Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • ADDRESS DECODER AND ACTIVE CONTROL CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR MEMORY INCLUDING THE SAME

ADDRESS DECODER AND ACTIVE CONTROL CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR MEMORY INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20180082737A1
Опубликовано: 22-03-2018
Автор(ы): LEE Hyun Sung
Принадлежит: SK HYNIX INC.
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Active cycle control circuit and method for semiconductor memory apparatus

Номер патента: US7515495B2. Автор: Sang-Kwon Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-04-07.

Refresh control circuit and method for multi-bank structure DRAM

Номер патента: US20070070768A1. Автор: Jong-Tae Kwak,Shin-Deok Kang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-29.

Active cycle control circuit and method for semiconductor memory apparatus

Номер патента: US20070189096A1. Автор: Sang Kwon Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-08-16.

Refresh control circuit and method for semiconductor memory device

Номер патента: TW201234364A. Автор: Young-Bo Shim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-08-16.

Electronic device including semiconductor memory and operation method of the same

Номер патента: US20150098288A1. Автор: Yong-Ho Kim,Ji-Hyae Bae. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-04-09.

Row address decoder and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20120075942A1. Автор: Gyung Tae Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-03-29.

Row address decoder and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20090303811A1. Автор: Gyung Tae Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-12-10.

Row address decoder and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US8072835B2. Автор: Gyung Tae Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-12-06.

Wordline driving circuit and method for semiconductor memory

Номер патента: US7561488B2. Автор: Hong-Jun Lee,Tai-Young Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-07-14.

Address decoder and active control circuit and semiconductor memory including the same

Номер патента: US09997229B2. Автор: Hyun Sung Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US12080334B2. Автор: Taeyoung Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor memory device for performing refresh operation and semiconductor memory system including the same

Номер патента: US09508415B2. Автор: Jung-Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor memory apparatus, operating method thereof, and semiconductor memory system including the same

Номер патента: US11804258B2. Автор: Yo Sep Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor memory apparatus, operating method thereof, and semiconductor memory system including the same

Номер патента: US20230040958A1. Автор: Yo Sep Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Memory and memory system including the same

Номер патента: US09691467B2. Автор: Choung-Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US20230326511A1. Автор: Taeyoung Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor memory device and semiconductor memory system including the same

Номер патента: US20170047109A1. Автор: Jung-Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-16.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20140169071A1. Автор: Shinya Fujioka. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-06-19.

Semiconductor memory device comprising a plurity of input/output ports and a plurity of memory blocks corresponding to the plurality of input/output ports

Номер патента: US9053757B2. Автор: Shinya Fujioka. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-06-09.

Data strobe clock buffer in semiconductor memory apparatus, method of controlling the same, and semiconductor apparatus having the same

Номер патента: US20090207668A1. Автор: Heat Bit Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-08-20.

Data strobe clock buffer in semiconductor memory apparatus, method of controlling the same, and semiconductor apparatus having the same

Номер патента: US7969792B2. Автор: Heat-Bit PARK. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-28.

Semiconductor memory and method of operating the same

Номер патента: US20020097622A1. Автор: Kuninori Kawabata. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-07-25.

Semiconductor memory and method for operating the same

Номер патента: US09601184B2. Автор: Kyong-Ha Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Memory device, and semiconductor device and electronic appliance including the same

Номер патента: US09715920B2. Автор: Takahiko Ishizu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Row hammer refresh method, row hammer refresh circuit, and semiconductor memory

Номер патента: EP4210059A1. Автор: Jixing Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-12.

Control circuit, control method and semiconductor memory

Номер патента: CN115295040B. Автор: 孙凯,黄泽群. Владелец: Innotron Memory Co ltd. Дата публикации: 2023-06-02.

Memory device, and semiconductor device and electronic appliance including the same

Номер патента: US20160322096A1. Автор: Takahiko Ishizu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-03.

MEMORY DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE AND ELECTRONIC APPLIANCE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20160322096A1. Автор: ISHIZU Takahiko. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-03.

Memory device, and semiconductor device and electronic appliance including the same

Номер патента: US20150348610A1. Автор: Takahiko Ishizu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-03.

SEMICONDUCTOR MEMORY AND METHOD FOR OPERATING THE SAME

Номер патента: US20150279443A1. Автор: PARK Byoung-Kwon. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-01.

Semiconductor memory and read method of the same

Номер патента: US20070242526A1. Автор: Tomoki Higashi,Mutsuo Morikado. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-10-18.

Temperature dependent circuit, and current generating circuit, inverter and oscillation circuit using the same

Номер патента: US20020053940A1. Автор: Tsukasa Ooishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-05-09.

Semiconductor memory apparatus

Номер патента: US20050195977A1. Автор: Jean-Marc Dortu. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-09-08.

Semiconductor memory with address decoding unit, and address loading method

Номер патента: US20030231535A1. Автор: HELMUT Fischer,Johann Pfeiffer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-12-18.

Semiconductor memory device switchable to twin memory cell configuration

Номер патента: US6775177B2. Автор: Tadaaki Yamauchi,Tetsuichiro Ichiguchi,Hideki Yonetani,Tsutomu Nagasawa,Junko Matsumoto,Makoto Suwa,Takeo Okamoto,Zengcheng Tian. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-08-10.

Line defect detection circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US9978439B1. Автор: Yong-Deok Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US09552867B2. Автор: Chul-woo Park,Kwang-Il Park,Uk-Song KANG,Young-Soo Sohn,Hak-soo Yu,Jae-Youn Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-24.

Decoding drive circuit and method therefor, word line decoding circuit and semiconductor memory

Номер патента: EP4243020A1. Автор: Weibing SHANG,Minghao LI,Xianjun Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-13.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20050259492A1. Автор: Shinya Fujioka,Kotoku Sato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-11-24.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20230289072A1. Автор: Reum Oh,Seunghyun CHO,Younghwa Kim,Youngju Kim,Yujung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US12118221B2. Автор: Taeyoung Oh,Kyungho Lee,Jongcheol Kim,Kiheung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Integrated circuit memory devices having efficient row hammer management and memory systems including the same

Номер патента: US20240233798A9. Автор: Kijun Lee,Sunghye CHO,Myungkyu Lee,Kyomin Sohn,Eunae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20140297986A1. Автор: Sang Kwon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-02.

Semiconductor memory device and operating method

Номер патента: US20080008022A1. Автор: Yoon-Gyu Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-10.

Semiconductor memory device and semiconductor device

Номер патента: US20070214444A1. Автор: Nobuyuki Nakai,Yuji Yamasaki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-13.

Semiconductor memory device and semiconductor system including the same

Номер патента: US20150098282A1. Автор: Geun-il Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-04-09.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US11955159B2. Автор: Sungyong Cho,Kiheung KIM,Hyeran Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-09.

Operation control circuit and semiconductor memory device including the operation control circuit

Номер патента: US20190318778A1. Автор: Geun Il Lee,I Yeong JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-17.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US20230418487A1. Автор: Taeyoung Oh,Kyungho Lee,Jongcheol Kim,Kiheung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US20240203475A1. Автор: Sungyong Cho,Kiheung KIM,Hyeran Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Integrated circuit memory devices having efficient row hammer management and memory systems including the same

Номер патента: US20240135980A1. Автор: Kijun Lee,Sunghye CHO,Myungkyu Lee,Kyomin Sohn,Eunae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US09792978B2. Автор: Ho-young Song,Jong-Pil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Bit-line sense amplifier, semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US09449670B2. Автор: Jung-Bae Lee,Hyung-Sik You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Delay control circuit and a memory module including the same

Номер патента: US20230387900A1. Автор: Bumsoo LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Method and circuit for controlling an isolation gate in a semiconductor memory device

Номер патента: US5959924A. Автор: Jin-Man Han,Choong-Sun Shin,Moon-Hae Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-09-28.

Sub word-line driver circuit of semiconductor memory device and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US11818881B2. Автор: Sangwook Park,Donggeon Kim,Kyoungmin Kim,Myeongsik Ryu,Inseok Baek,Bokyeon Won. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20230223095A1. Автор: Junhyung Kim,Sungchul Park,Sanguhn CHA,Kiheung KIM,Hyojin JUNG,Kyungsoo Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-13.

Dynamic semiconductor memory device and method of controlling refresh thereof

Номер патента: US20030112690A1. Автор: Shyuichi Tsukada. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2003-06-19.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US12136463B2. Автор: Junhyung Kim,Sungchul Park,Sanguhn CHA,Kiheung KIM,Hyojin JUNG,Kyungsoo Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-05.

Refresh time detection circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US09824745B1. Автор: Hyeng Ouk LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US12148494B2. Автор: Junhyung Kim,Sungchul Park,Sanguhn CHA,Kiheung KIM,Hyojin JUNG,Kyung-Soo Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-19.

Semiconductor memory devices, memory systems including refresh control circuit and method of performing weak refresh operation on the weak pages thereof

Номер патента: US09620193B2. Автор: Jong-Hyun Choi,Dong-yang Lee,Jae-Yeon Choi,Sang-Kyu Kang,Doo-Hee Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-11.

Control circuit and semiconductor memory device

Номер патента: US20020145929A1. Автор: Shigemasa Ito. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-10-10.

Data strobe clock buffer in semiconductor memory apparatus, method of controlling the same, and semiconductor apparatus having the same

Номер патента: TW200935417A. Автор: Heat-Bit PARK. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-08-16.

Sense amplifier control circuit of semiconductor memory device

Номер патента: US20020089888A1. Автор: Daisuke Kato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-11.

Duty cycle correction circuit and method of operating the same

Номер патента: US20240007085A1. Автор: Min Su Kim,Kwan Su SHON,Keun Seon AHN,Jae Hoon Jung,Dae Ho Yang,Kyeong Min CHAE,Soon Sung AN,Jun Sun Hwang,Jae Hyeong Hong,Su Han LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Duty cycle correction circuit and method of operating the same

Номер патента: US11996844B2. Автор: Min Su Kim,Kwan Su SHON,Keun Seon AHN,Jae Hoon Jung,Dae Ho Yang,Kyeong Min CHAE,Soon Sung AN,Jun Sun Hwang,Jae Hyeong Hong,Su Han LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

SEMICONDUCTOR MEMORY AND METHOD FOR OPERATING THE SAME

Номер патента: US20160133313A1. Автор: LEE Kyong-Ha. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-12.

SEMICONDUCTOR MEMORY AND METHOD FOR OPERATING THE SAME

Номер патента: US20150287451A1. Автор: LEE Kyong-Ha. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-08.

Semiconductor memory and method for testing the same

Номер патента: US20110167307A1. Автор: Kaoru Mori. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-07-07.

Semiconductor memory and method for fabricating the same

Номер патента: EP0241948B1. Автор: Yoshifumi Kawamoto,Hideo Sunami,Tokuo Kure. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1993-05-26.

Semiconductor memory and method for testing the same

Номер патента: CN101075482B. Автор: 森郁. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-06-02.

Integrated DRAM semiconductor memory and method of operating the same

Номер патента: DE10258168B4. Автор: Ralf Schneider,Manfred Proell,Stephan Dr. Schröder,Jörg Dr. Kliewer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-07-07.

Voltage generating circuits for semiconductor memory devices and methods for the same

Номер патента: US20080212381A1. Автор: Young Sun Min,Dong-II Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-09-04.

Semiconductor memory and method for operating the same

Номер патента: KR102160607B1. Автор: 이경하. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2020-09-29.

Burn-in test circuit and method for semiconductor memory device

Номер патента: JP3803145B2. Автор: 再九 盧,秀仁 趙. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-08-02.

Restore circuit and structure of semiconductor memory device

Номер патента: KR960025772A. Автор: 이동민. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 1996-07-20.

Power-on reset circuit with variable detection reference and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09786371B1. Автор: Hyun Chul Lee,Yeong Joon Son. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Address generator for a semiconductor memory

Номер патента: US6400636B1. Автор: Tae-Hyung Jung,Yeon-Ok Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-06-04.

Internal voltage generation circuit and semiconductor memory apparatus including the same

Номер патента: US12068019B2. Автор: Chan Hui Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Internal voltage generation circuit and semiconductor memory apparatus including the same

Номер патента: US20230298656A1. Автор: Chan Hui Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Quadrature error correction circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US12057156B2. Автор: Jaewoo Park,Youngdon CHOI,Junghwan Choi,Hojun Yoon,Wonjoo Jung,Youngchul Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Quadrature error correction circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US11742016B2. Автор: Jaewoo Park,Youngdon CHOI,Junghwan Choi,Hojun Yoon,Wonjoo Jung,Youngchul Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-29.

Data line switching control circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US20210035616A1. Автор: Kyeong Pil KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Data sense amplification circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09947385B1. Автор: Hae-Rang Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Memory device, and memory system including the same

Номер патента: US09460766B2. Автор: Myeong-o Kim,Sang-joon Hwang,Kyo-Min Sohn,Tae-Yoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Dual current data bus clamp circuit of semiconductor memory device

Номер патента: US5091886A. Автор: Masahumi Miyawaki,Tamihiro Ishimura,Yoshio Ohtsuki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1992-02-25.

Input buffer circuit, intelligent optimization method, and semiconductor memory thereof

Номер патента: US20210193216A1. Автор: Kai Tian. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Coupling capacitor and semiconductor memory device using the same

Номер патента: US7602043B2. Автор: Jin-Woo Lee,Eun-Cheol Lee,Won-suk Yang,Tae-Young Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-10-13.

DLL with reduced size and semiconductor memory device including DLL and locking operation method of the same

Номер патента: US20070263460A1. Автор: Eun Jung Jang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-11-15.

Semiconductor memory device and semiconductor system including the same

Номер патента: US20120106272A1. Автор: Mi-Hye Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-05-03.

Data buffer control circuit and semiconductor memory apparatus including the same

Номер патента: US20100329039A1. Автор: Bok Rim KO. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-30.

Signal shielding circuit and semiconductor memory

Номер патента: EP4170659A1. Автор: Siman LI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-04-26.

Semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: US20240177750A1. Автор: Duk Sung Kim,Jangseok Choi,Byoungkon JO,Gyesik OH,Wangyong IM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: EP4379720A1. Автор: Duk Sung Kim,Jangseok Choi,Byoungkon JO,Gyesik OH,Wangyong IM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-05.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20150380074A1. Автор: Young Geun Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-12-31.

Enhanced charge storage materials, related semiconductor memory cells and semiconductor devices, and related systems and methods

Номер патента: US09871044B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Wayne I. Kinney,Sumeet C. Pandey,Karl W. Holtzclaw. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor memory device

Номер патента: US4635233A. Автор: Tetsuro Matsumoto,Kazuhiko Kajigaya. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1987-01-06.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US11942143B2. Автор: Chanho LEE,Jung-Hak Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-26.

Capacitor structure, semiconductor memory device including the same, method for fabricating the same, and method for fabricating semiconductor memory device including the same

Номер патента: US12094924B2. Автор: Su Hwan Kim,Sang Yeol Kang,Kyoo Ho Jung,Won Sik CHOI,Dong Kwan BAEK,Yu Kyung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor memory and memory system

Номер патента: US09741406B2. Автор: Kazutaka KIKUCHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

CAS latency setting circuit and semiconductor memory apparatus including the same

Номер патента: US09396774B1. Автор: Seong Jun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-19.

Bit line sense amplifier of semiconductor memory device and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20240233811A9. Автор: Donggeon Kim,Bok-yeon Won,Jonghyuk Kim,Selyung Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Sense amplifier and semiconductor memory device employing the same

Номер патента: US20160181993A1. Автор: Seongook JUNG,Hanwool Jeong,Young Hwi YANG,Kyoman KANG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2016-06-23.

Semiconductor memory devices, memory systems including the same and methods of operating the same

Номер патента: US09805827B2. Автор: Chul-woo Park,Seong-Jin Jang,Jong-Pil Son,Hoi-Ju CHUNG,Sang-Uhn CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Sense amplifier and semiconductor memory device employing the same

Номер патента: US09576623B2. Автор: Seongook JUNG,Hanwool Jeong,Young Hwi YANG,Kyoman KANG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2017-02-21.

Quadrature error correction circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20230343383A1. Автор: Jaewoo Park,Youngdon CHOI,Junghwan Choi,Hojun Yoon,Wonjoo Jung,Youngchul Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-26.

Methods of operating semiconductor memory devices and semiconductor memory devices

Номер патента: US20190172512A1. Автор: Ki-Seok OH,Seong-Hwan Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-06.

Voltage generation circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20240274212A1. Автор: Jungyu Lee,Jihyun Park,ChiWeon Yoon,Yumin KIM,Eunchan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Internal power supply control circuit of semiconductor memory

Номер патента: US20100246307A1. Автор: Akihiro Hirota. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-30.

Semiconductor memory device and semiconductor system having the same

Номер патента: US09672896B2. Автор: Ki-Chang Chun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Bit-line sense amplifier capable of compensating mismatch between transistors, and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09431071B2. Автор: Jong-Ho Moon,Tai-Young Ko,Hyung-Sik You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Signal sampling circuit and semiconductor memory

Номер патента: US20230386553A1. Автор: Zequn Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor memory device including a circuit for storing an operating state and semiconductor system having the same

Номер патента: US20160180915A1. Автор: Ki-Chang Chun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-23.

Semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20040004890A1. Автор: Hiroki Fujisawa,Hideyuki Yokou. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2004-01-08.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20140063992A1. Автор: Soichiro Yoshida. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2014-03-06.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US20230307022A1. Автор: Youngdon CHOI,Junghwan Choi,Hojun Yoon,Youngchul Cho,Changsik YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20110149663A1. Автор: Soichiro Yoshida. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-06-23.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20130039136A1. Автор: Soichiro Yoshida. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-02-14.

Low power shift register and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20110058429A1. Автор: Seung-Lo Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-03-10.

Low power shift register and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US8116148B2. Автор: Seung-Lo Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-02-14.

Control circuit and semiconductor memory device

Номер патента: US20240242753A1. Автор: Shinya Okuno. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor memory devices and methods of operating semiconductor memory devices

Номер патента: US20220050748A1. Автор: Junhyung Kim,Sungchul Park,Yesin RYU,Kiheung KIM,HyunGi Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-17.

Memory control circuit and semiconductor integrated circuit incorporating the same

Номер патента: US20100039870A1. Автор: Yoshihiro Murakami. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-02-18.

Semicondutor memory device and memory system including the same

Номер патента: US09824755B2. Автор: Chul-woo Park,Kwang-Il Park,Young-Soo Sohn,Hak-soo Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US09767920B2. Автор: Young-Il Kim,Hoi-Ju CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Voltage generation circuit, semiconductor memory device including the same, and method for driving the same

Номер патента: US09508398B1. Автор: Jae-Boum Park,Yoon-Jae Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor memory including an arrangement to permit external monitoring of an internal control signal

Номер патента: US5151881A. Автор: Jiro Sawada,Kazuhiko Kajigaya. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1992-09-29.

Memory controller with flexible address decoding

Номер патента: US20180019006A1. Автор: Thomas Hamilton,James R. Magro,Kedarnath Balakrishnan,Kevin M. Brandl,Mark Fowler,Guanhao Shen,Hideki Kanayama. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2018-01-18.

Sub-word-line drivers and semiconductor memory devices including the same

Номер патента: US11735248B2. Автор: Sangwook Park,Donggeon Kim,Bok-yeon Won,Kyoungmin Kim,Seokjae Lee,Myeongsik Ryu,Inseok Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-22.

Sub-word-line drivers and semiconductor memory devices including the same

Номер патента: US20220406360A1. Автор: Sangwook Park,Donggeon Kim,Bok-yeon Won,Kyoungmin Kim,Seokjae Lee,Myeongsik Ryu,Inseok Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-22.

Address decoding circuit, memory, and control method

Номер патента: US11901009B2. Автор: Yinchuan GU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor memory and method of making the same

Номер патента: US20140347908A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-11-27.

Semiconductor Memory Device, Method of Operating the same

Номер патента: KR101446337B1. Автор: 김경우,윤종신. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2014-10-02.

Semiconductor memory device, method of operating the same

Номер патента: KR20100029632A. Автор: 김경우,윤종신. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2010-03-17.

PRECHARGE CIRCUIT, AND MEMORY DEVICE AND SRAM GLOBAL COUNTER INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20180350429A1. Автор: Jeong Hoe-Sam. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-06.

Semiconductor memory device and information processing apparatus

Номер патента: US20140078834A1. Автор: Hirotoshi Sasaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-03-20.

Semiconductor memory device and test method for the same

Номер патента: US20230115776A1. Автор: Haruyuki Okuda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-04-13.

