Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • High voltage switch circuit and semiconductor memory device including the same

High voltage switch circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US10176879B2
Опубликовано: 08-01-2019
Автор(ы): Dong Hwan Lee, Min Gyu KOO
Принадлежит: SK hynix Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US20200273528A1. Автор: Dae Seok Byeon,Young Sun Min,Young Ho Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-27.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20080074935A1. Автор: Chang-Hyuk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-03-27.

Memory device and method of operating the same to prevent occurrence of read fail by adjusting bit line voltage

Номер патента: US10304542B2. Автор: Seung Hwan Baek,Sung Yong Lim,Yeon Ji SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-05-28.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240249774A1. Автор: Sung Min Lee,Sang Tae Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Memory device, memory system including the same, and slew rate calibration method thereof

Номер патента: US20180131374A1. Автор: Hun-Dae Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-10.

Power metal mesh and semiconductor memory device and method including the same

Номер патента: US20140140016A1. Автор: Jun Ho Lee,Tae Hoon Kim,Yang Hee Kim,Ic Su Oh,Sung Woo Han,Sun Ki CHO,Boo Ho JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-05-22.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20080165591A1. Автор: Yoon-Jae Shin,Kyoung-Nam Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-07-10.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US7936635B2. Автор: Yoon-Jae Shin,Kyoung-Nam Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-05-03.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20100165762A1. Автор: Yoon-Jae Shin,Kyoung-Nam Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-01.

Semiconductor memory device, memory system including the same, and operating method thereof

Номер патента: US20150187420A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-07-02.

Semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20230410913A1. Автор: Kazutaka IKEGAMI,Reiko SUMI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Method of operating nonvolatile memory device, nonvolatile memory device and memory controller performing the same

Номер патента: US12033706B2. Автор: Byungchul Jang,Joonsung Lim,Junyeong Seok,Younggul SONG,Eunchu Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Three-dimensional non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200211651A1. Автор: Eun Young Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20180137919A1. Автор: Jung Hwan Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-17.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20210134359A1. Автор: Ji Hyun Seo,Jong Kyung Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor devices, memory devices, and methods for forming the same

Номер патента: WO2023130203A1. Автор: LIANG Chen. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-07-13.

Vertical memory devices and methods for operating the same

Номер патента: US20240282376A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory device and operation method of the same

Номер патента: US20190196904A1. Автор: Sung-Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240282394A1. Автор: Chang Beom WOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory device and method for manufacturing the same and method for operating the same

Номер патента: US20220293628A1. Автор: Hang-Ting Lue,Wei-Chen Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20180033492A1. Автор: Ji Hyun Seo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-01.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20180061501A1. Автор: Seung Hwan Baek,Sung Yong Lim,Yeon Ji SHIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

Non-volatile memory device and erasing method of the same

Номер патента: US20200411105A1. Автор: Ji-Young Lee,Il-han Park,Young-sik RHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-31.

Semiconductor memory device, processing system including the same and power control circuit for the same

Номер патента: US20220101888A1. Автор: Chang Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Write Assist for a Memory Device and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20190295632A1. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-09-26.

Write Assist for a Memory Device and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20210201991A1. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor memory devices and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4429435A2. Автор: Takuya Futatsuyama,Daeseok Byeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-11.

Write assist for a memory device and methods of forming the same

Номер патента: US11830544B2. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Write assist for a memory device and methods of forming the same

Номер патента: US10529415B2. Автор: Yen-Huei Chen,Hung-jen Liao,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-07.

Memory device, memory system including the same, and method of operating the memory system

Номер патента: US20190237144A1. Автор: Kwang Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Non-volatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US12073889B2. Автор: Dong-Hun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Non-volatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US12087367B2. Автор: Dong-Hun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130175490A1. Автор: Shosuke Fujii,Masahiro Kiyotoshi,Kiwamu Sakuma,Masumi SAITOH,Haruka KUSAI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-07-11.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20110157988A1. Автор: Gyo Soo Chu. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-30.

Nonvolatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US20110134704A1. Автор: Ju Yeab Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-09.

Nonvolatile semiconductor memory device and operation method of the same

Номер патента: US20140010016A1. Автор: Hiroaki Hazama,Masaaki Higuchi,Katsuyuki Sekine,Ryota Katsumata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-01-09.

Three-dimensional non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200265893A1. Автор: Eun Young Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-08-20.

ONON sidewall structure for memory device and methods of making the same

Номер патента: US11854621B2. Автор: Chen-Ming Huang,Shih-Hsien Chen,Chia-Sheng Lin,Po-Wei Liu,Hung-Ling Shih,Yu-Chun Chang,Wei-Lin Chang,Wen-Tuo Huang,Yu-Hsiang Yang,Shihkuang YANG,Yu-Ling Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

ONON Sidewall Structure for Memory Device and Method for Making the Same

Номер патента: US20230335196A1. Автор: Chen-Ming Huang,Shih-Hsien Chen,Chia-Sheng Lin,Po-Wei Liu,Hung-Ling Shih,Yu-Chun Chang,Wei-Lin Chang,Wen-Tuo Huang,Yu-Hsiang Yang,Shihkuang YANG,Yu-Ling Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

ONON sidewall structure for memory device and method for making the same

Номер патента: US12009033B2. Автор: Chen-Ming Huang,Shih-Hsien Chen,Chia-Sheng Lin,Po-Wei Liu,Hung-Ling Shih,Yu-Chun Chang,Wei-Lin Chang,Wen-Tuo Huang,Yu-Hsiang Yang,Shihkuang YANG,Yu-Ling Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Memory device and operating method of the same

Номер патента: US11735280B2. Автор: Yih Wang,Perng-Fei Yuh,Chia-En HUANG,Tung-Cheng Chang,Chun-Ying Lee,Gu-Huan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US11996152B2. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG,Yanhong Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Non-volatile memory device and operating method of the same

Номер патента: US20210035641A1. Автор: Youngjin Cho,Jinhong Kim,Seyun KIM,Soichiro Mizusaki,Jungho YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-04.

Non-Volatile Memory Device and Method of Operating the Same

Номер патента: US20230386581A1. Автор: Dong-Hun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Non-volatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US11763894B2. Автор: Dong-Hun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-19.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: EP4201164A1. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG,Yanhong Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-28.

High-density flash memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190371804A1. Автор: Hang-Ting Lue,Teng-Hao Yeh,Chih-Wei Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US20160093382A1. Автор: Tatsuya Kato,Wataru Sakamoto,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-31.

Memory device and operating method of the same

Номер патента: US20240290408A1. Автор: Yih Wang,Perng-Fei Yuh,Chia-En HUANG,Tung-Cheng Chang,Chun-Ying Lee,Gu-Huan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Nonvolatile memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20240274206A1. Автор: Sangsoo Park,Jonghoon Park,Yongseok Kwon,Jaeduk Yu,Jauang YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor memory devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US20230165005A1. Автор: Seong-hun Jeong,Joon Sung Kim,Byoung Il Lee,Jun Eon Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-25.

Non-volatile semiconductor memory device and method of making the same

Номер патента: WO2008096802A1. Автор: Masaru Kito,Mitsuru Sato,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Masaru Kidoh. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2008-08-14.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240237348A1. Автор: Hwayeong LEE,Seulji SONG,Hunmo Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20100080065A1. Автор: Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Jun Fujiki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-04-01.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110049609A1. Автор: Takaaki Nagai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-03-03.

Integrated circuit, memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12063785B2. Автор: Chih-Wei Hung,Kuo-Pin Chang,Chien Hung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Integrated circuit, memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230071284A1. Автор: Chih-Wei Hung,Kuo-Pin Chang,Chien Hung Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-09.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210226013A1. Автор: Masakazu Goto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-07-22.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200006381A1. Автор: Shinya Arai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230413562A1. Автор: Shinya Arai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US20060065920A1. Автор: Taro Osabe,Takeshi Sakata,Hideaki Kurata,Tomoyuki Ishii. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-03-30.

Semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US20070257306A1. Автор: Taro Osabe,Takeshi Sakata,Hideaki Kurata,Tomoyuki Ishii. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-11-08.

Semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US7238570B2. Автор: Taro Osabe,Takeshi Sakata,Hideaki Kurata,Tomoyuki Ishii. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-07-03.

Internal voltage generator and control method thereof, and semiconductor memory device and system including the same

Номер патента: US20090021985A1. Автор: Dae-Seok Byeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-01-22.

Internal voltage generator and control method thereof, and semiconductor memory device and system including the same

Номер патента: US7724583B2. Автор: Dae-Seok Byeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-05-25.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11903212B2. Автор: Kyungmin Jang. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210288068A1. Автор: Sung Won Cho,Ga Eun KIM,Yoon Hwan Son,Joo Hee PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-16.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240130135A1. Автор: Kyungmin Jang. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US12075621B2. Автор: LEI Liu,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20150016189A1. Автор: Myeong Cheol SON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-01-15.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240237349A1. Автор: Un-Byoung Kang,Hyunchul Jung,Dongjoon Oh,Jumyong Park,Hyunsu Hwang,Sanghoo Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240221831A1. Автор: Chih-Hsiung Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Source structure of three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: EP4258843A3. Автор: Qian Tao,Zhenyu Lu,Simon Shi-ning Yang,Jun Chen,Yushi Hu,Steve Weiyi Yang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Nonvolatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190157284A1. Автор: Il-han Park,Bong-Soon Lim,June-Hong PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-23.

Semiconductor memory devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US11778821B2. Автор: Seong-hun Jeong,Joon Sung Kim,Byoung Il Lee,Jun Eon Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor memory devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US20210265389A1. Автор: Seong-hun Jeong,Joon Sung Kim,Byoung Il Lee,Jun Eon Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-08-26.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240107773A1. Автор: Kyunghwan Lee,Jeon Il LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Stacked type semiconductor memory device and method for reading the same

Номер патента: US10650900B2. Автор: Tatsuya Kato,Fumitaka Arai,Yusuke Shimada. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-05-12.

Three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US20230282281A1. Автор: Junbao WANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US6157061A. Автор: Masato Kawata. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-12-05.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180358372A1. Автор: Sung-Min Hwang,Joon-Sung LIM,Gilsung Lee,Eunsuk Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-12-13.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US8048741B2. Автор: Riichiro Shirota,Makoto Mizukami,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-11-01.

Three dimensional memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200119025A1. Автор: Chieh-Fang Chen,Yu-Wei Jiang,Jia-Rong Chiou. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240221832A1. Автор: Joonsuk Lee,Seyun KIM,Sunho Kim,Minhyun LEE,Gukhyon Yon,Seungyeul YANG,Seokhoon CHOI,Kyunghun KIM,Hyungyung KIM,Hoseok HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US5900656A. Автор: Keun Hyung Park. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1999-05-04.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11538907B2. Автор: Masakazu Goto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-12-27.

Three-dimensional (3d) semiconductor memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20200075101A1. Автор: Sung-Hun Lee,JoongShik SHIN,Young-bae Yoon,Da Woon JEONG,Seokjung Yun,Hyunmog Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-03-05.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US20070211533A1. Автор: Sang-jin Park,Sang-Min Shin,Young-soo Park,Young-Kwan Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-09-13.

Three-dimensional nonvolatile memory device, semiconductor system including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US9287286B2. Автор: Tae Kyung Kim,Dae Sung EOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-03-15.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7737484B2. Автор: Masato Endo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-06-15.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180083033A1. Автор: Shinya Arai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170278857A1. Автор: Shinya Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-28.

Three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: WO2022246789A1. Автор: LEI Liu,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-12-01.

Semiconductor plug protected by protective dielectric layer in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US10714493B2. Автор: Yong Zhang,Fushan Zhang,Enbo Wang,Haohao YANG,Ruo Fang ZHANG,Qianbin Xu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-14.

Semiconductor plug protected by protective dielectric layer in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: EP4362624A2. Автор: Yong Zhang,Fushan Zhang,Enbo Wang,Haohao YANG,Ruo Fang ZHANG,Qianbing Xu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-01.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230352088A1. Автор: Chih-Hsiung Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Source structure of three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: EP4258843A2. Автор: Qian Tao,Zhenyu Lu,Simon Shi-ning Yang,Jun Chen,Yushi Hu,Steve Weiyi Yang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-11.

Nonvolatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US9691756B2. Автор: Euipil Kwon. Владелец: Rangduru Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240121954A1. Автор: Teng-Hao Yeh,Chih-Wei Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Three-dimensional nand memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240215231A1. Автор: Wei Xu,Bo Xu,BIN Yuan,Zongliang Huo,Lei Xue,Yali Guo,Beibei Li,Simin Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Cell string of flash memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070064496A1. Автор: Sang Oh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-03-22.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: EP1750272A3. Автор: Syusuke Iwata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-23.

Semiconductor memory devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US11903184B2. Автор: Yong Seok Kim,Kyung Hwan Lee,Jae Ho Hong,Hui-jung Kim,Min Hee Cho,Il Gweon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor Memory Device And Method For Manufacturing The Same

Номер патента: US20230247823A1. Автор: Youngseok Kim,Jae Seong PARK,Sung-wook Jung,Daeyoung MOON,Young Sin Kim,Suhwan Hwang,Seongkeun CHO,Keum Joo Lee,Sungduk Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-03.

Semiconductor memory device and method of producing the same

Номер патента: US20230301065A1. Автор: Keiji Ikeda,Mutsumi Okajima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor memory device and method of testing the same

Номер патента: US20140269089A1. Автор: Satoshi Inoue,Yuui Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240099029A1. Автор: Yoshiki Nagashima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor memory device, memory system including the same and operating method thereof

Номер патента: US20150155041A1. Автор: Min Kyu Lee,Chi Wook An. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-04.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20210304831A1. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US11355207B2. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-06-07.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US7893473B2. Автор: Kenji Maruyama,Masao Kondo,Keisuke Sato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2011-02-22.

Magnetoresistance random access memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US12069955B2. Автор: Hui-Lin WANG,Po-Kai Hsu,Chen-Yi Weng,Jing-Yin Jhang,Ching-Hua Hsu,Si-Han Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor memory device and electric device with the same

Номер патента: US20050105335A1. Автор: Riichiro Shirota,Masayuki Ichige,Kikuko Sugimae,Takuya Futatsuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-05-19.

Phase-Change Random Access Memory Device and Methods of Making the Same

Номер патента: US20240206351A1. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US20220384525A1. Автор: Yu-Ming Lin,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240147738A1. Автор: Yu-Ming Lin,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230143211A1. Автор: Chih-Jen Huang,Chao-Yang Chen. Владелец: Memorist Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Staircase structure in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US20210384118A1. Автор: Zhiliang Xia,Di Wang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-09.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210159231A1. Автор: Minsu Lee,Kiseok LEE,Minhee Cho,Woobin SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-27.

Storage node of a resistive random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080169459A1. Автор: Sang-jun Choi,Jung-hyun Lee,Chang-Soo Lee,Hyung-Jin Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-17.

Semiconductor memory module and computer system including the same

Номер патента: US20240203959A1. Автор: Hyun bae Lee,Min Ho Park,In Seok JANG,Nam Hyeon CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor memory device and method for forming the same

Номер патента: US20230371259A1. Автор: Chung-Te Lin,Sheng-Chih Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US20240185906A1. Автор: Seungki HONG,Jongmin BANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US20230170009A1. Автор: Seungki HONG,Jongmin BANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-01.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US11908507B2. Автор: Seungki HONG,Jongmin BANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160284868A1. Автор: Hideyuki Nishizawa,Koji Asakawa,Shigeki Hattori,Masaya Terai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-29.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US11778811B2. Автор: Jiyoung Kim,Dongjun Lee,Bong-Soo Kim,Sang Chui Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200203354A1. Автор: Jiyoung Kim,Dongjun Lee,Bong-Soo Kim,Sang Chul Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-25.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20060024918A1. Автор: Fukashi Morishita,Masakazu Hirose. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-02-02.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20080023743A1. Автор: Fukashi Morishita,Masakazu Hirose. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-01-31.

Non-volatile memory device and operating method of the same

Номер патента: US20230127162A1. Автор: Junhyung Kim,Jinyoung Park,Kibog PARK,Sungchul JUNG,Seokhyeong Kang,Wonho SONG,Jaehyeong JO. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2023-04-27.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240306380A1. Автор: Hyeon-Woo Jang,Soo Ho SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor memory devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US20220199625A1. Автор: Yong Seok Kim,Kyung Hwan Lee,Jae Ho Hong,Hui-jung Kim,Min Hee Cho,Il Gweon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-23.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20180190358A1. Автор: Hae Soo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

Three-dimensional NAND memory device and method of forming the same

Номер патента: US12041773B2. Автор: Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Zhongwang SUN,Rui Su. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US12089414B2. Автор: Yih Wang,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Shih-Lien Linus Lu,Chia-En HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20190019562A1. Автор: Se Hoon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-01-17.

Resistive memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20180190352A1. Автор: Jaeyeon LEE,Cheol Seong Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

Ferroelectric memory device and method of making the same

Номер патента: US20230262986A1. Автор: Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Ya-Yun Cheng,Huan-Sheng WEI,Chung-Wei Wu,Wen-Ling LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170005261A1. Автор: Shosuke Fujii,Takayuki Ishikawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-05.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20230337415A1. Автор: Yoosang Hwang,MinSu CHOI,Keunnam Kim,Myeong-Dong LEE,Hyeon-Woo Jang,Sooho Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170077183A1. Автор: Akihito Ikedo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Variable resistance memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20220102628A1. Автор: Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170025475A1. Автор: Hiroyuki Ode,Takeshi Takagi,Toshiharu Tanaka,Takeshi Yamaguchi,Masaki Yamato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-26.

Multibit memory device and method of operating the same

Номер патента: US12033703B2. Автор: OREN Shlomo,Amichai GIVANT,Yair Sofer. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-09.

Multibit memory device and method of operating the same

Номер патента: WO2023059772A1. Автор: OREN Shlomo,Amichai GIVANT,Yair Sofer. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2023-04-13.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170077398A1. Автор: Yusuke ARAYASHIKI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US11832436B2. Автор: Seung Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230328963A1. Автор: Sung Gil Kim,Ji Hun NOH,Beom Seo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-12.

Magnetic memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20090273045A1. Автор: Woo-Yeong Cho,Choong-Keun Kwak,Yun-Seung Shin,Hyun-Geun Byun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-11-05.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210305230A1. Автор: Mutsumi Okajima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220310581A1. Автор: Mutsumi Okajima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-29.

Magnetoresistive memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20170069687A1. Автор: Tadashi Kai,Kenji Noma,Masahiko Nakayama,Yutaka Hashimoto,Yasuyuki Sonoda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Non-volatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20120044767A1. Автор: Jae-Gun Park,Jong-Dae Lee,Sung-Ho Seo,Woo-Sik Nam,Hyun-Min Seung,Yool-Guk Kim,Young-Hwan Oh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-02-23.

Semiconductor memory device and method for operating the same

Номер патента: US20060239060A1. Автор: Yasuhiro Shimada. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-26.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20150117123A1. Автор: Jong Soon Leem. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-04-30.

Semiconductor memory device and method of forming the same

Номер патента: US11765890B2. Автор: Keisuke Shimada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Memory device including page buffer circuit and ssd including the memory device, and method of using the same

Номер патента: EP4365902A1. Автор: Daeseok Byeon,Yongsung CHO,Minjeong Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-08.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US8953381B2. Автор: Jong Soon Leem. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-02-10.

Semiconductor memory device and method of forming the same

Номер патента: US20230047552A1. Автор: Keisuke Shimada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Memory devices and methods for forming the same

Номер патента: WO2024139206A1. Автор: Yu Wang,Xu HOU,Danyang Li,Zhichao DU,Daesik Song. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-07-04.

Nonvolatile semiconductor memory test circuit and method, nonvolatile semiconductor memory and method for fabricating nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20020024862A1. Автор: Yoshinori Odake,Takahiko Hashidzume. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-28.

Self-healing memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230072894A1. Автор: Young Jin Kim,Tae Whan Kim,Hao Qun An. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2023-03-09.

Ferroelectric memory device and method of making the same

Номер патента: US20030087480A1. Автор: Hee Kang. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-08.

Magnetic random access memory device and method of forming the same

Номер патента: US7645619B2. Автор: Jun-Soo Bae,Jang-eun Lee,Hyun-Jo Kim,Young-ki Ha,Se-Chung Oh,Kyung-Tae Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-12.

Semiconductor memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20220415906A1. Автор: Jae Hyun Park,Sung Il Park,Min Gyu Kim,Do Young Choi,Dae Won Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor memory device and memory module using the same

Номер патента: US5818792A. Автор: Toshio Sasaki,Shigeru Suzuki,Kiyoshi Inoue,Masakazu Aoki,Kazumasa Yanagisawa,Masashi Horiguchi,Toshio Sugano,Seiichiro Tsukui. Владелец: Hitachi Tohbu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 1998-10-06.

Semiconductor device having diode connectedto memory device and circuit including the same

Номер патента: US11950409B2. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: EP4277449A1. Автор: Seok Han PARK,Ki Seok Lee,Keun Nam KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-15.

Semiconductor memory device and method of forming the same

Номер патента: US20230389437A1. Автор: Hsiang-Ku Shen,Dian-Hau Chen,Liang-Wei WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230371243A1. Автор: Seok Han PARK,Ki Seok Lee,Keun Nam KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device having diode connectedto memory device and circuit including the same

Номер патента: US20230320081A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20160163981A1. Автор: Reika Ichihara,Shuichi Toriyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-06-09.

Semiconductor memory device and method of forming the same

Номер патента: US20210296319A1. Автор: Mitsunari Sukekawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US9691978B2. Автор: Reika Ichihara,Shuichi Toriyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20210225763A1. Автор: Tzu-Ming Ou Yang,Shu-Ming LEE,Ling-Chun TSENG. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-07-22.

Nonvolatile memory device and operating method of the same

Номер патента: US20210151678A1. Автор: Donhee Ham,Hyeonjin Shin,Minhyun LEE,Haeryong Kim,Houk Jang,Chengye LIU,Henry HINTON. Владелец: Harvard College. Дата публикации: 2021-05-20.

Memory device and method for forming the same

Номер патента: US20200105343A1. Автор: Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu,Sheng-Hung SHIH,Chu-Jie HUANG,Nai-Chao Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Non-volatile memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US20140160854A1. Автор: Jung-Dal Choi,Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-06-12.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US8724377B2. Автор: Takaya Yamanaka,Yoshiaki Asao,Susumu Shuto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-05-13.

Semiconductor memory device and method of forming the same

Номер патента: US20090185426A1. Автор: Peng-Fei Wang,Yi Gong. Владелец: Yi Gong. Дата публикации: 2009-07-23.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240064960A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Janbo Zhang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Variable resistive memory device, memory system including the same and method of driving the variable resistive memory device

Номер патента: US11862241B2. Автор: Min Chul Shin,Seung Min BAEK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Memory device and memory system having the same

Номер патента: US20200027510A1. Автор: Min Su Kim,Sang Hwan Kim,Kyeong Min CHAE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-23.

Memory device, memory system including the same and methods of operation

Номер патента: US20210257266A1. Автор: Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Semiconductor memory device and method for controlling the same

Номер патента: US20170278557A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,William J. Gallagher,Yu-Der Chih,Chun-Jung Lin,Tien-Wei Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-28.

Memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US20190066773A1. Автор: Sung-Hyun Park,Jae-Seung Choi,In-Hak Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-02-28.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US8450145B2. Автор: Yushi Inoue. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2013-05-28.

Non-volatile memory device and system including the same

Номер патента: US20240015977A1. Автор: Yong Seok Kim,Min Jun Lee,Jong Ho WOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-11.

Tri-state read-only memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US5859460A. Автор: Yi-Chung Sheng,Kuan-Cheng Su,Chen-Hui Chung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-01-12.

Mfms-fet, ferroelectric memory device, and methods of manufacturing the same

Номер патента: WO2009054707A3. Автор: Byung-Eun Park. Владелец: Univ Seoul Ind Coop Found. Дата публикации: 2009-07-23.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120205612A1. Автор: Hirofumi Inoue,Eiji Ito,Hideyuki Tabata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Vertical non-volatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20170236559A1. Автор: Sung-Min Hwang,Han-Soo Kim,Ki-Hyun Kim,Jae-Hoon Jang,Won-Seok Cho,Jae-Hun Jeong,Sun-Il Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-17.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220336531A1. Автор: Takuya Konno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-10-20.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180047786A1. Автор: Takuya Konno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-15.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US10115771B2. Автор: Takuya Konno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-10-30.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190259813A1. Автор: Takuya Konno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-08-22.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US10325957B2. Автор: Takuya Konno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-06-18.

Nonvolatile memory device and system including the same

Номер патента: EP4284143A1. Автор: JUNG Tae Sung,Moo Rym CHOI,Yun Sun Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-29.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230337413A1. Автор: Yongjin Lee,Wonsok Lee,Min Hee Cho,Min Tae RYU,Sungwon Yoo,Huije Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200227480A1. Автор: Takuya Konno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190035852A1. Автор: Takuya Konno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-01-31.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230146012A1. Автор: Dong-wan Kim,Dong-Sik Park,Jihoon Chang,Hyeon-Woo Jang,Sooho Shin,Keonhee Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-11.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US11895849B2. Автор: Yu-Ming Lin,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US20210399052A1. Автор: Yu-Ming Lin,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US20230253039A1. Автор: Yu-Yu Lin,Feng-Min Lee,Ming-Hsiu Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Phase-change random access memory device and method of making the same

Номер патента: US20210249592A1. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-12.

Phase-change random access memory device and method of making the same

Номер патента: US11950518B2. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Memory cell, memory device, and methods of forming the same

Номер патента: SG11201806324UA. Автор: XINPENG WANG,Hideaki Fukuzawa,Jun Yu,Michael Han,Vladimir Bliznetsov. Владелец: Agency Science Tech & Res. Дата публикации: 2018-08-30.

Memory devices and methods of forming the same

Номер патента: US20210287741A1. Автор: Yi Jiang,Juan Boon Tan,Kai Kang,Wanbing YI,Curtis Chun-I HSIEH,Wei-Hui HSU. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-09-16.

Memory devices and methods of forming the same

Номер патента: US20210358544A1. Автор: Yi Jiang,Juan Boon Tan,Kai Kang,Wanbing YI,Curtis Chun-I HSIEH,Wei-Hui HSU. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-11-18.

Memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240057325A1. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Shiqi HUANG,Yanhong Wang,Yaqin LIU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20230189503A1. Автор: Sohyun Park,Eunjung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor memory device and method for forming the same

Номер патента: US20200365604A1. Автор: Chung-Te Lin,Sheng-Chih Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Memory devices and methods of forming the same

Номер патента: US11978510B2. Автор: Yi Jiang,Juan Boon Tan,Kai Kang,Wanbing YI,Curtis Chun-I HSIEH,Wei-Hui HSU. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-05-07.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US12016176B2. Автор: Hyeon-Woo Jang,Soo Ho SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-18.

Nor-type memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200343260A1. Автор: Chen-Chih WANG,Li-Wei Ho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-10-29.

NOR-type memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US11049874B2. Автор: Chen-Chih WANG,Li-Wei Ho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-06-29.

Variable resistance memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US8653493B2. Автор: Youngnam HWANG,Myung Jin Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-02-18.

Nanowire memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120178233A1. Автор: Jung-Hoon Lee,Jin-Gyoo Yoo,Cheol-soon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-07-12.

Magnetoresistive random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210005807A1. Автор: Baeseong KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-07.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US11961574B2. Автор: Un Sang Lee,June Young Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Variable resistance memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20140113429A1. Автор: Youngnam HWANG,Myung Jin Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-04-24.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20220005532A1. Автор: Sung Hyun Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-01-06.

Magnetic memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US20130294151A1. Автор: In-jun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-11-07.

Magnetic memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20200168664A1. Автор: Juhyun Kim,Eunsun Noh,Whankyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-28.

Resistive memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20190272875A1. Автор: Jaeyeon LEE,Cheol Seong Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-09-05.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240212769A1. Автор: Un Sang Lee,June Young Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Non-volatile memory device and method for programming the same using multiple program operations under different conditions

Номер патента: US11901021B2. Автор: Junyong PARK,Sungmin JOE,Byungsoo Kim,Hyunggon KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-13.

Magnetic memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180358104A1. Автор: Masaki Kado,Susumu Hashimoto,Shiho Nakamura,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Nobuyuki UMETSU,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-12-13.

Magnetic memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10453545B2. Автор: Masaki Kado,Susumu Hashimoto,Shiho Nakamura,Takuya Shimada,Tsuyoshi Kondo,Yasuaki Ootera,Nobuyuki UMETSU,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-10-22.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11871588B2. Автор: Erh-Kun Lai,Feng-Min Lee,Yu-Hsuan Lin,Ming-Hsiu Lee,Po-Hao Tseng,Dai-Ying LEE. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Signal lines in memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20220328396A1. Автор: YU LONG,Jia Sun,Yushi Hu,Ke Ma,Meilan GUO. Владелец: Wuxi Petabyte Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-13.

Memory devices and methods for operating the same

Номер патента: US20230389303A1. Автор: Hsiang-Wei Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Resistive memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20190287611A1. Автор: Feng-Min Lee,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-19.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220238536A1. Автор: Takashi Ohashi,Shohei KAMISAKA,Yosuke Nosho,Takashi Hirotani. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2022-07-28.

Contact structures having conductive portions in substrate in three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20210159238A1. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Beihan Wang,Wenxiang Xu,Ji XIA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-27.

Magnetic memory device and driving method for the same

Номер патента: US20150078070A1. Автор: Shiho Nakamura,Tetsufumi Tanamoto,Michael Arnaud QUINSAT. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-19.

Variable resistance memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130277637A1. Автор: Byeung Chul Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-10-24.

Memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20210151452A1. Автор: Kiyoon KANG,Jisung Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-20.

Ferroelectric memory device and method of forming the same

Номер патента: US12041783B2. Автор: Chun-Chieh Lu,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Vertical 3d memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210225938A1. Автор: Corrado Villa,Paolo Tessariol,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-22.

Vertical 3D memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11158673B2. Автор: Corrado Villa,Paolo Tessariol,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-26.

Nonvolatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US8848455B2. Автор: Kenji Noma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-30.

Nonvolatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120195116A1. Автор: Kenji Noma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-02.

3D NAND memory device and method of forming the same

Номер патента: US11737263B2. Автор: Fushan Zhang,Enbo Wang,Yushi Hu,Haohao YANG,Ruo Fang ZHANG,Qianbing Xu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Ferroelectric memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US10453514B2. Автор: Hyangkeun YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-22.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20190035481A1. Автор: Hae Soo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-01-31.

Nonvolatile memory device and method of programming the same

Номер патента: US20170271016A1. Автор: Yoon-hee Choi,Sang-Hyun Joo,Sungyeon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-21.

Nonvolatile memory device and program method of the same

Номер патента: US20180268907A1. Автор: Yong-Seok Kim,Byoung-taek Kim,Ji-Ho Cho,Won-Bo Shim,Sun-gyung HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-09-20.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20220392521A1. Автор: Yuki Okamoto,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-08.

Resistive memory device and method of programming the same

Номер патента: US11640842B2. Автор: Moonki Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-02.

Semiconductor memory device, memory system including the same, and operating method thereof

Номер патента: US9384846B1. Автор: Keon Soo Shim,Bong Yeol PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-07-05.

Semiconductor memory device and method of operating the same whereby the voltage of a floated common source line is increased by increasing the voltage of a source select line coupled to an unselected memory block

Номер патента: US12073893B2. Автор: Hee Youl Lee,Kwang Min LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240321365A1. Автор: Hee Youl Lee,Kwang Min LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory device, memory system including the same and operating method thereof

Номер патента: US20240257886A1. Автор: Sung Yong Lim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor memory device and method of verifying the same

Номер патента: US20080123428A1. Автор: Makoto Senoo,Kazunari Kido,Yoshihiro Tsukidate,Shunichi Toyama. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-29.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240046984A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20140362643A1. Автор: Naoki Yasuda,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-11.

Semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20150262656A1. Автор: Yasuhiro Shimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20180090224A1. Автор: Hoon Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-29.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US9406402B2. Автор: Tae Hoon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-02.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20230282274A1. Автор: Cheng Hung Lee,Chien-yuan Chen,Hau-Tai Shieh,Che-An Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Nonvolatile memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20240290401A1. Автор: Yohan Lee,Sangsoo Park,Yonghyuk Choi,Jaeduk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Nonvolatile memory device and method of controlling the same

Номер патента: EP4421811A1. Автор: Yohan Lee,Sangsoo Park,Yonghyuk Choi,Jaeduk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-28.

Semiconductor memory device and method of programming the same

Номер патента: US20110158000A1. Автор: Young Soo Park,Ka Young CHO. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-30.

Semiconductor memory device and method of verifying the same

Номер патента: US7593266B2. Автор: Makoto Senoo,Kazunari Kido,Yoshihiro Tsukidate,Shunichi Toyama. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-22.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240177785A1. Автор: Se Chun Park,Chan Hui Jeong,Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor memory device and method for operating the same

Номер патента: US20190051359A1. Автор: Min Kyu Park,Deung Kak YOO,Soo Jin Wi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-02-14.

Memory device including page buffer circuit and ssd including the memory device, and method of using the same

Номер патента: US20240153565A1. Автор: Daeseok Byeon,Yongsung CHO,Minjeong Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-09.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US20240071504A1. Автор: Yih Wang,Yu-Ming Lin,Yi-Ching Liu,Pei-Chun Liao,Chieh Lee,Yu-Kai Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US10276245B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-04-30.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20220101928A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US11398281B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-07-26.

Semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20200294594A1. Автор: Keita Kimura,Hidehiro Shiga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US10896733B2. Автор: Keita Kimura,Hidehiro Shiga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-01-19.

Nonvolatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US20100124107A1. Автор: Mi Sun Yoon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-05-20.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20210098066A1. Автор: In Gon YANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Memory device, memory system including the memory device, and operating method of the memory system

Номер патента: US20200381054A1. Автор: Sung Ho Kim,Jong Han AHN,Seong Cheon YU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US11901017B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20190304515A1. Автор: Hee Youl Lee,Sung In Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US12027209B2. Автор: Jong Woo Kim,Un Sang Lee,Chi Wook An. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Nonvolatile memory device and method of erasing the same

Номер патента: US20120008412A1. Автор: Young Soo Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-01-12.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240161841A1. Автор: Seung Geun JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Non-volatile memory device and method of driving the same

Номер патента: US20080209150A1. Автор: Dae-Seok Byeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-28.

Nonvolatile memory device and method of driving the same

Номер патента: US20090296467A1. Автор: Sung-Soo Lee,Hyung-Gon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-12-03.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20230307069A1. Автор: Han Soo Joo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Nonvolatile memory device and operating method of the same

Номер патента: US10373691B2. Автор: Bong-Kil Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-08-06.

Charge trap-type 3-level non-volatile semiconductor memory device and method of driving the same

Номер патента: US20070030756A1. Автор: Jung-Dal Choi,Ki-tae Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-08.

Non-volatile memory device, memory system including the same and read method of memory system

Номер патента: US12020755B2. Автор: Sung Hun Kim,Hyo Jae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Dynamic semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US20200176052A1. Автор: Kwang Hyun Kim,Chul Hwan Choo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-04.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20230229344A1. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor Memory Device and Method for Operating the Same

Номер патента: US20100290279A1. Автор: Kwang-Myoung Rho,Woo-Hyun Seo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-11-18.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US12009048B2. Автор: Sanghak Shin,Woongdai KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US20240282346A1. Автор: Sanghak Shin,Woongdai KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US20230139579A1. Автор: Sanghak Shin,Woongdai KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-04.

Non-volatile memory device and operation method of the same

Номер патента: US20200258577A1. Автор: Hyun-Jin Kim,Soo-Woong Lee,Jae-Yong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-13.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20140064005A1. Автор: Woong-Ju JANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-03-06.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20120314518A1. Автор: Sang Oh Lim,Ho Youb Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2012-12-13.

Semiconductor memory device, memory system including the same, and operating method thereof

Номер патента: US20160224440A1. Автор: Jong Won Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-04.

Semiconductor memory device, memory system including the same and operating method thereof

Номер патента: US20170032829A1. Автор: Jin Su Park,Min gi HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-02.

Flash memory device and method for driving the same

Номер патента: US20080247247A1. Автор: Sang-Gu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-10-09.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US8873301B2. Автор: Tae Heui Kwon,Hwang Huh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-28.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240028218A1. Автор: Se Chun Park,Chan Hui Jeong,Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Storage device including nonvolatile memory device and method of operating the same

Номер патента: US11775203B2. Автор: Jinyoung Kim,Dongmin Shin,Sehwan Park,Youngdeok SEO,Woohyun Kang,Shinho Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Voltage detection circuit and method for semiconductor memory devices

Номер патента: US20030198088A1. Автор: Duane Laurent. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2003-10-23.

Voltage detection circuit and method for semiconductor memory devices

Номер патента: EP1355315A3. Автор: Duane Giles Laurent. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2004-12-15.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20230395163A1. Автор: Jong Woo Kim,Eun Woo JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Method of correcting error of flash memory device, and, flash memory device and storage system using the same

Номер патента: US8612830B2. Автор: Jun Kitahara,Nagamasa Mizushima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2013-12-17.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20120008402A1. Автор: Seong Je Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-01-12.

Semiconductor memory device and method of driving the same

Номер патента: US20160071579A1. Автор: Shinji Miyano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-10.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20180004421A1. Автор: Tai Kyu Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20180033494A1. Автор: Tae Hoon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-01.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20150070995A1. Автор: Min Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-03-12.

Semiconductor memory device and method for controlling the same

Номер патента: US8391072B2. Автор: Teruo Takagiwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-03-05.

Semiconductor memory device and method for operating the same

Номер патента: US20140026012A1. Автор: Ji-Hyun Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-01-23.

Semiconductor memory device and method for operating the same

Номер патента: US20180157546A1. Автор: Deung Kak YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-07.

Semiconductor memory device and method for operating the same

Номер патента: US10180873B2. Автор: Deung Kak YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-01-15.

Semiconductor memory device and method for controlling the same

Номер патента: US20110141817A1. Автор: Teruo Takagiwa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-16.

Flash memory device and method of operating the same

Номер патента: US20090040826A1. Автор: Jae Won Cha,Sam Kyu Won,Kwang Ho Baek. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-02-12.

Receiver circuit, memory device and operation method using the same

Номер патента: US11830535B2. Автор: Chi-Sing Lo. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Non-volatile semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20210012854A1. Автор: Daisuke Uchida. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-01-14.

Receiver circuit, memory device and operation method using the same

Номер патента: US20230109655A1. Автор: Chi-Sing Lo. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-04-06.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240004558A1. Автор: Jae Woong Kim,Shin Won SEO,Dong Jae JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20140010008A1. Автор: Byoung In JOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-01-09.

Semiconductor memory device and methods of operating the same

Номер патента: US20140043908A1. Автор: Jae Won Cha,Seong Hun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-02-13.

Semiconductor memory device and methods of operating the same

Номер патента: US20150036433A1. Автор: Jae Won Cha,Seong Hun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-02-05.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US12068039B2. Автор: Jae Il TAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20230307063A1. Автор: Jae Il TAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor memory device and method of driving the same

Номер патента: US20160266845A1. Автор: Byoung In JOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-15.

Memory system for processing data from memory device, and method of operating the same

Номер патента: US9368195B2. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-14.

Providing time-stamps for a memory device and method for managing the same

Номер патента: US11599273B2. Автор: Alberto Troia,Vincenzo Reina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-07.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240069746A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240028220A1. Автор: Jong Wook Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor memory device and test method of the same

Номер патента: US20130166959A1. Автор: Chul-Woo Yang,Byoung-In Joo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-27.

Semiconductor memory device and method of programming the same

Номер патента: US20120134214A1. Автор: Seok Jin Joo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-05-31.

Nonvolatile memory devices and methods of driving the same

Номер патента: US20130051164A1. Автор: Chang-Jung Kim,Chang-Bum Lee,Young-Bae Kim,Myoung-Jae Lee,Dong-Soo Lee,Man Chang,Seung-Ryul Lee,Kyung-Min Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-02-28.

Semiconductor memory device and method of inspecting the same

Номер патента: US20100054042A1. Автор: Kazuhiko Miki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-03-04.

Semiconductor memory devices, memory systems including the same and methods of operating memory systems

Номер патента: US11994948B2. Автор: Ho-young Song,Hyun-Joong Kim,Hoi-Ju CHUNG,Sang-Uhn CHA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-28.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20230289072A1. Автор: Reum Oh,Seunghyun CHO,Younghwa Kim,Youngju Kim,Yujung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor memory device and method for initializing the same

Номер патента: EP1488424A2. Автор: Hiroshige Hirano,Yasuo Murakuki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-22.

Semiconductor memory device and method of testing the same

Номер патента: US20140050035A1. Автор: Shin Ho Chu. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-02-20.

Reference column of semiconductor memory, and electronic device including the same

Номер патента: US20140241041A1. Автор: Ji-Wang Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-08-28.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US12027194B2. Автор: Seungki HONG,Geuntae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-02.

Memory device, a controller for controlling the same, a memory system including the same, and a method of operating the same

Номер патента: US20220068366A1. Автор: Sukhan Lee,Seongil O,Namsung KIM,Jaeyoun Youn,Youngcheon Kwon,Kyomin Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20040004890A1. Автор: Hiroki Fujisawa,Hideyuki Yokou. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2004-01-08.

Semiconductor memory device and test method for the same

Номер патента: US20230115776A1. Автор: Haruyuki Okuda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-04-13.

Semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20030227808A1. Автор: Atsumasa Sako. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-12-11.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20110158023A1. Автор: Kang-Seol Lee,Tae-Sik Yun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-30.

Semiconductor memory device and method for operating the same

Номер патента: US20110002179A1. Автор: Sung-Ho Kim,Kwi-Dong Kim,Mun-Phil Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-01-06.

Semiconductor memory device and method for operating the same

Номер патента: US8379473B2. Автор: Sung-Ho Kim,Kwi-Dong Kim,Mun-Phil Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-02-19.

Multi-channel semiconductor memory device and method of refreshing the same

Номер патента: US20110007594A1. Автор: Ho-Young Kim,Woo-pyo Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-01-13.

Memory cell, memory device, and electronic device having the same

Номер патента: US20180005692A1. Автор: Jong-Hoon Jung,Sung-Hyun Park,Woo-Jin Rim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-04.

Refresh circuit having variable restore time according to operating mode of semiconductor memory device and refresh method of the same

Номер патента: US20030198099A1. Автор: Jong-Yeol Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-10-23.

Semiconductor memory device and layout method of the same

Номер патента: US20040095836A1. Автор: Hyun-su Choi,Nak-woo Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-05-20.

Semiconductor memory device and method of testing the same

Номер патента: US7443748B2. Автор: Mamoru Aoki. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-10-28.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20120069628A1. Автор: Hiroshi Ito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-22.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20130083617A1. Автор: Choung-Ki Song. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-04-04.

Memory core and semiconductor apparatus with transposed matrix calculation function including the same

Номер патента: US20240192925A1. Автор: Gi Moon HONG,Dae Han Kwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor memory device and method of testing the same

Номер патента: US20140226422A1. Автор: Suk Min Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-08-14.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US20100322021A1. Автор: Ho-Young Kim,Ho-Cheol Lee,Jung-Bae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-12-23.

Semiconductor memory device and system including the same

Номер патента: US20110116335A1. Автор: Jung-Bae Lee,Cheol Kim,Dong Hyuk Lee,Doo-gon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-05-19.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US20120188834A1. Автор: Ho-Young Kim,Ho-Cheol Lee,Jung-Bae Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-26.

Memory device and operation method of the same

Номер патента: US20170270054A1. Автор: Seon-wook Kim,Il Park,Ho-Kyoon LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20120303871A1. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-29.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20110273944A1. Автор: Jin Su Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-11-10.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US20230143397A1. Автор: Seungki HONG,Geuntae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-11.

Phase change memory device and computing system having the same

Номер патента: US20130058160A1. Автор: Joo-young Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-03-07.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20110080794A1. Автор: Kie-Bong Ku. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-04-07.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US20180342302A1. Автор: Kuen-Long Chang,Ken-Hui Chen,Su-Chueh Lo,Chun-Yu Liao. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-29.

Electronic system including host, memory controller and memory device and method of operating the same

Номер патента: US20220171532A1. Автор: Hye Mi KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-06-02.

Block decoding circuits of semiconductor memory devices and methods of operating the same

Номер патента: US20090196112A1. Автор: Yong-ho Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-08-06.

Semiconductor memory device and method for operating the same

Номер патента: US20160042805A1. Автор: Ga-Ram Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-02-11.

Semiconductor memory device and method of testing the same

Номер патента: US20110164464A1. Автор: Tomohiro Sawada. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-07-07.

Semiconductor memory device and method for operating the same

Номер патента: US9514840B2. Автор: Ga-Ram Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20080219073A1. Автор: Khil-Ohk Kang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-09-11.

High bandwidth memory device and system device having the same

Номер патента: SG10201901508YA. Автор: Reum Oh,Jun Gyu Lee,Ki Heung Kim,Moon Hee Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-30.

Memory device, a controller for controlling the same, a memory system including the same, and an operating method of the same

Номер патента: US20240095122A1. Автор: Yesin RYU,Jaeyoun Youn,Sunggi AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor memory device and method for operating the same

Номер патента: US20130148449A1. Автор: Sung-Ho Kim,Kwi-Dong Kim,Mun-Phil Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-06-13.

Memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240221819A1. Автор: Yu Wang,Xu HOU,Danyang Li,Zhichao DU,Daesik Song. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Memory device and system including the same

Номер патента: US9653140B2. Автор: Yong Woo Lee,Chang Hyun Kim,Jae Jin Lee,Min Chang Kim,Do Yun Lee,Hun Sam Jung,Hoe Kwon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US12014796B2. Автор: Meng-Sheng CHANG,Ku-Feng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Memory device and system including the same

Номер патента: US20170221545A1. Автор: Yong Woo Lee,Chang Hyun Kim,Jae Jin Lee,Min Chang Kim,Do Yun Lee,Hun Sam Jung,Hoe Kwon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-03.

Memory device and system including the same

Номер патента: US20170110176A1. Автор: Yong Woo Lee,Chang Hyun Kim,Jae Jin Lee,Min Chang Kim,Do Yun Lee,Hun Sam Jung,Hoe Kwon JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-20.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20160133323A1. Автор: Dae-Seok Byeon,Yeong-Taek Lee,Hyo-Jin KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-12.

Memory device, a controller for controlling the same, a memory system including the same, and a method of operating the same

Номер патента: EP3964972A1. Автор: Sukhan Lee,Seongil O,Namsung KIM,Jaeyoun Youn,Youngcheon Kwon,Kyomin Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-09.

Memory device, a controller for controlling the same, a memory system including the same, and a method of operating the same

Номер патента: US11869571B2. Автор: Sukhan Lee,Seongil O,Namsung KIM,Jaeyoun Youn,Youngcheon Kwon,Kyomin Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor memory device and memory system having the same

Номер патента: US20120087201A1. Автор: Jinyeong MOON. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-04-12.

Semiconductor memory device and method for controlling the same

Номер патента: US20110141823A1. Автор: Teruo Takagiwa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-16.

Memory device and test method of the same

Номер патента: US10269443B2. Автор: Chih-Wei Chang,Chun-Chi Yu,Shen-Kuo Huang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-04-23.

Three dimensional memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240203463A1. Автор: Murat Kerem Akarvardar,Xiaochen PENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor memory device and method for operating the same

Номер патента: US20150170761A1. Автор: Chun-Seok Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-18.

Semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20130250652A1. Автор: Haruki Toda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-26.

Semiconductor memory device and method of testing the same

Номер патента: US20110161606A1. Автор: Shuichi Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-06-30.

Memory device, memory system including the same and method of operating the same

Номер патента: US20240144990A1. Автор: Seongjin Cho,Hijung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20210166737A1. Автор: Yong Soon Park,Won Sun Park,Geonu KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-06-03.

Semiconductor memory device and method for operating the same

Номер патента: US20110158024A1. Автор: Jong-Chern Lee,Dae-Suk Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-30.

Semiconductor memory device and operating method for the same

Номер патента: US20140189283A1. Автор: Sang-Oh LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-07-03.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240257851A1. Автор: Sanghoon Cha,Yuhwan Ro,Seungwoo Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240274174A1. Автор: He-Zhou Wan,Xiu-Li Yang,Kuan Cheng,Wei-Yang Jiang. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: EP4407620A1. Автор: Sanghoon Cha,Yuhwan Ro,Seungwoo Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-31.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US20140003183A1. Автор: Choung-Ki Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-01-02.

Nonvolatile memory device and method of testing the same

Номер патента: US20090290435A1. Автор: Jin Yong Seong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-11-26.

Semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20170084330A1. Автор: Reika Ichihara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-23.

Memory device, memory system including the same, and operating method of the memory system

Номер патента: US12001683B2. Автор: Heehyun Nam,Wansoo Choi,Sumin Ahn,Heeyeon TAK,Hyunseon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-04.

Semiconductor memory device and refresh method for the same

Номер патента: US20050157576A1. Автор: Hajime Sato,Yuji Nakagawa,Satoru Kawamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-07-21.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20170117039A1. Автор: Hiroyuki Ode,Takeshi Takagi,Toshiharu Tanaka,Takeshi Yamaguchi,Masaki Yamato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-27.

Data input circuit of semiconductor memory apparatus and data input method using the same

Номер патента: US20080285364A1. Автор: Kwang Hyun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-11-20.

Data alignment circuit and method of semiconductor memory apparatus

Номер патента: US20100329040A1. Автор: Jang Woo Lee,Chang Sik Yoo,Kee Teok Park,Chun Seok Jeong,Hong Jung Kim. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2010-12-30.

Semiconductor memory device and method for controlling the same

Номер патента: US20230377622A1. Автор: Kaoru Mori. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Methods for tuning command/address bus timing and memory devices and memory systems using the same

Номер патента: US20240249758A1. Автор: Dirgha Khatri,Timothy M. Hollis,Eric J. Stave,Matthew B. Leslie,Baekkyu Choi,Yogesh Sharma,Scott R. Cyr,Elancheren Durai,Quincy R. Holton,Boe L. Holbrook. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Parallel bit test circuit and method for semiconductor memory device

Номер патента: US20070288812A1. Автор: Sang-Seok Kang,Sang-man Byun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-12-13.

Defective cell repairing circuit and method of semiconductor memory device

Номер патента: US5657280A. Автор: Choong-Sun Shin,Yong-Sik Seok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1997-08-12.

Semiconductor memory apparatus and refresh control method of the same

Номер патента: US8169847B2. Автор: Young Hoon Oh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-05-01.

Semiconductor memory device and method of driving the same

Номер патента: US20110188333A1. Автор: Jung-han Kim,Jong Doo Joo,Cheol Ha Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-04.

Apparatus for controlling access to a memory device and memory system comprising the same

Номер патента: US11935623B2. Автор: Christopher Cox,Yibo Jiang,Leechung Yiu,Robert Xi Jin,Leonard DATUS,Lizhi Jin. Владелец: Montage Technology Kunshan Co. Дата публикации: 2024-03-19.

Method of determining deterioration state of memory device and memory system using the same

Номер патента: US9164881B2. Автор: Jun-Jin Kong,Chang-kyu Seol,Hong-rak Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-20.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: WO2021111159A1. Автор: Innocenzo Tortorelli,Marco Sforzin,Paolo Amato. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-10.

Static semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20040042325A1. Автор: Tetsuo Ashizawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-03-04.

Method of controlling repair of volatile memory device and storage device performing the same

Номер патента: EP3770764A1. Автор: Dong Kim,Hyunglae Eun,Inhoon Park,Jangseon PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-27.

Method of controlling repair of volatile memory device and storage device performing the same

Номер патента: US20210026728A1. Автор: Dong Kim,Hyunglae Eun,Inhoon Park,Jangseon PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-28.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US20240079050A1. Автор: Ching-Wei Wu,Feng-Ming Chang,Kuang Ting Chen,Peijiun LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Memory device, a memory system having the same and an operating method thereof in which a row address is not separated depending on pages in a byte mode operation

Номер патента: US12080332B2. Автор: Seungki HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140376169A1. Автор: Toshiro Yokoyama,Misa Sugimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-25.

Memory device and computing device using the same

Номер патента: US20200356308A1. Автор: Ga Ram Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-11-12.

Controller for semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20210042221A1. Автор: Eu Joon BYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-11.

Cache memory device and fpga including the same

Номер патента: US20190188145A1. Автор: Hyukjun Lee,Hyunwoo Park,Hyun SO. Владелец: Industry University Cooperation Foundation of Sogang University. Дата публикации: 2019-06-20.

Memory device and memory system having the same

Номер патента: US20180067693A1. Автор: Byung Ryul Kim,Yong Hwan HONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

Memory device, memory system including the same, and operating method of memory system

Номер патента: EP4411551A1. Автор: Jungho Park,Insu Kim,Jaeyong Jeong,Beomkyu Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-07.

Memory device and memory system inclding the same

Номер патента: US20170031594A1. Автор: Bong-Kil Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-02.

Memory device and computing device using the same

Номер патента: US11307826B2. Автор: Ga Ram Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-19.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20240264863A1. Автор: Yeongon Cho,Wooram YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: EP4411536A1. Автор: Wooram YANG,Yeongon Cho Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-07.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070176228A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-02.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050164427A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-07-28.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7432154B2. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-10-07.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7297594B2. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-11-20.

Semiconductor memory device and apparatus including the same

Номер патента: US12080649B2. Автор: Hyeonjin Shin,Kyung-Eun Byun,Changseok Lee,Minhyun LEE,Hyeonsuk Shin,Seokmo Hong. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor memory device and method for forming the same

Номер патента: US20230164974A1. Автор: PENG Guo,Yuanbao WANG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US10411137B2. Автор: Tomomitsu Risaki. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2019-09-10.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150221660A1. Автор: Tomomitsu Risaki. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2015-08-06.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140151779A1. Автор: Eun Joo Jung,Jong Moo Choi,Jung Il Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-05.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8836010B2. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-16.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20090008700A1. Автор: Choong-ho Lee,Byung-yong Choi,Albert Fayrushin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-01-08.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120168851A1. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: EP1480273A3. Автор: Jung-hyun Lee,Young-soo Park,Won-Tae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-02-08.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US11024640B2. Автор: Sung-Min Hwang,Jiwon Kim,Jiyoung Kim,Joon-Sung LIM,Woosung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-01.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220059615A1. Автор: Jae Ho Jung,Jong Uk Kim,Kwang Min Park,Zhe Wu,Ja Bin LEE,Dong Sung CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-24.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210111181A1. Автор: Sang Bum Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-15.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11444092B2. Автор: Sang Bum Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-09-13.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US12080791B2. Автор: Ki Seok Lee,Min Hee Cho,Min Su Lee,Sang Hoon Uhm,Min Tae RYU,Won Sok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor memory device and method for making the same

Номер патента: US20220384470A1. Автор: Chung-Te Lin,Sheng-Chih Lai,Yu-Wei Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240306370A1. Автор: Jang Eun Lee,Byoung Hoon Lee,Sungnam LYU,Hyo Jung Noh,Eul Ji JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US12096610B2. Автор: Chang-Min Hong,Hojoon Lee,Younghun Jung,Hee Bum Hong,Heesung Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170271366A1. Автор: Gaku Sudo,Yumiko Miyano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US6489644B1. Автор: Jeong Min Seon. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-03.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240292626A1. Автор: Tadashi Iguchi,Kazuki Shoji. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Non-volatile semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US20020000603A1. Автор: Kiyohiko Sakakibara,Hirotada Kuriyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-01-03.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090014778A1. Автор: Keita Takahashi,Koichi Kawashima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-15.

Nonvolatile memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20060226505A1. Автор: Yoo-Cheol Shin,Jung-Dal Dhoi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-10-12.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20060244025A1. Автор: Tomomi Yamanobe. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-02.

Semiconductor Memory Device and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20240244824A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Yifei Yan,Ken-Li Chen. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130049098A1. Автор: Tatsuo Izumi,Tohru Ozaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-02-28.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8779499B2. Автор: Masahiro Kiyotoshi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-07-15.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110284944A1. Автор: Yasushi Nakasaki,Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Shoko Kikuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-24.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130153985A1. Автор: Yasushi Nakasaki,Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Shoko Kikuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-06-20.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120256249A1. Автор: Yasushi Nakasaki,Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Shoko Kikuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-11.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8217444B2. Автор: Yasushi Nakasaki,Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Shoko Kikuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-10.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240292594A1. Автор: Sanghyun Lee,Dongjun Lee,Jinwoo Han,Kiseok LEE,Sung-Min Park,Seokhan Park,Iljae Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090179257A1. Автор: Masaru Kito,Yasuyuki Matsuoka,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-07-16.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20110241094A1. Автор: Mutsuo Morikado. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-10-06.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12089410B2. Автор: Masaki Tsuji,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Yoshiaki Fukuzumi,Shinya Arai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Non-volatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US5712178A. Автор: Jeong-Hyuk Choi,Myoung-kwan Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-01-27.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20190027486A1. Автор: Chung-Jen Huang,Yun-Chi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-24.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US12029024B2. Автор: Yuri Lee,Deokhan Bae,Juhun PARK,Yoonyoung Jung,Sooyeon Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-02.

Three-dimensional semiconductor memory device andelectronic system including the same

Номер патента: US20240237362A9. Автор: Jiwon Kim,Jiyoung Kim,Dohyung Kim,Sukkang SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Three-dimensional semiconductor memory device andelectronic system including the same

Номер патента: US20240138157A1. Автор: Jiwon Kim,Jiyoung Kim,Dohyung Kim,Sukkang SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120135593A1. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-05-31.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240251553A1. Автор: Ji Hoon Lee,Phil Ouk NAM,Young Bong SHIN,Mi Hye KANG,Jun Hee NA,Tae Gi YEH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240324165A1. Автор: Yuri Lee,Deokhan Bae,Juhun PARK,Yoonyoung Jung,Sooyeon Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240114674A1. Автор: Chang Sik Kim,Jae Won Na,Jun Hwa Song,Ji Hee Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-04.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210217759A1. Автор: Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160268300A1. Автор: Masaru Kito,Hanae ISHIHARA,Ryosuke SAWABE. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Method of making flash memory cells and peripheral circuits having sti, and flash memory devices and computer systems having the same

Номер патента: US20110117713A1. Автор: Young-woo Park,Jung-Dal Choi,Jang-Hyun You,Jin-Taek Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-05-19.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210202263A1. Автор: Takashi Shimizu,Masaaki Higuchi,Takahiro Hirai,Takeshi SONEHARA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170271350A1. Автор: Hiroshi NAKAKl,Takashi Maegawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10186517B2. Автор: Hiroshi Nakaki,Takashi Maegawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-01-22.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20110312155A1. Автор: Masayuki Tanaka,Hirofumi IIKAWA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-12-22.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20110316066A1. Автор: Masayuki Tanaka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-29.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240315002A1. Автор: Kwang-Ho Park,Seungjae Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Gate structure including multi-tunneling layer and method of fabricating the same, non-volatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070114572A1. Автор: Byung Kim,Eun-kyung Lee,Kyung-Sang Cho,Woong-Chul Shin,Kwang-Soo Seol. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-24.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240237324A9. Автор: Jeewoong KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210134803A1. Автор: Hyun-Suk Lee,Gihee CHO,Jungoo Kang,Sanghyuck Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-06.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230301068A1. Автор: Hyuk Kim,Youngsik Lee,Yeonsu KIM,Sangwuk PARK,Hwanchul JEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190067119A1. Автор: Ling-Wuu Yang,Jeng-Hwa Liao,Jung-Yu Shieh,Zong-Jie Ko. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100084702A1. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-04-08.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20060017121A1. Автор: Masatoshi Arai,Keita Takahashi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-26.

Nonvolatile semiconductor memory device and production method for the same

Номер патента: US20150048436A1. Автор: Masayuki Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Non-volatile semiconductor memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20020145155A1. Автор: Kenji Yamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-10-10.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US7518180B2. Автор: Masatoshi Arai,Keita Takahashi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-04-14.

High-voltage transistor, level-up shifting circuit, and semiconductor device

Номер патента: US20240222455A1. Автор: Chin-Chia Kuo,Ming-Hua Tsai,Wei-Hsuan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090194807A1. Автор: Hiroki Yamashita,Hiroshi Akahori,Wakako Takeuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-08-06.

Semiconductor memory device and driving method for the same

Номер патента: US7948800B2. Автор: Keita Takahashi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-05-24.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130307047A1. Автор: Masahiro Kiyotoshi,Kiwamu Sakuma,Yasuhito Yoshimizu,Haruka KUSAI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-11-21.

Semiconductor memory device and driving method for the same

Номер патента: US20090185427A1. Автор: Keita Takahashi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-07-23.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8106445B2. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-01-31.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060202260A1. Автор: Junya Maneki,Masaru Seto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7608488B2. Автор: Susumu Yoshikawa,Yasuyuki Baba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-27.

Flash memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080067579A1. Автор: Joo-Hyeon LEE. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-20.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240064952A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi-Ning Ju,Guan-Lin Chen,Bo-Rong Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20120086069A1. Автор: Tetsuya Kai,Yoshio Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-04-12.

Semiconductor memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240244821A1. Автор: Xiaobing Chen,Yu-Hsien Li,Daochu Wu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US11778805B2. Автор: Jooho Lee,Younsoo Kim,Kyooho JUNG,Jeong-Gyu SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7446362B2. Автор: Iwao Kunishima,Osamu Hidaka,Hiroyuki Kanaya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-11-04.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070212835A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-13.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110195558A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-11.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100144115A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-10.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7678663B2. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-03-16.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US12082395B2. Автор: Jooho Lee,Younsoo Kim,Kyooho JUNG,Jeong-Gyu SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7429508B2. Автор: Iwao Kunishima,Osamu Hidaka,Hiroyuki Kanaya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-09-30.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7208801B2. Автор: Koichi Matsuno,Tadashi Iguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-04-24.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050265112A1. Автор: Koichi Matsuno,Tadashi Iguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-01.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070148854A1. Автор: Koichi Matsuno,Tadashi Iguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-28.

Three-dimensional semiconductor memory device, electronic system including the same

Номер патента: US20240040791A1. Автор: Sunil Shim,Moorym CHOI,Jungtae Sung,Yunsun JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor memory device and method of forming the same

Номер патента: US20210313330A1. Автор: Takashi Sasaki,Shinobu Terada,Toshiyasu Fujimoto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-07.

Semiconductor memory device and method for forming the same

Номер патента: US12035519B2. Автор: PENG Guo,Yuanbao WANG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11049875B2. Автор: Shunsuke Hazue. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-06-29.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140048761A1. Автор: Shigeki Kobayashi,Hiroyuki Fukumizu,Yasuhiro Nojiri,Masaki Yamato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-02-20.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020033495A1. Автор: Jeong-Seok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-03-21.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020089037A1. Автор: Jeong-Seok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-07-11.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020000590A1. Автор: Shintaro Yamamichi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-01-03.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110287624A1. Автор: Hiroyuki Nitta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-11-24.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020175358A1. Автор: Shintaro Yamamichi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-11-28.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200243499A1. Автор: Tae Kyung Kim,Kun Young Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-07-30.

Non-volatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20100123183A1. Автор: Katsuhiko Yamamoto,Tadashi Terasaki,Hirotaka Hamamura,Yoshiki Yonamoto. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2010-05-20.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230422508A1. Автор: Takeo Mori. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Capacitor for semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030190783A1. Автор: Dong Kim,Kee Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-09.

Semiconductor memory device, electronic system including the same, and method of fabricating the same

Номер патента: US11910613B2. Автор: Hee Suk Kim,Jee Hoon HAN,Hyo Joon Ryu,Jeong Yong Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070145486A1. Автор: Eiji Hasunuma. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-06-28.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200119092A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Chern-Yow Hsu,Sheng-Haung Haung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130153980A1. Автор: Masashi Honda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-20.

3-dimensional non-volatile memory device, memory system including the same, and method of manufacturing the device

Номер патента: US20130161724A1. Автор: Dong Kee Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-27.

Cell structure for a semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20100096681A1. Автор: Yong-Sun Ko,Hak Kim,Yong-Kug Bae,Kyoung-Yun Baek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-22.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11917827B2. Автор: Naoki Yasuda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

Dynamic random access memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240224493A1. Автор: Wen-Yueh Chang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Staircase structure in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: EP4401116A2. Автор: Zhiliang Xia,Di Wang,Zhong Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090065838A1. Автор: Takeshi Nagao. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-12.

Staircase structure in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: EP4401116A3. Автор: Zhiliang Xia,Di Wang,Zhong Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-04.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010048129A1. Автор: Kenji Saito. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-12-06.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020195650A1. Автор: Kenji Saito. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2002-12-26.

Magnetic memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240284802A1. Автор: Jun Ho Jeong,Hee Ju SHIN,Se Chung Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11177249B2. Автор: Tae Kyung Kim,Kun Young Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-11-16.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US11849570B2. Автор: Seung-Heon Lee,Ik Soo Kim,Byoung Deog Choi,Byeong Ju BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-19.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170271356A1. Автор: Takashi Ishida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Inter-deck plug in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US20200111807A1. Автор: Yong Zhang,Enbo Wang,Jialan He,Haohao YANG,Qianbin Xu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-09.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US11963350B2. Автор: Sang Hyon KWAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230337431A1. Автор: Sung Won Cho,Ga Eun KIM,Yoon Hwan Son,Joo Hee PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20220115442A1. Автор: Seung-Heon Lee,Ik Soo Kim,Byoung Deog Choi,Byeong Ju BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-14.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240215254A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Chao-I Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240081043A1. Автор: Yukihiro Nagai. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Resistive random access memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11744164B2. Автор: Takahiro Nonaka,Takayuki Ishikawa,Yusuke ARAYASHIKI,Tomohito KAWASHIMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Flash memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20100163951A1. Автор: Cheon Man Shim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Phase change memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120156840A1. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-21.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20020039823A1. Автор: Seiki Ogura,Masataka Kusumi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-04.

Three-dimensional semiconductor memory device, electronic system including the same, and method of fabricating the same

Номер патента: US20230247834A1. Автор: Gukhyon Yon,Soyeong AHN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-03.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240049469A1. Автор: Gil Bok CHOI,Dae Hwan YUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Vertical channel-type 3d semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150179661A1. Автор: Ming Liu,Zongliang Huo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2015-06-25.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11980027B2. Автор: Sang Bum Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200152654A1. Автор: Sung-Min Hwang,Jiwon Kim,Jiyoung Kim,Joon-Sung LIM,Woosung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-14.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240090214A1. Автор: Jae Taek Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170025434A1. Автор: Hiroshi Toyoda,Seiichi Omoto,Kazuaki Nakajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-26.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150091075A1. Автор: Katsuhiro Sato,Kazuhito Nishitani. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-02.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US12048148B2. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20080081413A1. Автор: Jeong-Hyuk Choi,Chang-Sub Lee,Jai-Hyuk Song,Woon-kyung Lee,Dong-Yean Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-03.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240251544A1. Автор: Ilyoung Yoon,Sangjun Park,Kijong Park,Sungjoo An,Seungmin SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160056164A1. Автор: Noriaki Mikasa,Ken Komiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20020179947A1. Автор: Toru Nasu,Yoshihisa Nagano. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-05.

Non-volatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: EP1263037A3. Автор: Toru Nasu,Yoshihisa Nagano. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-20.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10593676B2. Автор: Tzu-Ming Ou Yang,Shu-Ming LEE. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-03-17.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230051615A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170243945A1. Автор: Toshiyuki Iwamoto,Tatsuya Kato,Atsushi Murakoshi,Katsuyuki Sekine,Yuta Watanabe,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-24.

Contact in semiconductor memory device and method of forming the same

Номер патента: US20010009786A1. Автор: Eun-young Minn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-26.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010009775A1. Автор: Tetsuo Fujii,Minekazu Sakai,Akira Kuroyanagi. Владелец: NipponDenso Co Ltd. Дата публикации: 2001-07-26.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020179959A1. Автор: Tetsuo Fujii,Minekazu Sakai,Akira Kuroyanagi. Владелец: NipponDenso Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20100072525A1. Автор: Yoshinori Kumura,Tohru Ozaki,Yoshiro Shimojo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-03-25.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130228844A1. Автор: Satoshi Nagashima,Fumitaka Arai,Hisataka Meguro. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-05.

Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US11888042B2. Автор: Toshiro Nakanishi,Hanmei Choi,Kihyun Hwang,Sunghoi Hur,Juyul Lee,Kwang Soo SEOL,Chanjin Park,Wansik Hwang,Kwangmin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-30.

Semiconductor memory device and method of forming the same

Номер патента: US20180277546A1. Автор: Li-Wei Feng,Ying-Chiao Wang,Chien-Ting Ho,Tsung-Ying Tsai. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-27.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170077309A1. Автор: Tomomitsu Risaki. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-03-16.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140346585A1. Автор: Tsukasa Nakai,Nobuhito KUGE. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-11-27.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120313065A1. Автор: Takayuki Okamura,Jun Nishimura,Nobuaki Yasutake. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-12-13.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120187503A1. Автор: Jongwon Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-26.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180019253A1. Автор: Shigeru Kinoshita. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-18.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8723242B2. Автор: Kazuhiro Asada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-05-13.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230422475A1. Автор: LING Li,Tsun-Min Cheng,Ronghui Lin,Wen-Yi Teng,Liandie Zhuang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170077131A1. Автор: Masaru Kito,Yoshihiro AKUTSU,Satoshi KONAGAI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160071864A1. Автор: Kotaro Noda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-10.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110233618A1. Автор: Kazuhiro Asada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-29.

Non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150194332A1. Автор: Young-woo Park,Sung-Il Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-07-09.

Resistive random access memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20210151504A1. Автор: Frederick Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Three-dimensional memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240268111A1. Автор: Pi-Shan Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Multi-deck three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: EP3867954A1. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-25.

Multi-deck three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US10600763B1. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-24.

Multi-deck three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20200194403A1. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-18.

Non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070102751A1. Автор: Sang-Bum Lee. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-05-10.

Resistive memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230337556A1. Автор: Chuan-Fu Wang,Shu-Hung Yu,Chun-hung Cheng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20100032747A1. Автор: Takayuki Okamura,Keiko ARIYOSHI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-02-11.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210327895A1. Автор: SUNG Wook Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170077129A1. Автор: Masako KINOSHITA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180090510A1. Автор: Naoki Yamamoto,Hisashi Kato,Hideki Inokuma. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-29.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240049465A1. Автор: In Ku Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor memory device and method for forming the same

Номер патента: US20230073903A1. Автор: Min-Teng Chen. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-09.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230084694A1. Автор: Chanmi LEE,Sangwuk PARK,Sanggyo Chung,Yejeong Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230230921A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230292506A1. Автор: Daisuke Nishida. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor memory device and method for forming the same

Номер патента: US12004340B2. Автор: Yifei Yan. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US9831270B2. Автор: Gaku Sudo,Yumiko Miyano. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210043559A1. Автор: Hiroyuki Ode. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210134813A1. Автор: Jeong Hun Kim,Seung Youl Kang,Seungeon Moon,Ji Hoon Jeon,Sung-Min Yoon,Jong Pil IM,Bae Ho Park,Chansoo YOON,Jiyong Woo. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2021-05-06.

Two-terminal memory device, a method for manufacturing the same, and a semiconductor device including a two-terminal memory device

Номер патента: US12022661B2. Автор: Sang-Hyeok Yang,Jong-Seok Lee,Ui-Yeon Won. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Variable resistance memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220013722A1. Автор: Jaeho Jung,Jonguk KIM,Kwangmin Park,Dongsung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-13.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190319034A1. Автор: Meng-Chang Chan,Tzu-Ming Ou Yang,Shu-Ming LEE. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

Memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240204049A1. Автор: Ping-Lung Yu,Po-Chun Shao. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Phase-change random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120326112A1. Автор: Jang Uk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-12-27.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US12069854B2. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG,Yanhong Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Variable resistance memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210167130A1. Автор: Seulji SONG,Kyusul PARK,Woohyun Park,Ilmok Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-03.

Pillar-shaped semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US10199381B2. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2019-02-05.

Memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240298442A1. Автор: Yan-Ru Su. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Staircase structure in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US20230276620A1. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Wenxi Zhou,Zhongwang SUN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US12082407B2. Автор: WEI Liu,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US20230005864A1. Автор: WEI Liu,Zhiliang Xia,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-05.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240081084A1. Автор: Kosei Noda,Yasuhito Nakajima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US11930631B2. Автор: Yu-Cheng Tung,Yifei Yan,Ken-Li Chen. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Semiconductor memory devices and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120252202A1. Автор: Giulio Albini,Federica Zanderigo,Maria Gabriella Righini,Francesca Sammiceli. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-10-04.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240006495A1. Автор: Chang Soo Lee,Min Sik Jang,Hee Soo Kim,Sung Soon Kim,Young Ho Yang,Hee Do Na. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230363167A1. Автор: Masaki Tsuji,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Yoshiaki Fukuzumi,Shinya Arai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20150357346A1. Автор: Chaeho Kim,Phil Ouk NAM,Junkyu Yang,Jaeyoung Ahn,Woon Kyung Lee,Jaegoo Lee,Byong-hyun JANG,Juhyung Kim,KlHYUN HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-12-10.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: SG182890A1. Автор: Noda Mitsuhiko,Noguchi Mitsuhiro,KUTSUKAKE Hiroyuki. Владелец: Toshiba Kk. Дата публикации: 2012-08-30.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11799003B2. Автор: Chang Soo Lee,Min Sik Jang,Hee Soo Kim,Sung Soon Kim,Young Ho Yang,Hee Do Na. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230328995A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240040770A1. Автор: Jina Kim,Ho-In Ryu,Kang-Uk Kim,Yunho Song,Dalhyeon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-01.

3D AND flash memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US12052869B2. Автор: Hang-Ting Lue,Teng-Hao Yeh,Chih-Wei Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240244838A1. Автор: Hsiu-Han Liao,Yao-Ting Tsai,Che-Fu Chuang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Non-volatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220165884A1. Автор: Bo-An Tsai,Shiangshiou Yen. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Staircase structure in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240274535A1. Автор: Zhiliang Xia,Di Wang,Zhong Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Phase change memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20100059731A1. Автор: Heon Yong Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-03-11.

Resistive memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140061571A1. Автор: Hyo Seob Yoon,Han Woo Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-03-06.

Resistive memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US8916949B2. Автор: Hyo Seob Yoon,Han Woo Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-12-23.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US6777285B2. Автор: Kent Kuohua Chang,Weng-Hsing Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-17.

[memory device and method for fabricating the same]

Номер патента: US20040110344A1. Автор: Kent Kuohua Chang,Weng-Hsing Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-10.

Memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20080230829A1. Автор: Tzyh-Cheang Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-09-25.

Memory device and method of manufacturing the same, and electronic apparatus including memory device

Номер патента: US20240074191A1. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170194254A1. Автор: Wataru Sakamoto,Osamu Matsuura,Hideki Inokuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-06.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20220020766A1. Автор: Sang-Yong Park,Jae Duk Lee,Byung Chul Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-20.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: EP4071814A1. Автор: Yuri Lee,Deokhan Bae,Juhun PARK,Yoonyoung Jung,Sooyeon Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-12.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11871558B2. Автор: Kwang-Ho Park,Jae Hoon Kim,Yong-Hoon Son,Seungjae Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same with increased storage capacity

Номер патента: US10833098B2. Автор: Akira Takashima,Yuuichi Kamimuta,Tsunehiro Ino,Ayaka SUKO. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-11-10.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190027480A1. Автор: Hyun-Jung Lee,Dongsoo Woo,Jin-Seong Lee,Namho Jeon,Jaeho Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-01-24.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170125435A1. Автор: Kiwamu Sakuma,Atsuhiro Kinoshita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-04.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150048440A1. Автор: Kiwamu Sakuma,Atsuhiro Kinoshita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230284439A1. Автор: Chang Woo Seo,Won Seok Yoo,Jeong Eun SONG,Hyun-Chul SHIM,Da In LEE,Su Youn SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160351624A1. Автор: Hiroyuki Ode,Toshiharu Tanaka,Takeshi Yamaguchi,Natsuki Fukuda,Atsushi Oga,Mutsumi Okajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-01.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150060986A1. Автор: Hiroshi Itokawa,Ryota Fujitsuka,Motoki Fujii,Fumiki Aiso. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-05.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190267386A1. Автор: Hyun-Jung Lee,Dongsoo Woo,Jin-Seong Lee,Namho Jeon,Jaeho Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-08-29.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230157003A1. Автор: Yoosang Hwang,Yongseok Kim,Kiseok LEE,Hui-jung Kim,Min Hee Cho,Keunnam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-18.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US11991885B2. Автор: Sung-Min Hwang,Joon-Sung LIM,Eunsuk Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-21.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130099348A1. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-04-25.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220285271A1. Автор: Shota NIIHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-08.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150021678A1. Автор: Ryuji Ohba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-01-22.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230157002A1. Автор: Kiseok LEE,Keunnam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-18.

Semiconductor memory device and method of forming the same

Номер патента: US20230422487A1. Автор: Wonseok Yoo,Jamin KOO,Jonghyeok Kim,Beom Seo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20110121373A1. Автор: Cheng-Chi Lin,Shyi-Yuan Wu,Shih-Chin Lien,Chin-Pen Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-05-26.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240224501A1. Автор: Kang-Uk Kim,Jooncheol Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240188290A1. Автор: Zhiliang Xia,Di Wang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Wei Xie,Dongyu FAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230371285A1. Автор: Jinwoo Lee,Dongho Ahn,Donggeon Gu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-16.

Vertical memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US12048156B2. Автор: Shin-Hwan Kang,Sun-Il Shim,Seung Hyun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11956942B2. Автор: Tsutomu Nakanishi,Mutsumi Okajima,Yasuaki Ootera. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

3d and flash memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230262979A1. Автор: Yan-Ru Su. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Vertical memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US12048158B2. Автор: Yujin Kim,WooJin Jang,Bio Kim,Jumi Yun,Philouk Nam,Youngseon Son,Kyongwon An. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Three-dimensional nor-type memory device and method of making the same

Номер патента: US20200168630A1. Автор: Hanan Borukhov. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-05-28.

Memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230309299A1. Автор: Chin-Cheng Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

3D NAND memory device and method of forming the same

Номер патента: US12068250B2. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Wenxi Zhou,Zhongwang SUN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11770938B2. Автор: Soon-Oh Park,Dong-Jun Seong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-26.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US12058858B2. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240284669A1. Автор: Tzung-Ting Han,Chen-Yu Cheng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Non-volatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240304692A1. Автор: Der-Tsyr Fan,Tzung-Wen Cheng,Yu-Ming Cheng,I-Hsin HUANG. Владелец: Iotmemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240324199A1. Автор: Min-Feng Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8026547B2. Автор: Sang Min Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-09-27.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080121979A1. Автор: Yukie Nishikawa,Akira Takashima,Koichi Muraoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-05-29.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20090152618A1. Автор: Masayuki Tanaka,Koji Nakahara,Kazuhiro Matsuo,Takeo Furuhata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11915928B2. Автор: Masahiro Koike,Masaya Ichikawa,Masao Shingu. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180083018A1. Автор: Wataru Sakamoto,Satoshi Nagashima,Yoshiaki Fukuzumi,Shigehiro Yamakita. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240030040A1. Автор: Takashi Shimizu,Masaaki Higuchi,Takahiro Hirai,Takeshi SONEHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210210426A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-07-08.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US11227870B2. Автор: Tae Hun Kim,Doo Hee HWANG,Kwang Young Jung,Jae Ryong SIM,Jee Hoon HAN,Joo-Heon Kang,Gi Yong CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-18.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20170069762A1. Автор: Ling-Wuu Yang,Jeng-Hwa Liao,Jung-Yu Shieh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-09.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8796755B2. Автор: Motoyuki Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-05.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180076293A1. Автор: Jun Nishimura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-15.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150295170A1. Автор: Masatoshi Yoshikawa,Satoshi Seto,Kazuhiro Tomioka,Ga Young Ha,Shuichi TSUBATA. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-10-15.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230413549A1. Автор: Yuta TSUCHIYA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220254792A1. Автор: Young Rok Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-08-11.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4358671A1. Автор: Jeewoong KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-24.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200020716A1. Автор: Kwang Soo Kim,Geun Won Lim,Jun Hyoung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-16.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230147083A1. Автор: Yong Seok Kim,Dong Il Bae,Min Hee Cho,Won Sok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-11.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170018563A1. Автор: Daisuke Nishida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-19.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240138136A1. Автор: Jeewoong KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190139782A1. Автор: Takashi Shimizu,Masaaki Higuchi,Takahiro Hirai,Takeshi SONEHARA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200203180A1. Автор: Takashi Shimizu,Masaaki Higuchi,Takahiro Hirai,Takeshi SONEHARA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-06-25.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200395377A1. Автор: Tae Hun Kim,Doo Hee HWANG,Kwang Young Jung,Jae Ryong SIM,Jee Hoon HAN,Joo-Heon Kang,Gi Yong CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-17.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20220157819A1. Автор: Kwang-Ho Park,Seungjae Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP4346348A1. Автор: Chang Sik Kim,Jae Won Na,Jun Hwa Song,Ji Hee Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-03.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US12010828B2. Автор: Kwang-Ho Park,Seungjae Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-11.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130341699A1. Автор: Motoyuki Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-12-26.

Memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240206181A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Three dimensional memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20190067315A1. Автор: Yu-Wei Jiang,Jia-Rong Chiou. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240215235A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240215234A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

3-d non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150311209A1. Автор: Ki Hong Lee,Sung Jin Whang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-10-29.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US20220093763A1. Автор: Chih-Hao Lin,Yi-Tsung TSAI. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

3-D non-volatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9112044B2. Автор: Ki Hong Lee,Sung Jin Whang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-08-18.

Memory device and method of making the same

Номер патента: US20240074337A1. Автор: Chen-Feng Hsu,Cheng-Chun Chang,Xinyu Bao,Tung-Ying Lee,Hengyuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4002463A1. Автор: Hang-Ting Lue,Guan-Ru Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-25.

Non-volatile memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20140080298A1. Автор: Woo-Sung Lee,Jung-Geun Jee,Seok-Hoon Kim,Su-Jin Shin,Tae-Ouk Kwon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-03-20.

Memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240081058A1. Автор: Yan-Ru Su. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Vertical memory device and method of fabrication the same

Номер патента: US20200266212A1. Автор: Seok Cheon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-20.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160072056A1. Автор: Masatoshi Yoshikawa,Satoshi Seto,Kazuhiro Tomioka,Shuichi TSUBATA. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-03-10.

Nonvolatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120012803A1. Автор: Shigeto OSHINO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-01-19.

Nonvolatile memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080079054A1. Автор: Suk Goo Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-04-03.

Vertical memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20210020649A1. Автор: Seok-cheon BAEK,Ji-Sung CHEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-21.

Vertical memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20190312049A1. Автор: Seok-cheon BAEK,Ji-Sung CHEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-10.

Antiferroelectric memory devices and methods of making the same

Номер патента: US20210066348A1. Автор: Rahul Sharangpani,Bhagwati PRASAD. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-03-04.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230301117A1. Автор: Erh-Kun Lai,Chih-Hsiang Yang,Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240284810A1. Автор: Haider Abbas,Diing Shenp Ang. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-08-22.

Vertical memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240276723A1. Автор: Junhee LIM,SungBok LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190157290A1. Автор: Chi-Pin Lu,Pei-Ci Jhang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240284653A1. Автор: Hsin-cheng Lin,Chee-Wee Liu,Tao Chou. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-08-22.

Ferroelectric memory device and method of forming the same

Номер патента: US11758737B2. Автор: Han-Jong Chia. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Memory devices and methods of forming the same

Номер патента: US12051663B2. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Non-volatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200235113A1. Автор: Su-Hyun Lee,Il-Young Kwon,Jin-Ho Bin,Jin-Ho Oh,Tae-Hong GWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-07-23.

Phase change memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20110312149A1. Автор: Heon Yong Chang,Myoung Sub KIM,Gap Sok DO. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-12-22.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120068354A1. Автор: Hiroyasu Tanaka,Ryota Katsumata,Masaru Kidoh,Megumi Ishiduki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-03-22.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220231032A1. Автор: Shigeo Kondo,Hiroki TOKUHIRA,Takahisa Kanemura,Michiru Hogyoku. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-07-21.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190341391A1. Автор: Shigeo Kondo,Hiroki TOKUHIRA,Takahisa Kanemura,Michiru Hogyoku. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-11-07.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200185395A1. Автор: Shigeo Kondo,Hiroki TOKUHIRA,Takahisa Kanemura,Michiru Hogyoku. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-06-11.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180130810A1. Автор: Shigeo Kondo,Hiroki TOKUHIRA,Takahisa Kanemura,Michiru Hogyoku. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-10.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210005616A1. Автор: Shigeo Kondo,Hiroki TOKUHIRA,Takahisa Kanemura,Michiru Hogyoku. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-01-07.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170263614A1. Автор: Shigeo Kondo,Hiroki TOKUHIRA,Takahisa Kanemura,Michiru Hogyoku. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240008278A1. Автор: Shigeo Kondo,Hiroki TOKUHIRA,Takahisa Kanemura,Michiru Hogyoku. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Ferroelectric random access memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20040013014A1. Автор: Eun-Seok Choi,Seung-Jin Yeom. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-01-22.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8546872B2. Автор: Kiwamu Sakuma,Atsuhiro Kinoshita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-10-01.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11751399B2. Автор: Shigeo Kondo,Hiroki TOKUHIRA,Takahisa Kanemura,Michiru Hogyoku. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor memory device and method for forming the same

Номер патента: US20230135326A1. Автор: Zhiliang Xia,Linchun Wu,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Semiconductor memory device and method for forming the same

Номер патента: WO2023070619A1. Автор: Zhiliang Xia,Linchun Wu,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-05-04.

Semiconductor memory device and method for forming the same

Номер патента: EP4292409A1. Автор: Zhiliang Xia,Linchun Wu,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-20.

Three-dimensional flash memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240251550A1. Автор: Frederick Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Three-dimensional resistive switching memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210384258A1. Автор: Cheol Seong Hwang. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2021-12-09.

Flash memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11289612B2. Автор: Lu-Ping chiang,Cheng-Ta Yang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-03-29.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US8390075B2. Автор: Weon-Ho Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-03-05.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20070284636A1. Автор: Toyoji Ito,Atsushi Noma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-12-13.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150069492A1. Автор: Kotaro Fujii. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20190393225A1. Автор: Daehyun Kim,Hoon Park,Chunhyung Chung,Dong-Hyun Im,Jae-hong Seo,Jae-Joong Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-26.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230389299A1. Автор: Sohyun Park,Eunjung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080224117A1. Автор: Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-18.

Semiconductor memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20190139984A1. Автор: Jongwon Kim,Jin-Yeon WON,Tae-Wan Lim,Woohyun Park,Keejeong Rho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-09.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170077124A1. Автор: Yoshiro Shimojo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150048437A1. Автор: Takuo Ohashi,Fumiki AlSO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4284139A1. Автор: Sohyun Park,Eunjung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-29.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210035983A1. Автор: Jinhyung Park,Hyeran Lee,Bongsoo Kim,Sungwoo KIM,Youngjun Kim,Seokhyun Kim,Hoju Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170018569A1. Автор: Takuo Ohashi,Fumiki Aiso. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-19.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180006053A1. Автор: Takuo Ohashi,Fumiki Aiso. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US10700088B2. Автор: Jongwon Kim,Jin-Yeon WON,Tae-Wan Lim,Woohyun Park,Keejeong Rho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-30.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160079266A1. Автор: Masao Iwase,Tadashi Iguchi,Nozomi Kido. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120193698A1. Автор: Mitsuhiko Noda,Mitsuhiro Noguchi,Hiroyuki Kutsukake. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-08-02.

Semiconductor memory device and driving method for the same

Номер патента: US20100213987A1. Автор: Nobuyoshi Takahashi,Keita Takahashi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-08-26.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20080073703A1. Автор: Kiyoshi Kurihara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-03-27.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20150270281A1. Автор: Young Jin Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-09-24.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US11950405B2. Автор: Yong-Hoon Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20190088657A1. Автор: Daehyun Kim,Hoon Park,Chunhyung Chung,Dong-Hyun Im,Jae-hong Seo,Jae-Joong Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-03-21.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140042588A1. Автор: Tae Kyung Kim,Hyun Yul Kwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-02-13.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200203352A1. Автор: Daehyun Kim,Hoon Park,Chunhyung Chung,Dong-Hyun Im,Jae-hong Seo,Jae-Joong Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-25.

Memory device and system including the same

Номер патента: EP3926660A1. Автор: SungWon Cho,Junhyoung Kim,Byunggon PARK,Jeongeun Kim,Youngjin Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-22.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7999246B2. Автор: Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-08-16.

Semiconductor memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20130341706A1. Автор: Kouji Matsuo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-12-26.

Three-dimensional (3d) semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230422511A1. Автор: Jeon Il LEE,Min Hee Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090130809A1. Автор: Eiji Sakagami. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-05-21.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US12033957B2. Автор: Di Wang,Zhong Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US7679958B2. Автор: Byong-Kook Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-03-16.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20110220986A1. Автор: Kuan-Fu Chen,Yu-Fong Huang,Miao-Chih Hsu,Shang-Wei Lin,I-Shen Tsai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-15.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240040802A1. Автор: Chen-Feng Hsu,Chien-Min Lee,Cheng-Hsien Wu,Xinyu Bao,Tung-Ying Lee,Hengyuan Lee,Elia Ambrosi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Phase change memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12048258B2. Автор: Kuo-Chyuan Tzeng,Yuan-Tai Tseng,Chang-Chih Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20080158944A1. Автор: Byong-Kook Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-07-03.

Magnetoresistive memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20170263856A1. Автор: Masayoshi IWAYAMA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US6914284B2. Автор: Kentaro Nakajima,Keiji Hosotani. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-07-05.

Three dimensional memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210242072A1. Автор: Erh-Kun Lai,Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US9070781B2. Автор: Sung-Kun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-30.

Ferroelectric memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180286988A1. Автор: Hyangkeun YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-10-04.

Non-volatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20130105883A1. Автор: Kwon Hong,Ki-hong Lee,Moon-Sig Joo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-05-02.

Magnetoresistive memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20160322421A1. Автор: Yuichi Ito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-11-03.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040173828A1. Автор: Kentaro Nakajima,Keiji Hosotani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-09.

Vertical memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: USRE50137E1. Автор: Zhiliang Xia,Sung-Min Hwang,Se-Jun Park,Joon-Sung LIM,Jang-Gn Yun,Ahn-Sik Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Resistive memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240324474A1. Автор: Yu-Der Chih,Yun-sheng Chen,Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King,Jonathan Tsung-Yung Chang,Wen-Zhang Lin,Cheng-Jun LIN,Wang-Yi Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20070134914A1. Автор: Sang-Woo Lee,Kyung-In Choi,Jong-Won Hong,Seung-Gil Yang,Hyun-Bae Lee,Seong-hwee Cheong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-06-14.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US11930639B2. Автор: Sung-Min Hwang,Joon-Sung LIM,Dong-Sik Lee,Woosung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-12.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240081060A1. Автор: Changhan Kim,In Ku Kang,Dong Hyoub KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Non-volatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090325351A1. Автор: Junya Maneki,Toshiyuki Orita. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-31.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US11812604B2. Автор: Eun Jung Kim,Hye Won Kim,Sung Yeon RYU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-07.

Nonvolatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20180061888A1. Автор: Euipil Kwon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-03-01.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US11778807B2. Автор: Jungwoo Song,Jun Ho Lee,Yong Kwan Kim,Kwangmin Kim,Sangyeon HAN,Hyuckjin Kang,Seguen Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20210104527A1. Автор: Yong-Hoon Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-08.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20220285356A1. Автор: Yong-Hoon Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-09-08.

3d non-volatile memory device, memory system including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130155771A1. Автор: Suk Goo Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-20.

3d non-volatile memory device, memory system including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150079746A1. Автор: Suk Goo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-03-19.

3D non-volatile memory device, memory system including the same, and method of manufacturing the same

Номер патента: US8928144B2. Автор: Suk Goo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-01-06.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230389315A1. Автор: Jae Young Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor memory devices and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240147692A1. Автор: Seungmin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200411542A1. Автор: Sung-Min Hwang,Joon-Sung LIM,Dong-Sik Lee,Woosung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-31.

Three dimensional semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US11925023B2. Автор: Sang-Yong Park,Jintaek Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-05.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20060039175A1. Автор: Yoshinori Odake. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-23.

Non-volatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070126047A1. Автор: Junya Maneki,Toshiyuki Orita. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-07.

Non-volatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US7608887B2. Автор: Junya Maneki,Toshiyuki Orita. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2009-10-27.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210043646A1. Автор: Shunsuke Hazue. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180026045A1. Автор: Ming Hu. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-25.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160276364A1. Автор: Toshiyuki Takewaki,Ming Hu,Masahisa Sonoda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-22.

Three dimensional semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240172444A1. Автор: Sang-Yong Park,Jintaek Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Multi-division staircase structure of three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US20210351200A1. Автор: Yuting Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140264718A1. Автор: Makoto Wada,Kazuyuki Higashi,Naofumi Nakamura,Tsuneo Uenaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170278860A1. Автор: Kenji Aoyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-28.

V-grooved vertical channel-type 3d semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180182851A1. Автор: Jan Van Houdt. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-06-28.

Nonvolatile memory device and method of forming the same

Номер патента: US7700426B2. Автор: Tae-Kyung Kim,Sung-Nam Chang,Dong-Seog Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-04-20.

Electromechanical memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US7705372B2. Автор: Dong-won Kim,Sung-Young Lee,Eunjung Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-04-27.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090203178A1. Автор: Sung-Hwan Kim,Na-Young Kim,Chang-Woo Oh,Yong-lack Choi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-08-13.

Three-dimensional memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230309306A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Shi-Wei He,Yun-Fan CHOU,Guoguo Kong,Meng Qi ZHUANG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Flash memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090140314A1. Автор: Jin-Ha Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-04.

Electromechanical memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20100165737A1. Автор: Dong-won Kim,Sung-Young Lee,Eunjung Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-07-01.

Variable resistance memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200219934A1. Автор: ByeongJu Bae,Duckhee Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-09.

Non-volatile memory devices and methods of forming the same

Номер патента: US20070090449A1. Автор: Dong-gun Park,Choong-ho Lee,Byung-yong Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-04-26.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US9136394B2. Автор: Young-Jin Lee,Min-Soo Kim,Sung-Jin Whang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-09-15.

Multi-bit nonvolatile memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20060157753A1. Автор: Sung-min Kim,Eun-Jung Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-07-20.

Variable resistance memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20140103283A1. Автор: Kwon Hong,Kee-Jeung Lee,Beom-Yong Kim,Woo-young Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-04-17.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20210320124A1. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-14.

Variable resistance memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200111954A1. Автор: Jaeho Jung,Young-Min Ko,Jonguk KIM,Byongju Kim,Dongsung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-09.

Three dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20110204421A1. Автор: Byoungkeun Son,Kyunghyun Kim,Sukhun Choi,ChangSup Mun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-25.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140308789A1. Автор: Tetsuya Kai,Yoshio Ozawa,Ryota Fujitsuka,Yoshitaka Tsunashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-10-16.

Nonvolatile memory device and apparatus including the same

Номер патента: US20220320135A1. Автор: Minhyun LEE,Gukhyon Yon,Taein KIM,Youngtek OH,Hyeyoung KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210175167A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230403848A1. Автор: Yukihiro Nagai. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050253188A1. Автор: Masaru Kito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-11-17.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210104526A1. Автор: Yong-Hoon Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-08.

Three-Dimensional Semiconductor Memory Devices and Methods of Fabricating the Same

Номер патента: US20190355741A1. Автор: SANGHOON Lee,Joonsuk Lee,Seulye KIM,Sunggil Kim,Hyeeun HONG,Hwaeon Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-11-21.

Non-Volatile Semiconductor Memory Device and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20240170547A1. Автор: Minkuck Cho. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210202574A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Sheng-Huang Huang,Shih-Chang Liu,Chern-Yow Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8796757B2. Автор: Tetsuya Kai,Yoshio Ozawa,Ryota Fujitsuka,Yoshitaka Tsunashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-05.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9293563B2. Автор: Tetsuya Kai,Yoshio Ozawa,Ryota Fujitsuka,Yoshitaka Tsunashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-22.

Dynamic random access memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240224509A1. Автор: Wen-Yueh Chang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20140080297A1. Автор: Shinji Mori,Ichiro Mizushima,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-20.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: WO2023272578A1. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG,Yanhong Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-01-05.

Semiconductor memory devices and methods of forming the same

Номер патента: US8592873B2. Автор: Jung Ho Kim,Dongwoo Kim,Yong-Hoon Son,Daehyun Jang,Myoungbum Lee,Kihyun Hwang,Sangryol Yang,Ju-Eun Kim,Sunghae Lee,JinGyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-11-26.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US11935862B2. Автор: Kun Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20060192245A1. Автор: Keisuke Oosawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-31.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: EP4285413A1. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-06.

Three-dimensional memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11778823B2. Автор: Hang-Ting Lue,Teng-Hao Yeh,Guan-Ru Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Memory device and manufacturing method for the same

Номер патента: US11800704B2. Автор: Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210375720A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-12-02.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11328981B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-05-10.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11735500B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20200411545A1. Автор: Qiguang Wang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-31.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: EP4282003A1. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-29.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230345724A1. Автор: Li-Wei Feng,Huixian Lai. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Local contacts of three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: EP3963630A1. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Jianzhong Wu,Wenxi Zhou,Tingting Zhao,Zhongwang SUN,Rui Su. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-09.

Local contacts of three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20210225863A1. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Jianzhong Wu,Wenxi Zhou,Tingting Zhao,Zhongwang SUN,Rui Su. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: EP4282004A1. Автор: Kun Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-29.

Staircase structure in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: EP4391762A2. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Wenxi Zhou,Zhongwang SUN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Channel structures having protruding portions in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US12035524B2. Автор: Xiaoxin LIU,Lei Xue,Tingting Gao,Wanbo Geng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Non-volatile memory device and method of forming the same

Номер патента: WO2024076297A1. Автор: Wen Siang LEW,Putu Andhita DANANJAYA,Yuanmin DU,Weng Hong Lai. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-04-11.

Memory device and method for forming the same

Номер патента: US9401368B2. Автор: Yun Yang,ZHONGSHAN Hong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-07-26.

Non-volatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20100171166A1. Автор: Woong Lee,Won-Jun Jang,Ho-Min Son,Jung-Geun Jee,Sang-Kyoung Lee,Jung-Yoon Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-07-08.

Non-volatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US8431983B2. Автор: Woong Lee,Won-Jun Jang,Ho-Min Son,Jung-Geun Jee,Sang-Kyoung Lee,Jung-Yoon Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-04-30.

Semiconductor structures and memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: WO2024137721A3. Автор: Peiching Ling,Liang-Gi Yao,Nanray Wu. Владелец: Peiching Ling. Дата публикации: 2024-08-02.

Vertical memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US9780096B2. Автор: Kee-jeong Rho,Tae-Wan Lim,Sang-Yong Park,Hyeong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Dielectric structure in nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20100181611A1. Автор: Kwon Hong,Kwan-Yong Lim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-22.

Semiconductor structures and memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: WO2024137722A3. Автор: Peiching Ling,Liang-Gi Yao,Nanray Wu. Владелец: Peiching Ling. Дата публикации: 2024-08-02.

Semiconductor structures and memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: WO2024137722A2. Автор: Peiching Ling,Liang-Gi Yao,Nanray Wu. Владелец: Peiching Ling. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor structures and memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: WO2024137721A2. Автор: Peiching Ling,Liang-Gi Yao,Nanray Wu. Владелец: Peiching Ling. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor memory device and process for producing the same

Номер патента: US4500899A. Автор: Kazunari Shirai,Izumi Tanaka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1985-02-19.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of producing the same

Номер патента: US5594688A. Автор: Yasuo Sato. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1997-01-14.

Phase change memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100327250A1. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-30.

Memory devices and methods of forming the same

Номер патента: US11903334B2. Автор: Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang,Jer-Fu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11871574B2. Автор: Atsushi Murakoshi,Tomoya Kawai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170263634A1. Автор: Osamu Matsuura,Masanari Fujita,Hideki Inokuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Concentric staircase structure in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US11849575B2. Автор: Zhong Zhang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Cuicui Kong. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170373119A1. Автор: Hiroyuki Ode,Toshiharu Tanaka,Takeshi Yamaguchi,Natsuki Fukuda,Atsushi Oga,Mutsumi Okajima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-28.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US11792982B2. Автор: Joonhee Lee,Joon-Sung LIM,Euntaek JUNG,Woosung YANG,Hojun SEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230363147A1. Автор: Wan Gi Sohn,Kyeong Hwan KANG,Sung Hyun Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230328967A1. Автор: Sung Gil Kim,Ji Hun NOH,Beom Seo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-12.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US11812611B2. Автор: Qiguang Wang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150035045A1. Автор: Hideyuki Nishizawa,Koji Asakawa,Shigeki Hattori,Masaya Terai,Misako Morota. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-02-05.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140061763A1. Автор: Hideyuki Nishizawa,Koji Asakawa,Shigeki Hattori,Masaya Terai,Misako Morota. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-03-06.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20230413541A1. Автор: Kun Zhang,Wenxi Zhou,Shuangshuang WU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US11882688B2. Автор: Jung-Hoon Han,Je Min PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-23.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US11839079B2. Автор: Qiguang Wang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9397289B2. Автор: Shuichi TSUBATA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Three-dimensional semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240015970A1. Автор: Joonhee Lee,Joon-Sung LIM,Euntaek JUNG,Woosung YANG,Hojun SEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2024-01-11.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230328993A1. Автор: Sun Woo Kim,Jin Ho Bin,Ji Yeon Baek,Chul Young Kim,Ah Reum BAHK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240130136A1. Автор: Changhwan Choi,Yunheub Song,Bonchoel Ku. Владелец: Iucf Hyu Industry University Cooperation Foundation Hanyang Universityz0. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240114675A1. Автор: Jung-Hoon Han,Je Min PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-04.

Pillar-shaped semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US20170309632A1. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-26.

Back-end-of-line memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240032274A1. Автор: Chia-En HUANG,Ya-Yun Cheng,Chung-Wei Wu,Peng-Chun Liou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20220367514A1. Автор: Kyunghwan Lee,Yongseok Kim,Dongsoo Woo,Hyuncheol Kim,Sungwon Yoo,Jaeho Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-11-17.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240121945A1. Автор: Ji Hun Kim,Jin-Seong Lee,Kyo-Suk Chae,Tai Uk Rim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-11.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130069118A1. Автор: Shinji Mori. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

Staircase structure in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US12002757B2. Автор: Zhiliang Xia,Di Wang,Zhong Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150060982A1. Автор: Hiroshi Itokawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-05.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240206167A1. Автор: SHENG Peng,Jing Gao,Kai Yu,Wenbo Zhang,Lei Xue,Zhaohui Cheng,Zhiyong Lu,Zhangyi LI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor memory devices and methods for fabricating the same

Номер патента: EP2132774A1. Автор: Hyun-Jin Cho. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2009-12-16.

Nonvolatile memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20100187595A1. Автор: Young-sun Kim,Sung-Hae Lee,Byong-sun Ju,Suk-Jin Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-07-29.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170263626A1. Автор: Tatsuya Okamoto,Tatsufumi Hamada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160322380A1. Автор: Kazuaki Nakajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-03.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240206179A1. Автор: LIANG XIAO,Yihuan WANG,Mingkang ZHANG,Yingcheng Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Flash memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20030052359A1. Автор: Sung Shin,Jae Eom. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-03-20.

Flash memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7238574B1. Автор: Kwon Hong,Min Sik Jang,Eun Shil Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-07-03.

Semi-floating gate memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US12040413B2. Автор: Heng Liu,Zhigang Yang,Jianghua LENG,Tianpeng Guan. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Magnetic Memory Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20080157239A1. Автор: Song Hee Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Multi-stack three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: EP3867952A1. Автор: Lihong Xiao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-25.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230123764A1. Автор: Zhiqiang Wu,Yuan Hao Chang,Nuo XU,Po-Sheng LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

A stacked thin-film-transistor non-volatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: EP1912255A3. Автор: Erh-Kun Lai,Hang-Ting Lue,Kuang-Yeu Hsieh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2010-08-11.

Wireless communication device including a socket for a removable memory device and method of using the same

Номер патента: US7311551B1. Автор: David A. Krula. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2007-12-25.

Flash memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US7501679B2. Автор: Sung Ho Kwak. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-10.

Channel structures having protruding portions in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US11925019B2. Автор: Xiaoxin LIU,Lei Xue,Tingting Gao,Wanbo Geng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Three-dimensional nand memory device and method of forming the same

Номер патента: US20230335521A1. Автор: He Chen,LIANG XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Vertical memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20240064981A1. Автор: Junhyoung Kim,Seonho Yoon,Bonghyun Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-22.

Three-dimensional nand memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240015974A1. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Memory device and method for manufacturing the same, and electronic apparatus including the memory device

Номер патента: US11895845B2. Автор: Huilong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-02-06.

Three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US20230413570A1. Автор: WEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240074154A1. Автор: Sangwoo Pae,Namhyun LEE,Seonhaeng Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US11963358B2. Автор: Kohji Kanamori,Young Hwan Son,Jee Hoon HAN,Hyo Joon Ryu,Seo-Goo Kang,Jung Hoon JUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-16.

Self-aligned contacts in three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: WO2021007781A1. Автор: Juan Tang,Hongbin Zhu,Zi Qun HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-01-21.

Non-volatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240162317A1. Автор: Der-Tsyr Fan,Tzung-Wen Cheng,Yu-Ming Cheng,I-Hsin HUANG,Chen-Ming Tsai. Владелец: Iotmemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210104537A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-08.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210343740A1. Автор: Young-jin JUNG,Bong Tae PARK,Ho Jun SEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-04.

Three-dimensional nand memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240074180A1. Автор: MIN Yang,Zongliang Huo,Xiaoming Mao,Tianhui Zhang,Shasha Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Self-aligned contacts in three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20210020566A1. Автор: Juan Tang,Hongbin Zhu,Zi Qun HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Three-dimensional memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240099008A1. Автор: Zhiliang Xia,Xiaoxin LIU,Zongliang Huo,Jiayi Liu,Xiaolong Du,Tingting Gao,Changzhi Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20220148919A1. Автор: Min-Feng Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-12.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210313344A1. Автор: Kohji Kanamori,Young Hwan Son,Jee Hoon HAN,Hyo Joon Ryu,Seo-Goo Kang,Jung Hoon JUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-07.

Non-volatile memory device having threshold switching resistor, memory array including the non-volatile memory device and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20090086527A1. Автор: Young-soo Park,Myoung-Jae Lee,Chang-burn Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-04-02.

Semiconductor device, memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230363159A1. Автор: Pi-Shan Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210035910A1. Автор: Jiyoung Kim,Byungjin LEE,Woosung YANG,Jungsok LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-04.

Memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240206148A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240224525A1. Автор: Kohji Kanamori,Young Hwan Son,Jee Hoon HAN,Hyo Joon Ryu,Seo-Goo Kang,Jung Hoon JUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US20210066333A1. Автор: Zhiliang Xia,Fandong LIU,Wenyu HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Flash memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US7355243B2. Автор: Sang Woo Nam. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-08.

Contact structures having conductive portions in substrate in three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20210159244A1. Автор: Wei Xu,Pan Huang,Beihan Wang,Wenxiang Xu,Ji XIA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-27.

Vertical memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: EP3926681A3. Автор: Kangmin KIM,JoongShik SHIN,Hongik SON,Hyeonjoo SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-09.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160322302A1. Автор: Mutsumi Okajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-03.

Phase-change random access memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140175368A1. Автор: Doo Kang KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-26.

Semiconductor memory structure and the method for forming the same

Номер патента: US20230067536A1. Автор: Chien-Ming Lu,Po-Han Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-03-02.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160093801A1. Автор: Kiyohito Nishihara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-31.

Phase-change random access memory device and method of forming the same

Номер патента: US20230403956A1. Автор: Yao-Wen Chang,Huan-Chieh CHEN,Chia-Wen Zhong,Chin I WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US11805646B2. Автор: Qian Tao,Zhenyu Lu,Simon Shi-ning Yang,Jun Chen,Yushi Hu,Jifeng Zhu,Steve Weiyi Yang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240098994A1. Автор: Lei Li,Zhiliang Xia,Kun Zhang,Linchun Wu,Zongliang Huo,Shuangshuang WU. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240098989A1. Автор: Zongliang Huo,Wenbin Zhou,Zhaohui Tang,Zhengliang Xia. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

3d and flash memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230225126A1. Автор: Hang-Ting Lue,Teng-Hao Yeh,Guan-Ru Lee,Chia-Jung Chiu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Memory devices and methods of making the same

Номер патента: US20230065317A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Desmond Jia Jun Loy. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-03-02.

Memory devices and method of forming the same

Номер патента: US11818969B2. Автор: Juan Boon Tan,Jianxun Sun,Tupei Chen. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-11-14.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20180337191A1. Автор: Erh-Kun Lai,Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-22.

Three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: WO2023165379A1. Автор: Junbao WANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-09-07.

Non-volatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240162316A1. Автор: Der-Tsyr Fan,Tzung-Wen Cheng,Yu-Ming Cheng,I-Hsin HUANG. Владелец: Iotmemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170018709A1. Автор: Bo-Lun Wu,Chia-Hua Ho,Meng-Hung Lin,Ting-Ying SHEN. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-01-19.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240107762A1. Автор: Zhiliang Xia,Di Wang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240074181A1. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Shuangshuang WU,Cuicui Kong. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Non-volatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160268275A1. Автор: Takeshi Ishizaki,Yuta Watanabe,Kenji Aoyama,Kana Hirayama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

3d and flash memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230082361A1. Автор: Hang-Ting Lue,Teng-Hao Yeh,Chih-Wei Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-16.

Semiconductor memory structure and the method for forming the same

Номер патента: US11991875B2. Автор: Chien-Ming Lu,Po-Han Wu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Flash memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20100163954A1. Автор: Sung Kun Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-01.

Vertical memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20210399009A1. Автор: Kangmin KIM,JoongShik SHIN,Hongik SON,Hyeonjoo SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-23.

Variable resistance memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11856872B2. Автор: Jaeho Jung,Jonguk KIM,Kwangmin Park,Dongsung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-26.

Flash memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090065847A1. Автор: Yong-Jun Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-12.

Graphene-inserted phase change memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20160276585A1. Автор: Seunghyun Lee,Kenneth E. Goodson,Yongsung Kim,Scott Fong,Mehdi Asheghi,Eric Pop,Christopher M. Neumann,Aditya Sood,Chiyui Ahn,H.S. Philip Wong. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2016-09-22.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20210119004A1. Автор: Wang Xiang,Chia-Ching Hsu,Shen-De Wang,Chun-Sung Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20190096907A1. Автор: Erh-Kun Lai,Hsiang-Lan Lung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240215458A1. Автор: SHAN Li,LEI Liu,Zhiliang Xia,Dongxue Zhao,Yuxuan Fang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Three-dimensional nand memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240215238A1. Автор: Wei Xu,Bo Xu,BIN Yuan,Zongke Xu,Zongliang Huo,Lei Xue,Yali Guo,Beibei Li,Simin Liu,Jiajia Wu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

3d and flash memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230217654A1. Автор: Yan-Ru Su. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-06.

Ferroelectric memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240215257A1. Автор: Zhenyu Lu,Yushi Hu,Meilan GUO. Владелец: Wuxi Smart Memories Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240206166A1. Автор: Shiwei HE,Hsien-Shih Chu,Yongjian Yu,Guoguo Kong,Canfa Dai,Detianyu Diao. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Local contacts of three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US12022656B2. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Jianzhong Wu,Wenxi Zhou,Tingting Zhao,Zhongwang SUN,Rui Su. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Non-volatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200144281A1. Автор: Geun Won Lim,Seok Cheon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-07.

Nonvolatile Memory Device and Method of Manufacturing the same

Номер патента: US20100072560A1. Автор: Hee Youl Lee,Jae Yoon Noh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-03-25.

Non-volatile memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20140273495A1. Автор: Minchul Kim,Jae-Hwang Sim,Sangbin Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-09-18.

Magnetic memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240260477A1. Автор: Jae Hoon Kim,Youngjun CHO,Hyeonwoo SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Non-volatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20190378852A1. Автор: Geun Won Lim,Seok Cheon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-12.

Cell structure of non-volatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20040135191A1. Автор: Tae-jung Lee,Byung-Sun Kim,Joon-Hyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-07-15.

Cell structure of non-volatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US6995421B2. Автор: Tae-jung Lee,Byung-Sun Kim,Joon-Hyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-02-07.

Solid state electrolyte memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US7696509B2. Автор: Cha-Hsin Lin. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2010-04-13.

Nonvolatile memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200212206A1. Автор: Se Ho LEE,Bo yun KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

Three-dimensional memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210305272A1. Автор: Jin LYU,Kai Jin Huang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Floating gate memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040229432A1. Автор: Sang-Hoon Lee,Hun-Hyeoung Leam,Young-Sub You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-11-18.

Floating gate memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7041558B2. Автор: Sang-Hoon Lee,Hun-Hyeoung Leam,Young-Sub You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-09.

Magnetic memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240324240A1. Автор: Seung Pil KO,Byoungjae Bae,Kwangil SHIN,Hyungjong Jeong,Kyounghun Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit device including vertical memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US10886289B2. Автор: Jae-Hoon Jang,Chang-Sup Lee,Shin-Hwan Kang,Young-Hwan Son,Dong-Seog Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.