Flash memory device.

Flash memory device

Номер патента: US20180108668A1
Опубликовано: 19-04-2018
Автор(ы): Jan Paul, Ralf Richter, Sven Beyer
Принадлежит: Globalfoundries Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Flash memory device

Номер патента: US09871050B1. Автор: Ralf Richter,Sven Beyer,Jan Paul. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Flash memory and method for fabricating the same

Номер патента: US20130207173A1. Автор: Jing Wang,Jun Xu,Renrong Liang,Ning Cui. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-08-15.

Device structure for increasing coupling ratio of body-tied fin structure flash memory cell

Номер патента: US11282968B2. Автор: Zhi Tian,Hua Shao,Haoyu Chen,Juanjuan Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-03-22.

Flash memory device including a buried floating gate and a buried erase gate and methods of forming the same

Номер патента: US11728399B2. Автор: Yu-Chu Lin,Keng-Ying Liao,Wen-Chih Chiang,Huai-Jen Tung,Chi-Chung JEN,Chia-Ming PAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Flash memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11289612B2. Автор: Lu-Ping chiang,Cheng-Ta Yang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-03-29.

Flash memory device

Номер патента: US20090212344A1. Автор: Jong-ho Lee. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of KNU. Дата публикации: 2009-08-27.

Flash memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20030052359A1. Автор: Sung Shin,Jae Eom. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-03-20.

Flash memory layout to eliminate floating gate bridge

Номер патента: US12063776B2. Автор: Ching-Hung Kao,Tung-Huang Chen,Shun-Neng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Flash memory cell and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030003663A1. Автор: Sung Jung,Kwi KIM,Sung Sim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-02.

Method for forming a split-gate flash memory cell device with a low power logic device

Номер патента: US09741728B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Method for forming a split-gate flash memory cell device with a low power logic device

Номер патента: US20160365350A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-15.

Method of manufacturing flash memory device

Номер патента: US20060237772A1. Автор: Hee Gee Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-26.

Method of Manufacturing Flash Memory Device

Номер патента: US20100112799A1. Автор: Hee Don Jeong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-05-06.

Silicon nano-tip thin film for flash memory cells

Номер патента: US20160204212A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Chung-Yi Yu,Chih-Ming Chen,Tsu-Hui Su,Szu-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-14.

Flash memory device including a buried floating gate and a buried erase gate and methods of forming the same

Номер патента: US20220028993A1. Автор: Yu-Chu Lin,Keng-Ying Liao,Wen-Chih Chiang,Huai-Jen Tung,Chi-Chung JEN,Chia-Ming PAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-27.

Flash memory device including a buried floating gate and a buried erase gate and methods of forming the same

Номер патента: US20210328034A1. Автор: Yu-Chu Lin,Keng-Ying Liao,Wen-Chih Chiang,Huai-Jen Tung,Chi-Chung JEN,Chia-Ming PAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Flash memory device including a buried floating gate and a buried erase gate and methods of forming the same

Номер патента: US20230343844A1. Автор: Yu-Chu Lin,Keng-Ying Liao,Wen-Chih Chiang,Huai-Jen Tung,Chi-Chung JEN,Chia-Ming PAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010048129A1. Автор: Kenji Saito. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-12-06.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020195650A1. Автор: Kenji Saito. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2002-12-26.

Flash memory layout to eliminate floating gate bridge

Номер патента: US20230371250A1. Автор: Ching-Hung Kao,Tung-Huang Chen,Shun-Neng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Flash memory layout to eliminate floating gate bridge

Номер патента: US20230328972A1. Автор: Ching-Hung Kao,Tung-Huang Chen,Shun-Neng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Flash memory cell

Номер патента: US20230103976A1. Автор: Wan-Chun Liao,Ping-Chia Shih,Chia-Min Hung,Che-Hao Kuo,Ssu-Yin LIU,Kuei-Ya Chuang,Po-Hsien Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-04-06.

Flash memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200303556A1. Автор: Lu-Ping chiang,Cheng-Ta Yang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Flash memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240237335A9. Автор: Yu-Jen Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

NOR structure flash memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US09520400B2. Автор: Hao Fang,Yong Gu,Shizhen Sun. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Silicon nano-tip thin film for flash memory cells

Номер патента: US20170194445A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Chung-Yi Yu,Chih-Ming Chen,Tsu-Hui Su,Szu-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Silicon nano-tip thin film for flash memory cells

Номер патента: US09634105B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Chung-Yi Yu,Chih-Ming Chen,Tsu-Hui Su,Szu-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Flash memory devices and methods for fabricating flash memory devices

Номер патента: US20080093651A1. Автор: Jeong-Hyuk Choi,Jai-Hyuk Song,Ok-Cheon Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-24.

Flash memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090140314A1. Автор: Jin-Ha Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-04.

Flash memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7238574B1. Автор: Kwon Hong,Min Sik Jang,Eun Shil Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-07-03.

Method of manufacturing flash memory device

Номер патента: US20060141718A1. Автор: Seok Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-29.

Vertical three-dimensional stack NOR flash memory

Номер патента: US12114495B2. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Non-volatile flash memory device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20210320112A1. Автор: Haoyu Chen,Qiwei Wang,Juanjuan Li,Rong ZOU,Jinshuang Zhang. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-14.

Non-volatile flash memory device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US11335692B2. Автор: Haoyu Chen,Qiwei Wang,Juanjuan Li,Rong ZOU,Jinshuang Zhang. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-17.

Three-Dimensional Stack NOR Flash Memory

Номер патента: US20230079093A1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-03-16.

Split gate non-volatile flash memory cell having metal gates

Номер патента: US10249631B2. Автор: FENG Zhou,Hieu Van Tran,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-04-02.

Split gate non-volatile flash memory cell having metal gates and method of making same

Номер патента: US09972630B2. Автор: FENG Zhou,Hieu Van Tran,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Flash memory device having high coupling ratio

Номер патента: US09825046B2. Автор: Yu-Chu Lin,Hung-Che Liao,Kun-Tsang Chuang,Shih-Lu HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Flash memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080067579A1. Автор: Joo-Hyeon LEE. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-03-20.

Flash memory device with three-dimensional half flash structure and methods for forming the same

Номер патента: US20220359760A1. Автор: Yu-Chu Lin,Yi-Ling Liu,Keng-Ying Liao,Wen-Chih Chiang,Huai-Jen Tung,Chi-Chung JEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Stacked gate flash memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20040108542A1. Автор: Chung-Lin Huang,Chi-Hui Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-10.

Hexagonal gate structure for radiation resistant flash memory cell

Номер патента: US6777742B2. Автор: Kent Kuohua Chang,Fuh-Cheng Jong. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-17.

Flash memory device with three-dimensional half flash structure and methods for forming the same

Номер патента: US11888074B2. Автор: Yu-Chu Lin,Yi-Ling Liu,Keng-Ying Liao,Wen-Chih Chiang,Huai-Jen Tung,Chi-Chung JEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Flash Memory Device with Three Dimensional Half Flash Structure and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20230253508A1. Автор: Yu-Chu Lin,Yi-Ling Liu,Keng-Ying Liao,Wen-Chih Chiang,Huai-Jen Tung,Chi-Chung JEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Flash memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US7977226B2. Автор: Ki Jun Yun. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2011-07-12.

Flash Memory Device and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20100163967A1. Автор: Ki Jun Yun. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Flash Memory Device with Three-Dimensional Half Structure and Methods for Forming the Same

Номер патента: US20240136444A1. Автор: Yu-Chu Lin,Yi-Ling Liu,Keng-Ying Liao,Wen-Chih Chiang,Huai-Jen Tung,Chi-Chung JEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Flash memory devices

Номер патента: US09799664B2. Автор: XINPENG WANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Recessed salicide structure to integrate a flash memory device with a high κ, metal gate logic device

Номер патента: US09735245B2. Автор: Shih-Chang Liu,Wei Cheng Wu,Harry Hak-Lay Chuang,Ya-Chen Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Memory device

Номер патента: US09922713B2. Автор: Leroy Cronin,Asen ASENOV. Владелец: University of Glasgow. Дата публикации: 2018-03-20.

Interdigitated capacitor to integrate with flash memory

Номер патента: US09590059B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Chen-Chin Liu,Yu-Hsiung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Flash memory device and method thereof

Номер патента: US12051756B2. Автор: Yen Chuang,Chia-Yu Liu,Nai-Wen Hsu,Yu-Jui Wu,Jiun-Yun Li,Wei-Chih Hou. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-07-30.

P-channel dynamic flash memory cells with ultrathin tunnel oxides

Номер патента: US20020093045A1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-07-18.

Method for forming flash memory devices

Номер патента: US09431405B2. Автор: XINPENG WANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

All graphene flash memory device

Номер патента: US8772853B2. Автор: Ji-Young Kim,Kang-Lung Wang,Augustin J. HONG. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2014-07-08.

Flash memory cell structure having separate program and erase electron paths

Номер патента: US20230253507A1. Автор: Sundar Chetlur,Maxim Klebanov,James McClay,Thomas S. Chung. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Method Of Programming A Split-Gate Flash Memory Cell With Erase Gate

Номер патента: US20200066738A1. Автор: Nhan Do,Yuri Tkachev,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-02-27.

Method of programming a split-gate flash memory cell with erase gate

Номер патента: EP3841581A1. Автор: Nhan Do,Yuri Tkachev,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-30.

Method of programming a split-gate flash memory cell with erase gate

Номер патента: WO2020040894A1. Автор: Nhan Do,Yuri Tkachev,Alexander Kotov. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2020-02-27.

Flash memory device and method of programming the same

Номер патента: US10636491B2. Автор: Hoyoung Shin,Myeonghee Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-28.

Flash memory and flash memory cell thereof

Номер патента: US20230095392A1. Автор: Feng-Min Lee,Yu-Hsuan Lin,Ming-Hsiu Lee,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Flash memory device used in neuromorphic computing system

Номер патента: US11800705B2. Автор: Inho Kim,Jaewook KIM,Suyoun Lee,Joon Young Kwak,Jong-Keuk Park,Jongkil Park,YeonJoo JEONG,Eunpyo PARK. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-10-24.

Salicided structure to integrate a flash memory device with a high K, metal gate logic device

Номер патента: US09711519B2. Автор: Ming Chyi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Salicided structure to integrate a flash memory device with a high κ, metal gate logic device

Номер патента: US09431257B2. Автор: Ming Chyi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of manufacturing an embedded split-gate flash memory device

Номер патента: US09443946B2. Автор: Jing Zhang,Liqun Zhang,Huilin MA. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Nanoparticles In a Flash Memory Using Chaperonin Proteins

Номер патента: US20080191265A1. Автор: Chuanbin Mao,Shan Tang,Sanjay Banerjee. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2008-08-14.

Salicided structure to integrate a flash memory device with a high k, metal gate logic device

Номер патента: US20160276354A1. Автор: Ming Chyi Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-22.

Vertical and 3D memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09589979B2. Автор: Shih-Ping Hong. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Flash memory structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20040159878A1. Автор: Han-Hsing Liu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2004-08-19.

Flash memory structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US6972455B2. Автор: Han-Hsing Liu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2005-12-06.

Flash memory semiconductor device and method thereof

Номер патента: US09412597B2. Автор: Jen-Yuan Chang,Chia-Ping Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Manufacturing process for a flash memory and flash memory thus produced

Номер патента: US7183160B2. Автор: Olivier Pizzuto,Jean-Michel Mirabel,Romain Laffont. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2007-02-27.

Manufacturing process for a flash memory and flash memory thus produced

Номер патента: US20050087816A1. Автор: Olivier Pizzuto,Jean-Michel Mirabel,Romain Laffont. Владелец: Universite de Provence Aix Marseille I. Дата публикации: 2005-04-28.

Flash memory cell

Номер патента: US09978758B1. Автор: Wang Xiang,Weichang Liu,Zhen Chen,Shen-De Wang,Chuan Sun,Wei Ta. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Flash memory device and programming and erasing methods therewith

Номер патента: US20090206382A1. Автор: Jin Hyo Jung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-08-20.

Flash memory device and programming and erasing methods therewith

Номер патента: US7538378B2. Автор: Jin Hyo Jung. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-05-26.

Flash memory cell adapted for low voltage and/or non-volatile performance

Номер патента: US20200388334A1. Автор: Bomy Chen,Matthew Martin,Sonu Daryanani. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-10.

3-dimensional nand flash memory device, method of fabricating the same, and method of driving the same

Номер патента: US20220384481A1. Автор: Woo Young Choi. Владелец: SOGANG UNIVERSITY RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2022-12-01.

3-dimensional nand flash memory device, method of fabricating the same, and method of driving the same

Номер патента: US20210288070A1. Автор: Woo Young Choi. Владелец: SOGANG UNIVERSITY RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2021-09-16.

Vertical nand flash memory device

Номер патента: EP4398286A1. Автор: Sunho Kim,Minhyun LEE,Kwangmin Park,Gukhyon Yon,Seungyeul YANG,Seokhoon CHOI,Kyunghun KIM,Seungdam HYUN,Hyungyung KIM,Hoseok HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-10.

Three-dimensional flash memory device including channel structures having enlarged portions

Номер патента: US20220085068A1. Автор: Jisung Cheon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-17.

3D and flash memory device having metal silicide source/drain pillars and method of fabricating the same

Номер патента: US12127405B2. Автор: Yan-Ru Su. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Memory device structure and method

Номер патента: US09406519B2. Автор: Kun-Tsang Chuang,Ping-Pang Hsieh,Chia Hsing Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Flash memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20100163954A1. Автор: Sung Kun Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-01.

NOR flash memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US10811425B2. Автор: Riichiro Shirota,Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-10-20.

Nor flash memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200303384A1. Автор: Riichiro Shirota,Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

NOR flash memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US11271005B2. Автор: Riichiro Shirota,Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-03-08.

Method of forming a floating gate in a flash memory device

Номер патента: US5872035A. Автор: Myung Seon Kim,Sun Haeng Back. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-02-16.

Stack capacitor, a flash memory device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20210305265A1. Автор: Zhi Tian,Hua Shao,Haoyu Chen,Juanjuan Li. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Stack capacitor, a flash memory device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US20220359551A1. Автор: Zhi Tian,Hua Shao,Haoyu Chen,Juanjuan Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2022-11-10.

Flash memory device

Номер патента: US7670906B2. Автор: Tae-Woong Jeong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-03-02.

Flash memory device

Номер патента: US20080157167A1. Автор: Tae-Woong Jeong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Method for reducing shallow trench isolation edge thinning on tunnel oxides using partial nitride strip and small bird's beak formation for high performance flash memory devices

Номер патента: US6764920B1. Автор: Unsoon Kim,John Jianshi Wang,Nian Yang. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-07-20.

Self-aligned flash memory device

Номер патента: US09978761B2. Автор: Ming-Chyi Liu,Shih-Chang Liu,Sheng-Chieh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Apparatus and method for rounded ONO formation in a flash memory device

Номер патента: US09564331B2. Автор: Di Li,Shenqing Fang,Tim Thurgate,Tung-Sheng Chen. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Method for fabricating a flash memory device

Номер патента: US6939766B1. Автор: Yue-Song He,Richard M. Fastow,Jianshi Wang. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-09-06.

Flash memory process with high voltage LDMOS embedded

Номер патента: US20060019444A1. Автор: Cheng-Hsiung Kuo,Hsiang-Tai Lu,Chin-Huang Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-01-26.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20090008700A1. Автор: Choong-ho Lee,Byung-yong Choi,Albert Fayrushin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-01-08.

Cell string of flash memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070064496A1. Автор: Sang Oh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-03-22.

Zero interface polysilicon to polysilicon gate for flash memory

Номер патента: US20080149986A1. Автор: Eric Paton,Joong Jeon,Robert Bertram Ogle, Jr.,Austin Frenkel. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2008-06-26.

Stack capacitor, a flash memory device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US11437387B2. Автор: Zhi Tian,Hua Shao,Haoyu Chen,Juanjuan Li. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-09-06.

Stack capacitor, a flash memory device and a manufacturing method thereof

Номер патента: US11737268B2. Автор: Zhi Tian,Hua Shao,Haoyu Chen,Juanjuan Li. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2023-08-22.

Process for a flash memory with high breakdown resistance between gate and contact

Номер патента: US6908814B2. Автор: Pei-Ren Jeng,Lin-Wu Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-21.

Flash memory structure using sidewall floating gate having one side thereof surrounded by control gate

Номер патента: US20010014501A1. Автор: Louis L. Hsu,Jack A. Mandelman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2001-08-16.

Method of fabricating flash memory device

Номер патента: US09793155B2. Автор: Jee-hoon Han,Ho-Jun SEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Production of reversed flash memory device

Номер патента: US6096604A. Автор: Cher Liang Cha,Anqing Zhang,Zhifeng Joseph Xie,Eng Fong Chor. Владелец: Institute of Microelectronics ASTAR. Дата публикации: 2000-08-01.

Three-dimensional flash memory device

Номер патента: US20220013535A1. Автор: Hang-Ting Lue. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-13.

Selfaligned process for a flash memory

Номер патента: US20040266105A1. Автор: Pei-Ren Jeng,Lin-Wu Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-30.

UV-blocking layer for reducing UV-induced charging of sonos dual-bit flash memory devices in beol processing

Номер патента: GB2413438A. Автор: Minh Van Ngo,Ning Cheng,Arvind Halliyal,Jaeyong Park,Tazrien Kamal,Mark T Ramsbey,Tyagamohan Gottipati,Jeff P Erhardt,Jeffrey A Shields,Clarence Ferguson,Angela T Hui,Robert A Huertas. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-10-26.

Electronic device having flash memory array formed in at different level than variable resistance memory cells

Номер патента: US09337239B2. Автор: Hyung-Dong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-10.

Three-dimensional flash memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240251550A1. Автор: Frederick Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor process flow for nand flash memory products

Номер патента: EP1145308A1. Автор: Hao Fang,John Jianshi Wang,Masaaki Higashitani,Kent Kuohua Chang,Salvatore F. Cagnina. Владелец: Fujitsu AMD Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2001-10-17.

Vertically integrated flash memory cell and method of fabricating a vertically integrated flash memory cell

Номер патента: US20040041198A1. Автор: Fernando Gonzalez. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-04.

Contactless channel write/erase flash memory cell and its fabrication method

Номер патента: US20020114179A1. Автор: Ching-Hsiang Hsu,Ching-Sung Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-22.

Vertical NAND flash memory array

Номер патента: US7148538B2. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-12-12.

Flash memory array with individual memory cell read, program and erase

Номер патента: EP4235674A2. Автор: Hieu Van Tran,Dmitri Strukov,Xinjie Guo,Farnood Merrikh Bayat,Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-30.

Flash memory unit and memory array, and programming, erasing and reading method thereof

Номер патента: US09406685B2. Автор: HONG Jiang,Jian Hu,Jun Xiao,Weiran Kong,Guangjun Yang,Binghan Li. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Split gate flash memory structure with a damage free select gate and a method of making the split gate flash memory structure

Номер патента: US09502515B2. Автор: Ming Chyi Liu,Shih-Chang Liu,Yuan-Tai Tseng,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor transistor and flash memory, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160293616A1. Автор: Yukihiro Nagai. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Semiconductor transistor and flash memory, and manufacturing method thereof

Номер патента: US09536890B2. Автор: Yukihiro Nagai. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Flash memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US7501679B2. Автор: Sung Ho Kwak. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-10.

Method and apparatus for refreshing flash memory device

Номер патента: US20180374546A1. Автор: Liang Shi,Dongfang SHAN,Yuangang WANG,Yejia DI,Hsing Mean Sha. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-27.

HK embodied flash memory and methods of forming the same

Номер патента: US9620372B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Wei-Hang Huang,Ming-Chyi Liu,Ru-Liang Lee,Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Wei Cheng Wu,Chang-Ming Wu,Yu-Hsing Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

HK embodied flash memory and methods of forming the same

Номер патента: US09620372B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Wei-Hang Huang,Ming-Chyi Liu,Ru-Liang Lee,Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Wei Cheng Wu,Chang-Ming Wu,Yu-Hsing Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Low power high speed program method for multi-time programmable memory device

Номер патента: US09543016B1. Автор: Kyoung Chon Jin. Владелец: Integrated Silicon Solution Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Self-aligned flash memory device with word line having reduced height at outer edge opposite to gate stack

Номер патента: US09646978B2. Автор: Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Memory device with ferroelectric charge trapping layer

Номер патента: US12041782B2. Автор: Jan Van Houdt. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-07-16.