Semiconductor memory device and test method for the same

Номер патента: US12073900B2. Автор: Haruyuki Okuda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

A memory computing device, a method of operating the same and an ai system including the same

Номер патента: WO2024184617A1. Автор: Themistoklis Prodromakis,Shady Onsey Haleem RIZKALLA. Владелец: THE UNIVERSITY COURT OF THE UNIVERSITY OF EDINBURGH. Дата публикации: 2024-09-12.

Ternary 2-9 line address decoder realized by CNFET

Номер патента: US10056134B2. Автор: Yuejun Zhang,Pengjun WANG,Daohui GONG,Yaopeng KANG. Владелец: Ningbo University. Дата публикации: 2018-08-21.

Address decoding

Номер патента: US20070103995A1. Автор: David Bull,Shidhartha Das,David Blaauw. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2007-05-10.

Timed sense amplifier circuits and methods in a semiconductor memory

Номер патента: US20170221551A1. Автор: Chulmin Jung,Sei Seung Yoon,Fahad Ahmed,Keejong Kim. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-08-03.

Separate read and write address decoding in a memory system to support simultaneous memory read and write operations

Номер патента: SG11201901324QA. Автор: Manish Garg. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-04-29.

Timed sense amplifier circuits and methods in a semiconductor memory

Номер патента: US09959912B2. Автор: Chulmin Jung,Sei Seung Yoon,Fahad Ahmed,Keejong Kim. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Static-type semiconductor memory device

Номер патента: US4539661A. Автор: Atushi Oritani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1985-09-03.

Semiconductor memory device and semiconductor device

Номер патента: US20070274139A1. Автор: Masahiro Yamashita,Takashi Uehara,Mamoru Takaku,Hiroaki Nambu. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-11-29.

Separate read and write address decoding in a memory system to support simultaneous memory read and write operations

Номер патента: EP3523804A1. Автор: Manish Garg. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-08-14.

Semiconductor memory devices, memory systems including the same and methods of operating the same

Номер патента: US09953702B2. Автор: Jong-Pil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Separate read and write address decoding in a memory system to support simultaneous memory read and write operations

Номер патента: US09870818B1. Автор: Manish Garg. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor memory device

Номер патента: US5796659A. Автор: Yasuhiro Hegi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-08-18.

Memory access method and semiconductor memory device

Номер патента: US20090296498A1. Автор: Hiroshi Nakadai. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-12-03.

Ternary 2-9 line address decoder realized by cnfet

Номер патента: US20180182450A1. Автор: Yuejun Zhang,Pengjun WANG,Daohui GONG,Yaopeng KANG. Владелец: Ningbo University. Дата публикации: 2018-06-28.

Semiconductor memory and system

Номер патента: US20120257464A1. Автор: Shinichi Moriwaki. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-10-11.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: EP1750272A3. Автор: Syusuke Iwata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-23.

Semiconductor memory device, memory system having the same, and method of operating the same

Номер патента: US09490015B2. Автор: Jum Soo Kim,Jung Ryul Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Three-dimensional semiconductor memory device, operating method of the same and electronic system including the same

Номер патента: US11882705B2. Автор: Yun Heub Song,Jae Kyeong Jeong,Chang Hwan Choi,Sun Jun CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-23.

Three-dimensional semiconductor memory device, operating method of the same and electronic system including the same

Номер патента: US20210384221A1. Автор: Yun Heub Song,Jae Kyeong Jeong,Chang Hwan Choi,Sun Jun CHOI. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2021-12-09.

Semiconductor memory device, memory system having the same and operating method thereof

Номер патента: US09508438B2. Автор: Min Kyu Lee,Chi Wook An. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor memory and method for driving the same

Номер патента: US6449185B2. Автор: Yasuhiro Shimada,Yoshihisa Kato. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-10.

Semiconductor memory and method for driving the same

Номер патента: US20020001220A1. Автор: Yasuhiro Shimada,Yoshihisa Kato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Semiconductor memory and method for driving the same

Номер патента: US20040145940A1. Автор: Yasuhiro Shimada,Yoshihisa Kato. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-29.

Semiconductor memory and method of fabricating the same

Номер патента: US5661676A. Автор: Yasutaka Shiozawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-08-26.

Semiconductor memory device, method of adjusting the same and information processing system including the same

Номер патента: US20140056086A1. Автор: Hideyuki Yoko,Ryuji Takishita,Naohisa Nishioka,Chikara Kondo. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2014-02-27.

Non-volatile semiconductor memory device, electronic card using the same and electronic apparatus

Номер патента: US20060077712A1. Автор: Atsushi Inoue,Tomoharu Tanaka,Takeaki Sato,Khandker Quader,Hiroyuki Dohmae. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-04-13.

Nonvolatile semiconductor memory and method for testing the same

Номер патента: US8174909B2. Автор: Satoru Oku. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-05-08.

Semiconductor memory device, method of operating the same and memory system including the same

Номер патента: US09466345B2. Автор: Se Kyoung Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor memory device, method for fabricating the same and electronic system including the same

Номер патента: US20240306383A1. Автор: Ki Joon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Nonvolatile semiconductor memory and fabrication method for the same

Номер патента: US20120037976A1. Автор: Yasuhiko Matsunaga,Masayuki Ichige,Fumitaka Arai,Atsuhiro Sato,Kikuko Sugimae. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-02-16.

Semiconductor memory device, method for fabricating the same and electronic system including the same

Номер патента: US20240120007A1. Автор: Chul Min Choi,Sun Il Shim,Chang Hoon Byeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-11.

Nonvolatile semiconductor memory and fabrication method for the same

Номер патента: US20070109848A1. Автор: Yasuhiko Matsunaga,Masayuki Ichige,Fumitaka Arai,Atsuhiro Sato,Kikuko Sugimae. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-05-17.

Self-timing read architecture for semiconductor memory and method for providing the same

Номер патента: US20080144401A1. Автор: Nasim Ahmad. Владелец: STMICROELECTRONICS PVT LTD. Дата публикации: 2008-06-19.

Semiconductor memory and method for manufacturing the same

Номер патента: US7319628B2. Автор: Hiroshi Sugawara. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-01-15.

Non-volatile semiconductor memory device, electronic card using the same and electronic apparatus

Номер патента: US6990018B2. Автор: Atsushi Inoue,Tomoharu Tanaka,Takeaki Sato,Khandker N. Quader,Hiroyuki Dohmae. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2006-01-24.

Power supplying circuit and phase-change random access memory including the same

Номер патента: US20090122601A1. Автор: Won-seok Lee,Kwang-Ho Kim,Beak-Hyung Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-05-14.

Semiconductor memory device, method of fabricating the same, and electronic system including the same

Номер патента: EP4284142A1. Автор: JUNG Tae Sung,Moo Rym CHOI,Yun Sun Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-29.

Semiconductor memory device, method of fabricating the same, and electronic system including the same

Номер патента: US20230371255A1. Автор: JUNG Tae Sung,Moo Rym CHOI,Yun Sun Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor memory and fabrication method for the same

Номер патента: US20060244013A1. Автор: Yasuhiko Matsunaga,Fumitaka Arai,Makoto Sakuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-11-02.

Semiconductor memory device, method for fabricating the same and electronic system including the same

Номер патента: US20230307371A1. Автор: Ji Youn Seo,Tae-Jong Han,Sang Ho RHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor memory device, method for controlling the same, and mobile electronic device

Номер патента: MY139990A. Автор: Hiroshi Iwata,Akihide Shibata,Masaru Nawaki,Kei Tokui,Yoshifumi Yaoi. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2009-11-30.

Control circuit of read operation for semiconductor memory apparatus

Номер патента: US20120033511A1. Автор: Kwi Dong Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-02-09.

Semiconductor memory device, method for fabricating the same and electronic system including the same

Номер патента: EP4355050A1. Автор: Chul Min Choi,Sun Il Shim,Chang Hoon Byeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-17.

Nonvolatile semiconductor memory test circuit and method, nonvolatile semiconductor memory and method for fabricating nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20020024862A1. Автор: Yoshinori Odake,Takahiko Hashidzume. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-28.

Semiconductor memory device, method of driving the same and method of fabricating the same

Номер патента: US11289486B2. Автор: Jin Hong Ahn. Владелец: Duality Inc Korea. Дата публикации: 2022-03-29.

Semiconductor memory and method for fabricating the same

Номер патента: US6791139B2. Автор: Seiki Ogura,Fumihiko Noro. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-14.

Electronic device including a semiconductor memory and method for fabricating the same

Номер патента: US09588890B2. Автор: In-Hoe Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor memory device, method of testing the same and test system

Номер патента: US20220076778A1. Автор: Youngdon CHOI,Sanglok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-10.

Nonvolatile semiconductor memory and manufacturing method for the same

Номер патента: US7183615B2. Автор: Hiroki Yamashita,Yoshio Ozawa,Atsuhiro Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-02-27.

Non-volatile semiconductor memory and method of operating the same

Номер патента: EP1425756A1. Автор: Woong-Lim Choi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-09.

Electronic device including a semiconductor memory and method for fabricating the same

Номер патента: US20160013405A1. Автор: In-Hoe Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-01-14.

Semiconductor memory apparatus and system using the same

Номер патента: US9659609B2. Автор: Yun Gi Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor memory apparatus and system using the same

Номер патента: US20150287446A1. Автор: Yun Gi Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

Parallel bit test circuit and method for semiconductor memory device

Номер патента: US20070288812A1. Автор: Sang-Seok Kang,Sang-man Byun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-12-13.

Voltage detection circuit and method for semiconductor memory devices

Номер патента: US20030198088A1. Автор: Duane Laurent. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2003-10-23.

Voltage detection circuit and method for semiconductor memory devices

Номер патента: EP1355315A3. Автор: Duane Giles Laurent. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2004-12-15.

Defective cell repairing circuit and method of semiconductor memory device

Номер патента: US5657280A. Автор: Choong-Sun Shin,Yong-Sik Seok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1997-08-12.

Data alignment circuit and method of semiconductor memory apparatus

Номер патента: US20100329040A1. Автор: Jang Woo Lee,Chang Sik Yoo,Kee Teok Park,Chun Seok Jeong,Hong Jung Kim. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2010-12-30.

Semiconductor memory device, method for fabricating the same and semiconductor switching device

Номер патента: US20090097299A1. Автор: Hiroyuki Tanaka,Yasuhiro Shimada,Yukihiro Kaneko. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-04-16.

Semiconductor memory device, method for fabricating the same and semiconductor switching device

Номер патента: US8023309B2. Автор: Hiroyuki Tanaka,Yasuhiro Shimada,Yukihiro Kaneko. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-09-20.

Semiconductor memory and method of controlling the same

Номер патента: US20040042254A1. Автор: Kouichi Noro. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-03-04.

THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, OPERATING METHOD OF THE SAME AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20210384221A1. Автор: Choi Chang Hwan,SONG Yun Heub,CHOI Sun Jun,JEONG Jae Kyeong. Владелец: Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University. Дата публикации: 2021-12-09.

Semiconductor memory device, memory system having the same, and method of operating the same

Номер патента: US20160012895A1. Автор: Jum Soo Kim,Jung Ryul Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-01-14.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, STORAGE DEVICE HAVING THE SAME, AND METHOD OF OPERATING MEMORY CONTROLLER

Номер патента: US20190304555A1. Автор: LEE Hyung Min. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-03.

Semiconductor memory device, memory system having the same and operating method thereof

Номер патента: CN105280235A. Автор: 安致昱,李珉圭. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-01-27.

ELECTRONIC DEVICE INCLUDING A SEMICONDUCTOR MEMORY AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20160013405A1. Автор: KIM In-Hoe. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-14.

Apparatus for reference voltage providing for use in semiconductor memory and method for driving the same

Номер патента: KR100631923B1. Автор: 민병준,이한주,전병길,이강운. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-10-04.

Semiconductor memory and method for driving the same

Номер патента: US20010054732A1. Автор: Yasuhiro Shimada,Yoshihisa Kato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-27.

Semiconductor memory and method for controlling the same

Номер патента: US20040184325A1. Автор: Shinya Fujioka,Shinichi Yamada,Jun Ohno,Kotoku Sato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-09-23.

Data reading method, and control circuit, memory module and memory storage apparatus and memory module using the same

Номер патента: TW201438015A. Автор: Wei Lin,Yu-Cheng Hsu,Tien-Ching Wang,Kuo-Hsin Lai,Kuo-Yi Cheng. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2014-10-01.

Rotation control circuit, semiconductor integrated circuit, optical disk drive and method for controlling the same

Номер патента: US7012863B2. Автор: Yasuhiro Hayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-03-14.

Focus layer jump control circuits and methods of controlling focus layer jumps used by the same

Номер патента: US7660213B2. Автор: Je-kook Kim,Jun-Ho Huh,Sang-hoon Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-02-09.

Semiconductor memory and semiconductor memory control method

Номер патента: US09390800B2. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-07-12.

Memory and electronic device including the same

Номер патента: US09824751B2. Автор: Seok-Joon KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor memory devices, memory systems including the same and method of correcting errors in the same

Номер патента: US09786387B2. Автор: Kwang-Il Park,Seong-Jin Jang,Jong-Pil Son,Hoi-Ju CHUNG,Sang-Uhn CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100238708A1. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-09-23.

Semiconductor memory, memory system and method of controlling semiconductor memory

Номер патента: US20160064061A1. Автор: Naoki Shimizu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-03-03.

Semiconductor memory, memory system and method of controlling semiconductor memory

Номер патента: US09443571B2. Автор: Naoki Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Memory device and a storage system using the same

Номер патента: US20200365211A1. Автор: Jun Yong Park,Yong Hyuk Choi,Sang Wan NAM,Jung No Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-19.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US09355714B2. Автор: Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Nonvolatile random access memory including control circuit configured to receive commands at high and low edges of one clock cycle

Номер патента: US09997216B2. Автор: Yutaka Shirai,Yoji Watanabe,Naoki Shimizu,Kenji Tsuchida,Yong Ho Kim,Ji Hyae Bae. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Electronic device including a semiconductor memory

Номер патента: US09830967B2. Автор: Min-Suk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Electronic device and method for fabricating the same

Номер патента: US09722172B2. Автор: Bo-Mi Lee,Ki-Seon Park,Won-Joon Choi,Guk-Cheon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Nonvolatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US20100124107A1. Автор: Mi Sun Yoon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-05-20.

Nonvolatile semiconductor memory capable of generating read-mode reference current and verify-mode reference current from the same reference cell

Номер патента: US20040062072A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-01.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12094532B2. Автор: Noboru Shibata. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09953704B2. Автор: Noboru Shibata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09761307B2. Автор: Noboru Shibata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Impedance calibration circuit, and semiconductor memory and memory system using the same

Номер патента: US09552894B2. Автор: Chun Seok Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Pad arrangement in semiconductor memory device and method of driving semiconductor device

Номер патента: US20040256641A1. Автор: Jung-Bae Lee,Mee-Hyun Ahn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-23.

Semiconductor device and method of testing the same

Номер патента: US20120026815A1. Автор: Koji Mine,Katsuyoshi Komatsu. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2012-02-02.

Non-volatile semiconductor memory device, fabricating method of the same, and semiconductor memory system

Номер патента: US20070075352A1. Автор: Yasuo Irie. Владелец: Citizen Watch Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-05.

Impedance calibration circuit, and semiconductor memory and memory system using the same

Номер патента: US20160071616A1. Автор: Chun Seok Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-03-10.

Signal delay control circuit in a semiconductor memory device

Номер патента: US20040141383A1. Автор: Jae Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-22.

Signal delay control circuit in a semiconductor memory device

Номер патента: US20030002356A1. Автор: Jae Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-01-02.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, METHOD OF OPERATING THE SAME AND MEMORY SYSTEM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20150063047A1. Автор: CHOI Se Kyoung. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2015-03-05.

Semiconductor memory device, method of operating the same and memory system including the same

Номер патента: CN104425032A. Автор: 崔世卿. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2015-03-18.

Nonvolatile semiconductor memory device, method for manufacturing the same, and nonvolatile memory array

Номер патента: US20090168529A1. Автор: Kouichi Yamada. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-02.

Semiconductor memory device, method of driving the same and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090316484A1. Автор: Hiroshi Sunamura,Masayuki Terai,Kouji Masuzaki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2009-12-24.

Semiconductor memory device, method of manufacturing the same, and electronic device including the semiconductor memory device

Номер патента: US20210074334A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2021-03-11.

Self-correcting semiconductor memory device and microcomputer incorporating the same

Номер патента: US4901320A. Автор: Nobuhiro Tomari,Kikuzo Sawada,Tomoaki Yoshida,Kouzi Tanagawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1990-02-13.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, METHOD OF ADJUSTING THE SAME AND INFORMATION PROCESSING SYSTEM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20140056086A1. Автор: Kondo Chikara,Yoko Hideyuki,Nishioka Naohisa,Takishita Ryuji. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2014-02-27.

Semiconductor memory and method of producing the same

Номер патента: US4525811A. Автор: Fujio Masuoka. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1985-06-25.

Three-dimensional semiconductor memory devices, methods of fabricating the same, and electronic systems including the same

Номер патента: US20220216151A1. Автор: Donghwan Kim,Jung-Hwan Park,Shinhwan Kang,Sanghun Chun,Youngji Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-07-07.

Semiconductor memory device, method for manufacturing the same, and method for controlling the same

Номер патента: US6166958A. Автор: Kiyomi Naruke,Shinichi Maekawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-12-26.

Control circuit of read operation for semiconductor memory apparatus

Номер патента: TW201007763A. Автор: Kwi-Dong Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-02-16.

Non-volatile semiconductor memory device, electronic card using the same and electronic apparatus

Номер патента: TW200425147A. Автор: Atsushi Inoue,Tomoharu Tanaka,Takeaki Sato,Khandker N Quader,Hiroyuki Dohmae. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2004-11-16.

Non-volatile semiconductor memory device, electronic card using the same and electronic apparatus

Номер патента: TWI237270B. Автор: Atsushi Inoue,Tomoharu Tanaka,Takeaki Sato,Khandker N Quader,Hiroyuki Dohmae. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2005-08-01.

Non-volatile semiconductor memory and method of operating the same

Номер патента: TWI237894B. Автор: Yoshimitsu Yamauchi. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2005-08-11.

Non-volatile semiconductor memory and method of operating the same

Номер патента: TW200301555A. Автор: Yoshimitsu Yamauchi. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2003-07-01.

Semiconductor memory, method of laying out the same, method of operating the same, and circuit pattern of the same

Номер патента: KR100306175B1. Автор: 후미히로 고노. Владелец: 니시무로 타이죠. Дата публикации: 2001-11-15.

Memory Cell Test Control Circuit and Method of Semiconductor Memory Device

Номер патента: KR960042765A. Автор: 이상길,석용식. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1996-12-21.

Transistor testing circuit and method thereof, semiconductor memory apparatus and semiconductor apparatus

Номер патента: TW201628013A. Автор: 小川曉. Владелец: 力晶科技股份有限公司. Дата публикации: 2016-08-01.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, METHOD OF TESTING THE SAME AND METHOD OF OPERATING THE SAME

Номер патента: US20170110203A1. Автор: Kwon Hyung-Shin,Lee Chang-Soo,LEE Chung-ki,LIM Jong-hyoung. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-20.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, MEMORY SYSTEM HAVING THE SAME AND OPERATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20150364197A1. Автор: LEE Min Kyu,AN Chi Wook. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-17.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, METHOD OF OPERATING THE SAME, AND MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20200388339A1. Автор: SEONG Jin Yong. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2020-12-10.

Semiconductor memory system using a clock-synchronous semiconductor device, and an semiconductor memory device for use in the same

Номер патента: KR100256004B1. Автор: 히로요시 도미타,요시히로 다케마에. Владелец: 아끼구사 나오유끼. Дата публикации: 2000-05-01.

Semiconductor memory and memory system using the same

Номер патента: US9502136B1. Автор: Kwan Weon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor memory and memory system using the same

Номер патента: KR102401093B1. Автор: 김관언. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2022-05-24.

Nonvolatile Semiconductor Memory and Memory System Using the Same

Номер патента: KR940018872A. Автор: 시게루 아츠미,히로노리 반바,마사오 쿠리야마. Владелец: 가부시키가이샤 도시바. Дата публикации: 1994-08-19.

Semiconductor memory device, method of manufacturing the same, and method of screening the same

Номер патента: US8222626B2. Автор: Hiroshi Kanno,Kenichi Murooka,Mitsuru Sato,Masanori Komura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-17.

Semiconductor memory device, method of manufacturing the same, and cell array of semiconductor memory device

Номер патента: US20110157979A1. Автор: Sang Woo Nam. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2011-06-30.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, METHOD OF TESTING THE SAME AND METHOD OF OPERATING THE SAME

Номер патента: US20140241076A1. Автор: Kwon Hyung-Shin,Lee Chang-Soo,LEE Chung-ki,LIM Jong-hyoung. Владелец: . Дата публикации: 2014-08-28.

