Consumption current circuit and method for memory device.

Consumption current circuit and method for memory device

Номер патента: US5978292A
Опубликовано: 02-11-1999
Автор(ы): Dong-Chul Lim
Принадлежит: LG Semicon Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor memory device and method for testing semiconductor memory device

Номер патента: US20180286496A1. Автор: Shuhei KAMANO. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-04.

Method for testing semiconductor memory device

Номер патента: US7813195B2. Автор: Shun-Ke WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2010-10-12.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD FOR TESTING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20180286496A1. Автор: KAMANO Shuhei. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-04.

Operation control circuit and operation control method for integrated circuit memory device

Номер патента: JP3648070B2. Автор: 張泰星,李聖根. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-05-18.

Memory device and method for protecting a memory device from the effect of row hammering

Номер патента: US20240185910A1. Автор: Fabrice Devaux. Владелец: Upmem SAS. Дата публикации: 2024-06-06.

Synchronized redundancy decoding systems and methods for integrated circuit memory devices

Номер патента: US5777931A. Автор: Ig-Soo Kwon,Chul-Min Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-07-07.

Semiconductor memory device and method for testing semiconductor memory device

Номер патента: EP1396863B1. Автор: Yuji Nakagawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-10-03.

Method for testing semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: CN1176467A. Автор: 岩切逸郎. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1998-03-18.

Semiconductor memory device and method for operating semiconductor memory device

Номер патента: US7898835B2. Автор: Kotaro Kashiwa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-03-01.

Semiconductor memory device and method of controlling the semiconductor memory device

Номер патента: US7495990B2. Автор: Yoshiharu Kato,Satoru Kawamoto,Kazufumi Komura. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-02-24.

Memory device, method of generating log of command signals/address signals of memory device, and method of analyzing errors of memory device

Номер патента: US9646719B2. Автор: Kwang-Hyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor memory device and arrangement method for a semiconductor memory device

Номер патента: TW454205B. Автор: Jung-Bae Lee,Woo-pyo Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-09-11.

Capacitor structure, semiconductor memory device including the same, method for fabricating the same, and method for fabricating semiconductor memory device including the same

Номер патента: US12094924B2. Автор: Su Hwan Kim,Sang Yeol Kang,Kyoo Ho Jung,Won Sik CHOI,Dong Kwan BAEK,Yu Kyung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor memory device and method for operating semiconductor memory device

Номер патента: US20080320215A1. Автор: Kotaro Kashiwa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-12-25.

Memory device, method of generating log of command signals/address signals of memory device, and method of analyzing errors of memory device

Номер патента: US20160172060A1. Автор: Kwang-Hyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-06-16.

Semiconductor memory device which controls sense amplifier for detecting bit line bridge and method of controlling the semiconductor memory device

Номер патента: US6396754B1. Автор: Hyong-yong Lee,Suk-bae Jun,Choong-Sun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-05-28.

Semiconductor memory devices, memory systems, and methods of operating the semiconductor memory devices

Номер патента: US20200218611A1. Автор: Kyung-Ryun Kim,Sang-Uhn CHA,Young-Hun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-09.

Method for detecting memory device, computer storage medium, and electronic device

Номер патента: US11990174B2. Автор: Tianhao DIWU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Memory device and method for protecting a memory device from row hammering

Номер патента: FR3121262A1. Автор: Fabrice Devaux. Владелец: Upmem SAS. Дата публикации: 2022-09-30.

Method for detecting memory device, computer storage medium, and electronic device

Номер патента: US20230267985A1. Автор: Tianhao DIWU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Memory device and method for testing a memory device

Номер патента: US20170206982A1. Автор: Martin Huch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-20.

Data input circuit and data input method for synchronous semiconductor memory device

Номер патента: KR100403635B1. Автор: 정우섭. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2003-10-30.

Data input circuit and data input method for synchronous semiconductor memory device

Номер патента: KR100403632B1. Автор: 이정배,나원균. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2003-10-30.

Data input circuit and data input method for synchronous semiconductor memory device

Номер патента: JP4249941B2. Автор: 元均羅,▲ジュン▼ 培李. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-04-08.

Integrated solution for identifying malfunctioning components within memory devices

Номер патента: US20110158016A1. Автор: Carolina Selva,Danilo Rimondi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2011-06-30.

Integrated solution for identifying malfunctioning components within memory devices

Номер патента: US20130077422A1. Автор: Carolina Selva,Danilo Rimondi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2013-03-28.

Semiconductor integrated circuit and method of testing same

Номер патента: US7643365B2. Автор: Yoshikazu Kurose,Tetsumasa Meguro. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-01-05.

Circuit and method for testing ferroelectric memory device

Номер патента: JP2003249074A. Автор: David C Mcclure,シー．マククルーアデイビッド. Владелец: ST MICROELECTRONICS Inc. Дата публикации: 2003-09-05.

Semiconductor memory device and method relieving defect of semiconductor memory device

Номер патента: US6018488A. Автор: Yoichi Suzuki,Masami Masuda,Yasumitsu Nozawa,Akihiro Mishima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-01-25.

Method for operating a memory device and memory device thereof

Номер патента: US20240170086A1. Автор: Chia-Cho Wu,Chi-Yi Shao. Владелец: Pufsecurity Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Memory device and method for operating said memory device

Номер патента: US20230267999A1. Автор: Thomas Kern,Sebastian Kiesel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-08-24.

Memory device, and method for operating a memory device

Номер патента: US20080008023A1. Автор: Martin Brox,Thomas Hein. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-01-10.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20070297215A1. Автор: Shingo Hashimoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-12-27.

Refresh method capable of reducing memory cell access time in semiconductor memory device

Номер патента: US20020141269A1. Автор: Jong-Yul Park,Seong-kue Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-10-03.

Flash memory device and method for programming flash memory device having leakage bit lines

Номер патента: US7944747B2. Автор: Young-Ho Lim,Dong-Hyuk Chae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-05-17.

Flash memory device and method for programming flash memory device having leakage bit lines

Номер патента: US20090231917A1. Автор: Young-Ho Lim,Dong-Hyuk Chae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-17.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20210005243A1. Автор: Whiyoung BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-07.

Memory device having architecture of voltage driver circuit and decoupling capacitor

Номер патента: US20240170042A1. Автор: Yooseok YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor memory device, semiconductor memory device system, and method of operating a semiconductor memory device

Номер патента: DE102004063531B4. Автор: Helmut Dr. Fischer,Martin Dr. Brox. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2011-06-01.

Semiconductor memory device and data bus amplifier activation method for the semiconductor memory device

Номер патента: KR100633746B1. Автор: 가와바타구니노리,마츠미야마사토,에토사토시,우자와유이치,고가도루,기쿠타케아키라. Владелец: 후지쯔 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2006-10-13.

Clock generating circuit and clock generating method for semiconductor memory device

Номер патента: KR100230407B1. Автор: 정우섭. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-11-15.

A circuit and voltage control methode for precharging of semiconductor memory device

Номер патента: KR20100064145A. Автор: 정태오. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-06-14.

WEAR SENSOR AND METHOD OF OPERATION FOR A MEMORY DEVICE

Номер патента: US20180137929A1. Автор: Hedberg Erik,SAMSON Giby,Atallah Francois,Bowman Keith. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-17.

Apparatus and method of selfrefreshing a semiconductor memory device

Номер патента: KR100387720B1. Автор: 김준호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-06-18.

Method for driving semiconductor memory device

Номер патента: US20120039126A1. Автор: Toshihiko Saito. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-16.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE WITH BURIED CAPACITOR AND FIN-LIKE ELECTRODES

Номер патента: US20220181328A1. Автор: CHERN GEENG-CHUAN,Hsia Liang-Choo. Владелец: HeFeChip Corporation Limited. Дата публикации: 2022-06-09.

METHOD FOR DRIVING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150262644A1. Автор: Saito Toshihiko. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-17.

Apparatuses and methods for logic/memory devices

Номер патента: US20240194247A1. Автор: Richard C. Murphy. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-06-13.

Apparatuses and methods for logic/memory devices

Номер патента: EP3427263A1. Автор: Richard C. Murphy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-16.

Apparatuses and methods for logic/memory devices

Номер патента: US20180294027A1. Автор: Richard C. Murphy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-11.

Memory circuits, memory structures, and methods for fabricating a memory device

Номер патента: US12068023B2. Автор: Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Jonathan Tsung-Yung Chang,Wen-Chang Cheng,Chieh Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Memory device having variable impedance memory cells and time-to-transition sensing of data stored therein

Номер патента: US12014770B2. Автор: Ravindraraj Ramaraju. Владелец: R&d3 LLC. Дата публикации: 2024-06-18.

Memory device, operating method thereof, and operating method of memory system including the same

Номер патента: US10515675B2. Автор: Jung-Hyun Kwon,Sung-Eun Lee,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-12-24.

Memory device, operating method thereof, and operating method of memory system including the same

Номер патента: US20200005842A1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Sung-Eun Lee,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-02.

Memory device, operating method thereof, and operating method of memory system including the same

Номер патента: US20180151205A1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Sung-Eun Lee,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-31.

Method for operating semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: TW454337B. Автор: Takaaki Suzuki,Toshiya Uchida,Kotoku Sato,Yoshimasa Yagishita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-09-11.

Methods for operating semiconductor memory devices and semiconductor memory devices

Номер патента: EP1050882B1. Автор: Kotoku c/o Fujitsu Limited Sato,Toshiya C/O Fujitsu Limited Uchida,Takaaki c/o Fujitsu Limited Suzuki,Yoshimasa c/o Fujitsu Limited Yagishita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-07-30.

A pulse-stretcher clock generator circuit and clock generation method for high speed memory subsystems

Номер патента: WO2018106372A1. Автор: Venkat Narayanan,Venugopal Boynapalli,Seid Hadi Rasouli,Dorav KUMAR,Bilal Zafar. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-06-14.

Apparatuses and methods for logic/memory devices

Номер патента: US11915741B2. Автор: Richard C. Murphy. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-02-27.

CAPACITOR STRUCTURE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE INCLUDING THE SAME, METHOD FOR FABRICATING THE SAME, AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20230008127A1. Автор: Kim Su Hwan,KANG Sang Yeol,CHOI Won Sik,Jung Kyoo Ho,BAEK Dong Kwan,SHIN Yu Kyung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2023-01-12.

Memory device parallelizer

Номер патента: US20190244655A1. Автор: Daniel B. Penney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-08.

Efficient thermally-assisted memory device

Номер патента: US20210005228A1. Автор: Tapabrata GHOSH. Владелец: Vathys Inc. Дата публикации: 2021-01-07.

Semiconductor memory device and method for controlling semiconductor memory device

Номер патента: KR100864038B1. Автор: 구리타유지. Владелец: 후지쯔 마이크로일렉트로닉스 가부시키가이샤. Дата публикации: 2008-10-16.

Semiconductor memory device and method for controlling semiconductor memory device

Номер патента: KR101689458B1. Автор: 정기석,전동익. Владелец: 한양대학교 산학협력단. Дата публикации: 2016-12-23.

Semiconductor memory device and method for controlling semiconductor memory device

Номер патента: US6781909B2. Автор: Yuji Kurita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-08-24.

Semiconductor memory device and method for controlling semiconductor memory device

Номер патента: TW200403677A. Автор: Yuji Kurita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-03-01.

Memory circuits, memory structures, and methods for fabricating a memory device

Номер патента: US20220358993A1. Автор: Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Jonathan Tsung-Yung Chang,Wen-Chang Cheng,Chieh Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor memory device and refresh method for the same

Номер патента: US20050157576A1. Автор: Hajime Sato,Yuji Nakagawa,Satoru Kawamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-07-21.

Memory device having variable impedance memory cells and time-to-transition sensing of data stored therein

Номер патента: US11900990B2. Автор: Ravindraraj Ramaraju. Владелец: R&d3 LLC. Дата публикации: 2024-02-13.

Memory device having variable impedance memory cells and time-to-transition sensing of data stored therein

Номер патента: US11783891B2. Автор: Ravindraraj Ramaraju. Владелец: R&D 3 LLC. Дата публикации: 2023-10-10.

Memory Device Having Variable Impedance Memory Cells and Time-To-Transition Sensing of Data Stored Therein

Номер патента: US20240127884A1. Автор: Ravindraraj Ramaraju. Владелец: R&D 3 LLC. Дата публикации: 2024-04-18.

REFRESH ADDRESS GENERATOR, VOLATILE MEMORY DEVICE INCLUDING THE SAME AND METHOD OF REFRESHING THE VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140029367A1. Автор: KIM So-young,Jung Bu-il. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-30.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES AND METHODS OF OPERATING THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20210158861A1. Автор: JEONG YUNKYEONG,CHOO CHULHWAN. Владелец: . Дата публикации: 2021-05-27.

MEMORY DEVICE AND METHOD OF REFRESHING IN A MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140219042A1. Автор: YU Hak-soo,LEE Jung-bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-08-07.

CONTROL DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD FOR A SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200135261A1. Автор: Kubo Takashi,YASUDA Kenichi,HAMAMOTO Takeshi,HARAGUCHI Masaru,TSUKIKAWA YASUHIKO,IGA HIRONORI. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE CONTROLLING REFRESH CYCLE, MEMORY SYSTEM, AND METHOD OF OPERATING THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20160180921A1. Автор: JEONG In-Chul. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-23.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES, MEMORY SYSTEMS AND METHODS OF OPERATING A SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20190189194A1. Автор: Lee Jung-Yong,Kim Joung-Yeal,JEONG YONG-GWON,BANG Ju-Suk,LIM Chae-Il. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-20.

Semiconductor memory device controlling refresh cycle, memory system, and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20150221362A1. Автор: In-Chul Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-08-06.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES, MEMORY SYSTEMS, AND METHODS OF OPERATING THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20200218611A1. Автор: KIM KYUNG-RYUN,Seo Young-Hun,CHA SANG-UHN. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-09.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES, MEMORY SYSTEMS, AND METHODS OF OPERATING THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20190243708A1. Автор: KIM KYUNG-RYUN,Seo Young-Hun,CHA SANG-UHN. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-08.

Semiconductor memory device, memory system including memory controller, and refresh control method for a semiconductor memory device

Номер патента: US8576652B2. Автор: Atsuo Koshizuka. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-11-05.

Semiconductor memory device controlling refresh cycle, memory system, and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US9030905B2. Автор: In-Chul Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-05-12.

Semiconductor memory device and method of operating a semiconductor memory device

Номер патента: TWI316717B. Автор: Sang-woong Shin,Chul-Soo Kim,Young-Hyun Jun,Sang-Bo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-11-01.

Semiconductor memory device and method of refreshing the semiconductor memory device

Номер патента: US7345941B2. Автор: Yoshinori Matsui. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-03-18.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory devices

Номер патента: DE102020115736A1. Автор: Yunkyeong Jeong,Chulhwan Choo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-27.

Semiconductor memory device, memory system including memory controller, and refresh control method for a semiconductor memory device

Номер патента: US20100177583A1. Автор: Atsuo Koshizuka. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-07-15.

Method for manufacturing memory device and memory

Номер патента: US20240188276A1. Автор: XIAO Ding,Fandong LIU,Wenyu HUA. Владелец: ICLeague Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Memory system performing hammer refresh operation and method of controlling refresh of memory device

Номер патента: KR20220068532A. Автор: 최연규,이성진,김도균,황두희. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-05-26.

Method for forming memory and memory

Номер патента: US20210398984A1. Автор: Xu Liu,Thomas Jongwan Kwon,Lintao Zhang,Lingguo ZHANG,Xiangui Zhou. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Apparatuses and methods for operating a memory device

Номер патента: US20140149786A1. Автор: Chang Wan Ha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-05-29.

Semiconductor memory device of which prescribed state of operation is terminated under a prescribed condition and method of operating a semiconductor memory device for terminating prescribed state of operation

Номер патента: US5726940A. Автор: Hideto Hidaka,Mikio Asakura,Kiyohiro Furutani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-03-10.

Memory device, circuits and methods for operating a memory device

Номер патента: TW200402724A. Автор: Trygve Willassen,David GenLong Chow,Hans Ola Dahl. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-02-16.

Memory device, circuits and methods for reading a memory device

Номер патента: US20070091664A1. Автор: Trygve Willassen,David Chow,Hans Dahl. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2007-04-26.

MEMORY DEVICE AND METHOD FOR TESTING A MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170206982A1. Автор: Huch Martin. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-20.

Memory device and method of programming in a memory device

Номер патента: CN107430888B. Автор: 孙永科,梅文龙,董颖达. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-07-10.

Method for testing a memory device and memory device for carrying out the method

Номер патента: US7219029B2. Автор: Sven Boldt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-05-15.

Method of testing non-volatile memory device and method of managing non-volatile memory device

Номер патента: US9214206B2. Автор: Dong-ku Kang,Sang-In Park,Boh-Chang KIM,Bu-il NAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-12-15.

Method for testing a memory device and memory device for carrying out the method

Номер патента: US20060036917A1. Автор: Sven Boldt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-02-16.

Memory device and method for configuring a memory device

Номер патента: DE102006033649B4. Автор: Sang-Won Hwang,Dong-Kyu Youn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-02-12.

Memory device and method for operating a memory device

Номер патента: US7342829B2. Автор: Konrad Seidel,Gert Koebernick,Uwe Augustin. Владелец: Qimonda Flash GmbH. Дата публикации: 2008-03-11.

Magnetic memory device, sense amplifier circuit and method of reading from magnetic memory device

Номер патента: US20060120146A1. Автор: Keiji Koga,Yuji Kakinuma,Joichiro Ezaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2006-06-08.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20210327532A1. Автор: Jong Wook Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor memory device and operating method for a semiconductor memory device

Номер патента: US20060275928A1. Автор: Siegfried Schwarzl,Stefan Wurm. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-12-07.

Method for programming a memory device suitable to minimize the lateral coupling effects between memory cells

Номер патента: US20060203544A1. Автор: Angelo Visconti,Mauro Bonanomi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2006-09-14.

Memory device, method for reading information from the memory device, method for writing information into the memory device, and method for producing the memory device

Номер патента: US5438539A. Автор: Toshihiko Mori. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1995-08-01.

Phase change random access memory device with transistor, and method for fabricating a memory device

Номер патента: US20080142776A1. Автор: Harald Seidl. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-06-19.

Magnetic memory device, method for writing into magnetic memory device and method for reading magnetic memory device

Номер патента: US20080175041A1. Автор: Masaki Aoki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-07-24.

Magnetoresistive memory device and method for manufacturing magnetoresistive memory device

Номер патента: US20200083443A1. Автор: Yuichi Ito,Kouji Matsuo. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Ferroelectric memory device and method for operating ferroelectric memory device

Номер патента: US20010040815A1. Автор: Yasuhiro Tanaka. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-11-15.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20210304828A1. Автор: Jae Woong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20210111190A1. Автор: Sun Young Kim,Kun Young Lee,Jae Gil Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-15.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20220115404A1. Автор: Sun Young Kim,Kun Young Lee,Jae Gil Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-04-14.

Method for operating a memory device

Номер патента: US8250321B2. Автор: Joern Boettcher,Jens Liebehenschel. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2012-08-21.

Magnetic memory device and writing method for the magnetic memory device

Номер патента: US20190279700A1. Автор: Takeshi Fujimori. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-12.

On-chip self test circuit and self test method for signal distortion

Номер патента: TW200619656A. Автор: Kyung-Hoon Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-16.

High Voltage Level Optimization Circuit and Method for Nonvolatile Semiconductor Memory Devices

Номер патента: KR970051334A. Автор: 김진기,이성수. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-07-29.

Flash memory device and method of testing the flash memory device

Номер патента: US8149621B2. Автор: Dae-Yong Kim,Bo-Geun Kim,Jun-Yong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-04-03.

Semiconductor memory device having single-level cells and multi-level cells and method of driving the semiconductor memory device

Номер патента: US7698615B2. Автор: Young-Joon Choi,Sang-Kil Lee,Dae-Hyun Lee,Eun-Suk Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-04-13.

Error-handling management during copyback operations in memory devices

Номер патента: US12072762B2. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Patrick R. KHAYAT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Error-handling management during copyback operations in memory devices

Номер патента: US20240054046A1. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Patrick R. KHAYAT. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Apparatuses and methods of operating for memory endurance

Номер патента: WO2013033375A1. Автор: Chandra C. Varanasi. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-03-07.

On-chip memory redundancy circuitry for programmable non-volatile memories, and methods for programming same

Номер патента: WO1996025744A1. Автор: James E. O'Toole. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 1996-08-22.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20210366551A1. Автор: Jong Hoon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-11-25.

Low standby power with fast turn on method for non-volatile memory devices

Номер патента: US12014800B2. Автор: Vijay Raghavan,Roger Bettman,Cristinel Zonte,Samuel Leshner,Vineet Argrawal,Iulian C Gradinariu,Gary Peter Moscaluk. Владелец: Longitude Flash Memory Solutions Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US11894066B2. Автор: Soo Yeol CHAI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor memory device and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20230298634A1. Автор: Yusuke Mori. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Nonvolatile memory devices and methods of operating the nonvolatile memory devices

Номер патента: US20240203499A1. Автор: ChiWeon Yoon,Dojeon Lee,Chihyun Kim,Junehong PARK,Jayang Yoon,Philkyu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Nonvolatile memory cell, nonvolatile memory device, and method of programming the nonvolatile memory device

Номер патента: US20100014358A1. Автор: Dong-il Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-21.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20230317816A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Non-volatile memory device including high voltage switching circuit, and operation method of the non-volatile memory device

Номер патента: US20210391015A1. Автор: Hyunjin SHIN,Sanggyeong Won,Dohui Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-16.

Apparatuses and methods of operating for memory endurance

Номер патента: US8762630B2. Автор: Chandra C. Varanasi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-06-24.

Apparatuses and methods of operating for memory endurance

Номер патента: US20130311714A1. Автор: Chandra C. Varanasi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-11-21.

Apparatuses and methods of operating for memory endurance

Номер патента: EP2751659A1. Автор: Chandra C. Varanasi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-09.

