METHOD FOR DRIVING A NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE.

METHOD FOR DRIVING A NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130242662A1
Опубликовано: 19-09-2013
Автор(ы): Fujiki Jun
Принадлежит: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method for Operating a High Density Multi-Level Cell Non-Volatile Flash Memory Device

Номер патента: US20130155768A1. Автор: FENG Yan,YUE Xu,Xiaoli Ji,Ling Pu. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-06-20.

Method for writing into and reading a multi-levels EEPROM and corresponding memory device

Номер патента: US09899090B2. Автор: Francois Tailliet. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for writing into and reading a multi-levels EEPROM and corresponding memory device

Номер патента: US09711230B2. Автор: Francois Tailliet. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2017-07-18.

Non-volatile memory device and sensing method for forming the same

Номер патента: US8467223B2. Автор: Hee Bok Kang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-06-18.

Non-volatile memory device and sensing method for forming the same

Номер патента: US20120033478A1. Автор: Hee Bok Kang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-02-09.

Method for recording the number of times of program operation of nonvolatile memory device and nonvolatile memory device

Номер патента: KR101046743B1. Автор: 최정민,김남경. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-07-05.

Method for Writing into and Reading a Multi-Levels EEPROM and Corresponding Memory Device

Номер патента: US20150117116A1. Автор: Tailliet François. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-30.

METHOD FOR WRITING INTO AND READING A MULTI-LEVELS EEPROM AND CORRESPONDING MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170263320A1. Автор: Tailliet François. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-14.

Method for Addressing a Non-Volatile Memory on I2C Bus and Corresponding Memory Device

Номер патента: US20180301196A1. Автор: Francois Tailliet,Marc Battista. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2018-10-18.

Method for accessing flash memory module and associated flash memory controller and memory device

Номер патента: US10289487B2. Автор: Tsung-Chieh Yang,Hong-Jung Hsu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-05-14.

Programming method for nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140219029A1. Автор: Cheng-Hung Tsai. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2014-08-07.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050270845A1. Автор: Keita Takahashi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-08.

Nonvolatile semiconductor memory element, nonvolatile semiconductor memory, and method for operating nonvolatile semiconductor memory element

Номер патента: US09620653B2. Автор: Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Masao Shingu,Jun Fujiki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120206968A1. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09805798B2. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09530510B2. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US09484106B2. Автор: Katsuaki Matsui. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Nonvolatile semiconductor memory device including a memory cell array and a control circuit applying a reading voltage

Номер патента: US12068040B2. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Nonvolatile semiconductor memory device including a memory cell array and a control circuit applying a reading voltage

Номер патента: US20240347113A1. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Nonvolatile semiconductor memory device having a control circuit that controls voltage applied to non-selected word lines connected to unselected memory cells

Номер патента: US09947415B2. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09940031B2. Автор: Takuya Futatsuyama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Nonvolatile semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US09792983B2. Автор: Masaru Koyanagi,Yasuhiro HIRASHIMA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09612762B2. Автор: Takuya Futatsuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09472295B2. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Nonvolatile semiconductor memory device with read voltage setting controller

Номер патента: US09875804B2. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Nonvolatile semiconductor memory device with first and second read operations with different read voltages

Номер патента: US09691489B2. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09543020B2. Автор: Yuya Suzuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Nonvolatile semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US20100008143A1. Автор: Akira Umezawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-14.

Nonvolatile memory device

Номер патента: US20100135081A1. Автор: Shoichi Kawamura,Masahito Takehara. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-06-03.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for driving same

Номер патента: US7885106B2. Автор: Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Jun Fujiki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-02-08.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20240013821A1. Автор: Moon Soo Sung,Jeong Hwan Kim,Won Jae Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20210020249A1. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20200013466A1. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-01-09.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140286100A1. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-25.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20180308550A1. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-10-25.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20220262439A1. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20180005695A1. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-04.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20240153560A1. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US11915756B2. Автор: Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20200294595A1. Автор: Hidehiro Shiga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of rewriting data thereof

Номер патента: US20070183217A1. Автор: Yuji Uji,Katsutoshi Urabe. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-08-09.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US7755941B2. Автор: Toshiaki Kawasaki,Masanori Shirahama,Yasue Yamamoto,Yasuhiro Agata. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-07-13.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US7881106B2. Автор: Hiroshi Sukegawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-02-01.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120020154A1. Автор: Mitsuaki Honma,Yuko NAMIKI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-26.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of reusing same

Номер патента: US20120014178A1. Автор: Yuji Nagashima,Hiroyuki Tanikawa,Bunsho Kuramori. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-19.

Control method for nonvolatile memory device with vertically stacked structure

Номер патента: US9218853B2. Автор: Chrong-Jung Lin,Hsin-Wei Pan. Владелец: Lite On Technology Corp. Дата публикации: 2015-12-22.

Control method for nonvolatile memory device with vertically stacked structure

Номер патента: US20150187398A1. Автор: Chrong-Jung Lin,Hsin-Wei Pan. Владелец: Lite On IT Corp. Дата публикации: 2015-07-02.

Nonvolatile semiconductor memory device with concurrent memory access and data locking

Номер патента: US6469928B2. Автор: Hidekazu Takata. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2002-10-22.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20130229876A1. Автор: Hitoshi Iwai,Tomoki Higashi,Shinichi Oosera. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-05.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140313829A1. Автор: Hitoshi Iwai,Tomoki Higashi,Shinichi Oosera. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-10-23.

Nonvolatile memory device having connection unit for allowing precharging of bit lines in single step

Номер патента: US09653155B1. Автор: Ki-Chang Gwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: EP1143455A3. Автор: Hidekazu Takata. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-02-25.

Nonvolatile semiconductor memory device including a memory cell array and a control circuit applying a reading voltage

Номер патента: US20240005999A1. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Nonvolatile semiconductor memory device including a memory cell array and a control circuit applying a reading voltage

Номер патента: US11817155B2. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-14.

Nonvolatile semiconductor memory device and memory system having termination circuit with variable resistor

Номер патента: USRE49783E1. Автор: Masaru Koyanagi,Yasuhiro HIRASHIMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Nonvolatile semiconductor memory device, memory controller, and memory system

Номер патента: US20150049549A1. Автор: Norichika ASAOKA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US6154391A. Автор: Tomoharu Tanaka,Ken Takeuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-11-28.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20190287996A1. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Kunifumi Suzuki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120195121A1. Автор: Toshio Nomura,Kazuhiro Mizutani,Satoshi Torii,Masayoshi Asano,Ikuto Fukuoka,Motoi Takahashi,Hiroshi Mawatari. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-08-02.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20110280072A1. Автор: Toshio Nomura,Kazuhiro Mizutani,Satoshi Torii,Masayoshi Asano,Ikuto Fukuoka,Motoi Takahashi,Hiroshi Mawatari. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-11-17.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US10665605B2. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Kunifumi Suzuki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-05-26.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20160071603A1. Автор: Yasushi Nakajima,Yuki Yamamura,Kenri Nakai,Yuki KANAMORI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-10.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20130070532A1. Автор: Hidefumi Nawata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130175490A1. Автор: Shosuke Fujii,Masahiro Kiyotoshi,Kiwamu Sakuma,Masumi SAITOH,Haruka KUSAI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-07-11.

Nonvolatile semiconductor memory device having multi-level memory cells and page buffer used therefor

Номер патента: US20070195636A1. Автор: Ho Jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-23.

Three-dimensional structured memory devices

Номер патента: US20170294447A1. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,Jin Ho Bin,II Young Kwon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-12.

Nonvolatile semiconductor storage device and method for performing a read operation on the same

Номер патента: US11232843B2. Автор: Takashi Maeda,Hidehiro Shiga. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-01-25.

Three-dimensional structured memory devices

Номер патента: US10847533B2. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,Il Young Kwon,Jin Ho Bin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-24.

Three-dimensional structured memory devices

Номер патента: US10096617B2. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,Il Young Kwon,Jin Ho Bin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-09.

Three-dimensional structured memory devices

Номер патента: US9691785B2. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,Il Young Kwon,Jin Ho Bin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Nonvolatile memory device, semiconductor device, and method for operating semiconductor device

Номер патента: US09761291B2. Автор: Byoung-In Joo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Three-dimensional structured memory devices

Номер патента: US09691785B2. Автор: Ki Hong Lee,Seung Ho Pyi,Il Young Kwon,Jin Ho Bin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US5379262A. Автор: Yoshiyuki Tanaka,Yutaka Okamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1995-01-03.

Nonvolatile semiconductor memory device with advanced multi-page program operation

Номер патента: US20130003455A1. Автор: Young-Ho Lim,Dong-Hyuk Chae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-01-03.

Nonvolatile semiconductor memory device and data writing method

Номер патента: US20120230133A1. Автор: Katsuaki Matsui,Junya Ogawa. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-13.

Semiconductor memory device and verification method for input data

Номер патента: US20170256322A1. Автор: Hidemitsu Kojima. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Flash memory device

Номер патента: US09966133B2. Автор: Hong Beom Pyeon,Jin-Ki Kim,Hakjune Oh. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor memory device and verification method for input data

Номер патента: US09842656B2. Автор: Hidemitsu Kojima. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Method and system for accessing a flash memory device

Номер патента: US09836227B2. Автор: Hong Beom Pyeon,Jin-Ki Kim. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Nonvolatile memory system, semiconductor memory, and writing method

Номер патента: US7283399B2. Автор: Shooji Kubono,Osamu Tsuchiya,Hitoshi Miwa,Tatsuya Ishii. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-10-16.

Nonvolatile semiconductor storage device

Номер патента: US10784275B1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-22.

Non-volatile semiconductor memory device and improved verification and programming method for the same

Номер патента: US09646701B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Memory system including nonvolatile memory and memory controller and programming method for programming data into nonvolatile memory

Номер патента: US09607688B2. Автор: Donghun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

Nonvolatile semiconductor memory system with a plurality of erase blocks

Номер патента: US5465236A. Автор: Kiyomi Naruke. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1995-11-07.

Nonvolatile semiconductor memory apparatus comprising charge accumulation layer and control gate

Номер патента: US20100271882A1. Автор: Yoshiaki Takeuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-10-28.

Semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20150262656A1. Автор: Yasuhiro Shimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20070236985A1. Автор: Haruki Toda,Toshiaki Edahiro. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-10-11.

Nonvolatile memory device and program method thereof

Номер патента: US20160358657A1. Автор: Jinwoo Kim,Youngjin Cho,Seong Yeon Kim,Hyo-Deok Shin,Younggeun LEE,Jaegeun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-08.

Non-volatile multi-level semiconductor flash memory device and method of driving same

Номер патента: US20030214850A1. Автор: Naoki Yamada,Hiroshi Sato,Kazuyuki Miyazawa,Tetsuya Tsujikawa. Владелец: Tetsuya Tsujikawa. Дата публикации: 2003-11-20.

Non-volatile multi-level, semiconductor flash memory device and method of driving same

Номер патента: US20050013167A1. Автор: Naoki Yamada,Hiroshi Sato,Kazuyuki Miyazawa,Tetsuya Tsujikawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

Semiconductor memory device and related method of programming

Номер патента: US20100259993A1. Автор: Sang Gu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-10-14.

Semiconductor memory device and related method of programming

Номер патента: US20120120731A1. Автор: Sang Gu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-05-17.

Nonvolatile memory device, storage device including nonvolatile memory device, and operating method of storage device

Номер патента: US20240321366A1. Автор: Kun-Woo Song,Jonghwa Kim,Kyungyong Jeoung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Nonvolatile memory device and program method thereof

Номер патента: US09799402B2. Автор: Jinwoo Kim,Youngjin Cho,Seong Yeon Kim,Hyo-Deok Shin,Younggeun LEE,Jaegeun PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20240321360A1. Автор: Masaru Koyanagi,Yasuhiro HIRASHIMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Nonvolatile memory device including page buffer and method for verifying program operation thereof

Номер патента: US09870833B2. Автор: Sang-Won Shim,Bongsoon LIM,Seokmin Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-16.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09558837B2. Автор: Yoshikazu Harada,Masahiro Yoshihara,Akio SUGAHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Nonvolatile memory device and method of writing data in nonvolatile memory device

Номер патента: US09524782B2. Автор: Ki-hwan Choi,Oh-Suk Kwon,Ji-Sang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-20.

Method for determining programming voltage of nonvolatile memory

Номер патента: US20060083067A1. Автор: Naoki Ueda. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-04-20.

Method for erasing memory cells in a nonvolatile memory

Номер патента: US6507522B2. Автор: Joon-Sung Lee,Seung-Keun Lee,Yun-Heub Song,Chan-jo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-01-14.

Method for reducing an erase memory operation time in a non-volatile memory device and corresponding non-volatile memory device

Номер патента: EP3330969B1. Автор: Francesco La Rosa,Gianbattista Lo Giudice,Giovanni Matranga,Francesca Grande. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2020-03-11.

Erase method for preventing an over-erase of a memory cell and flash memory device using the same

Номер патента: KR100381954B1. Автор: 이준,임영호. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2003-04-26.

A system and method for erase voltage control during multiple sector erase of a flash memory device

Номер патента: WO2004013864A1. Автор: Edward V. Bautista, Jr.,Ken Cheong Cheah,Weng Fook Lee. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc. Дата публикации: 2004-02-12.

Method for performing memory access management with aid of machine learning in memory device, associated memory device and controller thereof, and associated electronic device

Номер патента: US20190347573A1. Автор: Po-Yi Shih. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150357042A1. Автор: Kenji Sawamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-10.

Pumping voltage generating circuit in nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20060098487A1. Автор: Hui-Kwon Seo,Woo-Il Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-11.

Nonvolatile memory device and method for driving the same

Номер патента: US09401215B2. Автор: Bong-Kil Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-26.

Nonvolatile semiconductor memory device with a plurality of memory blocks and a shared block decoder

Номер патента: US12062393B2. Автор: Gou FUKANO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of operating the same

Номер патента: US20140362643A1. Автор: Naoki Yasuda,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-11.

Nonvolatile semiconductor memory device which performs improved erase operation

Номер патента: US12080354B2. Автор: Noboru Shibata,Jun Nakai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Nonvolatile semiconductor memory device which performs improved erase operation

Номер патента: US09754672B2. Автор: Noboru Shibata,Jun Nakai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Nonvolatile semiconductor memory device which performs improved erase operation

Номер патента: US09437308B2. Автор: Noboru Shibata,Jun Nakai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Nonvolatile semiconductor memory device achieving shorter erasure time

Номер патента: US20020141243A1. Автор: Yasuhiko Tanuma,Takayuki Yoneda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-10-03.

Semiconductor device, semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20150294736A1. Автор: Young-Bo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-10-15.

Method of erasing data of nonvolatile semiconductor memory unit

Номер патента: US20040125656A1. Автор: Tomoshi Futatsuya,Takashi Hayasaka,Shinichi Mizoguchi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-07-01.

Method of erasing data of nonvolatile semiconductor memory unit

Номер патента: US6831864B2. Автор: Tomoshi Futatsuya,Takashi Hayasaka,Shinichi Mizoguchi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-12-14.

Reduced size semiconductor device and method for manufacture thereof

Номер патента: US09424926B2. Автор: Kuan Fu Chen,Ya Jui Lee. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Method for erasing and verifying nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US5400287A. Автор: Keisuke Fuchigami. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-03-21.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150049551A1. Автор: Kenji Sawamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Nonvolatile semiconductor memory device capable of erasing by a word line unit

Номер патента: US5402382A. Автор: Shinichi Kobayashi,Yasushi Terada,Takeshi Nakayama,Yoshikazu Miyawaki,Tomoshi Futatsuya. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-03-28.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US09412454B2. Автор: Kunihiro Yamada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20170229181A1. Автор: Gou FUKANO. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100329033A1. Автор: Takeshi Kamigaichi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-12-30.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150262672A1. Автор: Ryo Fukuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and a method of word lines thereof

Номер патента: US7313027B2. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-12-25.

Nonvolatile semiconductor memory device which performs improved erase operation

Номер патента: US20200273524A1. Автор: Noboru Shibata,Jun Nakai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-08-27.

Nonvolatile semiconductor memory device which performs improved erase operation

Номер патента: US20150213899A1. Автор: Noboru Shibata,Jun Nakai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-07-30.

Nonvolatile semiconductor memory device which performs improved erase operation

Номер патента: US20170330629A1. Автор: Noboru Shibata,Jun Nakai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-16.

Nonvolatile semiconductor memory device which performs improved erase operation

Номер патента: US20160365153A1. Автор: Noboru Shibata,Jun Nakai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-15.

Nonvolatile semiconductor memory device which performs improved erase operation

Номер патента: US20190074064A1. Автор: Noboru Shibata,Jun Nakai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-07.

Nonvolatile semiconductor memory device which performs improved erase operation

Номер патента: US20230260577A1. Автор: Noboru Shibata,Jun Nakai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150023109A1. Автор: Cheng-Hung Tsai. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2015-01-22.

Non-volatile semiconductor memory device and erase method thereof

Номер патента: US09779830B2. Автор: Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Nonvolatile memory device and method for driving the same

Номер патента: US20160035428A1. Автор: Bong-Kil Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-04.

Data erasure device for erasing data from non-volatile semiconductor memory device and method for manufacturing non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20190325967A1. Автор: Yoshiaki Nakayama,Koichi Yako. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

Semiconductor memory device and method for writing data into the semiconductor memory device

Номер патента: US20070064499A1. Автор: Thomas Kern,Luca Ambroggi. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2007-03-22.

Semiconductor memory device storing management data redundantly in different pages

Номер патента: US09627077B2. Автор: Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US5617353A. Автор: Kang-Deog Suh,Young-Ho Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1997-04-01.

Apparatuses and methods for error correction coding and data bus inversion for semiconductor memories

Номер патента: WO2020055731A1. Автор: Atsushi Shimizu,Jongtae Kwak,Yoshiro Riho,Sang-Kyun Park. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-03-19.

Method for testing a multiplicity of word lines of a semiconductor memory configuration

Номер патента: US6370069B2. Автор: Helmut Schneider,Joachim Schnabel,Eckhard Brass,Thilo Schaffroth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-04-09.

Methods for enlarging the memory window and improving data retention in resistive memory device

Номер патента: US12040019B2. Автор: Fu-Chen Chang,Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu,Chu-Jie HUANG,Nai-Chao Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Control circuit and method for controlling a data line switching circuit in a semiconductor memory device

Номер патента: US5654936A. Автор: Ho-Yeol Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1997-08-05.

Apparatuses and methods for providing internal clock signals of different clock frequencies in a memory device

Номер патента: US09818462B1. Автор: Jens Polney. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

System and method for performing partial array self-refresh operation in a semiconductor memory device

Номер патента: US20020191466A1. Автор: Jong-Hyun Choi,Hyun-Soon Jang,Hyong-Ryol Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-12-19.