Semiconductor memory device, method of driving the same and method of fabricating the same

Номер патента: US20190304979A1. Автор: Jin Hong Ahn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-10-03.

Semiconductor memory and method of using the same, column decoder, and image processor

Номер патента: US5706243A. Автор: Toshiki Mori. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1998-01-06.

Semiconductor memory device, method of manufacturing the same, and method of screening the same

Номер патента: US20100202186A1. Автор: Hiroshi Kanno,Kenichi Murooka,Mitsuru Sato,Masanori Komura. Владелец: Masanori Komura. Дата публикации: 2010-08-12.

Nonvolatile semiconductor memory device, process of manufacturing the same and method of operating the same

Номер патента: KR100440095B1. Автор: 수기타야수히로,야마우치요시미츠. Владелец: 샤프 가부시키가이샤. Дата публикации: 2004-07-14.

Semiconductor memory device, method of driving the same and method of fabricating the same

Номер патента: KR102416099B1. Автор: 안진홍. Владелец: 주식회사 듀얼리티. Дата публикации: 2022-07-01.

Nonvolatile semiconductor memory device, method of manufacturing the same, and method of screening the same

Номер патента: KR101077737B1. Автор: 겐이찌 무로오까,미쯔루 사또,마사노리 고무라,모또야 기시다. Владелец: 가부시끼가이샤 도시바. Дата публикации: 2011-10-27.

Semiconductor memory device, method of testing the same and method of operating the same

Номер патента: US10431320B2. Автор: Chang-Soo Lee,Jong-Hyoung Lim,Chung-Ki LEE,Hyung-Shin Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-01.

Semiconductor memory device, method for accessing the same, and electronic information device using the same

Номер патента: KR100661346B1. Автор: 야마노카나메. Владелец: 샤프 가부시키가이샤. Дата публикации: 2006-12-27.

Semiconductor memory device, method for driving the same and method for fabricating the same

Номер патента: US20010019497A1. Автор: Yasuhiro Shimada,Koji Arita,Kiyoshi Uchiyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-06.

Semiconductor memory device, method of driving the same and method of manufacturing the same

Номер патента: US7821823B2. Автор: Hiroshi Sunamura,Masayuki Terai,Kouji Masuzaki. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-10-26.

Semiconductor memory cell, method for manufacturing the same and method for operating the same

Номер патента: US8169828B2. Автор: Jin-Hyo Jung. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2012-05-01.

Nonvolatile semiconductor memory device, method for driving the same, and method for fabricating the same

Номер патента: US20090053866A1. Автор: Katsujirou Arai,Keiichi Hirooka. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2009-02-26.

Data output latch control circuit and process for semiconductor memory system

Номер патента: EP0652522A1. Автор: Trang Khanh Ta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1995-05-10.

Semiconductor memory and method of controlling the same

Номер патента: US20130314992A1. Автор: Teruo Takagiwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-11-28.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, METHOD OF TESTING THE SAME AND TEST SYSTEM

Номер патента: US20220076778A1. Автор: CHOI Youngdon,KIM SANGLOK. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-10.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND SYSTEM HAVING THE SAME

Номер патента: US20140334230A1. Автор: Kwon Il Young. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-11-13.

SEMICONDUCTOR MEMORY APPARATUS AND SYSTEM USING THE SAME

Номер патента: US20150287446A1. Автор: HONG Yun Gi. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-08.

On-Die Termination circuit of semiconductor memory device, method for controlling the same and ODT synchronous buffer

Номер патента: KR100871704B1. Автор: 이동진,조진형. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-12-05.

Nonvolatile semiconductor memory and manufacturing and using the same

Номер патента: KR100271407B1. Автор: 요시아키 히사무네. Владелец: 닛본 덴기 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2000-11-15.

Semiconductor memory and method for controlling the same

Номер патента: US20010008492A1. Автор: Mitsuhiro Higashiho. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-07-19.

Apparatus for on-die termination of semiconductor memory and method of operating the same

Номер патента: US7812632B2. Автор: Jung-Hoon Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-10-12.

Nonvolatile semiconductor memory and method for driving the same

Номер патента: US20090161441A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Japan Ltd. Дата публикации: 2009-06-25.

Semiconductor memory device and method of the same

Номер патента: KR20190117104A. Автор: 김현승,윤영준. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2019-10-16.

Nonvolatile semiconductor memory and method of driving the same

Номер патента: US20090129171A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Japan Ltd. Дата публикации: 2009-05-21.

Apparatus for on-die termination of semiconductor memory and method of operating the same

Номер патента: US20070236248A1. Автор: Jung-Hoon Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-10-11.

Nonvolatile semiconductor memory and fabrication method for the same

Номер патента: US7732854B2. Автор: Susumu Yoshikawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-06-08.

Nonvolatile semiconductor memory and method of operating the same

Номер патента: EP1394809A1. Автор: Satoshi Fujitsu Microelectronics Torii. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-03-03.

Method for controlling read-out or write in of semiconductor memory device and apparatus for the same

Номер патента: DE3276885D1. Автор: Miki Tanaka,Kazuo - Ooami. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1987-09-03.

Apparatus for controlling input termination of semiconductor memory device and method for the same

Номер патента: US20030012046A1. Автор: Kwang-Jin Lee,Byong-Kwon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-01-16.

Nonvolatile semiconductor memory and method of operating the same

Номер патента: KR100903839B1. Автор: 도리이사토시. Владелец: 후지쯔 마이크로일렉트로닉스 가부시키가이샤. Дата публикации: 2009-06-25.

Device for controlling lock state of block in a semiconductor memory and method for controlling the same

Номер патента: US8503239B2. Автор: Jung Mi TAK,Ji Hyae Bae. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-08-06.

Semiconductor memory and method of controlling the same

Номер патента: US8885425B2. Автор: Teruo Takagiwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-11-11.

Semiconductor memory device and sensor using the same

Номер патента: JP3709302B2. Автор: 弘道 山田,昌大 松本,恵二 半沢,辰美 山内,康平 櫻井,敦史 宮▲崎▼,文夫 村林. Владелец: Hitachi Car Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2005-10-26.

Nonvolatile semiconductor memory and method of programming the same

Номер патента: CN1971762B. Автор: 黄相元. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-27.

Nonvolatile semiconductor memory and fabrication method for the same

Номер патента: US7298005B2. Автор: Susumu Yoshikawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-11-20.

Semiconductor memory device and system having the same

Номер патента: US9171861B2. Автор: Il Young Kwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-10-27.

Nonvolatile semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: KR100759613B1. Автор: 간지 오사리. Владелец: 가부시끼가이샤 도시바. Дата публикации: 2007-09-17.

Semiconductor memory and method for fabricating the same

Номер патента: US20030116789A1. Автор: Seiki Ogura,Fumihiko Noro. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-26.

Nonvolatile semiconductor memory and method for controlling the same

Номер патента: US20080239823A1. Автор: Hirofumi Hebishima. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-10-02.

Semiconductor memory device, method for controlling the same, and mobile electronic device

Номер патента: AU2003271080A1. Автор: Hiroshi Iwata,Akihide Shibata,Masaru Nawaki,Kei Tokui,Yoshifumi Yaoi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-04-23.

DATA READING METHOD, AND CONTROL CIRCUIT, MEMORY MODULE AND MEMORY STORAGE APPARATUS AND MEMORY MODULE USING THE SAME

Номер патента: US20140293696A1. Автор: Lin Wei,HSU Yu-Cheng,Lai Kuo-Hsin,Cheng Kuo-Yi,Wang Tien-Ching. Владелец: PHISON ELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2014-10-02.

Phase mixing circuit and multi-phase clock signal alignment circuit including the same

Номер патента: US20230403000A1. Автор: Suhwan Kim,Shin-Hyun JEONG,Yongun JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Phase mixing circuit and multi-phase clock signal alignment circuit including the same

Номер патента: US11881860B2. Автор: Suhwan Kim,Shin-Hyun JEONG,Yongun JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

On-die termination circuit and method for semiconductor memory apparatus

Номер патента: CN1992072A. Автор: 朴正勋,梁仙锡. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-07-04.

Data Output Circuit and Method of Semiconductor Memory Device

Номер патента: KR970012722A. Автор: 이정혁. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-03-29.

Data Output Circuit and Method of Semiconductor Memory Device

Номер патента: KR970012698A. Автор: 이정혁. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-03-29.

Row redundancy circuit and method of semiconductor memory device with double row decoder

Номер патента: KR960008825B1. Автор: Seung-Chol Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1996-07-05.

Redundancy circuit and method for semiconductor memory device

Номер патента: JP2731136B2. Автор: 興洙 任,相基 黄,炯坤 李. Владелец: SANSEI DENSHI KK. Дата публикации: 1998-03-25.

Multi bit test circuit and method of semiconductor memory device

Номер патента: KR960008824B1. Автор: Choong-Sun Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1996-07-05.

On die termination circuit and method of semiconductor memory device

Номер патента: KR100558489B1. Автор: 송호영. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-03-07.

Bitline precharge circuit and method in semiconductor memory device

Номер патента: US6667921B2. Автор: San-Ha Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-12-23.

Parallel Bit Test Circuit and Method of Semiconductor Memory Device

Номер патента: KR980005037A. Автор: 김정태. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-03-30.

Test circuit and method of semiconductor memory device with high frequency operation

Номер патента: KR970029883A. Автор: 박철우,조수인. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-06-26.

Voltage detection circuit and method for semiconductor memory devices

Номер патента: EP1355315A2. Автор: Duane Giles Laurent. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2003-10-22.

Hybrid power supply circuit and method for charging/discharging a logic circuit using the same

Номер патента: KR100403810B1. Автор: 장호랑,조기원. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2003-10-30.

Sample and hold circuits and methods with offset error correction and systems using the same

Номер патента: EP1614149A4. Автор: Karl Thompson,John Laurence Melanson,Shyam Somayajula,Ammisetti V Prasad. Владелец: Cirrus Logic Inc. Дата публикации: 2006-04-26.

Multistep pulse generation circuit and method of erasing a flash memory cell using the same

Номер патента: US6279070B1. Автор: Jong Seuk Lee,Jae Heon Jeong. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-08-21.

Sample and hold circuits and methods with offset error correction and systems using the same

Номер патента: US20040210801A1. Автор: Ammisetti Prasad,John Melanson,Karl Thompson,Shyam Somayajula. Владелец: Cirrus Logic Inc. Дата публикации: 2004-10-21.

Semiconductor memory unit with repair circuit

Номер патента: US20040078701A1. Автор: Atsushi Miyanishi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-04-22.

Built-in test circuit and method

Номер патента: US20130201776A1. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Tzu-Kuei LIN,Fang Jao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-08-08.

Semiconductor memory apparatus and operating method of semiconductor system using the same

Номер патента: US20160232957A1. Автор: Hyun Woo Lee,Soo Young JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-11.

Semiconductor memory device for controlling an address for temperature management

Номер патента: US20190310946A1. Автор: Youngjae JIN,Youngsuk MOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-10.

Semiconductor memory device with row redundancy

Номер патента: US5889710A. Автор: Luigi Pascucci. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1999-03-30.

Method of fabricating a semiconductor memory having an address decoder

Номер патента: US5733807A. Автор: Yasutaka Shiozawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-03-31.

Semiconductor memory device, processing system including the same and power control circuit for the same

Номер патента: US20220101888A1. Автор: Chang Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Address decoding method, and memory controller and semiconductor memory system using the same

Номер патента: US20240177746A1. Автор: Cholmin Kim,Tae-Kyeong Ko,Chinam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-30.

Address decoding method, and memory controller and semiconductor memory system using the same

Номер патента: EP4379721A1. Автор: Cholmin Kim,Tae-Kyeong Ko,Chinam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-05.

Sensing control signal generation circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09659665B1. Автор: Young-Il Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09627069B1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Column redundancy circuit for a semiconductor memory device

Номер патента: US5325334A. Автор: Yong-Sik Seok,Jae-Gu Roh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1994-06-28.

Nonvolatile semiconductor memory device and verification control method for the same

Номер патента: US20130176791A1. Автор: Mitsuharu Sakakibara. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-07-11.

Address decoder and address decoding method

Номер патента: US5886941A. Автор: Shozo Tomita. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1999-03-23.

Method for detecting resistive-open defects in semiconductor memories

Номер патента: EP1738375A1. Автор: Mohamed Azimane. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-01-03.

Method for detecting resistive-open defects in semiconductor memories

Номер патента: US20050216799A1. Автор: Mohamed Azimane. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-09-29.

Method for detecting resistive-open defects in semiconductor memories

Номер патента: EP1738375B1. Автор: Mohamed c/o NXP Semiconductors AZIMANE. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2008-05-21.

Memory device reducing test time and computing system including the same

Номер патента: US09653160B2. Автор: Yun-Kil Kim,Jeong-Yun Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-16.

Page buffer and memory device including the same

Номер патента: US09990969B2. Автор: In Gon YANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09798600B2. Автор: Yoshikazu Saito,Yuichiro Ishii,Atsushi Miyanishi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

High voltage switch circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20170084339A1. Автор: Jin Su Park,Yeong Joon Son. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-23.

High voltage switch circuit for switching high voltage without potential drop and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20170287563A1. Автор: Jin Su Park,Yeong Joon Son. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-05.

High voltage switch circuit for switching high voltage without potential drop and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US9721667B2. Автор: Jin Su Park,Yeong Joon Son. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

High voltage switch circuit for switching high voltage without potential drop and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20170287562A1. Автор: Jin Su Park,Yeong Joon Son. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-05.

Semiconductor memory device capable of recovering defective bit and a system having the same semiconductor memory device

Номер патента: US20010022750A1. Автор: Yukihiro Urakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-09-20.

Equalizer and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09424897B2. Автор: Dae-Hyun Kim,Seung-Jun Bae,Kyung-Soo Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor memory

Номер патента: US4608672A. Автор: Tho T. Vu,Peter C. T. Roberts. Владелец: Honeywell Inc. Дата публикации: 1986-08-26.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20170200485A1. Автор: Geun Ho Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-13.

Test of ram address decoder for resistive open defects

Номер патента: EP1629506A1. Автор: Mohamed Azimane. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-03-01.

Voltage generation circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20060120179A1. Автор: Young-Hyun Jun,Hyong-Ryol Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-06-08.

Semiconductor memory device having redundancy means

Номер патента: WO2004090910A1. Автор: Nikolaas K. J. Van Winkelhoff. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-10-21.

Voltage generation circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20080122523A1. Автор: Young-Hyun Jun,Hyoung-Ryol Hwang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-05-29.

Power control device and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09984733B2. Автор: Jae Wook Lee,Jong Ho Son. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Page buffer and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09792966B2. Автор: Yeonghun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09741454B2. Автор: Sang Kyu Lee,Chang Geun KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Differential amplifier circuit and semiconductor memory device including same

Номер патента: US09543904B1. Автор: Kyoung-Han KWON,Han Qu. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor memory system having a data clock system for reliable high-speed data transfers

Номер патента: US20030137893A1. Автор: Louis Hsu,Jeremy Stephens,Li-Kong Wang,Daniel Storaska. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-07-24.

High voltage switch circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US10176879B2. Автор: Dong Hwan Lee,Min Gyu KOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-01-08.

Power metal mesh and semiconductor memory device and method including the same

Номер патента: US20140140016A1. Автор: Jun Ho Lee,Tae Hoon Kim,Yang Hee Kim,Ic Su Oh,Sung Woo Han,Sun Ki CHO,Boo Ho JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-05-22.

Semiconductor device and semiconductor device test method for identifying a defective portion

Номер патента: US8325548B2. Автор: Tatsuru Matsuo. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-12-04.

Semiconductor device and semiconductor device test method

Номер патента: US20100322023A1. Автор: Tatsuru Matsuo. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-12-23.

Address decoding systems and methods

Номер патента: US20070019495A1. Автор: Allen White,Hemanshu Vernenker,Louis De La Cruz. Владелец: Lattice Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-01-25.

Address decoding systems and methods

Номер патента: WO2007018661A3. Автор: Allen White,Hemanshu Vernenker,La Cruz Louis De. Владелец: Lattice Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-12-06.

Address decoding systems and methods

Номер патента: WO2007018661A2. Автор: Allen White,Hemanshu Vernenker,Louis De La Cruz. Владелец: Lattice Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2007-02-15.

Semiconductor memory device having breaker associated with address decoder circuit for deactivating defective memory cell

Номер патента: US5285417A. Автор: Keita Maeda. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-02-08.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140301144A1. Автор: Hiroshi Maejima,Natsuki Sakaguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-10-09.

Signal generating circuit and method, and semiconductor memory

Номер патента: US11769536B2. Автор: Zequn Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor memory system and semiconductor memory chip

Номер патента: US20070047372A1. Автор: Paul Wallner,Peter Gregorius,Andre Schäfer. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-03-01.

Nonvolatile memory device for invalidating data stored therein, memory system including the same, and operating method thereof

Номер патента: US20200090746A1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Sang-Gu JO,Jae-Min Jang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-03-19.

Receivers and semiconductor memory devices including the same

Номер патента: US20240347085A1. Автор: Jaewoong Kim,Changhyun Bae,Hyeseung YU,Dongin SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor memory and semiconductor system using the same

Номер патента: US09804914B2. Автор: Min Jeong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor memory apparatus and semiconductor integrated circuit apparatus

Номер патента: US09293227B1. Автор: Atsushi Takasugi. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-03-22.

Non-volatile semiconductor memory device and method for reprogramming thereof

Номер патента: US20190371419A1. Автор: Makoto Yasuda,Taiji Ema. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

Semiconductor memory device that applies same voltage to two adjacent word lines for access

Номер патента: US09947408B2. Автор: Tokumasa Hara,Masanobu Shirakawa,Toshifumi Shano. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09851903B2. Автор: Young Jun YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Apparatuses, memories, and methods for address decoding and selecting an access line

Номер патента: US09786366B2. Автор: Stephen H. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Device and method for compensating defect in semiconductor memory

Номер патента: US20060203579A1. Автор: Jun-Lin Yeh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Reference column of semiconductor memory, and electronic device including the same

Номер патента: US20140241041A1. Автор: Ji-Wang Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-08-28.

Voltage control method and voltage control circuit for anti-fuse memory array

Номер патента: US20230197178A1. Автор: Yan Wang,Sheng Qiu,Xian Chen,Zhengyuan ZHANG,Mingyuan Xu,Ruzhang Li,Hequan Jiang,Peijian Zhang,Feiyu JIANG,Xiyi LIAO,Yonghong DAI. Владелец: CETC 24 Research Institute. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20160260483A1. Автор: Tokumasa Hara,Masanobu Shirakawa,Toshifumi Shano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-08.

Non-volatile semiconductor memory device with improved layout

Номер патента: US5166900A. Автор: Ichirou Kondo. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1992-11-24.

Stack type semiconductor memory and semiconductor system using the same

Номер патента: US09773569B2. Автор: Ki Hun KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09564230B2. Автор: Yoon Soo JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: US4667330A. Автор: Yutaka Kumagai. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1987-05-19.

Semiconductor memory device and defective memory cell repair circuit

Номер патента: US5487040A. Автор: Shunichi Sukegawa,Tetsuya Saeki. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1996-01-23.

Row address decoding block for non-volatile memories and methods for decoding pre-decoded address information

Номер патента: US20120243344A1. Автор: Giovanni Bolognini,Marco Giovanni Fontana,Giuseppe Sciascia. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-09-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20180018211A1. Автор: Yoshikazu Saito,Yuichiro Ishii,Atsushi Miyanishi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-18.

Semiconductor memory apparatus

Номер патента: US20150058566A1. Автор: Jung Hyuk YOON,Yoon Jae Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-02-26.

Semiconductor memory apparatus comprising a plurality of current sink units

Номер патента: US9659640B2. Автор: Jung Hyuk YOON,Yoon Jae Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Power control circuit and semiconductor apparatus including the power control circuit

Номер патента: US20200177070A1. Автор: Woongrae Kim,Sang Sic Yoon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-06-04.

Semiconductor memory device and method of testing the same

Номер патента: US20140269089A1. Автор: Satoshi Inoue,Yuui Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Memory cell and semiconductor memory device with the same

Номер патента: US20240284655A1. Автор: Seung Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Control circuit, peripheral circuit, semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US09859008B1. Автор: Da U Ni Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor memory device including a resistance change element and a control circuit for changing resistance of the resistance change element

Номер патента: US09679647B2. Автор: Takashi Hase,Yoshihiro Hayashi,Makoto Ueki,Masaharu Matsudaira,Koji MASUZAKI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Memory apparatus and semiconductor system including the same

Номер патента: US11942173B2. Автор: Heeeun Choi,Yeong Han JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Mode control circuit for semiconductor device and semiconductor memory device having the mode control circuit

Номер патента: US20020186603A1. Автор: Kye-Hyun Kyung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-12-12.