Methods for programming a memory device and memory devices

Номер патента: US20150117111A9. Автор: Giovanni Santin,Violante Moschiano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-04-30.

Methods for programming a memory device and memory devices

Номер патента: US20140219032A1. Автор: Giovanni Santin,Violante Moschiano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-07.

Non-volatile memory devices and methods of operating non-volatile memory devices

Номер патента: US20090285027A1. Автор: Tae-Hee Lee,Won-joo Kim,June-mo Koo,Tae-eung Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-11-19.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20140006648A1. Автор: Eui Cheol Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-01-02.

Semiconductor memory device maintaining verification data during program suspend, and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20230298679A1. Автор: Yeong Jo MUN,Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor Device and Method of Controlling Non-Volatile Memory Device

Номер патента: US20150261668A1. Автор: Seiji Miura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2015-09-17.

Methods for programming a memory device and memory devices using inhibit voltages that are less than a supply voltage

Номер патента: US20100271871A1. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-10-28.

Methods for programming a memory device and memory devices using inhibit voltages that are less than a supply voltage

Номер патента: US20110164456A1. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-07-07.

Methods for programming a memory device and memory devices using inhibit voltages that are less than a supply voltage

Номер патента: US8194446B2. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-06-05.

Method for manufacturing nonvolatile memory device

Номер патента: US20130237008A1. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Yoshio Ozawa,Shinichi Nakao,Ichiro Mizushima,Hiroyuki Fukumizu,Yasuhiro Nojiri,Kei Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-12.

Memory device and a method for forming the memory device

Номер патента: US20210043637A1. Автор: Bin Liu,Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Desmond Jia Jun Loy. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-02-11.

Method for manufacturing a memory device and memory device manufactured through the same method

Номер патента: US20240237365A1. Автор: Paolo Tessariol,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor memory device, controller, and method of operating the semiconductor memory device and controller

Номер патента: US20230317183A1. Автор: Byoung Sung You. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

One-time programmable (otp) memory device and method of operating an otp memory device

Номер патента: US20220375948A1. Автор: Jinwoo Park,Hoonsung CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-11-24.

Programming method for nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140219029A1. Автор: Cheng-Hung Tsai. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-07.

Semiconductor memory device employing processing in memory (pim) and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: EP4379608A3. Автор: Seongil O,Shinhaeng KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-31.

Method for programming a memory device

Номер патента: WO2007008477A3. Автор: Yi He,Zhizheng Liu,Shankar Sinha. Владелец: Shankar Sinha. Дата публикации: 2007-04-26.

Methods for forming ferroelectric memory devices

Номер патента: US20210035994A1. Автор: Zhenyu Lu. Владелец: Wuxi Petabyte Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

Low standby power with fast turn on method for non-volatile memory devices

Номер патента: US20230197128A1. Автор: Vijay Raghavan,Roger Bettman,Cristinel Zonte,Samuel Leshner,Vineet Argrawal,Iulian C Gradinariu,Gary Peter Moscaluk. Владелец: Longitude Flash Memory Solutions Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor memory device and controller for reading data with improved speed, and method of operating the semiconductor memory device and the controller

Номер патента: US20230386561A1. Автор: Sung Ho Ahn. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor memory device and method of reading a semiconductor memory device

Номер патента: US20230335213A1. Автор: Shinya Fujioka. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Erase control circuit and method of non-volatile semiconductor memory device, and non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20200286565A1. Автор: Mathias Yves Gilbert BAYLE. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Memory device and method for controlling the memory device

Номер патента: US20190164613A1. Автор: Yu-Wen Tseng,Chung-Jen Huang,Tsung-Yu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Low standby power with fast turn on method for non-volatile memory devices

Номер патента: US20200234746A1. Автор: Vijay Raghavan,Iulian C. Gradinariu,Roger Bettman,Cristinel Zonte,Samuel Leshner,Vineet Argrawal,Gary Peter Moscaluk. Владелец: Longitude Flash Memory Solutions Ltd. Дата публикации: 2020-07-23.

Low standby power with fast turn on method for non-volatile memory devices

Номер патента: US20210327477A1. Автор: Vijay Raghavan,Iulian C. Gradinariu,Roger Bettman,Cristinel Zonte,Samuel Leshner,Vineet Argrawal,Gary Peter Moscaluk. Владелец: Longitude Flash Memory Solutions Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

A memory device and method of operating such a memory device

Номер патента: TW201021049A. Автор: Winkelhoff Nicolaas Klarinus Johannes Van,Christophe Denis Lucien Frey. Владелец: Advanced Risc Mach Ltd. Дата публикации: 2010-06-01.

Semiconductor memory device including phase change memory device and method of accessing phase change memory device

Номер патента: US20200066342A1. Автор: Jin-yong Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-27.

Phase change memory device, system including the memory device, and method for operating the memory device

Номер патента: US11756614B2. Автор: Davide Manfre,Maurizio Francesco Perroni,Fabio Enrico Carlo Disegni,Cesare Torti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor memory device and method for fabricating semiconductor memory device

Номер патента: US20080089104A1. Автор: Hiroyasu Tanaka,Ryota Katsumata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-17.

Method of inputting address in nonvolatile memory device and method of operating the nonvolatile memory device

Номер патента: US20090290433A1. Автор: Young Soo Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-11-26.

Resistive memory device and method of operating the resistive memory device

Номер патента: US20240005989A1. Автор: In Ku Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Resistive memory device and method of operating the resistive memory device

Номер патента: US11804265B2. Автор: In Ku Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US11557355B2. Автор: Han Soo Joo,Sung Hoon Cho,Jae Sung Sim,Se Kyoung Choi,Hee Chang CHAE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-01-17.

Semiconductor memory device and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20220406803A1. Автор: Ayumu OZAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-12-22.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20240021248A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Method for and Flash Memory Device Having Improved Read Performance

Номер патента: US20130051154A1. Автор: Oron Michael. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2013-02-28.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20210319830A1. Автор: Hyun Kyu Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-10-14.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20210241838A1. Автор: Han Soo Joo,Sung Hoon Cho,Jae Sung Sim,Se Kyoung Choi,Hee Chang CHAE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-05.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20220180951A1. Автор: Han Soo Joo,Sung Hoon Cho,Jae Sung Sim,Se Kyoung Choi,Hee Chang CHAE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-06-09.

Nonvolatile memory device including power gating circuit and input/output circuit of a nonvolatile memory device

Номер патента: US20230410917A1. Автор: Seunghoon Lee,Youngdon CHOI,Junghwan Choi,Hojun Yoon,Youngchul Cho,Jinha Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-21.

Memory system and method of accessing a semiconductor memory device

Номер патента: US8027194B2. Автор: Wonmoon Cheon,Jong Tae Park,Wonhee CHO,Seung-Duk Cho,Jaehoon Heo,Yang-Sup Lee,Hojun Shim,Jaesoo Lee,Kangho Roh,Youngjoon Choi,Je-Hyuck SONG,Seontaek Kim,Moonwook Oh,Chanik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-27.

Semiconductor memory device maintaining verification data during program suspend, and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US11791002B2. Автор: Yeong Jo MUN,Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Sonos memory device and method of operating a sonos memory device

Номер патента: EP2024978A2. Автор: Robertus T. F. Van Schaijk,Michiel J. Van Duuren,Nader Akil. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2009-02-18.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20210158848A1. Автор: Ja Yoon Goo,Sung Hwa Ok. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-05-27.

Methods for programming a memory device and memory devices

Номер патента: US20120224429A1. Автор: Giovanni Santin,Violante Moschiano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-09-06.

Sonos memory device and method of operating a sonos memory device

Номер патента: WO2007135632A3. Автор: Schaijk Robertus T F Van,Nader Akil,Duuren Michiel J Van. Владелец: Duuren Michiel J Van. Дата публикации: 2008-03-13.

Method for controlling resistive memory device

Номер патента: US20180182455A1. Автор: Takayuki Tsukamoto,Koichiro ZAITSU. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-06-28.

Method for controlling resistive memory device

Номер патента: US10199101B2. Автор: Takayuki Tsukamoto,Koichiro ZAITSU. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-02-05.

Semiconductor Device and Method of Controlling Non-Volatile Memory Device

Номер патента: US20150032949A1. Автор: Seiji Miura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2015-01-29.

Memory device with a strained base layer and method of manufacturing such a memory device

Номер патента: WO2007034376A2. Автор: Pablo Garcia Tello,Robertus T. F. Van Schaijk,Michiel Slotboom. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2007-03-29.

Non-volatile memory programming circuit and a method of programming non-volatile memory devices

Номер патента: US11894061B2. Автор: Thomas DALGATY. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-02-06.

A non-volatile memory programming circuit and a method of programming non-volatile memory devices

Номер патента: EP4092674A1. Автор: Thomas DALGATY. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2022-11-23.

Method for operating semiconductor memory device

Номер патента: US8351277B2. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-01-08.

Semiconductor memory device employing processing in memory (PIM) and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US11822898B2. Автор: Seongil O,Shinhaeng KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor memory device employing processing in memory (pim) and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20240036820A1. Автор: Seongil O,Shinhaeng KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-01.

One-time programmable (OTP) memory device and method of operating an OTP memory device

Номер патента: US11882696B2. Автор: Jinwoo Park,Hoonsung CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-23.

Semiconductor memory device employing processing in memory (pim) and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: EP4379608A2. Автор: Seongil O,Shinhaeng KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-05.

Nonvolatile memory devices and methods of reading the nonvolatile memory devices

Номер патента: US20210090664A1. Автор: Hyun Min Song. Владелец: SK Hynix System IC Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Resistive memory device and method of manufacturing the resistive memory device

Номер патента: US20190341545A1. Автор: Myung Sun Song,Hyuck Sang YIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-11-07.

Programming method for non-volatile memory device

Номер патента: US20090213652A1. Автор: Yeong-Taek Lee,Ki-tae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-08-27.

Method for manufacturing a memory device and memory device manufactured through the same method

Номер патента: US11943938B2. Автор: Paolo Tessariol,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Method for producing a memory device having a phase change film and reset gate

Номер патента: US10026893B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-07-17.

Systems and methods for improved data access speed

Номер патента: US11875843B2. Автор: Sanjeev Kumar Jain. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-16.

Memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240105258A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Systems and Methods for Improved Data Access Speed

Номер патента: US20240071481A1. Автор: Sanjeev Kumar Jain. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Systems and Methods for Improved Data Access Speed

Номер патента: US20220068374A1. Автор: Sanjeev Kumar Jain. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD FOR CONTROLLING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140056057A1. Автор: Ozawa Takashi. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2014-02-27.

Semiconductor memory device and method for reading semiconductor memory device

Номер патента: JPWO2004075199A1. Автор: 賢治永井,悟川本,永井　賢治,川本　悟. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-06-01.

Bitline precharge system for a semiconductor memory device

Номер патента: US11776623B2. Автор: Ankur Gupta,Parvinder Kumar Rana,Lava Kumar PULLURU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Bitline precharge system for a semiconductor memory device

Номер патента: US20220366970A1. Автор: Ankur Gupta,Parvinder Kumar Rana,Lava Kumar PULLURU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-11-17.

Bitline precharge system for a semiconductor memory device

Номер патента: US20220108744A1. Автор: Ankur Gupta,Parvinder Kumar Rana,Lava Kumar PULLURU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-07.

Memory device having a negative voltage circuit

Номер патента: US11929116B2. Автор: Yen-Huei Chen,Chih-Yu Lin,Hidehiro Fujiwara,Yi-Hsin Nien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Method and device for operating a memory device

Номер патента: US20240161820A1. Автор: Tobias Kirchner,Taha Soliman. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-05-16.

Memory device having a negative voltage circuit

Номер патента: US20240212749A1. Автор: Yen-Huei Chen,Chih-Yu Lin,Hidehiro Fujiwara,Yi-Hsin Nien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Apparatus and method for testing semiconductor memory devices, capable of selectively changing frequencies of test pattern signals

Номер патента: US20050050409A1. Автор: Sung-Bum Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-03-03.

Method for testing semiconductor memory device and test circuit for semiconductor memory device

Номер патента: KR100557517B1. Автор: 이토무네히로. Владелец: 엔이씨 일렉트로닉스 가부시키가이샤. Дата публикации: 2006-03-03.

A memory device and method of operating such a memory device

Номер патента: TWI467572B. Автор: Winkelhoff Nicolaas Klarinus Johannes Van,Denis Rene Andre Dufourt. Владелец: Advanced Risc Mach Ltd. Дата публикации: 2015-01-01.

Nonvolatile semiconductor memory device and data erasing method for nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: JP3159152B2. Автор: 宏治金森. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-04-23.

A memory device and method of operating such a memory device

Номер патента: TWI463504B. Автор: Winkelhoff Nicolaas Klarinus Johannes Van,Denis Rene Andre Dufourt,Sebastien Nicolas Ricavy,Christophe Denis Lucien Frey,Vincent Philippe Schuppe. Владелец: Advanced Risc Mach Ltd. Дата публикации: 2014-12-01.

Memory device and method of operation of the memory device

Номер патента: KR20220165469A. Автор: 이찬호,김형철,최규원,최태민. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-12-15.

Method for testing semiconductor memory device and test circuit for semiconductor memory device

Номер патента: CN1525490A. Автор: 伊藤宗广. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2004-09-01.

Method for testing semiconductor memory device and test circuit for semiconductor memory device

Номер патента: US20040117696A1. Автор: Munehiro Ito. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-06-17.

Method for testing memory device

Номер патента: US7307903B2. Автор: Young Bo Shim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-12-11.

Nonvolatile semiconductor memory device having defect detection circuit and defect detection method of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: JP5486948B2. Автор: 義和黒田. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-05-07.

NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR TESTING NONVOLATILE MEMORY DEVICE USING VARIABLE RESISTANCE MATERIAL

Номер патента: US20150124515A1. Автор: LIM Ki-Won,JUNG MOON-KI. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-07.

Nonvolatile memory device and method for verifying nonvolatile memory device

Номер патента: JP4346482B2. Автор: 正和天内,雅彦樫村,洋文大賀. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-10-21.

Semiconductor memory device and method for controlling semiconductor memory device

Номер патента: JP3967526B2. Автор: 博之菅本,和樹小川. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-08-29.

Apparatuses and methods for operating a memory device

Номер патента: US20130117604A1. Автор: Chang Wan Ha. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-05-09.

METHOD OF TESTING NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANAGING NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150063030A1. Автор: Park Sang-In,KANG Dong-Ku,KIM Boh-Chang,NAM Bu-il. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-05.

Method for testing a memory device, test unit for testing a memory device and memory device

Номер патента: US20070025167A1. Автор: Andreas Kux,Detlev Richter,Marco Ziegelmayer,Mirko Reissmann. Владелец: Qimonda Flash GmbH. Дата публикации: 2007-02-01.

Performing block-level media management operations for block stripes in a memory device

Номер патента: US12062401B2. Автор: Yang Liu,Wei Wang,Charles See Yeung Kwong,Seungjune Jeon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor memory device and method for testing semiconductor memory device

Номер патента: JP5665263B2. Автор: 勝太郎小林,透石川,石川　透. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2015-02-04.

Performing block-level media management operations for block stripes in a memory device

Номер патента: US20240062839A1. Автор: Yang Liu,Wei Wang,Charles See Yeung Kwong,Seungjune Jeon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Column repair circuit and method of using nonvolatile ferroelectric memory device

Номер патента: US20020186600A1. Автор: Hee Kang,Geun Lee,Duck Kim,Hun Kye,Je Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-12-12.

Method for estimating and reporting the life expectancy of flash-disk memory

Номер патента: US7512847B2. Автор: Itzhak Pomerantz,Avraham Meir,Eyal Bychkov,Alon Ziegler. Владелец: Sandisk IL Ltd. Дата публикации: 2009-03-31.

MEMORY DEVICE, METHOD OF GENERATING LOG OF COMMAND SIGNALS/ADDRESS SIGNALS OF MEMORY DEVICE, AND METHOD OF ANALYZING ERRORS OF MEMORY DEVICE

Номер патента: US20160172060A1. Автор: KIM Kwang-Hyun. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-16.

Semiconductor Memory Device Supporting Read Data Bus Inversion Function and Method of Testing the Semiconductor Memory Device

Номер патента: US20100122130A1. Автор: Gil-Shin Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-05-13.

Method for testing a memory device and memory device for carrying out the method

Номер патента: DE102004039393B4. Автор: Sven Boldt. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-04-17.

Reprogrammable built-in-self-test integrated circuit and test method for the same

Номер патента: US7673200B2. Автор: Hsun-Yao Jan,Ting-Han Su,Cheng-Fang Yang. Владелец: Asix Electronics Corp. Дата публикации: 2010-03-02.

Memory device and method for automatically repairing a defective memory cell in the memory device and method for accessing a memory device

Номер патента: TWI220257B. Автор: Minfu Li,Ming-Nan Yen,Koug-Mou Liou. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-11.

Device Aware Test for Memory Units

Номер патента: NL2023751B1. Автор: Hamdioui Said,TAOUIL Mottaqiallah. Владелец: Univ Delft Tech. Дата публикации: 2021-05-12.

Systems and methods for programming a memory device

Номер патента: US8369140B2. Автор: Wen-Jer Tsai,Chih-Chieh Yeh,Yi-Ying Liao. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-02-05.

Systems and methods for programming a memory device

Номер патента: US20070081390A1. Автор: Yi Liao,Chih Yeh,Wen Tsai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-12.

Systems and methods for programming a memory devic

Номер патента: TWI354991B. Автор: Chih Chieh Yeh,Wen Jer Tsai,Yi Ying Liao. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-21.

Semiconductor memory device and control method for the semiconductor memory device

Номер патента: US20070011512A1. Автор: Makoto Arita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-11.

Fixed voltage sensing in a memory device

Номер патента: US20200357456A1. Автор: Adam D. Johnson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-12.

Ferroelectric memory device, method for driving ferroelectric memory device, electronic device, and method for driving electronic device

Номер патента: JP4228395B2. Автор: 泰彦村上. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-02-25.

Magnetic memory device, method for writing magnetic memory device and method for reading magnetic memory device

Номер патента: US20070258283A1. Автор: Masaki Aoki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-11-08.

Self-referenced memory device and method using spin-orbit torque for reduced size

Номер патента: US9818465B2. Автор: Sebastien Bandiera. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY SA. Дата публикации: 2017-11-14.

Memory device and method for automatically repairing a defective memory cell in the memory device and method for accessing a memory device

Номер патента: TW200401304A. Автор: Minfu Li,Ming-Nan Yen,Koug-Mou Liou. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2004-01-16.

Sense amplifier circuit, memory device, method for determining a state value of a resistive memory cell and method for operating a memory device

Номер патента: US20190259451A1. Автор: Ulrich Loibl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-08-22.

Sense amplifier circuit, memory device using the circuit and method for reading the memory device

Номер патента: KR20000048350A. Автор: 야마다준이찌. Владелец: 닛본 덴기 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2000-07-25.

Semiconductor memory device for resetting counter synchronized with data clock by using reset signal synchronized with system clock and method for operating the same

Номер патента: US10861515B2. Автор: Sang-Sic Yoon,Young-jun Yoon,Kang-Sub Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-08.

Sense amplifier circuit, memory device using the circuit and method for reading the memory device

Номер патента: TW451206B. Автор: Junichi Yamada. Владелец: Nippon Electric Co. Дата публикации: 2001-08-21.

Sense amplifier circuit, memory device, method for determining a state value of a resistive memory cell and method for operating a memory device

Номер патента: US20190259451A1. Автор: Ulrich Loibl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-08-22.

Sense amplifier circuit, memory device, method for determining a state value of a resistive memory cell and method for operating a memory device

Номер патента: US10685706B2. Автор: Ulrich Loibl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-06-16.

Memory cell block, manufacturing method therefor, memory device, and method for driving a memory device

Номер патента: WO2012033106A1. Автор: 下田　達也,永輔 ▲徳▼光,毅明宮迫,グウエンクオツチンブイ. Владелец: 独立行政法人科学技術振興機構. Дата публикации: 2012-03-15.

METHOD FOR FORMING PATTERNS AND METHOD FOR MANUFACTURING MAGNETIC MEMORY DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20170062709A1. Автор: Park Jongchul,Kim Inho,OH Jung-Ik,BAEK Gwang-Hyun,Kim Jong-Kyu,KIM Sang-Kuk. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-02.

MAGNETORESISTIVE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING MAGNETORESISTIVE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200083443A1. Автор: MATSUO Kouji,ITO Yuichi. Владелец: Toshiba Memory Corporation. Дата публикации: 2020-03-12.

MEMORY DEVICE, MEMORY SYSTEM INCLUDING THE MEMORY DEVICE, AND METHOD FOR OPERATING THE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200202932A1. Автор: YOU Byoung Sung. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-25.

SELF-REFERENCED MEMORY DEVICE AND METHOD FOR OPERATING THE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20160232958A1. Автор: Bandiera Sebastien. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-11.

MAGNETIC PROPERTY MEASURING SYSTEMS, METHODS FOR MEASURING MAGNETIC PROPERTIES, AND METHODS FOR MANUFACTURING MAGNETIC MEMORY DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20210264957A1. Автор: KIM Juhyun,Noh Eunsun,PI Ung Hwan. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-08-26.

MAGNETIC PROPERTY MEASURING SYSTEMS, METHODS FOR MEASURING MAGNETIC PROPERTIES, AND METHODS FOR MANUFACTURING MAGNETIC MEMORY DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20190295616A1. Автор: KIM Juhyun,Noh Eunsun,Pl Ung Hwan,VAJDA Ferenc Z,MAFHOUM Rachid. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-26.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD FOR READING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20180301180A1. Автор: SANO SEISHI. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-18.

Magnetic property measuring systems, methods for measuring magnetic properties, and methods for manufacturing magnetic memory devices using the same

Номер патента: EP3543721A1. Автор: Juhyun Kim,Ung Hwan Pi,Eunsun Noh,Ferenc Z VAJDA,Rachid MAFHOUM. Владелец: Microsense LLC. Дата публикации: 2019-09-25.

