Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Method of reading memory device in page mode and row decoder control circuit using the same

Method of reading memory device in page mode and row decoder control circuit using the same

Номер патента: US6930952B2
Опубликовано: 16-08-2005
Автор(ы): Sung Ryong Kim
Принадлежит: Hynix Semiconductor Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Address control circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US20190198076A1. Автор: Byeong Cheol Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Data line switching control circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US20210035616A1. Автор: Kyeong Pil KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Clock synchronizing method of a multiple clock domain memory device

Номер патента: US12057193B2. Автор: Tae-Young Oh,Hye-Ran Kim,Seong-Hwan Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Clock synchronizing method of a multiple clock domain memory device

Номер патента: US20220157357A1. Автор: Tae-Young Oh,Hye-Ran Kim,Seong-Hwan Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-19.

Clock synchronizing method of a multiple clock domain memory device

Номер патента: US20210183420A1. Автор: Tae-Young Oh,Hye-Ran Kim,Seong-Hwan Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-17.

Clock synchronizing method of a multiple clock domain memory device

Номер патента: US20230206974A1. Автор: Tae-Young Oh,Hye-Ran Kim,Seong-Hwan Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-29.

Method of accessing synchronous dynamic random access memory, memory control circuit, and memory system including the same

Номер патента: US8064282B2. Автор: Shinsuke Sato. Владелец: Kawasaki Microelectronics Inc. Дата публикации: 2011-11-22.

Method of accessing synchronous dynamic random access memory, memory control circuit, and memory system including the same

Номер патента: US20090109784A1. Автор: Shinsuke Sato. Владелец: Kawasaki Microelectronics Inc. Дата публикации: 2009-04-30.

Method of and apparatus for refreshing memory devices

Номер патента: US20240105249A1. Автор: Katherine H. Chiang,Ming-Yen Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Dual port memory device, memory device and method of operating the dual port memory device

Номер патента: KR100773063B1. Автор: 임영훈,허창혁,정유환,하지태. Владелец: 엠텍비젼 주식회사. Дата публикации: 2007-11-19.

Memory device and operating method for target refresh operation based on number of accesses

Номер патента: US20240274182A1. Автор: Woongrae Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Nonvolatile memory devices and memory systems

Номер патента: US20190074048A1. Автор: Hee-Won Lee,Dong-Hun Kwak,Jun-Ho SEO,Hee-Woong Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-03-07.

Memory device and operating method for target refresh operation based on number of accesses

Номер патента: US11967354B2. Автор: Woongrae Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Semiconductor memory having variable memory size and method for refreshing the same

Номер патента: US20050152200A1. Автор: You-Mi Lee,Kyung-Woo Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-07-14.

Address control circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US20190198076A1. Автор: Byeong Cheol Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Address control circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US20180374524A1. Автор: Byeong Cheol Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-12-27.

Clock control circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US20100201413A1. Автор: Kazutaka Miyano. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-08-12.

Termination control circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US20120217990A1. Автор: Jong-Ho Jung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-08-30.

Method of distributing bank of semiconductor memory device

Номер патента: KR980004968A. Автор: 서정원. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1998-03-30.

CLOCK SYNCHRONIZING METHOD OF A MULTIPLE CLOCK DOMAIN MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200143858A1. Автор: Oh Tae-Young,KIM Hye-Ran,JEON Seong-hwan. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-07.

Clock synchronizing method of a multiple clock domain memory device

Номер патента: US20210183420A1. Автор: Tae-Young Oh,Hye-Ran Kim,Seong-Hwan Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-17.

Memory device including power-up control circuit, and memory system having the same

Номер патента: US09455018B2. Автор: Seung-Hun Lee,Won-Jae Shin,Hyung-chan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-27.

Memory device for retaining data during power-down mode and method of operating the same

Номер патента: CN1881468A. Автор: 郑扶日,元明圭. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-12-20.

Memory device for retaining data during power-down mode and method of operating the same

Номер патента: TW200735105A. Автор: Myung-Gyoo Won,Bu-Il Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-09-16.

Method of Reducing Program Disturbance in Memory Device and Memory Device Utilizing Same

Номер патента: US20210174852A1. Автор: CUI YING,Li Shan,You Kaikai,Jia Jianquan,Li Kaiwei,Zhang An. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-10.

Address decoder and active control circuit and semiconductor memory including the same

Номер патента: US09997229B2. Автор: Hyun Sung Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Volatile memory device and methods of operating and testing volatile memory device

Номер патента: US09552210B2. Автор: Kwan-Yong Jin,Mi-Young Woo,Seock-Chan Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-24.

Word line control circuit and semicondcutor apparatus including the same

Номер патента: US20220230667A1. Автор: Duck Hwa Hong,Chul Moon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-07-21.

Method of reducing program disturbance in memory device and memory device utilizing same

Номер патента: US11676646B2. Автор: SHAN Li,An ZHANG,Jianquan Jia,Kaikai You,Ying Cui,Kaiwei LI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-13.

Method of reducing program disturbance in memory device and memory device utilizing same

Номер патента: US20220084573A1. Автор: SHAN Li,An ZHANG,Jianquan Jia,Kaikai You,Ying Cui,Kaiwei LI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-17.

Volatile memory device and methods of operating and testing volatile memory device

Номер патента: US20140223245A1. Автор: Kwan-Yong Jin,Mi-Young Woo,Seock-Chan Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-08-07.

Method of Reducing Program Disturbance in Memory Device and Memory Device Utilizing Same

Номер патента: US20210174852A1. Автор: SHAN Li,An ZHANG,Jianquan Jia,Kaikai You,Ying Cui,Kaiwei LI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-10.

Memory device and precharging method thereof

Номер патента: US20240096398A1. Автор: Seungki HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Memory device and memory system having the same

Номер патента: US09685218B2. Автор: Chul-woo Park,Kwang-Il Park,Young-Soo Sohn,Jae-Youn Youn,Si-Hong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

Memory device and memory system having the same

Номер патента: US09536586B2. Автор: Chul-woo Park,Kwang-Il Park,Young-Soo Sohn,Jae-Youn Youn,Si-Hong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

ADDRESS DECODER AND ACTIVE CONTROL CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR MEMORY INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20180082737A1. Автор: LEE Hyun Sung. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2018-03-22.

Memory device and precharging method thereof

Номер патента: US20240096396A1. Автор: Seungki HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor Memory Devices Including Redundancy Memory Cells

Номер патента: US20160247553A1. Автор: Sang-Bo Lee,Sang-joon Hwang,Sung-Min Seo,Yun-Young Lee,Kyo-Min Sohn,Nak-Won Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-25.

Semiconductor memory devices including redundancy memory cells

Номер патента: US09858981B2. Автор: Sang-Bo Lee,Sang-joon Hwang,Sung-Min Seo,Yun-Young Lee,Kyo-Min Sohn,Nak-Won Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory devices including redundancy memory cells

Номер патента: US09524770B2. Автор: Sang-Bo Lee,Sang-joon Hwang,Sung-Min Seo,Yun-Young Lee,Kyo-Min Sohn,Nak-Won Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

METHOD OF CONTROLLING REPAIR OF VOLATILE MEMORY DEVICE AND STORAGE DEVICE PERFORMING THE SAME

Номер патента: US20210065835A1. Автор: Kim Dong,PARK Inhoon,Eun Hyunglae,Jung Wonyeoung. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-04.

Memory device including power-up control circuit, and memory system having the same

Номер патента: US20160141015A1. Автор: Seung-Hun Lee,Won-Jae Shin,Hyung-chan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-19.

Device, operating method, memory device, and cxl memory expansion device

Номер патента: US20240096395A1. Автор: Kijun Lee,Sunghye CHO,Yeonggeol Song,Myungkyu Lee,Kyomin Sohn,Jungmin YOU,Eunae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

MEMORY DEVICE AND METHOD OF CONTROLLING REFRESH OPERATION IN MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140269134A1. Автор: Kim Young-Hun,JEONG In-Chul. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-09-18.

METHOD OF REDUCING PROGRAM DISTURBANCE IN MEMORY DEVICE AND MEMORY DEVICE UTILIZING SAME

Номер патента: US20220084573A1. Автор: CUI YING,Li Shan,You Kaikai,Jia Jianquan,Li Kaiwei,Zhang An. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-17.

Flash memory device and method of programming the same

Номер патента: US10636491B2. Автор: Hoyoung Shin,Myeonghee Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-28.

Consumption current circuit and method for memory device

Номер патента: US5978292A. Автор: Dong-Chul Lim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1999-11-02.

Memory device and method for performing error check and scrub (ecs) operation

Номер патента: EP4383261A3. Автор: Youngbin LEE,Doohee Hwang,Kiseok Oh,Kangil Kim,Junha Hwang,SONG Saemi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-14.

Memory device performing ecs operation, operation method of the memory device, memory system, electronic device, and electronic system

Номер патента: US20240161807A1. Автор: Youngbin LEE,Saemi Song,Doohee Hwang,Kiseok Oh,Kangil Kim,Junha Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor memory device including clock control circuit and method for operating the same

Номер патента: US8446793B2. Автор: Choung-Ki Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-05-21.

Non-volatile memory device and control method

Номер патента: EP4273866A2. Автор: Jianquan Jia,Kaikai You,Ying Cui. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-08.

Non-volatile memory device and control method

Номер патента: EP4273866A3. Автор: Jianquan Jia,Kaikai You,Ying Cui. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-24.

Memory device and method for performing error check and scrub (ecs) operation

Номер патента: EP4383261A2. Автор: Youngbin LEE,Doohee Hwang,Kiseok Oh,Kangil Kim,Junha Hwang,SONG Saemi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-12.

REFRESH TIMING GENERATION CIRCUIT, REFRESH CONTROL CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR APPARATUS INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20180114565A1. Автор: LEE Hyun Sung. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2018-04-26.

Semiconductor memory device using one common bus line between address buffer and row predecoder

Номер патента: KR100329758B1. Автор: 한종희,류제훈. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-08-08.

Staggering refresh address counters of a number of memory devices, and related methods, devices, and systems

Номер патента: US11887649B2. Автор: James S. Rehmeyer,Christopher G. Wieduwilt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Address decoder, active control circuit and semiconductor memory including the same

Номер патента: KR20180031497A. Автор: 이현성. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2018-03-28.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20160247809A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-25.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20190198501A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20170373068A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-28.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20200350316A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20140328106A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-06.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240049449A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

A memory device and method of operation of such a memory device

Номер патента: KR102220632B1. Автор: 권정태,보 정,구스 융,여우 겅 종. Владелец: 에이알엠 리미티드. Дата публикации: 2021-02-26.

A memory device and method of operation of such a memory device

Номер патента: GB201414373D0. Автор: . Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2014-09-24.

MEMORY MODULE INCLUDING A VOLATILE MEMORY DEVICE, MEMORY SYSTEM INCLUDING THE MEMORY MODULE AND METHODS OF OPERATING A MULTI-MODULE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200174882A1. Автор: Choi Insu,YU Yongjun,SHIN WONJAE,KIM Dae-Jeong,LEE Changmin,KIM Sung-Joon. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-04.

Memory device and method of writing data to a memory device

Номер патента: US8154911B2. Автор: Rajiv Kumar,Saurabh Agrawal,Naveen Batra. Владелец: STMICROELECTRONICS PVT LTD. Дата публикации: 2012-04-10.

Data read-out circuit in semiconductor memory device and method of data reading in semiconductor memory device

Номер патента: US20120072804A1. Автор: Satoru Oku. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-03-22.

Method of writing data in nonvolatile memory device, nonvolatile memory device performing the same and method of operating memory system using the same

Номер патента: US11862261B2. Автор: Heewon Lee,Chanha KIM,Kwangwoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-02.

Systems and methods of correcting errors in unmatched memory devices

Номер патента: US12100458B2. Автор: Jang Woo Lee,Venkatesh Prasad Ramachandra,Srinivas Rajendra,Anil Pai. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-24.

Generic physical layer providing a unified architecture for interfacing with an external memory device and methods of interfacing with an external memory device

Номер патента: US20220208240A1. Автор: Chee Hak Teh,Soon Chieh Lim,Tat Hin Tan. Владелец: SKYECHIP SDN BHD. Дата публикации: 2022-06-30.

Skew control circuit and interface circuit including the same

Номер патента: US20190005994A1. Автор: Jae-Heung Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-01-03.

Method of erasing data in nonvolatile memory device, nonvolatile memory device performing the same and memory system including the same

Номер патента: US10658043B2. Автор: Sang-Wan Nam,Ji-Ho Cho,Won-Bo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-19.

Semiconductor memory device and method of reading a semiconductor memory device

Номер патента: US20230335213A1. Автор: Shinya Fujioka. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Vertical memory device including substrate control circuit and memory system including the same

Номер патента: US20190139968A1. Автор: Sang-Won Shim,Bong-Soon Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-09.

Method of erasing data in nonvolatile memory device, nonvolatile memory device performing the same and memory system including the same

Номер патента: US20200243144A1. Автор: Sang-Wan Nam,Ji-Ho Cho,Won-Bo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-30.

Method of erasing data in nonvolatile memory device, nonvolatile memory device performing the same and memory system including the same

Номер патента: US20190198118A1. Автор: Sang-Wan Nam,Ji-Ho Cho,Won-Bo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-27.

Data output control circuit and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US11862253B2. Автор: Kwang Soon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Memory control circuit and method for controlling the same

Номер патента: US11923037B2. Автор: Wataru Ochiai. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Systems and methods of correcting errors in unmatched memory devices

Номер патента: US20230386584A1. Автор: Jang Woo Lee,Venkatesh Prasad Ramachandra,Srinivas Rajendra,Anil Pai. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-30.

Integrated circuit memory device with write driver and method of operating same

Номер патента: US10535392B2. Автор: Artur ANTONYAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-14.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US11842767B2. Автор: Quansheng LI. Владелец: Shanghai Zhaoxin Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Non-volatile memory device, memory system, and methods of operating the device and system

Номер патента: US09607700B2. Автор: Seung-Bum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Memory devices and control methods thereof

Номер патента: US09437284B1. Автор: Jui-Lung Chen,Wei-Ting Chen,Yu-Hsi Ke. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

A method of manufacturing a static semiconductor memory device and a bipolar transistor, and a semiconductor device having the same

Номер патента: KR970072408A. Автор: 히로키 혼다,토모히사 와다,히로토시 사토. Владелец: 미쓰비시 덴키 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1997-11-07.

Enhanced read & write methods for negative differential resistance (ndr)based memory device

Номер патента: US20040001363A1. Автор: Tsu-Jae King. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-01.

Static random access memory device having reduced leakage current during active mode and a method of operating thereof

Номер патента: US20080043542A1. Автор: Theodore Houston. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-02-21.

AUTOCORRECTIVE WRITING METHOD OF A MULTIPARTS STATIC LIFTING MEMORY DEVICE, AND CORRESPONDING DEVICE

Номер патента: FR3055062B1. Автор: Faress Tissafi Drissi. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2018-08-31.

METHOD OF OPERATING PSRAM AND RELATED MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140043888A1. Автор: Chen Ho-Yin,Liu Shi-Huei. Владелец: ETRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-02-13.

Operating method of memory controller and nonvolatile memory device

Номер патента: US09766973B2. Автор: Changkyu Seol,Junjin Kong,Hong Rak Son,Youngsuk Ra,Seonghyeog Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Magnetic memory device, sense amplifier circuit and method of reading from magnetic memory device

Номер патента: US20060120146A1. Автор: Keiji Koga,Yuji Kakinuma,Joichiro Ezaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2006-06-08.

Semiconductor memory device, method of manufacturing semiconductor memory device and method of writing data into semiconductor memory device

Номер патента: US20100046271A1. Автор: Yuki Yamada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-02-25.

Memory device using spin hall effect and methods of manufacturing and operating the memory device

Номер патента: US09530478B2. Автор: Sung-Chul Lee,Kee-Won Kim,Kwang-Seok Kim,Young-man Jang,Ung-hwan Pi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-27.

Non-volatile memory device and method of writing to non-volatile memory device

Номер патента: US11195582B2. Автор: Yoshikazu Katoh,Naoto Kii,Yuhei YOSHIMOTO. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2021-12-07.

Semiconductor memory device including stacked gate having charge accumulation layer and control gate and method of writing data to semiconductor memory device

Номер патента: US20110267890A1. Автор: Masaki Fujiu. Владелец: Masaki Fujiu. Дата публикации: 2011-11-03.

Nonvolatile memory device having ferroelectric memory element and resistive memory element and method of writing signal in nonvolatile memory device having the same

Номер патента: US10283184B2. Автор: Joong Sik Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-05-07.

Variable resistive memory device, memory system including the same and method of driving the variable resistive memory device

Номер патента: US11862241B2. Автор: Min Chul Shin,Seung Min BAEK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Magnetic memory device comprising a current pulse generator, and method of operating such a magnetic memory device

Номер патента: EP4141871A1. Автор: Marc Drouard,Sylvain Martin,Victorien Brecte,Fabien Leroy,Julien Louche,Jérémie VIGIER. Владелец: Antaios SAS. Дата публикации: 2023-03-01.

Method of programming a non-volatile memory device

Номер патента: US20080291716A1. Автор: Koji Hosono,Kazushige Kanda,Shigeo Ohshima,Naoya Tokiwa,Toshiaki Edahiro,Takuya Futatsuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-11-27.

Method of programming a multi-level memory device

Номер патента: US6714448B2. Автор: Danut I. Manea. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2004-03-30.

Semiconductor memory device and method of defining data in semiconductor memory device

Номер патента: US20190139601A1. Автор: Hirokazu NAGASE. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Nonvolatile memory device and method of writing signal in nonvolatile memory device

Номер патента: US20180114560A1. Автор: Joong Sik Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-26.

Method of forming an amorphous ferroelectric memory device

Номер патента: US7713754B2. Автор: Robert Bicknell,Timothy Mellander. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2010-05-11.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US20230079939A1. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US20200319953A1. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-08.

Non-volatile memory device, method of operating the device, and memory system including the device

Номер патента: US11989082B2. Автор: Heejin Kim,Hyunjun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-21.

METHOD OF READING DATA ABOUT MEMORY DEVICE, METHOD OF CONTROLLING MEMORY CONTROLLER, AND STORAGE DEVICE INCLUDING MEMORY DEVICE AND MEMORY CONTROLLER

Номер патента: US20190198097A1. Автор: BYEON DAE-SEOK,KIM Ji-Su. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2019-06-27.

Memory device and method of reading data from memory device

Номер патента: US20130094293A1. Автор: Jun-Jin Kong,Chang-kyu Seol. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-04-18.

METHOD OF ERASING DATA IN NONVOLATILE MEMORY DEVICE, NONVOLATILE MEMORY DEVICE PERFORMING THE SAME AND MEMORY SYSTEM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20210012840A1. Автор: NAM Sang-Wan,SHIM Won-bo,CHO Ji-ho. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-14.

METHOD OF ERASING DATA IN NONVOLATILE MEMORY DEVICE, NONVOLATILE MEMORY DEVICE PERFORMING THE SAME AND MEMORY SYSTEM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20200243144A1. Автор: NAM Sang-Wan,SHIM Won-bo,CHO Ji-ho. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-30.

Non-volatile memory device and method of reading non-volatile memory device

Номер патента: KR102412781B1. Автор: 박상수,심동교,이지상. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-06-24.

Method of reading data in memory device

Номер патента: KR101919902B1. Автор: 공준진,설창규. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2018-11-20.

Mode register control circuit and semiconductor device having the same

Номер патента: TW402803B. Автор: Naoharu Shinozaki,Tatsuya Kanda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2000-08-21.

VERTICAL MEMORY DEVICE INCLUDING SUBSTRATE CONTROL CIRCUIT AND MEMORY SYSTEM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20190139968A1. Автор: Shim Sang-Won,LIM Bong-soon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2019-05-09.

METHOD OF ERASING DATA IN NONVOLATILE MEMORY DEVICE, NONVOLATILE MEMORY DEVICE PERFORMING THE SAME AND MEMORY SYSTEM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20190198118A1. Автор: NAM Sang-Wan,SHIM Won-bo,CHO Ji-ho. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-27.

SKEW CONTROL CIRCUIT AND INTERFACE CIRCUIT INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20190005994A1. Автор: KIM Jae-Heung. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-03.

Skew control circuit and interface circuit including the same

Номер патента: KR102532552B1. Автор: 김재흥. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2023-05-16.

Output control circuit and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US20210117349A1. Автор: Kyu Young Kim,Dae Han Kwon,Ha Jun JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-22.

DATA LINE SWITCHING CONTROL CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20210035616A1. Автор: KANG Kyeong Pil. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2021-02-04.

COLUMN CONTROL CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20210074339A1. Автор: LIM Soo Bin,CHU Kyung Ho,JOO Yong Suk. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2021-03-11.

MEMORY CONTROL CIRCUIT AND METHOD FOR CONTROLLING THE SAME

Номер патента: US20220270655A1. Автор: Ochiai Wataru. Владелец: . Дата публикации: 2022-08-25.

COLUMN CONTROL CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20210280227A1. Автор: LIM Soo Bin,CHU Kyung Ho,JOO Yong Suk. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2021-09-09.

Volatile Memory Device for buffering between non-Volatile Memory and host, Multi-chip packaged Semiconductor Device and Apparatus for processing data using the same

Номер патента: KR100606242B1. Автор: 김세진,손한구. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-07-31.

Memory device performing parallel calculation processing, operating method thereof, and operating method of memory controller controlling the memory device

Номер патента: US20210216243A1. Автор: Sukhan Lee,Youngcheon Kwon,Haesuk LEE,Sanghyuk Kwon,Hyunsung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-15.

Dual port memory device, memory device and method of operating the dual port memory device

Номер патента: WO2008032987A1. Автор: Yu-Hwan Jung,Ji-Tae Ha,Chang-Hyuk Hui,Young-Hun Lim. Владелец: Mtek Vision Co., Ltd.. Дата публикации: 2008-03-20.

Memory device and method of determining read voltage of memory device

Номер патента: US9036412B2. Автор: Jae-Yong Jeong,Ki-tae Park,Myung-Hoon Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-05-19.

Method of operating host device and memory device, and memory system

Номер патента: CN114530190A. Автор: 许晶,姜永山,全镇完,朴珖远,李京伯. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-24.

Memory devices and methods of storing data on a memory device

Номер патента: EP2319045A4. Автор: Paul Ruby,Neal Mielke. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-10-26.

System and method of page buffer operation for memory devices

Номер патента: US20120066442A1. Автор: Hong Beom Pyeon,Jin-Ki Kim,Hakjune Oh. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2012-03-15.

System and method of page buffer operation for memory devices

Номер патента: US20150046639A1. Автор: Hong Beom Pyeon,Jin-Ki Kim,Hakjune Oh. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2015-02-12.

CLOCK SYNCHRONIZING METHOD OF A MULTIPLE CLOCK DOMAIN MEMORY DEVICE

Номер патента: US20180102151A1. Автор: Oh Tae-Young,KIM Hye-Ran,JEON Seong-hwan. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-12.

Method of writing data in memory device, method of reading data from memory device and method of operating memory device including the same

Номер патента: US20210181984A1. Автор: Youngsun Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-17.

Method of programming memory device and method of reading data of memory device including the same

Номер патента: US09589661B2. Автор: Kyung-Ryun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Method of determining deterioration state of memory device and memory system using the same

Номер патента: US9164881B2. Автор: Jun-Jin Kong,Chang-kyu Seol,Hong-rak Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-20.

Driving method of memory controller and nonvolatile memory device controlled by memory controller

Номер патента: US09594673B2. Автор: Kyungryun Kim,Seokjun Ham. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-14.

Method of correcting error of flash memory device, and, flash memory device and storage system using the same

Номер патента: US8612830B2. Автор: Jun Kitahara,Nagamasa Mizushima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2013-12-17.

Methods of Programming Data in a Non-Volatile Memory Device and Methods of Operating a Nand Flash Memory Device Using the Same

Номер патента: US20110170356A1. Автор: Dong-Uk Choi,Hee-Soo Kang,Choong-ho Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-07-14.

Method of reading an electronic memory device including a plurality of memory cells of resistive random access memory type

Номер патента: US09786367B2. Автор: Carlo Cagli. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-10-10.

Non-volatile memory device for detecting progressive error, memory system, and method of operating the non-volatile memory device

Номер патента: US09842659B2. Автор: Dae-Seok Byeon,Byung-Gil Jeon,Sang-Wan Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Methods of enhancing speed of reading data from memory device

Номер патента: US20210280258A1. Автор: Li Xiang,Ke Liang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-09.

Method of writing data in nonvolatile memory device and nonvolatile memory device performing the same

Номер патента: US12045470B2. Автор: Wonhee CHO,Dongeun Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Channel control circuit and semiconductor device having the same

Номер патента: US09470757B2. Автор: Ki Tae Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Methods of enhancing speed of reading data from memory device

Номер патента: EP4235672A3. Автор: Li Xiang,Ke Liang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-18.

Methods of enhancing speed of reading data from memory device

Номер патента: EP4235672A2. Автор: Li Xiang,Ke Liang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-30.

Methods of enhancing speed of reading data from memory device

Номер патента: US20210166769A1. Автор: Li Xiang,Ke Liang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-03.

Methods of enhancing speed of reading data from memory device

Номер патента: EP3915115A1. Автор: Li Xiang,Ke Liang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-01.

Methods of erasing data in nonvolatile memory devices and nonvolatile memory devices performing the same

Номер патента: US20200411106A1. Автор: Sang-Wan Nam,Dong-Hun Kwak,Chi-Weon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-31.

Storage device supporting multi-streaming and method of controlling operation of nonvolatile memory device

Номер патента: US20200393992A1. Автор: Kyungduk Lee,Jinwoo Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-17.

