High voltage switch circuit and semiconductor memory device including the same
Номер патента: US10176879B2
Опубликовано: 08-01-2019
Автор(ы): Dong Hwan Lee, Min Gyu KOO
Принадлежит: SK hynix Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 08-01-2019
Автор(ы): Dong Hwan Lee, Min Gyu KOO
Принадлежит: SK hynix Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor memory device and memory system having the same
Номер патента: US20200273528A1. Автор: Dae Seok Byeon,Young Sun Min,Young Ho Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-08-27.