Memory apparatus and semiconductor system including the same

Номер патента: US20240194285A1. Автор: Heeeun Choi,Yeong Han JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Body bias voltage generator and semiconductor device including the same preliminary class

Номер патента: US12015024B2. Автор: Youngjae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor memory device and method of verifying the same

Номер патента: US20080123428A1. Автор: Makoto Senoo,Kazunari Kido,Yoshihiro Tsukidate,Shunichi Toyama. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-29.

Control circuit and semiconductor memory

Номер патента: EP4276831A1. Автор: Yupeng Fan. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-15.

Power gating control circuit and semiconductor apparatus including the power gating control circuit

Номер патента: US11322193B2. Автор: Woong Rae KIM,Sung Je ROH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-05-03.

Semiconductor memory device and data writing method

Номер патента: US20160225416A1. Автор: Tomotsugu GOTO. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2016-08-04.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09640269B2. Автор: Yasushi Nakajima,Hideaki Yamamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor memory device and semiconductor system

Номер патента: US09627075B1. Автор: Won-Sun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US09418737B2. Автор: Hiroyuki Ode,Takeshi Takagi,Toshiharu Tanaka,Takeshi Yamaguchi,Masaki Yamato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Data signal output circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US5600599A. Автор: Masakazu Kimura,Tomohiro Nakayama,Yutaka Fukutani,Takanori Shiga. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1997-02-04.

Data processing system and semiconductor memory suited for the same

Номер патента: US5576997A. Автор: Noboru Masuda,Hideo Maejima,Kazunori Nakajima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1996-11-19.

Anti-Fuse Memory And Semiconductor Storage Device

Номер патента: US20170250187A1. Автор: Hideo Kasai,Yutaka Shinagawa,Yasuhiro Taniguchi,Yasuhiko Kawashima,Kosuke Okuyama,Ryotaro Sakurai. Владелец: Floadia Corp. Дата публикации: 2017-08-31.

Semiconductor memory

Номер патента: US20030161202A1. Автор: Takashi Sugiyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-28.

Method for detecting resistive-open defects in semiconductor memories

Номер патента: WO2005093761A1. Автор: Mohamed Azimane. Владелец: U.S. Philips Corporation. Дата публикации: 2005-10-06.

Nonvolatile semiconductor memory, and method for reading data

Номер патента: US20100118609A1. Автор: Masahiko Kashimura. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-05-13.

Command address control circuit, and semiconductor apparatus and semiconductor system including the command address control circuit

Номер патента: US20240257891A1. Автор: Kyung Hoon Kim,Ji Hwan Park,Jae Hoon Cha,Ha Jun JEONG,Se Ra JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor memory device, memory system including the same, and operating method thereof

Номер патента: US9384846B1. Автор: Keon Soo Shim,Bong Yeol PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20010028594A1. Автор: Makoto Segawa,Takao Nakajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-10-11.

Power gating control circuit, and semiconductor apparatus and semiconductor system using the same

Номер патента: US20240312500A1. Автор: Mino KIM,Sungwoo Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Row decoder and row address scheme in a memory system

Номер патента: WO2024210913A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Kha Nguyen,Hien Pham,Henry Tran. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2024-10-10.

Row decoder and row address scheme in a memory system

Номер патента: US20240339136A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Kha Nguyen,Hien Pham,Henry Tran. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US12136458B2. Автор: Koji KATO,Tomoki Nakagawa,Mai SHIMIZU,Shuhei Oketa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-11-05.

Address decoding circuitry

Номер патента: US09691455B2. Автор: Mudit Bhargava. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US09607694B1. Автор: Reika Ichihara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor chips, semiconductor chip packages including the same, and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09600424B2. Автор: Dong Kyun Kim,Bok Rim KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

One-time programmable memory device and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20230377672A1. Автор: Yeongmuk CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-23.

Address decoder unit for a memory cell array

Номер патента: US20240127875A1. Автор: Yves Godat,Lubomir Plavec. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor memory device having row repair circuitry

Номер патента: US20020167850A1. Автор: Jung Seop Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-11-14.

High voltage switch circuit and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US11735275B2. Автор: Hyun Soo Lee,Sun Young Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Interface circuit and method for coupling between a memory device and processing circuitry

Номер патента: US20100232250A1. Автор: David Michael Bull,Shidhartha Das. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2010-09-16.

Nonvolatile semiconductor memory including a read operation

Номер патента: US20240212757A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Makoto Iwai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device including chalcogen compound and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US12101942B2. Автор: Bonwon KOO,Changseung LEE,Wooyoung Yang,Minwoo Choi,Hajun SUNG,Dongho Ahn,Kwangmin Park,Chungman Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Test control circuit, semiconductor memory apparatus and semiconductor system using the test control circuit

Номер патента: US20190198130A1. Автор: Haeng Seon CHAE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Buffer circuit, clock generating circuit, semiconductor apparatus and semiconductor system using the same

Номер патента: US20240356550A1. Автор: Ji Hyo KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Data input/output circuit and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US09905281B2. Автор: Yong Gu Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09818489B2. Автор: Yuka Suzuki,Masami Hanyu,Yoshihiro Nagai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Memory devices having cell over periphery structure, memory packages including the same, and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20210202457A1. Автор: Bongsoon LIM,Yonghyuk Choi,Jaeduk Yu,Hongsoo Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240004558A1. Автор: Jae Woong Kim,Shin Won SEO,Dong Jae JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Integrated circuit having data output circuit and semiconductor memory system including the same

Номер патента: US11688439B2. Автор: Dong Heon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-06-27.

Non-volatile semiconductor memory element and method of manufacturing the same, and semiconductor integrated circuit device including the non-volatile semiconductor memory element

Номер патента: US20070114594A1. Автор: Mizuki Ono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-05-24.

Address latch, address control circuit and semiconductor apparatus including the address control circuit

Номер патента: US12009058B2. Автор: Ji Eun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20150262656A1. Автор: Yasuhiro Shimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Address decoding device

Номер патента: US8619491B2. Автор: Maurizio Francesco Perroni,Giuseppe Castagna. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2013-12-31.

Semiconductor memory device and production method thereof

Номер патента: US20160247571A1. Автор: Hideto Takekida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-25.

Integrated semiconductor memory

Номер патента: US7206980B2. Автор: Manfred Pröll,Jurgen Auge,Jörg Kliewer,Frank Schroeppel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-04-17.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US20150089327A1. Автор: Chul-woo Park,Hak-soo Yu,Jae-Youn Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-26.

Signal transmitting circuit, and semiconductor apparatus and semiconductor system using the same

Номер патента: US20220269624A1. Автор: Hyun bae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-08-25.

Integrated semiconductor memory

Номер патента: US20050249002A1. Автор: Manfred Pröll,Jurgen Auge,Jörg Kliewer,Frank Schroeppel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-11-10.

Signal sampling circuit and semiconductor memory

Номер патента: US12080335B2. Автор: Zequn Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US20200273528A1. Автор: Dae Seok Byeon,Young Sun Min,Young Ho Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-27.

Semiconductor memory device having a burst continuous read function

Номер патента: US20050024942A1. Автор: Yasuhiko Honda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-02-03.

Receiver performing background training, memory device including the same and method of receiving data using the same

Номер патента: US20220173942A1. Автор: Byungsuk Woo,Changkyu Seol,SuCheol Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-02.

Semiconductor memory device including three-dimensional array structure and memory system including the same

Номер патента: US09767906B2. Автор: Jung Ryul Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor memory device including dummy memory cells and memory system including the same

Номер патента: US09691490B2. Автор: Eun Seok Choi,Jung Seok Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor memory device using grounded dummy bit lines

Номер патента: US09653167B2. Автор: Hideto Takekida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor memory device capable of shortening erase time

Номер патента: US09595344B2. Автор: Noboru Shibata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09589641B2. Автор: Min Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Reducing transactional latency in address decoding

Номер патента: US09570134B1. Автор: Aaron Ferrucci,Jimmy Soon Yoong Yeap. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor memory devices and memory systems including the same

Номер патента: US09460816B2. Автор: Chul-woo Park,Hak-soo Yu,Jae-Youn Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor memory device and operating method for repairing guarantee blocks

Номер патента: US11762576B2. Автор: Byung Ryul Kim,Yong Hwan HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Voltage control method and voltage control circuit for anti-fuse memory array

Номер патента: US11848062B2. Автор: Yan Wang,Sheng Qiu,Xian Chen,Zhengyuan ZHANG,Mingyuan Xu,Ruzhang Li,Hequan Jiang,Peijian Zhang,Feiyu JIANG,Xiyi LIAO,Yonghong DAI. Владелец: CETC 24 Research Institute. Дата публикации: 2023-12-19.

Semiconductor memory device including a control circuit for controlling a read operation

Номер патента: US20200013459A1. Автор: Deog-Kyoon Jeong,Hong Seok Choi,Hyungrok DO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US8493788B2. Автор: Mitsuaki Honma,Yuko NAMIKI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-07-23.

Semiconductor memory devices, memory systems including the same and methods of operating memory systems

Номер патента: US11994948B2. Автор: Ho-young Song,Hyun-Joong Kim,Hoi-Ju CHUNG,Sang-Uhn CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-28.

Semiconductor memory device for applying voltage to select line based on number of times program loops are performed and method of operating the same

Номер патента: US12040022B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US20170200512A1. Автор: Ho-Jun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-13.

Semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US20110216599A1. Автор: Mitsuaki Honma,Yuko NAMIKI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-08.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20120239984A1. Автор: Norihiro Fujita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-09-20.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US8300474B2. Автор: Norihiro Fujita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-10-30.

Testing circuit for semiconductor integrated circuit and testing method using the same

Номер патента: US10083759B2. Автор: Hiroyuki Nakamura. Владелец: MegaChips Corp. Дата публикации: 2018-09-25.

Semiconductor memory device with a stacked gate including a charge storage layer and a control gate and method of controlling the same

Номер патента: US20090268526A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Koji Hosono,Takeshi Nakano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-10-29.

Circuit for reducing test time and semiconductor memory device including the circuit

Номер патента: US20020056061A1. Автор: Katsumi Dosaka,Tetsushi Tanizaki,Masaru Haraguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-05-09.

Semiconductor memory

Номер патента: US20240324250A1. Автор: Kosuke Yanagidaira,Yoshikazu HOSOMURA,Shouichi Ozaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory

Номер патента: US4905195A. Автор: Hideaki Takahashi,Minoru Fukuda,Fumio Tsuchiya,Toshimasa Kihara,June Sugiura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1990-02-27.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20130229852A1. Автор: Hiroshi Kanno,Takayuki Tsukamoto,Tomonori KUROSAWA,Yoichi MINEMURA,Takafumi SHIMOTORI,Mizuki Kaneko. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-05.

Negative voltage management module for an address decoder circuit of a non-volatile memory device

Номер патента: US09978429B2. Автор: Maurizio Francesco Perroni,Giuseppe Castagna,Fabio Enrico Carlo Disegni. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor memory device outputting read-busy signal and memory system including the same

Номер патента: US09911479B2. Автор: Kwang Hyun Kim,Jae Hyeong Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US09852815B2. Автор: Ho-Jun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor memory device, a memory module including the same, and a memory system including the same

Номер патента: US09805774B2. Автор: Seung Jun BAE,Joon Young Park,Ki Won Lee,Yong Cheol Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor memory device, memory system including the same, and method of operating the same

Номер патента: US09747058B2. Автор: Hyun-Joong Kim,Ju-Yun JUNG,Soo-Hyeong KIM,Gi-Won Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Nonvolatile semiconductor memory and verify read operation

Номер патента: US09514836B2. Автор: Hiroshi Nakamura,Makoto Iwai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor memory for capacitively biasing multiple source lines

Номер патента: US09417818B2. Автор: Atsushi Takeuchi. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor device, memory system and semiconductor memory device

Номер патента: US20220301642A1. Автор: Shinji Maeda,Katsuhiko Iwai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor memory device, semiconductor memory system including the same, method of driving the semiconductor memory system

Номер патента: US11797382B2. Автор: Tae Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Nonvolatile memory device and memory package including the same

Номер патента: US20240062819A1. Автор: Ahreum Kim,Pansuk Kwak,Hyunkook Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor memory device and test method thereof

Номер патента: US20120008441A1. Автор: Kwi-Dong Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-01-12.

Page buffer and memory device including the same

Номер патента: US20170358335A1. Автор: In Gon YANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-14.

Row address decoder and word line driver unit with pull-down transistors operable in saturation region for rapidly driving word lines

Номер патента: US5295116A. Автор: Shinichi Iwashita. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-03-15.

Ultra high-speed nor-type lsdl/domino combined address decoder

Номер патента: US20080084777A1. Автор: Yutaka Nakamura,Robert Kevin Montoye. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-04-10.

Memory device, a controller for controlling the same, a memory system including the same, and a method of operating the same

Номер патента: US20220068366A1. Автор: Sukhan Lee,Seongil O,Namsung KIM,Jaeyoun Youn,Youngcheon Kwon,Kyomin Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20100254184A1. Автор: Shuichi Tsukada. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-10-07.

Gate driver and a display apparatus including the same

Номер патента: US20170263177A1. Автор: Hyunyoung Choi,Gunwoo YANG,Cholho Kim,Jihoon Yang,Yongwoo Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-14.

Page buffer and semiconductor memory device having the page buffer

Номер патента: US20220044734A1. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-02-10.

Semiconductor memory apparatus relating to various operation modes, and memory module and system including the same

Номер патента: US20180364925A1. Автор: Kyung Hoon Kim,Hyun Jung Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-12-20.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20050029051A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Koji Hosono,Kenichi Imamiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-02-10.

Memory unit and buffer access control circuit for updating an address when consecutively accessing upper and lower buffers

Номер патента: US20020032830A1. Автор: Takeshi Nagase,Yoshiki Okumura,Tomohiro Hayashi,Yoshihiro Takamatsuya,Shinkichi Gama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-03-14.

High performance address decode technique for arrays

Номер патента: US20030076732A1. Автор: Aparna Ramachandran,Shree Kant. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2003-04-24.

Power-on reset circuit and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US09899065B1. Автор: Hyun Chul Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor memory device, memory system including the same and operating method thereof

Номер патента: US09761287B2. Автор: Jin Su Park,Min gi HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor memory device, memory system including the same, and operating method thereof

Номер патента: US09754677B2. Автор: Jong Won Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor memory device, memory system including the same and operating method thereof

Номер патента: US09601169B2. Автор: Jin Su Park,Min gi HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Method and apparatus for identifying faulty address decoders

Номер патента: CA1086863A. Автор: Björn JONSSON. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 1980-09-30.

Irreversible semiconductor switching element and semiconductor memory device utilizing the same

Номер патента: CA1082809A. Автор: Takashi Watanabe,Nobuaki Ieda,Junichi Murota,Masafumi Tanimoto. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1980-07-29.

Semiconductor memory device

Номер патента: US5848011A. Автор: Yoshiaki Takeuchi,Masaru Koyanagi,Kazuyoshi Muraoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-12-08.

Regulator circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20110158027A1. Автор: Tae Heui Kwon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-30.

Address decoder unit for a memory cell array

Номер патента: EP4354442A1. Автор: Yves Godat,Lubomir Plavec. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2024-04-17.

Semiconductor memory and semiconductor system using the same

Номер патента: US20170084311A1. Автор: Min Jeong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-23.

Memory device and method of controlling ecc operation in the same

Номер патента: US20180373592A1. Автор: Sang-Hyun Joo,Jae-Woo Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-12-27.

Transmission circuit, and semiconductor apparatus and system using the same

Номер патента: US20170345474A1. Автор: Kyung Hoon Kim,Sun Ki CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-30.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20040062113A1. Автор: Yoshimasa Sekino. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-01.

Semiconductor device and data storage system including the same

Номер патента: US20240249775A1. Автор: Jiwon Kim,Sungmin Hwang,Jaeho Ahn,Sukkang SUNG,Joonsung Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Controller for storing performance information based on test operation result, operating method thereof and computing system including the same

Номер патента: US12039185B2. Автор: Jeong Ho Jeon,Kang Rak KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor memory device

Номер патента: US8953390B2. Автор: Masatsugu Ogawa,Teruo Takagiwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-02-10.

Noise removing circuit, operation method thereof, and integrated circuit including the same

Номер патента: US20220163574A1. Автор: Joo Hyung CHAE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-05-26.

Semiconductor memory device which includes memory cell having charge accumulation layer and control gate

Номер патента: US8219744B2. Автор: Takahiro Suzuki,Tokumasa Hara,Masuji Nishiyama,Shinya Fujisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-10.

Test method for a semiconductor memory

Номер патента: US7120071B2. Автор: Jun Kwon An. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-10.

Memory system and semiconductor memory device

Номер патента: US10797073B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-10-06.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240304245A1. Автор: Kazutaka IKEGAMI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Gate driving circuit and display apparatus including the same

Номер патента: US12087205B2. Автор: Sang Yong NO. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Thin film structure and semiconductor device including the same

Номер патента: US12107140B2. Автор: Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Sanghyun JO,Taehwan MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-01.

Electronic device and method for fabricating the same

Номер патента: US09871189B2. Автор: Seung-Mo Noh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09824764B2. Автор: Yuji Nagai,Jun Nakai,Kenri Nakai,Yuki KANAMORI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Electronic device and method for fabricating the same

Номер патента: US09679944B2. Автор: Jung-Nam Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Latency control device and semiconductor device including the same

Номер патента: US09653130B1. Автор: Seong Jun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor memory device, operating method thereof, and data storage device including the same

Номер патента: US09588708B2. Автор: Gi Pyo UM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor memory device, operating method thereof, and data storage device including the same

Номер патента: US09424922B2. Автор: Gi Pyo UM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: US09384796B2. Автор: Yong-Ki Cho,Du-Yeul Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-05.

Buffer circuit, and semiconductor device and semiconductor memory device including same

Номер патента: US20010021119A1. Автор: Atsushi Kawasumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-09-13.

Duty adjustment circuit, and delay locked loop circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US11799463B2. Автор: Hundae CHOI,Garam CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-24.

Address decoder optimization

Номер патента: US6529396B2. Автор: Paul Hammond. Владелец: STMicroelectronics Ltd Great Britain. Дата публикации: 2003-03-04.

Address decoder optimization

Номер патента: EP1119003A3. Автор: Paul Raymond. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Ltd. Дата публикации: 2001-09-12.

Anti-fuse address decoding circuit, operation method, and memory

Номер патента: US20230317188A1. Автор: Rumin JI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Signal generation circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20190221275A1. Автор: Young Sub Yuk,Seung Wan Chai. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-07-18.

Dynamic semiconductor memory device and method for initializing a dynamic semiconductor memory device

Номер патента: US6175531B1. Автор: HELMUT Fischer,Martin Buck,Bret Johnson,Sebastian Kühne,Heinrich Hemmert. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2001-01-16.

Semiconductor apparatus performing a plurality of clock signaling operations and semiconductor system including the same

Номер патента: US12015403B2. Автор: Kyung Hoon Kim,Ji Hyo KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

3d semiconductor memory devices and structures

Номер патента: US20240260282A1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Process for producing semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US20020036316A1. Автор: MASUOKA Fujio,Kenichi Tanaka,Hiroaki Shimizu,Yoshihisa Wada,Takuji Tanigami. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-28.

Liquid crystalline organic semiconductor material, and semiconductor element or information recording medium using the same

Номер патента: TW200702428A. Автор: Yuichiro Haramoto. Владелец: Univ Yamanashi. Дата публикации: 2007-01-16.

Semiconductor memory card, method for controlling the same, and semiconductor memory system

Номер патента: US20110153896A1. Автор: Hiroshi Endo,Hiroko Okabayashi,Tatsuya KAISE,Yoshihito Sugiyama,Masahiko Murohashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-06-23.

Semiconductor chip, method of manufacturing the semiconductor chip, and semiconductor package and display apparatus including the semiconductor chip

Номер патента: US09935056B2. Автор: Myoung-Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor memory device and electronic system the same

Номер патента: US20210019076A1. Автор: SangSoo Ko,Byeoungsu Kim,SangHyuck HA,Jaegon Kim,Kyoungyoung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-21.

Address search circuit and method of semiconductor memory apparatus and controller therefor

Номер патента: US20210064622A1. Автор: Joung Young LEE,Dong Sop LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-03-04.

Device for accessing semiconductor memory card, computer- readable data carrier, initialization method and semiconductor memory card

Номер патента: RU2257609C2. Автор: Теруто ХИРОТА,Такудзи МАЕДА. Владелец: МАЦУСИТА ЭЛЕКТРИК ИНДАСТРИАЛ КО., ЛТД.. Дата публикации: 2005-07-27.