Methods of testing repair circuits of memory devices

Номер патента: US20240290414A1. Автор: Taeyun Kim,Taewon Kim,Sanghee KANG,Kiho Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of verifying layout of vertical memory device

Номер патента: US09929172B2. Автор: Sung-Hoon Kim,Ki-Won Kim,Jae-Ick SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Nonvolatile memory device and method of writing data in nonvolatile memory device

Номер патента: US09524782B2. Автор: Ki-hwan Choi,Oh-Suk Kwon,Ji-Sang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Nonvolatile memory devices and methods of reading the nonvolatile memory devices

Номер патента: US20210090664A1. Автор: Hyun Min Song. Владелец: SK Hynix System IC Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Method of erasing in non-volatile memory device

Номер патента: US20100271883A1. Автор: Yeong-Taek Lee,Ki-tae Park,Doo-gon Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-10-28.

Method of erasing in non-volatile memory device

Номер патента: US7957199B2. Автор: Yeong-Taek Lee,Ki-tae Park,Doo-gon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-06-07.

Method of determining deterioration state of memory device and memory system using the same

Номер патента: US20140108747A1. Автор: Jun-Jin Kong,Chang-kyu Seol,Hong-rak Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-04-17.

Method of measuring durability of nonvolatile memory device and method of performing wear-leveling in storage device using the same

Номер патента: US11928338B2. Автор: Sanghyun Choi,Kangho Roh,Hyunkyo Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-12.

Method of erasing data in flash memory device

Номер патента: US7986565B2. Автор: Jae-Yong Jeong,Jin-Young Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-26.

Method of fabricating nonvolatile organic bistable memory device including polymer thin film with nanoparticles serving as charge trapping region

Номер патента: WO2009022774A1. Автор: Jae-Hoon Jung,Tae-Whan Kim,Dong-Ick Son,Jae-Hyeon Leem. Владелец: INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATION, HANYANG UNIVERSITY. Дата публикации: 2009-02-19.

Nonvolatile memory devices and methods of programming and reading nonvolatile memory devices

Номер патента: US09576669B2. Автор: Chang-Bum Kim,Gyo-Soo Choo,Duk-Min Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Method of initializing 3D non-volatile memory device

Номер патента: US09685235B2. Автор: Sang Ho Lee,Byung Gook Park,Dae Woong KWON,Do Bin KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Method of controlling repair of volatile memory device and storage device performing the same

Номер патента: EP3770764A1. Автор: Dong Kim,Hyunglae Eun,Inhoon Park,Jangseon PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-27.

Method of controlling repair of volatile memory device and storage device performing the same

Номер патента: US20210026728A1. Автор: Dong Kim,Hyunglae Eun,Inhoon Park,Jangseon PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-28.

Method of writing data in nonvolatile memory device and nonvolatile memory device performing the same

Номер патента: US20230350578A1. Автор: Wonhee CHO,Dongeun Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-02.

Method of programming data in nonvolatile memory device and nonvolatile memory device performing the same

Номер патента: US20240212761A1. Автор: Hyun SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Method of Operating a NAND Flash Memory Device

Номер патента: US20160189789A1. Автор: Hui Chen,Oron Michael,Robin John Jigour. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-30.

Method of operating a NAND flash memory device

Номер патента: US9620231B2. Автор: Hui Chen,Oron Michael,Robin John Jigour. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Storage device including nonvolatile memory device, operating method of storage device, and operating method of electronic device including nonvolatile memory device

Номер патента: US11887684B2. Автор: Haedong No,Youjin JEON,Hyeji Yun,Jongtaek Seong,Jungeol Baek,Youn-Soo CHEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-30.

Nonvolatile memory device and method of throttling temperature of nonvolatile memory device

Номер патента: US10445010B2. Автор: Sung-Won Jeong,Hee-Woong Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-15.

Storage device supporting multi-streaming and method of controlling operation of nonvolatile memory device

Номер патента: US11314452B2. Автор: Kyungduk Lee,Jinwoo Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-26.

Method of verifying layout of vertical memory device

Номер патента: US20170243882A1. Автор: Sung-Hoon Kim,Ki-Won Kim,Jae-Ick SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-24.

Method of inputting address in nonvolatile memory device and method of operating the nonvolatile memory device

Номер патента: US20090290433A1. Автор: Young Soo Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-11-26.

Non-volatile memory device and method of manufacturing the non-volatile memory device

Номер патента: US20220344369A1. Автор: In Su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-27.

Method of programming a non-volatile memory device

Номер патента: US20120002481A1. Автор: Ki Seog Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Fabricating Electromechanical Non-Volatile Memory Devices

Номер патента: US20100129976A1. Автор: Sung-min Kim,Sung-Young Lee,Min-Sang Kim,Eun Jung Yun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-05-27.

Method of erasing data in flash memory device

Номер патента: US20100118613A1. Автор: Jae-Yong Jeong,Jin-Young Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-05-13.

Method of reading nonvolatile memory device and method of operating nonvolatile memory device

Номер патента: US20110128783A1. Автор: Sam Kyu Won,Kwang Ho Baek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-02.

Non-volatile memory device for mitigating cycling trapped effect and control method thereof

Номер патента: US12020754B2. Автор: Po-Yuan TANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Non-volatile memory device for mitigating cycling trapped effect and control method thereof

Номер патента: US20240046997A1. Автор: Po-Yuan TANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Non-volatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US09928140B2. Автор: Jung Sunwoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Method of reading nonvolatile memory device and method of operating nonvolatile memory device

Номер патента: US7898865B2. Автор: Sam Kyu Won,Kwang Ho Baek. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-01.

Resistance change memory device and method of sensing the same

Номер патента: US09916894B2. Автор: Tae Jung Ha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Methods of programming memory cells in non-volatile memory devices

Номер патента: US09818477B2. Автор: Jae-Hong Kim,Jin-Man Han,Young-Seop Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-14.

Memory device and operation thereof

Номер патента: WO2024138986A1. Автор: Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-07-04.

Non-volatile memory device for selectively performing recovery operation and method of operating the same

Номер патента: US20170125091A1. Автор: Hyun-Jun Yoon,Jae-Woo Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-04.

METHOD OF WRITING DATA IN NONVOLATILE MEMORY DEVICE, METHOD OF ERASING DATA IN NONVOLATILE MEMORY DEVICE, AND NONVOLATILE MEMORY DEVICE PERFORMING THE SAME

Номер патента: US20200020396A1. Автор: LEE Kyung-hwan,Kang Chang-Seok,Kim Yong-Seok,KANAMORI Kohji. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-16.

Method of reading a semiconductor memory device

Номер патента: KR101212387B1. Автор: 서순옥,세이이치 아리토메. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2012-12-13.

Write verify method of phase change random access memory device and phase change random access memory device using the same

Номер патента: KR100809333B1. Автор: 이광진,조우영. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-03-05.

Method of making record on magnetic memory device

Номер патента: TW201003651A. Автор: Hiroshi Kano,Minoru Ikarashi,Masanori Hosomi,Tetsuya Yamamoto,Yuki Oishi,Hiroyuki Ohmori,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-01-16.

Ferroelectric memory devices having a plate line control circuit and methods for operating the same

Номер патента: US6847537B2. Автор: Byung-Gil Jeon,Ki-nam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-01-25.

Page buffer circuit and non volatile device having the same and method of operating the non volatile memory device

Номер патента: KR101066746B1. Автор: 원삼규,양창원,구철희. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-09-22.

Method of programming, erasing and repairing a memory device

Номер патента: US20080133818A1. Автор: Swaroop Kaza,Sameer Haddad. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-06-05.

Nor-type memory device, method of manufacturing nor-type memory device, and electronic apparatus including memory device

Номер патента: US20240008283A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-01-04.

Method of operating memory device having page buffer

Номер патента: US20100309727A1. Автор: Jong Hyun Wang,Se Chun Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-09.

Nonvolatile semiconductor memory device, method of fabricating the nonvolatile semiconductor memory device and process of writing data on the nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120077328A1. Автор: Hiroaki Hazama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-03-29.

MEMORY DEVICE AND METHOD OF OPERATION OF SUCH A MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150085586A1. Автор: Zheng Bo,Chong Yew Keong,KWON Jungtae,Yeung Gus. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2015-03-26.

Resistance change nonvolatile memory device, semiconductor device, and method of operating resistance change nonvolatile memory device

Номер патента: US8767439B2. Автор: Masayuki Terai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-07-01.

Semiconductor memory device including stacked gate having charge accumulation layer and control gate and method of writing data to semiconductor memory device

Номер патента: US20120201083A1. Автор: Masaki Fujiu. Владелец: Masaki Fujiu. Дата публикации: 2012-08-09.

NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD OF WRITING SIGNAL IN NONVOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20180114560A1. Автор: KIM Joong Sik. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-26.

MEMORY DEVICE USING SPIN HALL EFFECT AND METHODS OF MANUFACTURING AND OPERATING THE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140211552A1. Автор: Lee Sung-chul,Pi Ung-hwan,Kim Kee-won,Kim Kwang-seok,JANG Young-man. Владелец: . Дата публикации: 2014-07-31.

Semiconductor memory device and method of defining data in semiconductor memory device

Номер патента: US20190139601A1. Автор: Hirokazu NAGASE. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE, MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY SYSTEM AND METHOD OF OPERATING MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE

Номер патента: US20180301178A1. Автор: Kim Dae-Shik,KOH Gwan-hyeob,PYO SUK-SOO. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-18.

Nonvolatile memory device and method of writing data to nonvolatile memory device

Номер патента: US8531869B2. Автор: Takeshi Takagi,Shunsaku Muraoka,Yoshikazu Katoh. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-09-10.

Nonvolatile memory device and method of writing data to nonvolatile memory device

Номер патента: US8406035B2. Автор: Takeshi Takagi,Shunsaku Muraoka,Yoshikazu Katoh. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-03-26.

Methods of operating magnetic random access memory device using spin injection and related devices

Номер патента: CN1747060B. Автор: 金奇南,朴哉炫,郑弘植,郑基泰,郑元哲. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-13.

Method of programming a non-volatile memory device including a reversible resistance device

Номер патента: CN114863972A. Автор: 韩在贤. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-08-05.

Semiconductor memory device including stacked gate having charge accumulation layer and control gate and method of writing data to semiconductor memory device

Номер патента: US8369153B2. Автор: Masaki Fujiu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-02-05.

Method of erasing data in nonvolatile memory device by changing level of voltage and duration of time to apply the voltage for target erase block

Номер патента: US10825530B2. Автор: Hyun-Wook Park,Bong-Soon Lim,Seong-Jin SONG,Do-Bin KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-03.

Semiconductor memory device and method of defining data in semiconductor memory device

Номер патента: EP3483888B1. Автор: Hirokazu NAGASE. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-04-13.

Method of making magnetoresistive random access memory device

Номер патента: US20200168791A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Shih-Chang Liu,Chern-Yow Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-28.

Partial page fail bit detection in flash memory devices

Номер патента: WO2008005735A2. Автор: Gerrit Jan Hemink. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2008-01-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12136458B2. Автор: Koji KATO,Tomoki Nakagawa,Mai SHIMIZU,Shuhei Oketa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-11-05.

Method of operating non-volatile memory device

Номер патента: US09501343B2. Автор: Kyung-Ryun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-22.

Memory device, operation method of memory device, and operation method of test device configured to test memory device

Номер патента: US20240233857A1. Автор: Sang-Won Park,Bongsoon LIM,Won-Taeck JUNG,Kuihan KO,Heewon Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Nonvolatile ternary memory device using two-dimensional ferroelectric material and method of manufacturing the same

Номер патента: US11296098B2. Автор: Jun Hee Lee,Ho Sik Lee. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2022-04-05.

Memory device, memory system, method of operating the memory device, and method of operating the memory system

Номер патента: US09824765B2. Автор: Yoon Kim,Sang-Soo Park,Won-Bo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Nor-type memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200343260A1. Автор: Chen-Chih WANG,Li-Wei Ho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-10-29.

NOR-type memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US11049874B2. Автор: Chen-Chih WANG,Li-Wei Ho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-06-29.

Non-volatile memory device and method of programming the same

Номер патента: US09858993B2. Автор: Dong-ku Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Nonvolatile memory device and method of programming in the same

Номер патента: US20220172783A1. Автор: Yo-Han Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-02.

Nonvolatile memory device and method of programming in the same

Номер патента: US20230307057A1. Автор: Yo-Han Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

Embedded recess in polymer memory package and method of making same

Номер патента: US20030017643A1. Автор: JIAN Li,Xiao-Chun Mu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-01-23.

Nonvolatile memory device and method of programming in the same

Номер патента: US12112806B2. Автор: Yo-Han Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Non-volatile memory device, memory system including the same, and method of operating the same

Номер патента: US09514830B2. Автор: Sang Hwa Han,Hee Woong Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-06.

Self-healing memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230072894A1. Автор: Young Jin Kim,Tae Whan Kim,Hao Qun An. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2023-03-09.

Non-volatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US12073889B2. Автор: Dong-Hun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Non-volatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US12087367B2. Автор: Dong-Hun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Non-volatile memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US09959933B2. Автор: Ho-Jun Lee,Sang-Hyun Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor memory device and method for selecting multiple word lines in a semiconductor memory device

Номер патента: US20020145933A1. Автор: Yuji Nakagawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-10-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230307051A1. Автор: Koji KATO,Tomoki Nakagawa,Mai SHIMIZU,Shuhei Oketa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US20240013837A1. Автор: Nam Cheol JEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Non-volatile Memory Device

Номер патента: US20100302862A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-02.

Nonvolatile memory device, operating method thereof and memory system including the same

Номер патента: US09947416B2. Автор: Jae-Woo Park,Chi Weon Yoon,Sang-Wan Nam,Donghyuk Chae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Non-volatile memory devices, memory systems, and methods of operating the same

Номер патента: US09824759B2. Автор: Chang-Sub Lee,Dae-Woong Kwon,Jai-Hyuk Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Non-volatile memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US09747997B2. Автор: Ho-Jun Lee,Sang-Hyun Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of controlling repair of volatile memory device and storage device performing the same

Номер патента: SG10202003179UA. Автор: Kim Dong,PARK Inhoon,Eun Hyunglae,Park Jangseon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-25.

Phase-changeable memory device and read method thereof

Номер патента: US20070133271A1. Автор: Hyung-rok Oh,Woo-Yeong Cho,Byung-Gil Choi,Du-Eung Kim,Beak-Hyung Cho,Yu-Hwan Ro. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-06-14.

Non-volatile memory devices and methods of operating non-volatile memory devices

Номер патента: US20090285027A1. Автор: Tae-Hee Lee,Won-joo Kim,June-mo Koo,Tae-eung Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-11-19.

Nor-type memory device, method of manufacturing nor-type memory device, and electronic apparatus including memory device

Номер патента: US20230301100A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institure Of Microelectronics, Chinese Academy Of Sciences. Дата публикации: 2023-09-21.

Non-volatile memory device, memory system, and methods of operating the device and system

Номер патента: US09672931B2. Автор: Myung-Hoon Choi,Seok-min Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

METHOD OF WRITING DATA IN MEMORY DEVICE, METHOD OF READING DATA FROM MEMORY DEVICE AND METHOD OF OPERATING MEMORY DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20210181984A1. Автор: SONG Youngsun. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-17.

Data storage device and method of programming memory cells

Номер патента: US09691486B2. Автор: Tae Hoon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Non-volatile memory devices and manufacturing methods thereof

Номер патента: US09564519B2. Автор: Young Woo Park,Jae Duk Lee,Jin Taek Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Non-volatile memory device and method of driving the same

Номер патента: US20080209150A1. Автор: Dae-Seok Byeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-28.

Memory device and operation thereof

Номер патента: US20240221837A1. Автор: Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Voltage control in semiconductor memory device

Номер патента: US12027208B2. Автор: Hiroki Date. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Method of operating non-volatile memory device

Номер патента: US09349456B2. Автор: Se Jun Kim,Hea Jong Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-24.

Method of programming non-volatile memory device

Номер патента: US12125541B2. Автор: Sungmin JOE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

METHOD OF WRITING DATA IN NONVOLATILE MEMORY DEVICE, NONVOLATILE MEMORY DEVICE PERFORMING THE SAME AND METHOD OF OPERATING MEMORY SYSTEM USING THE SAME

Номер патента: US20220172794A1. Автор: LEE Heewon,LEE Kwangwoo,KIM Chanha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2022-06-02.

Memory device and program operation thereof

Номер патента: US20230352094A1. Автор: Weijun Wan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Fuse circuit, repair control circuit, and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US20180102185A1. Автор: Jong Yeol Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-12.

Method of operating host device and memory device, and memory system comprising the host device and memory device

Номер патента: EP4099172B1. Автор: Won Ho Kang,Chang Min Jeon,Hyun Soo Shim,Young San KANG,Ye Jin CHO,Sung Tack HONG,Kwang Won Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-09.

Method of reading nand flash memory device depressing read disturbance

Номер патента: KR100842752B1. Автор: 노금환. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-07-01.

Non-volatile memory device determining read reclaim, method of operating the same, and method of operating storage device including the same

Номер патента: US20240046993A1. Автор: Jin-Young Kim,Heewon Lee,Youngdeok SEO,Se Hwan Park,Hyunkyo Oh,Woohyun Kang,Donghoo LIM,Hyuna Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-08.

Memory device with page buffer circuit and program operation thereof

Номер патента: US11749347B2. Автор: Weijun Wan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Reset control circuit, method for driving the same, shift register circuit, and display device

Номер патента: US10600381B2. Автор: Qi Hu,Pan Xu,Yongqian Li,Xuehuan Feng,Xuelian CHENG. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-24.

Method of and system for analyzing cells of a memory device

Номер патента: US7003432B2. Автор: Joerg Wohlfahrt,Dieter Rathei,Thomas Hladschik,Jens Holzhaeuser. Владелец: Infineon Technologies Richmond LP. Дата публикации: 2006-02-21.

Resistive switching memory device including dual active layer, manufacturing method thereof, and array including same

Номер патента: US20230097791A1. Автор: Dong Su Kim,Hee Won Suh,Hyung Koun Cho. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-03-30.

Nonvolatile ternary memory device using two-dimensional ferroelectric material and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210151446A1. Автор: Jun Hee Lee,Ho Sik Lee. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Non-volatile memory devices and systems including bad blocks address re-mapped and methods of operating the same

Номер патента: US20080285347A1. Автор: Dae Seok Byeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-11-20.

A method of programming a nonvolatile semiconductor memory device and methods of reading programmed memory cells

Номер патента: DE102006028967B4. Автор: Jin-Yub Lee,Min-Gun Suwon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-03-18.

Nonvolatile memory device and storage device including nonvolatile memory device

Номер патента: US11742052B2. Автор: Hyungsoo KIM,Sang-Hyun Joo,Jaewoo Im,Won-Taeck JUNG,Tae-Min Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-29.

Memory device, method of manufacturing memory device and method of operating memory device

Номер патента: US20230058213A1. Автор: Moon Sik SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Non-volatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US20080158940A1. Автор: Jun-Ho Lee,Dong-Seok Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-03.

Non-volatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US8054672B2. Автор: Jun-Ho Lee,Dong-Seok Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-11-08.

Program and sense operations in a non-volatile memory device

Номер патента: US20100124115A1. Автор: Chang Wan Ha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-05-20.

NONVOLATILE MEMORY DEVICES AND METHODS OF READING THE NONVOLATILE MEMORY DEVICES

Номер патента: US20210090664A1. Автор: Song Hyun Min. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-25.

METHODS OF ENHANCING SPEED OF READING DATA FROM MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210166769A1. Автор: Liang Ke,Xiang Li. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-03.

METHODS OF ENHANCING SPEED OF READING DATA FROM MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210280258A1. Автор: Liang Ke,Xiang Li. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-09.

METHOD OF FORMING A LAYER AND A METHOD OF FABRICATING A VARIABLE RESISTANCE MEMORY DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20180277758A1. Автор: Kim Kyoung Sun,PARK JeongHee. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-27.

METHOD OF READING AN ELECTRONIC MEMORY DEVICE

Номер патента: US20160372190A1. Автор: Cagli Carlo. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-22.

Method of erasing data in nonvolatile memory device, nonvolatile memory device performing the same and memory controller performing the same

Номер патента: US11380403B2. Автор: Sunkyu Yang,Wontaeck Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-05.

Method of forming a layer and a method of fabricating a variable resistance memory device using the same

Номер патента: US10476000B2. Автор: Jeonghee Park,Kyoung Sun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-11-12.

Method of reading a flash memory device

Номер патента: TW200615961A. Автор: Duck-Ju Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-05-16.

Non-volatile memory device, method of operating a non-volatile memory device and memory device using the same

Номер патента: DE102018125128B4. Автор: Seung-Bum Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-15.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US6157061A. Автор: Masato Kawata. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-12-05.

Non-Volatile Memory Device and Method of Operating the Same

Номер патента: US20230386581A1. Автор: Dong-Hun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Methods of forming a phase-change material layer including tellurium and methods of manufacturing a phase-change memory device using the same

Номер патента: TW200849685A. Автор: Do-Hyung Kim,Shin-Jae Kang,Hyun-Seok Lim,In-sun Park,Gyu-Hwan OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-16.

Non-volatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US11763894B2. Автор: Dong-Hun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-19.

Three-dimensional memory device containing horizontal and vertical word line interconnections and methods of forming the same

Номер патента: WO2021158252A1. Автор: Koichi Ito,Yoshinobu Tanaka,Hirofumi TOKITA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-08-12.

Nonvolatile memory device and method of programming in the same

Номер патента: US20200402584A1. Автор: Yo-Han Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-24.

Flexible user interface circuit in a memory device

Номер патента: US5692138A. Автор: Rodney R. Rozman,Richard J. Durante,Mickey L. Fandrich. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1997-11-25.

Memory block quality identification in a memory device

Номер патента: US7650541B2. Автор: Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-01-19.

Memory device

Номер патента: US20210358560A1. Автор: Hsin-Cheng Ko. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-11-18.

FUSE CIRCUIT, REPAIR CONTROL CIRCUIT, AND SEMICONDUCTOR APPARATUS INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20180102185A1. Автор: YANG Jong Yeol. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2018-04-12.

TEST CIRCUIT BLOCK, VARIABLE RESISTANCE MEMORY DEVICE INCLUDING THE SAME, AND METHOD OF FORMING THE VARIABLE RESISTANCE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20190157347A1. Автор: KANG Seok Joon,EM Ho Seok. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2019-05-23.

METHODS OF ERASING DATA IN NONVOLATILE MEMORY DEVICES AND NONVOLATILE MEMORY DEVICES PERFORMING THE SAME

Номер патента: US20200185038A1. Автор: Kwak Dong-Hun,NAM Sang-Wan,YOON CHI-WEON. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-11.

METHODS OF ERASING DATA IN NONVOLATILE MEMORY DEVICES AND NONVOLATILE MEMORY DEVICES PERFORMING THE SAME

Номер патента: US20190279720A1. Автор: Kwak Dong-Hun,NAM Sang-Wan,YOON CHI-WEON. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-12.

METHOD OF ERASING DATA IN NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND NONVOLATILE MEMORY DEVICE PERFORMING THE SAME

Номер патента: US20190371410A1. Автор: Park Hyun-Wook,LIM Bong-soon,SONG Seong-Jin,KIM Do-Bin. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-05.

METHODS OF ERASING DATA IN NONVOLATILE MEMORY DEVICES AND NONVOLATILE MEMORY DEVICES PERFORMING THE SAME

Номер патента: US20200411106A1. Автор: Kwak Dong-Hun,NAM Sang-Wan,YOON CHI-WEON. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-31.

Method of erasing data in nonvolatile memory device and nonvolatile memory device performing the same

Номер патента: KR102388068B1. Автор: 곽동훈,윤치원,남상완. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-04-19.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20200303017A1. Автор: Masashi Yamaoka. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Channel control circuit and semiconductor device having the same

Номер патента: US20160069956A1. Автор: Ki Tae Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-03-10.

BOOT-UP CONTROL CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR APPARATUS INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20180090221A1. Автор: Kim Yong Sun,SHIN Tae Kyun. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2018-03-29.

Methods of memory address verification and memory devices employing the same

Номер патента: US10482030B2. Автор: Alberto Troia. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-19.

Programming method for non-volatile memory device

Номер патента: US20090213652A1. Автор: Yeong-Taek Lee,Ki-tae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-08-27.

Methods of memory address verification and memory devices employing the same

Номер патента: US10761997B2. Автор: Alberto Troia. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-09-01.

Method of erasing NAND flash memory device

Номер патента: US20050185471A1. Автор: Keun Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-08-25.

Method of testing non-volatile memory device and method of managing non-volatile memory device

Номер патента: US9214206B2. Автор: Dong-ku Kang,Sang-In Park,Boh-Chang KIM,Bu-il NAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-12-15.

Memory device and error correction method in memory device

Номер патента: US20220383969A1. Автор: Win-San Khwa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Memory device and error correction method in memory device

Номер патента: US20220270692A1. Автор: Win-San Khwa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-25.

Memory device and error correction method in memory device

Номер патента: US11705212B2. Автор: Win-San Khwa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-18.

Memory device and error correction method in memory device

Номер патента: US11456040B2. Автор: Win-San Khwa. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-27.

Storage device including nonvolatile memory device, operating method of storage device, and operating method of electronic device including nonvolatile memory device

Номер патента: US20220139486A1. Автор: Haedong No,Youjin JEON,Hyeji Yun,Jongtaek Seong,Jungeol Baek,Youn-Soo CHEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-05.

METHODS OF CONTROLLING RECLAIM OF NONVOLATILE MEMORY DEVICES, METHODS OF OPERATING STORAGE DEVICES, AND STORAGE DEVICES

Номер патента: US20180102790A1. Автор: Kim Min-Kyu,OH SHIN-HO,KANG Woo-Hyun. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-12.

Method of Program verify of Nonvolatile memory device using the page Buffer

Номер патента: KR101024152B1. Автор: 임규희,박성제. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-03-22.

Deterministic Diagnostic Information Capture from Memory Devices with Built-in Self Test

Номер патента: US20080077834A1. Автор: Ajay Khoche,Klaus-Dieter Hilliges. Владелец: Verigy Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2008-03-27.

