. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-02-07.

Shift register and method and device for driving same

Номер патента: EP3913609A1. Автор: WU Wang,Jingpeng ZHAO,Yajie BAI,Xiaoyuan Wang,Zhuo Xu,Ruilin Bi. Владелец: Chongqing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-24.

Two-stage read/write 3D architecture for memory devices

Номер патента: US09690510B2. Автор: Ching-Wei Wu,Kuang Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Image pickup apparatus, method for controlling the same, reproduction apparatus and method for controlling the same

Номер патента: US20130162854A1. Автор: Jumpei Kitamura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2013-06-27.

Nonvolatile memory system and operation method of the same

Номер патента: US09760308B2. Автор: Nam Wook Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-12.

Systems and Methods for Improved Communications in a Nonvolatile Memory System

Номер патента: US20140164717A1. Автор: Nir Jacob Wakrat,Anthony Fai,Nicholas C. Seroff. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2014-06-12.

Hybrid memory system and accelerator including the same

Номер патента: US20240045588A1. Автор: Jie Zhang,Myoungsoo Jung,Hanyeoreum BAE. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-02-08.

Allocating variable media types of memory devices in a memory system

Номер патента: US20190332290A1. Автор: Michael B. Danielson,Paul A. Suhler,James H. Meeker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Pixel unit and method for manufacturing the same, display panel and method for driving the same

Номер патента: US20190317343A1. Автор: Wenqing ZHAO,Zhongxiao Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-17.

Apparatus and method for checking an error of a non-volatile memory device in a memory system

Номер патента: US11941289B2. Автор: Jung Ae Kim,Jee Yul KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Memory system and operating method of the same

Номер патента: US10795609B2. Автор: Jung-Hyun Kwon,Jong-hyun Park,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-10-06.

Memory system and operating method of the same

Номер патента: US20190056888A1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Jong-hyun Park,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-02-21.

Allocating variable media types of memory devices in a memory system

Номер патента: US20210173574A1. Автор: Michael B. Danielson,Paul A. Suhler,James H. Meeker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

System and method for data collection and exchange with protected memory devices

Номер патента: WO2012088296A2. Автор: Martin Boliek,Robert D. Widergren,Wayne Hossenlopp. Владелец: Mo-Dv, Inc.. Дата публикации: 2012-06-28.

Display panels and methods and apparatus for driving the same

Номер патента: US20080068362A1. Автор: Brent McKay. Владелец: eMine Tech Inc. Дата публикации: 2008-03-20.

Display panels and methods and apparatus for driving the same

Номер патента: US20040125097A1. Автор: Brent McKay. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-01.

Method for performing host-directed operations, and associated memory device and controller thereof

Номер патента: US20120278540A1. Автор: Ming-Yen Lin,Hsu-Ping Ou. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2012-11-01.

System and method for dynamic allocation to a host of memory device controller memory resources

Номер патента: US20200004445A1. Автор: Shay Benisty. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-01-02.

System and method for preventing data corruption in solid-state memory devices after a power failure

Номер патента: US7107480B1. Автор: Mark Moshayedi,Brian H. Robinson. Владелец: Simpletech Inc. Дата публикации: 2006-09-12.

Stage system including fine-motion cable unit, exposure apparatus, and method of manufacturing device

Номер патента: US20060187439A1. Автор: Nobushige Korenaga. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2006-08-24.

Method for mapping logic design memory into physical memory device of a programmable logic device

Номер патента: US6871328B1. Автор: Ryan Fung,Ketan Padalia. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2005-03-22.

Storage system and method of operating the same

Номер патента: US11579775B2. Автор: Dong-Gun KIM,Won-Moon CHEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-14.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US20240256184A1. Автор: Hideki Yoshida,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory system with garbage collection

Номер патента: US09857984B2. Автор: Hiroyuki Nemoto,Katsuhiko Ueki,Yoshihisa Kojima,Kazuya Kitsunai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Controller, operating method thereof, and memory system including the same

Номер патента: US20200334159A1. Автор: Joung Young LEE,Dong Sop LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-10-22.

Data storage in nonvolatile memory

Номер патента: US20130031304A1. Автор: Kenneth Kay Smith,David G. Butler,Adam J. Snyder. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2013-01-31.

Memory system

Номер патента: US20140082263A1. Автор: Shigeaki Iwasa,Kohei Oikawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-03-20.

Memory system

Номер патента: WO2012137372A1. Автор: Shigeaki Iwasa,Kohei Oikawa. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-10-11.

Memory system and method for controlling nonvolatile memory

Номер патента: US11947837B2. Автор: Hideki Yoshida,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Memory system locking or unlocking data read to nonvolatile memory and control method thereof

Номер патента: US20200125279A1. Автор: Kazuhiro KUSHIYA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-04-23.

Memory system and information processing system

Номер патента: US20190018596A1. Автор: Hiroyuki Nemoto,Katsuhiko Ueki,Yoshihisa Kojima,Kazuya Kitsunai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-01-17.

Processor with tagging buffer and methods for avoiding memory collisions

Номер патента: US7080231B2. Автор: Jan Civlin. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2006-07-18.

