Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Overerase cell detection method for nonvolatile semiconductor memory device

Overerase cell detection method for nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: JP3984445B2
Опубликовано: 03-10-2007
Автор(ы): 恭章 平野
Принадлежит: Sharp Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method for regulating reading voltage of NAND flash memory device

Номер патента: US09558816B2. Автор: Seung-Hyun Han,Sun-Mo Hwang. Владелец: THE-AIO Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Method for checking the erasing phase of a memory device

Номер патента: US11869604B2. Автор: Antonino Mondello,Alberto Troia. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Method for checking the erasing phase of a memory device

Номер патента: WO2020240234A1. Автор: Antonino Mondello,Alberto Troia. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-12-03.

Method for checking the erasing phase of a memory device

Номер патента: US20230186999A1. Автор: Antonino Mondello,Alberto Troia. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Apparatus and method for programming data in a non-volatile memory device

Номер патента: US11990191B2. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Apparatus and method for programming data in a non-volatile memory device

Номер патента: US11887669B2. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Method for operating a non-volatile charge-trapping memory device and method for determining programming/erase conditions

Номер патента: US20060291287A1. Автор: Arnaud Furnémont. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2006-12-28.

Apparatus and method for erasing data in a non-volatile memory device

Номер патента: US11929122B2. Автор: Tae Heui Kwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Nonvolatile semiconductor memory device and overerase correction method

Номер патента: EP1316965A9. Автор: Makoto Yamamoto,Susumu Takeuchi,Kiyohiko Sakakibara,Yukio Nakamoto,Kunio Tani,Tomohisa c/o Mitsubishi Electric Engineering Iba. Владелец: Mitsubishi Electric Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-01.

Writing method for nonvolatile semiconductor memory with soft-write repair for over-erased cells

Номер патента: US5742541A. Автор: Shinichi Sato,Takuji Tanigami. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1998-04-21.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120206968A1. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09805798B2. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09530510B2. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

System and method for programming cells in non-volatile integrated memory devices

Номер патента: EP1590811A1. Автор: Nima Mokhlesi,John H. Pasternak. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2005-11-02.

Method for programming selected memory cells in nonvolatile memory device and nonvolatile memory device thereof

Номер патента: US09378822B2. Автор: Chung-Shan Kuo. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2016-06-28.

Apparatus and method for detecting over-programming condition in multistate memory device

Номер патента: US5771346A. Автор: Christophe J. Chevallier,Robert D. Norman. Владелец: Micron Quantum Devices Inc. Дата публикации: 1998-06-23.

Apparatus and method for detecting over-programming condition in multistate memory device

Номер патента: US6112314A. Автор: Christophe J. Chevallier,Robert D. Norman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-08-29.

Method for programming selected memory cells in nonvolatile memory device and nonvolatile memory device thereof

Номер патента: US20150332769A1. Автор: Chung-Shan Kuo. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2015-11-19.

Method for programming a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: KR100390145B1. Автор: 정재용,이성수. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2003-07-04.

Memory read voltage threshold tracking based on memory device-originated metrics characterizing voltage distributions

Номер патента: US20240161836A1. Автор: Steven Michael Kientz,Sampath K. Ratnam,Patrick R. KHAYAT,Dung Viet Nguyen,Shantilal Rayshi Doru. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Method for controlling a non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: TW200929255A. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Kk. Дата публикации: 2009-07-01.

Program verify operation in a memory device

Номер патента: US20120127794A1. Автор: Giovanni Santin,Violante Moschiano,Michele Incarnati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-05-24.

APPARATUS AND METHOD FOR HANDLING TEMPERATURE DEPENDENT FAILURES IN A MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210210157A1. Автор: Ravimohan Narendhiran Chinnaanangur,PUTHOOR ANEESH,Singh Harvijay. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2021-07-08.

Method for operating page buffer of non-volatile memory device

Номер патента: KR100672149B1. Автор: 주기석. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-19.

Method for storing E-Fuse data in flash memory device

Номер патента: KR100935889B1. Автор: 임영호,강상구. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2010-01-07.

Method for recovering over-erased bits of a memory device

Номер патента: JP2005538484A. Автор: マネア，ダヌート・アイ. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2005-12-15.

Apparatus and method for erasing data in a non-volatile memory device

Номер патента: US20230017178A1. Автор: Tae Heui Kwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Method of recovering overerased bits in a memory device

Номер патента: CA2497528A1. Автор: Danut I. Manea. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-18.

Nonvolatile semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US9899095B2. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Nonvolatile semiconductor memory device and verification control method for the same

Номер патента: US20130176791A1. Автор: Mitsuharu Sakakibara. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-07-11.

Nonvolatile semiconductor memory device having multi-level memory cells and page buffer used therefor

Номер патента: US20070195636A1. Автор: Ho Jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-23.

Nonvolatile semiconductor memory device including a memory cell array and a control circuit applying a reading voltage

Номер патента: US12068040B2. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Nonvolatile semiconductor memory device including a memory cell array and a control circuit applying a reading voltage

Номер патента: US20240347113A1. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Nonvolatile semiconductor memory device having a control circuit that controls voltage applied to non-selected word lines connected to unselected memory cells

Номер патента: US09947415B2. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Nonvolatile semiconductor memory device with first and second read operations with different read voltages

Номер патента: US09691489B2. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09472295B2. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Nonvolatile semiconductor memory device which performs improved erase operation

Номер патента: US12080354B2. Автор: Noboru Shibata,Jun Nakai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150262689A1. Автор: Hiroyasu Tanaka,Takuya Futatsuyama,Toshifumi Hashimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Nonvolatile semiconductor memory device which performs improved erase operation

Номер патента: US09754672B2. Автор: Noboru Shibata,Jun Nakai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Nonvolatile semiconductor memory device which performs improved erase operation

Номер патента: US09437308B2. Автор: Noboru Shibata,Jun Nakai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Apparatus and method of programming and verification for a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09672926B2. Автор: Masashi Yoshida,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi,Nobushi Matsuura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09558837B2. Автор: Yoshikazu Harada,Masahiro Yoshihara,Akio SUGAHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Flash memory device

Номер патента: US09966133B2. Автор: Hong Beom Pyeon,Jin-Ki Kim,Hakjune Oh. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor memory device and verification method for input data

Номер патента: US20170256322A1. Автор: Hidemitsu Kojima. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Semiconductor memory device and verification method for input data

Номер патента: US09842656B2. Автор: Hidemitsu Kojima. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Non-volatile semiconductor memory device and erase method thereof

Номер патента: US09779830B2. Автор: Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for driving same

Номер патента: US20130135938A1. Автор: Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Jun Fujiki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-05-30.

Nonvolatile semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US20150380100A1. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-31.

Nonvolatile semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US9536615B2. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Nonvolatile semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US9165651B2. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-20.

Method for programming non-volatile memory with reduced bit line interference and associated device

Номер патента: US09437319B1. Автор: Atsuhiro Suzuki,Chih-Wei Lee,Kuan Fu Chen,Ya Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor memory device and method for operating the same

Номер патента: US20180157546A1. Автор: Deung Kak YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-07.

Semiconductor memory device and method for operating the same

Номер патента: US10180873B2. Автор: Deung Kak YOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-01-15.

Method for Erasing Data of NAND Flash Memory Device

Номер патента: US20080158994A1. Автор: Hea Jong Yang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-07-03.

Method for setting programming start bias for flash memory device and programming method using the same

Номер патента: TW200822121A. Автор: Suk-Kyung Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-05-16.

Method for setting programming start bias for flash memory device and programming method using the same

Номер патента: TWI344647B. Автор: Suk Kyung Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-07-01.

Providing time-stamps for a memory device and method for managing the same

Номер патента: US11599273B2. Автор: Alberto Troia,Vincenzo Reina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-07.

Memory device and method for managing the same

Номер патента: WO2020157529A1. Автор: Alberto Troia,Vincenzo Reina. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-08-06.

Memory device and method for managing the same

Номер патента: EP3918600A1. Автор: Alberto Troia,Vincenzo Reina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-08.

Memory device and method for managing the same

Номер патента: US20210342074A1. Автор: Alberto Troia,Vincenzo Reina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-04.

Method and apparatus for programming data in non-volatile memory device

Номер патента: US20130308390A1. Автор: Jun-Woo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-11-21.

Apparatus and method for detecting over-programming condition in multistate memory device

Номер патента: US20040153817A1. Автор: Christophe Chevallier,Robert Norman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-08-05.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150357042A1. Автор: Kenji Sawamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-10.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20040125657A1. Автор: Hidenori Mitani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-07-01.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US6885588B2. Автор: Hidenori Mitani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-04-26.

Nonvolatile Semiconductor Memory Device

Номер патента: US20100149875A1. Автор: Yoshiki Kawajiri,Natsuo Ajika,Masaaki Mihara,Shoji Shukuri. Владелец: Genusion Inc. Дата публикации: 2010-06-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US09355714B2. Автор: Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140098612A1. Автор: Koji Hosono,Toshifumi Shano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-04-10.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20140362643A1. Автор: Naoki Yasuda,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-11.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US9406395B1. Автор: Masahiro Hosoya,Tomoyuki Hamano,Takuyo Kodama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20080198667A1. Автор: Takuya Futatsuyama,Yoshikazu HOSOMURA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-08-21.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09543020B2. Автор: Yuya Suzuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US9449708B2. Автор: Ryota Hirai,Yasuhiro Shiino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Nonvolatile semiconductor memory device detecting sign of data transformation

Номер патента: US20020105832A1. Автор: Yukitoshi Kawakami. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-08-08.

Non-volatile semiconductor memory and erasing method thereof

Номер патента: US09870828B2. Автор: Riichiro Shirota,Katsutoshi Suito. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20100135081A1. Автор: Shoichi Kawamura,Masahito Takehara. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-06-03.

Method and device for optimizing log likelihood ratio (LLR) used for nonvolatile memory device and for correcting errors in nonvolatile memory device

Номер патента: US09502137B2. Автор: Jin-Young Chun,Kyung-Ryun Kim,Sang-Yong Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-22.

Data erasure device for erasing data from non-volatile semiconductor memory device and method for manufacturing non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20190325967A1. Автор: Yoshiaki Nakayama,Koichi Yako. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

Non-volatile semiconductor memory device and improved verification and programming method for the same

Номер патента: US09646701B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150049551A1. Автор: Kenji Sawamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Semiconductor storage device having nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US09946472B2. Автор: Takashi Tsunehiro,Akifumi Suzuki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Write controlling method for memory

Номер патента: US09558833B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Method and apparatus to repair defects in nonvolatile semiconductor memory devices

Номер патента: WO2009032928A2. Автор: Ming Li,Gary B. Bronner,Kevin S. Donnelly,Frederick Ware,Donald R. Mullen. Владелец: RAMBUS INC.. Дата публикации: 2009-03-12.

Semiconductor memory device and method for adjusting threthold voltage thereof

Номер патента: US11100975B2. Автор: Yutaka Shimizu,Makoto Morimoto,Rui Ito,Ryuichi Fujimoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-08-24.

Method of erasing data of nonvolatile semiconductor memory unit

Номер патента: US20040125656A1. Автор: Tomoshi Futatsuya,Takashi Hayasaka,Shinichi Mizoguchi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-07-01.

Method of erasing data of nonvolatile semiconductor memory unit

Номер патента: US6831864B2. Автор: Tomoshi Futatsuya,Takashi Hayasaka,Shinichi Mizoguchi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-12-14.

Controller controlling semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09542269B1. Автор: Se Chun Park,Young Dong Roh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Nonvolatile semiconductor memory device having electrically and collectively erasable characteristics

Номер патента: EP1158535A2. Автор: Minoru Yamashita,Hiromi Kawashima,Takao Akaogi,Nobuaki Takashina,Yasushi Kasa,Kiyoshi Itano,Shouichi Kawamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-11-28.

Method for erasing and verifying nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US5400287A. Автор: Keisuke Fuchigami. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-03-21.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20130229876A1. Автор: Hitoshi Iwai,Tomoki Higashi,Shinichi Oosera. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-05.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140313829A1. Автор: Hitoshi Iwai,Tomoki Higashi,Shinichi Oosera. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-10-23.

Semiconductor memory device, semiconductor device, and data write method

Номер патента: US7570522B2. Автор: Tokumasa Hara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-08-04.

Apparatuses, systems, and methods for counter-based read clock in stacked memory devices

Номер патента: US11869580B2. Автор: Takamasa Suzuki,Kiyoshi Nakai,Seiji Narui,Tomohiko Yamagishi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Vertical memory devices and methods for operating the same

Номер патента: US20240282376A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Di Wang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Systems and methods for last written page handling in a memory device

Номер патента: US09928139B2. Автор: Yu Cai,Zhengang Chen,Erich F. Haratsch,Zhimin Dong. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2018-03-27.

Flash memory device with stable auto read function regardless of external voltage and method for controlling auto read of the flash memory device

Номер патента: KR100635204B1. Автор: 장승호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-10-16.

Non-volatile memory devices and data erasing methods

Номер патента: US20240105266A1. Автор: Tao Yang,LEI Liu,Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Generator for bitline selecting voltage and method for reading out data of non volatile memory device using the same

Номер патента: KR100865817B1. Автор: 이진행. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-10-28.

Apparatus and method for increasing data input/output speed of memory device

Номер патента: CN115116500A. Автор: 权利玹. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-09-27.

Semiconductor memory device and method for writing data into the semiconductor memory device

Номер патента: US20070064499A1. Автор: Thomas Kern,Luca Ambroggi. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-03-22.

Method for low power accessing a phase change memory device

Номер патента: US20100165713A1. Автор: Claudio Resta,Ferdinando Bedeschui. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-01.

Method for performing memory access management, and associated memory device and controller thereof

Номер патента: US09520185B2. Автор: Tsung-Chieh Yang,wen-long Wang,Hsiao-Te Chang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Circuit and method for controlling voltage generation in semiconductor memory device

Номер патента: KR100616199B1. Автор: 강상희. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-08-25.

Circuit and method for retrieving data stored in semiconductor memory cells

Номер патента: US7474577B2. Автор: Rino Micheloni,Giancarlo Ragone,Miriam Sangalli,Luca Crippa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-06.

Methods for mitigating power loss events during operation of memory devices and memory devices employing the same

Номер патента: US20190272872A1. Автор: Violante Moschiano,Andrea Smaniotto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-05.

Methods for mitigating power loss events during operation of memory devices and memory devices employing the same

Номер патента: US11437093B2. Автор: Violante Moschiano,Andrea Smaniotto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-06.

Circuit device and corresponding method for resetting non-volatile and electrically programmable memory devices

Номер патента: EP0661714A1. Автор: Silvia Padoan,Marco Olivo. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1995-07-05.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US09484106B2. Автор: Katsuaki Matsui. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Non-volatile semiconductor memory device and reading method for non-volatile semiconductor memory device that includes charging of data latch input node prior to latching of sensed data

Номер патента: US09543029B2. Автор: Takuyo Kodama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20240013821A1. Автор: Moon Soo Sung,Jeong Hwan Kim,Won Jae Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Apparatus and method for programming data in a non-volatile memory device

Номер патента: US11894059B2. Автор: Tae Hun Park,Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Method for erasing memory cells in a flash memory device

Номер патента: US6137729A. Автор: Ki-hwan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-10-24.

Apparatus and method for programming data in a non-volatile memory device

Номер патента: US11915762B2. Автор: Hyung Jin Choi,Tae Hun Park,Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Apparatus and method for programming data in a non-volatile memory device

Номер патента: US20240028216A1. Автор: Hyung Jin Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

SYSTEMS AND METHODS FOR LAST WRITTEN PAGE HANDLING IN A MEMORY DEVICE

Номер патента: US20160378598A1. Автор: Chen Zhengang,Haratsch Erich F.,CAI Yu,Dong Zhimin. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-12-29.

Pumping voltage generating circuit in nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20060098487A1. Автор: Hui-Kwon Seo,Woo-Il Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-11.

Nonvolatile semiconductor memory and fabrication method for the same

Номер патента: US20120037976A1. Автор: Yasuhiko Matsunaga,Masayuki Ichige,Fumitaka Arai,Atsuhiro Sato,Kikuko Sugimae. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-02-16.

Nonvolatile semiconductor memory and fabrication method for the same

Номер патента: US20070109848A1. Автор: Yasuhiko Matsunaga,Masayuki Ichige,Fumitaka Arai,Atsuhiro Sato,Kikuko Sugimae. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-05-17.

Three-dimensionally stacked nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: USRE50034E1. Автор: Hideo Mukai,Naoya Tokiwa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US09530508B2. Автор: Ya-Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Preserving blocks experiencing program failure in memory devices

Номер патента: US20240363193A1. Автор: Pranam Shetty,Arunkumar B,Haritima Swapnil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Preserving blocks experiencing program failure in memory devices

Номер патента: US12068052B2. Автор: Pranam Shetty,Arunkumar B,Haritima Swapnil. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for low power accessing a phase change memory device

Номер патента: TW201027537A. Автор: Ferdinando Bedeschi,Claudio Resta. Владелец: Numonyx Bv. Дата публикации: 2010-07-16.

METHOD FOR REGULATING READING VOLTAGE OF NAND FLASH MEMORY DEVICE

Номер патента: US20160225440A1. Автор: HAN Seung-Hyun,Hwang Sun-Mo. Владелец: THE-AIO INC.. Дата публикации: 2016-08-04.

Method for performing memory access management, and associated memory device and controller thereof

Номер патента: US20140321203A1. Автор: Tsung-Chieh Yang,wen-long Wang,Hsiao-Te Chang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2014-10-30.

Method for performing memory access management, and associated memory device and controller thereof

Номер патента: TW201508759A. Автор: Tsung-Chieh Yang,wen-long Wang,Hsiao-Te Chang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2015-03-01.

Method for performing memory access management, and associated memory device and controller thereof

Номер патента: TW201735050A. Автор: 楊宗杰,張孝德,王文瓏. Владелец: 慧榮科技股份有限公司. Дата публикации: 2017-10-01.

Apparatus and method for detecting leakage current of semiconductor memory device, and internal voltage generating circuit using the same

Номер патента: US20080219061A1. Автор: Yoon-Jae Shin,Jun-Gi Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-09-11.

System and method for the functional testing of semiconductor memory chips

Номер патента: US6914834B2. Автор: Peter Mayer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-07-05.

Memory system and method for controlling a nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US8745313B2. Автор: Wataru Okamoto,Junji Yano,Hidenori Matsuzaki,Kosuke Hatsuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-06-03.

Apparatuses and methods for accessing memory cells in semiconductor memories

Номер патента: US20170213589A1. Автор: Balaji Srinivasan,Sandeep Guliani. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-27.

Apparatuses and methods for accessing memory cells in semiconductor memories

Номер патента: US09767896B2. Автор: Balaji Srinivasan,Sandeep Guliani. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Methods for tuning command/address bus timing and memory devices and memory systems using the same

Номер патента: US20240249758A1. Автор: Dirgha Khatri,Timothy M. Hollis,Eric J. Stave,Matthew B. Leslie,Baekkyu Choi,Yogesh Sharma,Scott R. Cyr,Elancheren Durai,Quincy R. Holton,Boe L. Holbrook. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Methods for asynchronously signaling updated information from a memory device to a host and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20240289060A1. Автор: Frank F. Ross. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

Methods for activity-based memory maintenance operations and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20230144541A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-05-11.