Memory device having error detection function, semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US20220085019A1. Автор: Kiyoshi Kato,Tomoaki Atsumi,Tatsuya Onuki,Hitoshi KUNITAKE. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-17.

Nonvolatile memory device and method of fabricating same

Номер патента: US11856772B2. Автор: Tae Hun Kim,Seung Won Lee,Min Cheol Park,Jun Hee Lim,Hye Ri Shin,Si Yeon Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-26.

Verify before program resume for memory devices

Номер патента: US20200142819A1. Автор: Ian Shaeffer,Brent S. Haukness. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2020-05-07.

Semiconductor memory device, memory system and electronic instrument

Номер патента: US6721231B2. Автор: Yasuhiko Tomohiro. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-04-13.

Method of managing a memory device employing three-level cells

Номер патента: US7782665B2. Автор: Emanuele Confalonieri,Paolo Turbanti,Luigi Bettini,Carla Giuseppina Poidomani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-24.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20210327516A1. Автор: Jang Seob KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Method of forming resistance variable memory device

Номер патента: US20120142141A1. Автор: Sung-Lae Cho,Jung-Hwan Park,Hideki Horii,Jeong-hee Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-06-07.

Semiconductor memory device, memory system and electronic instrument

Номер патента: US20030123315A1. Автор: Yasuhiko Tomohiro. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-07-03.

MEMORY DEVICE AND METHOD OF DETERMINING READ VOLTAGE OF MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140029355A1. Автор: Jeong Jae-Yong,CHOI MYUNG-HOON,PARK KI-TAE. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-30.

METHOD OF ESTIMATING DETERIORATION STATE OF MEMORY DEVICE AND RELATED METHOD OF WEAR LEVELING

Номер патента: US20150043282A1. Автор: Kong Jun-Jin,SHIN DONG-MIN,SHIN BEOM-KYU,KIM UNG-HWAN,KIM EUN-CHEOL,LEE MYUNG-KYU. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-12.

METHOD OF CONTROLLING INITIALIZATION OF NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND MEMORY SYSTEM INCLUDING NONVOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210097010A1. Автор: Kim Jinyoung,YU Jaeduk. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-04-01.

METHOD OF STORING DATA IN NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD OF TESTING NONVOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140198581A1. Автор: Kim Eun-Kyoung,LEE Jong-Chul,LEE Won-chul,YOON Myoung-Won,KWONG OH-SUK. Владелец: . Дата публикации: 2014-07-17.

MEMORY DEVICE, MEMORY SYSTEM AND METHOD OF VERIFYING REPAIR RESULT OF MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170148529A1. Автор: KIM Seok-Jung,CHANG Young-Uk. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-25.

Method of optimizing llr used in nonvolatile memory device and method of correcting error in nonvolatile memory device

Номер патента: KR102081415B1. Автор: 천진영,김경륜,윤상용. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2020-02-25.

Phase-change memory unit, method of forming the phase-change memory unit, phase-change memory device having the phase-change memory unit and method of manufacturing the phase-change memory device

Номер патента: KR100873890B1. Автор: 박인선,이기종,임낙현,임현석,오규환. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-12-15.

Semiconductor memory device and method of layout of the semiconductor memory device

Номер патента: KR100886353B1. Автор: 곽판석. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2009-03-03.

Method of controlling initialization of nonvolatile memory device and memory system including nonvolatile memory device

Номер патента: KR20210039075A. Автор: 김진영,유재덕. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2021-04-09.

Method and apparatus to repair defects in nonvolatile semiconductor memory devices

Номер патента: WO2009032928A2. Автор: Ming Li,Gary B. Bronner,Kevin S. Donnelly,Frederick Ware,Donald R. Mullen. Владелец: RAMBUS INC.. Дата публикации: 2009-03-12.

Semiconductor memory device capable of storing data of various patterns and method of electrically testing the semiconductor memory device

Номер патента: US7433252B2. Автор: Sang-man Byun,Gyu-Yeol Kim,Yong-Gyu Chu,Seok-ho Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-10-07.

Memory stuucture,memory device and method of generating layout diagram of memory device

Номер патента: TW202018721A. Автор: 張盟昇,楊耀仁. Владелец: 台灣積體電路製造股份有限公司. Дата публикации: 2020-05-16.

NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD OF WRITING DATA TO NONVOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130208531A1. Автор: Muraoka Shunsaku,TAKAGI Takeshi,Katoh Yoshikazu. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2013-08-15.

VARIABLE RESISTIVE MEMORY DEVICE AND METHOD OF DRIVING A VARIABLE RESISTIVE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200027505A1. Автор: LEE Ki Won,Kim Tae Hoon,LEE Hyung Dong,HONG Seok Man. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2020-01-23.

Method of determining potential anomaly of memory device

Номер патента: US20200089558A1. Автор: Aleksey Alekseevich STANKEVICHUS. Владелец: YANDEX EUROPE AG. Дата публикации: 2020-03-19.

MULTI-LEVEL CELL MEMORY DEVICE AND METHOD OF OPERATING MULTI-LEVEL CELL MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140185377A1. Автор: Yoon Sangyong,Kim Kyungryun. Владелец: . Дата публикации: 2014-07-03.

Non-volatile memory device and method of manufacturing the non-volatile memory device

Номер патента: US20210104536A1. Автор: In Su Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-08.

PHASE CHANGE MEMORY DEVICE AND METHOD OF PROGRAMMING A PHASE CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210166757A1. Автор: Campardo Giovanni,ZULIANI Paola,Barboni Marco,Borghi Massimo. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-03.

VOLATILE MEMORY DEVICE AND METHODS OF OPERATING AND TESTING VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140223245A1. Автор: Jin Kwan-Yong,WOO Mi-Young,HONG SEOCK-CHAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-08-07.

NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD OF WRITING DATA IN NONVOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150155046A1. Автор: LEE JI-SANG,CHOI KI-HWAN,KWON OH-SUK. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-04.

METHOD OF CONTROLLING OPERATION OF NONVOLATILE MEMORY DEVICE USING MACHINE LEARNING AND STORAGE SYSTEM

Номер патента: US20210202028A1. Автор: CHOI SEONGHYEOG,Son Hongrak,CHO Hyunsang,SONG Taehyun. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-01.

VARIABLE RESISTIVE MEMORY DEVICE AND METHOD OF DRIVING A VARIABLE RESISTIVE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210217472A1. Автор: LEE Ki Won,Kim Tae Hoon,LEE Hyung Dong,HONG Seok Man. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2021-07-15.

METHOD OF VERIFYING LAYOUT OF VERTICAL MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170243882A1. Автор: KIM Sung-Hoon,KIM Ki-Won,Son Jae-ick. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-24.

Semiconductor memory device and method of erasing data in semiconductor memory device

Номер патента: US20180254088A1. Автор: Kazuyuki Date. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-09-06.

NON-VOLATILE MEMORY DEVICE, MEMORY SYSTEM, AND METHOD OF OPERATING THE NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150287479A1. Автор: JEON Byung-gil,NAM Sang-Wan,BYEON DAE-SEOK. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-08.

NONVOLATILE MEMORY DEVICES AND METHODS OF PROGRAMMING AND READING NONVOLATILE MEMORY DEVICES

Номер патента: US20160307630A1. Автор: Kim Chang-Bum,Kwon Duk-Min,CHOO GYO-SOO. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-20.

NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD OF WRITING TO NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200350012A1. Автор: Katoh Yoshikazu,YOSHIMOTO YUHEI,KII Naoto. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-05.

Page buffer and method of erase varify of flash memory device using thereof

Номер патента: KR100732257B1. Автор: 이혜림. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-06-25.

A driving method of memory controller controlling nonvolatile memory device using variable resistive element, the memory controller, a memory system including the memory controller and nonvolatile memory device

Номер патента: KR101977684B1. Автор: 조우영,오영훈,김두응. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2019-05-13.

Apparatus and method of block redundancy of semiconductor memory device having burn-in mode depending on over-active

Номер патента: KR0172385B1. Автор: 조일재. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1999-03-30.

Non-volatile memory device and method of fabricating the non-volatile memory device, and non-volatile memory cell array

Номер патента: KR20160119659A. Автор: 권영준. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2016-10-14.

Test method of tester of a semiconductor memory device and apparatus thereof

Номер патента: KR100305679B1. Автор: 강기상,오세장. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-09-26.

Method of program verify of flash memory device

Номер патента: KR100576485B1. Автор: 주기석. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-05-10.

Nonvolatile semi-conductor memory device and wirte operation method of the nonvolatile semi-conductor memory device

Номер патента: KR100888482B1. Автор: 박준영. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2009-03-12.

Method of erasing non-volatile semiconductor memory device and such non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US6717860B1. Автор: Ichiro Fujiwara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-04-06.

Apparatus and method of page program operation for memory devices with mirror back-up of data

Номер патента: US7774537B2. Автор: Hong Beom Pyeon,Jin-Ki Kim,Hakjune Oh. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2010-08-10.

A semiconductor memory device with mos transistors, each including a floating gate and a control gate, control method thereof and a memory card including the same

Номер патента: KR100677802B1. Автор: 노조미 가사이,다꾸야 후지모또,요시하루 히라따. Владелец: 가부시끼가이샤 도시바. Дата публикации: 2007-02-02.

Electronic device, topological insulator, method of manufacturing topological insulator, and memory device

Номер патента: JP6679095B2. Автор: 好紀 十倉,十倉　好紀,直人 永長,龍太郎 吉見,将孝 茂木,雅司 川▲崎▼,航 小椎八重. Владелец: RIKEN Institute of Physical and Chemical Research. Дата публикации: 2020-04-15.

METHOD OF PROGRAMMING A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND CORRESPONDING NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: FR3083362B1. Автор: Christophe Forel,Rissetto Leonardo Valencia,Roux Elise Le. Владелец: STMicroelectronics Alps SAS. Дата публикации: 2021-08-06.

Non-volatile memory device and method of fabricating the non-volatile memory device and non-volatile memory cell array

Номер патента: CN106057240A. Автор: 权永俊. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-10-26.

Apparatus and method of page program operation for memory devices with mirror back-up of data

Номер патента: EP2118901A1. Автор: Hong Beom Pyeon,Jin-Ki Kim,Hakjune Oh. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2009-11-18.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of programming in nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US7116581B2. Автор: Kohji Kanamori,Junichi Suzuki. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-10-03.

Apparatus and method of page program operation for memory devices with mirror back-up of data

Номер патента: US20100275056A1. Автор: Hong Beom Pyeon,Jin-Ki Kim,Hakjune Oh. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2010-10-28.

EQUIPMENT TO AUTOMATICALLY TRY A METHOD OF SOLICITATION OF A SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: ITMI920155A1. Автор: Jin-Man Han,Jong-Hoon Lee. Владелец: Samsung Electronics Ltd. Дата публикации: 1993-02-24.

Semiconductor memory device and method of repairing in the semiconductor memory device

Номер патента: KR20210117557A. Автор: 임재일,우수해. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2021-09-29.

Nonvolatile memory devices including overlapped data sensing and verification and methods of verifying data in nonvolatile memory devices

Номер патента: US20060067130A1. Автор: Jae-Yong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-03-30.

Apparatus and method of page program operation for memory devices with mirror back-up of data

Номер патента: WO2008101317A1. Автор: Hong Beom Pyeon,Jin-Ki Kim,Hakjune Oh. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2008-08-28.

Methods of Programming Multi-Bit Flash Memory Devices and Related Devices

Номер патента: US20080049497A1. Автор: Hyun Sun Mo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-28.

Phase-change memory device and method of writing a phase-change memory device

Номер патента: US7502251B2. Автор: Byung-Gil Choi,Choong-Keun Kwak,Du-Eung Kim,Beak-Hyung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-10.

METHOD OF PROGRAMMING A MULTI-LEVEL MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140036588A1. Автор: Crippa Luca,Micheloni Rino. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-02-06.

OPERATING METHOD OF MEMORY CONTROLLER AND NONVOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20160034349A1. Автор: SON Hong Rak,KONG JUNJIN,SEOL CHANGKYU,CHOI SEONGHYEOG,RA YOUNGSUK. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-04.

DRIVING METHOD OF MEMORY CONTROLLER AND NONVOLATILE MEMORY DEVICE CONTROLLED BY MEMORY CONTROLLER

Номер патента: US20150135025A1. Автор: Kim Kyungryun,HAM SEOKJUN. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-14.

METHOD OF INITIALIZING 3D NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170140829A1. Автор: LEE Sang Ho,PARK Byung Gook,KWON Dae Woong,KIM Do Bin. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-18.

Method of Operating a NAND Flash Memory Device

Номер патента: US20160189789A1. Автор: Chen Hui,Michael Oron,Jigour Robin John. Владелец: WINBOND ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2016-06-30.

Composition of material of memory device, method of manufacturing thereof, energy-dependent memory device, method of manufacturing thereof, method of memorizing and reproducing two independent bits of binary data in one memory cell of energy-dependent memory device

Номер патента: RU2124765C1. Автор: Джендлин Шаймон,Джендлин Шаймон (IL). Владелец: Кэппа Ньюмерикс Инк.. Дата публикации: 1999-01-10.

Method for automatic gain setting in control circuits and apparatus for performing the same

Номер патента: RU2234115C2. Автор: Рихард РУЧМАНН. Владелец: Дойче Томсон-Брандт ГмбХ. Дата публикации: 2004-08-10.

Method of reproducing audio signals without causing tone variation in fast or slow playback mode and reproducing apparatus for the same

Номер патента: US6967599B2. Автор: Byoung-Chul Lee,Won-Yong Choi,Sang-Hun Jeong,Won-Sik Choi. Владелец: Cosmotan Inc. Дата публикации: 2005-11-22.

A method of menu-driven control of external connected device in an audio/video apparatus

Номер патента: KR100383843B1. Автор: 김형선,조남석,서강수,엄성현,김병진,유제용,서상일. Владелец: 엘지전자 주식회사. Дата публикации: 2003-05-14.

Method of starting applications installed on a mobile operating system in a multi-window mode and device using the same

Номер патента: US20140365933A1. Автор: Tsung-En Wu. Владелец: Insyde Software Corp. Дата публикации: 2014-12-11.

Method of starting applications installed on a mobile operating system in a multi-window mode and device using the same

Номер патента: US09684428B2. Автор: Tsung-En Wu. Владелец: Insyde Software Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Method of generating binary offset carrier correlation function based on partial correlation functions, apparatus for tracking binary offset carrier signal, and spread spectrum signal receiver system using the same

Номер патента: US09813108B2. Автор: Seok Ho Yoon,Keun Hong CHAE. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of preventing misoperations about a relay protection device in a smart substation

Номер патента: US9904588B2. Автор: ZHEN Li,MENG Li,Xing Liu,Bao Zhao,Huawei Jia,Xinling LI,Juan JI,Leitao Wang,Junhong Qiu,Lintao Ma,Lunshan Zhang,Ruizhi Jiang. Владелец: Xuchang XJ Software Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Method of preventing misoperations about a relay protection device in a smart substation

Номер патента: US20170060670A1. Автор: ZHEN Li,MENG Li,Xing Liu,Bao Zhao,Huawei Jia,Xinling LI,Juan JI,Leitao Wang,Junhong Qiu,Lintao Ma,Lunshan Zhang,Ruizhi Jiang. Владелец: XJ Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-02.

Virtualized system and method of controlling access to nonvolatile memory device in virtualization environment

Номер патента: US12124369B2. Автор: Dongouk MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Method of wireless discovery and networking of medical devices in care environments

Номер патента: US11765026B2. Автор: David B. Bennett,Benjamin H. FEINGOLD,Rohitkumar GODHANI,John T. SHEN,Mithun GUNDI,Robert L. JONES, III. Владелец: Stryker Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Switch control circuit and converter using the same

Номер патента: US09621038B2. Автор: In Ho Hwang,Zhi Yuan CUI,Youn Ggi RYU,Doo Soo SHIN. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Operation method of storage controller for nonvolatile memory device

Номер патента: US20240176700A1. Автор: Jisoo Kim,Sangkwon Moon,Heewon Lee,Youngdeok SEO,Hyunkyo Oh,Youngjoo Seo,Hee-Tai Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-30.

Panel control circuit and display device including the same

Номер патента: US20210358370A1. Автор: Yeon Kyoung PARK,Hyoung Kyu Kim,Dae Young YOO. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Control circuit and display device including the same

Номер патента: US10043467B2. Автор: Xiaoyu Huang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-07.

Methods Of Operating A Multi-Color Image Forming Device In A Mono-Color Mode

Номер патента: US20090142090A1. Автор: Jian Wen,David Anthony Schneider,Delbert Lester Elliott. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-04.

Method of wireless discovery and networking of medical devices in care environments

Номер патента: US20240267289A1. Автор: David B. Bennett,Benjamin H. FEINGOLD,Rohitkumar GODHANI,John T. SHEN,Mithun GUNDI,Robert L. JONES, III. Владелец: Stryker Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Control circuit and display apparatus utilizing the same

Номер патента: US20210200368A1. Автор: Cheng-Chih Wang. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2021-07-01.

Scanning control circuit and method for driving the same, display substrate, display panel and device

Номер патента: US20240296797A1. Автор: Yang Zhou,Song Liu,Bo Zhang,LU Bai,Yi Qu,Huijuan Yang,Junxiu DAI. Владелец: Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Logical block management method for a flash memory and control circuit storage system using the same

Номер патента: US20110010489A1. Автор: Chih-Kang Yeh. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2011-01-13.

Logical block management method for a flash memory and control circuit storage system using the same

Номер патента: US9098395B2. Автор: Chih-Kang Yeh. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2015-08-04.

Pwm control circuit and motor equipped with the same

Номер патента: US20100219899A1. Автор: Kesatoshi Takeuchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2010-09-02.

Integrated circuit device including wake-up control circuit and electronic device including the same

Номер патента: US20180004541A1. Автор: Seong Wook Hwang,Sang-Yong Park,Jaehyeok Jang,Yae Seul LEE,Tae Sun YOU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-04.

Flat display apparatus and control circuit and method for controlling the same

Номер патента: US09697793B2. Автор: Chien-Huang Liao,Yu-Chieh Chen,Pin-Miao Liu,Tien-Lun Ting,Chun-fan Chung,Chia-Chi Tsai,Ming-Hung Tu. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2017-07-04.

Methods of memory address verification and memory devices employing the same

Номер патента: US20240126701A1. Автор: Alberto Troia. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-04-18.

Image Processing Method of Processing Images from a Plurality of Cameras in Ship Cleaning Robot Into Single Image, Computer Readable Recording Medium, Computer Program, and Robot Control Method Using the Same

Номер патента: US20240169485A1. Автор: Dong Wook Lee. Владелец: Tas Global Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Charge/discharge control circuit and battery apparatus having the same

Номер патента: US10707687B2. Автор: Takashi Ono,Satoshi Abe. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2020-07-07.

Control circuit and display device including the same

Номер патента: US20180114496A1. Автор: Xiaoyu Huang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-26.

Control circuit and display apparatus utilizing the same

Номер патента: US20210200410A1. Автор: Cheng-Chih Wang. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2021-07-01.

Display panel driving control circuit and display apparatus having the same

Номер патента: US20190279556A1. Автор: Po-Yun Park,Hong-Kyu Kim,Junghwan Cho,Ga-Na KIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-12.

Methods of Reducing or Eliminating Internal Optical Light Reflections, Increasing Yield, Reducing High-Temperature Transmission Failures and/or Improving OSA Transmission Performance and an Improved Optical Transceiver Implementing the Same

Номер патента: US20190103919A1. Автор: Ke Liu,Xuanqi Zhang,Yingjun TIAN,Yongbu HAILAI. Владелец: Source Photonics Chengdu Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-04.

Method of measuring frequency characteristics of transmission parameters of extended electric circuits in idle mode and short circuit

Номер патента: RU2635840C2. Автор: Александр Юрьевич Цым,Ирина Дмитриевна Деарт. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный научно-исследовательский институт связи" ФГУП ЦНИИС. Дата публикации: 2017-11-16.

Stacked memory device, optical proximity correction (opc) verifying method, method of designing layout of stacked memory device, and method of manufacturing stacked memory device

Номер патента: US20170250195A1. Автор: Sung-Hoon Kim,Hyang-Ja Yang,Chang-Bum Kim,Woo-Joung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-31.

Storage device including a turbo write buffer divided into a non-pinned buffer area and a pinned buffer area, an operation method of a storage system including the storage device in which data of the non-pinned and pinned buffer areas are flushed differently, and a host device controlling the storage device

Номер патента: US11899980B2. Автор: Dong-Min Kim,Kyoung Back Lee,Hyunsoo Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-13.

Methods of and apparatus for locating energy harvesting devices in an environment

Номер патента: US11777445B2. Автор: Hugo John Martin Vincent,Graham Paul Hazel. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Methods of and apparatus for locating energy harvesting devices in an environment

Номер патента: WO2018220405A1. Автор: Hugo John Martin Vincent,Graham Paul Hazel. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2018-12-06.

Method of rewriting programs of plurality of electronic devices in watercraft system and watercraft system

Номер патента: EP4303722A1. Автор: Takaaki Bamba. Владелец: Yamaha Motor Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-10.

Method of rewriting programs of plurality of electronic devices in watercraft system and watercraft system

Номер патента: US20240012622A1. Автор: Takaaki Bamba. Владелец: Yamaha Motor Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Method of rewriting programs of plurality of electronic devices in watercraft system and watercraft system

Номер патента: US20240012621A1. Автор: Takaaki Bamba. Владелец: Yamaha Motor Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Method of rewriting programs of plurality of electronic devices in watercraft system and watercraft system

Номер патента: EP4303721A1. Автор: Takaaki Bamba. Владелец: Yamaha Motor Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-10.

Method of asynchronous memory access

Номер патента: US6141721A. Автор: William P. Robbins,Donald William Patterson. Владелец: Discovision Associates. Дата публикации: 2000-10-31.

Sensor with electrostatic pendular accelerometer and method of controlling such sensor

Номер патента: RU2647983C2. Автор: Рафаэль БРИССОН,Венсан РАГО. Владелец: Сажем Дефанс Секюрите. Дата публикации: 2018-03-21.

Non-volatile memory storage, computing system including the same and operation method thereof

Номер патента: US20210216466A1. Автор: Tae Hee Han,Yong Wook Kim,Min Gu Kang,Jeong Beom HONG,Jo Eun LEE. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2021-07-15.

Non-volatile memory storage, computing system including the same and operation method thereof

Номер патента: US11294822B2. Автор: Tae Hee Han,Yong Wook Kim,Min Gu Kang,Jeong Beom HONG,Jo Eun LEE. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2022-04-05.

Method for calculating tier relocation cost and storage system using the same

Номер патента: US20130080703A1. Автор: TETSUYA Abe,Naoko Kumagai,Tsutomu Sukigara. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2013-03-28.

Power supply device and display device including the same

Номер патента: US12027961B2. Автор: Yang Uk NAM,Sung Chun PARK. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Power supply device and display device including the same

Номер патента: US20240322665A1. Автор: Yang Uk NAM,Sung Chun PARK. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Display apparatus, display drive circuit and driving method of electronic paper display unit

Номер патента: US20220319444A1. Автор: Xin Li,Kejun Hu,Jinlei Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Method of generating stabilized quasi-monochromatic high-intensity infrared radiation

Номер патента: RU2727350C1. Автор: Вячеслав Петрович Ходунков. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт метрологии им. Д.И. Менделеева". Дата публикации: 2020-07-21.

Optical transmission apparatus, optical transmission system, and method of controlling excitation light frequency

Номер патента: US20200004107A1. Автор: Shota Mori. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Optical transmission apparatus, optical transmission system, and method of controlling excitation light frequency

Номер патента: US10451955B2. Автор: Shota Mori. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2019-10-22.

Paper sheet processing machine and method of controlling a paper sheet processing machine

Номер патента: RU2689954C1. Автор: Такеси ЯМАМОТО. Владелец: Фудзитсу Фронтек Лимитед. Дата публикации: 2019-05-29.

Calibration method of modulation power for dvb-h test apparatus

Номер патента: WO2012036353A1. Автор: Jongmin Kim,Jinsoup Joung,Myunggu Kang,Changbok Yang. Владелец: INNOWIRELESS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-03-22.

Calibration method of modulation power for dvb-h test apparatus

Номер патента: US20130173195A1. Автор: Jongmin Kim,Jinsoup Joung,Myunggu Kang,Changbok Yang. Владелец: Innowireless Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-04.

Calibration method of modulation power for DVB-H test apparatus

Номер патента: US09625289B2. Автор: Jongmin Kim,Jinsoup Joung,Myunggu Kang,Changbok Yang. Владелец: Innowireless Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Ground-based automated space management complex on the basis of the neural network technologies and elements of the artificial intelligent technologies using the knowledge base on the basis of the blockchain technology

Номер патента: RU2679742C1. Автор: Дмитрий Андреевич Шевцов. Владелец: Акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (АО "Российские космические системы"). Дата публикации: 2019-02-12.

Model and method of modelling a pulmonary autograft

Номер патента: US20240037737A1. Автор: Taliesin John Golesworthy,Warren Elliot THORNTON,Brian McConnell AUSTIN. Владелец: Exstent Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Model and method of modelling a pulmonary autograft

Номер патента: CA3202021A1. Автор: Taliesin John Golesworthy,Warren Elliot THORNTON,Brian McConnell AUSTIN. Владелец: Exstent Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Model and method of modelling a pulmonary autograft

Номер патента: AU2021404147A1. Автор: Taliesin John Golesworthy,Warren Elliot THORNTON,Brian McConnell AUSTIN. Владелец: Exstent Ltd. Дата публикации: 2023-07-06.

Model and method of modelling a pulmonary autograft

Номер патента: EP4262624A1. Автор: Taliesin John Golesworthy,Warren Elliot THORNTON,Brian McConnell AUSTIN. Владелец: Exstent Ltd. Дата публикации: 2023-10-25.