Apparatuses and methods for error correction coding and data bus inversion for semiconductor memories

Номер патента: US20200409786A1. Автор: Atsushi Shimizu,Jongtae Kwak,Yoshiro Riho,Sang-Kyun Park. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-31.

Apparatuses and methods for error correction coding and data bus inversion for semiconductor memories

Номер патента: US20200081769A1. Автор: Atsushi Shimizu,Jongtae Kwak,Yoshiro Riho,Sang-Kyun Park. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-03-12.

Methods for generating notifications for updated information from mode registers of a memory device to a host and memory devices and systems employing the same

Номер патента: US11977770B2. Автор: Frank F. Ross. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-05-07.

Methods for enlarging the memory window and improving data retention in restistive memory device

Номер патента: US20230274780A1. Автор: Fu-Chen Chang,Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu,Chu-Jie HUANG,Nai-Chao Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Method and device for fast addressing redundant columns in a nonvolatile memory

Номер патента: US6310801B1. Автор: Ignazio Martines,Michele La Placa,Carmelo Condemi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2001-10-30.

Regulation method for the source voltage in a nonvolatile memory cell during programming and corresponding program circuit

Номер патента: EP1331644A3. Автор: Rino Micheloni,Maria Motta. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2004-02-04.

Semiconductor plug protected by protective dielectric layer in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: EP4362624A3. Автор: Yong Zhang,Fushan Zhang,Enbo Wang,Haohao YANG,Ruo Fang ZHANG,Qianbing Xu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

Sense operation flags in a memory device

Номер патента: US09519582B2. Автор: Mark A. Helm,Shafqat Ahmed,Krishna Parat,Pranav Kalavade,Aaron Yip,Andrew Bicksler,Khaled Hasnat. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Method for generating reference current signals for sense amplifiers for semiconductor memory cells and generator thereto

Номер патента: DE60307606D1. Автор: Daniele Vimercati,Efrem Bolandrina,Stefan Schippers. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2006-09-28.

Semiconductor plug protected by protective dielectric layer in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US10714493B2. Автор: Yong Zhang,Fushan Zhang,Enbo Wang,Haohao YANG,Ruo Fang ZHANG,Qianbin Xu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-14.

Sense operation flags in a memory device

Номер патента: US20150363313A1. Автор: Mark A. Helm,Shafqat Ahmed,Krishna Parat,Pranav Kalavade,Aaron Yip,Andrew Bicksler,Khaled Hasnat. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-12-17.

Memory stacks having silicon oxynitride gate-to-gate dielectric layers and methods for forming the same

Номер патента: US20200312867A1. Автор: Li Hong XIAO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Semiconductor plug protected by protective dielectric layer in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: EP4362624A2. Автор: Yong Zhang,Fushan Zhang,Enbo Wang,Haohao YANG,Ruo Fang ZHANG,Qianbing Xu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-01.

METHOD FOR PERFORMING MEMORY ACCESS MANAGEMENT WITH AID OF MACHINE LEARNING IN MEMORY DEVICE, ASSOCIATED MEMORY DEVICE AND CONTROLLER THEREOF, AND ASSOCIATED ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20190347573A1. Автор: SHIH Po-Yi. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-14.

Apparatus and method for optimization for improved performance and enhanced lifetime of hybrid flash memory devices

Номер патента: KR101480424B1. Автор: 이동희,노삼혁,최종무,오용석. Владелец: 서울시립대학교 산학협력단. Дата публикации: 2015-01-13.

Methods for distributing log block associativity for real-time system and flash memory devices performing the same

Номер патента: US8261010B2. Автор: Hyun-Jin Cho,Dong-Kun Shin,Young-Ik EOM. Владелец: Sungkyunkwan University Foundation For Corporate Collaboration. Дата публикации: 2012-09-04.

Methods for distributing log block associativity for real-time system and flash memory devices performing the same

Номер патента: US20100169544A1. Автор: Hyun-Jin Cho,Dong-Kun Shin,Young-Ik EOM. Владелец: Sungkyunkwan University Foundation For Corporate Collaboration. Дата публикации: 2010-07-01.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20100080065A1. Автор: Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Jun Fujiki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-04-01.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for driving same

Номер патента: USRE46785E1. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Memory system performing read of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09767913B2. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09748260B2. Автор: Akihiro Nitayama,Masaru Kito,Mitsuru Sato,Yasuyuki Matsuoka,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Nonvolatile semiconductor memory device and verification control method for the same

Номер патента: US20130176791A1. Автор: Mitsuharu Sakakibara. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-07-11.

Nonvolatile semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US9899095B2. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Nonvolatile Semiconductor Memory Device

Номер патента: US20100149875A1. Автор: Yoshiki Kawajiri,Natsuo Ajika,Masaaki Mihara,Shoji Shukuri. Владелец: Genusion Inc. Дата публикации: 2010-06-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and overerase correction method

Номер патента: EP1316965A9. Автор: Makoto Yamamoto,Susumu Takeuchi,Kiyohiko Sakakibara,Yukio Nakamoto,Kunio Tani,Tomohisa c/o Mitsubishi Electric Engineering Iba. Владелец: Mitsubishi Electric Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-01.

Multi-level type nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20020145161A1. Автор: Yasuo Sato,Hirotomo Miura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-10.

Programming method of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US6636437B2. Автор: Takashi Kobayashi,Hideaki Kurata,Katsutaka Kimura,Naoki Kobayashi,Shunichi Saeki. Владелец: Hitachi Device Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-21.

Programming method of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20030026146A1. Автор: Takashi Kobayashi,Hideaki Kurata,Katsutaka Kimura,Naoki Kobayashi,Shunichi Saeki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-06.

Method for driving nonvolatile memory device

Номер патента: US09684552B2. Автор: Eun-Hye PARK,Jun-Ho Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-20.

Programming method of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20040052114A1. Автор: Takashi Kobayashi,Hideaki Kurata,Katsutaka Kimura,Naoki Kobayashi,Shunichi Saeki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-03-18.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for driving same

Номер патента: US20130135938A1. Автор: Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Jun Fujiki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-05-30.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20040125657A1. Автор: Hidenori Mitani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-07-01.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US6885588B2. Автор: Hidenori Mitani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-04-26.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110049609A1. Автор: Takaaki Nagai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-03-03.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for driving same

Номер патента: US8218358B2. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-10.

Nonvolatile semiconductor memory and fabrication method for the same

Номер патента: US20120037976A1. Автор: Yasuhiko Matsunaga,Masayuki Ichige,Fumitaka Arai,Atsuhiro Sato,Kikuko Sugimae. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-02-16.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140098612A1. Автор: Koji Hosono,Toshifumi Shano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-04-10.

Nonvolatile semiconductor memory and fabrication method for the same

Номер патента: US20070109848A1. Автор: Yasuhiko Matsunaga,Masayuki Ichige,Fumitaka Arai,Atsuhiro Sato,Kikuko Sugimae. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-05-17.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20080198667A1. Автор: Takuya Futatsuyama,Yoshikazu HOSOMURA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-08-21.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150262689A1. Автор: Hiroyasu Tanaka,Takuya Futatsuyama,Toshifumi Hashimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US9449708B2. Автор: Ryota Hirai,Yasuhiro Shiino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US9406395B1. Автор: Masahiro Hosoya,Tomoyuki Hamano,Takuyo Kodama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Apparatus and method of programming and verification for a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09672926B2. Автор: Masashi Yoshida,Yasuhiro Shiino,Eietsu Takahashi,Nobushi Matsuura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8274845B2. Автор: Katsumi Abe,Masahiro Yoshihara,Masaru Koyanagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-25.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100309733A1. Автор: Katsumi Abe,Masahiro Yoshihara,Masaru Koyanagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-12-09.

Method for writing data of a first memory cell transistor of a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US11903207B2. Автор: Akihiro Nitayama,Masaru Kito,Mitsuru Sato,Yasuyuki Matsuoka,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Method for reading data of a first memory cell transistor of a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US11903205B2. Автор: Akihiro Nitayama,Masaru Kito,Mitsuru Sato,Yasuyuki Matsuoka,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Nonvolatile semiconductor memory device detecting sign of data transformation

Номер патента: US20020105832A1. Автор: Yukitoshi Kawakami. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-08-08.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070076482A1. Автор: Juri Kato. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-04-05.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09548373B2. Автор: Hideyuki Nishizawa,Koji Asakawa,Tsukasa Tada,Shigeki Hattori,Masaya Terai,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20090168527A1. Автор: Makoto Hamada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-02.

Semiconductor memory device

Номер патента: US7532519B2. Автор: Toshio Mukunoki. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-05-12.

Nonvolatile semiconductor memory capable of generating read-mode reference current and verify-mode reference current from the same reference cell

Номер патента: US20040062072A1. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-01.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20100246256A1. Автор: Kenji Sawamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-09-30.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: EP2308084A1. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-04-13.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20080137434A1. Автор: Toshio Mukunoki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-12.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20060250841A1. Автор: Toshio Mukunoki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US7333368B2. Автор: Toshio Mukunoki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-19.

Semiconductor storage device having nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US09946472B2. Автор: Takashi Tsunehiro,Akifumi Suzuki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20040129986A1. Автор: Takashi Kobayashi,Yoshihiro Ikeda,Kenji Kanamitsu,Yoshitaka Sasago,Tsuyoshi Arigane. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-07-08.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240138150A1. Автор: Akihiro Nitayama,Masaru Kito,Mitsuru Sato,Yasuyuki Matsuoka,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US8228737B2. Автор: Ryouhei Kirisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-24.

Nonvolatile semiconductor memory apparatus

Номер патента: US20140098609A1. Автор: Naoya Tokiwa,Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-04-10.

Non-volatile semiconductor memory and erasing method thereof

Номер патента: US09870828B2. Автор: Riichiro Shirota,Katsutoshi Suito. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Nonvolatile semiconductor memory apparatus

Номер патента: US09502116B2. Автор: Naoya Tokiwa,Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Method and apparatus to repair defects in nonvolatile semiconductor memory devices

Номер патента: WO2009032928A2. Автор: Ming Li,Gary B. Bronner,Kevin S. Donnelly,Frederick Ware,Donald R. Mullen. Владелец: RAMBUS INC.. Дата публикации: 2009-03-12.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US6888751B2. Автор: Hideo Kasai,Akihiro Fujita,Kiichi Makuta,Masashii Wada,Atsushi Toukairin. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-05-03.

Nonvolatile semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US20150380100A1. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-31.

Nonvolatile semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US9536615B2. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Nonvolatile semiconductor memory device and control method thereof

Номер патента: US9165651B2. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-20.

Nonvolatile semiconductor memory with transistor whose gate electrode has bird's beak

Номер патента: US20070012990A1. Автор: Kanji Osari. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-18.

Nonvolatile semiconductor memory and programming methods thereof

Номер патента: US20030178669A1. Автор: Yuichi Kunori. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2003-09-25.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US6157061A. Автор: Masato Kawata. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-12-05.

Nonvolatile Semiconductor Memory

Номер патента: US20080043539A1. Автор: Bunsho Kuramori. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-21.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20120239984A1. Автор: Norihiro Fujita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-09-20.

Electrically programmable and electrically erasable semiconductor memory device

Номер патента: US20040223372A1. Автор: Hiroshi Iwata,Akihide Shibata,Masaru Nawaki,Nobuaki Matsuoka,Yoshinao Morikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-11-11.

Nonvolatile semiconductor memory device with readout test circuitry

Номер патента: US4819212A. Автор: Isao Sato,Hiroshi Iwahashi,Masamichi Asano,Hiroto Nakai,Shigeru Kumagai,Kazuto Suzuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1989-04-04.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100149867A1. Автор: Hiroaki Tanaka,Hitoshi Shiga. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-17.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20130077405A1. Автор: Koji KATO,Kazuhide Yoneya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-03-28.

Nonvolatile semiconductor memory and a fabrication method thereof

Номер патента: US20060131638A1. Автор: Atsuhiro Sato,Makoto Sakuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-06-22.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US8300474B2. Автор: Norihiro Fujita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-10-30.

Nonvolatile memory device and calibration method for the same

Номер патента: US09972400B1. Автор: Albert Lee,Kang-Lung Wang,Hochul Lee. Владелец: Inston Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Systems and methods for driving a control gate with a select gate signal in a split-gate nonvolatile memory cell

Номер патента: US09449703B1. Автор: Jon S. Choy,Anirban Roy. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-20.

Memory system and method for measuring capacitance value

Номер патента: US11380407B2. Автор: Hiroki Yamasaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-07-05.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US9252291B2. Автор: Naoki Yasuda,Daisuke Matsushita,Jun Fujiki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-02.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8817542B2. Автор: Koji KATO,Kazuhide Yoneya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-26.

Memory system and method for measuring capacitance value

Номер патента: US20220084604A1. Автор: Hiroki Yamasaki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Control arrangements and methods for accessing block oriented nonvolatile memory

Номер патента: US09489302B2. Автор: Stephen P. Van Aken. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US4831592A. Автор: Isao Sato,Hiroshi Iwahashi,Masamichi Asano,Hiroto Nakai,Shigeru Kumagai,Kazuto Suzuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1989-05-16.

Nonvolatile semiconductor memory device with a plurality of memory blocks and a shared block decoder

Номер патента: US20190206493A1. Автор: Gou FUKANO. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-07-04.

Nonvolatile semiconductor memory device with a plurality of memory blocks and a shared block decoder

Номер патента: US20200160912A1. Автор: Gou FUKANO. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Nonvolatile semiconductor memory device including at least one memory block and allowing the number of selection signals to be reduced

Номер патента: US9666284B2. Автор: Gou FUKANO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Nonvolatile semiconductor memory, and method for reading data

Номер патента: US20100118609A1. Автор: Masahiko Kashimura. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-05-13.

Nonvolatile semiconductor memory device, electronic card and electronic apparatus

Номер патента: US20050105334A1. Автор: Takuya Futatsuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-05-19.

Nonvolatile semiconductor memory device with block decoder

Номер патента: US9368213B2. Автор: Gou FUKANO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-06-14.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20160322369A1. Автор: Noboru Shibata,Hiroshi Sukegawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-03.

Nonvolatile semiconductor memory device having a column decoder with multiple data bus portions connected via a switch

Номер патента: US9001582B2. Автор: Naofumi ABIKO,Tomofumi FUJIMURA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-07.

Test circuit, nonvolatile semiconductor memory appratus using the same, and test method

Номер патента: US20110128805A1. Автор: Jung Hyuk YOON,Yoon Jae Shin. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-02.

Nonvolatile semiconductor memory performing single bit and multi-bit operations

Номер патента: US5982663A. Автор: Jong-Wook Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-11-09.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US9311993B2. Автор: Yasuhiro Shimura,Takuya Futatsuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-04-12.

Nonvolatile semiconductor memory device and operation method of the same

Номер патента: US20140010016A1. Автор: Hiroaki Hazama,Masaaki Higuchi,Katsuyuki Sekine,Ryota Katsumata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-01-09.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8854896B2. Автор: Koji Hosono,Toshifumi Shano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-10-07.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20190333580A1. Автор: Satoshi Torii,Shu Ishihara. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2019-10-31.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US9165655B2. Автор: Koji Hosono,Toshifumi Shano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-20.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150016190A1. Автор: Koji Hosono,Toshifumi Shano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-01-15.

Nonvolatile semiconductor memory device with reduced variation in source potential of floating gate type memory transistors and operating method therefor

Номер патента: US5105386A. Автор: Shinichi Kobayashi,Kenji Noguchi,Kenji Kohda,Tsuyoshi Toyama,Nobuaki Andoh. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1992-04-14.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140231897A1. Автор: Koji Asakawa,Shigeki Hattori,Masaya Terai,Masakazu YAMAGIWA,Takatoshi Watanabe,Wangying Lin. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-21.

Read disturb control in a nonvolatile semiconductor memory device having P-type memory cell transistor

Номер патента: US8964463B2. Автор: Taku Ogura,Natsuo Ajika,Masaaki Mihara. Владелец: Genusion Inc. Дата публикации: 2015-02-24.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150070986A1. Автор: Ryota Hirai,Yasuhiro Shiino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20190287979A1. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Kunifumi Suzuki,Kana Hirayama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20160087067A1. Автор: Hideyuki Nishizawa,Koji Asakawa,Tsukasa Tada,Shigeki Hattori,Masaya Terai,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-24.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20130070525A1. Автор: Yasuhiro Shimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

Nonvolatile Semiconductor Memory Device Cross-Reference to Related Applications

Номер патента: US20130265823A1. Автор: Taku Ogura,Natsuo Ajika,Masaaki Mihara. Владелец: Genusion Inc. Дата публикации: 2013-10-10.

Nonvolatile semiconductor memory device programming second dynamic reference cell according to threshold value of first dynamic reference cell

Номер патента: US20030161188A1. Автор: Satoshi Takahashi,Minoru Yamashita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-08-28.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240221832A1. Автор: Joonsuk Lee,Seyun KIM,Sunho Kim,Minhyun LEE,Gukhyon Yon,Seungyeul YANG,Seokhoon CHOI,Kyunghun KIM,Hyungyung KIM,Hoseok HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Circuitry and method for selecting a drain programming voltage for a nonvolatile memory

Номер патента: WO1995007536A1. Автор: Albert Fazio,Gregory E. Atwood,James Brennan, Jr.,Marc E. Landgraf. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 1995-03-16.

Flash memory device and method for driving the same

Номер патента: US20080247247A1. Автор: Sang-Gu Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-10-09.

Semiconductor memory having a sense amplifier with load transistors having different load characteristics

Номер патента: US5592427A. Автор: Hisayoshi Watanabe,Hirokazu Yamazaki,Yasushi Kasa,Sinsuke Kumakura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1997-01-07.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20100265770A1. Автор: Ryouhei Kirisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-10-21.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US5677874A. Автор: Kaname Yamano. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1997-10-14.

Nonvolatile semiconductor memory and data reading method

Номер патента: US20110044106A1. Автор: Yoshihiko Shindo,Susumu Fujimura,Hitoshi Shiga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-02-24.

Semiconductor memory device and method for driving same

Номер патента: US20180090210A1. Автор: Takashi Ishida. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-29.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150263031A1. Автор: Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Semiconductor memory device which includes memory cell having charge accumulation layer and control gate

Номер патента: US8219744B2. Автор: Takahiro Suzuki,Tokumasa Hara,Masuji Nishiyama,Shinya Fujisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-10.

