• Главная
  • Semiconductor device structure and methods of forming the same

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor device with self-aligning contact and method for fabricating the same

Номер патента: US20220271036A1. Автор: Chun-Chi Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-08-25.

Semiconductor device with graphene-based element and method for fabricating the same

Номер патента: US20220051937A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor devices including gate structure and method of forming the same

Номер патента: US20220375847A1. Автор: Sungmin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-11-24.

Semiconductor device including a channel region and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09704985B2. Автор: Yasushi Hamazawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device with void-free contact and method for preparing the same

Номер патента: US20220399454A1. Автор: Liang-Pin Chou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-12-15.

Semiconductor device with conductive structure and insulation layer of different width

Номер патента: US11810860B2. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor device and methods of forming and operating the same

Номер патента: US20100001339A1. Автор: Yoon Kim,Byung-gook Park,Wook-Hyun Kwon,Yun-Heub Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-07.

Semiconductor device with peripheral void space and method of making the same

Номер патента: US9865680B2. Автор: Takuya Yamaguchi,Hideki Okumura,Sadayuki Jimbo,Masanobu Tsuchitani. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device with capping structure and method of forming the same

Номер патента: US20180166545A1. Автор: Chung-Ming Wang,Fang-Ting KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Semiconductor device including contact structure and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12010839B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor device including gate structure and separation structure

Номер патента: US12113112B2. Автор: Dongseok Lee,Yongho JEON,Sekoo Kang,Keunhee Bai. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor devices comprising edge doped graphene and methods of making the same

Номер патента: WO2015005947A8. Автор: Kevin BRENNER,Romeil SANDHU. Владелец: Harper Laboratories, LLC. Дата публикации: 2015-02-26.

Semiconductor device with contact structure and method for preparing the same

Номер патента: US11749730B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor device including gate structure and separation structure

Номер патента: US20200381526A1. Автор: Dongseok Lee,Yongho JEON,Sekoo Kang,Keunhee Bai. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-03.

Semiconductor device including gate structure and separation structure

Номер патента: US20220102516A1. Автор: Dongseok Lee,Yongho JEON,Sekoo Kang,Keunhee Bai. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-31.

Semiconductor device including gate structure and separation structure

Номер патента: US20230395674A1. Автор: Dongseok Lee,Yongho JEON,Sekoo Kang,Keunhee Bai. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor device including gate structure and separation structure

Номер патента: US11769811B2. Автор: Dongseok Lee,Yongho JEON,Sekoo Kang,Keunhee Bai. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor Device with Dual Isolation Liner and Method of Forming the Same

Номер патента: US20210265224A1. Автор: Yu-Kuan Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Semiconductor device including a deep contact and a method of manufacturing such a device

Номер патента: US20130280906A1. Автор: Alfred Haeusler. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2013-10-24.

Semiconductor device having stable structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US9484247B2. Автор: Chan Sun Hyun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device having stable structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160225663A1. Автор: Chan Sun Hyun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-04.

Semiconductor device having a graphene film and method for fabricating thereof

Номер патента: US12014988B2. Автор: Jang Eun Lee,Hyun bae Lee,Wan Don KIM,Min Joo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor devices with a protection layer and methods of fabrication

Номер патента: US20200176389A1. Автор: Jenn Hwa Huang,Darrell Glenn Hill,James Allen Teplik. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2020-06-04.

Semiconductor device having stable structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US9337091B2. Автор: Chan Sun Hyun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-05-10.

Semiconductor device having funnel-shaped interconnect and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240047352A1. Автор: Min-Chung Cheng. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device with a liner layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240203787A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device including conductive structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230178487A1. Автор: Seulgi Bae,Dongchan Lim,Jungha HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-08.

Semiconductor device with porous dielectric layers and method for fabricating the same

Номер патента: US20240030133A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device with composite conductive features and method for preparing the same

Номер патента: US20240249975A1. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device with composite conductive features and method for preparing the same

Номер патента: US12125744B2. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device with composite conductive features and method for preparing the same

Номер патента: US20240258159A1. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device with copper-manganese liner and method for forming the same

Номер патента: US11670587B2. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-06-06.

Semiconductor device with copper-manganese liner and method for forming the same

Номер патента: US20220336350A1. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-10-20.

Semiconductor device with porous dielectric layers and method for fabricating the same

Номер патента: US20240030132A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor device with redistribution structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240047448A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device with redistribution structure and method for fabricating the same

Номер патента: US11830865B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor device including polysilicon structures and method of making

Номер патента: US11676856B2. Автор: J. J. Lee,Chun-Tse TSAI,M. C. Hang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-13.

Semiconductor device for low-power applications and a method of manufacturing thereof

Номер патента: US7985673B2. Автор: Viet Nguyen Hoang,Phillip Christie,Julien M. M. Michelon. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-07-26.

Semiconductor device with single step height and method for fabricating the same

Номер патента: US20220122991A1. Автор: Yu-Ting Lin,Mao-Ying Wang,Lai-Cheng TIEN,Hui-Lin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor device with porous decoupling feature and method for fabricating the same

Номер патента: US20210375881A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor device having gate structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240090193A1. Автор: Chung-Peng Hao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device having double bit capacity and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240023312A1. Автор: Ying-Chieh Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device having a through electrode and method of manufacturing the same

Номер патента: US10269683B2. Автор: Masayuki Akou. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-04-23.

Semiconductor device including via structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230005818A1. Автор: Jongmin Lee,Jeonil Lee,Yeonjin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-05.

Semiconductor device, solid-state imaging device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220246662A1. Автор: Takuya Kurotori. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Semiconductor device having through-silicon-via and methods of forming the same

Номер патента: US09941190B2. Автор: Wayne H. Huang,Jaspreet S. Gandhi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device with connection structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20210305208A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Semiconductor device having double bit capacity and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240023313A1. Автор: Ying-Chieh Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Interconnection structure, semiconductor device with interconnection structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230046051A1. Автор: Jong Su Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Semiconductor device with connection structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20220077118A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-10.

Semiconductor devices having a conductive pillar and methods of manufacturing the same

Номер патента: US12027495B2. Автор: Dong Kwan Kim,Kun Sil Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-02.

Method of forming composite opening and method of dual damascene process using the same

Номер патента: SG145607A1. Автор: Hong Ma. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2008-09-29.

Semiconductor device including process monitoring pattern and methods of fabricating the same

Номер патента: US20110187001A1. Автор: Dong-Hyun Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-04.

Semiconductor device with redistribution structure and method for fabricating the same

Номер патента: US11764178B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device with a booster layer and method for fabricating the same

Номер патента: US12106904B2. Автор: Han-Joon Kim,Ki-Vin Im,Se-Hun Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device with uneven electrode surface and method for fabricating the same

Номер патента: US20230105066A1. Автор: Tsu-Chieh AI. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-04-06.

Semiconductor device with slanted conductive layers and method for fabricating the same

Номер патента: US11398441B2. Автор: Kuo-Hui Su. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-07-26.

Semiconductor devices comprising interconnect structures and methods of fabrication

Номер патента: US20150357284A1. Автор: Nishant Sinha,Gurtej S. Sandhu,John A. Smythe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-12-10.

Semiconductor device with redistribution structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20220310545A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor device with through semiconductor via and method for fabricating the same

Номер патента: US20220310580A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor device including protection structure and manufacturing method therefor

Номер патента: EP3693993A8. Автор: Jens Barrenscheen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-09-02.

Semiconductor device including stack structure and trenches

Номер патента: US20240244843A1. Автор: Kwang Ho Lee,Jong Soo Kim,Seung Hyun Cho,Ji Hwan Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device including stack structure and trenches

Номер патента: US20190067320A1. Автор: Kwang Ho Lee,Jong Soo Kim,Seung Hyun Cho,Ji Hwan Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-02-28.

Semiconductor device including stack structure and trenches

Номер патента: US10707229B2. Автор: Kwang Ho Lee,Jong Soo Kim,Seung Hyun Cho,Ji Hwan Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-07.