Model and method of modelling a pulmonary autograft

Номер патента: AU2021404147A9. Автор: Taliesin John Golesworthy,Warren Elliot THORNTON,Brian McConnell AUSTIN. Владелец: Exstent Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Method of providing virtual reality based three-dimensional interface for web object searches and real-time metadata representations and web search system using the three-dimensional interface

Номер патента: US09720562B2. Автор: Apurva Gupta,Seongju Chang. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2017-08-01.

Liquid crystal horizontal orientation agent, horizontal orientation type liquid crystal composition, and horizontal orientation type liquid crystal display device and method of fabricating the same

Номер патента: US09547198B2. Автор: YONETAKE Koichiro,HABA Osamu,MOMOI Yuichi,Mu-Sun KWAK,Koda TOMONORI. Владелец: Yamagata University NUC. Дата публикации: 2017-01-17.

METHOD OF PROGRAMMING MEMORY DEVICE AND METHOD OF READING DATA OF MEMORY DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20150270852A1. Автор: KIM KYUNG-RYUN. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-24.

Method of evaluating magneto-rheological rotating load device

Номер патента: US20230393677A1. Автор: Dong Wook Kim,Hyeong Jun Kim,Min Jae Kang,Jeen Gi KIM. Владелец: CK Materials Lab Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Method of driving a display device operably switchable between 2d and 3d display modes

Номер патента: US20160088290A1. Автор: Sheng-Chi Liu,Yung-Sheng Tsai,Jen-Lang Tung. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2016-03-24.

Method for processing memory device

Номер патента: US20240338313A1. Автор: Chan Ho SOHN,Ting Lun OU,Kwang Soo MOON. Владелец: Essencore Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Method for calculating tier relocation cost and storage system using the same

Номер патента: WO2013046258A1. Автор: TETSUYA Abe,Naoko Kumagai,Tsutomu Sukigara. Владелец: Hitachi, Ltd.. Дата публикации: 2013-04-04.

Calibration apparatus and method of verifying the positioning of a calibration device, in particular for calibrating one or more adas sensors

Номер патента: EP4421445A1. Автор: Massimo Mambrilla. Владелец: Vehicle Service Group Italy SRL. Дата публикации: 2024-08-28.

Structure for and method of error compensation

Номер патента: US3974364A. Автор: Walter E. Meyer,David W. Sallberg. Владелец: Koehring Co. Дата публикации: 1976-08-10.

Memory device and method of controlling power of the same

Номер патента: US20190146695A1. Автор: Nam-Hoon Kim,Jae Won SONG,Se Jeong Jang,Jae Sub Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-16.

Arrangement for and method of protecting a data processing device against e[lectro]m[agnetic]radiation attacks

Номер патента: EP1859345A1. Автор: Gerardus Tarcisius Maria Hubert. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-11-28.

Power distribution pricing method of commercial hvac system and apparatus and method for load scheduling of hvac system using said pricing method

Номер патента: US20200286188A1. Автор: Youngjin Kim,Ye Eun JANG,YoungSeok SOHN,Ahyun Yoon. Владелец: SEOKYOUNG SYSTEMS. Дата публикации: 2020-09-10.

Method of input of a security code by means of a touch screen for access to a function, an apparatus or a given location, and device for implementing the same

Номер патента: TW200414012A. Автор: Pierre-Andre Farine,Darryl Gauthey. Владелец: Asulab Sa. Дата публикации: 2004-08-01.

Virtualized system and method of controlling access to nonvolatile memory device in virtualization environment

Номер патента: EP4180936B1. Автор: Dongouk MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-31.

Method of improved surgical care with real-time devices

Номер патента: US20240315606A1. Автор: John Cronin. Владелец: Know Labs Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of improved surgical care with real-time devices

Номер патента: WO2024197040A1. Автор: John Cronin. Владелец: Know Labs, Inc.. Дата публикации: 2024-09-26.

Non-volatile memory device determining read reclaim, method of operating the same, and method of operating storage device including the same

Номер патента: EP4318248A1. Автор: Jin-Young Kim,Heewon Lee,Youngdeok SEO,Se Hwan Park,Hyunkyo Oh,Woohyun Kang,Donghoo LIM,Hyuna Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-07.

Backlight control circuit, method for driving the same, backlight module and display apparatus

Номер патента: US11839006B2. Автор: Qing Ma,Rui Han,Jie Yu,Pengtao LI,Daekeun Yoon,Yangyang Zhang. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Computing system for managing distributed storage devices, and method of operating the same

Номер патента: US20230376238A1. Автор: Kyung-Chang Ryoo,Kyunghan LEE,Chon Yong Lee,Jae-gon Lee,Hyeyoung RYU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-23.

Computing system for managing distributed storage devices, and method of operating the same

Номер патента: EP4283457A2. Автор: Kyung-Chang Ryoo,Kyunghan LEE,Chon Yong Lee,Jae-gon Lee,Hyeyoung RYU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-29.

Computing system for managing distributed storage devices, and method of operating the same

Номер патента: EP4283457A3. Автор: Kyung-Chang Ryoo,Kyunghan LEE,Chon Yong Lee,Jae-gon Lee,Hyeyoung RYU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-07.

PD alloy, PD alloy material and probe pin for electric and electronic devices, and methods for manufacturing the same

Номер патента: US11920227B2. Автор: Makoto Takahashi,Ryu Shishino,Kazuya SOUMIYA. Владелец: Tokuriki Honten Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Memory device and method of terminating transmission line from memory device

Номер патента: TW201042654A. Автор: Peter Linder,Jeffrey Eldon Johnson,James Sanford Wallace. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2010-12-01.

METHOD OF DETERMINING DETERIORATION STATE OF MEMORY DEVICE AND MEMORY SYSTEM USING THE SAME

Номер патента: US20140108747A1. Автор: Kong Jun-Jin,Seol Chang-kyu,Son Hong-rak. Владелец: . Дата публикации: 2014-04-17.

Resonance suppression control circuit, test system using the same, and resonance suppression control circuit design method

Номер патента: JP6217797B1. Автор: 岳夫 秋山. Владелец: Meidensha Corp. Дата публикации: 2017-10-25.

Power supply device and display device including the same

Номер патента: US20230155474A1. Автор: Yang Uk NAM,Sung Chun PARK. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

Method of scheduling commands for memory device and memory system performing the same

Номер патента: US12019916B2. Автор: WooSeong Cheong,Kiman Choo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Touch control circuit and display device including the same

Номер патента: US20230205380A1. Автор: Young Eun Lee,Young Ju Park. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Touch control circuit and display device including the same

Номер патента: US11972082B2. Автор: Young Eun Lee,Young Ju Park. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

METHOD OF CONTROLLING REPAIR OF VOLATILE MEMORY DEVICE AND STORAGE DEVICE PERFORMING THE SAME

Номер патента: US20210026728A1. Автор: Kim Dong,PARK Inhoon,Eun Hyunglae,Park Jangseon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-01-28.

SWITCH CONTROL CIRCUIT AND CONVERTER USING THE SAME

Номер патента: US20150293545A1. Автор: Hwang In Ho,CUI Zhi Yuan,SHIN Doo Soo,RYU Youn Ggi. Владелец: MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD.. Дата публикации: 2015-10-15.

Method of digital control of the process of monitoring, maintenance and local repair of opl and system for its implementation

Номер патента: RU2683411C1. Автор: Александр Викторович Лемех,Кирилл Андреевич Таубе,Станислав Станиславович Воронов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Лаборатория будущего". Дата публикации: 2019-03-28.

Method of removing foreign substances from crdm and device for executing same

Номер патента: US20240038407A1. Автор: Chae Ho NAM,Ho Yel LEE. Владелец: Doosan Enerbility Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Method of removing foreign substances from CRDM and device for executing same

Номер патента: US11817222B2. Автор: Chae Ho NAM,Ho Yel LEE. Владелец: Doosan Enerbility Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

PUMP CONTROL CIRCUIT AND INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20140055121A1. Автор: YOON Mi Sun. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-02-27.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE INCLUDING WAKE-UP CONTROL CIRCUIT AND ELECTRONIC DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20180004541A1. Автор: PARK Sang-Yong,HWANG Seong Wook,JANG Jaehyeok,LEE Yae Seul,YOU Tae Sun. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-04.

METHODS OF CONTROLLING OPERATION OF NONVOLATILE MEMORY DEVICES AND DATA CONVERTERS FOR PERFORMING THE SAME

Номер патента: US20210157672A1. Автор: YOON PILSANG,SEOL CHANGKYU,Son Hongrak,SO HYEJEONG,NOH Kwanwoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-05-27.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE INCLUDING WAKE-UP CONTROL CIRCUIT AND ELECTRONIC DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20190220288A1. Автор: PARK Sang-Yong,HWANG Seong Wook,JANG Jaehyeok,LEE Yae Seul,YOU Tae Sun. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-18.

Method of starting applications installed on a mobile operating system in a multi-window mode and device using the same

Номер патента: US20140365933A1. Автор: Tsung-En Wu. Владелец: Insyde Software Corp. Дата публикации: 2014-12-11.

A method of manufacturing antigen slide for indirect immunofluorescence antibody assay against Legionella species and a micro-multivalent antigen slide for simultaneous detection of antibodies manufactured by using the same

Номер патента: KR101341994B1. Автор: 박미선,이혜경,이진,정상운,강연호,유재연,유정자,배송미. Владелец: 대한민국. Дата публикации: 2013-12-16.

Stamping device, method of stamping, computer software product and data carrier

Номер патента: RU2335369C2. Автор: Тосиюки НИВА,Мицухару ЯМАГАТА,Такуя КУВАЯМА,Нориюки СУЗУКИ,Акихиро УЕНИСИ,Юкихиса КУРИЯМА,Таку КУВАЯМА. Владелец: Юзинор. Дата публикации: 2008-10-10.

Method of making optical connector ferrule, die for making optical connector ferrule, optical connector ferrule made by this method, and optical connector and optical wiring system using the same

Номер патента: US20060263034A1. Автор: Tomohiko Ueda,Toshiaki Kakii,Toshifumi Hosoya,Wataru Sakurai,Hiroshi Katsura,Kenichiro Ohtsuka,Daizo Nishioka,Kei Sunaga,Yuko Masunaga. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2006-11-23.

Optical modulator and Method of adjusting optical angle using the the same

Номер патента: KR102026738B1. Автор: 이장원,박연상,김언정,김진은,노영근,이재숭,천상모. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2019-09-30.

Management method of computer system, computer management system, and computer management program

Номер патента: US20060070052A1. Автор: Yuji Miyamoto,Yue Tian,Mikito Hikita,Sijun Zhou. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-03-30.

A method of determining a route

Номер патента: GB2590591A. Автор: Putnam Thomas,Jenner Mark,Swingler Roland,Latinopoulos Haris,Stanley Megan. Владелец: Relish Tech Ltd. Дата публикации: 2021-07-07.

Method of adjusting vehicle display device, and vehicle display device

Номер патента: US20240066989A1. Автор: Jun SHIHAKU. Владелец: Yazaki Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

CURRENT CONTROL CIRCUIT AND BIAS GENERATOR INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20180059706A1. Автор: Kim Sung Ho,SUH Yunjae,KIM Junseok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2018-03-01.

METHODS OF MEMORY ADDRESS VERIFICATION AND MEMORY DEVICES EMPLOYING THE SAME

Номер патента: US20200057730A1. Автор: Troia Alberto. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-20.

METHODS OF MEMORY ADDRESS VERIFICATION AND MEMORY DEVICES EMPLOYING THE SAME

Номер патента: US20190065396A1. Автор: Troia Alberto. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-28.

METHODS OF MEMORY ADDRESS VERIFICATION AND MEMORY DEVICES EMPLOYING THE SAME

Номер патента: US20190065397A1. Автор: Troia Alberto. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-28.

Current Control Circuit and Method for Controlling the Same, Backlight Assembly and Display Device

Номер патента: US20190069362A1. Автор: Chen Shuai,FU Siqing,LIU Xinghong. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-28.

SWITCH CONTROL CIRCUIT AND BUCK CONVERTER INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20190089249A1. Автор: MOON SangCheol,JIN Chenghao,KOO Gwanbon,CHUNG Bonggeun. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2019-03-21.

CHANNEL CONTROL CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20140181604A1. Автор: Kim Ki Tae. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-06-26.

FLAT DISPLAY APPARATUS AND CONTROL CIRCUIT AND METHOD FOR CONTROLLING THE SAME

Номер патента: US20150116305A1. Автор: TU Ming-Hung,Liao Chien-Huang,Liu Pin-Miao,Ting Tien-Lun,Chung Chun-Fan,Chen Yu-Chieh,TSAI Chia-Chi. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-30.

CONTROL CIRCUIT AND OPERATING SYSTEM UTILIZING THE SAME

Номер патента: US20210124442A1. Автор: WANG Cheng-Chih,LIN Jen-Lieh,KUO Chuang-Huang,HUANG Yan-Chin. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-29.

METHOD OF GENERATING BINARY OFFSET CARRIER CORRELATION FUNCTION BASED ON PARTIAL CORRELATION FUNCTIONS, APPARATUS FOR TRACKING BINARY OFFSET CARRIER SIGNAL, AND SPREAD SPECTRUM SIGNAL RECEIVER SYSTEM USING THE SAME

Номер патента: US20150117499A1. Автор: CHAE Keun Hong,Yoon Seok Ho. Владелец: RESEARCH & BUSINESS FOUNDATION SUNGKYUNKWAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-04-30.

CONTROL CIRCUIT AND DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20180114496A1. Автор: HUANG Xiaoyu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co. Ltd.. Дата публикации: 2018-04-26.

CONTROL CIRCUIT AND DISPLAY APPARATUS UTILIZING THE SAME

Номер патента: US20210200368A1. Автор: WANG Cheng-Chih. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-01.

CONTROL CIRCUIT AND DISPLAY APPARATUS UTILIZING THE SAME

Номер патента: US20210200410A1. Автор: WANG Cheng-Chih. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-01.

METHODS OF MEMORY ADDRESS VERIFICATION AND MEMORY DEVICES EMPLOYING THE SAME

Номер патента: US20190171579A1. Автор: Troia Alberto. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-06.

LUMINANCE CONTROL CIRCUIT AND DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20190213953A1. Автор: Koh Jai-Hyun,Kim Heendol,Ahn Kuk-Hwan,LEE Soo-yeon,LEE Jaehoon,KANG Moonshik. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-11.

SWITCH CONTROL CIRCUIT AND BUCK CONVERTER COMPRISING THE SAME

Номер патента: US20190214908A1. Автор: MOON SangCheol,JIN Chenghao,KOO Gwanbon,CHUNG Bonggeun. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2019-07-11.

FLAT DISPLAY APPARATUS AND CONTROL CIRCUIT AND METHOD FOR CONTROLLING THE SAME

Номер патента: US20170270890A1. Автор: TU Ming-Hung,Liao Chien-Huang,Liu Pin-Miao,Ting Tien-Lun,Chung Chun-Fan,Chen Yu-Chieh,TSAI Chia-Chi. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-21.

METHODS OF MEMORY ADDRESS VERIFICATION AND MEMORY DEVICES EMPLOYING THE SAME

Номер патента: US20210365385A1. Автор: Troia Alberto. Владелец: . Дата публикации: 2021-11-25.

DISPLAY PANEL DRIVING CONTROL CIRCUIT AND DISPLAY APPARATUS HAVING THE SAME

Номер патента: US20190279556A1. Автор: KIM Ga-Na,PARK Po-Yun,CHO Junghwan,KIM Hong-Kyu. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-12.

SWITCH CONTROL CIRCUIT AND BATTERY PACK INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20190362922A1. Автор: BAE Jeongguk,JEON Hyuncheol,SEO Giho. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-28.

Methode for preparing metamaterial, metamaterial film prepared by the same and super-resolution imaging system using the the same

Номер патента: KR101472682B1. Автор: 이헌,최원식,변경재. Владелец: 고려대학교 산학협력단. Дата публикации: 2014-12-15.

Charge/discharge control circuit and battery device including the same

Номер патента: US11043826B2. Автор: Fumihiko Maetani. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2021-06-22.

Arrangement for and method of protecting a data processing device against a cryptographic attack or analysis

Номер патента: WO2007000702A3. Автор: Gerardus Tarcisius Mari Hubert. Владелец: Gerardus Tarcisius Mari Hubert. Дата публикации: 2007-03-29.

Method of forecasting heat output of solar collectors

Номер патента: US11486606B2. Автор: Joakim Byström. Владелец: Absolicon Solar Collector AB. Дата публикации: 2022-11-01.

Control circuit and driving device including the same

Номер патента: CN101174808B. Автор: 周文杰. Владелец: DELTA ELECTRONIC POWER SUPPLY (DONGGUAN) Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-21.

Vibrational correction control circuit and imaging device mounted the same thereon

Номер патента: KR101117030B1. Автор: 야스히사 야마다,유우끼 다시따. Владелец: 산요 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2012-03-15.

Method of preparing and applying to printed material separable advertising sheets with samples

Номер патента: US3592712A. Автор: Craig P Greason. Владелец: Craig P Greason. Дата публикации: 1971-07-13.

Switch control circuit, power factor corrector comprising the same, and driving mehtod of the power factor corrector

Номер патента: KR101858059B1. Автор: 조계현,박영배,양승욱,엄현철. Владелец: 페어차일드코리아반도체 주식회사. Дата публикации: 2018-06-29.

Current control circuit and method for controlling the same, backlight assembly and display device

Номер патента: US10219341B1. Автор: Shuai Chen,Siqing FU,Xinghong LIU. Владелец: Chongqing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-26.

Control circuit and electronic device including the same

Номер патента: US20100301674A1. Автор: Chih-Hsiung Lin. Владелец: Pegatron Corp. Дата публикации: 2010-12-02.

Method of dynamically assigning a quality of service

Номер патента: US20180249474A1. Автор: Dong Zhao,Wei Chu,Qingxiao ZHENG. Владелец: Motorola Solutions Inc. Дата публикации: 2018-08-30.

Method of operating bill transport path switching device in atm

Номер патента: US20230316844A1. Автор: Sung Ho Park,Hyun Soo JANG,Seung Ki Kim,Jin You LIM,Da Hye Shin,Eui Sun Choi,Yun Su PARK,Hyun Ji JO. Владелец: Hyosung Tns Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

System and Method of Alerting and Responding to a School Emergency

Номер патента: US20200334780A1. Автор: Mike Robison. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-10-22.

Pd ALLOY, Pd ALLOY MATERIAL AND PROBE PIN FOR ELECTRIC AND ELECTRONIC DEVICES, AND METHODS FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20210310103A1. Автор: Makoto Takahashi,Ryu Shishino,Kazuya SOUMIYA. Владелец: Tokuriki Honten Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-07.

Display substrate, display panel and method of fabricating display substrate

Номер патента: US20200273888A1. Автор: Wei He,Liang Lin,Chuan Chen,Zhixiang ZOU,Yunhai Wan. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

Computer-implemented method of processing an emergency incident and emergency communication network

Номер патента: US11843974B2. Автор: Zisis Tsiatsikas,Sofia ANAGNOSTOU. Владелец: Atos Public Safety LLC. Дата публикации: 2023-12-12.

Method of forming a photo-cured layer

Номер патента: US20230167305A1. Автор: Niyaz Khusnatdinov. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-06-01.

Method of manufacturing an optical fiber ribbon, and an optical fiber ribbon

Номер патента: US20040131319A1. Автор: Olivier Pinto,Magnus Gunnarsson,Jerome Fournier,Peter Elisson,Mats Lanned. Владелец: Nexans SA. Дата публикации: 2004-07-08.

METHOD OF MANAGING STORAGE REGION OF MEMORY DEVICE, AND STORAGE APPARATUS USING THE METHOD

Номер патента: US20130173875A1. Автор: KIM Kyung-ho,KIM Sang-mok,PARK Hyun-chul,BAE O-tae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-07-04.

Stacked memory device, optical proximity correction (opc) verifying method, method of designing layout of stacked memory device, and method of manufacturing stacked memory device

Номер патента: US20170250195A1. Автор: Sung-Hoon Kim,Hyang-Ja Yang,Chang-Bum Kim,Woo-Joung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-31.

Virtualized system and method of controlling access to nonvolatile memory device in virtualization environment

Номер патента: KR20230068260A. Автор: 문동욱. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2023-05-17.

NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD OF THROTTLING TEMPERATURE OF NONVOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20180067678A1. Автор: JEONG Sung-Won,KANG Hee-Woong. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-08.

Methods of Reducing or Eliminating Internal Optical Light Reflections, Increasing Yield, Reducing High-Temperature Transmission Failures and/or Improving OSA Transmission Performance and an Improved Optical Transceiver Implementing the Same

Номер патента: US20190103919A1. Автор: Liu Ke,Zhang Xuanqi,Tian Yingjun,HAILAI Yongbu. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-04.

METHOD OF RECONFIGURING DQ PADS OF MEMORY DEVICE AND DQ PAD RECONFIGURABLE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20180189219A1. Автор: Kim Chan-kyung. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-05.

STORAGE DEVICE SUPPORTING MULTI-STREAMING AND METHOD OF CONTROLLING OPERATION OF NONVOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200393992A1. Автор: LEE KYUNGDUK,Lim Jinwoo. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-17.

Remover solution composition for resist and method for removing resist using the the same

Номер патента: EP0773480B1. Автор: Masakazu Kobayashi,Kazumasa Wakiya,Toshimasa Nakayama,Masahito Tanabe. Владелец: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-24.

Method of wireless discovery and networking of medical devices in care environments

Номер патента: US20190149409A1. Автор: David B. Bennett,Benjamin H. FEINGOLD,Rohitkumar GODHANI,John T. SHEN,Mithun GUNDI,Robert L. JONES, III. Владелец: Stryker Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Method of wireless discovery and networking of medical devices in care environments

Номер патента: US20160337182A1. Автор: David B. Bennett,Benjamin H. FEINGOLD,Rohitkumar GODHANI,John T. SHEN,Mithun GUNDI,Robert L. JONES, III. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-11-17.

Method of Writing Data to a Memory Device and Reading Data From the Memory Device

Номер патента: US20180011995A1. Автор: PITU Ciprian-Leonard. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-11.

METHOD OF PREVENTING MISOPERATIONS ABOUT A RELAY PROTECTION DEVICE IN A SMART SUBSTATION

Номер патента: US20170060670A1. Автор: Li Meng,Li Zhen,Liu Xing,Qiu Junhong,Jia Huawei,Jiang Ruizhi,ZHAO BAO,Wang Leitao,Ma Lintao,Zhang Lunshan,Li Xinling,Ji Juan. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-02.

NON-VOLATILE MEMORY DEVICE, ELECTRONIC CONTROL SYSTEM, AND METHOD OF OPERATING THE NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140223080A1. Автор: Seo Myoung Kyu,Kim Yong Soo. Владелец: ATO SOLUTION CO., LTD.. Дата публикации: 2014-08-07.

Method of wireless discovery and networking of medical devices in care environments

Номер патента: US20190149409A1. Автор: David B. Bennett,Benjamin H. FEINGOLD,Rohitkumar GODHANI,John T. SHEN,Mithun GUNDI,Robert L. JONES, III. Владелец: Stryker Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

DISPLAY DEVICE AND METHOD OF NOTIFYING THE POSITION OF AN AUTHENTICATION DEVICE IN A DISPLAY AREA

Номер патента: US20170155802A1. Автор: TAKAHASHI Kazunobu. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-01.

METHODS OF AND APPARATUS FOR LOCATING ENERGY HARVESTING DEVICES IN AN ENVIRONMENT

Номер патента: US20200153385A1. Автор: VINCENT Hugo John Martin,Hazel Graham Paul. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2020-05-14.

The method of remote synchronization of voice quality measurement device in mobile telecommunication environment

Номер патента: KR100269592B1. Автор: 김광훈,김주완,김영렬,서성희. Владелец: 조정남. Дата публикации: 2000-10-16.

Method of documenting installation of a fluid handling device in a fluid flow system

Номер патента: US9400074B2. Автор: Frederick W. Blanchard. Владелец: Marshall Excelsior Co. Дата публикации: 2016-07-26.

Memory device performing near-data processing using a plurality of data processing engines that independently perform data processing operations, and system including the same

Номер патента: US10430353B2. Автор: Byungchul Hong,Hongsik Kim,Jungho Ahn,John Dongjun KIM,Yongkee KWON. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2019-10-01.

Non-volatile memory device, and method of accessing a non-volatile memory device

Номер патента: US8032690B2. Автор: Chih Nan Yen,Yung-Li Ji,Fu-Ja Shone,Shih Chieh Tai. Владелец: Skymedi Corp. Дата публикации: 2011-10-04.

Method of documenting installation of a fluid handling device in a fluid flow system

Номер патента: CA2893765A1. Автор: Frederick W. Blanchard. Владелец: Marshall Excelsior Co. Дата публикации: 2015-12-03.

Non-volatile memory device, and method of accessing a non-volatile memory device

Номер патента: TW200935297A. Автор: Yung-Li Ji,Chih-Nan YEN,Fu-Ja Shone,Shih-Chieh Tai. Владелец: Skymedi Corp. Дата публикации: 2009-08-16.

Method of and apparatus for locating energy harvesting devices in an environment

Номер патента: GB201708745D0. Автор: . Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2017-07-19.

METHOD OF MANAGING DATA IN NONVOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140115239A1. Автор: CHOI Hong-Suk,KONG CHUN-UM,Lee Su-Ryun,Park Youn-Won. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-04-24.

MEMORY SYSTEM, OPERATION METHOD OF THE MEMORY SYSTEM, AND MEMORY DEVICE

Номер патента: US20190065115A1. Автор: HONG Do-Sun,KWON Jung-Hyun,SHIN Won-Gyu. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-28.

