可变电阻元件及其制造方法和非易失性半导体存储装置
Номер патента: CN101681913B
Опубликовано: 25-05-2011
Автор(ы): 大西茂夫, 岛久, 玉井幸夫, 石原数也, 秋永广幸, 粟屋信义, 细井康成, 高野史好
Принадлежит: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST, Sharp Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 25-05-2011
Автор(ы): 大西茂夫, 岛久, 玉井幸夫, 石原数也, 秋永广幸, 粟屋信义, 细井康成, 高野史好
Принадлежит: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST, Sharp Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Forming method for variable resistance nonvolatile memory element, and variable resistance nonvolatile memory device
Номер патента: US8395925B2. Автор: Shunsaku Muraoka,Kazuhiko Shimakawa,Ken Kawai,Ryotaro Azuma. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-03-12.