SEMICONDUCTOR MEMORY CARD, METHOD FOR CONTROLLING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20150378813A1. Автор: ENDO Hiroshi,KAISE Tetsuya,SUGIYAMA Yoshihito,OKABAYASHI Hiroko,MUROHASHI Masahiko. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2015-12-31.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020001173A1. Автор: Shiro Hayano,Kazuyoshi Nishiyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Memory system, method, and control circuit

Номер патента: US20240095193A1. Автор: Tomoaki Suzuki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Centralized access control circuit for controlling access to peripherals

Номер патента: US20220066839A1. Автор: Vikas Agarwal,Ankur Behl. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Degradation compensating pixel circuit and organic light emitting diode display device including the same

Номер патента: US09552796B2. Автор: Young-In Hwang,Yong-sung Park,Chul-Kyu Kang,Tak-Young Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

TRANSISTOR TESTING CIRCUIT AND METHOD THEREOF, SEMICONDUCTOR MEMORY APPARATUS AND SEMICONDUCTOR APPARATUS

Номер патента: US20160216313A1. Автор: Ogawa Akira. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-28.

Shutter time control circuit

Номер патента: US4462673A. Автор: Nobuyuki SUZUKI,Masanori Uchidoi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1984-07-31.

SEMICONDUCTOR CHIP, METHOD OF MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR CHIP, AND SEMICONDUCTOR PACKAGE AND DISPLAY APPARATUS INCLUDING THE SEMICONDUCTOR CHIP

Номер патента: US20170148742A1. Автор: Kim Myoung-Soo. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-25.

Active vibration noise control device and active vibration noise control circuit

Номер патента: JP6535765B2. Автор: 敏郎 井上,井上　敏郎,修 寺島. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-26.

Display device capable of controlling viewing angle and method for driving the same

Номер патента: US10192475B2. Автор: Hyeonho Son,Seungchul Lee,Seonghwan JU,Sungmin Jung. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-29.

Video data correction circuit, control circuit of display device, and display device and electronic apparatus incorporating the same

Номер патента: US7663576B2. Автор: Tadafumi Ozaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2010-02-16.

Video data correction circuit, control circuit of display device, and display device and electronic apparatus incorporating the same

Номер патента: KR101148179B1. Автор: 타다푸미 오자키. Владелец: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼. Дата публикации: 2012-05-23.

Oscillation circuit, electronic circuit using the same, and semiconductor device, electronic equipment, and timepiece using the same

Номер патента: EP0851323A1. Автор: Hiroshi Yabe,Tadao Kadowaki,Yoshiki Makiuchi,Shinji Nakamiya. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 1998-07-01.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND ELECTRONIC SYSTEM THE SAME

Номер патента: US20210019076A1. Автор: Kim JaeGon,Ko Sangsoo,Kim Byeoungsu,Ha Sanghyuck,KIM Kyoungyoung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-01-21.

Test handler and semiconductor device loading and unloading method thereof the same

Номер патента: KR101327455B1. Автор: 김양희,권세민,전상표. Владелец: 세메스 주식회사. Дата публикации: 2013-11-11.

Semiconductor memory and method for controlling the same

Номер патента: CN1967720A. Автор: 岩成俊一,小关隆夫,在田盟,山冈邦史. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-23.

Control circuit of display device, and display device and electronic appliance incorporating the same

Номер патента: CN1979620B. Автор: 远藤正己. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-04.

Arithmetic circuit, and neural processing unit and electronic apparatus including the same

Номер патента: US20210064339A1. Автор: Wook Kim,Yonghwan Kim,Sungju RYU,Jaejoon Kim. Владелец: POSTECH Research and Business Development Foundation. Дата публикации: 2021-03-04.

POSITIVE-TYPE PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, CURED FILM, PROTECTIVE FILM, INSULATING FILM, AND SEMICONDUCTOR DEVICE AND DISPLAY DEVICE INCLUDING THE CURED FILM

Номер патента: US20130280654A1. Автор: TAKAHASHI Yasunori,SUGIYAMA Hiromichi. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-24.

Mass flow control system, and semiconductor manufacturing equipment and vaporizer including the system

Номер патента: US11550341B2. Автор: Mamoru Ishii. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2023-01-10.

Degradation compensating pixel circuit and organic light emitting diode display device including the same

Номер патента: US20160063943A1. Автор: Young-In Hwang,Yong-sung Park,Chul-Kyu Kang,Tak-Young Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

ARITHMETIC CIRCUIT, AND NEURAL PROCESSING UNIT AND ELECTRONIC APPARATUS INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20210064339A1. Автор: Kim Jaejoon,KIM Wook,RYU Sungju,KIM Yonghwan. Владелец: POSTECH Research and Business Development Foundation. Дата публикации: 2021-03-04.

PIXEL CIRCUIT AND ORGANIC LIGHT-EMITTING DIODE (OLED) DISPLAY INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20150364106A1. Автор: Kwak Won-Kyu,Kim Hyung-Soo. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-17.

TOUCH CONTROLLER FOR DRIVING TOUCH SCREEN INCLUDING FINGERPRINT SENSING ARRAY, DRIVING INTEGRATED CIRCUIT, AND METHOD OF OPERATING TOUCH SCREEN DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20180348949A1. Автор: Park Seong-Il,CHOI Yoon-kyung,KIM SUN-KWON,KIM Min-Gyu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2018-12-06.

Gate driving circuit and touch type liquid crystal display device including the same

Номер патента: KR102138318B1. Автор: 조성호,문수환. Владелец: 엘지디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2020-08-13.

Pixel circuit and organic light-emitting diode (OLED) display including the same

Номер патента: US9691348B2. Автор: Won-Kyu Kwak,Hyung-Soo Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Driving circuit and organic light emitting diode display device including the same

Номер патента: EP1921750B1. Автор: Yong-Sung Legal & IP Team Samsung SDI Co. LTD.. Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-13.

Driving method for mini led backlight module, driving circuit and display device

Номер патента: US20230360613A1. Автор: Zhao Wang,Jinfeng Liu. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Circuits and methods of testing a device under test using the same

Номер патента: US09772366B2. Автор: Chi-Feng Huang,Chia-Chung Chen,Victor Chiang Liang,Shuo-Chun Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

ADDRESS SEARCH CIRCUIT AND METHOD OF SEMICONDUCTOR MEMORY APPARATUS AND CONTROLLER THEREFOR

Номер патента: US20210064622A1. Автор: LEE Dong Sop,LEE Joung Young. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-04.

SOURCE DRIVE CIRCUIT, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY PANEL AND METHOD OF DRIVING THE SAME

Номер патента: US20190012969A1. Автор: JI Feilin. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-10.

CIRCUITS AND METHODS OF TESTING A DEVICE UNDER TEST USING THE SAME

Номер патента: US20160252558A1. Автор: CHEN Chia-Chung,Liang Victor Chiang,Huang Chi-Feng,CHOU SHUO-CHUN. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-01.

Gate driving circuit and display device having in-cell touch sensor using the same

Номер патента: KR102484184B1. Автор: 이정현,김연경. Владелец: 엘지디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2023-01-04.

Gate driving circuit and display device having in-cell touch sensor using the same

Номер патента: KR102490159B1. Автор: 이정현,김연경,문태웅. Владелец: 엘지디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2023-01-20.

Semiconductor integrated circuit and method of saving and restoring internal state of the same

Номер патента: EP2199813A1. Автор: Tatsuya Kawasaki,Tsuneki Sasaki,Shuichi Kunie. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-06-23.

Image processing method and processing circuit and image processing system and image capturing device using the same

Номер патента: TWI455579B. Автор: Hikaru Masui. Владелец: Ability Entpr Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-01.

Semiconductor integrated circuit and method of saving and restoring internal state of the same

Номер патента: KR101127786B1. Автор: 다츠야 가와사키,츠네키 사사키,슈이치 구니에. Владелец: 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤. Дата публикации: 2012-03-27.

Data driving circuits and driving methods of organic light emitting displays using the same

Номер патента: US20070024542A1. Автор: Oh Kwon,Hong Kim,Bo Chung,Do Ryu. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2007-02-01.

Data driving circuits and driving methods of organic light emitting displays using the same

Номер патента: CN1909042A. Автор: 权五敬,柳道亨,金烘权,郑宝容. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2007-02-07.

Discharging circuit and driving circuit of liquid crystal display panel using the same

Номер патента: US20060267906A1. Автор: De-Ching Shie. Владелец: Innolux Display Corp. Дата публикации: 2006-11-30.

Light sensor circuit and driving method thereof and touch screen panel having the same

Номер патента: TWI432829B. Автор: Tae-Jin Kim,Brent Jang,Do-youb Kim,Soon-Sung Ahn,Yong-sung Park,Ki-Ju Im,Deok-Young Choi,In-Ho Choi,Joo-Hyeon Jeong. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-01.

Integrated circuit with battery serving as power source having CMOS analog and digital circuits and regulated stepped up voltage source

Номер патента: US5107138A. Автор: Hiroyuki Saito,Yoichi Seki,Michio Taniwaki,Teruyo Hayakawa. Владелец: Seikosha KK. Дата публикации: 1992-04-21.

Systems, methods and computer program products for obtaining an effective pattern density of a layer in an integrated circuit, and for simulating a chemical-mechanical polishing process using the same

Номер патента: US6484300B1. Автор: Yoo-hyon Kim,Kwang-jai Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-11-19.

Pulse production circuit and circuit for realizing liquid crystal gray scale using the same

Номер патента: CN100578935C. Автор: 何剑,赵琮,文冠果,何刚跃. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2010-01-06.

Gray reference voltage supply circuit and driving circuit for flat panel display device using the same

Номер патента: KR101056961B1. Автор: 정준관. Владелец: 엘지디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2011-08-16.

Data driving circuits and driving methods of organic light emitting displays using the same

Номер патента: EP1758085A3. Автор: Bo Yong Samsung SDI Co. Ltd. Chung,Do Hyung Samsung SDI Co. Ltd. Ryu,Oh Kyong Samsung SDI Co. Ltd. Kwon,Hong Kwon Samsung SDI Co. Ltd. Kim. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2007-09-12.

Light sensor circuit and driving method thereof and touch screen panel having the same

Номер патента: EP2306519A1. Автор: Tae-Jin Kim,Brent Jang,Do-youb Kim,Soon-Sung Ahn,Yong-sung Park,Ki-Ju Im,Deok-Young Choi,In-Ho Choi,Joo-Hyeon Jeong. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-06.

Data driving circuit and driving method of organic light emitting display using the same

Номер патента: KR100662985B1. Автор: 박용성,권오경. Владелец: 삼성에스디아이 주식회사. Дата публикации: 2006-12-28.

Circuits and methods for controlling supercapacitors and kits for providing the same

Номер патента: US8400026B2. Автор: Kyoungsub Oh,Kwangsoo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-03-19.

Circuits and methods of testing a device under test using the same

Номер патента: US20160252558A1. Автор: Chi-Feng Huang,Chia-Chung Chen,Victor Chiang Liang,Shuo-Chun Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-01.

Digital-analog converter circuit and liquid crystal display device and electronic device using the same

Номер патента: TWI368068B. Автор: Keitaro Yamashita. Владелец: Chimei Innolux Corp. Дата публикации: 2012-07-11.

Storage medium having electronic circuit and information managing method and information processing system using the same medium

Номер патента: TW495704B. Автор: Takashi Shigetomi,Tetsuo Saito,Eiji Yokota. Владелец: Optrom Inc. Дата публикации: 2002-07-21.

Current sensing circuit and the organic light emitting diode display including the circuit

Номер патента: CN105702209B. Автор: 梁峻赫,金相润. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-19.

Apparatus and method for testing an interconnect circuit and method for manufacturing a semiconductor device including the test method

Номер патента: US20190113565A1. Автор: Jae-Hong Kim,Kyung-Min Lee,Sung-Yeol Kim,Mee-Hyun Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-18.

Circuit module for modelling a digital circuit and device for simulating a digital ciruit including the circuit module

Номер патента: KR20200005832A. Автор: 김영준,김재하,백승헌,손세욱. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2020-01-17.

Apparatus of semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200118976A1. Автор: Jung Seok AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-16.

Semiconductor memory device, method for fabricating the same and electronic system including the same

Номер патента: US20240357824A1. Автор: Won Jun Park,Dong Hwa Lee,Jae Min Jung,Dong Sung CHOI,Byong Ju KIM,Chang Heon CHEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor memory device, method for manufacturing the same and electronic system including the same

Номер патента: US20240147739A1. Автор: Hyun-mook CHOI,Ji Hong Kim,Tae-Seok Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor memory device, method for fabricating the same and electronic system including the same

Номер патента: US20240179910A1. Автор: Ji Won Kim,Jun Hyoung KIM,Ah Reum Lee,Suk Kang SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-30.

Three-dimensional (3d) semiconductor memory device, method of manufacturing the same, and electronic system including the same

Номер патента: US20240324205A1. Автор: Jae-Hwang Sim,Shinhwan Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140264227A1. Автор: Riichiro Shirota,Masahiro Kiyotoshi,Yoshio Ozawa,Akihito Yamamoto,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160351621A1. Автор: Riichiro Shirota,Masahiro Kiyotoshi,Yoshio Ozawa,Akihito Yamamoto,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-01.

Semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190006419A1. Автор: Riichiro Shirota,Masahiro Kiyotoshi,Yoshio Ozawa,Akihito Yamamoto,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-01-03.

Semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210351235A1. Автор: Riichiro Shirota,Masahiro Kiyotoshi,Yoshio Ozawa,Akihito Yamamoto,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Nonvolatile semiconductor memory device, method of manufacturing the same, and method of measuring the same

Номер патента: US09548315B2. Автор: Tadashi Iguchi,Megumi Ishiduki,Yoshihiro Yanai,Yoichi MINEMURA,Takuya INATSUKA,Murato Kawai,Takuya MIZUTANI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Non-volatile semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050161730A1. Автор: Hideo Kurihara,Satoshi Shinozaki,Mitsuteru Iijima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-07-28.

Non-volatile semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060249771A1. Автор: Hideo Kurihara,Satoshi Shinozaki,Mitsuteru Iijima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-11-09.

Semiconductor memory and fabrication method for the same

Номер патента: US8183620B2. Автор: Masato Endo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-05-22.

Semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040147075A1. Автор: Masayoshi Sasaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-29.

Power supply apparatus and semiconductor manufacturing equipment, transport system including the same

Номер патента: US20240014059A1. Автор: Sang Oh Kim,Wan Hee JEONG,Chan Young Choi,Hee Jae Byun. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor memory device, method for fabricating the same and electronic system including the same

Номер патента: EP4380332A1. Автор: Ji Won Kim,Jun Hyoung KIM,Ah Reum Lee,Suk Kang SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-05.

Semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US11937437B2. Автор: Riichiro Shirota,Masahiro Kiyotoshi,Yoshio Ozawa,Akihito Yamamoto,Fumitaka Arai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240188307A1. Автор: Riichiro Shirota,Masahiro Kiyotoshi,Yoshio Ozawa,Akihito Yamamoto,Fumitaka Arai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor memory and process for fabricating the same

Номер патента: US20040079982A1. Автор: Hidemitsu Mori,Koichi Takemura,Sota Shinohara,Yasuhiro Tsujita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-29.

Semiconductor memory and method of fabricating the same

Номер патента: US20060091422A1. Автор: Masahiko Higashi,Hiroshi Murai. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2006-05-04.

Semiconductor memory and method of fabricating the same

Номер патента: US7736953B2. Автор: Masahiko Higashi,Hiroshi Murai. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2010-06-15.

Nonvolatile semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110217831A1. Автор: Takeshi Kikuchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-09-08.

Nonvolatile semiconductor memory and manufacturing method for the same

Номер патента: US20060255396A1. Автор: Akiko Nara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-11-16.

Nonvolatile semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080203481A1. Автор: Hiroshi Akahori,Wakako Takeuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-28.

Nonvolatile semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110020995A1. Автор: Hiroshi Akahori,Wakako Takeuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-27.

Nonvolatile semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US7829950B2. Автор: Hiroshi Akahori,Wakako Takeuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-11-09.

Semiconductor memory and driving method for the same

Номер патента: US20070063238A1. Автор: Yoshihisa Kato,Shinzo Koyama,Kazuhiro Kaibara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-22.

Semiconductor memory and method for fabricating the same

Номер патента: US6642564B2. Автор: Yoshihiro Mori,Hisashi Ogawa,Akihiko Tsuzumitani. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-04.

Ferroelectric material, method of manufacturing the same, semiconductor memory, and method of manufacturing the same

Номер патента: CA2238857C. Автор: Akira Kamisawa,Norifumi Fujimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-11-19.

Semiconductor memory and method of producing the same

Номер патента: US20020079532A1. Автор: Akinori Kinugasa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-06-27.

Semiconductor memory and method for fabricating the same

Номер патента: US6426527B1. Автор: Tomohiko Higashino. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-07-30.

Nonvolatile semiconductor memory and manufacturing method for the same

Номер патента: US20050003619A1. Автор: Hiroki Yamashita,Masayuki Tanaka,Yoshio Ozawa,Ichiro Mizushima,Atsuhiro Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-01-06.

Semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US4788580A. Автор: Kazutami Arimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1988-11-29.

Semiconductor Memory and Method of Making The Same

Номер патента: US20240224497A1. Автор: Zhongming Liu,Yexiao Yu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Grounded-emitter circuit, and high-frequency receiver and high-frequency transmitter using the same

Номер патента: US20050070244A1. Автор: Shoji Sakurai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-03-31.

Grounded-emitter circuit, and high-frequency receiver and high-frequency transmitter using the same

Номер патента: US7346324B2. Автор: Shoji Sakurai. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2008-03-18.

Circuit and Method for Controlling Rectifier, and Circuit Including the Rectifier

Номер патента: US20230402932A1. Автор: Ying Cao,Donghao LI,Jiashen TIAN,Huajuan XIAO. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2023-12-14.

Circuit and method for controlling rectifier, and circuit including the rectifier

Номер патента: EP4241374A1. Автор: Ying Cao,Donghao LI,Jiashen TIAN,Huajuan XIAO. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2023-09-13.

Information processing device including host device and semiconductor memory device having a block rearrangement to secure free blocks

Номер патента: US09870155B2. Автор: Kenichi Maeda,Atsushi Kunimatsu. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Information processing device including host device and semiconductor memory device having a plurality of address conversion information

Номер патента: US09542117B2. Автор: Kenichi Maeda,Atsushi Kunimatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

System on chip including secure processor and semiconductor system including the same

Номер патента: US12135829B2. Автор: Keun Young Park,Ji Hyun Kim,Dong Jin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-05.

Video decoding apparatus using frame cache and video decoding method performed by the same

Номер патента: US20150201205A1. Автор: Jae Jin Lee. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2015-07-16.

Controller which controls operation of nonvolatile semiconductor memory and semiconductor memory device including nonvolatile semiconductor memory and controller therefore

Номер патента: US20100241791A1. Автор: Seiichi Tomita,Tarou Iwashiro,Takahide Nishiyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-09-23.

Reset signal generating circuit and semiconductor integrated circuit including the same

Номер патента: US20130069698A1. Автор: Masaya Fukazawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

Detection unit, semiconductor film layer inspection apparatus including the same, and semiconductor film layer inspection method using the same

Номер патента: US12032012B1. Автор: Kook Chul Moon. Владелец: En Vigth Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Detection unit, semiconductor film layer inspection apparatus including the same, and semiconductor film layer inspection method using the same

Номер патента: US20240219446A1. Автор: Kook Chul Moon. Владелец: Envigth Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor memory apparatus and electronic system having the same

Номер патента: US20160026396A1. Автор: Hae Chan PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-01-28.

Integrated circuit and address mapping method for cache memory

Номер патента: US20210224193A1. Автор: Shih-Lien Linus Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Bonding wire for semiconductor package and semiconductor package including same

Номер патента: US09735331B2. Автор: Il Woo Park,Chang Bun Yoon,Soo Moon Park,Mi Hwa YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-15.

Application processor and semiconductor system including the same

Номер патента: US10268621B2. Автор: Sang-Hoon Lee,Kwang-Hee Lee,Byoung-Sul Kim,Sung-Taek HONG,Kwan-Yong Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-23.

Application processor and semiconductor system including the same

Номер патента: US20160110131A1. Автор: Sang-Hoon Lee,Kwang-Hee Lee,Byoung-Sul Kim,Sung-Taek HONG,Kwan-Yong Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-04-21.

Address decoder for programmable logic device

Номер патента: US6937061B1. Автор: Roger May,Andrew Draper,Andrew Crosland,Edward Flaherty,Stephane Cauneau. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2005-08-30.