Processor with tagging buffer and methods for avoiding memory collisions

Номер патента: US20040078546A1. Автор: Jan Civlin. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2004-04-22.

Storage system and method of operating the storage system

Номер патента: US20240028507A1. Автор: Hyunjin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Memory system with garbage collection

Номер патента: US20180088828A1. Автор: Hiroyuki Nemoto,Katsuhiko Ueki,Yoshihisa Kojima,Kazuya Kitsunai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-29.

Conditional processor auto boot with no boot loader when coupled with a nonvolatile memory

Номер патента: US09928079B2. Автор: Philip Todd. Владелец: Dialog Semiconductor UK Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Nonvolatile memory and electronic device

Номер патента: US09424442B2. Автор: Yansong Li. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Memory system and method of controlling nonvolatile memory

Номер патента: US11875059B2. Автор: Hisashi Otani. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Memory system and information processing system

Номер патента: US20210021280A1. Автор: Keiri NAKANISHI,Youhei Fukazawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Memory system in which information on a time in which integrity of a stored data piece is confirmed last

Номер патента: US11816344B2. Автор: Naoki Esaka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-14.

Information processing apparatus and start-up method of the same

Номер патента: US11914714B2. Автор: Yoshihisa Nomura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Nonvolatile memory device, electronic device and computing system including the same

Номер патента: US20140281172A1. Автор: Dong Kun Shin,Dong-young Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-09-18.

Wearable device and method for controlling display of the same

Номер патента: US09429755B2. Автор: Yongsin Kim,Doyoung Lee,Hyorim Park. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2016-08-30.

Flexible tube for endoscope, endoscopic medical device, and methods for producing the same

Номер патента: US20210298565A1. Автор: Yoshihiro Nakai,Shinya Abe. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Method for device diagnostics

Номер патента: US20240054042A1. Автор: Maxime CHATEAU,Eric Mariacher. Владелец: PHILIP MORRIS PRODUCTS SA. Дата публикации: 2024-02-15.

Two-dimensional microfluidic devices and methods of using the same

Номер патента: US09671368B2. Автор: Amy E. Herr,Augusto Tentori. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2017-06-06.

Non-volatile memory devices, systems including same and associated methods

Номер патента: WO2008115970A2. Автор: Frank J. Sepulveda. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2008-09-25.

Communication circuit for driving a plurality of devices

Номер патента: US8670245B2. Автор: Quang Nguyen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-03-11.

Communication circuit for driving a plurality of devices

Номер патента: US20050024098A1. Автор: Quang Nguyen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2005-02-03.

Communication circuit for driving a plurality of devices

Номер патента: US20110299315A1. Автор: Quang Nguyen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2011-12-08.

Microfluidic devices and methods for separating and detecting constituents in a fluid sample

Номер патента: US09523684B2. Автор: Amy E. Herr,Alex James Hughes. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2016-12-20.

Multi-directional microfluidic devices and methods

Номер патента: EP2433143A2. Автор: Chenlu Hou,Mei He,Amy E. Herr. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2012-03-28.

System and method for secure login, and apparatus for same

Номер патента: US09882896B2. Автор: Giho Yang,Jaeyeob Hwang. Владелец: ROWEM Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Memory device and memory system having the same

Номер патента: US20180067693A1. Автор: Byung Ryul Kim,Yong Hwan HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

Memory controller and method of operating the same

Номер патента: US20210247932A1. Автор: Seok Jun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-12.

Configuration information backup in memory systems

Номер патента: US09817600B2. Автор: Ning Wu,Xin Guo,Robert E. Frickey,Hanmant P. Belgal. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

NONVOLATILE MEMORY SYSTEM AND OPERATION METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20160188208A1. Автор: KIM Kyu-Hyung,Park Younwon,KIM Sang Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.

NONVOLATILE MEMORY SYSTEM AND OPERATION METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20160306590A1. Автор: Kang Nam Wook. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-20.

Memory system facilitating high bandwidth and high capacity memory

Номер патента: US09804978B2. Автор: Jonathan R. Hinkle. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Systems and Methods for Improved Communications in a Nonvolatile Memory System

Номер патента: US20140164717A1. Автор: Fai Anthony,Wakrat Nir Jacob,Seroff Nicholas C.. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2014-06-12.

Method for writing data in parallel and data storage system

Номер патента: US20220308793A1. Автор: Tz-Yu FU,Guan-Yu HOU. Владелец: Acer Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Method for controlling temperature of chips and related chips

Номер патента: US20240241501A1. Автор: Xiaohu ZHOU,Xiaopei GUO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Memory system performing cache bypassing operation and cache management method thereof

Номер патента: US20240256452A1. Автор: Shinhaeng KANG,Kyomin Sohn,Suk Han Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Flexible substrate, OLED device and defect detecting method for the same

Номер патента: US09761815B2. Автор: LU LIU,Wei Huang,Mingzhe Xie. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Lane detection apparatus and operating method for the same

Номер патента: US09704404B2. Автор: Sang Jun Park. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

System and method for high performance and low cost flash translation layer

Номер патента: US09575884B2. Автор: Anand Srinivasan,Hyunsuk Shin,Dexter T. CHUN,Steven Haehnichen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Exposure apparatus, method of controlling the same, and alignment method for exposure

Номер патента: US09437818B2. Автор: Seok-Joo Lee,Jin-Hong Jeun,Jung-Hun Yeon. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Using memory device sensors

Номер патента: WO2021118712A1. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-17.

