3차원 반도체 메모리 장치 및 그 제조 방법
Номер патента: KR20120037296A
Опубликовано: 19-04-2012
Автор(ы): 손병근, 윤종인, 임진수
Принадлежит: 삼성전자주식회사
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 19-04-2012
Автор(ы): 손병근, 윤종인, 임진수
Принадлежит: 삼성전자주식회사
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Three-dimensional non-volatile semiconductor memory device having replacement gate
Номер патента: US10418377B2. Автор: Jan Van Houdt,Pieter Blomme. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2019-09-17.