반도체 소자의 필드 트랜지스터 제조 방법
Номер патента: KR100494343B1
Опубликовано: 13-06-2005
Автор(ы): 조수민
Принадлежит: 주식회사 하이닉스반도체
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 13-06-2005
Автор(ы): 조수민
Принадлежит: 주식회사 하이닉스반도체
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Split gate non-volatile memory cells, hv and logic devices with finfet structures, and method of making same
Номер патента: EP4238130A1. Автор: Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Leo XING,Guo Xiang Song. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-06.