Semiconductor memory device and method for controlling semiconductor memory device

Номер патента: JP4467565B2. Автор: 光洋長尾. Владелец: スパンションエルエルシー. Дата публикации: 2010-05-26.

Magnetic memory device and method for manufacturing magnetic memory device

Номер патента: CN115084355A. Автор: 吉野健一. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-20.

Data compression circuit and method for testing embedded memory devices

Номер патента: US6311299B1. Автор: Layne G. Bunker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-10-30.

Memory system and method for controlling a memory device to achieve various characteristics on one and the same memory device

Номер патента: DE102004053602B4. Автор: Thomas Dr. Happ,Ralf Dr. Symanczyk,Michael Dr. Kund. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-02-22.

Semiconductor memory device, data recording device, and method for controlling semiconductor memory device

Номер патента: JP4375572B2. Автор: 晋一深田. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-12-02.

Non-volatile memory device and method for operating the memory device

Номер патента: US20080155364A1. Автор: Sang-Won Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-26.

Architecture and method for NAND memory operation

Номер патента: US11901023B2. Автор: Haibo Li,Changhyun LEE,XiangNan Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Resistive memory device, resistive memory system, and operating method thereof

Номер патента: US20160099052A1. Автор: Dae-Seok Byeon,Man Chang,Yeong-Taek Lee,Yong-kyu Lee,In-Gyu Baek,Lijie Zhang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-04-07.

Magnetic memory cell with low-resistive electrode via and method of forming same

Номер патента: US11778918B2. Автор: Hsiang-Ku Shen,Dian-Hau Chen,Liang-Wei WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Architecture and method for nand memory operation

Номер патента: EP4244894A1. Автор: Haibo Li,Changhyun LEE,XiangNan Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-20.

Data line management in a memory device

Номер патента: US20110261624A1. Автор: Andrew Bicksler. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-10-27.

Managing defective blocks during multi-plane programming operations in memory devices

Номер патента: US20240071528A1. Автор: Robert W. Mason,Scott Anthony Stoller,Pitamber Shukla,Ekamdeep Singh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Method for manufacturing memory device

Номер патента: US20240090238A1. Автор: Erh-Kun Lai,Feng-Min Lee,Yu-Hsuan Lin,Ming-Hsiu Lee,Po-Hao Tseng,Dai-Ying LEE. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Data line management in a memory device

Номер патента: US20120281474A1. Автор: Andrew Bicksler. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-11-08.

APPARATUSES AND METHODS FOR OPERATING A MEMORY DEVICE

Номер патента: US20160035436A1. Автор: Ha Chang Wan. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-04.

Systems and methods for a magnetic memory device that includes two word line transistors

Номер патента: US7203089B1. Автор: ChiaHua Ho. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-10.

Systems and methods for sensing in memory devices

Номер патента: US8773913B1. Автор: Vijay Raghavan,Cristinel Zonte. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2014-07-08.

Systems and methods for programming a memory device

Номер патента: US8223553B2. Автор: Chih Chieh Yeh,Wen Jer Tsai,Yi Ying Liao. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-17.

MEMORY DEVICE AND A METHOD FOR FORMING THE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210005251A1. Автор: Tan Shyue Seng,Toh Eng Huat,TAN Juan Boon,Wang Lanxiang. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-07.

Nonvolatile memory device using resistance material and method of driving the nonvolatile memory device

Номер патента: US20140119094A1. Автор: Yeong-Taek Lee,Sung-Yeon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-01.

NONVOLATILE MEMORY DEVICE INCLUDING PAGE BUFFER AND METHOD OF OPERATING THE NONVOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170256309A1. Автор: YOON HYUN-JUN. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-07.

MAGNETIC MEMORY DEVICE AND WRITING METHOD FOR THE MAGNETIC MEMORY DEVICE

Номер патента: US20190279700A1. Автор: FUJIMORI Takeshi. Владелец: Toshiba Memory Corporation. Дата публикации: 2019-09-12.

Non-volatile memory device and method of reading non-volatile memory device

Номер патента: KR102412781B1. Автор: 박상수,심동교,이지상. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-06-24.

METHOD FOR OPERATING A MEMORY DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: FR2916085A1. Автор: Seungwon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-11-14.

Nonvolatile memory device and system, and method of programming a nonvolatile memory device

Номер патента: US20110044104A1. Автор: Dong-ku Kang,Hyeong-Jun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-02-24.

METHOD FOR OPERATING A MEMORY DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: FR2916085B1. Автор: Seungwon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-09-28.

Resistive memory device having array of probes and method of manufacturing the resistive memory device

Номер патента: US7687838B2. Автор: Ju-Hwan Jung,Hyoung-Soo Ko,Eun-Sik Kim,Hong-Sik Park,Kyoung-lock Baeck,Chul-min Park,Seung-bum Hong,Dong-ki Min,Sung-Dong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-03-30.

Method for driving ferroelectric memory device, ferroelectric memory device and electronic apparatus

Номер патента: JP4626832B2. Автор: 光宏山村. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2011-02-09.

Memory device and method of programming data in memory device

Номер патента: KR101436506B1. Автор: 김재홍,김용준,조경래,공준진,손홍락. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2014-09-02.

Circuit and row redundancy method for semiconductor memory device with double row decoder.

Номер патента: FR2712721A1. Автор: Oh Seung-Cheol. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1995-05-24.

A semiconductor memory device and method of operating a semiconductor memory device

Номер патента: DE102006001492B4. Автор: Nimrod Ben-Ari,Ifat Nitzan. Владелец: Qimonda Flash GmbH. Дата публикации: 2008-09-11.

Nonvolatile memory device and system, and method of programming a nonvolatile memory device

Номер патента: US8355279B2. Автор: Kitae Park,Sangyong Yoon,Jinman Han,Joon Young Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-01-15.

Magnetic stack structure, magnetic memory device and the method for operating magnetic memory device

Номер патента: CN109713117A. Автор: 郑在佑,S.S.P.帕金,M.G.萨曼特. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-03.

A memory device and a method for configuring a memory device

Номер патента: EP3772064A1. Автор: Hyungrock OH. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-02-03.

Self-repair method for non volatile memory device with erasing/programming failure detection, and non volatile memory device therefor

Номер патента: EP1365419A1. Автор: Rino Micheloni,Aldo Losavio. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2003-11-26.

A semiconductor memory device and method of manufacturing a semiconductor memory device

Номер патента: DE102005009511B3. Автор: Günter Dr. Schmid,Florian Eder,Marcus Dr. Halik,Hagen Dr. Klauk. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-12-14.

Resistive memory device having array of probes and method of manufacturing the resistive memory device

Номер патента: CN1770456A. Автор: 朴弘植,朴哲民,金恩植,白庚录,丁柱焕,高亨守,洪承范,闵桐基,金成栋. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-10.

Method for controlled erasing memory devices, in particular analog and multi-level flash-EEPROM devices

Номер патента: US6091642A. Автор: Roberto Canegallo,Marco Pasotti,Frank Lhermet,Pierluigi Rolandi,Giovanni Guaitini,Ernestina Chioffi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2000-07-18.

Apparatus and method implementing repairs on a memory device

Номер патента: US6032264A. Автор: Eugene H. Cloud,Warren M. Farnworth,William K. Waller,Ray J. Beffa,Lee R. Nevill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-02-29.

Resistive Memory Device and Methods of Operating the Resistive Memory Device

Номер патента: KR102140785B1. Автор: 이용규,이영택,변대석,박현국,권효진. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2020-08-03.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of controlling nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20110235413A1. Автор: Takeshi Kamigaichi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-29.

Method for programming a memory device suitable to minimize floating gate coupling and memory device

Номер патента: US7688633B2. Автор: Andrea Martinelli,Stefan Schippers,Marco Onorato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-03-30.

Memory device and a method for operating the same

Номер патента: US11942162B2. Автор: Hyung Soo Kim,Jong Min Kim,Dae Han Kim,Myoung Won YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-26.

SYSTEM AND METHOD OF TESTING AND IDENTIFYING MEMORY DEVICES

Номер патента: US20160155514A1. Автор: ZHANG LEI,Lai Bosco Chun Sang,Chang Sunny Lai-Ming,Chiu Eric Sin Kwok,Cao Xiaoyi,Tian Frank Xiaoyong,Ren Jiyi,Zhou Shaodong. Владелец: KINGTIGER TECHNOLOGY (CANADA) INC.. Дата публикации: 2016-06-02.

Method for MRAM top electrode connection

Номер патента: US11910619B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Hung Cho Wang,Sheng-Chang Chen,Sheng-Huang Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

METHOD FOR TESTING A MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200234752A1. Автор: STREET Terry L.,Rodriguez Alberto,Silvestri Markus R.,Caporale Christopher P.. Владелец: XEROX CORPORATION. Дата публикации: 2020-07-23.

METHOD FOR MANUFACTURING MAGNETIC MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170263675A1. Автор: Park Jongchul. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-14.

Method for fabricating resistance memory device

Номер патента: KR101127236B1. Автор: 성민규. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2012-03-29.

A method for testing a memory device

Номер патента: KR100557948B1. Автор: 김태윤. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-03-10.

Method and system for repairing faulty cells of memory device

Номер патента: US20230019575A1. Автор: Ankit Gupta,Adrita Barari,Helik Kanti Thacker,Deokgu Yoon,Keerthi Kiran Jagannathachar,Atishay Kumar,Damini. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-19.

Methods for memory power management and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20210035617A1. Автор: Gregory A. King,George E. Pax,Chan H. Yoo,Randon K. Richards,Timothy M. Hollis,Eric J. Stave,Yogesh Sharma. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Three-dimensional memory device with word lines extending through sub-arrays, semiconductor device including the same and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230345732A1. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Sheng-Chen Wang,Han-Jong Chia,Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Memory device and method for performing cache program on memory device

Номер патента: US20240221838A1. Автор: Bo Li,Xiaojiang Guo,Jinchi HAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Apparatus and method for use of memory devices for audio

Номер патента: EP1709541A4. Автор: Yam Fei Lian,Chin Fang Lim. Владелец: CREATIVE TECHNOLOGY LTD. Дата публикации: 2007-09-12.

Memory device and method for operating and controlling the same

Номер патента: US20110208883A1. Автор: Sang-Sic Yoon,Jinyeong MOON. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-08-25.

Three-dimensional memory device and method for enhanced page register reset

Номер патента: US20240134573A1. Автор: Xiang Ming ZHI,Augustus TSAI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-25.

Memory device, method for programming memory device, program verification method and memory system

Номер патента: US20230148366A1. Автор: Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Method for initializing memory device

Номер патента: US20110116331A1. Автор: Cheng-Che Tsai,Pu-Jen Cheng. Владелец: Himax Technologies Ltd. Дата публикации: 2011-05-19.

Top electrode last scheme for memory cell to prevent metal redeposit

Номер патента: US20230380304A1. Автор: Chung-Yen Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Top electrode last scheme for memory cell to prevent metal redeposit

Номер патента: US11800818B2. Автор: Chung-Yen Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Cross-temperature compensation in non-volatile memory devices

Номер патента: US20240202071A1. Автор: Andrea Giovanni Xotta,Umberto Siciliani. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Adaptive optimization of error-handling flows in memory devices

Номер патента: US20240053893A1. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Jay Sarkar,Ipsita Ghosh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Control method for nonvolatile memory device with vertically stacked structure

Номер патента: US9218853B2. Автор: Chrong-Jung Lin,Hsin-Wei Pan. Владелец: Lite On Technology Corp. Дата публикации: 2015-12-22.

Control method for nonvolatile memory device with vertically stacked structure

Номер патента: US20150187398A1. Автор: Chrong-Jung Lin,Hsin-Wei Pan. Владелец: Lite On IT Corp. Дата публикации: 2015-07-02.

Semiconductor circuit and operating method for the same

Номер патента: US20200027488A1. Автор: Yu-Hsuan Lin,Chao-Hung Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-23.

Memory device and asynchronous multi-plane independent read operation thereof

Номер патента: WO2022204850A1. Автор: Lei Shi,Bo Li,Yanlan Liu,Jialiang DENG,Zhuqin DUAN,Yuesong Pan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-10-06.

Operating method for semiconductor circuit

Номер патента: US11594266B2. Автор: Yu-Hsuan Lin,Chao-Hung Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-28.

Memory device and asynchronous multi-plane independent read operation thereof

Номер патента: US11756629B2. Автор: Lei Shi,Bo Li,Yanlan Liu,Jialiang DENG,Zhuqin DUAN,Yuesong Pan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Memory device and asynchronous multi-plane independent read operation thereof

Номер патента: US11763892B2. Автор: Lei Shi,Bo Li,Yanlan Liu,Jialiang DENG,Zhuqin DUAN,Yuesong Pan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Apparatuses and methods of operating for memory endurance

Номер патента: EP2751659A4. Автор: Chandra C Varanasi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-04-22.

Programming in a memory device

Номер патента: US20110255343A1. Автор: Giulio G. Marotta,Giovanni Santin,Violante Moschiano,Marco-Domenico Tiburzi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-10-20.

Program method for flash memory capable of compensating for the reduction of read margin between states

Номер патента: US20070171709A1. Автор: Young-Ho Lim,Sang-Gu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-07-26.

Control circuit of flash memory device and method of operating the flash memory device

Номер патента: TW200847167A. Автор: Seok-Jin JOO. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-12-01.

High-performance input buffer and memory device having the same

Номер патента: EP4200850A1. Автор: Hang Song,Sangoh Lim,Gyuwan Kwon. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-28.

Phase change random access memory device

Номер патента: US11765988B2. Автор: Yu-Chuan Hsu,Chun-Hsu YEN,Chen-Hui YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Phase change random access memory device

Номер патента: US12089513B2. Автор: Yu-Chuan Hsu,Chun-Hsu YEN,Chen-Hui YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Circuit of page buffer and method of programming for memory device

Номер патента: KR100769770B1. Автор: 성진용. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-10-23.

Providing time-stamps for a memory device and method for managing the same

Номер патента: US11599273B2. Автор: Alberto Troia,Vincenzo Reina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-07.

Memory device and method for managing the same

Номер патента: WO2020157529A1. Автор: Alberto Troia,Vincenzo Reina. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-08-06.

Memory device and method for managing the same

Номер патента: EP3918600A1. Автор: Alberto Troia,Vincenzo Reina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-08.

Memory device and method for managing the same

Номер патента: US20210342074A1. Автор: Alberto Troia,Vincenzo Reina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-04.

Memory device and method for thermoelectric heat confinement

Номер патента: US20160104529A1. Автор: Daniel Krebs,Aravinthan Athmanathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-04-14.

Erase handling method for non-volatile memory device and electronic apparatus thereof

Номер патента: TW200845693A. Автор: Yu-Cheng Hsieh,Bing-Yu Wang. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2008-11-16.

A non-volatile memory programming circuit and a method of programming non-volatile memory devices

Номер патента: EP4092674B1. Автор: Thomas DALGATY. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2024-08-07.

Memory device and method for operating memory device

Номер патента: US20180166136A1. Автор: Mu Hui Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-14.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US11908517B2. Автор: Kuo-Chiang Hung. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US20240145000A1. Автор: Kuo-Chiang Hung. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

APPARATUSES AND METHODS OF OPERATING FOR MEMORY ENDURANCE

Номер патента: US20130311714A1. Автор: Varanasi Chandra C.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-11-21.

APPARATUSES AND METHODS OF OPERATING FOR MEMORY ENDURANCE

Номер патента: US20140337564A1. Автор: Varanasi Chandra C.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-11-13.

Memory circuit, method for operating a memory circuit, memory device and method for producing a memory device

Номер патента: US7522444B2. Автор: Heinz Hoenigschmid,Rainer Bruchhaus,Corvin Liaw. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2009-04-21.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US11963363B2. Автор: Yu-Ming Lin,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Selection gate structure and fabrication method for 3d memory

Номер патента: WO2023014776A1. Автор: Tomohiko Kitajima,Gill Yong Lee,Sung-Kwan Kang,Chang Seok Kang. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-02-09.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: EP3940778A1. Автор: Yu-Ming Lin,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-19.

Data storage device, operating method thereof and method for operating nonvolatile memory device

Номер патента: US20190155543A1. Автор: Jin Soo Kim,Soong Sun SHIN,Han Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-05-23.

Page buffer circuit, nonvolatile memory device including the page buffer circuit, and method of operating the nonvolatile memory device

Номер патента: US20100142277A1. Автор: Sam Kyu Won,Chang Won YANG,Cheul Hee Koo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-06-10.

Memory device for reading and writing data, including semi-shared sense amplifier and global read line architecture, and method for driving the memory device

Номер патента: KR101090040B1. Автор: 창 호 정,즈친 천. Владелец: 퀄컴 인코포레이티드. Дата публикации: 2011-12-07.

Data storage device, operating method thereof and method for operating nonvolatile memory device

Номер патента: US10514866B2. Автор: Jin Soo Kim,Soong Sun SHIN,Han Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-12-24.

3D NAND memory device and method of forming the same

Номер патента: US11825656B2. Автор: Ming Wang,Yali SONG,Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Line voltage boost system and method for non-volatile memory devices and memory devices and processor-based system using same

Номер патента: US8937836B2. Автор: Giovanni Santin,Violante Moschiano,Ercole Di Iorio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-01-20.

Phase change memory device, system including the memory device, and method for operating the memory device

Номер патента: US20210193220A1. Автор: Davide Manfre,Maurizio Francesco Perroni,Fabio Enrico Carlo Disegni,Cesare Torti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-06-24.

Word line voltage boost system and method for non-volatile memory devices and memory devices and processor-based system using same

Номер патента: US20110170359A1. Автор: Giovanni Santin,Violante Moschiano,Ercole Di lorio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-07-14.

Word Line Voltage Boost System and Method for Non-Volatile Memory Devices and Memory Devices and Processor-Based System Using Same

Номер патента: US20100128534A1. Автор: Giovanni Santin,Violante Moschiano,Ercole Di Iorio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-05-27.

MEMORY CONTROLLER AND METHOD FOR CONTROLLING A MEMORY DEVICE TO PROCESS ACCESS REQUESTS ISSUED BY AT LEAST ONE MASTER DEVICE

Номер патента: US20160034406A1. Автор: AGARWAL Neha,Udipi Aniruddha Nagendran,Hansson Andreas. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-04.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210091111A1. Автор: Yabuki Moto. Владелец: Kioxia Corporation. Дата публикации: 2021-03-25.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD FOR CONTROLLING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200091174A1. Автор: Aochi Hideaki,Kondo Masaki,HIGASHI Yusuke,TOKUHIRA Hiroki,SANUKI Tomoya,HORII Hideto. Владелец: Toshiba Memory Corporation. Дата публикации: 2020-03-19.

3D MEMORY DEVICE AND METHOD FOR FORMING 3D MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200098781A1. Автор: Xiao Li Hong. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-26.

LINE VOLTAGE BOOST SYSTEM AND METHOD FOR NON-VOLATILE MEMORY DEVICES AND MEMORY DEVICES AND PROCESSOR-BASED SYSTEM USING SAME

Номер патента: US20140204674A1. Автор: Moschiano Violante,Santin Giovanni,Di Iorio Ercole. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-07-24.

PHASE CHANGE MEMORY DEVICE, SYSTEM INCLUDING THE MEMORY DEVICE, AND METHOD FOR OPERATING THE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210193220A1. Автор: Perroni Maurizio Francesco,TORTI Cesare,DISEGNI Fabio Enrico Carlo,Manfré Davide. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-24.

Memory device and method for controlling the memory device

NONVOLATILE MEMORY DEVICE, MEMORY SYSTEM INCLUDING THE SAME AND METHOD FOR DRIVING NONVOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150287455A1. Автор: PARK HYUN-KOOK. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-08.

ERASE CONTROL CIRCUIT AND METHOD OF NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, AND NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200286565A1. Автор: BAYLE Mathias Yves Gilbert. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation. Дата публикации: 2020-09-10.

Semiconductor memory device and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20220406803A1. Автор: Ayumu OZAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-12-22.

Memory device and method for controlling the memory device

Номер патента: KR102471567B1. Автор: 요타로 모리,마코토 기타가와,준 오쿠노,하루히코 데라다. Владелец: 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤. Дата публикации: 2022-11-29.

method for forming silicon quantum dot and method for fabricating novolatile memory device using the same

Номер патента: KR100386614B1. Автор: 김일권. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-06-02.

Semiconductor memory device and method for controlling semiconductor memory device

Номер патента: JP2014505941A. Автор: 隆司常広,彬史鈴木. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2014-03-06.

Memory device and method for driving the memory device

Номер патента: CN1265460C. Автор: 金炫助,柳寅儆,徐顺爱. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-07-19.

Semiconductor memory device and method for operating semiconductor memory device

Номер патента: CN114121118A. Автор: 寺田圭佑,高桥荣悦. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-01.

Data input circuit and method for synchronous semiconductor memory device

Номер патента: US7016237B2. Автор: Jung-Bae Lee,One-gyun La. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-03-21.

Memory device and method for operating the memory device

Номер патента: US7283395B2. Автор: Marco Ziegelmayer. Владелец: Qimonda Flash GmbH. Дата публикации: 2007-10-16.

Memory device and method for operating a memory device

Номер патента: DE102015122907A1. Автор: Tommasso Bacigalupo. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-06-29.

3D memory device and method for forming 3D memory device

Номер патента: US10608013B1. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-31.

Semiconductor memory device and method for driving semiconductor memory device

Номер патента: US8072806B2. Автор: Satoshi Torii. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-12-06.

Memory device and method for fabricating a memory device

Номер патента: EP2092528B1. Автор: Gerhard Meyer,Jascha Repp. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-10-10.

3d memory device and method for forming 3d memory device

Номер патента: EP3811410B1. Автор: Lihong Xiao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-21.

System and method for controlling semiconductor memory device including multiple charge storage regions

Номер патента: US10872900B2. Автор: Masaki Kondo,Hideaki Aochi,Tomoya Sanuki,Hideto Horii,Yusuke Higashi,Hiroki TOKUHIRA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-12-22.