Semiconductor device with interconnect structure and method for preparing the same

Номер патента: US20210193559A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

Semiconductor device with cushion structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240047286A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor devices having a conductive pillar and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20210280562A1. Автор: Dong Kwan Kim,Kun Sil Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-09.

Semiconductor devices having a conductive pillar and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20200185352A1. Автор: Dong Kwan Kim,Kun Sil Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-11.

Semiconductor device with cushion structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240047287A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device with connecting structure and method for fabricating the same

Номер патента: US11935831B2. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor device having a redundant circuit and method of manufacturing thereof

Номер патента: US5252844A. Автор: Hiroshi Takagi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-10-12.

Semiconductor device with carbon hard mask and method for fabricating the same

Номер патента: US20220157712A1. Автор: Jar-Ming Ho. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor device with tilted insulating layers and method for fabricating the same

Номер патента: US20220093490A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Semiconductor device with tilted insulating layers and method for fabricating the same

Номер патента: US20220278025A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-09-01.

Semiconductor device with slanted conductive layers and method for fabricating the same

Номер патента: US20220084967A1. Автор: Kuo-Hui Su. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor device with recessed pad layer and method for fabricating the same

Номер патента: US11329028B2. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-10.

Semiconductor device with uneven electrode surface and method for fabricating the same

Номер патента: US11823992B2. Автор: Tsu-Chieh AI. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor device with heat dissipation unit and method for fabricating the same

Номер патента: US20220238487A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-07-28.

Semiconductor device with tilted insulating layers and method for fabricating the same

Номер патента: US11728299B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor device having buried word line and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210242211A1. Автор: Chih-Wei Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-08-05.

Semiconductor device with a booster layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20220351903A1. Автор: Han-Joon Kim,Ki-Vin Im,Se-Hun Kang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-11-03.

Semiconductor device with carbon hard mask and method for fabricating the same

Номер патента: US20220157713A1. Автор: Jar-Ming Ho. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor device with carbon hard mask and method for fabricating the same

Номер патента: US11776904B2. Автор: Jar-Ming Ho. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor device having wire bonding connection and method for manufacturing the same

Номер патента: US9941236B2. Автор: Tadahiro MIWATASHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device including multi-capping layer and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230080862A1. Автор: Jongmin Lee,Jimin CHOI,Minjung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Manufacturing method of semiconductor device including stepping structure and supporting structure

Номер патента: US11751390B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor device having recessed landing pad and its method of fabrication

Номер патента: US20070152257A1. Автор: Je-min Park,Ho-Jin Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-07-05.

Photomask layouts and methods of forming patterns using the same

Номер патента: US20180252997A1. Автор: Man-Jong Yu. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-06.

Photomask layouts and methods of forming patterns using the same

Номер патента: US20180004080A1. Автор: Man-Jong Yu. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-04.

Photomask layouts and methods of forming patterns using the same

Номер патента: US20160233103A1. Автор: Man-Jong Yu. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-11.

Semiconductor device including stepped structure and supporting structure

Номер патента: US11094710B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-17.

Semiconductor Device Including Protection Structure and Manufacturing Method Therefor

Номер патента: US20200258775A1. Автор: Jens Barrenscheen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-08-13.

Semiconductor device using shallow trench isolation and method of fabricating the same

Номер патента: US6894363B2. Автор: Kazuhiro Tamura. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2005-05-17.

Method for forming isolation layer and method for fabricating nonvolatile memory device using the same

Номер патента: US20100203702A1. Автор: Young-Kwang Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-08-12.

Semiconductor device having a thermal contact and method of making

Номер патента: US20230386958A1. Автор: FENG HAN,Jian Wu,Shuai ZHANG. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device with buried bit line and method for fabricating the same

Номер патента: US9236327B2. Автор: Heung-Jae Cho,Bong-Seok Jeon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-01-12.

Semiconductor device having work-function metal and method of forming the same

Номер патента: US20200335403A1. Автор: Juyoun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-22.

Semiconductor device having work-function metal and method of forming the same

Номер патента: US20210287947A1. Автор: Juyoun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-16.

Semiconductor device with sidewall oxidized dielectric and method for fabricating the same

Номер патента: US20210234037A1. Автор: Te-Yin Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor device having work-function metal and method of forming the same

Номер патента: US11929289B2. Автор: Juyoun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-12.

Semiconductor device having work-function metal and method of forming the same

Номер патента: US20240170340A1. Автор: Juyoun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor device with composite gate dielectric and method for preparing the same

Номер патента: US20230262955A1. Автор: Li-Han Lu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device with buried bit line and method for fabricating the same

Номер патента: US20140110781A1. Автор: Eui-Seong Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-04-24.

Semiconductor device with contact structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240105807A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device structure with spacer and method for forming the same

Номер патента: US20230369497A1. Автор: Szu-Wei Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor Device Including Trench Structure and Manufacturing Method

Номер патента: US20220149156A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Thomas Basler,Caspar Leendertz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-05-12.

Semiconductor device having an impurity concentration and method of manufacturing thereof

Номер патента: US09793362B2. Автор: Hans-Joachim Schulze. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device including crystal defect region and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180006114A1. Автор: Tomonori HOKI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor device including crystal defect region and method for manufacturing the same

Номер патента: US09768253B2. Автор: Tomonori HOKI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device including trench structure and manufacturing method

Номер патента: US11276754B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Thomas Basler,Caspar Leendertz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-03-15.

Semiconductor Device Including Trench Structure and Manufacturing Method

Номер патента: US20200286991A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Thomas Basler,Caspar Leendertz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-09-10.

Semiconductor devices with various line widths and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200058559A1. Автор: Yuri Masuoka,Je-Min YOO,Sang-Deok Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-20.

Semiconductor devices with various line widths and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200312720A1. Автор: Yuri Masuoka,Je-Min YOO,Sang-Deok Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-01.

Semiconductor device with contact structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240113196A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Semiconductor device having an air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US11791390B2. Автор: Dong-Soo Kim,Se-Han Kwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Semiconductor device with gate structure and current spread region

Номер патента: US20240096934A1. Автор: Sandeep Walia,Paul Ellinghaus. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device with one-side-contact and method for fabricating the same

Номер патента: US9728638B2. Автор: Jin-Ku Lee,Young-Ho Lee,Mi-Ri Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device including trench structure and manufacturing method

Номер патента: US11929397B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Thomas Basler,Caspar Leendertz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-03-12.

Semiconductor device having vertical pillar transistors and method for manufacturing the same

Номер патента: US8202781B2. Автор: Kyung Do Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-19.

Semiconductor device with buried bit line and method for fabricating the same

Номер патента: US8643096B2. Автор: Eui-Seong Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-02-04.

Semiconductor device with silicon-film fins and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070090468A1. Автор: Hirohisa Kawasaki,Kazunari Ishimaru. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-04-26.

Semiconductor device with silicon-film fins and method of manufacturing the same

Номер патента: US7541245B2. Автор: Hirohisa Kawasaki,Kazunari Ishimaru. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-06-02.

Semiconductor devices with crystallized channel regions and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230261075A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Systems and devices including multi-gate transistors and methods of using, making, and operating the same

Номер патента: US20130240967A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-19.

Stackable semiconductor device with 2d material layer and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230231058A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

3d semiconductor device with 2d semiconductor material and method of forming the same

Номер патента: US20230187280A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Systems and Devices Including Multi-Gate Transistors and Methods of Using, Making, and Operating the Same

Номер патента: US20120018789A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-01-26.

Semiconductor device including gate structure and separation structure

Номер патента: US20240079467A1. Автор: Jisu Kang,Hojun Kim,Jeewoong KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor device including gate structures and gate isolation structure

Номер патента: EP4336549A1. Автор: Jisu Kang,Hojun Kim,Jeewoong KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-13.

Vertical type semiconductor devices including a metal gate and methods of forming the same

Номер патента: US9093547B2. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-07-28.

Vertical type semiconductor devices including a metal gate and methods of forming the same

Номер патента: US20140203346A1. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-24.