MEMORY MODULE, MEMORY DEVICE, AND PROCESSING DEVICE HAVING A PROCESSOR MODE, AND MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20180107406A1. Автор: Song Ho-Young,Hwang Sang-Joon,Kim Chan-kyung,Ahn Jung Ho,Kim Nam Sung,SON Young-Hoon,O Seong-Il. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-19.

Methods of Forming Capacitors For Semiconductor Memory Devices

Номер патента: US20110117715A1. Автор: Yoo-Sang Hwang,Jeong-sic Jeon,Chun-Suk Suh,Jong-Seo Hong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-05-19.

Method of manufacturing three-dimensional semiconductor memory device in which an oxide layer is formed at bottom of vertical structure of the device

Номер патента: US09490130B2. Автор: Youngwoo Park,Jin-Soo Lim,Hansoo Kim,Byoungkeun Son,Sung-hwan Jang,Jong In Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Method of correction of response time of remote device in artillery projectile

Номер патента: RU2659447C1. Автор: Николай Сергеевич Кузнецов. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Дельта". Дата публикации: 2018-07-02.

Multiphase power converter having daisy chain control circuit and method for controlling the same

Номер патента: US11770074B2. Автор: Chih-Yuan Chen,Ping-Yu Tsai. Владелец: Anpec Electronics Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

Method of preparing cathode active material precursor for lithium rechargeable battery, cathode active material precursor for lithium rechargeable battery prepared thereby, and cathode active material formed using the cathode active material precursor

Номер патента: US09520593B2. Автор: Yang-Kook Sun,Hyung Joo Noh. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2016-12-13.

Method of forming a gate electrode in a semiconductor device and method of manufacturing a non-volatile memory device using the same

Номер патента: US6660573B2. Автор: Myoung-Sik Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-12-09.

Semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device and manufacturing method of semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device

Номер патента: US20220157840A1. Автор: Jung Hwan Lee,Min Kuck Cho,Hyun Chul Kim,Kwang Il Kim,Yang Beom KANG. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device and manufacturing method of semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device

Номер патента: US20210028183A1. Автор: Jung Hwan Lee,Min Kuck Cho,Hyun Chul Kim,Kwang Il Kim,Yang Beom KANG. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-28.

Medical device and method of implanting gastroesophageal anti-reflux and obesity devices in an esophagus

Номер патента: EP4272816A2. Автор: Norman Godin. Владелец: Biomedix SA Switzerland. Дата публикации: 2023-11-08.

Medical device and method of implanting gastroesophageal anti-reflux and obesity devices in an esophagus

Номер патента: EP3630006A1. Автор: Norman Godin. Владелец: Biomedix SA Switzerland. Дата публикации: 2020-04-08.

Medical device and method of implanting gastroesophageal anti-reflux and obesity devices in an esophagus

Номер патента: US20200060805A1. Автор: Norman Godin. Владелец: Biomedix SA Switzerland. Дата публикации: 2020-02-27.

Method of outputting screens from server and client devices in performing mirrorlink

Номер патента: US09992319B2. Автор: Kgiwung RYOO,Kwanghee Lee,Yuseok Yang,Chongook YOON. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2018-06-05.

Manufacturing method of three-dimensional non-volatile memory device including a selection gate having an L shape

Номер патента: US09559114B2. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,Sung Chul Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Method of manufacturing a phase change memory device

Номер патента: US20150364678A1. Автор: Sung-Lae Cho,Dong-ho Ahn,Jung-Hwan Park,Hideki Horii,Jeong-hee Park,Zhe Wu,Jun-Ku Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-12-17.

Method of manufacturing a ferroelectric-capacitor memory device including recovery annealing

Номер патента: US8628981B2. Автор: Kouichi Nagai. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-01-14.

Methods of manufacturing a phase change memory device

Номер патента: US20140004680A1. Автор: Seong-Ho EUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-01-02.

Method of making three-dimensional semiconductor memory device having laterally undulating memory films

Номер патента: US09978768B2. Автор: Ryoichi Honma,Jiyin Xu,Syo FUKATA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-05-22.

Method of fabricating an embedded nonvolatile memory device

Номер патента: US09954082B1. Автор: Tzyy-Ming Cheng,Sheng-Hao Lin,Hao-Ming Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Lighting control circuit, illuminating lamp using the lighting control circuit, and lighting device using the illuminating lamp

Номер патента: US09743470B2. Автор: Shigemi Hagiwara,Masaharu Urano,Hisashi Tomiyama,Kazuaki Iseda. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Method of forming a non volatile memory device using wet etching

Номер патента: US09418864B2. Автор: John Power,Danny Pak-Chum Shum,Ulrike Bewersdorff-Sarlette,Wolfram Langheinrich,Alfred Vater. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-08-16.

Methods of fabricating three-dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US09397114B2. Автор: Kwangmin Park,Byong-hyun JANG,Dongchul Yoo,Jumi Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-19.

Charge/discharge control circuit and battery device including the same

Номер патента: US20180062410A1. Автор: Takashi Ono,Atsushi Sakurai. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

Three-dimensional memory device having parallel trench type capacitor and a method of manufacturing the three-dimensional memory device

Номер патента: US20220149052A1. Автор: Won Seok Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-05-12.

Methods of fabricating three dimensional semiconductor memory devices

Номер патента: US20140256101A1. Автор: Sung-Min Hwang,Woonkyung Lee,Hui-chang Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-09-11.

Method of allocating communication resources to a wireless device in a wireless communication network

Номер патента: US09560649B1. Автор: Aik Chindapol,Muhammad Naim. Владелец: Sprint Spectrum LLC. Дата публикации: 2017-01-31.

Method of Forming Contacts for a Memory Device

Номер патента: US20110014787A1. Автор: Jonathan Doebler. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-01-20.

Method of forming contacts for a memory device

Номер патента: US8329534B2. Автор: Jonathan Doebler. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-12-11.

Buffer control circuit and integrated circuit including the same

Номер патента: US20120262323A1. Автор: Taek-Sang Song,Dae-Han Kwon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-10-18.

Apparatuses and methods of controlling hydrogen supply in memory device

Номер патента: US12096613B2. Автор: Naokazu Murata. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Methods of manufacturing a phase change memory device including a heat sink

Номер патента: US09431610B2. Автор: Tae-Jin Park,Yoon-Jong Song,Chil-Hee Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of making a three-dimensional memory device having a heterostructure quantum well channel

Номер патента: US09941295B2. Автор: Peter Rabkin,Johann Alsmeier,Masaaki Higashitani,Jayavel Pachamuthu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-04-10.

Switch control circuit and resonant converter including the same

Номер патента: US09647528B2. Автор: Ji-hoon Jang,Won-Tae Lee,Hang-Seok Choi,Hyeong Seok BAEK. Владелец: Fairchild Korea Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Switch control circuit and resonant converter including the same

Номер патента: US09627988B2. Автор: Ji-hoon Jang,Won-Tae Lee,Hang-Seok Choi,Hyeong Seok BAEK. Владелец: Fairchild Korea Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of recording in an electronic memory device pressure and temperature detected during a plurality of events occurring in a well

Номер патента: AU5178086A. Автор: Wesley Jay Ii Burris,Vincent Paul Zeller. Владелец: Halliburton Co. Дата публикации: 1986-07-17.

Method of fabricating three-dimensional semiconductor memory device

Номер патента: US11805710B2. Автор: Heejung Kim,Taehong Min,Chorong Park,Joohee SEO,Eunsuk HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-31.

Switch control circuit and power converter comprising the same

Номер патента: US11791708B2. Автор: Yan-Cun Li. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Methods of forming microelectronic devices and memory devices

Номер патента: US11825658B2. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Charge and discharge control circuit and battery device including the same

Номер патента: US20230291018A1. Автор: Takashi Ono,Sho Hoshino. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Control circuit and operating circuit utilizing the same

Номер патента: US20190181135A1. Автор: Hung-Wei Chen,Shao-Chang Huang,Chieh-Yao Chuang,Wei-Chung Wu,Yin-Ting LIN,Shang-Chuan PAI,Szu-Chi CHEN,Sheng-Chih CHUANG,Pei-Chun YU,Han-Pei LIU,Jung-Tsun Chuang. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Methods of forming microelectronic devices and memory devices, and related microelectronic devices, memory devices, and electronic systems

Номер патента: US20220059559A1. Автор: Emilio Camerlenghi,Paolo Tessariol,Umberto Maria Meotto,Luca Laurin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-24.

Method of controlling operation of foldable accelerator pedal device in manual driving mode of autonomous driving vehicle

Номер патента: US11858537B2. Автор: Eun Sik Kim. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Switch control circuit and resonant converter including the same

Номер патента: US20150229220A1. Автор: Ji-hoon Jang,Won-Tae Lee,Hang-Seok Choi,Hyeong Seok BAEK. Владелец: Fairchild Korea Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-08-13.

Method of controlling operation of foldable accelerator pedal device in manual driving mode of autonomous driving vehicle

Номер патента: US20220055665A1. Автор: Eun Sik Kim. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Method of making a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US5208175A. Автор: Jeong-Hyeok Choi,Geon-Su Kim,Yun-Seong Sin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1993-05-04.

Method of outputting screens from server and client devices in performing mirrorlink

Номер патента: US20160234367A1. Автор: Kgiwung RYOO,Kwanghee Lee,Yuseok Yang,Chongook YOON. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2016-08-11.

Medical device and method of implanting gastroesophageal anti-reflux and obesity devices in an esophagus

Номер патента: EP4272816A3. Автор: Norman Godin. Владелец: Biomedix SA Switzerland. Дата публикации: 2024-03-06.

Method of fabricating a resistance based memory device and the memory device

Номер патента: US7659566B2. Автор: Seung-Eon Ahn,Hye-Young Kim,Byoung-ho Park,Jung-Bin Yun,You-seon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-02-09.

Method of fabricating a resistance based memory device and the memory device

Номер патента: US20070037351A1. Автор: Seung-Eon Ahn,Hye-Young Kim,Byoung-ho Park,Jung-Bin Yun,You-seon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-02-15.

Method of deploying and powering an electrically driven device in a well

Номер патента: CA2731039C. Автор: Philip Head. Владелец: Accessesp UK Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Method of manufacturing a non-volatile memory device

Номер патента: US7682906B2. Автор: Young-sun Kim,Seung-Hwan Lee,Han-mei Choi,Young-Geun Park,Se-hoon Oh,Sun-jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-03-23.

Method of fabricating trap type nonvolatile memory device

Номер патента: US20070134868A1. Автор: Chang-Hyun Lee,Young-sun Kim,Seung-Hwan Lee,Sung-Jung Kim,Han-mei Choi,Young-Geun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-06-14.

Apparatus and method of recharging a battery using a usb device in a portable device

Номер патента: US20090009140A1. Автор: Hyoung Sup KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-01-08.

Methods of use of precision and controlled cooling devices in combination with other treatments

Номер патента: WO2023187469A2. Автор: Gun-Ho Kim. Владелец: KIM Gun Ho. Дата публикации: 2023-10-05.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140374691A1. Автор: Hiroyuki Nansei. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-25.

Method of fabricating a variable resistance memory device

Номер патента: US11482670B2. Автор: Jiho Park,Jeonghee Park,Kwangmin Park,Changyup Park,Sukhwan Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-25.

Method of making a read only memory device

Номер патента: US4904615A. Автор: Satoshi Meguro,Kazuhiro Komori,Ken Uchida,Hisao Katto,Kousuke Okuyama,Kouichi Kusuyama. Владелец: Hitachi Microcomputer Engineering Ltd. Дата публикации: 1990-02-27.

Method of forming gate of flash memory device

Номер патента: US20080003754A1. Автор: Cheol Mo Jeong,Jung Geun Kim,Whee Won Cho,Seong Hwan Myung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-01-03.

Methods of use of precision and controlled cooling devices in combination with other treatments

Номер патента: WO2023187469A3. Автор: Gun-Ho Kim. Владелец: KIM Gun Ho. Дата публикации: 2024-05-10.

Method of fabricating a variable resistance memory device

Номер патента: US20210104669A1. Автор: Jiho Park,Jeonghee Park,Kwangmin Park,Changyup Park,Sukhwan Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-08.

Semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device and manufacturing method of semiconductor device including nonvolatile memory device and logic device

Номер патента: US11991878B2. Автор: Jung Hwan Lee,Min Kuck Cho,Hyun Chul Kim,Kwang Il Kim,Yang Beom KANG. Владелец: Sk Keyfoundry Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Apparatuses and methods of controlling hydrogen supply in memory device

Номер патента: US20230132317A1. Автор: Naokazu Murata. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Apparatuses and methods of controlling hydrogen supply in memory device

Номер патента: US11862554B2. Автор: Keizo Kawakita,Shigeru Sugioka. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Method of making a three-dimensional memory device using composite hard masks for formation of deep via openings

Номер патента: US20230354609A1. Автор: Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Senaka Kanakamedala,Kartik SONDHI,Roshan Jayakhar TIRUKKONDA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-02.

Apparatuses and methods of controlling hydrogen supply in memory device

Номер патента: WO2023076803A1. Автор: Naokazu Murata. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-05-04.

Method of making stacked capacitor in memory device

Номер патента: US6358795B1. Автор: Horng-Huei Tseng. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-03-19.

Method of forming aluminum oxide layer and method of manufacturing charge trap memory device using the same

Номер патента: US8043952B2. Автор: Sang-jin Park,Eun-ha Lee,Sang-Moo Choi,Woong-Chul Shin,Kwang-Soo Seol,Jung-hun Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-10-25.

Method of correcting the time of operation of a remote detonating fuse of an artillery shell

Номер патента: RU2698890C1. Автор: Николай Сергеевич Кузнецов. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Дельта". Дата публикации: 2019-08-30.

Method of reading out a cmos image sensor and a cmos image sensor configured for carrying out such method

Номер патента: EP2873231A1. Автор: Willem Hendrik Maes. Владелец: Teledyne Dalsa BV. Дата публикации: 2015-05-20.

Variable resistance memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200111954A1. Автор: Jaeho Jung,Young-Min Ko,Jonguk KIM,Byongju Kim,Dongsung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-09.

Method of manufacturing vesicles by delivery of rna nanoparticles and vesicles manufactured using the same

Номер патента: EP3682868A1. Автор: Hye-jin Kim,Jong-Bum LEE. Владелец: Industry Cooperation Foundation of University of Seoul. Дата публикации: 2020-07-22.

Methods of manufacturing phase-change memory device and semiconductor device

Номер патента: US20130102120A1. Автор: Hye Jin Seo,Keum Bum Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-04-25.

Semiconductor memory device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20210296275A1. Автор: Masaki Tsuji. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Vertical-type semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09496277B2. Автор: Jong-wook Lee,Yong-Hoon Son,Jong-Hyuk Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Drill string rotation normalizing device and methods of using same

Номер патента: WO2024124352A1. Автор: Steven Lee Campbell,Ginette Marie TREMBLAY. Владелец: Valora Engineering Ltd.. Дата публикации: 2024-06-20.

Induction heating cells with controllable thermal expansion of bladders and methods of using thereof

Номер патента: GB2582221A. Автор: R Matsen Marc,C Firth Lee,A Negley Mark. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2020-09-16.

Variable resistance memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210167130A1. Автор: Seulji SONG,Kyusul PARK,Woohyun Park,Ilmok Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-03.

Graphene-inserted phase change memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US09583702B2. Автор: Seunghyun Lee,Kenneth E. Goodson,Yongsung Kim,Scott Fong,Mehdi Asheghi,Eric Pop,H.-S. Philip Wong,Christopher M. Neumann,Aditya Sood,Chiyui Ahn. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2017-02-28.

Method of suture of aponeurosis after laparotomy

Номер патента: RU2644846C1. Автор: Андрей Владимирович Федосеев,Сергей Юрьевич Муравьев,Александр Сергеевич Инютин,Адылбек Дурсунбаевич Жаныгулов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Рязанский государственный медицинский университет имени академика И.П. Павлова" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2018-02-14.

Low temperature P+ polycrystalline silicon material for non-volatile memory device

Номер патента: US09793474B2. Автор: Xin Sun,Tanmay Kumar,Sung Hyun Jo. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of hydroponic growing of plants, device for method implementation and floating platform of this device

Номер патента: RU2730648C1. Автор: Николай Иванович Туркин,Алексей Алексеевич Мурашов,Павел Валерьевич Садовников,Павел Павлович Потапов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ПЛАСТОПОНИКА". Дата публикации: 2020-08-24.

Method of cleaning surfaces in internal premises and in technical equipment using benign bacteria

Номер патента: RU2737090C1. Автор: Филипп Виллем Мария ВИЛЛОЦХ,КОСТЕР Коен ДЕ. Владелец: ЛИВИНГ ТЕХНОЛОДЖИС, кооператиеве венноотшап мет беперкте аатспракелийкхеид. Дата публикации: 2020-11-24.

Method of making bread for diabetic patients

Номер патента: RU2673734C1. Автор: Анзор Клишбиевич Езаов,Фатима Азаматовна Бисчокова,Лариса Зрамуковна Бориева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный аграрный университет им. В.М. Кокова" (ФГБОУ ВО Кабардино-Балкарский ГАУ). Дата публикации: 2018-11-29.

Nonvolatile semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110217831A1. Автор: Takeshi Kikuchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-09-08.

Device and method of self-sensitive ultrasonic motor control

Номер патента: RU2631332C2. Автор: Валерий Анатольевич Васильев,Виталий Анатольевич Бардин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Пензенский государственный университет" (ФГБОУ ВО "Пензенский государственный университет"). Дата публикации: 2017-09-21.

Method of assessing social activity of person

Номер патента: RU2640570C2. Автор: Александр Борисович Мулик,Татьяна Сергеевна Тимофеева,Анна Николаевна Безрукова,Юлия Александровна Шатыр,Георгий Вячеславович Антонов,Юлия Сергеевна Борщ. Владелец: Александр Борисович Мулик. Дата публикации: 2018-01-09.

Thermoforming method of carbon dioxide absorber

Номер патента: RU2739929C1. Автор: Юрий Анатольевич Ферапонтов,Роман Викторович Дорохов,Владимир Александрович Еськов,Анна Александровна Тарова. Владелец: Акционерное общество "Корпорация "Росхимзащита". Дата публикации: 2020-12-29.

Method of producing guar gum containing unhulled guar, and methods of using guar gum during underground layer processing

Номер патента: RU2403264C1. Автор: Ронни Г. МОРГАН,Льюис Р. НОРМАН,Рики Л. МОРГАН. Владелец: ХЭЛЛИБЕРТОН ЭНЕРДЖИ СЕРВИСИЗ, ИНК.. Дата публикации: 2010-11-10.

Method of dental wound closure

Номер патента: RU2728267C1. Автор: Махмуд Вилевич Тимербулатов,Фазыл Мингазович Гайнутдинов,Лилия Ринатовна Аитова,Артур Альбертович Ибатуллин,Ришат Ринатович Суфияров,Равшан Рамазанович Эйбов,Элина Мударисовна Аминова,Гузель Ильгизовна Сабирова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Башкирский государственный медицинский университет" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2020-07-28.

Methods of forming a phase change layer and methods of fabricating a phase change memory device including the same

Номер патента: US20130143380A1. Автор: Byoung-Deog Choi,Man-sug Kang,Jeong-hee Park,Doo-Hwan Park,Gyu-Hwan OH,Hye-Young Park,Jin-Ho Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-06-06.

Method of making a three-dimensional memory device using dual water vapor flow oxidation and apparatus for performing the same

Номер патента: US20240121961A1. Автор: Shin Koyama,Eisuke Takii,Hiraku Hashimoto. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-11.

Method of transmitting data in mimo communication system

Номер патента: RU2553679C2. Автор: Роберт НОВАК,Мо-хань ФОН,Софи ВРЖИК,Хосейн НИКОПУРДЕЙЛАМИ. Владелец: Эппл Инк. Дата публикации: 2015-06-20.

Apparatus for producing metal rods, casting machine, casting process and method of controlling electromagnetic devices for mixing molten metal

Номер патента: RU2723495C2. Автор: Стефано СПАНЬЮЛ,Сабрина СТРОЛЕГО,Стефано ДЕ МОНТЕ,Кристиано ПЕРСИ. Владелец: Эрголайнз Лэб С.Р.Л.. Дата публикации: 2020-06-11.

Method of operating wind-driven power plant or wind farm

Номер патента: RU2596904C2. Автор: БОЕР Йоахим ДЕ. Владелец: Воббен Пропертиз Гмбх. Дата публикации: 2016-09-10.

Method of biodegradation of malachite green (options)

Номер патента: RU2676153C2. Автор: Мария Александровна Купряшина,Елена Геннадьевна Пономарева,Екатерина Александровна Лощинина,Валентина Евгеньевна Никитина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки "Институт биохимии и физиологии растений и микроорганизмов Российской академии наук". Дата публикации: 2018-12-26.

Non-volatile semiconductor memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20020145155A1. Автор: Kenji Yamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-10-10.

Homoepitaxial tunnel barriers with functionalized graphene-on-graphene and methods of making

Номер патента: US09698254B1. Автор: Berend T. Jonker,Connie H. Li,Adam L. Friedman,Olaf M. T. van 't Erve,Jeremy T. Robinson. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2017-07-04.

Method of detection of mutations of deoxyribonucleic acids using restrictases and kit for assay carrying out

Номер патента: RU2193069C2. Автор: Дирк КУЛЬМАЙЕР,Урсула БИЛИТЕВСКИ. Владелец: Гезелльшафт Фюр Биотехнологише Форшунг Мбх (Гбф). Дата публикации: 2002-11-20.

Preparation method of super absorbent polymer

Номер патента: US12030967B2. Автор: Hyemin LEE,Tae Young Won,Kwangin SHIN,Chang Hun Han,Junwye LEE,Jungmin SOHN,Seongbeom Heo. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Concrete reinforcing guide and method of constructing concrete reinforcing guide

Номер патента: WO2008033991A3. Автор: Gloria Marie Buley. Владелец: Gloria Marie Buley. Дата публикации: 2008-07-31.

Non-volatile memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150311299A1. Автор: Kyung Min Kim,Jung Goo Park,Jeong Ho Cho,Se Woon KIM. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

Method of fabricating magnetic bubble memory device

Номер патента: US4556583A. Автор: Tadashi Ikeda,Yutaka Sugita,Teruaki Takeuchi,Ryo Imura,Norio Ohta. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1985-12-03.

Interspinous process fusion device and method of use

Номер патента: EP2763614A2. Автор: Richard G. Fessler. Владелец: In Queue Innovations LLC. Дата публикации: 2014-08-13.

Electronic device and method of operation of thereof

Номер патента: US20240323664A1. Автор: Minhyung Kim,Soungkwan KIMN,Chungwoo PARK,Boyoun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Methods of forming MIS contact structures on transistor devices in CMOS applications

Номер патента: US09613855B1. Автор: Suraj K. Patil,Zhiguo Sun,Keith Tabakman. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Beacon device including switch and service providing method using the same

Номер патента: US10820268B2. Автор: JUNG Ho Jun,Dong Jin Park. Владелец: Benple Inc. Дата публикации: 2020-10-27.

Method of controlling pests

Номер патента: US20150157017A1. Автор: Hajime Ikeda. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-11.

A method that uses the measured ink combination data/training set to compute the errors that can be universally applied to correct the output of a prediction model

Номер патента: WO2018220636A1. Автор: Sanjay Chandramohan Maheshwari. Владелец: M/S Kothari Infotech Pvt. Limited. Дата публикации: 2018-12-06.

Nickel-based alloy product and process for producing the same

Номер патента: EP1312688A1. Автор: Hiroyuki c/o Sumitomo Metal Ind. Ltd ANADA,Kazuyuki c/o Sumitomo Metal Ind. Ltd KITAMURA,Toshihiro c/o Sumitomo Metal Ind. Ltd IMOTO,Osamu c/o Sumitomo Metal Ind. Ltd MIYAHARA. Владелец: Sumitomo Metal Industries Ltd. Дата публикации: 2003-05-21.

Method of Playing a Poker-Type Game

Номер патента: US20120025467A1. Автор: John Feola. Владелец: New Vision Gaming and Dev Inc. Дата публикации: 2012-02-02.

Method of sterilizing ballast water and device thereof

Номер патента: US20210114900A1. Автор: Tsung-Yu Chen. Владелец: Poseidon Energy Tech Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Method of controlling pests

Номер патента: US09700050B2. Автор: Hajime Ikeda. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09620522B1. Автор: Hyun Ho LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of forming aluminum oxide layer and method of manufacturing charge trap memory device using the same

Номер патента: US20090061613A1. Автор: Sang-jin Park,Eun-ha Lee,Sang-Moo Choi,Woong-Chul Shin,Kwang-Soo Seol,Jung-hun Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-05.

Method of Manufacturing flash memory device

Номер патента: US20080081451A1. Автор: Se Hoon Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-04-03.

Self-orienting imaging device and methods of use

Номер патента: EP3565450A1. Автор: WEI Kang,Ryan SHELTON. Владелец: Photonicare Inc. Дата публикации: 2019-11-13.

Self-orienting imaging device and methods of use

Номер патента: CA3049249C. Автор: WEI Kang,Ryan SHELTON. Владелец: Photonicare Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Method of forming silicide

Номер патента: US20010046695A1. Автор: Jae-Gyung Ahn,Key-Min Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-11-29.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US7145200B2. Автор: Kazuo Saito,Shogo Takamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-12-05.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20020033517A1. Автор: Bohumil Lojek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-21.

Three dimensional memory device and method of making thereof by forming channel and memory film after word line replacement

Номер патента: US12101936B2. Автор: Akio Nishida,Yusuke Mukae,Masanori Tsutsumi,Ramy Nashed Bassely SAID,Tatsuya Hinoue,Ryousuke ITOU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-24.

Method of performing wireless local area network measurement in wireless communication systems

Номер патента: US09781662B2. Автор: Chih-Hsiang Wu. Владелец: HTC Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of reference cell maintenance

Номер патента: US09686814B2. Автор: Chun-Yen Wang. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2017-06-20.