Low-voltage flash memory integrated with a vertical field effect transistor

Номер патента: EP4226424A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-08-16.

Hk embodied flash memory and methods of forming the same

Номер патента: US20150340493A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Wei-Hang Huang,Ming-Chyi Liu,Ru-Liang Lee,Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Wei Cheng Wu,Chang-Ming Wu,Yu-Hsing Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-11-26.

Flash memory cell, writing method and erasing method therefor

Номер патента: US20240355396A1. Автор: Jiayong JIANG,Zhendong SHI. Владелец: Beijing Pxmicro Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Method of programming a continuous-channel flash memory device

Номер патента: US09892790B2. Автор: Yuniarto Widjaja,Feng Gao,Dana Lee,John W. Cooksey,Changyuan Chen,Ya-Fen Lin. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Array architecture for embedded flash memory devices

Номер патента: US20110298032A1. Автор: Roger Lee,Daniel Xu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2011-12-08.

Integration of split gate flash memory array and logic devices

Номер патента: US09793280B2. Автор: Chun-Ming Chen,Nhan Do,Jeng-Wei Yang,Man-Tang Wu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Nand flash memory array with cut-off gate line and methods for operating and fabricating the same

Номер патента: US20110256680A1. Автор: Byung-gook Park,Seongjae Cho. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY INDUSTRY FOUNDATION. Дата публикации: 2011-10-20.

Flash memory having a U-shaped charge storage layer

Номер патента: US09899402B2. Автор: Hiroshi Watanabe,Riichiro Shirota,Yukihiro Nagai,Te-Chang Tseng. Владелец: Im Solution Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Integration techniques for MIM or MIP capacitors with flash memory and/or high-κ metal gate CMOS technology

Номер патента: US09570539B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Chen-Chin Liu,Yu-Hsiung Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Structure and method to reduce polysilicon loss from flash memory devices during replacement gate (RPG) process in integrated circuits

Номер патента: US09589976B2. Автор: Shih-Chang Liu,Yuan-Tai Tseng,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Flash memory cell and associated decoders

Номер патента: US09953719B2. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of manufacturing a flash memory device

Номер патента: US7696043B2. Автор: Byoung ki Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-04-13.

Nor flash memory cell and structure thereof

Номер патента: US20130119458A1. Автор: Ching-Sung Yang,Meng-Yi Wu. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2013-05-16.

3-d flash memory device and manufacture thereof

Номер патента: US20180261687A1. Автор: HAIYANG Zhang,PANPAN Liu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-09-13.

A unified non-volatile memory device and method for integrating nor and nand-type flash memory and eeprom device on a single substrate

Номер патента: WO2006060600A1. Автор: Peter Lee. Владелец: APLUS FLASH TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2006-06-08.

Flash memory with reduced source resistance and fabrication method thereof

Номер патента: US20040161706A1. Автор: Chang Han,Sung Jung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-19.

Flash memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090065847A1. Автор: Yong-Jun Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-12.

Memory Device Implementing Unified Memory Architecture Integrating Multiple Memory Types

Номер патента: US20240155850A1. Автор: ChungTing Yao. Владелец: Integrated Silicon Solution Cayman Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Method of Manufacturing flash memory device

Номер патента: US20080081451A1. Автор: Se Hoon Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-04-03.

High density flash memory architecture with columnar substrate coding

Номер патента: US20040041200A1. Автор: Sukyoon Yoon. Владелец: Hyundai Electronics America Inc. Дата публикации: 2004-03-04.

Method and system for detecting defective material surrounding flash memory cells

Номер патента: US6765827B1. Автор: JIANG LI,Lee Cleveland,Ming Kwan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-07-20.

Method of fabricating a charge trap nand flash memory device

Номер патента: US20130087849A1. Автор: Marcello Mariani,Giulio Albini,Paolo Tessariol,Umberto M. Meotto,Paola Bacciaglia. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-04-11.

Manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US09935116B2. Автор: Masaru Yano,Pin-Yao Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Manufacturing method of semiconductor memory device

Номер патента: US09768184B2. Автор: Masaru Yano,Pin-Yao Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Method to improve floating gate uniformity for non-volatile memory devices

Номер патента: US09627392B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Chin-Yi Huang,Ya-Chen Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09449697B2. Автор: Masaru Yano,Pin-Yao Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

3-dimensional flash memory having air gap, and method for manufacturing same

Номер патента: US12082417B2. Автор: Yun Heub Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Solid-source doping for source/drain of flash memory

Номер патента: WO2001033622A1. Автор: Timothy Thurgate,Carl Robert Huster. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2001-05-10.

High density flash memory cell device, cell string and fabrication method therefor

Номер патента: US20110254076A1. Автор: Jong-ho Lee. Владелец: SNU R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2011-10-20.

Flash memory device, semiconductor device, and method of fabricating the same

Номер патента: US20230363160A1. Автор: Meng-Yen Wu,Pi-Shan Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Flash memory and method for forming the same

Номер патента: US20240250149A1. Автор: Wen-Chieh Tsai,Yung-Han Chiu,Shu-Ming Li. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Flash memory device and manufacturing method the same

Номер патента: US20100163969A1. Автор: Cheon-Man Shim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Flash memory device with a plurality of source plates

Номер патента: US8217447B2. Автор: Cheon-Man Shim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2012-07-10.

Method of improving an electrostatic discharge characteristic in a flash memory device

Номер патента: US6421278B1. Автор: Jong Woo Kim,Tae Kyu Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-07-16.

Flash memory

Номер патента: US20090040823A1. Автор: Chung-Lin Huang,Ching-Nan Hsiao,Shin-Bin Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-02-12.

Method for processing memory device

Номер патента: US20240338313A1. Автор: Chan Ho SOHN,Ting Lun OU,Kwang Soo MOON. Владелец: Essencore Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Method and system for providing reducing thinning of field isolation structures in a flash memory device

Номер патента: US20020158284A1. Автор: Hyeon-Seag Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-31.

Flash memory structure with reduced dimension of gate structure

Номер патента: US20190074285A1. Автор: Ming Chyi Liu,Shih-Chang Liu,Sheng-Chieh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-07.

Device isolation method of semiconductor memory device and flash memory device fabricating method using the same

Номер патента: US20050142796A1. Автор: Sung Jung,Jum Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Vertical NAND flash memory device

Номер патента: US09899406B2. Автор: Kyoung-hoon Kim,HongSoo KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Flash memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20100163951A1. Автор: Cheon Man Shim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Anti-hacking mechanisms for flash memory device

Номер патента: EP4443517A2. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-09.

3D NAND flash memory devices, and related electronic systems

Номер патента: US12096626B2. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Method of operating flash memory unit

Номер патента: US09640252B1. Автор: Guangjun Yang. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Method of monitoring a source contact in a flash memory

Номер патента: US6391665B1. Автор: Keun Woo Lee,Jin Shin,Ki Seog Kim,Sang Hoan Chang. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-21.

Methods for active boosting to minimize capacitive coupling effect between adjacent gates of flash memory devices

Номер патента: US20080144384A1. Автор: Hao Fang,Masaaki Higashitani,Gerrit Jan Hemink,Tuan D. Pham. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2008-06-19.

Methods for active boosting to minimize capacitive coupling effect between adjacent gates of flash memory devices

Номер патента: US7672165B2. Автор: Masaaki Higashitani,Gerrit Jan Hemink,Tuan D Pham,Hao Fang Fang. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2010-03-02.

Low program voltage flash memory cells with embedded heater in the control gate

Номер патента: EP4409629A1. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-07.

3D flash memory device with integrated passive device

Номер патента: US11844221B2. Автор: Teng-Hao Yeh,Li-Yen Liang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

High-density flash memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190371804A1. Автор: Hang-Ting Lue,Teng-Hao Yeh,Chih-Wei Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

Method of making flash memory cells and peripheral circuits having sti, and flash memory devices and computer systems having the same

Номер патента: US20110117713A1. Автор: Young-woo Park,Jung-Dal Choi,Jang-Hyun You,Jin-Taek Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-05-19.

Memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240357811A1. Автор: Chia-Tze Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Flash memory device with enlarged control gate structure, and methods of making same

Номер патента: WO2007117851A1. Автор: Chandra Mouli,Di Li. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2007-10-18.

3D flash memory device having different dummy word lines and data storage devices including same

Номер патента: US09812206B2. Автор: Kitae Park,Sang-Wan Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

3D flash memory device having different dummy word lines and data storage devices including same

Номер патента: US09697901B2. Автор: Kitae Park,Sang-Wan Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

3d memory device and method of forming seal structure

Номер патента: US20240234339A9. Автор: Teng-Hao Yeh,Cheng-Yu Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

3d flash memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230413552A1. Автор: Hang-Ting Lue,Wei-Chen Chen,Cheng-Yu Lee,Teng Hao Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Vertically stacked nonvolatile NAND type flash memory device with U-shaped strings, method for operating the same, and method for fabricating the same

Номер патента: US09362305B2. Автор: Jun-Hyuk Lee,Seul-Ki Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-07.

Memory device and flash memory device with improved support for staircase regions

Номер патента: US12094814B2. Автор: Chin-Cheng Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Method of fabricating a flash memory and an isolating structure applied to a flash memory

Номер патента: US20100230778A1. Автор: Shen-De Wang,Tzeng-Fei Wen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2010-09-16.

NAND flash memory having multiple cell substrates

Номер патента: US09583204B2. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Flash memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US7355243B2. Автор: Sang Woo Nam. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-08.

Three-dimensional flash memory device supporting bulk erase operation and manufacturing method therefor

Номер патента: US11844215B2. Автор: Yunheub Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-12.

Neuromorphic circuit including spike regulator based on flash memory

Номер патента: US20220156565A1. Автор: Inho Kim,Jaewook KIM,Suyoun Lee,Kyeong Seok Lee,Joon Young Kwak,Gyuweon Hwang,Jong-Keuk Park,Jongkil Park,YeonJoo JEONG. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2022-05-19.

Flash memory system and word line interleaving method thereof

Номер патента: US09792990B2. Автор: Yongjune Kim,Junjin Kong,Hong Rak Son,Seonghyeog Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Power driven optimization for flash memory

Номер патента: EP3365893A1. Автор: Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2018-08-29.

Low program voltage flash memory cells with embedded heater in the control gate

Номер патента: US11818886B2. Автор: Takashi Ando,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-14.

Flash memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070131973A1. Автор: Hyun Lim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-14.

Dynamic flash memory (dfm) with multi-cells

Номер патента: US20230354599A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Simulator and simulating method for flash memory background

Номер патента: US09858366B2. Автор: Kuo-Yi Cheng,Yi-Hong Huang,Huang-Heng Cheng. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Method and System for Providing Contact to a First Polysilicon Layer in a Flash Memory Device

Номер патента: US20120302017A1. Автор: Hao Fang,King Wai Kelwin Ko,Mark S. Chang. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2012-11-29.

Method and system for providing contact to a first polysilicon layer in a flash memory device

Номер патента: US20120217563A1. Автор: Hao Fang,Mark S. Chang,King Wai Kelwin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-08-30.

USB memory device

Номер патента: US09559454B2. Автор: Yu-Ming Wang. Владелец: IDEM Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Electronic signal adapter module of flash memory card

Номер патента: US20030081388A1. Автор: Wen-Ji Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-01.

Flash memory device with slidable contact module

Номер патента: US7980868B2. Автор: Wei-Jen Cheng,Yu-Cheng Kang,Mei-Chih Chen,Ming-Ta Yang,Tsu-Liang Chou,Cheng-Fu Yau. Владелец: A Data Technology Suzhou Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-19.

Method of integrating volatile and non-volatile memory cells on the same substrate and a semiconductor memory device thereof

Номер патента: US20020197792A1. Автор: Louis Hsu,Carl Radens,Li-Kong Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-12-26.

Flash memory device having multi-stack structure and channel separation method thereof

Номер патента: US12119066B2. Автор: Ho-Jun Lee,Yohan Lee,Hyebin KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

A unified non-volatile memory device and method for integrating nor and nand-type flash memory and eeprom device on a single substrate

Номер патента: WO2006060600A9. Автор: Peter Lee. Владелец: Peter Lee. Дата публикации: 2006-08-03.

Data compression method and flash memory device

Номер патента: US20240311005A1. Автор: Ying Yang,Xueming CAO,Yuanpeng MA,Juming LIAO. Владелец: Shenzhen Dapu Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Swivel cap for flash memory device

Номер патента: US20070063249A1. Автор: Robert Martin,Boris Kontorovich,Richard Whitehall,Allen Zadeh,G. Rambosek. Владелец: Imation Corp. Дата публикации: 2007-03-22.

Method of manufacturing a flash memory device

Номер патента: US6316313B1. Автор: Keun Woo Lee,Sung Kee Park,Ki Seog Kim,Sang Hoan Chang. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-11-13.

Adaptive read recovery for NAND flash memory devices

Номер патента: US12107603B1. Автор: Nedeljko Varnica,Nirmal Shende. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Method of manufacturing flash memory device

Номер патента: US20110250727A1. Автор: Chih-Jen Huang,Chien-Hung Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2011-10-13.

Memory device with compressed soft information and associated control method

Номер патента: US20240329845A1. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Flash memory device with telescopic connector port and a casing of the flash memory device

Номер патента: US20100311257A1. Автор: Cheng-Chung Kung,Xiao-Xia Meng. Владелец: A Data Technology Suzhou Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-09.

NAND flash memory systems with efficient soft information interface

Номер патента: US09467170B2. Автор: Gregory Burd,Shashi Kiran CHILAPPAGARI. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Fabrication method for a flash memory device

Номер патента: US20040203204A1. Автор: Chun-Lein Su,Tzung-Ting Han. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-14.

Flash memory with integrated male and female connectors and wireless capability

Номер патента: EP1856613A2. Автор: Alan L. Pocrass. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-21.

Flash memory with integrated male and female connectors and wireless capability

Номер патента: WO2006074167A3. Автор: Alan L Pocrass. Владелец: Alan L Pocrass. Дата публикации: 2009-04-09.

Back-up and restoration of data between volatile and flash memory

Номер патента: US09870165B2. Автор: Kelvin Wong,Michael J. Palmer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Back-up and restoration of data between volatile and flash memory

Номер патента: US09632715B2. Автор: Kelvin Wong,Michael J. Palmer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Ldpc erasure decoding for flash memories

Номер патента: EP2545554A2. Автор: Yan Li,Hao ZHONG,Radoslav Danilak,Earl T Cohen. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2013-01-16.

LDPC Erasure Decoding for Flash Memories

Номер патента: US20170155409A1. Автор: Yan Li,Hao ZHONG,Earl T. Cohen,Radoslav Danilak. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-06-01.

Method of manufacturing a flash memory device

Номер патента: US20080081450A1. Автор: Byoung ki Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-04-03.

Modular flash memory card expansion system

Номер патента: WO2009067721A1. Автор: Kam Cheong Chin,Choon Tak TANG. Владелец: Kingston Technology Corporation. Дата публикации: 2009-05-28.

Recording control apparatus and method for recording in UDF format for a camera with flash memory and optical disk

Номер патента: EP1739677A3. Автор: Shunji c/o Sony Corporation Okada,Katsumi c/o Corporation Matsuno. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-01-10.

Method of forming floating gate array of flash memory device

Номер патента: US20070141785A1. Автор: Jong Choi. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-21.

Systems and methods for erasing charge-trap flash memory

Номер патента: US20130051156A1. Автор: Osama Khouri,Chiara Missiroli,Diego Della Mina. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-02-28.

Method and apparatus for reading data stored in flash memory by referring to binary digit distribution characteristics of bit sequences read from flash memory

Номер патента: US11742030B2. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Data line disturbance free memory block divided flash memory and microcomputer having flash memory therein

Номер патента: US20010015912A1. Автор: Kenichi Kuroda,Takashi Ito,Shiro Baba,Kiyoshi Matsubara,Naoki Yashiki,Masaaki Terasawa,Kazuyoshi Shiba,Masanao Sato,Hirofumi Mukai. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2001-08-23.

Method and apparatus for reading data stored in flash memory by referring to binary digit distribution characteristics of bit sequences read from flash memory

Номер патента: US09666294B2. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Method and apparatus for reading data stored in flash memory by referring to binary digit distribution characteristics of bit sequences read from flash memory

Номер патента: US09411681B2. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Systems and methods for erasing charge-trap flash memory

Номер патента: US20140071760A1. Автор: Osama Khouri,Chiara Missiroli,Diego Della Mina. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2014-03-13.

Memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240298442A1. Автор: Yan-Ru Su. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Method and apparatus for reading data stored in flash memory by referring to binary digit distribution characteristics of bit sequences read from flash memory

Номер патента: US12112809B2. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Error correction based on thermal profile of flash memory device

Номер патента: US09760437B2. Автор: Diyanesh B. Chinnakkonda Vidyapoornachary,Gary A. Tressler,Vijay Anand Mathiyalagan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Flash memory apparatus for physical unclonable function and embodying method of the same

Номер патента: US09870829B2. Автор: Jong Sun Park,Sang Kyu Lee. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2018-01-16.

Rank-modulation rewriting codes for flash memories

Номер патента: US09916197B2. Автор: Jehoshua Bruck,Anxiao Jiang,Eyal EN GAD,Eitan Yaakobi. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2018-03-13.

NAND flash memory device with oblique architecture and memory cell array

Номер патента: US09613702B1. Автор: Kuan-Fu Chen,Ya-Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Portable memory device configured for host device to manage access to digital assets

Номер патента: US11979495B1. Автор: Jason Sean Gagne-Keats,Gary Anderson. Владелец: Osom Products Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

On-chip copying of data between nand flash memory and reram of a memory die

Номер патента: WO2016004317A1. Автор: Sergey Anatolievich Gorobets,Manuel Antonio d'Abreu,Xinde Hu. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2016-01-07.

Optimized flash memory without dedicated parity area and with reduced array size

Номер патента: US09424178B2. Автор: Idan Alrod,Eran Sharon,Simon Litsyn. Владелец: Sandisk IL Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Portable memory device configured for host device to manage access to digital assets

Номер патента: WO2024107233A1. Автор: Jason Sean Gagne-Keats,Gary Anderson. Владелец: Osom Products, Inc.. Дата публикации: 2024-05-23.

Portable memory device configured for host device to manage access to digital assets

Номер патента: US20240171385A1. Автор: Jason Sean Gagne-Keats,Gary Anderson. Владелец: Osom Products Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Improved power sequencing for embedded flash memory devices

Номер патента: EP3149731A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-05.

Power Sequencing For Embedded Flash Memory Devices

Номер патента: US20170269662A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-21.

Memory devices including staircase structures, and related 3d nand flash memory devices

Номер патента: US20240015971A1. Автор: Xuan Li,Shuangqiang Luo,Adeline Yii. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-01-11.

Improved power sequencing for embedded flash memory devices

Номер патента: WO2015183473A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2015-12-03.

Memory controller and flash memory system

Номер патента: US20240256466A1. Автор: Kenichi TAKUBO. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Memory devices including staircase structures, and related 3D NAND flash memory devices

Номер патента: US12108600B2. Автор: Xuan Li,Shuangqiang Luo,Adeline Yii. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-10-01.

Power sequencing for embedded flash memory devices

Номер патента: US09678553B2. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Flash memory emulation

Номер патента: US11874768B1. Автор: Daniel Steger. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Novel High Speed High Density NAND-Based 2T-NOR Flash Memory Design

Номер патента: US20120261741A1. Автор: Peter Wung Lee,Fu-Chang Hsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-18.

Flash memory with integrated male and female connectors

Номер патента: CA2576056A1. Автор: Alan L. Pocrass. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-16.

Flash memory with integrated male and female connectors

Номер патента: WO2006017553A1. Автор: Alan L. Pocrass. Владелец: Pocrass Alan L. Дата публикации: 2006-02-16.

Flash memory with integrated male and female connectors

Номер патента: EP1779581A1. Автор: Alan L. Pocrass. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-02.

Method for controlling nand flash memory to implement convolution operation

Номер патента: US20240193224A1. Автор: Qiang Tang. Владелец: Unim Innovation Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Power Sequencing For Embedded Flash Memory Devices

Номер патента: US20160218716A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-07-28.