Semiconductor memory device and method for driving same

Номер патента: US09934860B1. Автор: Takashi Ishida. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Semicondutor memory device and memory system including the same

Номер патента: US09824755B2. Автор: Chul-woo Park,Kwang-Il Park,Young-Soo Sohn,Hak-soo Yu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US09524755B1. Автор: Mitsutoshi Nakamura,Shinya Naito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Nonvolatile semiconductor memory circuit including a reliable sense amplifier

Номер патента: US5058062A. Автор: Yukio Wada,Tadashi Maruyama,Toshimasa Nakamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1991-10-15.

Nonvolatile semiconductor memory apparatus and method of producing the same

Номер патента: US7102931B2. Автор: Ichiro Fujiwara,Hiromi Nobukata. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-09-05.

Nonvolatile semiconductor memory apparatus

Номер патента: US20150117102A1. Автор: Naoya Tokiwa,Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-30.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20170213582A1. Автор: Shuhei KAMANO. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-27.

Nonvolatile semiconductor memory device having divided bit lines

Номер патента: US20030053339A1. Автор: Ching-Hsiang Hsu,Ching-Song Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-20.

Nonvolatile memory device and related method for reducing access latency

Номер патента: US20140247645A1. Автор: Hyo-Jin KWON,Yong-Jun Lee,Yong-Jin KWON,Eun-Hye PARK,Hoi-Ju CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-09-04.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US09865312B2. Автор: Shuhei KAMANO. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US09355714B2. Автор: Eietsu Takahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Low standby power with fast turn on method for non-volatile memory devices

Номер патента: US12014800B2. Автор: Vijay Raghavan,Roger Bettman,Cristinel Zonte,Samuel Leshner,Vineet Argrawal,Iulian C Gradinariu,Gary Peter Moscaluk. Владелец: Longitude Flash Memory Solutions Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Method for manufacturing a semiconductor floating gate memory device

Номер патента: EP1615266A3. Автор: Koji Takahashi,Shinichi Fujitsu Limited Nakagawa. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2014-01-29.

Controller controlling semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09542269B1. Автор: Se Chun Park,Young Dong Roh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Cell characteristic measuring circuit for a nonvolatile semiconductor memory device and cell characteristic measuring method

Номер патента: US5650961A. Автор: Toshihiko Himeno,Naohiro Matsukawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-07-22.

Nonvolatile semiconductor memory having a word line bent towards a select gate line side

Номер патента: US20150162340A1. Автор: Takeshi Murata,Itaru Kawabata,Takeshi Kamigaichi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-06-11.

Nonvolatile semiconductor memory having a word line bent towards a select gate line side

Номер патента: US20140293694A1. Автор: Takeshi Murata,Itaru Kawabata,Takeshi Kamigaichi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-10-02.

Nonvolatile semiconductor memory having a word line bent towards a select gate line side

Номер патента: US20130294164A1. Автор: Takeshi Murata,Itaru Kawabata,Takeshi Kamigaichi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-11-07.

Nonvolatile semiconductor memory having a word line bent towards a select gate line side

Номер патента: US20120176839A1. Автор: Takeshi Murata,Itaru Kawabata,Takeshi Kamigaichi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-12.

Nonvolatile semiconductor memory having a word line bent towards a select gate line side

Номер патента: US20100103736A1. Автор: Takeshi Murata,Itaru Kawabata,Takeshi Kamigaichi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-29.

Nonvolatile semiconductor memory having a word line bent towards a select gate line side

Номер патента: US20160064393A1. Автор: Takeshi Murata,Takeshi Kamigaichi,ltaru KAWABATA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-03.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20080006869A1. Автор: Takeshi Murata,Itaru Kawabata,Takeshi Kamigaichi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-01-10.

Nonvolatile memory device, system including the same, and method for fabricating the same

Номер патента: US12046274B2. Автор: Kohji Kanamori,Sang Youn JO,Jee Hoon HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor memory device and method for biasing same

Номер патента: US09559216B2. Автор: Timothy Thurgate,Michael A. Van Buskirk,Srinivasa Rao Banna. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Word line driver, method for driving the word line driver, and semiconductor memory device having the word line driver

Номер патента: US20090323455A1. Автор: Kang-Seol Lee,Tae-Sik Yun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-12-31.

Circuit for driving sense amplifier of semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US09620197B1. Автор: Young-Seok Park,Soo-bong Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-11.

Nonvolatile semiconductor device and method for testing the same

Номер патента: US20130294175A1. Автор: Yoon Jae Shin,Sang Kug LYM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-11-07.

Circuit for driving sense amplifier of semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20170103799A1. Автор: Young-Seok Park,Soo-bong Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-13.

Method for masking DQ bits

Номер патента: US20020076872A1. Автор: Martin Gall,Andre Schaefer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-20.

Method of operation for a nonvolatile memory system and method of operating a memory controller

Номер патента: US09778851B2. Автор: Young-Ho Park,Chanik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Memory system and method for operating the same

Номер патента: US20190138392A1. Автор: Yong Il JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-05-09.

Method for treating semiconductor structure

Номер патента: US20190067574A1. Автор: Yu-Yu Lin,Feng-Min Lee,Kai-Chieh Hsu,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Method for measuring bias voltage of sense amplifier in memory device

Номер патента: US6667898B2. Автор: Matthias Klaus. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2003-12-23.

Method for measuring bias voltage of sense amplifier in memory device

Номер патента: US20030161176A1. Автор: Matthias Klaus. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2003-08-28.

Staircase structure in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US20210384118A1. Автор: Zhiliang Xia,Di Wang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-09.

Apparatuses and methods for cache invalidate

Номер патента: US20190164592A1. Автор: Richard C. Murphy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-05-30.

Method and semiconductor memory with a device for detecting addressing errors

Номер патента: US8347150B2. Автор: Wolfgang Fey,Lukusa Didier Kabulepa,Adrian Traskov,Houman Amjadi. Владелец: Continental Teves AG and Co oHG. Дата публикации: 2013-01-01.

APPARATUSES AND METHODS FOR PROVIDING INTERNAL MEMORY COMMANDS AND CONTROL SIGNALS IN SEMICONDUCTOR MEMORIES

Номер патента: US20190027197A1. Автор: Kwak Jongtae,Lee Hyun Yoo,Tatapudi Suryanarayana. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-01-24.

APPARATUSES AND METHODS FOR PROVIDING INTERNAL MEMORY COMMANDS AND CONTROL SIGNALS IN SEMICONDUCTOR MEMORIES

Номер патента: US20180247690A1. Автор: Kwak Jongtae,Lee Hyun Yoo,Tatapudi Suryanarayana. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-08-30.

Apparatuses and methods for providing internal memory commands and control signals in semiconductor memories

Номер патента: US20190317545A1. Автор: Jongtae Kwak,Hyun Yoo Lee,Suryanarayana Tatapudi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-17.

System and method for performing partial array self-refresh operation in a semiconductor memory device

Номер патента: TW564420B. Автор: Jong-Hyun Choi,Hyun-Soon Jang,Hyong-Ryol Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-12-01.

Apparatuses and methods for providing internal memory commands and control signals in semiconductor memories

Номер патента: US10534394B2. Автор: Jongtae Kwak,Hyun Yoo Lee,Suryanarayana Tatapudi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-01-14.

Apparatuses and methods for providing internal memory commands and control signals in semiconductor memories

Номер патента: TW201841154A. Автор: 李炫柳,鍾太郭,蘇雅娜拉雅娜塔塔普蒂. Владелец: 美商美光科技公司. Дата публикации: 2018-11-16.

System and method for performing partial array self-refresh operation in a semiconductor memory device.

Номер патента: EP1256957A3. Автор: Hyun-Soon Jang,Jong Hyun Choi,Hwang Hyong Ryol. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-03-17.

Circuit and method for controlling slew rate of data output circuit in semiconductor memory device

Номер патента: US7821847B2. Автор: Mi-Hye Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-10-26.

System and method for performing partial array self-refresh operation in a semiconductor memory device

Номер патента: US20030206427A1. Автор: Jong-Hyun Choi,Hyun-Soon Jang,Hyong-Ryol Hwang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-06.

APPARATUSES AND METHODS FOR ERROR CORRECTION CODING AND DATA BUS INVERSION FOR SEMICONDUCTOR MEMORIES

Номер патента: US20200081769A1. Автор: Shimizu Atsushi,Kwak Jongtae,RIHO Yoshiro,Park Sang-Kyun. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-03-12.

APPARATUSES AND METHODS FOR ERROR CORRECTION CODING AND DATA BUS INVERSION FOR SEMICONDUCTOR MEMORIES

Номер патента: US20200409786A1. Автор: Shimizu Atsushi,Kwak Jongtae,RIHO Yoshiro,Park Sang-Kyun. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-12-31.

Method for reading and writing and memory device

Номер патента: US11869615B2. Автор: Shuliang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Apparatuses and methods for error correction coding and data bus inversion for semiconductor memories

Номер патента: EP3850488A4. Автор: Atsushi Shimizu,Jongtae Kwak,Yoshiro Riho,Sang-Kyun Park. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-01.

Read-write method and memory device

Номер патента: EP4006710A1. Автор: Shuliang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-06-01.

Method for reading and writing and memory device

Номер патента: US20210327531A1. Автор: Shuliang NING. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Method for performing flash write with small operating current and semiconductor memory circuit accordingly

Номер патента: KR950009713A. Автор: 다까시 구사까리. Владелец: 세끼모또 다다히로. Дата публикации: 1995-04-24.

Circuit and method for a memory device with P-channel isolation gates

Номер патента: US5875141A. Автор: Brian M. Shirley,Stephen L. Casper. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-02-23.

Method for protecting multiple activation of spare word lines in semiconductor memory

Номер патента: KR101960764B1. Автор: 송호영,이윤영,오종민,김치욱. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2019-03-21.

Nonvolatile memory element, method for manufacturing the nonvolatile memory element, and nonvolatile semiconductor device using the nonvolatile memory element

Номер патента: WO2010004705A1. Автор: 神澤好彦,三谷覚,高木剛,片山幸治. Владелец: パナソニック株式会社. Дата публикации: 2010-01-14.

Variable resistive element, method for manufacturing the variable resistive element and nonvolatile semiconductor storage device

Номер патента: WO2008142919A1. Автор: Kazuya Ishihara,Fumiyoshi Takano,Nobuyoshi Awaya,Hisashi Shima,Hiroyuki Akinaga,Yasunari Hosoi,Yukio Tamai,Shigeo Ohnishi. Владелец: NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2008-11-27.

Magnetic bubble memory device and method for operating the same

Номер патента: CA1187175A. Автор: Tsutomu Miyashita,Kazuo Matsuda,Makoto Ohashi,Yoshio Satoh,Kazunari Komenou. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1985-05-14.

Variable resistive element, method for manufacturing the variable resistive element and nonvolatile semiconductor storage device

Номер патента: CN101681913A. Автор: 秋永广幸,岛久,细井康成,石原数也,玉井幸夫,高野史好,粟屋信义,大西茂夫. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2010-03-24.

Variable resistive element, method for manufacturing the variable resistive element and nonvolatile semiconductor storage device

Номер патента: CN101681913B. Автор: 秋永广幸,岛久,细井康成,石原数也,玉井幸夫,高野史好,粟屋信义,大西茂夫. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2011-05-25.

Variable resistive element, method for manufacturing the variable resistive element and nonvolatile semiconductor storage device

Номер патента: TW200908295A. Автор: Kazuya Ishihara,Fumiyoshi Takano,Nobuyoshi Awaya,Hisashi Shima,Hiroyuki Akinaga,Yasunari Hosoi,Yukio Tamai,Shigeo Ohnishi. Владелец: Nat Inst Of Advanced Ind Scien. Дата публикации: 2009-02-16.

Three-dimensional memory devices having isolation structure for source select gate line and methods for forming the same

Номер патента: US20220077283A1. Автор: Yang Zhou,Meng Xiao,ZHEN Guo,HUI Zhang,Jingjing Geng,Jiajia Wu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

Three-dimensional memory devices having isolation structure for source select gate line and methods for forming the same

Номер патента: US11990506B2. Автор: Yang Zhou,Meng Xiao,ZHEN Guo,HUI Zhang,Jingjing Geng,Jiajia Wu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Apparatuses and methods for cache invalidate

Номер патента: US20180366180A1. Автор: Richard C. Murphy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-20.

Apparatuses and methods for cache invalidate

Номер патента: WO2017155915A1. Автор: Richard C. Murphy. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2017-09-14.

System and method for enabling chip level erasing and writing for magnetic random access memory devices

Номер патента: US20030227794A1. Автор: Ren Earl,Jeffrey McKee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-12-11.

Method for controlling sensing amplifier driver

Номер патента: US6128235A. Автор: Woong Sik Jung. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2000-10-03.

METHOD FOR ACCESSING FLASH MEMORY MODULE AND ASSOCIATED FLASH MEMORY CONTROLLER AND MEMORY DEVICE

Номер патента: US20190036549A1. Автор: Yang Tsung-Chieh,HSU Hong-Jung. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-31.

Method for managing flash memory module and associated flash memory controller and memory device

Номер патента: US20220093168A1. Автор: Tsung-Yao Chiang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

APPARATUSES AND METHODS FOR PROVIDING INTERNAL CLOCK SIGNALS OF DIFFERENT CLOCK FREQUENCIES IN A MEMORY DEVICE

Номер патента: US20180204608A1. Автор: Polney Jens. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-07-19.

METHOD FOR ACCESSING FLASH MEMORY MODULE AND ASSOCIATED FLASH MEMORY CONTROLLER AND MEMORY DEVICE

Номер патента: US20190220353A1. Автор: Yang Tsung-Chieh,HSU Hong-Jung. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-18.

APPARATUSES AND METHODS FOR PROVIDING INTERNAL CLOCK SIGNALS OF DIFFERENT CLOCK FREQUENCIES IN A MEMORY DEVICE

Номер патента: US20190237117A1. Автор: Polney Jens. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-08-01.

METHOD FOR ACCESSING FLASH MEMORY MODULE AND ASSOCIATED FLASH MEMORY CONTROLLER AND MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170315867A1. Автор: Yang Tsung-Chieh,HSU Hong-Jung. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-02.

METHOD FOR ACCESSING FLASH MEMORY MODULE AND ASSOCIATED FLASH MEMORY CONTROLLER AND MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170315868A1. Автор: Yang Tsung-Chieh,HSU Hong-Jung. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-02.

Method for accessing flash memory module and associated flash memory controller and memory device

Номер патента: US10110255B2. Автор: Tsung-Chieh Yang,Hong-Jung Hsu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2018-10-23.

Apparatus and methods for providing internal clock signals of different clock frequencies in a memory device

Номер патента: KR102261670B1. Автор: 옌스 폴니. Владелец: 마이크론 테크놀로지, 인크.. Дата публикации: 2021-06-09.

Method for accessing flash memory module and related flash memory controller and memory device

Номер патента: CN107391296B. Автор: 杨宗杰,许鸿荣. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-11-06.

METHOD FOR CONTROLLING THE READING CIRCUIT OF A MEMORY PLAN AND CORRESPONDING MEMORY DEVICE

Номер патента: FR2774209B1. Автор: Hajji Noureddine El. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2001-09-14.

Method for reading data from non-volatile memory element, and non-volatile memory device

Номер патента: WO2013121792A1. Автор: 健生二宮,高木　剛,魏　志強. Владелец: パナソニック株式会社. Дата публикации: 2013-08-22.

Methods for enlarging the memory window and improving data retention in restistive memory device

Номер патента: US20230062850A1. Автор: Fu-Chen Chang,Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu,Chu-Jie HUANG,Nai-Chao Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Apparatuses and methods for providing internal clock signals of different clock frequencies in a memory device

Номер патента: WO2018136270A1. Автор: Jens Polney. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-07-26.

Method for processing errors in e.g. electrically EPROM, of non-volatile memory device, involves reading non-erroneous bits of word during ulterior addressing of memory by reading relocated bit

Номер патента: FR2964483A1. Автор: Francois Tailliet. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2012-03-09.

Method for accessing flash memory module and associated flash memory controller and memory device

Номер патента: US10348332B2. Автор: Tsung-Chieh Yang,Hong-Jung Hsu. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-07-09.

System and method for data path power saving in fifth generation double data rate memory device

Номер патента: TW201913654A. Автор: 羅依齊林坎迪康達. Владелец: 美商美光科技公司. Дата публикации: 2019-04-01.

Nonvolatile semiconductor memory test circuit and method, nonvolatile semiconductor memory and method for fabricating nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20020024862A1. Автор: Yoshinori Odake,Takahiko Hashidzume. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-28.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20060028884A1. Автор: Katsuaki Matsui. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-02-09.

Semiconductor integrated circuit with a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20200251174A1. Автор: Yoshihiro Yamaguchi,Ryouta Niwa,Katsumichi Katou,Nobuyuki Ishigooka,Masaki Sekimizu. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

Systems and methods for stacked semiconductor memory devices

Номер патента: US09472243B2. Автор: Anthony Fai,Nicholas C. Seroff. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20120069628A1. Автор: Hiroshi Ito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-22.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20110299320A1. Автор: Fumihiro Kono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-12-08.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20110128774A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-06-02.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8149611B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-04-03.

Semiconductor memory device, semiconductor memory system and method for controlling self refresh cycle thereof

Номер патента: US09564207B2. Автор: Kwi-Dong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140061751A1. Автор: Hiroomi Nakajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09812195B2. Автор: Hirofumi Inoue,Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09543011B2. Автор: Hirofumi Inoue,Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US09418737B2. Автор: Hiroyuki Ode,Takeshi Takagi,Toshiharu Tanaka,Takeshi Yamaguchi,Masaki Yamato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-16.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140078813A1. Автор: Kei Sakamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-20.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140347911A1. Автор: Hiroshi Kanno,Takayuki Tsukamoto,Atsushi Yoshida,Nobuaki Yasutake,Yoichi MINEMURA,Takamasa OKAWA,Satoshi KONAGAI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-11-27.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100149850A1. Автор: Daisaburo Takashima,Ryu Ogiwara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-06-17.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150325296A1. Автор: Junya Matsunami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-11-12.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09825100B2. Автор: Takashi Izumida,Nobutoshi Aoki,Yuki SEKINO. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100238708A1. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-09-23.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20050174868A1. Автор: Shinsuke Anzai,Yasumichi Mori. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-08-11.

Method of writing data of a nonvolatile semiconductor memory device including setting and removing operations

Номер патента: US09355722B2. Автор: Junya Matsunami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Semiconductor storage device, nonvolatile semiconductor memory test method, and medium

Номер патента: US20130159814A1. Автор: Daisuke Hashimoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-20.

Information Processing Apparatus and Nonvolatile Semiconductor Memory Drive

Номер патента: US20090222703A1. Автор: Takehiko Kurashige. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-09-03.