Method of fabricating nonvolatile semiconductor memory devices with select gates

Номер патента: US5953611A. Автор: Makoto Tanaka. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 1999-09-14.

Method of forming a charge-trapping memory device

Номер патента: US20070007586A1. Автор: Georg Tempel. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-01-11.

Method of Handling Capability Information of a Mobile Device and Related Communication Device

Номер патента: US20120008557A1. Автор: Chih-Hsiang Wu. Владелец: HTC Corp. Дата публикации: 2012-01-12.

Wearable devices, wearable device forming methods, and methods of reuse of transmitter units of wearable devices in continuous analyte monitoring systems

Номер патента: EP4093281A1. Автор: Igor Y. Gofman,Dragan AVIROVIKJ,Eugene Prais,Jr. Thomas A.J. Mayer,Cameron M. YOUNG. Владелец: Ascensia Diabetes Care Holdings AG. Дата публикации: 2022-11-30.

Method of making a read only memory device

Номер патента: US5635417A. Автор: Kiyoshi Natsume. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 1997-06-03.

Phase change structure, method of forming a phase change layer, phase change memory device and method of manufacturing a phase change memory device

Номер патента: TW201135999A. Автор: Byoung-Deog Choi,Man-sug Kang,Jeong-hee Park,Doo-Hwan Park,Gyu-Hwan OH,Hye-Young Park,Jin-Ho Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-10-16.

Double self-aligned phase change memory device structure

Номер патента: US09640757B2. Автор: Jun-Fei Zheng. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Method of assessment environmental condition of coastal ecosystems

Номер патента: RU2518227C2. Автор: Анвар Джураевич Исмаилов,Галина Анатольевна Колючкина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт океанологии им. П.П. Ширшова РАН. Дата публикации: 2014-06-10.

Method of Traffic and Congestion Control for a Network with Quality of Service

Номер патента: US20200404536A1. Автор: Lin Han,Lijun Dong,Yingzhen Qu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-24.

Burner system and method of operation

Номер патента: US12050008B2. Автор: David Rich,Felix Schmitt,Jared William SCHWEDE,Tyler SANDBERG. Владелец: Spark Thermionics Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Method of making a multilevel memory stack structure using a cavity containing a sacrificial fill material

Номер патента: US09853043B2. Автор: Zhenyu Lu,Daxin Mao,Tong Zhang,Johann Alsmeier,Henry Chien,Wenguang Shi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-12-26.

Three-dimensional memory device containing source select gate electrodes with enhanced electrical isolation

Номер патента: US09659956B1. Автор: Tuan Pham,Henry Chien,Jayavel Pachamuthu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-23.

METHODS OF FORMING PATTERNS, METHODS OF MANUFACTURING A MAGNETIC MEMORY DEVICE USING THE METHODS OF FORMING PATTERNS, AND MAGNETIC MEMORY DEVICES MANUFACTURED USING THE SAME

Номер патента: US20160336509A1. Автор: SONG YOONJONG,JEONG Daeeun,SHIN Hyunchul. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-17.

Control circuit and control method for power converter

Номер патента: US20220060100A1. Автор: Chien-Chun Huang,Huang-Jen Chiu. Владелец: National Taiwan University of Science and Technology NTUST. Дата публикации: 2022-02-24.

Buffer control circuit and integrated circuit including the same

Номер патента: TW201242254A. Автор: Taek-Sang Song,Dae-Han Kwon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-10-16.

Method of applying discontinuous reception operation and related communication device

Номер патента: US09426840B2. Автор: Po-Yu Chang. Владелец: HTC Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Method of minimising energy consumption in water heater with heat accumulator

Номер патента: RU2525812C2. Автор: Фаусто ФИОРИНИ,Карло ФРАТИ,Роберто САМПАОЛЕСИ,Роберто ПАОЛИНЕЛЛИ,Анжело МАНСИНИ,Ренато МОРЕСИ. Владелец: АРИСТОН ТЕРМО С.П.А.. Дата публикации: 2014-08-20.

Lighting control circuit, illumination lamp using the lighting control circuit, and control method of the lighting control circuit

Номер патента: JP6007680B2. Автор: 雅治 浦野,英文 中島,茂実 萩原. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-12.

Semiconductors, packages, wafer level packages, and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20170170127A1. Автор: Jong Hoon Kim,Ki Jun SUNG,Hyeong Seok Choi,Pil Soon BAE,Young Geun Yoo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-15.

METHODS OF FORMING A THIN LAYER AND METHODS OF MANUFACTURING A PHASE CHANGE MEMORY DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20140273395A1. Автор: Cho Sung-Lae,Kim Do-Hyung,Kim Eun-Tae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-09-18.

METHOD OF FILLING AN OPENING AND METHOD OF MANUFACTURING A PHASE-CHANGE MEMORY DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20150325787A1. Автор: Park Jeong-Hee,AHN Jun-Ku. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-12.

Slurry composition, Chemical mechanical polishing method using the slurry composition and Method of manufacturing a Non-Volatile Memory device using the same

Номер патента: KR100750191B1. Автор: 이효선,이동준,강경문,김남수,한의진. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-08-17.

Method of manufacturing a variable resistance and method of manufacturing a phase changeable memory device using the same

Номер патента: KR100681266B1. Автор: 홍창기,최석헌,손윤호,허장은. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-02-09.

Method of forming a titanium aluminium nitride layer and method of forming a phase-change memory device using the same

Номер патента: KR100852237B1. Автор: 박인선,이기종,이현석,임낙현,임현석,오균환. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-08-13.

Method of forming a silicon pattern having a single crystal and method of forming a non-volatile memory device using the same

Номер патента: KR100814417B1. Автор: 김성민,이성영,김민상,윤은정,최인혁. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-03-18.

Method of fomring a vertical diode and method of manufacturing a phase-change memory device using the same

Номер патента: KR100852233B1. Автор: 박상진,유영섭,형용우,이공수,한재종. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-08-13.

Method of forming thin layers and method of manufacturing a non-volatile memory device using the same

Номер патента: US11239251B2. Автор: Il Young Kwon,Hye Hyeon BYEON,Jin Ho Bin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-02-01.

Method of forming a contact and method of manufacturing a phase-changeable memory device using the same

Номер патента: KR20070120242A. Автор: 윤병문,박철우,이원준. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-12-24.

Method of manufacturing a variable resistance structure and method of manufacturing a phase-change memory device using the same

Номер патента: US20100320434A1. Автор: Chang-ki Hong,Suk-Hun Choi,Yoon-ho Son,Jang-Eun Heo. Владелец: Jang-Eun Heo. Дата публикации: 2010-12-23.

Method of manufacturing a variable resistance structure and method of manufacturing a phase-change memory device using the same

Номер патента: US7666789B2. Автор: Chang-ki Hong,Suk-Hun Choi,Yoon-ho Son,Jang-Eun Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-02-23.

Method of forming a titanium aluminum nitride layer and method of manufacturing a phase-change memory device using the same

Номер патента: US20080194106A1. Автор: Nak-Hyun Lim,Hyun-Seok Lim,In-sun Park,Gyu-Hwan OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-14.

Power control circuit, semiconductor device using the same, and transmission / reception circuit

Номер патента: JP4759252B2. Автор: 聡 田中,哲 栗山. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-08-31.

Three-dimensional memory device and methods of making the same using replacement drain select gate electrodes

Номер патента: US20190326306A1. Автор: Kiyohiko Sakakibara,Kenji Sugiura,Zhixin Cui,Mitsuteru Mushiga,Hisakazu Otoi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-10-24.

Digital clock generating circuit and method of operation

Номер патента: US20080165753A1. Автор: Emilio J. Quiroga. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2008-07-10.

Three-dimensional memory device and method of forming the same

Номер патента: US20180269215A1. Автор: Chun-Min Cheng,Jung-Yi Guo,Chun-Ling Chiang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-20.

Variable resistance memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210126194A1. Автор: Jaeho Jung,Jonguk KIM,Kwangmin Park,Dongsung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-29.

Three-dimensional memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220165747A1. Автор: Chih-Kai Yang,Tzung-Ting Han. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-26.

Control method of power supply and related portable electronic device

Номер патента: US20220385086A1. Автор: Kuan-Yu Chen,Ching-Wen Chou,Chung-Kai Lei. Владелец: Wistron Corp. Дата публикации: 2022-12-01.

Three-dimensional memory device including wrap around word lines and methods of forming the same

Номер патента: US20210358942A1. Автор: Yanli Zhang,Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Adarsh RAJASHEKHAR. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-11-18.

Graphene-inserted phase change memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20160276585A1. Автор: Seunghyun Lee,Kenneth E. Goodson,Yongsung Kim,Scott Fong,Mehdi Asheghi,Eric Pop,Christopher M. Neumann,Aditya Sood,Chiyui Ahn,H.S. Philip Wong. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2016-09-22.

비휘발성 메모리소자의 제조방법(Method of Fabricating a Non-volatile Memory Device)

Номер патента: KR970018626A. Автор: 최정혁,주경중. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-04-30.

Method of making a non-volatile memory device

Номер патента: EP2106618B1. Автор: Ramachandran Muralidhar,Rajesh Rao. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-11-14.

Inverter control circuit, light emitting device employing the same and display

Номер патента: TW200906231A. Автор: Yoshinori Imanaka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2009-02-01.

SWITCH CONTROL CIRCUIT, POWER SUPPLY DEVICE COMPRISING THE SAME AND DRIVING METHOD OF THE POWER SUPPLY DEVICE

Номер патента: US20140286056A1. Автор: AHN Byunghak,YOON Jaehan. Владелец: FAIRCHILD KOREA SEMICONDUCTOR LTD.. Дата публикации: 2014-09-25.

Method of manufacturing of spherical two-layer products from polyurethane

Номер патента: RU2628392C2. Автор: Сергей Николаевич Зубин,Андрей Николаевич Кулешов,Герман Германович Строков,Вячеслав Юрьевич Нечепуренко. Владелец: Акционерное общество "Транснефть - Верхняя Волга" (АО "Транснефть - Верхняя Волга"). Дата публикации: 2017-08-16.

Lithium-polymer battery and method of its manufacturing

Номер патента: RU2564201C1. Автор: Евгений Алексеевич Чудинов,Сергей Александрович Ткачук. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирский государственный технологический университет" (СибГТУ). Дата публикации: 2015-09-27.

Bacterial strain rhodococcus aetherivorans of russian classification of microorganisms bkm ac-2610d - producer of nitrile hydrase, method of its cultivation and method of production of acrylamide

Номер патента: RU2520870C1. Автор: Сергей Владимирович Козулин,Татьяна Николаевна Козулина,Алексей Сергеевич Козулин. Владелец: Кемира Оюй. Дата публикации: 2014-06-27.

Method of forming the gate electrode in semiconductor device and Method of manufacturing the non-volatile memory device comprising the same

Номер патента: KR100396469B1. Автор: 한명식. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2003-09-02.

Method of fabricating non-volatile memory device

Номер патента: US20050142725A1. Автор: Sung Jung,Jum Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Method of forming a raised source/drain and a semiconductor device employing the same

Номер патента: US20050247983A1. Автор: Steve Ting. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-11-10.

High density planarized inductor and method of making the same

Номер патента: US8327523B2. Автор: Adam J. Whitworth,Wenjiang Zeng. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2012-12-11.

Medical device and method of implanting gastroesophageal anti-reflux and obesity devices in an esophagus

Номер патента: IL270476B2. Автор: Norman Godin. Владелец: Biomedix S A. Дата публикации: 2024-01-01.

METHODS OF FORMING A PHASE CHANGE LAYER AND METHODS OF FABRICATING A PHASE CHANGE MEMORY DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20130143380A1. Автор: Park Hye-Young,Oh Jin-Ho,Park Jeong-Hee,Kang Man-Sug,Choi Byoung-Deog,Oh Gyu-Hwan,Park Doo-Hwan. Владелец: . Дата публикации: 2013-06-06.

CONTROL CIRCUIT AND OPERATING CIRCUIT UTILIZING THE SAME

Номер патента: US20190181135A1. Автор: Chen Hung-Wei,Chuang Jung-Tsun,HUANG Shao-Chang,Wu Wei-Chung,CHUANG Chieh-Yao,LIN Yin-Ting,PAI Shang-Chuan,CHEN Szu-Chi,CHUANG Sheng-Chih,YU Pei-Chun,LIU Han-Pei. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2019-06-13.

Copper-based nanosized catalyst, method for production thereof and method of producing alcohol via hydrogenation of carboxylic acid using same

Номер патента: RU2564670C2. Автор: Хи Су КИМ,Сонг Хо ЛИ,Юнг Сик ЮН,Сеунг Хун ОХ,Юнг Мин ЧУНГ,Ок Юн КИМ,Хи Джунг ДЖОН. Владелец: ЭсКей ИННОВЕЙШН КО., ЛТД.. Дата публикации: 2015-10-10.

Method of correcting acoustic signal playback using electroacoustic transducer and device for implementing said method

Номер патента: RU2419963C2. Автор: Раймондс СКУРУЛС. Владелец: Риал Саунд Лэб, Сиа. Дата публикации: 2011-05-27.

Method for trench isolation, method of forming a gate structure using the method for trench isolation and method of forming a non-volatile memory device using the method for trench isolation

Номер патента: KR20080004945A. Автор: 박정현,김형기,이원준,이웅,장원준,지정근,손호민. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-01-10.

Method for trench isolation, method of forming a gate structure using the method for trench isolation and method of forming a non-volatile memory device using the method for trench isolation

Номер патента: KR100801062B1. Автор: 박정현,김형기,이원준,이웅,장원준,지정근,손호민. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-02-04.

Method of converting a hopper type of rail car to accept a wider output gate

Номер патента: US4696088A. Автор: Roy W. Miller. Владелец: Pullman Rail Leasing Inc. Дата публикации: 1987-09-29.

Method of processing phosphogypsum

Номер патента: RU2504593C1. Автор: Константин Сергеевич Фокин,Елизавета Олеговна Нестерова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Минерал "Нано-Технология". Дата публикации: 2014-01-20.

Pipe for gas- and product pipelines and a method of its production

Номер патента: RU2252972C1. Автор: В.С. Дуб,С.В. Головин,А.С. Лобода,А.С. Болотов,А.В. Дуб,С.И. Марков,М.Б. Рощин,С.В. Гошкадера. Владелец: Закрытое акционерное общество Научно-производственное объединение "ПОЛИМЕТАЛЛ". Дата публикации: 2005-05-27.

Chemical mechanical polishing method, method of manufacturing a ferro-electric capacitor using the chemical mechanical polishing method and method of manufacturing a ferro-electric memory device using the chemical mechanical polishing method

Номер патента: KR100729267B1. Автор: 홍창기,최석헌,손윤호,정용주,임동현,고화영,허장은. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-06-15.

METHOD FOR ASSEMBLING POWER CIRCUITS AND CONTROL CIRCUITS ON SEVERAL LEVELS ON THE SAME MODULE AND MODULE THUS OBTAINED

Номер патента: FR2614494B1. Автор: Jean-Louis Mallet,Jean-Louis Landais. Владелец: POWER COMPACT. Дата публикации: 1989-07-07.

Fabrication methods of thermoelectric thin film modules using combined processes of adhesive flip chip bonding and solder reflow flip chip bonding and thermoelectric thin film modules produced using the same method

Номер патента: KR101460432B1. Автор: 정동명,최정열,김재환,오태성,김민영. Владелец: 홍익대학교 산학협력단. Дата публикации: 2014-11-12.

Methods for sputtering a target material by intermittently applying a voltage thereto and related apparatus, and methods of fabricating a phase-changeable memory device employing the same

Номер патента: US20060027451A1. Автор: Sung-Lae Cho,Jang-eun Lee,Jeong-hee Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-02-09.

Process for assembling power circuits and control circuits at several levels on the same module, and module so obtained

Номер патента: EP0289439A1. Автор: Jean-Louis Mallet,Jean-Louis Landais. Владелец: POWER COMPACT SA. Дата публикации: 1988-11-02.

Offline ac-dc controller circuit and a converter comprising the same

Номер патента: US20130039098A1. Автор: Hua Zhan. Владелец: Hangzhou Silan Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2013-02-14.

Method of handling cell selection and related communication device

Номер патента: EP2563074A3. Автор: Ming-Dao Chuang. Владелец: Acer Inc. Дата публикации: 2014-10-01.

SEMICONDUCTOR MODULE INCLUDING MODULE CONTROL CIRCUIT AND METHOD FOR CONTROLLING THE SAME

Номер патента: US20140028361A1. Автор: Lee Hyun Woo,KIM Ki Han. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-01-30.

FAN DETECTION AND CONTROL CIRCUIT AND ELECTRONIC DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20170005601A1. Автор: YANG MENG-LIANG. Владелец: HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.. Дата публикации: 2017-01-05.

CHARGE/DISCHARGE CONTROL CIRCUIT AND BATTERY DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20180041056A1. Автор: Maetani Fumihiko. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-08.

CHARGE/DISCHARGE CONTROL CIRCUIT AND BATTERY DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20180062410A1. Автор: Sakurai Atsushi,Ono Takashi. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-01.

LIGHTING CONTROL CIRCUIT, ILLUMINATING LAMP USING THE LIGHTING CONTROL CIRCUIT, AND LIGHTING DEVICE USING THE ILLUMINATING LAMP

Номер патента: US20140152184A1. Автор: Urano Masaharu,Tomiyama Hisashi,Iseda Kazuaki,Hagiwara Shigemi. Владелец: . Дата публикации: 2014-06-05.

CHARGE/DISCHARGE CONTROL CIRCUIT AND BATTERY APPARATUS HAVING THE SAME

Номер патента: US20190115771A1. Автор: Ono Takashi,Abe Satoshi. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-18.

CHARGE/DISCHARGE CONTROL CIRCUIT AND BATTERY DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20210242689A1. Автор: Sano Kazuaki,FUKUCHI Shinya. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-05.

SWITCH CONTROL CIRCUIT AND RESONANT CONVERTER INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20150229201A1. Автор: Choi Hang-Seok,JANG Ji-Hoon,LEE Won-Tae,BAEK Hyeong Seok. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-13.

SWITCH CONTROL CIRCUIT AND RESONANT CONVERTER INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20150229220A1. Автор: Choi Hang-Seok,JANG Ji-Hoon,LEE Won-Tae,BAEK Hyeong Seok. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-13.

LIGHTING CONTROL CIRCUIT, ILLUMINATING LAMP USING THE LIGHTING CONTROL CIRCUIT, AND LIGHTING DEVICE USING THE ILLUMINATING LAMP

Номер патента: US20160234896A1. Автор: Urano Masaharu,Tomiyama Hisashi,Iseda Kazuaki,Hagiwara Shigemi. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-11.

CHARGING CONTROL CIRCUIT AND ELECTRONIC DEVICE WITH THE SAME

Номер патента: US20140347004A1. Автор: XU ZHEN-JI. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-27.

METHOD OF GENERATING BINARY OFFSET CARRIER CORRELATION FUNCTION BASED ON PARTIAL CORRELATION FUNCTIONS, APPARATUS FOR TRACKING BINARY OFFSET CARRIER SIGNAL, AND SPREAD SPECTRUM SIGNAL RECEIVER SYSTEM USING THE SAME

Номер патента: US20160269073A1. Автор: CHAE Keun Hong,YOON Seok Ho. Владелец: RESEARCH & BUSINESS FOUNDATION SUNGKYUNKWAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-09-15.

CHARGE/DISCHARGE CONTROL CIRCUIT AND BATTERY APPARATUS HAVING THE SAME

Номер патента: US20180342880A1. Автор: YASUDA Kazuhide,Ono Takashi. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-29.

SWITCH CONTROL CIRCUIT AND BUCK CONVERTER COMPRISING THE SAME

Номер патента: US20160380540A1. Автор: MOON SangCheol,JIN Chenghao,KOO Gwanbon,CHUNG Bonggeun. Владелец: FAIRCHILD KOREA SEMICONDUCTOR LTD.. Дата публикации: 2016-12-29.

SWITCH CONTROL CIRCUIT AND BUCK CONVERTER INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20160380542A1. Автор: MOON SangCheol,JIN Chenghao,KOO Gwanbon,CHUNG Bonggeun. Владелец: FAIRCHILD KOREA SEMICONDUCTOR LTD.. Дата публикации: 2016-12-29.

CHARGE-DISCHARGE CONTROL CIRCUIT AND BATTERY DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20200395763A1. Автор: FUKUCHI Shinya. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-17.

Power Converter, Control Circuit and Control Method for the Same

Номер патента: US20190393770A1. Автор: Deng Jian,Jin Jin. Владелец: SILERGY SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY (HANGZHOU) LTD. Дата публикации: 2019-12-26.

Method of producing 5-hydroxymethylfurfurol and ethanol from cellulose

Номер патента: RU2636004C1. Автор: Валентин Николаевич Пармон,Ксения Николаевна Сорокина,Оксана Павловна Таран,Татьяна Борисовна Медведева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт катализа им. Г.К. Борескова Сибирского отделения Российской академии наук (ИК СО РАН). Дата публикации: 2017-11-17.

Continuous press belt for ceramic plates having a structural surface, a method of making the tape and use thereof

Номер патента: RU2690382C2. Автор: Клаудио РИЧЧИ,Ванес ТЕРЦЬЯРИ. Владелец: Сакми Кооператива Мекканичи Имола Сочьета' Кооператива. Дата публикации: 2019-06-03.

Power control circuit and power supplyer with the same

Номер патента: KR101597727B1. Автор: 김계현,손충헌. Владелец: 주식회사 솔루엠. Дата публикации: 2016-03-07.

Methods of assigning treatment to breast cancer patients

Номер патента: US7171311B2. Автор: Mao Mao,Peter S. Linsley,Yudong He,Christopher J. Roberts,René Bernards,Hongyue Dai,Laura Johanna Van't Veer,Marc J. Van de Vijver,A. A. M. Hart. Владелец: Netherlands Cancer Institute. Дата публикации: 2007-01-30.

Pantograph control circuit and railway car comprising the same

Номер патента: KR101267420B1. Автор: 최현준,유무일. Владелец: 현대로템 주식회사. Дата публикации: 2013-05-30.

Cartridge containing fast acting inorganic adhesive systems, grouting compositions and method of use

Номер патента: CA1173067A. Автор: Natvarlal K. Patel,Anthony C. Plaisted. Владелец: Celtite Inc. Дата публикации: 1984-08-21.

Single-layer printing method of paper wrapper for smoking articles

Номер патента: MY184743A. Автор: Mariscal Ruigomez Pablo De,Fuentes Agustin Tosas. Владелец: Miquel Y Costas & Miquel Sa. Дата публикации: 2021-04-20.

Method of making mixed esters of phthalic acid

Номер патента: CA1151202A. Автор: William H. Bauer, Jr.. Владелец: Badische Corp. Дата публикации: 1983-08-02.

Switching regulator, control circuit and control method for the same, and electronic apparatus

Номер патента: JP2013042577A. Автор: 修 柳田,Osamu Yanagida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2013-02-28.

Monolithic display device including integrated control circuit and method for producing the same

Номер патента: US10804326B2. Автор: Tony Maindron,Francois Templier,Benoit Racine. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2020-10-13.

Method of manufacturing a thick film circuit with improved dielectric feature definition

Номер патента: US6007867A. Автор: Frans Peter Lautzenhiser,John Karl Isenberg,Carl William Berlin,James Edward Walsh. Владелец: Delco Electronics LLC. Дата публикации: 1999-12-28.

Secondary containment structure and method of manufacture

Номер патента: US5209603A. Автор: J. P. Pat Morgan. Владелец: Individual. Дата публикации: 1993-05-11.

Power control circuit and battery module comprising the same

Номер патента: TWI459681B. Автор: Chih Hsiung Lin,Shyh Heh Hwang. Владелец: Pegatron Corp. Дата публикации: 2014-11-01.

DUAL-ROLE DEVICE FOR CONTROLLING CIRCUITS AND DISPLAYING FUNCTIONS AT THE SAME TIME

Номер патента: FR2465306A1. Автор: Toshiyuki Itoh. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 1981-03-20.

METHOD OF REDUCTION OF HAIR GROWTH IN MAMMALS, METHOD OF PREPARATION OF A COMPOSITION TO INHIBIT THE GROWTH OF THE HAIR IN MAMMALS THROUGH SUCH METHOD AND USE OF AN AMINOACIL-TRNA SYNTHETIC INHIBITOR TO PREPARE THE SAME METHOD

Номер патента: AR017132A1. Автор: . Владелец: Gillette Co. Дата публикации: 2001-08-22.

Power control circuit and battery module including the same

Номер патента: US20100301799A1. Автор: Chih-Hsiung Lin,Shyh-Heh Hwang. Владелец: Pegatron Corp. Дата публикации: 2010-12-02.

Manufacturing method of poly vinyl alcohol/ethylene-acrylic acid composite resin aqueous dispersion containing nano particle and poly vinyl alcohol/ethylene-acrylic acid composite resin aqueous dispersion using the same

Номер патента: KR101469963B1. Автор: 김은지,박재형,최경만,백인규. Владелец: 한국신발피혁연구원. Дата публикации: 2014-12-08.

method of manufacturing an actuator apparatus, a method of manufacturing a liquid jet head and a liquid jet apparatus

Номер патента: US20090213188A1. Автор: Masato Shimada,Tsutomu Nishiwaki,Eiju Hirai,Kazushige Hakeda. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-08-27.

METHOD FOR SAFE TRANSFER OF PACKETS OF DATA WORDS BETWEEN TWO MICRO-CONTROLLERS, CIRCUIT AND DEVICE FOR IMPLEMENTING THE SAME

Номер патента: FR2852766B1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2005-07-01.

Method of manufacture of vertical split gate flash memory device

Номер патента: US6087222A. Автор: Shui-Hung Chen,Di-Son Kuo,Chrong Jung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2000-07-11.

Improvement in a method of and apparatus for operating suction actuated devices in connection with the suction passage of an internal combustion engine

Номер патента: GB253870A. Автор: . Владелец: Individual. Дата публикации: 1927-06-02.

Clock control circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US20110204942A1. Автор: Tsuneo Abe,Atsuko Monma. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-08-25.

Inverter control circuit, light emitting device employing the same and display

Номер патента: KR20100032354A. Автор: 요시노리 이마나카. Владелец: 로무 가부시키가이샤. Дата публикации: 2010-03-25.

Method of manufacturing a rod of crystalline material

Номер патента: CA1101317A. Автор: Jean-Pierre Besselere. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1981-05-19.

A method that uses the measured ink combination data/training set to compute the errors that can be universally applied to correct the output of a prediction model

Номер патента: EP3632093A1. Автор: Sanjay Chandramohan Maheshwari. Владелец: M/s Kothari Infotech Pvt Ltd. Дата публикации: 2020-04-08.

Gas engine nozzle drive control circuit and gas engine adopting the same

Номер патента: CN202611892U. Автор: 李波,曹广滨. Владелец: ROTAREX VALVE (SHANGHAI) CO Ltd. Дата публикации: 2012-12-19.

Method of preparing a liquid, containing proteins for subsequent separation, by using one or more protein-complexing agents

Номер патента: CA2567240C. Автор: Pierre Adam,Patrick Haselaars,Philippe Janssens. Владелец: Anheuser Busch InBev SA. Дата публикации: 2011-12-13.

Nor type memory device and manufacturing method therefor, and electronic apparatus comprising memory device

Номер патента: EP4307376A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-01-17.

Scheduling communication of a wireless communication device in a communications network

Номер патента: US20230337263A1. Автор: Lackis ELEFTHERIADIS,Athanasios KARAPANTELAKIS,Marin ORLIC,Rafia Inam,Aneta VULGARAKIS FELJAN,Yifei JIN,Swarup Kumar Mohalik,Ajay Kattepur. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2023-10-19.

Conductive concentrated resin composition, conductive polyamide resin composition comprising conductive concentrated resin composition, method of preparing same and molded article

Номер патента: US11912868B2. Автор: Minsu Kim,Eon Seok Lee,Gi Dae Choi. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Method of measuring aberration and electron microscope

Номер патента: US11764029B2. Автор: Shigeyuki Morishita,Ryusuke Sagawa,Fuminori Uematsu,Tomohiro NAKAMICHI,Keito Aibara. Владелец: Jeol Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Incorporation of unnatural nucleotides and methods of usein vivo

Номер патента: EP3651774A1. Автор: Floyd E. Romesberg,Aaron W. FELDMAN,Yorke ZHANG,Vivian T. DIEN. Владелец: Scripps Research Institute. Дата публикации: 2020-05-20.

Novel gspt1 compounds and methods of use of the novel compounds

Номер патента: WO2023201282A1. Автор: Joshua Hansen,Mimi L. Quan. Владелец: BRISTOL-MYERS SQUIBB COMPANY. Дата публикации: 2023-10-19.

Non-volatile memory device having asymmetrical control gates surrounding a floating gate and manufacturing method thereof

Номер патента: US9502257B2. Автор: Kyung Min Kim,Jung Goo Park,Jeong Ho Cho,Se Woon KIM. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Method of installing a fixed tilt solar panel mounting assembly with ascending and descending panel orientation

Номер патента: WO2023230020A1. Автор: Andrew Barron WORDEN,Woo Kim,Scott Van Pelt. Владелец: Gamechange Solar Corp.. Дата публикации: 2023-11-30.

Nor-type memory device, method of manufacturing nor-type memory device, and electronic apparatus including memory device

Номер патента: US20240032301A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-01-25.

Nor-type memory device, method of manufacturing nor-type memory device, and electronic apparatus including memory device

Номер патента: US20230337428A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-10-19.

Nor-type memory device, method of manufacturing nor-type memory device, and electronic apparatus including memory device

Номер патента: US20230403853A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-12-14.

Nor-type memory device, method of manufacturing nor-type memory device, and electronic apparatus including memory device

Номер патента: US20240008288A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-01-04.

A method of, a provisioner and a system for provisioning a plurality of operatively interconnected node devices in a network

Номер патента: US20230396492A1. Автор: LEI FENG,Changjie Wang. Владелец: Signify Holding BV. Дата публикации: 2023-12-07.

Method of managing forwarding tables of network processors based on address learning in line card

Номер патента: US20040120327A1. Автор: Young Kim,Jong Lee,Myung Son. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2004-06-24.

Methods of forming wells in semiconductor devices

Номер патента: US20050142728A1. Автор: Dae Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Nor-type memory device, method of manufacturing nor-type memory device, and electronic apparatus including memory device

Номер патента: US20230363153A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-11-09.

Gspt1 compounds and methods of use of the novel compounds

Номер патента: US20230331693A1. Автор: Joshua Hansen,Mimi L. Quan. Владелец: Signal Pharmaceuticals LLC. Дата публикации: 2023-10-19.

Methods of making coated substrates having block resistance

Номер патента: EP4222179A1. Автор: Drew E. Williams,Michael D. Bowe,Janah C. Szewczyk,Katherine A. FABER. Владелец: Rohm and Haas Co. Дата публикации: 2023-08-09.

Building Structure and Method of Construction

Номер патента: US20230374805A1. Автор: Joel Scilley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-11-23.

Method of managing forwarding tables of network processors based on address learning in line card

Номер патента: US7424015B2. Автор: Young Sun Kim,Jong Hyup Lee,Myung Hee Son. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2008-09-09.

Polyisoprene latex graphene composites and methods of making them

Номер патента: EP3535317A1. Автор: Nay Ming Huang,Fook Peng LENG,Yi Yee LOH,Lai Peng LIM,Leng Kian GOH,Joon Ching JUAN. Владелец: Karex Holdings Sdn Bhd. Дата публикации: 2019-09-11.

Methods of making coated substrates having block resistance

Номер патента: CA3193703A1. Автор: Drew E. Williams,Michael D. Bowe,Janah C. Szewczyk,Katherine A. FABER. Владелец: Rohm and Haas Co. Дата публикации: 2022-04-07.

Concrete reinforcing guide and method of constructing concrete reinforcing guide

Номер патента: WO2008033991A2. Автор: Gloria Marie Buley. Владелец: Gloria Marie Buley. Дата публикации: 2008-03-20.

Method of producing electrode for secondary battery

Номер патента: EP4057371A3. Автор: MASANORI Kitayoshi,Katsushi Enokihara,Haruka Shionoya,Naohiro MASHIMO. Владелец: Prime Planet Energy and Solutions Inc. Дата публикации: 2022-09-21.

Method of controlling pests

Номер патента: US20170265472A1. Автор: Hajime Ikeda. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

A method of, a provisioner and a system for provisioning a plurality of operatively interconnected node devices in a network

Номер патента: EP4241415A1. Автор: LEI FENG,Changjie Wang. Владелец: Signify Holding BV. Дата публикации: 2023-09-13.

Methods of making coated substrates having block resistance

Номер патента: US20230312940A1. Автор: Drew E. Williams,Michael D. Bowe,Janah C. Szewczyk,Katherine A. FABER. Владелец: Rohm and Haas Co. Дата публикации: 2023-10-05.

Polyisoprene latex graphene composites and methods of making them

Номер патента: US11827765B2. Автор: Nay Ming Huang,Fook Peng LENG,Yi Yee LOH,Lai Peng LIM,Leng Kian GOH,Joon Ching JUAN. Владелец: Karex Holdings Sdn Bhd. Дата публикации: 2023-11-28.

Polyisoprene latex graphene composites and methods of making them

Номер патента: US11214664B2. Автор: Nay Ming Huang,Fook Peng LENG,Yi Yee LOH,Lai Peng LIM,Leng Kian GOH,Joon Ching JUAN. Владелец: Karex Holdings Sdn Bhd. Дата публикации: 2022-01-04.

Method of modifying a turbocompressor

Номер патента: US7628576B2. Автор: Sasha Savic,Marco Micheli,Daniel Glesti,Thomas Palkovich,Wifried Rick. Владелец: Alstom Technology AG. Дата публикации: 2009-12-08.

Device and method of communication

Номер патента: WO2024124383A1. Автор: Gang Wang. Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2024-06-20.

Polyisoprene latex graphene composites and methods of making them

Номер патента: US20240043653A1. Автор: Nay Ming Huang,Fook Peng LENG,Yi Yee LOH,Lai Peng LIM,Leng Kian GOH,Joon Ching JUAN. Владелец: Karex Holdings Sdn Bhd. Дата публикации: 2024-02-08.

Power rectifier-inverter converter of single-phase alternating current for electric transport and method of its control

Номер патента: RU2700594C1. Автор: Олег Валерьевич Мельниченко,Александр Юрьевич Портной,Алексей Олегович Линьков,Сергей Геннадьевич Шрамко,Дмитрий Андреевич Яговкин,Валерий Владимирович Дурных,Роман Иванович Устинов,Владислав Сергеевич Иванов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Транспортные прогрессивные технологии". Дата публикации: 2019-09-18.

Method of manufacturing honey pickled mixed nuts and ginseng foods having a excellent long-term conservation and appealability, and honey pickled mixed nuts and ginseng foods manufactured by the same method

Номер патента: KR20170055690A. Автор: 권혁대. Владелец: 권혁대. Дата публикации: 2017-05-22.

Method of making a water laid fibrous web containing one or more fine powders

Номер патента: US5215627A. Автор: Bronislaw Radvan,Anthony J. Willis. Владелец: Wiggins Teape Group Ltd. Дата публикации: 1993-06-01.

Methods of forming silicon-doped aluminum oxide, and methods of forming transistors and memory devices

Номер патента: US20020086556A1. Автор: Leonard Forbes,Kie Ahn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-04.

Wiring structure of a semiconductor device, method of forming the wiring structure, non-volatile memory device including the wiring structure, and method of manufacturing the non-volatile memory device

Номер патента: US20080017889A1. Автор: Hyun Park,Byung-hong Chung,Won-Jin Kim,Ji-Young Min,Young-Ho Koh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-24.

Method of manufacturing NAND flash memory device

Номер патента: US7727839B2. Автор: Jae Chul Om,Nam Kyeong Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-06-01.

Method of deploying and powering an electrically driven device in a well

Номер патента: CA2531364C. Автор: Philip Head. Владелец: Artificial Lift Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-27.

A method of enabling a wireless information device to access data services represented by an icon which changes if the data to be pulled or pushed changes

Номер патента: GB2396785A. Автор: John Matthew Forsyth. Владелец: Symbian Ltd. Дата публикации: 2004-06-30.

NAND memory strings and methods of fabrication thereof

Номер патента: US9646990B2. Автор: Yanli Zhang,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,George Matamis,Senaka Kanakamedala,Sateesh KOKA,Yao-Sheng Lee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-05-09.

Methods of fabricating non-volatile memory devices using inclined ion implantation

Номер патента: US20100317169A1. Автор: Keon-Soo Kim,Se-Jun Park,Min-Chul Kim,Suk-kang Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-12-16.

Method of forming FLASH cell array having reduced word line pitch

Номер патента: US20070087502A1. Автор: Chen Chung-Zen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-04-19.

Phase change memory devices and their methods of fabrication

Номер патента: US7598112B2. Автор: Jae-hee Oh,Jae-Hyun Park,Won-Cheol Jeong,Se-Ho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-10-06.

Switching Regulator Control Circuit, Switching Regulator Using the Circuit, and Switching Signal Generating Apparatus

Номер патента: US20070263617A1. Автор: Ko Takemura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2007-11-15.

Flywheel energy storage device and method of its use

Номер патента: CA3013560A1. Автор: Miroslav Novák. Владелец: Niore Ip SRO. Дата публикации: 2017-08-24.

Method of manufacturing NAND flash memory device

Номер патента: US20070117318A1. Автор: In Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-05-24.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20040214394A1. Автор: Shu Shimizu. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-10-28.

Insertion device and method of processing of insertion device for reuse

Номер патента: WO2023020717A1. Автор: Lukasz Lebiedzinski,Pawel Sadlo,Michal Brzezanski,Marek Szczypczyk,Michal Pyteraf,Damian Dziedzic,Konrad Sierotowicz,Jakub Szczerbuk,Tien-Ho Huang,Kamil Sumera,Grzegorz Biernacki. Владелец: Tjle Spolka Z Ograniczona Odpowiedzialnoscia. Дата публикации: 2023-02-23.

Method of forming nonvolatile memory device having floating gate and related device

Номер патента: US20110101437A1. Автор: Ho-Min Son,Yong-woo Hyung,Taek-Jin Lim,Jung-Geun Jee,Jae-jong Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-05-05.

Method of forming nonvolatile memory device having floating gate and related device

Номер патента: US7888204B2. Автор: Ho-Min Son,Yong-woo Hyung,Taek-Jin Lim,Jung-Geun Jee,Jae-jong Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-02-15.

Tow Line Controlling Device and Method of Controlling Same

Номер патента: US20150114277A1. Автор: Hans Anders Eriksson. Владелец: NATIONAL OILWELL VARCO NORWAY AS. Дата публикации: 2015-04-30.

Dual trench isolation for a phase-change memory cell and method of making same

Номер патента: US20020081807A1. Автор: Daniel Xu. Владелец: Ovonyx Inc. Дата публикации: 2002-06-27.

Method of patterning quantum dot light emitting device and quantum dot light emitting device

Номер патента: US20210336073A1. Автор: Yong Fan. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-28.

Discovery of electronic devices in a combined network

Номер патента: EP2641379A2. Автор: Joerg Detert,Brian K. Schmidt. Владелец: Silicon Image Inc. Дата публикации: 2013-09-25.

Method of forming nonvolatile memory device having floating gate and related device

Номер патента: US20090108323A1. Автор: Ho-Min Son,Yong-woo Hyung,Taek-Jin Lim,Jung-Geun Jee,Jae-jong Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-04-30.

Method of manufacturing non-volatile semiconductor memory element and method of manufacturing non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120295413A1. Автор: Satoru Fujii,Takumi Mikawa. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Safety device for an aerial lift, a method of operation thereof, an aerial lift having the safety device, a kit of parts and a method of installation thereof for providing the safety device in an aerial lift

Номер патента: US20130153333A1. Автор: Richards Paul. Владелец: . Дата публикации: 2013-06-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND LOGIC DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND LOGIC DEVICE

Номер патента: US20210028183A1. Автор: Kim Hyun Chul,Lee Jung Hwan,KIM Kwang Il,CHO Min Kuck,KANG Yang Beom. Владелец: KEY FOUNDRY CO., LTD.. Дата публикации: 2021-01-28.

METHODS OF FORMING MICROELECTRONIC DEVICES AND MEMORY DEVICES, AND RELATED MICROELECTRONIC DEVICES, MEMORY DEVICES, AND ELECTRONIC SYSTEMS

Номер патента: US20220059559A1. Автор: Tessariol Paolo,Laurin Luca,Camerlenghi Emilio,Meotto Umberto Maria. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-24.

METHODS OF FORMING MICROELECTRONIC DEVICES AND MEMORY DEVICES, AND RELATED MICROELECTRONIC DEVICES, MEMORY DEVICES, AND ELECTRONIC SYSTEMS

Номер патента: US20220059560A1. Автор: Parekh Kunal R.. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-24.

WEARABLE DEVICES, WEARABLE DEVICE FORMING METHODS, AND METHODS OF REUSE OF TRANSMITTER UNITS OF WEARABLE DEVICES IN CONTINUOUS ANALYTE MONITORING SYSTEMS

Номер патента: US20210228115A1. Автор: Prais Eugene,Gofman Igor Y.,Avirovikj Dragan,Mayer,JR. Thomas A.J.,Young Cameron M.. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-29.

Method of preparing mesenchymal stem cell basic culturing medium, making of cellular therapy product with mesenchymal stem cell basic culturing medium, and the differentiated one by using the medium

Номер патента: US20140370600A1. Автор: Cheong Ho Chang,Jun Keun Lee,Dong Il Chang,Jang Hoon Kim,Dong-Sam Suh,Min Jung Choi,Ga Ram Kim. Владелец: Sewon Cellontech Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-18.

DEVICES, METHODS OF FORMING A DEVICE, AND MEMORY DEVICES

Номер патента: US20200321340A1. Автор: Ishii Kentaro,Fumagalli Luca,Ramaswamy Durai Vishak Nirmal,Petz Christopher W.,Hu Yongjun J.,Nourbakhsh Amirhasan. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-08.

RESISTANCE CHANGE NONVOLATILE MEMORY DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING RESISTANCE CHANGE NONVOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150357381A1. Автор: Terai Masayuki. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-10.

Methods of forming a phase-change material layer pattern, methods of manufacturing a phase-change memory device and related slurry compositions

Номер патента: US20090149006A1. Автор: Jong-Young Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-06-11.

Methods of forming a phase-change material layer pattern, methods of manufacturing a phase-change memory device and related slurry compositions

Номер патента: US7682976B2. Автор: Jong-Young Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-03-23.

Method of forming a phase-change material layer pattern, method of manufacturing a phase-change memory device and slurry composition used for the methods

Номер патента: KR101198100B1. Автор: 김종영. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2012-11-09.

Method of forming a tranch isolation layer and method of manufacturing a non-volatile memory device

Номер патента: KR100556527B1. Автор: 최종완,나규태,김홍근,홍은기. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-03-06.

Composition for control anthracnose comprising natural mineral ingredients and method for control anthracnose using the the same

Номер патента: KR100768478B1. Автор: 윤문영,김보미,박정극. Владелец: 동국대학교 산학협력단. Дата публикации: 2007-10-19.

Method of forming a contact and Method of manufacturing a phase change memory device using thereof

Номер патента: KR101872777B1. Автор: 김용준,김은정,고승필. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2018-08-02.

Method of forming phase changeable material layer and method of manufacturing a phase changeable memory device

Номер патента: KR20080035844A. Автор: 조성래,이진일,배병재,박혜영,임지은,박영림. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-04-24.

Method of manufacturing non-volatile semiconductor memory element and method of manufacturing non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US8450182B2. Автор: Satoru Fujii,Takumi Mikawa. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-05-28.

Eckol derivatives, methods of synthesis and uses thereof

Номер патента: WO2018089692A1. Автор: Hyeon-Cheol Shin,Hyejeong Hwang,Kwang Yong Park,Seong Ho Kim,Haengwoo Lee. Владелец: Phloronol, Inc.. Дата публикации: 2018-05-17.

METHOD OF MANUFACTURING COMPONENT MEMBER IN VGS TYPE TURBO CHARGER, COMPONENT MEMBER MANUFACTURED BY THE METHOD, EXHAUST GUIDE ASSEMBLY OF VGS TYPE TURBO CHARGER USING THE COMPONENT MEMBER, AND VGS TYPE TURBO CHARGER INCORPORATING THE EXHAUST GUIDE ASSEMBLY

Номер патента: EP1422384A1. Автор: Shinjiroh Ohishi. Владелец: Akita Fine Blanking Co Ltd. Дата публикации: 2004-05-26.

Composite dielectric and printed-circuit use substrate utilizing the same

Номер патента: CA2035694C. Автор: Satoshi Fujiki,Masashi Aoki,Michimasa Tsuzaki,Akiyoshi Nozue,Seishiro Yamakawa,Kiyotaka Komori,Kazunobu Abe. Владелец: Sakai Chemical Industry Co Ltd. Дата публикации: 1998-04-28.

Method of forming zro2 thin film using plasma enhanced atomic layer deposition and method of manufacturing capacitor of semiconductor memory device having the thin film

Номер патента: KR100640654B1. Автор: 박정민,송민우,원석준,권대진,김원홍. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-11-01.

Die Casting Mold and Die Casting Method using the the Same

Номер патента: KR101921508B1. Автор: 박영훈. Владелец: 박영훈. Дата публикации: 2018-11-23.

Composite dielectric and printed-circuit use substrate utilizing the same

Номер патента: US5275878A. Автор: Satoshi Fujiki,Masashi Aoki,Michimasa Tsuzaki,Akiyoshi Nozue,Seishiro Yamakawa,Kiyotaka Komori,Kazunobu Abe. Владелец: Sakai Chemical Industry Co Ltd. Дата публикации: 1994-01-04.

Method of forming a contact and method of manufacturing a phase change memory device using thereof

Номер патента: KR20130097997A. Автор: 김용준,김은정,고승필. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2013-09-04.

Electrode structure, method of manufacturing the electrode structure, phase changeable memory device having the electrode structure and method of manufacturing the phase changeable memory device

Номер патента: KR100625170B1. Автор: 김경현,고용선,민충기. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-09-15.

Nonvolatile semiconductor memory device having grooves isolating the floating electrodes of memory cells and method of manufacturing the nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US7026683B2. Автор: Seiichi Mori,Hiroaki Tsunoda,Masahisa Sonoda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-04-11.

Voltage converting circuit and multiphase clock generating circuit used for driving the same

Номер патента: US5532916A. Автор: Akio Tamagawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-07-02.

Unit cell structure and method of forming the unit cell structure, and non-volatile memory device having the unit cell structure and method of manufacturing the non-volatile memory device

Номер патента: KR100669854B1. Автор: 박성호,이정현,이진일,임한진,조규호. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-01-16.

Method of making a multilevel memory stack structure using a cavity containing a sacrificial fill material

Номер патента: EP3286784A1. Автор: Zhenyu Lu,Daxin Mao,Tong Zhang,Johann Alsmeier,Henry Chien,Wenguang Shi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-02-28.

Nitrite eluting devices and methods of use thereof

Номер патента: EP3269403A3. Автор: Chad E. Johnson. Владелец: COOK REGENTEC LLC. Дата публикации: 2018-04-11.

Resistive memory device and methods of making such a resistive memory device

Номер патента: US20220037590A1. Автор: Cing Gie Lim,Juan Boon Tan,Wanbing YI,Benfu Lin,Curtis Chun-I HSIEH,Wei-Hui HSU. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-02-03.

Method of forming different types of memory devices

Номер патента: US20230371275A1. Автор: Yu-Jen Wang,Harry-Hak-Lay Chuang,Hung Cho Wang,Sheng-Huang Huang,Kuo-Feng Huang,Ching-Huang Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Method of making a three-dimensional memory device using composite hard masks for formation of deep via openings

Номер патента: US20230343641A1. Автор: Raghuveer S. Makala,Senaka Kanakamedala,Kartik SONDHI,Roshan Jayakhar TIRUKKONDA. Владелец: Inc Western Digital Technologies. Дата публикации: 2023-10-26.

Method of making a three-dimensional memory device using composite hard masks for formation of deep via openings

Номер патента: US11972954B2. Автор: Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Senaka Kanakamedala,Monica TITUS,Roshan Jayakhar TIRUKKONDA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-30.

Method of manufacturing a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20050164442A1. Автор: Takashi Moriyama,Tetsuo Adachi,Keiichi Haraguchi,Naohiro Hosoda,Kenji Kanamitsu. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-07-28.

Method of making a three-dimensional memory device using composite hard masks for formation of deep via openings

Номер патента: US12010841B2. Автор: Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Senaka Kanakamedala,Yao-Sheng Lee,Monica TITUS. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-11.

Projected phase change memory devices

Номер патента: US20210305503A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Timothy Mathew Philip,Nicole Saulnier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120132985A1. Автор: Satoshi Nagashima,Naoki Kai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-05-31.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130237029A1. Автор: NANSEI Hiroyuki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-09-12.

RESISTIVE MEMORY DEVICE AND METHODS OF MAKING SUCH A RESISTIVE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220037590A1. Автор: TAN Juan Boon,YI Wanbing,Hsieh Curtis Chun-I,Lin Benfu,LIM Cing Gie,Hsu Wei-Hui. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-03.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210020658A1. Автор: EOM Dae Sung. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2021-01-21.

METHOD OF CONTROLLING OPERATION OF FOLDABLE ACCELERATOR PEDAL DEVICE IN MANUAL DRIVING MODE OF AUTONOMOUS DRIVING VEHICLE

Номер патента: US20220055665A1. Автор: Kim Eun Sik. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-24.

THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE HAVING PARALLEL TRENCH TYPE CAPACITOR AND A METHOD OF MANUFACTURING THE THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220149052A1. Автор: KIM Won Seok. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-12.

METHOD OF MANUFACTURING VARIABLE RESISTANCE NONVOLATILE MEMORY DEVICE, AND VARIABLE RESISTANCE NONVOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150171324A1. Автор: Himeno Atsushi,Mikawa Takumi,Murase Hideaki. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2015-06-18.

METHOD OF OUTPUTTING SCREENS FROM SERVER AND CLIENT DEVICES IN PERFORMING MIRRORLINK

Номер патента: US20180262605A1. Автор: LEE Kwanghee,YANG YuSeok,RYOO Kgiwung,YOON Chongook. Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2018-09-13.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140374691A1. Автор: Hiroyuki Nansei. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-25.

METHOD OF WIRELESS DISCOVERY AND NETWORKING OF MEDICAL DEVICES IN CARE ENVIRONMENTS

Номер патента: US20160337182A1. Автор: III Robert L.,Jones,SHEN John T.,FEINGOLD Benjamin H.,BENNETT David B.,GODHANI Rohitkumar,GUNDI Mithun. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-17.

Method of Documenting Installation of a Fluid Handling Device in a Fluid Flow System

Номер патента: US20150343828A1. Автор: Blanchard Frederick W.. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-03.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150372079A1. Автор: FUKUMURA Tatsuya,NAITO Hiroaki. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-24.

A method of forming contacts of semiconductor memory device

Номер патента: KR100258578B1. Автор: 박영우. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-06-15.

Three-dimensional memory device and method of forming a three-dimensional memory device

Номер патента: JP7145984B2. Автор: リウ・ジュン,シャオ・リホン. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-03.

Method of controlling and regulating motor-driven adjustment devices in motor vehicles

Номер патента: DE19835091C1. Автор: Peter Dipl Ing Heinrich,Mike Dipl Ing Eichhorn. Владелец: Brose Fahrzeugteile SE and Co KG. Дата публикации: 1999-06-10.