Semiconductor memory device and method for controlling semiconductor memory device

Номер патента: US20200091174A1. Автор: Masaki Kondo,Hideaki Aochi,Tomoya Sanuki,Hideto Horii,Yusuke Higashi,Hiroki TOKUHIRA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Performing selective copyback in memory devices

Номер патента: US11887681B2. Автор: Ashutosh Malshe,Vamsi Rayaprolu,Gary Besinga,Roy Leonard. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Method and device for operating a nonvolatile memory device

Номер патента: US20220137861A1. Автор: Axel Aue. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2022-05-05.

Methods for manufacturing and operating a memory device and a method for operating a system having the same

Номер патента: US20160005454A1. Автор: Young Jin Cho,Kui Yon MUN,Young Kwang YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-01-07.

A memory controller and method for controlling a memory device to process access requests issued by at least one master device

Номер патента: GB2529045B. Автор: AGARWAL Neha,Hansson Andreas,Nagendran Udipi Aniruddha. Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2016-12-28.

A memory controller and method for controlling a memory device to process access requests issued by at least one master device

Номер патента: GB201510661D0. Автор: . Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2015-07-29.

A memory controller and method for controlling a memory device to process access requests issued by at least one master device

Номер патента: GB2529045B8. Автор: Aniruddha Nagendran Udipi,Neha Agarwal,Andreas Hansson. Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2017-01-18.

Architecture and method for nand memory programming

Номер патента: US20240194280A1. Автор: Weijun Wan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES INCLUDING ERROR CORRECTION CIRCUITS AND METHODS OF OPERATING THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20160124784A1. Автор: YOUN Jae-youn,YU Hak-soo,KIM Su-a,CHOI Hyo-Jin,CHUNG Hoi-ju,SEO MU-JIN. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES INCLUDING ERROR CORRECTION CIRCUITS AND METHODS OF OPERATING THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20170192721A1. Автор: YOUN Jae-youn,YU Hak-soo,KIM Su-a,CHOI Hyo-Jin,CHUNG Hoi-ju,SEO MU-JIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2017-07-06.

Variable delay circuit and method, and delay locked loop, memory device and computer system using same

Номер патента: US20030042960A1. Автор: Tyler Gomm. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-06.

Variable delay circuit and method, and delay locked loop, memory device and computer system using same

Номер патента: US6727734B2. Автор: Tyler J. Gomm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-04-27.

Variable delay circuit and method, and delay locked loop, memory device and computer system using same

Номер патента: US20030042961A1. Автор: Tyler Gomm. Владелец: Gomm Tyler J.. Дата публикации: 2003-03-06.

Method for fabricating memory device

Номер патента: US20220165754A1. Автор: Wei-Liang Lin,Wen-Jer Tsai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-26.

Method for fabricating memory device

Номер патента: US11641744B2. Автор: Wei-Liang Lin,Wen-Jer Tsai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-02.

Cross-temperature compensation in non-volatile memory devices

Номер патента: US20230393936A1. Автор: Andrea Giovanni Xotta,Umberto Siciliani. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Managing error-handling flows in memory devices

Номер патента: US11837307B2. Автор: Peter Feeley,Xiangang Luo,Kishore Kumar Muchherla,Shane Nowell,Sampath K. Ratnam,Mustafa N. Kaynak,Sivagnanam Parthasarathy,Devin M. Batutis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Managing error-handling flows in memory devices

Номер патента: US20230325273A1. Автор: Peter Feeley,Xiangang Luo,Kishore Kumar Muchherla,Shane Nowell,Sampath K. Ratnam,Mustafa N. Kaynak,Sivagnanam Parthasarathy,Devin M. Batutis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Cross-temperature compensation in non-volatile memory devices

Номер патента: US11966289B2. Автор: Andrea Giovanni Xotta,Umberto Siciliani. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Performing selective copyback in memory devices

Номер патента: US20240127900A1. Автор: Ashutosh Malshe,Vamsi Rayaprolu,Gary Besinga,Roy Leonard. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Determining read voltage offset in memory devices

Номер патента: US20240071440A1. Автор: Steven Michael Kientz,Robert W. Mason,Pitamber Shukla. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Non-volatile memory device with single transistor memory cell

Номер патента: US20070253247A1. Автор: Michael Sommer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-11-01.

Apparatus and method for use of memory devices for audio

Номер патента: AU2005207280A1. Автор: Yam Fei Lian,Chin Fang Lim. Владелец: CREATIVE TECHNOLOGY LTD. Дата публикации: 2005-08-04.

Adaptive optimization of error-handling flows in memory devices

Номер патента: US12019874B2. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Jay Sarkar,Ipsita Ghosh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Method and device for operating a memory device

Номер патента: US20180292994A1. Автор: Michael Besemer,Thomas MUNZ. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2018-10-11.

Memory system and method for operating semiconductor memory device

Номер патента: US20190012227A1. Автор: Nam Hoon Kim,Min Kyu Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-01-10.

POWER SWITCH CIRCUIT AND METHOD PROVIDING POWER SUPPLY TO MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200051652A1. Автор: JEONG Duk Ju. Владелец: MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD.. Дата публикации: 2020-02-13.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE INCLUDING PHASE CHANGE MEMORY DEVICE AND METHOD OF ACCESSING PHASE CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200066342A1. Автор: HA Jin-Yong. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

IMPEDANCE CALIBRATION CIRCUIT AND METHOD OF CALIBRATING IMPEDANCE IN MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220148630A1. Автор: KIM Tongsung,YOON Chiweon,JEONG Byunghoon,KAVALA Anil. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-12.

Systems and Methods for Stacked Semiconductor Memory Devices

Номер патента: US20140321189A1. Автор: Fai Anthony,Seroff Nicholas C.. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-30.

Impedance calibration circuit and method of calibrating impedance in memory device

Номер патента: KR20220063956A. Автор: 김동성,정병훈,윤치원,아닐 카발라. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-05-18.

Method of storing data in a nonvolatile memory device and method of operating a nonvolatile memory device

Номер патента: KR101787612B1. Автор: 윤태현,이봉용,신경준,이해범,안정로,김의도,장흥국. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2017-10-19.

Structures and Methods for Testing 3D Memory Devices

Номер патента: KR102286338B1. Автор: 이종석,김종준,김윤철,펑 판,전위 루,융나 리,리둥 쑹,스티브 웨이 양,시몬 스-닝 양. Владелец: 양쯔 메모리 테크놀로지스 씨오., 엘티디.. Дата публикации: 2021-08-05.

System and method for optically interconnecting memory devices

Номер патента: US20050146946A1. Автор: George Taylor. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-07-07.

Memory system and method for operating semiconductor memory device

Номер патента: TWI741128B. Автор: 金南勳,李珉圭. Владелец: 南韓商愛思開海力士有限公司. Дата публикации: 2021-10-01.

System and method for optically interconnecting memory devices

Номер патента: US20040024959A1. Автор: George Taylor. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-02-05.

Device driver including a flash memory file system and method thereof and a flash memory device and method thereof

Номер патента: US8510500B2. Автор: Prakash Talawar,Chan-Ik Park,Min-Soo Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-08-13.

Memory system and method for operating semiconductor memory device

Номер патента: TW201907406A. Автор: 金南勳,李珉圭. Владелец: 南韓商愛思開海力士有限公司. Дата публикации: 2019-02-16.

Memory cell and method for producing a memory device

Номер патента: DE10333557A1. Автор: Cay-Uwe Dr. Pinnow,Michael Dr. Kund,Thomas Dr. Mikolajick. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-02-24.

Power switch circuit and method providing power supply to memory device

Номер патента: US10943666B2. Автор: Duk Ju Jeong. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2021-03-09.

Memory device and operation method thereof

Номер патента: US20190371412A1. Автор: Hyun-Woo Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-12-05.

Memory device and operating method of the memory device

Номер патента: US11875845B2. Автор: Myeong Cheol SON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Method of forming phase change material layer using ge(ii) source, and method of fabricating phase change memory device

Номер патента: US20130005112A1. Автор: Sung-Lae Cho,Do-Hyung Kim,Byoung-Jae Bae,Jin-Il Lee,Hye-Young Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-01-03.

Method for programming memory device and associated memory device

Номер патента: US20160307627A1. Автор: Chao-I Wu,Hsiang-Pang Li,Yu-Ming Chang,Win-San Khwa,Tzu-Hsiang Su. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-20.

Method for fabricating memory device

Номер патента: US20240215255A1. Автор: Yu-Ming Lin,Han-Jong Chia,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Memory devices, operation method thereof and memory system

Номер патента: US20240220168A1. Автор: Hongtao Liu,Lei GUAN,Wenzhe WEI,Yuanyuan MIN,Tingze WANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Method and system for repairing memory device

Номер патента: US12026073B2. Автор: Liang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Memory device and method of reading data from memory device

Номер патента: US20130094293A1. Автор: Jun-Jin Kong,Chang-kyu Seol. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-04-18.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF WRITING INTO SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130176796A1. Автор: Tanabe Ryo. Владелец: FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2013-07-11.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE CONTROLLING REFRESH CYCLE, MEMORY SYSTEM, AND METHOD OF OPERATING THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130308405A1. Автор: JEONG In-Chul. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-21.

PROGRAMMING METHODS FOR THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES HAVING MULTI-BIT PROGRAMMING, AND THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES PROGRAMMED THEREBY

Номер патента: US20130322172A1. Автор: SHIM Sunil,KIM Hansoo,JEONG Jaehun,KIM Kihyun,Hur Sunghoi. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF OPERATING THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220036950A1. Автор: CHOI Hyung Jin. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2022-02-03.

Read Methods for Non-Volatile Memory Devices and Related Non-Volatile Memory Devices

Номер патента: US20150049548A1. Автор: Kwak Dong-Hun,PARK Sang-Won. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-19.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, METHOD FOR DESIGNING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, AND RECORDING MEDIUM HAVING DESIGNING METHOD RECORDED THEREIN

Номер патента: US20170053053A1. Автор: Sato Jumpei,Yamano Satoshi,ETOU Tsuyoshi,OOTO Osamu,MINEMURA Souichi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2017-02-23.

SEMICONDUCTOR MEMORY SYSTEM, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF OPERATING THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170053683A1. Автор: JEONG Byunghoon,IHM Jeongdon,Lee Taesung,LEE Seonkyoo. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-23.

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20160078940A1. Автор: ENDO Masato,Masuda Kazunori,NISHIDA Yukio,Kami Naoya,Tatsumi Yuuichi,Kondo Naoyuki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2016-03-17.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE EMPLOYING PROCESSING IN MEMORY (PIM) AND METHOD OF OPERATING THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220100467A1. Автор: O SEONGIL,KANG Shinhaeng. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2022-03-31.

NONVOLATILE MEMORY DEVICES AND METHODS OF READING THE NONVOLATILE MEMORY DEVICES

Номер патента: US20210090664A1. Автор: Song Hyun Min. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-25.

METHODS FOR PROGRAMMING A MEMORY DEVICE AND MEMORY DEVICES

Номер патента: US20150117111A9. Автор: Moschiano Violante,Santin Giovanni. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-04-30.

RESISTIVE MEMORY DEVICE, RESISTIVE MEMORY SYSTEM AND METHOD OF OPERATING THE RESISTIVE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20160118114A1. Автор: BYEON DAE-SEOK,LEE YEONG-TAEK,KWON HYO-JIN. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-28.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF OPERATING THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220180951A1. Автор: CHO Sung Hoon,CHOI Se Kyoung,JOO Han Soo,SIM Jae Sung,CHAE Hee Chang. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2022-06-09.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF OPERATING THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220270685A1. Автор: LEE Hee Youl,Lee Jeong Su. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2022-08-25.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF OPERATING THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210158848A1. Автор: OK Sung Hwa,GOO Ja Yoon. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2021-05-27.

METHODS FOR PROGRAMMING A MEMORY DEVICE AND MEMORY DEVICES

Номер патента: US20140219032A1. Автор: Moschiano Violante,Santin Giovanni. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-08-07.

NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD OF OPERATING THE NONVOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170169892A1. Автор: JOO Sang-Hyun,JUNG KeeHo. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-15.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE EMPLOYING PROCESSING IN MEMORY (PIM) AND METHOD OF OPERATING THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200174749A1. Автор: O SEONGIL,KANG Shinhaeng. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-06-04.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF OPERATING THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210241838A1. Автор: CHO Sung Hoon,CHOI Se Kyoung,JOO Han Soo,SIM Jae Sung,CHAE Hee Chang. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2021-08-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF OPERATING THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20190295654A1. Автор: LEE Hee Youl,SEO Ji Hyun. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2019-09-26.

NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD OF CONTROLLING NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170309335A1. Автор: MORI Yotaro,Kitagawa Makoto. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-26.

RESISTIVE MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE RESISTIVE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200321519A1. Автор: SONG Myung Sun,YIM Hyuck Sang. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2020-10-08.

RESISTIVE MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE RESISTIVE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20190341545A1. Автор: SONG Myung Sun,YIM Hyuck Sang. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2019-11-07.

RESISTIVE MEMORY DEVICE AND METHOD OF OPERATING THE RESISTIVE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150380086A1. Автор: Lee Yong-Kyu,BYEON DAE-SEOK,LEE YEONG-TAEK,PARK HYUN-KOOK,KWON HYO-JIN. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-31.

MEMORY DEVICE, THE CONTROL METHOD OF THE MEMORY DEVICE AND THE METHOD FOR CONTROLLING THE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20190361823A1. Автор: KWON SEOK CHEON. Владелец: Essencore Limited. Дата публикации: 2019-11-28.

Method of forming phase change layer using Ge precursor for low temperature deposition and method of manufacturing phase change memory device using the same

Номер патента: KR101275799B1. Автор: 이재호,신웅철,강윤선. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2013-06-18.

Data alignment circuit and data alignment method for semiconductor memory device

Номер патента: US20080080262A1. Автор: Shin Deok Kang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-04-03.

Metal precursor for low temperature deposition, method of forming metal layer using the precursor and method of fabricating phase-change memory device using the precursor

Номер патента: KR20080041460A. Автор: 조성래,이진일,배병재,박혜영,임지은,박영림. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-05-13.

Method for managing a memory device, memory device and controller

Номер патента: CN107423231B. Автор: 周柏升,范育玮,詹仲元. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-11-20.

Non-volatile memory device having tamper resistance, integrated circuit card, authentication method for non-volatile memory device, encryption method and decryption method using non-volatile memory device

Номер патента: JP6474056B2. Автор: 佳一加藤,裕平吉本,悟小笠原. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-27.

METHOD FOR OPERATING A MEMORY DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: FR2916066A1. Автор: Seungwon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-11-14.

Non-volatile memory devices and systems including the same, and methods of programming non-volatile memory devices

Номер патента: US8654580B2. Автор: Tae-Young Kim,Dong Ku Kang,Seung-Bum Kim,Sun-Jun Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-02-18.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US11423986B2. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-08-23.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of operating a nonvolatile memory device

Номер патента: US8605512B2. Автор: Tomohisa Miyamoto,Shoichi Kawamura. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-12-10.

Nonvolatile memory device and method of writing to nonvolatile memory device

Номер патента: JPWO2011121971A1. Автор: 佳一加藤. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-07-04.

Method of forming phase change layer, method of manufacturing a storage node using the same, and method of manufacturing phase change memory device using the same

Номер патента: US20080156651A1. Автор: Seung-Jin Oh,Woong-Chul Shin,Youn-Seon Kang,Kae-dong Back. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-03.

Method for forming semiconductor memory device e.g. not-and (NAND) type flash memory device involves filling interspaces with planarizing layer of dielectric material, and removing remaining portions of sacrificial layer

Номер патента: DE102006048877B3. Автор: Josef Dr. Willer,Franz Dr. Hofmann. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-04-03.

Methods for programming a memory device, memory devices, and memory systems

Номер патента: US20230143677A1. Автор: Ke Jiang,Xiaodong MEI,Xiaojiang Guo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Method for manufacturing nonvolatile memory device, nonvolatile memory element, and nonvolatile memory device

Номер патента: CN102859690B. Автор: 高木刚,饭岛光辉,巍志强. Владелец: 松下电器产业株式会社. Дата публикации: 2015-02-18.

Memory device and method of operation of a memory device

Номер патента: US20050154853A1. Автор: Paul Davis,Ely Tsern,Craig Hampel,Frederick Ware,Richard Barth,Todd Bystrom,Bradley May. Владелец: Davis Paul G.. Дата публикации: 2005-07-14.

Memory device with a strained base layer and method of manufacturing such a memory device

Номер патента: WO2007034376A3. Автор: Schaijk Robertus T F Van,Tello Pablo Garcia,Michiel Slotboom. Владелец: Michiel Slotboom. Дата публикации: 2008-11-20.

Variable Resistive Memory Device, Memory System Including The Same and Method of Driving Variable Resistive Memory Device

Номер патента: KR20220153358A. Автор: 백승민,신민철. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2022-11-18.

Nonvolatile memory device and method of operating the nonvolatile memory device

Номер патента: US9892795B2. Автор: Sang-Hyun Joo,KeeHo JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Methods for Forming NAND Memory Devices, 3D Memory Devices and NAND Memory Devices

Номер патента: JP7022194B2. Автор: チェン・ジュン,フ・ユシ,タオ・チャン,ル・ゼンユ,シ－ニンヤン・サイモン,ウェイイヤン・スティーブ. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor memory device and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: US20220383968A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-12-01.

Nonvolatile memory device, electronic control system, and method of operating the nonvolatile memory device

Номер патента: KR101293226B1. Автор: 황태선,서명규. Владелец: (주)아토솔루션. Дата публикации: 2013-08-05.

EPROM memory device for having a uniform program characteristics and method of programming the EPROM memory device

Номер патента: KR102535414B1. Автор: 송현민. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2023-05-24.

Method for driving of memory device and memory device for thereof

Номер патента: KR101559336B1. Автор: 박기태. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2015-10-13.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20230092799A1. Автор: Naoyuki Iida,Minami TANAKA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Nonvolatile memory devices and methods of programming in nonvolatile memory devices

Номер патента: KR20220055023A. Автор: 이요한,남상완,유재덕,최용혁. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-05-03.

Method of forming phase change material layer using ge(ii) source, and method of fabricating phase change memory device

Номер патента: US20090097305A1. Автор: Sung-Lae Cho,Do-Hyung Kim,Byoung-Jae Bae,Jin-Il Lee,Hye-Young Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-04-16.

Phase change random access memory device

Номер патента: US20240040939A1. Автор: Yu-Chuan Hsu,Chun-Hsu YEN,Chen-Hui YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Memory device having improved program and erase operations and operating method of the memory device

Номер патента: US11880582B2. Автор: Sang Heon Lee,Keon Soo Shim,Byung In Lee,Hee Joung PARK,Jae Il TAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Method for operating memory device

Номер патента: US20230400992A1. Автор: Kyungduk Lee,Youn-Soo CHEON,Daehyeon JO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-14.

Write access and subsequent read access to a memory device

Номер патента: US20080114947A1. Автор: Martin Brox,Rex Kho. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-05-15.

Generating semi-soft bit data during corrective read operations in memory devices

Номер патента: US20240071435A1. Автор: Kishore Kumar Muchherla,James Fitzpatrick,Patrick R. KHAYAT,Dung Viet Nguyen,Phong Sy Nguyen,Jeffrey S. McNeil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor memory device employing processing in memory (pim) and method of operating the semiconductor memory device

Номер патента: EP3664093B1. Автор: Seongil O,Shinhaeng KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-15.

Write access and subsequent read access to a memory device

Номер патента: US8055857B2. Автор: Martin Brox,Rex Kho. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2011-11-08.

High-performance input buffer and memory device having the same

Номер патента: US20220326883A1. Автор: Hang Song,Sangoh Lim,Gyuwan Kwon. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-13.

Double program debug method for nand memory using self-verification by internal firmware

Номер патента: US20240105273A1. Автор: Youxin He. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Method for producing semiconductor device

Номер патента: US20170309814A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-26.

APPARATUSES AND METHODS OF DISTRIBUTING ADDRESSES IN MEMORY DEVICES FOR MITIGATING WRITE DISTURBANCE

Номер патента: US20180308542A1. Автор: Kim Yong Ju,KIM Donggun,KWON Jung Hyun,HONG Do Sun. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2018-10-25.

Nonvolatile memory system and method of accessing a nonvolatile memory device

Номер патента: KR101521995B1. Автор: 조원희,이재수,노강호. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2015-05-22.

Memory system and method of accessing a semiconductor memory device

Номер патента: CN101673581B. Автор: 赵承德,李在修,卢羌镐,赵原熙,沈昊俊,崔永准,许在训,宋济赫,金善择,吴文旭,朴钟泰,朴赞益,千源汶,李洋燮. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-05-20.

Memory system and method of accessing a semiconductor memory device

Номер патента: US8625344B2. Автор: Wonmoon Cheon,Jong Tae Park,Wonhee CHO,Seung-Duk Cho,Jaehoon Heo,Yang-Sup Lee,Hojun Shim,Jaesoo Lee,Kangho Roh,Youngjoon Choi,Je-Hyuck SONG,Seontaek Kim,Moonwook Oh,Chanik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-01-07.

Sector protection circuit and sector protection method for non-volatile semiconductor storage device, and non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: GB2427494A. Автор: Kazuhide Kurosaki. Владелец: Spansion Japan Ltd. Дата публикации: 2006-12-27.

Flash memory unit and method of programming a flash memory device

Номер патента: WO2006022908A1. Автор: Zhigang Wang,Nian Yang,Zhizheng Liu. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2006-03-02.

Flash memory unit and method of programming a flash memory device

Номер патента: EP1774530B1. Автор: Zhigang Wang,Nian Yang,Zhizheng Liu. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-01-23.

Memory system and method of accessing a semiconductor memory device

Номер патента: US8705272B2. Автор: Wonmoon Cheon,Jong Tae Park,Wonhee CHO,Seung-Duk Cho,Jaehoon Heo,Yang-Sup Lee,Hojun Shim,Jaesoo Lee,Kangho Roh,Youngjoon Choi,Je-Hyuck SONG,Seontaek Kim,Moonwook Oh,Chanik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-04-22.

Built-in self-test circuit and built-in self-test method for physical unclonable function quality check

Номер патента: US11782090B2. Автор: Meng-Yi Wu,Chi-Yi Shao,Kai-Hsin Chuang,Jun-Heng You. Владелец: Pufsecurity Corp. Дата публикации: 2023-10-10.

Method for manufacturing thermal dispersion layer in programmable metallization cell

Номер патента: US11800823B2. Автор: Fa-Shen JIANG,Hsing-Lien Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Programming method for non-volatile memory device

Номер патента: US20120140557A1. Автор: Yeong-Taek Lee,Ki-tae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-06-07.

Method for driving semiconductor memory device

Номер патента: US20130094274A1. Автор: Yukihiro Kaneko. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-04-18.

METHOD FOR MANUFACTURING MOLECULAR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150017760A1. Автор: YAMASHITA Hiroki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2015-01-15.

ADDRESS SCHEDULING METHODS FOR NON-VOLATILE MEMORY DEVICES WITH THREE-DIMENSIONAL MEMORY CELL ARRAYS

Номер патента: US20180046574A1. Автор: NAM Sang-Wan,YUN JUNG-YUN,CHAE Dong Hyuk,YOON CHI WEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2018-02-15.

Programming method for nand flash memory device to reduce electrons in channels

Номер патента: US20140140129A1. Автор: Hideki Arakawa,Riichiro Shirota,Takashi Miida,Ching Sung Yang,Tzung Ling Lin. Владелец: Powerchip Corp. Дата публикации: 2014-05-22.

LOW STANDBY POWER WITH FAST TURN ON METHOD FOR NON-VOLATILE MEMORY DEVICES

Номер патента: US20190080732A1. Автор: RAGHAVAN Vijay,ZONTE Cristinel,Moscaluk Gary Peter,Argrawal Vineet,Leshner Samuel,Gradinariu Iulian,Bettman Roger Jay. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2019-03-14.

METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE HAVING INTEGRATED DOSRAM AND NOSRAM

Номер патента: US20170110192A1. Автор: ZHOU ZHIBIAO,Wu Shao-Hui,Ku Chi-Fa,Lin Chen-Bin. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-20.

PROGRAMMING METHOD FOR NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140219029A1. Автор: TSAI CHENG-HUNG. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc.. Дата публикации: 2014-08-07.

METHOD FOR CONTROLLING RESISTIVE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20180182455A1. Автор: Zaitsu Koichiro,Tsukamoto Takayuki. Владелец: Toshiba Memory Corporation. Дата публикации: 2018-06-28.

Method for and Flash Memory Device Having Improved Read Performance

Номер патента: US20140307509A1. Автор: Michael Oron. Владелец: WINBOND ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2014-10-16.

LOW STANDBY POWER WITH FAST TURN ON METHOD FOR NON-VOLATILE MEMORY DEVICES

Номер патента: US20200234746A1. Автор: RAGHAVAN Vijay,ZONTE Cristinel,Moscaluk Gary Peter,Gradinariu Iulian C.,Bettman Roger,Argrawal Vineet,Leshner Samuel. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-23.

Address scheduling methods for non-volatile memory devices with three-dimensional memory cell arrays

Номер патента: US20200242030A1. Автор: Dong Hyuk Chae,Chi Weon Yoon,Sang-Wan Nam,Jung-Yun Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-30.

LOW STANDBY POWER WITH FAST TURN ON METHOD FOR NON-VOLATILE MEMORY DEVICES

Номер патента: US20210327477A1. Автор: RAGHAVAN Vijay,ZONTE Cristinel,Moscaluk Gary Peter,Gradinariu Iulian C.,Bettman Roger,Argrawal Vineet,Leshner Samuel. Владелец: . Дата публикации: 2021-10-21.

Method for controling flash memory device

Номер патента: KR100638638B1. Автор: 류연승. Владелец: 명지대학교 산학협력단. Дата публикации: 2006-10-26.

Overerase cell detection method for nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: JP3984445B2. Автор: 恭章平野. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-10-03.

Method for driving nonvolatile memory device using resistive element

Номер патента: KR102126760B1. Автор: 신준호,박은혜. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2020-06-25.

Method for driving flash memory device

Номер патента: KR100784107B1. Автор: 양해종. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-12-10.

Metal precursor for low temperature deposition, method of forming metal layer using the precursor and method of fabricating phase-change memory device using the precursor

Номер патента: KR100871692B1. Автор: 조성래,이진일,배병재,박혜영,임지은,박영림. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-12-08.

System, apparatus, and methods for digitally labeling memory devices without affecting data storage

Номер патента: US20240241684A1. Автор: David D. Kwan. Владелец: Memoric Technology LLC. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor memory device, semiconductor wafer, and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20120161206A1. Автор: Hiroshi SHIMODE. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

Storage device, control method for partitioning logical memory devices, and medium embodying program for partitioning logical memory devices

Номер патента: US20050278489A1. Автор: Hiroyuki Otani. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2005-12-15.

Method and system for measuring thermal stability factor of magnetic tunnel junction device, semiconductor integrated circuit, and production management method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20190219633A1. Автор: Hideo Sato,Hideo Ohno,Takashi Saito,Kenchi Ito,Tetsuo Endoh,Masakazu Muraguchi. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2019-07-18.

Self-test circuit and self-test method for comparator

Номер патента: US20190204385A1. Автор: Chih-Lung Chen,Shih-Hsiung Huang,Liang-Huan Lei. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-07-04.

Radar apparatus, signal processing circuit, and signal processing method for radar apparatus

Номер патента: US20240288537A1. Автор: Hsiang-Feng Chi. Владелец: Richwave Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor circuit and failure determination method for semiconductor circuit

Номер патента: US20220094356A1. Автор: Yasukazu Noine,Nobuyuki SHOBUDANI. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

System and method for managing a memory device using indexes

Номер патента: US11809722B2. Автор: Yang Seok KI,Jason MARTINEAU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-07.

Apparatuses, systems, and methods for heating a memory device

Номер патента: US20210240388A1. Автор: Arash Hazeghi,Krishna Parat,Pranav Kalavade,Rohit Shenoy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-08-05.

System and method for communicating with memory devices

Номер патента: US20070005825A1. Автор: David Baker,Matthew Henson. Владелец: SigmaTel LLC. Дата публикации: 2007-01-04.

Switch control circuit and switch control method for electronic cigarette and electronic cigarette

Номер патента: US11659867B2. Автор: Zhongli XU,Yonghai LI,Guangping CAO. Владелец: Shenzhen FirstUnion Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-30.

Method for writing data, memory device and data writing system

Номер патента: US20190163402A1. Автор: Saku YAMAUCHI. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Method for writing data, memory device and data writing system

Номер патента: US10725703B2. Автор: Saku YAMAUCHI. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-28.

Semiconductor integrated circuit and pattern layouting method for the same

Номер патента: US20140035108A1. Автор: Kazuya Kamon. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-02-06.

Hart circuit and state determination method for field interface thereof

Номер патента: EP4300801A1. Автор: Min Xu,Chunhui Zhang,Jianjun Chen,Gang Du. Владелец: Shanghai Chenzhu Instrument Co ltd. Дата публикации: 2024-01-03.

Auto-addressing method for series circuit and auto-detecting method for detecting the number of circuits connected in series

Номер патента: US20090267875A1. Автор: Lee-Chun Guo,Ming-Hsun Sung. Владелец: ITE Tech Inc. Дата публикации: 2009-10-29.

Malfunction detecting circuit and malfunction detecting method for detecting malfunction of current-sensing resistor, and power converting system applying the malfunction detecting circuit

Номер патента: US20090212787A1. Автор: Chun-Liang Lin. Владелец: Leadtrend Technology Corp. Дата публикации: 2009-08-27.

Integrated Circuit and Data Processing Method for Enhancing Security of the Integrated Circuit

Номер патента: US20200021437A1. Автор: Hsin-Chou Liu. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-16.

Chip, heating circuit and heating control method for chip

Номер патента: US11967510B2. Автор: Wei-Hang CHIU,Chieh-Sheng TU. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Touch display device, touch circuit, and pen sensing method for sensing various types of pens

Номер патента: US11347345B2. Автор: Kiyong Kim. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-31.

Receiving circuit and signal processing method for high definition multimedia interface

Номер патента: US20200312276A1. Автор: Ching-Sheng Cheng,Hsu-Jung Tung,Tsung-Hsuan Wu. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Amplifier circuit and method for offset compensation

Номер патента: EP3866338A1. Автор: Reinhold Pieper. Владелец: TE Connectivity Sensors Germany GmbH. Дата публикации: 2021-08-18.

Calibration circuit and method, phase-shifting circuit, radio-frequency transmitting circuit, radio-frequency receiving circuit, radar, and device

Номер патента: EP4369027A1. Автор: Zhengdong Liu,Wenting Zhou. Владелец: Calterah Semiconductor Technology Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-15.

Unretiring memory device blocks

Номер патента: US20220300414A1. Автор: Kevin R Brandt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-22.

Automated optimization of error-handling flows in memory devices

Номер патента: US20240256375A1. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Jay Sarkar,Ipsita Ghosh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Management of error-handling flows in memory devices using probability data structure

Номер патента: US12032833B2. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Aswin Thiruvengadam. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Dynamically adjusting the initial polling timer in memory devices

Номер патента: US20240160367A1. Автор: Peng Fei,YUE Wei,Donghua Zhou,Shao Chun Shi,Kai Wen Wu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Management of error-handling flows in memory devices using probability data structure

Номер патента: US20240289032A1. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Aswin Thiruvengadam. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Oscillator circuit and temperature compensation method for oscillator circuit

Номер патента: US12088251B2. Автор: Takayuki Sato,Takeshi Hamada. Владелец: Asahi Kasei Microdevices Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Control Apparatus, Integrated Circuit and Management Method for Stack

Номер патента: US20170131932A1. Автор: Hua Fu. Владелец: Mediatek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-05-11.

Driving circuit having a pre-charging circuit and driving method for display device

Номер патента: US12051362B2. Автор: Renjie Zhou,Haijiang YUAN. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Driving circuit and driving method for the same, and display device

Номер патента: US20240265889A1. Автор: Yang Zhang. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Active-matrix organic light-emitting diode pixel circuit of integrated external processor and driving method for the same

Номер патента: US20190287452A1. Автор: Guan Jiun WANG. Владелец: General Interface Solution Ltd. Дата публикации: 2019-09-19.

Integrated circuit and address mapping method for cache memory

Номер патента: US20200065248A1. Автор: Shih-Lien Linus Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-27.

Integrated circuit and address mapping method for cache memory

Номер патента: US10977178B2. Автор: Shih-Lien Linus Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-13.

Integrated circuit and address mapping method for cache memory

Номер патента: US20210224193A1. Автор: Shih-Lien Linus Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Integrated circuit and address mapping method for cache memory

Номер патента: US20180150398A1. Автор: Shih-Lien Linus Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-31.

Semiconductor device, and life prediction circuit and life prediction method for semiconductor device

Номер патента: US20070296040A1. Автор: Takashi Igarashi,Fumitaka Tametani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2007-12-27.

MICRO-PROCESSING CIRCUIT AND DATA PROTECTION METHOD FOR MEMORY THEREOF

Номер патента: US20210173570A1. Автор: Chen I-Ching. Владелец: Nuvoton Technology Corporation. Дата публикации: 2021-06-10.

Unretiring memory device blocks

Номер патента: US20200117590A1. Автор: Kevin R. Brandt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-16.

Unretiring memory device blocks

Номер патента: US11379358B2. Автор: Kevin R Brandt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-05.

Read-only memory device with securing function and accessing method thereof

Номер патента: US8452935B2. Автор: Chuen-An Lin,Ching-Tsung Tung. Владелец: Holtek Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-05-28.

Flash memory device and method for programming flash memory device

Номер патента: US8656085B2. Автор: Jae-gyu Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-02-18.

Flash Memory Device and Data Protection Method Thereof

Номер патента: US20120271986A1. Автор: Hsu-Ping Ou,Chun-Yi Lo. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2012-10-25.

Calibration circuit and method, phase-shift circuit, radio-frequency transceiver circuit, radar and device

Номер патента: US20240175980A1. Автор: Zhengdong Liu,Wenting Zhou. Владелец: Calterah Semiconductor Technology Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES INCLUDING ERROR CORRECTION CIRCUITS AND METHODS OF OPERATING THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20140245105A1. Автор: YOUN Jae-youn,YU Hak-soo,KIM Su-a,CHOI Hyo-Jin,CHUNG Hoi-ju,SEO MU-JIN. Владелец: . Дата публикации: 2014-08-28.

Method of Appraising a Dielectric Film, Method of Calibrating Temperature of a Heat Treatment Device, and Method of Fabricating a Semiconductor Memory Device

Номер патента: KR100430792B1. Автор: 코야나기켄이치. Владелец: 닛뽄덴끼 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2004-05-10.

Memory device with parity data system and method

Номер патента: US20220004323A1. Автор: Yaohua Sun. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-06.

Methods of operating memory devices within a communication protocol standard timeout requirement

Номер патента: US20130339644A1. Автор: Ryan G. Fisher. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-12-19.

Memory compaction management in memory devices

Номер патента: US20240176698A1. Автор: Kishore Kumar Muchherla,Sampath Ratnam,Jiangang WU,Vamsi Pavan Rayaprolu,Mustafa N. Kaynak,Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Patrick Khayat. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Management of error-handling flows in memory devices using probability data structure

Номер патента: US20240086075A1. Автор: Vamsi Pavan Rayaprolu,Aswin Thiruvengadam. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Method for operating memory device and memory device

Номер патента: US20240184464A1. Автор: Hsiang-Lan Lung,Yu-Hsuan Lin,Cheng-Lin Sung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

SYSTEM AND METHOD FOR INTEGRATING OVERPROVISIONED MEMORY DEVICES

Номер патента: US20180032260A1. Автор: Zheng Hongzhong,Gim Jongmin,MALLADI Krishna. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-01.

APPARATUSES AND METHODS FOR OPERATING A MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140149786A1. Автор: Ha Chang Wan. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-05-29.

SYSTEMS AND METHODS FOR LOW-LATENCY MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210181974A1. Автор: Ghosh Tapabrata. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-17.

SYSTEMS AND METHODS FOR PREDICTING PERSISTENT MEMORY DEVICE DEGRADATION BASED ON OPERATIONAL PARAMETERS

Номер патента: US20190188589A1. Автор: Ponnuru Viswanath,Prasad Parmeshwr,RAVISHANKAR K. N.. Владелец: DELL PRODUCTS L.P.. Дата публикации: 2019-06-20.

APPARATUSES, SYSTEMS, AND METHODS FOR HEATING A MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210240388A1. Автор: Hazeghi Arash,Parat Krishna,Kalavade Pranav,Shenoy Rohit. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-05.

METHOD OF PROGRAMMING MEMORY DEVICE AND METHOD OF READING DATA OF MEMORY DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20150270852A1. Автор: KIM KYUNG-RYUN. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-24.

System and method for communicating with memory devices

Номер патента: KR100726361B1. Автор: 매튜 핸슨,데이빗 큐어튼 베이커. Владелец: 시그마텔, 인크.. Дата публикации: 2007-06-11.

Memory controller, flash memory system employing memory controller and method for controlling flash memory device

Номер патента: US7024514B2. Автор: Naoki Mukaida,Kenzou Kita. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2006-04-04.

Efficient system and method for updating a memory device

Номер патента: US8200886B2. Автор: Andrew J. Ogle. Владелец: Smith Micro Software Inc. Дата публикации: 2012-06-12.

Apparatus and method for accessing a memory device during speculative instruction branching

Номер патента: US6526503B1. Автор: Balaram Sinharoy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-02-25.

System and method for defragmentation of memory device

Номер патента: EP4222604A1. Автор: Mo CHENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-09.

Efficient system and method for updating a memory device

Номер патента: US20070192532A1. Автор: Andrew Ogle. Владелец: Insignia Solutions PLC. Дата публикации: 2007-08-16.

System and method for communicating with memory devices

Номер патента: CN101133404B. Автор: M·亨森,D·C·巴克. Владелец: SigmaTel LLC. Дата публикации: 2010-05-05.

Apparatus and method for selling a memory device

Номер патента: US20020078405A1. Автор: Takanori Tomioka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-06-20.

System and method for defragmentation of memory device

Номер патента: EP4222604A4. Автор: Mo CHENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-20.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF OPERATING THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140006648A1. Автор: Lim Eui Cheol. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-01-02.

Semiconductor Device and Method of Controlling Non-Volatile Memory Device

Номер патента: US20150032949A1. Автор: MIURA Seiji. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-29.

Semiconductor Device and Method of Controlling Non-Volatile Memory Device

Номер патента: US20150261668A1. Автор: MIURA Seiji. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-17.

Method for managing a memory device having multiple channels and multiple ways, and associated memory device and controller thereof

Номер патента: TWI506422B. Автор: Jen Wen Lin. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2015-11-01.

A method for managing a memory device and thereof memory device

Номер патента: WO2010051717A1. Автор: 李俊坤,林财成. Владелец: 慧荣科技股份有限公司. Дата публикации: 2010-05-14.

Cache memory device and method of controlling the cache memory device

Номер патента: US20040148464A1. Автор: Ho-Rang Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-07-29.

Pixel circuit and drive method for same, and display panel and drive method for same

Номер патента: US11875734B2. Автор: Hao Chen,Li Xiao,LIANG Chen,Qi Qi,MINGHUA XUAN,Haoliang ZHENG,Dongni LIU,Seungwoo HAN,Jiao Zhao. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-16.

Pixel Circuit and Drive Method for Same, and Display Panel and Drive Method for Same

Номер патента: US20230351943A1. Автор: Hao Chen,Li Xiao,LIANG Chen,Qi Qi,MINGHUA XUAN,Haoliang ZHENG,Dongni LIU,Seungwoo HAN,Jiao Zhao. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

SYSTEMS AND METHODS METHOD FOR PROVIDING AN INTERACTIVE HELP FILE FOR HOST SOFTWARE USER INTERFACES

Номер патента: US20170235582A1. Автор: Ramirez Vincent. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-17.

SYSTEM AND METHOD INCLUDING THREE DIMENSIONAL NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND RANDOM ACCESS MEMORY

Номер патента: US20160253099A1. Автор: Kwak DongHun,JUN Brung Hei. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-01.

SYSTEM AND METHOD INCLUDING THREE DIMENSIONAL NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND RANDOM ACCESS MEMORY

Номер патента: US20150301941A1. Автор: Kwak DongHun,JUN BYUNG HEI. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-22.

DATA PROCESSING APPARATUS AND METHOD, METHOD FOR COMPILING AN APPLICATION FOR RUNNING BY A DATA PROCESSOR, AND, COMPUTER-READABLE STORAGE MEANS

Номер патента: BR112013019824B1. Автор: Alastair David Reid. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2021-06-15.

High-level synthesis apparatus and method, method for producing logic circuit using the high-level synthesis method, and recording medium

Номер патента: EP1267287A2. Автор: Mitsuhisa Ohnishi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2002-12-18.

Driving Circuit and Driving Method for Display Unit, and Display Device

Номер патента: US20230368726A1. Автор: Renjie Zhou,Haijiang YUAN. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Test circuit and test method for display panels

Номер патента: US20200184866A1. Автор: Yu-Jen Chen. Владелец: Chongqing HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-11.

Electronic device, touch detection circuit and update method for reference value of touch screen

Номер патента: US20190018543A1. Автор: WEI YANG,Wingho Pang,Songsong LIU,Haikuan JIANG. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-17.

Equivalent circuits and simulation method for an rf switch

Номер патента: US20060049892A1. Автор: Cheng-Hsiung Chen,Yue-Shiun Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2006-03-09.

Control circuit and control method for liquid crystal pixels

Номер патента: US20230367150A1. Автор: JIN Zhang. Владелец: Chengdu Jiutian Huaxin Technology Co ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Control circuit and control method for switch transistor

Номер патента: EP4075404A1. Автор: Chen Tian,Jialiang Zhang. Владелец: GUANGDONG OPPO MOBILE TELECOMMUNICATIONS CORP LTD. Дата публикации: 2022-10-19.

Functional verification system for semiconductor integrated circuit, and functional verification method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20130031520A1. Автор: Yoji Asao. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-01-31.

Pixel driving circuit, driving method for the same and display panel

Номер патента: US20190172392A1. Автор: Bo Li,Yuting Chen,Fei Li,Xianrui QIAN,Zixuan Wang. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-06.

Integrated test circuit, a test circuit, and a test method for performing transmission and reception processing to and from a first and a second macro block at a first frequency

Номер патента: US7310754B2. Автор: Takuya Ishida,Haruo Nishida. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-12-18.

CONTROL METHOD FOR A SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130132797A1. Автор: ARAI Tetsuya. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2013-05-23.

PHOTONIC SPECTROMETRY DEVICE AND METHOD, METHOD FOR CALIBRATING THE DEVICE, AND USE OF THE DEVICE

Номер патента: US20140003579A1. Автор: Berruyer Eric. Владелец: AREVA NP. Дата публикации: 2014-01-02.

METHOD FOR ACCESSING EXTENDED MEMORY, DEVICE, AND SYSTEM

Номер патента: US20180039424A1. Автор: Chen Mingyu,LIU Yao,Cui Zehan,Ruan Yuan. Владелец: Huawei Technologies CO.,Ltd.. Дата публикации: 2018-02-08.

Method for Accessing Extended Memory, Device, and System

Номер патента: US20200150872A1. Автор: Chen Mingyu,LIU Yao,Cui Zehan,Ruan Yuan. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-14.

METHOD FOR WRITING DATA, MEMORY DEVICE AND DATA WRITING SYSTEM

Номер патента: US20190163402A1. Автор: YAMAUCHI Saku. Владелец: LAPIS SEMICONDUCTOR CO., LTD.. Дата публикации: 2019-05-30.