Semiconductor device with tapering impurity region and method for fabricating the same

Номер патента: US20210351185A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Semiconductor device comprising transistor structures and methods for forming same

Номер патента: US20090026522A1. Автор: Venkatesan Ananthan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-29.

Semiconductor device with vanadium-containing spacers and method for fabricating the same

Номер патента: US20240008262A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor device having mirror-symmetric terminals and methods of forming the same

Номер патента: US09673135B2. Автор: Wei Zhang,John D. Weld,Douglas Dean Lopata. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device with energy-removable layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20240178287A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor devices having recessed structures and methods of forming the same

Номер патента: US7659163B2. Автор: Chih-Huang WU,Chien-Jung Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2010-02-09.

Semiconductor device having field plate electrode and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140179094A1. Автор: Hitoshi Kobayashi,Shigeki Tomita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-06-26.

Semiconductor device having a recess channel and method for fabricating the same

Номер патента: US7442990B2. Автор: Byung Soo Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-10-28.

Semiconductor device having a recess channel and method for fabricating the same

Номер патента: US20080318402A1. Автор: Byung Soo Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-12-25.

Semiconductor device having a recess channel and method for fabricating the same

Номер патента: US20060237783A1. Автор: Byung Eun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-26.

Semiconductor device having trench structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130069109A1. Автор: Shingo Sato,Wataru Saito,Shizue MATSUDA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

Semiconductor Device Including Trench Structures and Manufacturing Method

Номер патента: US20200176568A1. Автор: Roland Rupp,Anton Mauder,Andreas Meiser,Caspar Leendertz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-06-04.

Semiconductor device comprising 3d channel region and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190319106A1. Автор: Yong-Keon Choi. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-17.

Semiconductor device with vertical channel transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20100163974A1. Автор: Seung-Chul Oh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-07-01.

Semiconductor device with graphene-based element and method for fabricating the same

Номер патента: US20220059673A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Semiconductor device comprising a MOS transistor and method of making the same

Номер патента: EP1515371A3. Автор: Qiang Chen,Gordon Ma. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-03-26.

Semiconductor device with extension structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20110248361A1. Автор: Takayuki Ito,Kyoichi Suguro,Kouji Matsuo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-10-13.

Semiconductor devices having polysilicon gate patterns and methods of fabricating the same

Номер патента: US20160056258A1. Автор: Young Jin Son,Yong Seok Eun,Kyong Bong Rouh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-02-25.

Semiconductor device with vertical channel transistor and method of operating the same

Номер патента: US20120119289A1. Автор: Daeik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-05-17.

Semiconductor device with vanadium-containing spacers and method for fabricating the same

Номер патента: US20240008264A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor device with a programmable contact and method for fabricating the same

Номер патента: US20210210611A1. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-07-08.

Active semiconductor device on high-resistivity substrate and method therefor

Номер патента: US20190378923A1. Автор: Hernan Rueda,Xiaowei Ren,Rodney Arlan Barksdale. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Semiconductor Device with Improved Contact Pad and Method for Fabrication Thereof

Номер патента: US20080251857A1. Автор: Adam Brown. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-10-16.

Semiconductor device with improved contact pad and method for fabrication thereof

Номер патента: EP1932182A2. Автор: Adam Brown. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-06-18.

Semiconductor device with improved contact pad and method for fabrication thereof

Номер патента: WO2007036898A3. Автор: Adam Brown. Владелец: Adam Brown. Дата публикации: 2007-09-07.

Semiconductor device for a volatile memory and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11244947B1. Автор: Huang Liu,John Zhang,Devendra K Sadana,Yanzun Li. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2022-02-08.

Thin body semiconductor devices having improved contact resistance and methods for the fabrication thereof

Номер патента: US20110062443A1. Автор: Witold Maszara. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-03-17.

Semiconductor device including trench structures and manufacturing method

Номер патента: US11121220B2. Автор: Roland Rupp,Anton Mauder,Andreas Meiser,Caspar Leendertz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-09-14.

Semiconductor device with compensated threshold voltage and method for making same

Номер патента: US6667513B1. Автор: Thomas Skotnicki,Romain Gwoziecki. Владелец: France Telecom SA. Дата публикации: 2003-12-23.

Power semiconductor device with forced carrier extraction and method of manufacture

Номер патента: US11764209B2. Автор: Dumitru G. Sdrulla. Владелец: MW RF Semiconductors LLC. Дата публикации: 2023-09-19.

Metal oxide semiconductor device and method for operating an array structure comprising the same devices

Номер патента: US20080298135A1. Автор: Chia-Hsing Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-04.

Metal oxide semiconductor device and method for operating an array structure comprising the same devices

Номер патента: US20100213528A1. Автор: Chia-Hsing Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-26.

Power semiconductor device with forced carrier extraction and method of manufacture

Номер патента: US20230420449A1. Автор: Dumitru G. Sdrulla. Владелец: MW RF Semiconductors LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Power semiconductor device with forced carrier extraction and method of manufacture

Номер патента: EP4229679A1. Автор: Dumitru G. Sdrulla. Владелец: MW RF Semiconductors LLC. Дата публикации: 2023-08-23.

Semiconductor device with a defect layer and method of fabrication therefor

Номер патента: US11901414B2. Автор: Petrus Hubertus Cornelis Magnee,Ljubo Radic,Viet Thanh Dinh. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor device with diffusion barrier layer and method of fabrication therefor

Номер патента: US20240347628A1. Автор: Jie Hu. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device with diffusion barrier layer and method of fabrication therefor

Номер патента: EP4447123A1. Автор: Jie Hu. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-10-16.

Semiconductor device and method of fabricating metal gate of the same

Номер патента: US20090057783A1. Автор: Sung-Ho Park,Jin-seo Noh,Joong-S. Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-05.

Semiconductor Device with Metallization Structure and Method for Manufacturing Thereof

Номер патента: US20180301338A1. Автор: Jochen Hilsenbeck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-10-18.

Semiconductor device including oxide semiconductor layer and method for driving the same

Номер патента: US09614094B2. Автор: Kazunori Watanabe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device, electric power conversion device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240274655A1. Автор: Kohei Ebihara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device with an ohmic ontact and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030132442A1. Автор: Bor-Jen Wu,Liann-Be Chang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-17.

Semiconductor device, semiconductor package comprising same, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20230096863A1. Автор: Akira Sagawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-03-30.

Semiconductor device and LTPS-TFT within and method of making the same

Номер патента: US8153495B2. Автор: Wen-Bin Hsu,Kuang-Chao Yeh. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-04-10.

Semiconductor device and LTPS-TFT within and method of making the same

Номер патента: US20060006387A1. Автор: Wen-Bin Hsu,Kuang-Chao Yeh. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2006-01-12.

Semiconductor device and ltps-tft within and method of making the same

Номер патента: US20090061570A1. Автор: Wen-Bin Hsu,Kuang-Chao Yeh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-05.

Silcon carbide semiconductor device having schottky barrier diode and method for manufacturing the same

Номер патента: US7838888B2. Автор: Takeo Yamamoto,Naohiro Suzuki,Eiichi Okuno. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2010-11-23.

Semiconductor device having a Schottky junction and method of manufacturing same

Номер патента: US3935586A. Автор: Hermanus Josephus Henricus Wilting,Frits Landheer. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1976-01-27.

Semiconductor devices having surface state control and method of manufacture

Номер патента: US3956025A. Автор: Wolfgang M. Feist,Hermann Statz. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 1976-05-11.

MOS semiconductor device with breakdown voltage performance and method for manufacturing the same

Номер патента: US6507073B1. Автор: Kuniyuki Hishinuma. Владелец: Nippon Precision Circuits Inc. Дата публикации: 2003-01-14.

Semiconductor device with buried bit lines and method for fabricating the same

Номер патента: US20130292792A1. Автор: Ki-Ro Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-11-07.

Semiconductor device with a semiconductor body and method for its production

Номер патента: US7880260B2. Автор: Gerhard Schmidt,Josef Bauer,Elmar Falck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2011-02-01.

