Memory device including vertical channel transistor and electronic device including the same
Номер патента: US20240215215A1
Опубликовано: 27-06-2024
Автор(ы): EunTae KIM, Jeeeun YANG, Kwanghee Lee, Moonil Jung, Sangwook Kim, Youngkwan Cha
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 27-06-2024
Автор(ы): EunTae KIM, Jeeeun YANG, Kwanghee Lee, Moonil Jung, Sangwook Kim, Youngkwan Cha
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor memory device including memory string and plurality of select transistors and method including a write operation
Номер патента: US12051483B2. Автор: Hiroki Date. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-30.