METHOD AND SYSTEM FOR MEASURING THERMAL STABILITY FACTOR OF MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICE, SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT, AND PRODUCTION MANAGEMENT METHOD FOR SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20190219633A1. Автор: Ohno Hideo,Sato Hideo,Saito Takashi,Ito Kenchi,Endoh Tetsuo,MURAGUCHI Masakazu. Владелец: TOHOKU UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-07-18.

METHOD FOR DRIVING NONVOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150286567A1. Автор: PARK Eun-Hye,SHIN JUN-HO. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-08.

ADDRESS SCHEDULING METHODS FOR NON-VOLATILE MEMORY DEVICES WITH THREE-DIMENSIONAL MEMORY CELL ARRAYS

Номер патента: US20150370705A1. Автор: NAM Sang-Wan,YUN JUNG-YUN,CHAE Dong Hyuk,YOON CHI WEON. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-24.

Device and method for making a memory device at a control unit of a motor vehicle unusable

Номер патента: EP2928763A1. Автор: Ortwin SCHLÜTER,Rasmus Backman. Владелец: SCANIA CV AB. Дата публикации: 2015-10-14.

Device and method for making a memory device at a control unit of a motor vehicle unusable

Номер патента: WO2014088489A1. Автор: Ortwin SCHLÜTER,Rasmus Backman. Владелец: SCANIA CV AB. Дата публикации: 2014-06-12.

Semiconductor memory device, method for fabricating semiconductor memory device, semiconductor integrated circuit and semiconductor memory integrated circuit

Номер патента: US20230209817A1. Автор: Kenichiro Kusano. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Gap filling method and method for forming semiconductor memory device using the same

Номер патента: US7855145B2. Автор: Sung-Lae Cho,Choong-Man Lee,Jin-Il Lee,Hye-Young Park,Young-Lim Park,Sang-Wook Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-12-21.

Semiconductor memory device and method for forming semiconductor memory device

Номер патента: US20240268097A1. Автор: PENG Guo,Yuanbao WANG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Dry etching process and method for manufacturing magnetic memory device

Номер патента: US20070026681A1. Автор: Tetsuya Tatsumi,Seiji Samukawa,Toshiaki Shiraiwa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-02-01.

Nanocrystal silicon layer structures formed using plasma deposition technique, methods of forming the same, nonvolatile memory devices having the nanocrystal silicon layer structures, and methods of fabricating the nonvolatile memory devices

Номер патента: US8110485B2. Автор: SUNG Wook Jung,Kyung Soo Jang,Jae Hyun Cho,Byoung Deog Choi,Jun Sin Yi. Владелец: Sungkyunkwan University Foundation For Corporate Collaboration. Дата публикации: 2012-02-07.

Method of manufacturing memory device and method of manufacturing phase-change memory device using the same

Номер патента: US20100197111A1. Автор: Hye Jin Seo,Keum Bum Lee,Hyung Suk Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-08-05.

Memory Device, Electronic Device, and Method for Producing a Memory Device

Номер патента: US20090273887A1. Автор: Klaus Elian. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-11-05.

Semiconductor memory device and method for forming semiconductor memory device

Номер патента: US20240224499A1. Автор: PENG Guo,Yuanbao WANG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor memory device and method for fabricating semiconductor memory device

Номер патента: US7821049B2. Автор: Hiroyuki Kanaya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-10-26.

Flash memory devices and methods for fabricating flash memory devices

Номер патента: US20080093651A1. Автор: Jeong-Hyuk Choi,Jai-Hyuk Song,Ok-Cheon Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-24.

Semiconductor memory device and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20230307369A1. Автор: Susumu Hashimoto,Koichi Sakata,Shinya Arai,Keisuke Nakatsuka,Nobuhito Ichiki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor memory device and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20240315015A1. Автор: Masashi ARINO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20240237342A1. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of forming aluminum oxide layer and method of manufacturing charge trap memory device using the same

Номер патента: US8043952B2. Автор: Sang-jin Park,Eun-ha Lee,Sang-Moo Choi,Woong-Chul Shin,Kwang-Soo Seol,Jung-hun Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-10-25.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US12052864B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Method for fabricating nonvolatile memory device

Номер патента: US20120052673A1. Автор: Ki-Hyun Hwang,Dong-Chul Yoo,Han-mei Choi,Jin-Gyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-03-01.

Non-Volatile Memory Devices and Methods of Manufacturing Non-Volatile Memory Devices

Номер патента: US20080296657A1. Автор: Dong-Uk Choi,Hee-Soo Kang,Choong-ho Lee,Kyu-Charn Park,Sang-Wook Lim,Suk-kang Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-04.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US7338863B2. Автор: Young-sun Kim,Jong-Cheol Lee,Han-mei Choi,Jae-Hyoung Choi,Gab-jin Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-04.

Method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20090305481A1. Автор: Ji Ho Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-12-10.

Method for forming semiconductor memory device

Номер патента: US20240276704A1. Автор: Yifei Yan. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for manufacturing ferroelectric memory device

Номер патента: US20070243640A1. Автор: Hiroaki Tamura. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-10-18.

Method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20150372007A1. Автор: Junichi Hashimoto,Katsunori Yahashi,Tadashi Iguchi,Daigo Ichinose. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-24.

Method for manufacturing electronic memory devices integrated in a semiconductor substrate including non-volatile memory matrix and associated circuitry

Номер патента: US20060148173A1. Автор: Luca Pividori. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2006-07-06.

Method for forming semiconductor memory device

Номер патента: US20230299160A1. Автор: LIANG Yi,Zhiguo Li,Chi REN,Xiaojuan GAO. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory device and a method for forming the memory device

Номер патента: US20200176513A1. Автор: Eng Huat Toh,Lanxiang Wang,Shyue Seng Tan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2020-06-04.

Memory device and a method for forming the memory device

Номер патента: US20210135101A1. Автор: Eng Huat Toh,Shyue Seng Tan,Desmond Jia Jun Loy,Steven Soss. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-05-06.

Totem pole pfc with a surge protection circuit and surge protection method for a totem pole pfc

Номер патента: EP4304032A1. Автор: Robert Pohlmann. Владелец: Delta Electronics Thailand PCL. Дата публикации: 2024-01-10.

High voltage direct current circuit protection system and method

Номер патента: CA3237850A1. Автор: Robert Stephen Douglass. Владелец: Eaton Intelligent Power Ltd. Дата публикации: 2023-05-19.

Method for manufacturing a memory device

Номер патента: US20040082128A1. Автор: Chong-Jen Huang,Kuang-Wen Liu,Jui-Lin Lu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-29.

Method for manufacturing a memory device

Номер патента: US6762089B2. Автор: Chong-Jen Huang,Kuang-Wen Liu,Jui-Lin Lu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-13.

Method for fabricating nonvolatile memory device

Номер патента: US20040157395A1. Автор: Seung Yoo. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-12.

Fabrication method for a flash memory device

Номер патента: US20040203204A1. Автор: Chun-Lein Su,Tzung-Ting Han. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-14.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20090096035A1. Автор: Hideyuki Kinoshita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-04-16.

Method for forming isolation layer and method for fabricating nonvolatile memory device using the same

Номер патента: US20100203702A1. Автор: Young-Kwang Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-08-12.

Memory device and method for fabricating the memory device

Номер патента: US11729979B2. Автор: Il-Young Kwon,Jin-Ho Bin,Tae-Hong GWON,Hye-Hyeon BYEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-15.

Memory device and method for fabricating the memory device

Номер патента: US20200388631A1. Автор: Il-Young Kwon,Jin-Ho Bin,Tae-Hong GWON,Hye-Hyeon BYEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-10.

Memory device and method for fabricating the memory device

Номер патента: US20230337430A1. Автор: Il-Young Kwon,Jin-Ho Bin,Tae-Hong GWON,Hye-Hyeon BYEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Nonvolatile memory devices and methods for fabricating nonvolatile memory devices

Номер патента: US20090014781A1. Автор: Ki-Hyun Hwang,Sang-Jin Hyun,Hong-suk Kim,Si-Young Choi,Seung-Jae Baik. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-01-15.

Vertical memory device and method for fabricating vertical memory device

Номер патента: US11830879B2. Автор: Nam-Jae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Nanocrystal silicon layer structures formed using plasma deposition technique, methods of forming the same, nonvolatile memory devices having the nanocrystal silicon layer structures, and methods of fabricating the nonvolatile memory devices

Номер патента: US20100148181A1. Автор: SUNG Wook Jung,Kyung Soo Jang,Jae Hyun Cho,Byoung Deog Choi,Jun Sin Yi. Владелец: Sungkyunkwan University Foundation For Corporate Collaboration. Дата публикации: 2010-06-17.

Semiconductor memory device and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20210066342A1. Автор: Hiroki Yamashita,Yuichi FURUKI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20240074189A1. Автор: Hyun Sub KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor memory device including channel pillar with junction and method of fabricating the semiconductor memory device

Номер патента: US11937421B2. Автор: Nam Kuk KIM,Ki Chang JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor memory device and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20210082949A1. Автор: Hisashi Harada,Jun Nishimura,Ayaha HACHISUGA,Wataru UNNO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US11882704B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20220077182A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Magnetoresistance memory device and method for manufacturing magnetoresistance memory device

Номер патента: US20240099019A1. Автор: Tadaaki Oikawa,Hyung-Woo AHN,Young Min EEH,Taiga ISODA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor memory device and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20230309303A1. Автор: Yusuke Morikawa,Tatsufumi Hamada,Yosuke MITSUNO,Tomohiro KUKI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20230354603A1. Автор: Kang Sik Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Method of forming aluminum oxide layer and method of manufacturing charge trap memory device using the same

Номер патента: US20090061613A1. Автор: Sang-jin Park,Eun-ha Lee,Sang-Moo Choi,Woong-Chul Shin,Kwang-Soo Seol,Jung-hun Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-05.

Semiconductor memory device and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20230413567A1. Автор: Hisashi Harada,Hideto Takekida. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Methods of forming silicon-doped aluminum oxide, and methods of forming transistors and memory devices

Номер патента: US20020086556A1. Автор: Leonard Forbes,Kie Ahn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-04.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20230292501A1. Автор: Han Na GOH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Method for fabricating nonvolatile memory device

Номер патента: US20140045311A1. Автор: Hyun-Sik DOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-02-13.

Method for forming a memory device with at least one memory cell, in particular a phase change memory cell, and memory device

Номер патента: US20070287251A1. Автор: Ulrike Gruening-Von Schwerin. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-12-13.

Method for manufacturing oxide film, method for manufacturing semiconductor memory device, semiconductor device, and semiconductor memory device

Номер патента: US20230301089A1. Автор: Akira Takashima,Yusuke Nakajima,Tsunehiro Ino. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Method for forming a memory device at a backside of a wafer substrate, and memory cell including a memory device at a backside of a wafer substrate

Номер патента: US20240023463A1. Автор: Huang-Lin Chao,Chung-Liang Cheng,Pinyen Lin,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Methods for Manufacturing Magnetic Memory Devices

Номер патента: US20180006215A1. Автор: Yoonjong Song,Daeeun JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor memory device and method of fabricating the semiconductor memory device

Номер патента: US20240206160A1. Автор: Nam Kuk KIM,Ki Chang JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Methods for fabricating ferroelectric memory devices with improved ferroelectric properties

Номер патента: US7488628B2. Автор: Ki-nam Kim,Yoon-Jong Song,Nak-Won Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-10.

Method for preparing a memory device with air gaps for reducing capacitive coupling

Номер патента: US20210408005A1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-12-30.

Method for manufacturing semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US20230354610A1. Автор: Yusuke Oshiki,Hirotaka Tsuda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Method for manufacturing semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US9627401B2. Автор: Yusuke Oshiki,Hirotaka Tsuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Method for manufacturing semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US20200176469A1. Автор: Yusuke Oshiki,Hirotaka Tsuda. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-06-04.

Semiconductor memory device having word lines surrounded by memory layers and method of making the semiconductor memory device

Номер патента: US20230317616A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Method for fabricating nonvolatile memory device

Номер патента: US11864384B2. Автор: Kohji Kanamori,Young Hwan Son,Jee Hoon HAN,Je Suk MOON,Seo-Goo Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-02.

Method for fabricating flash memory device

Номер патента: US20080197111A1. Автор: Tae-Woo Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-08-21.

Method for fabricating a memory device

Номер патента: US20200295010A1. Автор: Noriaki Ikeda,Huang-Nan Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Method for manufacturing semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US20160254319A1. Автор: Shigeki Kobayashi,Takeshi Yamaguchi,Masaki Yamato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-01.

Method for manufacturing semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US20140326939A1. Автор: Shigeki Kobayashi,Takeshi Yamaguchi,Masaki Yamato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-11-06.

Method for manufacturing semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US20150295174A1. Автор: Shigeki Kobayashi,Takeshi Yamaguchi,Masaki Yamato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-15.

Method for fabricating flash memory device

Номер патента: US7303960B1. Автор: Chang-Ming Wu,Chang-Ho Yeh,Jhong-Ciang Min. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2007-12-04.

Method for preparing semiconductor memory device with air gaps between conductive features

Номер патента: US20220059544A1. Автор: Chun-Cheng Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Method for fabricating nonvolatile memory device

Номер патента: US20130095635A1. Автор: Nam-Jae Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-04-18.

Method for fabricating semiconductor memory device

Номер патента: US20030045071A1. Автор: Chul Chan Choi,Ji Suk Hong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-06.

Method for forming ferroelectric memory device

Номер патента: US7517703B2. Автор: Suk-Hun Choi,Yoon-ho Son,Sang-don Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-04-14.

Method for fabricating semiconductor memory device

Номер патента: US20100155832A1. Автор: Song Hyeuk Im. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-06-24.

Method for forming ferroelectric memory device

Номер патента: US20070243641A1. Автор: Suk-Hun Choi,Yoon-ho Son,Sang-don Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-10-18.

Method for manufacturing semiconductor memory device, semiconductor wafer and semiconductor memory device

Номер патента: US20170077107A1. Автор: Tadashi Iguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Method for fabricating semiconductor memory device

Номер патента: US7977188B2. Автор: Song Hyeuk Im. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-07-12.

Methods for fabricating ferroelectric memory devices

Номер патента: US20060049442A1. Автор: Hyun-Ho Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-09.

Non-volatile memory cell and method of manufacture

Номер патента: US20160163721A1. Автор: Gregory James Scott,Thierry Coffi Herve Yao. Владелец: Deutsche Bank AG New York Branch. Дата публикации: 2016-06-09.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10593676B2. Автор: Tzu-Ming Ou Yang,Shu-Ming LEE. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-03-17.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190319034A1. Автор: Meng-Chang Chan,Tzu-Ming Ou Yang,Shu-Ming LEE. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

Millimeter wave monolithic integrated circuits and methods of forming such integrated circuits

Номер патента: EP2364524A1. Автор: Kenneth W. Brown,Andrew K. Brown. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2011-09-14.

Millimeter wave monolithic integrated circuits and methods of forming such integrated circuits

Номер патента: WO2010053554A1. Автор: Kenneth W. Brown,Andrew K. Brown. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2010-05-14.

Atomic Layer Deposition of Metal Oxides for Memory Applications

Номер патента: US20150179935A1. Автор: Imran Hashim,Tim Minvielle,Takeshi Yamaguchi,Vidyut Gopal,Randall J. Higuchi,Hieu Pham,Zhendong Hong. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Atomic Layer Deposition of Metal Oxides for Memory Applications

Номер патента: US20140363920A1. Автор: Imran Hashim,Tim Minvielle,Takeshi Yamaguchi,Vidyut Gopal,Randall J. Higuchi,Hieu Pham,Zhendong Hong. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2014-12-11.

Apparatuses including contacts in a peripheral region and methods for forming the same

Номер патента: US20230056343A1. Автор: Yutaka Nakae. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Atomic layer deposition of metal oxide materials for memory applications

Номер патента: WO2013032809A1. Автор: Imran Hashim,Yun Wang,Tony Chiang,Dipankar Pramanik,Vidyut Gopal. Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2013-03-07.

Device and method for making a memory device at a control unit of a motor vehicle unusable

Номер патента: EP2928763B1. Автор: Ortwin SCHLÜTER,Rasmus Backman. Владелец: SCANIA CV AB. Дата публикации: 2018-07-18.

Device and method for making a memory device at a control unit of a motor vehicle unusable

Номер патента: EP2928763A4. Автор: Ortwin SCHLÜTER,Rasmus Backman. Владелец: SCANIA CV AB. Дата публикации: 2016-08-10.

Method for fabricating memory cells for a memory device

Номер патента: US20060046317A1. Автор: Rainer Bruchhaus,Martin Gutsche. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-03-02.

Plasma-doped trenches for memory

Номер патента: US20240105510A1. Автор: Yiping Wang,Wesley O. McKinsey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Method of manufacturing memory devices

Номер патента: US20100227441A1. Автор: Wen-Jer Tsai,Ta-Wei Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-09.

Manufacturing method for a semiconductor device

Номер патента: US11462627B2. Автор: Xiang Peng,Haoyu Chen,Qiwei Wang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-10-04.

Systems and methods for deposition of molybdenum for source/drain contacts

Номер патента: US20230298902A1. Автор: Dong Li,Petri Raisanen,Eric James Shero,Jiyeon Kim. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-09-21.

Memory device with vertical field effect transistor

Номер патента: US20230276613A1. Автор: Ming-Hung Hsieh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Method for manufacturing memory device having a protruding channel structure

Номер патента: US20230371232A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Method for manufacturing memory device having word line with dual conductive materials

Номер патента: US20230301072A1. Автор: Jhen-Yu Tsai,Yu-Ping Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Method for fabricating memory device

Номер патента: US20180061848A1. Автор: Chun-Hsu Chen,Hsu-Chi Cho. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-03-01.

Switch control circuit, multiplexer switch circuit and control method for multiplexer switch control circuit

Номер патента: US20230006608A1. Автор: ZHUO Li,Jun Yang,Feixiang Chen,Weijiang Li. Владелец: Chipone Technology Beijing Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-05.

Pulse width modulation-based overcurrent protection circuit and operating method for the same

Номер патента: US11901885B2. Автор: Li-Cheng Chu. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Method of manufacturing memory device having word lines with improved resistance

Номер патента: US20240276701A1. Автор: Jung-Yu Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Integrated Circuit and Related Method for Determining Operation Modes

Номер патента: US20110032024A1. Автор: Yi-Lun Shen,Yi-Shan Chu,Ren-Yi Chen. Владелец: Leadtrend Technology Corp. Дата публикации: 2011-02-10.

Delay lock loop circuit, and associated method, for a radio receiver

Номер патента: US20040151272A1. Автор: Thomas Kenney,Jukka Tapaninen. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2004-08-05.

Method for calibrating capacitor voltage coefficient of high-precision successive approximation analog-to-digital converter

Номер патента: US20210013896A1. Автор: TING Li,Yong Zhang,Dongbing Fu,Zhengbo Huang,Yabo NI. Владелец: CETC 24 Research Institute. Дата публикации: 2021-01-14.

Totem pole pfc with a surge protection circuit and surge protection method for a totem pole pfc

Номер патента: US20240014732A1. Автор: Robert Pohlmann. Владелец: Delta Electronics Thailand PCL. Дата публикации: 2024-01-11.

Three poles monolithic quartz crystal filter measurement circuit and corresponding measuring method

Номер патента: US20040080327A1. Автор: Eric Wu. Владелец: Tai-Saw Technology Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-29.

SYSTEMS AND METHODS TO COMPENSATE FOR MEMORY EFFECTS USING ENHANCED MEMORY POLYNOMIALS

Номер патента: US20150229498A1. Автор: Sulimarski Avi. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-13.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20190027486A1. Автор: Chung-Jen Huang,Yun-Chi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-24.

Metal hybrid charge storage structure for memory

Номер патента: WO2022267007A1. Автор: Fei Wang,Jie Li,Xingui ZHANG,Dipanjan Basu,Meng-Wei Kuo,Minsheng Wang,Guangyu Huang,Qun Gao,Randy Koval,Henok MEBRAHTU,Guanjie LI. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2022-12-29.

Metal hybrid charge storage structure for memory

Номер патента: US20220415908A1. Автор: Fei Wang,Jie Li,Xingui ZHANG,Dipanjan Basu,Meng-Wei Kuo,Minsheng Wang,Guangyu Huang,Qun Gao,Randy Koval,Henok MEBRAHTU,Guanjie LI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Method for manufacturing semiconductor memory devices

Номер патента: TW359875B. Автор: Masao Kunito. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-06-01.

반도체 메모리 장치를 제조하기 위한 방법(Method for Manufacuring Semiconductor Memory Devices)

Номер патента: KR19980019211A. Автор: 마사오 구니또우. Владелец: 닛본 덴기 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1998-06-05.

Method for manufacturing flash memory device

Номер патента: TW200520165A. Автор: Dong-Kee Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-16.

Method for fabricating a memory device and storing information

Номер патента: EP1026753B1. Автор: Isik C. Kizilyalli,Xiaojun Deng,Stephen C. Kuehne. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2011-08-24.

Memory device with vertical field effect transistor and method for preparing the same

Номер патента: US20230029551A1. Автор: Ming-Hung Hsieh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-02-02.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200058654A1. Автор: Noriaki Ikeda,Jiun-Sheng YANG. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-02-20.

Memory device structure and method for forming the same

Номер патента: US20220029091A1. Автор: Huan-Just Lin,kun-yi Li,Yu-Feng Yin,Sin-Yi Yang,Chen-Jung Wang,Han-Ting Lin,Yin-Hao Wu,Jiann-Horng Lin,An-Shen CHANG,Hsing-Hsiang WANG,Meng-Chieh WEN,Lin-Ting LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-27.

Method for fabricating a gallium nitride pattern and method for fabricating flash memory device and flash memory device using thereof

Номер патента: KR100956402B1. Автор: 정재훈,김태환,권영해,이대욱. Владелец: 한양대학교 산학협력단. Дата публикации: 2010-05-06.