Semiconductor device with a semiconductor body and method for its production

Номер патента: US20090261379A1. Автор: Gerhard Schmidt,Josef Bauer,Elmar Falck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2009-10-22.

Semiconductor devices having high-resistance region and methods of forming the same

Номер патента: US20160064375A1. Автор: Jae-Hyun Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-03-03.

Semiconductor device with SOI structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020171109A1. Автор: Kenya Kobayashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-11-21.

Semiconductor device with nanowire capacitor plugs and method for fabricating the same

Номер патента: US20210091088A1. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor device with composite conductive features and method for fabricating the same

Номер патента: US20230299023A1. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device with composite conductive features and method for fabricating the same

Номер патента: US20240274554A1. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device with composite conductive features and method for fabricating the same

Номер патента: US20240250047A1. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor Device with Partial EMI Shielding and Method of Making the Same

Номер патента: US20210335724A1. Автор: SungWon Cho,Changoh Kim,KyoWang Koo,KyoungHee Park. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2021-10-28.

Semiconductor device with self-aligned waveguide and method therefor

Номер патента: US20240332206A1. Автор: Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Antonius Hendrikus Jozef Kamphuis. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device with thermal release layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20220165639A1. Автор: Jar-Ming Ho. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Encapsulated semiconductor device package with heatsink opening, and methods of manufacture thereof

Номер патента: US09787254B2. Автор: David F. Abdo,Jeffrey K. Jones. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Phase shift mask and method of forming patterns using the same

Номер патента: US09977324B2. Автор: DongEon Lee,Jinho JU,Junhyuk Woo,Min Kang,Yong Son,Hyunjoo Lee,Bong Yeon Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Phase shift mask and method of forming patterns using the same

Номер патента: US09632438B2. Автор: DongEon Lee,Jinho JU,Junhyuk Woo,Min Kang,Yong Son,Hyunjoo Lee,Bong Yeon Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device package having galvanic isolation and method therefor

Номер патента: US20220102292A1. Автор: Burton Jesse CARPENTER,Fred T. Brauchler. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Semiconductor device having stacked structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070228580A1. Автор: Masanori Shibamoto,Tsuyoshi Tomoyama. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-10-04.

Semiconductor device with active mold package and method therefor

Номер патента: EP4345883A1. Автор: Scott M Hayes,Michael B Vincent. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-04-03.

Semiconductor device with active mold package and method therefor

Номер патента: US20240105660A1. Автор: Michael B. Vincent,Scott M. Hayes. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device having a semiconductor chip, and method for the production thereof

Номер патента: US20120028382A1. Автор: Michael Bauer,Edward Fuergut. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-02-02.

Reinforced semiconductor device packaging and associated systems and methods

Номер патента: US20220208632A1. Автор: Hong Wan Ng,Yeow Chon Ong,Suresh K. Upadhyayula. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-30.

Reinforced semiconductor device packaging and associated systems and methods

Номер патента: US12080616B2. Автор: Hong Wan Ng,Yeow Chon Ong,Suresh K. Upadhyayula. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device with connector in package and method therefor

Номер патента: US11961776B2. Автор: Michael B. Vincent,Scott M. Hayes. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor device with self-aligned waveguide and method therefor

Номер патента: US20230017646A1. Автор: Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Antonius Hendrikus Jozef Kamphuis. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor device with composite conductive features and method for fabricating the same

Номер патента: US12002772B2. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-04.

Semiconductor device with self-aligned waveguide and method therefor

Номер патента: US12033950B2. Автор: Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Antonius Hendrikus Jozef Kamphuis. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device with capacitor and fuse, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090212389A1. Автор: Roh Il Cheol. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-08-27.

Semiconductor device with redistribution structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240153878A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Chemical mechanical polishing apparatus and method of replacing polishing pad using the same

Номер патента: US20240217057A1. Автор: Chungki MIN,Donghoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device with thermal release layer and method for fabricating the same

Номер патента: US20220189847A1. Автор: Jar-Ming Ho. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-06-16.

Semiconductor device with thermal release layer and method for fabricating the same

Номер патента: US11948857B2. Автор: Jar-Ming Ho. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Spin chuck jig and method of lifting spin chuck using the same

Номер патента: US20200030842A1. Автор: Michael D. Ybarra,Elijah L. Rhoades. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-01-30.

Mask for crystallizing and method of crystallizing amorphous silicon using the same

Номер патента: US20030219936A1. Автор: Sang-Hyun Kim. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-27.

Semiconductor device having slit between stacks and manufacturing method of the same

Номер патента: US9601509B1. Автор: Wan Cheul Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor devices including seed structure and method of manufacturing the semiconductor devices

Номер патента: US11935858B2. Автор: Seungmin Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor devices including seed structure and method of manufacturing the semiconductor devices

Номер патента: US20210320079A1. Автор: Seungmin Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-14.

Semiconductor devices including seed structure and method of manufacturing the semiconductor devices

Номер патента: US20240194627A1. Автор: Seungmin Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and processing method therefor, and method for measuring temperature

Номер патента: US20230377920A1. Автор: MENG Hu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device having a semiconductor chip, and method for the production thereof

Номер патента: US20070085216A1. Автор: Michael Bauer,Edward Fuergut. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-04-19.

Semiconductor device package having stress isolation and method therefor

Номер патента: US11823968B2. Автор: Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Stephen Ryan Hooper. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Electrode structure for a semiconductor device having a shallow junction and method for fabricating same

Номер патента: US3848260A. Автор: H Tsunemitsu,H Shiba. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1974-11-12.

Adaptively plasma source and method of processing semiconductor wafer using the same

Номер патента: EP1800333A1. Автор: Nam-Hun Kim. Владелец: Adaptive Plasma Technology Corp. Дата публикации: 2007-06-27.

Spin chuck jig and method of lifting spin chuck using the same

Номер патента: US11958071B2. Автор: Michael D. Ybarra,Elijah L. Rhoades. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-16.

Spin chuck jig and method of lifting spin chuck using the same

Номер патента: US20200398303A1. Автор: Michael D. Ybarra,Elijah L. Rhoades. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-24.

Semiconductor device with programmable structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230269935A1. Автор: Wei-Zhong Li,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device with programmable structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240334687A1. Автор: Wei-Zhong Li,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device having improved bias dependability and method of fabricating same

Номер патента: US20020053707A1. Автор: Koichi Yoshikawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-09.

Semiconductor device with upset event detection and method of making

Номер патента: US09702925B2. Автор: Mehul D. Shroff,Mark D. Hall,Steven G. H. Anderson. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device with composite gate dielectric and method for preparing the same

Номер патента: US12150290B2. Автор: Li-Han Lu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-11-19.

Semiconductor device and methods of forming and operating the same

Номер патента: US20200328217A1. Автор: Nan Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-10-15.

Semiconductor device having semiconductor channel layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240107744A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Composite wafer semiconductor devices using offset via arrangements and methods of fabricating the same

Номер патента: US09780136B2. Автор: Doowon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device including capacitor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230163162A1. Автор: Hanjin Lim,Intak Jeon,Jiye BAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-25.

Semiconductor device, solid-state imaging device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240297197A1. Автор: Takahiro Kamei. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device having bonding structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240074145A1. Автор: Yi-Jen Lo,Chiang-Lin Shih,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device having stacked structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240096921A1. Автор: Won Je Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor device having a low-resistance bus interconnect, method of manufacturing same, and display apparatus employing same

Номер патента: US7183635B2. Автор: Tamaki Toba. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2007-02-27.

Semiconductor device having a buried gate and method for forming the same

Номер патента: US8536644B2. Автор: Hae Il SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-09-17.

Semiconductor device having semiconductor channel layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240107745A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device integrated with heat sink and method of fabricating the same

Номер патента: US20070131952A1. Автор: Kuo-Hsin Huang. Владелец: HIGH POWER OPTO Inc. Дата публикации: 2007-06-14.