Method of controlling and regulating motor-driven adjustment devices in motor vehicles

Номер патента: DE19861266B3. Автор: Peter Dipl.-Ing. Heinrich,Mike Dipl.-Ing. Eichhorn. Владелец: Brose Fahrzeugteile SE and Co KG. Дата публикации: 2004-12-09.

Method of manufacturing capacitor of semiconductor memory device

Номер патента: KR100187371B1. Автор: 이강현. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1999-03-20.

Method of forming floating gate of memory device

Номер патента: US6812120B1. Автор: Pin-Yao Wang,Rex Young. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2004-11-02.

Construction method of mechanical construction pump house equipment retraction device in tunnel

Номер патента: CN112228090B. Автор: 吴昊,王利民,张扬,高洋,胡勇华,游大江,李生光,帅玉兵. Владелец: BCEG Civil Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-17.

Method of fabricating cell of nonvolatile memory device with floating gate

Номер патента: US20070029603A1. Автор: Sung-Hoi Hur,Chang-Hyun Lee,Jeong-Hyuk Choi,Kyu-Charn Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-02-08.

Method of manufacturing a nonvolatile semiconductor memory device, and a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20080203466A1. Автор: Takeshi Sakai,Tsutomu Okazaki,Yasushi Ishii,Yuichi Tsukada,Toshikazu Matsui,Satoru Machida,Kyoya Nitta,Masaru Nakamichi,Munekatsu Nakagawa. Владелец: Munekatsu Nakagawa. Дата публикации: 2008-08-28.

Portable device and method of supplying wireless power to a portable device in a sterile environment

Номер патента: US10700538B2. Автор: David John Reed. Владелец: Peleton Surgical LLC. Дата публикации: 2020-06-30.

Isoindoline compounds and methods of their use

Номер патента: CA2574966A1. Автор: Hon-Wah Man,George W. Muller. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-09.

Non-volatile memory device and method of manufacturing the non-volatile memory device

Номер патента: US20080001209A1. Автор: Jong-Jin Lee,Jeong-Dong Choe,Eun-suk Cho,Kyu-Charn Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-03.

Method of manufacturing capacitor of semiconductor memory device

Номер патента: KR0184065B1. Автор: 임준희. Владелец: 문정환. Дата публикации: 1999-03-20.

Methods of forming multiple conductive features in semiconductor devices in a same formation process

Номер патента: US10446522B2. Автор: Cheng-Lin Huang,Meng-Liang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-10-15.

Method of production of charge-trapping memory devices

Номер патента: CN100390967C. Автор: J·德佩,C·路德维希,M·克劳泽,G·魏因,J·-U·萨赫泽,J·-M·施利,M·伊斯勒,S·马希尔. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-05-28.

Method of forming contactless non-volatile memory device and the device so formed

Номер патента: KR100660545B1. Автор: 박찬광,권욱현,심상필. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-12-22.

Method of fabricating non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US5449634A. Автор: Tatsuro Inoue. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-09-12.

A method of placing a claw of a lifting device in a lifting rod and lifting device

Номер патента: FI20095726A0. Автор: Kalle Pohjola. Владелец: Rannikon Konetekniikka Oy. Дата публикации: 2009-06-25.

Method of forming gate of flash memory device

Номер патента: US7300844B2. Автор: Chan Sun Hyun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-11-27.

Method of forming resistor of flash memory device

Номер патента: US20080003762A1. Автор: Byung Soo Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-01-03.

Method of forming gate of flash memory device

Номер патента: US20070134877A1. Автор: Chan Hyun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-06-14.

Method of forming capacitor of semiconductor memory device

Номер патента: US20100120212A1. Автор: Seong-Ho Kim,Gil-sub Kim,Won-mo Park,Dong-Kwan Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-05-13.

Method of fabricating a non-volatile memory device having a tunnel-insulating layer including more than two portions of different thickness

Номер патента: US6709920B2. Автор: Kwang-Bok Kim,Jae-Phil Boo,Kyung-hyun Kim,Chang-ki Hong,Soo-Young Tak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-03-23.

A method of fabricating gate of flash memory device

Номер патента: KR20030001885A. Автор: 이병기. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-01-08.

Burner system and method of operation

Номер патента: WO2023122177A1. Автор: David Rich,Felix Schmitt,Jared William SCHWEDE,Tyler SANDBERG. Владелец: Spark Thermionics, Inc.. Дата публикации: 2023-06-29.

Burner system and method of operation

Номер патента: US20230332768A1. Автор: David Rich,Felix Schmitt,Jared William SCHWEDE,Tyler SANDBERG. Владелец: Spark Thermionics Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Medical device and method of implanting gastroesophageal anti-reflux and obesity devices in an esophagus

Номер патента: IL270476B1. Автор: Norman Godin. Владелец: Biomedix S A. Дата публикации: 2023-09-01.

Burner system and method of operation

Номер патента: AU2022421994A1. Автор: David Rich,Felix Schmitt,Jared William SCHWEDE,Tyler SANDBERG. Владелец: Spark Thermionics Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Method of manufacturing a non-volatile memory device having a vertical structure

Номер патента: US20130089974A1. Автор: Ki-Hyun Hwang,Sung-Hae Lee,Jin-Gyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-04-11.

METHOD OF MANUFACTURING NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130252388A1. Автор: Matsuno Koichi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-09-26.

METHODS OF MANUFACTURING A PHASE CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140004680A1. Автор: EUN Seong-Ho. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-02.

METHODS OF MANUFACTURING VERTICAL STRUCTURE NONVOLATILE MEMORY DEVICES

Номер патента: US20140087534A1. Автор: Kang Chang-Seok,Chang Sung-Il,Lim Jin-Soo,Choe Byeong-In. Владелец: . Дата публикации: 2014-03-27.

METHOD OF MAKING THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE HAVING UNIFORM THICKNESS SEMICONDUCTOR CHANNEL

Номер патента: US20180006041A1. Автор: Fukata Syo,XU Jiyin,HONMA Ryoichi. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-04.

METHOD OF PREPARING CATHODE ACTIVE MATERIAL PRECURSOR FOR LITHIUM RECHARGEABLE BATTERY, CATHODE ACTIVE MATERIAL PRECURSOR FOR LITHIUM RECHARGEABLE BATTERY PREPARED THEREBY, AND CATHODE ACTIVE MATERIAL FORMED USING THE CATHODE ACTIVE MATERIAL PRECURSOR

Номер патента: US20150053890A1. Автор: Sun Yang-Kook. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-26.

MEDICAL DEVICE AND METHOD OF IMPLANTING GASTROESOPHAGEAL ANTI-REFLUX AND OBESITY DEVICES IN AN ESOPHAGUS

Номер патента: US20200060805A1. Автор: Godin Norman. Владелец: Biomedix S.A.. Дата публикации: 2020-02-27.

METHOD OF MANUFACTURING MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE

Номер патента: US20180083067A1. Автор: Kim Kee-won,Kim Kwang-seok,JANG Young-man,KIM Whan-kyun,Park Sang-hwan. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-22.

Method of Manufacturing Three Dimensional Semiconductor Memory Device

Номер патента: US20150104916A1. Автор: Hwang Ki-Hyun,Lee Joon-Suk,Lim Hun-Hyeong,LEE Woong. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-16.

Method of Fabricating A Variable Reistance Memory Device

Номер патента: US20150104921A1. Автор: Baek In-Gyu,Terai Masayuki. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-16.

Methods of fabricating a variable resistance memory device using masking and selective removal

Номер патента: US20160104746A1. Автор: Ki-jin Park,Youngsoo Lim,Soonwon Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-04-14.

METHOD OF FABRICATING A VARIABLE RESISTANCE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20160104841A1. Автор: AHN JUNKU. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-14.

METHOD OF FABRICATING A VARIABLE RESISTANCE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210104669A1. Автор: PARK JeongHee,PARK Kwangmin,Park Jiho,PARK Changyup,CHUNG SUKHWAN. Владелец: . Дата публикации: 2021-04-08.

Methods of Manufacturing Three-Dimensional Semiconductor Memory Devices

Номер патента: US20150126007A1. Автор: LEE Seung-yup,KIM JinGyun,LEE Myoungbum,SHIN Seungmok,Jang Kyung-Tae,SOHN YEON-SIL,Choi Dae-Hun. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-07.

METHOD OF MANUFACTURING A VARIABLE RESISTANCE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20190148632A1. Автор: LEE Dong-kyu,LEE Jung-Min,Kim Ju-Hyun,OH Se-Chung,Park Jung-Hwan,HONG Kyung-Il. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-16.

Method of Forming Contacts for a Memory Device

Номер патента: US20160172363A1. Автор: Jonathan T. Doebler. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-06-16.

METHODS OF FABRICATING THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20140256101A1. Автор: HWANG Sung-Min,Lee Woonkyung,MOON Hui-Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-09-11.

METHODS OF MANUFACTURING MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICES

Номер патента: US20150207064A1. Автор: LEE Joon-myoung,LIM Woo-chang,KIM Sang-yong,PARK Hong-Lae. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-23.

Methods of Fabricating Three-Dimensional Magnetic Memory Devices

Номер патента: US20190207102A1. Автор: TZOUFRAS Michail,GAJEK Marcin,Ryan Eric Michael,Guarisco Davide. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-04.

METHOD OF OUTPUTTING SCREENS FROM SERVER AND CLIENT DEVICES IN PERFORMING MIRRORLINK

Номер патента: US20160234367A1. Автор: LEE Kwanghee,YANG YuSeok,RYOO Kgiwung,YOON Chongook. Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2016-08-11.

Magnetoresistive element, method of manufacturing magnetoresistive element, and memory device

Номер патента: US20160260773A1. Автор: Minoru Amano,Eiji Kitagawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-08.

METHODS OF FABRICATING THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES USING DIRECT STRAPPING LINE CONNECTIONS

Номер патента: US20140349453A1. Автор: Kim Dongchan,KIM Sang-Hoon,Lee Ae-Jeong,Lee Bongyong. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-27.

METHOD OF FABRICATING THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200266209A1. Автор: YU HAN GEUN,JANG Daehyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-08-20.

METHOD OF FABRICATING THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20190288001A1. Автор: YU HAN GEUN,JANG Daehyun. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-19.

METHOD OF MAKING A THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE HAVING A HETEROSTRUCTURE QUANTUM WELL CHANNEL

Номер патента: US20160358933A1. Автор: Alsmeier Johann,Rabkin Peter,Higashitani Masaaki,PACHAMUTHU Jayavel. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-08.

METHOD OF MANUFACTURING A PHASE CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150364678A1. Автор: Cho Sung-Lae,WU Zhe,Park Jeong-Hee,Park Jung-Hwan,Ahn Dong-ho,Horii Hideki,AHN Jun-Ku. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-17.

METHOD OF PROGRAMMING A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002481A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of evaluating laser safety when using laser devices in creating shows

Номер патента: RU2476832C2. Автор: Наталия Юрьевна Малькова,Ирина Николаевна Ушкова,Павел Юрьевич Спиридонов,Алексей Владимирович Шишков. Владелец: Федеральное государственное учреждение науки "Северо-Западный научный центр гигиены и общественного здоровья" Федеральной службы по надзору в сфере защиты прав потребителей и благополучия человека. Дата публикации: 2013-02-27.

INK FOR ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE, MANUFACTURING METHOD OF ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE, ORGANIC DISPLAY PANEL, ORGANIC DISPLAY APPARATUS, ORGANIC ELECTROLUMINESCENT APPARATUS, INK , FORMING METHOD OF FUNCTIONAL LAYER, AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE

Номер патента: US20120001124A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Display Device and Arrangement Method of OSD Switches

Номер патента: US20120001942A1. Автор: ABE Masatoshi. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION SYSTEM OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003761A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICE FOR USE WITH MEASURING SOIL GAS AND METHOD OF USE

Номер патента: US20120000298A1. Автор: Cox Craig A.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NUCLEOTIDE SEQUENCES ENCODING GSH1 POLYPEPTIDES AND METHODS OF USE

Номер патента: US20120004114A1. Автор: . Владелец: E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY AND PIONEER HI-BRED INTERNATIONAL. Дата публикации: 2012-01-05.

C1ORF59 PEPTIDES AND VACCINES INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20120003253A1. Автор: Tsunoda Takuya,Ohsawa Ryuji,Yoshimura Sachiko,Watanabe Tomohisa. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THEREOF

Номер патента: US20120001246A1. Автор: . Владелец: Micron Technology Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS INTEGRATING MICROELECTROMECHANICAL SYSTEM DEVICE WITH CIRCUIT CHIP AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001276A1. Автор: . Владелец: INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing water-resistant ammonium nitrate granules (versions)

Номер патента: RU2564812C1. Автор: Игорь Анатольевич Филиппов,Валентин Александрович Горбачёв,Александр Алексеевич Гордюхин,Вячеслав Геннадьевич Курилович. Владелец: Закрытое акционерное общество "Петровский научный центр "Фугас". Дата публикации: 2015-10-10.

Weft knitted fabric and method of knitting

Номер патента: RU2367733C1. Автор: Лев Александрович Кудрявин,Ольга Петровна Фомина,Ольга Сергеевна Махрова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный текстильный университет имени А.Н. Косыгина". Дата публикации: 2009-09-20.

Improvements in or relating to the Production of Continuous Electrical Oscillations for Therapeutic Purposes and to the Application of the same.

Номер патента: GB190701499A. Автор: Horace Manders. Владелец: Individual. Дата публикации: 1908-01-16.

Catalyst head element, preparation method thereof (versions) and method of carrying out catalytic exothermal reactions

Номер патента: RU2383389C1. Автор: Валентин Николаевич Пармон,Александр Дмитриевич Симонов,Николай Алексеевич Языков,Вадим Анатольевич Яковлев. Владелец: Институт катализа им. Г.К. Борескова Сибирского отделения Российской академии наук (статус государственного учреждения). Дата публикации: 2010-03-10.

Treatment method of liquid fuel for combustion

Номер патента: RU2460943C1. Автор: Владимир Кириллович Тучков,Андрей Дмитриевич Пинтюшенко,Лев Ефимович Герцман. Владелец: Андрей Дмитриевич Пинтюшенко. Дата публикации: 2012-09-10.

Method of drilling cuttings utilisation

Номер патента: RU2528035C1. Автор: Аленик Григорьевич Газаров,Шамиль Садыкович Тимербулатов,Виолетта Александровна Сафарова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Актуальные технологии нефтеотдачи" (ООО "АТН"). Дата публикации: 2014-09-10.

Method of monitoring and controlling gas mixture composition inside multilevel car park

Номер патента: RU2438122C1. Автор: Андрей Юрьевич Мурашкин,Сергей Андреевич Ваньчков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Промэкоприбор". Дата публикации: 2011-12-27.

Electronic book and method of storing at least one book in an internal machine-readable storage medium

Номер патента: WO1997022065A9. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1997-10-02.

Method of determination of sequence of shots by fired bullets

Номер патента: RU2067745C1. Автор: Гия Эдуардович Бахтадзе,Юрий Викторович Гальцев,Варлен Леванович Симонишвили. Владелец: Гия Эдуардович Бахтадзе. Дата публикации: 1996-10-10.

METHOD OF FORMING A CONTACT AND METHOD OF MANUFACTURING A PHASE CHANGE MEMORY DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20130224929A1. Автор: KO SEUNG-PIL,Kim Eun-Jung,Kim Yong-Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-08-29.

Method of manufacturing a non-volatile memory device

Номер патента: TWI261919B. Автор: Erh-Kun Lai,Yi-Hung Li. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-11.

Method of manufacturing a non-volatile memory device

Номер патента: TW200605332A. Автор: Erh-Kun Lai,Yi-Hung Li. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2006-02-01.

SWITCH CONTROL CIRCUIT, POWER FACTOR CORRECTOR INCLUDING THE SAME, AND DRIVING METHOD OF THE POWER FACTOR CORRECTOR

Номер патента: US20130044520A1. Автор: EOM Hyun-Chul,CHO Gye-Hyun,PARK Young-Bae,YANG Seunguk. Владелец: . Дата публикации: 2013-02-21.

Method of harvesting soyabeans on crests and combine for its implementation

Номер патента: RU2489839C2. Автор: Михаил Васильевич Канделя,Николай Михайлович Канделя,Виктор Николаевич Рябченко,Пётр Алексеевич Шилько,Сергей Васильевич Щитов,Александр Васильевич Липкань. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ ДАЛЬНЕВОСТОЧНЫЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ АГРАРНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ. Дата публикации: 2013-08-20.

Method of complex processing sea ware (versions)

Номер патента: RU2337571C2. Автор: Екатерина Дмитриевна Облучинская,Екатерина Дмитриевна Облучинска. Владелец: Мурманский морской биологический институт Кольского научного центра Российской академии наук (ММБИ КНЦ РАН). Дата публикации: 2008-11-10.

Power device control circuit and IPM using the same

Номер патента: JP5700095B2. Автор: 紫織 魚田. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2015-04-15.

BUFFER CONTROL CIRCUIT AND INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20120262323A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-10-18.

SIGNAL DELAY CIRCUIT, CLOCK TRANSFER CONTROL CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20120280737A1. Автор: Na Hyoung-Jun,KIM Kyung-Whan. Владелец: . Дата публикации: 2012-11-08.

Method of measurement of insulation resistance in electric networks

Номер патента: RU2585930C1. Автор: Вячеслав Иванович Лачин,Кирилл Юрьевич Соломенцев,Куок Уи Нгуен,Игорь Геннадиевич Балабан. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) имени М.И. Платова". Дата публикации: 2016-06-10.

Method of measuring bottom coordinates with multi-beam echo sounder

Номер патента: RU2555204C1. Автор: Сергей Павлович Андреев,Александр Давидович Консон,Валерий Григорьевич Тимошенко. Владелец: Региональный некоммерческий фонд поддержки и развития Петербургской науки, культуры и спорта. Дата публикации: 2015-07-10.

Method of inspecting air-tightness of single-block gas lasers disconnected from exhaust cart by emission spectral analysis

Номер патента: RU2541707C2. Автор: Евгений Иванович Филатов,Лариса Давыдовна Маш,Елена Владимировна Симоненко,Евгений Викторович Сухов. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха" (ОАО "НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха"). Дата публикации: 2015-02-20.

Method of steam generation

Номер патента: RU2562647C1. Автор: Артур Павлович Ферингер,Николай Николаевич Петров. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Завод "Ферингер и К". Дата публикации: 2015-09-10.

Method of reduction of groundwaters on populated areas

Номер патента: RU2568135C1. Автор: Фатима Мусаевна Хацаева,Сарра Абраамовна Бекузарова. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Северо-Осетинский Государственный Университет Имени Коста Левановича Хетагурова". Дата публикации: 2015-11-10.

Method of determination of rate of corrosion of metal buildings and device for its implementation

Номер патента: RU2536779C1. Автор: Руслан Викторович Агиней,Александр Федорович Пужайло,Сергей Викторович Савченков,Евгений Апполинарьевич Спиридович,Андрей Юрьевич Михалев. Владелец: Открытое акционерное общество "Гипрогазцентр". Дата публикации: 2014-12-27.

System and method of enhancing wifi real-time communications

Номер патента: CA2572071A1. Автор: Sukhdeep S. Hundal,Daniel Roodnick,Bennett Cheng. Владелец: Bennett Cheng. Дата публикации: 2007-06-30.

MEMORY CELL, METHODS OF MANUFACTURING MEMORY CELL, AND MEMORY DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20120051164A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-03-01.

PWM CONTROL CIRCUIT AND MOTOR EQUIPPED WITH THE SAME

Номер патента: US20120146562A1. Автор: TAKEUCHI Kesatoshi. Владелец: SEIKO EPSON CORPORATION. Дата публикации: 2012-06-14.

PWM CONTROL CIRCUIT AND MOTOR EQUIPPED WITH THE SAME

Номер патента: US20120146566A1. Автор: . Владелец: SEIKO EPSON CORPORATION. Дата публикации: 2012-06-14.

TERMINATION CONTROL CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20120217990A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-08-30.

WORD LINE DRIVING SIGNAL CONTROL CIRCUIT, SEMICONDUCTOR MEMORY APPARATUS HAVING THE SAME, AND WORD LINE DRIVING METHOD

Номер патента: US20120314519A1. Автор: LEE In Pyo. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-12-13.

IMPEDANCE CONTROL CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20130113515A1. Автор: LEE Ji-Wang. Владелец: . Дата публикации: 2013-05-09.

IMPEDANCE CONTROL CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20130113517A1. Автор: KO Hyeong-Jun. Владелец: . Дата публикации: 2013-05-09.

Power control circuit and electronic ballast with the same

Номер патента: CN101369777A. Автор: 陈建志. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-02-18.

Emergency fan control circuit and electric fan with the same

Номер патента: CN203230612U. Автор: 李贺源. Владелец: FOSHAN SHUNDE LINGQI ELECTRICAL APPLIANCE INDUSTRIAL Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-09.

Speed control circuits and servo-systems employing the same

Номер патента: US3234396A. Автор: Charles A Kubilos. Владелец: American Brake Shoe Co. Дата публикации: 1966-02-08.

OPERATING METHOD OF NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND OPERATING METHOD OF MEMORY SYSTEM INCLUDING NONVOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120294092A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-11-22.

METHOD OF STORING DATA IN NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD OF OPERATING NONVOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130016558A1. Автор: Lee Hae-Bum,Lee Bong-Yong,Ahn Jung-Ro,Kim Eui-Do,Jang Houng-Kuk,Shin Kyung-Jun,Yoon Tae-Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-01-17.

METHOD OF FORMING A PHASE CHANGE MATERIAL LAYER PATTERN AND METHOD OF MANUFACTURING A PHASE CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130017663A1. Автор: Oh Jin-Ho,Park Jeong-Hee,Park Soon-oh,Park Jung-Hwan. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-01-17.

RESISTANCE CHANGE NONVOLATILE MEMORY DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING RESISTANCE CHANGE NONVOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130064001A1. Автор: Terai Masayuki. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2013-03-14.

RESISTANCE CHANGE NONVOLATILE MEMORY DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF OPERATING RESISTANCE CHANGE NONVOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130064002A1. Автор: Terai Masayuki. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2013-03-14.

Method of entry and exit of a remote control mode of a locomotive brake system

Номер патента: CA2668274A1. Автор: Richard J. Teifke, Jr.,Kevin Root. Владелец: New York Air Brake LLC. Дата публикации: 2010-01-31.

APPARATUS AND METHOD OF PAGE PROGRAM OPERATION FOR MEMORY DEVICES WITH MIRROR BACK-UP OF DATA

Номер патента: US20120023286A1. Автор: . Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-26.

DATA READ-OUT CIRCUIT IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF DATA READING IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120072804A1. Автор: OKU Satoru. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-03-22.

METHOD OF DEPLOYING AND POWERING AN ELECTRICALLY DRIVEN DEVICE IN A WELL

Номер патента: US20120222853A1. Автор: Head Philip. Владелец: ARTIFICIAL LIFT COMPANY. Дата публикации: 2012-09-06.

MEMORY DEVICE AND METHOD OF WRITING DATA TO A MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120224440A1. Автор: Agrawal Saurabh,BATRA Naveen,Kumar Rajiv. Владелец: STMicroelectronics PVT LTD (INDIA). Дата публикации: 2012-09-06.

MEMORY DEVICES AND METHODS OF STORING DATA ON A MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120275221A1. Автор: Ruby Paul,Mielke Neal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-11-01.

METHOD OF INSPECTING VARIABLE RESISTANCE NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND VARIABLE RESISTANCE NONVOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130021838A1. Автор: SHIMAKAWA Kazuhiko,Azuma Ryotaro,Tomotani Hiroshi,Ikeda Yuichiro,Katoh Yoshikazu. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-24.

METHOD OF FORMING RESISTOR OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND STRUCTURE THEREOF

Номер патента: US20130221487A1. Автор: PARK Jeong Guen. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2013-08-29.

METHOD OF IMPROVING CURSOR OPERATION OF HANDHELD POINTER DEVICE IN A DISPLAY AND HANDHELD POINTER DEVICE WITH IMPROVED CURSOR OPERATION

Номер патента: US20130314318A1. Автор: Tseng Ching-Hung,Wang Hsin-Po. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-28.

The method of the many identity of user and device in a kind of JICQ

Номер патента: CN102752313B. Автор: 李江,黄黎明,俞驰,黄雄飞. Владелец: BEIJING KAIXINREN INFORMATION TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-29.

Method of checking the operation of force-measuring devices in rolling mill

Номер патента: SU652990A1. Автор: Владимир Николаевич Бауман,Олег Филиппович Бирюков,Василий Никитич Шашков,Тамара Алексеевна Короткова. Владелец: Предприятие П/Я Г-4361. Дата публикации: 1979-03-25.

Method of making use of space except brake device in brake drum

Номер патента: JPS6325103A. Автор: Katsuo Oikawa,及川　勝男. Владелец: Individual. Дата публикации: 1988-02-02.

Fully-automatic code-searching method of all-purpose remote control system and device in which a lamp fixture or television is activated/de-activated to generate variation of brightness

Номер патента: TW201928899A. Автор: 倪文祿. Владелец: 艾法科技股份有限公司. Дата публикации: 2019-07-16.

Methods of Manufacturing Three-Dimensional Semiconductor Memory Devices

Номер патента: US20120064682A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-03-15.

METHOD OF OPERATING A PHASE-CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120099371A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-04-26.

METHODS OF MANUFACTURING THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES USING SUB-PLATES

Номер патента: US20120135583A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-05-31.

METHODS OF FABRICATING THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20120295409A1. Автор: Yoo Dongchul,PARK Kwangmin,YUN Jumi,Jang Byong-hyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-11-22.

Method of Forming Contacts for a Memory Device

Номер патента: US20130069220A1. Автор: Doebler Jonathan. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-03-21.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.