Nonvolatile memory element, nonvolatile memory device, method for manufacturing nonvolatile memory element, and method for manufacturing nonvolatile memory device

Номер патента: JPWO2013038647A1. Автор: 理伊藤,幸夫早川,巧三河,三河　巧,早川　幸夫,慎一米田,敦史姫野,伊藤　理. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-23.

Method for treating resistive memory device and method for manufacturing resistive memory device employing the same

Номер патента: KR101438580B1. Автор: 김현재,윤두현,박성표,탁영준,정주혜. Владелец: 연세대학교 산학협력단. Дата публикации: 2014-09-17.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190148631A1. Автор: Chung-Ju Lee,Chih-Wei Lu,Hsi-Wen Tien,Wei-Hao Liao,Pin-Ren Dai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210226026A1. Автор: Yu-Chu Lin,Chi-Chung JEN,Jia-Yang Ko,Yen-Di WANG,Men-Hsi TSAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Electric power supply circuit and PAM control method for the same

Номер патента: AU2008238801B2. Автор: Masafumi Hashimoto,Keisuke Shimatani,Masakazu Katou,Keiichi Yoshisaka,Ryou Nakamoto. Владелец: Daikin Industries Ltd. Дата публикации: 2011-03-24.

Electric power supply circuit and PAM control method for the same

Номер патента: AU2008238801B8. Автор: Masafumi Hashimoto,Keisuke Shimatani,Masakazu Katou,Keiichi Yoshisaka,Ryou Nakamoto. Владелец: Daikin Industries Ltd. Дата публикации: 2011-04-14.

Electronic driver circuit and method

Номер патента: WO2009095836A3. Автор: Ulrich Boeke. Владелец: Philips Intellectual Property & Standards Gmbh. Дата публикации: 2009-10-15.

Three-dimensional memory device and methods of forming

Номер патента: US20210375940A1. Автор: Chun-Chieh Lu,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

High voltage direct current circuit breaker arrangement and method

Номер патента: US20130293985A1. Автор: Victor Lescale. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2013-11-07.

VERTICAL MEMORY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING VERTICAL MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210028174A1. Автор: LEE Nam-Jae. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2021-01-28.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210066342A1. Автор: YAMASHITA Hiroki,FURUKI Yuichi. Владелец: Kioxia Corporation. Дата публикации: 2021-03-04.

MEMORY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220085069A1. Автор: BIN Jin-Ho,KWON Il-Young,BYEON Hye-Hyeon,GWON Tae-Hong. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2022-03-17.

ION BEAM APPARATUSES AND METHODS FOR FORMING PATTERNS USING THE SAME, AND METHODS FOR MANUFACTURING MAGNETIC MEMORY DEVICES USING THE SAME.

Номер патента: US20180069176A1. Автор: Park Jongchul,Park Jongsoon,Kim Jong-Kyu,LEE Yil-Hyung,LEE Woohyun,KIM Sang-Kuk,YOON Hyeji. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-08.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210082949A1. Автор: Nishimura Jun,HARADA Hisashi,HACHISUGA Ayaha,UNNO Wataru. Владелец: Kioxia Corporation. Дата публикации: 2021-03-18.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210091002A1. Автор: SHIMIZU Kojiro. Владелец: Kioxia Corporation. Дата публикации: 2021-03-25.

ION BEAM APPARATUS INCLUDING SLIT STRUCTURE FOR EXTRACTING ION BEAM, ETCHING METHOD USING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING MAGNETIC MEMORY DEVICE USING THE ION BEAM APPARATUS

Номер патента: US20180158643A1. Автор: Park Jongchul. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-07.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220302378A1. Автор: Hoshino Ken,TSUBATA Shuichi,NODA Kotaro,NODA Kyoko. Владелец: Kioxia Corporation. Дата публикации: 2022-09-22.

MEMORY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200152585A1. Автор: EOM Dae-Sung. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2020-05-14.

Memory Device and Method for Operating a Memory Device

Номер патента: US20170187359A1. Автор: Bacigalupo Tommaso. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-29.

ION BEAM APPARATUSES AND METHODS FOR FORMING PATTERNS USING THE SAME, AND METHODS FOR MANUFACTURING MAGNETIC MEMORY DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20190189916A1. Автор: Park Jongchul,Park Jongsoon,Kim Jong-Kyu,LEE Yil-Hyung,LEE Woohyun,KIM Sang-Kuk,YOON Hyeji. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2019-06-20.

VERTICAL MEMORY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING VERTICAL MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210225843A1. Автор: LEE Nam-Jae. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2021-07-22.

MEMORY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200388631A1. Автор: BIN Jin-Ho,KWON Il-Young,BYEON Hye-Hyeon,GWON Tae-Hong. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2020-12-10.

High voltage direct current circuit breaker arrangement and method

Номер патента: CN102227796B. Автор: 维克托·莱斯卡勒. Владелец: ABB T&D Technology AG. Дата публикации: 2014-04-30.

Method of making a semiconductor memory device

Номер патента: US5185284A. Автор: Kaoru Motonami. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-02-09.

Semiconductor memory devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US8390075B2. Автор: Weon-Ho Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-03-05.

Semiconductor memory device and method for fabricating semiconductor memory device

Номер патента: US20090146190A1. Автор: Masaru Kito,Yasuyuki Matsuoka,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-06-11.

Semiconductor memory device and method for manufacturing semiconductor memory device capable of increasing a storage capacity per unit area of the semiconductor memory device

Номер патента: TW202011586A. Автор: 中木寛. Владелец: 日商東芝記憶體股份有限公司. Дата публикации: 2020-03-16.

Method for forming selective epitaxial structure and method for manufacturing 3D memory device

Номер патента: CN111162079B. Автор: 蒲浩. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-28.

Semiconductor memory device and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: CN112447750A. Автор: 松本壮太,西村貴仁. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-05.

Method for forming patterns and method for manufacturing magnetic memory device using the same

Номер патента: US9876165B2. Автор: Inho Kim,Jongchul Park,Jung-Ik Oh,Jong-Kyu Kim,Gwang-Hyun Baek,Sang-Kuk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Vertical memory device and method for fabricating vertical memory device

Номер патента: KR20210012710A. Автор: 이남재. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2021-02-03.

Semiconductor memory device, and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: WO2021251029A1. Автор: 潤奥野. Владелец: ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社. Дата публикации: 2021-12-16.

Semiconductor memory device and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: JP2023039339A. Автор: 賢宏小藤,Masahiro Kofuji. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-20.

Semiconductor memory device and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20070200154A1. Автор: Toshiyuki WASHIASHI. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-08-30.

Semiconductor memory device and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20230301088A1. Автор: Masaki Kato,Kenichi Fujii,Takashi Fukushima,Yuji Sakai,Hiroyuki OHTORI,Ryosuke SAWABE,Saho OHSAWA,Kaihei KATOU. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

High voltage direct current circuit breaker arrangement and method

Номер патента: KR101183506B1. Автор: 빅토르 레스칼레. Владелец: 에이비비 테크놀로지 아게. Дата публикации: 2012-09-20.

Finfet isolation device and method

Номер патента: US20230361203A1. Автор: Jun Zhao,Neng-Kuo Chen,Andrew Dennis Carswell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Ion beam apparatuses and methods for forming patterns using the same, and methods for manufacturing magnetic memory devices using the same.

Номер патента: US20180069176A1. Автор: Jongchul Park,Jong-Kyu Kim,Jongsoon Park,Sang-Kuk Kim,Woohyun LEE,Yil-hyung LEE,Hyeji YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-08.

Memory device and method for forming a memory device

Номер патента: US20240023342A1. Автор: Yen-Chieh Huang,Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Chemical-mechanical polishing method for polishing phase-change material and method of fabricating phase-change memory device using the same

Номер патента: US20100227435A1. Автор: Joon-Sang Park,Chung-Ki Min,Dong-Keun Kim,Yeol Jon,Chang-sun Hwang,Tae-eun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-09-09.

Nonvolatile memory device including double spacers on sidewall of floationg gate, electronic device including the nonvolatile memory device and method of fabricating the nonvolatile memory device

Номер патента: KR101263824B1. Автор: 박종호,이성훈,백현철,임준성. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2013-05-13.

Method for Shallow Trench Isolation and Method of manufacturing Non-Volatile Memory Device comprising the same

Номер патента: KR100476691B1. Автор: 이성수,황재성. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-03-18.

Array architecture for embedded flash memory devices

Номер патента: US20110298032A1. Автор: Roger Lee,Daniel Xu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2011-12-08.

Method for Self-Aligned Shallow Trench Isolation and Method of manufacturing Non-Volatile Memory Device comprising the same

Номер патента: KR100339890B1. Автор: 정병홍. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2002-06-10.

Semiconductor memory device and the fabrication method thereof

Номер патента: US5324680A. Автор: Kyu-Pil Lee,Yong-Jik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1994-06-28.

Method for Self-Aligned Shallow Trench Isolation and Method of manufacturing Non-Volatile Memory Device comprising the same

Номер патента: KR100335999B1. Автор: 윤병문,김희석,강만석,정우인. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2002-05-08.

Method for producing a pillar-shaped phase change memory device

Номер патента: US9954032B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Top electrode for a memory device and methods of making such a memory device

Номер патента: US11785860B2. Автор: Haiting Wang,Yanping SHEN,Sipeng Gu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Manufacturing Method For A Semiconductor Device

Номер патента: US20220052180A1. Автор: Xiang Peng,Haoyu Chen,Qiwei Wang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-02-17.

Overcurrent protection circuit for fast switching semiconductors, and method of protecting fast switching semiconductors from overcurrents

Номер патента: US20230396245A1. Автор: Gerhard Steiner,Florian Kapaun. Владелец: AIRBUS SAS. Дата публикации: 2023-12-07.

STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURE OF MEMORY DEVICE WITH THIN SILICON BODY

Номер патента: US20160086959A1. Автор: RHIE Hyoung Seub. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc.. Дата публикации: 2016-03-24.

Structure and Method for Manufacture of Memory Device With Thin Silicon Body

Номер патента: US20140264541A1. Автор: RHIE Hyoung Seub. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc.. Дата публикации: 2014-09-18.

SYSTEM AND METHOD FOR THERMALLY COUPLING MEMORY DEVICES TO A MEMORY CONTROLLER IN A COMPUTER MEMORY BOARD

Номер патента: US20150342097A1. Автор: Koeppel Allan Jeffrey,Cowles Douglas. Владелец: SRC Computers, LLC.. Дата публикации: 2015-11-26.

Method of forming a small via structure in a semiconductor device and method of fabricating phase change memory device using the same

Номер патента: KR100653701B1. Автор: 이장은,조성래,박정희. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-12-04.

Method of fabricating the charge trapping layer having Silicon nanocrystal, and nonvolatile memory device and method of manufacturing the nonvolatile memory device using the same

Номер патента: KR100914292B1. Автор: 박재영,박기선,이기홍,주문식,김용탑. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-08-27.

Methods fabricating of semiconductor devices having self-aligned cell diodes and methods fabricating of phase change memory devices using the same

Номер патента: KR100782496B1. Автор: 박재현,오재희,고승필,김정인,은성호,오용태. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-12-05.

Structure and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: KR100689712B1. Автор: 박정주. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-03-08.

Structure and method for a magnetic memory device with proximity writing

Номер патента: CN100502028C. Автор: 何家骅,谢光宇. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-06-17.

Trench Isolation Methods, Methods of Forming Gate Structures Using the Trench Isolation Methods and Methods of Fabricating Non-Volatile Memory Devices Using the Trench Isolation Methods

Номер патента: US20080044981A1. Автор: Won-Jun Lee,Jung-Hyun Park,Hyoeng-Ki Kim,Woong Lee,Jung Geun Jee,Won-Jun Jang,Ho-Min Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-21.

Dry etching process and method for manufacturing magnetic memory device

Номер патента: KR20070031829A. Автор: 세이지 사무까와,도시아키 시라이와,데츠야 다츠미. Владелец: 세이지 사무까와. Дата публикации: 2007-03-20.

Methods for forming semiconductor devices including thermal processing

Номер патента: US20040102015A1. Автор: Wan-Don Kim,Cha-young Yoo,Suk-Jin Chung,Jae-Hyoung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-05-27.

Method for manufacturing memory device

Номер патента: US20120295408A1. Автор: Ping Hsu,Yi-Nan Chen,Hsien-Wen Liu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Method for forming memory device

Номер патента: US11638379B2. Автор: Guan-Ru Lee,Chia-Jung Chiu,Min-Feng Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-25.

Memory device comprising a top via electrode and methods of making such a memory device

Номер патента: US11812670B2. Автор: Haiting Wang,Yanping SHEN,Sipeng Gu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Method for making semiconductor device

Номер патента: US20130023114A1. Автор: John Power. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-01-24.

Memory devices having improved memory state retention

Номер патента: WO2024049624A1. Автор: Milan PESIC,Pradeep K. Subrahmanyan. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-03-07.

Memory devices having improved memory state retention

Номер патента: US20240081063A1. Автор: Milan PESIC,Pradeep K. Subrahmanyan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230067049A1. Автор: Wei-De Ho,Hua-Tai Lin,Yuan-Hsiang Lung,Han-Wei Wu,Pei-Sheng TANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Memory device comprising a top via electrode and methods of making such a memory device

Номер патента: US20210336126A1. Автор: Haiting Wang,Yanping SHEN,Sipeng Gu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-10-28.

Method for forming memory device

Номер патента: US20220052072A1. Автор: Guan-Ru Lee,Chia-Jung Chiu,Min-Feng Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-17.

Memory device comprising a top via electrode and methods of making such a memory device

Номер патента: US20230078730A1. Автор: Haiting Wang,Yanping SHEN,Sipeng Gu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-03-16.

Semiconductor memory device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20010052625A1. Автор: Kazuhiko Sanada. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-12-20.

Memory Devices

Номер патента: US20090309158A1. Автор: Wen Jer Tsai,Ta Wei Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-17.

METHOD OF FORMING PHASE CHANGE MATERIAL LAYER USING GE(II) SOURCE, AND METHOD OF FABRICATING PHASE CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130101491A1. Автор: Cho Sung-Lae,Bae Byoung-Jae,Lee Jin-Il,Park Hye-Young,Kim Do-Hyung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-04-25.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130119342A1. Автор: YAMAGUCHI Takeshi,Fukumizu Hiroyuki. Владелец: . Дата публикации: 2013-05-16.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130234235A1. Автор: Iguchi Tadashi,Matsuda Toru,Yahashi Katsunori. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-09-12.

MEMORY DEVICE AND A METHOD FOR FORMING THE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210020834A1. Автор: Tan Shyue Seng,Toh Eng Huat,Loy Desmond Jia Jun. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-21.

METHOD FOR MANUFACTURING A MEMORY DEVICE AND MEMORY DEVICE MANUFACTURED THROUGH THE SAME METHOD

Номер патента: US20220051944A1. Автор: Tessariol Paolo,Fantini Paolo,Fratin Lorenzo. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-17.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20190051663A1. Автор: Oshiki Yusuke,TSUDA Hirotaka. Владелец: Toshiba Memory Corporation. Дата публикации: 2019-02-14.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20220077182A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

MAGNETIC MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE MAGNETIC MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150069552A1. Автор: Hashimoto Yutaka,Kai Tadashi,Nagase Toshihiko,Yoda Hiroaki,Yoshikawa Masatoshi,Nakayama Masahiko,Sonoda Yasuyuki. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-12.

VARIABLE RESISTANCE MEMORY DEVICES, AND METHODS OF FORMING VARIABLE RESISTANCE MEMORY DEVICES

Номер патента: US20190067569A1. Автор: Kang Shin-Jae,Oh Gyuhwan,HWANG Junyeon,Chung Jiyoon. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-28.

MEMORY DEVICE AND A METHOD FOR FORMING THE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210074916A1. Автор: Tan Shyue Seng,TAN Juan Boon,Chen Tu Pei,Sun Jianxun. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-11.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, SEMICONDUCTOR WAFER AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170077107A1. Автор: Iguchi Tadashi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2017-03-16.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220093625A1. Автор: KIM Nam Kuk,JEONG Ki Chang. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2022-03-24.

VARIABLE RESISTANCE MEMORY DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING VARIABLE RESISTANCE MEMORY DEVICES

Номер патента: US20200075850A1. Автор: PARK JeongHee,Ahn Dongho,Park Jiho,PARK Changyup. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-05.

METHODS OF FORMING AN INTERCONNECTION LINE AND METHODS OF FABRICATING A MAGNETIC MEMORY DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20170110656A1. Автор: Park Jongchul,Kim Inho,OH Jung-Ik,BAEK Gwang-Hyun,Kim Jong-Kyu,SEO Jaehun,YANG Hyun-woo. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-20.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20160126252A1. Автор: Oshiki Yusuke,TSUDA Hirotaka. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220285372A1. Автор: CHOI Kang Sik. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2022-09-08.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170162596A1. Автор: Oshiki Yusuke,TSUDA Hirotaka. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2017-06-08.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140264535A1. Автор: Sasaki Toshiyuki. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-18.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200176469A1. Автор: Oshiki Yusuke,TSUDA Hirotaka. Владелец: Toshiba Memory Corporation. Дата публикации: 2020-06-04.

MEMORY DEVICE AND A METHOD FOR FORMING THE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200176513A1. Автор: Tan Shyue Seng,Toh Eng Huat,Wang Lanxiang. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-04.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140284686A1. Автор: MURAKAMI Sadatoshi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2014-09-25.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140284691A1. Автор: KIDOH Masaru,KATSUMATA Ryota,Matsuda Toru,ICHINOSE Daigo,Uozumi Yoshihiro,Takamura Kazuhide. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2014-09-25.

MEMORY DEVICE AND A METHOD FOR FORMING THE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200212056A1. Автор: Tan Shyue Seng,LIM Khee Yong,Quek Kiok Boone Elgin,CAI Xinshu. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-02.

VARIABLE RESISTANCE MEMORY DEVICES, AND METHODS OF FORMING VARIABLE RESISTANCE MEMORY DEVICES

Номер патента: US20200220077A1. Автор: Kang Shin-Jae,Oh Gyuhwan,HWANG Junyeon,Chung Jiyoon. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-09.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140326939A1. Автор: KOBAYASHI Shigeki,YAMAGUCHI Takeshi,Yamato Masaki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2014-11-06.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20160254319A1. Автор: KOBAYASHI Shigeki,YAMAGUCHI Takeshi,Yamato Masaki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2016-09-01.

Method for manufacturing semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US20150295174A1. Автор: Shigeki Kobayashi,Takeshi Yamaguchi,Masaki Yamato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-15.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210399112A1. Автор: LEE Nam Jae. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2021-12-23.

Shape Memory Device With Temperature-Dependent Deflectable Segment And Methods Of Positioning A Shape Memory Device Within A Bone Structure

Номер патента: US20170367746A1. Автор: Linderman Evan D.,Ray John. Владелец: STRYKER CORPORATION. Дата публикации: 2017-12-28.

Slurry composition for chemical mechanical polishing, method of polishing using the same and method of manufacturing a semiconductor memory device

Номер патента: KR100852242B1. Автор: 이효선,이동준,김남수,김종우,안봉수. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-08-13.

Slurry Composition For a Chemical Mechanical Polishing Process, Method of Polishing an Object Layer and Method of Manufacturing a Semiconductor Memory Device Using the Slurry Composition

Номер патента: US20080045020A1. Автор: Hyo-Sun Lee,Dong-jun Lee,Nam-Soo Kim,Bong-su Ahn,Jong-woo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-21.

Method for manufacturing semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: KR100874944B1. Автор: 조규철,박영수,강태수,최삼종. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-12-19.

Method of Forming Insulator Layer and Method of Manufacturing Non-Volatile Memory Device Using the same

Номер патента: KR100596484B1. Автор: 이재동,유영섭,나기수,임헌형,이웅,이현덕,형용우. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-07-03.

Method for fabricating flash memory device and flash memory device fabricated thereby

Номер патента: KR100297728B1. Автор: 최정혁. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-09-26.

Non-volatile memory device and method of forming non-volatile memory device

Номер патента: KR100733144B1. Автор: 최용석,민홍국,권혁기. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-06-28.

Semiconductor memory device and manufacturing method for the semiconductor memory device

Номер патента: KR100532424B1. Автор: 박제민,황유상. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-11-30.

Semiconductor diodes, variable resistance memory devices and methods of manufacturing variable resistance memory devices

Номер патента: KR102195003B1. Автор: 강윤선,성동준. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2020-12-24.

Method of forming floating gate and method of fabricating non-volatile memory device using the same

Номер патента: KR100900569B1. Автор: 이재갑,이치영,이장식,손병혁. Владелец: 국민대학교산학협력단. Дата публикации: 2009-06-02.

Nonvolatile semiconductor memory device, semiconductor device and manufacturing method for nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: JP2007088283A. Автор: Yutaka Takeshima,Toshiaki Omori,Yutaka Imai,豊今井,Tatsuya Fukumura,達也福村,豊武島,寿朗大森. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-04-05.

Method of increasing energy band gap of crystalline aluminum oxide layer and method of manufacturing charge trap memory device comprising crystalline aluminum oxide layer having high energy band gap

Номер патента: KR101446333B1. Автор: 박상진,성정헌,신웅철,최상무,설광수. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2014-10-08.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100320525A1. Автор: Satoshi Nagashima,Nobuhito KAWADA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-12-23.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US11538830B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-12-27.

Stacked memory device, memory system having the same, and method of controlling the stacked memory device

Номер патента: KR101495635B1. Автор: 이훈,정회주,강욱성,최장석. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2015-02-26.

Method for manufacturing semiconductor memory device for preventing bit line oxidation and semiconductor memory device

Номер патента: CN1202003A. Автор: 朴泳雨,具本荣,姜昌珍,郑澈,卢俊镛,南硕佑. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-12-16.

Method for fabricating nonvolatible memory device and nonvolatible memory device fabricated thereby

Номер патента: KR100791333B1. Автор: 김경민,서성기,김병동. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-01-07.