3D AND flash memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US12052869B2. Автор: Hang-Ting Lue,Teng-Hao Yeh,Chih-Wei Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

High density flash memory architecture with columnar substrate coding

Номер патента: US20010000306A1. Автор: Sukyoon Yoon,Pavel Klinger,Joo Yoon. Владелец: Hyundai Electronics America Inc. Дата публикации: 2001-04-19.

Three-dimensional memory device and method of forming the same

Номер патента: US20240268111A1. Автор: Pi-Shan Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Maintaining slew rate while loading flash memory dies

Номер патента: US10243560B2. Автор: Vinod Arjun HUDDAR,Abhishek LAGUVARAM. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2019-03-26.

Decoding method, associated flash memory controller and electronic device

Номер патента: US20200226021A1. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-07-16.

Decoding method, associated flash memory controller and electronic device

Номер патента: US20190050287A1. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-02-14.

Discharge circuits for a nand flash memory

Номер патента: EP4443747A2. Автор: Liang Qiao,Weiwei He,Mingxian LEI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Method and apparatus for controlling operation of flash memory

Номер патента: US09324436B2. Автор: Sang-Kyung YOO,Sanghan Lee,Moon-Seok Kim. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2016-04-26.

Species implantation for minimizing interface defect density in flash memory devices

Номер патента: US6399984B1. Автор: Yu Sun,Mark T. Ramsbey,Tuan Duc Pham,Yider Wu,Chi Chang,Jean Y. Yang. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-06-04.

Methods and apparatus for wordline protection in flash memory devices

Номер патента: WO2005112120A1. Автор: Mark William Randolph. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2005-11-24.

Disabling flash memory to protect memory contents

Номер патента: US20030228728A1. Автор: Hung-Chang Yu,Fei-Wen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-12-11.

Operating method of flash memory system

Номер патента: US09639421B2. Автор: Dae-sung Kim,Jeong-Seok Ha,Su-Hwang JEONG. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2017-05-02.

Flash memory device having multi-stack structure and channel separation method thereof

Номер патента: US20230145117A1. Автор: Ho-Jun Lee,Yohan Lee,Hyebin KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-11.

Flash memory device having multi-stack structure and channel separation method thereof

Номер патента: EP4181132A1. Автор: Ho-Jun Lee,Yohan Lee,Hyebin KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-17.

Method for providing a dopant level for polysilicon for flash memory devices

Номер патента: EP1218938A1. Автор: Hao Fang,Kenneth Wo-Wai Au,Kent Kuohua Chang. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-07-03.

Method for providing a dopant level for polysilicon for flash memory devices

Номер патента: EP1218938B1. Автор: Hao Fang,Kenneth Wo-Wai Au,Kent Kuohua Chang. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2007-12-19.

High density flash memory device, cell string and fabricating method thereof

Номер патента: WO2008069539A1. Автор: Jong-ho Lee. Владелец: Kyungpook National University Industry-Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2008-06-12.

Systems and methods for last written page handling in a memory device

Номер патента: US09928139B2. Автор: Yu Cai,Zhengang Chen,Erich F. Haratsch,Zhimin Dong. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-03-27.

Flash memories using minimum push up, multi-cell and multi-permutation schemes for data storage

Номер патента: US09666280B2. Автор: Jehoshua Bruck,Anxiao Jiang,Eyal EN GAD. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2017-05-30.

High density flash memory device , cell string fabricating method thereof

Номер патента: US20100038698A1. Автор: Jong-ho Lee. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of KNU. Дата публикации: 2010-02-18.

Error mitigation for 3d nand flash memory

Номер патента: US20180068726A1. Автор: Seung-Hwan Song,Zvonimir Z. Bandic,Viacheslav Anatolyevich DUBEYKO. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-03-08.

Memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240324199A1. Автор: Min-Feng Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

ECC controller for use in flash memory device and memory system including the same

Номер патента: US8140935B2. Автор: Jun-Jin Kong,Yun-Tae Lee,Si-Hoon Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-03-20.

Discharge circuits for a nand flash memory

Номер патента: US20240296894A1. Автор: Liang Qiao,Weiwei He,Mingxian LEI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Method, memory controller, and memory system for reading data stored in flash memory

Номер патента: US09601219B2. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Flash memory circuit with esd protection

Номер патента: US20110063762A1. Автор: Shao-Chang Huang,Wei-Yao Lin,Tang-Lung Lee,Kun-Wei Chang. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2011-03-17.

Layout of a flash memory having symmetric select transistors

Номер патента: US20050040457A1. Автор: Ming-Hung Chou,Jen-Ren Huang. Владелец: MARCRONIX INTERNATIONAL Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-24.

Fast decoding of data stored in a flash memory

Номер патента: US09954558B1. Автор: Hanan Weingarten,Avi STEINER,Avigdor Segal. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Memory controllers and flash memory reading methods

Номер патента: US09647695B2. Автор: Kyung-Jin Kim,Jun-Jin Kong,Eun-cheol Kim,Se-jin Lim,Ung-Hwan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

A novel highly-integrated flash memory and mask rom array architecture

Номер патента: WO2004070730A1. Автор: Fu-Chang Hsu,Peter W. Lee. Владелец: APLUS FLASH TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2004-08-19.

Memory device in mobile phone

Номер патента: US20080201543A1. Автор: Taeyoun Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-21.

Flash memory and method of forming flash memory

Номер патента: US20030064563A1. Автор: Graham Wolstenholme. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-03.

Programmable intelligent search memory enabled secure flash memory

Номер патента: US09952983B2. Автор: Ashish A. Pandya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-04-24.

NAND flash memory having multiple cell substrates

Номер патента: US09899096B2. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Method and apparatus for reading data from flash memory

Номер патента: US8499229B2. Автор: Vishal Sarin,Frankie Roohparvar,William Radke. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-07-30.

Memory device using semiconductor element

Номер патента: US11968822B2. Автор: Koji Sakui,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Protection for input buffers of flash memories

Номер патента: WO2002019525A1. Автор: Giulio-Giuseppe Marotta,Elio D'Ambrosio. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2002-03-07.

Stacked-gate flash memory device

Номер патента: US20030030096A1. Автор: Scott Hsu. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2003-02-13.

Method for fabricating split gate flash memory device

Номер патента: US20050142698A1. Автор: Sang Hun Oh. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Method for fabricating split gate flash memory device

Номер патента: US7166511B2. Автор: Sang Hun Oh. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-23.

Driver circuit for memory devices

Номер патента: US09866206B2. Автор: Soenke Ostertun,Maurits Storms,Frantisek Cevela. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2018-01-09.

Flash memory controller and encoding circuit and decoding circuit within flash memory controller

Номер патента: US20200153456A1. Автор: Shiuan-Hao Kuo. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-05-14.

Three-dimensional flash memory having structure with extended memory cell area

Номер патента: US20240312520A1. Автор: Yun Heub Song. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-09-19.

Flash memory system using complementary voltage supplies

Номер патента: US09508443B2. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Mobile phone having flash memory reset function and flash memory control apparatus thereof

Номер патента: US11874744B2. Автор: Myung Kyu JEON. Владелец: Silicon Works Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-16.

Mobile phone having flash memory reset function and flash memory control apparatus thereof

Номер патента: US20220066881A1. Автор: Myung Kyu JEON. Владелец: Silicon Works Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Flash memory address decoder with novel latch

Номер патента: WO1997049086A1. Автор: Fu-Chang Hsu,Hsing-Ya Tsao,Peter W. Lee. Владелец: APLUS FLASH TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 1997-12-24.

Flash memory cell and method for manufacturing the same

Номер патента: US20050142743A1. Автор: Myung-jin Jung. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-30.

Method and apparatus for reading data from flash memory

Номер патента: WO2009070406A3. Автор: Vishal Sarin,Frankie Roohparvar,William Radke. Владелец: William Radke. Дата публикации: 2009-08-13.

Array architecture and process flow of nonvolatile memory devices for mass storage applications

Номер патента: US20040165459A1. Автор: Hung-Sheng Chen,Peter Lee,Vei-Han Chan. Владелец: Aplus Flash Technology Inc. Дата публикации: 2004-08-26.

Array architecture and process flow of nonvolatile memory devices for mass storage applications

Номер патента: US6891221B2. Автор: Hung-Sheng Chen,Peter W. Lee,Vei-Han Chan. Владелец: Aplus Flash Technology Inc. Дата публикации: 2005-05-10.

Back-up and restoration of data between volatile and flash memory

Номер патента: US20170046081A1. Автор: Kelvin Wong,Michael J. Palmer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-16.

Back-up and restoration of data between volatile and flash memory

Номер патента: US20180067018A1. Автор: Kelvin Wong,Michael J. Palmer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-08.

Back-up and restoration of data between volatile and flash memory

Номер патента: US20170220276A1. Автор: Kelvin Wong,Michael J. Palmer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-03.

Fabrication method for flash memory source line and flash memory

Номер патента: US20050181563A1. Автор: Ing-Ruey Liaw,Jui-Hsiang Yang,Yue-Feng Chen. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2005-08-18.

Fabrication method for flash memory source line and flash memory

Номер патента: US7129134B2. Автор: Ing-Ruey Liaw,Jui-Hsiang Yang,Yue-Feng Chen. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2006-10-31.

Process for fabricating a flash memory with dual function control lines

Номер патента: US6001689A. Автор: Michael A. Van Buskirk,Chi Chang. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1999-12-14.

Process for making and programming and operating a dual-bit multi-level ballistic flash memory

Номер патента: US20020145914A1. Автор: Seiki Ogura,Tomoko Ogura. Владелец: Halo LSI Design and Device Technology Inc. Дата публикации: 2002-10-10.

Method for improving the reliability of flash memories

Номер патента: US20030160241A1. Автор: Kent Chang,Weng-Hsing Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-28.

Self-seeded randomizer for data randomization in flash memory

Номер патента: US12086058B2. Автор: Zhengang Chen,Jianmin Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Method and apparatus for reading data stored in flash memory by referring to binary digit distribution characteristics of bit sequences read from flash memory

Номер патента: US20230352101A1. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Multi-level cell nor flash memory device

Номер патента: US20120163077A1. Автор: Yider Wu,Sheng-Da Liu. Владелец: Eon Silicon Solutions Inc. Дата публикации: 2012-06-28.

Method and apparatus for recording high-speed input data into matrix of memory devices

Номер патента: RU2417461C2. Автор: Томас БРУНЕ,Йенс Петер ВИТТЕНБУРГ. Владелец: Томсон Лайсенсинг. Дата публикации: 2011-04-27.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller without making memory cell array generating errors

Номер патента: US20240232085A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller without making memory cell array generating errors

Номер патента: US20240231625A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller with making memory cell array generating errors.

Номер патента: US20240233849A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller with making memory cell array generating errors

Номер патента: US20240231638A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller with making memory cell array generating errors

Номер патента: US12112816B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Flash memory scheme capable of controlling flash memory device automatically generating debug information and transmitting debug information back to flash memory controller without making memory cell array generating errors

Номер патента: US12105958B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Method for detecting temperature in a flash memory device and the flash memory device thereof

Номер патента: US20240329850A1. Автор: Akhilesh Kumar Jaiswal,Puneet Kukreja,Vinay Kumar M N. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Read enable signal adjusting flash memory device and read control method of flash memory device

Номер патента: EP2232500A1. Автор: Hyunmo Chung,Hanmook Park. Владелец: Indilinx Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-29.

Read enable signal adjusting flash memory device and read control method of flash memory device

Номер патента: WO2009084796A1. Автор: Hyunmo Chung,Hanmook Park. Владелец: Indilinx Co., Ltd.. Дата публикации: 2009-07-09.

Flash memory device with increase of efficiency during an apde (automatic program disturb after erase) process

Номер патента: WO2002095762A3. Автор: Richard Fastow,Zhigang Wang,Chi Chang,Sameer Haddad,Sheung-Hee Park. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-02-20.

Flash memory device with increase of efficiency during an apde (automatic program disturb after erase) process

Номер патента: WO2002095762A2. Автор: Richard Fastow,Zhigang Wang,Chi Chang,Sameer Haddad,Sheung-Hee Park. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2002-11-28.

Flash memory device including deduplication, and related methods

Номер патента: US09841918B2. Автор: Jun Jin Kong,Avner Dor,Elona Erez. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Method for using nand flash memory sram in solid state drive controller

Номер патента: US20230152999A1. Автор: CHAOHONG HU,Chun Liu,Jea Woong Hyun,Xin LIAO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

Method and apparatus for staggered start-up of a predefined, random or dynamic number of flash memory devices

Номер патента: US9036423B2. Автор: Kenneth Alan Okin,Gregory Charles Yancey,Bradley Edman SUNDAHL,Sean Michael O'Mullan. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2015-05-19.

Reducing write amplification in a cache with flash memory used as a write cache

Номер патента: US20130132655A1. Автор: Binny S. Gill,Wendy A. Belluomini,Michael A. Ko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-23.

Method and apparatus for staggered start-up of a predefined, random, or dynamic number of flash memory devices

Номер патента: US09928919B1. Автор: Kenneth Alan Okin,Gregory Charles Yancey,Bradley Edman SUNDAHL,Sean Michael O'Mullan. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Packed commands for communicating with flash memory system

Номер патента: US20240302965A1. Автор: Madhu Yashwanth Boenapalli,Surendra Paravada,Sai Praneeth Sreeram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Packed commands for communicating with flash memory system

Номер патента: WO2024186388A1. Автор: Madhu Yashwanth Boenapalli,Surendra Paravada,Sai Praneeth Sreeram. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-09-12.

Method for extending period of data retention of flash memory device and device for the same

Номер патента: US09904479B1. Автор: Ming-Sheng Chen,Ting-Chiang Liu,Liang-Tsung Wang. Владелец: Innodisk Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Magnetic random access memory journal for multi-level cell flash memory

Номер патента: US09400744B2. Автор: Trevor Smith,Ashwin Kamath. Владелец: Mangstor Inc. Дата публикации: 2016-07-26.

Flash memory controller and method capable of transmitting multiple set-feature signals and macro settings to flash memory device

Номер патента: US20240004581A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Flash memory device for storing sensitive information and other data

Номер патента: US20160232109A1. Автор: Jeffrey B. Canter. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2016-08-11.

Method for enhancing performance of a flash memory, and associated portable memory device and controller thereof

Номер патента: US20100235563A1. Автор: Hsu-Ping Ou. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2010-09-16.

Flash memory device

Номер патента: US09966133B2. Автор: Hong Beom Pyeon,Jin-Ki Kim,Hakjune Oh. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Flash memory device and method for driving the same

Номер патента: US20080247247A1. Автор: Sang-Gu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-10-09.

Flash memory controller and method capable of using one set-feature signal as a macro execution signal to execute multiple set-feature operations for flash memory device

Номер патента: US12073085B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory system with high speed non-volatile memory backup using pre-aged flash memory devices

Номер патента: US09747200B1. Автор: Rino Micheloni. Владелец: Microsemi Solutions US Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Flash memory system

Номер патента: US09779804B2. Автор: Hong Beom Pyeon,Jin-Ki Kim,Hakjune Oh. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Flash memory system

Номер патента: US09524783B2. Автор: Hong Beom Pyeon,Jin-Ki Kim,Hakjune Oh. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Method of erasing data in flash memory device

Номер патента: US7986565B2. Автор: Jae-Yong Jeong,Jin-Young Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-07-26.

Method and apparatus for caching address mapping information in flash memory based storage device

Номер патента: US20230289091A1. Автор: Yi-Kai Pai. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Flash memory device and method of operating the same

Номер патента: US20090040826A1. Автор: Jae Won Cha,Sam Kyu Won,Kwang Ho Baek. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-02-12.

Flash memory with programmable endurance

Номер патента: EP1891529A2. Автор: Menachem Lasser,Dani Dariel. Владелец: Sandisk IL Ltd. Дата публикации: 2008-02-27.

Nand flash memory device with enhanced data retention characteristics and operating method thereof

Номер патента: US20240265975A1. Автор: Sung Ho Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Method and system for split flash memory management between host and storage controller

Номер патента: US09921954B1. Автор: Hanan Weingarten,Erez Sabbag. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Flash memory device having physical destroy means

Номер патента: US09704586B1. Автор: Chih-Chieh Kao. Владелец: Innodisk Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Flash memory initialization scheme for writing boot up information into selected storage locations averagely and randomly distributed over more storage locations and correspondingly method for reading boot up information from selected storage locations

Номер патента: US20210223970A1. Автор: Sheng-Yuan Huang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2021-07-22.

Method of correcting error of flash memory device, and, flash memory device and storage system using the same

Номер патента: US8612830B2. Автор: Jun Kitahara,Nagamasa Mizushima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2013-12-17.

Flash memory device and a method of verifying the same

Номер патента: US9196372B2. Автор: Seungwon Lee,Byeonghoon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-11-24.

Multi-tiered detection and decoding in flash memories

Номер патента: US20180181459A1. Автор: Erich F. Haratsch,AbdelHakim S. Alhussien. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-06-28.

Flash memory initialization scheme for writing boot up information into selected storage locations averagely and randomly distributed over more storage locations and correspondingly method for reading boot up information from selected storage locations

Номер патента: US20210365197A1. Автор: Sheng-Yuan Huang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2021-11-25.

Flash Memory Device and a Method of Verifying the Same

Номер патента: US20140071769A1. Автор: Seungwon Lee,Byeonghoon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-03-13.

Flash memory device configurable to provide real only memory functionality

Номер патента: EP3259758A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-27.

Flash memory device configurable to provide real only memory functionality

Номер патента: WO2016133705A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2016-08-25.

Flash memory device performing adaptive loop, memory system and method of operating the memory system

Номер патента: US09941016B2. Автор: Jae-Hong Kim,Young-Seop Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Flash Memory Device Configurable To Provide Read Only Memory Functionality

Номер патента: US20160240255A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-18.

Device selection schemes in multi chip package NAND flash memory system

Номер патента: US09524778B2. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

High speed sequential read method for flash memory

Номер патента: US09496046B1. Автор: Kyoung Chon Jin. Владелец: Integrated Silicon Solution Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Method for processing data of flash memory by separating levels and flash memory device thereof

Номер патента: US20100180071A1. Автор: Tsung-Ming Chang,Chin-Tung Hsu. Владелец: Innostor Tech Corp. Дата публикации: 2010-07-15.

Flash memory controller and associated memory device and control method

Номер патента: US20240184484A1. Автор: Ming-Yu Tsai. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

File memory device and information processing apparatus using the same

Номер патента: US20010007119A1. Автор: Jun Kitahara,Kunihiro Katayama,Kenichi Kaki,Kazunori Furusawa,Tsunehiro Tobita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-05.

Partial page fail bit detection in flash memory devices

Номер патента: WO2008005735A2. Автор: Gerrit Jan Hemink. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2008-01-10.

Two-terminal memory compatibility with NAND flash memory set features type mechanisms

Номер патента: US09727258B1. Автор: Kuk-Hwan Kim,Hagop Nazarian. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Programming mode for multi-layer storage flash memory array and switching control method thereof

Номер патента: US9542311B2. Автор: Jipeng Xing,Wenjie Huo,Dongxia Zhou. Владелец: Memoright Wuhan Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Flash memory scheme capable of automatically generating or removing dummy data portion of full page data by using flash memory device

Номер патента: US12067240B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Cell-level statistics collection for detection and decoding in flash memories

Номер патента: US09502117B2. Автор: Zhengang Chen,Erich F. Haratsch. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-11-22.

Method for accessing flash memory and associated controller and memory device

Номер патента: US09489143B2. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Bank selector circuit for a simultaneous operation flash memory device with a flexible bank partition architecture

Номер патента: EP1116238A1. Автор: Johnny Chen,Tiao-Hua Kuo,Nancy Leong,Michael Van Buskirk,Administration Department Of Fujitsu Ltd Patent. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-07-18.

Flash memory device and programming method thereof

Номер патента: US8194463B2. Автор: Jong-Hwa Kim,Young-Joon Choi,Seok-Cheon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-06-05.

Synchronous flash memory

Номер патента: WO2001075897A3. Автор: Frankie F Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-05-30.

Flash memory controller and memory device for accessing flash memory module, and associated method

Номер патента: US20180373593A1. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2018-12-27.