Semiconductor device with protection structure and air gaps and method for fabricating the same

Номер патента: US20210327823A1. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Semiconductor device having external connection terminals and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090026615A1. Автор: Fumiyoshi Kawashiro. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-01-29.

Methods of calculating thicknesses of layers and methods of forming layers using the same

Номер патента: US20100166945A1. Автор: Yong-Jin Kim,Ho-Ki Lee,Sung-ho Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-07-01.

Semiconductor device with interface structure and method for fabricating the same

Номер патента: US11751334B2. Автор: Chun-Huang Yu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor device with pad contact feature and method therefor

Номер патента: US20240282726A1. Автор: Trent Uehling. Владелец: Inc NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device with pad contact feature and method therefor

Номер патента: EP4417985A1. Автор: Trent Uehling. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-08-21.

Semiconductor device with ring-shaped electrode and method for preparing the same

Номер патента: US20230420488A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device with improved heat dissipation and method for making the same

Номер патента: US20240332114A1. Автор: Heesoo Lee,Seunghyun Lee,YongMoo SHIN. Владелец: Jcet Stats Chippac Korea Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device with magnetically aligned chips and method for fabricating the same

Номер патента: US09773758B2. Автор: Ji Young Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device package connector structure and method therefor

Номер патента: EP4105985A1. Автор: Kabir Mirpuri. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-12-21.

Semiconductor devices having interposer structure and methods for forming the same

Номер патента: US20210111122A1. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-15.

Method of detecting overlay of patterns and method of forming patterns using the same

Номер патента: US20240258178A1. Автор: Chan Hwang,Minsu Lee,Minsu Kang,Sangho Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor devices having interposer structure and methods for forming the same

Номер патента: US20210296302A1. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor device, structure of mounting the same, and method of removing foreign matter from the same

Номер патента: US20090079054A1. Автор: Nobuaki Asai. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2009-03-26.

Semiconductor device, electronic module, electronic apparatus, and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20220262737A1. Автор: Hirohisa Yasukawa. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Method for fabricating semiconductor device with protection structure and air gaps

Номер патента: US20210358862A1. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-18.

Reclaimable semiconductor device package and associated systems and methods

Номер патента: US09875808B2. Автор: Yueping Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device having a translation feature and method therefor

Номер патента: US20220068828A1. Автор: Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Giorgio Carluccio. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Superstrate including a body and layers and methods of forming and using the same

Номер патента: US20230415195A1. Автор: Weijun Liu,Niyaz Khusnatdinov,James W. Irving. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device with pad structure and method for fabricating the same

Номер патента: US11832439B2. Автор: Tsu-Chieh AI. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor device with pad structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20240040771A1. Автор: Tsu-Chieh AI. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device with resistor and fuse and method of manufacturing the same

Номер патента: US7847370B2. Автор: Yuichiro Kitajima. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2010-12-07.

Semiconductor device including defect detection circuit and method of detecting defects in the same

Номер патента: US11715542B2. Автор: Jongpil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-01.

Semiconductor device including defect detection circuit and method of detecting defects in the same

Номер патента: US11417408B2. Автор: Jongpil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-08-16.

Semiconductor device including defect detection circuit and method of detecting defects in the same

Номер патента: US20220036958A1. Автор: Jongpil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-03.

Semiconductor device including defect detection circuit and method of detecting defects in the same

Номер патента: EP3945330A1. Автор: Jongpil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-02.

Semiconductor device including defect detection circuit and method of detecting defects in the same

Номер патента: US20220328117A1. Автор: Jongpil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-13.

Semiconductor device with test-only contacts and method for making the same

Номер патента: US5334857A. Автор: James W. Sloan,Timothy J. Mennitt,John P. Warren. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1994-08-02.

Semiconductor device under bump structure and method therefor

Номер патента: EP4084056A3. Автор: Sharon Huey Lin Tay,Tsung Nan Lo,Antonio Aguinaldo Marquez Macatangay. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-08-09.

Semiconductor device with horizontally arranged capacitor and method for fabricating the same

Номер патента: US20220406706A1. Автор: Yu-Han Hsueh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-12-22.

Semiconductor device under bump structure and method therefor

Номер патента: US20220344296A1. Автор: Tsung Nan Lo,Antonio Aguinaldo Marquez Macatangay,Sharon Huey Tay. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2022-10-27.

Semiconductor device under bump structure and method therefor

Номер патента: US20230307402A1. Автор: Sharon Huey Lin Tay,Tsung Nan Lo,Antonio Aguinaldo Marquez Macatangay. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device under bump structure and method therefor

Номер патента: EP4084056A2. Автор: Sharon Huey Lin Tay,Tsung Nan Lo,Antonio Aguinaldo Marquez Macatangay. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2022-11-02.

Semiconductor device having three-dimensional construction and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070066052A1. Автор: Takaaki Aoki,Eiji Ishikawa. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2007-03-22.

Semiconductor device including heat insulating layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230301208A1. Автор: Won Tae KOO,Woo Cheol LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Substrate processing apparatus and method of processing a substrate using the same

Номер патента: US20230400252A1. Автор: Kuntack Lee,Ji Hwan Park,Sangjine Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor device assembly with sacrificial pillars and methods of manufacturing sacrificial pillars

Номер патента: US11894329B2. Автор: Chao Wen Wang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor device with under-bump metallization and method therefor

Номер патента: US20240014152A1. Автор: Jeroen Johannes Maria ZAAL,Leo van Gemert. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor device assembly with sacrificial pillars and methods of manufacturing sacrificial pillars

Номер патента: US20220328442A1. Автор: Chao Wen Wang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-13.

Semiconductor device with under-bump metallization and method therefor

Номер патента: EP4303912A1. Автор: Jeroen Johannes Maria ZAAL,Leo van Gemert. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-01-10.

Semiconductor device assembly with sacrificial pillars and methods of manufacturing sacrificial pillars

Номер патента: US20240136315A1. Автор: Chao Wen Wang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor device assembly with sacrificial pillars and methods of manufacturing sacrificial pillars

Номер патента: US20210407944A1. Автор: Chao Wen Wang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-30.

Semiconductor device with directing structure and method therefor

Номер патента: US11876059B2. Автор: Michael B. Vincent,Robert Joseph Wenzel. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Semiconductor device including an anti-fuse and method for fabricating the same

Номер патента: US11227868B2. Автор: Dong-Hyun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-01-18.

Semiconductor device including an anti-fuse and method for fabricating the same

Номер патента: US20200212054A1. Автор: Dong-Hyun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

Semiconductor device with directing structure and method therefor

Номер патента: EP4092829A1. Автор: Michael B. Vincent,Robert Joseph Wenzel. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-11-23.

Semiconductor device with read out prevention and method of producing same

Номер патента: US7233076B2. Автор: Hirohisa Matsuki,Masamitsu Ikumo. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-06-19.

Semiconductor device package having galvanic isolation and method therefor

Номер патента: US20220285330A1. Автор: Burton Jesse CARPENTER,Fred T. Brauchler. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-09-08.

Semiconductor device package having galvanic isolation and method therefor

Номер патента: EP4064344A2. Автор: Burton Jesse CARPENTER,Fred T. Brauchler. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-09-28.

Semiconductor device package having galvanic isolation and method therefor

Номер патента: EP4064344A3. Автор: Burton Jesse CARPENTER,Fred T. Brauchler. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-02-22.

Sealant curing system and a method of curing a sealant using the same

Номер патента: US20160351858A1. Автор: Yawei Liu,Qingdou YANG. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-01.

Semiconductor device including on-die resistor and method of calibrating on-die resistor

Номер патента: US20240120904A1. Автор: Dong Seok Kim,Joo Won OH,Keun Jin CHANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Reclaimable semiconductor device package and associated systems and methods

Номер патента: US11854635B2. Автор: Yueping Li. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Curable resin composition, production method of image sensor chip using the same, and image sensor chip

Номер патента: US09657182B2. Автор: Kazuto Shimada,Toshihide Ezoe,Yuki Nara. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor devices comprising magnetic memory cells and methods of fabrication

Номер патента: US9876053B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Witold Kula,Wayne I. Kinney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Apparatus for adsorbing solder ball and method of attaching solder ball using the same

Номер патента: US20160016247A1. Автор: Eun-Sun AN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-01-21.

