Resistive memory device and method for fabricating the same
Номер патента: US20190287611A1
Опубликовано: 19-09-2019
Автор(ы): Feng-Min Lee, Po-Hao Tseng
Принадлежит: Macronix International Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 19-09-2019
Автор(ы): Feng-Min Lee, Po-Hao Tseng
Принадлежит: Macronix International Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Memory device, semiconductor unit and method of operating the same, and electronic apparatus
Номер патента: US20150302932A1. Автор: Yuki Yanagisawa,Shigeru Kanematsu,Matsuo Iwasaki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-10-22.