Semiconductor device employing closed loop and open loop DVFS control and semiconductor system including the same

Номер патента: US09671847B2. Автор: Je-kook Kim,Young-Hoon Lee,Min-Shik Seok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Integrated circuit and address mapping method for cache memory

Номер патента: US20180150398A1. Автор: Shih-Lien Linus Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-31.

Data driving circuit, display device including the same, and method of driving the same

Номер патента: US20240282235A1. Автор: Jae Han Lee,Won Tae Kim,Bo Yeon Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

System memory address decoding for interleaving addresses across physical regions of a system-on-chip (soc) and across shared memory resources in a processor-based system

Номер патента: WO2024196846A1. Автор: Keith Robert Pflederer. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-09-26.

System memory address decoding for interleaving addresses across physical regions of a system-on-chip (soc) and across shared memory resources in a processor-based system

Номер патента: US20240320140A1. Автор: Keith Robert Pflederer. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Data driving circuit, display device including the same, and method of driving the same

Номер патента: US12148348B2. Автор: Jae Han Lee,Won Tae Kim,Bo Yeon Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

Control circuit for an interface between a PCI bus and a module bus

Номер патента: US5805844A. Автор: Jay W. Gustin,Michael L. Hodge. Владелец: Honeywell Inc. Дата публикации: 1998-09-08.

Bus interface control circuit

Номер патента: CA2266076C. Автор: Jay W. Gustin,Michael L. Hodge. Владелец: Honeywell Inc. Дата публикации: 2006-01-31.

Error detection device for an address decoder, and device for error detection for an address decoder

Номер патента: US7870473B2. Автор: Jorge Guajardo Merchan,Steffen Marc Sonnekalb,Michael Goessel,Franz Klug. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2011-01-11.

Data reading and writing processing from and to a semiconductor memory and a memory of a host device by using first and second interface circuits

Номер патента: US11868618B2. Автор: Kenichi Maeda,Atsushi Kunimatsu. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Reticle fabrication method and semiconductor device fabrication method including the same

Номер патента: US20210165333A1. Автор: Sangwook Kim,Jaewon Yang,Woo-Yong Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-03.

Sensor device and semiconductor device

Номер патента: US11997910B2. Автор: Takashi Nakagawa,Takayuki Ikeda,Takahiro Fukutome. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Data reading method for semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US20090077337A1. Автор: Daisuke Oda. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-19.

Power on/off reset circuit and reset signal generating circuit including the same

Номер патента: US20180337672A1. Автор: Jin-woo Kim,Yong-joo SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-11-22.

Pixel, method for driving the same, and display device including the same

Номер патента: US20240249668A1. Автор: Hyun Joon Kim,Seon Young Choi,Min Kyu Woo,Bon Yong Koo. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor integrated circuit, system device including semiconductor integrated circuit, and semiconductor integrated circuit control method

Номер патента: WO2008029903A1. Автор: Mitsushige Baba. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2008-03-13.

Touch panel control circuit and semiconductor integrated circuit using the same

Номер патента: US09811219B2. Автор: Takayuki Noto. Владелец: Synaptics Japan GK. Дата публикации: 2017-11-07.

Contact probe and semiconductor element socket provided with same

Номер патента: US09684031B2. Автор: Takeyuki Suzuki,Katsumi Suzuki. Владелец: Yamaichi Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Operational amplifying circuit and semiconductor device comprising the same

Номер патента: US09628034B2. Автор: Jin-soo Kim,Seung-Hwan Baek,Ji-Yong Jeong,Ha-Joon SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Controller for controlling non-volatile memory and semiconductor device including the same

Номер патента: US09465747B2. Автор: Jong Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Touch panel control circuit and semiconductor integrated circuit using the same

Номер патента: US09437169B2. Автор: Takayuki Noto,Akihito Akai. Владелец: Synpatics Japan Gk. Дата публикации: 2016-09-06.

Magnetic secure transmission (mst) device, mst system and controller including the same

Номер патента: US20200019955A1. Автор: Sang-Hee Kang,Sung-woo Lee,Hyoung-Seok Oh,Dae-Woong CHO,Jung-Wook HEO,Kwang-chan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-16.

Gate driving circuit and display apparatus including the same

Номер патента: US20240257724A1. Автор: Taesang Kim,Eok Su Kim,Jongdo KEUM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Asymmetric nand gate circuit, clock gating cell and integrated circuit including the same

Номер патента: EP4366170A3. Автор: Byounggon Kang,Dalhee Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-31.

Panel control circuit and display device including the same

Номер патента: US20210358370A1. Автор: Yeon Kyoung PARK,Hyoung Kyu Kim,Dae Young YOO. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Control circuit and display device including the same

Номер патента: US10043467B2. Автор: Xiaoyu Huang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-07.

Scan driver and display device including the same

Номер патента: US20240265847A1. Автор: Kyungho Kim,Gichang Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Multi-chip package device including a semiconductor memory chip

Номер патента: US20040061516A1. Автор: Nobukazu Murata. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-01.

Timer circuit and signal processing circuit including the same

Номер патента: US20080089462A1. Автор: Shin-ichiro Tomisawa. Владелец: Sanyo Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-17.

Image sensor for distance measurement and camera module including the same

Номер патента: US20240276112A1. Автор: Younggu Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Image sensor for distance measurement and camera module including the same

Номер патента: EP4418004A1. Автор: Younggu Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-21.

Gate driving circuit and display apparatus including the same

Номер патента: US20240312391A1. Автор: Kyungho Kim,Sang Yong NO,Gichang Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Current reference circuit and semiconductor integrated circuit including the same

Номер патента: US09996100B2. Автор: Ho-Young Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Processor that has its operating frequency controlled in view of power consumption during operation and semiconductor device including the same

Номер патента: US09829952B2. Автор: Se-Ho Kim,Young-Gwan Kim,Chan-Wook Park,Jung-min Oh,Taek-Hyun Kim,I-Saac Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor memory device, memory system including the same, and operating method thereof

Номер патента: US09529536B2. Автор: Hong-Sik Kim,Young-Ook SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Apparatus and method for handling address decoding in a system-on-chip

Номер патента: US20200151124A1. Автор: Tessil Thomas. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2020-05-14.

Flexible provisioning of coherent memory address decoders in hardware

Номер патента: US20230367492A1. Автор: Anand K. Enamandram,Ritu GUPTA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor integrated circuit device and semiconductor system including the same

Номер патента: US20230370060A1. Автор: Seung Ho Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor devices and semiconductor systems including the same

Номер патента: US20210141691A1. Автор: Choung Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-05-13.

Memory controller, method of controlling the same, and semiconductor memory device having both

Номер патента: US20160196209A1. Автор: Jungug Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-07.

An apparatus and method for handling address decoding in a system-on-chip

Номер патента: EP3881192A1. Автор: Tessil Thomas. Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2021-09-22.

Current source device for electrostatic discharge and display device including the same

Номер патента: EP4383242A1. Автор: Ji Hwan Kim,Min Cheol Kong. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-12.

Voltage generating circuit and semiconductor device for suppressing leakage current

Номер патента: US12032396B2. Автор: Hiroki Murakami. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Receiver, interface circuit including the same, and method of operating receiver

Номер патента: US20240223233A1. Автор: Youngho Choi,Kyeongjoon Ko,Donghyuk LIM,Dasom PARK,Byoungjoo Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Receiver, interface circuit including the same, and method of operating receiver

Номер патента: EP4398119A1. Автор: Youngho Choi,Kyeongjoon Ko,Donghyuk LIM,Dasom PARK,Byoungjoo Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-10.

Scan signal driver and display device including the same

Номер патента: US12033585B1. Автор: Kyung Ho Kim,Gi Chang Lee,Sang Yong NO,Kee Chan Park,Yi Kyoung YOU. Владелец: University Industry Cooperation Corporation of Konkuk University. Дата публикации: 2024-07-09.

Scan signal driver and display device including the same

Номер патента: US20240221676A1. Автор: Kyung Ho Kim,Gi Chang Lee,Sang Yong NO,Kee Chan Park,Yi Kyoung YOU. Владелец: University Industry Cooperation Corporation of Konkuk University. Дата публикации: 2024-07-04.

Voltage divider circuit and semiconductor device

Номер патента: US20110227635A1. Автор: Kenji Yoshida,Kazuaki Hashimoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-22.

Composition for hardmask, method of forming patterns using the same, and semiconductor integrated circuit device including the patterns

Номер патента: US9244351B2. Автор: Young-Min Kim,Yong-Woon YOON,Sung-Jae Lee,Joon-Young Moon,Youn-Jin Cho. Владелец: Cheil Industries Inc. Дата публикации: 2016-01-26.

Current source device for electrostatic discharge and display device including the same

Номер патента: US20240196498A1. Автор: Ji Hwan Kim,Min Cheol Kong. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Dc-dc converter and semiconductor device

Номер патента: US20150035514A1. Автор: Kei Takahashi,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-05.

Dc-dc converter and semiconductor device

Номер патента: US20160285369A1. Автор: Kei Takahashi,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-29.

Semiconductor structure preparation method, semiconductor structure, and semiconductor memory

Номер патента: EP4177934A1. Автор: Pan Yuan,Xiaojie Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-10.

Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting device package including the same

Номер патента: US09508697B2. Автор: Jung Kyu Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device and semiconductor apparatus and electronic apparatus including the same

Номер патента: US20240234031A1. Автор: Jooho Lee,Narae HAN,Cheheung KIM,Beomseok Kim,Haeryong Kim,Jeonggyu SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor structure preparation method, semiconductor structure and semiconductor memory

Номер патента: US20230031509A1. Автор: Pan Yuan,Xiaojie Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-02.

Electronic switch control circuits for solar lighting systems and methods for controlling the same

Номер патента: US20190364652A1. Автор: Hao Wu,Weihua Li. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-11-28.

Electronic switch control circuits for solar lighting systems and methods for controlling the same

Номер патента: US11368042B2. Автор: Hao Wu,Weihua Li. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-06-21.

Method of cleaning semiconductor substrate, and method of manufacturing semiconductor device and semiconductor substrate processing apparatus for use in the same

Номер патента: US20060046500A1. Автор: MAKOTO Miyamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-03-02.

Metallization stack and semiconductor device and electronic device including the same

Номер патента: US09953923B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor devices and package substrates having pillars and semiconductor packages and package stack structures having the same

Номер патента: US20160049377A1. Автор: Tae-Hyeong Kim,Tae-Je Cho,Sun-Kyoung SEO,Ji-Hwang KIM,Yeong-kwon Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-18.

Semiconductor devices and package substrates having pillars and semiconductor packages and package stack structures having the same

Номер патента: US09449930B2. Автор: Tae-Hyeong Kim,Tae-Je Cho,Sun-Kyoung SEO,Ji-Hwang KIM,Yeong-kwon Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-20.

Electronic apparatus, control circuit, and transmission control method

Номер патента: EP4358589A1. Автор: Weihua Li,Zhan Guo,Yanjie Gu,Zichen XIE. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-24.

Heating control circuit for induction cooking appliance, and induction cooking appliance

Номер патента: EP3678454A1. Автор: Xianguang Zeng,Youzhi Zhang. Владелец: Guangdong Midea Kitchen Appliances Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-08.

Substrate and semiconductor device package and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210327815A1. Автор: Shin-Luh Tarng,Ian HU. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Handle substrate, composite substrate for semiconductor, and semiconductor circuit board and method for manufacturing the same

Номер патента: US09425083B2. Автор: Akiyoshi Ide,Hirokazu Nakanishi,Yasunori Iwasaki,Sugio Miyazawa,Tatsuro Takagaki. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device housing package, and semiconductor apparatus and electronic apparatus including the same

Номер патента: US20140008780A1. Автор: Mahiro Tsujino,Manabu Miyahara. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2014-01-09.

A semiconductor memory device, method of fabricating the same, and devices employing the semiconductor memory device

Номер патента: TW200840056A. Автор: Choong-ho Lee,Kyu-Charn Park,Byung-Kyu Cho,Se-Hoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-10-01.

Nonvolatile semiconductor memory and manufacturing method for the same

Номер патента: US20060054957A1. Автор: Masayuki Tanaka,Yoshio Ozawa,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-03-16.

Nonvolatile semiconductor memory and manufacturing method for the same

Номер патента: US20060060927A1. Автор: Masayuki Tanaka,Yoshio Ozawa,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-03-23.

Integrated circuit devices having a control circuit for biasing an amplifier output stage and methods of operating the same

Номер патента: TWI299942B. Автор: Kyu-Young Chung,Jae-Hyuck Woo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-11.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND ELECTRONIC DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20190074363A1. Автор: Zhu Huilong. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-07.

Semiconductor memory devices, methods for fabricating the same and electronic systems including the same

Номер патента: US20220189876A1. Автор: Geun Won Lim,Beyoung Hyun Koh,Yong Jin Kwon,Joong Shik Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-16.

Semiconductor memory device, method for fabricating the same and electronic system including the same

Номер патента: KR20220085146A. Автор: 신중식,권용진,고병현,임근원. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-06-22.

Semiconductor memory device, method of manufacturing the same, and electronic device including the same

Номер патента: US11626498B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-04-11.

Semiconductor memory device, method of manufacturing the same, and electronic device including the same

Номер патента: US20230110504A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2023-04-13.

SEMICONDUCTOR DEVICE HOUSING PACKAGE, AND SEMICONDUCTOR APPARATUS AND ELECTRONIC APPARATUS INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20140008780A1. Автор: Tsujino Mahiro,Miyahara Manabu. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-09.

Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting device package including the same

Номер патента: US20160133615A1. Автор: Jung Kyu Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-12.

Submounts for semiconductor light emitting device packages and semiconductor light emitting device packages including the same

Номер патента: EP2011163A2. Автор: Bernd Keller,Nicholas W. Medendorp, JR.,Ban P. Loh. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2009-01-07.

Submounts for semiconductor light emitting device packages and semiconductor light emitting device packages including the same

Номер патента: WO2007126720A3. Автор: Bernd Keller,Nicholas W Medendorp Jr,Ban P Loh. Владелец: Ban P Loh. Дата публикации: 2008-01-03.

Metallization stack and semiconductor device and electronic device including the same

Номер патента: US20170271257A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor chip including align mark protection pattern and semiconductor package including semiconductor chip including the align mark protection pattern

Номер патента: US20230154860A1. Автор: Hyun Chul Seo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Die surface treatment apparatus and die bonding system including the same

Номер патента: US20230343740A1. Автор: Ji Hoon Park,Min Young Kim,Hang Lim LEE. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: TW469636B. Автор: Hiroaki Nishimura,Jiro Matsufusa,Tomoharu Mametani,Yukihiro Nagai,Youji Nakata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-12-21.

Deadlock recovery circuit and deadlock recovery method, and pll circuit including the same

Номер патента: US20240235562A1. Автор: Chel Ho Chung,Gil Sung ROH. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory and manufacturing method of the same

Номер патента: TW469564B. Автор: Takao Tanaka. Владелец: Nippon Electric Co. Дата публикации: 2001-12-21.

Non-volatile semiconductor memory and process of fabricating the same

Номер патента: TWI276217B. Автор: Naoki Ueda,Yoshimitsu Yamauchi,Yasuhiro Sugita. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2007-03-11.

Non-volatile semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: TW200306011A. Автор: Hideo Kurihara,Satoshi Shinozaki,Mitsuteru Iijima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-11-01.

Lead pin for package substrate and semiconductor package printed circuit board including the same

Номер патента: US20120153473A1. Автор: Sang Yul Lee. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2012-06-21.

Handle Substrate, Composite Substrate for Semiconductor, and Semiconductor Circuit Board and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20160005643A1. Автор: Iwasaki Yasunori,Nakanishi Hirokazu,MIYAZAWA Sugio,TAKAGAKI Tatsuro,Ide Akiyoshi. Владелец: NGK Insulators, Ltd.. Дата публикации: 2016-01-07.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND PACKAGE SUBSTRATES HAVING PILLARS AND SEMICONDUCTOR PACKAGES AND PACKAGE STACK STRUCTURES HAVING THE SAME

Номер патента: US20160049377A1. Автор: CHO Tae-Je,Kim Tae-Hyeong,KIM Ji-Hwang,Seo Sun-kyoung,Ko Yeong-kwon. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-18.

SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND SEMICONDUCTOR PACKAGING DEVICE, AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20180254240A1. Автор: Lee Chih-Cheng,TSAI Li Chuan. Владелец: ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING, INC.. Дата публикации: 2018-09-06.

Metallization stack and semiconductor device and electronic device including the same

Номер патента: US20170271257A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-09-21.

Nitride semiconductor stacked structure and semiconductor optical device, and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20090008659A1. Автор: Masayoshi Takemi,Nobuyuki Tomita,Akihito Ohno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2009-01-08.

Nitride semiconductor stacked structure and semiconductor optical device, and methods for manufacturing the same

Номер патента: TW200908492A. Автор: Masayoshi Takemi,Nobuyuki Tomita,Akihito Ohno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2009-02-16.

Semiconductor device and semiconductor wafer and a method for manufacturing the same

Номер патента: CN100463172C. Автор: 栗田洋一郎. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2009-02-18.

Semiconductor package and semiconductor device and the method of making the same

Номер патента: TWI336502B. Автор: Chi Chih Chu,Cheng Yin Lee,Chien Pao Huei Chang,Yenyi Wu,Wei Yueh Sung,Gwo Liang Weng. Владелец: Advanced Semiconductor Eng. Дата публикации: 2011-01-21.

Semiconductor package and semiconductor device and the method of making the same

Номер патента: TW200816330A. Автор: Cheng-Yin Lee,Chi Chih Chu,Gwo-Liang Weng,Yen-Yi Wu,Wei-Yueh Sung,Pao-Hei Changchin. Владелец: Advanced Semiconductor Eng. Дата публикации: 2008-04-01.

Nonvolatile semiconductor memory and method for manufacturing the same

Номер патента: US6080624A. Автор: Seiichi Aritome,Eiji Kamiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-06-27.

Control circuit for low noise frequency agile oscillator

Номер патента: CA1196395A. Автор: Richard A. Campbell. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 1985-11-05.

Method for fabricating the semiconductor memory device

Номер патента: US20240188298A1. Автор: Yu Jeong Lee,Gil Bok CHOI,Dae Hwan YUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD OF MEASURING THE SAME

Номер патента: US20160315094A1. Автор: ISHIDUKI Megumi,Minemura Yoichi,Iguchi Tadashi,KAWAI Murato,Yanai Yoshihiro,INATSUKA Takuya,MIZUTANI Takuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2016-10-27.

Semiconductor memory device, method of manufacturing the same and method of driving the same

Номер патента: KR100441788B1. Автор: 미이다다카시. Владелец: 이노텍 가부시기가이샤. Дата публикации: 2004-07-27.

Telephone subscriber's loop power control circuit

Номер патента: CA1116330A. Автор: Larry M. Tiedt. Владелец: GTE Automatic Electric Laboratories Inc. Дата публикации: 1982-01-12.

Control circuit, control method and semiconductor processing equipment

Номер патента: CN112901468B. Автор: 刘畅,文莉辉,荣延栋. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-22.

Control circuit, control method and semiconductor processing equipment

Номер патента: CN112901468A. Автор: 刘畅,文莉辉,荣延栋. Владелец: Beijing Naura Microelectronics Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-04.

Semiconductor memory device, method of manufacturing the same and method of forming contact structure

Номер патента: US20120299189A1. Автор: Shingo Nakajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-11-29.

SEMICONDUCTOR MEMORY AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20190006419A1. Автор: Kiyotoshi Masahiro,ARAI Fumitaka,Yamamoto Akihito,Shirota Riichiro,Ozawa Yoshio. Владелец: Toshiba Memory Corporation. Дата публикации: 2019-01-03.

Semiconductor Memory Device And Method Making The Same

Номер патента: US20220139925A1. Автор: Su Mao-Hua. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-05.

APPARATUS OF SEMICONDUCTOR MEMORY AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20200118976A1. Автор: AHN Jung Seok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-04-16.

SEMICONDUCTOR MEMORY AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20140264227A1. Автор: Kiyotoshi Masahiro,ARAI Fumitaka,Yamamoto Akihito,Shirota Riichiro,Ozawa Yoshio. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2014-09-18.

SEMICONDUCTOR MEMORY AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20210351235A1. Автор: Kiyotoshi Masahiro,ARAI Fumitaka,Yamamoto Akihito,Shirota Riichiro,Ozawa Yoshio. Владелец: Toshiba Memory Corporation. Дата публикации: 2021-11-11.

SEMICONDUCTOR MEMORY AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20160351621A1. Автор: Kiyotoshi Masahiro,ARAI Fumitaka,Yamamoto Akihito,Shirota Riichiro,Ozawa Yoshio. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-01.