Methods of forming phase-change memory units, and methods of manufacturing phase-change memory devices using the same

Номер патента: US20090258477A1. Автор: Hong-Sik Jeong,Gi-Tae Jeong,Yoon-Jong Song,Kyung Chang Ryoo,Jung-Hoo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-10-15.

Manufacturing method for reduced semiconductor memory device contact holes with minimal damage to device separation characteristics

Номер патента: US6235619B1. Автор: Yasuhiro Miyakawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-05-22.

Method for producing semiconductor memory device (alternatives) and semiconductor memory device

Номер патента: RU2234763C2. Автор: Юнг-ву ПАРК,Дзун-йонг НОХ,Бон-юнг КОО,Чанг-дзин КАНГ,Чул ДЗУНГ,Сеок-ву НАМ. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2004-08-20.

Method of forming a phase-changeable layer and method of manufacturing a semiconductor memory device using the same

Номер патента: US20080096386A1. Автор: Sung-Lae Cho,Byoung-Jae Bae,Jin-Il Lee,Hye-Young Park,Young-Lim Park,Ji-Eun Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-24.

Methods of forming phase-change memory units, and methods of manufacturing phase-change memory devices using the same

Номер патента: US8043924B2. Автор: Jung-Hoon Park,Hong-Sik Jeong,Kyung-Chang Ryoo,Gi-Tae Jeong,Yoon-Jong Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-10-25.

Memory device and a method for forming the memory device

Номер патента: US10991704B2. Автор: Shyue Seng Tan,Xinshu CAI,Khee Yong Lim,Kiok Boone Elgin Quek. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-04-27.

Method of forming a mask stack pattern and method of manufacturing a flash memory device including an active area having rounded corners

Номер патента: US20090203190A1. Автор: Chul-Sung Kim,Ki-Hyun Hwang,Si-Young Choi,Bon-young Koo,Young-Jin Noh,Sung-Kweon Baek,Jin-Hwa Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-08-13.

Method of making a semiconductor memory device

Номер патента: US5279983A. Автор: Ji-Hong Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1994-01-18.

Semiconductor memory devices including recess-type control gate electrodes and methods of fabricating the semiconductor memory devices

Номер патента: US8148767B2. Автор: Yoon-dong Park,June-mo Koo,Kyoung-lae Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-04-03.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US20230085167A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-03-16.

Method for fabricating memory device

Номер патента: US9583495B2. Автор: Kuang-Wen Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Method for production of memory devices and semiconductor memory device

Номер патента: US20070221979A1. Автор: Stephan Riedel,Dirk Caspary,Stefano Parascandola. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-09-27.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US11342262B2. Автор: Jae Taek Kim,Hye Yeong JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-05-24.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11910621B2. Автор: Jau-Yi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Method for manufacturing memory device having resistance switching layer

Номер патента: US11963460B2. Автор: Chih-Lin Wang,Hsin-Hsiang TSENG,Yi-Huang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Method for manufacturing memory device

Номер патента: US10002783B2. Автор: LIANG Chen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-06-19.

Method for forming memory device involving ion implantation of the control gate spacer and wet etching process to expose sidewall of control gate

Номер патента: US10896911B2. Автор: Cheng-Ta Yang,Hsu-Chi Cho. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-01-19.

Method for preparing memory device with multilayered capacitor dielectric structure

Номер патента: US20230413509A1. Автор: Chih-Hsiung Huang,Kai-Hung Lin,Jyun-Hua Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Method of forming a memory device

Номер патента: US11800702B2. Автор: Koji Taniguchi,Chin-Lung Lin,Shih-Fang Tzou,Tsung-Ying Tsai,Yi-Hsiu Lee,Harn-Jiunn Wang,Hsu-Yang Wang,Ping-Cheng Hsu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Method for fabricating memory device

Номер патента: US11991882B2. Автор: Kuang-Chao Chen,Kuang-Wen Liu,Yuan-Chieh Chiu,Yao-An Chung,Ting-Feng Liao. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Method for preparing memory device having protrusion of word line

Номер патента: US20230389282A1. Автор: Jar-Ming Ho. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Method for manufacturing memory device

Номер патента: US20170194189A1. Автор: LIANG Chen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-07-06.

Method for forming memory device

Номер патента: US20190348426A1. Автор: Cheng-Ta Yang,Hsu-Chi Cho. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2019-11-14.

Method for manufacturing memory device

Номер патента: US20210151447A1. Автор: Jian-Ting CHEN,Hsiu-Han Liao,Che-Fu Chuang,Yu-Kai Liao. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Method for manufacturing flash memory device and flash memory device

Номер патента: TW200536061A. Автор: Young-Bok Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-11-01.

Slurry Composition For Polishing And Method Of Manufacturing Phase Change Memory Device Using The Same

Номер патента: US20130112914A1. Автор: Jae-dong Lee,Sang-kyun Kim,Kyoung-Moon Kang,Joon-Sang Park,Choong-Ho Han,Ye-Hwan Kim,Won-Jun Lee,Jin-Woo Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-05-09.

METHOD FOR PREPARING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE WITH AIR GAPS FOR REDUCING CAPACITIVE COUPLING

Номер патента: US20220102355A1. Автор: Su Kuo-Hui. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-31.

Sputtering Apparatuses and Methods of Manufacturing a Magnetic Memory Device Using the Same

Номер патента: US20170110301A1. Автор: KIM WOOJIN,Lee Joonmyoung. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-20.

Etchant solutions and methods of forming a magnetic memory device using the same

Номер патента: KR100626382B1. Автор: 홍창기,최상준,김유경,한정남. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-09-20.

Method for forming Silicon quantum dot and the method for fabricating semiconductor memory device using the same

Номер патента: KR100521433B1. Автор: 고관주. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-10-13.

Method for manufacturing semiconductor memory device for ROM coding

Номер патента: KR980011946A. Автор: 김봉석. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-04-30.

Etchant solutions and methods of forming a magnetic memory device using the same

Номер патента: KR20060012513A. Автор: 홍창기,최상준,김유경,한정남. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-02-08.

Method for forming Silicon quantum dot and the method for fabricating semiconductor memory device using the same

Номер патента: KR100602084B1. Автор: 고관주. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-07-19.

SUCTIONED MATERIAL DETECTOR AND METHOD, METHOD FOR DETECTING ALIGNMENT ERRORS, AND CLEANING METHOD USING THIS DETECTOR

Номер патента: DE69726575T2. Автор: Katsunobu Nerima-ku FURUTA. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2004-09-16.

Planar structure and methods of fabricating non-volatile memory devices

Номер патента: AU2002220164A1. Автор: Mark T. Ramsbey,Ravi Sunkavalli,Michael A. Van Buskirk,Yider Wu,David M. Rogers,Hidehiko Shiraiwa,Jean Y. Yang,Janet Wang,Narbeh Derhacobian. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-06-11.

Sputtering apparatuses and methods of manufacturing a magnetic memory device using the same

Номер патента: US9934950B2. Автор: Woojin Kim,JoonMyoung LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-03.

Circuit and a method for processing amplitude and phase variable multiphase signals, which are required as current or voltage reference to drive synchronous motors

Номер патента: US4489266A. Автор: Luciano Franzolini. Владелец: SP EL Srl. Дата публикации: 1984-12-18.

Method for forming silicon nitride film, method for manufacturing semiconductor memory device, and plasma cvd apparatus

Номер патента: TW201107521A. Автор: Toshio Nakanishi,Minoru Honda,Junya Miyahara,Tatsuo Nishita. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2011-03-01.

Method for manufacturing semiconductor memory device having ruthenium film and apparatus for manufacturing the ruthenium film

Номер патента: KR100505680B1. Автор: 이광희,이진일,유차영,임한진,정숙진. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-08-03.

SUCTIONED MATERIAL DETECTOR AND METHOD, METHOD FOR DETECTING ALIGNMENT ERRORS, AND CLEANING METHOD USING THIS DETECTOR

Номер патента: DE69726575D1. Автор: Katsunobu Furuta. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2004-01-15.

Control circuit and control method for multiphase power supply and multiphase power supply

Номер патента: US20230361681A1. Автор: Yang Cheng,Siyun Wang. Владелец: Joulwatt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Driving circuit and driving method for light-emitting diode

Номер патента: US20150061529A1. Автор: Ta-Sung Hsiung,Jui-Lin Hsu. Владелец: Getac Technology Corp. Дата публикации: 2015-03-05.

Current steering circuit and current steering method for controlling branch current flowing through branch

Номер патента: US20140239910A1. Автор: Fu-Sheng Tsai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-08-28.

Circuit and a method for driving electrical loads

Номер патента: US10396773B2. Автор: Igor Spinella. Владелец: Eggtronic Engineering SpA. Дата публикации: 2019-08-27.

Semiconductor element, semiconductor integrated circuit, and production method for semiconductor element

Номер патента: EP4318598A1. Автор: Takahiro Mori,Takashi Nakayama,Kimihiko Kato,Shota Iizuka,Sanghun Cho,Jyurai KATO. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2024-02-07.

Multi-level conversion circuit and control method for flying capacitor voltage thereof

Номер патента: US20240162818A1. Автор: Yuhua Hu,Jinfa Zhang,Kai Dong,Yichao Wang. Владелец: Delta Electronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Multi-level conversion circuit and control method for flying capacitor voltage thereof

Номер патента: US20240162834A1. Автор: Yuhua Hu,Jinfa Zhang,Kai Dong,Yichao Wang. Владелец: Delta Electronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

A circuit and a method for driving electrical loads

Номер патента: EP3430721A1. Автор: Igor Spinella. Владелец: Eggtronic Engineering SpA. Дата публикации: 2019-01-23.

A circuit and a method for driving electrical loads

Номер патента: US20190089342A1. Автор: Igor Spinella. Владелец: Eggtronic Engineering SpA. Дата публикации: 2019-03-21.

A circuit and a method for driving electrical loads

Номер патента: WO2017158458A1. Автор: Igor Spinella. Владелец: Eggtronic Engineering S.R.L.. Дата публикации: 2017-09-21.

Control circuit and control method for power converter

Номер патента: US20220060100A1. Автор: Chien-Chun Huang,Huang-Jen Chiu. Владелец: National Taiwan University of Science and Technology NTUST. Дата публикации: 2022-02-24.

Method for introducing channel stress and field effect transistor fabricated by the same

Номер патента: US20120032239A1. Автор: Xing Zhang,Ru Huang,Xia An,Quanxin Yun. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-02-09.

Semiconductor element, semiconductor integrated circuit, and production method for semiconductor element

Номер патента: US20240186404A1. Автор: Takahiro Mori,Takashi Nakayama,Kimihiko Kato,Shota Iizuka,Sanghun Cho,Jyurai KATO. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2024-06-06.

Method for fabricating nonvolatile memory device

Номер патента: US20130095635A1. Автор: Nam-Jae Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-04-18.

METHOD FOR MANUFACTURING NONVOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130237008A1. Автор: Nojiri Yasuhiro,MIZUSHIMA Ichiro,NAKAO Shinichi,WATANABE Kei,Yamamoto Kazuhiko,Fukumizu Hiroyuki,Ozawa Yoshio. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-09-12.

De-noise circuit and de-noise method for differential signals and chip for receiving differential signals

Номер патента: US20130335167A1. Автор: Tsung-Hsin Lin,Hung-Yi Kuo,Chia-Hung Su. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2013-12-19.

METHOD FOR FABRICATING NONVOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140045311A1. Автор: DOO Hyun-Sik. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2014-02-13.

Methods for Manufacturing Magnetic Memory Devices

Номер патента: US20180006215A1. Автор: SONG YOONJONG,JEONG Daeeun. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-04.

METHOD FOR MANUFACTURING MTJ MEMORY DEVICE

Номер патента: US20160027999A1. Автор: Pinarbasi Mustafa. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-28.

METHOD FOR PREPARING A MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220045073A1. Автор: Chen Yi-Ju,TSAI Jhen-Yu,HUANG CHIN-LING,Yang Cheng-Han. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-10.

METHODS FOR FORMING FERROELECTRIC MEMORY DEVICES

Номер патента: US20210035994A1. Автор: Lu Zhenyu. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-04.

METHOD FOR PREPARING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE WITH AIR GAPS BETWEEN CONDUCTIVE FEATURES

Номер патента: US20220059544A1. Автор: LIAO CHUN-CHENG. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-24.

METHOD FOR FABRICATING NONVOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220139957A1. Автор: KANAMORI Kohji,Son Young Hwan,MOON Je Suk,KANG Seo-Goo,HAN Jee Hoon. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-05.

METHOD FOR MANUFACTURING MTJ MEMORY DEVICE

Номер патента: US20160163973A1. Автор: Pinarbasi Mustafa. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-09.

METHODS FOR FABRICATING A MEMORY DEVICE WITH AN ENLARGED SPACE BETWEEN NEIGHBORING BOTTOM ELECTRODES

Номер патента: US20160163980A1. Автор: Okuno Jun. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-09.

METHOD FOR FABRICATING NONVOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140256062A1. Автор: KIM Whan-kyun,Kim Young-Hyun,KIM WOO-JIN. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-11.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150263035A1. Автор: FUKUZUMI Yoshiaki,TSUJI Masaki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2015-09-17.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20160276363A1. Автор: Aochi Hideaki,FUKUZUMI Yoshiaki,OMURA Mitsuhiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2016-09-22.

METHOD FOR FABRICATING A MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200295010A1. Автор: IKEDA Noriaki,Chen Huang-Nan. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-17.

METHODS FOR FABRICATING A MEMORY DEVICE WITH AN ENLARGED SPACE BETWEEN NEIGHBORING BOTTOM ELECTRODES

Номер патента: US20170338410A1. Автор: Okuno Jun. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-23.

Method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20180342527A1. Автор: Lu-Ping chiang,Cheng-Ta Yang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-11-29.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150372007A1. Автор: Hashimoto Junichi,Iguchi Tadashi,ICHINOSE Daigo,Yahashi Katsunori. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2015-12-24.

Method for manufacturing MTJ memory device

Номер патента: US9263667B1. Автор: Mustafa Pinarbasi. Владелец: Spin Memory Inc. Дата публикации: 2016-02-16.

Method for manufacturing MTJ memory device

Номер патента: US9406876B2. Автор: Mustafa Pinarbasi. Владелец: Spin Memory Inc. Дата публикации: 2016-08-02.

Method for fabricating flash memory device

Номер патента: KR100751687B1. Автор: 안정렬. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-08-23.

Method for manufacturing flash memory device

Номер патента: KR20080001413A. Автор: 진규안,이승철. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-01-03.

Method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: KR100256302B1. Автор: 김진태,홍병섭. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2000-05-15.

Method for fabricating nonvolatible memory device

Номер патента: KR100654359B1. Автор: 윤인구,문정호,권철순,엄재원. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-12-08.

Method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: JP3214449B2. Автор: 眞人坂尾. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-10-02.

Method for fabricating semiconductor memory device

Номер патента: KR100547247B1. Автор: 김승범,남기원. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-01-31.

Method for fabricating semiconductor memory device

Номер патента: KR100268938B1. Автор: 서재범. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2000-10-16.

Methode for menufacturing flash memory device

Номер патента: KR100788371B1. Автор: 백인철. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2008-01-02.

Method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: KR100374545B1. Автор: 노태훈. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-09-06.

Method for fabricating flash memory device

Номер патента: KR100622029B1. Автор: 조정일. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-09-08.

Method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: KR980012483A. Автор: 양형모. Владелец: 엘지반도체 주식회사. Дата публикации: 1998-04-30.

Method for manufacturing flash memory device

Номер патента: KR100755137B1. Автор: 곽철상. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-09-04.

Method for fabricating ferroelectric memory device

Номер патента: KR100414873B1. Автор: 조정호,문원. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-01-13.

Method for fabricating semiconductor memory device

Номер патента: KR100252900B1. Автор: 황영주. Владелец: 현대반도체주식회사. Дата публикации: 2000-04-15.

Method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: KR100743998B1. Автор: 황주희,한기현. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-07-30.

Method for manufacturing ferroelectric memory device

Номер патента: KR100349689B1. Автор: 권순용,염승진. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-08-22.

Apparatus and method of microcontroller for memory mapping

Номер патента: TW200611123A. Автор: Jen-Ta Yang,Tsuo-Ming Ho. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2006-04-01.

The maunfacturing method for capacitor of memory device

Номер патента: TW327249B. Автор: Horng-Huei Tzeng. Владелец: Vanguard Int Semiconduct Corp. Дата публикации: 1998-02-21.

INTEGRATED CIRCUITRY, CHIP, METHOD FOR TESTING A MEMORY DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING AN INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD FOR MANUFACTURING A CHIP

Номер патента: US20140085994A1. Автор: Kronseder Stephan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-03-27.

DIRECT CURRENT CIRCUIT TESTING DEVICE AND METHOD FOR USING SAME

Номер патента: US20120253730A1. Автор: Cao Xiang. Владелец: . Дата публикации: 2012-10-04.

APPARATUSES AND METHODS OF OPERATING FOR MEMORY ENDURANCE

Номер патента: US20130054876A1. Автор: Varanasi Chandra C.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-02-28.

Apparatus and method of microcontroller for memory mapping

Номер патента: TWI307837B. Автор: Tsuo Ming Ho,Jen Ta Yang. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2009-03-21.

Flash Memory Device and Method for Managing Flash memory Device

Номер патента: US20120023283A1. Автор: Yang Tsung-Chieh. Владелец: SILICON MOTION, INC.. Дата публикации: 2012-01-26.

HIGH VOLTAGE DIRECT CURRENT CIRCUIT BREAKER ARRANGEMENT AND METHOD

Номер патента: US20120032762A1. Автор: Lescale Victor. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2012-02-09.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, SEMICONDUCTOR WAFER, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120161206A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-06-28.

MEMORY CONTROLLER DEVICES, SYSTEMS AND METHODS FOR HIGH RELIABILITY MEMORY DEVICES

Номер патента: US20140006730A1. Автор: Zain Suhail,Puchner Helmut,Anderson Walt,Navalpakam Karthik. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2014-01-02.

Semiconductor memory device and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: JP5061480B2. Автор: 浩子田代,浩司角田. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-10-31.

Semiconductor memory device and method for controlling semiconductor memory device

Номер патента: JP5776418B2. Автор: 康充酒井. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-09-09.

Memory device containing double MONOS unit and method for operating the memory device

Номер патента: CN100583292C. Автор: 大仓世纪,大仓法. Владелец: Harlow Co. Дата публикации: 2010-01-20.

Memory device and method for operating the memory device

Номер патента: TWI404067B. Автор: Chun Hsiung Hung,Chin Hung Chang,Wen Chiao Ho,Shuo Nan Hung. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-01.

Semiconductor memory device and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: JP2010225200A. Автор: 隆也須田,Takanari Suda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-10-07.

METHOD OF FORMING TITANIUM NITRADE (TiN) FILM, NONVOLATILE MEMORY DEVICE USING THE TiN FILM, AND METHOD OF MANUFACTURING THE NONVOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120149166A1. Автор: Park Young-Lim,Lee Jin-Il,Kim Chang-Su,Chung Kyung-Min,Jung Sug-Woo. Владелец: . Дата публикации: 2012-06-14.

SYSTEMS AND METHODS FOR STACKED SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES

Номер патента: US20130148401A1. Автор: Fai Anthony,Seroff Nicholas C.. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2013-06-13.

NON-VOLATILE MEMORY DEVICES AND SYSTEMS INCLUDING THE SAME, AND METHODS OF PROGRAMMING NON-VOLATILE MEMORY DEVICES

Номер патента: US20120170365A1. Автор: KIM Tae-Young,Kim Seung-bum,Park Sun-Jun,KANG Dong Ku. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-07-05.

METHODS FOR PROGRAMMING A MEMORY DEVICE AND MEMORY DEVICES

Номер патента: US20120224429A1. Автор: Moschiano Violante,Santin Giovanni. Владелец: . Дата публикации: 2012-09-06.

Methods of forming phase change material layers and methods of manufacturing phase change memory devices

Номер патента: US20120231603A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-09-13.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF CONTROLLING NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120265925A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-10-18.

NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE NONVOLATILE MEMORY DEVICE INCLUDING GIVING AN UPPER PORTION OF AN INSULATING LAYER AN ETCHING SELECTIVITY WITH RESPECT TO A LOWER PORTION

Номер патента: US20120302053A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-11-29.

METHOD OF FORMING PHASE CHANGE MATERIAL LAYER USING GE(II) SOURCE, AND METHOD OF FABRICATING PHASE CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130005112A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-01-03.

Nonvolatile semiconductor memory device and data rewriting method for nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: JP3324691B2. Автор: 典昭児玉. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-09-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of controlling nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: JP3267320B2. Автор: 義幸田中,豊岡本. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-03-18.

Method for forming a memory device, semiconductor device and forming method thereof

Номер патента: TWI264800B. Автор: Chin-Ta Su,Shing-Ann Luo,Chien-Hung Lu,Kuang-Wen Liu,Lee-Jen Chen. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-21.

Method for forming a memory device, semiconductor device and forming methid thereof

Номер патента: TW200638512A. Автор: Chin-Ta Su,Shing-Ann Luo,Chien-Hung Lu,Kuang-Wen Liu,Lee-Jen Chen. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-01.

SLURRY COMPOSITION FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING PROCESS AND METHOD OF FORMING PHASE CHANGE MEMORY DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20120049107A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-03-01.

Device and method for preparing variable-parameter coded signal before its recording on data medium; sequential-signal device and method; method for reproducing patterns from data medium

Номер патента: RU2161377C2. Автор: ФУДЗИНАМИ Ясуси,Велтман Марк. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2000-12-27.

Advertisement display system and method, method for selling advertisement display wall surface, and method for reselling advertisement display wall surface

Номер патента: JP2003263124A. Автор: 大和田　　巌,Kenji Kawahata,賢治河畑,Iwao Owada. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2003-09-19.

Consumption current circuit and method for memory device

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты