• Главная
  • SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE EMPLOYING PROCESSING IN MEMORY (PIM) AND METHOD OF OPERATING THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE EMPLOYING PROCESSING IN MEMORY (PIM) AND METHOD OF OPERATING THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method of performing internal processing operation of memory device

Номер патента: US12073871B2. Автор: Pavan Kumar Kasibhatla,Hak-soo Yu,Seong-il O. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Method of performing internal processing operation of memory device

Номер патента: US20210335413A1. Автор: Pavan Kumar Kasibhatla,Hak-soo Yu,Seong-il O. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-28.

Method of performing internal processing operation of memory device

Номер патента: US11790981B2. Автор: Pavan Kumar Kasibhatla,Hak-soo Yu,Seong-il O. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Method of performing internal processing operation of memory device

Номер патента: US20230360693A1. Автор: Pavan Kumar Kasibhatla,Hak-soo Yu,Seong-il O.. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-09.

Method of performing internal processing operation of memory device

Номер патента: US20200035291A1. Автор: Pavan Kumar Kasibhatla,Hak-soo Yu,Seong-il O. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-30.

Semiconductor memory device and operation method of swizzling data

Номер патента: US11742046B2. Автор: Jeongho Lee,Kwangjin Lee,Hee Hyun Nam,Youngkwang YOO,Jaeho SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-29.

Apparatuses and methods for arbitrating a shared terminal for calibration of an impedance termination

Номер патента: US09766831B2. Автор: Dean Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Packet routing between memory devices and related apparatuses, methods, and memory systems

Номер патента: US20240241641A1. Автор: John D. Leidel. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Operation method of system-on-chip configured to control memory device

Номер патента: EP3822797A2. Автор: Yongseob Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-19.

Operation method of system-on-chip configured to control memory device

Номер патента: US20210151084A1. Автор: Yongseob Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-20.

Operation method of system-on-chip configured to control memory device

Номер патента: EP3822797A3. Автор: Yongseob Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-06-30.

Memory controllers, systems, and methods supporting multiple request modes

Номер патента: US20230420010A1. Автор: Frederick A. Ware,Richard E. Perego. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2023-12-28.

Apparatuses and methods for arbitrating a shared terminal for calibration of an impedance termination

Номер патента: EP3362904A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-08-22.

Memory device and method

Номер патента: WO2010052034A1. Автор: Magnus Tillgren. Владелец: SONY ERICSSON MOBILE COMMUNICATIONS AB. Дата публикации: 2010-05-14.

Synchronous memory device having identification register

Номер патента: US6070222A. Автор: Mark Horowitz,Michael Farmwald. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2000-05-30.

Memory system having memory devices each including a programmable internal register

Номер патента: US6044426A. Автор: Mark Horowitz,Michael Farmwald. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2000-03-28.

Method of detecting erase fail word-line in non-volatile memory device

Номер патента: US20170200506A1. Автор: Won-Bo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-13.

Method of detecting erase fail word-line in non-volatile memory device

Номер патента: US09704596B1. Автор: Won-Bo Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor memory device and operation method thereof

Номер патента: EP3965106A3. Автор: Jeongho Lee,Kwangjin Lee,Hee Hyun Nam,Youngkwang YOO,Jaeho SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-08.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20060236206A1. Автор: Toshikazu Nakamura,Kuninori Kawabata,Akira Kikutake,Shuzo Otsuka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-10-19.

Error vector readout from a memory device

Номер патента: US09734008B2. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Warren E. Maule,Hillery C. Hunter,Charles A. Kilmer,Michael B. Healy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Error vector readout from a memory device

Номер патента: US09733870B2. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Warren E. Maule,Hillery C. Hunter,Charles A. Kilmer,Michael B. Healy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Apparatuses and methods for scatter and gather

Номер патента: US20230043636A1. Автор: Richard C. Murphy,Timothy P. Finkbeiner,Jason T. ZAWODNY,Kelley D. Dobelstein. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Apparatuses and methods for scatter and gather

Номер патента: US20190362762A1. Автор: Richard C. Murphy,Timothy P. Finkbeiner,Jason T. ZAWODNY,Kelley D. Dobelstein. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-28.

Memory modules including a mirroring circuit and methods of operating the same

Номер патента: US20230186954A1. Автор: KyuDong Lee,Gyuchae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-15.

Memory modules including a mirroring circuit and methods of operating the same

Номер патента: US12027225B2. Автор: KyuDong Lee,Gyuchae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-02.

Addressing in memory with a read identification (rid) number

Номер патента: WO2020068363A1. Автор: Frank F. Ross. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-04-02.

Addressing in memory with a read identification (rid) number

Номер патента: US20240329887A1. Автор: Frank F. Ross. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

System and method for controlling memory command delay

Номер патента: US20140089620A1. Автор: Douglas Alan Larson. Владелец: Round Rock Research LLC. Дата публикации: 2014-03-27.

Coordinating memory operations using memory-device generated reference signals

Номер патента: US20190114271A1. Автор: Scott C. Best,Ian Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2019-04-18.

Coordinating memory operations using memory-device-generated reference signals

Номер патента: US20210011867A1. Автор: Scott C. Best,Ian Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2021-01-14.

Coordinating memory operations using memory-device-generated reference signals

Номер патента: US20190294568A1. Автор: Scott C. Best,Ian Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2019-09-26.

Coordinating memory operations using memory-device generated reference signals

Номер патента: US20180150420A1. Автор: Scott C. Best,Ian Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-05-31.

Coordinating memory operations using memory-device generated reference signals

Номер патента: US09858216B2. Автор: Scott C. Best,Ian Shaeffer. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2018-01-02.

Technologies for issuing commands on selected memory devices

Номер патента: US20200133578A1. Автор: Muthukumar P. SWAMINATHAN,Kunal A. Khochare. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Technologies for issuing commands on selected memory devices

Номер патента: EP3761314A1. Автор: Muthukumar P. SWAMINATHAN,Kunal A. Khochare. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-01-06.

Addressing in memory with a read identification (RID) number

Номер патента: US12014082B2. Автор: Frank F. Ross. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Systems, devices, memory controllers, and methods for memory initialization

Номер патента: US8856482B2. Автор: Terry M. Grunzke. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-10-07.

EMERGENCY POWER SUPPLY CIRCUIT AND METHOD FOR POLARIZING THE BINARY LINES OF A STATIC SEMICONDUCTOR MEMORY

Номер патента: FR2475779A1. Автор: Ward Douglas Parkinson. Владелец: Mostek Corp. Дата публикации: 1981-08-14.

Storage device having wide input/output and method of operating the same

Номер патента: US20200150893A1. Автор: Chanho YOON,Daekyoung Kim,Hyeonwu Kim,Seok-Won Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-14.

Method of operation for a nonvolatile memory system and method of operating a memory controller

Номер патента: US09778851B2. Автор: Young-Ho Park,Chanik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230297245A1. Автор: Takashi Maeda,Kazutaka IKEGAMI,Rieko FUNATSUKI,Sumiko Domae. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Systems and methods to wake up memory array

Номер патента: US20200279611A1. Автор: Gautam Dusija,Phil Reusswig,Sahil Sharma. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-09-03.

Memory system and method of operating the same

Номер патента: US11848057B2. Автор: Eun Jae Ock. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

Adaptive parity techniques for a memory device

Номер патента: US20240362115A1. Автор: Justin Eno,Sean S. Eilert,William A. Melton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

System and method for polling the status of memory devices

Номер патента: US09910600B2. Автор: Matthew Stephens,Neil Buxton. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Methods for row hammer mitigation and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20240096394A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-03-21.

Methods for row hammer mitigation and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US11837272B2. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-12-05.

MEMORY SYSTEM INCLUDING A MEMORY DEVICE, AND METHODS OF OPERATING THE MEMORY SYSTEM AND THE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150049554A1. Автор: YOON SANG-YONG,YIM HYE-JIN. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-19.

MEMORY SYSTEM INCLUDING A MEMORY DEVICE, AND METHODS OF OPERATING THE MEMORY SYSTEM AND THE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170301404A1. Автор: YOON SANG-YONG,YIM HYE-JIN. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-19.

Storage device including power supply circuit and method of operating storage device

Номер патента: EP3865991A1. Автор: Heejong Kim,Gunbae KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-08-18.

Memory device sensors

Номер патента: EP4073799A1. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-19.

Memory device sensors

Номер патента: WO2021118711A1. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-17.

Method of controlling the operation of non-volatile semiconductor memory chips

Номер патента: US20030103392A1. Автор: Hideaki Kurata,Naoki Kobayashi,Toru Matsushita. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-06-05.

Method of operating a memory device

Номер патента: US20170220417A1. Автор: Thomas Kern,Karl Hofmann,Michael Goessel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-03.

Non-volatile memory device, memory system including the same and read method of memory system

Номер патента: US12020755B2. Автор: Sung Hun Kim,Hyo Jae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Memory system and operating method of the memory system

Номер патента: US20210098071A1. Автор: Ju Hyeon HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Non-volatile memory device, memory system including the same and read method of memory system

Номер патента: US20240304260A1. Автор: Sung Hun Kim,Hyo Jae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Restoring ECC syndrome in non-volatile memory devices

Номер патента: US09910729B1. Автор: Amit Shefi,Amichai GIVANT,Yoav Yogev,Ilan Bloom. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

3D vertical nand memory device including multiple select lines and control lines having different vertical spacing

Номер патента: US11785787B2. Автор: Koji Sakui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US09996277B2. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Memory device including mixed non-volatile memory cell types

Номер патента: US20190087103A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-03-21.

Memory device including mixed non-volatile memory cell types

Номер патента: US20180203613A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-07-19.

Memory device including mixed non-volatile memory cell types

Номер патента: US20200133509A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-30.

Memory device including mixed non-volatile memory cell types

Номер патента: US20210216217A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Storage device and method of writing and reading the same

Номер патента: US20150006791A1. Автор: Junjin Kong,Hong Rak Son,Younggeon Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-01-01.

Adaptive parity techniques for a memory device

Номер патента: US20220050745A1. Автор: Justin Eno,Sean S. Eilert,William A. Melton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

Adaptive parity techniques for a memory device

Номер патента: US12026051B2. Автор: Justin Eno,Sean S. Eilert,William A. Melton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Stacked memory device with paired channels

Номер патента: US11775213B2. Автор: Thomas Vogelsang. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2023-10-03.

Tamper detection and response in a memory device

Номер патента: US20150356322A1. Автор: THOMAS Andre,Syed M. Alam,Chitra K. Subramanian,Halbert S. Lin. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2015-12-10.