Flash memory device configured to be bonded to external semiconductor chip and computing device including flash memory device coupled to neural processor chip

Номер патента: US12100442B2. Автор: Chanho Kim,Daeseok Byeon,Hyunsurk Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Method and system for accessing a flash memory device

Номер патента: US09836227B2. Автор: Hong Beom Pyeon,Jin-Ki Kim. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Systems and methods for improved access to flash memory devices

Номер патента: US09772777B2. Автор: Michael A. Koets,Larry T. McDANIEL, III,Miles R. DARNELL. Владелец: Southwest Research Institute SwRI. Дата публикации: 2017-09-26.

Methods, systems, and computer readable media for address and data integrity checking in flash memory operations

Номер патента: US09477549B2. Автор: Ashutosh Malshe,Karthik Krishnamoorthy. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-10-25.

Flash Memory Device

Номер патента: US20130077406A1. Автор: Guangjun Yang. Владелец: Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2013-03-28.

Flash memory device and method of erasing

Номер патента: US20030128591A1. Автор: ANDREI Mihnea,Chun Chen,Paul Rudeck,Andrew Bicksler. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-07-10.

Flash memory device

Номер патента: US20020091906A1. Автор: Weon-Hwa Jeong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-07-11.

Flash memory system

Номер патента: US09996274B2. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Flash memory device

Номер патента: US20180061498A1. Автор: Junji Ogawa,Kenta Ninose,Yohei HAZAMA. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2018-03-01.

Programming algorithm for improved flash memory endurance and retention

Номер патента: US9514823B2. Автор: Ashot Melik-Martirosian. Владелец: HGST Technologies Santa Ana Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Programming algorithm for improved flash memory endurance and retention

Номер патента: US20150310921A1. Автор: Ashot Melik-Martirosian. Владелец: HGST Technologies Santa Ana Inc. Дата публикации: 2015-10-29.

Memory device with defined programming transaction time

Номер патента: US09934866B2. Автор: Ian Shaeffer,Brent Haukness. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-04-03.

Multi-tier detection and decoding in flash memories

Номер патента: US09898361B2. Автор: Abdel Hakim S. Alhussien,Erich F. Haratsch. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-02-20.

Flash memory device revising program voltage, three-dimensional memory device, memory system including the memory device, and methods of programming the memory device

Номер патента: US09779833B2. Автор: Sang-Hyun Joo,Jae-Woo Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Flash memory system

Номер патента: US09588883B2. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Programming algorithm for improved flash memory endurance and retention

Номер патента: US09514823B2. Автор: Ashot Melik-Martirosian. Владелец: HGST Technologies Santa Ana Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

System managing a plurality of flash memory devices

Номер патента: US09495105B2. Автор: Kazuhisa Fujimoto,Shuji Nakamura,Akira Fujibayashi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Error characterization and mitigation for 16nm mlc nand flash memory under total ionizing dose effect

Номер патента: US20190172545A1. Автор: Yue Li,Jehoshua Bruck. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2019-06-06.

Apparatus for controlling nand flash memory device and method for controlling same

Номер патента: US20240290397A1. Автор: Sang Hoon Shin,Hyoung Ki Nam. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Monitoring entropic conditions of a flash memory device as an indicator for invoking erasure operations

Номер патента: US20030161186A1. Автор: Yongqi Yang,Jered Aasheim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-28.

Flash memory device and method of operation

Номер патента: US20110255337A1. Автор: Franz Michael Schuette. Владелец: OCZ Technology Group Inc. Дата публикации: 2011-10-20.

Error correction code unit, self-test method and associated controller applied to flash memory device for generating soft information

Номер патента: US09703627B2. Автор: Chen-Yu Weng. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Virtual memory device (VMD) application/driver for enhanced flash endurance

Номер патента: US09548108B2. Автор: Abraham C. Ma,Frank Yu,Shimon Chen,Yi Syu Yan. Владелец: Super Talent Tech Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Biasing method and structure for reducing band-to-band and/or avalanche currents during the erase of flash memory devices

Номер патента: EP1040486A1. Автор: Daniel Sobek,Sameer S. Haddad,Vei-Han Chan,Scott D. Luning,Timothy James Thurgate. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-10-04.

Redundancy circuit and method for flash memory devices

Номер патента: US20030026129A1. Автор: Luca Fasoli,Stella Matarrese. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2003-02-06.

Method and device for changing content of memory devices of control blocks

Номер патента: RU2248627C2. Автор: Мартин ХУРИХ,Геральд ХОЛЬЦАПФЕЛЬ. Владелец: Роберт Бош Гмбх. Дата публикации: 2005-03-20.

Replacement memory device

Номер патента: WO2004019339A3. Автор: Kenneth K Smith,Colin A Stobbs. Владелец: Hewlett Packard Development Co. Дата публикации: 2005-04-21.

Replacement memory device

Номер патента: EP1540656A2. Автор: Kenneth K. Smith,Colin A. Stobbs. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2005-06-15.

Replacement memory device

Номер патента: WO2004019339A2. Автор: Kenneth K. Smith,Colin A. Stobbs. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2004-03-04.

Method and system for parallel flash memory programming

Номер патента: US20220100421A1. Автор: Te-Hsien Lai,Po-Wei Huang,Yi-Hung Shen,Chih-Chia HUANG. Владелец: QUANTA COMPUTER INC. Дата публикации: 2022-03-31.

Flash memory device employing disturbance monitoring scheme

Номер патента: US20080049507A1. Автор: Jong-Soo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-28.

Portable memory device having mutually exclusive non-volatile electronic data storage

Номер патента: US20200241800A1. Автор: Chad Dustin Tillman,Evan Michael DORSEL. Владелец: Ipxcl LLC. Дата публикации: 2020-07-30.

Back-up and restoration of data between volatile and flash memory

Номер патента: US09501404B2. Автор: Kelvin Wong,Michael J. Palmer,Peter M. Smith. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Method of emulating eeprom-memory in flash-memory

Номер патента: RU2716899C1. Автор: Константин Анатольевич Черников,Антон Олегович Таршиков,Игорь Олегович Коваленко,Сергей Александрович Поскряков. Владелец: Акционерное общество "Актив-софт". Дата публикации: 2020-03-17.

Flash memory device and method

Номер патента: WO2007057886A3. Автор: Mark Murin,Arik Eyal. Владелец: Arik Eyal. Дата публикации: 2009-04-09.

Method for accessing flash memory module, flash memory controller, and memory device

Номер патента: US12039171B2. Автор: Chia-Chi Liang,Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Control method for flash memory controller and associated flash memory controller and memory device

Номер патента: US20220066687A1. Автор: Ching-Hui Lin. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Control method of memory device and associated flash memory controller

Номер патента: US20240329871A1. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Flash memory device having a calibration mode

Номер патента: US12072817B2. Автор: Liji GOPALAKRISHNAN,Pravin Kumar Venkatesan,Kashinath Ullhas Prabhu,Makarand Ajit Shirasgaonkar. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-08-27.

Flash memory device and method

Номер патента: WO2007057886A2. Автор: Mark Murin,Arik Eyal. Владелец: SANDISK IL LTD.. Дата публикации: 2007-05-24.

Programming data into a multi-plane flash memory

Номер патента: WO2010027983A9. Автор: Akio Goto,Masayuki Urabe,Chi Kong Lee. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD.. Дата публикации: 2011-03-10.

Progamming data into a multi-plane flash memory

Номер патента: EP2347417A1. Автор: Akio Goto,Masayuki Urabe,Chi Kong Lee. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2011-07-27.

System and method for emulating an EEPROM in a non-volatile memory device

Номер патента: US09389999B2. Автор: Thomas Kern,Thomas Nirschl,Ulrich Backhausen,Jens Rosenbusch,Edvin Paparisto. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-07-12.

Flash memory with multiple status reading capability

Номер патента: US20030117860A1. Автор: Frankie Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-06-26.

Data Managing Method for Flash Memory and Flash Memory Device Using the Same

Номер патента: US20100153623A1. Автор: Pang-Mei Lo. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2010-06-17.

Flash memory device for outputing data in synch with a first signal in an SDR mode and a DDR mode and a flash memory system including the same

Номер патента: US09715936B2. Автор: Seok-Cheon Kwon,Kyeong-Han Lee,Dong-yang Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-25.

Method for performing memory access management, and associated memory device and controller thereof

Номер патента: US09520185B2. Автор: Tsung-Chieh Yang,wen-long Wang,Hsiao-Te Chang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Group based read reference voltage management in flash memory

Номер патента: US8971122B1. Автор: Xueshi Yang,Gregory Burd. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2015-03-03.

Flash memory module testing method and associated memory controller and memory device

Номер патента: US20240194282A1. Автор: Yu-Ting Chen,Chiu-Han CHANG. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Driving circuits for a memory cell array in a NAND-type flash memory device

Номер патента: EP1191542A3. Автор: Young-Ho Lim,Jung-Hoon Park,Suk-Cheon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-01-07.

Nand memory device and programming methods

Номер патента: US20110292732A1. Автор: Chang Wan Ha. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-01.

Flash memory data protection

Номер патента: WO2023055515A1. Автор: Sudan Vilas Landge. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-04-06.

Method for Erasing Data of NAND Flash Memory Device

Номер патента: US20080158994A1. Автор: Hea Jong Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-07-03.

Fast-sensing amplifier for flash memory

Номер патента: US20030112683A1. Автор: Michael Briner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-06-19.

Semiconductor memory device

Номер патента: EP2225648A1. Автор: Keiji Maeda,Masato Sugita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-09-08.

Flash memory array, and write method and erasure method therefor

Номер патента: EP4394771A1. Автор: Jiayong JIANG,Zhendong SHI. Владелец: Beijing Panxin Microelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Method and apparatus for driving flash memory

Номер патента: US7215578B2. Автор: Chin-Yi Chiang,Chun-Hua Tseng. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2007-05-08.

Method and apparatus for driving flash memory

Номер патента: US20060176741A1. Автор: Chin-Yi Chiang,Chun-Hua Tseng. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2006-08-10.

Flash memory data protection

Номер патента: EP4409414A1. Автор: Sudan Vilas Landge. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Method for accessing flash memory module, flash memory controller, and memory device

Номер патента: US12079483B2. Автор: Chia-Chi Liang,Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

USB memory device

Номер патента: US09619421B2. Автор: Israel Hershler. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-04-11.

Flash memory device

Номер патента: US09514822B2. Автор: Jin HO KIM,Jae Yong Cha,Go Hyun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Control method for referring to expired block table to perform expired block recycling operation and associated flash memory controller and memory device

Номер патента: US20220004339A1. Автор: Ching-Hui Lin. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2022-01-06.

Error characterization and mitigation for 16nm mlc nand flash memory under total ionizing dose effect

Номер патента: US20180197617A1. Автор: Yue Li,Jehoshua Bruck. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2018-07-12.

Flash memory device and bit line charging method thereof

Номер патента: US20210375369A1. Автор: Chih-Ting Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Error characterization and mitigation for 16nm MLC NAND flash memory under total ionizing dose effect

Номер патента: US09870834B2. Автор: Yue Li,Jehoshua Bruck. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2018-01-16.

Flash memory management system and method

Номер патента: WO2003102782A1. Автор: James Chow,Thomas K. Gender. Владелец: HONEYWELL INTERNATION INC.. Дата публикации: 2003-12-11.

Solid State Memory Device with PCI Controller

Номер патента: US20080040533A1. Автор: Jason Caulkins. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-14.

Flash memory management system and method

Номер патента: EP1509845A1. Автор: James Chow,Thomas K. Gender. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2005-03-02.

Program method of flash memory device

Номер патента: US20080123429A1. Автор: Seong Je Park,Seung Ho Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-05-29.

Flash memory device and programming method thereof

Номер патента: US20120243334A1. Автор: Hsing-Wen Chang,Yao-Wen Chang,Chu-Yung Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-27.

Flash memory system providing both bios and user storage capability

Номер патента: IL108867A. Автор: . Владелец: SYSTEMS Ltd M. Дата публикации: 1996-12-05.

NAND flash memory system with programmable connections between a NAND flash memory controller and a plurality of NAND flash memory modules and method thereof

Номер патента: US20080294836A1. Автор: Satoshi Sugawa,Fuja Shone,Ching-Chang Chen,Chuang Cheng,Kai-Hsun Lin. Владелец: Skymedi Corp. Дата публикации: 2008-11-27.

Block storage using a hybrid memory device

Номер патента: US09552176B2. Автор: Vladimir Sadovsky,Scott Chao-Chueh Lee,Robin A. Alexander,Chiuchin Chen,Lee E. PREWITT. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2017-01-24.

Flash memory controller and method capable of sending data toggle set-feature signal to enable, disable, or configure data toggle operation of flash memory device

Номер патента: US20230266895A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Interface protocols between memory controller and nand flash memory for cache programming

Номер патента: US20240161840A1. Автор: Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Synchronous flash memory with non-volatile mode register

Номер патента: WO2001075890A3. Автор: Frankie F Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-05-23.

Priority-based flash memory control apparatus for XIP in serial flash memory, memory management method using the same, and flash memory chip thereof

Номер патента: EP1522928A3. Автор: Chan-Ik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-03.

Device and method for monitoring operation of a flash memory

Номер патента: WO2007054929A2. Автор: Mark Murin,Mark Shlik. Владелец: SANDISK IL LTD.. Дата публикации: 2007-05-18.

Control method of flash memory controller and associated flash memory controller and electronic device

Номер патента: US20230289098A1. Автор: Chia-Chi Liang,Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Integrated circuit with flash memory

Номер патента: EP1203379A1. Автор: Stefan Koch,Axel Hertwig,Hans-Joachim Gelke. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2002-05-08.

Flash memory device with improved management of protection information

Номер патента: US20070016735A1. Автор: Mauro Sali,Francesco Mastroianni,Antonino Mondello,Massimiliano Mollichelli,Elena Cussotto. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2007-01-18.

Flash memory file system and method using different types of storage media

Номер патента: US09804961B2. Автор: Zhengning Zhou,Yu Feng Liao. Владелец: Aupera Technologies Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Three-dimensional flash memory device including dummy word line

Номер патента: US09496038B1. Автор: Sang-Wan Nam,Daeseok Byeon,Donghun Kwak,ChiWeon Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Method and system for storage address re-mapping for a memory device

Номер патента: US09396103B2. Автор: Alan W. Sinclair,Barry Wright. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-07-19.

Adusting flash memory operating parameters based on historical analysis of multiple indicators of degradation

Номер патента: US9262319B2. Автор: Joseph Sullivan,Conor Maurice Ryan. Владелец: NATIONAL DIGITAL RESEARCH CENTRE Ltd. Дата публикации: 2016-02-16.

Flash memory controller and method capable of sending data toggle set-feature signal to enable, disable, or configure data toggle operation of flash memory device

Номер патента: US11977752B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Flash memory device and smart card including the same

Номер патента: US7558121B2. Автор: Byeong-Hoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-07-07.

New compensated method to implement a high voltage discharge phase after erase pulse in a flash memory device

Номер патента: WO2006033832A3. Автор: Lorenzo Bedarida,Simone Bartoli,Giorgio Oddone,Davide Manfre. Владелец: Davide Manfre. Дата публикации: 2007-02-15.

Flash memory device capable of reduced programming time

Номер патента: US20060126399A1. Автор: Myong-Jae Kim,Ji-Ho Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-06-15.

Flash memory device capable of reduced programming time

Номер патента: US20080181011A1. Автор: Myong-Jae Kim,Ji-Ho Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-31.

Semiconductor memory device, semiconductor system and reading method

Номер патента: US09953170B2. Автор: Takehiro Kaminaga. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Control apparatus and control method with multiple flash memory card channels

Номер патента: US09658958B2. Автор: MIAO Chen,Yuanlong Wang. Владелец: NOREL SYSTEMS Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

System and Methods for Extending Operational Lifetime of Flash Memory

Номер патента: US20150161041A1. Автор: Joseph Sullivan,Conor Maurice Ryan. Владелец: NATIONAL DIGITAL RESEARCH CENTRE Ltd. Дата публикации: 2015-06-11.

Nor Flash Memory Controller

Номер патента: US20120151259A1. Автор: Peng Zhan. Владелец: Mediatek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2012-06-14.

Flash memory and associated methods

Номер патента: WO2008083125A1. Автор: Giovanni Santin,Violante Moschiano,Michele Incarnati,Daniel Elmhurst,Ercole Diiorio. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2008-07-10.

Flash Memory Device and Smart Card Including the Same

Номер патента: US20080117674A1. Автор: Byeong-Hoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-22.

Predicting lifespan of flash memory based on actual usage profile

Номер патента: US20220276790A1. Автор: Wei Zhang,Yu Zhu,Edward A. Naddeo. Владелец: Continental Automotive Systems Inc. Дата публикации: 2022-09-01.

Flash memory device and programming method thereof

Номер патента: US20140126296A1. Автор: Hsing-Wen Chang,Yao-Wen Chang,Chu-Yung Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-08.

Control method for requesting status of flash memory, flash memory system

Номер патента: US12086474B2. Автор: Shih Chou Juan,Min Zhi Ji. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Memory device and controlling method of the same

Номер патента: US09715344B2. Автор: Kyung-Ho Kim,Seung-Uk Shin,Sang-Kwon Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-25.

Inter-cell interference reduction in flash memory devices

Номер патента: US09704594B1. Автор: Robert Mateescu,Seung-Hwan Song,Minghai Qin,Zvonimir Z. Bandic. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

A method, system and computer-readable code for testing of flash memory

Номер патента: WO2007052259A2. Автор: Meir Avraham,Mark Murin,Menahem Lasser. Владелец: SANDISK IL LTD.. Дата публикации: 2007-05-10.

Dynamic Management of a NAND Flash Memory

Номер патента: US20190228827A1. Автор: Po-Chien Chang,Jia-Jyun Syu,Bo-Shian Hsu. Владелец: Goke US Research Laboratory. Дата публикации: 2019-07-25.

Redundant dual bank architecture for a simultaneous operation flash memory

Номер патента: WO2001029668A1. Автор: Yasushi Kasa,Guowei Wang. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2001-04-26.

Flash memory data read/write processing method

Номер патента: WO2008145070A1. Автор: HE Huang. Владелец: Memoright Memoritech (Shenzhen) Co., Ltd. Дата публикации: 2008-12-04.

Flash memory controller

Номер патента: US20240152288A1. Автор: Ching-Hui Lin,Tsung-Chieh Yang,Chun-Chieh Kuo,Yang-Chih Shen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Computing device and method for inferring a predicted number of physical blocks erased from a flash memory

Номер патента: US20190155520A1. Автор: Francois Gervais. Владелец: Distech Controls Inc. Дата публикации: 2019-05-23.

Flash memory vds compensation techniques to reduce programming variability

Номер патента: WO1998044510A1. Автор: Stephen N. Keeney. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 1998-10-08.

Automatic regulation method for the reference sources in a non-volatile memory device and corresponding memory device

Номер патента: US20080013387A1. Автор: Antonino Mondello,Michelangelo Pisasale. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2008-01-17.

Flash memory controller

Номер патента: US20160351255A1. Автор: Ching-Hui Lin,Tsung-Chieh Yang,Chun-Chieh Kuo,Yang-Chih Shen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2016-12-01.

Distributed flash memory storage manager systems

Номер патента: US20100254173A1. Автор: Wei Zhou,Po-Chien Chang,Chee Hoe Chu. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2010-10-07.

Flash memory controller

Номер патента: US09733857B2. Автор: Ching-Hui Lin,Tsung-Chieh Yang,Chun-Chieh Kuo,Yang-Chih Shen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

System and method of command based and current limit controlled memory device power up

Номер патента: US09640227B2. Автор: Jeff Yu,Ted Pekny. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Flash memory controller

Номер патента: US09588709B2. Автор: Ching-Hui Lin,Tsung-Chieh Yang,Chun-Chieh Kuo,Yang-Chih Shen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Flash memory system using memory cell as source line pull down circuit

Номер патента: US09564238B1. Автор: Hieu Van Tran,Parviz Ghazavi,Kai Man Yue,Ning BAI,Qing Rao. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Flash memory control chip and data storage device and flash memory control method

Номер патента: US09465538B2. Автор: Yi-Lin Lai. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Synchronous flash memory with virtual segment architecture

Номер патента: US20030031052A1. Автор: Frankie Roohparvar,Kevin Widmer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-02-13.