Using memory device sensors

Номер патента: EP4073798A1. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-19.

Using memory device sensors

Номер патента: US12066916B2. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Resolution enhanced 3D rendering systems and methods

Номер патента: US09495791B2. Автор: Behrooz MALEKI,Sarvenaz SARKHOSH. Владелец: Bitanimate Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Proactive soil density detection system and method

Номер патента: AU2023200310A1. Автор: James R. Peterson,Gerald E. Rains. Владелец: Deere and Co. Дата публикации: 2023-09-07.

Controller, memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200057728A1. Автор: Sang Hyun Kim,Duck Hoi KOO,Soong Sun SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-02-20.

Proactive soil density detection system and method

Номер патента: US20230263083A1. Автор: James R. Peterson,Gerald E. Rains. Владелец: Deere and Co. Дата публикации: 2023-08-24.

Memory device and method for managing read counts of memory device

Номер патента: US20210365213A1. Автор: Yen-Hsiang Chen,Nai-Ping Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

System and method for safe login, and apparatus therefor

Номер патента: US09876785B2. Автор: Giho Yang,Jaeyeob Hwang. Владелец: ROWEM Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Managing data compaction for zones in memory devices

Номер патента: US12147705B2. Автор: Naveen Bolisetty. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-19.

Magnetic clip, system and method for using one or more magnetic clips

Номер патента: US20200288799A1. Автор: Traci Andrews. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-09-17.

Systems and methods for programing drones

Номер патента: US20200159503A1. Автор: Justin G. Manweiler,Justin Weisz,Saad Ismail. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Memory device and memory system

Номер патента: US09425828B2. Автор: Jun-Jin Kong,Kyoung-lae Cho,Man-keun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-23.

Systems and Methods for Internal Initialization of a Nonvolatile Memory

Номер патента: US20130091336A1. Автор: Ahlquist Brent. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-04-11.

Imaging agents and methods of use thereof

Номер патента: EP2117607A1. Автор: Brian D. Ross,Pratip Bhattacharya. Владелец: Huntington Medical Research Institute. Дата публикации: 2009-11-18.

Imaging agents and methods of use thereof

Номер патента: US20140065073A1. Автор: Brian D. Ross,Pratip Bhattacharya. Владелец: Huntington Medical Research Institute. Дата публикации: 2014-03-06.

Display driver and method for adjusting color temperature of image

Номер патента: US09772756B2. Автор: Chun-Ta WU,I-Te Liu,Kuei-Chung Chang,Wan-Yu Kuo,Tzu-Chu Yin. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2017-09-26.

METHOD FOR WEAR LEVELING IN A NONVOLATILE MEMORY

Номер патента: US20160098220A1. Автор: Rousseau Hubert. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-07.

Apparatus and method for controlling and storing map data in a memory system

Номер патента: US20220075553A1. Автор: Gi Pyo UM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Scheduling operations in non-volatile memory devices using preference values

Номер патента: US09870149B2. Автор: Steven Sprouse,Ryan Marlin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-16.

System and method for location-based security

Номер патента: US09848291B2. Автор: Timothy Schaefer,Gary Jason MYERS,Matthias WELSH,II Robert Wayne KNIGHT. Владелец: Booz Allen Hamilton Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

METHOD FOR WEAR LEVELING IN A NONVOLATILE MEMORY

Номер патента: US20140040539A1. Автор: Rousseau Hubert. Владелец: STMICROELECTRONICS (ROUSSET) SAS. Дата публикации: 2014-02-06.

METHOD FOR WEAR LEVELING IN A NONVOLATILE MEMORY

Номер патента: US20140297931A1. Автор: Rousseau Hubert. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-02.

METHOD FOR WEAR LEVELING IN A NONVOLATILE MEMORY

Номер патента: US20150277788A1. Автор: Rousseau Hubert. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-01.

Method for managing access operation on nonvolatile memory and block structure thereof

Номер патента: US7058784B2. Автор: Chih-Hung Wang. Владелец: Solid State System Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-06.

Chlorotoxin variants, conjugates, and methods for their use

Номер патента: US09944683B2. Автор: James M. Olson. Владелец: Fred Hutchinson Cancer Research Center. Дата публикации: 2018-04-17.

MEMORY DEVICE AND A MEMORY SYSTEM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20170075626A1. Автор: KANG Dong-Ku,KIM CHUL-BUM. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-16.

TOUCH DISPLAY SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR DRIVING THE SAME

Номер патента: US20190204942A1. Автор: Wang Zhiyong,XU Shuai,SONG Yong. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-04.

PIXEL UNIT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, DISPLAY PANEL AND METHOD FOR DRIVING THE SAME

Номер патента: US20190317343A1. Автор: ZHAO Wenqing,LI Zhongxiao. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-17.

Memory device and memory system having the memory device

Номер патента: US11782646B2. Автор: Seung Hyun Chung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Dynamic memory device management and stream prioritization based on quality of service metrics

Номер патента: US12045467B2. Автор: Manjunath Chandrashekaraiah. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Memory device and memory system for direct communication between the memory devices

Номер патента: US20200104060A1. Автор: Young Geun Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-02.

Business data processing system and method for automatically capturing data

Номер патента: US20240211839A1. Автор: LEI FENG,Guoxin Sun. Владелец: Data Systems Consulting Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Nand flash storage device and methods using non-nand storage cache

Номер патента: US20180314434A1. Автор: Dana L. Simonson. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-11-01.

Software update method and head mounted display system using the same

Номер патента: US20200364038A1. Автор: Chi-Yang Huang. Владелец: XRspace Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Memory programming method, memory device, and memory system

Номер патента: US20240295960A1. Автор: Yao Chen,Zhiliang Xia,Yifan Li. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Method for improving image quality, and image signal processing apparatus and av device using the same

Номер патента: US20090028456A1. Автор: Byung-jo Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-01-29.

Driving method for in-cell touch display and mobile device using the same

Номер патента: US20170269781A1. Автор: Ho-Nien Yang,Shen-Chia HUANG. Владелец: FocalTech Systems Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

Method for improving image quality, and image signal processing apparatus and AV device using the same

Номер патента: US8045817B2. Автор: Byung-jo Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-10-25.

Optical glass, hot-molded article and method of manufacturing the same, optical element and method of manufacturing the same

Номер патента: US09434637B2. Автор: Masanori Aniya. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

ARRAY SUBSTRATE, METHOD FOR FABRICATING THE SAME, DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR DRIVING DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20170039982A1. Автор: Ji Bin,Zhang Zihe. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-09.

NON-VOLATILE MEMORY SYSTEM, MOBILE APPARATUS INCLUDING THE SAME, AND METHOD OF OPERATING THE NON-VOLATILE MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20150169443A1. Автор: Lee Byung-yo. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-18.

Configuration information backup in memory systems

Номер патента: US20170139631A1. Автор: Ning Wu,Xin Guo,Robert E. Frickey,Hanmant P. Belgal. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-05-18.

Configuration information backup in memory systems

Номер патента: US20160054925A1. Автор: Ning Wu,Xin Guo,Robert E. Frickey,Hanmant P. Belgal. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

Non-volatile memory devices, systems including same and associated methods

Номер патента: WO2008115970A3. Автор: Frank J. Sepulveda. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2010-01-07.

Flexible tube for endoscope, endoscope medical device, and methods for producing the same

Номер патента: US20230190076A1. Автор: Yoshihiro Nakai,Shinya Abe,Kazuma Horita. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Method, associated memory device and controller thereof for performing dynamic resource management

Номер патента: US20190050154A1. Автор: Che-Wei Hsu,Hsin-Hsiang TSENG. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-02-14.

Semiconductor device with a plurality of write conditions and memory system

Номер патента: US20110161386A1. Автор: Takafumi Ito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-30.

Method and apparatus for performing data access control of memory device with aid of predetermined command

Номер патента: US12061800B2. Автор: Tzu-Yi Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

CEMENTED LENS, OPTICAL SYSTEM INCLUDING THE SAME, OPTICAL APPARATUS, AND METHOD FOR MANUFACTURING CEMENTED LENS

Номер патента: US20200049862A1. Автор: Ogane Masanobu,Makino Kenji,Ochi Norihiko. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-13.

Apparatus and method for direct memory access in a hub-based memory system

Номер патента: US7966430B2. Автор: Joseph M. Jeddeloh. Владелец: Round Rock Research LLC. Дата публикации: 2011-06-21.

Optical-fiber connector modules including shape-sensing systems and methods thereof

Номер патента: US12029498B2. Автор: Anthony K. Misener,Shayne Messerly,Chase Thompson. Владелец: Bard Access Systems Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Method for fault detection and vehicle display fault detection system

Номер патента: US12026995B2. Автор: Feng-Ming Hsu,Yung-Lin CHENG. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2024-07-02.

Method for identification and relative quantification of cellular proteins

Номер патента: WO2008125957A2. Автор: Mara Colzani,Manfredo Quadroni,Patrice Waridel. Владелец: UNIVERSITÉ DE LAUSANNE. Дата публикации: 2008-10-23.

Trailer tracking apparatus and method

Номер патента: EP3262609A1. Автор: Jeremy Greenwood,Giovanni Strano. Владелец: Jaguar Land Rover Ltd. Дата публикации: 2018-01-03.

Method for identification and relative quantification of cellular proteins

Номер патента: WO2008125957A3. Автор: Mara Colzani,Manfredo Quadroni,Patrice Waridel. Владелец: Patrice Waridel. Дата публикации: 2008-12-11.

Display screen, electronic device and information processing method for the electronic device

Номер патента: US09812075B2. Автор: FANG Xu,Zhenhua Zhang,Ke Shang,Like Zhong. Владелец: Lenovo Beijing Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Surgical gown tracking system and method of using the same

Номер патента: US20230402170A1. Автор: Yen-Yi Ho,Yen-Yun Huang. Владелец: Ai Bioelectronic Healthtech Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Method for risk assessment of neurological disorder and electronic device using the same

Номер патента: US20220354437A1. Автор: Ke Han,Hung-Yi Hsu,Wen-Yung Sheng. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-11-10.

Memory system and operating method thereof

Номер патента: US20200133882A1. Автор: Min-O SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-04-30.

Reaction vessel handling apparatus, testing apparatus, and methods using same

Номер патента: EP3131651A1. Автор: Beri Cohen,Nicolae Dumitrescu. Владелец: Siemens Healthcare Diagnostics Inc. Дата публикации: 2017-02-22.

Media scan method to reduce active idle power of memory devices

Номер патента: US20240295972A1. Автор: Peng Fei,Dengfeng Ruan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Media scan method to reduce active idle power of memory devices

Номер патента: WO2024182725A1. Автор: Peng Fei,Dengfeng Ruan. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-09-06.

Photonic spectrometry device and method, method for calibrating the device, and use of the device

Номер патента: US09400336B2. Автор: Eric Berruyer. Владелец: AREVA NP SAS. Дата публикации: 2016-07-26.

TOUCH DISPLAY PANEL AND METHOD AND DEVICE FOR DRIVING THE SAME

Номер патента: US20170052637A1. Автор: ZHANG Yuanbo,LU Jianing. Владелец: BOE Technology Group Co., Ltd.. Дата публикации: 2017-02-23.

Semiconductor laser device, and method and program for driving the same

Номер патента: US20200295535A1. Автор: Katsumi Nishimura,Yusuke AWANE,Kyoji Shibuya. Владелец: Horiba Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Liquid crystal display device and method and circuit for driving the same

Номер патента: CN101772800B. Автор: 须山达彦. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2013-01-02.

Liquid crystal display panel and method and apparatus for driving the same

Номер патента: KR100950517B1. Автор: 손현호. Владелец: 엘지디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2010-03-30.

Display apparatus, and method and apparatus for driving the same

Номер патента: CN101097700A. Автор: 田炳吉,李浚表,金宇哲. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-02.

Nonvolatile memory cells having lateral coupling structure and memory cell arrays using the same

Номер патента: US09627394B1. Автор: Sung Kun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Selective Etching Method and Method for Forming an Isolation Structure of a Memory Device

Номер патента: US20100167494A1. Автор: Dae Jin Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-07-01.

Apparatus and method for rounded ONO formation in a flash memory device

Номер патента: US09564331B2. Автор: Di Li,Shenqing Fang,Tim Thurgate,Tung-Sheng Chen. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Positive and negative reinforcement systems and methods of vehicles for driving

Номер патента: US11760362B2. Автор: Caroline Chung,Christopher Corral,Alexandru ORBAN,Trinten PATTEN. Владелец: Veoneer US LLC. Дата публикации: 2023-09-19.

Deer repellent composition, process for making same, and a treatment method for applying the same

Номер патента: CA2134058C. Автор: Athena P. Loucas. Владелец: Safer Inc. Дата публикации: 2007-12-18.

Deer repellent composition, process for making same, and a treatment method for applying the same

Номер патента: CA2134058A1. Автор: Athena P. Loucas. Владелец: Individual. Дата публикации: 1995-04-26.

Information processing system, method for controlling the same, mobile terminal, and method for controlling the same

Номер патента: US20230370531A1. Автор: Jun Tanaka. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Assay system including assay apparatus and disposable assay assemblages and method of use therefor

Номер патента: WO2024176217A1. Автор: Nimrod Lev. Владелец: Gyntools Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Multilayer substrate and method for producing the same, diamond film and method for producing the same

Номер патента: US20120225307A1. Автор: Hitoshi Noguchi. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-06.

Mounting plate and cover for two electrical boxes in the same horizontal plane and method for installation

Номер патента: CA2232893C. Автор: Jerome M. Lippa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-06.

Method for manufacturing capacitor of highly integrated semiconductor memory device

Номер патента: US5134086A. Автор: Ji-Hong Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1992-07-28.

Agricultural baler system including crop package reconfiguration and banding mechanism and method

Номер патента: US20200015427A1. Автор: Timothy J. Kraus. Владелец: Deere and Co. Дата публикации: 2020-01-16.

Method for manufacturing a gate-control diode semiconductor memory device

Номер патента: US8426271B1. Автор: Wei Zhang,Pengfei Wang,Qingqing Sun,Chengwei Cao. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-04-23.

Method for manufacturing a gate-control diode semiconductor memory device

Номер патента: US20130237010A1. Автор: Wei Zhang,Pengfei Wang,Xi Lin,Qingqing Sun. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-09-12.

Method for producing a pillar-shaped phase change memory device

Номер патента: US9954032B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US09997462B2. Автор: Keun Lee,Dohyung Kim,Hyunseok Lim,Hauk Han,Jeonggil Lee,Jooyeon Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Flash memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080067579A1. Автор: Joo-Hyeon LEE. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-20.

Stacked capacitor, method for making the same and memory device

Номер патента: US20240306363A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US12080791B2. Автор: Ki Seok Lee,Min Hee Cho,Min Su Lee,Sang Hoon Uhm,Min Tae RYU,Won Sok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Analyte monitoring devices and methods

Номер патента: US09526453B2. Автор: Daniel M. Bernstein. Владелец: Abbott Diabetes Care Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Electric circuit breaker, as well as plant, use and method where such is used

Номер патента: EP1277219A1. Автор: Stefan Valdemarsson,Philip Kjaer,Freddy Magnussen. Владелец: ABB AB. Дата публикации: 2003-01-22.

Apparatus and method for split transistor memory having improved endurance

Номер патента: EP1639646A2. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-03-29.

On-chip capacitors in semiconductor devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240213144A1. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Lei Xue. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Flash memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20030052359A1. Автор: Sung Shin,Jae Eom. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-03-20.

Inorganic fiber laminate, vacuum insulation material using same, and manufacturing method for same

Номер патента: MY202040A. Автор: Frederic Bordeaux,Julien Thiery. Владелец: Saint Gobain Isover. Дата публикации: 2024-03-29.

Surgical devices and methods for driving an implant and applying counter torque

Номер патента: US09744654B2. Автор: Zoher Bootwala. Владелец: Medos International Sarl. Дата публикации: 2017-08-29.

Micro-filter and injection molding machine using the same and injection molding method for the same

Номер патента: WO2006009387A1. Автор: Myongdeok Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2006-01-26.

Method for forming negative electrode and method for manufacturing lithium secondary battery

Номер патента: US09680272B2. Автор: Kiyofumi Ogino. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Prodrug of probucol and method for preparing the same

Номер патента: US09650332B1. Автор: Yong Xu,Michael Xu,Peter W YOHI,Douglas CRUISE. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-05-16.

Method for manufacturing memory cell of nonvolatile memory device

Номер патента: KR970072434A. Автор: 최정혁,신왕철,주경중. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-11-07.

Method for manufacturing memory cell of nonvolatile memory device

Номер патента: KR970072441A. Автор: 김재윤. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-11-07.

Hydroxyalkylalkyl cellulose for tableting and solid preparation comprising the same

Номер патента: US20230301920A1. Автор: Naosuke Maruyama,Takuya Yokosawa. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Method for forming high-k charge storage device

Номер патента: SG144931A1. Автор: HSIA Liang Choo,Sohn Dong Kyun,Ang Chew Hoe. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2008-08-28.

Transistors with various threshold voltages and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200119016A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Electrical signal transmission cable system and method of using same

Номер патента: US20200161022A1. Автор: Douglas W. SCHROEDER,Daniel W. Celander. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-05-21.

Semiconductor devices and methods of forming same

Номер патента: US09576892B2. Автор: Chih-Chien Chi,Huang-Yi Huang,Szu-Ping Tung,Ching-Hua Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

METHOD FOR FABRICATING VERTICAL CHANNEL TYPE NONVOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130137228A1. Автор: Hong Kwon,LEE Ki-Hong,JOO Moon-Sig,HWANG Sun-Hwan. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2013-05-30.

Method for fabricating vertical channel type nonvolatile memory device

Номер патента: US8399323B2. Автор: Kwon Hong,Ki-hong Lee,Moon-Sig Joo,Sun-Hwan Hwang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-03-19.

Method for fabricating vertical channel type nonvolatile memory device

Номер патента: US8048743B2. Автор: Kwon Hong,Ki-hong Lee,Moon-Sig Joo,Sun-Hwan Hwang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-11-01.

Aqueous dispersions and methods for production

Номер патента: WO2023114950A3. Автор: Cecil Coutinho,Frank DRIESSEN,Kate Lusvardi. Владелец: SOLENIS TECHNOLOGIES CAYMAN, L.P.. Дата публикации: 2023-08-10.

Aqueous dispersions and methods for production

Номер патента: WO2023114950A2. Автор: Cecil Coutinho,Frank DRIESSEN,Kate Lusvardi. Владелец: SOLENIS TECHNOLOGIES CAYMAN, L.P.. Дата публикации: 2023-06-22.

Aqueous dispersions and methods for production

Номер патента: CA3241125A1. Автор: Cecil Coutinho,Frank DRIESSEN,Kate Lusvardi. Владелец: Solenis Technologies Cayman LP. Дата публикации: 2023-06-22.

Aqueous dispersions and methods for production

Номер патента: AU2022416559A1. Автор: Cecil Coutinho,Frank DRIESSEN,Kate Lusvardi. Владелец: Solenis Technologies Cayman LP. Дата публикации: 2024-07-04.

Magnetic semiconductor material and method for preparation thereof

Номер патента: US20040014244A1. Автор: Katsuaki Sato,Takayuki Ishibashi,Gennadiy Medvedkin. Владелец: Japan Science and Technology Corp. Дата публикации: 2004-01-22.

Method for fabricating vertical channel type nonvolatile memory device

Номер патента: US20130130454A1. Автор: Kwon Hong,Ki-hong Lee,Moon-Sig Joo,Sun-Hwan Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-05-23.

METHODS FOR FABRICATING INTEGRATED CIRCUITS WITH NONVOLATILE MEMORY DEVICES

Номер патента: US20150349095A1. Автор: Cong Hai,Yap Chiew Wah,WANG Thomas,WANG Zhehui,Loh Wei Loong. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-03.

Piezoelectric devices and methods and circuits for driving same

Номер патента: WO2005098983A3. Автор: James Vogeley. Владелец: Par Technologies Llc. Дата публикации: 2006-10-12.

Piezoelectric devices and methods and circuits for driving same

Номер патента: WO2005098983A2. Автор: James Vogeley. Владелец: Par Technologies, Llc. Дата публикации: 2005-10-20.

Piezoelectric devices and methods and circuits for driving same

Номер патента: EP1741147A2. Автор: James Vogeley. Владелец: Par Technologies Llc. Дата публикации: 2007-01-10.

Digital broadcasting receiving apparatus and method for upgrading software thereof

Номер патента: US20080178247A1. Автор: Kyung-chul Nam,Doo-Hee Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-24.

Diffuser membrane and method of manufacture

Номер патента: US09795933B2. Автор: Charles E. Tharp,Warrick S. Wadman,David A. Capron. Владелец: Environmental Dynamics International Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Cell cultures and methods of use

Номер патента: US20180371408A1. Автор: Xiaozhong Yu. Владелец: University of Georgia Research Foundation Inc UGARF. Дата публикации: 2018-12-27.

Adjustable implant, system and methods

Номер патента: US20240358412A1. Автор: Jorge Lopez Camacho. Владелец: Nuvasive Specialized Orthopedics Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Systems and Methods for Driving Light Emitting Diodes

Номер патента: US20150341995A1. Автор: Wei Lu,Stephen Leeboon Wong,Tri Le,William Mai. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2015-11-26.

Memory and fabrication method thereof and memory system

Номер патента: US20240347452A1. Автор: Zhaoyun TANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Methods for programming a floating body nonvolatile memory

Номер патента: US20060186457A1. Автор: Ramachandran Muralidhar,James Burnett. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2006-08-24.

Methods for programming a floating body nonvolatile memory

Номер патента: US7352631B2. Автор: Ramachandran Muralidhar,James D. Burnett. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2008-04-01.

Method for forming self-aligned contacts and local interconnects simultaneously

Номер патента: US20070235798A1. Автор: Kuang-Chao Chen,Tuung Luoh,Ling-Wuu Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-11.

Semiconductor device, fabricating method, memory device and device system

Номер патента: US20240312925A1. Автор: Peng Chen,Xin Feng,XinRu Zeng,Ping Mo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Coolant pump, cooling system provided with the same for vehicle and control method for the same

Номер патента: US20200040803A1. Автор: Hyo Jo Lee. Владелец: HYUNDAI MOTOR Co AND KIA MOTORS Corp. Дата публикации: 2020-02-06.

Leaf Assembly for Water Treatment and Method of Assembly Thereof

Номер патента: US20240091711A1. Автор: Dereck KOWALSKI,William Tally,Mitch O'BRIEN,Orest Yavtushenko. Владелец: Renew Health Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Glazing beads and methods of assembly using same

Номер патента: US12098586B2. Автор: Patrick COBB,Florin Poenariu,William Cobb, JR.. Владелец: Coastal Industries Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Package substrate and method of forming the same, package structure and method of forming the same

Номер патента: US12027379B2. Автор: Ping-Heng Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Crystal growing device and method of manufacturing single crystal

Номер патента: EP1143040A4. Автор: Tetsuya Yamamoto,Hiroshi Maeda,Ryuichi Hirano,Yoshiaki Kubota,Akira Hichiwa. Владелец: Hirochiku Co Ltd. Дата публикации: 2004-05-12.

Semiconductor device and method of producing the same, lead frame and method of producing the same

Номер патента: TW486800B. Автор: Takahiro Yurino. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-05-11.

Joining electrode, method of manufacturing the same, semiconductor device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US8884439B2. Автор: Kenichi Aoyagi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-11-11.

Methods of forming memory devices having electrodes comprising nanowires

Номер патента: US09871196B2. Автор: Jun Liu,Michael P. Violette. Владелец: Ovonyx Memory Technology LLC. Дата публикации: 2018-01-16.

Memory devices having electrodes comprising nanowires

Номер патента: US09525131B2. Автор: Jun Liu,Michael P. Violette. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Three-dimensional memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US11978737B2. Автор: Kun Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor structures and fabrication method thereof, memory device and memory system

Номер патента: US20240355736A1. Автор: Min WEN,Zhen Pan,Chengbao Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

MEMORY DEVICE AND MANAGED MEMORY SYSTEM WITH WIRELESS DEBUG COMMUNICATION PORT AND METHODS FOR OPERATING THE SAME

Номер патента: US20200204991A1. Автор: Parry Jonathan S.,STRONG ROBERT W.. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-25.

Tubing for lining pipes and method for producing the same

Номер патента: CA2348600C. Автор: Siegfried Schwert. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-06.

Stacked gate flash memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20040108542A1. Автор: Chung-Lin Huang,Chi-Hui Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-10.

Magnetorheological fluid, method for manufacturing magnetorheological fluid, and magnetorheological fluid device

Номер патента: EP4212755A1. Автор: Ryota Suzuki. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-07-19.

Systems and methods for deposition of molybdenum for source/drain contacts

Номер патента: US20230298902A1. Автор: Dong Li,Petri Raisanen,Eric James Shero,Jiyeon Kim. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-09-21.

Substrate carrier door assemblies, substrate carriers, and methods including magnetic door seal

Номер патента: US20160340947A1. Автор: Nir Merry,John J. Mazzocco. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-11-24.

Multipoint ignition systems and methods

Номер патента: US09915189B2. Автор: Jaswinder Singh. Владелец: Caterpillar Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Back Plate and Method for Manufacturing the Same, Display Substrate and Method for Manufacturing the Same, and Display Device

Номер патента: US20200075694A1. Автор: DAI QING. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-05.

OXIDE THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, ARRAY SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20160380105A1. Автор: Wang Ke. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-29.

Back Plate and Method for Manufacturing the Same, Display Substrate and Method for Manufacturing the Same, and Display Device

Номер патента: US20220352272A1. Автор: DAI QING. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-03.

Pile driving system and method

Номер патента: US6042304A. Автор: Gerald R. Manning. Владелец: Foundation Constructors Inc. Дата публикации: 2000-03-28.

Anisotropic conductive film using polarized conductive particles and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2007081098A1. Автор: Il-Rae Cho. Владелец: LS CABLE LTD.. Дата публикации: 2007-07-19.

Fusion method for qkd device and classic device, and all-in-one device

Номер патента: EP4451609A1. Автор: Shuai Li,Song Gao,Hongyu Wu,Shibiao TANG. Владелец: Quantumctek Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Methods for producing rebaudioside d and rebaudioside m and compositions thereof

Номер патента: US20200102589A1. Автор: Yong Wang,Jun Hua,Liang Pei. Владелец: Sichuan Ingia Biosynthetic Co ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Wafer-level bonding method for camera fabrication

Номер патента: US09553126B2. Автор: Alan Martin,Edward Nabighian. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

ULTRASONIC TRANSDUCER SYSTEMS INCLUDING TUNED RESONATORS, EQUIPMENT INCLUDING SUCH SYSTEMS, AND METHODS OF PROVIDING THE SAME

Номер патента: US20190319005A1. Автор: DeAngelis Dominick A.. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-17.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NONVOLATILE MEMORY APPARATUS AND METHOD FOR PROCESSING CONFIGURATION INFORMATION THEREOF

Номер патента: US20120002486A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

NONVOLATILE MEMORY APPARATUS AND METHOD FOR PROCESSING CONFIGURATION INFORMATION THEREOF

Номер патента: US20120002487A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002469A1. Автор: IMAMOTO Akihiro,Abiko Naofumi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

PIXEL AND ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20120001893A1. Автор: . Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR TRANSMITTING A SIGNAL AND COMMUNICATIONS APPARATUS

Номер патента: US20120002660A1. Автор: Lv Yongxia,HOU Yunzhe,Wan Lei,Ren Xiaotao. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

TRANSPARENT ELECTRICALLY CONDUCTIVE LAYER AND METHOD FOR FORMING SAME

Номер патента: US20120000519A1. Автор: FREY Jonathan Mack. Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, CAPACITOR, BATTERY, AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120003544A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CHARGE EQUILIBRIUM ACCELERATION IN A FLOATING GATE MEMORY DEVICE VIA A REVERSE FIELD PULSE

Номер патента: US20120002482A1. Автор: Kalavade Pranav,Franklin Nathan R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NONVOLATILE MEMORY DEVICE, NONVOLATILE MEMORY SYSTEM, AND PROGRAM METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20130250677A1. Автор: PARK JUNGHOON,NAM Sang-Wan. Владелец: . Дата публикации: 2013-09-26.

MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THEREOF

Номер патента: US20120001246A1. Автор: . Владелец: Micron Technology Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEMS AND METHODS FOR IMPROVED COMMUNICATIONS IN A NONVOLATILE MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20130138868A1. Автор: Fai Anthony,Wakrat Nir Jacob,Seroff Nicholas C.. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2013-05-30.

MANUFACTURING METHOD FOR SOLID-STATE IMAGING DEVICE

Номер патента: US20120003778A1. Автор: OOTAKE Hajime. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PROGRAMMING A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002481A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FABRICATING VERTICAL CHANNEL TYPE NONVOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120021574A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-26.

SYSTEMS AND METHODS FOR USING RESERVED SOLID STATE NONVOLATILE MEMORY STORAGE CAPACITY FOR SYSTEM REDUCED POWER STATE

Номер патента: US20130067137A1. Автор: Molloy Michael K.. Владелец: . Дата публикации: 2013-03-14.

SYSTEMS AND METHODS FOR PROVIDING EARLY HINTING TO NONVOLATILE MEMORY CHARGE PUMPS

Номер патента: US20130297852A1. Автор: Fai Anthony,Seroff Nicholas C.. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2013-11-07.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND SEMICONDUCTOR MEMORY SYSTEM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20120137084A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-05-31.

Access control unit and method for use with synchronous dynamic random-access memory device

Номер патента: TWI236596B. Автор: Chang Cheng Yap. Владелец: RDC Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-21.

Access control unit and method for use with synchronous dynamic random-access memory device

Номер патента: TW200405169A. Автор: Chang Cheng Yap. Владелец: RDC Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-01.