Physically unclonable function circuit using resistive memory device

Номер патента: US09916884B2. Автор: James W. Tschanz,Charles Augustine,Carlos Tokunaga. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Memory device check bit read mode

Номер патента: US09842021B2. Автор: Kuljit S Bains,John B Halbert. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Adaptive power control of address map memory devices

Номер патента: US09823731B2. Автор: Sanjeev N. Trika,Nathaniel G. Burke. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Write verify programming of a memory device

Номер патента: US09679627B2. Автор: THOMAS Andre,Jon Slaughter,Syed M. Alam,Dimitri Houssameddine,Chitra Subramanian. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

System and Methods for Extending Operational Lifetime of Flash Memory

Номер патента: US20150161041A1. Автор: Joseph Sullivan,Conor Maurice Ryan. Владелец: NATIONAL DIGITAL RESEARCH CENTRE Ltd. Дата публикации: 2015-06-11.

Methods and Systems for Implementing Redundancy in Memory Controllers

Номер патента: US20210390017A1. Автор: Kenneth Alan Okin,Ashish Singhai,Ashwin Narasimha. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

Method and apparatus for managing behavior of memory devices

Номер патента: US20070291570A1. Автор: Fariborz F. Roohparvar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-12-20.

Performing selective copyback in memory devices

Номер патента: US11887681B2. Автор: Ashutosh Malshe,Vamsi Rayaprolu,Gary Besinga,Roy Leonard. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Memory device sensors

Номер патента: US20240036629A1. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Memory device sensors

Номер патента: US11789519B2. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Wear leveling for storage or memory device

Номер патента: US20170256305A1. Автор: Mu-Tien Chang,Dimin Niu,Hongzhong Zheng,Kyung-Chang Ryoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-07.

Memory device test mode access

Номер патента: US11854637B2. Автор: David G. Springberg,Michael R. Spica. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Error avoidance for partially programmed blocks of a memory device

Номер патента: US20230393991A1. Автор: Li-Te Chang,Zhenming Zhou,Murong Lang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Memory device test mode access

Номер патента: US20230178163A1. Автор: David G. Springberg,Michael R. Spica. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-08.

Memory device test mode access

Номер патента: US20220044750A1. Автор: David G. Springberg,Michael R. Spica. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-10.

Error avoidance for partially programmed blocks of a memory device

Номер патента: US12013792B2. Автор: Li-Te Chang,Zhenming Zhou,Murong Lang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

SYSTEM AND METHOD FOR MODULAR SIMULATION OF SPIN TRANSFER TORQUE MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICES

Номер патента: US20160171135A1. Автор: Benistant Francis,DATTA Deepanjan,Sahu Bhagawan. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-16.

METHOD OF DETECTING ERASE FAIL WORD-LINE IN NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170200506A1. Автор: SHIM Won-bo. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-13.

Intercept-protected memory device

Номер патента: RU2224288C2. Автор: Жан-Пьер БЕНАММУ,Седрик В. КОЛЬНО. Владелец: Этмел Корпорейшн. Дата публикации: 2004-02-20.

Method of programming a select transistor of a semiconductor memory device

Номер патента: US12057165B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor memory device and methods of manufacturing and operating the same

Номер патента: US20230345725A1. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor memory device and methods of manufacturing and operating the same

Номер патента: US11943930B2. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor memory device and methods of manufacturing and operating the same

Номер патента: US11723206B2. Автор: Dong Uk Lee,Hae Chang Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-08.

Method of reducing word line resistance of a semiconductor memory

Номер патента: US5631183A. Автор: Hyeun-Su Kim,Dong-Jae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1997-05-20.

Method of programming a select transistor of a semiconductor memory device

Номер патента: US20230298666A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Method of programming an electrically programmable non-volatile semiconductor memory

Номер патента: EP1426968A3. Автор: Rino Micheloni,Roberto Ravasio. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2007-06-20.

Circuit and method of generating high voltage for programming operation of flash memory device

Номер патента: US7443758B2. Автор: Hyun-Chul Ha,Jong-Hwa Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-10-28.

Method of improving an electrostatic discharge characteristic in a flash memory device

Номер патента: US6421278B1. Автор: Jong Woo Kim,Tae Kyu Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-07-16.

Semiconductor device and methods of forming and operating the same

Номер патента: US20200328217A1. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-10-15.

Method of verifying a program operation in a non-volatile memory device

Номер патента: US20090290418A1. Автор: Jung Chul Han. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-11-26.

Memory device having different numbers of bits stored in memory cells

Номер патента: US20210043244A1. Автор: Bongsoon LIM,Yonghyuk Choi,Jaeduk Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-11.

Operation Method of Resistive Random Access Memory and Resistive Random Access Memory Device

Номер патента: US20180330788A1. Автор: HE Qian,Chen Wang,Bin Gao,Huaqiang Wu. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-11-15.

Electronic device, memory device, and write leveling method thereof

Номер патента: US20240265955A1. Автор: Shun-Ke WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Electronic device, memory device, and write leveling method thereof

Номер патента: US12125557B2. Автор: Shun-Ke WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Input buffer circuit of a synchronous semiconductor memory device

Номер патента: US20040027862A1. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Reum Oh,Woo-Seop Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-02-12.

Write operation circuit, semiconductor memory, and write operation method

Номер патента: US20210257011A1. Автор: Liang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Method of data coding in initial action and semiconductor memory device using the method

Номер патента: KR100800487B1. Автор: 김상윤,최영돈,이정배. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-02-04.

Circuit and method for selecting an operational voltage mode in a semiconductor memory device

Номер патента: US20040004895A1. Автор: Jae-hoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-01-08.

Internal signal generator and method for generating an internal address for use in semiconductor memory device

Номер патента: TWI320188B. Автор: Beom-Ju Shin. Владелец: . Дата публикации: 2010-02-01.

Memory device

Номер патента: US11790958B2. Автор: Wei Min Chan,Chien-Chen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Memory Device

Номер патента: US20240161787A1. Автор: Wei Min Chan,Chien-Chen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Memory Device

Номер патента: US20220051702A1. Автор: Wei Min Chan,Chien-Chen Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-02-17.

Apparatuses and methods for parallel i/o operations in a memory

Номер патента: WO2019074796A1. Автор: Timothy M. Hollis. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-04-18.

APPARATUSES AND METHODS FOR CONFIGURABLE COMMAND AND DATA INPUT CIRCUITS FOR SEMICONDUCTOR MEMORIES

Номер патента: US20190172519A1. Автор: Porter John D.,Kim Kang-Yong,Lee Hyun Yoo. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-06.

Apparatuses, systems, and methods for data timing alignment with fast alignment mode

Номер патента: US20240233806A9. Автор: Takuya Miyagi,Baokang Wang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Apparatuses, systems, and methods for data timing alignment with fast alignment mode

Номер патента: US12125519B2. Автор: Takuya Miyagi,Baokang Wang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Apparatuses and methods for parallel i/o operations in a memory

Номер патента: US20190108864A1. Автор: Timothy M. Hollis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-04-11.

Systems and methods for adaptive write training of three dimensional memory

Номер патента: US20220293153A1. Автор: YANG LU,Christopher Heaton Stoddard. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-15.

Signal timing alignment based on a common data strobe in memory devices configured for stacked arrangements

Номер патента: US11935578B2. Автор: Michael C. Stephens, Jr.. Владелец: III Holdings 2 LLC. Дата публикации: 2024-03-19.

System and method for improving performance of read/write operations from a persistent memory device

Номер патента: US09792221B2. Автор: Thomas Richter,David Geier,Eivind Liland. Владелец: Swarm64 AS. Дата публикации: 2017-10-17.

Higher education data model systems and networks, and methods of organizing and operating the same

Номер патента: US20160371805A1. Автор: James Brian Knotts,John Laird Kopcke. Владелец: Ellucian Co LP. Дата публикации: 2016-12-22.

Circuit and method of generating a boosted voltage in a semiconductor memory device

Номер патента: TW200725642A. Автор: Jae-Young Lee,Hong-Jun Lee,Jung-Hwa Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-07-01.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20220406384A1. Автор: Shingo NAKAZAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-12-22.

Semiconductor memory device with erase loops

Номер патента: US11929123B2. Автор: Shingo NAKAZAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-12.

Method and circuit for controlling an isolation gate in a semiconductor memory device

Номер патента: US5959924A. Автор: Jin-Man Han,Choong-Sun Shin,Moon-Hae Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-09-28.

System and method for prediction of operational safety of metallurgical vessels

Номер патента: EP4242768A1. Автор: Yakup Bayram. Владелец: PANERATECH Inc. Дата публикации: 2023-09-13.

System and method for prediction of operational safety of metallurgical vessels

Номер патента: US20230289625A1. Автор: Yakup Bayram. Владелец: PANERATECH Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Flash memory device having a calibration mode

Номер патента: US12072817B2. Автор: Liji GOPALAKRISHNAN,Pravin Kumar Venkatesan,Kashinath Ullhas Prabhu,Makarand Ajit Shirasgaonkar. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-08-27.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: EP3673380A1. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-01.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: US20200349097A1. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: US20200242057A1. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-30.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: WO2019040200A1. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-02-28.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: US10983934B2. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-20.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: US10754801B2. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-25.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: US20210209039A1. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-08.

Systems and methods for monitoring memory accesses

Номер патента: EP4432093A1. Автор: Changho Choi,Ramzi Ammari,Mukesh Garg. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

Systems and methods for monitoring memory accesses

Номер патента: US20240303001A1. Автор: Changho Choi,Ramzi Ammari,Mukesh Garg. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Using memory device sensors

Номер патента: WO2021118712A1. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-17.

Using memory device sensors

Номер патента: EP4073798A1. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-19.

Using memory device sensors

Номер патента: US12066916B2. Автор: Debra M. Bell,Zahra Hosseinimakarem,Roya Baghi,Erica M. Gove,Cheryl M. O'Donnell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Flash memory device having a calibration mode

Номер патента: US11829308B2. Автор: Liji GOPALAKRISHNAN,Pravin Kumar Venkatesan,Kashinath Ullhas Prabhu,Makarand Ajit Shirasgaonkar. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2023-11-28.

Flash memory device having a calibration mode

Номер патента: US20230119579A1. Автор: Liji GOPALAKRISHNAN,Pravin Kumar Venkatesan,Kashinath Ullhas Prabhu,Makarand Ajit Shirasgaonkar. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2023-04-20.

Flash memory device having a calibration mode

Номер патента: US20230418770A1. Автор: Liji GOPALAKRISHNAN,Pravin Kumar Venkatesan,Kashinath Ullhas Prabhu,Makarand Ajit Shirasgaonkar. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2023-12-28.

Memory controller and method of operating memory controller for reading data from memory device at high speed

Номер патента: US9489253B2. Автор: Sang-Soo Cha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-08.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: US11436169B2. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-06.

