METHOD FOR TESTING A MEMORY DEVICE
Номер патента: US20200234752A1
Опубликовано: 23-07-2020
Автор(ы): Caporale Christopher P., Rodriguez Alberto, Silvestri Markus R., STREET Terry L.
Принадлежит: XEROX CORPORATION
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 23-07-2020
Автор(ы): Caporale Christopher P., Rodriguez Alberto, Silvestri Markus R., STREET Terry L.
Принадлежит: XEROX CORPORATION
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Circuit and method for testing a ferroelectric memory device
Номер патента: EP1333446A3. Автор: David C. McClure. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2004-08-18.