Semiconductor storage device and method for manufacturing the same
Номер патента: US20240371756A1
Опубликовано: 07-11-2024
Автор(ы): Katsuyuki KITAMOTO, Ken Komiya, Ryota Suzuki
Принадлежит: Kioxia Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 07-11-2024
Автор(ы): Katsuyuki KITAMOTO, Ken Komiya, Ryota Suzuki
Принадлежит: Kioxia Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Storage device, semiconductor structure and method for forming same
Номер патента: US12100654B2. Автор: Hsin-Pin Huang,Juanjuan HE. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.