Bonding apparatus and method of fabricating display device using the same

Номер патента: US11798912B2. Автор: Hyunwoo Lee,Jun-Hee Lee,Taeyoung Park,Jungseon Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Fuel cell electrode and method for manufacturing membrane-electrode assembly using the same

Номер патента: US09859568B2. Автор: Jae Seung Lee. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2018-01-02.

Fuel cell electrode and method for manufacturing membrane-electrode assembly using the same

Номер патента: US09716281B2. Автор: Jae Seung Lee. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2017-07-25.

Composite and method of preparing anode slurry including the same

Номер патента: US20140154571A1. Автор: Yoon Ah Kang,Yong Ju Lee,Je Young Kim,Rae Hwan Jo. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2014-06-05.

Electrified vehicle and method of managing power source for the same

Номер патента: US20230294555A1. Автор: Jung Hyun Lee. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Dielectric filter and method of adjusting central frequency of the same

Номер патента: US5841332A. Автор: Seigo Hino. Владелец: NGK Spark Plug Co Ltd. Дата публикации: 1998-11-24.

Semiconductor device with improved overlay margin and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100203705A1. Автор: JOON-SOO PARK. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-12.

Pad unit having a test logic circuit and method of driving a system including the same

Номер патента: US20080133991A1. Автор: Jae-Hoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-05.

Semiconductor device with epitaxial structures and method for forming the same

Номер патента: US11765884B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Power up of semiconductor device having a temperature circuit and method therefor

Номер патента: US09933317B2. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device having gate structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240090195A1. Автор: Chung-Peng Hao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor devices shared element(s) apparatus and method

Номер патента: WO2006007343A2. Автор: Jie Zhang,Daniel R. Gamota,Jerzy Wielgus,Hakeem B. Adewole,Paul W. Brazis. Владелец: MOTOROLA, INC.. Дата публикации: 2006-01-19.

Inverse mixcolumn block device and method of performing multiplication calculation using the same

Номер патента: WO2008069388A3. Автор: Young-Il Kim,Jung-Hoon Oh,Yong-Su Lee. Владелец: Yong-Su Lee. Дата публикации: 2009-07-30.

Apparatus for controlling lamp for vehicle and method for controlling lamp for vehicle using the same

Номер патента: US20150042801A1. Автор: Jun-Hee Lee. Владелец: Mando Corp. Дата публикации: 2015-02-12.

Apparatus for controlling lamp for vehicle and method for controlling lamp for vehicle using the same

Номер патента: US09783126B2. Автор: Jun-Hee Lee. Владелец: Mando Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device including resistance changing layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US11871684B2. Автор: Jae Hyun Han. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor integrated circuit device and method of detecting delay error in the same

Номер патента: US20040113670A1. Автор: Minari Arai. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2004-06-17.

Camera for measuring depth image and method of measuring depth image using the same

Номер патента: US09781318B2. Автор: Yong-hwa Park,Jang-woo YOU,Hee-sun Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Relief printing plate and method for producing organic el device using the same

Номер патента: US20130189896A1. Автор: Makoto Nishizawa,Hiroyuki Chinone. Владелец: Toppan Printing Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-25.

Semiconductor device with bus connection circuit and method of making bus connection

Номер патента: US20110316581A1. Автор: Takeshi Ichikawa. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-29.

Semiconductor device, power-on reset circuit, and control method of semiconductor device

Номер патента: US20230106646A1. Автор: Suguru KAWASOE. Владелец: Lapis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Semiconductor device, power-on reset circuit, and control method of semiconductor device

Номер патента: US11942928B2. Автор: Suguru KAWASOE. Владелец: Lapis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Intelligent ball head and method for performing self-photographing by using the same

Номер патента: US10582106B2. Автор: Jie Li,Xiangyu Huang. Владелец: Guangdong Sirui Optical Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-03.

Semiconductor device including on-die resistor and method of calibrating on-die resistor

Номер патента: US11955943B1. Автор: Dong Seok Kim,Joo Won OH,Keun Jin CHANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Media system for providing a user profile using force input and method for providing a personalized service in the same

Номер патента: US20170295393A1. Автор: Sung Heum Park. Владелец: Humax Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-12.

Apparatus for supporting a reading and method for detecting a user input using the same

Номер патента: US20230081867A1. Автор: Jeonguk Park. Владелец: Woongjin Thinkbig Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-16.

Semiconductor devices shared element(s) apparatus and method

Номер патента: WO2006007343A3. Автор: Jie Zhang,Jerzy Wielgus,Paul W Brazis,Daniel R Gamota,Hakeem B Adewole. Владелец: Hakeem B Adewole. Дата публикации: 2006-10-12.

Multiple sensor handover system for tracking moving object and method of providing parking service in the same

Номер патента: CA3200182A1. Автор: Jin Ha Jeong,Moon Soo Ra. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-06-02.

Mixcolumn block device and method of performing multiplication calculation using the same

Номер патента: WO2008069386A3. Автор: Young-Il Kim,Hyun-Jae Kim,Jung-Hoon Oh. Владелец: Jung-Hoon Oh. Дата публикации: 2009-07-30.

High-speed radix-4 butterfly module and method of performing biterbi decoding using the same

Номер патента: US20080162617A1. Автор: Yuan-Hung Hsu,Tsung-Sheng Kuo,Chau-Yun Hsu. Владелец: Tatung Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-03.

Image data test unit, image apparatus having the same, and method of testing image data using the same

Номер патента: US8046654B2. Автор: Hyun-Su JUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-10-25.

Image data test unit, image apparatus having the same, and method of testing image data using the same

Номер патента: US20090193324A1. Автор: Hyun-Su JUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-07-30.

System and method to identify low performing parameters of the same content hosted on different platforms

Номер патента: US11810068B2. Автор: Mainak ROY,Rathi Babu. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor devices of optical neural network and methods of forming the same

Номер патента: US20230409894A1. Автор: Weiwei SONG,Stefan Rusu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device with a controlled cavity and method of formation

Номер патента: US20110241181A1. Автор: Dwight L. Daniels,Scott M. Hayes. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-10-06.

Semiconductor device with temporary memory chip and method for driving the same

Номер патента: US10394465B2. Автор: Yong-Ju Kim,Young-Ook SONG,Yong-Kee KWON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-27.

Grates for a comminution machine and methods of forming and assembling the same

Номер патента: US20050061899A1. Автор: Nelson Langworthy. Владелец: Morbark LLC. Дата публикации: 2005-03-24.

Ice rink structure and method for constructing an ice rink using the same

Номер патента: US20240245980A1. Автор: Michael Gagnon,Jérôme SÉVIGNY. Владелец: 9248 8071 Quebec Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Implant Support Structure And Method Of Fabrication Of Implant Using The Same

Номер патента: US20240342800A1. Автор: Heinrich George Crous. Владелец: Howmedica Osteonics Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Navigation system and method of recognizing traffic lane using the same

Номер патента: US20110282577A1. Автор: Eun Sung Lee,Moon Beom HEO,Woo Yong KANG. Владелец: Korea Aerospace Research Institute KARI. Дата публикации: 2011-11-17.

Semiconductor device for performing program operation and method of operating the same

Номер патента: US20230409214A1. Автор: Chan Sik Park,Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Vehicle and method of controlling speed limit for the same

Номер патента: US20220055604A1. Автор: Sang Joon Kim,Ji Won Oh,Lee Hyoung CHO,Seong Ik Park. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Ultrasonic sensor for detecting double sheets and method of detecting double sheets using the same

Номер патента: US09858742B2. Автор: Young Bae Kim. Владелец: Nautilus Hyosung Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Microfluidic devices and methods for assaying a fluid sample using the same

Номер патента: US09841417B2. Автор: Mei He,Amy E. Herr,Dohyun Kim,Samuel TIA. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2017-12-12.