Memory system and operating method of the memory system

Номер патента: US12073896B2. Автор: Moon Sik SEO,Gil Bok CHOI,Dae Hwan YUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Memory device for performing erase verify operation on cell string group basis and method of operating the same

Номер патента: US20240312539A1. Автор: Jun Young KWEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Memory system and operating method of the memory system

Номер патента: US20230307073A1. Автор: Moon Sik SEO,Gil Bok CHOI,Dae Hwan YUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Memory device including voltage regions and method of operating same

Номер патента: SG10201804015PA. Автор: Oh Tae-Young,Kim Young-Hwa,CHO SEOK-JIN,JANG JIN-HOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-02-27.

Ferroelectric-type nonvolatile semiconductor memory and operation method thereof

Номер патента: US20050174832A1. Автор: Toshiyuki Nishihara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-08-11.

Stack type semiconductor memory device

Номер патента: US09960082B2. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor memory device

Номер патента: US4409678A. Автор: Yoshihiro Takemae,Fumio Baba. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1983-10-11.

Semiconductor memory device manufacturing method

Номер патента: US6743647B2. Автор: Yukinobu Hikosaka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-06-01.

Method of erasing data in non-volatile semiconductor memory device while suppressing variation

Номер патента: US20060158939A1. Автор: Takashi Ito,Hidenori Mitani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-07-20.

Semiconductor memory device having a global data bus

Номер патента: US20050259499A1. Автор: Seok-Cheol Yoon,Kyoung-Nam Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-11-24.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20220277786A1. Автор: Shinya Fujioka. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-09-01.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20230262983A1. Автор: Hisashi Harada,Keisuke SUDA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Multi-chip non-volatile semiconductor memory package including heater and sensor elements

Номер патента: US09928925B1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor memory apparatus

Номер патента: US9865327B1. Автор: Akihiro Hirota. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of accessing word line in semiconductor device

Номер патента: US20050232064A1. Автор: Yin Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-10-20.

Charge trap memory devices

Номер патента: US20210242230A1. Автор: Robert Katz,Darren L. Anand,Toshiaki Kirihata,Dan Moy,Norman W. Robson,Faraz Khan. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2021-08-05.

Asymmetric Semiconductor Memory Device Having Electrically Floating Body Transistor

Номер патента: US20230354581A1. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20150303212A1. Автор: Koichi Matsuno,Jun Murakami,Hisakazu Matsumori. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-22.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20200273530A1. Автор: Yasuhiro Shimura,Koki Ueno,Go SHIKATA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-08-27.

Semiconductor memory device with program/erase verification

Номер патента: US5761122A. Автор: Hiroshi Nakamura,Yoshihisa Iwata,Junichi Miyamoto,Keniti Imamiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-06-02.

Method for manufacturing an electrolyte material layer in semiconductor memory devices

Номер патента: WO2006094867A1. Автор: Cay-Uwe Pinnow,Klaus-Dieter Ufert. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-09-14.

Semiconductor memory device manufacturing method

Номер патента: US20040043522A1. Автор: Yukinobu Hikosaka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-03-04.

Fusion memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US12119336B2. Автор: Daehyun Kim,Jinmin Kim,Hyunsik Park,Hei Seung Kim,Sangkil Lee,Hyunmog Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor memory device, method, and program

Номер патента: US10187062B1. Автор: Naoki Shimizu. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-01-22.

Memory device and method of operating the same

Номер патента: US20220101933A1. Автор: Hyung Jin Choi,Hee Joo LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140231897A1. Автор: Koji Asakawa,Shigeki Hattori,Masaya Terai,Masakazu YAMAGIWA,Takatoshi Watanabe,Wangying Lin. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-21.

Memory device, method of manufacturing memory device and method of operating memory device

Номер патента: US20230058213A1. Автор: Moon Sik SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Nonvolatile memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20240274206A1. Автор: Sangsoo Park,Jonghoon Park,Yongseok Kwon,Jaeduk Yu,Jauang YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Integrated resistor network and method for fabricating the same

Номер патента: US12136922B2. Автор: OREN Shlomo. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-11-05.

Internal power supply voltage generating circuit of semiconductor memory device

Номер патента: US6281745B1. Автор: Hoon Ryu,Jae Hoon Kim,Hyun Soon Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-08-28.

Semiconductor memory device and method for applying a cell power voltage in a semiconductor memory device

Номер патента: EP1684299B1. Автор: Chul-Sung Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-12-21.

Wordline voltage transfer apparatus, systems, and methods

Номер патента: US20080186775A1. Автор: Xiaojun Yu,Jin-Man Han. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-08-07.

Wordline voltage transfer apparatus, systems, and methods

Номер патента: US20100135084A1. Автор: Xiaojun Yu,Jin-Man Han. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-03.

Wordline voltage transfer apparatus, systems, and methods

Номер патента: US8174900B2. Автор: Xiaojun Yu,Jin-Man Han. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-05-08.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHODS OF MANUFACTURING AND OPERATING THE SAME

Номер патента: US20220068960A1. Автор: LEE Dong Uk,YANG Hae Chang. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2022-03-03.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHODS OF MANUFACTURING AND OPERATING THE SAME

Номер патента: US20220415921A1. Автор: LEE Dong Uk,YANG Hae Chang. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor memory device and methods of manufacturing and operating the same

Номер патента: KR20220026413A. Автор: 이동욱,양해창. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2022-03-04.

Semiconductor memory device and method of manufacturing and operating the same

Номер патента: CN114122117A. Автор: 李东旭,梁海昌. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-01.

Systems and methods for programmable chip enable and chip address in semiconductor memory

Номер патента: TW200912632A. Автор: Jian Chen,Long Pham,Tien-Chien Kuo,Alex Mak,Loc Tu. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2009-03-16.

Semiconductor memory with alternately multiplexed row and column addressing

Номер патента: US5083296A. Автор: Kouji Hara,Ryoichi Kurihara. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1992-01-21.

Circuit and method of driving sub word-lines of a semiconductor memory device

Номер патента: KR100700147B1. Автор: 최종현,민영선. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-03-28.

Circuit and method of generating a boosting voltage of a semiconductor memory device

Номер патента: KR100796782B1. Автор: 최종현,민영선. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-01-22.

Semiconductor device and methods of manufacturing and operating the same

Номер патента: US20150236036A1. Автор: Keon Soo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor device and methods of manufacturing and operating the same

Номер патента: US09853041B2. Автор: Keon Soo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Bit line sense circuit and method for dynamic random access memories

Номер патента: EP1132923A1. Автор: Duane Giles Laurent,James Leon Worley,Elmer Henry Guritz. Владелец: SGS Thomson Microelectronics Inc. Дата публикации: 2001-09-12.

Electronic device and method of manufacturing electronic device

Номер патента: US20210013409A1. Автор: Beom Seok Lee,Woo Tae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-01-14.

Dual-gate device and method

Номер патента: US20080318380A1. Автор: Andrew J. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-25.

Semiconductor memory device having column direction data in-out line and fail cell reparing circuit and method thereof

Номер патента: KR100252053B1. Автор: 문병식,경계현. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-05-01.

Method of making multi-level type non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US6596590B1. Автор: Yasuo Sato,Hirotomo Miura. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 2003-07-22.

Circuit and method of generating data output control signal for semiconductor memory apparatus

Номер патента: KR100829455B1. Автор: 이동욱. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-05-15.

Non-volatile memory device and method of driving the same

Номер патента: US20080209150A1. Автор: Dae-Seok Byeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-28.

Systems and methods for sub-zero threshold characterization in a memory cell

Номер патента: US20160379718A1. Автор: Yu Cai,Erich F. Haratsch,Yunxiang Wu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-12-29.

Systems and methods for sub-zero threshold characterization in a memory cell

Номер патента: US09711233B2. Автор: Yu Cai,Erich F. Haratsch,Yunxiang Wu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of detecting most frequently accessed address of semiconductor memory based on probability information

Номер патента: US20170263305A1. Автор: Sangyeun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-14.

Circuit and method for supplying voltage source of sense amplifier in semiconductor memory apparatus

Номер патента: KR100738959B1. Автор: 정봉화. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-07-12.

Apparatus and method for a programmable interval timing generator in a semiconductor memory

Номер патента: US5841707A. Автор: Danny R. Cline,Francis Hii. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1998-11-24.

Method of detecting most frequently accessed address of semiconductor memory based on probability information

Номер патента: US9978440B2. Автор: Sangyeun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-22.

Variable resistance memory device and related method of operation

Номер патента: US20110228585A1. Автор: Ho Jung Kim,Deok-kee Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-22.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US20230253039A1. Автор: Yu-Yu Lin,Feng-Min Lee,Ming-Hsiu Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

System and method of testing memory device and non-transitory computer readable medium

Номер патента: US11735283B2. Автор: Po-Hsun Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-22.

Integrated resistor network and method for fabricating the same

Номер патента: US11855641B2. Автор: OREN Shlomo. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-26.

Integrated Resistor Network and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20240162896A1. Автор: OREN Shlomo. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-16.

System and method of testing memory device and non-transitory computer readable medium

Номер патента: US20230187006A1. Автор: Po-Hsun Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Domain wall movement memory device having yoke pattern and method of forming the same

Номер патента: WO2008140161A1. Автор: Chun Yeol You. Владелец: INHA Industry Partnership Institute. Дата публикации: 2008-11-20.

Electrical distance-based wave shaping for a memory device

Номер патента: US20220013168A1. Автор: John Christopher Sancon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Method of improving an electrostatic discharge characteristic in a flash memory device

Номер патента: TW466740B. Автор: Jong-woo Kim,Tea-Kyu Kim. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 2001-12-01.

MEMORY DEVICES INCLUDING VERTICAL PILLARS AND METHODS OF MANUFACTURING AND OPERATING THE SAME

Номер патента: US20130242654A1. Автор: Choi Jung-Dal,Sim Jae-Sung. Владелец: . Дата публикации: 2013-09-19.

Memory devices including vertical pillars and methods of manufacturing and operating the same

Номер патента: CN101651144A. Автор: 沈载星,崔正达. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-02-17.

Magnetic Memory device and methods of manufacturing and operating the same

Номер патента: KR100612878B1. Автор: 김태완,정원철,황인준. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-08-14.

Magnetic memory device and methods of manufacturing and operating the same

Номер патента: KR20060062317A. Автор: 김태완,정원철,황인준. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-06-12.

A NAND type flash memory device and Method of manufacturing and operating the same

Номер патента: KR100680455B1. Автор: 윤태언. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-02-08.

Memory device with local data lines and method of making and operating the same

Номер патента: CN101952957A. Автор: 沃纳·云林. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-01-19.

Phase change memory device and methods of manufacturing and operating the same

Номер патента: KR100858089B1. Автор: 김종섭,이성훈,홍기하,신재광. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-09-10.

Memory device having a booster circuit and a booster circuit control method

Номер патента: US5610863A. Автор: Toyonobu Yamada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1997-03-11.

Semiconductor device and methods of manufacturing and operating the same

Номер патента: US20150117108A1. Автор: Keon Soo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-04-30.

Media scan in memory systems

Номер патента: US20240371458A1. Автор: Bo Yu,Hua Tan,Xing Wang,Zhe Sun,Yaolong Gao,Fanya Bi. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Resistive memory device with semiconductor ridges

Номер патента: US09871077B2. Автор: Qiangfei Xia. Владелец: University of Massachusetts UMass. Дата публикации: 2018-01-16.

Method of programming a memory device with different levels of current

Номер патента: WO2006133419A1. Автор: Swaroop Kaza,David Gaun,Stuart Spitzer,Juri Kriger. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2006-12-14.

Sensor element, image sensor, methods of forming and operating the same

Номер патента: US20180166495A1. Автор: YU Zhou,Diing Shenp Ang. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-06-14.

Dual-gate device and method

Номер патента: WO2008045589A2. Автор: Andrew J. Walker. Владелец: Walker Andrew J. Дата публикации: 2008-04-17.

Dual-gate device and method

Номер патента: US20080084745A1. Автор: Andrew J. Walker. Владелец: Walker Andrew J. Дата публикации: 2008-04-10.

Non-volatile memory device, method of fabricating and operating the same

Номер патента: KR100614644B1. Автор: 김용태,한정욱,전희석,윤승범. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-08-22.

Method of controlling a delay locked loop

Номер патента: US20020181297A1. Автор: Wen Li,William Jones. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Circuit and method of generating high voltage for programming operation of flash memory device

Номер патента: US20090016114A1. Автор: Hyun-Chul Ha,Jong-Hwa Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-01-15.

Methods of enhancing speed of reading data from memory device

Номер патента: EP4235672A3. Автор: Li Xiang,Ke Liang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-18.

Methods of Fabricating Electromechanical Non-Volatile Memory Devices

Номер патента: US20100129976A1. Автор: Sung-min Kim,Sung-Young Lee,Min-Sang Kim,Eun Jung Yun. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-05-27.

Methods of enhancing speed of reading data from memory device

Номер патента: EP4235672A2. Автор: Li Xiang,Ke Liang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-30.

Methods of enhancing speed of reading data from memory device

Номер патента: US20210166769A1. Автор: Li Xiang,Ke Liang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-03.

Methods of enhancing speed of reading data from memory device

Номер патента: EP3915115A1. Автор: Li Xiang,Ke Liang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-01.

Systems and methods for sub-zero threshold characterization in a memory cell

Номер патента: US20170287567A1. Автор: Yu Cai,Erich F. Haratsch,Yunxiang Wu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-10-05.

Memory device and operating method thereof

Номер патента: US20230223082A1. Автор: Doo-Yeun Jung,Myoung-Ho SON,Sung-Kwan JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-13.

Data Cells with Drivers and Methods of Making and Operating the Same

Номер патента: US20130329486A1. Автор: Juengling Werner. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-12-12.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS OF MANUFACTURING AND OPERATING THE SAME

Номер патента: US20150117108A1. Автор: SHIM Keon Soo. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2015-04-30.

Data cells with drivers and methods of making and operating the same

Номер патента: US20090251946A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-10-08.

Data Cells with Drivers and Methods of Making and Operating the Same

Номер патента: US20110249488A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-10-13.

Semiconductor component and method of testing and operating the semiconductor component

Номер патента: EP0898283A2. Автор: Gunnar Krause. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1999-02-24.

Method and apparatus for controlling page buffer of non-volatile memory device

Номер патента: US20110199822A1. Автор: Han Bin YOON,Yeong-Jae WOO,Jung Been IM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-18.

Data cells with drivers and methods of making and operating the same

Номер патента: CN101983422B. Автор: 沃纳·云林. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-03-26.

Nondestructive read-out ferroelectric memory and method of manufacturing and operating the same

Номер патента: JP6543727B2. Автор: 安全 江,釣 江,文平 耿,子龍 白. Владелец: Fundan University. Дата публикации: 2019-07-10.

Memory capable of storing information and the method of forming and operating the same

Номер патента: US20060094170A1. Автор: Erik Jeng. Владелец: Applied Intellectual Properties Co Ltd. Дата публикации: 2006-05-04.

Non-volatile memory device and method for writing data to memory cells of a non-volatile memory device

Номер патента: TWI379301B. Автор: Takao Akaogi,Guowei Wang. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2012-12-11.

Automated vdm adjustment for memory device

Номер патента: WO2023034330A1. Автор: Fangfang Zhu,Yi-Min Lin,Chih-kuo Kao. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-03-09.

A flash memory device and control method

Номер патента: IES85799Y1. Автор: Sullivan Joseph,Maurice Ryan Conor. Владелец: Nvmdurance Limited. Дата публикации: 2011-06-22.

A flash memory device and control method

Номер патента: IE20100615U1. Автор: Sullivan Joseph,Maurice Ryan Conor. Владелец: Nvmdurance Limited. Дата публикации: 2011-03-30.

Automated voltage demarcation (VDM) adjustment for memory device

Номер патента: US11798614B2. Автор: Fangfang Zhu,Yi-Min Lin,Chih-kuo Kao. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Apparatuses, systems, and methods for data timing alignment with fast alignment mode

Номер патента: US20240135984A1. Автор: Takuya Miyagi,Baokang Wang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-25.

Electrical distance-based wave shaping for a memory device

Номер патента: US11568930B2. Автор: John Christopher Sancon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-31.

MEMORY CELL, METHODS OF FORMING AND OPERATING THE SAME

Номер патента: US20200027491A1. Автор: Liu Xin,Do Anh Tuan,Fong Xuanyao. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-23.

CIRCUIT ARRANGEMENT, METHOD OF FORMING AND OPERATING THE SAME

Номер патента: US20190057731A1. Автор: Mani Aarthy,Lua Sunny Yan Hwee. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-21.

METHOD OF PROGRAMMING A PHASE CHANGE MEMORY AND PHASE CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140233307A1. Автор: Hubert Quentin,JAHAN Carine. Владелец: . Дата публикации: 2014-08-21.

SENSOR ELEMENT, IMAGE SENSOR, METHODS OF FORMING AND OPERATING THE SAME

Номер патента: US20180166495A1. Автор: Zhou Yu,ANG Diing Shenp. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-06-14.

Operation Method of Resistive Random Access Memory and Resistive Random Access Memory Device

Номер патента: US20180330788A1. Автор: HE Qian,Chen Wang,Bin Gao,Huaqiang Wu. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-11-15.

Storage device and method of operating the same

Номер патента: US20200409854A1. Автор: Jeen PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-12-31.

Storage device and method of operating the same

Номер патента: US20190324915A1. Автор: Jeen PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Memory device

Номер патента: US20110296235A1. Автор: Masaru Ogawa,Tarou Iwashiro. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-01.

Scheduling operations in non-volatile memory devices using preference values

Номер патента: US09870149B2. Автор: Steven Sprouse,Ryan Marlin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-16.

Method of operating a storage device, and storage device

Номер патента: US20230221875A1. Автор: Jinwook Lee,Dongouk MOON,Sanghwa Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-13.

Data storage device using host memory buffer and method of operating the same

Номер патента: US20200133566A1. Автор: Hyun-seok Kim,Walter JUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-30.

Storage device and method of operating the same

Номер патента: US20240143223A1. Автор: Soong Sun SHIN,Je Uk BAK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Methods of memory address verification and memory devices employing the same

Номер патента: US20240126701A1. Автор: Alberto Troia. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-04-18.

Prioritization of successful read recovery operations for a memory device

Номер патента: US20240231985A1. Автор: Tingjun Xie,Naveen Bolisetty. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of operating memory device and memory device performing the same

Номер патента: US11829224B2. Автор: Youngjae PARK,Reum Oh,Hyungjin Kim,Jinyong Choi,Dongyeon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-28.

System and method for accelerating mapreduce operation

Номер патента: US09753783B2. Автор: Jin Cheol Kim. Владелец: Samsung SDS Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

APPARATUS AND METHOD FOR GENERATING DESCRIPTORS TO REACCESS A NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY OF A STORAGE DRIVE DUE TO AN ERROR

Номер патента: US20140195727A1. Автор: XU WEI,Sun Fei. Владелец: . Дата публикации: 2014-07-10.

Apparatus and method for matrix multiplication

Номер патента: US20240202277A1. Автор: Joo-hyun Lee. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2024-06-20.

System and method for location-based security

Номер патента: US09848291B2. Автор: Timothy Schaefer,Gary Jason MYERS,Matthias WELSH,II Robert Wayne KNIGHT. Владелец: Booz Allen Hamilton Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Device and method with in-memory computing

Номер патента: US20240231757A9. Автор: Seungchul Jung,Wooseok Yi,Soon-Wan KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

MEMORY CONTROLLER AND METHOD OF OPERATING MEMORY CONTROLLER FOR READING DATA FROM MEMORY DEVICE AT HIGH SPEED

Номер патента: US20150149858A1. Автор: CHA SANG-SOO. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-28.

Address verification for a memory device

Номер патента: WO2021126457A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-24.

Prioritization of successful read recovery operations for a memory device

Номер патента: US20230393918A1. Автор: Tingjun Xie,Naveen Bolisetty. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Prioritization of successful read recovery operations for a memory device

Номер патента: US11953973B2. Автор: Tingjun Xie,Naveen Bolisetty. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

System and method of managing set top box memory

Номер патента: EP1846844A2. Автор: Larry Pearson. Владелец: AT&T Knowledge Ventures LP. Дата публикации: 2007-10-24.

M.2 interface memory device and M.2 interface connection seat insertedly provided thereof

Номер патента: US09761996B2. Автор: Chen-Huan LIN,Hsiao-Yu Wang. Владелец: Innodisk Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Assemblies including heat dispersing elements and related systems and methods

Номер патента: US20210204446A1. Автор: Xiaopeng Qu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Resuming suspended program operations in a memory device

Номер патента: US20240143179A1. Автор: Keng Gee Ng,Mohammed Musaiyab Tarapati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Selectively disabling power delivery to a grouping of memory devices of an information handling system

Номер патента: US20230065935A1. Автор: Lee Zaretsky,Isaac Q. Wang. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2023-03-02.

Cross-comparison of data copy pairs during memory device initialization

Номер патента: US20240231670A1. Автор: Michele Incarnati,Tommaso Vali,Angelo COVELLO,Claudia CIASCHI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Method and apparatus for sample labeling, and method and apparatus for identifying damage classification

Номер патента: US11790632B2. Автор: Juan Xu. Владелец: Advanced New Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Processing device and control method of processing device

Номер патента: US20180335829A1. Автор: Hideki Sakata,Takeshi Mishina. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-11-22.