Non-volatile semiconductor memory and manufacturing method of the same

Номер патента: KR100367804B1. Автор: 가즈미 구로오까,도시하루 오야. Владелец: 산요 덴키 가부시키가이샤. Дата публикации: 2003-04-21.

Three dimensional semiconductor memory device Method for manufacturing the same

Номер патента: KR101774508B1. Автор: 김한수,박영우,장성환,윤종인. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2017-09-04.

Three dimensional semiconductor memory device method for manufacturing the same

Номер патента: KR20120037296A. Автор: 손병근,임진수,윤종인. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2012-04-19.

Nonvolatile semiconductor memory and method for fabricating the same

Номер патента: KR100251981B1. Автор: 요시미츠 야마우치,신이치 사토,마사노리 요시미,케이조 사끼야마. Владелец: 마찌다 가쯔히꼬. Дата публикации: 2000-04-15.

Semiconductor memory device and manufacture of the same

Номер патента: JPS6252959A. Автор: Miki Takeuchi,幹 竹内,Kiyoo Ito,清男 伊藤,Ryoichi Hori,Eiji Takeda,Katsuhiro Shimohigashi,英次 武田,堀　陵一,下東　勝博. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1987-03-07.

Semiconductor memory and method of producing the same

Номер патента: US7064028B2. Автор: Hitoshi Ito,Eiji Ito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-06-20.

Semiconductor memory and method for manufacturing the same

Номер патента: KR100306176B1. Автор: 소이찌 스기우라,시게끼 스기모또. Владелец: 니시무로 타이죠. Дата публикации: 2001-11-15.

Level shifter and semiconductor device having off-chip driver using the same

Номер патента: KR101174846B1. Автор: 노용환,박철성. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2012-08-20.

Semiconductor memory and fabrication method for the same

Номер патента: US7470947B2. Автор: Masato Endo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-12-30.

Semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100187594A1. Автор: Makoto Mizukami,Hideyuki Funaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-07-29.

Semiconductor memory and method for fabricating the same

Номер патента: US6867118B2. Автор: Fumihiko Noro. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-15.

Semiconductor memory and method for manufacturing the same

Номер патента: US8063435B2. Автор: Shien Cho. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-11-22.

Semiconductor memory and fabrication method for the same

Номер патента: US7910424B2. Автор: Masato Endo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-03-22.

Semiconductor memory and method of producing the same

Номер патента: US20020003269A1. Автор: Kazuhiro Tasaka. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-01-10.

Semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: KR100690566B1. Автор: 다까하시사또시. Владелец: 후지쯔 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2007-03-09.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method the same

Номер патента: KR100395201B1. Автор: 쯔노다히로아끼,이구찌다다시,히메노요시아끼. Владелец: 가부시끼가이샤 도시바. Дата публикации: 2003-08-21.

Nonvolatile semiconductor memory, and method of manufacturing the same

Номер патента: US6303440B1. Автор: Seiichi Mori,Yoshiko Araki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-10-16.

Semiconductor memory device, method of manufacturing the same, and method of use

Номер патента: KR970008620A. Автор: 시게노부 마에다,시게토 마에가와,히로타다 쿠리야마. Владелец: 기다오까 다까시. Дата публикации: 1997-02-24.

Highly integrated semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: JP3246917B2. Автор: ケルバー、マルチン. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2002-01-15.

Semiconductor memory and method of producing the same

Номер патента: US4937641A. Автор: Kikuo Kusukawa,Shinichiro Kimura,Masanobu Miyao,Hideo Sunami,Tokuo Kure,Makoto Ohkura,Terunori Warabisako,Masahiro Moniwa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1990-06-26.

Semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080135901A1. Автор: Iwao Kunishima,Tohru Ozaki,Yoshiro Shimojo,Susumu Shuto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-12.

Nonvolatile semiconductor memory and method for manufacturing the same

Номер патента: US8476693B2. Автор: Takayuki Toba,Tohru Ozaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-07-02.

Semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US6309894B1. Автор: Hiroshi Miki,Yoshihisa Fujisaki,Keiko Abdelghafar. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2001-10-30.

Semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US8008732B2. Автор: Riichiro Shirota,Masahiro Kiyotoshi,Yoshio Ozawa,Akihito Yamamoto,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-08-30.

Semiconductor memory and method of fabricating the same

Номер патента: KR100468883B1. Автор: 구마가이다카시,가라사와주니치,와타나베구니오. Владелец: 세이코 엡슨 가부시키가이샤. Дата публикации: 2005-01-31.

Semiconductor memory and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070108509A1. Автор: Kiyoshi Kurihara,Koji Yoshida,Nobuyoshi Takahashi,Keita Takahashi,Takahiko Hashidzume,Yoshiya Moriyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-17.

Nonvolatile semiconductor memory and process for producing the same

Номер патента: WO2008050716A1. Автор: Takeshi Takagi,Takumi Mikawa. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2008-05-02.

Nonvolatile semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070155096A1. Автор: Takayuki Toba. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-07-05.

Semiconductor memory and method of fabricating the same

Номер патента: TW200633146A. Автор: Masahiko Higashi,Hiroshi Murai. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2006-09-16.

Controller Circuit Including a Switch Mode Power Converter and Automatic Recloser Using the Same

Номер патента: US20120019971A1. Автор: Richard Charles Flaherty,Roberto Gomez Rodriguez. Владелец: Tyco Electronics Corp. Дата публикации: 2012-01-26.

CONTROL CIRCUIT OF BUCK-BOOST CONVERTING APPARATUS AND MODE SWITCHING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20200266710A1. Автор: Chen Hsin-Hao,Lin Heng-Li,TSENG JUNG-HUNG. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-20.

Automatic temperature control circuit for laser diode and electric / optical signal conversion unit using the same

Номер патента: JP3320900B2. Автор: 道直 河野,摂夫 美斉津,朋子 安齋,高至 津田. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-09-03.

Switching power supply control circuit, control method, and switching power supply and electronic device using the same

Номер патента: JP5785814B2. Автор: 勉 石野. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-09-30.

Controller circuit including a switch mode power converter and automatic recloser using the same.

Номер патента: MX2013001068A. Автор: Richard Charles Flaherty,Roberto Gomez Rodriguez. Владелец: Tyco Electronics Corp. Дата публикации: 2013-03-18.

Power control circuit, power control power control apparatus and portable electronic device having the same

Номер патента: TWM405680U. Автор: Chin-Chu Hsu. Владелец: Kinpo Elect Inc. Дата публикации: 2011-06-11.

Inverter, its control circuit, and light emitting device and liquid crystal television using the same

Номер патента: WO2007060941A1. Автор: Kenichi Fukumoto. Владелец: ROHM CO., LTD.. Дата публикации: 2007-05-31.

Inverter, its control circuit, and light emitting device and liquid crystal television using the same

Номер патента: US20090273738A1. Автор: Kenichi Fukumoto. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2009-11-05.

Controller circuit including a switch mode power converter and automatic recloser using the same

Номер патента: WO2012018600A2. Автор: Richard Charles Flaherty,Roberto Gomez Rodriguez. Владелец: TYCO ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-02-09.

Transistors with various threshold voltages and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200119016A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

METHOD OF PRODUCING LOW-POWER SWITCHED-CAPACITOR AMPLIFIER, CIRCUIT AND A PIPELINE ANALOG-TO-DIGITAL CONVERTER INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20140176358A1. Автор: YANG Junjie,Tero John. Владелец: Greenvity Communications, Inc.. Дата публикации: 2014-06-26.

Bidirectional level conversion circuit, and power supply device and security system including the same

Номер патента: CN113014245A. Автор: 小保罗·V·穆林斯,加布里埃尔·J·库恩. Владелец: Rockwell Automation Technologies Inc. Дата публикации: 2021-06-22.

Three-level circuit and control method for balancing neutral point voltage of the same

Номер патента: EP3496257B1. Автор: Hao Peng,HONG Liu,Cheng Lu. Владелец: Delta Electronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-05.

Jack circuit and portable type electronic apparatus and telephone set using the same

Номер патента: US7120260B2. Автор: Isao Yamamoto,Takenori Kato. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2006-10-10.

Jack circuit and portable type electronic apparatus and telephone set using the same

Номер патента: US20020186834A1. Автор: Isao Yamamoto,Takenori Kato. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-12-12.

Motor driver circuit and driving method, cooling device and electronic apparatus using the same

Номер патента: US20240333111A1. Автор: Hiroyuki Shimizu,Tsubasa Sakurai. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Data output circuit and method for semiconductor memory device

Номер патента: JP4987458B2. Автор: 炯 東 李. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2012-07-25.

Low power oscillation circuit and non-volatile semiconductor memory having ring oscillator

Номер патента: US6188293B1. Автор: Yoshikazu Kojima,Masanori Miyagi. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2001-02-13.

Oscillation circuit and non-volatile semiconductor memory

Номер патента: CN1065349C. Автор: 宫城雅记,小岛芳和. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2001-05-02.

Oscillation circuit and non-volatile semiconductor memory

Номер патента: TW357354B. Автор: Yoshikazu Kojima,Masaki Miyagi. Владелец: Seiko Electron Co Ltd. Дата публикации: 1999-05-01.

Oscillation circuit and non-volatile semiconductor memory

Номер патента: CN1131842A. Автор: 宫城雅记,小岛芳和. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 1996-09-25.

Active-control valley fill circuit and control method thereof

Номер патента: CN103312144B. Автор: 邵蕴奇. Владелец: SHANGHAI LUQIAN ELECTRONIC TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-13.

Motor driving circuit and method, and cooling device and electronic apparatus using the same

Номер патента: US20120242264A1. Автор: Hiroyuki Ishii,Toshikazu Satake. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2012-09-27.

Piezoelectric actuator driving circuit, driving signal generating circuit, and device and method of driving piezoelectric actuator using the same

Номер патента: US20160163953A1. Автор: Chan Woo Park. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-09.

THREE-LEVEL CIRCUIT AND CONTROL METHOD FOR BALANCING NEUTRAL POINT VOLTAGE OF THE SAME

Номер патента: US20190181774A1. Автор: Peng Hao,Lu Cheng,Liu Hong. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-13.

Differential amplifier circuit and driving circuit for liquid crystal display device using the same

Номер патента: JP4291100B2. Автор: 吉彦 中平. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-07-08.

Differential amplifier circuit and drive circuit of liquid crystal display unit using the same

Номер патента: CN1604464A. Автор: 中平吉彦. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-04-06.

Clock supply bias circuit and single-phase clock drive frequency dividing circuit using the same

Номер патента: US20020163367A1. Автор: Glenn Murata. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-11-07.

Clock supply bias circuit and single-phase clock drive frequency dividing circuit using the same

Номер патента: US6765418B2. Автор: Glenn Keiji Murata. Владелец: NEC Compound Semiconductor Devices Ltd. Дата публикации: 2004-07-20.

Audio signal amplifier circuit and portable telephone set and portable electronic device using the same audio signal amplifier circuit

Номер патента: US20010030579A1. Автор: Masanori Fujisawa,Yasuyuki Koyama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2001-10-18.

Calibration circuit and calibration method of wireless transceiver

Номер патента: US20230155696A1. Автор: Chien-Jung Huang,Meng-Che Li. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-05-18.

Three-level circuit and control method for balancing neutral point voltage of the same

Номер патента: US20190181774A1. Автор: Hao Peng,HONG Liu,Cheng Lu. Владелец: Delta Electronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-13.

Reference voltage driving circuit and pipelined analog to digital converter including same

Номер патента: US7248198B2. Автор: Jung Woong Moon. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2007-07-24.

DRIVER CIRCUIT, RECEIVER CIRCUIT, AND METHOD OF CONTROLLING A COMMUNICATIONS SYSTEM INCLUDING THE CIRCUITS

Номер патента: US20130336428A1. Автор: Nishioka Shinichiro,Komatsu Yoshihide,MASUDA Kohei,Suenaga Hiroshi. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2013-12-19.

Semiconductor memory device and semiconductor memory array comprising the same

Номер патента: US09991266B2. Автор: Zhibiao Zhou,Ding-Lung Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

HDMI Controller Circuit For Transmitting Digital Data To Compatible Audio Device Using Address Decoder Where Values Are Written To Registers Of Sub-Circuits

Номер патента: US20120200771A1. Автор: Rui Sérgio Rainho Almeida,Antonio Manuel Cunha Costa. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2012-08-09.

Holder manufacturing method for loading substrate of semiconductor manufacturing device, batch type boat having holder, loading/unloading method of semiconductor substrate using the same, and semiconductor manufacturing device having the same

Номер патента: US20060239799A1. Автор: Byoung Lee,Taek Jang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-26.

Semiconductor memory chip and semiconductor memory device using the same

Номер патента: US20030042623A1. Автор: Toru Shiomi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-03-06.

Semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: EP4336985A1. Автор: Jiyoung Kim,Jae-Eun Lee,SeungYeon Kim,Woosung YANG,In Ho Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-13.

Semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20240081062A1. Автор: Jiyoung Kim,Jae-Eun Lee,SeungYeon Kim,Woosung YANG,In Ho Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-07.

Buffer control circuit and multi-chip package including the same

Номер патента: US20160036425A1. Автор: Jae-Bum Ko. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-02-04.

Semiconductor memory device and semiconductor device

Номер патента: US20240324220A1. Автор: Masaki Nakamura,Yutaka Shimizu,Hideo Wada,Go Oike,Yoshikazu HOSOMURA,Hironobu HAMANAKA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Supply modulating circuit and communication circuit including the same

Номер патента: US20240356494A1. Автор: Dongsu Kim,Junsuk Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Memory cell and semiconductor memory device with the same

Номер патента: US11910591B2. Автор: Seung Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Memory cell and semiconductor memory device with the same

Номер патента: US20240155827A1. Автор: Seung Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Device isolation method of semiconductor memory device and flash memory device fabricating method using the same

Номер патента: US20050142796A1. Автор: Sung Jung,Jum Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Semiconductor package structure and semiconductor module including the same

Номер патента: US20200321270A1. Автор: SunWon Kang,Youngjoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-08.

Package substrate and semiconductor package including the same

Номер патента: US20230146035A1. Автор: Beoungjun CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-11.

Semiconductor element, method for manufacturing same, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09711597B2. Автор: Takahiro Mori. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2017-07-18.

Access device, fabrication method thereof, and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20150200088A1. Автор: Min Yong Lee,Young Ho Lee,Keum Bum Lee,Hyung Suk Lee,Seung Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-07-16.

Memory cell and semiconductor memory device with the same

Номер патента: US11910590B2. Автор: Seung Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Memory cell and semiconductor memory device with the same

Номер патента: US20240147694A1. Автор: Seung Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Access device, fabrication method thereof, and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20140054532A1. Автор: Min Yong Lee,Young Ho Lee,Keum Bum Lee,Hyung Suk Lee,Seung Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-02-27.

Access device having counter doping layer and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US9018612B2. Автор: Min Young Lee,Young Ho Lee,Keum Bum Lee,Hyung Suk Lee,Seung Beom Baek. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-04-28.

Method of Manufacuturing Semiconductor Memory Apparatus and Semiconductor Memory Apparatus Manufactured Thereby

Номер патента: US20090294976A1. Автор: Sang Don Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-12-03.

Contacts for semiconductor devices and methods of forming the same

Номер патента: US20240250143A1. Автор: Jyun-De Wu,Yi-Chen Wang,Yi-Chun Chang,Te-Chih Hsiung,Yuan-Tien Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and semiconductor component including the same preliminary class

Номер патента: US12051767B2. Автор: Shih-Chang Lee,Yi-Ching Lee,Chia-hung Lin,Kuo-Feng Huang,Cheng-Long Yeh,Shih-Hao Cheng,Cheng-Hsing Chiang,Yen-Chun Tseng,Ming-Ta Chin,Shih-Nan Yen,Jui-Che Sung. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Epitaxial wafer and semiconductor memory device using the same

Номер патента: US20230141135A1. Автор: Junga LEE,Yeonsook Kim,Wooseung JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-11.

Nitride semiconductor structure and semiconductor light emitting device including the same

Номер патента: US20150270433A1. Автор: Yen-Lin LAI,Shen-Jie Wang. Владелец: GENESIS PHOTONICS INC. Дата публикации: 2015-09-24.

Three-dimensional semiconductor memory device, an electronic system including the same, and method of fabricating the same

Номер патента: US20240373632A1. Автор: Junhee LIM,Sungsu Moon,Sea Hoon Lee,Kang Lib KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09997535B2. Автор: Takashi Ishida. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Phosphonium compound, epoxy resin composition including the same and semiconductor device prepared using the same

Номер патента: US09890307B2. Автор: Seung Han,Jin Woo Choi,Min Gyum KIM,Ki Hyeok KWON,Dong Hwan Lee,Joo Young Chung,Jin Min Cheon. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Nitride semiconductor structure and semiconductor light emitting device including the same

Номер патента: US09640712B2. Автор: Yen-Lin LAI,Shen-Jie Wang. Владелец: GENESIS PHOTONICS INC. Дата публикации: 2017-05-02.

Backlight driving circuit and liquid crystal display with the same

Номер патента: US09485815B2. Автор: Xianming Zhang. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Pulse width modulation signal generation circuit and lamp control system including the same

Номер патента: EP4398484A2. Автор: Ju Hyun Lee,Nak Hun KIM,Won Joon Hwang,Byung Jun SEO. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Pulse width modulation signal generation circuit and lamp control system including the same

Номер патента: US20240196494A1. Автор: Ju Pyo Hong,Ji Seok Kim,Hai Feng JIN,Won Joon Hwang. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Device For Removing Electromagnetic Interference And Semiconductor Package Including The Same

Номер патента: US20110304364A1. Автор: Yun-seok Choi,Jae-Wook Yoo,Kyoung-sel Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-12-15.

Pulse width modulation signal generation circuit and lamp control system including the same

Номер патента: US20240196493A1. Автор: Ju Hyun Lee,Nak Hun KIM,Won Joon Hwang,Byung Jun SEO. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Heat transfer element, method for forming the same and semiconductor structure comprising the same

Номер патента: US12111114B2. Автор: Po-Cheng Huang,Shin-Luh Tarng,Ian HU,Hung-Hsien Huang,Chien-Neng Liao,Jui-Cheng Yu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Phosphonium compound, preparation method thereof, epoxy resin composition including the same, and semiconductor device prepared by using the same

Номер патента: US09896465B2. Автор: Eun Jung Lee,Seung Han,Jin Woo Choi,Min Gyum KIM,Ki Hyeok KWON,Dong Hwan Lee,Joo Young Chung,Jin Min Cheon,Woo Chul NA,So Yoon KIM,Yoon Man LEE,Ji Yoon CHO,KyoungChul BAE. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Signal generator adjusting a duty cycle and semiconductor apparatus using the same

Номер патента: US09531365B1. Автор: Kwan Su SHON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Storage controllers, methods of operating the same and solid state disks including the same

Номер патента: US09432018B2. Автор: Su-Jin Kim,Kwang-soo Park,Jung-Hee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Hetero-structure, injection laser, semiconductor amplifying element and semiconductor optical amplifier

Номер патента: RU2278455C1. Автор: Василий Иванович Швейкин. Владелец: Василий Иванович Швейкин. Дата публикации: 2006-06-20.

Semiconductor device including through electrode and semiconductor package including the same

Номер патента: US20220367321A1. Автор: Kwangjin Moon,Hyungjun Jeon,Myungjoo PARK,Hakseung LEE,Sonkwan HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-11-17.

Semiconductor device and semiconductor package including the same

Номер патента: US12040278B2. Автор: Kiwon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: EP4369882A1. Автор: Jiwon Kim,Jiyoung Kim,Dohyung Kim,Sukkang SUNG,Woosung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-15.

Interconnection structure, method of fabricating the same, and semiconductor package including interconnection structure

Номер патента: US20230290718A1. Автор: Dongwoo Kim,Un-Byoung Kang,Chungsun Lee,Ji-Seok HONG,Hyunah KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Three-dimensional semiconductor memory device and electronic system including the same

Номер патента: US20230247836A1. Автор: Hyung Joon Kim,Kyungwook Park,Sangmin Kang,Bio Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-03.