Switching mode power supply and method of supplying power by using the same

Номер патента: US20120002995A1. Автор: Sung-kyu Choi,Jong-myung Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-01-05.

Sulfoxide compound and method of producing benzothiophene derivatives using the same

Номер патента: US9751852B1. Автор: Ming-Jung Wu,Shih-Ming Wen. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2017-09-05.

Absorbent and method of making and use of the same

Номер патента: US20240109052A1. Автор: Jason THOR. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-04-04.

Sulfoxide compound and method of producing benzothiophene derivatives using the same

Номер патента: US9790199B1. Автор: Ming-Jung Wu,Shih-Ming Wen. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2017-10-17.

Traffic light controller and method of controlling traffic light using the same

Номер патента: US11721210B2. Автор: Seung Jae KIM. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-08.

Display apparatus and method of driving display panel using the same

Номер патента: US11049432B2. Автор: Mingyu Kim,Hoisik Moon,Juneyoung Lee,Hee Joon KIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-29.

Feedback device and method of providing thermal feedback using the same

Номер патента: US10533780B2. Автор: Kyoung Soo Yi,Ock Kyun OH,Se Hwan LIM. Владелец: Tegway Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-14.

Display apparatus and method of driving display panel using the same

Номер патента: EP4421785A1. Автор: Takeshi Kato. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-28.

Flame retardant polycarbonate composition, a method of making and of using the same

Номер патента: EP3353242A1. Автор: Lin Chen,Yun ZHENG,Hongtao Shi,Zhenke WEI. Владелец: SABIC Global Technologies BV. Дата публикации: 2018-08-01.

Display apparatus and method of driving display panel using the same

Номер патента: US20240290239A1. Автор: Takeshi Kato. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Sodium pump antibody agonists and methods of treating heart disease using the same

Номер патента: US20120195886A1. Автор: Kai Xu. Владелец: University of Maryland at Baltimore. Дата публикации: 2012-08-02.

Sodium Pump Antibody Agonists And Methods Of Treating Heart Disease Using The Same

Номер патента: US20180355029A1. Автор: Kai Yuan Xu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-12-13.

Sodium Pump Antibody Agonists And Methods Of Treating Heart Disease Using The Same

Номер патента: US20170362312A1. Автор: Kai Yuan Xu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-12-21.

Sodium Pump Antibody Agonists And Methods Of Treating Heart Disease Using The Same

Номер патента: US20160083463A1. Автор: Kai Yuan Xu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-03-24.

Sodium pump antibody agonists and methods of treating heart disease using the same

Номер патента: US9790270B2. Автор: Kai Yuan Xu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-10-17.

Programmable dancing figurine and method of conducting a performance using the same

Номер патента: US9248380B1. Автор: Lana Long. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-02-02.

Head-mounted display device and method of changing light transmittance of the same

Номер патента: US09898995B2. Автор: Dae-Hyun Kim,Lae-Kyoung Kim,Soon-Seob Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

One-way adjustable loop suture constructs and methods of forming and using the same

Номер патента: US11812945B2. Автор: Adam C. Gustafson. Владелец: Medos International Sarl. Дата публикации: 2023-11-14.

Card tile deck and method of playing a game using the same

Номер патента: US20180264350A1. Автор: Jason Schlatter. Владелец: Yellow Bridge Creek LLC. Дата публикации: 2018-09-20.

Liquid crystal display and method of modifying gray signals for the same

Номер патента: US7123224B2. Автор: Baek-woon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-10-17.

Method of preparing diene-based rubber polymer and method of preparing graft polymer comprising the same

Номер патента: US20240309122A1. Автор: Young Hwan Jeong,Ki Hyun Kim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Portable height-adjustable tabletop assembly and method of adjusting a height of the same

Номер патента: US09808080B2. Автор: Timothy Hing-Yan Chung. Владелец: Kinder Design Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Image forming apparatus and method of displaying multilingual keyboard using the same

Номер патента: US8164572B2. Автор: Chang Min Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-04-24.

Mobile robot and method of calculating moving distance of the same

Номер патента: EP4248827A3. Автор: Jaewon Jang,Youngbin Kim,Seunglok HAM. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2024-07-17.

Hybrid Vehicle and Method of Controlling Gear Shifting for the Same

Номер патента: US20210171011A1. Автор: Joon Young Park. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2021-06-10.

Dental prosthesis processing device and method of managing processing tool of the same

Номер патента: EP4383027A1. Автор: Yong Han Kim,Weon Joon LEE,Byung Woo Kyon,Young Gil SHIM. Владелец: Ossvis Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-12.

Vehicle including electric motor and method of controlling brake lamp for the same

Номер патента: US11628763B2. Автор: Sang Joon Kim,Joo Young Kim,Sung Hoon YU,Kyu Hwan JO,Hui Un Son. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2023-04-18.

Cutting insert, cutting tool, and method of producing machined product using the same

Номер патента: US09889511B2. Автор: Hirohisa Ishi. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Cutting insert, cutting tool, and method of manufacturing machined product using the same

Номер патента: US09770767B2. Автор: Masahiro Shibata. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Dissolvable thermal direct adhesive label and methods of assembly and use of the same

Номер патента: US09767714B2. Автор: Priscilla Franklin. Владелец: Avery Dennison Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of operating storage device and method of operating storage system using the same

Номер патента: US11762572B2. Автор: Gururaj MORABAD. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-19.

Titanium dioxide containing peroxo titanium complex and methods of manufacturing and application of the same

Номер патента: WO2022212933A1. Автор: Todd W. Hodrinsky,Marcel Janse. Владелец: TiCoat, Inc.. Дата публикации: 2022-10-06.

Setter plates and methods of ceramming glass articles using the same

Номер патента: US12077464B2. Автор: Bin Yang,Jill Marie Hall,John Robert SALTZER, Jr.,Richard Alan Shelleman,Shuo Cui. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Display apparatus and method of driving display panel using the same

Номер патента: US12112682B2. Автор: Seongjun Kim,Jae Woo Ryu,Youngsoo Sohn,Kwan-young Oh,SeungYoung Choi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Metal catalyst, method of C—N coupling using the same and applications of the same

Номер патента: US11376576B2. Автор: Anindya Ghosh,Andrew L. Brandt,Charlette Parnell. Владелец: University of Arkansas. Дата публикации: 2022-07-05.

Apparatus for conducting oral care experiments and method of forming and using the same

Номер патента: CA2818302A1. Автор: Guofeng Xu,Shyamala Pillai. Владелец: Colgate Palmolive Co. Дата публикации: 2012-06-14.

Resist composition and method of forming pattern using the same

Номер патента: US20220137511A1. Автор: JINKYUN Lee,Hyuntaek OH,Yejin KU. Владелец: Inha University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2022-05-05.

Semiconductor device including pre-charge circuit and a method of operating thereof

Номер патента: US20240144993A1. Автор: Motoki Tamura. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor device, battery monitoring system, and address setting method of semiconductor device

Номер патента: US20160055890A1. Автор: Yoshikatsu Matsuo. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-25.

Metal catalyst, method of c-n coupling using the same and applications of the same

Номер патента: US20210129123A1. Автор: Anindya Ghosh,Andrew L. Brandt,Charlette Parnell. Владелец: University of Arkansas. Дата публикации: 2021-05-06.

Metal catalyst, method of c-n coupling using the same and applications of the same

Номер патента: US20190039057A1. Автор: Anindya Ghosh,Andrew L. Brandt,Charlette Parnell. Владелец: University of Arkansas. Дата публикации: 2019-02-07.

Manufacturing method of housing and apparatus having the same

Номер патента: US20240342997A1. Автор: Takuma Endo. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Metal catalyst, method of C-N coupling using the same and applications of the same

Номер патента: US11833493B2. Автор: Anindya Ghosh,Andrew L. Brandt,Charlette Parnell. Владелец: University of Arkansas. Дата публикации: 2023-12-05.

Bite-sized ices composed of natural ingredients and method for processing and apparatus for packaging the same

Номер патента: US09795153B2. Автор: Paulette Suzanne Fox. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-10-24.

Flexible nail strip and method of and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: US3729885A. Автор: R Mosetich,J Mosetich. Владелец: Duo Fast Corp. Дата публикации: 1973-05-01.

Phosphorescent toner and methods of forming and using the same

Номер патента: US20130280648A1. Автор: Kevin L. Heilman,Carrie A. Gilson,Michael R. Rlley. Владелец: Troy Group Inc. Дата публикации: 2013-10-24.

Apparatus for detecting an analyte and method of operating and forming the same

Номер патента: US20180070868A1. Автор: Pao T. Lin. Владелец: TEXAS A&M UNIVERSITY SYSTEM. Дата публикации: 2018-03-15.

Photomasks including shading layer and methods of forming patterns using the same

Номер патента: US20190196323A1. Автор: Soo Kyeong Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Interlining for suit and method for making the suit by using the same

Номер патента: WO2002060289A1. Автор: Soon-Sun Kim. Владелец: Soon-Sun Kim. Дата публикации: 2002-08-08.

Interlining for suit and method for making the suit by using the same

Номер патента: US20040049833A1. Автор: Soon-Sun Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-18.

Interlining for suit and method for making the suit by using the same

Номер патента: EP1355548A1. Автор: Soon-Sun Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-29.

Masterbatch for thermoplastic polyurethane yarn and method for manufacturing thermoplastic polyurethane yarn using the same

Номер патента: US20170369657A1. Автор: Heedae Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-12-28.

Ultrasonic generator and method for repelling mosquito in vehicle using the same

Номер патента: US20230380409A1. Автор: Dong Chul Park,Ki Chang Kim. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Reactor and method for producing ammonia decomposition mixture using the same

Номер патента: US20240327210A1. Автор: Satoshi Okajima. Владелец: Toyo Engineering Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Masterbatch for thermoplastic polyurethane yarn and method for manufacturing thermoplastic polyurethane yarn using the same

Номер патента: US09914808B2. Автор: Heedae Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-03-13.

Laundry treating apparatus and control method of on-line system containing the same

Номер патента: AU2020216025B2. Автор: Yonggyung BAE,Baekeun Kwon. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-09-21.

Woven fabric having a bulging zone and method and apparatus of forming same

Номер патента: US6000442A. Автор: Alexander Busgen. Владелец: Individual. Дата публикации: 1999-12-14.

Food product and method of and apparatus for making the same

Номер патента: GB2178291A. Автор: Alan J Benstead. Владелец: AVERHAM FOODS Ltd. Дата публикации: 1987-02-11.

Handheld surgical instrument, surgical tool system, methods of forming and operating the same

Номер патента: WO2017164818A1. Автор: Wei Tech ANG,Zenan WANG. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-09-28.

Semiconductor device, and data processing circuit and method

Номер патента: US20230057708A1. Автор: Enpeng Gao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

SiRNA, medical compositions, and methods for treating type ii diabetes using the same

Номер патента: US11746350B2. Автор: Yi Wang,Liangyi Chen,Wenzhen ZHU. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-09-05.

Artificial Nucleic Acid and Method for Delivery of Nucleic Acid Using the Same

Номер патента: US20240238325A1. Автор: Noriko Miyamoto. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2024-07-18.

Systems and methods for power generation and aircraft comprising the same

Номер патента: US20240217671A1. Автор: Philip Robinson,Saugata Chakravorty,Ronak Tharakan. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Systems and methods for power generation and aircraft comprising the same

Номер патента: EP4394167A1. Автор: Philip Robinson,Saugata Chakravorty,Ronak Tharakan. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2024-07-03.

Cosmetic brush cleaning system and method for cleaning a cosmetic brush using the same

Номер патента: US09974383B2. Автор: Robert K. Hughes, Jr.. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-22.

RhtB protein variants and the method of producing O-phosphoserine using the same

Номер патента: US09765124B2. Автор: Jin Sook CHANG,Hye Won Kim,Sol Kim,In Hwa YOO. Владелец: CJ CHEILJEDANG CORP. Дата публикации: 2017-09-19.

Display panel and method of measuring life time of the same

Номер патента: US20240038126A1. Автор: Si Jin Sung,Ill Soo Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Thermal wall panel, building system and methods of use and construction of the same

Номер патента: WO2010144951A1. Автор: Stephen Tyralik. Владелец: Stephen Tyralik. Дата публикации: 2010-12-23.

Gas scrubber and methods of disposing a gas using the same

Номер патента: US5997824A. Автор: Dong Soo Kim. Владелец: Korea MAT Co Ltd. Дата публикации: 1999-12-07.

Display device and method of generating data signal in the same

Номер патента: US20150356947A1. Автор: Baek-woon Lee,Ji-Hye Eom. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-10.

Vehicle and method of controlling speed limit for the same

Номер патента: US11820357B2. Автор: Sang Joon Kim,Ji Won Oh,Lee Hyoung CHO,Seong Ik Park. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Hydrogel materials and methods of making and transport using the same

Номер патента: US20240117321A1. Автор: Xing Xie,Wensi CHEN. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Apparatus of guiding safe driving at intersections and method of guiding safe driving using the same

Номер патента: US20130342369A1. Автор: Man Bok PARK. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-12-26.

Display apparatus and method of driving display panel using the same

Номер патента: US20200175910A1. Автор: Mingyu Kim,Hoisik Moon,Juneyoung Lee,Hee Joon KIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-04.

Optical pen mouse capable of magnifying displayed object and method of magnifying displayed object using the same

Номер патента: WO2008096973A1. Автор: Myeong Ho KIM. Владелец: Isv Co., Ltd.. Дата публикации: 2008-08-14.

Optical pen mouse capable of magnifying displayed object and method of magnifying displayed object using the same

Номер патента: EP2115553A1. Автор: Myeong Ho KIM. Владелец: ISV Co Ltd. Дата публикации: 2009-11-11.

Distance measuring device and method of measuring distance by using the same

Номер патента: US11808890B2. Автор: TATSUHIRO Otsuka,Jungwoo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-07.

Film spacer and method for fabricating liquid crystal cell using the same

Номер патента: US5193021A. Автор: Byunghee Kim. Владелец: Samsung Electron Devices Co Ltd. Дата публикации: 1993-03-09.

Memory device and method of controlling ecc operation in the same

Номер патента: US20180373592A1. Автор: Sang-Hyun Joo,Jae-Woo Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-12-27.

Monocyclic,thieno, pyrido and pyrrolo pyrimidine compounds and methods of use and manufacture of the same

Номер патента: GB2560109A. Автор: Gangjee Aleem. Владелец: Duquesne Univ of Holy Spirit. Дата публикации: 2018-08-29.

Dry castable concrete compositions and methods of preparing and dry casting the same

Номер патента: CA2073952A1. Автор: Neal S. Berke,Samuel F. Heleba,Mario A. Tamez. Владелец: Mario A. Tamez. Дата публикации: 1993-02-01.

Systems and methods for allowing multiple devices to share the same serial lines

Номер патента: US7546397B2. Автор: DONG Zheng,Theodore D. Rees,D. Stuart Smith. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2009-06-09.

Strip having temperature compensating function and method of measuring blood glucose using the same

Номер патента: US20110132774A1. Автор: Jae-Hack AUM. Владелец: DONG JIN MEDICAL Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-09.

Systems and methods of securing items and verifying the same

Номер патента: US20190330884A1. Автор: Andrew C. Reeves. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-10-31.

Solvent for treating polystyrene resin and method of treating polystyrene resin with the same

Номер патента: EP1505106A4. Автор: Shigenobu Hamano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-07.

IMAGE DATA TEST UNIT, IMAGE APPARATUS HAVING THE SAME, AND METHOD OF TESTING IMAGE DATA USING THE SAME

Номер патента: US20120002886A1. Автор: JUN Hyun-Su. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.