Apparatuses and methods for sense line architectures for semiconductor memories

Номер патента: US20190206480A1. Автор: Charles L. Ingalls,Toby D. Robbs. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

Apparatuses and methods for sense line architectures for semiconductor memories

Номер патента: US20200211625A1. Автор: Charles L. Ingalls,Toby D. Robbs. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

Systems and methods for data path power savings in ddr5 memory devices

Номер патента: US20200133525A1. Автор: Ravi Kiran Kandikonda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-30.

Methods for executing data access commands and flash memory devices using the same

Номер патента: US09959232B2. Автор: Yu-Chuan Chang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Circuit and method for controlling internal voltage of semiconductor memory apparatus

Номер патента: US20070145421A1. Автор: Seung Eon Jin. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-06-28.

Circuit and method for reading and writing data in a memory device

Номер патента: US6021070A. Автор: Stephen L. Casper. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-02-01.

Methods for tuning command/address bus timing and memory devices and memory systems using the same

Номер патента: US11948661B2. Автор: Dirgha Khatri,Timothy M. Hollis,Eric J. Stave,Matthew B. Leslie,Baekkyu Choi,Yogesh Sharma,Scott R. Cyr,Elancheren Durai,Quincy R. Holton,Boe L Holbrook. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Redundant circuit and method for replacing defective memory cells in a memory device

Номер патента: US20020113251A1. Автор: James Brady. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2002-08-22.

A memory device, a memory module, a computing system, a method for erasing a memory portion of a memory device and a method for generating an erase request

Номер патента: WO2022198645A1. Автор: Yao Zu Dong,Qing Huang,Shuo Liu,Jie Yu,Yipeng YAO,Kevin Yufu LI. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2022-09-29.

Methods for activity-based memory maintenance operations and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20200201698A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-25.

Access control unit and method for use with synchronous dynamic random access memory device

Номер патента: US20050125596A1. Автор: Chang-Cheng Yap. Владелец: RDC Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-09.

Methods for activity-based memory maintenance operations and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US11947412B2. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-04-02.

Apparatus and method for handling temperature dependent failures in a memory device

Номер патента: US20210210157A1. Автор: Narendhiran Chinnaanangur Ravimohan,Aneesh Puthoor,Harvijay Singh. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2021-07-08.

A memory device, a memory module, a computing system, a method for erasing a memory portion of a memory device and a method for generating an erase request

Номер патента: US20240185905A1. Автор: Yao Zu Dong,Qing Huang,Shuo Liu,Jie Yu,Yipeng YAO,Kevin Yufu LI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Methods for asynchronously signaling updated information from a memory device to a host and memory devices and systems employing the same

Номер патента: WO2019236117A3. Автор: Frank F. Ross. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-06-25.

Methods for asynchronously signaling updated information from a memory device to a host and memory devices and systems employing the same

Номер патента: WO2019236117A2. Автор: Frank F. Ross. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-12-12.

Methods for asynchronously signaling updated information from a memory device to a host and memory devices and systems employing the same

Номер патента: EP3803871A2. Автор: Frank F. Ross. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-14.

Methods for activity-based memory maintenance operations and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20240202056A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Method for manufacturing semiconductor device having diode connectedto memory device

Номер патента: US20230320064A1. Автор: Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Method for programming resistive memory cell and nonvolatile memory device thereof

Номер патента: US20190147950A1. Автор: Baohua Niu,Ji-Feng Ying,Jhong-Sheng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Apparatus and method for checking an operation status of a memory device in a memory system

Номер патента: US11815985B2. Автор: Jong-Min Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Method for clock control in dynamic random access memory devices

Номер патента: US20150243344A1. Автор: Kallol Mazumder,Debra Bell. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2015-08-27.

System and method for addressing errors in a multiple-chip memory device

Номер патента: US20090006887A1. Автор: Hoon Ryu,Ryan Patterson,Klaus Nierle,Koonhee Lee. Владелец: Qimonda North America Corp. Дата публикации: 2009-01-01.

Apparatuses, systems, and methods for read clock timing alignment in stacked memory devices

Номер патента: US11854601B2. Автор: Kiyoshi Nakai,Seiji Narui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Apparatuses, systems, and methods for read clock timing alignment in stacked memory devices

Номер патента: US20230206985A1. Автор: Kiyoshi Nakai,Seiji Narui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Nonvolatile semiconductor memory capable of generating read-mode reference current and verify-mode reference current from the same reference cell

Номер патента: US20040062072A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-01.

Method for manufacturing non-volatile semiconductor memory and non-volatile semiconductor memory manufactured thereby

Номер патента: US20030008488A1. Автор: Mitsuteru Iijima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-01-09.

Method for manufacturing non-volatile semiconductor memory and non-volatile semiconductor memory manufactured thereby

Номер патента: US20010021133A1. Автор: Mitsuteru Iijima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-09-13.

METHOD FOR DRIVING A NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130242662A1. Автор: Fujiki Jun. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-09-19.

Method for programming a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: KR100385230B1. Автор: 정재용,이성수,염진선. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2003-05-27.

Method for driving a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20090244984A1. Автор: Jun Fujiki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Method for driving a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: KR100995720B1. Автор: 준 후지끼. Владелец: 가부시끼가이샤 도시바. Дата публикации: 2010-11-19.

Method for writing / erasing nonvolatile semiconductor memory devices

Номер патента: DE10233194B4. Автор: Kiyoteru Kobayashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2007-05-24.

Method for driving a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20090086549A1. Автор: Jun Fujiki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-04-02.

Non-volatile semiconductor memory and method for fabricating a non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US20060049449A1. Автор: Yasuhiko Matsunaga,Fumitaka Arai,Naohisa Iino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-03-09.

METHOD FOR CONTROLLING A NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY, AND SEMICONDUCTOR STORAGE SYSTEM

Номер патента: US20150255159A1. Автор: TANAKA Yoshiyuki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2015-09-10.

Method for operating host device and memory device and vehicle comprising the host device and memory device

Номер патента: US11780451B2. Автор: Young San KANG,Kwang Won Park,Byung Yo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-10.

Method and apparatus for performing data retention management of memory device with aid of pre-shutdown control

Номер патента: US20240028198A1. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230352088A1. Автор: Chih-Hsiung Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

METHOD FOR PROGRAMMING SELECTED MEMORY CELLS IN NONVOLATILE MEMORY DEVICE AND NONVOLATILE MEMORY DEVICE THEREOF

Номер патента: US20150332769A1. Автор: KUO Chung-Shan. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc.. Дата публикации: 2015-11-19.

Multi-level cell memory device and method for recording and reading data in the memory device

Номер патента: JP5091253B2. Автор: ジュン・ジン・コン,ソン・ジョン・パク,ドン・ク・カン,ヨン・ファン・イ,シ・フン・ホン,ジェ・ウン・ヒュン. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-12-05.

Method for operating a control device with a memory device programmable via a programming device

Номер патента: DE19623145A1. Автор: Udo Schulz,Andreas Werner,Carsten Franz,Walter Nagl. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 1997-12-11.

Method for being operated to the solid state memory device with the memory array for being coupled to controller

Номер патента: CN103985412B. Автор: 弗朗姬·鲁帕尔瓦尔,维沙尔·萨林,荣·S·赫埃. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-22.

Method for erasing memory cells in a flash memory device using a positive well bias voltage and a negative word line voltage

Номер патента: US20130250695A1. Автор: Chung-Zen Chen,Yang-Chieh Lin,Chung-Shan Kuo. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2013-09-26.

METHOD FOR PERFORMING MEMORY ACCESS MANAGEMENT, AND ASSOCIATED MEMORY DEVICE AND CONTROLLER THEREOF

Номер патента: US20160093371A1. Автор: Yang Tsung-Chieh,Chang Hsiao-Te,Wang Wen-Long. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-31.

METHOD FOR ERASING MEMORY CELLS IN A FLASH MEMORY DEVICE USING A POSITIVE WELL BIAS VOLTAGE AND A NEGATIVE WORD LINE VOLTAGE

Номер патента: US20200090757A1. Автор: Chen Chung-Zen,LIN Yang-Chieh,KUO Chung-Shan. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-19.

METHOD FOR ERASING MEMORY CELLS IN A FLASH MEMORY DEVICE USING A POSITIVE WELL BIAS VOLTAGE AND A NEGATIVE WORD LINE VOLTAGE

Номер патента: US20210142857A1. Автор: Chen Chung-Zen,LIN Yang-Chieh,KUO Chung-Shan. Владелец: . Дата публикации: 2021-05-13.

METHOD FOR ERASING MEMORY CELLS IN A FLASH MEMORY DEVICE USING A POSITIVE WELL BIAS VOLTAGE AND A NEGATIVE WORD LINE VOLTAGE

Номер патента: US20160141040A1. Автор: Chen Chung-Zen,LIN Yang-Chieh,KUO Chung-Shan. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-19.

APPARATUS AND METHOD FOR PROGRAMMING DATA IN A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220415401A1. Автор: CHOI Hyung Jin,PARK Tae Hun,Kwak Dong Hun. Владелец: . Дата публикации: 2022-12-29.

Method for manufacturing split gate type non-volatile memory device

Номер патента: KR100660285B1. Автор: 이용준. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-12-20.

Method for erasing memory cells in a flash memory device using a positive well bias voltage and a negative word line voltage

Номер патента: US9214233B2. Автор: Chung-Zen Chen,Yang-Chieh Lin,Chung-Shan Kuo. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2015-12-15.

Structure and method for reducing stress in a three-dimensional memory device

Номер патента: TWI674666B. Автор: 夏季,李思晢,魏勤香,孫堅華. Владелец: 大陸商長江存儲科技有限責任公司. Дата публикации: 2019-10-11.

Structure and method for reducing stress in a three-dimensional memory device

Номер патента: TW202027259A. Автор: 夏季,李思晢,魏勤香,孫堅華. Владелец: 大陸商長江存儲科技有限責任公司. Дата публикации: 2020-07-16.

Nonvolatile semiconductor memory device having divided bit lines

Номер патента: US20030053339A1. Автор: Ching-Hsiang Hsu,Ching-Song Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-20.

Nonvolatile semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09792983B2. Автор: Masaru Koyanagi,Yasuhiro HIRASHIMA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8274845B2. Автор: Katsumi Abe,Masahiro Yoshihara,Masaru Koyanagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-25.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100309733A1. Автор: Katsumi Abe,Masahiro Yoshihara,Masaru Koyanagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-12-09.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20090168527A1. Автор: Makoto Hamada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-02.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8817542B2. Автор: Koji KATO,Kazuhide Yoneya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-26.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20130077405A1. Автор: Koji KATO,Kazuhide Yoneya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-03-28.

Memory device including arrangement of independently and concurrently operable tiles of memory transistors

Номер патента: EP4445369A1. Автор: Tz-yi Liu,Masahiro Yoshihara,Raul Adrian Cernea,Eli Harari,Shay FUX,Sagie GOLDENBERG. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-10-16.

Nonvolatile semiconductor memory device with concurrent memory access and data locking

Номер патента: US6469928B2. Автор: Hidekazu Takata. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2002-10-22.

Apparatus and methods for prolonging service life of solid-state memory device in a digital video recorder

Номер патента: US20140281213A1. Автор: Tomasz Kozlowski,Chris Dinallo. Владелец: Advanced Digital Broadcast SA. Дата публикации: 2014-09-18.

Programming method for nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140219029A1. Автор: Cheng-Hung Tsai. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-07.

Memory system performing read of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09767913B2. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09748260B2. Автор: Akihiro Nitayama,Masaru Kito,Mitsuru Sato,Yasuyuki Matsuoka,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20100080065A1. Автор: Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Jun Fujiki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-04-01.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for driving same

Номер патента: USRE46785E1. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050270845A1. Автор: Keita Takahashi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-08.

Multi-level type nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20020145161A1. Автор: Yasuo Sato,Hirotomo Miura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-10.

Nonvolatile semiconductor memory device with a plurality of memory blocks and a shared block decoder

Номер патента: US12062393B2. Автор: Gou FUKANO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Programming method of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US6636437B2. Автор: Takashi Kobayashi,Hideaki Kurata,Katsutaka Kimura,Naoki Kobayashi,Shunichi Saeki. Владелец: Hitachi Device Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-21.

Programming method of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20030026146A1. Автор: Takashi Kobayashi,Hideaki Kurata,Katsutaka Kimura,Naoki Kobayashi,Shunichi Saeki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-06.

Programming method of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20040052114A1. Автор: Takashi Kobayashi,Hideaki Kurata,Katsutaka Kimura,Naoki Kobayashi,Shunichi Saeki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-03-18.

Semiconductor memory device

Номер патента: US7532519B2. Автор: Toshio Mukunoki. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-05-12.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150263031A1. Автор: Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20080137434A1. Автор: Toshio Mukunoki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20060250841A1. Автор: Toshio Mukunoki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US7333368B2. Автор: Toshio Mukunoki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-19.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110049609A1. Автор: Takaaki Nagai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-03-03.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09940031B2. Автор: Takuya Futatsuyama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Nonvolatile semiconductor memory device with read voltage setting controller

Номер патента: US09875804B2. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09612762B2. Автор: Takuya Futatsuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Control method for nonvolatile memory device with vertically stacked structure

Номер патента: US9218853B2. Автор: Chrong-Jung Lin,Hsin-Wei Pan. Владелец: Lite On Technology Corp. Дата публикации: 2015-12-22.

Control method for nonvolatile memory device with vertically stacked structure

Номер патента: US20150187398A1. Автор: Chrong-Jung Lin,Hsin-Wei Pan. Владелец: Lite On IT Corp. Дата публикации: 2015-07-02.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US5617353A. Автор: Kang-Deog Suh,Young-Ho Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1997-04-01.

Nonvolatile semiconductor memory device achieving shorter erasure time

Номер патента: US20020141243A1. Автор: Yasuhiko Tanuma,Takayuki Yoneda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-10-03.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070076482A1. Автор: Juri Kato. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-04-05.

Three-dimensional structured memory devices

Номер патента: US20170294447A1. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,Jin Ho Bin,II Young Kwon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-12.

Three-dimensional structured memory devices

Номер патента: US10847533B2. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,Il Young Kwon,Jin Ho Bin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-24.

Three-dimensional structured memory devices

Номер патента: US09691785B2. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,Il Young Kwon,Jin Ho Bin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Nonvolatile semiconductor memory element, nonvolatile semiconductor memory, and method for operating nonvolatile semiconductor memory element

Номер патента: US09620653B2. Автор: Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Masao Shingu,Jun Fujiki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09548373B2. Автор: Hideyuki Nishizawa,Koji Asakawa,Tsukasa Tada,Shigeki Hattori,Masaya Terai,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Three-dimensional structured memory devices

Номер патента: US10096617B2. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,Il Young Kwon,Jin Ho Bin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-09.

Three-dimensional structured memory devices

Номер патента: US9691785B2. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,Il Young Kwon,Jin Ho Bin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Nonvolatile semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US20100008143A1. Автор: Akira Umezawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-14.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20100246256A1. Автор: Kenji Sawamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-09-30.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: EP2308084A1. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-04-13.

Method and system for accessing a flash memory device

Номер патента: US09836227B2. Автор: Hong Beom Pyeon,Jin-Ki Kim. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Method for writing data of a first memory cell transistor of a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US11903207B2. Автор: Akihiro Nitayama,Masaru Kito,Mitsuru Sato,Yasuyuki Matsuoka,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Method for reading data of a first memory cell transistor of a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US11903205B2. Автор: Akihiro Nitayama,Masaru Kito,Mitsuru Sato,Yasuyuki Matsuoka,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US8228737B2. Автор: Ryouhei Kirisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-24.

Semiconductor memory device and method for biasing same

Номер патента: US09559216B2. Автор: Timothy Thurgate,Michael A. Van Buskirk,Srinivasa Rao Banna. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240138150A1. Автор: Akihiro Nitayama,Masaru Kito,Mitsuru Sato,Yasuyuki Matsuoka,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US20060065920A1. Автор: Taro Osabe,Takeshi Sakata,Hideaki Kurata,Tomoyuki Ishii. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-03-30.

Semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US20070257306A1. Автор: Taro Osabe,Takeshi Sakata,Hideaki Kurata,Tomoyuki Ishii. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-11-08.

Semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US7238570B2. Автор: Taro Osabe,Takeshi Sakata,Hideaki Kurata,Tomoyuki Ishii. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-07-03.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20040129986A1. Автор: Takashi Kobayashi,Yoshihiro Ikeda,Kenji Kanamitsu,Yoshitaka Sasago,Tsuyoshi Arigane. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-07-08.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US6888751B2. Автор: Hideo Kasai,Akihiro Fujita,Kiichi Makuta,Masashii Wada,Atsushi Toukairin. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-05-03.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of reusing same

Номер патента: US20120014178A1. Автор: Yuji Nagashima,Hiroyuki Tanikawa,Bunsho Kuramori. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-19.

Nonvolatile semiconductor memory apparatus

Номер патента: US20140098609A1. Автор: Naoya Tokiwa,Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-04-10.

Semiconductor memory apparatus and method for outputting data

Номер патента: US20020005547A1. Автор: Kenji Hibino. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-01-17.

Nonvolatile semiconductor memory apparatus

Номер патента: US09502116B2. Автор: Naoya Tokiwa,Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US09412454B2. Автор: Kunihiro Yamada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US6157061A. Автор: Masato Kawata. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-12-05.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US9252291B2. Автор: Naoki Yasuda,Daisuke Matsushita,Jun Fujiki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-02.

Nonvolatile semiconductor memory with transistor whose gate electrode has bird's beak

Номер патента: US20070012990A1. Автор: Kanji Osari. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-18.

Nonvolatile semiconductor memory and programming methods thereof

Номер патента: US20030178669A1. Автор: Yuichi Kunori. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2003-09-25.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240315036A1. Автор: Hiroyuki Yamashita,Shin Ishimatsu,Daisuke Nishida,Masaki Noguchi,Tatsunori Isogai,Wataru Matsuura,Junichi KANEYAMA,Tomoyuki Takemoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Nonvolatile semiconductor memory device capable of erasing by a word line unit

Номер патента: US5402382A. Автор: Shinichi Kobayashi,Yasushi Terada,Takeshi Nakayama,Yoshikazu Miyawaki,Tomoshi Futatsuya. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-03-28.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20170229181A1. Автор: Gou FUKANO. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Nonvolatile semiconductor memory device with a plurality of memory blocks and a shared block decoder

Номер патента: US20190206493A1. Автор: Gou FUKANO. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-07-04.

Nonvolatile semiconductor memory device with a plurality of memory blocks and a shared block decoder

Номер патента: US20200160912A1. Автор: Gou FUKANO. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Nonvolatile semiconductor memory device including at least one memory block and allowing the number of selection signals to be reduced

Номер патента: US9666284B2. Автор: Gou FUKANO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for driving same

Номер патента: US8218358B2. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-10.

Techniques for controlling a direct injection semiconductor memory device

Номер патента: US20120176845A1. Автор: Eric Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-07-12.

Semiconductor memory device and method for reading data therefrom

Номер патента: US5459692A. Автор: Yasuhiro Shin,Hidetaka Kodama. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1995-10-17.

Techniques for providing a direct injection semiconductor memory device

Номер патента: US09425190B2. Автор: Serguei Okhonin,Mikhail Nagoga,Yogesh Luthra. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor memory device, information apparatus, and method for determining access period for semiconductor memory device

Номер патента: TW573249B. Автор: Ken Sumitani,Haruyasu Fukui. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2004-01-21.

Semiconductor memory device, information apparatus, and method for determining access period for semiconductor memory device

Номер патента: EP1271540B1. Автор: Ken Sumitani,Haruyasu Fukui. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-11-30.