Semiconductor memory device and method for forming the same

Номер патента: US20230164974A1. Автор: PENG Guo,Yuanbao WANG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Semiconductor memory device and apparatus including the same

Номер патента: US12080649B2. Автор: Hyeonjin Shin,Kyung-Eun Byun,Changseok Lee,Minhyun LEE,Hyeonsuk Shin,Seokmo Hong. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Field effect transistor and semiconductor device including the same

Номер патента: US09941360B2. Автор: Shigenobu Maeda,Seunghan Seo,Yeohyun SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Printed circuit boards and semiconductor packages including the same

Номер патента: US09773752B2. Автор: Seung-Hyun Baik,Cheol-woo Lee,Wan-Ho Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor compound structure and method of fabricating the same using graphene or carbon nanotubes, and semiconductor device including the semiconductor compound structure

Номер патента: US09748094B2. Автор: Sang-jin Lee,Jun-hee Choi,Un-Jeong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor memory device having bonding metal between an array chip and a circuit chip

Номер патента: US10403635B2. Автор: Hideaki Aochi,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-03.

Semiconductor memory device in which an array chip including three-dimensionally disposed memory cells bonded to a control circuit chip

Номер патента: US10090315B2. Автор: Hideaki Aochi,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-10-02.

Control circuit and ac-dc power supply applying the same

Номер патента: EP4106167A1. Автор: Qiukai Huang,Jiandong Dai. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2022-12-21.

Semiconductor integrated circuit device suppressing a junction leak and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020089035A1. Автор: Yasuhiro Fukaura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-07-11.

Semiconductor memory device, method for fabricating semiconductor memory device, semiconductor integrated circuit and semiconductor memory integrated circuit

Номер патента: US20230209817A1. Автор: Kenichiro Kusano. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Control circuit and AC-DC power supply applying the same

Номер патента: US12126256B2. Автор: Qiukai Huang,Jiandong Dai. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor memory device with electrode connecting to circuit chip through memory array chip

Номер патента: US09558945B2. Автор: Hideaki Aochi,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Optical address decoder

Номер патента: US6160652A. Автор: DAVID Nir. Владелец: Lynx Photonic Networks Ltd. Дата публикации: 2000-12-12.

Plasma etching method and semiconductor device fabrication method including the same

Номер патента: US12020903B2. Автор: Yonghee Kim,Minjae Lee,Dougyong Sung,SeungBo SHIM,Myungsun Choi,Byunghun Han,Donghyeon NA,Minyoung HUR,Hyeongmo KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Pulse width modulation signal generation circuit and lamp control system including the same

Номер патента: EP4395174A1. Автор: Ji Seok Kim,Nak Hun KIM,Won Joon Hwang. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Metal oxide thin film precursor, method of fabricating metal thin film using the same, and semiconductor device including the metal oxide thin film

Номер патента: US20240239817A1. Автор: Woojin JEON,Sang Wook Park,Jongwook Park,SunWoo PARK,Hayoon LEE,Yoona CHOI,Yeong Jae HEO. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20190333927A1. Автор: Hideaki Aochi,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-10-31.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20210082942A1. Автор: Hideaki Aochi,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Pulse width modulation signal generation circuit and lamp control system including the same

Номер патента: US20240196492A1. Автор: Ji Seok Kim,Nak Hun KIM,Won Joon Hwang. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Printed circuit board and semiconductor module including the same

Номер патента: US11758652B2. Автор: Dohyung Kim,Dongmin Jang,Geunje PARK,Dongyoon Seo,Hwanwook Park,Jaeseok Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20180358373A1. Автор: Hideaki Aochi,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-12-13.

Decoupling circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US20160197603A1. Автор: Gil-Su Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-07.

Switch control device and battery pack including the same

Номер патента: EP4422075A1. Автор: Kyusung CHO. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Semiconductor memory and method of manufacturing same

Номер патента: US6326659B1. Автор: Takashi Ichikawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-12-04.

Switch control device and battery pack including the same

Номер патента: US20240283447A1. Автор: Kyusung CHO. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Underfill structure for semiconductor packages and methods of forming the same

Номер патента: US12080617B2. Автор: Jing-Cheng Lin,Ying-Ching Shih,Szu-Wei Lu,Yu-Wei Chen,Kuan-Yu Huang,Li-Chung Kuo,Long Hua Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Transceiver using active device and antenna module including the same

Номер патента: US12074630B2. Автор: Youngmin Kim,Hongjong Park,Iljin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Processing circuit, radio communication circuit, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US12081251B2. Автор: Takashi Miyazaki,Shunsuke Hirano,Yasuhiro Majima,Daisuke Kimura,Shunichiro Masaki,Kenta Aruga. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Composite substrate and method for manufacturing the same, and semiconductor device structure

Номер патента: US20240258321A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Showerhead, substrate processing apparatus including the same, and semiconductor fabrication method using the same

Номер патента: US20240331981A1. Автор: Hyungsik KO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Switching control circuit for overcurrent protection, and semiconductor device containing the same

Номер патента: US12068676B2. Автор: Akira Nakamori. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

LED driver circuit and light apparatus having the same in

Номер патента: US09992845B2. Автор: Hyun-Jung Kim,Young-gi Ryu. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Internal voltage trimming device and semiconductor integrated circuit including the same

Номер патента: US09929644B2. Автор: Jun-Young Park,Ji-Sung Kim,Se-eun OH,Hyeon-seong IM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Light-emitting-diode-driving device, lighting apparatus for vehicle and vehicle including the same

Номер патента: US09788370B2. Автор: Yoshiyuki Inada. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Decoupling circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US09692424B2. Автор: Gil-Su Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Electronic device including a semiconductor memory that includes resistance variable layers disposed between an odd-numbered structure and an even-numbered structure, and method for fabricating the same

Номер патента: US09502651B2. Автор: Hae-Chan Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Heating engine control circuits and nicotine electronic vaping devices including the same

Номер патента: EP4181705A1. Автор: Rangaraj S. Sundar,Eric Hawes,Raymond W. Lau,Niall Gallagher,Jarrett KEEN,Terrance Theodore BACHE. Владелец: PHILIP MORRIS PRODUCTS SA. Дата публикации: 2023-05-24.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20070030744A1. Автор: Naoki Kuroda,Masanobu Hirose,Toshihiro Nakamura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-08.

Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device using the same

Номер патента: US20130062790A1. Автор: Naoya Sugimoto,Tomoaki Ichikawa,Tomohito Iwashige. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2013-03-14.

Semiconductor memory device and method for forming semiconductor memory device

Номер патента: US20240224499A1. Автор: PENG Guo,Yuanbao WANG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20220319908A1. Автор: Zhan Ying,Kui Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Electroluminescent device and semiconductor nanoparticle

Номер патента: US20230079704A1. Автор: Sung Woo Kim,Eun Joo Jang,Hyo Sook JANG,Yuho WON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Electroluminescent device and semiconductor nanoparticle

Номер патента: EP4141087A1. Автор: Sung Woo Kim,Eun Joo Jang,Hyo Sook JANG,Yuho WON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-01.

Output control circuit for semiconductor apparatus and output driving circuit including the same

Номер патента: US20150280720A1. Автор: Da In IM,Jong Ho Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-10-01.

Cesium-niobium-chalcogenide compounds and semiconductor devices including the same

Номер патента: US11866344B2. Автор: Nouar Tabet,Fadwa EL-MELLOUHI,Stefano Sanvito,Heesoo PARK,Fahhad ALHARBI. Владелец: Qatar Foundation for Education Science and Community Development. Дата публикации: 2024-01-09.

Cesium-niobium-chalcogenide compounds and semiconductor devices including the same

Номер патента: US20210269326A1. Автор: Nouar Tabet,Fadwa EL-MELLOUHI,Stefano Sanvito,Heesoo PARK,Fahhad ALHARBI. Владелец: College of the Holy and Undivided Trinity of Queen Elizabeth near Dublin. Дата публикации: 2021-09-02.

Pulse width modulation signal generation circuit and lamp control system including the same

Номер патента: EP4387099A2. Автор: Ju Pyo Hong,Ji Seok Kim,Hai Feng JIN,Won Joon Hwang. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002485A1. Автор: Ono Takashi,MARUYAMA Takafumi,NISHIKAWA Kazuyo,Suwa Hitoshi,Nitta Tadashi,Ueminami Masahiro. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002457A1. Автор: KANDA Kazushige. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, METHOD OF WRITING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120106246A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-05-03.

Non-volatile semiconductor memory and method of operating the same

Номер патента: AU2002222717A1. Автор: Woong-Lim Choi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-10.

SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND SEMICONDUCTOR CHIP AND STACKED SEMICONDUCTOR PACKAGE HAVING THE SAME

Номер патента: US20130240885A1. Автор: Kim Hyun Joo,LEE Kang Won,LEE Gyu Jei. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2013-09-19.

Control circuit and method for converting color signal and display using the same

Номер патента: TWI373033B. Автор: Yu yeh Chen,Kuo Shiuan Peng. Владелец: Chimei Innolux Corp. Дата публикации: 2012-09-21.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AS WELL AS SEMICONDUCTOR MEMORY AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120132984A1. Автор: NAKAO Yuichi,TANAKA Bungo,MIFUJI Michihiko,Mizukoshi Toshikazu,Shibaguchi Taku,Morikawa Gentaro. Владелец: ROHM CO., LTD.. Дата публикации: 2012-05-31.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, METHOD OF TESTING THE SAME AND SYSTEM OF TESTING THE SAME

Номер патента: US20120155203A1. Автор: Hwang Jeong-Tae,Lee Jeong-Hun. Владелец: . Дата публикации: 2012-06-21.

CONTROL CIRCUIT OF READ OPERATION FOR SEMICONDUCTOR MEMORY APPARATUS

Номер патента: US20120033511A1. Автор: KIM Kwi Dong. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-02-09.

REFRESH CONTROL CIRCUIT AND METHOD FOR SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120163106A1. Автор: SHIM Young-Bo. Владелец: . Дата публикации: 2012-06-28.

REFRESH CONTROL CIRCUIT AND METHOD FOR SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120163111A1. Автор: SHIM Young-Bo. Владелец: . Дата публикации: 2012-06-28.

Stacked gate nonvolatile semiconductor memory and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120012916A1. Автор: AOYAMA Kenji,Nagashima Satoshi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-19.

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120032253A1. Автор: AKAHORI Hiroshi,Takeuchi Wakako. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-02-09.

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY AND FABRICATION METHOD FOR THE SAME

Номер патента: US20120037976A1. Автор: SUGIMAE Kikuko,ICHIGE Masayuki,Matsunaga Yasuhiko,ARAI Fumitaka,Sato Atsuhiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-02-16.

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD TESTING THE SAME

Номер патента: US20120051134A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-03-01.

SEMICONDUCTOR MEMORY AND METHOD FOR TESTING THE SAME

Номер патента: US20120057420A1. Автор: Mori Kaoru. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-03-08.

BLOCK CONTROL DEVICE OF SEMICONDUCTOR MEMORY AND METHOD FOR CONTROLLING THE SAME

Номер патента: US20120137046A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-05-31.

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120139024A1. Автор: Ozaki Tohru,TOBA Takayuki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-06-07.

SEMICONDUCTOR MEMORY AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20130062680A1. Автор: ENDO Masato,Kato Yoshiko,Noda Mitsuhiko,Noguchi Mitsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2013-03-14.

SEMICONDUCTOR MEMORY AND METHOD OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20130235640A1. Автор: LIAW Jhon Jhy. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2013-09-12.

Semiconductor memory device, method of using the same, and recording medium

Номер патента: JP3648057B2. Автор: 宏知 三浦. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 2005-05-18.

Lithography simulation apparatus, lithography simulation program, and semiconductor device design and manufacturing method using the same

Номер патента: JP5374727B2. Автор: 弘展 田岡. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-12-25.

Control circuit for controlling on / off of power transistor, switching regulator using the same, and electronic device

Номер патента: JP4755455B2. Автор: 佳久 坂野. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2011-08-24.

ENCODING, DECODING, AND MULTI-STAGE DECODING CIRCUITS FOR CONCATENATED BCH, AND ERROR CORRECTION CIRCUIT OF FLASH MEMORY DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20130132793A1. Автор: HA Jeong Seok,CHO Sung Gun. Владелец: KOREA ADVANCED INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2013-05-23.

PARALLEL TEST CIRCUIT AND METHOD OF SEMICONDUCTOR MEMORY APPARATUS

Номер патента: US20130170305A1. Автор: JANG Ji Eun,KIM Bo Yeun. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2013-07-04.

TEST CIRCUIT AND METHOD OF SEMICONDUCTOR MEMORY APPARATUS

Номер патента: US20130315007A1. Автор: Kim Jae Il,CHA Jin Youp. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2013-11-28.

Self-refresh circuit and mehtod for semiconductor memory device

Номер патента: TWI449042B. Автор: Min Chung Chou. Владелец: Elite Semiconductor Esmt. Дата публикации: 2014-08-11.

POWER FACTOR CORRECTION CIRCUIT, AND POWER SUPPLY DEVICE AND MOTOR DRIVING DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20130069569A1. Автор: SUH Bum Seok,UM Kee Ju,PARK Min Gyu. Владелец: . Дата публикации: 2013-03-21.

Extremely low voltage oscillation circuit and extremely low voltage dc-dc conversion apparatus using the same

Номер патента: JP2011152015A. Автор: Shinichi Akita,晋一 秋田. Владелец: NOBEL POWER SOLAR KK. Дата публикации: 2011-08-04.

Floating point arithmetic circuit, computer with floating point arithmetic circuit, and arithmetic control method and arithmetic control program for the same

Номер патента: JP2012113508A. Автор: Kenzo Yamada,謙三 山田. Владелец: NEC Fielding Ltd. Дата публикации: 2012-06-14.

RESISTANCE-CHANGE SEMICONDUCTOR MEMORY

Номер патента: US20120002462A1. Автор: Inaba Tsuneo. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002475A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Memory With Improved Block Switching

Номер патента: US20120002476A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002472A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002469A1. Автор: IMAMOTO Akihiro,Abiko Naofumi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Universal Control Scheme For Mobile Hydraulic Equipment And Method For Achieving The Same

Номер патента: US20120000192A1. Автор: Ramun John R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

TEST MODE CONTROL CIRCUIT IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND TEST MODE ENTERING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002494A1. Автор: Jo Jun-Ho,PARK Kyu-Min,KIM BYOUNGSUL,LEE Hakyong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001300A1. Автор: Ito Takayuki,ISHIDA Tatsuya,Yoshino Kenichi,Naito Tatsuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002478A1. Автор: Isobe Katsuaki,Kojima Masatsugu. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Video Slice and Active Region Based Multiple Partial Encryption

Номер патента: US20120002809A1. Автор: Candelore Brant L.,Pedlow,Derovanessian Henry,JR. Leo M.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE DISPLAY APPARATUS AND METHOD FOR OPERATING THE SAME

Номер патента: US20120002024A1. Автор: Sung Jaewon,Jeon Byeongmoon,KIM Dongseok,HWANG Junghwan,CHOI Tacksung,YOON Sungyong,LEE HYUNKOOK. Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002285A1. Автор: Matsuda Manabu. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND SEMICONDUCTOR DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002090A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Fullerene Derivatives and Organic Electronic Device Comprising the Same

Номер патента: US20120004476A1. Автор: KIM Dong Wook,LIM Hyun Seok,LEE Jaemin,JUNG Jae Wook,Yoon Sung Cheol,Lim Jongsun,Lee Chang Jin,KANG YONGKU,NAM So Youn. Владелец: KOREA RESEARCH INSTITUTE OF CHEMICAL TECHNOLOGY. Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001329A1. Автор: Kim Young Lyong,Lee Jongho,AHN EUNCHUL,Kim Hyeongseob. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

MICROELECTORODE ARRAY, METHODS FOR PREPARING THE SAME AND USES THEREOF

Номер патента: US20120004716A1. Автор: Langhammer Christopher,Firestein-Miller Bonnie L.,Zahn Jeffrey. Владелец: Rutgers, The State University of New Jersey. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURE METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001344A1. Автор: IDANI Naoki,TAKESAKO Satoshi. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MODULES AND SEMICONDUCTOR MODULE

Номер патента: US20120001349A1. Автор: Suzuki Yoshikazu,KANEKO Takahisa,HARADA Daisuke,ISHIYAMA Hiroshi. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Biomarkers for Inflammatory Bowel Disease and Methods Using the Same

Номер патента: US20120003158A1. Автор: Alexander Danny,SHUSTER Jeffrey,KORZENIK Joshua,ZELLA Garrett. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

C1ORF59 PEPTIDES AND VACCINES INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20120003253A1. Автор: Tsunoda Takuya,Ohsawa Ryuji,Yoshimura Sachiko,Watanabe Tomohisa. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DERMAL MICRO-ORGANS, METHODS AND APPARATUSES FOR PRODUCING AND USING THE SAME

Номер патента: US20120003276A1. Автор: Bellomo Stephen F.,Lippin Itzhak,Piva Guillermo Alberto,Rosenberg Lior,Bukhman Mordechay,Stern Baruch S.,Shalhevet David,Shavitt Menachem D.,Pearlman Andrew L.,Shani Noam,Almon Einat. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING ULTRA SMALL PARTICLE, POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL OF SECOND BATTERY USING THE METHOD FOR MANUFACTURING ULTRA SMALL PARTICLE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND SECONDARY BATTERY USING THE POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003539A1. Автор: MIKAMI Mayumi,Nara Koji. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE FORMING APPARATUS AND METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120001994A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

COORDINATE INPUT APPARATUS, LIGHT RECEIVING APPARATUS OF THE COORDINATE INPUT APPARATUS, AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002217A1. Автор: Kobayashi Katsuyuki,Yoshimura Yuichiro. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

ENERGY STORAGE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003535A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Quadratic Amplitude Control Circuit For Cosite Interference Cancellation

Номер патента: US20120003948A1. Автор: LACKEY RAYMOND J.. Владелец: BAE SYSTEMS Information And Electronic Systems Intergration Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

WAFER STACKED PACKAGE WAVING BERTICAL HEAT EMISSION PATH AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001348A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

CONTROL CIRCUIT OF INTERLEAVED PFC POWER CONVERTER

Номер патента: US20120001600A1. Автор: YANG Ta-Yung,Lu Rui-Hong,CHEN Cheng-Sung. Владелец: SYSTEM GENERAL CORP.. Дата публикации: 2012-01-05.

CORRELATED DOUBLE SAMPLING CIRCUIT AND IMAGE SENSOR INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20120002093A1. Автор: Lee Dong Hun,HAM Seog Heon,Yoo Kwi Sung,Kwon Min Ho,Jung Wun-Ki. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OVERVOLTAGE CIRCUIT, AND MOTOR STARTER, OVERLOAD RELAY AND LOW-POWER SYSTEM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20120002332A1. Автор: Riley Joseph D.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

HONEYCOMB STRUCTURE BODY AND METHOD OF PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20120003420A1. Автор: Betsushiyo Takahiro,Aoki Hiromasa,Sakamoto Kazuhisa. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

VOLTAGE LEVEL SHIFT CIRCUITS AND METHODS

Номер патента: US20120001683A1. Автор: . Владелец: PACIFICTECH MICROELECTRONICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Monitoring device and activation method

Номер патента: AU2022293063A1. Автор: Osamu Sakai,Takeshi Maruyama,Takao Kojima,Yuji Umemura,Ryuichi Sasaki,Eiji Higashi,Narumi IWAMA,Masaki SANDA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

IMAGE FORMING APPARATUS AND METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120001997A1. Автор: TAKADA Kazumasa. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ION-SENSING CHARGE-ACCUMULATION CIRCUITS AND METHODS

Номер патента: US20120000274A1. Автор: Fife Keith. Владелец: LIFE TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

MOLDED ELASTOMERIC FLEXURAL ELEMENTS FOR USE IN A LASER SCANNING ASSEMBLIES AND SCANNERS, AND METHODS OF MANUFACTURING, TUNING AND ADJUSTING THE SAME

Номер патента: US20120002259A1. Автор: Plesko George. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC EL DISPLAY PANEL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001186A1. Автор: ONO Shinya,KONDOH Tetsuro. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001350A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Arbitration method, arbiter circuit, and apparatus provided with arbiter circuit

Номер патента: US20120002677A1. Автор: Hataida Makoto,UEKI Toshikazu,Iwami Yoshikazu,Kinoshita Takayuki. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRONIC DEVICE AND METHOD OF CONTROLLING THE SAME

Номер патента: US20120001490A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

TEST SIGNAL GENERATING DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY APPARATUS USING THE SAME AND MULTI-BIT TEST METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002491A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

CLOCK DIVIDER CIRCUIT AND SYSTEM LSI HAVING SAME

Номер патента: US20120001664A1. Автор: . Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

FIELD-PORTABLE IMPEDANCE READER AND METHODS OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20120004851A1. Автор: Potyrailo Radislav Alexandrovich,Morris William Guy,Ashe Jeffrey Michael,Surman Cheryl Margaret. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Circuit and method for eliminating bit line leakage current in random access memory devices

Номер патента: US20120002496A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.