SYSTEM AND METHOD FOR MANAGEMENT OF OPERATIONAL INCIDENTS BY A FACILITY SUPPORT SERVICE

Номер патента: US20180204167A1. Автор: RAYNER Steve,KENNEDY Stephen,ANTELL Mark. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-19.

Blockchain-Based Systems and Methods for Disclosure of Operating Systems

Номер патента: KR20230073274A. Автор: 알레씨오 파가니. Владелец: 엔체인 라이센싱 아게. Дата публикации: 2023-05-25.

Apparatus and method for controlling a pooled memory device or a memory expander

Номер патента: US20240126469A1. Автор: Jun Hee Ryu,Kwang Jin KO,Ho Kyoon LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Preserving application data order in memory devices

Номер патента: US11816358B2. Автор: Pierre Labat,Nabeel Meeramohideen Mohamed. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Computer implemented system and methods for implementing a search engine access point

Номер патента: US20240160669A1. Автор: James Hill,Adam J. Epstein,Michael Yudin. Владелец: adMarketplace. Дата публикации: 2024-05-16.

Modular electronics board and methods of configuring and operating the same

Номер патента: US20150317170A1. Автор: Kevin Henderson. Владелец: Strattec Advanced Logic LLC. Дата публикации: 2015-11-05.

HIGHER EDUCATION DATA MODEL SYSTEMS AND NETWORKS, AND METHODS OF ORGANIZING AND OPERATING THE SAME

Номер патента: US20160371805A1. Автор: Knotts James Brian,Kopcke John Laird. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-22.

Custom database system and method of building and operating the same

Номер патента: US20100070954A1. Автор: Mark Pomponio. Владелец: Mark Pomponio. Дата публикации: 2010-03-18.

Custom database system and method of building and operating the same

Номер патента: US8631393B2. Автор: Mark Pomponio. Владелец: Vision Genesis Inc. Дата публикации: 2014-01-14.

Adaptive systems and methods for storing and retrieving data to and from memory cells

Номер патента: US20120278682A1. Автор: Xueshi Yang,Zining Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-01.

Adaptive systems and methods for storing and retrieving data to and from memory cells

Номер патента: US20130117637A1. Автор: Xueshi Yang,Zining Wu. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2013-05-09.

Method and system for migrating data between flash memory devices

Номер патента: US9519577B2. Автор: Warren Fritz Kruger. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-13.

Method and apparatus for testing memory devices under load

Номер патента: US5961656A. Автор: Billy J. Fuller,Thomas G. Whitten. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 1999-10-05.

Method, server and mobile communication device for managing unique memory device identifications

Номер патента: EP2174481B1. Автор: Ismaila Wane,Alexandre Corda,Dominique Brule. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-11-10.

Batch transfer of control of memory devices over computer networks

Номер патента: US11917059B2. Автор: Travis Duane Nelson,Lance W. Dover. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-02-27.

Verified key replacement in secure memory devices

Номер патента: US20230393762A1. Автор: Zhan Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Effective storage allocation for sequentially-written memory devices

Номер патента: US11809714B2. Автор: Luca Bert. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Host verification for a memory device

Номер патента: US20220057960A1. Автор: Lance W. Dover,Steffen Buch,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-24.

Address verification for a memory device

Номер патента: US11789647B2. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Batch Transfer of Control of Memory Devices over Computer Networks

Номер патента: US20240146525A1. Автор: Travis Duane Nelson,Lance W. Dover. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-05-02.

Device and method with in-memory computing

Номер патента: US20240134606A1. Автор: Seungchul Jung,Wooseok Yi,Soon-Wan KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

System and method for predictive read of random data

Номер патента: US20200004430A1. Автор: Idan Alrod,Ariel Navon,Eran Sharon. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-01-02.

Method for writing data, memory device and data writing system

Номер патента: US20190163402A1. Автор: Saku YAMAUCHI. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Method for writing data, memory device and data writing system

Номер патента: US10725703B2. Автор: Saku YAMAUCHI. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-28.

Host verification for a memory device

Номер патента: US12001707B2. Автор: Lance W. Dover,Steffen Buch,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Flash Memory Device and Data Protection Method Thereof

Номер патента: US20120271986A1. Автор: Hsu-Ping Ou,Chun-Yi Lo. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2012-10-25.

Host verification for a memory device

Номер патента: WO2022039993A1. Автор: Lance W. Dover,Steffen Buch,Aaron P. Boehm. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-02-24.

Block storage using a hybrid memory device

Номер патента: WO2014168647A1. Автор: Vladimir Sadovsky,Scott Chao-Chueh Lee,Robin A. Alexander,Chiuchin Chen,Lee E. PREWITT. Владелец: MICROSOFT CORPORATION. Дата публикации: 2014-10-16.

Maximum row active time enforcement for memory devices

Номер патента: US20240231635A1. Автор: Donald M. Morgan,Bryan David Kerstetter. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

PRESSURE SENSING ELECTRONIC DEVICE, METHODS OF FORMING AND OPERATING THE SAME

Номер патента: US20180292279A1. Автор: Chen Xiaodong,ZHU Bowen. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-11.

SYSTEM AND METHOD FOR UPDATING PARTITION MAPPING ON LOGIC UNITS IN A COMPUTER MEMORY DEVICE

Номер патента: FR2771195A1. Автор: Alan E Beelitz. Владелец: Dell USA LP. Дата публикации: 1999-05-21.

Method of storing control information in a large-page flash memory device

Номер патента: US7389397B2. Автор: Menahem Lasser,Alexander Paley. Владелец: Sandisk IL Ltd. Дата публикации: 2008-06-17.

Method of forming a metal line of a semiconductor memory device

Номер патента: US20080026570A1. Автор: Young Mo Kim,Sung Min Hwang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-01-31.

Liquid level sensing device and methods of making an operating the same

Номер патента: US5050431A. Автор: Charles W. McDonald. Владелец: Robertshaw Controls Co. Дата публикации: 1991-09-24.

Thin film electric motors and method of manufacture

Номер патента: WO1997044879A1. Автор: Gilbert D. Springer,Mark F. Springer. Владелец: Thin Spin Holdings, Llc. Дата публикации: 1997-11-27.

System and method for generating position error signals within a computer memory device

Номер патента: WO1998054709A1. Автор: Karl A. Belser. Владелец: Seagate Technology, Inc.. Дата публикации: 1998-12-03.

Systems and methods for driver state conditioned visual signals

Номер патента: US20230356736A1. Автор: Simon A.I. Stent. Владелец: Toyota Research Institute Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Optoelectronic system, methods of forming and operating the same

Номер патента: WO2024091176A1. Автор: Qijie Wang,Mingjin DAI,Fakun WANG,Fangchen HU. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-05-02.

System and method for prediction of operational safety of metallurgical vessels

Номер патента: WO2023173049A1. Автор: Yakup Bayram. Владелец: PANERATECH, INC.. Дата публикации: 2023-09-14.

Method and device for locating contact through-hole (ct) positions in memory device

Номер патента: US20240177295A1. Автор: Wenqi Wang,Jinxing Chen,Ban Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

LAMPS AND LIGHT SOURCES INCLUDING RFID TAGS, AND METHODS OF ASSEMBLING AND OPERATING THE SAME

Номер патента: US20170154765A1. Автор: Johnson,III William E.,Ervin Robert. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-01.

Image forming apparatus, method of controlling the same, and storage medium

Номер патента: US20200293844A1. Автор: Yusuke Horishita,Kanako Kaneda. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2020-09-17.

Display assembly having multiple displays and methods of manufacturing and operating the same

Номер патента: WO2015108681A1. Автор: Xiaodong Xun. Владелец: Google Technology Holdings LLC. Дата публикации: 2015-07-23.

Sports-wagering kiosk and method of using and operating the same

Номер патента: US09875608B1. Автор: Sandra Drozd,Ronald Tabat,Sean Cronan. Владелец: American Wagering Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Fusers, printing apparatuses and methods, and methods of fusing toner on media

Номер патента: US20100119267A1. Автор: David P. Van Bortel,Brendan H. Williamson,Brian J. McNamee. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2010-05-13.

Inspection apparatus and methods, methods of manufacturing devices

Номер патента: US09753379B2. Автор: Henricus Petrus Maria Pellemans,Patrick Warnaar,Amandev SINGH. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2017-09-05.

System and methods for mounting a peripheral vehicular device

Номер патента: US20200023774A1. Автор: Cian John Francis Brogan,Christopher W. LAMORTE. Владелец: Faraday and Future Inc. Дата публикации: 2020-01-23.

Apparatus and method for real time reconstruction of digital map data

Номер патента: US4815012A. Автор: Martin Feintuch. Владелец: AlliedSignal Inc. Дата публикации: 1989-03-21.

SMART CONTACT LENSES FOR AUGMENTED REALITY AND METHODS OF MANUFACTURING AND OPERATING THE SAME

Номер патента: US20160091737A1. Автор: KIM Sangwon,KIM Taeho,HWANG Sungwoo,Ahn Hoyoung,CHUNG Daeyoung. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-31.

UV LIGHT CURING SYSTEMS, AND METHODS OF DESIGNING AND OPERATING THE SAME

Номер патента: US20160209113A1. Автор: LEONHARDT Darrin,Harper William Curtis. Владелец: . Дата публикации: 2016-07-21.

Fiber optic sensing device and method of making and operating the same

Номер патента: CN1837874B. Автор: K·-L·J·邓,K·T·麦卡锡,H·夏,M·J·克洛克,A·V·塔瓦里. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2014-12-10.

Lens shape measurement device and method, method of producing eyeglass lens, and method of producing eyeglasses

Номер патента: WO2008016066A1. Автор: Masaaki Inoguchi. Владелец: HOYA CORPORATION. Дата публикации: 2008-02-07.

Inspection Apparatus and Methods, Methods of Manufacturing Devices

Номер патента: US20160011523A1. Автор: WARNAAR Patrick,Pellemans Henricus Petrus Maria,SINGH Amandev. Владелец: ASML Netherlands B.V.. Дата публикации: 2016-01-14.

POLARIZATION DEVICE FOR POLARIZING ELECTROMAGNETIC WAVES, METHODS OF FORMING AND OPERATING THE SAME

Номер патента: US20190018176A1. Автор: Kuznetsov Arseniy,Paniagua Dominguez Ramon Jose. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-17.

OPTICAL DEVICE, GAS SENSOR, METHODS OF FORMING AND OPERATING THE SAME

Номер патента: US20210063658A1. Автор: Gu Alex Yuandong,Lee Lennon Yao Ting,Wong Lionel You Liang. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-04.

OPTICAL SYSTEM, METHOD OF FORMING AND OPERATING THE SAME

Номер патента: US20190086330A1. Автор: Kalashnikov Dmitry,Krivitskiy Leonid,Paterova Anna. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-21.

GYROSCOPE, METHODS OF FORMING AND OPERATING THE SAME

Номер патента: US20200173780A1. Автор: WU Guoqiang,TAO Jifang,Gu Alex Yuandong,Chua Geng Li. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-04.

Optical phase array, methods of forming and operating the same

Номер патента: US20200264490A1. Автор: Patrick Guo-Qiang Lo,Shiyang Zhu,Edward Sing Chee KOH. Владелец: Advanced Micro Foundry Pte Ltd. Дата публикации: 2020-08-20.

DRUG DELIVERY APPARATUS AND SYSTEM, METHODS OF FORMING AND OPERATING THE SAME

Номер патента: US20180344927A1. Автор: Khan Shariq Ali. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-06.

Gyroscope, methods of forming and operating the same

Номер патента: WO2019040000A1. Автор: Guoqiang Wu,Jifang TAO,Alex Yuandong GU,Geng Li CHUA. Владелец: AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH. Дата публикации: 2019-02-28.

Double gated fin transistors and methods of fabricating and operating the same

Номер патента: US20120126884A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-05-24.

Methods of fabricating a fully silicided gate and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20070077756A1. Автор: Han Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-05.

Method of fabricating a capacitor structure for a semiconductor memory device

Номер патента: US5739060A. Автор: Fang-Ching Chao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1998-04-14.

Igniter, igniter with adjustable wick, and method of manufacturing and operating the same

Номер патента: US20230220996A1. Автор: Yuzo Ochiai. Владелец: Tokai Seiki Co HK Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Control device and methods of making and operating the same

Номер патента: US5477108A. Автор: Brian J. Kadwell. Владелец: Robertshaw Controls Co. Дата публикации: 1995-12-19.

Semiconductor device and methods of forming and operating the same

Номер патента: US20100001339A1. Автор: Yoon Kim,Byung-gook Park,Wook-Hyun Kwon,Yun-Heub Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-07.

Method of manufacturing buried word line structure and semiconductor memory thereof

Номер патента: US11889678B2. Автор: Jian Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Handheld surgical instrument, surgical tool system, methods of forming and operating the same

Номер патента: WO2017164818A1. Автор: Wei Tech ANG,Zenan WANG. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-09-28.

Energy Conversion Device and Methods of Manufacturing and Operating the Same

Номер патента: EP2566037A3. Автор: Jong-oh Kwon,Che-heung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-04-08.

Energy conversion device and methods of manufacturing and operating the same

Номер патента: US20130049646A1. Автор: Jong-oh Kwon,Che-heung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-02-28.

Method of manufacturing semiconductor device and the semiconductor device manufactured by the method

Номер патента: US7220649B2. Автор: Ryo Nakamura. Владелец: Kawasaki Microelectronics Inc. Дата публикации: 2007-05-22.

Method of fabricating semiconductor device and the semiconductor device

Номер патента: US7902036B2. Автор: Nobuhide Yamada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-03-08.

Method of fabricating semiconductor device and the semiconductor device

Номер патента: US20100155791A1. Автор: Nobuhide Yamada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-06-24.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09613979B2. Автор: Toshihiko Iinuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Capacitor for semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030190783A1. Автор: Dong Kim,Kee Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-09.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7446362B2. Автор: Iwao Kunishima,Osamu Hidaka,Hiroyuki Kanaya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-11-04.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7429508B2. Автор: Iwao Kunishima,Osamu Hidaka,Hiroyuki Kanaya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-09-30.

Double gated 4f2 dram chc cell and methods of fabricating the same

Номер патента: US20150093869A1. Автор: Werner Juengling,Howard C. Kirsch. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-04-02.

Semiconductor memory devices and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240147692A1. Автор: Seungmin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US20190103407A1. Автор: Jiyoung Kim,Bong-Soo Kim,HyeongSun HONG,Yoosang Hwang,Dongsoo Woo,Kiseok LEE,Junsoo Kim,Kyupil LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-04.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US20210057416A1. Автор: Jiyoung Kim,Bong-Soo Kim,HyeongSun HONG,Yoosang Hwang,Dongsoo Woo,Kiseok LEE,Junsoo Kim,Kyupil LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-25.

Capacitor, method of manufacturing capacitor, capacitor manufacturing apparatus, and semiconductor memory device

Номер патента: US20090045485A1. Автор: Toshiyuki Hirota. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-02-19.

Process for producing a semiconductor memory device

Номер патента: US5070034A. Автор: Takao Yonehara,Yoshio Nakamura,Tamotsu Satoh. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1991-12-03.

Semiconductor memory

Номер патента: US20010050378A1. Автор: Yasuhiro Shimada,Yoshihisa Kato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-13.

Method of forming metal line of semiconductor memory device

Номер патента: US20080003814A1. Автор: Eun Soo Kim,Seung Hee Hong,Cheol Mo Jeong,Jung Geun Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-01-03.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230051615A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Non-volatile memory devices and methods of forming the same

Номер патента: US20070090449A1. Автор: Dong-gun Park,Choong-ho Lee,Byung-yong Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-04-26.

Method of Fabricating Landing Plug in Semiconductor Device

Номер патента: US20100330801A1. Автор: Kyoung Bong Rouh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-30.

Semiconductor memory device having MFMIS transistor and increased data storage time

Номер патента: US6509594B2. Автор: Yasuhiro Shimada,Yoshihisa Kato. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-21.

Phase change memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20100059731A1. Автор: Heon Yong Chang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-03-11.

Phase change memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120156840A1. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-21.

Floating gate memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040229432A1. Автор: Sang-Hoon Lee,Hun-Hyeoung Leam,Young-Sub You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-11-18.

Tungsten digitlines and methods of forming and operating the same

Номер патента: EP2186130A1. Автор: Jaydeb Goswami. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-05-19.

Floating gate memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7041558B2. Автор: Sang-Hoon Lee,Hun-Hyeoung Leam,Young-Sub You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-09.

Method of manufacturing split gate type nonvolatile memory device

Номер патента: US20050095785A1. Автор: Seung-Beom Yoon,Hee-Seog Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-05-05.

Compression garment and method of forming the same

Номер патента: US09962313B2. Автор: Jimmy D. Laferney,Ronald G. Scott. Владелец: Ronald G Scott LLC. Дата публикации: 2018-05-08.

Method of forming memory cell of non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR100196594B1. Автор: 오야마겐이치. Владелец: 닛본 덴기 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1999-06-15.

Human powered catamaran-styled watercraft and methods

Номер патента: US11952086B2. Автор: Daniel P. Roche. Владелец: Aqua Spider LLC. Дата публикации: 2024-04-09.

Human powered catamaran-styled watercraft and methods

Номер патента: US20220135184A1. Автор: Daniel P. Roche. Владелец: Aqua Spider LLC. Дата публикации: 2022-05-05.

Human powered catamaran-styled watercraft and methods

Номер патента: US20210024174A1. Автор: Daniel P Roche. Владелец: Aqua Spider LLC. Дата публикации: 2021-01-28.

Human Powered Catamaran-Styled Watercraft and Methods

Номер патента: US20240083549A1. Автор: Daniel P. Roche. Владелец: Aqua Spider LLC. Дата публикации: 2024-03-14.

method of of forming interconnection lines in a semiconductor memory device

Номер патента: KR100558493B1. Автор: 나영섭. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-03-07.

System and method for storage of operational parameters on components

Номер патента: US20040078454A1. Автор: Michel Nguyen,Seth Abrahams,Brian Osterhout. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2004-04-22.

Method of forming floating gate array of flash memory device

Номер патента: US20070141785A1. Автор: Jong Choi. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-21.

Method of fabricating a landing plug contact in semiconductor memory device

Номер патента: KR101185988B1. Автор: 이진열. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2012-09-25.

Method of fabricating a landing plug contact in semiconductor memory device

Номер патента: KR20110077969A. Автор: 이진열. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-07-07.

Method of manufacturing a field transistor in a semiconductor memory device

Номер патента: KR100494343B1. Автор: 조수민. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2005-06-13.

Method of forming a metal line in a semiconductor memory device

Номер патента: US6602789B2. Автор: Myeong-Cheol Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-08-05.

A method of forming a metal line in a semiconductor memory device

Номер патента: DE102005022371B4. Автор: Wan So Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-02-28.

Method of forming a highly integrated non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20030030145A1. Автор: Hiroki Shirai. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-02-13.

Reactor for separation of sodium chloride and potassium chloride from polymineral sources and method thereof

Номер патента: US12043552B2. Автор: Aleksey Valeryevich LESIV. Владелец: Gsm Chemical LLC. Дата публикации: 2024-07-23.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240334690A1. Автор: Kun Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

System and method for control of operational aspects of a snow plow blade and/or spreader

Номер патента: US20210156098A1. Автор: James Patrick Godwin, Jr.. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-05-27.

Method of making a capacitor via chemical mechanical polish

Номер патента: US5821151A. Автор: Horng-Huei Tseng. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 1998-10-13.

Non-invasive methods for prevention, detection, treatment, and healing of neoplastic processes in humans

Номер патента: US09675518B2. Автор: Michael Schlosser,Are Thoresen. Владелец: GOOD-IP Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US20190122965A1. Автор: Adam R. Brown,Ricardo L. YANDOC. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2019-04-25.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US11889679B2. Автор: Eunjung Kim,Sungyeon RYU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-30.

Phase-change memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US8999745B2. Автор: Il Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-04-07.

Phase-change memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20150179929A1. Автор: Il Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Systems and methods to reduce fouling of seawater systems

Номер патента: US20200198734A1. Автор: Eric Christopher Mills,Ryan Patrick Mills. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-06-25.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US12068316B2. Автор: An-Chi Liu,Yu-Cheng Tung,Fu-Che Lee,Gang-Yi Lin,Huixian Lai,Yi-Wang JHAN. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Phase-change memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20140166964A1. Автор: Il Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-19.

Finger assembly and method

Номер патента: US20240149471A1. Автор: Timothy Fofonoff,Lael Odhner,Vivian Lee,Nicholas Payton. Владелец: Righthand Robotics Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Cord stopper and methods for using and manufacturing the same

Номер патента: US12117066B2. Автор: David Roberts. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-10-15.

Method of manufacture for a silicon-on-plastic semiconductor device with interfacial adhesion layer

Номер патента: US09812350B2. Автор: Julio C. Costa. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of manufacturing flash type high density EEPROM semiconductor memory

Номер патента: JP3090673B2. Автор: エイチ. ユアン ジャック,ハラリ エリヤホウ. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2000-09-25.

Method of erasing data in a non-volatile semiconductor memory

Номер патента: DE69324706T2. Автор: Takashi Ono. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1999-10-14.

Metal packaging liquid or aerosol jet coating compositions, coated substrates, packaging, and methods

Номер патента: US20240287316A1. Автор: Charles I. Skillman,Boxin Tang. Владелец: SWIMC LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

Methods of forming and operating semiconductor device

Номер патента: US20110194356A1. Автор: Yoon Kim,Byung-gook Park,Wook-Hyun Kwon,Yun-Heub Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-11.

Focus detection apparatus and method, method of controlling focus detection apparatus, and image capturing apparatus

Номер патента: US09615017B2. Автор: Kengo Takeuchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Multi-protocol network and method of switching protocols

Номер патента: WO2004062161A2. Автор: Vernon A. Allen,Ralph L. D'Souza,Wayne W. Chiou,Minh T. Pham,Oleg Andric. Владелец: Motorola, Inc. Дата публикации: 2004-07-22.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US12068391B2. Автор: King Yuen Wong,Anbang ZHANG. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US12087851B2. Автор: Yulong Zhang,Ming-Hong CHANG,Junhui Ma. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20240371969A1. Автор: King Yuen Wong,Anbang ZHANG. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

System and method for oilfield production operations

Номер патента: WO2008131284A1. Автор: Vijaya Halabe,Richard Torrens. Владелец: Logined B.V.. Дата публикации: 2008-10-30.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US12027597B2. Автор: Cheng-Han Lee,Shahaji B. More,Jia-Ying Ma. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor device having semiconductor channel layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240107744A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device having semiconductor channel layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240107745A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240321985A1. Автор: Cheng-Han Lee,Shahaji B. More,Jia-Ying Ma. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Snow plow position-controlled vehicle headlight operation system and method

Номер патента: CA2668666C. Автор: William F. Menze. Владелец: Sno-Way International Inc. Дата публикации: 2013-04-16.

Tubing insert isolation valve for use with legacy wells, and methods of use thereof

Номер патента: CA3198949A1. Автор: Gregg Lacusta. Владелец: Sabre Machining Ltd. Дата публикации: 2023-11-29.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210104537A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-08.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US12034070B2. Автор: Peng-Yi Wu. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Method of manufacturing tsemiconductor device having bonding structure

Номер патента: US20240074147A1. Автор: Yi-Jen Lo,Chiang-Lin Shih,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20220376096A1. Автор: Peng-Yi Wu. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-24.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09972644B2. Автор: Chun-Yuan Wu,Chia-Fu Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Electrical connector apparatus and methods

Номер патента: US20060110962A1. Автор: Francis Powell,John Jancsek,Dennis Hepp. Владелец: CardioDynamics International Corp. Дата публикации: 2006-05-25.

Lubricant delivery and retrieval vehicle and methods of manufacture and operation thereof

Номер патента: US6135501A. Автор: Gregory E. Rinehart. Владелец: Lube Co. Дата публикации: 2000-10-24.

Reducing machine rotor assembly and methods of constructing and operating the same

Номер патента: US20060179634A1. Автор: Gary Bardos. Владелец: Morbark LLC. Дата публикации: 2006-08-17.

Phase change memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100327250A1. Автор: Nam Kyun PARK. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-30.

Micro-light emitting diode display and methods of manufacturing and operating the same

Номер патента: US20240072014A1. Автор: Kiho Kong,Eunsung Lee,Junhee Chol. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Fluid extraction apparatus and methods of forming and operating the same

Номер патента: WO2023200392A1. Автор: Yau Yen OOI. Владелец: AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH. Дата публикации: 2023-10-19.

Phase change memory device having an improved word line resistance, and methods of making same

Номер патента: US8415197B2. Автор: Jang Uk Lee,Mi Ra CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-04-09.

Phase change memory device having an improved word line resistance, and methods of making same

Номер патента: US8283651B2. Автор: Jang Uk Lee,Mi Ra CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2012-10-09.

Phase change memory device having an improved word line resistance, and methods of making same

Номер патента: US20120329222A1. Автор: Jang Uk Lee,Mi Ra CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2012-12-27.

MEMORY DEVICES INCLUDING VERTICAL PILLARS AND METHODS OF MANUFACTURING AND OPERATING THE SAME

Номер патента: US20150064865A1. Автор: Choi Jung-Dal,Sim Jae-Sung. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-05.

MEMORY DEVICES INCLUDING VERTICAL PILLARS AND METHODS OF MANUFACTURING AND OPERATING THE SAME

Номер патента: US20160247819A1. Автор: Choi Jung-Dal,Sim Jae-Sung. Владелец: . Дата публикации: 2016-08-25.

Three-dimensional memory devices and methods of manufacturing and operating the same

Номер патента: TWI317950B. Автор: Ming-Hsiu Lee,Yen-Hao Shih. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-01.

Protected zinc metal electrodes and methods for rechargeable zinc cells and batteries

Номер патента: US11990612B2. Автор: Brian D. Adams,Marine B. CUISINIER. Владелец: Salient Energy Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

One-time programmable memory device

Номер патента: US20240324192A1. Автор: Shigenobu Maeda,Eun Young Lee,Sangjin Lee,Kwan Young Kim,Bora KIM,Hoonjin BANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20190027486A1. Автор: Chung-Jen Huang,Yun-Chi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-24.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20210183874A1. Автор: Yao-Ting Tsai,Hsin-Huang Shen,Yu-Shu Cheng. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Method of forming semiconductor device

Номер патента: US11664366B2. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-05-30.

Method of manufacturing semiconductor unit and the semiconductor unit

Номер патента: US09793311B2. Автор: Masatoshi Kimura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

REMOTE STARTUP CONTROL DEVICE AND METHOD IN CONSIDERATION OF OPERATIONAL STATE OF PARKING BRAKE

Номер патента: US20180111596A1. Автор: Kim Jin Gi. Владелец: HYUNDAI MOTOR COMPANY. Дата публикации: 2018-04-26.

SYSTEM AND METHOD FOR CONTROL OF OPERATIONAL ASPECTS OF A SNOW PLOW BLADE AND/OR SPREADER

Номер патента: US20210156098A1. Автор: JR. James Patrick,Godwin. Владелец: . Дата публикации: 2021-05-27.

Control device of elevator, and method for conversion of operation modes of elevator

Номер патента: CN104418185A. Автор: 山口刚央. Владелец: Toshiba Elevator Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-18.

Variable resistance memory device with variable resistance material layer

Номер патента: US9935267B2. Автор: Min Seok Kim,Hyo Seob Yoon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Remote startup control device and method in consideration of operational state of parking brake

Номер патента: US10252708B2. Автор: Jin Gi Kim. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2019-04-09.

Systems and methods for forming additional metal routing in semiconductor devices

Номер патента: EP1977447A2. Автор: James Green,Mark Fischer,Terry McDaniel. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-10-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150129952A1. Автор: Wei-Cheng Wu,Harry Hak-Lay Chuang,Ya-Chen Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-05-14.

Order picking systems and methods using mobile robots

Номер патента: US11834270B2. Автор: Gregory Lisso,Gervasio Mutarelli. Владелец: Target Brands Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200105922A1. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190181258A1. Автор: Meng Zhao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Mounting method of semiconductor element and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20080124834A1. Автор: Seiki Sakuyama,Toshiya Akamatsu,Joji Fujimori. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-05-29.

Semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20150194481A1. Автор: Erh-Kun Lai,Hang-Ting Lue,Guan-Ru Lee,An-Chyi Wei. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-09.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234319A9. Автор: Jin Kyu Kim,Jae Hyun Ahn,Ho Jun Kim,So Ra You,Jee Woong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device package and method for manufacturing the same

Номер патента: US12040287B2. Автор: Chih-Cheng LEE,Hsing Kuo TIEN. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device structure having channel layer with reduced aperture and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240064961A1. Автор: Yu Xiao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240136290A1. Автор: Jin Kyu Kim,Jae Hyun Ahn,Ho Jun Kim,So Ra You,Jee Woong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20150060958A1. Автор: Erh-Kun Lai,Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

Method of manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US12048145B2. Автор: Er-Xuan Ping,Daejoong Won,Soonbyung Park. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240266410A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Ta-Chun Lin,Hong-Chih Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240297170A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Ta-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Nano through substrate vias for semiconductor devices and related systems and methods

Номер патента: US20230386970A1. Автор: Kunal R. Parekh,Angela S. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240312992A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Ta-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20170256630A1. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-07.

Memory devices having adjacent memory cells with mitigated disturb risk

Номер патента: US20240292630A1. Автор: Marcello Mariani,Giorgio Servalli,Riccardo Pazzocco. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Energy conversion device and methods of manufacturing and operating the same

Номер патента: US20130049646A1. Автор: Jong-oh Kwon,Che-heung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-02-28.

REUSABLE PRINTING CARRIER ASSEMBLY AND METHOD OF MAKING AND OPERATING THE ASSEMBLY

Номер патента: US20130263751A1. Автор: JONES Bethany,KHORIATY Joseph J.. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-10.

BOND HEAD ASSEMBLIES, THERMOCOMPRESSION BONDING SYSTEMS AND METHODS OF ASSEMBLING AND OPERATING THE SAME

Номер патента: US20170117168A1. Автор: Wasserman Matthew B.. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-27.

HIGH INTENSITY FOCUSED ULTRASOUND PROBES AND METHODS OF MANUFACTURING AND OPERATING THE SAME

Номер патента: US20140236015A1. Автор: BANG Won-chul,LEE Ho-taik. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-08-21.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS OF MANUFACTURING AND OPERATING THE SAME

Номер патента: US20150236036A1. Автор: SHIM Keon Soo. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-20.

Locking Device to Secure a Door and Methods of Installing and Operating the Locking Device

Номер патента: US20190226251A1. Автор: Crosser James Edward. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-25.

BOND HEAD ASSEMBLIES, THERMOCOMPRESSION BONDING SYSTEMS AND METHODS OF ASSEMBLING AND OPERATING THE SAME

Номер патента: US20160254245A1. Автор: Wasserman Matthew B.. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-01.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS OF FORMING AND OPERATING THE SAME

Номер патента: US20200328217A1. Автор: Wang Nan. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-15.

Capacitive transducer and methods of manufacturing and operating the same

Номер патента: KR101781553B1. Автор: 김재흥. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device and methods of manufacturing and operating the same

Номер патента: KR101490109B1. Автор: 임지운,홍승훈,명성,이민백. Владелец: 재단법인서울대학교산학협력재단. Дата публикации: 2015-02-12.

High intensity focused ultrasound probe and methods of manufacturing and operating the same

Номер патента: KR102122964B1. Автор: 방원철,이호택. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2020-06-15.

Capacitorless dram and methods of manufacturing and operating the same

Номер патента: US20090026519A1. Автор: Young-Gu Jin,Yoon-dong Park,Ki-ha Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-01-29.

Power mosfet and methods of forming and operating the same

Номер патента: WO2002001644A2. Автор: Bantval Jayant Baliga. Владелец: Giant Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2002-01-03.

Capacitive transducer and methods of manufacturing and operating the same

Номер патента: EP2562134A2. Автор: Che-heung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-02-27.

Capacitive transducer and methods of manufacturing and operating the same

Номер патента: EP2562134B1. Автор: Che-heung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-08.

Logic device using graphene and methods of manufacturing and operating the same

Номер патента: KR101532312B1. Автор: 이대영,이성주,유원종,라창호. Владелец: 성균관대학교산학협력단. Дата публикации: 2015-06-29.

Reducing machine rotor assembly and methods of constructing and operating the same

Номер патента: US8113453B2. Автор: Gary M. Bardos. Владелец: Morbark LLC. Дата публикации: 2012-02-14.

Reducing machine rotor assembly and methods of constructing and operating the same

Номер патента: US7055770B2. Автор: Gary M. Bardos. Владелец: Morbark LLC. Дата публикации: 2006-06-06.

Reusable printing carrier assembly and method of making and operating the assembly

Номер патента: US8454255B2. Автор: Bethany Jones,Joseph J. Khoriaty. Владелец: Joseph J. Khoriaty. Дата публикации: 2013-06-04.

Compound archery bow construction and methods of making and operating the bow

Номер патента: US6718963B1. Автор: Mark G. Wheeler. Владелец: Mark Wheeler. Дата публикации: 2004-04-13.

Waste product ripping and grinding machine and methods of constructing and operating the machine

Номер патента: US20040159729A1. Автор: James Strong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-19.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11869935B2. Автор: Le Li. Владелец: Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240090216A1. Автор: Meng-Han LIN,Chih-Ren Hsieh,Ching-Wen CHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11864381B2. Автор: Meng-Han LIN,Chih-Ren Hsieh,Ching-Wen CHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Layout of semiconductor device and method of forming semiconductor device

Номер патента: US20200126965A1. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-04-23.

Electrical apparatus and method of manufacturing and operating the same.

Номер патента: US917018A. Автор: John T H Dempster. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1909-04-06.

Semiconductor structure and method of manufacturing a semiconductor structure

Номер патента: US11972973B1. Автор: Chun-Ming Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-04-30.

Vertically stacked fin transistors and methods of fabricating and operating the same

Номер патента: TW201230162A. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-07-16.

Double gated fin transistors and methods of fabricating and operating the same

Номер патента: TW201230338A. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-07-16.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230062141A1. Автор: WEI Liu,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20220102244A1. Автор: Yi-Jen Lo. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200027890A1. Автор: Meng-Han LIN,Chih-Ren Hsieh,Chin Wen CHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-23.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220123002A1. Автор: Meng-Han LIN,Chih-Ren Hsieh,Ching-Wen CHAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240130107A1. Автор: Eunjung Kim,Sungyeon RYU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Method of forming a gate structure of a three-dimensional memory device

Номер патента: CN110121774B. Автор: 徐强,霍宗亮,夏志良,邵明. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-27.

Method of forming metal line and contact plug of flash memory device

Номер патента: US20070015317A1. Автор: Sung Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-01-18.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: WO2022051932A1. Автор: Chao Yang,Chunhua ZHOU,Qiyue Zhao. Владелец: Innoscience (Suzhou) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-03-17.

Method of making dual isolation regions for logic and embedded memory devices

Номер патента: US5858830A. Автор: Mong-Song Liang,Chue-San Yoo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 1999-01-12.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240072055A1. Автор: Cheng-Wei Chang,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240038858A1. Автор: Cheng-Wei Chang,Shahaji B. More. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US11869892B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US11862722B2. Автор: Chao Yang,Chunhua ZHOU,Qiyue Zhao. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor device having a reduced bit line parasitic capacitance and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130052788A1. Автор: Jeong Hoon Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-02-28.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing thereof

Номер патента: WO2022116036A1. Автор: Yulong Zhang,Ming-Hong CHANG,Junhui Ma. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-06-09.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US11972996B2. Автор: Hang Liao,Chunhua ZHOU,Qingyuan HE. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: WO2024040563A1. Автор: Yi He,Jheng-Sheng You,Weixing DU. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-02-29.

Apparatus and method of etching a semiconductor substrate

Номер патента: US20080096393A1. Автор: Dae-hyuk Chung,Dae-hyuk Kang,In-Gi Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-24.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240096892A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device structure and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2024103247A1. Автор: Chang Chen,Xiaoming Liu,Xinyu Li. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20230104766A1. Автор: King Yuen Wong,Ronghui Hao. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Semiconductor device structure and method of manufacture

Номер патента: US20190165111A1. Автор: Soenke Habenicht,Stefan Berglund,Seong-Woo BAE,Martin ROEVER. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2019-05-30.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20230197805A1. Автор: Cheng-Han Lee,Shahaji B. More,Jia-Ying Ma. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US12021121B2. Автор: Han-Chin Chiu. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor package and method of manufacture

Номер патента: US20190189544A1. Автор: Adam Richard Brown,Ricardo Lagmay Yandoc. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2019-06-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100123212A1. Автор: Jin-Hyuk Chung,Hongkyu Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-05-20.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240074146A1. Автор: Eun A Kim,Eunjung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US9806085B1. Автор: Sanpo Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US12021124B2. Автор: King Yuen Wong,Ronghui Hao. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: WO2022011611A1. Автор: Ronghui Hao,Kingyuen Wong. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-01-20.

METHOD OF PREVENTING DRAIN AND READ DISTURBANCES IN NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20160043176A1. Автор: WANG Chengcheng. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-11.

HANDHELD SURGICAL INSTRUMENT, SURGICAL TOOL SYSTEM, METHODS OF FORMING AND OPERATING THE SAME

Номер патента: US20190076203A1. Автор: ANG Wei Tech,WANG Zenan. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-14.

Focus detection apparatus and method, method of controlling focus detection apparatus, and image capturing apparatus

Номер патента: US20140362279A1. Автор: Kengo Takeuchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2014-12-11.

LIGHT EMITTING DIODE COMMUNICATION DEVICE, METHOD OF FORMING AND OPERATING THE SAME

Номер патента: US20200259564A1. Автор: Teng Jinghua,Teo Ee Jin,Yang Chengyuan. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-13.

RADIANT COOLER BASED ON DIRECT ABSORPTION AND LATENT HEAT TRANSFER, METHODS OF FORMING AND OPERATING THE SAME

Номер патента: US20200370821A1. Автор: Isakov Dmitry,Vong Siew Soon,Tan Jun Liang. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-26.

Method of fomring bit line contact hole in a flash memory device

Номер патента: KR100766160B1. Автор: 양인권. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-10-10.

Method of forming a drain contact plug in NAND flash memory device

Номер патента: KR100833430B1. Автор: 김세준,김남경. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-05-29.

Method of forming a dielectric spacer in a NAND flash memory device

Номер патента: KR100680487B1. Автор: 권일영. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-02-08.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Non-Volatile Memory And Method With Reduced Neighboring Field Errors

Номер патента: US20120002483A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002457A1. Автор: KANDA Kazushige. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR TRACKING OF MAIL USING A UNIVERSAL CODING SYSTEM

Номер патента: US20120004765A1. Автор: Hamilton Daryl. Владелец: United States Postal Service. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF PROGRAMMING A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002481A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE AND A SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE THEREBY

Номер патента: US20120187471A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-07-26.

Method of forming a self-align contact in semiconductor memory device

Номер патента: KR960006719B1. Автор: 박규찬,이우성,이예승,반천수. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1996-05-22.

Method of forming gate oxide film and manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: JPH10125807A. Автор: Hitoshi Ito,仁 伊藤,Hideki Satake,秀喜 佐竹. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-05-15.

Power mosfet and methods of forming and operating the same

Номер патента: AU2001268174A1. Автор: Bantval Jayant Baliga. Владелец: Giant Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-07-08.

ALIGNMENT METHOD OF SEMICONDUCTOR OPTICAL AMPLIFIER AND LIGHT OUTPUT DEVICE

Номер патента: US20120002696A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Electrically erasable and programmable read only memory device and methods of fabricating and operating the same

Номер патента: TWI257149B. Автор: Chih-Hsin Wang. Владелец: Chih-Hsin Wang. Дата публикации: 2006-06-21.

Electrically erasable and programmable read only memory device and methods of fabricating and operating the same

Номер патента: TW200618194A. Автор: Chih-Hsin Wang. Владелец: Chih-Hsin Wang. Дата публикации: 2006-06-01.

Flash memory with self-aligned split gate and methods for fabricating and for operating the same

Номер патента: TW544871B. Автор: Chih-Wei Hung,Cheng-Yuan Hsu. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2003-08-01.

BIO MATERIAL RECEIVING DEVICE AND METHODS OF MANUFACTURING AND OPERATING THE SAME

Номер патента: US20120019315A1. Автор: KIM Su-hyeon,Lee June-Young. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-26.

Oscillators and methods of manufacturing and operating the same

Номер патента: US20120068779A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-03-22.

VERTICALLY STACKED FIN TRANSISTORS AND METHODS OF FABRICATING AND OPERATING THE SAME

Номер патента: US20120126883A1. Автор: Juengling Werner. Владелец: Micron Technology,Inc.. Дата публикации: 2012-05-24.

DOUBLE GATED FIN TRANSISTORS AND METHODS OF FABRICATING AND OPERATING THE SAME

Номер патента: US20120126884A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-05-24.

Oscillators And Methods Of Manufacturing And Operating The Same

Номер патента: US20120126904A1. Автор: Lee Sung-chul,Pi Ung-hwan,Kim Kee-won,Kim Kwang-seok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-05-24.

Data Cells with Drivers and Methods of Making and Operating the Same

Номер патента: US20130005102A1. Автор: Juengling Werner. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-01-03.

VERTICALLY STACKED FIN TRANSISTORS AND METHODS OF FABRICATING AND OPERATING THE SAME

Номер патента: US20130043531A1. Автор: Juengling Werner. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-02-21.

CAPACITIVE TRANSDUCER AND METHODS OF MANUFACTURING AND OPERATING THE SAME

Номер патента: US20130049528A1. Автор: KIM Che-heung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-02-28.

Improvements in or relating to Explosion Turbines and in the Method of Working or Operating the same

Номер патента: GB190510204A. Автор: Heinrich Zoelly. Владелец: Individual. Дата публикации: 1905-08-31.

Method Of Storing Blocks Of Data In A Plurality Of Memory Devices In A Redundant Manner, A Memory Controller And A Memory System

Номер патента: US20120117444A1. Автор: Arya Siamak. Владелец: . Дата публикации: 2012-05-10.

Method of locating the location of an error of a memory device

Номер патента: TWI689812B. Автор: 陳金,鮑凱. Владелец: 英業達股份有限公司. Дата публикации: 2020-04-01.