Semiconductor storage device, nonvolatile semiconductor memory test method, and medium

Номер патента: US20130332802A1. Автор: Daisuke Hashimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-12-12.

Pad arrangement in semiconductor memory device and method of driving semiconductor device

Номер патента: US20040256641A1. Автор: Jung-Bae Lee,Mee-Hyun Ahn. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-23.

Information processing apparatus and method for controlling information processing apparatus

Номер патента: US20210124514A1. Автор: Yo Kobayashi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor memory device and method for operating the same

Номер патента: US09595309B2. Автор: Chang-Hyun Kim,Jae-Jin Lee,Min-Chang Kim,Do-Yun LEE,Hun-Sam Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Nonvolatile semiconductor storage device having improved reading and writing speed characteristics

Номер патента: US09478283B2. Автор: Kazuyuki Kouno,Reiji Mochida. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Nonvolatile semiconductor memory device to which information can be written only once

Номер патента: US20060133127A1. Автор: Hiroshi Ito,Atsushi Nakayama,Toshimasa Namekawa,Hiroaki Nakano,Osamu Wada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-22.

Nonvolatile semiconductor memory device and its operation program

Номер патента: US20160379711A1. Автор: Motofumi Saitoh. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-29.

Semiconductor memory device and method for initializing the same

Номер патента: EP1488424A2. Автор: Hiroshige Hirano,Yasuo Murakuki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-22.

Driving method of memory controller and nonvolatile memory device controlled by memory controller

Номер патента: US09594673B2. Автор: Kyungryun Kim,Seokjun Ham. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-14.

Nonvolatile semiconductor memory device using irreversible storage elements

Номер патента: US20060133167A1. Автор: Hiroshi Ito,Atsushi Nakayama,Toshimasa Namekawa,Hiroaki Nakano,Osamu Wada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-06-22.

Nonvolatile memory device, memory system including the same and method for driving nonvolatile memory device

Номер патента: US20150287455A1. Автор: Hyun-Kook PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-08.

Nonvolatile memory device, memory system including the same and method for driving nonvolatile memory device

Номер патента: US09443586B2. Автор: Hyun-Kook PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20110158023A1. Автор: Kang-Seol Lee,Tae-Sik Yun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-30.

Voltage generation circuit, semiconductor memory device including the same, and method for driving the same

Номер патента: US09508398B1. Автор: Jae-Boum Park,Yoon-Jae Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Electronic device including a semiconductor memory having memory arrays with variable resistance storage elements and a bias voltage generator arranged between the arrays

Номер патента: US09865345B2. Автор: Dong-Keun Kim,Masahiro Takahashi,Tsuneo Inaba. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Nonvolatile semiconductor memory device and reading method of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8248837B2. Автор: Kentaro Kinoshita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-08-21.

Semiconductor memory device and method providing log information

Номер патента: US12045496B2. Автор: Kwanghyun KIM,Boayeong Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-23.

Method for manufacturing nonvolatile memory device

Номер патента: US20130237008A1. Автор: Kazuhiko Yamamoto,Yoshio Ozawa,Shinichi Nakao,Ichiro Mizushima,Hiroyuki Fukumizu,Yasuhiro Nojiri,Kei Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-12.

Information processing apparatus, method for controlling information processing apparatus, non-transitory recording medium storing control tool, host device, non-transitory recording medium storing performance evaluation tool, and performance evaluation method for external memory device

Номер патента: US09594611B2. Автор: Daisuke Hashimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Nonvolatile memory device and method for testing nonvolatile memory device using variable resistance material

Номер патента: US09443582B2. Автор: Ki-won Lim,Moon-Ki Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Memory device and method for testing memory devices with repairable redundancy

Номер патента: US20060198215A1. Автор: Martin Perner,Volker Kilian. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2006-09-07.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20230281078A1. Автор: Kenichiro Yoshii,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US11947422B2. Автор: Kenichiro Yoshii,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Nonvolatile semiconductor memory device using nonvolatile storage elements to which data can be written only once

Номер патента: US7505300B2. Автор: Hiroshi Ito,Atsushi Nakayama,Toshimasa Namekawa,Hiroaki Nakano,Osamu Wada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-03-17.

Nonvolatile semiconductor memory and method for testing the same

Номер патента: US8174909B2. Автор: Satoru Oku. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-05-08.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US11169875B2. Автор: Kenichiro Yoshii,Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-11-09.

Refresh method capable of reducing memory cell access time in semiconductor memory device

Номер патента: US20020141269A1. Автор: Jong-Yul Park,Seong-kue Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-10-03.

Semiconductor memory device, memory system having semiconductor memory device, and method for testing memory system

Номер патента: US7634697B2. Автор: Jin-Soo Park,Dong-Jun Kim,Kae-Won Ha,Keun-Soo Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-12-15.

Semiconducotr memory device including non-volatile memory cell array

Номер патента: US09436545B2. Автор: Dong-hyun Sohn,Sang-Bo Lee,Chul-Sung Park,Chi-Sung Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor memory device for reducing chip size

Номер патента: US6804163B2. Автор: Yun-sang Lee,Jung-Bae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-10-12.

Semiconductor memory device and manufacturing method

Номер патента: US20030205771A1. Автор: Hiroshi Mizuta,Hideo Sunami,Kazuo Nakazato,Kiyoo Itoh,Toshikazu Shimada. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-11-06.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US09773538B2. Автор: Hiroki Noguchi,Shinobu Fujita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120205612A1. Автор: Hirofumi Inoue,Eiji Ito,Hideyuki Tabata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Information processing apparatus, method for controlling information processing apparatus, non-transitory recording medium storing control tool, host device, non-transitory recording medium storing performance evaluation tool, and performance evaluation method for external memory device

Номер патента: EP2745203A1. Автор: Daisuke Hashimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-06-25.

Semiconductor memory device capable of recovering defective bit and a system having the same semiconductor memory device

Номер патента: US20010022750A1. Автор: Yukihiro Urakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-09-20.

Semiconductor memory device for reducing chip size

Номер патента: US20030174571A1. Автор: Yun-sang Lee,Jung-Bae Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-09-18.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20080165591A1. Автор: Yoon-Jae Shin,Kyoung-Nam Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-07-10.

Systems and methods for internal initialization of a nonvolatile memory

Номер патента: US10290351B2. Автор: Brent Ahlquist. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-05-14.

Nonvolatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US8848455B2. Автор: Kenji Noma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-30.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US7936635B2. Автор: Yoon-Jae Shin,Kyoung-Nam Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-05-03.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20100165762A1. Автор: Yoon-Jae Shin,Kyoung-Nam Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-01.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US4435788A. Автор: Norihisa Kitagawa,Hiroji Asahi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1984-03-06.

Memory system and method for controlling a nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US8745313B2. Автор: Wataru Okamoto,Junji Yano,Hidenori Matsuzaki,Kosuke Hatsuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-06-03.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of controlling the same

Номер патента: US20170117039A1. Автор: Hiroyuki Ode,Takeshi Takagi,Toshiharu Tanaka,Takeshi Yamaguchi,Masaki Yamato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-27.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20070242528A1. Автор: Koji Inoue. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-10-18.

Systems and Methods for Internal Initialization of a Nonvolatile Memory

Номер патента: US20140331002A1. Автор: Brent Ahlquist. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-11-06.

Systems and Methods for Internal Initialization of a Nonvolatile Memory

Номер патента: US20130091336A1. Автор: Brent Ahlquist. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-04-11.

Nonvolatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120195116A1. Автор: Kenji Noma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-02.

Semiconductor memory devices and methods of testing open failures thereof

Номер патента: US20170186496A1. Автор: Sang Kwon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-29.

Method for repairing defective memory cells in semiconductor memory device

Номер патента: US09704601B2. Автор: Ki-Seok Park,Ji-Hyuk OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140063906A1. Автор: Hiroshi Kanno,Takayuki Tsukamoto,Yoichi MINEMURA,Takamasa OKAWA. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-03-06.

Method for accessing memory cells, semiconductor memory device including memory cells, and operating method of memory controller controlling memory device

Номер патента: EP4141873A1. Автор: Won-Hyung SONG,Seong-Jin Cho,Jung Min YOU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-01.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20100080038A1. Автор: Takashi Nakano,Nobuyoshi Awaya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-01.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12068263B2. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor memory device and method for operating semiconductor memory device

Номер патента: US7898835B2. Автор: Kotaro Kashiwa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-03-01.

Capacitor structure, semiconductor memory device including the same, method for fabricating the same, and method for fabricating semiconductor memory device including the same

Номер патента: US12094924B2. Автор: Su Hwan Kim,Sang Yeol Kang,Kyoo Ho Jung,Won Sik CHOI,Dong Kwan BAEK,Yu Kyung SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor memory devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240363555A1. Автор: Chia-En HUANG,Meng-Han LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor memory device having unequal pitch vertical channel transistors employed as selection transistors and method for programming the same

Номер патента: US09595568B2. Автор: Teruyuki Mine. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-03-14.

Storage device, semiconductor memory device, and method for controlling same

Номер патента: US10049042B2. Автор: Atsushi Kawamura,Akifumi Suzuki,Hideyuki Koseki,Masahiro TSURUYA. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2018-08-14.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing

Номер патента: US20130341698A1. Автор: Motoyuki Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-12-26.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing

Номер патента: US20140315378A1. Автор: Motoyuki Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-10-23.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing

Номер патента: US8803219B2. Автор: Motoyuki Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-12.

Semiconductor memory device and method of testing the same

Номер патента: US20110161606A1. Автор: Shuichi Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-06-30.

Semiconductor memory device and method for adjusting internal voltage thereof

Номер патента: US20050270868A1. Автор: Jae-Hyuk Im,Kee-Teok Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-12-08.

A semiconductor memory device with an on-chip error correction circuit and a method of correcting a data error therein

Номер патента: GB9910278D0. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-06-30.

Semiconductor memory device and method for controlling the same

Номер патента: US09767878B1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,William J. Gallagher,Yu-Der Chih,Chun-Jung Lin,Tien-Wei Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Vertically stacked nonvolatile NAND type flash memory device with U-shaped strings, method for operating the same, and method for fabricating the same

Номер патента: US09362305B2. Автор: Jun-Hyuk Lee,Seul-Ki Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-07.

Secondary storage device using nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US5963474A. Автор: Takashi Onodera,Hiroaki Uno,Hideaki Miyashita,Yasutsugu Nagusa,Kenichi Kuwako. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1999-10-05.

Ferroelectric memory device having fatigue averaging

Номер патента: US5978252A. Автор: Tohru Miwa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-11-02.

Dynamic semiconductor memory device and method for initializing a dynamic semiconductor memory device

Номер патента: US6175531B1. Автор: HELMUT Fischer,Martin Buck,Bret Johnson,Sebastian Kühne,Heinrich Hemmert. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2001-01-16.

Power management in semiconductor memory system

Номер патента: US20130028039A1. Автор: David T. Wang. Владелец: Inphi Corp. Дата публикации: 2013-01-31.

Techniques for controlling a direct injection semiconductor memory device

Номер патента: US20120176845A1. Автор: Eric Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-07-12.

Method for driving memory cells of a dynamic semiconductor memory and circuit configuration

Номер патента: US20030103376A1. Автор: HELMUT Fischer,Michael Sommer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-05.

Storage device and method for updating meta slice including map chunks stored in nonvolatile memory device according to journal entries

Номер патента: US11734167B2. Автор: Ju Hyun Kim,Jin Yeong Kim,Jae Wan YEON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-08-22.

Semiconductor memory devices and methods of testing open failures thereof

Номер патента: US09997256B2. Автор: Sang Kwon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Techniques for providing a direct injection semiconductor memory device

Номер патента: US09425190B2. Автор: Serguei Okhonin,Mikhail Nagoga,Yogesh Luthra. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Nonvolatile semiconductor memory device performing data writing in a toggle manner

Номер патента: US7652912B2. Автор: Hideto Hidaka,Jun Otani,Tomoya Kawagoe. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-01-26.

Data Storage Device and Method for Operating Nonvolatile Memory

Номер патента: US20180365143A1. Автор: Ying-Chun Hung. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2018-12-20.

Semiconductor memory device and method for reading data therefrom

Номер патента: US5459692A. Автор: Yasuhiro Shin,Hidetaka Kodama. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1995-10-17.

Semiconductor memory device and method for driving same

Номер патента: US20190221576A1. Автор: Masaru Kito,Yasuhiro Uchiyama,Kotaro Fujii. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-07-18.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20130083617A1. Автор: Choung-Ki Song. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-04-04.

Semiconductor memory device and redundant output switch thereof

Номер патента: US20020176296A1. Автор: Chao-Shuenn Hsu,Ju-Fu Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2002-11-28.

Systems and methods for testing a semiconductor memory device having a reference memory array

Номер патента: US09767919B1. Автор: Yutaka Ito,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US09715923B2. Автор: Shinji Miyano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20080219073A1. Автор: Khil-Ohk Kang. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-09-11.

Semiconductor memory device, electronic device and method for setting the same

Номер патента: US20240361823A1. Автор: Ki-Seok OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor memory device and method for accessing the same

Номер патента: US09542990B2. Автор: Zhijiong Luo,Zhengyong Zhu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-01-10.

Driver and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09455003B2. Автор: Hyung-Sik Won. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US4760556A. Автор: Yasushi Terada,Kazuyasu Fujishima,Mikio Deguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1988-07-26.

Memory system, memory controller, and semiconductor memory device

Номер патента: US11789656B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Memory system, memory controller, and semiconductor memory device

Номер патента: US20200401347A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-12-24.

Memory system, memory controller, and semiconductor memory device

Номер патента: US11169742B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-11-09.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20240004580A1. Автор: Dong Sop LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20160049186A1. Автор: Ryousuke Takizawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-18.

Memory device, method of operating the memory device, memory module, and method of operating the memory module

Номер патента: US20230298638A1. Автор: Jaegon Lee,Sunyoung LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Nonvolatile solid-state magnetic memory, method for controlling coercive force of nonvolatile solid-state magnetic memory, and method for recording in nonvolatile solid-state magnetic memory

Номер патента: US20040085827A1. Автор: Hideo Ohno,Fumihiro Matsukura,Daichi Chiba. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2004-05-06.

Semiconductor memory device, electronic device and method for setting the same

Номер патента: US12086011B2. Автор: Ki-Seok OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor memory device and method for operating the same

Номер патента: US20150170722A1. Автор: Young-Jun Ku,Tae-Sik Yun,Jae-Bum Ko. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-18.

Semiconductor memory device and method for transferring weak cell information

Номер патента: US09697885B1. Автор: Youk-Hee Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09595311B2. Автор: Ryousuke Takizawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor memory device and method for refreshing memory cells

Номер патента: US09466351B2. Автор: In Chul JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20230409241A1. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Nonvolatile semiconductor device and method for driving same

Номер патента: US20140293675A1. Автор: Hiroshi Kanno,Takayuki Tsukamoto,Atsushi Yoshida,Yoichi MINEMURA,Takamasa OKAWA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-10-02.

Semiconductor memory devices and methods for fabricating the same

Номер патента: US11903184B2. Автор: Yong Seok Kim,Kyung Hwan Lee,Jae Ho Hong,Hui-jung Kim,Min Hee Cho,Il Gweon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor memory device and method with auxiliary i/o line assist circuit and functionality

Номер патента: US20140204692A1. Автор: Ankur Goel,Shetti Shanmukheshwara Rao. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2014-07-24.

Nonvolatile memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20110024713A1. Автор: Toshiro Hiraoka,Takayuki Tsukamoto,Shinya Aoki,Takahiro Hirai,Chikayoshi Kamata,Kohichi Kubo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-02-03.

Circuit and method for selecting test self-refresh period of semiconductor memory device

Номер патента: US20080062799A1. Автор: Kyong-Ha Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-03-13.

Circuit and method for selecting test self-refresh period of semiconductor memory device

Номер патента: US20060221745A1. Автор: Kyong-Ha Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-05.

Semiconductor memory device and method with auxiliary i/o line assist circuit and functionality

Номер патента: US20100039871A1. Автор: Ankur Goel,Shetti Shanmukheshwara Rao. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-02-18.

Semiconductor memory device and method for operating semiconductor memory device

Номер патента: US20080320215A1. Автор: Kotaro Kashiwa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-12-25.

Dynamic semiconductor memory device and method of controlling refresh thereof

Номер патента: US20030112690A1. Автор: Shyuichi Tsukada. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2003-06-19.

Nonvolatile fuse in redundancy circuit for low-voltage flash memories and method for enhancing the same

Номер патента: EP1314087B1. Автор: Giovanni Santin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-06-21.

Semiconductor memory device and method for detecting weak cells

Номер патента: US09922726B2. Автор: Young-Geun Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Nonvolatile memory device and method for sensing the same

Номер патента: US09728254B2. Автор: Mu-hui Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Apparatus configured for applying write signals for driving a write head and method for configuring

Номер патента: US20040196585A1. Автор: Chuanyang Wang,Davy Choi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-10-07.

Power control method for eliminating output power offset of a pick-up head in an optical disc drive

Номер патента: US20060146669A1. Автор: Chin-Yin Tsai,Che-Chieh Wang. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2006-07-06.

System, apparatus, and method for anti-replay protection of data stored in a non-volatile memory device

Номер патента: US09690922B2. Автор: Mark Buer,Jaku Jose,Weiyang Zhou,Kunyan Liu. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Method for processing data of flash memory by separating levels and flash memory device thereof

Номер патента: US20100180071A1. Автор: Tsung-Ming Chang,Chin-Tung Hsu. Владелец: Innostor Tech Corp. Дата публикации: 2010-07-15.

Training device and method for learning to drive a means of transport

Номер патента: US20090081620A1. Автор: Raffaele Antonio Caltabiano. Владелец: T and T TELEMATICA E TRASPORTI Srl. Дата публикации: 2009-03-26.

Training device and method for learning to drive a means of transport

Номер патента: EP2043072A3. Автор: Raffaele Antonio Caltabiano. Владелец: T&T Telematica E Trasporti Srl. Дата публикации: 2009-07-08.

System and method for supporting data driving a software process using objects of arbitrary data types

Номер патента: US20060004798A1. Автор: Joseph Toomey,Sung-Jun Pak,William Goddin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-01-05.

System and method for supporting data driving a software process using objects of arbitrary data types

Номер патента: US7971185B2. Автор: Sung-Jun Pak,Joseph Patrick Toomey,William Arthur Goddin, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-06-28.

Bit dispersement method for enhanced SEC-DED error detection and correction in multi-bit memory devices

Номер патента: USH1176H. Автор: Gerald A. Schwoerer. Владелец: Cray Research LLC. Дата публикации: 1993-04-06.