Device and method for supplying current to a semiconductor memory to support a boosted voltage within the memory during testing

Номер патента: US20010028580A1. Автор: Patrick Mullarkey. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-11.

Circuit and method for fuse disposing in a semiconductor memory device

Номер патента: TW200519956A. Автор: Chang-Ho Do. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-16.

Circuit and method for fuse disposing in a semiconductor memory device

Номер патента: TWI255463B. Автор: Chang-Ho Do. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-05-21.

Method for writing into nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: WO2007046145A1. Автор: Kentaro Kinoshita,Tetsuro Tamura. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2007-04-26.

Techniques for providing a direct injection semiconductor memory device

Номер патента: US20150054133A1. Автор: Serguei Okhonin,Mikhail Nagoga,Yogesh Luthra. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-02-26.

Techniques for providing a direct injection semiconductor memory device

Номер патента: US20130322148A1. Автор: Serguei Okhonin,Mikhail Nagoga,Yogesh Luthra. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-12-05.

Method for performing page availability management of memory device, associated memory device and electronic device, and page availability management system

Номер патента: US10811120B2. Автор: Po-Wei Wu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-10-20.

Method for performing page availability management of memory device, associated memory device and electronic device, and page availability management system

Номер патента: US20190347028A1. Автор: Po-Wei Wu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Memory having information refinement detection function, information detection method using memory, device including memory, information detection method, method for using memory, and memory address comparison circuit

Номер патента: EP2538348A4. Автор: Katsumi Inoue. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-04-08.

Memory system and method for controlling a nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20090248964A1. Автор: Wataru Okamoto,Junji Yano,Hidenori Matsuzaki,Kosuke Hatsuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Memory system and method for controlling a nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US9417799B2. Автор: Wataru Okamoto,Junji Yano,Hidenori Matsuzaki,Kosuke Hatsuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20220415906A1. Автор: Jae Hyun Park,Sung Il Park,Min Gyu Kim,Do Young Choi,Dae Won Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-29.

Method for adjusting voltage characteristics of semiconductor memory element, method for adjusting voltage characteristics of semiconductor memory device, charge pump and method for adjusting voltage of charge pump

Номер патента: US20130114355A1. Автор: Ken Takeuchi,Kentaro Honda,Kosuke Miyaji,Shuhei TANAKAMARU. Владелец: Semiconductor Technology Academic Research Center. Дата публикации: 2013-05-09.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: US20200243146A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-30.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: EP3769203A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-27.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: US20190295666A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-26.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: US20210082529A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: WO2019182747A1. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-09-26.

Methods for detecting and mitigating memory media degradation and memory devices employing the same

Номер патента: US10867685B2. Автор: Jonathan S. Parry,George B. Raad,Timothy B. Cowles,James S. Rehmeyer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-15.

Method for controlling precharge timing of memory device and apparatus thereof

Номер патента: US20060140032A1. Автор: Kang Lee,Jae Im. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-29.

Memory device capable of operation in a burn in stress mode, method for performing burn in stress on a memory device, and method for detecting leakage current of a memory device

Номер патента: US20120163107A1. Автор: Shi-Huei Liu,Ming-Hong Kuo,Te-Yi Yu,Tzu-Hao Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-06-28.

Method for controlling precharge timing of memory device and apparatus thereof

Номер патента: US20070268763A1. Автор: Kang Lee,Jae Im. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-11-22.

Differential non-volatile memory device and bit reading method for the same

Номер патента: US20040190346A1. Автор: Fabio Pasolini,Michele Tronconi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2004-09-30.

Methods for enlarging the memory window and improving data retention in resistive memory device

Номер патента: US12040019B2. Автор: Fu-Chen Chang,Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu,Chu-Jie HUANG,Nai-Chao Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory device and method for synchronizing command start point (csp)

Номер патента: US20240265957A1. Автор: Taeyoung Oh,Hyeran Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Memory device for synchronizing command start point (csp)

Номер патента: EP4411546A1. Автор: Taeyoung Oh,Hyeran Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-07.

METHOD FOR ADJUSTING VOLTAGE CHARACTERISTICS OF SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT, METHOD FOR ADJUSTING VOLTAGE CHARACTERISTICS OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, CHARGE PUMP AND METHOD FOR ADJUSTING VOLTAGE OF CHARGE PUMP

Номер патента: US20130114355A1. Автор: TAKEUCHI Ken,TANAKAMARU Shuhei,Honda Kentaro,Miyaji Kosuke. Владелец: Semiconductor Technology Academic Research Center. Дата публикации: 2013-05-09.

Apparatuses and methods for sense line architectures for semicondcutor memories

Номер патента: EP3732684A1. Автор: Charles L. Ingalls,Toby D. Robbs. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-04.

Memory device operative in a stress mode, method for performing burn in stress on a memory device, and method for detecting leakage current on a memory device

Номер патента: TW201227752A. Автор: Shi-Huei Liu,Ming-Hong Kuo,Te-Yi Yu,Tzu-Hao Chen. Владелец: Etron Technology Inc. Дата публикации: 2012-07-01.

Volatile memory device included in memory system and method for extending life expectancy thereof

Номер патента: US20240248610A1. Автор: Junyoung Ko,Jungmin Bak,Changhwi Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-25.

Systems and methods for reducing standby power in floating body memory devices

Номер патента: US11769550B2. Автор: Yuniarto Widjaja,Benjamin S. Louie. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Systems and methods for testing redundant fuse latches in a memory device

Номер патента: US12100467B2. Автор: Yoshinori Fujiwara,Jason M. Johnson,Daniel S. Miller,Kevin G. Werhane,Takuya Tamano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Systems and methods for reducing standby power in floating body memory devices

Номер патента: US09947387B2. Автор: Yuniarto Widjaja,Benjamin S. Louie. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Systems and methods for reducing standby power in floating body memory devices

Номер патента: US09536595B2. Автор: Yuniarto Widjaja,Benjamin S. Louie. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Method for writing data into a semiconductor memory device and semiconductor memory therefor

Номер патента: US20030185043A1. Автор: Kengo Masuda. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-10-02.

Method for writing to multiple banks of a memory device

Номер патента: US20020027824A1. Автор: Jeffrey Wright,Timothy Cowles. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-07.

Method for manufacturing test patterns of semiconductor memory

Номер патента: TW200407900A. Автор: Toshio Nakano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-05-16.

Method for manufacturing test patterns of semiconductor memory

Номер патента: TW588372B. Автор: Toshio Nakano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-05-21.

Semiconductor memory reading data stored in capacitors in memory cell and method for reading data from the semiconductor memory

Номер патента: KR100315065B1. Автор: 스미오 다나까,류 오기와라. Владелец: 니시무로 타이죠. Дата публикации: 2002-01-17.

Method for writing data to a semiconductor memory comprising a peripheral circuit section and a memory core section including a memory cell

Номер патента: US20050024932A1. Автор: Katsumi Abe,Shigeo Ohshima,Hiroyuki Ohtake. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-02-03.

Device and method for controling internal signal of semiconductor memory device

Номер патента: KR100487497B1. Автор: 박용진,강상석,박호진,전세원. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-08-24.

CIRCUIT FOR MASKING DATA AND METHOD FOR MASKING DATA OF A SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: FR2773233B1. Автор: Jae Hyeong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-08-18.

Circuitry and method for processing data, and semiconductor memory

Номер патента: US20230410852A1. Автор: Zhonglai LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

METHOD FOR TESTING REDUNDANCY AREA IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20160078964A1. Автор: KWON Bum-Jun. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-17.

APPARATUSES AND METHODS FOR ACCESSING MEMORY CELLS IN SEMICONDUCTOR MEMORIES

Номер патента: US20170213589A1. Автор: Srinivasan Balaji,Guliani Sandeep. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2017-07-27.

Method for reading data written in semiconductor memory device

Номер патента: KR0137083B1. Автор: 카스유키 야마다,토루 야수다. Владелец: 후지쓰 브이 엘 에스 아이 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1998-04-29.

Apparatus and method for supplying power in a semiconductor memory device

Номер патента: KR100567916B1. Автор: 진승언. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-04-05.

Apparatus and method for providing power in a semiconductor memory device

Номер патента: KR100958805B1. Автор: 전준현. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-05-24.

On die thermal sensor and method for measuring internal temperature of semiconductor memory device

Номер патента: KR100810061B1. Автор: 박기덕,정춘석. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-03-05.

Circuit and method for refresh period control in semiconductor memory device

Номер патента: KR100855578B1. Автор: 최종현,서영훈,노광숙. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-09-01.

Apparatus and method for operation of multi-bank semiconductor memory device with an up/down counter

Номер патента: US6597622B2. Автор: Joo-Sang Lee,Jong-Hoon Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-07-22.

Method for converting addresses in a semiconductor memory device and apparatus therefor

Номер патента: US6757806B2. Автор: Jae Wook Shim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-06-29.

Circuits and methods for controlling timing skew in semiconductor memory devices

Номер патента: CN1822218A. Автор: 金杜烈,郑秉勋,徐成旻. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-08-23.

Core voltage generator and method for generating core voltage in semiconductor memory device

Номер патента: US20070070719A1. Автор: Ki-ho Kim,Kyung-Whan Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-03-29.

Circuit and method for controlling pipe latch in semiconductor memory device

Номер патента: KR100567527B1. Автор: 이강열. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-04-03.

Circuit and method for outputting data in a semiconductor memory device

Номер патента: KR100727406B1. Автор: 장성진,김경호,김정열. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-06-13.

METHOD FOR DETERMINING A POTENTIAL MALFUNCTION OF A MEMORY DEVICE

Номер патента: RU2018132711A. Автор: Алексей Алексеевич Станкевичус. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Яндекс". Дата публикации: 2020-03-16.

Nonvolatile semiconductor storage device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210265426A1. Автор: Yuna NAKAMURA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-08-26.

Method for rewriting data in three-dimensional optical memory device fabricated in glass by ultra-short light pulse

Номер патента: EP1306853A4. Автор: Wataru Watanabe,Tadamasa Toma,Kazuyoshi Itoh. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2005-07-20.

Method for rewriting data in three-dimensional optical memory device fabricated in glass by ultra-short light pulse

Номер патента: EP1306853B1. Автор: Wataru Watanabe,Tadamasa Toma,Kazuyoshi Itoh. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2006-08-30.

Method for implementing spare logic of semiconductor memory apparatus and structure thereof

Номер патента: US20130155753A1. Автор: Yong Kee KWON,Young Suk MOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-06-20.

SEMICONDUCTOR APPARATUS, METHOD FOR DELAYING SIGNAL THEREOF, STACKED SEMICONDUCTOR MEMORY APPARATUS, AND METHOD FOR GENERATING SIGNAL THEREOF

Номер патента: US20130315015A1. Автор: PARK Kee Teok,PARK Heat Bit. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2013-11-28.

APPARATUSES AND METHODS FOR SENSE LINE ARCHITECTURES FOR SEMICONDUCTOR MEMORIES

Номер патента: US20190206480A1. Автор: Ingalls Charles L.,Robbs Toby D.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-07-04.

Apparatuses and methods for sense line architectures for semiconductor memories

Номер патента: US20200211625A1. Автор: Charles L. Ingalls,Toby D. Robbs. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

Output circuits, circuits to reduce leakage currents, methods for selectively switching transistors and semiconductor memory

Номер патента: KR100471737B1. Автор: 다케사다 아키바,고로 기츠카와. Владелец: 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼. Дата публикации: 2005-06-27.

Circuit and method for controlling sense amplifier in semiconductor memory apparatus

Номер патента: KR100757926B1. Автор: 박문필. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-09-11.

Apparatus and method for generating dbi signal of semiconductor memory

Номер патента: KR100656448B1. Автор: 이동욱. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-12-11.

Apparatus and method for latching address for synchronous semiconductor memory

Номер патента: KR100510458B1. Автор: 남경우,배원일. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-10-24.

Output circuit, circuit for reducing leakage current, method for selectively switching transistor and semiconductor memory

Номер патента: KR970060217A. Автор: 다케사다 아키바,고로 기츠카와. Владелец: 히다치세사쿠쇼 가부시키가이샤. Дата публикации: 1997-08-12.

Circuit and method for on die termination of semiconductor memory apparatus

Номер патента: KR100897255B1. Автор: 이동욱. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-05-14.

Circuit and Method for Inputting/Outputting Data of Semiconductor Memory Apparatus

Номер патента: KR100845796B1. Автор: 김승로. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-07-14.

Circuit and method for decoding column address in semiconductor memory apparatus

Номер патента: KR100851996B1. Автор: 최홍석. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-08-13.

Apparatus and method for controlling test mode of semiconductor memory

Номер патента: KR100757924B1. Автор: 송성휘,신선혜. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-09-11.

Apparatus and Method for Controlling Active Cycle of Semiconductor Memory

Номер патента: KR100776737B1. Автор: 이상권. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-11-19.

Apparatus and method for detecting refresh cycle of semiconductor memory

Номер патента: KR100718040B1. Автор: 이경하. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-05-14.

Circuit and method for generating pumping voltage of semiconductor memory apparatus

Номер патента: KR100902060B1. Автор: 권재관. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-06-15.

Circuit and method for controlling sense amplifier of semiconductor memory apparatus

Номер патента: US7843755B2. Автор: Mun-Phil Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-11-30.

Circuit and method for controlling sense amplifier of semiconductor memory apparatus

Номер патента: US20070247942A1. Автор: Mun-Phil Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-10-25.

Apparatus and method for on die termination of semiconductor memory

Номер патента: KR100656461B1. Автор: 양선석. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-12-11.

Semiconductor apparatus, method for delaying signal thereof, stacked semiconductor memory apparatus, and method for generating signal thereof

Номер патента: US9036435B2. Автор: Kee Teok Park,Heat Bit Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-05-19.

Method for minimizing access time for semiconductor memories

Номер патента: CN1247625A. Автор: L·贝尔. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2000-03-15.

Apparatus and method for controlling active period of semiconductor memory apparatus

Номер патента: TW200717538A. Автор: Ho-Uk Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-05-01.

Apparatus and method for controlling active period of semiconductor memory apparatus

Номер патента: TWI310947B. Автор: Ho-Uk Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-06-11.

Memory Having information Refinement Detection Function, Information Detection Method Using Memory, Device Including Memory, Information Detection Method, Method For Using Memory, And Memory Address Comparison Circuit

Номер патента: US20120324204A1. Автор: Katsumi Inoue. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-12-20.

Device and method for increasing the internal address of a memory device using multifunctional terminals

Номер патента: US6115801A. Автор: Paolo Rolandi. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 2000-09-05.

Memory device and method for using shared latch elements thereof

Номер патента: US20210383885A1. Автор: Jung-Hsing Chien. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-12-09.

Methods and systems for serial memory device control

Номер патента: US20190371373A1. Автор: Kishalay Haldar. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-12-05.

Method and apparatus for performing data access management of memory device with aid of randomness-property control

Номер патента: US11809713B1. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Memory device and method for operating the same

Номер патента: US20230253039A1. Автор: Yu-Yu Lin,Feng-Min Lee,Ming-Hsiu Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Methods for enlarging the memory window and improving data retention in restistive memory device

Номер патента: US20230274780A1. Автор: Fu-Chen Chang,Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu,Chu-Jie HUANG,Nai-Chao Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Temperature management in open-channel memory devices

Номер патента: US20190043559A1. Автор: Jeffrey L. McVay. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-02-07.

Method and circuit for reducing leakage and increasing read stability in a memory device

Номер патента: US20060206739A1. Автор: Hyung-il Kim,Jae-Joon Kim,Kaushik Roy. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Memory device and method for training per-pin operation parameters

Номер патента: US20240212725A1. Автор: Kihan Kim,Yonghun Kim,Garam CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Systems and methods for testing redundant fuse latches in a memory device

Номер патента: US20240071560A1. Автор: Yoshinori Fujiwara,Jason M. Johnson,Daniel S. Miller,Kevin G. Werhane,Takuya Tamano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Systems and Methods for Reducing Standby Power in Floating Body Memory Devices

Номер патента: US20230395138A1. Автор: Yuniarto Widjaja,Benjamin S. Louie. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

PHASE-CHANGE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MULTI-LEVEL PROGRAMMING OF PHASE-CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140293688A1. Автор: KIM Deok Kee. Владелец: Intellectual Discovery Co., Ltd.. Дата публикации: 2014-10-02.

METHODS FOR ASYNCHRONOUSLY SIGNALING UPDATED INFORMATION FROM A MEMORY DEVICE TO A HOST AND MEMORY DEVICES AND SYSTEMS EMPLOYING THE SAME

Номер патента: US20190369914A1. Автор: Ross Frank F.. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-05.

Variable and reversible resistive element, non-volatile memory device and methods for operating and manufacturing the non-volatile memory device

Номер патента: TWI398954B. Автор: Chrongjung Lin,Yachin King. Владелец: Yachin King. Дата публикации: 2013-06-11.

Systems and Methods for Controlling Power Management Operations in a Memory Device

Номер патента: US20230386537A1. Автор: Sanjeev Kumar Jain,Atul Katoch,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Methods for asynchronously signaling updated information from a memory device to a host and memory devices and systems employing the same

Номер патента: EP3803871A4. Автор: Frank F. Ross. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-09.

Method for writing to multiple banks of a memory device

Номер патента: US20030099142A1. Автор: Jeffrey Wright,Timothy Cowles. Владелец: Cowles Timothy B.. Дата публикации: 2003-05-29.

Systems and methods for controlling power management operations in a memory device

Номер патента: US11763863B2. Автор: Sanjeev Kumar Jain,Atul Katoch,Sahil Preet Singh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Method for programming nonvolatile memory element, method for initializing nonvolatile memory element, and nonvolatile memory device

Номер патента: US20130314975A1. Автор: Takeshi Takagi,Koji Katayama. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-11-28.

Method for flexible command addressing for memory, stacked memory device, storage medium, and system with the same

Номер патента: TWI493338B. Автор: Kuljit S Bains,John B Halbert. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2015-07-21.

Methods for fabricating a magnetic keeper for a memory device

Номер патента: US20060067113A1. Автор: William Witcraft,Lonny Berg,Mark Jenson,Alan Hurst,William Vavra. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-03-30.

A method for performing a read command in a memory device and a method for accessing dram

Номер патента: KR100869870B1. Автор: 파울 디모네. Владелец: 모사이드 테크놀로지스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2008-11-24.

Methods for parity error alert timing interlock and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20190347157A1. Автор: Vijayakrishna J. Vankayala,Scott E. Smith,William C. Waldrop. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

METHOD FOR DRIVING VARIABLE RESISTANCE ELEMENT, AND NONVOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130223131A1. Автор: TAKAGI Takeshi,Katayama Koji. Владелец: . Дата публикации: 2013-08-29.

Method for driving nonvolatile memory element, and nonvolatile memory device

Номер патента: US20140029330A1. Автор: Takeshi Takagi,Shunsaku Muraoka,Satoru Mitani. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-01-30.

Systems and Methods for Reducing Standby Power in Floating Body Memory Devices

Номер патента: US20150016207A1. Автор: Louie Benjamin S.,Widjaja Yuniarto. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-15.

SYSTEMS AND METHODS FOR CONTROLLING POWER MANAGEMENT OPERATIONS IN A MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220068327A1. Автор: JAIN Sanjeev Kumar,KATOCH Atul,Singh Sahil Preet. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-03.

SYSTEMS AND METHODS FOR DATA PATH POWER SAVINGS IN DDR5 MEMORY DEVICES

Номер патента: US20190065090A1. Автор: Kandikonda Ravi Kiran. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-28.

Systems and Methods for Reducing Standby Power in Floating Body Memory Devices

Номер патента: US20170076784A1. Автор: Yuniarto Widjaja,Benjamin S. Louie. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-03-16.

Systems and Methods for Reducing Standby Power in Floating Body Memory Devices

Номер патента: US20190080746A1. Автор: Louie Benjamin S.,Widjaja Yuniarto. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-14.

SYSTEMS AND METHODS FOR DATA PATH POWER SAVINGS IN DDR5 MEMORY DEVICES

Номер патента: US20200133525A1. Автор: Kandikonda Ravi Kiran. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

Systems and Methods for Reducing Standby Power in Floating Body Memory Devices

Номер патента: US20160148674A1. Автор: Louie Benjamin S.,Widjaja Yuniarto. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-26.

Method for programming resistive memory cell and nonvolatile memory device thereof

Номер патента: US20190147950A1. Автор: Baohua Niu,Ji-Feng Ying,Jhong-Sheng WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Methods for executing data access commands and flash memory devices using the same

Номер патента: US20150169250A1. Автор: Yu-Chuan Chang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2015-06-18.

Systems and Methods for Reducing Standby Power in Floating Body Memory Devices

Номер патента: US20180204611A1. Автор: Louie Benjamin S.,Widjaja Yuniarto. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-19.

Methods for activity-based memory maintenance operations and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US20200201698A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-25.

APPARATUS AND METHOD FOR VERIFYING RELIABILITY OF DATA READ FROM MEMORY DEVICE THROUGH CLOCK MODULATION, AND MEMORY SYSTEM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20210241843A1. Автор: KIM Hyun Sub,PARK Ie Ryung. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-05.

METHOD FOR CLOCK CONTROL IN DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICES

Номер патента: US20150243344A1. Автор: Mazumder Kallol,Bell Debra. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-27.

Systems and Methods for Reducing Standby Power in Floating Body Memory Devices

Номер патента: US20190295629A1. Автор: Louie Benjamin S.,Widjaja Yuniarto. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-26.

APPARATUS AND METHOD FOR CHECKING AN OPERATION STATUS OF A MEMORY DEVICE IN A MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20200310896A1. Автор: LEE Jong-Min. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-01.

METHOD FOR READ DISTURBANCE MANAGEMENT IN NON-VOLATILE MEMORY DEVICES

Номер патента: US20150339188A1. Автор: Chen Hsieh-Chun,Hu Kun-Juao. Владелец: Transcend Information, Inc.. Дата публикации: 2015-11-26.

Systems and Methods for Reducing Standby Power in Floating Body Memory Devices

Номер патента: US20200335156A1. Автор: Louie Benjamin S.,Widjaja Yuniarto. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-22.

METHODS FOR PARITY ERROR ALERT TIMING INTERLOCK AND MEMORY DEVICES AND SYSTEMS EMPLOYING THE SAME

Номер патента: US20190347157A1. Автор: Smith Scott E.,Vankayala Vijayakrishna J.,Waldrop William C.. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-14.

Method for driving nonvolatile memory element, and nonvolatile memory device having a variable resistance element

Номер патента: US9153319B2. Автор: Takeshi Takagi,Shunsaku Muraoka,Satoru Mitani. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-06.

Circuit and method for a multiplexed redundancy scheme in a memory device

Номер патента: KR100867562B1. Автор: 빅터 웡,제프리 피. 라이트,티모시 비. 코우레스,제임스 에스. 컬럼. Владелец: 마이크론 테크놀로지, 인크. Дата публикации: 2008-11-10.

Systems and methods for reducing standby power in floating body memory devices

Номер патента: US11342018B2. Автор: Yuniarto Widjaja,Benjamin S. Louie. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2022-05-24.

Method for managing the memory space of a memory device and corresponding system

Номер патента: FR3089317A1. Автор: Christophe Eva,Jean-Michel Gril-Maffre. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2020-06-05.

Apparatus and method for determining on die termination modes in memory device

Номер патента: US20080100335A1. Автор: Sung-Ho Choi,Reum Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-01.

Systems and methods for reducing standby power in floating body memory devices

Номер патента: US10354718B2. Автор: Yuniarto Widjaja,Benjamin S. Louie. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-07-16.

Redundant circuit and method for replacing defective memory cells in a memory device

Номер патента: US6535436B2. Автор: James Brady. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2003-03-18.

Method for controlling power supply of magnetic bubble memory device

Номер патента: JPS5922284A. Автор: Shigeru Takai,Shigeru Takagi,茂 高木,Toshihiro Hoshi,高井　盛,星　敏弘. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1984-02-04.

Method for contrlling and monitering the tDPL in memory device acccording to thw variation of the operating frequency

Номер патента: KR100587068B1. Автор: 김지현,남영준. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-06-07.

Method for manufacturing high density magnetic random access memory devices using diamond like carbon hard mask

Номер патента: US10388860B2. Автор: Mustafa Pinarbasi,Yuan-Tung CHIN,Elizabeth A. Dobisz,Girish Jagtiani,Thomas D. Boone. Владелец: Spin Memory Inc. Дата публикации: 2019-08-20.

Circuit and method for reading and writing data in a memory device

Номер патента: US6233179B1. Автор: Stephen L. Casper. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-05-15.

Storage module and low-complexity methods for assessing the health of a flash memory device

Номер патента: US9152488B2. Автор: Idan Alrod,Eran Sharon,Noam Presman. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-10-06.

Methods for executing data access commands and flash memory devices using the same

Номер патента: CN104714892A. Автор: 张佑全. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2015-06-17.

Semiconductor memory device and method for detecting weak cells

Номер патента: US09922726B2. Автор: Young-Geun Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor memory device and weak cell detection method thereof

Номер патента: US09824776B1. Автор: Youk-Hee Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor integrated circuit with a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20200251174A1. Автор: Yoshihiro Yamaguchi,Ryouta Niwa,Katsumichi Katou,Nobuyuki Ishigooka,Masaki Sekimizu. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20120069628A1. Автор: Hiroshi Ito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-22.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140061751A1. Автор: Hiroomi Nakajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

Nonvolatile semiconductor memory test circuit and method, nonvolatile semiconductor memory and method for fabricating nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20020024862A1. Автор: Yoshinori Odake,Takahiko Hashidzume. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-28.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20110299320A1. Автор: Fumihiro Kono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-12-08.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20060028884A1. Автор: Katsuaki Matsui. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-02-09.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US09418737B2. Автор: Hiroyuki Ode,Takeshi Takagi,Toshiharu Tanaka,Takeshi Yamaguchi,Masaki Yamato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140078813A1. Автор: Kei Sakamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-20.

Memory device and method for testing memory devices with repairable redundancy

Номер патента: US20060198215A1. Автор: Martin Perner,Volker Kilian. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-09-07.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140347911A1. Автор: Hiroshi Kanno,Takayuki Tsukamoto,Atsushi Yoshida,Nobuaki Yasutake,Yoichi MINEMURA,Takamasa OKAWA,Satoshi KONAGAI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-11-27.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20050174868A1. Автор: Shinsuke Anzai,Yasumichi Mori. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-08-11.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100149850A1. Автор: Daisaburo Takashima,Ryu Ogiwara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-06-17.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150325296A1. Автор: Junya Matsunami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-11-12.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09825100B2. Автор: Takashi Izumida,Nobutoshi Aoki,Yuki SEKINO. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of writing data of a nonvolatile semiconductor memory device including setting and removing operations

Номер патента: US09355722B2. Автор: Junya Matsunami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100238708A1. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-09-23.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20110128774A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-06-02.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20160049186A1. Автор: Ryousuke Takizawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-18.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8149611B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-04-03.

Semiconductor memory device capable of recovering defective bit and a system having the same semiconductor memory device

Номер патента: US20010022750A1. Автор: Yukihiro Urakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-09-20.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09595311B2. Автор: Ryousuke Takizawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09812195B2. Автор: Hirofumi Inoue,Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09543011B2. Автор: Hirofumi Inoue,Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Refresh method capable of reducing memory cell access time in semiconductor memory device

Номер патента: US20020141269A1. Автор: Jong-Yul Park,Seong-kue Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-10-03.

Semiconductor memory device, memory system having semiconductor memory device, and method for testing memory system

Номер патента: US7634697B2. Автор: Jin-Soo Park,Dong-Jun Kim,Kae-Won Ha,Keun-Soo Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-12-15.

Address transition detection noise filter in pulse summation circuit for nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US5306963A. Автор: Kerry Tedrow,Sachidanandan Sambandan,David A. Leak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1994-04-26.

Semiconductor memory device and method for adjusting internal voltage thereof

Номер патента: US20050270868A1. Автор: Jae-Hyuk Im,Kee-Teok Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-12-08.

Pad arrangement in semiconductor memory device and method of driving semiconductor device

Номер патента: US20040256641A1. Автор: Jung-Bae Lee,Mee-Hyun Ahn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-23.

Nonvolatile semiconductor storage device having improved reading and writing speed characteristics

Номер патента: US09478283B2. Автор: Kazuyuki Kouno,Reiji Mochida. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Dynamic semiconductor memory device and method for initializing a dynamic semiconductor memory device

Номер патента: US6175531B1. Автор: HELMUT Fischer,Martin Buck,Bret Johnson,Sebastian Kühne,Heinrich Hemmert. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2001-01-16.

Nonvolatile semiconductor memory device to which information can be written only once

Номер патента: US20060133127A1. Автор: Hiroshi Ito,Atsushi Nakayama,Toshimasa Namekawa,Hiroaki Nakano,Osamu Wada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-22.

Test method for nonvolatile memory device

Номер патента: US20090287972A1. Автор: Jin Yong Seong,Wan Seob LEE. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-11-19.

Nonvolatile semiconductor memory device and its operation program

Номер патента: US20160379711A1. Автор: Motofumi Saitoh. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-29.

Nonvolatile semiconductor memory device using irreversible storage elements

Номер патента: US20060133167A1. Автор: Hiroshi Ito,Atsushi Nakayama,Toshimasa Namekawa,Hiroaki Nakano,Osamu Wada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-22.

Semiconductor memory device and method for operating semiconductor memory device

Номер патента: US7898835B2. Автор: Kotaro Kashiwa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-03-01.

Semiconductor memory device and method for initializing the same

Номер патента: EP1488424A2. Автор: Hiroshige Hirano,Yasuo Murakuki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-22.

Method for repairing defective memory cells in semiconductor memory device

Номер патента: US09704601B2. Автор: Ki-Seok Park,Ji-Hyuk OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor memory device, semiconductor memory system and method for controlling self refresh cycle thereof

Номер патента: US09564207B2. Автор: Kwi-Dong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Systems and methods for stacked semiconductor memory devices

Номер патента: US09472243B2. Автор: Anthony Fai,Nicholas C. Seroff. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Power management in semiconductor memory system

Номер патента: US20130028039A1. Автор: David T. Wang. Владелец: Inphi Corp. Дата публикации: 2013-01-31.

A semiconductor memory device with an on-chip error correction circuit and a method of correcting a data error therein

Номер патента: GB9910278D0. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-06-30.

Semiconductor memory device, electronic device and method for setting the same

Номер патента: US12086011B2. Автор: Ki-Seok OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor memory device, electronic device and method for setting the same

Номер патента: US20240361823A1. Автор: Ki-Seok OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor memory device having unequal pitch vertical channel transistors employed as selection transistors and method for programming the same

Номер патента: US09595568B2. Автор: Teruyuki Mine. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor memory device and method for refreshing memory cells

Номер патента: US09466351B2. Автор: In Chul JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Method for accessing memory cells, semiconductor memory device including memory cells, and operating method of memory controller controlling memory device

Номер патента: EP4141873A1. Автор: Won-Hyung SONG,Seong-Jin Cho,Jung Min YOU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-01.

Circuit and method for selecting test self-refresh period of semiconductor memory device

Номер патента: US20080062799A1. Автор: Kyong-Ha Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-03-13.

Circuit and method for selecting test self-refresh period of semiconductor memory device

Номер патента: US20060221745A1. Автор: Kyong-Ha Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-05.

Semiconductor storage device, nonvolatile semiconductor memory test method, and medium

Номер патента: US20130159814A1. Автор: Daisuke Hashimoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-20.

Information Processing Apparatus and Nonvolatile Semiconductor Memory Drive

Номер патента: US20090222703A1. Автор: Takehiko Kurashige. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-09-03.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12068263B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor storage device, nonvolatile semiconductor memory test method, and medium

Номер патента: US20130332802A1. Автор: Daisuke Hashimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-12-12.

Semiconductor memory device and method for operating semiconductor memory device

Номер патента: US20080320215A1. Автор: Kotaro Kashiwa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-12-25.

Capacitor structure, semiconductor memory device including the same, method for fabricating the same, and method for fabricating semiconductor memory device including the same

Номер патента: US12094924B2. Автор: Su Hwan Kim,Sang Yeol Kang,Kyoo Ho Jung,Won Sik CHOI,Dong Kwan BAEK,Yu Kyung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor memory device and method for operating the same

Номер патента: US20150170722A1. Автор: Young-Jun Ku,Tae-Sik Yun,Jae-Bum Ko. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-18.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240363555A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Systems and methods for testing a semiconductor memory device having a reference memory array

Номер патента: US09767919B1. Автор: Yutaka Ito,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor memory device and method for controlling the same

Номер патента: US09767878B1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,William J. Gallagher,Yu-Der Chih,Chun-Jung Lin,Tien-Wei Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor memory device and method for transferring weak cell information

Номер патента: US09697885B1. Автор: Youk-Hee Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor memory device mapping external address as internal address wherein internal addresses of spare cells of two blocks differ by upper most bit and internal addresses of main cells of two blocks differ by upper most bit and the internal addresses of main cell and spare cell of each block differ by one bit and operating method for the same

Номер патента: US09443618B2. Автор: Sang-Oh LIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Information processing apparatus and method for controlling information processing apparatus

Номер патента: US20210124514A1. Автор: Yo Kobayashi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor memory device and method for accessing the same

Номер патента: US09542990B2. Автор: Zhijiong Luo,Zhengyong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor memory device and operating method for a semiconductor memory device

Номер патента: US20060275928A1. Автор: Siegfried Schwarzl,Stefan Wurm. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-12-07.

Ferroelectric-type nonvolatile semiconductor memory and operation method thereof

Номер патента: US20050174832A1. Автор: Toshiyuki Nishihara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-08-11.

Semiconductor memory devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US11903184B2. Автор: Yong Seok Kim,Kyung Hwan Lee,Jae Ho Hong,Hui-jung Kim,Min Hee Cho,Il Gweon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-13.

Voltage detection circuit and method for semiconductor memory devices

Номер патента: US20030198088A1. Автор: Duane Laurent. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2003-10-23.

Voltage detection circuit and method for semiconductor memory devices

Номер патента: EP1355315A3. Автор: Duane Giles Laurent. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2004-12-15.

Semiconductor memory device capable of reading data of signature fuse through normal read operation and method of reading data of signature fuse in semiconductor memory device through normal read operation

Номер патента: US20040151048A1. Автор: Sung-Bum Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-08-05.

Memory device and operating method for target refresh operation based on number of accesses

Номер патента: US20240274182A1. Автор: Woongrae Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Dynamic semiconductor memory device and method of controlling refresh thereof

Номер патента: US20030112690A1. Автор: Shyuichi Tsukada. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2003-06-19.

Multi-phase programming schemes for nonvolatile memories

Номер патента: US09817751B2. Автор: Eyal Gurgi,Yoav Kasorla,Shai Ojalvo,Stas Mouler. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor memory device and method for operating the same

Номер патента: US09595309B2. Автор: Chang-Hyun Kim,Jae-Jin Lee,Min-Chang Kim,Do-Yun LEE,Hun-Sam Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor memory device and method of testing the same

Номер патента: US20110161606A1. Автор: Shuichi Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-06-30.

Nonvolatile semiconductor memory device and reading method of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8248837B2. Автор: Kentaro Kinoshita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-08-21.

Semiconductor memory device with operation limit controller

Номер патента: US12040043B2. Автор: Jaejun Lee,Seonghoon JOO,Ilhan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20080165591A1. Автор: Yoon-Jae Shin,Kyoung-Nam Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-07-10.

Semiconductor memory device having improved redundancy scheme

Номер патента: US20040047222A1. Автор: Duk-ha Park,Hi-choon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-03-11.

Methods of operating semiconductor memory devices and semiconductor memory devices

Номер патента: US20190172512A1. Автор: Ki-Seok OH,Seong-Hwan Jeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-06.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20110158023A1. Автор: Kang-Seol Lee,Tae-Sik Yun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-30.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US7936635B2. Автор: Yoon-Jae Shin,Kyoung-Nam Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-05-03.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20100165762A1. Автор: Yoon-Jae Shin,Kyoung-Nam Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-01.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020018359A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Hiroyuki Mizuno,Kenichi Osada,Suguru Tachibana. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-14.

Semiconductor memory device with row redundancy

Номер патента: US5889710A. Автор: Luigi Pascucci. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1999-03-30.

Method of Operating Semiconductor Memory Device with Floating Body Transistor Using Silicon Controlled Rectifier Principle

Номер патента: US20210257365A1. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Semiconductor memory system and method for the transfer of write and read data signals in a semiconductor memory system

Номер патента: US20060104132A1. Автор: Dominique Savignac,Christian Sichert,Paul Wallner,Peter Gregorius,Hermann Ruckerbauer. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-05-18.

Semiconductor memory devices with open bitline architectures and methods of controlling the bitlines of such semiconductor memory devices

Номер патента: US20070047350A1. Автор: Ji-hoon Park,Chang-Yeong Jeong,Sung-Wan Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-01.

Memory device having a systematic arrangement of logical data locations and having plural data portals

Номер патента: US20020062420A1. Автор: James Bullen,Robert Mclaughlin,Lawrence Plumhoff. Владелец: Image Telecommunications Corp. Дата публикации: 2002-05-23.

Memory device

Номер патента: WO1995032505A1. Автор: M. James Bullen,Robert B. Mclaughlin,Lawrence C. Plumhoff. Владелец: Image Telecommunications Corporation. Дата публикации: 1995-11-30.

Semiconductor memory device and method providing log information

Номер патента: US12045496B2. Автор: Kwanghyun KIM,Boayeong Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Method of operating semiconductor memory device with floating body transisor using silicon controlled rectifier principle

Номер патента: US09960166B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Memory system for controlling semiconductor memory devices through plurality of channels

Номер патента: US09841916B2. Автор: Sung Yeob Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Method of operating semiconductor memory device with floating body transistor using silicon controlled rectifier principle

Номер патента: US09761589B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Volatile semicondcutor memory device, refresh control circuit and method thereof

Номер патента: US09653142B1. Автор: Yuji Kihara. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Method of operating semiconductor memory device with floating body transistor using silicon controlled rectifier principle

Номер патента: US09484082B2. Автор: Yuniarto Widjaja. Владелец: Zeno Semiconductor Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Ferroelectric memory device having fatigue averaging

Номер патента: US5978252A. Автор: Tohru Miwa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-11-02.

Compensating for concentrated activation of memory cells in a semiconductor memory device

Номер патента: US12020742B2. Автор: Won-Hyung SONG,Seong-Jin Cho,Jung Min YOU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor memory device and method for generating bit line equalizing signal

Номер патента: US20120176848A1. Автор: Chang-Ho Do. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-12.

High performance semiconductor memory devices

Номер патента: US20030202405A1. Автор: Jeng-Jye Shau. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-30.

Semiconductor memory device and method for operating the same

Номер патента: US20110002179A1. Автор: Sung-Ho Kim,Kwi-Dong Kim,Mun-Phil Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-01-06.

Semiconductor memory device and method for operating the same

Номер патента: US8379473B2. Автор: Sung-Ho Kim,Kwi-Dong Kim,Mun-Phil Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-02-19.

Semiconductor Memory Device and Method for Operating the Same

Номер патента: US20100290279A1. Автор: Kwang-Myoung Rho,Woo-Hyun Seo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-11-18.

Semiconductor memory having variable memory size and method for refreshing the same

Номер патента: US20050152200A1. Автор: You-Mi Lee,Kyung-Woo Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-07-14.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20170052737A1. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-23.

Semiconductor memory device and control device for semiconductor memory device

Номер патента: US20230154532A1. Автор: Satoru Araki,Hiroshi Yoshida,Toshimasa Namekawa,Etsuo Fukuda,Tetsuo Endoh. Владелец: Power Spin Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Multi-chip package semiconductor memory device

Номер патента: US20110309525A1. Автор: Satoshi Miyazaki,Hidekazu Nasu. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-22.

Hollow stylus-shaped structure, methods for fabricating the same, and phase-change memory devices, magnetic random access memory devices, resistive random access memory devices, field emission display, multi-electrobeams direct writing lithography appara

Номер патента: TW200933942A. Автор: Wei-Su Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-08-01.

Method for performing power saving control in a memory device, associated memory device and memory controller thereof, and associated electronic device

Номер патента: US20190377402A1. Автор: Wen-Chi Chao,Kuo-Cyuan Kuo. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Semiconductor memory card, method for controlling the same, and semiconductor memory system

Номер патента: US20110153896A1. Автор: Hiroshi Endo,Hiroko Okabayashi,Tatsuya KAISE,Yoshihito Sugiyama,Masahiko Murohashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-06-23.

Data processing method for efficiently processing data stored in the memory device by splitting data flow and the associated data storage device

Номер патента: US12067286B2. Автор: Yu-Ta Chen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for performing host-directed operations, and associated memory device and controller thereof

Номер патента: US20120278540A1. Автор: Ming-Yen Lin,Hsu-Ping Ou. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2012-11-01.

Autoantibody detection method, method for testing possibility of autoimmune disease contraction, autoantibody detection reagent, and autoimmune disease test reagent

Номер патента: US09778257B2. Автор: Hui Jin,Kenji Tanimura,Hisashi Arase,Noriko ARASE. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2017-10-03.

Method for mapping logic design memory into physical memory device of a programmable logic device

Номер патента: US6871328B1. Автор: Ryan Fung,Ketan Padalia. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2005-03-22.

System and method for data collection and exchange with protected memory devices

Номер патента: WO2012088296A2. Автор: Martin Boliek,Robert D. Widergren,Wayne Hossenlopp. Владелец: Mo-Dv, Inc.. Дата публикации: 2012-06-28.

Data processing method for efficiently processing data stored in the memory device by splitting data flow and the associated data storage device

Номер патента: US20240103733A1. Автор: Yu-Ta Chen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Data processing method for efficiently processing data stored in the memory device by splitting data flow and the associated data storage device

Номер патента: US20240103757A1. Автор: Yu-Ta Chen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Vehicle information detection method, method for training detection model, electronic device and storage medium

Номер патента: US20210319261A1. Автор: XIAO Tan,HAO SUN,Xiaoqing Ye. Владелец: Beijing Baidu Netcom Science And Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-14.

Vehicle information detection method, method for training detection model, electronic device and storage medium

Номер патента: US11867801B2. Автор: XIAO Tan,HAO SUN,Xiaoqing Ye. Владелец: Beijing Baidu Netcom Science And Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

System and method for dynamic allocation to a host of memory device controller memory resources

Номер патента: US20200004445A1. Автор: Shay Benisty. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-01-02.

MEMORY SYSTEM AND METHOD FOR CONTROLLING A NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY

Номер патента: US20140229662A1. Автор: Matsuzaki Hidenori,Okamoto Wataru,YANO Junji,HATSUDA Kosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2014-08-14.

MEMORY SYSTEM AND METHOD FOR CONTROLLING A NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY

Номер патента: US20150309728A1. Автор: Matsuzaki Hidenori,Okamoto Wataru,YANO Junji,HATSUDA Kosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2015-10-29.

Semiconductor memory device, circuit board mounted with semiconductor memory device, and method for testing interconnection between a semiconductor memory device with a circuit board

Номер патента: TW451464B. Автор: Tsutomu Taniguchi,Yoshikazu Honma,Mitsutaka Ikeda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-08-21.

Memory device and method for managing read counts of memory device

Номер патента: US20210365213A1. Автор: Yen-Hsiang Chen,Nai-Ping Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Methods for controlling host memory access with memory devices and systems

Номер патента: US09811258B2. Автор: Robert N. Leibowitz,Peter Feeley,Victor Y. Tsai,William H. Radke,Neal A. Galbo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Method and device for detecting word line shorts in memory device

Номер патента: US20240202909A1. Автор: Wenlong Li,Zongliang Huo,Yanli Wang,Wenqi Wang,Jinxing Chen,Ban Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Method and apparatus for performing data access management of memory device in predetermined communications architecture with aid of unbalanced table update

Номер патента: US20240232074A1. Автор: Chien-Cheng Lin,Chang-Chieh HUANG,Jie-Hao LEE. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Method and apparatus for performing data access management of memory device in predetermined communications architecture with aid of unbalanced table regions

Номер патента: US20240231624A1. Автор: Chien-Cheng Lin,Chang-Chieh HUANG,Jie-Hao LEE. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Method and apparatus for performing data access management of memory device in predetermined communications architecture with aid of unbalanced table search

Номер патента: US20240232093A1. Автор: Chien-Cheng Lin,Chang-Chieh HUANG,Jie-Hao LEE. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Method and apparatus for performing data access control of memory device with aid of predetermined command

Номер патента: US12061800B2. Автор: Tzu-Yi Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Method and apparatus for performing data access management of memory device in predetermined communications architecture with aid of unbalanced table update

Номер патента: US12117932B2. Автор: Chien-Cheng Lin,Chang-Chieh HUANG,Jie-Hao LEE. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Method and apparatus for performing data access management of memory device in predetermined communications architecture with aid of unbalanced table search

Номер патента: US12130743B2. Автор: Chien-Cheng Lin,Chang-Chieh HUANG,Jie-Hao LEE. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Managing data compaction for zones in memory devices

Номер патента: US12147705B2. Автор: Naveen Bolisetty. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-19.

Method and apparatus for performing data access management of memory device in predetermined communications architecture with aid of unbalanced table regions

Номер патента: US12147670B2. Автор: Chien-Cheng Lin,Chang-Chieh HUANG,Jie-Hao LEE. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-11-19.

Method, associated memory device and controller thereof for performing dynamic resource management

Номер патента: US20190050154A1. Автор: Che-Wei Hsu,Hsin-Hsiang TSENG. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-02-14.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: EP3673380A1. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-01.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: US20200349097A1. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: US20200242057A1. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-30.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: WO2019040200A1. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-02-28.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: US10983934B2. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-20.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: US10754801B2. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-25.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: US20210209039A1. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-08.

Method and apparatus for performing data access management of memory device in predetermined communications architecture to enhance sudden power off recovery of page-group-based redundant array of independent disks protection with aid of multi-table control using dummy flag

Номер патента: US12131035B1. Автор: Jie-Hao LEE,Szu-I Yeh,Ting-Fong Hsu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Method and apparatus for performing mapping table management of memory device in predetermined communications architecture with aid of table analysis

Номер патента: US20240296126A1. Автор: Jie-Hao LEE,Chun-Ju Chen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Media scan method to reduce active idle power of memory devices

Номер патента: US20240295972A1. Автор: Peng Fei,Dengfeng Ruan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Media scan method to reduce active idle power of memory devices

Номер патента: WO2024182725A1. Автор: Peng Fei,Dengfeng Ruan. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-09-06.

METHOD FOR MANUFACTURING A FIELD EFFECT TRANSISTOR, METHOD FOR MANUFACTURING A VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING A NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING A DISPLAY ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING AN IMAGE DISPLAY DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING A SYSTEM

Номер патента: US20170271381A1. Автор: Nakamura Yuki,Sone Yuji,Ueda Naoyuki,Abe Yukiko,Matsumoto Shinji,Saotome Ryoichi,ARAE Sadanori,KUSAYANAGI Minehide. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2017-09-21.

Method for manufacturing a field effect transistor, method for manufacturing a volatile semiconductor memory element, method for manufacturing a non-volatile semiconductor memory element, method for manufacturing a display element, method for manufacturing an image display device, and method for manufacturing a system

Номер патента: US10818705B2. Автор: Shinji Matsumoto,Yuki Nakamura,Yuji Sone,Yukiko Abe,Naoyuki Ueda,Ryoichi SAOTOME,Sadanori ARAE,Minehide KUSAYANAGI. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-27.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170077138A1. Автор: Hyosung Lee,Suk Koo Hong,Miyeong Kang,Kyoungyong Cho,Sunkak Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-16.

SEMICONDUCTOR MEMORY CARD, METHOD FOR CONTROLLING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20150378813A1. Автор: ENDO Hiroshi,KAISE Tetsuya,SUGIYAMA Yoshihito,OKABAYASHI Hiroko,MUROHASHI Masahiko. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2015-12-31.

Method for implementing automatic performance using semiconductor memory device

Номер патента: CN100383756C. Автор: 钟智渊,杨龙和. Владелец: LANGKE SCIENCE AND TECHNOLOGY Co Ltd SHENZHEN CITY. Дата публикации: 2008-04-23.

Keeping file systems or partitions private in a memory device

Номер патента: EP2672415A3. Автор: Jacek Nawrot,Maxine Matton. Владелец: BlackBerry Ltd. Дата публикации: 2014-04-02.

Method and apparatus for performing automatic setting control of memory device in predetermined communications architecture with aid of auxiliary setting management

Номер патента: US11899974B2. Автор: Han-cheng Huang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Managing data compaction for zones in memory devices

Номер патента: US20240069806A1. Автор: Naveen Bolisetty. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Methods and electronic device for repairing memory element in memory device

Номер патента: US20240012726A1. Автор: Sudhanshu Gupta,Adrita Barari,Helik Kanti Thacker,Akhilesh Sudhir PATANKAR,Deokgu Yoon,Damini Damini,Keerthi Kiran Jagannathachar,Paulami DAS,Sairam JUJJARAPU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-11.

Method and apparatus for performing automatic setting control of memory device in predetermined communications architecture with aid of auxiliary setting management

Номер патента: US20230106393A1. Автор: Han-cheng Huang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-04-06.

Method and apparatus for performing data access control of memory device with aid of predetermined command

Номер патента: US11977783B2. Автор: Tzu-Yi Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Individually addressing memory devices disconnected from a data bus

Номер патента: US11436169B2. Автор: Matthew A. Prather,Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-06.

METHODS FOR ASYNCHRONOUSLY SIGNALING UPDATED INFORMATION FROM A MEMORY DEVICE TO A HOST AND MEMORY DEVICES AND SYSTEMS EMPLOYING THE SAME

Номер патента: US20190369893A1. Автор: Ross Frank F.. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-05.

METHOD FOR PERFORMING POWER SAVING CONTROL IN A MEMORY DEVICE, ASSOCIATED MEMORY DEVICE AND MEMORY CONTROLLER THEREOF, AND ASSOCIATED ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20190377402A1. Автор: CHAO Wen-Chi,Kuo Kuo-Cyuan. Владелец: . Дата публикации: 2019-12-12.

Probe binding substrate, probe binding substrate manufacturing method, probe array, target substance detection method, method for specifying base sequence of single-stranded nucleic acid in sample, and method for quantifying target substance in sample

Номер патента: JP4261661B2. Автор: 智博 鈴木,伸子 山本,尚志 岡本. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2009-04-30.

Optical detection device, optical detection method, method for designing optical detection device, sample classification method, and defect detection method

Номер патента: US11933735B2. Автор: Tsuyoshi Konishi. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2024-03-19.

Method for updating a firmware on a low memory device

Номер патента: EP3087478A1. Автор: Stephane Durand. Владелец: GEMALTO SA. Дата публикации: 2016-11-02.

Method for updating a firmware on a low memory device

Номер патента: WO2015096947A1. Автор: Stephane Durand. Владелец: GEMALTO SA. Дата публикации: 2015-07-02.

Methods of memory address verification and memory devices employing the same

Номер патента: US20240126701A1. Автор: Alberto Troia. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-04-18.

SECURE METHOD FOR FAST WRITING OF INFORMATION FOR MASS MEMORY DEVICE.

Номер патента: FR2656441B1. Автор: Daniel Carteau,Philippe Schreck. Владелец: Bull SA. Дата публикации: 1993-12-10.

SECURE METHOD FOR FAST WRITING OF INFORMATION FOR MASS MEMORY DEVICE.

Номер патента: FR2656441A1. Автор: Carteau Daniel,Schreck Philippe. Владелец: Bull SA. Дата публикации: 1991-06-28.

Optical detection device, optical detection method, method for designing optical detection device, sample classification method, and defect detection method

Номер патента: US20220155237A1. Автор: Tsuyoshi Konishi. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2022-05-19.

System and method for preventing data corruption in solid-state memory devices after a power failure

Номер патента: US7107480B1. Автор: Mark Moshayedi,Brian H. Robinson. Владелец: Simpletech Inc. Дата публикации: 2006-09-12.

Autoantibody detection method, method for testing the possibility of suffering from autoimmune disease, autoantibody detection reagent and test reagent for autoimmune disease

Номер патента: JP6373842B2. Автор: 尚 荒瀬,憲司 谷村,暉 金,規子 荒瀬. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2018-08-15.

Systems and methods for balancing multiple partitions of non-volatile memory

Номер патента: US20220147258A1. Автор: Andrew W. Vogan,Alexander Paley. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2022-05-12.

System and method for data collection and exchange with protected memory devices

Номер патента: US20120159518A1. Автор: Martin Boliek,Robert D. Widergren,Wayne Hossenlopp. Владелец: Mo DV Inc. Дата публикации: 2012-06-21.

Fluorescence detecting method, method for producing fluorescent beads, and fluorescent beads

Номер патента: US20120295278A1. Автор: Hironori Hayashi,Shigeyuki Nakada. Владелец: Mitsui Engineering and Shipbuilding Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-22.

METHOD FOR PERFORMING MEMORY ACCESS MANAGEMENT, AND ASSOCIATED MEMORY DEVICE AND CONTROLLER THEREOF

Номер патента: US20130304977A1. Автор: Yang Tsung-Chieh,Chang Hsiao-Te,Wang Wen-Long. Владелец: Silicon Motion Inc.. Дата публикации: 2013-11-14.

SYSTEM AND METHOD FOR DYNAMIC ALLOCATION TO A HOST OF MEMORY DEVICE CONTROLLER MEMORY RESOURCES

Номер патента: US20200004445A1. Автор: Benisty Shay. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

DEFECT DETECTION METHOD, METHOD FOR REPAIRING ORGANIC EL ELEMENT, AND ORGANIC EL DISPLAY PANEL

Номер патента: US20140154818A1. Автор: Shimamura Takayuki,TSUCHIDA Shinya,HAYASHIDA Yoshiki,Shiota Akinori. Владелец: . Дата публикации: 2014-06-05.

SYSTEM AND METHOD FOR DATA COLLECTION AND EXCHANGE WITH PROTECTED MEMORY DEVICES

Номер патента: US20160078233A1. Автор: Widergren Robert D.,Boliek Martin,Hossenlopp Wayne. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-17.

VOICE ACTIVITY DETECTION METHOD, METHOD FOR ESTABLISHING VOICE ACTIVITY DETECTION MODEL, COMPUTER DEVICE, AND STORAGE MEDIUM

Номер патента: US20200090682A1. Автор: LIU Haibo. Владелец: TENCENT TECHNOLOGY (SHENZHEN) COMPANY LIMITED. Дата публикации: 2020-03-19.

Methods for internal data movements of a flash memory device and apparatuses using the same

Номер патента: US20190095123A1. Автор: Sheng-Liu Lin. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-03-28.

SYSTEM AND METHOD FOR ADAPTIVE BIT RATE PROGRAMMING OF A MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140215124A1. Автор: Otterstedt Jan,Allers Wolf,Paparisto Edvin,Jefremow Mihail,Castro Leonardo. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-07-31.

AUTOANTIBODY DETECTION METHOD, METHOD FOR TESTING POSSIBILITY OF AUTOIMMUNE DISEASE CONTRACTION, AUTOANTIBODY DETECTION REAGENT, AND AUTOIMMUNE DISEASE TEST REAGENT

Номер патента: US20170176432A1. Автор: Jin Hui,Tanimura Kenji,ARASE Hisashi,ARASE Noriko. Владелец: OSAKA UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-06-22.

METHOD FOR MANAGING THE MEMORY SPACE OF A MEMORY DEVICE AND CORRESPONDING SYSTEM

Номер патента: US20200174927A1. Автор: EVA Christophe,GRIL-MAFFRE Jean-Michel. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-04.

APPARATUS AND METHODS FOR PROLONGING SERVICE LIFE OF SOLID-STATE MEMORY DEVICE IN A DIGITAL VIDEO RECORDER

Номер патента: US20140281213A1. Автор: Dinallo Chris,Kozlowski Tomasz. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-18.

Systems and Methods for Last Written Page Handling in a Memory Device

Номер патента: US20150227314A1. Автор: Chen Zhengang,Haratsch Erich F.,CAI Yu,Dong Zhimin. Владелец: LSI Corporation. Дата публикации: 2015-08-13.

MEMORY CONTROLLER OPERATING METHOD FOR READ OPERATIONS IN SYSTEM HAVING NONVOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140372831A1. Автор: KIM Dong-min,OH Sangyoon,KIM YOUNGMOON. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-18.

Storage Module and Low-Complexity Methods for Assessing the Health of a Flash Memory Device

Номер патента: US20140380106A1. Автор: SHARON ERAN,ALROD IDAN,PRESMAN Noam. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-25.

Method for updating a firmware on a low memory device

Номер патента: US20160321003A1. Автор: Stephane Durand. Владелец: GEMALTO SA. Дата публикации: 2016-11-03.

SYSTEM AND METHODS FOR INCREASING USEFUL LIFETIME OF A FLASH MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170364282A1. Автор: Margalit Ilan,Hershman Ziv,Morav Dan,Tanami Oren,LUKO Einat,TALMI Yossef. Владелец: Nuvoton Technology Corporation. Дата публикации: 2017-12-21.

DEPTH DETECTION METHOD, METHOD FOR TRAINING DEPTH ESTIMATION BRANCH NETWORK, ELECTRONIC DEVICE, AND STORAGE MEDIUM

Номер патента: US20220351398A1. Автор: SUN Hao,ZOU Zhikang,YE Xiaoqing. Владелец: . Дата публикации: 2022-11-03.

Method for enhancing error correction capability, and associated memory device and controller thereof

Номер патента: TWI456579B. Автор: Tsung Chieh Yang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2014-10-11.

Method for saving an address map in a memory device

Номер патента: US20090313420A1. Автор: Nimrod Wiesz,Sandra Almog Goldschmidt. Владелец: Sandisk IL Ltd. Дата публикации: 2009-12-17.

Systems and methods for incorporating an rfid circuit into a memory device

Номер патента: EP2100281A1. Автор: Douglas Moran. Владелец: Neology Inc. Дата публикации: 2009-09-16.

System and method for tracking data stored in a flash memory device

Номер патента: US20030163631A1. Автор: Yongqi Yang,Jered Aasheim. Владелец: Microsoft Corp. Дата публикации: 2003-08-28.

Method for managing address mapping table and a memory device using the method

Номер патента: US20110145485A1. Автор: Jin-Young Chun,Jaeyong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-06-16.

Method for storing nfc applications in a secure memory device

Номер патента: WO2009147548A3. Автор: Alexandre Corda. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2010-01-28.

Method for performing double domain encryption in a memory device

Номер патента: KR20120028903A. Автор: 론 바질라이,미카엘 홀츠만. Владелец: 샌디스크 테크놀로지스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2012-03-23.

Autoantibody detection method, method for testing possibility of autoimmune disease contraction, autoantibody detection reagent, and autoimmune disease test reagent

Номер патента: WO2015008498A1. Автор: 尚 荒瀬,憲司 谷村,暉 金,規子 荒瀬. Владелец: 国立大学法人大阪大学. Дата публикации: 2015-01-22.

Defect detection method, method for repairing organic el element, and organic el display panel

Номер патента: WO2013186961A1. Автор: 臣弥 土田,島村　隆之,芳樹 林田,塩田　昭教. Владелец: パナソニック株式会社. Дата публикации: 2013-12-19.

Method for updating a firmware on a low memory device

Номер патента: EP3087478B1. Автор: Stephane Durand. Владелец: GEMALTO SA. Дата публикации: 2017-10-25.

Method for accessing a flash memory and associated memory device

Номер патента: TW201110129A. Автор: Chi-hsiang Hung,Po-Syuan Chen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2011-03-16.

Method for performing meta block management, and associated memory device and controller thereof

Номер патента: TW201214113A. Автор: Yang-Chih Shen. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2012-04-01.

Method for accessing a flash memory, and associated memory device and controller thereof

Номер патента: TW201017670A. Автор: Jen-Wen Lin. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2010-05-01.

Data managing method for non-volatile memory and non-volatile memory device using the same

Номер патента: TW201022940A. Автор: Wu-Chi Kuo. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2010-06-16.

Method for fabricating a non-volatile semiconductor memory cell with a separate tunnel window

Номер патента: US20020119626A1. Автор: Kai Huckels,Olaf Heitzsch,Peter Wawer,Christoph Ludwig,Christoph Kutter,Konrad Wolf,Oliver Springmann,Reinhold Rennekamp,Mayk Röhrich,Elard Von Kamienski. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-08-29.

Method for fabricating a non-volatile semiconductor memory device having storage cell array and peripheral circuit, and a structure therefore

Номер патента: US5656527A. Автор: Keon-Soo Kim,Jeong-Hyeok Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1997-08-12.

Operation abnormality detection method, method for manufacturing resin container, operation abnormality detection device, device for manufacturing resin container, and device for manufacturing resin preform

Номер патента: US20230311389A1. Автор: YASUHIRO Hidaka,Terumasa Okada,Tatsuya Koshimizu. Владелец: Nissei ASB Machine Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Method for improving erase saturation in non-volatile memory devices and devices obtained thereof

Номер патента: US20080185632A1. Автор: Maarten Rosmeulen,Pieter Blomme,Bogdan Govoreanu. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2008-08-07.

Apparatus and method for rounded ONO formation in a flash memory device

Номер патента: US09564331B2. Автор: Di Li,Shenqing Fang,Tim Thurgate,Tung-Sheng Chen. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Method for forming channel hole in three-dimensional memory device using nonconformal sacrificial layer

Номер патента: EP3821465A1. Автор: GuanPing WU,Weihua Cheng,Hongbin Zhu,Baoyou Chen,Hai Hui Huang,Zhuqing Huang,Yu Qi Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-19.

Selective Etching Method and Method for Forming an Isolation Structure of a Memory Device

Номер патента: US20100167494A1. Автор: Dae Jin Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-07-01.

Method for producing a pillar-shaped semiconductor memory device

Номер патента: US20190123053A1. Автор: Fujio Masuoka,Nozomu Harada. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2019-04-25.

Method for producing a pillar-shaped phase change memory device

Номер патента: US9954032B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for manufacturing semiconductor device with metal gate memory device and metal gate logic device

Номер патента: US10658373B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Wei-Cheng Wu,Ya-Chen Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-19.

Method for Forming Staircase Structure of Three-Dimensional Memory Device

Номер патента: US20200219894A1. Автор: Jian Xu,Li Hong XIAO,Yu Ting ZHOU,Sizhe Li,Zhao Hui Tang,Zhaosong Li. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-09.

Method for Forming Staircase Structure of Three-Dimensional Memory Device

Номер патента: US20190326312A1. Автор: Jian Xu,Li Hong XIAO,Yu Ting ZHOU,Sizhe Li,Zhao Hui Tang,Zhaosong Li. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-24.

Method for forming channel hole in three-dimensional memory device using nonconformal sacrificial layer

Номер патента: US20200119042A1. Автор: GuanPing WU,Weihua Cheng,Hongbin Zhu,Baoyou Chen,Hai Hui Huang,Zhuqing Huang,Yu Qi Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Information processing device including host device and semiconductor memory device having a block rearrangement to secure free blocks

Номер патента: US09870155B2. Автор: Kenichi Maeda,Atsushi Kunimatsu. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Information processing device including host device and semiconductor memory device having a plurality of address conversion information

Номер патента: US09542117B2. Автор: Kenichi Maeda,Atsushi Kunimatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Controller which controls operation of nonvolatile semiconductor memory and semiconductor memory device including nonvolatile semiconductor memory and controller therefore

Номер патента: US20100241791A1. Автор: Seiichi Tomita,Tarou Iwashiro,Takahide Nishiyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-09-23.

Memory device and host device

Номер патента: US09983794B2. Автор: Akihisa Fujimoto. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Data reading method for semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US20090077337A1. Автор: Daisuke Oda. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-19.

Semiconductor memory device, semiconductor wafer, and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20120161206A1. Автор: Hiroshi SHIMODE. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

Operation method of storage controller for nonvolatile memory device

Номер патента: US20240176700A1. Автор: Jisoo Kim,Sangkwon Moon,Heewon Lee,Youngdeok SEO,Hyunkyo Oh,Youngjoo Seo,Hee-Tai Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor memory device

Номер патента: US8434689B2. Автор: Keisuke Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-05-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20130020395A1. Автор: Keisuke Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-01-24.

Semiconductor memory device including nonvolatile semiconductor memory, control method of memory controller, and memory controller

Номер патента: US20150339198A1. Автор: Hironobu Miyamoto,Ryoichi Kato,Jun Shinohara,Tomonori Masuo,Tatsuya Sumiyoshi,Yuuichirou Gunji. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-11-26.

Mass memory device and semiconductor memory card

Номер патента: US20080028130A1. Автор: Otto Winkler. Владелец: Qimonda Flash GmbH. Дата публикации: 2008-01-31.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20020001173A1. Автор: Shiro Hayano,Kazuyoshi Nishiyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Semiconductor memory device that switches between states and moves data in accordance with a current state

Номер патента: US09940029B2. Автор: Tatsunori Kanai,Tetsuro Kimura. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Multi-level data protection for nonvolatile memory system

Номер патента: US09513830B2. Автор: Charles J. Camp,Holloway H. Frost,Kenneth Scianna,Lance W. Shelton. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Memory device and host device

Номер патента: US10157149B2. Автор: Koichi Nagai,Yuji Kashiwagi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-12-18.

Recordable memory device

Номер патента: US20100125698A1. Автор: Akihisa Fujimoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-05-20.

Memory device and host device

Номер патента: US20190173875A1. Автор: Koichi Nagai,Yuji Kashiwagi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-06-06.

Method for detecting low voltage cell and battery management system for providing the method

Номер патента: US12024052B2. Автор: Uiseong Kim. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Method for producing nonvolatile semiconductor memory device and the device itself

Номер патента: US20040077146A1. Автор: Hiroaki Tsunoda,Tadashi Iguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-04-22.

Method for producing nonvolatile semiconductor memory device and the device itself

Номер патента: US6927132B2. Автор: Hiroaki Tsunoda,Tadashi Iguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-08-09.

Method for manufacturing a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100291745A1. Автор: Masataka Kusumi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-11-18.

Method for manufacturing nonvolatile semiconductor memory device and nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8361862B2. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-01-29.

Method for manufacturing nonvolatile semiconductor memory element, and nonvolatile semiconductor memory element

Номер патента: US8889478B2. Автор: Takumi Mikawa,Yoshio Kawashima,Yukio Hayakawa,Takeki Ninomiya. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-11-18.

Method for fabricating nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US6030869A. Автор: Takashi Maejima,Hidenori Tanaka,Yoshinori Odake,Mitsuyoshi Andou,Toshimoto Kubota. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 2000-02-29.

Method for producing a floating gate memory device including implanting ions through an oxidized portion of the silicon film from which the floating gate is formed

Номер патента: US5599727A. Автор: Shin-Ichi Sato,Kenji Hakozaki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1997-02-04.

Method for manufacturing gate in semiconductor device

Номер патента: US20020001934A1. Автор: Hai Won Kim,Kwang Joo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-01-03.

Method for producing a nonvolatile semiconductor memory cell with a separate tunneling window

Номер патента: UA73508C2. Автор: . Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-08-15.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200243499A1. Автор: Tae Kyung Kim,Kun Young Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-07-30.

Method for making a capacitor in semiconductor memory device

Номер патента: KR960016105B1. Автор: Kyung-Jin Kim,Byung-Suk Lee,Eui-Sam Jung. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 1996-11-27.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US6777285B2. Автор: Kent Kuohua Chang,Weng-Hsing Huang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-17.

[memory device and method for fabricating the same]

Номер патента: US20040110344A1. Автор: Kent Kuohua Chang,Weng-Hsing Huang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-10.

Stacked capacitor, method for making the same and memory device

Номер патента: US20240306363A1. Автор: Geeng-Chuan Chern. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240365565A1. Автор: Erh-Kun Lai,Feng-Min Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Memory device having hybrid insulating layer and method for preparing same

Номер патента: US10529936B2. Автор: Youngkyoo Kim,Hawjeong Kim,Chulyeon Lee. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of KNU. Дата публикации: 2020-01-07.

Non-volatile memory device and methods for fabricating the same

Номер патента: US09812641B2. Автор: Hsiu-Han Liao,Ting-Ying SHEN. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Memory device comprising memory strings penetrating through a stacking structure and electrically contacting with a metal layer and method for fabricating the same

Номер патента: US09583439B1. Автор: Shih-Hung Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same, and semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US6153510A. Автор: Yutaka Ishibashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-11-28.

Fabrication method for punch-through defect resistant semiconductor memory device

Номер патента: US6670253B2. Автор: Sang-Ho Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-30.

On-chip capacitors in semiconductor devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240213144A1. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Lei Xue. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Operation abnormality detection method, method for manufacturing resin container, operation abnormality detection device, device for manufacturing resin container, and device for manufacturing resin preform

Номер патента: EP4183549A4. Автор: YASUHIRO Hidaka,Terumasa Okada,Tatsuya Koshimizu. Владелец: Nissei ASB Machine Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Method for manufacturing nonvolatile semiconductor storage device and nonvolatile semiconductor storage device

Номер патента: US20130075687A1. Автор: Toshiharu Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-03-28.

Method for manufacturing nonvolatile semiconductor storage device and nonvolatile semiconductor storage device

Номер патента: US20140377932A1. Автор: Toshiharu Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-25.

Memory device and fabricating method thereof

Номер патента: US20170200724A1. Автор: Pu-Sung Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-13.

Methods of adjusting flatband voltage of a memory device

Номер патента: US09881932B2. Автор: Roy Meade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Memory device and fabricating method thereof

Номер патента: US09735161B2. Автор: Tieh-Chiang Wu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Memory device and fabricating method thereof

Номер патента: US09704872B1. Автор: Pu-Sung Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20190279878A1. Автор: FURUKAWA Shinichi. Владелец: Toshiba Memory Corporation. Дата публикации: 2019-09-12.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US10861707B2. Автор: Shinichi Furukawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-12-08.

Vertical interconnect structure, memory device and associated production method

Номер патента: US20110248234A1. Автор: Franz Kreupl,Harald Seidl,Martin Gutsche. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2011-10-13.

Vertical interconnect structure, memory device and associated production method

Номер патента: US20120305873A1. Автор: Franz Kreupl,Harald Seidl,Martin Gutsche. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-12-06.

Method for manufacturing a capacitor for semiconductor memory device

Номер патента: KR970008815B1. Автор: Hong-Sun Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1997-05-29.

METHOD FOR PRODUCING A PILLAR-SHAPED SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20190123053A1. Автор: MASUOKA Fujio,HARADA Nozomu. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-25.

CIRCUIT AND METHOD FOR ON-DIE TERMINATION, AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20140266299A1. Автор: SOHN Young-Soo,BAE Seung-Jun,SEOL Ho-Seok,SONG Ho-Sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-09-18.

Method for forming bit line of semiconductor memory device

Номер патента: KR100480573B1. Автор: 서강일. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-09-30.

Method for fabricating capacitor in ferroelectric semiconductor memory device

Номер патента: KR100427031B1. Автор: 최은석. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-04-17.

Method for manufacturing a three dimensional semiconductor memory device

Номер патента: KR101933665B1. Автор: 박광민,유동철,윤주미,장병현. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2018-12-31.

Method for fabricating cell gate of semiconductor memory device

Номер патента: KR100917056B1. Автор: 이중규. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2009-09-10.

Local databus precharge method for high speed operation of semiconductor memory device

Номер патента: KR20010005094A. Автор: 서정원. Владелец: 현대전자산업 주식회사. Дата публикации: 2001-01-15.

A method for forming contact plug in semiconductor memory device

Номер патента: KR20060036541A. Автор: 김재헌. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-05-02.

Method for manufacturing a capacitor in semiconductor memory device

Номер патента: KR970000532B1. Автор: 박승갑. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-01-13.

Method for fabricating a flat-cell semiconductor memory device

Номер патента: KR100371284B1. Автор: 다나까다까오. Владелец: 닛본 덴기 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2003-02-06.

Method for manufacturing a three dimensional semiconductor memory device

Номер патента: KR20120129284A. Автор: 박광민,유동철,윤주미,장병현. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2012-11-28.

Method for manufacturing ultra-highly integrated semiconductor memory device

Номер патента: JP3195618B2. Автор: 大濟 陳,泳雨 朴. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-08-06.

Method for fabricating a flat-cell semiconductor memory device

Номер патента: US6303463B1. Автор: Takao Tanaka. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-10-16.

Method for fabricating protection layer in semiconductor memory device

Номер патента: KR100260561B1. Автор: 장승현,신광식. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-11-01.

Method for producing an integrated ferroelectric semiconductor memory and integrated ferroelectric semiconductor memory

Номер патента: DE10112276C2. Автор: Matthias Kroenke,Volker Weinrich,Igor Kasko. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-02-06.

Method for producing a floating gate semiconductor memory device

Номер патента: EP2495762B1. Автор: Pieter Blomme,Gouri Sankar Kar,Antonio Cacciato. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-11-01.

Method for forming bit line of semiconductor memory device

Номер патента: KR20080113921A. Автор: 박찬하. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-12-31.

Method for forming isolation layer in semiconductor memory device

Номер патента: TW200610095A. Автор: Seung-Cheol Lee,Sang-Wook Park,Pil-Geun Song. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-03-16.

Method for testing memory cell in semiconductor memory

Номер патента: KR100526876B1. Автор: 모현선,손종필. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-11-09.

Selective etching using a hard mask and a method for forming an isolation structure of a memory device using the same

Номер патента: TW200814144A. Автор: Dae-Jin Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-03-16.

Methods for manufacturing ultrathin semiconductor channel three-dimensional memory devices

Номер патента: US09876025B2. Автор: Peter Rabkin,Johann Alsmeier,Masaaki Higashitani,Jayavel Pachamuthu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-23.

METHOD FOR FABRICATING ELECTRONIC DEVICES HAVING SEMICONDUCTOR MEMORY UNIT

Номер патента: US20150050794A1. Автор: KIM Jae-Heon,LEE Sung-Koo. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2015-02-19.

Method for fabricating electronic devices having semiconductor memory unit

Номер патента: US20140256103A1. Автор: Jung-Nam Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-09-11.

METHOD FOR FABRICATING ELECTRONIC DEVICES HAVING SEMICONDUCTOR MEMORY UNIT

Номер патента: US20160293486A1. Автор: Kim Jung-Nam. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-06.

Method for manufacturing capac itor in semiconductor memory divice

Номер патента: KR100587047B1. Автор: 김경민,이종민,조광준. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2006-06-07.

Method for manufacturing capac itor in semiconductor memory divice

Номер патента: KR20010108993A. Автор: 김경민,이종민,조광준. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-12-08.

Method for fabricating electronic devices having semiconductor memory unit

Номер патента: US9570680B2. Автор: Jae-Heon KIM,Sung-koo Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

METHOD FOR PRODUCING A READ-ONLY SEMICONDUCTOR MEMORY.

Номер патента: DE69007961T2. Автор: Kazunori Kanebako. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-08-18.

Method for manufacturing capacitor electrode of semiconductor memory cell

Номер патента: KR940010322A. Автор: 전영권. Владелец: 금성일렉트론 주식회사. Дата публикации: 1994-05-26.

Method for forming capacitor bearing plate, semiconductor memory and forming method thereof

Номер патента: CN112635462A. Автор: 杨城,蔡明蒲. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-04-09.

Circuit and Method for Supplying Voltage Source in Semiconductor Memory Apparatus

Номер патента: KR100776739B1. Автор: 손영철. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-11-19.

METHOD FOR PRODUCING A READ-ONLY SEMICONDUCTOR MEMORY.

Номер патента: DE69007961D1. Автор: Kazunori Kanebako. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-05-11.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20190027486A1. Автор: Chung-Jen Huang,Yun-Chi Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-24.

Method for contact size control for nand technology

Номер патента: US20010006847A1. Автор: Hao Fang,Mark Chang,John Wang,Angela Hui,Kent Chang,Kelwin Wai Ko. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2001-07-05.

Memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20170069762A1. Автор: Ling-Wuu Yang,Jeng-Hwa Liao,Jung-Yu Shieh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-09.

Memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210143170A1. Автор: Chih-Wei Hu,Yu-Wei Jiang,Jia-Rong Chiou. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-13.

Three-dimensional memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11778823B2. Автор: Hang-Ting Lue,Teng-Hao Yeh,Guan-Ru Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor structure, semiconductor structure for memory device and method for forming the same

Номер патента: US20240188278A1. Автор: Yukihiro Nagai. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Electro-optical apparatus and method for fabricating a film, semiconductor device and memory device at near atmospheric pressure

Номер патента: US6734119B2. Автор: Ramesh H. Kakkad. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-05-11.

Metal atom migration switching device, drive and manufacturing methods for the same, integrated circuit device and memory device using same

Номер патента: US8421049B2. Автор: Hiroshi Sunamura,Hisao Kawaura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2013-04-16.

Method for the manufacture of a non-volatile memory device and memory device thus obtained

Номер патента: CN1853267A. Автор: 罗贝尔图斯·T·F·范斯海克. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-10-25.

Methods of operating a memory device

Номер патента: US10424583B2. Автор: Tieh-Chiang Wu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-24.

Multi-division staircase structure of three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US20210351200A1. Автор: Yuting Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-11.

Methods of adjusting flatband voltage of a memory device

Номер патента: US20160225782A1. Автор: Roy Meade. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-04.

Stack capacitor of memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US8183614B2. Автор: Shin-Yu Nieh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-05-22.

Stack capacitor of memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20110147887A1. Автор: Shin-Yu Nieh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2011-06-23.

Stack capacitor of memory device and fabrication method thereof

Номер патента: US20120056301A1. Автор: Shin-Yu Nieh. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-03-08.

Conductive structure and method for forming the same, and non-volatile memory device including the conductive structure and method for forming the same

Номер патента: KR100890400B1. Автор: 박규찬,최병용,이충호. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2009-03-26.

Method for silver deposition for a non-volatile memory device

Номер патента: US9401475B1. Автор: Steven Patrick MAXWELL,Scott Brad Herner,Sung-Hyun JO. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2016-07-26.

Etch method for opening a source line in flash memory

Номер патента: US11778816B2. Автор: Ming Chyi Liu,Yong-Sheng Huang,Chih-Pin Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Etch method for opening a source line in flash memory

Номер патента: US20230363154A1. Автор: Ming Chyi Liu,Yong-Sheng Huang,Chih-Pin Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

STRUCTURE AND METHOD FOR FORMING PROGRAMMABLE HIGH-K/METAL GATE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130328136A1. Автор: Cheng Kangguo,Pei Chengwen,BOOTH,JR. ROGER A.,Kothandaraman Chandrasekara. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-12-12.

METHOD FOR FORMING GATE STRUCTURE OF THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE

Номер патента: US20190067323A1. Автор: Huo Zongliang,Xu Qiang,XIA Zhiliang,Shao Ming. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-02-28.

METHODS FOR MANUFACTURING ULTRATHIN SEMICONDUCTOR CHANNEL THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES

Номер патента: US20170110470A1. Автор: Alsmeier Johann,Rabkin Peter,Higashitani Masaaki,PACHAMUTHU Jayavel. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-20.

METHOD FOR FORMING CHANNEL HOLE IN THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICE USING NONCONFORMAL SACRIFICIAL LAYER

Номер патента: US20200119042A1. Автор: Wu Guanping,ZHU Hongbin,CHENG Weihua,Chen Baoyou,WANG Yu Qi,Huang Hai Hui,Huang Zhuqing. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-16.

METHOD FOR MANUFACTURING HIGH DENSITY MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY DEVICES USING DIAMOND LIKE CARBON HARD MASK

Номер патента: US20190207106A1. Автор: Pinarbasi Mustafa,CHIN Yuan-Tung,Dobisz Elizabeth A.,Boone Thomas D.,Jagtiani Girish. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-04.

Method for Forming Staircase Structure of Three-Dimensional Memory Device

Номер патента: US20200219894A1. Автор: Xu Jian,Xiao Li Hong,Li Sizhe,Tang Zhao Hui,Zhou Yu Ting,Li Zhaosong. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-07-09.

METHODS FOR FORMING CHANNEL STRUCTURES IN THREE-DIMENSIONAL MEMORY DEVICES

Номер патента: US20210257381A1. Автор: ZHU Hongbin,Zheng Xiaofen,Gu Lixun,Yi Hanwei. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-19.

SYSTEM AND METHOD FOR DATA COLLECTION AND EXCHANGE WITH PROTECTED MEMORY DEVICES

Номер патента: US20200251475A1. Автор: Widergren Robert D.,Boliek Martin,Hossenlopp Wayne. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-06.

SEMICONDUCTOR APPARATUS, METHOD FOR FABRICATING THE SAME, AND VARIABLE RESISTIVE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150325695A1. Автор: CHOI Kang Sik,SUH Jun Kyo. Владелец: . Дата публикации: 2015-11-12.

Method for Forming Staircase Structure of Three-Dimensional Memory Device

Номер патента: US20190326312A1. Автор: Jian Xu,Li Hong XIAO,Yu Ting ZHOU,Sizhe Li,Zhao Hui Tang,Zhaosong Li. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-24.

Method for forming capacitor of ferroelectric random access memory device

Номер патента: KR100321690B1. Автор: 유용식,권순용,염승진. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-03-08.

Method for forming gate electrode in non volatile memory device

Номер патента: KR100616193B1. Автор: 이병석. Владелец: 에스티마이크로일렉트로닉스 엔.브이.. Дата публикации: 2006-08-25.

method for manufacturing capacitors of the semiconductor of memory device

Номер патента: KR100621763B1. Автор: 김동현,박영훈,박영우,박원모. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-09-07.

Method for forming a bottom electrode of integrated memory device

Номер патента: KR100400247B1. Автор: 장민식,기영종. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-10-01.

Method for manufacturing split gate type non-volatile memory device

Номер патента: KR100660712B1. Автор: 이용준. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-12-21.

A method for forming a three dimensional non-volatile memory device

Номер патента: KR101757454B1. Автор: 이명범,신승목,최대헌,장경태,손연실. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2017-07-27.

A survival memory management method for a Viterbi decoder and a survival memory device therefor

Номер патента: KR970063964A. Автор: 최형진,조성배,정석진,이형길. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-09-12.

Method for forming source contact in NAND flash memory device

Номер патента: KR100799021B1. Автор: 정우영. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-01-28.

The Manufacturing Method for Oxide-Nitride-Oxide layers of flash memory device

Номер патента: KR100557216B1. Автор: 김재용. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2006-03-07.

method for manufacturing capacitors of the semiconductor of memory device

Номер патента: KR20010105760A. Автор: 김동현,박영훈,박영우,박원모. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-11-29.

Method for forming floating gate electrode of flash memory device

Номер патента: JP4567530B2. Автор: ▲オク▼ 玉 洪. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-10-20.

Method for forming floating gate of a flash memory device

Номер патента: KR100850108B1. Автор: 신용욱. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2008-08-04.

Method for forming a multi-bit non-volatile memory device

Номер патента: US7064030B2. Автор: Gowrishankar L. Chindalore,Jane A. Yater. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2006-06-20.

Method for fabricating a buried vertical split gate memory device with high coupling ratio

Номер патента: US6271088B1. Автор: De-Yuan Wu,Chih-Cheng Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-08-07.

Method for forming contact structure in three-dimensional memory device

Номер патента: CN111512439B. Автор: 王恩博,张富山,徐前兵,曾凡清,阳涵. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-31.

Method for forming contact structure in three-dimension memory device

Номер патента: TWI753433B. Автор: 徐前兵,曾凡清,陽涵,張富山,恩博 王. Владелец: 大陸商長江存儲科技有限責任公司. Дата публикации: 2022-01-21.

Method for fabricating capacitor of ferroelectric random access memory device

Номер патента: KR100333667B1. Автор: 권순용. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2002-04-24.

METHOD FOR MANUFACTURING A DUAL ONO-TYPE SONOS MEMORY DEVICE USING REVERSE SELF-ALIGNMENT PROCESSING

Номер патента: FR2853453A1. Автор: Yong Kyu Lee,Jeong Uk Han,Sung Taeg Kang,Jong Duk Lee,Byung Gook Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-10-08.

Blind detection method, method for sending signal, relevant device and system

Номер патента: EP3651505A4. Автор: YU Ding,NA Li,Kai Wu,Dajie Jiang,Fei Qin. Владелец: Vivo Mobile Communication Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-15.

Method for fabricating capacitor of dynamic random access memory device

Номер патента: KR20020094597A. Автор: 이성훈. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2002-12-18.

Verify read method for use in a nand-type flash memory device

Номер патента: KR20010092073A. Автор: 권석천,신덕준. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-10-24.

Method for manufacturing common source region of flash memory device

Номер патента: KR100419963B1. Автор: 고민경. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-02-26.

Method for producing a floating gate of flash memory device

Номер патента: KR20050014351A. Автор: 송정균. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-02-07.

Method for forming floating gate electrode in flush memory device

Номер патента: CN100431104C. Автор: 金载宪. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-11-05.

Method for forming floating gate array of flash memory device

Номер патента: KR100731088B1. Автор: 정진효. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2007-06-22.

Method for forming gate structure of three-dimensional memory device

Номер патента: WO2019037509A1. Автор: Zhiliang Xia,Qiang Xu,Zongliang Huo,Ming SHAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-02-28.

Method for fabricating vertical channel type non-volatile memory device

Номер патента: KR20110121938A. Автор: 이기홍,주문식,김범용. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-11-09.

Method for fabricating vertical channel type non-volatile memory device

Номер патента: US20110129992A1. Автор: Young-Kyun Jung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-02.

Method for forming channel hole in three-dimensional memory device using nonconformal sacrificial layer

Номер патента: EP3821465B1. Автор: GuanPing WU,Weihua Cheng,Hongbin Zhu,Baoyou Chen,Hai Hui Huang,Zhuqing Huang,Yu Qi Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-06.

Structure and method for forming programmable high-k/metal gate memory device

Номер патента: TW201044511A. Автор: Chandrasekharan Kothandaraman,Kang-Guo Cheng,Cheng-Wen Pei,Roger A Booth Jr. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2010-12-16.

Blind detection method, method for sending signal, relevant device and system

Номер патента: EP3651505B1. Автор: YU Ding,NA Li,Kai Wu,Dajie Jiang,Fei Qin. Владелец: Vivo Mobile Communication Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-20.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09627400B2. Автор: Kenji Koshiishi,Junji Kataoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150069491A1. Автор: Takamasa Usui,Yoshiaki Himeno,Jun Iijima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09589974B2. Автор: Takamasa Usui,Yoshiaki Himeno,Jun Iijima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150372003A1. Автор: Kotaro Noda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-24.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20140027836A1. Автор: Tadashi Iguchi,Ryota Katsumata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-01-30.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US7145200B2. Автор: Kazuo Saito,Shogo Takamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-12-05.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090014778A1. Автор: Keita Takahashi,Koichi Kawashima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-15.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US7791121B2. Автор: Keita Takahashi,Koichi Kawashima. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-09-07.

Nonvolatile semiconductor memory device and production method for the same

Номер патента: US20150048436A1. Автор: Masayuki Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Nonvolatile semiconductor memory device and production method for the same

Номер патента: US20120193699A1. Автор: Masayuki Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-02.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US9000504B2. Автор: Hideyuki Nishizawa,Koji Asakawa,Tsukasa Tada,Satoshi Mikoshiba,Shigeki Hattori,Hideaki Aochi,Reika Ichihara,Masaya Terai,Yoshiaki Fukuzumi,Hiroyuki Fuke. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-07.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US8633526B2. Автор: Hideyuki Nishizawa,Koji Asakawa,Tsukasa Tada,Satoshi Mikoshiba,Shigeki Hattori,Hideaki Aochi,Reika Ichihara,Masaya Terai,Yoshiaki Fukuzumi,Hiroyuki Fuke. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-01-21.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20130228850A1. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-05.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09978765B2. Автор: Keiichi SAWA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09450065B2. Автор: Hideyuki Nishizawa,Koji Asakawa,Tsukasa Tada,Satoshi Mikoshiba,Shigeki Hattori,Hideaki Aochi,Reika Ichihara,Masaya Terai,Yoshiaki Fukuzumi,Hiroyuki Fuke. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150041876A1. Автор: Toshihiko Iinuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-02-12.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US9601503B2. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US9318503B2. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-04-19.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US9312134B2. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-04-12.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US10418378B2. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US8653582B2. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-02-18.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US8541866B2. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-24.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8106445B2. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-01-31.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100084702A1. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-04-08.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210202263A1. Автор: Takashi Shimizu,Masaaki Higuchi,Takahiro Hirai,Takeshi SONEHARA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-07-01.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8836010B2. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-16.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20110001178A1. Автор: Masao Iwase,Tadahi Iguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-06.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120168851A1. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09941296B2. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120135593A1. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-05-31.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130228844A1. Автор: Satoshi Nagashima,Fumitaka Arai,Hisataka Meguro. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-05.

Nonvolatile semiconductor memory device comprising memory gate and peripheral gate having different thicknesses

Номер патента: US09530782B2. Автор: Shoichi Watanabe,Satoshi Nagashima,Kazunari TOYONAGA,Karin TAKAYAMA,Shotaro Murata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20210335816A1. Автор: Masayuki Tanaka,Akira Takashima,Kenichiro TORATAI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170271366A1. Автор: Gaku Sudo,Yumiko Miyano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150263014A1. Автор: Shoichi Watanabe,Satoshi Nagashima,Kazunari TOYONAGA,Karin TAKAYAMA,Shotaro Murata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20170263640A1. Автор: Masayuki Tanaka,Akira Takashima,Kenichiro TORATANI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Nonvolatile semiconductor memory device, semiconductor device and manufactoring method of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100171169A1. Автор: Isao Kamioka,Yoshio Ozawa,Daisuke Matsushita,Yuuichiro Mitani,Ryuji Ooba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-07-08.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20130292758A1. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-11-07.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120099374A1. Автор: Yasuhiko Matsunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-04-26.

Variable resistive element, method for producing the same, and nonvolatile semiconductor memory device including the variable resistive element

Номер патента: US20130285005A1. Автор: Yukio Tamai. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2013-10-31.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100301405A1. Автор: Shigeto Oota,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-02.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110287624A1. Автор: Hiroyuki Nitta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-11-24.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20160056166A1. Автор: Shosuke Fujii,Masahiro Kiyotoshi,Kiwamu Sakuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

Nonvolatile semiconductor memory device having electron scattering and electron accumulation capacities in charge accumulation layer

Номер патента: US09935122B2. Автор: Akira Takashima,Yasushi Nakasaki,Daisuke Matsushita,Tsunehiro Ino,Kenichiro TORATANI,Misako Morota. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09805927B2. Автор: Shosuke Fujii,Kiwamu Sakuma,Masumi SAITOH. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09786683B1. Автор: Kiwamu Sakuma,Keiji Ikeda,Masumi SAITOH. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09786678B2. Автор: Naoki Yasuda,Masaaki Higuchi,Katsuyuki Sekine,Masao Shingu,Hirokazu Ishigaki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20160260722A1. Автор: Hirofumi Inoue,Yasuyuki Baba,Kazuichi Komenaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-08.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7208801B2. Автор: Koichi Matsuno,Tadashi Iguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-04-24.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050265112A1. Автор: Koichi Matsuno,Tadashi Iguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-01.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20110241094A1. Автор: Mutsuo Morikado. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-10-06.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070148854A1. Автор: Koichi Matsuno,Tadashi Iguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-28.

Nonvolatile semiconductor memory device having word line hookup region with dummy word lines

Номер патента: US09620519B2. Автор: Hirofumi Inoue,Yasuyuki Baba,Kazuichi Komenaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09391086B1. Автор: Eiichi Soda,Kazunori HORIGUCHI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-07-12.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8779499B2. Автор: Masahiro Kiyotoshi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-07-15.

Nonvolatile semiconductor memory device provided with charge storage layer in memory cell

Номер патента: US20150228662A1. Автор: Masayuki Tanaka,Koji Nakahara,Kazuhiro Matsuo,Takeo Furuhata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-08-13.

Nonvolatile semiconductor memory device provided with charge storage layer in memory cell

Номер патента: US20110298039A1. Автор: Masayuki Tanaka,Koji Nakahara,Kazuhiro Matsuo,Takeo Furuhata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-12-08.

Nonvolatile semiconductor memory device provided with charge storage layer in memory cell

Номер патента: US20140239379A1. Автор: Masayuki Tanaka,Koji Nakahara,Kazuhiro Matsuo,Takeo Furuhata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-28.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US7518180B2. Автор: Masatoshi Arai,Keita Takahashi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-04-14.

Nonvolatile semiconductor memory device provided with charge storage layer in memory cell

Номер патента: US09450108B2. Автор: Masayuki Tanaka,Koji Nakahara,Kazuhiro Matsuo,Takeo Furuhata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130049098A1. Автор: Tatsuo Izumi,Tohru Ozaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-02-28.

Nonvolatile semiconductor memory and manufacturing method for the same

Номер патента: US20060255396A1. Автор: Akiko Nara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-11-16.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20060017121A1. Автор: Masatoshi Arai,Keita Takahashi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-26.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US7750394B2. Автор: Tatsuo Shimizu,Koichi Muraoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-07-06.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090065844A1. Автор: Toshihiko Iinuma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-12.

Nonvolatile semiconductor memory device, method of manufacturing the same, and method of measuring the same

Номер патента: US09548315B2. Автор: Tadashi Iguchi,Megumi Ishiduki,Yoshihiro Yanai,Yoichi MINEMURA,Takuya INATSUKA,Murato Kawai,Takuya MIZUTANI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160056164A1. Автор: Noriaki Mikasa,Ken Komiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100123184A1. Автор: Takashi Izumida,Nobutoshi Aoki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-05-20.

Nonvolatile semiconductor memory device and process for same

Номер патента: US20020089002A1. Автор: Satoshi Shimizu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-07-11.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030011025A1. Автор: Naoki Tsuji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-01-16.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120146128A1. Автор: Takashi Izumida,Nobutoshi Aoki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-14.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120139031A1. Автор: Takashi Izumida,Nobutoshi Aoki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-07.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160049414A1. Автор: Koichi Matsuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-18.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09837264B2. Автор: Hideto Takekida,Reiko SHAMOTO. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09502431B2. Автор: Kiwamu Sakuma,Daisuke Matsushita,Chika Tanaka,Masumi SAITOH,Kensuke Ota. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20090057753A1. Автор: Tsunehiro Ino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-03-05.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150091075A1. Автор: Katsuhiro Sato,Kazuhito Nishitani. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-02.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120043549A1. Автор: Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-23.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140061764A1. Автор: Akira Takashima,Daisuke Matsushita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

Nonvolatile semiconductor memory device comprising high concentration diffused region

Номер патента: US20040021167A1. Автор: Katsutoshi Saeki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-02-05.

Nonvolatile semiconductor memory device comprising high concentration diffused region

Номер патента: US6784482B2. Автор: Katsutoshi Saeki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-31.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20110073935A1. Автор: Yoshio Ozawa,Masaaki Higuchi,Akiko Sekihara,Tesuya Kai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-03-31.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20090236653A1. Автор: Yukie Nishikawa,Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Hirotaka Nishino,Shoko Kikuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-09-24.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140252453A1. Автор: Yoshio Ozawa,Masaaki Higuchi,Katsuyuki Sekine,Ryota Fujitsuka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09666694B2. Автор: Katsuhiro Sato,Kazuhito Nishitani. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09536898B2. Автор: Hideyuki Nishizawa,Koji Asakawa,Shigeki Hattori,Masaya Terai,Misako Morota. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Nonvolatile semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110217831A1. Автор: Takeshi Kikuchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-09-08.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130153980A1. Автор: Masashi Honda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-20.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20030127681A1. Автор: Naoki Tsuji,Naho Nishioka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-07-10.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20080087937A1. Автор: Yoshio Ozawa,Hiroshi Akahori,Wakako Takeuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030011024A1. Автор: Naho Nishioka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-01-16.

Nonvolatile semiconductor memory device including pillars buried inside through holes

Номер патента: US09859211B2. Автор: Takashi Maeda,Yoshihisa Iwata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09768380B2. Автор: Masahiro Kiyotoshi,Kiwamu Sakuma,Atsuhiro Kinoshita,Haruka KUSAI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Nonvolatile semiconductor memory device including pillars buried inside through holes same

Номер патента: US09412756B2. Автор: Takashi Maeda,Yoshihisa Iwata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Nonvolatile semiconductor memory transistor and method for manufacturing nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20120025291A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2012-02-02.

Nonvolatile semiconductor memory transistor and method for manufacturing nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20120025292A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2012-02-02.

Nonvolatile semiconductor memory transistor and method for manufacturing nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US8349688B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2013-01-08.

Nonvolatile semiconductor memory transistor and method for manufacturing nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20130252389A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2013-09-26.

Nonvolatile semiconductor memory transistor and method for manufacturing nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20150364608A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-12-17.

Nonvolatile semiconductor memory transistor and method for manufacturing nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US8471327B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2013-06-25.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120168845A1. Автор: Hiroaki Takasu. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2012-07-05.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20120086069A1. Автор: Tetsuya Kai,Yoshio Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-04-12.

Minority carrier sink for a memory cell array comprising nonvolatile semiconductor memory cells

Номер патента: US20080277717A1. Автор: Elard Stein Von Kamienski. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-11-13.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120153375A1. Автор: Hiroaki Takasu. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2012-06-21.

Manufacturing method for a semiconductor device

Номер патента: US11462627B2. Автор: Xiang Peng,Haoyu Chen,Qiwei Wang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-10-04.

Nonvolatile semiconductor memory with stable characteristic

Номер патента: US20050184333A1. Автор: Kenichiro Nakagawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-08-25.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20110312155A1. Автор: Masayuki Tanaka,Hirofumi IIKAWA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-12-22.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09590117B2. Автор: Naoki Yasuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Method of integrating volatile and non-volatile memory cells on the same substrate and a semiconductor memory device thereof

Номер патента: US20020197792A1. Автор: Louis Hsu,Carl Radens,Li-Kong Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-12-26.

Semiconductor memory device, method for fabricating semiconductor memory device, semiconductor integrated circuit and semiconductor memory integrated circuit

Номер патента: US20230209817A1. Автор: Kenichiro Kusano. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20060039175A1. Автор: Yoshinori Odake. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-23.

Semiconductor memory device and method for fabricating semiconductor memory device

Номер патента: US7821049B2. Автор: Hiroyuki Kanaya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-10-26.

Nonvolatile semiconductor memory capable of storing data of two bits or more per cell

Номер патента: US20060081891A1. Автор: Kenichirou Nakagawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-04-20.

Non-volatile semiconductor memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20020145155A1. Автор: Kenji Yamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-10-10.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09905571B2. Автор: Kiwamu Sakuma,Atsuhiro Kinoshita. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09564450B2. Автор: Kiwamu Sakuma,Atsuhiro Kinoshita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09508739B2. Автор: Naoki Yasuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor memory device with selection patterns, storage patterns, and a gap fill layer and method for fabricating the same

Номер патента: US11856794B2. Автор: Jae Ho Jung,Jong Uk Kim,Kwang Min Park,Zhe Wu,Ja Bin LEE,Dong Sung CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20220059615A1. Автор: Jae Ho Jung,Jong Uk Kim,Kwang Min Park,Zhe Wu,Ja Bin LEE,Dong Sung CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-24.

Semiconductor memory device and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20230307369A1. Автор: Susumu Hashimoto,Koichi Sakata,Shinya Arai,Keisuke Nakatsuka,Nobuhito Ichiki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Non-volatile semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US20020000603A1. Автор: Kiyohiko Sakakibara,Hirotada Kuriyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-01-03.

Vertical channel-type 3D semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09437609B2. Автор: Ming Liu,Zongliang Huo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-09-06.

Nonvolatile semiconductor memory and method of fabrication thereof

Номер патента: US20080048238A1. Автор: Masaru Seto. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-28.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020033495A1. Автор: Jeong-Seok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-03-21.

Method of making a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US5208175A. Автор: Jeong-Hyeok Choi,Geon-Su Kim,Yun-Seong Sin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1993-05-04.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240030040A1. Автор: Takashi Shimizu,Masaaki Higuchi,Takahiro Hirai,Takeshi SONEHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20120241843A1. Автор: Ryota Katsumata,Hiromitsu IINO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190139782A1. Автор: Takashi Shimizu,Masaaki Higuchi,Takahiro Hirai,Takeshi SONEHARA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200203180A1. Автор: Takashi Shimizu,Masaaki Higuchi,Takahiro Hirai,Takeshi SONEHARA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-06-25.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150060984A1. Автор: Hiroki Yamashita,Shun Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-05.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20120068244A1. Автор: Yoshiki Kato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-03-22.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200119092A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Chern-Yow Hsu,Sheng-Haung Haung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080105916A1. Автор: Hiroshi Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-05-08.

Semiconductor memory device and method for making the same

Номер патента: US20220384470A1. Автор: Chung-Te Lin,Sheng-Chih Lai,Yu-Wei Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020089037A1. Автор: Jeong-Seok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-07-11.

Semiconductor memory device and method for forming semiconductor memory device

Номер патента: US20240268097A1. Автор: PENG Guo,Yuanbao WANG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US12080791B2. Автор: Ki Seok Lee,Min Hee Cho,Min Su Lee,Sang Hoon Uhm,Min Tae RYU,Won Sok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Nonvolatile semiconductor storage device, and method of manufacturing the same nonvolatile semiconductor storage device

Номер патента: US20170069641A1. Автор: Ryota Suzuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030080374A1. Автор: Hajime Arai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-01.

Semiconductor memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240365532A1. Автор: Ji Ho Park,Tae Jin Park,Ki Seok Lee,Jun Soo Kim,Ho Sang LEE,Myeong-Dong LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor memory device and method for making the same

Номер патента: US12096624B2. Автор: Chung-Te Lin,Sheng-Chih Lai,Yu-Wei Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240371994A1. Автор: Ki Seok Lee,Min Hee Cho,Min Su Lee,Sang Hoon Uhm,Min Tae RYU,Won Sok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Three dimensional stacked nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US09437610B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150262932A1. Автор: Osamu Yamane,Tadashi Iguchi,Hiromitsu Mashita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150069492A1. Автор: Kotaro Fujii. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Semiconductor memory device and driving method for the same

Номер патента: US7948800B2. Автор: Keita Takahashi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-05-24.

Method for forming semiconductor memory device

Номер патента: US20240276704A1. Автор: Yifei Yan. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor memory device and driving method for the same

Номер патента: US20090185427A1. Автор: Keita Takahashi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-07-23.

Buried word line and connection pad for memory device

Номер патента: US8698233B2. Автор: Hyoung Soon Yune,Joo Hong Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-04-15.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09754888B2. Автор: Toshiyuki Sasaki,Kazuhito FURUMOTO. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Method for forming asymmetric flash EEPROM with a pocket to focus electron injections

Номер патента: US6130134A. Автор: Chia-Shing Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2000-10-10.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20200043940A1. Автор: Keiichi SAWA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-02-06.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20230354596A1. Автор: Keiichi SAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20170033118A1. Автор: Shosuke Fujii,Kiwamu Sakuma,Masumi SAITOH. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-02.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20140117434A1. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-05-01.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20110309318A1. Автор: Takuya Konno,Kazuhiko Yamamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-12-22.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US11792992B2. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20240008276A1. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20190348437A1. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-11-14.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150069497A1. Автор: Kiyohito Nishihara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20160190152A1. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Yoshimasa Mikajiri,Ryouhei KlRISAWA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-06-30.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150364489A1. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20220139955A1. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-05-05.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20180197878A1. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-07-12.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20200243560A1. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-07-30.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20170148815A1. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Yoshimasa Mikajiri,Ryouhei KlRISAWA,Shigeta OOTA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-25.

Semiconductor memory device and method for forming semiconductor memory device

Номер патента: US20240224499A1. Автор: PENG Guo,Yuanbao WANG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20060244025A1. Автор: Tomomi Yamanobe. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-02.

Method for fabricating a semiconductor memory device

Номер патента: US20030060002A1. Автор: Walter Hartner,Gerhard Enders,Rainer Bruchhaus,Volker Weinrich,Nicolas Nagel,Matthias Kronke,Thomas Mikolajick,Igor Kasko,Michael Rohner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-03-27.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US6489644B1. Автор: Jeong Min Seon. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-03.

Semiconductor memory device and method for fabricating thereof

Номер патента: US20210335798A1. Автор: Satoru Yamada,Hyun Cheol Kim,Yong Seok Kim,Kyung Hwan Lee,Jae Ho Hong,Sung Won YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-10-28.

Semiconductor memory device and method for fabricating thereof

Номер патента: US11711918B2. Автор: Satoru Yamada,Hyun Cheol Kim,Yong Seok Kim,Kyung Hwan Lee,Jae Ho Hong,Sung Won YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-25.

Method and structure of an auxiliary transistor arrangement used for fabricating a semiconductor memory device

Номер патента: US20050037564A1. Автор: Michael Sommer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-02-17.

Method of fabricating a nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US7205197B2. Автор: Katsuji Yoshida. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-17.

Semiconductor memory device having cylinder-type stacked capacitor and method for fabricating such a semiconductor memory device

Номер патента: US6873002B2. Автор: Nobuyuki Nishikawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-03-29.

Semiconductor memory device and method for forming the same

Номер патента: US20230164974A1. Автор: PENG Guo,Yuanbao WANG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Method for decreasing power consumption of semiconductor memory circuit and its semiconductor memory circuit

Номер патента: TW459242B. Автор: Bing-Wen Jung. Владелец: Megawin Technology Co Ltd. Дата публикации: 2001-10-11.

A method for forming insulating layer of semiconductor memory cells

Номер патента: KR970011752B1. Автор: Choong-Soo Han,Byung-Jin Cho. Владелец: Hyundai Electronics Ind. Дата публикации: 1997-07-15.

Three-dimensional phase-change memory devices and controlling method thereof

Номер патента: WO2024216434A1. Автор: Jianping Li,Xiaojun Sun,Zuqi DONG. Владелец: Yangtze Advanced Memory Industrial Innovation Center Co., Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

CIRCUIT AND METHOD FOR GENERATING PUMPING VOLTAGE IN SEMICONDUCTOR MEMORY APPARATUS AND SEMICONDUCTOR MEMORY APPARATUS USING THE SAME

Номер патента: US20120032724A1. Автор: KWON Jae Kwan. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-02-09.

APPARATUS AND METHOD FOR TRIMMING REFERENCE CELL IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130100734A1. Автор: KUO Chung-Shan. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology, Inc.. Дата публикации: 2013-04-25.

METHOD FOR REDUCING STANDBY CURRENT OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130294178A1. Автор: Tung Ming-Sheng. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc.. Дата публикации: 2013-11-07.

Method for fabricating metal oxide semiconductor transistor and memory device memory cell array thereof

Номер патента: TWI289907B. Автор: Chong-Jen Hwang. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-11.

Access control unit and method for use with synchronous dynamic random-access memory device

Номер патента: TWI236596B. Автор: Chang Cheng Yap. Владелец: RDC Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-21.

Method for fabricating metal oxide semiconductor transistor and memory device memory cell array thereof

Номер патента: TW200541019A. Автор: Chong-Jen Huang. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-16.

Access control unit and method for use with synchronous dynamic random-access memory device

Номер патента: TW200405169A. Автор: Chang Cheng Yap. Владелец: RDC Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-01.

SEMICONDUCTOR APPARATUS, METHOD FOR DELAYING SIGNAL THEREOF, STACKED SEMICONDUCTOR MEMORY APPARATUS, AND METHOD FOR GENERATING SIGNAL THEREOF

Номер патента: US20120105124A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-05-03.

Testing method for error detection correcting circuit semiconductor memory

Номер патента: JPS61226854A. Автор: Mitsuru Shimizu,Hidetake Fujii,Kenji Natori,満 清水,藤井　秀壮,名取　研二. Владелец: Toshiba Microelectronics Corp. Дата публикации: 1986-10-08.

MEMORY DEVICE CAPABLE OF OPERATION IN A BURN IN STRESS MODE, METHOD FOR PERFORMING BURN IN STRESS ON A MEMORY DEVICE, AND METHOD FOR DETECTING LEAKAGE CURRENT OF A MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120163107A1. Автор: Kuo Ming-Hong,Liu Shi-Huei,Chen Tzu-Hao,Yu Te-Yi. Владелец: . Дата публикации: 2012-06-28.

Memory device and method for selecting regional bit line in the memory device

Номер патента: CN103208302B. Автор: 洪硕男. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-15.

A method for obtaining a state information of a memory device, an electronic device, and a program of a memory storage program

Номер патента: TWI441187B. Автор: . Владелец: Universal Global Scient Ind Co. Дата публикации: 2014-06-11.

METHOD FOR PERFORMING META BLOCK MANAGEMENT, AND ASSOCIATED MEMORY DEVICE AND CONTROLLER THEREOF

Номер патента: US20120079169A1. Автор: Shen Yang-Chih. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-29.

METHOD FOR ENHANCING ERROR CORRECTION CAPABILITY, AND ASSOCIATED MEMORY DEVICE AND CONTROLLER THEREOF

Номер патента: US20120124450A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-05-17.

APPARATUS AND METHOD FOR DETECTING OVER-PROGRAMMING CONDITION IN MULTISTATE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120192018A1. Автор: . Владелец: ROUND ROCK RESEARCH, LLC. Дата публикации: 2012-07-26.

APPARATUS AND METHOD FOR MULTI-MODE OPERATION OF A FLASH MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120240012A1. Автор: Melik-Martirosian Ashot,WEATHERS Anthony D.,BARNDT Richard D.. Владелец: STEC, INC.. Дата публикации: 2012-09-20.

SYSTEM AND METHOD FOR THE RELAXATION OF STRESS IN PHASE MEMORY DEVICES

Номер патента: US20120273746A1. Автор: Agarwal Ritesh,Mitra Mukut,Jung Yeonwoong. Владелец: THE TRUSTEES OF THE UNIVERSITY OF PENNSYLVANIA. Дата публикации: 2012-11-01.

METHOD FOR PERFORMING HOST-DIRECTED OPERATIONS, AND ASSOCIATED MEMORY DEVICE AND CONTROLLER THEREOF

Номер патента: US20120278540A1. Автор: Ou Hsu-Ping,LIN MING-YEN. Владелец: . Дата публикации: 2012-11-01.

CIRCUIT AND METHOD FOR CONTROLLING LEAKAGE CURRENT IN RANDOM ACCESS MEMORY DEVICES

Номер патента: US20120287739A1. Автор: . Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc.. Дата публикации: 2012-11-15.

Methods for Forming Strained Channel Dynamic Random Access Memory Devices

Номер патента: US20120302032A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-11-29.

METHODS FOR PROGRAM VERIFYING A MEMORY CELL AND MEMORY DEVICES CONFIGURED TO PERFORM THE SAME

Номер патента: US20130033937A1. Автор: ARITOME Seiichi,Visconti Angelo,Beltrami Silvia,Wi Soojin,Compagnoni Christian Monzio,Spinelli Alessandro Sottocornola. Владелец: . Дата публикации: 2013-02-07.

APPARATUS AND METHOD FOR ROUNDED ONO FORMATION IN A FLASH MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140001534A1. Автор: FANG Shenqing,CHEN Tung-Sheng,Li Di,THURGATE Tim. Владелец: . Дата публикации: 2014-01-02.

System and Method for Providing Voltage Supply Protection in a Memory Device

Номер патента: US20140064011A1. Автор: Otterstedt Jan,Allers Wolf,Kern Thomas,Paparisto Edvin,Jefremow Mihail,Castro Leonardo. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-03-06.

Method for writing data, Memory Controller and memorizer memory devices

Номер патента: CN102446137B. Автор: 黄意翔. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2015-12-09.

Method for reducing errors incapable of being corrected, memory device and controller thereof

Номер патента: CN102141944A. Автор: 杨宗杰. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2011-08-03.

The method for writing data of storer and data memory device

Номер патента: CN102222044B. Автор: 萧惟益. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2015-09-02.

Method for writing data, Memory Controller and memorizer memory devices

Номер патента: CN103077124B. Автор: 陈庆聪,蔡来福. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2015-11-18.

A method for avoiding data error when a flash memory device executing copy back instruction

Номер патента: TW200622588A. Автор: Cheng-hui Yang,Chun-Yung Yang. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2006-07-01.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002469A1. Автор: IMAMOTO Akihiro,Abiko Naofumi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICE AND METHOD FOR DETECTING MOVEMENT OF OBJECT

Номер патента: US20120002842A1. Автор: MURASHITA Kimitaka,WATANABE Yuri,Fujimura Koichi. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR OPERATING RFID DEVICES ON SINGLE-USE CONNECTORS

Номер патента: US20120001731A1. Автор: . Владелец: GE HEALTHCARE BIOSCIENCE BIOPROCESS CORP.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

OPERATION METHODS FOR MEMORY CELL AND ARRAY FOR REDUCING PUNCH THROUGH LEAKAGE

Номер патента: US20120002484A1. Автор: Tsai Wen-Jer,HUANG JYUN-SIANG,OU TIEN-FAN,CHONG LIT-HO. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

TEST MODE CONTROL CIRCUIT IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND TEST MODE ENTERING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002494A1. Автор: Jo Jun-Ho,PARK Kyu-Min,KIM BYOUNGSUL,LEE Hakyong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Memory With Improved Block Switching

Номер патента: US20120002476A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Circuit and method for eliminating bit line leakage current in random access memory devices

Номер патента: US20120002496A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ILLUMINATION DEVICE AND METHOD FOR EMBEDDING DATA SYMBOLS IN A LUMINANCE OUTPUT

Номер патента: US20120002974A1. Автор: Wendt Matthias,Radermacher Harald Josef Günther,SCHENK Tim Corneel Wilhelmus,Kuppen Johan Wilhelmus Hermanus. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2012-01-05.

Current detection method

Номер патента: US20120002488A1. Автор: He Zhongbo. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEMS AND METHODS FOR CHARACTERIZING FAULT CLEARING DEVICES

Номер патента: US20120004867A1. Автор: . Владелец: ABB RESEARCH LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEMS AND METHODS FOR POWER LINE EVENT ZONE IDENTIFICATION

Номер патента: US20120004869A1. Автор: . Владелец: ABB RESEARCH LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

STRESS-ENGINEERED RESISTANCE-CHANGE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120001148A1. Автор: . Владелец: INTERMOLECULAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL IMAGE ACQUISITION APPARATUS HAVING ADAPTIVE OPTICS AND CONTROL METHOD FOR THE SAME

Номер патента: US20120002165A1. Автор: Saito Kenichi. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISH. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002457A1. Автор: KANDA Kazushige. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002472A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for concealed storage of confidential data in secure non-volatile memory and device therefor

Номер патента: RU2527758C2. Автор: Владимир Евгеньевич Мешков,Антон Валерьевич Семенов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "18 Центральный научно-исследовательский институт" Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2014-09-10.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002475A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002478A1. Автор: Isobe Katsuaki,Kojima Masatsugu. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002485A1. Автор: Ono Takashi,MARUYAMA Takafumi,NISHIKAWA Kazuyo,Suwa Hitoshi,Nitta Tadashi,Ueminami Masahiro. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002470A1. Автор: Honma Mitsuaki,Futatsuyama Takuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

TEST SIGNAL GENERATING DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY APPARATUS USING THE SAME AND MULTI-BIT TEST METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002491A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR USING ACCELEROMETER OUTPUTS TO CONTROL AN OBJECT ROTATING ON A DISPLAY

Номер патента: US20120004035A1. Автор: RABIN Steven. Владелец: NINTENDO CO., LTD. Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.