Flash Memory Device and Data Protection Method Thereof

Номер патента: US20120271986A1. Автор: Hsu-Ping Ou,Chun-Yi Lo. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2012-10-25.

Code addressable memory cell in flash memory device

Номер патента: US20010024385A1. Автор: Byung-Jin Ahn. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-09-27.

Automatic regulation method for the reference sources in a non-volatile memory device and corresponding memory device

Номер патента: US7567470B2. Автор: Antonino Mondello,Michelangelo Pisasale. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-28.

Computer having flash memory and method of operating flash memory

Номер патента: US20090024843A1. Автор: Byung Yoon CHOI. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2009-01-22.

Detection of leakage current in flash memory

Номер патента: US20240363179A1. Автор: Guanyu Sha. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Flash memory device and erase method thereof capable of reducing power consumption

Номер патента: US09865358B2. Автор: Kenichi Arakawa,Hiroki Murakami. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Device and method for detecting controller signal errors in flash memory

Номер патента: US09852811B2. Автор: Ken Hui Chen,Kuen Long Chang,Su Chueh Lo,Chia-Feng Cheng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Method for regulating reading voltage of NAND flash memory device

Номер патента: US09558816B2. Автор: Seung-Hyun Han,Sun-Mo Hwang. Владелец: THE-AIO Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Multipage program scheme for flash memory

Номер патента: US09484097B2. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Testing apparatus for flash memory chip

Номер патента: US09470714B2. Автор: Hua-An YANG. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Flash memory controller and method capable of sending read command or data toggle command to ask for flash memory device return more plane data of different planes

Номер патента: US11972146B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-04-30.

Flash memory device with data fragment function

Номер патента: WO2019169078A1. Автор: Hung Vuong,Hyunsuk Shin. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-09-06.

Control method for flash memory controller and associated flash memory controller and storage device

Номер патента: US12014063B2. Автор: Ching-Hui Lin. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Method for managing data stored in flash memory and associated memory device and controller

Номер патента: US20140032993A1. Автор: Tsung-Chieh Yang,Li-Sheng Kan. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2014-01-30.

Extended main memory hierarchy having flash memory for page fault handling

Номер патента: EP2449471A1. Автор: Ricky C. Hetherington,Sanjiv Kapil. Владелец: Oracle America Inc. Дата публикации: 2012-05-09.

Extended main memory hierarchy having flash memory for page fault handling

Номер патента: WO2011008507A1. Автор: Ricky C. Hetherington,Sanjiv Kapil. Владелец: ORACLE AMERICA, INC.. Дата публикации: 2011-01-20.

Operating method of memory system including nand flash memory, variable resistance memory and controller

Номер патента: US20160004469A1. Автор: Eun-Jin Yun,BoGeun Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-01-07.

Data storage device and flash memory control method

Номер патента: US9318213B2. Автор: Yi-Lin Lai,Chin-Yin Tsai. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2016-04-19.

Data writing and recovery method for use in quadruple-level cell flash memory and related and memory controller and storage device

Номер патента: US20240211175A1. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Flash memory device and operating method thereof

Номер патента: US20120051135A1. Автор: Jung-Hwan Lee,Seong-Je Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-03-01.

Multipage program scheme for flash memory

Номер патента: US09852788B2. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Method for managing data stored in flash memory and associated memory device and controller

Номер патента: US09811414B2. Автор: Tsung-Chieh Yang,Li-Sheng Kan. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Method for increasing speed of writing data into flash memory unit and associated device

Номер патента: US09627047B2. Автор: Ching-Hui Lin,Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Method and system for rebalancing data stored in flash memory devices

Номер патента: US9442670B2. Автор: Warren Fritz Kruger. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-13.

Method and system for migrating data between flash memory devices

Номер патента: US9519577B2. Автор: Warren Fritz Kruger. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-13.

Memory device comprising flash memory and method for controlling a write speed of a bus transmitting data for storage on the flash memory

Номер патента: US20190115082A1. Автор: Francois Gervais,Danny Breton. Владелец: Distech Controls Inc. Дата публикации: 2019-04-18.

Flash memory controller and method capable of sending read command or data toggle command to ask for flash memory device return more plane data of different planes

Номер патента: US20230280939A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Flash memory device with data fragment function

Номер патента: US20190272110A1. Автор: Hung Vuong,Hyunsuk Shin. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-09-05.

Methods for controlling data storage device, and associated flash memory controller

Номер патента: EP4014121A1. Автор: Hong-Jung Hsu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2022-06-22.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: WO2024197764A1. Автор: Li Xiang,Ke Liang,Jinchi HAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US20240331775A1. Автор: Li Xiang,Ke Liang,Jinchi HAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Solid-state drive (ssd) with a storage controller employing differential two-wire serial buses to access flash memory

Номер патента: WO2021108098A1. Автор: Dillip Dash. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2021-06-03.

Unusable column mapping in flash memory devices

Номер патента: US09952775B2. Автор: Fan Zhang,Yu Cai,Hyungseok Kim,June Lee,Chenrong Xiong,Jaesung SIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Flash memory controller, data processing system with flash memory controller and method of operating a flash memory controller

Номер патента: US09720797B2. Автор: Damon Peter Broderick,Dirk Heisswolf,Andreas Ralph Pachl. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Method of performing write access by distributing control rights to threads, memory controller and flash memory storage device using the same

Номер патента: US09507702B2. Автор: Ching-Wen Chang. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Wear management for flash memory devices

Номер патента: CA2941172C. Автор: Michael Stephen Rothberg. Владелец: HGST NETHERLANDS BV. Дата публикации: 2019-03-12.

Flash Memory Device and Method for Handling Power Failure Thereof

Номер патента: US20150003154A1. Автор: Hung-Chiang Chen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2015-01-01.

Flash memory device and method for handling power failure thereof

Номер патента: US9013929B2. Автор: Hung-Chiang Chen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2015-04-21.

Memory device and test method thereof

Номер патента: US20240221855A1. Автор: Hang-Ting Lue,Chih-Wei Hu,Teng Hao Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Control method of flash memory controller and associated flash memory controller and storage device

Номер патента: US20240319897A1. Автор: Yen-Yu Jou,Kun-Cheng Lai. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory device and compensation method of data retention thereof

Номер патента: US20240304264A1. Автор: Chih-Chang Hsieh,Chih-Wei Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

System and method for programming a memory device with multiple writes without an intervening erase

Номер патента: US09972396B1. Автор: Himanshu Naik,Biswajit Ray,Changyuan Chen,Mohan DUNGA. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Data cache scheme for high performance flash memories

Номер патента: US12141479B2. Автор: XIANG Gao,Fei Xue,Yuming Xu,Jifeng Wang,Wentao Wu,Jiajing JIN. Владелец: T Head Shanghai Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Data storage device and flash memory control method

Номер патента: US09727271B2. Автор: Chia-Chi Liang,Chien-Cheng Lin,Chang-Chieh HUANG,Jie-Hao LEE. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Start-up method for USB flash disk with synchronous flash memory and control system

Номер патента: US09645921B2. Автор: Jian Tang. Владелец: IPGoal Microelectronics Sichuan Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Microcontroller with integrated interface enabling reading data randomly from serial flash memory

Номер патента: US09329782B2. Автор: Frédéric Schumacher,Guillaume Pean,Renaud Tiennot. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2016-05-03.

Electronic data flash card with various flash memory cells

Номер патента: US20080071977A1. Автор: Abraham C. Ma,David Q. Chow,Charles C. Lee,Ming-Shiang Shen,Frank I. Yu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-03-20.

Portable electronic device capable of protecting specific block of flash memory chip

Номер патента: US20040264231A1. Автор: Chun-Chang Chen,Show-Nan Chung,Chin-Peng Tsai. Владелец: Tatung Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-30.

System and method for pre-soft-decoding tracking for NAND flash memories

Номер патента: US12039191B2. Автор: Hanan Weingarten. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Stress detection in a flash memory device

Номер патента: US20180342306A1. Автор: Robert Coleman,Benish Babu,Steven Haehnichen,I-Heng HUANG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-11-29.

Output driving and input on-die termination mechanism capable of supporting different requirements of different flash memory specification standards

Номер патента: US20240311007A1. Автор: Zih-Yang Wong. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Control method of flash memory controller and associated flash memory controller and storage device

Номер патента: US20240320142A1. Автор: Yen-Yu Jou,Kun-Cheng Lai. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Microcontroller with integrated interface enabling reading data randomly from serial flash memory

Номер патента: US09921778B2. Автор: Frédéric Schumacher,Guillaume Pean,Renaud Tiennot. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Data storage device and flash memory control method

Номер патента: US09645896B2. Автор: Chia-Chi Liang,Chien-Cheng Lin,Chang-Chieh HUANG,Jie-Hao LEE. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Dedicated interface for coupling flash memory and dynamic random access memory

Номер патента: US09547447B2. Автор: James Bauman. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Fast data back-up and restore between volatile and flash memory

Номер патента: US09501356B2. Автор: Kelvin Wong,Michael J. Palmer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Method of active flash management, and associated memory device and controller thereof

Номер патента: US20110138108A1. Автор: Xiangrong Li. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2011-06-09.

Semiconductor memory device having bit line pre-charge unit separated from data register

Номер патента: US20090180331A1. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-07-16.

Method and system for efficient common processing in memory device controllers

Номер патента: US20170115887A1. Автор: Sandeep Sharma,Kenneth Alan Okin,Ashish Singhai,Sriram Rupanagunta,Rajendra Prasad Mishra,George Moussa,Krishanth Skandakumaran,Srikant SADASIVAM. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2017-04-27.

Program method for flash memory capable of compensating for the reduction of read margin between states

Номер патента: US20070171709A1. Автор: Young-Ho Lim,Sang-Gu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-07-26.

Repetitive erase verify technique for flash memory devices

Номер патента: US20080151636A1. Автор: Wing Leung,Sheung-Hee Park,Ming Kwan. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-06-26.

Nor flash memory device and related methods of operation

Номер патента: US20100238739A1. Автор: Ji Ho Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-09-23.

Data storage device and flash memory control method thereof

Номер патента: US20140078825A1. Автор: Chang-Kai Cheng. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2014-03-20.

Writing method of flash memory and memory storage device

Номер патента: US12040023B2. Автор: Koying Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Flash memory device with multi-level cells and method of performing operations therein according to a detected writing patter

Номер патента: US09886202B2. Автор: Chan-Ik Park,Seon-Taek Kim,Sung-Up Choi,Won-Moon CHEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Method and system for efficient common processing in memory device controllers

Номер патента: US09886196B2. Автор: Sandeep Sharma,Kenneth Alan Okin,Ashish Singhai,Sriram Rupanagunta,Rajendra Prasad Mishra,George Moussa,Krishanth Skandakumaran,Srikant SADASIVAM. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Data storage device and flash memory control method

Номер патента: US09632880B2. Автор: Chia-Chi Liang,Chien-Cheng Lin,Chang-Chieh HUANG,Jie-Hao LEE. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Implementing enhanced wear leveling in 3D flash memories

Номер патента: US09471451B2. Автор: Gary A. Tressler,Diyanesh Babu C. Vidyapoornachary. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Scheme of using electronic device to activate mass production software tool to initialize memory device including flash memory controller and flash memory

Номер патента: US20210049278A1. Автор: Shang-Ta Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Scheme of using electronic device to activate mass production software tool to initialize memory device including flash memory controller and flash memory

Номер патента: US20220004638A1. Автор: Shang-Ta Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2022-01-06.

Synchronous flash memory with virtual segment architecture

Номер патента: US20050018522A1. Автор: Frankie Roohparvar,Kevin Widmer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-01-27.

Synchronous flash memory with virtual segment architecture

Номер патента: US20030123288A1. Автор: Frankie Roohparvar,Kevin Vidmer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-07-03.

Synchronous flash memory with virtual segment architecture

Номер патента: EP1423857A1. Автор: Frankie Fariborz Roohparvar,Kevin C. Widmer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-06-02.

Flash memory controller that can quickly enter power saving mode after entering idle state, associated flash memory device, and associated control method

Номер патента: US20240176517A1. Автор: Wen-Sheng Lin. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Reusable memory devices with wom codes

Номер патента: US20180121134A1. Автор: Eitan Yaakobi,Assaf Schuster,Gala YADGAR. Владелец: Technion Research and Development Foundation Ltd. Дата публикации: 2018-05-03.

Simultaneous operation flash memory device with a flexible bank partition architecture

Номер патента: EP1116239A1. Автор: Johnny Chen,Yasushi Kasa,Tiao-Hua Kuo,Nancy Leong,Michael Van Buskirk. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-07-18.

Simultaneous operation flash memory device with a flexible bank partition architecture

Номер патента: WO2000017884A1. Автор: Johnny Chen,Yasushi Kasa,Tiao-Hua Kuo,Nancy Leong,Michael Van Buskirk. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2000-03-30.

Memory address decoding circuit for a simultaneous operation flash memory device with a flexible bank partition architecture

Номер патента: EP1125301A1. Автор: Johnny Chen,Yasushi Kasa,Tiao-Hua Kuo,Nancy Leong,Michael Van Buskirk. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-08-22.

Secure digital certificate storing scheme for flash memory and electronic apparatus

Номер патента: WO2007062955A1. Автор: Stefan Andersson,Stefan Lindgren,Werner Johansson. Владелец: SONY ERICSSON MOBILE COMMUNICATIONS AB. Дата публикации: 2007-06-07.

Method for improving programming speed in memory devices

Номер патента: US20060077711A1. Автор: Kimmo Mylly. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2006-04-13.

Flash memory for adjusting trip voltage using voltage regulator and sampling switch circuit and sensing method thereof

Номер патента: US20240265977A1. Автор: Jongryul Kim,Yongsung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Flash memory management

Номер патента: US09817754B2. Автор: Randal C. Swanberg,Madhusudanan Kandasamy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Flash memory management

Номер патента: US09817753B2. Автор: Randal C. Swanberg,Madhusudanan Kandasamy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Implementing enhanced wear leveling in 3D flash memories

Номер патента: US09489276B2. Автор: Gary A. Tressler,Diyanesh Babu C. Vidyapoornachary. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Writing data using DMA by specifying a buffer address and a flash memory address

Номер патента: US09395921B2. Автор: Xiangfeng LU. Владелец: Beijing Memblaze Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-19.

Method and apparatus for accessing flash memory device

Номер патента: CA3012236C. Автор: QIAO LI,Jun Xu,Liang Shi,Chun XUE,Dongfang SHAN,Yuangang WANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-16.

Flash memory garbage collection

Номер патента: US11907123B2. Автор: Daniel Frank Moertl,Robert Edward Galbraith,Rick A. Weckwerth,Matthew Szekely. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Flash memory device

Номер патента: US20240045815A1. Автор: Jawad Benhammadi. Владелец: STMicroelectronics Alps SAS. Дата публикации: 2024-02-08.

Control method for nand flash memory to complete xnor operation

Номер патента: US20240194271A1. Автор: Qiang Tang. Владелец: Unim Innovation Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Flash memory, flash memory erase/write counting method, electronic device, and computer storage medium

Номер патента: EP4345824A1. Автор: Jian Liu. Владелец: Rolling Wireless SARL. Дата публикации: 2024-04-03.

Memory address decoding circuit for a simultaneous operation flash memory device with a flexible bank partition architecture

Номер патента: WO2000017885A1. Автор: Johnny Chen,Yasushi Kasa,Tiao-Hua Kuo,Nancy Leong,Michael Van Buskirk. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2000-03-30.

Data recovery method for flash memory

Номер патента: US20240220355A1. Автор: Liu Yang,Qi Wang,Jing He,Zongliang Huo,Tianchun Ye,Xiaolei Yu,Yiyang Jiang,Qianhui LI. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2024-07-04.

Computer program product and method and apparatus for controlling access to flash memory card

Номер патента: US20210303432A1. Автор: Chun-Chieh Chang,Hsing-Lang Huang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Method of handling host write commands requesting to write dummy pattern on flash memory and related memory controller and storage system

Номер патента: US12061792B1. Автор: Chia-Chi Liang,Meng-Hua Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Bit error rate estimation for NAND flash memory

Номер патента: US10366770B1. Автор: Yasuhiko Kurosawa,Hanan Weingarten,Avi STEINER. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-07-30.

Control method of flash memory controller and associated flash memory controller and storage device

Номер патента: US12135889B2. Автор: Ching-Hui Lin. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

Bit error rate estimation for NAND flash memory

Номер патента: US10658058B1. Автор: Yasuhiko Kurosawa,Hanan Weingarten,Avi STEINER. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-05-19.

Multi-host power controller (MHPC) of a flash-memory-based storage device

Номер патента: US09881680B2. Автор: Assaf Shacham,David Teb,Lee Susman. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Method for determining a leakage current through an inter-gate dielectric structure of a flash memory cell

Номер патента: US09852801B1. Автор: Simon Jeannot,Jean Coignus,Adam Dobri. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-12-26.

Data storage device and data fetching method for flash memory

Номер патента: US09563551B2. Автор: Chang-Kai Cheng. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Data storage device and flash memory control method

Номер патента: US09329992B2. Автор: Yen-Hung Lin,Yu-Chih Lin,Chia-Chien Wu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2016-05-03.

NAND Flash Memory Device

Номер патента: US20160189788A1. Автор: Hui Chen,Oron Michael,Robin John Jigour. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-30.

Flash memory controller and method capable of transmitting multiple set-feature signals and macro settings to flash memory device

Номер патента: US11914901B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Method and apparatus for caching address mapping information in flash memory based storage device

Номер патента: US11977767B2. Автор: Yi-Kai Pai. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Data arrangement method of flash memory, flash memory storage device and flash memory control circuit unit

Номер патента: US20210294737A1. Автор: Yan Zheng,ZHI Wang,Xiaoyang Zhang,Kai-Di Zhu. Владелец: Hefei Core Storage Electronic Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

NAND flash memory device

Номер патента: US9627082B2. Автор: Hui Chen,Oron Michael,Robin John Jigour. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of erasing data in flash memory device

Номер патента: US20100118613A1. Автор: Jae-Yong Jeong,Jin-Young Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-05-13.

Method of Operating a NAND Flash Memory Device

Номер патента: US20160189789A1. Автор: Hui Chen,Oron Michael,Robin John Jigour. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-30.

Method of operating a NAND flash memory device

Номер патента: US9620231B2. Автор: Hui Chen,Oron Michael,Robin John Jigour. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Flash memory device for storing sensitive information and other data

Номер патента: WO2016010625A1. Автор: Jeffrey B. Canter. Владелец: BAE SYSTEMS Information and Electronic Systems Integration, Inc.. Дата публикации: 2016-01-21.

System and method of writing data in a flash memory on the basis of additional removable contact pads

Номер патента: WO2009027216A1. Автор: François-Xavier Marseille,Philippe Guignard,Michel Thill,Pierre Gravez. Владелец: Axalto S.A.. Дата публикации: 2009-03-05.

System and method of writing data in a flash memory on the basis of additional removable contact pads

Номер патента: EP2195810A1. Автор: François-Xavier Marseille,Philippe Guignard,Michel Thill,Pierre Gravez. Владелец: GEMALTO SA. Дата публикации: 2010-06-16.

System and method of writing data in a flash memory on the basis of additional removable contact pads

Номер патента: EP2195810B1. Автор: François-Xavier Marseille,Philippe Guignard,Michel Thill,Pierre Gravez. Владелец: GEMALTO SA. Дата публикации: 2011-03-23.

Forensic data acquisition apparatus and method for guaranteeing integrity of flash memory in smart device

Номер патента: US09891862B2. Автор: Jungho Choi,Kibom KIM,Seungjei YANG,Taejoo CHANG. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2018-02-13.

Flash memory controller, data storage device, and flash memory control method with volatile storage restoration

Номер патента: US09817725B2. Автор: Yi-Lin Lai,Chin-Yin Tsai. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Data storage device and flash memory control method

Номер патента: US09569126B2. Автор: Yi-Kang Chang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Apparatus and method for indicating flash memory life

Номер патента: US09513821B2. Автор: Ho Young JUNG,Tae Hwa Lee,Jong Moo Choi,Soo Yong Kang,You Jip Won,Jae Hyuk Cha,Sung Roh Yoon. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2016-12-06.

Method for reading data stored in a flash memory according to a physical characteristic and memory controller and system thereof

Номер патента: US09508436B2. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Flash memory controller having dual mode pin-out

Номер патента: US09471484B2. Автор: Jin-Ki Kim,Hakjune Oh,Young Goan Kim,Hyun Woong Lee. Владелец: Novachips Canada Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Method and apparatus for writing data to a flash memory

Номер патента: US09405485B2. Автор: Wei-Yi Hsiao,Chun-Kun Lee. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2016-08-02.

Flash memory controller and method capable of using one set-feature signal as a macro execution signal to execute multiple set-feature operations for flash memory device

Номер патента: US20240004550A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Nand flash memory device capable of selectively erasing one flash memory cell and operation method thereof

Номер патента: US20230128347A1. Автор: Jong-ho Lee,Honam YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Methods and apparatus for nand flash memory

Номер патента: EP4392975A1. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Neo Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-07-03.

Wear leveling in eeprom emulator formed of flash memory cells

Номер патента: US20220130477A1. Автор: Vipin Tiwari,Xiaozhou QIAN,Guangming Lin,Zhenlin Ding,Xiao Yan Pl. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-04-28.

Raw read based physically unclonable function for flash memory

Номер патента: US20210055912A1. Автор: Siarhei ZALIVAKA,Alexander IVANIUK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Circuit and method for programming and reading multi-level flash memory

Номер патента: US20020085436A1. Автор: Seung Ho Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-07-04.

Discharge circuit for a word-erasable flash memory device

Номер патента: US20070007561A1. Автор: Antonino Conte,Mario Micciche,Giampiero Sberno,Enrico Castaldo. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2007-01-11.

Flash memory with integrated rom memory cells

Номер патента: WO2013134097A1. Автор: Jeffrey D. Wilkinson,Kevin K. Walsh,Paul B. PATTERSON,Glen W. BENTON. Владелец: Medtronic, Inc.. Дата публикации: 2013-09-12.

Optimized flash memory device for miniaturized devices

Номер патента: US09861826B2. Автор: Charles R Gordon,Duane R Bigelow. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2018-01-09.

Flash memory, flash memory system and operating method of the same

Номер патента: US09812213B2. Автор: Kyung-Ryun Kim,Sang-Yong Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09613703B2. Автор: Makoto Senoo. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Nonvolatile memory device and read method thereof

Номер патента: US09564237B2. Автор: Byeong-In Choe,Changhyun LEE,Jungdal CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Memory modules with multi-chip packaged integrated circuits having flash memory

Номер патента: US09536609B2. Автор: Kumar Ganapathy,Vijay Karamcheti. Владелец: Virident Systems LLC. Дата публикации: 2017-01-03.

Flash memory system and method controlling same

Номер патента: US09535620B2. Автор: Kyung-Jin Kim,Jun-Jin Kong,Geun-Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Mass storage controller volatile memory containing metadata related to flash memory storage

Номер патента: US09448743B2. Автор: Aaron K. Olbrich,Douglas A. Prins. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-20.

Optimized flash memory device for miniaturized devices

Номер патента: US09440086B2. Автор: Charles R. Gordon,Duane R. Bigelow. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2016-09-13.

Continuous adaptive calibration for flash memory devices

Номер патента: US20180188991A1. Автор: Dillip K. Dash,Aniryudh Reddy Durgam,Haritha Uppalapati. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

Pre-read technique for multi-pass programming of flash memory

Номер патента: US10650896B1. Автор: XIN YANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-12.

Flash memory initialization scheme for writing boot up information into selected storage locations averagely and randomly distributed over more storage locations and correspondingly method for reading boot up information from selected storage locations

Номер патента: US11543982B2. Автор: Sheng-Yuan Huang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-01-03.

Flash memory and erase method thereof

Номер патента: US12040024B2. Автор: Kuan-Fu Chen,Ya-Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Flash memory and method for controlling the memory

Номер патента: US7487286B2. Автор: Osamu Nagano,Isamu Nakajima. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2009-02-03.

Memory device

Номер патента: US20240282386A1. Автор: Teng-Hao Yeh,Chih-Wei Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Data storage device and flash memory control method

Номер патента: US09645895B2. Автор: Chia-Chi Liang,Chien-Cheng Lin,Chang-Chieh HUANG,Jie-Hao LEE. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Differential flash memory programming technique

Номер патента: EP2148334A1. Автор: Kenneth A. Tuchmann,Martin A. Lohse. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2010-01-27.

Flash memory devices with flash fuse cell arrays

Номер патента: US7561486B2. Автор: Tae-Seong Kim,Gyu-Hong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-07-14.

Flash memory device capable of storing multi-bit data and single-bit data

Номер патента: US20080316819A1. Автор: Jin-Yub Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-25.

Flash memory device, controller, and method capable of performing access operation upon data unit(s) of multiple planes of flash memory device in response one simplified command sequence

Номер патента: US11935595B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

FLASH MEMORY DEVICE, CONTROLLER, AND METHOD CAPABLE OF PERFORMING ACCESS OPERATION UPON DATA UNIT(s) OF MULTIPLE PLANES OF FLASH MEMORY DEVICE IN RESPONSE ONE SIMPLIFIED COMMAND SEQUENCE

Номер патента: US20230280929A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Flash memory device, controller, and method capable of performing access operation upon data unit(s) of multiple planes of flash memory device in response one simplified command sequence

Номер патента: US11861212B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Flash memory device having efficient refresh operation

Номер патента: US20150131385A1. Автор: Seung Keun Lee,Jong Bae Jeong,Hi Hyun Han. Владелец: FIDELIX Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-14.

Method for and Flash Memory Device Having Improved Read Performance

Номер патента: US20130051154A1. Автор: Oron Michael. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2013-02-28.

FLASH MEMORY DEVICE, CONTROLLER, AND METHOD CAPABLE OF PERFORMING ACCESS OPERATION UPON DATA UNIT(s) OF MULTIPLE PLANES OF FLASH MEMORY DEVICE IN RESPONSE ONE SIMPLIFIED COMMAND SEQUENCE

Номер патента: US20230266922A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

FLASH MEMORY DEVICE, CONTROLLER, AND METHOD CAPABLE OF PERFORMING ACCESS OPERATION UPON DATA UNIT(s) OF MULTIPLE PLANES OF FLASH MEMORY DEVICE IN RESPONSE ONE SIMPLIFIED COMMAND SEQUENCE

Номер патента: US20230268002A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Flash memory device

Номер патента: US20120297124A1. Автор: Yosuke Ohashi,Tetsuya Egawa,Kazunori Arakawa,Hidekazu Adachi. Владелец: Tokai Rika Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-22.

Method and apparatus for enforcing a flash memory caching policy

Номер патента: EP2342639A1. Автор: Menahem Lasser,Opher Lieber,Izhak Afriat. Владелец: Sandisk IL Ltd. Дата публикации: 2011-07-13.

Flash memory device

Номер патента: US5835407A. Автор: Poong Yeub Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-11-10.

Method of controlling program operation of flash memory device with reduced program time

Номер патента: US20070002614A1. Автор: Byoung Jeong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-01-04.

Flash memory device having a function for reducing data input error and method of inputting the data in the same

Номер патента: US20070223295A1. Автор: Duck Ju Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-09-27.

Memory controller and flash memory system

Номер патента: US20230297276A1. Автор: Kenichi TAKUBO. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Flash memory device

Номер патента: US09773559B2. Автор: Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Data read method for flash memory

Номер патента: US09570162B2. Автор: Chien-Ting Huang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Flexible clock scheme of flash memory, memory module, computer-readable recording medium and operating method using the same

Номер патента: US09449704B2. Автор: Hiroki Murakami. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Flash memory storage apparatus

Номер патента: US20100252931A1. Автор: Yu-Tong Lin,Yun-Chieh Chen,Hung-Yi Chung,Yu-Fong Lin. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2010-10-07.

Safe execution in place (xip) from flash memory

Номер патента: WO2018187771A2. Автор: Aishwarya Dubey,Rajat Sagar,Peter Aberl,Eldad Falik. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2018-10-11.

Method for repeatedly recording program in flash memory

Номер патента: US20030236940A1. Автор: Sam Chang,Vincent Wu. Владелец: GVC Corp. Дата публикации: 2003-12-25.

Increasing flash memory retention time using waste heat

Номер патента: EP3788622A1. Автор: George Easton Scott, III. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2021-03-10.

Increasing flash memory retention time using waste heat

Номер патента: WO2019212789A1. Автор: George Easton Scott, III. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2019-11-07.

Flash memory apparatus and method for securing a flash memory from data damage

Номер патента: WO2010000205A1. Автор: Wei-Yi Hsiao. Владелец: SILICON MOTION, INC.. Дата публикации: 2010-01-07.

Nand flash memory and method for destroying information from the nand flash memory

Номер патента: US20190206496A1. Автор: Minyi Chen. Владелец: Shine Bright Technology Ltd. Дата публикации: 2019-07-04.

Circuit and method of generating high voltage for programming operation of flash memory device

Номер патента: US7443758B2. Автор: Hyun-Chul Ha,Jong-Hwa Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-10-28.

Data writing method for a flash memory, and flash memory controller and flash memory storage system using the same

Номер патента: US20110107015A1. Автор: Chien-Hua Chu. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2011-05-05.

End of life prediction of flash memory

Номер патента: US20080162078A1. Автор: William E. Atherton,Tara Astigarraga,Michael E. Browne. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-07-03.

End of life prediction of flash memory

Номер патента: US8108179B2. Автор: William E. Atherton,Tara Astigarraga,Michael E. Browne. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-01-31.

Printer configured to control printing operation using information stored in flash memories

Номер патента: US11537302B2. Автор: Fumiharu Iwasaki. Владелец: Toshiba TEC Corp. Дата публикации: 2022-12-27.

Avoiding errors in a flash memory by using substitution transformations

Номер патента: WO2008081426B1. Автор: Idan Alrod,Eran Sharon,Simon Litsyn. Владелец: Simon Litsyn. Дата публикации: 2008-08-14.

Periodically updating a log likelihood ratio (LLR) table in a flash memory controller

Номер патента: US09916906B2. Автор: Yu Cai,Zhengang Chen,Erich Haratsch,Yunxiang Wu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-03-13.

Flash memory chip processing

Номер патента: US09851921B1. Автор: Hanan Weingarten,Erez Sabbag. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Method and apparatus for managing corruption of flash memory contents

Номер патента: US09785362B2. Автор: Nikhil Bhatia,Gary Walker,Tom Ricks,Igor PRILEPOV. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Transistor design for use in advanced nanometer flash memory devices

Номер патента: US09747986B2. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Systems and methods for effectively interacting with a flash memory

Номер патента: US09690713B1. Автор: Lior Khermosh,Gal Zuckerman,Ofer Bar-Or. Владелец: Parallel Machines Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Digital signaling processing for three dimensional flash memory arrays

Номер патента: US09536612B1. Автор: Hanan Weingarten,Erez Sabbag. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Flash memory cells wear reduction

Номер патента: US09524790B1. Автор: Hanan Weingarten,Avi STEINER,Erez Sabbag. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Method and device for protecting data of flash memory

Номер патента: US09455041B2. Автор: Kwang-Sun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-27.

Data storage device and flash memory control method

Номер патента: US09400746B2. Автор: Po-Chia Chu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2016-07-26.

Flash memory with programmable endurance

Номер патента: WO2006131915A2. Автор: Menachem Lasser,Dani Dariel. Владелец: SANDISK IL LTD.. Дата публикации: 2006-12-14.

Flash memory storage apparatus and a biasing method thereof, which can reduce a gate induced drain leakage (gidl) and improve reliability of memory cells

Номер патента: US20220366963A1. Автор: Chih-Yuan Wang,Chien-Hung Lien. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-11-17.

Method for nand flash memory to complete convolution operation of multi-bit data

Номер патента: US20240194230A1. Автор: Qiang Tang. Владелец: Unim Innovation Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Nand flash memory programming

Номер патента: US20100202217A1. Автор: Qiang Tang,Ramin Ghodsi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-12.

Device and method for configuring a flash memory controller

Номер патента: WO2007026346A2. Автор: Menachem Lasser. Владелец: SANDISK IL LTD.. Дата публикации: 2007-03-08.

Method and system for validating flash memory

Номер патента: US20010048611A1. Автор: Robert Pitts. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-06.

Memory controller and flash memory system

Номер патента: US20240295964A1. Автор: Kenichi TAKUBO. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Non-volatile semiconductor memory device and erasing method thereof

Номер патента: US09786376B2. Автор: Pin-Yao Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

NAND flash memory and reading method thereof

Номер патента: US09564236B2. Автор: Katsutoshi Suito. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Flash memory control method, controller and electronic apparatus

Номер патента: US09417958B2. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Apparatus, systems and methods for securely storing media content events on a flash memory device

Номер патента: US9218300B2. Автор: Matthew Stephens,Greg Blythe,David Burton. Владелец: EchoStar UK Holdings Ltd. Дата публикации: 2015-12-22.

Page erasing mode in flash-memory array

Номер патента: RU2222058C2. Автор: Анил ГУПТА,Стивен Дж. ШУМАНН. Владелец: Этмел Корпорейшн. Дата публикации: 2004-01-20.

Block select circuit in a flash memory device

Номер патента: US20040156237A1. Автор: Jong Jeong. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-08-12.

Nand flash memory programming with floating substrate

Номер патента: WO2008027409A3. Автор: Qiang Tang,Ramin Ghodsi. Владелец: Ramin Ghodsi. Дата публикации: 2008-07-03.

Nand flash memory programming with floating substrate

Номер патента: WO2008027409A2. Автор: Qiang Tang,Ramin Ghodsi. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2008-03-06.

NAND flash memory programming

Номер патента: US20080049518A1. Автор: Qiang Tang,Ramin Ghodsi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-02-28.

Flash memory storage apparatus and a biasing method thereof, which can reduce a gate induced drain leakage (gidl) and improve reliability of memory cells

Номер патента: US20220246194A1. Автор: Chih-Yuan Wang,Chien-Hung Lien. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US09672922B2. Автор: Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Nonvolatile memory device, memory system, and operating methods

Номер патента: EP1501100A3. Автор: Jung-Hoon Park,Soo-Hwan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-02-14.

Flash memory device and program method thereof

Номер патента: US20240153569A1. Автор: Wen-Chiao Ho. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Flash memory controller and associated memory device and control method

Номер патента: US20240184485A1. Автор: Ming-Yu Tsai. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Flash memory with improved read performance

Номер патента: US20160064092A1. Автор: Jon S. Choy,Anirban Roy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-03-03.

Systems and methods of implementing a calibration wordline to compensate for voltage threshold shift in nand flash memory

Номер патента: US20220115074A1. Автор: Chai Im Teoh,Lip Vui Kan. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2022-04-14.

Differential signal path for high speed data transmission in flash memory

Номер патента: US20020085425A1. Автор: Balaji Srinivasan,Robert Baltar,Ritesh Trivedi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-04.

Divided bitline flash memory array with local sense and signal transmission

Номер патента: US20090119446A1. Автор: Satoru Tamada. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-05-07.

Detecting hot spots through flash memory management table snapshots

Номер патента: US09928166B2. Автор: Timothy J. Fisher,Aaron D. Fry. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Data storage device and flash memory control method

Номер патента: US09870321B2. Автор: Wen-Sheng Lin. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Flash memory with improved read performance

Номер патента: US09401217B2. Автор: Jon S. Choy,Anirban Roy. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-07-26.

Flash memory scheme capable of automatically generating or removing dummy data portion of full page data by using flash memory device

Номер патента: US20240111417A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Method and system for reducing program disturb degradation in flash memory

Номер патента: WO2019112712A1. Автор: Han Zhao,Krishna Parat,Pranav Kalavade. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-06-13.

Method and system for reducing program disturb degradation in flash memory

Номер патента: US20200350028A1. Автор: Krishna K. Parat,Han Zhao,Pranav Kalavade. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-11-05.

Method for performing host-directed operations, and associated memory device and controller thereof

Номер патента: US20120278540A1. Автор: Ming-Yen Lin,Hsu-Ping Ou. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2012-11-01.

Voltage reference generator for flash memory

Номер патента: US20090323413A1. Автор: Gerald J. Barkley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-12-31.

Non-volatile RAM and flash memory in a non-volatile solid-state storage

Номер патента: US09836245B2. Автор: JOHN Davis,John Hayes,Zhangxi Tan,Brian Gold,Shantanu Gupta. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Reduced voltage nonvolatile flash memory

Номер патента: US09424938B2. Автор: Koji Sakui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Nonvolatile memory devices including multiple user-selectable program modes and related methods of operation

Номер патента: US20080172520A1. Автор: Bong-ryeol Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-17.

Flash memory device with photon assisted programming

Номер патента: US20230410898A1. Автор: Mark D. Kellam. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2023-12-21.

Flash Memory Devices and Prefetch Methods Thereof

Номер патента: US20180329649A1. Автор: Jieh-Hsin CHIEN,Yi-Hua Pao. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2018-11-15.

Nand flash memory controller and storage apparatus applying the same

Номер патента: US20200075107A1. Автор: Shih-Fu Huang,Cheng-Yu Chen,Shu-Min Lin,Jo-Hua WU. Владелец: RayMX Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Flash memory controller, control method of flash memory controller and associated electronic device

Номер патента: US20200110543A1. Автор: Yu-Chih Lin,Chang-Wei SHEN,Guan-Yao HUANG. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-04-09.

Method and device for adaptively identifying type of flash memory

Номер патента: US20210124489A1. Автор: Cheng Zheng,Shuangxi Chen. Владелец: RayMX Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-04-29.

Method, memory controller and memory device that organizes data during refresh cycles

Номер патента: EP4414985A1. Автор: Saugata Das Purkayastha,Rowen Alphonso Pereira,Chandrashekhar Mallikarjuna Joshi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-14.

Method and data processing apparatus for restructuring input data to be stored in a multi-level nand flash memory

Номер патента: US20240329851A1. Автор: Sami ALSALAMIN. Владелец: HYPERSTONE GMBH. Дата публикации: 2024-10-03.

Increasing the memory performance of flash memory devices by writing sectors simultaneously to multiple flash memory devices

Номер патента: US6081878A. Автор: Petro Estakhri,Berhanu Iman. Владелец: Lexar Media Inc. Дата публикации: 2000-06-27.

Flash memory controller, memory device and method for accessing flash memory module

Номер патента: US20200379674A1. Автор: Kuan-Hui Li. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Method for operating flash memories on a bus

Номер патента: US20120151122A1. Автор: Ming-Hung Hsieh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-06-14.

Method for operating flash memories on a bus

Номер патента: US9152583B2. Автор: Ming-Hung Hsieh. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2015-10-06.

Flash Memory Devices and Controlling Methods Therefor

Номер патента: US20140068147A1. Автор: Hsu-Ping Ou. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2014-03-06.

Flash memory controller and method capable of sending read command or data toggle command to ask for flash memory device return more plane data of different planes

Номер патента: US11977776B2. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Method and apparatus for leakage suppression in flash memory

Номер патента: US20120262988A1. Автор: Kuen-Long Chang,Chun-Hsiung Hung,Ken-Hui Chen,Su-Chueh Lo,Yu-Chen Wang,Nai-Ping Kuo,Chia-Feng Cheng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-18.

Apparatus for controlling NAND flash memory device and method for controlling same

Номер патента: US12009035B2. Автор: Sang Hoon Shin,Hyoung Ki Nam. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Device and method of controlling flash memory

Номер патента: EP2329381A1. Автор: Jongmin Lee,Donghee Lee,Hanmook Park. Владелец: Indilinx Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-08.

An input/output virtualization (iov) host controller (hc) (iov-hc) of a flash-memory-based storage device

Номер патента: WO2015187810A1. Автор: Assaf Shacham,Dolev Raviv,David Teb. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-12-10.

Trim circuit and method for tuning a current level of a reference cell in a flash memory

Номер патента: US20030179603A1. Автор: Tao-Cheng Lu,Tso-Hung Fan,Chih-Chieh Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-25.

Memory controller, flash memory system having the same, and flash memory control method

Номер патента: US20210064235A1. Автор: Kenichi TAKUBO. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Built-in-self-test of flash memory cells

Номер патента: EP1529293A1. Автор: Colin S. Bill,Darlene Hamilton,Edward V. Bautista, Jr.,Ken Cheong Cheah,Weng Fook Lee,Azrul Halim,Boon Tang Teh,Syahrizal Salleh,Joseph Kucera,Chee Boon Law. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-05-11.

Device and method of controlling flash memory

Номер патента: WO2010018886A1. Автор: Jongmin Lee,Donghee Lee,Hanmook Park. Владелец: Indilinx Co., Ltd.. Дата публикации: 2010-02-18.

Method and apparatus for protecting flash memory

Номер патента: EP1967977A3. Автор: Mark Chamberlain,Igor A. Spivak. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2009-02-04.

An input/output virtualization (iov) host controller (hc) (iov-hc) of a flash-memory-based storage device

Номер патента: EP3152667A1. Автор: Assaf Shacham,Dolev Raviv,David Teb. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-04-12.

Flash Memory, and Method for Operating a Flash Memory

Номер патента: US20090049233A1. Автор: Chia-Hsin Chen,Chun-Kun Lee. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2009-02-19.

Accelerator system for training deep neural network model using nand flash memory and operating method thereof

Номер патента: US20230259747A1. Автор: Yunho Jin,Jae W. Lee,Jong Hyun BAE,Tae Jun Ham,Gin A Sohn. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2023-08-17.

Flash memory counter

Номер патента: US20160293262A1. Автор: Youssef Ahssini,Ronny Van Keer. Владелец: Proton World International NV. Дата публикации: 2016-10-06.

System-level test method for flash memory

Номер патента: US20200273533A1. Автор: Yuegui He. Владелец: Amlogic Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-27.

Flash memory and wear leveling method thereof

Номер патента: US20240265964A1. Автор: Masato Ono,Masaru Yano,Takehiro Kaminaga. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Adaptive threshold for bad flash memory blocks

Номер патента: US12087382B2. Автор: John Roper,John Boyle,Matthew D. Fleming,Eric Mueller,Nenad Miladinovic,Hari Kannan,Eric Michael Verwillow. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Method for data classification by lifespan according to data transfer frequency for improving performance and lifespan of flash memory-based ssd

Номер патента: EP4386563A1. Автор: Jae Ho Kim,Eun Jae Lee,Hyun Seung PARK,Sam Hyuk Noh. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2024-06-19.

Data writing method and apparatus for flash memory-based system

Номер патента: US12130735B2. Автор: Wei Fang,Xie Miao,Tao HOU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Data storage device and flash memory voltage protection method thereof

Номер патента: US09997249B2. Автор: Yi-Hua Pao. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Flash memory apparatus and storage management method for flash memory

Номер патента: US09910772B2. Автор: Tsung-Chieh Yang,Hong-Jung Hsu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Method to reduce flash memory IOs with host maintained address mapping table

Номер патента: US09858008B2. Автор: Yang Liu,Fei Sun,Tong Zhang,Hao ZHONG. Владелец: ScaleFlux Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Method for mapping page address based on flash memory and system therefor

Номер патента: US09830260B2. Автор: Ho Young JUNG,Se Jin Kwon,Tae Sun Chung,Jae Kwang BAN. Владелец: Ajou University Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2017-11-28.

Systems and methods to improve the reliability and lifespan of flash memory

Номер патента: US09778861B2. Автор: Yinian Mao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Reduced silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) flash memory program disturb

Номер патента: US09773567B1. Автор: Guoqing Chen,Zhongze Wang,Paul Hoayun. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Data storage device and flash memory control method

Номер патента: US09720820B2. Автор: Yen-Hung Lin,Po-Chia Chu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Data storage device and flash memory control method

Номер патента: US09684568B2. Автор: Chia-Chi Liang,Chien-Cheng Lin,Chang-Chieh HUANG,Jie-Hao LEE. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Flash memory counter

Номер патента: US09666290B2. Автор: Youssef Ahssini,Ronny Van Keer. Владелец: Proton World International NV. Дата публикации: 2017-05-30.

DRAM having SDRAM interface and flash memory consolidated memory module

Номер патента: US09658783B2. Автор: Satoru Watanabe,Yutaka Uematsu,Takayuki Ono,Masabumi Shibata,Yuichi Fukuda,Hitoshi Ueno,Hideki Osaka,Takashi Miyagawa,Akio Idei,Michinori Naito,Hiroshi Kakita,Yuusuke FUKUMURA,Satoshi Muraoka,Taishi SUMIKURA. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Data storage device and flash memory control method

Номер патента: US09645894B2. Автор: Chia-Chi Liang,Chien-Cheng Lin,Chang-Chieh HUANG,Jie-Hao LEE. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Page allocation for flash memories

Номер патента: US09448921B2. Автор: Xudong Ma. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2016-09-20.

Flash memory apparatus and initialization method for programming operation thereof

Номер патента: US09437311B1. Автор: Tsai-Ko Teng. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Flash memory cache including for use with persistent key-value store

Номер патента: US09436596B2. Автор: Jin Li,Sudipta Sengupta,Biplob Kumar Debnath. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2016-09-06.

System, method and computer program product for processing read threshold information and for reading a flash memory module

Номер патента: US09431118B1. Автор: Hanan Weingarten,Ilan Bar. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

System and method to reduce disturbances during programming of flash memory cells

Номер патента: US09418744B2. Автор: Anh Ly,Jinho Kim,Victor Markov. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Hybrid memory device with single interface

Номер патента: US20100217924A1. Автор: Ruston Panabaker,Jack Creasey. Владелец: Microsoft Corp. Дата публикации: 2010-08-26.

Flash memory device and method for programming the same

Номер патента: EP1538633A3. Автор: June Lee,Oh-Suk 904Ho Sangroksu-dong Mens Dorm. Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-09-13.

Flash memory chip and calibration method and apparatus therefor

Номер патента: US20210303198A1. Автор: Shaodi WANG. Владелец: Beijing Zhicun Witin Technology Corp Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Control method of flash memory controller and associated flash memory controller and electronic device

Номер патента: US11809748B2. Автор: Chia-Chi Liang,Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Apparatus for controlling nand flash memory device and method for controlling same

Номер патента: US20220343983A1. Автор: Sang Hoon Shin,Hyoung Ki Nam. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-27.

Flash memory controller and method capable of sending read command or data toggle command to ask for flash memory device return more plane data of different planes

Номер патента: US20230266921A1. Автор: Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Direct memory access for command-based memory device

Номер патента: US20160110119A1. Автор: PRABHJOT Singh,Hemant NAUTIYAL,Nitin Gera. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-04-21.

Flash memory controller and method capable of efficiently reporting debug information to host device

Номер патента: US20210072924A1. Автор: Kuan-Hui Li,Shang-Ta Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2021-03-11.

Interface protocols between memory controller and nand flash memory for cache programming

Номер патента: WO2024103238A1. Автор: Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-23.

Flash memory chip and calibration method and apparatus therefor

Номер патента: US11995339B2. Автор: Shaodi WANG. Владелец: Hangzhou Zhicun Witmem Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Re-partitioning of a flash memory device

Номер патента: US11989435B2. Автор: Uwe Hildebrand. Владелец: ELEKTROBIT AUTOMOTIVE GMBH. Дата публикации: 2024-05-21.

Compensation method to achieve uniform programming speed of flash memory devices

Номер патента: WO2009002619A1. Автор: Aaron Lee,Nian Yang,Fan Wan Lai. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-12-31.

Memory controller and method for adaptively programming flash memory

Номер патента: US20240233840A1. Автор: Chung-Meng Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

System with mcu and flash memory and control method for deep power down control thereof

Номер патента: US20240201877A1. Автор: Yang Gao. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Erasing method for flash memory using a memory management apparatus

Номер патента: US10424386B2. Автор: Chih-hao Chen. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-24.

Dual edge access nand flash memory

Номер патента: WO2008093947A1. Автор: Un Sik Seo. Владелец: Mgine Co., Ltd.. Дата публикации: 2008-08-07.

Multi-level cell flash memory

Номер патента: US20090262577A1. Автор: Yasuyuki Tanaka. Владелец: Kyoto Software Res Inc. Дата публикации: 2009-10-22.

Method, system, and apparatus for flash memory endurance management

Номер патента: WO2022139622A1. Автор: Petr Sergeevich KRINOV,Vitaliy KHARIN,Aleksandr TARASOV,Sergey ILISAVSKII. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-06-30.

Apparatus and method for controlling flash memory

Номер патента: EP1843357A3. Автор: Song-ho Yoon,Jae-hyuck Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-10-06.

Method for accessing flash memory module, flash memory controller, and memory device

Номер патента: US20240094912A1. Автор: Chia-Chi Liang,Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Method and apparatus for flash memory reclaim

Номер патента: US20090006918A1. Автор: Crane Chu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-01.

Flash memory device for adjusting trip voltage using voltage regulator and sensing method thereof

Номер патента: US20240029798A1. Автор: Kiwhan Song,Tae-Hong Kwon,Gyosoo Choo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Flash memory controller utilizing multiple voltages and a method of use

Номер патента: US8040749B2. Автор: Ben Wei Chen,David Sun,David Hong-Dien Chen. Владелец: Kingston Technology Corp. Дата публикации: 2011-10-18.

Flash memory controller utilizing multiple voltages and a method of use

Номер патента: US20100268873A1. Автор: Ben Wei Chen,David Sun,David Hong-Dien Chen. Владелец: Kingston Technology Corp. Дата публикации: 2010-10-21.

Flash Memory Controller Utilizing Multiple Voltages and a Method of Use

Номер патента: US20080049510A1. Автор: David Chen,Ben Wei Chen,David Sun. Владелец: Kingston Technology Corp. Дата публикации: 2008-02-28.

Flash memory controller utilizing multiple voltages and a method of use

Номер патента: US7760574B2. Автор: Ben Wei Chen,David Sun,David Hong-Dien Chen. Владелец: Kingston Technology Corp. Дата публикации: 2010-07-20.

Increasing the Available Flash Memory of a Microcontroller

Номер патента: US20160357484A1. Автор: Arnd Schaffert. Владелец: Bayerische Motoren Werke AG. Дата публикации: 2016-12-08.

Wear leveling in eeprom emulator formed of flash memory cells

Номер патента: EP4107728A1. Автор: Vipin Tiwari,Xiaozhou QIAN,Guangming Lin,Xiao Yan Pi,Zhenlin Ding. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-28.

Wear leveling in eeprom emulator formed of flash memory cells

Номер патента: WO2021167648A1. Автор: Vipin Tiwari,Xiaozhou QIAN,Guangming Lin,Xiao Yan Pi,Zhenlin Ding. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2021-08-26.

Erasing method used in flash memory

Номер патента: US20190325968A1. Автор: Chih-hao Chen. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Semiconductor memory device and operation method

Номер патента: US20220413748A1. Автор: Makoto Senoo,Katsutoshi Suito. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Padding in flash memory blocks

Номер патента: US12057167B2. Автор: Yu-Chung Lien,Zhenming Zhou,Murong Lang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Erasing method used in flash memory

Номер патента: US20190259461A1. Автор: Chih-hao Chen. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-22.

Flash memory device that simulates operations of EEPROM and data programming and reading method thereof

Номер патента: US11403040B2. Автор: Hao Zhou,Hong Chang,Xiao-Lin Luo. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-08-02.

Dynamically adjusting read voltage in a NAND flash memory

Номер патента: US09934865B2. Автор: Thomas J. Griffin,Steven J. Hnatko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Dynamically adjusting read voltage in a NAND flash memory

Номер патента: US09934863B2. Автор: Thomas J. Griffin,Steven J. Hnatko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Dynamically adjusting read voltage in a NAND flash memory

Номер патента: US09691488B1. Автор: Thomas J. Griffin,Steven J. Hnatko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Dynamically adjusting read voltage in a NAND flash memory

Номер патента: US09659664B1. Автор: Thomas J. Griffin,Steven J. Hnatko. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Non-volatile memory devices and controllers

Номер патента: US09430159B2. Автор: Kuan-Yu KE. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Multi-Level Striping and Truncation Channel-Equalization for Flash-Memory System

Номер патента: US20090240873A1. Автор: Abraham C. Ma,Charles C. Lee,Frank Yu,Myeongjin Shin. Владелец: Super Talent Electronics Inc. Дата публикации: 2009-09-24.

Flash memory testing apparatus

Номер патента: US5539699A. Автор: Shinya Sato,Hiromi Ohshima. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 1996-07-23.

Flash memory card with a ready/busy mask register

Номер патента: US5375222A. Автор: David M. Brown,Kurt B. Robinson,Brian L. Dipert,Russell D. Eslick,Markus A. Levy,Lily C. Pao. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1994-12-20.

Flash memory storage device for adjusting efficiency in accessing flash memory

Номер патента: US20090204746A1. Автор: Nei-Chiung Perng,Ju-Peng Chen. Владелец: Genesys Logic Inc. Дата публикации: 2009-08-13.

Storage system and storage management method for controlling off-line mode and on-line mode of flash memory

Номер патента: US8019930B2. Автор: Masayuki Yamamoto,Hiroshi Nasu,Masayasu Asano,Nobuhiro Maki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2011-09-13.

Flash memory controller

Номер патента: US20170308318A1. Автор: Ching-Hui Lin,Tsung-Chieh Yang,Chun-Chieh Kuo,Yang-Chih Shen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-10-26.

Flash memory access apparatus and method

Номер патента: US20040193781A1. Автор: Bum-soo Kim,Tae-Sun Chung,Yong-seok Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-09-30.

Nor flash memory controller

Номер патента: WO2012079216A1. Автор: Peng Zhan. Владелец: MEDIATEK SINGAPORE PTE. LTD.. Дата публикации: 2012-06-21.

Method for accessing flash memory module, associated flash memory controller and electronic device for accelerating reading speed of flash

Номер патента: US20210294524A1. Автор: Yu-Chih Lin. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2021-09-23.

Nand flash memory with integrated bit line capacitance

Номер патента: WO2010138219A1. Автор: Chulmin Jung,Brian Lee,Dadi Setiadi,Yong Lu,Hongyue Liu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2010-12-02.

Pipelined programming for a NAND type flash memory

Номер патента: EP1326257A3. Автор: Masaru Yano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-08-30.

Switching architecture for a nand flash memory device and a high voltage switch circuit

Номер патента: US20210287747A1. Автор: Moon Soo Sung,Miriam Sangalli,Yong Tae Kim,Marco Passerini,Dario Melchionni,Giulio Maria Iadicicco. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-16.

Memory device

Номер патента: US12094518B2. Автор: Hang-Ting Lue,Teng-Hao Yeh,Chih-Wei Hu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Methods and apparatus for NAND flash memory

Номер патента: US12100460B2. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: Neo Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Method, medium, and apparatus for re-programming flash memory of a computing device

Номер патента: US09430220B2. Автор: Ansaf I. Alrabady,Alan D. Wist. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2016-08-30.

Method of programming and erasing multi-level flash memory

Номер патента: US20070159893A1. Автор: Tao-Cheng Lu,Tso-Hung Fan,Chih-Chieh Yeh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-07-12.

Logical block management method for a flash memory and control circuit storage system using the same

Номер патента: US9098395B2. Автор: Chih-Kang Yeh. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2015-08-04.

Flash memory module, storage apparatus using flash memory module as recording medium, and address translation table verification method for flash memory module

Номер патента: US7917688B2. Автор: Shuji Nakamura,Katsuya Tanaka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2011-03-29.

Microcomputer provided with flash memory and method of storing program into flash memory

Номер патента: US6883060B1. Автор: Masahiro Hayama. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-04-19.

Methods and systems for high write performance in multi-bit flash memory devices

Номер патента: WO2005106891A1. Автор: Mark Randolph,Darlene Hamilton,Roni Kornitz. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2005-11-10.

Method for Inspecting the Electrical Performance of a Flash Memory Cell

Номер патента: US20080133984A1. Автор: Jong Woo Kim,Tae Kyu Kim,Xianghua Ye. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2008-06-05.

Flash Memory Devices and Prefetch Methods Thereof

Номер патента: US20200218664A1. Автор: Jieh-Hsin CHIEN,Yi-Hua Pao. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-07-09.

Storage system and storage management method for controlling off-line mode and on-line of flash memory

Номер патента: US20110289265A1. Автор: Masayuki Yamamoto,Hiroshi Nasu,Masayasu Asano,Nobuhiro Maki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2011-11-24.

Storage system and storage management method for controlling off-line mode and on-line of flash memory

Номер патента: US8200893B2. Автор: Masayuki Yamamoto,Hiroshi Nasu,Masayasu Asano,Nobuhiro Maki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2012-06-12.

Flash memory controller

Номер патента: US20210011643A1. Автор: Ching-Hui Lin,Tsung-Chieh Yang,Chun-Chieh Kuo,Yang-Chih Shen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2021-01-14.

Flash memory controller

Номер патента: US20210271402A1. Автор: Ching-Hui Lin,Tsung-Chieh Yang,Chun-Chieh Kuo,Yang-Chih Shen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

Detection and decoding in flash memories using correlation of neighboring bits

Номер патента: US20130185599A1. Автор: Abdel Hakim S. Alhussien,Erich F. Haratsch. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2013-07-18.

Apparatus and method for optimized NAND flash memory management for devices with limited resources

Номер патента: US20100241786A1. Автор: Fan Zhang,Satpreet Singh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-09-23.

Method for inspecting the electrical performance of a flash memory cell

Номер патента: US7940584B2. Автор: Jong Woo Kim,Tae Kyu Kim,Xianghua Ye. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2011-05-10.

Usb device with connector having integrated flash memory card slot

Номер патента: WO2016142934A1. Автор: Ronen Sharon,Mike Varmaz. Владелец: Safenet Data Security (Israel) Ltd.. Дата публикации: 2016-09-15.

Flash memory devices including dram

Номер патента: US20230377626A1. Автор: Walter Di Francesco,Chang SIAU,Luca Nubile,Yankang He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Flash memory controller

Номер патента: US11914873B2. Автор: Ching-Hui Lin,Tsung-Chieh Yang,Chun-Chieh Kuo,Yang-Chih Shen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Error characterization and mitigation for 16nm MLC NAND flash memory under total ionizing dose effect

Номер патента: US10665310B2. Автор: Yue Li,Jehoshua Bruck. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2020-05-26.

Flash memory system startup operation

Номер патента: EP1700207A1. Автор: Andrew Tomlin,Carlos J. Gonzalez. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2006-09-13.

Method and low-power circuits used to generate accurate boosted wordline voltage for flash memory core cells in read mode

Номер патента: WO2002003391A2. Автор: Binh Q. Le,Pau-Ling Chen. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2002-01-10.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20100080069A1. Автор: Osamu Nagao,Akihiro IMAMOTO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-04-01.

Non-volatile semiconductor memory device with memory transistor

Номер патента: US20050083737A1. Автор: Yoshikazu Miyawaki,Satoru Kishida,Hiromi Okimoto,Daisuke Agawa. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-04-21.

Flash memory

Номер патента: US20110002165A1. Автор: Koichi Fukuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-01-06.

Method And System For Obtaining A Reference Block For A MLC Flash Memory

Номер патента: US20100321997A1. Автор: Han-Lung Huang,Ming-Hung Chou,Chien-Fu Huang,Shih-Keng Cho. Владелец: Skymedi Corp. Дата публикации: 2010-12-23.

Method of handling trim command in flash memory and related memory controller and storage system thereof

Номер патента: US20240256465A1. Автор: Tzu-Yi Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Flash memory arrangement with a common read-write circuit shared by partial matrices of a memory column

Номер патента: US09754669B2. Автор: Stefan Guenther. Владелец: Anvo-Systems Dresden GmbH. Дата публикации: 2017-09-05.

Data conditioning to improve flash memory reliability

Номер патента: US09471425B2. Автор: Vishal Sarin,William H. Radke,Jung-Sheng Hoei. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Logical block management method for a flash memory and control circuit storage system using the same

Номер патента: US20110010489A1. Автор: Chih-Kang Yeh. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2011-01-13.

Logical to physical address mapping in storage systems comprising solid state memory devices

Номер патента: GB2496798A. Автор: Robert Haas,Roman A Pletka,Werner Bux,Xiaoyu Hu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-22.

Inlayed flash memory module

Номер патента: US20080126658A1. Автор: Chih-ling Wang. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2008-05-29.

Special test modes for a page buffer shared resource in a memory device

Номер патента: US5623620A. Автор: Mamun Rashid,Mickey L. Fandrich,Salim B. Fedel,Ranjeet Alexis. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1997-04-22.

Flash memory card with enhanced operating mode detection and user-friendly interfacing system

Номер патента: US20020112101A1. Автор: Petro Estakhri,Mahmud Assar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-15.

Refresh method of a flash memory

Номер патента: US20090172267A1. Автор: Hiromichi Oribe,Teruki ORIHASHI. Владелец: Hagiwara Sys Com Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-02.

Flash Memory Devices and Prefetch Methods Thereof

Номер патента: US20180329827A1. Автор: Jieh-Hsin CHIEN,Yi-Hua Pao. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2018-11-15.

Flash memory devices and prefetch methods thereof

Номер патента: US10635601B2. Автор: Jieh-Hsin CHIEN,Yi-Hua Pao. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-04-28.

Data storage device and flash memory control method

Номер патента: US20150016191A1. Автор: Yi-Lin Lai,Chin-Yin Tsai. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2015-01-15.

Ultra-deep power down mode control in a memory device

Номер патента: EP3311384A1. Автор: Gideon Intrater,Nathan Gonzales,John Dinh,Derric Lewis. Владелец: Adesto Technologies Corp. Дата публикации: 2018-04-25.

Memory interface for a Secure NOR Flash Memory

Номер патента: US20190129638A1. Автор: Partha Sarathy Murali,Subba Reddy Kallam,Venkata Siva Prasad Pulagam,Sailaja Dharani Naga Sankabathula,Venkat Rao Gunturu. Владелец: Redpine Signals Inc. Дата публикации: 2019-05-02.

Trees and graphs in flash memory

Номер патента: US20190213177A1. Автор: Grant R. Wallace,Philip N. Shilane. Владелец: EMC IP Holding Co LLC. Дата публикации: 2019-07-11.

Flash memory

Номер патента: US8331146B2. Автор: Koichi Fukuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-12-11.

System and method for managing files in flash memory

Номер патента: US8250290B2. Автор: Shan-Ruei You. Владелец: Chi Mei Communication Systems Inc. Дата публикации: 2012-08-21.

Handheld record and playback device with flash memory

Номер патента: WO1995028702A1. Автор: Elwood G. Norris,Norbert P. Daberko,Steven T. Brightbill. Владелец: Comp General Corporation. Дата публикации: 1995-10-26.

Flash memory block retirement policy

Номер патента: US20210019241A1. Автор: Harish Reddy Singidi,Deping He,Giuseppe Cariello,Scott Anthony Stoller,Preston Allen Thomson,Devin Batutis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Flash memory block retirement policy

Номер патента: US20190324876A1. Автор: Harish Reddy Singidi,Deping He,Giuseppe Cariello,Scott Anthony Stoller,Preston Allen Thomson,Devin Batutis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Method of managing independent word line read operation in flash memory and related memory controller and storage device

Номер патента: US12067247B2. Автор: Tzu-Yi Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

System and method for managing files in flash memory

Номер патента: US20100153627A1. Автор: Shan-Ruei You. Владелец: Chi Mei Communication Systems Inc. Дата публикации: 2010-06-17.

Sub-threshold enabled flash memory system

Номер патента: US09779788B1. Автор: Christophe J. Chevallier,Scott Hanson,Daniel M. Cermak. Владелец: Ambiq Micro Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Refresh method for flash memory and related memory controller thereof

Номер патента: US09627085B2. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Host apparatus to independently schedule maintenance operations for respective virtual block devices in the flash memory dependent on information received from a memory controller

Номер патента: US09588904B1. Автор: Robert Lercari,Alan Chen,Mike Jadon,Craig Robertson,Andrey V. Kuzmin. Владелец: Radian Memory Systems Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Techniques for improving reliability and performance of partially written memory blocks in modern flash memory systems

Номер патента: US09471488B2. Автор: Yogesh B. Wakchaure,Charan Srinivasan,Aliasgar S. Madraswala,Kristopher H. Gaewsky. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Method of recording data to digital information drive on basis of nand type flash-memory

Номер патента: RU2636107C1. Автор: Сергей Александрович Образцов,Илья Игоревич Чукляев,Ксения Петровна Коршунова,Алексей Владимирович Воропаев,Евгений Игоревич Чукляев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Лаборатория информационно-измерительной и преобразовательной техники". Дата публикации: 2017-11-20.

NAND type flash memory controller, and clock control method therefor

Номер патента: KR100878527B1. Автор: 박향숙. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2009-01-13.

Noise reduction during simultaneous operation of a flash memory device

Номер патента: US6160750A. Автор: Ming-Huei Shieh. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-12-12.

Combination flash memory and dram memory board interleave-bypass memory access method, and memory access device incorporating both the same

Номер патента: US5966727A. Автор: Kenjiro Nishino. Владелец: Dux Inc. Дата публикации: 1999-10-12.

Flash memory architecture implementing simultaneously programmable multiple flash memory banks that are host compatible

Номер патента: WO2002005285A2. Автор: Petro Estakhri. Владелец: Lexar Media, Inc.. Дата публикации: 2002-01-17.

Flash memory expansion device & method

Номер патента: US20060208096A1. Автор: Sheng-Fa Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-21.

Method for managing flash memory module and associated flash memory controller and electronic device based on timing of dummy read operations

Номер патента: US11074174B2. Автор: Tsung-Chieh Yang,Jian-Dong Du,Chia-Jung HSIAO. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2021-07-27.

Data Storage Device and Flash Memory Control Method

Номер патента: US20150146486A1. Автор: Yen-Hung Lin,Yu-Chih Lin,Chia-Chien Wu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2015-05-28.

Methods for erasing, reading and programming flash memories

Номер патента: US20150103603A1. Автор: Yoh Tz Chang,Kai Tao. Владелец: Siltech Semiconductor Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-16.

Method of erasing flash memory and electronic system

Номер патента: US11978520B2. Автор: Jong Bae Jeong. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-07.

Method for compacting the erased threshold voltage distribution of flash memory devices during writing operations

Номер патента: US20080049521A1. Автор: Rino Micheloni,Luca Crippa,Federico Pio,Roberto Ravasio. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-02-28.

Flash memory data protection using bad block markers and a flashing tool

Номер патента: US12019880B2. Автор: Sudan Vilas Landge. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Flash memory erase method

Номер патента: US20020154544A1. Автор: Ming-Hung Chou,Hsin-Yi Ho,Smile Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-24.

Method of managing independent word line read operation in flash memory and related memory controller and storage device

Номер патента: US20240192856A1. Автор: Tzu-Yi Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Flash memory block retirement policy

Номер патента: WO2019046548A1. Автор: Harish Reddy Singidi,Preston Thomson,Deping He,Giuseppe Cariello,Scott Anthony Stoller,Devin Batutis. Владелец: Luo, Ting. Дата публикации: 2019-03-07.

Method and apparatus for recovering deleted data on low flash memory formatted with ubifs

Номер патента: US20240281333A1. Автор: WOO Sung Yun,Sang Jin Lee,Youngki Jung,Junho Kim,Jungheum PARK. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2024-08-22.

Physical interface configuration buffer in a flash memory system

Номер патента: US20240319916A1. Автор: Hung Vuong,Benish Babu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Management method for reducing utilization rate of random access memory (ram) used in flash memory

Номер патента: US20080162793A1. Автор: Yuan-Hao Chang,Jen-Wei Hsieh,Tei-Wei Kuo,Cheng-Chih Yang,Yuan-sheng Chu. Владелец: Genesys Logic Inc. Дата публикации: 2008-07-03.

Usb memory device

Номер патента: CA2788654C. Автор: Israel Hershler. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-06-20.

On-chip repair of defective address of core flash memory cells

Номер патента: US6631086B1. Автор: Colin Bill,Darlene G. Hamilton,Edward V. Bautista, Jr.,Ken Cheong Cheah,Azrul Halim. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-10-07.

Flash memory device and flash memory system including the same

Номер патента: US20090213659A1. Автор: Seok-Cheon Kwon,Kyeong-Han Lee,Dong-yang Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-08-27.

System and method for preventing data corruption in solid-state memory devices after a power failure

Номер патента: US7107480B1. Автор: Mark Moshayedi,Brian H. Robinson. Владелец: Simpletech Inc. Дата публикации: 2006-09-12.

Method and apparatus for protecting flash memory

Номер патента: GB2330228A. Автор: Phillip E Mattison. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1999-04-14.

Flash memory device having a calibration mode

Номер патента: US11829308B2. Автор: Liji GOPALAKRISHNAN,Pravin Kumar Venkatesan,Kashinath Ullhas Prabhu,Makarand Ajit Shirasgaonkar. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2023-11-28.

Flash memory device having a calibration mode

Номер патента: US20230119579A1. Автор: Liji GOPALAKRISHNAN,Pravin Kumar Venkatesan,Kashinath Ullhas Prabhu,Makarand Ajit Shirasgaonkar. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2023-04-20.

Flash memory with redundancy

Номер патента: GB2308693A. Автор: Joo Weon Park. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1997-07-02.

Method for accessing flash memory module, flash memory controller, and memory device

Номер патента: US20240094915A1. Автор: Chia-Chi Liang,Tsu-Han Lu,Hsiao-Chang YEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Novel data cache scheme for high performance flash memories

Номер патента: US20240176539A1. Автор: XIANG Gao,Fei Xue,Yuming Xu,Jifeng Wang,Wentao Wu,Jiajing JIN. Владелец: T Head Shanghai Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Methods for controlling data storage device, and associated flash memory controller

Номер патента: US20220137874A1. Автор: Hong-Jung Hsu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

Flash memory device having a calibration mode

Номер патента: US20230418770A1. Автор: Liji GOPALAKRISHNAN,Pravin Kumar Venkatesan,Kashinath Ullhas Prabhu,Makarand Ajit Shirasgaonkar. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2023-12-28.

Method and apparatus with flash memory control

Номер патента: EP4216221A1. Автор: Sang Joon Kim,Seok Ju Yun,Daekun YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-26.

Method and apparatus with flash memory control

Номер патента: US20230298675A1. Автор: Sang Joon Kim,Seok Ju Yun,Daekun YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Flash memory programming check circuit

Номер патента: US20220068411A1. Автор: Mingyong Huang. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2022-03-03.

NAND flash memory and blank page search method therefor

Номер патента: US20060083065A1. Автор: Chin Lin,Hitoshi Shiga,Chin-Hung Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-04-20.

Voltage mode sensing for low power flash memory

Номер патента: EP2823486A1. Автор: Jeffrey D. Wilkinson,Kevin K. Walsh,Paul B. PATTERSON,Glen W. BENTON. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2015-01-14.

Method for renewing data in order to increase the reliability of flash memories

Номер патента: US09619325B2. Автор: Axel Mehnert,Christoph Baumhof,Franz Schmidberger,Martin Roeder. Владелец: HYPERSTONE GMBH. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of operating a flash memory system using a migration operation

Номер патента: US09507530B2. Автор: Young Bong KIM,Dongeun Shin,Dong-young Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-29.

Flash drive/reader with serial-port controller and flash-memory controller mastering a second RAM-buffer bus parallel to a CPU bus

Номер патента: US6874044B1. Автор: Tzu-Yih Chu,Sun-Teck See,Horng-Yee Chou. Владелец: Super Talent Electronics Inc. Дата публикации: 2005-03-29.

Data transmission method for flash memory and flash memory storage system and controller using the same

Номер патента: US20100057979A1. Автор: Chien-Hua Chu,Chih-Kang Yeh,Ruei-Cian Chen,Kian-Fui Seng. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2010-03-04.

Redundant array of solid state memory devices

Номер патента: US5680579A. Автор: Paul R. Young,Peter L. Solari,Gregory J. Shumski,Yin Cheung So. Владелец: Kaman Aerospace Corp. Дата публикации: 1997-10-21.

NAND flash memory array architecture having low read latency and low program disturb

Номер патента: US9245639B1. Автор: Dae Hyun Kim,Anil Gupta,Jong Oh Lee. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-01-26.

Flash memory card-based storage devices with changeable capacity

Номер патента: US8635403B2. Автор: Yingju Sun,Joe Zheng. Владелец: O C K Investment B V LLC. Дата публикации: 2014-01-21.

Flexible user interface circuit in a memory device

Номер патента: US5692138A. Автор: Rodney R. Rozman,Richard J. Durante,Mickey L. Fandrich. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1997-11-25.

Redundant array of solid state memory devices

Номер патента: GB2295037A. Автор: Yin Cheung So,Peter L Solari,Gregory J Shumski,Paul R Young. Владелец: Raymond Engineering Inc. Дата публикации: 1996-05-15.

Extending flash memory data retension via rewrite refresh

Номер патента: WO2009086177A1. Автор: Mark W. Randolph,Darlene G. Hamilton,Don Carlos Darling,Ron Kornitz. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2009-07-09.

Redundant array of solid state memory devices

Номер патента: CA2162317A1. Автор: Paul R. Young,Peter L. Solari,Gregory J. Shumski,Yin Cheung So. Владелец: Raymond Engineering Inc. Дата публикации: 1996-05-11.

Reference voltage generator using flash memory cells

Номер патента: US5953256A. Автор: Michael S. Briner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-09-14.

SDRAM memory device with an embedded NAND flash controller

Номер патента: US20050027928A1. Автор: Meir Avraham,Dan Inbar,Ziv Paz. Владелец: M Systems Flash Disk Pionners Ltd. Дата публикации: 2005-02-03.

Method for managing flash memory module and associated flash memory controller

Номер патента: US20180373433A1. Автор: Kuan-Yu KE. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2018-12-27.

Flash memory controller

Номер патента: US20180267730A1. Автор: Ching-Hui Lin,Tsung-Chieh Yang,Chun-Chieh Kuo,Yang-Chih Shen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2018-09-20.

Flash memory controller mechanism capable of generating host-based cache information or flash-memory-based cache information to build and optimize binary tree with fewer nodes when cache stores data from host

Номер патента: US20210294747A1. Автор: Kuan-Hui Li. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2021-09-23.

Flash memory controller mechanism capable of generating host-based cache information or flash-memory-based cache information to build and optimize binary tree with fewer nodes when cache stores data from host

Номер патента: US20220027282A1. Автор: Kuan-Hui Li. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2022-01-27.

Flash memory

Номер патента: US20130235670A1. Автор: Guangjun Yang. Владелец: Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2013-09-12.

Flash memory

Номер патента: US8755231B2. Автор: Guangjun Yang. Владелец: Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2014-06-17.

Log data storage for flash memory

Номер патента: US20190066791A1. Автор: Luigi Esposito,Massimo Iaculo,Paolo Papa,Eric Kwok Fung Yuen,Gerard J. Perdaems. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-02-28.

System and method for pre-soft-decoding tracking for nand flash memories

Номер патента: US20230221879A1. Автор: Hanan Weingarten. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Sdram memory device with an embedded nand flash controller

Номер патента: EP1649378A2. Автор: Meir Avraham,Dan Inbar,Ziv Paz. Владелец: M Systems Flash Disk Pionners Ltd. Дата публикации: 2006-04-26.

Sdram memory device with an embedded nand flash controller

Номер патента: EP1649378A4. Автор: Meir Avraham,Dan Inbar,Ziv Paz. Владелец: M Systems Flash Disk Pionners Ltd. Дата публикации: 2006-08-23.

Log data storage for flash memory

Номер патента: WO2019046128A1. Автор: Luigi Esposito,Massimo Iaculo,Paolo Papa,Eric Kwok Fung Yuen,Gerard J. Perdaems. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-03-07.

Methods and apparatus for interfacing between a flash memory controller and a flash memory array

Номер патента: EP2308054A1. Автор: Johnson Yen. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2011-04-13.

Flash memory management method and flash memory controller and storage system using the same

Номер патента: US20110145481A1. Автор: Chih-Kang Yeh. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2011-06-16.

Flash memory system and method of generating quantized signal thereof

Номер патента: US20200026666A1. Автор: Hyunsu Ju,Gyosub LEE. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2020-01-23.

Method for verifying a programmed flash memory

Номер патента: US20050149664A1. Автор: Ming-Hung Chou,Hsin-Yi Ho. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-07.

Method and apparatus for storing location identification information within non-volatile memory devices

Номер патента: US6076137A. Автор: Mehdi Asnaashari. Владелец: Lexar Media Inc. Дата публикации: 2000-06-13.

Non-volatile semiconductor memory device and semiconductor disk device

Номер патента: US20040165450A1. Автор: Hideaki Kurata,Naoki Kobayashi,Shunichi Saeki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-08-26.

Dual-Mode Switch for Multi-Media Card/Secure Digital (MMC/SD) Controller Reading Power-On Boot Code from Integrated Flash Memory for User Storage

Номер патента: US20090240865A1. Автор: Abraham C. Ma,Charles C. Lee,I-Kang Yu. Владелец: Super Talent Electronics Inc. Дата публикации: 2009-09-24.

Memory control device, control method of flash memory, and method for generating security feature of flash memory

Номер патента: US10705743B2. Автор: Shih-Fu Huang,Cheng-Yu Chen,Jing-Long XIAO,Yi-Lin Hsieh. Владелец: RayMX Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-07-07.

Writing method of flash memory and memory storage device

Номер патента: US20230207020A1. Автор: Koying Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Method of erasing NAND flash memory device

Номер патента: US20050185471A1. Автор: Keun Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-08-25.

Method for controlling nand flash memory to complete neural network operation

Номер патента: US20240194249A1. Автор: Qiang Tang. Владелец: Unim Innovation Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Card having flash memory and display, reader of reading the card, paying method using the reader and card, art card and dispaly using the art card

Номер патента: WO2009072849A3. Автор: Young Sun Cho,Sue Hee Park,Jin Man Chung. Владелец: Slimdisc Corp. Дата публикации: 2009-07-23.

Nand-type flash memory and nand-type flash memory controlling method

Номер патента: US20100067302A1. Автор: Yoshihisa Watanabe,Yuka Furuta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-03-18.

Method for extracting substrate coupling coefficient of a flash memory

Номер патента: US6292393B1. Автор: Chih-Mu Huang,Chuan-Jane Chao,Chi-Hung Kao,Jung-Yu Tsai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2001-09-18.

Configuration of host lba interface with flash memory

Номер патента: WO2008082999A3. Автор: Barry Wright,Alan Welsh Sinclair. Владелец: Alan Welsh Sinclair. Дата публикации: 2008-10-02.

Data storage device and flash memory control method

Номер патента: US20180196747A1. Автор: Tao-En TANG. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2018-07-12.

Adaptively programming or erasing flash memory blocks

Номер патента: WO2013151919A8. Автор: Shivananda Shetty,Tio Wei NEO,James Pak. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-01-16.

Compressed event counting technique and application to a flash memory system

Номер патента: EP1317756A2. Автор: Nima Mokhlesi. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2003-06-11.

Nand flash memory and method for managing data thereof

Номер патента: US20110099435A1. Автор: Kai-Ping Wu. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-28.

Flash memory programming using an indication bit to interpret state

Номер патента: WO2007035277A1. Автор: Takao Akaogi,Guowei Wang. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2007-03-29.

Flash memory programming using an indication bit to interpret state

Номер патента: EP1927113A1. Автор: Takao Akaogi,Guowei Wang. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-06-04.

Flash memory

Номер патента: US20170358358A1. Автор: Koichi Ando. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-14.

Flash memory cell for high efficiency programming

Номер патента: US20020001232A1. Автор: ANDREI Mihnea,Chun Chen,Paul Rudeck. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-01-03.

Flash memory cell for high efficiency programming

Номер патента: US20020001228A1. Автор: ANDREI Mihnea,Chun Chen,Paul Rudeck. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-01-03.

Method and circuit for performing read operation in a nand flash memory

Номер патента: US20090003079A1. Автор: Jiro Kishimoto. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-01-01.

Method of classifying data by lifespan according to the number of times of moving data to improve performance and lifespan of flash memory-based ssd

Номер патента: US20240231634A1. Автор: Jae Ho Kim,Eun Jae Lee,Hyun Seung PARK,Sam Hyuk Noh. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Номер патента: RU2516771C1. Автор: Владимир Алексеевич Гриценко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН). Дата публикации: 2014-05-20.

Flash memory device

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты