Consumption current circuit and method for memory device
Номер патента: US5978292A
Опубликовано: 02-11-1999
Автор(ы): Dong-Chul Lim
Принадлежит: LG Semicon Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 02-11-1999
Автор(ы): Dong-Chul Lim
Принадлежит: LG Semicon Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor memory device and method for testing semiconductor memory device
Номер патента: US20180286496A1. Автор: Shuhei KAMANO. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-04.