Nonvolatile memory module and operating method for the same

Номер патента: US20170277464A1. Автор: Hyunju YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-28.

System and method for computer-implemented artificial intelligence batch picking optimization and communication

Номер патента: PH12020551829A1. Автор: DONG Yang,Kai Wei,Wenting Mo,Zijian Hu,Jinxing Lu. Владелец: Coupang Corp. Дата публикации: 2021-06-28.

Method for processing data of flash memory by separating levels and flash memory device thereof

Номер патента: TW201027335A. Автор: Tsung-Min Chang,Chin-Tung Sheu. Владелец: Innostor Technology Corp. Дата публикации: 2010-07-16.

System and method for generating parity data in a nonvolatile memory controller by using a distributed processing technique

Номер патента: US8601346B1. Автор: Peter Z. Onufryk,Inna Levit. Владелец: PMC Sierra US Inc. Дата публикации: 2013-12-03.

Physical unclonable function at a memory device

Номер патента: US11868513B2. Автор: Olivier DUVAL,Lance W. Dover. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

METHOD FOR MANAGING AN OPERATION FOR MODIFYING THE STORED CONTENT OF A MEMORY DEVICE, AND CORRESPONDING MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220147469A1. Автор: Dionis Gilles. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-12.

Method for constructing and driving a detector for the presence of anomalies in a temporal signal, associated devices and method

Номер патента: FR3118502A1. Автор: Marielle MALFANTE. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2022-07-01.

METHOD FOR CONTROLLING ACCESS OPERATIONS OF A FLASH MEMORY, AND ASSOCIATED FLASH MEMORY DEVICE AND FLASH MEMORY CONTROLLER

Номер патента: US20130132654A1. Автор: Yang Tsung-Chieh. Владелец: Silicon Motion Inc.. Дата публикации: 2013-05-23.

SYSTEM, APPARATUS, AND METHOD FOR ANTI-REPLAY PROTECTION OF DATA STORED IN A NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20160026783A1. Автор: BUER Mark,JOSE JAKU,Liu Kunyan,Zhou Weiyang. Владелец: BROADCOM CORPORATION. Дата публикации: 2016-01-28.

Information Handling System And Method For Restoring Firmware In One Or More Regions Of A Flash Memory Device

Номер патента: US20200201714A1. Автор: Adolfo S. Montero,Benson Lai. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2020-06-25.

System and method for locality detection to identify read or write streams in a memory device

Номер патента: US20180314421A1. Автор: William Guthrie,Shay Benisty,Scheheresade Virani,Vitali Linkovsky. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2018-11-01.

A data processing system and method for extracting data from a OneNAND flash memory to a RAM memory device

Номер патента: DE102006046417A1. Автор: Hyun-Duk Suwon Cho,Tae-Gyun Seongnam Kim,Young-Joon Seongnam Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-03.

Method for controlling and driving a technical process

Номер патента: WO2002071162A1. Автор: Gaëtan Monari. Владелец: Usinor. Дата публикации: 2002-09-12.

Method for controlling and driving a technical process

Номер патента: US20040073319A1. Автор: Gaëtan Monari. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-15.

METHOD FOR GUIDING AND DRIVING A BADGE, RECEPTION DEVICE, AND BADGE READING SYSTEM

Номер патента: FR2957179B1. Автор: Jean Michel Ader. Владелец: Continental Automotive France SAS. Дата публикации: 2012-03-02.

Information processing device including host device and semiconductor memory device having a block rearrangement to secure free blocks

Номер патента: US09870155B2. Автор: Kenichi Maeda,Atsushi Kunimatsu. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Information processing device including host device and semiconductor memory device having a plurality of address conversion information

Номер патента: US09542117B2. Автор: Kenichi Maeda,Atsushi Kunimatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Controller which controls operation of nonvolatile semiconductor memory and semiconductor memory device including nonvolatile semiconductor memory and controller therefore

Номер патента: US20100241791A1. Автор: Seiichi Tomita,Tarou Iwashiro,Takahide Nishiyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-09-23.

Semiconductor memory device

Номер патента: US8434689B2. Автор: Keisuke Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-05-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20130020395A1. Автор: Keisuke Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-01-24.

Memory device and host device

Номер патента: US09983794B2. Автор: Akihisa Fujimoto. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Recordable memory device

Номер патента: US20100125698A1. Автор: Akihisa Fujimoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-05-20.

Data reading and writing processing from and to a semiconductor memory and a memory of a host device by using first and second interface circuits

Номер патента: US11868618B2. Автор: Kenichi Maeda,Atsushi Kunimatsu. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Memory system for supporting a merge operation and method for operating the same

Номер патента: US10671538B2. Автор: Jong-Min Lee,Beom-Rae JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-06-02.

Nonvolatile semiconductor memory device with password unlock function

Номер патента: US20030079099A1. Автор: Junya Kawamata. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-04-24.

Memory system and method for operating the same

Номер патента: US20190258577A1. Автор: Jong-Min Lee,Beom-Rae JEONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-08-22.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100241794A1. Автор: Osamu Nagao,Hitoshi Shiga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-09-23.

Method for driving piezoelectric element or optical modulator including piezoelectric element

Номер патента: US20080297903A1. Автор: Seung-Do An,Jong-Hyeong Song,Anatoliy Lapchuk. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-04.

Method for driving a thin film electroluminescent display and arrangement for driving a thin film electroluminescent display

Номер патента: US20240105103A1. Автор: Alexey GANZHINOV,Mika Sirkiä. Владелец: Lumineq Oy. Дата публикации: 2024-03-28.

Method of driving a transistor, a driving element using the same, and a display panel and a display apparatus having the driving element

Номер патента: US7760172B2. Автор: Jong-Moo Huh,Joon-hoo Choi,Beohm-Rock Choi,In-Su Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-07-20.

System and method for driving automatic cleaning device by trajectory

Номер патента: RU2628970C2. Автор: Лолке Клас САЛВЕРДА,Андрис БРОН. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2017-08-23.

Storage controller and method for controlling the same

Номер патента: US20110246711A1. Автор: Tsutomu Koga. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2011-10-06.

Grating and method for manufacturing the same, method for driving a grating, naked eye three-dimensional display system

Номер патента: US20190187483A1. Автор: Xi Chen,Shijun Wang,Wenjun XIAO,Xingyou Luo. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-20.

Data reading method for semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US20090077337A1. Автор: Daisuke Oda. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-19.

Device and method for integrated data management for nonvolatile buffer cache and nonvolatile storage

Номер патента: US09563566B2. Автор: Eunji Lee,Hyokyung Bahn,Sam H Noh. Владелец: Industry Collaboration Foundation of Ewha University. Дата публикации: 2017-02-07.

Nonvolatile semiconductor storage system

Номер патента: US09335929B2. Автор: Go UEHARA,Atsushi Ishikawa,Junji Ogawa,Koji Sonoda,Hideyuki Koseki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2016-05-10.

Semiconductor storage device and method for controlling a semiconductor storage device

Номер патента: US20110239081A1. Автор: Kouji Watanabe,Toshikatsu Hida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-29.

Mass memory device and semiconductor memory card

Номер патента: US20080028130A1. Автор: Otto Winkler. Владелец: Qimonda Flash GmbH. Дата публикации: 2008-01-31.

Method for driving a pixel circuit, display panel and display device

Номер патента: US20180197458A1. Автор: Baiquan LIN,Tingting Cui,Kerui XI,Junting OUYANG,Zhonglan Cai. Владелец: Shanghai Tianma AM OLED Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-12.

Display substrate, method for manufacturing display substrate, method for driving display substrate, display panel and display device

Номер патента: US20240276757A1. Автор: LU Wang,Zhiqiang Jiao,Huajie YAN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for driving current of cell library

Номер патента: US20090150845A1. Автор: Woo-Hyun Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-06-11.

Method for driving vibration based on micro-touch and related device

Номер патента: US20240338080A1. Автор: Yajun Zheng,Yanxin Zhang,Shiyu Pei. Владелец: AAC Acousitc Technologies Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Device and method for controlling a light source in a microscope

Номер патента: US20240305061A1. Автор: Tiemo Anhut,Stefan Wilhelm,Burkhard ROSCHER. Владелец: CARL ZEISS MICROSCOPY GMBH. Дата публикации: 2024-09-12.

Methods for driving a touch screen

Номер патента: US09778769B2. Автор: KANG Yang,Jun Ma,Tianyi Wu. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Method for driving robot based on external image, and robot and server implementing the same

Номер патента: US20190384317A1. Автор: Wonhee Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2019-12-19.

Display device, method for driving a display device, and display driving circuit

Номер патента: US11699382B2. Автор: Jingbo Xu,Xing Yao,Xuehuan Feng,Xuelian CHENG. Владелец: Hefei BOE Joint Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-11.

Apparatus for treating laundry and method for operating the same

Номер патента: US11203829B2. Автор: Sang Hyun Lee,Bon Kwon Koo,Seung Chul Cha,Hyun Ji Park. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2021-12-21.

Display device and method for driving pixel of the same

Номер патента: US12057071B2. Автор: Harkjin Kim,Dong-Young Kim,Yong Duck Kim,Bum Sik Kim,Byong-Deok Choi,Kwanghwan Ji,June Hee LEE. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-08-06.

Active pen, touch input system, method for driving active pen, and method for driving touch input system

Номер патента: US20210357043A1. Автор: DONG Chen,Wei Sun,Wenchao HAN. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-18.

Methods for driving electro-optic displays

Номер патента: US09966018B2. Автор: Karl R. Amundson,Elizabeth Moran Gates. Владелец: E Ink Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Touch circuit, method for driving the same and touch display apparatus

Номер патента: US09626036B2. Автор: Wenbo Li,Yuanbo Zhang,Mi ZHANG,Han-Seung Woo. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Allocation of memory regions of a nonvolatile semiconductor memory for stream-based data writing

Номер патента: US20180150238A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Motohiro Matsuyama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-31.

Allocation of memory regions of a nonvolatile semiconductor memory for stream-based data writing

Номер патента: US20200341654A1. Автор: Yoshihisa Kojima,Motohiro Matsuyama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-10-29.

Memory device and host device

Номер патента: US10157149B2. Автор: Koichi Nagai,Yuji Kashiwagi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-12-18.

Memory device and host device

Номер патента: US20190173875A1. Автор: Koichi Nagai,Yuji Kashiwagi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-06-06.

Method for driving display panel

Номер патента: EP1253576A3. Автор: Hak Su Kim,Jung Bae Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2003-02-26.

System and method for driving LCD displays

Номер патента: US20020163859A1. Автор: LEE Chun,Donald Brewer. Владелец: Fossil Inc. Дата публикации: 2002-11-07.

System for generating a drive signal and method for generating a drive signal

Номер патента: US20240334126A1. Автор: Yuheng Jiang,Lijian Ye. Владелец: AAC Technologies Holdings Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Driving apparatus and method for driving display panel thereof

Номер патента: US09922590B2. Автор: Chuan-Chien Hsu,Hung-Yu Huang,Jia-Hui Wang. Владелец: Himax Technologies Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Method for driving liquid crystal panel

Номер патента: US09766740B2. Автор: Yuejun TANG. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

System and method for offset cancellation for driving a display panel

Номер патента: US09762191B1. Автор: Jun Chen,Cheung Fai Lee,Yiu Sang Lei,Wei Jun Koh. Владелец: Solomon Systech Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Apparatus and method for driving gyro sensor

Номер патента: US20160238391A1. Автор: Sung Tae Kim,Chang Hyun Kim,Chang Hee Hong,Jun Kyung NA. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

Method for driving nebulizer and circuit system

Номер патента: US20210128854A1. Автор: Shu-Pin Hsieh,Chih-Wei Lu,Liang-Rern Kung,Hsin-Hua Tseng,Jo-Ling Wu,Chen-Hsiang Sang. Владелец: Microbase Technology Corp. Дата публикации: 2021-05-06.

Method for driving plasma display panel

Номер патента: US20090267974A1. Автор: Mitsushi Kitagawa,Mitsuhiro Ishizuka,Kazuo Yahagi. Владелец: Pioneer Corp. Дата публикации: 2009-10-29.

Display device and a method for driving the same

Номер патента: US9368079B2. Автор: Yu-Yeh Chen,Wenqin Zhao,Li-Yi Chen. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-14.

Information processing apparatus and control method for information processing apparatus

Номер патента: US20220253318A1. Автор: Keigo Goda. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2022-08-11.

Apparatus and method for driving 2D/3D switchable display

Номер патента: US8199138B2. Автор: Dae-Sik Kim,Sang-Moo Park,Sergey CHESTAK,Jae-Seung Kim,Jae-Phil Koo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-06-12.

Liquid crystal driving apparatus and method for driving liquid crystal

Номер патента: EP4398235A1. Автор: Qingshan Deng,Xiaoshan Shi,Xupeng Zhao,Guizhen Xin,Shunji ZHU,Guangyue CHEN,Meifeng XUE. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Method for driving display panel, device for driving display panel, and display device

Номер патента: US12073760B2. Автор: Bojia LYU. Владелец: Wuhan Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

An arrangement for a thin film electroluminescent display and a method for driving a thin film electroluminescent display

Номер патента: EP4217995A1. Автор: Mika Sirkiä,Jonne Lindeberg. Владелец: Lumineq Oy. Дата публикации: 2023-08-02.

Method for driving nebulizer and circuit system

Номер патента: US12059527B2. Автор: Shu-Pin Hsieh,Chih-Wei Lu,Liang-Rern Kung,Hsin-Hua Tseng,Jo-Ling Wu,Chen-Hsiang Sang. Владелец: Microbase Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Method for driving a display panel and display device

Номер патента: US11663972B2. Автор: MING Yang,Jieliang LI. Владелец: Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-30.

Method for driving pixel matrix and display device

Номер патента: US12112716B2. Автор: ZHUO Li,Yuan-Liang Wu,Yuyeh Chen,Yusheng Huang,Haiyan Kang. Владелец: Xianyang Caihong Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Display driving apparatus and method for driving touch display panel

Номер патента: US09870087B2. Автор: Chien-Yu Chen,Kun-yueh Lin,I-Te Liu. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2018-01-16.

Apparatus and method for driving a moveable closure

Номер патента: US09765560B2. Автор: Ray Hawkins,Geoffrey Baker. Владелец: Automatic Technology Australia Pty Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

3D panel, method for driving 3D panel and electronic device

Номер патента: US09686533B2. Автор: LEI NIU,Jialing Li,Zhihua Ling. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Method for driving liquid crystal display elements

Номер патента: GB2048542B. Автор: . Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1983-01-26.

Method for driving display panel, display module and display device

Номер патента: US20220206661A1. Автор: Kuan LI,HONG Chen,BO Wang,Ming Gao,Cheng Zuo,Kangpeng DANG,Dayu ZHANG,Xiong GUO,Zhongli LUO,Yuansheng Tang. Владелец: Chongqing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Drive system and determining method for determining a temperature in a metering system of a drive system

Номер патента: US20240240595A1. Автор: Tobias FALKENAU,Timo Bosch. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-18.

Pixel driving circuitry and method for driving the same, display substrate and display device

Номер патента: US20190259335A1. Автор: Xue Dong,Xiaochuan Chen,Shengji Yang,Jing LV,Can Zhang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-22.

Method for driving a display panel and display device

Номер патента: US20220343850A1. Автор: MING Yang,Jieliang LI. Владелец: Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-27.

Semiconductor memory device, semiconductor wafer, and method for manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US20120161206A1. Автор: Hiroshi SHIMODE. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

Method for driving display panel, display drive circuit, and display device

Номер патента: US20240363084A1. Автор: Zheng Zhang,Shulin Yao,Jiantao Liu,Dongchuan CHEN,Pengfei Hu,Yanping Liao,Yinlong ZHANG,Wenpeng MA,Yingmeng MIAO,Yuhang Tian. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Method for driving display panel, timing controller, display apparatus and method of calibrating a display apparatus

Номер патента: US12062318B2. Автор: Pan Li,Song Meng,Jingbo Xu. Владелец: Hefei BOE Joint Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Method for controlling nonvolatile memory and storage medium storing program

Номер патента: US09952967B2. Автор: Minako Morio. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Organic light emitting display and method for driving the same

Номер патента: US09697765B2. Автор: Joo-hyung Lee,Jong-Woong Park,Jun-Jin Kong,Chang-kyu Seol,Hong-rak Son,Hyun-Seuk Yoo,Gun-Hee Chung. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Driver device and driving method for driving a load

Номер патента: US09634571B2. Автор: Reinhold Elferich,Andrew Ulrich RUTGERS. Владелец: Philips Lighting Holding BV. Дата публикации: 2017-04-25.

Display device and method for driving the same

Номер патента: US09412304B2. Автор: Jongmin Park,Joonhee Lee,Heejung Hong,Younghwan AHN,DongWon Park,Yongchul Kwon. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Computer system and method for determining stay periods of a road vehicle

Номер патента: EP4166908A1. Автор: Michael Hubschneider. Владелец: PTV Planung Transport Verkehr GmbH. Дата публикации: 2023-04-19.

Apparatus and method for driving plasma display panel

Номер патента: EP1566791A3. Автор: Jeong Pil Choi,Byung Goo Kong. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2009-06-24.

Method for quickly detecting the state of a nonvolatile storage medium

Номер патента: US20040151055A1. Автор: Sheng-Zhong Shieh. Владелец: Megawin Technology Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-05.

Display substrate, method for driving display substrate, and display device

Номер патента: US20240203342A1. Автор: FEI Yang,Tangxiang Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Method for driving display and display

Номер патента: US20240233670A9. Автор: Xiaolong Chen,Xiaobing Lu. Владелец: Huizhou China Star Optoelectronics Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for driving a valve for regulating the flow rate of fuel gas towards a burner, in particular for condensation boilers having high power modulation

Номер патента: EP3458776A1. Автор: Maurizio Achille Abate,Giancarlo Pirovano,Maurizio MARCANTONIO. Владелец: Sit SpA. Дата публикации: 2019-03-27.

An arrangement for a thin film electroluminescent display and a method for driving a thin film electroluminescent display

Номер патента: US20230377513A1. Автор: Jonne Lindeberg,Mika Sirkiae. Владелец: Lumineq Oy. Дата публикации: 2023-11-23.

E-paper display device and a method for driving an e-paper display panel

Номер патента: US20220013073A1. Автор: Chi-Mao Hung,Pei-Lin Tien,Hsiao-Lung Cheng,Shu-Cheng Liu. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Method for driving a ferroelectric spatial light modulator including a first voltage, write pulse, and second voltage greater than and longer than the first

Номер патента: US5436742A. Автор: Yukio Tanaka,Akio Takimoto,Hisahito Ogawa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1995-07-25.

Data management method for nonvolatile memory

Номер патента: US9152560B2. Автор: Joo-young Hwang,Chul Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-06.

Display device and method for driving the same

Номер патента: US11705074B2. Автор: Hae-Kwan Seo,Hyojin Lee,Woomi Bae,Jaekeun Lim,Youngha Sohn. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-18.

Method for driving light-emitting substrate, driving circuit and display apparatus

Номер патента: US20240265846A1. Автор: Yi Zheng,Xin Chen,Ying Tian,Meizhen CHEN,Liangliang Ren,Kai Diao,Xiaoyang LIU,Renhui YU,Hongzhou Xie,Qingna Hou,Zhiliang Zheng,Shulian LIN,Chengwei Shi. Владелец: Fuzhou BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Device for driving security tool system providing folder protection function, and method for operating same

Номер патента: US20240296241A1. Автор: Chung Han Kim. Владелец: Kiwontech Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Hydraulic system for a cyclically working molding machine and method for operation of such a hydraulic system

Номер патента: US11746803B2. Автор: Martin Berger,Klaus Hubert Gattringer,Stephan Bauernfeind,Pascal Bader. Владелец: ENGEL AUSTRIA GMBH. Дата публикации: 2023-09-05.

Method for driving a display panel

Номер патента: US20050017961A1. Автор: Hideki Tanaka,Mitsushi Kitagawa,Yoshichika Sato,Tsutomu Tokunaga,Hideto Nakamura,Kazuaki Sakata. Владелец: Pioneer Corp. Дата публикации: 2005-01-27.

Method for driving semiconductor device

Номер патента: US20140043068A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-13.

Control circuit, display device, and method for driving main processor

Номер патента: US12094436B2. Автор: Nakyoon KIM,Jogtaek Kim,Hogeun Koo. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Method for driving display panel and display apparatus

Номер патента: US20240355293A1. Автор: Xingyao Zhou,Yana GAO,Gaojun Huang. Владелец: Xiamen Tianma Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Method for driving spatial light modulator, method for forming pattern for exposure, exposure method, and exposure apparatus

Номер патента: US09599906B2. Автор: Yoji Watanabe. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Method for assistance in driving a vehicle, corresponding electronic control unit, vehicle, and computer program product

Номер патента: WO2023214271A1. Автор: Marco Andreetto,Marco Darin,Silvano Marenco. Владелец: C.R.F. Societa Consortile per Azioni. Дата публикации: 2023-11-09.

Variable resistive element, method for producing the same, and nonvolatile semiconductor memory device including the variable resistive element

Номер патента: US20130285005A1. Автор: Yukio Tamai. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2013-10-31.

Resistive switching memory devices and method(s) for forming the resistive switching memory devices

Номер патента: US12075712B2. Автор: Sundar Narayanan,Natividad VASQUEZ, JR.,Wee Chen Gan. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Reference voltage circuits and on-die termination circuits, methods for updating the same, and methods for tracking supply, temperature, and/or process variation

Номер патента: US09608630B2. Автор: Timothy M. Hollis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Staircase structure in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: EP4401116A2. Автор: Zhiliang Xia,Di Wang,Zhong Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Methods for forming three-dimensional memory devices with backside source contacts

Номер патента: US12048151B2. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo,Ziqun HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Three-dimensional memory devices with channel structures having plum blossom shape and methods for forming the same

Номер патента: US12052865B2. Автор: Xiaoxin LIU,Lei Xue,Tingting Gao,Wanbo Geng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US12048148B2. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Staircase structure in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: EP4401116A3. Автор: Zhiliang Xia,Di Wang,Zhong Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-04.

Method for determining resistance calibration direction in ZQ calibration of memory device

Номер патента: US09871517B1. Автор: Yu-Hsuan Cheng,Jian-Sing Liou. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-16.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US12148714B2. Автор: Di Wang,Wenxi Zhou,Wei Xie,Tingting Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

Three-dimensional memory device with backside source contact

Номер патента: EP4401139A2. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Three-dimensional memory devices

Номер патента: US20210375913A1. Автор: Kun Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Three-dimensional memory device with backside interconnect structures

Номер патента: US12082411B2. Автор: LEI Liu,Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Kun Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Three-dimensional memory devices with channel structures having plum blossom shape

Номер патента: US12089405B2. Автор: Xiaoxin LIU,Weihua Cheng,Lei Xue,Tingting Gao,Wanbo Geng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Three-dimensional memory devices

Номер патента: US12114498B2. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Three-dimensional memory device with backside source contact

Номер патента: EP4401139A3. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

Three-dimensional memory device with backside source contact

Номер патента: US12136618B2. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Linchun Wu,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Apparatuses, systems, and methods for memory module data drivers

Номер патента: US20220408886A1. Автор: Sujeet Ayyapureddi,Junyong PARK,Brian Dennis Paschke,Jens Mitchell Nielsen,Cédric Eric Jean-Edouard Bernard,Jr-Jay Jhang,Henry Michael Lubowe,Edison Tam King Miguel,Matthew Joseph Kane,Stephanie Lydia Renee Choplin,Mark Woodhiser Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-29.

Method for forming transistor with recess channel for use in semiconductor memory

Номер патента: KR100568854B1. Автор: 김지영. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-04-10.

METHOD FOR MANUFACTURING A STORAGE CAPACITOR ELECTRODE STRUCTURE FOR A SEMICONDUCTOR MEMORY CELL

Номер патента: FR2752484A1. Автор: Fang Ching Chao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1998-02-20.

Method for Generating Vertical Channel Structures in Three-Dimensionally Integrated Semiconductor Memories

Номер патента: US20230092338A1. Автор: Christoph Kutter. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2023-03-23.

Selective encapsulation for metal electrodes of embedded memory devices

Номер патента: US20230403951A1. Автор: Ekmini Anuja De Silva,Ashim Dutta,Jennifer Church. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Three-dimensional memory devices having backside insulating structures and methods for forming the same

Номер патента: US11849585B2. Автор: Jin Yong Oh. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Selective encapsulation for metal electrodes of embedded memory devices

Номер патента: US11778929B2. Автор: Ekmini Anuja De Silva,Ashim Dutta,Jennifer Church. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Selective encapsulation for metal electrodes of embedded memory devices

Номер патента: US20200274066A1. Автор: Ekmini Anuja De Silva,Ashim Dutta,Jennifer Church. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-27.

Control method for a recording device

Номер патента: CA1244551A. Автор: Vincent P. Zeller,Wesley J. Ii Burris. Владелец: Halliburton Co. Дата публикации: 1988-11-08.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US11935862B2. Автор: Kun Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Three-dimensional memory devices having through array contacts and methods for forming the same

Номер патента: US20210104531A1. Автор: Hongbin Zhu,Yushi Hu,Ji XIA,Mei Lan GUO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-08.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: EP4285413A1. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Zongliang Huo. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-06.

Three-dimensional memory devices having isolation structure for source select gate line and methods for forming the same

Номер патента: US20220077181A1. Автор: Zhu Yang,CHEN ZUO,ZHEN Guo,BIN Yuan,Jingjing Geng,Xiangning Wang,Jiajia Wu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

Flash memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20100163954A1. Автор: Sung Kun Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-01.

Three-dimensional memory devices with stabilization structures between memory blocks and methods for forming the same

Номер патента: US12010834B2. Автор: Kun Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Local contacts of three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: EP3963630A1. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Jianzhong Wu,Wenxi Zhou,Tingting Zhao,Zhongwang SUN,Rui Su. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-09.

Local contacts of three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20210225863A1. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Jianzhong Wu,Wenxi Zhou,Tingting Zhao,Zhongwang SUN,Rui Su. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: EP4282004A1. Автор: Kun Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-29.

Electrostatic drive, micromechanical component, and manufacturing method for an electrostatic drive and a micromechanical component

Номер патента: US20110254404A1. Автор: Stefan Pinter,Michael Krueger,Tjalf Pirk,Joerg Muchow,Christoph Friese,Joachim Fritz. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2011-10-20.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20240206167A1. Автор: SHENG Peng,Jing Gao,Kai Yu,Wenbo Zhang,Lei Xue,Zhaohui Cheng,Zhiyong Lu,Zhangyi LI. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Staircase structure in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: EP4391762A2. Автор: Zhiliang Xia,Zhong Zhang,Wenxi Zhou,Zhongwang SUN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20210098484A1. Автор: Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20210098587A1. Автор: Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Channel structures having protruding portions in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US12035524B2. Автор: Xiaoxin LIU,Lei Xue,Tingting Gao,Wanbo Geng. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Concentric staircase structure in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US11849575B2. Автор: Zhong Zhang,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Cuicui Kong. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Self-aligned contacts in three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: WO2021007781A1. Автор: Juan Tang,Hongbin Zhu,Zi Qun HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-01-21.

Three-dimensional memory devices having through stair contacts and methods for forming the same

Номер патента: US20230301105A1. Автор: Jianhua Sun,Ji XIA,Qinxiang Wei. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Inter-deck plug in three-dimensional memory device and method for forming the same

Номер патента: US20200111807A1. Автор: Yong Zhang,Enbo Wang,Jialan He,Haohao YANG,Qianbin Xu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-09.

Self-aligned contacts in three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US20210020566A1. Автор: Juan Tang,Hongbin Zhu,Zi Qun HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: EP4282003A1. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-29.

Methods for forming three-dimensional memory device without conductor residual caused by dishing

Номер патента: US20200381452A1. Автор: Zhao Hui Tang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-03.

Method for assisting with driving an autonomous motor vehicle on a road

Номер патента: US20240034340A1. Автор: Vicente Milanes,Hussam Atoui,Imane MAHTOUT,David Gonzalez Bautista. Владелец: RENAULT SAS. Дата публикации: 2024-02-01.

Apparatus and method for coupling and driving a reel shaft

Номер патента: CA2508249A1. Автор: Alex Shafir,Vinny Cavaliere,Tim Dennison. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-17.

Apparatus and method for coupling and driving a reel shaft

Номер патента: CA2508249C. Автор: Alex Shafir,Vinny Cavaliere,Tim Dennison. Владелец: Sealed Air Corp. Дата публикации: 2009-08-25.

Three-dimensional memory devices

Номер патента: US20240164100A1. Автор: LIANG XIAO,Yi Zhao,Shu Wu,Wenbin Zhou,Mingkang ZHANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Three-dimensional memory devices

Номер патента: WO2024103569A1. Автор: LIANG XIAO,Yi Zhao,Shu Wu,Wenbin Zhou,Mingkang ZHANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-23.

Method for forming device isolation layer of semiconductor device and non-volatile memory device

Номер патента: US8278185B2. Автор: Jin-woong Kim,Jae-Hyoung Koo,Mi-Ri Lee,Chi-Ho Kim,Jin-Ho Bin. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-10-02.

Interconnect structures of three-dimensional memory devices

Номер патента: US11903204B2. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Kun Bao,Haojie Song. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Three-dimensional memory device with reduced local stress

Номер патента: US11800707B2. Автор: Tuo Li,Jingjing Geng,Shuangshuang PENG,Jiajia Wu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Interconnect structures of three-dimensional memory devices

Номер патента: US20240114687A1. Автор: Zhiliang Xia,Kun Zhang,Kun Bao,Haojie Song. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Chemical-mechanical polishing method for polishing phase-change material and method of fabricating phase-change memory device using the same

Номер патента: US20100227435A1. Автор: Joon-Sang Park,Chung-Ki Min,Dong-Keun Kim,Yeol Jon,Chang-sun Hwang,Tae-eun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-09-09.

Methods for forming channel structures with reduced sidewall damage in three-dimensional memory devices

Номер патента: US11538825B2. Автор: Xiaofen Zheng,Hongbin Zhu,Lixun Gu,Hanwei Yi. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-27.

A method for forming a multi-division staircase structure of a three-dimensional memory device

Номер патента: JP7246500B2. Автор: シア・ジリアン,フア・ウェンユ,チャン・ゾン. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-27.

Device and method for assisting with driving a motor vehicle

Номер патента: US20190061757A1. Автор: Benazouz Bradai,Thomas Heitzmann,Charles-Henri Quivy,Alexandre Garnault,Paulo Resende. Владелец: VALEO SCHALTER UND SENSOREN GMBH. Дата публикации: 2019-02-28.

METHOD FOR STABILIZING BY DRIVING A CONVEYOR OF VEHICLES

Номер патента: FR3055285A1. Автор: Alain Micaelli,Eric Lucet. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-03-02.

Method for assistance in driving a hybrid vehicle

Номер патента: EP2610126B1. Автор: Matthieu Plantier. Владелец: PEUGEOT CITROEN AUTOMOBILES SA. Дата публикации: 2014-07-30.

METHOD FOR STABILIZING BY DRIVING A CONVEYOR OF VEHICLES

Номер патента: FR3055285B1. Автор: Alain Micaelli,Eric Lucet. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-08-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090014778A1. Автор: Keita Takahashi,Koichi Kawashima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-15.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US7791121B2. Автор: Keita Takahashi,Koichi Kawashima. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-09-07.

Method for producing nonvolatile semiconductor memory device and the device itself

Номер патента: US20040077146A1. Автор: Hiroaki Tsunoda,Tadashi Iguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-04-22.

Method for producing nonvolatile semiconductor memory device and the device itself

Номер патента: US6927132B2. Автор: Hiroaki Tsunoda,Tadashi Iguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-08-09.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150069491A1. Автор: Takamasa Usui,Yoshiaki Himeno,Jun Iijima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09627400B2. Автор: Kenji Koshiishi,Junji Kataoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09589974B2. Автор: Takamasa Usui,Yoshiaki Himeno,Jun Iijima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20140027836A1. Автор: Tadashi Iguchi,Ryota Katsumata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-01-30.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150372003A1. Автор: Kotaro Noda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-24.

Nonvolatile semiconductor memory device and production method for the same

Номер патента: US20150048436A1. Автор: Masayuki Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Nonvolatile semiconductor memory device and production method for the same

Номер патента: US20120193699A1. Автор: Masayuki Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-02.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20130228850A1. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-05.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09978765B2. Автор: Keiichi SAWA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09450065B2. Автор: Hideyuki Nishizawa,Koji Asakawa,Tsukasa Tada,Satoshi Mikoshiba,Shigeki Hattori,Hideaki Aochi,Reika Ichihara,Masaya Terai,Yoshiaki Fukuzumi,Hiroyuki Fuke. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150041876A1. Автор: Toshihiko Iinuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-02-12.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US7145200B2. Автор: Kazuo Saito,Shogo Takamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-12-05.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20110001178A1. Автор: Masao Iwase,Tadahi Iguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-06.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09941296B2. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US9318503B2. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-04-19.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US8541866B2. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-24.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210202263A1. Автор: Takashi Shimizu,Masaaki Higuchi,Takahiro Hirai,Takeshi SONEHARA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-07-01.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130228844A1. Автор: Satoshi Nagashima,Fumitaka Arai,Hisataka Meguro. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-05.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20210335816A1. Автор: Masayuki Tanaka,Akira Takashima,Kenichiro TORATAI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-10-28.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170271366A1. Автор: Gaku Sudo,Yumiko Miyano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20170263640A1. Автор: Masayuki Tanaka,Akira Takashima,Kenichiro TORATANI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20060017121A1. Автор: Masatoshi Arai,Keita Takahashi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-01-26.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US7518180B2. Автор: Masatoshi Arai,Keita Takahashi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-04-14.

Nonvolatile semiconductor memory transistor and method for manufacturing nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20120025292A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2012-02-02.

Nonvolatile semiconductor memory transistor and method for manufacturing nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US8471327B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2013-06-25.

Nonvolatile semiconductor memory and manufacturing method for the same

Номер патента: US20060255396A1. Автор: Akiko Nara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-11-16.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100084702A1. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-04-08.

Nonvolatile semiconductor memory device, semiconductor device and manufactoring method of nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100171169A1. Автор: Isao Kamioka,Yoshio Ozawa,Daisuke Matsushita,Yuuichiro Mitani,Ryuji Ooba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-07-08.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09786678B2. Автор: Naoki Yasuda,Masaaki Higuchi,Katsuyuki Sekine,Masao Shingu,Hirokazu Ishigaki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Nonvolatile semiconductor memory transistor and method for manufacturing nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20120025291A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2012-02-02.

Nonvolatile semiconductor memory transistor and method for manufacturing nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US8349688B2. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2013-01-08.

Nonvolatile semiconductor memory transistor and method for manufacturing nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20130252389A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2013-09-26.

Nonvolatile semiconductor memory transistor and method for manufacturing nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20150364608A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2015-12-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8106445B2. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-01-31.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8836010B2. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-16.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120168851A1. Автор: Koichi Fukuda,Takumi Abe,Rieko Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120135593A1. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-05-31.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20130292758A1. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-11-07.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09391086B1. Автор: Eiichi Soda,Kazunori HORIGUCHI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-07-12.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150263014A1. Автор: Shoichi Watanabe,Satoshi Nagashima,Kazunari TOYONAGA,Karin TAKAYAMA,Shotaro Murata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090065844A1. Автор: Toshihiko Iinuma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-12.

Nonvolatile semiconductor memory device comprising memory gate and peripheral gate having different thicknesses

Номер патента: US09530782B2. Автор: Shoichi Watanabe,Satoshi Nagashima,Kazunari TOYONAGA,Karin TAKAYAMA,Shotaro Murata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120099374A1. Автор: Yasuhiko Matsunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-04-26.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20100301405A1. Автор: Shigeto Oota,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-02.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20160056166A1. Автор: Shosuke Fujii,Masahiro Kiyotoshi,Kiwamu Sakuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

Nonvolatile semiconductor memory device having electron scattering and electron accumulation capacities in charge accumulation layer

Номер патента: US09935122B2. Автор: Akira Takashima,Yasushi Nakasaki,Daisuke Matsushita,Tsunehiro Ino,Kenichiro TORATANI,Misako Morota. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09805927B2. Автор: Shosuke Fujii,Kiwamu Sakuma,Masumi SAITOH. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20160260722A1. Автор: Hirofumi Inoue,Yasuyuki Baba,Kazuichi Komenaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-08.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7208801B2. Автор: Koichi Matsuno,Tadashi Iguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-04-24.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050265112A1. Автор: Koichi Matsuno,Tadashi Iguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-01.

Nonvolatile semiconductor memory device having word line hookup region with dummy word lines

Номер патента: US09620519B2. Автор: Hirofumi Inoue,Yasuyuki Baba,Kazuichi Komenaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070148854A1. Автор: Koichi Matsuno,Tadashi Iguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-28.

Nonvolatile semiconductor memory device provided with charge storage layer in memory cell

Номер патента: US09450108B2. Автор: Masayuki Tanaka,Koji Nakahara,Kazuhiro Matsuo,Takeo Furuhata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8779499B2. Автор: Masahiro Kiyotoshi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-07-15.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US7750394B2. Автор: Tatsuo Shimizu,Koichi Muraoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-07-06.

Nonvolatile semiconductor memory device provided with charge storage layer in memory cell

Номер патента: US20150228662A1. Автор: Masayuki Tanaka,Koji Nakahara,Kazuhiro Matsuo,Takeo Furuhata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-08-13.

Nonvolatile semiconductor memory device provided with charge storage layer in memory cell

Номер патента: US20110298039A1. Автор: Masayuki Tanaka,Koji Nakahara,Kazuhiro Matsuo,Takeo Furuhata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-12-08.

Nonvolatile semiconductor memory device provided with charge storage layer in memory cell

Номер патента: US20140239379A1. Автор: Masayuki Tanaka,Koji Nakahara,Kazuhiro Matsuo,Takeo Furuhata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-28.

Nonvolatile semiconductor memory device, method of manufacturing the same, and method of measuring the same

Номер патента: US09548315B2. Автор: Tadashi Iguchi,Megumi Ishiduki,Yoshihiro Yanai,Yoichi MINEMURA,Takuya INATSUKA,Murato Kawai,Takuya MIZUTANI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130049098A1. Автор: Tatsuo Izumi,Tohru Ozaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-02-28.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100123184A1. Автор: Takashi Izumida,Nobutoshi Aoki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-05-20.

Nonvolatile semiconductor memory device and process for same

Номер патента: US20020089002A1. Автор: Satoshi Shimizu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-07-11.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030011025A1. Автор: Naoki Tsuji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-01-16.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120146128A1. Автор: Takashi Izumida,Nobutoshi Aoki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-14.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120139031A1. Автор: Takashi Izumida,Nobutoshi Aoki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-07.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160049414A1. Автор: Koichi Matsuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-18.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09837264B2. Автор: Hideto Takekida,Reiko SHAMOTO. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120043549A1. Автор: Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-23.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140061764A1. Автор: Akira Takashima,Daisuke Matsushita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160056164A1. Автор: Noriaki Mikasa,Ken Komiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20090236653A1. Автор: Yukie Nishikawa,Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Hirotaka Nishino,Shoko Kikuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-09-24.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140252453A1. Автор: Yoshio Ozawa,Masaaki Higuchi,Katsuyuki Sekine,Ryota Fujitsuka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-11.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09666694B2. Автор: Katsuhiro Sato,Kazuhito Nishitani. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09536898B2. Автор: Hideyuki Nishizawa,Koji Asakawa,Shigeki Hattori,Masaya Terai,Misako Morota. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20090057753A1. Автор: Tsunehiro Ino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-03-05.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150091075A1. Автор: Katsuhiro Sato,Kazuhito Nishitani. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-02.

Nonvolatile semiconductor memory device including pillars buried inside through holes same

Номер патента: US09412756B2. Автор: Takashi Maeda,Yoshihisa Iwata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Nonvolatile semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110217831A1. Автор: Takeshi Kikuchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-09-08.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130153980A1. Автор: Masashi Honda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-20.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20030127681A1. Автор: Naoki Tsuji,Naho Nishioka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-07-10.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20080087937A1. Автор: Yoshio Ozawa,Hiroshi Akahori,Wakako Takeuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030011024A1. Автор: Naho Nishioka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-01-16.

Nonvolatile semiconductor memory device including pillars buried inside through holes

Номер патента: US09859211B2. Автор: Takashi Maeda,Yoshihisa Iwata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09768380B2. Автор: Masahiro Kiyotoshi,Kiwamu Sakuma,Atsuhiro Kinoshita,Haruka KUSAI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Nonvolatile semiconductor memory with stable characteristic

Номер патента: US20050184333A1. Автор: Kenichiro Nakagawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-08-25.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20120086069A1. Автор: Tetsuya Kai,Yoshio Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-04-12.

Nonvolatile semiconductor memory and method of fabrication thereof

Номер патента: US20080048238A1. Автор: Masaru Seto. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-28.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20110312155A1. Автор: Masayuki Tanaka,Hirofumi IIKAWA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-12-22.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US09590117B2. Автор: Naoki Yasuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Nonvolatile semiconductor storage device, and method of manufacturing the same nonvolatile semiconductor storage device

Номер патента: US20170069641A1. Автор: Ryota Suzuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Method for manufacturing nonvolatile semiconductor memory element, and nonvolatile semiconductor memory element

Номер патента: US8889478B2. Автор: Takumi Mikawa,Yoshio Kawashima,Yukio Hayakawa,Takeki Ninomiya. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-11-18.

Method for manufacturing nonvolatile semiconductor memory device and nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8361862B2. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-01-29.

Nonvolatile semiconductor memory capable of storing data of two bits or more per cell

Номер патента: US20060081891A1. Автор: Kenichirou Nakagawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-04-20.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20060039175A1. Автор: Yoshinori Odake. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-23.

Nonvolatile semiconductor memory device with tapered sidewall gate and method of manufacturing the same

Номер патента: US7442986B2. Автор: Kan Yasui,Shinichiro Kimura,Digh Hisamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-10-28.

Semiconductor memory devices

Номер патента: US09997462B2. Автор: Keun Lee,Dohyung Kim,Hyunseok Lim,Hauk Han,Jeonggil Lee,Jooyeon Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Method of making a nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US5208175A. Автор: Jeong-Hyeok Choi,Geon-Su Kim,Yun-Seong Sin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1993-05-04.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240030040A1. Автор: Takashi Shimizu,Masaaki Higuchi,Takahiro Hirai,Takeshi SONEHARA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Nonvolatile semiconductor memory transistor, nonvolatile semiconductor memory, and method for manufacturing nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20140021525A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2014-01-23.

Nonvolatile semiconductor memory transistor, nonvolatile semiconductor memory, and method for manufacturing nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20140117431A1. Автор: Fujio Masuoka,Hiroki Nakamura. Владелец: Unisantis Electronics Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2014-05-01.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190139782A1. Автор: Takashi Shimizu,Masaaki Higuchi,Takahiro Hirai,Takeshi SONEHARA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200203180A1. Автор: Takashi Shimizu,Masaaki Higuchi,Takahiro Hirai,Takeshi SONEHARA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-06-25.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20110309318A1. Автор: Takuya Konno,Kazuhiko Yamamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-12-22.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20120241843A1. Автор: Ryota Katsumata,Hiromitsu IINO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150262932A1. Автор: Osamu Yamane,Tadashi Iguchi,Hiromitsu Mashita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150069492A1. Автор: Kotaro Fujii. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Method of fabricating a nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US7205197B2. Автор: Katsuji Yoshida. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-17.

nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20120132980A1. Автор: Yuji Takeuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-05-31.

Nonvolatile semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080203481A1. Автор: Hiroshi Akahori,Wakako Takeuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-28.

Nonvolatile semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110020995A1. Автор: Hiroshi Akahori,Wakako Takeuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-27.

Nonvolatile semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US7829950B2. Автор: Hiroshi Akahori,Wakako Takeuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-11-09.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20030098485A1. Автор: Yasuo Nakatani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-29.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20200043940A1. Автор: Keiichi SAWA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-02-06.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20230354596A1. Автор: Keiichi SAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US11792992B2. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150069497A1. Автор: Kiyohito Nishihara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20160190152A1. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Yoshimasa Mikajiri,Ryouhei KlRISAWA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-06-30.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20150364489A1. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-12-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20220139955A1. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-05-05.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20180197878A1. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-07-12.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20200243560A1. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-07-30.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20170148815A1. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Yoshimasa Mikajiri,Ryouhei KlRISAWA,Shigeta OOTA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-25.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20240114811A1. Автор: Tadaomi Daibou,Yosuke Matsushima,Katsuyoshi Komatsu,Jieqiong Zhang. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09570393B2. Автор: Kwang-Seok Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of fabrication of the same

Номер патента: US5726470A. Автор: Yasuo Sato. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1998-03-10.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20110115014A1. Автор: Tadashi Iguchi,Daigo Ichinose. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-05-19.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US8247860B2. Автор: Masao Iwase,Tadashi Iguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-21.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20140117434A1. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-05-01.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20140246717A1. Автор: Fumiki Aiso. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-04.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20240008276A1. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20190348437A1. Автор: Masaru Kito,Shigeto Oota,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki,Junya Matsunami,Ryouhei Kirisawa,Yoshimasa Mikajiri. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-11-14.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150060984A1. Автор: Hiroki Yamashita,Shun Shimizu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-05.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20040214394A1. Автор: Shu Shimizu. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-10-28.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US9831270B2. Автор: Gaku Sudo,Yumiko Miyano. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US12127408B2. Автор: Young-jin JUNG,Bong Tae PARK,Ho Jun SEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Method for fabricating nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US6030869A. Автор: Takashi Maejima,Hidenori Tanaka,Yoshinori Odake,Mitsuyoshi Andou,Toshimoto Kubota. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 2000-02-29.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20170033118A1. Автор: Shosuke Fujii,Kiwamu Sakuma,Masumi SAITOH. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-02.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: SG182890A1. Автор: Noda Mitsuhiko,Noguchi Mitsuhiro,KUTSUKAKE Hiroyuki. Владелец: Toshiba Kk. Дата публикации: 2012-08-30.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20140284692A1. Автор: Hiroshi Shinohara,Ryota Katsumata,Yoshihiro AKUTSU. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-25.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US9136394B2. Автор: Young-Jin Lee,Min-Soo Kim,Sung-Jin Whang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-09-15.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8498155B2. Автор: Yasuhiko Matsunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-07-30.

Nonvolatile semiconductor memory device having stacked-gate type transistor

Номер патента: US5780894A. Автор: Katsuki Hazama. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1998-07-14.

Method for forming asymmetric flash EEPROM with a pocket to focus electron injections

Номер патента: US6130134A. Автор: Chia-Shing Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2000-10-10.

Method of fabricating nonvolatile semiconductor memory devices with select gates

Номер патента: US5953611A. Автор: Makoto Tanaka. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 1999-09-14.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080121979A1. Автор: Yukie Nishikawa,Akira Takashima,Koichi Muraoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-05-29.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140264718A1. Автор: Makoto Wada,Kazuyuki Higashi,Naofumi Nakamura,Tsuneo Uenaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Nonvolatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090072323A1. Автор: Masahiro Kiyotoshi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-19.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140084353A1. Автор: Gou FUKANO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-27.

Nonvolatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20080073703A1. Автор: Kiyoshi Kurihara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-03-27.

Method for driving a single-phase electric motor and single-phase electric motor

Номер патента: EP4066370A1. Автор: Miso Boskovski,Oliver Sarrio,Felix WÜBBELS. Владелец: PIERBURG PUMP TECHNOLOGY GMBH. Дата публикации: 2022-10-05.

Method for fabricating nonvolatile memory device

Номер патента: US20120052673A1. Автор: Ki-Hyun Hwang,Dong-Chul Yoo,Han-mei Choi,Jin-Gyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-03-01.

Method for vehicle driving

Номер патента: RU2636206C2. Автор: Лиса ЭРЛИХ,Бертранд МУЛИМАРД,Юхан БРИНГХЕД,Андерс ХЕЙВАЛЛЬ. Владелец: Вольво Трак Корпорейшн. Дата публикации: 2017-11-21.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US5530276A. Автор: Shoichi Iwasa. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1996-06-25.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150021678A1. Автор: Ryuji Ohba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-01-22.

Manufacturing method for a semiconductor device

Номер патента: US11462627B2. Автор: Xiang Peng,Haoyu Chen,Qiwei Wang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-10-04.

Driver device and driving method for driving an LED unit

Номер патента: US09544962B2. Автор: Harald Josef Günther RADERMACHER,Reinhold Elferich,Toni LOPÉZ. Владелец: Philips Lighting Holding BV. Дата публикации: 2017-01-10.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of producing the same

Номер патента: US5594688A. Автор: Yasuo Sato. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1997-01-14.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20090152618A1. Автор: Masayuki Tanaka,Koji Nakahara,Kazuhiro Matsuo,Takeo Furuhata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150035045A1. Автор: Hideyuki Nishizawa,Koji Asakawa,Shigeki Hattori,Masaya Terai,Misako Morota. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-02-05.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140061763A1. Автор: Hideyuki Nishizawa,Koji Asakawa,Shigeki Hattori,Masaya Terai,Misako Morota. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-03-06.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150295170A1. Автор: Masatoshi Yoshikawa,Satoshi Seto,Kazuhiro Tomioka,Ga Young Ha,Shuichi TSUBATA. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-10-15.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120241872A1. Автор: Masato Endo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US7875925B2. Автор: Tsunehiro Ino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-01-25.

System and method for driving a multi-lamp

Номер патента: US7477022B2. Автор: Soon-Im Wi,Sang-Don Choi. Владелец: New Power Plasma Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-13.

System and method for driving a multi-lamp

Номер патента: US20080061708A1. Автор: Soon-Im Wi,Sang-Don Choi. Владелец: New Power Plasma Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-13.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120319077A1. Автор: Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Daisuke Matsushita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-12-20.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8796755B2. Автор: Motoyuki Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-05.

Method of manufacturing nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8445349B2. Автор: Mitsuhiko Noda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-05-21.

Method of manufacturing nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20130023099A1. Автор: Mitsuhiko Noda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-01-24.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US9076722B2. Автор: Masahiro Kiyotoshi,Kiwamu Sakuma,Atsuhiro Kinoshita,Haruka KUSAI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-07-07.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130341699A1. Автор: Motoyuki Sato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-12-26.

Method of integrating volatile and non-volatile memory cells on the same substrate and a semiconductor memory device thereof

Номер патента: US20020197792A1. Автор: Louis Hsu,Carl Radens,Li-Kong Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-12-26.

Control method for piezoelectric driving device, piezoelectric driving device, and robot

Номер патента: US11205976B2. Автор: Hidetoshi Saito. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2021-12-21.

Dielectric structure in nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20100181611A1. Автор: Kwon Hong,Kwan-Yong Lim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-07-22.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110287624A1. Автор: Hiroyuki Nitta. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-11-24.

Drive and method for driving gripper carriers

Номер патента: WO2011120820A2. Автор: Patrick Strubbe. Владелец: PICANOL. Дата публикации: 2011-10-06.

Drive device and method for operating a drive device

Номер патента: US09932773B2. Автор: Andreas Pikowski. Владелец: EURODRILL GmbH. Дата публикации: 2018-04-03.

Nonvolatile semiconductor memory and making method thereof

Номер патента: US7268042B2. Автор: Kan Yasui,Digh Hisamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-09-11.

Method for producing a floating gate memory device including implanting ions through an oxidized portion of the silicon film from which the floating gate is formed

Номер патента: US5599727A. Автор: Shin-Ichi Sato,Kenji Hakozaki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1997-02-04.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US7414285B2. Автор: Yoshio Ozawa,Hiroshi Akahori,Wakako Takeuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-08-19.

Nonvolatile semiconductor memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120171856A1. Автор: Mutsuo Morikado. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-05.

Head substrate, recording head, head cartridge, recorder, and method for inputting/outputting information

Номер патента: EP1767365B1. Автор: Teruo Canon Kabushiki Kaisha Ozaki,Yoshiyuki Canon Kabushiki Kaisha Imanaka,Takuya Canon Kabushiki Kaisha Hatsui,Yoshiyuki CANON KABUSHIKI KAISHA TOGE. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-05-30.

Method for driving a rotor of a planar drive system

Номер патента: US12040675B2. Автор: Tobias Weber,Klaus Neumann,Thomas Luthe,Hubertus Pennekamp,Eva Wiedner,Alexander Weddemann. Владелец: Beckhoff Automation GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-07-16.

Control method for piezoelectric driving device, piezoelectric driving device, and robot

Номер патента: US20200343436A1. Автор: Hidetoshi Saito. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2020-10-29.

Systems and methods for driving leaves of a multi-leaf collimator

Номер патента: US12036425B2. Автор: Boqi MA. Владелец: Shanghai United Imaging Healthcare Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Refrigerator and method for controlling the same

Номер патента: US20200208894A1. Автор: Joohee SONG,Jaepil CHO,Sungbok KO,Jongeon SI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-07-02.

Control method for piezoelectric driving device, piezoelectric driving device, and robot

Номер патента: US20200343830A1. Автор: Hidetoshi Saito. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2020-10-29.

Drive and method for driving gripper carriers

Номер патента: WO2011120820A3. Автор: Patrick Strubbe. Владелец: PICANOL. Дата публикации: 2012-08-30.

Systems and methods for driving a pump associated with a subterranean well

Номер патента: WO2010025461A2. Автор: Tracy Rogers,Matt Montoya,Curtis Crosby. Владелец: Sooner B & B, Inc.. Дата публикации: 2010-03-04.

Non-volatile semiconductor memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20020145155A1. Автор: Kenji Yamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-10-10.

Drive device, drive motor and method for driving a spindle

Номер патента: US20240243673A1. Автор: Burhanettin Koc,Reinhard Hübner,Simon Kapelke,Hansjörg LUCKERT-MC BEATH. Владелец: Physik Instrumente PI GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-07-18.

Apparatus and method for driving fluorescent lamp

Номер патента: US20120081020A1. Автор: Shih-Chung Huang,Kuang-Yu Jung. Владелец: Beyond Innovation Technology Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-05.

Drive for a transport device, set of drives and method for driving a transport device

Номер патента: US09790032B2. Автор: Martin Seger,Hartmut Davidson,Reiner Kahl,Johann Hüttner,Johannes Vierheilig,Franz Lautenschlager. Владелец: KRONES AG. Дата публикации: 2017-10-17.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09786683B1. Автор: Kiwamu Sakuma,Keiji Ikeda,Masumi SAITOH. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09536891B2. Автор: Sung-Kun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Driver device and driving method for driving a load, in particular an LED unit

Номер патента: US09497814B2. Автор: Reinhold Elferich,Toni LOPÉZ. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2016-11-15.

Apparatus and method for driving semiconductor light-emitting device assembly

Номер патента: US09480111B2. Автор: Weiqiang Zhang,Lizhi Xu,Yuanyuan Zhong. Владелец: Delta Electronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

High-density nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US5401992A. Автор: Takashi Ono. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 1995-03-28.

Memory cell and nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20070075354A1. Автор: Takashi Ono,Narihisa FUJII,Kenji OHNUKI. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-05.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120273743A1. Автор: Masayuki Takata,Tsukasa Nakai,Hiroyuki Fukumizu,Yasuhiro Nojiri,Kenichi Ootsuka,Shuichi Kuboi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8735859B2. Автор: Masayuki Takata,Tsukasa Nakai,Hiroyuki Fukumizu,Yasuhiro Nojiri,Kenichi Ootsuka,Shuichi Kuboi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-05-27.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120193698A1. Автор: Mitsuhiko Noda,Mitsuhiro Noguchi,Hiroyuki Kutsukake. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-08-02.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9397289B2. Автор: Shuichi TSUBATA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Memory cell and nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US7514738B2. Автор: Takashi Ono,Narihisa FUJII,Kenji OHNUKI. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-07.

Nonvolatile semiconductor memory with backing wirings and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070296021A1. Автор: Hideki Sugiyama,Hideki Hara. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-12-27.

Refrigerator and method for controlling the same

Номер патента: WO2020138811A1. Автор: Joohee SONG,Jaepil CHO,Sungbok KO,Jongeon SI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-07-02.

Safe torque off (sto) circuit and method for sto circuit

Номер патента: WO2021147031A1. Автор: Jibin WANG,Petri Havanto,Ville Kärjä,Ville Samuel Forsström. Владелец: Abb Beijing Drive Systems Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-07-29.

Method for driving a pile

Номер патента: EP4381136A1. Автор: Jasper Stefan Winkes. Владелец: Iqip Holding BV. Дата публикации: 2024-06-12.

Method for fabricating nonvolatile memory device

Номер патента: US20040157395A1. Автор: Seung Yoo. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-12.

Driving method and driving device for driving a polyphase inverter

Номер патента: US20100309693A1. Автор: Jwu-Sheng Hu,Keng-Yuan Chen. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2010-12-09.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20110241094A1. Автор: Mutsuo Morikado. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-10-06.

Driving method and driving device for driving a polyphase inverter

Номер патента: US8536823B2. Автор: Jwu-Sheng Hu,Keng-Yuan Chen. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2013-09-17.

Apparatus and method for driving fluorescent lamp

Номер патента: US20130328485A1. Автор: Shih-Chung Huang,Kuang-Yu Jung. Владелец: Beyond Innovation Technology Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-12.

Method for generating hydraulic power in an aircraft, use of a hybrid power control unit and drive system

Номер патента: US20150314851A1. Автор: Mark Heintjes,Andreas Fleddermann. Владелец: AIRBUS OPERATIONS GMBH. Дата публикации: 2015-11-05.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09646977B2. Автор: Sung-Kun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Handheld work apparatus having a drive motor for driving a work tool and method for operating said apparatus

Номер патента: US09636792B2. Автор: Klaus Kaupp,Georg Heinzelmann,Markus Mandalka. Владелец: Andreas Stihl AG and Co KG. Дата публикации: 2017-05-02.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US7560766B2. Автор: Hiroshi Maejima,Mitsuhiro Noguchi,Takahiko Hara,Minori Kajimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-07-14.

Process for fabricating nonvolatile semiconductor memory with a selection transistor

Номер патента: US6492230B2. Автор: Ken-ichiro Nakagawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-12-10.

Nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20120181598A1. Автор: Toshitake Yaegashi,Riichiro Shirota,Yoshio Ozawa,Akihito Yamamoto,Yoshihiko Saito,Ichiro Mizushima,Masayuki Ichige,Fumitaka Arai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-19.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200119092A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Shih-Chang Liu,Chern-Yow Hsu,Sheng-Haung Haung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Method for manufacturing nonvolatile memory thin film device by using neutral particle beam generation apparatus

Номер патента: US20170301547A1. Автор: Jin Nyeong JANG,Mun Pyo Hong. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2017-10-19.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US9070781B2. Автор: Sung-Kun Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-06-30.

Electric circuit and method for driving light-emitting diode for vehicle

Номер патента: GB2608105A. Автор: Heo Joon,Im Jingue. Владелец: Continental Automotive GmbH. Дата публикации: 2022-12-28.

Driving device and driving method for driving motor of electric auxiliary vehicle

Номер патента: US20240317071A1. Автор: Kuan-Chieh Huang,Hsiu-Hsien Su,Yun-Chi Tzeng. Владелец: Aph Epower Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Driving device and driving method for driving motor of electric auxiliary vehicle

Номер патента: EP4443738A1. Автор: Kuan-Chieh Huang,Hsiu-Hsien Su,Yun-Chi Tzeng. Владелец: Aph Epower Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Pile driving methods and systems for driving a pile

Номер патента: US12123159B2. Автор: Eric Romeijn. Владелец: Itrec BV. Дата публикации: 2024-10-22.

Method for driving piezoelectric element, piezoelectric element, and piezoelectric element applied device

Номер патента: US09865796B2. Автор: Naoto Yokoyama. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Method for driving vibrating motor

Номер патента: US09774289B2. Автор: Hongxing Wang. Владелец: AAC Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Method for controlling a laundry dryer including a fan motor for driving a drying air stream fan with a variable speed

Номер патента: US09758921B2. Автор: Alberto Bison,Francesco Cavarretta,Massimiliano Vignocchi,Maurizio Ugel. Владелец: Electrolux Home Products Corp NV. Дата публикации: 2017-09-12.

Testing chart, a correction value acquiring method for an inkjet printing apparatus, and an inkjet printing apparatus

Номер патента: US09757967B2. Автор: Kunio Muraji. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Pump device and method for controlling the same

Номер патента: US09695815B2. Автор: Yuji Nonomura,Sachie Suzuki,Ryuji ITOYAMA,Akhiro YAMANAKA. Владелец: Ulvac Kiko Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Vertical channel-type 3D semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09613981B2. Автор: Ming Liu,Zongliang Huo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-04-04.

Ultraviolet-erasable nonvolatile semiconductor device

Номер патента: US09589972B2. Автор: Tetsuo SOMEYA. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Arrangement for driving and drive method for a piezoelectric actuator

Номер патента: US09450521B2. Автор: Uwe Jung. Владелец: Continental Automotive GmbH. Дата публикации: 2016-09-20.

Vertical channel-type 3D semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09437609B2. Автор: Ming Liu,Zongliang Huo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-09-06.

Nonvolatile semiconductor memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20020195647A1. Автор: Seiichi Aritome. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Method for driving heddle frames and weaving machine

Номер патента: EP1987182A1. Автор: Dirk Sampers,Koenraad Vandecasteele,Piet Verdiere. Владелец: Picanol NV. Дата публикации: 2008-11-05.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020033495A1. Автор: Jeong-Seok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-03-21.

Side mirror control system and method for vehicle

Номер патента: US20140160586A1. Автор: Eun Beom Choi. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2014-06-12.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030080374A1. Автор: Hajime Arai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-01.

Semiconductor memory device, method for fabricating semiconductor memory device, semiconductor integrated circuit and semiconductor memory integrated circuit

Номер патента: US20230209817A1. Автор: Kenichiro Kusano. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09508739B2. Автор: Naoki Yasuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Method for driving two-wheel self-balancing scooter to maintain straight drivability at occurrence of external force

Номер патента: US09434438B1. Автор: Joon-Hyung Kim,Hwa Sung Jun. Владелец: ROBO3 Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

System and method for driving a relay circuit

Номер патента: US09412544B2. Автор: Clemens Gerhardus Johannes De Haas,Luc Van Dijk. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-08-09.

Method for self-diagnosing early disorders of cognitive functions and a data medium

Номер патента: RU2712574C1. Автор: Пётр Павлович Кузнецов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ИЛИАН". Дата публикации: 2020-01-29.

Semiconductor memory device and method for fabricating semiconductor memory device

Номер патента: US7821049B2. Автор: Hiroyuki Kanaya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-10-26.

Nonvolatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120012803A1. Автор: Shigeto OSHINO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-01-19.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20080158944A1. Автор: Byong-Kook Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-07-03.

Semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020089037A1. Автор: Jeong-Seok Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-07-11.

Buried word line and connection pad for memory device

Номер патента: US8698233B2. Автор: Hyoung Soon Yune,Joo Hong Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-04-15.

Nonvolatile memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US20120104340A1. Автор: Takashi Nakao,Atsushi Fukumoto,Yasuhito Yoshimizu,Fumiki Aiso. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-05-03.

Semiconductor memory device and method for forming semiconductor memory device

Номер патента: US20240268097A1. Автор: PENG Guo,Yuanbao WANG. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Non-volatile semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US20020000603A1. Автор: Kiyohiko Sakakibara,Hirotada Kuriyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-01-03.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US12080791B2. Автор: Ki Seok Lee,Min Hee Cho,Min Su Lee,Sang Hoon Uhm,Min Tae RYU,Won Sok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for driving pile leg to ascenddescend by cylinders on four sides of huge offshore wind turbine mounting platform

Номер патента: NL2026747B1. Автор: Yongkang Zhang,Zhengang Wang,Hang Gao,Ming Chou,Xiaojian Huo,Yanping HE,Hehui Zheng,Qingyuan Wu. Владелец: Univ Guangdong Technology. Дата публикации: 2023-11-07.

Method for driving pile leg to ascenddescend by cylinders on four sides of huge offshore wind turbine mounting platform

Номер патента: NL2026747A. Автор: Yongkang Zhang,Zhengang Wang,Hang Gao,Ming Chou,Xiaojian Huo,Yanping HE,Hehui Zheng,Qingyuan Wu. Владелец: Univ Guangdong Technology. Дата публикации: 2022-04-19.

Semiconductor memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240365532A1. Автор: Ji Ho Park,Tae Jin Park,Ki Seok Lee,Jun Soo Kim,Ho Sang LEE,Myeong-Dong LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Method for driving a single-phase electric motor and single-phase electric motor

Номер патента: US12113405B2. Автор: Miso Boskovski,Oliver Sarrio,Felix Wuebbels. Владелец: PIERBURG PUMP TECHNOLOGY GMBH. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240371994A1. Автор: Ki Seok Lee,Min Hee Cho,Min Su Lee,Sang Hoon Uhm,Min Tae RYU,Won Sok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Drive method for a DC-DC voltage converter, and DC-DC voltage converter

Номер патента: US12057778B2. Автор: Jan Riedel,Christian Winter. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-08-06.

Pile-driver assembly and method for driving a pile into the ground

Номер патента: US12123160B2. Автор: Jasper Stefan Winkes. Владелец: Iqip Holding BV. Дата публикации: 2024-10-22.

Method for driving a light source, a driver system to drive a light source and a luminaire comprising said light source and driver system

Номер патента: US09979477B2. Автор: Marc Saes. Владелец: Eldolab Holding BV. Дата публикации: 2018-05-22.

Solid-state image pickup device and method for driving the same in solid-state imaging pickup device and method for driving the same in a number of modes

Номер патента: US09942505B2. Автор: Noriyuki Fukushima,Yoshikazu Nitta,Yoshinori Muramatsu,Yukihiko Yasui. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Nonvolatile memory device and a method for fabricating the same

Номер патента: US09905568B2. Автор: Kyung-hyun Kim,Young-woo Park,Jong-won Kim,Yong-Hoon Son,Jae-Duk Lee,Chang-seok Kang,Byeong-Ju Kim,Phil-ouk Nam,Yeon-Sil Sohn,Jin-I LEE,Won-Bong Jung,Kwang-Chul Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09831264B2. Автор: Eun-Seok Choi,Sung-wook Jung,Jung-Seok Oh,Sa-Yong SHIM,In-Hey LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Solid-state image pickup device and method for driving the same in solid-state imaging pickup device and method for driving the same in a number of modes

Номер патента: US09769411B2. Автор: Noriyuki Fukushima,Yoshikazu Nitta,Yoshinori Muramatsu,Yukihiko Yasui. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Driver device and driving method for driving a load, in particular a LED unit comprising one or more LEDs

Номер патента: US09743467B2. Автор: Dmytro Viktorovych MALYNA,Patrick Alouisius Martina De Bruycker. Владелец: Philips Lighting Holding BV. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: US09728550B2. Автор: Mitsuhiro Omura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for driving a transistor device and electronic circuit

Номер патента: US09712147B2. Автор: Stephan Donath. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-18.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09685451B2. Автор: Nam-Jae Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Nonvolatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09653562B2. Автор: Jin-Ho Kim,Sung-Lae OH,Chang-Man SON,Go-Hyun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Driver device and driving method for driving a load, in particular an LED unit

Номер патента: US09596726B2. Автор: Carsten Deppe,Georg Sauerlander,Christian Hattrup. Владелец: Philips Lighting Holding BV. Дата публикации: 2017-03-14.

Nonvolatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US09543313B2. Автор: Young-Soo Ahn,Jeong-Seob OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Method for driving SERDES circuit

Номер патента: US09537496B2. Автор: Jong-Shin Shin,Seung-Hee Yang,Chang-Kyung SEONG,Hwang-Ho CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09502431B2. Автор: Kiwamu Sakuma,Daisuke Matsushita,Chika Tanaka,Masumi SAITOH,Kensuke Ota. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

NONVOLATILE MEMORY APPARATUS AND METHOD FOR PROCESSING CONFIGURATION INFORMATION THEREOF

Номер патента: US20120002486A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

NONVOLATILE MEMORY APPARATUS AND METHOD FOR PROCESSING CONFIGURATION INFORMATION THEREOF

Номер патента: US20120002487A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for controlling refresh of write access to nonvolatile semiconductor memory and semiconductor file storage device

Номер патента: JPH1139221A. Автор: Shigeru Endo,Yuji Miura,雄二三浦,滋遠藤. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1999-02-12.

Apparatus and method for error correction coding and data bus inversion of semiconductor memory

Номер патента: CN118939469A. Автор: 清水淳史,利穗吉郎,郭钟太,朴尚坚. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-11-12.

Method for producing a layered capacitor structure for a dynamic random access memory device

Номер патента: TW198126B. Автор: Wen-Dwo Su. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 1993-01-11.

Method for controlling and driving a technical process

Номер патента: AU2002241015A1. Автор: Gaëtan Monari. Владелец: USINOR SA. Дата публикации: 2002-09-19.

Methods for eliminating intermediate bussing and bridging requirements between a solid state memory device with PCI controller and a main system bus

Номер патента: US20120254525A1. Автор: Caulkins Jason. Владелец: . Дата публикации: 2012-10-04.

METHOD FOR DETECTING PERMANENT FAULTS OF AN ADDRESS DECODER OF AN ELECTRONIC MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130114360A1. Автор: CORBANI Stefano,ZAPPA Rita. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2013-05-09.

Method for Operating a High Density Multi-Level Cell Non-Volatile Flash Memory Device

Номер патента: US20130155768A1. Автор: Yan Feng,XU YUE,PU LING,JI XIAOLI. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-06-20.

Method for enhancing reliability of SONOS (Silicon Oxide Nitride Oxide Semiconductor) flash memory device by means of selective epitaxy

Номер патента: CN102117779A. Автор: 杨欣,孙勤. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-06.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPERATION METHODS FOR MEMORY CELL AND ARRAY FOR REDUCING PUNCH THROUGH LEAKAGE

Номер патента: US20120002484A1. Автор: Tsai Wen-Jer,HUANG JYUN-SIANG,OU TIEN-FAN,CHONG LIT-HO. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002469A1. Автор: IMAMOTO Akihiro,Abiko Naofumi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

TEST MODE CONTROL CIRCUIT IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND TEST MODE ENTERING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002494A1. Автор: Jo Jun-Ho,PARK Kyu-Min,KIM BYOUNGSUL,LEE Hakyong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001953A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Hirakata Yoshiharu. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR OPERATING RFID DEVICES ON SINGLE-USE CONNECTORS

Номер патента: US20120001731A1. Автор: . Владелец: GE HEALTHCARE BIOSCIENCE BIOPROCESS CORP.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Memory With Improved Block Switching

Номер патента: US20120002476A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Circuit and method for eliminating bit line leakage current in random access memory devices

Номер патента: US20120002496A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ILLUMINATION DEVICE AND METHOD FOR EMBEDDING DATA SYMBOLS IN A LUMINANCE OUTPUT

Номер патента: US20120002974A1. Автор: Wendt Matthias,Radermacher Harald Josef Günther,SCHENK Tim Corneel Wilhelmus,Kuppen Johan Wilhelmus Hermanus. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICE AND METHOD FOR DETECTING MOVEMENT OF OBJECT

Номер патента: US20120002842A1. Автор: MURASHITA Kimitaka,WATANABE Yuri,Fujimura Koichi. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR USING ACCELEROMETER OUTPUTS TO CONTROL AN OBJECT ROTATING ON A DISPLAY

Номер патента: US20120004035A1. Автор: RABIN Steven. Владелец: NINTENDO CO., LTD. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR CONTROLLING AN ENERGY STORAGE PACK

Номер патента: US20120001483A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001878A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICE AND METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001946A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002133A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,Hirakata Yoshiharu. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods for Enabling a Scalable Transformation of Diverse Data into Hypotheses, Models and Dynamic Simulations to Drive the Discovery of New Knowledge

Номер патента: US20120004893A1. Автор: Yu Bin,Wang Jijun,VAIDYANATHAN Akhileswar Ganesh,PRIOR Stephen D.. Владелец: QUANTUM LEAP RESEARCH, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

TEST SIGNAL GENERATING DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY APPARATUS USING THE SAME AND MULTI-BIT TEST METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002491A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Traversing In-Core Probe Drive Unit and Method for Monitoring Friction of Inside of Guide Tubes

Номер патента: US20120001012A1. Автор: KATO Hiromi,YASUTA Hidehiko. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002457A1. Автор: KANDA Kazushige. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CHARGE EQUILIBRIUM ACCELERATION IN A FLOATING GATE MEMORY DEVICE VIA A REVERSE FIELD PULSE

Номер патента: US20120002482A1. Автор: Kalavade Pranav,Franklin Nathan R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL IMAGE ACQUISITION APPARATUS HAVING ADAPTIVE OPTICS AND CONTROL METHOD FOR THE SAME

Номер патента: US20120002165A1. Автор: Saito Kenichi. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISH. Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002472A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for driving pile into soil

Номер патента: RU2555848C1. Автор: Борис Иванович Кулачкин,Виктор Николаевич Митюшов,Дмитрий Дмитриевич Шмидт,Александр Александрович Митькин,Вадим Валентинович Дмитерко. Владелец: Вадим Валентинович Дмитерко. Дата публикации: 2015-07-10.

ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, METHOD FOR PRODUCING ACTIVE MATRIX SUBSTRATE, LIQUID CRYSTAL PANEL, METHOD FOR PRODUCING LIQUID CRYSTAL PANEL, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, LIQUID CRYSTAL DISPLAY UNIT, AND TELEVISION RECEIVER

Номер патента: US20120001838A1. Автор: Tsubata Toshihide. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

Device and Method for Controlling Compressor of Vehicles

Номер патента: US20120000210A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PREPARING POLYMETHYLOLS

Номер патента: US20120004472A1. Автор: . Владелец: BASF-SE. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR DRIVING A NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты